INSTITUTO POLITCNICO NACIONAL

ESIME ZACATENCO
INGENIERA ELCTRICA
ELECTRNICA 1
NOMBRE DEL PROFESOR: CARRERA MILLAN JOSE LUCIANO
NOMBRE DE LOS INTEGRANTES DEL EQUIPO: AGUILAR LPEZ LUIS ANDRS
CANO GUTIRREZ JOB
GRUPO: 4EV4

TEMA DE EXPOSICIN: CIRCUITOS BIPOLARES

INTRODUCCION
BJT (BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR)
LOS TRANSISTORES DE UNIN BIPOLARES, SON DISPOSITIVOS DE ESTADO
SOLIDO
DE TRES TERMINALES, NCLEO DE CIRCUITOS DE CONMUTACIN Y
PROCESADO DE
SEAL.
EL TRANSISTOR SE HA CONVERTIDO EN EL DISPOSITIVO MS EMPLEADO EN
ELECTRNICA, A LA VEZ QUE SE HAN IDO INCREMENTANDO SUS CAPACIDADES
DE MANEJAR POTENCIAS Y FRECUENCIAS ELEVADAS, CON GRAN FIABILIDAD.
(NO
EXISTE DESGASTE POR PARTES MVILES).

CONSTITUCIN INTERNA DE UN BJT

EN NPN, LA REGIN DE EMISOR TIENE MAYOR DOPAJE QUE LA BASE. AL
POLARIZAR LA UNIN BASE-EMISOR EN DIRECTA, Y LA BASE-COLECTOR EN
INVERSA, LOS ELECTRONES LIBRES QUE PROCEDEN DEL EMISOR LLEGAN A
LA BASE, CON MUCHO MENOR NMERO DE HUECOS, POR LO QUE SON
ATRADOS POR EL COLECTOR (CON ALTA CONCENTRACIN DE IMPUREZAS).
EST FORMADO POR UNA CAPA FINA TIPO P ENTRE DOS CAPAS N,
CONTENIDAS EN UN MISMO CRISTAL SEMICONDUCTOR DE GERMANIO O
SILICIO, PRESENTANDO LAS TRES ZONAS MENCIONADAS (E, B, C).
EL EMISOR EMITE PORTADORES DE CARGA HACIA EL INTERIOR DE LA BASE.
EN LA BASE SE GOBIERNAN DICHOS PORTADORES.
EN EL COLECTOR SE RECOGEN LOS PORTADORES QUE NO PUEDE ACAPARAR
LA BASE.

 UNIN EMISOR: ES LA UNIN PN ENTRE LA BASE Y EL EMISOR.

UNIN COLECTOR: ES LA UNIN PN ENTRE LA BASE Y COLECTOR.
CADA UNA DE LAS ZONAS EST IMPURIFICADA EN MAYOR O MENOR GRADO.
LA BASE 100 VECES MENOS QUE EL COLECTOR O EMISOR.
LA BASE TIENE MENOR TAMAO, DESPUS EL EMISOR Y A 2 VECES DE
ESPESOR EL COLECTOR.

FUNCIONAMIENTO BASICO BJT NPN

EN EL MONTAJE EC DE LA FIGURA, SE POLARIZA DIRECTAMENTE LA UNIN
BASE-EMISOR; E INVERSAMENTE LA UNIN BASE-COLECTOR.
SE POLARIZA EL BJT SI VBE APROX. 0,6 VOLTIOS (POLARIZACIN DIRECTA), Y
VCE>VBE (UNIN BASE-COLECTOR EN INVERSA).
LA CORRIENTE DE EMISOR ES AQUELLA QUE PASA POR LA UNIN BASEEMISOR POLARIZADA EN DIRECTA Y DEPENDE DE VBE AL IGUAL QUE EN UN
DIODO PN.

REGIONES DE OPERACIN DEL BJT

SEGN EL MODELO EXPONENCIAL, EL DIODO PRESENTA DOS POSIBLES REGIONES DE
FUNCIONAMIENTO: LA REGIN DIRECTA Y LA REGIN INVERSA. SABEMOS QUE LOS DIODOS REALES
PRESENTAN UNA TERCERA REGIN, LA DE RUPTURA, PERO DE MOMENTO IGNORAREMOS DICHA
REGIN.
LOS TRANSISTORES BIPOLARES POSEEN DOS UNIONES PN CADA UNA DE LAS CUALES PUEDE
OPERAR EN DOS REGIONES, POR LO TANTO EXISTEN CUATRO REGIONES DE OPERACIN DE LOS
BJTS LLAMADAS ZONA ACTIVA DIRECTA, ZONA DE SATURACIN, ZONA DE CORTE Y ZONA ACTIVA
INVERSA. LAS CUATRO SE DEFINEN EN LA TABLA SIGUIENTE.
UNIN DE EMISOR EN UNIN DE COLECTOR EN EL BJT OPERA EN
DIRECTA
INVERSA
ZONA ACTIVA DIRECTA
DIRECTA
DIRECTA
REGIN DE SATURACIN
INVERSA
INVERSA
REGIN DE CORTE
INVERSA
DIRECTA
ZONA ACTIVA INVERSA

 ZONA DE SATURACIN:EL DIODO COLECTOR EST POLARIZADO DIRECTAMENTE Y ES

TRANSISTOR SE COMPORTA COMO UNA PEQUEA RESISTENCIA. EN ESTA ZONA UN
AUMENTO ADICIONAR DE LA CORRIENTE DE BASE NO PROVOCA UN AUMENTO DE LA
CORRIENTE DE COLECTOR, STA DEPENDE EXCLUSIVAMENTE DE LA TENSIN ENTRE
EMISOR Y COLECTOR. EL TRANSISTOR SE ASEMEJA EN SU CIRCUITO EMISOR-COLECTOR A
UN INTERRUPTOR CERRADO.
ZONA ACTIVA:EN ESTE INTERVALO EL TRANSISTOR SE COMPORTA COMO UNA FUENTE
DE CORRIENTE , DETERMINADA POR LA CORRIENTE DE BASE. A PEQUEOS AUMENTOS
DE LA CORRIENTE DE BASE CORRESPONDEN GRANDES AUMENTOS DE LA CORRIENTE DE
COLECTOR, DE FORMA CASI INDEPENDIENTE DE LA TENSIN ENTRE EMISOR Y
COLECTOR. PARA TRABAJAR EN ESTA ZONA EL DIODO B-E HA DE ESTAR POLARIZADO EN
DIRECTA, MIENTRAS QUE EL DIODO B-C, HA DE ESTAR POLARIZADO EN INVERSA.
ZONA DE CORTE:EL HECHO DE HACER NULA LA CORRIENTE DE BASE, ES EQUIVALENTE
A MANTENER EL CIRCUITO BASE EMISOR ABIERTO, EN ESTAS CIRCUNSTANCIAS LA
CORRIENTE DE COLECTOR ES PRCTICAMENTE NULA Y POR ELLO SE PUEDE CONSIDERAR
EL TRANSISTOR EN SU CIRCUITO C-E COMO UN INTERRUPTOR ABIERTO.