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Transistor Bipolaire : Modèle Grand Signal

Constitution du NPN :

C N P N E

~ 2 jonctions PN a c B P N
Vd
Id = Is.{exp (Vd / Ut) – 1}

Vbc C Ic Modèle statique d’Ebers et Moll :


Ib
Ie = Ies.{exp(Vbe/Ut) – 1} - i.Ics.{exp(Vbc/Ut) – 1}
B
Ic = n.Ies.{exp(Vbe/Ut) – 1} - Ics.{exp(Vbc/Ut) – 1}
Ie n . Ies = i . Ics
Vbe
E Ie = Ib + Ic
Transistor Bipolaire : Modèle Grand Signal
VA
Approximation au premier ordre : EffetPolarisatio
EARLYn : RCE 
Ic  Ics . exp(Vbe / Ut) IC
Ib  Ic / ß    V 
Ie = Ic + Ib = (ß+1).Ib IC  I S exp  VBE   1  CE 
 UT   VA 
IB
Claquage direct
IC

VBE VCE

claquage
Claquage inverse

Caractéristique d’entrée Caractéristique de sortie