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Rpublique Algrienne Dmocratique et Populaire

Ministre de lEnseignement Suprieur et de la Recherche


Scientifique
Universit Mouloud Mammeri de Tizi-Ouzou Facult du
gnie de la construction Dpartement de gnie mcanique

En vue de lobtention du Diplme dIngnieur dEtat en gnie


mcanique
Option : nergtique

Propos et dirig par : Mr MOHELLEBI Hakim.


Prsent par : MEHAL. Ali
KHADRAOUI.Cherif
HAMMADI Cherif

Anne 2010 /2O11

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REMERCIMENTS
AVANT TOUT ON REMERCIE LE BON DIEU, LE GRAND
SEIGNEUR DAVOIR RENDU POSSIBLE LE PRSENT PROJET DE
FIN DTUDE.
DE MME, IL EST UN DEVOIR DE RENDRE HOMMAGE CEUX
QUI NOUS ONT AID FAIRE CE MODESTE TRAVAIL.
PARMI EUX :
NOTRE PROMOTEUR M R H MOHELLEBI

TOUT LE PERSONNEL DE BIBLIOTHEQUE DE GENIE


MECANIQUE.

TOUT LE PERSONNEL DE LA STATION


METEOROLOGIQUE DE TIZI OUZOU, EN PARTICULIER
MR. CHIKHI.

ENFIN, LES MEMBRES DE JURY POUR LHONNEUR


QUILS NOUS FONT EN JUGEANT NOTRE TRAVAIL.

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Je ddie ce modeste travail :


A mes chers parents, auxquels je dois tout mon respect et que je ne
remercierai

jamais

assez pour leurs

sacrifices, encouragements,

soutien morale et matriel pour mener bien mes tudes.


MeHaL Ali

Je ddie ce travail
Tous ceux qui mont aid. J'espre qu'ils trouveront dans ce travail
toute ma reconnaissance.
KHADRAOUI Cherif
Je ddie ce modeste travail :
Mes trs chers parents qui je dois tout, je profite de les remercier pour leur
encouragement, leur aide, le soutien quils mont apport et le sacrifice quils ont
fait pour moi, que Dieu les protge et les entoure de sa bndiction.
HAMMADI Cherif

Nous tenons remercier tous ceux qui ont contribus de prs ou de loin la
ralisation de ce travail.

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Sommaire
Introduction gnrale
Chapitre I : Le gisement solaire
I. Introduction01
II. Donnes gomtriques et astronomiques...01
II.1.Donnes gomtriques..01
II.1.1.Le soleil.01
II.1.2: Mouvement de la terre..01
II.1.3. Mouvement apparent du soleil..02
II.2. Donnes astronomiques..03
II.2.1.Notion de position...03
II.2.1.1. Coordonnes terrestre...03
a. La latitude .03
b. La longitude ..03
c. Linclinaison du plan ....04
d. Langle dincidence ....04
II.2.1.2. Coordonnes quatoriales.....04
a. La dclinaison ...05
b. Langle horaire ...05
II.2.1.3.Coordonnes horizontales.....05
a. La hauteur de soleil x ou h .....06
b. Lazimut du soleil y........06
III. Donnes nergtiques....06
III.1.Notion de temps06
III.1.1.Temps solaire vrai(TSV).06
III.1.2.Temps solaire moyen(TSM)....07

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III.1.3. Temps universel(TU)..07


III.1.4. Equation du temps ET...07
III.1.5. Temps civil(TC).07
III.1.6. Temps Lgal(TL)...07
III.1.7.Dure du jour..08
III.2. Constante solaire....08
III.3.Caractristique du rayonnement solaire..09
III.3.1.Description..09
III.3.1.1.La lumire..09
III.3.1.2. Dualit onde-particule.....................................................................................09
III.3.1.3. Rpartition spectrale des ondes lectromagntiques10
III.3.1.4.Rayonnement directe, diffus et global..11
III.3.1.4.1. Estimation des diffrents rayonnements (G, D, I) sur une surface
horizontale....12
III.3.1.4.2. Estimation des diffrents rayonnements sur une surface incline.12
III.4.
Insolation ..13
III.4.1. Insolation potentielle (thorique) (ss0)...13
III.4.2. Dure dinsolation (SS)..13
III.4.3. Fraction
dinsolation13
III.5.Masse dair....14
III.6. Appareils de mesures...15
IV.CONCLUSION..17

Chapitre II : installations photovoltaques


I. Introduction..18
II. La cellule photovoltaque..20
II.1. Description..20

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II-2.Ralisation des cellules photovoltaques .....20


II-2-A : Cellules fabriques bas des matriaux solides (silicium) cristalliss...20
II-2-A-1. Processus de fabrication des systmes photovoltaques
base de silicium cristallin..21
II-2-A-1-1.Extraction et laboration de silicium..22
a. De la silice au silicium mtallurgique...22
b. Du silicium mtallurgique au silicium solaire..22
II-2-A-1-2. Cristallisation de silicium et mise en forme des cellules .25
II-2-A-1-3.Fabrication des cellules .28
A) Dcapage ..28
B) Texturation....29
C) Dopage..29
.
a-Dopage de type N....29
b-Dopage de type P.....29
D) Dcapage des bords.....31
E) Dpt Antireflet plus passivation.....32
F) Champ face arrire...33
G) Mtallisation.33
K) Test et Tri..33
II-2-B. Les cellules en couches minces......34
II-2-B-1.Processus de fabrication des systmes photovoltaques
base de silicium Amorphe.....35
II-3.Ralisation de module et panneaux photovoltaque37
II-3-A. Montage en srie de cellule identique37
II-3-A-1. Mise en srie des cellules identique.37
II-3-A-2. Mise en srie des cellules non identiques.38
II-3-B. Montage en parallle de cellules..40

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II-3-B-1. Mise en parallle de cellules identiques.40


II-3-B-2.Mise en parallle des cellules diffrentes41
II-3-C: Ralisation et Assemblage des modules et panneaux..45
II-3-C-1 : Ralisation des modules45
II-3-C-1-1 : Ralisation des modules base des cellules au silicium cristallin...45
II-3-C-1-2 : Ralisation des modules base des cellules au silicium amorphe...47
II-3-C-2 : Assemblage des panneaux..48
II-4-Principe de leffet photovoltaque..48
II-5. Paramtres nergtiques des cellules photovoltaques..50
II-5-1.Caractristique courant-tension...50
II-5-1.1. Courant de court-circuit et tension de circuit ouvert51
II-5-2.Notion de puissance et rendement...52
II-5-3.Dpendance de la puissance vis--vis de la tension de travail55
II-5-4. Dpendance de la puissance vis-- vis de lclairement.56
II-5-5.Dpendance de la puissance vis--vis de la temprature.57
II-5-6.Influence de langle dincidence..58
II.5.7. Rponse spectrale59
II-5-8.Proprits et caractristiques des cellules photovoltaques.59
II-5-8-1.Proprits des cellules cristallines.59
II-5-8-1-a. Rponse spectrale59
II-5-8-1-b. Performance courant-tension..60
II-5-8-1-C. Influence de lclairement..60

II-5-8-1-d. Influence de la temprature..61


II.5.8.2. Proprits des cellules au silicium amorphes simple jonction.62
II.5.8.2.a .Absorption optique et Rponse spectrale..62

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II.5.8.2.b. Performance forte clairement.62


II.5.8.2.C. Performance faible clairement..63
II.5.8.2.d. Influence de la temprature64
II.5.9. Paramtres influent le rendement du capteur photovoltaque.64
II.5.9.1. Orientation et inclinaison des modules...64
II.5.9.2. Installation de plusieurs ranges de capteurs en parallles.65
II.5.9.3. Effet masque...65
II.5.9.4. Influence de la latitude66
II.5.9.5. Influence de lexposition.67
III. Les accumulateurs lectrochimiques.68
III.1.Les batteries au plomb68
III.1.1. Caractristiques des batteries au plomb69
III.2.Batteries au nickel-cadmium...70
II.6.2.1 Caractristiques des Batteries au nickel-cadmium...71
III.3.Association de batteries..72
III.4. Protection de laccumulateur ..72
IV. Les rgulateurs72
V. Le Convertisseur (onduleur)73
VI. Les diffrentes configurations de systmes photovoltaques73
VI.1.Systme autonomes au fil du soleil ..73
VI.2.Systme autonomes avec batterie...74
VI.3.Systme autonomes hybrides......75
VI.4. Systme raccords au rseau .76
VII. Conclusion ....77

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Chapitre III. Conception dun systme photovoltaque


I. Introduction78
II. Les tapes de dimensionnement.79
II.1 Dtermination des besoins de lutilisateur...79
II.2.Facteurs considrer pour lestimation de lnergie solaire rcuprable.80
II.2.a. Orientation et inclinaison des modules ..80
II.2.b. Donnes mtorologiques..82
II.2.c. Ombrage.82
III. Dimensionnement du gnrateur photovoltaque..82
III.1. La puissance crte.82
III.2. Estimation de la production lectrique dun module...83
III.3. Dtermination du nombre de module ncessaire installer..84
III.4. Dtermination de nombre de module en srie...85
III.5. Dtermination de nombre de branche en parallle85
III.6. Surface total du gnrateur85
IV. Dimensionnement des accumulateurs et du rgulateur...85
IV.1.Dimensionnement de laccumulateur86
IV.1.a. Capacit utile de stockage.86
IV.1.b. Nombre dlments batterie en srie..87
IV.1.c. Nombre de branches dlments en parallle.87
IV.1.d. Nombre total dlments de batterie..87
IV.2. Dimensionnement du rgulateur87
V. Dimensionnement de la section des cbles....87
V.1.Choix des sections de cble..88
VI. Installation et maintenance dun systme autonome91
VI.1.Montage et entretien des modules...91
VII. Conclusion.....93

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Chapitre IV : prsentation de la bibliothque et dimensionnement de la


bibliothque.
I. Introduction...94
II. Calcul de linstallation photovoltaque.94
II.1. Dtermination des besoins dutilisations94
II.2. Evaluation de lnergie solaire rcuprable94
II.2.2. Fraction dinsolation.94
II.2.3.Calcul des diffrents rayonnements ( G,D,I) sur une surface horizontale....96
II.2.4.Calcul des diffrents rayonnements (G, D, I) sur une surface incline....97
III. Dfinition des modules photovoltaques : tension de fonctionnement,
technologie et la puissance totale linstaller ..97
III.1 Estimation de la production lectrique dun module.98
III.2. Dtermination du nombre de module ncessaire installer...98
III..3. Dtermination de nombre de module en srie...98
III.4. Dtermination de nombre de branche en parallle.98
IV. Surface total du gnrateur...99
V. Dimensionnement de laccumulateur99
VI. Choix des cbles...100

a) Calcul des courants.100


b) Calcul des sections pour les diffrentes branches...101
VII. Estimation de la production dun module pendant la saison estival ..102
VII.1. Le gain dnergie..102
VII.2. estimation du cout de linstallation...103
VIII. Conclusion..104

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symboles
E
E0

Nota ons et symb ol es


dsigna ons
Rayonnement solaire
Rayonnement solaire moyenne 80 KM Dal tude
latitude
longitude
inclinaison du plan
angle dincidence
angle horaire

Units
W*m-2
W*m-2
Degr
Degr
Degr
Degr
Degr

dclinaison

Degr

n
Tsv
y

Numros du jour de lanne


temps solaire vrai
azimut

.
Heures (h)
Degr

X ou h

hauteur angulaire

Degr

TSM
TU
ET

Temps solaire moyen


temps universel
qua on de temp s

Heures (h)
Heures (h)
Heures (h)

quan me jour de lanne

Heures (h)

TC

Temps civil

Heures (h)

TL

Heures (h)
Heures (h)

dj

Temps Lgal
dcalage en heure par rapport au mridien
de Greenwich
Dure du jour solaire

masse

Kg

Vitesse de la lumire
longueur donde

M*s-1
Nm

Frquence

Hz

constante de PLANCK

I
D

rayonnement direct
rayonnement dius

W*m-2
W*m-2

rayonnement global

W*m-2

G*

rayonnement global du ciel clair

W*m-2

Albdo

ss0
SS

Orienta on
Frac on d ins ol a on
Insola on pot en ell e( thor i que)
Dure dinsola on

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Heures (h)

Degrs
..
Heures (h)
Heures (h)

AM

Nombre masse d'air

i
IS
IP
ICC
Im

A
A
A
A
A
A
A
A

courant
courant de satura on de la di ode
Photo-courant
courant de court-circuit
courant maximale
courant de londuleur
courant de sortie des panneaux
courant circulant entre le boitier de raccordement et
londuleur et la batterie
courant de la batterie
constante de Boltzmann

A
.

temprature absolue

q
U
V
VCO
Vm
FF

charge de llectron
tension
tension imposer a la diode
tension de circuit ouvert
tension maximale
le facteur de forme

ev
V
V
V
V
........

puissance maximale

S
EG

Le rendement nerg que


surface de la cellule
gap op que

%
m2

TUC

temprature du lisa on de l acel l ule

Ion
I1
I2
Ib

eV

d(25)

densit de llectrolyte 25 C

V(25)

Tension de la ba er i e 25 C

(25)

capacit de la ba er i e 25 C

Ah

Rendement en quan t (rendeme nt far adi que)

Qd

Quan t d l ectri que dbi te la dchar ge

Qc

Quan t d l ectri que four ni e lor s de la char ge

Qa

taux dautodcharge
capacit avant stockage

Qp

la capacit aprs stockage

%
Ah

dure de stockage en mois


nergie lectrique consomme en 24 heures par
lapplica on
puissance crte en Wa crt e

Econs
PC

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Ah
Heures (h)
WC
WC

NS
NP
PCU
Ep
Ec
N

..
WC
Wh/j
Wh/j
Heures (h)

Gmin
Enom

nombre de module en srie


nombre de branche en parallle
puissance crte unitaire
nergie lectrique produite par jour
nergie consomme par jour
nombres dheures dexposi on aux condi ons
standard STC
irradia on m
o yenne jour nal ir e m
i ni m
ale
clairement nominale

Nm
o

nombre de modules ncessaire linstalla on


rendement de londuleur

.
%

g
Ns
Un
Ub
S
Sm

rendement du gnrateur
nombre de module en srie
tension nominale dun module
tension de llment donn par le constructeur
surface totale du panneau solaire
surface dun module

V
V
m2
m2

Cmin
Cu
Nja

Ah
Ah
.

laa

capacit minimale de la ba er i e
capacit u le
nombre de jours dautonomie surmonter (entre 3
15 jour)
rendement des lignes de transmission

Nbs

nombre dlments ba er i e en sr i e

Nbp

nombre de branches dlments en parallle

Nb

nombre total dlments ba er i e

Ce

Ah

capacit dun lment ba er i e donn par le


constructeur
rsistance

rsis vi t

.mm2/m

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Wh/m2
W/m2

Introduction gnrale
La production d'nergie est un dfi de grande importance pour les annes venir. En
effet, les besoins nergtiques des socits industrialises ne cessent daugmenter. Par
ailleurs, les pays en voie de dveloppement auront besoin de plus en plus dnergie pour
mener bien leur dveloppement.

De nos jours, une grande partie de la production mondiale dnergie est assure partir
de sources fossiles, La consommation de ces sources donne lieu des missions de gaz effet
de serre et donc une augmentation de la pollution, Le danger supplmentaire est quune
consommation excessive du stock de ressources naturelles rduit les rserves de ce type
dnergie de faon dangereuse pour les gnrations futures.

Par nergie renouvelable, on entend des nergies issues du soleil, du vent, de la chaleur
de la terre, de leau ou encore de la biomasse, la diffrence des nergies fossiles, les
nergies renouvelables sont des nergies ressource illimite.

Les nergies renouvelables regroupent un certain nombre de filires technologiques selon


la source dnergie valorise et lnergie utile obtenue.

Lnergie photovoltaque base sur la transformation directe de lnergie lumineuse du


soleil en lectricit, se distingue des autres nergies renouvelables par son important potentiel
nergtique, en effet la quantit totale dnergie reue par le rayonnement solaire au niveau du
sol pendant une semaine dpasse lnergie productible par lensemble des rserves mondiale
de ptrole, de charbon, de gaz et duranium.
Lobjet de cette tude est de dimensionner une installation photovoltaque afin de
rpondre aux besoins en nergie lectrique de la bibliothque centrale du ple de hasnaoua II.
Dans le premier chapitre, sont prsents de manire dtaille le gisement solaire et ses
principales caractristiques et variables descriptives. Au second chapitre, sont prsents les
diffrents procds de ralisation des cellules photovoltaques et ses matriaux constitutifs
ainsi que les technologies dassemblage des cellules et des modules afin daboutir aux
panneaux photovoltaques. Les quations lies aux caractristiques lectriques (courant,
tension et puissance) sont galement tablies.
Le troisime chapitre sera consacr la conception des panneaux devant quiper la
bibliothque tenant compte du site et des besoins associs.

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Le quatrime chapitre traitera du calcul des modules et des puissances associes tenant
compte des besoins et des dures d utilisation des quipements lectriques quipant le local.
Le calcul concernera les priodes hivernale et estivale afin dapprcier les variations des
puissances disponibles.
Enfin, on terminera par une conclusion qui conduira dterminer le prix prvisionnel
du kilowattheure solaire.

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Chapitre
I

L e gisement solair e
I. Introduc on :

Le calcul et le dimensionnement dun panneau photovoltaque ncessite la


dfinition et la connaissance des facteurs importants caractrisant le gisement solaire.
En effet, lnergie solaire transforme en nergie lectrique par le panneau
photovoltaque nest pas constante et dpend fortement du lieu dimplantation et des
paramtres constituants les donnes gomtriques, astronomiques et nergtiques, que lon
dtaillera dans ce chapitre.

II. Donnes gomtriques et astronomiques:


II.1.Donnes gomtriques:
II.1.1.le soleil :
Le soleil est une sphre gazeuse compose presque totalement dhydrogne. Son diamtre
est de 1391000 Km (100 fois celui de la terre), sa masse est de lordre de 2.1027 tonnes.
Toute lnergie du soleil provient de ractions thermonuclaires qui sy produisent. Elle
transforme chaque second 564.106 tonnes dhydrogne en 560.106 tonnes dHlium, la
diffrence de 4 millions de tonnes est dissipe sous forme dnergie (E=mC), ce qui
reprsente une nergie totale de 36.1017KW, la terre tant une distance de 150.106 KM du
soleil, reoit une nergie de 1,8.1017 W.
La valeur du rayonnement solaire E reu par une surface unitaire perpendiculaire aux rayons
solaire place la limite suprieure de latmosphre terrestre (soit environ 80 Km daltitude)
varie au cours de lanne avec la distance terre/soleil. Sa valeur moyenne E0=1353 W. En
premier approximation on peut calculer la valeur de E en fonction de numro de jour de
lanne n par : [1]
E=E0. [1+0,033.cos (0,984.n)]

(I.1)

II.1.2: Mouvement de la terre :


La trajectoire de la terre autour du soleil est une ellipse dont le soleil est lun des foyers. Le
plan de cette ellipse est appel lcliptique.
Lexcentricit de cette ellipse est faible ce qui fait que la distance terre/soleil ne varie que de
1,7% par rapport la distance moyenne qui est de 149676.106 KM. [1]
La terre tourne galement sur elle-mme autour dun axe appel laxe des ples. Le plan
perpendiculaire laxe des ples et passant par le centre de la terre est appel : lquateur.

Page 1

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Chapitre
I

Le gisement solaire

Laxe des ples nest pas perpendiculaire lcliptique : lquateur et lcliptique font entre
eux un angle appel dclinaison et qui vaut 2327.les mouvement de la terre autour de son axe
et autour du soleil sont schmatiss sur la figure ci-dessous :

Figure I.1 : schmatisation des mouvements de la terre autour du soleil.

II.1.3. mouvement apparent du soleil :


Le mouvement apparent du soleil vu par un observateur fixe en un point de latitude
au nord de lquateur est reprsent sur la figure ci-dessous.
Au midi solaire, langle que fait la direction du soleil avec la verticale du lieu est gal ( -).
La dure du jour est de 12h aux quinoxes, elle est infrieur 12h entre 21 septembre
et 21 mars, suprieure 12h entre le 21 mars et 21 septembre.[2]

Figure I.2 : mouvement apparent du soleil observ dun point de latitude .

Page 2

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Chapitre
I

L e gisement solair e

II.2. Donnes astronomiques :


II.2.1.Notion de position :
La position dun point donne peut tre reprer soit par, coordonnes
terrestres. Coordonnes quatoriales, coordonnes horizontales.

II.2.1.1. Coordonnes terrestre :


On repre un site donn la surface de la terre par deux coordonnes, la latitude et la
longitude . Not sur la figure L [1]

Figure I.3 position dun point sur terre,

a.la latitude :
Cest langle form par la verticale dun lieu donn avec le plan quatorial terrestre.
Elle est compte partir de lquateur de 090, positivement vers le nord et ngativement
vers le sud. ( sur ce shma not ).

Figure I.4 la latitude et la longitude

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Chapitre
I

L e gisement solair e
b.la longitude :

Cest langle form par le mridien local du site avec le Mridien de rfrence
(Mridien de Greenwich). ( sur ce shma not L).

c. linclinaison du plan :
Cest langle form entre le plan lui-mme et lhorizontal.
=0 : pour un plan horizontal tourn vers le haut.
=90 : pour un plan vertical.
=180 pour un plan horizontal tourn vers le bas

Figure I.5 schma qui montre langle dinclinaison dans un panneau photovoltaque

d. langle dincidence :
Cest langle form par le rayonnement incident et la normale la surface du plan
rcepteur.

II.2.1.2. Coordonnes quatoriales :


Le plan de rfrence est lquateur cleste, les deux coordonnes utilises sont :
la dclinaison et langle horaire . [5]

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Chapitre
I

L e gisement solair e

Figure I.6 : coordonnes quatorial.

a.la dclinaison :
Cest langle form par la direction du soleil avec le plan quatorial. Cette dclinaison varie
au cours de lanne entre-23,27 et +23,27.Elle est nulle aux quinoxes (21mars et 21
septembre), maximale au solstice dt (21 juin) et minimale au solstice dhiver
(21decembre).la valeur de la dclinaison peut tre calcule par la relation suivante : [2], [5]
=23,45.sin [0,980. (n-81) ]

(I.2)

n : Numros du jour de lanne.


Les valeurs de n sont donnes dans le tableau ci-dessous :
Mois
N du
1er jour
du
mois

Ja
n
0

Fv.

Mar

Avr.

Mai

Jui

Juil

Auo

Sep

Oct

Nov

Dec

31

59

90

120

151

181

212

243

273

304

334

Tableau I.1 : Numro du jour de lanne.

b. Langle horaire :
Langle horaire du soleil est le dplacement angulaire du soleil autour de laxe polaire dans
sa course dEst en Ouest par rapport au Mridien local. Ou encore cest langle form par le
plan du mridien cleste et la projection de la direction terre/soleil sur le plan de lquateur
cleste, il est strictement proportionnel au temps solaire vrai puisquil correspond la rotation
uniforme de la terre sur elle-mme, il varie de 15 par heure et exprim par.[2], [6]
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Chapitre
I

Le gisement solaire
=15. (Tsv-12)

(1.3)

Tsv : temps solaire vrai(en heure)


: Angle horaire, il est compt positivement laprs midi et ngative aprs minuit,(en
dgre).

II.2.1.3.coordonnes horizontales :
Cest le reprage du soleil par sa hauteur angulaire x et lazimut y, le plan de
rfrence est lhorizon astronomique. [1], [7]

Figure I.7 : coordonnes horizontales (y, x).

a.la hauteur de soleil x ou h :


cest langle que fait la direction de lastre avec le plan horizontal, elle varie de 0
90, positivement vers le znith et ngativement vers le nadir, elle est donne par la
formule : [1],[7]

sin x=sin .sin +cos .cos .cos

(I.4)

b. lazimut du soleil y :
Correspond langle que fait le plan mridien local avec le plan vertical
passant par lastre. Lazimut est compt infrieur 0 vers lest et suprieur 0 vers louest.

sin y =

( ).

( )

(1.5)

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Chapitre
I

L e gisement solair e
III. Donnes nergtiques :
Celles-ci sont tablies en introduisant la notion de temps

III.1.Notion de temps :
III.1.1.Temps solaire vrai(TSV) :
Cest le temps donn par les cadrans solaires.il traduit la fois le mouvement
de rotation de la terre sur elle-mme et son mouvement autour du soleil. [10]

TSV=12 +

(I.6)

TSV : temps solaire vrai(en heure).

III.1.2.Temps solaire moyen(TSM) :


On dfinit le temps solaire moyen en supposant un mouvement uniforme de la
terre autour de son axe, et donc le jour solaire moyen dure 24 heures.[10]

TSM=TU-ET
TU : temps universel.

(I.7)

ET : quation de temps.

III.1.3. Temps universel(TU) :


Cest le temps civil du mridien de Greenwich, appel encore GMT.
Pour un lieu donn, on a : [10]

TU=TSM -

(I.8)

III.1.4. Equation du temps ET :


Lquation du temps indique la correction qui permet de passer du
solaire vrai au temps solaire moyen. Cette correction varie de -14 +16 minutes au cours de
lanne. Cela veut dire que le soleil peut passer au mridien de 16 minutes davance ou 14
minutes de retard par rapport au temps moyen. Elle est donne par la relation suivante : [10]

ET=9,87.sin 2N-7,53.cos N- 1,5 .sin N

(en minutes)

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(I.9)

Chapitre
I

L e gisement solair e
N=

.(

(en minutes)

(I.10)

n : quantime jour de lanne.

III.1.5. Temps civil(TC) : Cest le temps moyen avec lorigine minuit.


III.1.6. temps Lgal(TL) :
Cest le temps qui tien comte du fuseau horaire dans lequel se situe la
majeur partie du pays, il se trouve donc dcal dun nombre entier dheures par rapport au
fuseau horaire origine (Greenwich) .il est donn par la relation suivante : [10]

TL=TU

(I.11)

: dcalage en heure par rapport au mridien de Greenwich.

III.1.7.dure du jour :
Pour dterminer la dure du jour, deux instants de la journe sont
connatre : le lever et le coucher de soleil. Ces deux instants ont lieu lorsque les rayons
solaires sont confondus avec lhorizontal cest--dire sinh=0, dont la rsolution donne :

l= -c= -arc cos (-tg .tg )

(I.12)

: la latitude du lieu
l et c : dsignent respectivement le lever et le coucher du soleil.
La dure du jour solaire vaut :

dj=

(I.13)

III.2. Constante solaire :


La valeur du flux de rayonnement solaire reu par une surface perpendiculaire
aux rayons solaires place la limite suprieure de latmosphre terrestre varie au cours de
lanne avec la distance terre /soleil. Sa valeur moyenne est appele la constante solaire, elle
vaut 1367w m 2 . (pour une distance moyenne Terre-soleil de 150 Millions de km)En premire
approximation, on peut calculer sa valeur en fonction du numro du jour de lanne.

E0 =1367. (1+0,034.cos (0, 986. (n-2))


.14)

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(I

Chapitre
I

L e gisement solair e

Figure I.8 : la constant solaire

III.3.caractristique du rayonnement solaire :


III.3.1.Description :
La description du rayonnement solaire ncessite lintroduction de
notions concernant la lumire et sa propagation ainsi que les longueurs dondes associes au
phnomne du rayonnement lectromagntique. [15]

III.3.1.1.La lumire :
Quand en voque la lumire en physique ;une des premires
grandeurs qui vient a lesprit est la vitesse de la lumire ,qui ne peut tre gale et encore
dpasse .Rien ne peut aller plus vite que la lumire ,et cest sur ce postulat que repose la
clbre thorie de la relativit dEINSTEIN .Il a dcouvert que la matire (m) est nergie
(E) , et vice versa ,et que ces grandeurs sont lies par la vitesse de la lumire au carr .Cest ce
quexprime sa fameuse formule E=MC2 .
Dans le vide, la vitesse de cette lumire C (pour clrit)est de 299 792 458m/s, a peine plus
dune seconde pour parcourir la distance terre /lune .Cette lumire apparait donc nos yeux
comme un rayon se propageant en ligne droite, et obissant certaines lois, dcrites par
loptique que lon appelle gomtrique : rflexion sur une surface, rfraction (dviation
du faisceau lentre dans un milieu), focalisation par une lentille, diffusion sur une surface
rugueuse ..Tous ces phnomnes sont concentrs quand il sagit de capter la lumire dans
une cellule photovoltaque.

III.3.1.2. Dualit onde-particule :


Si lon fait passer un faisceau lumineux par deux fentes assez
rapproches, on observe sur un cran plac derrire non pas deux taches de lumire mais un

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Chapitre
I

L e gisement solair e

ensemble de taches sombres et lumineuses alternes, des interfrences. Ce phnomne ne


peut sexpliquer que si la lumire est une onde qui se propage dans lespace.
En effet lorsque deux ondes arrivent au mme point, elles peuvent soit se renforcer, soit
sannuler, do les alternances de taches sombres et brillantes sur lcran.

De nombreuses expriences vinrent conforter cette thorie ondulatoire, notamment


lobservation de lastronome Huygens.
Ce nest quau e sicle que seront enfin rconcilies ces deux thories dites ondulatoire
et corpuscule de la lumire, grce la dcouverte du photon part PLANCK et EINSTEIN
.Car en pratique la lumire a bien une double nature.
Ces une onde lectromagntique, soit une oscillation priodique, caractrise par sa
longueur donde (priodicit spatiale) ou sa frquence : plus la frquence et
leve, plus la longueur donde et faible et inversement : =c/ ou C est la clrit de
la lumire.
-dans la partie visible du spectre solaire la longueur donde se manifeste par
la couleur de la lumire.
Cest aussi un faisceau de photons qui sont comme des grains de lumire porteurs
dnergie, chacun en fonction de leur longueur donde, selon la formule de LUIS DE
BROGLIE(1924) :

=h=hc

(I .15)

Figure 1.9 : longueur donde


h est la constante de PLANCK
Cest cette nergie porte par les photons qui est lorigine de la conversion
photovoltaque : elle va librer des charges lectriques dans le matriau

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Chapitre
I

L e gisement solair e
III.3.1.3. Rpartition spectrale des ondes lectromagntiques :

On appelle rpartition spectrale ou spectre la rpartition des ondes selon leur


longueur donde. Pour la lumire visible, cela se manifeste par le fait que la lumire blanche
est en fait compose de plusieurs couleurs, visibles par dcomposition travers un prisme
ou dans larc-en-ciel. Or les ondes lectromagntiques ne se rduisent pas la seule lumire
visible, qui ne reprsente en ralit quune infime portion de tous les rayonnements
lectromagntiques connus. Evidemment le terme de lumire est plutt adapt cette
partie visible par lhomme, mais par extension, il est souvent appliqu tout le spectre solaire
qui va de lultraviolet proche (250 nm) au proche infrarouge (10m). [15]
Longueur donde

Frquence

Exemple
dapplications

Rayons

0,01 nm

Rayon X

0,01-10 nm

Radiographie

Ultraviolet

10- 400nm

Bronzage,
puri ication de leau

Visible

400- 800nm

Vision diurne,
photosynthse

Proche infrarouge

800nm-10m

Vision nocturne

Infrarouge
thermique

10m-1mm

Chauffage, cuisson

Micro-onde

1mm-10cm

Fours de cuisine

Ondes radar

10cm-1m

Ondes radio

1m

3 GHz-300MHz

Tlphone portable
,dtection de vitesse

300 MHz

Radio ,TV, tlcoms

Tableau I.2 : rpara on spectral e des ondes l ectroma gn ques

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Chapitre
I

Le gisement solaire
III.3.1.4.Rayonnement directe, diffus et global :

Le rayonnement solaire peut se decomposer en plusieurs lments definits comme suites :


Le rayonnement direct (I) qui provient directement du disque solaire

Le rayonnement diffus (D) qui provient de lensemble de la voute cleste et du sol.

Le rayonnement global (G) qui provient la fois du soleil et la totalit de la voute cleste

Les trois composantes I, D et G sont relies par la relation suivante :

G=I
o : h est la hauteur du soleil et

+D

(I .16)

est la composante verticale du rayonnement solaire

direct. [15]

Figure I.10 : Diffrents rayonnement solaires

III.3.1.4.1. Estimation

des diffrents rayonnements (G, D, I) sur une

surface horizontale :
On estime le rayonnement global G reu par une surface horizontale comme suit :

G= (0,58 + 0,41).G*

[6]

(I .17)

Avec G * est le rayonnement global du ciel clair, il est calcul par un pyranomtre et donne

dans des abaques. [8]


On estime le rayonnement diffus reu par une surface horizontale comme suit :

D= (-0,53+0,53).

(I .18)

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Chapitre
I

L e gisement solair e

On estime le rayonnement direct I reu par une surface horizontale comme suit :

I=G-D

(I.19)

III.3.1.4.2. Estimation des diffrents rayonnements sur une surface


incline :
On estime le rayonnement diffus D (, ) reu par une surface incline dun angle
avec la verticale de lieu et oriente par rapport au sud dun angle comme suit :

D (,) =Dcos2

+aGsin2

(I.20)

a : albdo [13]
on estime le rayonnement direct I (, ) reu par une surface incline comme suit :

I(, )= .[cosx.sin.cos(y- )+sinx.cos]

(I.21)

On estime le rayonnement globale G(, ) reu par une surface incline comme suit :

G(, ) = I (, ) + Dcos2

+aGsin2

[6]

(I.22)

III.4. Insolation :
III.4.1. Insolation potentielle (thorique) (ss0) :
Linsolation potentielle ou thorique (SS0) est la valeur dinsolation pour le jour
considr en labsence datmosphre, elle ne dpend que de la position gographique du lieu.

SS0(n)= 2 arccos (-tg .tg).


15

[2]

(I .23)

III.4.2. Dure dinsola on (SS) :


Linsola on o u l a d ur e d ens ol ei lleme nt e s t u n p ar am t re t emp or el
caractrisant le rayonnement solaire .Elle reprsente pour une journe la somme des
intervalles de temps auxquels lintensit du rayonnement solaire a dpass un seuil de
100W/m2, il est reprsente par (SS). [2]

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Chapitre
I

L e gisement solair e

III.4.3. Frac on d ins ol a on :


La frac on d ins ol a on , est un par amt r e t rs repr sent a f des condi ons
clima ques de nbul os i t du ci el . La nbul os i t es t l e r appor t ent re l a sur face du ci el
couverte par les nuages et la surface totale du ciel au dessus du territoire correspondant.
Ce e no on n tant que des cri p ve, on l a rel ie l a fr ac on d i ns ola on qui es t une gr andeur
mesurable ds quon connait les dures dinsola ons enr egi stres par l es hl iogr aphes qui s en
dduits par le rapport suivant :[12]

(I .24)

III.5.Masse dair :
L'nergie reue sur la surface de la terre dpend de l'paisseur de latmosphre
traverser. Celle-ci est caractrise par le nombre de masse d'air AM.
On appelle masse dair ou AIR MASS en anglais, le rapport entre lpaisseur datmosphre
traverse par le rayonnement direct pour atteindre le sol et lpaisseur traverse la verticale
du lieu considr. Elle dpend surtout de la hauteur angulaire du soleil h .
Le rayonnement qui atteint le niveau de la mer midi dans un ciel clair est de 1000 W/m2 et
est dcrit en tant que rayonnement de la masse d'air "1" (ou AM1).
A laide des points 0, A et M et langle h on crit la longueur du trajet du soleil travers
latmosphre.
OM=

donc la masse dair correspond :

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Chapitre
I

L e gisement solair e

Figure I 11 : variation de la masse dair


Remarque:
On a AM0 dsigne par convention le rayonnement solaire hors atmosphre.
AM 1 : soleil au znith
AM 1.5:soleil 41.8 -choisi comme rfrence au photovoltaque
AM 2 : soleil 30
Dans les expressions prcdentes, AMX, X dsigne le rapport OM /OA :
Les conditions standards de qualification des modules photovoltaques sont :
un spectre AM1.5 sous un clairement de 1000W/m et une temprature de
25C. Les constructeurs de panneaux solaires spcifient les performances de
leur matriel dans les conditions normalises cites ci-dessus (S.T.C. :
Standard Test Conditions).

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Chapitre
I

L e gisement solair e
III.6. Appareils de mesures:

Le rayonnement solaire direct I est mesur en visant le soleil


avec un pyrhliomtre (figure) .celui-ci peut tre muni de filtre, ce qui permet de mesur
lnergie reue dans certaines bandes spectrales. [2]

Figure I.12 : Pyrhliomtre perme ant la m


e s ur e du rayonneme nt sol ai re di rect I.

[11]

Le rayonnement global G est mesur par un pyranomtre (figure I.9) dont le principe

de fonctionnement revient convertir le rayonnement (la lumire) qui arrive sur la coupelle
de verre. La pile thermique se rchauffe et convertit ce rchauffement en courant lectrique,
ce dernier est proportionnel lclairement reu. Cette thermopile est protge par deux
hmisphres en verre et par un disque mtallique recouvert de peinture blanche .le verre est
transparent aux longueurs dondes comprises dans la bande spectrale (0,3 2, 5 m).
Lappareil, mont horizontalement grce un niveau bulle, donne la valeur de lclairement
global Gh. [2]

Figure I.13: pyranomtre donnant le rayonnement solaire global. [11]


Pour mesurer le rayonnement diffus D, On protge souvent le pyranomtre l'aide d'un
pare-soleil pour ne mesurer que le rayonnement diffus et non le rayonnement solaire direct.
En montant deux pyranomtre en opposition, on peut dterminer lalbdo. Lun des
pyranomtre est orient ver le ciel, lautre vers le sol. En mesurant la diffrance des deux
signaux fournis ces deux pyranomtre on en dduit la fraction du rayonnement rflchi par le
sol cest -dire lalbdo de celui-ci. [2]

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Chapitre
I

L e gisement solair e

La dure dinsolation SS, quant elle, est mesure par un hliographe, Une boule de
cristal maintenue par un support amovible (qui peut bouger) constitue la base de l'hliographe.
Celle-ci agit comme une loupe en concentrant les rayons sur le carton. Derrire la boule de
cristal est plac un carton thermosensible sur lequel les mesures s'inscriront. L'appareil est
fix sur un support d'une hauteur approximative de 1,5 m.
Le dplacement du soleil fait changer le point de convergence des rayons sur le carton, ce
qui produit une ligne brle sur celui-ci .La longueur de cette trace donne la dure
densoleillement.
Notons toutefois que le seuil de sensibilit du papier et de 120W/m2

Figure I.14 : hliographe permettant la mesure de la dure dinsolation.


Le radiomtre est semblable au pyranomtre, mais il permet de mesurer un type de
rayonnement spcifique (micro-onde, ultraviolet.). Les radiomtres imageurs sont surtout
installs sur les satellites (infrarouge, visible.)
[11]

Figure I.15 radiomtre permettant la mesure des micro-ondes, et ultraviolet

IV.CONCLUSION :
Ce chapitre a permis de prsenter les caractristiques essentielles au dimensionnement
dun panneau photovoltaque (donnes gomtriques et nergtiques) du gisement solaire
ainsi que les rgles de calcul des diffrentes composantes du rayonnement solaires, et les
appareils de mesure de ces derniers.

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Chapitre2

installa ons phot ovol ta ques


I. Introduc on :

La transformation dnergie solaire en lectricit ncessite la ralisation dune installation (systme)


photovoltaque, Un systme photovoltaque est un dispositif qui convertit directement l'nergie du
rayonnement (solaire) en nergie lectrique. L'lment de base de ces systmes est la cellule
photovoltaque, appele aussi cellule solaire.
Une cellule photovoltaque est un composant lectronique qui a la forme d'une plaque mince. Cette
plaque est constitue d'une jonction entre deux couches semi-conductrices (ou entre une plaque
mtallique et une couche semi-conductrice). Chaque couche est relie un conducteur lectrique, de sorte
que l'on dispose de deux fils pour relier la cellule un circuit lectrique extrieur.
Les cellules photovoltaques actuelles sont le plus souvent fabriques en silicium. Cet lment est trs
rpandu dans la nature (on l'extrait du sable : SiO2). On l'utilise sous deux formes trs diffrentes : le
silicium cristallin et le silicium amorphe.
Les cellules ne sont pratiquement jamais utilises isolment : on assemble plusieurs cellules identiques au
sein d'un module dont la conception offre une protection contre les intempries, ceci en vue de garantir
une dure de vie suffisante (de lordre de 20 30 ans pour les cellules au silicium cristallin, beaucoup
moins pour les cellules au silicium amorphe).
Les cellules d'un module sont interconnectes lectriquement l'intrieur du module. De sorte, on ne
dispose la sortie du module que de deux conducteurs lectriques pour relier le module un circuit
lectrique extrieur.
En runissant plusieurs cellules en un seul module, on augmente la puissance disponible, mais on
peut aussi, en choisissant convenablement le nombre de cellules et la faon d'interconnecter les
conducteurs lectriques de ces cellules, adapter les caractristiques lectriques du module de faon
faciliter son utilisation. Ceci explique pourquoi une grande cellule est parfois dcoupe en plusieurs
cellules plus petites qui sont ensuite assembles au sein d'un module : il n'y a pas de gain de puissance,
mais les caractristiques du module obtenu peuvent tre diffrentes de celles de la cellule initiale.
Un assemblage de plusieurs modules monts dans un mme plan sappelle un panneau.
Enfin, lensemble des panneaux dune installation sappelle un champ photovoltaque.

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Chapitre2

installa ons phot ovol ta ques

Figure II.1 : schmas dune cellule, module et panneau photovoltaque


La principale caractristique d'un module photovoltaque est sa puissance nominale (appele
improprement puissance de crte du fait qu'elle n'est dpasse que trs rarement).
Cette puissance correspond des conditions normalises. Il s'agit notamment, selon les normes
internationales,

d'un rayonnement solaire de 1000 W / m2.


d'une temprature interne des cellules de 25C.
d'un spectre du rayonnement AM 1.5

Lors des comparaisons entre diffrents modules, il faut veiller ce que leur puissance nominale soit
dfinie dans les mmes conditions
Quoi qu'il en soit, la puissance moyenne rellement fournie par un module est toujours trs infrieure sa
puissance nominale, car mme les conditions nominales des normes internationales sont trs optimistes
par rapport aux situations relles.

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Chapitre2

installa ons phot ovol ta ques


II. La cellule photovoltaque :
II.1. Description :

Une cellule photovoltaque est un composant lectronique qui gnre une tension lorsque il est
expos la lumire (photons), (l'effet photovoltaque). Le courant obtenu est un courant continu et la
tension obtenue est de l'ordre de 0,5 V.
Les cellules photovoltaques sont constitues de semi-conducteurs base de silicium (Si), de sulfure de
cadmium (CdS) ou de tellurure de cadmium (CdTe). Elles se prsentent sous la forme de deux fines
Plaques en contact troit lune est dope au phosphore(p), dite de types n , et lautre dope au bore,
dite de type p afin de crer un champ lectrique.
Ce semi-conducteur est pris en sandwich entre deux lectrodes mtalliques et le tout est protg par
Une vitre.

II-2.Ralisation des cellules photovoltaques :


Le matriau le plus rpandu dans les cellules photovoltaque est le silicium, semi conducteur de
type 4, il est dit ttravalent ce qui signifi quun atome peut se lie avec 4 autres atomes de mme nature,
mais on utilise aussi dautres matriaux comme CdTe (tellurure de cadmium) et le CIS (cuivre-indium-dislnium).
La ralisation des cellules solaires diffre selon le types de la cellule ; cest--dire de matriau
qui la constitue et de sa structure cristalline
On peut distinguer deux grandes familles de matriaux constituant les cellules photovoltaques
-les matriaux solides cristalliss
-les couches minces

II-2-A :cellules fabriques base des matriaux solides(silicium) cristalliss :


Les photopiles au silicium cristallin sont les plus rpandues. Elles se prsentent sous formes de
plaquettes rondes, carres, ou pseudo carres. Si lon parle de matriaux cristallin , cest parce que le
silicium qui le constitue est un cristal, avec un arrangement parfait des atomes, selon une structure
atomique ordonne de types ttradrique.
Si la photopile est constitue dun seul cristal, on parle de silicium monocristallin , et elle a un aspect
uniforme et gris bleut, parfois noir. Si par contre la photopile est faite de silicium multi cristallin (on
dit plus couramment poly cristallin), elle est compose de plusieurs cristaux assembls, et prsente

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Chapitre2

installa ons phot ovol ta ques

laspect dune mosaque compacte de fragments cristallins bleuts de quelques millimtres quelques
centimtres, appels grains.

Figure II.2 :Cellule au silicium multi cristallin

figure II.3 :cellule au silicium monocristallin

II-2-A-1. Processus de fabrication des systmes photovoltaques base de silicium


cristallin :
Un certain nombre dtapes que nous allons prsenter ci-dessous sont ncessaire pour passer du quartz au
module photovoltaque fini.

Figure II.4 : Enchainement des tapes de fabrication dun module photovoltaque au silicium
cristallin
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Chapitre2

installa ons phot ovol ta ques

II-2-A-1-1.Extraction et laboration de silicium :


Raffinage de silicium : lobtention de silicium utilis pour la fabrication des cellules photovoltaque dit
silicium solaire arrive en fin dun processus de raffinage que lon peut sparer en deux grandes
tapes :

a- De la silice au silicium mtallurgique :


Le silicium existe en grande quantit dans la nature sous forme oxyde puisquil est le constituant du bas
de sable, sous forme de silice(SiO2),deuxime lment en proportion sur la terre aprs loxygne.
Pour fabriquer du silicium pur, on va employer de sable sous forme de quartz cristallis, le procd de
raffinage est une rduction dans un arc four lectrique par du carbone. La raction suit lquation :

SiO2+2C Si + 2CO

(II.1)

2CO+O2 2CO2

(II.2)

Cette transformation, appele Rduction carbochimique, consiste porter des tempratures trs lves
Un mlange de quartz et despces carbones (rducteurs de types coke, Houille et bois), qui vont se
combiner avec loxygne du quartz pour donner Du monoxyde puis du dioxyde de carbone.
Le silicium rsultant dit mtallurgique . Sa puret est de lordre de 98 99 % (MG-Si)
Lnergie ncessaire la raction est apporte sous forme Darc lectrique par des lectrodes en graphite,
intrieur De fours mtallurgiques dits fours arc.

b-du silicium mtallurgique au silicium solaire :


Le silicium solaire (SoG-Si), est un silicium pur environ 99,999 % est obtenu par la purification du
silicium mtallurgique et servira la confection des lingots de silicium pour fabriquer les cellules
photovoltaques
Il existe diffrents procds de production de silicium de qualit solaire que lon peut classer en deux
grandes familles : la voie chimique et la voie mtallurgique.

Voie chimique : procd Siemens :


Ce procd est bas sur la forte attraction de latome de silicium pour les ions chlorures Cl-.
Ils consistent synthtiser des composs gazeux contenant du silicium, gnralement des
chlorosilanes, les purifier par distillation puis dposer le silicium poly cristallin par dcomposition
thermique.

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Chapitre2

installa ons phot ovol ta ques

On peut expliciter le procde siemens comme suit : le procd Siemens sopre en trois tapes et
gnre un dgagement gazeux de trichlorsilane SiHCl3.

Figure II.5 : Schma rcapitulatif des ractions du procd Siemens

1-Hydroclorination :

transformation
chlorhydrique :

de

silicium

en

trichlorosilane(SiHCl3)

MG-Si + 3HCl SiHCl3 + H2

laide

dacide

(II.3)

2-Distillation du SiHCl3 : la raction prcdente tant rversible, elle servira rcuprer le silicium
aprs la purification, qui est ralise par distillation fractionne du trichlorosilane.
3- dcomposition thermique : le silicium obtenu par rduction lhydrogne se dposera finalement sur
une baguette de silicium chauffe sous forme de petits grains poly
cristallins. Ce silicium poly- cristallin, pur environ 99, 999%.

SiHCl3 + H2 SoG-Si + 3HCl

Figure II.6 : Racteur de type siemens


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(II.4)

Chapitre2

installa ons phot ovol ta ques

Dans le cas dun racteur de type Siemens, le dpt a lieu sous cloche chauffe 1100-1200 c via des
lectrodes en graphite.

Remarque :
Il existe dautre procds de purification par voie chimique utilisant le chlore et qui diffrent par quelques
variantes. Dans tous les cas, la premire tape consiste sparer le Si des impurets mtallique en faisant
ragir le MG-Si broy avec du chlore Cl2 ou du chlorure dhydrogne HCl. A partir de cette interaction se
forment des chrolosilane de type SiHCl3 ou SICl4 et des complexe chloro-mtallique comme FECl3,
AlCl3, BCl3, faciles liminer. Les tapes suivantes permettent dobtenir du Si pur partir des silanes
chlors par des mthodes de distillation, dchange dion en sels fondus ou de pyrolyse selon les
procdes.

Voie mtallurgique : procd Elkem :


Tout lenjeu de la voie mtallurgique est de diminuer les couts de production tout en garantissant une
qualit suffisante pour les applications solaires.
Les procdes mtallurgiques consistent
traditionnellement en une srie de fusion et solidification successives permettent dliminer
progressivement les impurets.

le procd Elkem (figure II.7) il consiste en un traitement du silicium mtallurgique par un laitier de
silicates de calcium haute temprature suivi dun lessivage chimique basse temprature. Les impurets
rsiduelles sont collectes sur le dessus du lingot obtenu aprs une solidification directionnelle. Les blocs
limins sont ensuite rintroduits en amont dans le procd. Les premires tudes montrent que la qualit
du silicium solaire obtenu est similaire celle du silicium poly cristallin obtenu de la voie Siemens.[7]

Figure. II.7 : tapes de procd Elkem


Conclusion : on pourra rcapituler les voies de lobtention de silicium solaire en
simplifi :
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un diagramme

Chapitre2

installa ons phot ovol ta ques

Figure II.8 : Schma dmonstratif de lobtention de silicium solaire

II-2-A-1-2. Cristallisation de silicium et mise en forme des cellules :


Ce sont les dernires tapes de transformation du silicium avant la fabrication de la cellule
photovoltaque, le silicium solaire obtenu aprs raffinage va tre refondu encore une fois, dop
uniformment et dcoup en plaques une fois refroidi.
La technique de cristallisation consiste solidifier progressivement le silicium poly cristallin fondu de
manire contrle. Cest dans la charge de silicium en fusion que sera ajout llment dopant,
gnralement du bore qui donne un dopage de type p.
Pour la cristallisation, trois grandes voies sont possible selon le choix technologique :

Le tirage Czochralski (CZ), donne des lingots cylindriques de silicium monocristallin (sc-Si),
La solidification directionnelle, donne des briques de silicium multi cristallin (mc-Si)
Les techniques de tirage de ruban donnent, du silicium multi cristallin en ruban.

Le tirage Czochralski donnant Silicium monocristallin (sc-Si) :


Pour passer de ce silicium pur, poly cristallin, un matriau monocristallin, on utilise le procd
Czochralski (CZ), qui consiste tirer des barreaux cylindrique partir de silicium fondu et de scier
ensuite ces barreaux en wafers (plaque de silicium).
Le poly cristal est fondu dans un creuset avec un peu de dopant, par exemple de bore pour obtenir un
matriau de base de type p. Au sommet de ce bain on place une bouture de silicium monocristallin dans
lorientation prcise que lon veut obtenir et lon fait croitre le cristal sous la bouture en tirant, tournant et
contrlant trs prcisment la temprature. On fait croitre ainsi dans la mme orientation que la bouture
des cristaux de 1 2m de long et jusqu 30 cm de diamtre.
Pour obtenir des tranches de silicium (wafers) denviron 200 400 m, paisseur utilisable, il faut ensuite
couper le matriau avec une scie denviron 0,2 mm de diamtre transporte un abrasif, par exemple du
carbure de silicium, et passe grande vitesse sur le silicium. Le procd permet de scier en une fois un
lingot complet de silicium, le fil tournant autour du lingot en formant une trame. [15]

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Chapitre2

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Figure II.9 : Tirage des Lingots de silicium monocristallin

La solidification directionnelle donnant Silicium multi cristallin (mc-Si) :


Sachant les lments nocifs au bon rendement des cellules solaire et le moyen de fabriquer un cristal
de silicium bon march de qualit solaire. Ainsi est n le silicium poly cristallin ou plutt multi
cristallin, qui est une juxtaposition de petits cristaux monocristallins dorientations diffrentes et de
dimensions du millimtre au centimtre.
Pour fabriquer ce matriau, on refond tous les dchets provenant du tirage de monocristaux (tirage CZ),
dans une cuve le plus souvent carre, temprature et atmosphre contrles, divers procd thermique et
chimique sont employs ce stade pour repousser les principaux impurets la priphrie du creuset, ce
qui forme une croute que lon limine aprs durcissement. Le bloc ainsi obtenu sera ensuite taill en
barreaux de section carre (10x10 ou 15x15 cm) qui seront eux-mmes scis en wafers.
La recristallisation un effet bnfique sur la puret locale du matriau, les impurets restantes tant
concentres aux frontires entre cristaux, appels joints de grains.
Cette technologie est aujourdhui la plus rpandue car bien maitrise sur le plan industriel et offrant un
bon rapport qualit/prix.

Figure. II.10 : Mise en forme des lingots de silicium multi cristallin


avec Scie fil
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figure. II.11:sciage de silicium

Chapitre2

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Silicium Ruban :

La mthode de son laboration consiste produire des plaquettes directement partir de silicium
fondu, combine les tapes de cristallisation et de mise en forme du silicium, il est obtenu par
entrainement dun ruban de silicium sur un support plan ou tubulaire partir dun bain de silicium. Les
difficults rsident dans la dfinition du bon support au cours de ltirement.
Remarque :
Actuellement deux procds sont utiliss. La technologie ruban EFG (Edgedefined Film-fed Grouwth),
consiste tirer dun bain de silicium fondu un tube de section octogonale, jusqu 6 m de long, dont les
faces sont ensuite coupes par laser pour former des wafers, typiquement de 10 x 15 cm.
La
tenue mcanique des wafers obtenus est un paramtre critique de cette mthode car le procd et la
dcoupe fragilisent les bords des cellules. Le degr de cristallisation dpend de la vitesse de tirage, et une
faible vitesse peut conduire de silicium ruban quasi monocristallin. [17]
Le deuxime procd est, le procd string ribbon a t dvelopp aux Etats-Unis : il sagit de tirer du
bain de silicium un seul ruban, maintenu de part et dautre par des fils haute temprature (ou string). Cette
technique permette datteindre une meilleure productivit, surtout du fait de la vitesse de tirage qui peut
tre plus leve, et de lpaisseur plus faible, le rendement matire est doubl par rapport un procd de
sciage traditionnel. [17]

Figure II.12 : E rage d un ruban de si lici um

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Chapitre2

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Conclusion :

Pour conomiser de lnergie et rduire les couts de fabrication, la tendance actuelle des industriels cest
de raliser des chaines de fabrication procds si possible secs et dviter au maximum les
manipulations de wafers. Une autre tendance est de scie toujours plus fin, 100 m tant suffisant pour
capter tout le spectre reu sur terre, certains constructeurs essaient de traiter des wafers de 130 180 m,
mais cette paisseur est actuellement un minimum pour limiter la casse lors de la manipulation et de
chocs thermique ventuels. Le silicium monocristallin atteint les rendements les plus levs : certain
constructeurs multiplient les procds sophistiqu ; diffusion trs proche de la surface avant pour
amliorer la collecte des photons de petite longueur donde (photos trs nergtique et pntrant mois
dans le silicium), mtallisation avant extrmement fine, deux couche antireflet

II-2-A-1-3.fabrication des cellules :


Une fois les plaques dcoupes vient la fabrication des cellules
Enchainement des tapes de fabrication :
Chaque fabricant dveloppe sa propre chaine de fabrication, qui dpend de ses choix technologique et
conomiques. Lenchainement des tapes ci-dessous reprsente un procd industriel standard auquel il
faudra ajouter les sous-tapes de transport, nettoyage et mesure.
Dcapage : les plaques dopes de bore lors de la cristallisation, Sont dcapes dans un bain chimique
afin dliminer Les dfauts de superficiels crs par sciage.
-Procdure : immerger les plaques dans un Bain acide base dacide fluorhydrique HF, dacide
actique CH3COOH et dacide nitrique HNO3.

Figure II.13: dcapage

Texturation : La texturation de la surface en petites pyramides ou Entonnoirs permet damliorer la


collecte des photons. Dans toutes Les directions en rduisant la rflexion. On parle aussi de
confinement optique.
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Chapitre2

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Figure. II.14 : texturation


-Procdure : Gravure slective par un bain alcalin de soude NaOH ou de potasse avec des additifs
organiques du type alcool isopropylique IPA dans le cas de cristal monocristallin, et avec de lacide
fluorhydrique HF et acide nitrique HNO3 dans le cas de cristal poly cristallin.

Figure. II.15 : texturation


Dopage :
v Dopage de type N : Le dopage de type N consiste ajouter un atome de phosphore au
sein de la structure cristalline du silicium. Le phosphore disposant de 5 lectrons sur sa
couche lectronique externe va s'associer avec 4 atomes de silicium, laissant ainsi libre
un lectron. Cet ajout a pour effet de donner la structure cristalline une charge globale
ngative.
v Dopage de type P : Le dopage de type P consiste ajouter un atome de bore au sein de
la structure cristalline du silicium. Le bore disposant de 3 lectrons sur sa couche
lectronique externe va s'associer avec 4 atomes de silicium, laissant ainsi libre un trou.
Cet ajout a pour effet de donner la structure cristalline une charge globale positive.

Les 3 mthodes de dopages :


LA DIFFUSION : On utilise un four, dans lequel on injecte des gaz avec une solution dopante pour le
silicium. Avec la chaleur, le dopant a une nergie suffisante pour entrer dans la plaquette de silicium.
Cette mthode est assez ancienne, et ncessite d'avoir une temprature uniforme dans le four.
LE CROISSANCE EPITAXIALE : Cette mthode utilise toujours un four, mais cette fois-ci les atomes
du dopant sont dposs sur le silicium qui se prsente sous la forme d'une plaquette. On a ainsi un dpt
en surface, et non pas une insertion comme pour la mthode de dopage par diffusion. La temprature du
four doit avoisiner les 1 200 C.
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LE BOMBARDEMENT IONIQUE : Une source (appel faisceau ionique nergtique) produit des
ions, qui sont ensuite acclrs, et par le biais d'un
Contrle trs prcis, ceux-ci vont alors se positionner sur la plaquette. L'avantage de ce principe est que
l'opration se droule temprature ambiante. Le dfaut de cette technique est qu'elle peut provoquer des
dommages au silicium induisant un rarrangement indsirable de sa structure cristalline, exigeant ainsi
une recristallisation subsquente.
Dans le processus de fabrication d'une cellule photovoltaque, les wafers, obtenus par sciage des lingots
de silicium purifi, subiront soit un dopage de type N soit un dopage de type P.

Figure II.16 : Structure de Silicium dop n

figure II.17 : structure silicium dop p

Gnralement les wafers sont dopes p partir de bore lors de la cristallisation, et la zone dope n est
forme par diffusion de phosphore partir de trichlorure de phosphoryle POCl3 dans un four passage,
800C<T< 900C.
Couche n+ en surface et n la jonction (linterface).

Figure II. 18 : dopage

- Lopration de dopage sera suivie dopration de lavage, Pour le retrait de la couche rsiduelle de
silicate de phosphore(SiO2P), Dans un bain dacide fluorhydrique HF.* (PSG) = Phosphures silicate
glass.

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Figure II.19 : lavage

Dcapage des bords : la couche n+ est retirait des bords de la plaque (Sur la tranche) pour, Sparer
lmetteur de la face arrire.

Figure II. 20 : dcapage des bords

-Procdure : Gravure plasma avec un mlange gazeux ttrafluoromthaneCF4 et Oxygne


O2 Soumis un champ de radiofrquences.

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Figure II. 21 : gravure plasma

Dpt Antireflet plus passivation : une couche Antireflet base doxyde, Ou de nitrure de silicium
ou doxyde Mtallique est dpose en face avant.
Elle sert aussi passiver la surface en limitant les recombinaisons entre charges, afin de conserver la
conductivit du matriau.

Figure II. 22 : dpt antireflet


-Procdure : Dpt chimique en phase gazeuse via un plasma(PECVD) dune couche de SiN4
partir de silane SiH4 et dammoniac NH3 .
*PECVD : Plasma enhanced chemical vapor deposition.

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Champ face arrire : la face arrire est dope p+ par diffusion daluminium, Cette couche joue aussi
un rle de conducteur ohmique Avec llectrode arrire. Afin de limiter les recombinaisons.
-Procdure : Diffusion thermique daluminium Al 850C partir dune pate daluminium dpose sur
toute la face arrire.

Champ face arrire

Figure II. 23 : champ face arrire


Mtallisation : les contacts lectriques sont des mtaux dposs en face avant (lectrode -) et en
face arrire (lectrode +).
-Procdure : Srigraphie dargent en face avant et daluminium en face arrire par frittage de pates
mtalliques.

Figure II. 24 : mtallisation


Test et Tri : les cellules sont mesures lectriquement puis tries selon leur caractristique afin
doptimiser leur association ultrieure.
-Procdure : les cellules sont soumises un test sous lumire artificielle calibre afin de mesurer leurs
caractristiques lectriques relles.

Remarque :
Il existe de nombreuses variantes pour chacun de ces tapes, qui dpendent fortement des
Equipment de production slectionns par le fabricant. Certains bains chimiques peuvent aussi tres
remplacs par des gaz fluors lorsquil sagit de graver la matire (texturation, retrait dune couche,
nettoyage des parois dun racteur). On trouve aussi des procds laser pour lisolation des bords de
plaque. Dans tous les cas, la tendance actuelle est laugmentation du nombre dtapes.

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II-2-B.les cellules en couches minces :


Le silicium est aussi utilis en couches minces qui sont galement solides, dite Amorphe de structure
dsordonne de type vitreuse, lorganisation des atomes nest plus rgulire comme dans un cristal, elle
est dforme, et lordre cristallin nest maintenu qu courte distance (2 3 liaisons atomique). Les
atomes ne sont lis qu trois atomes au lieu de quatre, cela cre des liaisons non lis pendante . Le
silicium amorphe pur est donc un mauvais semi-conducteur, plein de dfauts et on ne peut pas le doper.
Mais dpaisseur nettement plus faible (de lordre de micron et en de) et dposer sur un support
(gnralement de verre).

Figure II. 25 : Structure simplie de la si lice vi treus e: les rel a ons ent r e

Figure I I.26 : cel l ule au s il iciumA m


or phe

les sites Ttradriques sont dir ent es .

Remarque :
Lorsque le silicium amorphe est fabrique partir du gaz de silane(SiH4), il contient une proportion
importante dhydrogne (5 10%) qui va se lier ces liaisons pendantes, ce qui rduit la densit de
dfauts et permettant la collecte des charges et le dopage du matriau.
Ce matriau est un alliage amorphe de silicium et dhydrogne que les scientifiques dsigne par: a-Si : H
(silicium amorphe hydrogn). Cet alliage prsente un gap plus lev que le silicium cristallin et absorbe
la lumire beaucoup fortement : une couche de 1m dpaisseur suffit capter le rayonnement reu sur
terre. En pratique lpaisseur des jonctions peut descendre jusqu' 0,2 m.

Figure II.27 : Reprsentation schmatique dun rseau de silicium amorphe hydrogn


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II-2-B-1.Processus de fabrication des systmes photovoltaques base de silicium


Amorphe :

A loppos de la filire cristalline, pour fabriquer les cellules au silicium amorphe, ce nest plus le
silicium purifi qui sera employ mais un gaz : le silane (SiH4). La technique la plus courante est le dpt
par plasma (PECVD Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition).
Nota : le principal avantage de cette technique est que lon peut empiler toutes sortes de couches
diffrentes, juste en modifiant la composition gazeuse, et mme bien sans arrter le plasma.
Les couches sont dposes directement partir de silane (SiH4) dans une enceinte sous vide secondaire.
Les supports de verre qui peut constituer la face avant de la cellule condition davoir t pralablement
couvert dun conducteur transparent (SnO2) sont introduits dans la machine, puis chauffs 150-200C.
Le silane introduit dans lenceinte est dcompos par une dcharge radiofrquence. Dans le plasma ainsi
form, le silicium et lhydrogne librs reforment un matriau solide, mais dsordonn, sur les plaques
supports.
La constitution de la jonction peut se faire par dpt de trois couches de silicium amorphe, une couche de
type p, une couche de type i (non dope, afin dobtenir un volume de jonction plus grand) et une couche
de type n.
Le dopage est effectu lors du dpt en ajoutant les lments sous forme dhydrures gazeux :
du diborane B2H6- pour le bore (dopage p) et de la phosphine PH3- pour le phosphore (dopage n).
Pour que la cellule soit complte, il faut deux lectrodes de part et dautre du silicium. Quand la cellule
est dpose sur verre, ce qui est encore le plus frquent, llectrode (+) est une couche transparente et
conductrice dpose sur le verre avant le silicium, cest un oxyde mtallique tel que le SnO2 : oxyde
dtain dop au fluor, ou lITO : oxyde dindium et dtain, la qualit de cette lectrode avant est
importante et elle contribue souvent crer de la diffusion dans le dispositif pour une meilleure
absorption de la lumire.
A larrire, llectrode (-) est le plus souvent constitue daluminium, galement en couche mince, Puis
de nickel ou dun autre matriau soudable, laluminium est un bon rflecteur de la lumire, ainsi les
photons qui traversent la jonction ont une deuxime chance dabsorption. La figure i- dessous rcapitule
la structure complte dune cellule au silicium amorphe (simple jonction).
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Figure II. 28 : Structure dune cellule simple (une seul jonction; p-i-n) au silicium amorphe
hydrogn

Remarque :
1) Le gap optique du silicium amorphe est de 1,77 eV, et il nabsorbe pas la partie rouge du spectre
visible ( suprieur 0,7m) ce qui influe sur le rendement. 6% pour une simple jonction silicium
amorphe.
Lintrt de la technologie silicium en couches mince est quelle permet de raliser des structures multi
jonctions gaps diffrents, chaque jonction tant spcialise dans la conversion dune bande du spectre
de lumire. En effet, il est facile dempiler les couches en modifiant simplement le mlange gazeux au
cours du dpt de la photopile dans lenceinte plasma. Alors le germanium, galement ttravalent (avec
quatre liaisons), a un gap beaucoup plus faible et un bon alliage silicium-germanium absorbera cette
partie rouge. Donc il est intressant de placer derrire la jonction silicium (p-i-n) une jonction au siliciumgermanium. Des cellules doubles jonctions cellule tandem , ou mme triple jonctions, ont donc un
rendement plus lev quune simple jonction silicium amorphe, elles atteignent 7 9%.

Figure II. 29 : Cellule tandem (double jonctions)


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2) Autre Matriaux inorganique (cellule sans silicium) : Entre matriaux cristallis et couches amorphes,
il existe une autre famille de matriaux, beaucoup moins rpandus, il sagit de couches mince poly
cristallines. Le silicium poly cristallin en couche mince serait intressant notamment sil pouvait allier le
rendement du silicium cristallin fort clairement et la simplicit de fabrication des films minces.
a) cellules au CdTe (tellurure de cadmium): ce matriau est intressant du fait de son gap optique 1,45 eV
et de sa forte absorption qui permet en moins de 2 m dpaisseur dabsorber la quasi-totalit du spectre
visible. Pour constituer une cellule CdTe, on pose une couche de conducteur transparent sur un substrat
de verre, puis on dpose une couche de CdS (sulfure de cadmium) de type n, puis une couche de CdTe
dop p. On constitue ainsi une htrojonction(jonction de deux matriaux),les rsultats de laboratoire sont
trs intressants avec un rendement de 15,8 % .Cependant la production industrielle bute encore sur des
problme technique lis la maitrise des oprations de dopage p de CdTe et la fiabilit du contact
arrire . Un autre obstacle est la toxicit du cadmium.
b) cellules CIS(CuInSe2) et CIGS : cest un alliage base de cuivre, dindium, et de slnium, le procd
de fabrication, qui utilise des technologies de dpt sous vide, on dpose ce matriau(CIS) sur un substrat
de CdS de type n. Au-dessus de la couche mince poly cristalline dope p, on dpose une couche de ZnO
assez mince pour laisser passer la lumire. Thoriquement, cette htrojonction peut atteindre 25% de
rendement, elle a dexcellentes proprits dabsorption, mais un gap un peu plus faible (1eV), pour
llargir, lindium est alli au gallium et le slnium du soufre, do le symbole CIGS pour [Cu (In, Ga)
(Se, S) 2], cela donne des jonctions qui, en pratique, peuvent atteindre 17% en laboratoire et 11% en usine.
Le dveloppement de cette filire sexplique surtout parce quelle allie les avantages de la technologie
cristalline (rendement levs) et celle de la technologie couche mince de dpt de grande surface avec
une mise en srie intgre et non pas postriori par cblage extrieur.

II-3.Ralisation de module et panneaux photovoltaque :


Une photopile lmentaire ne gnre pas suffisamment de tension : entre 0,5 1,5 V selon les
technologies, il faut plusieurs photopiles en srie pour gnrer une tension exploitable.

II-3-A. Montage en srie de cellule identique :


II-3-A-1. Mise en srie des cellules identique:
La caractristique tension-courant obtenue lors du montage en srie de deux cellules est
reprsente dans la figure ci-dessus, dans ce cas la puissance maximale de lensemble est gale au double
de la puissance maximale dune cellule. Le courant optimal est le mme pour une seule cellule et la
tension optimale est le double de la tension optimale dune cellule
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Figure II. 30 : Montage en srie de deux cellules solaire identiques[17]


Ces rsultats se gnralisent sans difficult au cas de n cellules identiques montes en srie. Il suffit de
dilater la caractristique dune cellule dun facteur n dans la direction de laxe des tensions.

II-3-A-2. Mise en srie des cellules non identiques :


La diffrence du courant de court circuit rsulte de fait que les cellules ne sont pas identiques
(diffrences au niveau de la fabrication), et aussi de la diffrence de rayonnement solaire reu. La mise en
srie des cellules non identiques rduit les performances dun ensemble.
Lorsque le courant dbit tend devenir plus grand que le courant de court-circuit(le plus faible de
deux), la cellule la plus faible devient le sige dune tension ngative et soppose la croissance du
courant. Il apparat que le courant de court-circuit de lensemble des deux cellules est pratiquement gal
au plus faible des deux courants de court-circuit. La puissance totale gnre est infrieur la somme des
puissances que chaque cellule pourrait gnre individuellement.

Figure II. 31 : Mise en srie de deux cellules non identiques[17]

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La conclusion ci-dessous se gnralise au cas de nombreuses cellules interconnectes

Les problmes relatifs la mise en srie de cellules diffrentes sont plus grave encore lorsque le
nombre de cellules en srie augmente, ce qui est malheureusement ncessaire pour obtenir une tension
suffisante, cest ce qui se reprsent la figue ci-dessous dans le cas dun groupe de cellules connectes
en srie comportant 17 cellules identiques et (une cellule partiellement lombre) dont le courant de
court-circuit nest que de 50 % du courant de court-circuit des autres. On obtient de la courbe couranttension totale en additionnant pour chaque valeur du courant la tension dune cellule normale, multiplie
par 17, avec la tension de la cellule plus faible
Lorsque le courant dbit est suprieur au courant de court-circuit de la cellule faible, la tension de celle
ci devient ngative, ce qui dtriore fortement les caractristiques de lensemble (la puissance optimale de
lensemble est infrieur la puissance optimum des 17 cellules normales).

Figure II. 32 : Mise en srie de 18 cellules, dont une plus faible[17]


On notera que les modules constitus de cellules de haute qualit sont plus sensibles ce phnomne. En
effet, si le module est constitu de cellules ayant un courant de fuite important, la tension ngative qui
apparat aux bornes dune cellule mal claire sera moins grande, et donc la tension de sortie sera moins
affecte par la mise lombre partielle dune cellule
Une autre faon de rduire limpacte dun dsapparirent serait de munir chaque cellule dune diode en
antiparallle. Lorsquune cellule est plus faible, sa diode en antiparallle devient conductrice, ce qui
permet aux autre cellules de fonctionner leur courant optimal. Dans ce cas, les cellules plus faibles sont
toujours non exploites, mais elles nont quune influence limite sur la tension de lensemble (en fait, on
perd une tension gale la tension des diodes en antiparallle qui sont devenues conductrices)
Mettre des cellules en sries est indispensable pour produire une tension utilisable. Cela rpond des
rgles lectriques et mcaniques (possibilits dassemblage des cellules). Une cellule au silicium cristallin
prsente une tension de circuit ouvert de lordre de 0.6V et une tension a la puissance maximale de lordre
de 0.45V -0.5V do lutilit dassemblage en srie des cellules car les tensions sadditionne.

Nota : Hot-spots (point chaud) et diodes by-pass :


Quand un module au silicium cristallin nest pas uniformment exposer la lumire, il peut en effet y
avoir du taches dombres ,ou une feuille morte qui masque compltement une cellule, celle-ci tant cbler
en srie, le courant total est nivel par le bas c.--d : la cellule la plus faible impose sont courant aux

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autres, donc lorsquune cellule ne dbite plus parce quelle nest pas expose au rayonnement, le courant
de lensemble de la chaine tend vers zro.
En consquence la cellule masque devient rceptrice de toutes les autres de la srie, elle reoit en
tension inverse la somme de toutes leurs tension, elle se met donc chauffer do lappellation hotspot ou point chaud il est indispensable de sen protger, les dommages pouvant aller jusqu'
lincendie.
La parade contre ce phnomne est de cbler une diode en parallle par groupe de cellules, on maintient
ainsi la tension inverse applique la cellule ombre une tension infrieure sa tension de claquage, ce
qui engendre un chauffement supportable par le module. (Infrieur 60C module actuel).

Figure II. 33 : Illustration du phnomne du hot-spot

II-3-B. Montage en parallle de cellules :


II-3-B-1. Mise en parallle de cellules identiques :
La caractristique courant-tension obtenue lors du montage en parallle de deux cellules
identique est reprsente la figure ci-dessous. La tension optimale de lensemble est la mme que pour
une seule cellule, alors que le courant optimal de lensemble est gale au double du courant optimal dune
seule cellule

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Figure II. 34 : Montage en parallle de deux cellules solaire identiques[17]

Ce rsultat se gnralise sans difficult au cas de n cellules identiques montes en parallle : il suffit de
dilater la caractristique dune cellule dun facteur n dans la direction de laxe des courants.

II-3-B-2.Mise en parallle des cellules diffrentes :


Dans le cas de mise en parallle de cellules non identiques, aucun problme ne se pose, le courant gnr
pour chaque valeur de tension est la somme des courants de chaque cellule. La cellule faible la mme
tension vide et la mme tension optimum que la cellule normale puisque la tension dpend peu de
lintensit lumineuse. La puissance totale gnre est donc gale la somme des puissances que chaque
cellule pourrait gnrer individuellement.

Figure II. 35 : Mise en parallle de deux cellules non identiques[17]


On connecte en parallle plusieurs branches pour raliser un champ photovoltaque, chacune de ces
branches comporte plusieurs cellules montes en srie, cette connexion est applicable, malheureusement,
une mauvaise cellule dtriore toutes les caractristiques dune branche.
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Figure II. 36 : Connexion en srie et


en parallle de plusieurs cellules[17]

Figure II. 37 : connexion de cellules


lintrieur du module [17]

Conclusion :
1- Lorsque les cellules sont mises en srie, la tension de toutes les cellules sajoutent et le courant et le
mme que celui dune seul cellule. Dou il faut cbler des cellules du mme courant, on appelle cela l
appairage : on trie les cellules selon leur courant pour les cbler entre elle car si lune delles tait plus
faible en courant, elle imposerait son courant toute la srie ce qui pnaliserait le module complet.
2- Si lon cblait des cellules en parallle, ce sont les courants qui sajouteraient et la tension resterait
constante.il faudrait cette fois-ci appairer les tensions et non les courant .cest ce qui ce passe lors de la
mise en parallle des modules photovoltaques pour constitu un gnrateur de puissance.

Mise en srie des cellules en silicium cristallin (Cblage des cellules) :


On utilise pour les connexions des bandes de cuivre tam (avec une forte paisseur d'tain) assez longues
pour assurer la connexion d'une cellule l'autre et avec une section suffisante pour ne prsenter qu'une
faible rsistance au passage du courant. On commence par souder (par chauffage avec un fer souder
ordinaire, ce qui fait fondre l'tain de la bande) une ou plusieurs bandes (selon la forme des
mtallisations) sur la face avant de la cellule solaire, l o une largeur suffisante des mtallisations a t
prvue.

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La connexion des cellules dans un panneau photovoltaque base des cellules au silicium cristallin, se
fait en reliant le contacte (-) en face avant de la premire cellule avec le contacte (+) en face arrire de la
cellule suivante, le contacte (-) de cette dernire au contacte (+) de la suivante etc. Ces liaisons ncessitent
un contacte soudable de chaque cot des cellules, le plus souvent a base dtain ou dargent .on les ralise
avec des rubans de cuivre tam, la fois souples, extra-plats et soudables. Dans lindustrie cette tape
est plus souvent automatise : la machine prend les cellules laide de ventouses et les soude deux a deux
en bande appeles strings qui seront ensuite soudes entre elle par leurs extrmits.

Figure II. 38 :Vue en coupe dun module au silicium

Figure II. 39 : des cellules au


silicium cristallin connectes

cristallin

mise en srie des cellules en silicium amorphe (cblage des cellules):


La fabrication dun module photovoltaque en silicium amorphe et des autres technologies en
couches minces diffre quelque peut de celle dun module en silicium cristallin, surtout en raison de la
mise en srie des cellules, qui est totalement diffrente (au moins sur support verre). Et galement parce
quil est gnralement de plus petite taille, ce qui diminue les contrainte de tenue mcanique, limage cidessous dun module au silicium amorphe sur un substrat verre, les photopiles ne sont pas physiquement
spares comme les cellules cristallines, le module apparat comme une surface uniforme avec des fines
rayures de sparation. Cest la au niveau de ces rayures, que se fait la mise en srie : chaque bande
rectangulaire est une photopile, et ces bandes sont mise en srie grce ces rayures.

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Figure II. 40 : Un module photovoltaque au silicium amorphe[15]

Les charges crs sous illumination dans les couches de silicium, sont collectes, grce aux deux
lectrodes de part et dautre, llectrode transparent, pole (+) de la photopile, et la couche mtallique, pole
(-). Les rayures pratiques dans ces 3 couches, dcales les unes par rapport aux autre, permettent la mise
en srie des photopiles adjacentes. En effet, le pole (-) de la premire photopile est ainsi relie au pole (+)
de la suivante, et ainsi de suite. Lencombrement des trois rayures est infrieur au millimtre en gnral.
Si pour cela quelle apparaissent lil nu comme une seule ligne de sparation entres les cellules

Remarque :
cette technologie est trs commode, car elle dispense de dcouper les cellules
physiquement pour les assembles ensuite.il suffit damener loutil adquat, en
loccurrence un laser, aux emplacements choisis, pour dessiner le format voulu pour
le module avec le nombre adquat de cellules en sries.

Cette technique peut tre employe aussi, avec quelques amnagements, sur des
couches minces poly cristallines en CIS ou CdTe.

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Chapitre2

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Figure II. 41 : Mise en srie des cellules dun module au silicium amorphe[15]

II-3-C: ralisation et Assemblage des modules et panneaux :


II-3-C-1 : ralisation des modules :
II-3-C-1-1 : ralisation des modules base des cellules au silicium cristallin :
Afin de Protger les cellules et leurs contacts mtalliques contre les conditions ambiantes (humidit
surtout), et leur assures une protection mcanique cause de leur fragilit, et Une fois les connections
entres cellules effectues, on ralise lopration dite encapsulation : les photopiles sont enrobes dans
une rsine et prise en sandwich entre deux supports en loignant les cellules denviron 1 cm du bord
pour viter la corrosion. Les matriaux utiliss pour l'encapsulation doivent avoir une dure de vie leve
malgr la temprature, les variations de temprature et l'exposition aux rayons UV. Les modules doivent
aussi rsister aux efforts mcaniques (transport, montage, efforts oliens) et aux averses de grle. Ils
doivent pouvoir se fixer facilement sur une structure. Ensuite on superpose les diffrentes couches
constituant le module.
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Chapitre2

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Une plaque avant transparente (revtement) : il faut placer un revtement transparent et rsistant, un verre
tremp haute transmission , il sagit de verre de moindre concertation en oxyde de fer que le verre
vitre et donc plus transparent, lpaisseur de ce verre est gnralement de 3 ou 4 mm selon la dimension
du module.
Une plaque d'EVA (actate de vinyle) : LEVA sert de matriau denrobage, elle se prsente sous forme
de feuilles de couleur blanchtre qui sont placs entre le revtement et la photopile, lEVA comporte des
additifs pour amorcer la solidification, ainsi que pour favoriser ladhrence sur le verre.
Un feutre de fibres de verre : Le feutre de fibres de verre facilitera l'vacuation de l'air lors de la
lamination, et vite la dislocation des cellules lors de la mise sous pression du module.
Une seconde plaque d'EVA
Une plaque servant de substrat arrire : gnralement du verre, selon la technique du bi-verre feuillet
inspire de la fabrication des pare-brise automobile. Cest la solution la plus rsistante, qui de plus offre
une transparence intressante pour certain application architecturale. Mais est plus conomique et par fois
efficace dutilis un film plastique de type PVF (connu sous le nom Tedlar), ou un autre film faisant
barrire lhumidit comme une multicouche plastique/mtal.

-La lamination :
Aprs avoir superpos les diffrentes couches constituant le module vient ensuite lopration de
lamination , qui a pour but d'liminer tout l'air du module et de rticuler l'EVA, afin de confrer ce
matriau une meilleure rsistance la temprature et aux UV. On chauffe lempilement
verre/EVA/photopile/EVA/verre(ou film plastique). On commence par mettre les deux chambres sous
vide, et on augmente la temprature jusqu' 110C afin de liqufier l'EVA. On laisse alors rentrer de l'air
dans la chambre 2, ce qui met le sandwich sous pression. Tout l'air est alors expuls et l'EVA remplit tous
les interstices. On lve alors la temprature 150C pour obtenir la rticulation de l'EVA. On peut alors
laisser refroidir le module et amener les deux chambres pression atmosphrique. Le dispositif utilis est
symbolis la figure ci-dessous :[17]

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Chapitre2

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Figure II. 42 : Laminateur de module photovoltaque[17]

Montage du cadre et des connexions


Souvent, le module est muni d'un cadre d'aluminium anodis qui renforce la solidit et facilite la fixation
du

module

sur

une

structure.

L'arrire du module est muni d'un botier de connexion qui contient les diodes de protection contre les
points chauds et permet la connexion du module au circuit extrieur. Comme pour les modules euxmmes.

II-3-C-1-2 : ralisation des modules base des cellules au silicium amorphe :


Lencapsulation dun module au silicium amorphe diffre peu de celle dun module cristallin, du
fate que la cellules amorphe est dj sur verre .on utilise pour lencapsulation le mme EVA que pour le
silicium cristallin ,et un revtement arrire qui peut tre opaque :un film plastique Tedlar ou une plaque
de verre pour plus de rsistance mcanique sur les grands modules.
En ce qui concerne lencadrement, pour les modules amorphes de petite taille (infrieur 5 Wc) nont pas
de cadre .pour dautre usage, on emploie des cadres mtalliques ou plastiques comme pour le silicium
cristallin.

Remarque :
Le point de jonction entre le module et sont cble dalimentation doit tre tanche
lhumidit. Pour cela cette partie est noye dans une rsine adquate par le fabricant.
Les diodes by-pass sont inutiles dans le cas dun seul module amorphe, car loccultation
est improbable vu la gomtrie des cellules allonges .par contre dans les systmes sur le
rseau fonctionnant avec beaucoup de modules en srie, elles sont ncessaire.

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II-3-C-2 : assemblage des panneaux :

Pour disposer dune puissance installe de plusieurs centaines de Watts,


De KW, voir de MW, il faut ncessairement assembler les modules photovoltaques .on ralise alors un
champ photovoltaque.
Lassemblage des panneaux obit la rgle suivante :
On ne monte en srie que les panneaux ayant le mme courant de fonctionnement (mais ils
peuvent ne pas avoir la mme tension)
On ne monte en parallle que les panneaux qui ont la mme tension de fonctionnement (mais ils
peuvent, ne pas avoir le mme courant).
Dans la ralit, comme les panneaux ne sont pas rigoureusement identiques, on est amens lappairer en
tension ou en courant selon le cas. Cela consiste mettre ensemble des panneaux dont les valeurs sont
les plus proches.
Mme appairer, les panneaux peuvent, sur le terrain, ne pas dbiter la mme puissance, cependant ils ne
reoivent pas le mme rayonnement solaire.et si une ombre porte sur une partie du

champ

photovoltaque peut faire baisser la production du champ, sur le mme principe que le hot-spot , le
remde ce problme cest de placer une diode anti-retour de puissance adquate en sortie de chaque
srie de panneaux.
Cest diodes sont souvent mises dans des boites de raccordement qui servent aussi a runir les cbles
venant des panneaux, et a dbiter la puissance totale travers un cble de diamtre suprieur vers le
rgulateur.

II-4-principe de leffet photovoltaque :


Leffet photovoltaque repose principalement sur trois grands principes dont laction conjugue de
manire quasi-simultane engendre la conversion de lnergie solaire en nergie lectrique.
Labsorption de photons
La conversion de lnergie absorbe en charges lectriques libres
La collecte de ces particules dans un circuit lectrique extrieur
Un dispositif photovoltaque doit donc tre constitu :
-dun matriau absorbant dans la gamme de spectre solaire et possdant au moins une transition
entre deux niveaux snergie
-et dune structure de collecte, de rsistance lectrique la plus faible possible.
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Chapitre2

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La conversion de lnergie est le rsultat de labsorption des photons donnant lieu la cration de paires
lectron-trou, un champ lectrique permanant, au sein de matriau assure une sparation rapide de ces
porteurs pour viter des phnomnes de recombinaison. Ce champ peu tre gnr par plusieurs manire :
par la jonction de deux semi conducteurs de nature et de type diffrents (htrojonction), soit par la
barrire de potentiel entre un mtal et un semi-conducteur (diode Schottky), ou encore linterface de
zone dun mme
semi-conducteur dont la concertation en lectrons libres sont diffrentes
(homojonctions ou jonction p-n).
Enfin le couplage de ce dispositif avec des lectrodes collectrices ou grille, en face avant et arrire,
permet la connexion de la cellule circuit lectrique externe. Cette grille mtallique doit prsenter une
rsistance de contacte petite en comparaison avec la diffrente rsistance du dispositif.

Figure II. 43 : Principe de leffet photovoltaque

Remarque :
Suivant l'nergie de gap Eg du semi-conducteur, les photons ayant une nergie infrieure Eg ne
pourront pas tre utiliss, et seront donc convertis en chaleur. Les photons ayant une nergie suprieure
Eg pourront eux dloger un lectron utile, mais lnergie excdentaire sera perdue elle aussi. Cest ce que
montre le schma suivant :

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Figure II. 44 : la partie exploitable du spectre solaire [14]


Ce schma montre lexploitation du spectre solaire hors atmosphre par une photopile au silicium. La
zone A correspond lnergie perdue par les photons non absorbs (environ 23,5 %). La zone B
correspond lexcs dnergie, non utilise, par les photons dnergie suprieur Eg (environ 33 %). A
ces pertes, sajoute celle du facteur de forme, de la rflexion, de la surface des collecteurs pour en final
descendre 10 15 %.

II-5. Paramtres nergtiques des cellules photovoltaques :


II-5-1.caractristique courant-tension :
La jonction servant de base la cellule photovoltaque est une diode. Lorsquelle est illumine
apparat dans cette diode une photo courant qui dpend de la quantit de lumire incidente
La figure ci-dessous reprsente les deux caractristiques courant-tension de la cellule : dans lobscurit en
pointills, et sous illumination en trait plein

Figure II. 45 : Caractristique courant-tension dune cellule au silicium dans lobscurit


et sous illumination[15]
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II-5-1.1. Courant de court-circuit et tension de circuit ouvert :


On remarque que la courbe sous illumination est simplement dcale par rapport la premire dune
valeur ICC, qui traduit la gnration constante du courant par la lumire .cette valeur est appele courant
de court-circuit, puisque cest le courant que gnre la photopile sous lumire tension nulle (en courtcircuit).La valeur Vco, a linverse , est la tension de circuit ouvert ,tension de la photopile sous lumire
courant nul.
Pour dterminer la courbe caractristique de cette cellule solaire ,on part de la caractristique
connue dune diode au silicium qui scrit (jonction pn dans lobscurit) ,courbe en pointills) :

I= IS(
ou dune manire simplifie

I= IS
Avec : V tension imposer a la diode .

-1)

pour Vt<<V

(II.5)

(II.6)

Vt =KT/q=26mV 300 K.
K=1,38.10-23 constante de Boltzmann.
q=1,602.10-19 charge de llectron.
T : temprature absolue en K.

IS = courant de saturation de la diode.


Sous illumination, avec un changement de signe purement conventionnel pour le courant, cette relation
devient :

I=IP-IS(
Avec: IP photocourant

-1)

(II.7)

A laide de cette relation, on peut quantifier les paramtres suivants :


Le courant de court-circuit, ICC, valeur du courant lorsque la tension V=0, il vaut :

ICC= IP
et la tension de circuit ouvert, VCO, lorsque le courant est nul :

VCO = Ln ( 1+ )

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(II.8)

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Remarque :

v Le courant dune cellule solaire est proportionnel lclairement et la surface de la cellule .il
augmente avec la temprature.
v La tension en circuit ouvert dune cellule solaire varie de manire logarithmique avec
lclairement et baisse avec la temprature.

II-5-2.Notion de puissance et rendement :


La partie intressante de la caractristique courant-tension, pour lutilisateur, cest celle qui gnre de
lnergie .donc ce ne sera ni au point de tension de circuit ouvert, ni au point de court-circuit, qui ne
gnrent aucune nergie, puisque la puissance et le produit du courant par la tension. La figure si dessous
reprsente cette caractristique sous lumire dune photopile ainsi des courbes thoriques de puissance
constante ( en pointills).

Figure II. 46 : caractristiques courant-tension[15]


Le point Pm, situ au coude de la caractristique, ou la puissance de la photopile est maximale pour
lclairement considre. Est appel point de puissance maximale, est associ une tension dite tension
maximale V m et de courant maximale I m.
Remarquons cependant que la photopile peut tre sollicite galement plus faible puissance, par exemple
a une tension infrieure V m( point P2 sur la figure). On voit bien que plus la courbe est carre , plus
la puissance maximale est leve.
On mesure cette proprit par le facteur de forme en anglais fill factor dfini come tant le rapport entre
la valeur maximale de la puissance pouvant tre extraite (I m . V m ) sous les conditions de mesures
standardise ,et le produit (Icc.Vco).

FF=

(II.9)
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Tel que :

(II.10)

= I m. V m

: puissance maximale.
: Tension du circuit ouvert
: Courant du court circuit
Le rendement nergtique est dfini quant lui comme le rapport entre cette puissance maximale produite
et la puissance du rayonnement solaire qui arrive sur le module photovoltaque.
Si S est la surface de ce module, et E lclairement en W/m2 ;le rendement nergtique scrit :

(II.11)

AVEC :
E : clairement (W/m2)
S :surface de la cellule (m2)
Pm : puissance maximale.
La courbe ci-dessous montre lvolution du rendement ? en fonction de lnergie de gap Eg pour diffrents
semi conducteurs, en fonction de la temprature. Le rendement est dfini comme le rapport entre la puissance
lectrique fournie par une certaine surface de cellules et le flux dnergie solaire reu par la mme surface en
conditions AM0 (spectre solaire hors atmosphre).

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Figure II. 47 : Evolution du rendement en fonction de lnergie du gap Eg [14]


Le gap optique du silicium est de EG=1,1 eV. Un photon possdant cette nergie a une longueur donde
de 1,13 m ( dans le proche infrarouge) .pour le silicium amorphe , EG=1,77eV. Un photon ayant cette
nergie est en lumire rouge, avec une longueur donde 700 nm (=0.7 m).donc tous les photons
dnergie suprieurs ces seuils, et donc de longueur donde infrieures, sont oprationnels pour la
conversion photovoltaque.

Remarque :
Ce rendement est souvent mesur dans les conditions de rfrence. Cest--dire sous
lensoleillement de 1000W/m2, a la temprature de 25C e sous un spectre AM 1,5. ces conditions
normalises sont dites STC pour standard test conditions.
La puissance maximale (Pm) dun panneau dans ces conditions STC est la puissance-crte(Pc)
exprime en watts-crte.
Le tableau suivant prsente les rendements typiques et thoriques que lon peut obtenir avec les
diffrentes technologies.
Technologies
Monocristallin
Polycristallin
Amorphe

Rendement typique(%)
Rendement thoriques(%)
12-16
24
11-16
18,6
5-10
12,7
Tableau II.1 : rendement des cellules photovoltaques [15]

Actuellement, le rendement de conversion dnergie solaire en nergie lectrique est encore faible
(souvent inferieur 12%).Sous un ensoleillement nominale de 1000 W/m2, 12 m2 de panneaux
photovoltaque sont ncessaire pour fournir 1 KWc, ce qui induit un cout lev de watt crte. [15]

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II-5-3.Dpendance de la puissance vis--vis de la tension de travail :

Comme beaucoup d'lments de circuit, une cellule solaire est caractrise par une relation entre la
tension u et le courant i ses bornes. L'allure de cette relation est indique la ci-dessous

Figure II. 48 : Caractristique U-I d'une cellule solaire en conditions d'clairement


et de temprature nominales. [17]
La tension fournie par une cellule solaire est assez faible, un peu moins de 0,5 V au point de puissance
optimale pour une cellule au silicium cristallin (la valeur indique sur la figure correspond aux valeurs
nominales des cellules), cette tension est insuffisante pour la plupart des utilisations.
Pour cette raison, un module contient habituellement plusieurs cellules connectes en srie, c'est--dire
que la borne positive d'une cellule est relie la borne ngative de la suivante et ainsi de suite, seules la
premire et la dernire cellule tant connectes aux bornes du module (voir figure ci-dessous).

Figure II. 49 : Connexion en srie de cellules l'intrieur d'un module.[17]


Dans ces conditions, le courant que peut dbiter le module n'est pas plus grand que celui que peut fournir
une cellule. Par contre, la tension du module est la somme des tensions des cellules. Donc, si le module
contient n cellules identiques claires de la mme faon, sa tension est n fois plus grande que celle d'une
cellule.
Autrement dit, la caractristique tension-courant du module s'obtient en dilatant la caractristique tensioncourant d'une cellule d'un facteur n dans le sens horizontal.

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Figure II. 50 : Caractristique tension-courant d'un module form de 36 cellules


Dont la caractristique est donne la figure prcdente.[17]
Cette puissance dpend fortement de la charge laquelle elle est connecte, car c'est cette charge qui fixe
le point de fonctionnement
Si le point de fonctionnement correspond un courant nul (marche vide) ou tension nulle (marche en
court-circuit), il est clair que la puissance dbite u i est nulle. Entre ces deux cas particuliers, la
puissance fournie est positive. La puissance correspond l'aire du rectangle dont les axes forment deux
cts et le point de fonctionnement un angle
Il existe un point particulier pour lequel la puissance fournie est maximum.
La faon dont la puissance volue lorsque l'on s'loigne de la tension optimum est indique sur la figure
ci-dessous :

Figure II. 51 : puissance-tension [17]

II-5-4. Dpendance de la puissance vis-- vis de lclairement :


On voit sur la courbe ci-dessous que les courbes de diffrentes clairement ont la mme allure que
celle dun clairement nominal, elle se diffrent par rapport la courbe de lobscurit dune distance
proportionnelle lirradiation incidente. La courbe caractristique (de lobscurit) passe par lorigine des
axes pour un clairement nul. Certains points de la courbe correspondent une production dnergie, ce
qui est impossible dans lobscurit. Dans ce cas la cellule absorbe lnergie
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La croissance de courant de circuit est presque proportionnelle au rayonnement jusqu une valeur
limite de celui-ci, la tension est nulle lobscurit et croit rapidement avec lclairement mais prend
bientt une valeur constante. La tension et le courant correspondant la puissance optimum croissent
aussi avec le rayonnement incident, le point optimum de la caractristique dobscurit est lorigine du
graphe puisque aux autres points le module absorbe de la puissance
La puissance optimale de la cellule Pm est proportionnelle lclairement, et les points de puissance
maximale se situent la mme tension. [15]

Figure II. 52 : Effet sur la caractristique tension-courant d'une variation d'clairement[17]

II-5-5.Dpendance de la puissance vis--vis de la temprature :


Lclairement et llvation de la temprature dune cellule diminue son rendement puisque cette
dernire est directement expose au soleil, sa temprature est souvent lev la temprature ambiante car
une partie du rayonnement absorb est converti en chaleur, cette influence devra tre prise en compte lors
du dimensionnement dun systme photovoltaque. La temprature de la cellule aune grande influence sur
cette performance lectrique. Et plus quelle est froides, quelle est efficace.
Laugmentation de la temprature est suivi dune augmentation du courant denviron 0,025mA/cm2/C
Et une diminution de tension de 2,2mV/C/cellule cela se traduit par une baisse de la puissance denviron
0,5% par cellule, par dgre Celsius. Sur ce point, les cellules amorphes sont moins sensibles que les
cellules au silicium cristallin.

Figure II. 53 : Influence de la temprature sur la caractristique couranttension


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On estime la temprature Tc dune cellule partir de Ta en utilisant la formule de correction suivante :

Tc=Ta +

. (TUC-20)

(II.12)

Avec : Em : clairement moyen(en w/m2).


TUC : temprature dutilisation de la cellule (C).

II-5-6.influence de langle dincidence :


Le rayonnement absorb diminue si le rayonnement incident est incline par rapport la normale
de module, La plus grande partie de cette diminution s'explique de faon purement gomtrique : la
surface effective "vue par le rayonnement" varie comme le cosinus de l'angle d'incidence. La diminution
de la puissance absorbe est encore accentue par des raisons optiques : les rflexions sur la paroi
extrieure. La figure ci-dessous donne l'allure de la variation du rayonnement reu la surface du module
et du rayonnement absorb de faon utile en fonction de l'angle d'incidence.

Figure II. 54 : Influence de l'angle d'incidence sur la puissance reue et absorbe de faon utile
(normalises sparment) par un module photovoltaque

Compte tenu de cette dpendance angulaire, la puissance fournie par un module dpend beaucoup de son
inclinaison et de son orientation, dou lutilit de changer lorientation et linclinaison en tenant compte
de la position du soleil.

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II.5.7. Rponse spectrale:

On appelle rponse spectrale la courbe de rponse dune cellule en fonction de la couleur du


rayonnement incident .comme on la vu dans les chapitres prcdents la lumire blanche se compose de
diverse couleurs allant de lultraviolet linfrarouge en passant par toutes les couleurs de larc-en-ciel.

Figure II. 55 : Rponse spectrales des


diffrents types [15]

Figure II. 56 : Courbe de rponse spectrale


de lil humain[1]

de cellules solaires

II-5-8.proprits et caractristiques des cellules photovoltaques :


II-5-8-1.proprits des cellules cristallines :
II-5-8-1-a. Rponse spectrale :
Le matriau silicium cristallin a une rponse spectrale (sensibilit aux diffrentes couleurs de
la source de lumire) qui va de bleu (400nm) au proche infrarouge (1100nm), cest--dire bien adapt au
spectre solaire, avec un point faible dans le bleu. Ce manque de courant dans la partie bleue du spectre
solaire est du essentiellement de la rflexion(les cellules brutes apparaissent bleues), donc un antireflet
amliore cette rponse.

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II-5-8-1-b. performance courant-tension :

La figure ci-dessous prsente quelque caractristique courant-tension dune cellule


monocristalline 15% de rendement, dune surface 10.10cm, la courbe suprieur est trac sous 1000W/m2
en condition normalises STC, et celle de dessous sont donnes des intensits plus faible du
rayonnement solaire toujours 25C. [15]

Figure II. 57 : Courbes (I V) sous divers intensits de rayonnement dune cellule monocristalline[15]
Dans les conditions normalises STC, une telle cellule a typiquement une tension de circuit ouvert de
0,58, un courant de court-circuit de 33mA/cm2.En fonctionnement c.--d. au voisinage de coude de la
caractristique, elle produit 30 mA/cm2 sous 0,5V (ce qui donne 3A.0,5V=1,5W et 15% de rendement sur
100 cm2). En pratique, ces valeurs varient en fonction de la technologie cristalline employe.

II-5-8-1-C. influence de lclairement :


La production photovoltaque dun panneau dpend directement du flux lumineux reu,
puisque cest sa source dnergie. Mais tous les paramtres de la caractristique ne sont pas affects de la
mme manire. Dans la partie gauche des courbes (figure prcdente) on constate que le courant est
directement proportionnel au rayonnement ces niveaux dclairement, par contre la tension est moins
dgrade lorsque la lumire baisse. En effet, la tension dune cellule varie comme le logarithme de
lclairement. Dans une cellule monocristalline, la rsistance shunt reste assez leve et la cellule peut
fournir une tension correcte mme petits clairage. Pour une cellule poly cristalline qui prsente une
plus faible rsistance shunt, la tension peut parfois de manire importante ds que lclairement descend
en dessous de 30-50W/m2.cette proprit est pnalisante pour lemploi de silicium cristallin dans les pays
tempres, alors ne peut pas tre utilis sous lumire artificielle, ou lon dispose typiquement de 100
1000 lux(0,1 1% du rayonnement normalis),cest le silicium amorphe qui sera employ dans ce cas,
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pour quiper les produits usage intrieur, oprant sous illumination rduite :montre, calculettes,
appareils de mesures, etc.

II-5-8-1-d. Influence de la temprature :


La temprature a un impact important sur les performances des cellules cristallines, et donc
sur la conception et la production des panneaux et des systmes.
En effet, la tension dune cellule cristalline baisse assez fortement avec la temprature, cet effet est
reprsent la figure ci-dessous ou lon voit diffrentes courbes dune cellule cristalline entre 10 et 75C
sous ensoleillement de 1000 W/m2. [15]

Figure II. 58 : Courbes I(V) dune cellule monocristalline divers tempratures[15]

La tension perd typiquement 2mV/C et par cellule( soit -0,4%/C) ce qui la fait chuter denviron 80 mV
entre 25 et 65C ,par exemple pour un module 12V 36 cellules, cela rduit la tension de fonctionnement
Um de 16% : 16V 13,1V(36 cellules*0.08=-2,9V).il vident que cela peut avoir des consquences sur la
charge dune batterie si le panneau est soumis cette temprature de 65C, sur le terrain la temprature de
la cellule peut monter au del de 70C.
Sous leffet dune hausse de temprature, le courant gagne quant lui un petit peu dintensit. Ceci peut
sexpliqu par une meilleure absorption de la lumire, le gap baisse lorsque la temprature augmente.
Mais laccroissement du courant peut tre nglig au point des puissances maximales et le comportement
global de la cellule cristalline en temprature est en perte de 0,4 0,5% par dgre, ce qui se traduit en
pratique par des pertes de lordre de -15% environ pour des cellules 60C.

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II.5.8.2. Proprits des cellules au silicium amorphes simple jonction :


II.5.8.2.a. Absorption optique et Rponse spectrale :
Ce qui diffrencie le silicium amorphe du silicium cristallin dun point de vue optique, cest surtout :
Son gap optique lev, de 1,77eV.
Son absorption plus forte de la lumire visible : facteur de 4 la longueur donde 590 nm
En consquence les cellules sont beaucoup plus fines (0,2 0,5 m dpaisseur) : elles consomment donc
moins de matriau, et la rponse spectrale dune simple jonction, reprsente dans la figure prcdente
(figure II.58), prsente des valeurs leves dans la partie bleue-verte et jaune du spectre visible jusqu
600 nm, mais coupes plus tt que le silicium cristallin dans le rouge : vers 700nm, longueur donde
correspondant la frquence de coupure des gap optique de 1,77 eV. Donc une fraction de la lumire
rouge nest pas correctement absorbe dans le silicium amorphe mais rflchie par llectrode arrire.
Cest pourquoi les cellules au silicium amorphe ont souvent un aspect rouge fonc.

II.5.8.2.b. Performance forte clairement :


En condition normalises STC, on a compar sur la figure ci-dessous les performances typique dune
cellule au silicium cristallin et dune cellule silicium amorphe simple jonction.

Figure II. 59 : Caractristiques courant-tension compares dune cellule au silicium amorphe et


cristalline sous STC[15]

La cellule amorphe, grce a sont gap pus lev (1,77eV) que le silicium cristallin (1,1 eV), a une tension
plus leve, en circuit ouvert : 0,85 V contre 0 ,6 V pour le silicium cristallin ; comme en
fonctionnement : 0,7 V au lieu de 0,5V, mais son courant et nettement plus faible en raison de sa moins
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Chapitre2

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bon collecte des charges : 13mA/cm2 au maximum contre 30-35 mA/cm2 pour du cristallin. Il en rsulte
quen fabrication industriel, les panneaux amorphes ont un rendement STC de 6 7 % en simple jonction,
ce qui est nettement moins performant que le silicium cristallin. Cest certes un handicap : puissance
crte identique (puissance mesure dans les conditions STC), un panneau au silicium amorphe et
typiquement deux fois plus grand quun panneau au silicium cristallin.
Mais le silicium amorphe a dautres atouts, dans des conditions qui ne sont pas normalise, notamment :
-sa tension baisse nettement mois que le cristallin lorsque lclairement baisse.
-sa tension baisse en gnrale moins que le cristallin lorsque la temprature slve.
-il est plus sensible a la lumire bleue.
-il est plus sensible au rayonnement diffus.

II.5.8.2.C. Performance faible clairement :


La baisse de la tension avec lclairement que lon a dtaill pour le silicium cristallin et beaucoup moins
prononce avec le silicium amorphe qui peut fonctionner mme a trs faibles clairements. Sa tension de
circuit ouvert chute seulement de 100 mV par dcade dclairement.
Sil fournit 850mV/ cellules 1000 W/m2, il fournira 750 mV/ cellules 100 W/m2 et 650 mV / cellules
10W/m2, ce qui est quivalent a ce que la cellule cristalline donne 1000W/m2. Il est donc susceptible
de fonctionner par temps trs couvert, 10W/m2 correspondant un clairement de 1000 lux environ, trs
faible pour un rayonnement extrieur.
En ambiance intrieure, sous clairage artificiel, on rencontre typiquement des clairements de 100
1000 lux et la cellule amorphe est encore capable de fournir une tension de 0,5-0,55V 100 lux. La figure
ci-dessous montres ces performances de la cellule amorphes a ces trs faibles flux, en intrieure comme
en extrieure, jusqu 0,1 1% du rayonnement solaire normalis.

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Chapitre2

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Figure II. 60 : Courbes dune photopile au silicium amorphe sous faible clairement fluorescent[15]
Cest grce cette proprit que le silicium amorphe est adapt la fabrication de cellules usage
intrieures, oprationnelles sous lfumire artificielle, mme de trs faibles clairements.

II.5.8.2.d. Influence de la temprature :


Le silicium cristallin perd en puissance environ 0,4%/ C, soit -16% pour un cart de temprature de
40C, entre 25 et 65 C par exemple.
Dans le cas du silicium amorphe, cette effet et moindre : du fait du gap optique plus lev de 1,77eV,
leffet de temprature nest que de -0,2% /C sur la puissance maximale.
Cet effet un impacte trs important sur la production dnergie :il explique que mme dans des climats
trs ensoleills, le silicium amorphe produit plus de KWh par Wc install que le silicium cristallin :car
celui-ci est pnalis par la dcroissance suprieure de sa puissance avec la temprature (-0,4%/C). De
nombreuses tudes rcentes le dmontrent, comme cette comparaison aSi/cSi (silicium amorphe /
silicium cristallin), en figure ci- dessous, qui montre que meme en climat dsertique et trs ensoleill, du
fait de la temprature leve, le silicium amorphe produit plus annuellement, pour une puissance installe
identique.

II.5.9. Paramtres inuent le rendeme nt du capt eur phot ovol ta que :


Le rendement des panneaux photovoltaques sont fonction des paramtres suivants :

II.5.9.1. Orientation et inclinaison des modules :


La position des capteurs solaires par rapport au soleil influe directement sur leur production
nergitique.il est donc trs important de les bien placer pour rcuprer le maximum dnergie.
Lorientation idale dun capteur solaire et trs simple dterminer : on le place vers lquateur.
Si on est dans lhmisphre nord, le capteur sera donc orient vers le sud, et si lon est dans lhmisphre
sud, il sera orient vers le nord.

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Chapitre2

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Pour linclinaison, elle est peut plus particulire dterminer. Le choix optimum de linclinaison dpend
de critre doptimisation. Si le but est de maintenir une production intressante dnergie mme pendent
la mauvaise saison, linclinaison optimum est suprieure (environ 15%) la latitude du lieu. Si le but est
dobtenir une production annuelle leve, linclinaison optimum est infrieure la latitude du lieu. Quand
lapplication ne fonctionne quen priode estivale, une inclinaison de 20 30 est prfrable, avec la
mme orientation.

II.5.9.2. Installation de plusieurs ranges de capteurs en parallles :


On doit sassurer dans linstallation de ces plusieurs ranges parallles des capteurs (thermiques et
photovoltaques) que chacune dentre elles ne vient pas masquer lensoleillement un autre. Cela peut se
traduire par une distance minimale X respecter entre deux ranges, distance fonction de la gomtrie des
capteurs (langueur L1 et L2, inclinaison et orientation ) et la position du soleil (a, h).
Prenons le cas du soleil midi solaire, cest--dire situ dans le plan du mridien local o
h =hm les capteurs sont orients au plein sud

a = 0 et

= 0 et inclins = 45.

Figure II. 61 : installation des capteurs en parallle[2]

X = X1 + X2 = L1 cos +

(II.13)

II.5.9.3. Effet masque :


Lorsque lon veut utilise lnergie solaire lendroit, il faut non seulement connaitre lensoleillement
du site, il faut donc relever les masques endroit o len dsire implante linstallation solaire. Pour cela, il
faut se munir dune boussole et dun clinomtre et relever la hauteur angulaire et lazimut de tous les
obstacles potentiels.

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Figure II. 62 : Effet masque [15]

II.5.9.4. Influence de la latitude :


En Europe, on constate que les ensoleillements chutent assez rapidement au-del du 45.entre lcosse par
exemple, et lEspagne, le rayonnement journalier est multipli par 2 en moyenne sur lanne et par 3 4
en dcembre (en exposition horizontale).Ces carts sont dus lincidence plus rasantes des rayons
solaires, ce qui oblige incliner les modules photovoltaques plus vers le sol lorsque la latitude augmente.
On remarque aussi que les sites les mieux ensoleills se situent dans les rgions tropicales (latitudes 2530).les zones quatoriales sont en gnral plus perturbe par la nbulosit. Mais cest sur la rpartition
saisonnire que la latitude a le plus dinfluence, surtout sur le rayonnement horizontal.

Dans les zones quatoriales et tropicales on observe assez peu de variations au cours de lanne, ce qui
reprsente un trs grand avantage pour lutilisation du photovoltaque. Mais plus la latitude slve, et
plus les diffrences sont marques. Cela a des consquences directes sur la conception des systmes
photovoltaque autonomes. Dans les pays de faible latitude (entre 15 S et 15 N )le rayonnement
journalier est relativement constant et la production lectrique varie peu au cours de lanne.

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Figure II. 63 : Rayonnement global journalier idal en fonction de la saison et de la latitude du


lieu [15]

II.5.9.5. Inuenc e de lexpos i on :


Dans les pays temprs et froids le rayonnement journalier est faible du fait que la nbulosit est
habituellement bien plus leve en hiver. Ces basses valeurs de lensoleillement hivernal sont certes un
inconvnient pour le dveloppement du photovoltaque en climat tempr. Heureusement on lattnue un
peu en orientant les modules au maximum vers le sud, en revanche en ce qui concerne linclinaison
idale, il faut sadapter au site et lusage. Si lusage est uniquement estival, une faible inclinaison sera
prfrable (10 ou 30) par rapport lhorizontale) alors que pour une utilisation annuelle, il vaudra mieux
sen tenir la rgle : latitude du lieu + 10.

Figure II. 64 : Variation du rayonnement global journalier[15]

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III. Les accumulateurs lectrochimiques :

Les batteries stockent sous la forme chimique, lnergie lectrique produite par les panneaux photovoltaques.
Ces batteries comportent des lectrodes ngatives et positives composes dalliages dissemblables plongs dans un
lectrolyte (acier). Lensemble est encapsul dans un bac sell ou muni dun bouchon de remplissage et dun
vent. Les ractions doxydorduction qui gouvernent le fonctionnement dune batterie sont rversibles, dans la
mesure o celle-ci na pas t longtemps ni compltement dcharge ni surcharge, ce qui permet la restitution de
lnergie cintique. Et on distingue deux types couramment utiliss :

Figure II. 65 : Accumulateur lectrochimique

III. 1.Les batteries au plomb :


Leurs lectrodes (positives et ngatives) qui sont faites base du plomb (Pb) on la forme de grille ou de tube, ces
batteries se diffrencient par le type de construction de leurs lectrodes positives et elles comportent :

a) lectrode posi ve :
Ces plaques peuvent tre de plusieurs sortes.
Plaques a grandes surfaces : elles sont constitues plomb pur coul (sans additifs). Grace la
liaison interne les couches de la surface (bioxyde de plomb) et le noyau de plomb ces plaques ont
un bon comportement courants levs.
Plaque support : la masse ac ve de ces pl aques suppor t es t cons tue un mat ri au s par e.
Le matriau porteur est un alliage de plomb. Il existe trois types de plaques support : plaques
tubulaires, plaques ges et pl aques gr i lles .

b) Electrode ngative :
Llectrode ngative est une plaque grille. Elle dite plane pochette ou frittes. La plaque plane
pochette ngative est identique la plaque positive, mais garnie doxyde de fer et de mercure. La plaque
fritte est compose dun mlange de poudre trs fine et magntite Fe3O4 et de cuivre. Ce mlange est mis
en une couche de faible paisseur sur un grillage mtallique mailles fines tendu sur in cadre dacier, puis
lensemble est comprim forte pression.

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c) Llectrolyte :

Llectrolyte est une solution dacide sulfurique (H2SO4) qui rpond certaines normes, incolore et
liquide de tout dpt de matire insoluble. Pour compenser les pertes par lectrolyse et vaporation, on
effectue des remplissages priodiques avec de leau distille. Sa concentration est de lordre 1,9g /cm2
25 C, 1,1 g/cm3 25 C lorsquelle est dcharge. Linfluence de la temprature sur la densit de
llectrolyte nest pas ngligeable, elle est donne par la formule de correction suivante :

d(25)= d-0.0007(T-25)

(II.14)

d(25) : densit de llectrolyte 25 C, et d sa densit une temprature T.

III.1.1. Caractristiques des batteries au plomb :


a) Tension :
A 25C la tension aux bornes dun lment daccumulateur varie entre 1,7 et 2,4 V suivant ltat de charge dans
les conditions nominales, on la prend fixe et pour une valeur de 2V. comme la densit de llectrolyte varie en
fonction de la temprature, la tension de la batterie svalue par la relation empirique suivante :

V = V(25) 0,005(T 25)

(II.15)

Avec V(25) la densit de la batterie 25C et V sa tension une temprature donne.

b) Capacit :
C = C(25) [1 0,003(T-25)

(II.16)

C(25) est la capacit de la batterie 25C


C : la capacit de la batterie la temprature T, elle dfinie le nombre dampres heures que la batterie
peut dbiter pour un courant et une tension de fin de dcharge bien dfinie, elle dpend de la gomtrie de
la plaque, la temprature et du volume de la matire active.

c) Rendement en quantit (rendement faradique) :


Il dfinie le rapport entre llectricit dbit la dcharge Qd et celle de la charge Qc. il varie de 0,7
0,95 pour les types daccumulateurs et entre 0,7 0,8 pour un accumulateur au plomb. Il diminue pour
llvation de la temprature et son quation est donne par :

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d) Rendement nergtique :

(II.17)

Cest le rapport entre le nombre de wattheures restitus et le nombre de wattheures fournis.il varie
entre 0,45 et 0,6 pour un accumulateur au plomb.

e) Profondeur de dcharge :
Cest le pourcentage de la capacit dcharge. Elle influ sur la dure de vie de laccumulateur. Pour
une profondeur de 80%, le nombre de cycles de charge et de dcharge et compris entre 1000 et 1500.

f) Autodcharge :
La prsence des impurets dans la matire active o dans llectrolyte semble tre une cause de perte
de charge. Le taux dautodcharge est donn par :

(%)=

Avec :

(II.18)

Qa : la capacit avant stockage.


Qp : la capacit aprs stockage.
n : dure de stockage en mois.

g) Dure de vie :
Les batteries ont la plus petites dure de vie par rapport aux autres lments constituants le systme
photovoltaque, cette dure dpend du nombre des cycles charge/dcharge et des conditions dutilisation.
on lestime pour les accumulateurs au plomb de 6 7 ans.

III.2.Batteries au nickel-cadmium :
Elles se prsentent sous 3 formes : boutons, rond et prismatiques, la diffrence de potentiel aux borne
de deux lectrodes et de 1,29 V 25 C , et la raction globale rversible et donne ci-aprs :

2Ni(OH)2+ Cd(OH)2

2NiOOH+Cd+ 2H2O

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(II.19)

Chapitre2

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III.2.1.Caractristique des Ba er i es au ni ckel -cadmi um :
a) Tension :

La tension nominale est de 1,2 V, mais elle varie entre 1,15 et 1,45V par lment suivant ltat de
charge. La tension de fin de dcharge maximale admise oscille entre 1,1 et 1,0 V par lment.

b) Capacit :
Les accumulateurs de type semi-ouvert ont des capacits qui schelonnent de 2 200 Ah environ,
selon les constructeurs. Les accumulateurs tanches lectrodes fritts peuvent tre classs en 03
groupes :
1. les batteries a lments paralllpipdiques ayant une capacit de 1 50 Ah environ.
2. les lments cylindriques dans les capacits chelonnent de 01 10 Ah.
3. les lments boutants de 0,1 3 Ah.
Lors de la charge de laccumulateur Ni/Cd, il faut rintroduire selon le type de batterie 20 40 %
de courant supplmentaire par rapport a la quantit prlev.

c) Rendement en quantit :
Le rendement en quantit atteint environ 85%.les valeurs moyens des nergies massiques vont de 20
35 Wh/kg selon la construction et la taille de llment.

d) Rendement en nergie :
Le rendement en nergie et de lordre de 70%, les nergies volumiques tant de 60 80 Wh/dm3

e) Autodcharge :
Les lments traditionnels au cadmium sont caractrises par une autodcharge extrmement faible.
Les lments lectrodes frites on une autodcharge plus leve que ceux lectrodes traditionnelles.

f) Dure de vie :
Des accumulateurs travaillants de faon cyclique, avec des dcharges compltes, auront une capacit
maximale durant 300 cycles environ pour les lments lectrodes tubulaires, des 500 cycles pour ceux
lectrodes frtes.
Les lments plaque a pochte ont des dures de vie de plus mille cycles.

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III.3.Association de batteries :

On associe des batteries en srie pour obtenir des tensions multiples de 12 V (24 V, 48V) et en
parallle pour augmenter la capacit.

Figure II. 66 : association en srie

Figure II. 67 : association en parallle


de deux batteries 12 Volts /100 Ah

de deux batteries

III.4.Protection de laccumulateur :
Les accumulateurs doivent tre absolument protgs contre les courts-circuits. Pour cela un fusible est
install immdiate du pole positif. Le fusible doit tre de faon se quaucune surtension napparaisse
dans les composantes pouvant tre court-circuites.

IV. Les rgulateurs :


La batterie est lun des lments les plus fragiles dun systme photovoltaque, en effet, une charge
excessive entraine un dgagement gazeux, d aux ractions internes, ce qui provoque loxydation des
lectrodes de mme une dcharge profonde provoque la sulfatation lectrodes, cest--dire une couche
de sulfate qui empche la recharge.
Afin de contrler aux mieux les conditions de charge et de recharge on intercale entre le gnrateur et
la batterie daccumulateur un dispositif de rgulation appel : rgulateur de charge. Celui-ci constitue
donc dun lment de base dans linstallation photovoltaque dont dpond de la fiabilit et le rendement
de la centrale. Il assure :
v La protection des batteries contre les surcharges et les dcharges profondes.
v Loptimisation dun transfert dnergie du gnrateur photovoltaque lutilisation.
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V. Le convertisseur (onduleur) :

Cest londuleur qui transforme le courant continu produit par les panneaux en courant alternatif
adapt aux normes qui sont le monophas ou triphas, 50 ou 60Hz.
Londuleur est un dispositif lectronique statique servent convertir le courant lectrique continu en
courant alternatif (signal carr ou sinusodal) avec la frquence souhaite, dont il existe une trs grandes
varit sur le march. Il est utilis dans deux types de systmes.
Les alimentations sans interruption : la source de tension continue est gnralement donne par la
batterie daccumulateurs, la tension et la frquence de sortie sont fixes.
Les variations de vitesse : la tension et la frquence de sortie sont variables.

VI. Les diffrentes configurations de systmes photovoltaques :


VI.1.Systme autonomes au fil du soleil :
Ce sont les systmes les plus simples puisque lnergie photovoltaque est utilise
directement partir des panneaux, sans stockage lectrique.
On peut les trouver dans deux cas :

a. Alimentation directe :
Dans ce cas, les fonctions se rduisent produire et fournir . donc lappareil aliment ne
fonctionnera quen prsence de lumire et ds que lclairement sera suffisant pour atteindre la puissance
demande. Cest intressant pour toutes les applications qui nont pas besoin de fonctionner dans
lobscurit, et pour lesquelles le besoin en nergie concide avec la prsence de lumire. Sil y a de la
lumire, a fonction, sinon a sarrte. En prend lexemple dun ventilateur qui est un appareil bien utile
dans les pays chauds. Avantage vident du solaire dans ce cas : la concordance entre le besoin de
ventilation et la fourniture dnergie .plus il fait beau et chaud, plus le panneau solaire produit, et plus le
ventilateur tourne vite.
Mais il faut calculer le panneau ou la cellule solaire de sorte quil ait assez de puissance pour alimenter
lappareil lclairement le plus faible rencontr, et cest souvent contraignant puisque par le fait, on ne
profite pas toujours des clairements plus levs : pas de stockage, donc pas de rcupration de surplus
dnergie solaire.

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b. Le pompage solaire au fil du soleil :

Il sagit de stocker de leau dans un rservoir .la pompe solaire est bronche directement sur les panneaux
solaires par lintermdiaire dun rgulateur ou dun convertisseur. Le dbit darriver deau dans le
rservoir est variable, directement fonction du rayonnement solaire, do lexpression au fil du soleil .
Quant lutilisation, elle pourra se faire nimporte quel moment, en tirant sur le rservoir.

Figure II. 68 : systme de pompage au fil du soleil

VI.2.Systme autonomes avec batterie :


Cest la configuration la plus courante des systmes photovoltaques autonomes que les anglophones
appellent stand-Alone Systems. Lensemble et plus souvent en courant continu (DC) ce qui est
prfrable car plus simple mais ds que lon touche a lhabitat, il y a souvent des appareils en courant
alternatifs (AC) alimenter .parce quils nexistent pas en continu.

Figure II. 69 : Systme photovoltaque avec stockage

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Chapitre2

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La batterie dun tel systme se charge le jour, et sert de rservoir dnergie en permanence ,toute
comme la citerne deau du systme de pompage solaire dcrit prcdemment .Elle peut sans problme ,
un instant donn, recevoir un courant de charge et dbiter un courant de dcharge de valeur dfrente .Les
appareils aliments sont donc cbls sur la batterie au travers du rgulateur de charge. Lorsque la batterie
est pleine, ce dernier coupe la charge pour viter quelle ne soufre de surcharge .ceci a pour consquence
la perte dune part de lnergie produite (excdentaire pour lapplication) en t notamment sous nos
climats.
Quant un rcepteur doit ncessairement fonctionner en courant alternatif not AC, on recourt a une
conversion DC/AC (du courant continu en alternatif) en sortie de batterie .cela nest pas sans
consquence, notamment :
v Augmentation du cout et de lencombrement de linstallation
v Rduction du rendement nergtique (aucun convertisseur ne restitue 100% de lnergie).
v Risque de panne complte en cas de problme sur le convertisseur si toute linstallation lectrique
est aliment par sont intermdiaire.
v

VI.3.Systme autonomes hybrides :


Lnergie produite par les systmes photovoltaques dpend de lensoleillement ,la cellule produit de
lnergie lorsquelle est expos a la lumire, donc le panneau ne produit pas de llectricit au moment
nocturne ,hors la consommation nest pas stable et ne sarrte pas la nuit ,do lutilit de se disposer
dune autre source dnergie pour assur lapprovisionnement de lnergie .cette autre source peut tre un
groupe lectrogne gnratrice ou une olienne. On retiendra lolienne si le site est bien vent, de
prfrence au cours des saisons ou lensoleillement est plus bas mais quand lapprovisionnement en diesel
est possible, le groupe lectrogne est plu confortable.

Figure II. 70 : Installation hybride

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Chapitre2

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VI.4.Systme raccords au rseau :

Lnorme avantage de cette solution, cest que le rseau joue le rle de stockage illimit , et donc
lintgralit de lnergie et rcupre. On na plus besoin de batterie, ni de contrleur de charge.
Llectricit produite en courant continu doit cependant tre mise en forme en courant alternatif au
travers dun onduleur DC/AC qui respecter des normes sur la qualit pour tre homologu par la
compagnie dlectricit qui va recevoir ce courant ( qualit sinusodale du courant et dautres
paramtres indispensables).si le site de production est galement un site de consommation (une
habitation),il y a deux solutions possibles :soit la vente de la totalit du courant produit ,et la
consommation par ailleurs du courant fourni par la compagnie, soit la vente seulement du surplus du
courant non consomm.

Figure II. 71 : Systme photovoltaque raccord au rseau

Avantage du systme raccord au rseau :


Exploitation de la totalit de lnergie photovoltaque issue des panneaux le stockage
est infini .
Economie de lordre de 40% sur les investissements (les batteries en moins).
Maintenance quasi inexistante (ce sont les batteries qui demandent le plus dattention).
Meilleur dure de vie du systme.

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Chapitre2

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VII. Conclusion :

Dans ce chapitre on a prsent les diffrents types de cellules photovoltaques ainsi que la
procdure de leurs fabrications et leurs caractristiques, courant tension, puissance rendements.et les
principaux domaines de leur utilisation.

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Concep on du systme phot ovol ta que

Chapitre
III

I.1. introduction :
Les gnrateurs autonomes sont les plus anciens historiquement, ils sont apparus dans les
annes 1970 avec les panneaux solaires monts sur les satellites, autonomes par
xcellence.ont trs vite suivi les applications de pompage et dlectrification rurale dans les
pays en voie de dveloppement, puis les applications autonomes domestiques et techniques
dans les pays industrialiss.
Nous avons dcrit succinctement dans les chapitres prcdents les tapes de fabrication et de
calcul dun systme photovoltaque permettant une premire estimation.
Le dimensionnement prcis est en ralit un processus relativement complexe car il y a de
nombreux paramtres prendre en considration, une certaines dose dimpondrable (la
mto), et surtouts de multiples interactions entre les choix. Par exemple la consommation du
rgulateur de charge doit tre ajoute celle des rcepteurs pour dfinir la consommation
totale du systme. Or le chois du rgulateur dpend de la taille du champ photovoltaque, lui
mme dterminer par la consommation
Donc la conception dun systme photovoltaque et le rsultat dune optimisation ralise par
itration. Le diagramme prsent la figure ci-dessous rsume la marche suivre dans le cas
simple dun systme photovoltaque (sans conversion dnergie ni source auxiliaire).
Il existe de nombreux logiciels de calcul et de doptimisation on cite par exemple
Meteonorm2000 (version 4.0), PVSYST, et le canadien RET screen. Ces logiciels ont plus au
moins de possibilits (comme celles de calculer les pertes provoques par des ombrages) mais
ils suivent tous une dmarche similaire, que lon peut rsumer en sept (7) points :[19]
Etape 1 : dtermination des besoins de lutilisateur : tension, puissance des appareils et dure
dutilisation.
Etape 2 : chiffrage de lnergie solaire rcuprable selon lemplacement et la situation
gomtrique.
Etape 3 : dfinition des modules photovoltaques : tension de fonctionnement, technologie et
la puissance totale linstaller.
Etape 4 : dfinition de la capacit de la batterie et le choix de la technologie.
Etape 5 : choix dun rgulateur.
Etape 6 : plan de
cbles

cblage : dtermination des accessoires de cblage, des sections de

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Chapitre
III

Figure III.1 : Diagramme simplifie du dimensionnement dun systme photovoltaque


autonome DC [15]

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Concep on du systme phot ovol ta que

Chapitre
III

II. Les tapes de dimensionnement :


II.1.Dtermination des besoins de lutilisateur :
Pour un bon dimensionnement dune installation photovoltaque, une valuation minutieuse
des besoins en nergie doit tre faite, cela permet de disposer dun systme bien adapt,
sachant que toute exigence supplmentaire se traduira par une augmentation de la puissance
mettre en uvre : plus de panneaux, plus de batteries.

Remarque :
-

La puissance est une donne instantane (comme un dbit).


Lnergie cest une donne intgre sur une priode de temps (comme un volume).

Ces deux grandeurs sont relies par le temps. Lnergie est le produit de la puissance par le
temps :[15]

E = P *t

(III.1)

Cette relation permet de calculer la consommation journalire en nergie, qui est le produit de
la puissance consomme par le temps dutilisation par jour. En effet, comme un systme
photovoltaque fournit son nergie le jour, il est naturel de prendre la priode de 24 heures
comme unit de temps.
On notera Econs (lnergie lectrique consomme en 24 heures par lapplication), en
wh/jour. Ou on lappelle consommation journalire
Le calcule dune consommation totale dune application, ce fait on valuant lnergie
lectrique consomme en 24 heures par chaque appareil et on les additionne :[15]

Econs = P1 * t1 + P2 * t2 + P3 * t3 + ...

(III.2)

II.2. Facteurs considrer pour lestimation de lnergie solaire


rcuprable :
II.2.a. orientation et inclinaison des modules :
La position des modules photovoltaques par rapport au soleil influe directement sur la
production nergtique. Il est trs important de bien les places pour les utiliser au maximum
de leurs possibilits. On appelle orientation le point cardinal vers lequel est tourne la face
actif du panneau (sud, nord, sud-ouest ). Quant linclinaison, elle indique langle que fait
le panneau avec le plan horizontal, elle se compte donc en degrs.

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Chapitre
III

Quant on a le choix, lorientation idale dun module photovoltaque obit une rgle trs
simple retenir : vers lEquateur, ce qui donne :
-orientation vers le Sud dans lhmisphre nord.
-orientation vers le Nord dans lhmisphre sud,
En ce qui concerne linclinaison, cest un peut plus compliqu. Prenons dabord le cas dune
application autonome qui consomme une nergie quasi constante tout au long de lanne.
Lhiver tant la priode la moins ensoleille, cest cette priode quil faut optimiser la
production. Il en rsulte quen Europe, pour une utilisation annuelle, linclinaison idale est
environ gale la latitude du lieu + 10( pour une orientation Sud).
Quant lapplication fonctionne seulement en priode estivale, une inclinaison de 20 30 est
prfrable, toujours pour une orientation Sud.
Cette orientation Sud nest pas toujours possible sur une habitation cause de son
implantation par rapport aux points cardinaux .on exclut gnralement les orientations Nord,
Nord-est et Nord-Ouest qui sont vraiment dfavorables, il est par contre envisageable de
placer des modules vers lEst et lOuest. En effet, par rapport un emplacement idal 30
Sud, on ne perdra pas plus de 15% en production annuelle, pour les orientations Est, Ouest,
Sud-ouest et Sud-est.

Figure III.2 : Abaque donnant langle dinclinaison du module en fonction de


la latitude et de mois[14]
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Chapitre
III

II.2. b. donnes mtorologiques :


Grace aux stations mtorologiques, on dispose de nombreuses donnes statistiques de
rayonnement solaire intgres en KWh/m2.jour. Ce sont ces donnes, globales sur une
journe, qui servent la plupart du temps au dimensionnement dun systme photovoltaque.
Pour une exposition sans ombres portes, on peut raliser un dimensionnement assez prcis
avec 12 valeurs de rayonnement solaire.
Pour un dimensionnement plus rapide, on se servira de la valeur la plus faible de la priode de
fonctionnement de lapplication. Pour une utilisation annuelle, cest souvent la valeur de
dcembre la plus basse.

II.2.c. ombrage :
Il faut faire trs attention aux ombrages partiels, mme trs ponctuels : si une cellule est
ombre, cest le courant de toute la chaine de cellules en srie qui est limit et cela peut avoir
de graves consquences si les panneaux ne sont pas quips de diodes shunt. Attention aussi
aux montages en sheds (ranges) : pour limiter de lombrage mutuel dun shed sur lautre.

III. dimensionnement du gnrateur photovoltaque :


III.1. la puissance crte :
La puissance crte est une donne normative applique aux cellules photovoltaques. Elle
correspond la puissance qui peut dlivrer dans les conditions standards densoleillement
(1000 W/m2, 25C).
En pratique, la puissance dun capteur install dans un site natteint jamais la puissance crte
cause de la variation densoleillement, de lorientation et de sa temprature.

PC = NS * NP * PCU

(III.3)

PC : puissance crte en Watt crte (WC).


NS : nombre de module en srie.
NP : nombre de branche en parallle
PCU : puissance crte unitaire (Wc)

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Concep on du systme phot ovol ta que

Chapitre
III

III.2. Estimation de la production lectrique dun module :


Si le module est expos dans les conditions STC, il va produire un instant donn une
puissance lectrique gale cette puissance crte, et si cela dure N heures, il aura produit
pendant ce laps de temps une nergie lectrique

E p =N*Pc

(III.4)

N : nombres dheures dexposition aux conditions standard STC (h).


Ep : nergie lectrique produite (Wh).
Comme le rayonnement nest pas constant pendant une journe densoleillement donc on ne
peut pas appliquer strictement cette loi, alors lnergie produite est calcule comme suit :

EP = Pcu *[

]*K

(III.5)

EP : nergie produite par jour (Wh/j).


Pcu : puissance crte unitaire (Wc).

Gmin : irradiation moyenne journalire minimale (Wh/m2).


Enom : clairement nominale (conditions standards).
K : coefficient tenant compte des facteurs suivants :
Lincertitude mtorologique.
Linclinaison non corrige des modules
La perte du rendement du module dans le temps
Le rendement du chargeur et de londuleur
Les pertes dans les cbles et connexion
La valeur de K et comprise entre 0.55 et 0.75 pour les systmes avec batterie.la valeur utilise
et 0.6.

On a montr dans le tableau suivant les dfrentes technologies des panneaux et leurs
caractristiques :

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Chapitre
III

Concep on du systme phot ovol ta que

Type

Kaneka
(japon)
Schott solar
(Allemagne
)
Inventux
(Allemagne
)
Inventux
(Allemagne
)
XsunX
(USA)
Sharp
(japon)

Unisolar
(USA)

First solar
(USAEurope)
Sulfur cell
(allemagne)

Dimensions
du module

Silicium amorphe
simple jonction
Silicium amorphe
double jonction

UOC

Puissance > 60 Wc
960*990m 91,8V
m
1108*1308 23,4mm
23,6V

ICC

Pmax

Rendemen
t module
STC

1,19
A
6,606,69
A
1,091,16
A
1,321,42
A

67
Wc
9095
W
7994
W
105130
W

7%

127
Wc
90
W

7,9 %

136
Wc

6,3 %

5565
Wc
5060
Wc

7,6-9 %

Silicium amorphe
simple jonction

1100*1300
mm

136139V

Cellule
micromorphes
(amorphe/microcri
stalline)
Silicium amorphe
double jonction
Cellule
micromorphes
(amorphe/microcri
stalline)
Silicium amorphe
triple jonction
flexible

1100*1300
mm

128133V

1000*1600
mm
1129*934m
m

58V

3A

65,2V

2,11
A

5486*394m
m

46,2V
2,1VI
cell

1200*600m
m

8891V

5,1 A
6
mA/c
m2
1,131,15
A
1,651,7 A

CdTe

CIS

1258*658m
50m
52,5 V

6,2-6,5 %
stabiliss
5,5-6,5 %

7,3-9 %

8,5 %

6-7,2 %

Tableau III. 1 : caractristiques des panneaux photovoltaques [15]

III.3. Dtermina on du nomb r e de m


o dul e nces sai re ins tal ler :
Le nombre de modules ncessaire est alors calcul par la loi suivante :

Nm=

(III.6)

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Chapitre
III

Nm : nombre de modules ncessaire linstallation.


o : rendement de londuleur

g : rendement du gnrateur

Ec : nergie consomme par jour (Wh/j)

III.4. dtermination de nombre de module en srie :


Ns =

(III.7)

Ns : nombre de module en srie.


U : tension de travail de linstallation (V).
Un : tension nominale dun module (V).

III.5. dtermination de nombre de branche en parallle :


Np =

(III.8)

Np : nombre de branche en parallle.


Nm : nombre de modules ncessaire linstallation.
Ns : nombre de module en srie.

III.6. surface total du gnrateur :


S = Nm * Sm

(III.9)

S : surface totale du panneau solaire (m2).


Sm : surface dun module (m2).

IV. Dimensionnement des accumulateurs et du rgulateur :


Le stockage de lnergie dans les systmes photovoltaques autonomes est en gnral assur
par des batteries, ou accumulateurs.
Seules quelques applications utilisant lnergie au fil du soleil comme par exemple du
pompage ou de la ventilation peuvent se passer daccumuler lnergie

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Chapitre
III

IV.1.Dimensionnement de laccumulateur :
Dimensionner la batterie, cest choisir un stockage tampon permettant de saffranchir des
variations climatiques temporaires, lchelle de lheure, de la journe (elle assure le
fonctionnement nocturne), et de quelques jours de mouvais temps. Dans certaines rgions,
comme par exemple dans de nombreuses parties dAfrique, trois jours dautonomie sont
suffisantes mais par contre en Amrique du nord cette valeur peut tre fixe 14 jours.

Cmin =

(III.10)

Cmin : capacit minimale de la batterie en ampres-heures. [Ah]


Econs : besoins nergtiques quotidien en wattheures ( Wh)
Nja : nombre de jours dautonomie surmonter (entre 3 15 jour).
on : rendement de londuleur dcrivant ces pertes de transformation ( gale 1 si aucun
onduleur nest utilis)
laa : le rendement des lignes de transmission concernes dcrivant les pertes de
transmissions dans les lignes lectriques de laccumulateur vers lappareil.
U : la tension continue du systme en volts (V).
Selon la puissance crte, on choisit la tension de la batterie comme suit :
Pour
Pour
Pour

Pc < 150 Wc
150 < Pc < 1000 Wc
Pc > 1000 Wc

U=12 V.
U= 24V.
U=48 V.

T : dcharge profonde autorise (de 0.3 0.9).

IV.1.a. capacit utile de stockage :


(III.11)

Cu =
Cu : capacit utile (Ah).
U : tension de travail de linstallation (V).

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Chapitre
III

IV.1.b. Nombre dlments batterie en srie :


Nbs =

(III.12)

Nbs : nombre dlments batterie en srie.


Ub : tension de llment donn par le constructeur (V).

IV.1.c. Nombre de branches dlments en parallle :


Nbp =

(III.13)

Nbp : nombre de branches dlments en parallle.


Ce : capacit dun lment batterie donn par le constructeur (Ah).

IV.1.d. Nombre total dlments de batterie :


Nb = Nbs * Nbp

(III.14)

Nb : nombre total dlments batterie.

IV.2.Dimensionnement du rgulateur :
Le rgulateur sert augmenter la dure de vie des accumulateurs tout en atteignant les rendements
les plus levs possibles. En adaptant de faon optimale llectricit produite par le gnrateur
photovoltaque (tension et courant de charge) et destine la charge des accumulateurs.
Ils assurent principalement les taches suivantes :
-protection de laccumulateur contre les dcharges profondes.
-limitation de la tension de charge terminale (protection contre les surcharges).
-prvention de la dcharge des batteries pendant la nuit dans les rsistances internes du
gnrateur photovoltaque.

V.dimensionnement de la section des cbles :


Au dbut il faut faire un plan lectrique global de linstallation, et prvoir lemplacement des
composants aussi prcisment que possible pour en dduire les distances : module- rgulateur,
rgulateur -batterie, rgulateur-rcepteur, sur le plan lectrique on reprera chaque cble, sa longueur
et lamprage quil devra transporter Ensuite on calcule les sections de cble.

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Chapitre
III

Figure III.3 : Diagramme dun cblage dun chalet[15]

Nota :

il est important de vrifier que les diamtres de cble choisit sont compatible avec les borniers
des composants retenus : modules et rgulateur.il arrive que ils nacceptent pas la section de
cble que lon souhaite y mettre, il faut alors une boite de jonction intermdiaire ou un bornier
supplmentaire pour y remdier
pour une bonne mesure de la tension de la batterie par le rgulateur, celui-ci doit tre plac le
plus prs possible de la batterie.

V.1.Choix des sections de cble :


I1
+ I2
B
Panneaux
solaires

Ion
Ib

-Figure III.4 : schma simplifi de linstallation


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Onduleur

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Chapitre
III

a) calcul des courants :


courant de sortie dun module sa puissance nominale :
I1 =

(III.15)

I1 : courant de sortie des panneaux


: Puissance crte unitaire
: Tension nominale dun module

courant circulant entre le boitier de raccordement et londuleur et


la batterie I2 :

I2 = I1.Np

(III.16)

Loi des nuds :

I2=Ion+Ib

(III.17)

La chute de tension dans un conducteur est donne par la loi dOhm :


dV = R x I

(III.18)

R= x

(III.19)

calcul des sections :

S=
Avec : R= rsistance [].

(III.20)

(III.21)

R=

L : longueur des cbles [m].


: Chute de tension
2
S : section [mm ] du conducteur.
: rsistivit valant environ 20 m.mm2/m pour le cuivre
=2.10-8m2/m
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Chapitre
III

courant continu :
La premire rgle suivre est des m
e r quel les per tes en l igne sont accept abl es ; i l faut
comparer la chute de tension sur les deux ples pour courant allant et revenant au
rcepteur.

Remarque :
Pour la liaison panneau-rgulateur, on peut accepter environ 0,5V comme perte au courant
nominal des panneaux alors que pour la liaison rgulateur-batteries il faudrait rester au
dessous de 0.05V si on veut garder une bonne prcision de rgulation.
Pour le cblage des rcepteurs, une perte maximale de 4% est tolrable
Pour la liaison entre les panneaux solaires, tous les cblages en extrieur, il faut utiliser des
cbles souples multibrins isolant aux UV (caoutchouc par exemple).
Labaque ci-dessous dtermine directement les sections de cbles (pour une chute de tension
de 3 4%), on peut ensuite calculer la perte exacte au moyen de tableau prcdant.

Figure III.5 : Abaque de Dtermination des Sections De cble En courant Continu [15]

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Chapitre
III

Courant alternatif :
Pour une distribution en alternatif dans un systme onduleur, tout le cblage 230VAC doit
respecter les normes du pays concern, on pourra se renseigner auprs des compagnies
dlectricit.

VI. Installation et maintenance dun systme autonome :


Les particularits du courant continu et la basse tension lie aux grands courants imposent
certaines prcautions particulires, dautre part, les panneaux solaires devant tre monts
lextrieur, toute une srie de problmes lis lenvironnement peuvent apparatre : corrosion ou
vieillissement en fonction de la salinit, des matriaux et des choix de montage. Nous allons passer
en revue les rgles dinstallations et dentretien de tous les composants :

VI.1.Montage et entretien des modules :


Linstallation des modules photovoltaques se fait en deux temps : montage mcanique et
connexions lectrique. Toute en assurant que certains prcautions devront tre prises, pour que
linstallation ne prsente aucun risque lectrique, pour quil soit fiable pour fournir le service
demand sans dfaillance, et durable pour causer le moins dentretient possible.

Installation mcanique :
On a trois types de montage mcanique pour les panneaux photovoltaques ; le montage
surimpos en toiture ou faade, lintgration au btiment, le montage sur chassis.ces montages
sont valables pour des installations raccordes comme pour des installations autonomes.

Remarque :

Si plusieurs chssis sont placs les uns derrire les autres(en sheds) surtout en climat
tempr ou le soleil est bas, on prendra garde ne pas faire dombre aux panneaux placs
derrire. Cela peut amener rehausser les panneaux placs derrire

Pour les petits systmes autonomes, on recourt aussi souvent au montage sur mat ou sur
coffret.

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Chapitre
III

-Le montage sur mat :


Il est trs commode dans la place ou il ny a pas de place sur le sol ou pour
saffranchir dobstacle qui feraient de lombre, il est rserv aux surface limites (<5m2), les
dispositifs de fixation doivent tre robustes et creux pour rsister au vent et pour passer les cbles
lintrieur

Figure III.6 : Fixation de module sur mat[15]

-Le montage sur coffret :


Il permet dintgrer des petits modules photovoltaques sur une application
lectronique, notamment les modules au silicium amorphe.

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Chapitre
III

Montage lectrique des modules :


Scurit :
Un module photovoltaque dbite un courant continu d la prsence de lumire qui peut
savrer parfois dangereux ; lorsque la tension dbite dpasse 120V, do il faut prvoir des
mesures de scurits lors de linstallation(les travaux de cblages surtout sur les installations
destiner produire des centaines de Volts) et aprs installation aussi.

Remarque : pour prvenir ce type de risque, il faut maintenir un tissu opaque sur les
modules pendant toutes les oprations de cblages pour quils ne produisent pas dlectricit.

Boite de connexion :
Les modules sont pour la plupart quips dune ou deux boites de connexion en face arrire
quipe avec des diodes by-pass.
Les rgles de cblages des modules sont les suivantes :
- Les presse-toupes de sortie doivent tre mis vers le bas dans la mesure du possible,
sinon sur le cot, mais jamais vers le haut, afin d viter tout infiltrations de goutte
deau
- Les gaine du cble doit entrer dans la boite de connexion, et la presse toupe serr
dessus.
- Le cble qui sort du module doit suivre la rgle de la goutte deau en faisant un U qui
dirigera lcoulement vers le bas.
- Vrification des polarits avec un voltmtre lintrieur de connexion (mme sous sa
couverture, le module aura une polarit)
- Une fois les cbles branchs, les connexions seront toutes recouvertes dune rsine de
protection genre colle froid , ainsi que la sortie de presse-toupes et le couvercle de la
boite avant fermeture
- Si un cble doit traverser une traverser une paroi extrieure, prparer le cble pour quil
forme aussi un U (goutte pendante) et quil traverse un mur en montant, puis ajouter de
la silicone autour de la section de traverse pour parfaire ltanchit,
Mise en srie.

VII. Conclusion :
Ce chapitre nous a permet de connaitre les diffrentes tapes de dimensionnements dune
installation photovoltaque autonome et les principaux facteurs prendre en considration.

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Pr senta on de la bi bl iot hque cent ral e


et dimensionnement des capteur s

Chapitre
IV

I. Introduction :
Le dimensionnement dune installation photovoltaque a pour objectif de rpondre aux
besoins en nergie lectrique dun site. La dtermination de la puissance qui peut tre dlivre
par ces installations dpend des donnes mtorologiques (ensoleillement, insolation,
temprature extrieure) du lieu de limplantation et de la gamme des panneaux choisis elle
doit assure lapprovisionnement de lnergie lectrique tout au long de la priode
dtermine.

II. Calcul de linstallation photovoltaque :


II.1. Dtermination des besoins en nergie lectrique :
La bibliothque centrale de luniversit de Tizi-Ouzou (Hasnaoua 2) est un
immeuble comportant des locaux administratifs, des salles, une mdiathque, des salles
darchives et de locaux des services.
Les besoins en nergie lectrique sont dfinis en fonction du temps dutilisation, de 8 h 17 h.
Le calcul et tabli en considrant tous les appareils fonctionnant a lnergie lectrique tenant
compte de leur dure de fonctionnement journalire.
Les rsultats obtenus (puissance totale, besoins journaliers) sont rcapituls dans le tableau
suivant :
Equipement

Nombre

Puissance (W)
(unit)

Puissance (kW)
(totale)

Dure
du lisa on
(heure)
08

Puissance
(KWh/jour)

Micro-ordinateur

224

100

22,4

Lampe

420

20

8,4

04

33,6

Imprimante

08

100

0,8

02

1,6

Photocopieuse

10

250

2,5

02

Scanner

02

250

0,5

01

0,5

179,2

219,9

Totale

Tableau IV.1 : inventaire des consommations

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et dimensionnement des capteur s

Chapitre
IV

La consommation totale dnergie Econs :


Econs = P1 . t1 + P2 . t2 + P3 . t3+ P4 . t4+ P5 . t5
Econs=22,4.8+8,4.4+0,8.2+2,5.2+0,5.1=179,2+272+1,6+5+0,5
Econs=219,9 KWh/jour
II.2. Evaluation de lnergie solaire rcuprable :
II.2.1. fraction dinsolation :
Les valeurs de SS, SS0 sont donnes par le tableau (IV.2) et est calcul par lquation (I.24).
ces valeurs sont rcupres auprs des centres mtorologiques de tizi ouzou enregistres entre
2000 et 2010.[13]

Mois Jr

SS0

jan
Fv
Mar
Avr
mai
juin

97
105
112
132
140
144

12
10
01
22
16
03

2000
SS
86
89
89
116
120
127

0,88
0,84
0,79
0,87
0,85
0,88

jui
07 144 122 0,84
Aout 08 137 108 0,78
sep 26 119 41 0,34

2001
SS
11
68
82
115
71
128

0,11
0,64
0,73
0,87
0,50
0,88

2003
SS
66
01
71
94
60
116

2004
SS
0,68 88
0,009 91
0,63 02
0,71 92
0,42 73
0,80 114

92 0,63 31 0,21
127 0,92 72 0,52
77 0,64 108 0,90

62
70
55

0,90
0,86
0,01
0,69
0,52
0,79

2005
SS
65
88
106
119
84
02

0,43
0,51
0,46

114 0 ,79
116 0,84
64 0,53

0,67
0,83
0,94
0,90
0,60
0,01

oct
Nov

17 111 107 0,96 53


13 101 01 0,009 03

0,47 11
0,02 28

0,09
0,27

101 0,90 81
01 0,009 81

0,72
0,80

dc

17 95

0,47 75

0,78

27

0,84

59

0,62

45

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0,28

80

Pr senta on de la bi bl iot hque cent ral e


et dimensionnement des capteur s
Mois
jan
Fv
Mar
Avr
mai
juin

Jr

SS0

12
10
01
22
16
03

97
105
112
132
140
144

2006
SS
31
46
00
56
114
123

0,31
0,43
0,00
0,42
0,81
0,85

2007
SS
75
80
103
114
107
66

0,77
0,76
0,91
0,86
0,76
0,45

2008
SS
66
93
74
121
21
117

2009
SS
14
88
28
01
124
129

0,68
0,88
0,66
0,91
0,15
0,81

2010
SS
0,14 23
0,83 67
0,25 101
0,007 12
0,88 113
0,89 83

Chapitre
IV
SSmoy
0,23
0 ,63
0,90
0,09
0,80
0,57

52,5
71,1
65,6
84
88,7
100,5

0,53
0,67
0,58
0,63
0,62
0,69

juil
Aou
sep

07 144 116 0,80 107 0,74 93


08 137 82 0,59 95 0,69 80
26 119 107 0,89 98 0,82 02

0,64 119 0,82


0,58 118 0,86
0,01 99 0,83

133 0,92
122 0,89
24 0,20

98,9
99
67,5

0,69
0,71
0,56

oct
Nov

17 111 79
13 101 33

0,71 54
0,32 68

0,48 77
0,67 43

0,69 106 0,95


0,42 11 0,10

5
96

0,04
0,95

67,4
36,5

0,58
0,35

Dc

17 95

0,27 87

0,91 00

0,00 25

86

0,90

51

0,44

26

0,26

Tableau IV.2 : Relev des valeurs moyennes mensuelles des dures dinsolations (SS),et
dures maximales mensuelles dinsolation (SS0), et fraction dinsolation ( ) pour les
annes (2000..2010).[13]
Unit utilise : heure et 10eme dheure (1/10 heure =6 minutes)

IV.2.3.calcul des diffrents rayonnements ( G,D,I) sur une surface


horizontale :
Le tableau ci-dessous nous donne les valeurs de
(I.17),(I.18),(I.19).
mois

G*

Janvier

fvrier

3314

4528

0,53

mars

avril

mai

juin

G, D et I en utilisant les quations

Juillet

Aout

septembre

octobre

novembre

dcembre

5952 7268 8066 8304 8010 7272

6128

4754

3524

2940

0,67

0,58

0,71

0,56

0,58

0,35

0,44

2377

3616

4442 5635 6207 6727 6489 5976

4502

3548

2160

1955

592

632

988

918

1049

789

744

580

1785

2984

3454 4530 4957 5622 5423 5058

3453

2759

1416

1375

(Wh/m )

0,63

0,62

0,69

0,69

(Wh/m )

1105 1250 1105 1066

(Wh/m )

(Wh/m )
Tableau IV. 3 : valeurs de G, D et I pour une surface horizontale

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et dimensionnement des capteur s

Chapitre
IV

II.2.4.calcul des diffrents rayonnements (G, D, I) sur une surface incline :


Le tableau ci-dessous nous donne les valeurs de G, et I (livre atlas solaire dAlgrie et
lquation (I.19) pour calculer D, unit utilise Wh/m2
mois

Janvier

Fvrie
r

Mars

avril

mai

juin

Juillet

Aout

septembre

octobre

novembre

dcembre

G (= )
D (= )
I (= )

3650

4050

4664

5046

5660

5350

5964

6220

5444

4450

4380

3522

1288

1636

1960

2152

2070

2100

1858

1736

1746

1582

1242

1159

2362

2414

2704

2894

3590

3250

4106

4484

3698

2868

3138

2368

Tableau IV. 4 : valeurs de G, D et I pour une surface incline

III. dfinition des modules photovoltaques : tension de fonctionnement,


technologie et la puissance totale linstaller :
Donnes gographiques de la bibliothque :
Latitude :

= 3641 N

Longitude : = 403 E

Altitude : A = 20m

Albdo :

Orientation sud : =0

a=0 ,20

Inclinaison : =30

Caractristiques du panneau utilis :[16]


panneau solaire mono-cristallin
Puissance crte unitaire : Pcu =130 Wc
=3522 Wh/j daprs le tableau (IV. 4)
K= 0,6
On=0,93

T= 0,5
;

g=0,93

Tension de travail : U = 220 V,


= 3%

Sm = 1,082. 0,796 = 0,86 m2

Ce = 2000 Ah

Pon =2300 w

= 0,93

Enom=1000W/m2

tension nominale dun module : Un = 24 V

= 2, 10-8 .m

III.1. Estimation de la production lectrique dun module :

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et dimensionnement des capteur s

Chapitre
IV

Sous les conditions standards de la temprature et de lclairement.


EP = Pcu .[

].K
].0,6 = 274,7 Wh/j

EP = 130.[

EP = 274,7 Wh/j

Lnergie minimale totale produite par linstallation EPt :


EPt = EP . Nm = 274, 7. 1027 = 282, 1 KWh/j
EPt = 282,1 KWh/j

III.2. Dtermination du nombre de module ncessaire installer :


Nm=

, .

. ,

Nm= 1027 modules

= 1026,41027 modules

III.3. dtermination de nombre de module en srie :


Ns =

Ns = 10 modules

= 10 modules

III.4. dtermination de nombre de branche en parallle :


Np =

Np =

= 102,7 103 branches en parallles

IV. surface total du gnrateur :

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Chapitre
IV

S = Nm . Sm= 1027 . 0,86 = 883,22m2


S= 883,22 m2

V. Dimensionnement de laccumulateur :
Puissance crte :
PC = NS . NP . PCU = 10 . 103 . 130 = 133,9 KW
PC = 133.9 KWC

1000WC Ub = 48 V

Nja = 3 jours dautonomie

La capacit de la batterie :
Cmin = CS =

. .

Cmin = CS =

6934,06 Ah

, .

. , . ,

capacit utile de stockage :


=

Cu =

= 31,51 Ah

Cu = 31,51 Ah

Nombre dlments batterie en srie :


Nbs =

= 4,58 lments

Nbs = 4,58 5 lments

Nombre de branches dlments en parallle :


Nbp =

= 0,015 1 branche

Nbp = 1 branche

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. ,

6934,06 Ah

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Chapitre
IV

Nombre total dlments de batterie :


Nb = Nbs . Nbp = 5 . 1 = 5 lments
Nb = 5 lments

VI. Choix des cbles :


I1

+ I2

Ion

B
Panneaux
solaires

Onduleur

Ib

-Figure : IV.1. Schma simplifie de linstallation

a) Calcul des courants :


courant de sor e d un m
o dul e sa pui ssanc e nomi nal e :
I1 =

= 5,41 A

I1 = 5,41 A

courant circulant entre le boitier de raccordement et londuleur et


les batteries I2 :
I2 = I1.Np =5,41.103=557,23 A
I2 =557,23 A

Loi des nuds :

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Chapitre
IV

Lors de la charge des batteries :

I2=Ion+Ib
Lorsque les batteries sont charges:
Ib=0

donc I2= Ion=557,23 A

b) Calcul des sec ons pour les di rent es branches :

Sec on des conduc teur s ent re les panneaux et le boi er de r accordemen t :

R=

= 0,13

R = 0,13
L1 = 20m (la longueur des cbles entre le boitier de raccordement et les panneaux)
R=x

S=

. .

= 3,07.10-6 m2

S = 3,07. 10-6 m2
Section du conducteur entre le boitier de raccordement et
londuleur et les batteries :
R=

= 1,29*.10-3

R = 1,29. 10-3
L2 = 10m (la longueur des cbles entre le boitier de raccordement et londuleur)
R= x

S=

. .
.

S = 1,55. 10- 4 m2
r=7 mm (rayon du cble)

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= 1,55. 10- 4 m2

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Chapitre
IV

VII. Estimation de la production dun module pendant la saison estival :


Le rayonnement global de la saison estival (mai,juin,juillet, voir le
tableau IV4.)

Gmoy,stival=

Gmoy,stival=

Lnergie produite pendant la saison estivale par un seul module


EP es :
EP es = Pcu .[
EP=130.[

].K

].0,6=441.3 Wh/j

EP=441, 3 KWh/j
Lnergie totale produite par linstalation pendant la saison
estival EPt es :
EPt es = EP es * Nm = 441,3 . 1027 = 453,21 KWh/j
EPt es = 453, 21 KWh/j
VII.1. Le gain dnergie :
= EPt es - EPt =

453,21 282,1 = 171,11Kwh/j

-Energie ncessaire au fonctionnement des pompes chaleur :


Consommation dune
pompe (KW)

Nombre de pompe

Dure dutilisation
(h)

Puissance totale
consomme (KWh/J)

9,1

04

04

145,6

Le surplus dnergie peut faire fonctionner les 04 pompes a chaleurs.

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Chapitre
IV

VII.2. estimation du cout de linstallation :


On a opt pour des panneaux solaires de type monocristallin qui dbite une puissance crte de
130W.
Ils sont quips dun botier de jonction tanche (IP65) situ larrire du panneau et protg
par un joint garantissant ltanchit. Le botier est galement dot de deux diodes anti retour.
Les polarits sont clairement indiques afin dviter toute inversion. Les presse-toupes
assurent un passage et un serrage efficace des cbles lectriques de raccordement et qui sont
proposs pour un prix de Prix TTC : 659,00 Euros quivalent de 65900,00 DA
-

Dans notre installation on a besoin de 1027 modules pour satisfaire la consommation


quotidienne de la bibliothque

Le prix total de tous les modules est:


Prix totale = prix dunit. Nombre de module
Prix totale = 65900,00 x 1027 =67679300,00 DA

Prix total =67679300,00 DA


-les batteries stationnaires plaques tubulaires, dont les dures de vie en usage solaire
sont de 8 12 ans. Leur prix par kWh stock est de 150 . Elles sont systmatiquement
utilises pour les grosses installations solaires.

Nos batterie stockent en moyenne une nergie de lordre 100KWh,


Le prix de stockage = 1500000,00 DA pour une dure de 10 ans
Donc pour une dure de 20 ans :
Le prix total de stockage = 3000000,00 DA
-On estime le prix des onduleurs, le cblage et les frais dinstallation est de 1500000,00 DA

Le prix total de linstallation :


PT = 1500000,00 +3000000,00 + 67679300,00 =72179300,00 DA
PT = 7 217 9300,00 DA

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et dimensionnement des capteur s

Chapitre
IV

Le cout de la facture
dlectricit produite base des
hydrocarbures pour une priode de 20 ans est :
Cout moyen dun mois est de : 90 000,00 DA REF

90 000,00. 12. 20 = 21600000,00 DA


Avec la subvention de ltat de 70 DA pour le prix du KWh le prix slve :
Prix rel =405000000,00 DA
Don le prix dlectricit produite a base des hydrocarbures savre plus cher que celle
produite de lnergie lectrique.

VII.3 Calcul de prix kilowattheure solaire :


Lnergie journalire produite par linstallation est : 282.1kwh/j
Lnergie fourni par an est : 282.1.365.25 =103037,025kwh/an.
Lnergie produite sur une priode de 20 ans est :
103037 ,025. 20 = 2060740,5 kWh/20 ans
-le prix de 1kwh solaire est

,
,

= 35,02 DA

VIII. conclusion :
Dans ce chapitre on a pu dimensionner une installation photovoltaque qui pourra rpondre
au besoin nergtique de la bibliothque centrale de bastos aprs avoir fait les bilans de
puissance.
Une estimation du cot du kilowattheure solaire a t effectue afin de servir de base pour une
tude technico conomique qui pourrait tre mene pour dautres travaux venir.

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Conclusion gnrale

A travers ce thme dtude, on a pu mettre en application nos connaissances thoriques sur


les problmes du rayonnement solaire, ainsi que, que ses divers domaines dutilisation, en se
concentrant sur le domaine domestique en loccurrence lhabitat par lutilisation des capteurs
solaires de type photovoltaque.
Apres avoir fait une recherche sur le potentiel en nergie solaire de la rgion de Tizi-Ouzou,
on a constat que lnergie solaire peut tre une alternative sur et durable pour couvrir les
besoins en lectricit, ce qui nous a conduit prendre comme exemple la Bibliothque
centrale de luniversit de Tizi-Ouzou.
Le travail a consist dimensionner une installation photovoltaque qui pourra rpondre aux
besoins journalier du local, tenant compte du site et mettre en exergue les facteurs prendre
en compte pour une meilleur longvit de linstallation et une meilleur utilisation c'est--dire
pour quelle fonction sa puissance maximale.
Apres avoir calcul la consommation quotidienne en lectricit de la bibliothque qui est
valu approximativement 219 KWh/jour, le dimensionnement conduit aux rsultats
suivants : 1027 panneaux de puissance unitaire crte de 130 W, ce qui donne une puissance
totale du gnrateur gale 282,1 KWh/j, et cinq lments batteries (montes en srie) pour
lautonomie.
Pour une dure de vie de vingt ans de linstallation, il a t possible destimer le prix de
revient du Kilowattheure solaire qui est de 35 dinars algriens.
Au regard de ce qui prcde, ce systme offre plusieurs avantages, savoir
-

Comptitif
Propre et sans risques sur lenvironnement
Sauvegarde les espaces environnants du fait quil ne ncessite pas de pilonnes, cbles
et autres.
Utilisable et transfrable vers des sites inaccessibles.

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Bibliographie
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[2] jacque bernard,nergie solaire, calculs et op m
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