TP N°1 : Transistor bipolaire

1. Présentation du transistor bipolaire. Transistor, nom masculin (mot anglais, de transfer resistor, résistance de transfert) Dispositif à semi-conducteur, qui peut amplifier des courants électriques, Le transistor bipolaire est l’opérateur technique de base de fonctions de l’électronique telles que l’amplification ou la commutation. Il est obtenu en insérant un barreau semi-conducteur entre deux du type opposé. On obtient ainsi 2 possibilités :
Le transistor NPN :

Chapitre 1

Chapitre 2
Le transistor PNP : Chapitre 3

Les noms des 3 bornes ainsi constituées sont : la base (B), l’émetteur (E) et le collecteur (C). Les représentations symboliques des transistors nous informent sur leur type (PNP ou NPN) ainsi que sur le sens des courants. Deux jonctions constituent le transistor, jonctions que l’on peut assimiler à 2 diodes (entre B-C et B-E) dont le sens dépend du type. Ainsi, pour permettre le passage d’un courant à travers le transistor, il faut d’abord s’assurer de la conductions ou du blocage de ces jonctions. Principe de fonctionnement : On distingue 2 modes de fonctionnement du transistor : le mode linéaire et non linéaire (ou de saturation). La représentation ci-contre montre l’évolution des courants de base (i B) et de collecteur (iC) du transistor. On peut identifier alors les 2 modes de fonctionnement :
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dans les différentes structures organisées autour du transistor. on exploite alors les propriétés d’amplification du transitor : iC = K iB. 2-2. on distingue : • un circuit de commande sensé déterminer régime de fonctionnement de transistor ou constituant un signal ‘source’. le • de les 2. faire varier Ib. Caractéristique de transfert en courant Ic=f(Ib) à Vce constant. Pour Vce = 5V. non linéaire : à partir d’un certain courant iB. relever Ib et Vbe (On fera varier Ib entre 0 et 1mA) 2-1-1. Très souvent. E2 = 10V En faisant varier E1. 2-1-2. deux cas extrêmes traduisant un fonctionnement binaire. le circuit de charge qui intervient dans l’état fonctionnement du transistor et influe sur paramètres électriques environnants. 2-2-2 On appelle "coefficient d'amplification de courant". très utilisé dans les composants logiques. tout ou rien. relever et tracer la caractéristique de transfert en courant Ic = f (Ib). On distingue. le courant iC atteint une valeur maximale. NACER Page 2 sur 4 ING2 . 2-2-3. Caractéristique d'entrée Ib = f(Vbe) E1 varie entre entre 0 et 12 V. Montage Rb = 10 kΩ et Rc = 100 Ω Mesures 2-1. 2-2-1. Calculer la valeur de β et la comparer à l’indication donnée par le constructeur : 100 < β < 200. Ensemble des caractéristiques du transistor bipolaire.• • linéaire : le courant iC est directement proportionnel au courant iB . En jouant sur l’alimentation E1. On maintiendra Vce constant en jouant sur la tension E2. A quel composant électronique peut-on comparer la jonction base-émetteur du transistor? Justifier. le rapport β = Ic/Ib dans le domaine de linéarité de la courbe. dans ce mode.Tracer la courbe Ib = f(Vbe). le transistor est dit « saturé ».

VCC. 4-2 : Donner l'équation de la droite de charge. donner une explication. VCE. La courbe d'équation Ic = f(Vce) s'appelle la droite de charge du transistor. Pour 0 < Ib < E2/β . 3-2. Etat bloqué : Vbe = Ib = Ic = Vce = Etat saturé : Vbe = Ib = Ic = Vce = 4. Rc. (on ajustera E1 pour maintenir Ib constant) 2-3-2. Exploitation des caractéristiques du transistor bipolaire. Par quoi cela se traduit-il? 3-2-3. ( Remarque : On se limitera à des valeurs de Vce 10 V) 3. R2 et IB. 3-1. c'est à dire l'équation liant VBM.Même travail pour Ib2 = 330 µ A. RC. Tracer cette courbe sur le même graphe que précédemment. le transistor est dit saturé. RE et IC. NACER Page 3 sur 4 ING2 . Pour E2 = 10V . Caractéristique de sortie Ic = f (Vce) à Ib constant 2-3-1. 3-1-3. Relever et tracer la courbe Ic = f (Vce). R1. 3-1-2. On notera IC0 et VCE0 les coordonnées du point de polarisation. Dans un tableau. Droite de charge 3-1-1. donner les différents états de fonctionnement du transistor. le transistor est dit "bloqué". Polarisation du transistor. trouver la relation liant Vce. Pour Ib > E2/β . Déterminer le point de fonctionnement du transistor pour Ib = 250 µ A.Rc.( Loi des mailles ). sachant que IE ≈ IC. c'est à dire l'équation liant VCC. Ic et E2. Pour un Ib1 = 500 µ A. 4-1 : Donner l'équation de la droite d'attaque.2-3.Rc. Pourquoi? 3-2-2. le transistor fonctionne en régime linéaire. Modèle de tableau ci-dessous. Conclusion 3-2-1 Pour Vce = E2 = 5V. Faire varier Vce en jouant sur E2 .

RE = 50 Ω . Tracer la droite de charge sur le graphe IC=f(VCE) déjà tracé au 2-3-2. • Comparer les deux valeurs. Le point de polarisation est-il placé au milieu de la droite de charge statique? 4-4 : puissances • Pour les valeurs mesurées précédemment : • Calculer la puissance utile : P =Vce . R1 = 10kΩ .Le schéma est le suivant: 4-3 : Vous allez choisir les valeurs suivantes: VCC = 10V. • Calculer la puissance de commande : P ' =Vbe . Mesurer les valeurs de IB0. Commentaires ? NACER Page 4 sur 4 ING2 . Déterminer graphiquement le point de polarisation.Ib . R2 = 10kΩ . RC = 50 Ω . VCE0 . IC0 et VBE0. Retrouver la valeur de β . Réaliser le montage.Ic .

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