CHAP 11 LE TRANSISTOR BIPOLAIRE

EXERCICE I

iC
C

iB= 0,2 mA

VCE = 6V

RB

E = 24V

E
iE

Ve

Le coefficient
damplification en
courant du transistor
vaut = 200. Quelle est
la valeur de RE ?

RE

EXERCICE II
RC
iC
C
iB= 0,5 mA

VCE

RB

E = 12V

valeur 0,5 k.

E
iE

Ve

Le coefficient
damplification en courant
du transistor vaut = 120.
La rsistance RC a pour
Quelle est lintensit iC
dans le collecteur ?

RE
EXERCICE III

RC
iC
C
iB

B
RB

Ve

VCE
E
iE

E = 24V

RC = 100
Le transistor a pour
coefficient damplification
en courant = 75, pour
tension de saturation
VCE = 0V. Quelle est
lintensit minimale iB qui
permet de saturer le
transistor ?

EXERCICE IV
Dans le rseau ci dessous, les transistors sont parfaits et ils fonctionnent en commutation.
Quelle tension VS obtient-on si Ve = 0V ?
Quelle tension VS obtient-on si Ve = 15V ?

RC1

C2

B2
RB1

T2

C1

B1

E2

T1
E1

Ve

Rch

E = 15V

VS

EXERCICE V

RC
iC

uS

RB = 100

C
iB

e(t)

B
RB

RC = 50
E = 20V

VCE

= 50
VBE = 0,7V si iB 0A
VCESAT = 0V

E
iE

1. Calculer la valeur iBMIN de iB permettant de saturer le transistor.

2. e(t) = 5V. Calculer iB . En dduire ltat du transistor et la valeur de uS.
3. e(t) = 0V. Calculer iB . En dduire ltat du transistor et la valeur de uS.
4. Dessiner en concordance de temps les formes donde de uS et de VCE lorsque e(t) est un
signal carr alternatif damplitude gale 5V.
5.Quelle est la puissance moyenne dissipe par le transistor ?
EXERCICE VI
On considre le montage suivant (voir page 3) avec E= 12V, RC = 100 , = 30, VCesat = 1V,
VBE = 0,8 V quand le transistor nest pas bloqu.
1)Tracer la droite de charge et indiquer les coordonnes des points de fonctionnement
correspondant
Etat bloqu
Etat satur
Et calculer les valeurs de iB correspondantes
2

RC

Rph

iC

uS

C
iB

B
RB

VCE
E
iE

2) La photorsistante a une rsistance de 20 lorsquelle est claire. Quelle valeur

maximale faut-il donner RB pour que le transistor soi satur ?
EXERCICE VII
On ralise le montage suivant avec E = 12 V ; RC = 100 et le transistor de lexercice
prcdent.
RC

RB

iC
C

i1 iB
Rph
i2

B
RB

E
VCE

E
iE

1. On veut que le transistor soit bloqu quand la photorsistante est claire (sa rsistance vaut
alors 20 ). A quel domaine de valeurs doit appartenir RB ?
2. Quand la photorsistante est plonge dans lobscurit, sa rsistance tend vers linfini. A
quel domaine de valeurs doit appartenir RB pour que le transistor soit satur ?
3. Si lon veut que mes deux conditions soient ralises, a quel domaine de valeurs doit
appartenir RB ?
4. Imaginez une application pratique ce montage.