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E LECTRONI,:'

F. MANNEVILLE - J. ESQUIEU

THORIE DU SIGNAL
ET COMPOSANTS

T O

THEORIE DU SIGNA
ET COMPOSANTS
F. MANNEVILLE

J. ESQUIEU

IPR
Ancien lve de l'ENS Cachan
Agrg de physique applique

Professeur au lyce de Brive


Ancien lve de l'ENS Cachan
Agrg de physique applique

Classes de Techniciens suprieurs


Instituts Universitaires de Technologie
Classes prparatoires des lyces techniques
Formation continue

Dunod

O BORDAS,

Paris, 1989
ISBN 2-04-018915-7

u Toute reprsentation ou reproduction, intgrale ou partielle, faite sans le


consentement de l'auteur. ou de ses ayants-droit, ou ayants-cause, est
illicite (loi du 1 1 mars 1957, alina 1.' de l'article 40). Cette reprsantation ou reproduction, par quelque procd que ce soit, constituerait une
contrefaon sanctionne par les articles 425 et suivants du Code pnal.
La loi du 1 1 mars 1957 n'autorise, aux termes des alinas 2 et 3 de l'article 41. que les copies ou reproductions strictement rserves a l'usage
priv du copiste et non destines une utilisation collective d'une Part,
et, d'autre part, que les analyses et les courtes citations dans u n but
d'exemple et d'illustration. ))

ava nt - propos

Depuis plus de 20 ans aucun ouvrage dlectronique destin aux sections de Techniciens Suprieurs
de la filire lectronique na t publi. Cela a t d a lvolution trs rapide des technologies de
llectronique, et aux modifications apportes aux programmes de ces sections.
Actuellement la dfinition de ceux-ci permet de penser quils ne subiront pas de modifications
importantes avant plusieurs annes.
Cependant afin de ne pas risquer de raliser un manuel obsolte ds sa sortie, nous nous sommes
attachs a faire ressortir les grands principes qui rglent llectronique et qui ne dpendent pas de
la technologie.
Nous esprons ainsi avoir ralis un livre de rfrence o tout ce qui est ncessaire a llectronicien,
du technicien suprieur, de llve en premier cycle universitaire technologique, en classe prparatoire
aux grandes coles lingnieur, est prsent.
Ce cours se dcompose en deux tomes, nous abordons dans le premier tous les lments thoriques
ncessaires pour ltude du << signal )) et les connaissances suffisantes pour comprendre le
fonctionnement des composants lectroniques. Dans le second nous mettons en uvre les acquis en
tudiant les systmes sur lensemble des domaines de llectronique.

table des matires


THORIE DU SIGNAL

Chapitre 1 : Lois gnrales des rseaux


linaires . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
1.
Les lments actifs . . . . . . . . . .
2 .
Les lments passifs . . . . . . . . .
3 .
Les rseaux rsistifs . . . . . . . . .
4 .
Les rseaux associant rsistance
et capacit . . . . . . . . . . . . . . . . .
5 .
Rseaux associant rsistance et
inductance . . . . . . . . . . . . . . . . .
6 .
Les rseaux associant rsistance
inductance et capacit . . . . . . .
Exercices . . . . . . . . . . . . . . . . . .

16
24

Signauxpriodiques . . . . . .

63

.
Thorme de Fourier . . . . . . . .
.
Forme exponentielle . . . . . . . . .

63
68
69

2
3
4

.
Spectre

bilatral . . . . . . . . . . . .
discrte de Fou-

84
86
90
90
93

chantillonns . . . .

94

............

94
95
96
97

.
Transforme

Chapitre 5
1
2
3
4
5

.
Signaux

.
chantillonnage
.
Spectre

du signal chantillonn
.
Reconstitution du signal . . . . .
.
Transforme en 2 . . . . . . . . . . .
.
Dtermination des quations de
rcurrence . . . . . . . . . . . . . . . . .
Exercices . . . . . . . . . . . . . . . . . .

100
107

tude nergtique . . . . . . . .

109

quations gnrales . . . . . . . . .
Puissances absorbes par les
rcepteurs lmentaires . . . . . .
3 .
Application : tude nergtique
de deux rgulateurs de tension
Application : adaptation en puis4 .
sance .....................
5 .
Mesures de puissance . . . . . . . .
Exercices . . . . . . . . . . . . . . . . . .

109

Signaux alatoires . . . . . . . .

119

31

Chapitre 6
31
34
35
37
51
61

.
Transforme

rier .......................
Exercices . . . . . . . . . . . . . . . . . .

de Laplace . . . . .
Application la rsolution des
systmes . . . . . . . . . . . . . . . . . .
3 .
Transmittance de Laplace . . . .
4 .
Impdance oprationnelle . . . .
Exercices . . . . . . . . . . . . . . . . . .

.
Signaux

13

26
26
26
29
30

84

1
2

Chapitre 2 : Signaux sinusodaux . . . . . . .


1.
Prambule . . . . . . . . . . . . . . . . .
2 .
Vecteurs de Fresnel . . . . . . . . .
3 .
Nombres complexes . . . . . . . . .
4 .
Impdance complexe . . . . . . . .
5 .
Lois des rseaux linaires en
rgime sinusodal permanent .
6 .
Circuit associant rsistance et
capacit . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Circuit associant rsistance et
7 .
inductance . . . . . . . . . . . . . . . . .
8 .
Circuits associant rsistance,
inductance et capacit . . . . . . .
Reprsentation des fonctions de
9 .
transfert . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
10 .
Quadriples passifs linaires . .
Exercices . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Chapitre 3

quelconques . . . . . .

Chapitre 4

70
80

1
2

Chapitre 7
1
2
3
4

.
Introduction

114
115
116
117

. . . . . . . . . . . . . . . 119

alatoires . . . . . . . .
.
Variables alatoires . . . . . . . . .
.
Application l'lectronique . ,
.
Grandeurs

111

119
121
125

COMPOSANTS

Chapitre 1 .
Thorie gnrale simplijGe
des semi-conducteurs . . . . . . . . . . . . . .

1
2

Rappels dlectrostatique . . . . .
Rappels sur la structure de la

131

matire . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Semi-conducteur intrinsque . .
.
Semi-conducteur de type N . .
.
Semi-conducteur de type P . . .
.
Conduction des semi-conducteurs ........ . . . . . . . . . . . . . .
7 .
Effet Hall . . . . . . . . . . . . . . . . . .
8 .
Diffusion . . . . . . . . . . . . . . . . . .
9 .
Jonction P-N . . . . . . . . . . . . . .
Exercices . . . . . . . . . . . . . . . . . .

3
4
5
6

5
130

133
133
134
135
136
137
138
138
144

Diode jonction P-N . . . . .

145

Description et symbole . . . . . .
Diode en court-circuit . . . . . . ,
.
Diode polarise en direct . . . .
.
Diode polarise en inverse . . ,
.
Caractristique dune diode
jonction . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
6 .
Schma quivalent dune diode
jonction . . . . . . . . . . . . . . . . .
7 .
Diode idale et degr dapproximation . . . . . . . . . . . . . . .
8 .
Limitations dune diode jonction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
9 .
Temps de commutation dune
diode . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
10 .
Quelques applications des diodes
jonction . . . . . . . . . . . . . . . . .
11 .
Diode Zener . . . . . . . . . . . . . . .
12 .
Photodiodes . . . . . . . . . . . . . . .
Exercices . . . . . . . . . . . . . . . . . .

145
145
145
146

Chapitre 2

1
2
3
4
5

.
.

Rgimes de fonctionnement du
transistor . . . . . . . . . . . . . . . . . .
6 .
Fonctionnement du transistor
en commutation . . . . . . . . . . . .
7 - Fonctionnement du transistor
en amplification . . . . . . . . . . . .
Exercices . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Chapitre 4 .
Le transistor effet de
champ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
1

2
3
4
5
6
7
8
9

146
147
147
147

1
2
3
4

Le transistor jonctions . . .

161

1
2
3
4

Description et symbole . . . . . .
Effet transistor . . . . . . . . . . . . .
.
Mise en quations . . . . . . . . . .
.
Caractristiques du transistor .

161
161
163
163

.
.

3
4
5
6

Amplijkateur de diffrence

166
173
195
200

200
200
201
202
207
207
208
209
221
226
227

...................
a sortie flottante . . .
.
Montage a rfrence commune
.
Comportement en grands signaux . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Exercices . . . . . . . . . . . . . . . . . .

227
227
230

Ampl@ateur oprationnel .

237

.
Principe

.
Montage

Chapitre 6

2
Chapitre 3

du transistor a effet
de champ a jonctions (JFet ou
TEC) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
.
Fonctionnement du J . FET . . .
.
Mise en quations . . . . . . . . . .
.
Caractristiques du J . FET . . .
.
J . FET a canal P . . . . . . . . . . . .
.
Influence de la temprature . .
.
Capacits du J . FET . . . . . . . .
.
Utilisation du J . FET en amplification . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
.
Fonctionnement en porte analogique ....................
Exercices . . . . . . . . . . . . . . . . . .

165

.
Description

Chapitre 5

148
150
157
159
150

Dfinition et proprits fondamen t ales , . . . . . . . . . . . . . . .


.
quation des montages fondamentaux . . . . . . . . . . . . . . . .
.
Amplificateur Oprationnel rel
.
Erreurs dites de ((calcul )) . . . .
.
Erreurs dites (( statiques )) . . . .
.
Erreurs dites ((dynamiques)) . .
Exercices . . . . . . . . . . . . . . . . . .

231
234

237
237
24 1
242
245
249
255

lois gnrales
udes rseaux linaires
Les circuits lectroniques linaires sont dcrits
partir de cinq lments principaux :
- deux lments actifs :
O gnrateur de tension,
O gnrateur de courant,
-

trois lments passifs :


O rsistance,
O capacit,
O inductance.

Chaque lment est caractris par la relation


quil impose entre la tension ses bornes et le
courant qui le traverse. Cette relation u = f ( i )est
la caractristique de llment :

1.

LES LMENTS ACTIFS

1.1. GNRATEUR DE TENSION


Le gnrateur de tension dont le symbole est le
suivant :

1.2. GNRATEUR
D E COURANT
Le gnrateur de courant dont le symbole est le
suivant :

impose la valeur du courant qui le traverse quelle


que soit la tension ses bornes; sa caractristique
est donc :

1.3. DIFFRENTES FORMES


D E SIGNAUX
La grandeur lectrique impose (courant dans le
cas du gnrateur de courant, tension dans le cas
du gnrateur de tension) peut avoir une forme
quelconque.
Cependant on peut sparer quelques formes
fondamentales :

impose la valeur de la tension ses bornes quel


que soit le courant qui le traverse; sa caractristique est donc :
lu=e

QiI

On lappelle aussi force lectromotrice e.

1.3.1. Signal constant

Dans le cas du gnrateur de tension, on utilise


alors le symbole suivant :

-p
4

thorie du signal

1.3.2.Signal priodique

Le signal lectrique se reproduit identique luimme au cours du temps. La priode T est le plus
petit intervalle de temps au bout duquel le signal
reprend la mme valeur. La frquence f est
linverse de la priode :

q est la phase lorigine mesure en radians.

Le signal sinusodal tant un cas particulier de


signal priodique, on peut calculer :
AM

COS

(cet

+ q) dt

1
T

f=-

On dfinit, pour le signal priodique a(t), les


grandeurs Caractristiques suivantes :
- valeur moyenne :
1 to+T
Amoy = T J-, a@) dt;
-

ce qui est vident daprs lobservation de la


courbe a(t) :

valeur efficace : A telle que


A2 =

f jtr+Ta2(t)dt.

AM
-2

Remarquons que le carr de la valeur efficace est


la valeur moyenne du carr du signal, ce qui
permet de donner le schma synoptique dun
appareil capable de mesurer les valeurs efficaces
( f i g e 1).

- - -J
a * ( t ) Valeur

Multiplicateur

Racine
carre

moyenne

soit

Nous crirons donc le signal sinusodal sous la


forme :
a(t) = A

COS

( ~ tcp).

Fig. 1 .

1.3.3.Signal sinusodal

1.3.4.Signal chantillonn

Le signal reprsent sur la figure 2 scrit

1
Le signal, chantillonn la frquence Fe = -,

~ ( t=) AM

COS (COL

+ q)

T,

est constitu dune suite de valeurs

{ ... a@), a ( ~ , )a(2T,),


,
..., a(nT,),... ]

Fig. 2.

A M est la valeur maximale;


est la pulsation mesure en radians par
seconde (rad . s-); la dfinition de la priode
conduit aux relations :
O

Cette suite de valeurs peut tre convertie en


tension par lintermdiaire dun convertisseur
numrique analogique. On obtient alors les
formes de signaux donns par la figure 3 selon
que le signal est bloqu OU non entre deux
chantillons.

ci)

2n

0 = - =T 2

= a*(t).

nf;

Lobservation des courbes (fig. 3) permet de


constater un G retard )) du signal chantillonn et
bloqu par rapport au signal chantillonn.
Ltude thorique le confirmera.

lois gnrales des rseaux linaires

01

a ( t ) chantillonne et bloqu

a ( t ) chantillonn

Fig. 3.

1.3.5. Signai alatoire

2.2.LM ENTS

Il est, dans ce cas, impossible de connatre la


valeur exacte du signal a(t) linstant t. Le signal
est alors dfini en termes de probabilit :
P(x, t ) dx est la probabilit pour qu linstant t,
le signal a(t) soit compris entre x et x + dx.
Suivant la forme du signal, il existe des mthodes
spcifiques danalyse du comportement des
circuits lectroniques : ces mthodes seront
exposes dans les chapitres suivants.

2.

LES LEMENTS PASSIFS

Si les lments actifs produisent le signal, les


lments passifs subissent le signal et ragissent
en fonction de leur caractristique.

2.1.LMENT

PASSIF
N O N RACTIF.
RSISTANCE R

Compte tenu des sens dorientation :


- de lespace vis--vis de la tension u,
- du conducteur vis--vis du courant i,
la caractristique de la rsistance est la suivante :
i

lu=-Ri/
R est la rsistance, elle se mesure en ohms (CI).

PASSl FS

R ACTI FS
Les lments ractifs font intervenir une
drivation dans leur caractristique.

2.2.1.
Capacit c
Compte tenu des sens dorientation, la caractristique dune capacit est la suivante :

i=+C-

d:l

C est la capacit du condensateur, elle se mesure


en farads (F).

2.2.2.
Inductance L
Compte tenu des sens dorientation, la caractristique dune inductance est la suivante :
L

d:l

u=+L-

L est linductance de la bobine, elle se mesure en


henrys (H).

On peut dgager, pour le signe intervenant dans


les caractristiques, une proprit gnrale pour
les lments passifs :
- le signe est + si lespace et le conducteur
sont orients en sens inverse,
- le signe est - si lespace et le conducteur
sont orients dans le mme sens.

thorie du signal

3. LES

RESEAUX RESISTIFS

Ce sont des rseaux dont les seuls lments passifs


sont des rsistances.

e l - Rlil - e2 - R2i2
+ R3i3 - e3 - R4i4- RsiS= O,
soit
e l - e2 - e3 = R l i l

+ R2i2

+ R4i4 + R5i5.

- R3i3

3.1. LOIS DE KIRCHHOFF


3.1.1. Loi des noeuds

Dans le cas gnral :


- on oriente chaque branche;
- on choisit un sens de parcours sur la maille.
On crit :

1-

On appelle nud N , un point o arrivent


plusieurs branches (fig. 4).

La force lectromotrice en est prcde du


signe + si son sens est identique au sens de
parcours de la maille.
- Le terme R,i, est prcd du signe + si le
sens d'orientation de la branche n est
identique au sens de parcours de la maille.
-

j\
1s

'4

Fig. 4.

Il ne peut y avoir accumulation permanente de


charges en un point, car le potentiel y deviendrait
infini. On en dduit
il - i 2 - i3

+ i4 - i5 = O.

3.2.THORME

DE M I L L M A N

Considrons le rseau n branches de la figure 6.

Dans le cas gnral, on crit :

r
C

+ si le conducteur est
orient vers le nud

in = O signe

3.1.2. Loi des mailles

On appelle maille, un ensemble de branches


formant un circuit ferm (fig. 5).
U

Fig. 6.

La loi des nuds au point N


(il

+ i2 + ... + in = O)

conduit :
U-el

).+-,-w

R1

u-e2

+---

R2

u - en
+...+---=O
Rn

soit
I

'4

R4

e3

Fig. 5.

En crivant que la somme des diffrences de


potentiel est nulle lorsqu'on tourne sur la maille,
on obtient :

Cette formule est connue sous le nom de


thorme de Millman.

lois gnrales des rseaux linaires

3.3.GNRATEUR DE THVENIN. GNRATEUR D E NORTON

Considrons un composant dont la caractristique u = f(i) est dcrite par la courbe de la


figure 7.
Tant que le point de fonctionnement M ne sort
pas du segment A B (fonctionnement linaire), la
caractristique u = f ( i ) sidentifie :
u =E

i(tan a) = E

R i en posant R

= tan

a.

Tant que le point M reste entre A et B, on peut


donner, du composant, le schma quivalent de
la figure 8 :

Lquivalence entre les schmas des figures 8 et 9


permet de rsoudre certains problmes par simple
transformation de schmas.

3.4. THORME
D E SUPERPOSITION
Soit un rseau possdant n forces lectromotrices
el,

u=E-Ri
Fig. 8.

Ce schma constitue le gnrateur de Thvenin


quivalent au composant.
E
u
La formule prcdente peut scrire i = - - -, ce
R R
qui conduit au schma quivalent de la figure 9
(dit gnrateur de Norton quivalent).
i = -E- R

e2,

..*?

en*

Compte tenu de la linarit des lois de Kirchhoff,


le courant i, dans la branche p du rseau est une
fonction linaire de el, e2, ..., en,soit :

u
R

i,

+ ... + aPnen.

= apiel iap2e2

Les coefficients api, upz,..., apn dpendent des


rsistances du rseau.
Le courant i, peut scrire :
i, = i,,

+ i,, + ... + iPn

o iPi = apiei est le courant quimpose, dans la


branche p , le gnrateur ei suppos seul.
Do lnonc du thorme de superposition :

Thorme

Fig. 9.

Le courant dans une branche dun rseau


linaire est la somme des courants quimpose
dans cette branche, chaque force lectromotrice
suppose seule.

thorie du signal

3.5. THORME
DE THVENIN

Ltat II rsulte de la superposition des tats I


et III : le thorme de superposition permet
dcrire i = O = i + i, soit

Soit un rseau rsistif et soient deux points A et B


de ce circuit; branchons une rsistance R entre les
deux points A et B. Nous obtenons alors le
schma de la figure 10 (tat 1).

et le rseau peut tre dcrit par le schma


quivalent de la figure 13, dans lequel :

ETAT I

Fig. 10.

Fig. 13.

On se propose de calculer le courant i dans la


branche AB.
Pour cela, on imagine, partir de ltat I les deux
tats suivants.
3.5.1. tat II

O (VA- VB)oest la tension qui apparat entre les


points A et B lorsque la charge est dbranche,
O Re, est la rsistance vue entre les points A et B
lorsque la charge est dbranche et lorsque toutes
les forces lectromotrices sont remplaces par des
courts-circuits.

On place en srie dans la branche A B un


gnrateur de tension tel que le courant soit nul
dans cette branche (fig. 11).
ETAT II

[( vA-vB)Ol

EzD
jL0

Fig. 11.

4. L E S

RSEAUX
ASSOCIANT ReSISTAMCE
ET CAPACIT

La valeur dun tel gnrateur de tension est


(VA - V J 0 : tension qui apparat entre les
points A et B lorsque la branche est ouverte.

4.1. PROPRITS

3.5.2. t a t 111

4 . 1 .l.quation fondamentale

A partir de ltat II, on imagine que toutes les


forces lectromotrices du rseau sont remplaces par des courts-circuits lexception de
(VA- VB)o.Le rseau est alors quivalent une
rsistance Re, (fig. 12) et le courant dans la

branche AB scrit : i = ETAT 111

vB)O

n
Fig. 12.

4.1.2. Consquences de lquation


fondamentale

- vB)O

R+Req

DES CAPACITS

En rgime continu tabli : les grandeurs lectriques sont constantes :


du
-= O
soit
i = O.
u=Cte
*
dt
En rgime continu tabli, la capacit se comporte
comme un circuit ouvert.

lois gnrales des rseaux linaires

En rgime priodique tabli : les grandeurs


lectriques reprennent priodiquement la mme
valeur :
u(t,

+ T ) = u(t,),

quel que soit t,.

Le calcul de la valeur moyenne du courant dans la


capacit conduit :
idt

du>O

dt

= -i [ t : + T C du

Fig. 15.
r

=-

[u(t,

+ T)

u(t,)] = O

En rgime priodique tabli, la valeur moyenne


du courant, dans une capacit, est nulle.
En rgime quelconque : lquation fondamentale
du
i
conduit - = -, C tant par dfinition diffrent
dt C
de zro (sinon il ny aurait pas de capacit), on
du
peut en conclure que - nest jamais infini
dt
moins que le courant dans la capacit puisse tre
considr comme infini. Nous en tirons les
proprits suivantes :
- la tension aux bornes dune capacit ne
peut pas subir de discontinuit :

u(t,+) = u(to-),

quel que soit t,

moins qu linstant t,, le courant puisse


tre considr comme infini;
- la capacit soppose aux variations de la
tension ses bornes et ce dautant plus
que :
O C est plus grand,
O le courant dans la capacit est plus faible.
Les remarques prcdentes permettent de
comprendre le fonctionnement de certairis
dispositifs. Considrons par exemple le schma de
la figure 14.

A
O

rrT
Fig. 14.

T est un composant (ou un ensemble de


composants) dont la caractristique u = f ( i ) est
donne la figure 15.

La tension u est obtenue par rsolution du


systme dquations :
E = Ri iu
i = i i- i,
i , = cdu
z

I = f(i)
qui se ramne au systme
du E - u

- 1

Lquation u = f ( i )tant donne graphiquement,


la rsolution ne peut tre que graphique; traons,
E-u
pour ce faire, la droite dquation i =
R
(ou u = E - Ri).
Elle partage le plan (u, i) en trois sous-ensembles :
lensemble des points de la droite pour
E-u
du
- i = O, cest--dire - = O;
lesquels
R
dt
lensemble des points situs gauche de la
E-u
droite, pour lesquels
- i > O, cestR
du
-dire - > O;
dt
lensemble des points situs droite de la
du
droite pour lesquels - < O.
dt
Le point de fonctionnement de coordonnes (u, i)
se trouve obligatoirement sur la courbe u = f (i).
Supposons qu linstant initial, ce point soit
du
en A, o -est positif. La tension u doit donc tre
dt
croissante et le point de fonctionnement monte
jusquau point P o il rencontre les deux
conditions contradictoires :
O
caractristique dcroissante de tous cts,
du
0
- > O qui impose la croissance de u.
dt
~

thorie du signal

La seule solution pour le point de fonctionnement est de passer en B, et ce, horizontalement, car
la tension aux bornes du condensateur ne peut
pas subir de discontinuit.
du
En B, -est ngatif et le point de fonctionnement
dt
descend jusqu'en V , o il rencontre les deux
conditions contradictoires :
- caractristique croissante de tous cts,
du
- - < O qui impose la dcroissance de u.
dt
La seule solution, pour le point de fonctionnement, est de passer horizontalement en A et le
cycle recommence.
Le systme, ne possdant aucun tat stable,
constitue un oscillateur.
Remarquons que les oscillations ne sont possibles
que parce que le point de concours de la
caractristique u = f(i) et de la droite u = E - Ri
se trouve sur la portion dcroissante de la
caractristique u = f(i). Le point de fonctionnement ne se trouve jamais sur la droite u = E - Ri.
S'il en tait autrement, il rencontrerait la
du
condition - = O, soit u = Cte, et le point de
dt
fonctionnement s'arrterait l.

On obtient donc une (( rampe )) en alimentant une


capacit courant constant. Cette proprit
conduit de nombreuses applications; on peut en
dduire, par exemple, le schma synoptique d'un
gnrateur de tension triangulaire (fig. 17).

Fig. 17.

Le bloc T tablit entre les tensions us et u la


relation dcrite par le diagramme (,fig. 18) :

Fig. 18.
~~

4.2. ALIMENTATION
D'UNE CAPACIT
?AR U N GNRATEUR
DE COURANT CONSTANT

* lorsque u atteint + U o par valeurs croissantes, us bascule de + E a - E ,


* lorsque u atteint - U o par valeurs dcroissantes, us bascule de - E a + E.
O

Considrons le rseau de la figure 16. A l'instant


t = O, la tension aux bornes de la capacit est
gale U o ,

L'interrupteur K est command par la tension

21s :

*
*

K est en 2 lorsque us = - E ,
K est en 1 lorsque us = + E.

Le courant i dans la capacit prenant alternativement les valeurs + I o et - I o , la tension u volue


conformment au diagramme de la figure 19.

du
I o = C - soit
dt
u = - Ito+
C

ut
/

*
t

O'
Fig. 16.

IO

Fig. 19.

lois gnrales des rseaux linaires


SOLUTION GNRALE

4.3. ALIMENTATION DUNE


CAPACIT TRAVERS
UNE RSISTANCE
4.3.1. Alimentation par un gnrateur
de tension constante

Soit le schma de la figure 20.

u,

Fig. 20.

A linstant t = O,
linterrupteur K .
Des quations :
( E = Ri + u

u = U,,

on

ferme

Solution finale : u = E + (Un- E ) e-fIRC


Traons la courbe donnant les variations de la
tension u en fonction du temps :
- lorsque t tend vers linfini u tend vers E,
- la pente de la tangente lorigine est

quation diffrentielle du premier ordre dont la


solution est dtermine de la manire suivante.

du
-(O
dt

+) =

i(0 +) E - u(0 +)
7
RC

- E-u(O-)
-

RC

SOLUTION DE LQUATION
SANS SECOND MEMBRE

du
du
RC-+u=o=>--=
dt
U

dt
-RC

SOLUTION PARTICULIRE

Le second membre tant constant, on cherche la


du
solution sous la forme u = Cte, soit - = O. Il
dt
vient alors :
U = E.

uo

u(0 +) = u(0 -)

+k

car u est la tension aux bornes de la capacit et


linstant t = O, la rsistance R limite le courant i a
E - Uo
, donc k = U , - E.
R

fl

CALCUL DE LA CONSTANTE
DAPRS LES CONDITIONS INITIALES

u(0 -) =
u(0 +) = E

rX-01 t

Elle est obtenue en faisant la somme de la solution


particulire et de la solution de lquation sans
second membre :
u = E + k e-IRC.

--E - U o
-

RC

La tangente lorigine coupe donc lasymptote


u = E a linstant z = RC.

Les courbes dcrites figure 21 donnent les


variations de u dans les conditions :
U,= E,
U,>E,
U,<E,
z = RC est la constante de temps du circuit
rsistance-capacit.
Dans le cas o U o = O, on dfinit le temps de
monte t, par le temps ncessaire la tension pour
passer de 10 % 90 % de la valeur finale.

E =Uo

E -

11

thorie du signal
n

Le calcul de t, partir de lquation


= E - Ee-t/RC

4.3.2.Alimentation par une rampe

conduit :

Soit le schma de la figure 24 avec e = ut

de tension

t , = RC In 9 = 2,2RC.

+ E,

On dfinit, dans les mmes conditions, le temps de


rponse 5 %, tr%,par le temps au bout duquel la
tension u ne diffre que de 5 YOde sa valeur finale
(fig. 22).
Fig. 24.
E
0,9E

A linstant t = O, la tension u tant gale U , , on


ferme linterrupteur K .
Des quations :
e = Ri -i- u,
du
i=Cdt

0,l E

on tire

du
+ E, = RC + u.
dt

SOLUTION DE LQUATION
SANS SECOND MEMBRE

Fig. 22.

Le calcul de t,
conduit :

e = at

partir de u = E - E ePtIRC u = k

e-tIRC

t r 5 %= 3RC
SOLUTION PARTICULIRE

Variations du courant i
De lexpression de u = E + ( U , - E ) e-tRC,on
dduit lquation de i partir de lune ou lautre
des quations initiales :

Les courbes dcrites figure 23 donnent les


variations de i dans les conditions :
a Uo=E,
a Uo > E,
a U o < E,

Le second membre tant une fonction linaire du


temps, on cherche la solution particulire sous la
du
forme u = mt + n, soit - = m.
dt
du
Remplaons u et -dans lquation diffrentielle,
dt
il vient :
ut + E , = RCm -i- mt -i- n.
Cette quation devant tre vrifie quel que soit t,
on obtient :

Fig. 23.

12

m=a
RCm + n = E ,

soit

m=a
n=E,

aRC

lois gnrales des rseaux linaires


SOLUTION GNRALE

u = at

4.3.3.Remarques propos
de la solution de lquation
diffrentiel le

+ E, - aRC + k ePtIRC

CALCUL DE LA CONSTANTE DINTGRATION


DAPRES LES CONDITIONS INITIALES

u(0 +) = E , - aRC
u(0 -) = uo

+k

u(0 +) tant gal a u(0 -), on en dduit la valeur


de k
k = U o - E , + aRC.

La solution de lquation sans second membre, de


la forme k e-IR: dpend des conditions initiales,
et disparat au cours du temps. Elle constitue le
rgime transitoire.
La solution particulire, indpendante des
conditions initiales, et qui subsiste, aprs
disparition de lquation sans second membre,
constitue le rgime permanent.

5.
SOLUTION FINALE

u = at

+ E, - aRC + (U, - E, + aRC) e-tIRC

Traons la courbe donnant les variations de la


tension u en fonction du temps :
- lorsque t tend vers linfini u se rapproche de
la droite ut E , - aRC; la tension u suit
donc lvolution de la tension e - aRC;

5.1.

RSEAUX ASSOCIANT
R EsISTAN c E
E T INDUCTAMCE
PROPRITS

DES INDUCTANCES
5 . 1 . l . quation fondamentale

aRC constitue lerreur de tranage;


- la pente de la tangente lorigine est

du
-(O+)=dt

i(O +) - e(0 +) - u(0 +)

C
RC
- e(O +) - u(0 -) - Eo - Uo
RC
RC

son quation est u = Eo


a linstant t

= z = RC

5.1.2. Consquences de lquation


fondamentale

uo t + u,;

RC
sa valeur est E,;

la courbe reprsentative de u est donne par la


figure 25.

aRC

//E,-aRC

Fig. 25.

i=Cte

L
T

di
-=O
dt

=>

u=O.

En rgime continu tabli, linductance se


comporte comme un court-circuit.
En rgime priodique tabli, les grandeurs lectriques reprennent priodiquement la mme
valeur : i(to + T ) = i(t,) quel que sQit t,.
Le calcul de la valeur moyenne de la tension

= -[i(to

I
1
I

En rgime continu tabli, les grandeurs lectriques


sont constantes, soit

+ T ) - i(t,)]

= O.

En rgime priodique tabli, la valeur moyenne


de la tension aux bonies dune inductance est
nulle.

13

thorie du signal

En rgime quelconque, lquation fondamentale


di u
conduit - = -. L tant, par dfinition, diffrent
dt L
de zro (sinon il ny aurait pas dinductance),

di
on peut en conclure que - nest jamais infini
dt
moins que la tension aux bornes de linductance
puisse tre considre comme infinie. Nous en
tirons les conclusions suivantes :
le courant dans une inductance ne peut pas
subir de discontinuit,

1 i(to+)

= i(to-)

quel que soit to

Ce qui donne pour la tension ZI la courbe de


variations dcrite la figure 27.

E9
O

aT

linductance soppose aux variations du


courant qui la traverse et ce dautant plus
que :
O L est plus grand;
O la tension aux bornes de linductance est
plus faible.

Fig. 27.

La capacit sopposant la variation de la tension


ses bornes, la tension u reste sensiblement
constante et gale Uo.
Les quations entre valeurs instantanes

{y

moins qu linstant to, la tension aux

bornes de linductance puisse tre considre comme infinie;

yL +.ri + u

= 1c

+ 1,

conduisent

Vmoy= rimoy U o = aE
Imoy

= Iumoy

car la tension moyenne aux bornes de linductance et le courant moyen dans le condensateur
sont nuls en rgime priodique tabli.
On en dduit :
U o = aE - ri,,,,.

Ces remarques permettent de comprendre le


fonctionnement de certains dispositifs comme par
exemple lalimentation dcoupage.
En effet, on peut donner, dune alimentation
dcoupage, le schma quivalent de la figure 26.

1.

Pour lalimentation de la charge R, le montage se


comporte comme un gnrateur :
- de force lectromotrice aE rglable par le
rapport cyclique a,
- de rsistance interne r.

5.2. TABLISSEMENT
DU COURANT DANS
UN CIRCUIT INDUCTIF

Charge

r est la rsistance de la
bobine dinductance L
Fig. 26.

Considrons le schma donn figure 28.

/**

1
f
~~

Linterrupteur est bascul priodiquement de la


position 1 la position 2 :

nT < t < nT + aT
aT < t < (n + l ) T

K est en 1
nT
K est en 2
o a < 1 est le rapport cyclique.

14

Fig. 28.

A linstant t = O, on ferme linterrupteur K . On


obtient, pour le courant i, lquation suivante :
di
E
L di
E=Ri+Lou - = i + - - .
dt
R
R dt

lois gnrales des rseaux linaires

Cette quation diffrentielle du premier ordre est


identique celle qui a t rsolue au paragraphe 4.3.1. On en dduit par analogie la loi de
variations du courant i :
L
. E E e Lt avec
l = - - R R
T=R.

Il faut donc ajouter linductance un circuit lui


permettant de prolonger le courant qui la
traverse; ce circuit peut tre ralis par une simple
rsistance R, conformment au schma de la
figure 30.

Ce qui donne, pour le courant i, la courbe de


variation dcrite la figure 29.

Fig. 30.

Des quations
O

T=- L

u=Ri+L-

di
dt

Fig. 29.

E
Lorsque t tend vers linfini, i tend vers -, ce qui est
R
normal, car nous avons vu quen rgime continu
tabli linductance se comporte comme un courtcircuit.

u = R,i,
L

on tire

~-

di

+ R,dt

+i=O,

quation diffrentielle du premier ordre sans


second membre dont la solution est de la forme

5.3. RUPTURE DU COURANT


DANS UN CIRCUIT
IN DUCTI F
Reprenons le schma de la figure 28 et supposons
E
qu linstant t = O, le courant tant tabli - on
R
ouvre linterrupteur K . Il apparat alors deux
exigences contradictoires :
- celle de lexprimentateur qui veut faire
E
passer instantanment le courant i de R
O;
- celle de linductance qui ne tolre aucune
variation brutale du courant i qui la
traverse.
En dfinitive cest linductance qui lemporte en
provoquant aux bornes de linterrupteur une
surtension telle quelle provoque lionisation de
lair entre les lames de linterrupteur. Il y apparat
donc une tincelle conductrice qui referme le
circuit que lexprimentateur pensait avoir
ouvert.

k est calcul daprs les conditions initiales


E

On en dduit les lois de variation de il et de u :

Les courbes de variation correspondantes sont


donnes figure 31.
La surtension apparaissant louverture de K ,

(- y)

est dautant plus faible que RI est plus

petite; mais le dispositif prsente linconvnient


de dissiper dans R, une puissance inutile

(3

dautant plus importante que R , est plus faible.


On peut y remdier en plaant en srie avec R , un
lment (diode) qui supprime le courant il positif

15

thorie du signal

il

* -

_-E
R

Fig. 31.

tout en conservant le courant il ngatif qui


prolonge le courant dans linductance lors de
louverture de K .

6.1.2.
Circuit R-L-C paraiiie
aliment par un gnrateur
de courant

Considrons le schma de la figure 33.

6.

LES RESEAUX
ASSOCIAWT RSISTAWCE
I RI DUCTARICE
T CAPACITE

6.1. QUATIONS
DES MONTAGES
FONDAMENTAUX

Fig. 33.

Des quations initiales

6.1.I. Circuit

R-L-c srie
aliment par un gnrateur
de tension

Considrons le schma de la figure 32.

Fig. 32.

lquation diffrentielle du courant i :


d2i R d i
1
= __ + _ _ + -i.
LC dt2 L d t LC

io

6.1.3.
Forme gnrale

on dduit :
- lquation diffrentielle de la tension u :
e
d2u Rdu
1
--U,
E=dtz L d t LC
- lquation diffrentielle du courant i :
1 de d2i R d i
1
-- = - + -- + -i.
L dt dt2 L d t LC

16

io=ic+i
du
i, = Cdt

di
u=Ri+Ldt
on dduit :
- lquation diffrentielle de la tension u :
1 di = 7
d2u + -Rdu + -u;
1
R + -2
-io
LC
C dt
dt
L dt LC
-

Des quations initiales :


di
e = Ri + L- + u
dt
\ i = cdux

de Iq uat ion diffrentiel le


du 2 ordre

On constate dans les deux exemples prcdents


que les circuits associant une inductance et une
capacit sont rgis par une quation diffrentielle
du 2e ordre coefficients constants de la forme :
d2x
dx
+ 2mcoo-dt
dt2

+ c0;x

= f(t).

lois gnrales des rseaux linaires

Le second membre f ( t ) dpend de la forme du


signal impos par les gnrateurs de tension ou de
courant.
Dans les exemples prcdents, on obtient, par
identification :
R
1
2mco - =J L C

O, est

la pulsation propre du circuit;


m est son coefficient damortissement.

m >I

6.2.1.

Les solutions de lquation caractristique sont


relles et ngatives :

a,
et

= A,

u,

dt2

+ 2mco,- du
+ WOU
dt
avec

=JLc

= u(0

+), car

fi

et i(0 -) = i(0 +) car i est le courant dans une


inductance; soit a , A , + A2a2 = O.
A , et A2 sont donc solutions du systme

A1
a,A,

A2 =

Uo

+ a 2 A 2= O

La courbe dcrivant les variations de u est donne


figure 35.a.

su
et

m =2 E F
L

La solution de cette quation est de la forme


A,f,(t) + A 2 f 2 ( t )dans laquelle :
0 A , et A , sont deux constantes dterminer
daprs les conditions initiales,
0 fi( t )et f 2 ( t )sont deux solutions particulires.
Afin de dterminer f , ( t ) et f 2 ( t )cherchons a tel
que eatsoit solution de lquation diffrentielle. Il
vient alors
eat[a2 + 2mw,a

et u(0 -)

=O

+ A,

A linstant t = O, on ferme linterrupteur K , les


conditions initiales tant les suivantes : i(0 -) = O,
u(0 -) = u,.
Les variations de la tension u sont rgies par
lquation diffrentielle du 2 ordre sans second
membre :
d2u

J m 2 - 1,

Fig. 34.

Jm2 - i

est la tension aux bornes dune capacit, soit


A , A2 = Uo;
du
i(0 +) = C - (O +) = C [ A , a , A2a2]
dt
i(0 -) = O

Considrons le schma de la figure 34.

+---l

+ co,

et la solution de lquation diffrentielle est de la


forme :
u = A , cuit + A , eazt.

u(0 -) =

6 . 2 . CIRCUIT R-L-C- SRIE


EN RGIME LIBRE

r754

mco,

a2 = - mco, - co,

~ ( +)
0

Pour la dtermination de A , et A , les conditions


initiales permettent dcrire

+ CU^ = O,

soit a2 + 2mco,a + coi = O, quation caractristique de lquation diffrentielle.


Le discriminant est
A = m2wi - coi = co;(m2 - 1).

O
t

Fig. 35.a

6.2.2. m = l

Lquation caractristique a une racine double :


a, = - CU,
et la solution de lquation diffrentielle est de la forme u = (At + B)
A et B sont dtermines daprs les conditions
initiales et la courbe donnant les variations de u a
la mme allure que celle obtenue pour m > 1
,-Oot.

(fis. 35.a).
17

thorie du signal

6.2.3. m < I

Les racines de l'quation caractristique sont


imaginaires conjugues :
a, = - maO
a2 =

+ jco,

Ji
- muO - jco, J i

- m2
-

La courbe dcrivant les variations de u est donne


figure 35.b. Le cosinus voluant entre + 1 et - 1,
la courbe est comprise entre les deux exponentielles

0
'

cos

,-mwot

et

0
'

-___

,-mwot

cos O

m2

et la solution de l'quation diffrentielle est de la


forme :
u = A , e"" + A , ea2'.

De cette tude nous retiendrons :

Le calcul de A , et A, d'aprs les conditions


initiales conduit
A1 =-

uoa2 - ~,(mco, + j c o 0 J C Z )

a2

en posant co = coo
A1

2jco0 Ji-m"

- a1

Uo

J-,

il vient alors

(mao + j 4
2 jco

ma0
soit u = U o e-mwot cos cot + co

Si l'on pose -=
u=-

cos

sin 8
cos e

tan O il vient :

e e-m"ot[cos cot cos 8 + sin cot sin ]

REMARQUE
La condition m = O tant un cas particulier de la
condition m < 1, la solution correspondante est de la
forme u = A , cos (mot + cp).
Les conditions initiales
(- u(0 +) = u(0 -) = u,,
du
imposent
i(0 +) = c - (O +) = O,
dt
A0 = U o
u, = A , cos (0,
soit
O = - m,A, sin cp
(O = O ,
ce qui conduit u = U o cos mot, d'o l'on dduit
du
i = C - = - CmoU0 sin mot.
dt
=O

Fig. 35.b

18

impose R

=O

(ce qui

est un cas limite) ;le schma correspondant est donn


figure 36.a et les lois de variations de u et de i
figure 36.b.

lois gnrales des rseaux linaires

Fig. 36.a

Il apparat, dans le circuit, des oscillations


permanentes, dont on peut donner lexplication
physique suivante :
-
linstant t = O, u = U , , on ferme
linterrupteur K ; on offre ainsi, la capacit, un
circuit lui permettant de se dcharger;
-

linstant t

Fig. 36.b

Lvolution de la tension u en fonction du temps


obit lquation diffrentielle :
d2u
--+2mw0
dt2

du
-dt+ w i u = o i E

A,
la capacit est dcharge,

2 Co0
mais le courant i est extrmum et linductance, ne
tolrant aucune variation brutale du courant i,
prolonge ce courant en p-rovoquant la charge de la
capacit en sens inverse:
-

linstant t

E ,i = O, mais la capacit se

Solution particulire

Co0

trouve charge sous u = - U,, do une nouvelle


dcharge, et ainsi de suite.

Le second membre tant constant, on la cherche


sous la forme :

. du
soit - = O
dt

u=Cte

6.3. CIRCUIT R-L-C

il vient alors

d2u
et -=O;
dt2

= E.

SRIE ALIMENT
PAR U N GNRATEUR

DE TENSION CONSTANTE
Considrons le schma de la figure 37.

A linstant t = O, u(0 -) = O, i(0 -) = O, on ferme


linterrupteur K .

Solution finale
Reprenons les rsultats tablis au paragraphe 6.2.
O a) m > 1 : La solution de lquation sans
second membre se met sous la forme :

Fig. 37.

Dans ces conditions, la loi de variation de la


tension u, est appele rponse indicielle.

=A,

eal + A , eazt

avec

a,=-moo+w,Jm2-~

et

a2 = - mwo - coo JZ.

Ce qui donne pour la solution gnrale


lquation :
u =E

+ A , eal + A ,

eazt.

19

thorie du signal

Les conditions initiales conduisent au systme :


u(O+)=u(O-)=O=E+A,+A2
du
i (O +) = i(0 -) = c-(O +)
dt
= a, A ,

- Temps de rponse 5 % dans le cas o m %

De lexpression u = E
e

--W O

2mtr5%

- a, E
A 2 -- - = + E
a, - a2

2m

*O

*O

La courbe donnant les variations de

La courbe de variations de la tension u est


donne figure 38. Lorsque t tend vers linfini, al et
a2 tant ngatifs, u tend vers E.

k?
en
27l
~

(00

fonction de m est donne figure 41 en chelle lnIn.


O b) m < 1 : La solution de lquation sans
second membre se met sous la forme :
u = A , emwof
cos ( u t + cp)

avec
4 5%

u=E

La pente de la tangente a lorigine est :


i(0 +) i(0 -)
du
-(O +) =-- o.
dt
C
C
- Cas particulier m 9

m+Jm2-i
2 J Z - 3
m-mJ1-l/m2
A,=E
2 J m

+ A , e-mwofcos ( u t + cp).

Les conditions initiales conduisent au systme :


u ( O + ) = U ( O - ) = O = E + A O COS ~p
du
i(0 +) = i(0 -) = c- (O +) = O
dt
= A , [- muO cos cp - CO sin cp].

1
N

Co = o O , / C - 2 .

Ce qui donne pour la solution gnrale


lquation :

Fig. 38.

A 1 -- - E

20
2m

soit

m+Jm2-i
2Jml
m - Jm2 - i
2 J m

a2 - a,

E e - G r , on tire

tr5%= -In 20 = 3 x -,

dont la rsolution conduit :

mco
tancp=-L=-

-E,

Cu

soit

E
N4m2

A,

2 m
a2 = - m o o - o o J m 2 - i ~ - 2 m o , ,

m tant suppos grand par rapport 1, IA,I est


infiniment grand par rapport a [ A 2 [ ,
lal[ est infiniment petit par rapport la,[.
Le terme A , eazfdevient donc trs rapidement
ngligeable par rapport au terme A , eu et la
tension u se rapproche trs rapidement de
WO
I
I= E - E e-2mf.
On est alors en prsence dun mode dominant.

Ji-=?

=------ -

cos cp

a, = - m o , + w , m J ~ ~-*O

20

100

+ a,A2 = O

A,=-=
--aE
2E

5
1
= -- _ soit

A,+A,=-E
a, A ,
a 2 A 2 = O,

soit

WO

J1Sm

La courbe des variations de la tension u est


donne sur la figure 39.
La pente de la tangente a lorigine est :
i(0 +) i(0 -)
du
- (O +) = ___ - ___ = o.
C
C
dt
Au cours du temps, la tension u passe au-dessus
de la valeur finale E.
On dfinit le dpassement d par :

lois gnrales des rseaux linaires

45%

Fig. 39.
d
1

02

O,1

0,Ol
l

O,1

0.01

rn

Fig. 40.

Le premier maximum se produit pour t

- Calcul du dpassement

u est extrmum lorsque

du _

dt -J-

u,,,

l
7
Y

= E - ___

cos q

emwot

mwnn
-w

= - soit
Co

cos (n + q)

nm

+ CU sin (cot + q)] = O

[rncoo cos (cot + q)

soit U,,,

=E

+E e

J1-m2

Ce qui conduit a :

cest--dire pour

soit

mu0
t a n ( c o t + q ) = --=tan
co
cot = kn.

q,

La courbe donnant les variations de d en fonction


de rn en chelles In-ln, est donne figure 40.

21

thorie du signal

Fig. 41.

- Temps de rponse 5 %
Le temps de rponse 5 % est le temps au bout
duquel la tension u reste comprise entre les deux
horizontales dordonnes 1,05E et 0,95 E.
Le trac point par point montre que tr5%est
minimal pour m = 0,7. Sa valeur est alors

coupe lhorizontale 0,95 E , soit


e-mWofr5%- 5 - 1
100 - 20
3
soit
tr5% = ma0

10

Ce qui correspond, pour u, a la courbe de


variations de la figure 42.

Nous retiendrons les rsultats suivants qui nous


seront utiles, en particulier pour ltude des
asservissements linaires :

Fig. 42.

Lorsque t tend vers linfini, e-lnwottend vers zro,


et u tend vers E.
La courbe donnant les variations de t*50/o en
24ao
fonction de rn en chelles In-In est donne figure
41.
Dans le cas o m est trs petit par rapport 1,
E
est trs voisin de E , les oscillations sont

JCz

trs importantes et lon peut assimiler le temps de


rponse 5 % au temps au bout duquel
lexponentielle
-mwoi
- e-mmotl

22

lois gnrales des rseaux linaires

6.4. APPLICATION :

4L
Pour rn > 1 Cest--dire C > - la loi de
R2
variations de u est exponentielle cfzg. 44) et laL
tension u revient vers zro sans devenir ngative.
O

AN N U LAT10 N
DE LA SURTENSION
AUX BORNES
DUN CIRCUIT INDUCTIF
Nous avons vu au paragraphe 5.3 que, lorsquon
ouvre linterrupteur K du schma donn a la
figure 28 il apparat une forte surtension aux
bornes du circuit inductif.
Pour annuler cette surtension, on place aux
bornes du circuit inductif R, L, un lment qui
soppose a la variation brutale de la tension ses
bornes, cest--dire une capacit. On obtient ainsi
le schma de la figure 43.

1
Rc

Fig. 44,

La pente de la tangente lorigine est

i(O-)
E
- -C
RC

i(O+)
--=

-.(O+)=
du
dt

Pour rn < 1,

( <--):
C

, la rponse est

sinusodale amortie, de la forme


=A

Fig. 43.

,-mwot

cos (COt + d.

Les conditions initiales conduisent :


E
A linstant t = O, le courant i tant tabli R
et u tant gal E , on ouvre K . Des quations
gnrales :
r

u(O +) = ~ ( -)0

-i(O +)
C

di
dt

soit

-CO

sin q],

soit

1c=-l

on tire

E
RC

i(0-)
C

= A [ - m u O cos

u =Ri+L-

= E = A COS ~p

du
ic=Cdt

du
d2u
u+RC-+LC-=O,
dt
dt
d2u
du
2 m 0 0 __ + COOU
dt
dt

=0

avec

A==-

1
R
2L
=-, soit C
cp est nul et la
RC 2 L
tension u varie suivant la loi

Pour

=s,

u =E

=R -CJ
2

emwotcos cot.

Comme emwot
et /cos cotl sont infrieurs 1, lu1
restera infrieur E ce qui limine la surtension.

23

thorie du signal

6.5. RGIME TRANSITOIRE


RGIME PERMANENT
NOUSavons VU que la solution de l'quation
diffrentielle du deuxime ordre se compose de :
- la solution de l'quation sans second
membre, qui dpend des conditions initiales et

qui disparat au cours du temps qu'elle soit


exDonentielle ou sinusodale amortie; comme
pour l'quation diffrentielle du premier ordre,
elle constitue le rgime transitoire;
- la solution particulire, indpendante des
conditions initiales et qui persiste aprs disparition de la solution de l'quation sans second
membre reprsente le rgime permanent.

EXERCICES
1. Le schma de principe d'un convertisseur numriqueanalogique est donn figure 1.

2R

Fig. 1.
Les sources sont indpendantes et les courants ne dpendent
pas des potentiels des nuds O, 1, 2, ..., N .
On a alors :
V, = kola kIZ1 k,Z,
... k,I,
o k , , k,, ..., k N sont des coefficients ne dpendant que des
rsistances du rseau.
1" On ferme le seul interrupteur a, (fis.2). Montrer que
pour le calcul des courants et tensions dans le diple B, on
peut remplacer le diple A par un diple quivalent (source
de Norton), constitu par une source de courant en parallle
sur une rsistance dont on calculera les valeurs en fonction
de I n et R.

+ +

an

2" Le seul interrupteur ferm tant toujours a,, recommencer ce calcul de diple quivalent en incluant successivement
A les nuds (n + l), ( n + 2), ..., ( N ) ; en dduire V, en
fonction de In,n et N .
3" Pour exprimer la tension V, en fonction de l'tat des
interrupteurs, on convient de reprsenter les sources de
courants aux nuds par la notation : a,I,, ulZl,a212,...,
a,I, (ai ayant la valeur O ou 1 suivant que l'interrupteur ai
est ouvert ou ferm).
Montrer que l'application du thorme de superposition
permet d'exprimer V, en fonction de (Zo, Z,, I,, ..., 1,).
Montrer que si tous les courants sont gaux une valeur
unique I R on peut alors crire :

4" On s'intresse au courant I dans la dernire rsistance 2R


du rseau. Donner l'expression de I en fonction de ZR et des
variables binaires a,, a , , ..., a,.
5" On veut obtenir 251 valeurs diffrentes du courant I (en
comptant la valeur nulle).
Combien de gnrateurs de courant doit-on utiliser (valeur
1). Dans quels tats sont les
numrique de N
interrupteurs a, a, pour la valeur la plus leve de Z?

1l

R
V

Fig. 2.

n motifs

+ +

v, = K(a,20 a,21 + a,22 ... a,2,)


K tant un paramtre que l'on dterminera.

l-.

vN

N-n motifs

~~

2. Soit le dispositif ci-dessous.

E
la tension u tant gale u(0 -) = -,
3
on ouvre l'interrupteur K .
a) tablir l'quation diffrentielle rgissant les variations de
la tension u.
1" A l'instant t

= O,

b) Intgrer cette quation compte tenu des conditions


initiales.
c) Calculer, en fonction de R,, R2 et C , l'instant t,, pour
2E
lequel u = -.
3
2E
2" A l'instant t' = O, la tension u tant gale u(0 -) = -,
3
on ferme l'interrupteur K .

lois gnrales des rseaux linaires

a) tablir l'quation diffrentielle rgissant les variations de


la tension u.
b) Intgrer cette quation compte tenu des conditions
initiales.
c) Calculer, en fonction de RI,R, et C, l'instant t; au bout
E
duquel la tension u est gale -.
3
3" Un dispositif lectronique ouvre l'interrupteur lorsque la
E
tension u devient infrieure - et le ferme lorsqu'elle
3
2E
devient suprieure -.
3
a) Tracer l'volution de la tension u(t).
b) Quelle est la priode de u(t).

1
1

= O,

~ ( 0= ~
O, i)L ( O - ) = O, on ferme K .

di
1" Montrer que 2= O.
dt (0,)
2" tablir l'quation diffrentielle donnant i, en fonction
L
des lments du circuit. On donne rC g - et r 4 R.
R
Simplifier cette quation et la mettre sous la forme :

3. Soit le schma ci-dessous.

A l'instant t

-o i e -d2i,
dt2

vs

Le condensateur est suppos suffisamment grand pour que


la tension ses bornes V, soit constante.
L'interrupteur K est alternativement bascul sur la
position 1 et sur la position 2, suivant le chronogramme cidessous :
pour O < t < U T , K est en 1,
pour aT< t < T , K est en 2.

di, + o&
+ 2m oodt

Exprimer m et ooen fonction de R, L et C .

3" Donner la relation entre R, Let C pour que la solution de


l'quation sans second membre soit celle de l'amortissement
critique :
i, = ( A t + B)e-""'
Cette condition est suppose satisfaite pour la suite du
problme.

4" La tension dlivre par le gnrateur est de la forme

e = ut + b.
a) Intgrer l'quation du 2". (On cherchera la solution
particulire sous la forme ut + u.)
b) tablir la relation entre a, b, L, R et C pour que la
solution finale soit du type :
1" K tant en position 1, tablir l'quation diffrentielledu
courant i en fonction de E, Vs et L.
2" Sachant qu' l'instant t = O, i = I o , rsoudre cette
quation et tablir la loi de variations i(t) en fonction de V,,
L, E et I o .
3" Calculer la valeur I,,, de i pour t = UT.
4" A l'instant t = U T ,K est bascul en position 2.
tablir la nouvelle quation diffrentielle du courant i.
5" Rsoudre cette quation et dterminer la loi de
variations de i(t), pour UT < t < T , en fonction de a, T , V,,
E et I o .
6" Sachant qu' l'instant t = T , i = I o , calculer V, en
fonction de a et E.
7" La valeur moyenne du courant dans le condensateur
tant nulle, calculer I o + I,,, en fonction de a, E et R.
8" En utilisant les questions 7" et 3", calculer I o , en fonction
de a, E, R, L et T .
9" On s'impose que le courant I o ne puisse pas devenir
ngatif.
Dterminer la valeur maximale de R en fonction de L, a, T .
4. Le circuit de dviation magntique d'un tube cathodique
radar (d'inductance L, et de rsistance r) est attaqu par un

gnrateur de tension e comme l'indique le montage.

i,

= Dt[1 - e - q .

Prciser les valeurs de D et z. Tracer les variations de i,(t).


t

5" On donne L = 45 mH, r = 25 R. On admet e-; g 1 ds


que t > 57.
L'mission de l'onde RADAR et le dpart du spot sont
simultanes. Le spot se dplace de O en P proportionnellement i,. L'onde RADAR se dplace la vitesse de la
lumire 3 . 108 m . s-'. L'cho E apparat commt un
point brillant sur le rayon OP.

Montrer que la mesure de O P n'est proportionnelle la


distance de l'objectif qu' partir d'une certaine distance d .
Calculer C pour avoir d = 2 250 mtres. En dduire R.
Vrifier que les approximations du 2" sont justifies.

25

signaux
osinusodaux
1- PREAMBULE
Nous avons vu quun signal sinusodal est de la
forme
a = A , cos (ut

+ cp)

dans laquelle A , est la valeur maximale, A

le signal, il faut dterminer deux inconnues A , et


cp. Pour cela nous utiliserons des outils
mathmatiques qui transportent deux informations. Ce seront :
- les vecteurs dun plan; ils sont caractriss
par deux grandeurs :

=A,

-Jz
est la valeur efficace, co est la pulsation, cp est la
phase a lorigine.

ou bien

lu

{
{

composante horizontale
composante verticale
module
angle avec un axe orient

- les nombres complexes; ils sont caractriss


par les deux grandeurs :

cT

partie relle
ou bien
partie imaginaire

module
argument

Fig. 1.

Proposons-nous, titre dexemple, de dterminer


la tension u sur le schma de la figure 1, dans
lequel
e = E,

COS

(ot

+ O).

2,

VECTEURS DE FRESNEL

Remarquons (fig. 2) que lexpression dune


grandeur sinusodale

Lvolution de la tension u est rgie par lquation


diffrentielle :
du d2u
oie = oiu + 2mo, - + dt dt2
= @ ; E , cos (Ut e).

La solution se compose de :
O la
solution de lquation sans second
membre que nous avons tudie au chapitre 1.
Elle reprsente le rgime transitoire et disparat
au cours du temps;
O la solution particulire qui dpend du second
membre, donc de la forme du signal.
Nous exposerons, dans ce chapitre, deux
mthodes permettant de dterminer la solution
particulire des quations diffrentielles dont le
second membre est sinusodal.
Sachant que cette solution se met sous la forme
A , cos (cot + cp), dans laquelle CO est impose par

26

a = A , cos (ut

+ cp)

correspond la projection, sur un axe x,dun


+
vecteur A , de module A,, qui fait avec laxe x
langle ot + cp.

rl
or + c p a

Fig. 2.

En figeant le diagramme de la figure 2 linstant


t = O, nous conviendrons dassocier toute
grandeur sinusodale a = A , cos (cot cp) un
+
vecteur A , de module A,, faisant un angle cp
avec un axe x . Cette correspondance est
schmatise sur la figure 3 :

signaux sin u soida ux

-+

a = & c o s (cot

+ cp)

Proposons-nous de dterminer le vecteur associ


la somme a = a, + a2 :

I
~

Fig. 3.

On ralise ainsi une application de lensemble des


grandeurs sinusodales dans lensemble des
vecteurs dun plan. Ces vecteurs sont appels
vecteurs de Fresnel et le plan correspondant, plan
de Fresnel.

a = A , cos (ut cp,)


A , cos (ut cp,)
= A , cos cot cos cp, - A , sin ut sin cp,
A , cos cot cos 40, - A, sin ot sin qO2
= cos cot[A, cos ($3,
A , cos 4021
- sin cut[A, sin cpi
A, sin q,]
= [ A , cos cp,
A , cos cp,]
A , sin pl A , sin cp2
[cos cot sin ot]
A , cos cp, A , cos cp,

ou en posant
REMARQUES

tan cp

La dfinition que nous avons choisie pour cette


application nest pas la seule possible :
on peut choisir pour la longueur du vecteur associ,
la valeur efficace de la grandeur sinusodale; les
diagrammes obtenus ne diffrent que dune homothtie de centre O et de rapport
on peut aussi prendre lapplication correspondant
la figure 2 ; la dfinition que nous avons choisie
permet de nous affranchir du terme mt, commun
toutes les grandeurs sinusodales du circuit.

&;

sin cp - A , sin cp,


cos cp A , cos cp,

= --

+ A , sin cp,
+ A , cos 40,

avec
cpi < cp < 9 2 .
A , cos cp, + A , cos 9,
a=
cos cp
[cos cot cos cp - sin ot sin
A , cos cpl A , cos cp,
cos (ut + cp).
cos cp

401

Le vecteur A associ la somme a = a, + a, fait


donc, avec laxe orient Ox,langle cp tel que
A , sin cp, + A , sin 40,
tan cp =
A , cos cp,
A , cos cp,
4

Passons en revue les oprations effectues, sur le


signal, par les composants passifs, ceci afin de
dterminer les oprations correspondantes dans
lensemble des vecteurs associs. Il sagit de :
-

lopration somme comme, par exemple, la


loi des nuds : i = il i2 ... in;

lopration multiplication par un nombre


comme la loi dohm : u = Ri;

+ + +

- lopration drivation, par exemple :


i = C - du
.
dt
- lopration intgration, par exemple :

et son module est A , tel que


A , cos cp = A , cos cp,

+ A , cos (p,.

Traons, dans le plan de Fresnel, le vecteur A;


obtenu en faisant la somme vectorielle des
vecteurs
et
cfig. 4).

2, 2,

-)

i = Lu d t .
A, sin p1 + A,sin

(92

2.1. OPRATION
Fig. 4.

SOMME
Soient deux grandeurs sinusodales
a, = A , cos (cot
a2 = A , cos (cet

et

auxquelles sont associs, respectivement les


vecteurs A , et A , .
d

+ 40,)
+ (p,)

La projection, sur un axe quelconque, de la


somme de deux vecteurs tant gale la somme
des projections, on peut crire :
AM cos cp = A , cos cp,
A , sin 9,
tan cp
=
A , cos cp,

+ A,
+ A,

cos cp,
sin cp,
A , cos 43,

27

thorie du signal

avec

cpi < cpr < c p 2 ,


+

ce qui permet de conclure que le vecteur A est


identique au vecteur A.
-

da
Le vecteur A , associ -a pour module m . A ,

( + 2)

et fait avec laxe x langle cp


dt

Lopration somme dans lensemble des grandeurs sinusodales se traduit par lopration
somme vectorielle dans lensemble des vecteurs
de Fresnel.

- cfzg. 6).

Fig. 6.

b
O

2.2.

Lopration drivation dans lensemble des


grandeurs sinusoidales se traduit, dans lensemble des vecteurs de Fresnel, par une
multiplication du module par O et par une

OPRATION

M U LTI PLICATI0 N
PAR UN N O M B R E

rotation de

Soit une grandeur sinusodale


a = A M COS (ut + cp)
+

+ n-2.

~~

laquelle est associ le vecteur A. A la grandeur


sinusodale ka = kAM cos (ut cp) est associ le
vecteur de module kAM et dargument cp, cest-dire le vecteur kA(fzg. 5).

2.4.OPRATION
INTG RATIO N
Soit une grandeur sinusodale
a = A M COS (ut cp)

laquelle est associ le vecteur A . Dterminons le


vecteur associ a dt :
O

Fig. 5.

Lopration multiplication par un nombre dans


lensemble des grandeurs sinusodales, se traduit par lopration multiplication par un
nombre dans lensemble des vecteursde Fresnel.

s a dt

AM

= - sin (mt

-A,
cos

+ cp)

mt+ q - -

2)

A M

Le vecteur A iassoci a dt a pour module m

et fait avec laxe x langle

2.3.OPRATION
D R IVATIO N
Soit une grandeur sinusodale
a

= A M COS (mt

+ 9)
.--.c

a laquelle est associ le vecteur A. Dterminons le

da
vecteur associ la grandeur - :
dt
da
-=
dt

A M m sin (ut

+ cp)

y;

Lopration intgration dans lensemble des


grandeurs sinusodales se traduit dans Iensemble des vecteurs de Fresnei par une division

du module par

28

Fig. 7.

et par une rotation de

It
-2.

si g naux sin u soidaux


+

Sachant que tout vecteur A du plan complexe est


limage dun nombre complexe A , on associe
ainsi toute grandeur sinusodale-

2.5. APPLICATION
LA RSOLUTION
DU PROBLME DU
PARAGRAPHE 1

cos (ut + 9)

a = AM

La traduction dans le plan de Fresnel de


lquation :
du d2u
w i e = O ~ U 2m0, - + dt dt2
est dcrite par la figure 8.
On en- dduit que u est en retard sur e dun
2mo0,
angle cp = arctan
et que sa valeur

0;- O2

maximale U , est telle que


o g E & = U s [(O;- co2)2+ 4m2 CO, 03,

un nombre complexe 4 dont le module est gal


A M et dont largument est gal cp, cest--dire
A = A,[cos

+ j sin 401 = A ,

cp

ejq.

On ralise ainsi une application de lensemble des


grandeurs sinusodales dans lensemble des
nombres complexes :
u = A,

COS

(ut

+~p) A=
t-)

AM

ejq.

Dterminons, dans lensemble des nombres


complexes, les oprations correspondant celles
effectues dans lensemble des grandeurs
sinusodales.

u scrit donc :
*-

3.1.OPRATION
SOMME
2mco0,
0;- Co2

Soient deux nombres complexes A , et A , et leurs


vecteurs images, respectivement A , et A , . Le
vecteur image de A, + A2 tant A = A , + A , ,
on peut en conclure que lopration somme dans
lensemble des grandeurs sinusodales se traduit
par lopration somme dans lensemble des
nombres complexes.
d

3.2.OPRATION
M U LTIPLICATIO N
PAR U N NOMBRE
4

3. NOMBRES COMPLEXES
Considrons le diagramme vectoriel de la figure 3
et compltons-le par un axe vertical. Nous
obtenons alors le plan de la figure 9 que nous
pouvons identifier au plan complexe.

Si le vecteur A est limage du nombre


A, limage du nombre complexe kA est
complexe le vecteur kA. On peut en conclure que
lopration multiplication par un nombre dans
lensemble des grandeurs sinusodales se traduit
par lopration multiplication par un nombre
dans lensemble des nombres complexes.
4

~~~

~~~

3.3. OPRATION
D RIVATIO N

Si le vecteur
est limage du nombre
complexe A, le vecteur obtenu partir de par
rotation

O
Fig. 9.

Re

de

+ 7T2

est limage du nombre

complexe jA.

29

thorie du signal

Lopration drivation dans lensemble des


grandeurs sinusodales, se traduisant, dans
lensemble des vecteurs par une multiplication
par

CO

et une rotation de

4.1. RSISTANCE R
.

+ -,712 correspond dans

lensemble des nombres complexes une multiplication par jm.

Lquation u = Ri se traduit dans le plan de


Fresnel par le schma de la figure 10 et dans le
plan complexe par :
U = RI-

3.4. OPRATION
INTGRATION
Le mme raisonnement nous permet de conclure
que lopration intgration, dans lensemble des
grandeurs sinusodales, se traduit dans lensemble des nombres complexes par une division
par jo.

4.2. CAPACIT

~~

3.5. APPLICATION
LA RSOLUTION
D U PROBLME
D U PARAGRAPHE 1
Lquation o i e

WOU + 2m0,

du
dt

du
se traduit dans le plan de
dt
Fresnel par le schma de la figure 11 et dans le
plan complexe par : 1. = jCwg.
Lquation i = C

+ d2u
se tradt2
~

duit dans le plan complexe par

1-

o E et U sont les nombres complexes associs


respectivement e et u.
w; E
le module U , de
Soit g =
w; - w 2 + 2jmcooo
U est
-

d E M

J(w;

est - arctan
U =

+ 4m2w;co2

- w2)2

2mcow,
0;- Co2

son argument

4.3. INDUCTANCE L

u scrit donc

--

03,

+ 4m2w;w2
2mcoco,
w;

- Cu2

IMPDANCE COMPLEXE

Traduisons, dans le plan de Fresnel et dans


lensemble des nombres complexes les relations
imposes par les caractristiques des lments
passifs.

30

Fig. 1 1 .

- 02)2

4.

di
se traduit dans le plan de
dt
Fresnel par le schma de la figure 12 et dans le
plan complexe par : = jLwI.
Lquation u

=L-

si g na u x si n u soida u x

4.4. IMPDANCE

qui se traduit dans le plan de Fresnel par le


diagramme de la figure 14.
.

COMPLEXE

Dune manire gnrale, nous appellerons


impdance complexe dun lment passif le
rapport entre les nombres complexes associs la
tension aux bornes et au courant qui le traverse :

1
Linverse de limpdance Y = - est ladmittance
-

du composant soit :

z R, y = :R
pour un condensateur z 2- Y jCo,
jcco
pour une rsistance

U M

2
-

On en dduit que i a pour valeur maximum

5.

pour une inductance 2 =jLo,

1
RCco

Son expression est donc

Y =I
.
jLco

cot

+ O + arctan

___

LOISDES

RESEAUX LINEAIRES
E N RGIME SlNUSOrDAL
PERMANENT

La relation
=
en rgime sinusodal
permanent, est identique la relation u = Ri des
rseaux rsistifs, relation partir de laquelle ont
t dmontrs un certain nombre de thormes.
En consquence, tous les thormes dmontrs au
paragraphe 3 du chapitre prcdent, sont valables en rgime sinusodal permanent, condition
de raisonner dans lensemble des nombres
complexes associs.

6.

de 9 = arctan

et quil est en avance sur u

6.1. CIRCUIT RC
PARALLLE QUIVALENT
On peut donner, du schma de la figure 13, le
schma quivalent de la figure 15. Les lments
R et C sont calculs en fonction de R et C de telle
sorte que les circuits des figures 13 et 15
prsentent la mme impdance entre les points A
et B.

CIRCUIT ASSOCIANT

RESISTANCE

E T CAPACIT

Fig. 15.

Soit le circuit schmatis sur la figure 13, avec


u = U , cos (ut + O). On peut crire, entre les
nombres complexes -U et-I , la relation

ou L + j c c o =
R

L!

Fig. 13.

1
R+JCm
jCco(1 -jRCco)
jCco
1 +jRCco
1 + R2C2c02

31

thorie du signal

En galant parties relles et imaginaires, il vient :


RC2c02
= 1 +R2C2c02i

Pour un condensateur rel cet angle est gal


n
6, ce qui justifie la dnomination dangle

p=T-

de pertes.

6.2. C I R C U I T PASSE-BAS
DU P R E M I E R O R D R E

soit

1
: facteur de qualit du circuit
RCm
R-C srie. II vient alors :

On pose Q

= R[1

+ Q],

= C - Q2

Q2

Par combinaison des formules prcdentes, on


peut exprimer Q en fonction de R et C soit :
Q=-

Redessinons le schma de la figure 13 sous la


forme donne la figure 16 et dterminons le
V
rapport T = =-,appel fonction de transfert :
U

1 --_1 1+Q2
Q2
- Q
RCcl> co R C(1 Q2) - RCCO

8
Fig. 16.

1
1
1
jCu, T=
1
l+jRCco
co
R+l+jJCU
WO
1
RC
crivons lquation prcdente en module et en
argument :
O T = 1
71est le rapport des valeurs maximales
de u et de i;cest aussi le rapport de leurs valeurs
efficaces V et U , soit :

en posant coo

Condensateur rel: on peut donner, pour un


condensateur, le schma quivalent de la
figure 15, dans lequel la rsistance R traduit les
phnomnes parasites suivants :
- rsistance de fuite de lisolant,
- pertes par hystrsis dilectrique.

=-

Dans le cas dun condensateur de bonne qualit,


Q est trs grand par rapport 1, et on peut crire
C % c
les formules approches :
R % Q2R
On dfinit aussi, pour un condensateur, langle de
perte 6 par
1

tan 6 = 2 = RCco = A
Q
RCco
1
6 est reli cp par tan 6 = RCco = ___
tan cp
soit
n
6=--cp.
2

Pour un condensateur parfait le courant est en


n
avance de - sur la tension ses bornes.
2

32

O cp = arg _T est langle davance de la tension u


sur la tension u, soit :
co
cp = - arctan -.

a0

Les reprsentations graphiques de T et cp en


fonction de co seront tudies au paragraphe 9.
Remarquons, dores et dj, que
U
V=

est dautant plus faible que co est plus grand. La


valeur maximale est, pour co = O, V,,, = U .

signaux sinusodaux

On dfinit la bande passante par lensemble des


pulsations telles que

v>

h , soit :

O T = /_TI rapport des valeurs efficaces de u et


de v scrit :
ci)

V
T=-=
U

dL

soit

< o0.

Le circuit de la figure 16, dont la fonction de


1
transfert est T=
, est un circuit passe.ci)
1+ja 0

1
bas. Sa pulsation de coupure est cu0 = RC
Remarquons, dautre part, que pour des
pulsations ci) trs grandes par rapport cu0, _T est
v
1
ci)
peu diffrent de =_ = -,
soit = y j -. Cette
u J-.ci)
a 0

O (p = arg _T
est langle davance de la
tension v sur la tension u :
n
ci)
(p = - - arctan 2
0 0
Les reprsentations graphiques de T et (p en
fonction de la pulsation ci) seront tudies au
paragraphe 9.

Remarquons, ds prsent, que


Co

-U

@O

quation est la traduction dans lensemble des


complexes
de
lquation
diffrentielle
1 dv
u=-w0 d t

est dautant plus grande que la pulsation CO est


plus leve. Sa valeur maximale est pour ci) infinie,

soit en intgrant v

La pulsation pour laquelle

= coo

u dt.

La tension de sortie est donc proportionnelle


lintgrale de la tension dentre.
Pour des signaux sinusodaux dont la pulsation est
1
trs grande par rapport o0= - le circuit de la
RC
figure 16 se comporte comme un intgrateur.

vmax
= u.

est

ci)

= COO.

Le circuit de la figure 17 dont la fonction de


.Co

1J

6.3. CIRCUIT PASSE-HAUT

transfert est _T =

m0

est circuit passe-haut.

.ci)

DU PREMIER ORDRE

1 +J-

@O

Redessinons le schma de la figure 13 sous la


forme donne la figure 17.

La fonction de transfert T = = scrit :

avec

ci)o

=-.

u
-

1
La pulsation de coupure est coo = RC
Remarquons, dautre part, que pour des
pulsations ci), trs infrieures a coo, T est peu

.ci)

RC
crivons lquation prcdente en module et en
argument :

Cette quation est la traduction, dans lensemble


des nombres complexes, de lquation diffren1 du
tielle v = - -. La tension de sortie est donc
ci)o dt
proportionnelle la drive de la tension dentre.
Pour des signaux sinusodaux dont la.pulsation O
est
trs
petite
par
rapport

1
o0= - le circuit de la figure 17 se comporte
RC
comme un drivateur.

33

thorie du signal

7. CIRCUIT ASSOCIANT

R +jLco =

RESISTANCE

R+jLw

ET IiDUCTAMCE

ou
1
1
1
- R -jLco
-+-=
R J L C O R+JLco R2+L2c02

Soit le circuit de la figure 18, avec


u=

uMcos (cot + el.

En galant parties relles et parties imaginaires, il


vient :

u
Fig. 18.

On peut crire, entre les nombres complexes U et


U = ( R + jLco)I,qui se traduit dans
le plan de Fresnel par le- diagramme de la
figure 19.

R
1 R
R2 + L2c02
1
Lm
-- Lco R 2 + L2c02
R2 L2c02
R2 + L2c02
=R
R2
IR=
R
R2 + L2c02
R2 + L2c02
=L
L2c02 -

I , la relation

soit

LW
On pose Q = - : facteur de qualit du
R
circuit R-L srie; il vient alors :

Fig. 19.

On en dduit que i a pour valeur maximale :


I

U M

M-JzTz7

et quil est en retard sur u de cp

Par combinaison des formules prcdentes, on


peut exprimer Q en fonction de R et L , soit :

Lm
arctan -.
R

Son expression est donc :

R
Lw

Q=--- -

U M

Lw
R

Bobine relle
~~

7.1. CIRCUIT R-L


PARALLLE QUIVALENT
On peut donner, du schma de la figure 18, le
schma quivalent de la figure 20. Les lments
R et L sont calculs, en fonction de R et L , de
telle sorte que les circuits des figures 18 et 20
prsentent la mme impdance entre les points A
et B :

On peut donner pour la bobine le schma


quivalent de la figure 18, dans lequel la
rsistance R traduit les phnomnes parasites
suivants :
- rsistance du bobinage,
- pertes par hystrsis magntique.
Dans le cas dune bobine de bonne qualit, Q est
trs grand par rapport 1 et on peut crire les
formules approches :
L N L
R N Q 2 R .

Al
L

Fig. 20.

34

On dfinit, pour une bobine, langle de pertes 6


Par

si g na ux si nusoida ux

.,
R
6 est relie cp par tan 6 = - = cot cp, soit
LU
n
6=--cp.
2
Pour une bobine parfaite, le courant est en retard
n
de - sur la tension ses bornes. Pour une bobine
2
n
relle, cet angle est gal cp = - - 6, ce qui justifie
2
la dnomination dangle de pertes.

Remarquons que si 8 + cp = -,
7t k est nul, et le
2
rgime transitoire disparat. Ce cas correspond
au diagramme de la figure 22. Linterrupteur est
ferm linstant o le courant correspondant au
rgime permanent passe par zro par valeurs
croissantes. On conoit bien que, dans ces
conditions, le rgime transitoire disparaisse.

7.2. FERMETURE
DU CIRCUIT R-L

or

<p
L

Fig. 22.

Soit le schma de la figure 21 dans lequel


e = E , cos (ut - 8).

Cette remarque est utilise par les relais statiques


dans lesquels :
- un circuit repre le passage de la tension
daliment ation par zro ;
- un circuit temporisateur rglable retarde la
fermeture de linterrupteur.

Fig. 21.

8.
A linstant t = O, on ferme linterrupteur K .
De lquation diffrentielle
e = E , cos (cot - 8) = Ri

RESISTANCE,

INDUCTANCE
ET CAPACIT

+ L -,dtdi

on tire :
- la solution de lquation sans second

CIRCUITS ASSOCIANT

8.1. CIRCUIT R-L-C


SRIE

membre : i = k e - 3 ;
- la solution particulire :
E,

cos (cot - 8 - cp),

Soit le circuit de la figure 23, dans lequel


u = U , cos cot, on peut crire entre les nombres
complexes la relation :

l = J G E 7

avec
-

tan cp

LCO
R

la solution gnrale
R

i = k e-Ef +

E,

JiFTz7

i(0 -)

Fig. 23.

cos (cot - 8 - cp).

Le calcul de la constante k conduit

soit

1.

= -*

qui peut tre mise sous la forme :

= O = i(0 +)

k=-

E,

avec

Co() =

JLC

35

thorie du signal

On en dduit que :
- pour la pulsation o = oo le circuit se
comporte comme une rsistance R; ses
lments L et C se neutralisent;
- pour les pulsations o suprieures oo,le
circuit se comporte comme un circuit
inductif rsultant de la mise en srie
de la rsistance R et de linductance

- pour les pulsations o infrieures oo,le


circuit se comporte comme un circuit
capacitif, rsultant de la mise en srie de la
C
rsistance R et de la capacit C = o2*

1 - 2

WO

Remarquons, ds prsent que le module de T


tend vers zro lorsque la pulsation CU tend vers
linfini. Il sagit dun circuit passe-bas du deuxime
ordre car la transmittance possde un terme en
U W ) ~au dnominateur.

8.1.2. Sortie aux bornes


de linductance :
circuit passe-haut
du deuxime ordre

Redessinons le schma de la figure 23 sous la


forme donne la figure 25. La transmittance
V
-T = =
u- scrit :
T=
-

1
jCo
(jw)2L C
1 + jRCw + CU)^ L C

8 . 1 . l . Sortie aux bornes


de la capacit :
circuit passe-bas
du deuxime ordre

R+jLo+-

Fig. 25.

Redessinons le schma de la figure 23 sous la


forme donne la figure 24.

oo

V
La transmittance _T = = scrit :
U
1
V
jCo
T=li=
1
J--

1 + jRCw

+(~cu)~LC

=JLc

V
=A

- u- scrit :
et

RCo,

CUo=JLc

Les reprsentations graphiques du module et de


largument de T , en fonction de la pulsation o,
seront tudiesau paragraphe 9.

36

8.1.3. Sortie aux bornes


de la rsistance :
circuit passe- bande

JL.

Redessinons le schma de la figure 23 sous la


forme donne la figure 26. La transmittance

avec

et m = R

Les reprsentations graphiques du module et de


largument de T,en fonction de CO,seront tudies
au paragraphe 9. Remarquons, cependant que le
module de T tend vers zro, lorsque CU tend vers
zro. Il sagif dun circuit passe-haut du deuxime
ordre.

Fig. 24.

avec

T=

R
1

R+jLo+-

+
lg ;

JCW
jRCo
1 + j R C o + CU)^ LC

V
-

Fig. 26.

sici na ux si n usoda ux

Remarquons que pour CO = m0, y = RIo, le


circuit se comporte comme une rsistance R.
Cette proprit est utilise pour raliser un circuit
possdant une faible rsistance en continu et une
forte rsistance en rgime sinusodal de pulsation
1
. Considrons, en effet, le circuit de la
O 0 =-

2im -

avec

JLC et m
1

=-

fi

figure 28.
Les reprsentations graphiques du module et
de largument de T , qui seront effectues au
paragraphe 9, nous Permettront de conclure quil
sagit dun circuit passe-bande.

LcJ
Fig. 28.

8.2. CIRCUIT R-L-C PARALLLE


Soit le circuit de la figure 27 aliment par un
gnrateur de courant io. La tension -V scrit :

Fig. 27.

1 1

I
-0
V=
- 1
1
-+-+jCu
R JLO

LO
1 jR

et de la rsistance
R = r[l + Q2].
Lm0
Dans le cas ou Q = est grand par rapport
r
1
1, L = L e t R = Qr. A la pulsation u0=-

+ (jw)2LC

2im 00

= Rio

+2

j m ~
O0

avec

m0 =- 1

Rsultant de la mise en parallle dune capacit C


et dune bobine de rsistance r et dinductance L.
O En continu le courant dans le condensateur
et la tension aux bornes de linductance sont nuls.
Le circuit est quivalent la rsistance r.
O En rgime sinusodal la bobine peut tre
remplace par son schma quivalent rsultant de
la mise en parallle de linductance
r
1 1
L=L 1 + 7

f i m = -

2R

(JE)

le circuit se comporte alors comme une rsistance


R = Q 2 r trs grande par rapport r.

-y
2
-2R

La tension -V scrit aussi :

9,

REPRSENTATION
DES FOMCTIOAIS
DE TRAMSFERT

Rappelons que, si le rapport des nombres


complexes
et
associs deux grandeurs
X
sinusodales x1 et x 2 , scrit _T = 2 :
-1
X
- le module de _T, soit T,donne le rapport des
valeurs efficaces de x1 et x 2 ,
- largument de T , soit cp, donne langle
davance de x2 sur xl.

xi x2,

Ces formules seront exploites au paragraphe 9.

37

thorie du signal

La connaissance de lvolution de T et cp, en


fonction de la pulsation ci), permet de conclure
sur les proprits du dispositif admettant T
comme fonction de transfert.
Nous avons vu apparatre, lors des paragraphes
prcdents, un certain nombre de fonctions de
ci)
ci)
1
transfert particulires :j -, 1 j -,

CO0

CO0

,.CO

l+J-

a 0

1
1

+ 2jrn
CO0

...

+ (j g)L

Ces fonctions de transfert se retrouvent dans


ltude de nombreux systmes lectriques,
lectromcanique ou autres.
Nous tudierons dans ce paragraphe deux
reprsentations des fonctions de transfert lmentaires en fonction de la pulsation ci).

Dcade

Soient deux nombres rn, et rn, auxquels sont


associs les deux points M , et M,. Nous
dirons quentre M , et M , il y a une dcade si
rn2 = lOrn,, soit lg rn2 = Ig rn, + 1.
Octave

De la mme faon, nous dirons que deux


points M , et M 2 sont spars par un octave si
rn, = 2rn, soit lg rn, = lg rn, + lg2 N lg rn, + 0,3.
REMARQUE
Considrons trois nombres m,, m , ,m2 auxquels sont
associs les trois points M o , M ,, M 2et cherchons la
condition pour que le point M o soit situ au milieu du
segment M M , .

//

I
I

//

-b

Ml

//

1-+
Cette condition scrit OM - - ( O M ,
O - 2
soit
2 Ig mou = Ig m,U + Ig m2G;
Ig m;

Soit un axe orient et son vecteur unitaire U


cfzg. 29). On ralise une chelle logarithmique en

OM

associant tout nombre rn un point M tel que


= (lg rn)u. Nous obtenons ainsi la graduation reprsente la figure 30.

En chelle logarithmique m, est donc la moyenne


gomtrique de m, et m 2 ,alors quen chelle linaire,
la mme condition conduit la moyenne
arithmtique :
m,

m1 +m2
2
-

=-

Supposons quune fonction de transfert T se


mette sous la forme dun produit de fonctions
de transfert lmentaires _Ti,
..., -T, soit
T = -Ti . T2 . ... . T,, et supposons, de plus, que
nous connaissions-les reprsentations du module
T,, _T2, ..., Xn.
et de largument de Le module dun produit tant le produit des
modules, nous pouvons crire

z2,

Fig. 29.

Ti

. T2 . ... . T,,

-3

10

1O0

linfini gauche

Fig. 30.

38

= Ig

9.1.2. Intrt des diagrammes


de Bode

9 . 1 .l.chelle logarithmique

m,m2,
m; = m,m2.

soit :

Soit la fonction de transfert T , on obtient sa


reprsentation dans les diagrammes de Bode en
traant 20 lg T et cp = arg T en fonction de la
pulsation CO, repre en chelle logarithmique,
cest--dire en fonction de lg ci).
20 lg T est la mesure de T en dcibels (abrviation : db).

o=Oest

+ OM,)

u tant diffrent de zro, la condition scrit

9.1. DIAGRAMMES D E BODE

I
I

103

104

105

s ic] na ux s i nusoida ux

Reprsentation de largument

donc

20 lg T = 20 lg T , + 20 lg

T2

et
arg T = arg T I + arg T2+

+ ...+ 20 lg T,

...+ arg x,,.

71

arg T, = - quel qile soit CU. Nous obtenons donc


2
la reprsentatior, de la figure 32.

arg I O

Ces reprsentationsdu module et de largument


de T sobtiennent en faisant la wmme des
rep&entatiorw correspondantes du module et
de largument des fonctions de transfert
_Ti9

1 2 ,

*.*9

z**

Fig. 32.

9.1.3. Fonction de transfert

zo= j- Co

9.1.4. Fonction de transfert

0 0

T; = j ~

Reprsentation du module

20 lg ITol= 20n lg CO - 20n lg co0,

Co

ITJ
-- = -,

Co0

=n

arg _T;

soit
20 lg T = 20 lg Co - 20 lg

Coo.

La reprsentation de 20 lg T en prenant pour CO


une chelle logarithmique (cest--dire en fonction de lg CO) est donc une droite passant par
(m0,O) et dont la pente est dfinie de la manire
suivante :
O
Pour CO = u0 : 20 lg To = O dcibel,
O
Pour CO = 10~0,: 20 lg To = 20 dcibels,
O
Pour CO = 20.1, : 20 lg To= 20 (lg2)
N 6 dcibels.

Nous obtenons donc :


- pour le module une droite de pente
20n dcibels par dcade et passant par CU,;
-

pour largument une horizontale dordon71

ne n-.
2

9.1.5. Fonction de transfert

zl=l

La pente de la droite est donc de 20 dcibels par


dcade ou encore de 6 dcibels par octave.
Nous obtenons ainsi la reprsentation de la
figure 31.

.n

arg To= n-.


2

O)

+ja,

Reprsentation du module
O

Pour

CO = u0,

20 lg Ti = 20 lg $= 3 dcibels.
20 db
O Pour les pulsations CO trs
grandes par
rapport co0, Ti devient peu diffrente de

To = j

Co

-.

La courbe admet donc, pour

Co0

6 db
O db

100,

Fig. 31.

asymptote, la droite de pente 20 dcibels par


dcade et passant par coo.
O Pour les pulsations CO trs petites par rapport
co0, 20 lg Ti N 20 lg 1 = O, la courbe admet
pour asymptote laxe des CO.

39

thorie du signal

cart par rapport aux asymptotes :E


O

Pour

E=201g

CO

0.1
($

1 + 2

> CO.,

a cu0, _Ti devenant peu diffrente de j -,

' 12

ml

[I f 2
[

m:]

101g 1 + 0

CO0

tend vers

Pour

CO

2o log

+ j) = -.4
71

//

T'

Pour

CO

Pour

CO =

10~0,:

arg _Ti

= arctan

CO

courbe entre 10~0,et -2 en l'assimilant a l'oblique


10

(" )

passant par les points de coordonnes -,

T, =

LI.

1 +j-

0
*O

De la relation

i 2 0 log

z2

= -,

Ti
- 20 lg T'
- arg _Ti
T2

on dduit :

O,

O,

10

Fig. 33.

10

40

Fig. 34.

10 = 84".

On obtient une bonne approximation de la

10

1
Ti = arctan - = 6".
arg 10

20 lg T, =

00

CO0

= -:

9.1.6. Fonction de transfert


1

= u0 :

arg _Ti = arg (1

71

71

: la courbe admet l'horizontale 2


2
pour asymptote.
O Pour des pulsations trs petites par rapport
cuo, Ti devient peu diffrente de 1 et arg 7" admet
l'axe-des CO pour asymptote.

On en dduit que :
- l'cart E par rapport aux asymptotes est
maximum pour CO = cu0 et vaut 3 dcibels;
- pour deux points symtriques par rapport
co0 les carts aux asymptotes sont gaux.
On obtient ainsi la reprsentation donne la
figure 33. Les carts aux asymptotes tant faibles,
la courbe pourra, pour certaines applications tre
assimile ses asymptotes; on obtient ainsi le
diagramme asymptotique.
Reprsentation de l'argument

arg _Ti

CO0

=1Olg 1 + 2 .

-2Olg-=

Pour des pulsations trs grandes par rapport


CO

Pourco<co,,
E=201g

Fig. 35.

O et

s i g na u x s i nu soida u x

Les courbes de module et dargument se


dduisent donc de celle de TIpar symtrie par
rapport laxe des pulsations do les courbes de
la figure 35.
Les circuits admettant T2 pour fonction de
transfert laissent passer prloritairernent les basses
frquences : ce sont des circuits passe-bas.
t

T2rnax
La pulsation de coupure, telle que T2= -

fi

1
cest--dire T2 = - ou 20 lg T2= - 3 db, est

gale co0.

9.1.7. Fonction de transfert


0

j1 3

1 +j-

La fonction de transfert T3 tant gale To . _Tz,


on en dduit que :

T3

x3

lg To + 20 lg T,
= arg
arg
= 20

+2

j m ) :~j (
*O

Reprsentation du module
Remarquons ds prsent :
- pour des pulsations CU trs petites par
rapport coo, devient peu diffrente de 1
et la courbe 20 lg T4 est asymptote laxe
des co;
- pour les pulsations co trs grandes par
rapport m0, devient peu diffrente de
1
et la courbe 20 lg T4est asymptote

z4

z4

5)

la droite, de pente - 40 dcibels par


dcade, passant par coo.

0
*O

20 lg
arg

-a-

/4

(1

*O

9.1.8. Fonction de transfert


1

Quelle que soit la valeur de rn, toutes les courbes


sinscrivent donc dans le diagramme asymptotique de la figure 37.

zo+ z2

Les courbes de module et dargument reprsentes la figure 36 sobtiennent par addition des
courbes correspondantes de Toet T2.Les circuits
admettant T3pour fonction de transfert sont des
circuits passe-haut dont la pulsation de coupure
est CU^.

-40

Fig. 37.

Le facteur damortissement rn, ninflue que sur le


comportement de la courbe au voisinage de co0.

z4

Dans le but de ramener ltude de


ltude
des fonctions de transfert tudies prcdemment, tentons de mettre
sous la forme
1

x4

arg 1 3

goo

a40

Afin de factoriser le dnominateur


45O

on pose

jm

= - soit

0 = i + 2rnx_ + _x2.

a0

O,
-

O,

10

Fig. 36.

100,

Les racines en
de 0 ne sont relles que si
A = rn2 - 1 est positif. Nous sommes donc
amens sparer les cas suivants.

41

thorie du signal

a) m 3 1 : les racines de D sont relles et


scrivent

La drive sannule pour x = O (soit


pour x = J i - 2m2.

La racine x = O ne prsente pas dintrt et la


racine x = Ji-zm2 nest relle que si m est

x , = - m + . , / G

x 2 = - m - J Z T

soit

CO = O)

et

infrieur

= 0,7. Nous sommes donc


2
conduits distinguer les cas suivants :

( O,

j-+m-dmq)

+ + J-)

(j 2
Co0
m
= (m - .

,/rn)(m

+J Z )

m<

: la drive sannule et la courbe


2
prsente un extrmum conformment au tableau
de variations suivant :
O

Io

J1-zmz

Co1

= Co,(m -

Co2

= Co,(m

=(1 + j g ) ( l + j E ) ,
avec

+Co

Jm)

+ JZT)

Remarquons que col cu2 = CO;;nous en dduisons


que les points reprsentatifs de col et co2 sont
symtriques par rapport co0, do le diagramme
de la figure 38.
Ce qui conduit au diagramme de la figure 39.

-20 log (2m

A 20-log-T4-

V Z ) --

Fig. 38.

b) m < 1 : il nest plus possible de factoriser le


dnominateur et une tude directe est ncessaire.
tudions, pour ce faire, les variations du
module D du dnominateur de en fonction de

z4

Fig. 39.

Remarquons que pour m

= 0,5,

Co:

20lgT4=-101g
et 20 lg T4 = O pour
Posons y = D 2 et cherchons les variations de y en
fonction de x

Co

Co0

CO = co0.

La courbe coupe laxe des pulsations pour

+ 2m2 + x 2 ] .

Jz

1 > m > - : la courbe ne prsente pas de


2
maximum et reste toujours au-dessous de laxe
des pulsations.
O

42

1-

Co = Coo.

=- :

= 4xc-

si a naux si n u soida ux

10 00

Fig. 40.

Lensemble des courbes 20 lg T4, traces pour


diffrentes valeurs de rn sont donnes sur la
figure 40. Notons les valeurs remarquables
suivantes :
- pour co = co0, 20 lg T4 = - 20 lg 2rn,
soit

Pour des pulsations trs suprieures m0,T4


1
devient peu diffrente de
2 , arg
tend
O

fi
- 3 dcibels pour rn = -,
- 6 dcibels pour rn

O Pour des pulsations trs infrieures mo, T4


devient peu diffrent de 1 et arg T4 tend vers O; la
courbe admet donc laxe des co j o u r asymptote.

2
1.

Reprsentation de largument
1
7.l
O Pour O = mo, T4=et arg T4 = --,
2
Co
2jrn quel que soit rn.
Co0

(JE)

T4

donc vers - n et la courbe admet pour asymptote


lhorizontale dordonne - n.
Lensemble des courbes arg T4, traces pour
diffrentes valeurs de rn, est donn la figure 41.

10

Tq)

Fig. 41.

43

thorie du signal

9.1.9. Fonction de transfert

sur le module par

(%A2
1

Reprsentation du module
Effectuons sur T, le changement de variable
suivant
CO

CO -+ CO

telle

. CO = CO;;

CO

CO0

0 0

CO

que - = - soit

cela se traduit :
- sur laxe des pulsations par une symtrie
par rapport la droite CO = m0,
O

C,I2

soit

La courbe reprsentative du module de _Ts se


dduit donc de celle de T4 par symtrie par
rapport la droite dquation CO = wo, ce qui
conduit au graphe de la figure 42.

Fig. 42.

Fig. 43.

44

T,(co)= T4(c).

signaux sin usoidaux

20 lg T6 est donc maximale pour CO = C


alors 20 lg T6 = O.

Reprsentation de largument

( w,>_T4,

De la relation _Ts = j-

vaut

on dduit que

arg _Ts = n arg _T4. La courbe reprsentative


de largument de _Ts se dduit de celle de T4par
translation verticale de n, ce qui conduit au
graphe de la figure 43.

9.1. I O .

O et
~

CO

Le changement de variable CO
= CO;, conduit

-+

CO
telle que

. CO

Fonction de transfert

La courbe est donc symtrique par rapport la


droite CO = u0.

00

2jm 00

16 =

2
O Pour des pulsations trs infrieures o0,
_Ts
devient peu diffrente de

Reprsentation du module
O Pour CO = o0,
& = 1et 20 lg T6 = O; quel que
soit m toutes les courbes passent donc par le point
de coordonnes (m 0, O).
O T6 peut tre crit sous la forme :

1
1

.CO

+-J$
2m 7
COo

2jm-

CO

CO0

.CO

= J-.

-3
2m

La courbe est donc asymptote de la droite de


pente + 20 dcibels par dcade et coupant laxe
des pulsations au point dabscisse -.*O
2m

2jm 0 0

O Pour des pulsations trs suprieures o0,


_Ts
devient peu diffrente de

/&---y
1

soit

T6 =

1+-

---

CO

2jm ---CO0

Fig. 44.

45

thorie du signal

La courbe est donc asymptote la droite de pente


- 20 dcibels par dcade et coupant l'axe des
pulsations au point d'abscisse 2mco0.

T6 est maximale et vaut 1 pour

La bande passante, dfinie comme l'ensem-

CD = coo.

T6max

ble des pulsations telles que T6 > -,


Pour m = 0,5 les deux asymptotes se
coupent sur l'axe des pulsations au point
d'abscisse co0.
- Pour m < 0,5 les deux asymptotes se
coupent au-dessous de l'axe des pulsations.
- Pour m > 0,5 les deux asymptotes se
coupent au-dessus de l'axe des pulsations.
-

limite par des pulsations telles que :


1 + Q;
Qo

soit

(E ">'
">
-

z/z

est

= 2,

=fi.

---

On obtient ainsi le diagramme de la figure 44.

Elles satisfont donc l'quation du second degr

Les circuits admettant 3 pour fonction de


transfert sont donc des circuits passe-bande.
Nous allons prciser leurs caractristiques. Nous
pouvons crire :

Co2

& Co-Co0 - Co;


Qo

o.

Les solutions en sont :

Co

2im Co0

T
6 =

+2

j m ~ (jE)2
0 0

1
On pose parfois Qo = - que l'on appelle le
2m
coefficient de qualit du circuit slectif. Il vient

Les pulsations tant obligatoirement positives,


les seules solutions possibles sont col et O,; la
bande passante s'crit :

Fig. 45.

46

0 0

= o1- 0 , = - = 2m00.

Qo

10

s ig na ux s i n usoida ux

Courbe dargument

De lgalit

+ arg -T4,
2
nous concluons que les courbes dargument de _Ts
se dduisent de celles de T4 par translation
arg _Ts

71

Pour des valeurs de rn suprieures ou gales 1, la


fonction de transfert peut tre mise sous la forme :
20 lg T7

=-

+ (j?)

71

verticale de -; do les courbes de la figure 45.


2
avec col
9.1.11. Fonction de transfert
I

CO2

, -

co0(rn - Jrn2

1)

+ Jrn2

1).

= CO,(rn

On obtient ainsi le diagramme asymptotique de


la figure 47.
Courbe de module
O Pour des pulsations CO trs infrieures co0,
T7 devient peu diffrente de 1, 20 lg T7 = O et
la courbe admet laxe des pulsations pour
asymptote.
O Pour des pulsations CO trs suprieures co0,
T7 devient peu diffrente de 1; la courbe admet
laxe des pulsations pour asymptote.
O Pour CO = co0, T7 = O et 20 lg T7 tend vers
- CO. La courbe admet donc le diagramme
asymptotique de la figure 46 et cela quelle que
soit la valeur de rn.

O/

Fig. 46.

Fig. 47.

Lensemble des courbes correspondant diffrentes valeurs de rn, est donn figure 48. Les circuits
admettant T, pour fonction de transfert sont
donc des ci&its rjecteurs.
Les limites de la bande rejete sont dfinies
par les pulsations telles que T~ =T+
soit
J
2
20 Ig T7 = - 3 db.

-1 O

-20

-30

47

thorie du signal

Ces pulsations satisfont lquation :

[
[ (E)~]~

x 2 = 1-

1
do :

=4

i-

(z)2r

9.1.12. A retenir

+4m2($y,

De ltude des fonctions de transfert, nous


isolerons les rsultats suivants :

m 2 ( ~ ) ~

T=
-

l+j-

ou encore

,circuit

passe-bas du premier

O0

ordre (dcroissance 20 db/dcade), pulsation de


coupure CO,.
0 0

w2

+ 2mww0 - w i = O. Nous avons vu que les

deux seules solutions possibles de cette quation


sont
col = mw, w o J G 2 ,

Co2

= -ma,

+woJTG2.

.a
J-

T=
-

00

l+j-

,circuit

passe-haut du premier

0 0

ordre (dcroissance 20 db/dcade), pulsation de


coupure w,.

La bande rejete est donc :


B = o1- m2 = 2m0,.

Courbe dargument

Des galits :

arg T7 = arg 1 -

avec m

(~r]

2
circuit passe-bas du deuxime ordre (dcroissance
40 db/dcade), pulsation de coupure a,.

+ arg z4

O pour w < CL),,


0 arg[i-(:r]=
7c pour w > w,.
Nous dduisons que les courbes dargument de T,
se dduisent de celles de _T4 en translatant de +-n
la portion de courbe correspondant aux pulsations suprieures w,. Nous obtenons ainsi le
diagramme de la figure 49 qui prsente bien sr
une discontinuit de 7c pour w = CO,.

T=
-

avec m = J
2 N 0,7,
2
circuit passe-haut du deuxime ordre (dcroissance
40 db/dcade), pulsation de coupure w,.

Fig. 49.

48

=J
2 N 0,7,

signaux sinusoida ux

2im0

O0

T=
-

2,

circuit passe-

9.2.2. Fonction de transfert


1
T, =
Cu
1 +j-

0 0

WO

bande, pulsation centrale cuo, bande passante

De la relation _T2

@O
= 2mu),.

Qo

= -,
Ti

( arg
teur, pulsation centrale m0, bande rejete 2mco0.

on tire

= - arg

z1.

On passe donc de la courbe reprsentative de Ti


celle de _T2 par les transformations gomtriques
suivantes :
inversion de centre O et de rapport 1 pour
1
tenir compte de T2 = -;
Ti
O symtrie par rapport laxe rel pour tenir
compte de arg T2= - arg _Ti.
O

9.2. DIAGRAMME D E NYQUIST


On obtient le diagramme de Nyquist dune
fonction de transfert T en traant, dans le plan
complexe la courbe reprsentative de T.
A toute pulsation a,on associe un point dont
lordonne est la partie imaginaire de T et dont
labscisse est la partie relle de T. Le diagramme
obtenu peut ainsi tre gradu
pulsations u).

Linverse dune demi-droite tant un demi-cercle,


on obtient le graphe de la figure 51. Sachant que
deux points lis par inversion sont aligns sur le
centre dinversion, on peut graduer le graphe en
pulsations.

9.2.1. Fonction de transfert


T1=l +j-

cc)

0 0

La partie relle de Ti tant gale 1 quelle que


soit la pulsation &on obtient le graphe de la
figure 50.

\l

\ \ I

Fig. 51.

9.2.3. Fonction de transfert


.a
J-

00
1 3 =

. O

14-1-

0 0

Fig. 50.

Si on effectue sur _T3, le changement de variables


La demi-droite reprsentative est gradue
linairement en o.

CU + m,

Co

telle que - =
u)o

COO.

il vient :

49

thorie du signal
*

1-

a0

soit

T3(4 = T2(4
arg _T3(w)= - arg _T,(co).
Nous en dduisons que le diagramme de Nyquist
de T3 est symtrique de celui de T, par rapport
laxe des rels (fig. 52). La graduation du
diagramme se fait a partir du changement de
variables : si un point M correspond, sur T2, la
la
pulsation de km0, il correspond, pour

z,

pulsation

Co0

-.

k
Fig. 53.

9.2.5. Fonction de transfert


T5 =

y
:j(

Le changement de variable

Fig. 52.

+ CO,

telle que

-Co--Co0 conduit :
Co0

Co
-

T,(co)
=

9.2.4. Fonction de transfert


1

l4
-

+ 2 j r n )~: j +(

(>)

1+2 j m 2 Co

(3)
2

a0

La reprsentation de
soit
= 1 - k2

+ 2jmk

est une parabole admettant laxe des rels pour


axe.

z4

La reprsentation de est obtenue partir de T i


par symtrie par rapport laxe rel et inversion
de centre O et de rapport 1. Les graphes sont
donns la figure 53.

50

pour le module : T5(0)


= T4(w),
pour largument : arg T,(c~)
= - arg T4(o).
Le diagramme de Nyquist de T5 est donc
symtrique de celui de T4 par rapport laxe rel.
De plus, si un point-correspond la pulsation kco, sur T4,son symtrique correspond la
Co0
pulsation sur
k

T.

si q nau x si nusoidaux

9.2.7. Fonction de transfert

9.2.6. Fonction de transfert

Co

i - 3

2jmCo0

T7 =
-

+ 2 j m z) +: j (
Co0

A partir de lcriture de -T6 sous la forme


1

T7 peut tre crite sous la forme :

, on trace la courbe reprsen-

T7 =
-

Co

2im -

. tative de

1+

j2m

zk = 1 +

droite verticale qui coupe laxe des rels au point


dabscisse 1 pour CO = m0.
1
on dduit
De la relation 3 =
T6
1

Le changement de variable

I l6=Z

Le diagramme de Nyquist de T6 est obtenu a


partir de celui de TL par symtrTe par rapport
laxe des rels etinversion de centre O et de
rapport 1. Do le graphe de la figure 54.

0=0

__--

Co

La graduation en CO dpend de la valeur du


facteur damortissement m. Le graphe de la
figure 54 est gradu pour m = 1.
Deux points correspondants aux pulsations k a o
0 0
et sont symtriques par rapport laxe rel.
k

Convention rcepteur en sortie

Co0

conduit -T7(c0)= T6((0)


Nous en concluons que les diagrammes de
Nyquist de T6 et T7ont la mme forme (fig. 54).
Les graduations se dduisent lune de lautre par
le changement de variable. Remarquons que pour
cr) = co0, le point reprsentatif se trouve lorigine
et que pour C = O et CO -,CO le point reprsentatif
se trouve sur laxe des rels au point dabscisse 1.

IO.

O=

que

2m

CO + CO,telle

QUADRIP~LES
PASSIFS LINAIRES

Dfinitions
O Un quadriple est un circuit possdant deux
bornes dentre et deux bornes de sortie.
O Un quadriple est dit passif sil est possible
den dterminer un schma quivalent ne
comportant ni gnrateur de tension, ni gnrateur de courant.
O Un quadriple est dit linaire, si son schma
quivalent ne comporte que des lments
linaires (inductance, capacit, rsistance).

Fig. 55.

Convention gnrateur en sortie

I
51

thorie du signal

Convention de signe

1 0 . 1. l . Relation entre g,, et g,,

On adopte pour les orientations, lune o lautre


des conventions reprsentes la figure 55.
Dans chaque cas il faut prciser la convention
choisie car certaines relations caractristiques en
dpendent.

Les quations aux paramtres impdance peuvent tre crites sous la forme :

g1 = (211- 2 1 2 1 1 1 + 2 1 2 ( 1 1 + 1 2 )
= ( 2 2 2 - 212112 + 212(11 + 12)

g 2

+ Ll(221 - 212).

Do lon dduit le schma quivalent de la


figure 56.

10.1. PARAMTRES
IMPDANCE
Adoptons pour le quadriple la convention
rcepteur en sortie (fig. 55). Supposons que le
quadriple possde n branches (y compris les
branches dentre et de sortie) et soient
Il, 12,..., Ln les courants correspondants. Si on
admet que le quadriple ne possde quun tat
stable, Il, i2,
..., I n sont solutions des n quations
indpendantes inconnues :

Le quadriple tant suppos passif, seules les


mailles dentre et de sortie possdent des
gnrateurs de tension, respectivement El et U2.
Considrons les (n - 2) dernires quations
comme (n - 2) quations (n - 2) inconnues
13,..., In, partir desquelles on peut exprimer les
courants L3, 14,..., Inen fonction de Il et l2:

Fig. 56.

Le quadriple tant passif, son schma quivalent


ne doit pas possder de gnrateur. La seule faon
de faire disparatre le gnrateur de tension
(g21
- S12)L1
est de lannuler, donc

1 0 . 1 . 2 . Quadriple symtrique

Un quadriple est symtrique sil prsente le


mme aspect vu de lentre ou de la sortie. Nous
pouvons en conclure que si lensemble El, g2,
I , I constitue un tat dquilibre, la permutaii:i\

Il

En reportant ces expressions dans les deux


premires quations, on exprime El et g2en
fonction de Il et L2 soit :

IiEl
LJ2

=21111

+21212

=22111

+22212
~~~

52

conduit un tat dquilibre.


12

Ce qui amne aux quations suivantes :

Le quadriple est compltement dcrit par deux


quations entre les quatre grandeurs dentre et
de sortie.
Les coefficients sont les paramtres impdance
du quadriple.

zii

f-)

La comparaison de deux de ces quations (( 1) et


(4) ou bien (2) et (3)) conduit a :

s ig na ux s i n usoida ux

10.1.3. Remarque sur les


conventions de signe

Les relations des paragraphes 10.1.1 et 10.1.2 ont


t tablies en prenant la convention rcepteur en
sortie. Ladoption de la convention gnrateur en
sortie revient changer -1, en - 1, cest--dire
changer le signe de tous &l
paramtres
intervenant en facteur de I,.
Les relations entre paramtres impdance
stablissent donc ainsi :
0
0

quadriple passif
quadriple symtrique

z12 z21
zll z22
= -

=s21
=

212

, impdance

de

transfert sortie ouverte :


I,

Fig. 59.

3-D2

Ces galits sont utilises pour dterminer de


manire pratique ou thorique les paramtres
impdance dun quadriple particulier.
10.1.5. Schma quivalent partir
des paramtres impdance

= -

Il sagit du schma de la figure 56 dans lequel le


gnrateur de tension est nul; on obtient ainsi le
schma en 7de la figure 60.

En rsum

Fig. 60.

10.2. PARAM TRES


AD MITTAN CE

10.1.4. Signification physique


des paramtres impdance

21111 + S12I2
= 22111 + 2 2 2 1 2

Les quations

tre rsolues en 1.

12,fonctions de U1
-

Soit

et g2.

11 = _YilLJl+ Zl2LJ2

A partir de conditions particulires de fonctionnement, on peut tablir les relations suivantes :


0

Zll =

(F)
-1

tie ouverte :

u+lJ-=~-

Fig. 57.

g22=

(9)
-2

, impdance dentre sor-

-2 2 = 0

, impdance du gnrateur

z1=0

de Thvenin quivalent au quadriple attaqu


par un gnrateur de courant :
Fig. 58.

J-$-u2

Les coefficients
du quadriple.

xjsont les paramtres admittance

10.2.1. Relations entre 121


et,!,,
dune part et Il,et 12,
dautre part

Le tableau du paragraphe 10.1.3, combin aux


relations prcdentes entre les paramtres
impdance et admittance, nous permet de conclure par le tableau suivant.

53

thorie du signal

Lquivalence entre les schmas des figures 60


et 64 est connue sous le nom de Thorme de
Kennely.

10.3. PARAM TRES


D E TRANSFERT

El = 21111 + 2 1 2 1 2

Les quations

u2 = 22111

(+)
-1

peuvent

tre rsolues en -U, et-Il, fonctions de -U2 et-1,.

1 0 . 2 . 2 . Signification physique
des paramtres admittance

_Yil

+22212

, admittance dentre
u2=0

sortie court-circuite :
Fig. 61.

($)
u2

Les coefficients A, B, C, D
- sont les paramtres de
transfert du quadriple.

, admittance du gnrateur

u1=0

de Thvenin, qivalent au quadriple attaqu


par un gnrateur de tension :

1 0 . 3 . 1 . Relations entre
les paramtres de transfert

Le tableau du paragraphe 10.1.3, combin aux


relations prcdentes entre paramtres impdance et paramtres de transfert, conduit au
tableau suivant :

Fig. 62.

, admittance

de

transfert sortie court-tircuite :


Fig. 63.

uq=$

- -

1 0 . 2 . 3 . Schma quivalent partir


des paramtres admittance

Les relations aux paramtres admittance peuvent


tre crites sous la forme :

iIl

=(31

1 2 = ($2

+ X12)El + 32(E2-El),
+ 1121E2+ (El - E2132.

Ce qui conduit au schma quivalent en n de la


figure 64.

1 0 . 3 . 2 . Signification physique
des paramtres de transfert
A

(+)

= -2

, inverse de la fonction de

I2=0

transfert en tension sortie ouverte :


Fig. 65.

12
T

O- 1
Y22+32

Fig. 64.

54

!2

(F)
2

, inverse de la fonction de
uz=o

transfert en colirant sortie court-circuite :


Fig. 66.

si g na ux si nusoida ux

, admittance de trans-

On peut crire :

fert sortie ouverte : -

?-=+

Fig. 67.

et conclure :

1
-

, impdance de trans-

y21

fert sorrie court-circuite.

les paramtres impdance dun quadriple Q, quivalent a la mise en srie de


sobtiennent
deux quadriples Q et
par addition des paramtres impdance
des quadriples Q et Q.
QI

Fig. 68.

10.4. ASSOCIATIONS
D E QUADRIPOLES

10.4.3.Association en parallle
Deux quadriples associs en parallle sont
soumis aux mmes tensions dentre et de sortie,
ce qui conduit au schma de la figure 70.

10.4.1.Quadriple quivalent
Nous appellerons quadriple quivalent un
ensemble de quadriples, le quadriple, qui,
soumis aux mmes tensions dentre et de sortie
U1 et g2que lensemble, appelle les mmes
courants Il et 12.

10.4.2.Association en srie
Deux quadriples, associs en srie, sont parcourus par les mmes courants dentre et de
sortie, ce qui conduit au schma de la figure 69.

Fig. 70.

A partir des relations :

On peut crire :
Fig. 69.

A partir des relations :


et conclure :
- les paramtres
admittance dun quadriple Q quivalent la mise en parallle
de deux quadriples Q et Q sobtiennent
par addition des paramtres admittance
des quadriples Q et Q.

55

thorie du signal

Exemple d'application :quadriple en double T

R
2

Soient les deux quadriples symtriques de la


figure 71.

2c

-+

jCcv
Quadriple Q'

Quadriple Q"

Fig. 71.

(iR C W ) ~
-2R(1 jRCco)

A partir des expressions


3
1 = 3 2 = (&)"z=o

zI2 _yZ1 =

et

RCo
l+jT

Le quadriple de la figure 74, rsultant de la mise


en parallle des quadriples Q' et Qf',admet donc
comme paramtres admittance

et d'aprs les schmas correspondants des figures


72 et 73, on peut dterminer les paramtres
admittance des quadriples Q' et Q".
1

- 1 + 2jRCo
2R(1 + jRCo)

Fig. 74.

Y12
-

Fig. 72.

R
1 +2jRCcv
=
R
+ 1 + 2jRCo
1
= 2R(1 jRCo)
1
= -22
yff R
1
2
j-+
Co
RCcv
1 +j2
jRCw(2 + jRCo)
2R(1 jRCo)

132=x;1

1
-R'

1 + 4jRCo ( ~ R C W ) ~
2R(1 + jRCo)
1 (~RCW)~
= 2R(1 + jRCo)

3
1= 3 2 =

_y21

De l'galit L2 = _Yzlgl _Y22g2,


on dduit la
fonction de transfert en tension vide (c'est--dire
pour I2 = O) :
T - - u2 =

- u-1

_Y22

1+(~RCW)~

+ 4jRCco + ( ~ R C C O ) ~

xi1

1
et m = 2.
RC
D'aprs les tudes faites aux paragraphes 9.1.11
et 9.2.7, nous concluons qu'il s'agit d'un quadri1
ple rjecteur centr sur oo= -, dont les limites
RC
1
de la bande rejete sont
- 2) et
RC
1
2), ce qui donne une largeur de bande
RC
4
rejete gale -.
RC
avec

oo=-

--(fi

-(fi +
Fig. 73.

56

signaux sin usoida ux

Les diagrammes de Bode et de Nyquist sont


donnes aux figures 75 et 76.

La matrice de transfert du quadriple quivalent


la mise en cascade de deux quadriples Q et Q
est obtenue en faisant le produit des matrices de
transfert des quadriples Q et Q.

10.5. IMPDANCES
PARTICU LI RES
D U QUADRIPOLE

Fig. 75.

1 0 . 5 . 1 . Impdance dentre 2
-,

Cest limpdance vue lentre du quadriple


2, (fig. 78).
lorsquil est ferm sur une impdance -

~~

Fig. 7%.

Fig. 76.

1 0 . 4 . 4 . Association en cascade

Deux quadriples associs en cascade sont tels


que les grandeurs de sortie du premier
constituent les grandeurs dentre du second ce
qui conduit au schma de la figure 77.

Fig. 77.

A partir des paramtres de transfert, nous


:
crivons compte tenu de g2= -

zuL2

1 0 . 5 . 2 . Impdance de sortie gs

Cest limpdance du gnrateur de Thvenin


quivalent au quadriple attaqu par un
gnrateur dimpdance 2,. La dtermination de
conduit au schma de la figure 79.

zs

Remarquons que les quations aux paramtres de


transfert peuvent tre crites sous la forme
mat ricielle :
Fig. 79.

Des quations :

on dduit

{ ;==,+DI,

U1=A3+BI,
peuvent tre
II
rsolues en (LJ2, 12),fonctions de (El,
Il).
- BC = - 1, il
Compte tenu de lgalit
vient :

Les quations

-2

--LlJ1+g,

I2

=Cu1-&,

{-

57

thorie du sianal

1 0 . 5 . 3 . Relations remarquables

Remarquons que :
O limpdance dentre sortie court-circuite
B
(2, = O) scrit Zecc = =.
D
-
O limpdance dentre sortie ouverte (2,CO)
A
scrit
= =C
O limpdance de sortie entre court-circuite
B
(2, = O) scrit Zscc = - =.

Fig. 80.

u2(t) = u,(t

zeo

A
-

limpdance de sortie entre ouverte (2,CO)


n

scrit Zso

= -=
C
-

Nous en dduisons les relations suivantes :

- z)

i2(t) = il(t - z)

o z est le temps de retard.

En rgime sinusodal ces quations se traduisent


par :
u1(t) = u, cos cut,
u2(t) = u, cos cu(t - z) = u, cos ( u t - cuz);
i l ( t ) = I , cos ( u t - e),
i2(t) = I , COS [w(t - Z) - O]
= I , cos ( u t - e - Coz).
Ce qui conduit aux relations suivantes entre les
grandeurs complexes associes :

1 0 . 5 . 4 . Impdance itrative
ou caractristique Zc
-

1 0 . 6 . 1 . Consquences

Cest limpdance telle que le quadriple, ferm


sur cette impdance
prsente une impdance
dentre gale gc.Elle est donc dfinie par
lquation :

zc,

Si le quadriple est symtrique,

zscc= Zecc, lquation scrit :

zso= Zeo,

A partir des relations prcdentes, on peut

crire : -2 = 2,
et conclure que le quadriple
2
I
-1
I
doit tre ferm sur son impdance caractristique.
O Les relations de dpart, devant tre vrifies
quelle que soit la forme du signal dentre, doivent
donc tre indpendantes de la pulsation en rgime
sinusodal; nous en concluons que :
- limpdance caractristique doit tre indpendante de la pulsation : elle doit donc
tre rsistive;
- le dphasage cp introduit entre les grandeurs
dentre et de sortie doit tre proportionnel
la pulsation :

10.6. LIGNE RETARD

1 0 . 6 . 2 . tude dune structure


part icuIire

La ligne retard (fig. 80) est un quadriple dont


les valeurs instantanes des grandeurs dentre et
de sortie, obissent aux quations :

La ligne tudie est ralise par la mise en cascade


de n quadriples identiques en T conformment
au schma de la figure 81.

58

si g naux si nuso'ida ux

1er quadriple

nemequadriple

2eme quadriple

Fig. 81.

12

Il

La relation 2 = -1est vrifie si la ligne

ou encore

est ferme sur l'impdance caractristique du


quadriple en T lmentaire. Elle est dfinie par :
avec

soit

Zeo

ZC = Zecc
= Z1 + 2 2

Calculons la valeur du nombre rel p tel que e-ja


soit solution de cette quation (transmission sans
affaiblissement), il vient :

zeo

-L

g = g + 221z2.

Cette impdance devant tre rsistive, les


impdances 2, et 2, doivent tre telles que :
- + 22 ,-~ ~ T ouniei
it
positif.
0 Afin
de dterminer les conditions dans
lesquelles on peut crire

12

=- = e-jwr

cos p

=2 1 + 2 2
2 2

calculons

I
-1
pour un quadriple lmentaire le rapport =_
1; et
I-1
1; = e -ja,
cherchons les conditions conduisant =-

avec p rel.
Nous pouvons crire :

soit

11

Les impdances -_2, et 2, doivent donc tre telles


que " + Z2 soit un nombre rel compris entre
2 2

1 et T i.
Soit encore
-

- l < l + A
2 < + l
2
-2

ou
car le quadriple lmentaire est, de proche en
proche, ferm sur son impdance caractristique,
soit

Si les conditions prcdentes sont ralises, la


ligne retarde le signal d'un angle np tel que
cos p = 21 + 2 2
s
2

Sachant qu'on souhaite avoir q = np = UT, il


faut que les impdances
et 2, soient telles
que :

zi

2
1+ z
n arccos -

= mz,

2 2

condition qui semble, a priori, trs difficile


satisfaire en toute rigueur.

59

thorie du signal

Exemple de ralisation

Condition qui se rsume a

Le quadriple lmentaire est ralis conformment au schma de la figure 82.


M

soit

o<cu,=

( L - M)c

coC est la pulsation de coupure de la ligne retard.

O Limpdance caractristique
lquation :

2: = 2:

Fig. 82.

M est le coefficient dinductance mutuelle entre


les deux bobines.
A partir des quations reliant les valeurs
instantanes :
di,
di,
u , = L-M-+
U,
dt
dt
di2
di,
~2 = L- M+ U;
dt
dt
on dduit les quations entre nombres complexes
associs :
1
U1 = jL@, - jMcoL, --(Il + L2)
jCco -

+ 22,

Sc, solution de

. z2 = 2,(21+ 222)

scrit :
2: = j(L
=2

+ M)w

LfM[i

C
2:

= 2=[1-C

z:

1
(32]zc

( L - M)Cco2
2

Pour co < toc,


est bien un rel positif et
est
une rsistance. Mais, on ne peut considrer que
cette rsistance est indpendante de la pulsation
que si cette dernire est trs petite par rapport
coC soit :

Limpdance a-actristique scrivant aiors

2(L+ M )

On peut donc donner, du schma de la figure 82,


le schma quivalent de la figure 83. On lidentifie
au quadriple lmentaire de la figure 81 avec :

Dterminons les conditions dans lesquelles le


2
1 + 2 2 est
dphasage P, dfini par cos /? = O

proportionnel la pulsation

u)

2 2

+2

21

cos /3 = 1 =,
-2

soit

Fig. 83.

1
et 2 ---jMco.
-2 - JCU
O La condition de transmission sans affaiblissement (cest--dire /? rel) se traduit par :
2, = j(L+M)co
-

2
- 1 G L G 0 ,
222
-

soit

60

-1G-

(L

+ M)u)

soit
quation quon voudrait pouvoir identifier

/? = cotO,o to est le temps de retard apport par


un quadriple lmentaire.

Il est bien vident que cette identification ne


pourra tre ralise quapproximativement.
Effectuonsun dveloppement limite de lquation
prcdente :

signaux sinu so'ida u x

P -rvP- - 1 P 3
sin 2 2 3!(2)

soit :

= 0,2L.

Le temps de retard t , correspondant un


quadriple lmentaire s'crit alors :

En rsum
soit

_--_
2

48

Pour que la relation fi = ut, soit vrifie quel que


soit O, nous devons crire

(L

+ M)C

(L+ M)C MC

La compatibilit de ces deux quations exige :

EXERCICES
1. Soit le circuit de la figure ci-dessous, attaqu par deux
gnrateurs identiques, sinusodaux, de valeur efficace V, ,et
de pulsation o.

Calculer Q, et Q, en fonction de R, L et C.
Montrer que, lorsque o = Q - Q, -ga,, Z se met sous la
forme
R

z=
1

w
+ 2jQ0QO

1" Calculer, en fonction de l,


R , C,
et O, le courant
l'ensemble R, C.

L dans

2" Le courant i est un courant sinusodal modul en


amplitude :
i(t) = Z,(1

2" Calculer le rapport T = 2,en fonction de jRCo.

+ m cos o,t) cos Q,t

y
1

3" En dduire que la tension de sortie V, garde une valeur


efficace constante, que l'on dterminera, et qu'elle est
VI, d'un angle que l'on prcisera.
dphase par rapport 2. Le schma quivalent d'un metteur est donn ci-

dessous :

a) Montrer que le gnrateur de courant i(t) est quivalent


la mise en parallle de trois gnrateurs de courant il (t),iz(t),
i3(t), dont on prcisera les amplitudes et les frquences.
b) Calculer les trois tensions u,(t), u z ( t ) et u3(t), cres
respectivement par chaque gnrateur de courant, suppos
seule source d'alimentation.
c) Par application du thorme de superposition, calculer la
tension u(t) correspondant l'alimentation du
circuit R, L, C par le courant i(t),et la mettre sous la forme
u(t) = Uo[l

+ m'

cos (wmt q)]cos Qat.

Calculer les lments U , , m', q en fonction de m,O,, Q, et

1" Calculer, en rgime sinusodal permanent de pulsation a, l'impdance du circuit R, L, C parallle, et la mettre
sous la forme

Qo.

Conclure en analysant l'influence, sur la transmission du


signal.

61

thorie du signal

3.
Dans tout le problme, les circuits sont soumis une
excitation sinusodale de pulsation o.
On utilisera la notation complexe. Toutes les grandeurs
complexes seront reprsentes par des lettres majuscules et
seront comptes positivement conformment aux conventions matrialises par flchs sur les schmas.

,f-1-p:

pour le quadriple Q1 (fig. 2.4

s -'
- R(2 + jx)
0

-Vl

Fig. 1,

TI2

nx2 + 2njx
s, = 1 -R(2
+ jx)

x,.

et

x2

i - nx2 j(2n
R(2 jx)

x2,

de rsistance d'entre infinie +!(

d'amplification A

1- = O);

(c A).
=

1" Montrer que la transmittance T

par :

T=

= = peut

u-

IL

T C

T C
Fig. 2b.

Fig. 2a.

C) On adopte comme quadriples associs a l'amplificateur


oprationnel :
pour Q 1

-, celui

de la figure 2.a;

pour Q,

-, celui

de la figure 2.b;

On donne : R

10 kiloohms; C = 10 nanofarads.

1" Quelle valeur limite A , faut-il attribuer A pour que


- T-a - T
- 6 0,l % dans le domaine des pulsations les plus

basses concevables?
2" On admet, pour la suite, que A est pratiquement infini.

62

s'exprimer

-Si A

Yi

+3 +-A

de _T quand on choisit pour A


2" Que devient la valeur
une valeur infiniment grande?

T -T
T
ou au plus gal une valeur E donn;
3" On dsire que l'cart relatif

I
L

+ i)x

B) Deux quadriples Q i , Q2, de paramtres respectifs Si,


et g,,
sont associs suivant schma (fig. 3) un
amplificateur A

Y,

1" Donner une signification physique des paramtres S et


Y.
Proposer, par un schma explicite, un gnrateur quivalent
au quadriple vu de ses bornes de sortie.
2" On envisage deux quadriples du type prcdent, l'un de
et l'autre de paramtres g2,
paramtres El,
tablir et justifier la loi simple de formation des
paramtres S, Y du quadriple obtenu par la mise en
parallle des d e u x quadriples envisags (entres en
parallle, sorties en parallle).
3" Formuler les paramtres 5 et
pour les deux
quadriples reprsents ci-dessous :
C'
II

ll+jx.

-' - R 2 + j x '

et

pour le quadriple Q, (fig. 2.b)

A) Pour tout quadriple passif et linaire, de bornes


d'entre EE' et de bornes de sortie SS', il est permis d'crire :
L2 = g
1-

On posera : R C o = x
C = nC ( n = nombre rel positif diffrent de O).
Montrer que

reste infrieur

En dduire, en fonction des paramtres de Q1 et Q,,


l'expression de la valeur limite attribuer A .

Montrer que la transmittance T peut se mettre sous la


forme :

k
T=
1 + px2 + 2jA.x'
o k, p et A. sont des constantes relles que l'on explicitera.
3" Application :
a) On dsire que G = 20 log,,lJ
soit nul pour
o = 20000 rd/s.
Quelle valeur faut-il adopter pour C' = nC?
b) Montrer que, pour cette valeur de C', G passe par une
valeur maximale pour une pulsation o1que l'on calculera.
Calculer, en outre, G,,,.
c) Tracer le diagramme G = F (log,, O).

signaux
u priodiques
1. THORME

DE FOURIER

Lharmonique dordre n devient :

On dmontre, dans le cours de mathmatiques,


que, sous certaines conditions de drivation et de
continuit, toute fonction f ( t ) , priodique de
priode T , peut tre mise sous la forme dune
srie de Fourier :
~

f ( t )= A ,

avec

Co

et la fonction priodique f ( t ) scrit :

J
+1

~~

C , cos (ncot - (P,)

f ( t )= A ,

( A , cos ncot + B, sin nwt)

n=l

pl

Lharmonique dordre 1 est appelfondamental.

1.1. CAS PARTICULIERS

1.I -1. La fonction f ( t ) est paire

An = -

Bn

f ( t )cos ncot dt

La relation f ( t ) = f( - t ) , quel que soit t, conduit


:

f ( t ) sin ncot dt

A,

Co

+ n = l ( A , cos ncot + B, sin ncot)


= A , + 1 ( A , cos ncot - B, sin ncot)
a3

n=l

REMARQUES
A , est la valeur moyenne de la fonction
priodique f(t).
Le terme gnral
A , cos not + B, sin not
est une fonction sinusodale, appele harmonique
dordre n; il peut tre mis sous la forme

La relation prcdente devant tre vrifie quel


que soit t, on en conclut que :
B,

1.I .2.

[cos n o t COS (P,

f(t) =

A,

n=l

+ sin n o t sin q,].

CO

= - A,

+ 1 (-

A , cos ncot

+ B, sin ncot).

n=l

sexprime, en fonction de An et B, par

COS ( P n

A,&+-

f(- t), quel que soit t,

+ 1 ( A , cos ncot + B, sin ncot)

COS ( P n

An

Co

= 2,
il scrit :

An

An

quel que soit n.

La fonction f ( t )est impaire

La relation
conduit :
en posant tan (P,

=O

,/m.

Cette relation devant tre vrifie quel que soit t ,


nous concluons :
A,

=O

quel que soit n.

63

thorie du sianal

La dcomposition ne comprend donc que des


harmoniques dordre impair.
Le signal rectangulaire scrit :

1.2. S P E C T R E
D E FRQUENCES
Le signal priodique f ( t ) peut tre mis sous la
forme dune somme de fonctions sinusodales
dont les pulsations sont des multiples entiers de
2n
co = -. On obtient la reprsentation spectrale
T
du signal f ( t ) en portant en ordonne lamplitude
des harmoniques et en abscisse les pulsations
correspondantes, ce qui conduit au diagramme
de la figure 1.

f(ti

4A[

sincot +

sin 3cot
3

+ sin5Scot +
~

...]

Son spectre est donn la figure 3.

Fig. 1
O

1.3.

i
20

30

40

20

30

40

50

1.3.2. Signal triangulaire

50

Considrons le signal g(t) (fig. 4). La valeur


moyenne A , de g(t) est nulle. g(t) est obtenu par
intgration du signal carr de la figure 2.
Lidentification de la pente entre les instants O et
T
- conduit :
2

60

EXEMPLES
D E DCOMPOSITION

1.3.1. Signal rectangulaire

Considrons le signal de la figure 2. La fonction


de priode T est impaire. La dcomposition
ne contiendra donc que des termes en sinus.

f(t)

Fig. 4.

2B 4B
A=-=-.
T
T
2
Lintgration permet dcrire g(t) sous la forme :

Fig. 2.

4 A coscot
n

Soit :
A,
B,

= O,

g (t) = K - -

=s

+ T/2
f ( t ) sin ncot dt

+ cos3cot
+
32co
cos(2n + 1)cot
... + (2n + il2w +
~

...].

-TI2

2A
[1 - cos nnJ,
nn
avec cos nn = 1 pour n pair, cos nn
impair.
--

64

= -

1 pour n

La valeur moyenne de g(t) tant nulle, il en est de


mme pour la constante dintgration K , ce qui
donne pour g(t), compte tenu de coT = 2n et
4B
A=--:
cos 3cot cos 5cot
coscot+,+5,+
... .
3

signaux priodiques

Le spectre de frquences est donn la figure 5.

n
2w

3w

40

50

Fig. 5.

On peut remarquer que les harmoniques dordre


suprieur 1 sont beaucoup moins importants
pour le signal triangulaire que pour le signal
carr, ce qui est naturel car la forme du signal
triangulaire est plus proche de celle du signal
sinusodal.
Remarquons que, pour les signaux que nous
venons dtudier, lamplitude des harmoniques
dcrot mesure que leur ordre augmente. Cest le
cas de la plupart des signaux que nous aurons
considrer. Ils ncessiteront donc pour leur
transmission une bande passante limite.

attnu. Elle impose aussi quils ne soient pas


dphass par la fonction de transfert T ; ce qui
conduit la relation :
Co0

10

> lOCo,

207c

= -.

Tm

O Supposons que le
signal sinusodal, de
pulsation CO,-, puisse tre considr comme
limin, si son amplitude est divise par 100,
(- 40 dcibels), par la traverse du filtre passebas. Nous en dduisons la relation :

oc > lOOCo,,

La pulsation de coupure du filtre doit donc tre


telle que :
2007c <Co,<-. CoC
Tm
1O0

1.4. APPLICATION
Considrons le signal form par la superposition
dun signal priodique f ( t ) de priode T, et dun
signal sinusodal A , cos co,t. Supposons de plus,
que la fonctionf(t) soit telle que les harmoniques
2Q.n
de pulsation suprieure 10~0,= - soient

Tm

ngligeables.
Afin de supprimer le terme sinusodal, on prsente le signal lentre dun filtre passe bas du
premier ordre dont la fonction de transfert est
1
T=
. Les diagrammes de Bode corres.Co
1 -kJ-

1.5. ANALYSEUR
D E SPECTRE ANALOGIQUE
Proposons-nous de dterminer le schma synoptique dun appareil permettant de mesurer lamplitude des harmoniques dun signal priodique f(t).
Les coefficients de la dcomposition :
2
f ( t ) cos nut dt
A,, =

jtr+T

et

f ( t ) sin ncvt dt.

Co0

pondants ( j g . 6) ont t tudis au paragraphe


9.1.6 du chapitre 2.
O La transmission, sans dformation, du signal
priodique, impose quaucun harmonique ne soit

apparaissent comme deux fois la valeur moyenne


du produit de la fonction f ( t ) par un signal
sinusodal. Nous en dduisons le schma
synoptique dun analyseur de spectre (fig. 7).

65

thorie du signal
l

O Le gnrateur Wobul fournit un signal


donnant lamplitude de s(t), nous obtenons un
sinusodal A cos o b t , dont la pulsation CUI, varie oscillogramme conforme celui donn la
linairement avec la tension de wobulation ~ ( t ) . figure 9.
C,
Soit C , cos (u,t + q,), lharmonique dordre n
de f ( t ) . Le signal correspondant, la sortie du
multiplicateur, scrit :

e ( t ) = K A C , cos q , t cos (u,t + 9,)

Co

Fig. 9.

La pulsation abtant proportionnelle v(t),


laxe horizontal peut tre gradu en pulsation
alors que laxe vertical, gradu en volts, permet
la mesure des C,.
O

O Le dispositif permettant de prendre la valeur


moyenne de e(t) peut tre ralis par un filtre
passe-bas du deuxime ordre dont la fonction de
transfert scrit :

REMARQUES
La largeur des raies, obtenues sur loscillogramme
de lafigure 9, est gale 2~0,.Elle est donc dautant
plus faible que lefiltre passe-bas est plus serr sur le
continu. Loscillogramme se rapproche ainsi du
spectre thorique. L analyseur permet de sparer des
raies dont les pulsations ne diffrent pas de plus
de 20.1,.
b) La fonction de transfert du filtre passe-bas :
a)

Lorsque la pulsation
lari

est telle que

< mg,

le signal s(t) est une sinusode damplitude


AC
K 2,
proportionnelle a lamplitude C, de
2
lharmonique. Il suffit alors de dtecter lamplitude de cette sinusode pour obtenir C,.
Si aucun harmonique ne fournit, dans e(t), un
signal sinusodal de pulsation infrieure coo, le
signal s(t) est nul.
O La tension de wobulation v(t) est une rampe
( f i g e 8).

p(!)
i

Cette rampe est prsente simultanment au


gnrateur wobul et lentre X dun oscilloscope. Lentre Y tant attaque par le signal

w, ( :,y

1 +2jm-+

rsulte de lquation diffrentielle


2mdv
1 d2v
0 + __+ --=u
O, dt
coi dt2
soit

Fig. 8.

66

V
T===
U
-

j-

d2v
dv
dt2 +2mco,-+co~v=co~u.
dt

Nous avons vu, au premier chapitre, que, pour une


attaque par un chelon de tension et pour m = 07, le
271.
temps de rponse 5 % est minimum et vaut 044 -.
a0

Afin de laisser, au filtre passe-bas, le temps de


rpondre, il est ncessaire que la tension de
wobulation varie suffisamment lentement et ce
dautant plus que la pulsation de coupure co, est plus
faible.

signaux priodiques
c) Nous en dduisons que lobtention de raies fines
est incompatible avec une analyse rapide, ce qui est
parfaitement intuitif (vite et bien tant difficilement
conciliables).
6) En pratique lefiltre passe-bas est remplac par
un filtre passe-bande centr sur co0. Les raies
apparaissent alors, non plus lorsque wb = CO,,mais
- con( est gale coo. Le
lorsque la diffrence (O,,
principe gnral restant le mme.

1.7. DFINITIONS
1.7.1. Facteur de forme

Le facteur de forme F est dfini par le rapport


entre la valeur efficace et la valeur moyenne :
l

F
-

1.6. VALEUR EFFICACE


DUN SIGNAL PRIODIQUE

Pour un signal continu F = 1.


Pour un signal sinusodal redress double
alternance (fig. 10) :
O

Soit un signal priodique f ( t ) dont la dcomposition scrit :


O

vv\
t

Fig.

sa valeur efficace Feffest telle que :

f 2 ( t ) comprend
f 2 ( t )= A;

les termes suivants :

ro

IO.

1.7.2. Taux dondulation

c,cos2 (ncot + q,)

On dfinit londulation par les variations de la


fonction f ( t ) autour de sa valeur moyenne A ,
(fig. 11).

n=l

03

+ 2A0 1 C,cos(ncot + cp,)


n=l
c o c o

+C 1
n=l k=l

Ondulation

cric, cos (ncot + cp,) cos (kcot

qk).

k+n

On peut vrifier que :

la valeur moyenne dune fonction sinusodale est nulle;


- la valeur moyenne du produit de deux
fonctions sinusodales de pulsations diffrentes est nulle;
- la valeur moyenne du carr dune fonction
sinusodale est gale 1/2.
-

Nous en dduisons que :

Fig. I I .

Elle est donc gale a


CO

1 c, cos (ncot + qn).


n=l

Le taux dondulation p est le rapport entre la


valeur efficace de londulation et la valeur
moyenne de la fonction priodique f ( t ) , soit :

f c,2

P=
le carr de la valeur efficace dune fonction
priodique est la somme du carr de sa valeur
moyenne et des carrs des valeurs efficaces des
harmoniques.

n=l
A0

Remarquons que le facteur de forme F et le


taux dondulation p sont lis par la relation :
F 2 = 1 + P2.

67

thorie du signal

1.7.3. Taux de distorsion


harmonique

Le taux de distorsion harmonique z est dfini par


le rapport entre la valeur efficace de lensemble
des harmoniques dordre suprieur 1, et la
valeur efficace du fondamental, soit :

Jc;

z=

Lamplitude C, de lharmonique dordre n est


C,. Sa phase est obtenue
donne par le module de par largument de C,.
Soit :

+ c; + ... + c,
/i

L1

Il permet de chiffrer la puret dun signal


sinusodal.
Remarque : Pour un signal prsentant un faible
C
taux de distorsion, on peut assimiler 2 la

J2

valeur efficace Feff du signal f(t). On obtient


alors :
Z N

+ c; + ... + c;

Je;

2.1. EXEMPLES D E CALCUL


LAIDE DE LA FORME

EXPONENTIELLE

Fef J2

Cette remarque est utilise dans certains


distorsiomtres : la dtermination du taux de
distorsion commence ar la mesure de la valeur
efficace, FeffN Cl/& puis le signal est pass
travers un filtre rjecteur qui limine le
fondamental. On mesure alors la valeur efficace
du signal rsiduel,
c
2 cos (2cot

402)

c3 cos (3cot

+ 403)+ ...,

et on en dduit le taux de distorsion.

2.

FORME EXPONENTIELLE

Nous avons vu dans le chapitre prcdent quon


peut associer la grandeur sinusodale
A cos (cot + 40) le nombre complexe A = A ejv.
O A la grandeur A , cos ncot est associ le
nombre complexe A,.
O A la grandeur
B, sin ncot

= B,

cos ncot

est associ le nombre complexe


B, e-jSI2 = -jB,.

2
TJt;+T

=+

68

Soit le signal de la figure 12 :

tnluO

aT

Fig. 12.

Sa valeur moyenne est A ,

= aE.

2>

f(t) [cos ncot -j sin ncot] dt

l r + T f ( t ) e-jnwfdt.

de rapport cyclique a

--

O A lharmonique n, on associe donc le nombre


complexe A, - jB, = C, , soit

C, =

2.1.1.
Signai carr

sin m a
ma

C, = 2aE-

- jnax

Lamplitude de lharmonique n est donc :


sin m a
C, = 2aE -.
ma

signaux priodiques

Le spectre correspondant est donn par la


figure 13.

2aE

3. SPECTRE BILATRAL
Remarquons que lharmonique n peut tre crit
sous la forme :

+ B, sin ncot

A, cos ncot

ejnmt +

= A,
0

20

0
a

20
-

- jnwt

ejnwt

+ Bn

-jnmt

2j

Fig. 13.

Des expressions

Remarquons que si le rapport cyclique est a, les


k sont nuls.
harmoniques dordre a

2.1.2. Peigne de Dirac

Le peigne de Dirac est obtenu, partir du signal


de la figure 12, en faisant tendre le rapport
cyclique a vers zro, tout en maintenant la surface aET constante et gale a I (intensit dune
impulsion).
Nous obtenons ainsi la courbe de la figure 14.

tfU)

et

A,

B,

on dduit A ,

gir+T

f(t) cos ncot d t

Tjtr+T
2

=A-,

f(t) sin ncot dt,

et B,

= - B-,.

Posons :

Daprs les relations A , = A - , et B, = - B - , il


1
vient V - , = - ( A , + jB,).
2
Lharmonique n peut donc tre crit sous la
forme :
V,
+ V-, e-jnmt,
-

et le signal f(t) devient


Co

A,
Fig. 14.

+ C (3ejnwt+ y-, e-jnwt),


n=i

soit :

Lamplitude de lharmonique n scrit alors :


21
C , = 2aE = -.
T
Le spectre correspondant est donn la figure 15.

Il apparat, dans cette expression, des harmoniques pour les frquences stendant de - KI
+ CO, do le nom de spectre bilatral.

T
~~

20

30
Fig. 15.

Lobservation des spectres prcdents nous


permet de conclure que la bande ncessaire la
transmission dun signal est dautant plus
importante que ses variations sont plus rapides.

REMARQUES
a ) Dans les transformations prcdentes :

I1

f(t) est rest le signal priodique rel;

V, et y-,,sont des nombres complexes et nont


pas dxistence relle, mais :
O 2 1 V,J= IV,l+ 1 - J
=
correspond d
lamplitude d e lharmonique n;

Jm

69

thorie du signal

Bn = - q n correspond la
arg V,= arctan - An
phase de lharmonique n;
b ) si le signal f ( t ) est sinusodal;
f ( t ) = cos(ot

SINUSOIDE
Soit le signal sinusodal f ( t )= Vocos (CU,t + q)
dont le spectre bilatral est donn figure 17.

($3)

on peut crire :

Calculons lexpression A(co)correspondante :

ej<p+ e-ja e - j v

f ( t )=

4.1. CAS DUNE

vo2

soit

do le spectre bilatral du signal sinusodal (jg. 16).

-0

+O

f(r)

Fig. 17.

4
-O

Fig. 16.
n=O

4.

TRANSFORME

DISCRTE

DE FOURIER
Lapparition de microprocesseurs puissants et
rapides permet aujourdhui dagir sur le signal
partir de valeurs numriques prleves des
instants rgulirement espacs. Ces valeurs sont
appeles chantillons. Lensemble des oprations
effectues numriquement constitue le traitement
numrique du signal.
Proposons-nous, ds lors, de dterminer le
spectre dun signal priodique f(t) partir
dchantillons prlevs a la frquence :
F=-

Compte tenu de
n=N-1

e-On = i

il vient :

Fe est la frquence dchantillonnage,


f ( n T , ) est la valeur numrique de lchantillon
prlev linstant nT,.
Afin dapprocher le spectre du signal f(t), prlevons N chantillons
f(O), f(T,),f(2T,), -*,f((N- l)T,),
calculons la fonction complexe :

Posons :

n=N- 1

A(@)=

f(nT,) e-jwnTe,

n=O

et cherchons si la fonction CO) a un rapport avec


le spectre de f ( t ) .

70

+ e-O +

n=O

=e

N T , CO
sin 2
. COT,
sin 2

signaux priodiques
N

3N
4

N
2

N
4

-0e
-

oe
-

Fig 18.

tudions alors, les variations du module IE(co)l de

E(4

Consquences pour la dtermination du spectre


de f( t )
A(m) peut

tre crit sous la forme :

+ e-jqE(o + CO,)].

VO

A(@)= -[ejqE(o - u0)


2

La courbe de variations est donne la figure 18.

Proprits

est maximum pour ci) = O et


lE(4lIllax = N .
O La courbe est symtrique par rapport la
verticale co = O.
O

IE(ci))>)l

Le rapport des amplitudes du pic central et


du premier lobe secondaire varie trs peu avec N .
O

Le module dune somme, nest, bien sr, pas gal


la somme des modules, cependant si N T ,
est suffisamment grand, les deux fonctions
IE(co - ci),)[ et lE(ci) coo)l nempitent pas lune
sr lautre et on peut crire :

IE(co)l
est priodique, de priode

17

Dans le cas o Fe est suprieur a 2f0

2.n
obtenons la reprsentation de la figure 19.

= O :la largeur du lobe

sin N

2co
central est 2,
la largeur des lobes latraux est
N
me
-

nous

Lobservation de la courbe dans la bande dcu


permet, en mesurant lamplitude des lobes
centraux

sin k.n

@O

= 2 -,

(F),

de reconstituer le spectre

bilatral de la sinusode Vo cos

(cool

+ cp).

Remarquons quune telle analyse nest possible


que si Fe est suprieure 2fo, soit CO,> 2~0,;sil
en tait autrement les raies situes aux pulsations
CO,
- coo et u0- CO,
entreraient dans le domaine
danalyse, de largeur da, et perturberaient la
mesure.

71

thorie du signal

Fig. 19.

La condition Fe > 2f0, connue sous le nom


de Thorme de Shannon sera reprise dans le
chapitre concernant les signaux chantillonns.

sinusode composante
raisonnement.

de

f ( t ) le

mme

On obtient pour @(co)l la courbe de la figure 21.


Si la condition Fe > 2fM est respecte, lobservation de IA(o)l entre O et coM permet de dterminer
le spectre de f ( t ) par lamplitude des lobes
centraux.

4.2. CAS DUN SIGNAL


PRIODIQUE
Soit le signal priodique, dont le spectre
unilatral, limit o M ,est donn la figure 20.

4.3. CALCUL NUMRIQUE


DU SPECTRE

Fig. 20.

La fonction IA(co)l est calcule numriquement


partir dchantillons prlevs sur le signal f ( t ) .
On ne peut donc pas la dterminer compltement
de faon continue. On ne peut que la calculer
pour des valeurs particulires de la pulsation.

Si le nombre dchantillons N est suffisamment


grand pour que les diffrents E ( o ) nempitent
pas lun sur lautre, on peut rpter pour chaque

Revenons au cas dun signal f ( t ) sinusodal et


considrons la fonction IA(cu)l de la figure 19. On
peut alors distinguer deux ventualits.

OM

.......

----

OM

Fia. 21.

72

signaux rseriodiques

a) La pulsation co0 est un multiple entier de la


pulsation d chantillonnage. On balaie alors la
courbe

Co
IA(co)l avec le pas dincrmentation 2.
N

Toutes les valeurs de IA(co)lobtenues sont nulles


sauf celle correspondant la pulsation co0 qui
NVO
vaut -. On reconstitue ainsi exactement le
2
spectre de la sinusode en calculant le module de
lexpression :

Pour des valeurs de k allant de O N - 1, on


dcrit ainsi une plage danalyse, stendant de O a
we, qui contient la raie de pulsation co0 et son
image la pulsation CO,- coo.
Cette expression est connue sous le nom de
transforme rapide de Fourier (T.F.R.), ou, en
anglais, fast fourier transform (F.F.T.).

4 points par lobe secondaire et 8 points sur le


lobe central et la courbe exprimentale passe trs
prs du maximum.

On calcule ainsi :

Pour des valeurs de k comprises entre O et N

coo = k

, ce qui ne

on dcrit une plage danalyse stendant de O 2


4
qui ne contient que la raie de pulsation a0.
Exemple de simulation sur ordinateur
Soit le signal f ( t ) = cos 27if o t avec fo = 500 Hz,
sur lequel on prlve 128 chantillons la
frquence Fe = 10 kHz ( T , = lOP4 s).
Pour reprsenter le signal, on introduit donc,
dans lordinateur, le tableau :
E(n) = cos 271 500nTe = cos 0,lEn.

A partir de ce tableau, on calcule :


127

constitue pas une condition vidente raliser.


Si la synchronisation nest pas ralise, on calcule
lA(~o)lpour des points mal rpartis et la courbe
obtenue scarte du spectre thorique; la valeur
maximale de la courbe obtenue na dailleurs
aucun rapport avec lamplitude de la sinusode
(fig. 22).

Courbe exprimentale
en cas de
-syncivonirn

1,

Co

Rappelons quelle ne peut conduire au spectre de


f ( t ) que sil y a synchronisation entre lchantillonnage et le signal

A(k&)

=A(k&)

kn

E(n) e2j=

=
n=O

127

=
n=O

kn
E(n) cos 27c-j
512

127
n=O

kn
E(n) sin 2n-.
512

On commence par entrer en mmoire les tableaux


271m
27cm
C(m) = cos - et S(m) = sin - pour m
512
512
compris entre O et 51 1.
Pour chaque valeur de k, comprise entre O et 127,
on calcule :
127

127

et

00
Fig. 22.

puis

b) Pour viter les effets de la non synchronisation,


on peut balayer la courbe IA(co)l
avec un pas plus
4N

. On obtient ainsi

/ R 2( k

&) + $0
I2( k

Soit le programme BASIC no 1.

73

thorie du signal

Programme 1.

16DIM E(127),C(511),S(511) rservation de la mmoire pour les tableaux


26FOR M=&O 511
36C(M) =COS(2*PI*M/512)
mmorisation des tableaux C ( m ) et S ( m )
46S(M) =SIN(2*PI*M/512)
56NEXT M
66FOR N=6TO 127
76E(N) =COS(. 1*PI*N)
mise en mmoire des chantillons E ( n )
86NEXT N
~ ~ S LCE 6,566,6,72
A
166X AXlS 6,5
dfinition des axes
116Y AXlS 25,8
126FOR K=6TO 56
dbut du balayage en frquence.
13dA=6 B = 6
146FOR N=6TO 127
156M = K*N
166IF M < 512 THEN 186
176M=M-512 C GOTO 166
127
kn
186A=A+E(N)*C(M) ... calcul de
E ( n ) cos 271 O
51 2
127
kn
196B = B E(N)*S(M) ... calcul de
E ( n ) sin 2n: O
51 2
26dNEXT N

1
1
1

~ ~ ~ F = ( A A ~ + .B5 A
... calcul
~ ) A d e A k22)
226PLOT K,F
236NEXT K
246END
Le trac fourni par l'ordinateur est donn figure 23.

Fig. 23.

74

signaux priodiques

Si le nombre N d'chantillons est grand par

4.4. DIMINUTION

N-1

DES LOBES LATRAUX :


FENTRE
DE H A M M I N G

rapport 1, e - j r F

Dans les calculs prcdents, tous les chantillons


ont la mme importance. On dit qu'on a ralis
une fentre rectangulaire.
On conoit que pour avoir une meilleure rponse,
il faut diminuer le poids des chantillons situs
aux extrmits du prlvement, car le dbut de
l'chantillonnage sur la fonction priodique est
alatoire.
tudions l'effet provoqu par la multiplication de
l'chantillon d'ordre n par :

e+jnN

1.

+ -21
1
2

+-

5 +

sin 2

(Cu

sin 3
2 (Cu

s)]

&)

2 n j ~

271

&(CO)
est obtenue en translatant A(co) de -.

N"
La multiplication de l'chantillon d'ordre n par :
+2

271n
1-cos--=1---N

n
n j ~

n
-2 n j ~

'

transforme la fonction A(co) en


AH(co) = A(co)
-

1
2 [ -A (Co

&)+ 4 + &)]
(Co

La fonction E(co), (paragraphe 4.1) devient :


sin
E

-H

N-1

(CO) = e-jTTem

N"C0
2

Le module du crochet est obtenu par addition de


trois courbes :
O une courbe IE(co)l multiplie par 1, reste
centre ;
1
O une courbe IE(co)l multiplie par -, dcale
2
- 1
de -;
N"
1
O une courbe IE(co)l multiplie par ?, dcale
L

de

--.

1
NT,

La multiplication de l'chantillon d'ordre n par


n
1 - cos 271- conduit la courbe de la figure 24.
N
La courbe rsultante IEH(co)l possde un lobe
central de mme amplitude que le lobe central
obtenu avec une fentre rectangulaire. La largeur
4

du lobe central est double et passe -.


Les
N"
lobes latraux sont attnus car ils sont obtenus
par addition de lobes alterns.

Cu"

Pour simuler l'analyse sur ordinateur, il suffit


de modifier le programme BASIC du paragraphe 4.3 en modificant la ligne 70 de la manire
suivante :
7a E(N) = ( C O S ( . 1 *PI*N))*
(1 -COS(2*PI*N/I 28))

-j

N-1
n 7

La courbe fournie par l'ordinateur est donne la


figure 25.

75

thorie du signal

sin nfNTe

Fig. 24.

Fig. 25.

512

4.5. ALGORITHME
D E TRANSFORME
DE FOURIER

512

RAPIDE

La transforme rapide de Fourier :

512

512

En effet, lorsque le nombre d'chantillons N est


une puissance de 2 ( N = 24, elle conduit des
algorithmes de calcul trs rapides et la rapidit de
calcul est un des lments essentiels du traitement
numrique du signal.
Pour

simplifier
= A(k),

avec

O <k <N

1,

est trs utilise malgr ses dfauts en cas de nonsynchronisation.

76

l'criture,

nous

poserons
kn

f ( n T , ) = f ( n ) , ep2"j, - WNk n?

soit :
N-1

A(k) =
n=O

f ( n ) . W:,

transforme d'ordre N.

Sig naux priodiques


NI2 - 1

4.5.1. Proprits des Wkn

x 2 ( k )=

f ( 2 i + 1) . wkf2,

transforme

i=O

d'ordre N / 2 effectue sur les chantillons d'ordre


impair.

N
Pour n < -,
2

Prenons par exemple N = 8.


Nous reprsenterons une addition par :

4.5.2. Algorithme de T.F.R.

En sparant les chantillons d'ordre pair et


d'ordre impair, on peut crire :

une multiplication par :

N/2-1

A(k) =

f ( 2 i ) . W"

i=O
N/2 -1

+ 1

f(2i

+ 1) . WNLi+l)

i=O

qu'on transforme en utilisant les proprits des


Wk.n .
'

A(k) =

N/2-1

et

Xl(k+N/2)=Xl(k)
X2(k N / 2 ) = x2(k).

f(2i)Wy'

i=O

N/2-1

+ Wk1 1
i=O

Soit

Remarquons que

A(k) = x , ( k )

Le calcul peut alors tre reprsent par la


f ( 2 i + 1 ) . Wkl2. figure 26.

+ wk . x , ( k ) ,

N/2 -1

avec : X l ( k ) =

i=O

f ( 2 i ) . Wk12, transforme

d'ordre N / 2 effectue sur les chantillons d'ordre


pair ;

N
Comme N = 2', - est un nombre pair et nous
2
pouvons partager chacune des T.F.R. d'ordre N / 2
en deux T.F.R. d'ordre N / 4 , suivant la reprsentation de la figure 27.

Fig. 26.

77

thorie du signal

T. F. R.

pair

impair

Fig. 27

N/4 tant aussi un nombre pair, on partage


chaque T.F.R. dordre N/4 en deux T.F.R. dordre
N/8, suivant la reprsentation de la figure 28.
En regroupant les graphes des figures 26, 27, 28,
on obtient pour N = 8 le graphe de la figure 29,
dans lequel chaque tape du calcul est repre par
le nombre G, variant par puissance de 2, ici entre
1 et 4.

x; ( 0 )
()
Fig. 28.

Le graphe de la figure 29, montre que les


chantillons doivent, au pralable, tre ordonns
de la manire suivante :

f(O),

f(4L f(2L f(6L

f(l), f(5L f(3L f ( 7 ) -

Si on reprsente lordre des chantillons par leur


valeur binaire, on obtient :
O00

100

O10

110

O01
1

101

O11

--G =1

G=2

Fig. 29.

78

G=4

111

si cl naux priodiques

Il faut donc renverser lordre des bits dans la


reprsentation binaire. On peut reprsenter cette
transformation de la manire indique la
figure 30.

1
O

7i
3

Lors dune tape, on calcule 2 valeurs de sortie


Y ( J ) , partir de 2 valeurs dentre X(J).
X ( J ) et Y ( J ) sont

des nombres complexes. Nous


utiliserons les mmes tableaux pour mmoriser
les grandeurs dentre et de sortie soit R ( J ) pour
la partie relle, I ( J ) pour la partie imaginaire.

Fig. 30.

Cette remarque facilite la programmation sur


microprocesseur. De plus si le microprocesseur
possde ladressage indirect index, on introduit
la transformation de la figure 30 dans un tableau
et la recherche de lchantillon adquat se fait
aut omatiquement.
Pour une programmation en BASIC, la transformation peut tre ralise par le programme 2.
Programme 2

Afin dacclrer le calcul, on limite le nombre de


multiplications complexes en calculant simultanment les valeurs de sortie relies par un
croisillon sur la figure 29, cest--dire Y ( J ) et
Y ( J + G), partir de X ( J ) et X ( J + G).De plus, lors de chaque tape, on regroupe les
calculs faisant intervenir le mme W z avec rn
2P- 1
N
1.
variant par pas de -d e O - 2
G
Pour N
no 3.

128, on obtient le programme BASIC

79 K = 9
8 9 FOR J = P T O 7
99 1=2
1 9 9 IF K<8/1 THEN 1 2 9
1 1 9 K=K-8/1 C I = l + l (3 GOTO 199
129 K=K+8/1
1 3 9 IF K < = J THEN 1 5 9
1 4 9 A = R ( J + I ) C R ( J + I ) = R ( K ) CR(K)=A
1 5 9 NEXT J

Lindice J se dplace dans lordre naturel, alors


que lindice K compte dans lordre des bits
renverss. La permutation, ne devant tre
effectue quune fois, na lieu que si K < J .
Programme principal

Si N = 2, le programme principal comporte


p tapes, correspondant chacune au passage de la
N
transforme dordre 2i+l, la transforme
N
Les tapes sont repres par le
2
N
nombre G, variant de 1 - par puissance de 2
2
(fig. 29 et 31).

dordre

-.

Fig. 31.

79

thorie du signal

64

56
48

40

32
24
16

5Fe
128

Fe

Fig. 32.

Le trac fourni par l'ordinateur est donn


figure 32.
La frquence du signal analyser tant f

Fe
8

= -,

la synchronisation est respecte. Nous obtenons


une raie la frquence Fe et son image la
8
F
frquence Fe - 2.
8

EXERCZCES
1.

Un onduleur est un dispositif qui permet de convertir une


tension continue en tension alternative.
Le schma de principe d'un onduleur autonome
commande dcale est donn sur la figure 1.

1
T

K2

T
Fig. 1.

Les interrupteurs KI,K,, K,, K,, sont alternativement


ouverts et ferms avec une priode T suivant le
chronogramme de la figure 2.

80

-772' 1
- t/2+T/2

-TI2 TI2
T

772-Tlh

772

Fig. 2.

1" Tracer la courbe reprsentative des variations de la


tension u(t) et vrifier qu'il s'agit bien d'une tension
priodique alterne.

signaux priodiques

2" Montrer que la dcomposition en srie de Fourier de la


271
tension u(t) s'crit, en posant o = - :
T
cos 3714
sin 3ot
cos 5

+-

2
T

3.
Un canal de transmission numrique permet de transmettre,
l'aide d'une sinusode porteuse, des signaux qui ne peuvent
prendre au cours du temps que deux tats nots O et 1. Les
tats O et 1 correspondent aux motifs de la figure 1. On les
appelle bits.

+ ...

sin 5ot

3" tablir la relation entre z et T pour que l'harmonique 3


soit nul.
4" Calculer le taux de distorsion harmonique dans le cas
o z = O (on se servira du rsultat de la srie entire
n2
1
1
1
-= 1
- + ..., que 1'011 pourra ventuelle8
3
52 72
ment dmontrer partir de la dcomposition d'une fonction
triangulaire en srie de Fourier).

u-c

Etat 1

&

+ + +

Etat O
Fig. 1.
1" mission :Le modulateur, dont le schma synoptique est
donn sur la figure 2, reoit :
- la sinusode porteuse sous la forme de deux tensions

2.

Soit le dispositif de la figure 1 :

71

dphases de - : A, cos o,t et A, sin o,t;


2

t A, cos wct

Fig. 1.
L'interrupteur K est bascul alternativement de la
position 1 la position 2 avec la priode T et le rapport
cyclique a.
Il a t tabli que la loi de variations du courant i, est
priodique. La figure 2 donne les variations de i, pour
u = 0,5.

4 A, sin

Fig. 2.

coct

- deux signaux numriques a(t) et b(t)constitus par une


succession de O et de 1.
Le modulateur contient deux multiplicateurs de constante k
et un additionneur.
Montrer que le signal transmis s(t) se met sous la forme
I

T 12

Fig. 2.
271
1" En posant o = -, tablir la dcomposition de i,(t) en
T
srie de Fourier.
2" Par application du thorme de superposition et en
supposant R C o % 1, montrer que la tension u(t) s'crit :
u=----

7r

2LCo2

sin ot

sin 5 o t
+ sin33wt + 5
3+ ... .

3" Montrer que l'on peut, avec une bonne approximation,


Jtablir le taux d'ondulation par
T2

p=-.

7c3 J2LC

Zonclure.

s(t) = kA,[a(t) cos o,t


= S cos (oct cp).

+ b(t) sin oct]

Exprimer S en fonction de k, A, et E , et montrer que la


phase cp peut prendre quatre tats, que l'on prcisera,
suivant l'tat des signaux numriques u(t) et b(t).
2" Rception :Le dmodulateur, dont le schma synoptique
est donn sur la figure 3, permet de reconstituer les signaux
u(t) et b(t) partir du signal reu

s(t) = kA,[a(t) cos oct b(t) sin oct]


Le dmodulateur contient deux multiplicateurs de
constante k et deux filtres passe-bas.

a) On suppose, dans un premier temps, que les signaux a(t)


et b(t) sont sinusodaux :
~ ( t=) b(t) = E

COS

ut.

81

thorie du signal

3 Bande de frquence encombre par le signal modul


Nous supposerons dans cette question que les signaux a(t)et
b(t) sont alternativement gaux O et 1 (fig. 5).

T A

2T

--O

passe- bas

Montrer que les signaux u ( t ) et u ( t ) contiennent chacun trois


composantes sinusodales dont on prcisera les amplitudes
et les frquences. Tracer le spectre correspondant.

Fig. 5.
a) Dcomposer le signal a(t) = b(t) en srie de Fourier.

b) Montrer que le signal s ( t ) mis par le modulateur se met


sous la forme
m

b) En ralit, les signaux a(t)et b(t)ne sont pas sinusodaux.


Ils ne sont mme pas priodiques, car la succession des O et
des 1 est alatoire. On peut cependant montrer que leur
dcomposition spectrale est constitue dun bloc frquentiei
limit la pulsation wM(fig. 4).

s ( t ) = S,

1A
[sin [[O, + (2P + 1 ) o l t + cpl
2P + 1

p=o

sin [ [ O , - (2P + l)w]t

+ (pl].

Exprimer S,, O et cp en fonction des donnes du problme :


k, A,, E,, T .
c) En supposant quon obtient une transmission correcte
avec P d 2, dterminer la largeur de la bande de frquence
encombre par le signal mis.

d ) On dcale les signaux a(t) et b(t)dun demi-motif, ces*-iT


dire de - (fig. 6).
2

En supposant coM < O,, donner la dcomposition spectrale


le u ( t ) et de u ( t ) et montrer quil est possible de caler les
iltres passe bas de faon restituer par a(t) et p ( t ) les
signaux a(t) et b(t).
:) Application nuwirique : la pulsation de la sinusode

3orteuse est
O

f , = 2 = 70 MHz.
271

3n dsire effectuer une transmission 17,2 mgabauds


:est--dire 17,2 x 106bits par seconde, ce qui correspond
1
r =x 1OP6 = 58 ns.
17,2
Zn supposant que la succession des O et des 1, sur les
ignaux a(t)et b(t)est priodique et alterne, montrer que la
ransmission est possible.

82

Fig. 6.
Montrer que le signal s(t)mis par le modulateur se met sous
la forme
s ( t ) = So

p;o

cos

[O,

+ (-

1)p(2P

+ l)o]t.

En supposant toujours P d 2, quelle est la bande de


frquence encombre par le signal mis. Conclure.

signaux
O quelconques
Nous avons vu que, dans le cas gnral, les
signaux d'entre x, et de sortie y , d'un systme,
sont lis par une quation diffrentielle de la
forme :
du-' y
d" Y
a,, - a n p l____
dtn - 1 + "' + ' 0 Y
dt"
d"x
x
- bm+ b m - l dm-1
+ ... + box.
dtm
dt"-

Ds que l'ordre de l'quation diffrentielledevient


suprieur a 2, la rsolution mathmatique directe
devient complique. Nous allons exposer une
mthode permettant d'effectuer cette rsolution
en transitant par un ensemble associ.

TRARISFORME

c[fi(t)

+ f2(t)l

[fi(t>+ f 2 ( t ) l e-!'

=FdP)

dt

+ FA!).

L'opration somme sur les fonctions du temps se


traduit par l'opration somme sur les grandeurs
de Laplace associes.
1.2.2. Multiplication par un nombre

C[k . f(t)]

= JO:

k f ( t ) e-Ef dt

= kF(P).

L'opration multiplication par un nombre k, sur


les fonctions du temps se traduit par la mme
opration sur les grandeurs de Laplace.
1.2.3. Drivation

D E LAPLACE
l

1.2.1. Somme

1.i.
DFINITION
A toute fonction du temps f ( t ) , on associe une
fonction de la variable complexe 0, soit
r [ f ( t ) ]= _
F (-P ) dfinie par :

Si la fonction f ( t ) est telle que lim f(t) eppf = O :


'-)a

c[f(t)] =

'

F(P) =

Io:

f (t) e-p' dt

t = O - tant un instant aussi proche de zro que


l'on veut mais avant t = O.

o f ( O - ) est la valeur de f ( t ) l'instant

t = O-.

1.2.4. Intgration

-F _
( P ) est la transforme de Laplace de f ( t ) .

1 . 2 . PROPRITS

i
l
l

tablissons, dans le plan de Laplace, les relations


correspondant aux principales oprations effectues sur les fonctions du temps par l'quation
diffrentielle (somme, multiplication par un
nombre, drivation, intgration).

83

thorie du sianal

Remarque propos du thorme de la valeur


initiale

1.3. THORME
D U RETARD
Soit f(t) une fonction du temps nulle pour t \< Oet considrons la fonction g(t) = f ( t - t,) en
retard de to sur f(t) :
E[g(t)]
En posant t
G (P )=
-

t,

JO:

jtomf(t

= u,

Soient deux fonctions du temps x(t) et y(t) lies


par la relation :

Lcriture de cette relation sur les transformes de


Laplace conduit :

to) e-pf dt.

Y (-P )= K [ P X-( P )- ~ ( o - ) ] ,

il vient :

f(u) e-!?u+to)du

= e-Pto

F(E).
-

Un retard de to sur les fonctions du temps se


traduit sur les grandeurs de Laplace associes par
une multiplication par e-Pto.

Y(P)

X (P)=-

soit :

+ Kx(O-)
KP

Appliquons x(t) le thorme de la valeur


initiale :
x(O+) = lirn P X ( P )
P - i m __
-

lim x(O-)
P-CO

1.4.TRANSLATION

+ lim
P-CO

P W )
KP

DANS LE PLAN
COMPLEXE
Soit F (P ) la transforme de Laplace de f(t) :
F (P-

Co>= j,-f(t)
= OJ:

e-(!-po)t

[f(t) ecot] e-pf dt = C [f(t) efot].

La multiplication par eoot sur les fonctions du


temps se traduit par une translation de Po sur les
transformes de Laplace.

Or lirn P Y ( P ) = y(O+), -P Y (P ) est donc born,


P-CO

Soit F (P ) la transforme de Laplace de f(t).

On montre que :
lim P F ( P ) = Iim f ( t ) = f(+), thoP-er,
t>O-rO
rme de la valeur initiale.
e Xim PF(P) = fim f(t), thorme de la
P-iO -t a>
valew frnate,
A condition que ces limites existent.

--

84

= O, car le numraKP
teur est born et le dnominateur tend vers
linfini.
En dfinitive ~ ( 0 )= x(O-), si y(t) ne devient pas
infini linstant t = O.
Nous avions dj vu cette proprit :

En consquence lirn

P + C ~

1.5. THORMES
DE LA VALEUR INITIALE
ET D E LA VALEUR
FINALE

--

lorsque P tend vers linfini moins qu linstant


t = O, y@ devienne infini.

( ddj) ,

pour

( * z dd:) ,

pour

pour une inductance

u=L-

laquelle il ne peut y avoir de discontinuit


de courant, moins que la tension puisse
tre considre comme infinie;
-

pour une capacit

C-

laquelle il ne peut y avoir de discontinuit


de tension, moins que le courant qui la
traverse devienne infini.
Elle apparat aussi pour la mise en vitesse dune
pice tournante, pour laquelle la vitesse de
rotation Q(t) et langle de rotation O(t) sont lis
par Q(t) =

9.
Langle de
dt

rotation (t), ne

peut pas subir de discontinuit a moins que la


vitesse de rotation Q(t) soit infinie.

sianaux auelconaues

Il sagit de lintgrale de lchelon damplitude a.


En consquence, sa transforme de Laplace
scrit :
a
F(P)
- = -.
P2
-

1.6. TRANSFORMES
D E LAPLACE
D E FONCTIONS SIMPLES
1.6.1. Impulsion de Dirac

s(t)

Il sagit de la fonction reprsente la figure 1,


pour laquelle t, tend vers zro avec At, = 1, I
tant une constante (intensit de limpulsion).

1.6.4. Exponentielle
f(t) = efoi
f a

Fig. 1.

1.6.5. Sinusode
,jet

Sa transforme de Laplace scrit :

f(t)

= sin

cut

- ,-jwt

2j

soit :
J o-

LJ
Co

F (P ) = 1.
1.6.2. chelon U ( t )

Il sagit de la fonction reprsente la figure 2, qui


est, en fait, lintgrale de la fonction de Dirac. En
consquence sa transforme de Laplace scrit :
I
F(P) = P
-

1.6.6. Cosinusode
ejwt +

f(t)

= cos

cut

- jwr

pu)

0
O

Fig. 2.

2.

1.6.3. Rampe

Il sagit de la fonction reprsente la figure 3.


Pour t > O, f(t) = at.

APPLICATION
A LA RSOLUTION
DES SYSTMES

Soit un systme dont les grandeurs dentre x(t) et


de sortie y(t) sont lies par lquation
diffrentielle :

Fig. 3.

dx
=b,-+b,-idtm

dm-1 X
dtm- 1

+ ... + box.
85

thorie du signal

L'application de la transformation de Laplace


cette quation conduit :

b) Compte-tenu de l'quation diffrentielle et des


conditions initiales, on calcule Y (P).
c) On cherche l'originale y ( t )dont la transforme

de Laplace est Y ( P ) = -."Pl


Pour ce faire on
-D(P)
procde de la manire suivante :
\-f

+ bm-,rP"'x(P)

soient Po, Pl, ..., P, les valeurs de P qui


annulent le dnominateur D(P);
les
appelle ples de Y(P).
-

Y (P ) se
-

on

- Em-2x(o-)

toute fraction rationnelle en p peut tre


dcompose en lments simples, soit :

qu'on peut crire sous la forme :


Y (P)[a,F

+ an-lP"-l + ... + a,]

=X (P)[b,P"

met alors sous la forme

p-Co

p-El

y (p ) = _O + A
-

+ b m - ,-Pm-I + ... + bol + Co(!),

o C,(P)
- est un polynme en P qui dpend des
conditions initiales, l'instant t= O, soit :

A
+ ... + L
P P,'
-

Pour calculer le coefficient A',on multiplie


les deux membres de l'quation par P - E
et on fait P =P j dans chacun des membres,
soit :

2.1.MTHODE
D E RSOLUTION
Dans le cas o l'ordre de l'quation diffrentielle
est suprieur 2, la rsolution devient complique. Plutt que de rsoudre directement cette
quation, on prfre alors transiter par les
transformes de Laplace (fig. 4) :
a) Pour une entre x ( t ) donne, on calcule la
transforme de Laplace X ( P).

W)

d) Sachant que

est la transforme de
Pj
Laplace de epj', O< revient sur les fonctions du
temps en prenant l'originale de chacun des
termes, soit :
~

y(t) = A , epot+ A , eol'

quation diffrentielle

y(t) = A,

+ ... + A,, epn'.

ePor+ ... + 4, epn'

calcul
de
l'originale

transformation
de
Laplace

1
X(P>

--

Compte-tenu de l'quation
diffrentielle et des conditions initiales
Fig. 4.

86

A
Y( P )= -.-=SL
+ ...
P
- Po
- -

+ P An P,

---

signaux quelconques

Remarquons dores et dj que :


- Si la partie relle dun ple est positive,
lamplitude de y ( t ) augmente indfiniment : le
systme est instable; cette remarque sera
exploite lors de ltude des systmes boucles:
- si un des ples possde une partie relle
nettement plus faible que les autres en valeur
absolue, la rponse correspondante disparat
moins rapidement, on a affaire un ple
dominant.

REMARQUES
a) Dans le cas o il existe un ple multiple,
(P)
on montre que .
_F (-P ) = ( P - NPo)qDl(p)

F (P ) = 2+
( P - P0)4 (P- P0)q-

Bl

avec

2.2.EXEMPLE DE RSOLUTION

RPONSE DUN CIRCUIT


Lexistence de ples multiples correspond, en
gnral, des cas particuliers limites entre deux
modes de rponse.
b) Les coefficients du polynme o(0)tant rels, ses
zros, qui sont les ples de Y ( P ) , sont rels ou
imaginaires conjugus (Ok et ET).Dans le cas o les ples sont imaginaires conjugus,
posons :
P, = a + ju,
Pk = a - ju,
Y (P ) peut scrire :
-

x(P)=

--

une fraction rationnelle en 0.


Les coefficients Ak et A; correspondant aux ples
et 0: scrivent :

R (P ) est

ou

(0- p d p - 0:)

ck

D U 2me
ORDRE
UNE IMPULSION

D E DIRAC
Soit le systme dont lentre x et la sortie y sont
lies par lquation :
d2Y
dt

et 4; sont aussiimaginaires conjugus).


Ak = A ejp
Posons :
A - A e - j p .
et
-k -

Prenons pour signal dentre x, une impulsion de


Dirac X (P ) = I , et tudions la rponse dans le cas
o les conditions initiales sont nulles :
y(0-)

Y (-P )=
p2
A; se dduit donc de A k par remplacement de j en

+ 2m0, dY
+ ooy = u;x.
dt

dY
dt

= - (O

)=O :

0;
I

+ 2 m 0-, ~+ w;

-j

(Ak

A 1 ensemble des ples conjugus correspond donc la


rponse :
A e j p , ( a + j w ) t + A e - j p ,(a-jot)
= A e a [ e j ( w t + p ) + ,-j(wt+cp)
1
=2A

a)

pl

eat cos [ u t + 411.

avec
a :partie relle
P, .
dun ple CO : partie imaginaire
du coefficient Ak
A : module
cp : argument correspondant.

= -

Nous retiendrons :
Dans le cas o il existe deux ples complexes
conjugus, la rponse scrit :
2 A eat cos [ot + cp],

m > 1 : Les deux ples El et

o2sont rels :

m a o + c(,,Jm2i,

maO- c o o J m .
0;
I UOI
A l =pi
0
2
2
J
z z
-

et
A2

w; I
-

p2-El
-

0,I

2 J 2 - T

La rponse correspondante est :

87

thorie du signal

b) m < 1 : Les deux ples Pl et


imaginaires conjugus :

sont

Exemple : trouver l'originale de

Y (P)
- =

5 = - mw, + j w 0 J G 2 ,
02 = - muO - j w o J l _ m Z .

P+1

(0+ 2)(E2 + 20 + 2)

Y ( P )prsente :
-

La rponse correspondante est :

le zro Z
- , = - 1,
les ples Pl= - 2, P2 =
P
i
=
1
-j.
-

+j ,

La reprsentation dans le plan complexe est


donne la figure 5.

t ,'

p2

Re

2.3. DIAGRAMME DES PLES


ET DES ZROS
Fig. 5.

Y ( P )=-=A-A
+
A
L
A' + L
-P - P,
P - P,
P - Pi'
-

dans laquelle Z , , ..., 2, sont les zros de _Y (-P ) ,


El,..., 5 sont c s ples de -Y (P).
-

Calcul de Al

Le calcul d'un coefficient A, conduit a :


A, = K
-

Soient :
O Zi, le point
associ
dans le plan
complexe et reprsent par O,

Soit :

zi

P j ,le point associ 5 dans le plan complexe


et reprsent par x .
O

Calcul de A,

Le vecteur associ au nombre pi - Zi tant ZiPj,


il vient, en appelant Ox l'axe rel :

La rponse s'crit donc :

88

1
2

A 1 -- - -

signaux quelconques

REMARQUES

REMARQUE

- T (P ) est caractristique de la nature de la

La stabilit d'un systme impose qu'il n'y ait pas de


ples droite de l'axe imaginaire. Si un ple se
rapproche de cet axe, le mode correspondant
disparatra d'autant plus lentement.
Dans le cas gnral, les ples sont fonction des
paramtres du systme (rsistance, amplification,
amortissement, ...). Le trac, l'ordinateur, de
1'volution des ples, en fonction d'un paramtre
permet de dterminer les conditions de stabilit du
systme et son rglage optimum.

relation liant l'entre et la sortie. On peut, en


effet, reconstituer l'quation diffrentielle,
partir de
en remplaant toute multiplication par 0, par une drivation.
- U n fonctionnement particulier du systme
dpend, non seulement de l'quation diffrentielle, mais aussi des conditions initiales. Ainsi,
tout comme l'quation diffrentielle seule, la
transmittance de Laplace seule ne peut pas
conduire la solution d'un problme
particulier .
Pour tenir compte des conditions initiales il
faut, partir de l'quation
T (-P ) . X (P),
_Y (_P )= _

r(c),

3.TRANSMITTAMCE
DE LAPLACE
Nous avons vu que, dans le cas gnral, l'entre
x(t) et la sortie y(t) d'un systme, sont lies par une
quation diffrentielle de la forme :
d" Y
dtn

a, --k

... + a, y = b,

d"x
dt"

La stabilit, ainsi que la forme de la rponse


dpendent des valeurs de
qui annulent
D(P)
- . Z(p)suffit donc pour traduire la nature
de la relation entre l'entre et la sortie.

+ ...+ box.

D'autre part les drivations intervenant dans


cette quation se traduisent sur la transforme de
Laplace par :

retrouver 1 'quation diffrentielle et repasser


en transformes de Laplace, compte-tenu des
conditions initiales.
Notons cependant que x(p) et x(p) ont le
mme dnominateur
a , r + a,- lp"-l
+ ... + a, =

L'opration drivation se traduit :


O sur la transmittance complexe, en rgime
sinusodal permanent, par une multiplication par
jco.

On peut y distinguer :
- la multiplication par P qui est caractristique de la drivation- le terme f(O-)
qui tient compte des
conditions initiales, c'est--dire d'un fonctionnement particulier.
Dans le cas o toutes les conditions initiales sont
nulles :
dy d"y y(0-) = - (O ) = ... = -(O ) = O,
dt
dt"
l'quation diffrentielle conduit :
[a,P"
-

+ a n P l r - l+ ... + a , ] x ( ~ )
= [b,O" + b,0"- + ... + bol X(p),

soit

O sur la transmittance de Laplace, par m e


multiplication par 0.
On passe donc de la transmittance de Laplace
la transmittance complexe en remplaant P
par jo.

4. IMPEDAMCE
8P RATI ON NE LLE
crivons la transmittance de Laplace pour les
trois lments passifs; x(t) et y(t) sont alors des
tensions ou des courants.
du
Les relations fondamentales u = Ri, i = C -,
di
dt
u = L -,
conduisent
respectivement

dt
_I (-P ) = C-_
P U (P);
U (-P ) = R!(E),
U (P )= L P I ( P ) .
Ces relations peuvent tre mises sous la forme
gnrale
U(P) = _
Z(_
P )_
Z( P_)
o
est 1'impdance oprationnelle de
l'lment, soit :
O Z (P ) = LP
- pour une inductance,
1
O Z (P ) = -pour
une capacit,
CE
O _
Z (-P ) = R pour une rsistance.

z(c),

avec

T (-P ) =
-

b m ~ m + b , - l p m - l+...+ b,
a , _ P " + a , - , ~ - l+...+a,

-T_( P )est la transmittance de Laplace du systme.

89

thorie du signal

La forme de la relation U (-P )= _


Z (-P_
) I_
( P ) est
analogue a la relation u = R i pour les rseaux
rsistifs. En consquence tous les thormes que
nous avons tabli au paragraphe 3 du premier
chapitre sont valables en rgime quelconque,
condition de raisonner sur les impdances
oprationnelles.

4.1. EXEMPLE
D E RSOLUTION
ATTNUATEUR

Toutes les conditions initiales tant nulles


(u2(O-)= O et u(O-) = O), nous crivons :

avec

E
U(P)=-.
P
-

:
COMPENS

4 . 1 . l . Attnuateur parfait

Soit le schma de la figure 6. Quelle que soit la


forme de la tension u, nous pouvons crire :
u2 = R 2 i =

R2

Rl

D'o la loi de variation de u2(t):


1

U.

Les courbes de la figure 8 donnent l'volution de


la tension u2 correspondant aux attnuateurs
rels et parfaits.

+R2

AY

Attnuateur parfait

R2E
I

'

Fig. 6.

Attnuateur rel

4.1.2. Attnuateur rel

i
Compte tenu des capacits d'entre des tages
suivants, on peut donner pour l'attnuateur rel
le schma quivalent de la figure 7.

Fig. 8.

4.1.3. Attnuateur compens

Afin de compenser l'effet de la capacit C,, on


place en parallle sur R , une capacit C1,ce qui
conduit au schma de la figure 9.
Fig. 7.

La capacit C,, s'opposant a la variation de la


tension ses bornes, perturbe la rponse de
l'attnuateur dans le cas o les variations de u
sont rapides. tudions, en particulier, cette
rponse lorsque la tension u est un chelon de
tension d'amplitude E , la tension u2 tant nulle
l'instant t = O-.

90

Fig. 9.

signaux quelconques

On espre ainsi acclrer lvolution de la


tension u2. Supposons, en effet, que la tension u
soit un chelon de tension et qu linstant
t = O-, les condensateurs soient dchargs
(u,(O-) = u2(0-) = O). A linstant t = O il apparat un court-circuit instantan par les capacits
C , et C,, et le courant i(0)est infini : on se trouve
ainsi dans le cas exceptionnel qui autorise des
variations brutales de la tension aux bornes du
condensateur et dans ce cas u2(O+) nest pas gale
u2(0-).
Les
conditions
initiales
tant
( u 2 ( 0 - )= u,(O-) = O), on peut crire :

nulles

ER2 , loi identique celle de lattR , +R2


nuateur parfait : lattnuateur est parfaitement
compens.

U2(4 =

b) A linstant t

A linstant t

= O+, u 2 ( O f ) =

+ CO,

u2(co)= E

C1

c, + c2

R2

Rl

+ R2

u2(O+)> u2(m),lattnuateur est surcompens.


Cl
< R2 , soit R , C , < R 2 C 2 ,
Cl + C ,
Ri +R2
u2(O +) < u2( CO), lattnuateur est sous-compens.

Si

Suivant la compensation, nous obtenons pour


lvolution de u2(t), les courbes de la figure 10.

soit :

U (-P )tant
-

U(0)

[il -1
-

+ C,P

(t)

CS
u2

\%,/mmpens Attuateur parfaitement

,Attnuateur surcompens

gal - il vient :

P
-

1+R,C,o
Cl + c2

-P1+
-

Do la loi de variations de u 2 ( t) :

Attnuateur sous
compens

Remarquons que la rsolution du problme par


lquation diffrentielle prsente une difficult,
qui napparat pas dans la rsolution par la
transforme de Laplace. En effet u 2 ( 0 + )ntant
pas gale u2(0-), la dtermination de la
constante dintgration ncessite, au pralable la
connaissance de u2(O +).
Remarquons, de plus, que ltude par la
transforme de Laplace se faisant partir de
t = O-, la relation u = u1 u2 ne conduit pas
du, du,
-+ ___ = O, car linstant t = O la tension u
dt
dt
prsente une discontinuit. Une telle criture
aurait conduit

Remarquons :
a) Si la condition

+ R2 - 1 = o
R2
est satisfaite, cest--dire R , C , = R2C,,
Cl

Rl

c, + c2

ce qui est absurde.

91

thorie d u signal

EXERCICES
1.

3 On monte en cascade les deux dispositifs prcdents

1 Un chantillonneur (fig. 1) est un dispositif qui dlivre

(fig. 4). Le signal dentre e(t)est un chelon damplitude E,,

une suite dimpulsions dintensit f ( n T J ou f(nT,) est la


valeur du signal dentre f ( t ) linstant nT,. Pour un signal
dentre en chelon damplitude E,, nul avant linstant
t = O, le signal s(t) a la forme dcrite la figure 2.

nul avant linstant t = O. Calculer la transforme de Laplace


du signal u(t). En dduire que les signaux e ( t ) et u(t) sont
identiques. Le justifier par un raisonnement physique.

4 Le rsultat prcdent e s t 4 valable quelle que soit la


forme du signai e(t)?Le justifier en montrant quon ne peut
pas caractriser lchantillonneur par une transmittance.
(On pourra vrifier, par exemple, quun mme signal s ( t )
peut tre obtenu partir de signaux e ( t ) diffrents.)

Te

2.
Soit le dispositif dcrit sur la figure, dans lequel
linterrupteur K est bascul alternativement de la position 1
la position 2 avec la priode T .

Fig. 1.
Impulsion
dintensit E0

Te

*Te

Fig. 2.
Montrer que la transforme de Laplace du signal s(t) scrit
alors :
OCI
S(P)= E ,

e-PnTe

On prend comme origine des temps linstant du dme


basculement de linterrupteur K , de la position 1 vers la
position 2. Le condensateur C, est alors charg sous la
tension u2(0-) = U2(n-1)et u , ( O - ) = E.

n=O

=-

EO

1 - e-PTe

2 Un bloqueur (fis. 3) est un dispositif, qui, une


impulsion dentre u(t), dintensit E , , fait correspondre un
signal de sortie u(t), constitu par un crneau
damplitude E , et de dure T,.
Impulsion
dintensit ,

1 Montrer que la transforme de Laplace


tension u,(t) scrit :

de la

g2(c),

2 Montrer que lapplication,


du thorme de la
valeur finale conduit au mme rsultat que lapplication du
thorme de la valeur initiale.
Justifier ce rsultat par un raisonnement physique.
Soit U Z nla valeur de u2 aprs le niemebasculement.
En posant y

= ___
cl
, tablir

Cl

+ c2

la relation de rcurrence

u,, = YE + (1 - W , ( n - l ) .
Fig. 3.
Calculer les transformes de Laplace U ( P ) et V ( P ) des
signaux u ( t ) et u(t).
En dduire que la transmittance de Laplace du bloqueur
scrit

3 En dduire que U z n scrit sous la forme


U2,

Cl - (1 - y)]E.

4 La courbe reprsentant u,(t) est forme dune succession


de marches descalier.
Montrer que si la capacit Cl est trs faible devant C,,
lamplitude de ces marches est faible et quon peut assimiler
u 2 ( t ) une fonction continue.
T

t
--t.

Te

ECHANTILLON

e(t)

Fig. 4.

92

5 En posant (1 - y) = e-7, montrer que lvolution de la


tension u,(t) est identique celle quon obtiendrait en
T
branchant entre les points 1 et 2 une rsistance R = -.
Cl

Conclure en montrant quon ralise ainsi une rsistance,


fonction dune frquence.

signaux
O chantillonns
1

CHANTILLONNAGE

Soit un signal f ( t ) .On ralise un chantillonnage


sur le signal en prlevant ses valeurs la
1
frquence Fe = -, dite frquence dchantillon-

K?

nage. On fait ainsi correspondre, au signal f ( t ) ,


une suite de nombres :

{ ... f ( O > , fK), f(nT,),


*..7

**-

Les nombres ainsi obtenus sont destins tre


traits numriquement.
T, tant la priode dchantillonnage, on
reprsente un chantillonneur par le schma de la
figure 1, dans lequel linterrupteur est ferm
pendant un temps trs court aux instants t = n z .

Fig. 2.

o d,(t - nT,) est la fonction de Dirac, centre sur


t = nT, et dintensit unit.
En consquence, le signal f * ( t ) scrit :
cx)

f*W=

f(nT,)x

nT,).

n = -cc

La fonction f * ( t ) tant nulle pour t # nT,, on


peut encore crire :

c
Co

f*M= f(t>

fl=

Co

u t

n u

-cc

d,(t - nT,) est un peigne de Dirac,

n=-oc)

reprsent sur la figure 3.


On peut alors donner, de lchantillonnage, le
schma quivalent de la figure 4.

Fig. 1.

Afin de reprsenter le signal chantillonn par


une fonction mathmatique f * ( t ) , (jig. 2), on
convient dassocier lchantillon damplitude
f(nT,), une impulsion de Dirac dintensit f ( n T , ) :

n=-

00

intensit 1
/

Fig. 3.

Te

L
I

f(t)
+-O0

MULTIPLICATEUR

Fig. 4.

93

thorie du signal

Il est intuitif que la reprsentation de f ( t ) par


f * ( t ) est d'autant meilleure que la priode
d'chantillonnage
est plus faible. Les paragraphes suivants le confirmeront.

2.2. SPECTRE
D'UNE SINUSOIDE
CHANTILLON N E
Soit le signal f ( t ) = A cos 2nf0t.
Le signal chantillonn correspondant s'crit :

2. SPECTRE DU SIGNAL
CHANTILLONN

f * ( t ) = Acos2nfot
=

AT,[cos 2nf0t + 1cos 2n(nFe -fo>t


+ cos2n(nF, + f o ) t

Soit la fonction g(t) reprsente la figure 5. Il


s'agit d'une fonction priodique, de priode T,.
Dcomposons-la en srie de Fourier en utilisant
la forme exponentielle.

O
A

)
T

= valeur

PRIODIQUE

moyenne de g(t) = -,

K?
t

Te,

T,

Fig. 7. O

Te

Le peigne de Dirac est obtenu, partir de g(t), en


faisant tendre z vers zro, tout en maintenant le
produit Az = 1, ce qui conduit a :
1
Ao=E

Ifri,
Enveloppe du
spectre

z
sin nn2Az - nj-Tnre
T,
Cn=-e
nz
T,
n-

FM

=-.
" T ,

et

+al

n=-al

94

J,(t-nT,)=

" 2

nt

n=iK?

Te

+ 1 -cos2n-.
Te

Soit un signal priodique f ( t )dont le spectre F ( f )


s'inscrit dans une enveloppe limite F , (fig. 7).
En rptant, pour chaque sinusode de la
dcomposition de f ( t ) , le raisonnement du
paragraphe prcdent, nous obtenons pour le
spectre de f * ( t ) le diagramme de la figure 8.

En consquence :

2.3. SPECTRE D'UN SIGNAL

AT

2Az

Fig. 6.

=-

--

Le spectre correspondant est donn sur la


figure 6.

Te

Fig. 5.

c
-

n=iTe

n=l

nTe)

s u ( t -

n=-al

A0

T,

" 2
+1
-cos2.nnFet
Co

2.1. SPECTRE DE

Fe

Fig. 8.

signaux chantillonns

circuit dont la fonction de transfert _


H (-P ) ralise
lopration dcrite la figure 10.

3. RECONSTITUTION
D U SIGNAL

I x ( rintensit
)
I

hY(U

kL

3.1. RECONSTITUTION
PAR FILTRAGE
PASSE-BAS

Te

Fig. 10.

Lobservation des spectres des figures 7 et 8


montre quon peut isoler, partir de f*(t), toutes
les composantes sinusodales de f(t). Il suffit pour
cela de caler un filtre passe-bas entre F , et
Fe - F,.
Cette reconstitution nest possible que si
F M < Fe - F,, soit :

A une impulsion de Dirac en entre (x(t) = s,(t)),


correspond en sortie un crneau y ( t ) damplitude
unit et de dure T,.
Afin de dterminer -H_( P ) ,calculons X (P )et Y(P)
- :
(P)= 1
-X _

Y ( P ) 1 -e-pTeNous en dduisons H (-P ) =


=
X(P)

Thorme de Shannon
La reconstitution dun signal f ( t ) partir
dchantillons prlevs la frquence Fe, nest
possible que si la frquence dchantillonnage Fe
est suprieure 2 fois la frquence maximale
des harmoniques de f(t).

La transmittance complexe, en rgime sinusodal


permanent, scrit donc :

__

3.2.RECONSTITUTION
PAR BLOCAGE
A partir de f*(t), nous obtenons le signal
chantillonn et bloqu b(t) en maintenant la
valeur dun chantillon jusqu lapparition de
lchantillon suivant (fig. 9).

Si un chantillon est maintenu pendant le temps


T,, tout se passe comme si le signal f*(t) tait
pass travers un filtre dont la fonction de
transfert scrit :

cor

b ( t ) : signal chantillon et bloqu

3.2.2.Consquences
O

Fig. 9.

3.2.1. Effet du maintien


dun chantillon pendant T,

Maintenir un chantillon pendant T, revient


faire passer le signal chantillonn travers un

Lharmonique de pulsation CO est retard de


langle --,
U T , ce qui correspond un temps
2
coT, 1 Te
de retard z = -- = -, ce qui est
2co 2
logique daprs lobservation des courbes
f*(t) et b(t).Ce temps de retard peut tre un
facteur dinstabilit pour certains systmes.
Nous en reparlerons lors de ltude des
asservissements numriques.

95

thorie du signal
O

Lamplitude
de
lharmonique
pulsation CD est multiplie par :
. UT,
sin nf T,
sin 2

K-

T,-.

de

Appliquons la transformation de Laplace la


fonction f * ( t ) . Il vient :

j1
C o 0 3

F*(P)=

f(nK)6,(t- nT,)e-ordt.

O- n=O

zf K

2
Si le signal f ( t )est sinusodal (f (t) = A cos 2nf0t),
on obtient pour le spectre de b(t),le diagramme de
la figure 11.

Fig. 11

La fonction 6,(t - nT,) tant nulle pour t # nK,


scrit :

F*

(c)

F*(c)=

10

c f(nK) e-EnTe6,(t

- nT,) dt.

nr

Dautre part, lintgration est distributive par


rapport laddition, soit :
Co

F*(E)\=

6,(t

1f(nK)e-PnTejo:6.(t
n=O

nK) dt,

nT,) tant la fonction de Dirac unit,

JO:6,(t -

nz)dt = 1,

c f(nK)(eETe)-.
Co

F*(c)=

n=O

En effectuant le changement de variables :


F(Z)telle que :

REMARQUES

2 = eETe,F*(P)
- devient

a) Leffet du blocage provoque une attnuation de

tous les harmoniques de frquence suprieure fo.


U nfiltrage rudimentaire suffira donc pour reconstituer la sinusode de frquence fo. Ce rsultat pouvait
tre prvu car le signal b(t)est plus proche de f( t )que
ne lest f *(t).
b) Si fo 4 Fe, les harmoniques defrquence Fe - fo,
Fe + fo, 2F, - fo, ..., se regroupent sur les points o
sin nf T,
la fonction
sannule. I l ne reste alors quune
nf T?
*
seule raie damplitude A et defrquence f o , ce qui est
logique car, alors, la fonction b(t) est trs proche de
f (t).
c ) Par contre si fo nest pas trs faible par rapport
Fe, lamplitude de la sinusode obtenue aprs
A sin nf Te
filtrage nest pas gale A mais
nfT?

_
F (_2 ) est la transforme en 2 de f ( t ) : cest la

transforme de Laplace du signal chantillonn


f * ( t ): nous la noterons aussi Z [ f ( t ) ] .

4. TRAM$FQRM
4.1.
DFINITION

REMARQUE
Nous avons tabli, quen rgime sinusodal permanent, il est possible de passer de la transmittance
complexe la transmittance de Laplace F ( P ) en
remplaant ju, par 0. On passe donc & la
transmittance complexe, la transmittance en par
Iop&ation = e j O T e = e +W f Te
Cette relation nest pas univoque; en effet deux
1
valeurs de frquence distantes de - conduisent la
Te
mme valeur de g. Ce phnomne est rapprocher de
celui observ lors de ltude spectrale : un bloc
frquentiel de f ( t ) conduit, aprs chantillonnage,
1
une infinit de blocs frquentiels spars par -.

T?

Soit un signal f (t),nul avant linstant t = O, et soit


, f * ( t )la fonction obtenue en chantillonnantf(t)
la frquence Fe. Compte tenu de f(t) = O pour
t < O, il vient

4.2. PROPRITS

Co

f*@) = f ( t ) n1
d u @ - nT,)
=O

c f(nK)d,(t

4.2.1. Linarit

Co

n=O

96

nK).

Par suite de la distributivit de la somme et de la


multiplication par un nombre par rapport au

signaux chantillonns

Calculons la transforme en 2 de

tf(t)

al

1 nT,f(nT,)Z-"
=zT,
1 nf(nT,)Z-n-l
-

Z[tf(t>]=

n=O

al

n=O

4.2.2. Retard temporel

Soit un signal f(t) chantillonn la frquence


1
Fe = -, et soit F (Z ) sa transforme en 2.

T,

Considrons la fonction f(t - kT,), nulle avant


l'instant t = kT,, en retard de k T , sur f ( t ) :
Co

ZCf(t - 4

1=

1f u n

k)T,Ig-".

n=k

En effectuant le changement de variables


rn = y1 - k, il vient :

4.2.5. Thormes de la valeur initiale


e t de la valeur finale

Soit F(Z),
- la transforme en 2 def(t); on montre
que :

lim f(nTe) = lim F(Z),


Z-CO - lim f(nTe) = lim (1 - _Z-

n+O

Co

Z[f(t

kT,)] =

1 f ( r n T ,-) Z - m-Z - k

z+1
-

n'Co

m=O

F(Z).
-

l) -

Co

m=O

4.3. TRANSFORMES

EN 2
D E FONCTIONS SIMPLES

REMARQUE
1

D'aprs la relation prcdente, le produit d'une


transforme en Z par 2- provoque un retard de T,,
c'est--dire le passage de l'chantillon f(nT,)
l'chantillon f [ ( n - 1) TJ. Cette remarque nous sera
trs utile pour l'tablissement des algorithmes de
traitement numrique.

',

4.3.1. chelon

pour t 3 O
= O pour t < O

f(t) = A

sa transforme en 2 s'crit :

Soit F ( Z ) la transforme en Z de f ( t ) .
Nousavons vu que la multiplication de f ( t ) par
eEot,se traduit sur la transforme de Laplace par
le remplacement de P par P - Co.L'opration se
traduit donc sur 1; transforme en Z par le
remplacement de ePTepar
c'est--dire
Z par e-foTe:
par une multiplication de -

al

f ( t ) = At

pour t >, O,
pour t < O .

La rampe tant obtenue partir de l'chelon par


multiplication par t, nous en dduisons :

4.2.4. Multiplication par t

-F(Z)
_ =

4.3.2. Rampe

=O

Z[eEo'f ( t ) ] = F [Z e-ooTe].

Soit F (2 ) la transforme en Z de

al

4.2.3. Translation complexe

f(t).

1 f(nT,)S-",sa drive par rapport -2

d
F ( Z ) = -gT,AdZ[ g
!

-_

l]

n=O

s'crit :

97

thorie du signal

4..3.3. Exponentielle

INVERSION
D E LA TRANSFORME
EN Z

4.4.

f ( t ) = AePntpour t > O,
=O
pour t < O .

f ( t ) est obtenue, partir de l'chelon, par une


multiplication par e P u tsoit

4.3.4. Sinusode

f ( t ) = sin co,t pour t 3 O,


=O
pour t < O.
ejwot -

sin co,t =

Proposons-nous de retrouver, partir de F(g),la


fonction originale f ( t ) .
Il existe plusieurs mthodes. Cependant, dans la
plupart des cas, F ( 2 ) peut tre mise sous la forme
d'une fraction rationnelle en 2- :

Comme pour la transforme de Laplace, on


dcompose F(2)en lments simples. Soient
zo, ..., z k , les valeurs de 2 - qui annulent D(2-').
Il vient :

- jwot

2j

, soit

2 sin m,Te
( ~ =z 2 - 2 ~ c o s o , T e1+'

F (2)=
-

N (2-I)

(g-1

zo)
-

...(g-' - -z,)

En remarquant que l'original de


Ai

4.3.5. Cosinusode

f ( t ) = cos co,t pour t 3 O,


=O
pour t < O.

il vient

On dmontrerait, avec la mthode applique


pour la sinusode :
REMARQUE

zi est

une valeur de 2-l qui annule le


1
dnominateur, - est une valeur de 2 qui annule ce
Si

Zi

4.3.6. Sinusode amortie

e P u tsin coot pour t 3 O,


=O
pour t < O.

f(t) =

mme dnominateur. Nous l'appellerons ple.


1
Posons - = ea+jw. Afin que f ( t ) ne devienne pas
zi
infinie, la stabilit d'un systme impose que a soit
1

ngatif, c'est--dire que le module de - soit infrieur


1.

A partir de la transforme en 2 de sin mo t on


dduit :

98

zi

Cette remarque est lie, par la relation = e P T e ,


celle que nous avons nonce sur les transformes de
Laplace, pour lesquelles aucun ple ne doit prsenter
de partie relle positive.
Elle sera exploite ultrieurement.

sianaux chantillonns

5.1.

PROBLME

Le schma gnral dune chane de traitement numrique est donn figure 12 :


(t)

-c-

Convertisseur
analogique
numrique

X,
--c

Te

Unit de
calcuI

numrique
analogique

y (t)
-e-

Fig. 12.

le convertisseur analogique numrique


prlve, sur le signal dentre x(t),une suite
1
dchantillons x, la frquence Fe = -;

5.2.

lunit de calcul dtermine, partir des


chantillons prcdents,
une suite
dchantillons y,, quelle place lentre du
convertisseur numrique analogique, avec
la mme frquence F e ;
le convertisseur numrique analogique
transforme la suite dchantillons y, en
signal de sortie y(t).

Nous avons montr, dans le chapitre prcdent,


quil tait possible, partir de lquation
_Y (_P )= _
H (-P-) X
- ( P ) ,de retrouver lquation diffrentielle originelle. Afin de dterminer lquation
aux diffrences, il est ncessaire de traduire, sur les
chantillons x, et y,, les oprations de drivations
successives.

T,

yn Convertisseur
--c

Soient _
X (_P ) et _Y (_P )les transformes de Laplace
de x ( t ) et y(t).Proposons-nous de raliser, laide
de la chane de traitement numrique, une
transmittance de Laplace H ( P ) = Y ( P )
X(P)

QUIVALENCE
D E LA DRIVATION

Soit la fonction x ( t) de la figure 13 sur laquelle


sont prlevs les chantillons xo, xl, ..., x n P 2 ,
x,- 1, x,. Une premire approximation consiste
assimiler, linstant nT,, la drive

dx

dt

Il sagit de dterminer, chaque instant nT,, la


valeur de lchantillon y , que le calculateur doit
prsenter sa sortie. La valeur de y , devra
conduire, par lintermdiaire du convertisseur
numrique analogique, un signal y(nT,) gal
la valeur que prendrait le signal y ( t ) , issu du
systme de transmittance H (P ) , attaqu par le
signal x(t).
Il nous faut donc dterminer une quation de la
forme :

Te

n-1

y , = anx,

+ iC
(aixi + biyi),
=m

dans laquelle les coefficients ai et bi dpendent de


la transmittance de Laplace H (P ) et de la
frquence dchantillonnage Fe.
Cette quation de rcurrence est aussi appele
quation aux diffrences.

Fig. 13.

Il est bien vident que cette approximation est


dautant meilleure que la priode dchantillonnage T,, est plus faible. Les dveloppements
ultrieurs le confirmeront.

99

thorie du signal

Rappelons :
- L'opration qui consiste a passer de x,
x,- est un retard de T,. Elle se traduit sur
la transforme en 2 par une multiplication
2 - 1 . L'opration
par -

T,

T,

T , .

En consquence, l'approximation propose permet de passer de la transmittance de Laplace


la transmittance en 2 en remplaant P par
1 - -2-1.

T,

qui conduit l'quation de rcurrence :


Y,

=Yn-i

2(1 m o , Te)
1 + 2rno,Te +
1
-Yn-2
1 + 2rno,Te

o;c
+

O;

Te

Le calcul numrique conduit :

Il est possible de simuler sur ordinateur la


rponse de la chane de traitement numrique, a
un chelon unit (x, = 1, quel que soit n 2 O).

REMARQUE

+ 2rnCOo- 1 - 2 - 1

y n = 1 , 3 9 8 0 5 ~- ~
1 - 0 , 6 5 7 7 0~2~ 0 , 2 5 9 6 5 ~ ~ .

1 -2-1

Te

CO;

L'opration drivation sur les fonctions du


temps, se traduit, sur la transmittance de
Laplace, par une multiplication par P.

CO;x(z)=

1 - 2-1

On passe ainsi de la transforme en 2 de


dx
x(t), celle de - par la multiplication par
dt
1-2-1

P o
-

+ 2rnCOOO + 0 2 ] g p )

CO;qP)
- = [CO;

,se traduit

xn - xn-

donc par une multiplication par

La priode d'chantillonnage tant T, = 2.10 - s,


soit Fe = 500 Hz.

La relation exacte est Z = ecTe. Si T , est


suffisamment faible, un dvZToppement limit au
PT,
premier ordre conduit 2-l = e-oTe x 1 - 1-2-'
soit :P=
, qui est bien la relation tablie

K?

Le programme BASIC correspondant est le


programme 1.
Programme 1

par la drivation.

Le remplacement de P par

1-2-

T,

conduit

une quation de la forme :


Y(Z)[a,S-"
a m - l g - ( m - l+
) ... + a,]
= X(Z>[b,S-"
...

+ + b,].

La multiplication par 2-" faisant passer de


l'chantillon d'ordre n
l'chantillon d'ordre
n - rn, l'quation aux diffrences s'crit :

+ ... + aOyn= b,x,-, + ... + boxn.

arnyn-,,,

Exemple
Soit synthtiser la transmittance

avec : CO,

1O0

10071 radlsec; rn

= 0,l.

La rponse de la chane de traitement numrique


est donne la figure 14, alors que la rponse
thorique est donne la figure 15.
La frquence d'chantillonnage n'tant pas
suffisamment leve par rapport a f,,le calcul des
coefficients par quivalence de la drivation
conduit une rponse d'une mdiocre prcision.

signaux chantillonns

Fig. 14.

Fig. 15.

5.3.

QUIVALENCE
D E LINTGRATION

Soit y ( t ) = s,x(u) du la fonction intgrale de x(t).


Le passage de y , - y , se fait en ajoutant y , - 1 ,
la surface hachure dans la figure 16. En
assimilant cette surface un trapze, il vient :
Y , - Y,-1

x, + x,-1
=

T,.

Fig. 16.

1O1

thorie du signal

Traduisons cette opration sur les transformes


en Z :

avec
coo = 10071 rad/sec,
rn = 0,1,
T, = 2 . 1 0 - 3 s .

On passe ainsi de la transforme en 2 dun signal Le passage la transforme en 2 conduit :


la transforme en 2 du signal intgral par une
2 1 -2-
T, 1 2-1
Y+;
2mCoomultiplication par T
,1+ 2-1
2 1 - 2-- l
Lopration intgration se traduit, sur les
transformes de Laplace, par une division par 0.
En consquence, lapproximation propose permet de passer de la transmittance de Laplace
la transmittance en 2 en remplaant P par
2
1
2
7

T, 1 + 2-
=x(z)[o;T,2(1
+ 2-2 - 1 + 2-2)>3.

Pi+-

2 1-2-l
Tel+Z-l

Ce qui donne pour lquation de rcurrence :

Ce remplacement est aussi appel transformation


bilinaire.
REMARQUE
La relation exacte: est Z = epTe. Si T, est
suffisamment faible, un dveloppement limit au
troisime ordre conduit :
P 2 T 2 + L.
P3T3
z+ = e + E T e = 1 + -p T , + e
1

La transformation bilinaire scrit :

Lapplication numrique donne :


y,

1 , 5 5 1 9 3 ~ 1~ - 0,89181yn-2

+ 0,084971 (x, + 2x,- + x,

-2)

Le programme 2 permet de simuler la rponse


sur ordinateur.

Programme 2

Effectuons-en un dveloppement limit au troisime


ordre :

P 2T 2 P 3T 3
1 + P T , + d +=_e
2
4 .

La transformation bilinaire sidentifie donc la


transformation exacte, jusqu au deuxime ordre.
Nous pouvons donc en conclure quelle est meilleure
que celle provenant de la drivation.

Exemple
Reprenons 1exemRle traite par lquivalence de la
drivation :

102

La courbe obtenue est donne 2i la figure 17. O n


peut constater quelle est trs proche de la courbe
thorique de la figure 15. On peut cependant y
dceler une lgre erreur sur la pulsation propre.

signaux chantillonns

Fig. 17.

ao

60

40

20

5.4. UTILISATION
D E LA RPONSE
IMPULSION NELLE

sannulerait avant linstant t = T,. Pour elle, en


labsence de nouvelle information, le signal
dentre est gal a A . Elle voit donc un crneau
damplitude A et de dure T,. Ce crneau est
reprsent par x(t) la figure 18.

Rappelons que le signal chantillonn x*(t)


scrit, en fonction du signal dentre x ( t ) :

c x(nT,)G,(t
to

x*(t) =

Fig. 18.

nT,),

n=O

x*(t) est une somme dimpulsions de Dirac.


Par suite de la linarit des systmes tudis, la
suite y , est obtenue en chantillonnant le signal
de sortie rsultant de toutes les rponses
impulsionnelles antrieures. En dautres termes
y(n<) scrit :

Sa transforme en 2 est :

Y(~T=
,)

m=O

x C(n - m) Tel hi(mT,),

o hi(mT,) est la valeur, linstant mT,, de la


rponse impulsionnelle.
Pour rsoudre le problme propos en 5.1,
tablissons lquation de rcurrence, qui, a une
impulsion dentre, fait correspondre une suite
de valeurs y , , obtenues par chantillonnage de
la rponse impulsionnelle du systme de transmittance H(P).
Considrons 1 impulsion )) dentre x ( t ) reprsente la figure 18, dont la transforme en 2 est
-X _( Z ) = A . Remarquons que la chane de
traitement numrique est incapable de distinguer
le signal x ( t )de tout autre signal dont lamplitude
serait gale A linstant t = O et qui

c x(nT,)Z-
Co

(2)=
-X _

= A.

n=O

Sa transforme de Laplace est :


J o-

1
-

La transforme de Laplace du signal de sortie

Y (P )est
-

donc la somme de deux rponses :


H(P)
lune, A -,
tant la rponse du systme
P
un chelon damplitude A ;
H ( P ) e - P T , , tant la rponse
lautre, - A=
P
du systme
chelon damplitude - A,
en retard de T, sur le prcdent.

un

103

thorie du sianal

H ( P ) en lments simples :
Dcomposons =
P
-

L'expression :

est la transmittance en 2 de la chane de


traitement numrique.

o Pi sont les ples de -.H ( P )


P

La rponse correspondante s'crit :


k

r(t) =

1 Ai ePit.
i=O

La transforme en 2 de r (t) s'crit :


Co

R(z) =

1 r(nT,)Z-',
-

n=O

soit :
o o k

R (2 )=

1 Ai ePinTe2 - "
-

n = O i=O

L'opration somme tant distributive par rapport elle-mme, on peut permuter les deux
signes C et crire :
k

R (Z )=

03

1 1 (ePiTeZ-l)n,
i=O
n=O

Co

1 (ePiTe2-1)n
tant la somme des termes d'une
n=O

- ',
progression gomtrique de raison eEiTeZ1
s'crit 1 - ePiTeZ-1 ' soit

Sachant que toute multiplication par 2 - se


traduit par le passage d'un chantillon au
prcdent, la connaissance de _
H (-2 ) permet,
partir de _
Y (_2 )= _
H (-Z_
) X-( Z ) , de dterminer
l'quation de rcurrence.
Exemple
Reprenons l'exemple prcdent :

H (-P ) =
wc

avec coo

+ 2 r n c o-0 ~+ -p 2

m = O,i, T, = 2 . i O - 3 s;

= i007c,

R(2)
- est

la transforme en 2 du signal dont la


H(P)
transforme de Laplace est ===.
P
En consquence la transforme en 2 du signal

)(''

P
-

e-pTeest 2-l x R(2).


- En effet, les multipli-

cations par eppTeet par 2-l traduisent toutes


deux un retard de T, G r les transformes
correspondantes.
La transforme en 2 du signal de sortie s'crit
donc :
Y (2 )= (1 - Z-')R(Z)A
-k

car

104

X (2 ) = A.
-

_
H(E) -

P
-

mc

P (P-P , ) (P -P2)
-

avec

k-

+j w o J G 2

= - mao/+ jco,

m u O-j w o J G 2

= - mcoO-jco.

P,

= - muO

- -

La dcomposition en lments simples donne :

W E ) =--+-+A0

P
-

avec

P
-

A,
P
,
- P-

A2

P - P-,
_

signaux chantillonns

La transmittance en 2 scrit donc comme dans lencadr ci-dessous.

Lapplication numrique conduit :


,-mwoT,

= 0,9391,

COS

U T , = 0,8109,
sin coq = 0,5852,

2 emwoTe
cos wT, = 1,523,e2mwoTe
- 0,8819,
i

m
e-mwoTecos coT, + J1-mZsincoT,

=
e-mmoTe

Le programme 3 permet de simuler la rponse sur


ordinateur.

Programme 3

0,18325,

emwoTe
- cosco~,

+J

~m . s i nU T ,

soit
0,183252-
H ( Z ) = 1 - 1,5232-

+ 0,17562-2
+ 0,88192-

_
Y (_Z )

-X (Z)

do lquation de rcurrence :

La courbe obtenue est donne la figure 19. Elle


est confondue avec la courbe thorique de la
0,18325~,-1+0,1756~,-2. figure 15.

Y , = 1 , 5 2 3-~1~- 0 , 8 8 1 9 -~2~

105

thorie du signal

40

20

60

80

Fig. 19.

EXERCICES
1.
Une chane de traitement numrique prlve, avec une
1
frquence f, = -,des chantillons x, = x(nT,) sur un signal

a) A partir de

x(t).

tablir la transmittance en Z

y,

T,

CALCULATEUR

1" L'unit de calcul dtermine chaque instant d'chantillonnage, une valeur y , = y(nT,) telle que
1

y, = - (x,

+ 2X" - + x,, 1

2).

En supposant que le signal x ( t ) est sinusodal


calculer la valeur y(nT',) de
l'chantillon y,,.
b) Montrer que y(nT,) correspond l'chantillon qui serait
prlev sur la sinusode
a)

( x ( t ) = X cos o t ) ,

X
y ( t ) = - (1
2

+ cos OT,)cos (ot- WT,).

Quelle est la fonction ralise par la chane de traitement


numrique?
2" On dsire retrouver les rsultats prcdents l'aide des
transformes en Z.

106

1
4

= - (x,

+ 2x,-1

Xfl- 2 )

b) En posant
= eJwTe,dterminer la transmittance
complexe HCjw) et retrouver les rsultats de la question
1" b).
c) Tracer les courbes

IHCjo)l = f ( o )

et arg HCjo) = f(o).

3" En pratique, les chantillons sont prsents un


bloqueur dont la transmittance de Laplace est

tablir que la transmittance complexe de la chane complte


s'crit

2.
Une chane de traitement numrique fournit des chantillons y,, = y(nT,) qui sont les moyennes des N chantillons
prcdents, soit
y,

N1 (x, + x,-1 + ... + X,_N+J.

signaux chantillonns

Y(Z)
1" Dterminer la transmittance en Z , H (2 )=
et la
X (2)
mettre sous la forme

b) Soit e, la valeur de e(t) l'instant nT, iz, et soit sinla


tension aux bornes de la capacit Ci cet instant. Intgrer
l'quation prcdente en supposant que la tension e(t) reste
constante et gale e,.
c) Soit si(n+l)
la valeur de s ( t ) l'instant nT, + (i 1)z.

--

ein + (sin- ein)e-RC.


1

2" En dduire que la transmittance complexe se met sous la


forme
T

sin

NO

Montrer que s

~ ( ~=
+ ~ )

En posant a
suivante :

1 - e - E , tablir la relation de rcurrence

+ sein.

= (1 - a)sin

sin

O2

3" Tracer les courbes

arg H(jo)= f ( o ) et

1HCjo)l = g ( o ) .

3.
Le schma d'un filtre capacits commutes est reprsent
sur la figure 1.

d ) En dduire la transmittance en 2 : H ( 2 ) = A.
sm
-Ei(2" A partir des rsultats de la question l", on peut donner le
( 2 )= E,(Z)
schma quivalent du dispositif (fis.3), avec -E _
+ g2(2)+ ... + EN(2).

Fig. 1.
Toutes les capacits sont gales : Cl = C, = ... = CN.
Les interrupteurs K , , K 2 , ..., KN sont ferms squentiellement, pendant un temps z, avec une priode T,,comme
indiqu sur la figure 2.

Fig. 3.
a) tablir la relation S ( 3 = H ( Z ) E ( Z ) .
tablir la transmittance complexe
b) En posant 2 =
~
(
j
o
et
)
la
mettre
sous
la
forme
-

Interrupteur ferm
c) Montrer que le module

Interrupteur ouvert

I y M i=

IH(jo)lde H ( j w ) s'crit

J2.

- 2a

+ 2 + 2(a - 1) cos OT,

Fig. 2.
On s'intresse au signal s ( t ) en rgime permanent aprs le
temps d'tablissement.
On suppose que le nombre N de cellules ((capacitinterrupteur )) est suffisamment grand pour que le signal e(t)
soit pratiquement constant pendant l'intervalle de temps z.
1" tudions l'volution de la tension aux bornes de la
capacit Ci pendant l'intervalle de temps [nT, iz,
nT, (i l)z].
a) crire l'quation diffrentielle reliant s ( t ) et e(t)pendant
cet intervalle de temps.

+ +

En dduire que IH(io)l


est priodique de priode w,
-

271

= -.

T,
Tracer l'allure de la courbe IH(jo)l= f(o).
d ) Application numrique : R = 150 kQ; C = 10 n F ;
T, = 10-3 s; N = 64.
Dterminer les valeurs maximale et minimale de IH(jo)l.
e) Justifier, par un raisonnement physique, que IHTco)l
est
2nk
gal 1 pour les pulsations w = - et qu'il est
T,
2nk
pratiquement nul pour les pulsations O =
+ -.71
~

T , T ,

107

tude
O nergtique
1. QUAT~ONI;

GNRALES

Nous choisirons, pour ce chapitre les conventions


dorientation de la figure 1.

Il vient alors :

= n+co
lim

nT
[SOui

dt

nT+to

ui dt]

JnT

car
U

i+

u et i admettant T pour priode, on peut crire :

t , 6 nT.

Fig. 1.

soit :
Avec ces conventions, toute nergie ou puissance
absorbe par llment plac entre les points A
et B, apparatra positive, toute nergie ou
puissance fournie sera ngative.

ui dt

nT+to

+ nlim
+ m TITInT

ui dt.

Si lnergie absorbe pendant une priode nest


nT+to

Pendant le temps dt, la charge dq = i dt passe


du point A au point B. Elle perd lnergie
u dq = ui dt quelle fournit au diple, soit :

pas infinie, la grandeur

ui dt est borne et
J nT

ui dt

= O,

soit :

nergie fournie au diple pendant le temps


dt : d W = ui dt;
- puissance instantane fournie au diple
-

Les grandeurs u et i tant, dans le cas gnral,


susceptibles de variations rapides, nous sommes
amens dfinir la valeur moyenne P de la
puissance instantane par :
4

p = lim

rr

p dt

r + m r

rr

2J
iim

ui dt.

qui est bien lexpression de la valeur moyenne que


nous avons dfinie, au premier chapitre, dans le
cas des signaux priodiques.

1.2. CAS PARTICULIER


DE SIGNAUX
SIN USOIDAUX
Aux grandeurs sinusodales u et i sont associs,
deux vecteurs, respectivement U et 1 et deux
nombres complexes, respectivement et 1.
-

1.1. CAS PARTICULIER


DE SIGNAUX
PRIODIQU ES
Les grandeurs u et i de la figure 1 sont priodiques
de priode T . Dans lexpression de la puissance
moyenne P, z peut-tre crit sous la forme :
z = nT

108

+ to

avec

O 6 to < T .

1.Z.I.

Conventions

Nous appellerons cp langle de retard de i sur u,


soit :
u = U$

i =

cos

Olt,

fi cos (ut - cp),

tude nergtique

o U et I sont respectivement les valeurs efficaces


de u et i.
Avec ces conventions

1.2.2. Calcul de la puissance P


absorbe par le diple
de la figure 1
T

UI

[jo

cos (2cot - cp) dt

[ o T ~cp ~
dr]~

Le produit des valeurs efficaces de u et de i


S = U I est appel puissance apparente. Par
comparaison avec la puissance complexe, il
vient :
I
I

Cette puissance est mesure en V.A. (voltampres).

U I cos cp

1.2.6. Formulaire

Pour ltude en rgime sinusodal, nous retiendrons les formules suivantes :

U I cos cp.

1P

Puissance apparente

cotl $cos (cot - cp) d t

U $cos
= T

12 . 5 .

Cette puissance moyenne est aussi appele


puissance active.
1.2.3. Utilisation des nombres
complexes pour le calcul
de la puissance P

Effectuons, pour cela, le produit S = U I * , o I*


est le nombre complexe conjugu d e l ; est
appele puissance complexe :
S = -UJ* = 2U1ejv = 2UI[cos cp

+ j sin cp].

Par comparaison avec lexpression de la


puissance active, il vient :

=;

avec Re [SI

Re[S]

= partie

1.2.7. Thorme de Boucherot

Rcepteurs en srie
Considrons la mise en srie de n rcep eurs
dcrite la figure 2.

1
Re[gI*],
2

=-

relle de S.

1.2.4. Puissance ractive

Il apparat dans lexpression de la puissance


complexe le terme
Q

Fig. 2.

A partir des quations :

{;
;1:

1
U I sin cp =-Im[S]
2

o Im [SI
- est la partie imaginaire de S.
Nous lappellerons puissance ractive.
Cette puissance, ne correspondant aucune
puissance relle, nest pas mesure en watt mais en
V.A.R. (volts-ampres-ractifs).

g 2+ ... + En,

on crit :

s El!* + g21*+ ... + En!*,


=SI + s 2 + ... + S,,
o Si, S2, ..., 2, sont les puissances complexes
-=

absorbes par les rcepteurs lmentaires.

1O 9

thorie du signal

Rcepteurs en parallle (fig. 3 )

+ +

A partir de I* = IT 12 ... + L,: on peut tablir


S,.
de la mme-faon que 5 = 5, + S2 + ... + -

o l i J 5 cos (colt + i- qi)est le courant qui


parcourrait le diple si la seule tension u
applique tait gale uiJi cos (colt OJ.

Calculons, ds lors, la puissance moyenne


absorbe par le rcepteur :
P

val. moy. [ui].

On peut vrifier que :

cos (colt

Fig. 3.

La puissance complexe tant, dans tous les cas, la


somme des puissances complexes absorbes par
les rcepteurs lmentaires, on peut crire :
S
= = (Pl + j Q J + (P2 + JQ2)+ ... + (Pn + jQn)
2
= (Pl P2
... P,)

+ + +

-tj(Ql

+ Q2+ ... +

Qn)

=P

+ jQ,

la valeur moyenne de

+ el) . cos (colt + 8i - (pl)

cos q .
est gale 2.
2 '
- la valeur moyenne de
cos (colt + el) cos (aj
t + ej - qj)
est nulle si coi # coj.
Il vient alors :

U , I , cos q, + U , I , cos

ou, en galant parties relles et imaginaires :

+ ... + P,

= P, -t P,

Q = QI

iQ2

+ ... + Qn.

Les puissances actives et ractives absorbes


par un ensemble de rcepteurs lmentaires
sont respectivement gales la somme des
puissances actives et la somme des puissances
ractives absorbes par chacun des rcepteurs.

La puissance absorbe par le rcepteur apparat


ainsi comme la somme des puissances que lui
fournirait chaque tension sinusodale suppose
seule, mais il est ncessaire pour cela que le
rcepteur soit linaire et que les frquences des
tensions sinusodales soient diffrentes.

2.
1.3. CAS PARTICULIER D'UNE
S O M M E D E SIGNAUX
SINUSOIDAUX
D E FRQUENCES
DIFFRENTES

+
... + UnIncos ( p n .

9 2

PUISSANCES ABSORBES
PAR LES RCEPTEURS
LEM ENTAI RES

2.1. SOURCE D E TENSION


CONSTANTE

(fis. 4)

La tension u de la figure 1 s'crit :


u=

u, J5cos(co1t + 8,)

+ ?Y2$ cos (co,t + O,)


+ ... + un$ COS (ont+ en).
Le diple rcepteur tant suppos linaire,
l'application du thorme de superposition
conduit crire le courant i sous la forme :
i = I , $cos

110

+ o1 vol>+
... + I n f i cos (CO,
t + 8, - q,),

(colt

La puissance instantane
s'crit p = ui = Ei.
Fig. 4.

Sa valeur moyenne est


P = val. moy. [Ei] = Eval. moy. [il,

quelle que soit la forme du courant i.

tude nergtique

2.2.

SOURCE D E COURANT
CONSTANT (fig-5)

i2 dt et

u2 dt.

Uzff =

Il vient alors :

Fig. 5.

+F-

La puissance instantane scrit p


Sa valeur moyenne est
P

= val.

moy. CUI,]

= 1,

= ui = ul,.

. val. moy. Cu],

2.3.3. En rgime sinusodal


permanent

La puissance complexe scrit S = -U I * , avec


U
=
RL,
soit
-

quelle que soit la forme de la tension u.

2.3. RSISTANCE (fig. 6)

Nous en dduisons les expressions des puissances


active et ractive :

Fig. 6.

expression dans laquelle U et I sont les valeurs


efficaces de u et i.

La puissance instantane scrit


p

U2

= ui = Ri2 = -

2.4: CAPACIT (fis. 7)

Sa valeur moyenne est


P

1
R . val. moy. Ci2] = -.val. moy. Cu2].
R

-4U

2.3.1. En rgime continu

Fig. 7.

i et u sont constants et gaux respectivement I


et U , il vient alors :
2.4.1. nergie emmagasine
par une capacit
1

2.3.2. En rgime priodique tabli

Les valeurs moyennes de i2 et de u2 scrivent


respectivement :

Ce qui correspond la dfinition de la valeur


efficace que nous avons donne dans le premier
chapitre :

Si pendant le temps dt, la tension aux bornes de


la capacit varie de du, elle reoit lnergie
du
dW = u i dt. Sachant que i = C -, cette nergie
dt
scrit :
du
d W = C - u dt = CUdu.
dt
La capacit nabsorbe donc lnergie que dans la
mesure o du nest pas nulle, cest--dire lorsque
la tension u varie.

111

thorie du signal

Pour faire passer la tension u de O U o il est donc


ncessaire de fournir la capacit lnergie

1
W = fouoCu du = - C U ; ,
2

Expression dans laquelle U et I sont les valeurs


eficaces de u et i.
Remarquons que Q est ngative : la capacit est
un gnrateur de puissance ractive.

Cette nergie est emmagasine, sous forme


lectrostatique, en tous les points de lespace o le
champ lectrique E est non nul.

2.5. INDUCTANCE (fig. 8)

2.4.2. En rgime continu

Fig. 8.

La tension u aux bornes de la capacit tant


constante, elle nabsorbe aucune puissance :
2.5.1. nergie emmagasine
par une inductance

Ip=P=Ol

2.4.3. En rgime priodique


tabli

La puissance moyenne absorbe par la capacit


scrit :

Fl I oTui dt = $loTCu du

C
P = -[u2(T)
2T

Si, pendant le temps dt, le courant dans


linductance varie de di, elle reoit lnergie
di
dW = ui dt. Sachant que u = L- cette nergie
dt
scrit :
di
dW = L-i dt = Li di.
dt
Linductance nabsorbe donc dnergie, que dans
la mesure o di nest pas nulle, cest--direlorsque
le courant i, qui la traverse, varie.

- u2(0)].

La tension u admettant T pour priode :

Pour faire passer le courant i de O I o , il est donc


ncessaire de fournir linductance lnergie :
1
W = jOIoLidi = LI;,

2.4.4. En rgime sinusodal


permanent

La puissance complexe scrit S = -UI* avec


I = jCcU,
- soit -I* = - jCcoU*,
- soit :
II*
S = - j C o-u u * = -j =
CCO

ou

S=
-

- jCwlUJ2
- =

-j

III2
=---.
CCO

Nous en dduisons les expressions des puissances


active et ractive :

112

Cette nergie est emmagasine, sous forme


lectromagntique, en tous+les points de lespace
o le champ magntique H est non nul.

2.5.2. En rgime continu

Le courant i parcourant linductance tant


constant, elle nabsorbe aucune puissance :

tude nergtique

2..5.3. En rgime priodique


tabli

3.2. RGULATION

La puissance moyenne absorbe par linductance


scrit :
P = TJ,
l Tui dt = &JoTL di,

Le schma gnral du dispositif est donn sur la


figure 10.
4

PAR BALLAST

E-U

Ballast

Charge

L
P =-[i2(T) - i2(0)].
2T
Le courant i admettant T pour priode :

2.5.4. En rgime sinusodal


permanent
La puissance complexe scrit
U*
U = jLwI,
- soit I* = j=-,
do
Lw

Fig.

5 = g*avec

Nous en dduisons les expressions des puissances


active et ractive :

expression dans laquelle U et I sont les valeurs


efficaces de u et i.

1 Rfrence de potentiel

IO.

O Le ballast B est un ensemble dlments


lectroniques qui fonctionne la manire dun
amortisseur :
- il dlivre sur sa sortie E le mme courant I
que celui qui entre par le point C;
- quelle que soit la diffrence de potentiel
E - U apparaissant entre lentre C et la
sortie E , il impose entre les points B et E
une tension constante de lordre de 1 volt.
O Lamplificateur A est suppos idal :
- il nabsorbe aucun courant sur ses entres
et -;
- il fournit en sortie une tension

& = A(V+ - V-).

O La
rfrence Re, fournit une tension
constante U,.

3.2.1. Fonctionnement

A partir des quations :

3.1. PROBLME (fis, 9)

Vs

= A[V+

- V-]

v+= uo

Fig. 9.

Nous nous proposons de construire un dispositif


qui, aliment par une tension constante E , fournit
une charge rsistive R, une tension
constante U , dont la valeur peut tre rgle par le
rgulateur.

l + A

R1+ R2

113

thorie d u signal

Si l'amplification A est trs grande, on a


sensiblement U

= R 1 +- R 2

t"

U,. On peut donc

R2

rgler la valeur de la tension U par le rapport des


rsistances R , et R,.
O

aT

3.2.2. tude nergtique


Fig. 12.

Les rsistances R , et R 2 peuvent tre choisies


suffisamment grandes par rapport R pour que la
puissance qui y est dissipe soit ngligeable.
Le principal inconvnient du dispositif provient
de la puissance dissipe dans le ballast
PB = ( E -

U
U)I = (E - U)-,
R

alors que la puissance fournie la charge est


U2
Pu =
R '
Dans le cas o U

c
L
= -,

c 2

P,

=P

2
ment du dispositif est de 50 O / O .

I;

'

- - le
- 4R

rende-

De l'quation entre les valeurs instantanes


+ U , on tire la relation entre les valeurs
moyennes Vmoy= aE = U , soit U = aE.
On peut donc rgler la valeur de la tension U par
le rapport cyclique a.
O

u = uL

3.3.2. tude nergtique

Lorsque le rgime priodique est tabli, l'inductance et la capacit ne consomment aucune


puissance. Toute la puissance fournie par le
gnrateur de tension E se retrouve donc, dans la
charge R. Le rendement du dispositif est donc de
100 %, et ce, quelle que soit la valeur de la
tension U .

3.3. RGULATION
PAR DCOUPAGE
Le schma gnral du dispositif est donn la
figure 11.
,

---.-.-

"L

Charge,

4.APPttCATtOM :
ADAPTATI O M
EN PUlSSARiCE

4.1.
PROBLME
-

~~

Fig. 11.

Considrons le dispositif de la figure 13 constitu


par un gnrateur sinusodal d'impdance
2,.
interne ZG et une impdance de charge -

Le hacheur est un ensemble d'lments lectroniques fonctionnant la manire d'un interrupteur basculant priodiquement de la position (1)
la position (2) avec le rapport cyclique a.

3.3.1. Fonctionnement

La tension II a l'allure dcrite la figure 12. Sa


valeur moyenne est Vmoy= aE.
La capacit C a une valeur suffisamment
leve pour que la tension ses bornes reste
constante et gale U .
O

114

Fig. 13.

Posons

tude nergtique

et cherchons les conditions pour lesquelles le


gnrateur fournit le maximum de puissance la
charge

zu.

A partir des quations

La puissance complexe fournie la charge scrit

4.2. ADAPTATION
DIM PDANCE
Dans le cas o le gnrateur et la charge sont
quelconques, on peut intercaler, entre la charge et
le gnrateur, un quadriple (fig. 14) qui, ferm
sur limpdance Z,, prsente une impdance
dentre gale 2%.

1------

formule dans laquelle E est la valeur efficace de la


force lectromotrice du gnrateur.
La puissance active fournie la charge scrit

Cherchons, ds lors, les conditions pour


lesquelles cette puissance est maximale, sachant
que Ru et R, sont positifs et que X , et X ,
O sont ngatifs si limpdance correspondante est
capacitive,

Fig. 14.

Afin dviter toute dissipation de puissance dans


le quadriple Q, ce dernier est ralis avec des
lments ractifs (inductances et capacits). La
puissance fournie par le gnrateur limpdance
dentre 2; du quadriple se retrouve intgralement da& limpdance de charge gu.

O sont positifs si limpdance correspondante est


inductive.

Il apparat ainsi que la premire condition


raliser est X , = - X ,
RU
soit P = E 2
(RU

+ RG)2

Afin de dterminer le maximum de P, cherchons


dP
la valeur de Ru qui annule -:
dRU
dP
-- - E2 R G - R u
= O pour R , = R u
dRU
(RG + Rd3
Ce qui donne pour la puissance maximale
F;2

Au total, la puissance fournie a la charge est


E2
maximale et vaut -lorsque
4RG

soit

6- MESURES DE PUISSANCE
5 , l . SCHMA

SYNOPTIQUE
DUN WATTMTRE

A partir de lexpression de la puissance


P = val.moy.[ui], on peut donner le schma
synoptique dun wattmtre (fig. 15) :
II

MUTIPLICATEUR

VALEUR
MOYENNE

Fig. 15.

115

thorie du signal

5.2. WATTM TRE


LECTRODYNAMIQU

Un wattmtre lectrodynamique possde


(fig- 16)
- un circuit gros f i l parcouru par un courant i,
- un circuit fil f i n soumis une tension u.
/

Circuit gros fil

Le couple instantann agissant sur le cadre


mobile est proportionnel au produit ui.
Compte tenu de son inertie l'quipage mobile se
fixe sur une position moyenne pour laquelle
le couple moyen, proportionnel val.moy. Cui],
est gal au couple de rappel. Le wattmtre
lectrodynamique indique donc la valeur moyenne du produit ui.
Dans le cas particulier d'une utilisation en rgime
sinusodal permanent,
u

i =

Circuit
fil fin

U J Z cos ot

13
cos (ot- cp)

L'indication du wattmtre est :


1
P = UI COS ~p = - R,[E!*]
2

Fig. 16.

EXERCICES

1. Soit le montage ci-dessous.

Le quadriple Q est ralis, l'aide d'lments purement


ractifs, suivant l'une des deux structures de la figure 2.

Structure

'
1" L'interrupteur K tant ouvert, le montage est aliment
par une tension sinusodale de valeur efficace U = 140 volts
de frquence 50 hertz. Il absorbe alors un courant de valeur
efficace Z, = 1 A et une puissance active P = 60 W.
Calculer R et La.
2" L'interrupteur K tant ferm, le montage est aliment
par une tension sinusodale de valeur efficace U = 80 volts
de frquence 50 hertz.
Il absorbe alors un courant de valeur efficace Z, = 1,5 A et
une puissance active P = 120 W.
1
Calculer R , et -.
C, 0
2.

On alimente l'aide d'un gnrateur sinusodal de frquence

f = 1,6 kHz et de rsistance interne RG, une impdance de


charge Ru. Afin de raliser l'adaptation d'impdance, on
intercale un quadriple Q entre le gnrateur et la charge
(fig. 1).

RU

Fig. 1 .

116

Structure

Fig. 2.
L'impdance Z,

= jX,

est une inductance.

1" Quelle structure faut-il choisir pour le quadriple Q


dans les cas suivants :
a) RG > Ru; b) RG < RU.
2" Calculer les ractances X , et X 2 du quadriple, et en
dduire les valeurs correspondantes des inductances et des
capacits dans les cas suivants :
a) RG = 3 kR et Ru = 30 kR;
b) RG = 30 kQ et Ru = 3 kR.

3" Calculer la puissance fournie la charge R u , d'une part


lorsqu'elle est connecte directement au gnrateur, d'autre
part lorsqu'elle est alimente travers le quadriple Q et ce,
dans les cas suivants :
a) RG = 3 ki2 et Ru = 30 k a ;
b) R, = 30 kR et Ru = 3 ka.

tude nergtique

3.
Un systme triphas quilibr en tension est constitu de
trois tensions sinusodales de mme amplitude et dphases
271
de - l'une par rapport l'autre : 3

e,

On donne 2R

2Lo

= -=

CO

100

a.

a) Calculer, en fonction de E, la puissance active P

absorbe par le montage.

b) Calculer en fonction de E, les expressions complexes des


courants LI, L2, J 3 , puis II' L2

E cos ot;

r3.

.):

4" On branche deux wattmtres comme l'indique la


figure 2.

e3 = E cos (ot -

1" Montrer que les nombres complexes qui leur sont


associs sont respectivement :

r-----

El = E
E , = g2E
{i2=aE
2rr

271

. . 2 7 1

avec a = e J 3= cos - + J sin - =


3
3
2" Vrifier les galits suivantes :

--

&

+ j ~.

Fig. 2.
a3=1;
-

1 + a-+ a2=0.

3" Les trois tensions triphases sont utilises pour alimenter


le dispositif de la figure 1.

Le circuit gros fil du premier wattmtre est mont en srie


sur le conducteur parcouru par le courant II.Son circuit fil
fin est soumis la tension - E3.
0

0 Le circuit gros fil du second wattmtre est mont en srie


sur le conducteur parcouru par le courant L,. Son circuit fil
fin est soumis la tension E2.

Calculer les indications W, et W, des deux wattmtres.


Comparer la puissance active P absorbe par le montage
la somme W, W,.

13
Fig. 1.

117

thorie du signal

1=

tiUTRODUCTlON

Nous navons tudi jusqu prsent que des


signaux parfaitement connus, on les appelle
gnralement dterministres : ils sont connus par
leur reprsentation et elle est unique, ce nest pas
toujours une fonction mathmatique simple
calculer, mais on peut toujours connatre le
spectre en frquence de cette fonction : cest-dire, la rpartition en fonction des frquences de
lnergie contenue dans le signal; ces lments
permettent tout instant t de dterminer avec
certitude la valeur du signal linstant t + z,
quelque soit z.
Il existe une classe de signaux qui ne rpondent
pas ce critre, et quil est facile de mettre en
vidence sur un exemple.
On envisage la sortie dun amplificateur diffrentiel dont les deux entres sont mises la masse.
Si la tension doffset a t parfaitement rgle, la
sortie doit tre gale zro, or si on augmente
de faon importante la sensibilit de loscilloscope, on constate que la sortie nest pas nulle :
elle fluctue autour de zro et est totalement
imprdictible.
r

Les grandeurs mises en uvre sont les courants;


ce sont donc des passages dlectrons (ponctuels
et porteurs dune charge quantifie dlectricit).
Leur dplacement en absence de diffrence de
potentiel lentre de lamplificateur est li au
hasard et il en passe donc - en temps
suffisamment long - autant dans un sens que
dans lautre. Toutefois, aucun moment, il nous
est possible (mme si lon pouvait les peindre!)
de les dsigner nommment et de prvoir leur
mouvement, donc de connatre la quantit
dlectricit qui est passe un instant t donn :
ces phnomnes sont tudis par la physique
statistique.
Nous tudierons ensuite sur quelques cas en
lectronique les proprits de ces signaux.

2.

GRANDEURS ALATOIRES

2.1. QUELQUES PROPRITS


Les grandeurs o le hasard intervient portent
le nom de grandeurs alatoires (du latin ala :
ales ds, le hasard))); les statisticiens ont
dvelopp la thorie des probabilits pour les
tudier.
Nous nous contenterons des lancers de pices, et
jets de ds afin den dcouvrir les principales
proprits.

Fig. 1

Ce sont les proprits intrinsques du composant


qui sont mises en vidence dans cette exprience.
Ces fluctuations vont nous gner si nous
introduisons une tension diffrentielle trs faible
lentre de lamplificateur; il nous appartient
de les connatre le mieux possible pour sen
affranchir.

118

2.1.l.Approche intuitive
Prenons le problme pos au lanceur de pices
de monnaie. Les probabilits et leur thorie
permettent non de percer les secrets du hasard,
mais dapporter des renseignements sur le
rsultat dune exprience dpendant du hasard;
nous savons intuitivement quil a une chance sur

sianaux alatoires

deux davoir pile (ou face) chaque lancer, nous


ne pouvons pas prvoir le rsultat au lancer, mais
avec un risque minime, nous affirmerons que
pour 2 O00 lancers, il aura approximativement
obtenu autant de fois pile que face, soit 1 O00 de
chaque.

Pour obtenir lthnement (A) :


Pr(A) =

Nbre doccurrence de ( A )
Nbre dpreuves

On notera
(NA)
Pr(A) = lim N+co

2.1.2. Dbut daxiomatisation

Chaque lancer de pices correspond une


exprience. Cest celle-ci qui dpend du hasard,
elle donne deux rsultats; on appelera le rsultat
de lexprience : un vnement (alatoire) lmentaire. Il y a deux vnements lmentaires : pile,
face; lespace des vnements lmentaires sappellera lensemble des vnements lmentaires :
(pile, face).
Exemple dapplication

Exemple dapplication

Le lancer des ds.


On constate immdiatement que la proba-ilit
de lvnement certain vaut 1 car, en effet, cest
N
le rapport de -.
N
De mme, on constate que la probabilit de
lvnement nul vaut O.
Nous avons : N = N1 + N 2 N3 + N4 + N 5 + N6.
Si les ds ne sont pas pips, nous aurons au bout
dun grand nombre de lancer :

NI

= N 2 = N3 =

N4

N5

N6,

Un d comporte six faces numrotes de 1 6.


Quels sont les vnements lmentaires et quel
est lensemble des vnements lmentaires?

car chaque vnement est quiprobable,


donc N = 6 N i , i~ [l a 61,

Rponse

1
et Pr( 1) = Pr(2) = Pr(3) = Pr(4) = Pr(5) = Pr(6) =-.
6

Les vnements lmentaires sont :


face 1, face 2, face 3, face 4, face 5, face 6.
Lensemble des vnements lmentaires :

2.2. PRINCIPAUX TH ORM ES

(1 2, 3 4, 5 6).
Cet exemple va nous permettre de dfinir dautres
types dvnement, car de cet ensemble on peut
tirer un grand nombre de sous-ensembles qui
dfiniront alors un vnement alatoire non
lmentaire par exemple :
- vnement pair : (2, 4, 6)
- vnement impair : (1, 3, 5).
Nous voyons immdiatement que deux vnements viennent complter la liste, ce sont :
- lvnement certain : il contient tous les
vnements lmentaires;
- lvnement nul : il ne contient aucun des
vnements lmentaires.
2.1.3. Probabilit

On peut dfinir intuitivement la probabilit


comme la limite, si elle existe, de la frquence
relative doccurrence dun vnement par rapport
au nombre dpreuves ralises lorsque ce nombre
dpreuves tend vers linfini.

2.2.1. Somme de deux vnements

On appelle somme de deux vnements A et B,


lvnement A + B ou A u B ( A union B)
consistant en la ralisation de lvnement A
ou de lvnement B ou de A et B ensemble.
On reprsente habituellement les vnements par
des domaines de lespace probabilit, lunion des
deux domaines est reprsent par :

Fig. 2

Si les deux vnements nont aucune partie


commune, on dit alors quils sont incompatibles,
cest par exemple :
- lvnement P : faces paires;
- lvnement I : faces impaires.

119

thorie du signal

Ils seront alors reprsents disjoints :

b) La probabilit dobtenir lvnement somme


de deux vnements compatibles est gal la
somme des probabilits de ces deux vnements
diminue de la probabilit de lintersection de
ces deux vnements.
Pr(A + B) = Pr(A) + Pr(B) - Pr(A . B)

Fig. 3

Application

2.2.2. Produit de deux vnements


Cest lvnement consistant en la ralisation
simultane des vnements A et B on la note
A . B o u A n B.

(-J)

...
.:.:.

AnB

Fig. 4

On constate immdiatement que dans le cas de


lexemple prcdent reprsent sur la figure 3
A . B est lvnement nul.
Exemple
Soit A lensemble des vnements pairs
A = (2, 4, 6)

et B lensemble des vnements nombres premiers

On en dduit immdiatement que :


Pr(A . B) = Pr(A) + Pr(B) - Pr(A

+ B).

2.2.4.ProbabiI its conditionnel les


Deux vnements sont dits indpendants si la
ralisation de lun ne dpend pas de la
ralisation (ou de la non ralisation) de lautre.
Si la ralisation de lun dpend de lautre, on
traduit cette dpendance par la probabilit
conditionnelle.
Si lvnement X dpend de lvnement Y, on
dfinit la probabilit Pr(X/Y) comme tant la
probabilit dobtenir X lorsque Y est ralis.
On dmontrerait que :
Pr(X. Y)
Pr(X/Y) =
Pr(Y)
Pr(X . Y )
et que
Pr(Y/X) =
Pr(Y) -

B = (1, 2, 3 5),
A . B = (2).

On en dduit que la probabilit dobtenir le


produit de deux vnements indpendants est
gale au produit des probabilits des deux
vnements.
Si A et B sont indpendants :

2.2.3.Thorme des probabilits totales

Pr(A . B) = Pr(A) Pr(B).

alors :

a) La probabilit dobtenir lvnement somme


de deux vnements incompatibles est gal la
somme des probabilits de ces deux vnements.

Pr(A

+ B) = Pr(A) + Pr(B)

c=A+.

AL~ATOIRES

3.1. DFINITION

Application
Soit C lvnement certain, en dfinissant par
le contraire de lvnement A , on aura :

3. VARIABLES

A chaque vnement alatoire on fait correspondre un lment de R.

O-=

Fig. 5

La probabilit de lvnement certain valant 1


on a donc 1 = Pr(A) + Pr(2)
ou

120

Pr(A) = i - Pr(A).

A lvnement ai de A , on fait correspondre


x ( a , ) ~ : Rce, nombre rel ou complexe varie en
fonction des diffrents vnements a,; on le note

signaux alatoires

~~

indiffremment x(ai) ou X : cest une variable


alatoire.
Si x prend un nombre discret de valeur on dit
que la variable alatoire est discrte.
Si x est dfini sur tout ou partie de laxe des rels
cest une variable alatoire continue.

Nous allons utiliser les diffrents rsultats noncs pralablement pour calculer les grandeurs
statistiques intressantes de cette variable alatoire.

Il nous faut connatre la loi de probabilit pour


lobtention dune face dun d.
Il y a six faces, elles sont quiprobables, donc
Pr(x

3.2.

ALATOIRE

DISCRTE

3.2.1. Dfinition des moments

On appelle esprance mathmatique note E(x),


la valeur moyenne de x.
Pour une variable discrte, appelons X i les
valeurs de la variable alatoire, Pr(x = Xi)la
probabilit dobtenir la ralisation de Xi.

ou

P r ( x = i pour i = 1 a 6)=-.
6
Nous devons ensuite calculer la loi de probabilit
de la variable alatoire somme de deux ds.
Nous allons recenser les diffrents cas possibles :
X E { 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12 1

xi1
+ X, Pr(x = X,)
+ ... + Xn Pr(x = Xn), 2 1 1 + 1

= X,)
n

E(x) =

1) = Pr(x = 2) = ... = Pr(x = 6).

Comme Pr(x = 1, 2, 3, 4, 5, 6) = 1 (vnement


certain), on en dduit

VARIABLE

E ( x ) = X , Pr(x

vnements ((somme))

1
36

1 XiPr(x = Xi).
i= 1

On pose en gnral :

E(x) = rn.

2
36

3 1+2,2+1

4 1+3,2+2,3+3

On appelle esprance mathmatique des carrs :


n

E(x,) =

X ? Pr(x = xi).

i= 1

On dfinit la variance comme lesprance mathmatique de (x - E(x)),, on la note cx.


O:

Pr(x = x i )

5 1 + 42

+ 3,3 + 2,4 + 1

6 1 + 5 , 2 + 43

= E ( x - E(x))

+ 34 + 35 + 1

3
36
4
36

5
36

6
36

On la calcule aisment :

a
: = E ( x 2 ) - rn2.

5
36

On dfinit de faon analogue, les moments


dordre k comme tant lesprance mathmatique
de xk :
n

E ( x ~=)

4
36

X: Pr(x = xi>.

i= 1

3
36

3.2.2. Exemple da ppIicat io n

On prendra comme exprience alatoire le lancer


de deux ds, et comme variable alatoire discrte
la somme des deux faces visibles.

2
36

11 5 + 6 , 6 + 5

12 6 + 6

4
1
36

121

thorie du signal

On vrifie bien sur que :

On en dduit le carr de lcart-type a


: :

Pr(x) = (2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, ,9, 10, 11, 12)

a
:

12

1 Pr(x = i )

i=2

= E ( x 2 )-

m2

= 5,833

oX = 2,41.

do

36
36

--

3.3.VARIABLE

=1
On reprsente cette loi de probabilit par le
graphique suivant : Pr(x = i ) .

ALATOIRE CONTINUE
3.3.1. Densit de probabilit

6/36
5/36
4/36
3/36
2/36

1/36
O

9101112

Fig. 6

Nous venons de voir que nous pouvions connatre


les proprits dune variable alatoire au travers
de la connaissance de la loi de probabilit de
cette grandeur.
A partir de lexemple du paragraphe 3.2.2. nous
avons pu reprsenter la probabilit dobtenir
lune des valeurs de lespace des x i , nous pouvons
intuitivement comprendre que si lespace des x
est un espace continu les points reprsentatifs
sont infiniment voisins et la reprsentation de la
loi de probabilit sera une courbe continue.

On remarque sur ce graphique que la loi de


probabilit de la variable alatoire discrte
(V.A.D.)est symtrique autour dun axe vertical
centr sur x = 7.

~ ( x=)

i x Pr(x = i)
36

36
5
+ 6 ~ 36
5
6
+7x-+8x-+9x36
36
3
2
10 x -+ 11 x -+
36
36

36

Fig. 7

i= 2

2x1
2
3
-+3x-+4x-+5x-

x2

X1

Calcul de la valeur moyenne de la V.A.D.

4
36

4
36
12
36

E ( x ) = 7.

Nous appellerons densit de probabilit et noterons


p(x) la fonction caractrisant la loi de probabilit.
Nous en dduisons immdiatement que la
Probabilit dobtenir un vnement sera dfinie
sur un intervalle ]x, x + dx]
Pr{ XE]^, x

+ dx]} = p ( x ) dx.

Nous pouvons immdiatement en dduire la


probabilit de lvnement certain, qui est donne
par lintgrale sur laxe des x;on peut la calculer :
Pr{xE[cc

+ CO]}=

+Co

p ( x ) dx

-00

On retrouve ainsi une proprit importante des


variables alatoires : lorsque la reprsentation de
la probabilit dune variable alatoire est symtrique, cet axe de symtrie se trouve toujours en

JW.
On calcule aisment E ( x 2 ):

=1

(rsultat du paragraphe 2.1).


Cette proprit est trs importante et permet de
vrifier que la fonction dcrivant la loi de
probabilit est exprime correctement.

12

E ( x ~=)

1 i 2 Pr(x = i )
i=2

122

54,833.

A retenir :

j j-y

P ( X ) dx = 1

signaux alatoires

3.3.2. Quelques lois de probabilit

On peut calculer les premiers moments de cette


loi de probabilit :

a ) Densit de probabilit des variables alatoires


quiprobables

Soit x une variable alatoire quiprobable sur


lintervalle [O; 21, la courbe reprsentant la loi
de probabilit ne peut tre quune portion de
droite horizontale.

E(x) = O
E ( x 2 )= O 2
E ( x 3 ) = 3a4.

Lorsque la loi nest pas centre sur O, lextremum


se trouve en a.

P (El

9
O&

1
Fig.
8

Nous voyons que pour calculer la valeur de a, il


nous suffit dappliquer la relation que nous avons
dmontre prcdemment.
a dx

P ( X ) = a;

donc

2a = 1,

a = 0,5.

p ( x ) = 0,5 pour x E [O, 1[


P ( x ) = O pour x$[O, l[

P(X) =

a&

x (,-SI.

Fig. 10

Lexpression de la densit de probabilit se dduit


de la prcdente par un changement daxe
vertical, soit

On calcule aisment les 2 premiers moments


E(x) = a

6 ) Loi de probabilit gaussienne

Nous rencontrerons souvent des variables alatoires gaussiennes. Pour en connatre toutes les
proprits il faut les rechercher dans les ouvrages
de mathmatique.
Cependant il faut connatre la densit de
probabilit dune variable alatoire gaussienne,
elle est dfinie lorsquelle est centre sur O par :

(ce rsultat est vident vu la symtrie de la


fonction p ( x ) autour de a)
E(x2) = a2.

On peut effectuer un changement de variable en


posant y = x - a variable alatoire centre en O.
Ce rsultat permet de dfinir une variable
alatoire gaussienne par deux valeurs O et a,
a appel cart-type,
a appel moyenne.
Exemple physique

Superposition dun bruit gaussien centr et


dune grandeur continue.
source gaussinne
[centree sur O ]
[cart type O]

-40 -30 -20 -cl

Fig. 9

20 30 40

source continue
parfaite
Fig. 11

123

thorie du signal

La variable alatoire y a le mme cart type


a que x et aura pour valeur moyenne a.
c ) Densit de probabilit de la loi de probabilit
de Poisson
Cette loi est rencontre frquemment en physique lorsque lon compte des vnements se
produisant intervalles alatoires, tels que la
dsintgration dun lment radioactif.

On dfinit la probabilit pour quil y ait un


vnement dans lintervalle dz par

Pr { 1, ]z, z dz] } = 27 e- dz,


on notera
p(i, z) = Aze-
et la probabilit, pour quil ny ait aucun
vnement dans lintervalle]z,z + dz], est dfinie
par sa densit de probabilit.
Pr { O,
on notera

17, z + dz] } = e-

dz,

p(O, z) = e-aT.

Nous pouvons dfinir un premier vnement


alatoire comme tant la sortie de ladditionneur
entre linstant t, et t,, un deuxime vnement
comme tant la sortie de ladditionneur entre t,
et t, ...
Comment peut-on caractriser ces diffrents
vnements alatoires puisque la connaissance
des lois de probabilit ne fait pas intervenir le
temps?
Nous devons introduire la stationnarit.
On dira que x(t) est stationnaire si toutes ses
proprits statistiques sont invariantes dans le
temps, donc du choix de lorigine des temps.
Donc, quelque soit lchantillon, les proprits
statistiques sont identiques; or pour obtenir
exprimentalement E(x), il faut tre capable de
+m
raliser :
E(x) = J-m X P ( X ) dx,
soit possder un chantillon de dure infinie pour
que lensemble des x puissent tre prsents.
Nous constatons que nous devrons nous contenter
dune moyenne sur un intervalle de temps de
dure finie.
Nous dfinirons ainsi lergodicit.
On dira qiv x(t) est un processus alatoire
moyennes ftistiqi%$sc gales
ergodique s
aux moyeni temporelles correspondari les.
_I

+m

On constate lvidence que plus lintervalle est


long et plus la probabilit quil ny ait pas des
vnements diminue.
Pour de plus amples dveloppements, il faut se
reporter aux ouvrages spcialiss de mathmatique.

4.

APPLICATION

A LELECTRON~QUE

4.1.
STATIONNARIT
ERGODICIT
Jusqu prsent nous navons raisonn que sur
des vnements alatoires, o le temps nintervenait pas comme une variable. Il nous faut
reprendre lexemple du paragraphe 3.3.2 b.

124,

x2p(x)dx = lim - Ii:;X2(t)dt


T+mT

fl-2

Cela veut dire quelles sont indpendantes du


choix de t,.

4.2. BRUIT
Nous dfinirons comme bruit, les processus
alatoires que nous rencontrons en lectronique.
Ils sont caractrisables par leurs proprits
statistiques qui sont pour la plupart dduites par
le calcul et vrifies exprimentalement.
4.2.1. Bruit blanc

Nous avons caractris jusqua prsent un signal


par sa forme, cest--dire son volution dans le
temps. Il ne nous est pas possible de donner la
fonction de variation du temps, mais seulement

s ig na ux a Iatoi res

les moments (E(x), E ( x 2 )... et la densit de


probabilit p ( x ) de la grandeur.
Nous devons pour mieux le connatre essayer
dapprocher sa composition spectrale.
On dfinira un bruit blanc, comme un bruit dont
le spectre est infini et constant.

On constate avec une observation fine que le


courant 1 est variable, alors quil devrait tre
constant.
On peut dmontrer que le courant lectrique
dans la diode est un processus de Poisson, on
lappelle bruit de grenaille (li ltat corpusculaire de llectricit). Cest un bruit blanc
jusqu 1 GHz si on ne tient pas compte du temps
de transit.

--I
v
4.2.4. Bruit thermique

Fig. 14

On constate alors quil est dnergie infinie, et


quil nous sera plus facile de raisonner sur les
puissances. Nous dtaillerons au paragraphe 4.3
ces problmes danalyse spectrale.

Une rsistance parcourue par un courant lectrique voit sa diffrence de potentiel aux bornes
varier. Les fluctuations autour de i sont une fois
encore lies un processus poissonnien dont
lamplitude est lie a la temprature absolue T
de la rsistance. Il peut tre considr comme
blanc jusqu 10 GHz.

4.2.2. Bruit color

Par opposition au bruit blanc, nous dfinissons


un bruit color par analogie au spectre lumineux
(le blanc contient toutes les couleurs niveau
gal). Il aura donc un spectre fini et sera dnergie
finie.
A

4.2.5. Autres bruits

Fig. 15

On peut encore citer le bruit de gnration


recombinaison, le bruit de scintillation, qui eux
sont des bruits colors, phnomnes dpendant
des grandeurs lectriques et de la gomtrie des
composants.

Les bruits peuvent avoir diffrentes natures


physiques.

4.3.

4.2.3. Bruit de grenaille

4.3.1, Fonction dautocorrlation

Ce bruit est obtenu en analysant le courant qui


traverse une diode alimente dans le sens passant.

Nous nous intresserons aux processus ergodiques et stationnaires.


On dfinit la fonction dautocorrelation par :

ANALYSE SPECTRALE

T
f?

ieT B

eo

Fig. 16

rx(tl,
t 2 ) = lim
T-tm

J -T
Li

x ( t J . x ( t 2 )dt.

Le processus tant stationnaire, lorigine des


temps nintervient pas.
On pose t , - t , = T et t , = t, do
T

r,(~)
= lim
T +

rz

T~

J-T

x(t - T) . x(t) dt.

125

thorie du signal

La fonction dautocorrlation au point z = O vaut


E ( x 2 ) ;cette valeur est suprieure O.
La fonction dautocorrlation est symtrique; on
obtient par exemple :

4.3.2. Analyse spectrale


a ) Rappel sur les notions dnergie et de puissance
dun signal

Nous considrerons lnergie dissipe dans le


montage suivant :

Pendant le temps dt lnergie dissipe dans R


vaut dE
dw
Fig. 18

Lexemple @ est facile interprter. Comme


r,(z) ne varie pas beaucoup en fonction de z,
cest que x(t) et x ( t - z) sont trs voisins, donc
I,(z) traduit la reproductibilit du processus, ou
la ressemblance des deux chantillons. Dans ce
cas on dit quils sont fortement corrls.
Lexemple @ montre un phnomne o les
deux chantillons, mme pour un temps faible,
nont pas beaucoup de ressemblance. Lautocorrlation traduit en quelque sorte la mmoire
du processus, on dit alors que les deux chantillons sont faiblement corrls.
On constate donc que si r,(z) est priodique, le
phnomne que nous tudions est lui-mme
priodique et nest que pseudo-alatoire.

X2(t)

=-

dt.

Nous dfinissons la puissance normalise instantane, en prenant R = 1 R :


P(t)=

dw
= x2(t).
dt

--

Nous pouvons calculer lnergie normalise


contenue dans ce signal dans lintervalle [ti, t 2 ] :
wt,,t,

ftr

P ( t ) dt

6::

x 2 ( t )dt.

On connat ainsi lnergie normalise totale du


signal en calculant :

Lrn
+Co

w - ~ , =
+ ~

x 2 ( t ) dt.

On peut ainsi dfinir deux classes de signaux :


- les signaux nergie finie, cest--dire pour
lesquels w - ~ , <
+ 00,
~
- les signaux nergie infinie, cest--dire
pour lesquels w- + = GO.
Pour ces signaux une grandeur significative peut
tre ajoute la puissance instantane; la
puissance moyenne sur un intervalle de temps T
est :
Co,

Ralisation dun autocorrlateur

.r J:t+T

Pmoy(t,
T )= Fig. 19

En gnral il est trs difficile de raliser un


dispositif donnant un retard pur en lectronique
linaire, il est fait en gnral appel des systmes
de conversion afin de raliser le retard de faon
numrique.

126

x 2 ( t )dt = w t , t + T
T e
~

Cette grandeur ainsi dfinie permet de calculer


le signal continu possdant la mme puissance
pendant lintervalle de temps [t, t + TI.
Nous constatons que la notion de puissance
moyenne sur un intervalle damplitude T , correspond la dfinition du moment dordre 2
E ( x 2 ) lorsque lon fait tendre T vers linfini.

signaux alatoires

6) Densit spectrale de puissance moyenne


Nous pouvons par un calcul mathmatique
utilisant la transformation de Fourier, montrer
que la connaissance nergtique temporelle du
signal est quivalente sa connaissance nergtique spectrale.
Nous lappellerons densit spectrale de puissance
S,(f) ou S,(co) (cest la transforme de Fourier
de la fonction dautocorrlation). Elle a pour
unit des volts carrs ou des ampres carrs par
hertz.
Exemple

Maintenant on peut mieux apprhender les


notions intuitives de bruit blanc et de bruit color.
c ) Largeur de bande

Nous avons vu que ce type de bruit avait une


rpartition spectrale horizontale, nous savons
quil est dnergie infinie et de puissance moyenne
finie, donc de densit spectrale constante gale :
2 x rX(0).
Exemple dapplication

Bruit thermique dune rsistance de valeur R


temprature T.
Rappel
K :constante de Boltzmann.
Puissance moyenne temporelle :
P,

0 1

= 4KTR

df:

O2

Fig. 21
(CU, - col) = aire comprise entre col et co2.
Elle reprsente la puissance moyenne temporelle
dans la bande de pulsation [wl, CO>,].
On utilise un moyenneur quadratique prcd
dun filtre de bande pour calculer a x (co2 - co2) :

a x

x(t)

Filtre
de bande

O, 1 0 2

-[Tp.
x

Y2

sJ
1
-

a(%)

f+df

Fig. 23

Connaissant la puissance, on en dduit le


gnrateur quivalent pour la bande de frquence
considre :
donc

eeff= J 4 K T R df.

127

?-

thorie gnrale simplifie


O des semi-conducteurs
lm
RAPPELS

DIE LECTROSTAT IQU E

Dans le cas dune rpartition plane uniforme et


infinie de charges, les lignes de champ sont
perpendiculaires a la surface portant les charges
(fig. 3).
f WLignesdcchamp

11

1.1. C H A M P
LECTRIQUE

On appelle champ lectrique toute portion


despace o la charge au repos est soumise
une force. Ce champ est caractris en tout
point par :
+
- un vecteur :le vecteur champ lectrique E ,
- un nombre : le potentiel V.
O On appelle ligne de champ, une courbe
oriente qui en chacun de ses points est tangente
au vecteur champ lectrique (fig. 1).
-3

O On appelle quipotentielle, une surface dont


tous les points sont au mme potentiel.

1.2. CRATION D U VECTEUR


C H A M P LECTRIQUE E

III11

Fig. 3.

1.3. ACTION D U VECTEUR


C H A M P LECTRIQUE
Toute charge lectrique q mise
en prsence dun
--+
vecteur champ lectrique E est soumise une
force F = qZ (fig. 4).

Ligne de
champ

Fig. 1

+ + + + + + + + + + + / s u r f a = infinie
+++++++++++

+
-f

Fig. 4.

F
A

Si la charge q est positive, la force est oriente


dans le sens du champ.

1.4. RELATION
C H A M P POTENTIEL
Fig. 2.

9>0

Une charge ponctuelle 4 place en un point O


cre en tout point M de lespace environnant un
vecteur champ lectrique E(jig. 2) :
- dirig suivant O M ,
- dintensit E = 9 . log 4 dans le vide ou
r2
dans lair,
- orient vers la charge si elle est ngative.

Soient deux points A et B, dun champ lectrique,


distants de dl, et ports respectivement aux
potentiels V et V + dV, et soit l e vecteur champ
lectrique entre A et B (fig. 5).

131

composants

En posant dl
relation :

AB, E et V sont lis par la


+ - +

dV

= -E

dl.

On en dduit les proprits suivantes


:
+
- le vecteur champ lectrique E est orient
suivant les potentiels dcroissants;
- les surfaces quipotentielles sont perpendiculaires aux lignes de champ.

1.5. CONDENSATEUR

En un point intermdiaire M , o le vecteur


champ lectrique est gal a E, la force
lectrostatique
fournit, pour un dplacement
--+
lmentaire dl, le travail :
d

---+

--t+

dW=Fdl=qEdl=-qdV.
Pour le dplacement total de A en B, cette force
fournit le travail :
W=

dW= q

/AE

- dV = q(VA-

VB).

En conclusion : en augmentant de Vole potentiel


d'une charge q, on lui fournit l'nergie potentielle

wo = qv,.

On obtient un condensateur en mettant en


prsence deux conducteurs A et B, appels
armatures, spars par un isolant (fig. 6).
/Isolant

1,7, THORME

D E GAUSS

Soit une surface ferme S englobant la charge Q


(fig. 8).

Si on porte respectivement ces conducteurs aux


potentiels VA et V,, il apparat sur les faces en
regard des conducteurs deux charges gales et
opposes qA = + q, et q, = - q telles que :
q = C( V A - V,).

C tant la capacit du condensateur. Elle se


mesure en Farads.

1.6. TRAVAIL DE LA FORCE


LECTROSTATIQUE

Fig. 8.

On appelle flux du vecteur champ lectrique E'


travers la surface S la quantit :
@=

4-

E dS.

Js

Soit une charge q que l'on dplace dans un champ


lectrique d'un point A port au potentiel VAvers
un point B port au potentiel V, (fig. 7).

D'aprs le thorme de Gauss, ce flux est gal


:
@=-

Q
E '

Fig. 7

132

est la permittivit du milieu.

Ce thorme, permet, entre autres, de calculer,


par un choix judicieux de la surface S, l'expression de champs lectriques, dans le cas o la
rpartition des charges prsente des symtries
permettant une valuation simple du flux.

thorie gnrale simplifie des semi-conducteurs

2.

3.1. LIAISON COVALENTE

RAPPELS
SUR LA STRUCTURE
D E LA M A T I R E

Latome est constitu dun noyau entour


dlectrons.

2.1. LE NOYAU

Afin de voir huit lectrons sur sa couche externe,


chaque atome de silicium met ses 4 lectrons
priphriques en commun avec les atomes
voisins. On obtient ainsi, pour le cristal de
silicium, la reprsentation de la figure 10.
Si

Si

Si

Si

O.
O.

Le noyau contient deux types de particules :


- les neutrons qui ne sont pas chargs,
- les protons qui portent une charge
lectrique e = 16 . 10-I9 coulombs.

2.2. LES LECTRONS


Le noyau est entour dlectrons qui portent une
charge lectrique - e.
Latome tant lectriquement neutre, le nombre de
protons est gal au nombre dlectrons. Les
lectrons sont rpartis en couches successives. On
distingue :
- les lectrons internes qui occupent les
couches internes et qui sont trs fortement
lis au noyau,
- les lectrons priphriques qui occupent la
couche la plus externe et qui sont peu lis
au noyau.
Tous les atomes tendent avoir huit lectrons sur
leur couche externe.

3. SEMI-CONDUCTEUR
INTRINSQUE
Les semi-conducteurs (germanium et surtout
silicium) possdent 4 lectrons sur leur couche
priphrique. Il est possible de les produire avec
un haut degr de puret (moins dun atome
tranger pour 101 atomes de semi-conducteur) :
on parle alors de semi-conducteur intrinsque.
Pour simplifier le raisonnement, nous reprsenterons un atome de silicium conformment a la
figure 9.
Electron
priphrique

oc--

0
O

Fig. 9.

Si

Si

O.

.O

m.

Si

Si

Si

<
t

Si

Liaison
covalente

.O

Si
O

Fig. 10.

Cest la mise en commun des lectrons


priphriques, appele liaison covalente, qui
assure la cohsion du cristal de silicium.
Les lectrons qui participent ces liaisons sont
fortement lis aux atomes de silicium. Il
napparat donc aucune charge mobile susceptible dassurer la circulation dun courant
lectrique. Le semi-conducteur est alors un
isolant. Cet tat apparat la temprature de
O kelvin.

3.2. IONISATION
TH ERMlQU E
A la temprature ordinaire, lagitation thermique
provoque la rupture de quelques liaisons
covalentes. Un des lectrons participant cette
liaison acquiert ainsi lnergie ncessaire pour
quitter latome auquel il tait li. Il devient un
porteur de charge libre, capable de se dplacer
dans le cristal, et autorisant ainsi la circulation
dun courant lectrique. Le cristal devient alors
un mauvais isolant do son appellation de semiconducteur.
Latome de silicium qui a perdu un lectron nest
plus lectriquement neutre : il est devenu un ion
positif, (fig. 11).
Electron I I bre

si

+ --.ion

positif
Fig. 11.

Ionisation thermique

Ce phnomne nintresse quun nombre trs


faible datomes de silicium, (3 sur 1013 27 C).

133

composants

3.3. R ECO M BI NAISON


Lionisation thermique conduirait, terme,
lionisation de tous les atomes de silicium si elle
ntait pas compense par un autre phnomne :
les recombinaisons. Un lectron libre, arrivant
proximit dun ion positif de silicium peut tre
capt par ce dernier qui redevient un atome
neutre. La liaison covalente est alors rtablie.
A temprature fixe un quilibre stablit entre les
phnomnes dionisation thermique et de recombinaison. La concentration ni en lectrons libres
(nombre par unit de volume) dpend :
- de lnergie I/ti ncessaire pour ioniser un
atome (pour le silicium I/ti = 1,12 lectronvolt = 112 x 1,6 . 10-I9 joules),
- de la temprature absolue T du cristal,
suivant la loi
Wi
ni = AT312 e-2KT
dans laquelle A et K sont des constantes;
K = 138 . 10-23 J/ (constante de Boltzman).
Cette concentration augmente donc trs rapidement avec la temprature; elle vaut
ni = 1,5 . 10 cmP3 pour le silicium 27 O C
( T = 300 K).

3.4. NOTION D E T R O U
Considrons les phnomnes successifs dcrits
la figure 12 dans laquelle les lectrons participant
aux liaisons covalentes sont dcrits par des traits :

tat 1

O tat 1 : ionisation dun atome de silicium


qui provoque lapparition dun ion positif en A
et dun lectron libre en E l ;
O tat 2 : ionisation dun deuxime atome de
silicium en B ;
O tat 3 : recombinaison en A .

Comparons ltat initial et ltat final :


- llectron libre sest dplac de E , en E,;
- tout se passe comme si la charge positive
porte par un ion de silicium stait
dplace de A en B. En fait ce nest pas lion
qui a chang de place, mais la proprit
(( absence dlectron )) qui a transit de A en
B. Cette a absence dlectron )) est quivalente une charge positive + e : nous
lappellerons trou.
Les lectrons libres et les ions de silicium
apparaissant en quantits gales, la concentration en lectrons libres (ni),et en trous (pi)sont
donc gales :
3

A chaque lectron libre correspond une absence


dlectron (trou) : on parle alors de paire lectrontrou.

4.

S E M 1-CONDUCTEUR
D E TYPE N

On obtient un semi-conducteur de type N en


injectant dans le cristal de silicium des atomes qui
possdent cinq lectrons sur leur couche priphrique (phosphore, arsenic).
Quatre de ces cinq lectrons sont mis en commun
avec les atomes de silicium voisins pour raliser
des liaisons covalentes. Le cinquime lectron,
inutilis, est trs faiblement li latome
pentavalent. Une nergie trs faible suffit pour le
librer (fig. 13).

Fig. 13.

Fig. 12.

134

II Il I =Si =Si
Electron
II II .-t =Si
= A , + - -Si - libre
II II
I
=Si
=Si =Si
II
II
I
=Si

tat 2

tat 3

wi

ni = pi = A l 3 e-2KT.

Latome pentavalent, ici larsenic, As, qui a fourni


un lectron libre est appel atome donneur. Il a
perdu sa neutralit pour devenir un ion positif

fixe.

thorie gnrale simplifie des semi-conducteurs


c

A temprature ordinaire, la quasi totalit des


atomes donneurs est ionise. Le phnomne
dcrit a la figure 13 se superpose a la cration de
paires lectron-trou par les atomes de silicium.
Aspects quantitatqs
La concentration en atomes donneurs est de une
impuret pour 105 a 108 atomes de silicium.
Rappelons qua 27 O C , lionisation thermique
intresse 3 atomes de silicium sur 1013.
Le nombre de paires lectron-trou est donc
beaucoup plus faible que le nombre dlectrons
librs par les atomes donneurs. Du point de vue
des charges lectriques, on peut donner, du semiconducteur de type N , la reprsentation de la
figure 14.
Ions fixes lis au
rseau cristalin

+++++++
4 4444
+ 4 + + + + +?

Fig. 14.

Electron

/ libres

Paire
lectron
trou

Si on considre les porteurs mobiles :


- les lectrons libres apparaissent en grand
nombre et sont appels porteurs majoritaires do lappellation semi-conducteur
de type N ,
- les trous trs peu nombreux sont appels
porteurs minoritaires.
Les concentrations en lectrons libres (n) et en
trous ( p ) sont lies par la relation :
Wi

. n = p i . ni = A , T 3 e - E .

La quasi totalit des atomes donneurs tant


ionise, la concentration en lectrons libres n est
trs voisine de la concentration ND en atomes
darsenic (n N ND). De plus ND est trs grand par
rapport ni = p i .
Nous pouvons en conclure que la concentration
en trous est beaucoup plus faible pour le semiconducteur de type N que pour le semiconducteur intrinsque, ce qui sexplique par le
fait que le grand nombre dlectrons libres
favorise les recombinaisons.
REMARQUE
Lionisation dun atome d arsenic, contrairement
celle dun atome de silicium ne conduit pas la
cration dun trou. En effet, chaque atome voyant huit
lectrons sur sa couche priphrique, la proprit
(( absence dlectron )) devient quasiment insensible
au niveau des atomes donneurs ioniss et la capture
dun lectron par ces atomes ne peut tre que fugitive.

On obtient un semi-conducteur de type P en


injectant dans le cristal de silicium des atomes qui
possdent trois lectrons sur leur couche
priphrique (bore, indium).
Il manque ainsi un lectron latome trivalent
pour raliser les liaisons covalentes avec les
quatre atomes de silicium qui lentourent. En
ralit, les lectrons participant aux liaisons sont
indiscernables les uns des autres. Tout se passe
alors comme si un des atomes de silicium voisin
avait cd un lectron latome trivalent de bore
(fig. 15) crant ainsi un trou dans le cristal de
silicium.
=SI,

0 Yi =ii =

Trou

=Si

=B-=Si

libre

II

II

II

II

II

II

Latome de bore qui capte un lectron est appel


atome accepteur. Il a perdu sa neutralit pour
devenir un ion ngatiffixe.
A temprature ordinaire, la quasi totalit des
atomes accepteurs est ionise. Le phnomne
dcrit la figure 15 se superpose la cration de
paires lectron-trou par ionisation thermique
entre atomes de silicium.
Comme pour le semi-conducteur de type N , le
nombre de porteurs crs par ionisation
thermique est beaucoup plus faible que celui
rsultant de la prsence des impurets et ceci
cause de la concentration en atomes accepteurs
(1 atome accepteur pour 105 i08 atomes
silicium).
Du point de vue des charges lectriques, on peut
donner, pour le semi-conducteur de type P , la
reprsentation de la figure 16.
Ions fixes lis au
rseau cristaiin

-O -0 -0 -0 - -O

aire
lectron-trou

Fig. 16.

135

comDosants

Si on considre les porteurs mobiles :


- les trous mobiles apparaissent en grand
nombre et sont appels porteurs
majoritaires,
- les lectrons libres peu nombreux sont
appels porteurs minoritaires.
La quasi totalit des atomes accepteurs tant
ionise, la concentration p en trous est trs
voisine de la concentration N A en atomes de bore
( P N NA).
Par suite de la relation :

Pour le silicium, les expressions des mobilits


sont les suivantes.
300 2 9 3 m 2 , v-l
. s-l,
p p = 0,45 . 10-1(7)
300

p, = 1,45. 1 0 - ( 7 )

v-l

s-l
-

T tant la temprature absolue.


REMARQUES
0

Wi

p . n = p i . ni = A , . T 3 e - E ,
0

la concentration en lectrons libres est beaucoup


plus faible pour le semi-conducteur de type P que
pour le semi-conducteur intrinsque.

296m2

Les mobilits diminuent lorsque la temprature


augmente : lagitation thermique accrot le
nombre de (( chocs )) qui sopposent au
dplacement.
A temprature ordinaire (T= 300 K), la
mobilit des trous est plus faible que celle des
lectrons libres. Cela se congoit dans la mesure
o p,, provient du dplacement direct des
lectrons alors que p p rsulte des actions
successives :ionisation thermique, dplacement
des lectrons, recombinaison.

6.2. CONDUCTIVIT

DES
S E M1 -CO N DUC T E U R S

6.1.
MOBILIT

DES PORTEURS
D E CHARGE

Considrons un semi-conducteur isol. Les


porteurs de charge mobiles sy dplacent en tous
sens et comme aucune direction nest privilgie,
on nobserve aucune circulation de charges
lchelle macroscopique.
Appliquons au semi-conducteur une diffrence de
potentiel V cfzg. 17). Par suite de la relation
champ-potentiel, il apparat, dans le semiconducteur, un champ lectrique E , qui favorise
le dplacement des trous dans le sens du
champ et le dplacement des lectrons mobiles
dans le sens oppos.
4

Semi - conducteur

+
E

Fig. 17.

A lchelle macroscopique les trous prennent une


vitesse densemble
= ppE, et les lectrons
mobiles une vitesse = pnE, p p est la mobilit
des trous, p, est la mobilit des lectrons.

ap
a,

136

-t

Considrons une surface S dquipotentielle a


lintrieur du semi-conducteur (fig. 18).

I
I
I

r-k
Equipotentielle

Fig. 18.

lTd{+

Soit n la concentration (nombre par unit de


volume) en lectrons libres de charge - e, et soit p
la concentration en trous de charge + e.
Le vecteur vitesse des porteurs de charge tant
colinaire au vecteur champ lectrique E , les
porteurs traversent perpendiculairement la surface quipotentielle S .
Les porteurs traversant la surface S, pendant le
temps dt, sont contenus dans le volume :
O Su, dt pour les lectrons libres, conduisant
au passage de la charge - nSv,e dt,
O Su, dt pour les trous, conduisant au passage
de la charge pSu,e dt.
Tout se passe donc comme si la charge
4

dq = e(nu,

+ pu,)S

dt = e(np,

+ p p , ) E S dt,

traversait, pendant le temps dt, la surface S dans


le sens du champ E , ce qui correspond un
4

thorie gnrale simplifie des semi-conducteurs

Si on considre deux quipotentielles infiniment proches correspondant aux potentiels V et


V - dV (fig. 19), la relation champ potentiel
- , - - E q u i p o t e n tielle V
V - dV

ILrquip;tielle

Fig. 19.

--++

dV = - E . dl conduit ici dV = E dl car le


vecteur champ est perpendiculaire aux surfaces
quipotentielles, soit :
dV
I
E=-=
dl eS(nPn + P P ~ )

O Pour un semi-conducteur dop par exemple


de type N :
- la concentration en lectrons libres est
voisine de la concentration ND en atomes
donneurs,
- la concentration en trous est ngligeable
par rapport a ND,
- la conductivit stablit donc sensiblement
:

La conductivit diminue lorsque la temprature


augmente.

ou
1

dl
est donc la rsistance de la
e(nPn + P P ~ S
)
portion de semi-conducteur de longueur dl
comprise entre deux quipotentielles de
surface S.
La Conductivit du semi-conducteur scrit donc
-

= e(nPn

+P P ~ ) *

7. EFFETHALL
Considrons un barreau paralllipipdique de
semi-conducteur de type P , parcouru par un
courant I et soumettons-le un champ
magntique B perpendiculaire une de ses faces
dftg- 20).
4

6.3.CONSQUENCES

- Nous avons vu que pour un semi-conducteur


contenant des impurets, la concentration en
porteurs mobiles est infiniment suprieure celle
du semi-conducteur intrinsque (n ou p $ ni ou
a

Pi).
La conductivit du semi-conducteur de type N
ou de type P est donc beaucoup plus forte que
celle du semi-conducteur intrinsque. On dit quil
est dop.
b tudions linfluence de la temprature sur la
conductivit a du silicium.
O Pour un semi-conducteur intrinsque :

= e(nipn p i p p )= e AT312

[ (T) +

e - Wi
m x 10- 0,45 -

1,45 (3;)296]
-

de la forme :
o , ~1 0. 4
a = BT312 e - T

045 (3;)293
-

+ 1,45 (3;)296]
-

A la temprature ordinaire, lexponentielle


lemporte sur les autres fonctions de la
temprature et la conductivit augmente rapidement avec la temprature.

I
l
++++++++++

Fig. 20.

Les porteurs, ici les trous se dplaant la vitesse


u p , sont soumis la force de Laplace :
- oriente de bas en haut,
- dintensit eupB.
Les trous sont donc dvis vers le haut et on assiste
une accumulation de charges positives sur la
face suprieure du barreau. Cette accumulation
ne peut se perptuer indfiniment, car elle est
lorigine dun champ lectrique E dfig. 20) qui
soumet les trous une force oriente de haut en
bas, dintensit eE.
Un tat dquilibre stablit alors, pour lequel la
force de Laplace est compense par la force
lectrostatique ce qui donne :
eE = eopB soit : E = Bu,.

137

composants

Daprs les rsultats du paragraphe prcdent, le


courant I scrit :
I = epv,S = epv,ab

E
epab-.
B

Par suite de la relation champ-potentiel, il


apparat entre les faces suprieure et infrieure
du barreau une diffrence de potentiel V = aE,
soit :
1
V=-BI
epb
de la forme :
V = KBI.
On obtient ainsi une diffrence de potentiel
proportionnelle au produit de deux grandeurs
lectriques : le champ magntique B et le
courant I .
Les sondes effet Hall peuvent donc tre utilises
dans toutes les mesures qui ncessitent le produit de
deux grandeurs lectriques (valeurs efficaces,
puissances, ...).

Afin dquilibrer la rpartition des charges, cette


surface va se voir traverse par un courant I dont
lexpression est :
dp dS,
eD, o
dx
e est la charge de llectron,
D, est une constante appele constante de
diffusion,
dp
- est la variation de concentration suivant un
dx
axe perpendiculaire la surface dS; nous
lappellerons gradient de Concentration.
Remarquons que si la partie gauche contient plus
dp est ngatif et I est
de trous que la partie droite dx
positif, ce qui est naturel.
Nous retiendrons que le courant de diffusion
travers une surface lintrieur du semiconducteur est proportionnel au gradient de
concentration des porteurs (voir : base du
transistor).
I =

9.
8.

DIFFUSION

Considrons un semi-conducteur de type N et


supposons que, par un procd quelconque, on
accroisse la concentration en trous dans une
rgion du semi-conducteur (fig. 21).
,Trou

JONCTION P-N

On obtient une jonction P-N par la mise en


contact dun semi-conducteur de type P et dun
semi-conducteur de type N , ce qui conduit au
schma de la figure 23.
Zone de transition
Trous mobiles

Ions
fixes

Ions
fixes
Paire
Iectro n-t rou

Paire
lectron - trou
Semi- conducteur P

Fig. 21.

,Electrons mobiles

Semi- conducteur N

Fig. 23.

Ces trous se dplacent en tous sens mais vont


statistiquement se rpartir de telle sorte que la
concentration en trous soit la mme en tout point
du semi-conducteur, la manire des molcules
dun gaz qui, injectes dans un rcipient, occupent
de faon uniforme le volume qui leur est offert.
Considrons donc une surface dS, lintrieur du
semi-conducteur, telle que la concentration en
trous ne soit pas la mme sur chacune de ses faces
dfig. 22).
I

Fig. 22.

138

Dans la zone de contact, les lectrons mobiles du


semi-conducteur de type N vont combler les
absences dlectron (trous) du semi-conducteur
de type P laissant sur place des ions fixes lis au
rseau cristallin.
Ces ions fixes constituent deux couches de
charges (positives du ct N , ngatives du ct P )
qui sont lorigine dun champ lectrique E dans
la zone de transition. Ce champ tend maintenir
les porteurs majoritaires dans leurs rgions
respectives (lectrons du ct N , trous du ct P )
et soppose ainsi la cause qui lui donne
naissance, ce qui conduit un tat dquilibre.
d

c
thorie gnrale simplifie des semi-conducteurs

Par suite de la relation champ-potentiel, il


apparat entre les semi-conducteurs de type N et
de type P, une diffrence de potentiel Vo,appele
barrire de potentiel (jg. 24).

Le courant d aux porteurs majoritaires est donc


de la forme :
eV0

Io e - E ,

o I o est le courant qui traverserait la jonction sil


ny avait pas de barrire de potentiel, cest--dire
si la diffusion seffectuait librement.
Ce courant tant gal au courant de saturation I,,
il vient :

Semi- conducteur

type p

eV0

Fig. 24.

I , = I o eV=.

9.1. MOUVEMENT
DES PORTEURS
TRAVERS LA JONCTION
Si la barrire de potentiel maintient les porteurs
majoritaires dans leurs zones respectives, elle
ninterdit pas le passage des porteurs minoritaires
provenant des paires lectron-trou (fig. 23). Ce
mouvement de porteurs minoritaires conduit
un courant trs faible, appel courant de
saturation 1,. Ce courant ne dpend que du
nombre de porteurs minoritaires se trouvant au
voisinage de la jonction et est donc indpendant de
la hauteur Vo de la barrire de potentiel.
Or, en labsence dlments actifs, la jonction
P-N ne peut tre parcourue par aucun courant.
Il doit donc exister un autre mouvement de
charges qui soppose au courant de saturation. Il
sagit des porteurs majoritaires qui possdent
lnergie Wo = eVo ncessaire pour franchir la
barrire de potentiel. La figure 25 dcrit le
mouvement des charges travers la jonction P - N .
Courant de saturation IS

1 d aux porteurs minoritaires

1 Courant d aux porteurs majoritaires


Fig. 25.

possdant lnergie W, = eVo

Soit N o le nombre total de porteurs majoritaires.


Daprs la loi statistique de Maxwell, le nombre
de porteurs majoritaires possdant lnergie
Wo = eVo scrit :
wo
eV0
n = N o e-KT = No e-KT,
oK est la constante de Boltzman :
K = 1 ~ 810-23
.
T est la temprature kelvin.

JP,

9.2. EXPRESSION
D E LA BARRIRE
D E POTENTIEL V ,
Soient :
ND, la concentration en atomes donneurs du
semi-conducteur N ,
NA, la concentration en atomes accepteurs du
semi-conducteur P ,
P,, la concentration en trous dans le semiconducteur N ,
Pp, la concentration en trous dans le semiconducteur P.
n2
On a PN = 2,
Pp = N A , et, daprs la loi de
ND
eV0
Maxwell, PN = Pp e - E , soit :
KT
NAND
Vo = -In ----.
e
n?
Ordre de grandeur temprature ordinaire
(T = 300 K)

Supposons que la concentration en atomes


donneurs et en atomes accepteurs soit de une
impuret pour 107 atomes de silicium. Sachant
qu la temprature T = 300 K, le nombre
datomes de silicium ioniss est de 3 sur lOI3, il
vient :

Soit :
KT
Vo = -InT
e

NAND - 1,38. 10-23.300


1OI2
In 9
ni
1~6.10-19

Vo x 0,65 volts.

139

7
corn posants
eV

9.3. JONCTION P-N


POLARISE EN DIRECT
Supposons que, le potentiel du semi-conducteur
de type N restant constant, on relve, laide
dlments actifs extrieurs, le potentiel du semiconducteur de type P, la barrire de potentiel
passant ainsi de Vo Vo - V .
Le courant d aux porteurs minoritaires,
indpendant de la hauteur de la barrire de
potentiel, reste gal I,.
Le courant d aux porteurs majoritaires devient :
1, e

e(Vo- V )

eV0

eV

eV

7 = 1, e - E e+KT = 1, em.

Au total il circule donc du semi-conducteur P


vers le semi-conducteur N un courant appel
courant direct :
eV

ID =

Is[em - 11.

Ordre de grandeur

Ds que la tension V applique par les lments


actifs extrieurs devient suprieure 0,l volt,
eV

( e g = e3 > e39 N 50 % 1), le terme e m devient


trs grand par rapport 1 et nous pouvons crire
avec une bonne approximation :
eV

ID

= I,

e E N I, e4OV.

Ce courant augmente trs rapidement avec la


tension V : on dit que la jonction est passante ou
bien quelle est polarise en direct.

9.4. JONCTION P-N

le terme e - m devient ngligeable par rapport


1 et nous pouvons crire avec une bonne
approximation :
Ii = I,.
Ce courant, d exclusivement aux porteurs
minoritaires, est trs faible et on peut admettre
que le courant travers la jonction est nul; on dit
que la jonction est bloque ou bien quelle est
polarise en inverse.

9.5. RSISTANCE DYNAMIQUE


DUNE JONCTION
POLARISE EN DIRECT
Considrons une jonction polarise en direct, sur
laquelle le potentiel V appliqu par les lments
actifs extrieurs varie autour dune valeur
moyenne Vm,soit
V = Vm+ dV.
Aux petites variations dV de V correspondent des
petites variations dID du courant direct I D .
On appelle rsistance dynamique r, la rsistance
que prsente la jonction vis--vis des petites
dV
variations soit : r = -.
dID
Par diffrentiation de lexpression
eV

ID =

il vient
e
C
e
dlD
- - -eKT =- ID,
dV
KT
KT

POLARISE

E N INVERSE

I , em,

soit

Supposons que, de la mme manire que dans le


paragraphe prcdent, on tablisse la barrire de
potentiel Vo V .
Nous pouvons conclure quil circule du semiconducteur N vers le semi-conducteur P un
courant I~ appel courant inverse :

eV

Ii = I,.1 - e-m].
Ordre de grandeur

Ds que la tension V devient suprieure 0,l volt

A temprature ordinaire (T = 300 K), il vient :


25 mV
r = -.
ID

9.6. INFLUENCE
.
D E LA TEMPRATURE
9.6.1. Courant de saturation iS

Ce courant, d aux porteurs minoritaires, varie


n2
donc comme les concentrations -!- en lectrons
NA

140

thorie gnrale simplifie des semi-conducteurs

n2

mobiles du ct P , et L- en trous du ct N .
N D

Nous pouvons en conclure que 1, varie comme


nf

Wi

= A0T3 e-KT.

Ce courant augmente rapidement avec la


temprature. Il double tous les 10 OC pour le
germanium, tous les 7 OC pour le silicium, ce qui
limite lutilisation des dispositifs semiconducteurs 175 OC pour le silicium et 75 OC
pour le germanium.

En pratique, on admet que la tension aux bornes


dune jonction diminue de 2,2 mV par degr, ce
qui est conforme au rsultat prcdent. Cette
variation nuisible dans la plupart des cas est
cependant utilise dans certains capteurs de
temprature.

9.7.

CAPACITS

DUNE JONCTION
9.7.1. Jonction polarise en inverse

9.6.2. Barrire de potentiel V,

Nous avons
lexpression :

tabli,

au

paragraphe

9.3

K T NAND
Vo = -In
e
ni
~

dans laquelle les facteurs T et ni dpendent de la


temprature.
Dterminons, par une diffrentielle totale, la
variation dVo de Vo rsultant dune variation d T
de la temprature T.

dV - V
O -

dT
O T - - - -

2KT dni
e ni

Or ni dpend de la temprature suivant la loi :


Wi

ni = AT3I2 e - 5 3 ,

soit
l n n , = l n A + -3l n T-- Iii.
2
2KT
Par diffrentiation, il vient :
dn, - 3 d T
ni
2 T
dVo

--

+-2KT2 dT.

Vo 2KT

Revenons la description de la jonction donne


la figure 23. On y distingue, dans la zone de
transition, une charge despace analogue celle
qui apparat sur les armatures dun condensateur.
Supposons que la jonction soit polarise en
inverse et augmentons la tension inverse V
applique par les lments actifs extrieurs. La
barrire de potentiel augmente,
ainsi donc que le
+
vecteur champ lectrique E . Cette augmentation
de E ne peut provenir que dun accroissement de
la charge despace Q.
Ainsi donc une modulation dV de la tension
inverse V provoque une modulation dQ de la
charge despace Q et ce par une circulation de
charges (lectrons majoritaires du ct N allant
combler les absences dlectrons du ct P )
conduisant un courant dl.
De ce point de vue le comportement de la
jonction polarise en inverse est analogue celui
dun condensateur qui bloque le courant continu,
mais qui est permable aux petites variations d l
de courant rsultant de petites variations d V de la
tension aux bornes.
tablissons, ds lors, la relation qui lie la charge
despace Q la barrire de potentiel Vo + V , et
pour cela reprsentons la zone de transition
cfzg. 26).
4

Semi-conducteur N

1
I
I

Semi-conducteur P
A B

E(x+ dx)

Ordre de grandeur

-1

Pour le silicium, 300 K, nous avons tabli :


Vo 0,65 volt, K = 1,38. 10-23, = 1,12 lectron-volt; le calcul numrique conduit
dV0
- - - 2 . 10-3 volts par degr.
dT

AT

Equipotentiellp V + d V

Equipotentielle V

-4

II

1s
Il

- -

I
I

X + ~ X

Xz

Fig. 26.

141

comDosants

Si on prend pour origine (x = O) la surface de


contact des deux semi-conducteurs, la zone de
transition stend de O X , du ct P et de O
- X I du ct N .
La concentration eIi ions positifs fixes, de charge
+ e, sur le semi-conducteur de type N , est gale
N D . De mme la concentration en ions ngatifs
fixes, de charge - e, sur le semi-conducteur de
type P, est gale NA. Ces deux charges
provenant de lannulation, en quantits gales,
des porteurs mobiles, sont gales et opposes ce
qui conduit
NAX,

--++

Nous pouvons en conclure, d,aprsd V = - E dl,


que, le potentiel tant constant en dehors de la
zone de transition, le vecteur champ lectrique y
est nul, soit :
E ( - X I ) = E ( X 2 ) = O.

Compte tenu de cette condition, lintgration de


1quation
dE(x) NAe
- -~
dx
G

conduit lexpression du champ lectrique :

NDX,.
E(x) =

Ceci nous permet de remarquer, au passage, que


la zone de transition stend dautant plus
profondment dans lun des semi-conducteurs,
quil est moins dop par rapport lautre.
Les impurets tant rgulirement rparties
dans le cristal, les surfaces quipotentielles sont,
par symtrie, des plans perpendiculaires Ox.
Considrons deux de ces quipotentielles, correspondant aux potentiels V et V + dV, places
respectivement aux abscisses x et x + dx. Les
vecteurs champ lectrique, perpendiculaires aux
surfaces quipotentielles, ont pour expression
E ( x ) sur lquipotentielle V et E ( x + dx) sur
lquipotentielle V dV.
Soit S la section du barreau semi-conducteur et G
sa permittivit. Appliquons le thorme de Gauss
au paralllpipde ABAB (voir paragraphe 1.7).
Il vient :

valable pour O

NAe

- -(x
G

-X2),

<x <X,.

On tablirait, de la mme manire, lexpression :


NDe
E ( x ) = -(xG

+X,)

Remarquons que pour x = O les deux expressions


conduisent la mme valeur du champ

1
S [ E ( x + dx) - E ( x ) ]= SdE(x) = -(
G

soit

dE(x) =

- N,eS

car
Par ntgration de lquation

dx),
entre

N e
G

A dx.

Zonede

d V = V ( X 2 )- V (- X
O

Semi-cond.

x2

soit
Fig. 27.

142

N e
G

- -(x

-xi

l/ Il/

-x,

x,,

et

il vient :

Rappelons que lvolution du potentiel dans le


semi-conducteur a lallure dcrite la figure 27.

Semi-cond.

-Xl

+ X I ) dx +

1)

= - (Vo

+V)

r
!

thorie gnrale simplifie des semi-conducteurs

La charge Q de la zone de transition, pour le semiconducteur de type N scrit :

Q = NDf?X,S.
Par limination de X I , il vient :

soit:

Q=

j-+-

JG.

fgeS2 1
ND

NA

Une variation dV de V conduit une variation


dQ de Q telle que :
d Q = / z .
-A-

NA

2J-v,+v

dK

ND

identique celle qui interviendrait


condensateur de capacit :

NA

nombre dlectrons en transit. Les atomes


trivalents voient dans cet excs dlectrons une
excellente occasion de complter leurs liaisons
covalentes et on conoit quils auront du mal
lorsquon voudra bloquer la jonction se sparer
de cet lectron quils ont capt.
On peut se reprsenter le phnomne (Jig. 28) en
imaginant une table, incruste de demi-sphres en
creux (simulant les trous) sur laquelle roulent des
billes (simulant les lectrons en transit). On
conoit que le flux de billes (simulant le courant 1)
accrot le nombre de captures par les trous
(recombinaisons).

Recombinaison

sur le

ND

Cette capacit qui limite lutilisation de la


jonction avec la frquence, peut tre utilise pour
raliser une capacit variable (varicap). Cest une
capacit dynamique qui dpend de la tension
inverse de polarisation V autour de laquelle, on
provoque des petites variations de tension dV.

Fig. 28.

Cet excs de recombinaisons, par rapport ltat


dquilibre du semi-conducteur, constitue une
charge stocke QI.
Si, ds lors on accroit la barrire de potentiel pour
bloquer la jonction, le semi-conducteur P libre
ces lectrons en excs. Ces derniers, tant des
porteurs minoritaires peuvent aisment franchir
la jonction. Ils sont lorigine dun courant
inverse qui perdure tant que le semi-conducteur
na pas retrouv son tat dquilibre. Lvolution
de la charge stocke Qs obit une loi de la forme

-dQs
- + - = z Qs

9.7.2. Jonction polarise en direct :


charge stocke
Considrons une jonction P-N polarise en direct
et raisonnons sur le semi-conducteur de type P.
La faible valeur de la barrire de potentiel
autorise le passage des porteurs majoritaires et
provoque la circulation dun courant direct I du
semi-conducteur P vers le semi-conducteur N . II
apparat dans le semi-conducteur P un grand

dt
z
o z est la dure de vie des porteurs.
I est le courant circulant du semi-conducteur P
vers le semi-conducteur N .
Remarquons que, pour un courant Z constant, on
atteint un tat dquilibre donn par la solution
particulire de lquation diffrentielle, soit Q,
= zZ : la charge stocke est directement proportionnelle au courant 1, cest--dire au flux
dlectrons en transit.

143

corn posa nts

EXERCZCES
1.
On rappelle la relation entre la barrire de potentiel V,
et le courant de saturation Z, d'une jonction P-N

Z,

= Z,

eV0

e-KT dans laquelle


K = 1,38 . 10-23 J/K, e = 1,6. 10-19 C .
Pour le silicium : Vo dpend de la temprature sous la forme

d VO = - 2,2 x
dT

2.
On donne, pour le germanium, les proprits suivantes :

10-3

v.

Vo = 0,6 Volts 300 K.

nergie d'ionisation d'un atome de germanium :


= 0,78

eV = 0,78 x 1,6 x 10-l9.

A la temprature de 300 K, 5 atomes de germanium sur


10'' sont ioniss.

1" En ngligeant les variations de Z, avec la temprature,


tablir la relation :

1" Considrant une jonction P-N au germanium pour


laquelle la concentration en impurets du ct N et du
ct P est d'une impuret pour 10' atomes de germanium, montrer que la barrire de potentiel s'tablit
Vo = 0,27 volts.

2" A partir des valeurs numriques, vrifier que pour le


silicium, la temprature de 300 K, le courant de saturation
Z, double tous les 7".

2" Par une mthode analogue a celle du cours, vrifier les


affirmations suivantes la temprature ordinaire de 300 K :
a) la barrire de potentiel V, dcrot de 2 mV par degr

3" Retrouver ce rsultat a partir de l'galit Z,


avec
It/: = 1,12 e . V

144

Wi
= BT3 e - E ,

b) le courant de saturation Z, double tous les 10 K.

diode jonction
OP-N
1

DESCRIPTION
ET SYMBOLE

Pour expliquer la prsence de ces barrires,


considrons la description de la figure 3.

La diode jonction P-N est un composant form


par la succession suivante de matriaux : mtal,
semi-conducteur de type P, semi-conducteur de
type N, mtal (jig. 1).
Le mtal en contact avec le semi-conducteur de
type P est appel lanode, celui au contact du
semi-conducteur de type N, la cathode.
On reprsente le composant par le symbole
donn la figure 1.

Anode,
Fig. 1.

2.

,Cathode/

l--[>t_L

DIODE EN COURT-CIRCUIT

Relions par un conducteur les deux extrmits


mtalliques de la diode. Le potentiel de lanode
est ainsi gal au potentiel de la cathode alors quil
existe entre les semi-conducteurs de type P et de
type N une diffrence de potentiel Vo. Lvolution du potentiel le long de la diode a donc lallure
donne la figure 2.

Fig. 2.

Semi-conducteur
P

Semi-conducteur
N

Il apparat ainsi entre les portions mtalliques et


les semi-conducteurs, deux autres barrires de
potentiel,

Conducteur

Fig. 3.

Une partie des lectrons mobiles de la rgion N


scoule le long du conducteur pour annuler les
trous de la rgion P , laissant sur place des ions
fixes, lis au rseau cristallin. Ces ions sont
lorigine des deux barrires de potentiel mtalsemi-conducteur qui apparaissent sur la figure 2.
La diode apparat donc constitue par deux
jonctions :
- une jonction ((interne)) au contact des
deux semi-conducteurs,
- une jonction ((externe )) faisant intervenir le
conducteur extrieur.

3.

DIODE POLARISE
EN PiRECT

Afin dabaisser les barrires de potentiel,


imaginons le dispositif de la figure 4.

Fig. 4.

Le potentiel de lanode tant, de V , suprieur au


potentiel de la cathode, lvolution du potentiel le
long de la diode a lallure donne la figure 5.

145

comoosants

Cathode

Afin dlever les barrires de potentiel, imaginons


le dispositif de la figure 6.

rZ-1

Fig. 5.

Comment la tension V se rpartit-elle sur les


barrires de potentiel?
La dtermination exacte de cette rpartition
semble relativement complexe. Remarquons
cependant quil suffit, aux porteurs majoritaires,
de franchir la jonction interne pour traverser la
diode. On peut, ds lors distinguer deux cas
extrmes.

li

Fig. 6.

Le potentiel de la cathode tant de V , suprieur


au potentiel de lanode, lvolution du potentiel le
long de la diode a lallure dcrite la figure 7.

Cas le plus N favorable ))

Les barrires de potentiel mtal semi-conducteur


restent constantes. Toute la tension V est utilise
pour crouler la barrire de potentiel de la
jonction interne qui stablit ainsi Vo - V. Nous
avons montr au paragraphe 8.3 du chapitre
prcdent que la jonction, donc ici la diode, est
parcourue par un courant direct :
eV

I,

= I,

ekT = I , e40V

T = 300 K.

Cas le plus N dfavorable N

La tension V se rpartit galement entre les


jonctions (( interne )) et externe , la barrire de
V
potentiel stablit alors Vo - - et la diode est
2
parcourue par un courant direct :

Anode

7U

Fig. 7.

La barrire de potentiel est accrue et nous avons


montr dans le chapitre prcdent (paragraphe 8.4) que la diode est alors parcourue par un
courant inverse Ii = 1,.
En pratique, ce courant I,, trs faible (10-l2 A),
est masqu par un courant de fuite d aux
impurets la surface des jonctions. Le courant
inverse Ii traversant la diode devenant ainsi de
lordre de 10-9 A.

eV

I,

I , e2KT = I , e2OV,

o T = 300K.

En pratique
Nous crirons la relation entre V et
forme :

ID

sous la

Proposons-nous de dterminer la courbe II = f(i)


sur la figure 8.

eV

ID

= I,

em,

o y est un nombre, compris entre 1 et 2, qui


dpend du semi-conducteur et des conditions de
fonctionnement.
O Pour le germanium, y = 1
O Pour le silicium,
y = 2 pour les ((faibles courants ))
y = 1 pour les ((forts courants))

146

Fig. 8.

Les rsultats des paragraphes 3 et 4 nous


permettent de conclure :
eu
-

Pour u > O i = ID = I , eVKT,


O Pour u < O i = - Ii z - l O P 9 A.
La caractristique de la diode a donc lallure
dcrite la figure 9.
O

diode jonction P - N

dpend de la zone moyenne dutilisation de la


caractristique).
E,, appele tension de seuil est de lordre de
0,6 volt pour une diode au silicium et de 0,2 volt
pour une diode au germanium.
t

1v(v>
-Avalanche

De plus, si la tension u devient trs ngative


(- 200 volts) la barrire de potentiel augmente
(fig. 9). Les porteurs minoritaires, franchissant
cette jonction acquirent une nergie suffisante
pour provoquer lionisation datomes de silicium
au voisinage de la jonction, crant ainsi de
nombreux porteurs minoritaires qui franchissent
leur tour la jonction, etc.
Cest le phnomne davalanche qui se traduit, sur
la figure 9, par un accroissement trs rapide du
courant inverse.

Dans le cas o les composants monts en srie


avec la diode, font apparatre, lorsque la
diode conduit, des chutes de tension trs suprieures E,, il est possible de pousser plus loin
lapproximation en idalisant la caractristique
de la diode par la courbe de la figure 13.

Diode
idale

Idalisons la Caractristique de la figure 9 en


lassimilant deux droites conformment au
schma de la figure 10.

r=tga
V

Fig. 10.

La diode idale apparat ainsi comme un


composant qui soppose au passage dun
courant i ngatif et qui laisse passer ((sans
opposition )) un courant i positif, la tension ses
bornes tant alors nulle.
Si la tension aux bornes des composants monts
en srie avec la diode nest pas ngligeable par
rapport E,, il faut revenir au schma quivalent
du paragraphe 6 voire a lquation i

= 1, e E .

-i

O Pour u > E , la relation entre u et i est dcrite


par lquation u = E , ri avec r = tg a, qui
conduit au schma quivalent de la figure 12.

Fig. 12.

Fig. 13.

ec
0

O Pour u < E , la relation entre u et i est dcrite


par lquation i = O, qui conduit au schma
quivalent de la figure 11.

Fig. 11.

V
+

La rsistance r est de lordre de grandeur de


quelques dizimes dohm quelques ohms (elle

8.1. LIMITATION
EN TEMPRATURE
Nous avons vu, au chapitre prcdent, que
laugmentation trs rapide du courant de
saturation I,, limite lutilisation des jonctions
175C pour le silicium et a 75C pour le
germanium.

147

composants

8.2. LIMITATION
EN PUISSANCE
Cette limitation traduit laptitude de la diode se
dbarrasser, sous forme de chaleur rayonne, de
lnergie lectrique P = ui quelle reoit. Elle
dpend des conditions de refroidissement et de la
temprature ambiante.

lors de la mise en condition de la diode :


le courant i ne stablit pas instantanment
El
sa valeur dquilibre -;
R
au moment du blocage : il apparat
E2 pendant
courant inverse - R
temps t,, appel temps de stockage.

8.3. DIODE POLARISE


EN DIRECT
La densit maximale de porteurs, traversant la
jonction, limite le courant direct une valeur
note I F M .
Cependant la diode supporte pendant des temps
trs courts (prciss par le constructeur) un
courant direct beaucoup plus important, not

Diode idale

fi

iI

Diode relle

IFSM.

8.4. DIODE POLARISE


EN INVERSE
R i

Le phnomne davalanche iimite la tension


inverse une valeur note VRM.

9, TEMPS DE COMMUTATiRi
DNE RDODE
Considrons le dispositif de la figure 14,
dans lequel la tension e varie, en fonction du
temps, conformment la courbe donne la
figure 15.a.
O

Fig. 15.

Pratiquement, ce temps t, est bien suprieur, a


tous les autres temps de commutation de la diode.
Cest lui qui limite la frquence f dutilisation du
composant, la diode ne pouvant tre considre
1
comme parfaite que si f < -.
t,
Ce temps de stockage t,, rsulte de la charge
stocke Qs que nous avons dcrite au paragraphe 9.7.2 du chapitre prcdent.
Les porteurs majoritaires, devenus (( excs de
porteurs minoritaires , aprs franchissement de
la jonction, constituent une charge stocke Qs qui
obit la loi :

dQ,+ - =Qs
i.
Si la diode tait idale, elle permettrait
lapplication de toute la tension e la
rsistance R lorsque e = E l et elle bloquerait le
passage du courant lorsque e = - E 2 . On
obtiendrait, pour le courant i, la courbe donne
la figure 15.b.
En ralit lvolution du courant i obit
une courbe dont lallure est donne la
figure 15.c. On y distingue :

148

dt

Cette charge stocke change lquilibre des semiconducteurs et on ne peut esprer bloquer la
diode que lorsque cette charge en excs a disparu.
Le temps de stockage t, est le temps ncessaire
la disparition de la charge stocke Qs.
Lorsque la diode est parcourue par un
E
courant direct I,
il stablit un rgime
R

diode jonction P-N

permanent pour lequel la charge stocke


est donne par la solution particulire de
lquation diffrentielle :
Fig. 16.

soit
Lorsque la tension dalimentation e passe
de + E l - E,, cette charge stocke
maintient la diode en conduction. Elle est
E2 la
alors traverse par le courant i = - -et
R
charge Qs obit lquation diffrentielle :
dQs Q
E
-+s=
-2
dt

dont la solution gnrale est de la forme :

Lorsque la tension e est gale E l , la diode est


conductrice et la capacit C se charge sous u
= E l emmagasinant ainsi la charge q = CE,.
A linstant o la tension e passe de + El - E,,
la tension aux bornes de la diode passe
instantanment a e - u = - ( E l + E,).
La diode, tant maintenue conductrice par la
charge stocke, se trouve instantanment traverse par un courant i ngatif ((infini H.
Nous nous trouvons donc dans le cas exceptionnel o la tension u aux bornes de la capacit C
peut subir une variation brutale et suivant la
valeur de la capacit, lvolution de la tension u
obit une des courbes dcrites la figure 17.
+El

Sachant qu linstant t

gale -,
R

,c=c,
c =c,

F=C4

el7
L L 1

t, la charge stocke est

il vient :
TE,

Q s = - - +R
(E,+E,)-e

-t-ti
T

La charge stocke est compltement limine


linstant t, tel que :
TE2
O = --+(E,+E,)-e
R

t2-ti
t

soit :
t, = t ,

t,

=z

In El + E ,
E,
L

*=

-E2

c,

A linstant o la tension e bascule de + El


- E,, la tension u passe instantanment une
valeur que nous noterons Ui, la charge emmagasine par la capacit passant de C E , C U i . La
charge Qt = C ( E , - Ui) traverse donc instantanment la diode de la cathode vers lanode :
Pour C = C , , Ui= - E,, la charge

Le temps de stockage dpend donc, par


lintermdiaire de E l et E,, des conditions
dutilisation. Le constructeur indique le temps t,,,
temps de recouvrement inverse (100 ns
quelques ,us) qui est de lordre de grandeur de z.

Qt

C [ E 1 -Ui]

Compensation du temps de stockage

Afin de compenser leffet de la charge stocke, on


place, en parallle sur la rsistance R, une
capacit C conformment au schma de la
figure 16.

C[E1

+ E2-J

est insuffisante pour liminer la charge


stocke, ce qui conduit
C[E,

+ E,]

REMARQUE
La monte du courant lors de la mise en conduction de
la diode ainsi que la disparition exponentielle du
courant inverse sont dues la capacit de transition
(paragraphe 9.7.1 du chapitre prcdent).

Fig. 17.

soit
O

R C <-7

<, z

E
R

El
El + E ,

Pour C = C,, Ui = - E,, la charge


Qt = C [ E , E,] est juste gale la charge
stocke, ce qui conduit

El
C [ E l + E,] = z-
R

soit

149

composants
0

Pour C = C,, Ui = O, la compensation est


parfaite et lon a :
Q,

CE,

= z-El

soit

RC

= z.

sa valeur efficace est :

Ueff=

IL

[g:f

-_

E 2 cos2 ut dt]12

.:

2w

Pour C = C,, la charge stocke Qs est


limine avant que la capacit C soit
compltement dcharge. La diode se
bloque et la tension u revient-vers zro
par dcharge du condensateur C dans la
rsistance R.

La tension inverse maximale, aux bornes de la


diode apparat lorsque la diode est bloque et
lorsque e = - E. Elle est donc gale a E et la
diode devra tre telle que V,, > E.
De plus le courant direct moyen tant gal
E
E
- la diode devra tre telle que I F , > -.
7tR
7iR
1 . 12. Redressement
double alternance

Considrons le schma de la figure 20 dans lequel


la tension e varie sous la forme : e = E cos ut.

10.1. REDRESSEMENT
10.1.l.Redressement
si m ple a Iter na nce

Considrons le schma de la figure 18, dans


lequel la tension e varie sous la forme :
e = E cos u t .
Lorsque la tension e est positive, les diodes D, et
D, conduisent, les diodes D2 et D, sont bloques

La diode, suppose parfaite, interdit la circulation dun courant i ngatif et se comporte comme
un court-circuit lorsquelle est parcourue par un
courant i positif, ce qui conduit pour la tension u
la reprsentation de la figure 19.

et inversement lorsque la tension e est ngative.


On obtient pour la tension u la courbe de la
figure 21.
Cette tension est priodique, de priode T = -.71
u

Fig. 21

Sa valeur moyenne est :


Fig. 19.

IL

La tension u est priodique, de priode T

Co
-

sa valeur moyenne est :

150

2.n

J-20

IL

COS

-1
2w

Sa valeur efficace est :

I
I

Umoy=

E COS COL dt

27t

=-:

E
ut dt = -;
7t

-_
2w

E 2 cos2 u t dt

2E

-.

71

diode jonction P-N

Lorsque D, et D, conduisent, la tension inverse


aux bornes de D, ou de D, est gale e dont la
valeur maximum est E. Les diodes doivent donc
tre telles que VR, > E.
Chaque diode ne conduisant que pendant une
alternance de la tension e, la reprsentation de id
est analogue la reprsentation de u sur la
figure 19, soit :
E
Idmoy

et

=71R

Ideff

E
2R
71R

On conoit, daprs la forme des courbes, que le


redressement est une tape dans la transformation de la tension e sinusodale en tension u
continue. Afin de se rapprocher dune tension u
constante, on place en parallle sur la
rsistance R un lment qui soppose a la
variation de la tension ses bornes cest--dire un
condensateur de capacit C. Cela qui conduit au
dispositif suivant.

10.2. REDRESSEMENT AVEC


FI LTRAG E R. C.
Soit le montage de la figure 22 aliment par deux
tensions e gales, dexpression : e = E cos cot.
Le condensateur C freine lvolution de la
tension u. La diode D , ne peut conduire que si la
tension e devient suprieure u. La diode D, ne
peut conduire que si la tension - e devient
suprieure u.
D,

La tension e dcrot rapidement et le condensateur, freinant lvolution de la tension u,


lempche de suivre la dcroissance de e, ce qui
impose u > e. La diode Dl se bloque donc son
tour et le circuit RC se trouve isol. La
dcroissance de la tension u est donc rgie par la
dcharge
du condensateur C
dans la
rsistance R.
Phase c
La tension u dcroissant et la tension - e tant
croissante, il arrive un moment o u < - e. La
diode D, entre en conduction et la tension u suit
lvolution de la tension - e.
A la limite, si la constante de temps R C est
infiniment grande par rapport la priode
271
T = - de la tension e, la dcroissance de u, lors
co
de la phase b, est ngligeable et la tension u reste
sensiblement constante et gale a E.

Ondulation rsiduelle dans le cas ou RC

+T

La tension u restant peu diffrente de E , le


courant dans la rsistance R varie peu autour de
E
Imoy = R
Au cours de la phase b, le condensateur se
E
dcharge a courant constant - entre les
R

Fig. 22.

En supposant les diodes parfaites, on obtient,


pour u, la courbe donne a la figure 23. On peut y
distinguer plusieurs phases.
l u

La diode D , conduit appliquant la diode D, la


tension inverse 2e > O, la diode D, est donc
bloque. La diode Dl tant suppose parfaite, la
tension u suit lvolution de la tension e.
Remarquons que les diodes doivent tre telles
que VR, > 2E.
Phase b

=-

E
Les diodes devront tre telles que I F , > -.

Phase a

-e

71

instants peu diffrents de O et -.

Co

Londula-

tion A U est obtenue par intgration de lquation


E
du
i z - = - C -, soit :
R
dt

\/

Fig. 23.

151

composants

do il vient daprs IL,, = Imoy


:

10.3. R E D R E S S E M E N T

2E .
-[sin
6, - 6, cos O,]
nr

A V E C FILTRAGE RC
E T RSISTANCE E N SRIE

e = E cos cot

=E

U
R

EcosO,
R

nr
tan O, - O , = -,
2R

soit :
Lors de la mise en route du dispositif de la
figure 22, le condensateur, dcharg, se comporte
comme un court-circuit. Lappel de courant est
donc trs important.
Afin de limiter ce dfaut, on place parfois une
rsistance r en srie avec le circuit RC, do le
schma de la figure 24 avec

quation qui permet de dterminer 6,, puis


u, = E cos O,.

10.4. D O U B L E U R

cos O.

ET INVERSEUR
D E TENSION CONTINUE

Soit le dispositif de la figure 26. A linstant t = O,


u(O-) = ~(0)= U,, on ferme linterrupteur K .
La diode est suppose parfaite.

Fig.

Lors de la conduction de lune des diodes, la chute


de tension dans la rsistance r empche la
tension u de suivre soit la tension e, soit la
tension - e.
Cependant, si la constante de temps R C est
suffisamment grande, cette tension reste sensiblement constante et gale U,, ce qui conduit au
graphe de la figure 25.

Fig. 26.

Des quations
di
E=L-+u
dt
du
i =Cdt

;f<?;?i,
u = u,
~~

SaoeOf E

+ LC-d2u
= E.
dt2

La rsolution de cette quation diffrentielle


conduit u = E + A cos (cot + cp) avec
1
Co =---

JLC

Fig. 25.

Langle 0, = ut0, pour lequel la tension e devient


gale U , est appel angle douverture et il est
dfini par
U , = E COS mt0 = E COS O,.
De lquation i = i + ic, on tire IL,, = Imoy
car le
courant moyen est nul dans un condensateur en
rgime priodique tabli.
E cos O - u,
UO
= - et i =
De plus Imoy
pour
R
r
- O , < O < O,. Soit
EcosO - u,
d0
G o y =
2
nr
2E
= -[sin O,
nr

= -CE sin O,

152

on tire u

U,O,]

O , COS O , ] ,

Les constantes A et cp dpendent des conditions


initiales :
i(O-) = i(O+) =: O,
u ( 0 - ) = u(O+) =

u,.

du
0 De i(0) = C-(O+)
= O, on tire
dt
- Aco sin cp = O, soit cp = O.
0

De ~(0)= U,, on tire A

U , - E.

Ce qui conduit aux quations finales :

+ ( U , - E ) COS wt,
du
i = C - = Cco(E - U,)sincot.
dt
La diode bloque le courant i ngatif, ces
quations ne sont donc valables que lorsque i est
u =E

71

positif, cest--dire pour E > U , et pour O < t < -.

Co

diode jonction P-N

10.4.1. U, = O : doubleur de tension

10.5. DOUBLEUR DE TENSION

Les quations deviennent

u = E(1 - cos cot),

Considrons le schma de la figure 29.

i = CEco sin cot.


Les courbes rgissant lvolution de la tension u
et du courant i sont donnes la figure 27.

91 = -

U.

c, ut
c2 u2

Fig. 29.

Fig. 27.

A linstant t

= -,

la diode bloque le courant i, la

Co

tension u est alors gale 2E. Aprs linstant


t

7l

= - et
Co

compte tenu de lquation

la tenc m u reste constante et gale 2E.

A linstant t = O on ferme linterrupteur K . Les


conditions initiales sont
u,(O-) = - E et u2(0-) = U,,.
Le circuit ne prsente aucune rsistance, ce qui
autorise le passage dun courant infini. Les
tensions aux bornes des condensateurs sont donc
susceptibles de variations brutales; cest ce qui se
passe linstant o on ferme linterrupteur K .
tablissons les valeurs ul(O+) et u2(0+) des
tensions aprs la fermeture de linterrupteur K .
Nous poserons u,(O+) = U 2 ( n l+) .
O Il apparat dans le circuit une portion de
conducteur isol qui porte la charge
41 = - ClU1,
du ct du condensateur cl, et

42 =

10.4.2.E = O et U, < O :
inverseur de tension

41(0-)+ q2(0-) = %(O+)

Les quations deviennent :

u, cos cot,

= -

CcoU, sin cot,

+ C I E + c, u,, =

- C,U,(O+)

+ C2U2(,+1).

O
Linterrupteur K tant ferm, nous pouvons
crire :
E = u1(0+) + U2<,+1).

Par limination de u,(O+) entre ces deux


quations, il vient :
U2(n+1) =

Fig. 28.

n
la diode bloque le courant i et
co
la tension u reste constante et gale - U o > O.

A linstant t

+ q2(0+)

soit :

et conduisent aux courbes de la figure 28.


-C

C2U2

du ct du condensateur C,. La charge de ce


conducteur ne pouvant varier, il vient :

ou en posant y

2c1 E +
C l + c,
=
c1+ c
2

c
2
c1

+ c, U2n7

= -,

Ces deux circuits (doubleur et inverseur) sont


utiliss pour le blocage de thyristors aliments en
continu, linterrupteur K est alors ralis par un
thyristor auxiliaire de commutation.

Considrons maintenant le schma de la


figure 30 aliment par une tension carre
damplitude E. Les diodes sont supposes
parfaites.
A la mise sous tension suppose intervenir
linstant t = O, la diode D, conduit, la diode D,

153

composants

"1

10.6. COMPARATEUR DE PHASE

Fig. 30.

est bloque, le condensateur C, se charge sous ia


tension u , = - E, et u2 reste zro.
Lorsque la tension d'alimentation passe + E , la
diode D, est bloque, la diode D , conduit et on
retrouve le schma de la figure 29, le condensateur C2 se charge donc sous la tension
u , = 2E(1 - y).
A chaque priode de la tension d'alimentation, le
condensateur C, se charge sous u , = - E puis se
dcharge partiellement dans le condensateur C,
dont la tension u2 varie par sauts successifs
suivant la loi de rcurrence :
U2("+1) =

Considrons le dispositif de la figure 31 que l'on


appelle (<modulateur en anneau )) ou encore
(( modulateur quilibr >).
Les diodes seront remplaces par leurs schmas
quivalents dcrits par les figures 11 et 12, dans
lesquels nous supposerons que la tension de
seuil E , est ngligeable par rapport aux tensions
eR et es.
Une diode sera donc quivalente :
- une rsistance r lorsqu'elle conduit,
- un circuit ouvert lorsqu'elle est bloque.
Considrons, dans un premier temps, la partie
gauche du schma constitue par les gnrateurs es, - es, eR et par les diodes D, et D,,
et calculons la tension uo au point O.

YU,"+ 2E(1 - Y).

Montrons que U,, = 2E[ 1 - y " ] .


D'aprs la loi de rcurrence :

2EyC1 - r"1 + 2 a - 1 - Y 1
= 2E[1 - y " + , ] ,

eR
I

U2("+1)=

ce qui confirme l'quation : U,,

2E Cl

Fig. 31.

y"].

c
2

tant infrieur 1, U,, tend vers 2E.


Cl + c2
Remarquons qu'en toute rigueur U,, n'atteint sa
valeur finale 2E qu'aprs un nombre infini de
priodes. Cependant, elle n'en diffre que de 5 Y0
lorsque :
95E
2= 2E[1 - y"],
1O0

Y=

soit : n

lg

'

154

eR

eR <

C,, il vient : y

es'

conditions qui ne peuvent tre vrifies que si


es < O.
tat 2 : D , conduit, D, est bloque.

v, =

1
et n = 4'3.
2
Aprs cinq priodes, la tension u2 diffre de sa
valeur finale 2E de moins de 5 %.
Ce dispositif est aussi appel ((pompe diodes ))
car il fonctionne la manire d'une pompe
aspirante et refoulante : la capacit C, joue le
rle du cylindre du corps de pompe que l'on
emplit chaque priode, et que l'on vide dans un
rservoir qui correspond ici la capacit C,. Les
diodes jouent le rle des soupapes de la pompe.

si C,

i'

Nous obtenons le schma quivalent de la


figure 32 et la tension u, s'tablit :

lg 20

= -*

tat 1 : Les diodes D, et D, sont bloques.


La tension u, est alors gale e R : v , = e R .
Les conditions conduisant cet tat sont :
u, > es et u , < - es, soit :

Re, reR
R+r

=-

Fig. 32.

Fig. 33.

Les conditions conduisant cet tat sont :


u, < es et v, < - es, soit :

Re,
Re,

+ reR < ( R + r)e,


+ reR < ( R + r)e,
-

diode jonction P-N


eR

ou encore

<

{eR(&&)

tat 3 : D, bloque, D, conduit.


Nous obtenons le schma quivalent de la
figure 33 et la tension uo s'tablit :

- Re, + reR
R+r
Les conditions conduisant cet tat sont :
uo > es et uo > - es, soit :
- Re, + TeR > ( R + r)es
- Re,
reR > - ( R + r)es
00

p(il;.)

ou encore

>es

Considrons maintenant, la partie droite du


schma de la figure 31, constitue par les
gnrateurs es, - es, f?R t par les diodes D 3et D4.
En raisonnant de faon identique, nous pouvons
tablir, en supposant que r < R, les valeurs de la
tension u0 au point 0'.Ce qui conduit au tableau
ci-dessous :

LeR > - e s .

D4

D3

Conditions

vo

es < O

tat 4 : Les diodes D, et 0,conduisent.


Nous obtenons le schma quivalent de la
figure 34 et la tension uo s'tablit :
vo =

r2eR

+ rRes - rRe,
r2 + 2Rr

'

soit

conduit

conduit

0 En regroupant les deux tableaux prcdents,


nous pouvons tablir les valeurs de la tension
u = uo - u0, ainsi que les conditions dans lesquelles elles ont t tablies.

eR > es et eR < - es
Fig. 34.

"O

Les conditions conduisant a cet tat sont :


uo < es et uo > - es, soit :

reR < (2R r)e,


TeR > - (2R + r)e,
Y

ou encore

Rcapitulons

Nous supposerons que la rsistance interne r de


la diode est trs faible devant R. Le tableau cidessous donne les diffrentes valeurs de uo ainsi
que les conditions dans lesquelles elles sont
tablies.

eR < - es

- es

es

0 Traons, ds lors, les variations de u dans le


cas o les tensions f?R et es sont sinusodales et
de mme pulsation w :
es = Es sin w t
eR = E R sin (cot - cp).

Nous obtenons ainsi le graphe de la figure 35.


71

La tension u est priodique, de priode -.

Co

155

composants

Fig. 35.

Fig. 36.

156

diode jonction P-N

Dans le cas o E R est trs grande par rapport


6 Es, nous obtenons, pour les variations de la
tension u le graphe de la figure36.
O

La valeur moyenne de la tension u peut tre


tablie par :

- ?[

G
r

= -2

ES
~

rG

cos cp.

En conclusion
En appliquant la tension u a un filtre passe-bas
qui limine les tensions de pulsation suprieure
ou gale a 20.4 et dans le cas o E R 9 E s , il est
possible dlaborer une tension qui varie en
fonction de la phase q suivant la loi
cp

u = - 2ES
7-c

__

Pour i > IZmin,


la tension u reste sensiblement
constante et gale a U,, de lordre de quelques
volts quelques dizaines de volts, appele
tension de Zener. Remarquons, quune diode
jonction peut tre, conformment au graphe de la
figure 10, considre comme une diode Zener de
tension E,.

11. I . SCHMA QUIVALENT


A partir de la caractristique idalise de la
figure 39 nous pouvons dduire pour un point de
fonctionnement situ sur la partie verticale
(fonctionnement en diode Zener) :
u = U z + ri.

cos cp.

Ce rsultat est rapprocher de celui que lon


obtient en appliquant les deux tensions e R et es
un multiplicateur analogique suivi dun filtre
passe-bas.

uz

11

DIODE ZERIER

La diode Zener exploite le phnomne davalanche qui apparat sur la caractristique de la


figure 9. Ce phnomne est d la cration de
porteurs minoritaires au voisinage de la jonction
polarise en inverse. Cependant, dans le cas de la
diode Zener, ces porteurs sont crs par
accroissement du champ lectrique li lexistence de la barrire de potentiel. Si ce champ
lectrique est suffisamment lev (de lordre de
107 Vm-l), il arrache des lectrons aux atomes,
provoquant ainsi la cration de porteurs
minoritaires.
La diode Zener dont le symbole est donn a la
figure 37, prsente une caractristique dont
lallure est donne la figure 38.

Ce qui conduit au schma quivalent de la


figure 40. Lordre de grandeur de r est de
quelques dizimes dohm a quelques ohms.

Fig. 40.

11.2. LIMITATIONS
~

A la condition i > IZmin,


qui garantit un
fonctionnement dans la partie verticale de la
caractristique, il faut ajouter une condition issue
de la limitation en puissance de la diode Zener.
La puissance maximale dissipable, sous
forme de chaleur rayonne, P,,, conduit la
condition ui < Pmax,puis, compte tenu de
u N U , = constante, i

Fig. 37.

Fig. 39.

Soit au total :

Pmax

< IZmax
= -.

u,

IZmin
< i < IZmax

157

composants

dalimentation E variant entre Eminet Emax(ce


peut tre, par exemple, la tension de la figure 23
obtenue par redressement double alternance).

11.3. INFLUENCE
DE LA TEMPRATURE
1 du,
Le coefficient de temprature aT = -- varie
U, dT
en fonction de la tension de Zener comme
lindique la figure 41.

IE

10-41 K

Fig. 42.

1 1 . 4 . 1 . Calcul de la rsistance R
2

Fig. 41.

10

20

50

U,

Nous y remarquons :
- pour U , N 6 volts, aT = O et la tension de
Zener dpend trs peu de la temprature;
- pour Uz > 6 volts, aT est positif et la
tension de Zener augmente avec la
temprature;
- pour U , < 6 volts, aT est ngatif et la
tension de Zener diminue avec la
temprature.
Cette variation limite lutilisation des diodes
Zener dans les dispositifs de mesure.
Remarquons cependant que, pour U , suprieur
6 volts, on peut compenser leffet de la temprature en montant en srie avec la diode Zener
une diode polarise en direct. Sachant que la
tension aux bornes de la diode diminue de 2,2 mV
par degr, on compense ainsi laccroissement de
la tension de Zener. La diode peut tre incorpore
dans le botier de la Zener et il est alors possible
dlaborer un composant maintenant une tension
de 8 volts avec un coefficient de temprature de
lO-, dans une gamme de temprature allant de
- 55 C 100C.

11.4. MONTAGE
STABILISATEUR
LMENTAIRE
Le dispositif de la figure 42 permet de maintenir
la tension U , aux bornes de la charge R,,
sensiblement constante lorsque le courant 1, qui
la traverse varie entre zro et IUmax,
la tension

158

Cette rsistance est calcule de telle sorte que le


courant 1, dans la diode Zener reste compris
entre IZmin
et IZmax
quelque soit le fonctionnement, cest--dire dans les conditions les plus
dfavorables.
La tension U restant constante et gale U,,
E - Uz
Iz 1,.
R
La condition Iz < IZmax
impose dans les conditions les plus dfavorables (cest--dire E = lima,,
I,=O):
Emax - U Z
R
< IZmax,
soit :
R > Emax

uz

IZmax

La condition I , > IZmin


impose dans les conditions les plus dfavorables (E = Emin et
I = Imax)

soit :

1 1 . 4 . 3 . Qualit de la stabilisation

Elle se juge par la petite variation u de U rsultant


dune petite variation e de E et dune petite
variation i, de I,, ce qui conduit crire
1
6

= - e - pi,

iavec

6 le facteur de stabilisation,
p la rsistance interne.

Par remplacement de la diode Zener par son


schma quivalent, on obtient le schma de la
figure 43.

diode jonction P-N

12.

PHOTODIODES

Une radiation lumineuse de longueur donde A,


C

Fig. 43.

donc de frquence v = - (ou c est la vitesse de


,

Remarquons que :
-

du point de vue des petites variations, toute


tension constante se comporte comme un
court-circuit;

onpeut crire6 =

:)iu

= 0 et

= - (;)e

Ce qui conduit :
- pour le calcul de 6 au schma
R+r
figure 44, do on tire 6 = ___
r

de la
R
-r

t
Fig. 44.
-

f l I tI u
YI

pour le calcul de p au schma de la


rR
figure 45, do on tire p = ___ N r.
R+r
i

Fig. 45.

O Si on claire un semi-conducteur, laide de


cette radiation, les photons ((heurtent)) les
lectrons de valence du semi-conducteur et si leur
nergie hv est suffisante pour les arracher, ils
provoquent la cration de paires lectron-trou.

la lumire = 3 . 108 m s-) est constitue de


grains dnergie appels photons qui transportent
chacun une nergie Wp= hv (o h est la constante
de Plank = 6,6 . 10-34 Js).

q .p tu

O Considrons donc une jonction polarise en


inverse. Le courant qui la traverse, d essentiellement aux porteurs minoritaires, est trs faible (de
lordre du nanoampre). Si on claire cette
jonction, la cration de paires lectron-trou
provoque lapparition de porteurs minoritaires
qui franchissent aisment la jonction, et le
courant inverse augmente.

La cration de porteurs minoritaires augmentant


avec lintensit de la radiation, on obtient un
composant dont la rsistance apparente diminue
avec lclairement. On lutilise pour des systmes
de dtection de lumire : cellules photolectriques, lecture de films, etc.

EXERCZCES
1.
On rappelle la loi de variation du courant de saturaWi

tion dune diode jonction P - N : I , = BT3 e - E avec


K = 1,38 x 10-23 J/K et
= 1,12 eV = 1,12 x 1,6 x 10-19 J.
Montrer que pour une variation d T de temprature, la
variation dl, du courant de saturation I,y est donne par :

2 O n considre le dispositif, dcrit par la figure, dans lequel


deux diodes identiques sont alimentes par un gnrateur
de courant constant 1.
a)

Sachant que le courant direct dune diode scrit :


eV

I , e E avec e = 1,6 x 10-l coulomb,

I
I
tablir la relation T, In 2-= T, In 2.
I S1

Calculer la valeur de

dl

pour un accroissement d T = 2 C

IS2

b) Par suite dun dsquilibre thermique, la temprature


Ti de la diode D , saccrot de dT,; montrer que la
variation d l , du courant Il est donne par

1s

de temprature autour
de T = 300 K.
c) A partir de ltat dquilibre (Il = I,, T, = T2 = 300 K,
V = 0,6 volts), le dsquilibre thermique provoque une
lvation de 2 C de la temprature T, .

159

comDosants

65
Montrer que les courants Z, et Z, s'tablissent Z, = 100z,

d) Va-t-on observer un retour vers l'quilibre thermique


(en d'autres termes, l'quilibre thermique initial tait-il
stable)? Conclure et proposer des solutions.
2.
La figure 1 reprsente une cellule lmentaire de la partie
sensible d'une camra reticon.
Les condensateurs sont initialement chargs sous une
tension E : [ul(O-) = u2(0-)= E > O], puis l'instant t = O
les interrupteurs K , et K , sont ouverts.
I

3.
La figure 1 donne le schma de principe d'un redresseur
triphas.
Les diodes D , , D,, D 3 sont parfaites.
La charge est suffisamment inductive pour pouvoir tre
assimile, en rgime permanent, a un gnrateur de
courant Z.
Les trois tensions e l , e,, e3 forment un systme triphas
quilibr direct :
el

=E

cos wt, e2 = E cos ( u t - 2n/3),


e3 = E cos ( u t

F).

Photodiode

+ lV1

\+Y

Fig. 1.

1" En l'absence d'clairement les deux diodes de la figure


1 sont parcourues par les courants Zi, et Zi, tels que
Zi

'"1

Z, 1 - e - E
Wi

1, = BT3 e - E .

avec K

1,38 . 10-23 JK;

1,9;

a) Sachant qu' la temprature ordinaire de 27"C,


1s = 10- A, calculer sa valeur 100 "C.
b) Montrer que, ds que la tension u devient suprieure
0,2 V, les courant Zi, et Zi, sont peu diffrents de Z,.
2" Lorsque la photodiode est claire, elle est traverse par
un courant supplmentaire Z, qui dpend de l'clairement.
On donne Z, = 0,2 PA. Montrer qu' la temprature de
27 OC, le courant inverse dans la photodiode est caractristique de l'clairement. En est-il de mme 100"C?
3" On admet, pour modle des diodes, le schma quivalent
de la figure

1" Montrer que deux diodes ne peuvent conduire simultanment et que celle qui conduit correspond la tension la
plus leve.
a) tracer sur un mme graphe les tensions e,(t), e,(t), e3(t),
v(t)
b) montrer que la valeur moyenne de la tension v s'crit
3 E 8
i/m"Y

=-

2" En ralit, les gnrateurs ne sont pas parfaits; ils


possdent une inductance interne A. Lors des commutations, cette inductance s'oppose aux variations brutales du
courant, et pendant un intervalle de temps z, deux diodes
conduisent simultanment (fig. 2). Ce phnomne est appel
empitement anodique.

IV
a) A l'instant t

ou

v2

Fig. 2.

a) En associant ce schma quivalent au condensateur C


de la figure 1, tablir, en fonction de R, C et Zi,l'quation
diffrentielle de la tension u l .
b) Intgrer cette quation diffrentielle et calculer u1 (t).
4" A l'instant t = z les deux interrupteurs K , et K , sont
ferms et les tensions u1 et u2 sont appliques un
amplificateur de diffrence dont la tension de sortie u est
gale A(u, - ul).
a) Calculer u(z) en fonction de A , R, I,, z, C et montrer que
sa valeur est caractristique de l'clairement.
b) Justifier la prsence de la diode aveugle.

160

3L (&)

= -,

j,

= O,

Z,j2(&)

Fig. 2.

la diode D,

commence conduire. fitablir l'quation diffrentielle du


courant j , en fonction de el et e2. Intgrer cette quation
et dmontrer la relation suivante :

b) tablir, dans l'intervalle de temps

[&, &+z1,
L

l'quation de la tension u en fonction de el et e,, faire


apparatre le dfaut sur le graphe de u(t)et calculer la chute
de tension & = e, - u en fonction de el et de e 2 .
c) Montrer qu'il en rsulte sur Vmoyune chute de tension
gale
320
3EJ3
z
&moy = ___ (1 - cos oz)=
2n
4n
~

le transistor
= jonctions
2.

1. DESCRIPTON

EFFET TRANSISTOR

ET SYMBOLE
Le transistor est form par la succession de
trois semi-conducteurs, respectivement de type
P-N-P ou N-P-N, ce qui conduit la description
de la figure 1.
Transistor P - N - P

Leffet transistor apparat lorsquon polarise la


jonction metteur-buse en direct et la jonction
collecteur-buse en inverse.

2.1. FONCTIONNEMENT
s:1

COURANT
DE BASE NUL

Transistor N - P - N

Fig. 1

Sym boles

Des connexions mtalliques sont fixes sur la


partie centrale appele buse B et sur les deux
extrmits appeles respectivement metteur E et
collecteur C.
Bien que le transistor soit en apparence
symtrique, on ne peut pas permuter metteur et
collecteur car, par construction, les jonctions
base-metteur et base-collecteur ne sont pas
identiques. La figure 2 indique, par exemple, la
structure dun transistor de type planar :
- lmetteur est beaucoup plus dop que la
base,
- la flche qui repre lmetteur indique le
sens passant de la jonction metteur-base.
,Oxyde silicium

-4
mE

Alimentons un transistor P-N-P comme indiqu


la figure 3. Nous y distinguons entre base et
collecteur une jonction polarise en inverse. Le
courant 1, est le courant inverse de la jonction
base-collecteur, de lordre du nA et indpendant
de VCB,nous le noterons IcoB.
C

Fig. 3

2.2. FO NCTlO NN E M ENT


COURANT
DE BASE CONSTANT
2.2.1. Fonctionnement
collecteur ouvert
Alimentons le transistor P-N-P, comme indiqu
la figure 4. La jonction base-metteur est
polarise en direct. La tension ses bornes est

161

composants

1,

NEB

est indpendant du transistor. De plus,

R B

lmetteur tant beaucoup plus dop que la base,


ce courant est essentiellement d aux trous
injects de lmetteur vers la base.
La tension collecteur base
VCB = - Ec
VEB N - E ,

donc faible (de lordre de 0,6 volt pour le silicium


et de 0,2 volt pour le germanium). Si la tension
dalimentation EB est trs grande par rapport
0,6 volt, le courant
IB

EB -

est ngative et la jonction collecteur-base est


polarise en inverse.
Lvolution spatiale du potentiel dans le
transistor a donc lallure indique a la figure 6.

0,6 NB
E
N

RB

RB

ne dpend que des lments extrieurs et est


indpendant du transistor. La caractristique
1, = f ( V E B ) est celle dune diode polarise en
direct et le courant de collecteur est nul.
Fig. 6

2.2.2. Fonctionnement
collecteur ferm

n
*

lC

1:

VCB

VEB

Fig. 5

Considrons le schma de la figure 5, dans lequel


les forces lectromotrices EB et Ec sont trs
grandes par rapport 0,6 volt.
Lalimentation de la base tant identique celle
du schma de la figure 4, la jonction basemetteur est polarise en direct et le courant

162

Les trous injects par lmetteur dans la base,


dont la contribution au courant 1, est primordiale, ne diffusent pas tous vers la barrire de
potentiel base-mtal, contrairement ce que lon
observe lorsque le collecteur est ouvert. La
majeure partie dentre eux se trouve happe par la
barrire de potentiel base-collecteur, tendant
ainsi modifier la rpartition des trous dans la
base. Or le courant de base 1,, d essentiellement
ces porteurs, dpend (voir diffusion) du gradient
de concentration de ces porteurs au voisinage de
la barrire de potentiel base-mtal.
Dans le fonctionnement envisag, le courant 1, ne

dpend que des lments extrieurs I ,

N-

,et

le transistor qui nest pas matre de ce courant,


nest donc pas matre de ce gradient de
concentration. Il est donc ncessaire que le
nombre de trous injects par lmetteur augmente
considrablement de faon retrouver au
voisinage de la barrire de potentiel base-mtal la
rpartition de trous impose par le courant 1,.
Par construction (voir figure 2) le collecteur
capte un nombre de trous beaucoup plus
important que la base. Il apparat donc un
courant I c , bien suprieur au courant 1,, qui
dpend du nombre de porteurs injects par
lmetteur et du courant 1, par lintermdiaire du
gradient de concentration en trous au voisinage
de la barrire de potentiel base-mtal.

le transistor jonctions

En conclusion, leffet transistor consiste


contrler, laide du courant de base ZB,
relativement faible, un courant de collecteur Zc,
beaucoup plus important.
REMARQUE
Le mtal ne contient pas de trous; cest en fait un
rservoir dlectrons mobiles. Dire quun trou tombe
le long de la barrire de potentiel base-mtal signifie
quun lectron mobile du mtal traverse la barrire
pour annuler ce trou par recombinaison.
Le courant de base correspond donc un courant de
recombinaison :les trous injects par lmetteur dans
la base atteignent presque tous le collecteur, mais un
petit nombre dentre eux se recombinent au passage
avec les lectrons majoritaires de la base. Ce
phnomne doit tre compens par un apport
dlectrons, sinon la structure du semi-conducteur de
la base voluerait indfiniment. Ce sont les lectrons
provenant du mtal de la base qui compensent les
recombinaisons.

3. M I S E E N QUATIONS
Regroupons les schmas des figures 3 et 4 pour
raliser le schma de la figure 7.

+?A$$+
Fig. 7

Le courant I c rsulte :
- du courant de fuite en base commune ICoB
qui intervient sur le schma de la figure 3;
- du courant a l , provenant des trous injects
par lmetteur.
a est un nombre infrieur 1, car, dune part une
faible partie du courant 1, est d aux lectrons
majoritaires de la base et dautre part une partie
des trous est absorbe par les recombinaisons
avant datteindre le collecteur. Cependant, a est
dautant plus voisin de lunit que la base est
moins dope et que ses dimensions sont faibles.
Soit au total : I c = a l E + ICoB.
De plus, si la tension VcB augmente, la charge
despace de la jonction base-collecteur augmente,
accroissant ainsi les dimensions de la zone de
transition dpourvue de porteurs mobiles.
Comme la base est peu dope, cet accroissement
se fait essentiellement aux dpens de la base qui
voit sa largeur effective rduite, ce qui accrot,
pour les trous injects par lmetteur, la

possibilit datteindre le collecteur. Ce phnomne connu sous le nom deffet Early )) provoque
une augmentation du courant 1, avec VcB.Pour
en tenir compte, nous inttoduirons le terme
vCB
correctif -,

soit en dfinitive :

lCoB

-k

-.

VCB

Ordres de grandeurs
O alEest de lordre de quelques dizaines de mA,
voire de plusieurs ampres.
0

vCB
ICoB et sont de lordre de quelques nA.

ICoB et

VCB
-

apparaissent ainsi comme des

termes correctifs et trs souvent nous pourrons


crire en premire approximation : 1, = alE.
O a varie entre 0,9 et 0,995.

4. CARACTE R ISTIQU ES
DU TRANSISTOR
Le transistor est reli au rseau extrieur par trois
connexions (metteur-base-collecteur). Afin de
pouvoir considrer le transistor comme un
quadriple, il faut mettre une de ses connexions
en commun entre lentre et la sortie.
Lutilisation la plus courante tant le montage
metteur commun, nous tablirons les caractristiques pour ce type de montage, qui correspond
au schma de la figure 8.
C
I
-

Fig. 8

Nous savons quun quadriple est compltement


dcrit par deux quations entre les grandeurs
dentre (ici I , et VBE)et les grandeurs de sortie
(ici 1, et VcE).
Afin dtre au plus prs du fonctionnement
physique du composant, ces quations sont
recherches sous la forme :

(Ir.-

-f(IB,

I/CE),

= f ( I B , I/CE).

Il sagit de fonctions de deux variables qui sont


dcrites par des surfaces dans un espace trois
dimensions. Afin de faciliter la reprsentation,

163

composants

nous tracerons les courbes obtenues, en coupant


ces surfaces par des plans perpendiculaires aux
axes des variables I B et VcE,ce qui conduit au
trac des courbes suivantes.

la figure 9 (les graduations tant donnes titre


indicatif).

lc (mA)

20 -

1, = 2 0 0 ~ ~
/,=

150pA

/8 =

IOO,UA

/g =

50pA

4.1.
CARACTRISTIQUES
/ c = f (V C E )

/B

CONSTANTE
IB = O
U

Nous avons tabli au paragraphe 3 lquation


VC,
Ic = a l , + I C o B + -.
P

Comme il ne peut y avoir une accumulation


infinie de charges sur le transistor, la loi des
nuds conduit

Dautre part VcB= VcE+ V E B . La tension V,, est


la tension aux bornes dune jonction polarise en
inverse. Elle est de lordre dune dizaine de volts.
est la tension aux bornes dune
La tension VE
jonction polarise en direct. Elle est de lordre de
0,6 volt. Soit V,, N VcE.
Des quations :

CE

Fig. 9

Nous y observons une partie quasi horizontale


correspondant au terme al,, la lgre croissance
vC E

tant due au terme -.

Pour les valeurs de VcE infrieures 1 volt, la


tension V,, devient quasiment nulle et la jonction
collecteur-base nest plus polarise en inverse.
Des porteurs, de mme nature que ceux qui, mis
par lmetteur, chutent dans le collecteur aprs
transit dans la base, sont injects par le collecteur
dans la base crant ainsi un mouvement de
porteurs en sens inverse et provoquant une
dcroissance rapide du courant I,.
REMARQUES
0 ci tant de lordre de 0,99, le courant de fuite en
metteur commun

on tire :

I,

= ___ I

1-a

ICOB
+

1-a

vCE
+
p

p(1-a)

que lon crit sous la forme :

avec :
a

, qui est le gain en courant en


1-a
metteur commun;
op=---

OB
, qui est le courant de fuite en
1-a
metteur commun ;

ICoE

p = p ( l

a).

est beaucoup plus grand que I,,B. Il est de lordre de


100 nA

164

p = p(i - a) z JL

ce qui explique que la


100
croissance de I , avec V,, soit relativement sensible.
0

Nous obtenons ainsi les caractristiques traces

fi=-

a est de lordre de 100.


1-@
Remarquons de plus que, a dpendant du dopage et
des dimensions de la base, il est trs difficile pour le
constructeur de fixer sa valeur avec une prcision
suprieure 0,5 % . Supposons que a passe de 099
0.995. Les valeurs correspondantes de L? sont :
0,99
0,995
= 99 et
= 199.
1 - 0,99
1 - 0,995
I l est donc possible dobserver, dans un mme lot de
composants, une trsforte dispersion du coefficient fi
qui est un des paramtres essentiels du transistor. Les
dispositifs utilisant des transistors devront tre
prvus de telle sorte quilsfonctionnent correctement
lorsque le coefficient fi varie dans une large
fourchette (par exemple entre 100 et 250).
O

le transistor jonctions

REMARQUE

4.2. CARACTRISTIQUE
/C

Nous avons vu, lors du chapitre prcdent, que la


relation entre I , et VBEpeut tre dcrite par une
quation de la forme :

(/BI

VCECONSTANTE

V E Ee

Elle peut tre obtenue partir du rseau de


caractristiques de la figure 9, en relevant les
valeurs de Ic correspondant chaque valeur
de 1, sur la verticale VcE= Cte.
Ds que VcEest Suprieure un volt, la validit de

vCE
combine au fait que les termes ICoE+ sont

des termes correctifs, conduit : 1, N P I ,


et a la caractristique de la figure 10.

I , = I,, e x .

Comme nous pouvons crire, avec une bonne


approximation, I , = PI,, la relation entre 1, et V,,
est donne par une quation de laforme :

avec 1 < q < 2.


En pratique, pour un transistor au silicium, V , est de
Cordre de 30 mV 300 K.

4.4.CARACT

R ISTI QU E
VBE= f ( VCE)
IRCONSTANTE

Notons que lapproximation 1, = PI, est dautant plus justifie que la dispersion du facteur P,
dans un mme lot de transistors, masque les
corrections qui peuvent tre apportes par les

Nous ne la tracerons pas, nous retiendrons


seulement que ds que V,, est suprieure un
volt, la tension V,, est indpendante de VcE.

5.

4.3. CARACT~RISTIQUE
VBE= f (/BI
VCE CONSTANTE
Sachant quentre base et metteur, on retrouve la
structure dune diode jonctions, la caractristique V,, = f ( I B ) lallure dcrite par la figure 11.

RGIMES

DE FONCTIONMEMENT
DU TRANSISTOR
Considrons le schma de la figure 12 et
proposons-nous de dterminer les valeurs du
courant 1, et de la tension Vc, en fonction des
lments du dispositif.

vBEt
Ds que VcE est suprieure un volt, cette
caractristique est pratiquement indpendante de
VCE *

Nous disposons pour cela de deux quations :


- lune provenant du transistor, donne par
le rseau de caractristiques :
1, = f(V&) 1, = Cte;
- lautre rsultant de la loi dOhm :
E = RcIc + V C E .

165

corn Dosa nts

Ce qui nous conduit la construction graphique


de la figure 13, en traant, dans les axes
I , = f ( VcE),la droite reprsentative de lquation
E = RcIc + V&.

RC

Fig. 13.

ID= O

6.1.1.Condition de saturation

Soit I B la valeur du courant de base fixe par le


rseau dentre. Idalisons la caractristique
I , = f(VcE), correspondant ce courant I B ,
comme indiqu la figure 14.

vCE

FONCTIONNEMENT
DU TRANSISTOR
E N COMMUTATION

Les deux derniers rgimes de fonctionnement,


noncs au paragraphe prcdent, conduisent
utiliser le transistor comme un interrupteur
command par la courant I B . On dit alors que le
transistor fonctionne en commutation.

166

SATUR

Cette droite est appele droite de charge statique.


Les valeurs de I , et de VcE sont les coordonnes
du point dintersection de la droite de charge
statique et de la caractristique I , = f(V,,)
correspondant la valeur de I B impose par le
rseau dentre.
Nous pouvons y distinguer trois positions
remarquables correspondant trois fonctionnements particuliers du transistor.
O Le point de fonctionnement se trouve en A ,
dans la partie linaire et horizontale des
caractristiques. Ce point correspond un
fonctionnement linaire en amplification.
O Le point de fonctionnement se trouve en S dans
la partie montante des caractristiques. La
tension V,, est alors trs faible (de lordre de
quelques dizimes de volt). Toute augmentation
du courant I B est pratcquement sans effet sur la
valeur de 1,. On dit que le transistor est satur. La
tension VcE tant trs faible, le transistor se
comporte, entre collecteur et metteur, comme un
interrupteur ferm. La tension V,, est alors note
VCEsat O Le point de fonctionnement se trouve en B
(pratiquement sur laxe des VCE).
Le courant 1, est
alors trs faible. Le transistor est bloqu. Il se
comporte entre collecteur et metteur comme un
interrupteur ouvert.

6.

6.1. TRANSISTOR

Pour que le transistor soit satur, (point de


fonctionnement en S ) il apparat que son courant
de collecteur doit tre infrieur P l , soit :

Application

m
P

CE sat
I

Fig. 15

Calculons les lments du dispositif de la


figure 15 afin dobtenir la saturation du transistor. Nous supposerons que la tension dalimentation est trs suprieure 06 volt, cest--dire trs
grande par rapport a VBEsatet VCEsat.
A partir des
quations :

la condition de saturation scrit

-P

>-

RB

RC

soit : RB < PR,.


Cette condition, devant tre ralise quelque soit
le transistor prlev dans un mme lot, doit tre
vrifie dans les conditions les plus dfavorables,
cest--dire pour la plus petite valeur de p
annonce par le constructeur, soit

le transistor jonctions
~~

6.1.2. tat physique


du transistor satu r

Considrons le schma de la figure 12 et le graphe


correspondant de la figure 13 et supposons que la
saturation soit obtenue, partir du fonctionnement linaire (point A), en augmentant le
courant 1,. Le point de fonctionnement monte le
long de la droite de charge statique en suivant la
remonte de la caractristique correspondant
1,. Le courant de collecteur 1, = P I , augmente et
la tension VcE= E - R,Ic diminue. Lorsque le
point de fonctionnement arrive en S, la tension
VcEgale VcEsatne pouvant diminuer, le courant
E - VCEsat E ne peut plus augmenter. Le
I, =

6.3. T E M P S D E C O M M U T A T I O N
Considrons le schma de la figure 16, dans
lequel la tension e varie suivant le graphe de la
figure 17.a. Cette tension commande le dblocage
du transistor linstant t = O et son blocage
linstant t = TB.
RC

RC

RC

circuit extrieur refuse dvacuer le surplus de


charges injectes par lmetteur (cest en fait le
circuit extrieur qui est satur). A partir de l,
toute nouvelle augmentation de I , ne peut se
traduire que par un accroissement de la charge
stocke dans la base.
Les valeurs usuelles de IIBEsatet VcEsatsont, pour
un transistor silicium, VBEsat = 08 volt
et VCEsat= 0,2 volt.
La tension VCBsat est donc voisine de - 0,6 volt
et la jonction base-collecteur est polarise en
direct, ce qui autorise le passage, du collecteur
vers la base, de porteurs de mme nature que
ceux qui, injects par lmetteur, diffusent de la
base vers le collecteur; ce qui confirme que le
courant 1, ne puisse plus augmenter.

Fig. 16

Les variations correspondantes de i, et de ic sont


donnes respectivement aux figures 17.b et 17.c
o I,, augmente avec E l , I,, augmente avec E ,
E
et Ico N -.
RC

, =- 1t
+

Fig. 17.a

iB

Fig. 17.6

6.2. TRANSISTOR BLOQU


17.c

Considrons le schma de la figure 12, sur lequel


on ouvre le circuit dentre. La condition I , = O
conduit I , = P I , + ICoE= ICoE.
Ce courant de lordre de 100 nA risque, dans
certaines applications, dtre trop important pour
que lon puisse considrer le transistor comme un
interrupteur ouvert, et doccasionner des pertes
de puissance trop importantes.
En polarisant lajonction base-metteur en inverse,
il est possible dobtenir un faible courant 1,
ngatif et de ramener ainsi le courant 1, a une
valeur voisine de ICoB,de lordre du nanoampre.

Nous y distinguons les temps caractristiques


suivants.

6.3.1.Le temps de retard


la croissance fd

Cest le temps sparant linstant o le courant i,


est gal 10 % de sa valeur maximale de linstant
o i, est gal 10 % de sa valeur maximale (en

167

composants

anglais delay tirne). Il correspond essentiellement


au temps ncessaire a la zone de transition de la
jonction base-metteur, pour passer de sa
structure correspondant ltat bloqu sa
structure correspondant ltat passant. Il est
donc conditionn par lapport des charges
ncessaires a la diminution de la largeur de la
zone de transition base-metteur.

6.3.2.Le temps de monte t,


Cest le temps sparant les instants o i, vaut
respectivement 10% et 9 0 % de sa valeur
maximum (en anglais rise tirne). Cest le temps
ncessaire a ltablissement, sur la jonction basecollecteur, du gradient de concentration de
charges correspondant au rgime de conduction
permanent. Il est directement li la largeur
effective de la base.
Pratiquement le constructeur ne spare pas t, et
t,. Il indique ton = td + t , pour des conditions de
fonctionnement bien dtermines ainsi que ses
variations lorsque un des paramtres (tension,
courant ou temprature) varie.
Daprs lanalyse qualitative prcdente, nous
pouvons dduire que ton augmente lorsque le
Ico augmente.
rapport __
1, 1

6.3.3.Le temps de stockage t ,


Cest le temps qui spare linstant o le courant ,i
vaut 90 YOde sa valeur maximale, de linstant o
le courant i, vaut 90 ?A0 de sa valeur maximale. La
courbe donnant les variations de i, est analogue
celle qui rgit les variations du courant
traversant une diode a linstant du blocage. Nous
y distinguons un courant de base ngatif (- I B , )
qui se prolonge tant que la charge stocke dans la
base nest pas limine par le courant de base
- I,,
et par le courant de collecteur Ica. La
dcroissance du courant i, ne peut commencer
que si une part suffisante de cette charge a t
vacue.
Nous avons tabli que cette charge stocke est
dautant plus importante que le transistor est plus
satur, nous en dduisons que t, augmente lorsque

I,, augmente.

6.3.4.Le temps de descente tJ


Cest le temps qui spare les instants o i, vaut
respectivement 9 0 % et 10% de sa valeur
maximale (en anglais : full tirne). Il provient du
mme phnomne que t, (vacuation des charges
stockes). La jonction metteur-base et la
jonction collecteur-base voluent indpendamment sous laction du courant base et du courant
collecteur.
O Pour les faibles valeurs de I B 2 , la jonction
collecteur-base se bloque la premire.
O Pour les fortes valeurs de I B z , cest la jonction
base-metteur qui se bloque la premire.
Il existe une valeur optimale de I,, pour laquelle,
les deux jonctions se bloquant simultanment, le
temps de descente tJ est minimum. La figure 18
reprsente lvolution de t f en fonction de I,,.

Fig. 18

IB 2

6.3.5.Amlioration
commutation

des

temps

de

Cette amlioration consiste essentiellement


diminuer t, qui limite la frquence dutilisation
du transistor et tJ qui, nous le verrons,
conditionne les pertes de puissance en
commutation.
O Ces deux temps qui dpendent de la charge
stocke sont dautant plus grands que le
transistor est plus satur. Le dispositif de la
figure 19 permet de limiter la saturation du
transistor.
DAS

Fig. 19

Dautre part, cette charge est

I,O

vacue dautant plus rapidement que I,, est plus


grand : t , diminue lorsque 2
1, augmente.
I B1

Lorsque le transistor conduit, la diode D l et la


diode dantisaturation DA, conduisent, la tension
leurs bornes restant voisine de leur tension de
seuil Eo.

le transistor jonctions

La tension collecteur-metteur scrit :


vCE

= - EO

+ EO + 63Esat

vBEsat N

0,8 volt > VCEsat

0,2 volt.

Le transistor nest donc pas satur.


En dautres termes, le surplus de courant IBi,qui
entranerait la saturation, nentre pas dans la base
du transistor; il est driv par la diode D, et
revient vers la masse par le circuit collecteurmetteur.

6.4.

TUDE NERGTIQUE

Considrons le schma de la figure 21.


Lnergie dissipe, dans la branche collecteurmetteur, pendant le temps dt est gale :
d W = vCEiCdt.
RC

La diode D, permet la circulation du courant


i, = - I,, lors du blocage. Il est noter que
laccroissement de la tension V,, entrane une
dissipation de puissance dans le transistor
pendant la phase de conduction.
O Le dispositif de la figure 20 permet daccrotre
la valeur du courant inverse de base, linstant du
blocage. Pendant la conduction du transistor, la
tension e est gale + El et le condensateur se
charge sous une tension u peu diffrente de

El(R , R+2R2

).

Fig. 21

Lorsque le transistor est bloqu, le courant de


fuite de collecteur, que nous noterons I f est faible
(de lordre de 10 nA), la tension uCE est alors peu
diffrente de E. Lnergie dissipe dans la branche
collecteur-metteur pendant le temps TB scrit
alors :
O

WB =

El,

TB.

Lorsque le transistor est satur, la tension


uCE = VcEsatest faible (de lordre de 0,2 volt), le
E
courant i, est alors peu diffrent de I o = -.
RC
Lnergie dissipe dans la branche collecteurmetteur pendant le temps Tc scrit alors :
O

Fig. 20

A linstant du blocage, la tension e passe a - E ,


et le condensateur maintient la tension ses
bornes gale El(Rl:R2).

Le courant iB

prend ainsi la valeur :

WC

=IO

VCEsat TC*

O Pendant les commutations, la tension uCE et


le courant ic voluent simultanment, et leurs
variations sont fonction des lments extrieurs.
Nous distinguons les cas suivants :

a) Dbit sur charge rsistive

Considrons le dispositif de la figure 22 dans


lequel le courant i, varie comme lindique le
E
graphe idalis de la figure 23, avec I o = -.
RC

I B z est dautant plus grand que R , est plus faible.


Les composants R,, R2 et C peuvent tre
optimiss de telle sorte que les jonctions basemetteur et base-collecteur se bloquent simultanment, de faon obtenir la valeur minimale du
temps de descente t f .

1
Fig. 22.

169

corn posa nts

;cl

Fermeture

Fig. 23

Lors de la mise en conduction du transistor


(fermeture), le courant i, obit lquation :

i,

= Io-.

tr

Lexpression de la tension vCEest donc :

La diode cie rcupration D permet, lors de


louverture, de raliser un compromis entre le
transistor qui veut interrompre le courant dans
le circuit et linductance qui ne tolre aucune
variation brutale de courant; la diode referme
lexcs de courant que prolonge linductance.
Nous la supposerons parfaite.
Lors de la fermeture, linductance freine la
monte du courant i, et les pertes de commutation sont faibles. Nous tudierons la puissance
Wo dissipe dans le transistor au moment de
louverture, en faisant les approximations
suivantes :
O Lvolution du courant i,
est dcrite par la
courbe idalise de la figure 25.

et lnergie dissipe pendant la fermeture


(O < t < tr) scrit

Wf= jotrucEic dt
= jofrE(1 - $ I o J

dt,
tr
t

W -EI

=EIoJ.
6

On montrerait de manire identique que lnergie


dissipe dans le transistor pendant louverture
scrit :

wo= E

I ~ ~ .
6

b) Dbit sur charge inductive avec diode de


rcupration

O Linductance L est suffisamment grande pour


maintenir, pendant la commutation, le courant
qui la traverse, constant et gal I o .
Pendant la commutation :
O Lexpression du courant ic est donne par

lquation i,

= Io

1--

conformment au

graphe de la figure 25.


La diode tant conductrice, et suppose
parfaite, la tension ses bornes est nulle et la
tension vCEstablit vCE= E.
Lnergie dissipe dans le circuit collecteurmetteur scrit pour O < t < tf :

wo = JOtf vcEic dt

Considrons le dispositif de la figure 24.


v

D0

Fig. 24

170

t
Wo = E Z o f .
2
Cette nergie, relativement importante, provient
du fait que la tension vCEpasse instantanment de
VCEsat E. Il apparat ainsi simultanment dans
la branche collecteur-metteur, une tension et un
courant important.
Afin de diminuer lnergie dissipe louverture,
on limite la vitesse de monte de la tension
collecteur-metteur en plaant aux bornes du
transistor un condensateur qui freine lvolution
de la tension ses bornes (fig. 26).

soit

le transistor jonctions

En consquence, la dissipation dnergie dans


le transistor, au moment de louverture, est au
moins 6 fois plus faible quen labsence du
condensateur.

REMARQUES

En conservant les mmes hypothses :


Le courant i, scrit pendant la commutation :

a) La diode ne conduit pas pendant la phase de


commutation mais sa prsence est tout de mme
ncessaire car elle prend le relais du condensateur
linstant o vCE= E (fig. 27).

i,>

ic=Io 1 - - .

Le condensateur limite la vitesse de variation


de la tension vc-; la diode ne pouvant conduire
tant que vCEest infrieure E reste bloque aprs
linstant t = O, si bien que la part du courant I o
que le transistor ne canalise plus est prise par le
condensateur et le courant i qui le traverse
sexprime par :

id

C
C

tf

Fig. 27

Lvolution de la tension vCE est rgie par


lquation diffrentielle :
i =Io-t
tf

C-du,,
dt

Compte tenu de la condition initiale


UCE(O+)

= UCE(o-) =

VCEsat

0,

Remarquons de plus, quaprs linstant t = t f , le


courant dans le condensateur est constant et gal
1,. La tension vCE volue alors linairement
conformment __
dvCE = -.
I
dt
C
b) Remarquons quau moment de la mise en
conduction du transistor, le condensateur C est
charg sous la tension E , ce qui entrane une
importante pointe de courant dans le transistor.

I o t2
la tension vCEsexprime par vCE = --.
c 2tf

IOtf = V,.
A linstant t = t f sa valeur est vc,(tf) = ___
2c
Nous supposerons que le condensateur une
I Otf
capacit suffisante pour que Vo = < E. Dans
2c
ces conditions, la diode reste bloque pour
O < t < tf.
Lnergie dissipe dans la branche collecteurmetteur pendant la commutation scrit :

wo = sovcEicdt = JO

soit

tf

-Io(
Iot2

1 - ;)dt

I O VO ft < - - IoEtf
Wo =-I i t ; -24C
12C
12C

Fig. 28

On limite ce courant en montant en srie avec le


condensateur une rsistance R , shunte par une
diode D, (fig. 28) :
- lors du blocage le courant i dans le
condensateur est positif et la diode D,, suppose
parfaite court-circuite la rsistance R ;
- lors de la mise en conduction le courant i de
dcharge du condensateur est ngatif, la diode D l
tant bloque, la rsistance R I limite la pointe de
courant; la constante de temps R , C doit tre telle que
le condensateur soit compltement dcharg la fin
de la fermeture.

171

corn Dosa nts


VCEmax

6.5. LIMITATIONS

C max

Le point de
fonctionnement
ne doit pas quitter
cette aire
pendant
plus de 0,5 ms

6.5.1. Limitation en temprature

La temprature maximale de jonction est de


175C pour le silicium. Compte tenu de la
temprature ambiante et des conditions de
refroidissement, elle limite la puissance dissipable
dans le transistor. Supposons que la commande
de base soit telle quen rgime de conduction la
tension VcE soit ngligeable et quil en soit de
mme pour le courant rsiduel I , en rgime de
blocage.
La puissance dissipe dans le transistor apparat
alors aux instants de commutation. Soient Wo
lnergie dissipe au cours de louverture, et W
lnergie dissipe pendant la fermeture. La
puissance moyenne sur une priode est donc :

P=

wo+
T

= f(W0

=-

O
10

Traons, titre dexemple, le trajet du point de


fonctionnement (fig. 30) lors de louverture du
transistor fonctionnant sur charge inductive.
Sans rseau daide
la commutation
Avec rseau daide
la commutation

O
vo

6.5.2. Limitation en courant

Pendant la phase de saturation, les courants 1, et


I B doivent rester infrieurs une valeur maximale
prcise par le constructeur.
6.5.3. Limitation en tension

Pendant la phase de blocage, afin dviter le


phnomne davalanche sur les jonctions basemetteur et base-collecteur, le constructeur
indique :
- la valeur maximum de la tension inverse
applicable la jonction base-metteur :

CE

Fig. 29

+ W,),

dautant plus importante que la frquence


dutilisation est plus leve.

1O0

E
Fig. 30

C E

En labsence de rseau daide la commutation


(fig. 24), la tension uCEpasse instantanment de O
E, le point de fonctionnement dcrivant une
horizontale dordonne I o ; puis le courant ic
dcrot, la tension uCE restant constante et gale
a E.
Le point de fonctionnement dcrit alors une
verticale dquation uCE = E.
En prsence du rseau daide la commutation
(fig. 26), la courbe dcrite par le point de
fonctionnement est donne par les quations
paramtriques :

vBE invrnax ;

la valeur maximum de la tension collecteurmetteur : VcEmax.

6.5.4. Aire de scurit

Pendant les commutations, la tension uCE et le


courant i, peuvent prendre fugitivement des
valeurs trs importantes, compte tenu des
lments extrieurs au transistor. Le constructeur
indique, dans les axes i, = f(u,,),
(fig. 29) une
aire de scurit, hors de laquelle le point de
fonctionnement ne peut sortir que pendant un
temps limit.

172

Puis lorsque le courant ic sannule, il dcrit laxe


des uCE de Vo jusqu E. Le rseau daide la
commutation loigne le point de fonctionnement
des limites de laire de scurit et autorise ainsi le
transistor couper des courants dintensit plus
leve.

le transistor ionctions

7. FONCTIONNEMENT
DU TRANSISTOR
EN AMPLIFICATION
7.1. AMPLIFICATEUR
LINAI R E
Un amplificateur est dcrit par le schma de la
figure 31.

Supposons que lamplificateur contienne un


transistor; ses grandeurs lectriques i,, ic, vCE,u,,
varient au rythme du signal dentre et le point de
fonctionnement se dplace sur les caractristiques. Lorsque le signal dentre est nul, ces
grandeurs lectriques prennent les valeurs I,, I,,
Vc,, V,, appeles valeurs de polarisation, la
position alors occupe par le point de fonctionnement est appele point de repos.
Suivant la position du point de repos, on
distingue les rgimes de fonctionnement ci-aprs.

Am plificateur

Ve

7.2. AMPLIFICATION
E N CLASSE A

Fig. 31

Cest un quadriple, attaqu par le signal dentre


(v, ou i,) et fournissant, une charge RL, un
signal de sortie (v, ou i,).
Un amplificateur linaire doit possder les
proprits suivantes :
O La forme du signal de sortie doit tre identique
a celle du signal dentre (fig. 32).

Un transistor fonctionne en classe A sil nest


jamais bloqu ni satur.
7.2.1. Polarisation

Une source de tension continue fixe les grandeurs de polarisation I,, 1,, V,, V,, et impose
ainsi la position du point de repos sur les
caractristiques.
Le montage de base est donn figure 34.

Fig. 32
0 La puissance fournie la charge par le signal
de sortie do& tre suprieure la puissance
fournie lamplificateur par le signal dentre.

Un amplificateur peut tre caractris par :


Sa rsistance dentre Re : cest la rsistance
quil prsente au signal dentre.
O Son gnrateur de Thvenin quivalent en
sortie : il comprend le gnrateur de tension A , v,
et la rsistance R, (fig. 33) :
- A , est lamplification de tension vide;
- R, est la rsistance de sortie.

A
M

Fig. 33

Ti

CO

Fig. 34

Aprs une priode transitoire pendant laquelle ils


se chargent respectivement sous la tension V,, et
VcE,les condensateurs Co et CO ne laissent plus
passer le courant continu.
RL est la charge destine recevoir ultrieurement le signal (os, &).
Nous disposons, pour la dtermination de I , et
V,, des quations suivantes :

= RBIB

+ VE

= f(IB)

caractristique du transistor, indpendante de


vCE-

173

composants

En pratique, la jonction metteur-base tant


polarise en direct, la tension VBE reste voisine
de 0,6 volt pour un transistor au silicium et
avec une bonne approximation on peut crire
E - 0,6 volt
VBE N 0,6 volt, I , z
RB
Pour la dtermination de I , et VcE, nous
disposons des quations suivantes :

+ VCE

E = RcIc
Ic = f

Soient ib, i,, u,,, v b e les petites variations des


grandeurs lectriques. Les capacits Coet CO sont
suffisamment leves pour que, compte tenu de la
vitesse de variation du signal d'entre, la tension
aux bornes des condensateurs reste sensiblement
constante. Les condensateurs se comportent
alors comme des courts-circuits vis--vis des
petites variations ce qui conduit, pour i,, i,, v,,,
v,,, au schma quivalent de la figure 36.

K E )

caractristique du transistor
E - 0,6 volt
IB =

RB

La rsolution conduit au graphe de la figure 35;


la droite d'quation E = Rc I , + V,, est la droite
de charge statique.

Droite de charge statique

Fig. 36

b) Attaque par un gnrateur de tension


Le schma correspondant une telle attaque est
donn la figure 37.

repos
O

c
,

!CE
L

Fig. 35
Fig. 37

En pratique I , z PI,, soit :


1,

E - 0,6 volt ,
T/cE

RB

=E

( E - 0,6)-.PRC
RB

7.2.2. Attaque de l'amplificateur


par un signal d'entre

Dconnectons les points A et M de la figure 34


afin d'y intercaler un gnrateur de signal qui
impose aux grandeurs lectriques des petites
variations autour de leur valeur de repos.

La valeur instantane de la tension base-metteur


rsulte de la tension VBE aux bornes du
condensateur Co et de la tension v, impose par
' + v,.
le gnrateur d'attaque soit : uBE = VE
Nous avons tabli au paragraphe 4.3 que la
valeur instantane i , du courant de base est
donne par :
UBE

iB = IBs e K

(o V, est de l'ordre de 30 mV 25C)'


soit :

a) Remarque prliminaire

La variation de tension aux bornes d'une source


de tension constante tant nulle, nous pouvons
conclure qu'une source de tension constante se
comporte comme un court-circuit vis--vis des
petites variations.
Nous tablirions de la mme manire qu'une
source de courant constant se comporte comme
un circuit ouvert vis--vis des petites variations.

174

VBE

De

ue

iB = IBs e K . evT = I , evT,


VBE

ou I , = IBs e K est le courant de polarisation de


base.
Un dveloppement en srie de l'exponentielle
conduit :

le transistor ionctions

Les petites variations i, du courant de base


sexpriment donc par :

Nous venons dtablir que le transistor prsente


aux petites variations ib et ube la rsistance
ube
30 mV
_ _ -IB

ib

La relation entre i, et u, nest donc pas linaire et


le courant ib ne reproduit pas la forme du signal
dattaque ue. Il en est donc de mme pour les
petites variations i, = pi, et v,, = - RCRL i,
Rc + RI,
(voir fig. 36).
La forme de la tension aux bornes de la charge
tant diffrente de celle du gnrateur dattaque,
on dit quil y a distorsion.

IB

La tension de polarisation E tant de lordre


dune dizaine de volts, E - 0,6 volt est trs grand
par rapport 30 mV. La rsistance R, est donc
trs grande par rapport la rsistance dentre du
transistor et nous pouvons ngliger son influence.
La forme du courant ibde base est donc identique
celle du signal dlivr par le gnrateur de
RCRL .
courant i, et la tension u,, = - p ~ cR, le

REMARQUE
Dans le cas o le signal dattaque v, est trs infrieur
V, = 30 mV, on peut limiter le dveloppement
prcdent au premier ordre et crire :

i,

1~2.
VT

Daprs ltude de polarisation, la rsistance RB


E - 0,6 volt
est donne par : R, =

La relation entre i, et v, est alors linaire et i, la


mmeforme que v,, il en est donc de mme de i, = pi,
et de v,, = - RCRL 2,..
Rc + RL.
Remarquons que le transistor prsente aux petites
variations i, et v, (fig. 36) la rsistance
v, - -V, - 30 mV
_
~

ib

reproduit sans distorsion la forme du signal


dentre i,.
Lattaque du transistor par un gnrateur de
courant ne fait pas apparatre de distorsion.
REMARQUE

Pour les forts signaux, la tension vBE est distordue;


cet inconvnient est sans consquences puisque cette
tension nintervient pas dans la relation entre i, et v,,.

7-23. tude nergtique

IB

IB

En conclusion lattaque dun transistor


jonctions par un gnrateur de tension conduit
une distorsion du signal sauf si ce signal est
suffisamment faible pour que la portion de
caractristique dentre,

Afin danalyser lvolution du point de fonctionnement autour du point de repos M o , traons,


dans le systme daxes ic, uCE,un autre systme
daxes i,, uce, centr en M o , dans lequel sont
repres les petites variations (fig. 39).
IC

VBE
IB

= f ( V B E ) = I,,

Fig. 39

Droite de charge dynamique


Rc + RL
de pente

e F ,

dcrite par le point de fonctionnement puisse tre


assimile une droite.
c) Attaque par un gnrateur de courant

Le schma quivalent pour les petits signaux est


donn la figure 38.
RCRL
i, est dcrite, dans
Rc + RL
ce systme daxes, par une droite passant par M o ,

La relation II,,=

appele droite de charge dynamique. Sa pente


Fig. 38.

(-

Rc RL
RCR,
+

tant plus ngative que celle de la

175

comDosants

droite de charge statique

( K,),
- __

elle coupe raxe

des u,,en un point M , dabscisse infrieure E.


Nous supposerons dans cette tude que :
O Tout le quadrant i,, uCE est descriptible par le
point de fonctionnement en rgime linaire, cest-dire que nous ngligerons les valeurs de VcEsatet
ICoE *

Le transistor est attaqu par un gnrateur de


courant sinusodal, en consquence de quoi les
grandeurs i, et u,, sont sinusodales.

b) Puissance fournie la charge RL


Cette puissance Pu sexprime par :
T

dt

Pu = ;JO
=

(avec T =
JOT

vEM

z)

cos2 cet dt

= -.G E ,

RL
Sachant que

v ZE M

2RL

2RL

RCRL < RL, nous dduisons


Rc + RL

+ RL)

< vZEU(RC

vCEM1CA4

2RCRL

Si le but du dispositif est dobtenir un maximum


de puissance utile dans la charge, lexcursion
tant symtrique autour du point de repos M o , il
faut que le point M o soit le milieu du
segment M , M , dcoup sur la droite de charge
Dans ces
dynamique par les axes i,, II,,.
conditions nous avons :

Dans le cas o lexcursion est maximale :

OB = B M , = VcE, tension collecteur-metteur


de polarisation,
O A = A M , = I,, courant de collecteur de polarisation.

On dfinit le rendement par le rapport entre la


puissance utile et la puissance fournie par la
P
U
source de tension continue : 7 = -.
PE
La puissance P, = E I , est indpendante de la
puissance utile Pu fournie la charge. La

Les valeurs instantanes de


respectivement :

i, scrivent

+ i,

=I,

VcE et I,,
Pu <

= I,,
b E I C
~

soit :

< -.

c) Rendement

ElC
puissance Pu tant infrieure -,
le rendement
4
ne peut dpasser 25 %.

GE+ uce

CE =
1,

u,,et

V CE M

avec u,,

V,,

COS

cot

d) Puissance dissipe dans le transistor


o V,,,

et I,,

entre collecteur et metteur


Cette puissance Pd est donne par .:

lis par la relation

R, RL
RCRL

vCEM

= ICM,

sont respectivement les valeurs maximales des


variations sinusodales u,, et i,.
Dans le cas dune excursion maximale,

Pd

l
=r
joTvcEic dt
=

JOT( I/CE

VCEM cos ut)

( I c - I,,

Cette puissance P , sexprime par :


PE =
=

176

&

(avec T

joTEik dt

fjoT
E(I,

g)

IL,

COS

ut)dt = El,.

COS

ut) dt

V&I, - vCEMICM
2
Cette puissance est maximale et vaut
=

Pdmax

a ) Puissance fournie par le gnrateur


de tension continue E

= vCEIC,

dans le cas o VcEMest nul, cest--dire lorsque la


charge ne reoit aucun signal.
Sachant que la puissance utile est infrieure
vCE I C

, nous retiendrons que le transistor doit


2
tre capable de dissiper une puissance au moins
deux fois plus leve que la puissance maximale
fournie la charge.

le transistor jonctions

e) Bilan de ltude nergtique

Si le but recherch est de fournir un maximum de


puissance la charge R,, lamplificateur fonctionnant en classe A est mal adapt; en effet :
- le rendement est faible : il ne peut tre
suprieur 25 %;
- le gnrateur de tension continu fournit une
puissance importante, et ce, mme si la charge ne
reoit aucun signal;
- le transistor doit tre capable de dissiper une
puissance plus de deux fois suprieure la
puissance utile reue par la charge.
Par contre un tel dispositif peut tre utilis si le
but recherch est un fort gain en tension ou en
courant sans chercher fournir une puissance
importante ltage suivant.

7.2.4.Stabilisation du point de repos


Considrons le schma de polarisation de la
figure 34, dans lequel le courant I , est donn par
I , = P I , + I,,,
et analysons les perturbations
susceptibles de le faire varier.
a) Influence de la temprature
Supposons, par exemple que la temprature passe
de 25 OC 175OC.
O Le
courant inverse de la jonction basecollecteur double tous les 7C environ. Sil ny
avait pas dimpurets la surface de la jonction
base-collecteur, le courant ICoE passerait de 1 nA
25 O C 3 300 nA 175C. En fait 25 OC, ce
courant est masqu par le courant de fuite d aux
impurets (il est alors de lordre de 100 nA). Pour
une variation de temprature de 25C 175OC,
le courant I C o E augmente donc denviron
AIcl = 3 pA.
O La tension base-metteur diminue denviron
2,2 mV par OC. Pour un transistor au silicium elle
passe de 0,6 volt 25 OC 0,225 volt 175 O C , soit
une variation AVE = - 0,375 volt. Sachant que
E - VBE, il en
le courant 1, est donn par I B = _____
RB

rsulte une variation de I B de

et une variation de I , de AIc2 =

-p AVBE
- I/BE

1,.

O Le gain en courant p augmente. En effet,


lagitation thermique accrot le nombre de paires
lectron-trou dans la base, rendant moins
probable les recombinaisons et provoquant ainsi

un accroissement de a donc de p. Typiquement,


pour un transistor au silicium, p passe de 55
25 OC 100 175OC. La variation correspondante
de 1, est donc de A I , , = 451,.
Ordres de grandeur

La tension dalimentation continue E tant de


A VBE est de
lordre dune dizaine de volts, - -p
E - VBE
0,375
lordre de 55 x
= 1,88, trs petit par rapport
10
45. Les variations de la tension base-metteur
ont donc une influence ngligeable par rapport
aux variations de p.
Le courant I , tant de lordre de 10 mA, le
courant I B est de lordre de 100 pA et AIc3 de
lordre de 4,5 mA est trs grand par rapport
AIcl = 3 pA. Ainsi, pour le dispositif tudi, ce
sont les variations de p qui ont la plus forte
influence (ce nest pas toujours le cas).
~

6) Dispersion des caractristiques

Nous avons vu quil tait difficile pour le


constructeur de garantir la valeur de p avec
prcision. Ainsi, dans un mme lot, il nest pas
rare de rencontrer des transistors dont le gain p
varie du simple au double, provoquant lors du
remplacement dun transistor un effet identique
celui provoqu par une lvation de temprature.
Consquences

Revenons au graphe de la figure 39, sur lequel


le point de fonctionnement se dplace autour
du point de repos M o sur la droite de charge
dynamique. Par suite dune variation de
temprature ou du remplacement du transistor, le
point de repos se dplace sur la droite de charge
statique entranant avec lui les axes i, et u,, ainsi
que la droite de charge dynamique. Il apparat
ainsi un risque de voir le point de fonctionnement
aller en bute sur laxe des i, ou sur laxe des vCE.
Il est donc ncessaire damliorer le montage de
base de faon stabiliser la position du point de
repos M o .
Conformment aux valeurs numriques de notre
exemple, nous tudierons linfluence des variations de p sur le courant de collecteur I , et nous
chiffrerons la stabilisation par le facteur de
stabilisation S , = IB($)

o dl, est la variation

de I , rsultant de la variation dp de

p.
177

comDosants

Pour le montage de base, I , est fix indpendamment de P par

soit S
c)

ti!J

1.

Stabilisation par rsistance dmetteur

Un accroissement du gain P, provenant dune


lvation de temprature ou dun changement de
transistor, provoque un dplacement densemble,
vers le haut, des caractristiques I , = f(VcE)
I B = Cte, entranant la monte du point de repos
sur la droite de charge statique. Afin de ramener
ce point de repos vers sa position initiale le
dispositif doit ragir une augmentation de P,
par une diminution de 1,, ainsi la position du
point de repos est stabilise la manire dun
piton qui descendant les marches dun escalier
roulant, ascendant, reste sensiblement la mme
place.
Considrons ds lors le schma partiel de la
figure 40.

RE

Fig. 41

Si les courants Il et I 2 sont grands par rapport au


courant de base 1,, le potentiel du point B est
indpendant de I,. Si, par suite dune perturbation, le courant I , augmente, le potentiel du
point E augmente entranant une diminution de
la tension VBE.Le courant I B diminue ce qui est
bien le but recherch dans la stabilisation.

do il vient :

1
M

Fig. 40

E-

Maintenir le courant 1, constant constitue une


condition suffisante pour stabiliser le point de
repos.
Le courant dmetteur tant sensiblement gal

La stabilisation du point de repos peut donc tre


obtenue en maintenant la tension VBMconstante.
Or un dispositif dans lequel la tension VBMest
constante est inutilisable. Si lon considre en effet
lattaque de la base par un signal, toute tension
constante se comportant, vis--vis des petites
variation-s comme un court-circuit, le signal voit
les points B et A4 en court-circuit, et le transistor
est alors inefficient. Il faut donc raliser un
compromis entre la stabilisation du point de
repos et lattaque du transistor par un signal; ce
qui conduit au schma de la figure 41.

178

I,

= PI

B-Rl

R2

- + RE

+ R2

R2

Le facteur de stabilisation S , stablit donc

Il est dautant plus lev que PRE est grand par


rapport RB. Cependant on ne peut pas
diminuer RB exagrment sinon le transistor ne
serait plus aliment par le signal.

le transistor ionctions

Le transistor Ti est bloqu tant que la tension


uBE est infrieure E , et, lorsquil conduit, la
tension uBEest sensiblement constante et gale
EO.
O Le transistor T, est bloqu tant que uBE est
suprieure - E , et, lorsquil conduit, la tension
uBE est sensiblement constante et gale - E,.
Compte tenu de e = uBE uL nous obtenons
(fig. 43) les variations de u,.
Nous y remarquons que, lorsque la tension e est
comprise entre - E , et E,, aucun transistor ne
conduit et la tension uL est nulle.
En consquence, la forme de la tension uI,aux
bornes de la charge est diffrente de celle du
signal e. Le dfaut correspondant est appel
distorsion de croisement ou distorsion faible
niveau car il est dautant plus sensible que E , est
plus faible.
O

7.3. AMPLIFICATEUR
EN CLASSE B
Un transistor fonctionne en classe B si son point
de repos dans le plan i, = f(u,,) se trouve sur
laxe des uCE.Lexcursion du point de fonctionnement autour du point de repos tant symtrique,
il apparat quun transistor ne peut lui seul
recopier la forme du signal. La figure 42 donne le
schma de base dun amplificateur en classe B,
utilisant deux transistors complmentaires (Ti de
type N-P-N, T, de type P-N-P). Ce dispositif est
aliment symtriquement par deux sources de
tension constante E.

7.3.1. Suppression de la distorsion


de croisement

I
Fig. 42

Le signal dattaque est constitu par un


gnrateur de tension e que nous supposons
sinusodale, dexpression e = E , cos cot (fig. 43).
EM

t
t

Pour supprimer la distorsion de croisement, il


faut modifier le dispositif de telle sorte que le
transistor Ti conduise ds que la tension e est
positive et que le transistor T2 conduise ds que
la tension e est ngative.
a) Suppression par polarisation de la base

Compltons le schma de base de la figure 42


conformment au schma de la figure 45. Les
diodes D, et D, sont choisies et les rsistances R I
et R , ajustes de telle sorte quen labsence de
signal :
- le potentiel du point A soit gal celui du
point B ;
- la tension u1 soit gale E,;
- la tension 1.4, soit gale - E,.

Fig. 43

Afin de dterminer lvolution de la tension uL,


aux bornes de la charge R,, nous idaliserons les
caractristiques iB = f(u,,) des deux transistors
conformment au graphe de la figure 44.

Fig. 44

Fig. 45

179

composa nts

Dans ces conditions, lorsque uL = O,


v B E , = u , + e = E , + e.
Ds que la tension e est positive, la tension v B E i
devient suprieure E , et le transistor 7
conduit. De mme, v B E 2 = u2 + e = - E , + e.
Ds que la tension e est ngative, v B E 2 devient
infrieure - E , et le transistor T2 conduit. La
distorsion de croisement est ainsi limine.
REMARQUES
Si, par suite dun mauvais choix de composants, la
tension u1 - u2 devient suprieure 2Eo, il apparat
un trs fort courant de base (fig. 44) dans lun au
moins des transistors: ceci peut aller jusquau cas le
plus dfavorable o les deux transistors sont
simultanment saturs entranant un court-circuit sur
les deux alimentations continues + E et - E .
0 La
tension interhases v B 1 B 2 est gale
V B i B 2 - v B E i - vBE2 N 2E,. Supposons que la polarisation impose une tension v B 1 B 2 constante. Une
lvation de temprature provoquant une diminution
de la tension de seuil E , de 2,2 mV par OC, fait
apparatre unfort courant de base sur les transistors,
conduisant un fort courant de collecteur. La
dissipation thermique qui en rsulte provoque une
nouvelle lvation de temprature, etc. Cest
lemballement thermique pouvant aller jusqu la
destruction des transistors.
La polarisation laide des diodes D , et D , prsente
1 avantage suivant :lorsque la temprature augmente
la tension u1 - u2 aux bornes des diodes diminue de
la mme quantit que la somme 2E, des tensions de
seuil, vitant ainsi le phnomne demballement
thermique.
Le dispositif peut tre complt par deux petites
rsistances rE (de quelques dizimes dohms
quelques ohms) montes en srie avec les metteurs
qui, faisant apparatre une chute de tension ohmique
rE(icl- ic2) sajoutant 2E,, limitent 1 accroissement des courants de base.
0 Dans le cas idal :
e = -ul
u B E , + uL = uL, lorsque T, conduit,
e = - u2 + vBE2+ uL = uL, lorsque T, conduit.
0

Par lintermdiaire, alternativement, de Tl et de T2,la


tension uL recopie la tension e du gnrateur de
signal mais le courant qui parcourt la charge est
fourni, non pas par le signal mais par les sources de
tension continues E . I l est ainsi possible d obtenirune
forte puissance dans la charge R,. U n tel dispositif
est aussi appel (( Push-pull , soit K pousse tire .
Cette dnomination fait allusion au potentiel du
point B (fig. 45) qui, suivant lvolution du signal,
comprime et tire alternativement les potentiels
collecteur-metteur des transistors Tl et T2.

6) Suppression a [aide dun amplijkateur de fort


gain en tension
Considrons le dispositif de la figure 46, dans
lequel A est un amplificateur qui possde les
caractristiques suivantes :

180

Fig. 46

rsistance dentre infinie : aucun courant ne


circule vers les entres + et -;
- rsistance de sortie nulle;
- fort gain en tension : us = p , avec p % 1.
A partir des quations :
-

+ UL

e+ R,

V , = UL

VgE

v,

R2

= p

il vient par limination de et us,

Ordre de grandeur : R , = R 2 = 10 kR, p


lquation prcdente devient :

v B E = - IO4- - u L
2

104;

104
L

Le transistor Ti entre en conduction ds que la


tension v B E est gale la tension de seuil E,, cest-dire ds que la tension e devient infrieure
2 E ~ - E~ De la mme manire, le
-104 5000
transistor T, entre en conduction ds que la
tension e devient suprieure EO
Cette
5 O00
valeur tant de lordre de 0,l millivolt, on
supprime ainsi le ((temps mort)) qui entrane la
distorsion de croisement (fig. 43).
Lquation gnrale peut tre crite sous la
forme :
~

e=---

UBE R i

c1

+R2

R2

--UL [R$$
~

-1.
R2

A la limite, si le gain y tend vers linfini, il vient


R
uL = - e 2 . La tension uL recopie la tension e,
R,

le transistor jonctions

R2 prs, mais le
Rl
courant qui parcourt la charge est fourni par les
tensions dalimentation continues E.
au facteur multiplicatif

--

7.3.2.tude nergtique
La figure 47 donne le schma partiel de la (( partie
puissance )) commune aux schmas des figures 45
et 46.
c 1

c) Puissance dissipe dans un transistor

Cette puissance Pd peut tre obtenue par le


bilan de puissances : 2P, = 2Pd + Pu, soit
a2E2
pd- -- - aE2
nRL 4RL
Cette puissance est maximale pour une valeur
dPd
2
de a telle que - = O, soit a = - = 0,64. Elle
da

.n

c2

vaut alors Pdmax=

fi

TLR,

d) Rendement
Le rendement, qui est le rapport entre la
puissance utile et la puissance fournie par les
sources de tension constante est donn par :
r

Fig. 47

c 2

La tension uL, recopiant la tension e du


gnrateur de signal scrit uL = E , cos cot.
Les tensions vCEi et vEC2ne pouvant devenir
ngatives, la valeur maximale de E , est gale a E.
Nous poserons E , = aE avec O < a < 1.
a) Puissance fournie la charge RL
Cette puissance Pu est donne par :

1joT dt (avec T =
= f joT
a2E2
cos2 ut dt
RL

P = T

g)
a2E2

= -.

Elle est bien sr maximale lorsque a


E2
alors Pumax= -.
2RL

2RL.

1 et vaut

6) Puissance fournie par un gnrateur de tension


constante E
Le transistor Ti conduit lorsque la tension uL est
rn

positive, cest--dire entre les instants t l = - 4


T
et t2 = + -; il est bloqu lorsque uL est ngative.
4
Lorsque le transistor TI conduit, le courant i,
scrit
aE
uI- -2Ci = cos cot
RL RL
La puissance PEfournie par une source de tension
continue sexprime par :
Ei,, d t

Il est maximal pour a


n
y = - N 78,5 70.
4

1 et vaut alors

e) Bilan de ltude nergtique

Le montage (( Push-pull )) est particulirement


bien adapt pour fournir une puissance importante la charge R,. En effet :
- son rendement est bon : il peut atteindre
thoriquement 78,5 % ;
- lorsque le signal dentre est nul, a = O et
PE = O, les sources de tension continues ne
fournissent pas de puissance;
- la puissance dissipe dans chaque transistor
est faible; remarquons en effet :

Chaque transistor doit tre capable de dissiper


une puissance gale 20 YOde la puissance utile
maximale.
Exemple de calcul
Soit ii construire un amplificateur destin
fournir une puissance de 100 W une charge
RL = 8 a.
Les tensions dalimentation E doivent tre telles
que E 2 = 2RLPUmax
soit E = 40 volts.
Chaque transistor doit tre capable de dissiper une puissance P = 0,2 x 100 = 20 watts.
Il doit pouvoir supporter une tension VcE
gale 80 volts et un courant 1, gal
E
40
- =- = 5 ampres.
RL

181

composants

7.3.3. Montage utilisant une seule


source de tension

Il est possible de diminuer le cot du dispositif en


alimentant le montage par une seule source de
tension continue E. La figure 48 donne le schma
partiel de la (( partie puissance .

Ces courbes sont les reprsentations graphiques


rsultant des quations :

Soient I,, I,, V,, V,, les grandeurs de polarisation et i,, i,, V b e , u,,, les petites variations des
grandeurs lectriques i, i,, u,, uCE, autour de
leurs valeurs de repos.
Nous assimilerons ces petites variations aux diffrentielles, soit : i, = di,, i, = di,, Vbe = duBE,
V,, = ducE.

Effectuons, sur le systme dquations une


diffrentielle totale. Il vient :

Fig. 48

Lorsque le transistor TI conduit, lensemble R, C


est aliment par la source de tension + E.
Lorsque le transistor T2 conduit, cest le condensateur C qui sert de source dalimentation
pour la charge R,.
Le dispositif est forcment limit du ct des
basses frquences, car le condensateur interdit
lalimentation de la charge R, en continu. La
capacit C doit tre calcule de telle sorte que
la tension aux bornes du condensateur reste
E
sensiblement constante et gale -, et ce, compte
2
tenu de la frquence minimale dutilisation.

7.4. SCHMA QUIVALENT


D U TRANSISTOR
POUR LES PETITES
VAR IATlO N S
Regroupons sur un mme graphe les caractristiques du transistor et faisons apparatre, dans
chaque quadrant, le point M o de polarisation
(fig. 49).

Appliquons cette diffrentielle totale autour du


point M o . Il vient :

($)zf

=Cte

est la valeur, autour du point M o ,

de la drive partielle de uBE par rapport i,, en


maintenant v,, constante. En dautres termes,
cest la pente de la caractristique us, = f(iB)
autour du point M o . Nous la noterons h l l .

(i,)
au,, g0=Cte est la valeur, autour du point M o ,de
la drive partielle de ugE par rapport uCE, en
maintenant i, constant. Cest la pente de la
caractristique uBE = f(u,,) i, = Cte autour du
point M o . Nous la noterons hI2.
est la pente de la caractristique
i, = f(u,,)
i, = Cte autour du point M o . Nous
la noterons h22.

(3)
ai,

ug=Cte

Fig. 49

182

VBE

est la pente de la caractristique

i, = f(iB) uCE = Cte autour du point M o . Nous


la noterons h21.

le transistor ionctions

Ces changements de variable conduisent :

Vbe

hllib

i~

h21ib

+ hlzvce,
+ h22Vce9

7.5. LES TROIS MONTAGES


FONDAMENTAUX
EN CLASSEA

les paramtres h i i , h,,, h,,, h2, sont les


paramtres hybrides du transistor.
7.5.1. Montage metteur commun

Ordres de grandeur :
a ) La caractristique i, = ~ ( v B E )n'est pas linaire. Son quation est de la forme
UBE

i,
avec V,

= I,,

eK,

30 mV, et ce quelque soit vCE,soit :

et
au point M o ,

soit

h11

30 (mV)

=-

Le schma correspondant (fig. 51) est obtenu


partir du schma de polarisation de la figure 41,
en ajoutant les lments suivants :
0 Un gnrateur de force lectromotrice e, et de
rsistance interne R,, destin provoquer des
petites variations autour des valeurs de repos;
0 Une charge R,;
0 Un condensateur dont la capacit C E est
suffisamment leve pour que la tension ses
bornes reste sensiblement constante.
O Deux condensateurs Co et CL dont le rle est
d'empcher le courant continu de traverser le
gnrateur et la charge.
Nous supposerons que les petites variations
imposes par le signal sont sinusodales.

43

b) La caractristique vBE= f ( v C E ) a i, = Cte


tant sensiblement horizontale, h, est pratiquement nul : h , , = O.
C) La caractristique i, = f ( i B ) tant sensiblement une droite d'quation ic = Pi,, il vient
h,, = P. Les corrections qui peuvent tre
apportes cette relation sont ngligeables par
rapport aux dispersions du paramtre /3 dans un
mme lot de transistor : h,, = 30 -+ 300.
) Dans sa partie linaire, la caractristique
ic = f(v,,) est lgrement croissante et sa pente
est d'autant plus forte que le courant I , de
polarisation est plus grand. L'ordre de grandeur de l / h 2 , est de quelques dizaines de
kiloohms quelques centaines de kiloohms :
h,, = 10-4 + l O - ' a-'.
A partir des relations :

i*
vbe

= h11 i b ,

lc

= h21ib

Fig. 51

a ) Schma quivalent pour les petites variations

En posant R,

R l R 2 , on obtient le schma
R, +R,

de la figure 52.

+ h22vce

nous pouvons dduire le schma quivalent du


transistor pour les petites variations (fig. 50).
Fig. 50

.
lb

/C

Fig. 52

183

corn posa n ts

b) Calcul des condensateurs


La capacit CO doit tre telle que son
1
impdance -soit faible devant la rsistance
COCO
R, + Re o Re est la rsistance que prsente
lamplificateur entre les points B et M .
O La
capacit Co doit tre telle que son
1
impdance -soit faible devant la rsistance
COCO
RL + R, o R, est la rsistance de sortie de
lamplificateur.
O Afin de dterminer la capacit CE,modifions
le schma entre les points B et M par application du thorme de Thvenin. En posant
O

Ro

Rg RB

R~ + R B

, le schma correspondant est

Ainsi la valeur adopter pour CE dpend du


courant de polarisation I,.
Aprs le calcul des condensateurs le schma
se rduit celui de la figure 54, avec

Fig. 54

c ) Rsistance dentre

Cest la rsistance vue par le gnrateur :


Re =

h l l RB
hll

+ RB

Ordre de grandeur : R, est en gnral grand


30 (mV)
devant h,,; soit Re = h,, = -.
IB

Rc+ RL

Cette rsistance est faible (de lordre du kQ) et


dpend du courant de polarisation de base.

d) Gain en tension
Fig. 53

Daprs les quations :

La capacit CEdoit tre telle que :


1
- limpdance - soit faible devant la
CEW
rsistance RE, soit :
1
4 RE
CE0

la valeur efficace I/eeff de la tension v, soit


ngligeable devant la valeur efficace r/geff de la
tension v,. En ngligeant le courant dans la
1
rsistance -, il vient :
h2 2
-

soit

Les tensions dentre et de sortie sont en


opposition de phase.
1
Ordre de grandeur: - est en gnral grand
h22
devant R,, soit R&z R,.
Afin dobtenir une valeur approche, assimilons
hZl /3 (ce nest quune approximation, car en
toute rigueur, h2, dpend du courant de
polarisation Ic) :

Pour une attaque par un gnrateur de tension


(R, = O), cest la deuxime condition qui est la
1
hll
plus contraignante : - -.
Sachant que

-+

h21

30 mV
h,,=------- ,il vient:
IB

184

1
~

30(mV)

30(mV)
N

Dans ces conditions, lamplification en tension


dpend du courant de polarisation 1,.

<
p
.

h21B

IC

le transistor jonctions

e ) Gain en courant
D'aprs les quations :

v,

= RLi,

21,

= R,i,

il vient :

Un ordre de grandeur de ce gain est A ,

100.
Fig. 56

f) Rsistance de sortie
C'est la rsistance du gnrateur de Thvenin
quivalent. On la dtermine partir du schma
de la figure 55, sur lequel :
- la charge est dconnecte;
- la force lectromotrice e, est remplace par un
court-circuit.

a) Schma quivalent pour les petites variations

En posant RB

RlR2 , on obtient le schma


Rl +R2

de la figure 57.

Fig. 55

De l'quation

ib

= O,

il vient :

Fig. 57

6) Calcul des condensateurs

La rsistance de sortie est donc sensiblement


gale R,. Son ordre de grandeur est de 1 k a .
g) Bilan

Le montage metteur commun prsente :


- un fort gain en tension de l'ordre de 100,
rglable par I,,
- une faible rsistance d'entre de l'ordre du
kiloohm, rglable par I B ,
- un fort gain en courant de l'ordre de 100;
- une forte rsistance de sortie dpendant
de R,.
7.5.2. Montage base commune

Le schma correspondant est donn la


figure 56 :
0 Le signal qui impose les petites variations
attaque le dispositif par l'metteur du transistor.
La charge R, est connecte au collecteur du
transistor.

Nous les calculerons en supposant que les


petites variations imposes par le signal sont
sinusodales.
La capacit CL doit tre telle que son impdance
1
soit ngligeable devant la rsistance
COCO
R, + Re o R, est la rsistance d'entre de
l'amplificateur.
La capacit Co doit tre telle que son impdance
1
soit ngligeable devant la rsistance
COCO
RL + Rs o Rs est la rsistance de sortie de
l'amplificateur.
La capacit CBdoit tre telle que son impdance
1
soit ngligeable la fois devant la
CBU
rsistance RB et devant la rsistance hl 1.
La rsistance R, tant en gnral grande devant
1
30 mV
h i l , il suffit de raliser - h,, =-.
CBm
1,
Cette capacit dpend donc du courant de
polarisation de la base.

185

corn posants

Aprs le calcul des condensateurs, et par


transformation du gnrateur de Norton

h,, tant de lordre de 100, la rsistance -,


hl 1 de

(h2,ib,

lordre dune dizaine dohms, est faible la fois


devant h l l , RE et 1 + h 2 2 R e q

k)

h21

en son gnrateur de Thvenin

quivalent, nous obtenons le schma de la


figure 58.

h21

RL

Rc

+RL

IC

IC

grandeur de la rsistance dentre.

C) Rsistance dentre
Cest la rsistance vue par le gnrateur entre les
points E et M .

RCRL

h211B

courant de polarisation I c .
En toute rigueur, h,, nest pas exactement gal
p. Il varie avec le courant de collecteur I c et la
30 mV
ne donne quun ordre de
formule Re =
~

Fig. 5%

Posons Re, =

La rsistance dentre est donc peu diffrente de


h
l l - 30 mV 30 mV
-~
%. Elle dpend donc du

et transformons le

6) Gain en tension

A partir de la figure 58, nous pouvons crire :

gnrateur de Thvenin
son gnrateur de Norton quivalent. Nous
obtenons le schma de la figure 59.
E

soit
M

v2 =

h 2 1 ib

est gale u = h l l ib. Le gnrateur


1 + h22Req
peut donc tre remplac par la rsistance
( + h22R e q ) . La rsistance dentre Re rsulh21

te donc (fig. 60) de la mise en parallle de quatre


rsistances.

A -

- 1 +

h22

Fig. 60

Ordre de grandeur
h,, tant de lordre de lO- a-, h22Reqest
gnralement faible devant 1, si bien que la

rsistance hi i (1 + h 2 2 R e q ) est peu diffrente


h2 1
de -.h l 1
h2 1

186

&JV1.

h22Req
h22Req

(1

&).

Les tensions dentre et de sortie sont en phase.


Ordre de grandeur

h22 . Re, est petit devant 1, et h 2 1 , de lordre de


100, est grand devant h , h22,de lordre de 10-2,
soit :
A

(1

Le gain en tension scrit donc

Fig. 59

La tension aux bornes du gnrateur de courant

hl

h22Req

1 + h22Req

h2 1 Re,
h211B
ReqlC
%h
,
,% Reqm
30 mV

Le gain en tension dpend donc du courant I c de


polarisation.
e) Gain en courant
Sachant que :
v1 = Rei,
v 2 = R,i2

il vient

i
R
A I -- - ? = L A
il

RL

V.

le transistor jonctions

Ordre de grandeur

g) Bilan

Sachant que :

Le montage base commune prsente :


- une faible rsistance dentre de lordre dune
dizaine dohms, rglable par I,,
- un fort gain en tension de lordre de 100,
rglable par I,,
- un gain en courant infrieur 1, qui dpend
du rapport des rsistances Rc et R,,
- une forte impdance de sortie, rglable par
RC.

A + - h2 1 Re,
hl 1
hl
Re N- 1
h2 1

il vient :

Le gain en courant est donc infrieur 1 et ne


dpend que du rapport entre la rsistance de
collecteur et la rsistance de charge.

7.5.3. Montage collecteur commun

Le schma correspondant est donn la


figure 62.
r

J)Rsistance de sortie
Pour la dterminer traons le schma de la
figure 61, obtenu partir du schma de la
figure 58, en remplaant le gnrateur eg par un
court-circuit et en dconnectant la rsistance de
charge R,.

Fig. 62
h l l ib

a) Calcul des condensateurs

La capacit Co doit tre telle que son impdance


1
soit faible devant Rg + Re o Re est la

cou

rsistance dentre de lamplificateur.


La capacit CO doit tre telle que son impdance
1
soit faible devant R, + R, o R, est la

Fig. 61

CO0

rsistance de sortie de lamplificateur.

h21 itJ travers par le


Le gnrateur de tension -,
h22
,est quivalent
h2 1
la rsistance h2 2 h

l1L+-+1
1 de lOrdre
hll

RE

Rg

b) Schma quivalent pour les petites variations


Aprs le calcul des condensateurs et en posant :
RB = R J 2 , on obtient le schma de la
Rl + R 2
figure 63.
il

de grandeur -.
h2 1
h22

hll

lb

Ordre de grandeur
Sur le schma de la figure 61, il apparat, en
parallle sur R,, une rsistance de lordre de
h2 1
x 10 0,trs grande devant R,.

Fig. 63

h22

La rsistance de sortie est donc pratiquement


gale R,.

Posons R i =

RE

z RE.

h22RE

187

corn posa nts

c ) Rsistance dentre
R i RL

Les tensions dentre et de sortie sont en phase.

Fig. 64

Cest la rsistance vue par le gnrateur. Elle


correspond au schma de la figure 64 obtenu
partir du schma de la figure 63 en remplaant le

RR~
en son
gnrateur de Norton
R RL
gnrateur de Thvenin quivalent. Le gnraRRL .
i b , parcouru par le
teur de tension h,,
R RL
courant ib, est quivalent la rsistance

Ordre de grandeur
h2 est grand devant 1. Le gain en tension est infrieur 1, mais est dautant plus voisin de lunit
RRL
que h21 R RL est grand devant h l l .

e ) Gain en courant

Il peut tre dtermin partir de la formule


Re
gnrale A , = A,-.
RL
Ordre de grandeur
A , est de lordre de lunit,
RRL
R, est de lordre de h,,
R i R,
h21R
A , est donc de lordre de grandeur de R RL

Ordre de grandeur

On obtient, en dfinitive, pour la rsistance


dentre le schma de la figure 65.

Ce gain en courant est grand, de lordre de 100.


f ) Rsistancp e sortie

RE RL

Pour la dterminer traons le schma de la


figure 66 obtenu partir du schma de la
figure 63, en remplaant le gnrateur e, par un
court-circuit et en dconnectant la rsistance RL.

tant
R + RL
grande par rapport a h i , , la rsistance dentre
rsulte de la mise en parallle de la rsistance R,
h,, tant grand par rapport 1 et

h21 RRL

d) Gain en tension
A partir du schma de la figure 63, nous crivons
les quations :

Fig. 66

La tension, aux bornes du gnrateur de courant


h 2 , ib, est gale u = h, + 0B) i b .
R, + RB
Nous pouvons donc le remplacer par la rsistance

Nous obtenons ainsi pour la rsistance de sortie


le schma de la figure 67.

hll

hll

Fig. 67

188

-i
L

et de la rsistance h2, R R L . Elle est trs


R RL
grande, de lordre de plusieurs centaines de
kiloohms, voire de plusieurs mgohms.

lb

A
w

le transistor jonctions

Ordre de grandeur

7.6.1. tude aux frquences moyennes

h2, tant grand par rapport 1, la rsistance


R,RB
a une influence ngligeable par
hll +-

Nous appellerons frquences moyennes, les


frquences pour lesquelles :
0 Les capacits Co et C E se comportent comme
des court-circuit s.
0 Les capacits qui apparaissent sur les jonctions
du transistor ont une influence ngligeable.
Le schma quivalent pour les petites variations
est donn la figure 69.

Rg

+ RB

rapport la rsistance (h,,

(2)

dont lordre de grandeur

est faible

devant RE. La rsistance de sortie est donc de


lordre de
h,, - -30mV
z-.

Rs

30mV

- N

h21

h21B

Elle est faible et dpend du courant de


polarisation 1,.
g ) Bilan

Fig. 69

Le montage collecteur commun possde les


proprits suivantes :
- forte rsistance dentre, de lordre de
plusieurs centaines de kiloohms;
- gain en tension voisin de 1;
- fort gain en courant;
- faible rsistance de sortie, rglable par 1,.
Le montage collecteur commun se rapproche
ainsi dun dispositif idal appel suiveur qui
possde les caractristiques suivantes :
- rsistance dentre infinie,
- gain en tension gal 1,
- rsistance de sortie nulle.

7.6. RPONSE EN FRQUENCE


DUN AMPLIFICATEUR
TRANSISTOR BIPOLAIRE
Nous tudierons titre dexemple, lvolution de
la fonction de transfert en tension du montage
metteur commun dont le schma est rappel la
figure 68.

Nous supposerons :

h22

R,.

Dans ces conditions, la fonction de transfert


v, secrit : T - - h21Rc
To = =,
-O - h,,
R,
E-9
I

7.6.2. tude aux basses frquences


a) Influence du condensateur de liaison Co

Nous supposerons que pour les frquences


dtude :
- la capacit C Eest suffisamment leve pour se
comporter comme un court-circuit;
- les capacits parasites du transistor ont une
influence ngligeable.
Le schma quivalent correspondant est donn
la figure 70.

F:qbh2i$$d l5
Rs

Co

h 22

Fig. 70

Avec les memes approximations


1

Fig. 68

+ R,>,

il vient :

h22

189

composants

Par application du thorme de Thvenin en


entre et par transformation du schma de
en son schma de Thvenin
quivalent, nous obtenons le schma de la
figure 73.
avec

Le diagramme de Bode correspondant est donn


la figure 71.
20 lg T,

20 log 1 T1

Fig. 73

Arg

La loi des nuds applique au point E conduit :

o :

Fig.

Pour quun signal sinusodal soit transmis dans


les mmes conditions quaux frquences moyennes, (amplification T,, dphasage de TC) il est
ncessaire que sa pulsation cr) soit suprieure
lOco,, soit :

1
1
Dans la mesure o - % R,, -% R E , h 2 , 9 1,
h2 2
h2 2
cette quation se rduit : 1 = h211B.
Il vient alors :

Ce qui correspond bien au rsultat tabli lors du


calcul de la capacit Co.

b) Influence du condensateur de dcouplage CE


Nous supposerons que pour les frquences
dtude :
- la capacit Co est suffisamment leve pour se
comporter comme un court-circuit;
- les capacits parasites du transistor ont une
influence ngligeable.
Le schma quivalent correspondant est donn
la figure 72.

avec R , =-. R,RB


Rg

soit

+ RB

le transistor jonctions

avec :

_TI0

--

h2 1 Rc

R
-A
Rg RB ' hl1

+ Ro + h21RE'

Le diagramme de Bode correspondant est donn


la figure 74.

rsistance

Ro; ce qui correspond aux


h2 1
rsultats tablis lors du calcul de la capacit CE.
hll

7.6.3.tude aux hautes frquences


Nous supposerons que, pour les frquences
envisages, les condensateurs Co et C E se
comportent comme des courts-circuits.
a) Schma quivalent du transistor aux hautes
frquences

Remarquons que, pour les frquences trs


suprieures a CU;, T devient peu diffrent de

Pour les frquences leves, plusieurs modifications doivent tre apportes au schma de la
figure 50.
O Il faut distinguer, entre base et metteur, le
comportement de la jonction proprement dite, de
celui des semi-conducteurs qui conduisent le
courant jusqu' la jonction. Pour cela, il apparat
entre base ( B ) et metteur ( E ) un point B'
inaccessible physiquement (fig. 75) :
- la rsistance rbbr est la rsistance des semiconducteurs; elle est de l'ordre d'une centaine
d'ohms;

?Tt-b

rue =-30mV
'0

Compte tenu de l'approximation RB % h l i , il


vient T z - h2 1 Rc qui est bien la transmith l l +Rg
tance aux frquences moyennes.
Pour qu'un signal sinusodal soit transmis dans
les mmes conditions qu'aux frquences moyennes (amplification To, dphasage de TC), il est
ncessaire que sa pulsation soit suprieure
1Oco2, soit

CO

> 10 h l l + RO

+ h 2 1 R E , o :
RECE(hii + Ro)

Fig. 75

- la rsistance rbfeest la rsistance dynamique


de la jonction proprement dite, que nous avons
30 mV
tablie a rbje= -.

1,

Il apparat dans la base une charge stocke Q,


dont les variations ne peuvent tre instantanes et
qui va donc altrer le comportement du transistor
pour les frquences leves. Les dimensions de la
base tant faibles, les recombinaisons y sont rares
et la concentration p des charges en excs varie
linairement lorsqu'on se dplace de l'metteur
vers la base (fig. 76).
O

-lp

Emetteur

--

hll + R o
h2 1
L'impdance de la capacit CE doit donc tre
faible par rapport la rsistance rsultant de la
mise en parallle de la rsistance RE et de la
10

RE

Fig. 76

La surface OBE est proportionnelle la charge


stocke. Le courant de base I B est proportionnel
(voir diffusion) au gradient de concentration

191

corn posa nts

(2)

au voisinage de la base. Imaginons que lon

double le courant I,, la concentration

A n
ut/
__

est
dx
multiplie par deux ainsi que la pente de la
droite EB. La surface E B double et la charge Qs
fait de mme.
La charge stocke est donc proportionnelle au
courant I , soit :
Qs = 71,.

vbe

rbe

VBE

Compte tenu de la relation I , = I,, eVT, avec


V, = 30 mV, il vient :
VBE
Qs = TI,, eVT.
La charge Qs dpendant de la tension basemetteur tout se passe, du point de vue des petites
variations, comme si cette charge tait emmagasine par la capacit dynamique Ce = dQs

figure-75 doit tre modifi comme lindique la


figure 77.
-

vbe

Remarquons que la constante de temps rbfeC e est


indpendante de Z,. Elle scrit rbreCe= z.
La capacit Ce est de lordre de 100 picofarads.
Le gnrateur de courant h,, i,, de la figure 50,
traduit les variations du courant collecteur de
court-circuit en fonction des variations i, du
courant de base. Pour les hautes frquences,
la charge stocke interdit la transmission
immdiate, vers le collecteur, de linformation ((courant i,)). Le courant collecteur I , est
proportionnel au gradient de concentration des
porteurs au voisinage du collecteur (voir
diffusion). De ce fait il est proportionnel, tout
comme le courant de base, la charge stocke
Qs. Ses variations i, sont donc proportionnelles
la charge qui apparat sur la capacit de la
figure 77. Cette charge est elle-mme proportionnelle la tension U b r e .
Soit : i, = gmubte.
Comme en basse frquence, ce gnrateur doit
tre complt par une rsistance en parallle rce
qui traduit la pente des caractristiques. Nous
obtenons ainsi le schma de la figure 78.
O

192

b) Relations avec les paramtres hybrides


Pour les basses frquences, les condensateurs se
comportent comme des circuits ouverts. De plus,
nous ngligerons linfluence de la rsistance rbrc.
Nous obtenons le schma de la figure 80.

rbb.e

9m
A

Fig. 80

Nous pouvons y crire :


Ube

1 i,

+ rbe)ib
Vce
= 5 + grnVbTe = grnrbleib
+-

= (TL&

rc e

ce

le transistor ionctions

par identification avec :

frquence de transitionfT; cest la frquence pour


laquelle le module de 5, est gal 1 soit :

il vient :

Sachant que h21 est grand devant 1 il vient


fl-

= h21fp.

c) Frquences particulires

6) Rponse du montage metteur commun aux


Calculons le gain en courant en court-circuit et, hautes frquences
pour cela, relions les points C et E du montage de
la figure 79. La rsistance rblc et la capacit C, Par application du schma quivalent de la
viennent en parallle sur la rsistance rbTeet sur la figure 79 au schma de la figure 68, nous
obtenons pour les petites variations le schma de
capacit C e .
la figure 82.
Sachant que rbre< rb,, et C, < Ce,nous obtenons
1
Rappelons que la rsistance rce = __ est trs
le schma de la figure 81.
h22

grande devant la rsistance R,; nous pouvons


donc ngliger son influence.

Fig. 81.

avec

En rgime sinusodal permanent, il vient :

Si nous nenvisageons que les frquences infavec

=-.

rieures

de lordre de 100 MHz,


1 0 r b r c c,
limpdance l z b , c [ est trs leve par rapport

rbe ce

La frquence f -

0-271TbeCe

est la frquence de

coupure du gain en courant en court-circuit 3,.


1
Remarquons quelle est gale op= - et quelle
z
est ainsi indpendante des conditions dutilisation du transistor. Le constructeur indique la

1
R, et -.
Srn

Le courant 1
1
1est alors ngligeable par rapport
et
nous
pouvons crire :
gm 1-

Fig. 82
l

193

composants

Tout se passe comme si le courant -I tait prlev


Z
sur lentre par limpdance
, ce qui
1 + &grn
conduit au schma quivalent de la figure 83, avec
C = Ce

201g

1rI1

+ (1 + Rcg,)C,
Rcg,)Cc

//

2019

III

Pi$\,

et

I I

rberbc

r=
rbc

01

+ rbe(l + RCgrn)

(la rsistance RBgrande devant hl


une influence ngligeable).

= rbb

ioc,

10

+ rbtea

Fig. 84

03 03

3 L
2

Remarquons que la pulsation de coupure cu3 peut


tre crite :
I

Fig. 83

La fonction de transfert en tension T scrit :


-

vs
= (R,

- SrnRcr
rbb,)(

+jrco) + r

Si la rsistance de charge R, est telle que


Rc g, 9 1, la frquence de coupure haute scrit

La rsistance r rsultant de la mise en parallle


rbc

de rbte et

1 + &grn
en rsulte que :

est peu diffrente de rbte.Il

Elle augmente lorsque la rsistance R, du


gnrateur diminue.

On retrouve ainsi la fonction de transfert en


tension aux frquences moyennes.
Il apparat une pulsation de coupure haute :
(33

Rg

+ rbe + rbb
+ rbb

Rg

rbe

Le diagramme de Bode correspondant est donn


la figure 84.
Pour quun signal sinusodal soit transmis dans
les mmes conditions quaux frquences moyennes, il est ncessaire que sa pulsation soit
(33
infrieure -.
10

194

De mme, elle augmente lorsque la rsistance de


charge diminue, alors que la fonction de transfert
h21 Rc
aux frquences moyennes
To = - h l l + R,
augmente lorsque R, augmente et lorsque R,
diminue.
Afin de juger de la qualit du montage, on dfinit
le produit gain bande par [TOIf 3 .
Soit :

le transistor jonctions

EXERCICES
1.
Le schma dun inverseur T.T.L. est donn sur la figure.

____1._7

On donne :

5 volts,
R1=1,4kR, R 2 = l k R , R c = 1 0 0 R , R , = 4 k R .
=

Les transistors sont identiques et la valeur minimale du


coefficient fl est Pmin= 100. Les courants de base sont
ngligeables devant les courants collecteurs. La tension
collecteur-metteur de saturation est VCEsat
= 0,2 V.
La tension aux bornes dune diode conductrice est 0,6 V.
Elle est bloque ds que cette tension devient infrieure a
0,5 V.
La tension base metteur dun transistor satur est 0,7 V.
Il est bloqu ds que cette tension devient infrieure a 0,5 V.
1 a) Montrer que si V, = O, les transistors T2 et T3 sont
bloqus et que le transistor T4 est satur. Quelle est alors
la valeur de la tension de sortie V? Quel est le signe de
i,? Calculer la rsistance de sortie R,.
b) Quel est le signe de Z,? Jusqu quelle valeur maximale
de V,, la porte reste-t-elle dans cette tat?
2 a) Montrer que si 2 V < V, < 5 V, les transistors T, et
T3 sont saturs et que le transistor T4 est bloqu. Quelle
est alors la valeur de la tension de sortie V,? Quel est le
signe de I,?
b) Est-il possible que, lors de la transition de la sortie de
ltat haut vers ltat bas les transistors T3 et T4 conduisent
simultanment? Expliquer le rle de la rsistance R,. Quel
inconvnient prsente-elle lorsque la charge possde une
capacit C,?
tude dun circuit de balayage ligne
2.
Le circuit de la figure est utilis pour produire
le balayage ligne dun tlviseur. Le courant i dans
lenroulement dinductance L oscille entre deux valeurs
ZM et - 1,. La monte en courant de - ,Z 1, est
lente et dure 54 ps. La descente est rapide et dure 10 ps.
La priode du balayage est de 64 ps. On ngligera la
rsistance de lenroulement.

1 tude du circuit.
= O le circuit est suppos au repos, condensateur dcharg. A t = O on alimente le circuit en mme
temps que lon sature le transistor.
Calculer le courant i(t) dans lenroulement.
A linstant t = To le courant atteint une valeur I o et lon
bloque le transistor.

A linstant t

Calculer linductance L pour U = 12 volts et I o = 5 A afin


dobtenir T, = 27 ps.
2 Dterminer lvolution du circuit quand le transitor est
bloqu. Pour simplifier le calcul on peut prendre une
nouvelle origine des temps linstant de blocage. Dterminer les quations diffrentielles de i(t) et u,(t). Montrer
que lallure de i(t) et u,(t) est sinusodale de priode T.
Mettre i(t) sous la forme :

(r 1

i(t) = I , cos 2 n - -

cp

Dterminer les valeurs des constantes i, et cp en


fonction des donnes du problme. Montrer que tan cp peut
sexprimer uniquement en fonction de To et T.
b) O n adopte pour T la valeur 20 ps.
Montrer que dans ces conditions cp peut sexprimer
simplement en fonction des diffrents paramtres comme
U , L, To ou I o . O n conservera cette approximation dans
toute la suite.
c) Dterminer de la mme faon Ievolution de la tension
u, aux bornes du condensateur. Soit V, la valeur maximale
VM
de u,; montrer que le rapport - peut sexprimer
U
uniquement en fonction de To et T.
d ) Calculer les valeurs de C, I,, VMet cp en fonction des
donnes numriques.
Tracer les courbes i(t) et uc(t) jusqua linstant 7,
o la diode se met conduire. Exprimer TI en fonction de
<p et T . Calculer la valeur du courant i(Tl).
chelle des courbes : 2 cm pour 10 ps et 1 cm pour 1 A, 1
cm pour 10 V.
3 On prend comme origine des temps linstant o la diode
sest mise conduire. Calculer i(t) et dterminer linstant
T2 o le courant sannule.
Montrer que si lon remet en conduction le transistor T ,
dans un intervalle de temps que lon dterminera, le courant
pourra repasser a un instant T3 par I o et quen recommenant le cycle on peut fournir un signal priodique.
O n calculera la priode exacte de ce signal en fonction de
L, C, T , I o , u.

3.
1 On dcrit le fonctionnement du transistor de la
figure 1, en petits signaux sinusodaux, par ses paramtres
admittance :

comDosants

r,

a) On se propose de reprsenter le transistor par le modle

en Il de la figure 2.
Calculer les paramtres admittance
admittances Il, 3,

r2, r,.

xj, en fonction des

Fig. 2.

b) La prsence de ladmittance 3 entrane une interdpendance entre le courant dentre et la tension de sortie.
Pour supprimer cet effet, on place en parallle sur le
transistor, reprsent par le quadriple Q, un second
quadriple Q (,&. 3). Le quadriple Q est ralis par un

Montrer que ladmittance de neutrodynage


peut
tre ralise par lassociation dune rsistance R, et
dune capacit C, en parallle.
Calculer R, et C, en fonction de C,, rbc et du rapport
de transformation m.
d ) Application numrique :
m = 10, C , = 0,5 pF, rbc = 10 M a , frquence de travail
f = 5 MHz.
Calculer les lments R, et C, ainsi que les lments
CA et r , du schma srie quivalent. Quelle est la
structure qui semble la plus judicieuse?
e) Le transistor tant ainsi neutrodyn, comment se
modifie le schma de la figure 5.
Application numrique :
rbe = 2 kQ, C, = 10 pF, y,, = 100 ka, gm = 100 mA/V.

2 Le transistor (fig. 6) est charg par :


- Un circuit rsonnant constitu par la mise en
parallle dune inductance L, dune rsistance
R,, dune capacit C,.
- Une impdance ( R 2 , C,) symbolisant limpdance
dentre de ltage suivant.

Fig. 3.

I -

transformateur suppos parfait, ainsi que dune admittance


- en srie au primaire (ftg. 4).
On rappelle les quations du transformateur parfait :
V2 = - m?,,

o m = !? est le rapport des nombres de spires primaires


n1
et secondaires.
1,
Y
2

KIrb
+m
9 m BE

La rsistance Re, =

Calculer les paramtres admittance Tij du quadriple Q.


En dduire les paramtres admittance
du transistor
muni du quadriple de neutrodynage Q.
Quelle condition faut-il raliser pour que le paramtre xi2
soit nul?
Cette condition tant ralise, quels sont, en fonction
et
les paramtres admittance du
de
transistor neutrodyn?
c) Le modle de la figure 2 correspond au schma de
Giacoletto rappel la figure 5.

b
r

xm,

rbc

Fig. 5.

196

v8 E

Fig. 7

Fig. 4.

XI,x2, x,

Fig. 6.

A la frquence de travail, les capacits CLi, C,, et C E


peuvent tre considres comme des courts-circuits.
Le transistor est reprsent par le modle de la figure 7.

R1R2

Rl

+ R2

est suppose trs grande

devant rbe.
a) Reprsenter le schma quivalent de ltage. Le rduire
la forme la plus simple en faisant apparatre un circuit
R, L, C en sortie. Donner lexpression de R, L et C en
fonction de y,,, R,, RB, C,, C,, C, et L.
b) Montrer que la fonction de transfert en tension se
met sous la forme :
v
2

A===
-

v1

40

l + j Q o --O
(:

w)

Donner les expressions de A , , Qo et oo.


c) Montrer quil sagit dun tage slectif dont on prcisera
lamplification maximale, la frquence centrale JO, et la
bande passante 3 dB.
d ) On donne
gm= 100 mA/V; rce= 50 ka; C, =0,5 pF; R 2 = 2 ka;
C , = 15 pF; Cs= 0,5 pF; L =
H ; RB = 3 ka.

le transistor jonctions

La frquence centrale fo tant de 5 MHz, calculer la


capacit C i , lamplification maximale et la bande passante
3 db.
On dsire obtenir une bande passante de 100 KHz.
Pour ce faire, on ralise une adpatation dimpdance
entre limpdance (R,, C,) et le transistor.
3 a) On utilise, dans ce but, le circuit de la figure 8.

grandeurs Concernes est chang selon quil sagit du


transistor NPN ou du PNP.

v, =10 volts
R =20 ohms

Fig. 1 .

1,

Calculer ladmittance dentre


de ce circuit et lcrire
sous la forme Ie= Ge + jB,.
Exprimer Ge et Be en fonction de R 2 i ,y i , y et o.
En dduire les expressions de la rsistance dentre Re
et de la capacit dentre Ce en fonction de R,, y i , y
et o.Que deviennent ces expressions lorsque R , y u % 1.
Calculer alors la fonction de transfert en tension ?,/?; en
fonction de yi et y.
b) Ladaptation dimpdance est ralise en pratiquant une
prise capacitive ($g. 9).
Fig. 9.

Reprsenter le schma quivalent de ltage.


On suppose :
R,(C,
y z ) o % 1,

En posant

,u=

Y1

Yi

+ Y2 + G

calculer la rsistance Re et la capacit Ce de la charge


ramene au niveau du collecteur en fonction de R,,
Y 2 9 c, et P*
Mettre en vidence un circuit RLC en parallle sur le
circuit collecteur.
Exprimer R , L et C en fonction de rce, Re, RB, Cs, Ce
et L.

v
v,
En dduire 2 puis =.
vi
VI

Calculer lamplification maximale

en fonction de R,, RB et ,u (on supposera r,, % RB).


Pour quelle valeur de ,u cette amplification est-elle,
elle-mme, maximale? Effectuer lapplication numrique.
On choisit en fait ,u = 0,5. Calculer numriquement
les capacits yl et y, ainsi que la nouvelle bande
passante.
Quelle doit tre la valeur de la rsistance totale R sur
le collecteur pour obtenir une bande passante de 100 kHz?
En dduire la valeur de la rsistance placer en parallle
sur la rsistance R , pour obtenir la bande passante
souhaite.
4.
On tudie ltage amplificateur de la figure 1, comprenant
deux transistors complmentaires au silicium.
On dispose des courbes caractristiques des transistors
(fig. 5) : elles sont identiques pour chacun; seul le signe des

On admet que :
- la caractristique Z,( VEE)est indpendante de la
tension collecteur-metteur V,, en fonctionnement
normal;
- le courant rsiduel de collecteur ZCEo est ngligeable.
On donne :
V, = 10 V; R = 20 51 (voir Jig. 1).
Ltage est excite par un gnrateur parfait de tension
sinusodale :
e(t) = E sin ot.
1 Analyse du fonctionnement
a) Dcrire rapidement le fonctionnement de ltage pour
chacune des alternances de e(t) dans les deux cas
suivants :
E < 0,5 V, E > 0,5 V.
Quelle est la classe de fonctionnement de chacun des
transistors?
b) Dans le rseau Zc(VcE), tracer, en la justifiant, la
droite de charge du transistor (TI); y placer le point de
repos Q1 de (Ti).
Quelles sont les coordonnes (icz,
V&,) du point de
repos Qz de (T,)?
c) Dans le plan ZC(ZB), tracer la courbe de transfert en
courant de ( T i )en fonctionnement.
Dduire du graphique les valeurs du courant collecteur
i c i , puis de la tension de sortie us et de la tension
dentre e pour les valeurs suivantes de la tension
base-metteur uRF:
u,,(V)

0,2

0,5

0,6

0,7

0,8

0,9

Pour quelle valeur de uBE le transistor est-il satur?


Quelle est la valeur correspondante de e?
d) Tracer, partir des rsultats prcdents, la courbe
de transfert en tension us = f(e) de ltage pour e variant de
- 10 v + 10 v.
Indiquer la valeur de crte de e ( t )au seuil de conduction des
transistors.
2 Amlioration de ltage (fis.2).

R2

Fig. 2.

:t
197

comDosants

On adjoint au montage prcdent un amplificateur et


on soumet lensemble une raction par R , et R,. La
charge est constitue par la rsistance R ; la tension
dentre est e(t).
On admet que lamplificateur, dans son domaine linaire et
pour la bande de frquences considres, prsente :
- une impdance dentre infinie,
- une impdance de sortie nulle,
- une amplification en tension A = - IO4.
TI peut donc tre reprsent par le schma de la figure 3.

On pose :
E=k.Vo
de sorte que
e ( t ) = k . V, . sin ot
u,(t) = - k . V, . sin ut.
et
On admet, dans cette partie, que k peut varier de O a 1.
a) Donner les reprsentations graphiques de ic,(t) et
ic,(t), puis de u,,,(t)
et uc,,(t) dans quatre figures
utilisant la mme chelle pour les abscisses.
Exprimer, en fonction de k, les valeurs extrmes atteintes.
b) Calculer en fonction de k, V, et R, les puissances
moyennes :
- P , dissipe par R,
- Pv0 et P,;
fournie par chaque source dalimentation
des transistors,
- P,, et P,, dissipe dans chaque transistor (on
nglige la dissipation dans la jonction base-metteur).
Exprimer le rendement q de lensemble des deux transistors.
c) O n fait varier lamplitude k . V, de e(t).
Pour quelle valeur ko de k la puissance dissipe P,,
est-elle maximale? Que valent alors P,,, P R et q?

4 Distorsion harmonique en signaux forts


a) Calculer e en fonction de us, uBEet A .
On donne R , = R , = 100 kS2. A quelle valeur, le seuil
de conduction est-il abaiss dans ce montage?
6) Montrer que pour le1 > 10 mV, on a us N - e.
Conclure.
c) Quelle est lamplification en puissance du montage
de la figure 2?

3 Puissances mises en jeu


On sintresse au montage amlior de la figure 2 qui
permet dadmettre que, si e(t) est sinusodal damplitude donne E , u,(t) = - e(t) est parfaitement sinusodal et de mme amplitude.
Vs

53

-n

57c3
6

I I
I I

a) tude prliminaire
- On applique lentre d u montage de la figure 1,

une tension continue e = 11 V. Que pensez-vous


du fonctionnement du transistor (T,)?
- On applique lentre du montage de la figure 2,
une tension continue e = - 11 V. Les tensions
de saturation de lamplificateur sont + Vo et
- Vo. Que pensez-vous du fonctionnement de
lamplificateur et du fonctionnement du transistor (T,)?
b) Pour un signal e(t) sinusodal lentre et damplitude
suffisante, on observe loscillographe la courbe
reprsente la figure 4.

4 (volts)

tc

3X

ot(rd)

~t

I
-7,a
-9,l

198

Fig.
y.4.
I

-Y.

le transistor jonctions

.Justifier que la dcomposition en srie de Fourier de


u,(t) peut Scrire :
us(t) = Vl sin ot V3 sin 3 o t + V, sin 5 0 t ,
en admettant que les termes harmoniques dordre suprieur
cinq ont des amplitudes ngligeables par rapport celles
des harmoniques prcdents.

1 c) En procdant par identification aux valeurs remar-

calculer numriquement Vl , V3 et V, .
En dduire le taux de .distorsion de us(t).

Fig. 5.

199

le transistor
= effet d e champ
1. DESCRIPTION
DU TRANSISTOR
A EFFET DE CHAMP
A JONCTIO MS
(J.F ET ou TEC)
Cette famille de transistor est dcrite sous le
vocable J.FET (abrviation de jonction field
effect transistor) ou de TEC (abrviation de
transistor effet de champ).
La structure interne dun TEC canal N est
dcrite a la figure 1.
,Porte
(G)

donns la figure 2. La flche qui repre la porte


indique le sens passant de la jonction porte-canal
si elle tait polarise en direct.
I D

I D

J-FETcanal N

2.

J-FETcanal P

Fig. 2

FOMCTIIQMNEMENT
DU J.FE1

En fonctionnement normal, la jonction porte


canai est polarise en inverse, ce qui correspond
au dispositif de la figure 3.

Canai

Fig. 1
O La porte, constitue dun semi-conducteur de
type P, fortement dop (notation P +) est relie au
substrat.
O Lespace entre porte et substrat dlimite une
zone, appele canal, constitue dun semi-conducteur de type N .
O Deux zones de type N , fortement dopes,
(notation N ) sont places de part et dautre du
canal. Elles sont appeles respectivement source
et drain.
O Des contacts mtalliques, permettant laccs au
J.FET, sont fixes respectivement sur la source S,
le drain D et la porte G (en anglais gate). Le
fort dopage N + de la source et du drain permet
damliorer les contacts lectriques.
Le composant obtenu en permutant les semiconducteurs de type P et de type N est un J.FET
canal P. Les symboles correspondants sont

200

II
L

-I
A

Fig. 3

Compte tenu des gnrateurs de tension extrieurs, la jonction porte-canal est plus fortement
polarise en inverse du ct du drain que du ct
de la source.
La structure interne correspondante est donne
la figure 4.

Fig. 4

le transistor effet de champ

Les porteurs mobiles, qui sont lorigine du


courant de drain I,, empruntent le canal pour
se dplacer de la source vers le drain.
Nous avons vu, lors de ltude de la jonction
P - N , quil apparat au voisinage de la jonction
une zone de transition dpourvue de porteurs
mobiles qui pntre dautant plus profondment
lintrieur dun des semi-conducteurs., quil est
moins dop par rapport lautre. La porte tant
fortement dope, la zone de transition envahit le
canal, et ce dautant plus que la tension inverse
applique la jonction porte-canal est plus
grande. Cette zone de transition est donc plus
large du ct du drain que du ct de la source.
Lors de leur dplacement de la source vers le
drain, les porteurs mobiles (ici les lectrons) ne
peuvent emprunter que la partie conductrice du
canal. La zone de transition, dpourvue de porteurs mobiles, diminue lespace utilisable par les
lectrons et modifie la rsistance du canal.
A la limite, si la tension VGSest suffisamment
ngative, la zone de transition envahit tout le
canal, ne laissant aucun passage disponible pour
les porteurs mobiles et annulant ainsi le courant I D .

En conclusion.
Dans un premier temps nous dirons que le J.FET
est une rsistancevariable qui dpend des tensions
GS

et

3. MISE

EN QUATIOMS

Afin dtablir les quations du J.FET, nous


idaliserons le canal conformment au schma
de la figure 5.
Les potentiels sont mesurs par rapport au
plan y z de la source.

4- >

--

Nous supposerons que le potentiel est constant


et gal VGs sur tout le plan xz de la porte et
sur tout le plan du substrat.
Nous supposerons de plus que le potentiel est
constant sur toute section verticale du canal
utilisable par les porteurs mobiles.
La largeur W(x)de la zone de transition au point
dabscisse x dpend de la tension inverse
VGS- VS(x)applique la jonction porte-canal
au point dabscisse x. Afin de prciser cette
relation, considrons la figure 6 une tranche de
zone de transition de largeur W ( x )et dpaisseur
dx.

GS

Fig. 6.

t y

Par symtrie, le vecteur champ lectrique, en tout


point de ce volume est perpendiculaire au
plan xz, orient vers les potentiels dcroissants,
(cest--dire vers le haut) et sa valeur E ( y ) ne
dpend que de la profondeur y. Soit N D la
concentration en atomes donneurs du semi
conducteur N du canal et soit G sa permittivit;
la zone de transition (donc aussi le volume
aW(x)dx) possde N D charges de valeur + e
par unit de volume.
Par application du Thorme de Gauss au
paralllpipde ABCDABCD de surface a dx
et de hauteur dy, nous crivons :

+ dy) = N ,

a dx E ( y ) - a dx E ( y

e a dx dy
E

soit

Substrat

Y
Fig. 5

Le champ lectrique est nul sur le plan xz de la


porte car le potentiel est constant et gal VGS
dans tout le semi conducteur P de la porte.
N e
Lintgration de lquation dE(y) = - 2.dy
G
conduit E ( y ) = -

ND
~

y.

201

comt3osants

Par intgration, le long dune verticale, de


lquation dV = - E ( y ) dy, il vient
W(X)

- VGS = JO

E ( y ) dy

soit

Revenons au schma de la figure 5. Pour aller de


la source vers le drain, les porteurs mobiles
empruntent un conducteur dont la section

S = a[b - 2W(x)]
dpend de labscisse x.
Nous avons tabli, dans le chapitre semi conducteurs (paragraphe 6) que la conductivit dun semi
conducteur de type N scrit a = eNDpno p n
est la mobilit des lectrons.
Pour un dplacement dx suivant laxe des x,la
variation dV&) du potentiel scrit :

Soit VDs le potentiel du drain par rapport la


source. Lintgration, de la source vers le drain,
de lquation prcdente

Remarquons que, VGstant ngatif et VDspositif,


les expressions (- I / c S ) 3 i 2 et (vos- l/(;S)312 ne
posent pas de problmes mathmatiques.
tudions les variations du courant I D , en
fonction de la tension VDs,lorsque la tension
VGs est constante et gale zro. Nous prvoyons, qualitativement, que pour les fortes
valeurs de VDs,la zone de transition pntre de
plus en plus profondment lintrieur du canal.
Une augmentation de V,, se traduit alors par
une lvation de la rsistance du canal, contrariant ainsi laugmentation de I D . Il est ds lors
probable que la relation I D = f(Vos) prsente un
maximum pour une valeur donne de Vos. Afin
de le vrifier mathmatiquement, drivons I D par
rapport V,, en maintenant VGs constant et
gal zro.
-C

dID sannule pour VDs= e N D b2.


vDS
8G
Nous appellerons tension de pincement, Vp,cette
eNDb2
valeur de Vos : Vp=

r).

Le courant I D , passe ainsi par un maximum que


lon appelle ZDss (courant de saturation de drain
VGs= O) et qui sexprime par :

ou bien en remarquant que


conduit :
c

. I D = eNDpna[bb(x)
L

- eNDpnab

c
eND (&(x)

- vGS)3i2
O

5
3

Remarquons en passant que

eNDpnab est la
C

conductance que prsenterait le canal sil ntait


pas encombr par les zones de transition.

Cette quation qui exprime la relation entre le


courant de drain I D et les tensions VGs et VDs
appliques au J.FET (fig. 3) est inexploitable
sous cette forme. Nous allons cependant en tirer
des consquences ayant des applications pratiques.

202

4. CARACTE

DU JDFET

RISTIQU ES

Le transistor effet de champ est reli aux circuits extrieurs par trois connexions (porte,
source, drain).

le transistor effet de champ

Afin de pouvoir considrer le J.FET comme un


quadriple, il faut mettre une de ces connexions
en commun entre lentre et la sortie (fig. 7).

quasi totalit de la tension VDs se trouve


applique une portion de canal de longueur 1
et de largeur p. Nous avons montr, daprs
lquation dV = - E . dl, que le champ lectrique en un point est dautant plus intense que
le potentiel varie rapidement sur une faible
distance.
4

Fig. 7.

Lutilisation la plus commune du J.FET tant le


montage source commune, nous tablirons les
caractristiques pour ce type de montage (fig. 7),
. I G et VGs sont les grandeurs dentres,
. I D et Vos sont les grandeurs de sorties.
Le fonctionnement dun quadriple est dcrit par
deux quations entre les grandeurs dentres I G
et VGset les grandeurs de sorties I D et Vos.
Sachant que le courant I D dpend des tensions
VGs et VDs, ces quations sont tablies sous la
forme :

4.1.
CARACTRISTIQUE
= f ( V D s ) TENSION
CONSTANTE

/D

VGS

4.1.I . Caractristique lD= f(vDS>


vGs=O

Source

//Zones

de transition

Fig. 8.

Le champ lectrique E est ainsi trs intense dans


la zone dtranglement. Daprs la relation
V , = pnE, les lectrons devraient y atteindre des
vitesses trs leves. En pratique cette vitesse est
limite et la relation V , = p n E nest valable que
pour des champs lectriques dont lintensit ne
dpasse pas 103 V/cm. Pour des intensits de
champ plus leves, la mobilit pnest inversement
proportionnelle E.
En fait, lorsque la tension VD,devient suprieure
la tension de pincement Vp,la longueur 1 de la
zone dtranglement augmente mais sa largeur p
ainsi que le courant I D restent constants.
La figure 9 donne lallure de la caractristique

Il a t montr au paragraphe 3 que cette


caractristique, image de lquation

passe par un maximum

e N D b2.
pour VDs= Vp = 86
Pour les valeurs de VDs suprieures a Vp, une
correction doit tre apporte la thorie
prcdente.
En effet, lorsque VDs augmente, W ( x )augmente,
limitant la largeur b - 2W(x)du canal emprunt
par les porteurs mobiles. Il apparat ainsi une
zone de trs faible section p (fig. 8). La rsistance
de cette partie du canal est donc trs leve et la

VP

Fig. 9.

Les formules tablies au paragraphe 3, ne sont


donc valables que pour les valeurs de VDs
infrieures la tension de pincement Vp.Cependant lexpression de IDss correspond la valeur
constante du courant I D pour les valeurs de VDs
suprieures Vp.

203

corn posants

4.1.2. Caractristique I D
a VGs<O

La valeur maximale de

f (Vos)

ID

stablit ainsi :

Lquation gnrale de cette caractristique est


(voir paragraphe 2 ) :

REMARQUES
a La tension VGstant ngative, le maximum de la
caractristique est atteint pour une valeur de VDs
infrieure 5. Par remplacement de VGs par
VDs- 5,dans lquation de IDM, nous obtenons le
lieu des maximums :

Soit en utilisant les expressions


eND&ab

IDSS =

vp

et

Vp =

e N Db2
8G

Afin de dterminer un ventuel maximum de la


caractristique I D = f ( V D s ) drivons I D par rapport VDsen maintenant VGsconstant :

que lon peut approximer (voir figure 10) par

dlD

Lorsque la tension VDs devient suprieure


prcdentes ne sont plus
valables par suite de la forte intensit du champ
lectrique que fait apparatre le pincement du canal.

5 + VGs, les expressions

sannule pour

vDS

2
Fig. IO.

204

vm ( V I

le transistor effet de c h a m p

Le transistor effet de champ apparat ainsi entre


drain et source comme une rsistance :

La tension V,, tant ngative, pour les valeurs


de VG,suprieures - Vp,la quantit

est ngative. Le courant de drain se stabilise donc


une valeur infrieure IDss.
Lorsque la tension V,, est gale
rant de drain maximum

avec

Vp,le COU-

Certains constructeurs utilisent la formule approche :


est nul.
La caractristique I D = f(vD,) V,, = - Vp se
rduit donc la droite I D = O. Pour cette valeur
de V,,, le canal se trouve compltement pinc interdisant ainsi le passage des lectrons mobiles lorigine du courant I D . Partant de l, tout accroissement
du module de la tension V,, ne peut que pincer plus
fortement le canal et toutes les caractristiques
I D = f(VD,) pour V,, < - Vp sont confondues avec
la droite I D = O.
Cette valeur de V,, = - Vp est appele tension de
seuil (en anglais thresold). Elle est note VGsoff ou

RDSON
GSo f f

RDSON
=

avec

vGSoff

IDSS

dans laquelle K varie entre 0,5 et 0,9 selon le type


de transistor.
Cette approximation est justije dans la mesure o
la formule thorique a t tablie partir dun
schma idalis du canal et sans tenir compte de la
rsistance des semi conducteurs qui conduisent
au canal.
Lafigure 11 donne les variations de R D , en fonction
de V,, suivant la formule utilise. Dans tous les cas
RDs tend vers linfini lorsque VG, se rapproche de

vGSth.

Notons que les paramtres de lquation


I D = f ( VD,, V,,) sexpriment uniquement enfonction
de I D S S et de V&ff = - Vp:
vDS

-~vGS

VGSoff.

vGSo f f

- 2( vGS

Pour V,,

= O, la rsistance R D , est minimale et vaut


Cette rsistance R D S O N est un paramtre
important pour lutilisation du J.FET en commutation. Elle est de 1 ordre de quelques centaines dohms
et peut tre ramene des valeurs de 1 ordre de cinq
dix ohms pour les J.FETde commutation.

- vDS)32]

RDSON.

vGSo f f

ZDss (courant de saturation de drain VGs= O)


et VGsoH(tension de seuil) constituent deux paramtres essentiels du J.FET. Ils sont toujours indiqus
par le constructeur.
Pour les valeurs de V,, trs infrieures - VGso
ff ,
lquation de I D

En dfinitive, les caractristiques 1, = f(VDs)


V,, constant, ont lallure dcrite la figure 12
dans laquelle les graduations sont donnes titre
indicatif.
1
0 (mA

Y21

20

vGS

peut tre approxime en effectuant un dveloppement


limit au premier ordre :

16
12

a
4

soit
I

lO

15

20

25

vos

Fig. 12.

205

corn posa nts

1 O00

1O0

10

1
l

Fig. 11.

Nous y remarquons en outre que pour les fortes


valeurs de VDs, le courant de drain crot trs
rapidement et ce par suite du phnomne
davalanche sur la jonction de porte.
Lavalanche apparat pour des valeurs de V,,
plus faibles lorsque la jonction porte-canal est
polarise en inverse, ceci tant d au fait que la
tension inverse de porte sajoute la tension de
drain, accroissant ainsi la tension inverse effective
sur la jonction porte-canal.

Pour les valeurs de VDs suprieures Vp, les


Caractristiques I D = f(VDs) sont pratiquement
horizontales si bien que la caractristique
I D = f(VGs), VDs constante, est indpendante
de la valeur de VDslorsque celle-ci dpasse la
tension de pincement Vp. Son quation a t
tablie dans le paragraphe prcdent par :

soit

4.2.CARACT~RISTIQUE
/D

= f(VGS>

vDS
= Cte

Cette caractristique peut tre dduite de la famille


de caractristiques I D = f ( V D s ) VG, constante,
en traant sur le graphe (fis. 12) une verticale
correspondant la valeur de V,, maintenue
constante et en relevant, pour chaque valeur de
VGs, la valeur de I D , ordonne du point dintersection de cette verticale avec la caractristique
I D = f(VDs)trace pour cette valeur de VGs.

206

Cette courbe passe par le point dordonne


I D = IDss pour V,, = O et par le point dabscisse
VGs = VGsoffpour I D = O.
Cette expression de I D en fonction de VGs nest
pas dun maniement ais, aussi prfre-t-on
lapproximer par lquation :
/

ID = ~~,,(

---)

rr

GS
vGS of f

\ 2

le transistor effet de chamrs

Fig. 13.

La figure 13 donne les variations de I D en


fonction de VGs suivant la formule utilise. Le
faible cart observ entre les deux courbes justifie
pleinement lapproximation parabolique.

4.3. CARACTRISTIQUE
IC, = f ( V G S l V D . J
La jonction porte-canal tant polarise en inverse,
le courant de porte I G est de lordre de 25picoampres quelques nanoampres suivant le type
du transistor. Cette valeur tant toujours trs
faible, nous considrerons, sous rserve de
corrections, que la caractristique

- VGS

- la tension dalimentation du rseau drain


source des J.FET canal N est positive comme la
tension dalimentation du rseau collecteur metteur des transistors bipolaires N P N qui sont
employs dans la plupart des dispositifs lectroniqes. Il est ainsi plus facile de les associer.
La principale raison dtre des J.FET a canal P
est leur complmentarit avec les J.FET
canal N .

6.1.VARIATION
se rduit I G

= O.

Le J.FET a canal P est obtenu en inversant les


semi conducteurs de type P et N ce qui entrane,
pour la polarisation, des tensions dalimentation
de signes opposs et des rseaux de caractristiques inverses. Ce type de J.FET est trs peu
utilis. En effet :
- la mobilit des trous tant plus faible que la
mobilit des lectrons, la rsistance du canal est
plus leve ce qui conduit un courant ID,, moins
important, pour une mme valeur de V G S o f f
eN,b2
est indpendant de p,
VGSof f =

81;

DE

vGsoff

Nous avons vu, dans le chapitre semi conducteur


(paragraphe 9.2), quen labsence de polarisation
extrieure, il apparat sur une jonction P-N une
barrire de potentiel Vo de lordre de 065 volts.
En labsence de tension VGs, le potentiel de la
porte (de type P ) par rapport la source (de
type N ) stablit donc a - Vo. Lapplication
dune tension VG, ngative fait passer cette
barrire de potentiel a V,, - V,. Le pincement
du canal apparat lorsque la barrire de potentiel
effective VG, - Vo atteint la valeur I/Csoff- V,.
Une lvation de temprature provoque une
diminution de Vo de 2,2 millivolts par degr. Le
pincement du canal dpendant de la barrire de
potentiel effective, se produit pour une tension
VGsoff ayant elle aussi diminu de 22 mV/C.

207

composants

En conclusion :
La tension de seuil VGsoff
diminue de 2,2 millivolts
par degr.

Lexamen de cette caractristique (fig. 14) conduit penser quil existe un point invariant avec
la temprature. On peut montrer que ce ((point
drive nulle)) est dfini par :
/

\2

6.2, VARIATION DE /Dss


Au paragraphe 3, lexpression de I D S S a t tablie
:
Point drive

Le seul paramtre susceptible de varier avec la


temprature est la mobilit pu,des lectrons qui
diminue lorsque la temprature augmente.

28

vGS off

vGS

Fig. 14.

En conclusion
Le courant de saturation ZDss diminue lorsque
la temprature augmente.
Ce rsultat tait prvisible dans la mesure o le
canal est un semi conducteur dop dont la
rsistance augmente avec la temprature. Profitons-en pour signaler un avantage du J.FET sur
le transistor bipolaire. Si, par suite de perturbations, il apparat un point chaud dans le canal,
la rsistance y devient localement plus leve, ce
qui tend redistribuer le courant loin du point
chaud et ainsi le faire disparatre. Par contre,
un point chaud sur la jonction base-collecteur
dun transistor bipolaire y fait apparatre localement un excs de porteurs minoritaires qui en
franchissant la jonction peuvent provoquer un
phnomne davalanche.
Dans le mme ordre dide, la mise en parallle
de plusieurs J.FET pose moins de problmes que
la mise en parallle des transistors bipolaires. En
effet, si daventure un des J.FET canalisait plus
de courant que les autres, la temprature de son
canal slverait le rendant moins conducteur et
ramenant ainsi lensemble vers un tat dquilibre.
~~

6.3. POINT

DU J.FET

Nous avons vu, dans le chapitre semi conducteurs


(paragraphe 9.7.1), quune jonction polarise en
inverse prsente une capacit qui varie en raison
inverse de la racine carre de la tension applique.
Une capacit de cette sorte apparat donc entre
la source et le canal. Sa dtermination prcise
nest pas aise car elle dpend de la diffrence de
potentiel porte-canal. Or le potentiel varie le long
du canal et sa rpartition dpend des tensions
VGset VDs.Afin de simplifier ltude, on symbolise
la capacit porte-canal par deux capacits C,, et
CGD places respectivement entre la source et la
porte et entre la porte et le drain (fig. 15).

Fig. 15.

DRIVE NULLE

Lorsque la temprature augmente, les variations


de IDss et de VGsoffprovoquent une modification
de la caractristique I D = f(VGs).

208

7. CAPACITS

Il sagit de capacits dynamiques (valables pour


des petites variations autour des valeurs de
polarisation) qui dpendent des tensions de
polarisation VGset VDs.

le transistor effet de champ

Les capacits CGSet C G D sont de lordre de 10 pF.


Il faut noter, en outre, lexistence dune capacit
rpartie dans le canal, CDs,qui est beaucoup plus
faible que les prcdentes (de lordre de 0,l pF).
Le constructeur indique :
O Ci,,,
capacit mesure entre porte et source
pour des petites variations de VGs(gnralement
autour de zro), et pour une tension V,, fixe
indique. Vis--vis des petits signaux, la tension
VDs constante se comporte comme un courtcircuit et la capacit Ci,,rsulte de la mise en
parallle des capacits C G D et CGSsoit :
Ciss = CGS+ C G D .

petites variations sont suffisamment faibles, la


portion de caractristique i, = f ( v G s ) ,dcrite par
le point de fonctionnement, est assimilable une
droite, et les petites variations id de i,, autour
de I D , sont sinusodales.
Afin dtablir les relations existant entre les
petites variations, nous les assimilerons des
diffrentielles.
id = di,, V,, = duGs,
Soit :
i, = di,, Vd, = du,,.

A partir des quations


en effectuant une diffrentielle totale :

O Crss,capacit mesure entre source et drain


pour des petites variations de V,, et pour une
tension V,, fixe (gnralement zro). La tension
VGsconstante se comportant, vis--vis des petits
signaux, comme un court-circuit, la capacit CrSS
rsulte de la mise en parallle des capacits C G D
et C,,. La capacit C,, tant ngligeable devant
C G D on a sensiblement

Crss = C G D

8.

UTILISATION DU J-FET
EN AMPLIFICATIQM

8.1.SCHMA QUIVALENT
POUR LES PETITES
VAR IAT1O NS

Le courant i, tant pratiquement nul (quelques


nanoampres au maximum) la deuxime quation se rduit : i, = O
est la pente de la caractristique
iD

= f(DS).

Nous appellerons gds sa valeur autour du point


de repos M o . Soit gds =

Les caractristiques du J.FET (fig. 16) sont


rappeles la figure 17.
i0

est la pente de la caractristique


iD

= f(vGS)*

Nous appellerons g, sa valeur autour du point


de repos M o . Soit : g,
Fig. 16.

Les relations entre les petites variations deviennent :


ld = grnUgs + gdsvds
i, = O
Le schma traduisant ces relations est donn
la figure 18. Cest le schma quivalent du J.FET
pour les petites variations.

Id

Fig. 18.

209

composants

Les trois quations.

Ordre grandeur
g m est de l'ordre de 0,l 10 mA/V.
l/gds est de l'ordre de 100 ka 1 M a .

I/Gs =

E,

=RDID

+ VDs

I D = f(VGs)
approximer par

REMARQUES
L'expression mathmatique de gm peut tre
obtenue partir de l'approximation parabolique

ID

[caractristique que l'on peut

= I,,S(

1-

->']

'GSo f f

permettent de dterminer les trois grandeurs I D ,


vDS,

vGS.

La position du point de repos peut tre rgle par


la source de tension E,.
8.2.2. Polarisation automatique
par rsistance de source

Considrons le schma de la figure 21.


avec
O Pour les frquences leves il faut tenir compte
des capacits parasites CGs,CGD et CDs.Le schma
quivalent correspondant est donn la figure 19.

Fig. 21 .

La rsistance R G est de l'ordre du mgohm.


Le courant I G tant de l'ordre de 100 picoampres,
la chute de tension R G Z G , de l'ordre de 100 microvolts, est ngligeable.
Les trois quations :

8.2. POLARISATION

VGs =

-RGIG -RSID

E = (Rs

La polarisation consiste fixer la position du


point de repos M o sur les caractristiques.

RD)ID

-RSID

+ VDs

I D = f(VGS) = IDSS

G
v?
f

,>'

permettent de dterminer les trois grandeurs

ID,

vGS.

8.2.1. Polarisation par une tension fixe

La rsolution graphique du systme des trois


quations est donne la figure 22.

Considrons le schma de la figure 20.


E

Fig. 20.

21 O

I
vGS off

Fig. 22.

vDS

le transistor effet de chamD

8.2.3. Avantage de la polarisation


automatique

Supposons que, par suite de la dispersion des


caractristiques dans un mme lot de J.FET, la
courbe I D = f(V&) passe de (Cl) (C,) (fig. 23).

Le condensateur C, possde une capacit suffisante pour que la tension ses bornes reste
pratiquement constante.

RD

vGS

Fig. 24

8.3.1. Schma quivalent


pour les petits signaux (fig. 25)
CO

CO

Fig. 23

Dans les axes I D = f(VDs),le point de repos situ


initialement en M o passe en :
O M l si la polarisation est ralise par une
rsistance de source R,.
O M , si la polarisation est ralise par une
source de tension constante E,.
Il apparat que pour une mme dispersion de la
caractristique I D = f(VGs),le dplacement du
point de repos est moins important pour la
polarisation par rsistance de source que pour la
polarisation par une tension constante.
En outre la polarisation automatique ne ncessite
quune seule tension dalimentation.

8.3. MONTAGE
SOURCE C O M M U N E
~~

~~

~~~

~~

Le schma correspondant est donn la figure 24.


La polarisation est assure par la source de
tension E et par les rsistances R D , R , et R,.
Le dispositif est attaqu par un gnrateur de
petits signaux de force lectromotrice e, et de
rsistance interne R,. Il alimente la charge RL.
Les condensateurs Co et Ch empchent le courant
continu de traverser la charge et le gnrateur,
et de perturber ainsi la polarisation. Ils doivent
se comporter comme des court-circuits vis--vis
des petits signaux.

M
Fig. 25.

8.3.2. Calcul des condensateurs


en rgime sinusodal permanent
Le condensateur Co doit tre tel que son
1
impdance -soit ngligeable devant R , + R,.
Co0
O

Le condensateur Ch doit tre tel que son


1
impdance -soit ngligeable devant R, + R,
O

Ch O

(o Rsest la rsistance de sortie du montage).


O Pour calculer le condensateur C,, nous pouvons ngliger le courant qui traverse la rsistance
1
- car elle est trs grande par raport R, et R D .

gds

Dune part la capacit C, doit tre telle que


1
son impdance -soit faible devant R,
CSU

soit

< Rs.

CSU

21 1

corn posanrs

D'autre part la valeur efficace de la tension


entre les points S et M doit tre ngligeable
par rapport la valeur efficace de la tension
vgs soit

On ne peut affirmer qu'une des deux conditions


est prioritaire par rapport l'autre car grndpend
du point de polarisation qui, lui-mme, dpend
de R,.
Pour s'en convaincre, remarquons que R , rsulte
du systme d'quations :

8.3.3.Rsistance d'entre
C'est la rsistance vue par le gnrateur :

Elle est trs leve, de l'ordre du megohm. La


polarisation autorise des valeurs de RG plus
leves mais l'accroissement espr de la rsistance d'entre est tempr par la prsence des
capacits parasites CGD et CGS. (Rappelons
qu'une capacit de 10 PF prsente la frquence
de 1 MHz, une impdance de 17 kR.)

8.3.4.Amplification en tension
Elle est donne par A ,

v2

= -,

rapport de la ten-

V1

La valeur de -2 a t tablie, au paragraphe 8.1,


Srn

vGSo f f

par - = - Srn
21Dss (1

-&).

sion aux bornes de la charge, la tension fournie


par le gnrateur.
1
La rsistance -tant voisine du Megohm, nous
gds

pouvons raisonnablement ngliger son influence.


A partir des quations

Soit

(- v1 = v g s

Pour une polarisation telle que VGs soit


proche de zro la rsistance R , est faible
1
par rapport - et il faut raliser en

Pour une polarisation telle que la tension


1
VG, soit voisine de VGsof , la rsistance f

9rn

est faible par rapport R, et il faut raliser


1
1
en priorit -6 -.

CS^

grn

il vient :

rn

R ~ R
RD RL'

L'ordre de grandeur du gain en tension est de


quelques units quelques dizaines.
Les tensions d'entre et de sortie sont en
opposition de phase.

8.3.5.Amplification en courant
Elle est donne par A i=. ,12
A partir des quations

i2

1
il vient :

21 2

= -g

11

Aprs calcul des condensateurs, le schma


quivalent se rduit au schma de la
figure 26.

Fig. 26

A,

v2

i, = - =

RI.

A i=

gmvgs

RD

RD

+ RL

RD
RD

+ RL . RG.

Il est trs important et peut atteindre plusieurs


milliers voire plusieurs dizaines de mille.

le transistor effet d e champ

8.3.6.Rsistance de sortie

8.4.1.Schma quivalent
pour les petits signaux

Elle est dtermine partir du schma de la


figure 27 sur lequel :
la charge est dconnecte,
la force lectromotrice du gnrateur est
remplace par un court-circuit.
La tension ugs tant nulle, il en est de mme du
courant gmvgset le gnrateur de courant peut
tre remplac par un circuit ouvert. La rsistance
de sortie Rs rsulte ainsi de la mise en parallle
1
des rsistances RD et -; elle est pratiquement
-

La figure 29 indique le schma quivalent pour


les petits signaux aprs le calcul des condensa1
teurs et en considrant que la rsistance - (de
gds

l'ordre du mgohm) est grande devant Rs.


'2

'1

gds

gale RD. Elle est de l'ordre du kiloohm.


Fig. 29.

8.4.2.Rsistance d'entre

Fig. 27.

C'est la rsistance Re = V 1 vue par le gnrateur.


11

Elle est gale RG. Elle est trs leve (plusieurs mgohms) mais, comme pour le montage source commune, elle est altre par la
prsence des capacits parasites CGSet CGD.

8.4.MONTAGE
DRAIN C O M M U N

8.4.3.Amplification en tension
Le schma correspondant est donn la figure 28.
Les condensateurs Co et CO ont une capacit
suffisamment grande pour que la tension leurs
bornes reste pratiquement constante. La dtermination de leur capacit se fait de la mme
manire que pour le montage source commune.

A partir du schma de la figure 29, nous pouvons


crire les quations

qui nous conduisent l'amplification en tension


RSRL
A, =
Rs + RL
RSRL
1+ Sm
Rs + RL
Srn

Cette amplification est infrieure 1 mais


RSRL
d'autant plus voisine de l'unit que g,
Rs + RL
est grand par rapport 1.
~

Fig. 28.

21 3

corn posa nts

En effet, les rsistances

8.4.4. Rsistance de sortie

v9s

TI

R S -- - %

ID,, (12J+-

Fig. 30.

Elle est dtermine a partir du schma de la


figure 30.
Le courant dans les rsistances R, et R G tant
nul, la tension ugsest applique au gnrateur de
courant gmugs qui est donc quivalent la
1
rsistance
= -.
9,

Srnugs

La rsistance de sortie R, rsulte de la mise en


1
parallle des rsistances Rs et -

sont alors trs leves ainsi que la rsistance de


sortie R, du montage drain commun ce qui le
rend inapte a la ralisation dun tage suiveur.
Afin damliorer le dispositif, on remplace la
rsistance R, par un lment prsentant, aux
petits signaux, une forte rsistance, tout en tant
permable au courant de polarisation I D . Cet
lment est un gnrateur de courant constant I D , et lon aboutit au schma de la figure 31.
+E

9m

soit

R,

RS
1 + grnRs

8.4.5. Construction dun tage suiveur


partir du montage drain commun

Ltude prcdente montre que le montage drain


commun possde les proprits suivantes : forte
rsistance dentre, amplification en tension
voisine de lunit, faible rsistance de sortie. Il se
rapproche ainsi des caractristiques du suiveur
parfait (rsistance dentre infinie, amplification
en tension gale a 1, rsistance de sortie nulle).
Supposons que la rsistance de charge R, soit
trs grande par rapport a R,. Lamplification en
g m R s . Elle est dautant
1 + gmRs
plus proche de lunit que gmRs est grand
devant 1. O r g m et R, dpendent du point de
polarisation.
A partir des quations

tension scrit A ,

il vient

Rsgm =

2 VG,
I / C S o f f - vGS

Le produit Rsg, est dautant plus grand que VGs


est voisin de VGso f . Malheureusement une telle
polarisation ne peut convenir pour raliser un
montage suiveur.

21 4

Fig. 31.

Le courant I D =

uz - VBE

est constant et le

R2

calcul de la polarisation du J.FET rsulte des


quations :
J

K2

Le potentiel du point E tant constant, la tension


de sortie us volue au rythme du signal dentre
en ((comprimant)) vers le haut la tension drain
source du J.FET et vers le bas la tension
collecteur metteur du transistor bipolaire.
Lutilisation dune deuxime source de tension
continue - E est justifie par le fait que la
tension de polarisation GM= - VGs, de lordre
de quelques volts, est insuffisante pour assurer la
tension collecteur metteur du transistor bipolaire, et la tension U z .

le transistor effet de champ

Ordre de grandeur

La rsistance Re, tant de lordre de plusieurs


mgohms, gmReqest grand devant lunit; lamplification en tension est pratiquement gale
1 et la rsistance de sortie est gale

1
-

que

Sm

R2

hl 1

h2 1i b

lon peut rendre infrieure une centaine dohms


par un bon choix de composant et par une
polarisation proche de ID,,.
Afin de satisfaire lhypothse de dpart (la rsistance de charge est grande devant
on
fait suivre le dispositif dun montage collecteur
commun.
De plus, pour diminuer linfluence des capacits
C,, et CGD7on ralise un montage (( bootstrap ))
pour aboutir au schma de la figure 34.

est gal i = ib( 1 +

h22

2).

Le gnrateur de

fi
4

tension est donc quivalent la rsistance


-E

h21

et la rsistance vue entre les points S et M stablit


Fig. 34.

h2, tant grand par rapport 1, Re, est de lordre


h2 1
de grandeur de -,
cest--dire de plusieurs
h22

mgohms.

%s

Le condensateur C possde une capacit suffisamment leve pour se comporter comme un


court-circuit pour les petits signaux. Il est donc
ncessaire de rajouter sur le schma la rsistance R, sinon le signal de sortie (point O) serait
nul.
En ngligeant linfluence des rsistances

en
gds
1
RRD
parallle sur hil, et
en parallle sur
h2 2
R RD
et en ne tenant pas compte, dans un premier
temps, des capacits C,, et C G D , le schma
quivalent est celui de la figure 35.
~

Fig. 33.

Le schma quivalent du dispositif de la figure


31 est donn la figure 33. Il est identique au
schma de la figure 29 par remplacement de la
rsistance R, par Re, et par suppression de la
rsistance de charge R,.
Lamplification en tension est donc gale
A,

gmReq

1 + SmReq

donne par R,

et la rsistance de sortie est


=

gs

-f----e-1

&Ygs O

5
1
h2iib

hl

vs

Re,
1 + SmReq

Fig. 36.

21 5

Il vient alors :

Afin de dterminer la rsistance interne de ce


gnrateur de courant, dessinons (fig. 37) son
schma quivalent, pour les petits signaux, entre
les points D et M .

Lamplification en tension scrit donc :

Le courant i tant gal

Le courant dans la rsistance RRD est gal


R R,
h2ib = h2 gmvgs.
~

RRn

*,
le gnrateur de
R

gmR
tension peut tre remplac par la rsistance gds

sachant que h2,- RRD est grand devant h l l et


R RD
1
devant -, le gain en tension est pratiquement

et la rsistance quivalente Req,entre les points D


et M , stablit
1
1
Re, = - + @ + R N - ( 1 + gmR).
gds

gds

gds

Elle est de lordre de plusieurs mgohms.

Sm

gal 1 . Il en rsulte que les points S , G, D ont


des potentiels sensiblement gaux. La prsence
des capacits parasites CGSet CGD, perturbent
donc trs peu le dispositif, car le potentiel leurs
bornes tant pratiquement nul, elles ne drivent
pas de courant. On arrive ainsi des capacits
dentre de lordre du picofarad.

8.5. MONTAGE PORTE


COMMUNE
La seule utilisation pratique du montage porte
commune est la ralisation dun gnrateur de
courant constant (fig. 36).

8.6. BRUIT DANS LES


AMPLIFICATEURS J. FET
Il rsulte de ltude du J.FET en amplification
que la principale qualit du composant est de
prsenter une trs forte impdance dentre. Il est
ainsi frquemment utilis dans les tages dentre,
la suite de capteurs possdant une forte
rsistance interne. La notion de bruit prend alors
une grande importance pour le composant.
Rappelons que le bruit est un signal alatoire sB
dont on ne peut connatre la valeur sB un
instant t et que lon dfinit par sa valeur
quadratique moyenne
Pour le J.FET, les gnrateurs de bruit sont
dcrits la figure 38.

2.

r--M
Fig. 36.

Rsistance
dentre
infinie

A partir des quations


eR est la tension de bruit de la rsistance R ,
du gnrateur dont la
- valeur quadratique
moyenne sexprime par e i = 4KTR,Af
o K est la constante de Boltzmann
= 138. 10-23 J/K,
T est la temprature absolue en degrs kelvin,
dfest la bande de frquence en hertz.
O

on tablit lquation du courant I D :


ID

21 6

= IDss(

+ vGSo

5)2- ff

le transistor effet de champ

iB est d au courant de fuite I G de la porte. Sa


valeur quadratique moyenne est donne par la
formule de Schottky :

Le facteur de bruit F

PB

= -scrit :
pBO

ii = 2 e . IGdf

o e est la charge de llectron = 1,6 . 10-19C,


I G est le courant de fuite porte-canal.
e B est d dune part lagitation thermique des
lectrons dans le canal, dautre part au phnomne dionisation thermique-recombinaison,
dans la zone de transition.
Sa valeur quadratique moyenne est donne par :
O

Remarquons que lorsque R, tend vers zro, le


facteur de bruit tend vers linfini et quil en est
de mme lorsque R, tend vers linfini. Il doit donc
exister une valeur optimale de R, pour laquelle
le facteur de bruit est minimum. Pour la
dterminer il suffit de driver F par rapport R,.
E

dF

dR,

o fc est de lordre de 100 Hz 1 kHz.


Sur le schma de la figure 38, la tension de bruit
a lentre du J.FET scrit u = eB + eR+ RgiB.
Comme il nexiste aucune corrlation entre les
gnrateurs iB, e B et e R , la valeur quadratique
moyenne de la tension u scrit
-

u2 = e i

+-2eKl ,T = O

-- - _ _ _ -

Sm

1 +-

+ eR + ~ 92 Bi- 2

Pour chiffrer limmunit du J.FET au bruit, on


dfinit le facteur de bruit F , par le rapport de
la pui. ince de bruit en xtie, la puissaxa-e de
bruit en sortie due la rsistance R, suppose
seul gnrateur de bruit )).

gm Ri

pour R,

Rgmin=

Sa valeur moyenne dans le temps est

2KT

Ordre de grandeur

3 . 1 0 - 3 A/V; T N 300 K;
1,6. 10-19 C; I G N 10-lo A;
= 138. 1 0 - 2 3 J/K.

Sm N

e
K

Soit Rgminde lordre de 4

Soit A lamplification en tension du J.FET et RL


la rsistance de charge.
- En considrant la rsistance R, du gnrateur
comme le seul gnrateur de bruit, la puissance
instantane de bruit en sortie du J.FET scrit :

X-

J +f
1

x 105ohms.

Le J.FET est donc bien adapt pour les tages


dentre intervenant la suite de gnrateurs qui,
comme les capteurs pizolectriques, possdent
une forte rsistance interne.

8.7. RPONSE EN FRQUENCE


DUN AMPLIFICATEUR
UTILISANT U N J.FET
8.7.1. Montage source commune
Le montage source commune est rappel la
figure 39.

La puissance instantane de bruit, en sortie


du J.FET, tenant compte des gnrateurs de bruit
du J.FET scrit :
-

A2

p B = -ce:

RI.

+ e; + Rgig).

Fig. 39.

m
RD

Sa valeur moyenne dans le temps est


A2 - P B = - - (fi?:+ e i + Riii).
RL

21 7

corn Dosa nt

Aux basses frquences les condensateurs Co et


C, ne peuvent plus tre considrs comme des
courts-circuits par les petits signaux.
O Aux hautes frquences, les capacits parasites
CGS,CGD, CD,perturbent la rponse de l'amplificateur.
O

La fonction de transfert en tension s'tablit :

TUDE AUX FRQUENCES MOYENNES

Ce sont les frquences pour lesquelles :


- les condensateurs C, et Co se comportent
comme des courts-circuits pour les petits signaux,
- les capacits parasites du J.FET ont une
influence ngligeable.
Le schma quivalent correspondant est donn
la figure 40, en ngligeant l'influence de la
1
en parallle sur RD.
rsistance

qui peut s'crire :


. a

1-

Le diagramme de Bode correspondant est donn


la figure 42.

gds

Rs

Fig. 40.

La fonction de transfert en tension A


s'tablit donc :

V,

==

Fig. 42.

Es

TUDE AUX BASSES FRQUENCES

Pour ces frquences, les capacits parasites du


J.FET ont une influence ngligeable.

Pour qu'un signal sinusodal soit transmis dans les


mmes conditions qu'aux frquences moyennes,
il est ncessaire que sa pulsation soit suprieure
1Oc0,.
Soit
10
Co>

Influence du condensateur Co
Nous supposons dans cette tude que le condensateur C, a une capacit suffisante pour que la
tension ses bornes reste pratiquement constante. Le schma quivalent correspondant est
donn la figure 41.

Fig. 41.

21 8

(Rg

+ RG)CO

1
R+R,
ou -<L
10 COU

Ce qui confirme le calcul de la capacit du


condensateur Co effectu au paragraphe 8.3.2.

Influence du condensateur C,
Nous supposerons pour cette tude que le
condensateur Co a une capacit suffisante pour
que la tension ses bornes reste sensiblement
constante.
Le schma quivalent correspondant est donn
la figure 43.

le transistor e f f e t de c h a m p

Pour quun signal sinusodal soit transmis dans les


mmes conditions quaux frquences moyennes,
il est ncessaire que sa pulsation soit suprieure
100.1: soit

Limpdance du condensateur Cs doit donc tre


telle que :
1

La fonction de transfert en tension stablit :

avec

Ce qui confirme le calcul effectu au paragraphe


8.3.2.
TUDE AUX HAUTES FRQUENCES

Soit

Av

Avo

1
1 jRsCsco
R s g , jR,Csco

Nous supposerons que, pour les frquences


dtude, les condensateurs C o et C , se comportent comme des courts-circuits. Compte tenu
du schma quivalent de la figure 19, nous
obtenons le schma quivalent de la figure 45.

+ jRsCsco

AV,

Fig. 45.

avec

Soit I le courant dans la capacit C G D . Si


lon ne considre que les frquences trs inf1

Remarquons que pour les frquences trs suprieures CO;, la fonction de transfert en tension

rieures

x -4
= A vo
1+Rsgm
mi
qui est bien sa valeur pour les frquences
moyennes.
Le diagramme de Bode correspondant est donn
la figure 44.

par rapport g m y G s , et nous pouvons crire :

devient peu diffrente de

Avo

, le courant -I est ngligeable

2 n R D CGD

La capacit CDs est faible par rapport C G D .


Ltude tant limite aux frquences trs inf1
1
rieures
R TC RD CGD< 2 7 t R ~CDS, le terme
R D C D S C ~est ngligeable par rapport 1, soit :

JcGDc0(l

+ gmRD)EGS*

Ce qui conduit au schma quivalent de la figure


46 avec :
C

=CGs
= cGS
= ciSS

+ C G D ( 1 + SrnRD)
+ cGD + g m R D C G D
+ g m R D CrSS
21 9

composants

1-

gm vGS

Fig. 46.

La fonction de transfert en tension A,


s'tablit ainsi :

A, =
-

v,
E,

==

Par transformation, entre les points A et B, du


schma de Norton en schma de Thvenin, et
compte tenu de CGs $- CDs, nous obtenons le
schma quivalent de la figure 50.

R G

Soit

B
Fig. 50.

Il y apparat que, quelle que soit la frquence, la


fonction de transfert en tension A ,

VS

reste
VE
gale 1. Par contre l'impdance d'entre est
altre par la prsence des capacits parasites. Le
==

vGS

gnrateur de tension ?==-, parcouru par le


JCDS~
courant j C G S a y G S , est quivalent l'impdance :
grn
-7t

- 37[:
2
1

Ir-

1 +J-

= jc,,u

cGS

qui correspond la mise en parallle de la


8 . 7 . 2 . Montage drain commun

220

, et de la rsistance

1+

Considrons le dispositif de la figure 48 dont le


schma quivalent est donn la figure 49.

Fig. 48.

cDS

capacit

La capacit
1

+("!

CDS
cGSa

en parallle sur la

le transistor effet de chamo

capacit C G D a une influence ngligeable dans la


mesure o C G D CDs.
1+ 7
S m \2
\GSCOj
risque
O La rsistance ngative -

cDS
Srn cGS

de provoquer lapparition doscillations spontanes la frquence pour laquelle la mise en


parallle de cette rsistance sur la rsistance R,
conduit une rsistance ngative.
La condition doscillations stablit donc

Le risque doscillations spontanes est donc


dautant plus grand que la rsistance R , est plus
leve.

9.

FONCTIONNEMENT
EN PORTE ANALOGIQUE

Considrons le schma de la figure 51 dans lequel


la tension uA est susceptible de varier au cours
du temps. Le signal appliqu sur la porte G,
commande le J.FET en commutation et autorise,
ou nautorise pas, la transmission du signal
analogique vA la rsistance de charge R.

Fig. 51.

9.1. PORTE

FERME (j g . 51)
~~~

Lorsque la porte est ferme, le signal analogique


nest pas transmis et le J.FET se comporte
comme un interrupteur ouvert. Il est ncessaire
pour cela que la tension VGs soit infrieure
V G s o f f . Pour une tension de commande V,
donne, la tension analogique vA doit tre telle
que VG- uA < V G s o f fElle
. devra donc toujours
tre suprieure V, - VGsoffsous peine de voir
la porte souvrir.
Dautre part, la tension VGs devant rester
infrieure la tension de claquage VBRcssde la
jonction porte-canal, la tension analogique devra
rester infrieure V, + VBRGss.Soit globalement
VG - Vw0j-j-< V A < VG + V B R G ~ ~ *

9.2.PORTE OUVERTE ( f i g . 51)


Lorsque la porte est ouverte, le signal analogique
est transmis et le J.FET se comporte comme un
interrupteur ferm. Il est ncessaire pour cela que
la tension V,, soit voisine de zro, ce qui semble
difficile raliser dans la mesure o la tension
analogique uA est susceptible de varier. En effet
si la tension de commande V, est constante, le
J.FET est mal dbloqu lorsque la tension v A est
suprieure Vc et la jonction porte-canal est
conductrice lorsque la tension uA est infrieure
VG - 0,6 volts ( f i g . 51).
Pour y remdier, on place une diode D en srie
avec la jonction porte-canal (fig. 53).

Plusieurs J.FET peuvent tre connects au


point O. On ralise ainsi le schma de la figure 52.
En ne dbloquant quun seul J.FET, les autres
se comportant comme des circuits ouverts, on
slectionne la tension analogique uAi devant tre
applique la rsistance de charge R.
On ralise ainsi un multiplexeur analogique.
i

~~

Jonction
porte-canal

t V

vAl

Fig. 53.

Fig. 52.

O Si la tension V est suprieure uA, lecourant 1, est le courant de fuite 1, de la diode D


polarise en inverse. La tension porte-canal
se fixe une valeur, trs lgrement positive,
qui correspond au passage du faible courant
direct 1, travers la jonction porte-canal.

221

composants

La diode D se comporte comme un gnrateur


de courant If qui absorbe la manire dun
ballast, les variations de la tension uA - V , de
faon maintenir la tension porte-canal trs
lgrement positive.
O Pendant la priode de fermeture de la porte,
le J.FET est bloqu, le courant 1, est le courant
de fuite IGsf de la jonction porte-canal (courant
ngatif de lordre de 100 PA). La tension aux
bornes de la diode se fixe une valeur, voisine
de zro, qui correspond au passage du faible
courant direct IGsf travers la diode. Linfluence
de la diode est donc ngligeable pendant la
priode de fermeture de la porte.

Une diode varicap D, dont nous avons vu


la ncessit au paragraphe 9.2, et qui, de
plus, possde une capacit C dont la valeur
varie comme linverse de la racine carre
de la tension inverse applique aux bornes
de la diode (fig. 55). Cette capacit, nous
le verrons, amliore les temps de commutation de la porte.

Les variations de la tension v A doivent donc


rester dans des limites telles que les inquations
suivantes soient satisfaites :
porte ferme : tension V = - V ,
- i

- VGSoff

<

<

porte ouverte : tension V =


V2 -

VBRcss - vl

V2

o VDinu. max. est la tension inverse maximum


de la diode D.

9.3. PORTE ANALOGIQUE


INTG RE

--Fig. 54.

10

12 Volts

Un J.FET a canal N , qui, lorsquil est


dbloqu, prsente entre source et drain
une rsistance R D S O N trs petite par rapport
la rsistance de charge R. Rappelons que
la jonction porte-canal prsente une capacit de transition que lon symbolise par
deux capacits CGS et C G D , que nous
supposerons gales et qui varient en
fonction de la tension porte-canal conformment la courbe de la figure 56.

t---
+E

Une porte analogique intgre (fig. 54) regroupe


lintrieur dun mme botier les composants
suivants :
- Un transistor P - N - P auquel est appliqu le
signal de commande.
O Lorsquil est bloqu, la tension - E est
applique au point C . La tension aux
bornes de la diode D est voisine de zro.
Le J.FET est bloqu et la porte est
ferme.
O Lorsquil est satur, la tension + E est
applique au point C et la porte est
ouverte.

222

Fig. 55.

+ V2

VDinu. max. < V A <

9.4.

6
8
10
Fig. 56.

12 Volts

DCOUPAGE DUNE
TENSION ANALOGIQUE
SIN USOIDALE

Lorsque la tension analogique vA applique la


porte est sinusodale, les capacits C G S C, G D et C
perturbent sa rponse.

le transistor effet de champ

Compte tenu de Co 6 C il vient :

9.4.1. Porte ferme

Nous supposerons, pour simplifier les calculs, que


les capacits CG, et CGD sont gales et nous
poserons : C,, = CGD = Co.
De plus, la jonction porte-canal tant polarise
en inverse, les capacits CG, = CGD= Co sont
faibles devant la capacit C de la varicap, car la
tension aux bornes de cette dernire est pratiquement nulle
(voir figures 55 et 56 pour - E = - 10 volts,
C,, = CGD = 4 pF, alors que C N 60 pF).

Du point de vue alternatif, le schma quivalent


de la porte analogique est donn la figure 57.

C
jRC,coA(l +jRCco)
C
T%
1 + jcoR(3Co) + ( j ~ o ) ~ R ~ C g

avec
1
RC

co2 = -

col =Co3

3+$
2

= - x-

RCO

3+J5
2

1
- -x - x RC

Co

3+J5

-Co,--

co4=-

1
3-fi
x--RCO
2

2
Co
3 - 6
2

1
c
x-xRC Co

Fig. 57.

3-JJC

- co2---.

A partir des quations :

l1

jC,co(_V,

Rc

Le diagramme de Bode correspondant est donn

+=v,
R

1)=

1
+ JCU

Co

la figure 58.

(loi des nuds au point G)

20lg

1
1
1

9 =a2

- = W 2 ( C )

RCo

Co

\
/

c)
c

CO

t
O

il vient :

20 lg 1 T

jCoco_V,

"

1 "CJ
1 +jRCoco

= V U -+jCoco+- R

R
Fig. 58.

C 1 +jRCoco
RCo 1 jRcCco

1.

Dterminons, ds lors, la fonction de transfert

Pour les hautes frquences, le signal est transmis


la rsistance de charge R et la porte ne peut
plus tre considre comme ferme.
1
Pour les frquences infrieures 271RCl'attnua~

v, lorsque R = R,
T ==
V"

ka.

T=

jRCgco(1 +jRCco)

tion est suprieure 40 lg

dcibels. Pour
CO
R = Rc = 5 ka, C = 60 pF, Co = 4 pF.
On obtient une attnuation de 47 dcibels la
frquence de 530 kHz.
~

223

composants

9.4.2.Porte ouverte
Du point de vue alternatif, le schma quivalent
de la porte analogique est donn la figure 59.
S

RDSON

Fig. 61

VU

Fig. 59.

La tension inverse aux bornes de la varicap est


voisine de E. Pour E = 12 volts, le diagramme
de la figure 55 indique que la capacit est alors
voisine de 15 pF.
La tension aux bornes de la jonction porte-canal
est voisine de zro. Le diagramme de la figure 56
indique que la valeur commune des capacits CGs
et CGD est alors voisine de 15 pF.
Nous admettrons donc, comme indiqu la
figure 59 que les trois capacits C,,, CGD et C
sont gales C o = 15 pF.
Afin de dterminer la fonction de transfert

-=

Fig. 62

v,

La fonction de transfert T = = s'tablit donc a


VA
-

RCO
1 +jTw

v, modifions le schma partiel rsultant du


=,
VA

montage en toile des trois capacits Co (fig. 60).

Fig. 60

donc

T =
-

To

A partir des quations

il vient

1:

31,
31,

= jCoco(2yA-

-c/u)

+ jC0co(yA

= jCocoVA
-

= jC0co(2-c/u= j C o wV,

yA)

+ jC,co(V,-

&)

-VA).

Le schma de la figure 60 est donc quivalent au


schma de la figure 61 et le schma de la figure 59
est quivalent au schma de la figure 62.

224

Fig. 63.

le transistor effet de chamD

Le diagramme de Bode correspondant est donn


la figure 63.
Nous pouvons remarquer que si R = R D S O N , les
deux pulsations cul et cu2 sont gales et le
diagramme de Bode se rduit une horizontale
R
dordonne 20 lg
; ce rsultat est
R + RDSON
logique dans la mesure o on retrouve entre VA
et V , le schma dun attnuateur parfaitement
compens.
Pour R D S O N = 50 Q, R = 5 k a , et Co = 15 pF,
R
lhorizontale 20 lg
est pratiquement
R + RDSON
confondue avec laxe des pulsations, et la
frquence de coupure de la porte analogique

+ RDSON

9 . 5 . TEMPS D E COMMUTATION

D E LA PORTE ANALOGIQUE
Considrons le schma de la figure 54 dans lequel
la tension analogique uA est constante et gale
v,.
9.5.1. Ouverture de la porte

A linstant t = O, le signal de commande est


appliqu sur la base du transistor bipolaire. La
tension uc est alors gale - E, la tension aux
bornes de la diode est nulle, et la capacit C G D
est charge sous la tension VGD = - E.
Lvolution des tensions u, et v, est dcrite par
les chronogrammes de la figure 64.

,!

IL

A linstant t = O, le signal de commande est


appliqu sur la base du transistor; aprs le
temps t, ncessaire lvacuation de la charge
stocke dans le transistor bipolaire, la tension u,
dcrot de + E vers - E ( j g . 63). A linstant
t = t, la tension aux bornes des capacits CGset
CGDest pratiquement nulle et la capacit C est
charge sous la tension V,, = E - V,.
Ds que la tension u, commence dcrotre, la
capacit C tend se dcharger travers un circuit
trs faible rsistance RDsoN. Elle provoque ainsi
la charge rapide des capacits C G D et CGS,ce qui
correspond en fait lapport des charges
ncessaires llargissement de la zone de
transition de la jonction porte-canal. Cette
dcharge de la capacit C provoque ainsi un
blocage rapide du J.FET et le retour de la tension
u, vers zro. Le courant de dcharge de la
capacit C se perptuant, aprs le blocage du
J.FET, a travers la rsistance R et la capacit C G D provoque lapparition dune tension u,
ngative (fig. 65).

Conduction du J. FET

Dcharge de C,

Fig. 64.

9.5.2. Fermeture de la porte

/ r

La tension de collecteur u, volue de - E + E ,


avec le temps de monte inhrent la commutation du transistor bipolaire.
La capacit C G D se dcharge travers la
rsistance R et la capacit C, entranant lapparition dune tension u, positive.
Le courant de dcharge tend disparatre, mais
partir de linstant t = t , le canal commence
souvrir et la tension u, volue vers V,.

-9

t
Fig. 65.

225

corn posa nts

EXERCICES
2.
Le schma quivalent dun J.FET en hautes frquences et
pour les petits signaux sinusodaux est donn figure 1.

1.

Soit le dispositif de la figure 1.

Fig. 1
On donne CDs = 0,5 pF, CGs = C,,

5 pF,

g, = 30 mA/V

1 Montrer que pour des frquences de travail infrieures


100 MHz, on peut admettre les approximations suivantes :

On relve dans les feuilles de caractristiques


VGsoff =

4 volts,

ID,,

16 mA.

La tension dalimentation E vaut 20 volts.

2 La capacit CGD, ralise une interdpendance entre le


courant dentre et la tension de sortie et diminue la bande
passante des amplificateurs. Pour limiter son effet, on ralise
un montage cascode (fig. 2) laide de deux J.FET que
nous supposerons identiques.

En ngligeant la chute de tension dans la rsistance R , et


en utilisant lapproximation quadratique, calculer les
valeurs de R, et de RD qui fixent le point de repos
V,, = 10 volts et I D = 4 mA.

Fig. 2.
2. tude en rgime sinusodal permanent
a) La capacit Cs peut tre considre comme un
court-circuit pour les frquencesde travail. Tracer le schma
quivalent pour les petits signaux sinusodaux. On donne
gdS = O, calculer gm.

b) Calculer la fonction de transfert

a) Donner le schma quivalent au montage cascode pour


les petits signaux sinusodaux.
b) Montrer, compte tenu des valeurs numriques et des
approximations du l,que ce schma se rduit au schma
de la figure 3.

VS et la mettre sous
y
E

la forme :

T = A,
Sl

Fig. 3.
Exprimer A,, m et

O, en

fonction de RD, L, C, 9,.

c) Quelle est la fonction ralise par la dispositif? Prcisez


ses caractristiques : frquence centrale, amplification
maximale, bande rejete 3 db.

226

Exprimer les capacits Ci et Csen fonction de CGDet CGs.


Exprimer ladmittance go en fonction de g,, CGD, C,, et
montrer que linterdpendance entre la tension de sortie et
le courant dentre est ngligeable.

am pl if icateur
0de diffrence
1. PRINCIPE
L'amplificateur de diffrence est un dispositif
destin fournir un signal de sortie us
proportionnel la diffrence de deux signaux
d'entre u1 et u2, soit :

1-

2.

MONTAGE A SORTIE
FLOTTANTE

Soit le dispositif de la figure 3 dans lequel les


transistors Ti et T2, parfaitement identiques,
sont aliments par un gnrateur de courant
constant Io.

A , est appele ampllfication de diffrence.

On distingue deux types d'amplificateur de


diffrence.
O

Montage sortie flottante :

pour lequel la rfrence de potentiel en sortie est


diffrente de la rfrence commune aux signaux
d'entre (fig. 1).

Fig. 3.

2.1.POLARISATION

En l'absence de signal, u1 = u2 = O, les transistors


doivent tre dans une zone linaire de fonctionnemen t.

"1

%E

Fig. 1

> I/CEsat.

V B E N 0,6

volts.

2.1.l . Tensions collecteur-metteur


0

Montage rfrence commune :

pour lequel les signaux d'entre et de sortie


admettent la mme rfrence de potentiel (fig. 2).

VCE

Les deux signaux d'entre u1 et u2 tant gaux,


le dispositif est parfaitement symtrique et les
I
courants de collecteur sont gaux 2,soit :
2

i
s
La condition VcE > VCEsat impose la relation :

"1

Fig. 2.

227

1
composants

2.1.2. Construction du gnrateur


de courant

Plusieurs dispositifs sont possibles, nous en


donnerons deux exemples.
Dune manire gnrale, nous considrerons que
la tension base-metteur dun transistor conducteur est gale a 0,6 volt; nous la noterons 0,6 sans
indication dunit.
\

PREMIER EXEMPLE

La figure 4 donne le dtail du montage qui


apparat entre les points A et B de la figure 3.

Fig. 5.
0

Pour u1 = u2 :
- le potentiel du point C 2 estfix E

- R,?,

- le potentiel du point E , estfix


-E

+ U z - 0,6.

Lorsque u1 et u2 voluent simultanment, en restant


gales entre elles, le potentiel du point A les suit
0,6 volt prs. Sachant que VCEet VcE3doivent rester
suprieures VCEsat,le potentiel du point A ne peut
Fig. 4.

-E

O La rsistance R , est calcule de telle sorte que


la diode zener fonctionne dans la zone verticale
de la caractristique I z = f(U,)

O La tension aux bornes de la rsistance RE est


constante et gale a U , - 0,6. Le courant I o est
U , - 0,6
donc fix par RE

RE

La polarisation impose que, pour u1 = u2 = O,


les tensions VBEdes transistors TI et T2 puissent
se fixer a 0,6 volt. Il vient alors :

~1

= O = VBEl

+ VcE3 + U z - 0,6 - E ,

soit
VBEl =

Uz

+ 0,6 - VcE3.

dpasser E

- R,?
-E

I
2

VcEsat

+ U z - 0,6 +

h21

- N

10 MO.

h22

DEUXIME EXEMPLE

Le gnrateur de courant I o peut tre ralis entre


A et B par le schma de la figure 6.

REMARQUES

228

I/CEsat

de lautre, ce qui permet de dterminer lexcursion


maximale dt. u1 et u2. Cette excursion maximale
doit par ailleurs respecter les conditions de linarit,
la portion de caractristique I, = f( VBE)utilise
devant pouvoir tre assimile a une droite.
0 Nous avons dmontr prcdemment que, pour les
petites variations, la rsistance quivalente du
gnrateur de courant I o est de lordre de

La tension VcE3 sajuste de telle sorte que


0,6 = E - U z + 0,6 - VcE3j
soit
I/CE3 = - u Z ,
mais ceci nest possible que si :

Dgageons du dispositif prcdent la portion de


schma faisant intervenir les tensions collecteurmetteur des transistors T2 et T3 (jig. 5)

dun ct et

Fig. 6

amplificateur de diffrence

Sachant que pour un transistor bipolaire, le


courant d'metteur est li la tension base
VBE

metteur par la relation I E = 1, e%, avec :

7-

I , courant de saturation, V, z 30 mV,


on peut crire :

IE,

E - 0,6

= -.

Rl

soit

Fig. 7
l

V , E - 0,6
Zo = - In -

Des quations

RE
I

quation qui fixe le courant I o , compte tenu des


valeurs de R E ,R , et E.
O Comme dans l'exemple prcdent, la tension
VcE3se fixe une valeur telle que :

VBEi= 0,6 volt


pour u, = O, on peut crire :
U, = O = 0,6

+ VcE3+ V, In E

0,6

Rl 10

- E.

Ceci n'est possible que si

E - VTlnr?)2

on tire

E - 0,6 - V, In ___
E - 0,6
R, Io

IE, =

RI

+ R3

L E Z 1

De la mme manire, le potentiel du point E ,


E - 0,6
est fix V, In ____ , ce qui limite l'excursion

soit

RlI,

du potentiel du point A ainsi que la valeur de


u, = u2.

relation dans laquelle VT et Is dpendent de la


temprature.
Afin de rendre le courant I o indpendant de la
temprature, on doit raliser

REMARQUES
1. Si RE = O, la condition VBE3= V'E4 impose
I o = l E 4On
. ralise ainsi un (( miroir de courant .
KT
2. VT = - avec K : constante de Boltzmann,
e : charge de l'lectron, T : temprature absolue.
VT dpend donc de la temprature. Il en est de
mme de 1, qui est fix par l'quation

Io

VT

= - ln

RE

1 - 12"- 1 1;s' -a).


soit
0s
Cette relation devant tre vrifie quelle que soit
1

la temprature on choisit a
R,

= R3

= I,ce

qui conduit

et

-E. - 0,6
RJO

Pour s'en affranchir, on peut raliser le dispositif de


lafigure 7.

3. Vis--vis des petites variations autour du point


de repos, on obtient pour le schma de lafigure 6,
le schma quivalent de lafigure 8.

229

comoosants

"O
h21 4 2

Fig. 9.

L'application de u1 sur le transistor Ti et de

u2 sur le transistor T2 conduit une tension de

Le gnrateur de courant h;l ib, soumis la tension

hl 1
h:l ib, est quivalent la rsistance 4 h; 1.
h! ,

sortie
us = us,

-& 1

-+ us, = - h21Rc
hl

ud

Le courant i est alors peu diffrent de ib,

soit

h2 1

et le gnrateur de tension -ib, peut tre remplac


h?

.-AL

par la rsistance

(U, - U 2 )

RE
-~
hi2
h;1'
h21

RE

d'O Ad =

h21Rc
hl 1

La rsistance quivalente entre les points A et B

de l'ordre de 10 MQ.

3. MONTAGE

RFRENCE
COMMUNE

2.2. TUDE DYNAMIQUE


Effectuons le changement de variables
u1 = u,.+
u2

ud

On obtient un montage rfrence commune en


compltant le schma de la figure 3, conformment au schma de la figure 10.

Ud

= u, - -

2
Appliquons ds lors le thorme de superposition au schma de la figure 3.
O Par suite de la symtrie du montage, l'application simultane sur les deux entres de la tension
u, conduit une tension us = us, = O.
O

L'application de la tension

tor 7''et de la tension

+sur le transis2
ud

sur le transistor T2
2
conduit au schma quivalent de la figure 9
partir duquel on crit :
d = hll(ib1 - ib,)
u,, = h,,R,-(ib2 - ibi)
soit

us, = -

h2 1 Rc
ud.

hl 1

230

ud

--

Fig.

IO.

Le transistor T3 mont en collecteur commun


permet de prserver la symtrie de fonctionnement des transistors 7
' et T2,en ne prlevant
que trs peu de courant sur le collecteur de T2.

amplificateur de diffrence

On obtient finalement le rsultat suivant :

3.1. POLARISATION

Aux conditions dcrites pour le montage sortie


flottante, il faut ajouter la condition suivante :
la tension de sortie us doit tre nulle lorsque
u1 = u 2 , soit :

avec

Ainsi le dispositif amplifie non seulement la


diffrence u1 - u2 mais aussi le mode commun
u1

3.2. TUDE DYNAMIQUE


Vis--vis des petites variations, le schma quivalent de la figure 10 est donn la figure 11.

+ u2
2 .
Ad est lamplification de dgrence,
A, est lamplification de mode commun.

Le montage se rapproche dautant plus dun


amplificateur de diffrence idal que [ A d /est
grand par rapport IA,I.
On le chiffre par le taux de rejection du mode
commun :

Fig. 11.

La rsistance R, est la rsistance quivalente du


gnrateur de courant pour les petites variations.
Le montage collecteur commun ayant un gain
voisin de 1 et une rsistance dentre trs grande
devant R,, on peut crire avec h,, 4 1 :
h,,ib,R,
R,(ibl
u2 = h,,ib2
R,(ibl
us =

u1 = hllibl

+
+

+ ib,)h,,
+ ib,)h,,

4.

COMPORTEMEMT
E N GRANDS SiGRIAUX

Le fonctionnement du dispositif nest linaire que


dans la mesure o le point de fonctionnement
dcrit une portion de caractristique i, = f(v,,)
assimilable une droite.
Or cette caractristique est dcrite par lquation :

n
1
ib, - ib, = -(u,
h, 1

- u2),

do lon peut dduire :


Fig. 12.

231

composants

Sur le schma de la figure 12, on peut crire :

iEl

=f(VBEl)

iE2

= f(VBE2)
i,, = I o

'* E 1

Ce phnomne est utilis dans certains conformateurs qui permettent de transformer les
signaux triangulaires en signaux sinusodaux.
On ajoute alors dans les metteurs une petite
2VT
rsistance r, de l'ordre de grandeur de -,

U = U1 - U2 = V B E , - V B E ~ .

IO

La relation iE2 = f ( u ) peut tre obtenue graphiquement point par point a partir du diagramme
de la figure 13.

conformment au schma de la figure 15.

"BE1

Fig. 15.

Nous obtenons alors les relations suivantes :

Fig. 13.

A un point H de l'axe vertical correspond une


valeur de iE, = O H , partir de laquelle on dduit
la valeur de i,, = I o - iE, = O'H. On dtermine
alors les valeurs correspondantes de v g E 1 et vBEZ
ainsi que u = v B E 1 - v B E , .
On obtient pour la relation iE, = f ( u ) la courbe
de la figure 14.
a partir desquelles on crit :

soit

u = V, In

l0

- 'Ez

+ r(Io - 2 i E 2 ) .

'Ez

La rsistance r est choisie de telle sorte que cette


relation s'approche le plus possible de l'quation :
U

Fig. 14.

Pour des petites variations autour du point


M o , les courbes I E = f ( V B E ) peuvent tre assimiles des droites et la relation i,, = f ( u ) est
linaire.
O Pour des fortes variations le courant iE, se
sature d'un ct a O, de l'autre I o .

Choisissons, a titre d'exemple I o = 2 mA,


V, = 25 mV. Les figures 16, 17, 18 permettent de
comparer les courbes

232

pour diffrentes valeur de r.

amplificateur de diffrence

r=25R

-1

4,05

0,05

Fig. 16.

Fig. 17.

233

composants

Remarquons que pour r


i,,

IO

= O et iE2= -

< I~ la relation u = vTInTI O -

iE2

IF.

+ i,,

avec

+ r ( l 0 - 2iE2)

Il apparat donc aux bornes de Rc une variation


de tension us =

RCIO U .
-vT

devient

vT

Sachant que hIl = - =


I B

soit

Io -

,z
*

(++

ie2)( 1

IO
= -U.

EXERCICES
1.
Soit le montage ci-contre.
Diode Zener : U,, = 6,8 V, rsistance dynamique ngligeable.
TI, T, : transistors a effet de champ :
g m = 3 mA/V; gds = O.

T : transistor au silicium :

hll

150; h12 = h 2 , = O,
R , = 2,2 kR; R = 2,2 kR; E = 15 V.

234

1 ka;

h,,

, il vient :

qui est bien la relation dmontre dans l'tude


dynamique.

vT

VBE= 0,6 V;

Io

g).

On en dduit, compte tenu de i,, 4 I o ,


i,,

h 2 1 vT
~

RS

amplificateur de diffrence

1" Quelle valeur doit avoir le courant de drain des deux


F.E.T. pour que U s = 0 lorsque U , = U , = O?
Pour la valeur prcdente de Z, on relve sur la courbe de
transfert des F.E.T., V,, = - 1,5 V. Quelle valeur faut4
donner R,? Calculer VD,et V,,.

On construit le circuit de la figure 2 en utilisant trois


amplificateurs de diffrence identiques celui de la figure 1.
On pose y

5.e2 est

le signal appliqu la base du

VT

transistor Ti.

2" Tracer le schma quivalent alternatif.


(Les grandeurs alternatives seront notes avec des petites
lettres.)
3" Montrer que l'impdance d'entre de T est grande
devant RD, et que us N usl.En dduire usen fonction de ugS.
4" Exprimer u1 1.4, et u1 - 1.4, en fonction de ugsl et ugS2.

En dduire ugs2en fonction de

u1

+ u2

et u1 - u 2 .

5" Calculer l'amplification de mode commun et l'amplification de diffrence.

On rappelle que us = A,(ul

- 24).,

+ A,

2
Calculer le facteur de rjection du mode Lommun;
(application numrique). Comment pourrat-on l'augmenter?

2.
La construction de la fonction multiplieur est base sur
l'emploi du circuit amplificateur diffrentiel dont le schma
de principe est donn figure 1. On admettra que, dans les
ronditions d'emploi fixes ici, la relation liant V, et V,
i, pour chacun des transistors du montage est :

1,

= 1,

. exp

tT).
/.,
"B -

r7

"E

I Vpl+el 9

vpl

Fig. 2.
5" tablir l'expression donnant la valeur du courant
Z, = I,,
Z, en fonction des quantits x,y et 1.
6" Donner une forme simplifie de cette relation utilisable
lorsque x et y sont trs petits devant 1.

3.
L'amplificateur de diffrence reprsent ci-dessous est utilis en commutation, pour la construction d'une famille
logique appele E.C.L. (Emetter-coupled logic).

Fig. 1

Que reprsentent, dans cette formule, les quantits I o et

k? On admettra que V, = 25 mV la temprature


mbiante.
Calculer les courants collecteur Z, et Z, de chacun des
eux transistors.

Exprimer Il et Z2 en fonction de Z et de la quantit

Fig. 3.

-el
-

va

Donner un dveloppement limit au premier ordre pour


et Z, lorsque x est beaucoup plus petit que 1.

l n donne :

l4
-

300 Q; R , = 1,5
5,2 volts.

ka; Ri = 1,5 ka; RE = 1,18 ka;

= -

235

composants

Potentiel de la base de T4 : - 1,15 volts.


La tension base metteur d'un transistor conducteur est
gale 0,7 volt.
Une jonction est bloque si sa tension directe est infrieure
0,5 volt.
Les courants de base sont ngligs devant les courants de
collecteur.

1" On admet dans cette question que les transistors TI, T,,
T3 sont bloqus.
a) Montrer que le transistor T4 est conducteur et calculer
V,, 1 et V,.
b) Montrer que si la base des transistors TI, T,, T3 est
porte au potentiel - 1,55 volts, ces transistors sont bien
bloqus. Conclure sur la tension correspondant un tat
bas.
c) Le transistor T4est-il satur?

236

2" On admet dans cette question que le transistor T4 est


bloqu?
a) Calculer Z, et V,.
b) Montrer que si la base d'un des transistors TI, T,, T3
est porte au potentiel - 0,7 volt, T4 est bien bloqu.
Conclure sur la tension correspondant un tat haut.
c) Calculer la valeur minimale de la rsistance R autorisant
la non saturation des transistors TI, T,, T3.
3" Quelle est la nature de la fonction logique ralise?

4" Calculer la rsistance R pour que les niveaux logiques


de la sortie Y' soient complmentaires de ceux de la sortie Y
5" Montrer qu'au cours du fonctionnement, aucun transistor n'entre en saturation. Conclure sur le temps de
propagation du signal travers la porte.

am plif icateur
O oprationnel

Lamplificateur oprationnel le plus couramment


utilis est un amplificateur de diffrence
rfrence commune. Il ncessite une alimentation
de polarisation + E et - E.
Il possde :
- deux entres : une entre note 0dite entre
inverseuse,
une entre note @ dite entre
non inverseuse;
- une sortie.
La rfrence du potentiel est choisie de faon
purement arbitraire, cependant il est habituel de
choisir le potentiel partir duquel sont comptes
les tensions dalimentation + E et - E , ce qui
garantit priori une excursion en tension de
sortie symtrique (fig. 1).

- impdance dentre la plus grande possible,


on retiendra en gnral une valeur suprieure
106 sz;
- impdance de sortie trs faible, infrieure
200 a;
- bande passante allant du continu une
frquence la plus leve possible;
- facteur de rjection du mode commun le plus
grand possible.

2. EQUATION

DES MONTAGES
FONDAMENTAUX

2.1.

HYPOTHSES

SI M PLI FICATRICES
D E LAM PLI FICATEU R
OP RATIO N N EL I D AL

r-----l+

a) Lamplificateur oprationnel idal est un


amplificateur dont lamplification en tension est

infinie. En crivant :

V,

- V - = 2,et

que us est fini on aura :

sachant

Fig. 1

Dans ce cas on notera :

Lamplificateur de diffrence aura les proprits


suivantes :
- amplification en tension la plus grande
possible, on retiendra en gnral D
, > 104;

b) Lamplificateur oprationnel idal est un


amplificateur dont les impdances dentre sont
infinies; les courants dentre + et - sont donc
nuls,

ce qui se rsume sur la figure 2.

237

composants

REMARQUE
Bien quen apparence, les entres + et - puissent
tre permuttes sur lamplificateur oprationnel
parfait, la stabilit impose que lentre + soit relie
la rfrence des potentiels. En effet, une augmentation accidentelle de v, provoque un accroissement de
1a tension sur 1 entre - et par suite, une diminution
de v, et un retour vers sa valeur initiale.

Fig. 2

2.2. CONVERSION
TENSION-COURANT
ET COURANT-TENSION

2.3. MONTAGE INVERSEUR


Le montage (fig. 5 ) rsulte de la combinaison des
deux montages prcdents (fig. 3 et 4).

Soit le montage de la figure 3.


- Z i

R.

Fig. 3

Fig. 5
01

Le courant i dans R , vaut -, il se retrouve


Rl
intgralement dans 2.
On rgle par la tension V, le courant qui passe
dans 2 indpendamment de sa valeur.
Le montage vu de AB se comporte comme un
gnrateur parfait de courant command en
tension par v,.
Prenons maintenant le montage de la figure 4.

Il est donc constitu dun gnrateur de courant


command par v, : i

V,

= -.

Rl
Ce gnrateur de courant i dbite dans la
rsistance R , . Entre S et O le montage se
comporte comme un gnrateur de tension
parfait de valeur : v, = - R2i.
On aura donc :

ou encore :

O
Fig. 4

Le courant fourni par le gnrateur de courant se


retrouve intgralement dans R,, on aura donc
V, = - R,i, ceci indpendamment de la charge 2
place en sortie.
Le montage vu entre S et O se comporte comme
un gnrateur parfait de tension.
Ces deux remarques restent valables tant que
I v , ~ < E et que i, < ,,i dfini par constructeur.

238

On voit que lon est en prsence dun


R2
amplificateur de tension damplification - Rl
do lappelation inverseur.
Cet amplificateur de tension peut avoir toutes les
valeurs damplification que lon veut en jouant
sur R , et R 2 .
V

Limpdance dentre du montage vaut 4


1 = R,,
elle est donc impose par le choix de R , .

amplificateur oprationnel

2.4. M O N T A G E S O M M A T E U R
Le courant i (fig. 6) est la somme des courants
fournis par les n gnrateurs de courant (lentre
moins se comporte comme la rfrence de
potentiel O) :

v,=

-2
R

VI

Ro

--

v2

Ro
R,3

- -v3

R2

en intgrant :

Le montage se comporte comme un intgrateur, il


est remarquer que limpdance dentre du
montage est toujours gale R.

...

2.6. GNRALISATION
Considrons le montage dfini par la figure 8.
1;
-

Vl

Entre

Fig. 6

~~

~~~

2.5. M O N T A G E INTGRATEUR
V

Le gnrateur de courant i = 2 (fig. 7) dbite


R
dans le condensateur de capacit C. Le gnrateur de tension de sortie v, est donc dfini par la
diffrence de potentiel qui apparat aux bornes
de C.
C

Fig. 8

Les quadriples Q et Q sont connus par leurs


paramtres admittance Y.
Ces quadriples Q et Q fonctionnent tension de
sortie nulle (la diffrence de potentiel entre les
entres + et - est nulle).
Les courants de sortie I2 et 1; des deux
quadriples sont dfinis par :

la = 3 i K

v1

L
t

vs

I; = 31K
Comme le courant absorb par lentre - est nul
on a :
on en dduit :

Fig. 7

On a :
Ce rsultat est utilis pour la ralisation dune
fonction de transfert donne, il suffit de trouver
les quadriples Q et Q qui permettent de
synthtiser le rapport

On en tire :
V1
du, = - dt,
RC

y2 1
=.

y; 1
Cest le principe dune famille de filtres actifs.

239

corn posants

2.7. MONTAGE
N O N INVERSEUR
Considrons le dispositif de la figure 9 :

Fig. 10

Pour obtenir un amplificateur de diffrence il faut


que *les coefficients de v, et de v, soient gaux
donc :

Fig. 9.

Les courants circulant vers les entres + et tant nuls, le mme courant i circule dans les
rsistances R , et R,. De plus, les potentiels des
entres + et - tant gaux, le montage
fonctionne comme un potentiomtre lvateur de
tension.
On en dduit que :

cest--dire :
On aura alors :

Reprenons lexpression gnrale dc v, :


Y
3

v, =
On a donc un amplificateur de tension non
inverseur, dont limpdance dentre est infinie.

Rl R 2

En posant

REMARQUE

Le montage particulier donn par R , = O et R , infini


est appel montage suiveur de tension; il est utilis
en adaptateur dimpdance car il a une impdance
dentre infinie, une impdance de sortie nulle et un
gain de tension gal lunit.

(v2

R4
- v1
R2
R3 R4
R, + R,

I V c

v1 + 0 2
=
2

).

= v2 - v1
vd

et en remarquant que

O1

= Oc -

v , = 0,

+ -,2

il vient :

vd

2.8. A M PLI FICATEU R


D E DIFFRENCE
En crivant lgalit des potentiels des entres +
et -, sur le montage de la figure 10, il vient :

- R1

+R2
Rl

+-(
2

vg

= v2

R4
R3 R4

daprs vA = ug on obtient :

v, = R 1Rl R2 [ V 2 - - V LR4
R,+R,

240

R2

1.

R4
R3+R4

+ R , R+2R ,

)].

En comparant cette formule lexpression


gnrale de la tension de sortie dun amplificateur
de diffrence (v, = A,v, + AdVd), on crit :
amplification de diffrence :

amplificateur oprationnel

amplification de mode commun :

US

on a

v1

= RI,

ew,

a condition que o1 soit positif on aura alors :

facteur de rjection du mode commun : K


K=-x
-1
--

AC

+ R2) + R 2 ( R 3 + R4)
R4(R1 + R2) - R 2 ( R 3 + R4)
R4(R1

R1R4

R2R3

R1R4

V1
V, In --,
RI,

ou encore :

1 us

= -

vTin vl

+ constante 1

2R2R4

- R2R3

Il est remarquer que le facteur de rjection du


mode commun dpend de la prcision avec
laquelle est ralise lgalit
R1R4

us =

A d .

=- .

= R2R3.

2.9. M O N T A G E LMENTS

On constate que la sortie est une fonction affine


du logarithme de la tension dentre.
En inversant la position de la rsistance et du
transistor on aura un gnrateur de courant
command en tension de faon exponentielle, la
diffrence de potentiel en sortie est alors une
fonction exponentielle de la tension dentre.

NON LINAIRES
Le principe revient insrer un dispositif non
linaire dans une des branches. Soit dans la
branche gnrateur de courant, on dispose alors
dun gnrateur de courant command de faon
non linaire. Soit dalimenter, par le gnrateur de
courant, un lment dont la rponse en tension
nest pas linaire.
Ce cas est utilis pour raliser lamplificateur
logarithmique de la figure 11.

3.AMPLIFICATEUR
OP~RATCONNELREEL
Les amplificateurs oprationnels que nous
utiliserons se diffrencient de lamplificateur
oprationnel idal par trois types derreurs.
O

Les erreurs dites de ((calcul ))

Elles rsultent de la valeur finie des paramtres de


lamplificateur oprationnel :
- amplification non infinie,
- rsistance dentre non infinie,
- rsistance de sortie non nulle.
Fig. I I

Le courant i, est li la tension ugE par la relation


VBEe

i,

KT
e

-=

= I,

e r .

25 mV la temprature ambiante,

KT
On pose -= VT.
e
VBE

,i
On aura alors :

= I,

[ c = R V. 1

ew,

Les erreurs dites ((statiques))

Elles sont dues la prsence de gnrateurs de


tension et de courants parasites.
0

Les erreurs dites (<dynamiques ))

Dues la prsence dlments ractifs et aux


limitations en frquence des composants actifs,
elles limitent la bande passante de lamplificateur
oprationnel rel,
Nous allons tudier dans cet ordre les consquences pour lamplificateur rel.

241

composants

4.

ERREURS DITES
DE CALCUL
G=-.

4.1. E R R E U R D U E

PP

LAMPLIFICATION F I N I E
Prenons le montage dfini par la figure 12.
R2

Fig. 12.

Ltude de lerreur dynamique nous montrera


quen rgime sinusodal tabli, le gain ,u est
complexe et que son module diminue en fonction
de la frquence. La figure 13 donne un exemple
de variation de
dans le diagramme de Bode.

100
80

Lamplification diffrentielle de lamplificateur


oprationnel est finie et gale p, soit :
us

60

= P ( V Z - UA).

40

A partir de lexpression de uA :

20

102 103

il vient

104

105

106

Fig. 13.

On pose

fi

Rl

R,

+ R,

en remarquant que 1 - P
us =

P
~

1 + PP

donc :
1
us=-.
1
1

Considrons le montage particulier de la figure 14


dans lequel R , = 1 kR et R , = 10 kR.

Ch - u,(l - P)1,

1
-Cv,
P

+-PP

R2 R,, il vient :
=R,

P)I.

Il sagit dun montage inverseur dont le gain


thorique en tension est gal 10 et pour lequel
_ _1
P = R , + R, 11

Si lamplificateur oprationnel avait t idal, on


aurait obtenu (pour pm) :
1
(Vs)idai = - Cu, - v 1 (l - P)1*

On peut donc comparer la sortie du montage rel,


avec la sortie quaurait donne un amplificateur
oprationnel idal; on a alors :
1
us =
1 (us)idal,
1
~

+-PP

en dveloppant on obtient :

Fig. 14.

Le module de u
, passe de 10000 100 lorsque la
frquence dutilisation passe de 100 Hz 10 kHz
11
et le module de lerreur relative passe de 10O00
11
a -.
100

242

am pl if ica teu r opration ne1

Lerreur systmatique due lamplification finie


par dfaut 1 O00 Hz vaut 1,1%, on peut donc
considrer que les proprits du montage sont
peu altres jusqu 1 O00 Hz.

en remarquant que R,
il vient :

= PR,

et R,

= (1 - P)R,,

4.2. E R R E U R D U E A
LIMPDANCE DENTRE
NON I N F I N I E
Reprenons le schma de la figure 12 auquel nous
ajoutons la rsistance RE (fig. 15).

R E , on obtient :

En posant p R =
R2

RE

Cette formule est rapprocher de celle obtenue


au paragraphe prcdent.
Tout se passe comme si lamplificateur oprationnel avait une rsistance dentre infinie et une
amplification donne par :
Fig. 15
pR =

crivons la loi des nuds au point A

+ RE

Lerreur relative devient donc :

La diffrence de potentiel la sortie est :

v,

= - P(VA

La prsence de RE se Caractrisera par une


multiplication de lerreur relative par le facteur

- 02),

(1

on en tire le potentiel du point A :

+2).

Dans le cas du montage de la figure 16, RI, vaut


45 ka.
on le reporte dans lquation des courants :

Dans

la

notice

constructeur

REmin= 300 kQ, on aura alors

VS

on

trouve

3
= 0,15.
RE

Lerreur relative passera alors : G x 1,15 pour


toute la gamme de frquence.
500

- -V1

+v2[-- 1

Rl

RE

On pose

P = Rl

Rl

R2

RE

Rl

+ R2

R l R2
R2

RI, = R l

+-+-+LI.
1
1

ka

Fig. 16

243

corn posanrs

On a alors :

4.3. ERREUR D U E
LA RSISTANCE
D E SORTIE
NON N U L L E
On peut modliser ce fonctionnement en prenant
lamplificateur oprationnel prcdent auquel on
ajoute la rsistance Ro en srie sur la sortie, on
obtient alors le montage de la figure 17.

vs =

,us . v A .

Donc tout se passe comme si on avait un


amplificateur oprationnel damplification ps ;
pour connatre lerreur que cela introduit dans un
montage inverseur on peut appliquer la formule
calcule prcdemment :
1

&=-

BP

et remplacer p par ,us.


Lerreur relative

R2

est multiplie par

I
Pour minimiser leffet de Ro il faut prendre RL
et R2 grands devant Ro.

Comme lamplificateur oprationnel rel prsente une rsistance de sortie non nulle, il en sera
de mme pour tous les dispositifs faisant intervenir
cet amplificateur. Calculons, titre dexemple, la
rsistance de sortie du montage de la figure 18 :

Fig. 17

Nous aurons donc :

Fig. 18.

R
Comme R2 est trs grand devant 2 (qui peut
P

1
aller de 10-3 R 10 R), on peut ngliger R2
P
devant -, on aura donc :
RO

v = - - xP
Ro

Le calcul de la rsistance de sortie conduit au


schma de la figure 19 :

VA

-+-+-RL1
1
Ro

1
R2

donc :

Fig. 19.

v = 1+Ro

(iL
-+- R,)

On peut poser :

244

VA.

Le gnrateur de courant - impose un


RO
courant proportionnel la tension ses bornes
(V,

1+R,

-+- i2)
(iL

=Ps.

RilR2).

Il est donc quivalent la

Ro Rl + R 2
rsistance - x
P
Rl

am pl if icateu r opration net

La rsistance de sortie rsulte donc de la mise


en parallle des trois rsistances R , R 2 ,

P
p tant trs grand par rapport 1, les rsistances
R , et R , R, sont grandes devant le rsistance

Ro X

+ R 2 et leur influence est ngligeable.


P
R,
Pour R , = 1 ka, R, = 10 ka, R, = 100 a,
p = 104, la rsistance de sortie du dispositif de la
figure 18 stablit :

Dans la plupart des dispositifs, la rsistance de


sortie sera ainsi trs faible et pourra tre nglige.

5.

ERREURS DITES
STATIQUES N

44

REMARQUE
Linconvnient du gnrateur de tension doffset V,,
rsulte moins de sa valeur propre que des variations
quil prsente en fonction de la temprature ou
lorsquon passe dun chantillon lautre dans un
mme lot de composants.
Le constructeur ne peut prciser ni le signe, ni la
valeur de V,, (sinon il aurait corrig son composant
en consquence).
I l indique la valeur maximale du module VD;(1 V,, 1-J.
On appelle drive thermique le rapport de la
variation de tension rsiduelle dentre la variation
de temprature A0 qui lui donne naissance :

Elle est due la variation relative des tensions uBEen


fonction de 8 des transistors de ltage diffrentiel
dentre.
Cette drive en temprature conditionne pour une
bonne partie la stabilit de la tension de sortie en
fonction de la temprature de fonctionnement.
Ainsi, le rglage exact du potentiomtre doffset nest
valable que pour un composant et une temprature
donne.

5.1. TENSION RSIDUELLE


DENTRE

5.2. COURANT DE
La diffrence de potentiel en sortie de lamplificateur oprationnel nest pas nulle .lorsque lon
connecte les deux entres la rfrence de
potentiel.
Le constructeur indique comment raliser laide
dun potentiomtre extrieur un montage permettant de se rapprocher dune tension de sortie
nulle.
Pour des facilits de calcul, ce dfaut est ramen
sur lentre : on appelle tension rsiduelle dentre
(note V,) en anglais offset, la diffrence de
potentiel que doit fournir une source de tension
place entre les deux entres et qui permet davoir
une diffrence de potentiel en sortie nulle (fig. 20).

POLARISATION DENTR E,
COURANT RSIDUEL
DENTRE
Lhypothse des courants dentre nuls est une
approximation pour les amplificateurs oprationnels rels.
Il31
- 1-.
I

Fig. 21

Fig. 20

Nous avons plac un gnrateur de tension


entre une entre et la masse (fig. 21) lautre
entre tant la masse, telle que la diffrence
de potentiel la sortie soit nulle; nous constatons
que les deux entres sont parcourues par des
courants I,, et IB2.
Nous appellerons :
- courant de polarisation, le courant

La tension rsiduelle (en appliquant le principe


de superposition) peut tre figure comme un
gnrateur de tension derreur en srie avec lune
des deux entres de lamplificateur oprationnel.

- courant rsiduel dentre (en anglais courant


doffset), le courant I D , = I,, - I B 2 .

n
Oi

245

Nous pouvons les reprsenter schmatiquement


par deux gnrateurs de courant I,, et I,, sur les
deux entres de lamplificateur Oprationnel.
REMARQUE
Les courants de polarisation I , et doffset I D , sont
susceptibles de variations :
a) enfonction de la temprature :Soient AIBet AIDl
les variations de 1, et ID, rsultant dune variation
de temprature A6. On dfmit :
a drive thermique du courant de polarisation 1,
DI, = Al,
par :
A0
a drive thermique du courant offset ID, pur :

11 est tentant de dire quil suffit dajuster le

potentiomtre doffset de faon a donner VD,


une valeur telle que la tension.v, soit nulle. Mais
un tel rglage ne peut tre quillusoire compte
tenu des variations de VDl,IBlet I B 2 avec la
temprature et compte tenu de leur dispersion
dans un mme lot de composants. Afin doptimiser
le dispositif, il apparat intressant de calculer v,
en fonction de IBet de ID,.Nous avons :

p
;

DI

DID, =-

b ) en fonction du composant : Nous pouvons


remarquer, ce propos, que le signe des courants
1,, et I,, est identique et quil dpend de la nature
(NPN ou PNP) des transistors de ltage dflrentiel
dentre. I l est donc possible de connatre le signe
de I, alors que le signe ID, peut varier dun composant
lautre.
Le constructeur indique les valeurs maximales du
module de 1, et de ID,.

Consquences pour quelques montages

et

Si nous reportons dans v, nous aurons :

soit

a ) Amplqicateurs inverseur et non inverseur


Sur le montage de la figure 22, si lamplificateur
est idal, la tension de sortie est nulle; cependant,
on observe une diffrence de potentiel en sortie v,
due aux erreurs statiques.
R2

r-+I--l

+-[1
2

+ R,(&+$)].

Il est alors possible de dterminer la valeur de


1u,1 en fonction des donnes du constructeur,
IvDIImax, IIBlrnax, IIDllmax, en crivant :

Fig. 22

Lcriture de la loi des nuds au point A conduit


:

Nous pouvons, ds lors, remarquer que le


courant de polarisation nintervient pas dans la
formule prcdente, si lgalit

(il L2)

1-R3-+-

soit :
est ralise, soit :
1
R3

1
Rl

-__-

246

+- 1

R2

=O

amplificateur oprationnel

En consquence, pour minimiser l'influence du


courant de polarisation, on placera dans le
montage inverseur entre l'entre plus et la masse
une rsistance gale la rsistance vue par l'entre
moins.
6 ) Montage intgrateur
Si les grandeurs lectriques VD,, IBl, I B 2 , ne
constituent qu'un phnomne gnant pour les
amplificateurs inverseur et non inverseur, elles
rendent, par contre, inutilisable le montage
intgrateur tel qu'il a t dfini sur la figure 7 .
Considrons, en effet, le montage de la figure 23.

Dans ce cas aussi, le courant de polarisation I,


est sans effet si les deux entres voient la mme
rsistance (R = R').
Afin de rendre le montage intgrateur utilisable,
on monte, en parallle sur le condensateur C, une
rsistance R, (fis. 24).

II

i
A-

vD 1

R'

Fig. 24.

-O+

G - 2

Fig. 23.

L'criture de la loi des nuds au point A conduit


:

Il apparat donc dans le condensateur C un


courant non nul et mal dfini dans la mesure o
VDl, IB2et IBlsont susceptibles de variations en
fonction de la temprature et de la dispersion des
composants.
du
la tension
Compte tenu de la relation i = C 2,
dt
v, volue uniformment, entranant la tension de
sortie O, vers la saturation de l'amplificateur
oprationnel (v, = + E , ou - E).
On peut, bien sr, minimiser le courant i en
rglant VD, par le potentiomtre d'offset, mais il
n'est pas possible de l'annuler totalement et de
toutes faons la moindre variation de temprature dtruirait ce fragile quilibre.
Le courant i dans le condensateur peut tre
exprim en fonction de IBet ID, :

soit :

Si l'on suppose que VDl,IBlet IB2sont constants,


la somme i + ,i
est constante ainsi que le
potentiel du point A .
Supposons que le courant i soit positif, la tension
v, augmente

( 2)
i =C L

entranant I'accrois-

sement de la tension de sortie u s . Le courant i,,


crot et, comme i i, = Cte, le courant i
diminue jusqu'a son annulation complte.
La tension de sortie v, se fixe donc une valeur
telle que i = O. Sur le montage intgrateur parfait
la tension v, serait nulle. Calculons sa valeur sur
le montage intgrateur rel :

V=

RIB,,

en A :

donc :

On constate que O, est stable, mais n'est pas nulle,


pour la rendre la plus faible possible, il faut donc
choisir R , la plus petite possible; cependant, on

247

corn posants

ne peut pas diminuer R, autant que lon voudrait,


car on perdrait alors la proprit intgratrice du
dispositif.
Dterminons, par exemple le comportement de
lintgrateur rel en rgime sinusodal permanent
(fig.25) :

On constate que les fonctions de transfert _Tet


10
T, ne sont confondues que pour CU > 10 C U , =ROC
On ne pourra donc pas choisir une valeur trop
faible pour la rsistance R,.

5.3. FACTEUR DE RJECTION


DU MODE COMMUN
Nous avons vu, quen toute rigueur, la tension
de sortie dun amplificateur de diffrence (fig 27),
dpend non seulement de la diffrence des
tensions dentre O, - u 2 , mais aussi du mode
v 1 + v 2 , soit v , = p ( u l - u 2 ) + g
v1 + u 2
commun
2
2 .

Fig. 25.

La loi des nuds au point A conduit :

Alors que, pour lintgrateur parfait ( R ,


on obtient :

--+ CO),

Fig. 27.

Afin de comparer les intgrateurs rel et parfait,


traons les variations de _T et de T, dans les
diagrammes de Bode (fig.26).

p est lamplification de diffrence, g est lamplification de mode commun. On dfinit le facteur

de rjection du mode commun par KKMc= -.


9

Pour un amplificateur oprationnel, la diffrence


VD1= ul - u2 est faible par rapport u , , ce qui
permet dcrire avec une bonne approximation :

20 log

= pvD1

+ gvl*

Nous pouvons en conclure :


c

Fig. 26.

- Pour les montages dans lesquels lentre


non inverseuse est relie la masse, (u, = O

et us = - (p

i)

v2 N

pu2), le facteur de

rjection du mode commun est sans influence.


-

O,

10

248

I
O,

lOW,

- Pour les autres montages, nous pouvons


conclure partir de
1

am pl if icateu r oprationne1

que linfluence du taux de rjection du mode


commun se ramne celle dun gnrateur de
tension derreur (analogue VDi) : V 1 place en
KRMC
srie sur lentre non inverseuse.
Il est difficilede spcifier avec prcision la valeur
du facteur de rjection du mode commun car il
dpend fortement de la temprature et de la
tension de mode commun.
~

5.4. FACTEUR

DE RJECTION
DES TENSIONS
DALIMENTATION

Une variation des tensions dalimentation + E


et - E provoque une variation de la tension de
sortie us. Pour faciliter la dfinition, ce dfaut est
ramen sur la tension doffset VD, (fig. 28).

T +

:
+

- -

Fig. 29.

On y distingue :
- Un premier tage, fonctionnant en amplificateur de transconductance, et constitu
O dun gnrateur de courant GVDl,
O dune rsistance de sortie R,.
- Un deuxime tage fonctionnant en amplificateur de tension, de rsistance dentre Re et
de gain A , .
En pratique plusieurs lments parasites interviennent sur ce montage.
- Une capacit parasite Co apparat entre
lentre et la sortie du second tage.
- En rgime sinusodal permanent, la transconductance G est complexe et scrit :
G=-

GO
l+j-

f 2

1-E

o fi est de lordre de quelques mgahertz.


En rgime harmonique, et en posant

R , = Rs Re , lamplificateur oprationnel peut


Rs + Re
tre dcrit par le schma de la figure 30.
~

Fig. 28.

On appelle facteur de rjection des tensions


dalimentation, le rapport :

KR.=(->
*Vil

us=cte

Pour une variation A E des tensions dalimentation, AVDl est la variation quil faut imposer au
gnrateur de tension doffset pour maintenir la
tension de sortie constante.
Compte tenu du bruit tolrable sur la tension de
sortie, le facteur de rjection des tensions
dalimentation permet de dterminer la qualit
du dcouplage des tensions dalimentation E
et - E.

6.

ERREURS
DITES DYNAMIQUE$

En rgime dynamique linaire, lamplificateur


oprationnel est quivalent au schma de la
figure 29.

Fig. 30.

Le courant 1 dans le condensateur scrit :


I = (1 A,)yjC,o,

il est identique a celui qui serait appel par la


capacit C = C,(1 A,) place en parallle sur
la tension 1.
De plus, ce courant 1, appel par une capacit
parasite, est ngligeable par rapport au courant
de sortie lo,ce qui conduit au schma quivalent
de la figure 31.

Fig. 31.

249

Il vient ainsi :

'- 1 AoRod
+ jR,Ccr,

%=-At'-

Ordres de grandeur
On peut donner pour les frquences fi et
ordres de grandeur suivants :
fi N 200 kHz

et

f2 N

f2

les

3 MHz.

De plus, le gain p o en continu est trs lev (de


l'ordre de 106).Compte tenu de f2 9 fi et ,uo 9 1,
il vient :
-

m=

Le diagramme asymptotique de
20 lg

la
-

1
2Jfifi

J-fi
f2

et

fCf)

est donn sur la figure 32, avec LI,

(fi + f 2 )

1
N2

= A , R, Go.

soit

fc N JPOflf2

6.1.AMPLIFICATEUR
O PRATIO N N EL
EN BOUCLE FERME
Soit le dispositif de la figure 33. En supposant
que la rsistance d'entre de l'amplificateur
oprationnel est infinie, nous avons tabli (paragraphe 4.1) qu'un gain ,u non infini conduit
l'expression de la tensionde sortie :

Fig. 32.

La fonction de transfert :

peut aussi tre crite sous la forme :


Po

P=

PO

+ 2jm f + (j
fo

i)
2 ,

Remarquons que la frquence fc pour laquelle


lpl = 1, (20 lg l,ul = O) est telle que

250

Fig. 33.

Soit _Vso la valeur que prendrait la tension de


sortie si l'amplification tait infinie,
1
Ys0 = - cv, - &(l - P)].

P -

L'expression de la tension de sortie Ys devient :

am pl if icateu r opration ne1

PO

soit, compte tenu de k =

f
1 + 2jm - + (j
fo

POP

Ys = Ys0
Ys
Ys0

$J~

importante que le coefficient damortissement m


est plus faible.

-- POP
1 + POP

____c

1
1+2j-- 1 + P O P f Of + ( j

-40 db/dec
f0J-

>

que lon peut mettre sous la forme :

Fig. 34.
-

Lquation entre les nombres complexes :

YS

P6

Ys0
POP

+ 2jm

WO

provient de lquation diffrentielle :


d2us
dt2

avec

+ 2mco;

du
dt

+ O J ~ ~ U=, C O ~ ~ ~ ~ U , , .

Pour la rponse indicielle, la tension us, est un


chelon de tension.
Dans le cas o m est infrieur 1, la rponse est
de la forme :
Ordres de grandeur
Compte tenu de p0 z 106, et sachant que P est
rarement infrieur 1 0 - ~il, vient p o p s 1, ce qui
conduit :

v,

=A

e-mwbtCOS

[c~);Ji-m;zt

+ cpl,

dont la reprsentation est donne la figure 35.

Consquences
vs N ~6 z 1, la tension
a) En basses frquences =
Ys0
de sortie nest pas altre.
m
b) m=. Sachant que p o p est grand

&J

par rapport 1, nous dduisons que m est trs


infrieur m, ce qui peut prsenter des consquences fcheuses :
- En rgime harmonique la fonction de

IE01

transfert 20 lg .=- prsente une remonte de


-

20 lg (2m

Ji-)

(jig. 34), dautant plus

O///
Fig. 35.

Il apparat des oscillations qui sont dautant plus


faiblement amorties que le facteur damortissement m est plus faible.
Globalement, lutilisation de lamplificateur oprationnel en boucle ferme conduit un coefficient
damortissement trs faible
qui provoque lapparition doscillations, de frquence voisine de f 0 , pour la rponse indicielle

251

corn posa nts

et qui se traduit sur la rponse harmonique par


une amplification prfrentielle des frquences
voisines de fo. Ces phnomnes sont gnants et
peuvent conduire, compte tenu de couplages
parasites supplmentaires,jusqu loscillation du
systme.
Il convient donc de limiter le phnomne laide
de rseaux auxiliaires de compensation.

remonte, en faisant passer le coefficient damortissement a ml, = 0,7. Sachant que la remonte
de la courbe de rponse en frquence dpend de
m par - 20 lg m J T P , il vient :
lg 2 4
soit 2m;

6.2. RSEAUX
D E COMPENSATION

Jm

JTY@

6
20

= - - = - 0,3,

1
2

= - et

mi2(i

1
mi2) = -, o
16

1
mi4 - mi2 + - = O, ce qui conduit :
16

mi

= 0,26.

6.2.1. Compensation par retard de phase

Proposons-nous, partir de lexpression du


facteur damortissement :

Sachant que m dpend de la frquence fi


k
et compte tenu de
sous la forme m=1

fi

= 2?IR,C,(I + Ao)
de prvoir une modification du dispositif susceptible de ramener la valeur de rn :lu oisinage
de lunit.
Rl , dpend du gain souhait en
o p =
R l + R2
boucle ferme et ne peut donc re modifi.
O f2 : frquence de coupure du .,remier tage est
technologiquement limite.
O p0 : gain en tension en continu, ne peut tre
rduit sans augmenter les erreurs de calcul.
Le seul paramtre susceptible de provoquer un
accroissement de m est une diminution de la
frquence fi.
a) Capacit de compensation
Rappelons que la frquence de coupure fi dpend
essentiellement de la capacit parasite Co par
1
Une augmentation de Co
= 271ROCO(l+ A o ) *
provoque une diminution de fi et, par suite, une
augmentation de m.
Cette capacit peut tre extrieure au botier ou
peut tre directement intgre dans lamplificateur oprationnel.
Exemple de calcul
Considrons un montage inverseur pour lequel
la courbe de rponse en frquence prsente une
remonte de 6 db, lorsque la capacit Co est gale
5 pF. Proposons-nous de dterminer la valeur
CO de la capacit qui permet dannuler cette

252

nous dduisons que le

facteur damortissement m varie comme la racine


carre de la capacit parasite Co.
Par consquent, pour faire passer le facteur
damortissement de m; = 0,26 ml, = 0,7, il faut
07
ce qui correspond une
le multiplier par L,
0,26
multiplication de la capacit parasite Co par

(&j2.

La valeur CO de la capacit qui permet

dannuler la remonte de la courbe de rponse


en frquence est donc :

Les amplificateurs oprationnels qui possdent


une capacit de compensation intgre dans le
botier prsentent une courbe de gain qui a
lallure dcrite la figure 36.

1 20

loglcll

Fig. 36.

am p I if i cate u r opration ne1

La frquence de coupure f i , de lordre dune


dizaine de hertz, est trs faible par rapport la
frquence f 2 si bien que la fonction de transfert
en tension peut tre assimile

PO
~

l+j-

fi

Dans les conditions les plus favorables, nous


obtenons le schma partiel quivalent de la figure
39. Vis--vis des variations rapides, la tension II
reste faible, le courant dans la rsistance R, est
ngligeable et avec une bonne approximation,
nous pouvons crire :

En consquence, lamplificateur non inverseur


dont la fonction de transfert est :
P

+iP

PO

du
IOsat = - c -,
dt

soit v =

- Isat
~

+ K,

et

1 + p o p + j -f

fi

Prsente les proprits suivantes (fig. 37) :


Po
1 Rl+R2.
O gain en continu :
N- =
1 +POP
P
Ri

O frquence de coupure fi(l + p o p ) ;


O la remonte de la courbe de rponse en
frquence est nulle.

Fig. 39.

l 3

Rponse en

/ boucle ouverte

-20 I

boucle ferme

Fig. 37.

La vit sse de monte de la tension de sorti est


ainsi limite une valeur

AoIosat

dautant plus
C
faible que la capacit de compensation C est plus
leve.
On appelle Slew rate S, cette vitesse maximale de
monte (elle est de lordre dune dizaine de volts
par microseconde).
~

Consquence
Pour une tension dentre sinusodalede frquence
leve, les variations de la tension de sortie sont
dcrites par des segments de droite dont la pente
est limite par le slew rate S (fig. 40).
Tension dentre

b) Le Slew-rate

,Tension de sortie

Rappelons que lamplificateur oprationnel peut


tre dcrit par le schma de la figure 38 dans
lequel, la stabilit du systme impose une valeur
consquente de la capacit C. Cette capacit
freine la vitesse de variation de la tension ses
bornes, limitant ainsi la vitesse de monte de la
tension de sortie v,. Lvolution de la tension v
aux bornes de capacit C est dautant plus rapide
que le courant qui la traverse est plus lev, mais
par la saturation du
ce dernier est limit IOsat
premier tage.

Fig. 40.

Pour une tension de sortie de la forme v, = sin wt,


le phnomne impose la limitation suivante :
du,- dt

Fig. 38.

Vsco cos cot < S

quel que soit t,

soit ~ , <
w S . Le slew rate limite la frquence
une valeur dautant plus faible que la tension de
sortie est plus leve.

253

composants

c) Compensation par rseau dentre

6.2.2. Compensation par avance de phase

Sur le schma de la figure 41, le rseau de


compensation constitu par les lments R, R,,
C1 permet de modifier la fonction de transfert en
VS
v,
tension, en la faisant passer de p ==
,uc= =.
D
!i

Cette compensation est ralise en plaant une


capacit C, entre lentre - et la sortie du premier
tage ce qui conduit au schma quivalent de la
figure 42 :

Fig. 41.

1 + jRoCco

1 + jRoCco

Soit

Ys = YDl

soit

GR, jRoC,w ] A o ,
1 +JRo(C C,)co

o compte tenu de G =
=-

l+j-

1 +jR,C,co
1 + ( 2 R + R,)jC,co

U 2

+ 1 + jRo(C + C,)co

il vient

1
1
et cul, =-.
(2R + R W l
R l Cl
Si les lments R, et C1 sont choisis de telle sorte
1
que col, = col =
, la fonction de transfert
Rl c1
corrige devient :

avec

co

coi =

+
Fig. 42.

O En basses frquences, le second terme est


ngligeable et lon retrouve une fonction de

PO
transfert de la forme p = (l+j-$)(l+j;)

Au total, tout se passe comme si la pulsation col


tait remplace par coi trs infrieure col dans
la mesure o les rsistances 2R sont trs grandes
par rapport R I .
Leffet produit est ainsi identique celui provoqu par laccroissement de la capacit parasite Co.

254

avec

coi = Ro(C + C,)co.

O En hautes frquences, le second terme devient


prpondrant et la fonction de transfert tend vers

P=

jRoCrcoAo - CrA
jRo(C C,)co C C,

amplificateur oprationnel

A 20 log

En pratique, les frquences de coupure suprieures f2 provoquent une dcroissance du gain


1
les diagrammes
et la reprsentation de 1 ~ dans
de Bode est dcrite la figure 43.
Dans ces conditions, 1.1peut tre assimil a
P=

PO
Co

l+j7

0 1

ce qui limine les risques d'instabilit.

Fig. 43.

EXERCZCES
1.
On associe un amplificateur oprationnel, suppos parfait,
cinq admittances comme l'indique la figure ci-dessous.

2.
Le schma de principe d'un chantillonneur-bloqueur est
donn la figure 1. L'interrupteur K obit une variable
logique de commande.

montrer que la fonction de transfert en tension _T


met sous la forme
T I

T I

v
2

= = se

Vl

2" Les admittances sont realises par des rsistances ou par


des condensateurs. Comment faut-il choisir les admittances
Y,,
pour raliser, l'aide du dispositif
prcdent :
a) un filtre passe-bas du second ordre de transmittance
-1
1' =
-

x2,x3,x4,x5

?y-$

"'

1" Par application de la loi des nuds aux points A et B,

Fig. 1 .

1" On suppose dans cette question que l'amplificateur


oprationnel est parfait.
Acquisition : A l'instant t = O, la tension u2 tant nulle,
[u2(0 -) = O], on ferme l'interrupteur K .
a) La tension u1 est une tension constante E. tablir
l'quation diffrentielle de u2 et trouver la loi de variations
u2(t).Calculer, en fonction de R et de C, le temps ta, au bout

duquel l'erreur G

('1

=2
est
+

Application numrique R

b) un filtre passe-haut du second ordre de transmittance

300 pF.

f i sin (27Cft + cpo).

tablir en rgime sinusodal permanent la transmittance _T

c) un filtre passe-bande de transmittance


- 2im

T=
-

1 kR, C

b) La tension u1 est une tension sinusodale :


q ( t )= E

T=
-

infrieure 10-3.

O
-

v
2

= =.

Vl
Calculer lafrquence maximale f , qui permet d'obtenir,
E - V2
infrieure
sur les valeurs efficaces, une erreur G R =
~

v
2

0 0

10-3.

!?locage : A l'instant t = te, on ouvre l'interrupteur K .


Montrer que la tension u2 reste constante et gale u2(te).
3" Est-il possible avec une telle structure de raliser un filtre
rjecteur?

2" On suppose dans cette question que l'amplificateur

255

comoosants

Oprationnel peut tre dcrit par le modle de la figure 2.


Que reprsentent I, et V,?

--------1 Amplificateur oprationnel 1


I
parfait
1
I

-,

Fig. 2.

1
L

Amplificateur rel
- - - - - - -J,

Acquisition : La tension u1 est constante et gale a E.


A l'instant t = O, la tension 0, tant nulle (u,(O -) = O),
on ferme l'interrupteur K . tablir l'quation diffrentielle
de u 2 , en fonction de E, R, C, V,, I D . Calculer la loi de
variations u2(t).
Calculer en rgime permanent l'erreur &A = v2(m) + E.
Application numrique VD= 5mV, I D = 10 nA.
Blocage : A l'instant t = te, on ouvre l'interrupteur K .
tablir l'quation diffrentielle de 0,. Calculer la loi de
variations u2(t)et montrer que le blocage est imparfait. Au
bout de combien de temps la chute de u2 est-elle gale
5 mV?

3.
Le schma de principe d'un convertisseur analogique
numrique, double rampe, est donn la figure 1. La tension
de rfrence E R est constante.

Commande de conversion

r - i i

LOGIQUE DE
CONTROLE

'I t

1 F^-i
"'

Fig. 1 .
La logique de contrle ralise les oprations suivantes :
- elle commande les interrupteurs K , , K , , K , ;
- elle repre le basculement du comparateur;
- elle reoit les signaux d'une horloge de priode
T, = 19,5 p S ;
- elle gre un compteur.
La tension convertir V est constante et positive.
Initialement les interrupteurs K , et K , sont ouverts, K ,

est ferm et le compteur est initialis avec la valeur


N o = 1024.
A ) 1" L'amplificateur oprationnel est suppos parfait
Phase 1
A la dtection du signal ((commande de conversion D, pris
comme origine des temps, la logique de contrle ouvre
l'interrupteur K1 et ferme l'interrupteur K , . En outre, elle

256

Phase 2

Au passage du compteur par zro, la logique de contrle


ouvre l'interrupteur K , et ferme l'interrupteur K , , puis elle
incrmente le compteur au rythme de l'horloge.
a) tablir la loi de variations v,(t) de la tension us pour
t > t,.
b) La logique de commande repre le basculement du
comparateur. Elle bloque alors le compteur sa valeur N ,
ferme l'interrupteur K , et ouvre l'interrupteur K , . tablir
la relation N = g( V ) et montrer que le nombre N est une
image de V . La prcision sur les lments R, C, T,
influence-t-elle la mesure?
B) L'amplificateur oprationnel est rel et peut tre dcrit
par le modle de la figure 2.

---------

1
I

Amplificateur oprationnel 1
parfait
I

-,

Fig. 2.
Amplificateur oprationnel rel

VD
et a, =-.RI,
ER
ER
1" Quelle est la valeur de us l'instant t = O.
2" tablir les lois de variation v,(t) de la tension v, pour
les phases 1 et 2 dfinies prcdemment.
3" tablir la nouvelle valeur de N en fonction de R, C, T,,
NO, V,ER, al, a2.
4" En considrant a, et a2 comme des infiniments petits,
et en se limitant aux termes du premier ordre, mettre N
sous la forme :

On pose

pJ
Comparateur

transmet les signaux d'horloge au compteur pour le


dcrmenter.
a) tablir la loi de variations v,(t) de la tension us.
b) Calculer l'instant t , pour lequel le compteur est zro.
Quelle est alors, en fonction de V , R, C, T,, la valeur Vs,
de O,?

ct, = -

= g(V)

+ f(v,E R ,

NO,

a l , 62,

TO, R, c)

o g ( V ) est la relation tablie la question relative la


phase 2, o f est une fonction reprsentant l'erreur commise
sur N .
5" Application numrique : R = 100 ka, C = 200 nF,
V = 10 volts, V, = 5 mV, I D = 10 nA.
Calculer l'erreur et conclure sur le nombre de chiffres
significatifs de N .
4.

Pour convertir le nombre N , (valeur dcimale), qui s'crira


en binaire :
AllAlOA, .., '42AlAO
en une tension V, = a . N , , on utilise un circuit intgr
dont le schma synoptique est donn figure 1. Il comporte :
- un rseau en chelle R - 2R, qui est aliment par une
tension constante V, de polarit quelconque; on donne
R = 10 ka;
- deux sorties notes S , et S , , qui devront tre portes
un potentiel nul lors de l'utilisation;
- un jeu de douze commutateurs commands par les
signaux logiques A , , A , , A , ... A , A , A , . Quand A , est au

amplificateur oprationnel

niveau logique O (on notera Ai = O), la rsistance 2R


traverse par le courant li est connecte la sortie S,.
Quand A i est au niveau logique 1 (on notera A i= l), la

rsistance 2R correspondante est connecte la sortie S, .


La figure 1 est reprsente dans le cas o
A , , = A , , = A , = ... = A , = A , = O, A , = 1 et A , = O.
~

Al1

Al0

A9

1
Fig. 1 .

1 Les sorties S, et S, sont mises la masse (frg. 2).


Calculer le courant J, sortant de S, en fonction de V,, R,
A , , A , , ... A , A , , puis en fonction de V,, R et N I .
Calculer le courant J, en fonction de V,, R et N , . Quelle
est la valeur dun quantum?

R 2 R

&

&

Ai

Al

A0

b) On dsire que lerreur de non-linarit diffrentielle soit


1

infrieure - de quantum. Calculer la valeur x2 attribuer

x.
c) La rsistance R utilise pour boucler lamplificateur
oprationnel est en fait intgre dans le convertisseur.
Pouvez-vous justifier ce choix?
Quel type derreur crerait cette rsistance si elle ne valait
pas exactement R?

5
Le schma de principe dun gnrateur de N courants
constants et gaux est donn sur la figure ci-dessous.

Fig. 2.
2 On ralise le montage de la figure 3 dans lequel
lamplificateur Oprationnelest suppos idal (amplification
infinie,courants de polarisation et tension de dcalage nuls).
Calculer V, en fonction de V, et N I .
Quelle valeur faut-il attribuer V, pour obtenir un quantum
de 2 mV?

J-$rt-Xt --

vO

A0

Al1

Fig. 3.

Nl

3 On va valuer la tolrance sur les composants R et 2R


pour que le convertisseur ait certaines performances. On
admet que la tolrance x est la mme pour toutes les
rsistances R et 2R.
On se place dans le cas le plus dfavorale en supposant
que la rsistance 2R connecte V, dans le schma figure 1
a sa valeur maximale, soit 2R(1 + x) et que toutes les autres
rsistances ont leur valeur minimale, soit R ( l - x) ou
2R(1 - x).
On sintresse alors la tension de sortie V, quand NI vaut
2 047, puis 2 048.
a) On dsire que le convertisseur numrique analogique
soit monotone. Calculer la valeur -Y, attribuer x.

Rl
IR

N
Transistor

On ngligera les courants de base des transistors; on


sintresse dans un premier temps la valeur du courant
1, dans le premier transistor.
On admet que lamplificateur reprsent sur le schma a
une impdance dentre et un gain en tension infinis.
On appele V,, la tension base-metteur du transistor.
R , + R3
On pose A = -.
R2
Z, sexprime sous la forme :

Dterminer F(V1, Y2 ,A , R 1, R4) *


On donne R , = 1 ka,R4 = 200 Q. Sachant que la tension
V, varie de 2 mV par degr Celsius et que la variation
correspondante 1, doit tre infrieure 0,Ol mA dans la
plage - 40 60 OC, dterminer la valeur minimale de A .
On sintresse au courant ZR.

257

corn posa nts

La relation liant le courant dmetteur ,i la tension


base-metteur V,, dun transistor est :
i,

=I,

Calculer la fonction de transfert du montage ainsi ralis


et la mettre sous la forme :

evBE/VT

V, vaut 25 mV 25 OC.
Tous les transistors sont identiques et supposs la mme
temprature (mme valeur de Z, pour tous).
crire la relation liant Z, z,.
Dans le montage tudi on a R4 = R5.
Calculer la valeur de ZR avec les valeurs numriques
prcdentes.
Soit le schma figure 1 et soient :

-[l+(jgY]

T=
-

w, ( :y

1+2jm-+

j-

c) Quelles sont les valeurs limites


rejete.

aii et

O;,

de la bande

2 Dispositif slectivit variable.


On ralise le dispositif figure 4 dans lequel les amplificateurs
oprationnels sont supposs parfaits : O < CI < 1.

Fig. 1.

XII,x 1 2 , 3 1 , 3

les paramtres admittance du quadri-

ple Q (symtrique).

xi 1, xi 2 , xil, xi2les paramtres admittance du quadriple Q (symtrique).


a) Calculer la fonction de transfert _T = V2/Il en fonction
des paramtres admittance des deux quadriples.
b) Le quadriple Q est ralis par le quadriple en double T
de la figure 2, et le quadriple Q est ralis comme lindique
la figure 3.

Fig. 2.

Fig. 4.
a) Montrer que le dispositif peut tre dcrit par le schma
bloc. Exprimer les transmittances TI,T2,

x3.

Fig. 5.
b) Calculer la fonction de transfert en boucle ferme et la
mettre sous la forme :

Fig. 3.
c) Calculer les limites mi1 et
Conclure.

Aubin Imprimeur
LIGUG, POITiERS

O;,

de la bande rejete.

Dpt lgal : mars 1991


Dpt lgal de la 1 dition : 2 trimestre 1989
No dimpression L 37445
Imprim en France

Ce manuel d'lectronique, conforme au programme de BTS


s'adresse directement aux futurs techniciens suprieurs de cette
discipline, mais aussi aux auditeurs de la formation permanente. II
compltera utilement l'enseignement thorique en lectronique des
classes prparatoires.
Ce premier tome aborde la thorie du signal (signaux
sinuso"Idaux, priodiques, chantillonns, alatoires . . .) et les
composants (semi-conducteurs, diodes jonction P.N., transistors,
amplificateurs oprationnels . ..).
Le second tome (parution 1990)tudiera les systmes boucls, les

systmes de communication, le filtrage et les lignes de


transmission.
L'ensemble rpondra parfaitement aux besoins de la formation en
lectronique dont l'volution rapide est lie celle de
l'informatique.

ISBN 2 04 O1 891 5 7

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