Académique Documents
Professionnel Documents
Culture Documents
DISPOZITIVE OPTOELECTRONICE
1. INTRODUCERE
Spectrul radiatiei optice este cuprins intre 5nm si 1mm. Spectrul se imparte astfel:
- domeniul de radiatie ultraviolet: (5nm,400nm);
- domeniul vizibil: (400nm ,760nm);
- domeniul infrarosu: (760nm,1mm).
Daca electronii ,care au absorbit radiatia electromagnetica ,sint extrasi din interiorul
corpului solid,fenomenul poarta denumirea de efect fotoelectric extern ; acesti
electroni pot participa la fenomene de conductie in vid sau gaze.
Daca electronii sint doar desprinsi de atomul de origine , devenind purtatori liberi in
interiorul retelei, fenomenul poarta denumirea de efect fotoelectric intern; acest
fenomen este specific numai semiconductoarelor , deoarece la metale exista un mare
numar de purtatori liberi ,chiar in absenta radiatiei electromagnetice.
2.FOTOREZISTORI
In functie de materialul semiconductor din care este realizat, sensibilitatea lui spectrala
poate varia din ultraviolet pina in infrarosu.
Fotorezistorii se obtin prin depunerea unui strat din material semiconductor pe un suport
izolator, prevazut la capete cu doua contacte ohmice pentru lipirea terminalelor.
OPT - 2
Pentru observarea efectului fotovoltaic ,se impune ca energia fotonilor incidenti sa fie
mai mare sau egala cu largimea benzii interzise a semiconductorului Eg.Prin actiunea
fotonilor asupra uneia din regiunile care formeaza jonctiunea p-n sint generati purtatori
de neechilibru.
Cimpul electric intern Ei nu actioneaza decit asupra unei parti a purtatorilor fotogenerati
in volumul semiconductorului :
in zona p, vor fi supusi actiunii cimpului intern numai acei purtatori ce se afla la
distanta cel mult egala cu lungimea de difuzie a electronilor Ln fata de regiunea de
sarcina spatiala, unde electronii vor fi atrasi spre regiunea de sarcina spatiala, in timp
ce golurile vor fi respinse spre suprafata iluminata.
in zona n, se actioneaza in acelasi mod asupra purtatorilor generati si aflati la o
distanta cel mult egala cu Lp de regiunea neutra ; Lp-lungimea de difuzie a golurilor.
in regiunea de sarcina spatiala, electronii sint deplasati in sens contrar cimpului
intern Ei, iar golurile sint deplasate in acelasi sens cu cimpul intern.
Daca suprafata activa este iluminata, la bornele celulei fotovoltaice apare o tensiune
electrica, contactul regiunii p fiind polul pozitiv, iar contactul regiunii n polul negativ.
Aria suprafetei active este de ordinul centimetrilor sau zecilor de centimetri patrati.
Parametrul principal care defineste calitatea unei celule solare este randamentul
conversiei ca fiind raportul dintre puterea electrica maxima furnizata de celula P m si
puterea radianta incidenta pe suprafata fotosensibila Pin: n=Pm/Pin=VmIm/Pin.
Celulele solare se fabrica cu suprafete cit mai mari in scopul obtinerii unor valori
ridicate pentru curentii debitati.
La rindul lor, modulele se grupeaza in ansambluri mai mari (panouri) pentru a putea
obtine puteri de ordinul a sute de wati.
Pentru aceasta se vor selecta celulele fotovoltaice care au curentul de intuneric mic si
tensiunea de strapungere suficient de mare.
O proprietate importanta a fotodiodelor este timpul de raspuns mai redus, la arii
fotosensibile egale, decit al celulelor fotovoltaice sau al fotorezistoarelor.Aceasta se
datoreaza micsorarii capacitatii jonctiunii cind i se aplica o polarizare inversa.
OPT - 8
7.FOTOTRANZISTORUL-are,la fel ca si tranzistorii obisnuiti, doua jonctiuni si in
care se prevede posibilitatea ca regiunea bazei, a colectorului, a emitorului sau chiar
toate regiunile sa fie iluminate.
10.APARATE NECESARE
-panou experimental;
-voltmetru eletronic de c.c.;
-sursa de tensiune continua;
-luxmetru;
-autotransformator 0-220 V;
-lampa cu incandescenta;
-miliampermetru;
-generator de impulsuri cu durata si amplitudine variabile;
-osciloscop catodic cu doua canale, banda 10MHz;
11.DESFASURAREA LUCRARII
Tabelul 1.
------------------------------------------------------------------------------------------------
U (V) ! 0 ! 0.2 ! 0.4 ! 1 ! 2 ! 4 ! 6 ! 8 !
------------------------------------------------------------------------------------------------
! 0 ! ! ! ! ! ! ! ! !
F ! !---!----!-----!----!---!---!---!---!---------------
! 100 ! ! ! ! ! ! ! ! !
OPT - 11
L ! !---!----!-----!----!---!---!---!---!---------------
! 200 ! ! ! ! ! ! ! ! !
U! !---!----!-----!----!---!---!---!---!---------------
! 400 ! ! ! ! ! ! ! ! !
X! !---!----!-----!----!---!---!---!---!---------------
! 600 ! ! ! ! ! ! ! ! !
=============================================================
OBSERVATIE :Intensitatea fluxului luminos se citeste cu ajutorul unui luxmetru. In
lipsa unui luxmetru, valorile fluxului luminos vor fi citite din tabelul 3., determinate
experimental pentru un bec cu incandescenta si puterea de 100W la diferite tensiuni de
alimentare U furnizate de autotransformatorul AT.Distanta dintre bec si dispozitivul
optoelectronic este de aproximativ 10 cm.
Tabelul 3.
-----------------------------------------------------------------
Tensiune AT(V) ! 0 ! 125 ! 130 ! 165 ! 185 ! 200 ! 220 !
-----------------------------------------------------------------
Flux (Lx) ! 0 ! 100 ! 200 ! 400 ! 600 ! 800 ! 1000 !
=============================================================
11.5 Se executa montajul din figura 11.5 pentru ridicarea caracteristicii curent-tensiune
a unei celule solare si se completeaza un tabel de forma 4.
Tabelul 5.
OPT - 13
I1(mA) \ Uce(V) ! 0.0 ! 1.0 ! 2.0 ! 3.0 ! 4.0 ! 5.0 ! 6.0 ! 7.0
-----------------------------------------------------------------
0 ! ! ! ! ! ! ! !
-----------------------------------------------------------------
5 ! ! ! ! ! ! ! !
-----------------------------------------------------------------
10 ! ! ! ! ! ! ! !
-----------------------------------------------------------------
15 ! ! ! ! ! ! ! !
-----------------------------------------------------------------
20 ! ! ! ! ! ! ! !
==============================================================
12.BIBLIOGRAFIE