IC 是什麼 ?

I. C.
中文譯名 : 積體電路

英文譯名 : Integrated
Circuit
 不同外形的 IC 元件

TSOP
 IC 元件的演進
PDIP 16 L 300 mils PDIP 28 L 600 mils SOP28 300 mils

SSOP 16L

PLCC28 PLCC84 QFP160 28X28X3.4

LQFP64 10X10X1.4MM

TQFP80 12X12X1MM
 IC 元件的演進
TSOP(II)40L/44L/50L B 400 mils TSOP(II)54L/66L/86L UB/TB 400 mils

TSOP28L/32L (I) 8*13.4 , 8*20

FBGA 48 7X7X1.4 MM LBGA 160 15X15X1.46 MM

 IC Manufacture Flow

IC 前段製程 IC 後段製
程

晶圓製造 導線架
•晶棒成長
•蝕刻沖壓
•切割

IC 設計 光罩 晶片製造 IC 封裝 IC 測試
•邏輯設計 •氧化 •晶圓切割 •進料檢驗
•光罩製作
•線路設計 •光罩校準 •黏晶 •晶片測試
•圖形設計 •蝕刻 •焊線 •外觀檢驗
•雜質擴散 •封膠 •烘烤
•離質植入 •剪切成形 •入庫檢驗
•氣相沈積 •印字
•晶片針測 •檢測
 半導體產業的沿革
變革 IC 時代 第一次變革 第二次變革 第三次變革
時間 1947 年 1970 年代左右 1980 年代初期 1990 年代後期
關鍵產品誕生 SSI、MSI Microprocessor 與 Memory 的誕生 ASIC 與 ASSP 出現 SIP 出現
工作 IC 研發 IC 公司 IC 公司
IC 公司 SIP 提供者系統公司
系統公司
分割 系統研發 系統公司 系統公司
改變 取代真空管 系統公司與 IC 公司的分業 專業代工與專業設計公司出現 完全專業分工時代

系統完成

三次變革原因都包含：為了解決系統設計或 IC 設計上的問題。

資料來源： Nikkei Microdevice(1997) 陳幸雄、張如心、劉正欣半導體第三次產業變革 -SIP 席捲全球（ 1999 ）本研究整理

整合。
半導體產業價值鏈

資料來源：工研 院電子所 IT IS
計畫（ Apr.1999 ）本研究重
繪製
附註：封裝業與測試業公司家
數有重複計算
我國半導體產業其生產產品可分為：
記憶體 IC 、微元件 IC 、邏輯 IC 與類比 IC
四類。
IC 產品分類與台灣主要業者

下游廠商便將這些精密零件再加
以組合，應用於：資訊硬體、光
電應用、通訊應用與多媒體市場
資料來源：工研 院電子所 IT IS 計畫 。
 產業分工趨勢與成本 \ 價值鏈

資料來源：工研 院電子所 IT IS 計畫（ Apr.1999 ）本研究重製

 半導體產品應用

• 70 年代 : 迷你電腦、數位手錶的 8 位元處理器
• 70 年代末 : 工作站及電視遊樂器的 16 位元處理
器
• 80 年代末 : 32 位元處理器 80386 個人電腦應用
• 1993 年 : 新一代 CPU Pentium 個人電腦
• 90 年代末 : 網際網路興起、行動電話的普及
• 2000 年 ~: 資 訊 家 電 （ IA ）產
品？寬頻無線接取
設備？其他電子產品？
未來主要產品與應用產業

1. 個人電腦及其週邊
2. 寬頻網路通訊 ( 光通訊… )
3. 無線通訊 ( 行動電話 ,PDA, 藍芽 , IEEE
802.11…)
4. 記憶體 (DRAM, Flash)
5. 顯示器 (LCD)
 IC 封裝的功能與目的

利用封裝體為一個引接的介面 , 使
用 內 部電氣訊號可以透過封裝材料
將之連接到系統主機板並提供矽
晶 片 免 於 受 外 力 與 水 / 濕氣之破壞
與腐蝕等 ……… .
 IC 封裝的功能與目的

 提供電氣傳導路徑 ( 包括金線、 Lead frame

及銅導
線 ) ，讓微細的 IC 電路彼此做連結

CHIP CHIP

PCB
Chip A Interconnection Chip B
 IC 封裝的功能與目的

 保護 IC 晶片不受外力的破壞及避免溼氣滲透
到 IC 內部
 提供 IC 晶片散熱路徑 Humidity
ESD
_
_
_

IC Chip

Heat
Transfer
 封裝製程介紹
 塑膠封裝 (Plastic Package) 製程流程 ~ 球陣列基材
剖面圖及簡介

 將矽晶粒用銀膠黏著在
BT- 基板的 Pad 上
 用金線將矽晶粒之銲點
與金手指連線
 用環氧樹酯及壓鑄模將
晶粒與今線與以封包住
 蓋印、植球、成形
 技術發展趨勢
 晶片尺寸 (Chip Scale) 封裝的樣式
Au Wire Over Molded

Chip
LFBGA
Via
Laminate
Solder Ball Cu Traces
substrate

Au Wire Over Molded

TFBGA

Laminate Cu Traces
Solder Ball
substrate
 技術發展趨勢
 晶片尺寸 (Chip Scale) 封裝的樣式
Flip Chip

Soldering Bump Solder  Most Efficient Use of Silicon

 Highest Performance
IC • Low inductance
• Highest processor speeds
• Utilized in latest generation of processors
• Direct thermal path
 Practical Assembly of extremely High I/O’s
Substrate
 Smallest Possible Package
• Highest package density
• Shrink of component dimension
Soldering Ball • Used in portable electronics, medical devices,
 技術發展趨勢
 晶片尺寸 (Chip Scale) 封裝的樣式
Stack Die Development (Same Die
Size)
Bump Elastome
Bond
Gold Wire Die 2 Compound
r

 Feature

 Exchange Wire Bonding Loop

Mode From Bump Bonding to
Substrate Die 1 Solder Ball  New Loop Mode “M” Loop
and
the Loop High Could Control
at
4±1mil.
IC Assembly Process
( Integrated Circuit Assembly Process )
Standard Packaging Process
 Wafer Wafer DIE Wire Transfer
Grinding Sawing Attach Bond Molding

Dejunk Tin Marking Formming

/ Trim Plating Ink / Laser / Singulation

晶片研磨 ( Wafer Grinding):

將晶片厚度研磨至封裝製程所需要的尺寸 .

1.Wafer Size : up to 8 inches

2.After Grinding Thickness : Min
8 mils
 Wafer Wafer DIE Wire Transfer
Grinding Sawing Attach Bond Molding

/ Trim
(Wafer
晶圓切割Plating
Dejunk Tin Sawing):
Marking
Ink / Laser
Formming
/ Singulation
依據客戶所指定的晶粒尺寸 , 將晶片切割至封裝製程
所需要的尺寸 , 以利下一製程 ( 黏晶 ) 作業 .

1.Wafer Size : up to 8
inches
2.Sawing Street Width :
Min 75 um
3.Top Side Chipping : Less
Than 20 um
4.Back Side Chipping :
Less Than 20 um
 Wafer Saw ( 晶片切割 )
晶片切割之目的乃是要將前製程加
工完成的晶圓上一顆顆之晶粒
Dicing Blade （ Die ）切割分離。首先要在晶
圓背面貼上膠帶（ blue tape ）
並置於鋼
Silicon Wafer 製之框架上，此一動作叫晶圓黏片
Flame （ wafer mount ），如圖，而後
Flame 再送至晶片切割機上進行切割。切
割完後，一顆顆之晶粒井然有序的
排列在膠帶上，如圖二、三，同時
由於框架之支撐可避免膠帶皺摺而
Blue Tape 使晶粒互相碰撞，而框架撐住膠帶
以便於搬運。
       
 Wafer Wafer DIE Wire Transfer
Grinding Sawing Attach Bond Molding

Dejunk Tin Marking Formming

/ Trim Plating Ink / Laser / Singulation

黏晶 (Die Attach) & 固化烘烤 (Epoxy Curing):

將晶片固定於導線架 (Leadframe) 上 .

Bonding Type : LOC / Silver Epoxy

 Die Bonding ( 黏晶 )
黏晶之目的乃將一顆顆之晶粒置於導線架上並以銀膠
（ epoxy ）黏著固定。黏晶完成後之導線架則經由傳輸設備送
至彈匣（ magazine ）內，以送至下一製程進行銲線作業 .
 W
Wafer Wafer DIE ire Transfer
Grinding Sawing Attach Bo Molding
nd
Dejunk Tin Marking Formming
/ Trim Plating Ink / Laser / Singulation
銲線 (Wire Bonding) & 點膠 (Coating):
以細金屬線將晶片上的電路和導線架上的引腳相連
接

1.Bond Pad Pitch : 50um

2.Bond Pad Openning : 40um Pad
Window
3.Extra Low Loop:100um Min .
4.Wire Span Length : Max 7mm
Min 0.4 -0.5 mm
5.MCM Capability : 2 Layer Chip
Stackin g
 Au ( 金 ) Wire Bonding ( 銲線 )
Capillary

Gold Wire Hi v, Low c, Spark

Chip Inner Lead
D 2.5 - 3 D Pad

a b c

Wedge Bond-On ARC

About First Bond

Wire Tail End

d e f
銲線的目的是將晶粒上的接點以極細的金線
（ 18~50um ）連接 到導線架上之內引腳，藉而將
ＩＣ晶粒之電路訊號傳輸到外界。當 導線架從彈匣
內傳送至定位後，應用電子影像處理技術來確定晶粒
上各個接點以及每一接點所相對應之內引腳上之接點
的位置，然後做銲線之動作。銲線時，以晶粒上之接
點為第一銲點，內接腳上之 接點為第二銲點。首先
將金線之端點燒結成小球，而後將小球壓銲在第一銲
點上（此稱為第一銲， first bond ）。 接著依
設計好之路徑 拉金線，最後將金線壓銲在第二銲點
上（此稱為第二銲， second bond ）， 同時並拉
斷第二銲點與鋼嘴間之金線，而完成一條金線之 銲
線動作（見圖）。接著便又結成小球開始下一條金線
之銲線動作。銲線完成後之晶粒與導線架則如圖所示
Au ( 金 ) Wire Bonding
 Wafer Wafer DIE Wire Transfer
Grinding Sawing Attach Bond Molding

Dejunk Tin Marking Formming

/ Trim Plating Ink / Laser / Singulation

封膠 (Molding) & 穩定烘烤 (Post Mold Cure) :

1.Wire Sweep : Conventional mold<10%

Auto mold <5%
2.Warpage For Thin Package (TSOP /
LQFP) : Less Than 2 mils
3.Resin Bleed : Within 5 mils ( From
Package Line )
4.Body Offset : Less Than 2 mil
 Molding ( 封 膠 )
to p m o ld
封膠之目的有以下數點：
le a d f r a m e c o m p o u n d ta b le t １、防止濕氣等由外部侵入。
２、以機械方式支持導線。
３、有效地將內部產生之熱排出於外部。
４、提供能夠手持之形體。　
b o t t o m m o ld

1 ) S e ttin g F ra m e 2 ) In s e rtio n o f T a b le t
封膠之過程比較單純，首先將銲線完成之導
p lu n g e r
線架置放於框架上並先行預熱，再將框架置
於壓模機（ mold press ）上的封裝模上
，此時預熱好的樹脂亦準備好投入封裝模上
之樹脂進料口。 動機器後，壓模機壓下，
3 )T ra n s fe r M o ld in g a n d C u rin g 4 )S e p a ra tio n 封閉上下模再將半溶化後之樹脂擠入模中，
待樹脂充填硬化後，開模取出成品。封膠完
成後的成品，可以看到在每一條導線架上之
每一顆晶粒 包覆著堅固之外殼，並伸出外
引腳互相串聯在一起（如圖所 示）。

Glob Top
Over Mode
 Wafer Wafer DIE Wire Transfer
Grinding Sawing Attach Bond Molding

Dejunk Tin Marking Formming

/ Trim Plating Ink / Laser / Singulation

去膠 / 去緯 (Dejunk/Trim):
將封膠完後之導線架上多餘之殘膠及外引腳間之結合棒去除。

1.Burr Of Dam Bar : Less Than 3 mils

2.Dam Bar Unremoved : Protrusion - 2
mils ( max )
Intrusion - 0 mil
 Dejunk / Trim
Before
After Dejunk/Trim
Dejunk/Trim
 Wafer Wafer DIE Wire Transfer
Grinding Sawing Attach Bond Molding

電鍍 (Solder
Dejunk
/ Trim
/Tin
Solder/Tin
Plating
Plating):
Marking
Ink / Laser
Formming
/ Singulation
於外引腳表面鍍上一層純錫或錫合金 , 以增加其導電性及抗氧
化性，
並使其於表面黏著 (SMD) 作業時 , 易於與 PC Borad 上之錫膏結
合.

1.Plating Thickness : 300~800 u

Inch
2.Composition : Sn / Pb 85/15 , Sn
100%
3.SPC Control : For Plating
Thickness & Composition
4.Lead ( Pb ) - Free Plating : Sn /
Ag / Cu or Sn / Ag / Bi
 Wafer Wafer DIE Wire Transfer
Grinding Sawing Attach Bond Molding

Dejunk Tin Marking Formming

/ Trim Plating Ink / Laser / Singulation

油墨 / 雷射蓋印 (Ink/Laser Marking):

於膠體表面蓋印 , 以作業產品識別用 .

1.Marking Type : UV Ink / IR Ink / Laser

2.Digital Broken : Less Than 1 Time
Character Line Width
3.Character Shift : Less Than 40 mils
4.Minimize Character Height Laser : 0.5
mm, Ink : 0.4 mm
5.Minimize Character Distance Laser :
0.1 mm, Ink : 0.05 mm
Top/Bottom Ink / Laser Marking( 蓋
印)

• Method: Ink mark / Laser mark

• Key: H2 flame to remove wax on molding compound
• Check: Marking permanency
 Wafer Wafer DIE Wire Transfer
Grinding Sawing Attach Bond Molding

Dejunk Tin Marking Formming

/ Trim Plating Ink / Laser / Singulation
成型 / 去框(Forming/Singulation):

1.Coplanarity : Normal Package - Less

Than 2 mils
Thin Package - Less Than 3
mils
2.Bent Lead : Less Than 3 mils
3.End - flash : Less Than 4 mils
4.Outer Lead Pitch : 0.4 mm ( SSOP
48L , 150 mils )
5.Lead Skew : Less Than 3 mils
Forming / Singulation ( 成 型 )

剪切之目的，乃是要將整條導線架上
已封裝好之晶粒，每個獨立分開。同
時，亦要把不需要的連接用材料及部
份凸出之樹脂切除（ dejunk ）。剪
切完成時之每個獨立封膠晶粒之模樣
，是一塊堅固的樹脂
硬殼並由側面伸出許多支外引腳。而
成型的目的，則是將這些外引腳壓成
各種預先設計好之形狀，以便於爾後
裝置在電路板上使用，由於定位及動
作的連器續性，剪切及成型通常在一
部機器上，或分成兩部機（ trim /
dejunk , form / singular ）
上連續完成。成型後的每一顆ＩＣ便
送入塑膠管（ tube ）或承 載盤
（ tray ）以方便輸送。照片所示乃
剪切成型後之成品。
 Function Test Process
Visual
FT1 Burn In FT2 FT3
Inspection

Lead/Marking Visual
Bin Control Marking
Scanning Inspect Inspection

Dry Baking Packing Outgoing

 Operation life test
Burn-In
目的 : 試驗產品之操作壽命

Burn-in board Test condition:

早夭期

老年期

FAILURE
125℃,168/500/1000hrs
狀年期

RATE

TIME PS1= Vcc Max

? TIME IDEAL BURN-IN PERIOD
Frequency A0=500k(Hz) 2u sec
 IC 構裝信賴度實驗
1. Burn In : 產品生產後 , 經使用期間到廢棄為止的故障推移圖 .
2. Temperature Cycling Test: ( 溫度循環試驗 )
目的 : 檢測電子元件在溫度劇烈變化下抗變的能力 .

早夭期

老年期
試驗條件 : -550C~1250C- (Air to Air), Dwell time:
FAILURE
Min. 10 minutes.

狀年期
RATE
判定標準 : 在 3 倍放大鏡或肉眼檢查 , 其印碼不可模糊不清 , 構裝本體之
接腳及封膠口不得有裂痕或破損 . TIME
3. Thermal Shock Test ( 熱衝擊試驗 ) ? TIME IDEAL BURN-IN PERIOD
目的 : 測試塑膠成型品在溫度劇烈變化下抗變的能力 .
試驗條件 : -550C~1250C- (Liquid to Liquid), Dwell time: Min. 5 minutes
判定標準 : 在 3 倍放大鏡或肉眼檢查 , 其印碼不可模糊不清 , 構裝本體之接腳及封膠口不得有
裂痕或破損 .
PS: Item 2 & item 之故障模式 : 因熱應力效應造成金線頸斷裂或脫落或晶粒斷裂 . – Open
/ Short
4. Pressure Cook Test ( 壓力鍋試驗 )
目的 : 評價塑膠成型品在高溫 , 高 , 高壓下 , 產品之抗溼性 .
試驗條件 : 1210C, 15 PSI, 度 100% ( 時間 : 96/ 168/ 240/ 500 HRS)
判定標準 : 零件腳外觀不得有變黑及斷腳現象 .
5. Highly Accelerated Stress Test ( 加速壽命試驗 )
目的 : 評價塑膠成型品在高溫 , 高溼下 , 產品之抗溼性 .
試驗條件 : 1300C, 度 85% ( 時間 : 50/ 100 HRS)
判定標準 : 零件腳外觀不得有變黑及斷腳現象 .
PS: Item 4 & item 5 之故障模式 : 水 氣 沿 膠 體 與 膠 體 或 膠 體 與 導 線 架 之 介 面 滲 入 封 裝
體 部 , 造成 路腐蝕 ,
測試 Open 現象 .
或膠體引 間之 染 , 造成 Short 現象 .
6. Temperature Humidity Bias Test ( 溫溼度偏壓試驗 )
 華東科 技 TQM 全面品質管 理概
論
TQM 改 善 架 構 圖
管理診斷 / 顧客稽核 / 品質認證
品質推廣月活動
Check Check

策 全面品保 TQA A P A S
略 C D
設計 供應商 製程 服務及 持續改善 C D
規 品保 品保 品保 銷售品保 CI
DQA VQA IPQA SSQA 品質提昇委員會 標
劃 Quality Promotion
/ 成本管理 Committee(QPC)
準
方 交期管理 品質改善團隊 (QMT)
針 新產品開發
Quality Management
Team
化
管
人力資源管理
理
建議案活動
工作環境 & 環保工安
Support Support

改善發表會
教育與訓練
TQM PDCA 問題 解決模 式

戴明 循
環
品質管制活動可以用 P-D-C-A 管理循環來說明 ,PDCA 循環
原為 Shewhart 博士所提出 , 在１９５０年代 , 日本人將其
改為
戴明循環 ( Deming cycle ).
處置 計畫
Action Plan

查核 實施
Check Do
 TQM PDCA 問題 解決模 式

PDCA 問題分析與解決的步驟
1. 主題選定 Topic selection
2. 現況掌握 & 目標設定 Current situation & Target se
3. 要因分析 Cause & Effect Analysis
4. 解析 Further analyis
5. 對策實施 Action implementation
6. 效果確認 Result confirmation
7. 標準化 Standardization
8. 殘留問題 Remaining problem
 TQM PDCA 問題 解決模 式

an A P
C D

驟 1 主題選定 掌握 問題點 查 檢表 / 管制圖

決定 主題
驟2 現況掌 握 現 況掌握 查檢 表 / 推移 圖
& 目標設 定 - 收集 事實 直方 圖
- 決定 攻擊對 象
( 特性 值 )
設定 目標與 期限
 TQM PDCA 問題 解決模 式

n A P
C D

3 要因 分析 提 出可 能之原 因 魚 骨圖 / 系統圖
矩陣 圖 / 關連 圖
4 解析 / 驗證 主要 原因 層 別法 / 散佈 圖
進一步 分析 確 認對 策內 容 實 驗設 計
變異數 分析
檢定與 推定
相關 與迴歸
TQM PDCA 問題 解決模 式
Do
A P
步驟 5C 對策實
D 施 訂定對策 實施 計劃 , 包括 甘特圖

- 實施 對策
- 時程 表
- 擔當 者

Check A P
C D
步驟 6 效果確 認 確認對策 效果 , 與目 標值 推移 圖 /
柏拉圖
比較
直方圖
掌握有形 與無 形之效 果
 TQM PDCA 問題 解決模 式

A P
C D

7 標準化 製 訂或 修訂標 準 管 制圖 / 查檢表

決定 管理辦 法
教育 訓練責 任擔 當者
殘 留問 題 尚未 實施 對策者
對策 實施後 負面 效應
謝謝 各位同 學
It will be yours

M.B.A.=Make Benz Available