PROSES PEMBIKINAN

LITAR BERSEPADU

4. Pengedopan
 Lapisan silikon terdop
 3 kaedah pengedopan
 Resapan
 Penanaman Ion
 Epitaksi
 Objektif
 Mengetahui tujuan pengedopan dilakukan
 Mengetahui fungsi lapisan terdop.
 Dapat menentukan perbezaan diantara 3 kaedah
pengedopan yang digunakan.
 PROSES PEMBIKINAN
LITAR BERSEPADU
5. Fotolitografi
 Topeng foto
 Lapisan Rintang foto
 Jujukan Proses fotolitografi
 Objektif
 Mengetahui tujuan fotolitografi
 Mengetahui tentang jujukan proses fotolitografi.
 Dapat mengetahui fungsi topeng foto dalam proses
fotolitografi
 Dapat menentukan perbezaan diantara rintangan foto
+Ve dan rintangan foto -ve
 PROSES PEMBIKINAN
LITAR BERSEPADU

6. Perlogaman
 Bahan-Bahan Lapisan logam
 Fungsi lapisan logam
 Proses perlogaman

 Objektif
 Mengetahui tujuan perlogaman
 Mengetahui tentang jujukan proses fotolitografi.
 Dapat mengetahui fungsi topeng foto dalam proses
fotolitografi
 Dapat menentukan perbezaan diantara rintangan foto
+Ve dan rintangan foto -ve
 PROSES PEMBIKINAN
LITAR BERSEPADU
7. Punaran
 Fungsi Punaran
 Contoh-contoh pemunar dan lapisan yang dipunarkan
 Punaran basah (punaran kimia)
 Punaran kering (punaran plasma)
 4. PENGEDOPAN

 Proses di mana atom-atom silikon dalam kekisi hablur substratum

silikon digantikan dengan atom-atom dopan ( jenis p atau n).
 Fosforus dan arsenik digunakan bagi menghasilkan silikon jenis
N
 Boron, galium atau indium digunakan bagi menghasilkan silikon
jenis p
 Fungsi Lapisan Terdop
 Mengawal rintangan silikon
 Memudahkan pengaliran pembawa arus samada jenis n atau p.

 3 kaedah pengedopan
 Resapan
 Penanaman ion
 epitaksi
 4. PENGEDOPAN
RESAPAN
 Proses yang menyebabkan peresapan molekul-
molekul bahan asing ke dalam silikon bagi tujuan
menghasilkan kawasan yang mempunyai aras
pengedopan yang berbeza.

 Terdapat dua langkah dalam proses resapan

 Praendapan (predeposition)
 Pacu-ke-dalam (drive-in)
 4. PENGEDOPAN
RESAPAN
 Praendapan
 Sumber dopan dibekalkan
 Wafer dipanaskan antara suhu 1000° hingga 1200°C
 Dopan dimasukkan dengan mengawal masa dan suhu
dalam jumlah dopan yang telah ditetapkan.
 Bendasing akan terendap / dikumpulkan di atas
permukaan wafer sehingga mencapai satu takat yang
dipanggil takat kebolehlarutan pepejal.
 4. PENGEDOPAN
RESAPAN
 Pacu-ke-dalam
 Tiada lagi dopan dibekalkan
 Tujuan pacu-ke-dalam ialah memacu dopan yang berada
di permukaan substratum mengikut kedalaman yang
dikehendaki dengan mengawal suhu dan masa.
 Pembolehubah seperti masa, suhu dan gas ambien
dikawal untuk menentukan kedalaman simpang resapan
 4. PENGEDOPAN
PENANAMAN ION
 Kaedah memasukan /menanam dopan ke dalam
kekisi hablur dengan memecut ion-ion dopan
yang mempunyai kelajuan dan tenaga kinetik
yang tinggi dalam ketumpatan yang terkawal dan
dijalankan pada suhu bilik.
 Kaedah ini dapat menghasilkan lapisan yang amat
cetek dengan ketumpatan dopan yang amat tinggi
 2 parameter yang boleh dikawal dengan tepat
adalah
 Kedalaman kawasan terdop
 Ketumpatan bahan dopan
 4. PENGEDOPAN
PENANAMAN ION

Magnet Pengasingan Jisim dari Pandangan Luar

4. PENGEDOPAN
PENANAMAN ION

Gambarajah Penanaman Ion

 4. PENGEDOPAN
PENANAMAN ION
 Ion-ion yang bertenaga tinggi ditanamkan ke
permukaan Silikon
 Diguna untuk hasilkan litar bersepadu skala besar
 Kaedah ini dapat menghasilkan lapisan yang amat
cetek dengan pengedopan yang amat tinggi
 Kedalaman & ketumpatan dapat dikawal dengan
tepat
 Alur ion dopan (boron@fosforus) dipecutkan
dengan tenaga tinggi (10-1000V)
 4. PENGEDOPAN
PENANAMAN ION
 Satu magnet pengasingan jisim – mengasingkan
ion-ion yang tidak diperlukan.
 Ion tersebut kemudian dibengkok dan difokuskan
dengan menuju kepada sasaran (wafer) dan
menusuk ke dalamnya.
 Kedalaman penusukan ion ditentukan oleh
 Tenaga pemecutan
 Kepekatan ion dopan
 4. PENGEDOPAN
PENANAMAN ION
 Kebaikan
 Kejituan kedudukan dan ketumpatan dopan boleh
dikawal pada tahap yang tepat.
 Ketebalan dopan yang sekata.
 Menggunakan suhu yang rendah iaitu pada suhu bilik.
 Atom dapat didop secara terus ke dalam permukaan
wafer.
 Mengurangkan kerosakan hablur (crystal damage) oleh
suhu tinggi.
 Keburukan
 Menyebabkan kecacatan pada kekisi hablur yang
dihentam oleh atom-atom dopan
 Kos peralatan yang tinggi.
 Pengeluaran wafer yang terhad.
 4. PENGEDOPAN
EPITAKSI
 Proses untuk menghasilkan lapisan silikon hablur
tunggal di atas wafer (substratum) bahan silikon
yang serupa.
 Dalam relau suhu 900°  1000°C
 Melibatkan penurunan hidrogen dengan
menggunakan gas silane (SiH4) @ silikon
tetraklorida (SiCl4) sebagai punca silikon
 4. PENGEDOPAN
EPITAKSI
 Persamaan tindakbalas bahan
 SiCl4(g) + 2H2(g) ---1200°C---> Si(p) + 4HCl(g)
 SiH4(g) ---1000°C--> Si(p) + 2H2(g)

 Kepekatan bendasing yang tertentu

 Jenis N:
 Gas Fosfin  2PH3 ------> 2P + 3H2
 Jenis P :
 Gas diborane ---> B2H6 ---> 2B + 3H2
 5. FOTOLITOGRAFI
PROCESS
 Proses ini untuk menentukan kawasan SiO2 yang
akan dihakiskan atau dipunarkan

 Kaedah penyingkiran memilih lapisan oksida untuk

menghasilkan bukaan melalui mana bendasing
yang boleh diresapkan

 Tujuan proses ini

 adalah untuk membentuk bukaan-bukaan untuk
resapan gas-gas bendasing semasa proses
resapan supaya komponen aktif dan pasif dapat
dibentuk pada lapisan pengedopan
5. FOTOLITOGRAFI
JUJUKAN PROSES
5. FOTOLITOGRAFI
JUJUKAN PROSES
 5. FOTOLITOGRAFI
TOPENG FOTO

 Topeng foto merupakan kepingan kaca yang

mempunyai corak legap serta corak lutsinar pada
permukaannya
 Corak legap bertindak sebagai menghalang sinar UV
daripada menembusi topeng foto
 Corak lutsinar pula membenarkan sinar UV melalui
topeng foto
 5. FOTOLITOGRAFI
TOPENG FOTO

 Bentuk saiz dan kedudukan setiap corak pada topeng foto

adalah sangat tepat sebagaimana ukuran lapisan sebenar wafer
yang diingini
 Kawasan legap berukuran beberapa milimeter tebal dan bersalut
dengan kromium yang membentuk corak tertentu pada sebelah
permukaannya
 Proses memindahkan corak dari topeng foto ke atas kepingan
wafer dikenali sebagai proses fotolitografi
 5. FOTOLITOGRAFI
LAPISAN RINTANG FOTO
 Terdapat 2 jenis rintang foto :-
 rintang foto positif ( + ve )
 rintang foto negatif ( - ve )

 Sifat-sifat yang perlu ada pada rintang foto :-

 Ia mesti melekat dengan sempurna pada permukaan
substratum
 Ketebalan rintang mesti seragam pada keseluruhan
permukaan substratum
 5. FOTOLITOGRAFI
RINTANG FOTO POSITIF
 Menyebabkan kawasan terdedah terbuang bila
dipunarkan
 5. FOTOLITOGRAFI
RINTANG FOTO NEGATIF
 Kawasan yang terdedah kepada cahaya UV tidak
terbuang apabila dipunarkan.
 6. PERLOGAMAN
DEFINASI
 Pelogaman adalah merupakan satu proses untuk
menghasilkan salinghubungan (interconnection)
antara komponen-komponen di atas serpih/cip.

 Ia terbentuk melalui proses pengendapan

(deposition) satu lapisan nipis logam Aluminium
pada keseluruhan permukaan wafer.
 6. PERLOGAMAN
PROSES
 Pengendapan dibuat melalui kaedah
pemeluwapan di dalam balang berbentuk loceng
 Aluminium dipanaskan sehingga ia terpeluwap,
molekul gasnya terbentuk secara seragam di
permukaan wafer dalam semua arah.
 Topeng digunakan untuk mentakrifkan corak
tertentu dan menghasilkan bukaan tingkap.
 Bagi menghasilkan bukaan, proses fotolitografi
dan punaran dilakukan.
 Selain Aluminium, logam-logam seperti titanium,
platinum,kuprum,molibdenum,tantalum dan
emas juga digunakan.
 6. PERLOGAMAN
CIRI-CIRI
 Ciri-ciri yang perlu ada untuk pelogaman litar
bersepadu.
 Keberintangan yang rendah
 Mudah terbentuk
 Mudah dipunar untuk penjanaan corak
 Mudah melekat di atas permukaan seperti pengalir
 Tidak mencemarkan peranti pendawaian
 6. PERLOGAMAN
KAEDAH PELOGAMAN
 Lima teknik perlogaman
 Penyejatan terma
 Penyejatan alur elektron
 Teknik percikan
 Teknik pengendapan wap kimia
 Pemplatan.
 Fungsi
 Lapisan satu permukaan
 Banyak permukaan
 Sebagai bahan antibalikan
 Sebagai get elektrod MOS
 Mewujudkan kawasan saduran bagi permukaan wafer
 6. PERLOGAMAN
PROSES PERLOGAMAN
 Endapan aluminium ke seluruh wafer
 Proses fotolitografi dilaksanakan untuk
menghasilkan bukaan dalam lapisan
Aluminium
 Punaran Aluminium keluar dari
bahagian-bahagian yang tidak
dikehendaki
 Pemanasan wafer untuk melekatkan
Aluminium kepada silikon dan lapisan
oksida.
 6. PERLOGAMAN
BAHAN PELOGAMAN
 Jenis logam yang boleh digunakan untuk lapisan
logam
 Aluminium
 Titanium
 Platinum
 Emas
 Molibdenum
 Tantalum
 Bahan bukan logam untuk fungsi pelogaman
 Polisilikon – kawasan get transistor MOS
 Kuprum dan aluminium kerap digunakan sebagai
penguhubung antara peranti.
 7. PUNARAN
TAKRIFAN
 Punar ( etch )
 ditakrifkan sebagai penyingkiran bahan
 mengukir di atas logam dengan menggunakan asid
 Punaran ( etching )
 Menyingkirkan bahan-bahan lapisan seperti silicon
oksida ( SiO2 ), silicon nitric (Si3N4) dan polisilikon yang
tidak diperlukan di tempat tertentu di atas pemukaan
wafer.
 Proses Punaran
 Dalam pembentukan komponen-komponen wafer,
bahan-bahan ini hanya diperlukan di tempat-tempat
tertentu sahaja
 Setiap proses punaran hanya menyingkirkan 1 jenis
bahan sahaja
 7. PUNARAN
TUJUAN
 Untuk membuang kerosakkan permukaan
semasa pemotongan wafer iaitu menggunakan
asid hidroflorik untuk membuang kesan-kesan
gerigi sekeliling wafer.

 Untuk membuang lapisan fotorintang pada

permukaan oksida di dalam proses fotolitografi

 Membuang permukaan logam yang tidak

dikehendaki dalam perlogaman untuk membuat
sentuhan antara peranti-peranti.
 7. PUNARAN
BAHAN PEMUNAR

BAHAN PEMUNAR LAPISAN DIPUNARKAN

ASID HIDROFLORIK / ASID NITRIK SiO2

ASID HIDROFLORIK SILIKON NITRAT

ASID HIDROFLORIK / NITRIK / ASETIK ALUMINIUM

ASID NITRIK + ASID HIDROFLORIK POLIHABLUR SILIKON

ASID SULFURIK + ASETON + TRIKLOROETERINA FOTO RINTANG

Keperluan Proses Punaran

Saiz pertumbuhan wafer = 400 mm
Saiz kesusutan bahagian muka kurang daripada 0.5 um
 7. PUNARAN
PUNARAN BASAH
 Punaran Basah ( Punaran Isotropi )
 Punaran jenis ini menggunakan larutan kimia
 Hanya larut atau hakiskan bahan sasaran sahaja
 Kaedah ini terhad kepada saiz bukaan yang lebih besar
dari 2 mikro meter
 Dikenali sebagai under cutting ( berlaku kepada bahan
dan persisiannya )
 7. PUNARAN
PUNARAN BASAH
Kebaikan Keburukan

Had terima dalam mentakrifkan kedalaman Proses punaran adalah lebih kompleks
dan dinding sisi adalah lebih baik.

Hasil penghakisan adalah lebih baik. Lebih mahal

Kebarangkalian kejayaan proses adalah Kadar punaran tidak seragam

tinggi.

Dapat mengawal dan memberhentikan tidak dapat menghasilkan kualiti punaran

proses punaran dengan segera dan pantas. yang baik terutama untuk litografi
submicron.
Mengurangkan pembaziran pembuangan Penyambungan yang susah
bahan toksid.

Tiada masalah perekatan pada bahan kalis Tiada peralatan yang sesuai untuk punaran
foto. ini.
 7. PUNARAN
PUNARAN KERING
 Punaran Kering ( Punaran Anisotropi )
 Bertindak balas dengan gas nadir ( plasma )
 Kaedah ini berlaku pada bawah sasaran sahaja
 100 peratus saiz imej pada resist ( lapisan
fotorintang )
 Saiz bukaan sama pada saiz imej pada lapisan
fotorintang
 Litar Bersepadu yang dihasilkan lebih kecil dari 2
mikro meter
 7. PUNARAN
PUNARAN KERING
 TIGA KEADAAN ATAU HASIL PUNARAN

Keadaan Normal

Keadaan Over etch

Keadaan Resist Lifting

 7. PUNARAN
PUNARAN KERING
Kebaikan Keburukan

1. Lebih murah Tahap hakisan sukar dikawal

2. Kadar punaran seragam dikenakan pada Tidak dapat membentuk tingkap-tingkap

semua arah.
3. Dapat mengasingkan peranti-peranti yang
terdapat pada litar bersepadu.
4. Dapat memfabrikasi peranti tertentu
seperti transistor VMOSFET dan
beberapa jenis sensor
5. Kecekapan tinggi
mengikut saiz
Pemotongan bawah (undercating) topeng
yang menghasilkan saiz corak yang tidak
sama dengan saiz topeng
Asid fosforik turut juga memunar rintang
foto
Punaran berlaku dalam semua arah

6. Kadar punaran yang laju Masalah maklumat sekiranya ada bubble