TP N°1 : Transistor bipolaire

1. Présentation du transistor bipolaire. Transistor, nom masculin (mot anglais, de transfer resistor, résistance de transfert) Dispositif à semi-conducteur, qui peut amplifier des courants électriques, Le transistor bipolaire est l’opérateur technique de base de fonctions de l’électronique telles que l’amplification ou la commutation. Il est obtenu en insérant un barreau semi-conducteur entre deux du type opposé. On obtient ainsi 2 possibilités :
Le transistor NPN :

Chapitre 1

Chapitre 2
Le transistor PNP : Chapitre 3

Les noms des 3 bornes ainsi constituées sont : la base (B), l’émetteur (E) et le collecteur (C). Les représentations symboliques des transistors nous informent sur leur type (PNP ou NPN) ainsi que sur le sens des courants. Deux jonctions constituent le transistor, jonctions que l’on peut assimiler à 2 diodes (entre B-C et B-E) dont le sens dépend du type. Ainsi, pour permettre le passage d’un courant à travers le transistor, il faut d’abord s’assurer de la conductions ou du blocage de ces jonctions. Principe de fonctionnement : On distingue 2 modes de fonctionnement du transistor : le mode linéaire et non linéaire (ou de saturation). La représentation ci-contre montre l’évolution des courants de base (i B) et de collecteur (iC) du transistor. On peut identifier alors les 2 modes de fonctionnement :
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A quel composant électronique peut-on comparer la jonction base-émetteur du transistor? Justifier.• • linéaire : le courant iC est directement proportionnel au courant iB . faire varier Ib. dans les différentes structures organisées autour du transistor. on distingue : • un circuit de commande sensé déterminer régime de fonctionnement de transistor ou constituant un signal ‘source’. relever et tracer la caractéristique de transfert en courant Ic = f (Ib). le rapport β = Ic/Ib dans le domaine de linéarité de la courbe. le circuit de charge qui intervient dans l’état fonctionnement du transistor et influe sur paramètres électriques environnants. Caractéristique de transfert en courant Ic=f(Ib) à Vce constant. 2-1-2. 2-2-2 On appelle "coefficient d'amplification de courant". 2-2. 2-2-1. Ensemble des caractéristiques du transistor bipolaire. on exploite alors les propriétés d’amplification du transitor : iC = K iB. dans ce mode. Caractéristique d'entrée Ib = f(Vbe) E1 varie entre entre 0 et 12 V. On distingue. non linéaire : à partir d’un certain courant iB. 2-2-3. On maintiendra Vce constant en jouant sur la tension E2. Calculer la valeur de β et la comparer à l’indication donnée par le constructeur : 100 < β < 200. deux cas extrêmes traduisant un fonctionnement binaire. Très souvent. le • de les 2. le transistor est dit « saturé ». NACER Page 2 sur 4 ING2 . très utilisé dans les composants logiques. Pour Vce = 5V. tout ou rien.Tracer la courbe Ib = f(Vbe). relever Ib et Vbe (On fera varier Ib entre 0 et 1mA) 2-1-1. le courant iC atteint une valeur maximale. En jouant sur l’alimentation E1. E2 = 10V En faisant varier E1. Montage Rb = 10 kΩ et Rc = 100 Ω Mesures 2-1.

3-1-3. Tracer cette courbe sur le même graphe que précédemment. (on ajustera E1 pour maintenir Ib constant) 2-3-2. Exploitation des caractéristiques du transistor bipolaire. 3-2. Pour E2 = 10V . Faire varier Vce en jouant sur E2 . Conclusion 3-2-1 Pour Vce = E2 = 5V. 4-2 : Donner l'équation de la droite de charge. trouver la relation liant Vce. Pour Ib > E2/β . le transistor fonctionne en régime linéaire. NACER Page 3 sur 4 ING2 . Rc. 3-1. R1.2-3.Rc. donner les différents états de fonctionnement du transistor. Etat bloqué : Vbe = Ib = Ic = Vce = Etat saturé : Vbe = Ib = Ic = Vce = 4. On notera IC0 et VCE0 les coordonnées du point de polarisation. Pourquoi? 3-2-2. R2 et IB. Déterminer le point de fonctionnement du transistor pour Ib = 250 µ A.( Loi des mailles ). 3-1-2. Pour 0 < Ib < E2/β .Rc. VCE. donner une explication. Pour un Ib1 = 500 µ A. le transistor est dit "bloqué". RE et IC. sachant que IE ≈ IC. c'est à dire l'équation liant VBM. Relever et tracer la courbe Ic = f (Vce). Polarisation du transistor. Droite de charge 3-1-1. Modèle de tableau ci-dessous. La courbe d'équation Ic = f(Vce) s'appelle la droite de charge du transistor. RC. Caractéristique de sortie Ic = f (Vce) à Ib constant 2-3-1. Dans un tableau. VCC. Par quoi cela se traduit-il? 3-2-3. ( Remarque : On se limitera à des valeurs de Vce 10 V) 3.Même travail pour Ib2 = 330 µ A. le transistor est dit saturé. Ic et E2. c'est à dire l'équation liant VCC. 4-1 : Donner l'équation de la droite d'attaque.

Retrouver la valeur de β . Commentaires ? NACER Page 4 sur 4 ING2 . • Calculer la puissance de commande : P ' =Vbe . • Comparer les deux valeurs. IC0 et VBE0. R1 = 10kΩ . RC = 50 Ω . Réaliser le montage. R2 = 10kΩ .Le schéma est le suivant: 4-3 : Vous allez choisir les valeurs suivantes: VCC = 10V. Mesurer les valeurs de IB0. Tracer la droite de charge sur le graphe IC=f(VCE) déjà tracé au 2-3-2.Ic . Le point de polarisation est-il placé au milieu de la droite de charge statique? 4-4 : puissances • Pour les valeurs mesurées précédemment : • Calculer la puissance utile : P =Vce . VCE0 . RE = 50 Ω . Déterminer graphiquement le point de polarisation.Ib .

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