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Electronique Fondamentale

Chapitre I

MINISTERE DE LENSEIGNEMENT SUPERIEUR ET DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE


UNIVERSITE DE BOUIRA
FACULTE DES SCIENCES ET DES SCIENCES APPLIQUEES
DEPARTEMENT DE GENIE ELECTRIQUE

Cours Electronique Fondamentale


Enseignant responsable : Dr. BENSAID
Remarque : Ce cours a t dispens de 2009 2012 luniversit de Msila pour les
tudiants de deuxime anne licence, Filire: Gnie Electrique.
Sommaire du cours
Chapitre I Notions de bases sur les circuits lectriques.
Chapitre II Introduction la thorie des semi-conducteurs
Chapitre III Diodes et circuits diodes
Chapitre IV Transistors bipolaires et circuits transistors
Chapitre V Amplificateur base de transistor
Chapitre VI Transistors effet champ
Chapitre VII Amplificateurs oprationnels

Bibliographies
1. Thomas L. Floyd "Fondements d'lectronique : Circuits, composants et applications
2. Albert Paul MALVINO "Principes dlectronique, cours et exercices corrigs BTS, IUT, premier et
deuxime cycle, coles d'ingnieurs ingnieurs", dition DUNOD
3. Yves Granjon, "Travaux dirigs d'lectronique BTS, IUT 1er cycle Licence, Rappels de cours, questions de
rflexion", dition DUNOD.
4. Francis Milsan "Problmes dlectronique", dition Eyrolles
5. Francis Milsan "Cours dlectronique", dition Eyrolles
6. Milton Kaufman; J. A Wilson, Auteur; Traduit par Romain Jacoud, Auteur, "Electronique: rappels thoriques
et applications Tome1: les composants, cours et problmes", Srie Schaum, dition MacGraw-Hill
7. Edwin Carl Lowenberg, " Circuits lectroniques: Cours et problmes", Srie Schaum, dition MacGraw-Hill

Dr. BENSAID

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Chapitre I

I. NOTIONS DE BASES SUR LES CIRCUITS ELECTRIQUES :


I.1. Lois de llectrocintique
I.1.1. Courant lectrique et tension
a. Notion de courant
Un conducteur est un matriau contenant des charges libres capables de se dplacer. Dans les lectrolytes les
charges mobiles sont des ions. Dans les autres conducteurs, les charges sont des lectrons. Un courant
lectrique existe quand une charge q est transfre d'un point un autre du conducteur. L'intensit du
courant, l'instant t, est reprsente par le dbit des charges.
I ( Ampre) =

dQ(Coulomb)
dt (sec onde)

Pour des raisons historiques, le sens conventionnel d'un courant positif est celui du dplacement de charges
positives. Il est donc oppos la direction de dplacements des lectrons.
Remarque : on mesure lintensit avec un ampremtre branch en srie.
b. Vecteur densit de courant
Le courant peut s'exprimer en fonction de la vitesse des charges mobiles. On considre un conducteur de
r
section dS. Soit n le nombre de charges mobiles par unit de volume et v leur vitesse. Pendant la dure dt, la
charge dQ qui traverse la section dS est gale :
uur
uur
r
r
dQ = n e v dt dS = v dt dS

On dfinit le vecteur densit de courant par :

r
r
j = v

L'intensit du courant travers un conducteur de section totale S s'crit donc :


I=

r uur
dQ
= ( S ) j dS
dt

Fig. I.1

c. Loi d'Ohm
Dans un conducteur, on constate que la densit de courant est relie au champ lectrique par la relation :
r
r
j = E

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La constante , fonction de la nature du matriau, est la conductivit. On utilise plutt pour caractriser le
1
E
matriau sa rsistivit = =
I S
Pour un conducteur de longueur L, de section constante S, on dfinit la rsistance R par :
R=

L
S

Si VA et VB dsignent les potentiels de deux points A et B distant de L dans le conducteur, la norme du champ
lectrique est gale E=( VA - VB) / L
E=

= j =

I VA VB
=
S
L

On peut crire cette relation sous la forme plus habituelle suivante (loi d'Ohm) :
VA - VB = R I

Les tensions s'expriment en volts (V), les intensits en ampres (A) et les rsistances en ohms ().
La loi d'Ohm traduit la dpendance de l'effet (le courant ou dplacement des charges) la cause (le champ
r
lectrique E auquel correspond une diffrence de potentiel ou tension) en fonction du matriau caractris par
sa rsistance.

Attetion : Aucun composant ne respecte rigoureusement la loi dOhm! Par contre, il existe gnralement un
domaine de fonctionnement linaire dans lequel le comportement du composant en question suit la loi
dOhm.
Remarque : En utilisant la notation complexe, on peut gnraliser la description linaire dun composant au
rgime dynamique , cest--dire lorsque la tension applique suit une variation sinusodale. Dans ce cas
prcis, le facteur de proportionnalit, nomm impdance , est une fonction de la frquence. Les
condensateurs et les inductances suivent la loi dOhm avec les impdances caractristiques donnes ci-dessus.
d. Vitesse des lectrons dans un conducteur
On considre un fil de cuivre de section 10mm parcouru par un courant de 30A. Comme chaque atome de
cuivre possde un lectron mobile libre, il y a environ n=8.51028 lectrons libres par m3. La densit de courant
j=nev vaut 30105 A/m. La valeur de la vitesse de dplacement des lectrons est donc voisine de 210m/s.
Cette vitesse tant trs faible, l'amplitude des dplacements des lectrons pour un courant alternatif est elle
aussi trs petite.

I.1.2. Lois fondamentales de l'lectrocintique


a. Rgimes permanents et quasi-permanents
Le rgime permanent est celui qui existe aprs la fin des phnomnes transitoires qui se produisent lors de la
mise sous tension d'un circuit.
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Attention
Si une grandeur lectrique G est fonction du temps, il existe a priori des phnomnes de propagation dans le
circuit et G est en fait une fonction du temps et de l'espace : G=f(t,x). Mais si les dimensions du circuit sont
ngligeables devant la longueur d'onde associe au phnomne, on peut ngliger la propagation.
Par exemple, pour une frquence de 1MHz, la longueur d'onde associe (=c/f) est voisine de 300 m. Ce n'est
que pour des frquences suprieures 1GHz que la dimension des circuits devient comparable celle de la
longueur d'onde.
Dans l'approximation, dite des tats quasi-permanents, on admet que G est seulement fonction du temps. Il n'y
a pas accumulation des charges dans certains points du circuit : un instant donn, l'intensit est la mme en
tous points d'un conducteur donn.
b. Lois de Kirchhoff
Dans l'approximation des tats quasi-permanents, on peut formuler les deux lois suivantes :

Aux bifurcations (nuds) d'un circuit, il y a conservation de la charge lectrique et donc de la somme
algbrique des intensits : I = 0

Dans une chane de conducteurs il y a additivit des diffrences de potentiels : UAC = UAB+UBC

Ces deux lois, appeles aussi loi des nuds et loi des mailles, sont les lois fondamentales de l'lectrocintique
et elles permettent (en principe) l'tude de tous les circuits lectriques constitus de diples.

I.2. Diples lectriques


Un diple est un systme accessible par deux bornes dans lequel peut circuler un courant lectrique.
Le comportement d'un diple est caractris par la relation entre la tension ses bornes et le courant le
traversant.
Pour qu'un courant puisse circuler dans un diple, il faut brancher celui-ci sur un autre diple (diple actif avec
un diple passif, ou actif actif).

I.2.1. Conventions de signe


Il existe deux possibilits pour le choix des sens conventionnels de la tension et du courant lectrique :
+

La principale difficult rencontre par les nophytes est l'criture correcte des signes. Par convention on pose
que dans un circuit orient, le courant est positif si des charges positives se dplacent dans le sens positif.
Pour les diffrences de potentiel, il existe deux possibilits de choix. Nous utiliserons la convention dite
convention rcepteur qui est la plus intuitive car avec cette convention, un courant positif provoque une chute
de tension dans le diple plac entre A et B.
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On reprsente les tensions par une flche oriente des potentiels faibles vers les potentiels levs. Ainsi sur la
figure, on a UA>UB.
Avec cette convention, l'expression de la loi d'Ohm est UA-UB=RI; (avec l'autre convention, la loi d'Ohm s'crit
UA-UB=-RI).
En cas de doute dans la mise en uvre, retenez que :
Dans un rcepteur, les charges s'coulent des potentiels levs vers les potentiels faibles : les flches
reprsentatives de la tension et du courant sont de sens contraires.
Dans un gnrateur, la situation est inverse et les flches reprsentatives du courant et de la tension sont alors
de mme sens.

I.2.2. Caractristique d'un diple

Fig. I.2 Caractristiques de diples

Dans un diple, le courant et la tension sont lis par les relations rciproques :

U=f(I) et I=g(U)

Les graphes correspondants dans les plans (U, I) et (I, U) sont les caractristiques du diple.
Dans la reprsentation U=f(I), on met en avant la loi des mailles et les gnrateurs de tension. Dans la
reprsentation I=g(U), on met en avant la loi des nuds et les gnrateurs de courant.

I.2.3. Classification des diples


a. Diples actifs et passifs
Un diple actif change de lnergie avec le circuit et reoit de lnergie depuis une source extrieure au circuit
(Ex : une alimentation stabilise (ou un GBF) est branche sur le secteur SONELGAZ).
Un diple actif fournit de l'nergie au circuit dans lequel il est connect.
Un diple passif nchange de lnergie quavec le circuit.
Un diple passif consomme de l'nergie. Sa caractristique passe par l'origine (I=0 si U=0).
Le diple 1 est actif, 2 et 3 sont passifs.
Attention :
Actif n'est pas synonyme de gnrateur, pas plus que passif n'est synonyme de rcepteur, mme si c'est le cas le
plus frquent. Il y a de nombreuses exceptions.
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Certains diples passifs (dits ractifs : selfs, condensateurs) peuvent avoir temporairement un comportement
de gnrateur et suivront cette convention de signe, alors que des diples actifs sont parfois utiliss comme
rcepteurs : on utilisera alors cette convention.
Si dans un schma, le calcul du courant circulant dans un diple actif et de la tension prsente ses bornes
indiquent que le courant rentre par le ple positif, alors ce diple est utilis en rcepteur.
Exemple de composant passif utilis comme gnrateur : le condensateur rservoir, trs utilis en lectronique
(filtrage des alimentations, dcouplage).
Exemple de composant actif utilis comme rcepteur : batterie en phase de charge.
b. Diples symtriques
Un diple est symtrique si son comportement reste inchang lorsque lon retourne le diple (Ex : R, L, C
sont symtriques ; un GBF, une diode ne sont pas symtriques). Mathmatiquement, la relation courant-tension
qui caractrise le diple reste inchange en changeant U et I en U et I.
La caractristique est symtrique par rapport l'origine.
c. Diples linaires
Un diple est linaire si la tension U ses bornes et lintensit I qui le traverse sont lies par une quation
diffrentielle linaire coefficients constants (ex : R, L, C). La diode est un exemple de diple non linaire.
Les circuits qui contiennent les diples non-linaires ne peuvent, en gnral, pas tre tudis avec des mthodes
analytiques rigoureuses. La connaissance des caractristiques permet alors lanalyse de ces circuits avec des
mthodes graphiques.

I.2.4. Gnrateur de tension idal


La tension U entre ses bornes, gale E (force lectromotrice du gnrateur), est
indpendante du courant qu'elle dlivre. La rsistance interne est nulle. La caractristique
est verticale.
Pour les sources relles, la tension de sortie diminue si le courant dbit augmente.
Les accumulateurs au plomb, les alimentations stabilises de laboratoire sont de bonnes
approximations des sources de tension idales.
Remarque : Une pile lectrochimique usage prsente une forte rsistance interne : sa
tension diminue ds qu'elle dbite dans une charge.

I.2.5. Gnrateur de courant idal


Le courant de sortie I, gal J "courant lectromoteur du gnrateur", est indpendant
de la tension entre les bornes de la source. La rsistance interne est infinie. La
caractristique obtenue est horizontale.
Il n'existe pas dans la vie courante de modle de source de courant.
Il est possible de simuler une source de courant en plaant en srie une source de
tension et une rsistance beaucoup plus grande que la charge.
Des circuits lectroniques simples permettent de raliser des sources de courant qui dbitent un courant
pratiquement indpendant de la charge.
Conseil : Un gnrateur idal doit se comporter comme un rcepteur idal quand on inverse le sens du
courant qui le traverse. Les gnrateurs rels ne sont en gnral pas rversibles.
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I.2.6. Association de diples :


a. Association srie :
Le courant qui traverse les diples associs est le mme ; il y a
additivit des tensions aux bornes des diples. Pour des rsistances
linaires, on a :
U = Uk = RkI
Avec des diples non linaires, on peut construire point par point la
caractristique du diple quivalent en utilisant l'additivit des
tensions aux bornes des deux diples. UAC=UAB+UBC
b. Association parallle
La tension U aux bornes des k diples associs est la mme et il y a
additivit des courants qui traversent ces diples. Pour des rsistances
linaires, on peut crire :
I = Ik = GkU

avec

G = Gk

Pour des diples non linaires, on peut construire point par point la
caractristique du diple quivalent en utilisant l'additivit des courants dans
les deux diples.
Ce circuit trs simple est d'usage frquent en lectronique. Un potentiomtre non charg constitue un diviseur
de tension idal.

I.2.7. Rsistances
Une rsistance est constitue de matriau ayant une forte rsistivit. Elle soppose au passage du courant dans
un circuit lectrique. On lutilisera donc en gnral pour limiter le courant dans un circuit. Le passage de ce
courant provoque un chauffement de la rsistance.
Gnralement la rsistance est un composant linaire qui est rgie par la loi dOhm
dans tous les rgimes (statique ou dynamiques).
Mais si la valeur de la rsistance est fonction du courant, elle est non linaire. C'est le
cas pour les rsistances mtalliques, les varistances, les photorsistantes...
La loi d'Ohm qui traduit la dpendance entre courant et tension, s'crit :
U=RI

I=GU
R est la rsistance dont la valeur s'exprime en ohms ().
G est la conductance dont la valeur s'exprime en siemens (S).
a. Puissance reue par une rsistance :

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P : puissance dissipe sexprimant en Watt.


u : tension aux bornes de la rsistance en Volt
i : courant traversant la rsistance en Ampre.
b. Association de rsistance :
En srie :

Req=R1+R2 ++Rn

En parallle :

1
1
1
1
=
+
+ ... +
R eq R1 R 2
Rn

c. Caractristique : Une rsistance est dfinie par sa valeur nominale en ohm, sa tolrance et la puissance
maximale quelle peut dissiper.

I.2.8. Bobines
Une bobine est un enroulement de spires conductrices. Lorsquune bobine est parcourue par un courant, un
champ magntique apparat. Cette proprit, qui sera tudi en dtail en lectrotechnique, est lorigine de la
relation courant-tension aux bornes dune bobine :
dI
U =L
en convention rcepteur
dt
dI
U = L
en convention gnrateur
dt
Linductance L sexprime en henry (H). Cette expression caractrise une bobine idale. En ralit,
lenroulement de fils possde une rsistance de qq que lon ne pourra pas toujours ngliger en TP. On parle de
rsistance interne . On modlise alors une bobine relle par lassociation srie dune bobine idale et dune
rsistance.
En rgime continu, une bobine est quivalente un fil (interrupteur ferm si bobine idale), la tension ses
bornes tant nulle quelque soit le courant qui la traverse.
a. Puissance change et nergie emmagasine par une bobine
Pour tablir lexpression de la puissance reue par une bobine, on choisit de se placer en convention rcepteur.
La puissance reue est alors gale :
dI d 1 2
P = LI
= LI
dt dt 2

Contrairement au cas du la rsistance, la puissance reue peut tre positive ou ngative. La bobine peut recevoir
ou fournir de lnergie lectrique.
1 2
LI est homogne une nergie. Il peut tre interprt comme lnergie emmagasine par la
2
bobine. Lorsque la puissance est effectivement reue par la bobine (P > 0), lnergie emmagasine augmente.
Lorsque la puissance est effectivement fournie par la bobine (P < 0), lnergie emmagasine diminue. Vous
verrez en lectrotechnique que lnergie stocke par la bobine est dorigine magntique.

Le terme

Remarque : Lexprience montre que la puissance change par un systme ne peut tre infinie. Cela
sapplique au cas de la bobine, avec pour corollaire : lintensit du courant qui traverse une bobine est une
fonction continue du temps
b. Association :
Idem rsistance.
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c. Caractristiques :
Une bobine rsulte du bobinage dun fil lectrique (dans lair ou sur un
support magntique) et elle est donc dfinie par la valeur de sa rsistance
interne et son inductance. Ses principales caractristiques sont son coefficient
de surtension Q qui dfinit la qualit de la bobine en fonction de la frquence
et son niveau de saturation.

I.2.9. Condensateurs
Les condensateurs sont des composants constitus de :
deux conducteurs qui se font face, ce sont les armatures
un isolant, le dilectrique , situ entre les deux armatures
Il existe plusieurs types de condensateur, de gomtrie diffrente : plan, cylindrique
Exprimentalement, lorsquune tension U est applique aux bornes dun condensateur, on observe que les
armatures slectrisent : elles acquirent respectivement une charge +q et une charge -q. Cette charge est
proportionnelle la tension applique :
q = CU
en convention rcepteur
q = CU
en convention gnrateur
La capacit C reprsente la capacit du condensateur emmagasiner de la charge sous une tension donne. Elle
dpend de la gomtrie du condensateur et de la nature du dilectrique. Elle sexprime en farads (F).
On utilisera beaucoup plus frquemment la relation courant-tension aux bornes du condensateur :
dU
I =C
en convention rcepteur
dt
dU
I = C
en convention gnrateur
dt
Remarques :
En rgime continu, un condensateur est quivalent un interrupteur ouvert, le courant le traversant tant
nul quelque soit la tension ses bornes
Le dilectrique dun condensateur rel nest jamais parfaitement isolant, et un trs faible courant le traverse:
on parle de courant de fuite. Sil nest pas ngligeable, on peut modliser un condensateur rel par un
condensateur idal en parallle avec une rsistance de lordre de qq M.
a. Puissance change et nergie emmagasine par un condensateur
Pour tablir lexpression de la puissance reue par un condensateur, on choisit de se placer en convention
rcepteur. La puissance reue est alors gale :
dU d 1

P = CU
= CU 2
dt dt 2

La puissance reue peut tre positive ou ngative. Le condensateur peut recevoir ou fournir de lnergie
1
lectrique. Le terme CU 2 est homogne une nergie. Il peut tre interprt comme lnergie emmagasine
2
par le condensateur.
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Lorsque la puissance est effectivement reue par le condensateur (P > 0), lnergie emmagasine augmente.
Lorsque la puissance est effectivement fournie par le condensateur (P < 0), lnergie emmagasine diminue.
Vous verrez en deuxime anne que lnergie stocke par le condensateur est dorigine lectrostatique.
Parce que la puissance change est ncessairement finie, la tension aux bornes dun condensateur est
toujours une fonction continue du temps (de mme pour la charge des armatures).
b. Associations de condensateurs - Capacit quivalente
Association en srie
Linverse de la capacit quivalente est gal la somme des inverses des capacits en srie.
Association en parallle
La capacit quivalente est gale la somme des capacits en parallle.
c. Caractristiques

En fonction de la technologie de fabrication, ces diffrents paramtres vont plus ou moins intervenir.

I.2.10.

Modlisation d'un diple linaire quelconque

La modlisation d'un diple consiste le remplacer par un circuit quivalent (rpondant aux mmes quations)
constitu de diples idaux.
L'quation de la caractristique d'un diple linaire est de la forme :
U=aI+b

ou

I = a' U + b'

Cette caractristique coupe les axes aux points :

(U0, 0) et (0, I0)

Si le diple est passif alors U0 et I0 sont nuls.


Pour un gnrateur rel, U0 est la tension vide (courant dbit nul) et I0 est le courant de court-circuit.
a. Modlisation d'un gnrateur rel linaire
On peut utiliser les deux modles quivalents suivants :

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Si les diples ainsi modliss sont des gnrateurs purs, la rsistance R se nomme la rsistance interne du
gnrateur. Elle est nulle pour un gnrateur de tension idal et infinie pour un gnrateur de courant idal. E
est la force lectromotrice (f.e.m.) vide cest--dire sans charge entre A et B.
J est le courant de court-circuit, cest--dire le courant qui circule dans un conducteur de rsistance nulle plac
entre A et B.
En lectronique de nombreux dispositifs se comportent comme des gnrateurs de courant, on privilgie alors la
reprsentation I = g(U).
b. Rsistance dynamique dun diple
Pour calculer les tensions et courants de circuits lectriques simples composs de gnrateurs et de rsistances,
on applique la loi d'Ohm et on obtient un systme d'quations linaires permettant de trouver la solution.
Les composants semi-conducteurs ont, quant eux, des caractristiques non linaires. Or, dans un circuit
complexe, on trouvera souvent les valeurs de courants et tensions en rsolvant un systme de plusieurs
quations plusieurs inconnues. La rsolution de tels problmes est trs difficile quand on a affaire des
quations non linaires.
Pour pallier cet inconvnient, on va s'arranger pour utiliser les composants non linaires sur une trs petite
portion de leur caractristique, et on va assimiler cette portion une droite (droite qui sera la tangente la
caractristique au niveau de la portion utilise).
On va ainsi dfinir des paramtres dynamiques (ou diffrentiels) du composant non linaire, ces paramtres
tant utilisables uniquement sur la portion de caractristique tudie ; on pourra utiliser ces paramtres
classiquement, et leur appliquer la loi d'ohm et les thormes classiques de l'lectricit. Le systme d'quations
sera alors linaire, donc simple rsoudre avec des outils classiques.
U
Par dfinition la rsistance dynamique d'un diple quelconque est donne par : rd =
I
Avec : U et I sont respectivement les variations de la tension et du courant autour du point de
fonctionnement du diple (figure I.6).

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Fig. I.6

Dans les rgions linaires de la caractristique, la rsistance dynamique du diple est constante.

I.2.11.

Point de fonctionnement d'un circuit

On associe un diple rcepteur D un gnrateur et on veut dterminer quel est le courant qui circule dans ce
diple.

Fig. I.7

La caractristique du gnrateur U=E-RI (ou I=J-GU) est une droite (trait fin) que l'on nomme droite de
charge. L'intersection de la caractristique (trait pais ou pointill) du diple D [U=f(I) ou I=g(U)] avec la
droite de charge dfinit le point de fonctionnement.
Ses coordonnes sont U (tension aux bornes de D) et I (courant qui le traverse).
Cette construction graphique est bien sr inutile si le diple D est linaire car alors : U=E-RI = DI

I.3. Lois et rgles gnrales dans les circuits lectriques


Ltude des circuits lectriques linaires est base sur les lois de Kirchhoff (loi des mailles, loi des nuds).
Leur application conduit une mise en quation dont la rsolution permet
dtablir les lois dvolution des diffrentes grandeurs recherches. Ces
lois sont gnrales, si bien que leurs rsultats restent valables quelle que
soit la nature des signaux appliqus.
Un nud est un point du circuit reli deux diples ou plus (C et D).
Une branche de rseau est la partie de circuit comprise entre deux nuds. (CD et EF)
Une maille est un parcours ferm
(ACEFDBA et ACDBA et CEFDC).
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de branches passant au plus une seule fois par un nud donn

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I.3.1. Loi de Pouillet


Dans le cas o le rseau ne comporte qu'une maille, il est possible de transformer le circuit initial en un circuit
ne comportant qu'un seul gnrateur, dont la f.e.m est la somme algbrique des f.e.m des gnrateurs de la
maille ( E = k Ek) et une seule rsistance R = k Rk.
L'intensit dans le circuit est donc : I=

E Ek
=
R Rk

Cette relation constitue la loi de Pouillet.

I.3.2. Masse et Potentiel de mass


Chaque nud dun circuit lectronique, est caractris par un potentiel lectrique (exprim en Volt). Ce
potentiel est dfini par rapport une rfrence (le 0 V) que lon appelle la "masse lectrique" ou simplement la
"masse". Le choix de cette rfrence est arbitraire et peut tre plac en nimporte quel point du circuit
lectrique. Dans la pratique, on le place sur la borne "-" quand on travaille avec des courants continus et au
neutre quand on travaille avec des courants alternatifs.
Ainsi sur la figure ci-dessous, c'est le point D qui constitue la masse, on a donc VD = 0 et,
UAD = VA VD = VA
UBD = VB VD = VB
UCD = VC VD = VC
V1=

V2=

V3=
I2

I1

R1

I3

R2
R3

V3

R4

I.3.3. Loi des nuds


Il s'agit d'une consquence de la conservation de la charge lectrique. Elle peut
sexprimer sous deux formes diffrentes :
La somme des intensits des courants arrivant un nud est gale la somme
des intensits des courants sortant de ce nud
Ou
La somme algbrique des courants arrivant un nud est constamment nulle.

I.3.4. Loi des mailles


La somme algbrique des tensions rencontres en parcourant une
maille dans un sens prdfini est nulle.
Lapplication de cette loi implique de respecter plusieurs rgles :
1 La tension aux bornes dun lment est marque par une flche
conformment la convention "gnrateur" ou 'rcepteur" en usage.
2 On choisit un sens de parcours de la maille.
3 On dcrit la maille dans le sens choisi
On affecte le signe + aux tensions dont la flche indique le mme sens
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On affecte le signe - aux tensions dont la flche indique le sens inverse


4 La somme algbrique des tensions est nulle.

I.3.5. Thorme de superposition


Si les circuits tudis sont linaires, ils en possdent les proprits. La principale est la superposition qui peut se
traduire de la manire suivante :
La rponse globale dun montage soumis plusieurs sources indpendantes est la somme des rponses
partielles correspondant chaque source.
Ainsi, pour chacune des sources indpendantes, on tudie la rponse du circuit en considrant les autres sources
indpendantes "teintes" (par contre, les sources commandes restent toujours actives).
Remarques :
Une source de tension idale "teinte" est remplace par un court-circuit (e = 0 i).
Une source de courant idale "teinte" est remplace par un circuit ouvert (i = 0 u).
Exemple

I.3.6. Thorme de Thvenin


Tout circuit deux bornes (ou diple) linaire, constitu de rsistances, de sources de tension et de sources de
courant est quivalent une impdance unique ZTh en srie avec une source de tension idale Vth.
Eth reprsente la tension vide du rseau linaire (lorsque la portion de rseau dbite dans un circuit ouvert),
Zth est limpdance entre les deux bornes du rseau lorsque toutes les sources indpendantes sont teintes.
A
Rth
I
IA
V

Vth

= gnrateur de Thvenin

B
B
Remarque : Un rseau linaire, vu entre deux bornes A et B, peut tre remplac par un gnrateur de tension
de f.e.m Vth et de rsistance interne Zth.
ETh est la d.d.p. mesure vide entre A et B.
Zth est la rsistance mesure entre A et B quand la charge est retire du circuit et que tous les
gnrateurs du rseau sont remplacs par leurs rsistances internes.

I.3.7. Thorme de Norton


Tout rseau linaire pris entre deux bornes peut se mettre sous la
forme dun gnrateur de courant IN en parallle avec une
impdance ZN.
IN reprsente le courant de court-circuit du rseau linaire ZN
est limpdance entre les deux bornes du rseau lorsque toutes
les sources indpendantes sont teintes.
Remarque : Un rseau linaire, vu entre deux bornes A et B, peut tre remplac par une source de courant
d'intensit IN et de rsistance interne RN.
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IN est le courant de court-circuit entre A et B.


RN est la rsistance mesure entre A et B quand D est retir du circuit et que tous les gnrateurs du
rseau sont remplacs par leurs rsistances internes.
V
2

I.3.8. Thorme de Millmann


Le thorme de Millman est une forme particulire de la loi des
nuds exprime en termes de potentiel. Il est ainsi nomm en
l'honneur de l'lectronicien amricain Jacob Millman.

R2
V1

R1

Ri

R
V =
1
R

Vi

Vi

I.3.9. Thorme de Kennelly


La transformation suivante est parfois utilise pour la simplification de circuits comportant des drivations.
Equivalence toile triangle
Les deux circuits de la figure I.22 sont quivalents si les valeurs de leurs rsistances sont lies par les relations
indiques ci-dessous.

Le passage de la structure triangle (ABC) la structure toile (OABC) s'obtient par les relations :

Pour la transformation inverse,


R12 =

R1 R2 + R2 R3 + R3 R1
R3

Remarque importante : Les diffrentes mthodes tudies sont quivalentes mais pour l'tude d'un rseau
particulier certaines sont mieux adaptes que d'autres. La principale difficult de ce type de problmes est de
trouver la mthode la plus pertinente. La mthode de Millman, souvent trs efficace, n'est pas la panace et la
mthode de Thvenin doit tre utilise aussi souvent que possible car elle permet de transformer des circuits
complexes en des circuits types lmentaires. La mise en uvre simultane de plusieurs mthodes peut aussi
s'avrer utile.

I.4. Analyses statique et dynamique dun circuit


On distingue souvent lanalyse statique dun circuit lectronique et lanalyse dynamique.
En statique, on ne considre que les valeurs moyennes temporelles des grandeurs lectriques. Les signaux
sinusodaux y sont carts doffice
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Cest videmment le cas lorsque toutes les sources sont statiques (puisquil ny a pas de variation possible pour
les grandeurs lectriques), mais cest souvent utile galement lorsque le circuit comprend la fois des sources
statiques et dynamiques. Dans ce dernier cas, ltude statique permet de dterminer les points de
fonctionnement statique des composants du circuit.
Lanalyse dynamique (si des sources variables sont prsentes) vient complter ltude. On ne sintresse alors
quaux relations quil y a entre les composantes variables des grandeurs lectriques.

I.5. Annexe du chapitre : Les indispensables


En lectronique, il existe des conventions un peu diffrentes de ce qu'on trouve en lectrotechnique, et aussi des
utilisations spcifiques de certains composants passifs. Nous allons tudier ces particularits dans ce
paragraphe.

I.5.1. Modles et schmas quivalents


Les schmas lectroniques font intervenir des composants ayant un comportement simple dcrire
mathmatiquement (R, L, C), et d'autres ayant un comportement plus complexe. C'est le cas notamment des
semi-conducteurs.
De manire pouvoir modliser les circuits utilisant ces composants et prvoir leur fonctionnement, on est
amens faire un schma quivalent des composants complexes, ce schma tant bti partir de composants
simples : rsistances, sources de tension, de courant

Par exemple, on pourra modliser une diode zner avec un gnrateur de tension parfait et une rsistance srie.
Il faudra garder l'esprit que ce n'est qu'un schma quivalent, sous certaines hypothses bien dfinies. Il ne
saurait tre question d'appliquer le rsultat obtenu par le calcul hors de ces hypothses !
Exemple : bien qu'on puisse modliser une diode zner par un gnrateur de tension, si on branche une telle
diode sur une ampoule, il ne se passera rien ! Ce composant n'est pas l'quivalent d'une pile ou d'un
accumulateur.
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Cette remarque volontairement grossie reste valable pour la modlisation en gnral, quel que soit le domaine
de la physique considr.
Lorsqu'on fera des calculs sur un circuit lectronique, on sera guids en permanence par leur prcision :
- les composants (rsistances, condensateurs, transistors) font l'objet de dispersions,
- les hypothses de calcul conduisent des simplifications (linarisation, petits signaux, )
- le rsultat dsir le sera avec une prcision plus ou moins leve.
Dautre part, on adoptera souvent la rgle du dixime: si deux paramtres s'ajoutent dans une quation, et que
l'un soit plus de dix fois plus petit que l'autre, alors, on va le ngliger.
Exemple :
Si I>10i

alors

I+i I

Dans la reprsentation schmatique, on omettra souvent les gnrateurs de tension continue, et de ce fait, le
rebouclage des points o ils sont connects avec la masse.
De mme, pour mieux comprendre le fonctionnement d'un montage, on tchera (dans la mesure du possible) de
btir le schma en mettant le potentiel le plus lev en haut de la feuille et de respecter une chelle des
potentiels dcroissants lorsqu'on dessinera les lments du haut vers le bas de la feuille. En procdant ainsi, on
aura les flches de reprsentation des potentiels dans le mme sens, et des courants descendants : la
comprhension en sera largement accrue.

I.5.2. Masse et terre


La masse est le potentiel de rfrence (fix par convention 0) du montage lectronique : un
potentiel n'est pas dfini dans l'absolu, on parle toujours de diffrence de potentiel.
0
Dans un montage lectronique, quand on parlera du potentiel d'un point, il sera sous entendu
que ce potentiel est rfrenc la masse du montage.
La masse sera en gnral le ple moins de l'alimentation continue servant polariser le montage. Cette rgle est
uniquement une coutume, elle ne sera pas systmatiquement respecte sur les schmas rencontrs !
La terre est une connexion physique au sol ( la terre !). Contrairement aux croyances souvent nonces,
en aucun cas ce potentiel ne peut tre considr comme rfrence absolue, car il est diffrent d'un
endroit de la Terre (la plante) un autre. De plus, le cble de liaison du laboratoire au sol prsente une
impdance non nulle : si un courant parasite circule dans ce cble, il va y crer une chute de potentiel ; on aura
une diffrence de potentiel entre la prise de terre du labo et le sol.
La fonction d'une terre est la scurit : elle permet de protger les utilisateurs d'quipement sous tension ,
et aussi d'vacuer les courants induits par la foudre.

I.5.3. Interrupteurs
Ils permettent d'introduire une coupure dans un circuit lectrique. Nous allons tudier ici le comportement d'un
interrupteur parfait.
a. Interrupteur ouvert
Lorsque l'interrupteur est ouvert, aucun courant ne circule dans la boucle, et toute la
tension se retrouve sur l'interrupteur (U2 est nul, car le courant I est nul).

La caractristique de l'interrupteur ouvert se confond avec l'axe horizontal : le courant


est nul quelle que soit la tension ses bornes :

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b. Interrupteur ferm
Lorsque l'interrupteur est ferm, le courant peut circuler librement, la tension ses
bornes tant nulle ; on suppose celui-ci parfaitement conducteur, exempt de toute
impdance parasite.
La caractristique de l'interrupteur ferm se confond avec l'axe vertical : tension nulle
quel que soit le courant qui circule travers :

I.5.4. Diviseur de tension


C'est le montage fondamental de l'lectronique :
Plutt que d'appliquer laloi des mailles, on utilisera cette proprit au maximum ; les calculs en seront trs
souvent simplifis.
La formule donnant la tension de sortie V en fonction de la tension d'entre du pont
s

V est la suivante :
e

En fait, on s'affranchit des courants dans la formulation, ce qui revient


implicitement diminuer le nombre d'inconnues, donc d'quations du problme. On arrive ainsi beaucoup plus
vite et plus srement le rsoudre.

I.5.5. Condensateurs de liaison et de dcoupage


a. Condensateurs de liason : La plupart des montages lectroniques composants discrets ncessitent une
polarisation (adjonction d'une tension continue) pour fonctionner correctement.
l'entre du montage, sur ces tensions continues de polarisation, on va superposer un signal alternatif. Dans la
plupart des cas, le gnrateur alternatif ne pourrait pas supporter
qu'un courant continu le traverse ; de plus, si on ne veut pas
modifier la polarisation du montage, ce gnrateur doit tre
neutre du point de vue du rgime continu vis vis du montage
qu'il attaque.
Pour satisfaire toutes ces exigences, on relie le gnrateur
alternatif l'entre du montage par l'intermdiaire d'un
condensateur.
Ce condensateur prsente une impdance infinie au courant
continu : il va ainsi empcher qu'un tel courant ne traverse le
gnrateur alternatif ; on ne modifiera pas la polarisation du
montage.
Ce condensateur est dit de liaison. On le choisira toujours pour que son impdance soit ngligeable aux
frquences dlivres par le gnrateur alternatif :
- Pour le rgime alternatif, et pour les frquences des signaux utiliss, on l'assimilera un court circuit.
- Pour le rgime continu, on le considrera comme un circuit ouvert.
b. Condensateurs de dcoupage : Les ncessits de la polarisation peuvent amener introduire dans le
montage des lments (des rsistances notamment) qui nuisent au bon fonctionnement du rgime alternatif.
Pour viter ceci, on peut mettre en parallle sur ces lments un condensateur qui va se comporter comme un
court circuit pour les signaux alternatifs. Comme pour les condensateurs de liaison, ils ne modifient en rien la
polarisation du montage.

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II. Introduction la thorie des semi-conducteurs


D'une manire gnrale, tout dispositif utilisant la circulation d'un flux d'lectrons prend le qualificatif
d'lectronique. Dans ces dispositifs, un certain nombre de principes physiques sont mis en oeuvre afin de
favoriser la naissance du flux d'lectrons. Celui-ci est ensuite contrl l'aide d'un signal de mme nature.
Parmi les diffrents corps existants, en ce qui concerne l'lectricit, nous pouvons les classer en deux
catgories :
Les matriaux conducteurs, qui permettent le passage du courant tel que le cuivre.
Les matriaux isolants, non conducteurs de l'lectricit tel que le mica.
Entre ces deux limites, s'intercalent les matriaux semi-conducteurs, comme le germanium ou le silicium.
Les premiers dispositifs semi-conducteurs furent raliss partir du germanium. Ensuite, on utilisa le
silicium.
Le germanium est tir des blendes desquelles on extrait galement le zinc. Il y en a peu et il est difficile
produire.
Le silicium existe en grande quantit puisqu'il est tir du quartz et de la silice. Ce qui explique, en partie, la
gnralisation de ce matriau.

II.1. Rappel sur la thorie des atomes


Pour comprendre quelque peu le fonctionnement des composants lectroniques raliss l'aide des
matriaux ou alliages semi-conducteurs, il nous faut avoir en tte la thorie des atomes. L'explication
actuelle que nous donnent les physiciens sur la matire met en jeu la composition de celle-ci.

La matire serait compose d'atomes d'un diamtre d'environ 10-10 10-12 mtre de diamtre, distincts entre
eux par leur nombre de particules dont ils sont eux-mmes composs. Ces atomes sont classs prcisment
par l'volution du nombre de ces particules, le premier atome n'en contenant que deux jusqu'aux derniers qui
en contiennent plus de cent. C'est le tableau priodique des lments, construit par Dmitri Mendeleev (1834
- 1907).
Il est admis que les particules qui composent l'atome sont organises avec un noyau, dont le diamtre est
d'environ 10-14 mtre, qui contient des protons et des neutrons accompagn autour d'un nuage de petits
lectrons qui gravitent au loin, des distances bien dfinies appeles couches lectroniques. Chaque proton
ou neutron, appels tous deux nuclons, est d'un diamtre et d'une masse environ 2000 fois suprieures un
lectron.
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Les forces qui interagissent entre toutes ces particules ainsi que celles qui interviennent entre les diffrents
atomes d'un objet vont fortement influencer le comportement d'un matriau en fonction des contraintes qu'il
subit.
En ce qui concerne l'lectricit et ses effets, ce sont essentiellement les lectrons, qui gravitent sur la
dernire couche lectronique, qui sont impliqus.
Les atomes quon trouve dans la nature ne possdent jamais plus de 8 lectrons priphriques (pour un tat
stable). Le tableau priodique des lments nous le confirme.
La reprsentation la plus usuelle d'un atome est celle, propose par le physicien Niels Bohr (1885-1962) qui
est une reprsentation trs pratique pour un lectronicien qui va encore le simplifier.
- Le noyau est constitu de protons et de neutrons. La charge lectrique des neutrons est nulle tandis que
celle des protons est positive.
- Les lectrons possdent une charge de mme valeur que celle des protons mais de signe oppos, c'est-dire ngative.
- Les charges des protons et celles des lectrons s'quilibrent, ce qui fait que l'atome est lectriquement
neutre.
- Les lectrons tournent autour du noyau, l'image de notre systme solaire et des plantes qui le
composent.
- Les couches successives, sur lesquelles circulent ces lectrons, constituent des niveaux d'nergie.
Cela signifie que plus la couche est rapproche du noyau, plus il faut d'nergie pour lui arracher un lectron.
C'est la dernire couche, ou couche extrieure dite de valence, qui nous intresse car c'est elle qui permet les
liaisons avec les atomes voisins autorisant ainsi la constitution de la molcule. D'autre part, c'est sur cette
couche que l'on pourra tricher en ajoutant ou retranchant un lectron.
La charge lectrique d'un atome est neutre.
On peut rompre cet quilibre en lui retranchant un lectron de sa couche priphrique. La charge restante
devient positive. On dit que l'atome est ionis positivement et il prend le nom de cation.
Dans le cas contraire, si on ajoute un lectron la couche de valence, l'atome est ionis ngativement. Il
prend le nom d'anion.

Reprsentation dans le plan dun atome (Niels Bohr)

II.2. Semi-conducteurs purs ou intrinsques


Il est facile de simplifier au maximum la reprsentation de Niels Bohr en ne laissant apparatre que le noyau
avec les couches lectronique interne et la dernire couche lectronique, appele couche priphrique ou
couche de valence.

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Un matriau semi-conducteur a la particularit de possder 4 lectrons priphriques, soit exactement la


moiti d'une couche compltement sature.
Cette particularit va lui donner un comportement particulier en ce qui concerne les phnomnes lectriques,
entre autres.
Le matriau semi-conducteur actuellement le plus utilis est le SILICIUM.
Toutefois, pour utiliser du silicium en lectronique, il faut obtenir des plaquettes d'une puret extraordinaire.
La puret est de l'ordre de un atome impur pour un million d'atomes de silicium.
Si la temprature est trs basse, le tout reste totalement stable et le matriau peut tre considr comme
isolant.
Pour illustrer non seulement un seul atome de silicium mais une plaquette entire, nous simplifions la
reprsentation en ne faisant apparatre que les noyaux avec les couches atomiques intrieures par les cercles
comme ci-dessus et avec des traits doubles pour illustrer les lectrons priphriques entre chaque atomes.

De plus, les atomes du silicium purifi s'organisent entre eux de manire trs rgulire, suite aux traitements
subis, ce qui nous amne parler d'un cristal semi-conducteur, ou d'une structure cristalline du silicium.
Cette organisation atomique donne des proprits lectriques particulires au silicium lectronique.
Grce l'organisation cristalline, chaque atome est entour de quatre atomes voisins qui vont combiner
ensemble leurs lectrons de valence de fait que chaque atome se trouve entourer de huit lectrons
priphriques.
Ce qui donne la proprit d'un isolant parfait :
" TRES BASSE TEMPERATURE, AU VOISINAGE DU ZERO ABSOLU (0 KELVIN) LE SILICIUM
PUR EST UN ISOLANT PARFAIT".
Ds que la temprature augmente, l'agitation des atomes entre eux va bousculer cet ordre tabli et des
lectrons priphriques peuvent se retrouver arrachs la liaison cristalline des atomes. Ces lectrons se
retrouvent une distance des noyaux qui leur permet de se dplacer dans la plaquette de silicium.
Les lectrons ainsi librs ont chacun rompu une liaison cristalline du silicium. Ils ont donc laiss derrire
eux un emplacement vide, nous parlons d'un "trou".

Ces lectrons vont se dplacer librement dans la plaquette jusqu'au moment o ils rencontrent un "trou" et
se fixer nouveau dans le rseau.
Ce dplacement alatoire d'lectrons (dans n'importe quel sens) correspond un courant lectrique alatoire
qui reprsente ce que nous appelons du souffle lectronique.
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Toutefois, ce courant est trs, trs faible et nous parlons de conduction intrinsque. Cette conduction
intrinsque est pratiquement non mesurable pour un technicien de maintenance. Ces courants, souvent
indsirables, sont de l'ordre du nano Ampre et appels courants de fuites.
Mme non mesurables, ces courants de fuites existent nanmoins et deviennent trop importants si la
temprature n'est pas contrle.
"UN SEMI-CONDUCTEUR EST DONC TRES SENSIBLE A LA TEMPERATURE ET
NECESSITERA DES MOYENS EXTERNES DE STABILISATION. SANS QUOI UN
EMBALLEMENT THERMIQUE ENTRANE TRES VITE LA DESTRUCTION DU SEMICONDUCTEUR".

Autrement : Pour arracher un lectron de son orbite, il faut le soumettre une force plus importante que
celle qui le lie son noyau. Cette force peut tre la rsultante d'un champ lectrique cr par une tension, ou
une lvation de temprature dont les effets se manifestent par des vibrations molculaires. Ces vibrations se
traduisent par l'application d'un systme de forces sur les lectrons dont la rsultante peut suffire arracher
ceux-ci de leur orbite. la temprature de 20 C, le rseau cristallin du silicium est le sige d'une agitation
thermique importante. Des lectrons sont alors arrachs de leurs orbites et, dans leurs cheminements, ils se
recombinent avec des atomes ioniss positivement (c'est--dire des cations ou atomes ayant perdu
prcdemment un lectron).
La quantit d'lectrons libres est toujours gale la quantit de trous prts accepter un lectron, car
la formation d'un trou est la consquence du dpart d'un lectron.
Une augmentation de temprature entrane la formation d'une quantit encore plus grande de
paires lectrons-trous . La mobilit de celles-ci conditionne la densit du courant circulant dans le
matriau (le courant lectrique est un dplacement d'lectrons).
On constate, pour les semi-conducteurs, que lorsque la temprature augmente, la conductibilit fait de
mme.
Dans le germanium, cette augmentation est plus importante, car la force ncessaire pour arracher un lectron
de son orbite est plus faible que pour le silicium.
II.3. Semi-conducteurs extrinsques ou dops
Afin d'amliorer la conduction d'un semi-conducteur, les fabricants injectent dans une plaquette semiconductrice des matriaux trangers, ou impurets, qui possdent un nombre d'lectrons priphriques juste
infrieur ou juste suprieur aux 4 lectrons du semi-conducteur.

Le dopage N consiste ajouter au semi-conducteur des atomes possdants 5 lectrons priphriques


(antimoines, phosphore, arsenic lments du groupe V du tableau de MENDELEYEV). Quatre de ces
lectrons vont participer la structure cristalline, et un lectron supplmentaire va se retrouver libre et
pouvoir se dplacer dans le cristal. Nous parlons de porteurs de charges mobiles.

Les ions + sont fixes car ils font partie de la structure atomique cristalline de la plaquette de silicium.
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Rappelons que les ions comprennent le noyau des atomes et qu'ils sont gros, lourds et solides par rapports
aux porteurs de charges mobiles. Un lectron est environ 2000x plus petits qu'un seul proton.
Le rsultat du dopage que nous venons de dcrire se nomme :
La conductibilit de type N, dans laquelle les porteurs majoritaires sont les lectrons, les porteurs
minoritaires, les trous.
Le dopage P consiste ajouter au semi-conducteur des atomes possdants 3 lectrons priphriques
(bore, aluminium, gallium, indium, groupe III de la classification de MENDELEYEV). Ces trois
lectrons participent la structure cristalline, mais un "trou" est cr par chaque atome tranger puisqu'il
lui manque un lectron priphrique.

Les "porteurs de charges lectriques" mobiles sont responsables de la conduction d'une plaquette de silicium
dope.
Si la proportion de dopage est de l'ordre de dix atomes de dopant P pour 100 atomes de silicium, la
conductibilit du semi-conducteur est amliore dans la mme proportion, soit de 10%.
Il est donc possible de "rgler" la conduction d'un semi-conducteur en choisissant la quantit de dopage.
l'intrieur d'un circuit intgr, il est ais d'imaginer des zones plus ou moins dopes de manire obtenir des
rsistances lectriques.
Ce dopage permet d'obtenir :
La conductibilit de type P, dans laquelle les porteurs majoritaires sont les trous, les porteurs minoritaires,
les lectrons.

II.4. Effet diode, la jonction P N


Nous avons fait la connaissance de deux types de semi-conducteurs :
le type N
le type P
Si on associe, cte cte, un matriau de type N avec un matriau de type P, nous effectuons une jonction.
Celle-ci dsigne la mince zone dans laquelle la conductibilit passe du type N au type P (ou l'inverse).
Examinons ce qui se passe au niveau de cette jonction dans les cas suivants :
- sans polarisation
- avec polarisation inverse
- avec polarisation directe
II.4.1. Jonction non polarise
A la mise en contact de deux semi-conducteur de types diffrents (N et P), les lectrons porteurs majoritaires
de la zone N, diffusent dans la zone P o ils se recombinent avec les porteurs majoritaires de cette zone, en
prenant place dans les trous.
Il y a dsquilibre des charges lectriques, en effet, dans la zone N, les lectrons ayant disparu, la charge des
donneurs ou ions positifs (cations) n'est plus contre-balance et cette zone devient positive.
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L'apport d'lectrons dans les lacunes de la zone P modifie l'quilibre lectrique de cette zone avec apparition
d'ions ngatifs (anions).
Le dplacement d'lectrons de la zone N vers la zone P se nomme : courant de diffusion (Id)
Il s'accompagne d'une charge d'espace positive du ct du matriau N et d'une charge gale mais de signe
contraire du ct du matriau P. Celles-ci crent un champ lectrique Ei

Jonction NP non polarise

L'effet de ce champ lectrique Ei va forcer les lectrons porteurs minoritaires de la zone P, circuler vers les
lacunes ou porteurs minoritaires de la zone N, tendant contre-balancer les charges perdues par courant de
diffusion.
Un courant d'lectrons s'tablit de la zone P vers la zone N Appel : courant de conduction (Ic). Celui-ci
est d, dans ce cas, aux porteurs minoritaires de ces zones.
La jonction est le sige de deux courants gaux mais opposs. Il ne circule aucun courant dans le circuit
extrieur.
La zone dans laquelle prend naissance le champ lectrique Ei se nomme : Barrire de potentiel
Dans cette zone, la concentration en porteurs devient identique celle de la conduction intrinsque (
temprature gale).
Cela signifie qu'une jonction PN non alimente est l'image d'un condensateur, cest--dire deux zones
conductrices spares par une zone isolante.
II.4.2. Jonction polarise dans le sens inverse
Appliquons maintenant le ple ngatif d'une pile sur l'lectrode du matriau P et le ple positif sur le
matriau N. Le champ lectrique cr par l'application de la tension de cette pile est de mme sens que le
champ lectrique Ei de la barrire de potentiel. Ces deux champs s'additionnent et favorisent la circulation
d'lectrons ou porteurs minoritaires du courant de conduction. De plus, les lectrons libres de la zone N et les
porteurs majoritaires de la zone P (les trous) sous l'effet de ce champ, vont s'carter de la jonction.

Ic
Jonction PN polaris dans le sens inverse

Il s'ensuit que la concentration en cations de la zone N et anions de la zone P va augmenter prs de la


jonction. La barrire de potentiel est largie et la circulation d'lectrons, porteurs majoritaires, est dficitaire
par rapport celle des porteurs minoritaires, d'autant que le champ Eext augmente. Une limitation de ce
courant s'tablit car le dpart des lectrons de la zone P et leur arrive dans la zone N, crent une charge
d'espace qui limite ce courant en contrecarrant l'augmentation de Eext. Il circule donc un faible courant dans
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le circuit extrieur. A temprature constante, pour une augmentation de la tension de la pile U donc une
augmentation de Eext, le courant reste pratiquement constant car il est d aux porteurs minoritaires issus de
l'agitation thermique.
Au del d'un certain seuil, on constate que le courant augmente de faon brutale. L'augmentation du champ
Eext confre aux lectrons du courant de conduction une vitesse telle que leur nergie cintique atteint une
valeur suffisante pour, qu'en cas de choc, avec un atome rencontr sur leur trajectoire, elle arrache un
lectron de celui-ci crant ainsi une augmentation d'lectrons libres. Ces lectrons s'ajoutent aux premiers et
l'effet devient cumulatif. Ce phnomne prend le nom d'effet d'avalanche. Il est utilis pour certains
dispositifs comme les diodes Zener.
Dans une jonction qui n'est pas ralise pour cet effet, celui-ci entrane la destruction irrmdiable de la
jonction par claquage. La tension qui cre le champ lectrique Eext pour lequel le phnomne se produit
prend le nom de : tension de claquage inverse ou tension d'avalanche.
En de de cette tension, si on augmente la temprature, tension constante, l'agitation thermique augmente
et le courant des porteurs minoritaires fait de mme. Donc le courant inverse augmente. C'est un fait
important dont il faudra se souvenir. Nous en reparlerons par la suite dans les paragraphes consacrs la
diode et au transistor.
La tension de claquage est appele : VRM (R = reverse = inverse ; M = maximum)
Le courant de conduction d aux porteurs minoritaires, la jonction tant polarise en inverse, est appel : IR
(R = reverse = inverse).
II.4.3. Jonction polarise dans le sens direct

Jonction PN polaris direct

une faible valeur de la tension correspond un faible champ lectrique Eext, dirig en sens inverse du champ
Ei. Ces deux champs s'opposent et le rsultat est une diminution de Ei.
Celui-ci tant l'origine du courant de conduction (porteurs minoritaires de la zone P), nous constatons une
diminution proportionnelle de ce courant. Par consquent, le courant de diffusion (porteurs majoritaires de la
zone N) va devenir prpondrant et un faible courant va circuler dans le circuit extrieur. Le dpart des
lectrons de la zone N tend crer un dsquilibre de charge dans ce matriau immdiatement rtablit par la
pile, qui en injecte une quantit gale.
De mme, l'arrive de ces lectrons dans la zone P tend crer un dsquilibre dans ce matriau (de signe
oppos au prcdent), mais la polarit positive de la pile applique de ce ct, aspire les charges ngatives en
excs, rtablissant l'quilibre.
L'augmentation progressive de la tension, ne conduit pas une augmentation sensible du courant dans le
circuit extrieur. Cependant, lorsque l'on atteint un certain seuil, dont la valeur reste faible malgr tout, on
constate une brusque augmentation du courant.
Le champ lectrique rsultant, confre aux lectrons porteurs majoritaires de la zone N (courant de
diffusion), une nergie suffisante pour qu'ils traversent en grand nombre, la barrire de potentiel, dont la
largeur est maintenant trs rduite.
La pile compense le dpart des lectrons de la zone N et favorise l'arrive de ceux-ci dans la zone P.
La circulation du courant est bien tablie et pour une faible augmentation de la tension, on constate une
grande augmentation du courant.

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A cette valeur de champ lectrique Eext, qui conditionne la nette augmentation de courant, correspond une
tension que l'on nomme :
VD ou VF - (F = forward = direct).
Le courant qui circule dans le circuit extrieur et qui correspond la polarisation dans le sens direct (ou
passant) se nomme :
ID ou IF - (courant direct)
La temprature a peu d'influence sur ce courant ; seule la tension de seuil est affecte, nous verrons de quelle
manire en observant les caractristiques de la diode.
La figure ci-dessous indique les symboles des diffrentes jonctions que l'on peut rencontrer dans les
dispositifs semi-conducteurs.

Reprsentation dune jonction.

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Chapitre III

III. Diodes et circuits diodes :


III.1. Diodes jonction
Les diffrentes dfinitions :
Une diode est un lment en silicium form de deux rgions de dopage diffrent, savoir dopage P et
dopage N. La runion des deux zones de dopage, sur une mme plaquette de silicium, s'appelle une
jonction PN.
Une diode est une jonction PN protge par une matire isolante du dessus. Les connexions avec le
milieu extrieur sont ralises par des contacts mtalliques. Par construction les jonctions entre mtal et
semi-conducteur sont purement ohmiques (non redresseuses).
Par analogie au redresseur vide ou redresseur gaz, on appel la zone P anode et la zone N cathode.

Anode

Cathode

K
Symboles diodes

La diode est un composant lectronique qui, si elle est mise sous tension, ne laisse passer le courant
que dans un seul sens. Mais ses limites de fonctionnements sont dpasses, celle-ci devient passante.
La diode est un composant lectronique qui ne laisse passer le courant que si le potentiel de son anode
est suprieur celui de la cathode.
Remarque : On verra plus loin que, pour que la diode devienne passante, le potentiel VA doit tre suprieur
la somme : VK+Vs. (la tension de seuil est de lordre de 0.2V dans le cas du germanium et 0.6V pour le
silicium).
La diode dans les circuits lectriques : Complter le vide par les mots et symboles suivants : <, >, passante,
bloque, inverse, direct.

K
R

R
VA.VK

K
E

VA.VK

Diode .

Diode .

Diode polarise
Diode polarise..
Etat dune diode sous dans un circuit lectronique

III.1.1. Caractristique courant-tension dune Diode jonction


Le comportement d'une diode peut se dduire de sa caractristique courant - tension :
ID = f (UD)
La courbe obtenue n'tant pas une droite, nous parlons d'un lment non-linaire. Ce qui signifie que le
courant qui circule dans l'lment n'est pas proportionnel la tension applique, donc ne dpend pas
uniquement de la loi d'ohm.
Dans le sens direct, la tension de seuil est la tension ncessaire appliquer la diode pour qu'elle devienne
conductrice. USEUIL 0,6V pour le Si.
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Caractristique courant-tension dune diode jonction

Au del de la tension de seuil, le courant ne dpend pratiquement plus que de la rsistance totale du circuit.
La tension aux bornes de la diode est comprise entre 0,6V et 0,8V.
Le courant inverse est trs faible (de l'ordre du nanoampre). Il augmente trs fortement au del d'une
certaine tension inverse, appele tension de claquage. La tension inverse de claquage varie entre 10 et 1000
Volts suivant le type de diode. Dans la plupart des cas, l'emballement thermique entran par la tension de
claquage dtruit la diode.
Les caractristiques varient considrablement avec la temprature et les concepteurs de circuits doivent en
tenir compte. Nous n'entrerons pas ici dans plus de prcisions concernant ces caractristiques, car pour le
dpanneur, de plus amples dtails sont fournis dans les livres de correspondances (data-book) auxquels nous
pouvons ici quencourager la lecture. Par contre, et avant d'analyser les divers circuits d'utilisations des
diodes, voici quelques grandeurs que nous pouvons considrer comme importantes et qu'il faut garder en
mmoire :
Courant direct maximum : IF
Courant direct maximum de crte : IFM
Tension inverse maximum : UR
Tension inverse maximum de crte : URM

a. Caractristique directe :

A
E

K
Id
Ud

Polarisation directe de la diode

On obtient la caractristique directe en polarisant la diode dans le sens direct. Dans ce cas, la diode ne
devient passante (conductrice) que lorsque la tension applique ses bornes (Ud=UAK=VA-VK) est suprieure
sa tension de seuil Vs. La diode est alors traverse par un courant Id qui varie lorsque la tension Ud varie. Il
est donn par la relation suivante :

eUkTd
I d = I inv e
1

-23
Avec : k : constante de Boltzmann = 1.3810 J / K,
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e : charge de llectron
= 1.610-19 Coulombs,
T : temprature en K
Iinv : est le courant inverse, il est trs faible, mais crot rapidement avec laugmentation de la
temprature. Il est de lordre du 10nA 300K et de 16000nA 400K.
kT
On pose : =
, 300K cette variable est gale 26mV.
e
Quant la tension Ud varie de 0 une tension suprieure Vs, la rsistance rd de la diode diminue de une
U d = 0 rd
Ud
dI d
1
1

rsistance trs faible.


=
= I inv e
26 [mV]

rd dU d
U d > Vs rd = I = I
[mA]

b. Caractristique inverse :
En polarisation inverse, le courant inverse d aux porteurs minoritaire est trs faible mais crot rapidement
avec laugmentation de la temprature. Il est de lordre de 10nA 25C et de 16A 125C.
Au-del dune certaine valeur de Uinv il y a claquage de la jonction par effet davalanche.

Iinv
A

Uinv

Polarisation inverse de la diode

Lpaisseur de la jonction tant trs faible, mme avec des potentiels peu levs, le champ lectrique au
niveau de la jonction peut tre trs grand. Sous leffet de ces champs intenses (E>105 V.cm-1), il y a
ionisation des atomes et production dlectrons, qui sont eux-mmes acclrs et qui provoquent de nouvelles
ionisations (avalanche) qui rendent la jonction conductrice : si rien ne limite le courant, il y a destruction de
la jonction par emballement thermique. La tension inverse admissible varie selon les diodes entre 10V et
1000V.
Cependant cet effet davalanche est utilis dans les diodes fortement dopes et dont la zone de transition est
trs mince, comme la diode Zener, pour limiter la tension une certaine valeur. Dans ces diodes, le champ
lectrique peut provoquer la rupture directe de liaisons covalentes et le passage d'lectrons de la bande de
valence dans la bande de conduction. Pour des champs de l'ordre de 2.107 V.cm-1, la tension de claquage est
de l'ordre de 6V pour les diodes trs dopes. Le courant inverse crot alors brutalement, la diode devient alors
passante dans le sens inverse. On dit quil y a effet davalanche ou claquage de la diode. L'effet est
rversible et non destructif. La jonction prsente aprs le claquage une rsistance trs faible. En agissant sur
le dopage et sur l'paisseur de la zone de transition, on peut ajuster la valeur de la tension (dite tension de
Zener) au-del de laquelle se produit le claquage entre 3 V et 200 V.
III.1.2. Caractristique courant tension dune diode jonction idale
Id

Ud
O

Caractristique dune diode idale

Dans certains calculs on considre que la diode est idal, c'est--dire quon nglige sa tension de seuil et sa
rsistance dynamique. La diode est donc passante (conductrice) ds que la tension applique ses bornes est
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positive. Et dans le circuit, elle est considre comme un interrupteur ouvert quant elle est polarise en
inverse et ferm quant elle est polarise en direct. La chute de tension ses bornes est nulle.
III.1.3. Modles dapproximation dune diode
Considrons le circuit ci-dessous :

I
E

Ud

rd

Vs

Circuit quivalent de la diode

La diode peut tre reprsent par sa rsistance dynamique (considre gnralement constante) en srie avec
Vs qui reprsente la barrire de potentiel.
Trois cas de simplifications sont gnralement utiliss dans les calculs de circuits diodes :
a) Vs=0 et rd0
b) Vs0 et rd=0
c) Vs0 et rd0
Id

Id

Id

Ud

Ud

Ud

O
a

O
c

b
Caractristiques courant-tension simplifies dune diode

III.1.4. Association de diodes

D1
E

D1

D2

D2

Deq

Association en srie de diodes

En srie : la caractristique quivalente s'obtient graphiquement en considrant que la tension aux bornes de
l'ensemble est la somme des tensions aux bornes des deux diodes. On peut aussi utiliser cette construction
pour tudier l'association d'une diode avec un autre composant passif comme par exemple une rsistance.
En parallle : on peut utiliser une construction analogue en considrant cette fois qu'il y a additivit des
courants dans les deux diodes. L'association en parallle des deux diodes ne prsente aucun intrt pratique
car tout le courant traverse la diode dont la tension de seuil est la plus faible.
III.1.5. Limites de fonctionnement dune diode
La puissance dissipe dans une diode est gale au produit IVAK . L'chauffement correspondant produit par
l'effet Joule ne doit pas amener la temprature de la jonction au-dessus d'une valeur limite, fonction de la

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nature du matriau, afin que le courant inverse ne dpasse pas des valeurs inacceptables. Pour le silicium
cette temprature est de l'ordre de 185C.
La tension inverse doit rester infrieure la tension de claquage. Les diodes de redressement sont peu dopes
pour avoir une bonne tenue en inverse.
Le courant direct maximum admissible est conditionn par la puissance maximale que peut dissiper la diode.
Selon la surface de la jonction, le courant direct admissible peut varier entre quelques milliampres pour une
diode de signal et quelques dizaines d'ampres pour une diode de puissance.

III.2. Circuit Diodes


Les diodes sont utilises principalement dans les circuits selon trois groupes de fonction diffrents:
Les circuits de redressement : qui permettent la conversion d'une tension alternative en une tension continue.
Les circuits d'crtage : qui permettent d'empcher un signal ou circuits de limitation de dpasser une valeur
(amplitude) choisie.
Les circuits de commutation : qui permettent la commande ou le changement de normes, ou encore pour les
circuits logiques.
III.2.1. Redressement dune tension alternative
On utilise les diodes pour obtenir une tension signe unique (continue) partir dune tension alternative. On
peut obtenir cette tension soit avec une seule diode monte en srie avec la source (montage mono
alternance) ou bien avec deux diodes ou encore avec un pont quatre diodes.
Avant dentamer ltude des redresseurs diodes, attardons nous un petit peu sur les signaux alternatifs.
a. Redressement mono alternance (simple alternance)
La diode, prsentant une rsistance pratiquement infinie lorsqu'elle est polarise en inverse, peut tre utilise
pour obtenir un courant unidirectionnel partir d'un courant alternatif tel que le courant sinusodal.

e = V sin(t)

UR

Circuit redressement mono alternance

e
UR

UR

b
Redressement mono alternance

Dans le circuit de la figure ci-dessus, la diode est passante quand le potentiel de son anode est suprieur de
0,6 V celui de sa cathode. La charge R est traverse par du courant uniquement pendant les alternances
positives.
On pose : rt = rd + rg
e = V sin(t) = rt I+ UR +Vs
Avec : rd rsistance de la diode et rg rsistance du gnrateur de tension.
r : e Vs = (rt + R)I

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Si e > 0 rd = 0 donc

U R = (e Vs )

Si e < 0 rd = donc

UR = 0

R
et
UAK=0
R + rt
et
UAK = V sin(t) avec t [ 2]

On nglige la tension de seuil si et seulement si V >> Vs. Les figures 3.11a et 1.11b donne la tension
redresse dans les cas successifs o e = 2 sin(t) et e = 30 sin(t).
Si on nglige la tension de seuil. La valeur moyenne de la tension redresse est donne par :
T
T

V
12
[cos(t )]02 = V
U R = V sin (t )dt =
T 0
T

La tension inverse maximale aux bornes de la diode est gale : -V


b. Redressement Double alternance
Pour que VL sapproche un peu plus dune tension continue, on va redresser les deux alternances.
- Montage transformateur point milieu :
e1

e1 = V1 sin(t)
e2 = V2 sin(t)
e2

e1
e2

IR

UR
UR
Montage de transformateur point milieu

Si on prend le point milieu du transformateur comme rfrence, les tensions de sortie du transformateur e1 et
e2 sont en opposition de phase. Pendant lalternance positive de e1, e2 ngative, la diode D1 conduit et
alimente la charge alors que la diode D2 est bloque alors UR = e1. Pendant lalternance ngative de e1, e2
positive, la diode D1 est bloque alors que la diode D2 conductrice, alimente la charge UR = e2. La charge se
trouve ainsi alimente pendant les deux alternances. La tension UR est reprsente sur la Erreur ! Source du
renvoi introuvable..
La tension moyenne redresse en rgime sinusodale, V1=V2=V, est donne par :
T
1
2V 2 2 Veff
U R = V sin (t )dt =
=
T0

La tension inverse maximale aux bornes de la diode D1 est : Ud=e1-e2=V1+V2=2V


La tension inverse maximale aux bornes de la diode D2 est : Ud=e2-e1=V2+V1=2V
- Montage avec pont de diodes :
Le montage prcdant pour le redressement double alternance ncessite un transformateur point milieu. Le
montage ci-dessous est aussi un montage de redressement double alternance avec un simple transformateur et
un pont 4 diodes.

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Montage redressement double alternance

Pendant lalternance positive de Ve, les diodes D1 et D2 sont passantes et alimentent la charge (UR = Ve), les
diodes D3 et D4 sont bloques. Pendant lalternance ngative de Ve, les diodes D3 et D4 sont passantes et
alimentent la charge, (UR = -Ve) les diodes D1 et D2 sont bloques. Le rsultat est que la charge est
alimente toujours dans le mme sens, la tension VL est la mme que celle de la Erreur ! Source du renvoi
introuvable..
La
tension
moyenne
redresse
est
la
mme
que
le
montage
prcdant :
T
1
2V 2 2 Veff
U R = V sin (t )dt =
=

T0
La tension inverse maximale aux bornes de chaque diode est : Ud = -Vemax
c. Filtrage de la tension redresse
La tension obtenue aprs redressement est unidirectionnelle, mais elle n'est pas continue. Le signal obtenu est
priodique ; il contient une composante continue (la valeur moyenne du signal) et des harmoniques que l'on
dsire annuler. Autrement dit, on cherche rendre la tension redresse avec moins dondulations.
Ceci est possible en mettant un condensateur en parallle avec la charge par exemple.
B
A

e = V sin(t)

UR

Filtrage par condensateur en tte

Charge du condensateur
Ds que VA > Vs+VK la diode est passante : le condensateur se charge rapidement travers la rsistance de la
diode rd car celle-ci est trs infrieure celle de la charge (R). On peut dfinir la constante de temps de
charge c = Crd. La tension crte atteinte aux bornes du condensateur est gale V- VAK. On admet que la
rsistance de la charge est assez grande pour pouvoir ngliger le courant de dcharge dans R devant le
courant de charge.
On constate donc que pendant la quasi-totalit du temps, la diode est passante entre les points A et B et donc
le condensateur se charge pendant toute cette priode.
Dcharge du condensateur
Ds que VA < VK, le gnrateur est isol de la charge par la diode qui est bloque. Le condensateur se
dcharge dans R avec une constante de temps d = RC. La qualit du filtrage est d'autant meilleure que le
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courant de dcharge est faible : il faut utiliser des condensateurs de capacit lev pour obtenir une constante
de temps de dcharge aussi leve que possible.
Ondulation rsiduelle
La tension UR nest pas tout fait continue, elle comporte une ondulation damplitude UR qui est dautant
plus faible que la valeur de C est leve.
Dterminons la valeur de UR et la valeur moyenne de la tension aux bornes de la charge UR.
Lquation de UR pendant la dcharge du condensateur est U R = V e

t
RC

Si on nglige la tension de seuil,


1
linstant t=B UR=V et on note V1 la valeur de UR linstant t=A. On obtient : U R= (V V1 )
2
Si la valeur de C est importante, la dcharge du condensateur dure quasiment toute la priode T et on aura :
1
T
T
V1 = Ve RC et donc : U R= V 1 e RC
2
T
T
Dautre part on sait que :
>> 1

<< 1
RC
RC
T
1 T
V
T
Donc on peut crire : e RC = 1

U R= V

U R=
RC
2 RC
2 RC f

1
1
Vdt U R dt = V U R

T0
T0
Gnralement R nest pas connue, et cest plutt le courant moyen IR fournie par lalimentation ainsi obtenue
V
qui permet de lidentifier. Sachant que UR est voisine de V, on peut crire V=R IR. Donc : R =
IR
IR
IR
et
UR =V
Donc on obtient : U R=
2C f
2C f
Dans le cas o UR est une tension redresse double alternance, la dcharge se fait sur une demi priode de
IR
1
V
T
e, do : U R= V 1 e 2 RC
U R=
=

2
4 RC f 4C f
Et la valeur moyenne de la tension UR est donne par : U R =

III.2.2. Doubleur de tension

Montage doubleur de tension

III.3. Diodes spciales :


III.3.1. Diode Zener :
Plus fortement dope que les diodes conventionnelles, un champ lectrique relativement faible devient dj
suffisamment intense pour que les liaisons de covalence s'affaiblissent et se rompent. Les porteurs de charges
(des lments de dopage) ainsi librs sont assez nombreux pour que le courant augmente brutalement et que
la tension aux bornes de la diode ne varie pratiquement plus. Cest ce qui est appel leffet Zener.

a. Caractristique courant-tension dune diode Zener :

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A
K

IZ
R

UZ

Diode zener Polarise inverse

La caractristique directe de la diode Zener est identique celle dune diode normale. La diffrence rside
dans sa caractristique inverse.
La tension aux bornes de la diode Zener reste constante quel que soit le courant inverse qui circule dans la
diode. Cette tension dite tension de claquage UZ ou Vb (breakdown voltage) reste importante pour les diodes
usage gnral (quelques centaines de Volts), sa valeur est prcise par les constructeurs pour chaque type
de diode.

Caractristique courant-tension de la diode Zener

La caractristique tension - courant dune diode Zener montre ces phnomnes.


IZ = f (UZ)
Dans le sens direct :
La diode Zener se comporte comme une diode conventionnelle.
UZ 0,6V. Et le courant maximum direct dpend du circuit externe la diode.
Dans le sens inverse :
La diode prsente une rsistance trs petite ds que la tension de claquage, ou tension Zener, est atteinte.
La diode est dans ce cas en conduction inverse, et il est impratif de limiter le courant dans celle-ci, avec une
rsistance en srie, par exemple.
Dans ce cas, UZ UZNOM (si IZMIN < IZ < IZMAX)
Nous pouvons galement tablir la valeur de la rsistance interne que la diode prsente au circuit. Nous
parlons de rsistance interne dynamique, qui se calcule selon la formule :

Si la tension inverse redescend en dessous de la valeur Zener, la diode se bloque nouveau.


Les diodes Zener sont fabriques pour tre utilises en inverse dans la zone davalanche. Dans ce cas, la
tension ses bornes reste gale UZ quel que soit le courant IZ qui la traverse. On lappelle diode
stabilisatrice de tension. Evidemment, une Zener polarise en direct fonctionne comme une diode normale.
b. Principales caractristiques des diodes Zener
Nous pouvons reprer le fonctionnement de la diode Zener, avec ses limites, sur la courbe caractristique "IZ
= f (UZ)" de la diode Zener.
Nous avons vu que la valeur Zener nominale UZNOM est donne pour un courant Zener nominal IZNOM. La
diode Zener prsente une valeur de rsistance interne dynamique trs faible dans la zone de fonctionnement.
En d'autres termes, pour une petite variation de la tension UZ (=UZ,) la diode modifie fortement le courant
IZ (= IZ) :
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Enfin, en connaissant la puissance maximale que peut dissiper la diode, nous pouvons calculer le courant
Zener maximal qui peut traverser la diode.
De la puissance maximale PZMAX. Nous tirons le courant Zener maximum IZMAX.

De plus, il est possible de dterminer, comme pour les diodes conventionnelles, une valeur de rsistance
interne de la diode, soit de manire statique RIZ_STAT, soit de manire dynamique RIZ_DYN, en fonction des
besoins.
Ce dernier point nous amne considrer la diode Zener selon la mme technique d'approximation utilise
pour les diodes conventionnelles :
Diode idale.

c. Principales utilisations : (stabilisation de la tension)


I
R
IRu

Ru

UZ

IZ
Stabilisation de la tension laide dune diode Zener

Les diodes Zener sont utilises pour leur proprit de maintenir une tension constante leurs bornes : Les
circuits de stabilisation de tension ou "rgulateur Zener" ou les circuits gnrateurs de tension de rfrence.
Le schma est toujours semblable et consiste relier une rsistance en srie avec la Zener et de se connecter
aux bornes de celle-ci pour obtenir une tension fixe.
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Avec le montage de la figure ci-dessus, on va essayer de stabiliser la tension aux bornes la charge RU laide
dune diode Zener (VZ = 6V). Pour les faibles valeurs de E, la diode Zener reste bloque, la tension URU aux
bornes de RU sera calcule comme si la diode Zener tait absente. Ds que URU dpasse VZ, la diode Zener
conduit et URU reste gale VZ.
Pour : Vz < 6V
Iz = 0
Ru
E
U Ru =
E
et
I = I Ru =
Ru + R
Ru + R
pour Vz 6V URu=Vz = 6V
V
E Vz
I Ru = z
I=
et
Iz = I-IRu
Ru
R
Tant que la diode Zener est bloque, la tension URu aux bornes de la charge nest pas stabilise. Tout se passe
comme si la diode Zener ntait pas l. Ds que la diode Zener conduit, la tension aux bornes de la charge est
stabilise la valeur VZ, le courant dans la charge Ru reste gal VZ/Ru , et cest le courant IZ qui circule dans
la diode Zener qui varie pour compenser les variations de I.
III.3.2. La photodiode
Constitution et caractristiques de fonctionnement Sous polarisation inverse, le courant
circulant dans une jonction PN classique est trs faible. Dans ce cas en effet, les porteurs
lectriques, lectrons et trous, attirs respectivement par llectrode de polarit contraire
sloignent de la jonction. Il se cr ainsi une zone isolante vide de porteur appele zone
de dpltion.
La photodiode est conue pour permettre la rception du flux lumineux. Lorsque la longueur donde du
rayonnement est infrieure au seuil photolectrique s du matriau constituant la jonction, il se forme des
paires lectrons trous dans la zone de dpltion qui contribuent la cration dun courant inverse. Ainsi le
courant circulant dans une photodiode polarise en inverse est proportionnel au flux lumineux reu ; il est
pratiquement indpendant de la tension de polarisation. On amliore les performances dune photodiode en
insrant une couche de semi-conducteur intrinsque (non dope) entre les couches P et N ; la structure est
appele PIN. Les courbes caractristiques dune photodiode en fonction du flux sont reproduites.

Courbes caractristiques dune photodiode en fonction du flux incident

Modes dutilisation
Nous pouvons considrer deux modes dutilisation selon que lon polarise ou non la photodiode par une
tension externe.
En mode photoconducteur une source de tension E polarise la photodiode en inverse. Le courant IR
proportionnel au flux est converti en tension par la rsistance R.
En mode photovoltaque, aucune source externe de polarisation nest utilise. La photodiode fonctionne en
convertisseur dnergie. Elle est alors quivalente un gnrateur autonome. On mesure soit la tension en
circuit ouvert soit le courant de court circuit.
Note : le mode photoconducteur tant plus linaire et plus rapide, il est adapt pour raliser la mesure du
flux lumineux. Sous polarisation inverse, la photodiode dlivre un courant proportionnel lintensit de la
lumire incidente.
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III.3.3. Diode VARICAP


La diode varicap doit tre polarise en inverse. Elle prsenta dans ce cas une capacit qui dcrot avec la
tension selon une loi approche du type :

C=

C0

; C0 et V0 sont des constantes.


n
V
1+
V0
Lexposant n=0.5 est valable pour les diodes varicap de type planar-pitaxial.
Le graphe de cette fonction est reprsent en figure ci-dessous.

Ordre de grandeur des valeurs courantes rencontres : Vmin < V < Vmax
V0=0.7V ; Vmin=2V ; Vmax=20V ; C0=30pF
La diode varicap est utilise dans de nombreuses applications radiofrquences. Elle sert notamment raliser
des oscilloscopes frquences variables (VCO).
III.3.4. Diode faible capacit
La jonction PN polarise en inverse se comporte comme une capacit. Cette capacit parasite de la diode
perturbe son fonctionnement en haute frquence. Pour rduire la capacit on diminue la surface de la jonction
(diode pointe dor ou micro-jonction). La capacit ainsi obtenue est une fraction de picofarad.
III.3.5. Diode Schottky
Une diode Schottky est une diode qui a un seuil de tension VS trs bas et un temps de rponse trs court.
La diode Schottky est ralise partir dune jonction mtal-semiconducteur. Elle doit sa popularit son
faible seuil de tension directe et sa rapidit de commutation. Ces particularits la destinent en priorit la
dtection des signaux radiofrquence. La figure x tablit la comparaison entre la courbe caractristique dune
diode Schottky et celui dune jonction PN classique.
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On constate les diffrences suivantes :


La tension de seuil dune diode Schottky (0.3V) est plus faible que celui dune jonction PN (0.6V).
Le courant inverse de la jonction PN est plus faible que celui de la diode Schottky.
III.3.6. LED (Light Emitting Diode) diode lectroluminescente
On appelle lectroluminescence lmission dun rayonnement lumineux due une
excitation lectronique dans un matriau. Dans le cas dune diode lectroluminescente
(LED), il sagit de lmission spontane de lumire provoque par linjection des
lectrons travers une jonction PN particulire polarise en direct. Les semi-conducteurs
utiliss pour raliser la conversion de l'nergie lectrique en nergie lumineuse sont
souvent des composs base de gallium. La tension de seuil d'une LED est suprieure celle d'une diode
classique (environ 1,6 V pour de l'arsniure de gallium). Elle est en relation directe avec l'nergie (donc la
frquence) du photon mis.
Ds son dveloppement dans les annes 1970 la LED a rvolutionn le monde de laffichage lumineux. Ce
succs est du une trs bonne fiabilit, une faible consommation lectrique et une grande facilit demploi.
Les nombreuses applications des LED concernent principalement :
les voyants, tmoins et indicateurs lumineux ;
les afficheurs et les panneaux de signalisation ;
les tlcommandes infrarouges ;
les metteurs optiques pour transmission par fibre optique ;
les optocoupleurs qui assurent une transmission avec isolation galvanique ;
lclairage ;
les fourches et capteurs optiques, les dtecteurs de passage
a. Caractristiques lectriques principales dune LED
La LED a un comportement lectrique sensiblement identique celui dune jonction PN. Son seuil de
conduction Vs est cependant plus lev et dpend de la longueur donde lumineuse dominante (1,2 2V).
Les autres caractristiques lectriques importantes sont :
le courant direct moyen quelle peut supporter en permanence. Il est compris entre 10 et 50 mA pour une
LED usage gnral ;
le courant direct crte quelle peut supporter en rgime implusionnel;
la tension inverse maximale VRmax admissible sans dommage. Vis vis de la tension inverse, la LED est
plus fragile quune jonction PN et la limite courante de VRmax est de 5 volts.
b. Caractristiques optiques
En pratique, les trois caractristiques optiques que lon doit prendre en compte pour choisir une LED sont :
La couleur lie la longueur donde dominante du spectre dmission lumineuse On trouve des LED usage
gnral dans les teintes bleue, verte, jaune, orange, rouge et proche infra rouge. On construit actuellement des
LED mission ultraviolette (l = nm) et spectre blanc.
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IV. Transistors bipolaires et circuits transistors


IV.1. Introduction
Malgr la suprmatie actuelle des transistors MOS dans les circuits intgrs trs large chelle d'intgration
(Very Large Scale Integration, VLSI : 10'000 plus de 100'000 transistors par circuit), le transistor bipolaire
reste trs utilis dans les circuits composants discrets ou les circuits intgrs qui exigent :
des courants de sortie levs (tage de sortie) ;
une grande vitesse de commutation (circuits logiques ultrarapides) ;
un gain de tension lev ;
un faible bruit (pramplificateurs) ;
la ralisation de fonctions linaires hautes performances.
Le transistor bipolaire jonction (ou BJT, pour Bipolar Junction Transistor) est un composant lectronique
actif, cest--dire un composant qui est capable de transformer un signal lectrique et damplifier sa
puissance. La puissance lectrique injecte est dlivre par les sources dalimentation.
Le transistor bipolaire porte son nom en raison de son fonctionnement li aux deux types de porteurs libres,
les lectrons et les trous. C'est un dispositif semi-conducteur prsentant trois couches alternes N, P et N
pour un transistor NPN ou P, N et P pour un transistor PNP.
La couche mdiane est la base. Les deux couches externes sont l'metteur et le collecteur.

C
C

P
N

N
P

B
E

E
Fig 4. 1 Reprsentation dun BJT

L'intgration d'un transistor sur un cristal de silicium correspond ainsi la juxtaposition d'une jonction np
(base-metteur) et une jonction pn (base-collecteur). Grce la polarisation positive de la jonction BE, on
rend conductrice cette dernire et les lectrons se dplacent de l'metteur vers la base. Cependant, comme le
champ lectrique cr par la tension positive du collecteur est trs lev, presque tous les lectrons mis sont
collects par ce dernier. Le courant de base est alors 100 500 fois plus faible que les courants de collecteur
et d'metteur. La jonction base-metteur travaille donc comme une jonction conductrice alors que la jonction
collecteur-base est polarise en sens inverse. Le courant de collecteur correspond alors au courant de
saturation inverse de la jonction.
Le transistor NPN est constitu par :
Une couche N, fortement dope constituant lmetteur.
Une couche P, trs mince et faiblement dope constituant la base.
Une couche N, faiblement dope constituant le collecteur.
Le transistor PNP est constitu par :
Une couche P, fortement dope constituant lmetteur.
Une couche N, trs mince et faiblement dope constituant la base.
Une couche P, faiblement dope constituant le collecteur.

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IV.2. Fonctionnement dun BJT Effet transistor


En labsence de polarisation, les porteurs majoritaires diffusent de part et dautres des deux jonctions PN,
provoquant la cration de deux zones dpeuples (de dpltion) o rgnent deux champs Ei qui sopposent
la diffusion et engendrent une situation dquilibre.
C
C
N Ei
P

N Ei
P

N Ei

N Ei

a)Transistor non polaris


b) Transistor collecteur aliment
Fig 4. 1 Transistor avec est sans polarisation

Si on applique une tension entre le collecteur et lmetteur de telle sorte que la jonction C-B soit polarise en
inverse, sa zone dpeuple devient plus large, aucun courant ne circule entre le collecteur et lmetteur.
Maintenant, en appliquant une deuxime source entre la base et lmetteur, la jonction B-E se trouve
polarise en direct, la zone de dpltion qui lentourait disparat et un courant direct circule entre la base et
lmetteur, on lappelle le courant de base IB.
IC

C
N Ei
P

IB

E2

C
N

E1

Ei

N
IE

E1> E2

N
E

a) Circulation du courant
b) Circulation des lectrons (effet transistor)
Fig 4. 2 Transistor NPN polaris (Emetteur commun)

Lmetteur fortement dop N injecte un grand nombre dlectrons dans la base (diffusion des porteurs
majoritaires), ces lectrons ne vont pas tous tre rcuprs par le circuit extrieur, car, comme la base est trs
mince, un grand nombre dentre eux vont se trouver au voisinage de la jonction B-C.
Pour la jonction B-C, les lectrons du ct de la base constituent les porteurs minoritaires dont le passage
ct collecteur est fortement encourag par le champ important qui rgne autour de cette jonction. Il en
rsulte la circulation dun courant important entre le collecteur et lmetteur travers la base, ce phnomne
est appel effet transistor.
Relation importante :
Le courant de lmetteur est not IE, celui de la base est not IB et celui du collecteur est not IC. Ces trois
courants obissent aux relations suivantes :

IE=IB+IC
IC= IE
IC= IB
Le rapport (hfb dans les ouvrages anglophones) entre IC et IE est compris entre 0.95 et 0.999. On considre
souvent IC=IE. Par contre le rapport (hfe dans les ouvrages anglophones) entre IC et IB est trs important
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(souvent entre 10 500, voire 1000, selon le modle de transistor), il est appel le gain en courant du
transistor.
Conclusion : Le transistor est un composant lectronique gr par la relation IC= IB. Celle-ci se traduit par :
une faible variation du courant de base (IC) entrane une variation importante du courant de collecteur (IB).
Do son utilisation massive en amplification.
Des relations prcdentes du transistor on peut crire :
IC

IC

+ IC

+1

Exemple : Quelle est lintensit du courant metteur dans un circuit de transistor o les courants de base et
de collecteur sont, respectivement, gaux 104 A et 0.4 A ? Quelles sont alors les valeurs des coefficients
et .
Remarque importante :
En ralit, le fonctionnement du transistor est lgrement plus complexe, il faut tenir compte des courants
inverses des jonctions. Si la base nest pas polarise, le courant entre le collecteur et lmetteur nest pas tout
fait nul, mais il a une faible valeur, on le note ICEO (ou ICO). De la mme faon si on laisse lmetteur ouvert
et lon polarise la jonction C-B en inverse, elle est traverse par un courant inverse qui sera not ICBO.
La relation :
IC = IB
Devient :
IC = IB + ICEO,
Avec,
ICEO = ICBO.

IV.3. Caractristiques du transistor BJT


Les caractristiques de transfert du transistor sont dfinies partir du montage metteur commun (NPN).

La polarisation en entre dfinie la droite dattaque :


E VBE
IB = 1
Rb
La polarisation en sortie dfinie la droite de charge :
E VCE
IC = 2
Rc

Dans ce montage, la base est polarise par la rsistance dsigne Rb. Le potentiel de la base est d'environ 0.7
V, car l'metteur est la masse et la jonction base-metteur quivaut une diode passante.
Le collecteur est polaris par la rsistance dsigne Rc, de telle manire que la tension du collecteur soit
suprieure la tension de la base (VCE > VBE): la jonction base-collecteur est alors polarise en inverse.
L'entre est caractrise par les deux grandeurs IB et VBE, et la sortie par les grandeurs IC et VCE, soit 4
variables.
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Caractristiques d'entre ( gauche) et de transfert ( droite) du transistor

La caractristique d'entre du transistor correspond la relation IB = f (VBE), VCE tant constante. Cette
caractristique, on le constate, ressemble beaucoup, et pour cause, celle d'une diode : en effet, la jonction
base-metteur du transistor quivaut une jonction de diode.
La caractristique de transfert est dfinie par la relation IC = f (IB), VCE tant constante.
La caractristique de transfert est une droite; on se souvient, nous l'avons vu plus haut, que le courant de
collecteur Ic est proportionnel au courant de base Ib, le facteur tant appel gain en courant. On peut donc
dire que le transistor se comporte comme un gnrateur de courant command (ou "pilot") par un
courant.
On notera que l'origine de la droite ne passe pas par 0, mais par une valeur note ICEO, qui correspond au
courant de fuite (leakage current, en anglais), courant circulant dans le collecteur. Cette valeur tant
gnralement trs faible, on pourra le plus souvent la ngliger.

La caractristique de sortie du transistor (figure ci-dessus) correspond la relation IC = f (VCE), IB tant


constant. Dans la pratique, on trace plusieurs caractristiques pour diffrentes valeurs de IB (ou VBE). La zone
"grise" correspond la zone de saturation: quand la tension VCE diminue pour devenir trs faible, la
jonction collecteur-base cesse d'tre polarise en inverse, et l'effet transistor dcrot alors trs rapidement.
L'autre partie du graphe montre que le courant de collecteur IC dpend trs peu de la tension VCE: nous avons
l la caractristique d'un gnrateur de courant.
Les trois caractristiques que nous venons de voir (entre, transfert, sortie), sont gnralement regroupes sur
un graphique comme celui de la figure ci-dessus. Ce graphique facilite le calcul de la valeur des rsistances
de base Rb et de collecteur Rc, ncessaires la polarisation du transistor.
Il faut savoir que le transistor a deux modes de fonctionnement :
Linaire : on a la relation de proportionnalit du courant IC en fonction de IB :
Non linaire : o lorsque lon augmente le courant IB le courant IC nvolue plus. On dit que le
transistor est satur.
Lorsque le courant IB devient nul le courant IC lest aussi. On dit alors que le transistor est bloqu.

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Droite de
charge

Droite
dattaque

Ou

IV.4. Montage universel du transistor


Un transistor possde, on l'a vu, trois connexions, ou "pattes". On procde toujours (ou presque) de manire
ce qu'il y ait une patte commune l'entre et la sortie du montage, d'o trois montages possibles:
en metteur commun: la patte commune est l'metteur, l'entre est la base et la sortie le collecteur

en base commune: la patte commune est la base, l'entre est l'metteur et la sortie le collecteur

en collecteur commun: la patte commune est le collecteur, l'entre est la base et la sortie l'metteur

Le montage en metteur commun est sans aucun doute le montage fondamental ; il ralise la fonction
amplification, essentielle en lectronique.
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Le montage en collecteur commun prsente une faible amplification, mais une impdance de sortie faible ce
qui permet dutiliser ce montage avec les faibles charge (impdance faible).
IV.4.1. Polarisation du transistor
Polariser le transistor c'est le faire conduire l'aide d'une alimentation continue et un circuit de polarisation
pour le mettre dans un tat donn par (IB, IC, VCE)
Le fonctionnement normal du transistor est conditionn par la polarisation directe de la jonction B-E, ce qui
engendre un courant IB dans la base et un courant IC = IB dans le collecteur. Ltat du transistor est
caractris par le point de fonctionnement correspondant au couple (VCE, IC).
IV.4.2. Polarisation par une rsistance de base
A partir de la maille dentre on dtermine lexpression du courant de base IB :

E1-0.7-REIE-RBIB=0
On sait que :

IE=IC+IB

IC = IB

et

E1 0.7
RB + RE (1 + )
E1 0.7
IB =
RB + RE

IB =

Donc :

et comme est gnralement suprieur 50, on peut crire :

RC
RB

IC

B
IB

IE VCE

IB1

RC

RB1

IC

E1
IB2

IB

RB2

RE

IE VCE

E1

E
RE

Fig 4. 3 Polarisation par rsistance de base

Fig 4. 4 Transistor polaris par un pont

La maille de sortie nous permet dobtenir la tension VCE :

VCE = E1 -RCIC-REIE

Et comme ICIE (IB trs faible), nous obtenons alors :

VCE = E1 -IC(RC+RE)
Application numrique : Retrouver le point de fonctionnement pour, E1=12V, =50, RB=1M, RE=2k et
RC=5k.
IV.4.3. Polarisation par pont
La base est polarise par un "pont" constitu de deux rsistances RB1 et RB2.
Au point B, nous pouvons crire :
I B = I B 2 + I B1
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IB =

VB E1 VB
+
RB 2
RB 2

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VB =

RB 2
R R
E1 B 2 B1 I B
RB 2 + RB1
RB 2 + RB1

Et nous avons :
VE = RE (I B + I C ) = RE I B (1 + )
Dautre par nous avons : VBE= VB - VE = 0.7
RB 2
R R
E1 B 2 B1 I B RE I B (1 + ) = 0.7
Donc :
RB 2 + RB1
RB 2 + RB1
RB 2
E1 0.7
RB 2 + RB1
IB =
RB 2 RB1
+ RE (1 + )
R B 2 + R B1
Le courant IC du collecteur est donn par : IC= IB
Comme prcdemment la tension VCE est donne par :

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VCE = E1 -IC(RC+RE)

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IV.5. Transistor bipolaire en commutation


On considre un transistor branch en metteur commun avec une polarisation par rsistance de base RB. Un
inverseur permet de relier la rsistance RB soit au gnrateur E soit la masse.

a)

b)
Figure 4.5

c)

Les quations des droites dattaque et de charge (figure 4.5-b) sont :


VBE = E RB.IB ( 0,6 V)

IB = (E VBE)/RB E/RB
et
VCE = E RC.IC
On peut en dduire la position du point de fonctionnement du montage en fonction de lintensit du courant
base. La tension de sortie est VCE = VS.
En rgime amplificateur, on place le point de fonctionnement au milieu de la droite de charge (point C).
La relation IC IB permet de dduire le courant collecteur de la valeur du courant base et 0 < VS < E.
Si le courant base est nul, le courant collecteur est nul (IC IB) et VS = E (point A). Le transistor est
bloqu.
La base contient alors un excs de porteurs minoritaires.
Si le courant base est trs intense, le courant collecteur est lev mais il ne peut dpasser la valeur
ICMax = E/RC : quand on fait crotre IB au-del de la valeur IBMax = E/.RC , la tension VCE devient trs
faible (point B). Elle est comprise entre 20 mV et 200 mV selon lintensit du courant base.
La base est alors sature en porteurs majoritaires et la relation IC .IB nest plus valide.
La jonction base collecteur est alors polarise en direct (VBC = VBE + VEC est voisin de 0,6 V 0,2V = 0,4
V). On dit que le transistor est satur.
Cette condition est satisfaite quand la valeur de la rsistance de base RB est infrieure .RC. Pour un
transistor satur, on a :
RB < .RC
VS 0
IC E/RC
Un transistor fonctionne en rgime de commutation quand son courant base est soit trs faible (transistor
bloqu) soit trs intense (transistor satur). Vis--vis du gnrateur et de la rsistance de collecteur, le
transistor satur se comporte comme un interrupteur ferm et le transistor bloqu comme un interrupteur
ouvert (voir la figure 4.5-c). Dans ce type de fonctionnement, la puissance P = VCE.IC dissipe dans le
transistor est toujours faible.
La dure de la commutation entre les deux tats dpend du temps ncessaire lcoulement des porteurs en
excs dans la base. Les transistors utiliss en commutation sont conus pour que cette dure soit la plus faible
possible.
INVERSEUR LOGIQUE : Si lentre du montage (rsistance RB) est relie E, la tension de sortie VS est nulle. Si
lentre est relie la masse, VS = E. Si lon convient de dsigner par 0 une tension nulle et par 1 une
tension gale E, on constate que le montage tudi constitue un inverseur logique.
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Chapitre V

V. Amplificateur base de transistor :


Un amplificateur est un montage qui fournit sa sortie une tension gale la tension dentre multiplie par
une constante suprieure lunit. Cette constante sappelle le gain en tension de lamplificateur, on la note
souvent Av.

Vs=AvVe

Ve
V.1. Grandeurs caractristiques dun amplificateur

Un amplificateur est un quadriple, avec deux bornes d'entre et deux bornes de sortie. Une des bornes sera
gnralement commune l'entre et la sortie.
Un amplificateur peut tre reprsent par le schma de la figure.
Impdance d'entre : Ze
V
Ze = e
Ie
Gain en tension : Av
V
Av = s
Ve
Impdance de sortie : Zs
Vs ) co
Zs =
I e ) cc
Vu de l'entre, l'ampli se comporte comme une rsistance qu'on appelle rsistance ou impdance d'entre.
Vu de la sortie, il se comporte comme un gnrateur de tension interne vi = AV ve et de rsistance de sortie
Rs ou Zs.
Pour mesurer Ze, on peut utiliser deux mthodes :
a) On branche un gnrateur l'entre, on mesure ve et ie et on en dduit Ze = Ve / Ie
b) On branche un gnrateur travers une rsistance connue R, on mesure Vg et Ve et on en dduit Ze
l'aide de l'expression du diviseur de potentiel :
Ve =

Ze
Vg
Ze + R

Ze =

Ve
R
Vg Ve

Pour mesurer Av, on branche un gnrateur l'entre, et on mesure ve et la tension de sortie a vide vs . Le
gain en tension est Av = Vs / Ve.
Pour mesurer l'impdance de sortie Zs, on procde en deux temps :
a) On mesure la tension de sortie vide Vs)co ce qui permet de dterminer la tension interne Vi car, vide, le
courant de sortie Is est nul, donc Vi = Vs)co
b) Maintenant que vi est connue, on court-circuite la sortie et on mesure le courant de sortie Is)cc . La loi
d'ohm Vi = Zs Is)cc donne Zs = Vi / Is)cc

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Chapitre V

V.2. Transistor jonction bipolaire en amplification


Jusqu prsent, nous navons abord que le fonctionnement en continu (statique) du transistor. Les points de
fonctionnement obtenus dans ce rgime sont appels points de repos. En utilisera lindice 'o' pour dsigner les
tensions et courants correspondant ces points.
Nous allons voir dans ce qui va suivre le rgime de fonctionnement dynamique du transistor. C..d, que nous
tudierons ce qui se passe si ( partir d'un instant to) on fait varier lgrement le courant IB autour de sa
position de repos IBO .
Si IB augmente alors IC = IB augmente aussi ( fois plus vite).
De mme si IB diminue alors IC = IB diminue aussi ( fois plus vite).
Et encore, si IB varie sinusodalement autour de IBO avec une amplitude IB alors IC varie sinusodalement
autour de ICO avec une amplitude IC = IB , en effet :
IB = IBO + IB sin(t) = IBO + ib alors IC = IB = IBO + IB sin(t) = ICO + IC sin(wt) = IC + iC
Nous avons vu que la tension de sortie est donn dans le cas du montage metteur commun, par lexpression
suivante : VCE = E1 -IC(RC+RE)
On voit bien que VCE varie en opposition de phase avec IC.

Sur la figure ci-dessous, la droite de transfert (I = IB) dtermine les variations de IC partir des variations
de IB, et la droite de charge permet de dterminer graphiquement les variations de VCE partir des variations
de IC.

Transistor en rgime dynamique


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Chapitre V

Pour injecter la tension alternative Ve sans que cela n'altre la polarisation du transistor en modifiant le point
de fonctionnement statique, on utilise des capacit de liaison qui seront considres comme des courtscircuits parfaits pour les signaux alternatifs et comme des circuits ouverts pour les courants et les tensions
continus. La tension sur la base du transistor est la somme de la tension continue VB et de la tension d'entre
(variable) Ve. La variation de VB provoque la variation du courant IB, et par consquent celle de IC, VCE et Vs.

Montage rel (pratique) du transistor

Pour calculer la relation entre la varions de VB (=Ve) et la variation de VC (=Vs), on utilise un modle du
transistor plus adapt (modle des quadriples) pour le calcul des signaux variables.

V.3. Modle dynamique du Transistor jonction bipolaire


V.3.1. Rappel sur les quadriples
Un quadriple est une boite noire quatre bornes dans laquelle des courants lectriques peuvent circuler ; cette
boite comporte deux bornes d'entre et deux bornes de sortie

I2

I1
V1

V2

La condition pour que cette boite noire soit un quadriple est que le courant entrant par une des bornes
d'entre (resp. de sortie) soit gal au courant sortant par l'autre borne d'entre (resp. de sortie).
Quatre paramtres lectriques caractrisent alors le quadriple : tension et courant d'entre v et i , et tension et
1

courant de sortie v et i .
2

Par convention, on donne le sens positif aux courants qui pntrent dans le quadriple.
PARAMTRES DE LA REPRESENTATION HYBRIDES DES QUADRIPLES
Vu qu'on a quatre variables dont deux indpendantes, il y a plusieurs possibilits pour crire les quations liant
ces variables. Nous choisirons ici les quations faisant intervenir les paramtres hybrides, ce qui est le formalisme
le plus simple pour dcrire le fonctionnement des transistors.

V1 = h11 I1 + h12V2

I 2 = h21 I1 + h22V2
On peut mettre ce systme sous la forme matricielle suivante
V1 h11 h12 I1
=

I 2 h21 h22 V2
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Chapitre V

La matrice de transfert est appele matrice hybride du quadriple.


La signification des paramtres est la suivante :
- h est l'impdance d'entre du quadriple avec la sortie en court-circuit.
11

- h est un coefficient (sans dimension) quantifiant la raction de la sortie sur l'entre.


12

- h est le gain en courant avec sortie en court-circuit.


21

- h est l'admittance de sortie avec entre vide.


22

Dans le cas du transistor on peut dduire :

iC

iB
C
B
vBE

vBE

Transistor

vCE

vCE

v BE = h11iB + h12 vCE

iC = h21iB + h22 vCE

Schma dynamique quivalent du transistor


Le schma dynamique quivalent du transistor, donn par la figure ci-dessous, est dduit des quations cidessus.

Avec :
h11 est limpdance dentre du transistor :
VBE
h11 =
V =Cte
I B CE
Sa valeur dpend du transistor () et du point de fonctionnement statique (IE) :
26
h11 =
I E mA
h21 est le gain du transistor (amplification en courant) :
I
h21 = = c VCE =Cte
I B
h12 est un terme de raction interne, il donne la variation de VBE en fonction de celle de VCE :
VBE
h12 =
I =Cte
VCE B
Sa valeur est trs faible, il sera le plus souvent nglig.
h22 est limpdance de sortie du transistor, cest la pente de la caractristique de sortie IB=Cte :
I C
h22 =
I =Cte
VCE B
La caractristique est le plus souvent horizontale, h22 est trs faible et donc sera le plus souvent nglig.
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Chapitre V

On ngligeant h12 et h22 du fait de leur faible valeur, nous obtenons le schma simplifi dynamique du
transistor :

Le schma lectrique quivalent dynamique du transistor est donn ici pour un montage en EC.
V.3.2. Montage amplificateur EC

C'est le montage illustr sur la figure ci-dessus. Son nom vient du fait que l'metteur est reli la masse
(commun). C'est le montage amplificateur le plus utilis. Le schma quivalent global est obtenu comme suit:
Le transistor est remplac par son schma quivalent en dynamique simplifi.
Les condensateurs de liaisons sont remplacs par des courts-circuits (en dynamique)
L'alimentation VCC est remplace par la masse, car ce montage est celui des variations et les
variations de VCC sont nulles car c'est une tension constante.

RB=Rb1//Rb2

a. Dtermination du gain en tension (Av) :


Vs
Ve
Ve=h11 iB
Vs=-RC iC=-RC iB
Av =

Do :
Av =

RC

h11
Le signe (-) indique lopposition de phase entre les tensions dentre et de sortie.

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Chapitre V

Le montage ci-dessus prsente un inconvnient majeur, qui se prsente par le phnomne demballement
thermique (chauffement excessif du transistor). Sous leffet du courant IC le transistor schauffe lgrement
en raison de la puissance dissipe par effet Joule. Cette augmentation de temprature augmente le nombre de
porteurs par le mcanisme de cration de paires lectrons-trou. La consquence directe de l'augmentation du
nombre de porteur est l'augmentation du courant IB qui engendre une augmentation du courant IC qui son
tour va engendrer une augmentation supplmentaire de la temprature du transistor et provoquer ce qu'on
appelle un emballement thermique.
Pour remdier ce problme, on ajoute une rsistance sur l'metteur du transistor. Cette rsistance joue un
rle de stabilisation de la temprature car, si IC augmente, alors la tension VE = RE IE augmente donc la
tension VB diminue provoquant la diminution de IB et donc de IC.
Le montage rel de lamplificateur devient :

Ve = h11i B + RE ( + 1) iB
Vs = RC i B
RC
Av =
h11 + RE ( + 1)
Gnralement h11 << (+1)RE ce qui simplifie le gain en tension :
R
Av = C
RE
La rsistance RE permet de stabiliser le transistor thermiquement en rgime statique, mais joue un rle
nfaste par rapport au gain Av. De ce fait pour lisoler en rgime dynamique, on place un condensateur en
parallle avec celle-ci, comme dans la figure ci-dessous.

Le gain en tension Av redevient comme dans le schma de dpart,


R
Av = C
h11

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Chapitre V

b. Dtermination de limpdance dentre (Ze)


h R
Ze = h11 // RB = 11 B
h11 + RB
c. Dtermination de limpdance de sortie (Zs)
Vs )co RC iB
Zs =
=
= RC
is )cc
iB
En rsum, les caractristiques du montage amplificateur metteur commun sont :
Le gain en courant important
Le gain en tension important
Le gain en puissance galement leve
Les phases des courants et des tensions sont de 180
Impdance dentre moyenne
Impdance de sortie moyenne

V.3.3. Montage amplificateur CC


En fonctionnement dynamique, Vcc ne varie pas et le potentiel au point C est donc nul.

Le signal de sortie VCE est pris sur lmetteur.


Le schma lectrique quivalent est donn par la figure droite.

a. Dtermination du gain en tension (Av) :


Le schma lectrique quivalent peut tre aussi reprsent sur la figure
ci-dessous :
Ve = h11i B + RE ( + 1) iB
Vs = RE ( + 1) iB
RE ( + 1)
Av =
h11 + RE ( + 1)
Alors : Av1
Et comme h11<< RE(+1)
Le gain en tension du montage metteur commun est proche de lunit, cest pour cela quil est souvent
appel montage metteur suiveur (tension de sortie (emetteur) suit lentre (base)).

b. Dtermination de limpdance dentre (Ze)


V
Ve
Ze = e =
ii ib + i p

On a : Ve = h11i B + RE ( + 1) iB

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Ve = RB i p

et

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ip =

[h11 + RE ( + 1)] i
RB

Chapitre V

h + RE ( + 1)
i p + iB = 1 + 11
iB
RB

RB h11 + RB RE ( + 1)
RB + h11 + RE ( + 1)
c. Dtermination de limpdance de sortie (Zs)
Vs )co
Zs =
is )cc
En circuit ouvert on a :
RE ( + 1)
Vs )co
Av =
=
Ve
h11 + RE ( + 1)
RE ( + 1)
Vs )co =
Ve
h11 + RE ( + 1)
En court-circuit on a, comme indiqu sur le schma ci-dessous :
is )cc = iE = ( + 1)i B'
Ze =

Ve = h11iB '
1+
is )cc =
Ve
h11
h11 RE
h
Zs =
11
h11 + RE ( + 1)
Si on considre la rsistance interne Rg du gnrateur de tension
Ve, limpdance de sortie sera gale :
Rg + h11
Zs

Le gain tant proche de lunit, limpdance dentre leve et celle de sortie faible ce montage est utilis
comme adaptateur dimpdance.
En rsum, les caractristiques du montage amplificateur collecteur commun sont :
Le gain en courant fort
Le gain en tension trs proche de lunit
le gain en puissance gale au gain en courant
pas de dphasage pour les courants et des tensions entre les entres et sorties
Forte impdance dentre
Faible impdance de sortie.

V.3.4. Montage amplificateur BC


Lalimentation en entre se fait travers la rsistance RE. Toujours on rcupre VCE en sortie.

h21=

Ve

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Amplificateur en tension :

Chapitre V

Av =

Vs RC ic RC ib RC
=
=
=
Ve h11ib
h11ib
h11

Ze =

Ve
ii

Ze =

Re h11
h
1
=
11
1 (1 + ) h11 + Re (1 + )
+
Re
h11

Zs =

Vs )co
is )cc

Impdance dentre :
ii = ie ib h12 ib = ie (1 + ) ib =

Ve
Ve
+ (1 + )
Re
h11

Impdance de sortie :

On a :

Vs )co =

RC
h11

Ve
et

Ve
= ib
h11

En cc : is)cc=h12ib= ib
Donc :

Zs = RC
En rsum, les caractristiques dun amplificateur en base commune sont:
Le gain en courant infrieur 1,
Le gain en tension trs lev,
le gain en puissance gale au gain en tension,
pas de dphasage pour les courants et des tensions entre les entres et sorties,
faible impdance dentre
forte impdance de sortie.

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Chapitre V

V.4. Limitations des transistors bipolaires


Le transistor pourra fonctionner sans casser l'intrieur d'un domaine d'utilisation bien dtermin. Ce
domaine sera limit par trois paramtres :
- le courant collecteur maxi I

. Le dpassement n'est pas immdiatement destructif, mais le gain en

CMax

courant () va chuter fortement, ce qui rend le transistor peu intressant dans cette zone.
- la tension de claquage V

: au del de cette tension, le courant de collecteur crot trs rapidement s'il

CEMax

n'est pas limit l'extrieur du transistor.


- la puissance maxi que peut supporter le transistor, et qui va tre reprsente par une hyperbole sur le
graphique, car on a la relation :
P TMax = VCE I C
P
Donc,
I C = TMax
VCE

Toute la zone hachure sur la caractristique de sortie du transistor est donc interdite.
A retenir :
Ce qu'il faut retenir d'essentiel dans le transistor, c'est que c'est un amplificateur de courant : c'est un
gnrateur de (fort) courant (en sortie) pilot par un (faible) courant (en entre).
Paramtres essentiels des transistors :
Le choix d'un transistor (au premier ordre) se fera en considrant les paramtre suivants :
- Le V
que peut supporter le transistor.
CEMax

- Le courant de collecteur maxi I

CMax

- La puissance maxi que le transistor aura dissiper (ne pas oublier le radiateur !).
- Le gain en courant ().
- Si on utilise le transistor en commutation, la tension de saturation V
sera un critre de choix essentiel.
CEsatmax

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Chapitre VI

VI. Amplificateurs oprationnels


C'est un composant lectronique analogique. Il constitue une brique de base dans un circuit lectronique. Il
peut raliser diverses oprations sur un signal lectrique: amplification, comparaisons, soustractions,
additions, dphasages (dcalages dans le temps), filtrages, etc... Les diffrentes fonctions raliser par le
composant sont dfinies par les rsistances, condensateurs, diodes, etc... Auxquels il est branch ainsi que de
la topologie du circuit externe.
Le composant se prsente sous forme d'un botier plastique ou mtallique muni de bornes
de raccordement.
C'est un circuit intgr, c'est dire qu'il est form d'une multitude de composants
lectroniques lmentaires (rsistances, transistors, condensateurs, diodes, etc...) formant
un circuit complexe et intgrs dans un botier. Ce circuit est connect l'extrieur par
des bornes de raccordement : 3 bornes fonctionnelles et 2 bornes d'alimentation, par
exemple de +15 et -15V.

Vue de dessus.Ampli op
dans un boitier 8 broches

Prix indicatif : rf. UA741CP : 160DA (bas de gamme). Rf. LT1028 : 1800DA (haute prcision).

Schma interne du LM741 (document Texas instruments.)

VI.1. Grandeurs caractristiques dun amplificateur oprationnel


Pratiquement tous les amplificateurs oprationnels ont la mme structure interne : ce sont des circuits
monolithiques dont une puce de silicium constitue le substrat commun. Ils comportent en entre un
amplificateur diffrentiel suivi dun tage adaptateur dimpdance; lamplificateur de sortie, de type pushpull, fonctionne en classe B. Toutes les liaisons sont directes.
Ce sont des amplificateurs diffrentiels qui sont caractriss par :
Un gain en tension trs important : D = 105 107.
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Chapitre VI

Une impdance dentre trs grande : RE 105 1012 .


Une impdance dentre de mode commun trs grande : REMC 105 1012 .
Une impdance de sortie faible : RS 10 500 .
La rejection du mode commun (D/MC) est trs grande.
La rponse en frquence va du continu jusqu des frquences assez leves : le produit gain-bande
passante peut dpasser 100 MHz.
Ils possdent deux entres notes + (lentre non inverseuse) et (lentre inverseuse) mais ont une seule
sortie.
Ils utilisent, sauf exception, deux alimentations + U et U, symtriques par rapport la masse. Ces
alimentations seront omises sur les schmas.

Exemple de Caractristiques damplificateurs dusage courant : A 741 et TL 081


Ce sont des circuits moyenne intgration. Le circuit quivalent du A 741 contient 24 transistors, 11
rsistances et un condensateur.
A 741C
TL 081C
Gain en tension (boucle ouverte)
200000
200000
Courant dentre
80 nA
30 pA
Rsistance dentre
2.106
1012
Frquence avec gain =1
1 MHz
3 MHz
13 V/s
Vitesse de rponse (Slew rate)
0,5 V/s
Etage dentre
bipolaire
TEC jonction

VI.2. Modlisation dun amplificateur oprationnel


On peut utiliser le schma quivalent de la figure 1 qui met en vidence lamplificateur diffrentiel dentre
et ses rsistances.
La tension de sortie dun amplificateur diffrentiel est donne par :
VS = D ( v+ - v) + 0,5MC(v+ + v )

Ces amplificateurs sont conus pour avoir un gain de mode commun MC aussi faible que possible afin de ne
pas amplifier les signaux prsents sur les deux entres la fois (mode commun) et qui correspondent en
gnral un bruit parasite.
Saturation des amplificateurs oprationnels

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Chapitre VI

La tension de sortie peut varier entre les valeurs extrmes +VSat et VSat (tensions de saturation) qui sont
lgrement infrieures aux tensions dalimentation. Le gain tant trs grand, la saturation de la sortie est
obtenue pour des tensions dentre trs faibles. Avec, VSat = 12 V et = 105, = v + v = 0,12 mV
Remarque : Dans les montages amplificateurs, lamplificateur oprationnel ne sera jamais utilis en
boucle ouverte afin de ne pas atteindre la saturation.

VI.3. Modles de fonctionnement des amplificateurs oprationnels


VI.3.1. Modle de fonctionnement IDEAL
Un amplificateur est considr comme idal si lon peut admettre que son gain est infini, que ses impdances
dentre sont infinies et que sa rsistance de sortie est nulle. ( = , ZE = , ZEMC = , ZS = 0)
CONSEQUENCES
La tension de sortie tant finie, la tension dentre e doit tre nulle.
Les impdances dentre tant infinies, les courants dentre sont nuls.
V+-V- = = 0
I+ = I- = 0
Si la tension dentre nest pas nulle, la tension de sortie prend sa valeur maximale qui est la tension de
saturation de lamplificateur.
VS = + VSat si > 0

et

VS = VSat si < 0

Remarque : Un amplificateur oprationnel idal utilis avec une raction ngative fonctionne en rgime
amplificateur. Ses deux entres sont alors au mme potentiel. Si on lutilise avec une raction positive, il
fonctionne en rgime de saturation. Les potentiels des entres peuvent tre diffrents.
VI.3.2. Fonctionnement rel
Le gain de lamplificateur oprationnel est fini et fonction de la frquence du signal. Le gain du
systme ne dpend pas uniquement de la boucle de raction.
Lamplificateur contient des gnrateurs de tension et de courant parasites qui modifient la tension de
sortie.
La bande passante est limite et dpend du gain du systme boucl.
Lamplificateur ne peut dlivrer en sortie quune puissance limite.
Du fait de ces imperfections, le fonctionnement dun amplificateur rel diffre de celui dun amplificateur
idal dans un certain nombre de domaines.
a- Problmes lis la valeur finie du gain
Prenons lexemple du montage avec contre-raction en courant.
La sortie est boucle sur lentre inverseuse par une rsistance R2 :
VS = (V+-V-) = (VE2 VA)
Le courant dentre en A dans lamplificateur oprationnel tant trs
faible (<1 A) est ngligeable devant celui qui circule dans R1 et R2.

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Chapitre VI

VA VE1 = R1.i = R1.(VS VE1)/(R1 + R2)


On Pose :
= R1/(R1 + R2)
VA VE1 = .(VS VE1)

VA = .VS + (1 ).VE1
Or : VS = (VE2 VA)
VS = .VE2 .VS .(1 ).VE1
Lexpression du gain est donne alors par :

Si on suppose que :
On introduit ainsi une erreur relative :
Erreur=(V's-Vs)/Vs=1/( )
Exemple : On prend : R1 = 10 k et R2 = 100 k
Dans le modle idal, on a : Av=VS/VE1=-10, =1/11
Si = 1000, on commet une erreur = 1.1%
b- Problmes lis aux tensions doffset
A cause des imperfections des amplificateurs oprationnels, la tension de sortie nest pas nulle quand les
deux entres sont au mme potentiel. Si ce phnomne prsente un inconvnient, on peut le corriger en
introduisant un dsquilibre de lamplificateur, ajustable de lextrieur, afin dobtenir une tension nulle en
sortie lorsque les deux entres sont places au mme potentiel.
c- Problmes doffset lis aux courants dentre
En fait les courants dentre IB1 et IB2 ne sont pas nuls et de plus ils ne sont pas identiques pour les deux
entres. Considrons le circuit de la figure 5 ; si lamplificateur oprationnel est idal, sa tension de sortie est
nulle.
Soit VS la tension de sortie de lamplificateur rel.
V+ = R3.IB2 ; I1 = I0 + IB1 , donc :
(VS V)/R2 = V/R1 + IB1
VS.R1 V.R1 V.R2 = IB1.R1.R2
Vs = IB1.R2 + V.(R1 + R2)/R1
Mais pour lamplificateur on a : V+ = V
VS = IB1.R2 {(R1 + R2)/R1}.R3.IB2
On peut minimiser la valeur de la tension de sortie parasite VS en faisant : R3 = R1.R2/(R1 + R2).
R3 = (R1 // R2). Cest galement limpdance vue par lentre de lamplificateur.
Important : Pour minimiser linfluence des courants doffset, il faut placer des impdances identiques sur
chaque entre.
d- Rponse en frquence
On peut, en premire approximation, considrer que les amplificateurs
oprationnels rels se comportent comme des systmes du premier ordre
ayant une frquence de coupure infrieure voisine de 10 Hz et dont le
produit GB gain-bande passante en systme boucl est constant.
En premire approximation, le gain scrit :

A est le gain en continu et fC la frquence de coupure. Au-del de fC, le


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Chapitre VI

gain diminue de 20 dB par dcade. Il est gal 1 pour une frquence fT dont la valeur correspond au produit
GB. Pour certains amplificateurs oprationnels le comportement en frquence peut tre amlior en ajoutant
des composants externes. Une grandeur prendre galement en compte est le temps de monte (Slew rate en
anglais) qui caractrise la rapidit de la rponse en sortie une variation brutale de la tension dentre. Il
sexprime en V/s.
Le modle de lamplificateur idal est satisfaisant tant que la valeur du gain en boucle ouverte reste trs
suprieur celui de la boucle de rtroaction, cest--dire aux basses frquences. Quand cette condition nest
plus ralise, il faut reprendre ltude du circuit en utilisant la valeur du gain donne par la relation
prcdente.
Nous allons examiner diverses possibilits dutilisation des amplificateurs oprationnels en utilisant le
modle idal. Pour dterminer la fonction de transfert, on peut utiliser la relation gnrale (1) mais le calcul
direct est souvent plus rapide.

VI.4. Utilisation de lentre non inverseuse


VI.4.1. Multiplicateur
Le signal amplifier est appliqu sur lentre +. Pour diminuer linfluence des
courants dentre, on ajoute sur cette entre une rsistance R0 = R1 // R2. Avec un
amplificateur idal, il est inutile de la prendre en compte puisque le courant qui la
traverse est nul. On a donc : V+ = VE.
Comme la raction est ngative, on peut crire que : V+ = V =VA.
Le courant dentre tant ngligeable, lapplication du thorme de Millman au
point A donne :

On en dduit :

Le gain est positif et toujours suprieur 1.


Avec un amplificateur oprationnel idal limpdance dentre du montage est infinie.
Si la tension dentre VE est trop grande, il y aura saturation de la sortie : la relation prcdente nest
valable que si VS < VSat.
La frquence du signal dentre doit tre infrieure une frquence limite qui est fonction du gain. Par
exemple avec un amplificateur de produit gain-bande passante gal 20 MHz, et un rapport R2/R1 gal
100, la frquence de coupure sera voisine de 200 kHz.
VI.4.2. Circuit suiveur
La sortie est relie lentre inverseuse. Comme = V+ V- = 0, VE = V+ = VVS = VE : le gain est unitaire.
En premire analyse ce montage ne prsente aucun intrt mais on constate que
son impdance dentre ZE est trs grande et son impdance de sortie ZS trs
faible. La sortie ne prlevant aucune puissance sur le circuit dentre ne perturbe pas celui-ci.
Ce montage constitue un adaptateur dimpdance de gain unit.

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TD N1 - Electronique Fondamentale

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Srie de TD N1 (Notions de bases sur les circuits)


Exercice N1 : Gnrateur de tension

E est un gnrateur de tension idal (E = 12 V) en srie avec une rsistance interne R = 0,01 .
Calculer le courant dans la rsistance de charge RC si :
RC = 10
RC = 0 (court-circuit). Dans ce cas, que se passe-t-il si le gnrateur est un accumulateur au
plomb ?

Exercice N2 : Gnrateur de courant


A est un gnrateur de courant idal (I = 5 mA) et R sa rsistance interne R = 250 k.
Calculer le courant dans la rsistance de charge RC si : RC = 10 , 10 k, 1 M.
Conclure.

Exercice N3 : Diviseur de tension


E est un gnrateur de tension idal (E = 12 V), R1 = 2 k ; R2 = 1 k
Calculer le courant dans la rsistance de charge RC et la tension entre ses bornes si : RC = 0 ,
500 , 1 k, 2 k, 100 k. Conclusions.

Exercice N4 : Droite de charge


On considre le circuit compos dune varistance Var alimente par un gnrateur de
f.e.m. E = 40 V en srie avec une rsistance R = 100 . Soit V2 la tension aux bornes de la
varistance. La caractristique de celle-ci peut tre reprsente par une quation de la forme :
I = KVn. On a mesur :
I = 100 mA pour V2 = 33 V et I' = 300 mA pour V2' = 45 V.
Dterminer les valeurs des constantes K et n (attention aux units !).
Tracer la caractristique de la varistance et dterminer graphiquement le point de fonctionnement du montage. Indiquer
les valeurs de V1 et V2.

Exercice N5 : Droite de charge


Une lampe incandescence L a la caractristique ci-contre.
Elle est alimente par le circuit dont les lments valent : E
= 20 V ; R1 = R2 = 2 k.
Dterminer le courant qui circule dans la lampe et la
tension entre ses bornes.

Exercice N6 : Droite de charge


Rsoudre les exercices 3 et 5 en utilisant un gnrateur de
Thvenin et Northon quivalent

Exercice N7 : Lois des mailles et le thorme de Millman


Calculer lintensit dans chacune des branches de ce circuit en utilisant la loi des mailles, puis le thorme de Millman.

M
E1 = 8 V ; E2 = 12 V.
E3 = 6 V ; E4 = 2 V.
R1 = R2 = 5 .
R3 = R4 = R5 = 10 .

E1 = 6 V ; E2 = 12 V.
R1 = R5 = 20 .
R3 = R4 = 40 .
R2 = 10

63

TD N1 - Electronique Fondamentale

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Exercice N8 : Comparaison
Calculer U et I en utilisant :
la loi des mailles,
le principe de superposition,
le thorme de Millman.
E1 = 10 V ; E2 = 40 V. R1 = 5 ; R2 = R3 = 10 .

Exercice N9 : Rptition
Reprendre lexercice 8 en utilisant les gnrateurs de Thvenin et de Norton
quivalents.

Exercice N10 : Pont de rsistances


On considre un pont de Wheatstone dont la rsistance du bras dtecteur est RC.

Calculer le courant qui circule dans la rsistance RC. On donne :


E = 6 V ; R1 = R2 = 3 k.
R3 = 2 k. R4 = 1 k.
Exercice N11 : Thorme de Kennelly
Calculer le courant qui circule dans la rsistance RC.
On pourra utiliser la transformation toile-triangle ou mieux le thorme de
Thvenin ou encore le thorme de Millman.

Exercice N12 :
La tension aux bornes dune thermistance en fonction du courant est la suivante :

On considre le circuit ci-contre.


a) Tracer u = f ( i ).
b) Exprimer u = g(E, i, R, RC)
c) Calculer R pour avoir un courant i gal 60 mA.
d) Dterminer la variation de u quand la tension E varie de 15 %.

Exercice N13 : Convertisseur digital-analogique


Les tensions appliques sont E.ki avec :
ki = 0 si linverseur est reli la masse.
ki = 1 si linverseur est reli E.
En utilisant le thorme de Millman en A, B, C et D, montrer que :

Exercice N14 : Relaxateur non


On considre le circuit ci-contre. Le fonctionnement de la lampe non peut tre
schmatis de la manire suivante : si la tension aux bornes de la lampe est infrieure
VAL, elle est teinte et prsente une rsistance rE trs grande. Quand le tube est allum,
le gaz ionis prsente une rsistance rA.
Quand la tension aux bornes du tube devient infrieure VEX, il steint. Dterminer la
variation de la tension aux bornes du condensateur en fonction du temps.
AN : E = 90 V ; R = 1 M ; C = 10 F ; VAL = 65 V ; VEX = 55 V ; rA = 105

64

TD N1 - Electronique Fondamentale

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Exercice N15 : Dcharge dun condensateur


Le condensateur C est initialement charg avec une charge Q0.
Calculer pour les deux circuits, en fermant linterrupteur, lexpression de la
charge et du courant pour les deux condensateurs.

Exercice N16 : Circuit intgrateur


On suppose que limpdance de charge du circuit est trs grande. La
tension dentre est rectangulaire.
Dterminer lallure de la tension de sortie.

Exercice N17 : Attnuateur compens


crire s(t) = f (e(t)) puis faire le changement de variable,
x(t) = s(t) e(t).R2/(R1 + R2).
Rsoudre lquation diffrentielle ainsi obtenue quand R1C1 = R2C2.
Montrer que C2 napparat pas dans lexpression du rgime permanent.

Exercice N18 : Circuit RLC srie


On considre un circuit RLC srie dont le condensateur porte la charge initiale
Q0. A linstant
t = 0, on ferme linterrupteur K.
1) On donne R = 100 . La rsistance critique vaut 200 et la pulsation propre
du circuit est gale 0 = 2000 Rd/s. En dduire les valeurs de L et de C.
2) Dterminer Q(t) et I(t).

65

TD - Electronique Fondamentale

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Srie de TD N2 (Diodes et circuits diodes)


Exercice N1 :
En utilisant les divers modles de la diode, calculer le courant dbit par le
gnrateur.
E = 12 V ; R1 = 6 k ; R2 = 3 k ; RC = 1 k ;
Pour le modle "avec seuil et rsistance" prendre RD = 100.
Exercice N2 :
La diode du circuit ci-dessus est en court-circuit. Dterminer VAB
Mme question si la diode est coupe.
Exercice N3 :
Pour raliser une alimentation continue de 15V, qui dbite dans une rsistance R = 680, on utilise un
redresseur en pont avec un condensateur de filtrage C en parallle sur R. On veut que la tension dondulation
soit infrieure 1 V.
Dterminer la tension (efficace) du secondaire du transformateur et la valeur de C.
Exercice N4 :
Reprsenter graphiquement
l'volution de la tension VAK et du
courant i en fonction du temps dans
les deux cas suivants :
a) e(t) = 1,2 + 0,2.sin t R = 10
b) e(t) = 1,6 + 2.sin t R = 100

Exercice N5 (EFS 2011)


A
B
Soit le circuit lectronique de la figure ci-contre.
R
On utilise une diode de redressement en Silicium modlise par une tension de
D1N
+
seuil gale 0.7V en srie avec une rsistance nulle, en polarisation directe. Et E Rc
par une rsistance infinie en polarisation inverse (ou bloque).
M
On donne : R=1k, Rc=300
1. Pour les valeurs de E 0. Si E prend les valeurs successives : -2V; -0.5V; 0V
- Quel est ltat de la diode D1N ? : Diode polarise directe ou inverse. Diode passante ou bloque.
- Calculer le courant dans le circuit.
- Donner alors les valeurs des potentiels VA et VB.
2. Pour E>0. Si E prend les valeurs successives : 0.5V;
2V
- Quel est ltat de la diode D1N ? : Diode polarise
directe ou inverse. Diode passante ou bloque.
- Calculer le courant dans le circuit.
- Donner alors les valeurs des potentiels VA et VB.
3. En variant E tel que montr sur le graphe de la figure
ci-contre, montrer comment varient les tensions aux
bornes de la rsistance Rc et de la diode.
66

TD - Electronique Fondamentale

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Exercice N6 : Translateur de niveau

La tension dentre est v = U.sint


On pose T = 2/ et on suppose que RC >> T.
Comment varie la tension aux bornes de la rsistance R si la diode est idale.

Exercice N7 : Doubleur de tension


La tension dentre est v = U.sint
Expliquer le fonctionnement du circuit quand la condition RC2>> T est satisfaite.
Montrer que la tension aux bornes de R tend alors vers la valeur 2U.
Exercice N8 : Diode Zener
1) Calculer IZ maximum.
2) Quel est le gnrateur de Thvenin (Eth, Rth) quivalent entre A et B.
3) Dterminer le point de fonctionnement.
4) Calculer R et RU sachant que :
VE = 40 V si IZ = IZ max/2 et que :
VE = 35 V si Eth = 1,2 VZ.
5) Calculer alors IZ si VE = 45 V.
6) On considre que RZ = 25 . Calculer alors VS/VS
7) On fait varier RU. Quel est le domaine de variation de cette rsistance dans lequel la rgulation est assure ?
Donnes numriques :
VE = 40 V 12,5 %
VZ = 24 V PZ max = 1,3 W
RZ sera nglige sauf dans la question n 6.
Exercice N9 : Diode Zener
On reprend le schma de lexercice 8 avec VE = 18 V, R = 100 .
La diode est caractrise par :
UZ = 7 V si IZ = 100 mA et par UZ = 6,2 V si IZ = 20 mA.
Sa caractristique est linaire pour 5 ma < IZ < 100 mA.
- Dterminer lquation de la caractristique inverse.
- Calculer la rsistance dynamique et les valeurs de la rsistance statique pour IZ = 30 ma, 60 mA et 100 mA.
- Calculer UZ pour RU = 100
- Entre quelles limites peut varier RU pour que la Zener travaille dans la partie linaire de sa caractristique ?
Exercice N10 : Diode Zener
On reprend le schma de lexercice 8 avec VE = 40 V, VZ = 10 V, RZ = 10 , R = 1,5 k et RU = 200 .
Calculer londulation de la tension de sortie si celle de la tension dentre est de 4 V crte crte.

67

TD - Electronique Fondamentale

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Srie de TD N3 (Transistors bipolaires et circuits BJT)


Exercice N1 : Transistor satur
a) On donne : VCC = 20 V ; VBM = 10 V ; RC = 10 k et RB = 47 k.
Calculer le courant base et la tension VCE du transistor.
b) On donne : VCC = 5 V ; VBM = 5 V ; RC = 470 et RB = 4,7 k.
Calculer le courant base, le courant collecteur et la tension VCE du transistor.
Exercice N2 : Polarisation du Transistor

On donne : VCC = E = 15 V ; VBM = 10 V ;


RC = 1 k , RE = 100 et RB = 200 k.
Calculer le courant collecteur pour chaque circuit pour un gain = 100 puis pour un gain = 300.
Quel montage est le moins sensible aux variations de ?
Exercice N3 : Polarisation du Transistor par pont de base
On donne :
VCC = 12 V ; = 60 ; VBE = 0,6 V ; RC = 4,7 k.
On veut que IP 10.IB ; VEM = 0,2VCC et VCE = 0,4VCC.
Calculer RE , R1 et R2 pour obtenir ces valeurs.
Dterminer pour ces conditions quel sera le point de fonctionnement du montage.

IP

Exercice N4 : Gnrateur de courant


Calculer le courant qui circule dans la diode.
On donne : VCC = E = 5 V ; VBM = 2 V ; RE = 100 .
Les caractristiques du transistor utilises ont-elles une influence sur le fonctionnement du
montage ?

Exercice N5 : Gnrateur de courant


On donne : VBE = 0,6 V ; VZ = 6,6 V ; RE = 2 k ;
VCC = 15 V .
Quel est le rle de la rsistance R1 et comment doit-on choisir sa valeur?
Calculer le courant IC qui circule dans la rsistance de collecteur.
Dans quel domaine peut-on faire varier la rsistance de charge RC sans que le
courant IC varie ?

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TD - Electronique Fondamentale

Dr. BENSAID

Srie de TD N4 (Amplificateurs BJT)


Exercice N1 : Amplificateur metteur commun
On donne : E = 15 V ; VBE = 0,6 V
RC = 6,2 k ; RE = 1500 ;
R1 = 56 k ; R2 = 10 k.
Calculer le gain en tension du montage si RU = (pas de charge).
Mme question si RU = 10 k

Exercice N2 : Amplificateur metteur commun


On donne : E = 15 V ; VBE = 0,6 V
RC = 6,2 k ; RE = 1500 ;
R1 = 56 k ; R2 = 10 k.
Calculer le gain en tension si RU = .
Mme question si RU = 10 k .
On donne = 150. Calculer les impdances dentre et de sortie de
ltage.

Exercice N3 : Amplificateur metteur commun


On utilise le schma et les donnes de lexercice 1 ; la rsistance RE est cette fois dcompose en deux
rsistances rE = 500 et rE = 1000 . On considre que = 150.
Calculer les impdances dentre et de sortie de ltage et le gain de ltage si :
il ny a aucun dcouplage sur lmetteur.
la rsistance rE est dcouple mais pas rE.
Quel est lintrt de ce dcouplage partiel de lmetteur ?

Exercice N4 : Amplificateur collecteur commun


Calculer la tension de sortie vS et limpdance de sortie.
On donne :
U = 15 V ;
R1 = 30 k ; R2 = 30 k ;
RE = 10 k ; RU = 2,7 k.
Gnrateur :
vG = 50 mV et RG = 10 k.

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TD N5

Electronique fondamentale

Srie de TD N5 (AOP)
Exercice 1

Thermomtre lectronique

Exercice 2

Echelle daffichage

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S. BENSAID

TD N5

Electronique fondamentale

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S. BENSAID