Simulacin de circuitos electrnicos con OrCAD 16.

2. Diseo y simulacin de la caracterstica directa del diodo

El circuito a estudiar es el siguiente:

Figura 1. Circuito electrnico simulado en el Tema 2

V1, representa una fuente de tensin contina que realizar un barrido continuo entre
0V y 10V.
Tomamos el modelo simplificado del diodo, entonces tenemos que:

E = VR + VD = I R + 0, I =

E E
=
R 1K

De esta ecuacin deducimos que la intensidad crecer linealmente con la tensin, con
un valor 100 veces menor (Figura 3).

Simulacin de circuitos electrnicos con OrCAD 16.6

Figura 2. Corriente a travs del diodo

Las caractersticas generales de un diodo semiconductor se pueden definir mediante la

ecuacin:

I D = I S ( ekVD / TK 1) = I S ekVD / TK I S
= corriente de saturacin inversa
= 11600/ con =1 para Ge y =2 para Si en niveles relativamente bajos de
corriente del diodo (en 0 o abajo del punto de inflexin de la curva) y =1 para Ge y Si
en mayores niveles de corriente (en la seccin de crecimiento rpido de la curva).
El trmino / crece con el crecimiento de , esto implica que a mayor
temperatura mayor ser la intensidad .
En la figura 4 la grfica naranja con una x es para una temperatura de 120, la grfica
verde con un cuadrado es para una temperatura de 0, podemos ver como para un
mismo valor de tensin de alimentacin, es mayor en la grfica naranja que en la
verde, ya que es una grfica representada a mayor temperatura.
Adems tambin observamos que a mayor temperatura, menor es la tensin de
alimentacin que necesitamos para que el diodo conduzca, esto es debido a que a
mayor a temperatura los portadores del semiconductor se encuentran ms agitados.

Simulacin de circuitos electrnicos con OrCAD 16.6

Figura 3. Corriente a travs del diodo a distintas temperaturas