Jonathan Melgarejo, ingeniera electrnica, universidad pedaggica y tecnolgica de

Colombia
Daniel Barbosa, ingeniera electrnica, universidad pedaggica y tecnolgica de
Colombia
Felipe Puerto, ingeniera electrnica, universidad pedaggica y tecnolgica de Colombia

Informe de Laboratorio No 5
Polarizacin Fija de Transistores en Emisor Comn
Jonathan Melgarejo, Daniel Barbosa, Felipe Puerto
Jonathanjml@hotmail.comDaribaso@hotmailo.com
AbstractEl transistor es el elemento ms importante de los
dispositivos semiconductores, pues es el ladrillo con el que se
construye el edificio de la tecnologa electrnica moderna. En
primer lugar, para que un transistor funcione tiene que estar
polarizado en cierta forma; en el caso que nos ocupa (transistor
NPN), esta polarizacin implica un voltaje positivo aplicado entre
colector y emisor y una alimentacin positiva de pequea
magnitud entre base y emisor.

I. INTRODUCCIN
En este informe se presentara la conexin en emisor comn
que se puede realizar con un transistor BJT de capas NPN, as
como los datos obtenidos y su correspondiente anlisis para
confirmar la teora de estos dispositivos con la prctica.
II. OBJETIVOS
1.
2.
3.

Realizar circuitos de polarizacin fija de transistores

en configuracin de emisor comn.
Visualizar la accin amplificadora del transistor
sobre una seal elctrica.
Corroborar toda la teora de estos dispositivos con la
prctica y verificar que en efecto si corresponde con
lo aprendido.
III. MATERIALES

1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.

8.

Osciloscopio
Generador de seales
Fuente de voltaje
Transistor NPN 2N3904
Protoboard
2 Condensadores de 10 uF
Resistencias de diferentes valores
Multmetro
IV. MARCO TERICO

A. Datasheet transistor BJT 2N3904

Por medio de la hoja de datos del fabricante tenemos que:

Ic=200 mA
Pt=625 mW
hfe=300 max

Ic=IB
Ib=

Ic 9.09 mA
=
=54.10 uA

168

Ie=( + 1 ) Ib=16954.10uA=9.1429mA
Ve=Ie=9.1429 mA100 =0.91429 V
Vb=Ve +Vb e=0.91429V + 0.7 V =1.61429 V
Vb=VccIbRb
Rb=

VccVb 22 V 1.61429 V
=
376815 377 K
Ib
54.10uA

Con el valor obtenido de Rb podemos proceder a realizar la

prctica para verificar todos los clculos del montaje de la
Fig.1.
B. Clculos
Para el circuito de polarizacin fija, realice los clculos
tericos para obtener un Vce = 12v y obtenga los valores de
Rb, Vc, Vb, ve, Ic e ib. realice la polarizacin del transistor
con el circuito indicado sin colocarle la seal del generador
con Vcc = 22v.

V. PROCEDIMIENTO
A. Implementamos el montaje y mediante un multmetro
realice las mediciones experimentales de VCE, VC, VB,
VE, IC. Los valores obtenidos fueron los siguientes:

Vce=12.01V
Vc=12.8V

Vb=1.61 V
Ve=0.91V

Ic=9.11 mA
Como podemos observar tanto los valores calculados como
los experimentales corresponden casi en un 100% de
exactitud, por lo que concluimos que la teora corresponde con
la prctica.
Fig.1 Polarizacin del transistor BJT
Por medio de un multimetro medimos la ganancia del
transistor para poder obtener los clculos correspondientes,
este valor fue de:

=168

168
=
=
=0.9940
( +1 ) 169

Ic=

( VccVce )
22 V 12 V
=
=9.09 mA
( Rc+ Re ) 1 K+ 99.41

B. Con VCE = 12V, colocamos una seal de entrada Vin

mediante el generador de seales con una amplitud de
25mVpp y una frecuencia de 5 kHz, incrementamos el
valor de Vpp de Vi para obtener una salida en RL simtrica
no distorsionada y obtuvimos los siguientes valores de
ganancia en Voltaje y Corriente.

Vin=220 mVpp
Vsal=1.87 Vpp

Ganancia=

Vsal 1.87 V
=
=8.5
Vin 0.22V

Como podemos observar el transistor nos entrego una

ganancia de 8.5 veces el voltaje de entrada a la salida.
A continuacin los resultados de la forma de onda obtenida en
el osciloscopio.

C. Reducimos el valor de RL a 5k y repetimos el

procedimiento anterior para el clculo de ganancia en
Voltaje y Corriente.

RL=5 K
Vin=220 mVpp
Vsal=1.74 Vpp
Ganancia=

Vsal 1.74 V
=
=8
Vin 0.22V

Ganancia=

Vsal 1.05 V
=
=4.7
Vin 0.22 V

Fig.2

Como podemos observar el transistor nos entrego una

ganancia de 8 veces el voltaje de entrada a la salida.
A continuacin los resultados de la forma de onda obtenida en
el osciloscopio.

Como podemos observar el transistor nos entrego una

ganancia de 4.7 veces el voltaje de entrada a la salida.
A continuacin los resultados de la forma de onda obtenida en
el osciloscopio.

Fig.4
VI. CONCLUSIONES
Como pudimos observar las formulas aprendidas en la
teora corresponden a la perfeccin con la practica
experimental. Tambin observamos la relacin que existe
entre la resistencia de carga y la ganancia que nos entregaba el
transistor en la parte de salida. Observamos tambin que la
frecuencia de salida no se alteraba en relacin con la
frecuencia del voltaje de entrada, pero se observo que el
transistor BJT 2N3904 desfasaba la seal de entrada en 180
grados en relacin con la fase de la seal de entrada.
Fig.3
D. Reducimos el valor de RL a 1k y repetimos el
procedimiento anterior para el clculo de ganancia en
Voltaje y corriente

RL=1 K
Vin=220 mVpp
Vsal=1.05 Vpp