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UNIVERSITE SIDI MOHAMMED BEN ABDELLAH

FACULTE DES SCIENCES ET TECHNIQUES FES

Dpartement Gnie lectrique

lectronique de puissance

Pr : M. LAHBABI

MASTER : ESSA
Electronique Signaux et Systmes Automatiss

Chapitre 2 :
Les composants de llectronique de puissance
Contenu :
1- Introduction
2- Diodes
3- Thyristors
4- Transistors de puissance :
BJT(Bipolar Junction Transistor)
MOSFET de puissance
Transistor bipolaire grille isole IGBT
Thyristor command louverture GTO
5- Autres interrupteurs: TRIAC, DIAC
6- Rversibilit des interrupteurs
7- Comparaison des interrupteurs commandables.

1- Introduction :
Etude des composants utiliss en lectronique de puissance dans les
convertisseurs statiques SC fonctionnant en commutation c..d
en interrupteurs.
Intrt est port sur les caractristiques, les performances et
au mode dutilisation de ces composants.
Connaitre le comportement de ces SC pendant les transitions de ltat
passant ltat bloqu et inversement.
a- Rappel : interrupteur idal
Ouvert : aucun courant ne le traverse, i = 0.
Ferm : il est assimil un fil sans rsistance, u = 0.
Donc: Un interrupteur idal ne consomme pas de puissance.
Le passage dun tat lautre sappelle commutation :
douvert ferm : fermeture ou amorage.
de ferm ouvert : ouverture ou blocage.
3

b- Interrupteur rel :
Les caractristiques dun interrupteur rel :
Ouvert : le composant est soumis la tension VM.
Ferm : il est travers par un courant IM.

tdon : temps de retard (delay)


la monte pour que le
courant atteint 10% de sa
valeur de conduction.
tdoff : temps de retard la
descente.

tr : rise time ou temps de mont du courant


tf : fall time ou temps de descente du courant

Entre 10 et 90% du courant IM

Caractristique dynamique dun interrupteur :


la caractristique dynamique dun interrupteur est la trajectoire suivie
par le point de fonctionnement pour passer de ltat ouvert ltat
ferm et inversement.
Laspect dynamique permet de mettre en vidence la notion de
pertes par commutation.
Les qualits recherches pour un composant de puissance sont :
Le courant quasi nul ltat bloqu (interrupteur ouvert)
La tension quasi nulle ltat passant (interrupteur ferm)
Une dure de commutation trs courte.
Des temps de retard trs courts.
Deux types dinterrupteurs :
Interrupteurs commutation spontane : fonction diode
Interrupteurs commutation commande : fonction transistor
Les deux interrupteurs sont unidirectionnels en courant.

En gnral :
Linterrupteur non commandable : la diode
Linterrupteur command seulement la fermeture : le thyristor
Linterrupteur command la fermeture et louverture : le transistor
o Transistors Bipolaires Jonctions (BJT) ;
o Transistors effet de champ (MOSFET) ;
o Thyristors commands l'ouverture (GTO) ;
o Transistors bipolaires grille isole (IGBT).
Autres interrupteurs (exp: bidirectionnels); TRIAC et DIAC

2- La diode :
Interrupteur ouverture et fermeture spontane
Elle souvre (cesse de conduire) quand le courant qui la traverse s annule
(devient lgrement ngatif).
Elle se ferme (conduit) quand la tension ses bornes devient positive
(dpasse une certaine valeur appele tension de seuil.

anode

iD

cathode

K
vD

Ses conditions de fonctionnement


sont caractrises par :

iD

iD > 0 D passante vD = 0
vD < 0 D bloque iD = 0
O

Diode idale

vD

Ltat passant est impos par le courant,


ltat bloqu par la tension ses bornes.

a- Caractristique statique :

VRRM : Tension inverse maximale supporte


VBR : Tension de claquage (breakdown)

b- Modles lectriques statiques :

c- Caractristique dynamique :
Lorsque la tension aux bornes de la diode est inverse, la diode ne se
bloque pas instantanment. Elle laisse passer un courant inverse pendant
un certain temps : temps de recouvrement inverse trr.

iD
IF

Commutation

Diode
passante

Diode
bloque

trr
t

Courant de
recouvrement
IRM
inverse max

Qrr

Lamplitude de la surtension inverse dpend essentiellement de la vitesse de


dcroissance du courant (pente di ) , du courant inverse de recouvrement et de
dt
linductance du circuit extrieur.

le temps de recouvrement trr est gnralement de quelques s


peut descendre jusqu' 100 ns avec certaines diodes plus rapides.

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d- Protection de la diode :
Pour diminuer cet effet (protection contre les surtensions), on place
un circuit RC aux bornes de la diode.

e- Puissance moyenne dissipe dans une diode :


avec : Vd = E0+R0Id

Imoy et Ieff sont les valeurs moyennes et efficace de lintensit du courant direct Id
11

f- Choix dune diode de puissance :


Caractristiques donnes par le constructeur :

Le choix d'une diode est principalement fonction :


du courant moyen qui traverse la diode (Io ou IF)

de la tension inverse que devra supporter la diode l'tat

Exemple :
1N 1190
35A
600V

bloqu (VRRM) (Reverse Repetitive Maximum Voltage)


du courant de pointe rptitif (IFRM) (maximum ne pas dpasser)

120A

du courant inverse IR

20mA

de la chute de tension directe VFM

1.5V

IF : courant direct continu maximal


I0 : courant moyen redress maximal

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Exemple: Redressement monophas simple alternance

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3- Le thyristor :
Un thyristor est un composant lectronique form de 4 couches SC
dopes alternativement N et P et constitu de 3 jonctions PN. Il possde 3
lectrodes : Anode, cathode et gchette qui sert commander le thyristor.

Le thyristor peut tre modlis par deux transistors bipolaires de type PNP et
NPN, monts comme suit :
C1 B2
B1 C2

thyristors # diode commande appel aussi SCR (Silicon Controlled


Rectifier) ou Redresseur command au silicium .

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a- Fonctionnement et Caractristiques statiques :

Couche de blocage
Couche de commande

Un thyristor est form de 3 jonctions JA, JC (commande) et JK.


La couche de cathode est trs mince et trs fortement dope .
La couche interne de commande est trs mince et trs faiblement
dope .
La couche interne de blocage est trs paisse et trs faiblement dope .
La couche danode dpaisseur moyenne avec dopage non uniforme :
faible du cot de la jonction et fort vers le contact.

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Le thyristor est polaris en direct si VAK est positive.


JA et JK sont en direct et JC en inverse.
Le thyristor est polaris en inverse si VAK est ngative.
JA et JK sont en inverse et JC en directe.
Analyse de fonctionnement :
Quand VAK est ngative transistor bloqu.
Quand VAK est positive : JA et JK conduisent, alors que JC est bloque.
Transistor bloqu.
Toute la tension se trouve applique aux bornes de JC
Quand VAK est assez grande phnomne davalanche fort courant
peut aller de lanode vers la cathode et le Thyristor devient conducteur.
Amorage spontan du Thyristor par avalanche en polarisation directe.
La rsistivit de cette zone chute et la tension aux bornes du
Thyristor devient trs faible.

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IL : courant daccrochage (Latching current).


IH : courant de maintien (Holding current).
VDRM : tension directe maximale rptitive

VBO : tension directe de retournement


VRRM : tension inverse maximale rptitive
1

Caractristique de sortie, gchette non utilise (ou IG = 0).

Pour iG nul, la caractristique du thyristor a donc 3 zones de fonctionnement :


Zone 1, VAK < 0, Thyristor bloqu.
Zone 2, 0 < VAK < VBO, Thyristor bloqu.
Zone 3, VAK > 0 (VAK > VBO tension de seuil), Thyristor passant.
Fonctionnement non dsir.
tension de retournement : tension damorage courant de gchette nul, iG = 0

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iG > 0 : on applique une tension positive sur la gchette par rapport la


cathode. (K ferm)
iG2 > iG1 > 0 .

La tension de retournement VBO est une fonction dcroissante du


courant de gchette iG. (amorage command).
Quand le Thyristor est passant, il est assimil un segment de droite
dquation : VT = V0 + r IT ( comportement en diode).
Le thyristor tant amorc, si on diminue la tension VAK, le thyristor reste
conducteur jusqu' une certaine valeur du courant appel courant de
maintien (not IH), puis il se bloque.
Lorsque le thyristor est amorc, mme si IG = 0, le thyristor reste
conducteur. Pour se bloquer, il est ncessaire, soit de diminuer le courant
IAK en dessous de la valeur IH, soit d'inverser la tension d'alimentation VAK.
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b- Conditions damorage et de blocage :


Amorage :
VAK > 0
IG > IGT(max) catalogue. Courant de gchette suffisant
IAK > IL
Une fois dclench le thyristor peut fonctionner
sans courant de gchette.

Blocage :
IAK < IH ou sannule.
VAK < 0 pendant tinv > tq
tq : dure minimale du blocage qui permet au composant de supporter
nouveau une tension directe sans amorage spontane.
tq ~ 5 50
50s pour les thyristors rapides,
tq ~ 500
500s pour les thyristors de forte puissance
tq limite la frquence dutilisation des thyristors (~10 kHz maximum)
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c- Caractristiques dynamiques :
Courant daccrochage :
Pour avoir le transistor satur, il faut amener le courant iAK un niveau
suffisant.

Le courant daccrochage
nest pas atteint

Le courant daccrochage
est atteint; le Thyristor
reste conducteur

Le courant d'accrochage (IL: Latching current) est spcifi pour un courant de


gchette et une temprature de jonction (en gnral 25C) donns.
iGT, valeur maximale du courant de gchette ncessaire au dclenchement du thyristor
VGT, tension maximale de gchette (VGK), lorsque le courant iGT est appliqu.
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Temps damorage ou de fermeture :

Suite une impulsion de commande sur la


gchette, la tension VAK ne dcroit pas
immdiatement : Temps damorage ton.
ton = td + tr

Temps de dsamorage ou de blocage :

Temps de dsamorage toff : temps qui scoule


entre linstant ou VAK sannule et linstant ou le
thyristor devient susceptible de supporter une
polarisation directe sans se ramorcer.
Si toff > tq, le thyristor reste bloqu.
Si toff < tq, le thyristor se ramorce spontanment.
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Pente de dcroissance
du courant di/dt

Pente de croissance de
la tension dv/dt

tq dpend de di/dt, dv/dt, ITM, VR , VDM , VGK, dure de conduction (tp).


tq: Temps ncessaire pour que la jonction commande redevienne, aprs annulation
du courant danode, capable de soutenir une tension inverse leve.

Commutation :

Naturelle : VAK diminue ou passe par zro.


Force : VAK > 0 mais avec dispositif de commande

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d- Protection :
Protection contre les di/dt :
di/dt augmente destruction du composant

Protection contre les dv/dt :


dv/dt augmente amorage intempestif du thyristor (sans signal du gchette)

Protection
+
Amorage facile du thyristor
atteint rapidement grce C

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En rsum :
Caractristique idalise :

Ltat bloqu ou passant est dtermin, en


gnral, par une lectronique de commande.
Fonctionnement :
Si VAK < 0, le thyristor est bloqu et I = 0.
Si VAK > 0, sans courant pralable dans la gchette (iG< iGT), le
thyristor est bloqu.
Si VAK > 0 et un courant IG de gchette (iG > iGT), la tension VAK
seffondre et le thyristor samorce (Comportement en diode).
si I > IH, le courant de gchette IG peut sannuler, la conduction
entre anode et cathode persiste.
si I < IH, le thyristor se bloque.

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Interrupteur ouverture spontane et fermeture commande :


il souvre (cesse de conduire) quand le courant qui le traverse
s annule (devient lgrement ngatif) comme une diode.
il se ferme (conduit) quand un courant de commande est envoy sur
la gchette et que la tension ses bornes est positive.
Ordre de grandeur des paramtres pour les thyristors du commerce :
VRRM = VAK de 50V 2000V.
I de 100mA 2000A.
IG permettant lamorage de 10mA pour les thyristors sensibles 500mA pour les
thyristors standards.
(dVAK/dt) maxi = 100V/s.
(di/dt) maxi = 100A/s.
tq = 100s pour les thyristors de redressement 2s pour les thyristors ultrarapides.
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Spcifications techniques :
Exemple du thyristor 1N 692 :
I0 ou IF

courant moyen

16A

VRRM

tension inverse

800V

VDRM

tension directe ltat bloqu

800V

ITSM(10ms)

courant de surcharge de pointe (10ms)

300A

di/dt

vitesse critique de croissance du courant 20A/s

dv/dt

vitesse critique de croissance de la


tension

50V/S

IRM

courant inverse

25mA

IGT

courant de gchette damorage

20mA

VGT

tension de gchette lamorage

3V

VTM

Chute de tension ltat passant

2,2V 50A (10


s)

tq

temps de dsamorage

100s
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Applications des Thyristors :


Commander la vitesse des moteurs courant continu ou courant alternatif.
Ils offrent la possibilit de rgler la puissance dissipe dans une charge (alarme,
temprature, clairage des lampes, ..)
Convertisseurs alternatif-continu (redresseurs commands ou semi commands).
Convertisseurs continu-alternatif (onduleurs)
Convertisseurs continu-continu (hacheurs)

Exemple: Redressement monophas command

mesure langle de retard lamorage.


Il est dfinit par le retard t0, entre le
moment o VAK devient positive et le
dbut de l'impulsion de la gchette.
avec = t0.

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4- Transistor de puissance
4-a- Bipolar Junction Transistor : BJT
Cest un composant 2 jonctions PN (3 couches SC) dont le courant de
collecteur est contrl par le courant de base.
En puissance, il est utilis en commutation.

Transistor faible puissance (petits signaux), IC < 1A ; VCE0 < 50V


et 100 h21 500.
Transistor forte puissance qlq 10A, VCE0 > 100V et h21 de 5 10
Etat bloqu : IB = 0 alors IC = ICE0(trs faible) 0
Etat satur: IB IBsat alors VCE 0;
avec :
Donc :
Haute tension et fort courant structure NPN
Un interrupteur totalement command, louverture et la fermeture.

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a- Caractristiques statiques :

Caractristique idalise

Zone 1 : Saturation
Zone 2 : Quasi saturation
Zone 3 : Fonctionnement linaire (amplification)

Command en courant, commande maintenue


tant que le Transistor est ferm.
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b- Comportement dynamique :

ton = td + tr
toff = ts + tf

0,5 3
s
1 7
s

c- Avantages :
Temps de commutation plus courts permettent aux transistors de
fonctionner des frquences plus leves que les thyristors.
La commande de louverture plus facile que pour un thyristor.

d- Inconvnients :
Le courant de commande est trs important ( Icsat/ ) et doit tre
maintenu durant tout le fonctionnement satur.

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e- Pertes par commutation :


Lensemble des pertes dissipes dans le transistor en commutation sont :
pertes la fermeture
pertes louverture
pertes ltat conducteur
t

les pertes en commutation sont donnes par : W = V CE . I C . dt

Pour le temps de mont


la fermeture

Pour le temps de descente


louverture

les pertes en conduction :


Le calcul approximatif des pertes par commutation peut se faire en
supposant la variation linaire de iC pendant les temps de mont et de
descente. Celle de vCE sera nglige.

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Exemple de calcul de pertes :

Do les pertes en commutation :

les pertes en conduction :


En gnral :
La puissance moyenne dissipe durant la commutation dans l'interrupteur est :

Pc = 1 EI 0 f.( tr + t f )
2
La puissance moyenne dissipe durant l'tat ON :
f tant la frquence de commutation.

Pon =Von I 0 f
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f- Protection du transistor par un CALC (circuit daide la commutation) :


Les CALC ( snubbers ou adoucisseurs) sont souvent utiliss pour amortir les
oscillations induites par le circuit LC.

D1, : diode de roue libre plus rapide que le Tr (protection contre les surtensions)
C, R2, D2 : protection louverture de Tr (retarde la tension).
L : protection la fermeture de Tr (retarde le courant).
Exemple :

I0

Interrupteur

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4-b- MOSFET de puissance :


Le transistor MOS ou MOSFET est un composant 3 lectrodes D, S et G
qui constitue llectrode de commande. La grille est isole du composant par
une couche doxyde. Le courant de drain est contrl par la tension de grille.

Tr MOS canal N

Tr MOS enrichissement

Tr MOS appauvrissement

Pour le transistor MOS enrichissement,


les conditions de fonctionnement sont caractrises par :
vGS > VGS seuil MOS passant vDS = 0 et iD > 0
vGS = 0

MOS bloqu vDS > 0 et iD = 0

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Un interrupteur ouverture et fermeture commande,


Command en tension,
La commande requiert trs peu dnergie,
Caractristiques statiques trs proches des transistors bipolaires

Caractristique de
transfert

Caractristique de sortie
ID = f(VDS) VGS donn

Zone (1) de blocage ID = 0


Zone (2) linaire ID command par VGS
Zone (3) rsistive : le MOSFET est quivalent une rsistance RDS(ON)

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A ltat passant, le MOS se comporte comme une rsistance RDS


Contrle par VGS. Cette rsistance l'tat ON RDS(ON) augmente
rapidement avec la tension bloque. Ce qui entrane une dissipation de
puissance l'tat OFF.

Les MOSFETs sont unipolaires, donc trs rapides (leur fonctionnement


fait intervenir uniquement les porteurs majoritaires (lectrons)) .

Leur temps de commutation rapide Pc faibles


la frquence de commutation est typiquement suprieure 30-100kHz

Les MOSFETs sont utiliss pour des tensions suprieures


1000V pour les faibles courants, ou des courants suprieurs
100A pour des faibles tensions.

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4-c-Transistor bipolaire grille isole (IGBT) :


(Transistor bipolaire grille isole, ou Insulated Gate Bipolar Transistor)

LIGBT est un transistor bipolaire commande par effet de champ. Cest


lassociation dun transistor bipolaire et dun MOSFET. Il runit dans le
mme composant les avantages du bipolaire et du MOS.
Bipolaire : chute de tension faible ltat passant.
MOS : commande en tension (IGrille quasi nul), temps de commutation faible.

Schma quivalent simplifi


Tr bipolaire command par un MOSFET
Similaire au MOSFET, l'IGBT possde une impdance de grille importante, autorisant
une commutation avec un faible apport d'nergie.
Comme le BJT, l'IGBT possde une tension l'tat passant faible, mme pour des
tensions bloques importantes (ex : VON 2 3V pour des tensions bloques > 1000V).

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Caractristiques :
iC

vCE
O

LIGBT est command en tension par la tension vGE, ses conditions de


fonctionnement sont caractrises par :
vGE > 0 IGBT passant vCE = 0 et iC > 0
vGE 0 IGBT bloqu

vCE > 0 et iC = 0

Donc :
l IGBT est aussi un interrupteur ouverture et fermeture commande.
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4-d-Thyristors commands louverture (GTO : Gate Turn-Off Transistor) .


Le GTO est un interrupteur command louverture et la fermeture.
Comme le thyristor, le GTO peut tre command de l'tat OFF l'tat ON par
une impulsion de courant brve applique sur la gchette.
Le GTO peut en plus tre command de l'tat ON l'tat OFF par application
d'une tension Gchette-Cathode ngative, crant un fort courant ngatif de
gchette .

La mme gchette sert pour commander la fermeture (injecter IG)


et louverture (extraire IG) de linterrupteur.
A
P1
N1
P2
G

N2

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Le GTO est rversible en tension (VAK > 0 ou VAK < 0) et non rversible
en courant (I circule de A vers K).
La caractristique statique I(V) est identique celle dun thyristor.
La chute de tension l'tat ON (2 3V) aux bornes d'un GTO est
suprieure un thyristor classique.

les GTOs sont utiliss dans les applications de trs forte puissance
des frquences allant de quelques centaines de Hz 10kHz.

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5- Autres interrupteurs :
On peut crer dautres interrupteurs lectroniques de puissance en
combinant les interrupteurs prcdents (et leur commande).
Exemple : TRIAC
le triac est la mise en parallle de deux thyristors monts en tte-bche
(anode de lun est relie avec la cathode de lautre) utilisant la mme
commande.
Mme principe de fonctionnement que le thyristor.

Structure dun Triac

De part sa structure, le triac conduit aussi bien pour les alternances


positives que ngatives (contrairement au thyristor).
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Fonctionnement :
Pour VT positif, N1P1N2P2 se comporte comme un Thyristor qui devient
conducteur lorsque la tension VT atteint la tension de claquage de la jonction
P2 N2 polarise dans le sens inverse.
Pour VT ngatif, P1N2P2N4 se comporte comme un 2me Thyristor qui devient
conducteur lorsque la tension VT atteint la tension de claquage de la jonction
P1 N2 polarise dans le sens inverse.

Caractristiques relle et idale

Il existe donc quatre modes damorage


suivant les polarits de A1 et de G par rapport
A2. Ils correspondent aux quatre quadrants
du plan VT et VGT.

2
VT > 0; VGT< 0

VT

VT > 0; VGT> 0

0
VT < 0; VGT< 0 VT < 0; VGT> 0
3

VGT

42

Les Diacs :
Un diac est un composant amorage (bidirectionnel) par la tension
ses bornes.
Pas de prsence de gchette.
Leur principale application est la commande dallumage des TRIACS.

Caractristique statique I(V)

Fonctionnement en interrupteur ferm lorsquune tension V suffisante


est applique ses bornes (dpasse un certain seuil V # 32V :
tension de retournement).

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6- Rversibilit des interrupteurs :


Les transistors bipolaires et les MOS sont quivalents des interrupteurs
qualifis un quadrant (tension et courant exclusivement positifs).
Pour faire des interrupteurs rversibles en courant; on place une diode anti
parallle.

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7- Comparaison des interrupteurs commandables :


Composant

Puissance d'utilisation

Rapidit de
commutation

BJT

Moyen

Moyen

MOSFET

Faible

Rapide

GTO

Fort

Lent

IGBT

Moyen

Moyen

Thyristor

Thyristor
rapide

BJT

IGBT

GTO

Tension

6000V

1500V

1400V

1200V

4500V

Courant

5000A

1500A

500A

400A

3000A

Frquence

1kHz

3kHz

5kHz

20kHz

1kHz

45

Performances des
composants de puissance

Vue gnrale des


applications des
composants de puissance

46