精密設備於光電產業

之應用趨勢

報告人：設備研發處 范維如

旺矽科技股份有限公司
MJC PROBE INC.
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 Agenda

„ 精密設備的概念
„ 光電產業簡介

„ LED 產業製程與設備說明

„ 精密設備應用於 LED 產業

„ 結論與討論

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 精密設備的概念

天 下 “大＂ 事 成 於 “細＂

天 下 “難＂ 事 成 於 “易＂

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 精密設備的概念

設備?
是什麼?

什麼是
精密設備?

歡迎進入想像的世界
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 精密設備的概念
客戶 業務 研發 製造 製造 客戶
需求 規 研發 設 製造 組 品保 QA 品保 出 滿意
檢
劃 計 裝 驗 貨

是檢驗出來的?
精密設備 是組裝出來的?
是設計出來的?

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 精密設備的基礎設計

引言：
您發現了什麼?
‧ 軸數?
‧ 行程?
‧ 傳動方式?
‧ 精密等級?
‧ 其它?

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 光電產業簡介

‧ LCD ( 平面顯示器；3C 產業 )
‧ LED ( 發光二極體；節能 / 環保產業 )
‧ Solar Energy ( 太陽能；替代能源產業 )
‧ 光通訊產業
‧ MEMS 微機電產業
‧ ……

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 光電產業 - LCD

Array Cell Module

‧ 上、下基板貼合 ‧ 控制迴路貼合
‧ 灌注液晶 ‧ 產品組合
‧ 下基板製作
‧ 偏光膜 / 擴散板貼附
‧ Array Pattern 製作
‧ 半導體黃光製程 Î LCD TV / Monitor

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LCD 產業設備需求

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 光電產業 - LED
„ LED的發光原理係利用外加電壓的方式，促使電子與電洞於半導
體中結合後，將能量以光的形式釋放.在LED元件兩端通入極小電
流便可發光.

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LED 的分類 – 可見光

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LED 產業應用趨勢

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 光電產業 – Solar
‧ 多晶矽
‧ 砷化鎵 – 發電二極體 (PVD)
‧ 其它 ……
導電支架型 PVD

Key Point : 轉換效率

玻璃聚光型 PVD

COB 封裝 – 聚光型 PVD

Ref : 海德威電子 2006.08.08

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 Solar – 發電原理

SUN

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Solar Cell – 光電轉換

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 LED 製程與設備說明
藍光 LED 製程說明

P
保護層
透明電極
P-GaN N
MQW
N-GaN
基板

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 LED 製程與設備說明
磊晶 晶片製程 品質測試 研磨拋光

EPI-WAFER FAB PROCESS Lapping &

-Anneal QA Testing
(MOCVD) Polishing
-Photolithography
-Metallization
-Dry & Wet etching
-Visual Inspection

Scribing &
切割劈裂
Breaking

OQC & Counting & Visual 100% Probing

Chip Sorting
Delivery Package Inspection Test

出貨檢查 計數包裝 外觀檢查 晶粒分類 晶粒測試

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 Scribing
Laser

LED晶圓 Back side Zoom In 晶圓背面

藍膜

‧ 在晶圓背面以連續雷設光點達成線的效果
‧ 僅劃線未切穿
‧ 雷射光點越小，晶圓切割道也可越小 雷射光點

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 設備 – Laser Scriber
需求：
‧ 舊製程切割機精度有限
‧ 切割刀片為耗材，生產成本重

解決之道：
‧ 精度：Laser Scriber 精度主要取決於自動化機械控制精度

‧ 效益：可縮小切割道空間，增加單位面積晶粒數

‧ 耗材：Laser Oscillator 半衰期成本差異不大

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 LED 製程與設備說明
磊晶 晶片製程 品質測試 研磨拋光

EPI-WAFER FAB PROCESS Lapping &

-Anneal QA Testing
(MOCVD) Polishing
-Photolithography
-Metallization
-Dry & Wet etching
-Visual Inspection

Scribing &
切割劈裂
Breaking

OQC & Counting & Visual 100% Probing

Chip Sorting
Delivery Package Inspection Test

出貨檢查 計數包裝 外觀檢查 晶粒分類 晶粒測試

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Chip Probing

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 Blue LED – 主要測試項目
Measurement
Parameter Symbol Min. Typical Max. Unit
Condition

Forward Cut-
Vfin Ifin =10μA 1.8 2.4 2.5 V
in Voltage

Forward
Vf If =20mA 2.9 3.3 3.5 V
Voltage

Reverse
Ir Vr =5V --- 0.5 5 μA
Current

Luminous
Iv If =20mA 18 --- 999 mcd
Intensity

Dominant
λd If =20mA 450 --- 475 nm
Wavelength

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LED Prober

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 Prober 設計上的考量
精度：
‧Pad Size : 80 ~ 100 um

‧Probe Mark : 20 ~ 30 um

‧Accuracy : < 10 um

Pad
課題：
‧ 若精度不佳，後段 Bonding 製程無法進行
‧ 若傷及發光區，降低產品價值
‧ 趨勢：Pad 縮小可增加發光面積，如何提升設備精度?
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 視覺定位

視覺 v.s. 精度

‧機械定位精度 10 um

‧視覺辨視精度 10 um

Î Total 20 um

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 視覺辨識的挑戰

Normal Power
Chip

粗化 鍍膜

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 Prober 的課題

‧ 生產速度 v.s. 精度要求

‧ 振動低
‧ 大行程 ( 2 inch Æ 4 inch wafer )
‧ 散熱問題 ( Power Chip )
‧ Cell Probing ( ex : RGGB 4-in-1 Cell )
‧ ……
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 LED 製程與設備說明
磊晶 晶片製程 品質測試 研磨拋光

EPI-WAFER FAB PROCESS Lapping &

-Anneal QA Testing
(MOCVD) Polishing
-Photolithography
-Metallization
-Dry & Wet etching
-Visual Inspection

Scribing &
切割劈裂
Breaking

OQC & Counting & Visual 100% Probing

Chip Sorting
Delivery Package Inspection Test

出貨檢查 計數包裝 外觀檢查 晶粒分類 晶粒測試

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 Chip Sorting

‧晶粒分類：波長、亮度、電性…

‧外觀分類：破晶、刮傷

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LED Sorter

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 Sorter 應用的課題

‧Multi-Bin 分類需求

‧Fully-Auto 化降低人力

‧AOI 視覺檢測能力加強

‧生產效率提升

‧與 Prober 之 In-Line 連線整合

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Q&A

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