2 SEMICONDUCTORES DE POTENCIA (I): diodos e interruptores controlables 24 Introduccion En las aplicaciones de electr6nica de potencia, los elementos semiconductores trabajan con niveles muy elevados de tensi6n y corriente. Asi, con objeto de reducir al maximo la potencia disipada en los semiconductors, éstos funcionan a modo de interruptores. En el andlisis de los convertidores conmutados de potencia se emplearén las caracteristicas ideales de los semiconductores. Esta simplificacién tiene como objeto eliminar la descripcién de detalles en el comportamiento del dispositivo semiconductor y centrar el interés en el estudio y comprensidn del circuito, Por ello, este capitulo y el siguiente estudian de forma detallada las caracteristicas més importantes de los dispositivos semiconductores de potencia, para dejar en los capitulos restantes protagonismo al estudio de los convertidores de potencia. Atendiendo al grado de controlabilidad, los dispositives semiconductores de potencia pueden dividirse en tres grupos: + Diodos o interruptores no controlables, cuyo encendido y apagado lo realiza el circuito de potencia, ya que no existe circuito de control. + Tiristores 0 interruptores semicontrolables, que son encendidos por una sefial de control y apagados por el circiuto de potencia. + Interruptores controlables, donde una seftal de control gobierna su encendido y apagado. Entre ellos se encuentran los BJT, MOSFETs y GTO.En este capitulo se analizarin los diodos de potencia, que son los semiconductores de potencia mis simples. Se estudiaran también los interruptores controlables. Los tiristores o interruptores semicontrables se abordardn en detalle en el capitulo siguiente. 2.2 Diodos Los fenémenos que rigen el funcionamiento de los diodos de potencia son los mismos ‘que gobiernan los de pequefia sefial. La diferencia fundamental entre ambos reside en que el drea de 1a pastilla del diodo de potencia, asi como las intensidades que maneja, son mucho mayores que en el diodo de pequefia seal El diodo es el dispositive semiconductor de potencia mis simple. Consiste en una unién PN. y se representa como muestra la figura 2.1 FiGURA 21 Simbolo del diodo. — ay Pt A LT K A FIN K a type ‘Las caracteristicas eléctricas deseables en los diodos de potencia son las siguientes: + Capacidad para soportar gran intensidad con pequefia caida de tensién en el estado de conduccidn o de polarizacién directa. + Capacidad para soportar elevada tensién con una pequefta intensidad de fugas en elestado de bloqueo 0 de polarizaci6n inversa. ‘Los semiconductores més empleados en la fabricacién de diodos son el germanio y el silicio. EI silicia es, actualmente, el de mayor aplicacién. Soporta grandes caidas de tensién en bloqueo, asi como temperaturas de trabajo muy elevadas (200°). El germanio presenta como principal ventaja una pequeia caida de tensién en conduccidn (0.5 V frente a 1 V en el silicio), pero por contra, su temperatura de trabajo es menor (120°) y oporta menos tensién en bloqueo o inversa 2.2 Técnicas de construcciéin y encapsulade de diados de potencia ‘Los avances en los dispositivos semiconductores han dado como resultado un alto grado de perfeccién en la construccién de los mismos. Entre las diversas téenicas de eonstruccién de diodes de potencia, las mis importantes son la de difusién y la de crecimiento epitaxial. La primera de ellas es la mas empleada, mientras que la segunda, sunque mis costosa, permite controlar con mayor exactitud el espesor y el grado de dopado.‘Técnica de construccién del diode de potencia: difusiém Para la fabricacién de diodos de potencia por la técnica de difusién, se parte de un cilindro monocristalino del elemento semiconductor (germanio 0 silicio) dopado con impurezas NV (boro, por ejemplo). Este cilindro, que debe tener uno 0 mas centimetros de didmetro y varios centimetros de largo, se coria en discos cuyo grosor es proporcional a la tensiGn inversa maxima que se desea alcanzar. El disco se introduce en un homo con atmésfera inerte, en Ia que previamente se ha inyectado particulas aceptadoras (particulas P). Estas se difunden por una de las caras del disco hasta alcanzar en él una determinada profundidad y concentracién. Por {iltimo, se realiza otro dopado P muy intenso por la misma cara que el anterior, con objeto de disminuir Ia resistencia eléetrica de Ia soldadura al terminal del énodo. La figura 2.2 muestra el proceso de difusi6n. figura 22 Dopado por difusién y concentracion de impurezas. on a @® LS) On, sh Iv ate ‘Técniea de construccién del diodo de potencin: crecimiento epitaxial Para la construccién de un diodo de potencia mediante la técnica de crecimiento epitaxial, se depositan sobre una limina de cristal de semiconductor puro dtomos procedentes de una fase gaseosa. Esta atmésfera gaseosa puede estar, a su vez, impurificada de particulas. Estas particulas sustituyen a Stomos de Ia red cristalina, concentrindose en el borde del substrato y creando imperfecciones cristalinas. Por ello, generalmente los bordes de las pastillas construidas bajo esta técnica se encuentran biscelados, con objeto de evitar zonas débiles para soportar la tensién inversa. Eneapsulode El encapsulado de un diodo de potencia debe resolver tres problemas: el aislamiento de la pastilla con respecto a la atmésfera para evitar su deterioro quimico, la conexién eléctrica al circuito y la extraccién del calor generado por las pérdidas eléctricas,Los dos tipos principales de encapsuladas son el de vasiago y el pass-preek. Elempleo de uno u otro depende de Ia intensidad nominal del diodo. En el primero de los encapsulados citados, la pastilla se encuentra soldada por su cara inferior a una base de cobre a través de un vastago roscado, que permite fijarla a un disipador metilico que asegura su refrigeraci6n y su conexién al c4todo. Por la cara superior, la pastilla se suelda a un terminal de cobre ms pequeo, que le permite su conexién al inodo. La pastilla se cierra herméticamente en atmésfera inerte mediante una cépsula, bien cerimica 0 bien metalica. Cuando los diodos son de intensidades superiores a 700 A, se suelen encapsular con placas planas de cobre a ambos lados de Ia pastilla. Estas placas se fijan a unos radiadores para mejorar la disipacién de calor. A este tipo de encapsulado se le denomina pass-preck. Una pastilla con este tipo de encapsulado por ambas caras es capaz de trabajar a un 35% por ciento més de intendidad que los de vistago, donde sélo se disipa el calor por el cétodo. 2.22 — Caracteristicas estiticas de los diodos de potencia Las caracteristicas estéticas hacen referencia al comportamiento del diodo cuando se encuentra en estado bien de bloqueo o bien de conduccién. Si se aplica una tensién inversa (vp<0) en los terminales de un diodo de forma que la capa anédica (capa P) sea mis negativa que Ia catédica (capa N), los portadores de cada capa son atraidos a los extremos de la pastilla. La zona de carga se va haciendo cada ‘vez mayor y se vacia de portadores. Aparece asi una diferencia de potencial de valor aproximado a la tensi6n inversa aplicada en los extremos del diodo de potencia, ademas de una pequefta corriente de fugas. Puede decirse, por tanto, que él diodo se encuentra en estado de bloqueo. Si la tensién inversa aumenta y alcanza un cierto valor denominado tensién de ruptura (v,), el diodo comienza a conducir en sentido inverso 0 de avalancha (figura 2.3), En el funcionamiento normal de un diodo, la tensidn inversa no debe alcanzarse. El disefo del circuito debe evitar que se Hegue a esta situacién. La corriente de fugas es independiente de la tensién extema aplicada, a menos que el diodo conduzca en avalancha, pero si depende de la temperatura de trabajo. Las péndidas de potencia en estado de bloqueo son muy pequefias, ya que dependen del producto de la tensién inversa soportada por la intensidad de fugas, la cual es muy pequefia. Normalmente se desprecian frente a las pérdidas en conducci6n. El circuito equivalente del diodo en estado de bloqueo se aproxima al de un circuito abierto, aunque serfa més correcto asimilarlo a una fuente de intensidad dependiente de Ja temperatura. Si se le aplica ahora a los terminales del diodo una tensién v,>v, el diodo comienza a conducir, y la caida de tensién es muy pequefta, del orden de 1 V para los diodos de silicio y de 0.5 V para los de germanio (figura 2.3).ica de un diodo: (a) real, (b) ideal. (a) o) Nétese que en estado de conduccién el diodo no limits la intensidad establecida en el circuito. Esta imtensidad depende de los elementos a los que se conecie el diodo, esto es, del cireuito del potencia. Cuanto mayor sea la temperatura de unién, la caida de tensi6n seri menor y, por tanto, la potencia disipada en la pastilla disminuye. Este hecho puede considerarse como una autodefensa del diodo contra el calentamiento. Sin embargo, el efecto resulta contrario para intensidades mucho més altas que la nominal, donde aumenta la potencia disipada. En conduccién, el circuito equivalente puede representarse de forma muy aproximada por una pila de tensi6n U, igual al potencial de unién del semiconductor en cuestidn, en serie con una pequefia resistencia r igual a la pendiente promedio de la curva vpeip (figura 2.4) FicuRA 24 Citcuito equivalente de un diodo real Las pérdidas que se originan en el diodo cuando se encuentra en estado de conducci6n directa vienen expresadas por:En un célculo aproximado, puede sustituirse 1a tensiGn éndo-cétodo por la de su circuito ‘equivalente, por lo que la expresi6n 2.1 queda como: We ffs ip) ip dt = Up In +¥ Ip ey donde J, representa el valor medio de ip, € Ip su valor eficax. Segin la ecuacién anterior, debido a su dependencia con la intensidad media, la potencia disipada esté en funeién de la forma de la onda. ‘Hasta ahora se ha analizado al diodo teniendo en cuenta sus caracteristicas reales. Sin embargo, y como se ha expuesto anteriormente, dada la escasa corriente de fugas que circula por el diodo cuando esti inversamente polarizado en comparacién con la ins > ino @ coe vee ) on (eo “ FIGURA 213 Configuraciones Darlington: (a) Darlington, (b) triple Darlington. te a) 25 Transistores de efecto de campo (MOSFETs) La figura 2.12-a muestra el simbolo que representa a un transistor MOSFET de canal r. Su curva caracteristica v-i real queda reflejada en la figura 2. 12-b.Estos transistores constan de tes terminales: drenador, puerta y firente. Como muestra Ja figura 2.12-b, si la tensién entre los terminales de puerta y fuente vg, es lo suficientemente grande, la intensidad a través del drenador es muy elevada y el dispositivo siempre se encontraré en funcionamiento. Si, por el contrario, la tensiGn vex resulta mas pequefla que un valor umbral Vaya, el tansistor MOSFET se encontrar apagado. Las caracteristicas ideales de este dispositive operando bajo las dos descritas, esto es, funcionando como un interruptor, se muestra en la figura ‘Los transistores MOSFETs requieren para su funcionamiento la aplicacién permanente de una tensién de magnitud apropiada entre sus terminales de puerta y fuente. Por el terminal de puerta no fluye corriente alguna, excepto durante las transiciones entre el encendido y apagado y viceversa, en la que la capacidad de puerta se carga y se descarga. Estos tiempos de conmutacién son muy cortas, comprendidos en el rango de unas pocas decenas de nanosegundes a unos pacos cientos de nanosegundos, dependiendo del dispositivo. FAGURA 244 Transistor MOSFET de canal n: (a) simbolo, (b) curva vi caracteristica, (c) curva ideal. @ cyLas pérdidas originadas en la conmutacién de estos dispositivos son muy pequefias, debido a la rapide con que éstas se producen (ecuacién 2.17), Sin embargo, no ocurre asi con las pérdidas en conduccién. Los transistores MOSFETs pueden emplearse con voltajes que exceden los 1000 V si la corriente que circula por ellos es pequefta, y con intensidades por encima de los 100 A si la tensi6n en también pequefia. El maximo voltaje entre la puerta y la fuente es de +£20V, aunque su control puede realizarse con tensiones Vox de 5 V. Los transistores MOSFETs permiten fécilmente su conexién en paralelo, ya que st resistenia en conduccién posee un coeficiente de temperatura positivo. Esto origina un calentamiento en el dispositive que conduce una corriente mds elevada, forzéndolo al reparto equitativa de su corriente con otro MOSFETs situado en paralelo. Los BITs y los MOSFETs poseen caracteristicas que se complementan entre sf en muchos aspectos. Asi, los BJTs poseen menores pérdidas en conduccién, pero poseen tiempos de conmutacién mayores, especialmente durante el apagado del dispositivo. Los MOSFETs, sin embargo, pueden encenderse y apagarse mas ripidamente, pero poseen mayores pérdidas en conduccién, Ademés, la capacidad para bloquear grandes tensiones y conducir grandes intensidades es mejor en los BITs que en los MOSFETs. 2.6 Contenidos principales 1. Los diodos de potencia juegan un papel muy importante en los circuitos de electronica de potencia. Actian como intermuptores, y son empleados en miiltiples aplicaciones: rectificadores, aislamientos, etc. 2. Los diodos de potencia pueden considerarse como ideales, aunque en la prictica existen ciertas limitaciones a esta suposiciGn, Aunque su estructura consiste, al igual que en los diodos ordinarios, en una unién PN, los diodos de potencia son capaces de conducir mayores intensidades y bloquear mayores tensiones que los de pequeia sefial. 3, Pueden distinguirse varios tipos de diodos, entre ellos los diodos Schottky, diodos de recuperaciGn ripida y diodos de frecuencia de linea. 4. Para el bloqueo de grandes tensiones inversas suelen emplearse varios diodos de potencia conectados en serie. Si, por el contrario, se desea la circulacién de intensidades muy elevadas, se emplea el montaje en paralelo de varios diodos de potencia. Para provocar un reparto equitativo de la tensién a bloquear por los diados ode Ia intensidad a conducir, se afaden otros elementos al circuito tales como resistencias. s. En este capitulo se han analizado las caracteristicas deseables para un interruptor controlable, esto es, para aquellos interruptores de potencia en los que el encendido y el apagado de los mismos se realiza mediante seiales de control. Tambien se han presentado las caracteristicas principales de dos de ellos, en concreto de los BITS y de los MOSFET, dejando el andlisis de los GTOs para un capitulo posterior. & En aplicaciones en las que prime Ia velocidad en Ia conmutacién del interruptorcontrolable, se emplean los transistores MOSFETs. Sin embargo, las pérdidas en conduccién que originan son mucho mayores que las que se producen en los transistores bipolares o BJTs y su capacidad para bloquear grandes tensiones y conducir grandes intensidades son tambign menores.