ESCUELA SUPERIOR POLITCNICA DE CHIMBORAZO

FACULTAD: INFORMTICA Y ELECTRNICA

ESCUELA INGENIERA ELECTRNICA EN CONTROL Y REDES INDUSTRIALES
CARRERA: INGENIERA EN ELECTRNICA, CONTROL Y REDES INDUSTRIALES

LABORATORIO DE ELECTRNICA II

PRCTICA No. 1
DISPOSITIVOS DE CUATRO CAPAS

1. DATOS GENERALES:
INTEGRANTES:

CODIGOS:

Eduardo Morales
Oscar Segura

19
27

FECHA DE REALIZACIN:

FECHA DE ENTREGA:

15/10/15

20/10/15

2. OBJETIVOS:
2.1.

GENERAL

2.2.

Conocer la manera en que funcionan los dispositivos de cuatro capas as incrementar

nuestros conocimientos prcticos en Electrnica.
ESPECFCOS

Verificar la seal de salida en la configuracin con el SCR, TRIAC, UJT.

Diferenciar y analizar los tipos de configuraciones que disparan a los diodos.

3. METODOLOGA
La metodologa empleada para la realizacin de esta prctica se basa en conocimientos adquiridos
en la catedra de Electrnica II. Para implementar los dispositivos SCR, TRIAC y UJT, existen
diversas maneras de configuraciones para su correcto funcionamiento.
Se revisara, las caractersticas de cada componente a utilizar, investigando el uso adecuado de estos
dispositivos. Realizaremos las pruebas en el osciloscopio con el fin de ver y analizar la forma de
onda de cada una de las configuraciones.
4. EQUIPOS Y MATERIALES:
Dispositivos semiconductores

1 diodo rectificador
1 SCR BT151
1 UJT 2N2646

1 TRIAC BT136
Capacitores

0.22 uF
0.01 uF
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Resistencias
Fuentes

1 transformador de 110 :12 Vrms

2.2 k
100
10k
470

5. MARCO TEORICO:
Rectificador controlado de silicio SCR (silicon controlled rectifier)
Es un dispositivo semiconductor biestable formado por tres uniones pn con la disposicin pnpn
Est formado por tres terminales, llamados nodo, Ctodo y Puerta. La conduccin entre nodo y
ctodo es controlada por el terminal de puerta. Es un elemento unidireccional (sentido de la
corriente es nico), conmutador casi ideal, rectificador y amplificador a la vez.
Funcionamiento bsico del SCR
Al aplicarse una corriente IG al terminal G (base de Q2 y colector de Q1), se producen dos
corrientes: IC2 = IB1.
IB1 es la corriente base del transistor Q1 y causa que exista una corriente de colector de Q1 (IC1)
que a su vez alimenta la base del transistor Q2 (IB2), este a su vez causa ms corriente en IC2, que
es lo mismos que IB1 en la base de Q1.

Los parmetros del SCR son:

-

VRDM: Mximo voltaje inverso de cebado (VG = 0)

VFOM: Mximo voltaje directo sin cebado (VG = 0)
IF: Mxima corriente directa permitida.
PG: Mxima disipacin de potencia entre compuerta y ctodo.
VGT-IGT: Mximo voltaje o corriente requerida en la compuerta (G) para el
cebado
IH: Mnima corriente de nodo requerida para mantener cebado el SCR
dv/dt: Mxima variacin de voltaje sin producir cebado.
di/dt: Mxima variacin de corriente aceptada antes de destruir el SCR.

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Transistor UJT
El transistor UJT (transistor de unijuntura - Unijunction transistor) es un dispositivo con un
funcionamiento diferente al de otros transistores. Es un dispositivo de disparo. Es un dispositivo
que consiste de una sola unin PN
Muy importante: No es un FET
Fsicamente el transistor UJT consiste de una barra de material tipo N con conexiones elctricas a
sus dos extremos (B1 y B2) y de una conexin hecha con un conductor de aluminio (E) en alguna
parte a lo largo de la barra de material N. En el lugar de unin el aluminio crea una regin tipo P
en la barra, formando as una unin PN. Ver los siguientes grficos
Como se dijo antes este es un dispositivo de disparo. El disparo ocurre entre el Emisor y la Base1
y el voltaje al que ocurre este disparo est dado por la frmula: Voltaje de disparo = Vp = 0.7 + n
x VB2B1

Circuito equivalente

Caractersticas

Curva caracterstica

Fijndose en la curva caracterstica del UJT se puede notar que cuando el voltaje V EB sobrepasa
un valor Vp de ruptura, el UJT presenta un fenmeno de modulacin de resistencia que, al aumentar
la corriente que pasa por el dispositivo, la resistencia de esta baja y por ello, tambin baja el voltaje
en el dispositivo, esta regin se llama regin de resistencia negativa. Este es un proceso con
realimentacin positiva, por lo que esta regin no es estable, lo que lo hace excelente para conmutar,
para circuitos de disparo de tiristores y en osciladores de relajacin.
TRIAC
Un TRIAC o Triodo para Corriente Alterna es un dispositivo semiconductor, de la familia de los
tiristores. La diferencia con un tiristor convencional es que ste es unidireccional y el TRIAC es
bidireccional. De forma coloquial podra decirse que el TRIAC es un interruptor capaz de conmutar
la corriente alterna.
Su estructura interna se asemeja en cierto modo a la disposicin que formaran dos SCR en
direcciones opuestas.
Posee tres electrodos: A1, A2 (en este caso pierden la denominacin de nodo y ctodo) y puerta.
El disparo del TRIAC se realiza aplicando una corriente al electrodo puerta.
3

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Equivalente TRIAC

Aplicaciones ms comunes
Su versatilidad lo hace ideal para el control de corriente alterna (C.A.).
Una de ellas es su utilizacin como interruptor esttico ofreciendo muchas ventajas sobre los
interruptores mecnicos convencionales y los rels.
Funciona como interruptor electrnico y tambin a pila.
Se utilizan TRIACs de baja potencia en muchas aplicaciones como atenuadores de luz, controles
de velocidad para motores elctricos, y en los sistemas de control computarizado de muchos
elementos caseros. No obstante, cuando se utiliza con cargas inductivas como motores elctricos,
se deben tomar las precauciones necesarias para asegurarse que el TRIAC se apague correctamente
al final de cada semiciclo de la onda de Corriente alterna.

6. PROCEDIMIENTO:

Armamos los circuitos en la placa de pruebas (protoboard) segn las especiaciones dadas, con
los materiales adecuados y conocimientos necesarios para su correcto armado.
Tomamos las mediciones necesarias con el multmetro asegurndonos que todo este
correctamente conectado, as tambin verificaremos si todos los equipos tienen un correcto
funcionamiento evitando fallos en las mediciones.
Colocamos las puntas del osciloscopio como muestran las figuras (1, 2, 3) para obtener la seal
de salida deseada.
En la salida de cada una de las configuraciones se puede observar como la seal de entrada es
modificada. Figuras (4, 5, 6).

7. CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES:

Los elementos semiconductores tienen una gran versatilidad al ser aplicados en sistemas de control
de potencia tanto en corriente directa como en corriente alterna la combinacin de los distintos
elementos da como resultado una solucin a una necesidad actual.
La forma de onda que entrega el UJT por la BASE 1, es un impulso que se lo puede controlar a
travs de los valores de los elementos del circuito, este en la BASE 2 es un impulso negativo con
mayor amplitud, esto se puede utilizar para activar elementos secundarios como SCR.
El UJT es un transistor mono unin que se compone de simplemente una combinacin de sustrato
P y N, tiene caractersticas de diodo, su resistencia entre Base 1 y base 2 cuando el diodo interno
se encuentra en polarizacin inversa es la suma de las dos resistencias internas.
Para disparar un tiristor (o triac), una corriente de compuerta >= IGT debe aplicarse hasta que la
corriente de carga sea >= IL.
Tener cuidado con la polaridad de los dispositivos, ya que al ser mal conectados no realiza la
funcin deseada, ocasionando su destruccin.

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Tener cuidado al trabajar en el UJT directamente alimentndolo con una fuente, este al no poder
conectarse a un disipador de potencia externa no soporta mucha corriente antes de que este deje de
funcionar.

8. BIBLIOGRAFA:
[1]. BOYLESTAD, R. (2009) ELECTRONICA: TEORA DE CIRCUITOS Y DISPOSITIVOS
ELECTRNICOS, Prentice Hall, Dcima Edicin
[2]. TRIAC, (sf). https://es.wikipedia.org/wiki/Triac
[3]. Transistor uniunin, (sf). Extrado de
https://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_uniuni%C3%B3n

ANEXOS

SIMULACIONES:
Figura. 2 Configuracin con UJT

Figura. 1 Configuracin con SCR

Figura. 3 Configuracin con TRIAC

RESULTADO EN EL OSCILOSCOPIO

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Figura. 5 Seal de UJT

Figura. 4 Seal de SCR

Figura. 6 Seal de TRIAC

CIRCUITOS

Figura. 7 Circuito UJT

Figura. 8 Circuito SCR

Figura. 7 Circuito TRIAC

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