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EFECTO PIEZORESISTIVO
El efecto piezoresistivo describe el cambio en la resistividad elctrica de un
semiconductor cuando se aplica tensin mecnica. En contraste con el efecto
piezoelctrico, el efecto piezoresistivo slo causa un cambio en la resistencia
elctrica, no en el potencial elctrico.
Efecto Piezoresistivo se utiliza para hacer todo tipo de presiones, el estrs, la
tensin, la velocidad, sensores de aceleracin, la cantidad dinmica se convierte
en una seal elctrica. Por ejemplo: un sensor de la aceleracin piezo-resistivo
(similar a la disposicin del puente), en sus vigas de cavidad puente piezoresistivo
integrado de silicio, el puente se fija a un extremo de la base del sensor
piezorresistivo, y el otro extremo colgante colgando masa. Cuando el sensor se
monta en el objeto a lo largo del sensor de movimiento tiene el mismo DUT
aceleracin, segn la ley de Newton de la masa (segunda ley) para producir la
fuerza del haz de silicio para formar tensin, subrayado el papel del puente de
resistencia Los cambios causados por el valor de la resistencia. Entrada y salida
de los cables conductores del valor de salida del sensor se obtiene una tensin
correspondiente. El valor de salida de voltaje caracteriza a la aceleracin de un
objeto.
Ventaja
Tiene las siguientes ventajas:
alta sensibilidad y precisin;
facilidad de la miniaturizacin y la integracin;
estructura simple, operacin confiable, cientos de miles de veces en el
ensayo de fatiga, el rendimiento sigue siendo el mismo;
caractersticas dinmicas, su respuesta de frecuencia es de 103 ~ 105Hz.
Historia
El cambio de la resistencia elctrica en dispositivos metlicos debido a una carga
mecnica aplicada fue descubierto por primera vez en 1856 por Lord Kelvin. Con
el silicio de cristal nico convertirse en el material de eleccin para el diseo de
circuitos analgicos y digitales, el gran efecto piezoresistivo en el silicio y el
germanio fue descubierto por primera vez en 1954.
MECANISMO
En los semiconductores, los cambios en la separacin entre atmica resultantes
de la cepa afecta a las bandas prohibidas, haciendo ms fcil para que los
electrones ser elevado a la banda de conduccin. Esto da como resultado un
cambio en la resistividad del semiconductor. Piezoresistivity se define por:
Dnde: = Cambio en la resistencia = Original resistividad e = Cepas
germanio, silicio policristalino, silicio amorfo, y silicio de cristal nico. Puesto que el
silicio es hoy en da el material de eleccin para digital integrado circuitos
analgicos y el uso de los dispositivos de silicio piezoresistivos ha sido de gran
inters. Permite la fcil integracin de sensores de tensin con circuitos bipolar y
CMOS.
Esto ha permitido una amplia gama de productos que utilizan el efecto piezoresistivo. Muchos dispositivos comerciales tales como sensores de presin y
sensores de aceleracin emplean el efecto piezoresistivo en el silicio. Sin
embargo, debido a su magnitud el efecto piezo-resistivo en el silicio tambin ha
atrado la atencin de la investigacin y el desarrollo para todos los dems
dispositivos que utilizan silicio monocristalino. Sensores semiconductores Sala,
por ejemplo, eran capaces de lograr su precisin actual slo despus de los
mtodos que eliminan las contribuciones de la seal debidas al estrs mecnico
aplicado empleando.
Piezorresistores
Piezoresistores son resistencias hechas de un material piezoresistivo y se utilizan
normalmente para la medicin de la tensin mecnica. Son la forma ms sencilla
de dispositivos piezoresistivos.
Fabricacin
Piezoresistores se pueden fabricar usando amplia variedad de materiales
piezoresistivos. La forma ms simple de sensores de silicio piezoresistivos son
resistencias difusas. Piezoresistores consisten en una simple de dos contactos
difusa n-o p-pozos dentro de una o p-n-sustrato. Como las tpicas resistencias
cuadrados de estos dispositivos estn en el rango de varios cientos de ohmios, p
adicional o n son necesarias para facilitar los contactos hmicos para el
dispositivo, adems de difusiones.
Seccin transversal esquemtica de los elementos bsicos de un piezoresistor
silicio pozo n.
Galga EXTENSIOMTRICA
Una galga extensiomtrica o extensmetro es un sensor, para medir la
deformacin, presin, carga, torque, posicin, entre otras cosas, que est basado
en el efecto piezorresistivo, el cual es la propiedad que tienen ciertos materiales
de cambiar el valor nominal de su resistencia
cuando se le somete a ciertos esfuerzos y se
deforman en direccin de los ejes mecnicos.
Un esfuerzo que deforma la galga producir
una variacin en su resistencia elctrica, esta
variacin puede ser por el cambio de longitud,
el cambio originado en la seccin o el cambio
generado en la resistividad. Inventado por los
ingenieros Edward E. Simmons y Arthur C.
Ruge en 1938. La galga extensiomtrica hace
una lectura directa de deformaciones
longitudinales en cierto punto del material que
se est analizando. La unidad que lo
representa es psilon, esta unidad es
adimensional y expresa el cambio de la
longitud sobre la longitud inicial.
Galga extensiomtrica de lmina (Imagen de la
izquierda). La galga es mucho ms sensible a
las deformaciones en la direccin vertical que
en la horizontal. Las marcas alrededor sirven
para alinear la galga durante la instalacin. El material de color azul es un
conductor, por lo que la corriente debe fluir a travs de los estrechos canales
verticales. Si el indicador se extiende verticalmente, los canales se hacen ms
largos y ms estrechos.
Bibliografa:
http://docsetools.com/articulos-utiles/article_123620.html
http://es.wikipedia.org/wiki/Resistor#Efecto_piezorresistivo
http://es.swewe.net/word_show.htm/?1379215_1&Efecto_Piezoresistivo
http://es.wikipedia.org/wiki/Galga_extensiom%C3%A9trica
http://es.omega.com/prodinfo/galgas-extensiometricas.html