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NERGIES

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VI

SOMMAIRE

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VII

Condensateurs utiliss
en lectronique de puissance
par

Grard MOURIS
Ingnieur de lcole Franaise de Radiolectricit
Consultant

1.
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5

Particularits de ces condensateurs ..................................................


Gnralits. Schma quivalent.................................................................
Contraintes ...................................................................................................
Limitations....................................................................................................
Inductance srie...........................................................................................
Rsum.........................................................................................................

2.
2.1
2.2

Technologies utilises.............................................................................
Familles technologiques .............................................................................
Dilectriques ................................................................................................
2.2.1 Matriaux isolants solides .................................................................
2.2.2 Imprgnants ........................................................................................
2.2.3 Domaines dapplications....................................................................
Ralisations de condensateurs...................................................................
2.3.1 Objectifs...............................................................................................
2.3.2 Configurations technologiques .........................................................
Condensateurs au papier ............................................................................
2.4.1 Condensateur avec armatures en bande..........................................
2.4.2 Condensateur au papier mtallis ....................................................
Condensateurs dilectrique plastique ....................................................
2.5.1 Condensateur au polypropylne .......................................................
2.5.2 Condensateur au polyester (Mylar)...................................................
Condensateurs lectrolytiques ...................................................................
2.6.1 Condensateurs lectrolytiques aluminium.......................................
2.6.2 Condensateur double couche ............................................................
Botiers et refroidissement .........................................................................
Cot relatif des diffrents types de condensateurs ..................................

4
4
4
4
6
8
9
9
9
11
11
11
11
11
13
13
13
14
16
17

Emplois et spcifications.......................................................................
Gnralits ...................................................................................................
Condensateurs de filtrage des redresseurs frquence industrielle......
Condensateurs de dcouplage ...................................................................
Condensateurs de commutation ................................................................
3.4.1 Contraintes dilectriques ...................................................................
3.4.2 Contraintes dues leffet Joule et la frquence............................
Condensateurs de rsonance .....................................................................
Condensateurs daide la commutation des semiconducteurs .............
Condensateurs de stockage dnergie.......................................................

17
17
21
22
22
23
23
23
23
24

2.3

2.4

2.5

2.6

2.7
2.8
3.
3.1
3.2
3.3
3.4

3.5
3.6
3.7

Pour en savoir plus ...........................................................................................

D 3 010 2

Doc. D 3 010

es conditions de fonctionnement des condensateurs employs dans les circuits de llectronique de puissance sont tout fait opposes celles auxquelles rpondent les condensateurs habituellement utiliss dans les rseaux
industriels. Dans le paragraphe 1, nous nonons les particularits dutilisation
de ces condensateurs. Dans le paragraphe 2, nous tudions les technologies utilises, ainsi que les matriaux employs et les ralisations. Les emplois et spcifications de ces condensateurs sont dvelopps dans le paragraphe 3.

Toute reproduction sans autorisation du Centre franais dexploitation du droit de copie


est strictement interdite. Editions T.I.

D 3 010 1

CONDENSATEURS UTILISS EN LECTRONIQUE DE PUISSANCE _________________________________________________________________________________

1. Particularits
de ces condensateurs

Les condensateurs utiliss en lectronique pour relever le facteur


de puissance, dmarrer les moteurs asynchrones monophass, etc.,
rpondent aux conditions dutilisation suivantes :
fonctionnement en rgime quasi sinusodal et aux frquences
industrielles (50 ou 60 Hz) ;
absence de tension continue notable leurs bornes.

Rp ou Ri
a schma quivalent

Enfin, leur inductance rsiduelle srie nest pas spcifie ; sa


valeur peut tre assez leve sans consquences importantes dans
les emplois prcits.

De telles conditions sont tout fait opposes celles offertes aux


condensateurs employs dans les circuits de llectronique de puissance. En effet, dans ces circuits :
les courants ne sont pas sinusodaux, les rsidus harmoniques
pouvant dpasser largement 60 % ; trs frquemment, ces courants
ont des allures impulsionnelles de formes diverses qui prsentent des
vitesses de variation du courant (di/dt) dpassant largement 10 A/s ;
les frquences fondamentales sont souvent importantes (1 50 kHz) ;
une tension continue permanente leve est gnralement
superpose la composante alternative ou impulsionnelle ;
linductance et la rsistance rsiduelles srie doivent tre aussi
faibles que possible.

Ls

inductance srie,

Ls

Figure 1 Condensateur de puissance : schma quivalent

Problme li aux courants impulsionnels


Les courants de crte, sils sont damplitudes leves, soumettent
les connexions et les liaisons internes des forces qui peuvent provoquer larrachement ou la rupture. Les condensateurs lectrodes
mtallises sont, par leur structure ( 2.3.2), sensibles ce paramtre. Les constructeurs donnent les valeurs limites des termes dv/dt
ou, de faon plus pratique, I2t.
Problme thermique
Cest le problme le plus important, car il dtermine la fiabilit du
composant. Les calculs dchauffement sont dlicats et ncessitent
une grande exprience.
Malheureusement, les dilectriques utiliss dans les condensateurs sont relativement limits en temprature ( = 85 C en gnral
contre 150 200 C pour ceux utiliss dans les transformateurs ou
les moteurs). La dure de vie est une fonction exponentielle de ce
paramtre.

Req (ou ESR) rsistance quivalente (Equivalent Serial Resistance) (figure 1 b) utilise pour la dfinition des pertes
totales du condensateur une frquence donne,
Rf

Req
ou ESR

b schma quivalent simplifi

Le schma quivalent dun condensateur rel peut tre mis sous


diffrentes formes. Nous adoptons celle de la figure 1 a avec les
notations suivantes :
condensateur parfait,

Ls

Rf

1.1 Gnralits. Schma quivalent

Rs

rsistance de fuites,

Rp (ou Ri rsistance disolement) rsistance quivalente utilise pour la dfinition des pertes dilectriques,

Exemple : entre 70 et 85 C, la dure de vie peut tre divise par


10 ; cf., pour plus de dtails, le dossier Mesures des caractristiques
des matriaux isolants solides [D 2 310], dans le prsent trait.

Rs rsistance srie.

Il est essentiel de connatre les caractristiques thermiques du


condensateur, sa capacit dchange avec le fluide refroidisseur et,
plus particulirement, limpdance thermique entre le point le plus
chaud du dilectrique et le botier ( 2.7).

La rsistance de fuites est, en gnral, trs grande et son


influence est ngliger ; les constantes de temps dautodcharge (Rf C) sont souvent suprieures 1 000 s.

1.2 Contraintes

1.3 Limitations

Les contraintes appliques aux condensateurs de llectronique


de puissance sont trs diverses. Chaque type dutilisation ncessite
une tude et une technologie particulire ; cest pourquoi les condensateurs classiques pour rseaux industriels ne conviennent que
trs rarement.

Les dispositifs dlectronique de puissance mettent en uvre des


courants importants dont la frquence est leve et qui sont riches
en harmoniques ( 1.1), ce qui complique lvaluation des pertes. On
utilise les notations du schma quivalent de la figure 1 a.
Les pertes Joule dans les connexions et les lectrodes (Rs)
dpendent de la frquence (effet de peau).
Les pertes dissipes dans le dilectrique (Rp) sont le produit de
la puissance ractive (proportionnelle au carr de lamplitude des
variations du champ lectrique et leur frquence) par la tangente
de langle des pertes :

Choisir un condensateur, cest rsoudre trois problmes principaux


lis au dilectrique, aux courants impulsionnels et la thermique.
Problme dilectrique
Le vieillissement des dilectriques dpend de la forme donde de
la tension (continue, alternative, alternative et continue superposes), de sa frquence et de ses harmoniques. La temprature et
les rgimes de surtensions sont des paramtres dterminants.

D 3 010 2

tan = C/Rp
avec

pulsation du rseau ( = 2f).

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est strictement interdite. Editions T.I.

(1)

________________________________________________________________________________

Zone A

Zone B

CONDENSATEURS UTILISS EN LECTRONIQUE DE PUISSANCE

Z () 10

Zone C

I, Q, U

I
U
Q
f1
I
Q
U

f2

101

courant efficace traversant le condensateur


puissance ractive
tension efficace aux bornes du condensateur

Rs

102

102

103

104

Figure 2 Limitations, en rgime sinusodal, dun condensateur


en fonction de la frquence f

106

107
f (Hz)

Figure 3 Variation de limpdance dun condensateur rel


en fonction de la frquence f

Cette dernire dpend, selon la nature du dilectrique, de la tension, de la frquence et de la temprature.


Il faut, enfin, ajouter les pertes lectromagntiques dues aux
courants de Foucault dans le botier mtallique, ce qui impose, souvent, lutilisation de mtaux amagntiques, tel laluminium.

Cette inductance srie peut provoquer, mme en rgime permanent, des difficults si la pulsation 0 est voisine de celles dharmoniques de rang lev du fondamental. Le cas peut se prsenter en
particulier sur les onduleurs rsonance haute frquence (au-del
de 5 10 kHz).

La figure 2 illustre, en rgime sinusodal, les diffrentes limitations dun condensateur, en fonction de la frquence f. Trois zones
peuvent tre distingues.
Dans la zone A (frquences basses), la limitation vient de la tension maximale qui ne peut pas tre dpasse. La puissance ractive
Q crot avec la frquence :
Q = U 2C
(2)
avec U valeur efficace de la tension aux bornes du condensateur.

Pratiquement, il ne faut pas utiliser un condensateur une frquence suprieure au 1/5 de sa frquence de rsonance.

Ces phnomnes parasites ont t connus trs tt dans le


domaine de la radiolectricit. Il tait alors classique de doubler
les condensateurs au papier, qui prsentaient une forte inductance rsiduelle, par des condensateurs au mica argent de
capacit environ 100 fois plus faible, assurant un dcouplage
efficace aux frquences les plus leves (suprieures quelques mgahertz). Cest une disposition analogue qui apparat
actuellement pour les condensateurs dits compounds.

On appelle f1 la frquence pour laquelle le condensateur dissipe


sa puissance active maximale Pmax la tension maximale Umax ; la
puissance ractive est galement maximale Qmax.
La zone B correspond aux frquences intermdiaires ; les pertes maximales dissipables sont alors atteintes.
En ce qui concerne la zone C (frquences leves), la limitation
est impose par le courant maximal admissible (I tant la valeur efficace du courant traversant le condensateur) ; ce courant diminue en
fonction de la frquence, cause de leffet de peau dans les connexions et des pertes lectromagntiques dues aux courants de Foucault dans le botier. Le courant maximal est atteint la frquence f2.

1.5 Rsum

1.4 Inductance srie

Les contraintes, rencontres en lectronique de puissance,


ncessitent des condensateurs de technologies adaptes chaque
utilisation. Les courants forts, de frquence leve, et les limites en
temprature des dilectriques actuels imposent des composants
trs faibles pertes et faible impdance thermique.

Linductance srie Ls produit une tension transitoire Lsdi/dt qui


peut tre importante par rapport la tension dutilisation du condensateur.
Exemple
Pour un composant classique de 20 F, linductance Ls est de lordre
de 0,1 H. Si la vitesse de variation du courant est di/dt = 50 A/s,
valeur tout fait courante, la tension transitoire aux bornes de Ls
atteint 5 V, alors que la valeur de crte de la tension aux bornes de C
peut ne pas dpasser 100 V (cest le cas pour un onduleur de faible
puissance tension modre). Ce mme condensateur a, de plus, une
frquence de rsonance propre srie de 100 kHz.

Les ordres de grandeur sont, en gnral, les suivants :


rsistance srie : Rs = 0,1 10 m
inductance srie : Ls = 5 400 nH
pertes dilectriques (tangente
de langle de pertes) : tan = 2104 100104
impdance thermique du point
chaud ........................................... : 0,5 20 K/W
Les condensateurs de rseaux industriels ne sont quun cas
particulier des condensateurs ; ils sont conus pour fonctionner
en rgime sinusodal 50 ou 60 Hz, et nont pas les performances requises par llectronique de puissance.

On ne peut donc considrer un tel lment comme un condensateur parfait et son impdance en fonction de la frquence prend
lallure indique sur la figure 3. Le minimum correspond la rsonance srie (de pulsation 0), telle que :
L s C 02 = 1

105

(3)

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D 3 010 3

CONDENSATEURS UTILISS EN LECTRONIQUE DE PUISSANCE _________________________________________________________________________________

nergie massique (Wh/kg)

2. Technologies utilises
2.1 Familles technologiques
Pour les applications en lectronique de puissance, quatre grandes familles sont utilises :
les condensateurs lectrolytiques laluminium ;
les condensateurs cramiques ;
les condensateurs films (papiers, plastiques, secs ou
imprgns) ;
les condensateurs double couche ou supercondensateurs .

Piles combustible
102

Batteries

10
Supercondensateurs

1
101

Condensateurs
102
103

Les condensateurs lectrolytiques ( 2.6) ne sont utiliss que


pour le filtrage dune tension continue. Ils sont prsents depuis
longtemps dans les alimentations dcoupage (modles dits faible rsistance srie). Aujourdhui, les progrs raliss pour augmenter la dure de vie permettent leur emploi dans les appareillages de
moyenne puissance (P > 10 kW ; U < 1 000 V).

102

101

10
103
104
102
Puissance massique (kW/kg)

Figure 4 Diagramme de Ragone. Positionnement


des supercondensateurs par rapport aux autres types de stockage
dnergie lectrique (doc. Maxwell Technologies)

Proportion d'nergie totale (%)

Les condensateurs cramiques sont, traditionnellement, utiliss


en haute frquence (f > 1 MHz) pour laccord ou le dcouplage en
haute tension (U > 3 000 V), par exemple dans les metteurs de
radiodiffusion. Une nouvelle gnration de condensateurs
cramiques multicouches couvre actuellement la basse tension continue (U < 500 V).
Leurs caractristiques en courant (rsistance srie, inductance
srie) sont exceptionnelles. Leurs valeurs leves de capacit, dans
un faible volume, les prdisposent au filtrage de sortie des alimentations dcoupage haute frquence (200 kHz < f < 1 MHz). Malheureusement, leur cot encore important les destine aux systmes
trs sophistiqus (applications militaires).
La technologie gnrale des condensateurs films est fonde sur
la ralisation dlments par bobinage simultan de rubans dilectriques (papier ou film plastique) et de rubans mtalliques constituant les lectrodes ( 2.3.2). On peut imprgner ces lments ; le
dilectrique est alors lassociation des films et de limprgnant.

80

Maximum d'nergie Un/2

70

nergie

60
50
40
30
20

Puissance

10
0

10

20

30

40

50

60

Temps de dcharge Un/2 (s)


Figure 5 Supercondensateur : nergie disponible
pour une dcharge de Un, tension nominale, Un /2
(doc. Maxwell Technologies)

Sous limpulsion des besoins du march des vhicules lectriques est apparu un nouveau type de condensateur trs haute nergie volumique. Les condensateurs double couche ou
supercondensateurs se caractrisent par une faible tension de service (environ 2,5 V) et une trs forte capacit (plusieurs farads
quelques milliers de farads). Ils sont capables de fournir des courants levs durant des dures longues (millisecondes, secondes
voire minutes). Lapplication principale est le stockage dnergie
rapide sur les vhicules lectriques pendant les phases dacclration et de freinage, les batteries ne pouvant queffectuer des changes dnergie longs (dizaine de secondes, minutes). On peut citer
comme autres applications le dmarrage des gros moteurs diesel,
les dispositifs de scurit comme les systmes douverture de porte
davion, le stockage dnergie pour les UPS (Uninterruptable Power
Supply) et les lignes de transmission dnergie. Le diagramme dit
de Ragone (figure 4) donne un aperu du domaine des condensateurs double couche par rapport aux moyens de stockage dnergie
lectrique. La figure 5 donne lnergie disponible pour une demidcharge (par exemple, de 2,7 V 1,35 V).

2.2 Dilectriques
Les dilectriques utiliss sont les matriaux classiques rencontrs
en lectrotechnique, mais les paisseurs sont plus faibles et leur
qualit soigneusement slectionne (tableau 1). Le tableau 2 donne
les domaines dapplications des diffrents dilectriques utiliss.

2.2.1 Matriaux isolants solides


Le lecteur pourra se reporter, dans le trait Plastiques et Composites, aux diverses Monographies des matires thermoplastiques utilises.

Comme on peut faire varier la nature et les dimensions de


chaque constituant, le lecteur comprendra quil est possible de
crer toute une palette de technologies sadaptant aux diverses
contraintes des applications de llectronique de puissance.
Ces condensateurs sont les plus adapts et les plus utiliss.
Nous dvelopperons en dtail dans ce paragraphe toutes les
possibilits de cette technique.

D 3 010 4

103

Le plus ancien des matriaux est le papier ; il est encore utilis en


tension continue au-del de 5 000 V.
Sa proprit essentielle est sa texture fibreuse, qui permet
limprgnation facile par diffrentes huiles, cires ou rsines poxydes ( 2.2.2). Ces imprgnants donnent, pour une grande part, les
caractristiques du condensateur.

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________________________________________________________________________________

CONDENSATEURS UTILISS EN LECTRONIQUE DE PUISSANCE

(0)

Tableau 1 Caractristiques des dilectriques utiliss


Dilectrique

Permittivit
relative (1)
r

tan 1 kHz
et 25 C
(en 104)

Point dclair
(C)

Point de feu
(C)

Rigidit
dilectrique
(kV/mm)

Masse
volumique
(kg/m3)

Coefficient
de temprature (1)
(en 106/K)

Papier (fibre cellulose)

6,6

Polypropylne (PP)

2,2

600

1 200
900

200

Polyester (Mylar)

3,2

50

500

1 400

+ 1 200

Polythylne naphtalate
(PEN)

39

250

1 360

+ 65

Huile minrale

2,3

10

150

165

60

860

1 400

Huile de ricin

4,6

100

250

305

60

900

800

Huile vgtale
(exemple colza)

10

330

370

> 40

910

1 000

Phnylxylylthane (PXE)

2,7

150

160

60

988

2 000

Mono/dibenzyltolune
(M/DBT)
(Jarylec dArkema)

2,7

144

154

70

1 000

1 850

Cire

2,6

245

290

60

900

2 000

Silicone

2,8

305

360

60

900

3 300

(1) La permittivit et le coefficient de temprature sont donns 1 kHz.


(0)

Tableau 2 Dilectriques utiliss. Domaines dapplications


Dilectrique

Applications ( 3)

Avantages dterminant
le choix du dilectrique

Papier + huile minrale

Filtrage continu
Stockage dnergie

Papier + huile de ricin

Filtrage continu
Volume plus rduit
Stockage dnergie
que lhuile minrale
Bancs trs haute nergie Prix faible

Papier mtallis + cire

Filtrage continu

Trs faible volume


Autocicatrisable

Mixte : papier
et polyester + huile

Observations

Temprature dutilisation Volume relativement important


leve : max = 85 C

Permittivit
relative
r

tan
1 kHz
et 25 C
(en 104)

Temprature maximale : 60 C

5,7

60

Temprature maximale : 70 C

4,6

150

Filtrage continu
Dcharges

Faible volume
Temprature dutilisation : Possibilit de protection des
lments par fusibles internes
max = 85 C

50

Mixte : papier et PP + huile

Commutation
Dcharges rapides
FIP
Filtrage continu

Meilleur rapport
pertes/volume
forte puissance

Possibilit de protection des


lments par fusibles internes

15

Polyester
avec armatures + M/DBT

Filtrage continu

Faible volume

Temprature maximale : 70 C
Fusibles internes protgeant
chaque lment

3,2

70

Polyester mtallis

Filtrage
Commutation BT

max = 85 C
Trs basse tension

Pertes leves

3,2

60

PP rugueux + M/DBT

Commutation Snubber (1)


Filtrage en alternatif
Trs faibles pertes
Chauffage par induction

2,4

PP + papier + M/DBT

Commutation Snubber

Faibles pertes

3,2

10

Mica + huile minrale

Dcouplage
Accord HF

Trs faibles pertes en HF


Grande stabilit

PP mtallis

Filtrage BT
Commutation Snubber

max = 85 C, 105 C
Dilectrique sec
Autocicatrisable

2,2

BT
FIP

basse tension.
formeur dimpulsions (association dinductances et de condensateurs, 3.7).

Limites en dv/dt dues aux


connexions par shoopage

HF
haute frquence.
(1) Snubber aide la commutation des semiconducteurs ( 3.6)

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D 3 010 5

CONDENSATEURS UTILISS EN LECTRONIQUE DE PUISSANCE _________________________________________________________________________________

Tableau 2 Dilectriques utiliss. Domaines dapplications (suite)


Dilectrique

Applications ( 3)

Avantages dterminant
le choix du dilectrique

Observations

Permittivit
relative
r

tan
1 kHz
et 25 C
(en 104)

PP mtallis + gaz

Filtrage continu
Filtrage alternatif

max = 85 C, 105 C
Dilectrique sec
Autocicatrisable

Limites en dv/dt dues aux


connexions par shoopage

2,2

PP mtallis segment

Filtrage continu
Stockage dnergie

max = 85 C, 105 C
Faible volume
Autoprotg

Limites en dv/dt dues aux


connexions par shoopage

2,2

50

PP rugueux mtallis
segment + huile vgtale

Filtrage continu

Faible masse
Faible volume
Autoprotg
cologique

Temprature maximale : 85 C

2,3

100

PP mtallis segment + gaz Filtrage continu

Faible masse
Faible volume

Temprature maximale : 85 C

2,2

70

Trs faibles pertes


Courant trs lev

Peut remplacer le mica

2,2

PP mtallis et armatures
BT
FIP

Accord HF
Chauffage par induction

basse tension.
formeur dimpulsions (association dinductances et de condensateurs, 3.7).

Les autres matriaux sont les matires thermoplastiques, le polypropylne (PP) et le polyester linaire (PTEG, polytrphtalate
dthylneglycol, appellation Du Pont de Nemours : Mylar), sous
forme de films trs minces (0,5 25 m) et trs homognes obtenus
par bi-tirage ; les rigidits dilectriques sont leves (suprieures
500 kV/mm 20 C sur 5 mm2, en tension continue). Limprgnation
est, en revanche, plus dlicate ; il faut avoir recours des astuces,
par exemple faire un dilectrique mixte, bobinage de film plastique
avec du papier ou, dans le cas du polypropylne, utiliser une qualit
spciale trs rugueuse (le facteur despace fe = (em ep)/ep est de 6
20 %, em tant lpaisseur micromtrique et ep lpaisseur pondrale], le PPR (polypropylne rugueux ou rought ou hazy en anglais)
qui autorise, par capillarit, la migration de limprgnant.

La tangente de langle de pertes du polypropylne est pratiquement indpendante de la tension, de la frquence et de la


temprature (tan < 2 104), ce qui est une proprit trs intressante pour llectronique de puissance.
Des progrs rcents sur la cristallisation du polymre autorise
aujourdhui son utilisation des tempratures plus leves,
105 C voir 125 C.
De plus, ce qui est loin dtre ngligeable, ce polymre a une
trs large diffusion, puisque produit en trs grande quantit par
lindustrie chimique pour lemballage, lautomobile, la plomberie, etc. Pour les condensateurs, il faut une qualit spciale contenant trs peu de rsidus catalytiques (pour un mme
polymre, il existe toute une gamme de produits adapts
lapplication finale) ; le cot reste nanmoins faible.

Il est galement possible dimprgner des films plastiques lisses


avec des gaz comme N2 ou SF6.
Pour les basses tensions continues (U < 2 000 V), les films thermoplastiques sont utilisables sans imprgnation ; on parle, alors, de
condensateurs secs.

2.2.2 Imprgnants
2.2.2.1 Gnralits

De faon beaucoup plus marginale, dautres plastiques sont utiliss dans les condensateurs, comme le polycarbonate (PC), le polystyrne (PS) et le polyfluorure de vinylidne (PVDF).

Les imprgnants les plus courants sont lhuile minrale, des huiles vgtales comme les huiles de ricin, de colza et de coton, certaines cires et des huiles de synthse biodgradables comme le PXE
(phnylxylylthane) et le M/DBT (mono/dibenzyltolune, Jarylec).
Ces dernires ont totalement remplac les biphnyles chlors ou
PCB (Pyralne), qui sont aujourdhui, comme chacun le sait, interdits
demploi (pollution, risque de dioxine).

De nouveaux polymres apparaissent comme le polythylne


naphtalate (PEN) dont les applications sont quivalentes celles du
polyester avec de meilleures performances hautes tempratures
(> 100 C) ; sa stabilit thermique lui permet de supporter les tempratures des bains de soudure ltain (230 C).

Les imprgnants liquides apportent dexcellentes performances


dilectriques aux condensateurs, mais les exigences de lcologie
(biodgradabilit, destructibilit, recyclabilit) et de la scurit (toxicit, inflammabilit, fumes) orientent les recherches vers des solutions diverses :

Actuellement, le polypropylne est le dilectrique le plus largement utilis dans les condensateurs, aussi bien pour llectronique de puissance que pour les rseaux. Paradoxalement, cest
le plastique qui a la permittivit relative la plus faible (r = 2,2
contre environ 3 pour les autres).
En revanche, ses autres proprits sont excellentes :
rigidit dilectrique la plus leve (> 600 V/m) ; elle permet daugmenter les tensions admissibles donc lnergie volumique ( 2.3.1) ;
pertes dilectriques les plus faibles.

D 3 010 6

HF
haute frquence.
(1) Snubber aide la commutation des semiconducteurs ( 3.6)

utilisation de rsine poxyde thermodurcissable (ce qui reste


coteux) ;
utilisation des huiles vgtales (bon compromis conomique) ;
utilisation des gaz ;
minimisation des quantits dhuile libre de remplissage.

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est strictement interdite. Editions T.I.

Transformateurs statiques
pizolectriques
par

Emmanuel SARRAUTE
Matre de confrences au CNAM
Chercheur au SATIE - ENS de Cachan

Dejan VASIC
Doctorant au SATIE - ENS de Cachan
Agrg de Gnie lectrique
et

Franois COSTA
Professeur des Universits lIUFM de Crteil
Chercheur au SATIE - ENS de Cachan

1.
1.1
1.2
1.3

Gnralits.................................................................................................
Applications .................................................................................................
Rappels .........................................................................................................
Principes et structures.................................................................................
1.3.1 Structures mode transversal (type 1).............................................
1.3.2 Structures modes transversal et longitudinal coupls (type 2) ...
1.3.3 Structures mode paisseur (type 3) ...............................................
1.3.4 Structures mode planaire (type 4)..................................................

2.
2.1
2.2
2.3

Modlisation..............................................................................................
Schma lectromcanique quivalent.......................................................
Calcul des lments du schma .................................................................
Identification des lments du schma .....................................................

6
6
6
6

3.
3.1
3.2
3.3

Analyse des caractristiques lectriques .........................................


Fonctions de transfert des grandeurs caractristiques ............................
Influence de la frquence............................................................................
Influence de la charge .................................................................................
3.3.1 Influence sur la frquence de rsonance..........................................
3.3.2 Influence sur le gain, la puissance et le rendement ........................
Limites dutilisation .....................................................................................

9
9
9
9
9
10
10

Mise en uvre dans les convertisseurs statiques ......................


Spcificits des convertisseurs statiques transformateurs
pizolectriques ...........................................................................................
Famille de structures et rgimes de commande.......................................
4.2.1 Conversion DC/AC : rgime de commutation
zro de tension (ZVS) au primaire..................................................
4.2.2 Conversion DC/DC ..............................................................................
Principes de commande..............................................................................

11

11
11

11
17
19

3.4
4.
4.1
4.2

4.3

Pour en savoir plus ...........................................................................................

D 3 015 - 2

Doc. D 3 015

epuis quelques annes, le champ dutilisation des matriaux pizolectriques, historiquement rservs aux dispositifs lectroacoustiques, aux
capteurs mcaniques puis aux actionneurs de prcision, continue de sagrandir, notamment avec de nouvelles applications identifies en lectronique de
puissance grce la mise en uvre de transformateurs pizolectriques.
Lobjectif de cet article est de prsenter les potentialits offertes par ce nouveau type de composant en terme de ralisation dalimentations spcifiques

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Techniques de lIngnieur

D 3 015 1

TRANSFORMATEURS STATIQUES PIZOLECTRIQUES _________________________________________________________________________________________

ncessitant par exemple une trs forte compacit, et/ou des niveaux de tensions levs, et/ou une forte isolation galvanique primaire-secondaire. Aprs
quelques rappels sur les principes physiques mis en jeu, les auteurs
prsentent ( 1) les structures usuelles de transformateurs pizolectriques.
Leur mode de fonctionnement est ensuite tudi de faon dtaille ( 2 et 3).
Enfin, les structures de conversion statique ainsi que les rgimes de
commande associs sont poss et analyss ( 4).

1. Gnralits
1.1 Applications
Lapparition des premiers transformateurs pizolectriques concide avec le dveloppement, dans les annes 1950, des cramiques
ferrolectriques de la famille cristalline des provskites. Cest en
1956 que C.A. Rosen [16] propose une structure de transformateur
lvateur, fabrique dans un barreau de titanate de barium (BaTiO3)
qui dmontre lintrt de raliser, trs simplement, des transformateurs lectriques compacts, de petites dimensions et avec de
bonnes performances. Cependant, limpact de cette dmonstration
na eu, cette poque, quun cho trs modeste en terme dapplications industrielles.

a dispositif NEC de 5 W

Figure 1 Vue de deux dispositifs DC/DC de 5 W et 1 W

Ce sont sans doute les nouvelles proccupations de miniaturisation des dispositifs, mais galement les progrs raliss dans
llaboration des cramiques ferrolectriques, qui ont donns, au
dbut des annes 1990, un regain dintrt pour les transformateurs
pizolectriques [19] [21]. Par la suite, de nombreux articles
paraissent, mettant en uvre de nouvelles structures avec diffrentes qualits de matriaux [14] [10] [5] [13] [24] [25] [18] [7].

Transformateur pizolectrique
Inductance de rsonance

Capacit de stockage

Le transformateur pizolectrique, de par sa structure physique


et de par ses proprits, trouve actuellement un nombre croissant
dapplications en lectronique de puissance. Sa structure planaire
le destine naturellement dans les applications en conversion
statique o on recherche miniaturisation et haute tension ; citons
lalimentation des tubes photomultiplicateurs [6] ou le rtro-clairage des crans LCD (Liquid Crystal Display ) [11] [22] : le transformateur pizolectrique permet datteindre trs facilement la haute
tension (2 kV) ncessaire aux lampes cathode froide sous un
volume compact avec une bonne isolation galvanique. Dautres
applications sont en voie dmergence dans le domaine de la
conversion dnergie en moyennes et basses tensions :
en moyenne tension des dveloppements sont en cours pour
les dispositifs dalimentation des lampes fluo-compactes [1] [23]. La
puissance fournie est de lordre de 10 30 W sous une tension alternative de 120 V (rgime tabli) 300 V (allumage) aux environs de
100 kHz et avec un rendement suprieur 80 %. La figure 1 prsente
deux convertisseurs DC/DC :
celui de la figure 1a, commercialis par la socit NEC, a pour
dimensions 10 cm 1 cm avec une paisseur de 0,5 cm pour une
puissance de 5 W, sa densit de puissance est donc denviron
1 W/cm3,
celui de la figure 1b, dune puissance de 1 W (10 V/700 V), est
commercialis par la socit Tamura, ses dimensions sont
4,6 cm 2,3 cm 0,5 cm ;
en basse tension, lusage de transformateurs pizolectriques
permet une trs forte intgration des blocs dalimentation AC/DC
(110V/12V). Sur la figure 2 est prsent un convertisseur exprimental ralis par Alcatel, dune puissance de 10 W, intgr directement
dans la prise courant [15] [2]. Il comprend le filtre de courant de
mode commun, ainsi que le filtre de sortie et une inductance servant
lalimentation rsonante du transformateur pizolectrique.

Filtre CEM
Redresseur MOSFET

Figure 2 Vue dun dispositif AC/DC (115 V ~/12 V = /10 W) intgr


dans une prise secteur

comme la commande rapproche des transistors de puissance [20]


ou les dispositifs disolement galvanique dun capteur [12]. Dans ces
deux cas, le signal est modul en amplitude ou en frquence au
primaire, transmis puis dmodul au secondaire soit pour restituer la
commande et lnergie ncessaire la commutation dun transistor
de puissance, soit pour restituer une information issue du capteur.

1.2 Rappels
La pizolectricit caractrise la proprit que prsentent
certains corps se polariser lectriquement sous laction dune
contrainte mcanique (effet direct) et se dformer lorsquils
sont soumis un champ lectrique (effet inverse).
Cette proprit sobserve pour certains matriaux non conducteurs, tels que le quartz, dont le caractre anisotropique de leur
structure cristalline fait apparatre, sous leffet daction mcanique,

Enfin, citons des applications plus particulires et la limite des


domaines de la conversion dnergie et de la transmission du signal

D 3 015 2

b dispositif Talura de 1 W

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TRANSFORMATEURS STATIQUES PIZOLECTRIQUES

un axe privilgi de polarisation lectrique d au dplacement des


barycentres des charges positives et ngatives.

1.3.1 Structures mode transversal (type 1)

Les matriaux gnralement utiliss, pour la ralisation de transformateurs pizolectriques, sont des cramiques ferrolectriques
faisant partie de la famille cristalline des provskites, comme par
exemple le titano zirconate de plomb (PZT) ralis par frittage
doxydes de sels de plomb, de zirconium et de titane. Dans ce cas,
cest lapplication initiale dun champ lectrique intense (tape de
polarisation) qui permet daligner les polarisations des microcristaux ferrolectriques lmentaires et donc dintroduire lanisotropie ncessaire lexistence de la pizolectricit. Ces cramiques
prsentent de trs bonnes proprits pizolectriques dans une
large gamme de temprature, limite par la temprature de Curie
(de lordre de 300 350 oC). Leur procd dlaboration par moulage, compactage et frittage permet en outre de les mettre en uvre
sous diffrentes formes (barreaux, disques, anneaux, plaques).

Cette structure est constitue dun seul et mme barreau pizolectrique polaris en paisseur (axe 3). On utilise donc le mme
mode lectromcanique transversal au primaire et au secondaire
qui correspond une vibration de lensemble du barreau suivant sa
longueur (axe 1). La grande symtrie de cette structure, tant sur le
plan gomtrique que sur les modes utiliss, ne permet pas
dobtenir des gains en tension importants. La frquence dutilisation
est inversement proportionnelle la longueur du barreau et dpend
du mode de rsonance lastique choisi. Sur la structure propose
la figure 4a, la frquence de rsonance approprie correspond
un fonctionnement en pleine longueur donde (L = ). Cette structure offre, en plus de sa trs grande simplicit de ralisation une
isolation galvanique naturelle intressante, de part ses quatre ples
lectriques distincts. Elle est gnralement utilise comme transformateur disolement de rapport unitaire.

La polarisation de la cramique pizolectrique ainsi que sa forme


gomtrique sont choisies pour quun mode de conversion lectromcanique dsir soit prfrentiellement excit. Les modes de
conversion lectromcaniques classiquement utiliss dans la mise
en uvre des transformateurs pizolectriques sont rappels dans
le tableau 1. Pour chacun de ces modes, on rappelle les coefficients
qui traduisent les proprits physiques du matriau (mcaniques,
dilectriques et pizolectriques). Ces coefficients, en particulier les
coefficients de couplage qui traduisent laptitude du matriau
convertir lnergie reue, sont utiles dans le choix, parmi diffrentes
familles, du type de matriau utiliser pour la ralisation dun transformateur pizolectrique. Ils permettent galement de prcalculer
les lments intervenant dans la dfinition dun modle lectromcanique quivalent que lon prsentera par la suite.

1.3.2 Structures modes transversal


et longitudinal coupls (type 2)
Comme prcdemment, cette structure est constitue dun seul
et mme barreau pizolectrique, mais dont la partie primaire est
polarise suivant lpaisseur (axe 3) et la partie secondaire suivant
la longueur (axe 1). On utilise donc simultanment les modes
lectromcaniques transversal, au primaire, et longitudinal, au
secondaire, qui correspondent une vibration de lensemble du
barreau suivant sa longueur (axe 1). Ce couplage de modes permet
dobtenir des gains en tensions dautant plus importants que le rapport gomtrique L/T est grand. Pour augmenter encore ce gain, on
ralise un primaire feuillet o lensemble des couches sont
connectes en parallle. De plus, lisolation galvanique entre le primaire et le secondaire est trs importante, ce qui prdestine cette
structure aux applications THT (trs haute tension). Comme prcdemment, la frquence dutilisation est inversement proportionnelle la longueur du barreau et dpend du mode de rsonance
lastique choisi. Sur la structure propose la figure 4b, la frquence de rsonance approprie correspond un fonctionnement
3
3 2
en 2 de longueur donde L =
. Ce sont ces structures qui

1.3 Principes et structures


Le principe de fonctionnement dun transformateur pizolectrique est bas sur lexploitation de la double conversion lectromcanique (effet pizolectrique inverse) puis mcanolectrique
(effet pizolectrique direct) de l'nergie prsente prcdemment.
Pour illustrer ce phnomne, considrons la structure reprsente
figure 3 et forme d'un barreau pizolectrique sur lequel ont t
dposs deux jeux dlectrodes primaires et secondaires. Si l'on
impose une tension alternative au niveau des lectrodes primaires,
on gnre une vibration alternative du barreau qui induit son tour
une tension alternative entre les lectrodes secondaires. Pour des
raisons defficacit que nous dtaillerons par la suite, cette vibration
doit saccompagner dune mise en rsonance mcanique de la
structure, des frquences acoustiques typiques, pour des transformateurs de dimension millimtriques, de lordre de plusieurs
dizaines de kilohertz quelques mgahertz, avec des coefficients de
qualit de quelques centaines quelques milliers.

1.3.3 Structures mode paisseur (type 3)


Cette structure est ralise par la superposition dau moins deux
couches pizolectriques primaire et secondaire, polarises en
paisseur (axe 3), et spares par une couche dilectrique assurant
lisolation galvanique. On utilise donc le mme mode lectromcanique dpaisseur au primaire et au secondaire qui correspond une
vibration de lensemble de la structure suivant son paisseur
(axe 3). Le gain en tension est directement proportionnel au rapport
des paisseurs des couches secondaires sur les couches primaires.
Cest donc en jouant sur le nombre de couches primaires et secondaires, leurs paisseurs ainsi que les couplages des lectrodes en
srie ou en parallle, que lon peut moduler le gain en tension de
ce transformateur. La frquence dutilisation est inversement proportionnelle lpaisseur totale de la structure et dpend du mode
de rsonance lastique choisi. Sur la structure propose la
figure 4c, la frquence de rsonance approprie correspond un
fonctionnement en pleine longueur donde (T = ). Ces structures
T
sont intressantes de par leur rapport de forme L faible qui permet un report aise sur une carte lectronique. Cependant, elle
ncessite des techniques dlaboration plus lourdes, du fait du
report de plusieurs couches les unes sur les autres, par collage ou
cofrittage.

Sur la base de ce principe, diffrentes structures de transformateurs pizolectriques ont t imagines et proposes dans la
littrature. De faon synthtique, on peut isoler quatre grandes
familles de structures de transformateurs pizolectriques
(figure 4) qui exploitent les diffrents modes de couplage lectromcaniques du tableau 1.

Ventre

ont suscites le plus dintrts jusqu prsent pour des applications


ncessitant des tensions importantes comme lalimentation de lampes cathodes froides CCF (Cold Cathod Fluorescent) ou le
rtro-clairage dcrans LCD (Liquid Crystal Display ).
(0)

Vsortie

Figure 3 Exemple de structure de transformateur pizolectrique

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D 3 015 3

TRANSFORMATEURS STATIQUES PIZOLECTRIQUES _________________________________________________________________________________________

V1

V2

W
L
Contraintes

Dplacement

/2

/2

a type 1

V1

W
V2
L
Contraintes

Dplacement

/2

/2

/2

b type 2

Contraintes

V1

/2

T
Dplacement

/2

V2
W
L

3
0

2
1

c type 3

R3
R1
V1

R2

V2

Dplacement

direction de polarisation

longueur d'onde

/4

Contraintes

2
1

d type 4

Figure 4 Structures usuelles


de transformateurs pizolectriques

D 3 015 4

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TRANSFORMATEURS STATIQUES PIZOLECTRIQUES

Tableau 1 Modes de couplage lectromcanique et constantes physiques utiles


Constantes utilises
Modes de couplage
dilectriques

pizolectriques

mcaniques

k 31, d 31

s 11 , N 1 , m , Qm

k 33 , d 33

s 33 , N 3 , m , Qm

k t , e 33

c 33 , N t , m , Qm

k p , d 31

s 11 , N p , m , , Qm

Mode transversal

W
L

3
D

3
D

Direction de polarisation
N1 , Nb , Np constantes de frquence (kHz mm).
m masse volumique (kg m3 ).
coefficient de Poisson.
Qm facteur de qualit mcanique.
tan tangente de langle de perte.

D >>T

33 , tan

D>5T

33 , tan

Mode planaire

33 , tan

Mode paisseur

D < L/5

3
D

33 , tan

Mode longitudinal

T, W < L/3
2

Direction de vibration.

33 permittivit (ou constante dilectrique) dformations nulles (F m1).


k31 , k33 , kp , kt constantes de couplage lectromcanique.
d 31, d 33 constantes pizolectriques (m V1).
e33 constante pizolectrique (C m2).
E

s 11 , s 33 compliances champs dexcitation constant (m2 N1).


D

c 33 constante lastique champs dinduction lectrique constant (N m2).

1.3.4 Structures mode planaire (type 4)

gomtrique introduite entre le primaire et le secondaire, par laugmentation du primtre des lectrodes, permet dobtenir un gain en
tension plus important. La frquence dutilisation est inversement
proportionnelle au diamtre du disque et dpend du mode de rsonance lastique choisi. Sur la structure propose la figure 4d, la
frquence de rsonance approprie correspond un fonctionne
ment en quart de longueur donde R 3 = 4 . De part ses quatre
ples lectriques, elle offre une isolation galvanique naturelle intressante ainsi quune trs grande simplicit de ralisation.

Cette structure est constitue dun seul et mme disque de


cramique, polaris en paisseur (axe 3). On utilise donc le mme
mode lectromcanique planaire au primaire et au secondaire qui
correspond une vibration de lensemble du disque suivant son
rayon (axe 1). Mme si cette structure est trs proche, de part son
principe, de la structure mode transversal, la sollicitation mcanique bidimensionnelle permet ici damliorer notablement le coefficient de couplage lectromcanique. De plus, la dissymtrie

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D 3 015 5

Bobine noyau de fer en rgime


variable
par

Franois LEPLUS
Docteur Agrg de lUniversit
Professeur au lyce Carnot dArras

1.
1.1
1.2
1.3

Bobine parfaite .........................................................................................


Inductances propre, principale et de fuites ...............................................
quations. Schma quivalent ...................................................................
Dimensionnement. Principes gnraux.....................................................
1.3.1 Catgories de matriaux magntiques.............................................
1.3.2 Principes de dimensionnement .........................................................

2.
2.1
2.2

Bobine relle..............................................................................................
Influence de la saturation du circuit magntique .....................................
Bobine sans pertes par courants de Foucault ...........................................
2.2.1 Bobine alimente par une tension sinusodale................................
2.2.2 Schma quivalent .............................................................................
2.2.3 Influence dune composante continue..............................................
Bobine avec pertes par courants de Foucault ...........................................
2.3.1 Influence des courants de Foucault ..................................................
2.3.2 Schma quivalent .............................................................................
2.3.3 Pertes fer..............................................................................................
Influence de la tension dalimentation.......................................................
2.4.1 volution des pertes fer en fonction de la frquence ......................
2.4.2 Influence de la valeur efficace de la tension dalimentation ...........
2.4.3 Influence de la composante continue ...............................................
Calcul dune bobine noyau de fer ...........................................................

7
7
7
8
8
9
10
10
10
11
11
11
12
12
13

3.
3.1
3.2
3.3
3.4

Modlisation numrique ........................................................................


quations. Schma quivalent ...................................................................
Rsolution des quations............................................................................
Identification des lments du schma quivalent ..................................
Exemples de modlisation de la caractristique b(h)...............................
3.4.1 Caractristique b(h) sans hystrsis .................................................
3.4.2 Modle pour champs faibles .............................................................
3.4.3 Modle prenant en compte lhystrsis et la saturation .................
3.4.4 Exemple de modlisation ..................................................................

15
15
15
16
16
17
17
17
18

4.

Conclusion .................................................................................................

19

2.3

2.4

2.5

Pour en savoir plus ...........................................................................................

D 3 040 2

Doc. D 3 040

importance de ltude de la bobine noyau de fer en rgime variable est


considrable en lectrotechnique. Les bobines sont dusage frquent en
lectronique de puissance (composants passifs magntiques) et les machines
lectriques (transformateurs, alternateurs, machines asynchrones et machines
courant continu) ncessitent lemploi de matriaux magntiques.
Ltude de la bobine passe par la mise en quation de lensemble des phnomnes dont elle est le sige. Or, dans le cas dune bobine noyau de fer, la

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est strictement interdite. Editions T.I.

D 3 040 1

BOBINE NOYAU DE FER EN RGIME VARIABLE _____________________________________________________________________________________________

tension ses bornes et le courant qui la traverse ne peuvent pas tre simultanment sinusodaux cause de la prsence des matriaux magntiques.
Il nest donc pas possible dappliquer directement les mthodes de rsolution
classiques ; aussi, pour analyser le comportement de la bobine, deux mthodes
sont envisages.
La premire mthode consiste linariser le problme en remplaant la
bobine relle par une bobine quivalente o toutes les grandeurs sont
sinusodales ; on peut, alors, utiliser les outils habituels de calcul.
La deuxime mthode consiste prendre en compte les phnomnes non
linaires ; les quations obtenues sont alors traites par ordinateur. Nous allons
prsenter ici la mthode de rsolution des quations et quelques modles permettant de dcrire les phnomnes non linaires qui rgissent le fonctionnement de la bobine noyau de fer.

1. Bobine parfaite

Nous appellerons bobine parfaite une bobine o les phnomnes


dhystrsis, la saturation et les courants de Foucault peuvent tre
ngligs. Il sagit, par exemple, dune bobine sans noyau de fer ou
dune bobine ralise partir de tles isoles dont la caractristique
magntique b(h) est linaire.

t M
f

u
N

a rpartition schmatique des flux

Dans ce dossier, nous utiliserons les symboles des normalisations franaise (AFNOR) et internationale (CEI) savoir B pour
linduction magntique et H pour le champ magntique. Toutefois, signalons que, en Physique, le vocabulaire le plus utilis

f
Ni

actuellement est B pour le vecteur champ magntique et H


pour le vecteur induction magntique.

N
b schma magntique quivalent

1.1 Inductances propre, principale


et de fuites
Considrons une bobine alimente par une tension u (figure 1 a)
comportant N spires parcourues par un courant instantan
dintensit i, qui cre, dans chaque spire, un flux magntique t :
une partie des lignes dinduction, correspondant un flux , est
entirement canalise par le circuit magntique ;
lautre partie, correspondant au flux de fuites f, prsente un trajet partiellement en dehors du circuit magntique.

c rpartition des lignes d'induction. Simulation


Figure 1 Bobine parfaite

Remarques
Le circuit magntique est un circuit ferm pouvant tre
constitu de matriaux de natures diffrentes [matriaux ferromagntiques ou non (entrefers)].
Il est difficile de dterminer avec prcision le trajet des
lignes dinduction associ au flux de fuites. On suppose, pour
simplifier ltude, que les fuites sont localises uniquement
au niveau de lenroulement. La figure 1 c montre un exemple
de lignes dinduction obtenu par simulation (logiciel femm,
mthode des lments finis cf. [Doc. D 3 040]).

linductance propre L de la bobine par :


N t
L = ---------i
linductance principale Lp par :
N
N2
L p = -------- = ------
i

Les inductances exprimes en henry (H) sont dfinies par les formules suivantes (figure 1 b) :

D 3 040 2

avec

rluctance du circuit magntique,

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est strictement interdite. Editions T.I.

_____________________________________________________________________________________________ BOBINE NOYAU DE FER EN RGIME VARIABLE

linductance de fuites Lf par :

E = jN

N
N2
L f = ----------f = ------f
i
avec

jL f

rluctance du trajet du flux de fuites.

La loi des nuds applique au point M scrit (figure 1 a) :


t = + f

(1)

Linductance propre est donc la somme des inductances principale et de fuites :

L = L p + Lf

Figure 2 Bobine parfaite : diagramme de Fresnel

Dans le cas du circuit magntique non saturable, et f tant


constants, les coefficients L, Lp et Lf le sont galement.

1.2 quations. Schma quivalent

Supposons que la bobine (figure 1) est, maintenant, alimente


par une tension sinusodale dexpression :

Lf

Lp

u = Umax sint
avec

pulsation de u,

temps.

E = j N = j Lp

Chaque spire est le sige dune fm (force lectromotrice) autoinduite, oriente dans le mme sens que le courant i (conformment
la convention la plus souvent utilise) :

Figure 3 Bobine parfaite : schma quivalent

avec

d t
e a = --------dt

U
L
I = ------------------------------- et = arctan ------r
2
2
r + (L)

ce qui correspond, pour lensemble du bobinage, une fm :


et = Nea

et o

En utilisant la convention rcepteur, la tension scrit :


d t
di
u = ri e t = ri + N --------- = ri + L -----dt
dt
avec

E = jN
La relation (4) permet de tracer le diagramme de Fresnel (figure 2)
et den dduire le schma quivalent de la bobine (figure 3).

(2)

La figure 3 montre que la bobine parfaite est quivalente une


inductance pure Lp en srie avec un circuit de rsistance r, traduisant les pertes par effet Joule, et dinductance Lf, traduisant les fuites de cette bobine.

rsistance du bobinage.

Compte tenu de (1), la relation (2) devient :


d f
d
u = ri + N --------- + N ------dt
dt

1.3 Dimensionnement. Principes


gnraux

ou encore
d
di
u = ri + L f ------ + N ------dt
dt

(3)

1.3.1 Catgories de matriaux magntiques


Il nexiste pas de matriau magntique universel, utilisable dans
toutes les situations. Les fabricants proposent de nombreux matriaux possdant des performances diffrentes et des formes en
constante volution. La figure 4 donne quelques exemples de matriaux et de formes de circuits magntiques.

Pour un circuit non saturable, dans le cas dune alimentation par


une tension sinusodale, le flux et le courant absorb i sont sinusodaux. On peut donc utiliser la notation complexe, ce qui conduit
:
U = rI + jLf I + jN

(4)

On peut toutefois distinguer deux grandes catgories, qui sont :

les alliages ferromagntiques ;


les ferrites.

I = [I ; ]

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est strictement interdite. Editions T.I.

D 3 040 3

BOBINE NOYAU DE FER EN RGIME VARIABLE _____________________________________________________________________________________________

Bs (T)
2,5

Fe Co

Fer
2

Fe Si

CM

Fe Ni50
1,5

Fe Ni36

Fe Ni80
0,5

Ferrites

10

Figure 5 Circuit magntique en E : dimensions

100

1 000

1.3.2 Principes de dimensionnement

Hc (A/m)

Bs induction de saturation
Hc champ coercitif

Dimensionner une bobine, partir dun cahier des charges,


consiste dterminer la section du circuit magntique CM , la longueur de lentrefer e et le nombre de spires N du bobinage.

a grandes classes des matriaux magntiques usuels

Nous allons tablir les relations dans le cas du circuit magntique


de la figure 5, ralis partir de ferrite ou de tles isoles (en alliage
ferromagntique) en forme de E. Les donnes du problme sont
linduction magntique maximale Bmax dans la bobine, linductance
propre L de cette bobine, le courant maximal Imax et la densit maximale de courant Jmax dans les spires, ces grandeurs pouvant tre ou
non sinusodales.
Il nexiste pas une solution unique correspondant un ensemble
de donnes. Nous allons essayer doptimiser les dimensions de la
bobine, pour obtenir un bobinage se logeant parfaitement dans la
fentre de surface :
fen =
Les tles constituant le circuit magntique sont choisies parmi
celles proposes par les constructeurs [1] [2] [3].

b exemples de formes de circuit magntique

Les diverses dimensions sont gnralement relies entre elles par


les relations suivantes :

Figure 4 Matriaux magntiques

=
Les alliages ferromagntiques sont raliss partir de fer associ
du silicium, du nickel ou du molybdne. Les circuits sont
constitus :

= 2
= 3

soit de tles empiles en forme de E, de C ou de I ;

Nous imposons une section carre pour le noyau central, cest-dire,

soit de rubans enrouls et assembls, ralisant des circuits


coups en forme de E ou de C.

Ils permettent de travailler induction maximale leve (de 0,85


2,35 T), mais frquence faible (fmax de quelques centaines de hertz
10 kHz) cause des courants de Foucault qui deviennent vite
importants.

Ainsi, le circuit magntique est entirement dfini par le choix


dune dimension : .
Nota : pour certaines tles, le rapport des dimensions peut tre diffrent ; la mthode
propose reste valable.

La longueur de la ligne de champ moyenne dans le circuit magntique vaut CM = 12 . Le schma magntique quivalent est
reprsent la figure 6.

Les ferrites sont fabriqus partir de poudres doxyde de fer


associ du zinc, du nickel ou du manganse, assembls par frittage (agglomration sous pression et par chauffage). Ils permettent
de travailler frquence plus leve (jusqu un mgahertz), mais
linduction maximale est relativement faible (de 0,2 0,4 T). Il faut
noter que linduction de saturation dcrot lorsque la temprature
augmente.

1.3.2.1 Circuit magntique idal


Dans une premire approche, le matriau magntique est suppos de permabilit infinie. Les rluctances associes aux diffrentes parties du circuit magntique sont donc nulles. Au niveau du
schma quivalent, il ne subsiste que les rluctances associes
lentrefer ainsi que la force magntomotrice Ni du bobinage.

Les ferrites se prsentent sous forme de circuits en E ou en C, de


tores ou de pots.

D 3 040 4

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Transformateurs statiques
Principes et fonctionnement
par

Georges MANESSE
Professeur au Conservatoire national des arts et mtiers

1.
1.1
1.2

D 3 050 - 3

1.2.2 Matrice de transformation inverse [F3]1 ..........................................


Distribution triphase..................................................................................
1.3.1 Connexion dun rcepteur symtrique au rseau ............................
1.3.2 Composantes symtriques des grandeurs simples
et composes ......................................................................................
1.3.3 Rcepteur passif symtrique .............................................................
Dtermination des composantes symtriques .........................................
1.4.1 Composantes directe et inverse ........................................................
1.4.2 Composante homopolaire dun systme toil ...............................
Mthode de Fortescue gnralise ............................................................
1.5.1 Matrices de Fortescue dordre q ........................................................
1.5.2 Thorme de Fortescue gnralis ....................................................
1.5.3 Systme diphas dsquilibr en amplitude ...................................
Puissances en rgime sinusodal ...............................................................
1.6.1 Cas monophas ..................................................................................
1.6.2 Alimentation quatre fils ...................................................................
1.6.3 Alimentation monophase dun rcepteur triphas ........................
1.6.4 Liaison quilibre en tension et courant...........................................
1.6.5 Alimentation trois fils quilibre en tension
et dsquilibre en courant ...............................................................
Applications des composantes symtriques.............................................
1.7.1 Quantification du dsquilibre dun rseau ......................................
1.7.2 Calcul des courants de court-circuit ...................................................

5
5
5

7
8
10
10
11
12
12
13
13
13
13
14
14
15

15
18
18
19

Transformateurs .......................................................................................
Transformateur monophas .......................................................................
2.1.1 Bobine noyau de fer ........................................................................
2.1.2 Circuits coupls ...................................................................................
2.1.3 Constitution des transformateurs de distribution............................
2.1.4 Transformateur aliment par une source
de tension sinusodale .......................................................................
Groupements de transformateurs monophass ......................................
2.2.1 Association en parallle .....................................................................
2.2.2 Groupements triphass de transformateurs monophass .............
Transformateurs triphass..........................................................................
2.3.1 Circuits magntiques des transformateurs triphass .....................
2.3.2 Admittances magntisantes cycliques
des transformateurs triphass...........................................................
2.3.3 Court-circuit phase-neutre au secondaire
dun transformateur YNyn4................................................................

22
22
22
24
27

28
33
33
34
44
44

44

46

Rfrences bibliographiques ........................................................................

48

1.3

1.4

1.5

1.6

1.7

2.
2.1

2.2

2.3

Mthode des composantes symtriques


Principe.........................................................................................................
Composantes symtriques triphases.......................................................
1.2.1 Matrice de Fortescue [F3] ...................................................................

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Techniques de lIngnieur, trait Gnie lectrique

D 3 050 1

TRANSFORMATEURS STATIQUES

_________________________________________________________________________________________________________

es dveloppements rcents de llectronique de puissance dans le domaine


de la conversion statique de lnergie lectrique conduisent reconsidrer
lapproche du transformateur traditionnellement axe sur des rgimes de fonctionnement harmonique. Il est en effet ncessaire denvisager des modles de
comportement temporels capables de prendre en compte de manire instantane les grandeurs lectriques et magntiques de ces systmes.
Pour atteindre cet objectif, les mcanismes de mise en quation du transformateur monophas sont analyss, puis tendus au cas triphas, en tenant
compte de la diversit des circuits magntiques rencontrs. Cette tude conduit
alors la dfinition de modles idaux construits partir du concept de modulateur nergtique de rendement unitaire qui constitue llment de base de
toute chane de conversion dnergie, quelle que soit la nature des convertisseurs utiliss, lectromagntiques, lectroniques, ou lectromcaniques.
Dans ces conditions, le choix dun modle peut tre discut en considrant un
environnement lectrique donn, aussi bien pour ltude des modes sinusodaux dsquilibrs que non sinusodaux, notamment lorsque le transformateur
est associ un convertisseur statique. On peut alors placer le transformateur en
amont ou en aval du convertisseur, ou encore lintgrer totalement son fonctionnement.
Lobjectif de cet article est de familiariser le lecteur avec les mthodes dtude
des circuits lectriques assurant le transfert de lnergie lectrique au moyen des
liaisons triphases.
Il ne sagit donc pas de dcrire les techniques et les appareils assurant la distribution lectrique, mais dexpliquer les fondements thoriques sur lesquels
sappuient les modles simplifis des lignes et des transformateurs utiliss dans
le domaine industriel, ainsi que les principaux montages permettant la mesure
de la puissance transporte .
La mthode des composantes symtriques est sur ce plan particulirement
utile puisquelle permet de retrouver, dans le cas triphas dsquilibr, les raisonnements et les schmas en usage en monophas. Grce aux rsultats tablis,
de nombreuses configurations de dsquilibre (coupures de fil ou courts-circuits) peuvent tre analyses et calcules, que lon se trouve ou non en prsence
de transformateurs.

Le lecteur pourra se reporter aux rfrences bibliographiques [1] [7] en fin darticle.

D 3 050 2

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Techniques de lIngnieur, trait Gnie lectrique

_________________________________________________________________________________________________________ TRANSFORMATEURS STATIQUES

1. Mthode des composantes


symtriques

Axe imaginaire

Im
(j 3) = (a a2)

1.1 Principe

( ja2 3) = (a 1)

La mthode des composantes symtriques de Fortescue consiste


substituer un systme dsquilibr de q grandeurs complexes
quelconques un systme de q grandeurs gnratrices , permettant de dfinir q systmes q-phass quilibrs. Ces dernires
grandeurs sont les composantes symtriques du systme initial.

( a2)

(z 2 = a)

( ja 3) = (1 a2)

(z 1 = 1)

( 1)

La transformation est assure par un oprateur matriciel


complexe, appel matrice de Fortescue, dordre q not [Fq].

Axe
rel
Re

On a donc, pour le systme initial :


[ V ] = [ V 1 , V 2 , , V q ] t = [ F q ] [ V ]
et pour le systme transform :

(ja 3) = (a2 1)

[ V ] = [ V 1 , V 2 , , V q ] t = [ F q ] 1 [ V ]

(z 3 = a2)

( a)

(ja2 3) = (1 a)

Les grandeurs V 1 , V 2 , , V q sont les composantes symtri( j 3) = (a2 a)

ques du systme initial dfini par V 1 , V 2 , , V q .


En lectricit, un circuit symtrique polyphas, soumis laction
de tensions et courants dsquilibrs, peut tre reprsent par
autant de schmas quivalents indpendants monophass quil y a
de phases ; la superposition de tous ces modes quilibrs restitue le
fonctionnement dsquilibr du circuit symtrique considr.

Figure 1 Disposition, dans le plan complexe, des racines


du polynme z 3 1 = 0 et de leurs diffrences deux deux

donc :
3 = 0 (modulo 2)
2
4
et les arguments respectifs de z 1 , z 2 et z 3 sont 0 , ------- et ------- .
3
3
On vrifie, en plaant z 1 , z 2 et z 3 dans le plan complexe
(figure 1), les relations :

1.2 Composantes symtriques triphases

1 + a + a2 = 0

1.2.1 Matrice de Fortescue [F3]


ainsi que :
Les coefficients de la matrice [F3] sont forms partir des racines
de lquation complexe :

1 = j a 3

1 a = j a2 3

a a2 = j

a2

= 1

pour laquelle z est un complexe de la forme

1 + a = a2

a + a 2 = 1

a 2 + 1 = a

z = + j = e j .
Cette quation scrit sous forme factorise :

z 3 1 = ( z z 1)( z z 2)( z z 3) = 0

1 a2 = j a 3

a 1 = j a2 3

a2 a = j

1 a = a2

a a 2 = 1

a2 1 = a

z1 = 1

Le thorme de dcomposition de Fortescue snonce alors :


un systme de trois grandeurs complexes V 1 , V 2 et V 3 se dcompose en trois systmes symtriques :
un systme homopolaire, dfini par V h , constitu de trois
grandeurs de mme argument et de mme module V h , V h et V h ;

z2

un systme direct, dfini par V d , correspondant au systme


direct V d, a 2 V d et aV d ;

avec

z3

1
3
j ( 2 3 )
= --- + j ------- = e
= a

2
2

3
1
= --- j ------- = e j ( 2 3 ) = a 2
2
2

un systme inverse, dfini par V i , correspondant au systme


inverse V i , aV i et a 2 V i .
On obtient donc :

Nota : 0 indique un zro complexe : module nul, argument nul.

V1

En effet, si
e j

V2

z 3 = e j3 = 1 ,

V3

z =

Vd
Vi
Vh
1
1
1
= 1 V h + a 2 V d + a V i = V h + a 2 V + aV i
d
1
a
a2
Vh
aV d
a 2 Vi

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(1)

D 3 050 3

TRANSFORMATEURS STATIQUES

_________________________________________________________________________________________________________

Systme quilibr direct


3
Composante directe Vd
1
1

V1 = Vd

V1

1 1

V2 = a2 Vd

V2 = 1 a2 a

Vd

V3 = a Vd

V3

a a2

V1 = Vi

V1

1 1

V2 = a Vi

V2 = 1 a2 a

Systme quilibr inverse


2

Composante inverse Vi

V3

V3 = a V i

a a 2 Vi

Systme direct quilibr, dsquilibr par un systme homopolaire


3

Composante homopolaire Vh
3
1
2
1

V'1 = V1 + Vh

V'1

1 1

Vh

V'2 = V2 + Vh

V'2 = 1 a2 a

Vd

V'3 = V3 + Vh

V'3

a a2

V'1 = V1 + Vi

V'1

1 1

V'2 = V2 + a Vi

V'2 = 1 a2 a

Vd

V'3 = V3 + a2 Vi

V'3

V'1 + V'2 + V'3 = 3Vh


2

Systme direct quilibr, dsquilibr par un systme quilibr inverse


3
1

a a 2 Vi

V'1 + V'2 + V'3 = 0

Cas gnral : formules de passage

V'1 = Vh + Vd + Vi

V'1

V'2 = Vh + a2 Vd + a Vi

V'2 = 1 a2 a Vd ,

V'3 = Vh + a Vd + a2 Vi

V'3

1
1

1 1 Vh

a a

Vi

Vh

1 1

V'1

Vd = 1 1 a a2 V'2
3
Vi
1 a2 a V'3

Vh = 1 (V'1 + V'2 + V'3)


3
Vd = 1 (V'1 + a V'2 + a2 V'3)
3
Vi = 1 (V'1 + a2 V'2 + a V'3)
3

Figure 2 Caractrisation des systmes triphass dsquilibrs. Dfinition des composantes symtriques homopolaire, directe et inverse

D 3 050 4

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_________________________________________________________________________________________________________ TRANSFORMATEURS STATIQUES

et, sous forme matricielle :


[ V 123 ] = [ F 3 ] [ V hdi ]

On constate, galement, quun systme triphas comportant


comme seule grandeur non nulle V 1 prsente trois composantes
symtriques identiques :

(2)

V
V h = V d = V i = -----1- .
3

soit :

V1

1
V2 = 1
1
V3

Vh

a2

a
a2

Vd

(3)

Vi

1.3 Distribution triphase

La figure 2 montre que le thorme de dcomposition sinterprte graphiquement en associant aux grandeurs complexes, dfinies par leur module et leur argument, des vecteurs de mme
norme et de mme direction :

1.3.1 Connexion dun rcepteur symtrique


au rseau

{ V1 , V 2, V 3, V h, V d, V i } = { V 1 , V 2 , V 3 , V h , V d , V i }

Un rcepteur triphas est symtrique lorsque les lments ou


ensembles dlments constituant ses trois phases sont identiques.
On y accde par une plaque bornes (figure 3), qui permet son
alimentation au moyen de connexions extrieures relies un
rseau dalimentation.

Pour un systme quilibr, dordre de succession direct, on a :


( V 1, V 2, V 3 ) avec V 2 = a 2 V 1 et V 3 = aV 1 .

Un rcepteur symtrique en fonctionnement (figure 3) se caractrise par quatre systmes triphass, les tensions simples et courants
en ligne du ct du rseau, les tensions aux bornes des trois
lments du rcepteur, ainsi que les courants qui les parcourent du
ct de lutilisation.

La composante directe est alors V d = V 1 , premire grandeur du


systme initial. Une permutation dindice a alors comme effet de
2
dphaser de ------- largument de la composante directe.
3

La numrotation des tensions et des courants obit des rgles


strictes (figure 4) quil convient de respecter scrupuleusement au
risque dintroduire des erreurs dans le positionnement angulaire
des systmes triphass en prsence.

Le raisonnement est identique pour un systme quilibr


inverse :

V 1, V 2 = aV 1,

V3 = a 2 V1

et V i = V 1

Le couplage toile 4 fils (figure 4a) conduit aux relations :

avec la numrotation choisie.


Un systme homopolaire ( V , V , V ) est lensemble de trois
1
2
3
grandeurs identiques telles que :

V1 = VA

V2 = VB

V3 = VC

V1 = V2 = V3 = Vh .

et

IA = I1

IB = I2

IC = I3

tandis que le couplage triangle (figure 4b) permet dcrire :

1.2.2 Matrice de transformation inverse [F3]

U1 = VB VC

U2 = VC VA

U3 = VA VB

Si on a la relation (2) :
[ V 123 ] = [ F 3 ] [ V hdi ] ,

et

I A = J2 + J3

I B = J3 + J1

I C = J1 + J2

alors :
[ V hdi ] = [ F 3 ] 1 [ V 123 ] .

(4)

En effectuant le calcul de [F3]1 :


1 1

1 a2 a
1 a a2

a a2 a a2 a a2
1
2
2
= ----------------------3 ( a a2 ) a a a 1 1 a
a a2 1 a a2 1

1
1
= --- 1
3
1

a
a2

a2
a

,
C

Couplage
toile
(3 ou 4 fils)

B
II
C

2
3

N'

III

il vient :
N

Vh

1
V d = --- 1 a a 2
3
1 a2 a
Vi

V1
V2

Alimentation
(rseau)

(5)

V3

Utilisation
(Rcepteur
symtrique)

Couplage
triangle
(3 fils)

III

II

B
C
N

La condition V h = 0 implique que la somme V 1 + V 2 + V 3 soit


nulle, do la rgle suivante.
Un systme dsquilibr de somme nulle est caractris par une
composante homopolaire nulle.

Figure 3 Couplages usuels dun rcepteur triphas symtrique


au rseau dalimentation

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D 3 050 5

TRANSFORMATEURS STATIQUES

_________________________________________________________________________________________________________

VC

VC
IC

C
3

V3

J2

I3

V1
1

II

U2
II

III

N'

I1

J3

III

U3

VB

A
IA VA

IB

J1

3Ih = 0

U1

I A VA

V2

I2
B

IC

IB

VB

VC = V3

U2

VC

I3 = IC

VA = V1
I2 = IB

I1 = IA

IC

U1

J2
J1

IA

VA

J3

IB

VB

VB = V2

U3

j6

Rcepteur : 3(3Ze j 6 )

Rcepteur : 3(Ze )

couplage toile

couplage triangle

Figure 4 Notations et diagrammes vectoriels des tensions et courants pour deux rcepteurs symtriques coupls au rseau

Ces expressions sont conformes la notation matricielle plus


gnrale :
pour les tensions simples du couplage toile :

En considrant les grandeurs du ct du rcepteur, il vient :

[ V 123 ] = [ 1 ] [ V ABC ]

et

pour les courants en ligne du couplage toile :

(6)

avec

[ I ABC ] = [ 1 ] [ I 123 ]

0
1 1
[ K ] = 1
0
1
1 1
0

pour les tensions composes du couplage triangle :


[ U 123 ] = [ K ] [ V ABC ]
pour les courants toils du couplage triangle :

et

[ I ABC ] = [ K ] t [ J 123 ]

D 3 050 6

[ U 123 ] = [ K ] [ V 123 ]

[ I 123 ] = [ K ] t [ J 123 ]

0 1
1
[ K ]t =
1
0 1
1
1
0

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(7)

_________________________________________________________________________________________________________ TRANSFORMATEURS STATIQUES

1.3.2 Composantes symtriques des grandeurs


simples et composes

dautre part, des courants en ligne, partir des courants toils


dtermins par la nature du rcepteur symtrique ou dissymtrique.
La prsence dune ligne 0 dans les matrices [[F3]1 [K ] [F3]] et
[[F3]1 [K ]t [F3]] montre que la procdure suivie nest pas inversible
dans le cas gnral.
En effet, les matrices [K ] et [K ]t ne peuvent pas tre inverses
1
(directement) ; cependant, en formant le produit --- [ K ] t [ K ] , on
3
obtient lidentit :

Les relations entre composantes symtriques de systmes quelconques de grandeurs simples et composes sobtiennent en appliquant les transformations de Fortescue :
[ F 3 ] [ U hdi ] = [ K ] [ F 3 ] [ V hdi ]

[ F 3 ] [ I hdi ] = [ K ] t [ F 3 ] [ J hdi ]

(8)

2 1 1
1
1
--- [ K ] t [ K ] = --- 1
2 1
3
3
1 1
2

soit, en multipliant gauche par [F3]1 :


[ U hdi ] = [ F 3 ] 1 [ K ] [ F 3 ] [ V hdi ]

[ I hdi ] = [ F 3 ] 1 [ K ] t [ F 3 ] [ J hdi ]

(9)

Ud = 0
Ui

a2

Vd

et

a a 2 Vi

Ih

Vh

Id = 0
Ii

a2

Jh

Jd

1
0
1
- 1
0 -3
1
1

1
1
1

1
1
1

1
1
--- [ K ] t [ K ] [ V 123 ] = [ V 123 ] V h 1
3
1

a 2 a Ji

soit (cf. 1.2.1) :

Ud = j 3 Vd

Ui = j 3 Vi

0
1
0

1
1
Dans ces conditions, les oprateurs --- [ K ] [ K ] t ou --- [ K ] t [ K ]
3
3
conduisent au mme rsultat que la matrice identit condition de
traiter un systme triphas de composante homopolaire nulle ; en
effet les expressions :

Ces relations deviennent :

Uh

1
= 0
0

Uh = 0 Vh

1
1
--- [ K ] [ K ] t [ J 123 ] = [ J 123 ] J h 1
3
1

et

vont scrire [avec les relations (6)], si V h = 0 et J h = 0 :

(10)

I d = j 3 Jd

I i = j 3 Ji

1
--- [ K ] t [ U 123 ] = [ V 123 ]
3
1
--- [ K ] [ I 123 ] = [ J 123 ] ,
3

I h = 0 Jh

et
soit :

Le schma fonctionnel de la figure 5 prcise le mode opratoire


rgissant le calcul :
dune part, des tensions composes, en fonction des tensions
simples supposes donnes ;

1
[ K ] 1 = --- [ K ] t
3
1
1
= --- [ K ]
[ K ]t
3

et

si

Vh = 0

si

Jh = 0

[K ]
0

[F3] 1

[V123]

1
1
1
3
1

[F3]
0

a2

a2

a2

[Vhdi]

a2

0 j 3

a2

a2

0 j 3 0

[Uhdi]

1
[U123]

Rcepteur

[I123]

[Ihdi]

0
0

j 3 0
0 j 3

[Jhdi]

1
1
3
1

[J123]

[F3] 1

[F3]
0

Figure 5 Flux de donnes correspondant


au couplage en triangle dun rcepteur
sur le rseau

[K]t

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Techniques de lIngnieur, trait Gnie lectrique

D 3 050 7

TRANSFORMATEURS STATIQUES

_________________________________________________________________________________________________________

1.3.3 Rcepteur passif symtrique

Zh

1.3.3.1 Rcepteur coupl en toile sur un rseau 4 fils

Zd = [ F3 ] Z

Un rcepteur symtrique coupl en toile ou en triangle absorbe


un systme de courants triphass dont les composantes symtriques sexpriment simplement en fonction des composantes des
tensions dalimentation.

Zi

systme [ Y 123 ] comme influent et le systme [ 123 ] comme


influenc.
On peut alors dire quune opration matricielle inversible dfinit,
entre grandeurs influentes et influences, une relation rigide, tandis
quune opration matricielle non inversible dfinit une relation
rigide non inversible, pour laquelle toute interversion des grandeurs
influentes et influences est impossible (figure 7).

Pour la matrice Z , il en rsulte la forme particulire :

Z Z

Il en rsulte que, pour un rcepteur symtrique aliment en


triangle, ses impdances Z et admittances Y symtriques sont dfinies du ct de lutilisation mais, du ct de lalimentation, seules
sont dfinies ladmittance matricielle vue du rseau (indice R) et son
admittance symtrique associe (figure 8).

Z Z Z
La relation liant les composantes symtriques de [ V 123 ] et [ I 123 ]
en dcoule [avec la relation (4)] :

On obtient ainsi les formules de transfert des impdances et


admittances daval en amont, de chaque niveau de conversion ou de
transformation (tableau 1).

[ V hdi ] = [ F 3 ] 1 [ Z ] [ F 3 ] [ I hdi ]
soit, tous calculs faits :

Ces rsultats appellent les conclusions suivantes.


Pour un rseau trois fils :
la composante homopolaire des tensions composes est
toujours nulle ;
la composante homopolaire des courants en ligne est toujours nulle et trois conducteurs suffisent pour assurer le transport de lnergie lectrique que la source dnergie soit ou non
quilibre.
En cas de dysfonctionnement sur la ligne de transport (courant de dfaut), la seconde condition nest plus remplie, tandis
quun dsquilibre au niveau des tensions va altrer la qualit
de lnergie pour lutilisateur en affectant notamment la forme
donde de la puissance instantane consomme et, ventuellement, lamplitude des tensions.

Zh 0 0
[ V hdi ] = [ Z ] [ I hdi ] =

Zi

grandeurs simples ou toiles [ Y 123 ] impose donc de considrer le

V 1 = Z I 1 + Z I 2 + Z I 3

V 2 = Z I 2 + Z I 3 + Z I 1

V 3 = Z I + Z I + Z I

Zd

Plus gnralement, la perte dinformation quentrane le seul


calcul possible de grandeurs composes [ 123 ] en fonction de

Si lon dveloppe ce produit, on constate linvariance des coefficients de [ Z ] face une permutation circulaire des indices 1, 2 et 3 :

Un rcepteur coupl en triangle aliment par un rseau triphas


introduit, dans le flux des donnes (tensions et courants) du
systme, des oprateurs matriciels [K ] et [K ]t qui ne sont pas inversibles.

[ V 123 ] = [ Z ] [ I 123 ]

[ Z ] = Z Z

Z = [ F3

1.3.3.2 Rcepteur coupl en triangle

tandis que pour un systme symtrique aliment en toile, on crit


par extension :

et

] 1

Toutes les matrices ainsi dfinies sont inversibles, de sorte que les
flux de donnes, correspondant aux diffrentes oprations matricielles envisages, sont bidirectionnels (figure 6).

Pour une impdance Z alimente par une simple source de


tension V , on a
V = Z I

Zh

0 Z d 0 [ I hdi ] .

(11)

0 0 Zi
La matrice [ Z ] est une matrice diagonale dont les coefficients
sont, dans lordre, les impdances homopolaire, directe et inverse
associes aux impdances propre et de couplage des trois phases
du rcepteur symtrique Z , Z et Z .
Les matrices de Fortescue et son inverse [relation (3) et (5)]
permettent alors le passage du systme des impdances symtriques aux impdances du rcepteur :

[ F 3] 1
[V123]

[Vhdi]
[F3]
[Z]

[Z] 1

[Z]

[Z] 1

[ F 3] 1
[Ihdi]

[I123]

Figure 6 Processus de diagonalisation


des matrices impdance et admittance
dun rcepteur symtrique aliment en toile

[F3]

D 3 050 8

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_________________________________________________________________________________________________________ TRANSFORMATEURS STATIQUES

0
1

[K ] =

1 1

1 0

1 1 0

[V123]

[V'123]

[I123]

[I'123]

[V123]

[U123]

[I123]

[J123]

0 1 1
1

[K ]t =

0 1

1 1
[

123

123

([K ] ou [K ]t )
Relations rigides inversibles

[Vhdi]

[F3] 1

[V123]

[F3]
[YR]

[Ihdi]

[YR]

[F3]

[Y ]

[I123]

J2

[Y]

[J123]

[F3]

[Jhdi]

Figure 8 Modlisation matricielle


dun rcepteur symtrique coupl en triangle,
aliment par un rseau triphas

Y
U2

V3

V1
I1

U1

J1
I2

Exemple : si lon alimente par un systme triphas de gnrateurs


de tension, trois admittances identiques indpendantes on obtient
(figure 9) :

J3

V2

[Z]

Utilisation

I3

[Z ]
[F3] 1

Alimentation

[Uhdi]

[F3]

([K ]t )
0

[F3] 1

[U123]

([K ])

[ F 3] 1

Figure 7 Relations dfinies par deux matrices


de conversion inversibles et non inversibles

Relations rigides non inversibles

U3

Ih = 0

I d = 3 Y Vd

I i = 3 Y Vi

Figure 9 Alimentation dsquilibre en tension


et courant dun rcepteur symtrique

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D 3 050 9

TRANSFORMATEURS STATIQUES

_________________________________________________________________________________________________________

Tableau 1 Structure toile-triangle : admittances et impdances, en amont et en aval, de la ligne de distribution


[ Z ] = [ F 3 ] [ Z ] [ F 3 ] 1

[ Z ] = [ F 3 ] 1 [ Z ] [ F 3 ]

[ Y ] = [ F 3 ] [ Y ] [ F 3 ] 1

[ Y ] = [ F 3 ] 1 [ Y ] [ F 3 ]
[ YR ] = [ K ]t [ Y ] [ K ]

Y Y

Y
[Y ] =

Y Y

Yh 0 0

[ Y ] =

Y Y Y

Z Z

Z
[Z ] =

Z Z

YR
Y R
Y R

1 1 1 Y
Yd = 1 a 2 a Y
1 a a 2 Y
Yi

0 Yi

Zh 0 0

[ Z ] =

Z Z Z

[ YR ] =

Yh

0 Yd 0

Zh

1 1 1 Z
Zd = 1 a 2 a Z
1 a a 2 Z
Zi

0 Zd 0
0 0 Zi

YR

Y R

Y R

Y R

YR

Y R

Y R

Y R

YR

Y Rh 0
[ Y R ] =

Y Rh

1 1 1 YR
Y Rd = 1 a 2 a Y R
1 a a 2 Y R
Y Ri

0 Y Rd 0
0

0 Y Ri

Y Rh

2 1 1 Y
= 1 2 1 Y
1 1 2 Y

0 0 0
Y Rd = 3 3 a 2 3 a
Y Ri
3 3 a 3 a2

1.4 Dtermination des composantes


symtriques

Y
Y

A'

1.4.1 Composantes directe et inverse


1

1.4.1.1 Mthode du triangle

'

Un triangle dfinit sans ambigut un, et un seul, systme triphas


[ 123 ] de grandeurs composes ; en revanche, le choix arbitraire

dun point du plan permet de dfinir une infinit de systmes [ Y 123 ]


3

de grandeurs simples ou toiles. Tous ces systmes ont en


commun leurs composantes directe et inverse :

j
Y d = ------- d
3

j
Y i = ------- i

(12)

3Y d = Y 1 + a Y 2 + a 2 Y 3
= Y 1 + 3Y + a Y 2 + a 2 Y 3 = 3Y 1 + 3Y

On trace le systme toil ayant comme origine le centre de


gravit G du triangle quilatral ABC de base BC ( BC = 1 ) .

soit :

Y d = Y 1 + Y = G

De la mme manire, on a :

On obtient alors :
3Y = AA

D 3 050 10

On a en effet :

On part du triangle ABC des grandeurs composes form partir


des grandeurs toiles (non reprsentes) (figure 10).

tandis que :

G'

Figure 10 Construction graphique des composantes directe


et inverse toiles Y d et Y i correspondant
un systme donn de grandeurs composes [ 123 ]

La mthode consiste donc choisir une origine du systme toil


qui fasse apparatre simplement les vecteurs reprsentant Y d et Y i
associs un triangle donn.

et :

3Y i = Y 1 + a 2 Y 2 + a Y 3
= Y 1 + 3Y + a 2 Y 2 + a Y 3 = Y 1 + 3Y + Y 3 + Y 2

Y i = Y = A
Y d = G

soit :

Y i = Y = A

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lments passifs intgrs


par

Matthieu NONGAILLARD
Docteur en microlectronique
Ingnieur R&D

1.
1.1
1.2
1.3
1.4

Problmatiques de lintgration ..........................................................


Contraintes technologiques ........................................................................
Co-intgration et technologies spcialises ..............................................
lment de fiabilit ......................................................................................
Variabilit et tapes critiques de ralisation ..............................................

2.
2.1
2.2
2.3

Rsistances ................................................................................................
Principales caractristiques et structures ..................................................
Procd de fabrication .................................................................................
Amliorations envisages ...........................................................................

4
4
5
6

3.
3.1
3.2
3.3
3.4

Inductances ................................................................................................
Principales caractristiques et structures ..................................................
Procd de fabrication .................................................................................
Amliorations envisages ...........................................................................
Utilisation particulire : transformateurs ...................................................

6
6
7
7
8

4.
4.1
4.2
4.3

Capacits ....................................................................................................
Principales caractristiques et structures ..................................................
Procd de fabrication .................................................................................
Amliorations dveloppes ........................................................................
4.3.1 Nouveaux dilectriques......................................................................
4.3.2 Nouvelles structures ...........................................................................

8
8
8
9
10
10

Pour en savoir plus ...........................................................................................

D 3 057 - 2

Doc. D 3 057

es composants passifs sont omniprsents en lectronique, que ce soit dans


les applications les plus simples ou les plus complexes. Comme les lments passifs sont des dispositifs volumineux si ils sont compars aux
dispositifs actifs comme des transistors, il est intressant de chercher les
intgrer au sein de puces. Cependant, lintgration des lments passifs est un
dfi au niveau du procd de fabrication, car chaque composant passif ainsi
ralis doit avoir des performances au moins quivalentes celle de son
homologue discret pour prsenter un intrt dun point de vue conomique.
Les problmatiques souleves par lintgration des composants passifs nont
pas toujours suscit les mmes intrts que pour les composants actifs, intgrs
notamment avec les technologies CMOS. En effet, le monde de la microlectronique est rythm depuis 40 ans par la loi de Moore, qui est vrifie depuis 1973 et
devrait encore ltre quelques annes avant de bloquer devant des effets physiques parasites. La majorit des efforts dintgration ont t focaliss sur les
composants actifs et plus particulirement sur les transistors. Depuis 2004, la tendance la miniaturisation souffre dun ralentissement caus par des difficults
techniques trs diverses : on peut citer par exemple, la dissipation thermique qui
empche une monte en frquence des composants en dpit de leur taille plus
faible. Les limitations physiques rencontres rendent de plus en plus difficile la
miniaturisation. Lindustrie du semi-conducteur ne peut pas compter diviser la
taille des transistors de gnration en gnration et doit par consquent trouver

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D 3 057 1

LMENTS PASSIFS INTGRS ________________________________________________________________________________________________________

un nouveau paradigme pour continuer de rduire les tailles et les cots. chaque
nud technologique (180 nm, 90 nm, 65 nm, 45 nm, 32 nm, 22 nm...), des limitations qui taient jusqualors ngligeables deviennent prpondrantes et la
moindre non-uniformit lors du procd de fabrication augmente de faon exponentielle la dispersion des caractristiques des composants.
Lintgration des lments passifs est donc moins avance que celle des lments actifs, mais les besoins de miniaturisation dans certains domaines
tendent rduire les diffrences.
Certains domaines dapplication ncessitent de plus en plus de composants
passifs de fortes valeurs, qui tireraient profit dun meilleur niveau dintgration. Cest le cas des applications radiofrquences avec les capacits de
dcouplage, ou encore des fonctions dalimentation des circuits.
Dans ce dossier, nous abordons les problmatiques lies lintgration avec
les diffrentes options technologiques et leurs influences sur les performances
lectriques. Laspect technologique dfinit les principales caractristiques et les
performances lectriques de ces lments intgrs. Ensuite, les principaux
composants passifs sont passs en revue, aussi bien dun point de vue
procd de fabrication, avec les matriaux couramment utiliss et la structure
des composants, que dun point de vue lectrique, avec les principales caractristiques et performances atteintes. Les lments passifs de base que sont les
rsistances, les inductances et les capacits sont donc dtaills.

1. Problmatiques
de lintgration
Lintgration des composants consiste regrouper sur une
mme puce, diffrents lments dun circuit, principalement afin
den rduire la taille [D 3 110] [E 3 365]. Les lments intgrs remplissent les mmes fonctions que leurs homologues discrets. La
plupart des systmes lectroniques classiques utilisent des
composants passifs dits CMS (Composant Mont en Surface) qui
occupent une surface importante des circuits imprims, ct des
puces actives [E 3 400]. Lintgration de tous ces composants passifs au sein dun mme botier permet un gain de surface.

7 mm

Exemple : la figure 1 est lillustration de la rduction de la superficie


dun circuit grce lintgration des lments passifs. Ce circuit est un
module de tlphone sans fil DECT (Digital Enhanced Cordless
Telephone ). Le module prsent gauche, utilise deux puces actives
et une centaine de composants passifs CMS qui sont tous intgrs
dans le botier de droite.

25 mm

Figure 1 Module de tlphone sans fil DECT (doc. NXP semiconductor)

Bien sr, le gain de surface dpend directement de lapplication,


cest--dire du nombre et du type de composants intgrer, mais
galement de la technologie utilise. La technologie fixe le degr
dintgration, cest--dire la densit des composants, mais aussi
certaines caractristiques et performances.

Une technologie peut se caractriser par diffrents aspects :


le procd de fabrication doit assurer les fonctionnalits des
composants, ainsi quun certain niveau de performances ;
le rendement de fabrication doit tre le plus lev possible pour
que lexploitation de cette technologie soit conomiquement rentable ;
les puces fabriques avec cette technologie doivent prsenter
un certain niveau de fiabilit (lectrique, thermique...).

1.1 Contraintes technologiques


En microlectronique, une technologie est dfinie par un procd de fabrication et par des rgles de dessin. Ces deux aspects
dune technologie sont complmentaires et indissociables.

Il existe diffrentes technologies permettant de fabriquer des lments passifs intgrs, qui prsentent chacune leurs spcificits.
Chaque technologie fixe les caractristiques physiques des diffrentes couches utilises pour raliser les composants intgrs. Par
consquent, la nature des matriaux et leurs caractristiques physiques, comme par exemple leur conductivit, ou leurs caractristiques
gomtriques comme lpaisseur des diffrentes couches sont fixes.

En effet, le manuel de rgles de dessin appel DRM (Design


Rules Manual ) donne les instructions sur ce quil est possible de
raliser avec une technologie, alors que le procd de fabrication
indique comment le raliser.

D 3 057 2

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________________________________________________________________________________________________________ LMENTS PASSIFS INTGRS

Exemple dun lment capacitif : la technologie dfinit les


niveaux utiliser pour le raliser ainsi que toutes les caractristiques
physiques de ces niveaux. Lpaisseur des mtallisations mais surtout celle du dilectrique les sparant, ont une influence directe sur
les caractristiques de la capacit comme sa valeur, sa tension dutilisation ou encore sa tension de claquage.

Prenons lexemple de deux technologies dintgration dlments passifs spcialises : la technologie IPAD (Integrated Passive and Active Device ) et la technologie PICS (Passive Integrated
Connecting Substrate ).
La technologie IPAD a t mise au point par ST Microelectronics
[1] pour correspondre aux besoins spcifiques des applications
radiofrquences, notamment au niveau des frquences dutilisation
des composants, ainsi quau niveau des tensions dutilisation. Cette
technologie permet dintgrer les principaux composants passifs,
tout en ayant la possibilit de pouvoir co-intgrer des lments actifs
comme les diodes de protections ESD (ElectroStatic Discharge).

En plus de satisfaire un niveau de performances rpondant au


cahier des charges de lapplication, les diffrents lments intgrs
doivent rpondre des contraintes de fiabilit.
La fiabilit des composants intgrs reprsente leurs aptitudes remplir leurs fonctions, dans des conditions dfinies et
pendant un temps minimal.

Les diodes sont des composants passifs, mais leur procd de


fabrication est vraiment trs proche de celui des lments actifs
si on le compare aux procds de technologies centrs sur les
lments passifs. Par consquent, la ralisation de diodes avec
un procd de fabrication spcialis dans les lments passifs,
revient avoir la possibilit de co-intgrer des lments passifs
et des lments actifs avec la mme technologie.

De manire gnrale, les critres des cahiers des charges


concernant la fiabilit sont de plus en plus exigeants, et demande
au minimum le mme niveau de fiabilit que pour la mme
fonction ralise avec des composants discrets. En effet, si lintgration dune application est destine rduire la place quelle
occupe, les spcifications concernant ses performances et son utilisation ne sont pas diffrentes.

La technologie PICS, dveloppe par IPDIA, est une technologie


ddie lintgration de dispositifs passifs [2] [3] et maximise la
densit dintgration des composants. Ainsi, des composants de
trs fortes valeurs peuvent tre intgrs au sein dune puce avec
cette technologie.

Exemple dune puce utilise dans le domaine de lautomobile :


le composant doit rester fonctionnel malgr les fortes variations de
temprature auxquelles peut tre soumis le vhicule (stationner pendant des heures en plein soleil ou linverse, une nuit en plein blizzard). Dans ce cas, il faut donc que les composants aient une tenue
en temprature suffisante pour rester fonctionnels malgr les carts
de temprature. Les caractristiques comme les tempratures dutilisation ou encore les tensions applicables sont dfinies par la technologie utilise pour la ralisation des composants intgrs.

Si le nombre de composants ncessitant des technologies diffrentes est important, le nombre de puces utilises sur le circuit
imprim peut augmenter et ainsi rduire le gain de place occasionn par lintgration de ces composants. Mais depuis quelques
annes, on assiste lmergence de concepts More than Moore
ou Beyond Moore. Ces concepts ouvrent des voies diffrentes de
la tendance la miniaturisation et vont permettre une perce dans
la rduction des tailles des composants. Ces concepts misent sur
le regroupement des composants dun circuit complexe lintrieur dune seule et mme puce. Les System-In-Package (SIP) sont
une partie de ces concepts [4] et permettent dempiler efficacement plusieurs puces issues de technologies diffrentes. Ces
puces sont interconnectes entre elles et remplissent les mmes
fonctions que le circuit imprim discret quivalent.

1.2 Co-intgration et technologies


spcialises
Une technologie permet de raliser une gamme de composants
avec un niveau de performance donn sur une mme puce de silicium. Cependant, tous les composants ne sont pas ralisables
avec toutes les technologies. Il est parfois impossible de raliser
sur une mme puce de silicium deux composants de diffrentes
natures avec les niveaux de performances demandes.

Exemple : la figure 2 prsente la coupe dun assemblage de trois


puces, communiquant entre elles grce des billes dtain (ou bump ).
Ces puces sont finalement moules dans un seul et mme botier.

La co-intgration, cest--dire la ralisation de diffrents types de


composant sur la mme puce implique dutiliser les mmes tapes
de fabrication, bien que les composants puissent tre de nature
diffrente. La co-intgration prsente lavantage de rduire la distance entre les composants, ainsi que le nombre de connexions
qui peuvent dgrader la qualit des signaux entre diffrentes
puces, en plus dun gain de place vident.

Les puces se trouvant dans un mme botier sont fabriques


sparment, ce qui permet de conserver les meilleures options
technologiques pour chacune des puces. Ainsi, les lments qui ne
peuvent pas tre fabriqus sur la mme puce cause de
problmes de co-intgration, peuvent quand mme se trouver
lintrieur du mme botier. Les avantages des System-In-Package
sont encore plus vidents sur des circuits de grande taille qui utilisent beaucoup de composants passifs. Le fort facteur dintgration de ces systmes est obtenu au prix dun assemblage plus
complexe qui influence les rendements, la fiabilit ainsi que la
qualit des signaux.

Tous les composants ne sont pas co-intgrables, et certains


ncessitent lutilisation de technologie particulire pour arriver aux
spcifications requises par lapplication.
Exemple : pour obtenir des tensions dutilisation trs leves, ou
encore une tenue en temprature importante, lutilisation dun procd de fabrication spcialis peut tre ncessaire. Dans ce cas, les
lments concerns sont raliss dans une autre puce inclure sur le
circuit imprim.
Les technologies CMOS sont optimises pour lintgration des
lments actifs, comme les transistors. Cependant, il est possible
de raliser des composants passifs avec ces technologies, mais les
performances obtenues ne peuvent satisfaire les cahiers des
charges plus exigeants.

Puce
passive
Puces
actives

linverse, les technologies centres sur les composants passifs


ne permettent pas de raliser des transistors rpondant aux exigences des applications (frquence dutilisation, courant de fuite, etc.).

Grille de
connexion

Figure 2 Coupe dun System-In-Package o deux puces actives


sont reportes sur une puce passive

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D 3 057 3

Transformateurs HF n enroulements
Schmas constantes localises
par

Jean-Pierre KERADEC
Enseignant-chercheur
Laboratoire dlectrotechnique de Grenoble (LEG / ENSIEG)

D 3 058

1.

laboration du circuit quivalent ........................................................

2.
2.1
2.2

Sparations simplificatrices .................................................................


Sparation de la partie lectrostatique ......................................................
Sparation des pertes statiques .................................................................

2
2
3

3.
3.1
3.2
3.3
3.4

Reprsentations traditionnelles du couplage magntique...........


Transformateur parfait ................................................................................
Transformateur deux enroulements .......................................................
Transformateur trois enroulements ........................................................
Circuits quivalents pour transformateurs n enroulements .................

3
3
4
4
5

4.
4.1
4.2
4.3
4.4
4.5
4.6

Reprsentation actuelle du couplage magntique .........................


Coupleurs......................................................................................................
Prsentation intuitive de la mthode dlaboration..................................
Justification matricielle ...............................................................................
laboration des circuits quivalents. Simplifications ...............................
Pratique de llaboration de circuits quivalents ......................................
Bilan relatif la reprsentation du couplage magntostatique ...............

5
6
6
8
9
11
14

5.
5.1
5.2
5.3
5.4

Reprsentation des pertes dynamiques du couplage magntique


Reprsentation large bande des pertes dynamiques ...............................
valuation des pertes : ponctuelle ou large bande ...................................
Reprsentation des pertes fer .....................................................................
Reprsentation des pertes par courants induits........................................

14
14
14
15
15

6.
6.1
6.2
6.3
6.4
6.5

Reprsentation du couplage lectrostatique ...................................


Objectif et ides directrices .........................................................................
Proprits gnrales de la matrice capacitance. Matrice de couplage ...
Premire reprsentation et premiers succs de lapproche globale .......
Prise en compte progressive du couplage capacitif .................................
Circuits capacits uniquement positives.................................................

16
16
17
17
20
21

7.

Conclusion..................................................................................................

22

Pour en savoir plus ...........................................................................................

Doc. D 3 058

e dossier, divis en deux parties, sintresse la reprsentation des transformateurs n enroulements par des circuits quivalents constantes
localises. Il vise principalement les composants transmettant de 1 W 10 kW
et fonctionnant entre 10 kHz et 10 MHz.
Les circuits labors dans cette premire partie sont exploitables par tous les
logiciels de simulation lectronique.
Dans un autre dossier, paratre ultrieurement, seront dcrites des
mthodes permettant didentifier tous les lments de ces circuits. Elles
sappuient, exclusivement, sur des mesures dimpdances ne ncessitant
aucun dmontage du composant.

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D 3 058 1

TRANSFORMATEURS HF N ENROULEMENTS ____________________________________________________________________________________________

1. laboration du circuit
quivalent

En revanche, le circuit quivalent constitue une prsentation


synthtique et prcise du comportement lectrique du composant au sein dun montage, bien utile dans de nombreuses
circonstances.

Les transformateurs sont prsents dans de trs nombreux domaines de llectricit et de llectronique. Ces composants passifs permettent dadapter, avec un fort rendement nergtique, les niveaux
de tensions et de courants aux besoins de lutilisation. Qui plus est,
ils procurent une isolation galvanique entre leur entre et leur sortie.

Afin dviter ou de limiter la construction de prototypes, on peut


envisager dtudier ce composant, soit en le simulant laide dun
logiciel lments finis, soit en ltudiant de faon analytique. Dans
les deux cas, il faut savoir comment conclure une telle tude. Pour
parvenir des conclusions pratiques, connatre un champ ou une
nergie ne suffit pas. En revanche, dduire les valeurs des lments
du circuit quivalent ouvre la possibilit dintroduire ce circuit dans
une simulation lectronique et de prvoir le comportement du composant dans les conditions o il sera utilis.

Ces deux proprits, jointes au fait quil peuvent temporairement stocker de lnergie, en font des composants cls de
llectronique de puissance.
Ce dossier vise essentiellement les transformateurs utiliss
dans les convertisseurs de llectronique de puissance. Toutefois,
la gnralit des approches adoptes est telle que ces tudes ont
dj t appliques avec succs des domaines trs loigns de
celui des convertisseurs, comme la rponse dun transformateur
de 1 MVA aux ondes de foudre, ou la rponse frquentielle dune
tte de lecture submillimtrique de disque dur.

On comprend ainsi que le circuit quivalent fournit linterface


par laquelle les tudes lectromagntiques communiquent efficacement avec la simulation lectronique. Plus prcisment, les diagrammes de Bode dimpdances (releves exprimentalement
dans ce dossier) peuvent tre dduits dtudes (informatiques ou
analytiques) lectromagntiques. Les mthodes didentification
exprimentale, prsentes dans un futur dossier ( paratre prochainement), nous apprennent alors comment en dduire les
valeurs des lments du circuit quivalent.

Contrairement aux autres composants, les transformateurs


ncessaires aux convertisseurs sont rarement des composants
standards disponibles sur catalogue. La plupart du temps, ils sont
raliss la demande, pour une application donne. Cest donc,
fait exceptionnel, au concepteur du circuit quil revient de spcifier
ce composant. Si on en juge par le nombre de leurs entres (4, 5,
6 enroulements ne sont pas rares), les transformateurs sont, sans
conteste, les plus compliqus des composants passifs.

2. Sparations simplificatrices

Nous allons apprendre ici dcrire le comportement lectrique


de ces composants, dans toutes les conditions rencontres en
lectronique de puissance.

2.1 Sparation de la partie lectrostatique


Les transformateurs utiliss en lectronique de puissance sont
souvent bobins autour de noyaux en ferrite et, dans les conditions normales dutilisation, ils sont exploits en de de la saturation. Ceci nous autorise accorder une large place aux modles
linaires. Cette hypothse simplificatrice tant adopte, il reste,
pour que les prvisions soient fiables lorsque les signaux sont
chargs en harmoniques, dvelopper des modles prcis dans
une large gamme de frquences, allant au moins jusqu dix fois la
frquence de travail du montage. Ceci nest pas simple lorsque les
composants comptent trois, quatre, cinq enroulements ou plus.

Pour maintenir la complexit un niveau raisonnable, nous


admettrons que ces composants se comportent de faon linaire. Cette
vision est souvent trs proche de la ralit pour les transformateurs HF
mais, reconnaissons-le, cest la principale limitation de notre approche.
Ceci admis, il faut avoir lesprit que, lorsquelle se manifeste,
la non linarit est, presque toujours, due au comportement du
noyau magntique. De ce fait, elle ne touche que certains lments du circuit quivalent, linductance magntisante, en particulier, et on conoit quun transformateur puisse se comporter de
faon linaire ou non linaire, suivant lutilisation qui en est faite.
La reprsentation linaire ne doit donc pas tre rejete en bloc.

Lorsquon observe le comportement dun transformateur en


rgime harmonique, on remarque que, jusqu des frquences
assez leves vis--vis de la frquence de travail, les effets capacitifs sont ngligeables. Ceci incite adopter, pour la reprsentation
des effets magntiques et lectrostatiques, des circuits indpendants connects en parallle. Cette dcomposition facilite beaucoup la recherche des circuits quivalents. Pour illustrer le
cheminement correspondant, observons la variation frquentielle
de limpdance dune simple inductance (figure 1).

Les transformateurs HF canalisent le flux magntique, soit dans


lair, soit dans du ferrite. Sauf quand linduction est proche de la saturation, la description linaire convient bien ces matriaux, alors
quelle est moins pertinente pour les matriaux ferromagntiques.

Ce dossier souhaite montrer comment slabore la topologie du


circuit quivalent dun transformateur n enroulements.

Le circuit quivalent cette inductance relle sobtient en associant des lments discrets (constantes localises). linductance
Ls il faut ajouter, non seulement une rsistance srie rs, pour
reprsenter la rsistance de son fil, mais aussi, si le fil est bobin
sur un noyau magntique, une rsistance de pertes parallles Rf,
pour rendre compte, sommairement, des pertes dues au circuit
magntique. Enfin, lorsque la frquence augmente, la tension qui
apparat entre spires proches est responsable dun courant capacitif de moins en moins ngligeable, lequel justifie le placement
dune capacit Cfil en parallle sur le reste du circuit.

Le circuit quivalent labor est un circuit constantes localises.


Contrairement lhypothse de linarit, cela ne rduit pas la gnralit
de lapproche. On sait en effet que, sous rserve dun morcellement
spatial suffisant, mme une ligne de transmission admet une reprsentation par constantes localises. La reprsentation par un circuit quivalent constantes localises prsente, en revanche, lavantage dtre
compatible avec lutilisation de tous les logiciel de simulation lectronique, en particulier temporelle, comme PSpice, Saber, Simplorer, ... [25].
Grce cette reprsentation, on peut tudier le comportement temporel du composant au sein dun convertisseur ou, plus gnralement, au
sein de nimporte quel montage lectronique.

On obtient alors le circuit quivalent 4 constantes de la


figure 2. La figure 1 permet de comparer la courbe mesure celle
relative au circuit propos. La superposition observe autorise
penser que ce modle traduit bien le comportement de ce composant en rgime quelconque, tant que le spectre des signaux impliqus ne stend pas au-del de 2 MHz.

Soulignons, au passage, que ceci est le seul objectif du circuit


quivalent. Ltude qui suit ne constitue pas, elle seule, une modlisation complte du composant. Elle ne permet pas de savoir comment il rayonne, quelles tempratures atteignent les enroulements,
ou comment se rpartit le courant entre les brins dun fil de Litz.

D 3 058 2

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105

Couplage
inductif + pertes

V1
104
103

V2

Couplage
capacitif

102

V3
10

Figure 3 Sparation couplage lectrostatique


1

r1

10 1
10

102

103

104

Mesure

105

106

V1

107

Couplage
inductif + pertes
dynamiques

r2
V2

Modle 4 constantes

Figure 1 Variation de limpdance (en ) dune inductance en fonction de la frquence (en Hz)

Couplage
capacitif

Cfil

V3
Figure 4 Sparation des pertes statiques

Rf
Ls

I1

I2

rs

V2

V1
Figure 2 Circuit quivalent dune inductance

Figure 5 Transformateur parfait (le rapport est, en gnral, gal au


rapport des nombres de spires N2 /N1)

Comme le montre la figure 3, cette approche peut tre tendue


des composants comportant plusieurs enroulements. Le circuit
quivalent complet se dcompose en deux parties connectes en
parallle : un circuit pour le couplage inductif, un autre pour le
couplage capacitif. En basse et moyenne frquence, seule la partie
magntique, qui inclut les pertes, est implique. En revanche, en
haute frquence, la partie capacitive est prpondrante.

En dfinitive, le comportement magntique des transformateurs


est masqu, en basse frquence, par des rsistances srie et, en
haute frquence, par des capacits parallle. Il faudra avoir ceci
lesprit lors de la caractrisation exprimentale. Comme le montre
la figure 1, le comportement inductif nest clairement visible que
dans une gamme borne de frquence. Hors de cette zone, lidentification exprimentale de la partie magntodynamique sera forcment moins prcise, mais aussi moins importante....

Voici la remarque dun spcialiste de haute puissance :


... des pertes lectrostatiques surviennent galement en raison
des imperfections des matriaux dilectriques. Elles ont un impact
important sur le comportement des transformateurs haute puissance (> 1 M VA) et sur ceux (LCT) qui exploitent des dilectriques
de qualit mdiocre...

3. Reprsentations
traditionnelles
du couplage magntique

Nous ngligerons cet effet jusqu une prochaine tude.


Le circuit de la figure 3 est celui dun transformateur deux
enroulements et il faut souligner que, si le systme magntique prsente deux entres, le systme lectrostatique en possde trois. En effet, en raison de la prsence des capacits, un
courant peut passer dun enroulement lautre...

3.1 Transformateur parfait


Depuis longtemps, les lectrotechniciens ont compris que, pour
traduire lisolation galvanique apporte par un composant passif, il
leur fallait un composant spcial : ils ont introduit le transformateur parfait ([26] et [27]).

2.2 Sparation des pertes statiques

Les tensions entrant et sortant de cet lment (figure 5) sont dans un


rapport , identique celui des courants sortant et entrant (1). Ce rapport, appel rapport de transformation , est trs souvent identifi
un rapport de nombres de spires, il est rel et indpendant de la frquence. Le sens des flches associes aux signaux est ici purement
conventionnel : il indique le sens dans lequel les tensions et courants
sont compts positivement. Pour , la flche indique la direction dans
laquelle la tension est multiplie par selon (1). Le signe de , qui peut
tre ngatif aussi bien que positif, est dfinit par (1), sous rserve que
les flches des courants et des tensions soient diriges vers les points
du transformateur parfait. Le signe de est chang par le dplacement
dun des deux points et le renversement de sa flche inverse sa valeur.

Pour le moment, nous avons localis toutes les pertes dans la


partie couplage inductif . Ces pertes incluent les pertes fer et les
pertes cuivre (pertes Joule et pertes dues aux courants induits).

Les pertes Joule se reprsentent dune faon triviale, en plaant

une rsistance de valeur fixe en srie avec chaque enroulement (r1


et r2 sur la figure 4). Ces pertes sont les seules qui subsistent frquence nulle : ce sont des pertes statiques.

Le reste du circuit associ la partie magntique reprsente le couplage magntique et les pertes dynamiques. Notons que les pertes de
cette partie sont toujours positives puisque, on le sait, les pertes
cuivre sont minimales lorsque le courant se rpartit uniformment, comme en continu, sur la section de chacun des conducteurs.

V2 = V1

et

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I1 + I2 = 0

(1)

D 3 058 3

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3.2 Transformateur deux enroulements


I1 L11(1 xk)

3.2.1 Modle en T
Le couplage magntique dun transformateur deux enroulements se caractrise par la relation matricielle (2).

V1

Rappelons que la matrice inductance est toujours relle et


symtrique. Le coefficient de couplage k, dfini par (3) et de
valeur absolue infrieure 1, caractrise lintensit du couplage.
V1
L11 L12 I1
V = j L

2
12 L22 I2
k =

L12
L11L22

(2)
(3)

Lcc
L0

I2
V2

Les hypothses de ce genre, solides en basse frquence,


deviennent alatoires en haute frquence, lorsque les courants induits rendent les conducteurs impermables au flux
magntique. Nous viterons donc les spculations de ce
type.

vent tre dduits de trois mesures. Deux sobtiennent


directement : L11 est gal linductance vide vue du primaire (L0)
et L22 est gal celle vue du secondaire (L0 ) . Le troisime lment, linductance mutuelle L12, est trs li au couplage du transformateur. Pour lvaluer, on compare les inductances vues dun
mme enroulement lorsque lautre est vide (L0), ou en court-circuit (Lcc). Lexpression (4), qui dcoule directement de (2), jointe
la dfinition (3), indique comment mesurer k en pratique (5).
En revenant (3), la connaissance de L0, L0 et k mne celle de
L12. Nous pouvons donc caractriser ce couplage magntique par
trois mesures dinductances :

k = 1

L22
L11

Ceci met en lumire le fait que, localiser les fuites sur un enroulement plutt quun autre, est en gnral arbitraire, surtout en
labsence de circuit magntique. La seule ralit, cest que les fuites prennent place entre les deux enroulements. Pour justifier leur
rpartition, on met souvent en avant une hypothtique carte de
champ, difficile conforter par une mesure.

Les trois lments indpendants de la matrice inductance peu-

2
L12
L22

L11xk

1
x

Figure 6 Circuit quivalent dun transformateur deux enroulements

Daprs [29], certains prfrent utiliser le coefficient de dispersion


qui lui est li :
= 1 k2

Lcc = L11

L11x (x k)

Si x est choisi en dehors de lintervalle [k ; 1/k], ce qui peut


arriver si est pris gal au rapport des nombres de spires, une
des inductances de fuites est ngative. Ceci nest pas choquant,
car seules les inductances directement mesurables sont conformes la dfinition physique habituelle et sont astreintes tre
positives. Les inductances de fuites, qui ne peuvent pas tre
mesures individuellement, peuvent tre ngatives (voir [29]).
Nous y reviendrons.
En pratique, accder aux nombres de spires peut ncessiter un
dmontage, voire savrer impossible (surmoulage). loppos,
tel quil est dfini ici, le rapport de transformation (6) est toujours
accessible la mesure. Il sobtient en partant des inductances,
directement mesurables, L11 et L22, et en se fixant le paramtre
arbitraire x.

(4)

(5)

Pour un transformateur deux enroulements, il est toujours


possible de placer les flches de tensions et les points, de faon
ce que L12 et k soient positifs. Ceci lve lindtermination de signe
dcoulant de lutilisation de (5).

Pour la simplicit, nous donnons toujours x une des trois


valeurs voques ci-dessus. Cela conduit, soit ne placer quune
inductance de fuite, soit en introduire deux identiques.

Le circuit quivalent (figure 6), couramment utilis pour reprsenter


un transformateur deux enroulements, est parfois nomm : modle
en T . Il inclut un transformateur parfait et trois inductances :
une inductance magntisante ;
une inductance de fuite primaire ;
une inductance de fuite secondaire [29].

En se rappelant que les inductances de bobines, portes par


la mme colonne de circuit magntique sont proportionnelles
aux carrs de leurs nombres de spires, on comprend que,
lorsque x = 1, le rapport donn par (6) est trs proche du rapport des nombres de spires.
Pour un transformateur fortement coupl, cette affirmation
reste vraie, mme pour les deux autres valeurs de x.

Les valeurs des lments de ce circuit commun sont donnes


sur la figure 6 [1].
Les lments de ce circuit sont exprims en fonction des deux
inductances vide L0 = L11 et L0 = L22 du transformateur, du coefficient de couplage k et dun paramtre x, choisi arbitrairement
conformment (6). Ce dernier a t introduit car ce circuit quivalent comporte quatre grandeurs ajustables, alors que la matrice
inductance (2) ne compte que trois lments indpendants.

12 =

1
x

L22
L11

3.3 Transformateur trois enroulements


3.3.1 Modle en T
Pour reprsenter le couplage magntique dun transformateur
trois enroulements, le circuit de la figure 7 est communment utilis ([2] et [28]). Cest une extension du modle en T prsent pour
deux enroulements. Comme lui, il inclut une inductance magntisante et une inductance de fuite pour chaque enroulement. De
faon globale, il est dcrit par quatre inductances et deux rapports
de transformation, soit six paramtres, ce qui correspond au nombre dlments indpendants de la matrice inductance (7) qui est
toujours symtrique (Lij = Lji). Il nest donc plus justifi dintroduire
un paramtre arbitrairement ajustable et les valeurs des lments
du circuit (8) sexpriment exclusivement en fonction des lments
de la matrice inductance.

(6)

3.2.2 Localisation des fuites


Bien que cette reprsentation soit strictement quivalente la
relation (2) indpendamment de la valeur de x, on remarque que
les inductances de fuite du transformateur dpendent fortement de
ce paramtre (voir [29]). Suivant quil est pris gal k, 1 ou 1/k, les
fuites semblent respectivement localises sur lenroulement primaire, partages quitablement entre les deux enroulements, ou
totalement attribues au secondaire du transformateur.

D 3 058 4

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I1
V1

*1

*2

12
m

L2

I1

I2

L6

V2

13

I2

L4

V2

L3

L1

V1

*3

12

13

I3

I3
L5

V3

V3
Figure 8 Modle aux admittances dun transformateur
trois enroulements
1 : n2

Figure 7 Circuit quivalent habituel dun transformateur


trois enroulements

*1

L L
= L11 12 13
L23

m =

L12L13
L23

*2

= L22

12 =

L L
12 23
L13

L23
L13

L L
= L33 13 23
L12

L23

13 =

L12

Comme pour le transformateur deux enroulements, certaines


inductances de ce circuit peuvent tre ngatives. Cela ne constitue
plus un rel problme car, depuis quelques annes, les logiciels de
simulation acceptent lintroduction de valeurs ngatives pour les
inductances et capacits. Le recours des astuces de contournement de cette rgle limitative nest donc plus dactualit.
L11 L12 L13
[L ] = L12 L22 L23
L13 L23 L33

I2

L12

I1

v2

L13
v1

L11

L23

W2

L24

W1
I4

L14

n4 : 1

L34

1 : n3 I3

(7)

+
v4

v3

(8)

W4

W3

*3

Figure 9 Circuit cantilever tendu pour un transformateur


quatre enroulements

Il ne reste plus, dans un second temps, qu dessiner un circuit


inductif n + 1 bornes (incluant la rfrence), aussi gnral que
possible, pour relier les bornes de la partie non isole. Cela peut se
faire en reliant toutes les paires de bornes par une inductance.

3.3.2 Insuffisance de la notion dinductance


de fuites
Nous avons vu que, pour deux enroulements, les fuites pouvaient arbitrairement tre rparties entre primaire et secondaire, ce
qui va lencontre des habitudes. Pour trois enroulements, le
modle en T introduit une inductance de fuite par enroulement
mais, si lune delles est ngative, aucun paramtre ajustable ne
nous permettra dy remdier.

lvidence, le courant pntrant dans chaque entre dun tel circuit est une combinaison linaire des tensions appliques toutes
les entres, ce qui se justifie partir des relations aux admittances.
Ce circuit comporte n(n + 1)/2 inductances ajustables (dont certaines
peuvent tre ngatives), ce qui correspond au nombre dlments
indpendants de la matrice. Toutefois, pour recenser les paramtres
ajustables, il faut ajouter ce nombre les n 1 rapports de transformations, sauf si ceux-ci sont tous choisis gaux 1.

En fait, les modles en T, qui comportent une inductance magntisante et une inductance de fuite en srie avec chaque enroulement,
sont simples, mais trompeusement intuitifs. Bass sur une notion
imprcise (linductance de fuite) ([29]), ils ne sont pas utilisables audel de trois enroulements sauf, parfois, en tant quapproximation.

3.4.2 Modle cantilever tendu

Pour un transformateur quatre enroulements, par exemple, le


modle en T inclurait :
3 transformateurs parfaits ;
1 inductance magntisante ;
4 inductances de fuites.
Il serait donc caractris par 8 paramtres ajustables, alors que sa
matrice inductance possde 10 lments indpendants...

Ce modle (figure 9 [4]) est une variante de lapproche prcdente et il est aussi gnral.
De nombreux autres auteurs ont abord la reprsentation du
couplage magntique. Pour une bibliographie complte, on se
reportera avec intrt [5].

4. Reprsentation actuelle
du couplage magntique

3.4 Circuits quivalents pour


transformateurs n enroulements
3.4.1 Circuits dcoulant de la matrice admittance

Depuis 1988, notre quipe travaille llaboration de circuits


quivalents aptes reprsenter le couplage magntique dun nombre quelconque denroulements. Afin dobtenir des rsultats aussi
gnraux que possible, nous avons bas notre approche sur lquivalence nergtique. Nous reviendrons souvent sur cet aspect.

Plusieurs auteurs ont propos des circuits pour reprsenter les couplages de 4 enroulements ou plus. Une premire catgorie de modles se dduit de la matrice impdance [3]. Dans un premier temps, on
assure lisolation galvanique en intercalant un transformateur parfait
sur n 1 entres du composant (figure 8) et on relie les rfrences des
primaires de ces transformateurs parfaits celle de lentre non isole.

Certains rsultats, prsents ici, proviennent de travaux


antrieurs [3], [6], [7], [8], dautres sont trs rcents [9], [10].

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D 3 058 5

Transformateurs HF a` n enroulements
Identification experimentale
par

Jean-Pierre KERADEC
Professeur a` lUniversite Joseph Fourier de Grenoble
Chercheur au Laboratoire de genie electrique de Grenoble (G2 Elab/UMR 5269 INPG UJFCNRS)

1.
1.1
1.2

Mesures a` entreprendre.................................................................
Caracterisation dun syste`me lineaire passif a` entrees multiples ....
Interet des mesures a` vide et en court-circuit ...................................

2.
2.1
2.2
2.3

Choix du materiel et precautions experimentales ...................


Choix des appareils et des techniques mises en uvre ...................
Compensation de court-circuit et impedance du court-circuit .........
Interet des mesures redondantes. Indice de confiance ....................

4
4
5
8

3.
3.1
3.2
3.3

Identification experimentale de la partie inductive ................


Circuit equivalent avec pertes............................................................
Transformateur a` deux enroulements ...............................................
Transformateur a` trois enroulements ................................................

10
10
11
15

4.
4.1
4.2
4.3

Identification experimentale de la partie capacitive ..............


Circuits equivalents sans et avec coupleurs .....................................
Choix des mesures et indetermination..............................................
Chronologie des mesures electrostatiques .......................................

17
17
18
19

5.
5.1
5.2
5.3
5.4

Identification comple`te dun transformateur planar


a` 3 enroulements ............................................................................
Presentation. Mesures preliminaires. Strategie dacquisition ..........
Correction de lerreur de court-circuit secondaire ............................
Identification et modelisation du couplage magnetique ..................
Identification et modelisation du couplage electrostatique .............

19
19
20
22
25

6.

Conclusion........................................................................................

28

Pour en savoir plus..................................................................................

D 3 059 3

Doc. D 3 059

e dossier est la suite du dossier [D 3 058]. Tous deux visent, principalement, les transformateurs a` n enroulements transmettant de 1 W a` 10 kW
et fonctionnant entre 10 kHz et 10 MHz. Le dossier [D 3 058] presente des circuits
equivalents a` constantes localisees, exploitables par les logiciels de simulation
electronique, qui traduisent le comportement electrique de ces composants.
Dans le present dossier [D 3 059], des methodes permettant didentifier tous
les elements de ces circuits sont decrites. Elles sappuient exclusivement sur
des mesures dimpedances ne necessitant aucun demontage du composant.
Les transformateurs sont presents dans de tre`s nombreux domaines de lelectricite et de lelectronique. Ces composants passifs permettent dadapter, avec
un fort rendement energetique, les niveaux de tension et de courants aux
besoins de lutilisation et, qui plus est, ils procurent une isolation galvanique
entre leur entree et leur sortie. Ces deux proprietes, jointes au fait quil peuvent
temporairement stocker de lenergie, en font des composants cles de lelectronique de puissance. Dans le dossier [D 3 058], nous avons appris a` decrire le
comportement electrique de ces composants, dans toutes les conditions rencontrees en electronique, par des circuits equivalents a` constantes localisees.
Bien que ces circuits concernent essentiellement les transformateurs utilises
dans les convertisseurs de lelectronique de puissance, la generalite des

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D 3 059 1

TRANSFORMATEURS HF A` N ENROULEMENTS

approches adoptees est telle quils ont deja` ete appliques avec succe`s a` des
domaines tre`s eloignes de celui des convertisseurs comme la reponse dun
transformateur de 1 MVA aux ondes de foudre ou la reponse frequentielle
dune tete de lecture submillimetrique de disque dur.
La representation obtenue ne constitue pas une modelisation comple`te du
composant. Elle permet ni de savoir comment il rayonne, ni quelle temperature
atteignent les enroulements ni comment se repartit le courant entre les brins
dun fil de Litz. En revanche, ce circuit constitue une representation synthetique
et precise du comportement electrique du composant au sein dun montage,
bien utile dans de nombreuses circonstances. Il presente notamment lavantage
detre compatible avec lutilisation de tous les logiciels de simulation electronique comme PSpice, Simplorer, Portunus,, (cf. [Doc. D 3 059]). Avec lui, on
peut etudier le comportement temporel du composant au sein de nimporte
quel montage electronique.
Dans ce dossier, nous allons montrer comment on identifie les elements de
ces circuits equivalents, en partant de mesures dimpedances relevees sans
demonter le composant. Tous les aspects pratiques de cette identification sont
abordes : quels parame`tres mesurer, quel materiel de mesure choisir, comment
sassurer de la qualite des mesures, quelle precision esperer dans le meilleur
des cas. Toutes ces questions sont abordees. Pour illustrer la demarche, deux
transformateurs sont identifies. Un transformateur a` deux enroulements, presentant des impedances faciles a` mesurer, illustre lidentification de la partie
magnetique. Cet exemple montre aussi comment on peut tenir compte de la
variation frequentielle dune inductance.
Pour conclure ce dossier, nous procedons a` lidentification comple`te (incluant
celle du couplage capacitif) dun transformateur a` trois enroulements, dont les
impedances sont difficiles a` mesurer. Cette etude met laccent sur les limites
experimentales, sur les precautions permettant de les repousser aussi loin que
possible et sur la precision obtenue. Une tre`s bonne precision est obtenue, du
continu jusqua` 30 MHz, avec un circuit defini par seulement 29 parame`tres.
Toutefois, lorsque lexigence de precision est moins pressante ou que le
domaine frequenciel a` couvrir est moins large, lidentification presentee peutetre arretee avant la fin. Le circuit obtenu se caracterise alors par moins de
parame`tres.
Afin deviter ou de limiter la construction de prototypes, on peut envisager
detudier un transformateur en le simulant a` laide dun logiciel a` elements
finis ou en resolvant des equations de facon analytique. Dans les deux cas, il
faut savoir comment conclure une telle etude. Pour parvenir a` des conclusions
pratiques, connatre un champ ou une energie ne suffit pas. En revanche,
deduire de ces etudes les valeurs des elements du circuit equivalent ouvre la
possibilite dexploiter ce circuit dans une simulation electronique pour prevoir
le comportement du composant dans les conditions ou` il est utilise. Le circuit
equivalent apparat ainsi comme le maillon irremplacable par lequel les etudes
electromagnetiques communiquent efficacement avec la simulation electronique. Plus precisement, les diagrammes de Bode dimpedances (que nous
relevons experimentalement dans ce dossier) peuvent etre deduits detudes
(informatiques ou analytiques) delectromagnetisme. Les methodes didentification experimentale exposees ici, qui sappuient sur ces diagrammes, peuvent
etre utilisees pour conclure les calculs delectromagnetisme par les valeurs
des elements du circuit equivalent.

D 3 059 2

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1. Mesures a` entreprendre

TRANSFORMATEURS HF A` N ENROULEMENTS

et electriques stockees dans de tels circuits ne peuvent, en aucun


cas, etre negatives. Cela evite que des constantes de temps negatives apparaissent furtivement lors de la simulation temporelle et la
fassent diverger.

1.1 Caracterisation dun syste`me lineaire


passif a` entrees multiples

Nous voulons aussi que le composant puisse etre entie`rement


identifie de facon experimentale sans le demonter et sans recourir
a` des donnees physiques ou geometriques. Nous allons donc
apprendre a` exploiter des mesures, acquises en regime harmonique,
pour en deduire, aussi precisement que possible, les valeurs des
composants du circuit equivalent. Ces mesures necessitent, exclusivement, laccessibilite des bornes exterieures du composant.
A` terme, cest certain, la caracterisation experimentale sera evitee aussi souvent que possible : des calculs analytiques ou des
simulations electromagnetiques conduiront de la description physique du composant a` son comportement harmonique. Restera
alors a` extraire de ces resultats un circuit equivalent apte a` etre
exploite par un logiciel de simulation electronique, ce qui etend la
portee des methodes exposees dans ce dossier.

1.1.1 Linearite des transformateurs,


matrice impedance et circuit equivalent
Les non-linearites des transformateurs sont, pour lessentiel,
imputables a` leur circuit magnetique. Contrairement a` leurs homologues BF dont le circuit magnetique exploite des materiaux ferromagnetiques, les transformateurs HF font appel a` des ferrites ou ils
fonctionnent sans circuit magnetique. De ce fait, leur comportement
est quasiment lineaire tant que le materiau magnetique nest pas
trop proche de la saturation. En omettant de tre`s rares exceptions,
on peut affirmer que, durant le fonctionnement normal des circuits,
ces transformateurs ont un comportement lineaire. Le fonctionnement normal exclut egalement les situations ou` un dielectrique, proche du claquage, se comporterait de facon non lineaire.

1.1.2 Caracterisation harmonique :


type de parame`tres a` mesurer en HF

Aussi longtemps quil se comporte lineairement, un transformateur a` n enroulements apparat comme un circuit electrique lineaire
a` 2n 1 entrees. Il se caracterise donc, en regime harmonique, par
sa matrice impedance (1). Le circuit etant passif, la matrice est
symetrique ; elle posse`de n (2n 1) elements independants qui
varient suivant la frequence.
3 2 3
3 2Z
2
Z 1n
11 Z 12
I1
V1
6 I2 7
6 V2 7 6
... 7
7
Z
Z
6
7 6
6
21
22
76 . 7
avec Z ij = Z ji
(1)
6 .. 7 = 6
7 4 . 7
..
4 . 5 6
. 5
5
4 ...
.
In
Vn
Z n1
Z nn

On peut caracteriser le comportement dun circuit lineaire passif


a` n entrees, en regime harmonique, en relevant differents lots de
rapports de tension ou de courants (impedances, mutuelles impedances, gains en tension, transadmittances). Nous pensons
cependant que, pour atteindre plusieurs MHz ou dizaines de MHz,
il est preferable de nexploiter que des mesures dimpedances. En
effet, inserer plusieurs appareils electroniques qui flottent lun par
rapport a` lautre dans un meme circuit cause toujours des perturbations et, qui plus est, des impedances parasites (capacites en particulier) offrent aux courants la possibilite de circuler entre les appareils. De`s quun appareil electronique est place entre deux bornes
distinctes de celles alimentees (par un autre appareil electronique),
lintroduction involontaire de ces impedances mal connues provoque des erreurs tre`s difficiles a` evaluer et a` corriger. Les mesures
dimpedances ne souffrent pas de ce handicap car tous les appareils utiles sont connectes au meme couple de bornes. En outre,
bien mises en uvre, les corrections (en court-circuit, a` vide,)
prevues pour corriger les effets des connections sur les mesures
dimpedances save`rent tre`s efficaces.

La connaissance du comportement harmonique, sur une large


plage de frequences, permet de prevoir le comportement dun circuit lineaire soumis a` des formes dondes quelconques. Pour fixer
les idees, lexperience montre que la prevision precise du comportement en onde carree requiert la connaissance de la matrice jusqua` au moins 10 fois la frequence du carre. Ainsi, si un transformateur doit etre inclus dans un convertisseur fonctionnant a` quelques
centaines de kHz, il faut connatre son comportement harmonique
jusqua` quelques MHz au moins. Dautres considerations, telles que
la conformite avec les normes de compatibilite electromagnetique
CEM, exigent parfois delever cette limite frequentielle.

1.2 Interet des mesures a` vide


et en court-circuit

Pour resumer, on pourrait dire que lobjectif de lutilisateur du


transformateur consiste a` connatre la matrice impedance de son
composant du continu jusqua`, au minimum, quelques MHz.

1.2.1 Impedances a` connatre precisement


En electronique de commutation, les transformateurs sont periodiquement connectes a` des charges tre`s differentes et chaque
enroulement fonctionne successivement presque a` vide (Zcharge = )
ou presque en court-circuit (Zcharge = 0). Il faut donc que les mode`les mis en uvre soient precis, y compris dans ces conditions
extremes. Cest pourquoi caracteriser un transformateur en
sappuyant sur des mesures directes dimpedances a` vide et en
court-circuit semble tout indique.

Cependant, decrire un transformateur a` n enroulements de cette


facon en vue detudier un convertisseur a` laide dun logiciel de
simulation electronique, necessiterait dintroduire n (2n 1) fonctions complexes de la frequence, ce qui serait lourd et difficile a`
exploiter lors des simulations temporelles. Notre but est en effet
de mener des simulations temporelles precises sur tout montage
electronique incluant un transformateur.

1.2.2 Lien entre les 4 impedances extremes


dun quadripole

Pour alleger la description et simplifier le traitement temporel,


nous exploitons les circuits equivalents a` constantes localisees
elabores au cours de la premie`re partie de cette etude (dossier [D 3 058]). De`s que les valeurs de leurs elements sont correctement choisies, le comportement de ces circuits en regime
harmonique, sur toute la plage frequentielle visee, est tre`s proche de celui decrit par la matrice impedance et la description
du composant se resume alors par un petit nombre de parame`tres : les valeurs des elements du circuit.

Les impedances mesurables a` vide et en court-circuit, ne sont


pas toutes independantes. Pour un quadripole passif (figure 1),
ces impedances sont liees par la relation (2).
Z 0 Z cc = Z 0 Z cc
avec

Afin de garantir la conformite aux lois physiques fondamentales,


nous ferons appel aux representations qui nincluent que des
inductances et des capacites positives. Les energies magnetiques

impedance a` vide vue de 1,

Zcc

impedance vue de 1, 2 etant court-circuite,

Z 0

impedance a` vide vue de 2,

Z cc

impedance vue de 2, 1 etant court-circuite.

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(2)

Z0

D 3 059 3

TRANSFORMATEURS HF A` N ENROULEMENTS

I1
V1

I2
Quadriple
passif

V2

le passif
Figure 1 Quadripo

Dans un circuit lineaire passif a` n entrees, cette relation est applicable a` tout quadripole defini par le choix dun couple quelconque
dentrees. Connaissant ces liens, on peut sefforcer de minimiser le
nombre de mesures a` effectuer pour abreger lidentification. On
peut aussi exploiter la redondance pour evaluer la coherence et,
finalement, la fiabilite des mesures. Nous illustrons cette possibilite
plus loin.

Figure 2 Analyseur Agilent 4294A

2. Choix du materiel et
precautions experimentales
2.1 Choix des appareils et des techniques
mises en uvre
2.1.1 Ordres de grandeurs des impedances
et des frequences
En basse frequence, les impedances a` mesurer sechelonnent
couramment entre quelques dizaines de mW (impedance dun
enroulement lorsque les autres sont en court-circuit) et quelques
dizaines de MW (isolation entre enroulements). Ces deux valeurs
extremes se rapprochent lorsque la frequence sele`ve car, en pratique, une impedance elevee est toujours shuntee par une capacite
parasite et linfluence dune inductance serie, meme faible, ne peut
pas etre negligee devant une petite resistance.

Figure 3 Micro-ohmme`tre AOIP

H
I1

Le spectre des signaux qui traversent les transformateurs des


convertisseurs de lelectronique de puissance setend du continu
jusqua` plusieurs MHz. Nos appareils de mesure doivent donc, au
minimum, couvrir ce domaine. Soulignons que, pour identifier les
parame`tres du circuit, il est indispensable que les impedances
soient mesurees sur toute letendue frequentielle afin de sassurer
que les grandeurs supposees constantes (valeurs des inductances,
capacites,) ne varient pas avec la frequence. Au-dela` du megahertz, il est rare que lhypothe`se dinvariance soit acceptable si
bien que la valeur a` 100 MHz dune capacite ou dune inductance
ne permet pas den deduire celle a` 5 MHz. Cest pourquoi, pour
mesurer une faible capacite (disons 10 pF) ou une faible inductance
(100 nH), choisir une frequence ou` son impedance est proche de
50 W ne convient pas. On est donc souvent contraint de mesurer
des impedances tre`s fortes ou tre`s faibles.

Osc

Zx

V1

I2

V2

Figure 4 Mesure dimpedance par methode du pont autocalibre

2.1.3 Pont autoequilibre. Mesure 4 fils


Des methodes sophistiquees ont ete mises au point pour mesurer des impedances avec precision. Elles presentent toutes des
avantages et des inconvenients [1], [2]. Le choix entre ces differentes techniques se fait en fonction de la gamme de frequences, de
lordre de grandeur des impedances a` mesurer, de la precision
desiree et, aussi, de la simplicite de mise en uvre. Cependant, il
nest pas inutile dinsister sur le fait que, quelle que soit la methode
choisie, des precautions dutilisation appropriees sont requises
pour obtenir des resultats precis.
En definitive, nous utilisons deux appareils de mesure :
un analyseur dimpedance Agilent 4294A (figure 2) ;
et un micro-ohmme`tre AOIP OM10 (figure 3).

2.1.2 Choix dun type dappareil de mesure


Finalement, pour mesurer, entre le continu et 10 MHz ou plus,
des impedances comprises entre des limites tre`s differentes, un
appareil simpose : lanalyseur dimpedances.
En definitive, notre identification des elements du circuit equivalent sappuie sur des mesures large bande dimpedances complexes relevees lorsque les autres entrees du composant sont a`
vide ou en court-circuit. Ces mesures sont realisees a` laide dun
analyseur dimpedances couvrant un large domaine frequentiel. Le
principe de fonctionnement de lanalyseur que nous avons utilise
est presente ci-apre`s ( 2.1.3). Nous dirons egalement quelques
mots dun micro-ohmme`tre qui nous permet daffiner, si necessaire, les mesures des resistances denroulements en continu lorsquelles sont tre`s faibles (< 10 mW).

D 3 059 4

Les methodes mises en uvre par ces deux appareils, a` savoir la


methode du pont autoequilibre et la methode 4 fils, sont brie`vement exposees ci-apre`s.
& Methode du pont autoequilibre
Le schema de principe du pont auto equilibre est presente sur la
figure 4.

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TRANSFORMATEURS HF A` N ENROULEMENTS

Dtection du rapport vectoriel


Amplificateur
adaptateur dimpdance

Source de signal

Mlangeur
Amplificateur

Hp
DUT

Rsistance Hc
interne

Lp

Oscilloscope
0/90

ATT

Rsistance
talon

Lc

Dtecteur
de zro
Dtecteur
de phase

Modulateur
Device Under Test (composant test)

ATT

Attnuateur

CAN

convertisseur analogique numrique

Pont auto-quilibr

CAN

Signal
Amplificateur local
adaptateur
dimpdance

Intgrateur

DUT

Amplificateur

Amplificateur
de puissance

Noms des 4 bornes


Hc Hcur

courant : point haut

Hp Hpot

tension : point haut

Lp

Lpot

courant : point bas

Lc

Lcur

tension : point bas

Figure 5 Schema analogique de fonctionnement du 4294A

Le courant I1 traversant le composant a` mesurer Zx est oppose au


courant I2 traversant la resistance R. Lamplificateur maintient le
potentiel du point L proche de zero volt, creant ainsi une
masse virtuelle. A` lequilibre, la relation (3) est respectee :
V1 V2
=0
Zx
R

Zfil 1
I

(3)

En pratique, les composants exploites par cet appareil diffe`rent


suivant la gamme des frequences couvertes. Pour des frequences
inferieures a` la centaine de kHz, lamplificateur A (figure 4) est un
simple amplificateur operationnel. Pour monter plus haut en frequences, un amplificateur dedie, ayant un tre`s grand produit gain
bande, doit etre utilise.

Zmes

Zfil 2

Figure 6 Mesure dimpedance 4 points

Notre micro-ohmme`tre AOIP OM10 fonctionne en continu en


sappuyant sur ce principe. Cet appareil save`re tre`s utile pour mesurer les resistances des enroulements en continu. Il permet de realiser des mesures de 10 mW a` 50 kW.

Cette methode de mesure est mise en uvre par lanalyseur


dimpedance Agilent 4294A que nous employons. Dans une
gamme de frequence allant de 40 Hz a` 110 MHz, cet appareil
(figure 2) fournit le trace dimpedances variant de 3 mW a` 500 MW
en BF, ces limites se rapprochant lorsque la frequence augmente.
Son schema de principe est visible sur la figure 5. La manie`re dont
est realise lautoequilibrage est conforme a` celle presentee par le diagramme fonctionnel de la figure 4. Des modulateurs suivis de filtres
permettent de connatre les deux composantes (en phase et en quadrature avec le courant) de la tension V1 aux bornes de Zx, lorigine
des phases etant fixee par la tension V2 aux bornes de R. Cette architecture donne acce`s, a` chaque frequence, aux deux parties (reelle et
complexe) de limpedance. Un microprocesseur interne se charge
ensuite de calculer le module et largument, voire meme de presenter limpedance, a` chaque frequence, comme lassociation dun element reactif (inductance ou capacite) avec une resistance.

2.2 Compensation de court-circuit


et impedance du court-circuit
2.2.1 Principe mis en uvre
Notre analyseur dimpedances est souvent utilise avec un bornier de mesure dans lequel on serre les fils du composant a` etudier
(figure 7). Cependant, le bornier qui assure le lien au composant
introduit, lui aussi, des impedances parasites qui faussent la
mesure. En depit de toutes les precautions prises lors de la realisation de ce dernier, il presente une resistance et une inductance
serie ainsi quune capacite paralle`le. Une situation analogue se rencontre, avec des impedances encore plus perturbatrices, lorsque
lon relie le composant au bornier par des fils. Dune manie`re generale, la liaison de lappareil au composant est assuree par un quadripole passif. Pour eliminer, aussi precisement que possible, linfluence de cette liaison, il faut la caracteriser avant de soustraire
son incidence par calcul. Deux mesures sont necessaires si le quadripole peut etre considere comme symetrique. On les nomme
compensation en court-circuit et compensation a` vide .

& Methode des 4 fils


Pour completer, des mesures precises de faibles resistances peuvent etre realisees, en continu, a` laide dun micro-ohmme`tre
(figure 3) qui met en uvre la methode 4 fils (figure 6).
Le principe de cette methode (figure 6) consiste a` injecter un courant I a` laide de deux fils et a` prelever la tension induite V directement aux bornes du composant a` laide de deux autres fils (dou` le
nom de la methode). Les quatre bornes utiles sont visibles sur lappareil (figure 3). De cette facon, on saffranchit des chutes de tensions dues aux impedances des fils damenees du courant (Zfil1, Zfil2).
Cette methode est tre`s efficace en basse frequence, jusqua` quelques kHz. En revanche, les fils supplementaires accroissent les
capacites parasites, ce qui est peu recommandable en haute
frequence.

Pour comprendre la procedure et lutilite de ces compensations,


observons la figure 7 qui presente le circuit de connexion dun bornier inconnu sur lequel est placee limpedance a` mesurer (Zx).
Ce dispositif inconnu se comporte comme un quadripole passif
et il peut etre decrit par sa matrice impedance (4). Tant que son
impedance serie est bien plus petite que son impedance paralle`le,
limpedance a` vide Z0 ne depend pas du cote dobservation et le

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D 3 059 5

TRANSFORMATEURS HF A` N ENROULEMENTS

Pour imaginer rapidement (mais approximativement) leffet de


ces corrections, on peut dire que limpedance mesuree en presence
du court-circuit est soustraite de la valeur observee en presence de
limpedance testee alors que ladmittance vue en circuit ouvert est
soustraite de celle relevee lorsque limpedance est connectee. Lhypothe`se de symetrie du quadripole est a` lorigine de quelques
imprecisions, generalement localisees sur un etroit domaine de frequence. La correction open-short-load [1] permet de ne pas recourir
a` cette hypothe`se. Elle donne de meilleurs resultats sous reserve
de trouver une charge adaptee a` la mesure envisagee et parfaitement connue.
Remarque : lorsque le bornier ne permet pas de fixer le composant, il faut ajouter des fils pour realiser les connexions. Cet
ajout modifie le quadripole de connexion mais la correction
exposee ci-dessus reste applicable. En revanche, lhypothe`se
de symetrie du quadripole est plus aleatoire

Bornier 4 points
inconnu
I1

I2

2.2.2 Limitations pratiques


Instrument
de mesure :
4294A

V1

Z0

Zm

Zm

Z0

V2

Cest avant la mesure que notre analyseur propose de realiser les


compensations. Pour garantir leur efficacite, il faut veiller a` ce que
les impedances parasites relevees durant les compensations restent constantes jusqua` la mesure. Il faut donc eviter toute deconnection des fils sur le composant a` caracteriser ou sur le bornier
de mesure ainsi que toute deformation des fils de connexion. Pour
fixer lespacement des fils, un cable bifilaire (voire coaxial) peut
` levidence il faut, lorsque lajout de fils est necessaire,
etre utilise. A
privilegier des fils epais, courts et rapproches, pour reduire les
resistances et inductances parasites. Des precautions inverses peuvent etre necessaires pour mesurer les fortes impedances capacitives et cela peut mener a` acquerir deux fois les memes grandeurs :
une fois pour les faibles impedances, une fois pour les fortes.
Au niveau du bornier, le serrage est assure par deux lames plates
et souples. Avec des fils cylindriques, la repetitivite du contact est
aleatoire car le metal des pinces se deforme, elastiquement ou non.
Limpedance de contact risque de changer entre la compensation et
la mesure. Pour contourner cette difficulte, il est recommande de
souder des petites terminaisons planes pour que le contact entre
ces plaques et le bornier soit reproductible.
Une fois que toutes ces precautions sont prises, les acquisitions
a` vide et en court-circuit vues de cet enroulement peuvent etre
effectuees. Dans le meme esprit, les mesures necessaires doivent
etre recensees et realisees dans un ordre precis afin deviter les
deconnexions superflues.

Zx

Figure 7 Bornier 16047E et son circuit equivalent

quadripole peut etre considere comme symetrique quelle que soit


la symetrie de sa realisation pratique. La matrice impedance (4),
deja` symetrique, ne comprend plus que deux elements
independants :

 
 

V1
Z0 Zm
I1
V 1 = Z 0 I1 + Z m I2
=
,
(4)
Zm Z0
V 2 = Z m I1 + Z 0 I2
V2
I2
Limpedance dentree de ce quadripole symetrique, charge par
limpedance a` determiner Zx, sexprime suivant (5).
Z 2m

Z xm = Z 0 -

Z0 +Zx

(5)

On peut deduire de cette expression, la valeur Zx , que lon souhaite determiner (6) :
Zx =

Z 2m - Z 20 + Z 0 Z xm
Z 0 - Z xm

(6)

2.2.3 Deux cablages pour encadrer la mesure


La compensation en court-circuit est fondamentale lorsque limpedance a` mesurer est faible. Pour situer les limites de cette compensation, un transformateur planar abaisseur de tension, de
250 W, devant fonctionner a` 250 kHz a ete teste. Le but de cet
essai etait de mesurer son impedance de fuite (inductance de fuite
+ resistance de lenroulement) vue du secondaire, lorsque son primaire etait court-circuite. Pour donner un ordre de grandeur, on
peut dire que la resistance a` mesurer etait de 1 mW et linductance
de 12 nH. Nous avons mis en uvre les compensations presentees
au 2.2.1 avec le dispositif de test presente sur la figure 8.
Des fils de 0,7 mm de diame`tre et de 40 mm de longueur ont ete
places entres le bornier et les connexions de sortie du transformateur. La compensation en court-circuit est mise en uvre pour
annuler linfluence de ces fils. La figure 9 presente les deux cablages testes pour effectuer la compensation de court-circuit.
Dans la premie`re (figure 9a), limpedance de court-circuit est
mesuree avant que le fil inter bornes soit coupe. Cette technique
surestime limpedance de court-circuit car le fil reliant les pattes
de sortie du transformateur (13 mm) nest plus en circuit lors de la
mesure du composant. Limpedance soustraite est donc trop elevee
et la mesure est surcompensee.
Dans la seconde (figure 9b), les fils de connexion sont deformes,
le plus pre`s possible du composant, afin de creer deux demi-

Pour evaluer les deux parame`tres du quadripole (Z0 et Zm), on


realise deux mesures complementaires. La compensation a`
vide donne limpedance dentree a` vide du quadripole (7). La
compensation en court-circuit , quant a` elle, est egale a` limpedance dentree du quadripole lorsque sa sortie est en court-circuit.
Elle sexprime selon (8) :
(7)

Z om = Z 0
Z sm = Z 0 -

Z 2m
Z0

Z 20 - Z 2m
Z0

(8)

En reportant (7) et (8) dans (6), nous obtenons limpedance


recherchee (Zx) en fonction des trois impedances relevees (9).
Cest le calcul realise automatiquement par notre appareil :
Zx =

avec

Zom
Zsm
Zxm

D 3 059 6

Z xm - Z sm
Z
1 - xm
Z om

(9)

impedance de compensation en circuit ouvert,


impedance de compensation en court-circuit,
impedance dentree du quadripole charge par
Zx.

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Module de limpdance (W)

Transformateur

4 mm

13 mm
5 mm

Borne de sortie
du transformateur

40 mm

Soudure

TRANSFORMATEURS HF A` N ENROULEMENTS

100
10

1
0,1

du

102

103

1re mthode

Connecteur
en cuivre plat

e
nc

nH

In

0,0001
10

an

u
nd

ct

0,7 mm

nH

ct

0,01
0,001

10 mm

20

ce

104

105

2e mthode

106
107
108
Frquence (Hz)

a
Phase de limpdance ()

Bornier de mesure
16047E
Figure 8 Dispositif de mesures

Transformateur
Transformateur

100

0
2

100

Surestimation
Sous-estimation

10

102

103

1re mthode

104

105

106
107
108
Frquence (Hz)

2e mthode
b

mesure surcompense

Figure 10 Mesures de la meme impedance apre`s les deux types


de compensation en court-circuit

mesure sous-compense

forte. Ces inductances variant avec la frequence, une telle mesure


ne permettrait pas de deduire la valeur cherchee.

Figure 9 Methodes de compensation en court-circuit

La resistance mesuree est etroitement liee aux fils non compenses (figures 8 et 9). Pour donner un ordre de grandeur, indiquons
que la resistance dun fil de cuivre de diame`tre 0,7 mm, dune longueur de 13 mm est denviron 0,57 mW. Reduire un peu lecart des
deux mesures est possible (mais delicat) en utilisant du fil plus
epais ou en faisant appel a` un appareil plus precis tel que notre
micro-ohmme`tre.

boucles ; le court-circuit est realise en placant une goutte de soudure la` ou` elles se superposent. Dans ce cas, les deux parties
reliant les bornes du composant a` la soudure ne sont pas prises
en compte lors de lacquisition de limpedance en court-circuit. La
mesure est alors sous-compensee.
Les effets de ces deux compensations ont ete compares
(figure 10) lors de la mesure de la faible impedance de fuite decrite
au debut du present paragraphe.

Alors que la sous-compensation associee au cablage b (figure 9)


est egale a` limpedance Zs des fils en serie, la surcompensation du
cablage a est egale a` limpedance des fils Zp en paralle`le avec celle
mesuree. Dans les deux cas, si limpedance du fil etait connue a`
toute frequence (rare !), limpedance cherchee Z pourrait etre
deduite de celle mesuree Zm.

Du cote des basses frequences, la resistance mesuree est comprise entre 0,3 mW et 1,5 mW (cercle 1 sur la figure 10). Avec le
micro-ohmme`tre, cette resistance est evaluee a` 0,77 mW. Cette
valeur de reference est bien encadree par les mesures exploitant
les deux compensations differentes. Pour les frequences elevees,
linductance serie vaut (asymptote HF) : 4 nH avec la premie`re compensation et 20 nH avec la seconde. Ces mesures montrent que,
meme en utilisant un appareil de mesure tre`s precis avec ses
accessoires dorigine et en prenant les precautions supplementaires requises, la resistance serie peut etre evaluee a` 0,5 mW pre`s tandis que linductance est determinee avec une incertitude denviron
8 nH. Comme signale plus haut, pour mesurer linductance, il est
illusoire delever la frequence pour que son impedance soit plus

Z m = Z + Z s Z = Z m - Z s

Zm = Z -

Z Z p
Z + Z p

Z
Z2
Z = m
2
Z + Z p

(10)

s!
Z p
1 + 1 +4
Zm

(11)

Lorsque limpedance du fil est nettement plus petite que celle


mesuree, le calcul (11) equivaut a` ajouter limpedance du fil a` celle

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