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THEORIE GENERALE SIMPLIFIEE DES SEMI-CONDUCTEURS

1) RAPPELS SUR LA STRUCTURE DE LA MATIERE


1.1 Cas de latome
Latome est constitu dun noyau autour duquel gravitent des lectrons de charge lectrique -q
soit - 1.6 10-19 Coulomb. Le noyau contient deux types de particules : les neutrons qui ne sont pas
chargs et les protons qui portent une charge lectrique + q. Latome tant lectriquement neutre, le
nombre de protons est gal au nombre dlectrons. On distingue :
Les lectrons internes qui occupent les couches internes et qui sont trs fortement lis au
noyau
Les lectrons priphriques (ou de valence) qui occupent la couche la plus externe et qui sont
peu lis au noyau.
Les lectrons dun atome gravitant autour du noyau sont assujettis occuper des niveaux
discrets E1 , E2 ... E n qui dfinissent chacun une couche lectronique. Plus le niveau est lev, plus la
couche qui lui correspond est loigne du noyau. Si lon choisit comme origine des nergies (E = 0
eV, 1eV reprsentant 1.6 10-19 Joule) celle dun lectron soustrait linfluence du noyau (cest dire
port une distance infinie), toutes les valeurs de En sont ngatives. Cela se traduit par le fait quil
faut produire un travail pour loigner un lectron.
Energie (eV)
lectron
libre

0
lectron li

En

E2

K
L

Atome de silicium

E1

niveau dnergie

A titre dexemple, latome de silicium possde 14 lectrons qui sont rpartis sur trois couches : K
avec 2 lectrons, L avec 8 lectrons et M qui possde 4 lectrons. Contrairement aux deux premires,
la couche M est incomplte, en effet elle peut accueillir 4 lectrons supplmentaires. De faon
gnrale, tous les atomes tendent avoir huit lectrons sur leur couche externe.
1.1 Cas dun cristal
Energie
0
Bande
de conduction

lectron
libre dans le
solide

Bande interdite
Bande
de valence

lectron
li aux atomes

Un cristal est constitu dun ensemble


datomes dont les noyaux sont rpartis dans
lespace de faon rgulire. La cohsion des atomes
est assure par la mise en commun des lectrons de
valence pour former des liaisons dites de covalence.
Les tats nergtiques possibles des
lectrons du cristal sont reprsents par un
diagramme analogue celui de latome. Mais du fait
de linteraction des atomes, les niveaux dnergie se
transforment en bandes dnergie spares par des
bandes interdites (o il ny a pas dtats permis).

Cristal

Comme dans le cas de latome, le nombre


dlectrons susceptibles doccuper une bande dnergie est limit et les lectrons du solide
comblent en priorit les tats dnergie les plus faibles.

Un lectron dont lnergie est situe dans une bande en dessous de la bande de valence est li
un atome donn du solide. Dans la bande de valence, llectron est commun plusieurs atomes.
La bande situe au-dessus de la bande interdite sappelle la bande de conduction.
Llectron dont lnergie est comprise dans cette bande circule librement dans le solide. Cest un
porteur de charge qui participe lcoulement du courant dans le solide lorsque ce dernier est soumis
une diffrence de potentiel.
Chaque type de matriau prsente une hauteur de bande interdite qui lui est propre, cette
diffrence dnergie, qui joue un rle fondamental, permet de distinguer les matriaux isolants, semiconducteurs et conducteurs.
2) SEMI-CONDUCTEUR INTRINSEQUE
II

III

IV

Bore B (Z=5)

Carbone C (Z =6)

Azote N (Z = 7)

Aluminium Al (Z = 13)

Silicium Si ( Z = 14)

Phosphore P (Z = 15)

Zinc Zn (Z= 30)

Gallium Ga (Z = 31)

Germanium Ge (Z = 32)

Arsenic As (Z = 33)

Cadmium Ca (Z= 48)

Indium In (Z = 49)

tain Sn (Z = 50)

Antimoine Sb (Z = 51)

SILICIUM
14 lectrons
4 lectrons de valence
5 10 22 atomes cm-3
densit : 2.33g cm-3

Les semi-conducteurs (germanium et surtout silicium dont les proprits sont indiques en
annexe ) possdent 4 lectrons sur leur couche priphrique car ils appartiennent la 4 colonne de la
classification priodique des lments indique ci-dessus. Il est possible de les produire avec un haut
degr de puret (moins de 1 atome tranger pour 1011 atomes de semi-conducteur) : on parle alors de
S.C. intrinsque.
2.1) Liaison de covalence : semi-conducteur non excite
Considrons un cristal de silicium non excit au zro absolu (0K) dans lobscurit. Afin de
voir huit lectrons sur sa couche externe, chaque atome de silicium met ses 4 lectrons priphriques
en commun avec les atomes voisins. On obtient ainsi, pour le cristal de silicium la reprsentation de la
figure 1a. Cest la mise en commun des lectrons priphriques, appele liaison de covalence, qui
assure la cohsion du cristal de silicium. Les lectrons qui participent ces liaisons sont fortement lis
aux atomes de silicium. Il napparat donc aucune charge mobile susceptible dassurer la circulation
dun courant lectrique. Le S.C. est alors un isolant, en effet la bande de valence est sature, toutes
les places sont occupes alors que la bande de conduction qui offre des places libres est vide.
2.2) Ionisation thermique : gnration de paires lectron-trou
Lorsque la temprature nest pas nulle, lagitation thermique dsordonne la configuration
prcdente : les lectrons possdent une nergie supplmentaire positive qui provoque la rupture de
quelques liaisons de covalences (figure 1b). Un des lectrons participant cette liaison acquiert ainsi
de lnergie ncessaire pour quitter latome auquel il tait li. Il devient un porteur de charge libre,
capable de se dplacer dans le cristal, et autorisant ainsi la circulation dun courant lectrique sous une
diffrence de potentiel.
Le cristal devient alors un mauvais isolant do son appellation de semi-conducteur.

liaison de covalence libre : trou libre


+4

+4

+4

+4

Si

lectron libre

+4

+4

Si

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

Figure 1a : Situation T = 0K
le silicium est isolant

Figure 1b : situation T >> 0K


Le silicium est un mauvais conducteur

Latome de silicium qui a perdu un lectron nest plus lectriquement neutre : il est devenu un ion
positif. Ce phnomne nintresse quun nombre trs faible datomes de silicium ( 3 sur 1013 la
temprature de 300 K). La liaison de covalence non satisfaite est appele trou !
2.3) Hauteur de bande interdite et gnration de paires electrons-trous

population dlectrons libres en fonction de lnergie


lectron

lectron

Energie

Bande de Conduction
Gnration thermique
dune paire lecton-trou

Recombinaison

Eg bande interdite : 1.12 eV pour S i


Bande de Valence

trou

trou

population des trous libres en fonction de lnergie

Figure 2 : Phnomnes de gnration thermique et de recombinaison de paires


lectrons trous conduisant un quilibre temprature constante
Le paramtre essentiel qui caractrise le S.C. est la quantit dnergie minimale ncessaire
pour briser une liaison de covalence, ce qui revient dans le modle des bandes dnergie
fairegrimper un lectron de lun des niveaux de la bande de valence sur lun des niveaux de la
bande de conduction (figure 2).
Lnergie minimale requise pour gnrer une paire lectron-trou correspond la hauteur de
bande interdite EG dont la valeur est indique dans le tableau suivant pour divers matriaux :

Semi-conducteur

EG (eV) 300 K

EG (eV)0K

C diamant

5,47

5,51

Ge

0,66

0,75

Si

1,12

1,16

A une temprature diffrente du zro absolu, un certain nombre dlectrons de valence acquiert
assez dnergie thermique pour rompre leurs liaisons et devenir des lectrons libres. Ce gain
dnergie, qui doit tre au moins gal EG, fait accder les lectrons des places libres de la bande de
conduction. Corrlativement, ils laissent derrire eux des places disponibles vides (trous) dans la
bande de valence.
La hauteur de bande interdite du diamant (EG = 5.47 eV) en fait un parfait isolant. En effet
mme aux tempratures leves, il est impossible de faire passer des lectrons de la bande de valence
la bande de conduction. Loxyde de silicium Si O2 important pour la fabrication des circuits intgrs,
avec EG = 9 eV est lui aussi un isolant.
Les conducteurs mtalliques ont une structure cristalline et ce titre on leur associe un schma
de bandes. Celui-ci prsente cependant une configuration particulire telle qu toutes les tempratures
il existe des lectrons libres disponibles (environ 1023 cm-3 ). En effet, soit la bande de conduction
dispose toujours de places libres, soit il existe un chevauchement entre bandes de valence et de
conduction qui supprime la bande interdite.
2.4) Recombinaison
Lionisation thermique conduirait, terme lionisation de tous les atomes de silicium ( soit
5.10 22 atomes par cm3 ) si elle ntait compense par un autre phnomne : les recombinaisons.
En effet, un lectron libre, arrivant, lors de son dplacement dans le cristal, proximit dun ion
positif peut tre captur par ce dernier afin de satisfaire sa liaison de covalence (trou libre). La
liaison de covalence est alors rtablie. Dans le modle des bandes (figure 2) un lectron de la bande de
conduction libre sa place et vient occuper une place libre dans la bande de valence, neutralisant alors
un trou.
Lorsque llectron descend de la bande de conduction vers la bande de valence, le semiconducteur restitue lnergie sous forme de chaleur ou met de la lumire (photon). Ce dernier effet
est utilis dans les diodes lectroluminescentes (L.E.D.) ou les lasers semi-conducteurs. Le photon
mis a une nergie gale Eg selon : Eg = h.c (o reprsente la longueur donde, h la constante
de Plank et c la vitesse de la lumire) soit (m). Eg(eV) = 1.24.
En sens inverse, un photon qui possde une nergie suprieure ou gale EG a le pouvoir de gnrer
une paire lectron-trou.
2.5) Concentration n i des porteurs dans le silicium intrinsque
A temprature constante, un quilibre stablit (figure 3) entre les phnomnes dionisation
thermique et de recombinaison ; les lectrons libres et les ions de silicium apparaissant en quantits
gales. La concentration en lectrons libres n et en trous libres p sont gales n i la concentration
intrinsque.
La mcanique statistique montre que la population des porteurs libres (n lectrons.cm-3 dans la bande
de conduction et p trous .cm-3 dans la bande de valence sexprime selon les lois :
n = N c exp(

En
)
KT

p = N v exp(

Ep
)
KT

O Nc et N v sont respectivement la densit effective dtats des lectrons dans la bande de


conduction ( 2.82.1019 cm-3 300K pour Si ) et la densit effective dtats des trous dans la
bande de valence ( 1.83.1019 cm-3 300K pour S i ). Ces deux coefficients voluent avec la
temprature selon une loi en T3/2 .
Ec et En reprsentent deux diffrences dnergies lies un niveau dit de Fermi qui indique
les carts de population entre les lectrons et les trous.

Bande de conduction

N c exp(

En
)
KT

Energie

EC
En

bande interdite :
1.12 eV pour Si

EFi : niveau de Fermi

Ep

EV
Bande de valence

N v exp(

Ep
)
KT

Figure 3 : populations des porteurs du S.C. intrinsque et niveau de


Fermi
Pour le silicium pur 300 K, o p=n=ni , on montre que le niveau indicateur de Fermi EFi est situ
au milieu de la bande interdite ( en effet : En -En = 11.2 meV est ngligeable devant la hauteur de
bande interdite Ec +En = 1.12eV).
La concentration intrinsque ni en lectrons libres et en trous libres par cm3 dpend de la hauteur de
bande interdite EG et de la temprature T (voir graphe en annexe) selon la loi :
3
2

EG
n = p = n i = A T exp
2KT

A : constante du matriau
EG : hauteur de bande interdite (eV)
K : constante de Boltzman 8, 6 .10 - 5 eV K-1
T : temprature absolue en K

Concentration intrinsque du silicium T= 300K : ni = 1,45 1010 cm -3


Le silicium intrinsque a des dapplications pratiques limites : photorsistance, thermistance.
Cependant, il est possible en introduisant certaines impurets en quantit contrle, de privilgier un
type de conduction : par lectrons libres ou trous libres.

3) SILICIUM DOPE UNIQUEMENT N


On obtient u n S.C. de type N en injectant dans le cristal de silicium des atomes qui possdent
5 lectrons sur leur couche priphrique (phosphore ou arsenic de la 5 colonne de la classification).
lectron libre
+4

+4

+4

Bande de conduction

Si

+4

+5

+4

+4

+4

EC
Energie

+4

n = Nd

EG

EFi

EFn : niveau de Fermi

En

En = KT ln(

Nd
)
ni

EV
Bande de valence

atome de Phosphore

Figure 4a : libration dun lectron par latome de phosphore

p=

ni2
Nd

4b : schma des bandes

Quatre de ces cinq lectrons sont mis en commun avec les atomes de silicium voisins pour
raliser des liaisons de covalences (figure 4a). Le 5 lectron, inutilis, est trs faiblement li latome
pentavalent. Une trs faible nergie suffit pour le librer et il se retrouve libre dans la bande de
conduction. Latome de phosphore qui a fourni un lectron libre est appel atome donneur. Il a perdu
sa neutralit pour devenir un ion positif fixe.
A la temprature ordinaire, la quasi-totalit des atomes donneurs sont ioniss. Si ND est la
concentration des atomes donneurs, ceux-ci vont librer n = ND lectrons libres.
Les concentrations en lectrons libres (n) et en trous libres (p) sont lies par la loi daction de
masse :
n.p = n 2i
Avec ND =n = 10 18 cm -3 alors : p = 225 cm -3 T = 300 K
Les lectrons sont les porteurs majoritaires et les trous les porteurs minoritaires.
Dans la modlisation du schma des bandes dnergie (figure 4b), la population des lectrons
libres de la B.C. est beaucoup plus importante que celle des trous libres dans B.V..
Le niveau indicateur de Fermi EFn se dplace donc du milieu de la bande interdite (EFi ) vers la bande
de conduction de telle manire que :
E n = KT.ln(
Avec En = EFn - EFi

Nd
ni

4) SILICIUM DOPE UNIQUEMENT P


On obtient un S.C. dop P en injectant dans le silicium des atomes de la 3 colonne (bore,
indium) qui possdent trois lectrons priphriques.
trou libre

+4

+4

Bande de conduction

+4

Si

EC
+3

niveau de Fermi EFp

Energie

+4

+4

EFi

EG

E p = KT ln(

EV
Bande de valence
+4

ni2
n=
Na

+4

+4

Na
)
ni

p = Na

atome de Bore

Figure 5a : libration dun trou par le bore

5b : schma des bandes

Il manque ainsi un lectron latome trivalent pour raliser les liaisons covalentes avec les
quatre atomes de silicium qui lentourent (figure 5a). En fait, les lectrons participant aux liaisons
sont indiscernables les uns des autres. Tout ce passe alors comme si un des atomes de silicium voisin
avait cd un lectron latome trivalent de bore, crant ainsi un trou dans le cristal de silicium.
Latome de bore qui capte un lectron est appel atome accepteur, il a perdu sa neutralit pour devenir
un ion ngatif fixe.
A la temprature ordinaire, la quasi-totalit des atomes accepteurs sont ioniss. Si NA est la
concentration par cm3 des atomes accepteurs, ceux-ci vont librer : p = NA trous libres.
Les concentrations en lectrons libres (n) et en trous libres (p) sont lies par la loi daction de masse :
n.p = n 2i
Si NA =p = 10 16 cm -3 et n = 2.10 4 cm -3 T = 300K.
Les trous sont les porteurs majoritaires et les lectrons les porteurs minoritaires.
Dans la modlisation du schma des bandes dnergie (figure 5b), la population des lectrons
libres de la B.C. est beaucoup plus faible que celle des trous libres dans B.V.. Le niveau indicateur
de Fermi EFp se dplace du niveau intrinsque EFi vers la bande de valence de telle manire que :
E p = KT.ln(
Avec Ep = EFi - EFp

Na
ni

5) CAS GENERAL
Si le silicium a subit plusieurs dopages successifs par injection datomes accepteurs de bore et
d atomes donneurs de phosphore par exemple, la population en lectrons libres (n) et en trous libres
(p) est encore donne par la loi daction de masse :
n.p = n 2i
Cependant on doit aussi tenir compte de la neutralit lectrique du cristal savoir : charges + (trous
libres et ions +) = charges - (lectrons libres et ions -), qui conduit une deuxime relation :
q(p + N ) = q(n + N )
D

On en dduit les expressions des concentration en porteurs :


n=

p=

(N d N a ) + (N d N a ) 2 + 4n 2i
2

(N d N a ) + (N d N a ) 2 + 4n 2i

2
Consquences :

Si Na > Nd le matriau est de type P par compensation

Si Nd > Na le matriau est de type N par compensation

Si Na = Nd le matriau est de type intrinsque par compensation


La situation la plus courante est celle o lune des concentrations domine trs largement lautre :

Si Na >> Nd le matriau est de type P affirm


Si Nd >> Na le matriau est de type N affirm

6) CONDUCTION DES SEMI-CONDUCTEURS


6.1) Mobilit des porteurs de charge : lectrons et trous
Considrons un semi-conducteur isol. Les porteurs de charges mobiles sy dplacent en tous sens et
comme aucune direction nest privilgie, on nobserve aucune circulation de charges lchelle
macroscopique.
Appliquons au S.C. une diffrence de potentiel V. Compte-tenu de la relation champ-potentiel :
P = grad
P V soit E
E
P = dV(x) Pi sur un axe ox de vecteur unitaire Pi , il apparat dans le S.C. un champ
dx
P
lectrique E qui favorise le dplacement des trous dans le sens du champ lectrique et le dplacement
des lectrons mobiles dans le sens oppos.
A lchelle macroscopique, les trous et les lectrons prennent des vitesses densemble :
P
P p = p E
v

P
v
P n = n E

p est la mobilit des trous


n est la mobilit des lectrons

Mobilit T = 300K

lectrons (cm2 V -1 s-1)

trous ( cm 2 V -1 s

Ge

3900

1900

Si

1500

475

GaAs

8500

400

-1)

Ces mobilits dpendent de la temprature, du champ lectrique et du dopage (voir annexe).

La mobilit diminue lorsque la temprature augmente, en effet, lagitation thermique accroit le


nombre de chocs qui soppose au dplacement.

A temprature ordinaire, p , la mobilit des trous est infrieure n la mobilit des lectrons.
Cela se conoit dans la mesure o n provient du dplacement direct des lectrons de la bande
de conduction alors que p rsulte des actions successives illustres par la figure suivante.
lectron libredans la bande
de conduction

Champ lectrique E

trou

trou

trou
1

Si +

Si +

Si +

Situation 1 : ionisation thermique, c'est dire, cration d'une paire lectron-trou au niveau de
l'atome de silicium 1 qui devient un ion positif
Situation 2 : sous l'action du champ lectrique, l'lectron de valence de l'atome 2 est venu
combler le trou de l'atome 1
Situation 3 : sous l'action du champ lectrique, l'lectron de valence de l'atome 3 est venu
combler le trou de l'atome 2
Le mouvement des trous correspond
valence.

un mouvement d'lectrons dans la bande de

6.2 ) Densit de courant de conduction


Considrons (figure 6) un barreau
de silicium homogne de section S et de
longueur L temprature constante o les
porteurs libres sont constitus de p trous
et n lectrons par cm 3 .
La diffrence de potentiel V applique au
barreau cre un champ lectrique de norme
constante qui provoque le dplacement des
porteurs.
Durant un temps dt, un observateur plac
en x voit passer :

trou

vp

section S

L
d.d.p. dans le barreau

P trous anims de la vitesse :


vP = E
P

lectron

masse

N lectrons anims de la vitesse :


Pv = E
P
n

vn

E
E

pn

| E | = dV /dx

dV

Durant le temps dt, ces porteurs vont


parcourir une distance dxn et dxp .

x x+dx

Figure 6
La densit de courant totale J
( -1 cm-1 ) du cristal :

tot

J tot = q

est alors proportionnelle au champ lectrique et la conductivit


dx n
dx p
N
P
+ q
avec dt =
=
S dt
S dt
n E
p E

J tot = q (n n + p p ) E = E
Remarque : inclinaison du schma de bandes et mouvement des porteurs.
On montre que la prsence dun champ lectrique dans le barreau, consquence de la d.d.p.
applique, va entraner une inclinaison du schma de bandes du S.C.dans le sens des potentiels
croissants (figure 7). On dispose alors dune analogie mcanique pour illustrer le sens du mouvement
des porteurs :
Energie
lectron : analogie bille

mvt
E

Ec

BC

trou : analogie ballon


Ec

mvt
x > 0
V > 0

BV

Figure 7
10

Les lectrons de la bande de conduction


se comportent comme des billes sur un plan
inclin. En se dplaant vers la droite leur
nergie cintique augmente alors que leur
nergie potentielle diminue. La somme des
nergies tant bien entendu constante
Les trous de la bande de valence se
comportent comme des ballons se dplaant le
long dun plafond inclin. Vers la gauche ils
voient leur nergie cintique augmenter alors
que leur nergie potentielle diminue.

7) DENSITE DE COURANT DE DIFFUSION DES SEMI-CONDUCTEURS


Dans les semi-conducteurs non homognes, les porteurs peuvent aussi de dplacer par diffusion.
zone de forte
concentration
( 14 particules)

zone de faible
concentration
( 6 particules)

1 4 particules

14 particules

x
x+dx
Figure 8a

x+dx
Figure 8b

Pour expliquer le processus de diffusion, imaginons (figure 8a) un milieu prsentant 14


particules en x et 6 particules en x+dx.
Le nombre total de particules qui se dplacent vers la gauche est aussi grand que celui qui se dplace
vers la droite. Comme il y a plus de particules sur la gauche que sur la droite, il se produit un flux net
de la gauche vers la droite.
La surface dpaisseur dx voit donc passer 7 particules de la gauche vers la droite et 3 de droite
gauche. On assiste donc au passage de 4 particules de x vers x+dx, proportionnelle la diffrence de
concentration cest dire du coefficient directeur d(concentration) / dx. Si la concentration de gauche
et de droite sont gales (figure 8b), cela ne veut pas dire quil ny aura plus de particules en
mouvement. Il y a en revanche autant de particules qui se dplacent vers la droite que vers la gauche,
lcoulement net a donc disparu : il y a quilibre dynamique.
7.1) Diffusion des lectrons
Considrons un barreau de S.C. de type P soumis une source lumineuse intense sur une de ses
faces (figure 4). Cette source lumineuse va produire, par apport dnergie, une gnration locale de
paires lectrons-trous. En effet, au niveau de la surface claire, on cre une surpopulation
dlectrons n(x = 0) par rapport lquilibre o n (L) = ni 2 /p. Les lectrons en surplus, vont
diffuser de la gauche vers la droite du barreau comme les molcules dun gaz qui, injectes dans un
rcipient, tendent occuper tout le volume (autres analogies : diffusion dun parfum dans une pice,
diffusion du th dans de leau...). Ces lectrons supplmentaires sont recombins par la forte
population des trous du Si P et leur population diminue en fonction de x selon :
x
n(x)= n(0) exp ( ) avec Ln : longueur de diffusion des lectrons
Ln
On dfinit en x une densit de courant de diffusion des lectrons : JD n proportionnelle au gradient de
concentration (Dn cm2 s -1 est la constante de diffusion des lectrons dans le silicium) :
J Dn = q Dn

dn(x)
KT
o Dn = n
dx
q

11

Remarque : dn(x) est ngatif donc JDn est bien dirig dans le sens des x ngatif sur la figure 9.
dx
surpopulation
d lectrons

Si P

mvt

source lumineuse

n(x) : Population des lectrons


n (x =0)

mvt

n(x) p > ni 2

d n(x)/dx
quilibre

nP

n(x) p = n i 2
0

J Dn

Figure 9 : diffusion des lectrons dans le silicium P non homogne


7.2) Diffusion des trous

dp(x)
KT
o Dp = p
dx
q

Remarque : dp(x) est ngatif, sachant que JDn est


dx
dirig dans le sens des x positif il faut affecter
lexpression de JDn du signe - !

SiN
mvt

p(x) : Population des trous


p(x=0)

p(x). n>>ni2

J Dp = q Dp

Source lumire

Considrons un barreau de S.C. de type N soumis une source lumineuse intense sur une de
ses faces (fig. 10). Comme prcdemment on obtient un phnomne de diffusion des trous
x
excdentaires avec : p(x)= p(0) exp ( ) avec Ln : longueur de diffusion des trous
Lp
conduisant dfinir une densit de courant de
diffusion des trous : JDp proportionnelle au gradient
surpopulation de trous
de concentration (Dp en cm2 s -1 est la constante de
diffusion des trous dans le silicium) :

mvt des trous


dp(x)/dx

JDp

Figure 10

12

JONCTION SEMI-CONDUCTRICE AU SILICIUM


1) FORMATION DE LA JONCTION PN
Considrons deux barreaux de silicium : lun dop P au bore, lautre dop N au phosphore. Le
bilan des porteurs libres une temprature fixe est indiqu ci-dessous :
lectrons minoritaires

lectrons majoritaires

p p = Na
np =

pn =

2
i

n2i
Nd

nn = Nd

Na
Si P
trous majoritaires

Si N
trous minoritaires

Imaginons que lon rapproche les deux barreaux de manire raliser leur contact physique au
niveau dune jonction dite mtallurgique. On assisterait alors deux phnomnes se manifestant de
part et dautre de linterface PN :
diffusion de trous libres vers Si N

Si P

Si N

Si P

ions bore
-

diffusion d lectrons libres vers Si P

E0
- +
- +
- +
- +

+
+
ions phosphore
+
+
Si N

W0

Figure 11a

Figure 11b

Transitoire de dure trs brve (figure 11a) savoir diffusion des trous de la rgion P vers la
rgion N. En effet comme les trous sont plus nombreux dans P que dans N, ils vont avoir
tendance diffuser pour rtablir lquilibre (idem pour les lectrons qui vont diffuser de N -> P).

Permanent (figure 11b), les trous qui ont envahi la rgion N (o ils ont disparu par
recombinaison avec les lectrons majoritaires dans cette rgion ) ont laisss derrire eux des ions
fixes de bore ioniss ngativement. De mme, les lectrons de la rgion N qui sont passs du
ct P ont laiss derrire eux des ions fixes de phosphore ioniss positivement.

Ces ions fixes de Bore et de phosphore chargs respectivement - et +, forment de part et dautre de la
jonction mtallurgique, une barrire de potentiel V qui provoque lapparition dun champ lectrique interne E 0 dans une zone de charge despace (Z.C.E.) dpaisseur W0 .
On montre que la hauteur de barrire de potentiel V et la largeur W0 de la Z.C.E. qui stend
principalement du ct le moins dop sont telles que (voir annexe en fin de document) :
V = UT ln

Na Nd
n

2
i

o UT =

KT
25 mV 25C et
q

W0 =

2 0 Si 1
1
+
V (1)
q
Na Nd

Pour : Na =1018 cm -3, N d = 1015 cm -3, W0 = 0.96 m, V = 0.75 V et E0max = 1.56 104 V. cm -1
avec : 0 = 8,85 10-14 F/cm, S i = 12
Lanode et la cathode tant la masse, la jonction est en court-circuit et son courant doit tre nul.
13

En effet la jonction (figure 12) est traverse par deux courants opposs qui sannulent :

Le courant de saturation IS qui correspond aux porteurs minoritaires des zones N (les
trous) et P (les lectrons) qui se prsentent en bordure de la Z.C.E. et qui sont alors
entrans par le champ lectrique E0 respectivement dans les zones P et N.

Le courant ayant pour origine les porteurs libres majoritaires de N et de P, trs voisins de la
Z.C.E., et dont lnergie suffisante pour sauter la hauteur de barrire V .
La population de ces porteurs, proportionnelle exp (
forme : I0 exp (V/UT)

Le courant total tant nul, il vient : I = I exp (


S

V
UT

conduit un courant de la

) (2)

U
T

ions fixes de Bore


Anode

ions fixes de Phosphore

trous libres

rgion neutre P

- -

+ + +

+ + +

Cathode

+ + +

- - -

Z.C.E.

Masse

lectrons libres

rgion neutre N

W0
Population des lectrons en
fonction de lnergie

E0

Energie

B.C.

Barrire de potentiel V
B.C.
B.V.
B. interdite : 1.12 eV

V
Population des trous en
fonction de lnergie

B.V.
Courant de gnration thermique IS

Courant d aux porteurs majoritaires qui sautent la barrire V

0 mA

Figure 12 : origine des courants opposs circulant dans la jonction PN en court-circuit

14

Schma de bandes de la jonction PN en court-circuit et barrire de potentiel V


On montre que dans un cristal semi-conducteur non soumis une diffrence de potentiel et
lquilibre thermique, quel que soit son dopage P ou N, les niveaux de Fermi associs, EFp et E Fn
(voir paragraphes 3 et 4), restent aligns dans le schma de bandes. La figure 13, qui reprsente le
schma de bandes dune jonction PN en court-circuit, illustre ce principe.
V = E / q
Silicium P

Silicium N

B.C.
EG
2
EFp

E
B.C.

Ep

EFn
En

B.V.

E p = KT ln(

EG
2
Ei

Na
)
ni
B.V.

En = KT ln(

Nd
)
ni

Figure 13 : Schma de bandes de la jonction PN en court-circuit

Sachant que les niveaux de Fermi EFp et EFn respectivement associs aux cts P et N sont
aligns, la bande ce conduction du silicium N est plus lve que celle du silicium N. Il en est de
mme pour les bandes de conduction. Ceci entrane la prsence dune diffrence dnergie E entre
ces bandes. On se propose de calculer E (eV).
Sachant que EG est la hauteur de bande interdite du silicium :
EG
EG
E=
+ Ep (
En) = Ep + En
2
2
N
N
N N
avec : E p = KT. ln( a ) et E n = KT. ln( d ) , il vient : E = KT. ln( a d )
ni
ni
n 2i

On sait que la variation dnergie potentielle E dun lectron soumis une diffrence de
potentiel V est telle que : E = - q V. Dans ces conditions, la diffrence dnergie E entre les
bandes, on fait correspondre une diffrence de potentiel interne appelle hauteur de barrire de
potentiel V telle que :
N N
V = KT . ln( a d )
q
n 2i

15

2) JONCTION POLARISEE EN INVERSE


Le semi-conducteur de type N tant la masse, on relve laide dun gnrateur de tension Vinv , le
potentiel du semi-conducteur de type P (figure 14).
2.1) Tension v i n v faible : courant inverse de saturation
La hauteur de barrire entre les rgions P et N est renforce par la tension extrieure applique et
devient V +Vinv . Le champ lectrique dans la Z..C.E. augmente ainsi que son tendue ( dans
lquation (1) V devient V + Vinv ).
Les porteurs majoritaires des rgions N et P nont pas lnergie ncessaire pour sauter cette
barrire de potentiel. La jonction est alors traverse
par le trs faible courant de
saturation IS . Ce courant issu du phnomne dionisation thermique du silicium,
dpend uniquement de la temprature.

ions fixes de Bore

ions fixes de Phosphore

- - -

Vinv

trous libres

- - -

rgion neutre P

+ ++
+ + +
+ ++

Z.C.E.

lectrons libres

Masse

rgion neutre N

Winv >>W0

Ei n v > > E0

Population des lectrons en


fonction de lnergie

Energie

B.C.

Barrire de potentiel V +Vinv


B.C.
B.V.

B. interdite : 1.12 eV

V +Vinv
Population des trous en
fonction de lnergie

B.V.

Courant de gnration thermique IS

IS
Figure 14 : origine du courant inverse de saturation IS dune jonction bloque

2.2) Capacit de transition


La jonction PN est constitue de deux charges opposes immobiles (ions Na- ct P, ions N d+ du
ct N). Elle se comporte donc comme un condensateur dont la Z.C.E. est le dilectrique et les
rgions N et P les lectrodes. La capacit correspondante est nomme capacit de transition :

16

S
avec S aire de la jonction et W paisseur de la Z.C.E qui dpend de la hauteur de
W
C
To
barrire. Aussi on peut crire : C =
o C correspond V = 0V
T
To
inv
V
in
1
V

CT =

0 Si

Cette capacit qui dpend de la temprature a des valeurs typiques comprises ente 1 et 200 pF.
2.3) Avalanche de la jonction : effet Zener

VZ

IA

L'avalanche par multiplication, et le claquage par effet Zener


sont les deux processus qui produisent une augmentation brutale du
courant de la jonction polarise en inverse par une tension suffisante VZ.

Un porteur (figure 3) de la Z.C.E. d'origine thermique,


appartenant donc Is , descend la barrire de jonction et acquiert de
l'nergie cintique du potentiel appliqu. Ce porteur qui entre en collision
avec un ion silicium, peut rompre une liaison de covalence.

VAK

Outre le porteur initial, il existe maintenant une nouvelle paire lectrontrou. Ces porteurs peuvent tirer assez d'nergie du champ appliqu, entrer
en collision avec un autre ion et crer d'autres paires lectron-trou. Cet
effet cumulatif est appel avalanche par multiplication. Il donne un grand
courant inverse et on dit que la jonction est dans la rgion de claquage par avalanche.
Un autre phnomne li un champ lectrique intense conduit la mme situation : effet Zener.
Ici le champ lectrique lev exerce une force suffisante pour extraire des lectrons de leurs liaisons
de covalence crant alors des paires lectron-trou qui augmentent aussi le courant inverse.
3) JONCTION POLARISEE EN DIRECT
3.1) Courant direct de la jonction
Le fait de polariser la jonction sous une tension Vdirect rduit la hauteur de barrire qui devient :
V-Vdirect entranant une diminution de lpaisseur de la Z.C.E (dans lquation (1) V est remplac
par : V-Vdirect ).
De nombreux lectrons de la rgion N et de trous de la rgion P peuvent alors franchir cette
barrire de potentiel et, se prsentant alors dans un milieu hostile (P pour lectrons et N pour les
trous), ils sont recombins (figure 15). Cette recombinaison consomme prs de la Z.C.E. des trous
dans la rgion P (des lectrons dans la rgion N). Pour rtablir lquilibre, les trous de la rgion
neutre P se mettent en mouvement vers la zone o se produit la recombinaison (dficit en trous). Les
lectrons de la rgion neutre N sont soumis un phnomne analogue.
Cest ce phnomne de recombinaison locale qui explique la circulation du courant
direct I A dans la jonction.
V Vdirect
Vdirect
Ce courant scrit : I 0 exp (
) soit : I S exp(
) avec la relation (2).
UT
UT
Sachant que le courant de saturation IS correspondant aux porteurs minoritaires des zones N et P qui
se prsentent en bordure de la Z.C.E. est encore prsent (page 14), on obtient le courant total qui
circule dans la jonction :
IA = IS exp (

Vdirect

17

UT

)-1

Silicium P

Silicium N

Edirect << E 0

Dcroissance par recombinaison


de la surpopulation des lectrons injects
dans le silicium P

ENERGIE

Barrire de potentiel :
V - Vdirect

B.C.
Recombinaison des lectrons
Recombinaison des trous
V - Vdirect

B.V.

Dcroissance par recombinaison


de la surpopulation des trous injects
dans le silicium N

Wdirect << W0

Courant des lectrons compensant ceux


qui disparaissent par recombinaison

Courant des trous compensant ceux


qui disparaissent par recombinaison

IA
+

Vdirect

Figure 15 : jonction polarise dans le sens passant

3.2) Capacit de diffusion


Le phnomne de recombinaison locale de part et dautre de la Z.C.E. (figure 4) n'est pas
instantan. En effet les lectrons passs dans l'anode recombinent avec les trous prsents aprs un
certain temps moyen p : dure de vie des trous (ordre de la nanoseconde). De mme du ct de la
cathode, on dfinit n dure de vie des lectrons.
Il y a donc toujours, de part et d'autre de la Z.C.E., une charge positive dans la cathode et
une charge ngative dans l'anode, compose de porteurs non recombins. Ceci est quivalent la
prsence d'une capacit dite capacit de diffusion CD proportionnelle au courant direct IA de la
jonction.

18

EFFET TRANSISTOR BIPOLAIRE


Considrons un transistor NPN (figure 1) :

VCB

C
B

VBE

IC

IB

N+ +

IE
E

Figure 1
La tension VBE positive, polarise la jonction base- metteur du transistor en direct, alors que la
tension VCB polarise la jonction collecteur -base en inverse !
La jonction base- metteur fonctionnant en mode direct est donc le sige des phnomnes
jonction passante vus prcdemment. En effet, des lectrons sont injects de la rgion dmetteur N++
trs dope dans la base P o ils subissent le phnomne habituel de recombinaison avec les trous qui
sont ici porteurs majoritaires. La surpopulation des lectrons injects dans le silicium P disparat
selon la loi :
n0

n(x) = n 0 exp

x
Ln
quilibre

0
WB

Ln

Si P

n0 : surpopulation des lectrons se prsentant dans la base


n(x) : population des lectrons dans la base
Ln : longueur de diffusion des lectrons dans la base P
WB : paisseur de la base du transistor

Cependant, le transistor (figure 2) est caractris par une paisseur de base WB de 0.5 2 m
trs infrieure la longueur de diffusion des lectrons Ln soit 10 20 m. Dans ces conditions, tous
les lectrons injects dans la base ne subissent pas le phnomne de recombinaison avec les trous,
aussi, les lectrons "chanceux" qui ont pu traverser la base sans se faire recombiner, parviennent la
frontire de la Z.C.E. de la jonction bloque base-collecteur. Ils sont alors pris en charge par le champ
lectrique E qui y rgne et se retrouvent dans le collecteur N o ils sont majoritaires et ne risquent plus
la recombinaison.
Ainsi un courant peut traverser la jonction bloque base-collecteur : c'est l'effet
transistor !
Les lectrons qui ont t recombins dans la base craient le courant faible de base ce qui assure un
courant de collecteur IC voisin du courant d'metteur IE.
On peut exprimer le courant de collecteur selon : I C =

< 1 : coefficient de transfert en courant


19

I E + I S BC avec :

IS BC courant inverse de saturation de la jonction B C.

Sachant que le transistor est un noeud de courant, la relation IE = IB +IC qui conduit :
IC =

IB +

I S BC
1

I C = I B + I CE0
Pour la plupart des transistors : le gain en courant (ou Hfe) est compris entre 50 et 500, alors que le
courant de fuite de collecteur ICE0 est en gnral ngligeable temprature ambiante.

Jonction passante
Emetteur N ++

Jonction bloque

Base P

Collecteur N

Z.C.E. Base Emetteur

Z.C.E. Base Collecteur

lectrons injects
dans la base

ENERGIE

x
WB

B.C.
Recombinaison des
trous dans SiN

Mouvement des lectrons qui ont pu traverser


la base sans se faire recombiner

R
R
Electrons venant de lmetteur qui
sajoutent la population existante

B.V.

G
Recombinaison faible des lectrons dans la
base SiP car Ln >> WB paisseur de la base

Gnration thermique :
courant IS BC

Figure 2 : Effet transistor

20

B.C.

B.V.

CONCEPTION DES CIRCUITS INTEGRES MONOLITHIQUES


Lavnement des circuits intgrs monolithiques, circuits dont tous les lments sont raliss
simultanment sur la mme pastille de silicium, a profondment modifi les mthodes de conception et
de ralisation des ensembles lectroniques en ouvrant des perspectives nouvelles dans le domaine de
la performance, de la miniaturisation, de la fiabilit et du prix de revient.
Les concepteurs chargs de la cration des circuits sont amens raisonner directement en circuits
intgrs plutt quen circuits destins une ralisation en lments discrets. En effet, il nest pas
possible de tout intgrer et cette intgration conduit certaines limitations sur les caractristiques des
composants lmentaires. Dun autre ct, lintgration monolithique permet de concevoir certains
montages quil serait impossible de raliser en version discrte.
1) ELABORATION DUN SUBSTRAT DE SILICIUM
1.1)

Prparation du silicium - obtention de la plaquettesubstrat

Le silicium est un lment ayant un aspect mtallique gris clair. Il se trouve en abondance dans la
nature sous forme de silice (sable) et de divers mlanges.
Les deux principaux problmes rsoudre pour la prparation du silicium en vue de la fabrication
de circuits intgrs (ou de composants discrets) sont :
taux de puret trs lev
Obtention du silicium monocristal cest dire se prsentant sous la forme dun cristal
homogne orientation molculaire parfaitement dfinie.
La purification du silicium se fait en plusieurs tapes. On rduit dabord la silice par chauffage avec
du carbone (coke) dans un four lectrique, le degr de puret atteint est de 98%. Le silicium ainsi
obtenu est ensuite transform en un corps compos, le ttrachlorure de silicium qui sera purifi et
rduit de manire obtenir du silicium polycristallin trs pur ayant un taux dimpurets d'environ 10
-10 .
Il reste mettre le silicium polycristallin sous forme de monocristal en utilisant la technique du
tirage (fig. 1).

Rotating
cuck

Quartz tube

Growing
cristal

Le silicium polycristallin est fondu dans un creuset de quartz


chauff par induction, la temprature tant maintenue constante juste
au-dessus du point de fusion du silicium. Un germe de silicium
monocristallin une temprature infrieure est dispos la surface
du silicium polycristallin fondu quil refroidit localement ce qui
entrane la solidification de la zone proximit immdiate du germe.
Ce processus est assez progressif pour que les atomes qui se
solidifient prennent lorientation des atomes du germe. Le silicium
monocristallin qui se forme alors est tourn lentement ( 1 tour/
seconde) et soulev avec une vitesse de 2.5 cm/heure afin
daugmenter son volume.

Molten Si

Aprs tirage, le cristal de silicium ou carotte a une forme


cylindrique
de 50 100 mm de diamtre et une longueur de 30 cm.
crucible
Le dopant qui dtermine si le silicium est de type N ou P est ajout
durant la procdure de tirage.
Pour la fabrication des circuits intgrs, on utilise des plaquettes
Figure 1
fines de silicium en gnral dop P ayant une paisseur de 0.6 mm.
Aussi, la carotte est dcoupe en tranches par une fine roue diamante tournant vitesse leve. Les
plaquettes sont ensuite polies mcaniquement et chimiquement. Un grand nombre de circuits
identiques seront fabriqus sur ces plaquettes en utilisant le procd de la diffusion solide dimpurets
dans des zones amnages par lintermdiaire de la technique de photo-lithographie.
RF heating
coils

21

1.2) Photolithographie de loxyde de silicium (figure 2)


Il est important de remarquer que la formation dune couche doxyde de silicium (SiO2 ) la
surface de la plaquette de silicium empche la diffusion dans le volume des dopants habituels : le bore,
le phosphore ou larsenic. Cette couche de SiO2 peut sliminer localement par attaque chimique
lacide hydrofluorique qui est par ailleurs sans action sur le silicium.
Dans ces conditions, si on oxyde la plaquette de silicium ( T=1100C dans un courant doxygne
ou de vapeur deau), et si on enlve ensuite cet oxyde certains endroits, il est alors possible de faire
diffuser les impurets exclusivement dans ces zones nommes fentres.
Cette limination locale (figure 2) de loxyde de silicium se fait par lintermdiaire :

dune couche de photoresist qui est une substance organique qui, polymrise sous laction
dun rayonnement ultra violet, rsiste alors aux acides et solvants

D'un masque photographique qui slectionne les zones o la couche de photoresist ne


subissant pas le rayonnement ultraviolet, peut tre limine.
Photorsist

S i O2
plaquette de silicium
lumire ultraviolette
masque photo

Photorsist

S i O2
plaquette de silicium

Photorsist
polymris

S i O2
plaquette de silicium

Photorsist
polymris

fentre

S i O2

La surface de la plaquette de silicium est


pralablement oxyde et recouverte dune couche
de photoresist.
On place ensuite un masque photographique
dont les rgions opaques du masque
correspondent aux endroits o lon dsire attaquer
ensuite loxyde de silicium.
La plaquette est ensuite illumine aux ultra
violets.
Aprs dveloppement du photoresist, les
rgions opaques du masque, non polymrises,
sont limines.
Lensemble est immerg dans un bain dacide
hydrofluorique qui attaque localement le SiO2 non
protg et forme alors une fentre destine
recevoir la diffusion dun dopant.
La couche restante de photoresist est ensuite
limine.

plaquette de silicium
S i O2
plaquette de silicium
aprs dveloppement du
photoresist

Figure 2

22

2) REALISATION DES TRANSISTORS NPN INTEGRES

Contact Emetteur N+ +
Contact Base

interconnexions en
aluminium

Contact Collecteur

P
4 10
m

N pitaxi

oxyde de silicium
SiO2

mur disolement P+

Couche enterre N+ +

600 m
substrat P
N+ +
N
P

60 m

P+

mur disolement P+

40 m

N pitaxi

B
Figure 3

La figure 3 reprsente la coupe et la vue de dessus dun transistor NPN intgr qui ncessite
lutilisation de 6 masques de ralisation.
Le processus de base de ralisation des circuits intgrs monolithiques fait appel aux techniques de
masquage par oxyde et de diffusions localises dimpurets dans un substrat de silicium
monocristallin.
Les diffrents composants construits la surface du substrat se trouvent dans des caissons, isols
lectriquement, construits dans la couche de silicium pitaxie (voir plus loin).

23

2.1) Premier masque : ralisation de la couche enterre


Le substrat de silicium P est tout dabord oxyd et une fentre est amnage pour permettre la
diffusion de la couche enterre trs dope N++ (dopant antimoine)
Couche enterre
S i O2
de rsistance faible.
N++
En effet, le transistor intgr ne diffre notablement du transistor
discret que sur un point : le contact de collecteur seffectue sur la
600 m substrat P
partie suprieure de circuit (fig. 3). Sans la prsence de la couche
enterre, la rsistance srie de collecteur serait trop importante.
2.2) Cration dune couche pitaxiale de silicium
On doit former la surface de la plaquette de silicium (substrat dop P), un film mince de
silicium monocristallin, o seront construits les composants actifs (diodes, transistors bipolaires,
JFET ou MOS) et passifs (rsistances et condensateurs).
4 10 m
C. E. N++
600 m

N
pitaxi

On utilise pour cela le procd de croissance pitaxiale qui


permet de raliser une couche de silicium monocristallin de
quelques microns dpaisseur (4 10 m).

substrat P

On ralise la croissance pitaxiale du silicium 1200C dans


une atmosphre dhydrogne et de SiH4 qui se dcompose sous
forme de silicium se dposant sur la plaquette avec une vitesse de croissance de lordre de 1 m par
minute : SiH 4 > Si +2H2
Durant le processus, en ajoutant du PCl3 , on obtient finalement une couche mince de silicium N
dop au phosphore qui formera la zone de collecteur du transistor NPN : 2PCl3 +3H2 -> 2P +6HCl
2.3) 2masque : mur disolement
mur disolement
P+

N
C.
E. N++
pitaxi

P+

substrat P

Aprs croissance de la couche pitaxiale de type N, celle-ci est


entirement oxyde puis, loxyde est enlev slectivement laide
du masque n2. On effectue alors la diffusion locale du mur
disolement P+.
La construction du mur disolement se fait en deux tapes :

Prdpt du bore (1200C avec B2 O3 dopant P) la surface du dispositif.

Diffusion en profondeur de manire changer le dopage de la couche pitaxiale


originellement de type N. Cette diffusion est contrle en temps et temprature (1000C)
pour permettre au mur de rejoindre le substrat P.

2.4) 3masque : diffusion de la base P


La plaquette est entirement roxyde et le bore est nouveau utilis pour construire la base du
transistor dans une fentre amnage au droit de la zone choisie.
base P
P+

N++
substrat P

N pitaxi
P+

La diffusion du bore est nouveau contrle de manire assurer


une paisseur de lordre de 2 3 m et surtout en prenant soin de
ne pas atteindre la couche enterres N++ ce qui dtruirait
localement la zone N pitaxie constituant le collecteur du
transistor.

On remarque que la diffusion des atomes dimpurets se fait en profondeur mais aussi latralement
(80%). Il y aura donc lors de la conception des masques, des gardes respecter pour viter que des
rgions de mme nature se rejoignent.

24

2.5) 4 masque : diffusion de lemetteur N ++


La plaquette est ensuite prpare pour ltape de diffusion de lmetteur du transistor ainsi que
contact
lamnagement de la prise
de contact du collecteur.
collecteur
metteur
N+
En effet, on viendra prendre le contact de collecteur laide de laluminium qui est un dopant P (3
colonne de la classification priodique ).
P+

P+

N++
Pour viter deffectuer
alors une diode PN avec la couche pitaxie N, il faut diffuser une zone trs
substrat
P
dope N++ afin
dassurer
un bon contact ohmique.
La profondeur de diffusion dmetteur est d'environ 1.5 m qui conduit une paisseur efficace de
base de 1 m.

2.6) 5 et 6 masques : ouverture des contacts et interconnexions


Aprs roxydation de la plaquette, le 5 masque permet damnager des fentres sur les zones qui
doivent tre interconnectes.
On vapore donc laluminium sur toute la plaquette et
on utilise nouveau la technique de masquage mais
Aluminium dans une squence ngative puisque le but est
denlever laluminium en tout point lexception des
P+
P+
zoN++
nes
de
contact.
substrat P
Enfin la plaquette est recouverte dune couche de
passivation (SiO2 et ou Si 3 N4 ) qui la protgera dune
ventuelle pollution du milieu extrieur. Les plots de sorties o seront souds des fils de connections
vers les pattes du circuit intgr sont videmment masqus lors de cette dernire opration.
Emetteur

Base

Collecteur

2.7) Isolement lectrique inter-composants


Considrons deux transistors T1 et T 2 adjacents sur la puce (figure 4). Ils sont lectriquement isols
lun de lautre. En effet chaque caisson N pitaxi de collecteur (C1 et C2 ) est entour dun mur
disolement en silicium P +, de mme nature que le substrat P .
Si le substrat est reli au potentiel le plus ngatif du circuit, les diodes DC1S et DC2S sont polarises en
inverse (circuit ouvert). Les collecteurs C1 et C2 de T1 et T2 sont donc isols.
T1

D C1S

D C2S

C1
P+

N+ +

T2

C2
N

P+

substrat P
-V EE
Figure 4

25

N+ +

P+

3) REALISATION DE DIVERS COMPOSANTS


Si O2

P+

P
N+ +

P+

Si O2
P
N+ +

P+

N+ +

P+

substrat P

Figure 5

Lexpos prcdent prsentait en dtail le processus de fabrication dun transistor NPN. Durant les
mmes tapes du processus, en jouant avec la topographie des diffrents masques, il est possible de
raliser simultanment un certain nombre de composants prsents en figure 5 :

Une diode (transistor NPN muni dun court-circuit base-collecteur)


Une rsistance qui exploite la rsistivit de la diffusion de la base dun transistor NPN
Une capacit dont les armatures sont constitues par laluminium et la diffusion de type metteur et
le dilectrique par la couche de Si O2 .

Cette liste nest pas limitative et les dispositifs suivants sont intgrables :
Diode Schottky (contact mtal semi-conducteur)
Transistors PNP
JFET et MOSFET
4) VERIFICATION DE LA PLAQUETTE-DECOUPAGE ET ASSEMBLAGE
Tous les circuits intgrs de la plaquette sont vrifis sur un banc de test automatique laide de
sondes places sur les plots de chaque circuit. Tout circuit hors caractristiques est automatiquement
marqu et se trouvera limin aprs dcoupage de la plaquette en puces individuelles.
Pour extraire les puces de la plaquette, on utilise un appareil muni dune pointe de diamant trs fine
qui se dplace en x y selon un chemin de dcoupe. La plaquette est ensuite place sur un support
souple dont la dformation entrane une cassure le long des rayures du chemin de dcoupe.
Ayant choisi un type de botier ( flat pack, dual in line, TO5...), on positionne la puce qui est soude
du cot substrat par frittage basse temprature. Il est alors possible de raliser, laide dune
machine souder automatique, les connexions lectriques avec un fil dor de 25 m de diamtre entre
les bornes de sortie et les plots amnags sur le pourtour de la puce.

26

ANNEXES
CARACTERISTIQUES DU SILICIUM PUR

VALEUR

Nombre atomique

14

Masse atomique (g par mole)

28.1

Densit (g/cm3)

2.33

Nombre datomes par cm3

5.0 10 22

Hauteur de bande interdite (eV) 300 K

1.12

Rsitivit ( .cm) 300 K

2.3 10 3

Constante dilectrique si

11.9

1 10
1 10
1 10
1 10
1 10
1 10

T= 300K

19
18
17

Ge

16
15
14

Si
1 10
1 10
1 10
1 10

13
12
11
10

1 10
1 10

9
8

GaAs
1 10

7
0.5

1.5

2.5

3.5

1000 / TK

Evolution de la concentration intrinsque ni en fonction de 1000/T(K)


pour trois matriaux semi-conducteurs

27

JONCTION ABRUPTE EN COURT-CIRCUIT


1) CALCUL DE LETENDUE W 0 DE LA ZONE DE CHARGE DESPACE
La figure suivante reprsente les charges ioniques (x) prsentes de part et dautre de la jonction
mtallurgique dune diode PN en court-circuit ainsi que le champ lectrique E(x) qui en dcoule. Les
ions ngatifs Na et les ions positifs Nd stendent sur les distances respectives -xp et xn de part et
dautre de la jonction mtallurgique.
Jonction mtallurgique

Si P

ions N a -

Si N

ions N d +

(x)
q Nd
-xp

0
-

+ + +
+
+
+ ++ + +

xn

- -

- q Na

W0

E(x)
-xp

xn

xn

V =

E(x)dx

x p

Emax

a) Dans la zone de charge despace, le bilan des charges ioniques doit tre nul soit :
x N = x N aussi, la zone de charge despace stend du ct le moins dop (Na << N d sur la figure).
p

b) Dtermination du champ lectrique E(x) laide de lquation de Poisson :

Ct P :

d 2 V(x) =- (x) sachant que : E = - dV(x) il vient : dE(x) = (x)


dx
dx
dx 2
0 si
0 si
q Na
q Na
E(x) =
avec : E( x p ) = 0 Y E(x) =
(x + x p )
x + Cte
0

si

Par analogie, du ct N, le champ lectrique est tel que :

E(x) =

qN d
0

E max =

On en dduit le champ Emax en x=0 :

(x x n )

si

qN a
0

28

si

si0

xp =

qN d
0

si0

xn

(1)

c) Calcul de ltendue de la zone de charge despace W 0 = x p +x n


En utilisant les relations (1), on exprime ltendue W0 de la Z.C.E.
W 0 = x n + x p = 0 si E max ( 1 + 1 )
q
Na Nd
En introduisant le potentiel de diffusion V qui correspond laire du triangle form par E(x) soit :
x

V = I E(x) dx
x

Y V = 1 E max (x n + x p ) = 1 E max W 0
2
2

W0 = 2

On en dduit :

si

1 + 1 V
Na Nd

2) CALCUL DU POTENTIEL DE DIFFUSION V


Pour calculer le potentiel de diffusion V, il faut exploiter lquilibre qui stabli entre le courant de
conduction dont est responsable le champ lectrique E(x) dans la Z.C.E. et le courant de diffusion des
porteurs entre les zones N et P. Cet quilibre se traduit pour les trous par la relation densit de courant nulle
soit : Jp = 0.
E(x) q D p dp(x) = 0
dx
D
Dp
U
E(x) = p 1 dp(x) sachant que :
= UT
il vient : E(x) = T dp(x)
p dx
p dx
p
p
Jp = q p

Sachant que : V = I E(x) dx


x

il vient :
N
N
V = U I dp = U ln( Concentration trous dans P ) = U ln( a )
T
T
T
Concentration trous dans N
P p
n2
i

N
d

soit :

V = UT ln(

29

Na Nd
ni

Evolution de la mobilit des porteurs dans le silicium en fonction de la concentration en


atomes dimpurets 300 K

Mobilit cm 2 V -1s -1 300K


1000
lectrons

100
trous

10
1014

1015

1016

1017

1018

1019

Concentration impurets at /cm3


Influence de la temprature sur la mobilit des porteurs dans le silicium

30