TP N°1 : Transistor bipolaire

1. Présentation du transistor bipolaire. Transistor, nom masculin (mot anglais, de transfer resistor, résistance de transfert) Dispositif à semi-conducteur, qui peut amplifier des courants électriques, Le transistor bipolaire est l’opérateur technique de base de fonctions de l’électronique telles que l’amplification ou la commutation. Il est obtenu en insérant un barreau semi-conducteur entre deux du type opposé. On obtient ainsi 2 possibilités :
Le transistor NPN :

Chapitre 1

Chapitre 2
Le transistor PNP : Chapitre 3

Les noms des 3 bornes ainsi constituées sont : la base (B), l’émetteur (E) et le collecteur (C). Les représentations symboliques des transistors nous informent sur leur type (PNP ou NPN) ainsi que sur le sens des courants. Deux jonctions constituent le transistor, jonctions que l’on peut assimiler à 2 diodes (entre B-C et B-E) dont le sens dépend du type. Ainsi, pour permettre le passage d’un courant à travers le transistor, il faut d’abord s’assurer de la conductions ou du blocage de ces jonctions. Principe de fonctionnement : On distingue 2 modes de fonctionnement du transistor : le mode linéaire et non linéaire (ou de saturation). La représentation ci-contre montre l’évolution des courants de base (i B) et de collecteur (iC) du transistor. On peut identifier alors les 2 modes de fonctionnement :
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2-2-1. on exploite alors les propriétés d’amplification du transitor : iC = K iB. le rapport β = Ic/Ib dans le domaine de linéarité de la courbe. deux cas extrêmes traduisant un fonctionnement binaire. On maintiendra Vce constant en jouant sur la tension E2. 2-2-3. Montage Rb = 10 kΩ et Rc = 100 Ω Mesures 2-1. relever Ib et Vbe (On fera varier Ib entre 0 et 1mA) 2-1-1. Caractéristique de transfert en courant Ic=f(Ib) à Vce constant. Ensemble des caractéristiques du transistor bipolaire. 2-2-2 On appelle "coefficient d'amplification de courant". Caractéristique d'entrée Ib = f(Vbe) E1 varie entre entre 0 et 12 V. Pour Vce = 5V. Calculer la valeur de β et la comparer à l’indication donnée par le constructeur : 100 < β < 200. En jouant sur l’alimentation E1. On distingue. relever et tracer la caractéristique de transfert en courant Ic = f (Ib). faire varier Ib.• • linéaire : le courant iC est directement proportionnel au courant iB . dans ce mode. non linéaire : à partir d’un certain courant iB. 2-1-2. le • de les 2. tout ou rien. NACER Page 2 sur 4 ING2 .Tracer la courbe Ib = f(Vbe). on distingue : • un circuit de commande sensé déterminer régime de fonctionnement de transistor ou constituant un signal ‘source’. dans les différentes structures organisées autour du transistor. E2 = 10V En faisant varier E1. le transistor est dit « saturé ». le courant iC atteint une valeur maximale. le circuit de charge qui intervient dans l’état fonctionnement du transistor et influe sur paramètres électriques environnants. Très souvent. A quel composant électronique peut-on comparer la jonction base-émetteur du transistor? Justifier. très utilisé dans les composants logiques. 2-2.

R1. Ic et E2. Pour E2 = 10V . 3-1-2. sachant que IE ≈ IC. Pour un Ib1 = 500 µ A. Conclusion 3-2-1 Pour Vce = E2 = 5V. Tracer cette courbe sur le même graphe que précédemment. donner les différents états de fonctionnement du transistor. Faire varier Vce en jouant sur E2 . On notera IC0 et VCE0 les coordonnées du point de polarisation. trouver la relation liant Vce. La courbe d'équation Ic = f(Vce) s'appelle la droite de charge du transistor. c'est à dire l'équation liant VBM. c'est à dire l'équation liant VCC. Pour 0 < Ib < E2/β . Par quoi cela se traduit-il? 3-2-3. Pour Ib > E2/β . ( Remarque : On se limitera à des valeurs de Vce 10 V) 3. Etat bloqué : Vbe = Ib = Ic = Vce = Etat saturé : Vbe = Ib = Ic = Vce = 4. Relever et tracer la courbe Ic = f (Vce). Droite de charge 3-1-1. Dans un tableau. 3-2.Rc. le transistor est dit "bloqué".( Loi des mailles ). RC. le transistor est dit saturé. Caractéristique de sortie Ic = f (Vce) à Ib constant 2-3-1. 3-1. VCE. Modèle de tableau ci-dessous. NACER Page 3 sur 4 ING2 .Rc. 3-1-3. 4-1 : Donner l'équation de la droite d'attaque. VCC.2-3. le transistor fonctionne en régime linéaire. RE et IC. Pourquoi? 3-2-2. R2 et IB. Polarisation du transistor. donner une explication. (on ajustera E1 pour maintenir Ib constant) 2-3-2. Déterminer le point de fonctionnement du transistor pour Ib = 250 µ A. Exploitation des caractéristiques du transistor bipolaire. Rc. 4-2 : Donner l'équation de la droite de charge.Même travail pour Ib2 = 330 µ A.

Mesurer les valeurs de IB0. R2 = 10kΩ . RE = 50 Ω . • Comparer les deux valeurs. IC0 et VBE0. Déterminer graphiquement le point de polarisation. VCE0 .Ib . Réaliser le montage. Tracer la droite de charge sur le graphe IC=f(VCE) déjà tracé au 2-3-2. Le point de polarisation est-il placé au milieu de la droite de charge statique? 4-4 : puissances • Pour les valeurs mesurées précédemment : • Calculer la puissance utile : P =Vce . • Calculer la puissance de commande : P ' =Vbe . R1 = 10kΩ .Ic . Retrouver la valeur de β . RC = 50 Ω .Le schéma est le suivant: 4-3 : Vous allez choisir les valeurs suivantes: VCC = 10V. Commentaires ? NACER Page 4 sur 4 ING2 .

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