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Este documento describe las curvas características de un diodo real, ideal y aproximado. Explica que la corriente de saturación inversa de un diodo de silicio aumenta aproximadamente el doble por cada incremento de 10°C en la temperatura. También indica que debido a la complejidad de la ecuación que describe la curva de un diodo real, a menudo se usa un modelo simplificado siempre que la resistencia del circuito sea mucho mayor que la resistencia promedio del diodo.
Este documento describe las curvas características de un diodo real, ideal y aproximado. Explica que la corriente de saturación inversa de un diodo de silicio aumenta aproximadamente el doble por cada incremento de 10°C en la temperatura. También indica que debido a la complejidad de la ecuación que describe la curva de un diodo real, a menudo se usa un modelo simplificado siempre que la resistencia del circuito sea mucho mayor que la resistencia promedio del diodo.
Este documento describe las curvas características de un diodo real, ideal y aproximado. Explica que la corriente de saturación inversa de un diodo de silicio aumenta aproximadamente el doble por cada incremento de 10°C en la temperatura. También indica que debido a la complejidad de la ecuación que describe la curva de un diodo real, a menudo se usa un modelo simplificado siempre que la resistencia del circuito sea mucho mayor que la resistencia promedio del diodo.
3 Curvas caractersticas (ideal, real y aproximadas) de un diodo. La curva de un diodo semiconductor (o diodo real) se puede definir por la siguiente ecuacin:
-------- K = 11,600/--------1 para Ge
TK = TC + 273 ----------------------------------------------- para Si
Para un diodo de silicio la corriente de saturacin inversa IS
aumentar cerca del doble en magnitud por cada 10 C de incremento en la temperatura.
Debido a la forma que tiene la curva caracterstica del diodo,
mostrada anteriormente, y la forma compleja de la ecuacin, con frecuencia se utiliza un modelo simplificado:
El modelo simplificado se puede utilizar siempre que la
resistencia de la red y / o de los dispositivos junto a los cuales se conectar el diodo sea mucho mayor que la resistencia promedio del diodo rd, la cual se podra calcular como rd, en promedio, la resistencia de un diodo de pequea seal es de 26. Red >> rd