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2
Juan F. Tisza C.
1956 Bardeen, Brattain e Shockley reciben el premio Nobel por la descubrimiento del transistor.
1956
1956
1956
1956
Agosto 2010
3
Juan F. Tisza C.
Corrientes de desplazamiento
Corrientes de difusión
Conductividad de semiconductores
Agosto 2010
5
Juan F. Tisza C.
Cu Ge
T T
Efecto Hall
Fotoresistencia
Agosto 2010
6
Juan F. Tisza C.
En conductores
VH
va
F J
-VH
⊕ va
F J
B
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Juan F. Tisza C.
Fotoconductividad del Ge
luz
A
Frecuencia radiación
Energía de los fotones
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Juan F. Tisza C.
≈ 1029 e- libres/m3
Agosto 2010
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Juan F. Tisza C.
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Juan F. Tisza C.
Agosto 2010
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Juan F. Tisza C.
n=p
>0K
T=
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Juan F. Tisza C.
tipo N E tipo P
e– poco ligado
(0.03 -0.1 eV)
A
Ga
s
e– ocupa el hueco
(0.04 -0.12 eV)
1 2
H He
1,008 4,003
3 4 5 6 7 8 9 10
Li Be B C N O F Ne
6,941 9,012 10,811 12,011 14,007 15,999 18,998 20,183
11 12 13 14 15 16 17 18
Na Mg Al Si P S Cl Ar
22,990 24,305 26,982 28,086 30,974 32,064 35,453 39,948
19 20 30 31 32 33 34 35 36
K Ca ... Zn Ga Ge As Se Br Kr
39,10 40,08 65,37 69,72 72,59 74,92 78,96 79,91 83,80
37 38 48 49 50 51 52 53 54
Rb Sr ... Cd In Sn Sb Te I Xe
85,47 87,62 112,40 114,82 118,89 121,75 127,60 126,90 131,30
55 56 80 81 82 83 84 85 86
Cs Ba ... Hg Tl Pb Bi Po At Rn
132,91 137,33 200,59 204,37 207,19 208,98 (210) (210) (222)
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Juan F. Tisza C.
1 2
H He
1,008 4,003
3 4 5 6 7 8 9 10
Li Be B C N O F Ne
6,941 9,012 10,811 12,011 14,007 15,999 18,998 20,183
11 12 13 14 15 16 17 18
Na Mg Al Si P S Cl Ar
22,990 24,305 26,982 28,086 30,974 32,064 35,453 39,948
19 20 30 31 32 33 34 35 36
K Ca ... Zn Ga Ge As Se Br Kr
39,10 40,08 65,37 69,72 72,59 74,92 78,96 79,91 83,80
37 38 48 49 50 51 52 53 54
Rb Sr ... Cd In Sn Sb Te I Xe
85,47 87,62 112,40 114,82 118,89 121,75 127,60 126,90 131,30
55 56 80 81 82 83 84 85 86
Cs Ba ... Hg Tl Pb Bi Po At Rn
132,91 137,33 200,59 204,37 207,19 208,98 (210) (210) (222)
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Juan F. Tisza C.
6
Carbono: 1s2 2s2 2p2
Hidrógeno
aislante
p + +6
Estados o niveles de
energía permitidos
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Silicio: 1s2 2s2 2p6 3s2 3p2
ENERGÍA DEL e-
32
Germanio: 1s2 2s2 2p6 3s2 3p63d10 4s24p2
semiconductores
50
Estaño: 1s2 2s2 2p6 3s2 3p63d10 4s24p64d10 5s25p2
conductor
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Juan F. Tisza C.
E
N iv e le s o c u p a d o s
BANDA N iv e le s v a c í o s
DE
C O N D U C C IÓ N
2p²
BANDA
P R O H IB ID A
2s²
BANDA
DE
V A L E N C IA
D ia m a n te G ra f it o Á to m o s a isla d o s
X3 X2 X1 d
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Juan F. Tisza C.
BC BC BC
Eg = 10 eV Eg = 1 eV
BV BV BV
E
Banda de conducción
Banda de valencia
Eg (Ge) ≈ 0,7 n = p = ni
eV
Eg (Si) ≈ 1,1 eV
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Juan F. Tisza C.
Ión de
E Nivel donante impureza
donante
0.01 eV
T=0K T>0K
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Juan F. Tisza C. Agosto 2010
Nivel aceptor
0,01 eV
n·p = n 22
n·p = ni i
3 E
− g
ni = f ( t ) = AT 2 e 2kT
Agosto 2010
22
Juan F. Tisza C. Agosto 2010
-3
-3 )
50
50
m
1018 m )
18
40
intrínseca(××10
40 33 Eg
Ge Eg
22 −−2kT
Ge nni i ==AT
AT ee 2kT
Concentraciónintrínseca(
30
30
20
20
Concentración
10
10
Si
Si
00
250
250 275
275 300
300 325
325 350
350 375
375 400
400
TT(K)
(K)
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Juan F. Tisza C.
NA + n = N D + p
Intrínseco → NA = ND = 0 → p = n = n i
Tipo n → NA = 0; n ≈ ND →
Tipo p → ND = 0; p ≈ NA →
ni2
p≈
ND
ni2
n≈
NA
Agosto 2010
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Juan F. Tisza C.
P
N
NA + n = p ; p >>>>> n; NA ≈ p ND +Hueco
p = ntérmico MÓVIL
; n >>>>> p; ND ≈ n
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Agosto 2010
Ge Si
Número atómico 32 14
Masa atómica (g/mol) 72,6 28,08
Radio atómico (nm) 0,137 0,132
Estructura electrónica [Ar]4s23d104p2 [Ne]3s23p2
Densidad kg/m3 5323 2330
Temperatura de fusión 937,4 ºC 1410 ºC
Calor específico J/kg·ºC 309 677
Concentración atómica at/m3 4,42·1028 4,96·1028
Concentración intrínseca (300 K) 2,36·1019 m-3 1,5·1016 m-3
Constante A m-3·K-3/2 1,91·1021 4,92·1021
Anchura banda prohibida (300 K) 0,67 eV 1,1 eV
Movilidad electrones (300 K) 0,39 m2/Vs 0,135 m2/Vs
Movilidad huecos (300 K) 0,182 m2/Vs 0,05 m2/Vs
Resistividad intrínseca (300 K) 0,47 Ω m 2300 Ω m
Difusividad electrones 10,1·10-3 m2/s 3,5·10-3 m2/s
Difusividad huecos 4,9·10-3 m2/s 1,3·10-3 m2/s
Permitividad eléctrica 15,7 12
Masa efectiva electrones 0,5 m0 1,1 m0
Masa efectiva huecos 0,37 m0 0,59 m0
26
Juan F. Tisza C. Agosto 2010
30
30
25
25
(S/m)
Conductividad(S/m)
A poca temperatura, 20
20
las impurezas se ionizan Ge
Ge
Conductividad
rápidamente. 15
15
Los portadores procedentes de
Semiconductor
Semiconductorextrínseco
extrínseco10
10 las impurezas, ya ionizadas, no
NND=10 20 -3
20m -3 55 aumentan sensiblemente.
D=10 m
(S/m)
Conductividad(S/m)
22 00
250
250 270
270 290
290 310
310 330
330 350
350 370
370
Conductividad
19 -3 TT(K)
(K)
NND=5·10 19m -3
D=5·10 m
11
A temperaturas altas, la
SiSipuro
puro conducción intrínseca se
00 hace significativa.
00 100
100 200
200 300
300 400
400T (K) 500
500
T (K) 27
Juan F. Tisza C.
Eext
vn = -µ nE vp = µ pE
Jn Jp
Jn = nqv n = n( −qe )( −µnE) = nqeµnE Jp = pqv p = pqeµpE
J = Jp + Jn = qe(nµ n + pµ p)E = σ E
σ = qe(nµ n + pµ p)
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Juan F. Tisza C.
Intrínsecos Extrínsecos
n n >> p
p = n = ni
σ ≈
qnµ n
σ = qe(nµ n + pµ p)
σ = qeni(µ n + µ p) p >> n
p σ ≈ qpµ p
Agosto 2010
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Juan F. Tisza C.
∇n = 0 dn
∇n = → Ley de Ohm
dx
J = -σ ∇ V
Ley de Fick Jdif = -qD∇ n
Dn Difusividad de electrones (Dn Si = 3,5·10-3 m2/s)
Dp Difusividad de huecos (Dp Si = 1,31·10-3 m2/s)
Dn Dp kT
Relación de Einstein: = = = VT
µn µp q
k (Constante de Boltzmann) = 1,38·10-23 JK-1 VT(300 K) = 25,85 mV
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∇n ∇p
Jn Jp
N P
Jn = qeDn∇ n Jp = -qeDp∇ p
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p(x1) p(x2)
E
p = p(x)
x1 x2
0 x
en circuito abierto → Jdif + Jdesp = 0
dp
− qDp + pµ p qE = 0
dx
kT
Relación de Einstein: Dp = µp = VT µp
q
Agosto 2010 sigue
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Juan F. Tisza C.
dp VT(300 K) = 25.85 mV
VT = Edx = −dV
p
V2 − V1
p1 VT
p→ V2 - V1 = VT ln p1 = p 2e
p2
V2 − V1
−
n1 VT
n→ V2 - V1 = − VT ln n1 = n2e
n2