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lectronique de base

LA LOI D'OHM
1re PARTIE
Toutes les grandeurs lectriques relatives un circuit sont maintenant dfinies comme ci-dessous et nous supposons que vous
connaissiez la tension, le courant (ou l'intensit) et la rsistance.
Nous pouvons passer l'examen d'un circuit complet et voir quelle influence ont chacune de ces trois grandeurs sur son
fonctionnement. Commenons par le circuit trs simple tel qu'il est reprsent figure 1-a)

Ce circuit est constitu d'une rsistance relie une pile, l'insertion de la rsistance est ncessaire pour que le circuit prsente une
valeur rsistive bien dtermine.
Figure 1-a, les composants du circuit sont reprsents sous leur aspect rel mais lors de l'examen des circuits lectriques on
considre toujours les composants sous leur aspect symbolique. Nous obtenons ainsi le schma lectrique du circuit analyser.
Figure 1-b sont donns les symboles lectriques des trois composants de notre circuit, tandis que la figure 1-c apparat son schma
lectrique
Les lettres A, B, C et D des figures 1-a et 1-c dsignent les point o les deux conducteurs reliant la pile et la rsistance sont souds
sur ces deux lments. La partie du schma gauche des points A et B reprsente le circuit interne de la pile tandis que la partie
droite de ces mmes points reprsente le circuit extrieur la pile, circuit constitu par les conducteurs et la rsistance.
Sur la figure 1-c, nous pouvons indiquer clairement les diffrentes grandeurs lectriques connues. La tension obtenue aux bornes
de la pile entre les points A et B est dsigne par son symbole V. Ce symbole est inscrit entre les deux flches qui mettent en

vidence les point A et B, points entre lesquels apparat cette tension. La mme tension V est galement prsente aux bornes de la
rsistance R, c'est--dire entre les point C et D, car le point (C) est reli directement au point (A) et donc possde le mme
potentiel lectrique que ce point ; il en est de mme avec le point D reli directement B.
La rsistance du circuit extrieur la pile est repre par son symbole R. On ne tient compte que de la valeur rsistive de la
rsistance et l'on nglige celles des conducteurs et de la pile qui sont trs faibles. Enfin, le courant qui traverse le circuit est dsign
par son symbole (I) avec la flche montrant la direction de son dplacement suivant le sens conventionnel. Nous voyons clairement
sur ce schma que le courant part du ple positif de la pile, traverse le conducteur AC puis la rsistance R et revient au ple ngatif
de la pile via le conducteur DB.
La tension V existante aux bornes de la pile a tendance provoquer la circulation du courant I tandis que la rsistance R prsente
un obstacle son passage : on comprend que l'intensit va dpendre de la tension et de la rsistance. En d'autres termes, il doit
exister une relation qui lie entre elles ces trois grandeurs lectriques fondamentales.
Cette relation fut dcouverte par le physicien Allemand Georges Simon OHM (1789-1854) et fut appele loi d'Ohm. L'unit de
rsistance porte galement le nom de ce physicien.
Ohm put noncer sa loi la suite de nombreuses expriences et de mesures minutieuses ; pour se faire une ide du procd qu'il
adopta, on peut faire quelques remarques simples.
Comme la tension de la pile est la cause qui dtermine la circulation du courant dans le circuit, si on augmente la tension, on
augmente aussi l'intensit du courant ; on peut facilement vrifier ce fait en reliant successivement au circuit des piles qui
donnent des tensions toujours plus leves et en mesurant l'intensit du courant que chacune d'elles fait circuler, mais on peut aller
plus loin. En effet, si on divise la tension de chaque pile par l'intensit du courant qu'elle fait circuler, on trouve toujours la mme
valeur ; cette valeur ne varie donc pas, bien qu'on fasse varier la tension, et aussi par consquent l'intensit du courant.
Nous observons donc que des trois grandeurs lectriques considres dans notre circuit la seule qui n'ai pas varie est la rsistance
puisque nous avons toujours conserv le mme composant. Nous pouvons penser que cette grandeur constante est gale au rsultat,
lui-mme constant, de la division de la tension par l'intensit du courant.
LA LOI D'OHM
2me PARTIE
OHM constata cette ralit et nona sa loi de la manire suivante :
La rsistance s'obtient en divisant la tension par le courant.
Mais pour faire varier le courant qui circule dans le circuit, nous pouvons faire varier la rsistance au lieu de la tension : en effet,
comme la rsistance est un obstacle la circulation du courant, si on l'augmente on doit diminuer le courant, car il rencontre un
obstacle plus grand.
Nous pouvons facilement vrifier ce fait, en conservant ou en prenant une pile, et en remplaant la rsistance par d'autres
composants qui ont une rsistance de plus en plus grande : on mesure l'intensit du courant dans chaque cas, et on peut constater
que
si la rsistance augmente, le courant diminue.
Si ensuite nous multiplions la valeur rsistive de chaque rsistance par le courant qui la traverse, nous trouvons toujours la mme
valeur bien que rsistance et courant varient.
Dans ce cas, des trois grandeurs lectriques, seule la tension demeure constante car la mme pile est utilise. Nous pouvons donc
penser que la valeur trouve en multipliant la rsistance par l'intensit du courant qui la traverse est la valeur de la tension de la
pile.
L aussi, OHM constata cet tat de fait et put noncer sa loi de cette deuxime faon :
On obtient la tension en multipliant la rsistance par l'intensit du courant.
A ce point, nous pouvons observer que pour faire varier le courant, nous avons d'abord fait varier tension et rsistance sparment.
Voyons maintenant ce qui se passe si la tension et la rsistance varient simultanment et dans les mmes proportions.
De cette manire, si l'on divise la tension par la rsistance, on trouve toujours la mme valeur.

D'autre part, si l'on mesure le courant qui circule dans le circuit pour chaque cas, nous nous apercevons qu'il conserve toujours la
mme valeur : nous pouvons donc penser que la valeur trouve en divisant la tension par la rsistance est justement celle de
l'intensit du courant.
Dans ce cas encore, OHM aboutit cette conclusion, ce qui lui fit noncer sa loi d'une troisime faon
On obtient l'intensit du courant en divisant la tension par la rsistance.
Vous ne devez pas penser qu'il y a trois lois d'Ohm : la loi d'Ohm est unique, mais comme elle lie entre elles trois grandeurs
lectriques (tension, intensit du courant et rsistance) elle peut se prsenter sous trois formes diffrentes, selon la grandeur que
l'on fait dpendre des autres.
La loi d'Ohm permet donc de calculer l'une des trois grandeurs en connaissant les deux autres. Pour bien vous rendre compte de
ceci, regardez la figure 2 sur laquelle sont reprsents les trois cas dans lesquels la loi d'Ohm peut tre utilise sous ses trois formes
diffrentes. (la loi d'Ohm sera dmontre en dtail dans la page intitule "Mathmatique").

Il peut arriver que l'on veuille calculer la rsistance d'un circuit auquel est relie une pile, qui donne une certaine tension, par
exemple 15 volts, et qui fait circuler un courant de 3 ampres (figure 2-a). Dans ce cas, on calcule la rsistance en divisant la
tension par l'intensit du courant, il suffit d'appliquer la formule de la loi d'Ohm :

R = 15 Volts / 3 Ampres = 5 Ohms.


Donc R = 5 Ohms.

On peut, au contraire, vouloir calculer la tension que doit avoir une pile pour faire circuler un courant dtermin dans un circuit de
rsistance connue (figure 2-b) : dans ce cas, on calcule la tension en multipliant la rsistance par l'intensit du courant.
Prenons les mmes valeurs que ci-dessus, nous aurons :

V = 5 Ohms x 3 Ampres = 15 Volts.


Donc V = 15 Volts.
On peut enfin vouloir calculer le courant qui circule dans un circuit de rsistance connue auquel est relie une pile qui donne une
tension connue (figure 2-c) : dans ce cas, on calcule l'intensit du courant en divisant la tension par la rsistance. Prenons
toujours les mmes valeurs voques.

I = 15 Volts / 5 Ohms = 3 Ampres.


Donc I = 3 Ampres.
Note : Le symbole de la tension, peut tre soit V ou U. De ces trois exemples, nous pouvons comprendre la grande utilit de la loi
d'Ohm pour les calculs pratiques : gardez toujours en mmoire la figure 2 et les trois formes de la loi d'Ohm. Comme vous pouvez
le constater, on tombe bien sur nos pieds, puisque nous avons bien les trois rsultats savoir : 5 Ohms, 15 Volts et 3 Ampres.
Nous allons ds maintenant constater l'utilit de cette loi en l'appliquant l'analyse des liaisons srie et parallle.
LIAISONS SRIE - LIAISONS PARALLLE
1re PARTIE
Dans les circuits lectriques, les lments qui les constituent peuvent tre relis entre eux de manires diffrentes selon les
ncessits ; nous allons examiner les diffrents types de liaisons et leurs proprits particulires, qu'il s'agisse des rsistances ou des
piles.
ASSOCIATION DE RSISTANCES EN SRIE
Revenons un instant l'examen du circuit de la figure 1. Dans celui-ci, le courant I sortant de la borne "+" de la pile, traverse la
rsistance R totale et revient dans la pile par sa borne "-" et, pour distinguer ces deux rsistances, nous les appellerons R1 et R2.

Le courant I fourni par la pile doit traverser successivement R1 puis R2 pour pouvoir revenir la borne "-" de la pile.
Quand deux ou plusieurs lments d'un circuit (dans ce cas deux rsistances) sont traverss successivement par le mme
courant, on dit qu'ils sont relis en srie, ou plus simplement qu'ils sont en srie. Le fait que le courant circulant dans ces

lments soit le mme pour tous est une caractristique spcifique des liaisons en srie, donc plusieurs rsistances en srie sont
toutes traverses par le mme courant. (Ceci est vident et facile comprendre).
L'adjonction de la rsistance R2 rend la valeur rsistive totale du circuit plus grande que s'il n'y avait que la rsistance R1, car le
courant, outre l'obstacle caus par R1 son passage, doit galement traverser R2. Nous pouvons dire que la rsistance totale du
circuit de la figure 1 ci-dessus qui s'oppose au passage du courant est donne par la somme des valeurs rsistives de chaque
rsistance. Rappelez-vous que :
La rsistance quivalente prsente par plusieurs rsistances relies en srie s'obtient en additionnant la valeur rsistive de
chacune des rsistances.
Regardons maintenant ce qu'il advient de la tension dlivre par la pile. Aux bornes de chaque rsistance, il apparat une tension et
ceci conformment la loi d'Ohm.
Pour la figure 1, La tension V de la pile se partage entre les deux rsistances R1 et R2 prsentes dans le circuit. Aux bornes de R1
apparat une tension V1 (dtermine par les valeurs de I et de R1) et aux bornes de R2 apparat une tension V2 (dtermine par les
valeurs de I et de R2). La somme de ces deux tensions est gale la tension totale de la pile : V1 + V2 = V.
Illustrons par un exemple ce qui vient d'tre affirm.
Figure 2 est report le mme circuit mais certaines grandeurs lectriques sont agrmentes d'une valeur.

Dans ce circuit, nous devons dterminer l'intensit du courant I qui circule dans les rsistances R1 et R2, ainsi que les tensions V1
et V2 prsentent leur bornes.
Les deux rsistances tant relies en srie, toutes deux sont traverses par le mme courant, donc la rsistance globale offerte la
circulation de ce courant est dtermine par la somme des deux rsistances soit :
Rsistance quivalente = R1 + R2 = 20 Ohms + 40 Ohms = 60 Ohms
L'application de la loi d'Ohm sous forme I = V / R nous permet de calculer I :
I = 6V / 60 Ohms = 0,1 A = 100 mA
100 mA est l'intensit du courant qui traverse R1 et R2. Pour calculer les tensions V1 et V2 prsentes aux bornes de R1 et de R2,
la loi d'Ohm sera applique sous forme V = RI.
V1 = R1 X I = 20 Ohms X 100 mA = 20 Ohms X 0,1 A = 2 V
V2 = R2 X I = 40 Ohms X 100 mA = 40 Ohms X 0,1 A = 4 V
Ces rsultats trouvs, nous constatons d'emble que la tension V de la pile s'est partage en deux parties et nous avons ralis un
circuit appel diviseur de tension.

Dans les circuits lectroniques, on a souvent recours l'association de deux rsistances en srie dans le but d'obtenir une tension
plus faible que celle fournie par l'alimentation du circuit.
Par exemple, supposons devoir alimenter une lampe fonctionnant sous 6 V et absorbant un courant maximum de 0,05 A (50 mA)
partir d'une pile de 9 V.
Sous peine de dtruire la lampe, il est impossible de relier celle-ci directement la pile tant donn que la tension trop importante
de celle-ci ferait circuler un courant trop intense dans la lampe, courant qui "grillerait" (comme on dit couramment) la lampe.
Pour viter cet inconvnient, nous pouvons disposer dans le circuit une rsistance chutrice en srie avec la lampe, comme illustr
figure 3. Sur cette figure, vous ferez galement connaissance avec le symbole graphique d'une lampe.

La valeur de la rsistance R doit tre calcule de faon adquate pour qu' ses bornes, la tension soit de 3 V (excdent fourni par la
pile). Cette valeur peut tre calcule par la loi d'Ohm car le courant I qui circule dans le circuit est impos par la lampe L soit 50
mA et la tension VR ses bornes de 3 V.
R = VR / I
Remplaons VR par V - VL (VL : tension aux bornes de la lampe L).
R = V - VL / I = (9V - 6V) / 0,05 A = 3 V / 0,05 = 60 Ohms
Dans ce cas, la rsistance R relie en srie avec la lampe L forme avec celle-ci un diviseur de tension qui rduit la tension
applique la lampe, de manire permettre son allumage dans de bonnes conditions.
On dit que la rsistance R a ainsi "chut" une partie de la tension fournie par la pile. Les rsistances sont largement utilises dans
les circuits pour produire des chutes de tension, et raliser ainsi des diviseurs de tensions.
Il y a un deuxime type de liaison utilis pour les rsistances est l'association en parallle, illustre figure 4.

ASSOCIATION DE RSISTANCES EN PARALLLE

Dans ce type de montage, chacune des deux rsistances R1 et R2 ont une de leurs bornes relies au "+" de la pile et l'autre au "-".
Toutes deux se voient donc appliquer la mme tension, celle fournie par la pile. Cet tat de fait est une caractristique
spcifique des liaisons en parallle ; rappelez-vous que :
Aux bornes de plusieurs lments associs en parallle, il y a toujours la mme tension.
Dans ce type de liaison, il faut donc essentiellement analyser le comportement du courant. Figure 4, notons pour le courant (I) qui
sort du ple positif de la pile se partage au point C en deux courants appels I1 et I2 ; chacun de ses courants traverse une
rsistance (I1 traverse R1 et I2 traverse R2) puis se runissent au point D pour reformer le courant initial (I) qui rejoint alors le
ple ngatif de la pile.
Le courant I fourni par la pile est donc gal la somme des courants qui traversent chacune des rsistances.
I = I1 + I 2
Pour dterminer la rsistance quivalente (Req) d'un tel assemblage, il nous faut utiliser la loi d'Ohm. La figure 5 est report le
circuit lectrique de la figure 4 ainsi que le schma quivalent dans lequel apparat Req.

Figure 5-a, nous pouvons dterminer la valeur du courant I en fonction de R1 et de R2.


I = I1 + I2
I1 = VR1 / R1
I2 = VR2 / R2

Nous savons que dans un tel montage, la tension aux bornes de chaque rsistance est gale la tension fournie par la pile :
V = VR1 = VR2
(1) d'o I1 = V / R1
(1) I2 = V / R2
(1) et I = V / R1 + V / R2
De la figure 5-b, nous dduisons que : (2)

I = V / Req

Les deux galits (1) et (2) donnent le mme courant I et sont donc gales :
(1) = (2) ----------------------) V / R1 + V / R2 = V / Req
Multiplions les deux termes de l'galit par 1 / V :
I / V . (V / R1 + V / R2) = 1 / V . V / Req
Simplifions les deux termes de l'galit.

Nous avons ainsi dtermin la Req en fonction de R1 et de R2. tendue au cas gnral de plusieurs rsistances en parallle, cette
formule devient :

Lors de notre dmonstration, nous sommes passs par le rsultat intermdiaire suivant :
1 / Req = 1 / R1 + 1 / R2
Autrement dit, l'inverse de la rsistance quivalente est gale la somme des inverses des rsistances du circuit, ou pour tre plus
prcis que la conductance quivalente est gale la somme des conductances de chaque rsistance.
Geq = G1 + G2
Ainsi, pour calculer la rsistance quivalente Req de deux ou plusieurs rsistances en parallle, on peut faire les trois oprations
suivantes :
dterminer la conductance de chaque rsistance : G = 1 / R
effectuer la somme des conductances trouves : Geq = G1 + G2 + G3 + ...
prendre l'inverse de la somme obtenue : Req = 1 / Geq
Quand deux rsistances seulement sont en parallle, on adopte la formule suivante qui drive de la formule gnrale :
Req = R1 X R2 / R1 + R2
Par un exemple pratique chiffr, mettons en application ce que nous venons de voir :

Soit calculer la rsistance quivalente au circuit reprsent figure 6.

Pour calculer Req, effectuons les trois oprations requises :


calcul de la conductance de chaque rsistance :
G1 = 1 / R1 = 1 / 20 Ohms = 0,05 S
G2 = 1 / R2 = 1 / 40 Ohms = 0,025 S
somme des conductances :
Geq = G1 + G2 = 0,05 + 0,025 = 0,075 S
Calcul de la rsistance quivalente :
Req = 1 / Geq = 1 / 0,075 = environ 13,3 Ohms
Les rsistances R1 et R2 en parallle sont donc quivalentes une rsistance unique de 13,3 Ohms environ.
Pour comparer les deux types d'associations des rsistances, nous pouvons noter que dans le cas de rsistances en srie, la valeur de
la rsistance quivalente est toujours suprieure la valeur de chaque rsistance tandis que dans le cas d'une association parallle la
valeur de la rsistance quivalente est dans tous les cas infrieure la valeur de chaque rsistance et mme mieux, elle est
infrieure la plus petite des rsistances.
Les formules prsentes servent galement aux calculs de circuits plus complexes ns de la combinaison des deux types
d'associations.
Prenons pour exemple le circuit de la figure 7 et supposons devoir calculer sa rsistance quivalente.

On calcule tout d'abord la rsistance quivalente (R2 - R3) aux rsistances R2 et R3 en parallle soit :
R2-R3 = R2 X R3 / R2 + R3 = 100 X 25 / 100 + 25 = 2500 / 125 = 20 Ohms
Aux deux rsistances R2 et R3, on peut substituer une unique rsistance de 20 Ohms (R2 et R3), comme dans la figure 7-b.

A partir de cette figure, on calcule la rsistance (Req) quivalente (figure 7-c) R1 et R2-3 en srie :
Req = R1 + R2-3 = 5 + 20 = 25 Ohms
De cet exemple pratique, il ressort qu'en prsence d'un circuit complexe, il faut traiter les deux types d'associations sparment de
manire simplifier le circuit progressivement jusqu' obtenir une unique rsistance.
Il est galement intressant de voir le comportement des tensions et des courants dans un tel circuit.
Dans la figure 8 est report le mme circuit mais complt par la reprsentation des diffrents courants et tensions .

Il nous faut prsent dterminer les paramtres accompagns d'un point d'interrogation dans la figure 8 soit I, V1, V2, V3, I2 et I3.
Calcul de I :
I est le courant total circulant dans le circuit, nous l'obtenons en divisant la tension fournie par la pile par la rsistance quivalente
du circuit, qui est comme calcule prcdemment de 25 Ohms :
I = V / Req = 9 / 25 = 0,36 A = 360 mA
Calcul de V1 :
V1, tension aux bornes de la rsistance R1 s'obtient en multipliant R1 par le courant qui la traverse, or ce courant n'est autre que I :
V1 = R1 X I = 5 X 0,36 = 1,8 V
Calcul de V2 et V3 :
V2-3, tension aux bornes de l'ensemble R2-R3 est gale la diffrence entre la tension V de la pile et la tension V1 chute par R1 :
V2-3 = V - V1 = 9 - 1,8 = 7,2 V
Calcul de I2 :
I2, courant circulant dans R2 s'obtient en divisant la tension aux bornes de R2 soit V2-3 par R2 :
I2 = V2-3 / R2 = 7,2 / 100 = 0,072 A = 72 mA
Calcul de I3 :
Le courant circulant dans R3, peut s'obtenir de deux faons :
I3 = I - I2 = 360 mA - 72 mA = 288 mA
ou
I3 = V2-3 / R3 = 7,2 / 25 = 0,288 A = 288 mA

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LIAISONS SRIE - LIAISONS PARALLLE


2me PARTIE
ASSOCIATION DE PILES
Aprs avoir vu ce qui se produit dans le circuit extrieur des piles, selon le type de liaison adopt pour les rsistances, nous allons
examiner le circuit intrieur aux piles
.
Le courant qui retourne aux ples ngatif de la pile, aprs avoir parcouru le circuit extrieur, doit traverser la solution
lectrolytique l'intrieur de la pile pour se porter sur le ple positif, d'o il recommence circuler dans le circuit extrieur.
La solution lectrolytique de la pile offre une rsistance au courant qui la traverse. Comme cette rsistance n'appartient pas au
circuit extrieur, elle est appele rsistance interne de la pile.
Figure 9, la partie situe gauche des points A et B constitue le circuit interne de la pile.

La pile possdant une rsistance interne, il est possible de la matrialiser sur le circuit lectrique, c'est ce que nous avons fait avec
la rsistance Ri.
Si nous considrons cette rsistance Ri comme une rsistance part entire, tant traverse par le courant I, une tension Vi va
natre ses bornes. Ri produit une chute de tension mais comme Ri est situe l'intrieur de la pile, cette chute de tension
s'effectue dans la pile. C'est pour cette raison que la rsistance et la chute de tension qu'elle provoque sont symbolises par un i, (i
servant rappeler que ces deux paramtres sont internes la pile).
En consquence, la tension ncessaire aux bornes de la pile n'est pas la tension totale fournie par la pile, mais est gale cette
tension diminue de la chute de tension interne.
Selon la loi d'Ohm, la tension qui apparat aux bornes de Ri s'obtient en multipliant Ri par le courant qui la traverse, or ce courant
n'est autre que le courant traversant le circuit et fourni par la pile.
Nous constatons donc que la chute de tension interne la pile est d'autant plus leve que le courant dbit par celle-ci augmente.
Inversement, cette chute de tension interne est nulle quand la pile n'est relie aucun circuit extrieur. Dans de telles conditions,
aux bornes de la pile apparat la totalit de la tension qu'elle peut fournir.
Cette tension s'appelle force lectromotrice d'une pile et est symbolise par la lettre E comme dans la figure 9.
Il faut retenir de ceci que la force lectromotrice d'une pile est la tension prsente ses bornes lorsque la pile ne fournit
aucun courant. L'unit de la force lectromotrice est bien sr le volt.
Dans la plupart des cas, la rsistance interne d'une pile est de loin trs infrieure la rsistance du circuit extrieur et lors
d'ventuels calculs, cette valeur est nglige sans que cela apporte d'erreur apprciable dans les rsultats.
Dans ces cas, nous considrons que la tension fournie par la pile est gale sa force lectromotrice. Dornavant, pour le terme
force lectromotrice, nous utiliserons l'abrviation universellement reconnue f.e.m. (Nous reportons le mme circuit pour vous
faciliter la tche).

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Pour illustrer ce qui vient d'tre dit, donnons des valeurs aux lments de la figure 9 :
E=9V
Ri = 0,3 Ohm
R = 8,7 Ohms
Le courant I circulant dans le circuit est donn par le rapport entre la f.e.m. et la rsistance quivalente de ce circuit constitu de R
et de Ri.
I = E / Req = E / R + Ri = 9 V / 0,3 + 8,7 = 9 / 9 = 1 A
La chute de tension Vi interne la pile est de :
Vi = Ri X I = 0,3 X 1 = 0,3 V
La tension disponible aux bornes de la rsistance R lorsque la pile dbite un courant de 1 A est de :
V = E - Vi = 9 - 0,3 = 8,7 V
Comme vous pouvez le constater, la tension chute dans Ri est minime au regard de la tension rellement disponible aux bornes de
R. Pour d'autres calculs, Vi pourrait donc tre nglige.
Voyons prsent les diffrentes associations ralisables partir de plusieurs piles.
Figure 10 est reprsent le type d'association que vous serez appel rencontrer le plus souvent, il s'agit d'une association en srie.
Cette association s'effectue en reliant la borne positive de l'une la borne ngative de l'autre. Puisque chaque pile a une f.e.m. de
1,5 V entre les points B et A, il y a une diffrence de potentiel de 1,5 V de mme qu'entre les point C et B.

Le point C a un potentiel lectrique suprieur de 1,5 V celui du point B, qui lui-mme a un potentiel suprieur de 1,5 V par
rapport au point A. Nous aurons donc un potentiel lectrique de 3 V entre les points C et A, bornes de l'ensemble.
Nous pouvons alors conclure :
En mettant plusieurs piles en srie, on obtient une f.e.m. totale gale la somme des f.e.m. de chaque pile.

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On a recours ce type d'association lorsque l'on a besoin d'une tension plus leve que celle fournie par une seule pile. Dans ce cas,
l'ensemble des piles relies en srie est aussi appel batterie de piles. Ceci est le cas de la pile de 4,5 V que vous utilisez pour vos
pratiques puisqu'elle est forme de trois lments de 1,5 V chacun relis en srie.
En ce qui concerne la rsistance interne, il est vident qu'une batterie de piles a une rsistance interne gale la somme des
rsistances internes de chaque lment qui la compose. Enfin, tous les lments tant en srie, ils sont traverss par le mme
courant, comme dans toutes les associations de ce type. D'autre part, il faut savoir qu'une pile ne doit jamais fournir un courant
d'intensit suprieure une valeur dtermine, qui dpend de ses caractristiques de fabrication, sous peine d'entraner rapidement
sa dtrioration.
C'est pour cela que le circuit extrieur d'une pile n'est jamais constitu par un simple fil de cuivre : en effet, cause de la trs
faible rsistance du fil, la pile serait oblige de fournir un courant d'intensit trs leve qui la dtriorerait trs vite. Dans ce cas,
on dit que la pile est en court-circuit ; pour la bonne conservation des piles, il faut donc viter de les mettre en court-circuit, en
reliant directement leurs ples par un simple conducteur de rsistance ngligeable.
Quand un courant plus important que celui que peut dlivrer une seule pile est ncessaire, nous utilisons plusieurs piles relies en
parallle comme le montre la figure 11.

Dans cette figure, nous voyons que le courant total fourni par plusieurs piles en parallle est gal la somme des courants
que peut fournir chaque pile.
Naturellement, pour que cela se produise, il faut que les ples positifs de chaque pile soient relis entre eux, de mme que les ples
ngatifs, comme sur la figure 11. Aux bornes de l'ensemble, la f.e.m. est gale celle fournie par une seule pile, caractristique
commune toutes les associations en parallle.
En pratique, ce type d'association est rarement utilis parce que si les rsistances internes et les f.e.m. de chaque pile ne sont pas
rigoureusement identiques, on observera la dcharge d'une pile dans l'autre entranant leur dtrioration mutuelle.
NERGIE LECTRIQUE ET CHALEUR
1re PARTIE
La notion d'nergie fut suggre l'homme par l'observation de phnomnes naturels ; en observant par exemple le vent, la foudre
ou les ruptions volcaniques, il vient spontanment l'ide que la nature n'est pas une chose inerte mais qu'elle possde une nergie
que l'homme s'est ensuite ingni utiliser.
Pour cela, il est cependant ncessaire de domestiquer les manifestations de l'nergie naturelle, mais ceci n'est pas toujours faisable
et l'homme a d reproduire artificiellement ces phnomnes naturels de la faon la plus approprie pour ensuite utiliser l'nergie
mise en jeu.
Dans ces cas, on dit communment que l'nergie est "consomme", pour en obtenir un travail ou de la chaleur. Quand nous nous
trouvons en face de travail ou de chaleur, produits artificiellement par l'homme, nous devons nous souvenir que ce travail ou cette
chaleur ont t obtenus aux dpens d'une nergie correspondante qui a t consomme. Par exemple, l'chauffement du filament
d'une ampoule, qui devient incandescent jusqu' produire de la lumire "consomme" de l'nergie, cette nergie est de nature
lectrique. En ralit, l'nergie n'est pas consomme mais simplement transforme en un autre type d'nergie. Il est donc plus
correct de dire que l'nergie lectrique se transforme en nergie mcanique (c'est--dire en travail) ou en nergie thermique
(chaleur ou lumire).
Nous allons prsent analyser la production de chaleur partir de l'nergie lectrique, puis nous analyserons comment de cette
nergie

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EFFET THERMIQUE DU COURANT


La chaleur produite grce l'nergie lectrique est due l'effet thermique du courant, qui consiste en l'chauffement d'un
conducteur parcouru par ce courant.
Voyons en premier lieu de quelle faon un courant, parcourant un conducteur, peut produire son chauffement. Comme nous le
savon dj, les corps et donc les conducteurs sont constitus d'atomes qui occupent les positions dtermines.
Lorsqu'un courant circule dans un conducteur, le passage des lectrons de ce courant est gn par les atomes du conducteur contre
lesquels se heurtent ces lectrons ; ces derniers cdent ainsi une part de leur nergie qui rchauffe le conducteur.
NERGIE LECTRIQUE
L'nergie lectrique est une grandeur lectrique qui peut tre quantifie. Cela est important car cette nergie est trs coteuse. Pour
voir de quelle manire nous pouvons mesurer l'nergie lectrique, rfrons-nous un circuit trs simple tel que celui de la figure 1.

Ce circuit est constitu d'une batterie relie deux rsistances gales R montes en srie. Pour notre explication, nous supposons
que ces deux rsistances appartiennent un radiateur lectrique.
Il est important de se rappeler que toutes les charges constituant le courant lectrique circulant dans notre circuit sont gales. Donc,
ce qui est vrai pour l'une d'elle est vrai pour toutes les autres. Pour notre explication, analysons ce qui se produit sur une charge, par
exemple un lectron.
Figure 1, suite au passage du courant dans les deux rsistances, il se produit un dgagement de chaleur, l'nergie de l'lectron y est
donc consomme.
Aux bornes des deux rsistances (entre les points C et E), la tension est identique celle aux bornes de la batterie (points A et B)
donc de 90 V (la chute de tension dans les conducteurs tant ngligeable). Cette tension de 90 V se divise en deux parties gales de
45 V puisque les rsistances sont identiques et montes en srie. Ces deux rsistances fournissent donc chacune la moiti de la
chaleur globale produite par le radiateur.
L'lectron qui traverse ces deux rsistances tour de rle perd une moiti de son nergie dans la premire rsistance et l'autre
moiti dans la seconde rsistance.
Considrons maintenant la rsistance relie entre les points C et D et voyons quelles valeurs possdent l'nergie de l'lectron et le
potentiel lectrique.
Au point C, l'lectron possde toute son nergie, le point C a donc un potentiel suprieur de 90 V au point E.
Au point D, aprs avoir travers la premire rsistance, l'lectron ne possde plus que la moiti de son nergie puisque cette
rsistance en a consomm une moiti pour produire de la chaleur.
Le point D a un potentiel de 45 V suprieur au point E, c'est--dire la moiti des 90 V prsents au point C.

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Nous constatons ainsi qu' une diminution d'nergie subie par l'lectron en traversant la rsistance correspond une diminution
analogue du potentiel aux bornes de cette mme rsistance.
La diffrence de potentiel ainsi cre correspond l'nergie cde la rsistance par les lectrons du courant lectrique, nergie
transforme en chaleur.
Pour ne rien omettre dans mon explication, il nous faut prciser que l'nergie possde par la charge lectrique est fournie par la
batterie suite aux ractions chimiques qui se produisent l'intrieur de celle-ci entre ses lectrons et la solution lectrolytique
qu'elle contient.
L'altration des lectrodes et le phnomne de polarisation expliqus prcdemment et qui provoque l'puisement de la batterie
sont justement ds aux ractions chimiques internes la pile.
Ce qui se passe pour un lectron et videmment vrai pour tous ceux composant le courant lectrique car chacun des lectrons
apporte sa contribution d'nergie qu'il a reue de la pile.
Si prsent, nous dsirons connatre l'nergie totale consomme par le radiateur pour produire de la chaleur, il suffit de multiplier
la tension qui lui est applique par la batterie, par le nombre de charges c'est--dire que la quantit d'lectricit qui a travers les
rsistances pendant la totalit du temps de fonctionnement.
Comme nous le verrons un peu plus tard, la tension est facilement mesurable, par contre, il n'en est pas de mme pour la quantit
d'lectricit. Cependant, nous pouvons galement mesurer l'intensit du courant lectrique qui, comme nous le savons correspond
la quantit d'lectricit, autrement dit, le nombre de coulombs qui traversent un circuit en une seconde.
En conclusion, si nous multiplions la tension appliqu au radiateur par l'intensit du courant lectrique qui le traverse, nous
connatrons l'nergie utilise en une seconde par le radiateur pour produire de la chaleur. Cette nergie reprsente la puissance
lectrique (symbole P) du radiateur. Il faut retenir que :
La puissance lectrique d'un appareil lectrique correspond l'nergie absorbe par cet appareil en une seconde : elle est
obtenue en multipliant la tension applique ses bornes par l'intensit du courant qui le traverse :
P=VxI
L'unit de mesure de la puissance lectrique est le watt (symbole W) tandis que la tension et l'intensit s'expriment respectivement
en volt et en ampre.
Dans les applications pratiques, vous serez appels rencontrer des puissances trs grandes ou au contraire trs petites : pour les
fortes puissances, on utilise le kilowatt (symbole kW) qui vaut mille watts. Pour les faibles puissances, on utilise le milliwatt
(symbole mW) qui est le millime partie du watt.
Connatre la puissance lectrique d'un appareil lectrique est trs important parce que cette information donne immdiatement une
ide de l'nergie consomme par cet appareil. Pour cette raison, les fabricants indiquent sur leurs appareils la puissance lectrique
de ceux-ci.
Supposons par exemple, que sur un radiateur lectrique figure la puissance de 500 W. Cela signifie que ce radiateur consomme une
nergie de 500 W chaque seconde. S'il fonctionne une heure, il consommera une nergie 3 600 fois plus grande, tant donn qu'il
y a 3 600 secondes dans une heure (60 X 60). nous pourrons dire que :
L'nergie consomme par un appareil lectrique maintenu en fonctionnement pendant un temps dtermin, s'obtient en
multipliant sa puissance exprime en watt par le temps exprim en secondes.
W=Pxt
Puisque pour obtenir l'nergie, nous multiplions la puissance en watt par le temps en seconde. Il est vident que cette nergie se
mesure en watt par seconde (Ws). A cette unit de mesure de l'nergie lectrique a t donn le nom de joule (symbole J).
Les appareils lectriques fonctionnant en gnral pendant un temps trs suprieur la seconde, il n'est pas pratique de calculer
l'nergie ainsi consomme en multipliant la puissance en watt par le temps de fonctionnement exprim en seconde.

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Pour cette raison, il est prfrable de multiplier la puissance en watt par le temps exprim en heure, l'nergie est alors exprime non
plus en watt par seconde, c'est--dire en joule, mais en watt par heure c'est--dire en watt-heure (symbole Wh) qui quivaut 3
600 joules (1 heure = 3 600 secondes)
En pratique, vous rencontrerez le kilowatt-heure (symbole kWh) qui vaut 1000 Wh. Par exemple, les compteurs d'lectricit
installs dans les habitations mesurent l'nergie lectrique consomme en kilowatt-heure.
NERGIE LECTRIQUE ET CHALEUR
2me PARTIE
LOI DE JOULE
Nous connaissons maintenant la relation qui lie la tension et le courant la puissance lectrique et l'nergie consomme pour
produire de la chaleur.
Or, nous savons que cette production de chaleur est due la rsistance rencontre par les charges lectriques du courant lors de leur
dplacement au travers d'un conducteur. L'nergie consomme dpend donc directement du courant et de la rsistance qu'il
rencontre.
Il existe effectivement une relation qui lie ces deux grandeurs l'nergie. Pour mieux comprendre leur action vis--vis de l'nergie,
il faut tout d'abord se rfrer l'nergie consomme chaque seconde autrement dit la puissance lectrique.
Cette relation, nonce par le physicien anglais (eh oui !) James Prescott JOULE (1818-1889), est appele loi de Joule. Comme
nous l'avons dj vu, ce physicien a galement donn son nom l'unit de mesure d'nergie ainsi qu' l'effet thermique du courant
appel effet Joule.
La loi de Joule peut s'noncer ainsi :
La puissance lectrique consomme par une rsistance pour produire de la chaleur s'obtient en multipliant la valeur de la
rsistance par le carr du courant qui la traverse :
P = R x I2
Si la rsistance et le courant sont mesurs respectivement en Ohm et en Ampre, la puissance est exprime en watt.
La loi de Joule peut se dduire de celle dj vue : P = V x I. En effet, de la loi d'Ohm, la tension V aux bornes d'une rsistance est
donne par V = R x I. Si nous remplaons V par ce produit, nous obtenons :
P = R x I x I = R x I2
Nous pouvons faire deux constatations partir de cette formule.
La premire est que la puissance consomme augmente dans les mmes proportions que la rsistance, par exemple si la rsistance
double, la puissance double galement.
S'il n'en est pas de mme lorsque le courant augmente, en effet si par exemple le courant double, la puissance est multiplie par 4.
Nous pouvons donc affirmer que :
La puissance lectrique P augmente en fonction du carr du courant.
Si dans la formule P = V x I nous remplaons non pas V par sa valeur en fonction de la loi d'Ohm mais I, soit I = V / R nous
trouvons une nouvelle formule de la puissance :
P = V x I = V x V / R = V2 / R
Donc :

P = V2 / R

Dans le cas o R double, la puissance P diminue de moiti tandis que si V double, la puissance est multiplie par 4.
Nous pouvons dduire que :
La puissance lectrique P augmente en fonction du carr de la tension.

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Nous sommes maintenant en mesure de calculer la puissance et donc l'nergie lectrique consomme pour produire de la chaleur en
connaissant deux des trois grandeurs lectriques que son la tension, le courant et la rsistance dont dpend le fonctionnement de
tout circuit lectrique.
Mais quelle quantit de chaleur obtient-on en consommant une nergie dtermine ?
La rponse fut apporte par JOULE suite aux nombreuses expriences qu'il ralisa.
Tout d'abord, pour mesurer une quantit de chaleur, il faut lui donner une unit de mesure propre.
Pour effectuer ce calcul, on exploite le fait que lorsqu'un corps reoit de la chaleur, sa temprature augmente.
Puisque cette augmentation de chaleur est mesurable l'aide d'un thermomtre, il est possible de dduire la quantit de chaleur
reue par le corps.
C'est ainsi que fut dfinie l'unit de mesure de quantit de chaleur appele Calorie (symbole Cal). Il a t convenu que :
La calorie est la quantit de chaleur ncessaire pour lever de un degr Celsius (par exemple de 20C 21C) la
temprature d'un gramme d'eau.
Pour les quantits de chaleur gnralement rencontres en pratique, on utilise la kilocalorie (symbole kCal), ce multiple de la
calorie est dfini en se rfrant non plus un gramme d'eau mais un kilogramme d'eau. La kilocalorie est mille fois plus grande
que la calorie. On utilise galement la thermie (symbole th) qui vaut 1 million de calories (soit une mgacalorie).
Joule quantifia ses expriences de faon prcise en utilisant un conducteur de rsistance connue parcouru par un courant connu et
ceci pendant un temps donn. Il dtermina que pour chaque joule d'nergie consomme, il obtenait 0,238 cal. Cette quantit de
chaleur est appele quivalent thermique de l'nergie. Inversement pour une quantit de chaleur de 1 calorie, il faut 4,185
Joules.
RSISTANCES ET PUISSANCE
Voyons prsent comment les nouvelles grandeurs lectriques que sont la puissance et l'nergie s'appliquent un lment tel
qu'une rsistance.
Reprenons le circuit utilis lors de l'analyse des liaisons sries et reprsent figure 2.

Comme la pile fournie une tension de 9 V tandis que la lampe ne ncessite que 6 V, nous avons d relier en srie avec la lampe une
rsistance qui provoque une chute de tension de 3 V. Cette rsistance dtermine produit de la chaleur en consommant de l'nergie
lectrique. Cette nergie est consomme inutilement puisque le rle du circuit n'est pas de produire de la chaleur mais de produire
de la lumire par le biais de la lampe et non par le rougeoiement de la rsistance.
L'nergie consomme par la rsistance chaque seconde, c'est--dire la puissance lectrique doit tre considre comme de la
puissance dissipe puisqu'elle n'est pas utilise d'une manire ou d'une autre. Pour cette raison, les rsistances sont appeles :
lments dissipant de la puissance.

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Essayons prsent de calculer la puissance dissipe par la rsistance R (soit PR) et celle dissipe par la lampe L (PL). Nous
supposons que le courant circulant dans le circuit de la figure 2 a une intensit de 0,05 A (50mA). Ce courant correspond au
courant absorb par la lampe.
En appliquant la formule P = V x I, nous obtenons les valeurs de PR et de PL.
PR = VR x I = 3 x 0,05 = 0,15 W = 150 mW
PL = VL x I = 6 x 0,05 = 0,3 W = 300 mW
Les mmes valeurs peuvent tre obtenues en appliquant les autres relations que nous connaissons soit :
P = R x I2 et

P = V2 / R

Dans ces cas, il faut auparavant dterminer la valeur de la rsistance R et celle du filament de L en appliquant la loi d'Ohm.
R = VR / I = 3 / 0,05 = 60 Ohms
RL = VL / I = 6 / 0,05 = 120 Ohms
Ce qui donne pour les deux puissances PR et PL :
PR = R x I2 = 60 x (0,05 x 0,05) = 60 X 0,0025 = 0,15 W = 150 mW
et
PL = VL2 / R = (6 x 6) / 120 = 36 / 120 = 0,3 W = 300 mW
La rsistance R devra donc tre en mesure de dissiper une puissance au moins gale 150 mW. Une rsistance est un composant
lectronique caractris non seulement par sa valeur ohmique mais galement par sa puissance maximale qu'il peut dissiper sans
risque de destruction.
Il existe ainsi des rsistances qui, bien que possdant la mme valeur rsistive dissipent des puissances trs diffrentes, qui vont de
fractions de watt plusieurs dizaines de watts. Elles se diffrencient par leurs dimensions ou par les matriaux avec lesquels elles
sont fabriques.
C'est ainsi que la technique aidant, les constructeurs arrivent diminuer les dimensions des rsistances tout en conservant des
puissances fortes.
De l'augmentation de temprature produite par la dissipation de la puissance en chaleur, drive un fait important. Prcdemment, il
a t dit que plus la temprature d'un corps est leve, plus l'agitation de ses atomes est importantes, ceci est vrai aussi pour les
rsistances et en gnral pour tous les conducteurs.
Mais si les atomes s'agitent avec plus d'amplitude, il leur est plus facile de se trouver sur le parcours des charges constituant le
courant lectrique qui circule dans le conducteur. Nous pouvons alors en dduire que :
En augmentant la temprature d'un conducteur, sa rsistance lectrique augmente. Cette augmentation de rsistance est
diffrente d'un matriau l'autre.
Pour chacun d'eux, nous pouvons connatre cette augmentation l'aide du coefficient de temprature qui indique de combien
augmente une rsistance de 1 Ohm quand sa temprature s'accrot de 1 C et ceci pour un matriau donn.
Pour les rsistances, les constructeurs emploient des matriaux faible coefficient de temprature de sorte que leur valeur rsistive
ne subisse pas de variation sensible, mme si la temprature atteint des valeurs leves.
Dans la prochaine leon, nous ferons la connaissance d'un autre composant fondamental des circuits lectriques : le condensateur.
Mais avant toute chose, nous allons traiter de quelques notions simples de mathmatiques de faon bien comprendre et comment
calculer un condensateur par exemple, parmi d'autres ?

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LES CONDENSATEURS
1re PARTIE
Aprs avoir tudi les rsistances, voyons le fonctionnement des condensateurs.
CAPACIT LECTRIQUE
Puisqu'il faut des quantits d'lectricit diffrentes pour porter des corps de dimensions diffrentes un mme potentiel lectrique,
nous pouvons caractriser chaque corps par la quantit d'lectricit qu'il doit possder pour atteindre le potentiel de un volt ; cette
quantit d'lectricit est la capacit lectrique (symbole C) du corps.
Pour un corps qui possde une quantit d'lectricit dtermine, et qui se trouve un potentiel dtermin, on obtient la capacit
lectrique en divisant la quantit d'lectricit par le potentiel.
C=Q/V
Par exemple, on obtient la capacit d'un corps qui a une quantit d'lectricit de quatre coulombs et qui se trouve un potentiel
de huit volts en faisant la division 4 / 8 = 0,5 ; il faut donc 0,5 coulomb pour atteindre le potentiel de un volt, c'est--dire que la
capacit lectrique est de 0,5 coulomb par volt. Ainsi, la capacit lectrique se mesure en coulomb par volt, unit de mesure
laquelle fut donn le nom de farad (symbole F), en l'honneur du savant Michal FARADAY, dj cit pour ses recherches sur les
solutions lectrolytiques. Le corps considr dans notre exemple a donc une capacit de 0,5 farad.
Il faut noter qu'une sphre de la dimension de la terre aurait un capacit d'environ 1 F ; le farad est donc une unit de mesure
beaucoup trop grande. Pour cette raison, en pratique, nous utilisons principalement les sous-multiples du farad soit :
Le microfarad (symbole F) qui quivaut un millionime de farad (10-6 F).
Le nanofarad (symbole nF) qui quivaut un milliardime de farad (10-9 F soit 10-3 F).-9 F soit 10-3 F).
Le picofarad (symbole pF) qui quivaut un millionime de millionime de farad (10-12 F, soit 10-6 F ou 10-3 nF).
LE CONDENSATEUR
La capacit d'un corps dpend en premier lieu de la prsence dans son voisinage d'autres corps lectriss. Cette constatation peut
tre faite exprimentalement en considrant les deux plaques mtalliques de la figure 1.

Fig. 1 - Influence sur la capacit de la distance entre les corps lectriss.


Ces deux plaques mtalliques rigoureusement identiques sont relies chacune un ple d'une pile, et se chargent d'lectricit
positive ou ngative suivant le ple auquel elles sont relies.
A la figure 1-a, nous constatons que le processus de charge des deux plaques est trs simple, un certain nombre d'lectrons va du
ple ngatif de la pile la plaque qui lui est relie, la chargeant ngativement, tandis que le ple positif de la pile attire un nombre
gal d'lectrons la plaque qui lui est relie ; celle-ci se charge positivement. Dans les conducteurs qui relient chaque plaque la
pile, il se cre un mouvement d'lectrons dont le sens est indiqu figure 1-a. Le mouvement d'lectrons cesse de lui-mme lorsque
la quantit d'lectrons prsente sur chaque plaque est telle que chaque plaque est au mme potentiel que le ple de la pile qui lui est
reli. Entre les deux plaques existe la mme diffrence de potentiel qu'aux bornes de la pile.
Comme nous l'avons vu prcdemment, la quantit d'lectricit que pourra emmagasiner chaque plaque dpend de sa capacit, or,
les deux plaques tant identiques, elles possdent la mme capacit donc elles emmagasinent deux quantits d'lectricit gales
mais l'une est positive et l'autre ngative.

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Supposons prsent que nous rapprochons les deux plaques en les disposant bien en face l'une de l'autre, comme indiqu sur la
figure 1-b, mais en vitant tout contact entre elles pour ne pas mettre la pile en court-circuit. De ce rapprochement des plaques, il
apparat une nouvelle circulation d'lectrons, dans le sens indiqu figure 1-b et donc une augmentation de la quantit d'lectricit
contenu sur chaque plaque.
Pour le moment, limitons-nous constater cet tat de fait, l'explication en sera donne plus tard.
Nous constatons que la quantit d'lectricit sur chaque plaque a augment, bien que le potentiel de celles-ci n'ait pas chang. Nous
pouvons donc affirmer qu'en rapprochant deux plaques, leur capacit augmente. Puisque la capacit change en faisant varier la
distance entre les plaques, nous ne devons plus tenir compte d'une seule plaque mais considrer un ensemble constitu de deux
plaques places face face une distance dtermine, de la manire indique figure 2.

Cette disposition reprsente le type de condensateur le plus simple, qui est justement constitu de deux plaques en regard,
appeles pour la circonstance armatures, munies de deux conducteurs (appels bornes) pour leur raccordement aux circuits. A la
figure 2 vous est galement donn le symbole graphique du condensateur tel que vous le rencontrez dans les schmas lectriques.
Quelles que soient leurs caractristiques ou le fabricant qui les conoit, un condensateur est toujours constitu de deux armatures
spares par un isolant.
Pour dfinir la capacit d'un condensateur, il faut tenir compte de ses deux armatures et considrer ainsi la diffrence de potentiel
existant entre elles.
Bien qu'un condensateur se compose dans tous les cas de deux armatures, une seule quantit d'lectricit entre en ligne de compte.
Elle est constitue des lectrons qui, comme nous l'avons vu dans la figure 1, sont passs de l'armature devenue positive sur
l'armature devenue ngative et ceci par l'intermdiaire de la pile. Nous devons seulement considrer la quantit d'lectrons
manquante sur une armature ou bien celle prsente en surplus sur l'autre, puisqu'il s'agit, en tout tat de cause, de la mme quantit
d'lectricit qui s'est transfre d'une armature sur l'autre.
La capacit d'un condensateur s'obtient en divisant la quantit d'lectricit prsente sur l'une de ses armatures par la
diffrence de potentiel existant entre ses armatures.
Le condensateur est un lment des circuits lectriques et se caractrise par sa capacit, comme la rsistance est caractrise par sa
valeur rsistive. Nous connaissons le rle de la rsistance qui est de produire des chutes de tension, et nous verrons ultrieurement
le rle du condensateur.
LE DILECTRIQUE
Le premier condensateur fut ralis par le hollandais Pierre MUSSCHENBROCK (1692 - 1761) qui en dcouvrit les proprits
presque par hasard en mme temps que l'allemand Georges VON KLEIST (1700 - 1748), au cours de ses expriences sur
l'lectricit.
Les expriences de ces savants ont montr l'influence qu' sur la capacit d'un condensateur la matire isolante place entre ses
armatures, et qui constitue son dilectrique.
Le dilectrique du condensateur de la figure 2 est l'air et pour cette raison, ce condensateur est appel condensateur air.

20

Le dilectrique des condensateurs peut aussi tre un autre matriau isolant tel que le mica, la papier paraffin, le polystyrne,
certaines substances cramiques, etc...
Trs vite, les savants constatrent que la capacit d'un condensateur air augmentait quand ils mettaient entre ses armatures un
dilectrique solide ; par exemple, une plaque de mica dispose entre les armatures d'un condensateur fait augmenter sa capacit de
cinq six fois, selon le mica employ. Ce qui signifie que, en ayant toujours la mme diffrence de potentiel entre les armatures du
condensateur, la quantit d'lectricit prsente sur celles-ci devient cinq six fois suprieure si l'on remplace l'air par la feuille de
mica. Ce comportement est d au fait que le dilectrique solide mis entre les armatures du condensateur se polarise, comme nous
allons le voir.
Considrons la figure 1-a sur laquelle est illustr un condensateur possdant un dilectrique solide. Le dilectrique occupe
entirement l'espace compris entre les deux armatures. Dans cette figure 1-a, apparaissent galement quelques atomes du
dilectrique, qui, pour simplifier notre explication sont supposs tre constitus de quatre lectrons gravitant autour du noyau sur
une orbite unique.

Tant qu'aucune tension n'est applique aux bornes du condensateur, les lectrons gravitent rgulirement autour de leur noyau
respectif (fig.1 -a). Si par contre nous relions les armatures du condensateur aux bornes d'une pile comme dans la figure 1-b, les
lectrons sont attirs par l'armature qui devient positive et repousse par celle devenant ngative.

Fig. 1. - Polarisation du dilectrique


Comme le dilectrique est un isolant, les lectrons ne peuvent pas quitter leur orbite, mais par contre, ils la modifient. Les lectrons
passent plus prs de l'armature positive et plus loin de l'armature ngative pendant la gravitation autour de leur noyau (figure 1-b).
Si nous considrons le phnomne dans son ensemble, nous voyons qu'il se cre un dplacement d'lectrons qui, bien que
demeurant lis leur atome, se rapprochent nanmoins de l'extrmit gauche du dilectrique. Ce dplacement engendre ainsi une
dissymtrie dans la distribution des charges lectriques l'intrieur du dilectrique.
L'extrmit gauche du dilectrique vers laquelle se dirigent les lectrons devient ngative et est appele ple ngatif, tandis que
l'extrmit droite qui voit s'loigner les lectrons est appele ple positif.

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Nous pouvons dire que le dilectrique se polarise parce que ses extrmits prennent des polarits lectriques diffrentes.
De la polarisation du dilectrique dpend de l'augmentation des charges prsentes sur les armatures du condensateur et, en
consquence, cette polarisation dtermine une augmentation de sa capacit.
Lorsque nous analyserons l'nergie relative un condensateur, nous donnerons une explication sur ce fait. Pour le moment, il suffit
de se rappeler que la capacit d'un condensateur dpend du matriau isolant dont est constitu son dilectrique, et plus
particulirement de sa polarisation inhrente tel ou tel type de dilectrique.
CONSTANTE DILECTRIQUE
Deux Condensateurs, dont les armatures sont de mme surface et spares par la mme distance mais dont le dilectrique est
diffrent, prsentent des capacits diffrentes.
La diffrence entre les proprits des matriaux constituant les dilectriques est caractrise par la constante dilectrique absolue
du matriau. Le symbole de la constante dilectrique absolue d'un matriau est E (lettre grecque et se lit epsilon) ; son unit est
le farad par mtre (symbole F / m).
Tout dilectrique possde sa propre constante dilectrique. Celle de l'air, qui est d'ailleurs considre comme identique celle du
vide, est appele constante dilectrique de l'air ou du vide et a pour symbole E0 (epsilon zro). E0 vaut 1 / 36 pi X 109 F / m soit
pour faciliter les calculs : 8,85 pF/m. La connaissance de E0 est trs importante car en pratique, il n'est pas coutume d'indiquer la
constante dilectrique absolue (E) d'un matriau et vous trouverez plutt la constante dilectrique relative (Er) qui indique le
rapport de la constante dilectrique absolue du matriau considr et de la constante dilectrique de l'air ou du vide.
Er = E / E0
La constante dilectrique relative Er ne possde pas, quant elle, d'unit (E0 et E possdant la mme unit qu'est le F / m).
A titre indicatif, sont reportes les valeurs de la constante dilectrique relative Er de quelques matriaux utiliss pour la ralisation
du dilectrique des condensateurs
Matriau

Constante dilectrique relative Er

Air sec

Papier spcial pour condensateur (KRAFT)

4,5

Mica

56

Titanate de Magnsie

5,4 20

Rutile, Rutiles-zircones, Titanate de calcium

30 220

Titanates et Zirconates de Baryum

500 15 000

Polystyrne (Styroflex)

2,3

Polyttrafluortylne (PTFE, Teflon)

Polymonochlorotrifluortylne (PCFTE)

2,3 2,8

Polytrphtalate d'thylne (Polyester, Mylar) 3,1


Electrolytique l'aluminium

Electrolytique au tantale

11

Fig. 1.1. Constante dilectrique relative Er de diffrents matriaux.


NOTE : La constante dilectrique relative est galement appele permittivit relative, de mme que la constante dilectrique
absolue est galement appele permittivit absolue.

22

CALCUL DE LA CAPACIT D'UN CONDENSATEUR


Nous savons donc que la capacit d'un condensateur dpend de ses dimensions (surface des armatures et distance entre elles) et de
son dilectrique : nous devons donc pouvoir calculer cette capacit d'aprs ces lments, de mme que nous avons pu dterminer la
rsistance d'un conducteur d'aprs ses dimensions et d'aprs la matire qui le constitue.
Nous avons vu que lorsque nous augmentons la surface des armatures d'un condensateur, nous augmentons la quantit d'lectricit
prsente sur celles-ci et donc aussi la capacit du condensateur : la capacit d'un condensateur est proportionnelle la surface de
ses armatures donc :
C = f (S)
Nous avons vu ensuite que la quantit d'lectricit sur les armatures augmente si nous diminuons la distance qui les spare. Nous
pouvons conclure que la capacit d'un condensateur est inversement proportionnelle la distance qui spare ses armatures :
C = f (1 / d)
Enfin intervient la constante dilectrique absolue du matriau utilis. Plus cette constante est leve, plus grande est la capacit du
condensateur :
C = f (E)
De la combinaison des trois relations que nous venons d'tablir, la formule gnrale de calcul d'un condensateur devient donc :
C = E . (S / d)
C : Capacit en F
E : Constante dilectrique absolue en F / m
S : Surface des armatures en m
d : Distance entre les armatures (ou paisseur du dilectrique) en m
Toutefois, comme nous considrons le plus souvent la constante dilectrique relative, la formule prcdente devient :
C = Er . E0 . (S / d)
Aprs avoir examin tous les lments du condensateur qui influent sur sa capacit, nous allons analyser le comportement du
condensateur lorsqu'il est insr dans un circuit lectrique de manire comprendre les raisons pour lesquelles ce composant est
trs utilis en pratique.
LES CONDENSATEURS
2me PARTIE
CHARGE ET DCHARGE D'UN CONDENSATEUR
Examinons le circuit de la figure 3 dans lequel le condensateur est reprsent par son symbole graphique.

Fig. 3. - Charge d'un condensateur


Ds que le condensateur (C) est reli la pile, il se produit le phnomne dj analys prcdemment, savoir qu'un certain
nombre de charges lectriques passent d'une armature l'autre. Ce dplacement constitue un courant lectrique qui, sur la figure 3,
est dirig suivant le sens conventionnel. Ce courant est appel courant de charge du condensateur.
Le courant de charge persiste jusqu' ce que la quantit d'lectricit parvenue sur les armatures du condensateur
engendre, entre celles-ci, une diffrence de potentiel gale la tension de la pile. Le condensateur est alors dit charg.

23

Une fois le condensateur charg, il ne circule aucun courant dans le circuit, tant donn que la tension cre aux bornes de (C)
est gale mais oppose la tension de la pile.
La dcharge du condensateur peut facilement tre observe. Il suffit de retirer le condensateur et de le brancher par exemple, aux
bornes d'une rsistance, comme illustr fig.4.

Fig. 4. - Dcharge d'un condensateur.


La tension prsente aux bornes du condensateur fait circuler un courant dans la rsistance R qui, selon le sens conventionnel, est
dirig de l'armature positive vers l'armature ngative. Ce courant d aux charges lectriques accumules sur les armatures du
condensateur ne dure qu'un bref instant. Il cesse lorsque les charges prsentes en surnombre sur une armature ont rejoint l'armature
sur laquelle elles font dfaut. Cette opration ralise, le condensateur est dit dcharg et le courant cr par cette dcharge est
appel courant de dcharge du condensateur.
Si le condensateur une fois retir de son circuit de charge (figure 3) n'est pas reli une rsistance, il conserve sur ses armatures les
charges accumules.
Le condensateur resterait charg indfiniment et le dilectrique se trouvant entre ses armatures tait un isolant parfait. En pratique,
cela n'arrive jamais et le dilectrique laisse passer petit petit les charges lectriques d'une armature l'autre, ce qui dcharge
lentement le condensateur.
Le fait le plus important retenir de ce que nous venons de voir est :
qu'un condensateur, aprs s'tre charg, empche toute circulation ultrieure du courant fourni par une pile.
LE CONDENSATEUR ET L'NERGIE LECTRIQUE
Nous venons de voir comment nous pouvons charger un condensateur au moyen d'une pile et le dcharger ensuite dans une
rsistance. Il est facile de comprendre que lors de ces deux oprations, de l'nergie lectrique est mise en jeu. Pour cela, il suffit
d'observer l'effet thermique engendr dans la rsistance par le courant de dcharge du condensateur. Cet effet thermique se fait
forcment au prix d'une consommation d'nergie lectrique.
Cette nergie consomme a videmment t fournie par le condensateur qui, lui-mme, l'avait reue de la pile. Si le condensateur
est en mesure de cder cette nergie la rsistance, c'est qu'il ne l'a pas auparavant dissipe mais emmagasine.
Le condensateur a la proprit d'emmagasiner l'nergie lectrique, il est donc un lment conservateur d'nergie la
diffrence de la rsistance qui est un lment dissipateur. Voyons maintenant comment il est possible de quantifier l'nergie
lectrique emmagasine par un condensateur et de quelle manire celle-ci s'est emmagasine.
NERGIE EMMAGASINE PAR UN CONDENSATEUR
Pour charger un condensateur, la pile doit dplacer une quantit d'lectricit (Q) d'une armature l'autre de ce composant. Cette
quantit d'lectricit est dtermine par le produit de la tension (V) de la pile par la capacit (C) du condensateur. Pour produire ce
phnomne, une certaine nergie (W) est fournie par la pile et cette nergie est gale au produit de la quantit d'lectricit (Q) par
la tension (V).
Cependant, cette nergie (W) n'est pas emmagasine totalement par le condensateur, en ralit, le condensateur n'emmagasine que
la moiti de l'nergie (W) fournie par la pile. La seconde moiti est dissipe en chaleur dans la rsistance interne de la pile et
ventuellement dans d'autres rsistances du circuit.

24

Pour s'en convaincre, examinons la figure 5 o la rsistance (R) reprsente la rsistance totale du circuit, c'est--dire la rsistance
interne de la pile plus celle des liaisons lectriques et des armatures du condensateur.

Fig. 5. - Circuit de charge d'un condensateur


Au moment o le condensateur est reli au circuit, la tension Vc ses bornes est nulle, donc toute la tension V de la pile se
retrouve aux bornes de la rsistance R (Vr = V). Puis au fur et mesure de la charge du condensateur, la tension Vc augmente,
tandis que Vr diminue. Quand la charge est termine, toute la tension de la pile se retrouve aux bornes de C, tandis que Vr est
nulle.
Les tensions Vc et Vr possdent ainsi une allure analogue mais inverse puisque l'une est croissante et l'autre dcroissante. Puisque
le courant lectrique (I) traverse la fois R et C, la quantit d'lectricit (Q) fournie par la pile au circuit se divise bien en deux
parties gales entre R et C. L'nergie Wc emmagasine par le condensateur est donc gale l'nergie Wr dissipe dans la
rsistance.
L'nergie totale W fournie par la pile est gale Wr + Wc mais comme Wr = Wc, nous avons galement Wr = Wc / 2.
L'nergie fournit par une pile pour charger un condensateur est donne par la formule W = Q x V ; ceci nous permet de quantifier
l'nergie rellement emmagasine par le condensateur :
Wc = Q x V / 2
Ou encore sachant que la quantit d'lectricit accumule par un condensateur est donne par le produit Q = C x V, nous pouvons
remplacer Q dans la formule prcdente par sa valeur et nous obtenons :
Wc = C x V / 2
Toute l'nergie Wc emmagasine par le condensateur est ensuite intgralement restitue par celui-ci lors de sa dcharge..
PARENTHSE : Il est intressant de voir selon quelles lois varient la tension aux bornes du condensateur et le courant qui circule
dans le circuit pendant la charge du condensateur. Ces allures sont reportes respectivement figure 6-b et 6-c tandis que la figure 6a donne le circuit lectrique pris comme exemple :

Fig. 6. - Courbes caractristiques de Vc et de I.

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A l'instant initial t0, o la liaison lectrique est tablie, il circule de la pile au condensateur un courant I = V / R gal celui qui
circulerait en permanence si nous avions non pas un condensateur mais un simple fil ne prsentant aucune rsistance (fig. 6-c).
Juste aprs t0, le condensateur commence sa charge et la tension Vc ses bornes crot (fig. 6-b). En consquence, le courant (I)
commence dcrotre jusqu' s'annuler lorsque (C) est charg : la tension aux bornes de (C) est maximale.
Les variations du courant et de la tension ont une allure dite exponentielle, les quations de telles courbes sont les suivantes :
I = V / R . e-t / RC
Vc = V (1 - e - t / RC)
quations dans lesquelles (e = 2,72 approximatif, reprsente la base des logarithmes naturels ou npriens et la valeur donne par le
produit RC (Rsistance en ohm et capacit en farad) constitue la constante de temps du circuit mesure en secondes. De ces lois
dcoule que dans n'importe quel intervalle de temps gal RC (de 0 RC, de RC 2 RC, etc...), la valeur du courant (de charge ou
de dcharge) diminue toujours dans un mme rapport de 2,72.
Exemple : Prenons l'intervalle de 0 RC, donc (t = RC)
I = V / R . e- t / RC
or t = RC -------- I = V / R . e- RC / RC = V / R . e- 1
e-1 = 1 / e --------- I = V / R . 1 / e = V / R / e = V / R / 2,72
Le courant (I) a bien diminu de 2,72 fois puisque t = 0, sa valeur tait de V / R et qu'au temps t = RC, sa valeur est de V /
R / 2,72.
Il s'en suit que thoriquement le courant ne s'annule jamais et que le temps de charge ou de dcharge du condensateur est
infiniment grand. Toutefois, en pratique, nous constatons qu'aprs un temps gal 5 fois la constante RC, le courant vaut 0,7 %
de sa valeur initiale et nous pouvons considrer que la charge (ou la dcharge) du condensateur est termine.
LE CHAMP LECTRIQUE
Nous allons prsent analyser de quelle faon le condensateur emmagasine de l'nergie.
Supposons que nous chargeons un condensateur air et imaginons qu'une des charges positives prsentes en excdant sur
l'armature positive se dtache de celle-ci et se trouve dans le dilectrique (figure 7-a).

Cette charge est repousse par l'armature positive alors qu'au contraire, elle est attire par l'armature ngative. Sur cette charge agit
donc une force ayant la direction donne par la flche sur la figure 7-a. Cette mme force agirait sur tout autre charge positive se
dtachant de l'armature positive.
Si nous traons les parcours suivis par un certain nombre de charges, nous obtenons les diffrentes trajectoires reprsentes en
traits flchs (figure 7-b).
Ces lignes sont appeles lignes de force parce que la force qui dtermine le dplacement des charges positives agit le long de
celle-ci. L'ensemble des lignes de force dlimite la zone de l'espace dans lequel une charge lectrique est soumise une force. La
zone ainsi dtermine reprsente un champ de force lectrique ou plus simplement un champ lectrique.
Toute charge positive qui se trouve dans le champ est soumise l'effet d'une force et tend se dplacer. Cette force accomplit un
travail qui est donn par le produit de l'intensit de la force par la longueur du dplacement de la charge. Tout travail s'obtient au
prix d'une consommation d'nergie. Dans le cas du condensateur, l'nergie consomme pour produire le travail est l'nergie
lectrique emmagasine par le condensateur.

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Nous comprenons donc que l'nergie emmagasine par le condensateur diminue chaque fois qu'une charge se dtache de
l'armature positive et passe sur celle ngative. A chaque transfert, une petite de l'nergie est transforme en travail accompli par la
force qui engendre le dplacement de la charge. Si toutes les charges se dtachent de leur armature, la totalit de l'nergie
emmagasine par le condensateur se transforme en travail et celui-ci se dcharge compltement.
En ralit, aucune charge ne peut se dtacher de l'armature positive tant donn que le dilectrique est un isolant presque parfait.
Par contre, ces charges peuvent se dplacer en mme temps que l'armature.
Analysons les consquences d'un rapprochement des deux armatures, consquences que nous connaissons mais auxquelles aucune
rponse prcise n'a t apporte.
Nous supposons que le condensateur de la figure 8-a possde une capacit de 3 F et qu'il est charg par une pile de 4 volts. La
quantit d'lectricit (Q) prsente sur ses armatures est donn par la formule Q = C x V soit 3 F x 4 V = 12 C.

Fig. 8. - Influence de (d) et de Er sur la capacit.


Si maintenant le condensateur est dbranch de la pile, il conserve videmment la quantit d'lectricit de 12 C et une tension
entre ses armatures de 4 V.
Imaginons que l'armature positive se rapproche de l'armature ngative et que la distance entre elles soit rduite de moiti (figure 8b).
Si l'armature positive vient en contact avec l'armature ngative, autrement dit si elle se dplace d'une distance d, toute l'nergie
emmagasine par le condensateur se transforme en travail. Nous comprenons donc que si l'armature positive se dplace de d/2,
l'nergie emmagasine est rduite de moiti. Toutefois, comme les deux armatures sont isoles, la quantit d'lectricit ne peut pas
diminuer ; en consquence, c'est la tension entre armatures qui est rduite de moiti et prend pour valeur 2 volts (figure 8-b). La
valeur du condensateur augmente et devient :
C = Q / V = 12 C / 2 = 6 F
Nous venons ainsi d'apporter une explication concrte au fait que la capacit d'un condensateur augmente quand la distance
entre ses armatures diminue et que, en particulier, elle double quand la distance est rduite de moiti.
Au dbut de cette leon, nous avions rapproch les armatures tout en laissant le condensateur branch la pile (figure 1) et nous
avions vu que la pile fournissait un courant de charge supplmentaire. Nous pouvons dire maintenant que ce courant sert
conserver la tension aux bornes du condensateur gale la tension fournie par la pile.
Introduisons prsent entre les armatures du condensateur charg de la figure 8-a, mais non reli la pile, un dilectrique solide
(figure 8-c). Si ce dilectrique a une constante dilectrique relative Er de 2, la capacit du condensateur est double. L'introduction
de ce dilectrique place le condensateur dans les mmes conditions que dans la figure 8-b, aprs un rapprochement de ses
armatures.
Dans ce cas galement, la moiti de l'nergie emmagasine est transforme en travail, mais puisqu'il n'y a pas dplacement
d'armatures, ce travail est forcment produit diffremment. Pour expliquer cela, il faut se souvenir du principe de polarisation du
dilectrique expos figure 1-a et 1-b (polarisation du dilectrique). L'excentration des orbites lectroniques est dtermine par
l'intensit du champ qui tend attirer les lectrons vers l'armature positive du condensateur. Le travail accompli par cette force sur

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chaque lectron est trs faible, cependant le nombre des lectrons du dilectrique tant considrable, la somme des diffrentes
forces aboutit la consommation de la moiti de l'nergie emmagasine par le condensateur.
LA RIGIDIT DILECTRIQUE
Nous savons maintenant que le champ lectrique se caractrise par des lignes de force dont nous connaissons dj la direction et le
sens de leur action (figure 7-b), mais pour tre complet sur le champ lectrique, il faut aussi connatre son intensit.
L'intensit du champ lectrique agissant dans le dilectrique d'un condensateur s'obtient en divisant la tension existant
entre ses armatures par la distance qui les spare.

Note : Ne pas confondre ce symbole avec celui de la force lectromotrice d'une pile (f.e.m.) d'o la prsence de la flche sur le
symbole indiquant qu'il s'agit d'un vecteur.
L'unit de l'intensit du champ lectrique est le volt par mtre (symbole V / m).
Il est facile de comprendre que l'intensit du champ lectrique augmente lorsque la tension entre les armatures augmente ou quand
la distance qui les spare diminue. Ce fait entrane une consquence de premire importance pratique. Toutefois, l'intensit du
champ lectrique ne peut pas augmenter indfiniment et, arrive un certain seuil, la valeur de l'intensit devient telle que les
charges lectriques peuvent traverser le dilectrique d'une armature l'autre.
Ce passage de courant se manifeste sous la forme d'une violente dcharge lectrique, une sorte d'clair qui perfore le dilectrique et
tablit un contact irrversible entre les armatures du condensateur. Le condensateur est alors dit en court-circuit et devient
inutilisable. Nous pouvons considrer cette dcharge du condensateur ou claquage comme une transformation instantane en
chaleur de toute l'nergie emmagasine par celui-ci.
La valeur de l'intensit du champ pour laquelle il y a claquage est la rigidit dilectrique du matriau constituant l'isolant. Cette
valeur est diffrente pour chaque type de matriau.
Chaque matriau dilectrique est donc caractris non seulement par sa constante dilectrique relative mais galement par
sa rigidit dilectrique.
Le tableau de la figure 9 donne la rigidit dilectrique des matriaux dj numrs dans la figure 1.1 pour leur constante
dilectrique relative.
Matriau
Rigidit dilectrique en kV / cm
Air sec
21
Papier spcial pour condensateur (KRAFT) 200 400
Mica
600 1800
Titanate de Magnsie
50 100
Rutile, Rutiles-zircones, Titanate de calcium 40 80
Titanates et Zirconates de Baryum
40 60
Polystyrne (Styroflex)
400
Polyttrafluortylne (PTFE, Teflon)
400 800
Polymonochlorotrifluortylne (PCFTE)
1000 2000
Polytrphtalate d'thylne (Polyester, Mylar) 1000 2000
Electrolytique l'aluminium
environ 10 000
Electrolytique au tantale
environ 10 000
Fig. 9. - Rigidit dilectrique de diffrents matriaux
Pour les matriaux dilectriques couramment utiliss, la valeur de la rigidit dilectrique est extrmement leve et pour cela, nous
utilisons comme unit non pas le V / cm mais le kV / cm comme dans la figure 9.
Par exemple, pour un condensateur dont les deux armatures sont distantes de 1cm et ayant du polystyrne comme dilectrique, le
claquage se produit pour une tension de l'ordre de 400 kV.

28

Si la distance entre les armatures n'est que de 1 mm, le mme claquage se produit 40 kV. Il existe des condensateurs o
l'paisseur du dilectrique n'est que de quelques millimes de millimtre et nous comprenons donc que leur claquage se produit
mme pour des tensions basses, tensions que nous rencontrons dans les circuits lectriques ou lectroniques o les condensateurs
sont utiliss. Pour cette raison, chaque condensateur porte une indication de tension appele tension de service : valeur qu'il ne
faut pas dpasser sous peine d'endommager le composant suite un claquage.
Rappelez-vous, ce sujet : qu'un condensateur est caractris non seulement par sa capacit mais aussi par sa tension de
service.
Mme l'air peut perdre ses proprits dilectriques suite un claquage, ainsi vous notez que l'air possde une rigidit dilectrique
qui est de 21 kV / cm pour l'air sec.
Les clairs que nous observons lors des orages sont la manifestation du claquage de l'air. En effet, des charges lectriques
s'accumulent dans les nuages qui se comportent alors comme les armatures d'un condensateur.
Il s'tablit ainsi un champ lectrique entre deux nuages qui se trouvent des potentiels diffrents ou entre un nuage et la terre.
Lorsque l'intensit du champ lectrique dpasse la rigidit de l'air, qui de surcrot diminue fortement lorsque l'air est humide, il se
produit une dcharge lectrique entre les nuages ou entre la terre et le nuage.
Le deuxime cas est trs dangereux et pour viter que la dcharge lectrique ne produise des dgts sur les habitations mettant en
danger la vie de ses occupants, les difices sont protgs par un paratonnerre.
Le paratonnerre tant l'endroit le plus lev de l'difice, il s'expose ainsi la dcharge lectrique. Le paratonnerre, reli la terre,
lui transmet la dcharge lectrique. Pour faciliter le contact avec la terre, il faut noter la prsence d'une plaque de fer enterre dans
le sol (obligatoire).
GROUPEMENTS EN SRIE - GROUPEMENTS EN PARALLLE
Nous n'avons, pour l'instant, considr des circuits ne possdant qu'un seul condensateur, mais ces composants comme les
rsistances peuvent former diffrents groupements.
GROUPEMENTS EN PARALLLE
La figure 10 reprsente un groupement parallle de deux condensateurs appels pour la circonstance C1 et C2.

Fig. 10. - Groupement parallle de deux condensateurs.


C1 et C2 possdent chacun une armature relie au ple positif de la pile et l'autre armature relie au ple ngatif de la mme pile, si
bien qu'aux bornes de chaque condensateur, il existe la mme tension.
Cette dernire caractristique est commune tout groupement parallle comme cela a dj t dit lors de l'analyse des groupements
de rsistances.
Puisque entre les armatures de C1 et C2 nous appliquons la mme tension, chaque condensateur se charge avec une quantit
d'lectricit d'autant plus grande que sa capacit est leve.
Voyons de quelle faon nous pouvons dterminer la capacit quivalente (Ceq) prsente par un tel circuit, et ceci connaissant la
valeur de C1 et de C2.
Dans ce but, imaginons de rapprocher les deux condensateurs jusqu' mettre en contact leur armature relie au mme ple, comme
illustr figure 11-a. Cela est possible dans la mesure o les armatures sont relies au mme potentiel lectrique.

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Les deux condensateurs ainsi runis constituent un condensateur unique appel Ceq dans la figure 11-b. Ce condensateur possde
le mme dilectrique, la mme distance entre armatures que C1 et C2. La seule diffrence rside dans l'augmentation de la surface
des armatures.
Compte-tenu de la formule donnant la capacit d'un condensateur :
C = E0 x Er x (S / d)
Nous savons que si la surface S augmente, la capacit C du condensateur augmente galement et ceci dans les mmes proportions.
Dans le cas de la figure 11-a, la surface S de Ceq est gale la somme des surfaces de C1 et de C2. Nous dduisons donc que la
capacit du condensateur quivalent Ceq de la figure 11-b est gale la somme des capacits de C1 et de C2.
La capacit quivalente deux ou plusieurs condensateurs relis en parallle est gale la somme des capacits de chaque
condensateur :
Ceq = C1 + C2 + C3 + ....
GROUPEMENTS EN SRIE
Considrons les condensateurs C1 et C2 de la figure 12. Pour faciliter nos explications, les armatures de ces condensateurs sont
appeles A, B, C et D.

Fig. 12. - Groupement en srie de deux condensateurs.


Lors de la charge de C1 et de C2, l'armature A se charge positivement et l'armature D ngativement.
Les armatures B et C non relies la pile constituent avec le conducteur qui les relie, un simple corps mtallique. Ce corps se
charge par induction avec les signes reprsents figure 12. Sur l'armature B apparat un quantit d'lectricit gale mais de signe
oppos celle prsente sur A, tandis que sur C apparat une quantit d'lectricit gale mais de signe oppos celle prsente sur D.
Si nous appelons (+ Q) la quantit d'lectricit prsente sur A, nous avons (- Q) sur B, et si nous appelons (- Q) la quantit
d'lectricit prsente sur D, nous avons + Q sur C.
Les condensateurs C1 et C2 emmagasinent donc la mme quantit d'lectricit Q.
Comme dans tout montage srie, la tension V fournie par la pile se divise en deux tensions V1 et V2 respectivement aux bornes des
condensateurs C1 et C2. Dans la figure 13 est report le mme circuit avec les diffrentes tensions prsentes.

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Fig. 13. - Rpartition de la tension V fournie par la pile.


La tension V1 aux bornes de C1 est gale :
V1 = Q / C1
La tension V2 aux bornes de C2 est gale :
V2 = Q / C2
Comme il est dit prcdemment V = V1 + V2, donc :

Nous pouvons remplacer dans la figure 13 les condensateurs C1 et C2 par un condensateur quivalent que nous appelons un Ceq
(figure 14).

Fig. 14. Condensateur quivalent deux condensateurs en srie.


(Ceq) quivalent C1 et C2, emmagasine la mme quantit d'lectricit Q que C1 et C2.
Nous pouvons crire la relation (2) :
V = Q x 1 / Ceq -------------- (2)
En effet : Ceq = Q / V ----------- V = Q / Ceq = Q x 1 / Ceq
Les relations (1) et (2) sont gales puisqu'elles donnent toutes deux la valeur de la tension V.
(1) = (2) --------- Q x (1 / C1 + 1 / C2) = Q x 1 / Ceq
En simplifiant (1) et (2) par Q, nous obtenons la valeur de Ceq :

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Nous avons ainsi dtermin la valeur de Ceq en fonction de C1 et de C2. tendue au cas gnral de plusieurs condensateurs en
srie, cette formule devient :

Ainsi, pour calculer la capacit quivalente (Ceq) de deux ou plusieurs condensateurs en srie, les trois oprations suivantes sont
effectuer :
Calculez l'inverse de chaque condensateur ;
Additionnez les inverses ;
Prendre l'inverse de la somme obtenue.
Quand deux condensateurs seulement sont en srie, nous adoptons la formule suivante qui drive de la formule gnrale :
Ceq = C1 x C2 / C1 + C2
Par un exemple pratique chiffr, mettons en application ce que nous venons de voir. Soit calculer la capacit quivalente au
circuit reprsent figure 15.

Fig. 15. - Calcul de la capacit quivalente.


Pour calculer Ceq, effectuons les trois oprations requises :
Calcul de l'inverse de chaque condensateur :
1 / C1 = 1 / 5 = 0,2
1 / C2 = 1 / 10 = 0,1
1 / C3 = 1 / 2 = 0,5
Somme des inverses :
1 / C1 + 1 / C2 + 1 / C3 = 0,2 + 0,1 + 0,5 = 0,8 = ------- 1 / Ceq
Prenons l'inverse du rsultat :
Ceq = 1 / 0,8 = 1,25 nF
Les condensateurs C1, C2 et C3 en srie sont donc quivalents une capacit unique de 1,25 nF.
Pour effectuer une comparaison entre les deux types d'associations, il faut noter que dans le cas de condensateurs en parallle, la
valeur du condensateur quivalent est toujours suprieure la valeur de chaque condensateur tandis que dans le cas d'une
association en srie, la valeur du condensateur quivalent est dans tous les cas, infrieure la valeur de chaque condensateur et
mme mieux, elle est infrieure la plus petite des capacits.
Les formules prsentes servent galement aux calculs de circuits plus complexes ns de la combinaison des deux types
d'associations.

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Voyons par exemple, comment calculer la capacit totale du circuit reprsent figure 16.

Fig. 16. - Association complexe de condensateurs.


Dans ce circuit, nous voyons que C1, C2 et C3 constituent un groupement parallle reli en srie avec C4.
Calculons en premier lieu, le condensateur quivalent C1, C2 et C3 en parallle, condensateur que nous appelons C123.
C123 = C1 + C2 + C3 = 1 F + 5 F + 2 F = 8 F
Remplaons dans la figure 16, C1 C2 et C3 par leur condensateur quivalent C123, nous obtenons la figure 17-a).

Avec la figure 17-a, nous sommes en prsence de deux condensateurs (C123 et C4) relis en srie. Le calcul du condensateur
quivalent (Ceq) cet assemblage donne le condensateur quivalent au circuit de la figure 16 :
Ceq = C123 x C4 / C123 + C4 = 8 x 12 / 8 + 12 = 96 / 20 = 4,8 F
En prsence de circuits complexes comme celui de la figure 16, il faut toujours simplifier le circuit progressivement jusqu'
n'obtenir plus qu'un seul condensateur dont la capacit reprsente la capacit globale du circuit de dpart.
Ainsi se termine l'analyse des groupements de condensateurs.
Comme nous l'avons dit, il est important de savoir qu'un condensateur une fois charg empche toute circulation de courant
fourni par une pile.
Dans les prochaines leons, nous verrons qu'il existe d'autres gnrateurs fournissant des courants diffrents de celui fourni par une
pile. Vis--vis de ces courants, les condensateurs ragissent diffremment. Cette proprit est utilise lorsque nous dsirons
sparer, dans un mme circuit, deux types de courants diffrents. Cette proprit sera analyse dans le dtail lors des
prochaines leons suivantes. Nous terminons cette leon avec un tableau rcapitulatif des grandeurs lectriques relatives au
condensateur ainsi que leur unit et leur formule si ncessaire (figure 18).
Grandeurs lectriques

Unit de mesure

Dnomination

Symbole

Dnomination

Symbole

Constante dilectrique absolue

Farad par mtre

F/m

Capacit

Farad

C = Er x E0 x (S / d)

Quantit d'lectricit emmagasine

Coulomb

Q=CxV

nergie emmagasine

Joule

W = C x V / 2

Fig. 18. - Grandeurs lectriques relatives au condensateur.

33

FORMULES

Dans la prochaine leon, nous examinerons le troisime composant fondamental des circuits lectroniques : l'inductance, ainsi que
tous les phnomnes qu'elle engendre lorsqu'elle est introduite dans un circuit, par exemple l'lectromagntisme.
L'LECTROMAGNTISME
Aprs avoir tudi les condensateurs, Nous allons prsent analyser le troisime composant fondamental des circuits lectriques :
la bobine. Ce composant met en jeu des phnomnes lectriques et magntiques.
L'analyse des liens existants entre les phnomnes lectriques et magntiques est appele l'lectromagntisme.
Nous savons dj de quoi dpend le magntisme, la manire suivant laquelle il se manifeste et les lois fondamentales qui le
rgissent. Nous allons prsent oprer de mme l'lectromagntisme.
1. 1. EFFET MAGNTIQUE DU COURANT
Le physicien danois Hans Christian OERSTED (1777 - 1851) est le premier tablir la corrlation entre les phnomnes
lectriques et magntiques, et ceci grce une exprience du genre de celle reprsente sur la figure 1. A partir de cette exprience,
il note qu'en suspendant une aiguille aimante paralllement un conducteur (figure 1-a), nous constatons que lorsqu'un
courant parcourt celui-ci, l'aiguille aimante pivote et se place perpendiculairement au conducteur (figure 1-b).
Par la suite, AMPRE (1775 - 1836) constate que le sens dans lequel l'aiguille pivote dpend du sens de dplacement du
courant dans le conducteur.

34

Quand le courant traverse le conducteur de la gauche vers la droite comme sur la figure 1-b, le ple nord de l'aiguille aimante se
met d'un ct du conducteur, si le courant, comme figure 1-c, parcourt le conducteur de la droite vers la gauche, le ple nord de
l'aiguille aimante se met de l'autre ct du conducteur.
Cette exprience dmontre que le courant lectrique agit d'une faon bien dtermine sur l'aiguille aimante. Cette faon
s'apparente l'effet produit par un champ magntique sur cette mme aiguille aimante. En effet, prcdemment, nous avons vu
qu'une aiguille aimante s'aligne toujours selon les lignes de force d'un champ magntique. Nous pouvons ainsi attribuer au courant
lectrique un effet magntique qui consiste en la cration d'un champ magntique autour des conducteurs parcourus par ce
courant. Pour dterminer l'allure des lignes de force du champ magntique engendr par le courant lectrique, il nous suffit,
comme le montre la figure 2-a, de placer l'aiguille aimante en divers endroits tout autour du conducteur plac verticalement. Nous
constatons alors que les positions prises par l'aiguille en diffrents points situs gale distance du conducteur dcrivent
approximativement un cercle dont le centre est le conducteur. Nous pouvons en dduire l'allure du champ magntique autour du
conducteur et reprsenter ses lignes de force comme le montre la figure 2-b.

Fig. 2. - Champ magntique cr par un courant lectrique.


L'influence du champ magntique cr par le conducteur se fait sentir en tout point de l'espace environnant le conducteur.
Toutefois, dans le but de ne pas compliquer la figure 2-b, seulement quelques lignes de force sont dessines, ce qui nous est
suffisant pour se faire une ide de l'aspect du champ magntique. En observant la figure 2-a, nous notons que les ples de l'aiguille
aimante se positionnent dans deux positions opposes selon le sens du dplacement du courant dans le conducteur. De cette
observation, nous dduisons que suivant le sens du courant, les lignes de force du champ magntique cr s'orientent
diffremment.
Il est donc ncessaire que, connaissant le sens du courant, nous puissions dterminer le sens des lignes de force. Cette ncessit fait
l'objet de la rgle de MAXWELL appele galement rgle du tire-bouchon. Selon cette rgle, imaginons-nous avoir un tirebouchon dispos le long du conducteur, et de le faire tourner de sorte qu'il se dplace dans le mme sens que le courant (sens
conventionnel). Le sens de rotation du tire-bouchon ainsi dtermin indique le sens des lignes de force du champ magntique.
Pour mettre en vidence les propos de cette rgle, reportons-nous la figure 3 dans laquelle sont reports les deux cas de
l'exprience prcdemment ralise.

35

1. 2. - LA BOBINE
Aprs avoir considr le champ magntique engendr par un courant lectrique parcourant un conducteur rectiligne, analysons
maintenant le cas de la bobine. Une bobine est simplement constitue du mme conducteur, mais enroul sur lui-mme et non plus
rectiligne.
Reprenons le conducteur des figures 2 et 3 et replions-le de manire obtenir la figure 4. Le conducteur ainsi repli constitue une
spire.
Figure 4 sont reprsentes les lignes de force du champ magntique cr par le courant qui parcourt la spire. Les lignes de force
sont, comme pour le cas du conducteur rectiligne, circulaires mais contrairement au cas prcit, leur centre n'est plus le conducteur
mais se situe l'extrieur de la spire.

Fig. 4. - Champ magntique cr par un courant traversant une spire.


Aux vues de la figure 4, nous constatons que la spire et les lignes de force sont lies entre elles comme les maillons d'une chane et,
pour cette raison, nous disons que les lignes de force sont embrasses par la spire. La spire est le type le plus lmentaire de
bobine pouvant exister.
En rgle gnrale, les bobines sont constitues de plusieurs spires jointives. A l'aide de la figure 5, analysons ce que devient le
champ magntique cr par le courant I, lorsque nous adjoignons une seconde spire la prcdente.
Chacune des deux spires produit son propre champ magntique dont quelques lignes de force apparaissent figure 5-a.

Au point A reprsent figure 5-a et dans les environs de celui-ci, nous pouvons considrer que le champ magntique est nul. En
effet, le champ magntique au point A est le champ rsultant des champs de chaque spire, or, en ce point, les lignes de force de
chaque spire tant de sens inverse, le champ rsultant est nul. En pratique, dans les points que nous venons de considrer (point A
et ses environs), les lignes de force s'annulent et leur allure gnrale pour les deux spires prend la forme illustrs figure 5-b. Les
lignes de force sont communes aux deux spires.

36

Ceci dmontre que deux spires voisines ne produisent pas deux champs magntiques distincts, mais un champ magntique
unique.
Le mme champ magntique peut tre produit diffremment. Au lieu de faire parcourir les deux spires par deux courants distincts
de mme intensit comme dans la figure 5-a et 5-b, nous pouvons alimenter les deux spires par le mme courant et ceci en les
reliant l'une l'autre en srie comme illustr figure 5-c. Dans cette disposition, le mme courant traverse successivement chaque
spire et le champ magntique ainsi cr est identique au cas de la figure 5-b. Chaque spire apporte sa contribution la production
du champ magntique et nous dduisons que :
Le champ magntique produit par une bobine est d'autant plus important que le nombre de spires de cette bobine est
grand. Pour illustrer ceci, considrons les deux bobines de la figure 6.

La bobine de la figure 6-a possde six spires tandis que la bobine de la figure 6-b en possde 30, c'est--dire cinq fois plus. Si c'est
deux bobines sont parcourues par un courant (I) de mme intensit, le champ produit par la bobine de la figure 5-b est de cinq fois
suprieur celui de la bobine reprsente figure 6-a. En revanche, si dans cette dernire nous appliquons un courant d'intensit cinq
fois suprieur au courant initial I, alors le champs magntique produit par cette bobine devient gal celui de la bobine de la figure
6-a. Nous dduisons que :
Le champ magntique produit par une bobine est d'autant plus important que l'intensit du courant qui la traverse est
leve.
Des deux dductions que nous venons de faire, nous pouvons dire que le champ magntique dpend du produit du nombre de
spires (N) par le courant I.
A ce produit, il est donn le nombre de force magntomotrice symbole f.m.m.
L'unit de la force magntomotrice est l'ampre-tour symbole A-t. f.m.m. = N x I
D'une manire gnrale, le conducteur est enroul sur un support cylindrique en matriau isolant. Les spires peuvent ne pas tre
jointives mais elles doivent rester trs voisines. Si le fil est isol, il peut tre enroul en plusieurs couches superposes, condition
de ne pas changer le sens de l'enroulement (condition dont nous verrons la cause plus loin).
D'autre part, si la longueur de la bobine dpasse dix fois son diamtre, nous sommes en prsence d'un solnode ou bobine longue.
Comme nous le voyons sur la figure 6, l'enroulement du conducteur a pour principale incidence de concentrer les lignes de force du
champ magntique l'intrieur de la bobine. Le champ magntique l'intrieur de la bobine est ainsi beaucoup plus intense qu'
l'extrieur o les lignes de force se dispersent. Le rsultat de cette concentration apparat clairement figure 6-b. Les lignes de force
l'intrieur de la bobine sont pratiquement parallles entre elles donnant ainsi naissance un champ magntique uniforme.
Dans le cas d'une bobine, comme dans celui du simple conducteur, il est possible de dterminer le sens des lignes de force en
fonction du sens de circulation du courant lectrique. Pour ceci, nous aurons recours, une nouvelle fois, la rgle du tire-bouchon,
mais applique diffremment.

37

L'application de la rgle du tire-bouchon une bobine est illustre figure 7.

Le tire-bouchon est dispos suivant l'axe de la bobine. En tournant le tire-bouchon dans le sens o tourne le courant dans la
bobine, le sens dans lequel se dplace le tire-bouchon indique le sens des lignes de force l'intrieur de la bobine.
Nous en dduisons que le ple par o sortent les lignes de force est un ple nord et que le ple par o elles rentrent dans la bobine
est un ple sud. Ceci complte la similitude avec l'aimant naturel.
1. 3. - FLUX D'INDUCTION
Nous savons maintenant obtenir un champ magntique partir d'une bobine parcourue par un courant, voyons prsent de quelle
faon ce champ peut tre utilis.
Introduisons l'intrieur d'une bobine une barre de mtal ferromagntique, comme reprsent figure 8-a.
La barre est alors appele noyau de la bobine

De la thorie relative au magntisme, nous savons que tout matriau ferromagntique plac dans un champ magntique acquiert
des proprits magntiques du fait que les petits aimants lmentaires qui le constituent, s'orientent selon les lignes de force du
champ magntique. La barre place dans le champ magntique de la bobine n'chappe pas cette rgle, et comme nous le voyons
figure 8-a, le noyau se magntise par induction et devient un vritable aimant. Il prsente alors un ple nord et un ple sud ses
extrmits. Si le noyau est ralis en acier, il conserve la magntisation mme lorsque le courant cesse de parcourir la bobine, c'est
d'ailleurs avec cette mthode que sont obtenus les aimants permanents. Si par contre, le noyau est en fer doux, il se magntise ou se
dmagntise selon que le courant circule ou non dans la bobine. Les noyaux en fer doux sont utiliss pour la ralisation des
lectro-aimants.
Puisque le noyau de la bobine se magntise en devenant un aimant, il produit son tour son propre champ magntique qui s'ajoute
celui produit par la bobine. Ce qu'il faut noter, c'est que le champ magntique du noyau peut devenir plusieurs centaines de
fois suprieur celui produit par la bobine seule.

38

L'introduction d'un noyau dans une bobine permet d'obtenir un champ magntique fort avec une intensit de courant faible.
L'allure des lignes de force produites par la bobine et son noyau sont dessines figure 8-b. Ces lignes de force sont galement
appeles lignes d'induction car elles sont prcisment dues la magntisation par induction du noyau. L'ensemble de toutes les
lignes d'induction constitue le flux d'induction produit par la bobine.
Le symbole du flux d'induction est la lettre grecque phi :
Une bobine sans noyau possde galement la proprit de produire un flux d'induction si nous considrons les lignes de force
comme tant des lignes d'induction.
Dans le cas d'une bobine seule, nous pouvons dire que le noyau de celle-ci, bien que n'existant pas est en ralit l'air englob par
l'enroulement de la bobine. Naturellement, dans ce dernier cas, l'air n'ayant pas le pouvoir de magntisation d'un noyau, le flux
d'induction produit est de loin infrieur : En conclusion, nous pouvons dire que le flux d'induction d'une bobine dpend en
grande partie du matriau plac dans son enroulement.
Il faut maintenant considrer la bobine non plus comme un lment capable d'exercer une force d'attraction sur des matriaux
ferromagntiques, mais comme un lment capable de magntiser, par induction, le matriau plac dans son enroulement. La
bobine cre ainsi un flux d'induction qui dpend du type particulier de matriau utilis.
Le flux d'induction se mesure en Weber (symbole Wb). Cette unit de mesure doit son nom au physicien allemand Wihlem
WEBER (1804 - 1891).
Pour produire un flux d'induction, nous devons faire circuler un courant dans les spires de la bobine donc crer une force
magntomotrice.
Nous pouvons attribuer cette force magntomotrice la production du flux d'induction de la part de la bobine.
1. 4. - L'INDUCTANCE LECTRIQUE ET SON CALCUL
Chaque bobine est caractrise selon son aptitude produire un flux embrass quand ses spires sont parcourues par un courant, tout
comme un condensateur est caractris par son aptitude accumuler des charges lectriques entre ses armatures quand elles sont
soumises une diffrence de potentiel.
Cette aptitude de la bobine est appele inductance lectrique (symbole L).
Une bobine est donc caractrise par la valeur de son inductance L, comme une rsistance est caractrise par sa valeur
rsistive R et un condensateur par sa valeur capacit C.
Rappelons que la capacit d'un condensateur est indique par la quantit d'lectricit prsente sur l'une ou l'autre de ses armatures
en fonction de la diffrence de potentiel existante entre celle-ci : C = Q / V
De faon analogue, l'inductance d'une bobine est indique par le flux d'induction embrass par ses spires en fonction du
courant qui les traverse. Dans ce cas aussi, nous obtenons l'inductance d'une bobine donne en divisant le flux total embrass par
le courant qui le produit :
L=/I
Mesurant le flux en Weber et le courant en ampre, l'inductance se mesure en Weber / ampre. A cette unit, il est donn le nom
de Henry (symbole H) en mmoire au physicien amricain Joseph HENRY (1797 - 1878) qui nous devons d'importantes tudes
notamment sur l'auto-induction.
Dans de nombreux cas, Le henry reprsente une unit trop importante, aussi nous avons recours au millihenry (symbole mH) qui
vaut un millime de henry, ou au microhenry (symbole H) qui vaut un millionime de henry.
Entre le condensateur et la bobine, il existe d'autres analogies qu'il est bon de mettre en vidence.
En appliquant une tension aux bornes d'un condensateur, son dilectrique se polarise lectriquement dans la mesure o apparaissent
ses extrmits un ple nord et un ple sud. Ainsi, comme la capacit d'un condensateur dpend de son dilectrique, de mme
l'inductance d'une bobine dpend de la nature de son noyau, ce que nous savons dj vu qu'une bobine dans laquelle nous
introduisons un noyau produit un flux d'induction plus important.

39

Dans le cas du condensateur, nous avons introduit la notion de constante dilectrique absolue (E). Pour le condensateur air, cette
constante prend le nom de constante dilectrique de l'air ou de vide (Eo), tandis que dans le cas d'un condensateur dilectrique
solide, nous avons introduit la notion de constante dilectrique relative l'air (Er). Er exprime de combien de fois augmente la
capacit d'un condensateur lorsque nous remplaons l'air par un dilectrique solide. De l, nous en avons dduit la formule
suivante:
E = Eo x Er
De la mme faon pour une bobine, nous tenons compte de l'influence du matriau constituant son noyau et nous considrons alors
la permabilit magntique absolue du matriau dont le symbole et la lettre grecque (se lit ''mu"). La permabilit magntique
absolue d'un matriau s'exprime en henry par mtre (symbole H / m). La permabilit magntique est le coefficient qui
caractrise les proprits magntiques d'un corps. Son aptitude guider le flux d'induction magntique augmente avec sa
permabilit.
Pour une bobine sans noyau, donc possdant uniquement de l'air en son milieu, nous tiendrons compte de la permabilit
magntique de l'air ou du vide dsigne par le symbole o et qui a pour valeur 4 n x 10-7 H / m, soit pour faciliter les calculs
1,256 H / m.
Si nous introduisons un matriau l'intrieur de la bobine, nous multiplions alors la permabilit magntique de l'air ou du vide o
par un coefficient appele permabilit magntique relative par rapport l'air ou au vide et symbolise par r.
La permabilit magntique absolue est obtenue par le produit de o par r.
= o x r
La permabilit magntique relative l'air ou au vide r ne possde aucune unit tant donn qu'il s'agit d'un rapport comme dans
le cas de Er vue pour le condensateur.
Dans le tableau de la figure 9 sont donnes les permabilits magntiques relatives de matriaux utiliss pour la conception de
noyaux.
MATERIAU

Permabilit magntique relative r

Eau

0,999991

Argent

0,999981

air

1,0000004

Fer au silicium

7 000 maximum

ALLIAGES NICKEL
Permalloy

ALLIAGES NICKEL
23 000 600 000

Anhyster

2 000 5 000

Mumtal

100 000 maximum

Permimphy

150 000 250 000


.Fig. 9. - Permabilit magntique relative r de matriaux.

En principe, la valeur de 1 est donne r pour toutes les substances qui ne sont pas ferromagntiques, c'est--dire l'air et aux
supports de bobinages tels que la baklite, les matires plastiques, le verre, le quartz, la cramique, etc...
Il faut noter que dans le cas du condensateur, le dilectrique occupe tout l'espace compris entre ses armatures, c'est--dire tout
l'espace travers par les lignes de force du champ lectrique. Par contre, dans le cas de la bobine, le noyau se trouve seulement
l'intrieur du bobinage et n'occupe pas tout l'espace travers par les lignes de force du champ magntique parce que celle-ci,
comme reprsent figure 10 passent galement l'extrieur du bobinage.

40

Fig. 10 - Lignes d'induction cres par une bobine.


En rsum, pour que l'analogie entre le condensateur et la bobine soit totale, il faudrait que le noyau occupe la totalit de l'espace
travers par les lignes d'induction, autrement dit que le noyau soit en plus extrieur au bobinage.
Dans une telle configuration, le noyau appel aussi circuit magntique est dit ferm. C'est le cas, par exemple, des
transformateurs. A l'inverse, une bobine telle que celle de la figure 10 un circuit magntique ouvert.
Ce n'est donc que dans le cas d'un circuit magntique ferm o la totalit du flux d'induction passe dans le noyau ferromagntique
que nous pouvons dire comme dans le cas du condensateur que la permabilit magntique relative l'air indique de combien
de fois l'inductance de la bobine augmente quand elle est munie d'un noyau.
Dans le cas d'un circuit magntique ouvert, l'influence du noyau est moindre mais demeure prpondrante.
Dans cette leon, nous nous limiterons considrer le calcul de l'inductance d'une bobine sans noyau, remettant le calcul relatif aux
bobines munies de noyau, lorsque nous en rencontrerons les applications pratiques.
Voyons de quels lments dpend l'inductance d'une bobine sans noyau.
En premier lieu, l'inductance dpend de la section des spires constituant la bobine. Cette section est la surface circonscrite par le
conducteur comme nous le voyons pour une spire sur la figure 11 o cette surface hachure.

Fig. 11. - Section S d'une spire.


Il est comprhensible que plus la section de la bobine est importante plus le flux d'induction embrass est important.
L'inductance d'une bobine est donc proportionnelle sa section :
L = f (S)
L'inductance d'une bobine dpend galement du carr du nombre de ses spires. Pour se rendre compte de ceci, considrons la
figure 12 o sont dessines deux bobines. La premire possde une spire (figure 12-a) et la seconde cinq spires (figure 12-b).

41

Si les deux bobines sont parcourues par un courant (I) de mme intensit, la bobine cinq spires produit un champs magntique
cinq fois suprieur au champ produit par la bobine spire unique. D'autre part, nous avions introduit dans les premires lignes cidessus de la prsente leon, la notion du flux embrass par la spire. Plus le flux d'induction est embrass par le courant, plus ses
lignes de force sont concentres donc plus est importante l'intensit du flux.
La bobine multispires de la figure 12-b embrasse cinq fois plus le flux que la bobine de la figure 12-a.
En conclusion, l'intensit du flux produit par une bobine, dpend du carr du nombre de spires. Puisque l'inductance est lie au
flux, nous pouvons dire :
L'inductance d'une bobine est proportionnelle au carr du nombre de ses spires.
L = f (N2)
En dernier chef, l'inductance dpend de la longueur de la bobine. Pour comprendre comment la longueur de la bobine peut
influencer son inductance, considrons la figure 13.

Sur la figure 13 sont reprsentes deux bobines possdant un nombre identique de spires, en l'occurrence 6. Ces deux bobines
possdent la mme section mais leur bobinage est tel que la bobine de la figure 13-a ; a une longueur de 3 cm tandis que celle de la
figure 13-b est deux fois plus longue et mesure 6 cm. Si les deux bobines sont parcourues par un courant (I) de mme intensit,
celles-ci possdant le mme nombre de spires, la force magntomotrice qu'elles engendrent est identique.
La f.m.m. tant la cause de la production du flux, nous pouvons penser juste titre qu'elles embrassent le mme flux donc possde
la mme inductance. Mais la ralit est beaucoup plus complexe et le flux d'induction dpend non seulement de la force
magntomotrice mais galement de faon dont cette force est distribue le long de la bobine.
Reprenons nos deux bobines de la figure 13, celle de la figure 13-a ; a deux spires par centimtre de longueur, tandis que la bobine
de la figure 13-b ne possde qu'une spire au centimtre. En consquence, le flux produit par la premire bobine est double de celui
produit par la seconde. Nous pouvons conclure que le flux embrass par les spires d'une bobine (donc non inductance) dpend de la
longueur de la bobine.

42

L'inductance d'une bobine est inversement proportionnelle sa longueur.

Nous possdons maintenant tous les lments pour noncer la formule de calcul de l'inductance :
Pour une bobine sans noyau, l'inductance s'obtient en multipliant la permabilit magntique de l'air par la section des spires et par
le carr du nombre de spires et en divisant le produit par la longueur de la bobine. En rsum, nous obtenons la formule suivante :

L : Inductance en H
o : Permabilit magntique de l'air ou du vide en H / m
N2 : Nombre de spires au carr
S : Section de la spire en m2
l : Longueur en m
NOTE : Dans une bobine possdant l'air comme noyau, la permabilit magntique absolue () est gale la permabilit
magntique de l'air ou du vide soit o, tant donn que dans ce cas, la permabilit magntique relative l'air ou au vide o est
gal 1. La formule peut donc s'crire :

Cette formule de calcul de l'inductance est cependant valable uniquement lorsque toutes les lignes d'induction sont embrasses par
toutes les spires comme dans le cas de la bobine reprsente figure 14-a.

Quand les spires sont, au contraire, cartes comme dans le cas de la bobine dessine figure 14-b, il arrive que certaines lignes de
force ne sont pas embrasses par la totalit des spires de la bobine. Dans ce cas, le flux embrass et en consquence, l'inductance de
la bobine sont moindres.
De plus, la formule de calcul de (L) que nous venons de voir n'est plus applicable et en pratique, il faut tenir compte de cette
particularit en introduisant des coefficients de correction comme nous le verrons dans les formulaires.
Pour finir, vous devez savoir que l'inductance (L) d'une bobine est galement appele coefficient d'auto-induction.

43

Dans le tableau de la figure 15, sont regroupes les grandeurs introduites dans cette leon consacre explicitement la bobine ainsi
que leur unit et leur formule si ncessaire.
GRANDEUR

UNIT DE MESURE

FORMULE

Dnomination

Symbole

Dnomination

Symbole

Force magntomotrice

f.m.m.

ampre-tour

A-t

Permabilit magntique absolue

Henry par mtre

H/m

Inductance

henry

L = x (N2) / l

Flux d'induction

Weber

Wb

=LxI

F.m.m. = N x I

Fig. 15. - Grandeurs relatives l'lectromagntisme.


2. - NATURE DU MAGNTISME
Dans la leon consacre au magntisme, nous n'avons pas apport d'explication concrte et admise au fait que certaines substances
possdent des proprits magntiques.
Il existe deux thories sur ce sujet ; toutefois, l'une d'elle ne reposant sur aucune notion pourvue d'existence relle, nous opterons
pour celle prconise par AMPRE.
Cette thorie est fonde sur l'existence de courants particulaires et ne distingue pas le magntisme proprement dit de
l'lectromagntisme. Elle a trouv son interprtation dans le mouvement des lectrons des atomes.
Nous savons qu'une spire parcourue par un courant lectrique produit un champ magntique ; nous savons galement que ce
courant est d un dplacement d'lectrons. Nous pouvons donc attribuer le champs magntique au fait que les lectrons drivent
une giration le long de la spire.
Si nous nous rappelons prsent la structure d'un atome, nous voyons que dans ce cas aussi, des lectrons gravitent sur des orbites
circulaires autour d'un noyau. En consquence, il n'y a aucune raison pour que les lectrons d'un corps ne produisent pas de champ
magntique analogue celui provoqu par les lectrons circulant dans une spire.
Les atomes peuvent tre considrs, ou plus prcisment leur orbite lectronique comme une minuscule spire.
La figure 16 reprsente l'analogie entre une spire parcourue par un courant et un orbite lectronique d'un atome.
Dans un morceau de matriau ferromagntique dmagntis, les orbites lectroniques de chacun de ses atomes sont disposes de
faon dsordonne comme illustr figure 17-a.

44

En consquence, chaque champ ainsi cr est orient dans une direction diffrente. Les champs magntiques ne peuvent pas
conjuguer leurs effets et l'effet global demeure inexistant. Par contre, si le corps est magntis, c'est le cas de la figure 17-b, toutes
les orbites lectroniques s'alignent l'une par rapport l'autre de faon cohrente engendrant ainsi un champ magntique.
Notons aprs ces explications relatives au magntisme que tous les phnomnes considrs jusqu' prsent sont ds aux lectrons.
Pour les conducteurs, le courant lectrique est d un dplacement d'lectrons.
Pour les condensateurs, la polarisation du dilectrique est de au dcalement des orbites lectroniques par rapport leur noyau.
Pour les aimants et les bobines, la polarisation magntique est de l'orientation particulire des orbites lectroniques.
Ayant dj vu que le passage du courant lectrique, comme la polarisation du dilectrique entranent une consommation d'nergie
lectrique, il est facile de comprendre que la polarisation magntique d'un noyau ncessite galement une certaine nergie. Cette
nergie est fournie par la bobine et nous traiterons dans la prochaine leon ce phnomne en mme temps que nous verrons
l'utilisation des bobines dans les circuits lectroniques.
INDUCTION LECTROMAGNTIQUE
1re PARTIE
1. - INDUCTION LECTROMAGNTIQUE
1. 1. - FORCE LECTROMOTRICE INDUITE
La figure 1 illustre le phnomne d'induction lectromagntique. Sur cette figure, nous notons la prsence d'une bobine parcourue
par un courant d'intensit I. Cette bobine engendre ainsi un flux d'induction dont les lignes apparaissent figure 1 ; notons galement
la prsence d'une spire qui peut se dplacer par rapport la bobine.

45

En dplaant la spire de la position qu'elle occupe figure 1-a, sa position 1-b, il apparat ses bornes une diffrence de potentiel
(ou tension) qui persiste pendant toute la dure du dplacement. La spire peut tre compare une pile et pour cela, il est donn
le nom de force lectromotrice induite la tension ainsi produite.
Puisque la spire est un circuit ouvert, il ne peut circuler de courant dans celle-ci, tout comme une pile ne dbite aucun courant
lorsqu'elle n'est relie aucun appareil. Ce que nous devons maintenant dterminer, c'est la cause produisant cette force
lectromotrice (en abrg f.e.m.) induite.
La f.e.m. induite n'est pas directement lie au dplacement de la spire mais est la consquence de ce dplacement.
La consquence directe du dplacement de la spire, tel qu'il apparat figure 1, est que le flux d'induction embrass par celle-ci varie.
En effet sur la figure 1-a, nous nous apercevons que la spire embrass quelques lignes du flux d'induction produit par la bobine.
Quand, par contre, la spire est amene dans la position qu'elle occupe figure 1-b, elle n'embrasse plus alors aucune ligne
d'induction du flux produit par la bobine. Durant le dplacement de la spire, le flux embrass par celle-ci est ainsi pass d'une
certaine valeur zro.
L'exemple illustr figure 2 nous conforte dans notre hypothse.

En dplaant la spire de la position dcrite figure 2-a, celle reprsente figure 2-b, nous constatons que, malgr son dplacement,
il n'apparat ses bornes aucune f.e.m. induite. En effet, dans ce cas prcis, la variation du flux embrass est nulle car, quelque soit
la position de la spire lors de son dplacement, elle embrasse en permanence la totalit du flux produit par la bobine. Nous pouvons
conclure que :
Pour induire une f.e.m. dans une spire, il faut faire varier le flux d'induction embrass par cette spire.
Dans notre exemple de la figure 1, la variation du flux consiste en une diminution mais nous obtenons le mme phnomne si, au
contraire, le flux augmente comme cela se produit si la spire passe de la position de la figure 1-b celle de la figure 1-a. La f.e.m.
induite dans la spire tant due la variation de flux, toute cause qui entrane cette variation produit une f.e.m. induite. A ce
propos, rappelons que le flux d'induction produit par une bobine est fonction de l'intensit (I) du courant qui circule dans ses
spires. Si nous faisons varier ce courant, le flux d'induction varie et si celui-ci est embrass en partie ou en totalit par une spire
fixe, cette variation provoque l'apparition d'une f.e.m. induite dans la spire.
Ce cas est illustr figure 3-a, o le flux produit par une bobine parcourue par un courant (I) est embrass par deux spires A et B.

46

Si nous coupons le courant (I) qui parcourt la bobine, le flux d'induction de cette bobine disparat comme nous le voyons figure 3b. Dans cet exemple, il y a aussi variation du flux embrass par les spires A et B et apparition d'une f.e.m. induite dans celles-ci.
Un phnomne identique se produit non seulement quand nous coupons le courant (diminution du flux d'une certaine valeur celle
de zro) mais galement si nous rtablissons le courant. Dans ce cas, le flux passe d'une valeur nulle une valeur dtermine.
Nous savons prsent qu'il existe deux moyens de faire varier le flux embrass par une spire : soit par dplacement de la
spire, soit par variation du courant qui produit le flux.
Pour la suite de nos explications, nous nous intressons essentiellement aux variations de flux produites par des variations de
courant, parce que ce cas se rencontre dans la plupart des circuits.
1. 2. - LOIS DE L'INDUCTION LECTROMAGNTIQUE
Pour utiliser concrtement les phnomnes lis l'induction lectromagntique, il est ncessaire de savoir quels paramtres est
lie la f.e.m. induite et en particulier comment calculer sa valeur. Pour ceci, considrons de nouveau la figure 3-a qui est reporte
pour la circonstance figure 4.

Nous notons sur cette figure que le flux produit par la bobine traverse en totalit la spire A, alors que la spire B embrasse qu'une
partie. En consquence, au moment o nous coupons le courant (I) circulant dans la bobine, la variation du flux embrass dans la
spire A est plus importante que la variation de flux embrass dans la spire B. Or, comme la f.e.m. induite est due la variation du
flux embrass, il est facile de deviner que sa valeur est d'autant plus grande que la variation de flux est importante. La f.e.m. induite
dans la spire A est suprieure celle induite dans la spire B.
La valeur de la f.e.m. induite dans une spire dpend de la variation du flux d'induction qui traverse cette spire et elle est
d'autant plus leve que cette variation est importante.
Nous savons que la f.e.m. induite est cre pendant tout le temps que dure la variation de flux embrass. Jusqu' prsent, nous
avons uniquement suppos une annulation du flux produit par la bobine suite une coupure du courant qui la traverse : ainsi, le
flux varie trs rapidement et nous n'obtenons la cration d'une f.e.m. induite que durant un bref instant. Cependant, rien ne nous
empche de faire varier le flux plus lentement en mettant par exemple une rsistance variable en srie entre la pile et la bobine
qu'elle alimente. Nous obtenons ainsi le montage de la figure 5.

47

La rsistance variable est munie d'un curseur qui, en se dplaant, insre dans le circuit une rsistance plus ou moins leve. Quand
le curseur est en contact avec le point A, le courant (I) ne traverse pas la rsistance, son intensit est maximale ainsi que le flux
d'induction qui traverse la spire place devant la bobine (figure 5-a). Si le curseur est amen entre les points A et B, comme dans le
cas de la figure 5-b, le courant (I) traverse une partie de la rsistance, son intensit diminue (loi d'OHM) ainsi que le flux embrass
par la spire.
Lorsque le curseur est amen au point B, comme sur la figure 5-c, le courant (I) traverse la totalit de la rsistance variable, son
intensit peut tre considre comme nulle si la rsistance est de trs forte valeur et le flux embrass par la spire s'annule
galement.
Avec un tel dispositif, nous avons la possibilit de faire varier le courant, donc le flux d'induction, d'un maximum un minimum et
ceci en dplaant le curseur du point A au point B de la rsistance variable.
Supposons en premier lieu que le dplacement du curseur de A vers B se ralise en un temps de 1 seconde. La variation du flux va
durer une seconde crant pendant ce temps une f.e.m. induite de 2 V par exemple.
Si maintenant, aprs avoir ramen le curseur de B vers A, nous le dplaons de nouveau de A vers B mais en un temps de 10
secondes. Nous constatons que la mme variation de flux que prcdemment s'effectue non plus en 1 seconde mais en 10 secondes,
ou bien si nous appliquons les choses diffremment : que dans le mme temps de 1 seconde, nous dterminons une variation du
flux 10 fois moindre que dans le premier cas. Puisque la variation du flux en 1 seconde est maintenant 10 fois plus faible que dans
le premier cas, la f.e.m. induite dans la spire a aussi une valeur 10 fois plus faible et au lieu d'obtenir 2 V, nous n'obtenons plus que
0,2 V. La f.e.m. restant constante durant toute la variation du flux, au bout de 10 secondes elle est toujours de 0,2 V.
De cet exemple, nous dduisons que :
Pour une variation de flux donne, la f.e.m. induite est inversement proportionnelle au temps mis par ce flux pour varier.
Aprs ces considrations, il est facile de comprendre la loi nonce par le physicien allemand Franz Ernst NEUMANN (17981895) selon laquelle :
La force lectromotrice (E) induite dans une spire s'obtient en divisant la variation du flux (
variation de flux.

) par la dure ( t) de cette

NOTE : (qui se lit delta , quatrime lettre de l'alphabet grec) est couramment employ dans les formules tant physiques que
mathmatiques, pour symboliser une variation.
Si au lieu d'une spire, nous sommes en prsence d'un enroulement de plusieurs spires traverses par un mme flux, la variation de
ce flux correspond une f.e.m. induite identique dans chaque spire. Puisque les spires d'un mme enroulement sont en srie entre
elles, les f.e.m. induites dans chacune d'elles s'additionnent comme les f.e.m. de plusieurs piles relies en srie.
Aux bornes de la bobine, nous avons une f.e.m. gale au produit de la f.e.m. induite d'une spire par le nombre de spires de
la bobine.
Jusqu' prsent, nous avons suppos que la f.e.m. est induite dans une spire ouverte, donc dans laquelle ne circule aucun courant.
Considrons maintenant la mme spire mais relie par exemple une rsistance, nous obtenons ainsi un circuit ferm. Dans ce
circuit, la f.e.m. induite fait circuler un courant appel courant induit.
Pour dterminer le sens du courant induit, nous devons appliquer la loi de LENZ, nonce prcisment par le physicien russe
Heinrich LENZ (1804-1865) ; selon cette loi :
Le courant induit a un sens tel qu'il s'oppose la cause qui lui a donn naissance.

48

Donc, pour dterminer le sens de circulation du courant induit, nous devons tout d'abord connatre la cause qui gnre ce courant et
ensuite considrer de quelle faon ce courant peut s'opposer cette cause.

Pour bien comprendre ceci, rfrons-nous la figure 6. Dans cet exemple, nous considrons le flux produit par une spire unique
alimente au moyen d'une spire relie en srie avec une rsistance variable. Comme nous l'avons vu avec la figure 5, ce dispositif
nous permet de faire varier le courant (I1) circulant dans la spire. Puisque le rle de ce circuit est de produire le flux d'induction, il
est appel circuit inducteur.
Une deuxime spire relie une rsistance constitue par contre le circuit induit : c'est dans ce circuit qu'apparat la f.e.m. induite
et que circule le courant induit I2.
Considrons le cas illustr figure 6-a, dans lequel le courant (I1) diminue lorsque nous dplaons le curseur de la rsistance
variable de A vers B. La diminution du courant (I1) dans le circuit inducteur provoque la diminution du flux engendr par ce
circuit. Comme ce flux traverse le circuit induit, la variation de ce flux produit une f.e.m. induite dans ce circuit, qui fait circuler un
courant induit (I2) dans la spire.
La cause qui a donn naissance au courant induit I2 est donc la diminution du flux embrass par la spire.
Conformment la loi de LENZ pour pallier cette cause, le courant induit I2 doit circuler dans la spire suivant le sens tel, qu'il
contrecarre la diminution du flux embrass par cette spire.
Nous savons que toute spire parcourue par un courant engendre un flux d'induction, dans la spire qui constitue le circuit induit va
produire un flux d'induction dtermin par la circulation du courant induit I2. Ce flux d'induction compense la diminution du flux
produit par le circuit inducteur et embrass par la spire. Pour que cela se produise, les lignes d'induction du flux naissant dans le
circuit induit, doivent tre diriges dans le mme sens que celles du flux inducteur de manire les renforcer et en contrecarrer
ainsi la diminution.
Figure 6-a sont indiqus les deux flux en question : celui produit par le courant (I1) circulant dans le circuit inducteur a ses lignes
d'induction dessines en trais continus tandis que le flux engendr par le courant I2 circulant dans le circuit induit voit ses lignes
d'induction dessines en traits discontinus. Nous notons que conformment ce que nous venons d'expliquer que les deux flux ont
leurs lignes d'induction orientes dans le mme sens, donc que les flux produits s'ajoutent. (Pour vous faciliter la lecture, nous
reprsentons le mme circuit comme ci-dessous).

49

Nous connaissons prsent le sens des lignes d'induction dans le circuit induit, or le sens de celles-ci dpend du sens de circulation
du courant dans la spire. Donc, comme les lignes d'induction du circuit inducteur et du circuit induit sont orientes dans le mme
sens, cela signifie que les courants I1 et I2 circulent galement dans le mme sens et ceci dans leur spire respective. Comme nous
le voyons figure 6-a, suivant le sens conventionnel, le courant (I1) circule du ple positif au ple ngatif de la pile. Le courant
induit I2 circule dans le mme sens comme l'indique l'orientation des flches apparaissant figure 6-a prs de la spire du circuit
induit.
Appliquons les mmes explications au cas de la figure 6-b, o la cause qui gnre le courant induit I2 n'est plus une diminution du
flux embrass par le circuit induit mais son augmentation.
Le sens du courant I2 doit tre tel qu'il cr un flux d'induction qui s'oppose celui produit par le circuit inducteur.
Les lignes d'induction des deux flux sont comme dans le cas prcdent reprsentes en traits continus pour le flux cr par le circuit
inducteur et en traits discontinus pour le flux cr par le circuit induit. Comme les lignes d'induction de ces deux flux sont de sens
contraire, les courants qui les engendrent sont galement de sens oppos.
Connaissant galement dans ce cas le sens du courant I1 (qui n'a d'ailleurs pas chang par rapport au cas prcdent), nous avons
matrialis figure 6-b le sens de circulation du courant induit I2.
De ces deux exemples, nous dduisons que :
Le sens de circulation du courant induit dpend de la manire dont varie le flux embrass par le circuit induit, c'est--dire
s'il augmente ou diminue.
Au regard de la figure 6, nous observons que les lignes d'induction du flux produit par le courant induit I2 traversent non seulement
la spire du circuit induit mais galement la spire du circuit inducteur. Nous comprenons alors qu' toute variation du courant induit
I2, donc du flux qu'il produit, une f.e.m. est induite dans la spire du circuit inducteur qui embrasse ce flux.
Ce phnomne d'interaction d'un circuit sur l'autre porte le nom d'induction mutuelle.
Il se produit non seulement quand il y a deux circuits distincts, c'est--dire un circuit inducteur et un circuit induit, cas de la figure
6, mais galement lorsqu'il n'y a qu'un seul circuit.
Pour bien matriser ce phnomne, analysons la figure 7. Dans les deux cas illustrs par cette figure, nous faisons varier lentement
le courant (I1) parcourant une bobine.

Le cas de la figure 7-a considre une diminution du courant I1 (dplacement du curseur de la rsistance variable de A vers B). Le
courant I1 dtermine un flux dans la bobine : si celui-ci diminue, le flux embrass par cette bobine diminue galement. Si le flux
diminue, il y a cration d'une f.e.m. induite dans la bobine. On dit qu'il se cre un phnomne d'auto-induction.
Cette f.e.m. induite dtermine la circulation d'un courant. Celui-ci, nomm I2 dans la figure 7-a est appel courant d'autoinduction.
La loi de LENZ est valable dans ce cas galement ; elle nous permet de dterminer le sens de I2 qui s'oppose la cause qui lui a
donn naissance, or comme cette cause est la diminution du flux (consquence de la diminution de I1), I2 va crer un flux dirig
dans le mme sens que celui cr par I1. En conclusion I2 circule dans le mme sens que I1.
Ces deux flux sont reprsents figure 7 en traits continus et en traits discontinus, comme nous l'avons fait prcdemment.

50

Si par contre le courant I1, augmente comme pour le cas illustr figure 7-b (dplacement du curseur de la rsistance variable de B
vers A), le courant d'auto-induction I2 circule dans le sens oppos I1. En effet, dans ce cas pour contrecarr l'augmentation du
flux cr par I1, I2 cre un flux de sens oppos.
Nous constatons que dans le cas de l'auto-induction, il se passe ce que nous avons dj vu dans le cas de l'induction mutuelle
(figure 6) avec la diffrence nanmoins que les deux courants, au lieu de circuler dans deux circuits distincts (un circuit inducteur
et un circuit induit) circulent dans le mme.
A propos de ces courants, nous pouvons faire les deux observations suivantes :
Lorsque nous diminuons l'intensit d'un courant qui parcourt une bobine, un second courant prend naissance qui tend
compenser la diminution du premier.
Lorsque nous augmentons l'intensit d'un courant qui parcourt une bobine, le second courant cr, tend s'opposer
l'augmentation du premier.
Il appert de ces deux observations que :
La bobine s'oppose dans tous les cas la variation du courant qui la traverse, que celui-ci diminue ou augmente.
Si nous envoyons dans une bobine un courant dont l'intensit subit de continuelles variations, ce courant rencontre de la part de la
bobine une opposition permanente ses variations : autrement dit, la bobine fait obstacle au passage de ce courant.
De ceci, nous comprenons que la bobine peut accomplir dans les circuits une tche contraire celle exerce par le condensateur.
Dans les leons prcdentes, nous savons qu'un condensateur empche le passage d'un courant fourni par une pile, c'est--dire
possdant une intensit constante. Au contraire, la bobine offre un obstacle au passage d'un courant dont l'intensit varie
constamment (type de courant que nous analyserons dans la prochaine leon).
Nous pouvons faire la mme observation avec la rsistance, toutefois il faut se rappeler que celle-ci offre un obstacle au passage du
courant, que son intensit soit constante ou qu'elle subisse de continuelles variations. Par contre, la bobine fait sentir son effet
seulement avec les courants d'intensit variable, nous pouvons donc nous en servir pour sparer deux types de courants diffrents
lorsqu'ils se trouvent superposs dans un mme circuit.
A cause de cette application, il ne faut plus considrer la bobine comme un lment qui produit un flux d'induction mais comme un
lment capable de faire obstacle un courant d'intensit variable. De mme, nous devons tenir compte de l'inductance propre
chaque bobine sous un aspect diffrent.
La formule de calcul de la f.e.m. induite (E = / t) issue de la loi de NEUMANN s'applique galement dans le cas de la f.e.m.
d'auto-induction. Nous pouvons dire que la f.e.m. d'auto-induction s'obtient en divisant la variation du flux embrass par la bobine,
par le temps que dure cette variation. Dans cette formule, si nous remplaons la variation du flux embrass par le produit de
l'inductance et de la variation du courant = L x I), nous pouvons noncer la loi suivante :
La f.e.m. d'auto-induction s'obtient en multipliant l'inductance par la variation du courant et en divisant ce produit par le
temps que dure cette variation.

Nous dduisons de cette formule que la f.e.m. d'auto-induction est directement lie l'inductance de la bobine. Cette f.e.m. est
d'autant plus leve que l'inductance est grande, et inversement.
Comme cette f.e.m. est directement li, le courant d'auto-induction qui s'oppose la variation du courant initial parcourant la
bobine, nous pouvons dire que :

51

L'inductance indique l'aptitude d'une bobine s'opposer aux variations du courant qui la parcourt.
L'inductance d'une bobine jouant un rle important dans le phnomne d'auto-induction, c'est pour cette raison qu'elle est aussi
appele coefficient d'auto-induction.
Jusqu' prsent dans la description des phnomnes d'induction mutuelle et d'auto-induction, nous avons toujours considr des
bobines sans noyau, mais il est vident que les mmes phnomnes se produisent avec des bobines munies d'un noyau. Dans ce
cas, les phnomnes sont fortement amplifis, car l'inductance d'une bobine pourvue d'un noyau est considrablement augmente
par rapport une mme bobine sans noyau.
Nous reviendrons sur ce point prcis dans les prochaines leons et notamment lorsque nous analyserons le fonctionnement des
transformateurs.
1. 3. - GROUPEMENTS DE BOBINES
Comme les rsistances et les condensateurs, les bobines peuvent tre associes entre elles et former des groupements srie ou
parallle. Les groupements de bobines sont trs peu utiliss en pratique, toutefois pour tre complets sur ce composant nous devons
en parler.
Figure 8 sont donns les symboles correspondants aux bobines sans noyau et celles quipes de noyaux. La seule diffrence entre
les deux types rside en la prsence d'un trait au-dessus du symbole.

Fig. 8. - Reprsentations symboliques de la bobine.


1. 3. 1. - GROUPEMENT SRIE
Deux bobines sans noyau, relies en srie sont reprsentes sur la figure 9-a.

Comme dans tout assemblage srie, les deux bobines L1 et L2 sont traverses par le mme courant I. L'intensit de I peut varier en
fonction du dplacement du curseur de la rsistance variable. Toute variation d'intensit de I produit dans chaque bobine une f.e.m.
d'auto-induction appele E1 pour L1 et E2 pour L2. Les valeurs de E1 et de E2 sont dtermines par les formules 1 et 2 :

52

Dans la figure 9-b, nous avons remplac les bobines L1 et L2 par la bobine quivalente Leq. Aux bornes de cette bobine, toute
variation de I dtermine une f.e.m. d'auto-induction (Et) dont la valeur est dtermine par la formule 3 :

La seconde caractristique de tout assemblage srie et que la tension totale ses bornes est gale la somme des tensions prsentes
aux bornes de chaque lment, or comme nous le savons, les f.e.m. d'auto-induction n'chappent pas cette caractristique. Nous
pouvons donc crire que :
E1 + E2 = Et
En remplaant dans cette galit les f.e.m. par leur valeur dduite prcdemment des relations 1, 2 et 3, nous crivons :

Si nous considrons dans les deux cas exposs figure 9 des variations de courant I ; identiques pendant une dure t gale, nous
pouvons simplifier les deux membres de l'galit (4) par I / t et nous obtenons :
L1 + L2 = Leq
En conclusion, nous pouvons affirmer que :
L'inductance quivalente prsente par deux ou plusieurs bobines relies en srie s'obtient en additionnant l'inductance de
chacune des bobines.
Leq = L1 + L2 + L3 + ......
1. 3. 2. - GROUPEMENT PARALLLE
Deux bobines sans noyau, relies en parallle sont reprsentes sur la figure 10-a.

Comme dans tout assemblage parallle, il existe la mme tension aux bornes des bobines L1 et L2. Donc, en cas de variation du
courant I, il apparatra aux bornes de L1 et de L2 la mme f.e.m. d'auto-induction E.
Dans ce type de liaison, il nous faut donc essentiellement analyser le comportement du courant. Le courant (I) se divise en deux
parties I1 et I2 traversant respectivement les bobines L1 et L2 :

53

I = I1 + I2
Toute variation
I=

de I se rpercute dans les mmes proportions sur I1 et I2.

(I1 + I2) = I1 + I2

Les variations I1 et I2 dterminent aux bornes de L1 et de L2 une f.e.m. d'auto-induction E identique (assemblage parallle).

Nous savons que I = I1 + I2 en remplaant I1 et I2 par leur valeur dtermine prcdemment nous obtenons la relation (1)

De la figure 10-b, nous dduisons la relation 2 :

Les deux relations 1 et 2 donnent la mme variation I de courant et sont donc gales :

En simplifiant les deux termes de l'galit par E x t, nous obtenons :

54

Nous venons ainsi de dterminer la valeur de l'inductance (Leq) quivalente aux deux bobines L1 et L2 relies en parallle.
tendue au cas gnral, cette formule devient :

Quand deux bobines seulement sont relies en parallle, nous adoptons la formule suivante qui drive de la formule gnrale :

Notons enfin que si les bobines relies en parallle possdent toutes la mme inductance L, l'inductance quivalente Leq
s'obtient en divisant la valeur de leur inductance L par le nombre (n) de bobines, soit :
Leq = L / n
Il est important de se rappeler que les rgles tablies pour les assemblages de bobines sont valables seulement quand le flux
d'induction de chaque bobine n'est pas embrass par les autres bobines qui lui sont relies.
En effet, dans le cas contraire, il se produit galement le phnomne d'induction mutuelle avec influence d'une bobine sur l'autre.
En pratique, ce phnomne d'induction mutuelle peut tre limin grce l'utilisation de bobines pourvues d'un noyau entirement
ferm qui canalisent le flux. On obtient le mme rsultat en loignant suffisamment les deux bobines.
INDUCTION LECTROMAGNTIQUE
2me PARTIE
2. - LA BOBINE ET L'NERGIE LECTRIQUE
En premier lieu, nous devons savoir si la bobine est un lment dissipateur d'nergie lectrique au mme titre que la rsistance ou,
au contraire un lment conservateur d'nergie lectrique comme le condensateur.
Pour faciliter notre tche, nous devons considrer le phnomne de l'inductance mutuelle qui, rappelons-le se produit entre deux
circuits distincts.
La figure 11 reprsente un circuit inducteur et un circuit induit.

Le courant induit I2 apparaissant dans la spire du circuit induit traverse la rsistance insre dans ce circuit : celui-ci dissipe donc
une puissance dtermine par le produit de la rsistance R par le carr du courant (L22).

55

Cette puissance ne peut pas cependant avoir t directement produite par le circuit induit puisque nous ne notons la prsence
d'aucun gnrateur dans celui-ci. L'unique gnrateur prsent est la pile du circuit inducteur, or cette pile n'est pas relie au circuit
induit. Le transfert d'nergie entre les deux circuits se ralise donc par le flux d'induction que mettent en commun les deux spires.
Nous devons alors admettre que la puissance lectrique fournie par la pile au circuit inducteur n'est pas totalement dissipe dans
celui-ci mais produit galement un flux d'induction qui est son tour retransform en puissance lectrique dissipe dans le circuit
induit. Nous pouvons conclure que la bobine est un lment conservateur d'nergie comme le condensateur tant donn qu'elle
ne dissipe pas entirement cette nergie.
Pour avoir une analogie plus troite avec le condensateur, nous pouvons dire : comme le condensateur emmagasine de l'nergie
lectrique en crant un champ lectrique entre ses armatures, la bobine emmagasine l'nergie lectrique en crant un champ
magntique autour de ses spires. A la diffrence du condensateur auquel il faut appliquer une tension entre ses armatures pour
crer un champ lectrique, il faut faire circuler un courant dans une bobine pour que celle-ci engendre un champ magntique.
Nous savons que l'nergie Wc emmagasine dans un condensateur dpend du carr de la tension applique entre ses armatures et
de la capacit du condensateur, soit :
Wc = (1 / 2) x CV2
De la mme faon, l'nergie emmagasine par une bobine dpend du carr du courant qui la traverse multipli par
l'inductance de cette bobine, le tout divis par 2, soit :
WL = (1 / 2) x LI2
WL : nergie lectrique emmagasine en J.
L : Inductance en H
I : Intensit en A
De manire analogue ce qui a t dit pour le condensateur, la bobine n'emmagasine qu'une moiti de l'nergie fournie par le
gnrateur. La seconde moiti est dissipe dans la rsistance quivalente au circuit dont fait partie entre autres la rsistance interne
du gnrateur.
Observons cependant que dans le cas du condensateur, le gnrateur fournit un courant uniquement pendant la charge du
condensateur, car une fois celui-ci charg, toute circulation de courant cesse, ainsi que toute dissipation d'nergie laquelle il
donne lieu. Dans le cas de la bobine, le courant doit circuler continuellement puisque c'est prcisment lui qui cre le champ
magntique dans la bobine par ses variations. La consommation d'nergie l'accompagnant persiste donc galement.
Nous dduisons de ces observations que la bobine consomme une nergie plus importante que le condensateur pour en
emmagasiner la mme quantit.
La bobine trouve son emploi dans les circuits parcourue par des courants d'intensit variable.
Dans la prochaine leon, nous analyserons ce type de courant, dont l'une des formes vous est particulirement familire puisqu'il
s'agit du courant alternatif.
SEMI-CONDUCTEURS
1re PARTIE
Dans cette leon, nous commencerons nous occuper des semi-conducteurs, matriaux qui ont permis de raliser d'importants
dispositifs (diodes, transistors, circuits intgrs...) en mesure d'assurer des fonctions multiples et complexes.
Pour comprendre parfaitement le fonctionnement des dispositifs semi-conducteurs, il est ncessaire de bien connatre la
structure des matriaux utiliss pour leur fabrication.
Nous commencerons par un rapide examen de la structure interne des cristaux.
Tout au long de ce dveloppement, on aura souvent recours des figures pour reprsenter d'une faon analogique les phnomnes
qui se produisent dans les semi-conducteurs. Le recours ces figures est utile toutes les fois qu'il n'est pas possible de visualiser
directement le phnomne tudier. Mme si cette reprsentation est toujours approximative et ne reproduit pas fidlement le
phnomne, elle peut toutefois, d'une certaine faon et pour un temps donn, reprsenter du mieux possible les phnomnes
connus.

56

1. - LIENS ENTRE ATOMES


Toutes les expriences de chimie dmontrent que les atomes de corps diffrents, s'attirent ou se repoussent, lorsqu'ils sont placs
petite distance les uns des autres.
Il faut prciser tout de suite que lorsqu'il s'agit de distance entre atomes, on utilise comme unit de mesure l'angstrm (symbole
) quivalent au dix millionime de millimtre ou le millimicron (symbole m) correspondant au millionime de millimtre.
L'attraction qui se manifeste entre les atomes est appele attraction de VAN DER WAALS ; elle est en gnral relativement
faible et ne commence s'exercer que lorsque les atomes sont des distances de quelques angstrms (figure 1).

A plus faible distance, lorsque les orbites externes des lectrons se touchent, il peut s'tablir un lien plus troit, appel lien
chimique, ou au contraire il peut se produire une force rpulsion.
L'attraction de VAN DER WAALS est essentiellement un phnomne de nature lectrostatique, d la force lectrique
d'attraction, s'exerant entre le noyau lectriquement positif et les lectrons de l'atome voisin, lectriquement ngatifs.
Le lien chimique et la rpulsion sont au contraire dus la constitution de la dernire couche des lectrons, tournant autour du
noyau, c'est--dire la couche externe. En gnral, les couches internes des lectrons sont stables et ne sont pas concernes par les
phnomnes chimiques et lectriques.
La couche externe au contraire peut prsenter une certaine instabilit, car elle peut perdre ou gagner des lectrons ou encore les
mettre en commun avec les lectrons de la couche externe d'un atome voisin.
Pour expliquer la formation du lien chimique dans certains cas et dans d'autres la rpulsion, il faut se rfrer un principe
physique, connu sous le nom de principe de PAULI.
D'aprs ce principe, dans chaque orbite lectronique place autour du noyau d'un atome, il ne peut y avoir qu'un lectron
ayant une nergie dtermine. Cependant, si l'on admet que tous les lectrons sont exactement gaux entre eux et, qu'un lectron
sur son orbite tourne aussi sur lui-mme dans un sens ou dans l'autre, on peut modifier l'expression prcdente du principe de
PAULI et crire : sur l'orbite d'un noyau, il ne peut tourner plus de deux lectrons et ces derniers tournant sur eux-mmes, doivent
tourner en sens inverse l'un de l'autre (principe de PAULI gnralis sur lequel nous nous baserons dans les explications qui
suivent).
Nous admettrons ce principe sans le dmontrer car il ncessite des connaissances trs profondes en physique nuclaire sortant du
cadre de cette leon.
Imaginons maintenant que deux atomes d'hydrogne se rapprochent l'un de l'autre. On peut reprsenter les atomes de l'hydrogne
comme sur la figure 1 ; ils sont constitus d'un noyau et d'un seul lectron tournant sur la couche K (figure 2 : atome d'uranium
comportant ici 7 couches sur lesquelles gravitent des lectrons ; la couche K dispose de 2 lectrons dans cet exemple).
Lorsque les noyaux des deux atomes se trouvent une distance de quelques angstrms (5 environ), l'attraction de VAN DER
WAALS commence se manifester.

57

Si la distance diminue, l'attraction lectrostatique augmente et partir de 0,75 , le lien chimique intervient. Ce lien assure l'union
stable des deux atomes et dtermine ainsi la formation de la molcule d'hydrogne.
Le lien chimique n'est pas uniquement constitu par une forte attraction lectrostatique entre le noyau et les lectrons, mais aussi
par un change d'nergie entre les atomes, change se produisant par l'intermdiaire des lectrons passant successivement et
indiffremment de l'orbite d'un atome l'orbite d'un autre atome.
Lors du continuel passage des lectrons d'un atome l'autre, il arrive videmment que sur l'orbite d'un atome d'hydrogne il se
trouve deux lectrons au lieu d'un.
Cette possibilit est voque dans le principe de PAULI gnralis puisque dans chaque orbite on peut trouver deux lectrons.
Considrons maintenant un autre cas : imaginons que deux atomes d'hlium se sont rapprochs l'un de l'autre.
Les atomes d'hlium sont constitus d'un noyau et de deux lectrons gravitant sur la couche K. Cette couche, c'est--dire la couche
la plus proche du noyau est constitue d'une seule orbite.
Pour l'hlium, cette couche est complte, car elle comprend deux lectrons et ne peut, d'aprs le principe de PAULI en accueillir
d'autres.
Lorsque les noyaux des deux atomes d'hlium se trouvent une distance de quelques angstrms, l'attraction de VAN DER
WAALS peut se manifester ; toutefois une distance plus faible, il se produit une forte rpulsion au lieu du lien chimique. Cette
rpulsion entre les deux atomes d'hlium est due aux interaction de leurs lectrons. En effet, nous savons que les lectrons ont tous
la mme charge et qu'ils se repoussent entre eux. D'autre part, il est impossible d'obtenir une rpartition stable des lectrons autour
des deux noyaux comme dans le cas de l'hydrogne, car d'aprs le principe de PAULI gnralis, l'orbite de chaque atome d'hlium
est considre comme complte.
Nous n'avons jusqu'ici examin que des atomes simples, ne comportant qu'une seule couche d'lectrons, la couche K.
Dans le cas d'atomes deux ou plusieurs couches (figure 2), il faut non seulement tenir compte du principe de PAULI mais aussi
du fait que la stabilit maximale des lectrons est obtenue, lorsque la couche externe comprend huit lectrons gravitant sur
quatre orbites.
Les lments ayant huit lectrons sur la couche externe sont runis dans le groupe 18 du tableau de MENDELEYEV donn adans
les figures ci-dessus.

58

Configuration lectronique
1
H
1s1
2 Li
2s1
3 Na
3s1
4 K
4s1
1

13

14

15

16

17

Be
2s2
Mg
3s2
Ca
4s2

10

11

12

Sc
3d1

Ti
3d2

V
3d3

Mn
3d5

Fe
3d6

Co
3d7

Ni
3d8

Zn
3d10

N
2p3
P
3p3
As
4p3

O
2p4
S
3p4
Se
4p4

F
2p5
Cl
3p5
Br
4p5

Zr
4d2

Tc
4d6
5s1
Re
5d5

Ru
4d7
5s1
Os
5d6

Rh
4d8
5s1
Ir
5d7

Sn
5p2

Sb
5p3

Te
5p4

I
5p5

Xe
5p6

Tl
6p1

Pb
6p2

Bi
6p3

Po
6p4

At
6p5

Rn
6p6

Rf
6d2

Db
6d3

Sg
6d4

Bh
6d5

Hs
6d6

Mt
6d7

Pd
4d10
5s0
Pt
5d9
6s1
Ds
6d9
7s1

In
5p1

Hf
5d2

Nb
4d4
5s1
Ta
5d3

Cu
3d10
4s1
Ag
4d10
5s1
Au
5d10
6s1
Rg
6d10
7s1

C
2p2
Si
3p2
Ge
4p2

Y
4d1

Cr
3d5
4s1
Mo
4d5
5s1
W
5d4

B
2p1
Al
3p1
Ga
4p1

18
He
1s2
Ne
2p6
Ar
3p6
Kr
4p6

Uut

Uuq
7p2

Uup

Uuh
7p4

Uus

Uno
7p6

Rb
5s1

Sr
5s2

Cs
6s1

Ba
6s2

Fr
7s1

Ra
7s2

LaLu
AcLr

Cd
4d10
5s2
Hg
5d10
Uub
6d10
7s2

3
La
5d1

3
Ce
4f2

3
Pr
4f3

3
Nd
4f4

3
Pm
4f5

3
Sm
4f6

3
Eu
4f7

3
Gd
4f7
5d1

3
Tb
4f9

3
Dy
4f10

3
Ho
4f11

3
Er
4f12

3
Tm
4f13

3
Yb
4f14

3
Lu
5d1

3
Ac
6d1

3
Th
6d2

3
Pa
5f2
6d1

3
U
5f3
6d1

3
Np
5f4
6d1

3
Pu
5f6
6d0

3
Am
5f7
6d0

3
Cm
5f7
6d1

3
Bk
5f9
6d0

3
Cf
5f10
6d0

3
Es
5f11
6d0

3
Fm
5f12
6d0

3
Md
5f13
6d0

3
No
5f14
6d0

3
Lr
5f14
6d1

59

Par contre, si un atome moins de huit lectrons dans une couche externe, diffrente de la couche K, il aura tendance accepter le
lien chimique avec d'autres atomes. Cette capacit de l'atome de se lier chimiquement avec d'autres atomes est dite valence. Il
existe une certaine relation entre la valence d'un atome et le nombre d'lectrons qui comprend sa couche externe.
- Lorsque la couche externe est complte avec huit lectrons, on dit que l'atome une valence zro.
- Lorsque la couche externe ne comprend qu'un seul lectron, ou sept lectrons, on dit que l'atome une valence un ou encore qu'il
est monovalent.
- Lorsque la couche externe ne comprend que deux lectrons ou six lectrons, on dit que l'atome la valence deux ou encore qu'il
est bivalent.
- Lorsque la couche externe ne comprend que trois lectrons ou cinq lectrons, on dit que l'atome la valence trois ou encore qu'il
est trivalent.
- Enfin, si la couche externe ne comprend que quatre lectrons, on dit que l'atome la valence quatre ou encore qu'il est
ttravalent.
Ce critre pour distinguer les valences n'est cependant pas toujours valable ; il y a mme de nombreuses exceptions.
Par exemple, l'antimoine, l'arsenic et le phosphore ne possdent que cinq lectrons sur leur couche externe et peuvent par
consquent tre trivalents d'aprs le critre ci-dessus, mais peuvent galement avoir une valence cinq. Dans ce cas, ils sont dits
pentavalents.
On trouve aussi des atomes pouvant avoir une valence six (hexavalents) et une valence sept (heptavalents).
Il n'est pas ncessaire d'approfondir le concept gnral de valence, concept li des recherches trs complexes sortant du cadre de
cette leon, mais il est utile par contre de bien mettre en vidence le lien chimique entre les atomes d'un mme lment.
Nous avons prcdemment considr le lien qui s'tablit entre deux atomes d'hydrogne, lorsque leurs noyaux respectifs se
trouvent une distance de 0,75. Ce type particulier de lien chimique entre atomes de la mme espce est dit lien covalent ou
encore lien homopolaire.
Voyons comment peut s'tablir un lien covalent entre atomes, ayant plus de deux lectrons et moins de huit dans leur couche
externe.
Prenons par exemple quelques atomes d'un lment ttravalent, c'est--dire un lment possdant quatre lectrons sur sa couche
priphrique.
Pour simplifier la reprsentation, on a fait figurer sur le dessin de la figure 4-a que le noyau des atomes et les quatre lectrons
priphriques (les lectrons des autres couches n'tant pas concerns).

60

Bien entendu, en ralit les quatre lectrons priphriques de chaque atome, occupent plusieurs orbites, mais pour plus de clart il
suffit de n'en reprsenter qu'une seule.
Entre les lectrons priphriques, on a aussi dessin quatre trous, qui reprsentent les places libres, dans lesquelles pourraient venir
quatre autres lectrons, de faon complter la couche externe.
Le croquis de la figure 4-a peut reprsenter tous les atomes des lments ttravalents classs dans le groupe IV du tableau de
MENDELEYEV (figure 3), c'est--dire le carbone, le silicium, le titane, le germanium, le zirconium, l'tain, l'hafnium et le
plomb.
Imaginons maintenant que quatre atomes ttravalents se rapprochent d'un atome du mme type. Lorsque ces atomes se trouvent
quelques angstrms, les forces de VAN DER WAALS se manifestent ; mais de plus faibles distances il s'tablit un lien covalent
entre l'atome considr et chacun des quatre atomes qui se sont rapprochs.
Les quatre liens covalents sont reprsents figure 4-b par les quatre rayons en pointills. Ce phnomne est facile comprendre. En
effet, au centre nous avons un atome instable avec quatre lectrons sur la couche externe qui peut soit en rcuprer, soit en cder.
A proximit de ces atomes, quatre autres atomes du mme type se sont rapprochs jusqu' ce que les orbites soient en contact les
unes avec les autres.
Tout naturellement l'atome du centre comble donc ses quatre trous (voir figure 4-a) avec les lectrons instables des quatre autres
atomes.
L'atome du centre a ainsi sa couche externe complte avec huit lectrons. En ralit, ces huit lectrons n'appartiennent pas
exclusivement au mme atome ; ils se subdivisent en quatre couples et chaque couple d'lectrons appartient manifestement
l'atome central et un atome priphrique.
Le lien covalent, existant entre l'atome central et les quatre atomes priphriques, consiste en un change rpt d'nergie d au
passage d'lectrons d'un atome l'autre.
SEMI-CONDUCTEURS
2me PARTIE
2. - STRUCTURES DES CRISTAUX
Le fonctionnement des transistors dpend des proprits de la couche externe des atomes de certains corps, dits corps semiconducteurs, mais il est bas sur l'tat d'agrgation de ces corps.
Les caractristiques physiques fondamentales des semi-conducteurs se manifestent exclusivement lorsque le matriau est l'tat
solide.
Il faut en plus que ce matriau se trouve dans un tat solide particulier dit tat cristallin. C'est pour cette raison que les transistors
ou les diodes semi-conducteurs sont appels des dispositifs cristal.
L'tat cristallin se distingue des autres tats solides par le fait que les atomes occupent dans l'agrgat une position fixe selon un
dessin gomtrique rpt, plus ou moins complexe.
Prenons par exemple un cristal trs pur de chlorure de sodium (sel de cuisine).
Le chlorure de sodium est un compos constitu d'atomes de chlore et de sodium en parties gales. Si nous pouvions agrandir
cinquante millions de fois un minuscule grain de chlorure de sodium, les atomes apparatraient comme sur la figure 5-a.
Cette disposition se rpte, toujours gales elle-mme, mesure qu'augmentent les dimensions du grain de cristal.

61

La structure rticulaire de la figure 5-a est fondamentale pour de nombreux types de cristaux. Il existe videmment d'autres
structures rticulaires cristallines de substances simples et composes.
On peut voir figure 5-b, la reprsentation du cristal de slnium, substance simple employe dans la fabrication des redresseurs
solides.
Les atomes, dans la structure cristalline de slnium, sont disposs en spirales autour d'axes parallles et celles-ci se regroupent en
couches superposes.
Parmi les structures cristallines, celle du diamant a une grande importance dans l'tude des semi-conducteurs.
Le diamant (figure 6-a) est constitu d'atomes de carbone, disposs de telle sorte que chaque atome se trouve entour par quatre
autres, tous gale distance de l'atome central et uniformment dans l'espace environnant (figure 6-b).

La distance d, entre l'atome central et les quatre atomes voisins est constante en tous points du rseau (cette distance est d'environ 2
angstrms).
Les atomes de cristal sont maintenus ensemble par des liens covalents, du mme type que ceux de la figure 4-b.
En nous rappelant ce qui vient d'tre dit sur la nature de ce lien, nous pouvons comprendre que tout l'espace entre les atomes est
occups par une intense circulation lectronique. Les lectrons se promnent en effet dans les espaces vides du rseau cristallin, en
passant d'une orbite l'autre, mais ils ne sont jamais vraiment libres : ils restent toujours lis au rseau form par les atomes
auxquels ils appartiennent initialement. Ils ne pourraient pas, sous l'action d'un champ lectrique extrieur, former un flux
continuel de courant. En d'autres termes, cela signifie que le diamant est un mauvais conducteur d'lectricit.

62

Pour reprsenter de faon plus simple la structure cristalline du diamant, on peut avoir recours la reprsentation plane (figure 7).

Cette figure met mieux en vidence le fait que les distances entre atomes sont gales et permet de mieux comprendre l'existence
des liens covalents.
3. - SEMI-CONDUCTEURS INTRINSQUES
On appelle semi-conducteurs, les substances dont la conductivit lectrique est intermdiaire entre celle des conducteurs et
celle des isolants.
L'oxyde de cuivre et le slnium, utiliss dans certains types de redresseurs, sont des semi-conducteurs, de mme que divers
autres oxydes et sels mtalliques, mais ce sont le germanium et le silicium qui ont le plus d'importance. La figure 8 reprsente
l'atome de chacun de ces deux lments.
On peut remarquer que pour ces deux corps, la couche externe des atomes ne comprend que quatre lectrons.

Ces lments sont donc du type ttravalent, comme le carbone pur (diamant).

63

Remarquons aussi que le carbone, le silicium et le germanium, appartiennent au mme groupe dans la classification de
MENDELEYEV (groupe 14, figure 3). Ainsi, tout ce qui a t dit sur le rseau cristallin du carbone et sur les liens covalents de ce
corps reste valable pour le germanium et le silicium.
Cependant, en examinant le rseau cristallin du diamant, on a signal que les lectrons appartenant la couche externe de chaque
atome, vont d'une orbite l'autre mais qu'ils restent lis et ne peuvent pas participer la formation d'un courant lectrique. Or, pour
certains cristaux, la circulation lectronique peut tre influence plus ou moins par des causes extrieures (un champ lectrique par
exemple) et dans ce cas de nombreux lectrons peuvent se runir en un flux de courant.
Cela signifie que l'on peut avoir des cristaux plus ou moins bon conducteurs d'lectricit ou des cristaux isolants, comme le
diamant.
Les cristaux de germanium et de silicium sont dans la premire catgorie et nous allons voir comment se produit la conduction
lectrique.
Pour clarifier les explications, subdivisons les lectrons des couches externes en deux catgories :
Les lectrons de valence, reprsents figure 9 par des points noirs ;
Les lectrons de conduction, reprsents sur cette mme figure par des points noirs traverss d'une flche.

Les lectrons de valence sont ceux, qui tout en se dplaant d'un atome l'autre, restent lis au rseau (comme dans le cas du
diamant).
Les lectrons de conduction sont ceux, qui pendant les divers dplacements, acquirent assez d'nergie pour rompre les liens
covalents.
Dans un cristal trs pur, gomtriquement parfait et maintenu une temprature trs proche du zro absolu (- 273, 16C), tous les
lectrons des atomes appartiennent la catgorie des lectrons de valence ou pour utiliser une expression courante en physique,
appartiennent la bande de valence.
En levant la temprature ou sous l'effet d'une dformation du rseau ou encore en plaant le cristal dans un champ lectrique
intense, une partie des lectrons de valence gagne une certaine nergie et peut se librer du rseau, c'est--dire passer de la bande
de valence la bande de conduction. Ce phnomne peut tre plus ou moins important selon le type de cristal.
A la temprature de 18C, pour le diamant ce phnomne est ngligeable ; pour le germanium, un lectron sur un milliard d'atomes
passe de la bande de valence la bande de conduction (un lectron sur 4 milliards d'lectrons de valence devient libre).
A premire vue, en fonction des nombres donns, on pourrait croire qu'un lectron sur quatre milliards constitue une quantit
ngligeable. En ralit, il faut tenir compte du fait que dans un centimtre cube de germanium, il y a environ 1 x 1022 atomes, ce
qui donne environ dix mille milliards d'lectrons libres. Cette quantit n'est donc plus ngligeable et suffit rendre le cristal
conducteur.

64

Mais que se passe-t-il dans un cristal o un lectron est devenu libre ?


Cet lectron se promne de faon dsordonne dans les espaces du rseau, contrairement aux lectrons de valence qui parcourent
les mmes espaces sur des orbites bien dfinies. D'autre part, partir du moment o le lien covalent est rompu et que l'lectron
laisse une place libre, il se cr un vide sur une orbite.
En un point du rseau, il existe donc un trou (on dit aussi cavit ou lacune).
Ce phnomne est mis en vidence sur la figure 9 o l'on peut voir quatre lectrons libres (lectrons de conduction) et aussi quatre
trous portant les numros 1 - 2 - 3 et 4. Le trou reprsente une charge lectrique gale celle de l'lectron mais de signe inverse. En
effet, l'atome est neutre avec tous ses lectrons. S'il en perd un, cet lectron libre reprsente une charge ngative disponible ;
mais l'atome n'est plus neutre puisqu'il a perdu un lectron ; il acquiert donc une charge positive, charge provenant des protons
dont l'influence n'est plus compense par le mme nombre d'lectrons qu' l'origine. (La figure 10 permet de mieux comprendre
cette explication.

Ainsi, lorsque dans le cristal trs pur il y a de nombreux lectrons libres, il existe autant de trous. Il ne faut pas cependant croire
que ces trous occupent une position immuable. En effet, ds qu'un trou vient d'tre cr par fuite d'un lectron, il est presque
instantanment occup par un lectron de valence. Ce trou disparat donc, mais ne reforme ailleurs dans la place laisse libre par
l'lectron de valence en question et ainsi de suite.
Nous pouvons donc retenir que les trous se dplacent d'un point un autre du rseau, de faon imprvisible et dsordonne comme
les lectrons libres.
Le mouvement dsordonn des lectrons de conduction et des trous constituent l'aspect fondamental de la conductibilit
lectrique dans les semi-conducteurs.
Les figures 11 et 12 permettent de bien illustrer les phnomnes dcrits prcdemment.

L'chiquier de la figure 11-a reprsente le rseau d'un cristal semi-conducteur. Les pions se trouvant dans les cases blanches
correspondent aux lectrons de valence et le pion de la case noire l'lectron de conduction.
La case blanche vide reprsente le trou cr par l'lectron libre lors de son passage de la bande de valence la bande de conduction.
L'lectron peut se dplacer de faon libre et dsordonne dans les espaces du rseau, tout comme le pion se trouvant dans la case
noire peut tre dplac sur l'chiquier (figure 11-b). Dans le mme temps, le trou se dplace de faon dsordonne ; son parcours
n'est pas aussi simple que celui de l'lectron libre.

65

En effet, pour qu'un trou puisse changer de position, il faut qu'un lectron de valence vienne l'occuper, laissant ainsi un nouveau
trou libre ; exactement comme pour dplacer la case blanche libre de la figure 12-a, il faut qu'elle soit occupe par le pion d'une
autre case blanche.

En rptant ce jeu avec d'autres pions (figure 12-b, 12-c et 12-d), la case blanche libre semble se promener de faon incohrente
travers l'chiquier, tout comme les trous dans le rseau du cristal.
En gnral, le mouvement d'un lectron libre et celui d'un trou n'ont pas une dure limite. En effet, en raison de l'agitation
thermique de toutes les particules du cristal, l'lectron libre un moment donn, heurte un autre lectron et perd ainsi son nergie.
De ce fait, il est attir par un trou qui cesse ainsi d'exister.
La figure 13 illustre le parcours effectu par un lectron libre et par un trou.

L'lectron part de A et suit par exemple le chemin reprsent en pointills de couleur vert pour arriver au point C. En principe, il se
dplace le long de trajectoires rectilignes en changeant de direction toutes les fois qu'il heurte d'autres particules. Quant au trou,
partant du point B et suivant la ligne en trait continu, il arrive lui aussi au point C o il disparat, l'lectron ayant perdu toute son
nergie la suite des chocs subis avec les particules.
Nous venons de voir jusqu' prsent les cristaux semi-conducteurs trs pur et gomtriquement parfaits dans lesquels le nombre
des lectrons libres est exactement gal au nombre de trous. Ces semi-conducteurs s'appellent des semi-conducteurs
intrinsques.
Pour utiliser ceux-ci afin de raliser des transistors, il faut modifier leur structure par un traitement appropri, c'est ce que nous
verrons dans la prochaine leon semi-conducteurs 2.

66

LE COURANT ALTERNATIF
1re PARTIE
1. - LE COURANT ALTERNATIF
Nous avons toujours examin des circuits parcourus par le courant fourni par une ou plusieurs piles, courant appel courant
continu parce qu'il possde toujours le mme sens de circulation. Le courant circulant dans le circuit lectrique de la figure 1-a
est un courant continu.

Le courant parcourant ce circuit est toujours dirig, selon le sens conventionnel, du ple positif au ple ngatif de la pile : il entre
dans la rsistance par l'extrmit repre l'aide de la lettre A et sort par celle repre l'aide de lettre B. Dans un tel circuit, la
tension engendrant le courant continu est appel tension continue. Il existe par contre d'autres types de gnrateurs, lesquels
dlivrent un courant, qui, par ses caractristiques est appel courant alternatif.
Pour comprendre la diffrence entre ces deux types de courant, il est ncessaire tout d'abord de se rfrer la figure 1-b. Celle-ci
reprsente le mme circuit lectrique que la figure 1-a, la diffrence prs qu'il est aliment par un gnrateur de courant alternatif
dont nous pouvons noter au passage le symbole graphique.
Dans cette figure 1-b, les polarits du gnrateur de courant alternatif, indiques par les signes + et - sont identiques aux
polarits apparaissant dans le circuit de la figure 1-a. En consquence, dans ces deux cas de figure, le courant circule dans le mme
sens traversant la rsistance de A vers B.
Cependant, dans le cas d'un gnrateur alternatif, le courant ne circule dans un sens que durant un temps trs bref, au bout duquel il
s'inverse. Nous sommes alors en prsence de la figure 1-c o les polarits du gnrateur sont inverses et o le courant traverse la
rsistance de B vers A. Mme dans ce nouveau sens de circulation, le courant ne persiste que durant un temps trs bref pour ensuite
revenir dans le cas de la figure 1-b et ainsi de suite.
Nous pouvons dire que le courant change priodiquement son sens de circulation, autrement dit qu'il parcourt la rsistance
alternativement de A vers B et de B vers A durant des priodes de temps trs brves. de cette explication, nous comprenons
l'origine de l'appellation du courant alternatif.
L'intensit d'un courant alternatif varie constamment, dans le cas de la figure 1-b elle augmente de zro jusqu' une valeur
maximale dtermine par le gnrateur et la rsistance, puis diminue pour revenir zro. A l'instant o l'intensit est nulle, le
gnrateur inverse ses polarits, nous sommes dans le cas de la figure 1-c, l'intensit augmente nouveau jusqu'au mme
maximum que prcdemment et redescend ensuite zro. A cet instant, il se reproduit un changement de polarits et le cycle
recommence.
Du moment que la rsistance est fixe, les variations d'intensit du courant I ne peuvent tre dues qu' des variations analogues de la
tension fournie par le gnrateur. Cette tension possde les mmes caractristiques que le courant qu'elle fournit et est appele
tension alternative.
Il existe donc bien deux types fondamentaux de courant lectrique qui sont :
Le courant continu symbolis par le sigle C.C. et le courant alternatif symbolis par le sigle C.A.
Il est bon de se rappeler que le courant alternatif est beaucoup plus rpandu que le courant continu, puisqu'il est utilis dans
l'industrie et dans les habitations. Le courant alternatif est produit au moyen de gnrateur appels alternateurs et installs dans les
centrales lectriques.

67

1. 1. - PRODUCTION DU COURANT ALTERNATIF


Pour comprendre comment le courant alternatif peut priodiquement changer son sens de circulation et faire varier son intensit, il
nous faut considrer le principe de fonctionnement d'un gnrateur de courant alternatif.
Le fonctionnement d'un tel gnrateur est fond sur le phnomne de l'induction lectromagntique analys dans la leon thorique
prcdente. En effet, ce gnrateur comporte un circuit inducteur aliment en courant continu pour produire le flux d'induction
ncessaire, et un circuit induit dans lequel est prcisment induit le courant alternatif dsir.
Figure 2 sont reprsents de faon trs simplifie ces deux circuits.

Le circuit inducteur est form de deux enroulements relis en srie et aliments par une pile. Entre ces deux enroulements est
dispos le circuit induit reprsent figure 2 par une simple spire. Les extrmits de cette spire constituent les ples du gnrateur et
sont relies une rsistance qui reprsente le circuit extrieur au gnrateur. Avec cette disposition, la spire du circuit induit est
traverse par les lignes d'induction du flux produit par le circuit inducteur.
La variation du flux inducteur ncessaire la cration d'un courant induit dans la spire est obtenue dans notre cas par une rotation
du circuit inducteur complet autour de la spire. Dans la figure 2, les flches reprsentent le sens de rotation tandis que le point 0
matrialise le centre du mouvement. Il faut noter que la rotation a lieu vitesse constante.
Figure 3 sont montres huit positions diffrentes prises par le flux d'induction durant un tour complet du circuit inducteur (circuit
qui n'est plus reprsent dans le but de ne pas surcharger les figures).

68

Le circuit inducteur est suppos mettre huit secondes pour accomplir un tour complet et met donc une seconde pour passer d'une
position la suivante.
En suivant les exemples de la figure 3, nous voyons immdiatement pourquoi le gnrateur intervertit un certain moment ses
polarits et en consquence inverse le sens de circulation de son courant.
Partons de la figure 3-a dans laquelle la spire est totalement traverse par le flux inducteur et considrons ce qui se produit durant
la seconde pendant laquelle le flux se dplace pour atteindre la position de la figure 3-b. Durant cette seconde, le flux s'est dplac
d'un angle de 45 soit un huitime de tour dans le sens indiqu par la flche. La consquence de cette rotation est que, comme le
montre la figure 3-b, la spire n'est plus traverse par la totalit du flux d'induction puisque certaines des lignes de ce flux sont
extrieures la spire.
A cause de la diminution du flux embrass, il s'induit dans la spire un courant I dont le sens de circulation est tel, qu'il produit son
tour un flux d'induction dirig dans le mme sens que celui du flux inducteur et ceci selon la loi de LENZ. Nous connaissons donc
le sens des lignes d'induction du flux induit dans la spire et en appliquant la rgle du tire-bouchon, nous dduisons le sens de
circulation du courant I dans la spire. Dans le circuit extrieur au gnrateur, autrement dit dans la rsistance, le courant circule de
A vers B. Puisque selon son sens conventionnel, le courant est dirig du ple positif du gnrateur son ple ngatif, nous pouvons
indiquer les polarits apparaissant aux bornes de la spire.
L'extrmit de la spire relie au point A est de polarit positive tandis que celle relie au point B est de polarit ngative.
Continuant sa rotation, le flux embrass par la spire diminue et s'annule compltement au bout de 2 secondes lorsqu'il atteint la
position de la figure 3-c. Durant cette deuxime seconde, le flux inducteur a tourn d'un nouveau huitime de tour ce qui fait en
tout un quart de tour par rapport la figure 3-a soit un angle de 90. A l'instant o le flux traversant la spire s'annule, le courant
induit I circule encore dans le mme sens que prcdemment et ceci toujours pour produire un flux dirig de la gauche vers la
droite dans le but de contrecarrer l'annulation du flux embrass par la spire. A partir de la position de la figure 3-c, le flux embrass
par la spire recommence augmenter compte tenu de la rotation. Lorsque ce flux a accompli encore un huitime de tour durant la
troisime seconde, il dcrit depuis sa position de dpart un angle de 135. Un certain nombre des lignes d'induction de ce flux
traverse nouveau la spire. En raison de la rotation du flux, ses lignes d'induction sont prsent diriges de la droite vers la
gauche. Le flux inducteur augmente : le courant induit engendr dans la spire pour contrecarr cette augmentation doit produire un
flux de sens oppos, donc dirig de la gauche vers la droite. Cette orientation est la mme que dans le cas des figures 3-b et 3-c, en
consquence, le courant induit I circule toujours dans le mme sens.
Le courant induit continue circuler dans ce sens jusqu' ce que 1 seconde plus tard, le flux inducteur atteigne la position de la
figure 3-e ayant accompli un demi-tour (le flux est totalement embrass par la spire). Sur cette figure, il n'est plus reprsent de
courant induit pour la raison que nous verrons plus tard. Une seconde aprs, le flux a encore tourn d'un huitime de tour et se
trouve dans la position de la figure 3-f (angle de rotation de 225). Le flux traversant la spire a de nouveau diminu et le courant
induit I, pour contrecarr cette diminution, doit crer un flux d'induction dirig dans le mme sens que le flux inducteur, soit de la
droite vers la gauche, et ceci, toujours selon la loi de LENZ. (Pour en faciliter la comprhension de la figure 3 ci-dessus, nous le
reportons la mme figure ci-dessous).

69

Connaissant donc le sens des lignes d'induction du flux induit dans la spire et en appliquant la rgle du tire-bouchon, nous
dduisons le sens de circulation du courant I dans la spire.
Dans le circuit extrieur au gnrateur, autrement dit dans la rsistance, le courant circule de B vers A. Puisque selon son sens
conventionnel, le courant est dirig du ple positif du gnrateur son ple ngatif, nous pouvons indiquer figure 3-f les nouvelles
polarits apparaissant aux bornes de la spire.
L'extrmit de la spire relie au point A est de polarit ngative tandis que celle relie au point B est de polarit positive.
Nous voyons donc qu'en correspondance de l'inversion du sens de circulation du courant, les polarits du gnrateur
s'inversent galement.
Le sens du courant induit s'inverse ds que le flux dpass la position de la figure 3-e et continue circuler dans ce nouveau sens
jusqu' ce que le flux, aprs avoir pass les positions des figures 3-g (angle de 170) et 3-h (angle de 325) revienne sa position
initiale qui est celle de la figure 3-a ayant ainsi accompli un tour complet (360).
Lorsque le flux atteint cette position, le sens du courant induit s'inverse de nouveau et le cycle recommence si, bien sr, le
mouvement rotatif appliqu au circuit inducteur est maintenu. En conclusion, nous pouvons dire que le courant circule dans un sens
pendant un demi-tour du flux d'induction et en sens contraire durant le demi-tour suivant, cette inversion de sens s'effectue lorsque
les lignes d'induction du flux inducteur sont horizontales, cas des figures 3-a et 3-e.
Puisque tout courant rsulte d'un dplacement d'lectrons, son inversion se matrialise donc par une inversion du sens de
dplacement des lectrons qui le constituent. Pour que ceci se produise, les lectrons doivent d'abord stopper leur mouvement dans
un sens avant de repartir dans l'autre. Il existe donc un instant durant lequel les lectrons sont immobiles.
Cette immobilit des lectrons se traduit par l'absence du courant I dans les figures 3-a et 3-e. Dans ces deux figures, l'intensit
du courant I traversant la rsistance est nulle.
LE COURANT ALTERNATIF
2me PARTIE
2. - CARACTRISTIQUES DU COURANT ALTERNATIF
2. 1. - REPRSENTATION GRAPHIQUE DU COURANT ALTERNATIF
Essayons de dterminer l'allure du courant alternatif pour une rotation complte du flux d'induction. Nous savons dj qu'au temps
t = 0s et qu'au temps t = 4s sont intensit est nulle, il nous reste trouver les diffrentes intensits prises par le courant entre ces
deux temps.
Observons ce propos la figure 3, le courant est nul lorsque les lignes du flux d'induction sont horizontales (figures 3-a et 3-e),
alors qu'il circule dans tous les autres cas. D'autre part, de ce que nous savons sur la loi de LENZ, nous pouvons dire que l'intensit
I du courant induit est maximale lorsque le flux embrass par la spire est nul (cas des figures 3-c et 3-g).
De ces quatre positions connues, nous dduisons que l'intensit I du courant induit est fonction de l'angle form entre les lignes du
flux inducteur et l'horizontale.
Si nous symbolisons l'ensemble des lignes d'induction du flux par un vecteur (portion de droite oriente possdant une origine et
une extrmit et dont la longueur est fonction de l'intensit de la force qu'il reprsente), ceci nous permet d'laborer les diffrents
cas de la figure 4.
L'origine du vecteur est le point 0 situ au centre de la spire. Faisons maintenant tourner le vecteur autour du point 0.
Les neuf cas de la figure 4-a dterminent neuf positions du vecteur par rapport l'horizontal. En abaissant l'extrmit du vecteur
sur un axe perpendiculaire l'horizontal et passant par le point 0, nous obtenons neuf segments de droite d0 d8 (dessins en rouge
sur la figure 4-a) dont la longueur est fonction de l'angle form entre le flux d'induction et l'horizontale.

70

Ces neuf segments sont reports seuls sur la figure 4-b et leurs extrmits respectives sont indiques par les points A, B, C, D, E, F,
G, H et I.
Lorsque le vecteur est horizontal, le segment de droite qu'il dtermine est nul, ceci est le cas des segments OA (d0), OE (d4) et OI
(d8). Figure 4-b, les points A, E et I sont confondus avec l'horizontale.
Lorsque le vecteur est perpendiculaire l'horizontale, le segment de droite qu'il dtermine est maximal et correspond la longueur
du vecteur, ceci est le cas des segments OC (d2) et OG (d6).
En fonction de ces donnes, dterminons l'allure du courant alternatif.
au temps t = 0s, le point A est confondu avec le point 0 (d0) : l'intensit du courant induit est nulle.
de t = 0s t = 2s, le courant induit augmente et son intensit est maximale t = 2s : le segment de droite OC (d2) est galement
maximal. Entre ces deux positions, le vecteur dtermine au temps t = 1s le segment de droite OB (d1).
de t = 2s t = 4s, le courant induit dcrot et son intensit est nulle t = 4s : le point E est confondu avec le point O (d4). Entre
ces deux positions, plaons au temps t = 3s le point D correspondant au segment OD (d3).
t = 4s, le courant inverse son sens de circulation.
de t = 4s t = 6s, le courant induit augmente de nouveau et son intensit atteint un deuxime maximum t = 6s. Le segment de
droite OG (d6) est maximal. Entre ces deux positions, plaons au temps t = 5s le point F, dtermin par le segment OF (d5).
de t = 6s t = 8s, le courant dcrot et son intensit s'annule t = 8s : le point I est confondu avec le point O (d8).
t = 8s, le sens du courant s'inverse nouveau et un second cycle commence.
Les neuf points A, B, C,... que nous venons de dterminer et qui sont matrialiss sur la figure 4-b indiquent seulement la valeur de
l'intensit du courant prise chaque seconde, mais rien n'indique la valeur prise par celle-ci chaque instant.
Pour obtenir le rsultat dsir, il suffit de relier entre eux les neuf points connus en tenant compte du fait qu'entre chacun de ces
points le courant ne varie pas de faon linaire. Les points ainsi runis donnent la courbe reprsente figure 4-c. Une courbe de
cette allure porte le nom de sinusode et nous dirons que le courant alternatif a une allure sinusodale.
La sinusode, pouvant servir indiquer tout instant l'intensit prise par un courant alternatif, est donc utilise pour la
reprsentation graphique des courants alternatifs sinusodaux dont un exemple est illustr figure 5.

71

La droite horizontale pointille de la figure 4-c est remplace par une droite en trait continu o sont reportes les secondes. Cette
droite constitue l'chelle des temps sur laquelle un centimtre correspond un temps d'une seconde. Cette droite est symbolise
par le sigle t (s) situe son extrmit droite. Le fait de lire le temps sur une droite ne doit pas vous paratre trange surtout lorsque
l'on sait que nous lisons sur un cercle l'heure indique par une horloge ou par une montre.
Puisque l'intensit du courant est matrialise par la distance entre chaque point de la sinusode et la droite horizontale, il est trs
utile de noter les valeurs de cette intensit sur une droite verticale perpendiculaire l'chelle des temps. Cette droite constitue
l'chelle des courants sur laquelle un centimtre correspond un ampre. Cette droite est symbolise par le sigle I (A) situ son
extrmit suprieure. Notons que les deux droites s'interceptent au point O de la figure 5. Ce point constitue l'origine de l'chelle
des temps, mais par celle de l'chelle des courants car sur celle-ci apparaissent des chiffres prcds d'un signe -, ce qui ne doit
pas vous tonner vu que le courant alternatif circule dans deux sens diffrents.
Les deux droites perpendiculaires sont galement appeles axes et constituent avec la sinusode un diagramme cartsien. Figure 5
sont reports deux exemples d'utilisation de ce diagramme.
Le premier exemple nous permet de dterminer l'intensit du courant aprs 1,5 secondes. Pour ceci reportons sur l'axe des temps le
point A1, 1,5 cm aprs le point O (1 cm = 1s). De ce point A1, levons la perpendiculaire, celle-ci intercepte la sinusode au point
A. La distance qui spare les points A1 et A reprsente l'intensit que nous voulons connatre. Cette intensit peut se lire sur l'axe
des courants en traant du point A une horizontale qui intercepte l'axe des courants au point A2. Sachant que sur cet axe 1 cm =
1A, il suffit de mesurer la distance OA2 et de convertir le rsultat en ampre. Nous trouvons dans ce cas 1,9 cm donc nous pouvons
dire qu'au bout de 1,5 seconde l'intensit de I est de 1,9 A.
La mme procdure peut tre adopte pour notre second exemple, dans lequel nous dsirons connatre l'intensit du courant aprs
7,8 s. La diffrence avec le cas prcdent est que le point B, obtenu sur la sinusode, dtermine un point B2 situ sur l'axe des
courants au-dessous du point O. Puisque la distance OB2 est de 0,7 cm, l'intensit du courant est de - 0,7 A ; le signe - prcise
que ce courant circule en sens contraire par rapport au courant considr dans l'exemple prcdent.
Maintenant que nous savons reprsenter un courant alternatif, analysons ses caractristiques.
2. 2. - PRIODE ET FRQUENCE DU COURANT ALTERNATIF
Jusqu' prsent, nous avons considr que le flux d'induction n'effectuait qu'une seule rotation engendrant un courant dont l'allure
est reprsente figure 5.
Si le flux d'induction continue sa rotation et accomplit d'autres tours, chacun dans un temps identique, il engendrera chaque tour
un courant d'allure identique celui de la figure 5. Un tour complet du flux dtermine un cycle du courant alternatif.
Le courant alternatif est une suite de cycles tous gaux entre eux ; ayant termin un cycle, il en dbute un suivant identique et cette
succession donne la courbe reprsente figure 6-a.
Du moment que tous les cycles sont identiques lorsque nous reprsentons graphiquement un courant alternatif, nous n'en
dessinerons qu'un seul comme cela a t fait figure 5.

72

Pour faciliter nos explications prcdentes, nous avions mis l'hypothse que le flux d'induction effectuait une rotation complte en
8 secondes mais gnralement, en pratique, celui-ci tourne beaucoup plus vite ; pour se rapprocher de la ralit, nous avons dans la
figure 6-a choisi un temps de rotation de 1 seconde.
Pour permettre une analyse correcte d'un cycle complet, il nous a fallu changer d'chelle et figure 6-a, 1 cm de l'chelle des temps
correspond, non plus 1 seconde, mais 0,25 s. Par contre, nous avons conserv la mme chelle pour le courant, soit 1 cm pour 1
A.
De la comparaison des figures 5 et 6-a, il ressort que pour accomplir dans les deux cas un cycle identique, le courant de la figure 6a met 1 seconde tandis qu'il en met 8 secondes dans la figure 5.

Nous venons d'tablir ici une seconde caractristique du courant alternatif, car pour que deux courants alternatifs soient gaux, il ne
suffit pas qu'ils prennent les mmes valeurs d'intensit, mais il faut que ces valeurs soient gales chaque instant, autrement dit
qu'ils effectuent un cycle complet dans le mme temps.
On appelle priode (symbole T) le temps mis par le courant alternatif pour accomplir un cycle complet. L'unit de la priode est
donc la seconde (symbole s).
Figure 6-a, la priode du courant alternatif reprsente est de 1s ; dans cette mme figure, nous constatons que la priode se divise
en deux parties gales appeles alternance positive et alternance ngative. Les deux alternances doivent leur nom aux valeurs des
courants qu'elles dterminent sur l'chelle du courant (nombres positifs pour l'alternance positive et nombres ngatifs pour
l'alternance ngative).
Le fait de diviser une priode en deux alternances ne parat pas vident. Toutefois, ceci devient une ncessit lorsque l'on sait que
le courant circule dans un sens pendant l'alternance positive et dans le sens contraire durant l'alternance ngative et que, comme
nous le verrons dans les prochaines leons, certains composants lectroniques ragissent diffremment selon le sens du courant qui
les traverse.

73

Examinons maintenant le courant alternatif de la figure 6-b dont la priode est de 0,5 s.
Si nous le comparons au courant de la figure 6-a, nous notons qu'il accomplit deux cycles pendant que celui de la figure 6-b n'en
accomplit qu'un seul. De ceci, nous dduisons que pour un temps donn, plus la priode est petite plus le nombre de cycles est
grand.
Un courant alternatif peut aussi caractris par le nombre de cycles qu'il effectue en une seconde. On appelle frquence (symbole
F) le nombre de cycles accomplis par un courant alternatif en une seconde.
La frquence F se mesure en cycles par seconde, unit laquelle il est donn le nom de hertz (symbole Hz) en hommage au
physicien allemand Heinrich HERTZ (1857-1894) dont les expriences mirent en vidence la propagation des ondes
lectromagntiques.
Le courant de la figure 6-a possde une frquence de 1 Hz puisqu'il accomplit 1 cycle en une seconde, tandis que celui de la figure
6-b possde une frquence de 2 Hz vu que dans la mme seconde il accomplit 2 cycles.
Le courant alternatif que nous utilisons dans les habitations des fins domestiques possde une frquence de 50 Hz, ce qui signifie
qu'il accomplit 50 cycles en 1 seconde.
Dans certains appareils particuliers (comme les rcepteurs radio ou les tlviseurs), il existe des courants qui accomplissent des
milliers voire des millions de cycles par seconde, d'o la ncessit d'utiliser pour quantifier la frquence non plus le hertz mais le
kilohertz (symbole kHz) qui vaut 1 000 Hz ou le mgahertz (symbole MHz) gal 1 000 000 Hz. Bien videmment, des
courants de frquence aussi leve ne s'obtiennent plus de la manire dcrite jusqu'alors, c'est--dire en faisant tourner un flux
d'induction : il n'est en effet pas possible de faire accomplir un circuit inducteur des milliers ou des millions de tours par seconde.
Pour la production de ces courants dits haute-frquence (HF), nous aurons recours des circuits particuliers : les oscillateurs
lectroniques.
Comme nous venons de le voir, la priode et la frquence sont intimement lies entre elles. Cette union est scelle par la relation
suivante :

De cette relation, nous voyons que la priode et la frquence sont deux grandeurs inversement proportionnelles.
Appliquons cette formule pour calculer la priode du courant alternatif du secteur :
T = 1 / F = 1 / 50 Hz = 0,02 s = 20 ms (millisecondes).
Nous savons maintenant que le courant alternatif du secteur met 20 ms pour accomplir un cycle complet. De mme, si nous
connaissons la priode T d'un courant alternatif, par exemple 10 s, en appliquant la relation sous sa forme F = 1 / T nous
dduisons que ce courant possde une frquence de 100 kHz.

Il existe un troisime paramtre caractrisant le courant alternatif : il s'agit de sa pulsation (symbole


s'exprime en radians par seconde (rd / s). La pulsation s'obtient l'aide de la relation :

se lit omga) et qui

La pulsation caractrise la vitesse de rotation du vecteur symbolisant le flux inducteur dans la figure 4-a. Cette grandeur, comme
vous le verrez dans de prochaines leons, est principalement ncessaire pour les calculs relatifs des circuits lectriques aliments
par une tension alternative.

74

2. 3. - VALEUR DU COURANT ALTERNATIF


Pour reprsenter un courant alternatif, il faut indiquer sa frquence et l'allure de la sinusode qui donne chaque instant l'intensit
du courant.
Nous observons cependant que l'intensit du courant varie constamment et nous ne savons quelle valeur choisir pour caractriser
avec prcision cette intensit : si nous considrons le courant alternatif reprsent figure 7, la logique dicterait d'opter, pour la
valeur maximale atteinte par le courant durant une priode.

Cette valeur est atteinte deux fois par le courant : une premire fois au milieu de l'alternance positive et une deuxime fois au
milieu de l'alternance ngative. Ces deux valeurs sont respectivement appeles IM et - IM. Cette valeur prise par le courant est
appele valeur maximale du courant alternatif.
Le diagramme cartsien de la figure 7 donne immdiatement la valeur IM du courant reprsent qui est de 3 A. D'autre part, ce
mme diagramme nous permet de dterminer la frquence de ce courant :
en effet, sa priode T = 0,2 s --------------) F = 1 / 0,2 = 5 Hz
Le courant alternatif de la figure 7 se caractrise par les deux paramtres suivants :
IM = 3A
F = 5 Hz
Toutefois, nous pouvons dterminer chaque instant la valeur du courant en fonction de l'angle de rotation du flux inducteur. En
effet, une fonction sinusodale a pour quation y = ax dans laquelle x = sin (se lit sinus phi).
Pour le cas qui nous intresse, est l'angle dcrit par le flux inducteur et l'horizontale (figure 4-a) tandis que (a) est la valeur IM
du courant et que (y) donne la valeur instantane (i) du courant l'angle considr.
Nous pouvons crire : i = IM sin
A l'aide des figures 4-a et 7, appliquons cette quation pour dterminer certaines valeurs du courant.
= 0, sinus 0 = 0. Le courant i est donc nul, nous sommes au dbut du cycle.
= 90, le flux a accompli un quart de tour, sin 90 = + 1 ------) i = IM = 3 A.
= 180, le flux a accompli un demi-tour, sin 180 = sin 0 = 0. Le courant est nul.
= 270, le flux a accompli trois quarts de tour. sin 270 = - 1 ---------) i = - IM = - 3 A.
= 360, le flux a accompli un tour complet. sin 360 = sin 0 = 0. Le courant est nul.
La valeur du sinus d'un angle est donne par une table appele table trigonomtrique. Celle-ci donne le sinus d'un angle quelque
soit sa valeur, et nous pouvons donc connatre la valeur du courant quelle que soit la position du flux par rapport l'horizontale.
tant donn que la valeur maximale du courant est atteinte deux fois par celui-ci, nous comprenons donc que cette valeur n'est
peut-tre pas trs adapte pour caractriser un courant alternatif, ne serait-ce que pour dterminer l'effet thermique produit par un
tel type de courant. Cet effet du courant est indpendant de son sens de circulation : effectivement, pour qu'il y ait production
de chaleur, il suffit qu'un courant traverse une rsistance et peu importe qu'il circule dans un sens ou dans l'autre. La production de
chaleur est la mme pour chacune des deux alternances.
Pour valuer l'effet thermique du courant, nous pouvons nous rfrer une priode entire. Nous pouvons appliquer alors la
formule w = R x I2 x t dans laquelle t = T.

75

Alors qu'il nous est facile de connatre R et T, nous ne savons quelle valeur de I choisir vu que celui-ci change constamment et en
consquence la valeur dgage chaque instant. Il faut donc faire intervenir une nouvelle caractristique du courant alternatif qui
est son intensit efficace symbolise par le sigle Ieff.
L'intensit efficace d'un courant alternatif se traduit de la faon suivante :
C'est l'intensit d'un courant continu qui produirait dans la mme rsistance, la mme quantit de chaleur que ce courant
alternatif.
NOTE :
Compte tenu de cette dfinition, l'intensit efficace peut, selon le systme international de mesure S.I., tre symbolise par la
simple lettre I.
Il existe une relation entre l'intensit efficace et l'intensit maximale d'un courant sinusodal.
Cette relation correspond au rapport :

NOTE :
La dmonstration de cette relation faisant appel des connaissances mathmatiques sortant de notre programme, nous n'en
parlerons donc pas. Outre la valeur maximale et la valeur efficace d'un courant alternatif, il existe aussi sa valeur moyenne
(symbole Imoy) qui se dfinit ainsi :
L'intensit moyenne d'un courant alternatif est l'intensit du courant continu qui transporterait pendant l'intervalle de
temps considr (une priode) la mme quantit d'nergie.
Dans le cas d'un courant alternatif sinusodal, la valeur moyenne d'une alternance est donne par la relation :

Si nous calculons la valeur moyenne pour un priode complte, nous trouvons une valeur nulle.
Pour expliquer ceci succinctement, il suffit de penser que les lectrons, lors de l'alternance positive, se dplacent dans un sens, et
que lors de l'alternance ngative ces mmes lectrons refont le mme chemin dans l'autre sens et reviennent leur point de dpart ;
donc la quantit d'nergie fournie par le gnrateur est nulle (mais pas celle ncessaire son fonctionnement, qui elle, est bien
relle).
Le type de courant que nous avons choisi pour nos explications est un courant alternatif de valeur moyenne nulle comme celui
dlivr par le secteur, mais comme vous le verrez par la suite il existe des courants alternatifs de valeur moyenne non nulle
d'o la ncessit d'avoir introduit cette notion.
Tout au long de cette leon, nous avons vu comment reprsenter graphiquement un courant alternatif et comment partir de ce
graphique il nous est possible de dterminer toutes les caractristiques d'un tel courant.
Les grandeurs relatives au courant alternatif sinusodal sont regroupes dans le tableau de la figure 8.

76

Dans la prochaine leon, nous analyserons non plus le courant alternatif mais la tension alternative et nous verrons les relations qui
lient ces deux grandeurs selon le type de circuits qu'elles alimentent.
SEMI-CONDUCTEURS 2
1re PARTIE
Les semi-conducteurs utiliss pour la fabrication des dispositifs de mme nom ne sont quasiment jamais du type intrinsque. Au
semi-conducteur intrinsque est gnralement ajouter une certaine quantit de substances trangres qui se rpandent dans tout le
cristal et modifient l'tat lectrique du rticule cristallin. Pour cette raison, nous allons examiner les consquences de la prsence
d'atomes trangers, dans le rseau cristallin de semi-conducteurs intrinsques.
1. - SEMI-CONDUCTEURS N ET P
Supposons qu'il soit possible d'intervenir directement dans la structure d'un minuscule cristal de germanium trs pur et parfait,
l'intrieur duquel il y a un nombre bien dfini d'lectrons libres et un nombre gal de trous.
Dans ce cristal et tout moment, une partie des lectrons libres revient la bande de valence, la suite de pertes d'nergie dues aux
chocs, mais en mme temps, d'autres lectrons passent de la bande de valence celle de conduction. Si la temprature du cristal
reste constante, le nombre des lectrons libres et des trous restent lui aussi constant.
Imaginons maintenant que dans l'espace du rticule cristallin, il y ait seulement deux lectrons libres et deux trous. En intervenant
dans la structure du cristal, on remplace trois atomes de germanium par autant d'atomes d'antimoine (figure 1).

Il s'agit l bien sr d'un exemple dont le seul but est de faciliter la comprhension. En pratique, il n'arrive jamais qu'un cristal plac
la temprature ambiante normale, n'ait que deux lectrons libres et deux trous et encore moins un nombre d'atomes d'antimoine
proche de celui des lectrons libres. En ralit, les lectrons libres et les trous contenus dans un centimtre cube (cm3) de cristal
sont plusieurs milliers de milliards et les atomes d'antimoine se trouvent peu prs dans un rapport de 1 sur 1 000 000 d'atomes de
germanium.
L'introduction d'impurets (ici de l'antimoine) dans un semi-conducteur est appel dopage. Ce semi-conducteur est alors dop.
L'antimoine est un lment qui appartient au groupe V de la classification de MENDELEYEV (voir la leon semi-conducteur
prcdente). La couche externe de son atome comporte en effet cinq lectrons. Quatre de ces derniers contribuerons rtablir les
liens covalents avec les atomes de germanium proches, tandis que le cinquime, ne trouvant pas de place dans les liens covalents,
restera li son propre atome.
Le lien entre le cinquime lectron priphrique de l'antimoine et l'atome correspondant n'est toutefois pas aussi fort que les liens
covalents. Il se cassera donc facilement et le cinquime lectron entrera trs rapidement dans la bande de conduction pour se rendre
dans les lectrons libres du cristal.
Revenons l'exemple donn prcdemment qui consistait substituer trois atomes de germanium par trois atomes d'antimoine. Par
cette opration, on introduit dans le rticule du cristal, trois nouveaux lectrons libres qui, ajouts aux deux premiers, portent le
nombre des lectrons libres cinq.

77

On pourrait penser que le rticule comprend ainsi cinq lectrons libres et deux trous. En ralit, un certain temps aprs la
substitution du germanium par l'antimoine (et ceci lorsque la temprature reste constante), il ne peut y avoir dans le cristal que
quatre lectrons libres et un seul trou (figure 2).

On explique ce phnomne par le fait qu'un certain nombre d'lectrons libres occupent un nombre gal de trous, ce qui entrane
forcment la disparition de ces derniers.
En dfinitive, l'opration de substitution d'atomes de germanium par des atomes d'antimoine entrane bien une augmentation du
nombre d'lectrons libres qui ne correspond plus, un moment donn, la somme des lectrons libres amens par l'antimoine et
ceux existants dj. Il y a recombinaison d'une partie des lectrons libres et des trous pour former des lectrons de valence.
Compte tenu de ce qui vient d'tre dit, nous pouvons dj tirer la rgle suivante :
Pour toute augmentation des lectrons libres dans un cristal semi-conducteur temprature constante, on a une diminution
de nombre de trous, de manire ce que le produit du nombre d'lectrons libres par le nombre de trous reste constant.
Dans l'exemple de la figure 1, nous avons vu au dpart deux lectrons libres et deux trous.
Le produit est donc de 2 x 2 = 4
Aprs substitution des trois atomes de germanium par trois atomes d'antimoine, le nombre des lectrons libres augmente, passant
de 2 4, tandis que le nombre de trous diminue, passant de 2 1.
Le produit reste inchang, c'est--dire 4 x 1 = 4.
On obtient une situation analogue en remplaant les trois atomes de germanium par trois atomes d'indium (figure 3).

L'indium est un lment qui appartient au groupe III de la classification de MENDELEYEV (). La couche externe de son atome
comporte en effet trois lectrons, c'est--dire un en moins par rapport aux quatre demands pour complter les liens covalents avec
les atomes de germanium voisins.

78

Aprs substitution des trois atomes de germanium par trois atomes d'indium, nous avons l'intrieur du rticule cristallin, trois
liens covalents affaiblis par l'absence d'un lectron, donc formation des trois nouveaux trous.
Les liens affaiblis sont reprsents figure 3 et 4, par les lignes en pointill, allant des atomes d'indium l'un des quatre atomes de
germanium environnants.

Les trous qui apparaissent avec les liens affaiblis sont reprsents par des petits ronds blancs, comme ceux qui se sont forms dans
les liens covalents, la suite de la libration d'un lectron de valence.
Si l'on ajoute les trois trous introduits avec les atomes d'indium aux deux autres trous existant dans le germanium intrinsque, nous
devrions avoir cinq trous et deux lectrons libres. En ralit et toujours une temprature constante, on ne peut avoir, aprs
substitution du germanium par l'indium, que quatre trous et un seul lectron libre (figure 4).
L encore, on explique ce phnomne par le fait qu'une partie des lectrons libres tombe dans les trous et y demeure.
En dfinitive, l'opration de substitution d'atomes de germanium par des atomes d'indium entrane bien une augmentation du
nombre de trous qui ne correspond plus, un moment donn, la somme des trous amens par l'indium et ceux existants dj. Il y
a recombinaison d'une partie des trous et des lectrons libres pour former les liaisons covalentes.
Nous pouvons ici encore en tirer la conclusion suivante :
Pour toute augmentation de trous dans un semi-conducteur temprature constante, on a une diminution d'lectrons
libres, de manire ce que le produit du nombre des trous par les lectrons libres reste constant.
Dans l'exemple des figures 3 et 4, comme dans celui des figures 1 et 2, le produit initial des trous par les lectrons libres est gal
4.
Aprs substitution des trois atomes de germanium par les trois atomes d'indium, le nombre des trous augmente, passant de 2 4,
tandis que celui des lectrons libres diminue, passant de 2 1.
Le produit reste bien inchang : 4 x 1 = 4.
Compte tenu de ce qui vient d'tre dit, on peut dj dpartager les semi-conducteurs en trois catgories distinctes.
- Les semi-conducteurs intrinsques possdant un nombre d'lectrons libres gal celui des trous (figure 5-a).
- Les semi-conducteurs N, obtenus en introduisant dans un cristal semi-conducteur des atomes d'lments appartenant au groupe
15 du tableau de MENDELEYEV. Ici, le nombre des lectrons libres est bien suprieur celui des trous (figure 5-b).

79

- Les semi-conducteurs P, obtenus en introduisant dans un cristal semi-conducteur des atomes d'lments appartenant au groupe
13 du tableau de MENDELEYEV. Ici, le nombre des trous est bien suprieur celui des lectrons libres (figure 5-c).
Les lments du groupe 15 du tableau MENDELEYEV utiliss pour former les semi-conducteurs N sont l'antimoine, l'arsenic et le
phosphore ; on les appelle donneurs.
Les lments du groupe 13 utiliss pour former les semi-conducteurs P sont l'indium, le bore, le gallium et l'aluminium ; on les
appelle accepteurs ou receveurs.
Voyons maintenant comment s'effectue la conduction lectrique dans les trois types de semi-conducteurs numrs ci-dessus.
La figure 5-a reprsente un petit bloc de germanium intrinsque travers par le courant que produit une pile. On remarque
l'intrieur du semi-conducteur, la naissance de deux flux de charges lectriques.
Le premier est constitu d'lectrons libres qui vont de l'extrmit B (ct ngatif de la pile) l'extrmit A (ct positif de la pile).
Le second flux est constitu de trous qui en se dplaant d'un atome l'autre l'intrieur du rticule cristallin, vont dans le sens
oppos au prcdent, c'est--dire de l'extrmit A vers l'extrmit B. Les deux flux sont constitus de quantits gales de charges
lectriques, puisque dans les semi-conducteurs intrinsques, le nombre des lectrons libres est gal celui des trous.
Les liaisons places entre l'extrmit du semi-conducteur et la pile sont au contraire traverses par un seul flux constitu
uniquement par des lectrons.
Signalons que le courant produit par une pile est continu et que son intensit est invariable dans chaque section et en tout point du
conducteur. Cela signifie qu' tout instant, la mme quantit d'lectrons entre dans le fil conducteur par l'extrmit A et sort par
l'extrmit B. La mme quantit d'lectrons sort et entre galement par les extrmits du petit bloc (figure 5-a).
Pour simplifier tout cela, imaginons qu' l'intrieur du semi-conducteur et tout instant, un lectron sort par l'extrmit A et qu'un
autre lectron entre par l'extrmit B. Nous constatons donc que le nombre des lectrons entrant est toujours gal celui des
lectrons sortant.
L'lectron sortant appartient la bande de conduction, c'est--dire qu'il s'agit d'un lectron libre. Ainsi, n'ayant pas de liens avec le
rticule cristallin, il peut librement quitter le semi-conducteur et se diriger vers le positif de la pile.

80

A l'autre extrmit, l'lectron entrant rencontre les trous qui peuvent se dplacer dans le rticule et se concentrer dans l'extrmit
relie au ngatif de la pile, mais ne peuvent toutefois pas quitter le rticule. Ces trous sont en effet constitus essentiellement de
places vides dans la bande de valence des atomes du semi-conducteur.
Lorsque l'lectron provenant du ngatif de la pile rencontre les trous, il occupe une place vide dans la bande de valence, faisant
ainsi disparatre un trou.
En rsumant ce qui vient d'tre dit, nous pouvons tirer la conclusion suivante :
Lorsqu'un lectron sort et qu'un autre entre, on a en permanence dans le semi-conducteur la perte d'un lectron libre et la
disparition d'un trou.
Si ce processus se rptait autant de fois qu'il y a d'lectrons libres ou de trous, on pourrait s'attendre un certain moment que le
semi-conducteur reste sans lectrons libres et sans trous. En ralit, le nombre d'lectrons libres et de trous prsents dans le rticule
dpend exclusivement de la temprature du matriau. En effet, si la temprature du bloc semi-conducteur reste constante, pour
chaque couple lectron-trou disparu, il se forme en un point du semi-conducteur un autre lectron libre et un autre trou.
Ainsi, les deux flux, celui des lectrons libres (qui va de l'extrmit B l'extrmit A) et celui des trous (qui dans le mme semiconducteur circule en sens inverse) sont aliments en continuit, tant que dure la production de courant par la pile.
Dans un bloc de semi-conducteur N travers par le courant dlivr par une pile (figure 5-b), les phnomnes de la conduction
lectrique diffrent de ceux qui viennent d'tre dcrits tant donn que le nombre d'lectrons libres est suprieur au nombre de
trous. Dans ce cas, il se forme l'intrieur du semi-conducteur deux flux de charges lectriques, l'un tant plus fort que l'autre. Les
lectrons libres qui constituent le flux suprieur sont appels porteurs majoritaires, tandis que les trous qui constituent le flux
infrieur sont appels porteurs minoritaires. Il y a en effet, dans le semi-conducteur N, beaucoup plus d'lectrons libres que de
trous.
On peut donc facilement comprendre qu'une grande partie des lectrons provenant de l'extrmit B, traverse facilement le bloc
semi-conducteur, en restant toujours dans la bande de conduction.
Dans le semi-conducteur P (figure 5-c), il se forme galement deux flux, mais cette fois, le flux le plus fort est constitu de trous
(porteurs majoritaires) et le flux le plus faible, d'lectrons libres (porteurs minoritaires). Il est donc peu probable qu'un lectron
libre puisse traverser tout le bloc de l'extrmit B celle de A.
Les lectrons libres qui sortent du semi-conducteur et les trous qui vont d'une extrmit l'autre de ce mme semi-conducteur
prennent naissance en gnral proximit de la face A. A partir de ce point, les deux charges opposes se sparent. L'lectron se
dirige vers le ple positif de la pile travers la liaison et le trou se dirige vers l'extrmit B du bloc, o il disparatra ds que sa
place sera occupe par un lectron provenant du ngatif de la pile.
SEMI-CONDUCTEURS 2
2me PARTIE
2. - EFFET HALL
L'explication sur la circulation du courant dans un semi-conducteur du type P peut sembler complexe, du fait qu'elle suppose une
conduction due des charges positives. Cependant, le phnomne est justifi par les mesures relatives l'effet Hall qui mettent en
vidence le dplacement de charges positives (trous) dans un semi-conducteur du type P.

81

L'effet HALL (du nom du savant qui le dcouvrt), peut tre mis en valeur par l'exprience montre schmatiquement figure 6.

Supposons d'abord qu'une tension continue soit applique un bloc conducteur en matire ordinaire l'aide de deux plaques AA'
et BB'. Dans ce cas, le courant traversant ce bloc est form d'lectrons circulant de BB' vers AA'.
Plaons ensuite le bloc dans un champ magntique uniforme, cr par un aimant, de faon que les lignes de flux soient
perpendiculaires au bloc.
Les lectrons circulant dans le bloc sont influencs par le champ magntique et tendent se dplacer dans une direction
perpendiculaire celle de leur propre mouvement et des lignes du champ magntique.
Dans le cas illustr figure 6 o les lectrons se dirigent de BB' vers AA' alors que les lignes de force vont du haut (ple nord) vers
le bas (ple sud), les charges tendent se dplacer sur la droite de leur mouvement initial. Il en rsulte que ces charges
(lectrons) ne sont plus uniformment rparties dans le bloc, mais se concentrent sur le ct A'B'.
Cette accumulation des lectrons produit un effet qui peut tre mis en vidence par un voltmtre trs sensible. En effet, en
branchant l'appareil comme indiqu figure 6, on mesure une diffrence de potentiel lectrique : le ct A'B' est ngatif par rapport
au ct AB. Cette diffrence de potentiel provient videmment de la concentration des lectrons du ct A'B'.
L'effet HALL consiste prcisment en cette dformation des lignes de courant (flux d'lectrons), dans une plaque conductrice sous
l'effet d'un champ magntique perpendiculaire cette plaque. Cet effet se vrifie encore dans le cas d'un bloc semi-conducteur N,
du fait que ce sont les lectrons qui forment le flux de courant le plus important
.
Par contre, avec un bloc semi-conducteur du type P (figure 7), la tension indique par le voltmtre est de polarit oppose celle
que l'on avait avec le bloc conducteur ordinaire ou le semi-conducteur N.
Ce rsultat ne peut tre expliqu que si l'on admet que les charges mobiles sont positives dans le cas du semi-conducteur du type P.

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Elles seront dcales, sous l'action du champ magntique, vers la gauche du sens de leur dfilement qui est contraire celui des
lectrons de la figure 6. Cette concentration de trous sur la face A'B' entrane, elle aussi, une polarit inverse de celle qui tait
prsente dans le cas d'un conducteur ordinaire ou d'un semi-conducteur. Ainsi, on confirme exprimentalement que les trous
(charges positives) forment le courant circulant dans les semi-conducteurs du type P.
A l'aide de l'effet HALL, on a galement pu mesurer la mobilit des charges dans les deux types de semi-conducteur.
La mobilit exprime, en centimtre par seconde (cm / s), la vitesse des charges qui se dplacent dans un cube de semiconducteur de 1 cm d'arte lorsque la tension applique sur deux faces opposes est de 1 volt.
Cette mesure a permis de dterminer que les lectrons ont une mobilit suprieure celle des trous (encore appels cavit ou
lacune).
La moyenne de vie des trous et des lectrons libres est un paramtre important ne pas ngliger ; elle correspond l'intervalle de
temps qui s'coule entre le moment o dans le semi-conducteur la concentration des trous et des lectrons libres subit une variation,
et celui o elle revient la conduction d'quilibre (recombinaison des charges).
3. - LA PRPARATION DES SEMI-CONDUCTEURS POUR USAGE LECTRONIQUE
Le germanium et le silicium sont les semi-conducteurs les plus largement utiliss dans la fabrication des composants lectroniques.
On trouve le germanium sous forme de sel minral dans certains types de roche : la houille (ou charbon fossile), les minerais de
zinc et de cadmium.
Une grande partie du germanium destine aux usages lectroniques est extraite des sous-produits des transformations industrielles
de la blende (minerai de zinc) et du carbone fossile (la houille).
En soumettant des traitements opportuns les suies du carbone et les scories du minerai de zinc, on obtient un compos du
germanium appel bi-oxyde de germanium. Le bi-oxyde ainsi extrait est loin de possder la puret demande. Il contient en effet
de nombreuses traces d'lments trangers qu'il convient d'liminer par des moyens chimiques avant d'extraire le germanium. Le
bi-oxyde de germanium purifi est plac dans un creuset qui passe dans un four atmosphre d'hydrogne et en sortie, on obtient
du germanium (figure 8).

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Celui-ci a un aspect blanc-argent, brillant ; il est dj relativement pur, mais pas assez pour l'utilisation dans l'industrie
lectronique. Pour obtenir la puret voulue, on met le germanium dans un creuset de graphite, qui passe lentement dans un four
tubulaire spcial, illustr schmatiquement figure 9-a.

Le four est constitu d'un long tube de quartz, sur lequel se trouvent des bobines parcourues par un courant trs intense de haute
frquence. Ce courant produit l'intrieur du four un champ magntique variable particulirement puissant sous chaque bobine.
Ainsi, dans le germanium qui se trouve sous les bobines, il se produit un fort chauffement et une fusion rapide. La fusion du
germanium reste limite aux zones places sous les bobines. Par consquent, tandis que le creuset avance lentement d'une
extrmit l'autre du four, les zones en fusion se dplacent dans le germanium dans le sens oppos celui du creuset.
Le front de solidification qui avance de gauche droite (figue 9-b) en suivant la zone en fusion, peut se comparer un filtre poreux
qui laisse passer le germanium, et maintient les impurets dissoutes dans la zone fondue.
L'opration se rpte sous chaque bobine, et la sortie du four on obtient un germanium d'un haut degr de puret.
Comme le germanium, le silicium destin des usages lectroniques doit tre trs pur. Normalement, le silicium est extrait du bioxyde de silicium en portant un mlange sable-charbon une temprature de 3 000C.
Le silicium que l'on obtient par ce procd contient 2 3 % d'impurets, alors que pour l'utilisation en lectronique cette valeur doit
tre infrieur 0,05 %.
On peut obtenir un certain degr de puret en traitant chimiquement le silicium avec diffrents acides.
Depuis quelques temps, on obtient cependant de meilleurs rsultats partir du traitement chimique d'un sel de silicium au lieu du
sable.
Pour le raffinage physique des cristaux de silicium, on utilise une variante de la mthode illustre figure 9-a.
La barrette de silicium est place dans la position vertical au centre d'un four tubulaire HF.
Le long de la paroi externe du four, on fait descendre une spire parcourue par un courant HF intense. En correspondance avec cette
spire, on forme dans le silicium une zone fondue qui se dplace dans la barrette d'une extrmit l'autre. L'action filtrante s'exerce
ainsi de la mme faon que celle dcrite pour le germanium (figure 9-b).
Le procd est rpt plusieurs fois afin d'obtenir le degr de puret ncessaire.
4. - CULTURE ET DOPAGE DES MONOCRISTAUX
Aprs le raffinage, le semi-conducteur se prsente sous forme d'un agrgat solide, constitu par d'innombrables cristaux, trs petits
et disposs dans tous les sens.
Le semi-conducteur ainsi form, bien qu'tant trs pur, n'est pas encore utilisable pour la ralisation des diodes et des transistors.
Pour ces composants, il faut transformer l'agrgat en monocristal, c'est--dire en un unique et grand cristal. La figure 10 illustre
deux mthodes de formation des monocristaux de germanium.

84

La premire mthode (figure 10-a) constitue une nouvelle application du four HF (Haute Frquence) et de la zone mobile en
fusion.
La barrette de germanium obtenue la fin du raffinage est place dans un creuset de quartz avec un monocristal de germanium
appel semence et une couche de graphite. Le creuset avance lentement dans le four de faon ce que la zone en fusion se dplace
rgulirement d'un bout l'autre de la barrette.
La partie fondue se solidifie sous forme d'un unique cristal orient selon le rticule cristallin de la semence.
Pendant la formation du monocristal, on introduit des quantits rigoureusement doses de substances trangres, afin de
transformer le semi-conducteur intrinsque en semi-conducteur de type P ou N.
Les substances les plus frquemment utilises pour former les semi-conducteurs de type P sont l'indium, l'aluminium et le gallium.
Pour les semi-conducteurs de type N, on utilise l'arsenic, le phosphore et l'antimoine.
Pour la formation du monocristal, on peut galement procder selon la mthode illustre figure 10-b. L'installation comprend
essentiellement un rchauffeur, un creuset et un arbre de soulvement.
Dans le creuset, on fait fondre le germanium et les matriaux d'impuret ncessaires la ralisation des types P ou N. Initialement,
la semence est place la partie infrieure de l'arbre de soulvement, et adhre ainsi par la suite la surface du germanium en
fusion contenu dans le creuset.
En rglant la temprature, on peut obtenir que le germanium commence se cristalliser au point de contact avec la semence. A ce
moment, l'arbre de soulvement remonte trs lentement de faon ce que le cristal en formation continue crotre.
En gnral la fin de cette tape, le monocristal se prsente sous forme de lingot cylindrique. Celui-ci, aprs quelques contrles
concernant la parfaite distribution des impurets, est taill en lamelles trs fines appeles pastilles (figure 11-a). Ces pastilles sont
aplanies sur les deux faces, polies avec des solvants, puis dcoupes en plaquettes (figure 11-b).

85

Une autre mthode d'accroissement d'un cristal largement diffuse est celui de la croissance pitaxiale (figure 12).
Cette technique permet de dposer la surface d'un produit cristallin un autre produit qui lui est apport sous forme de vapeur. La
couche dpose la surface du produit dite, couche pitaxiale, a le mme dopage que le produit vaporis.

La croissance cristalline pit axiale permet d'obtenir la formation de trs fines couches mono cristallines d'une paisseur de l'ordre
du micron (millime de millimtre).
SEMI-CONDUCTEURS 3
1re PARTIE
Nous allons prsent observer le comportement de deux cristaux de semi-conducteur de type N et P quand on lie une de leur
extrmit par fusion. Nous examinerons leurs proprits et les applications qui en dcoulent
1. - LA JONCTION P.N.
Nous savons dj que les cristaux de type P contiennent des trous comme porteurs majoritaires tandis que les cristaux de type N
contiennent des lectrons libres comme porteurs majoritaires.
Voyons le comportement des porteurs majoritaires lorsqu'il se forme une jonction entre deux semi-conducteurs de types diffrents,
c'est--dire entre un cristal P et un cristal N (figure 1-a).
En pratique, la jonction s'tablit en formant par des moyens techniques spciaux une zone P dans un monocristal N ou inversement,
une zone N dans un monocristal P. Par contre, il est impossible d'unir deux cristaux de types diffrents pour former une jonction
P.N.

86

Toutefois et ceci afin de mieux comprendre ce qui se passe au niveau d'une jonction, nous reprsenterons cette dernire par l'union
de deux plaquettes diffrentes de germanium.
Lorsque la jonction est effectue, une partie des lectrons libres du cristal N, sous l'effet de l'agitation thermique, commence se
rpandre dans le cristal P et en mme temps, toujours sous la pousse de l'agitation thermique, une partie des trous du cristal P se
propage dans le cristal N.
Dans un premier temps, la diffusion des lectrons et des trous s'effectue avec une certaine rgularit dans les deux sens.
Thoriquement, si l'on maintient ce rythme pendant un temps suffisamment long, on arrive un tat final dans lequel les lectrons
libres et les trous sont uniformment distribus dans les deux cristaux. En ralit, la diffusion s'arrte, bien avant d'occuper
entirement les deux cristaux et ainsi, il se forme autour de la surface de jonction une seule zone (relativement mince), dans
laquelle sont mlangs en quantits gales les lectrons libres et les trous.
Dans la phase finale, nous obtenons donc trois zones distinctes :
- Une zone N : constitue par la partie N du cristal, non occupe par les trous provenant du cristal P.
- Une zone P : constitue par la partie du cristal P non occupe par les lectrons libres provenant du cristal N.
Nous trouvons enfin sur les bords de la surface de jonction, la nouvelle zone que l'on peut appeler intrinsque, en considrant
qu'elle contient un nombre gal d'lectrons libres et de trous (figure 1-b). Il ne faut toutefois pas considrer cette nouvelle zone
comme rigoureusement intrinsque. En effet, la distribution des charges libres n'est pas uniforme comme dans les semiconducteurs intrinsques. Pour qualifier ce phnomne, on utilise l'appellation anglaise dpltion rgion, que l'on peut traduire par
zone d'puisement, rappelant ainsi que dans la zone en question, la pousse de diffusion des charges libres provenant des deux
cristaux runis, s'puise.
En examinant les phnomnes qui prennent naissance tout de suite aprs la formation d'une jonction P.N., nous nous sommes
limits jusqu'ici observer les dplacements des lectrons libres et des trous, sans tenir compte des rticules cristallins dans
lesquels s'effectue la diffusion des charges. En ralit, les deux rticules cristallins exercent une grande influence sur la diffusion.
En effet, c'est partir des caractristiques lectriques des rticules que nat le plus grand obstacle pour l'achvement de la diffusion
des charges dans les deux cristaux.
Lorsque les lectrons qui sortent du cristal N entrent dans le rticule du cristal P et que les trous sortant du cristal P se propagent
dans le rticule du cristal N, il se produit aux extrmits des deux rticules en contact, deux nouveaux tats lectriques. En effet,
sur l'extrmit du cristal N, il se forme une accumulation d'lectricit positive, due la perte d'lectrons et l'acquisition de trous,
tandis qu' l'extrmit du cristal P, nous trouvons une accumulation d'lectricit ngative, due la perte de trous et l'acquisition
d'lectrons.
La sparation des charges de signes opposs produit un champ lectrique E, circulant de l'extrmit positive du cristal N
l'extrmit ngative du cristal P (figure 1-b et nous reportons le mme schma afin de vous simplifier votre tche et surtout de bien
comprendre le processus).

87

Ce champ lectrique agit de faon s'opposer la diffusion des charges travers la jonction, dans la mesure o il tend ramener
les trous du cristal N au cristal P et les lectrons du cristal P au cristal N.
Avec la croissance de l'intensit du champ E et la diffusion des charges qui se poursuit, la force de rappel des charges augmente
galement. Ainsi, la pousse de la diffusion trouvera de plus en plus d'opposition, jusqu' ce que l'quilibre entre les forces
opposes soit atteint, provoquant alors la cessation de toute diffusion des charges dans les deux cristaux.
Avec l'quilibre tabli entre la force du champ lectrique et la pousse de diffusion, il se forme aussi une sparation entre une
certaine quantit de charges positives et ngatives sur les deux bords de la zone d'puisement. Par consquent, aux bords de cette
dernire, une certaine diffrence de potentiel (Vo de la figure 1-b) reste constante et pour cette raison on l'appelle couramment mais
improprement, potentiel de contact ou encore potentiel de diffusion.
A l'avenir, lorsque nous parlerons de cette diffrence de potentiel Vo, nous utiliserons la dnomination barrire de potentiel. Ce
terme, plus correct que le prcdent, rappelle l'obstacle que le potentiel Vo reprsente, pour la diffusion ultrieure des charges
lectriques d'un cristal l'autre.
C'est donc de cette barrire de potentiel Vo qui se forme au niveau de la jonction P.N. que dpendent toutes les proprits de
la diode cristal.
2. - POLARISATION DE LA JONCTION
Aprs avoir examin la formation d'une jonction entre deux semi-conducteurs de types diffrents, voyons maintenant le
comportement de celle-ci lorsqu'elle est polarise, c'est--dire lorsque la tension dlivre par une source d'alimentation continue est
applique aux deux zones du cristal.
La tension peut tre applique dans les deux sens c'est--dire, en reliant le ple positif de la pile la zone N et le ple ngatif la
zone P ou inversement, en reliant le positif la zone P et le ngatif la zone N.
Dans le premier cas, on dit que la jonction (c'est--dire la diode) est polarise en inverse tandis que dans le second cas, la diode est
polarise en direct.
Que se passe-t-il au niveau de la jonction P.N. lorsque celle-ci est polarise en inverse ?
La figure 2 montre qu' l'instant o le circuit est ferm, une partie des lectrons libres se dtache de la zone N du cristal et se dirige
vers le ple positif de la batterie d'alimentation.

Au mme instant, une certaine quantit d'lectrons mis par le ngatif de la batterie, rejoint la zone P du cristal, o ils feront
disparatre une partie des trous.
Si maintenant nous admettons que dans la zone P il n'y a pas d'lectrons libres qui puissent rejoindre la zone N pour remplacer
ceux qui sont repousss vers le positif de la pile et que dans la zone N il n'y ait pas de trous qui puissent se propager jusqu' la zone
P afin de remplacer ceux qui ont disparu, nous pourrions conclure la cessation du mouvement des charges circulant du cristal la
batterie et de la batterie au cristal. En effet, le nombre des lectrons libres prsents dans la zone N du cristal est incontestablement
trs grand, mais non illimit ; il en est de mme pour les trous prsents dans le cristal P.
L'annulation du courant produit par la pile, aussitt aprs la fermeture du circuit, est justifie par le fait que les lectrons et les trous
sont en nombre limit dans l'une ou l'autre du cristal et par l'impossibilit de les remplacer lorsqu'ils s'loignent et qu'ils
disparaissent.

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Dans la ralit, le dplacement des charges et par consquent, le courant produit par la pile, cesse avant mme que la zone N ne se
soit libre de ses lectrons et la zone P de ses trous.
Pour expliquer ce phnomne, sachons que la barrire de potentiel se renforce rapidement avec la diminution des lectrons libres et
des trous dans les zones respectives et son amplitude augmente en passant de Vo Vo' (comparez ce sujet les figures 1-b et 2).
La nouvelle diffrence de potentiel Vo' peut ainsi annuler l'effet de la tension extrieure Vi, avant que tous les lectrons de la zone
N ne soient repousss vers le positif de la pile et avant que tous les trous de la zone P n'aient disparu.
La tension Vi applique aux bornes de la diode (figure 2) est dite tension inverse. Si l'on tient compte de ce qui a t dit
prcdemment, le courant circulant dans la diode (aux bornes de laquelle on a appliqu une tension inverse) devrait s'annuler
rapidement. En ralit, le courant ne s'annule pas compltement du fait de la prsence des porteurs minoritaires, c'est--dire de la
prsence de trous dans la zone N du cristal et d'lectrons libres dans la zone P.
Un certain nombre de porteurs minoritaires russit toujours traverser la jonction, provoquant ainsi un remplacement partiel des
lectrons libres dans la zone N et des trous dans la zone P. On constate donc la prsence d'un courant trs faible, circulant de
l'extrmit N l'extrmit P du cristal. Ce courant est appel courant inverse (Ii).
Voyons maintenant le phnomne inverse, c'est--dire lorsque la jonction P.N. est polarise en direct (figure 3-a).

Lorsque le circuit est ferm, la force lectromotrice de la batterie met en mouvement les lectrons libres de la zone N et les trous de
la zone P, qui convergent tous deux vers la jonction (figure 3-a), l'intrieur de laquelle les lectrons tombent dans les trous, ce qui
entrane la disparition des uns et des autres. Cependant, les lectrons libres qui tombent dans les trous, sont continuellement
remplacs par d'autres, provenant du ngatif de la source d'alimentation.
Ainsi, tous les trous disparus sont remplacs par d'autres, qui se forment du ct de la zone P, vers le positif de la batterie. Le flux
des charges se reproduit donc perptuellement, formant un courant continu. On le constate d'ailleurs en mesurant la rsistance
directe de la diode.
Le courant continu Id est dit courant direct, la tension extrieure, Vd qui est l'origine de la formation du courant Id, est dite
tension directe.
La figure 3-b illustre le cas o la tension continue Vd est infrieure la diffrence de potentiel Vo (figure 1-b), qui constitue la
barrire de potentiel. Ainsi, tant que la tension Vd est infrieure ou gale Vo, le courant est pratiquement nul. Ce courant n'existe
pratiquement que lorsque la tension Vd dpasse la valeur de Vo. Cette valeur est diffrente selon que la jonction est constitue par
un cristal de germanium ou par un cristal de silicium : pour le germanium, cette valeur est normalement de 0,2 0,3 V alors que
pour le silicium elle est de 0,6 0,7 V.
Une jonction P.N. permet le passage d'un courant quand celui-ci parcourt le semi-conducteur dans le sens du cristal dop P
vers celui dop N. Elle s'oppose la circulation d'un courant dans le sens inverse.
3. - LA DIODE A JONCTION
La jonction P.N. en germanium ou en silicium peut tre utilise pour raliser un dispositif appel diode dont le symbole graphique
est reprsent figure 4. La conduction de la diode est matrialise par le sens de la flche.
L'anode (A) correspond la zone P de la jonction et la cathode (K) la zone N ; l'extrmit A ncessite une tension positive
par rapport l'autre extrmit K.

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La jonction est obtenue par la pose, sur une pastille de semi-conducteur N, d'une certaine quantit d'aluminium (figure 5-a) ou
d'indium ; on chauffe l'ensemble de faon obtenir la fusion de l'aluminium ou de l'indium, et la fusion partielle du semiconducteur (figure 5-b). Aprs refroidissement, ces corps se solidifient formant une zone P pour l'aluminium et la jonction P.N.
dans la pastille N (figure 5-c).

Le tout est ensuite introduit dans un tube de verre (figure 5-d) et le conducteur est soud l'aluminium ou l'indium (figure 5-d
droite). On referme le tube de verre pour former le botier de la diode (figure 5-e). Il existe galement d'autres procds de
fabrication des diodes. Par exemple, pour obtenir la jonction P.N. on peut se reporter la mthode de la diffusion qui consiste
faire vaporer des impurets pour qu'ils pntrent dans la pastille P de faon former une zone N.
La diffusion est utilise dans la fabrication des diodes au silicium pouvant supporter de grandes tensions et de forts courants. La
figure 6 illustre quelques types de diodes semi-conducteurs. La cathode des diodes des figures 6-a et 6-e est indique par une
bague ou un point de couleur sur le botier du composant.

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Sur les figures 6-c et 6-d, nous avons deux autres types de diode au silicium jouant le rle de redresseur. Ces diodes de
redressement sont sur ces figures en botier mtallique ou en botier plastique.
Malgr leurs dimensions rduites, certaines diodes fournissent des courants levs (plus de 10 ampres) et arrivent mme
fonctionner correctement une temprature ambiante trs leve (150C).
La diode de la figure 6-c, trs utilise dans les alimentations de rcepteurs radio et T.V., peut tre fix sur le chssis d'un appareil
au moyen d'crous et de rondelles ainsi que celle de la figure 6-f employe pour les puissances trs leves o un dissipateur
thermique est ncessaire.
Les caractristiques lectriques du composant, donnes par le constructeur, sont valables uniquement pour une temprature
ambiante dtermine car si cette dernire varie, les valeurs de la diode changent sensiblement.
Pour obtenir la courbe caractristique tension-courant d'une diode, on utilise deux montages lectroniques :
- Le premier (figure 7-a) permet d'obtenir la caractristique directe de la diode. Pour cela, l'aide d'un potentiomtre que l'on fait
varier, on applique une tension directe Vd, mesure par le voltmtre (V) et on relve les valeurs correspondantes du courant direct
Id sur le milliampremtre (mA).
- Le second (figure 7-b) permet d'obtenir la caractristique inverse de la diode. Pour cela, le montage reste le mme la seule
diffrence que la pile et les deux appareils de mesures sont branchs en sens inverse. Il est noter que l'utilisation d'un microampremtre (A) facilite les mesures de courants inverses (Ii) faibles.

Chaque couple de valeurs mesures (tension et courant) peut tre report sur un graphique ayant deux axes orthogonaux gradus
(figure 8), le premier horizontal en volts, le deuxime vertical en milliampres.

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En prenant comme exemple le couple de valeurs : Vd = 1,5 V et Id = 5 mA, on obtient sur le graphique un point A correspondant
l'intersection des deux droites en pointill partant perpendiculairement de l'endroit mme o sont portes ces valeurs.
En reportant point par point chaque couple de valeurs obtenues dans les cadrans correspondants sur le graphique (tensions et
courants direct dans le cadran 1, tensions et courants inverses dans le cadran 3 et en reliant par un trait tous ces points, on
obtient la courbe caractristique d'un type de diodes (figure 8).
On peut remarquer que la courbe passe par l'origine des axes (point 0) ; une tension nulle entrane l'absence de courant.
Dans le cadran 1, on observe que le courant et la tension augmentent ou diminuent ensemble.
Pour chaque type de diode, le constructeur fixe une valeur maximale (Idmax) ne pas dpasser sans risquer de l'endommager. Il
indique galement le courant de pointe rptitif que la diode peut supporter pendant de courts instant intervalles de temps
dtermins et le courant de pointe non rptitif que la diode reoit une fois de temps en temps, par exemple lors d'une mise sous
tension.
Ces deux dernires valeurs sont plus leves que celle du courant (Idmax) qui reprsente 20 30 fois moins la valeur d'un courant
de pointe non rptitif.
Dans le cadran 3, on note que le courant inverse (Ii) est pratiquement constant et qu'il ne dpend pas de la tension inverse (Vi)
quand celle-ci varie sur une certaine plage. La tension inverse d'une diode peut atteindre quelques centaines de volts jusqu' une
valeur limite (Vimax) impose par le constructeur au-del de laquelle la diode est dtruite.
Tant que cette valeur n'est pas atteinte, le courant inverse de la diode reste faible et par consquent il ne peut pas se produire un
claquage de la jonction de la diode.
En rsum, le constructeur fournit les caractristiques suivantes :
- Courant direct maximal (Idmax) not gnralement par IF (littrature anglaise : forward).
- Courant de pointe rptitif (IFRM).
- Courant de pointe de surcharge (non rptitif) IFSM
- Tension inverse maximale (Vimax) not gnralement par VR (littrature anglaise : reverse
- Tension inverse maximale de crte VRM
- Courant inverse continu IR (plus ce courant est faible, meilleure est la qualit de la diode).
Une diode de puissance qui fournit un courant Idmax lev ne peut pas avoir un courant inverse IR aussi faible que celle qui supporte
seulement quelques dizaines de milliampres et cependant la qualit n'en est pas pour autant affecte. Il est bon de savoir quelle
temprature est la jonction de la diode quand on dtermine la valeur du courant inverse IR car ce dernier est issu de la concentration
des porteurs minoritaires qui sont sensibles aux variations thermiques.
SEMI-CONDUCTEURS 3
2me PARTIE
4. - L'EFFET ZENER
La figure 9 reprsente la courbe typique caractristique d'une diode jonction. En l'examinant attentivement, on remarque que la
courbe passe toujours par les axes, c'est--dire qu'en l'absence de tension applique aux bornes de la diode, le courant ne passe plus.

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La partie gauche de la caractristique, correspondant la polarisation inverse de la diode, montre qu'en augmentant la tension
ngative applique, le courant devient trs faible, mme si l'on arrive des tensions de plusieurs volts. En effet, la caractristique
reste toujours la mme distance de l'axe horizontal (figure 9).
Compte tenu de ceci, on peut donc penser que la tension inverse peut augmenter sans limitation puisque le courant, ayant atteint la
limite de saturation (correspondant la concentration des porteurs minoritaires) n'augmente plus. En ralit, le courant n'est
constant que jusqu' un point bien dfini de la tension, aprs quoi il commence augmenter trs rapidement, tel point que la
caractristique inverse passe de la position presque horizontale la position verticale (figure 10).

On constate donc une augmentation considrable des porteurs minoritaires et par consquent, le courant inverse devient beaucoup
plus intense.
On appelle ce phnomne effet ZENER, d'aprs le nom du savant qui le dcouvrit et russit en donner l'explication.
La tension laquelle le phnomne se manifeste est dite tension de ZENER (Vz de la figure 10).
Pour expliquer l'effet ZENER, il est ncessaire de rappeler que lorsqu'une diode est polarise en inverse, nous avons un courant
inverse, constitu de porteurs minoritaires, d la formation de couples lectrons-trous, cause par la rupture des liens existant
entre les atomes du semi-conducteur.
La rupture des liens est provoque par la vibration des atomes sous l'effet de la temprature. Il existe galement d'autres causes
susceptibles d'engendrer la formation d'un couple lectron-trou.
En tudiant la jonction P.N. nous avons vu qu' proximit de cette jonction, il se forme une zone de charges libres (zone
d'puisement), laquelle correspond une diffrence de potentiel, appele barrire de potentiel.
tant donn que cette zone est excessivement mince, le fait d'augmenter la tension de polarisation inverse de la diode provoque une
augmentation de la diffrence de potentiel prs de la jonction. Cette augmentation atteint une telle proportion (Vz = tension de
ZENER), qu'elle engendre une force capable d'loigner de leur orbite un grand nombre d'lectrons priphriques,
appartenant aux atomes se trouvant proximit de la jonction.
Or, pour chaque lectron qui s'loigne de son orbite, il apparat un couple lectron-trou, donc une augmentation
considrable des porteurs minoritaires.
Le courant inverse devient alors relativement intense.
Les diodes conues pour tirer profit de ce phnomne sont appeles diodes ZENER (figure 11). Dans celles-ci, il existe galement
un autre phnomne appel l'effet avalanche.

93

L'effet avalanche se produit lorsque les porteurs minoritaires prsents proximit de la jonction s'acclrent un point tel, qu'ils
heurtent les lectrons priphriques des atomes, une vitesse suffisante pour les dtacher de leur orbite. Les charges libres ainsi
obtenues sont acclres et produisent leur tour (toujours par chocs) de nouvelles charges et ainsi de suite. Ainsi, le nombre de
charges libres augmentent trs rapidement, d'o le nom d'effet d'avalanche donn ce phnomne.
Les charges rendues libres de cette manire font augmenter le courant d l'effet ZENER. Cela signifie que selon la tension de
ZENER (Vz), le courant inverse passe trs rapidement d'une valeur rduite une valeur remarquablement leve.
La figure 12 illustre trs bien ce phnomne. Elle reprsente en effet l'allure de la caractristique inverse d'une diode ZENER.
Comme on peut le constater, le courant inverse est d'abord si petit (quelques micro-ampres) que la caractristique se trouve
presque sur l'axe horizontal, duquel elle se dtache ensuite assez brusquement pour passer pratiquement l'tat vertical. En
regardant la partie presque verticale de la caractristique, tendant dmontrer que la tension reste constante bien que le courant
varie dans de larges limites, on comprend que l'on puisse utiliser les diodes ZENER comme stabilisateurs de tension.

En effet, aprs un dopage appropri des semi-conducteurs, il est possible de faire varier dans de larges limites, la tension pour
laquelle on vrifie l'effet zener. Avec de tels procds, il est possible de fabriquer des diodes ZENER, capables de stabiliser des
tensions d'ordre diffrent, allant de quelques volts jusqu' plusieurs dizaines de volts.
La figure 13 reprsente quelques types de diodes ZENER couramment utilises.

5. - CAPACIT DE LA JONCTION
Une jonction P.N. prsente une rsistance dpendant du type de polarisation qui lui est applique :
- En polarit directe, cette rsistance a une valeur faible.
- En polarit inverse, elle est trs grande (mis part les diodes ZENER o l'effet d'avalanche a t provoqu).
Un examen attentif d'une jonction montre la similitude avec un condensateur. En effet, si nous considrons une jonction P.N. non
polarise, trois parties se dtachent (figure 14) :
- Une (A), constitue par le semi-conducteur N
- Une autre (C) par le semi-conducteur P
- Enfin une troisime (B) qui est la barrire de potentiel.

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Un matriau contenant des charges mobiles peut tre assimil un conducteur alors qu'un autre, priv de ces mmes charges, se
comporte comme un isolant. Ainsi, la jonction apparat constitue de deux parties en mtal (A et C) spares par une autre isolante
(B), analogue un dilectrique.
On sait que deux plaques mtalliques spares par un isolant (dilectrique) constituent un condensateur et la jonction d'une diode
en est un exemple.
Si prsent, on applique la jonction une polarisation inverse, les plaques A et B sont respectivement rendues ngative et positive
; la barrire de potentiel augmente et la capacit s'en trouve modifie (figure 15-a).

Ainsi, suivant la valeur de la tension inverse applique la diode, la capacit intrinsque de celle-ci varie dans certaines limites
(figure 15-b). Le schma quivalent de la diode en inverse est donn figure 15-c.
Une capacit variable en parallle sur une rsistance de trs grande valeur pour simuler la fuite de courant (quelques microampres) du dilectrique.
La proprit de la jonction en inverse a permis de raliser des circuits de contrle automatique de frquence d'oscillateurs (par
exemple, oscillateurs locaux de rcepteurs FM ou TV).
La figure 16 reprsente deux types de diodes capacit variable (VARICAP) dont certaines au silicium offrent une capacit allant
de quelques picofarads une centaine de picofarads environ suivant la tension inverse applique aux bornes.

Les diodes de redressement au silicium, les plus utilises, peuvent aussi tre utilises en capacit variable ; la rsistance parallle
(trs grande) ne perturbe pas les circuits oscillants.
En polarisation directe, la capacit de la diode est masque par la rsistance qui est faible dans ce cas. La capacit de la diode
peut jouer un rle nfaste dans les montages trs hautes frquences o elle est utilise pour ses proprits de redressement. En
effet, sa ractance peut devenir trs faible et offrir ainsi un court-circuit la tension inverse. Son emploi est donc proscrire dans
ces montages.

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6. - PROPRITS DES JONCTION P.N.


Suivant le type de dopage effectu dans une jonction P.N., l'utilisation de la diode est bien spcifique :
- Comme redresseur en utilisant la caractristique directe et inverse sans dpasser, pour cette dernire, la tension de claquage.
- Comme stabilisateur de tension en exploitant l'effet ZENER en polarisation inverse.
- Comme capacit variable en tirant parti de faibles tensions inverses appliques aux bornes du composant.
7. - LA DIODE A POINTE (OU A CRISTAL)
Conue avant la diode jonction, on l'utilise pour la conduction unidirectionnelle en polarisation directe. Elle se compose d'un
contact ponctuel, au niveau de la pastille semi-conductrice, par un fil trs fin en tungstne. On utilisait, l'poque, pour dceler les
ondes lectromagntiques (ondes radios par exemple), un dtecteur cristal de galne, constitu par un morceau de minerai de
sulfure de plomb (galne) sur lequel tait pos ce que l'on appelait la moustache du chat. La figure 17 illustre la fabrication d'une
diode pointe dont la disposition des diffrents lments ne change gure de celle dj vue pour la diode jonction.

Aprs fermeture avec le support en verre (figure 17-a et 17-b) on fait passer, durant un bref instant, un courant de trs grande
valeur travers la pointe de tungstne et la pastille de germanium ou de silicium dop N, de faon crer, par fusion au point de
contact de ces deux lments, une jonction dfinitive (figure 17-c).
L'allure de la caractristique de la diode pointe est donc sensiblement la mme que celle de la diode jonction comme le montre
la figure 18.

Cependant, on remarque quelques diffrences : en polarisation directe (cadran 1, figure 18), pour un mme courant dans les deux
composants, la tension applique aux bornes de la diode pointe est suprieure celle de la diode jonction. En somme, la diode
pointe prsente une rsistance directe plus leve que la diode jonction.
En polarisation inverse (cadran 3, figure 18), le courant (Ii) augmente avec la tension (Vi) et ne prsente pas, comme pour la diode
jonction, un palier caractris par un courant inverse pratiquement constant quand la tension (Vi) varie jusqu' une valeur
maximale o se produit l'effet de claquage.

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L'allure de la courbe en inverse pour la diode pointe dcoule de l'chauffement cr dans la micro-jonction (pointe en
tungstne, semi-conducteur), entranant l'augmentation des porteurs minoritaires responsables du courant inverse.
Cette diode, possdant une capacit de micro-jonction trs faible, est dsigne pour les montages dmodulateurs de hautes
frquences.
Il est noter que dans ce type de diode, l'effet ZENER n'existe pas et la proprit de redresser est meilleure avec un semiconducteur de type N. C'est pour cela que les diodes pointe sont faites d'un semi-conducteur dop N sur lequel est tabli la microjonction avec la pointe en tungstne.
Aprs avoir parl de la diode, nous entamerons, dans la prochaine leon (semi-conducteur 4), l'examen du transistor o son
application dans les montages lectroniques est plus diversifie.
TENSION ALTERNATIVE
1re PARTIE
Nous avons vu dans la prcdente leon comment on reprsente graphiquement un courant alternatif, et quelles sont les grandeurs
qui le caractrisent ; nous allons maintenant examiner la tension alternative.
1. - TENSION ALTERNATIVE
Pour dterminer la forme de la tension alternative, nous devons nous rappeler qu'elle est lie par la loi d'OHM au courant qui
parcourt la rsistance ; comme nous connaissons dj la forme du courant alternatif, il nous est facile de chercher l'allure de la
tension qui dtermine le passage de ce courant dans la rsistance.
Voyons, par exemple, comment on peut reprsenter graphiquement la tension alternative qui fait circuler le courant alternatif dans
un circuit comprenant une rsistance de 5 ohms (figure 1-a).
Nous observons d'abord qu'au dbut de la priode (0 s), la moiti (0,1 s) et la fin de la priode (0,2 s), le courant est nul : si
ces instants, le courant ne circule pas dans le circuit, cela signifie que la tension fournie par le gnrateur est galement nulle.

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Quand, au contraire, le courant atteint la valeur maximale (Imax) aprs 0,05 s, et (- Imax) aprs 0,15 s, la tension atteint aussi ces
instants la valeur maximale correspondante Vmax et -Vmax (certains livres d'lectroniques noterons Imax par IM et Vmax par VM).
Puisque la valeur maximale du courant est de trois ampres, il faut pour faire passer ce courant dans une rsistance de cinq ohms,
une tension qui, d'aprs la loi d'OHM, est donne par le produit de la valeur de la rsistance par celle du courant : la valeur
maximale de la tension est donc de 5 x 3 = 15 V.
De mme, nous pouvons obtenir la valeur de la tension en un autre instant quelconque, en multipliant la valeur de la rsistance par
celle du courant prise en cet instant.
Les valeurs ainsi obtenues sont reportes sur le diagramme de la figure 1-b. Sur l'axe horizontal de ce diagramme, les temps sont
indiqus de la mme manire que pour le courant, c'est--dire que chaque centimtre correspond 0,025 s. Sur l'axe vertical du
diagramme, les tensions (U) exprimes en volts (V) sont maintenant indiques ; 1 cm correspond 5 V, comme le prcise
l'inscription 1 cm = 5 V reporte en haut et droite.
Comme la valeur Imax du courant est atteinte au bout de 0,05 s, la valeur Vmax de la tension correspond ce mme moment ; on
procde de la mme faon pour la valeur -Imax, mais puisque cette valeur se trouve sous l'axe horizontal, la valeur correspondante
de la tension -Vmax est galement sous cet axe.
Si l'on reporte de la mme faon les autres valeurs de la tension, par exemple celles prises au bout de 0,025 s, 0,075 s, 0,125 s et
0,175 s, on obtient un certain nombre de points qui permettent de tracer la ligne de la figure 1-b en les joignant ; cette courbe
indique l'allure de la tension alternative. Comme on pouvait s'y attendre, c'est aussi une sinusode, et nous pouvons donc dire que la
tension alternative a, elle aussi, une forme sinusodale.
(Pour vous faciliter la tche, nous reportons le mme schma ci-dessous).

Comme nous l'avons dj fait pour le courant, nous pouvons donc considrer la tension alternative comme une succession de
cycles tous identiques, dans chacun desquels se rptent toujours les mmes valeurs.

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Le temps que met la tension pour accomplir un cycle est appel priode de la tension alternative et il se divise lui aussi en deux
demi-priodes gales, l'une positive et l'autre ngative ; dans la premire, les valeurs de la tension sont indiques par des nombres
positifs, tandis que dans la deuxime, les mmes valeurs sont indiques par des nombres ngatifs.
Ce fait nous indique que le gnrateur inverse ses polarits chaque demi-priode ; sur la figure 1-b, les valeurs des tensions
fournies par le gnrateur sont indiques par des nombres positifs quand celui-ci a ses polarits comme sur la figure 1-c, tandis que
les valeurs des tensions sont indiques par des nombres ngatifs lorsque le gnrateur intervertit ses polarits comme sur la figure
1-d.
Notons que, aprs avoir dsign par A et B les ples du gnrateur, on a considr que le courant positif tait celui qui sortait du
ple A du gnrateur, comme sur la figure 1-c, et que le courant ngatif tait au contraire, celui qui entrait dans le gnrateur par le
ple A, comme sur la figure 1-d. On a de mme considr que la tension tait positive ou ngative lorsque le ple du gnrateur
dsign par A tait positif, comme sur la figure 1-c, ou ngatif, comme sur la figure 1-d.
Il faut se rappeler ce procd car il sera encore utilis dans cette leon.
Nous observons maintenant que la tension alternative doit avoir videmment la mme priode que le courant, comme on le vrifie
d'ailleurs immdiatement en comparant les figures 1-b et 1-a : le courant et la tension accomplissent le mme cycle en une seconde
et ils ont donc la mme frquence.
Pour caractriser une tension alternative, nous devons donc indiquer, non seulement sa priode ou sa frquence, mais galement sa
valeur : comme pour le courant, on indique la valeur efficace que l'on obtient en divisant par 1,41 la valeur maximale de la
tension alternative (valable seulement pour un rgime sinusodal).

Quand nous disons, par exemple, que la tension du rseau disponible dans nos habitations a une valeur de 110 V ou bien de 220 V,
nous nous rfrons la valeur efficace de cette tension ; la tension indique sur les appareils lectriques qui fonctionnent au
courant alternatif est la valeur efficace de la tension avec laquelle on doit alimenter ces appareils.
On appelle valeur efficace d'une tension alternative sinusodale aux bornes d'une rsistance R, la valeur d'une tension
continue dont le courant produirait les mmes effets calorifiques que le courant alternatif sinusodal dans la mme
rsistance R et pendant le mme temps. De cette faon, on tablit une quivalence entre la tension alternative et la tension
continue, en ce qui concerne les effets calorifiques produits par les courants qu'elles mettent en circulation.
Dans la pratique, cela signifie, par exemple, qu'un fer souder prvu pour une tension de 220 V peut tre aliment soit par une
tension alternative qui a une valeur efficace de 220 V, soit par une tension continue de 220 V. Dans les deux cas, le fer souder
produit la mme quantit de chaleur car la tension alternative fait circuler dans sa rsistance un courant dont la valeur efficace est
gale celle de celui que fait circuler la tension continue.
Le courant continu qui circule dans le fer souder peut tre obtenu, selon la loi d'OHM, en divisant la tension continue par la
rsistance du fer souder ; de la mme faon, si l'on divise la valeur efficace de la tension alternative applique au fer souder par
sa rsistance, on peut obtenir la valeur efficace du courant qui l'alimente.
Nous voyons donc qu'avec les valeurs efficaces, nous pouvons effectuer les calculs relatifs au courant alternatif comme s'il
s'agissait d'un courant continu, non seulement en ce qui concerne la chaleur produite par le courant, mais aussi pour
l'emploi de la loi d'OHM.
Mais il faut bien se rappeler que l'quivalence entre le courant alternatif et le courant continu n'est valable qu'en ce qui
concerne l'effet thermique : cela signifie que nous ne pouvons considrer le courant alternatif comme un courant continu que
dans les circuits forms exclusivement d'lments rsistifs qui transforment l'nergie lectrique en chaleur.
Dans les leons prcdentes, nous avons vu d'autres lments, tels les condensateurs et les bobines, qui ne dissipent pas l'nergie
lectrique mais l'emmagasinent en crant respectivement un champ lectrique ou magntique.

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Pour les condensateurs et les bobines, l'quivalence entre le courant alternatif et le courant continu n'est plus valable, puisque ces
lments ne donnent pas lieu la production de chaleur. Cependant, dans le cas des circuits qui comprennent des condensateurs
ou des bobines, on indique galement la valeur efficace de la tension et du courant, mais toujours en rfrence l'effet
thermique.
Lorsque l'on dit, par exemple, qu'une bobine est parcourue par un courant alternatif d'une valeur efficace de 2 A, on indique un
courant alternatif qui produirait, s'il traversait une rsistance, la mme quantit de chaleur que celle produite par un courant continu
de 2 A.
Nous devons donc nous rappeler que, pour les grandeurs alternatives et sinusodales, on indique toujours la valeur efficace, mme
lorsqu'il s'agit de circuits dans lesquels aucun effet thermique ne se produit.
Comme nous l'avons vu prcdemment, la rsistance offerte par l'lment rsistif au courant alternatif s'obtient en divisant la valeur
efficace de la tension par celle du courant, de mme qu'en rgime continu. Cela signifie que les rsistances ont le mme
comportement en rgime continu qu'en rgime alternatif, car elles offrent au passage des deux courants une rsistance qui est
gale pour les deux rgimes au rapport de la tension par le courant.
Au contraire, les condensateurs et les inductances demanderont tre examins sparment suivant le rgime appliqu.
2. - REPRSENTATION VECTORIELLE DES GRANDEURS ALTERNATIVES
La reprsentation utilise jusqu' prsent, consistant dessiner la sinusode qui indique les valeurs de la tension ou du courant
durant un cycle complet, n'est pas trs commode ; on a donc adopt un autre systme de reprsentation qui l'avantage de mettre
en vidence beaucoup de proprits des grandeurs alternatives qui n'apparaissent pas clairement sur le dessin de la sinusode.
La sinusode reprsentant une grandeur alternative est dessine comme illustr figure 2, en faisant tourner un segment de longueur
gale au maximum de la sinusode et en reportant point par point les ordonnes de son extrmit.
Donc pour reprsenter une tension ou un courant alternatif, il suffit de reporter dans un repre orthogonal les projections
perpendiculaires sur l'axe des ordonnes du vecteur tournant aux instants choisis.

Cette mthode de trac porte le nom de reprsentation vectorielle o les grandeurs alternatives sinusodales sont obtenues grce
un vecteur caractris par :
- une longueur proportionnelle l'amplitude maximale (ou longation) de la grandeur alternative et sinusodale ; si par exemple,
on veut reprsenter une tension sinusodale de valeur Vmax = 300 V, on peut choisir de prendre une chelle avec 1 cm pour 100 V
et dessiner un vecteur de longueur 3 cm correspondant 300 V.
- une vitesse constante en sens antihoraire dont un tour complet reprsente la priode de la grandeur sinusodale. Ainsi le vecteur
accomplit en une seconde un nombre de tours gal la frquence de la grandeur considre.
- une position pour laquelle son ordonne reprsente la valeur de la grandeur considre cet instant prcis.

100

Pour mieux comprendre cette mthode, nous donnons six exemples sont reports figure 3.

La figure 3-a reprsente un courant alternatif sinusodal de valeur maximale Imax = 0,5 A correspondant 1 cm sur l'axe des
ordonnes. Le vecteur reprsentatif de 1 cm de long est l'origine des temps (0s) en position horizontale, signifiant que son
ordonne est nulle, tout comme l'est la valeur de la sinusode. Ce vecteur ayant effectu un tour complet, les valeurs de son
ordonne prise des instants prcis et reportes dans le repre orthogonal, dcriront la forme sinusodale du courant de la figure
3-a.
La figure 3-b reprsente une tension alternative sinusodale de valeur maximale Vmax = 20 V correspondant 2 cm sur l'axe des
ordonnes. Le vecteur reprsentatif de 2 cm de long en avance de 90 par rapport l'origine des temps (0s) est en position
verticale, signifiant que son ordonne est maximale et positive, tout comme l'est la valeur de la sinusode. Ce vecteur ayant
effectu un tour complet, les valeurs de son ordonne prises des instants prcis et reportes dans le repre orthogonal dcriront
la forme sinusodale du courant de la figure 3-b.
La figure 3-c reprsente un courant alternatif sinusodal de valeur maximale Imax = 1,5 A o 1 cm correspond ici (1 A) sur l'axe
des ordonnes. Le vecteur reprsentatif de 1,5 cm de long plac 180 de l'origine des temps (0s) est en position horizontale,
orient vers la gauche (contraire celui de la figure 3-a), signifiant ainsi que la valeur de la sinusode est nulle. Seulement cette
fois, la sinusode dbutera par des valeurs ngatives quand le vecteur effectuera son tour complet en sens antihoraire ; le trac reste
le mme que les prcdents (figures 3-a et 3-b).
La figure 3-d reprsente une tension alternative sinusodale de valeur maximale Vmax = 50 V o 1cm correspond ici 100 V sur
l'axe des ordonnes. Le vecteur reprsentatif de 0,5 cm de long positionn 270 de l'origine des temps (0s) est en position
verticale, orient vers le bas (contraire celui de la figure 3-b) car la sinusode dbute par un extremum (valeur maximale)
ngatif.

101

On s'aperoit dans les exemples donns que le vecteur est positionn l'endroit o commence la sinusode pour indiquer sa valeur
cet instant prcis (t = 0s). Il faut savoir que l'angle form par le vecteur et l'axe horizontal est atteint suivant un temps (t) qui sera
report sur l'abscisse (axe horizontal), voir figure 2.
Sur l'exemple de la figure 3-e, le vecteur du courant Imax = 0,5 A de la figure 3-a est reprsent avec une avance de 30 par rapport
l'origine des temps. Sur la figure 3-f, le vecteur du courant Imax = 1,5 A est reprsent avec une avance de 330 par rapport
l'origine des temps.
En rgle gnrale, il est plus intressant, un instant donn, de comparer la position des vecteurs que de connatre leur valeur.
La figure 4 illustre les vecteurs reprsentatifs de la tension et du courant dans un circuit purement rsistif comme celui de la figure
1. Puisque les deux sinusodes dbutent l'origine des temps, les deux vecteurs sont horizontaux et superposs.

Les deux vecteurs, tournant autour du point 0 la mme vitesse, engendrent deux sinusodes (V,I) de mme allure, obtenues par
l'ordonne des deux vecteurs tournants.
Quand les valeurs de deux grandeurs atteignent en mme temps les extremums (maximum et minimum) et se joignent sur l'axe des
abscisses pour s'annuler, on dit de ces deux sinusodes qu'elles sont en phase.
Donc lorsque deux grandeurs alternatives de mme frquence sont en phase, les vecteurs reprsentatifs sont superposs et
tournent la mme vitesse.
A chaque tour le vecteur dcrit un angle de 360 ; s'il accomplit un tour en une seconde, sa vitesse de rotation sera de 360 par
seconde (360 / s), pour n tours par seconde sera de n x 360 par seconde.
Gnralement, les angles sont exprims en radian : angles qui interceptent un arc de cercle de longueur gale au rayon.
Comme 360 correspondant 2 n radians, on peut exprimer la vitesse de rotation par 2n x n radians par seconde.
Un cycle d'une grandeur alternative correspond un tour complet du vecteur reprsentatif et le nombre de tours n effectus en
une seconde reprsente le nombre de cycles par seconde de la sinusode, appel encore frquence (F). La vitesse du vecteur
reprsentatif sera appele pulsation (symbole
omga-unit de mesure en rad / s) et exprime par la relation :

TENSION ALTERNATIVE ET RACTANCE LECTRIQUE


2me PARTIE
3. - RACTANCE LECTRIQUE
Les circuits considrs jusqu'ici sont dits rsistifs ou encore ohmiques car ils comprennent exclusivement des rsistances.
A prsent, nous allons nous intresser aux circuits capacitifs et inductifs qui seront attaqus par un gnrateur de grandeurs
alternatives sinusodales.
Les circuits capacitifs et inductifs portent le nom de circuits ractifs car ils ne prsentent pas d'effets calorifiques mais possdent
d'autres proprits que nous examinerons par ailleurs.

102

3. 1. - CIRCUITS CAPACITIFS
Sur la figure 5 est reprsent le circuit capacitif le plus simple qui ne comprend qu'un seul condensateur auquel est applique une
tension continue (figure 5-a) ou alternative (figure 5-b).

Dans le cas d'un groupement de condensateurs, en srie ou en parallle, il faudra simplifier le montage et ramener le groupement
un seul condensateur par les formules vues dans les leons prcdentes.
Nous savons que, dans le circuit de la figure 5-a il ne circule que le courant ncessaire pour charger le condensateur ds que cet
lment est reli la pile, et que, dans ce mme circuit, toute circulation du courant cesse lorsque le condensateur s'est charg la
mme tension que celle de la pile : nous pouvons affirmer qu'un condensateur empche le passage d'un courant continu.
On obtient nouveau un courant dans le circuit lorsqu'on dbranche la pile et qu'on lui substitue une rsistance dans laquelle passe
alors le courant de dcharge du condensateur.
On voit donc que, dans un circuit capacitif, on a une circulation du courant que lorsque la tension applique aux armatures du
condensateur varie : en effet, lorsque le condensateur est reli la pile, et que la tension entre ses armatures augmente donc de la
valeur fournie par la pile, on a dans le circuit un courant de charge tandis qu'on a un courant de dcharge quand cette mme tension
diminue jusqu' s'annuler.
On comprend donc que, si l'on applique une tension variable sinusodale, comme celle que fournit le gnrateur de la figure 5-b, il
circulera chaque instant dans le circuit un courant d aux charges et dcharges successives du condensateur. Puisque les
armatures du condensateur sont directement relies aux ples du gnrateur, il devra y avoir entre elles chaque instant, la mme
tension que celle fournie par le gnrateur.
Par consquent, lorsqu'on augmente la tension fournie par le gnrateur, le condensateur se charge de faon ce qu'entre ses
armatures il y ait chaque instant une tension gale celle que le gnrateur fournit progressivement : dans le circuit circule donc
le courant de charge du condensateur.
Quand, au contraire, la tension fournie par le gnrateur diminue, le condensateur se dcharge de faon ce que, dans ce cas
galement il y ait chaque instant entre les deux armatures une tension gale celle du gnrateur : dans le circuit circule
maintenant le courant de dcharge du condensateur.
Il est ainsi dmontr que le circuit capacitif est parcouru par le courant de charge lorsque la tension augmente, tandis qu'il est
parcouru par le courant de dcharge quand la tension diminue.

103

Voyons maintenant quelle forme le courant, si l'on suppose que le gnrateur applique au condensateur la tension alternative
reprsente par le graphique de la figure 6-c, o sont indiques par un trait fort les parties de la sinusode qui correspondent
l'augmentation de la tension, pour les distinguer des parties qui correspondent la diminution de cette tension.

On pourrait dmontrer que, si la tension est sinusodale, le courant l'est aussi, comme nous l'avons dj vu dans le cas des
rsistances ; mais pour les condensateurs, la sinusode qui reprsente le courant est dplace par rapport celle qui reprsente la
tension, comme nous allons le voir.
On dduit de la figure 6-c que, pendant l'intervalle de temps compris entre les instants t = 0 seconde et t = 0,05 seconde, la tension
est positive et augmente en passant de la valeur de 0 V la valeur maximale de 20 V. Pendant ce temps, le condensateur se charge
grce un courant dirig de la borne positive du gnrateur vers la borne ngative, comme l'indiquent les flches de la figure 6-a.
Durant l'intervalle de temps compris entre les instants t = 0,05 seconde et t = 0,1 s, la tension est encore positive mais elle diminue,
en passant de la valeur maximale la valeur zro.
Par consquent, le condensateur se dcharge grce au courant qui doit circuler dans le sens contraire de celui du prcdent, c'est-dire comme l'indiquent les flches de la figure 6-b, car toutes les charges qui taient passes d'une armature l'autre durant la
charge prcdente doivent rebrousser chemin durant la dcharge, de manire ce qu'entre les armatures, il n'y ait plus aucune
tension au temps de 0,1 seconde quand elle s'annule aussi.
A l'instant t = 0,1 s, la tension est de nouveau nulle et le gnrateur inverse ses polarits ; c'est pourquoi durant l'intervalle de temps
compris entre les instants t = 0,1 seconde et t = 0,15 s, la tension est ngative et augmente en passant de la valeur zro la valeur
maximale ngative. Par consquent, le condensateur se recharge grce au courant qui est dirig, dans ce cas galement, de la borne
positive du gnrateur vers sa borne ngative, comme l'indiquent les flches de la figure 6-d. Puisque le gnrateur a chang ses
polarits, ce courant circule dans le sens contraire celui de la charge prcdente (figure 6-a).
Aprs avoir atteint la valeur maximale ngative, la tension re-diminue dans l'intervalle de temps compris entre les instants t = 0,15
seconde et t = 0,2 seconde pour s'annuler l'instant t = 0,2 s.
Pendant ce temps, on a de nouveau la dcharge du condensateur grce au courant dirig, dans ce cas galement, en sens contraire
au prcdent courant de charge, comme le montrent les flches de la figure 6-e. Toujours cause de l'inversion des polarits du
gnrateur, ce courant circule aussi dans le sens contraire celui de la dcharge prcdente (figure 6-b).

104

Pour reprsenter graphiquement la forme du courant qui circule dans le circuit capacitif, nous observons avant tout que ce courant
doit s'annuler aux instants auxquels correspond l'inversion de son sens de circulation : tudions donc la figure 6 pour voir comment
cela se produit. (Schma report ci-dessous).

Tant que la tension est positive et augmente (entre 0 s et 0,05 s), le courant circule dans le sens indiqu sur la figure 6-a, tandis que
lorsque la tension, encore positive, diminue (entre 0,05 s et 0,1 s), le courant circule en sens contraire, comme on le voit sur la
figure 6-b. Il est vident que le courant change son sens de circulation et donc qu'il s'annule quand la tension cesse d'augmenter et
qu'elle est prte diminuer, c'est--dire lorsqu'elle atteint sa valeur maximale, ce qui correspond au temps de 0,05 seconde.
On peut refaire le mme raisonnement pour la demi-priode ngative de la tension ; en se rfrant la figure 6-d et la figure 6-e,
on s'aperoit que le courant s'annule quand la tension atteint la valeur maximale ngative, c'est--dire celle qui correspond au temps
de 0,15 seconde.
Nous savons ainsi que la sinusode qui reprsente la forme du courant doit couper l'axe horizontal aux temps de 0,05 seconde et
0,15 seconde ; mais pour tracer cette sinusode, nous devons encore voir ce qui se passe quand les valeurs du courant diffrentes de
zro sont positives ou ngatives, pour savoir si nous devons les reporter au-dessus ou au-dessous de l'axe horizontal.
Pour cela, rappelons-nous que prcdemment, pour les rsistances, nous avons dj dcid de considrer le courant positif quand il
sortait du ple du gnrateur dsign par la lettre A, et ngatif, quand au contraire il entrait par ce mme ple.
Si nous nous en tenons cette convention, nous constatons qu'entre 0 seconde et 0,05 seconde le courant est positif car il sort du
ple dsign par A, comme sur la figure 6-a ; au contraire, entre 0,05 seconde et 0,1 seconde, comme entre 0,1 seconde et 0,15
seconde, le courant est ngatif car il entre par le ple A, comme sur les figures 6-b et 6-d ; enfin, entre 0,15 seconde et 0,2 seconde,
le courant est de nouveau positif car il sort par le ple A, comme sur la figure 6-e.
Donc, si l'on trace la sinusode au-dessus de l'axe horizontal quand le courant est positif, et au-dessous de cet axe lorsqu'il est
ngatif, et si l'on tient galement compte du fait que ce courant est nul pour les temps de 0,15 seconde et de 0,05 seconde, on
obtient la courbe de la figure 7, qui reprsente la forme du courant circulant dans le circuit capacitif, dans le cas o ce courant a la
valeur maximale de 1,5 ampre.

105

Il apparat aussitt que cette courbe est diffrente des sinusodes tudies jusqu'ici, par exemple de celle de la figure 6-c, qui
reprsente la forme de la tension : cela est d au fait dj soulign prcdemment, que la sinusode reprsentant le courant est
dplace par rapport celle qui figure la tension, la diffrence de ce qui se produit dans le cas d'une rsistance.
Pour voir clairement en quoi consiste cette diffrence, rfrons-nous la figure 8.

Sur la figure 8-a est reprsente la tension alternative ; ses deux cycles sont reprsents par deux sinusodes, la deuxime tant
dessine en trait fort pour la distinguer nettement de la premire.
Sur la figure 8-b, on voit au contraire la forme du courant que la tension dont on vient de parler fait circuler dans une rsistance :
on voit clairement qu' chaque sinusode reprsentant un cycle de la tension correspond une sinusode analogue reprsentant un
cycle de courant.

106

Cela signifie que, dans le cas d'une rsistance, la tension et le courant varient en concordance, c'est--dire qu'ils atteignent les
valeurs maximales et les valeurs nulles aux mmes instants : on dit donc que pour une rsistance la tension et le courant sont en
phase.
Examinons enfin la figure 8-c, sur laquelle est reprsente la forme du courant qu'une tension identique celle de la figure 8-a fait
circuler dans un circuit capacitif ; nous observons tout d'abord que, dans chacun des deux cycles, la mme courbe que sur la figure
7 se rpte.
Ensuite nous observons que sur la figure 8-c, on trouve aussi la sinusode dessine en trait fort, analogue celle des deux figures
suprieures ; ce qui signifie que dans le circuit capacitif le courant a aussi une forme sinusodale, comme on l'a dj dit plus haut.
Dans ce cas, pourtant, la sinusode est dplace vers la gauche d'un quart de priode : en effet, tandis que les sinusodes en trait fort
des figures 8-a et 8-b commencent 0,2 seconde et se terminent 0,4 seconde, la sinusode en trait fort de la figure 8-c commence
0,15 seconde et se termine 0,35 seconde, c'est--dire avant les autres ; puisque la priode est de 0,2 seconde, le temps de 0,05
seconde correspond bien un quart de priode (0,2 / 4 = 0,05).
Par suite du dplacement vers la gauche, la sinusode dessine en trait plus fin est incomplte ; il manque la partie trace en
pointill gauche de l'axe vertical.
Nous voyons donc que, dans un circuit capacitif, le courant a la mme forme que la tension, mais que chaque variation de celui-ci
se produit un quart de priode avant la variation identique de la tension ; les valeurs maximales et les valeurs nulles sont donc
atteintes par le courant avec une avance d'un quart de priode par rapport la tension.
A la diffrence de ce qui se produit pour les rsistances, le courant et la tension ne sont plus en phase, et l'on dit qu'entre ces deux
grandeurs il existe un dphasage.
Puisque le courant est en avance d'un quart de priode par rapport la tension, nous pouvons dire aussi que, dans un circuit
capacitif, le courant est dphas en avance d'un quart de priode par rapport la tension.
Il ressort de tout cela qu'il est intressant de connatre non seulement la forme de la tension et du courant alternatif, mais aussi le
dphasage qui existe entre ces grandeurs ; c'est pourquoi, en plus de la reprsentation graphique, on utilise aussi un autre type de
reprsentation qui permet de voir immdiatement le dphasage entre les grandeurs alternatives : la reprsentation vectorielle. Nous
dcouvrons sur la figure 9 les deux vecteurs qui indiquent le courant et la tension : celui du courant est vertical car au dbut du
cycle sa valeur est maximale tandis que celui de la tension est horizontal car sa valeur est nulle.
Ces deux vecteurs forment entre eux un angle de 90 appel angle de dphasage.

Il faut se souvenir que l'on indique souvent le dphasage au moyen de l'angle correspondant en disant, par exemple, que le
dphasage est de 90, au lieu de dire qu'il est d'un quart de priode.
Nous avons vu que le courant circulait dans un circuit capacitif aliment par une tension alternative, dtermin la forme de ce
courant, et trouv un systme de reprsentation apte mettre en vidence le dphasage qui existe entre le courant et la tension. Il ne
nous reste maintenant qu' voir de quels lments dpend l'intensit du courant obtenu en appliquant un circuit capacitif une
tension alternative dtermine.
Mais rappelons-nous d'abord que ce courant est d aux charges et dcharges successives du condensateur, et que donc, plus sa
capacit est grande, plus le courant ncessaire pour le charger la mme tension que le gnrateur est intense.

107

Nous pouvons affirmer que le courant qui circule dans un circuit capacitif est d'autant plus intense que la capacit du
condensateur est plus grande.
Nous constatons ici une diffrence notable entre le comportement d'un condensateur et celui d'une rsistance : en effet, dans le cas
d'une rsistance, le courant est d'autant moins intense que la rsistance est plus grande ; dans le cas d'un condensateur, au contraire,
le courant est d'autant plus intense que la capacit est plus grande.
Il ressort de tout cela que la tension ncessaire pour faire passer un courant dtermin dans une rsistance s'obtient en multipliant
ce courant par la valeur de l'lment rsistif et que dans le cas d'un circuit capacitif pur, il faut diviser ce courant par la capacit du
condensateur. Dans ce dernier cas, cependant, la division du courant par la capacit ne donne pas la tension, car il faut aussi tenir
compte du fait que l'lment rsistif oppose toujours la mme rsistance un type quelconque de courant tandis qu'un condensateur
empche la circulation d'un courant continu et permet plus ou moins la circulation d'un courant alternatif suivant sa frquence.
Donc, on ne doit pas diviser le courant seulement par la capacit mais aussi par la pulsation (
) qui indique justement la
rapidit avec laquelle la tension varie ; elle est lie au nombre de cycles accomplis en une seconde, c'est--dire la frquence.
La grandeur dfinie par le rapport V / I dans le cas du condensateur est appele ractance capacitive, on l'indique par le symbole
Xc et on la mesure en Ohms.
En consquence, la rsistance que le courant rencontre en traversant le circuit, c'est--dire la ractance Xc offerte par le
condensateur, sera d'autant plus faible que la capacit est leve et que la pulsation est grande ; on exprime Xc par la relation
suivante :

Nous voyons donc que, pour un circuit qui comprend des condensateurs, la ractance capacitive est l'quivalent de la
rsistance pour un circuit qui comprend des lments rsistifs ; cela signifie, autrement dit que, si une rsistance s'oppose au
passage du courant en offrant une certaine rsistivit, un condensateur ragit aussi la circulation du courant en offrant une
ractance.
On peut donc aussi appliquer la loi d'OHM au circuit capacitif, condition que l'on remplace la rsistance par la ractance
prsente par le circuit ; on obtient alors :
V = Xc . I
O V et I reprsentent les valeurs efficaces de la tension et du courant.
Pour utiliser au mieux ces formules, prenons un exemple : Quelle est la chute de tension produite aux bornes d'un condensateur C
de 10 nF parcouru par un courant alternatif (I) de 20 mA la frquence de 100 kHz ?

Nous avons vu le comportement en rgime sinusodal des circuits rsistif et capacitif, voyons maintenant celui du circuit inductif.

108

TENSION ALTERNATIVE ET CIRCUIT INDUCTIF


3me PARTIE
3. 2. - CIRCUIT INDUCTIF
Sur la figure 10 est reprsent le type le plus simple de circuit inductif, il ne comprend qu'une seule bobine ; dans ce cas galement,
s'il y avait un certain nombre de bobines, nous pourrions les remplacer par une bobine unique d'une inductance gale celle
prsente au total par toutes les bobines insres dans le circuit.

Nous nous souvenons de plus qu'une bobine ne prsente pas seulement sa rsistance caractristique, mais qu'elle offre aussi une
rsistance due au conducteur qui constitue ses spires. Pour les bobines qui ont peu de spires et qui sont formes par un conducteur
d'une section assez grande, cette rsistance est trs faible, et l'on peut donc la ngliger.
Nous allons maintenant voir justement les circuits inductifs qui comprennent des bobines de rsistance ngligeable et qui ne
prsentent donc qu'une inductance.
Pour faire circuler un courant continu dans un circuit de ce type (figure 10-a), il suffit d'appliquer une tension trs basse, puisque la
rsistance rencontre par le courant est presque nulle.
Au contraire pour faire circuler dans le mme circuit un courant alternatif (figure 10-b) de valeur efficace gale celle du courant
continu, il faut une tension plus leve, car, comme nous le savons, la bobine a la proprit de s'opposer la variation du courant
qui la traverse, et par consquent, elle gne la circulation du courant alternatif qui varie justement continuellement.
Rappelons-nous que lorsque le courant augmente, la bobine produit une f.e.m. d'auto-induction qui tend faire circuler un courant
en sens oppos celui qui est en train d'augmenter, prcisment pour en combattre l'augmentation.
Quand au contraire, le courant diminue, la bobine produit une f.e.m. d'auto-induction qui tend faire circuler un courant dans le
mme sens que celui qui est en train de diminuer, justement pour en combattre la diminution.
Nous observons aussi que la f.e.m. d'auto-induction produite par la bobine doit tre, chaque instant, gale la tension fournie par
le gnrateur puisque ses ples sont relis directement aux extrmits de la bobine.
D'aprs ces remarques, nous sommes en mesure de trouver la forme que doit avoir la tension fournie par le gnrateur pour faire
circuler dans le circuit inductif un courant dtermin.
Supposons, par exemple, que dans le circuit circule le courant reprsent sur la figure 11-c, o les lignes de la sinusode qui
correspondent l'augmentation du courant sont indiques par un trait fort pour les distinguer des traits plus fins qui reprsentent la
diminution du courant.

109

On pourrait dmontrer que, si ce courant est sinusodal, la tension qui dtermine sa circulation est aussi sinusodale ; dans ce cas,
pourtant, la sinusode qui reprsente la tension est dcale par rapport celle qui indique le courant, mais d'une faon diffrente de
celle que nous avons vue pour les condensateurs.
De la figure 11-c, on dduit que, dans l'intervalle de temps compris entre les instants t = 0 seconde et t = 0,05 seconde, le courant
est positif et augmente, en passant de la valeur nulle la valeur maximale de 1,5 A. Comme il est positif, le courant sort du ple du
gnrateur dsign par A et circule dans le circuit comme l'indiquent les flches de la figure 11-a. Puisque ce courant augmente, la
f.e.m. d'auto-induction (E) s'oppose son passage, et tend faire circuler un courant dirig en sens contraire, comme l'indique la
flche dessine ct de la bobine.
En somme, la bobine se comporte son tour comme un deuxime gnrateur qui tend combattre l'action du gnrateur courant
alternatif alimentant le circuit ; cette bobine, comme elle tend faire circuler un courant dans le sens de la flche dessine ct
d'elle, offre ses extrmits les polarits indiques par la figure 11-a. Mais puisque la bobine est directement relie au gnrateur,
elle a les mmes polarits que lui, comme on le voit sur cette mme figure.
Dans l'intervalle de temps compris entre les instants t = 0,05 seconde et t = 0,1 seconde, le courant est encore positif mais il
diminue en passant de la valeur maximale la valeur nulle ; comme il est encore positif, le courant continue sortir du ple du
gnrateur dsign par A et circuler dans le circuit comme l'indiquent les flches de la figure 11-b. Puisque le courant diminue
maintenant, la f.e.m. E, pour s'opposer cette diminution, tend faire circuler un courant dirig dans le mme sens, comme
l'indique la flche dessine ct de la bobine.
Puisque le sens dans lequel la f.e.m. (E) tend faire circuler un courant est oppos celui de la figure 11-a, les polarits aux
extrmits de la bobine dessines sur la figure 11-b sont aussi inverses par rapport celles de la figure 11-a ; par consquent, les
polarits du gnrateur sont aussi inverses du moment qu'elles doivent toujours tre comme celles de la bobine.

110

Aprs 0,1 seconde, le courant est de nouveau nul et intervertit son sens de circulation ; donc, dans l'intervalle de temps compris
entre les instants t = 0,1 seconde et t = 0,15 seconde, le courant circule dans le sens indiqu par les flches sur la figure 11-d, et il
est ngatif car il entre maintenant dans le gnrateur par le ple dsign par A. Puisque ce courant augmente, en passant de la
valeur nulle la valeur maximale ngative, la f.e.m. (E) s'oppose de nouveau son passage, et elle tend faire circuler un courant
dirig en sens contraire, comme l'indique la flche dessine prs de la bobine.
(Nous reportons le mme schma ci-dessous pour plus de comprhension).

Cette flche est donc dirige en sens contraire de celle dessine prs de la bobine sur la figure 11-a, du fait que le courant a chang
son sens de circulation ; par consquent, les polarits indiques sur la figure 11-d aux extrmits de la bobine et donc du
gnrateur, sont aussi inverses par rapport celles de la figure 11-a.
Aprs avoir atteint la valeur maximale ngative, le courant recommence diminuer jusqu' ce qu'il s'annule, pendant l'intervalle de
temps compris entre les instants t = 0,15 seconde et t = 0,2 seconde durant lequel il circule dans le circuit avec le sens indiqu sur
la figure 11-e.
Puisque le courant diminue de nouveau, la f.e.m. E s'oppose encore cette diminution et tend faire circuler un courant dirig
dans le mme sens, comme l'indique la flche dessine ct de la bobine. Cette flche est dirige en sens contraire de celle
dessine ct de la bobine sur la figure 11-b, toujours du fait que le courant a invers son sens de circulation ; par consquent les
polarits de la figure 11-e, indiques aux extrmits de la bobine et donc du gnrateur, sont aussi inverses par rapport celles de
la figure 11-b.

111

Grce ces remarques, nous avons donc pu tablir quelles sont les polarits aux extrmits du gnrateur ; elles nous permettent de
savoir si la tension fournie par le gnrateur est positive ou ngative : nous nous souvenons en effet que, comme on l'a tabli
prcdemment, nous considrons que cette tension est positive ou ngative selon le signe du ple du gnrateur dsign par A.
Sur la figure 11-a, nous voyons que ce ple est positif et nous pouvons donc en dduire qu'entre 0 seconde et 0,05 seconde la
tension est aussi positive. Au contraire, entre 0,05 seconde et 0,1 seconde, comme entre 0,1s et 0,15s, la tension est ngative, car le
ple A est ngatif, comme on le voit sur la figure 11-b et sur la figure 11-d. La tension est de nouveau positive entre 0,15 seconde
et 0,2 seconde car sur la figure 11-e, on voit que le ple A est de nouveau positif.
Maintenant pour pouvoir tracer la sinusode qui reprsente la tension, il faut encore savoir quels instants elle s'annule : dans ce
but, nous observons que la tension doit s'annuler lorsque le gnrateur inverse ses polarits.
Sur la figure 12, on voit que cela se produit lorsque le courant cesse d'augmenter et qu'il est prt diminuer, c'est--dire quand il a
atteint sa valeur maximale positive 0,05 seconde et ngative 0,15 seconde.

Par suite, la sinusode qui reprsente la tension doit couper l'axe horizontal ces instants, tandis que, d'aprs ce qui a t dit
prcdemment, elle doit se trouver au-dessus de cet axe entre 0 seconde et 0,05 seconde et au-dessous entre 0,05 seconde et 0,15
seconde, puis de nouveau au-dessus entre 0,15 seconde et 0,2 seconde ; la sinusode a donc la forme de la figure 12 o l'on a
suppos que la tension avait une valeur maximale de 20 volts.
On voit immdiatement que cette sinusode a la mme forme que celle de la figure 7 (ci-dessus) pour le courant qui circule dans un
circuit capacitif, et tout ce qui a t dit propos de ce courant est donc valable maintenant pour la tension.
De mme que dans un circuit capacitif, le courant est dphas en avance d'un quart de priode par rapport la tension, de mme
nous pouvons dire maintenant que dans un circuit inductif, la tension est dphase en avance d'un quart de priode par
rapport au courant.
Nous voyons aussi que, dans un circuit capacitif comme dans un circuit inductif, on a toujours un dphasage d'un quart de priode
entre la tension et le courant, et ces deux grandeurs sont l'une ou l'autre en avance selon le type de circuit.
En adoptant le systme de reprsentation vectorielle, les deux vecteurs qui reprsentent la tension et le courant sont disposs
comme sur la figure 13.

112

Le vecteur reprsentatif du courant est dispos horizontalement de sorte que l'ordonne de son extrmit soit nulle ; le vecteur
reprsentatif de la tension est par contre vertical et l'ordonne de son extrmit est donc gale la valeur maximale Vmax de la
tension sinusodale qui dbute cet instant.
La reprsentation vectorielle met bien en vidence que dans ce cas, comme dans celui du condensateur, il y a un dphasage de 90
entre les deux grandeurs sinusodales. Cependant prsent, la tension est en avance sur le courant : en effet, si l'on observe les
vecteurs de la figure 13 et que ceux-ci tournent en sens antihoraire, on remarque que le vecteur Vmax prcde de 90 le vecteur
Imax.
Maintenant, il ne nous reste plus qu' voir la faon dont sont lis entre eux le courant et la tension relatifs un circuit inductif ;
nous nous souvenons que la bobine s'oppose la circulation du courant alternatif, en ragissant ses variations : on appelle donc
ractance inductive l'obstacle oppos par l'inductance au courant alternatif et on l'indique par le symbole Xl..
Comme la rsistance et la ractance capacitive, la ractance inductive se mesure en ohms.
On comprend donc pourquoi, d'une faon analogue ce que nous avons dj vu pour le circuit capacitif, il est possible d'appliquer
la loi d'OHM au circuit inductif, pourvu que l'on considre la ractance inductive prsente par le circuit, et que l'on utilise les
valeurs efficaces de la tension et du courant.
Nous avons dj vu pour le circuit capacitif que sa ractance doit tre calcule d'aprs les lments dont elle dpend ; nous allons
donc chercher, pour le cas du circuit inductif, de quels lments dpend sa ractance, de faon pouvoir la calculer.
A ce propos, nous nous souvenons que la ractance prsente par une bobine est due la f.e.m. d'auto-induction produite par la
bobine mme et tendant gner les variations du courant : la ractance dpendra donc des lments dont dpend la f.e.m. d'autoinduction.
Dans une des leons prcdentes, nous avons dj vu que cette f.e.m. dpend du produit de l'inductance de la bobine par la rapidit
avec laquelle varie le courant qui la parcourt ; d'autre part, comme nous l'avons dj vu dans le cas du circuit capacitif, la rapidit
avec laquelle varie une grandeur alternative est indique par la pulsation
qui est donne par le produit
= 2 x n x F.
Nous pouvons donc conclure que la ractance inductive s'obtient en multipliant le nombre 2 x n par la frquence F et par
l'inductance L :

De cette relation, on peut voir que si la frquence F diminue, la ractance Xl diminue et dans le cas de grandeurs continues
(frquence nulle) la ractance s'annule compltement ; il se produit un phnomne contraire celui qui a t observ pour la
ractance capacitive.
La loi d'OHM peut tre tendue un circuit inductif en remplaant R par Xl, ce qui donne :
V = Xl x I
o V et I sont les valeurs efficaces des deux grandeurs sinusodales.
A titre d'exemple, calculons la chute de tension aux bornes d'une bobine ayant une inductance L = 4 H, traverse par un courant
efficace de 0,1 A de frquence F = 100 Hz.
Tout d'abord calculons la ractance inductive Xl :
Xl = 2 x n x F x L = 2 x 3,14 x 100 x 4 = 2 512 ohms
d'o :
V = Xl x I = 2 512 x 0,1 = 251,2 Veff
Dans la prochaine leon, nous examinerons le comportement des inductances pourvues d'un noyau magntique.

113

SEMI-CONDUCTEURS 4
1re Partie
Dans cette thorie, nous allons examiner un composant trs utilis en lectronique : le transistor.
Les principaux procds de fabrication des transistors seront exposs ainsi que les montages fondamentaux.
1. - LE TRANSISTOR A JONCTIONS
C'est un dispositif form de trois zones de semi-conducteur disposes les unes ct des autres de telle sorte que deux zones
conscutives soient de type diffrent.
Avec ce systme, on comprend facilement que l'on ne peut obtenir que deux types du dispositif ci-dessus : soit on insre une zone
de semi-conducteur P entre deux zones de semi-conducteur N comme illustr figure 1-a, soit au contraire on intercale une zone N
entre deux zones P (figure 1-b).

Les dispositifs en question sont ensuite complts par trois plaquettes mtalliques places respectivement sur les extrmits des
zones latrales et sur le ct de la zone centrale. Elles sont dsignes par les lettres E, B, C.
Pour distinguer les deux types, le dispositif de la figure 1-a est appel transistor NPN et celui de la figure 1-b transistor PNP.
Par contre dans les deux cas, la zone centrale est appele base (d'o le symbole B donn la plaquette et la liaison
correspondante) tandis que les zones latrales sont appeles respectivement metteur et collecteur (d'o les symboles E et C
donns aux plaquettes et liaisons correspondantes).
Les caractristiques des deux types de transistors sont semblables, c'est--dire qu'ils fonctionnent de la mme faon. Toutefois, ils
ncessitent des tensions de polarit contraire : le transistor NPN fonctionne avec des tensions positives tandis que le transistor PNP
fonctionne avec des tensions ngatives.
(Nous reportons le mme schma ci-dessus afin de mieux faciliter la lecture savoir figure 1).

En observant la figure 1, on remarque que les trois zones forment deux jonctions distinctes ; dans le transistor NPN, l'metteur et la
base forment une jonction NP tandis que la base et le collecteur forment une jonction PN.
Dans le cas du transistor PNP par contre, l'metteur et la base forment une jonction PN tandis que la base et le collecteur
constituent une jonction NP.
Lorsque l'on applique aucune tension sur les lectrodes du transistor, c'est--dire lorsque ses deux jonctions ne sont pas polarises,
il s'y manifeste les mmes phnomnes que l'on avait dans la jonction PN. (Voir semi-conducteurs 3).
Chaque jonction est le sige d'une barrire de potentiel o la zone N est rendue plus positive que la zone P. La barrire de potentiel
a une valeur telle qu'elle permet le passage d'un flux de porteurs majoritaires gal au flux des porteurs minoritaires. Ainsi le flux
total des porteurs traversant chaque jonction est nul.
Pour le fonctionnement normal d'un transistor, qu'il soit du type PNP ou NPN, la jonction metteur-base doit tre polarise en
direct tandis que la jonction collecteur-base doit tre polarise en inverse. La polarisation des jonctions peut s'obtenir au moyen
d'une pile raccorde de manire adquate.

114

Pour polariser directement la jonction metteur-base, la pile est raccorde comme le montre la figure 2-a dans le cas d'un transistor
PNP, ou bien de la manire indique figure 2-b dans le cas d'un transistor NPN.

Dans les circuits ainsi constitus, de faon analogue ce qui se passe dans une diode, il circule un courant direct appel courant
d'metteur et dsign par IE.
Pour polariser en inverse la jonction collecteur-base, la pile est raccorde comme le montre la figure 3-a dans le cas d'un transistor
PNP, ou bien de la manire indique figure 3-b dans le cas d'un transistor NPN.
Dans ces nouveaux circuits, on observe aussi ce qui se produit dans une diode, c'est--dire que l'on constate la circulation d'un
courant inverse appel courant rsiduel et dsign par ICBO.

Ce symbole (ICB0) indique qu'il s'agit du courant traversant la jonction collecteur-base lorsque la jonction metteur-base n'est pas
polarise (IE = 0).
Le courant rsiduel ICB0, tant d aux porteurs minoritaires, a une intensit trs faible. Celle-ci, qui ne dpend pratiquement pas
de la tension applique la jonction collecteur-base, est par contre largement tributaire de la temprature laquelle se trouve le
transistor et de ses caractristiques.
De ce que nous venons de dire, il rsulte que chaque jonction d'un transistor se comporte comme une diode. Cela n'est vrai que si
les deux jonctions sont polarises sparment. Si par contre, elles sont polarises simultanment comme indiqu figure 4, le
comportement du transistor est diffrent.

Dans ce cas, en effet, les courants IE et ICB0 ne continuent plus circuler indpendamment l'un de l'autre comme indiqu figure 2
et 3.
Lorsque les deux jonctions sont polarises comme illustr figure 4, le courant ICB0 qui en rsulte augmente pour atteindre une
valeur quasiment gale celle du courant IE : ce nouveau courant est appel courant de collecteur et est dsign par IC. On voit
donc que dans un transistor, le courant d'metteur peut influencer le courant de collecteur.

115

Ainsi, lorsque le courant d'metteur est nul comme dans le cas de la figure 3, le courant de collecteur a une intensit trs faible
(c'est le courant rsiduel ICB0). Lorsque, par contre, le courant d'metteur n'est plus nul comme dans le cas de la figure 4, le
courant de collecteur augmente d'une valeur quasiment gale celle du courant d'metteur. Pour l'expliquer, il faut considrer
l'intrieur du transistor.
Examinons tout d'abord le transistor PNP de la figure 4-a en nous intressant la jonction metteur-base.
Puisque cette jonction est polarise en direct, les deux flux des porteurs majoritaires qui la traversent sont beaucoup plus intense
que les deux flux des porteurs minoritaires. Ceux-ci seront donc ngligs. Il y aura donc un flux de trous circulant de l'metteur
vers la base et un flux d'lectrons circulant de la base vers l'metteur. Les lectrons parvenus sur l'metteur se recombinant leur
tour avec les trous prsents tandis qu'autant d'lectrons sont fournis la base par la pile relie entre cette base et l'metteur.
Simultanment, la mme pile attire un nombre gal d'lectrons de l'metteur dans lequel il se forme de nouveaux trous remplaant
ceux qui ont disparu cause des recombinaisons avec les lectrons provenant de la base. Par contre, le flux de trous circulant de
l'metteur vers la base se comporte d'une manire tout fait diffrente. En effet, il faut savoir que les trous parvenus dans la base
deviennent des porteurs minoritaires puisque cette base est de type N.
D'autre part, la jonction collecteur-base tant polarise en inverse, cette polarisation arrte le flux des porteurs majoritaires tandis
qu'elle favorise le passage travers la jonction du flux des porteurs minoritaires. Par consquent, les trous provenant de l'metteur
et qui sont parvenus sur la base se trouvent forcs de traverser galement la jonction collecteur-base. Ces trous, porteurs
minoritaires, rejoignent ainsi le collecteur.
Il s'ajoute donc, au faible courant rsiduel des porteurs minoritaires traversant la jonction collecteur-base polarise en inverse, le
courant bien plus intense d aux trous provenant de l'metteur.
Prcdemment, nous avons dit que le courant de collecteur augmente d'une valeur presque gale celle du courant d'metteur. En
effet, tous les trous provenant de l'metteur n'atteignent pas le collecteur car une petite partie d'entre eux se recombinants avec les
lectrons prsents dans la base. Cela contribue ainsi former le courant de base dsign par IB comme reprsent figure 4-a.
(Nous reportons le mme schma ci-dessus afin de mieux faciliter la lecture, savoir figure 4).

Pour rendre le courant de collecteur le plus gal possible au courant d'metteur, il faut chercher rduire au minimum le nombre de
trous se recombinant avec les lectrons prsents dans la base.
Dans ce but, les transistors sont raliss avec une base trs mince de manire rduire le parcours que les trous y accomplissent
pour atteindre le collecteur.
La possibilit que ces trous ont de rencontrer les lectrons prsents dans la base et de se recombiner avec eux devient donc plus
faible.
Pour cette raison, dans les figures considres jusqu' prsent, la zone constituant la base est reprsente plus troite que les deux
autres formant l'metteur et le collecteur. Un autre moyen pour rduire cette possibilit de rencontre consiste raliser cette base
avec un semi-conducteur peu dop. Ainsi, le nombre d'lectrons libres prsents dans la base se trouve rduit.
L'metteur est appel ainsi parce qu'il met les trous qui, aprs avoir travers la base, arrivent au collecteur. Sa dnomination
provient du fait qu'il collecte la majeure partie des trous mis par l'metteur.
Ce qui a t dit est valable pour le transistor PNP. On peut dire la mme chose pour le transistor NPN de la figure 4-b en tenant
compte que dans celui-ci l'metteur est constitu d'un semi-conducteur de type N. Il met donc des lectrons qui sont, pour une
grande partie, recueillis par le collecteur aprs avoir travers la base.

116

Puisque les lectrons ont une charge de signe contraire celle des trous, les deux piles avec lesquelles on polarise le transistor NPN
sont raccordes avec les polarits inverses de celles adoptes pour le transistor PNP. En consquence, les courants d'metteur, de
base et de collecteur sont orients en sens contraire comme indiqu figure 4-b.
Maintenant, nous allons prciser la composition des courants de collecteur et de base en nous rfrant un transistor PNP.
Comme nous l'avons dit, le courant de collecteur IC est form du courant rsiduel ICB0 et en grande partie du courant d'metteur
IE.
Le courant IC, tant un peu infrieur au courant IE, est exprim au moyen du produit du courant IE par un facteur lgrement
infrieur 1 appel coefficient d'amplification en courant et qui est dsign par la lettre grecque (alpha). La valeur du coefficient
dpend des caractristiques de fabrication du transistor ; elle est gnralement comprise entre 0,920 et 0,998. Donc, la partie du
courant d'metteur qui parvient au collecteur d'un transistor peut tre calcule par le produit x IE.
Exemple : si le coefficient a une valeur de 0,98 et que le courant d'metteur IE est de 5 mA, le produit ci-dessus devient
= 0,98 x 5 mA = 4,9 mA ; cela signifie qu'un courant de 4,9 mA parvient au collecteur.

x IE

En ajoutant ce courant le courant rsiduel ICB0, on obtient le courant de collecteur IC ; l'expression de ce dernier est donc IC =
x IE + ICB0.
Comme on peut le voir figure 5-a, le courant IC en sortie du collecteur traverse la pile B2 et atteint le point A o il se partage en
deux. Une partie, constituant le courant ICB0, retourne la base tandis que l'autre partie ( x IE) se dirige vers la pile B1.

Au point A, le courant IE s'ajoute au courant indiqu figure 5-a par IE - x IE. Comme on le voit sur cette figure, ce courant
provient de la base et il est d une partie du courant IE qui n'atteint pas le collecteur cause de la recombinaisons des trous et des
lectrons dans la base. Ce courant, dsign par IE - x IE, est prcisment gal la diffrence entre le courant d'metteur IE et
une partie de ce courant (c'est--dire x IE) qui atteint le collecteur.
Sur la figure 5-a, on peut donc voir que le courant de base, c'est--dire le courant qui circule dans la liaison reliant le point A la
base du transistor, est form de deux courants : le courant ICB0 qui entre dans la base et le courant qui en sort : IE - IE. Puisque
gnralement ce dernier a une valeur plus grande que le courant ICB0, le courant de base IB est dirig dans le sens indiqu figure
4-a, c'est--dire sortant de la base, donc de mme sens que le courant IE - IE.
Ce qui a t vu ci-dessus pour le transistor PNP est galement valable pour le transistor NPN condition d'inverser le sens de tous
les courants. Comme on le voit figure 5-b, cela est d l'inversion de polarit des deux piles.
De ce qui a t dit jusqu'ici, il n'est pas encore possible de dduire quelle peut tre l'utilit pratique du transistor ; pour l'instant,
nous avons constat que le courant IC peut tre command au moyen du courant d'metteur IE. Cependant, nous avons vu que ce
dernier est plus grand que le premier et donc, de ce point de vue, nous ne trouvons aucun avantage.
Mais il ne faut pas raisonner seulement en courant ; il faut aussi tenir compte des tensions mises en jeu. En effet, il faut se rappeler
que la jonction metteur-base est polarise en direct tandis que la jonction collecteur-base est polarise en inverse.

117

Il s'ensuit que, pour faire traverser la jonction metteur-base par le courant d'metteur IE, il suffit d'appliquer une tension rduite :
en consquence, la puissance mise en jeu dans le circuit d'metteur est plutt faible. Par contre, puisque la jonction collecteur-base
doit tre polarise en inverse, on peut lui appliquer une tension plus grande que celle applique l'autre jonction.
Le courant de collecteur IC tant de trs peu infrieur celui de l'metteur IE, la puissance mise en jeu dans le circuit de collecteur
est donc suprieure celle au circuit d'metteur.
On peut donc dire qu'un transistor se comporte comme un amplificateur car en fournissant son circuit d'entre une faible
puissance, il est en mesure de fournir dans son circuit de sortie une puissance qui peut tre cent fois suprieure. Cela est d au fait
que le transistor a la proprit de faire circuler dans le circuit de sortie grande tension le mme courant (ou quasiment) que celui
qui circule dans le circuit d'entre basse tension. En effet, si la tension collecteur-base tait infrieure ou gale la tension
metteur-base, la puissance du circuit de sortie serait infrieure celle fournie au circuit d'entre et on ne pourrait donc avoir
d'amplification de puissance.
La condition ncessaire pour qu'un transistor amplifie est donc que le circuit de collecteur fonctionne une tension beaucoup plus
leve que celle laquelle fonctionne le circuit metteur. Donc, si l'on applique l'entre d'un transistor un signal de faible
puissance, on peut prlever sur son circuit de sortie le mme signal, celui-ci ayant toutefois une puissance bien plus grande.
On peut prendre comme analogie mcanique le frein assist air comprim d'un autocar ; le conducteur ne serait pas en mesure
d'exercer une force suffisante pour bloquer les roues, aussi se limite-t-il commander l'aide de son pied une valve pneumatique
rglant l'afflux d'air comprim. Celui-ci est capable par contre, d'exercer sur les freins la force ncessaire l'arrt du vhicule.
Le transistor se comporte comme une valve. En effet, l'aide d'une petite puissance (fournie au circuit d'metteur), on peut
contrler une puissance dans le circuit de collecteur beaucoup plus grande.
On peut aussi noter que le circuit d'metteur prsente une faible rsistance (il se comporte en effet comme une diode polarise en
direct) tandis que le circuit de collecteur prsente une rsistance beaucoup plus grande.
De ce point de vue, le transistor est un dispositif capable de transfrer un certain courant du circuit d'entre basse rsistance au
circuit de sortie grande rsistance. Cette proprit a t indique par les Amricains sous forme condense par les mots transfert
et resistor qui ont ensuite donn naissance au terme transistor.
Sur les figures examines jusqu' prsent, l'metteur et le collecteur ont toujours t reprsents comme des zones gales disposes
de part et d'autre de la zone de la base. De plus, on a toujours considr comme metteur la zone de gauche et comme collecteur la
zone de droite. Puisque ces deux zones sont gales et disposes symtriquement par rapport la base, on pourrait penser que l'on
peut utiliser comme metteur la zone de droite et comme collecteur celle de gauche. En d'autres termes, on pourrait croire que
l'metteur et le collecteur d'un transistor sont interchangeables, c'est--dire que l'metteur peut assurer la fonction du collecteur et
vice versa.
En fait, l'metteur et le collecteur sont raliss de manire diffrente bien qu'ils soient des semi-conducteurs de mme type.
Ainsi, pour que le coefficient d'amplification soit le plus proche possible de 1, on effectue des dopages notablement diffrents
pour le semi-conducteur qui devra fonctionner en metteur et pour celui qui devra assurer la fonction de collecteur.
L'metteur sera le semi-conducteur le plus fortement dop ; en outre, pour faciliter la dissipation de chaleur se dveloppant
l'intrieur du transistor, la jonction collecteur-base est ralise avec une section plus grande que celle de la jonction metteur-base.
Nous allons passer en revue quelques procds utiliss pour la fabrication des transistors.
Les premiers transistors ont t construits selon le mme principe que celui utilis pour les diodes pointe ; par la suite, partir de
1950, on eut recours d'autres mthodes qui peuvent se rduire trois : le procd par alliage, le procd par diffusion et le
procd planar.
2. - TRANSISTORS A JONCTIONS PAR ALLIAGE
La technique de la jonction par alliage consiste essentiellement mettre une pastille de semi-conducteur en contact avec une
certaine quantit de matriau d'impuret et chauffer ce matriau une temprature suprieure son point de fusion. Il se forme
ainsi un alliage constitu par le matriau d'impuret et la partie superficielle du semi-conducteur.
Aprs refroidissement de l'alliage et de la pastille, une certaine quantit d'atomes d'impurets forme dans le rseau cristallin du
semi-conducteur une zone de type N ou de type P nettement distincte du reste de la pastille. Si la pastille est de type N, on utilise
des matriaux d'impuret permettant, aprs refroidissement, d'obtenir une zone P. Inversement, si la pastille est de type P, on utilise
des matriaux d'impuret aptes dterminer la formation d'une zone N.
La jonction entre la zone qui s'est forme et le reste de la pastille constitue une jonction PN.

118

Pour obtenir un transistor, il convient de former dans une mme pastille deux jonctions PN ; donc, le mme traitement est effectu
simultanment sur les deux faces opposes de la mme pastille de faon crer les deux jonctions requises.
La figure 6 reprsente les coupes de deux transistors alliage ; il s'agit de transistors PNP au germanium utiliss autrefois dans les
rcepteurs radio modulation d'amplitude et dans les amplificateurs basses frquences.

Le transistor de la figure 6-a, a t fabriqu pour fonctionner comme amplificateur de tension dans les tages pramplificateurs de
basses frquences, dans les tages oscillateurs et convertisseurs pour ondes moyennes, ou dans les amplificateurs de frquence
intermdiaire ; la mme structure a t adopte pour la fabrication de certains types de transistors utiliss dans les tages finaux
d'amplificateurs de puissance infrieure 1 Watt.
Le transistor de la figure 6-b a t, par contre, ralis pour fonctionner comme amplificateur final de basses frquences pour des
puissances gales ou suprieures 1 Watt.
Les deux structures ont t obtenues avec le mme procd par alliage dans des pastilles de monocristaux de germanium N.
Ces pastilles constituent l'lectrode de base ; les zones P, disposes de part et d'autre sur les faces opposes de la pastille, forment
les lectrodes d'metteur et de collecteur. Chaque pastille est soude une bande mtallique perce ; l'lectrode d'metteur se
trouve au centre du trou pour que l'metteur ne soit pas en contact avec la bande.
Dans la structure de la figure 6-b, les lectrodes ont des dimensions suprieures celles de la figure 6-a ; cela a t fait pour
qu'elles puissent tre parcourues par des courants plus intenses sans qu'il y ait un chauffement excessif. Entre outre, toujours dans
la structure de la figure 6-b, l'lectrode de collecteur apparat monte sur un support mtallique assez large ; cette disposition a t
adopte pour augmenter la puissance dissipe par le transistor durant son fonctionnement.
A la figure 7, on peut voir comment sont disposs les transistors (ceux du type de la figure 6-a) dans leur enveloppe de verre.

119

La surface externe de l'enveloppe et la partie infrieure de l'embase sont en gnral recouvertes de peinture noire qui a pour but
d'empcher que la lumire puisse avoir une influence sur le fonctionnement du transistor.
L'intrieur du botier est rempli de graisse au silicone qui sert empcher toute altration superficielle du semi-conducteur et
amortir d'ventuelles vibrations mcaniques.
S'il s'agit d'un transistor de puissance, on recouvre l'enveloppe d'un cylindre mtallique qui, non seulement protge le transistor de
la lumire, mais sert galement amliorer la dissipation thermique.
La figure 8 montre un transistor de puissance du type prsent figure 6-b.

L'ensemble de l'embase et du capot forment un botier mtallique qui prsente une bonne capacit de dissipation de la chaleur
engendre par le transistor. Pour amliorer la dissipation thermique, on soude directement l'lectrode de collecteur, qui est la plus
sujette l'chauffement, l'embase.
De cette faon, elle peut servir de radiateur et remplace la borne du collecteur (C) qui est donc apparemment absente. Le transistor
ainsi conditionn possde une structure robuste, compacte et donc particulirement rsistante aux diffrentes contraintes
thermiques et mcaniques.
Avec la technique des jonctions par alliage, il a t possible de fabriquer des transistors PNP fonctionnant jusqu' 15 MHz et des
transistors NPN fonctionnant jusqu' 30 MHz.
En gnral, la rponse d'un transistor aux hautes frquences dpend du temps de transit des charges lectriques constituant le
courant dans la base, c'est--dire le temps que mettent les lectrons pour traverser la zone P du transistor NPN ou les trous pour
traverser la zone N du transistor PNP. En rduisant ce temps de transit, on amliore la rponse en frquence du transistor.
La rduction du temps de transit dans la base peut tre obtenue de deux manires : on diminue l'paisseur de la base et par
consquent le parcours des charges, ou bien on augmente la vitesse mme de ces charges.
L'paisseur de base minimale que l'on obtient par la mthode des jonctions par alliage est de l'ordre du micron (10-6 mtre) ; mais
mme avec ces dimensions extrmement rduites, il n'est pas possible d'atteindre des temps de transit suffisamment brefs pour
avoir des transistors alliage fonctionnant des frquences suprieures 30 MHz.
Pour amliorer encore la rponse en frquence du transistor alliage, on a recours des astuces technologiques qui permettent
d'acclrer les charges dans l'lectrode de base.
L'acclration des charges est obtenue en graduant progressivement la concentration des atomes d'impurets le long de l'paisseur
de la pastille destine la fabrication du transistor alliage. Ainsi, dans la base qui conserve la structure d'origine de la pastille, il y
a un dgrad de la concentration des atomes d'impurets allant de l'metteur au collecteur : ce dgrad est appel gradient
d'impurets.

120

Sur la figure 9, on peut observer schmatiquement le dgrad d'impurets dans la base d'un transistor ; en effet, les atomes
d'impurets sont plus nombreux du ct de l'metteur et leur nombre diminue en se rapprochant du collecteur.

Rappelons que la base d'un transistor NPN, tel que celui reprsent figure 4-b ci-dessus, est constitue par un semi-conducteur de
type P, c'est--dire par un semi-conducteur dans lequel les atomes d'impurets ont acquis un lectron. Ces atomes sont donc des
charges fixes ngatives.
La plus grande densit des atomes d'impurets du ct de l'metteur par rapport au ct du collecteur provoque une concentration
plus grande de charges ngatives du ct de l'metteur que celui du collecteur. Ainsi, une certaine diffrence de potentiel VG existe
entre les extrmits de la base.
Cette diffrence de potentiel, due au dgrad d'impurets, est oriente de telle sorte qu'elle exerce une force sur les charges
mobiles, c'est--dire les lectrons traversant la base. On obtient ainsi une acclration plus grande de ces charges et par consquent,
une rduction de leur temps de transit.
Ce phnomne est appel couramment effet drift (drift est un terme anglais signifiant pousse, drive).
Diffrents types de transistors alliage pour hautes frquences ont t fabriqus sur la base de l'effet drift. Ils ont t utiliss dans
les tages hautes frquences et frquences intermdiaires des rcepteurs radio AM - FM et des tlviseurs et bien d'autres...
SEMI-CONDUCTEURS 4
2me PARTIE
3. - TRANSISTORS A JONCTIONS PAR DIFFUSION
La technique de la jonction par diffusion consiste essentiellement en une exposition des vapeurs et en un chauffement modr
du semi-conducteur destin la fabrication de ces transistors.
En choisissant convenablement la temprature du semi-conducteur et en utilisant des matriaux l'tat de vapeur, on obtient qu'un
certain nombre d'atomes diffusent dans le rseau cristallin du semi-conducteur et forment une zone de type N ou de type P
nettement distincte du reste du semi-conducteur d'origine.
Si, initialement le semi-conducteur est de type P, il faut utiliser l'tat de vapeur des matriaux le rendant de type N et vice versa.
Avec cette mthode, il est possible d'obtenir des bases trs minces et de rgler leur paisseur avec une remarquable prcision en
rglant la temprature et la dure du procd de diffusion. De plus, dans les bases ainsi formes, il y a toujours un dgrad de
concentration des impurets qui provoque ainsi l'effet drift.
En rduisant l'paisseur de la base et en exploitant simultanment l'effet drift, on obtient des transistors pour hautes et trs hautes
frquences que l'on utilise dans les rcepteurs modulation de frquence et dans les tlviseurs la place des transistors alliage
bass sur l'effet drift. La mthode de la diffusion n'a cependant pas compltement remplac le procd par alliage. Mme
actuellement, certains types de transistors pour hautes frquences sont obtenus par un procd qui combine les mthodes par alliage
et par diffusion.

121

Sur la figure 10, on peut voir la constitution interne d'un transistor fabriqu avec la technique mixte de diffusion et alliage.

Ces transistors sont parfois dsigns par le sigle amricain MADT form des initiales des mots Micro-Alloy Diffused-base
Transistor (transistor micro-alliage avec base obtenue par diffusion).
Voyons brivement les phases principales de la fabrication de ces transistors.
Au dpart, on dispose de tranches obtenues partir d'un monocristal de germanium P. Elles sont exposes des vapeurs
d'impurets de manire former une couche N assez profonde. Puis chaque tranche est divise en un certain nombre de pastilles et
sur chacune d'elles on place deux doses de matriau d'impuret.
Une dose est constitue de matriau qui, en pntrant dans la couche N obtenue prcdemment, la rend partiellement de type P ;
l'autre dose doit tre constitue de matriau qui laisse inchanges les caractristiques fondamentales du semi-conducteur N.
En chauffant les matriaux d'impuret leur temprature de fusion, il se forme sur la couche N deux processus d'alliage : l'un
relatif au premier type de matriau par lequel on obtient la formation d'une couche P sur la couche N de diffusion ; l'autre relatif au
second type de matriau par lequel on obtient un simple contact lectrique pour la liaison extrieure de cette couche N.
Les processus d'alliage tant termins, on dcoupe chaque pastille et on enlve le bord suprieur. On obtient la forme illustre
figure 10-a (voir le schma ci-dessus).
Le botier du transistor (figure 10-b) est rempli de graisse au silicone qui, comme nous l'avons dit prcdemment, sert protger le
dispositif des agents chimiques et des contraintes mcaniques.
Dans d'autres types de transistor, le procd par alliage a t abandonn et le procd de diffusion est rpt pour la formation de la
dernire lectrode, c'est--dire celle de l'metteur. Avec cette mthode, on a obtenu les structures fondamentales illustres figure
11.

La section d'un transistor double diffusion du type mesa est reporte figure 11-a. Le nom de ce transistor vient du terme espagnol
mesa qui signifie plaine ou plateau et qui est utilis couramment en Amrique pour dsigner des hauteurs typiques du dsert de
Californie et autres rgions. Ces hauteurs sont formes de parois plus ou moins pic se terminant au sommet par une surface plane
assez tendue. Le profil du transistor mesa les rappelle un peu, d'o son nom.
La structure reporte figure 11-b rappelle elle aussi le profil du mesa mais diffre de la prcdente par le semi-conducteur utilis
(silicium au lieu de germanium), par la succession des couches (NPN au lieu de PNP) et surtout par le partage du collecteur en
deux zones superposes (zone haute rsistivit et zone basse rsistivit).

122

En gnral, le collecteur est constitu par une seule zone ayant une rsistivit assez leve et uniforme ; donc lorsque le courant de
collecteur est proche ou gal la valeur maximale, il y a une chute de tension et une dissipation de puissance lectrique notables.
Mais cet inconvnient peut tre attnu en rduisant la rsistance du collecteur, c'est--dire en formant le collecteur avec une
couche principale basse rsistivit en la compltant avec une couche haute rsistivit dans la zone de contact avec la base
(couche pitaxiale).
La couche pit axiale s'obtient en dposant sur une pastille de semi-conducteur basse rsistivit un autre semi-conducteur du
mme type mais beaucoup plus pur. Le dpt doit se former trs lentement et dans des conditions de temprature telles qu'elles
permettent une croissance normale du cristal sur le rticule de la pastille.
Par la mthode de la double diffusion, la base et l'metteur sont forms en laissant libre une couche fine formant le collecteur
conjointement avec la zone basse rsistivit.
Avec la technique pit axiale dcrite, on fabrique des transistors qui sont utiliss dans les circuits multivibrateurs des
ordinateurs et dans d'autres circuits o le transistor doit fonctionner avec le maximum de courant de collecteur.
Examinons brivement, prsent, une dernire mthode de fabrication des transistors avec le procd de double diffusion, c'est-dire la mthode appele couramment technique planar.
Cette technique est un procd plus rcent adopt pour la prparation des transistors et elle prvoit uniquement l'emploi du
silicium.
Comme son nom l'indique, le transistor planar est constitu d'une surface relativement plane obtenue en diffusant les rgions de
base et d'metteur l'intrieur d'une pastille de silicium qui sert de collecteur.
Pour la prparation d'un transistor planar au silicium, on oxyde superficiellement une pastille de silicium que nous supposons de
type N (figure 12-a).

La couche d'oxyde de silicium constitue la clef du procd planar. En effet, ce revtement sert protger le matriau contre
l'humidit et la poussire, lesquelles pourraient causer une instabilit des jonctions et par consquent provoquer des anomalies de
fonctionnement des transistors. Cette couche empche galement la diffusion d'impurets dans le matriau pendant le procd de
fabrication.
Sur une face de la pastille, on enlve par attaque chimique une partie de l'oxyde de silicium de manire dcouvrir le semiconducteur d'origine (figure 12-b).
A travers la fentre ainsi pratique dans le revtement d'oxyde, on laisse diffuser une certaine quantit de bore dans le monocristal
de silicium de conductibilit N.
Le bore est un lment trivalent et l'on obtient ainsi la base de conductibilit P. Puis la surface est de nouveau oxyde, refermant
ainsi la fentre (figure 12-c).
Avec le mme procd, on pratique ensuite une nouvelle fentre plus petite que la prcdente (figure 12-d) et travers celle-ci, on
laisse diffuser du phosphore ; on ralise ainsi l'metteur de conductibilit N. Enfin, la surface est de nouveau oxyde.
Au terme de ces oprations, on obtient trois zones superposes : l'une est constitue par le semi-conducteur d'origine (silicium N),
une autre est forme par la premire diffusion (silicium P) et une autre est cre par la deuxime diffusion (silicium N).

123

Avec la mme mthode, on pratique ensuite sur la couche d'oxyde deux fentres (plus petites que les prcdentes) pour la liaisons
des lectrodes de base et d'metteur.
Ainsi se termine le cycle de fabrication du transistor planar dont la structure fondamentale est illustre figure 13.

Pour la prparation d'un transistor au silicium, on peut aussi utiliser une pastille de silicium avec une couche intermdiaire pit
axiale comme pour les transistors mesa. Le procd de fabrication est semblable celui adopt pour les transistors planar normaux.
On peut voir la structure d'un transistor planar pitaxial figure 14.

Les transistors planar normaux comme ceux avec couche pitaxiale possdent une excellente rponse aux frquences leves avec
des caractristiques optimales de stabilit thermique, un rendement lev et une grande fiabilit de fonctionnement.
Leurs caractristiques fondamentales sont semblables celles des transistors mesa ; ils ont cependant la possibilit de contrler des
puissances suprieures et ils ont des courants de fuite beaucoup plus faibles.
Avec la technique planar, il est possible d'obtenir simultanment un nombre lev de transistors (deux mille et plus selon le
diamtre de la tranche de silicium de dpart).
L'aspect que prsentent les transistors est trs vari, tant pour les formes du botier que pour les dimensions.
Les types de transistors les plus communs sont illustrs figure 15 : hautes et ultra-hautes frquences (figure 15-a), basses
frquences et faibles puissances (figure 15-b). Par contre, quelques exemplaires de transistors de grandes puissances utiliss en
basses frquences, avec botier mtallique ou plastique, sont reprsents figure 15-c.

124

4. - MONTAGES FONDAMENTAUX DES TRANSISTORS


En analysant le principe de fonctionnement du transistor mont en base commune, nous avons vu que le courant de collecteur peut
tre command au moyen du courant d'metteur.
Pour que le transistor fonctionne ainsi, on doit polariser sa jonction metteur-base en direct et celle collecteur-base en inverse en
utilisant deux piles distinctes comme indiqu figure 16-a dans le cas du transistor PNP ou bien comme indiqu figure 16-b dans le
cas du transistor NPN.

En observant ces circuits, on s'aperoit que l'lectrode de la base est commune aux circuits de collecteur et d'metteur. En effet, en
considrant le transistor comme un simple dispositif ayant trois bornes, on voit que le courant de collecteur IC (dans le cas du
transistor NPN de la figure 16-b), fourni par la plie B2, parcourt l'lectrode du collecteur, pntre dans le collecteur et doit sortir
par l'lectrode de base pour retourner au ple ngatif de cette pile. De mme, en considrant le circuit d'metteur, on voit comment
le courant d'metteur fourni par la pile B1 pntre dans le transistor par l'lectrode de la base et sort par celle de l'metteur.
L'lectrode de base est donc parcourue par le courant de collecteur IC et celui d'metteur IE ; puisque ces deux courants circulent
en sens contraire dans cette lectrode, le courant effectif de base est donn par leur diffrence et est trs faible (IC tant de peu
infrieur IE).
Cette faon de cbler le transistor est appele montage base commune car l'lectrode de base est commune au circuit d'metteur
comprenant la pile B1 comme au circuit de collecteur comprenant la pile B2.
Habituellement, avec ce type de montage, la base est relie la masse, on dit alors que le transistor est mont avec la base la
masse.
Le transistor peut aussi tre mont d'une faon diffrente comme on le voit figure 17-a dans le cas du type PNP ou bien comme
illustr figure 17-b dans le cas du type NPN.

Dans ce nouveau montage aussi, la jonction metteur-base est polarise en direct au moyen de la pile B1 et la jonction collecteurbase est polarise en inverse au moyen de la pile B2 qui, cette fois, est relie non plus entre le collecteur et la base, mais entre le
collecteur et l'metteur.

125

L'lectrode de l'metteur est donc commune aux circuits de base et de collecteur. Elle est parcourue par le courant de base et par le
courant de collecteur comme indiqu figure 17.
Le courant total dans l'metteur est donn par la somme des deux courants IC et IB ; ceux-ci circulant dans le mme sens, on a
donc IE = IC + IB.
Par analogie avec le circuit prcdent, le montage de la figure 17 est appel montage metteur commun ou bien metteur la
masse puisque dans ce cas l'metteur est commun au circuit d'entre (qui est prsent celui de base au lieu de celui d'metteur) et
au circuit de sortie (qui est encore celui de collecteur).
Le fonctionnement du transistor mont en metteur commun est diffrent de celui du transistor mont en base commune car
prsent le courant de collecteur est command par le courant de base.
Il existe un troisime type de montage du transistor : le montage collecteur commun ou collecteur la masse avec lequel le
circuit d'entre est encore celui de base et le circuit de sortie celui d'metteur.
4. 1. - POLARISATION DU COLLECTEUR
Dans le montage metteur commun, la tension de collecteur est applique entre le collecteur et l'metteur avec des polarits telles
que la jonction collecteur-base est polarise en inverse.
Donc si l'on considre un transistor NPN, le ple positif de la pile est reli au collecteur comme on le voit figure 18.

Dans le circuit, il circule un courant de collecteur qui est appel ICE0 pour indiquer que ce courant est celui circulant entre le
collecteur et l'metteur lorsque le courant de base est nul (en effet, la base n'est pas relie et donc, sur sa borne aucun courant ne
circule).
Ce courant de collecteur est analogue au courant ICB0 que nous avons vu dans le montage base commune. Cependant, ICE0 est
beaucoup plus grand que ICB0. Pour comprendre cela, il faut examiner comment la tension VCE de la pile se rpartit entre les
deux jonctions se trouvant en srie. Imaginons que l'on remplace le transistor par deux diodes jonction (figure 19-a). L'une,
dsigne par DCB, reprsente la jonction collecteur-base et l'autre, dsigne par DBE, reprsente la jonction base-metteur.Ces
diodes, comme on le voit figure 19-a, sont relies en srie et sont disposes en sens contraire.

126

La jonction collecteur-base est parcourue par le courant ICE0 dans le sens NP, tandis que la jonction base-metteur est parcourue
dans le sens PN.
Plus prcisment, la diode DCB est polarise en inverse tandis que la diode DBE est polarise en direct.
La tension VCE se rpartit alors en deux, c'est--dire en une tension VCB aux bornes de la diode DCB et en une tension VBE
aux bornes de la diode DBE.
Pour dterminer l'ordre de grandeur de ces deux tensions, on peut aussi remplacer les deux diodes par leur rsistance interne qui,
dans ce circuit, ont des valeurs trs diffrentes. En effet, la diode DCB tant polarise en inverse, prsente une rsistance inverse Ri
de valeur trs leve, tandis que la diode DBE tant polarise en direct prsente une rsistance directe Rd de valeur trs faible.
Dans le schma quivalent illustr figure 19-b, Ri et Rd se comportent donc comme un pont diviseur.
Les deux rsistances tant parcourues par le mme courant ICE0, la tension aux bornes de chacune d'elles est directement
proportionnelle la valeur de ces rsistances, donc la valeur de la tension VCB est notablement plus grande que celle de la tension
VBE.
Pour prendre un exemple, on peut supposer que Rd soit 200 fois plus petite que Ri. La tension VBE aux bornes de Rd sera alors
200 fois plus petite que la tension VCB aux bornes de Ri. (Nous reportons le mme schma ci-dessus afin de mieux faciliter la
lecture, savoir figure 19).

O
n peut voir ainsi que la tension de la pile n'est pas entirement applique la jonction collecteur-base, mais qu'une petite partie de
cette tension est localise aux bornes de la jonction base-metteur de manire la polariser en direct. Il y a donc de la part de
l'metteur, mission d'une certaine quantit d'lectrons qui diffusent dans la base et qui atteignent en grande partie le collecteur.
Le courant de collecteur ne sera pas alors seulement constitu du courant ICB0, mais aussi du courant d l'mission d'lectrons de
la part de l'metteur.
Pour connatre l'expression de ICE0 en fonction de ICB0, il suffit d'utiliser la formule dj vu dans le montage base commune,
c'est--dire IC = IE + ICB0.
Dans le cas prsent, IC = IE = ICE0. Il en rsulte que :
ICE0 = ICE0 + ICB0
ICE0 (1 - ) = ICB0
soit ICE0 = 1 / (1 - ) x ICB0
Pour avoir une ide du rapport qui existe entre ICE0 et ICB0, supposons que soit gal 0,98 et que ICB0 val 5 A. On obtient
alors ICE0 = 250 A, c'est--dire que ICE0 est 50 fois plus grand que le courant ICB0 obtenu avec le mme transistor mont en
base commune.
La valeur 1 / (1 - ) dpend videmment de la valeur du transistor considr et est d'autant plus grande que est proche de 1.
Les valeurs de ICB0 et de ICE0 reportes prcdemment sont donnes titre indicatif et relatives des transistors au germanium.
Dans le cas de transistors au silicium par contre, le courant ICB0 est gnralement un millier de fois plus petit et le courant ICE0
reste ngligeable bien qu'tant donn par la mme formule.

127

4. 2. - POLARISATION DE LA BASE ET COEFFICIENT D'AMPLIFICATEUR


Dans le montage metteur commun, le courant du circuit d'entre est le courant de base IB et le courant du circuit de sortie est le
courant de collecteur IC.
En augmentant la tension de polarisation VBE de la base, on augmente le courant de base IB et on accrot proportionnellement le
courant de collecteur IC. En d'autres termes, le courant IC est command par le courant IB.
On peut dfinir ainsi comme coefficient d'amplification de courant le rapport entre le courant de collecteur IC (diminu du courant
rsiduel ICE0) et le courant de base IB. Ce coefficient appel bta (deuxime lettre de l'alphabet grec dont le symbole est ) est
donn par la formule :
= IC - ICE0 / IB
En pratique cependant, la valeur de ICE0 est trs faible par rapport IC, donc ngligeable.
La valeur du coefficient peut tre dtermine par le simple rapport entre IC et IB et on peut donc crire :
= IC / IB
Pour avoir une ide de la valeur du coefficient prsente par les transistors, il faut se rappeler que le courant de base IB est donn
par la diffrence entre IE et IC et que le courant d'metteur IE est de peu suprieur au courant de collecteur IC.
On en dduit que le courant de base IB doit avoir une valeur trs petite par rapport IC.
Les valeurs de doivent donc tre trs grandes et non plus infrieure 1, comme c'est le cas pour les coefficients . Exprimons
en fonction de .
Nous savons que :
IC =

IE + ICB0 =

(1 - ) (IC - ICE0) =
soit IC - ICE0 / IB =

IE + (1 - ) ICE0 =

(IB + IC) + (1 - ) ICE0 d'o IC (1 - ) =

IB + (1 - ) ICE0

IB
/ (1 - ) d'o

/ ( - 1)

Cette formule permet donc de calculer le coefficient d'amplification lorsque l'on connat le coefficient d'amplification .
Par exemple pour un transistor qui a un coefficient = 0,98 on aura, avec le montage metteur commun, un coefficient
d'amplification gal :
= 0,98 / (1 - 0,98) = 0,98 / 0,02 = 49
Nous voyons donc que , l'oppos de , est beaucoup plus grand que 1. Cela explique la grande diffrence qui existe entre les
deux types de montages ( savoir, base commune et metteur commun).
Dans le cas du montage metteur commun, il suffit d'un faible courant de base pour provoquer une augmentation notable du
courant de collecteur. En effet, le courant de collecteur, qui en l'absence de polarisation de la base (IB = 0), a la valeur ICE0
(courant rsiduel), augmente d'une valeur gale fois la valeur du courant que l'on fait circuler dans la base.
Le courant de collecteur est donn par la formule IC =

IB + ICE0, soit en ngligeant ICE0 : IC =

IB.

Les valeurs de que l'on rencontre en pratique pour les transistors de faible et moyenne puissance, tels ceux utiliss dans les
rcepteurs de radio, s'chelonnent de 20 600 selon les types.
Il est important de noter que les coefficients d'amplification et sont uniquement relatifs au fonctionnement statique (en courant
continu) des deux circuits considrs (respectivement base commune et metteur commun).
Si l'on applique un signal l'entre des deux circuits, ces deux coefficients d'amplification sont dsigns par un autre symbole et
prennent des valeurs diffrentes.

128

4. 3. - COMPARAISON ENTRE LES DEUX TYPES DE MONTAGES


Nous avons vu que le transistor prsente un plus grand gain en courant dans le cas du montage metteur commun que dans celui du
montage base commune et qu'on obtient un courant de collecteur lev avec un courant de base relativement faible.
Pour fixer les ides, on peut remarquer qu'un transistor pramplificateur de basse frquence mont en metteur commun a un
courant d'entre de base de l'ordre de quelques dizaines de microampres, tandis que pour le mme transistor mont en base
commune, le courant d'entre (d'metteur) est de l'ordre de quelques milliampres.
Considrons maintenant le gain en puissance, celui-ci tant dfini par le rapport de la puissance fournie dans le circuit du collecteur
et celle fournie dans le circuit de la base.
Le gain en puissance est plus grand pour un montage en metteur commun que pour un montage en base commune mais par contre
le courant rsiduel est plus important dans le premier montage.
5. - TRANSISTORS NPN, PNP ET LEURS SYMBOLES GRAPHIQUES
Dans les schmas donns jusqu' prsent, on a toujours reprsent le transistor au moyen de trois rectangles symbolisant les trois
zones de semi-conducteurs dont il est constitu.
Dans les schmas lectriques des appareils transistors, on a l'habitude par contre de reprsenter le transistor par un symbole
graphique indiquant galement, de faon conventionnelle, le type du transistor, c'est--dire s'il est NPN ou PNP.
Parmi les nombreux symboles graphiques utiliss dans le pass, ceux reports figure 20 se sont progressivement gnraliss.

Dans ces symboles, la ligne verticale paisse reprsente les zones de semi-conducteur d'o partent les trois lectrodes.
Sur le ct gauche, la petite ligne horizontale reprsente l'lectrode de base ; sur le ct droit, les deux petites lignes inclines
reprsentent les lectrodes d'metteur et de collecteur.
Pour diffrencier l'metteur du collecteur, sur le premier, on dessine une flche dont le sens a aussi pour rle d'indiquer s'il s'agit
d'un transistor NPN ou d'un transistor PNP.
Le choix du sens de la flche a t fait de manire que cette dernire signale le sens dans lequel circule le courant direct de la
jonction base-metteur.
Donc, en se rappelant qu'une jonction conduit dans le sens PN, il est facile d'tablir que la flche est oriente vers l'extrieur (c'est-dire de la base de type P l'metteur de type N) dans le cas du transistor NPN, tandis que dans le cas du transistor PNP, cette
flche est dirige vers l'intrieur (c'est--dire de l'metteur de type P vers la base de type N).

129

Pour rappeler les polarits des tensions appliquer aux transistors dans les cas des montages base commune et metteur commun
pour le type NPN comme pour le type PNP, les schmas relatifs aux quatre cas possibles ont t runis figure 21.

a) - montage base commune-transistor NPN (figure 21-a) :


Tension de collecteur VCB : positive
Tension d'metteur VEB : ngative
b) - montage base commune-transistor PNP (figure 21-b) :
Tension de collecteur VCB : ngative
Tension d'metteur VEB : positive
c) - montage metteur commun-transistor NPN (figure 21-c) :
Tension de collecteur VCE : positive
Tension de base VBE : positive
d) - montage metteur commun-transistor PNP (figure 21-d) :
Tension de collecteur VCE : ngative
Tension de base VBE : ngative
D'aprs ces schmas, on peut noter que la tension de collecteur est toujours positive dans le cas de transistors NPN et ngative
dans le cas de transistors PNP tandis que la tension de l'lectrode de commande (metteur et base respectivement dans les
deux types de montage) est de polarit contraire celle du collecteur dans le montage base commune et est de mme polarit
que celle du collecteur dans le montage metteur commun.
Dans la prochaine leon, nous examinerons la suite des transistors ainsi la continuit des montages de cette leon mais avec
d'autres composants associs. (Semi-conducteurs 5).
IMPDANCE LECTRIQUE
1re PARTIE
Cette leon traite, dans un premier temps, de l'impdance lectrique d'une bobine inductrice.
Dans un second chapitre, nous allons examiner la puissance lectrique en courant alternatif.
Enfin, la dernire partie est consacre l'analyse des circuits magntiques
1. - IMPDANCE
Nous allons commencer cette nouvelle thorie en examinant les inductances.
Une inductance, ou bobine, est un enroulement constitu de nombreuses spires d'un fil conducteur, gnralement de faible section.
Ces inductances sont des obstacles au passage du courant. Si le courant considr est continu, on dit qu'elles offrent une rsistance
; s'il est alternatif, on parle alors de ractance et, plus prcisment dans le cas des inductances, de ractance inductive.

130

La rsistance est une grandeur que nous connaissons dj. C'est la rsistance ohmique du conducteur. Son symbole est videmment
R et elle s'exprime en ohms.
La ractance, qui n'apparat que lorsque la bobine est parcourue par un courant alternatif, est fonction d'une caractristique propre
de la bobine, appele coefficient de self-induction et symbolis par la lettre L, et de la frquence du courant alternatif. Comme la
rsistance, elle s'exprime en ohms.
Lorsque la valeur de la rsistance est faible par rapport celle de la ractance, on la nglige. Dans ce cas, l'inductance est
reprsente schmatiquement comme le montre la figure 1-a.
Si l'on veut au contraire considrer la valeur de la rsistance R, le schma quivalent de l'inductance est celui reprsent figure 1-b.

Le symbole d'une inductance rsistive permet de considrer l'inductance relle comme tant constitue d'une inductance sans
rsistance ohmique (L) associe en srie avec une rsistance pure (R).
Les bornes relles de l'inductance rsistive sont A et B (figure 1-b). La tension V, applique aux bornes A et B, se rpartit aux
bornes de L et de R qui forment un diviseur de tension. On obtient ainsi aux bornes de chacun de ces lments les tensions VL et
VR.
On pourrait donc penser qu'entre les extrmits A et B de l'inductance, il faut appliquer une tension V dont la valeur efficace est la
somme des valeurs efficaces de VL et de VR.
En fait, il n'en est pas ainsi car les tensions VL et VR n'ont pas la mme phase par rapport au courant comme le montre la figure 2.
Deux priodes (ou cycles) du courant sont reprsentes figure 2-a, la deuxime est reprsente par un trait plus accentu. La
tension VR, ncessaire pour la partie rsistive, est reprsente figure 2-b, durant deux priodes galement.

131

Il apparat que VR est en phase avec le courant I. La tension VL est reprsente figure 2-c.
Le trait gras indique une priode (ou un cycle) complte. Cette tension VL est dphase d'un quart de priode par rapport VR ou
I. Elle dbute un quart de priode avant VR et se termine galement un quart de priode avant VR.
Ainsi, la tension VL apparaissant aux bornes de la bobine (inductance) est dphase en avance d'un quart de priode par
rapport la tension VR.
Par suite de ce dphasage, l'instant o l'une des deux tensions atteint la valeur maximale, l'autre atteint la valeur zro et
inversement ; en effet, en comparant les figures 2-b et 2-c, on s'aperoit, par exemple, qu'au temps 0 seconde correspondent les
tensions VR nulle et VL maximale ; au contraire, au temps de 0,05 seconde correspondent une tension VL nulle et une tension VR
maximale.
Au temps 0 seconde, la tension V applique entre les extrmits A et B de la bobine est gale la valeur maximale de VL puisque
VR est nulle cet instant. Par contre, au temps 0,05 seconde, V est gale la valeur maximale de VR puisque VL est nulle.
La valeur maximale de V n'est donc pas gale la somme des valeurs maximales des tensions VL et VR car ces deux valeurs
maximales sont atteintes des instants diffrents.
Pour calculer la tension V, il faut avoir recours la reprsentation vectorielle, qui permet de mettre en vidence le dphasage entre
VL et VR.
La figure 3 reprsente vectoriellement les tensions VR, VL et le courant I. Ces reprsentations sont les mmes que celles dj vues
pour le circuit ohmique et pour le circuit inductif.
Les lments L et R tant en srie, ils sont parcourus par le mme courant I. Nous prendrons donc le vecteur reprsentant ce
courant comme vecteur de rfrence. Nous savons que dans une rsistance pure, courant et tension sont en phase. Les deux
vecteurs les reprsentant seront donc sur le mme axe (figure 3-a).

Nous venons de voir que dans une inductance pure, la tension VL est dphase d'un front de priode en avance sur VR. Comme
VR est en phase avec I, on peut galement dire que VL est en avance sur IR. Un quart de priode correspondant 90, la
reprsentation vectorielle de VL par rapport I sera celle de la figure 3-b.
Nous pouvons enfin reprsenter sur un mme graphique les diffrentes valeurs reprsentes figure 3-a et 3-b. Nous obtenons ainsi
la figure 3-c.
Pour trouver le vecteur reprsentant la tension V, il faut effectuer la somme vectorielle des deux vecteurs reprsentant VR et VL.
On tient ainsi compte des valeurs maximales de VR et VL et du dphasage entre ces deux tensions.
La figure 4-a, indique la somme des deux vecteurs VL et VR. Nous remarquons que le sens, la direction et la longueur des vecteurs
sont identiques ceux de la figure 3-c. Le dphasage est toujours gal 90. Il suffit de runir les extrmits O et A des deux
vecteurs pour obtenir celui reprsentant la tension V.

132

Pour calculer la valeur de V, il suffit de tenir compte du fait qu'un centimtre reprsente 10 volts.
(Si vous avez oubli ce thorme de Pythagore, cliquez sur le lien ci-contre). Thorme de Pythagore.
Le vecteur VL (2 cm de long) reprsente une tension de 20 volts, tandis que le vecteur VR (3 cm de long) reprsente une tension
de 30 volts.
En mesurant sur la figure la longueur du vecteur V, nous voyons qu'elle est de 3, 6 cm et que, par consquent, la tension V vaut 36
volts.
Nous pouvons conclure que la tension V appliquer aux bornes de la bobine pour qu'elle soit parcourue par un courant de 1 A, a la
valeur maximale de 36 volts.
Il est galement possible de calculer cette valeur en appliquant le thorme de Pythagore au triangle rectangle form par les trois
vecteurs.
Faisons un bref rappel de ce thorme l'aide de la figure 4-b.
Les cts AB et AC sont les cts de l'angle droit ; BC, qui est le plus long, est l'hypotnuse.
Selon le thorme de Pythagore, en faisant la somme des carrs des longueurs des cts de l'angle droit, on obtient le carr de la
longueur de l'hypotnuse.
Dans le cas de la figure 4-b, on a : 42 + 32 = 16 + 9 = 25 = 52
Ce thorme peut tre appliqu au schma de la figure 4-a :
302 + 202 = 900 + 400 = 1 300
Ce nombre 1 300, est donc le carr de la valeur maximale de V.
La racine carre de 1 300 est 36,055. Nous retrouvons bien la mme valeur que celle mesure prcdemment (36 volts).
Nous savons que la valeur maximale d'une tension alternative est gale 1,41 fois sa valeur efficace.
Nous pouvons donc dire que la valeur efficace de la tension que l'on doit appliquer aux extrmits d'une bobine est gale la racine
carre du nombre obtenu en faisant la somme des carrs des valeurs efficaces des tensions ncessaires pour la partie inductive et
pour la partie ohmique de cette bobine.
Nous avons dj dit que la partie rsistive et la partie inductive constituent un obstacle au passage du courant dans la bobine. Cet
obstacle est appel impdance lectrique et on l'indique symboliquement par la lettre Z.
L'impdance lectrique se mesure en ohms, comme la rsistance et la ractance.
Cette impdance s'exprime par la relation suivante :

XL est la ractance de la partie inductive. Pour dterminer cette relation, il faut partir de la relation : V2 = VR2 + VL2 (application
du thorme de Pythagore).

Ainsi, la loi d'OHM s'applique une bobine rsistive, tout comme elle s'appliquait une rsistance et une inductance pure.
La valeur de la tension ncessaire pour qu'un courant alternatif dtermin traverse une bobine s'obtient en multipliant ce courant
par l'impdance qu'elle prsente.

133

Il nous reste voir le dphasage existant entre cette tension et le courant. (Pour en faciliter la lecture, nous reportons le mme
schma savoir figure 4) :

Sur la figure 4-a, pour trouver le vecteur V, nous avons dessin le vecteur VR horizontalement, puis le vecteur VL verticalement,
l'extrmit de VR.
Nous pouvons galement adopter la procdure indique figure 5-a, c'est--dire dessiner horizontalement le vecteur VR puis
verticalement le vecteur VL. En reliant ensuite les points O et A, on obtient le vecteur V en tout point identique celui de la figure
4-a. Le vecteur V peut aussi se dduire directement de la figure 3-c, ce qui est indiqu figure 5-b.

Pour situer le point A, il suffit de tracer deux parallles aux vecteurs VL et VR ; elles sont indiques en pointill sur cette figure
5-b. Cette nouvelle mthode prsente l'avantage de mettre en vidence le dphasage existant entre V et I.
Ce dphasage correspond l'angle "phi" Nous notons que cet angle est infrieur 90.
Cela signifie qu'une bobine rsistive possde des caractristiques intermdiaires entre celles d'une rsistance pure ( = 90).
L'angle de dphasage est donc proportionnel au rapport de la ractance sur la rsistance.

La figure 5-c reprsente ce dphasage dans le cas o la ractance est trs suprieure la rsistance. Dans ce cas, l'angle
proche de 90.
Sur la figure 5-d, c'est le cas contraire qui est reprsent ; l'angle
valeur de la rsistance.

134

est

est proche de 0 car la ractance est trs faible par rapport la

IMPDANCE ET PUISSANCE LECTRIQUE


2me PARTIE
2. - PUISSANCE LECTRIQUE DANS LES CIRCUITS EN COURANT ALTERNATIF
Dans un circuit parcouru par un courant continu, la puissance P qu'il dissipe s'exprime par la relation : P = V x I.
Dans un circuit parcouru par un courant alternatif, la tension et l'intensit varient chaque instant, et la puissance instantane
s'exprime par la relation p = v x i ("v" est la tension instantane et "i" l'intensit instantane).
Pour dterminer la puissance dans un circuit, il faut alors considrer trois cas.
2. 1. - PREMIER CAS : LA TENSION ET LE COURANT SONT EN PHASE
C'est le cas d'un circuit purement rsistif. La tension et le courant ont l'allure reprsente figure 6-a.

Pour obtenir la courbe reprsentative de la puissance (figure 6-b), il suffit de multiplier point par point la valeur de la tension (v)
par celle de l'intensit i.
Cette courbe est une sinusode situe entirement au-dessus de l'axe des abscisses puisque le produit (vi) est toujours positif. Par
contre, la frquence de cette sinusode est le double de celle de (v) ou de i.
La puissance (p) est gale 0 quand v = i = 0. Elle est maximale quand (v) et (i) sont maximums.
Pmax = Vmax x Imax
La valeur moyenne (P) de la puissance considre correspond la moiti de Pmax, soit :

135

Cette relation est identique celle obtenue dans le cas d'un courant continu.
Puisque la puissance en jeu dans le circuit rsistif peut tre utilise afin de produire un travail, elle est appele puissance active.
Elle se mesure en watts et se dsigne par le symbole P.
2. 2. - DEUXIME CAS : LA TENSION ET LE COURANT SONT DPHASES DE 90
Considrons le cas d'une inductance pure.
La tension (v) est en avance de 90 par rapport l'intensit (i) comme reprsent figure 7-a.
Comme dans le cas prcdent, il suffit de multiplier chaque instant la tension (v) par l'intensit (i) pour obtenir la courbe
reprsentative de la puissance P (figure 7-b).

Nous remarquons que la sinusode rsultante est la mme que celle de la figure 6-b, mais cette fois-ci, elle est centre sur l'axe des
abscisses. En effet, dans le premier quart de priode, la tension comme l'intensit sont positives ; la puissance l'est donc aussi. Dans
le second quart de priode, l'intensit reste positive, mais la tension devient ngative, la puissance est donc ngative. On peut faire
une analyse similaire pour les troisime et quatrime quarts de priode.
La valeur moyenne de la puissance est nulle. Si l'on veut calculer l'nergie dpense dans l'inductance pure, on trouve qu'elle est
nulle puisque la puissance est nulle.
Cela parat contradictoire avec le principe selon lequel un gnrateur fournit de l'nergie au circuit rcepteur qui lui est reli.
Nous savons que pour un circuit rsistif, l'nergie consomme est transforme et dissipe sous forme de chaleur.
Dans le cas d'un circuit purement inductif, l'nergie fournie par le gnrateur est emmagasine dans le champ magntique cr par
l'inductance quand le courant augmente.
Ce champ magntique se dissipe quand le courant diminue et l'nergie fournie antrieurement est restitue au gnrateur.
La puissance mise en jeu dans un circuit purement inductif tant nulle, elle ne produit aucun travail. On l'appelle la puissance
ractive. On la dsigne par le symbole Q (on trouve galement Pr) et on la mesure en volts ampres ractifs (VAR).
2. 3. - TROISIME CAS : LA TENSION ET LE COURANT SONT DPHASS D'UN ANGLE COMPRIS ENTRE 0 ET 90

C'est le cas le plus gnral.


Le courant et la tension sont alors reprsents par deux vecteurs V et I dphass entre eux d'un certain angle , comme illustr
figure 8-a.

136

Pour trouver la puissance active P absorbe par le circuit, dcomposons le vecteur I en deux vecteurs : le premier IA en phase avec
la tension V et le second IQ dphas de 90 comme illustr figure 8-b.
On peut imaginer que le circuit est parcouru par deux courants distincts (IA et IQ) dphass entre eux de 90.

Le courant IQ est dphas de 90 par rapport la tension V. Ce courant IQ n'accomplit aucun travail utile. Il dtermine seulement
un change altern d'nergie entre le gnrateur et le circuit.
C'est uniquement le courant IA en phase avec la tension V qui produit un travail utile.
Le produit de la tension V par le courant I reprsente donc une puissance apparente absorbe par le circuit inductif et rsistif. Une
partie seulement de cette puissance apparente, note S, est utilise par le circuit en fournissant un travail utile.
Cette puissance apparente (S) s'exprime en volts ampres (VA).
Les trois puissances (active, ractive et apparente) sont lies par une relation que l'on peut dduire de la figure 9.
Ces trois vecteurs reprsentant les trois puissances forment un triangle rectangle. L'hypotnuse reprsente la puissance apparente S
et les deux cts reprsentent respectivement la puissance active P et la puissance ractive Q.

A l'aide des relations trigonomtriques, on dduit :

Le facteur cos reprsente la fraction (infrieure 1) de la puissance apparente (S) effectivement utilise par le circuit.
Ce facteur cos est appel facteur de puissance du circuit et s'exprime par la relation :
cos = P / S
Nous pouvons galement exprimer ces puissances sous une autre forme. Nous avons vu que la puissance apparente est le produit de
la tension V par le courant I. Nous pouvons donc crire :

Nous pouvons alors inscrire cette valeur dans le triangle des puissances (figure 10).

137

Nous venons de voir que la puissance active P est donne par la relation : P = S cos
En remplaant S par sa valeur VI, nous obtenons :

D'autre part, la puissance ractive Q nous est donne par la relation : Q = S sin
Qui devient : Puissance ractive : Q = VI sin

(VAR)

Et enfin :
Cos

= Puissance active / Puissance apparente


CIRCUITS MAGNTIQUES
3me PARTIE
3. - CIRCUITS MAGNTIQUES

Une bobine (inductance) doit gnralement possder une inductance (L) leve par rapport sa partie rsistive R. Pour cela, une
bobine est munie d'un noyau ferromagntique.
En effet, dans les thories prcdentes, il a t not que la valeur de l'inductance pour une bobine est aussi en fonction du matriau
situ l'intrieur de celle-ci. Le noyau ferromagntique permet donc d'augmenter notablement l'inductance, tout en conservant la
valeur de la rsistance constitue par l'enroulement du fil.
Pour obtenir une inductance leve, il faut que le noyau soit ferm sur lui-mme de faon que l'ensemble des lignes d'induction soit
contenu dans le noyau.
En examinant la bobine de la figure 11-a, on s'aperoit que les lignes d'induction se referment l'extrieur du noyau en passant par
les couches d'air extrieures ce dernier.

138

Il suffit de refermer progressivement le noyau sur lui-mme (figure 11-b) jusqu' ce que les deux extrmits soient en contact
(figure 11-c) pour que toutes les lignes d'induction soient emprisonnes dans le noyau.
Ainsi, on a obtenu un noyau ferm, qui est travers par la totalit du flux d'induction produit par la bobine. Aucune ligne
d'induction ne peut se refermer dans l'air.
L'inductance rsultante est gale au produit de l'inductance sans noyau par la permabilit relative du matriau
constituant le noyau ferromagntique.
Pour des raisons de fabrication, les noyaux utiliss en pratique n'ont gnralement pas la forme illustre figure 11-c, mais la forme
colonne (figure 12-a), ou la forme cuirasse ou blinde (figure 12-b), qui est la plus utilise.

Nous pouvons noter par ailleurs que l'enroulement n'effectue pas le tour complet du noyau, mais se situe seulement dans une de ses
parties rectilignes.
Cela est li au mode de fabrication de la bobine. Dans un premier temps, seul l'enroulement du fil est ralis et dans un second
temps, la carcasse mtallique constitue de feuilles est assemble avec l'enroulement de la bobine.
Comme l'indique la figure 13, le flux d'induction se referme presque totalement dans le noyau. Seules, quelques lignes d'induction
traces en pointill sortent du noyau.
Pour expliquer le fait que les lignes d'induction restent l'intrieur du noyau, il faut imaginer que le noyau ferromagntique est
constitu d'aimants lmentaires trs petits et mis bout bout. Ainsi, les lignes d'induction suivent exactement l'orientation
privilgie de ces petits aimants dans le noyau.

139

Puisque les lignes d'induction passent prfrentiellement dans le noyau, nous disons que le noyau est plus permable que
l'air aux lignes d'induction.
Une image peut tre donne en imaginant un terrain permable l'eau entour par un terrain impermable. Le terrain central
permable reprsente le noyau, le terrain extrieur impermable reprsente l'air entourant le noyau.
Quand la pluie tombe, il est bien vident que c'est le terrain central, permable qui absorbe l'essentiel de l'eau. Il en est de mme
avec les lignes d'induction et le noyau ferromagntique. Pour cette raison, on emploie le terme de permabilit magntique pour
un matriau dtermin.
Par rapport l'air, le noyau ferromagntique dtermine une augmentation de l'inductance, ou du flux d'induction, prcisment parce
qu'il est plus facilement travers par les lignes d'induction que l'air.
Le second avantage dans l'emploi d'un noyau rside dans le fait que ce noyau canalise les lignes d'induction, c'est--dire qu'il les
contraint parcourir un chemin obligatoire.
Les lignes d'induction quittant le parcours impos par le noyau constituent le flux de dispersion.
Ce flux de dispersion peut gnralement tre nglig devant le flux d'induction dans le cas d'une bobine avec noyau.
Comme le montre la figure 13 ci-dessus, l'enroulement et le noyau referm sur lui-mme prsentent des analogies avec un circuit
lectrique. L'ensemble est donc appel circuit magntique.
Pour chaque type de circuit magntique, on peut trouver le circuit lectrique correspondant : par exemple, le circuit magntique de
la figure 13-a correspond au circuit lectrique de la figure 13-c constitu par un conducteur de rsistance non ngligeable reli
une pile.
Comme la f.e.m. (E) fait circuler un courant (I) dans le conducteur, on peut dire que la f.m.m. (force magntomotrice) "N.I." fait
traverser le noyau par le flux d'induction .
En considrant le circuit lectrique analogue un circuit magntique donn, l'examen de ce dernier peut se trouver facilit. Par
exemple, au circuit magntique de la figure 13-b correspond le circuit lectrique de la figure 13-d. Ce dernier est constitu de deux
conducteurs de rsistance identique mis en parallle et relis la pile. Le courant (I) fourni par la pile se subdivise en deux parties
gales I / 2 dans chaque conducteur.
Le flux d'induction dans un circuit magntique correspondant prsente un comportement analogue. En effet, le flux produit par la
bobine se partage en deux flux gaux indiqus par / 2 figure 13-b, chacun traversant une des branches latrales du noyau.
On peut poursuivre l'analogie entre circuits magntiques et circuits lectriques. Pour un circuit lectrique, quand on divise le f.e.m.
par le courant, on obtient la rsistance (loi d'OHM) du circuit. Pour un circuit magntique, si l'on divise la f.m.m. par le flux
d'induction, on obtient une grandeur analogue la rsistance du circuit lectrique ; il s'agit de la rluctance magntique du noyau.
Le symbole est R et cette rluctance s'exprime en 1 / H.
La rluctance magntique indique le nombre d'ampres-tours ncessaires pour obtenir un flux d'induction d'un Weber (Wb).
Comme la rsistance est fonction de la longueur et de la section pour un conducteur donn, la rluctance est fonction de celles du
noyau.
La rluctance est proportionnelle la longueur du noyau et inversement proportionnelle sa section.
De mme que la rsistivit intervient dans le calcul de la rsistance lectrique d'un matriau donn, la permabilit absolue
intervient pour le calcul de la rluctance d'un noyau ferromagntique.
Plus la permabilit du noyau est leve, plus le flux d'induction est lev et plus la rluctance sera faible.
En conclusion, on peut dire que la rluctance d'un noyau ferromagntique s'obtient en divisant sa longueur par sa section
et par sa permabilit absolue.
Les circuits magntiques considrs jusqu' prsent sont ferms (leur noyau est ferm sur lui-mme).
Notons qu'il existe des circuits ouverts. Dans ce cas, le noyau possde un entrefer comme cela apparat figure 14-a. Cet entrefer
est une petite rgion de l'espace o le noyau se trouve interrompu.

140

La direction des lignes d'induction n'est pratiquement pas modifie par cet entrefer.

Si l'on connat la section et la longueur de l'entrefer ainsi que la permabilit magntique de l'air, on peut calculer la rluctance
prsente au flux d'induction dans l'entrefer. Cette rluctance de l'entrefer est plus leve que celle d'un noyau ferromagntique de
mmes dimensions que l'entrefer.
Ce nouveau circuit magntique est analogue au circuit de la figure 14-b. La rsistance R possde une valeur rsistive bien plus
leve que les conducteurs qui relient la pile.
Cette rsistance R est analogue l'entrefer du circuit magntique tandis que les deux conducteurs lectriques sont analogues au
noyau ferromagntique.
La rluctance totale du circuit magntique est gale la somme de la rluctance du noyau et de celle de l'entrefer.
Aprs avoir montr ces analogies entre un circuit magntique et un circuit lectrique, il convient d'en prsenter les diffrences.
Comme nous le savons, le courant qui parcourt un circuit lectrique est proportionnel la f.e.m., or il n'en est pas de mme pour un
circuit magntique, il n'y a plus proportionnalit entre la f.m.m. et le flux d'induction.
Dans certaines conditions, pour une augmentation de la f.m.m., le flux d'induction ne varie pas.
Ce fait est d la prsence du noyau et il faut donc considrer le comportement du matriau constitutif du noyau en relation avec
les variations de la f.m.m..
Pour examiner le comportement d'un matriau ferromagntique dtermin, on construit un noyau avec lui puis on dispose une
bobine autour de ce noyau. On fait circuler un courant (I) progressivement croissant de faon augmenter la f.m.m. (N x I).
Pour chaque courant I, on mesure le flux d'induction l'aide d'un fluxmtre. Cela permet de tracer une courbe reprsentant le flux
d'induction en fonction de la f.m.m. (N x I).
Les valeurs de la f.m.m. sont reportes sur l'axe horizontal d'un repre cartsien. Les valeurs du flux
vertical.

sont reportes sur l'axe

La figure 15-a reprsente cette courbe pour un matriau ferromagntique courant. Au dbut, au point O, la f.m.m. est nulle ainsi
que le flux ; puis la f.m.m. augmente, on constate que le flux augmente galement, dans un premier temps relativement peu
(au dbut de la courbe), puis dans un deuxime temps, beaucoup plus ; dans un troisime temps, quand on approche du point A, la
variation du flux diminue nettement jusqu' s'annuler pratiquement au-del du point A.
Au point A, il y a saturation magntique. On dit qu'au-del du point A, le noyau est satur. En effet, plus la f.m.m. augmente,
plus le nombre d'aimants lmentaires qui constituent le noyau s'oriente dans la direction des lignes d'induction.

141

Quand on arrive au point A, tous les aimants lmentaires sont orients et par consquent, le flux ne peut s'accrotre.
La courbe de la figure 15-a est la courbe de premire magntisation car elle est obtenue quand on magntise pour la premire fois
un noyau ferromagntique.
Maintenant, il nous faut envisager le cas d'une bobine avec noyau parcourue par un courant alternatif. Pour cela, partons du point A
au point de saturation prcdemment dcrit.
On pourrait penser que lorsque la f.m.m. diminue, le flux reprend les mmes valeurs que prcdemment, or il n'en est rien.
Sur la figure 15-b, on voit que le flux du point A au point B prend des valeurs suprieures celles relatives la premire
magntisation.
En particulier, quand le courant devient nul, nous voyons que le flux ne l'est pas (point B).
Il s'agit du flux rsiduel ou flux rmanent.
Au-del du point O, vers la gauche, les valeurs de la f.m.m. deviennent ngatives, c'est--dire que le courant I a chang de sens.
(Figure 15-c).
On s'aperoit que lorsque la f.m.m. atteint une certaine valeur ngative (point C), le flux devient nul.
Nous voyons ainsi que pour annuler le flux rsiduel, il faut faire circuler dans l'enroulement de la bobine un certain courant dirig
en sens contraire celui ayant servi magntiser le noyau.
On peut dire que le flux d'induction suit les variations du courant alternatif avec un certain retard. Ce phnomne constitue
l'hystrsis magntique (hystrsis signifie retard).
Si la f.m.m. continue d'augmenter, le courant tant toujours dans le sens contraire celui de la premire magntisation, le flux
augmente (courbe du point C au point D) mais il a chang de sens par rapport celui de la premire magntisation.
Quand on parvient au point D, le noyau est satur, tous les aimants lmentaires se sont orients dans le sens contraire celui de la
premire magntisation.
Lorsque le courant diminue nouveau jusqu' s'annuler, le flux dcrot du point D au point E. Donc il existe encore un flux
rmanent gal en intensit celui vu prcdemment mais de sens contraire.
Lorsque la f.m.m. augmente nouveau, on passe du point E au point F (flux nul) puis on rejoint le point A de saturation. Ainsi, on
a accompli un cycle complet d'hystrsis.
Les flches sur la figure 15-c indiquent le sens de parcours du cycle.

142

Pour toute bobine possdant un noyau ferromagntique et parcourue par un courant alternatif, il existe un tel cycle d'hystrsis dans
le noyau. C'est le cas, en particulier, des transformateurs d'alimentation qui seront l'objet de la prochaine thorie, mais avant tout,
nous allons continuer l'tude des transistors.
SEMI-CONDUCTEURS 5
1re PARTIE
Cette leon fait suite l'examen du transistor commenc dans les leons prcdentes.
Le premier chapitre sera consacr l'examen des courbes caractristiques du transistor.
Le second chapitre indiquera l'utilisation que l'on fait de ces courbes caractristiques. Enfin, le dernier chapitre sera consacr
l'effet de la temprature sur le fonctionnement du transistor.
1. - LES COURBES CARACTRISTIQUES DU TRANSISTOR
1. 1. - LES COURBES ET RSEAUX DE CARACTRISTIQUES DU TRANSISTOR
Vous avez vu que la courbe caractristique de la diode permet de connatre son fonctionnement. En effet, pour chaque tension
applique aux bornes de la diode, la caractristique permet de connatre le courant qui la traverse.
Il en est de mme pour le transistor ; c'est--dire que ses proprits peuvent tre dtermines grce des courbes caractristiques.
Nanmoins, le cas du transistor est diffrent de celui de la diode. Tout d'abord, il peut tre utilis dans les trois montages
fondamentaux (metteur commun, collecteur commun, base commune) et par consquent, les courbes caractristiques seront
fonction du montage particulier examin.
Ensuite, le transistor possde quatre grandeurs lectriques alors que la diode n'en possde que deux. Cela apparat clairement la
figure 1.

Ces quatre grandeurs lectriques sont les deux tensions Ve et Vs, et les deux courants Ie et Is.
La tension Ve, applique entre l'lectrode de commande et l'lectrode commune et le courant Ie parcourant l'lectrode de
commande dfinissent le circuit d'entre du transistor.
De la mme faon, la tension Vs, applique entre l'lectrode de sortie et l'lectrode commune, et le courant Is circulant dans
l'lectrode de sortie dfinissent le circuit de sortie du transistor.
Une courbe caractristique reprsente la relation entre deux grandeurs lectriques. Dans le cas prsent, il y a quatre grandeurs
lectriques. Il est donc possible de tracer six courbes caractristiques (Ve - Ie, Vs - Is, Ve - Is, Vs - Ie, Ve - Vs, Ie - Is).
Par ailleurs, les quatre grandeurs lectriques sont toutes dpendantes l'une de l'autre. Par consquent, pour un couple de grandeurs
donn, il existe plusieurs caractristiques que l'on appelle un rseau de caractristiques. Prenons l'exemple du couple Vs - Is.
Vous savez que le courant Is est fonction du courant Ie (Is est galement fonction de la tension Ve puisque celle-ci dtermine Ie).
Par consquent, il est possible de tracer une courbe caractristique pour chaque valeur du courant Ie.

143

Ie est le paramtre relatif au rseau de caractristiques Vs - Is. La figure 2 reprsente le rseau de caractristiques relatif au couple
Vs - Is (rseau de caractristiques de sortie).

Pour chacun des six couples numrs prcdemment, il existe un rseau de caractristiques que l'on trace en fonction d'un
paramtre. Ainsi, on peut tracer le rseau de caractristiques relatif au couple Ve - Ie ayant pour paramtre Vs (caractristiques
d'entre). Nous reviendrons sur cet exemple ultrieurement.
Jusqu' prsent, nous avons fait correspondre un seul paramtre pour un couple de grandeurs lectriques donn (par exemple le
paramtre Ie pour le couple Vs - Is).
Or, il est possible de faire correspondre un second paramtre pour chacun des six couples prcits. Cela s'explique par le fait qu'il y
a quatre grandeurs lectriques. Par exemple pour les caractristiques de sortie (couple Vs - Is), le paramtre peut tre Ve. Dans ce
cas, pour chaque valeur particulire de Ve, il existera une courbe caractristique. Ainsi, il est possible de tracer 12 (6 x 2) rseaux
de caractristiques diffrents.
Toutefois, pour connatre les proprits d'un transistor, il suffit de possder deux rseaux de caractristiques. Les dix autres s'en
dduisent graphiquement.
Nous parlerons dans ce chapitre des rseaux de caractristiques habituellement fournis par les constructeurs dans les
documentations techniques.
Par ailleurs, nous prendrons en considration le montage metteur commun car nous avons vu qu'il prsentait de nombreux
avantages par rapport celui base commune.
Les grandeurs lectriques utilises apparaissent la figure 3.
Le circuit d'entre est dfini par la tension VBE (Tension Base metteur) et le courant IB.
Le circuit de sortie est dfini par la tension VCE (Tension Collecteur metteur) et le courant IC.

144

1. 2. - COURBES CARACTRISTIQUES RELATIVES AU MONTAGE METTEUR COMMUN D'UN TRANSISTOR


NPN AU SILICIUM
1. 2. 1. - EXAMEN DU CIRCUIT DE SORTIE
Afin de tracer ces courbes, il est ncessaire de raliser le montage de la figure 4
.

Ce dernier comporte quatre appareils de mesure et deux alimentations de courant continu B1 et B2.
La pile B1 permet de polariser en direct la jonction base-metteur. La rsistance variable R1 permet de faire varier le courant de
base IB.
VE est un millivoltmtre et permet de mesurer la tension d'entre VBE, tandis que le courant de base IB est mesur grce au
microampremtre IE
La pile B2 polarise en inverse la jonction collecteur-base. La rsistance R2 permet de faire varier la tension VCE. Cette tension
VCE est mesure avec le voltmtre VS tandis que le courant de sortie IC est mesur avec le milliampremtre IS
Nous allons maintenant passer au tracer du rseau de caractristiques relatif au couple de grandeurs lectriques VCE / IC en
utilisant pour paramtre le courant de base IB
Ce rseau de caractristiques, qui est l'un des plus utiliss, est reprsent la figure 5
.

La tension VCE est porte sur l'axe horizontal du repre cartsien, tandis que le courant IC est port sur l'axe vertical.
Pour tracer la caractristique relative IB = 0, il suffit d'ouvrir le circuit d'entre (la base se trouve en l'air). Ensuite, on fait varier
VCE l'aide de la rsistance R2 ; Par exemple de volt en volt (0, 1, 2, 3... volts).

145

Pour chaque valeur de VCE, on mesure la valeur du courant IC correspondant. Vous remarquez que la caractristique pour IB = 0
est pratiquement confondue avec l'axe horizontal. Il existe un courant ICEO trs faible qui est un courant de fuite.
Ensuite, pour tracer la seconde caractristique (IB = 2 A), on referme le circuit d'entre et on agit sur R1 pour que le courant IB
soit gal 2 A. Il suffit ensuite de faire une srie de mesures comme prcdemment en agissant sur R2, ce qui permet de tracer la
seconde caractristique.
Ensuite, on passe la troisime caractristique pour IB = 4 A et ainsi de suite...
Dans le cas prsent, le rseau comprend 13 caractristiques et IB varie de 0 24 A.
Nous allons dtailler l'examen de ce rseau.
Toutes les caractristiques partent du point origine 0. Cela signifie que lorsque VCE est nulle, le courant IC est galement nul et
cela quel que soit le courant IB.
Ensuite, les caractristiques prsentent deux parties. La premire est commune et pratiquement verticale ; la seconde est
pratiquement horizontale et est fonction du courant IB.
La premire partie signifie que lorsque la tension VCE varie lgrement, le courant IC augmente dans des proportions importantes
et d'autant plus que le courant IB est lev.
Quand la tension VCE atteint un certain seuil, relativement bas pour chaque caractristique, il y a un coude et ce moment-l la
courbe devient pratiquement horizontale. En fait, elle est lgrement releve, c'est--dire que pour chaque valeur de IB donne,
le courant IC augmente lgrement quand la tension VCE augmente.
La position d'une caractristique est ici fonction du courant IB, autrement dit le courant IC est en relation troite avec le courant
IB.
1. 2. 2. - EXAMEN DU CIRCUIT D'ENTREE
Le rseau de caractristiques relatif au circuit d'entre (grandeurs VBE et IB) est dtermin grce au montage situ la figure 4,
(schma report ci-dessous) avec une procdure diffrente de la prcdente. Le microampremtre IE est remplac par un
milliampremtre.

Dans un premier temps, on fixe la tension VCE l'aide de la rsistance R2.


Dans un deuxime temps, on relve la caractristique pour diffrentes valeurs de IB. Pour cela, on fait varier R1 et pour chaque
valeur de IB, on relve la tension VBE. Cela dtermine une caractristique. Pour une seconde caractristique, on change la valeur
de VCE et on recommence la mme srie de mesures.

146

On trace ainsi plusieurs caractristiques comme cela apparat la figure 6.

Vous remarquez tout de suite que ces caractristiques sont analogues celle d'une diode. En effet, la jonction base-metteur est
polarise en direct.
Toutefois, quand IB est nul (base en l'air), la tension VBE n'est pas nulle, mais vaut environ 0,6 volt.
Vous constatez galement que la tension VCE a trs peu d'influence sur la tension VBE. Si pour un mme courant de base VCE
passe de 1 volt 10 volts, la tension VBE ne varie que de quelques dizaines de mV.
En consquence, les fabricants se contentent de fournir une seule caractristique d'entre, correspondant une valeur moyenne de
VCE.
1. 2. 3. - RSEAU DE CARACTRISTIQUES RELATIF AUX GRANDEURS IC ET IB (PARAMTRE VCE)
Le montage utilis est toujours celui reprsent la figure 4 ci-dessus.
Dans un premier temps, on fixe la tension VCE l'aide de R2. Puis dans un second temps, on rgle R1 de faon faire varier le
courant IB. Il suffit de relever la valeur du courant IC pour chaque valeur particulire du courant IB.
On obtient ainsi le rseau de la figure 7.

Ces caractristiques sont appeles caractristiques de transfert car elles mettent en relation le courant de sortie IC avec le
courant d'entre IB.
Vous remarquez que IC est proportionnel IB ( VCE constante).

147

Plus VCE est leve, plus le coefficient de proportionnalit entre IC et IB est lev.
En ralit, les caractristiques de transfert ne sont pas exactement des droites, mais pratiquement on peut les assimiler des droites.
1. 2. 4. - DIAGRAMME GNRAL DES CARACTRISTIQUES D'UN TRANSISTOR
Il est possible de runir les trois rseaux de caractristiques vus prcdemment.
Ce regroupement est reprsent la figure 8.
Il y a quatre quadrants.

Les caractristiques de sortie sont disposes dans le quadrant (I) situ en haut et droite.
Le quadrant II dispos en haut et gauche reprsente une caractristique de transfert. Par rapport la figure 7, les courants IB
croissants sont compts vers la gauche de l'origine 0.
Enfin, le quadrant III reprsente une caractristique d'entre.
Dans le quadrant IV, on reprsente le rseau de caractristiques relatif la raction du circuit de sortie sur le circuit d'entre.
Dans le cas du montage en metteur commun, ces rseaux de caractristiques donnent les valeurs suivantes :
Quadrant I : Caractristiques de sortie. On trouve la valeur du courant de sortie IC en fonction de la tension de sortie VCE et cela
courant de base constant. On crit : IC = f (VCE) IB = constante.
Quadrant II : Caractristiques de transfert. Permet de trouver le courant de sortie IC en fonction du courant d'entre IB, tension
de sortie VCE constante. On crit : IC = f (IB) VCE = constante.

148

Quadrant III : Caractristiques d'entre. On y obtient la valeur du courant d'entre IB en fonction de la tension d'entre VBE
tension de sortie VCE = constante. On crit : IB = f (VBE) VCE = constante.
Quadrant IV : Caractristiques de raction. Ces caractristiques permettent de dterminer le rapport de raction, c'est--dire
l'influence de la tension de sortie VCE sur la tension d'entre VBE, courant de base IB constant. On crit : VBE = f (VCE) IB
= constante.
** Un constructeur peut fournir d'autres caractristiques que celles dj vues jusqu'ici. En particulier, la caractristique relative au
courant IC et la tension VBE peut tre donne (figure 9). La tension VCE peut tre constante.

Comme il existe une dispersion lie la fabrication des transistors, le fabricant indique une caractristique typique ainsi que la
caractristique minimale et la caractristique maximale.
La majorit des transistors possdent cependant des caractristiques qui concident sensiblement avec la caractristique typique.
Une autre caractristique indiquant la variation du coefficient en fonction du courant IC peut tre fournie par le constructeur
(figure 10).

Cette caractristique n'appartient pas au groupe des 12 rseaux de caractristiques mentionns ci-dessus. Elle est donne en
fonction du paramtre VCE.

149

SEMI-CONDUCTEURS 5
2me PARTIE
2. - UTILISATION DES COURBES CARACTRISTIQUES D'UN TRANSISTOR
2. 1. - DTERMINATION D'UN POINT DE FONCTIONNEMENT
Les caractristiques des transistors sont utilises pour dterminer les conditions de fonctionnement de ces transistors.
On dtermine ainsi la valeur des grandeurs lectriques intervenant dans ce fonctionnement.
La caractristique la plus utilise est celle qui est relative au circuit de sortie.
Considrons le rseau de caractristiques de la figure 11.

Soit une tension VCE gale 10 volts et un courant IB gal 70 A.


Pour dterminer le courant IC correspondant ces deux paramtres donns, il suffit de tracer une verticale partir de la tension
VCE = 10 V ; cette verticale coupe la caractristique relative IB = 70 A au point A. A partir de ce point A, il reste tracer une
ligne horizontale qui coupe l'axe vertical du repre cartsien. Dans le cas prsent, on trouve IC = 20 mA.
Le point A est appel point de fonctionnement. En effet, ce point A permet de connatre les trois paramtres relatifs au
fonctionnement du transistor.
Vous remarquez qu'il suffit de connatre deux paramtres parmi trois pour dterminer ce point de fonctionnement..
Supposons par exemple que l'on connaisse IC = 14 mA et IB = 50 A.
Il suffit de tracer une ligne horizontale correspondant IC = 14 mA ; celle-ci rencontre la caractristique IB = 50 A au point B.
On trace alors la verticale issue du point B, ce qui permet de dterminer une tension VCE gale 9 volts.

150

Nous allons maintenant examiner le fonctionnement du montage situ la figure 12.

Le montage metteur commun est aliment par une pile de 24 volts. La rsistance variable RB permet de faire varier le courant de
base IB.
La rsistance RC est la rsistance de charge situe dans le collecteur du transistor.
La tension aux bornes de la rsistance de charge est VR. La somme des tensions VR et VCE est gale VCC soit 24 volts.
Nous dsirons connatre le rapport qui existe entre les trois grandeurs VCE, IC et IB. Nous disposons par exemple du rseau de
caractristiques de sortie avec le paramtre IB.
Il suffit de choisir un certain nombre de valeurs pour le courant IC, puis de calculer la tension VCE pour chacune de ces valeurs.
Cela nous permettra de placer autant de points sur le rseau de caractristiques.
Pour IC = 5 mA,
VR = RC x IC = 800 x 5 x 10-3 = 4 volts, soit VCE = VCC - VR
d'o VCE = 24 - 4 = 20 volts.
Cela nous donne les coordonnes d'un premier point que nous nommons A sur la figure 13.

De la mme faon, pour IC = 10 mA, VR = 8 volts et VCE = 16 volts (point B).


Pour IC = 15 mA, VCE = 12 volts (point C)
Pour IC = 20 mA, VCE = 8 volts (point D)
Pour IC = 25 mA, VCE = 4 volts (point E)
Vous remarquez que ces cinq points sont aligns ; aussi, on peut faire passer une droite par ces points que l'on appelle droite de
charge.

151

Cette droite de charge reprsente l'ensemble des points de fonctionnement pour le transistor. C'est--dire que pour chaque point de
la droite, on peut dterminer les trois grandeurs VCE, IC et IB correspondantes.
Cette droite rencontre les deux axes du repre aux points P et Q. Le point Q correspond une tension VCE de 24 volts et un
courant IC nul. Le point P correspond IC = 30 mA et VCE = 0 volt ; dans ce cas, la tension VR est gale la tension VCC.
Comme vous le savez, il suffit de connatre deux points pour dterminer une droite. Or, dans le cas prsent, il est possible de
connatre ces deux points pour tracer la droite de charge.
Nous allons prendre un exemple. Soit une rsistance de charge RC gale 1,3 K
volts.

et une tension d'alimentation VCC gale 16

Lorsque IC est nul, nous savons que VR = 0 volt et VCE = VCC = 16 volts. Nous avons donc dterminer le point Q' sur l'axe
horizontal (figure 13). Pour dterminer le second point, nous posons VCE = 0 volt. Dans ce cas VR = 16 volts et IC = VR / RC =
16 / 1,3 x 103 = 12,3 mA.
Le second point P' correspond donc IC = 12,3 mA. (Application de la loi d'Ohm).
Il reste relier ces deux points P' et Q' et ainsi, on a trac la droite de charge relative RC = 1,3 K
Sa position est nettement diffrente de celle examine auparavant.

et VCC = 16 volts.

Ces deux exemples dmontrent donc que la position de la droite de charge est fonction de VCC et de RC.
Il n'est pas toujours possible de dterminer les deux points situs sur les deux axes du repre.
Prenons le cas du rseau situ la figure 14.

Soit VCC = 24 volts et RC = 0,3 k

Lorsque IC = 0 mA, VCE = VCC = 24 volts. Nous connaissons donc le point Q situ sur l'axe horizontal.
Pour VCE = 0 volt, nous avons IC = VR / RC = VCC / RC soit IC = 24 / 300 = 80 mA.
Or, le point correspondant IC = 80 mA est situ en dehors du graphique, donc il convient de rechercher un autre point.
On prend donc IC = 50 mA.
On dduit VR = RC x IC = 300 x 50 x 10-3 = 15 volts
et VCE = VCC - VR = 24 - 15 = 9 volts.
Ainsi, le second point S correspond VCE = 9 volts et IC = 50 mA.
La droite de charge est donc dtermine par les points Q et S.
Ds lors, il est facile de dterminer les valeurs des grandeurs VCE et IC si l'on fixe le courant IB.
Par exemple, la caractristique correspondant IB = 110 A rencontre la droite de charge au point T (figure 14).
Ce point permet de connatre VCE = 14 volts et IC = 33,5 mA.

152

2. 2. - LES VALEURS LIMITES POUR UN TRANSISTOR


Comme tout composant, le transistor ne peut fonctionner qu'entre certaines valeurs limites des grandeurs lectriques qui lui sont
lies.
Ces valeurs limites sont lies au type du transistor, ses dimensions, sa constitution...
Par exemple, un transistor de petites dimensions dissipera moins de puissance qu'un autre de dimensions plus importantes.
Pour chaque type de transistor, le constructeur fournit des valeurs limites qui ne doivent pas tre dpasses dans les conditions
normales d'utilisation. Dans le cas contraire, le transistor peut tre irrmdiablement endommag, ou tout du moins occasionner un
fonctionnement anormal.
Les valeurs limites gnralement fournies par les constructeurs sont les suivantes :
Le courant maximal de collecteur IC max.
La tension maximale de collecteur VCE max.
La puissance maximale de collecteur PC max.
La temprature maximale de la jonction Tj max.
D'autres valeurs limites relatives la base et l'metteur peuvent tre fournies.
a) La valeur maximale du courant de collecteur
Cette valeur est dtermine de faon que le transistor fonctionne correctement et de faon que la jonction ne puisse tre
endommage.
Dans la figure 15, cette valeur limite IC max est reprsente par une ligne horizontale en pointill. Dans le cas prsent, IC max =
10 mA.

Le point de fonctionnement du transistor doit tre situ en dessous de cette ligne pointille.
Selon la valeur de la rsistance RC, deux situations sont considrer.
Dans un premier cas, la droite de charge est entirement situe en dessous de la ligne pointille. C'est le cas, par exemple si RC =
1,5 k (figure 15).
Tous les points de fonctionnement sont ainsi situs en dessous de cette ligne pointille.
Dans un second cas (RC = 800 ohms), la droite de charge coupe la ligne pointille, par exemple au point A dans l'exemple de la
figure 15. Dans ce cas, il est ncessaire de limiter le courant IB 180 A. En effet, la caractristique relative IB = 180 A passe
prcisment par ce point A et tout point de fonctionnement du transistor ne peut tre choisi au-dessus du point A. On peut dire que
A est un point limite pour le fonctionnement du transistor.

153

b) La valeur maximale de la tension de collecteur


Lors de l'examen de la diode jonction, vous avez vu qu'il existait une tension inverse dite tension de claquage au-del de
laquelle la diode tait endommage. Or, dans le transistor, la jonction collecteur-base est quivalente une diode polarise en
inverse.
Il existe donc une tension maximale entre le collecteur et la base du transistor ne pas dpasser. Autrement dit, il existe une
tension VCE max.
Sur la figure 16, la tension VCE max est indique par la ligne en pointille.

Le point de fonctionnement du transistor doit tre situ gauche de cette ligne pointille.
Si la tension VCE dpasse notablement la valeur de VCE max, IC devient trs important et le transistor risque d'tre dtruit.
c) La valeur maximale de la puissance de dissipation du collecteur
Le transistor absorbe une puissance gale au produit de la tension VCE par le courant IC.
Nous avons la relation :
PC = VCE x IC
PC sera exprime en mW, si VCE l'est en volts et IC en mA.
Cette puissance absorbe par le transistor correspond une consommation d'nergie lectrique.
Cette nergie lectrique est transforme dans le transistor en nergie calorifique par effet Joule. Par consquent, il y a chauffement
du transistor ; en particulier la temprature de la jonction augmente.
Or, comme la temprature de jonction ne peut dpasser une certaine valeur, il est ncessaire de limiter la puissance dissipe par le
transistor.
L'augmentation de la temprature de la jonction peut se dduire de la formule suivante :

T'j est l'augmentation de temprature indique en C.


Rth est un coefficient appel rsistance thermique du transistor, fonction du type de transistor.
Pc est la puissance absorbe par le transistor.

154

Le coefficient Rth est exprim en C / W et indique l'augmentation de temprature de la jonction en C pour une dissipation de
puissance d'un watt.
Prenons un exemple :
Rth = 400C / W, VCE = 5 volts, IC = 3 mA,
PC = 5 x 3 = 15 mW
D'o

T'j = 400 x 0,015 = 6 C

La temprature de la jonction augmente de 6 C.


Pour calculer la temprature de la jonction, il faut appliquer la relation :
Tj = Ta + T'j

(2)

Tj est la temprature de la jonction


Ta est la temprature ambiante.
En reprenant l'exemple ci-dessus avec Ta = 25 C, nous avons :
Tj = 25 + 6 = 31 C
La temprature maximale admissible au niveau de la jonction se situe entre 150 C et 200 C pour un transistor au silicium.
La temprature de la jonction Tj dpend de la temprature ambiante Ta et de l'augmentation de temprature T'j qui est fonction de
PC. Par consquent, la puissance maximale admissible PC max dpend non seulement du type de transistor mais aussi de la Ta.
Un constructeur indique donc une valeur de PC max pour une temprature Ta fixe.
Gnralement, les valeurs de Rth et de Tj max sont fournies par le constructeur.
Dans ces conditions, on peut calculer PC max partir des relations (1) et (2) :

Si l'on connat les valeurs de Tj max, Ta et Rth, il est facile de calculer PC max.
Il est intressant de voir comment la connaissance de PC max limite la zone d'utilisation du rseau de caractristiques.
Puisque la valeur de PC max est connue, il est facile de tracer une courbe reprsentant la relation :
VCE x IC = PC max

155

La figure 17 reprsente un exemple avec trois courbes relatives trois valeurs de PC max (400 mW, 200 mW et 100 mW).

Ces courbes sont appeles courbes d'isopuissance, car pour tous les points de fonctionnement situs sur une courbe, la puissance
dissipe par le transistor est identique.
Gnralement, on reporte sur le rseau de caractristiques la courbe d'isopuissance, IC max et VCE max comme cela apparat la
figure 18.

Tout point de fonctionnement devra tre situ dans la zone comprise entre les deux axes du repre, les deux segments de droite
reprsentant IC max et VCE max et la courbe d'isopuissance correspondant au transistor utilis.
Pour une temprature ambiante de 25 C, PC max est gale 125 mW et par consquent, la zone utile est dlimite par les points
0, A, B, C et D.
Cette zone utile dcrot rapidement si la temprature ambiante augmente : Si Ta = 55 C, PC max = 50 mW ; dans ce cas, la
surface utile est dlimite par les points 0, A, B', C' et D.
SEMI-CONDUCTEURS 5
3me PARTIE
3. - LES EFFETS DE LA TEMPRATURE SUR LE FONCTIONNEMENT DU TRANSISTOR
3. 1. - EFFETS DE LA TEMPRATURE SUR LES CARACTRISTIQUES DU TRANSISTOR
Ainsi que vous l'avez vu, si on polarise seulement la jonction collecteur-base, un courant rsiduel ICBO circule dans le circuit du
collecteur.
Cette jonction tant polarise en sens inverse, le courant ICBO est d aux porteurs minoritaires constitus par les couples lectrontrou. Le nombre de ces couples augmentent lorsque la temprature crot. Par consquent, le courant ICBO augmente aussi.
Cette augmentation du courant ICBO peut influencer le fonctionnement normal du transistor.

156

Pour dterminer cette influence, il faut tout d'abord connatre la relation entre ICBO et la temprature ambiante. Pour cela, il
faut raliser le montage de la figure 19.

Le courant ICBO est mesur avec un microampremtre. On chauffe le transistor pour suivre l'volution de ICBO.
On s'aperoit alors que ICBO double lorsque la temprature augmente de 10 C (transistor au germanium). Pour un transistor
au silicium, ICBO double pour une augmentation de temprature de 6 C.
Donnons un exemple pour le transistor au germanium.
Pour une temprature de 25 C, ICBO = 5 A ; 35 C, ICBO = 5 x 2 = 10 A 45 C, ICBO = 10 x 2 = 20 A.
On peut ainsi tracer une courbe reprsentant la variation de ICBO en fonction de la temprature pour un transistor donn. En effet,
pour une temprature donne, ICBO peut tre diffrent selon le transistor examin.
On peut alors tracer le graphique de la figure 20 qui reprsente l'augmentation relative du courant ICBO en fonction de la
temprature.

On voit que ICBO est multipli par 30 lorsque la temprature passe de 25 C environ 75 C.
Voyons maintenant l'influence de la temprature sur le courant collecteur lors du fonctionnement normal du transistor.

157

Considrons le transistor mont en base commune, illustr la figure 21-a.

Le courant d'metteur IE vaut 2 mA, ICBO vaut 5 A 25 C et IC vaut 1,965 mA.


La relation suivante lie ces diffrentes valeurs.
IC = (

x IE) + ICBO

avec

= 0,98

Calculons le courant IC 50 C. Le courant ICBO est multipli par environ 6 (voir figure 20).
Donc, il vaut 5 A x 6 = 30 A = 0,030 mA 50 C.
D'o IC = (0,98 x 2) + 0,030 = 1,990 mA. (Figure 21-b)
Le courant IC a augment de 25 A, ce qui correspond l'augmentation du courant rsiduel ICBO.
Comme le courant rsiduel est toujours faible par rapport au courant de collecteur dans le montage base commune, on peut dire
que la temprature a peu d'influence sur le courant de collecteur.
Considrons maintenant le transistor mont en metteur commun (figure 21-c).
IB = 35 A, ICEO = 250 A 25 C et IC = 1,965 mA.
Rappel :
ICEO est le courant rsiduel collecteur-metteur lorsque la base est en l'air. Ces valeurs sont lies par la relation :
IC = x IB + ICEO
On sait que : = / (1 -

)
Or

= 0,98

d'o

158

= 49.

Le courant ICEO peut tre calcul l'aide de la relation suivante dj vue :


ICEO = ( + 1) x ICBO
ICEO = (49 + 1) x 5 A = 250 A
D'o

IC = (49 x 0,035) + 0,250


IC = 1,965 mA

Cette valeur est identique celle relative au montage base commune (figure 21-a).
Calculons la valeur de IC pour une temprature de 50 C.
Pour cela, on doit calculer ICEO
Or, ICEO = ( + 1) x ICBO
Donc ICEO = (49 + 1) x 30 A = 1500 A = 1, 5 mA
Et IC = 49 x 0,035 + 1,5 mA = 3,215 mA (Figure 21-d)
L'augmentation absolue du courant IC vaut :
3,215 - 1,965 = 1,250 mA soit 1250 A
Dans les mmes conditions de temprature, elle n'tait que de 25 A pour le montage base commune.
En conclusion, Le courant de collecteur d'un transistor mont en metteur commun est notablement influenc par la
temprature.
C'est par ailleurs le plus grand inconvnient du montage metteur commun.
La figure 22 permet de voir l'effet de la temprature sur le rseau de caractristiques de sortie.
Vous remarquez que lorsque la temprature passe de 25 C 55 C, l'ensemble des caractristiques est dcal vers le haut. La
temprature a galement un effet sur la position du point de fonctionnement.
C'est ce que nous allons voir avec le montage de la figure 23.

Dans la figure 22, on a trac les deux droites de charge relatives ce montage.

159

Le courant IB vaut 20 A.
Par consquent, 25 C, le point de fonctionnement A correspond :
VCE = 5,4 volts et IC = 2,4 mA
A 50 C, le point de fonctionnement du montage s'est dplac (point A'). VCE a diminu (4 volts) et IC a augment (3,3 mA). Si
l'on voulait conserver les mmes valeurs pour VCE et IC, il faudrait que le courant IB soit de 10 A (point A").
Dans certains cas, l'augmentation du courant IC entrane une augmentation de la puissance dissipe par le transistor. Cela a pour
effet d'augmenter la temprature du transistor, d'o l'augmentation du courant IC et de la puissance dissipe et ainsi de suite. Ce
phnomne est l'emballement thermique et peut conduire la destruction du transistor.
Afin d'viter ce phnomne, il faut recourir des montages appropris.
Notez que ces problmes lis la temprature sont surtout sensibles avec les transistors au germanium. Dans le cas des
transistors au silicium, les courants rsiduels sont nettement infrieurs et par consquent, l'effet de la temprature est plus rduit
.
3. 2. - STABILISATION THERMIQUE ET COEFFICIENT DE STABILIT
Il est ncessaire de limiter les effets de la temprature. Pour cela, il y a deux solutions : soit empcher l'augmentation de la
temprature, soit utiliser un montage qui neutralise les effets de la temprature.
En gnral, on cherche rduire le courant de base (montage metteur commun) lorsque la temprature augmente.
Dans le cas de la figure 22 ci-dessus, par exemple, on cherchera fixer IB = 10 A pour T = 50 C. Ainsi, le point de
fonctionnement ne changera pas.
Si l'on veut que le point de fonctionnement ne varie pas, il est ncessaire que le courant IB soit li directement la temprature.
Si celle-ci augmente, IB diminue et vice versa.
Pour obtenir cette correction automatique du courant de base, il faut employer un circuit de polarisation particulier.
On dfinit un coefficient de stabilit (S) pour un circuit dtermin de la faon suivante :

Ce coefficient mesure l'augmentation relative du courant de collecteur IC par rapport l'augmentation du courant rsiduel ICBO.
La valeur de S est inversement proportionnelle la stabilit thermique.
Dans l'exemple du montage base commune, o l'augmentation de IC est gale celle de ICEO, on a S = 1.
Pour le montage metteur commun, le courant ICEO subit une augmentation ( + 1) fois plus importante que celle de ICBO.
ICEO = ( + 1) x ICBO

160

Par consquent, le courant IC augmente ( + 1) fois plus que le courant ICBO.


IC =
=
Donc

S=

x IB + ICEO

x IB + ( + 1) x ICBO
+1

Dans l'exemple choisi, S = 49 + 1 = 50.


La stabilisation thermique est base sur le phnomne de contre-raction
Cette stabilisation ayant pour but de maintenir un courant IC constant, lorsque l'on remplace le transistor, le courant IC reste
identique ce qu'il tait avant.
L'avantage d'un circuit de stabilisation est donc double : il permet une stabilit en temprature et le remplacement d'un
transistor malgr la dispersion des caractristiques de ces composants.
3. 2. 1. - STABILISATION PAR CONTRE-RACTION DU COLLECTEUR
Ce montage simple est reprsent la figure 24.

La rsistance RB n'est plus relie la tension + VCC, mais au collecteur du transistor.


Si le transistor s'chauffe, le courant IC tend augmenter, la tension aux bornes de RC tend augmenter et VCE tend
diminuer. Or, IB VCE / RB donc IB tend diminuer galement. Il en rsulte que IC tend diminuer.
Ce montage s'oppose donc une variation du courant IB.
Il y a raction de la tension de sortie VCE sur le courant d'entre IB.
On peut faire le raisonnement inverse si IC tend diminuer. On s'aperoit dans ce cas que IB tend augmenter, donc que le
courant IC tend se maintenir constant.
Ce montage est intressant si RC est assez leve (ou VCE infrieure VCC / 2). En effet, une petite variation de IC doit
entraner une variation suffisante de VCE.
Ce montage ne sera donc pas appropri lorsqu'un transformateur (enroulement primaire) sera mont en srie avec le collecteur. La
rsistance de l'enroulement primaire est trop faible.
3. 2. 2. - STABILISATION PAR CONTRE-RACTION DE L'METTEUR.
Le circuit de la figure 25-a permet aussi d'avoir un courant IC constant.
Le principe est le suivant. Lorsque IC tend augmenter, IE tend galement augmenter et par consquent, VE et VB aussi. Donc,
la tension aux bornes de RB tend diminuer ainsi que IB.

161

Ds lors, IC tend diminuer. Il y a donc une raction de la tension d'metteur VE sur le courant d'entre IB. La rsistance RE doit
tre assez leve afin que les variations de IC induisent des variations suffisantes de VE.
Ce montage prsente nanmoins plusieurs inconvnients. Tout d'abord, VE possde une valeur proche de VCC / 2 car RE possde
une valeur leve, par consquent, la tension VCC sera beaucoup plus leve que dans le cas d'un montage metteur commun.
Ensuite, la rsistance RE dissipe une partie importante de la puissance consomme par le montage, donc le rendement du circuit
est assez faible.
Ce montage pourra convenir si la puissance consomme n'est pas trop leve et si le coefficient de stabilit (S) n'est pas trop faible.
Sinon, il est prfrable d'utiliser le montage de la figure 25-b.
La base est polarise par un pont diviseur de tension constitu par R2 et R3. Le courant IB sera beaucoup plus sensible aux
variations de VE (ou du courant IC).
Ce montage permet de limiter VE de 10 20 % de la tension VCC. La puissance dissipe par RE sera donc nettement infrieure
celle du montage prcdent (figure 25-a).
Le courant IP sera 5 10 fois suprieur au courant IB, car la tension VB doit tre pratiquement constante.
3. 2. 3. - STABILISATION PAR THERMISTANCES
Le montage est reprsent la figure 26 ci-dessous.
La thermistance RT est une rsistance dont la valeur est fonction de la temprature. Elle est constitue par des lments semiconducteurs.
Ces thermistances sont de deux types. Dans un premier cas, la valeur de la thermistance augmente avec la temprature ; on
l'appelle une thermistance CTP ou thermistance Coefficient de Temprature Positif.
Inversement, la valeur de la thermistance peut diminuer lorsque la temprature augmente ; il s'agit d'une thermistance CTN
Coefficient de Temprature Ngatif. Ce deuxime type est plus utilis.

162

C'est celui utilis dans le montage propos. Le fonctionnement de ce montage est le suivant.
La tension aux bornes de RB est pratiquement constante car elle est gale VCC - VBE. Par consquent, le courant du pont de
base IP est constant.
Or IP = IB + IT, donc lorsque la temprature augmente, RT diminue, IT augmente et par consquent IB diminue. Ceci a pour
effet de diminuer le courant IC, donc de s'opposer l'lvation de ce courant sous l'effet de la temprature.
Ce circuit est particulirement indiqu lorsqu'on ne peut insrer une rsistance de valeur suffisante dans l'metteur.
Il est donc gnralement utilis pour l'tage final de puissance d'un amplificateur.
La thermistance doit tre situe proximit du transistor afin de capter les variations de temprature.
3. 2. 4. - STABILISATION PAR DIODE
Il suffit de remplacer la thermistance CTN du montage prcdent par une diode (figure 27).

Le principe de fonctionnement est identique celui du montage avec thermistance.


Dans le cas prsent, IP = IDi + IB.
Lorsque la temprature s'lve, le courant inverse IDi augmente.
La diode D doit tre situe proximit du transistor.
Nous avons termin l'examen des diffrents circuits de stabilisation thermique.
Pour limiter les effets de la temprature, il est ncessaire d'vacuer la chaleur produite par un transistor.
Cela est d'autant plus ncessaire que la puissance dissipe est leve (cas des transistors de puissance). Ces transistors sont donc
fixs sur des radiateurs.
Les radiateurs sont des pices mtalliques dans lesquelles la chaleur produite par les transistors se transmet grce au phnomne de
conduction. Ainsi, l'lvation de temprature de la jonction est limite.
En fonctionnement normal, la temprature de la jonction s'lve jusqu' une certaine valeur d'quilibre. Quand le transistor atteint
cet quilibre, la quantit de chaleur produite par la jonction est gale la chaleur dissipe dans l'environnement (botier du
transistor, radiateur et air ambiant).
Dans la prochaine leon des semi-conducteurs n 6, nous aborderons la rsistance d'entre et de sortie des transistors en courant
continu et alternatif ainsi que les paramtres hybrides, et bien d'autres encore...

163

LES TRANSFORMATEURS ET AUTOTRANSFORMATEURS


NOTE :
Dans les circuits lectroniques, on utilise diffrents types de transformateurs, dont chacun accomplit une fonction particulire. Au
cours de cette leon, nous verrons le transformateur d'alimentation, ainsi nomm parce qu'il fournit les tensions ncessaires
l'alimentation des appareils.
1. - LES TRANSFORMATEURS
On ne dispose gnralement que de la tension du secteur, dont les valeurs les plus courantes sont comprises entre 110 et 240 V,
mais pour les appareils lectroniques, les tensions ncessaires ont souvent une valeur diffrente. Le transformateur d'alimentation
assure prcisment la transformation de la tension du secteur, en augmentant ou en diminuant sa valeur de faon obtenir les
tensions d'alimentation des diffrents circuits.
1. 1. - CONSTITUTION DU TRANSFORMATEUR
Sur la figure 1-a, sont reprsents les lments essentiels d'un transformateur, c'est--dire le noyau ferromagntique ferm et les
enroulements disposs autour de la partie centrale du noyau.

Sur cette figure ne sont reprsents que deux enroulements ; c'est le nombre minimal qu'un transformateur peut prsenter : en effet,
l'un des enroulements est reli au secteur tandis que l'autre, aux extrmits duquel on obtient une tension de valeur diffrente de
celle du secteur, est reli aux circuits alimenter.
Quand on a besoin de plusieurs tensions de valeurs diffrentes, on utilise un enroulement supplmentaire pour chaque tension ; les
transformateurs peuvent donc comporter trois enroulements ou plus : l'un d'eux est toujours reli au secteur et on l'appelle
enroulement primaire ou plus simplement primaire, tandis que les autres enroulements relis aux circuits alimenter sont
appels enroulements secondaires ou plus simplement secondaires.
Puisque tous les secondaires se comportent de la mme faon, il suffit, pour analyser le fonctionnement d'un transformateur,
d'examiner un seul secondaire, comme on l'a fait sur la figure 1-a.
Sur cette figure, le primaire a t dessin un peu au-dessus du secondaire pour distinguer nettement les deux enroulements qui, en
ralit, sont superposs : le primaire est enroul d'abord, puis, le secondaire.
Sur la figure 1-b, on a dessin le symbole graphique reprsentant le transformateur sur les schmas lectriques : le mme symbole
graphique que celui utilis dans les leons prcdentes pour reprsenter les enroulements des bobinages est utilis ici pour les
enroulements, tandis que le noyau est reprsent par un segment de droite trac entre le primaire et le secondaire. Quand il y a
plusieurs secondaires, on les dessine gnralement tous du mme ct du segment, de faon ce que de l'autre ct, il n'y ait que le
primaire.
Nous allons voir maintenant comment fonctionne un transformateur, c'est--dire comment son secondaire peut fournir une tension
d'une valeur diffrente de celle qui est applique son primaire.

164

1. 2. - FONCTIONNEMENT A VIDE DU TRANSFORMATEUR


Il nous faut examiner d'abord comment se comporte le transformateur lorsque le primaire est reli au secteur et que le secondaire
n'est reli aucun circuit (on dit qu'il est ouvert), comme sur la figure 2 ; dans ces conditions, on dit que le transformateur
fonctionne vide, parce que son secondaire ne fournit aucun courant.

Le seul courant qui circule dans le transformateur est celui qu'absorbe le primaire reli au secteur ; ce courant, quand il parcourt
l'enroulement, aimante le noyau, c'est pourquoi on l'appelle courant magntisant.
Si l'on indique par Np le nombre de spires du primaire et par Io le courant magntisant, on obtient une f.m.m., donne par le
produit Np x Io, qui produit le flux dans le noyau.
Si nous ngligeons, pour le moment, la rsistance du conducteur qui constitue l'enroulement, nous voyons que le primaire se
comporte comme une bobine sans rsistance, munie d'un noyau ferm et alimente par un courant alternatif.
D'aprs tout ce que nous avons vu dans les leons prcdentes, nous pouvons dire que l'enroulement primaire produit une f.e.m.
d'auto-induction (que nous indiquons maintenant par Ep) gale la tension du secteur (que nous appelons Vp). En ralit, la
tension Vp applique au primaire est lgrement suprieure la f.e.m. Ep car elle doit galement compenser la chute de tension
produite par le courant magntisant du fait de l'enroulement. Cependant, comme ce courant n'est pas trs intense, la chute de
tension est assez faible et l'on peut donc la ngliger, en retenant par consquent que, lorsque le transformateur fonctionne vide, la
tension Vp applique son primaire est gale la f.e.m. Ep produite par celui-ci par auto-induction.
Sur la figure 2, nous voyons que le flux produit par le primaire est galement embrass par le secondaire : les variations du flux
produisent donc dans le secondaire, par induction lectromagntique, une f.e.m. que nous nommons Es.
(Nous reportons le mme schma pour en facilit la tache).

On peut considrer le secondaire du transformateur comme un gnrateur qui ne fournit pas de courant, n'tant reli aucun circuit.
Dans ces conditions, d'une faon analogue ce qui se produit pour un gnrateur normal, la tension entre les extrmits du
secondaire, tension que nous appelons Vs, est donc gale la f.e.m. Es induite dans le secondaire mme.
Nous voyons ainsi que, lorsque le transformateur fonctionne vide, la tension Vp applique son primaire et la tension Vs
obtenue son secondaire sont gales aux f.e.m. Ep et Es induites dans les deux enroulements.

165

Notons que si un courant continu et non pas alternatif circulait dans le primaire, le flux ne changerait pas dans le noyau ; par suite,
aucune f.e.m. ne s'induirait dans le secondaire et l'on n'obtiendrait aucune tension entre les extrmits de cet enroulement : on
comprend donc pourquoi un transformateur ne peut fonctionner qu'avec le courant alternatif et jamais avec le courant
continu.
Il faut maintenant rappeler la loi de NEUMANN, selon laquelle la f.e.m. induite dans une spire s'obtient en divisant la variation du
flux par le temps durant lequel se produit cette variation.

Cette loi est valable pour le primaire comme pour le secondaire du transformateur, et puisque les deux enroulements sont
embrasss par le mme flux qui varie donc de la mme faon pour les deux, nous pouvons dire que dans chaque spire du primaire
et dans chaque spire du secondaire s'induisent des f.e.m. gales.
On en dduit que la valeur des f.e.m. Ep et Es induites dans le primaire et dans le secondaire est d'autant plus grande que le
nombre de spires de ces enroulements est plus grand.
Supposons par exemple, qu'un transformateur ait un primaire de 440 spires et un secondaire de 880 spires, et que la f.e.m.
induite dans chacune de ces spires ait une valeur de 0,5 V ; la f.e.m. Ep induite dans le primaire aura la valeur de 440 x 0,5 =
220 V, tandis que la f.e.m. Es induite dans le secondaire aura la valeur de 880 x 0,5 = 440 V.
Si nous nous rappelons maintenant que, lorsque le transformateur fonctionne vide, les f.e.m. Ep et Es sont gales la tension
primaire Vp et la tension secondaire Vs, nous pouvons dire qu'en appliquant au primaire du transformateur la tension du secteur
de 220 V, on obtient au secondaire une tension de 440 V, comme on le voit sur la figure 3-a, o le nombre des spires primaires et
secondaires est indiqu par Np et Ns.

Dans ce cas, la tension obtenue par le secondaire tant suprieure celle qui a t applique au primaire, le transformateur est
appel lvateur de tension.
Supposons au contraire qu'un transformateur ait toujours un primaire de 440 spires mais un secondaire de 88 spires seulement ; en
supposant, l encore, que la f.e.m. induite dans chaque spire ait une valeur de 0,5 V, il s'induit encore dans le primaire une
f.e.m. Ep de 440 x 0,5 = 220 V, tandis que la f.e.m. Es induite dans le secondaire est maintenant de 88 x 0,5 = 44 V.
Lorsque le transformateur fonctionne vide, en appliquant son primaire la mme tension du rseau Vp de 220 V, on obtient donc
son secondaire la tension Vs de 44 V, comme indiqu sur la figure 3-b.

166

Puisque l'on obtient au secondaire une tension infrieure celle qui a t applique au primaire, le transformateur est appel
abaisseur de tension.
En divisant la tension secondaire Vs d'un transformateur par sa tension primaire Vp, on obtient le rapport de
transformation du transformateur, que l'on indique par la lettre n.
n = Vs / Vp
Le transformateur de la figure (3-a) a donc un rapport de transformation donn par 440 / 220 = 2, c'est--dire suprieur 1, parce
qu'il s'agit d'un transformateur lvateur de tension, la tension primaire tant gale la moiti de la tension secondaire. Le rapport
de transformation du deuxime transformateur est donc n = 0,2 c'est--dire infrieur 1, car il s'agit d'un transformateur abaisseur
de tension, la tension primaire tant cinq fois plus grande que la tension secondaire.
Notons maintenant que, si nous divisons le nombre de spires du secondaire Ns par le nombre de spires du primaire Np, nous
obtenons le nombre qui indique le rapport de transformation. En effet, en faisant cette division pour le transformateur de la figure
3-a, qui a 440 spires primaires et 880 spires secondaires, on obtient 880 / 440 = 2, nombre gal au rapport de transformation du
transformateur ; d'une faon analogue, pour le transformateur de la figure 3-b, on obtient 88 / 440 = 0,2.
Nous pouvons donc dire que le rapport de transformation d'un transformateur est gal au nombre obtenu en divisant le
nombre de spires du secondaire par le nombre de spires du primaire.
n = Ns / Np
Cela signifie que si un transformateur doit fournir, par exemple, une tension secondaire deux fois plus grande que la tension
primaire, les spires du secondaire doivent tre deux fois plus nombreuses que celles du primaire ; si au contraire, il doit fournir une
tension secondaire cinq fois plus petite que celle du primaire, les spires du secondaire doivent tre cinq fois moins nombreuses que
celles du primaire.
Pour raliser un transformateur, il suffit donc de savoir combien de spires il faut enrouler son primaire car, d'aprs le rapport de
transformation que l'on veut obtenir, on peut dterminer le nombre de spires du secondaire.
Pour trouver le nombre de spires du primaire, il faut d'abord calculer la f.e.m. produite par auto-induction dans chaque spire de
l'enroulement ; pour cela, on se reporte la loi de NEUMANN, d'aprs laquelle on doit tenir compte de la variation du flux et du
temps pendant lequel se produit cette variation, c'est--dire de sa rapidit.
Nous observons que le flux produit par un courant alternatif varie comme ce courant entre une valeur nulle et une valeur maximale
; sa variation sera donc d'autant plus grande que cette valeur maximale est grande. Pour la mme raison, la rapidit de variation du
flux est gale celle du courant qui le produit.
Nous avons vu dans les leons prcdentes que la rapidit avec laquelle varie une grandeur alternative sinusodale est appele
pulsation (
) et qu'elle est donne par le produit (2 n) multipli par la frquence f.

En multipliant (2 n) par la frquence et par la valeur maximale du flux d'induction, on obtient la valeur maximale de la f.e.m.
induite dans chaque spire du primaire.
En divisant la valeur maximale de la f.e.m. par 1,41 ; on trouve la valeur efficace, mais comme (2 n) divis par 1,41 donne 4,45,
nous pouvons galement dire que la valeur efficace (E) de la f.e.m. induite dans chaque spire du primaire d'un transformateur
s'obtient en multipliant par le nombre 4,45 par la frquence (f) du courant et par la valeur maximale du flux d'induction.
E = 4,45 f
Comme nous l'avons dj vu, en multipliant cette f.e.m. par le nombre de spires du primaire, on obtient la valeur efficace de
la f.e.m. Ep induite dans le primaire, gale la tension du rseau Vp applique ce primaire.
Nous trouvons donc que la tension du secteur Vp doit tre gale au produit du nombre 4,45 par la frquence f, par la valeur
maximale du flux et par le nombre de spires du primaire Np.

167

Vp = 4,45 f

Np

Pour dterminer ce nombre de spires, il suffit de diviser la tension du secteur par le produit de 4,45 par la frquence et par la valeur
maximale du flux ; la tension du secteur et la frquence sont toujours connues, il reste chercher la valeur maximale du flux, ce
que nous verrons plus tard.
Tout cela nous montre que le nombre de spires du primaire est d'autant plus grand que la valeur efficace de la tension que l'on veut
appliquer au transformateur est plus grande. Pour utiliser un transformateur avec des tensions de rseau diffrentes, il suffit donc de
faire varier correctement le nombre de spires du primaire auxquelles on applique chacune de ces tensions.
La figure 4 montre, par exemple, comment on peut utiliser les transformateurs de la avec une tension secteur de 110 V.

Puisque la tension de 220 V s'applique chacune des 440 spires du primaire, la tension de 110 V, d'une valeur gale la moiti de
la prcdente, doit s'appliquer un nombre de spires gal aussi la moiti du prcdent, c'est--dire seulement 220 spires. Pour
cela, on utilise une prise intermdiaire (indique par B sur la figure 4) dispose de faon ce que, entre l'extrmit A de
l'enroulement et cette prise soient comprises les 220 spires ncessaires, tandis que les 220 spires de l'enroulement qui restent
comprises entre l'extrmit (C) et la prise B ne sont pas utilises.
De cette faon, le rapport de transformation de ces transformateurs est doubl : en effet, si l'on compare la figure 3 et la figure 4, on
voit que pour le transformateur lvateur de tension, le rapport de transformation passe de 2 4, tandis que pour le transformateur
abaisseur de tension, ce mme rapport passe de 0,2 0,4.
De nombreux transformateurs ont un primaire comportant plusieurs prises intermdiaires, chacune tant adapte une valeur de
tension particulire ; ces primaires sont appels universels parce qu'ils permettent d'utiliser le transformateur avec toutes les
valeurs possibles que peut prendre la tension du secteur.
On peut galement utiliser les prises intermdiaires pour le secondaire, quand on a besoin de tensions infrieures celle que l'on a
obtenue aux extrmits de l'enroulement : par exemple, avec une prise situe la moiti du secondaire du transformateur de la
figure 4-a, on pourrait obtenir deux tensions de 220 V, entre cette prise et chaque extrmit de l'enroulement.
1. 3. - FONCTIONNEMENT EN CHARGE DU TRANSFORMATEUR
Nous allons voir maintenant comment se modifie le fonctionnement du transformateur lorsque son secondaire est reli au circuit
qui doit tre aliment grce la tension Vs fournie par l'enroulement.
Dans ces conditions, on dit que le transformateur fonctionne en charge car le circuit reli son secondaire est aussi appel
charge du transformateur.
En supposant que ce circuit ne comprenne qu'une rsistance, comme sur la figure 5, la tension secondaire Vs y fera circuler un
courant secondaire (indiqu par Is) dont l'intensit est gale la tension secondaire divise par la valeur de la rsistance,
conformment la loi d'OHM. Comme ce courant traverse la charge constitue par la rsistance, on l'appelle aussi courant de
charge.

168

En circulant dans les spires du secondaire, le courant de charge produit son tour un flux d'induction apte s'opposer, selon la loi
de LENZ, la cause qui l'a engendr, c'est--dire la variation du flux produit par le courant d'aimantation Io.
On pourrait donc penser que le flux produit par le courant secondaire en s'opposant la variation du flux produit par le courant
d'aimantation, rend impossible le fonctionnement du transformateur ; mais au contraire, ds que commence la circulation du
courant secondaire (Is) et donc que le flux se produit, le primaire prend au rseau un nouveau courant, que nous indiquons par Ip,
et produit ainsi son tour un troisime flux qui, chaque instant, est gal et oppos celui que produit le courant secondaire et en
neutralise ainsi l'effet.
C'est en cela que consiste le phnomne d'induction mutuelle selon lequel, comme nous l'avons dj vu, les enroulements agissent
l'un sur l'autre : en effet, de mme que le primaire dtermine la circulation du courant Is dans le secondaire, de mme le secondaire,
son tour, dtermine la circulation du courant Ip dans le primaire.
Comme les deux flux produits par ces courants sont gaux et opposs, ils s'annulent et quand le transformateur fonctionne en
charge, on a pratiquement dans son noyau que le flux produit par le courant d'aimantation Io, comme dans le cas du
fonctionnement vide.
Notons que, lorsque le transformateur fonctionne en pleine charge, le courant Io est trs infrieur au courant Ip ; c'est pourquoi
nous nous limiterons dornavant l'examen de ce courant.
Puisque ces deux flux sont gaux, les f.m.m. qui les produisent doivent aussi tre gales : la f.m.m. primaire, indique par le
produit Np x Ip sur la figure 5, doit donc tre gale la f.m.m. secondaire, indique par le produit Ns x Is sur cette mme figure 5.
Cette galit entre les f.m.m. permet de voir quelle relation existe entre le nombre de spires du primaire et du secondaire et entre
les courants correspondants Ip et Is.
Voyons pour cela la figure 6, o sont reports les transformateurs de la figure 3 ; les secondaires sont maintenant relis des
rsistances d'une valeur permettant de faire circuler le mme courant de charge de 2 ampres.
Comme le secondaire du transformateur de la figure 6-a comprend 880 spires, la f.m.m. due au courant de 2 ampres qui circule
dans cet enroulement est de 880 x 2 = 1 760 A.t.
D'autre part, puisque le primaire de ce transformateur a un nombre de spires gal la moiti de celui du secondaire (440 au lieu de
880), pour produire la mme f.m.m. cet enroulement doit tre parcouru par un courant deux fois plus grand que celui du
secondaire, c'est--dire par un courant de 4 ampres : en effet, dans ce cas, on obtient encore 440 x 4 = 1 760 A.t.

169

Nous voyons ainsi que le transformateur lve la valeur de la tension, en la doublant de 220 440 V, mais qu'il rduit dans le
mme rapport l'intensit du courant, en la rabaissant en effet de 4 2 A.
Pour le transformateur de la figure 6-b, la f.m.m. du secondaire n'est gale qu' 88 x 2 = 176 A.t car son enroulement n'a que 88
spires parcourues par le courant de 2 ampres.
Pour produire la mme f.m.m., le primaire qui a un nombre de spires cinq fois plus grand que le secondaire (440 au lieu de 88),
doit tre parcouru par un courant cinq fois plus petit que celui du secondaire, donc gal 0,4 A : on obtient encore 440 x 0,4 = 176
A.t.
Nous voyons ainsi que, dans ce cas, le transformateur divise par cinq la valeur de la tension de 220 44 V, mais qu'il lve
dans le mme rapport l'intensit du courant, en la multipliant par 5 et en la portant ainsi de 0,4 2 ampres.
Nous trouvons ainsi que, tandis que les tensions du primaire et du secondaire sont d'autant plus grandes que le nombre de spires
des enroulements correspondants est plus lev, au contraire, les courants sont d'autant plus faibles que le nombre de spires des
mmes enroulements est plus grand.
Pour le comprendre, il faut examiner la puissance lectrique mise en jeu dans le transformateur.
La puissance secondaire s'obtient en multipliant la tension fournie au secondaire par le courant qui circule dans cet enroulement ;
par exemple, pour le transformateur de la figure 6-a, cette puissance est de 440 x 2 = 880 W.
En multipliant la tension applique au primaire par le courant qui circule dans cet enroulement on obtient, au contraire, la
puissance primaire, qui est donc de 220 x 4 = 880 W pour le mme transformateur de la figure 6-a.
De la mme faon, pour le transformateur de la figure 6-b, la puissance secondaire est de 44 x 2 = 88 W, et la puissance primaire
est de 220 x 0,4 = 88 W.
Nous voyons ainsi que, dans le cas d'un transformateur lvateur de tension, comme dans celui d'un transformateur abaisseur de
tension, la puissance fournie par le secondaire la charge est gale celle fournie par le rseau au primaire : cela signifie que le
transformateur se fait que transporter du primaire au secondaire la puissance ncessaire la charge qu'on y relie, en faisant
toutefois varier les valeurs de la tension et du courant dont dpend cette puissance.
En ralit, la puissance fournie par le rseau au transformateur est toujours un peu suprieure celle qui est ncessaire pour la
charge car une partie de cette puissance est perdue dans le transformateur ; nous allons donc voir comment il peut se produire des
pertes de puissance dans le transformateur.
1. 4. - PERTES DE PUISSANCE DANS LE TRANSFORMATEUR
Les pertes de puissance se produisent dans les enroulements et dans le noyau du transformateur.
La puissance perdue dans les enroulements est due la rsistance du conducteur qui les constitue, rsistance donnant lieu des
chutes de tension qui ne sont plus ngligeables lorsque le transformateur, fonctionnant en charge, est parcouru par des courants
plus intenses que lorsqu'il fonctionne vide.
L'effet de ces chutes de tension produites dans les enroulements consiste en une rduction de la tension secondaire, rduction que
l'on peut empcher en bobinant au secondaire un nombre de spires lgrement suprieur celui qui est ncessaire pour obtenir le
rapport de transformation voulu. De cette faon, lorsque le transformateur fonctionne vide, on obtient une tension secondaire un
peu suprieure la valeur que l'on devrait avoir, mais qui descend cette valeur exacte quand le transformateur fonctionne en
charge, prcisment cause des chutes de tension.
La puissance perdue dans les enroulements se dissipent sous forme de chaleur, dterminant une augmentation de la temprature des
enroulements, avec le risque de dtriorer leur isolement.
Il faut se rappeler en effet que les spires, enroules sur plusieurs couches superposes, sont isoles l'une de l'autre par l'mail qui
recouvre les fils et que les couches sont isoles entre elles par des bandes de papier paraffin.
On comprend tout de suite que l'mail et le papier paraffin peuvent se dtriorer si le conducteur atteint une temprature
excessive, causant ainsi des courts-circuits entre les spires et rendant inutilisables les enroulements.

170

Pour viter ceci, il faut utiliser des conducteurs d'une section approprie au courant qui doit les parcourir, de faon ne pas avoir
des dissipations de puissance excessives et des augmentations de temprature dangereuses.
On dtermine la section des conducteurs d'aprs la densit de courant maximale admissible, c'est--dire d'aprs le courant
maximal qui peut traverser chaque millimtre carr de leur section sans porter la temprature des valeurs dangereuses.
La densit de courant la mieux adapte est souvent donne par les rsultats obtenus dans la pratique.
Pour les transformateurs que nous sommes en train de voir, on a constat que la densit du courant ne devait pas dpasser 3 A pour
chaque millimtre carr de la section. Cela signifie que, si un enroulement doit tre parcouru par un courant de 3 A, le conducteur
qui le constitue doit avoir une section de 1 mm2 ; si, au contraire, l'enroulement doit tre parcouru par un courant de 6 A, le
conducteur devra avoir une section de 2 mm2, de faon ce que, sur chaque millimtre carr il n'y ait toujours que 3 A ; si le
courant n'est que de 1,5 A, il suffit que le conducteur ait une section de 0,5 mm2.
On indique la densit du courant par la lettre grecque i (iota) et on la mesure en ampres par mtre carr (symbole A / m2). Dans la
pratique, il est incommode de mesurer les petites sections des conducteurs en mtres carrs et l'on utilise donc le millimtre carr,
comme on l'a vu plus haut ; la densit du courant est donc gnralement exprime en ampres par millimtre carr (symbole A /
mm2).
Tout cela nous permet de comprendre pourquoi, quand on utilise un transformateur, il faut veiller ne pas relier son secondaire
une charge exigeant un courant suprieur au courant maximal que peut fournir l'enroulement, ceci afin de ne pas dpasser dans les
conducteurs la densit maximale de courant admissible et de ne pas risquer d'endommager le transformateur.
Normalement, le constructeur du transformateur indique le courant de charge et la puissance secondaire exprime en gnral en
voltampres (symbole VA), c'est--dire le produit des volts par les ampres du secondaire.
Examinons maintenant les pertes de puissance qui se produisent dans le noyau du transformateur.
Nous devons d'abord observer que, de mme que le primaire induit un courant dans le secondaire, de mme il induit un courant
dans le noyau (celui-ci tant d'une matire ferromagntique, est galement un conducteur). Ces courants sont appels courants de
FOUCAULT, du nom du franais Lon FOUCAULT (1819 - 1868) qui, le premier, en dmontra exprimentalement l'existence.
Quand ils circulent dans le noyau, les courants de FOUCAULT dissipent une puissance lectrique qui doit tre considre comme
perdue car elle ne peut pas tre transporte du primaire au secondaire.
Il faut rduire autant que possible les courants de FOUCAULT et pour cela, il faut savoir qu'ils circulent dans les diffrents espaces
du noyau selon les parcours indiqus par les pointills de la figure 7-a.

Pour que les courants ne suivent pas ces parcours, le noyau n'est pas fabriqu d'un bloc massif unique, mais de nombreuses feuilles
de tle trs fine, qui ont toutes la forme indique par la figure 7-b ; une face des tles est isole par une feuille de papier ou, plus
souvent, par une couche de vernis. Les tles sont jointes entre elles, comme sur la figure 7-c, en nombre suffisant pour former le
noyau de l'paisseur voulue.
De cette faon, les courants ne peuvent plus suivre les parcours indiqus par la figure 7-a, car entre deux tles, ils rencontrent la
couche isolante ; ils circulent donc dans chaque tle, mais tant donn leur trs fine paisseur, ils rencontrent une rsistance trs
importante qui rduit sensiblement leur intensit. De plus, on ne construit pas les tles avec du fer pur, mais avec du fer mlang
un peu de silicium, ce qui augmente encore leur rsistance, en rduisant ainsi des valeurs assez basses les courants de
FOUCAULT et les pertes qu'ils produisent.

171

En plus de ces pertes, il y a galement dans le noyau des pertes par hystrsis. Comme nous l'avons vu dans la leon prcdente (),
le phnomne d'hystrsis magntique consiste en un certain retard des petits aimants lmentaires suivre, par leur orientation,
les variations du courant alternatif ; ce retard est l'indice d'une certaine paresse des petits aimants s'orienter, paresse qui doit
tre vaincue aux dpens d'une puissance lectrique que l'on doit donc considrer comme perdue, car elle ne peut pas tre
transporte jusqu'au secondaire et utilise par la charge.
1. 5. - SECTION DU NOYAU
En ce qui concerne le noyau, nous devons encore voir comment l'on peut dterminer le flux d'induction qui le traverse.
D'aprs ce qui a t dit dans la leon prcdente propos des circuits magntiques, nous savons pourquoi le flux traversant le
noyau peut tre compar au courant circulant dans un circuit lectrique.
Nous avons examin prcdemment la densit du courant ; pour le noyau, nous devons voir maintenant la densit du flux, appele
plus souvent induction, c'est--dire le flux qui traverse chaque centimtre carr de la section du noyau.
On examine cette section du noyau d'aprs celle, trace en noir sur la figure 8, qui est traverse perpendiculairement par les lignes
d'induction du flux entier.
On indique l'induction par la lettre B et on la mesure en webers par mtre carr (symbole Wb / m2) galement appel tesla
(symbole T).
Nous avons vu la densit du courant pour limiter des valeurs non dangereuses la temprature des conducteurs ; nous devons voir
la densit du flux pour viter que la saturation du noyau ne se produise.

En effet, si l'induction atteint des valeurs trop leves, c'est--dire si chaque centimtre carr de la section du noyau est travers par
un flux excessif, le noyau se sature car tous ses petits aimants sont alors orients : le flux ne peut plus augmenter sensiblement,
mme si le courant qui le produit augmente toujours. Cela doit tre vit car, pour que le fonctionnement du transformateur soit
correct, le flux doit toujours varier en mme temps que le courant.
Les valeurs de l'induction sont galement trouves exprimentalement : on assigne gnralement l'induction une valeur maximale
comprise entre 1 et 1,3 teslas.
Si l'on connat l'induction, c'est--dire le flux qui traverse chaque mtre carr, ou mieux, chaque centimtre carr de la section du
noyau et si l'on connat aussi la surface de cette section, on peut dterminer le flux maximal, en multipliant l'induction par la
section.
Pour trouver la section du noyau, on peut galement avoir recours la pratique, qui a permis de constater que l'on pouvait calculer
cette section (s) en extrayant la racine carre de la puissance (P) du transformateur et en multipliant le nombre obtenu par 1,1.

Ainsi le flux d'induction dpend de la puissance du transformateur et cela justifie le procd dont nous avons parl, car le transport
de puissance du primaire au secondaire se produit prcisment par l'intermdiaire du flux d'induction embrass par les deux
enroulements, et l'on comprend que ce flux doit tre d'autant plus grand que cette puissance est plus grande.

172

Pour un transformateur de 100 VA, on trouve une section de :

2. AUTOTRANSFORMATEURS
Comme nous l'avons vu, le transformateur fonctionne d'aprs le phnomne de l'induction rciproque qui se produit entre les deux
enroulements ; mais, dans les leons prcdentes, nous avons vu galement le phnomne analogue de l'auto-induction qui se
produit dans un enroulement unique. En exploitant ce dernier phnomne, on a ralis un dispositif analogue au transformateur et
qui ne comprend pourtant qu'un seul enroulement la place du primaire et du secondaire.
Ce dispositif est appel autotransformateur et, comme le transformateur, il peut tre soit un lvateur, soit un abaisseur de
tension.
Pour mieux comprendre le fonctionnement de l'autotransformateur, il faut voir d'abord l'autotransformateur abaisseur de tension
qui, comme le montre la figure 9-a, est constitu par un noyau (du mme type que celui utilis pour les transformateurs) autour
duquel est dispos l'enroulement, muni d'une prise intermdiaire indiqu par B et d'une seconde prise relie l'extrmit A.
Sur la figure 9-b est dessin le symbole graphique qui sert reprsenter l'autotransformateur dans les schmas lectriques et l'on
voit comment cet lment est reli au secteur et la charge.

Puisque l'enroulement comprend 352 + 88 = 440 spires, si nous supposons que le flux embrass par ces spires induit dans chacune
d'elles une f.e.m. de 0,5 V, on obtient entre les extrmits A et C une f.e.m. de 440 x 0,5 = 220 V, gale la tension du secteur
applique entre ces extrmits.
Si dans chaque spire, on induit 0,5 V, aux extrmits des 88 spires comprises entre l'extrmit A et la prise intermdiaire B,
s'induit une f.e.m. de 88 x 0,5 = 44 V, grce laquelle on peut faire circuler un courant de 2 ampres dans la rsistance de 22
ohms.
Nous voyons donc qu'avec l'autotransformateur, on peut rduire la tension du secteur de cinq fois, de 220 44 V, comme on l'a fait
avec le transformateur de la figure 6-b.
On obtient donc la tension de la charge sur une partie du mme enroulement auquel est applique la tension du secteur : les 440
spires comprises entre A et C, entre lesquelles on applique la tension du secteur, peuvent donc tre considres comme des spires
primaires, tandis que les 88 spires comprises entre l'extrmit A et la prise B, o l'on obtient la tension de la charge, peuvent tre
considres comme des spires secondaires.
Ainsi, entre le nombre de ses spires primaires et secondaires et entre les courants et les tensions correspondants, les relations que
nous avons trouves pour les transformateurs sont valables. En particulier, nous appellerons rapport de transformation de
l'autotransformateur, le nombre obtenu en divisant la tension dlivre par le secondaire par la tension applique au
primaire.
La seule diffrence avec le transformateur consiste dans le fait que certaines spires primaires servent aussi de spires secondaires et
sont donc parcourues par le courant primaire et par le courant secondaire.

173

Voyons maintenant l'autotransformateur lvateur de tension, dont la constitution est montre sur la figure 10-a, tandis que sur la
figure 10-b, on peut voir comment les extrmits A et C de l'enroulement et la prise intermdiaire B sont relies au secteur et la
charge.

Dans ce cas, la tension du secteur est applique aux 440 spires comprises entre l'extrmit A et la prise B, car en supposant encore
que le flux induise dans chacune de ces spires une f.e.m. de 0,5 V, on obtient entre ces points une f.e.m. de 440 x 0,5 = 220 V,
justement gale la tension du secteur.
Nous devons observer que les lignes d'induction, en se fermant travers le noyau, embrassent l'enroulement entier dispos autour
de celui-ci et donc les 440 autres spires comprises entre la prise B et l'extrmit C : dans chacune de ces spires une f.e.m. de 0,5
V est donc induite, et entre ces points, on obtient donc une f.e.m. de 440 x 0,5 = 220 Volts.
Entre les extrmits A et C de l'enroulement, on obtient donc une f.e.m. de 220 + 220 = 440 V, qui permet de faire circuler le
courant de 2 A dans la rsistance de 220 relie ces mmes extrmits.
Nous voyons donc qu'avec cet autotransformateur, on peut doubler la tension du secteur de 220 440 V, comme on le fait avec le
transformateur de la .
On applique maintenant la tension du secteur une partie de cet enroulement dont on obtient la tension de la charge : les 880 spires
comprises entre les extrmits A et C, ou l'on obtient la tension de la charge, peuvent donc tre considres comme des spires
secondaires, tandis que les 440 spires comprises entre l'extrmit A et la prise B laquelle est applique la tension du secteur
peuvent tre considres comme des spires primaires.
Ainsi, pour l'autotransformateur lvateur de tension, on peut dire qu'entre le nombre de spires primaires et secondaires et entre les
tensions et courants correspondants s'appliquent les mmes relations que celles que nous avons trouves pour le transformateur ;
dans ce cas, nous pouvons galement appeler rapport de transformation de l'autotransformateur le nombre obtenu en
divisant la tension dlivre par le secondaire par la tension applique au primaire.
La seule diffrence par rapport au transformateur consiste dans le fait que certaines spires secondaires servent galement de spires
primaires et sont donc parcourues par le courant primaire et le courant secondaire.
Pour l'autotransformateur lvateur de tension, on vrifie donc le fait dj vu pour l'autotransformateur abaisseur de tension, c'est-dire que, dans la partie d'enroulement comprise entre la prise intermdiaire B et l'extrmit A, circulent le courant primaire et le
courant secondaire.
Ces deux courants se comportent comme nous l'avons dj vu pour le transformateur, en produisant deux f.m.m. et donc deux flux
d'induction gaux et opposs ; pour cela, les courants doivent circuler en sens contraire, c'est--dire que, tandis que l'un est dirig,
par exemple, de la prise intermdiaire B vers l'extrmit A, l'autre est dirig de l'extrmit A vers la prise B et vice versa.
En ralit, dans la partie d'enroulement comprise entre la prise B et l'extrmit A, circule un courant gal la diffrence entre les
courants primaire et secondaire ; si ces courants ont une intensit peu diffrente, le courant qui rsulte de leur diffrence a une
intensit rduite.
On peut donc raliser cette partie d'enroulement avec un conducteur d'une section plus petite que le reste de l'enroulement ; il est
ainsi parcouru par un courant d'intensit rduite qui donne lieu une dissipation de puissance plus faible.
Nous voyons aussi que l'autotransformateur ne possde pas d'enroulement secondaire, et nous pouvons en conclure que cet appareil
prsente un volume moins encombrant, moins lourd et aussi moins coteux qu'un transformateur de puissance gale. De plus, un
autotransformateur permet aussi d'conomiser une partie de la matire ferromagntique ncessaire son noyau.

174

En effet, la puissance qu'un transformateur fournit la charge doit tre entirement transporte du circuit primaire au circuit
secondaire par l'intermdiaire du flux d'induction, car c'est le seul lment que ces deux circuits ont en commun.
Dans le cas de l'autotransformateur, au contraire, ces deux circuits ont galement en commun la partie d'enroulement comprise
entre la prise B et l'extrmit A, et aussi la puissance relative cet espace, qu'il ne faut donc pas transformer en faisant varier la
tension et par consquent le courant.
L'autotransformateur ne transforme en effet que la puissance relative la partie d'enroulement comprise entre la prise B et
l'extrmit C, en la transfrant, par l'intermdiaire du flux d'induction, jusqu' la partie d'enroulement comprise entre la prise B et
l'extrmit A, laquelle est relie la charge.
Cette puissance est aussi appele puissance transforme et on la calcule en multipliant la tension qui existe entre les points B et C
par le courant qui parcourt l'espace d'enroulement comprise entre ces mmes points.
Par exemple, pour l'autotransformateur , on obtient entre B et C une tension de 220 - 44 = 176 V, tandis que l'intensit du courant
est de 0,4 A, et que la puissance transforme est donc : 176 x 0,4 = 70,4 W.
Puisque la charge rclame une puissance de 44 x 2 = 88 W, cela veut dire que la puissance de 88 - 70,4 = 17,6 Watts passe
directement du primaire au secondaire.
Nous voyons donc que, tandis que dans le cas d'un transformateur, il aurait fallu calculer la section du noyau d'aprs la puissance
totale de 88 W, on peut calculer la section du noyau de l'autotransformateur d'aprs la puissance transforme qui n'est que de 70,4
W, le noyau est donc de dimensions plus rduites, mme si c'est de peu.
On pourrait obtenir une rduction plus importante des dimensions du noyau de l'autotransformateur : En effet, puisque entre B et
C on a la tension de 440 - 220 = 220 V, avec un courant d'intensit de 2 A, la puissance transforme est de 220 x 2 = 440 W, c'est-dire la moiti de la puissance totale rclame par la charge, qui est de 440 x 2 = 880 W.
Ces exemples nous montrent que la puissance transforme diminue par rapport la puissance totale rclame par la charge quand
les spires comprises entre la prise B et l'extrmit A augmentent par rapport celles de l'enroulement entier. En effet, tandis que
sur l'autotransformateur de la figure 9, les spires comprises entre ces deux points ne forment que le cinquime des spires de
l'enroulement entier, sur l'autotransformateur de la figure 10, les spires comprises entre ces points forment au contraire la moiti
des spires de l'enroulement entier.
L'augmentation des spires comprises entre les points A et B par rapport celles de l'enroulement entier a donc l'avantage de rduire
les dimensions du noyau par suite de la diminution de la puissance transforme. De plus, comme nous l'avons vu prcdemment,
les spires comprises entre les points A et B sont enroules avec un conducteur de petite section, et quand elles augmentent, on
obtient une plus grande conomie de la matire non seulement dans la construction du noyau, mais aussi dans l'excution de
l'enroulement.
Nous observons enfin que, si l'on augmente les spires comprises entre A et B par rapport l'ensemble des spires, la diffrence entre
la tension primaire et la tension secondaire diminue, c'est--dire que le rapport de transformation se rapproche de plus en plus de 1
; ce rapport serait gal 1 si la tension primaire tait gale la tension secondaire.
Nous pouvons donc conclure que l'autotransformateur est d'autant plus avantageux par rapport au transformateur que son
rapport de transformation est plus voisin de 1.
Mais l'autotransformateur a galement un dsavantage par rapport au transformateur ; on peut s'en rendre compte en
examinant la figure 11 o ces deux lments sont reprsents relis au secteur par l'intermdiaire d'un interrupteur.
Comme on le voit sur la figure 11-a, le circuit secondaire du transformateur n'est pas reli au secteur ; il n'est donc pas sous tension
quand on ouvre l'interrupteur pour en interrompre le fonctionnement.

175

Au contraire, le circuit secondaire de l'autotransformateur (figure 11-b) est reli au secteur par l'intermdiaire de l'enroulement ;
quand on ouvre l'interrupteur, le circuit reste reli l'un des conducteurs du secteur et se trouve donc sous tension.
Quand l'autotransformateur alimente un appareil, tous ces circuits sont monts sur un chssis mtallique auquel est relie
gnralement une extrmit de l'autotransformateur.
Le chssis est donc sous tension et, si on le touche, on peut recevoir une secousse lectrique mme quand l'appareil est teint. Dans
ce cas, pour viter de recevoir des secousses dsagrables, on doit dbrancher la prise du secteur avant de toucher le chssis.
Jusqu' prsent, nous avons vu les rsistances, les condensateurs, les bobinages, les transformateurs et les autotransformateurs,
c'est--dire les composants passifs fondamentaux.
Dans la prochaine thorie, nous introduirons un chapitre spcial de caractre gnral : les mesures lectriques, qui intressent tous
les domaines de l'lectronique.
LES MESURES LECTRIQUES
NOTE :
Dans les thories prcdentes, nous avons introduit presque toutes les grandeurs lectriques que l'on rencontre en lectronique avec
leurs units de mesure respectives. Nous devons voir maintenant comment se mesurent ces grandeurs, c'est--dire comment, dans
la pratique, on peut connatre leur valeur.
Dans ce but, prcisons avant tout que, pour l'lectronicien, il est essentiellement intressant de mesurer le courant, la tension et la
rsistance. En effet, lorsqu'on connat les valeurs prises par ces trois grandeurs en diffrents points du circuit, on peut dj avoir
une ide prcise de son fonctionnement et donc identifier une de ses ventuelles dfaillances.
Dans cette leon, nous verrons les appareils et les circuits les plus couramment utiliss pour mesurer les courants, les tensions et les
rsistances.

176

1. - MESURE DU COURANT
Occupons-nous d'abord de la mesure du courant car, comme nous le verrons par la suite, les mesures de la tension et de la
rsistance se font par l'intermdiaire de cette mesure.
Dans une des thories prcdentes, nous vous avons dit que l'on pouvait mesurer le courant lectrique en exploitant un des effets
qu'il produit en traversant un conducteur ; gnralement, on utilise l'effet magntique du courant, c'est--dire la proprit qu'il a de
produire un champ magntique autour des conducteurs qu'il traverse.
Dans la pratique, le courant mesurer passe dans une bobine et produit ainsi un champ magntique dont les lignes de force,
indiques sur la figure 1-a, ont le sens dtermin par le sens de circulation du courant, conformment la loi du tire-bouchon.
Nous observons que ces lignes de force sortent de l'extrmit droite de la bobine et rentrent par son extrmit gauche aprs avoir
travers l'espace extrieur, dans lequel elles progressent comme les lignes de force d'un aimant permanent (figure 1-b).

En ce qui concerne l'espace extrieur, la bobine se comporte donc comme un aimant permanent, et nous pouvons donc considrer
comme ple nord et ple sud les extrmits de la bobine par lesquelles les lignes de force sortent et entrent.
Pour ces ples, on peut galement appliquer la loi gnrale que nous connaissons dj, selon laquelle les ples de mme nom se
repoussent, tandis que les ples de nom contraire s'attirent ; on peut le constater, par exemple, grce au dispositif de la figure 2,
qui, avec des modifications particulires, sert aussi mesurer les courants.
Comme on le voit sur cette figure, on a plac entre les ples d'un aimant en forme de U, une bobine enroule sur un petit chssis
lger muni de deux pivots qui s'appuient sur des supports spciaux, de faon ce que la bobine soit libre de tourner autour d'un axe
vertical.

Supposons que l'enroulement soit parcouru par un courant qui circule dans un sens tel qu'il produise des lignes de force diriges
comme on le voit sur la figure 2-a ; le ple nord et le ple sud de la bobine sont dans les positions indiques par cette figure.
Dans ces conditions, on constate que le ple nord de la bobine est repouss par le ple nord de l'aimant et attir par son ple sud ;
de la mme faon, le ple sud de la bobine est repouss par le ple sud de l'aimant et attir par son ple nord, en accord avec la loi
dont nous avons parl plus haut.

177

Par suite de ces rpulsions et de ces attractions entre les ples de l'aimant et de la bobine, celle-ci tourne dans le sens indiqu par la
flche de la figure 2-a, jusqu' ce qu'elle s'arrte dans la position de la figure 2-b, portant ainsi son ple nord prs du ple sud de
l'aimant et son ple sud prs du ple nord de cet aimant.
On a aussi constat que les forces de rpulsion et d'attraction qui s'exercent entre les ples sont d'autant plus importantes que le
courant qui parcourt la bobine est plus grand. Ce fait a permis d'utiliser le dispositif de la figure 2 pour la mesure du courant.
Pour cela, le dispositif est modifi comme sur la figure 3-a et l'on ralise ainsi un instrument de mesure du courant, appel aussi
galvanomtre cadre mobile cause de la rotation que sa bobine peut accomplir, rotation qui sert dplacer en face d'un cadran
gradu une aiguille fixe cette bobine.
A l'intrieur de la bobine, on place un petit cylindre de fer doux qui est fixe, c'est--dire qui ne tourne pas avec la bobine, tandis
que les extrmits des ples de l'aimant sont profiles de faon rduire au minimum l'entrefer (ou l'espace occup par l'air) dans
lequel la bobine se dplace durant sa rotation.

Le galvanomtre cadre mobile peut galement tre ralis de manire diffrente bien que le principe reste identique. Au lieu
d'tre en forme de fer cheval, l'aimant peut tre de forme cylindrique et insr l'intrieur de la bobine mobile comme reprsent
sur la figure 3-b. Dans ce cas, un anneau de fer doux plac l'extrieur de la bobine referme le circuit magntique.
Avec les procds adopts, on obtient pour les deux types de galvanomtres un champ magntique important et l'on peut mesurer
ainsi des courants d'intensit trs rduite, car les forces dues ce champ important sont suffisantes pour dterminer la rotation de la
bobine, mme si le courant rduit qui la parcourt cre un champ trs faible. De plus, les lignes de force du champ produit par
l'aimant sont disposes uniformment autour de la bobine, ce qui permet d'obtenir un cadran avec des graduations quidistantes,
comme on le voit sur la figure 3.
Notons enfin qu'autour des pivots de la bobine, il y a deux ressorts spirale dont une extrmit est fixe aux pivots et l'autre aux
supports ; ces ressorts sont disposs de faon pouvoir entraver la rotation de la bobine et c'est pourquoi on les appelle des
ressorts antagonistes.
Pour nous rendre compte de la fonction excute par les ressorts antagonistes, voyons le fonctionnement de l'instrument.
Quand aucun courant ne parcourt la bobine, les ressorts la maintiennent dans une position telle que son aiguille se trouve en face de
l'extrmit gauche du cadran, o le zro est inscrit ; ce zro indique que le courant est nul. Dans ces conditions, on dit que l'aiguille
se trouve dans la position de repos.

178

Quand un courant parcourt la bobine, elle tourne comme nous l'avons vu prcdemment et son aiguille se dplace vers la droite en
s'loignant de la position de repos, comme on le voit sur la figure 3-a. La rotation de la bobine agit alors sur les ressorts fixs aux
pivots en les faisant se tendre, ce qui donne naissance des forces qui entravent cette rotation, car elles cherchent repousser la
bobine et son aiguille vers la gauche, c'est--dire vers la position de repos.
Au fur et mesure que la bobine tourne, les ressorts se tendent de plus en plus et par consquent les forces qui entravent la rotation
augmentent jusqu' ce qu'elles soient gales celles qui dterminent cette rotation. Ainsi, la bobine s'arrte car il y a quilibre entre
les forces dues au courant, qui tendent la faire tourner vers la droite, et les forces dues aux ressorts, qui tendent la ramener vers
la gauche.
Supposons, par exemple, que la bobine et son aiguille se soient arrtes dans la position indique figure 3-a ; si l'on augmente
maintenant le courant qui parcourt la bobine, celle-ci se remet tourner vers la droite car les forces qui dterminent la rotation dans
ce sens augmentent aussi en mme temps que le courant et l'quilibre est donc rompu. D'autre part, cause de la nouvelle rotation,
les ressorts se tendent encore et les forces qui leur sont dues augmentent leur tour, jusqu' ce qu'elles quilibrent de nouveau les
forces dues au courant ; lorsque cela se produit, la bobine s'arrte dans une nouvelle position, plus loigne que la prcdente de la
position de repos.
Nous voyons en somme qu' chaque valeur du courant correspond une position bien dtermine prise par l'aiguille. Pour
mesurer les courants avec ce galvanomtre, il suffit donc de connatre les valeurs du courant qui correspondent aux diffrentes
positions de l'aiguille. Pour cela, on peut faire parcourir la bobine du galvanomtre par diffrents courants de valeur connue, soit
d'abord par un courant de 1 mA, puis 2 mA, puis de 3 mA, etc... ; on marque ensuite ces valeurs sur le cadran en face de la
position prise par l'aiguille pour chaque courant.
Quand ces valeurs sont inscrites sur le cadran, le galvanomtre peut servir pour la mesure d'un courant dont on ne connat pas la
valeur : en effet, on peut maintenant lire cette valeur directement sur le cadran d'aprs la position dans laquelle l'aiguille s'arrte
lorsque le galvanomtre est travers par le courant mesurer.
Par exemple, les nombres reports sur l'chelle gradue de la figure 3-b indiquent la valeur du courant en milliampres, comme on
le voit sur l'inscription mA, symbole du milliampre, que l'on trouve sous le cadran.
Si nous faisons donc traverser ce galvanomtre par un courant de valeur inconnue et si nous voyons son aiguille s'arrter en face du
nombre 1, comme sur la figure 3-a, nous pouvons dire que le courant a une valeur de 1 mA. Puisque cet instrument sert en somme
mesurer les milliampres, on l'appelle un milliampremtre.
De tous les nombres inscrits sur le cadran d'un galvanomtre, le plus important est celui qui se trouve l'extrmit droite, c'est-dire la fin d'chelle, car il indique le calibre du galvanomtre, c'est--dire le courant maximum qu'il peut mesurer.
Les galvanomtres de la figure 3 ont un calibre de 10 mA car, comme nous le voyons sur cette figure, le nombre inscrit au bout du
cadran est justement 10.
Chaque galvanomtre est caractris par son calibre, qui est une donne dont on doit se souvenir lorsqu'on utilise un galvanomtre
dtermin, pour viter de le faire traverser par un courant suprieur au courant maximum qu'il peut mesurer. En effet, si cela se
produisait, le galvanomtre pourrait se dtriorer d'autant plus gravement que le courant qui le traverse est suprieur son
calibre.
Supposons, par exemple, que le galvanomtre de la figure 3-a soit travers par erreur par un courant de 20 mA. Dans ce cas, les
forces qui dterminent la rotation de la bobine vers la droite sont multiplies par deux par rapport celles qui sont ncessaires
pour porter l'aiguille la fin d'chelle. Par consquent, l'aiguille dpasse trs vite la position terminale et peut tre dforme par le
choc violent contre la bute qui, comme on le voit sur la figure 3, est place peu aprs la fin d'chelle, pour arrter l'aiguille.
Une autre donne caractristique d'un galvanomtre bobine mobile est sa rsistance interne, c'est--dire la rsistance que le
courant mesurer rencontre quand il passe dans ce galvanomtre ; cette rsistance est due au conducteur enroul qui constitue
la bobine mobile et peut tre comprise entre quelques dizaines et quelques centaines d'ohms, selon le type de galvanomtre.
Dans certains cas, la rsistance interne peut avoir une influence sur la mesure ; nous pourrons le constater en examinant l'insertion
d'un instrument de mesure du courant, c'est--dire la manire de le relier un circuit pour mesurer le courant qui y circule.
Puisque le courant mesurer doit traverser le galvanomtre, il est vident que celui-ci doit tre reli en srie avec le circuit dans
lequel circule ce courant.
Supposons, par exemple, que l'on veuille mesurer le courant qui circule dans le circuit de la figure 4-a ; puisque ce circuit est
aliment par une tension de 20 V et qu'il prsente une rsistance de 2 k , le courant qui y circule est de 20 / 2 = 10 mA.

179

Nous vous faisons observer que, comme on a exprim la rsistance en kilo-ohms, plutt qu'en ohms, le courant est exprim en
milliampres au lieu de l'tre en ampres. Ainsi les oprations sont plus simples, car elles peuvent tre faites avec des nombres qui
ne comportent pas trop de zros ; si au contraire, on avait utilis comme unit de mesure l'ohm et l'ampre, on aurait d faire la
division 20 / 2 000 = 0,01 Ampre = 10 mA.

Puisque le courant a une intensit de 10 mA, nous pouvons le mesurer avec un milliampremtre d'un calibre de 10 mA, comme
ceux de la figure 3.
Sur la figure 4-b, on voit l'insertion de ce galvanomtre reprsent par un petit cercle l'intrieur duquel l'inscription mA
rappelle qu'il s'agit du milliampremtre.
Sous le symbole graphique du galvanomtre, est indiqu le calibre 10 mA ; la rsistance interne (r) du milliampremtre est aussi
indique, elle est de 500 , c'est--dire de 0,5 k .
Puisque le milliampremtre est reli en srie, sa rsistance interne de 0,5 k s'ajoute celle de 2 k de la rsistance R et, aprs
l'insertion du milliampremtre, le circuit prsente donc une rsistance totale de 0,5 + 2 = 2,5 k .
Dans ces conditions, le courant qui parcourt le circuit est de 20 / 2,5 = 8 mA. Nous voyons donc que l'insertion du
milliampremtre perturbe le fonctionnement du circuit, en faisant passer de 10 mA 8 mA.
Le milliampremtre indiquera un courant de 8 mA, tandis qu'en ralit le courant qui parcourt le circuit, quand l'instrument n'est
pas insr, est de 10 mA.
Nous ne pouvons donc pas connatre avec exactitude l'intensit du courant, car la rsistance interne du galvanomtre accrot la
rsistance du circuit et par consquent diminue le courant ; pour obtenir une mesure plus exacte, nous devons donc utiliser un
galvanomtre qui ait une rsistance interne bien plus faible.
Par exemple, si l'on insre dans le circuit un milliampremtre dont la rsistance interne n'est que de 10 , c'est--dire de 0,01 k ,
comme sur la figure 4-c, la rsistance du circuit passera de 2 k 2,01 k et le courant sera donc de 20 / 2,01 9,95 mA.
Cette valeur ne diffre que de 0,05 mA de la valeur relle du courant qui est de 10 mA, et dans ce cas, la mesure est suffisamment
prcise pour les tudes pratiques.
Ces exemples nous permettent donc de conclure qu'un instrument de mesure du courant fournit des indications d'autant plus
exactes que sa rsistance interne est plus faible.
Observons enfin que, pour l'insertion d'un instrument de mesure d'un courant, il faut tenir compte du sens de circulation
dans lequel le courant doit parcourir la bobine mobile.

180

Nous avons vu en effet que le sens des lignes de force, et donc les ples qui se crent aux extrmits de la bobine, dpendent du
sens de circulation du courant ; s'il circulait dans le sens contraire de celui dans lequel il devrait circuler, les lignes de force seraient
galement diriges en sens contraire ; une extrmit de la bobine, on aurait donc le ple sud au lieu du ple nord et inversement.
Par suite de cette inversion des ples, le sens dans lequel la bobine tournerait serait aussi invers et l'aiguille se dplacerait donc
gauche de la position de repos, au lieu que ce soit droite. Elle sortirait donc des limites de l'chelle et il ne serait pas possible de
lire la valeur du courant.
Pour viter que le galvanomtre ne soit insr ainsi, le constructeur distingue les deux extrmits de la bobine en les marquant des
signes + et -, pour indiquer que le courant doit parcourir la bobine de l'extrmit positive vers l'extrmit ngative, en accord avec
le sens conventionnel selon lequel le courant est dirig du positif vers le ngatif.
Ces signes sont aussi indiqus ct du galvanomtre sur les schmas de la figure 4 ; on peut ainsi voir que le courant qui
traverse le milliampremtre est toujours dirig du positif vers le ngatif.
Le fait que le dplacement de l'aiguille dpende du sens dans lequel circule le courant dans la bobine mobile a pour consquence
qu'un instrument de ce type ne peut pas tre utilis pour mesurer les courants alternatifs. En effet, ces courants parcourraient
la bobine mobile de son extrmit positive vers son extrmit ngative pendant une demi-priode et en sens contraire pendant la
demi-priode suivante ; chaque cycle du courant, l'aiguille devrait d'abord se dplacer d'un ct de la position de repos puis de
l'autre.
Prenons l'exemple du courant alternatif du secteur de frquence 50 Hz. Puisqu'il accomplit 50 cycles par seconde, l'aiguille devrait
rpter 50 fois par seconde ce dplacement autour de la position de repos. En ralit, l'aiguille ne peut accomplir des dplacements
aussi rapides et elle reste dans la position de repos indiquant donc un courant nul.
Jusqu' maintenant, nous avons examin un milliampremtre avec un calibre de 10 mA mais trs souvent on doit mesurer des
courants d'intensit plus grande, atteignant quelques centaines de milliampres. On peut mesurer ces courants avec le mme
galvanomtre que celui que nous venons de voir, en augmentant son calibre.
Rfrons-nous pour cela au circuit de la figure 5-a, o la batterie de 100 V fait circuler dans la rsistance de 5 k un courant de
100 / 5 = 20 mA et supposons que l'on veuille mesurer ce courant avec un galvanomtre qui ait justement un calibre de 10 mA.
Puisque le calibre du galvanomtre (10 mA) est gal la moiti du courant mesurer (20 mA), il faut qu'il n'y ait que la moiti du
courant qui traverse le galvanomtre pour ne pas le surcharger.

On relie donc en parallle au galvanomtre une rsistance, appele rsistance shunt ou plus simplement un shunt, de faon ce
que l'autre moiti du courant, qui ne doit pas parcourir l'instrument, puisse y passer.

181

Pour cela, il faut que le shunt ait une rsistance gale la rsistance interne de l'instrument ; puisque dans le cas de la figure 5-a, le
milliampremtre a une rsistance interne (r) de 10 , on a donc adopt pour la rsistance Rs du shunt la valeur de 10 . Ainsi, le
courant (I) de 20 mA, arriv au point A, se divise en deux courants gaux de 10 mA chacun ; l'un parcourt le shunt, tandis que
l'autre traverse le galvanomtre, qui indique donc la valeur de 10 mA.
Le galvanomtre qui a un shunt reli ses extrmits mesure donc la moiti du courant qui circule dans le circuit ; on peut donc en
connatre la valeur en multipliant par deux la valeur lue sur le cadran.
Dans ce cas particulier, le shunt sert multiplier par deux le calibre du milliampremtre et permet de connatre la valeur des
courants jusqu' un maximum de 20 mA ; mais on peut aussi tripler, quadrupler, etc., le calibre d'un galvanomtre, en choisissant
correctement la valeur du shunt.
Sur la figure 5-b, on voit par exemple, comment on peut quintupler le calibre du galvanomtre examin plus haut pour pouvoir
mesurer des courants jusqu' un maximum de 50 mA.
Dans ce cas, pour qu'un courant maximal de 10 mA passe encore dans le galvanomtre, il faut que le shunt soit travers par un
courant de 40 mA, quatre fois plus intense. Ceci est obtenu en donnant au shunt une valeur quatre fois plus petite que celle de la
rsistance interne du galvanomtre, c'est--dire une valeur de 2,5 (10 / 4 = 2,5 ). Ainsi, le galvanomtre ne mesure qu'un
cinquime du courant qui circule dans le circuit et on obtient sa valeur en multipliant par cinq la valeur lue sur le cadran.
D'une faon gnrale, appelons Ig le courant maximal du galvanomtre et Ic le courant maximal que l'on veut mesurer, donc le
calibre. La rsistance Rs du shunt est parcourue par le courant Ic - Ig : on a la relation Rs (Ic - Ig) = r x Ig soit :
Rs = Ig / (Ic - Ig) x r
Cette formule permet donc le calcul de la rsistance du shunt partir de la rsistance interne r du galvanomtre, de son courant
maximal Ig et du calibre Ic dsir.
La possibilit d'augmenter facilement le calibre d'un galvanomtre grce aux shunts permet d'utiliser non seulement les
milliampremtres mais aussi les microampremtres, c'est--dire les instruments dont le calibre est de l'ordre des microampres.
L'emploi d'instruments avec un courant de fin d'chelle trs faible est utile en lectronique pour la mesure des tensions, comme
nous allons le voir.
2. - MESURE DE LA TENSION
On peut mesurer la tension lectrique avec le mme galvanomtre bobine mobile que celui qui a servi la mesure du courant.
Pour nous en rendre compte, voyons la figure 6-a sur laquelle on a de nouveau report le circuit de la figure 4-c, avec la seule
diffrence que la rsistance R, au lieu d'avoir la valeur de 2 k , c'est--dire de 2 000 , a la valeur de 1 990 . De cette faon, en
tenant compte de la rsistance interne du milliampremtre, qui est de 10 , le circuit prsente au total une rsistance de : 1 990 +
10 = 2 000 , soit 2 k ; il y circule donc un courant de 10 mA qui est exactement celui indiqu par le galvanomtre.
Notons maintenant que le galvanomtre indique le courant de 10 mA quand la pile applique une tension de 20 V l'instrument et
la rsistance en srie, c'est--dire aux deux lments compris entre les points indiqus par A et B sur la figure 6-a. En effet, d'aprs
la loi d'OHM, la tension de 20 V de la pile doit tre gale au produit du courant de 10 mA qui parcourt l'instrument par la
rsistance place en srie (la rsistance de 2 k prsente au total par ces deux lments). On a bien alors : 10 x 2 = 20 V.

182

On comprend donc pourquoi, mme si nous ne connaissions pas la valeur de la tension de la pile, nous pourrions toujours la
dterminer en multipliant le courant indiqu par le galvanomtre par la rsistance de 2 k .
Supposons par exemple que l'on remplace la pile de 20 V par une autre pile ayant une tension inconnue et que, dans ces conditions,
le milliampremtre indique un courant de 6 mA ; en multipliant ce courant par la rsistance de 2 k (6 x 2 = 12 V), nous
trouvons que la nouvelle pile fournit une tension de 12 V.
L'ensemble form par le galvanomtre et par la rsistance mise en srie peut donc servir pour mesurer la tension applique entre les
extrmits A et B de ces deux lments.
Comme nous l'avons vu, pour connatre la valeur de cette tension, il faut multiplier le courant indiqu par le galvanomtre par la
rsistance comprise entre les points A et B ; on peut toutefois viter de faire cette multiplication en crivant directement sur
l'instrument les valeurs de la tension, comme sur la figure 6-b.
Au-dessus de l'chelle de l'instrument qui, comme nous l'avons vu sur la figure 3, sert lire les milliampres, on a fait une seconde
chelle. Chaque valeur de la tension y est inscrite en face de la valeur du courant indique par le galvanomtre quand elle est
applique entre les points A et B.
Par exemple, la valeur de 20 V est inscrite en face de la valeur de 10 mA car le galvanomtre indique ce courant quand cette
tension est applique entre A et B.
Puisque le galvanomtre indique directement la tension en volts, le milliampremtre avec la rsistance en srie est appel
voltmtre.
Dans les schmas, on ne reprsente en gnral pas le voltmtre par le symbole du milliampremtre avec une rsistance en srie,
mais par celui indiqu sur la figure 6-c, c'est--dire par un petit cercle dans lequel est inscrite la lette V, symbole du volt. A ct du
symbole graphique du voltmtre, on indique le calibre et la rsistance interne.
Le calibre du voltmtre indique la tension maximale que l'on peut mesurer : le voltmtre de la figure 6 a un calibre de 20 V car
avec cette tension, l'aiguille du milliampremtre se trouve en fin d'chelle.

183

En ce qui concerne la rsistance interne, on indique pour le voltmtre la rsistance totale obtenue en faisant la somme de la
rsistance interne du milliampremtre et de la rsistance place en srie : le voltmtre de la figure 6 a donc une rsistance interne
de 2 k .
La rsistance que l'on relie en srie au milliampremtre pour pouvoir l'utiliser comme voltmtre est appele rsistance
additionnelle. Sa valeur dtermine le calibre du voltmtre.
Supposons, par exemple, que l'on veuille utiliser le milliampremtre examin jusqu' maintenant pour raliser un voltmtre de
calibre 50 V.
Cela signifie qu'un courant de fin d'chelle de 10 mA doit passer dans le milliampremtre quand on mesure une tension de 50 V ;
selon la loi d'OHM, le voltmtre doit prsenter une rsistance interne de 50 / 10 = 5 k , c'est--dire de 5 000 .
Puisque le milliampremtre a une rsistance interne de 10 , il faut utiliser une rsistance additionnelle de 5 000 - 10 = 4 990 .
Rappelons-nous donc que la valeur donner la rsistance additionnelle s'obtient en divisant la tension maximale que l'on
veut mesurer par le courant de fin d'chelle du galvanomtre et en soustrayant du rsultat obtenu la rsistance interne de
l'instrument.
Notons enfin que, sur la figure 6-c les extrmits du voltmtre sont indiques par les signes + et - car le courant qui passe dans
celui-ci grce la tension que l'on mesure doit tre dirig du positif vers le ngatif pour que l'aiguille se dplace vers la droite.
videmment, avec ce type de voltmtre on ne peut pas mesurer des tensions alternatives car elles feraient circuler le courant non
seulement du positif vers le ngatif mais aussi du ngatif vers le positif.
Puisqu'en lectronique, il est intressant de mesurer galement des tensions alternatives, on les transforme en tensions continues
l'aide de diodes.
Un voltmtre peut servir mesurer la tension non seulement aux extrmits d'une pile mais aussi entre deux points d'un circuit
entre lesquels il existe une diffrence de potentiel.
Par exemple, la tension de 20 V qui existe aux extrmits de la rsistance de 2 k relie entre les points A et B dans le circuit de la
figure 7-a, peut aussi tre mesure avec le voltmtre de la figure 6, qui a justement un calibre de 20 V.

Comme on le voit sur la figure 7-b, le voltmtre est reli en parallle sur la rsistance, c'est--dire entre les points A et B entre
lesquels se trouve la tension que l'on veut mesurer.
La diffrence entre ce type d'insertion et celui qui sert mesurer le courant est vidente : pour mesurer le courant qui traverse la
rsistance, le milliampremtre doit tre reli en srie, tandis que pour mesurer la tension entre les extrmits de la mme
rsistance, le voltmtre doit tre reli en parallle.
Quand on relie en parallle sur la rsistance de 2 k le voltmtre dont la rsistance interne est aussi de 2 k , la conductance entre
les points A et B de la figure 7-b est double. La rsistance entre ces deux points est donc rduite de moiti, c'est--dire de 1 k .
En ajoutant cette rsistance celle de 4 k de la rsistance relie entre les points B et C, on voit qu'aprs l'insertion du voltmtre,
le circuit prsente au total une rsistance de 5 k .

184

Dans ces conditions, un courant de 60 / 5 = 12 mA parcourt le circuit alors qu'avant l'insertion du voltmtre le courant tait de 10
mA, comme on le voit sur la figure 7-a ; cela signifie que l'insertion du voltmtre perturbe le fonctionnement du circuit en faisant
varier le courant qui y circule, car une partie de ce courant doit traverser le voltmtre.
Puisque le voltmtre a une rsistance interne gale celle de la rsistance sur laquelle il est reli, le courant de 12 mA se divise en
deux courants gaux de 6 mA chacun, dont l'un parcourt la rsistance et l'autre le voltmtre.
Aux extrmits de la rsistance de 2 k dans laquelle passe le courant de 6 mA, on obtient donc une tension de 6 x 2 = 12 V, qui
est indique par le voltmtre. Cela est confirm par la figure 6-b qui montre que l'instrument indique une tension de 12 V lorsqu'il
est travers par un courant de 6 mA comme cela se produit justement dans ce cas.
Le voltmtre indique donc une tension de 12 V, infrieure de 8 V celle que l'on a entre A et B quand le voltmtre n'est pas insr
dans le circuit (figure 7-a).
Comme on l'a dit, cette erreur dans la mesure est due au courant qui doit traverser le voltmtre, car si l'instrument n'absorbait pas
de courant, il ne ferait pas varier celui qui circule dans le circuit avant son insertion.
Pour limiter l'erreur dans la mesure, il faut donc rduire le courant qui traverse le voltmtre ; on peut obtenir cela en employant un
milliampremtre avec un courant de fin d'chelle de faible intensit. C'est pourquoi en lectronique, on utilise des
milliampremtres et des microampremtres, comme nous vous l'avons dj signal.
Le voltmtre de la figure 7-b perturbe beaucoup le fonctionnement du circuit car il est constitu par un milliampremtre d'un
courant de fin d'chelle de 10 mA, gal celui qui circule dans le circuit avant son insertion.
Si on utilisait, au contraire, un voltmtre constitu par un milliampremtre avec un courant de fin d'chelle de 1 mA, c'est--dire
gal au dixime de celui qui circulait normalement dans le circuit, son insertion en perturberait beaucoup moins le fonctionnement
et rendrait la mesure plus juste.
Pour faire passer le courant de 1 mA dans cet instrument quand on mesure une tension de 20 V, il faut que le voltmtre ait une
rsistance interne de 20 / 1 = 20 k , dix fois suprieure celle du voltmtre de la figure 7-b.
Un voltmtre perturbe donc d'autant moins le circuit auquel il est reli et fournit ainsi des mesures d'autant plus justes que sa
rsistance interne est plus grande ; mais cette rsistance dpend aussi du calibre du voltmtre, comme nous l'avons vu
prcdemment.
Pour pouvoir comparer deux voltmtres indpendamment de leur calibre, on indique la rsistance interne qu'ils prsentent pour
chaque volt.
Cette donne qui indique la sensibilit des voltmtres peut tre facilement dtermine en divisant la rsistance interne par le calibre
: on exprime la sensibilit d'un voltmtre en ohms par volt ( / V).
Le voltmtre de la figure 7-b ayant une rsistance interne de 2 k , c'est--dire 2 000
sensibilit de : 2 000 / 20 = 100 / V

est un calibre de 20 V, prsente une

Au contraire, le voltmtre ayant une rsistance interne de 20 k , c'est--dire 20 000


20 000 / 20 = 1 000 / V. Elle donc dix fois suprieure la prcdente.

et un calibre de 20 V, a une sensibilit de

Nous pouvons donc conclure qu'un voltmtre fournit des indications d'autant plus justes que sa sensibilit est plus grande.
Comme il est important d'introduire le moins de perturbation possible dans les circuits pour ne pas fausser les mesures, on utilise
pas de voltmtres d'une sensibilit infrieure 1 000 / V en lectronique et l'on a trs souvent recours des voltmtres ayant une
sensibilit de 5 000 / V 10 000 / V et mme 20 000 / V, pour lesquels on emploie les microampremtres.

185

3. - MESURE DE LA RSISTANCE
Un galvanomtre bobine mobile peut galement servir mesurer la rsistance lectrique, au moyen d'un circuit du type de celui
reprsent sur la figure 8-a. Comme nous le verrons, le galvanomtre indique sur un cadran spcial la valeur des rsistances qui
sont relies aux extrmits A et B du circuit.
Les lments de ce circuit sont choisis de faon ce que l'aiguille de l'instrument soit en fin d'chelle quand on relie, un simple
conducteur de rsistance trs faible (figure 8-b) entre les extrmits A et B, c'est--dire quand ces extrmits sont en court-circuit.

En utilisant une pile de 4,5 V et un galvanomtre de calibre 1 mA pour faire circuler ce courant et dterminer le dplacement de
l'aiguille la fin de l'chelle, il faut que la rsistance du circuit, donne par la tension de la pile divise par le courant, soit de 4,5
k (4,5 / 1 = 4,5). Puisqu'on suppose que l'instrument a une rsistance interne de 0,1 k , on lui a reli en srie une rsistance de
4,4 k .
Si nous voulons que ce galvanomtre indique la rsistance qui existe entre les points A et B, il faut donc inscrire le nombre zro en
fin d'chelle, comme on le voit sur la partie droite de la figure 8-b, puisque l'aiguille est justement dans cette position quand ces
points sont en court-circuit et qu'il y a donc entre eux une rsistance gale zro ohm.
Si au contraire, entre les points A et B on insre une rsistance de 4,5 k , comme sur la figure 8-c, on double la rsistance du
circuit et par consquent, on divise par deux le courant ; l'aiguille arrive donc la moiti du cadran, c'est--dire au milieu de
l'chelle, comme indiqu dans la partie droite de la figure 8-c.
Nous devons donc inscrire le nombre 4 500 cette position, il indique la valeur en ohms de la rsistance relie entre les points A
et B.
Si aucune rsistance n'est relie entre A et B, comme sur la figure 8-a, l'aiguille de l'instrument reste dans sa position de repos
(indique dans la partie gauche de la figure 8-a) car aucun courant ne circule dans le circuit. On peut donc retenir que, dans ces
conditions, il y a entre A et B une rsistance infiniment grande ; c'est pour cela qu'on met le signe en face de la position de repos
de l'aiguille ; ce signe indique une valeur infiniment grande.
Si l'on insre entre A et B d'autres rsistances de valeur connue, on peut marquer cette valeur sur le cadran en face de la graduation
sur laquelle l'aiguille s'arrte ; ainsi, on pourra lire directement sur le cadran la valeur des rsistances relies entre A et B.
Ainsi, on a ralis un ohmmtre, c'est--dire un dispositif qui permet de mesurer la valeur des rsistances en ohms.
On voit sur la figure 8 que le cadran de l'ohmmtre a son zro l'extrmit droite, la diffrence des cadrans du
milliampremtre et du voltmtre qui ont leur zro l'extrmit gauche, comme on le voit sur la figure 6-b.
Le type d'ohmmtre ainsi dcrit prsente un inconvnient. En effet, au fur et mesure de son emploi, la pile s'use et fournit une
tension infrieure 4,5 V ; par consquent, le courant qui circule dans le circuit diminue et l'aiguille n'arrive plus la fin d'chelle
quand, entre A et B, il y a une rsistance de valeur zro.

186

Dans ces conditions, l'aiguille n'indique plus la valeur zro marque la fin de l'chelle, bien que la rsistance mesure ait une
valeur gale zro. On constate une erreur analogue sur tous les autres points du cadran.
Pour liminer ces erreurs de mesure, il faut faire en sorte que l'aiguille puisse arriver la fin de l'chelle mme quand la tension de
la pile diminue ; c'est pourquoi on modifie le circuit (figure 9).
La valeur de la rsistance relie en srie l'instrument a t rduite 3,9 k de faon ce que la rsistance totale du circuit soit de
4 k et que le courant de 1 mA puisse donc y circuler, mme quand la tension de la pile descend 4 V (4 / 4 = 1).

Mais lorsque la pile est neuve, un courant suprieur 1 mA circule dans le galvanomtre et l'aiguille se dplace alors plus loin que
la fin de l'chelle. On y remdie en reliant en parallle sur le galvanomtre une rsistance ajustable, comme on le voit sur la figure
9. Ainsi, seulement une partie du courant traverse l'appareil.
Puisque la rsistance est ajustable, on peut rgler sa valeur de faon ce que le courant dans l'instrument garde la valeur de 1 mA
quand la tension de la pile diminue de 4,5 4 V.
Avant d'utiliser l'ohmmtre, il faut donc procder sa mise zro, qui consiste mettre les extrmits A et B en court-circuit
et rgler la rsistance ajustable de faon porter l'aiguille de l'instrument sur le zro du cadran de l'ohmmtre. Ds lors, on peut
supprimer le contact entre A et B et mettre entre ces points la rsistance dont on veut mesurer la valeur ; celle-ci sera indique avec
exactitude par cet instrument.
Nous observons enfin que, puisque la rsistance du circuit a t rduite 4 k , l'aiguille est au milieu de l'chelle quand la valeur
de la rsistance place entre A et B est de 4 k , comme on le voit sur la figure 9, et non plus de 4,5 k comme indiqu sur la
figure 8-c.
Dans ce cas, on doit donc inscrire au milieu de l'chelle le nombre 4 000 (comme sur la figure 9) car ce nombre indique en ohms la
valeur de la rsistance place entre A et B.
Rappelons-nous donc que la rsistance marque au milieu de l'chelle d'un ohmmtre indique galement la rsistance du
circuit de l'ohmmtre lui-mme.
Ainsi, nous avons vu que les mesures de courant, de tension et de la rsistance peuvent s'effectuer en utilisant un seul galvanomtre
bobine mobile insr dans un circuit adapt.
Pour les mesures en lectronique, on utilise les contrleurs universels qui comprennent, en plus du galvanomtre, les shunts et
rsistances additionnelles pour augmenter le calibre dans les mesures de courant et de tension, ainsi que la pile et la rsistance
ajustable ncessaire pour l'ohmmtre.
Ces lments peuvent tre relis au galvanomtre pour raliser un circuit adapt au type de mesure que l'on doit faire ; dans ce cas,
le galvanomtre est muni de plusieurs chelles qui permettent de mesurer des courants, des tensions ou des rsistances dans une
large gamme de valeurs.
Pour terminer cette leon, nous vous faisons apparatre un schma lectrique du contrleur universel et qui vous permettra de bien
comprendre afin de savoir lire sur celui-ci et maintenant, vous devez connatre tous les composants de ce dernier y compris son
fonctionnement dj expliqu plus haut.

187

Comparativement aux schmas partiels connus, celui de la figure 10 fait apparatre la prsence du fusible de 1 A plac en srie
avec la douille commun. Ce fusible protge l'ensemble du contrleur. Il apparat galement le condensateur C10 de 0,1 F,
plac en srie avec la douille BF, qui a pour rle d'liminer toute composante continue ventuellement superpose au signal
basse frquence contrl. La douille BF permet de mesurer le dcibel c'est--dire l'intensit sonore en provenance par exemple des
haut-parleurs. Les caractristiques lectriques du galvanomtre ne vous sont pas inconnues, son courant de fin d'chelle est de 40
A et sa rsistance interne de 1 200 .
Le galvanomtre ne doit donc pas tre travers par un courant suprieur 40 A.
Si suite une erreur de liaison le galvanomtre tait travers par un courant trs suprieur aux 40 A, il en dcoulerait de graves
dommages. Il est donc ncessaire de protger le galvanomtre contre les surintensits au moyen de deux diodes au silicium.
Comme le montre les figures 10 et 11, les diodes sont relies tte-bche aux bornes du galvanomtre.

188

Pour comprendre comment ces composants remplissent leur rle, il faut se rappeler que la pleine conduction d'une diode au
silicium ncessite une diffrence de potentiel entre anode et sa cathode d'au moins 0,6 0,7 V. Cette tension constitue le seuil de
conduction de la diode ; au-dessous de cette valeur, la diode est bloque et le courant qui la traverse peut tre considr comme
ngligeable.
Donc, en reliant deux diodes au silicium au galvanomtre selon le principe de la figure 11, on vite que la tension aux bornes du
galvanomtre (entre les points A et B) excde 0,6 V.
Si entre A et B se manifeste une tension suprieure 0,6 V et si le courant (I) circule de A vers B (figure 11-a), la diode D4 entre
en conduction ; si par contre, le courant circule de B vers A (figure 11-b) la diode D3 conduit.
Dans l'un comme dans l'autre cas, la diode qui conduit se comporte comme une rsistance shunt de faible valeur et limite la valeur
maximale du courant qui circule dans la bobine mobile, lui vitant ainsi une dtrioration certaine.
Pour des valeurs d'intensit infrieures ou gales celle de fin d'chelle du galvanomtre (40 A), la tension aux bornes de ce
dernier est largement au-dessous du seuil de conduction des diodes et leur prsence n'a aucune influence sur le fonctionnement du
galvanomtre ni sur le rsultat de la mesure (figure 11-c).
Nous vous reportons le schma pratique du contrleur universel (figure 12) afin que vous puissiez vous rendre compte au niveau de
la pratique. Ce dernier varie entre 500,00 1500,00 francs selon la prcision des composants ainsi de sa sensibilit. Entre outre, il
existe des appareils affichage digitaux, plus prcis que le galvanomtre mais plus coteux.
Ce schma ci-dessous montre tous les composants monts et les diffrentes liaisons ralises entre eux. Sur ce dernier apparat
galement la pile de l'ohmmtre.
A l'aide du schma pratique, il est possible d'effectuer une ultime vrification du montage.

189

Dans la prochaine, nous continuerons la suite des leons de semi-conducteurs intituls "Semi-conducteurs N6" au sujet des
transistors. (Voir Sommaire lectronique fondamental, paragraphes 14, 14.1 et 14.2 pour une rvision ventuelle le cas chant).
SEMI-CONDUCTEURS 6
1re partie
NOTA :
Les courbes caractristiques d'un transistor reprsentent les valeurs statiques qui peuvent tre dtermines pour n'importe quel
point de fonctionnement de ce transistor.
Elles sont indispensables car elles permettent d'avoir une vue gnrale sur le comportement du transistor ; en particulier, elles sont
trs utiles pour trouver le point de fonctionnement qui convient le mieux et donc pour dterminer le circuit de polarisation. Une
fois le point de fonctionnement fix, il est souvent intressant de connatre les proprits du transistor en se limitant ce point et en
oprant sur des nombres au lieu de continuer utiliser les courbes caractristiques.
Les proprits d'un transistor relatives un point de fonctionnement particulier peuvent tre dfinies au moyen d'un certain nombre
de valeurs appeles paramtres.
Le coefficient d'amplification en courant continu ( et selon le type de montage) est un paramtre typique, mais celui-ci ne suffit
pas pour donner une indication complte des proprits d'un transistor. En effet, deux transistors par exemple, l'un de trs faible
puissance et l'autre de puissance suprieure, peuvent avoir la mme valeur de coefficient d'amplification tout en prsentant par
ailleurs des caractristiques trs diffrentes.
Pour dterminer entirement les proprits d'un transistor, il faut donc faire appel plusieurs paramtres ; plus prcisment, il en
faut quatre pour un transistor utilis en base frquence, et six quand il s'agit d'un transistor utilis en haute frquence.
Il existe diffrents systmes de paramtres, c'est--dire que les proprits d'un transistor peuvent tre reprsentes selon diffrents
systmes de quatre paramtres. Le choix de l'un ou de l'autre systme dpend seulement du type de calcul que l'on doit effectuer.
Dans cette thorie, les diffrents systmes ne seront pas analyss entirement ; on prendra en considration seulement le plus
utilis pour les transistors basses frquences, c'est--dire le systme constitu par les paramtres en h.
De plus, quelques donnes seront fournies sur un autre systme, galement trs employ, form par les paramtres en r et
concernant galement le transistor basse frquence.
Enfin, il sera donn quelques indications sur les paramtres utiliss en haute frquence.
Avant d'examiner la signification des paramtres en h, il convient tout d'abord de dfinir la rsistance d'entre et la rsistance de
sortie d'un transistor.
1. - RSISTANCE D'ENTRE ET DE SORTIE EN COURANT CONTINU
Considrons le circuit de polarisation reprsent figure 1. Ce circuit permet de rgler la tension du collecteur au moyen du
potentiomtre PC et le courant de base par la rsistance variable RB ; il est ainsi possible de faire fonctionner le transistor en
n'importe quel point de ses caractristiques.
De plus, le millivoltmtre VE et le microampremtre IE permettent de mesurer la tension et le courant de base (grandeurs
d'entre) tandis que le voltmtre VS et le milliampremtre IS mesurent la tension et le courant de collecteur (grandeurs de
sortie).

190

Fixons-nous un point de fonctionnement dtermin par une certaine tension VCE et un certain courant IB. Dans ces conditions, il
circule dans le circuit de collecteur un courant IC indiqu par IS et il existe entre la base et l'metteur une tension VBE indique
par VE.
On appelle alors rsistance d'entre relative au point de fonctionnement considr et dsigne par Re, la valeur obtenue en faisant
le rapport entre la tension et le courant d'entre, soit : Re = VBE / IB
En mesurant la tension VBE en mV (cette tension est trs faible et il convient donc de l'exprimer en millivolts) et le courant IB en
A, la valeur de Re sera exprim en k .
De la mme manire, on dfinit la rsistance de sortie comme tant le rapport entre la tension et le courant de sortie, soit :
Rs = VCE / IC
Puisque la tension de collecteur se mesure en volts et le courant en milliampres, la rsistance de sortie sera galement
exprime en k .
Les rsistances Re et Rs ainsi dfinies sont effectivement les rsistances prsentes par le transistor ; Re est la rsistance que
prsente le circuit de base au passage du courant IB et de la mme faon, Rs est la rsistance que prsente le circuit du collecteur
au passage du courant IC, lorsque le transistor fonctionne en un point dtermin de ses caractristiques.
Puisque ces rsistances sont relatives au comportement du transistor, lorsque seules des tensions continues de polarisation sont
appliques ses bornes, ces rsistances sont appeles rsistances statiques (d'entre et de sortie) ou encore rsistance en courant
continu.
Les termes rsistance statique indiquent que, dans le circuit utilis, aucun signal amplifier n'a t appliqu sur l'lectrode de
commande (la base, dans le cas du montage metteur commun). Le transistor se trouve ainsi en condition de repos, c'est--dire
en statique. Les valeurs des rsistances statiques d'entre et de sortie peuvent tre obtenues partir des caractristiques du
transistor au lieu d'effectuer les mesures avec le circuit de la figure 1.
Les caractristiques compltes relatives un transistor mont en metteur commun, sont reprsentes figure 2.
Pour dterminer les valeurs de Re et Rs en se servant de celles-ci, il faut tout d'abord se fixer un point de fonctionnement.
Supposons qu'il soit caractris par les valeurs suivantes : VCE = 4,5 V ; IB = 50 A, il est repr figure 2 par un point A sur une
des caractristiques du quadrant numrot I.
Traons une droite horizontale passant par le point A et coupant le demi-axe vertical. On lit sur ce dernier la valeur du courant de
collecteur relative au point de fonctionnement : IC = 2,8 mA.

191

Il devient alors possible de calculer la rsistance Rs qui est gale :


VCE / IC = 4,5 V / 2,8 mA 1,6 k
Pour le calcul de la rsistance d'entre, il faut dterminer la tension VBE relative au point de fonctionnement considr.
Pour obtenir cette valeur, il faut tout d'abord tracer la verticale passant par le point A jusqu' rencontrer la caractristique du
quadrant IV ayant comme paramtre la valeur de IB relative au point de fonctionnement.
Dans notre exemple, puisque IB = 50 A, la courbe qui nous intresse est celle qui a pour paramtre 50 A ; on dtermine ainsi le
point D.
Traons maintenant l'horizontale passant par le point D et coupant l'axe vertical (point C) ; on peut lire sur celui-ci la valeur de la
tension VBE qui est de 162 mV.
La valeur de Re est donc gale : 162 mV / 50 A = 3,24 k
Le point D dans le quadrant IV et le point A dans le quadrant I reprsentent tous les deux le point de fonctionnement considr ; la
seule diffrence est que dans le quadrant I, on lit sur les axes les valeurs de la tension et du courant de collecteur, tandis que dans le
quadrant IV, on lit galement la tension de collecteur sur l'axe horizontal, mais sur l'axe vertical c'est la tension de base qui est lue
au lieu du courant de collecteur.
Le mme point de fonctionnement peut aussi tre reprsent dans les quadrants II et III respectivement par les point B et C. En
effet, ces points sont tous les deux situs sur la verticale passant par la valeur IB = 50 A lue sur le demi-axe horizontal gauche, ce
qui signifie que le transistor a un courant de polarisation de base de 50 A ; ces points sont en outre situs sur les caractristiques
ayant comme paramtre la valeur VCE = 4,5 V, ce qui signifie que le transistor fonctionne avec une tension de collecteur de 4,5 V.
Ces valeurs (VCE = 4,5 V et IB = 50 A) ne sont autres que celles du point de fonctionnement considr dans notre exemple. Le
point de fonctionnement du transistor tant fix, on peut donc conclure que celui-ci peut tre reprsent par quatre points distincts,
un dans chaque quadrant.
Ces points (A, B, C, D sur la figure 2) sont toujours disposs sur les sommets des angles d'un rectangle dont les cts (en pointill
sur la figure) coupent les quatre demi-axes selon les valeurs des quatre grandeurs lectriques (VCE, IC, VBE, IB) caractrisant le
point de fonctionnement considr.
Il est noter que, des quatre points mentionns ceux les plus appropris pour dterminer les rsistances de sortie et d'entre sont
respectivement le point A et le point C. En effet, si l'on trace du point A, la droite horizontale et la droite verticale jusqu'aux points
de rencontre avec les axes, on obtient les valeurs VCE et IC qui nous serviront dterminer Rs.
De mme, si l'on trace partir du point C la droite horizontale et la droite verticale jusqu'aux points de rencontre avec les axes, on
obtient les valeurs de VBE et IB que nous utiliserons pour dterminer Re.
Jusqu' prsent, seul le circuit metteur commun a t pris en considration ; il est cependant vident que l'on peut utiliser le mme
raisonnement pour le montage base commune et dans ce cas aussi, on peut dterminer une rsistance d'entre et une rsistance de
sortie.
tant donn que pour le montage base commune, les grandeurs d'entre sont la tension VEB et le courant d'metteur IE tandis que
les grandeurs de sortie sont la tension collecteur base VCB et le courant IC, on aura videmment :
Re = VEB / IE

et

Rs = VCB / IC

Ces rsistances peuvent tre dtermines partir des caractristiques du transistor qui doivent tre prsent celles du montage base
commune. La procdure suivre est identique celle utilise pour le montage metteur commun.
2. - RSISTANCE D'ENTRE ET DE SORTIE EN COURANT ALTERNATIF
Considrons nouveau le circuit de la figure 1.
Supposons que l'on ait rgl RB et PC de manire faire fonctionner le transistor en un certain point de ses caractristiques et que
V'BE, I'B, V'CE et I'C soient les valeurs des tensions et des courants indiques par les appareils.
Agissons maintenant sur RB de faon augmenter le courant de base I'B jusqu' la valeur I"B ; en consquence, la tension basemetteur augmentera aussi et le voltmtre VE indiquera non plus la valeur V'BE mais une valeur plus grande, V"BE.

192

En d'autres termes, on augmente le courant de base de I"B - I'B que l'on note IB et l'on constate une augmentation
correspondante de la tension base-metteur V"BE - V'BE note VBE. On dfinit ainsi la rsistance dynamique d'entre ou
rsistance d'entre en alternatif que l'on dsigne par re ; sa valeur est :
re =

VBE /

IB

Il peut arriver que l'augmentation de IC qui est obligatoirement provoque par l'augmentation de IB entrane une diminution de la
tension VCE. Si cela se produit, avant de lire les valeurs de I"B et V"BE, il faut ramener VCE sa valeur initiale en agissant sur
PC.
En effet, la rsistance dynamique d'entre doit tre calcule en maintenant constante la valeur de la tension de collecteur VCE, et
ceci pour la simple raison que cette tension a toujours une certaine influence sur les valeurs du courant et de la tension de base.
De manire semblable celle utilise prcdemment, on agit maintenant sur PC afin d'augmenter la tension de collecteur d'une
valeur
VCE en la portant de la valeur V'CE la valeur V"CE ; on obtient ainsi une augmentation du courant de collecteur et
du courant de base. Si l'on veut que l'augmentation du courant de collecteur ne soit pas due en partie celle du courant de base, on
doit agir sur RB de faon ramener le courant de base sa valeur initiale I'B.
On peut lire alors sur le milliampremtre IS la nouvelle valeur I"C et l'augmentation du courant de collecteur est donc gale
I"C - I'C note IC.
On dfinit alors la rsistance dynamique (ou en courant alternatif) de sortie que l'on dsigne par rs, sa valeur est :
rs =
VCE / IC
Le nom de rsistance en courant alternatif ou rsistance dynamique donn aux rsistances d'entre et de sortie qui viennent
d'tre dfinies, est d au fait que ces valeurs sont celles que le transistor prsente au passage du courant alternatif (superpos au
courant continu de polarisation) constituant le signal amplifier appliqu l'entre du transistor ou celui amplifi prlev la
sortie. Il est intressant de noter que le transistor se comporte de manire trs diffrente vis--vis du courant continu de polarisation
et de celui alternatif constituant le signal. Aussi, les valeurs des rsistances en courant continu et en courant alternatif sont en
gnral trs diffrentes l'une de l'autre.
Pour avoir une ide de l'cart existant entre ces valeurs, il convient de calculer re et rs pour le point de fonctionnement considr
dans l'exemple prcdent.
Pour la dtermination de re, il faut provoquer une augmentation de IB et voir quelle augmentation de la tension VBE en dcoule
(en maintenant bien sr constante la valeur de la tension de collecteur).
En se rfrant la caractristique d'entre (quadrant III) , on peut voir que le point de fonctionnement C doit se dplacer sur la
courbe ayant pour paramtre 4,5 V (puisque c'est la valeur de la tension de collecteur relative au point de fonctionnement
considr).
Supposons que l'on augmente le courant de base de 50 A 70 A : le point de fonctionnement passe de C en C' comme indiqu
figure 3. De ce fait, la tension VBE augmente, passant de 162 mV 177 mV.

193

La valeur de re relative au point de fonctionnement C est donc gale :


re = VBE / IB = (177 - 162) / (70 - 50) = 15 mV / 20 A = 0,75 k
De faon semblable, on peut dterminer la rsistance dynamique de sortie partir des caractristiques indiques au quadrant I
reportes figure 4 ci-dessous.
Supposons que l'on augmente la tension de collecteur de 4,5 V 6,5 V en maintenant constante la valeur du courant de base ; le
point de fonctionnement du transistor passe alors de A en A'. Le point A' se trouve galement sur la caractristique ayant comme
paramtre IB = 50 A (voir figure 4 ci-dessous).
Cette augmentation de VCE fait passer le courant de collecteur de 2,8 mA 3,1 mA comme on peut le lire sur l'chelle verticale de
la figure 4. On en dduit donc la valeur de la rsistance dynamique de sortie :
rs =

VCE /

IC = (6,5 - 4,5) / (3,1 - 2,8) = 2 V / 0,3 mA

6,67 k

Comme on peut le remarquer en comparant les rsultats obtenus avec ceux de l'exemple prcdent, le transistor, bien que
fonctionnant au mme point de ses caractristiques, prsente des valeurs de rsistance d'entre et de sortie au courant continu trs
diffrentes de celles prsentes au courant alternatif.
En effet, la rsistance d'entre est plus leve dans le premier cas (3,24 k
rsistance de sortie augmente sensiblement (de 1,6 k ).

contre 0,75 k

) tandis que dans le second cas la

Dans le montage base commune, on peut de la mme manire dfinir une rsistance dynamique d'entre et de sortie.
On peut dterminer leur valeur graphiquement l'aide des caractristiques du transistor en montage base commune ou bien
exprimentalement en mesurant les augmentations de courant et de tension sur le circuit base commune.
Dans un circuit de ce type, les grandeurs d'entre sont reprsentes par la tension metteur-base VEB et le courant d'metteur IE
tandis que les grandeurs de sortie sont donnes par la tension collecteur-base VCB et le courant IC.
On en dduit les formules suivantes :
Re = VEB / IE

re =

VEB /

IE

Rs = VCB / IC

194

rs = VCB / IC

3. - LES PARAMTRES HYBRIDES


Les paramtres hybrides (symboliss par la lettre h) sont au nombre de quatre pour les transistors utiliss en basse frquence.
Pour distinguer ces paramtres, on utilise des indices deux chiffres. Les quatre paramtres sont alors reprs de la faon suivante
: h11, h12, h21, h22.
Les paramtres hybrides correspondent au type de montage utilis. Ainsi, on distingue ceux relatifs au montage metteur commun,
ceux relatifs au montage base commune et ceux relatifs au montage collecteur commun. Il est donc ncessaire de pourvoir les
diffrencier pour savoir quel type de montage ils se rapportent.
Pour cette raison, l'indice est complt par la lettre e dans le cas du montage metteur commun, par la lettre b dans le cas du
montage base commune et par la lettre c dans le cas du montage collecteur commun, d'o les symboles :
h11e ; h12e ; h21e ; h22e (metteur commun),
h11b ; h12b ; h21b ; h22b (base commune),
h11c ; h12c ; h21c ; h22c (collecteur commun).
La dfinition de chaque paramtre et la faon d'en dduire les valeurs sont identiques pour les trois types de montage. Pour
simplifier, nous nous limiterons au cas du montage metteur commun.
Revenons au schma de la figure 1 ci-dessus et rglons RB et PC au point de fonctionnement pour lequel est recherche la valeur
des paramtres hybrides.
Faisons subir une petite augmentation au courant IB en s'assurant que la valeur de la tension collecteur reste constante (en
retouchant PC, si ncessaire). Appelons

Les paramtres h11e et h21e sont dfinis par les formules suivantes :
h11e = VBE / IB VCE constante
h21e = IC / IB VCE constante
On peut voir immdiatement ce qu'indiquent ces paramtres ou plus prcisment quelle est leur signification physique ?
Le paramtre h11e n'est autre que la rsistance d'entre en courant alternatif. En effet, sa valeur est donne par le rapport entre
l'accroissement de VBE et l'augmentation de IB tension de collecteur constante ; il est dfini de la mme faon que l'tait la
rsistance d'entre dans le paragraphe prcdent. La valeur de h11e s'exprime donc en (ou en k ) puisqu'il s'agit d'une
rsistance.
Le paramtre h21e par contre, reprsente le rapport entre l'accroissement du courant de collecteur et l'augmentation du courant de
base tension de collecteur constante. C'est donc le coefficient d'amplification en courant alternatif. Comme les
caractristiques reprsentes dans le quadrant II sont assimilables des droites passant par l'origine, on considre que le
coefficient d'amplification en courant continu et que le coefficient d'amplification en courant alternatif h21e sont gaux.
Pour dterminer les autres paramtres h, considrons nouveau le . Faisons crotre la tension de collecteur en agissant sur PC, sans
oublier de retoucher RB pour ramener IB sa valeur initiale.

195

On dsigne respectivement par VCE, IC et VBE, l'augmentation de la tension de collecteur et les accroissements qui en
dcoulent pour le courant de collecteur et la tension de base, comme indiqu figure 6.

Les valeurs de h22e et 12e sont donnes par les formules suivantes :
h22e = IC / VCE IB constant
h12e = VBE / VCE IB constant
On remarque que le paramtre h22e est le rapport entre l'augmentation du courant de collecteur et l'augmentation de la tension de
collecteur courant de base constant, c'est--dire l'inverse de la rsistance de sortie en courant alternatif.
L'inverse de la rsistance tant dfini par la conductance, le paramtre h22e reprsente donc la conductance de sortie en
alternatif du transistor ; sa valeur s'exprime en units de conductance, c'est--dire en siemens (S) ou en millisiemens (mS) ou
bien en microsiemens (S), mais on la donne le plus souvent en mA / V (milliampre par volt), unit quivalente au millisiemens
ou en A / V (quivalent au S).
Enfin, le paramtre h12e est donn par le rapport entre l'augmentation de la tension de base et celle de la tension de collecteur qui
l'a provoque ( courant de base constant). Ce paramtre est appel coefficient de raction en tension, puisqu'il exprime
l'influence de la tension de sortie sur la tension d'entre.
Gnralement, la tension d'entre n'est que peu influence par la tension de sortie, c'est--dire que l'augmentation de VBE est
toujours beaucoup plus faible que celle de VCE. Par consquent, h12e est toujours trs petit, de l'ordre de quelques millime ou
moins.
En reprenant le mme raisonnement, mais cette fois-ci pour un circuit base commune, on peut dfinir les paramtres hybrides
h11b, h21b, h12b, h22b. Ici toutefois, le paramtre h21b est sensiblement gal au coefficient .
En conclusion, voyons la dfinition qu'il est possible de donner aux diffrents paramtres :
h11
h21
h12
h22

=
=
=
=

Rsistance d'entre,
Coefficient d'amplification en courant,
Coefficient de raction en tension,
Conductance de sortie.

Il est important de rappeler que les deux premiers paramtres doivent tre mesurs en maintenant la tension de sortie constante,
tandis que les deux autres doivent tre mesurs courant d'entre constant.
Il est noter que le symbole h (initiale du terme anglais hybrid) attribu ces paramtres est d au fait qu'ils ne sont pas
homognes en ce qui concerne leurs units de mesure. En effet, tandis que deux d'entre eux (h21 et h12) sont des nombres purs
donc sans dimension, le premier (h11) est une rsistance et le dernier (h22) une conductance.

196

En observant les formules qui dfinissent les divers paramtres hybrides, on remarque que le chiffre 1 se rapporte l'entre et le
chiffre 2 la sortie. Ainsi, h11 indique le paramtre obtenu par le rapport de deux grandeurs d'entre. De mme faon, h21, h12 et
h22 indiquent respectivement les paramtres obtenus par le rapport d'une grandeur de sortie avec une grandeur d'entre, d'une
grandeur d'entre avec une grandeur de sortie et enfin entre deux grandeurs de sortie.
Il existe galement d'autres termes pour dfinir les indices des paramtres. En effet, h11 est parfois dsign par hi parce qu'il
reprsente la rsistance d'entre (i tant l'initiale de input = entre).
Le paramtre h21 est aussi dsign par hf parce qu'il reprsente l'amplification directe, c'est--dire l'amplification que subit
un courant en allant de l'entre vers la sortie (f tant l'initiale de forward = direct).
Le paramtre h12 peut tre remplac par hr, car il exprime une raction en sens inverse (r tant l'initiale de reverse =
inverse), c'est--dire entre les tensions de sortie et d'entre.
Enfin, le paramtre h22 peut tre remplac par ho parce qu'il reprsente la conductance de sortie (o tant l'initiale de
output = sortie).
4. - VALEURS DES PARAMTRES SELON LE POINT DE FONCTIONNEMENT
Les proprits d'un transistor dpendent d'une manire plus ou moins grande de son point de fonctionnement.
Il est donc vident que les paramtres hybrides dpendront galement du point de fonctionnement, c'est--dire qu'ils varieront
lorsqu'on dplacera celui-ci sur la caractristique. Pour cette raison, lorsqu'on indique les valeurs des paramtres h, il est ncessaire
de prciser quel point de fonctionnement ils se rapportent.
Dans le cas du transistor BC 108B par exemple, les paramtres h donns pour un montage metteur commun (point de
fonctionnement : VCE = 5 V et IC = 2 mA la frquence de 1 kHz et la temprature de 25 C) sont les suivants :
h11e = hie = 4,8 k ,
h21e = hfe = 330,
h12e = hre = 0,0002,
h22e = hoe = 30 A / V.
Pour connatre les valeurs des paramtres hybrides relatifs des points de fonctionnement diffrents de celui pour lequel les
valeurs ont t donnes, il faut utiliser des diagrammes appropris que l'on trouve dans les manuels des constructeurs. Un
exemple de ces graphiques est reprsent figure 7 ; ils sont relatifs au transistor BC 108B et servent pour passer du point
caractris par VCE = 5 V et IC = 2 mA un point quelconque situ dans la zone permise des caractristiques du transistor en
question. Le diagramme de la figure 7-a ci-dessous tient compte du courant IC du nouveau point de fonctionnement, tandis que
celui de la figure 7-b est relatif la tension VCE.

197

Supposons que l'on veuille calculer les paramtres h du transistor BC 108B pour le point de fonctionnement caractris par VCE =
9 V et IC = 7 mA. La courbe hie de la figure 7-a nous donne pour IC = 7 mA la valeur KI = 0,36 tandis que celle de la figure 7-b
donne pour VCE = 9 V la valeur KV = 1,05.
La valeur h'ie relative au niveau du point de fonctionnement est obtenue par la formule suivante dans laquelle hie est la valeur
relative au point de fonctionnement initial :
h'ie = hie x KI x KV = 4,8 x 0,36 x 1,05 = 1,81 k
En procdant de la mme faon pour les autres paramtres, on trouve les valeurs suivantes :
Pour hfe : KI = 1,1 ; KV = 1,05 donc h'fe = 330 x 1,1 x 1,05 = 381
Pour hre : KI = 1,15 ; KV = 0,87 donc h're = 0,0002 x 1,15 x 0,87 0,00020
Pour hoe : KI = 4,6 ; KV = 0,79 donc h'oe = 30 x 4,6 x 0,79 = 109 A / V
Bien que les diagrammes de la figure 7 soient relatifs au transistor BC 108B, ils peuvent nanmoins donner une ide de la variation
des paramtres hybrides relatifs au montage metteur commun pour tout type de transistor de faible puissance utilis en basses
frquences, lorsque le courant et la tension de collecteur varient.
En observant le diagramme de la figure 7-a, on peut dire que, lorsque IC augmente, la rsistance d'entre du transistor (hie)
diminue sensiblement ; la conductance de sortie (hoe) crot par contre considrablement et comme la conductance est l'inverse de
la rsistance, on en dduit que la rsistance de sortie diminue fortement lorsque le courant de collecteur augmente. Le
coefficient d'amplification en courant hfe reste, quant lui, pratiquement constant.
De mme, en observant le diagramme de la figure 7-b, on peut dire que la rsistance d'entre (hie) et le coefficient (hfe) restent
sensiblement constants lorsque la tension de collecteur augmente, tandis que la conductance de sortie diminue lgrement, ce
qui signifie que la rsistance de sortie augmente lgrement.
5. - INFLUENCE DE LA TEMPRATURE SUR LA VALEUR DES PARAMTRES HYBRIDES
Les paramtres hybrides, comme les caractristiques, varient lorsque la temprature laquelle se trouve le transistor (ou mieux ses
jonctions) varie. Les valeurs indiques dans les manuels sont, en gnral, relatives la temprature de 25 C.
Pour connatre les nouvelles valeurs que prennent les paramtres hybrides lorsque la temprature change, on peut se reporter la
figure 8 qui reprsente un diagramme semblable ceux de la figure 7. Celui-ci fournit le coefficient KT par lequel on doit
multiplier les valeurs des paramtres h, relatifs la temprature de 25 C, pour passer celles relatives une autre temprature
comprise entre - 60 C et + 80 C, pour des transistors de faible puissance utiliss en basses frquences.

Le diagramme de la figure 8 permet de constater qu'au-dessus de 25 C, tous les paramtres augmentent avec la temprature, la
rsistance d'entre et le coefficient d'amplification augmentant moins rapidement que la conductance de sortie et le coefficient de
raction.
En portant, par exemple, la temprature de 25 C 70 C, la conductance de sortie devient quatre fois et demi plus grande, ce qui
signifie que la rsistance de sortie devient quatre fois et demi plus faible, tandis que le coefficient hfe devient par contre seulement
1,1 fois plus grand.

198

En dessous de 25 C, la rsistance d'entre et le coefficient d'amplification diminue progressivement avec la temprature, tandis
que la conductance de sortie et le coefficient de raction se remettent crotre. Le coefficient hfe, par exemple, est rduit de 22 %
la temprature de - 25 C.
6. - DTERMINATION DES PARAMTRES h A PARTIR DES CARACTRISTIQUES
La valeur des paramtres h peut tre dtermine partir des familles de caractristiques du transistor en considrant videmment le
point de fonctionnement qui nous intresse.
Pour calculer la valeur du paramtre hie, la procdure suivre est la mme que celle indique figure 3 puisque, comme on l'a vu, ce
paramtre concide avec la rsistance d'entre en courant alternatif.
Pour dterminer le paramtre hoe, on procde de manire analogue celle indique figure 4 la diffrence qu'il faudra faire le
rapport entre l'augmentation du courant de collecteur et celle de la tension de collecteur, puisque ce paramtre concide avec
l'inverse de la rsistance de sortie.
Le paramtre hfe est dtermin partir des caractristiques du quadrant II. Il suffit de prendre une augmentation du courant de
collecteur en correspondance avec l'augmentation du courant de base lorsque la tension de collecteur reste constante.
Enfin, il reste le calcul du paramtre hre. A ce sujet, il faut observer que ce paramtre se dtermine trs difficilement sur les
caractristiques du quadrant IV en raison de sa valeur gnralement faible.
SEMI-CONDUCTEURS 6
2me partie
7. - PARAMTRES r
D'autres paramtres, utiliss le plus souvent pour les transistors en basses frquences et aux faibles puissances, sont dsigns par le
symbole r car ils sont tous homognes des rsistances et leurs valeurs sont donc exprimes en ou en k .
Ce systme est constitu par trois paramtres exprims en et par le nombre pur ou coefficient ou encore appel hfb. Ils sont
dsigns par les symboles re, rb et rc parce qu'ils reprsentent respectivement les valeurs des rsistances internes du transistor
pour l'metteur, la base et le collecteur. Puisqu'une sparation des trois rsistances internes n'est pas possible physiquement, mais
seulement thoriquement, on comprend alors que ces paramtres ne peuvent pas tre mesurs en pratique comme cela a t fait
pour les paramtres h ; on peut seulement calculer leur valeur en partant, par exemple, des paramtres h.
Un des avantages qu'offrent les paramtres r est de permettre l'obtention de formules plus simples lors de la conception
d'amplificateurs et de circuits en gnral.
Un autre avantage est d au fait que ces paramtres gardent la mme valeur en montage base commune et donc que contrairement
aux paramtres h, il n'y a pas lieu de diffrencier les paramtres base commune des paramtres metteur commun.
Parfois, dans les manuels des constructeurs, seules sont indiques les valeurs des paramtres r et du coefficient hfb ou , alors
qu'il peut tre intressant de connatre les valeurs des paramtres h relatifs au montage base commune et metteur commun.
Ces derniers peuvent tre facilement dduits des premiers en utilisant les formules suivantes dans lesquelles les valeurs de rb et re
doivent tre exprimes en et la valeur rc en k ; de cette faon, les paramtres hib et hie sont exprims en et les paramtres
hob et hoe en A / V, c'est--dire en S (microsiemens).
Pour le montage base commune, on a :
hib = re + rb x (1 - )
hfb =
hrb = rb / (1 000 x rc)
hob = 1 000 / rc
Pour le montage metteur commun, on a :
hie = rb + re x (1 - )
hfe = / (1 - )
hre = re / (1 000 x rc) x (1 - )
hoe = 1 000 / rc x (1 - )

199

Les paramtres r sont obtenus partir des paramtres h relatifs au montage metteur commun par les relations suivantes :
rb = hie - (hre / hoe) x (1 + hfe)
rc = (1 + hfe) / hoe
re = hre / hoe
= hfe / (1 + hfe)
Ayant obtenu les paramtres r, on peut calculer les paramtres hb avec les formules vues prcdemment ; ainsi, en deux tapes de
calcul on peut obtenir les paramtres hb relatifs au montage base commune qui ne sont pas toujours disponibles, en partant de ceux
du montage metteur commun he.
Par exemple :
Pour hie = 1,1 k

; hfe = 50 ; hre = 0,00025 ; hoe = 25 S.

On obtient les paramtres r suivants : rb = 590 ; rc = 2,04 M


21,6 ; hfb = 0,98 ; hrb = 0,00029 ; hob = 0,49 S.

; re = 10

; = 0,98 et les paramtres hb sont donc : hib =

Enfin, on peut rechercher les paramtres hc relatifs au montage collecteur commun. Ils se calculent facilement partir des
paramtres he au moyen des formules suivantes :
hic = hie
hrc = 1 - hre
hfc = 1 + hfe
hoc = hoe
Dans le cas prcdent, on obtient : hic = 1,1 k

; hfc = 51 ; hrc = 0,99975 ; hoc = 25 S.

Il faut noter que dans ce montage o le gain en tension est sensiblement gal 1, le coefficient de raction hrc est lui aussi
presque gal 1 et ceci indpendamment des autres paramtres.
Pour conclure, la figure 9 prsente les courbes qui donnent les paramtres he du transistor aux basses frquences et faibles signaux
(faible puissance) type BC 108, en fonction du courant de collecteur et pour deux valeurs de la tension de collecteur (VCE = 5 V et
VCE = 10 V).

200

8. - PARAMTRES DES TRANSISTORS UTILISS EN HAUTE FRQUENCE


Les quatre paramtres vus prcdemment ne sont pas suffisants pour dterminer de faon prcise les caractristiques d'un transistor
destin fonctionner des frquences leves. En effet, pour de tels types de transistors, il n'est plus possible de ngliger la
capacit des jonctions qui, bien que de valeurs relativement faibles, prsentent aux frquences leves des impdances assez
faibles. Cette impdance peut influencer de manire non ngligeable les rsistances d'entre et de sortie du transistor.
En plus des paramtres valables en basses frquences, il faut tenir compte des capacits de jonctions, c'est--dire des capacits
d'entre et de sortie, ce qui porte six le nombre total des paramtres.
Comme on le voit figure 10-a, dans le cas du montage base commune, la capacit d'entre concide avec la capacit de la jonction
metteur-base et celle de sortie avec la capacit de la jonction collecteur-base.

Dans le cas du montage metteur commun, la capacit d'entre concide aussi avec la capacit de la jonction metteur-base tandis
que celle de sortie, plus complexe, est due aux deux autres jonctions.
Les impdances d'entre et de sortie du transistor sont donc donnes par la mise en parallle d'une rsistance r et de la ractance
prsente par la capacit C la frquence de fonctionnement considre.
Puisque ces deux lments sont en parallle, il convient d'en considrer les admittances plutt que les impdances de faon
effectuer simplement la somme de la conductance g = 1 / r, due la composante rsistive et de la susceptance b = 2 x n x f x C de
la composante capacitive.
Gnralement donc, au lieu de donner l'admittance Y, le constructeur indique les valeurs des composantes g et b pour diffrentes
frquences. On reporte b sur l'axe vertical et g sur l'axe horizontal d'un diagramme dans lequel chaque point correspond une
valeur dtermine de la frquence. Un exemple de diagramme relatif au transistor BF 195, utilis dans les circuits hautes
frquences et frquences intermdiaires des rcepteurs radio, est donn la figure 11.

201

Quelques valeurs de frquence ont t indiques : 0,45 MHz et 10,7 Mhz reprsentent les frquences intermdiaires utilises
dans les rcepteurs radio respectivement pour la modulation d'amplitude et la modulation de frquence ; 100 MHz
reprsente une des frquences d'mission possible en modulation de frquence (bande de frquences comprises entre 87 et 108
MHz).
En ce qui concerne les coefficients d'amplification et de raction, ils sont ici dfinis comme tant le rapport entre les variations du
courant de collecteur (ou de base) et celles de la tension de base (ou de collecteur) ; ce sont galement des admittances.
Le coefficient d'amplification Yfe est donn par le rapport entre la variation IC du courant de collecteur et la variation VBE
de la tension de base correspondante, soit :
Yfe = IC / VBE
Ce paramtre est gnralement exprim en mS (millisiemens), IC tant exprim en mA et VBE en V (ou IC en A et VBE en
mV).
Le coefficient de raction Yre est par contre dfini comme le rapport de la variation du courant de base IB et la variation de la
tension de collecteur qui la provoque, soit :
Yre = IB / VCE
Ce coefficient est gnralement exprim en S (microsiemens), c'est--dire le rapport entre A et V.
Puisque les variations du courant et de la tension ne sont pas en phase ( cause des capacits internes du transistor), il est ncessaire
de prciser ce dphasage que nous appelons ; ainsi, un angle fe correspondra au paramtre Yfe et un angle re correspondra
au paramtre Yre.
Les valeurs de Yfe, fe, Yre et re varient avec la frquence ; elles sont donc obtenues partir de graphiques tels que ceux de
la figure 12-b et de la figure 12-a.

202

Dans ces graphiques raliss en coordonnes polaires, on lit les valeurs de fe d'aprs la valeur angulaire indique sur la
circonfrence et le module de Y sur un des rayons.
Il faut enfin noter que ces paramtres appels paramtres Y (puisque Y est le symbole de l'admittance) dpendent aussi du courant
de collecteur du transistor ; il est donc ncessaire de disposer de diffrentes courbes, chacune d'elles correspondant une valeur
donne de IC.
A titre d'exemple, si l'on dsire connatre les paramtres Y du transistor BF 195 lorsqu'il travaille avec un courant de collecteur de
1 mA la frquence de 10,7 MHz, il suffit de considrer sur les diffrents graphiques de la figure 11 et de la figure 12 les points
indiqus par 10,7 MHz sur les courbes repres par 1 mA.
On obtient ainsi les valeurs suivantes :
gie = 0,6 mS
bie = 2 mS
goe = 110 S
boe = 110 S
Yre = 65 S
re = 270
Yfe = 35 mS
fe = 352

(figure 11-a),
(figure 11-a),
(figure 11-b),
(figure 11-b),
(figure 12-a),
(figure 12-b),
(figure 12-b),
(figure 12-b).

Ces paramtres servent pour le calcul du gain et des impdances d'entre et de sortie des amplificateurs HF ainsi que pour la
vrification de leur stabilit.
La prochaine leon des semi-conducteurs N 7 traitera de divers semi-conducteurs tels que les transistors uni-jonction,
thyristors, diac et du triac. Ensuite, nous commencerons les nouvelles leons d'lectroniques digitales sans oublier la
PRATIQUE.
SEMI-CONDUCTEURS 7
1. - TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP
Les transistors EFFET DE CHAMP, sont dsigns par l'abrviation anglo-saxonne F.E.T. (Fild Effect transistor).
Les transistors F.E.T. diffrent compltement des types tudis jusqu'ici, tel point que mme les lectrodes ont une appellation
spciale. En effet, lorsqu'il s'agit d'un transistor normal, l'metteur correspond l'lectrode partir de laquelle part le flux de charge
(lectrons ou trous), le collecteur l'lectrode recueillant ce flux et la BASE l'lectrode permettant de contrler celui-ci.
Dans un transistor F.E.T. l'lectrode partir de laquelle le flux de charge est mis s'appelle SOURCE, l'lectrode recevant ce flux
est appele DRAIN et enfin, l'lectrode permettant le contrle du flux est appele PORTE.
La figure 1 reprsente la structure schmatique d'un transistor F.E.T.

Ce dispositif est constitu par un bloc de silicium dans lequel on a introduit des impurets, de faon obtenir un semi-conducteur
du type N.

203

On applique aux extrmits de ce bloc deux plaques conductrices, dont l'une reprsente la SOURCE et l'autre le DRAIN.
Sur les cts du bloc, on forme ensuite deux zones de type P, constituant la PORTE (figure 1). Ainsi, entre ces deux zones de type
P, un canal de type N s'tend de la SOURCE au DRAIN.
Le bloc comprend ainsi deux jonctions P.N.
Supposons que l'on applique une tension entre la SOURCE et le DRAIN, au moyen d'une batterie relie entre ces deux lectrodes
(figure 2).
La porte reste libre pour l'instant.

Dans ces conditions, le bloc de silicium se comporte comme on l'a vu prcdemment en traitant les problmes de conduction dans
un semi-conducteur de type N.
Les PORTEURS MAJORITAIRES (lectrons), passent de la SOURCE (ngative) au DRAIN (positif), crant dans le circuit
extrieur un COURANT D'ABSORPTION qui selon le sens conventionnel, se trouve dirig dans le sens de la flche montre
figure 2.
L'intensit de ce courant dpend de la rsistance que les lectrons rencontrent le long du canal, allant de la SOURCE au DRAIN.
Ainsi, en diminuant la largeur du canal on a une augmentation de rsistance tant donn que la section est plus rduite.
Il est possible, lectriquement, de rduire le courant c'est--dire d'augmenter la rsistance du canal, en POLARISANT LA
PORTE DANS LE SENS INVERSE, par rapport la SOURCE. A cet effet, il suffit de relier une batterie entre les deux zones P,
comme indiqu figure 3.

On remarque que les deux zones de type P constituant la porte, sont relies directement entre elles et connectes au ngatif de la
batterie B1. Le positif de cette mme batterie est reli la SOURCE (figure 3).
Sous l'effet de la polarisation inverse, il se forme proximit des jonctions une zone prive de charges libres, DONC UNE ZONE
OU LE COURANT NE PEUT CIRCULER. La figure 3 illustre ce phnomne. En effet, le rtrcissement du canal entrane une
augmentation de la rsistance, augmentation ayant pour consquence de rduire l'INTENSIT DU COURANT
D'ABSORPTION.

204

Comme l'amplitude des zones prives de charges libres dpend de la valeur de la tension de polarisation de la PORTE, on
comprend que LORSQUE CETTE TENSION VARIE, L'INTENSIT DU COURANT D'ABSORPTION VARIE
GALEMENT.
Il est mme possible, en augmentant la tension de polarisation inverse, de BLOQUER COMPLTEMENT LE CANAL, c'est-dire d'interrompre totalement la circulation du courant d'absorption.
La valeur de la tension pour laquelle se produit ce phnomne est appele TENSION D'INTERDICTION. Ainsi, les transistors
F.E.T. permettent de contrler un courant au moyen d'une tension. Ce contrle de courant ne ncessite aucune dpense de
puissance. En effet, la tension de contrle tant applique entre la PORTE et la SOURCE, (de faon polariser en sens inverse la
jonction situe entre les deux zones P et la zone N) ne donne lieu qu'au seul passage du COURANT INVERSE, trs faible.
De cette faon, la RSISTANCE D'ENTRE des transistors F.E.T. atteint des valeurs de l'ordre de 10 000 MW, valeurs
beaucoup plus leves que celles des transistors courants. Ainsi, les F.E.T. unissent donc aux proprits des transistors ordinaires,
l'avantage d'avoir une rsistance leve.
Pour ces composants, il est videmment possible de relever les courbes caractristiques, parmi lesquelles la famille des
caractristiques d'absorption, ayant pour paramtre la tension VPS (tension applique entre la PORTE et la SOURCE) nous
intresse particulirement.
Appliquons une tension VPS de valeur dtermine entre la PORTE et la SOURCE et faisons varier la tension V.A.S. (tension
prsente entre le drain et la source) et pour chaque valeur de celle-ci, mesurons le courant d'absorption IA.
On trouve ainsi les donnes ncessaires pour tracer sur un diagramme Cartsien, une premire caractristique d'absorption. Il est
galement possible d'obtenir d'autres caractristiques en donnant diverses valeurs la tension VPS et en trouvant pour chacune
d'elles les valeurs prises par le courant IA, lorsque la tension V.A.S. varie.
La figure 4 donne un exemple d'une famille de caractristiques de courant d'absorption.

On remarque plus particulirement qu' partir d'un certain point, le courant d'absorption IA n'augmente plus sensiblement, mme si
la tension VAS continue crotre.
Afin de mieux comprendre le motif de ce comportement, reportons-nous la figure 3.
On remarque en effet que les zones prives de charges libres, n'ont pas une extension constante le long de la PORTE, mais par
contre, celles-ci sont beaucoup plus larges du ct du DRAIN.
Cette rpartition des zones est due au fait que la tension prsente entre la PORTE et la SOURCE, augmente mesure qu'elle
s'approche du DRAIN, en raison de la chute de tension se produisant le long du canal, sous l'effet du courant circulant de la
SOURCE au DRAIN.
Or, comme nous l'avons vu, l'augmentation de cette zone rduit le canal c'est--dire augmente la rsistance, ce qui rduit le courant.
On comprend ainsi que le courant d'absorption ne puisse augmenter indfiniment, car partir d'une certaine valeur, son
accroissement dtermine un rtrcissement du canal, limitant l'intensit de ce courant.
La structure du F.E.T. montre figure 3 est essentiellement schmatique. En effet, son but est de visualiser le principe de
fonctionnement de cet lment.

205

La conception exacte du transistor F.E.T. est donne figure 5.

La plaquette du type P, sur laquelle ont t effectues les diffrentes oprations, constitue les zones P de la porte. Ces dernires,
ainsi que la zone N situ entre les portes, sont pourvues d'lectrodes mtalliques destines au branchement du composant.
Jusqu'ici, nous n'avons considr que les F.E.T. constitus par un canal de type N situ entre deux zones de type P.
Pour ceux-ci, le courant circulant entre la SOURCE et le DRAIN est constitu d'lectrons. Cependant, on fabrique galement des
F.E.T. canal P, dont la porte est constitue de deux zones N.
Le courant est alors form de TROUS. Le fonctionnement ne diffre en rien de celui des F.E.T. canal N. Bien entendu, le F.E.T.
canal P, ncessite des tensions de polarits inverses par rapport celles du F.E.T. canal N.
Il est encore possible d'augmenter la valeur de la rsistance d'entre en ralisant des transistors dont la structure et le
fonctionnement diffrent du F.E.T. jonctions.
Ce nouveau type de transistor dsign par l'abrviation MOS F.E.T. prsente la particularit d'avoir la PORTE ISOLE par
rapport au canal.
L'abrviation MOS F.E.T. provient des termes anglo-saxons "Mtall Oxide Semi-conductor, Fild Effect Transistor" signifiant
Transistor Effet de Champ, Mtal Oxyde Semi-conducteur.
Les trois derniers mots indiquent la structure particulire de ce transistor que nous allons dcrire.
Le MOS F.E.T. (montr figure 6) est ralis sur une plaquette de silicium de type P, sur un ct de laquelle on forme par diffusion
des zones de type N fort dopage.

Sur ce mme ct, on dpose une trs fine couche isolante de BIOXYDE DE SILICIUM, obtenue par vaporation. Cette couche
isolante ne couvre pas toute la surface, car au moment de la dposition du bioxyde, on laisse les deux zones N dcouvertes, de
faon pouvoir y disposer les lectrodes mtalliques, dont l'une constitue la SOURCE et l'autre le DRAIN. Enfin, sur la surface
de la couche de bioxyde de silicium comprise entre les deux zones P, on ajoute une couche d'aluminium, constituant la
PORTE.
Celle-ci se trouve videmment isole par rapport la substance semi-conductrice, au moyen de la couche de bioxyde interpose.
Les trois mots "mtal, oxyde, semi-conducteur" dont nous avons parl, indiquent prcisment la succession des divers lments
correspondant la PORTE. En effet, en se reportant la figure 6, on rencontre de haut en bas :
l'aluminium (mtal) le bioxyde (oxyde) , le silicium (semi-conducteur)

206

Le fonctionnement du MOS F.E.T. est le suivant :


En appliquant une tension entre la PORTE et la SOURCE, de faon rendre la premire positive par rapport la seconde, la
PORTE se trouve positive par rapport la plaquette de silicium P.
Par consquent, les charges mobiles positives de silicium P sont repousses vers l'intrieur de la plaquette, alors que les charges
mobiles ngatives de la source sont attires en surface.
Plus prcisment, sur la surface de la plaquette relative la couche de bioxyde de silicium situe sous la porte, il se forme une
couche de charges mobiles ngatives, tablissant une liaison entre la SOURCE et le DRAIN et formant un canal N, comme le
montre la figure 6.
Ce canal prsente une certaine rsistance, que l'on peut rduire en augmentant la tension applique la porte. Sous l'effet de la
tension, le nombre des lectrons prsents dans le canal augmente.
D'autre part, en appliquant une tension adquate entre le DRAIN et la SOURCE, on obtient un courant d'absorption, d aux
lectrons du canal reliant les deux lectrodes.
On peut faire varier l'intensit de ce courant, en modifiant la valeur de la tension applique entre la PORTE et la SOURCE. Bien
que la PORTE soit maintenant positive par rapport la SOURCE, elle n'est parcourue par aucun courant tant donn que la
couche de bioxyde de silicium l'isole totalement du canal. Par consquent, la RSISTANCE D'ENTRE DU MOS F.E.T. atteint
des valeurs de l'ordre du MILLIARD DE MGOHMS.
En fait, la porte et la plaquette du semi-conducteur du MOS F.E.T., tant rciproquement isoles au moyen de la couche de
bioxyde de silicium, se comportent comme les deux armatures d'un condensateur.
La tension de contrle cre un champ lectrique entre ces deux lectrodes, champ ayant une influence sur le nombre des lectrons
prsents dans le canal. Ainsi, il est possible de contrler le courant d'absorption.
Les transistors du type que nous venons d'tudier sont dits "effet de champ" prcisment par le fait que le contrle du courant
d'absorption, s'effectue en utilisant l'effet produit par un champ lectrique.
Dans les transistors ordinaires par contre, le contrle du courant de collecteur est obtenu l'aide d'un autre courant.
Les F.E.T. MOS peuvent fonctionner de deux faons diffrentes : soit par ENRICHISSEMENT soit par RAREFACTION,
suivant le type de construction adopt.
Lorsque le MOS F.E.T. est constitu par un canal N, situ entre deux zones de type N fortement dopes, alors que la PORTE
s'tend le long du canal tout entier (figure 6), le fonctionnement se fait par ENRICHISSEMENT. En effet, en rendant la
PORTE positive par rapport la SOURCE, on enrichit le canal d'lectrons, rduisant ainsi la rsistance entre la SOURCE et le
DRAIN.
Dans ce cas, si la tension applique la porte est nulle, le nombre des lectrons prsents dans le canal est trs petit et le courant
d'absorption pratiquement nul.
Les MOS F.E.T. fonctionnant par enrichissement prsentent un inconvnient : capacit trs importante entre la PORTE et
plaquette du semi-conducteur-conducteur. Cette capacit peut tre rduite, en utilisant une porte qui ne couvre qu'une partie du
canal (figure 7).
Cette solution prsente toutefois l'inconvnient de provoquer une trs haute rsistance dans la partie du canal n'tant pas enrichie
d'lectrons.
On remdie cet inconvnient par un dopage adquat, permettant d'obtenir un canal de basse rsistance, mme lorsque la tension
applique la porte est nulle.

207

On arrive ainsi un MOS F.E.T., dont le CANAL, la SOURCE et le DRAIN sont constitus par le mme matriau de type N (la
SOURCE et le DRAIN tant cependant plus fortement dops) et dont le fonctionnement s'effectue par RARFACTION. Dans ce
cas, en appliquant la PORTE une tension ngative, celle-ci repousse les lectrons du canal, produisant une zone de rarfaction
des charges (figure 7).
Par consquent, le courant d'absorption s'annule uniquement lorsque la tension ngative applique la porte atteint une valeur
suffisante pour dterminer le "blocage" du canal.
Les caractristiques du courant d'absorption d'un MOS F.E.T. du type enrichissement, diffrent de celles d'un MOS F.E.T.
rarfaction, surtout en ce qui concerne les valeurs de la tension applique entre la PORTE et la SOURCE.
La figure 8 met en vidence la diffrence qui caractrise ces deux types.
Dans le cas du type enrichissement (figure 8-a), les tensions VPS ont des valeurs exclusivement positives, comprises entre 8 et 20
volts.

Pour le type rarfaction (figure 8-b), ces mmes tensions sont ngatives ou positives et comprises entre - 3 V et + 4 V.
Soulignons que les MOS F.E.T. peuvent tre raliss avec un canal P. Dans ce cas, les observations faites prcdemment au sujet
du F.E.T. jonction restent valables.

208

2. - TRANSISTOR UNI-JONCTION
Le transistor UNI-JONCTION doit son nom au fait qu'il ne comporte qu'une seule jonction. Ce type de transistor est souvent
repr par le sigle U.J.T. de l'anglais "Uni-Jonction Transistor".
Cette proprit permet des emplois particuliers, parmi lesquels on peut citer les gnrateurs d'impulsions, ncessaire la
commande des thyristors (transistors de commutation dont nous tudierons les caractristiques dans la prochaine leon "Semiconducteurs 8").
Pour comprendre le fonctionnement d'un transistor UNI-JONCTION, il faut examiner sa structure en se reportant la figure 9-a.
La figure 9-b reprsente le symbole schmatique adopt pour la reprsentation de l'U.J.T.
Ce composant est principalement constitu d'une BARRETTE DE SILICIUM N, aux extrmits de laquelle sont disposs deux
contacts, appels "premire base (B1) et deuxime base (B2)". Ces contacts sont du type purement ohmique, c'est--dire qu'entre
eux et la barrette de silicium, il N'EXISTE AUCUNE JONCTION.

L'unique jonction P.N. se trouve entre la barrette et l'lectrode E, correspondant l'metteur. Cette lectrode se trouve place plus
prs de la deuxime base que la premire, comme on peut le voir sur la figure 9-a.
La barrette de silicium N, possde les caractristiques normales d'une rsistance et sa valeur est comprise entre 5 W et 10 kW.
On applique une tension VBB entre les deux bases, de faon rendre la seconde positive par rapport la premire. Sous l'effet de
cette tension, la BARRETTE DE SILICIUM N est parcourue par un courant, constitu d'lectrons, se dirigeant de la premire
base vers la seconde.
Sous l'effet de cette rsistance prsente par la barrette, le courant produit une chute de tension dans celui-ci.
Pour bien voir comment s'effectue la rpartition de la tension le long de la barrette, on reprsente le transistor comme indiqu
figure 10.

Au moyen des rsistances R1 et R2, on insre la rsistance du silicium entre la premire base et l'metteur et entre ce dernier et la
SECONDE BASE.
Sur la figure 10, on indique par V1 la chute de tension aux bornes de R1 (tension prsente sur la cathode de la diode).

209

En appliquant sur l'anode, une tension VE infrieure V1, la diode est polarise dans le sens inverse et le courant ne peut circuler.
Par contre, si VE a une valeur suprieure V1, la diode est polarise dans le sens direct ; dans ce cas, un courant d'metteur IE
circule dans le sens indiqu figure 10.
CE COURANT EST ESSENTIELLEMENT CONSTITU DE TROUS SE DIRIGEANT DE LA BARRETTE VERS LA
PREMIRE BASE.
Ces trous sont l'quivalent des lectrons prsents dans la zone comprise entre l'metteur et la premire base, zone o se produit une
augmentation du nombre des porteurs. Cela signifie que la rsistance de cette zone est rduite et par consquent elle peut tre
traverse par un courant plus lev, en provenance de l'metteur.
Or, un courant d'metteur plus intense, introduit un plus grand nombre de porteurs et provoque une nouvelle diminution de la
rsistance. Il en rsulte un courant encore plus intense, donc une nouvelle diminution de la rsistance et ainsi de suite.
On peut penser que le courant augmente jusqu' atteindre des valeurs extrmement leves ; or, il n'en est rien car en mme temps
que le courant augmente, la tension d'metteur diminue. Ce fait est facilement contrlable en relevant les caractristiques, indiquant
comment varie la tension d'metteur VE, en fonction du courant IE.
Ces caractristiques sont reprsentes figure 11. Chacune d'elles se rfre une valeur particulire de la tension VBB.
Considrons par exemple la courbe relative VBB = 15 V.

Pour une valeur nulle du courant IE, la courbe prsente un trait vertical, correspondant au moment o la jonction entre l'metteur
et la barrette de silicium est polarise inversement.
Lorsque la tension VE atteint une valeur d'environ 10 V, cette mme jonction se trouve polarise dans le sens direct et par
consquent, le courant d'metteur commence circuler. A mesure que ce courant augmente d'intensit, la tension VE diminue
et se rapproche de l'axe horizontal.
Lorsqu'un lment se comporte de cette faon, on dit qu'il prsente une rsistance ngative.

210

Cette proprit est trs utile pour la ralisation de nombreux circuits, capables d'engendrer des formes d'ondes particulires. En
effet, ce type de transistor se comporte comme un interrupteur qui, selon la valeur de la tension applique l'metteur, se trouve
OUVERT (haute impdance d'entre) ou FERME (basse impdance d'entre).
Nous constatons donc que le transistor UNI-JONCTION a des applications diffrentes de celles des transistors tudis
prcdemment.
Nous terminons ici la technologie des transistors. Dans la prochaine leons, nous aborderons l'tude des THYRISTOR, du DIAC
et du TRIAC et enfin, nous commencerons les leons d'lectroniques digitales.
SEMI-CONDUCTEURS 8
Au cours de cette leon nous allons tudier trois nouveaux types de semi-conducteurs, spcialement utiliss dans le domaine de
la commutation. Il s'agit du THYRISTOR, du DIAC et du TRIAC.
Qu'est-ce que le THYRISTOR ?
C'est un commutateur presque parfait, la fois redresseur unidirectionnel et amplificateur.
Quant au DIAC, il s'agit d'un dispositif bidirectionnel, devenant conducteur lorsque la tension applique dpasse un certain
seuil.
Enfin le TRIAC, de la mme famille que le thyristor, diffre de ce dernier par le fait qu'il est bidirectionnel.
Aprs avoir vu ces trois nouveaux lments, nous terminerons cette dernire leon du cours de BASE D'LECTRONIQUE
FONDAMENTALE, par l'examen des nouvelles leons d'lectroniques digitales.
1 - LE THYRISTOR
Le thyristor est une diode particulire au silicium, possdant un CIRCUIT DE COMMANDE. Cet lment peut passer de
l'tat d'INTERDICTION l'tat de CONDUCTION mais ds que celui-ci est atteint, l'lectrode de commande n'a plus la
possibilit de commander le dbit du courant.
La structure de ce composant est assez complexe. En effet, un THYRISTOR comprend TROIS JONCTIONS, constitues de
deux zones N et deux zones P (figure 1).
La zone P la plus basse, constitue l'ANODE de la diode, alors que la CATHODE est forme par la zone N la plus haute.

La zone P se trouvant sous la cathode, constitue la Gchette et comporte donc le contact ncessaire, pour la liaison au circuit
extrieur.
L'ensemble de ces diffrentes zones, formes par les procds dcrits dans les leons prcdentes, est renforc par deux disques de
tungstne, comme on peut le voir figure 2.
L'un de ces disques porte un cble tress de connexion, correspondant la CATHODE. Cet ensemble est enferm dans un tui
hermtique, dont la base se termine par un filetage correspondant l'ANODE.

211

Celui-ci permet en outre de fixer une plaquette mtallique, servant de radiateur, afin de dissiper la chaleur pouvant endommager le
composant.

Voyons maintenant le fonctionnement du THYRISTOR.


Considrons cet effet la figure 3-a, reprsentant le thyristor de la figure 1, sous une autre forme.

Supposons que l'on coupe les deux blocs centraux, de faon pouvoir dcomposer le thyristor en deux parties. Relions celles-ci
entre elles, au moyen de connexion, comme sur la figure 3-b.
L'une des deux parties ainsi obtenue est forme d'un bloc P, se trouvant entre deux blocs N, constituant un transistor du type
N.P.N. (TR1 sur la figure 3-b).
L'autre partie est forme d'un bloc de silicium N, se trouvant entre deux blocs P, constituant un transistor du type P.N.P. (TR2 sur
la figure 3-b).
En reprsentant ces deux transistors et en les reliant comme sur la figure 3-b, on obtient la reprsentation de la figure 3-c.
Chaque transistor a sa base branch directement au collecteur de l'autre et l'ensemble comporte trois liaisons de sortie (A, C et P),
correspondant l'anode, la cathode et la gchette (on dit aussi la PORTE).

212

Alimentons le circuit au moyen de deux batteries, montes comme sur la figure 4-a.

Dans ces conditions, l'metteur de TR2 (correspondant l'ANODE du thyristor), est positif par rapport l'metteur de TR1
(correspondant la CATHODE de ce thyristor). Bien que ce composant ait son anode positive par rapport sa cathode, aucun
courant ne peut circuler lorsque l'interrupteur (I) est ouvert. En effet, le courant de base de TR1 tant nul, le courant de
collecteur est galement nul.
La base de TR1 tant branche directement sur la base de TR2, ce qui est vrai pour le premier transistor est galement valable pour
le second.
En fermant l'interrupteur I, la jonction base-metteur de TR1 est polarise dans le sens direct, dans la mesure o la base est
positive par rapport l'metteur. Par consquent, cette jonction est traverse par un courant IB direct, dans le sens indiqu par les
flches (figure 4-b). Ce courant dtermine le passage d'un courant de collecteur IC dans TR1, et traverse galement la jonction
metteur-base de TR2.
tant donn que le courant IC, traverse la jonction metteur-base de TR2, il dtermine le passage d'un nouveau courant I'C
dans ce dernier transistor. Ce courant parcourt le circuit dans le sens indiqu par les flches (figure 4-c), c'est--dire qu'il
traverse la jonction base-metteur de TR1, dans le mme sens que le courant IB (figure 4-b).
Le courant qui traverse la jonction base-metteur de TR1 a donc augment, le courant I'C s'ajoutant IB. Il en rsulte que le
courant IC de TR1 augmente aussi, et, en traversant la jonction metteur-base de TR2, produit son tour, un accroissement de IC.
Le courant traversant la jonction base-metteur de TR1 s'lve donc, de mme que le courant IC et que le courant I'C, et ainsi de
suite.
On comprend ainsi comment, par l'action de chaque transistor l'un sur l'autre, le courant qui passe entre le point A et le point C,
c'est--dire entre l'anode et la cathode augmente jusqu' une valeur limite, dtermine uniquement par la rsistance R, se
trouvant en srie dans le circuit.
Lorsque cette valeur limite est atteinte, on peut ouvrir l'interrupteur I, comme le montre la figure 4-c. Les transistors sont en effet
dsormais capables de se maintenir l'un et l'autre en tat de conduction.
On voit donc que le THYRISTOR PEUT PASSER DE L'TAT D'INTERDICTION A L'TAT DE CONDUCTION, en
appliquant un court instant un courant appropri sur le circuit de GCHETTE.

213

Le fait que le courant continue de circuler aprs l'ouverture de l'interrupteur I, signifie que la GCHETTE ne peut plus influer
sur la valeur de celui-ci. Pour remettre le thyristor l'tat d'interdiction le plus rapidement possible, il suffit d'appliquer une
tension ngative l'anode.
Pour comprendre ce qui arrive dans ce cas, il faut se rfrer la structure du thyristor et examiner la polarisation, lorsque celui-ci
est en tat de conduction (figure 5).

Dans ce cas, les trois jonctions sont polarises dans le sens direct et proximit de chacune d'elles, il y a un grand nombre de trous
ou d'lectrons libres.
En appliquant la tension ngative l'anode, on interrompt le courant traversant la diode et on constate la circulation d'un courant
inverse, d au fait que les charges libres sont loignes des jonctions repres par G1 et G3 sur la figure 5.
Aprs dplacement de ces charges, le courant inverse cesse et les jonctions G1 et G3 sont polarises en sens inverse. Le thyristor
ne se trouve pourtant pas en condition d'interdiction, car il subsiste encore un nombre considrable de trous et d'lectrons libres,
proximit de G2. Ces dernires charges libres s'liminent rciproquement par recombinaison dans la mesure o les jonctions G1 et
G3 sont polarises en sens inverse.
Quand cette recombinaison est termine, on peut appliquer une tension positive l'anode, sans remettre le thyristor en tat de
conduction. A ce moment, la gchette a donc repris la possibilit de contrler le thyristor.
Le temps qui s'coule entre l'instant o cesse le passage du courant et l'instant o on peut r-appliquer une tension positive sur
l'anode, sans que le thyristor revienne la conduction, est dit TEMPS DE RETOUR A L'TAT D'INTERDICTION ; il est
normalement compris entre 10 secondes et 15 secondes.
Il faut prciser que , pour simplifier l'explication, on a suppos que lorsque le THYRISTOR se trouve l'interdiction, il n'est pas
travers par un courant, mais cela n'est pas rigoureusement exact.
En ralit, chacun des deux transistors composant le THYRISTOR est travers par un courant rsiduel, comme on l'a vu dans les
leons prcdentes concernant les transistors. Ce courant circule, mme lorsque le circuit de base est ouvert.
Ainsi, le courant rsiduel des deux transistors reprsentant le thyristor, circule dans le sens indiqu figure 4 pour les courants de
collecteur, mais tant donn sa petite intensit, il n'est pas suffisant pour porter la diode, en condition normale de fonctionnement,
l'tat de conduction.
Cependant la prsence de ce courant rsiduel, fait que la diode peut passer de l'interdiction la conduction, mme si le
courant de gchette est nul.
On peut vrifier ce fait en appliquant l'anode du thyristor, une tension continue de valeur approprie. Cette tension donne aux
porteurs constituant le courant rsiduel, une nergie suffisante pour librer d'autres porteurs en plus grand nombre, ceux-ci, leur
tour librant d'autres charges et ainsi de suite.
Il se produit alors l'EFFET d'AVALANCHE. Par consquent, le courant augmente trs rapidement et le thyristor passe ainsi de
l'tat d'interdiction celui de conduction.
Il est bon d'insister sur ce phnomne, ayant une certaine influence, lors du relev des caractristiques.

214

Pour dterminer celles-ci, permettant de connatre comment varie le courant anodique (Ia) en fonction de la tension
anodique (Va), pour diffrentes valeurs du courant de gchette (Ip), on a recours au circuit reprsent figure 6.
Sur cette figure, on peut voir le symbole graphique du thyristor, semblable celui d'une diode, avec en plus, du ct de la cathode,
une lectrode correspondant la PORTE.

Au moyen de P1, on peut faire varier la tension anodique (Va), indique par l'instrument de mesure V, alors que l'appareil (I)
indique les valeurs du courant, correspondant aux diffrentes tensions.
Quant P2, il sert rgler la tension applique entre la porte et la cathode, c'est--dire, en pratique, doser le courant du circuit de
PORTE.
Lorsque ce courant a une valeur nulle, en faisant varier la tension anodique, on peut dterminer la caractristique relative Ip = 0
V.
L'allure de celle-ci est montre figure 7. On voit que, lorsque la tension anodique passe d'une valeur nulle une tension positive
(+Va), le courant anodique, constitu par le courant rsiduel, augmente d'abord progressivement en raison de l'EFFET
D'AVALANCHE.
Ce courant atteint ainsi le POINT DE COMMUTATION, correspondant une valeur suffisante, pour porter le thyristor de l'tat
d'interdiction l'tat de conduction.

On parle alors de COURANT DE COMMUTATION.


Ds que le thyristor est pass l'tat de conduction, il faut rduire la tension anodique pour viter que le courant anodique prenne
des valeurs excessives.
On voit en effet que la caractristique est presque verticale.
On peut en dduire qu'il suffit de basses tensions anodiques, pour obtenir des courants anodiques levs.

215

Le thyristor reste l'tat de conduction, mme si la tension anodique tombe des valeurs assez basses, pourvu que l'on ne descende
pas au-dessous d'une valeur, dite VALEUR DE TENUE.
Au-dessous de celle-ci, le thyristor revient l'tat d'interdiction. D'autre part, lorsque la tension anodique augmente vers des
valeurs ngatives (-Va), la caractristique prend une allure trs semblable celle d'une diode normale, polarise en sens inverse
(figure 7).
Sur la figure 8-a, on peut voir au contraire, la modification de la caractristique anodique, lorsque le courant de GCHETTE,
prend des valeurs suprieures zro.

On peut noter la diminution de la tension anodique, en fonction de laquelle se situe le courant de commutation.
Si le courant de gchette est trs suprieur zro, la caractristique prend l'allure illustre figure 8-b. Cette allure est trs
semblable celle de la caractristique d'une jonction P.N.
Pour l'emploi d'un THYRISTOR, il est galement ncessaire de connatre la caractristique de commande, c'est--dire la
caractristique montrant comment varie le courant de gchette Ip, lorsque la tension Vp, applique entre la gchette et la
cathode, est modifie.
On peut trouver les valeurs de ces grandeurs, au moyen du circuit de la figure 9.

En reportant sur un diagramme les valeurs de la tension et du courant ainsi dtermines, on peut tracer la caractristique de
commande du thyristor considr.
En refaisant ce trac avec un autre thyristor du mme type, on trouverait une caractristique qui pourrait tre trs diffrente. Ce fait
est d aux invitables diffrences de construction que l'on rencontre dans ces composants.
Pour cette raison, les caractristiques de commande des thyristors, fournies par les constructeurs, comprennent deux courbes,
dlimitant une zone dans laquelle peut se trouver la caractristique, pour un type de thyristor donn.
Il faut se souvenir qu'en augmentant la tension de la gchette Vp, on atteint une valeur, en correspondance de laquelle le
courant de gchette Ip, s'avre suffisant pour provoquer la conduction du thyristor.

216

En raison des diffrences de construction, ces valeurs varient d'un thyristor un autre pour un mme type de composant.
La surface hachure de la figure 10-b, indique les points possibles de commutation. Elle est dlimite par les valeurs Vpmin. et
Ipmin.
Cette surface reprsente donc la zone, dans laquelle la commutation est possible, mais non certaine, alors que la zone
suprieure indique les valeurs o la commutation est certaine, dans tous les cas.
Il faut encore noter que toutes les valeurs comprises dans la zone suprieure ne peuvent pas tre adoptes pour la commande d'un
thyristor. En effet, pour certaines de ces valeurs la puissance dissipe dans la jonction gchette-cathode, dpasserait les possibilits
du thyristor. En consquence, la puissance maximale dissipable sans risque, est indique par la courbe en pointill.
La caractristique de commande, dans son aspect dfinitif, est reprsente sur la figure 10-c.
1. 1. - PRINCIPE DE L'AMORAGE PAR LA GCHETTE
L'amorage du thyristor par sa gchette ou porte, est le systme d'amorage le plus courant.
Le thyristor est mont sur le circuit, de faon tre polaris dans le sens direct (voir figure 11).
On applique une IMPULSION POSITIVE sur la gchette (IG).

Le transistor TR1 reoit donc IG comme courant de base. De ce fait son courant de collecteur passe IG 1, (o 1 = gain en
courant de TR1). Ce courant est son tour inject dans la base de TR2, qui dbite alors un courant IG 1 2 (o 2 = gain en
courant de TR2).
Ce mme courant IG 1 2 de collecteur de TR2 est rinject sur la base de TR1.
Deux cas doivent alors tre considrs.
1) Le produit 1 2 est plus petit que 1 : LE DISPOSITIF NE S'AMORCE PAS.

217

2) Le produit 1 2 est proche de l'unit : le processus de l'amplification se manifeste et le thyristor passe l'tat
conducteur.
Ces deux conditions ( 1 2 < 1 et 1 2 proche de 1) caractrisent l'tat du thyristor en fonction du courant.
Le gain d'un transistor au silicium crot en effet gnralement avec le courant (plus exactement le gain en courant crot avec le
courant d'metteur).
Avec un courant de gchette faible, le produit 1 2 est infrieur 1. Le thyristor reste bloqu.
Avec un courant de gchette de valeur plus leve, c'est--dire avec une impulsion de commande suffisante, les courants
d'metteurs sont assez levs pour 1 2 donne une valeur tendant vers l'unit, c'est--dire 1 2 -------> 1.
Ds que l'amorage est ralis, la raction positive (le courant de collecteur de chaque transistor tant appliqu sur les bases
de l'autre transistor) fait conduire TR1 et TR2 la saturation. Ces deux composants se maintiennent dans cet tat, mme si
le signal de commande disparat.
1. 2. - AUTRES POSSIBILITS D'AMORAGE
Comme nous venons de le dire la proprit essentielle d'un transistor au silicium est d'avoir un gain de courant, croissant avec le
courant d'metteur IE. De ce fait, toutes les causes susceptibles de provoquer une augmentation du courant IE, permettent de
dclencher l'amorage.
On peut donc agir :
1) SUR LA TENSION : Si la tension cathode-anode augmente, il arrive un moment o le COURANT DE FUITE est suffisant
pour dclencher une augmentation rapide de IE, donc de provoquer l'amorage.
2) LA PENTE DE LA TENSION : La jonction PN prsente une certaine CAPACIT. Ainsi, en augmentant brusquement la
tension anode-cathode, on charge cette capacit et l'on obtient un courant de :
i = (C V) / t
C = valeur de capacit de la jonction
V (delta V) = variation de la tension
t (delta t) = dure de la variation
Lorsque le courant (i) atteint une certaine valeur, l'amorage se produit.
3) LA TEMPRATURE : le courant de fuite inverse d'un transistor au silicium, double approximativement tous les 14 C
(lorsque la temprature crot).
L encore, lorsque le courant de fuite est suffisant, le thyristor s'amorce.
Nous n'avons cit ces possibilits qu' titre d'information, car dans la grande majorit des cas, on provoque LE
DCLENCHEMENT DU THYRISTOR en injectant une IMPULSION de commande sur la GCHETTE, c'est--dire en
utilisant l'EFFET TRANSISTOR.
1. 3. - TENSION DE RETOURNEMENT
Comme nous venons de le dire dans le paragraphe prcdent, il est possible d'amorcer un thyristor, en agissant sur la TENSION
CATHODE-ANODE.
La valeur de la tension pour laquelle le thyristor s'amorce, s'appelle tension de retournement. La valeur de cette tension dpend
cependant du signal de commande, ventuellement appliqu sur la gchette. La figure 12 met en vidence cette relation.
Lorsque le courant de gchette IG est nul (sur la figure 12, IG1 = 0), la tension anode-cathode, doit atteindre la tension de
retournement pour que le thyristor s'amorce. Par contre avec un courant de gchette croissant, la tension de retournement tombe
des valeurs beaucoup plus faibles.
A la limite, le thyristor se comporte comme une diode (pour IG5, sur la figure 12). Cela signifie que si le courant de gchette est
assez fort, une petite tension d'anode suffit pour provoquer le dclenchement.
Aussi, pour prvenir des amorages erratiques, on peur monter une rsistance entre la gchette et la cathode.
Trs souvent d'ailleurs les fabricants intgrent par diffusion, cette rsistance dans le thyristor (technique SHORTED EMITTER).

218

Elle a pour effet de ncessiter un courant de gchette plus intense, pour l'amorage du thyristor, mais par la mme, amliore sa
tenue l'tat bloqu.

II - EMPLOI DU THYRISTOR
Les thyristors sont de plus en plus utiliss dans les circuits de commande actuels.
Les recherches effectues dans ce domaine ont permis la ralisation de thyristors capables de passer une intensit de l'ordre de
plusieurs centaines d'ampres, avec une tension inverse de crte de 1200 Volts.
De tels thyristors sont toutefois rservs des fin bien spciales. Dans le domaine courant, on trouve surtout :
THYRISTORS faible courant < 1 A
THYRISTORS courant fort 1 35 A
THYRISTORS de forte puissance 35 150 A (environ).
Les applications des thyristors sont trs vastes et plus particulirement en lectronique industrielle.
On les trouve galement dans certains appareils lectromnagers, o ils peuvent en plus d'une fonction spcifique, remplacer un
transformateur.
La figure 13 illustre une application courante : LE VARIATEUR DE VITESSE.

219

Prise directement sur le secteur, la tension a l'allure sinusodale, reprsente figure 14-a.
En insrant le circuit de la figure 13, la tension au maximum n'est plus qu'une demi-sinusode. Dans ce cas, le thyristor se comporte
comme une diode (figure 14-b).

Ainsi, en insrant le dispositif entre la prise secteur et le moteur, la vitesse du moteur M diminue ; on utilise en effet que les
alternances positives pour l'alimenter.
Pour diminuer encore la vitesse, on agit sur le potentiomtre P1. La tension qui alimente alors le moteur prend l'allure indique
figure 14-c. On remarque qu'il ne subsiste qu'une partie de l'alternance positive.
En continuant d'agir sur P1, on peut arriver n'avoir plus qu'une petite partie de l'alternance positive (figure 14-d) ou mme plus
rien du tout, c'est--dire suppression complte de l'alternance positive.
Il faut remarquer un fait essentiel : La DIMINUTION DE LA VITESSE s'effectue sans RDUIRE LA TENSION
APPLIQUE AU MOTEUR (sauf trs basse vitesse) mais uniquement en AGISSANT sur le TEMPS DE CONDUCTION.
Cela signifie que le moteur conserve pratiquement toute sa PUISSANCE, quel que soit son rgime.
Revenons au schma de la figure 13.
Dans un circuit de ce type, la tension de commande de la gchette est obtenue par un pont diviseur R1, R2 et R3, branch
entre l'anode du thyristor et le potentiomtre P1.
Lorsque la tension applique sur l'anode du thyristor augmente positivement, celle applique sur la gchette augmente galement,
tant donn qu'elle est transmise par D1. De cette manire, on atteint ainsi la valeur ncessaire pour dclencher la conduction du
thyristor. Cette valeur est atteinte en des temps diffrents, selon la position du curseur du potentiomtre.
Lorsque le curseur est en A, la tension de dclenchement est atteinte peu de temps aprs le dbut de l'alternance positive (cas
illustr figure 14-b).
En dplaant le curseur de P1 vers B, on diminue la tension de commande par l'introduction d'une rsistance supplmentaire ; la
conduction du thyristor ne se produit alors qu'un certain temps aprs le dbut de l'alternance positive (cas illustr figure 14-c).
D'aprs ce qui a t dit, on pourrait penser qu'il est impossible de laisser le THYRISTOR en tat de conduction aprs le temps t3
(figure 14), or on voit que ceci est possible (figure 14-d).
On arrive ce rsultat, grce au condensateur C2, qui dtermine un dphasage entre la tension du secteur prsente sur
l'anode du thyristor et la tension de gchette.

220

Les deux tensions ne varient pas ensemble, la seconde tant en RETARD sur la premire. En effet, la tension de gchette
atteint son maximum positif, alors que la tension d'anode du thyristor a dj commenc diminuer.
Le temps de conduction entre t4 et t5 est videmment trs court, ce qui veut dire que la vitesse du moteur est alors trs faible.
A la fin de toute alternance positive, la tension secteur s'annule, INTERROMPANT la conduction du thyristor.
Pendant les alternances ngatives, les diodes D1 et D2 sont polarises en sens inverse et le systme reste bloqu.
La conduction reprend l'alternance positive suivante, dans les diodes d'abord, dans le thyristor ensuite, lorsque la tension de
dclenchement est atteinte.
Quand la tension d'alimentation du moteur a l'allure de la figure 14-d (presque impulsionnelle), il se produit des parasites dans les
radio-frquences, pouvant perturber la rception radio. Pour liminer cet inconvnient, on a plac un condensateur C1 rduisant en
grande partie ces troubles.
Ce montage n'est ici donn que comme exemple d'application des thyristors, que l'on trouve dans de trs nombreux circuits en
LECTRONIQUE INDUSTRIELLE.
III - LES TRIACS
Le TRIAC est un dispositif semi-conducteur trois lectrodes (anode 1, anode 2, gchette) pouvant passer de l'tat bloqu
l'tat de conduction dans ses deux sens de polarisation. En d'autres termes, il s'agit d'un composant de la mme famille que le
thyristor, mais qui est BIDIRECTIONNEL (le thyristor tant unidirectionnel).
Le TRIAC peut d'ailleurs tre compar deux thyristors en parallle, mont tte-bche (figure 15).

On peut considrer le TRIAC, comme une STRUCTURE P1 N1 P2 N2 de thyristor, dans lequel A1 est la cathode (relie N2),
A2 l'anode (relie P1) G, la gchette (relie P2), mais avec en plus :
A1 relie galement P2
B2 relie galement une couche supplmentaire N4
G relie galement une couche supplmentaire N3
La structure P2 N1 P1 N4, constitue ainsi un second thyristor, mont en parallle inverse avec le thyristor P1 N1 P2 N2.
La caractristique tension-courant est symtrique (figure 16 ci-dessous).
Ce dispositif peut passer d'un tat bloqu un tat conducteur dans les deux sens de polarisation (quadrant 1 et 3) et repasser
l'tat bloqu par inversion de tension ou diminution du courant au-dessous de la valeur du courant de maintien IH.

221

En l'absence de signal sur la gchette, le dispositif peut tre considr comme deux redresseurs polariss en sens inverse. Aucun
courant ne circule dans le triac, donc dans la charge (sauf un trs lger courant de fuite).
On admet donc que le TRIAC se comporte comme un interrupteur ouvert. Cependant, selon la polarisation on peut avoir les
tats suivants :
1) Si A2 est un potentiel positif de 1,5 volt par rapport A1, une tension positive ou ngative de valeur convenable,
applique sur la gchette, provoque l'amorage : LE TRIAC se met conduire.
2) Si A2 est un potentiel ngatif de 1,5 volt par rapport A1, une tension positive ou ngative de valeur convenable,
applique sur la gchette, provoque l'amorage : LE TRIAC se met conduire.
3) Si le courant allant de A2 A1 ou de A1 A2 est tabli, le TRIAC est VERROUILL et la tension de gchette peut tre
supprime, qu'elle soit POSITIVE ou NGATIVE : LE TRIAC reste en tat de conduction.
4) Lorsque le courant dans le TRIAC est tabli (dans un sens ou dans l'autre), il est ncessaire pour le bloquer, de rduire
l'intensit de ce courant, une valeur proche de zro.
L'intensit minimum pour laquelle le TRIAC reste conducteur est appele intensit minimale de maintien (IH).
La condition ci-dessus (courant proche de zro), existe videmment chaque fois que la tension alternative du rseau, passe par zro,
c'est--dire chaque demi-alternance.
Comme nous venons de le voir, le TRIAC peut tre dclench par une impulsion POSITIVE ou NGATIVE sur la
GCHETTE, quelque que soit la polarit de A2 par rapport A1. Toutefois, il existe un SENS PRFRENTIEL, illustr figure
17.

222

Lorsque le dclenchement a eu lieu, la rsistance interne du triac est faible ; de ce fait, la chute de tension entre A2 et A1 a une
valeur galement faible (de l'ordre de 1,2 volt). Cela signifie que la puissance dissipe en pure perte dans le TRIAC est trs faible
par rapport la puissance de la charge.
Mentionnons encore qu'un TRIAC peut supporter sans inconvnient des surcharges brves, assez intenses. Ainsi, un TRIAC de 6
ampres par exemple peut supporter pendant quelques alternances, un courant de l'ordre de 100 ampres.
Cette caractristique est trs intressante, car au dmarrage d'un moteur par exemple, l'intensit instantane demande, est
beaucoup plus importante que l'intensit de fonctionnement du moteur en rgime normal.
III - 1 - AMORAGE DU TRIAC
En appliquant une tension V1 A1, V2 A2 et VG la GCHETTE, en prenant V1 comme rfrence, c'est--dire V1 = 0, on
peut dfinir les quatre quadrants de polarisation .
Comment se produit l'amorage dans les 4 cas possibles ?
a) AMORAGE QUADRANT 1 (+ +)
Dans ce cas nous avons V2 > V1.
On applique une impulsion positive sur la gchette entre G et A1 (+ sur G).
En appelant T le thyristor P1 N1 P2 N2 ayant A2 comme anode et A1 comme cathode () et T' le thyristor P2 N1 P1 N4 avec A1
comme anode et A2 comme cathode, nous avons :
T est sous tension directe ; le courant positif de gchette provoque l'amorage de T comme un transistor normal.
b) AMORAGE QUADRANT 3 ( - -)
Dans ce cas nous avons V2 < V1
On applique une impulsion ngative sur la gchette entre G et A1 (- sur G).
Le courant de gchette IG entre par A1, traverse la diode P2 N3 dans le sens direct et entrane ainsi l'affaissement de la barrire de
potentiel P1 N1. En effet, la diode P2 N3 est traverse par des TROUS de P2 vers N3 et par des lectrons de N3 vers P2.
Ces lectrons diffusent travers P2 jusqu' la jonction P2 N1, qui les dirigent dans N1 (action de la jonction sur les porteurs
minoritaires qui l'atteignent) ; il en rsulte une diminution de la barrire de potentiel P2 N1 et par suite une augmentation du
courant des TROUS de P2 vers N1
Ces trous sont absorbs par la jonction P1 N1 dont le courant inverse augmente, avec pour effet d'amorcer T'.
c) AMORAGE QUADRANT 2 (+ -)
Dans ce cas nous avons V2 < V1
On applique une impulsion ngative sur la gchette entre G et A1 (- sur G).
Le courant de dclenchement circule de P2 vers N3 et amorce T', comme prcdemment.

223

d) AMORAGE QUADRANT 4 (- +)
Dans ce cas nous avons V2 < V1
On applique une impulsion positive sur la gchette entre G et A1 (+ sur G).
Le processus de dclenchement peut se comparer celui du premier quadrant, donc T conducteur.
En ralit le phnomne est plus complexe, car pour une tude dtaille et par ailleurs hypothtique, il conviendrait de considrer
la zone de conduction N3 P2 N1 P1, d'o il ressort que dans le quatrime quadrant, la sensibilit au dclenchement est plus rduite
que dans les autres cas.
Les deux mthodes d'amorage les plus utilises sont celles dcrites en a) et en b), c'est--dire celle du premier et du 3me
quadrant. En effet, lorsque A2 et G ont la mme polarit, le courant de gchette ncessaire pour provoquer l'amorage est beaucoup
plus faible que lorsque ces polarits sont opposes.
Le SENS PRFRENTIEL d'amorage, en se rfrant la figure 17 est donc celui o nous avons :
A2 + VG + et A2 - VG
III - 2 - CARACTRISTIQUES DES TRIACS
Les ouvrages les plus complets traitant des thyristors et des triacs tant amricains (ce qui explique l'usage de plus en plus frquent
de termes anglo-saxons dans les textes franais et confirme que l'volution technique a une influence certaine sur le langage), il est
bon de donner la signification des symboles utiliss pour donner les caractristiques de ces composants (figure 18).

Extrait d'un document SILEC (fabricant de semi-conducteurs), voici comment se prsentent les caractristiques essentielles d'un
TRIAC (type TTAL 220).
*** VALEURS D'UTILISATION ***
ITeff
200 A
= Courant efficace l'tat passant.
ITRM
600 A
= Courant de pointe maximum repr l'tat passant.
ITSM
1600 A 50 Hz
= Courant de pointe maximum accidentel.
VDWM
200 V
= Tension de crte maximum l'tat bloqu.
VRSM
300 V
= Tension inverse de pointe accidentelle
*** CARACTRISTIQUES DE GCHETTE ***
IFGM
5A
= Courant direct de pointe.
VFGM
10 V
= Tension direct de pointe
VRGM
5V
= Tension inverse de pointe
PG
10 W
= Puissance gchette (de l'anglais POWER GATE).
Parmi les autres caractristiques importantes qu'il faut citer, mentionnons :
VBO = Tension maximale que peut supporter le composant en restant maintenu l'tat bloqu. Si cette tension est dpasse le
triac s'amorce.

224

dv/dt = Taux de croissance maximum de la tension d'anode pouvant tre support par le dispositif, sans risque d'amorage.
di/dt = Taux de croissance maximum du courant d'anode pouvant tre support par le dispositif sans entraner sa destruction.
A l'aide de ces indications, on peut ainsi complter le schma de la figure 16 par les indications suivantes (figure 19).

IV - LES DIACS
Le DIAC est un composant semi-conducteurs, utilis pour DCLENCHER les thyristors et les triacs.
C'est un lment SYMTRIQUE, donc un composant BIDIRECTIONNEL, devenant conducteur lorsque la tension dpasse un
certain seuil (tension de retournement).
Sa structure est trs simple, puisqu'il s'agit d'une double diffusion d'impurets de TYPE OPPOS celle du substrat (monocristal).
Le symbole, ou plutt les symboles du DIAC sont reprsents figure 20.

Le symbole de la figure 20-b est contestable car il est pratiquement identique celui du TRIAC.
Le symbole de la figure 20-c est le plus simple et permet le plus facilement de comprendre le fonctionnement de ce composant.
Voyons ce sujet le comportement du DIAC. A cet effet, reportons-nous au schma de la figure 21.
Rglons le potentiel P sa VALEUR MAXIMALE. La tension applique sur le DIAC et lue sur le voltmtre V est trs faible ; le
courant mesur par l'ampremtre A est galement trs faible et correspond un trs lger courant de fuite.
Man uvrons P pour augmenter la valeur de la tension V.

225

Le courant augmente mais trs lgrement, comme on peut le voir figure 22 (IBR +), puis brusquement, pour une certaine valeur
de tension bien dtermine, le courant augmente de faon intense et la rsistance dynamique du DIAC DEVIENT NGATIVE.
Cela signifie, que cette rsistance tout en tant de valeur peu leve, augmente en fonction du courant.
La figure 22 illustre ce qui vient d'tre dit : (partie droite de l'axe I).

Si maintenant, dans une seconde exprience on inverse la batterie de piles, on constate que le mme phnomne se produit, mais de
sens oppos.
On obtient ainsi, une courbe pratiquement symtrique, comme on peut le voir figure 22.
Compte tenu de ce qui vient d'tre dit, on peut tirer les deux conclusions suivantes :
1) Le DIAC n'est pas un REDRESSEUR.
2) Il n'est pas possible d'avoir entre ses bornes une tension suprieure VBR + et VBR -, sans risque de destruction du
composant.
IV - 1 - EMPLOI DU DIAC
Le DIAC est utilis en association avec le TRIAC, pour la commande de ce dernier.
On peut par exemple raliser un GRADATEUR de LUMIRE. Dans ce type de montage le THYRISTOR convient mal, car
tant donn qu'il ne conduit que dans un seul sens, un scintillement de l'ampoule est perceptible, surtout aux faibles intensits
lumineuses.
Dans ce cas en effet, le temps de conduction par rapport l'alternance complte est trs court. Ainsi, entre chaque priode de
conduction, le filament de l'ampoule se refroidit et il en rsulte une diminution de la lumire mise.
Lorsque le thyristor conduit de nouveau, le filament met de nouveau une lumire plus intense, laquelle succde une diminution
et ainsi de suite.
Le TRIAC tant CONDUCTEUR dans les deux sens de la tension alternative, vite ce scintillement.
Le montage type d'un GRADATEUR de LUMIRE est donn figure 23.

226

Notez ce sujet que ce mme montage peut, sans aucune modification, servir de VARIATEUR DE VITESSE.
Comment fonctionne ce circuit ?
La partie droite du schma comprend un dispositif de DPHASAGE, constitu par un condensateur C et un potentiomtre P.
Une partie du courant fourni par le secteur passe travers ces deux lments. Ce courant engendre aux bornes de P, une tension
qui est en phase avec celui-ci.
Cette tension est donne par la loi d'ohm :
Up = RI
Aux bornes du condensateur, une tension prend galement naissance, mais elle est DPHASE, de p / 2 (90) par rapport au
courant.
La valeur de cette tension est donne par la formule :
Uc = 1 / (C x w) x I
La reprsentation vectorielle est celle de la figure 24.
Le vecteur U, somme gomtrique de Uc et de Up est dphas par rapport au courant I. Il est vident que ce dphasage (angle j ),
dpend essentiellement des deux vecteurs Uc et Up, donc de C et de P.

Or P est un potentiomtre ; il suffit donc de man uvrer le curseur pour modifier le DPHASAGE de U par rapport I. Mais U
est la tension aux bornes de l'ensemble rsistance-capacit, donc la tension du secteur. Le DPHASAGE de Uc par rapport
U, varie donc galement en fonction du rglage de P.
En conclusion :
Aux bornes de C on dispose d'une tension dont la phase varie avec la valeur de P.
La figure 25 reprsente la tension U (immuable) de la tension Uc, dont le dphasage dans le temps varie suivant la valeur de R.
En gnral, le DIAC se dclenche pour une tension voisine de 30 Volts, ce qui revient dire que VBR de la .

227

Si P et C ont t choisis judicieusement, la valeur maximum de Uc peut tre gale 30 Volts. Cela signifie que chaque fois qu'il y
aura une tension de 30 Volts aux bornes de Uc, ce qui se prsente aux temps t1, t2, etc., il y aura dclenchement du DIAC, et
par consquent du TRIAC.
La figure 26 reprsente la forme de la tension dlivre par le TRIAC, c'est--dire le TEMPS DE CONDUCTION de cet lment,
en fonction de trois rglages diffrents de P.

1) L'ampoule lectrique est alimente presque normalement. Le temps de conduction du TRIAC est presque gal t.
TEMPS DE CONDUCTION LONG (partie hachure).
2) L'ampoule lectrique n'est alimente que la moiti du temps durant chaque demi-alternance.
TEMPS DE CONDUCTION MOYEN.
3) L'ampoule lectrique n'est alimente que pendant une fraction de temps durant chaque demi-alternance.
TEMPS DE CONDUCTION COURT.
Notez bien que dans les VARIATEURS ou GRADATEURS THYRISTORS ou TRIACS, on agit sur le TEMPS DE
CONDUCTION et non sur la valeur de la tension.
IV - 2 - AUTRES DISPOSITIFS DE DCLENCHEMENT
Le DIAC n'est pas le seul composant actuellement utilis pour la commande des TRIACS.
Il faut en effet mentionner :
1) LE COMMUTATEUR UNILATRAL (SUS).

228

Ce composant, destin uniquement au dclenchement des THYRISTORS est constitu par un THYRISTOR miniature et une
diode ZENER.
La figure 27 reprsente le symbole de ce composant, son circuit quivalent et sa courbe caractristique.

On voit qu'approximativement, cet ensemble fonctionne comme un DIAC qui serait Unidirectionnel.
Ce commutateur l'avantage de dclencher TENSION FIXE, dtermine par la DIODE ZENER.
2) LE COMMUTATEUR BILATRAL (SBS).
Ce composant, driv du SUS prcdent, est form par deux commutateurs BILATRAL, mont tte-bche.
Il fonctionne ainsi dans les deux sens et de ce fait, est surtout utilis pour la commande des TRIACS.
La figure 28 donne les renseignements essentiels sur cet lment.

3) LA DIODE SHOCKLEY
La diode SHOCKLEY, aussi appele DIODE QUATRE COUCHES ou DIODE THYRISTOR est un composant
BIPOLAIRE UNIDIRECTIONNEL.
De type PN PN, cette diode est comparable un THYRISTOR qui ne comporterait que l'ANODE et la CATHODE.

229

La figure 29 reprsente la structure, le symbole et la courbe caractristique de ce composant.

4) LE QUADRAC.
Le QUADRAC n'est pas proprement parler un dispositif de dclenchement, car il est form d'un TRIAC, contenant dans le
mme botier un DIAC (figure 30).
Il ne s'agit donc l que d'un lment compos, dont le but est de simplifier les circuits.

Nous terminons ainsi nos notions d'lectroniques fondamentales qui, nous esprons, vous aiderons mieux saisir les autres parties
des nouvelles leons thoriques et pratiques d'lectroniques DIGITALES pour but d'expliquer les circuits digitaux
concernant les ordinateurs y compris les circuits intgrs pour le moins, augmenter vos connaissances dans ce domaine.
Cette nouvelle thorie vous permettra d'examiner tout d'abord les circuits monostables, ensuite les bascules de Schmitt et les
oscillateurs.
Ces nouveaux circuits font appel des notions d'lectronique analogique (), car des rsistances et condensateurs sont gnralement
ncessaires leur fonctionnement.
1. - LES MONOSTABLES
1. 1. - DFINITION ET FONCTION
Dans la thorie prcdente, diffrents circuits logiques vous ont t prsents. Il s'agissait essentiellement de la bascule D matre
esclave et de la bascule J.K. Or, vous avez constat que ces bascules taient caractrises par deux tats stables, ces bascules
passant d'un tat l'autre sous l'effet d'une commande extrieure au circuit. Ces bascules restent en permanence dans l'tat o elles
se trouvent jusqu' ce que le signal de commande les fasse basculer dans l'tat stable complmentaire de l'tat prcdent.
Ceci est la dfinition des circuits bistables.
Dans cette thorie, vous verrez des circuits monostables ne possdant qu'un seul tat de stabilit. Sous l'effet d'une commande
extrieure, ces monostables peuvent passer l'tat complmentaire de l'tat stable, mais retrouvent invariablement leur tat de
stabilit aprs une dure dtermine par le type de circuit. En fait, ces circuits possdent bien deux tats logiques complmentaires,
mais l'un est stable, l'autre ne l'est pas.
L'tat stable est l'tat de repos du circuit. La figure 1 vous montre une reprsentation simple d'un monostable.

230

Les signaux logiques prsents l'entre et en sortie vous sont prsents la figure 2.

L'tat de stabilit du monostable est caractris par deux niveaux logiques L, l'entre et la sortie du circuit.
Par contre, si on applique un chelon de tension l'entre du circuit l'instant t1, la sortie passe un niveau H transitoire qui dure
T secondes et retombe au niveau L l'instant t2. C'est la dure fixe T qui est la caractristique fondamentale du monostable. Cette
dure T est dtermine par l'utilisateur en fonction de l'application dans laquelle le monostable est insr.
1. 2. - EXEMPLES D'APPLICATION

Voici deux exemples qui mettent en vidence l'utilit des monostables.


1. 2. 1. - CIRCUIT DE VISUALISATION D'UNE IMPULSION BRVE
Dans un ensemble lectronique, il peut tre ncessaire de visualiser une impulsion de courte dure en un point donn de cet
ensemble. Or, pour des dures infrieures 1/10 de seconde environ, il est impossible de percevoir l'clairement d'une LED. Il sera
ncessaire d'utiliser un monostable qui jouera un rle de temporisation en crant une impulsion sa sortie suffisamment longue
pour clairer une LED tmoin.
Le montage type est celui indiqu la figure 3.

231

Une impulsion de sortie de 1 seconde environ est dans ce cas suffisante pour l'clairement de la LED.
1. 2. 2. - MESURE DE FRQUENCE
Cette application d'un circuit monostable permet de mesurer la frquence d'un signal. Le schma de principe est indiqu la
figure 4.

A l'entre du monostable est appliqu le signal dont on veut mesurer la frquence.


A la sortie du monostable est situ un rseau compos d'une diode, d'un condensateur et de deux rsistances. Les deux cas A et
B indiqus la figure 5 permettent de comprendre le fonctionnement du circuit.

232

Dans le cas A, la frquence du signal est relativement faible. A chaque impulsion l'entre, correspond une impulsion au point 1
en sortie du monostable.
Cette impulsion permet la charge du condensateur C travers la rsistance R1, car la diode est alors polarise dans le sens direct
ou passant. Le condensateur se charge donc durant la priode d'impulsion T, puis la tension au point 1 retombe au niveau bas. La
diode est alors polarise en inverse et le condensateur tend se dcharger travers la rsistance R2. La tension au point 2 est donc
une tension positive continue qui possde une faible ondulation. Il est possible de l'assimiler une tension continue.
Dans le cas B, la frquence est beaucoup plus leve. Le fonctionnement du circuit est le mme que dans le cas A, mais si le temps
de charge du condensateur est identique, le temps de dcharge est beaucoup plus court.
Le condensateur tend beaucoup moins se dcharger que dans le cas A et la tension au point 2 sera plus leve que dans le cas A.
Il y a donc proportionnalit entre la frquence du signal qui arrive l'entre du circuit et la tension continue que l'on recueille en
sortie du circuit. Ce montage est donc un frquencemtre ou un convertisseur frquence-tension.
Ces deux exemples montrent les applications ralisables l'aide de circuits monostables.
1. 3. - CIRCUITS MONOSTABLES
Ces circuits sont subdiviss en deux catgories, tout d'abord celle des pseudo-monostables, puis celle des vrais monostables.
1. 3. 1. - PSEUDO-MONOSTABLES
Ces diffrents montages ncessitent certaines conditions pour fonctionner en monostable, alors que les vrais monostables peuvent
ne pas respecter ces conditions.
a) Circuit de base.
C'est le circuit reprsent la figure 6.

Le symbole
au point VR.

dsigne seulement un amplificateur, c'est--dire que le signal de sortie varie dans le mme sens que celui prsent

Quand l'entre passe du niveau L au niveau H, le condensateur se comporte comme un court-circuit et le point VR est port au
niveau H. Ensuite, le condensateur C se charge travers la rsistance R comme indiqu la figure 7.

233

Quand la tension au point VR franchit le seuil de basculement de l'amplificateur A, la sortie retombe au niveau L. La dure T est
donc dtermine uniquement par les valeurs de R et de C. Elle vaut approximativement 0,7 R.C. Ceci et valable en technologie
CMOS.
Il faut noter que l'entre doit rester au niveau H au moins aussi longtemps que la dure de l'impulsion de sortie du monostable. En
effet, si le signal prsent l'entre repasse au niveau L avant la fin de cette priode, la tension au point VR repasserait une valeur
proche du niveau logique L et la sortie repasserait donc au niveau L. L'impulsion de sortie serait donc courte. C'est cause de
cette condition particulire de fonctionnement que ce type de circuit est class dans la catgorie des pseudo-monostables.
En remplaant l'amplificateur A par un inverseur, il est possible d'obtenir une impulsion ngative, telle qu'indique la figure 8.

Ce mme type de montage peut aussi tre dclench par une transition d'un niveau H vers un niveau L, comme indiqu aux figures
9-a et 9-b.

Un autre inconvnient de ce montage de base existe.


En effet, si une nouvelle impulsion de commande arrive l'entre du monostable immdiatement aprs celle qui la prcde, il peut
se produire le problme suivant illustr la figure 10.

234

Quand l'entre repasse l'instant t3 au niveau L, la tension au point VR devient ngative car le condensateur est alors charg. A
partir de t3, le condensateur amorce sa dcharge. Si une nouvelle impulsion de commande survient avant sa dcharge complte, la
tension au point VR ne remonte pas aussi haut qu' l'instant t1. La tension au point VR franchira donc le seuil logique L avant que
la dure T ne se soit coule. La dure T' de l'impulsion de sortie sera infrieure T. Ceci impose une condition supplmentaire
pour un fonctionnement correct du monostable.
Il est possible d'obvier cet inconvnient en ajoutant une diode comme le montre le montage de la figure 11.

En effet, l'instant t3, quand l'entre repasse au niveau L, le condensateur C se dcharge presque instantanment travers la diode
D polarise dans le sens direct.
Les diffrentes tensions sont indiques la figure 12. Le potentiel au point VR ne descendra pas en dessous de - 0,6 volt, seuil de
tension d'une diode ordinaire au silicium.

Ainsi, ce montage permettra de prendre en compte un train d'impulsions trs rapproches.


b) Pseudo-monostable sans rseau RC
Pour mmoire, ce circuit est indiqu la figure 13 car il permet de comprendre la fonction du monostable, mais n'est pas utilis en
gnral dans un montage.

235

Le fonctionnement repose sur le fait qu'il existe un certain temps de propagation travers une porte logique quelle qu'elle soit
(NAND, NOR...). Ceci est illustr la figure 14. Les temps td et t'd peuvent tre gaux ou non.

Dans l'exemple cit la figure 13, l'allure des tensions aux points A et B et la sortie est illustre la figure 15.

Le signal au point A est invers par rapport celui au point B chaque transition avec un retard TD ou T'D d la somme des
temps de propagation des trois inverseurs.
De mme, td et t'd sont les temps de propagation du signal travers la porte logique NAND.
Il est visible sur le schma de la figure 15 que la constante de temps de ce monostable est T sensiblement TD. L'impulsion de
commande doit toujours tre d'une plus grande dure que la dure T de l'impulsion de sortie.
c) Pseudo-monostable ralis avec un circuit intgr de type 555.
Ce circuit intgr est d'un emploi courant dans les montages lectroniques. Dans la figure 16, il est mont en pseudo-monostable
(les chiffres indiquent les broches du circuit).

236

Ce circuit intgr comprend essentiellement un pont diviseur de tension avec trois rsistances, deux comparateurs symbolis
, une bascule RS dont la table de vrit est reporte la figure 17, et un interrupteur lectronique I.

Cet interrupteur obit la rgle de fonctionnement suivante : il est ouvert la mise sous tension ou lorsque la sortie Q est au
niveau H. Quand elle est au niveau L, il est ferm.
Un comparateur possde essentiellement deux entres et une sortie, et fonctionne comme indiqu la figure 18.

Tension au point a suprieure celle au point b

sortie S au niveau H.

Tension au point a infrieure celle du point b

sortie S au niveau L.

Le fonctionnement de ce pseudo-monostable est illustr la figure 19.

237

A la mise sous tension, I tant ouvert, C se charge travers R. Lorsque le potentiel en 6 dpasse 2/3 Vcc, l'entre R de la bascule
passe au niveau H. La sortie Q passe donc au niveau L, et I se ferme. Le condensateur se dcharge presque instantanment et
l'entre R repasse au niveau L. Puisque l'entre de commande est au niveau H, l'entre S de la bascule est donc au niveau L. Nous
avons donc R = 0 et S = 0, la bascule RS est en position mmoire. C'est l'tat de repos du monostable antrieur l'instant t1. A cet
instant, l'entre de commande passe au niveau L, S passe au niveau H et la sortie Q au niveau H. Puisque I est maintenant ouvert,
le condensateur commence se charger. Lorsqu' l'instant t3, l'entre 6 atteint le potentiel 2/3 Vcc, l'entre R repasse au niveau H.
Ainsi, la sortie Q passe au niveau L car l'entre S est inactive, puisque porte au niveau L. En effet, l'entre de commande est
repasse au niveau H l'instant t2 antrieur l'instant t3. Ceci est une condition obligatoire pour le bon fonctionnement du
montage, sinon, l'instant t3, les deux entres de la bascule se trouveraient au niveau H, donc la sortie Q serait force au niveau H.
La dure de l'impulsion T de ce monostable est donne par la formule : T = 1,1 RC.
1. 3. 2. - LES VRAIS MONOSTABLES
Il s'agit de circuits monostables sans conditions particulires au sujet du signal de commande. C'est--dire que celui-ci pourra
indiffremment tre de dure suprieure ou infrieure l'impulsion de sortie du monostable.
a) Vrais monostables avec une bascule D.
Le montage typique utilisant une bascule D est indiqu la figure 20-a, alors que la figure 20-b donne la table de vrit de la
bascule.

238

La figure 21 illustre le fonctionnement de ce montage.

Au repos, le monostable a sa sortie Q au niveau bas (L).


En effet, si la mise sous tension la sortie Q est au niveau H, le condensateur C se charge et provoque, un moment plus tard,
l'activation de l'entre CLEAR de la bascule dont la sortie passe immdiatement au niveau bas. Le condensateur se dcharge alors
travers la diode D polarise en direct.
Si on applique l'instant t1 une impulsion positive sur l'entre CK, le niveau haut appliqu l'entre D est transfr la sortie Q.
Cette sortie tant au niveau haut, le condensateur C se charge et il se produit le phnomne dcrit prcdemment. L'entre CLEAR
devient active l'instant t2, ce qui fait repasser Q au niveau bas.
A l'instant t3, le condensateur C est compltement dcharg. Une nouvelle impulsion peut tre applique sur l'entre CK.
Avec ce montage, une impulsion, mme trs brve, dclenche la bascule. Cette mme impulsion de commande peut, par ailleurs,
tre d'une dure suprieure celle de sortie. Il s'agit donc ici d'un vrai monostable, aucune condition particulire n'tant impose
quant la dure de l'impulsion d'entre.
b) Monostable ralis avec un circuit intgr spcifique.
Le circuit monostable prsent la figure 22 utilise un circuit intgr de type CMOS spcifique.
Ce circuit intgr comporte principalement une bascule synchrone de type D et un comparateur. Une rsistance REXT et un
condensateur CEXT sont associs ce circuit intgr pour dfinir la constante de temps de ce monostable.

239

A l'tat de repos, la sortie Q' de la bascule est au niveau L, donc G est au niveau H et Q, sortie du monostable, au niveau L. Dans
ce cas, le transistor T conduit et court-circuite le condensateur CEXT, imposant une tension nulle en V1, (entre - du comparateur).
La sortie du comparateur est donc au niveau H. L'entre CLEAR de la bascule est au niveau H, donc inactive.
La figure 23 qui suit vous permet de comprendre ce qui se passe quand l'entre de commande B passe du niveau L au niveau H.

L'entre A du circuit qui peut tre considre comme une entre de validation est maintenue au niveau bas. A l'instant t1, l'entre B
passe du niveau L au niveau H et donc l'entre CK de la bascule galement : la sortie Q' passe au niveau H ainsi que Q.
La tension au point G devient nulle et le transistor T se bloque.
Le condensateur CEXT commence se charger travers la rsistance REXT. Quand la tension au point V1 atteint le seuil du
comparateur, celui-ci bascule : sa sortie passe au niveau L, ce qui active l'entre CLEAR de la bascule. Q' repasse alors au niveau
L ainsi que la sortie Q du monostable.
Simultanment le transistor T conduit et le comparateur re-bascule au niveau H pour rendre l'entre CLEAR inactive. Le
monostable a retrouv l'tat de stabilit antrieur.
Il faut noter que l'entre CLEAR de la bascule D peut tre active tout moment grce l'entre CLR du circuit. Il y a donc
moyen d'interrompre l'impulsion de sortie en Q. Ceci est illustr la figure 24.

240

Il est galement possible de dclencher ce monostable grce un front descendant appliqu l'entre A. Dans ce cas, l'entre B
doit tre au niveau H.
1. 3. 3. - MONOSTABLES REDCLENCHABLES
C'est une dernire catgorie dont nous n'avons pas parl jusqu'ici. , nous voyons qu'une nouvelle impulsion 3 l'entre de
commande n'a aucun effet sur la sortie Q du monostable lorsque celui-ci vient d'tre dclench par l'impulsion 2. On dira que c'est
un monostable non redclenchable. Par opposition, il existe des montages monostables redclenchables, c'est--dire qu'une
nouvelle impulsion de commande survenant pendant que le monostable est dclench est prise en compte et prolonge l'impulsion
de sortie d'une dure quivalente celle coule entre le dbut de la premire commande et le dbut de la seconde. Ceci est illustr
la figure 25.

La dure totale T' est bien la somme de T (constante de temps du circuit) et t3-t2. Une suite suffisamment rapproche
d'impulsions l'entre E maintiendrait en permanence la sortie S au niveau H.
a) Ralisation avec une bascule D.
Le schma comporte . En effet, la figure 26, vous constatez que la diode D est relie l'entre et non plus la sortie.

Ce montage fonctionne avec une condition particulire pour le signal de commande. Il faut que ce dernier ait une dure suprieure
la constante de temps T du monostable. Ainsi, il s'agit d'un pseudo-monostable redclenchable.
En effet, si l'entre CK est ramene prmaturment au niveau L, la diode D, polarise en direct, conduit et l'entre CLEAR
n'atteint jamais le niveau H puisque le condensateur C se dcharge aussitt. La sortie Q resterait donc en permanence l'tat H.
Pour le fonctionnement du circuit en monostable redclenchable, il suffit aprs une premire impulsion de commande, de ramener
l'entre au niveau L et immdiatement la ramener au niveau H avant que la priode T ne se soit coule.
A chaque fois que l'entre est ramene au niveau L puis au niveau H, un nouveau cycle de charge du condensateur recommence.
b) Ralisation avec un circuit intgr.

241

Le montage illustr la figure 27 est un vrai monostable redclenchable qui utilise un circuit intgr spcifique de type 74122 ou
74C122.

A l'tat de repos, la sortie Q est toujours au niveau logique L.


Pour dclencher ce monostable, il est possible d'utiliser les quatre entres A1, A2, B1 et B2.
Il suffit d'envoyer une transition positive soit sur B1, soit sur B2, condition que l'autre entre (B1 ou B2) soit au niveau H et que
l'une des deux entres A1 ou A2 au moins soit au niveau L.
Si B1 et B2 sont au niveau H, il est galement possible de dclencher ce monostable par une transition ngative en A1 ou A2.
Les deux composants cbls l'extrieur CEXT et REXT dterminant la dure de l'impulsion de sortie T.
L'entre CLEAR active au niveau L est prioritaire, c'est--dire qu'elle positionne la sortie Q au niveau L ds qu'elle se trouve
active.
Un exemple d'application des monostables redclenchables est fourni par les systmes de dtection de panne dans les circuits
d'horloge.
En effet, il suffit de choisir une constante de temps du monostable lgrement suprieure la priode d'horloge. Il suffira qu'un
seul front d'horloge soit absent pour que la sortie du monostable retombe l'tat de repos et permette le signalement d'un incident.
2. - LES BASCULES DE SCHMITT
2. 1. - DFINITION ET FONCTION
Une transition d'un niveau logique L un niveau logique H, applique l'entre d'un inverseur, peut tre schmatise comme
indiqu la figure 28.

242

Schmatis ainsi, il apparat que les signaux prsents l'entre et la sortie de l'inverseur prsentent des fronts bien droits, c'est-dire que la tension varie instantanment d'un tat logique l'tat logique complmentaire.
Or, ceci est une vision purement thorique. Les signaux rels s'loignent de cette reprsentation thorique et appliqus au mme
circuit logique, auraient la forme reprsente la figure 29.

Il apparat donc qu'un signal logique met un certain temps (ici t2 - t1) pour passer d'un tat logique un autre.
Une deuxime remarque s'impose. Si l'on se rfre la figure 30-a, il apparat que la tension prsente des variations dues aux
parasites ou aux bruits.
Ces derniers sont dfinis comme des perturbations ou des variations de tension petite chelle sur un signal lectrique.

Un buffer peut tre dfini comme un amplificateur de courant, c'est--dire un circuit conservant la forme du signal et augmentant la
puissance disponible sa sortie.
Ce buffer prsente, par exemple, un seuil de basculement gal Vcc / 2, comme reprsent la figure 30-a. Or, le signal d'entre
possde des perturbations. En sortie, le signal logique n'est donc pas stable mais prsente des oscillations comme reprsent la
figure 30-b.
En effet, les oscillations indsirables l'entre franchissent plusieurs reprises le seuil de basculement du buffer.
Il a donc t ncessaire de concevoir des circuits logiques qui puissent palier ces deux types d'inconvnients.
Ce sont les bascules de Schmitt ou encore triggers de Schmitt. L'ide fondamentale est de crer deux seuils de basculement, l'un
sur le front montant d'un signal, l'autre sur le front descendant de ce signal. Ceci est reprsent la figure 31.

243

A l'instant t1, la tension prsente l'entre atteint le seuil de basculement VT+, la sortie passe trs rapidement du niveau logique L
au niveau logique H, bien que le seuil VT+ soit franchi plusieurs fois au cours des oscillations prsentes l'entre du trigger.
Au cours du front descendant, c'est l'instant t2 que le signal d'entre franchit le seuil de basculement VT-. La sortie passe alors
trs rapidement du niveau logique H au niveau logique L.
Les deux instants de basculement sont les deux instants o le signal franchit pour la premire fois le seuil considr. Il est vident
que plus la diffrence (VT+) - (VT-) est importante, plus ce circuit sera fiable et insensible aux fluctuations parasites superposes
au signal originel. Cet cart de tension entre les deux seuils est appel hystrsis. C'est une caractristique propre un trigger de
Schmitt. Le cycle d'hystrsis est reprsent la figure 32.

Les flches sur ce schma indiquent le sens de parcours des tensions l'entre et la sortie du trigger.
Il apparat clairement que la sortie passe du niveau L au niveau H ds que le seuil VT+ est franchi l'entre de la bascule (flche
bleue). De mme, il faut que la tension d'entre descende VT- pour que la sortie passe du niveau H au niveau L (flche rouge).
La diffrence (VT+) - (VT-) constitue galement la marge de bruit qui est l'cart de tension qu'un signal peut avoir sans
entraner d'incident particulier sur le fonctionnement d'un circuit. La figure 33 prsente l'allure d'un signal prsent l'entre d'une
bascule de Schmitt.

A un moment donn, l'entre a franchi le seuil VT+, la sortie est donc au niveau H.
On aperoit les perturbations du signal d'entre, mais ce signal n'atteint jamais le seuil VT-, donc l'entre est considre en
permanence l'tat H.

244

Le symbole suivant (
) indique qu'un circuit logique possde un cycle d'hystrsis.
Des exemples sont donns la figure 34.

2. 2. - RALISATIONS PRATIQUES DES TRIGGERS DE SCHMITT


2. 2. 1. - TRIGGER DE BASE
Dans le trigger de la figure 35, deux rsistances R1 et R2 sont associes un buffer.

Les deux rsistances sont montes en pont diviseur de tension. L'entre du buffer a une rsistance trs leve, de l'ordre de
quelques dizaines de M (en technologie CMOS). L'effet de ce buffer sera donc nglig sur le pont diviseur de tension. Pour cela,
R1 et R2 auront des valeurs assez grandes. Par exemple, R1 = 22 k et R2 = 100 k
Dans ce cas, nous avons la relation

suivante :

Appliquons l'entre E le signal indiqu la figure 36.

245

Au dpart, V1 = Vu = 0 volt. Au fur et mesure que V1 augmente, la tension d'entre du buffer Vo augmente aussi et Vu reste
nulle. En effet, il faut que Vo atteigne Vcc / 2 pour que la sortie S bascule au niveau H.
La tension V1 ncessaire au basculement du buffer est la tension de seuil suprieur VT +.
A partir de la relation
prcdente, exprimons cette tension V1 de basculement.
Juste avant le basculement, la tension Vo est donc gale Vcc / 2 et la tension de sortie Vu est encore nulle. Remplaons Vo et Vu
par leur valeur dans l'quation

La tension V1 de basculement que l'on appelle VT+ est donc donne par la relation

Si l'on remplace dans le cas prsent R1 et R2 par leur valeur et sachant que la tension d'alimentation est de 5 volts, on obtient une
tension de basculement de :

Ceci est donc la valeur du seuil suprieur.


Tant que la tension V1 restera suprieure la tension de seuil infrieur VT-, la sortie S restera au niveau H (donc la tension Vcc).
Quand la tension d'entre V1 redescend, le buffer bascule au niveau L pour Vo = Vcc / 2.
Calculons donc VT-

en remplaant Vo par Vcc / 2 et Vu par Vcc.

d'o :
On obtient la relation

Remplaons R1, R2 et Vcc par leur valeur numrique :

Le seuil infrieur est donc de 1,95 volt.


L'hystrsis vaut (VT+) - (VT-) = 3,05 - 1,95 = 1,1 volt.
Il serait par ailleurs possible d'augmenter la valeur de l'hystrsis en prenant une valeur pour R1 suprieure 22 k .
2. 2. 2. - TRIGGER RALIS AVEC DES PORTES NAND
Ici, nous n'utilisons pas de rsistances. Ce trigger est reprsent la figure 37. Il comprend trois portes NAND trois entres
ralises en technologie CMOS. Le fonctionnement de ce trigger utilise la proprit suivante : la tension du seuil de basculement
est fonction du nombre d'entres relies ensemble sur lesquelles est appliqu le signal de commande. Ce seuil sera d'autant plus
lev qu'il y aura d'entres relies ensemble.

246

A l'tat de repos, l'entre E et la sortie S sont au niveau logique L. Quand la tension l'entre augmente et atteint VT+, la porte 1
commute, l'entre SET passe au niveau L et la sortie S au niveau H.

Quand la tension l'entre E redescend et franchi le seuil VT-, la porte 3 commute et sa sortie passe au niveau H. La sortie S
commute galement et repasse au niveau L. Donc ce montage est bien un trigger possdant deux seuils de basculement VT+ et
VT-. L'hystrsis (VT+) - (VT-) vaut environ 1 / 3 de Vcc soit 1,66 volt pour Vcc = 5 volts.
Si l'on veut rduire l'hystrsis 1 / 6 de Vcc, il faut runir seulement deux entres de la porte 1. Ceci est indiqu la figure 38.

Ainsi, le seuil VT+ est diminu.


Ce circuit particulier est souvent utilis comme bascule de Schmitt disponible sous forme de circuit intgr de la famille CMOS.
2. 3. - APPLICATIONS DES BASCULES DE SCHMITT
Les applications des bascules de Schmitt sont nombreuses et quelques-unes ont dj t traites. C'est le cas lorsqu'il s'agit de
dbarrasser certains signaux rectangulaires de parasites ou d'amliorer des fronts montants ou descendants qui varient trop
lentement.
Dans le chapitre 3, le trigger sera prsent dans un montage astable.
2. 3. 1. - TRANSFORMATION D'UNE SINUSODE EN UN SIGNAL RECTANGULAIRE
Le montage est celui indiqu la figure 39. A l'entre est appliqu un signal sinusodal de frquence F. A la sortie, on obtient un
signal rectangulaire de frquence identique F. Les deux rsistances R1 et R2 constituent un pont diviseur de tension et C est un
condensateur qui sert dcoupler le signal d'entre par rapport l'entre du trigger de Schmitt.

247

Si l'on veut obtenir un signal carr la sortie, on choisira de fixer une tension V1 qui soit gale (VT+) - (VT-) / 2. Ceci apparat
clairement la figure 40.

Ce montage peut servir convertir une tension sinusodale produite par une gnratrice tachymtrique en un train d'ondes
possdant une frquence proportionnelle la vitesse de rotation de la gnratrice.
2. 3. 2. - CIRCUIT ANTI-REBOND
Dans le montage prsent la figure 41, il s'agit de dlivrer une impulsion de tension sans que se manifeste un phnomne de
rebond la fermeture du contact.
A la fermeture de l'interrupteur, il y a rebondissement des contacts, mais le condensateur C limite les variations de potentiel au
point Vc et l'hystrsis du trigger permet de conserver le niveau logique H en sortie.

2. 3. 3. - DTECTEUR DE LUMIRE
Le montage de la figure 42 permet de dtecter un certain seuil de lumire pour commander, par exemple, l'extinction d'une lampe.

248

F est une rsistance photosensible dont la valeur diminue quand la lumire augmente.
Arriv un certain seuil d'clairement, le point A dpasse le seuil VT+ du trigger de Schmitt et la sortie bascule au niveau logique
L.
Mme si l'intensit lumineuse subit de lgres fluctuations, la sortie reste au niveau L.
Ce montage fonctionne galement dans le sens inverse. Quand l'intensit lumineuse diminue, le point A franchit le potentiel VT- et
la sortie repasse au niveau H.
3. - LES CIRCUITS MULTIVIBRATEURS OU OSCILLATEURS ASTABLES
3. 1. - DFINITION ET FONCTION
Un oscillateur est un circuit lectronique qui gnre un signal priodique. Ces signaux sont de deux types.
Tout d'abord, il existe des signaux sinusodaux utiliss dans les techniques de radiocommunication. C'est l'onde porteuse du signal
radio et du signal T.V.. Ce type d'onde est gnr galement dans les synthtiseurs de notes musicales, dans la technologie du
radar...
Ensuite, le deuxime type de signal qui nous intresse plus particulirement ici, est le signal rectangulaire, propre la technologie
numrique.
En effet, ce signal se caractrise uniquement par des transitions d'un niveau H un niveau L et vice-versa une frquence
dtermine par le circuit gnrateur. Ce circuit est gnralement appel multivibrateur astable. Ce circuit possde deux tats
logiques L et H instables. La sortie bascule priodiquement d'un tat logique l'autre tat complmentaire. Ceci est indiqu la
figure 43.

T est la priode du signal rectangulaire dtermine par les caractristiques propres du montage.
La fonction principale de ce signal dans les circuits logiques est de fournir une horloge appele gnralement clock. Cette horloge
est ncessaire dans les circuits logiques synchrones o les changements d'tat logique en diffrents point du circuit se font soit au
front montant, soit au front descendant de l'horloge.
Actuellement, les circuits d'horloge se rencontrent dans les ordinateurs, dans les appareils de mesure du temps, de la frquence,
pour la transmission de donnes....

249

3. 2. - DIFFRENTS MONTAGES D'ASTABLES


Nous allons passer en revue un certain nombre de montages multivibrateurs.
3. 2. 1. - MONTAGE UTILISANT UN TRIGGER DE SCHMITT
La figure 44 vous prsente un oscillateur utilisant un trigger de la famille CMOS.

A la mise sous tension du montage, la tension Vc est nulle et la sortie est donc au niveau H.
Ainsi qu'il apparat la figure 45, le condensateur C se charge travers la rsistance R et l'instant t1, Vc atteint le seuil VT+ du
trigger. La sortie bascule et passe au niveau L : le condensateur entreprend sa dcharge travers R et l'instant t2, Vc atteint le
seul VT- du trigger.

La sortie repasse ainsi au niveau H et le phnomne se reproduit ainsi indfiniment. La priode d'oscillation T est dfinie par la
relation :

Note :
ln est le symbole de la fonction logarithme nprien. Une calculatrice permet le calcul.
Pour R = 100 K , C = 0,1 F, Vcc = 5 volts, VT+ = 3,05 volts, VT- = 1,95 volt, on trouve :
T 8,9 ms et f oscillation 112 Hz.
Ce montage est donc simple mais prsente un inconvnient. En effet, les seuils VT+ et VT- sont fonction de la tension
d'alimentation Vcc ; ce montage ne prsente donc pas une stabilit absolue en frquence, mais peut avoir des fluctuations lies aux
variations de la tension Vcc. Pour une variation de Vcc de 5 volts 15 volts, la frquence peut varier de 4 5 %.
Nanmoins, ce montage peut tre employ pour des applications ne ncessitant pas une grande stabilit et une grande prcision.
D'ailleurs, l'emploi d'une alimentation rgule amliore sensiblement la stabilit du montage oscillateur.

250

3. 2. 2. - MONTAGE UTILISANT TROIS INVERSEURS


Ce montage est indiqu la figure 46.

Il utilise le fait qu'il existe un temps de propagation


d'en comprendre le fonctionnement.

T pour chaque inverseur. Le chronogramme indiqu la figure 47 permet

Quand le signal au point VI (ou V3) passe du niveau L au niveau H, il apparat clairement que la sortie correspondante bascule
aprs un laps de temps gal T.
Il en est ainsi pour les trois inverseurs. La lettre a sur la figure 47, montre l'volution du point VI au point V3. L'entre VI re-

bascule donc aprs 3 T. La priode du signal vaut 6 T et sa frquence


. T est exprim en secondes.
Ce circuit permet d'obtenir un oscillateur frquence leve car les temps de propagation T sont relativement courts. Si l'on veut
rduire la frquence d'oscillation, il suffit d'ajouter d'autres inverseurs. Leur nombre doit rester impair.
Si n est le nombre d'inverseurs, la frquence d'oscillation vaut 1 / 2n T.
Avec ce montage, la stabilit est toujours fonction de la tension d'alimentation, de la temprature et de la charge situe sa sortie,
donc du circuit logique qu'il doit piloter.

251

Il est possible d'amliorer ce montage en y intgrant trois composants passifs comme illustr la figure 48.

Le chronogramme relatif au fonctionnement est situ la figure 49.

A l'instant t0, la sortie S est au niveau L et l'entre de l'inverseur 1 est au niveau H. Le potentiel du point V1 va donc dcrotre et
ds que ce potentiel atteint le seuil de basculement de l'inverseur 1, soit pour Vcc / 2, les trois inverseurs vont basculer en chane.
La sortie de l'inverseur 2 passe du niveau H au niveau L l'instant t1 soit une chute de tension de -Vcc et le point V1 se retrouve
au potentiel (Vcc / 2) -Vcc = -Vcc / 2.
Or, la sortie est passe au niveau H, donc le potentiel de ce point V1 va crotre jusqu' + Vcc / 2 (instant t2) o les trois inverseurs
vont commuter simultanment. Le point V1 se retrouve (Vcc / 2) + Vcc = 3 / 2 Vcc.
Finalement, on assiste une srie de charges et de dcharges du condensateur C et chaque fois que le point V1 franchit le seuil de
basculement de l'inverseur 1, l'tat de la sortie change.
A titre indicatif, la frquence d'oscillation est donne par la formule :

Cet oscillateur est insensible aux variations de la tension d'alimentation Vcc et sa stabilit en frquence est d'autant meilleure que
sa frquence est basse. En effet, la frquence dpend principalement des trois composants R1, R2 et C.
3. 2. 3. - MONTAGE ASTABLE UTILISANT DEUX INVERSEURS
Ce montage est prsent la figure 50. La frquence d'oscillation est donne par la formule. La valeur de la rsistance R2 doit tre
au moins dix fois suprieure celle de R1.

252

Par ailleurs, les valeurs de C et de R1 ne doivent pas tre trop faibles, car l'inverseur 2 ne peut fournir un courant en sortie trs
lev.
Il est toujours possible de mettre une rsistance R1 variable. Ceci permet d'ajuster la frquence de sortie de l'oscillateur.
Il est galement possible de faire varier le rapport cyclique du signal rectangulaire.
La figure 51 reprsente ce rapport cyclique

Le montage suivant indiqu la figure 52 permet de faire varier ce rapport cyclique

Le chronogramme situ la figure 53 permet d'expliciter le fonctionnement de cet oscillateur.

253

A l'instant t1, la sortie S est au niveau L et le point A au niveau H.


Le point B est alors au potentiel -Vcc / 2, comme nous le verrons la fin de ce raisonnement, Vcc tant la tension d'alimentation du
montage.
Le condensateur C se dcharge donc travers la diode D2 et une partie du potentiomtre P1 puisque le point A est au potentiel +
Vcc et le point B au potentiel -Vcc / 2.
A l'instant t2, le condensateur C est compltement dcharg.
Le point B est au potentiel 0 volt.
Le potentiel du point B continue d'augmenter puisque le point A est toujours au potentiel + Vcc.
Le condensateur C se charge maintenant travers la mme diode D2 jusqu' l'instant t3.
De l'instant t1 l'instant t3, seule la diode D2 conduit, la diode D1 tant polarise en inverse.
C'est le mme courant IL qui dcharge dans un premier temps le condensateur C puis le charge dans un deuxime temps.
A l'instant t3, le point B est au potentiel + Vcc / 2, donc l'inverseur 1 bascule ainsi que l'inverseur 2.
Le point A passe au potentiel 0 et la sortie S au potentiel + Vcc.
Le potentiel de la sortie S a augment instantanment de + Vcc, donc le potentiel du point B fait de mme et passe ainsi + 3 / 2
Vcc.
De l'instant t3 t5, les mmes phnomnes que ceux dcrits ci-dessus se reproduisent ; mais cette fois-ci, c'est la diode D1 qui
conduit et la diode D2 qui est polarise en inverse.
De t3 t4, le condensateur C se dcharge, puis de t4 t5, C se charge.
Quand le potentiel du point B arrive au seuil de basculement de l'inverseur + Vcc / 2, les deux inverseurs basculent.
La sortie S qui se trouvait + Vcc passe au potentiel 0 volt, soit un front ngatif de - Vcc qui est transmis intgralement au point B
par le condensateur C. Ce point B qui tait un potentiel de + Vcc / 2 passe donc :

Nous sommes revenus au point de dpart de notre explication et un nouveau cycle peut recommencer. En faisant varier la position
du curseur du potentiomtre P1, les constantes de temps de charge et de dcharge de C (celle relative la priode t3 - t1 et celle
relative la priode t5 - t3) varient.
Ainsi, le rapport cyclique varie.
3. 2. 4. - ASTABLE RALIS AVEC LE CIRCUIT INTGR 555
Ce circuit dj utilis dans un montage pseudo-monostable peut l'tre pour constituer un oscillateur. Son schma est indiqu la
figure 54.

254

L'interrupteur I est ferm lorsque Q est au niveau L et ouvert lorsque Q est au niveau H, ainsi qu' la mise sous tension.
Le fonctionnement de l'oscillateur est reprsent sous forme de chronogramme la figure 55.

A la mise sous tension, le condensateur C se charge travers les rsistances en srie RA et RB puisque l'interrupteur I est ouvert
(Q est au niveau H).
La table de vrit de la figure 56 vous indique le fonctionnement de la bascule RS.

Lorsque la tension Vc atteint 2 / 3 Vcc, l'entre R passe au niveau H, donc la sortie Q passe au niveau L. Ceci ferme
l'interrupteur I.
Le condensateur C se dcharge travers la rsistance RB. La constante de dcharge vaut 1 = RB C. Lorsque Vc atteint le seuil 1
/ 3 Vcc, l'entre S passe au niveau H et Q repasse au niveau H. Le condensateur C se recharge avec une constante de temps 2 =
(RA + RB) C et le cycle continue ainsi indfiniment.
La priode T du signal rectangulaire, ainsi que le rapport cyclique sont donns par les formules suivantes :
T = 0,7 (2 RB + RA) C
= (RA + RB) / (RA + 2 RB)
Il est donc possible de faire varier ces deux paramtres en modifiant les valeurs respectives des trois composants RA, RB et C.
3. 2. 5. - MONTAGES OSCILLATEURS UTILISANT UN QUARTZ
Presque tous les montages vus prcdemment utilisent des rseaux RC.
Ces montages peuvent avoir une stabilit insuffisante pour certaines ralisations. Des oscillateurs quartz sont donc utiliss quand
une stabilit leve est requise pour un montage.
Ce critre de stabilit intervient dans les horloges mesurant le temps dans lesquelles une stabilit de 10-6, soit 1 seconde sur 13
jours environ, est couramment atteinte.
Dans les circuits numriques travaillant leur vitesse limite, une grande stabilit est galement ncessaire pour ne pas dpasser les
normes de fonctionnement des circuits intgrs.

255

Un autre exemple est fourni par les systmes de communications microprocesseurs o une trs bonne stabilit est requise.
a) Les cristaux de quartz
Le quartz est de silice (Si02) cristallise dans le systme hexagonal.
Il existe trois axes de symtrie dans la structure cristalline du quartz comme le montre la figure 57.

Ce sont :
l'axe optique ZZ' passant par les sommets.
l'axe mcanique XX' passant par les artes.
l'axe lectrique YY' perpendiculaire aux faces de l'hexagone.
En lectronique, le quartz est reprsent par le symbole de la figure 58-a.
La figure 58-b montre l'aspect du botier couramment utilis pour les quartz.

Voyons prsent leurs proprits physiques.


b) L'effet pizo-lectrique.
Dans les oscillateurs lectriques, on utilise une lamelle de quartz taille dans le cristal selon l'un des axes vus prcdemment.
Lorsque l'on applique une tension alternative aux bornes de cette lamelle, celle-ci se dforme et entre en vibration mcanique.
On remarque que l'amplitude des vibrations mcaniques est maximale pour une certaine frquence de la tension alternative : ceci
constitue la frquence de rsonance de la lame de quartz qui dpend principalement de l'axe choisi pour la taille, des dimensions, et
de l'paisseur de cette lamelle. Lorsque le cristal de quartz est la rsonance, il se comporte comme un circuit accord qui aurait
comme structure celle reprsente la figure 59.

256

Voici quelques valeurs typiques des lments de ce circuit.


L =3H
Cs = 0,05 pF
R =2k
Cm = 10 pF
La capacit de Cm est due au montage (d'o son nom : capacit de montage) de la lame de quartz entre deux armatures
mtalliques qui forment un condensateur.
Le circuit srie L, Cs, R est le circuit quivalent au cristal lui-mme. Remarquez la faible valeur du condensateur Cs et par contre,
la valeur importante de l'inductance L par rapport celles obtenues avec des bobinages. C'est cette dernire caractristique qui
donne au quartz un facteur de qualit Q = (L ) / R trs lev. Ce facteur Q a couramment une valeur de plusieurs milliers voire de
plusieurs dizaines de milliers alors qu'il dpasse rarement 100 dans les circuits LC discrets. Ce facteur de qualit permet d'obtenir
des oscillateurs quartz d'une trs bonne stabilit en frquence.
On peut dfinir deux frquences de rsonance distinctes pour ce cristal :
la frquence de rsonance srie due au cristal lui-mme et pour laquelle l'impdance est minimale car L entre en rsonance
avec Cs.
la frquence de rsonance parallle due la mise en parallle sur le circuit R, L, Cs de la capacit de montage Cm. Pour
cette frquence de rsonance parallle que l'on appelle parfois improprement frquence d'auto rsonance, l'impdance aux bornes
du quartz passe un maximum comme pour tout circuit LC parallle.
La figure 60 donne la courbe de l'impdance d'un quartz en fonction de la frquence du signal appliqu ses bornes.

c) Oscillateurs quartz.
On peut donc imaginer deux types d'oscillateurs selon que l'on utilisera la rsonance srie ou la rsonance parallle.
Toutefois, les oscillateurs rsonance srie sont plus prcis et plus stables car ils oscillent rigoureusement sur la frquence du
cristal lui-mme.
Par contre, les oscillateurs utilisant la rsonance parallle sont tributaires de la valeur de la capacit de montage Cm et d'autres
capacits parasites du montage. Celles-ci, mises ventuellement en parallle sur le quartz, peuvent faire varier la frquence de
l'oscillateur.
C'est donc les premiers que nous retiendrons gnralement pour l'utilisation dans les montages logiques ou microprocesseurs.
La figure 61 en donne un exemple trs simple.

257

Tout oscillateur est constitu d'un amplificateur et d'une raction du signal de sortie en phase avec le signal d'entre.
Ici, les deux inverseurs en srie jouent le rle d'un amplificateur non inverseur alors que la raction est opre par le quartz qui,
sa frquence de rsonance srie, se comporte comme une simple rsistance et n'apporte donc aucun dphasage.
Le condensateur C et les rsistances servent faire osciller le montage au dmarrage jusqu' ce que le quartz entre en rsonance.
Au point milieu des deux rsistances est prlev le signal rectangulaire de sortie.
Cette thorie se termine donc avec ce montage utilisant un quartz.

258