La Memoria

Principal
Parte primera (1/2)
¿Qué es la Memoria?
 Área de almacenamiento donde se alojan todos
los programas que
 se ejecutan en nuestro PC
 Aplicaciones de usuario (userspace)

 Manejadores de dispositivos (kernelspace)

 Cada bit de información se implementa mediante

un minúsculo condensador.
– La carga del condensador se encuentra en
permanente movimiento.
➔ RAM dinámica (Dynamic RAM DRAM)
Los chips de memoria RAM
Dentro de la memoria RAM
 Los condensadores pierden carga a lo largo del
tiempo.
– Corriente de fuga del condensador
– Al seleccionar una celda (condensador), la carga se
comparte con la capacitancia de la línea de datos (entre
10 y 20 veces superior).
 La carga de los condensadores
 se regenera periódicamente,
 se regenera después de cada acceso a memoria.
 Circuito de refresco se encarga de la
regeneración.
Dentro de la memoria RAM
Jerarquías de memoria
CPU

CPU D I

cache Cache L2

RAM RAM

disco

red
Dentro de la memoria RAM
Parámetros de la memoria
 Tamaño
 Tamaño en Megabytes (1024 x 1024 bytes)
 Latencia
 Tiempo de acceso a memoria ó retardo asociado a la consulta
de los datos.
 Se mide por tiempo de respuesta del chip.
 Tiempo de ciclo
 Tiempo que transcurre entre la aceptación de dos direcciones
consecutivas.
 Ancho de banda del bus
 Velocidad de transporte x Anchura
 (MHz x bytes = Mbytes / segundo)
Fallos y Corrección
 Tipos de fallos
 Permanentes
 provocado por exceso térmico, golpes o impurezas en la
fabricación.
 Transitorios
 Provocado por interferencias externas.
 Rayos cósmicos.
 Emisores de radiaciones de elevada energía.
 Inestabilidad o ruido en la línea eléctrica.
 Electricidad estática.
 etc.
Fallos y Corrección
 Paridad
 Bits de información redundante para detectar
errores.
 Un bit de paridad acompaña cada byte de datos.
 La memoria con paridad viene equipada con
chips adicionales.
 ECC (Error correction code)
 Extensión del mecanismo de paridad.
 Basado en el código Hamming.
La memoria y la placa base.
 Aspectos importantes de la conexión a
placa base
 Tamaño
 Posible ampliación.
 Velocidad
 Sustitución por chips más rápidos.
 Montaje
 Complejidad de quitar y insertar chips.
Tipos de memoria RAM
 Púas: SIPP (Single Inline Pin Package)
 Empaquetado de pines alineados.
 Más barato pero ocupa espacio en la placa base.
Tipos de Memoria RAM
 Patillas: DIP (Dual Inline Package)
 Empaquetado de doble fila
Tipos de memoria RAM
 Contactos:
SIMM/DIMM/RIMMSingle/Dual/Rambus
Inline Memory Module)
 Láminas de circuito impreso con chips de
memoria soldados.
Tipos de memoria RAM
 Cualquier tipo de memoria se fabrica en
distintos formatos.
 Anchura de palabra distinta.
 La placa base sólo acepta una anchura
concreta
 Otras variables
 Voltaje
 Interfaz
 Búferes a la salida.
FORMATOS
 SIMM 30 CONTACTOS
FORMATOS
 SIMM 72 CONTACTOS
Memoria Principal (2/2)
• A continuación resumimos los cuatro
puntos de vista en que podemos clasificar
las memorias
– Lectura/Escritura/Borrado
– Chips/Módulos/Contactos -> (Conectores con
Placa Base)
– Situaciones de Error: Detección y Corrección
– Modos de funcionamiento
La Memoria Principal (parte 2/2)

Posibilidad de lectura y escritura:

Tecnología
–RAM (lectura y escritura)
•D – RAM (capacitores)
•S – RAM (biestables)
–ROM (sólo lectura y borrado)
• PROM
• EPROM
• EEPROM
• Flash
Memoria Principal
• Encapsulado, Contactos y Bus de datos
– Seguiremos una evolución histórica de los
chips de memoria que han ido apareciendo y
que suponen una evolución tecnológica de
los mismo.
– Esta evolución queda plasmada en:
• el tipo de Encapsulado de los chips de memoria
• la aparición de placas que ensamblaban varios
módulos de memoria y sus Contactos
• la cantidad de memoria que son capaces de
suministrar cada vez al microprocesador
Memoria Principal
Chips de memoria: Formatos y Encapsulado
• Púas: SIPP (Single In line Pin Package)
– Empaquetado de pines alineados.
• Más barato pero ocupa espacio en la placa base.
Memoria Principal
Chips de memoria : Formato y Encapsulado
• SIP
• DIP
– Dos líneas de pines
– Se sueldan directamente a la placa base o a
una tercera placa.
• PGA
Memoria Principal
Memoria Principal
Chips de memoria :Contactos
– Se sueldan varios chips de memoria a una
placa y esta se coloca en una ranura de
contactos situada en la placa base.
– Existen varias formas de empaquetar los
chips de memoria, así como de acceder a los
bits que supone cada celdilla de memoria
– Además existen varios formatos de contactos
en las ranuras de la placa base.
Memoria Principal
Chips de memoria : Contactos
• SIMM: contactos en una sola línea
– SIMM 30 Contactos
– SIMM 72 Contactos
• DIMM: contactos en dos líneas
– DIMM 168 Contactos (84 por línea)
– DIMM (DDR) 184 Contactos (94 por línea)
– DIMM RIMM 184 Contactos (94 por línea)
Memoria Principal
• Contactos: SIMM 30
Memoria Principal
• Contactos SIMM 72
Memoria Principal
• DIMM 168 Contactos
Memoria Principal
• DIMM
DDR 184
Contactos
Memoria Principal
• DIMM RIMM 184 Contactos
Memoria Principal
BANCO DE MEMORIA
• Este concepto relaciona la Memoria Principal con el
ancho de palabra (BUS DE DATOS) del
microprocesador
• Def. Unidad lógica de memoria en una computadora
cuyo tamaño está determinado por la CPU. Por ejemplo,
una CPU de 32 bits requiere bancos de memoria que
proporcionan 32 bits de información a la vez. En este
caso, un banco de memoria podría incluir cuatro SIMM
de 30 contactos proporcionando 32 bits de datos, o bien,
un SIMM de 72 contactos, proporcionado 32 bits por
ciclo independientemente.
Memoria Principal
MEMORIAS,BUS DE DATOS y COMPATIBILIDAD
Bus de Datos Módulo de Memoria Compatibilidad
8

16

32

64
Memoria Principal
• Detección y Corrección de Errores
– Paridad
• Bits de paridad
• Circuito comparador
– ECC
• Detección y corrección de errores
Memoria Principal
• Funcionamiento
• Ciclo = Tacceso + Tcarga
– FPM (Paginado) –> 70 – 80 ns
– EDO (HiperPaginado) -> 50 – 60 ns
– SDRAM (Sincronización con PB) -> 10 ns
– DR-SDRAM (Rambus RAM) -> 2 ns
– DDR (memoria sincronizada, multiplexando el tiempo)
: doblando
– DDR2: Cuadruplicando
– DDR3: ¿?
Memoria Principal
• Profundizando en la sincronización
– X-Y-Z-K Ciclos
– X: latencia CAS -> ciclos de acceso a una
columna desde la orden de lectura.
– Y: precarga RAS -> ciclos de accesso a dos
filas consecutivas
– Z: demora de CAS a RAS -> ciclos que tardo
de pasar a acceder de una fila a una columna
– K: tiempo de activo
Memoria Principal
Memoria Principal
1. ¿En qué consiste la operación de
refresco asociado a una celda básica de
memoria principal?
a.- En la refrigeración de sus valores térmicos.
b.- En el restablecimiento de la carga atenuada de
su condensador.
c.- En la deceleración de las cargas aceleradas en
el interior de su condensador.
d.- En la inyección de corriente de alimentación
adicional.
Memoria Principal
2. ¿Por qué la memoria principal es de
naturaleza estática y la memoria caché de
naturaleza dinámica?
a.- Porque la estática ocupa menos.
b.- Porque la dinámica es más rápida.
c.- Por las dos circunstancias anteriores.
d.- Es al revés, la principal es dinámica y la
caché estática.
Memoria Principal
3.- Desde el punto de vista del
microprocesador, la memoria principal es
más rápida cuando aumentamos

a.- la velocidad del bus que conecta ambos.

b.- su tamaño.
c.- su entrelazado.
Memoria Principal
4.- ¿Cuál de las siguientes características
de la memoria principal NO entra en juego
si nos disponemos a efectuar una
ampliación de la misma?
a.- El número de pines del módulo.
b.- La paridad.
c.- La velocidad.
d.- El número de chips del módulo.
Memoria Principal
5.- ¿A qué aspecto(s) de la memoria
principal afecta su paridad?
a.- A la fiabilidad.
b.- A la fiabilidad y interoperabilidad con la
placa base.
c.- Al número de celdas de que se compone el
producto.
d.- Todas las respuesta anteriores son
correctas.
Memoria Principal

6.- ¿Cómo se distingue externamente un

módulo SIMM de un módulo DIMM?
a.- El DIMM es más alargado.
b.- El DIMM tiene más chips.
c.- El SIMM pesa menos.
d.- De ninguna manera.
Memoria Principal
7.- Ordena las siguientes memorias de
menor a mayor número de contactos.

a.- DIP, SIPP, SIMM, DIMM.

b.- DIMM, DIP, SIMM, SIPP.
c.- SIPP, SIMM, DIP, DIMM.
d.- DIP, SIMM, DIMM, SIPP.
Memoria Principal
7.- Ordena las siguientes memorias de
8. Un acceso
menor a memoria
a mayor númeroprincipal se
de contactos.
encuentra Un
enacceso
un/aa memoria
solo/a:principal se
encuentra en un/a solo/a
a.- DIP,banco.
SIPP, SIMM, DIMM.
a.- banco.
módulo.
b.- DIMM,
chip. DIP, SIMM, SIPP.
b.- módulo.
matriz bidimensional.
c.-c.-chip.
SIPP, SIMM, DIP, DIMM.
d.-matriz
d.- DIP, SIMM, DIMM, SIPP.
bidimensional.
Memoria Principal
7.- Ordena las siguientes memorias de
9.- ¿Es posible deducir la latencia de un chip de
menor a mayor número de contactos.
memoria a partir de su aspecto externo?
Un acceso a memoria principal se
encuentra en un/a solo/a
banco.
a.- Sí. a.- DIP,módulo.
SIPP, SIMM, DIMM.
b.- Sí, b.-
siempre
DIMM, que
chip. DIP,elSIMM,
fabricante
SIPP.lo especifique en su
etiquetado. matriz bidimensional.
c.- SIPP, SIMM, DIP, DIMM.
c.- No, eso sólo puede saberse haciéndolo funcionar.
d.- DIP, SIMM, DIMM, SIPP.
d.- Sí, cuanto más grande sea el chip, más lento será.
Memoria Principal

10.- ¿Qué significan las sigla RIMM?

a.-. Renovated Internal Memory Module.

b.- Rambus Inline Memory Module.
c.- RAM Inline Memory Module.
d.- Rich Interrupt Memory Mechanism.