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ESCUELA POLITECNICA

NACIONAL
FACULTAD DE INGENIERIA ELCTRICA Y
ELECTRNICA

DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
PREPARATORIO
LABORATORIO DE DISPOSITIVOS ELECTRNICOS
Prctica #:

Tema: Anlisis DC de un transistor bipolar de juntura

Realizado por:
Alumno (s): Edwin Cabrera
Grupo: DISE7_#2

(Espacio reservado)
Fecha de entrega:
ao mes
Sancion:

2015

da

Semestre:

/ 06 / 18
Recibido por:

Abril-Agosto

f.

Escuela Politcnica Nacional

Facultad de Ingeniera Elctrica y Electrnica


Laboratorio de Dispositivos Electrnicos

Trabajo Preparatorio
Nombre: Edwin Ramiro Cabrera Cuichn
Practica #: 7
Tema: Anlisis DC de un transistor bipolar de juntura
Objetivo General: Analizar e implementar los principales circuitos de
polarizacin para los transistores bipolares de juntura
Desarrollo:
1.- Consultar las caractersticas tcnicas ms importantes de los
transistores 2N3904, 2N222 y 2N3609.
Transistor 2N3904.
Registrado por la Motorola Semiconductor hizo aparicin a mediados de los
sesenta. Es de polaridad NPN y ampliamente utilizado por su versatilidad.
Descripcin:
Es un transistor de unin bipolar de mediana potencia, destinado para
propsito general en amplificacin y conmutacin, construido con
semiconductor silicio en diferentes formatos como TO-92, SOT-23 y SOT-223
como se muestra en la figura I, donde tambin se muestra su distribucin
de pines. Puede amplificar pequeas corrientes a tensiones pequeas o
medias y trabajar a frecuencias medianamente altas.
Principales caractersticas

Voltaje colector emisor en corte 40 V (Vceo)


Corriente de colector constante 200m A (Ic)
Potencia total disipada 625mW (Pd)
Ganancia o hfe entre 30 -300 (hfe)
Frecuencia de trabajo 300 Mhz (Ft)
Encapsulado TO-92
Estructura NPN

Transistor 2N2222
Parmetros y caractersticas.

Nombre del transistor: 2N222


Material: Ge
La estructura de transistor: pnp
Mxima disipacin de potencia continua colector del transistor (Pc):
70mW

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Limite el colector DC-base (Ucb): 15V
Lmite de colector-emisor del transistor de tensin (Uce): 12V
Lmite de tensin emisor-base (Ueb): Mxima corriente continua de colector del transistor (Ic max): 70mA
Temperatura lmite de unin pn (Tj): 85C
Frecuencia de corte de la relacin de transferencia corriente

del transistor (Ft):400KHz


Capacidad de la unin de colector (Cc), Pf: 70
Esttica coeficiente de transferencia de corriente en el circuito con
emisor comn(Hfe), min/max: 20T

2.- Dibujar la distribucin de pines y explicar cada uno de ellos en


cada uno de los transistores.
Existen dos tipos transistores: el NPN y el PNP, y la direccin del flujo de la
corriente en cada caso, lo indica la flecha que se ve en el grfico de cada
tipo de transistor.
El transistor es un dispositivo de 3 patillas con los siguientes nombres: base
(B), colector (C) y emisor (E), coincidiendo siempre, el emisor, con la patilla
que tiene la flecha en el grfico de transistor.

Fuente: http://juliodelgado.galeon.com/
El transistor bipolar es un amplificador de corriente, esto quiere decir que si
le introducimos una cantidad de corriente por una de sus patillas (base), el
entregar por otra (emisor), una cantidad mayor a sta, en un factor que se
llama amplificacin.

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3.- Consultar un mtodo practico para determinar el tipo y los


terminales de un transistor mediante la utilizacin de un
multimetro, adems de cmo se debe medir el beta de un
transistor.
a) Usar el multmetro en su funcin de hmetro y aplicar la prueba conocida
como "prueba del amplificador" e identificar las terminales del transistor.

Use un multmetro analgico en su funcin de hmetro.


Mida el efecto rectificante entre las uniones emisor-base y colectorbase (para el caso de un transistor NPN
o cuando se coloca el positivo de la fuente interna del hmetro
en la base (P) y el negativo en cualquiera de las otras dos
terminales deber medirse baja resistencia, al invertir esta
polaridad, la resistencia medida deber ser alta (use la misma
o

escala del multmetro para la realizacin de estas pruebas).


Entre las terminales de colector-emisor se observar alta
resistencia sin importar como se coloque la polaridad de las

terminales del hmetro.


Para distinguir la terminal de colector de la de emisor, ser necesario

aplicar la "prueba del amplificador" o alguna otra que se proponga.


Habiendo diferenciado la terminal de base de las otras dos
terminales, y el tipo de transistor NPN o PNP, la prueba del
amplificador consiste en lo siguiente:
o Para el caso del NPN:
Conectar el positivo del hmetro a la terminal que
supuestamente es el colector y el negativo al emisor, la
lectura que debe aparecer en el hmetro es de alta
resistencia, en seguida hacer contacto con el dedo entre
el colector y la base (esto es equivalente a colocar entre
estas terminales una resistencia del orden de M ohms) y
observar la disminucin de la resistencia medida entre

colector-emisor.
Cuando la terminal que se elige como colector es la
correcta esta disminucin en el valor de la resistencia es

considerable.
Si la terminal elegida como colector no es tal, sino la de
emisor, al efectuar dicha prueba la disminucin de la
resistencia no ser tan importante.

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Para estar seguro de cual es cual debern realizarse
ambos casos y comparar las resistencias medidas.

b) Otra forma que permite identificar las terminales de este dispositivo, es


mediante el uso de un multmetro digital que nos permita medir la "beta"
del transistor.
Esto es:

Elegimos en el multmetro digital la funcin de medicin de la beta,


colocamos las terminales del transistor como creamos que estn

correctas y midamos la beta.


Cuando el dispositivo esta correctamente colocado la beta medida,

generalmente es grande (en la mayora de los casos mayor a 50).


Cuando no est bien colocado la beta que se mide es pequea (en la
mayora de los casos menor a 20 y en algunos multmetros en esta
situacin marca circuito abierto).

4.- Determinar las corrientes de emisor , colector y base y el


voltaje Colector emisor de los siguientes circuitos, adicionalmente
comprobar si esque cada uno de los siguientes circuitos se
encuentra en la regin lineal.

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Circuito 1
Solucin
Equivalente de thevenin
V th =

V cc . R2
12
=20
R 1 + R2
(12+54)

V th =3,63[V ]

V BB V BB =V th

Condicin para que el transistor encienda


V BB >V BE
3,63 > 0,7
ON
malla de entrada
V BB =I B . R B +V BE + R E (I B + I C )
3,363=
3,63=

I B .9,81 k + 0,7+330(I B + . I B )
I B .9,81 k + 0,7+330(1+100)

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I B=67,91 A
i C = . i B

i C =100(67,91 A )
i C =67,91 m A

i E =iC +i B

i E =

6,79 mA+67,91 A

i E =

6,85 mA

Calculo de

V CE

malla de Salida
20=I C .2 k +V CE +330 .i E

I C = I E
Ganancia de Corriente en Base comn

Si es grande

I E =I C

(1)

V CE =206,79mA (2 k) . -330 (6,85 mA)


V CE =4,15 [V ]
SI SE ENCUANTRA EN LA REGION LINEAL
Circuito 2
Solucin
Equivalente de thevenin

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th =

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RB 2
.V
R B 2 + R B 1 CC

Rth =R B 1 RB 2

V th =

V th =1,95[V ]

V BB Rth=

100 k .15 k
=13,03 k=R B
100 k +15

Transistor ON
V BB =R B . i B +V CE + R E (i B +iC )
15=

13,03 k ( i B ) +0,7+ i B (1,2 k )+(1+ )

i B=11,67 A
i C = . i B

i C =100(11,67 A)
i C =1,167 m A

i E =i B +i C

i E = 11,67 A + 1,167 mA
i E =

1,17(mA)

Calculo de

V CE

15=i C . R C +V CE +i E . R E
15=1,167 mA ( 3,3 k ) +V CE + 1,17 ( mA ) .1,2 k
V CE =9,74 [V ]

R .R
15 k 2
. 15 R th = B 1 B 2
100 k+ 15 k
R B 1 + RB 2

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I C = I E

Ganancia de Corriente en Base comn


Si es grande

I E =I C

(1)

V CE =206,79mA (2 k) . -330 (6,85 mA)


V CE =4,15 [V ]
SI SE ENCUENTRA EN LA REGIN LINEAL

Circuito 3
Clculo de equivalente de thevenin
V th =V CC .

R2
R2 + R1

Rth =R B 1 RB 2

V th =22
V th =0,44[V ]

V BB Rth=0,17 k

V BB <V CE (OFF)

22=i B . R B +V CC

NO SE ENCUENTRA EN LA REGION LINEAL


5. Simulaciones:

1,8 k
R =82 k 1,8 k
82 k +1,8 k th

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Circuito 2

Bibliografa:
http://www.ecured.cu/index.php/Transistor_2N3904
http://www.utm.mx/~mtello/PracticascircElectro/Practica4CircElectro.pdf