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EFECTO PIEZORESISTIVO Y GALGAS EXTENSIOMTRICA

JOHN EDISSON ALFONSO CRUZ


20141573150

HENRY MONTAA QUITERO

UNIVERSIDAD DISTRITAL FRACISCO JOSE DE CALDAS


INTRODUCCION A LA ELECTRONICA
TECNOLOGIA EN ELECTRONICA
BOGOTA D.C
2015

EFECTO PIEZORESISTIVO
El efecto piezoresistivo describe el cambio en la resistividad elctrica de un
semiconductor cuando se aplica tensin mecnica. En contraste con el efecto
piezoelctrico, el efecto piezoresistivo slo causa un cambio en la resistencia
elctrica, no en el potencial elctrico.
Efecto Piezoresistivo se utiliza para hacer todo tipo de presiones, el estrs, la
tensin, la velocidad, sensores de aceleracin, la cantidad dinmica se convierte
en una seal elctrica. Por ejemplo: un sensor de la aceleracin piezo-resistivo
(similar a la disposicin del puente), en sus vigas de cavidad puente piezoresistivo
integrado de silicio, el puente se fija a un extremo de la base del sensor
piezorresistivo, y el otro extremo colgante colgando masa. Cuando el sensor se
monta en el objeto a lo largo del sensor de movimiento tiene el mismo DUT
aceleracin, segn la ley de Newton de la masa (segunda ley) para producir la
fuerza del haz de silicio para formar tensin, subrayado el papel del puente de
resistencia Los cambios causados por el valor de la resistencia. Entrada y salida
de los cables conductores del valor de salida del sensor se obtiene una tensin
correspondiente. El valor de salida de voltaje caracteriza a la aceleracin de un
objeto.

Ventaja
Tiene las siguientes ventajas:
alta sensibilidad y precisin;
facilidad de la miniaturizacin y la integracin;
estructura simple, operacin confiable, cientos de miles de veces en el
ensayo de fatiga, el rendimiento sigue siendo el mismo;
caractersticas dinmicas, su respuesta de frecuencia es de 103 ~ 105Hz.

Historia
El cambio de la resistencia elctrica en dispositivos metlicos debido a una carga
mecnica aplicada fue descubierto por primera vez en 1856 por Lord Kelvin. Con
el silicio de cristal nico convertirse en el material de eleccin para el diseo de
circuitos analgicos y digitales, el gran efecto piezoresistivo en el silicio y el
germanio fue descubierto por primera vez en 1954.

A continuacin hablaremos ms en detalle de la historia y comenzaremos dando


un ejemplo, hay un efecto de interaccin de fuerzas entre la hoja metlica y el
substrato, la hoja metlica se comporta como una galga extensomtrica, que es un
sensor basado en el efecto piezorresistivo, un esfuerzo que deforma a la galga
producir una variacin en su resistencia elctrica.
Este sensor, en su forma bsica fue usado por primera vez en 1936. El
descubrimiento del principio fue realizado en 1856 por Lord Kelvin, el cual cargo
alambres de cobre y de hierro, produciendo en los mismos una tensin mecnica y
registrando un incremento de la resistencia elctrica con la deformacin unitaria
por traccin (strain) del alambre, observo que el alambre de hierro tiene un
incremento de la resistencia mayor que el alambre de cobre, cuando son
sometidos a la misma deformacin unitaria.
De los experimentos realizados por Lord Kelvin en 1856 resulta que cuando se
somete un metal a una fuerza mecnica, se produce un cambio en su resistencia
elctrica. As, sometiendo al metal a una fuerza que lo estire se produce un
aumento de su resistencia, y si le aplicamos una compresin, su resistencia
elctrica disminuye. Este efecto, con el tiempo abri un nuevo campo de las
mediciones. Un aumento de la temperatura en un metal produce dos efectos, una
dilatacin y un aumento de su resistencia elctrica.
En 1959, William T. Bean, introduce una galga extensomtrica, o tambin llamada
en ingls strain gauge de tipo de hoja metlica,4 con una geometra Cox utilizada
para medir la deformacin unitaria, de materiales sometidos a fuerzas mecnicas,
varios puntos hay que resaltar de este desarrollo: 1) utiliza una hoja metlica con
geometra Cox, 2) utiliza metales como constantan o nicromo y 3) la utilizacin de
un mtodo fotogrfico y luego el uso de una erosin qumica para realizar el
modelo resistivo. Estudiando este desarrollo, se puede especular que los tcnicos
que utilizaban las galga extensomtrica, midiento las propiedades mecnicas de
los vidrios y cermicas, encontraron una variacin muy chica de la resistencia con
la temperatura, debido precisamente al efecto citado inicialmente.

MECANISMO
En los semiconductores, los cambios en la separacin entre atmica resultantes
de la cepa afecta a las bandas prohibidas, haciendo ms fcil para que los
electrones ser elevado a la banda de conduccin. Esto da como resultado un
cambio en la resistividad del semiconductor. Piezoresistivity se define por:
Dnde: = Cambio en la resistencia = Original resistividad e = Cepas

Piezoresistivity tiene un efecto mucho mayor sobre la resistencia que un simple


cambio en la geometra y por lo tanto un semiconductor se puede utilizar para
crear un medidor de deformacin mucho ms sensible, a pesar de que tambin
son generalmente ms sensibles a las condiciones ambientales.

Cambio de resistencia en los metales


El cambio de resistencia en los metales es slo debido al cambio de la geometra
resultante de la tensin mecnica aplicada: p.208 y se puede calcular utilizando la
ecuacin simple resistencia derivada de cambios en la geometra resultantes de la
tensin mecnica aplicada afectar a las resistencias de los metales, que puede ser
calculada mediante la ecuacin simple resistencia derivada de la ley de Ohm;
Dnde: Longitud de cable A rea de seccin transversal del flujo de corriente.

Efecto Piezoresistivo en semiconductores


El efecto piezoresistivo de materiales semiconductores puede ser varios rdenes
de magnitud mayor que el efecto geomtrico en metales y est presente en
materiales como el germanio, silicio policristalino, silicio amorfo, carburo de silicio
y silicio de cristal nico.

Efecto Piezoresistivo en silicio


La resistencia de los cambios de silicio no slo debido al cambio dependiente de la
tensin de la geometra, sino tambin debido a la tensin dependiente de la
resistividad del material. Esto da lugar a factores de calibre a rdenes de magnitud
mayores que los observados en los metales. La resistencia de n-la realizacin de
silicio cambia principalmente debido a un cambio de los tres pares de valle que
realizan diferentes. El desplazamiento provoca una redistribucin de los soportes
entre valles con diferentes movilidades. Esto se traduce en diferentes movilidades
que dependen de la direccin del flujo de corriente. Un efecto menor es debido a
la variacin de la masa efectiva relacionada con cambio de formas de los valles.
En la realizacin de p-silicio los fenmenos son ms complejos y tambin dar lugar
a cambios de masa y de transferencia de agujero.

Dispositivos de silicio Piezorresistiva


El efecto piezoresistivo de semiconductores se ha utilizado para dispositivos de
sensores que emplean todo tipo de materiales semiconductores, tales como el

germanio, silicio policristalino, silicio amorfo, y silicio de cristal nico. Puesto que el
silicio es hoy en da el material de eleccin para digital integrado circuitos
analgicos y el uso de los dispositivos de silicio piezoresistivos ha sido de gran
inters. Permite la fcil integracin de sensores de tensin con circuitos bipolar y
CMOS.
Esto ha permitido una amplia gama de productos que utilizan el efecto piezoresistivo. Muchos dispositivos comerciales tales como sensores de presin y
sensores de aceleracin emplean el efecto piezoresistivo en el silicio. Sin
embargo, debido a su magnitud el efecto piezo-resistivo en el silicio tambin ha
atrado la atencin de la investigacin y el desarrollo para todos los dems
dispositivos que utilizan silicio monocristalino. Sensores semiconductores Sala,
por ejemplo, eran capaces de lograr su precisin actual slo despus de los
mtodos que eliminan las contribuciones de la seal debidas al estrs mecnico
aplicado empleando.

Piezorresistores
Piezoresistores son resistencias hechas de un material piezoresistivo y se utilizan
normalmente para la medicin de la tensin mecnica. Son la forma ms sencilla
de dispositivos piezoresistivos.

Fabricacin
Piezoresistores se pueden fabricar usando amplia variedad de materiales
piezoresistivos. La forma ms simple de sensores de silicio piezoresistivos son
resistencias difusas. Piezoresistores consisten en una simple de dos contactos
difusa n-o p-pozos dentro de una o p-n-sustrato. Como las tpicas resistencias
cuadrados de estos dispositivos estn en el rango de varios cientos de ohmios, p
adicional o n son necesarias para facilitar los contactos hmicos para el
dispositivo, adems de difusiones.
Seccin transversal esquemtica de los elementos bsicos de un piezoresistor
silicio pozo n.

Otros dispositivos piezoresistivos


En el silicio el efecto piezo-resistivo se utiliza en piezorresistores, transductores
piezoelctricos FETS, acelermetros de estado slido y transistores bipolares.

Galga EXTENSIOMTRICA
Una galga extensiomtrica o extensmetro es un sensor, para medir la
deformacin, presin, carga, torque, posicin, entre otras cosas, que est basado
en el efecto piezorresistivo, el cual es la propiedad que tienen ciertos materiales
de cambiar el valor nominal de su resistencia
cuando se le somete a ciertos esfuerzos y se
deforman en direccin de los ejes mecnicos.
Un esfuerzo que deforma la galga producir
una variacin en su resistencia elctrica, esta
variacin puede ser por el cambio de longitud,
el cambio originado en la seccin o el cambio
generado en la resistividad. Inventado por los
ingenieros Edward E. Simmons y Arthur C.
Ruge en 1938. La galga extensiomtrica hace
una lectura directa de deformaciones
longitudinales en cierto punto del material que
se est analizando. La unidad que lo
representa es psilon, esta unidad es
adimensional y expresa el cambio de la
longitud sobre la longitud inicial.
Galga extensiomtrica de lmina (Imagen de la
izquierda). La galga es mucho ms sensible a
las deformaciones en la direccin vertical que
en la horizontal. Las marcas alrededor sirven
para alinear la galga durante la instalacin. El material de color azul es un
conductor, por lo que la corriente debe fluir a travs de los estrechos canales
verticales. Si el indicador se extiende verticalmente, los canales se hacen ms
largos y ms estrechos.

Principios de las galgas extensiomtricas


Galgas extensiomtricas para medicin en un eje Cuando se aplica una fuerza
externa a un objeto estacionario, se produce tensin y estrs sobre l. El estrs se
define como las fuerzas internas de resistencia del objeto, y la tensin se define
como el desplazamiento y la deformacin que se producen.
Las galgas extensiomtricas son una de las herramientas ms importantes en la
tcnica aplicada de medicin elctrica de magnitudes mecnicas. Como su
nombre indica, se utiliza para la medicin de tensiones. "Tensin" como trmino
tcnico consiste en la deformacin por traccin y compresin, que se distingue por

un signo positivo o negativo. Por lo tanto, las


galgas extensiomtricas se pueden utilizar para
medir la expansin y la contraccin.
La tensin de un cuerpo siempre es causada
por una influencia externa o un efecto interno.
La tensin puede ser causada por fuerzas,
presiones, momentos, calor, cambios
estructurales del material o efectos similares. Si
se cumplen determinadas condiciones, la cantidad o el valor de la cantidad se
puede calcular con el valor de tensin medido. En el anlisis experimental de la
tensin, esta caracterstica es usada ampliamente. El anlisis experimental de la
tensin utiliza los valores de tensin medidos en la superficie o en alguna parte
estructural del cuerpo, para indicar la tensin en el material y tambin para
predecir su seguridad y la resistencia. Se pueden disear transductores especiales
para la medicin de las fuerzas o de otras magnitudes derivadas, por ejemplo,
momentos, presiones, aceleraciones y desplazamientos, vibraciones y otros. El
transductor contiene generalmente un diafragma sensible a la presin, con galgas
extensiomtricas unidos a la misma.

Galgas extensiomtricas confinadas en papel


metlico (bonded foil)
Las primeras galgas extensiomtricas con cables metlicos fueron desarrolladas
en 1938. Las galgas extensiomtricas confinadas en papel metlico consiste en
una red de filamento de alambre (una resistencia) de espesor de
aproximadamente 0,025 mm, unido directamente a la superficie de la galga por
una fina capa de resina epoxy. Cuando se aplica una carga a la superficie, el
cambio resultante en la longitud de esta, se refleja en la resistencia. La
deformacin correspondiente se mide en trminos de la resistencia elctrica del
alambre de aluminio, que vara linealmente con la tensin. La lmina y el agente
de adhesivo deben trabajar juntos en la transmisin de la presin. El adhesivo
sirve, de igual modo, como un aislante elctrico entre la rejilla y la superficie de la
lmina. Cuando se selecciona una galga extensiomtrica, se debe considerar no
slo la capacidad de medir la presin que tiene el sensor, sino tambin su
estabilidad y sensibilidad a la temperatura. Desafortunadamente, los materiales
ideales para medir la presin, son tambin los ms sensibles a las variaciones de
temperatura y tienden a cambiar la resistencia a medida que envejecen. Para
pruebas de corta duracin, esto puede no ser una preocupacin seria, pero para la
medicin industrial continua, se debe considerar la compensacin de la
temperatura.

Bibliografa:

http://docsetools.com/articulos-utiles/article_123620.html
http://es.wikipedia.org/wiki/Resistor#Efecto_piezorresistivo
http://es.swewe.net/word_show.htm/?1379215_1&Efecto_Piezoresistivo
http://es.wikipedia.org/wiki/Galga_extensiom%C3%A9trica
http://es.omega.com/prodinfo/galgas-extensiometricas.html