che negativi di Vas. L'espressione analitica di questa caratteristica & analoga a quella del JPET. Confronto tra i due tipi di MOSFET. I MOSFET di tipo enhancement differisce da quello di tipo depletion per il fatto che non richiede un preciso controllo del processo di diffusione; infatti & sufficiente un‘unica diffusione per realizzare le duc regioni di source ¢ di drain ed il canale vient nello strato sottostante al dielettrico applicando una tensione opportuna al gate, Esso risulta pertanto particolarmente conveniente nei circuiti integrati I MOSFET di tipo depletion viene invece utilizzato quasi esclusivamente come dispositive discreto, “GMOE Transistore a giunzione bipolare (BJT) Introducendo da due lati opposti di un cristallo puro di silico o di ger- ‘manio impurita dello stesso tipo ¢, eentralmente, del tipo opposto, si ottiene tun dispositivo con due giunzioni, chiamato transistore a giunsione bipolare (Bipolar Junction Transistor) o, pi sinteticamente, BJT!. La regione centrale del cristallo cosi drogato (fig. 3.31) deve essere molto sottile e viene chiamata ‘base, una delle laterali emettitore ¢ U'altra colletore, Se la base & di tipo p, il BJT & di tipo NPN (fig. 3.31-a); se, invece, la base & di tipo n, il BJT & di tipo PNP (fig. 3.31-b) Modi di funzionamento. Poiché ogni giunzione pud essere polarizzata direttamente oppure inversamente, quattro sono i possibili modi di funziona- mento di un transistore bipolare: essi vengono chiamati funzionamento all’in- terdizione, normale, inverso ed in saturazione. » Fig. 3.31 - Transistor (BIT) ei tipo NPN (a) © PNP (b), 111 BJT & chiamato transistore « contemporanes presensa di eariche ms fiolo principale. Nel FET sone fondament perch il je"e minartaie, le qual ultime gioeano i Solo Te eariche’ maggioritare. . 85ELETTRONICA LINEARE & DIGIP®| Funzionamento-all'interdizione. Sc ambedue le giunsioni sono po larizzate inversamente, esistono soltanto le due correnti inverse, quella della tunzione collettore-base Jeno € quell della giunzione emettitore-base Ipzo! essendo tali correnti molto piccole, il dispositive viene detto interdetto pet- ché, in pratica, non conduce ‘Purizfotiariento-normalesSe [a giunzione emettitore-base't polaiz- ata direttamente © quella colletore-bate inversamente, la corrente dives costituita, prevalentemente, dalle eariche maggioritaric dellemettitore; infatti quelle maggioritarie della base sone colatamente asiai poche. Le eariche maggioritarie che, per diffusione, dal- Vemettitore entrano nella base, in questa diventano minoritare (sono, ce? della giunzione emettitore-| del tipo di quelle minoritarie della base); esse possono, pertanto, attraversare la giunzione collettore-base, che @ polarizzata inversamente, come coi di trasporte ohmico (par. 3.3). In an transistore bipolare la maggior parte dei portatori di carica provenienti dall'emettitore deve raggiungere il collettore, come viene messo in evidenza nella fig. 3.32-a, Perché cid accada devono essere soddisfatte due condizioni: —la base deve essere drogata molto meno dell'emettitore: in tale modo si riduce il fenomeno della ricombinazione nella base: Ja base deve avere una larghezza HW pitt piccola possibile: in tale smodo il tempo impiegato dalle cariche provenienti dall'emettitore ad attra versile ka hase (fempo di tansito 3,) & molto breve € poche sone te cariche che si ricombinane La corrente di collettore Je ® normalmente anche oltre il 99% di quella Fig. 3.32 - Schematizzazione dell influenza della larghesza della bate wlle correnti: 4) fume ‘onamento correto: 8) funsionamente. indesidersto, indice 0 sigifc le Fogo la corrente co con goltetere aperto. 1 tempo di inoritarie della Das base prima i ricomt che si suppone aperto (open) i terminal non indicat: pertamte ‘tore-base con emetitore aperto, Ia Teme quella emettore base fansite deve essere piecolo rispetto al romp he il tempo medio di permanenza di una c (pare 3) ita delle cat 86PRINCIPI DI FUNZIONAMENTO DEI DISPOSIIIGI FLETTRONICL di emettitore Ze: la parte rimanente & la corrente di base In, Essa é costituita da due componenti: — la corrente fy’, dovuta alle cariche maggioritarie della base che “passano nell'emettitore: @ molto piccola, perché la base & meno drogata dellemettitore: — la corrente Jy", dovuta alle cariche maggioritarie della base che si ricombinano con quelle minoritarie provenienti dall'emettitore: & molto piccola perché & piccola la ricombinazione sia perché la base & poco drogata sia perché, essendo molto sottile, & molto piccolo il tempo di transito in essa Si tenga presente che, se la larghezza WV della base fosse molto grande, tutto avverrebbe come in fig. 3.32-b: la giunzione base-emettitore polariz- zata direttamente, sarebbe 'uniea sede di corrente, mentre in quella base- ‘ollettore, polarizzata inversamente, circolerebbe tutt’al pit la corrente inversa di tale giunzione. “Filizionamento"inverso. Nel funzionamento inverso é la giunzione collettore-base che viene polarizzata dircttamente, mentre quella emetttore base risulta polarizzata inversamente, I comportamento del BJT in questo ituazione & pertanto, essenzialmente lo stesso di quello che si verifiea nel funzionamento normale, anche sc le correnti di emettitore © di collettore presentano, ora, segno opposto rispetto al caso. precedente. Nonessendo;~ corrente di ba --da-un punto di vista quantitativo: in are, risulta pitt una frazione trascurabile rispetto a quella di collettore se le giunzioni del BJT sono ambedue polarizzate direttamente, esse conducono € le d.d.p. ai capi dei due strati di svuotamento risultano praticamente identiche, Tali d.d.p. sono in opposizio- ne tra loro; ne consegue che la tensione tra collettore ed emettitore & praticamente nulla. Questa situazione viene chiamata saurazione (satura- tion). E importante notare che, per effetto della saturazione, viene immagazzi- relativamente elevata. Affinché il BJT iche’ rata nella base una quantita di cari esca dalla saturazione occorre, pertanto, svuotare la base di queste Equazioni fondamentali. Assumendo come verso convenzionale delle correnti quello dei portatori di cariche positive nel funzionamento normale, ‘Que jpomenio vertd ripreso nel cap. $ del seconde volume : 87ELETTRONICA LINEARE & DIGITALE per il principio di continuita risulta: 3.16) In= e+ In, a dove Ix, Ix, Ic sono rispettivamente le correnti di emettitore, di base ¢ di collettore. Nel funzionamento normale la corrente di collettore & data dalla somma della corrente inversa [cao della giunzione collettore-base e dela frazione aly della corrente di emettitore che raggiunge il collettore (a @, per quanto detto, un coefficiente molto prossimo all’unita): Te = ale + leno. 17) Se risulta Je = 0, cio’ viene aperto il terminale di emittitore, dalla eq. (3.17) si trae che la corrente di collettore @ costituita esclusivamente dalla corrente inversa Icpo! & cid che avviene nel funzionamento allinterdizione. Ricavando I; dalla eq. (3.16) ¢ sostituendola in quella (3.17), si ottiene: In+ Teno. 3.18) avendo posto: @.19) Jeno = (6 +1) Ieno @.20 Poiché a & dellordine di 0.99, f & delordine di 100 (eq, 3.19); dalla 9 (18) si deduce, allora, che ad un piccolo valore di fy ne corrisponde uno frande di Ie, p volte quello di Jy '. E, quindi, possibile contrllare una frande corrente (di uscita) fc con una piccola corrente (di ingrsso) In Le ea, (3.16) € (3.17) sono valide anche nel funzionamento inverso purené silcambino tra loro git indiei C ed Il coeffciente a pu risa, er, abbastanza infeiore alunith e viene indicat con ae (Bx = 1). Ti parametro B dipende anche dalla corrente di colletre Ie diminuise sia per bass che pet alti valor di tale corrente. 11 costruttre non forise perd il parametro pin funzione della corrente 1c petché la eq. (3.18) & valida Pettants in prima approssimazione; viene invece dito il parametro hye cs! TG plge perce a corrnte Fer & cores dla eg (20, S, inf a eoente tear eee et ere te alt (Ste opera). a eoreme iver Jp eon ee ea Gnenendo mulls), Suess core Fn Sein yun omens tet Pate more 5 nan 88PRINCIPL DI FUNZIONAMENTO DEI DISPOSITIVI ELETTRONICL definite apy = 4 G21 re 2) ¢ la sua dipendenza dalla corrente Ic a parita di tensione Vy ¢ di temperatu- ra T della giunzione base-collettore (fig. 4.19) La eq, (3.18) pud essere ricavata direttamente con considerazioni fsiche. Per fare questo conviene supporte che sia Icyo = 0, sostituire al circuito di polarizzazione di fig. 3.32-a quello di fig. 3.33 ¢ considerate Teffetto di uno degli elettroni che esce dal polo negativo della batteria Vpy ed entra nella base. Affinché la regione di base si mantenga neutra anche in presenza di questo elettrone, deve essere iniettata nella base una lacuna proveniente dall'emettitore. Se questa lacuna non si ricombina nella base, essa raggiunge ‘Acollettore in un tempo t,, chiamato tempo di transto (transit time); successi- vamente & necessario che venga iniettata nella base un'altra lacuna afinché tale regione si mantenga neutra. Per effetto di un unico elettrone, quindi, ossono attraversare la base pitt lacune. Se, invece, la lacuna si ricombina con lelettrone mentre si diffonde nella base, scompare leffetto dell'elettrone libero entrato dall’esterno. Indicando con t, il tempo di vita (life time) di una lacuna nella regione di base, il numero di lacune che attraversano la base per effetto di un solo elettrone libero entrato dallesterno risulta pari a ty/r,. Ne consegue che una corrente di base I, determina una corrente Ie pari a ts de Is (3.22) Dal confronto con la eq. (3.18) nella quale si @ supposto Jeno = 0, si trae: Fig. 3.33. - Circuito. i polarizazione ivun transatore: PNP. 89ELETTRONICA LINEARE & DIGITALE 3.23) Se risulta r, > r,, ne consegue che @ f > 1 Nella ipotesi che il terminale di base sia aperto, la corrente inversa Icno della giunzione base-collettore deve attraversare la giunzione base-emettte re determinando, per la eq. (3.22), una corrente di collettore f volte maggiore; in tal caso pertanto risulta fc = (B + 1) Icno. Supponendo diverse da zere sia la corrente Jy che quella Zego, per il principio di sovrapposizione degli effetti si ottiene la eq. (3.18) Curve caratteristiche del BJT. Rappresentando l'andamento di Jo in funzione di Ve per valori discreti ¢ costanti di I si ottiene la famiglia di curve di fig. 3.34, chiamate caratterisiche di collewore 0 di uscita. Per la €@ (3.18) tali curve dovrebbero essere, nella regione normale, rette orizzontali; si pud invece osservare dalla figura che tali rette sono leggermente inctinate. Infatti, a parita di Jy la Ie cresce al erescere di Ver a causa del corrisponden- te aumento del parametro f. Tale effetto influenza, sia pure in minore misura, anche il parametro a! Di scarsa importanza sono poi le caraeristiche di ingresso, che rappresen tano Vandamento di fy in funzione di Ve con parametro Ver. Tali caratteri stiche dipendono assai poco dalla tensione Vex e coineidono praticamente con la caratteristica di una giunzione p-n a Ig 60vA 50 40 30 20 10 Fig. 3.34. Caratterisiche i coletore | sium transistore bipolare Vel) " Differensiando ta eq. (3.19). si trows a6 a La variazione relativa di a & Quindi f volte pit piccola di quella corrispondente dif. 0PRINCIPL DI FUNZIONAMENTO DEI DISPOSITIVI ELETTRONICI Fig. 3.35 - Carateristiche di cot lettore di un transistore bipol nella regione ci scarica ‘Tensioni di scarica. Se fra base ed emettitore, con collettore aperto, si applica una tensione che polarizzi inversamente il diodo base-emettitore, al crescere di essa si raggiunge ad un certo punto la scarica (par. 3.4). La tensione corrispondente viene indicata col simbolo BVxo, dove Vindice O significa che & aperto il terminale non indicato, cio il collettore. Se, invece, si considera il diodo base-collettore con lemettitore aperto, al crescere della tensione Ven che lo polarizza inversamente, si raggiunge ad un certo punto la searica in corrispondenza al valore BVcao di tale tensione. La regione di collettore quella con minore concentrazione di impurita al fine di aumenta- te la tensione di scarica BV cao (par. 3.4), che risulta normalmente non inferiore a 80 V; essendo poi la concentrazione delle impurita nella regione i base di circa un'ordine di grandezza superiore a quella di collettore, la tensione BV eno @ tipicamente compresa tra 6 ¢ 8 V. La tensione di scarica tra collettore ed emettitore con Iy = 0, indicata con BVeeo. @ inferiore alla BVepo (fig. 3.35). Si pud infatti dimostrare che vale la relazione approssimata: BV cro ~ BY cao y Te (3.24) con n compreso tra 3 ¢ 6. Supponendo ad esempio che sia ire = 100 € n = 4, si ottiene BV cro = BV cno!3; in realta & pit comune, con tale valore di hyp, ottenere BV ceo ~ BVcao!2. Dalla eq. (3.24) si deduce che, all'aumen- tare del parametro ftrr, diminuisce la tensione di scarica BVcxo. Nella ipotesi che sia fp = 0, il valore iniziale del parametro hire & piccolo; poiché il fenomeno della scarica determina un aumento della corrente Ic, anche il parametro fiz aumenta. E questo il motivo per cui la tensione di scarica, inizialmente superiore a BVcro (calcolata col valore finale di hier), a1ELETTROMICA LINEARI 1 DIGITALE Fig. 5.36. Struttura di un BIT disereto: a) planare epitasiae: b) a legs successivamente diminuisce tenendo al suo valore finale (fig. 3.35). Ovvia mente tale fenomeno non si manifesta se & Jn * 0. Realizzazione tecnologica del BJT. Il BJT pud essere ottenuto con due successive diffusioni nello strato epitassiale (fig 3.36-a). Affinché la cd. tra Ja giunzione ed il terminale di collettore sia il pit. possibile piceola rispetto a {quella ai capi della giunzione, occorre ridurre lo spessore del collettore. Per {questo motivo esso viene realizzato nello strato epitassiale ed il substrate viene fortemente drogato, Si pud cosi applicare il terminale metalieo del collettore al substrato, che costituisce una piccola resistenza La geometria del BJT & analoga a quella del JFET realizeato su uno strato epitassiale; occorre perd notare che, mentre nel JFET ambedug le giunzioni sono polarizzate in senso inverso, nel BJT in funzionamente n male una giunzione é polarizzata in senso diretto. Inoltre il verso della cor~ rente nel JFET @ parallelo al piano delle giunzioni, mentre nel BJT & per- pendicolare Si osservi che, in fig, 3.36-a, il collettore circonda quasi completamente Temettitore; ne consegue che un elettrone che esce dalla regione di emeti- tore, non ha importanza da quale punto ed in quale direzione, raggiungert sicuramente il collettore se non si ricombina nella regione di base; inolte, mediante il processo di diffusione, & possibile rendere molto sottile tae re- gione. Sono questi i motivi, assieme alla scelta del drogaggio pi: opportuno, per cui il parametro a nel funzionamento normale & molto prossimo allunith Esistono anche BJT realizzati con un procedimento diverso da quelle planare epitassiale prima illustrato; essi sono i BJT a lega (alloy type). Su una sottile piastrina (wafer) di germanio con impurita di tipo m vengono messe, da parti opposte, due pasticche di materiale drogante di tipo p (indio); il tutto viene messo in un forno e portato ad una temperatura superiore al punto 2PRINCIPL DI FUNZIONAMENTO DET DISPOSITIVI ELETTRONICI Fig. 337 per ridurre tura di un BIT integrato (a) completata con uno strato fortemente drogato esistenza di colettore (). di fusione della impurita, ma inferiore a quello del wafer. L'indio pub cosi penetrare entro il germanio, Durante il successivo raffreddamento avviene la ricristallizzazione ed il wafer risulta cost alternativamente drogato con materiale di Nei circuiti integrati il BJT deve essere ricavato entro T'sola, ¢ quindi anche il terminale del collettore deve trovarsi dalla stessa parte di quelli di base ¢ di emettitore: occorrono percid duc successive diffusion’ entro T'isola (fig. 3.37-a). In questo dispositivo. perd. la distanza tra la giunzione base- colletiore ed il terminale di collettore é relativamente grande: cid equivale a mettere una resistenza non trascurabile in serie al collettore. Per ovviare a questo inconveniente viene inserito tra collettore © substrato uno strato forte mente drogato, chiamato strato sepolto (buried layer), che presenta pertanto una piccolaresstenca: Veffetivo spessore del clletore nom dipende quind dalla distanza in senso orizzontale del terminale del collettore. In ig. 3.37-b Si@ indicato anche il percorso della corrente Si pud ora precisare meglio una possibile geometria del diodo integrato Si costrusce innanzi tutto un BIT e successivamente si colleguno i terminal in modo tale da ottenere un diodo. In fig. 3.38 ad esempio si utilizzano soltanto i terminali di base ¢ di collettore; si potevano anche utilizzare i terminali di base ¢ di emettitore, oppure collegare assieme due terminali. In totale sono, percid, possibili cinque diversi tipi di collegamenti Fig, 5.38 - Posi rat, strutura di un diode inte 93ELETIRONICA LINEARE & DIGITALE Circuito integeato. Chiamando chip il pezzo di wafer nel quale si trova il circuito completo, se si vogliono realizzare componenti discreti il chip conterri un unico elemento (un BJT oppure un FET); se invece si pon- xgono nel chip pit elementi collegati tra loro, si ottiene un circuito integrate. Il vantaggio principale di questa nuova tecnologia & l'enorme riduzione dello spazio oecupato, non solo rispetto ai circuiti con tubi a vuoto, ma anche a quelli con dispositivi discreti a semiconduttore. Altri vantaggi sono sia la riduzione dei costi, propria del procedimento planare, sia la maggior afida- bilita dei cireuiti. Infatti, si possono fabbricare contemporaneamente 100 wafer; poiché il numero di BJ'T per ogni wafer & dell’ordine di 1,000, eon une stesso processo si fabbrica un numero molto clevato di dispositivi discreti oppure integrati. La maggior affidabilita (reliability) dipende dal fatto che le connessioni vengono fatte durante il processo stesso di lavorazioné, Liavvento della tecnologia del circuito integrato comporta nuove eonce- zioni net progetto dei circuit, in quanto un elemento attivo costa quafto uno passivo, od anche meno, perché normaimente un elemento passivo occupa pit spazio di uno attivo. Inoltre si pongono problemi nuovi dovuti al procedi- mento simultaneo di fabbricazione 3.11 - Diodo Schottky Metallizzando la superficie di un semiconduttore drogato, si ottiene un contatto metallo-semiconduttore Ia cui caratteristica corrente-tensione pud essere lineare oppure non lineare. Cid dipende dalle proprieta del metallo, dai liveli di drogaggio e dal tipo di semiconduttore. I contatti con wna carat- teristica lineare vengono chiamati ohmici (par. 3.3) © sono ampiamente us per realizzare i collegamenti esterni nei dispositivi a semiconduttore ¢ nei circuiti integrati. I contatti con caratteristica non lineare del tipo di fg. 2.1-b vengono chiamati diodi Schowky. La maggior parte dei diodi Schottky ven no realizzati con silicio di tipo m a contatto con alluminio. In tal caso la natura del contatto silicio-alluminio dipende dalla resistivita della regione di semiconduttore a diretto contatto col metallo: se @ fortemente drogata il contatto & di tipo ohmico; in caso contrario si ottiene una caratteristica analoga a quella di una giunzione p-n Leeffetto raddrizzante di un diodo Schottky dipende dal fatto che sulla superficie di separazione tra alluminio © semiconduttore di tipo n poco drogato esiste una barriera di potenziale; essa impedisce, pertanto, ai porta- tori di carica di attraversare la giunzione metallo-semiconduttore. Rendendo il metallo pid positivo del semiconduttore di tipo 7, la barriera di potenziale si riduce ed aumenta notevalmente il numero di elettroni che passano dal semiconduttore di tipo n al metallo, Il diodo risulta, pertanto, polarize 4ELETTRONICA LINEARE & DIGRALE - Ae Sn, me Fig. 4.15 - Polarizzazione automatica i un MOSFET enhancement a canale » (ae () eH se, invece, @ Veg < | Vr, il MOSFET @ interdetto (Ip = 0). B, pertanto, possibile polarizzare il MOSFET enhancement con una sola batteria (polarz- zazione automatica) utilizzando un parttore per ottenere la tensione di gate voluta (fig. 4.15). Si osservi che tale circuito permette di polarizzare i MOSFET sia allinterdizione che in conduzione. Per quanto riguarda le preacuzioni nell'uso del dispositive, si veda I servazione del par. 4.8 4.11 - Transistore bipolare Il transistore a giunzione bipolare (nel seguito indicato semplicemente ‘come transistore oppure con la sigla BJT) & un dispositive a semiconduttore a tre terminali: base (B), collettore (C), emettitore (E). Tale dispositive ha due siunzioni, una tra base e collettore ¢ Valtra tra base ed emettitore. La regione centrale (quella di base) separa tra loro le altre due regioni € pud essere di tipo p, oppure di tipo n; pertanto esistono transistor bipolari di tipo NPN. di tipo PNP. Poiché ogni giunzione pud essere polarizzata direttamente, oppure inver- samente, quattro sono i possibili modi di funzionamento di questo transiste re: essi vengono chiamati allinterdizione, normale, inverso ed in saturazione 18DiSPOSITIVI A TRE TERMI LI E RELATIVE RET! DI POLARIZZAZIONE C c a ~ | 8 @ E e ” » ka fig. 4.16 mostra il simbolo grafico del transistore bipolare: in esso vengono indicate la regione centrale di base e le due regioni laterali di ‘olletore ed emettitore. Non essendo il BJT un dispositivo simmetrico, la regione di emettitore viene distinta da quella di collettore mediante una ‘reccia che indica il verso reale della corrente nel funzionamento normale. I versi-corrispondenti delle correnti di base e di collettore si deducono dalla eq. (3:16), qui riportata: Ea A16, Sieiaoseraion run BIT NPN Ip= let ly (4.14) Ne consegue che: in un transistore NPN in funziona- in un transistore PNP in funziona- mento normale il verso reale della mento normale il verso reale della corrente di emettitore @ uscente, corrente di emettitore & entrante, mentre quello delle correnti di base e mentre quello delle correnti di base i colletiore & entrante, di collettore @ uscente. Caratteristiche F"Wseita. Le caratteristche di uscita vengono chiamate caratteistiche di collettore perché al terminale Y di useita del gencrico tripolo ora corrisponde il colletore. Normalmente si uilizza come terminale Z Vemetitore e come terminale di ingresso X la base: in tal caso la corrente 4i colettore Ic viene espressa in funzione della tensione Ver assumendo come parametro la corrente di base Ty (fig. 4.17). Assumendo invece come terminale comune la base, anziche Vemetttore, la corrente di colletore Je deve essere espressa in funzione della tensione collettore-base Vey assumen- do come parametro la corrente di emettitore 1p (fig. 4.18). Per distinguere i due easi si specifica il terminale comune utilizzato per ricavare le carattersti- che di uscita; pertanto le caratteristiche di fig. 4.17 sono quelle con emettito- * re comune, mentre quelle di fig. 418 sono con base comune. Quando si parla 4i caraterstiche di uscita senza ulteriore precisazionenaisottintende quelle con emettitore comune. - tte ae. atesELETTRONICA LINEARE € DIGTTALE Wve of or ao » ») oO Mth Fig. 4.17 Caratterisiche i colletore di un BIT al silo ad emettitore comune (a). ‘espanse nella regione di saturazione (2) Zona attiva. Si considera aitiva la regione delle caratteristiche di uscita in cui esse risultano il pit possibile rette, parallele ed equidistant per uguali incrementi del parametro di ingresso (normalmente I). Perché eid aceada, il transistore deve funzionare in modo normale, cio’ la giunzione base collettore deve essere polarizzata inversamente e quella base-emettitore diret- tamente In zona attiva la corrente di collettore I dipende praticamente solo dalla corrente di base Ju; pertanto le caratteristiche di uscita si possono conside- rare (in prima approssimazione) rette orizzontali ¢ possono essere expresse analiticamente mediante la sequente relazione valida in prima approssima- To=B In + (1+ B) leno, (415) ich (oa) ol Igs6ma ——— 4 ‘ 3 3 2 2 ‘ 1 Fig. 4.18 - Carattristiche i colletore i um Yea) Bi con base comune. 120DISPOSITIVI A TRE TERMINALI E RELATIVE RETI DI POLARIZZAZIONE dove ego @ la corrente inversa della giunzione base-collettore', Soltanto se si pud considerare costante’ le rette delle caratteristiche di collettore risultano equidistanti per uguali incrementi della corrente Jp. Si definisce guadagno-dicorrente’statico"(DC turrént gain) hx il rapporto tra i valori a riposo delle correnti di collettore e di base in zona attiva: Ie Ts hy (4.16) Il parametro hex, praticamente indipendente dalla tensione Ver, & fun- ione della corrente di collettore Ic. Cid significa che le caratteristiche di col- lettore sono praticamente orizzontali, ma non sono equidistanti per uguali inetementi della corrente [y. In realta V'andamento di fre in funzione della corrente Jc presenta un massimo abbastanza piatto (fig. 4.19); si pud pertan- to assumere, almeno in prima approssimazione (oppure in mancanza di altri) dati), che sia tye = cost. Non bisogna pero dimenticare che tre diminuisce rapidamente sia per piccoli che per elevati valori di corrente! 001 or 7 0 100 (cima Fig. 419 - Possibile andamento del parametro hrs in funzione della corrente Ic * Lacorremte Leap & la corrente tra colletiore © base nella ipotesi che il terminale di ‘emettiore sia aperto (open). Il terzo indice & pertanto la lettera 0. non il aumero zero. liv realtd fe funzione della corrente /c. oltre che della temperatura, » Pertanto le earatteristiche di colletiore si addensano sia per pieeoli che per clevath valor! della corrente di eollettore IELETTRONICA LINEARE & DIGITALE Anche le caratteristiche di uscita con base comune! possono essere espres- se analiticamente in zona attiva; in tal caso si utilizza la relazione: To=aln + Teno (4) Poiché tali caratteristiche sono pit orizzontali di quelle ad emetttore comu- ne, il parametro a dipende assai meno di fi dalla tensione Vcr Dal confronto tra le eq. (4.15) € (4.17) si trae 7 (4.18) Essendo a molto prossimo all'unita (anche se inferiore ad essa), risulta > a; se, ad esempio, @ a = 0,99, si ottiene # = 99. Ne consegue che la corrente di collettore, circa uguale a quella di emettitore (eq. 4.17), & molto maggiore di quella di base (eq. 4.15). Inoltre, a piceole variazioni del para- metro a corrispondono variazioni molto pitt grandi del parametro p. Nel funzionamento inverso @ la giunzione base- collettore ad essere polarizzata direttamente, mentre quella base-emettitore viene polarizzata inversamente. In tal caso valgono relazioni analoghe a quelle del funzionamento normale purché si scambino tra loro il collettore con Vemettitore. Ad esempio, alla eq. (4.17) corrisponde ora la seguente espressione. In axle + leno. 4.19) ch Fig. 420 - Caratteristche i urcita complete di un le Yee BIT NPN. 2 & la base, il terminale di ingresso Vemettiore ¢ quello di uscita i! colletore St tenga presente che, esscndon/, = fc In. dalla eq, (4.17) si deduce: Je @) = ate + bene 12DISPOSITIVI A TRE TERMINALI & RELATIVE RET! DI POLARIZZAZIONE dove Treo & la corrente inversa della giunzione base-emettitore. Il para- ‘metro an, a differenza di quello a, @ normalmente piccolo rispetto all unita Pertanto, nel funzionamento inverso le correnti di collettore ¢ di base sono dello stesso ordine di grandezza; questa 2 una conseguenza del fatto che il BJT non é un dispositive simmetrico. In fig. 4.20 sono riportate le caratteristiche di uscita con emettitore comu- ne valide sia per il funzionamento normale che per quello inverso. Il parame- tro della famiglia @ la corrente di base J; affinché il transistore sia in conduzione, tale corrente deve essere: entrante se il BJT é di tipo NPN. _uscente se il BJT & di tipo PNP. Quando il transistore conduce ¢ risulta Ver > 0 il modo di funzionamento @ quello normale; se invece @ Vcr <0, il modo di funzionamento @ quello Si osservi che, a paritd di base Ip, la corrente di collettore Jc nel funzio- namento normale € molto maggiore di quella nel funzionamento inverso. Si tenga inoltre presente che il modo di funzionamento inverso viene utilizzato soltanto in casi particolari; per questo motive normalmente vengono date soltanto le caratteristiche di uscita per Ver > 0. “Saturazione. Un BJT si dice in saturazione quando sia la corrente di Perché cid ac- Eee ee care eee ee giunzioni del BJT. In tale ipotesi la tensione di collettore coincide praticamente con quella di emettitore (le c.d.t. di due giunzioni polarizzate direttamente sono poco diverse tra loro). In fig. 4.21 & riportato V'andamento teorico del rapporto Je/Tp in funzione della tensione Vee. Quando tale rapporto & massimo, il BJT funziona zona attiva; in tal caso esso viene indicato con hye ed & praticamente indi- Fig. 4.21 - Andamento fearico’ della caratteristcs {i colletiore normalizeats, 123ELETTRONICA LINEARE DIGITALE pendente dalla tensione Vg. Se la tensione Vcx diventa inferiore ad un certo valore minimo (dell’ordine di 0,1 V per un BJT al germanio, di 0,2 V per tuno al silicio), il transistore entra in saturazione; in tale situazione la tensione Vee diventa funzione del rapporto [c/In (diminuisce al diminuite di Lolly) € tende al valore: Vee = |Vr In a) (4.20) nel funzionamento normale, ed a quello: Vee = |Vr In al 4.21) nel funzionamento inverso, Essendo Vr ~ 25 mV alla temperatura ambiente (par. 2.9), tale tensione & molto piccola; poiché poi risulta ax Icno). mente interdetto (ors ~ Ico). afar dalla 09, (4.17) si trae: 1 148 128ELETTRONICA LINEARE € DIGITALE In conclusione, mentre per interdire un BJT al germanio & necessario polarizzare inversamente Ia giunzione base-emettitore con almeno 0,1 V, per interdirne uno al silicio & sufficiente cortocircuitare la base all’emettitore. Caratteristiche di ingresso. Nella ipotesi che il terminale- comune sia Temettitore € quello di ingresso la base, le caratteristiche di ingresso rappre- sentano graficamente la dipendenza della corrente di base I della tensione Vag avendo assunto come parametro la tensione Veg. In realta si pud trascurare, in prima approssimazione, l'influenza della tensione Vcr ¢ suppor- re con la caratteristica di ingresso sia quella di una giunzione.p-n (par. 2.9) Infatti la corrente di base Jy di un transistore in conduzione & funzione esponenziale della tensione Vir L ig eer (428) Anche in questo caso prende il nome di tensione di soglia V, il valore della tensione Vp¢ in corrispondenza alla quale diventa apprezzabill la corrente di base. ‘Tenendo presente la eq. (4.16) si pud esprimere la corrente Ic in funzione della tensione Vig in un transistore in conduzione mediante una relazione del tutto analoga: Wetec eee (4.29) Nella tab. 4.2 sono riportati alcuni valori caratteristici delle tensioni Vp, € Vee nella sola ipotesi che la corrente Jc sia dell’ordine di qualche mA’. ‘Tab, 42 - Valori tipici delle tensioni (in Volt) per un BIT « 25°C. Veutsat) | Vax(on) | Vae(cutin) ~ V,| Van(eut-off) = Ge oa 02 oa si 02 06 os "Nei BFF i potenz, incu e orem i gioco sono ritvan, que vale! psne essereunche motevolments maggio (par 123) 126DISPOITIVI A TRE TERMINALL E RELATIVE RETI DI POLARIZZAZIONE Specifiche fornite dal costruttore. I transistori bipolari (come tutti i dispositivi a semiconduttore), anche se nominalmente uguali, possono ri- sultare assai diversi tra loro, cio® con caratteristiche che presentano una no- tevole dispersione, Per questo motivo vengono indicati il valore minimo € {quello massimo (oltre a quello tipico) delle principali grandezze clettriche ‘che ne definiscono il comportamento, Inoltee viene precisata la temperatura ambiente. Tab. 43 - Caratteristiche elettrche 2 25°C di alcuni BIT al silieio. ncn | aNtia aNw04 rnin | tip |max| min | ip |rmax| min tip) max | 2» 2s) | aso] (3s 40 | 80 |120/ 40) | 120 Pao) [tem mal [oat | | Je 0 ma | vet) | Te) BA | foag BA | mont BA | Tl costeuttore fornisce: parametro irs per diversi valori della corrente di collettore Je: Ver (sat) Per polarizzare un BJT allinterdizione @, invece, recessario polarizzare inversamente suificiente cortocircuitare la base al- a giunzione base-emettitore con una l'emettitore, se @ al silcio (fig. 4.24- tensione di almeno 0,1 V, se & al b), ‘germanio (fig. 4.24-a), Mec ee Re R +My Fig. 4.24 - Polarizazione all'interdzione di un BJTPNP aigermanio(a)ediuno NPN alsicio(®). a) a) Si veda la Tab. 4.2 129ELETIRONICA LINEARE E DIGITALE L'equazione relativa al dispositivo, In =f Wes Vos). (18) si rappresenta graficamente mediante le caratteristiche i drain Qualora il punto di riposo si trovi in zona attiva, conviene utilizzare la transcaratteristica, che si pud anche rappresentare analiticamente (eq. 5.4 per il MOSFET depletion ed eq. 5.15 per quello enhancement), Poiché lequazione del dispositive pud essere nota graficamente, oppure analiticamente, il problema della ricerca del punto di riposo si risolve © per via grafica 0 pet via analitica sostanzialmente come per il JFET. “BiS’- BJT: progetto della rete di polarizzazione Affinché un BJT risulti in conduzione & necessario utilizzare i circuiti di polarizzazione di fig. 4.22, riportati in fig. 5.8; affinché risulti interdetto ‘occorre usare uno dei circuiti di fig. 4.24. Le KVL del circuito di ingresso & di quello di uscita in fig. 5.8 si serivono rispettivamente' Ven = Ry ln + Ven, (6.19) Veo = Relc + Vex. (5.20) Queste relazioni permettono di ricavare le resistenze Ry € Re purché siano note le tensioni di alimentazione Van, Vcc ed il punto di riposo. “Yee Fig. 58 Polarizasione non automatics di un BIT NPN (2) ¢ di uno PNP (b) in condusione 2 Sel BJT & di tipo PNP, si deve sostituire « Vuela Ven ed a Ve la Vc per mettere in evidenza che lemetitore &ad un potenziale postive sia rispeto alla base che alcolletore. 142POLARIZZAZIONE DEI DISPOSITIVI A TRE TERMINALI:PROGETTO & VERIFICA yunto di riposo (1 it valore di du Quando il punto di riposo si trova in zona attiva, la corrente Ic risulta praticamente indipendente dalla tensione Vex: in tale caso devono essere date la corrente Icq, oppure quella Ing, ¢ la ten- sione Verq. Le altre due grandezze possono essere determinate 0 con un procedimento analitico oppure con uno grafico Se il BJT deve funzionare in saturazione, sono le correnti di collettore fe di base che risultano indipendenti tra loro; in tale caso, percid, devono essere date le correnti Icq © Ina. Procedimento grafico. Per potcre utilizzare il procedimento grafico 2 necessatio servirsi delle earatteristiche di collettore e di quella di ingresso Qualora il punto di riposo sia in zona attiva, devono essere note la corrente di collettore J¢g ¢ la tensione di collettore Veg. Si legge allora la corrispon- dente Ing (fig. 5.9-a), eventualmente interpolando fra i valori corrispondenti alle caratteristiche adiacenti qualora il punto di riposo Q non cada esatta- ‘mente su una delle caratteristiche tracciate dal costruttore, Successivamente, dalla caratteristica di ingresso (fig. 5.9-b) si deduce, in corrispondenza alla corrente Ing, la tensione Vazg. Normalmente perdysiattribuiscevallasten=s sione Vana il valore Vine (on) della Tab. 4.2, vale a dire 0,2 V per il germa- onion 0,6" peril silicio Qualora il punto di riposo sia in saturazione, in sostituzione delle carat- terittiche di collettore e di quella di ingresso conviene utilizzare le curve che forniscono le tensioni Vcx (sat) ¢ Vax (sat) in funzione della corrente di callettore Zc (si veda l'Appendice). Si osservi, perd, che tali curve sono va- lide per un determinato valore del rapporto c/n, normalmente uguale a dec ee » Fig, 5.9 - Identfieasione per via grafica del punto di riposo in un BJT NPN. 143ELETTRONICA LINEARE & DIGITALE Procedimento analitico. Qualora il punto tiva, si pud assumere per Vag il valore Vz (on) Rimane come unica incognita la corrente di base Ip, che si ricava dalla eq. (4.16) qui riportata: To hen = 2H Si osservi che il parametro hire & funzione della corrente Ic (fig. 4.19); pertanto il suo valore deve essere dedotto dalle specifiche (Tab. 4.3) 0 dai grafici (si veda Appendice) forniti dal costruttore. In assenza di tali dati si ud, perd, assumere hy, costante (almeno in prima approssimazione) in un intorno del punto di riposo, consigliato dal costruttore, pari ad almeno una decade. Qualora il punto di riposo si trovi in saturazione, & necessario ricavare le tensioni Vex (sat) ¢ Vine (sat) dai dati forniti dal costruttore. Si tenga pre= sente che il rapporto /o//, in un BJT in saturazione, non dipende pratica- mente dal transistore, ma soltanto dal circuito esterno, e risulta (eq. 4.22): << hee. (5.22) Qualora sia verificata la condizione di uguaglianza, il punto di riposo si trova nella regione di saturazione se risulta Ver = Vow (sat). Esempio 5.3 - Polarizzare, secondo lo schema di fig. 4.24. 5.10, il BJT al silicio BC113. 1 dati sono: riportato in fig. Veo =12V, Icq=1 mA © Vero ~8V. + Yee Ve ay toe t s és € € ” » Fig. 5.10 - Figura per I'Es. 5.3. 144POLARIZZAZIONE DEI DISPOSITIVI A TRE TERMINALI:PROGETTO & VERIFICA Solusione. 1. Si determina la Ino. Dalle caratteristiche di collettore (si veda !Appendice), interpolando fra i valori 4i Ip comispondent alle caratterstiche adiacenti a quella che dovrebbe passare per it punto Q ai tiposo, si trae Igo ~ 2,5 A. Il BJT funziona in zona attiva. 2. Si determina la Vax $i assume il valore tipico Varo = 0,64 V (Tab. 4.3). 3. Si determina la Re. Dalle eq, (5.20) si trae: © p. - Voe= Vere ako. Tea 4. Si determina la Rs, Dalla eq. (5.19) si trae, essendo Van = Veo: Voo—Varg _ 12—0,64 Toa Re 108 45 Ma. Si poteva semplicemente assumere Vgg(on) = 0.6 V (Tab. 4.2), senza com mettere errore apprezzabile. In questo caso si poteva poi trascurare Ve rispetto 4 Vee, perché si commetteva un errore inferiore al 6%, normalmente trascurabile qualora si valutino anche gli effetti della dispersione del parametto hire © si uliizine i resistori disponibili in commercio. 4 ‘Esempio 5.4 - Polari 2N1613. I dati sono: sre secondo lo schema di fig. 5.10 il BJT al silicio Vec=5 V, Ieg=10 mA © Inq =1 mA. Solusione, 1, Si individua la regione di funzionamento. la Tab, 4.3 si trae che per Ic = 10 mA risulta Apg(min) — 35; exsendo TcelIng = 10 < hpa(onin), per ls e@. (5.22) il punto di ripono si trova sicuramente “aturazion. Dalla stesta tabella si deducono le corrispondenti tensioni di col- lettre e di base: Verg(sst) = 0.18 V, Vazo(sat) = 0,7 V. 2, Si determina la resistenza Ro Dalla eq, (6.19) si deduce (Vex Vee): o7 43 KO,ELETTRONICA LINEARE © DIGITALE Dalla eq. (6.20) si trae R Veo— Vero _ S—03 _ Tee 10-10 = 948 ke. G6" BJT: ricerca del punto di riposo le due grandezze di uscita (Ic, Vcr) ¢ le due di ingresso (In, Var). Per-deter== Facendo riferimento allo schema pit) generale! 5.11, tali equazioni sono: — la KVL del circuito di ingresso: Ry In + Var + Re(Io + In); (5.23) — la KVL del cireuito di uscita: Veo = Relo + Ver + Re(le + In); (5.24) le equazioni del dispositive, una relativa al circuito di uscita: To = f (Un, Ver). (6.28) | oe S111 - Schema generale di polarizazione di un BJT NBN in conduzione fale schema verri giustiiato nel par. 74 146POLARIZZAZIONE DEI DISPOSITIVI A TRE TERMINALI/PROGETTO & VERIFICA € Valtra a quello di ingresso, Inf Van, Vor). (6.26) Sal burt seigaadhamabinsnen torte PATTIES VARI), — incognite si riducono, pertanto, a tre. Inoltre la corrente di collettore Ic @ funzione praticamente solo della corrente di base In (eq. 4.10) Affinché un BJ risulti interdetto @ necessario utilizzare lo schema di fig. 4.24-a se @ al germanio, quello di fig. 4.24-b se é al silico, Dall'esame diretto del circuito si pud, quin interdizione La ricerca del punto di riposo di un BJT in conduzione pud essere effet- tuata, al solito, 0 per via grafica 0 per via analitica , stabilire se un BJT & in conduzione oppure in Procedimento grafico. II punto di riposo é, a rigore, l'intersezione di una delle caratteristiche di uscita con le curve di eq. (5.23) € (5.24). Nella ipotesi, sempre verificata, che la corrente di base sia trascurabile rispetto alla corrente di collettore', 1a eq. (5.24) rappresenta nel piano (Ic, Vex) una retta, chiamata retta di carico statica, Per poterla disegnare occorre individuare due punti, ad esempio le intersezioni con gli assi cartesiani. Ponendo Vcx = 0, si determina l'intersezione con I'asse delle ordinate: Vcc|(Re + Re); analoga- mente, ponendo I ~ 0, si determina l'intersezione con Masse delle ascisse: Veo. La pendenza (cocfficiente angolare) della retta di carico statica vale ovviamente — 1/(Re + Re). Il punto di riposo cercato giace certamente su questa retta, tracciata in fig. 5.12. Basta allora cercare, per tentativi, quali dei punti di intersezione della retta di carico statica con le diverse caratteristiche di collettore verifica la eq. (5.23). Se il punto cercato non coincide con nessuno di tali punti (Qs, Q:, Qs in fig. 5.12), ma si trova tra due di essi, bisogna interpolare fra le due caratteristiche corrispondenti Fig. 5.12 - Determinazione del punto di riposo di un BJT NPY dante le caratteristiche di colletore “Anche Se il BIT @ in saturazione, normalmente risulta fe = 10 Ip. acnere/eaeeeeneneseseeneeeee aa = 147ELETTRONICA LINEARE & DIGITALE Procedimento analitico. Bisogna innanzi tutto stabilire se il punto di riposo del BY'T si trova in zona attiva oppure in saturazione. Per fare questo si pud procedere nel modo seguente: si fa Vipotesi che il punto di riposo si trovi nella regione di saturazione (Vice ~ 0) ¢ si verifica se cid & vero. A tal fine & sufficiente stabilire se la condizione espressa dalla eq. (5.22) risulta verificata. Si consideri, ad esempio, il circuito di fig. 5.11. Indicando con [; e J, rispettivamente la corrente /cg del circuito di uscita e quella [pg del circuito di ingresso nella ipotesi che il BJT sia saturo, risulta: Voc = Rela + Rell + In), Van = Ro Ii + Vox(sat) + Re(Ih + 1s). Per semplificare i calcoli, conviene supporre che sia fz > 101; in tale caso si pud trascurare, in prima approssimazione, la corrente [1 rispetto 2 quella Iz © serivere: (627) (528) Qualora, calcolando il rapporto Ix, si ottenga: I She. (6.29) la condizione espressa dalla eq. (5.22) risulta verificata; pertanto il punto di riposo si trova in saturazione ed @ quindi corretta T'ipotesi fatta precedente- mente che sia J; = Icg, I, = Ing. In caso contrario, non potendo risultare in un BIT Ic > hee Ip, Vipotesi fatta (Vee ~ 0) non & verificata; pertanto, il funzionamento avviene in zona attiva con Icg < ts Se il BJT funziona in zona attiva, noto 'ordine di grandezza della c: rente Icq (I2 = 2 ~ 3 Icq), dai dati del costruttore si ricava il valore di hx; posto Var = Vax (on) ¢ Ia = Icihex, dalla eq. (5.23) si ricava la, corrente Icq ¢ dalla eq. (5.24) la tensione Veg. Si vedano, per maggior chiarezza, gli esempi che seguono, 148POLARIZZAZIONE DEI DISPOSITIVI A TRE TERMIVALI: PROGETTO & VERIFICA Esempio 5.5 - Si determin’ il punto di riposo del BJT NPN al silicio 2N1613 rel circuito di fig. 5.10. T dati sono: Veo = 5 V, Ry = 4.3 kQ, R. = 047 KO. Solusione. 1. Si individua 1a regione di funzionamento del BJT. Per individuare la regione di funzionamento si fa l'ipotesi che il punto di riposo si tovi nella regione di Nel circuito di fig. 5.10 risulta Vag € Vico; pertanto, le correnti Jp ed 1; relative, rispettivamente, ai circuiti di uscita © di ingresto valgono: 10,6 ma, Poiché il BJT 2N1613 presenta un hps(min) = 35 (Tab. 4.3), risulta verificata Ia €q, (5.29). Il transistore funziona dunque in saturazione e si pud assumere Ie ~ Icg eh~ Ing 2. Si determinano le correnti di base ¢ di colletore. Per un ealcolo pitt preciso delle correnti di base e di collettore conviene proce- dere nel modo seguente. Si assume: eq = Iz = mA. Dalla Tab. 4.3 si deducono Vea(st) = 0,18 V e Vaa(oat)= O7V. Pertanto, le correnti di collettore © di base valgono ispettivamente:ELETTRONICA LINEARE © DIGITALE Come si pud notare, i valori trovati sono cosi prossimi a quelli delle correnti Ize 1; precedentemente determinati, che non conviene normalmente eseguire questi ulteriori caleoli Esempio 5.6 - Si determinino i valori minimo ¢ tipico della corrente di col- lettore a riposo del BJT BC113 nel circuito di fig. $.10, ed i corrispondenti valori della tensione collettore-emettitore. I dati sono: Veo =12V, Ry = 45 MO, Re = 6kO. ‘Soluzione. 1, Si individua In regione di funzionamento del BJT. Procedendo come nell'Es. 5.5, si ottiene: Veceee a2) I~ 2ma, R610 he segue ee hy > 27-16 Assumendo Je ~ 2mA, dalla Tab. 4.3 si trac hrx (max) = 1000. La eq. (5.29) risulta, pertanto, Verficata per i BJT con hie > 740, (esi si trovano, ciog, in sa- turazione); quel che presentano rx < 740 funzionano, invece, in' zona ativa. Per quest ultimi &, pertanto, necessario andare a determinare il punto di riposo (in zona ativa) 2. Si determina la cortente di base in_ zona attiva Risultando Var = Vax (on) = 06 (Tab. 4.2), dalla KVL del cireuito di ingresso si trae la corrente di base risulta praticamente la stessa, qus zato (purché al siliio) + i pud; inf, ssumere Vas(on) = 0,2,V per i BYT ai allo (Tab, #2, 1 RYT al germanio © Vas(on) = 0,6V 150POLARIZZAZIONE DEI DISPOSITIVI A TRE TERMINALI-PROGETIO E VERIFICA 3. Si determinano i valori minimo e tipico della corrente di collettore in zona Essendo Jcg < Ja, dalla Tab. 4.3 si deduce che conviene assumere per hre il valore corrispondente alla corrente Ic = 1mA. Sostituendo nella eq. (5.21) i valore minimo © quello tipico del parametro hrs, si ottiene: Jo = hee (min) Jp Te = hye (tip) In = 380 2.5 + 10-* = 0,88 mA. iché il parametto hyp del BJT BCI13 dipende notevolmente dalla corrente i colletore (si veda !"Appendice), il valore di hpg (min) sara, in realt inferiore 4 quello trovato perché non & verificata l'ipotesi che sia Jc ~ 1 mA. Non avendo, per®, a disposizione V'andamento di hex(min) in funzione della corrente Zc, non é possibile eseguire un ealcolo pit preciso 4, $i determinano i valori corrispondenti della tensione collettore-emettitore Dalla KVL del circuito di uscita, sostituendo i valori trovati dalle corrente di collettore, segue: Verg = Voo— Re leq = 126-05 = 9V, Vera = Voo— R. Teo = 12—6 0,88, TV. Per effetto della dispersione dei valori del parametro hrs, nel circuito di fig. 5.10 sia la corrente di collettore che la tensione colletore-emettitore postono va- tiare notevolmente al variare del BJT, anche se esto presenta sempre la stessa sigla ‘commerciale (BC113), Esempio 5.7 - Si determinino i valori minimo ¢ tipico della corrente di cole lewore a riposo del BJT BC113 ed i valori corrispondenti della tensione collettore- femettitore nel cireuito di fig. 5.13. 1 dati sono, fee IDV, Re = 4 kG. Re = 2 KD. Ry = 3.6 MQ. + Vee Fig, $13 ~ Figura per Vesereizio 37 5 Aceade, invece, normalmente che ‘correne di ollettore, purché essa non © troppo piecola e troppe grande. ISIELETTRONICA LINEARE E DIGITALE i eer eee Soluzione. 1. Si individua la regione di funzionamento del BJT. Nella ipotesi che il punto di riposo si trovi in saturazione, dalle eq. (5.27) € (6.28) si wae (Vas = Veo) =2mA, y= Vee Vawtsat) — Rete _ 12—0,7 =2- 102-10 = RS 36-108 Essendo hg(max) ~ 1000, in questo caso praticamente tutti i BJT con sigla commerciale BCII3 funzionano in. zona attiva (eq. 5.29). Si determinano i valori minimo e tipico della corrente di base. Poiché & cq < [2 —2mA, & ragionevole sceliere i valori di hpx corrispon- dent alla corrente To —1mA. Tenendo presente la eq. (521), dala eq. (523) con Van = Vee si tae __ Voo— Var Ret Re (ire +1) Is Poiché si pud supporre Vaz = V'se(on) ~ 0,6 V, sostituendo nel!'ultima equa- zione rispettivamente il valore minimo ¢ quello tipico del parametzo hrs, si ottiene: ee — 6 108 + 2-108 (200 F 7) ~ 28uA, 1206 tna = 36 T0 + 2-102 50-4 1) = “OHA Per effetto della resistenza Ry, la corrente di base diventa funtione del BJT, sia pure di poco 5.'Si determinano i valori minimo € tipico della corrente di colletore Sostituendo nella eq, (5.21) i valori tra loro corispondenti di hve © di risute : " Easendo il BIT al slicio, si pud porte, Vag (sat) = 0.7 V (Tab. 4.3). 152POLARIZZAZIONE DEI DISPOSITIVI A TRE TERMINALI: PROGETTO E VERIFICA Teq = hee Inq = 200 2,8 1 Tcq = hee Inq = 380+ 2,6 10-* = 0,91 mA. Non estendo verfcata, per il valore minimo della corrente Icg, Vipotesi che sia Jox ImA, il riultato ottenuto & valido soltanto in prima approssimazione 4. Si determinano i valori minimo e tipico della tensione colettore-emetitore. Sosttuendo nella eq. (5.24) le due copie di valori tra loro corrispondent di Ice € Ing, si ottiene Vexg = Vec— Re Ico— Re (Ico + Ine) = = 12—4-10°- 0,56 - 10-4 — 2 - 109(0,56 - 10-* + 2,8- 10-4) ~ 86V, Vexg = 12—4-10°- 0,91 - 10-8 — 2+ 108(0,91 - 10-4 + 2,6 10-4) ~ 6,5 V. Per effetto della dispersione dei valori del parametro hrs, sia la corrente di col- che la tensione collettore-emettitore variano notevolmente al variare del NIT, anche se presenta la stessa sigla commerciale Esempio 5.8 - Si determinino i valori minimo ¢ tipico della corrente di col- lettore a riposo del BJT BC113 ed i valori corrispondenti della tensione collettore- emettitore nel circuito di fig. $.11, T dati sono: Veo = 12 V. Vag = AV. Ro = 4 kQ, R= 2k, Ry = .6 MQ. 1, Si determina a regione di funzionamento del BJT. Come si pud facilmente verificare (si veda I'Es. 5.7), il punto di riposo si trova in zona attiva. 2, $i determinano i valori minimo e tipico della corrente di base. Tenendo presente le considerazioni svolte al punto 2 dell'Es. 5.7, dalla eq. (623) si trae: Van —Vax(on) 406 J” RE Rilben +1) TO 52-10 OO TY ~ SHAY Ing ee 26d. (0% F 2 10° (350 + 1) La gorrente di base & diventata, in questo esempio, sensibilmente funzione del transistore. 3, Si determinano i valori minimo ¢ tipico della corrente di collettore. Sostituendo nella eq. (5.21) i valori tra loro corrispondenti di her © di Ix, si citiene ; Te = hr In = 200° 3,4-10-* = 0,68 mA, 153ELETTRONICA LINEARE E DIGITALE To = her Ip = 350+ 2,6- 10-4 = 0,91 mA. 4. Si determina la dispersione della tensione Veg. Sostituendo nella eq. (5.24) i valori tra loro corrispondenti di Jp € di Jc, risulta: Vew = Vee —Re le — Re(Ie + Ia) = 12 — 40,68 — 2 108 (0,68 - 10-7 + 3,4 10°*) ~8v, 2 — 4 0,91 — 2-103 (0,91 - 10-8 + 2,6- 10-4) ~ 6,5 V. Vee 5, Si confrontano i risultati ottenuti negli Es. 5.6, 5.7 ¢ 5.8. Nella tabella 5.1 sono riportate le variazioni relative delle correnti Tay, Irg € della tensione Vero, per effetto della dispersione del parametro firs, nei circuit di fig. 5.10 (Es. 56), 511 (Es. 5.7) € 5.13 (Es. 58). Da essa si possono dedurre le seguenti consi- derazioni: = il cireuito di fig 5.10 presenta la minima variazione relativa della corrente [ye la rmassima sia della corrente I. che della tensione Vor: — ileircuito di fig 5.11 presenta la minima variazione relativa sia della corrente Jy che della tensione Vere la massima della corrente I, — il cireuito di fig. 5.13 presenta caratteristiche intermedie rispetto ai circuiti di fig. 10 5.11 ‘Tab. 8.1 - Dati relativi ai circuiti di fig. 5.10, 5.11 © 5.13. | ate% | atc% | AVee% Circuito di fig. 5.10... 0 43% Gireuito di fig. 5.13 8% 38% Gireuito di fig. 5.11 31% | ~25% 154SABILIZZAZIONE DEL PUNTO DI RIPOSO - . = Vandamento di hrs, Vex(sat) ¢ Vae(sat) in funzione della corrente collettore Ic ¢ per diversi valori di temperatura (tipicamente —55 °C, BeC.e 100°C) —Tandamento di Vas, Icso ed hex in funzione della temperatura € per'un determinato punto di riposo. In fig. 7.7 & riportato l’'andamento della corrente Ico in funzione della temperatura 1; in fig. 7.8 & invece rappresentato graficamente I'andamento del parametro hex in funzione della corrente di collettore Ic per due diversi valori della temperatura Stabilizzare il punto di riposo di un BJT significa rendere la corrente di collettore il pitt possibile taipendente-dal"dispositivo. Per ottenere questo & necessario scegliere una opportuna rete di polarizzazione Nella rete di fig. 7.9-a viene imposta la corrente Ip (Ia ~ Vec{Re); an- che se non hanno effetto le variazioni di Vag, risulta massimo quello delle variazioni del parametro e della corrente Icno (eq. 4.15). Non @, pertanto, conveniente utilizzare questo circuito. Scegliendo opportunamente le resistenze Ri, Re ¢ Re nel circuito di fig 79-b & invece, possibile fare in modo che la corrente di collettore Ic risulti D an Gre, Fig. 7.8- Rappresentaswne grafic della dipendenza ui hy, dalla temperatura € dalla correate di eollettore 1 Come verra chiarito in seguito, tale temperatura ¢ quella della giunzione base-collet- tore, sola in prima approssimazione coincidente con la temperatura ambiente (par. 12.4) 27ELETTRONICA LINEARE E DIGITALE ee +Mee Fe Re Ar © c 2 e e Re Re ” ») Fig. 7.9 ~ Cirouiti per In polarizzazione automatica di un BJT. praticamente indipendente dal BJT. Per ottenere questo si procede ne! modo seguente. Si rende il potenziale del punto B indipendente dal dispositive - imponendo che la-corrente 1, che attraversa la resistenza Rr, sia molto grande Sorreni a allora Indicando con Va il potenziale del punto B, si ottiene Fee Va~—“_p 79) Rik vw) Successivamente si scrive la KVL del circuito di ingresso. Trascurando la corrente di base Ip rispetto a quella di collettore Zc, segue: ‘n= Var t+ Reto a7 Se la c.dct. sulla resistenza Re @ sufficientemente grande rispetto alla varia- zione che pud subire la tensione Var, la corrente Ic risulta anch’essa prati- camente indipendente dal dispositivo. -Aarché-treorrente-dy-eie-gramde-risperrersqUeIN-rrEWOMIeNe Imporre TrelOeTp: Poiché risulta Ip = Ic/hee (eq. 5.21), si pud scrivere: hew—. (78)STABILIZZAZIONE DEL PUNTO DI RIPOSO Qualora il parametro Arg non risulti inferiore a 100, una corrente 1; pari ad Ic[10 stabilizza il punto B in ogni caso. Supponendo poi che la variazione della tensione Vax rispetto al valore seelto (normalmente V, + 0,1 in Volt, dove V, @ Ia tensione di soglia) sia al pid 0,1 V, & sufficiente imporre che Ia c.d.t. ai capi della resistenza Ry sia almeno dieci volte superiore. Segue: Relo=1V. (79) La rete di fig. 7.9-b permette un'ottima stabilizzazione della corrente di collettore a riposo; tuttavia, per rendere tale corrente completamente indi- pendente dal dispositive si sostituisce alla resistenza Re un generatore ideale i corrente (fig. 7.10). Allo scopo di mettere in evidenza che la corrente In imposta dal circuito esterno, si dice che il BJT del circuito di fig. 7.10 é ali- mentato in corrente \. Osservazione. Affinché il BJT funzioni in zona attiva & necessario che risulti Vor > Vor(sat); ne consegue che la resistenza di carico Re non pud assumere un valore troppo clevato. prat os da ‘essa dipende soltanto la tensione Veg. i Re |. > Fig. 7.10 - Circuito per alimentare in corrente un BJT. 2 er quanto riguarda Ia realizzazione pratica del generatore di corrente, si vedano i par. 94 e108: « ® 219ELETTRONICA LINEARE E DIGITALE Esempio 7.3 - Polarizzare un BJT al germanio mediante il circuito di fig. 7.9-b. 1 dati sono: Veo =12V, Teg = 2mA. La dt. ai capi della resistenza Re deve essere il pit possibile piccola. Solusione 1. Si determina la resistenza Re. Dalla eq, (7.9) si trae che il valore minimo della tensione di emettitore Ve = Re log & uguale ad 1V. Essendo [eg =2mA, segue 1 = = 500 2. Teg 2-108 2. Si determini la tensione Vg della base. In un BJT al germanio la tensione di soglia V, @ pari a 0,1 V; si pub, pertanto, assumere in prima approssimazione: Vex = V, + 0,1 = 02. Sostituendo nella eq. (7.7), si ottiene: Va = Var + Re leq =02 +1 =12V. 3. Si determinino le resistenze Ri ¢ Re. Nella ipotesi che sia hire > 100 (ipotesi non sempre verificata nei BJT al ger- ‘manio), dalla eq. (7.8) si pud dedurre la corrente che circola nelle resistenze Ri € Re. Risulta: k 2-108 n= 2 ~10 = 02 ma. hee 100 Poiché @: 7 he, (7.10) Rite sostituendo nella eq, (7.6) i valori di 1 ¢ di Vp, si pud ricavare il valore della resi- stenza Re Rit ReSTABILIZZAZIONE DEL PUNTO D1 R1POSO Inoltre, dalla eq. (7.10) si trae: Vee 12 Rt R= = th 02-108 Segue: R= 60-6 = 54kQ Esempio 7.4 - Polarizzare un BJT al silicio utilizzando i dati dell'Esempio precedente, lusione, 1. Si determina la resistenza Ry. Procedendo come nell'Es. 7.3, si ottiene anche in questo caso: °R, = 500 2 2. Si determina la tensione Vg di base. In un BJT al silicio la tensione di soglia V, & pari a 0,5 V; si pud, pertanto, as- sumere che, in prima apporssimazione, sia: Var = V, + 0,1 =06V. y Sostituendo nella eq. (7.7), si ha: Va = Vaz + Re leq = 0,6 +1 =1,6V. 3. Si determinano le resistenze Ri ¢ Re. Nella ipotesi che sia rg > 100 (ipotesi normalmente verificata nei dispositivi 4 silcio), si trova anche in questo caso: = 0,2 mA. Dalla ¢q. (7.10) pertanto si trae: 2 ———__ = 60 ka. th (02-108 Rit Re= Sostituendo nella eq. (7.6) i valori di ty e di Vp, si pud ricavare la resistenza Re: =8kQ, 221ELETTRONICA LINEARE F DIGITALE © quindi R, = 52 kQ. Tl diverso valore della tensione Ver nei BIT al silicio rispetto a quelli al germanio fa si che risultino diverse le due resistenze R, ¢ Rs (-ma non la loro somma) BIBLIOGRAFIA Seamus C. L., Bootnnoyo A. R., ANcELo E. Y., Gray P. E., Papunson D. O.: Elementary ‘circuit properties of transistors, SELE.C. - Vol. 3. John Wiley A Sons, Inc., New York, 964. 5 fletronies: BIT, FETs, and micrcineuits. McGraw-Hill Book Compass. Scumtine D. L., Buovr C.: Electronics cirewts: discrete and integrated. McGraw-Hill Book Company, New York 1968, MuLMan J., HALaIAs C. C.: Electronic devices and circuits. Me-Hill Book Company, New ‘York, 1967. FET desig ideas from Texas Instruments. Bulletin CB. 101, 1969 The application of linear microciruits, SGS-FAIRCHILD, London, 1967 WourmnpaLx E.: Transistor cirewit design and analysis. London Heywood Books, 1966, 22