SRAM

Static Random Access Memory (SRAM), o Memoria Esttica de Acceso Aleatorio

es un tipo de memoria basada en semiconductores que a diferencia de la memoria
DRAM, es capaz de mantener los datos, mientras est alimentada, sin necesidad de
circuito de refresco. Sin embargo, s son memorias voltiles, es decir que pierden la
informacin si se les interrumpe la alimentacin elctrica.
No debe ser confundida con la SDRAM (Syncronous DRAM).
Diseo

A six-transistor CMOS SRAM cell.

Estas memorias son de Acceso Aleatorio, lo que significa que las posiciones en la
memoria pueden ser escritas o ledas en cualquier orden, independientemente de cual
fuera la ltima posicin de memoria accedida. Cada bit en una SRAM se almacena en
cuatro transistores, que forman un biestable. Este circuito biestable tiene dos estados
estables, utilizados para almacenar (representar) un 0 o un 1. Se utilizan otros dos
transistores adicionales para controlar el acceso al biestable durante las operaciones de
lectura y escritura. Una SRAM tpica utilizar seis MOSFET para almacenar cada bit.
Adicionalmente, se puede encontrar otros tipos de SRAM, que utilizan ocho, diez, o
ms transistores por bit.[1] [2] [3] Esto es utilizado para implementar ms de un puerto de
lectura o escritura en determinados tipos de memoria de video.
Un menor nmero de transistores por celda, har posible reducir el tamao de esta,
reduciendo el coste por bit en la fabricacin, al poder implementar ms celdas en una
misma oblea de silicio.
Es posible fabricar celdas que utilicen menos de seis transistores, pero en los casos de
tres transistores[4] [5] o uno solo se estara hablando de memoria DRAM, no SRAM.

El acceso a la celda es controlado por un bus de control (WL en la figura), que controla
los dos transistores de acceso M5 y M6, quienes controlan si la celda debe ser conectada
a los buses BL y BL. Ambos son utilizados para transmitir datos tanto para las
operaciones de lectura como las de escritura, y aunque no es estrictamente necesario
disponer de ambos buses, se suelen implementar para mejorar los mrgenes de ruido.
A diferencia de la DRAM, en la cual la seal de la lnea de salida se conecta a un
capacitador, y este es el que hace oscilar la seal durante las operaciones de lectura, en
las celdas SRAM son los propios biestables los que hacen oscilar dicha seal, mientras
que la estructura simtrica permite detectar pequeas variaciones de voltaje con mayor
precisin. Otra ventaja de las memorias SRAM frente a DRAM, es que aceptan recibir
todos los bits de direccin al mismo tiempo.
El tamao de una memoria SRAM con m lneas de direccin, y n lneas de datos es 2m
palabras, o 2m n bits.
Modos de operacin de una SRAM

Una memoria SRAM tiene tres estados distintos de operacin: standby, en el cual el
circuito est en reposo, reading o en fase de lectura, durante el cual los datos son ledos
desde la memoria, y writing o en fase de escritura, durante el cual se actualizan los datos
almacenados en la memoria.
Reposo

Si bus de control (WL) no est activado, los transistores de acceso M5 y M6 desconectan

la celda de los buses de datos. Los dos biestables formados por M1 M4 mantendrn los
datos almacenados, en tanto dure la alimentacin elctrica.
Lectura

Se asume que el contenido de la memoria es 1, y est almacenado en Q. El ciclo de

lectura comienza cargando los buses de datos con el 1 lgico, y luego activa WL y los
transistores de control. A continuacin, los valores almacenados en Q y Q se transfieren
a los buses de datos, dejando BL en su valor previo, y ajustando BL a travs de M1 y M5
al 0 lgico. En el caso que el dato contenido en la memoria fuera 0, se produce el efecto
contrario: BL ser ajustado a 1 y BL a 0.
Escritura

El ciclo de escritura se inicia aplicando el valor a escribir en el bus de datos. Si se trata

de escribir un 0, se ajusta BL a 1 y BL a 0, mientras que para un 1, basta con invertir los
valores de los buses. Una vez hecho esto, se activa el bus WL, y el dato queda
almacenado.
Tipos de SRAM

SRAM no voltiles

Las memorias SRAM no voltiles (NVRAM) presentan el funcionamiento tpico de las

RAM, pero con la caracterstica distintiva de que los datos almacenados en ellas son
preservados aun cuando se interrumpe la alimentacin elctrica. Se utilizan en
situaciones donde se requiere conservar la informacin almacenada sin necesidad de
alimentacin alguna, normalmente donde se desea evitar el uso de bateras (o bien no es
posible).[6]
SRAM asncrona

Las SRAM asncronas estn disponibles en tamaos desde 4Kb hasta 32Mb.[7] Con un
tiempo reducido de acceso, son adecuadas para el uso en equipos de comunicaciones,
como switches, routers, telfonos IP, tarjetas DSLAM, y en electrnica de automocin.
Por tipo de transistor

Transistor Bipolar de Unin o BJT (de tipo TTL o ECL) muy rpidos,
pero con un consumo muy alto.

MOSFET (de tipo CMOS) consumo reducido, los ms utilizados

actualmente.

Por funcin

Asncronas independientes de la frecuencia de reloj.

Sncronas todas las operaciones son controladas por el reloj del

sistema.

Definicin de memoria SRAM, definicin de memoria Cach y Buffer

a) SRAM proviene de ("Static Read Aleatory Memory"), lo que traducido
significa memoria esttica de acceso aleatorio. Se trata de una memoria RAM que
tiene la caracterstica de estar construida a base de transistores (a diferencia de la
memoria DRAM que la mayora utilizamos en las computadoras, la cual est
fabricada a base de capacitores).
La caracterstica ms importante de la memoria SRAM es que por las
propiedades electrnicas del transistor, este no necesita estarse cargando
constantemente de electricidad (a diferencia del capacitor de la DRAM, el cul
necesita constantemente recargndose, porque en caso contrario pierde el dato
almacenado); por ello tienden a ser memorias sumamente rpidas y tambin
costosas (ya que es ms caro fabricar un transistor que un capacitor).
Son memorias fsicamente semejantes a las memorias DRAM convencionales
(SIMM, DIMM, RIMM, DDR, etc.), que tienen un conector para ser insertadas en una
ranura especial para ellas en la tarjeta principal (Motherboard).
b) Memoria Cach: es sinnimo de SRAM, ya que es el tipo de
almacenamiento en que ms se basa su uso, sin embargo tambin es posible crear
segmentos de Cach en discos duros y unidades SSD, cumpliendo la funcin de
almacenar datos e instrucciones utilizadas frecuentemente, pero sin punto de
comparacin con respecto a la velocidad que logra desarrollar la SRAM.
c) Buffer: este trmino se confunde mucho con Cach, sin embargo un Buffer
es un espacio fsico en cualquier dispositivo de almacenamiento masivo de
lectura/escritura, comnmente en RAM, que se asigna para almacenar informacin
que ser procesada casi inmediatamente y tenerla en espera de proceso, hasta que
una vez utilizados los datos, estos se borren para esperar nuevos. Estos segmentos
se utilizan mucho en las impresoras, que guardan en Buffer los documentos en cola
de impresin, en los antiguos Discman, que para evitar que la meloda se
detuviera, iban almacenando unos segundos ms de msica en caso de un
movimiento brusco en el aparato y finalmente en YouTube que mientras
reproduce, se va adelantando en descargar el resto del video.
Actualmente se dejaron de comercializar en versin tarjetas de memoria, y se han
integrado en los microprocesadores y discos duros.
Caractersticas generales de la memoria SRAM
+ Son memorias caras y por lo tanto de muy poco uso.
+ Cuentan regularmente con 80 pines que se insertan en una ranura especial.
+ Tienen por lo general muy poca capacidad de almacenamiento, pero son muy
veloces.
+ Puede convivir con otro tipo de memorias en la misma tarjeta principal
("Motherboard").
+ Actualmente se les clasifica en niveles ("Level"), por lo que se les identifica
como L1, L2 y L3.
Niveles de Cach (L1, L2 y L3)

+ Memoria L1: se encuentra integrada dentro de los circuitos del

microprocesador y eso la hace ms cara y ms complicado el diseo, pero tambin
mucho ms eficiente por su cercana al microprocesador, ya que funciona a la
misma velocidad que l. Esta a su vez se subdivide en 2 partes.
- L1 DC: "Level 1 date cache": se encarga de almacenar datos usados
frecuentemente y cuando sea necesario volver a utilizarlos, inmediatamente los
utiliza, por lo que se agilizan los procesos.
- L1 IC: "Level 1 instruction cache": se encarga de almacenar instrucciones usadas
frecuentemente y cuando sea necesario volver a utilizarlas, inmediatamente las
recupera, por lo que se agilizan los procesos.
+ Memoria L2: esta es la que viene en forma de tarjetas de memoria, para ser
insertada en una ranura (Slot) especial de la tarjeta principal (Motherboard) y
funciona a la velocidad de trabajo de la misma. Actualmente la memoria L2 viene
integrada en el microprocesador, se encarga de almacenar datos de uso frecuente y
agilizar los procesos; determina por mucho si un microprocesador es la versin
completa o un modelo austero.
+ Memoria L3: esta memoria es un tercer nivel que soportan principalmente
los procesadores de la firma AMD. Con este nivel de memoria se agiliza el acceso
a datos e instrucciones que no fueron localizadas en L1 o L2. Si no se encuentra el
dato en ninguna de las 3, entonces se acceder a buscarlo en la memoria RAM.
Partes que componen la memoria SRAM
Los componentes son visibles, ya que no cuenta con cubierta protectora; son
bsicamente los siguientes:

1.- Tarjeta: es una placa plstica sobre la cual estn soldadas los
componentes de la memoria.
2.- Chips: son mdulos de memoria voltil SRAM.
3.- Conector (80 terminales): base de la memoria que se
inserta en la ranura especial para SRAM.
4.- Muesca: indica la posicin correcta dentro de la ranura de
memoria.
Figura 3. Esquema de la memoria SRAM.

El tiempo de acceso de la memoria SRAM

Es el tiempo que transcurre para que la memoria SRAM d un cierto resultado
que el sistema le solicite y su medida es en nanosegundos (nseg).
Tomemos en cuenta que una memoria DRAM ("Dinamic Read Aleatory Memory")
convencional tiene un tiempo de acceso de 7.5 nseg (en especfico una moderna
DDR3).

Tipo de memoria

Tiempo de respuesta en nanosegundos

(nseg)

SRAM

2 nseg

Capacidades de almacenamiento SRAM

La unidad prctica para medir la capacidad de almacenamiento de una memoria
SRAM es el Kilobyte (KB) y el Megabyte (MB). Actualmente en los discos duros y
microprocesadores viene integrada con las siguientes capacidades.
Tipo de memoria

Capacidad en KB / MB

Tarjeta de memoria

256 Kilobytes (KB), 512 KB y 1 Megabyte

(MB)

Discos duros

Hasta 8 MB

Microprocesadores

Hasta 12 Megabytes (MB)

Usos especficos de la memoria SRAM

Se utiliza para agilizar la velocidad de acceso a datos en una computadora, evita
el acceso del microprocesador a la memoria RAM convencional (en este proceso se
pierde mucho tiempo), as que se encarga de almacenar datos e instrucciones
frecuentemente utilizados, por lo que el microprocesador primero buscar en ella y
es seguro que encuentre el dato de manera rpida; en caso de no hallar el dato
entonces proceder a la RAM convencional.