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-. ZENER . -
(V-I)
slido; Figura 1.
El mismo diodo polarizado en forma inversa presenta una muy alta resistencia
interna hasta una tensin inversa crtica,
juntura.
En dicho punto la resistencia interna cae a un valor pequeo; la corriente a
travs del diodo se incrementa quedando solamente limitada por la resistencia
externa del circuito, mientras que la tensin entre sus electrodos permanece
sensiblemente constante.
Estos dispositivos se disean con capacidad para disipar una potencia
suficiente que les permita trabajar, en la zona de ruptura, sin deteriorarse. El proceso
de ruptura en los zener no es irreversible pues, cuando la tensin aplicada es menor
que
Vz,
corrientes inversas.
En el caso de aplicacin de los diodos zener estos operan en la regin de
ruptura y no se usan en la regin de polarizacin directa.
Antes de entrar en el anlisis de las aplicaciones de los diodos zener vamos a
estudiar como se produce la ruptura de la juntura de dichos diodos.
Este fenmeno no ocurre por un slo mecanismo sino que, en realidad existen
dos tipos de ruptura que dependern de la concentracin de impurezas que exista
en cada lado de la juntura y por lo tanto, del ancho de la misma (zona de
agotamiento o de carga espacial).
Los mecanismos que pueden producir la ruptura de una juntura son:
d y el campo
Si ahora se aplica una tensin externa inversa entre sus electrodos se forma un
campo externo
Si crece
V0,
4
La tensin externa necesaria para producir este fenmeno es generalmente
menor de los 6V y, en este caso, decimos que el diodo rompe por efecto zener.
Los portadores libres existentes en la zona de juntura no alcanzan a adquirir
suficiente energa para producir nuevos portadores por colisin o choque, o si los
producen, no son un nmero importante para modificar el mecanismo de ruptura.
La falta de energa cintica que necesitaran poseer los portadores libres para
producir, por choque, pares electrn-laguna que incrementan la corriente de juntura
no se alcanza pues, si bien el campo total es intenso, el camino medio libre que
recorren los electrones libres, entre choques, no es suficiente para que adquieran la
energa cintica de ionizacin.
i es
chico; figura 3.
Cmo se produce entonces la avalancha?
Dentro de la zona de carga espacial siempre existen portadores libres debido a
la generacin trmica.
5
Si comenzamos a aumentar el valor de la tensin inversa
se origina un campo
Vi ya sabemos que
pequeo).
Mientras el valor de
Vi
espacial; los portadores libres (al tener mayor camino medio libre) aumentarn su
energa cintica y los choques tendrn la probabilidad de arrancar electrones ligados
a los tomos de la red cristalina; se producirn mayor cantidad de pares electrnlaguna lo que llevar a un aumento de la corriente de juntura (recordar que, en una
juntura polarizada en forma inversa, la corriente de juntura est formada por
portadores minoritarios).
Un mayor nmero de portadores libres aumenta la probabilidad de choques y,
si el campo externo sigue creciendo, mayor ser la energa cintica adquirida por los
portadores libres lo que lleva a un nuevo aumento de la corriente en el diodo al
producirse mayor cantidad de pares electrn-hueco por esos choques.
El proceso es acumulativo y se denomina multiplicacin por avalancha Si se
sigue aumentando la tensin inversa externa se llega a un valor crtico donde la
corriente en el diodo crece en forma brusca; se ha llegado a la ruptura de la juntura.
El valor de la corriente en el diodo solo puede ser limitado por el circuito
externo y la tensin entre nodo y ctodo permanece casi constante (Vz).
Una vez alcanzado el valor de la tensin de ruptura, si la tensin externa
sigue creciendo, la tensin
Vi
Vz
6
Debemos tener presente que ambos mecanismos estudiados estn presentes
en el proceso de la ruptura de la juntura predominando el efecto zener para
tensiones menores de 6V. y el efecto avalancha para tensiones mayores de
Entre estas tensiones existe un rango de valores
8V.
los dos mecanismos existen simultneamente predominando uno u otro, segn sea
la distribucin exacta de impurezas en las junturas.
An sabiendo que existen ambos mecanismos, el trmino diodo zener se
utiliza para denominar tanto a los diodos de avalancha, como a los de efecto zener.
En la actualidad, se pueden encontrar en el mercado, diodos zener de silicio
con tensiones de zener desde
2,4V.
200V.
2. - RESISTENCIA DINMICA.
Vz
Iz
en la corriente de funcionamiento
del diodo.
A la relacin:
rd Vz
Iz
(3)
a.
7
En efecto, a la derecha del codo para un dado Vz la variacin de la corriente
del diodo es pequesima debido a lo cual la resistencia dinmica que presenta el
diodo es muy alta.
Los fabricantes suelen fijar el valor mnimo de corriente de zener
Izk
por
Mz = 0
Vz
V I
, en la tensin de
ruptura.
Las caractersticas de los diodos zener estarn dadas por los fabricantes en las
llamadas hojas caractersticas.
Segn el fabricante las hojas caractersticas pueden traer un mayor o menor
nmero de valores de parmetros.
Como las corrientes y las potencias que deben manejar los diodos zener son
ms o menos elevadas, se emplea el silicio en su fabricacin.
Figura 4.
La figura 4 nos servir para ir definiendo los principales datos que se suelen
conocer de los diodos zener:
vzt:
Vz.
IzT
se mide el
vzt.
T0 = 25 C
d.- Tolerancia:
Es un valor que depende del cuidado que se tenga en el proceso de fabricacin.
Al referirnos a la tolerancia estamos indicando la posibilidad de error que pueda
existir en el valor de la tensin nominal de un diodo zener.
As, un diodo de
VzT = 10V+5%
vzt.fig 5.
Este valor no siempre est dado por los fabricantes ya que queda determinado
por el valor de la potencia mxima disipada y por el valor de
(5)
(6)
10
entrada
Vi
VL
= VL permanece constante.
Estudiaremos los dos casos por separado aunque en la prctica, se pueden
suceder los mismos en forma simultnea.
Vi
11
Figura 7.
Iz.
RS
Vi Vi.
funcionamiento pasa a Vz
Iz.
12
Observamos que la cada de tensin
Vz Vz,
Iz Iz.
Vi
Iz mx
Iz mx. Si la corriente
no tardar en destruirse.
En forma anloga al razonamiento hecho, suponiendo que
Vi
aumenta lo
Iz = Iz mn.
Vz
casi
igual a Vz.
Concluimos que, mientras la tensin de entrada vare entre los valores
Vi, la
Vz
RL,
Vi
se mantendr con
es sensiblemente constante.
Vi = IS RS + Vz
donde
o sea
IS IL + Iz
Vi = (IL + Iz) RS + Vz
(7)
(8)
(9)
13
En la (9) tendremos que:
Vi
Vz
IL
RS
Vi
Iz
debe
Vi
Iz
disminuya.
Reiteramos que la
Iz mnimo e Iz
Vz
mximo.
Iz
VS = (IL + Iz) RS = IS RS
Vi
permanece constante;
Vz
IL
RL
circunstancia.
Haciendo uso de la (9) y de las condiciones anteriores se encuentra el valor
(IL + Iz) RS
(10)
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Siempre debe ser el mismo.
Por lo tanto, si suponemos que IL aumenta en la carga,
Iz
debe disminuir en
Iz
IL,
RS
es
constante y por lo tanto la corriente IS, no puede cambiar mientras el diodo trabaje
dentro de la zona de regulacin.
La corriente adicional slo puede ser debida a un cambio de la corriente del
Zener. As, si IL aumenta, la corriente del Zener debe disminuir y viceversa.
Para una mejor interpretacin de este caso ver el problema
II.
RL y Vi;
con los argumentos anteriormente expuestos no resulta difcil concluir que las dos
combinaciones correspondern a:
a) La presencia de un
mximo y una
Vi
Iz aumentar y
Iz
Iz
disminuir,
del circuito permitir mantener el funcionamiento del diodo dentro de sus lmites.
PROBLEMAS:
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I.-
Se desea mantener constante una tensin de 7,2 volts sobre una carga por
La tensin de entrada
Vi
Iz mnima de 4 mA.
mnimo y
Vi
puede regular;
+I = Iz + IL
(1)
(2)
Iz igual a Iz medio;
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Izm = Iz mx + Iz mn
2
El valor de
Iz
(3)
Pz mx = Vz. Iz mx
Iz mx = Pz mx = 0,4 W 56 x 10-3A 56mA
Vz
7,2 V
(4)
(5)
(6)
Vi = (Izm + IL) RS + Vz
RS = Vi Vz = (12 7,2) V 89
Izm + IL
(30 + 24).10-3 A
Como este valor de
que s se consigue.
Entonces el valor de la tensin de entrada mxima ser:
17
Vi
vare entre
9,75
volts y
14,48 volts.
II.-
50
90 volts y se usa un Zener cuya potencia mxima que puede disipar es de 10 watts
y tiene una Iz mnima de 10
mA.
RS
circuito.
Usaremos el mismo circuito del problema anterior:
Datos conocidos:
Datos a calcular:
Vi = 90 V y constante
RS =
VO = 50 V
I=
IL mn = 0
Pz mx = 10 W
Iz mn = 10 mA
Vi = (Iz + IL) RS + Vz
(1)
de regulacin del
18
(2)
(3)
(4)
I = Iz mx + IL mn
(5)
Donde
Pz mx = Vz. Iz mx
Iz mx = Pmx = 10 W = 0,2 A
Vz 50 V
(6)
(7)
Entonces:
I = (200 + 0) mA
(8)
19
I = Iz mn + IL mx
IL mx = I Iz mn
Reemplazando valores:
Ahora conocemos que nuestro circuito podr regular una tensin constante sobre una carga
variable siempre que, la corriente en la carga, vara entre
Ahora resulta sencillo calcular RS. Usando la ecuacin (4) y recordando la (2) y la (8) resulta:
-------0-------