1.

Para amplificador con JFET de la figura, considerando el modelo

simplificado y los parmetros IDSS=10mA, Vp=-4V, Rt=100.5k,
IDQ=0.6mA, VGSQ=-3V y VDS=6V; se pide:
a) Disear los valores de RD, Rs y RG.
b) Av=Vo/Vs

RD(2)

RD
5k

Q
0.5k

RG

VS

100k

RS

VO
10k

5k

Anlisis en

DC

RO
5k

ID
IG

12V

RG
100k

RS
5k

IG=0

ID=0.6 mA
En la malla (ID), por la 2LK:

12V =6 V +0.6 mA( RD + RS)

RD+ RS=10 k
Considerando para el diseo

RD=RS=5 k
Anlisis con pequea seal:
Usando el modelo simplificado

RD
5k

Is
GM*VGS
+G
0.5k

VS

RG
100k

Io

-S
+

RS
5k

gm=

210 mA
3
(1
)=1.25 mMhos
4
4

Vs=Is( 0.5+ RG )
Vs
=0.5+ RG=100.5
Is
RG=100 k

VO
10k
-

gmvgs=Io

k =Vo
( 510
5+10 )

Io

Vo=vgs4.1666
Vs=5 kIo

Vg=100 kIs
vgs=100 kIs +5 kIo

vgs=100 kIs +5 k(gmvgs)

vgs(1+5 k1.25 m )=100 kIs
vgs
=13.7931k
Is
Reemplazando:

Vo
1
4.1666
=13.7931 k
Vs
100.5 k
Av =

Vo
=0.5718
Vs

2. En el circuito amplificador que se muestra en la figura se tiene los

siguientes datos: Vcc=24V, Ic=2mA, VCE=VE=Vcc/3, =50, VBE=0.7V.
Considerando el modelo simplificado del transistor, se pide:
a) Disear los valores de RC, RE, R1 y R2
b) El valor de Ri
c) Determinar Vo/Vi

Vcc

RG
4k

R1
7.65k

VO

0.5k

5k
-

R2

4.35k

VS

RE
4k

Anlisis en DC:

RC
4k
I

Ic

R1
7.65k

Q
24V

24V

IB

R2
4.35k

RE
4k

IB=0
De la malla (Io):

=RC =

8V
=4 k
2 mA

En la malla (I):

I( R 1+ R 2 ) =24 V
IR 2=Ic+VBE=8.7 V
IR 1=15.3 V
Considerando para el diseo I=2mA, entonces:

R 1=7.65 k
R 2=4.35 k

Anlisis con pequea seal:

RG
4k

R1
7.65k

VO

0.5k

HIE

50IB

VS
-

R2
4.35k

RE
4k

5k
-

Simplificando el circuito por Thevenin:

Io
Is

REQ

VO

0.4236k

HIE

50IB

0.65k
+

0.8472*VS
-

RE
4k

IS=IB

HIE=

5026 mV
=650
2 mA

Io
=50
IB
Vo
=2.2222 k
Io
Por la 2LK en la malla (Is)

0.8472Vs=( 0.4236 k + 0.65 k )Ib +51Ib4 k

Vs
=242.0604 k =Ri
Ib

2.2222k
-

Vo
Io
Io
Ib
Vo
Ib
Av = =
Vs
Vs
Av =2.2222

k501
242.0604 k

Av =0.459