Problemas Dispo1

DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS I
EXAMEN DICIEMBRE 2006
EJERCICIO 1 (realizar los cálculos con una precisión de 5 cifras significativas)

A una barra de Germanio de 10 cm de longitud y 2 cm2 de sección se le aplica una diferencia de potencial de 10 V entre sus
extremos. Conociendo como datos que la concentración intrínseca de portadores a 300 ºK es 2,36 ⋅ 1019 m-3, que la movilidad de los
electrones es 0,39 m2/(V ⋅ s) y que la movilidad de los huecos es 0,182 m2/(V ⋅ s), determinar:
eV
DATOS: Constante de Boltzman: k = 8,620 ⋅ 10 −5
ºK
(0,5) a) Resistencia de la barra a 300 ºK
L 1 1
R=ρ ; ρ= =
S σ n ⋅ q ⋅ µn + p ⋅ q ⋅ µ p
En el germanio intrínseco se cumple que n = p = ni . Por lo tanto:
1 1
ρ= = = 0,46299Ω ⋅ m
ni ⋅ q ⋅ (µ n + µ p ) m2
−3
2,36 ⋅ 10 m ⋅ 1,6 ⋅ 10
19 −19
C ⋅ (0,39 + 0,182 )
V ⋅s
0,1m
R = 0,46299Ω ⋅ m = 231,49Ω
2 ⋅ 10 − 4 m 2
La resistencia de la barra de germanio a 300 ºK es:
R = 231,49 Ω
(0,5) b) Velocidad de arrastre de electrones y huecos a 300 ºK.
La velocidad de arrastre depende de la movilidad y el campo eléctrico aplicado: v = µ⋅E
V 10V V V
E= = =1 = 100
L 10cm cm m
m2 V m
v n = µ n ⋅ E = 0,39 ⋅ 100 = 39
V ⋅s m s
m2 V m
v p = µ p ⋅ E = 0,182 ⋅ 100 = 18,2
V ⋅s m s
Por lo tanto, la velocidad de arrastre de electrones y huecos a 300 ºK es:
vn = 39 m/s
vp = 18,2 m/s
(0,5) c) Si la barra de germanio se dopa con indio (grupo IIIA de la tabla periódica) en una concentración de 2 ⋅ 1018 at/m3 a una
temperatura de 300 ºK, calcular la concentración de electrones y huecos en el silicio en estas circunstancias.
El indio es un elemento del grupo IIIA de la tabla periódica (3 electrones de valencia) y por lo tanto es una impureza aceptora. Esto
implica que: NA = 2 ⋅ 1018 m-3 y ND = 0.
Como a 300 ºK la concentración intrínseca del germanio es ni = 2,36 ⋅ 1019 m-3, se tiene que la concentración de impurezas aceptoras
es menor que la concentración intrínseca (NA < ni). Por lo tanto no se pueden realizar las aproximaciones del apartado anterior.
En cualquier semiconductor se tienen que cumplir la ley de la neutralidad eléctrica y la ley de acción de masas:
ND + p = N A + n ni2 n2
=> n= ⇒ p = NA + i
n ⋅ p = ni2 p p
p 2 = N A ⋅ p + ni2 ⇒ p 2 − N A ⋅ p − ni2 = 0 ⇒ p 2 − 2 ⋅ 1018 ⋅ p − 2,36 ⋅ 1019 ( ) 2

=0
Se resuelve la ecuación de 2º grado y se obtienen dos valores posibles para la concentración de huecos:
p = 2,4621 ⋅ 1019 m-3
p = -2,2621 ⋅ 1019 m-3
Claramente el segundo resultado al ser negativo no es un valor válido, por lo que la concentración de huecos es la que presenta el
primer resultado. A continuación se obtiene el valor de la concentración de electrones a partir de la ecuación de la ley de acción de
masas:
ni2 (2,36 ⋅ 1019 m −3 ) 2

n= = = 2,2621 ⋅ 1019 m −3
p 2,4621 ⋅ 1019 m −3
Las concentraciones de electrones y huecos son:
n = 2,2621 ⋅ 1019 m-3

p = 2,4621 ⋅ 1019 m-3
(0,5) d) Si la conductividad de un determinado semiconductor puro se incrementa en un 50% cuando la temperatura pasa de 300 ºK
a 310 ºK, ¿cuál sería la anchura de la banda prohibida a 0 ºK de dicho semiconductor? (considerar las movilidades de los
portadores constantes con la temperatura)
σ (310º K )
= 1,5
σ (300º K )
En el germanio puro se cumple que n = p = ni . Por lo tanto: σ = n ⋅ q ⋅ µ n + p ⋅ q ⋅ µ p = ni ⋅ q ⋅ (µ n + µ p )
EG 0
−
ni2 = A0 ⋅ T 3 ⋅ e k .T
EG 0 EG 0
− −
σ (310º K ) = A0 . 310 ⋅ e 3 2⋅k ⋅310
; σ (300º K ) = A0 . 300 ⋅ e 3 2⋅k ⋅300
EG 0
− EG 0 ⎛ 1 1 ⎞ EG 0 ⎛ 1 1 ⎞
σ (310º K ) A0 . 310 3 ⋅ e 2⋅k ⋅310
310 3 ⎜ − ⎟
2⋅k ⎝ 300 310 ⎠
⎜ − ⎟
2⋅k ⎝ 300 310 ⎠ 300 3
= = ⋅ e = 1,5 ⇒ e = 1,5 ⋅ = 1,428
σ (300º K ) −
EG 0
300 3 310 3
A0 . 300 3 ⋅ e 2⋅k ⋅300
E G0 ⎛ 1 1 ⎞ 2 ⋅ k ⋅ ln 1,428 2 ⋅ 8,62 ⋅ 10 −5 ⋅ 0,35627

⎜ − ⎟ = ln 1,428 ⇒ EG0 = = eV = 0,57135eV
2 ⋅ k ⎝ 300 310 ⎠ ⎛ 1 1 ⎞ 0,0001075
⎜ − ⎟
⎝ 300 310 ⎠
E G0 = 0,57135eV
EJERCICIO 1 (Diciembre 2007)
Dado el circuito de la figura donde el zener Z1 tiene una tensión zener VZ1 = 3 V, y el zener Z2 tiene una tensión zener VZ2 = 6 V,
calcular:
Z1 1K
+ +
D1
Z2
Vi Vo
1K 1K
_ _
(1,5) a) Característica de transferencia del circuito analíticamente y dibujar la gráfica (suponer D1, Z1 y Z2 diodos ideales).
Para tensiones muy negativas Z1 regula (zener), D1 está en corte y Z2 está polarizado en directa. Por lo tanto para tensiones Vi muy
negativas (-∞ < Vi ≤ Vx) el circuito equivalente sería:
Vi + 3V .
Vi = − 3V .+ I1 ⋅ (1K + 1K ) ⇒ I1 =
3 V.
A 1K Calculamos Vo: I1=I2; ;
+ +
2K
I1 I2 Z2 Vi + 3V . Vi + 3V .
Vi Vo
Vo = I1 ⋅ 1K = ⋅ 1K =
2K 2
1K Esta situación se mantendrá hasta una cierta tensión Vx que no será
_ _ suficiente para polarizar a Z1 en regulación y el zener quedaría polarizado en
inversa en su zona de corte (no regularía) y la corriente I1 sería nula.
Vi + 3V .
I1 = = 0 ⇒ Vi = − 3V .
2K
Para tensiones mayores a –3V (-3V ≤ Vi ≤ Vx) Z1 estaría en corte y por lo tanto D1 y Z2 estarían también en corte. En esta
situación Vo=0V.
Esta situación se mantendrá hasta que el zener Z1 se polariza en directa. Por lo tanto Z1 estará en corte para –3V ≤ Vi ≤ 0V.
Para 0V ≤ Vi ≤ Vx se estaría en una nueva situación donde Z1 conduce, D1 conduce y Z2 en corte. El circuito equivalente es:
A 1K
+ +
I1 I3 I2
En esta situación Vo=VA=Vi.
Vi Vo Esta situación se mantiene hasta que Z2 empiece a regular que será cuando
1K VA ≥ Vz2. Como VA=Vi entonces Z2 empieza a regular para Vi = 6V, siendo
_ _ el circuito equivalente de esta nueva situación el siguiente:
A 1K
Analizando este circuito:
+
I1 I3 I2 6V.
+ Vo = 6V .+ I 2 ⋅ 1K ;
Vi Vi − 6V Vi − 6V Vi
Vo
I2 = ⇒ Vo = 6V + ⋅ 1K ⇒ Vo = + 3V
1K 1K 2K 2K 2
_ _ Esta situación se mantiene para 6V ≤ Vi ≤ ∞.
Vo (V.)
Vi + 3V
-∞ < Vi ≤ -3V.
2 7
-3V ≤ Vi ≤ 0V.
6
0V
Vo=f(Vi)= Vi 0V ≤ Vi ≤ 6V.
Vi
+ 3V 6V ≤ Vi < ∞
2 -5 -3 6 8 Vi (V.)
-1
(0,5) b) Potencia disipada por el diodo D1 cuando en la entrada del circuito se aplica una tensión Vi = 10 V (suponer Z1 y Z2
ideales, y para D1 los valores siguientes: Vγ = 0,6 V, Rf = 15 Ω, Rr = 100 MΩ)
Para Vi = 10V la situación de los tres diodos es la siguiente: Z1 en directa, Z2 regula (zona zener) y D1 en directa. El circuito
equivalente para Vi = 10V sería:
A I2 1K
+ + +
I1 0,6V. 6V.
Vi VD1 I3
15 Ω Vo
_ 1K
_ 1K _
La potencia disipada en el diodo D1 será igual a la corriente que lo atraviesa multiplicada por la caida de tensión entre ánodo y
cátodo: PD1 = I D1 ⋅ VD1 .
Vi − 0,6V 10V − 0,6V 9,4V
I D1 = I 3 = = = = 9,26mA
1K + 0,015K 1,015K 1,015K
VD1 = 0,6V + I D1 ⋅ 0,015K = 0,6V + 9,26mA ⋅ 0,015K = 0,6V + 0,13V = 0,73V
Sustituimos los valores en la fórmula de la potencia y se obtiene:

PD1 = I D1 ⋅ VD1 = 9,26mA ⋅ 0,73V = 6,75mW
PD1= 6,75 mW
(0,5) c) Potencia disipada por el diodo zener Z2 cuando en la entrada del circuito se aplica una tensión Vi = 10 V (suponer D1, Z1
y Z2 ideales). Calcular también dicha potencia si se aplica una tensión Vi = 1 V.
Para Vi = 10V estamos en la misma situación que en el apartado b. Como el diodo Z2 es ideal entonces la caida de tensión entre
cátodo y ánodo es Vz2=6V (Z2 regula) y circula por él una corriente I2 en sentido inverso.
La potencia disipada en el diodo Z2 será igual a la corriente que lo atraviesa multiplicada por la caida de tensión entre sus
terminales: PZ 2 = I Z 2 ⋅ VZ 2 .
Vi − 6V 10V − 6V 4V
I Z 2 = I2 = = = = 2mA ; VZ 2 = 6V
1K + 1K 2K 2K
Sustituimos los valores en la fórmula de la potencia y se obtiene:
PZ 2 = I Z 2 ⋅ VZ 2 = 2mA ⋅ 6V = 12mW
Vi=10V => PZ2= 12 mW
En el caso de Vi = 1V se estaría en la situación de que Z1 y D1 están polarizados en directa y Z2 estaría polarizado en inversa en la
zona de corte. Por lo tanto al estar Z2 en corte esto implica que no circula corriente por dicho diodo (IZ2=0) y entonces no disipada
potencia.
Vi=1V => PZ2= 0 W

En el circuito de la figura
Vcc DATOS: Vcc = 20 V Rc1 = 100 K Rc2 = 2 K
Transistor T1: VBEon= 0,7 V VCEsat= 0,2 V β = 100

Rc1 Rc2
T1
T2
(1,5) a) Calcular el estado de los transistores y las corrientes en cada una de sus patillas, así como la tensión entre colector y
emisor (indicar en la figura el sentido de las corrientes halladas). Poner los resultados en la tabla.
T1 T2
Estado ACTIVA SATURADO
IC 0,184 mA 9,9 mA
IB 1,84 µA 0,186 mA
IE 0,186 mA 10,086 mA
VCE 0,7 V 0,2 V
T1 está en la región activa y T2 conduce. A partir de aquí se pueden realizar los siguientes cálculos:
Vcc
I1
Rc1 IC1 Rc2
Camino 1
IB1 IC2
VCE1 Camino 2
T1
VBE1 IE1
T2 VCE2
IB2
IE2
VBE2
Analizando el trayecto de circuito marcado como camino 1 en la figura, se tiene que

Vcc = I1 ⋅ RC1 + VBE 1 + VBE 2 Como se sabe que T1 y T2 conducen entonces VBE1 = VBE2 = VBEon = 0,7V.
Vcc − VBE 1 − VBE 2 20V − 0,7V − 0,7V 18,6V
I1 = = = = 0,186mA
RC1 100 K 100 K
I1 = I C1 + I B1 . Como T1 está en activa se cumple que I C = β ⋅ I B . Sustituyendo en la anterior ecuación se obtiene:
I1 = I C1 + I B1 = β1 ⋅ I B1 + I B1 = (β1 + 1) ⋅ I B1 ⇒ I B1 = 1
I
β1 + 1
I 0,186mA
I B1 = 1 = = 1,84 µ A
β1 + 1 100 + 1
Conociendo la corriente de base de T1, y como T1 está en activa, se puede saber cual es la corriente de colector de T1:
I C1 = β1 ⋅ I B1 = 100 ⋅ 1,84 µ A = 0,184mA I E 1 = I C 1 + I B1 I E 1 = I C1 + I B1 = I1 = 0,186mA
Como se puede ver en la figura toda la corriente de emisor del transistor T1 entra en la base del transistor T2, siendo entonces ambas
corrientes idénticas:
I B 2 = I E 1 = 0,186mA VCE 1 = VBE 1 = VBEon = 0,7V
Falta por calcular los valores de las corrientes y tensiones para T2. Este transistor puede estar saturado o en activa. Si se analiza el
circuito de salida de T2 (camino 2), se obtiene la siguiente ecuación suponiendo que T2 está saturado:
VCC − VCE 2 SAT
VCC = I C 2 SAT ⋅ RC 2 + VCE 2 SAT ⇒ I C 2 SAT =
RC 2
VCC − VCE 2 SAT 20V − 0,2V
I C 2 SAT = = = 9,9mA
RC 2 2K
A partir de este valor se halla la corriente de base mínima necesaria para saturar el transistor T2:
I C 2 SAT
9,9mA
I B 2 min SAT = == 70,7 µ A
β2 140
En este caso se tiene que I B2 = 186µ A y como 186µ A > 70,7 µ A el transistor T2 está saturado.
Esto quiere decir que la corriente de colector es la que se calculó antes suponiendo el transistor en saturación:
I C 2 = I C 2 SAT = 9,9mA
Sólo falta por calcular la corriente de emisor (saliente) que será igual a la suma de las corrientes de colector y base (entrantes):
I E 2 = I C 2 + I B 2 = 9,9mA + 0,186mA = 10,086mA
Como el transistor T2 está saturado entonces la tensión entre colector y emisor será directamente igual al valor de dicha tensión en
saturación que se da como dato del problema:
VCE 2 = VCE SAT = 0,2V
(1) b) Calcular el valor mínimo del resistor Rc2 que satura al transistor T2
La corriente de base de T2 es igual a 0,186 mA. Por lo tanto si T2 estuviera en activa la corriente de colector sería:
I C 2 = β 2 ⋅ I B 2 = 140 ⋅ 0,186mA = 26,04mA
En este caso y analizando el circuito de salida de T2 (camino 2), se obtiene la siguiente ecuación:
VCC − VCE 2
VCC = I C 2 ⋅ RC 2 + VCE 2 ⇒ RC 2 =
IC2
Mientras el transistor está en activa la tensión entre colector y emisor VCE es mayor que su valor de saturación (0,2 V). Cuando el
transistor se satura el valor de esta tensión es igual a 0,2 V. En la ecuación anterior se puede ver que cuanto mayor sea la resistencia
RC2 menor tiene que ser el valor de VCE. Por lo tanto si se aumenta constantemente el valor de la resistencia, va a llegar un momento
en que se alcance un valor de tensión VCE = 0,2 V y a partir de ese instante el transistor T2 estaría saturado. Ese valor de resistencia
se puede calcular a partir de la ecuación anterior aplicándola para dicho instante en el que el T2 entra en saturación (VCE2 = 0,2 V):
VCC − VCE 2 SAT 20V − 0,2V
RC 2 SAT = = = 0,760 K = 760Ω
IC2 26,04mA
RC2sat > 760 Ω
(0,25) c) Calcular el valor mínimo que tendría que tener Rc1 para saturar el transistor T1
Al estar cortocircuitados el colector y la base del transistor T1, la tensión entre base y colector es siempre cero lo que implica que la
unión base-colector no puede estar nunca polarizada en directa ya que para ello VBC1>0,5V y esto nunca se cumple porque
VBC1=0V. Para que se sature un transistor es necesario que las uniones emisor-base y base-colector estén ambas polarizadas en
directa, por lo que el transistor T1 no se puede saturar nunca.
T1 siempre en activa
(0,25) d) Si sustituimos el transistor T1 por un transistor pnp, ¿cuál sería el estado de los transistores con esta nueva situación?
Al ser VCC = + 20V , al sustituir T1 por un transistor PNP esta tensión positiva polarizaría a la unión de emisor de dicho transistor
en inversa, lo que supondría que T1 estaría en corte. Al estar T1 en corte, todas sus corrientes son nulas y por lo tanto
I B 2 = I E 1 = 0 , por lo que las corrientes en T2 también serían todas nulas y este transistor también estaría en corte.
T1 en corte
T2 en corte
En el circuito de la figura:
8V
ID
I2K
2K
IDSS VGS = 0
T2
ID
IC
Vi T1
100 Ω VGS < 0
I1K 1K
VDS
|VP|
2K
I’2K CARACTERÍSTICA IDEAL DEL JFET
2
⎛ VGS ⎞
DATOS: |VP| = 8 V IDSS = 5 mA Cuando el FET está saturado I D = I DSS ⎜⎜ 1 − ⎟
⎟
⎝ VP ⎠
|VBEon| = 0,7 V |VCEsat| = 0,2 V β = 100
(2,5) Calcular el valor de las corrientes ID e IC e indicar en que estado están los transistores si no se aplica tensión en la entrada
(Vi = 0 V). Se puede despreciar la corriente IB y la característica del JFET se puede aproximar por tramos lineales.
Se supone que T1 está saturado y T2 en activa:
Vi 0
I 1K = = =0 IB ≈ 0
1K 1K
V 0,7V
I 2 K = EB = = 0,35mA
2K 2K
I D = I 2 K + I B ≈ I 2 K = 0,35mA
2 2
⎛ VGS ⎞ ⎛ V ⎞
I D = I DSS ⎜⎜1 − ⎟ ⇒ 0,35mA = 5mA⎜1 − GS ⎟ ⇒ VGS − 16 ⋅ VGS + 59,52 = 0
2
VP ⎟ ⎜ 8V ⎟
⎝ ⎠ ⎝ ⎠
VGS = 10,11V
Se resuelve la ecuación de 2º grado y se obtienen dos soluciones:
VGS = 5,88V
La solución de 10,11V no es válida ya que esta tensión es mayor que |VP| y esto implicaría que el transistor T1 estaría en corte.
Por lo tanto la única solución coherente con la suposición realizada anteriormente de que el transistor T1 está en saturación es
la de 5,88V.
Como el transistor T1 es un FET de canal N, se tiene que VGS = −5,88V
V DS = 8V − V EB + VGS = 8V − 0,7V − 5,88V = 1,42V
Ahora se tienen que comprobar las suposiciones anteriores:
VDS ≥ V P − VGS
Si T1 saturado => => no se cumple la condición de saturación por lo que la suposición es
1,42V < 8V − 5,88V = 2,12V
falsa y los resultados obtenidos no son correctos.
Se supone que T1 en óhmica y T2 en activa:

VP 8V
rDS = = = 1,6 K
I DSS 5mA
8V = I D (2 K + rDS ) + I ' 2 K ⋅2 K = I D ⋅ 3,6 K + I ' 2 K ⋅2 K
8V − 0,35mA ⋅ 3,6 K
I '2K = = 3,37 mA
2K
I C + I D = I ' 2 K ⇒ I C = I ' 2 K − I D = 3,37mA − 0,35mA = 3,02mA
Ahora se tienen que comprobar las suposiciones:
* Comprobar que T1 está en óhmica:
0 = VGS + I ' 2 K ⋅2 K ⇒ VGS = − I ' 2 K ⋅2 K = −3,37 mA ⋅ 2 K = −6,74V

V DS = I D ⋅ rDS = 0,56V
VDS < V P − VGS

Si T1 en óhmica => => se cumple la condición de óhmica por lo que la suposición es
0,56V < 8V − 6,74V = 1,26V
correcta.
* Comprobar que T2 está en activa:
VCE = −8V + I C ⋅ 100Ω + I ' 2 K ⋅2 K = −8V + 3,02mA ⋅ 0,1K + 3,37mA ⋅ 2 K = −0,95V
Se obtiene que VCE es negativa y VCE > VCEsat = 0,2V , lo que implica que el transistor T2 está en activa y la suposición es
correcta.
Por lo tanto la solución del problema es:
T1 en óhmica ID = 0,35mA
T2 en activa IC = 3,02 mA
(0,75) a) Calcular la característica de transferencia del circuito de la figura para –20V ≤ Vi ≤ 20V. Dibujar la característica de
transferencia e indicar el estado de cada uno de los diodos en cada tramo.
DATOS: Diodos ideales

D1 5K 15K
VO
+
D2
Vi 10K
_ 6V
• -20 V ≤ Vi ≤ 0V => D1 y D2 en corte

VO = 0 V
• 0 V ≤ Vi ≤ VX => D1 conduce y D2 en corte
5K 15K
10 K 2
+
VO VO = Vi = Vi
5 K + 10 K 3
Vi 10K
_
2
D2 empieza a conducir cuando VO ≥ 6 V => Vi ≥ 6V ⇒ Vi ≥ 9V
3
Por lo tanto VX = 9 V
• 9 V ≤ Vi ≤ 20 V => D1 y D2 conducen
VO = 6 V
Por lo tanto, la característica de transferencia sería la siguiente:
vo (V)
D1 ON
D2 ON
6
ON F
D1 OF
D2
vi (V)
D1 OFF 9 20
D2 OFF
(0,5) b) Si los diodos no son ideales, calcular el valor exacto de Vi donde el diodo D1 pasa de corte a conducción.
DATOS: D1 => Vγ = 0,6 V Rf = 100 Ω Rr = ∞

D2 => Vγ = 0,6 V Rf = 100 Ω Rr = 1 MΩ
Cuando D1 no conduce, D2 también está en corte y el circuito equivalente sería:
I1 = 0
5K B 15K
VO 6V + 0,6V
+
0,6V I2 = − = −0,006439mA = −6,439 µA
10 K + 15K + 10 K
3
Vi 10K I2 103K
_ V B = − I 2 ⋅ 10 K = 0,06439V
6V
D1 empieza a conducir cuando Vi = Vγ + V B = 0,6V + 0,06439V = 0,66439V
Vi =0,66439 V
(0,5) c) Calcular el valor de la corriente por el diodo D2 cuando a al entrada se aplica una tensión Vi = 5V. los diodos no son ideales
y tienen las mismas características que en el apartado b).
Para Vi = 5 V D1 conduce y D2 está en corte y el circuito equivalente sería:
Calculando en equivalente Thevenin del circuito de la

0,6V
0,1K 5K B 15K entrada (hasta B):
VO
+
0,6V
VTH = (Vi − 0,6V )
10 K
Vi
I1 I2 = 2,9139V
10K 103K 0,1K + 5K + 10 K
_ RTH = 10 K // 5,1K = 3,3774 K
6V
RTH 15K
( )
VTH = I 2 ⋅ RTH + 15K + 10 3 K + 0,6V + 6V ⇒
VTH − 0,6V − 6V
B
VO
0,6V I2 = = −3,6195µA
I2 RTH + 15 K + 10 3 K
103K
VTH
6V
I2 =-3,6195 µA
(0,25) d) ¿Qué nombre recibe el circuito de este problema?.
Es un circuito recortador a 2 niveles o circuito rebanador.

(1) a) Determinar el valor de R1 y R2 para que el punto de funcionamiento del transistor T2 del circuito de la figura sea IC2 = 10 mA
y VCE2 = 10 V.
DATOS: Vcc = 20 V
Transistores T1 y T2 idénticos: VBEon= 0,7 V VCEsat= 0,2 V β = 100
Diodo: VZ = 5V
VCC
IR1 R2
R1 IC2
+ VZ -
T2
IB1 IC1
T1
IB2
1 MΩ
IC2 = 10 mA y VCE2 = 10 V => T2 está en activa => zener regula.
VCC − VCE 2 20V − 10V

VCE 2 = VCC − I C 2 ⋅ R2 ⇒ R2 = = = 1kΩ
IC2 10mA
VCE1 = VZ + V BE 2 = 5V + 0,7V = 5,7V => T1 está en activa
V −V 20V − 0,7V
VCC = I B1 ⋅ 10 3 K + VBE1 ⇒ I B1 = CC 3 BE1 = = 19,3µA ⇒ I C1 = β ⋅ I B1 = 100 ⋅ 19,3µA = 1,93mA
10 K 10 3 K
I 10mA
I B2 = C 2 = = 0,1mA
β 100
I R1 = I B 2 + I C1 = 0,1mA + 1,93mA = 2,03mA
VCC − 5,7V 20V − 5,7V
VCC − I R1 ⋅ R1 = 5,7V ⇒ R1 = = = 7,0443kΩ
I R1 2,03mA
R1 = 7,0443 kΩ
R2 = 1 kΩ
(1) b) Si R2 tiene un valor de 5 kΩ, determinar el valor de R1 para que los dos transistores estén saturados.
Los dos transistores nunca van a estar saturados a la vez, ya que si T1 está saturado => VCE1 = 0,2 V => T2 estaría en corte ya que
esta tensión es insuficiente para polarizar al zener en su zona de regulación => zener en corte => T2 en corte.
(1) c) Si R1 = R2 = 1 kΩ y sustituimos la resistencia de 1 MΩ de la base del transistor T1 por una resistencia RB1, ¿cuál sería el
valor máximo de esta resistencia RB1 para que el transistor T2 esté en corte?.
T2 en corte => VCE1 < VZ + VBE = 5 V + 0,7 V = 5,7 V
VCC − 5,7V 20V − 5,7V

VCE1 = VCC − I C1 ⋅ R1 < 5,7V ⇒ I C1 > = = 14,3mA
R1 1K
Como T1 estaría en activa:
14,3mA
I C1 = β ⋅ I B1 > 14,3mA ⇒ I B1 > = 0,143mA = 143µA
β
VCC − V BE1 V − VBE1 20V − 0,7V

I B1 = > 0,143mA ⇒ RB1 < CC = = 134,96kΩ
RB1 0,143mA 0,143mA
RB1 < 134,96 kΩ

(3) Calcular el valor de R2 en el circuito de la figura para obtener una corriente de 7 mA por el resistor R3. Obtener el valor de todas
las tensiones y corrientes indicadas en la tabla (indicar en la figura del circuito el sentido de las corrientes). Poner los resultados en
la tabla.
DATOS: Vcc = 25 V R1 = 400 Ω R3 = 1 kΩ R4 = 1 kΩ
R1 R3
Transistor T1: |VP| = 1 V |IDSS| = 5 mA
IR1 R2 IR3 Transistor T2: |VP| = 8 V |IDSS| = 6 mA

IR2 VCC
T2
ID1 ID2 R
4
T1
R2
Valor 2,6906 kΩ
T1 T2
Estado Saturado Estado Saturado
ID 5 mA ID 2 mA
VDS 16 V VDS -10,6188 V
* Se supone que T1 está saturado:
VGS 1 = 0 ⇒ I D1 = I DSS1 = 5mA = I R1
V DS1 = VCC − I R 3 ⋅ R3 − I R1 ⋅ R1 = 25V − 7 mA ⋅ 1K − 5mA ⋅ 0,4 K = 16V
Saturación ⇒ V DS1 ≥ V P1 − VGS1

16V ≥ 1V
Esto implica que la suposición de T1 saturado es correcta.
I R 2 = I D 2 = I R 3 − I R1 = 7 mA − 5mA = 2mA
VGS 2 + I R1 ⋅ R1
VGS 2 = − I R1 ⋅ R1 + I R 2 ⋅ R2 = − I R1 ⋅ R1 + I D 2 ⋅ R2 ⇒ R2 =
I D2
* Se supone que T2 está saturado:
2 2
⎛ VGS 2 ⎞ ⎛ V ⎞ I
I D2 = I DSS 2 ⋅ ⎜⎜1 − ⎟ ⇒ ⎜1 − GS 2 ⎟ = D 2 = 2mA = 0,33333
VP 2 ⎟ ⎜ VP 2 ⎟ I DSS 2 6mA
⎝ ⎠ ⎝ ⎠
VGS 2
1− = ± 0,33333 = ±0,57735
VP 2
VGS 2 12,6188V
= 1 ± 0,57735 ⇒ VGS 2 = (1 ± 0,57735) ⋅ VP =
VP 2 3,3812V
La solución de 12,6188 V no puede ser porque VGS2 > VP2 y el transistor T2 estaría en corte, siendo esto incongruente con la
suposición de que T2 está saturado.
Por lo tanto la solución sería |VGS2| = 3,3812 V y como T2 es un JFET de canal P y VGS2 > 0, esto implica que VGS2 = |VGS2| =
3,3812 V.
Sustituyendo valores en la ecuación de R2 se obtiene:
VGS 2 + I R1 ⋅ R1 3,3812V + 5mA ⋅ 0,4 K

R2 = = = 2,6906kΩ
I D2 2mA
Sólo queda comprobar que la suposición de T2 en saturación es correcta:
VCC = I R 3 ⋅ R3 + I R 2 ⋅ R2 − VDS 2 + I D 2 ⋅ R4
V DS 2 = −VCC + I R 3 ⋅ R3 + I R 2 ⋅ R2 + I D 2 ⋅ R4 = −25V + 7mA ⋅ 1K + 2mA ⋅ 2,69064 K + 2mA ⋅ 1K = −10,6188V
Saturación ⇒ V DS 2 ≥ V P 2 − VGS 2
10,6188V ≥ 8V − 3,3812V = 4,6188V
Esto implica que la suposición de T2 saturado es correcta.
Las dos suposiciones son correctas, por lo que los dos transistores están saturados y los valores calculados anteriormente son
los correctos.
Calcular la tensión a la salida del circuito de la figura (VO) e indicar el estado de los diodos para las siguientes tensiones de entrada:
DATOS: Vγ =0,6V Rf = 100Ω Rr = ∞
D1 1K
V1
VO
D2 1K
V2
9K
(0,5) a) V1 = 10V y V2 = 0V
En este caso D1 conduce y D2 está en corte claramente, y por lo tanto el circuito equivalente sería:
0,6V 100Ω 1K
V1 VO
9K
VO = (V1 − 0,6V )
9K
= 8,3762V
0,1K + 1K + 9 K
VO = 8,3762 V
(0,5) b) V1 = 5V y V2 = 0V
En este caso las condiciones siguen siendo las mismas que en el apartado a). Sólo cambia el valor de V1.
0,6V 100Ω 1K
V1 VO
9K
VO = (V1 − 0,6V )
9K
= 3,9207V
0,1K + 1K + 9 K
VO = 3,9207 V
(0,5) c) V1 = 10V y V2 = 5V
En esta caso pueden surgir dudas del estado de los diodos ya que como V2 = 5 V puede ser que el diodo D2 esté polarizado en
directa. Pero si nos fijamos en el apartado a) con V1 = 10 V y V2 = 0 V se tenía que VO = 8,3762 V que es la tensión que existe en el
cátodo del diodo D2 mientras esté en corte. Por lo tanto, para que empiece a conducir el diodo D2 en esas condiciones se tendría que
aplicar en el ánodo de ese diodo (V2) una tensión superior a esos 8,3762 V en una cantidad que supere la tensión umbral, es decir,
que D2 no empezaría a conducir hasta una tensión V2 = 8,3762 V + 0,6 V = 8,9762 V.
Por lo tanto, en este caso el diodo D1 conduce y el diodo D2 estaría en corte y el circuito equivalente sería el mismo que en los
apartados a) y b):
0,6V 100Ω 1K
V1 VO
9K
VO = (V1 − 0,6V )
9K
= 8,3762V
0,1K + 1K + 9 K
VO = 8,3762 V
(0,5) d) V1 = 5V y V2 = 5V
En este caso D1 y D2 estarían claramente conduciendo. El circuito equivalente sería:
0,6V 100Ω 1K
V1
I1
0,6V 100Ω VO
1K I1+I2
V2
I2 9K
V1 − 0,6V = 4,4V = I 1 ⋅ 1,1K + (I 1 + I 2 ) ⋅ 9 K = I 1 ⋅ 10,1K + I 2 ⋅ 9 K ⎫ 4,4V − I 1 ⋅ 10,1K

⎬ ⇒ I2 = ⇒
V2 − 0,6V = 4,4V = I 2 ⋅ 1,1K + (I 1 + I 2 ) ⋅ 9 K = I 1 ⋅ 9 K + I 2 ⋅ 10,1K ⎭ 9K
4,4V − I 1 ⋅ 10,1K
4,4V = I 1 ⋅ 9 K + ⋅ 10,1K ⇒ I 1 = 0,23037 mA = 230,37 µA
9K
4,4V − I 1 ⋅ 10,1K
I2 = = 0,23037 mA = 230,37 µA
9K
VO = (I 1 + I 2 ) ⋅ 9 K = (0,23037 + 0,23037 )mA ⋅ 9 K = 4,1466V
VO = 4,1466 V
(1) a) Determinar el valor de R1 y R2 para que el punto de funcionamiento del transistor T2 del circuito de la figura sea IC2 = 10 mA
y VCE2 = 10 V.
DATOS: Vcc = 20 V
Transistores T1 y T2 idénticos: VBEon= 0,7 V VCEsat= 0,2 V β = 100
Diodo: VZ = 5V
VCC
IR1 R2
R1 IC2
+ VZ -
T2
IB1 IC1
T1
IB2
1 MΩ
IC2 = 10 mA y VCE2 = 10 V => T2 está en activa => zener regula.
VCC − VCE 2 20V − 10V

VCE 2 = VCC − I C 2 ⋅ R2 ⇒ R2 = = = 1kΩ
IC2 10mA
VCE1 = VZ + V BE 2 = 5V + 0,7V = 5,7V => T1 está en activa
V −V 20V − 0,7V
VCC = I B1 ⋅ 10 3 K + VBE1 ⇒ I B1 = CC 3 BE1 = = 19,3µA ⇒ I C1 = β ⋅ I B1 = 100 ⋅ 19,3µA = 1,93mA
10 K 10 3 K
I 10mA
I B2 = C 2 = = 0,1mA
β 100
I R1 = I B 2 + I C1 = 0,1mA + 1,93mA = 2,03mA
VCC − 5,7V 20V − 5,7V
VCC − I R1 ⋅ R1 = 5,7V ⇒ R1 = = = 7,0443kΩ
I R1 2,03mA
R1 = 7,0443 kΩ
R2 = 1 kΩ
(1) b) Si R2 tiene un valor de 5 kΩ, determinar el valor de R1 para que los dos transistores estén saturados.
Los dos transistores nunca van a estar saturados a la vez, ya que si T1 está saturado => VCE1 = 0,2 V => T2 estaría en corte ya que
esta tensión es insuficiente para polarizar al zener en su zona de regulación => zener en corte => T2 en corte.
(1) c) Si R1 = R2 = 1 kΩ y sustituimos la resistencia de 1 MΩ de la base del transistor T1 por una resistencia RB1, ¿cuál sería el
valor máximo de esta resistencia RB1 para que el transistor T2 esté en corte?.
T2 en corte => VCE1 < VZ + VBE = 5 V + 0,7 V = 5,7 V
VCC − 5,7V 20V − 5,7V

VCE1 = VCC − I C1 ⋅ R1 < 5,7V ⇒ I C1 > = = 14,3mA
R1 1K
Como T1 estaría en activa:
14,3mA
I C1 = β ⋅ I B1 > 14,3mA ⇒ I B1 > = 0,143mA = 143µA
β
VCC − V BE1 V − VBE1 20V − 0,7V

I B1 = > 0,143mA ⇒ RB1 < CC = = 134,96kΩ
RB1 0,143mA 0,143mA
RB1 < 134,96 kΩ

El circuito de la figura utiliza un FET de canal N con VP = -2V e IDSS = 1,65 mA. Se desea polarizar el circuito para que ID = 0,8 mA
con una tensión de polarización VCC = 24V.
VCC
RD
RG RS
(1,5) a) Calcular VGS, RS y RD para que el transistor esté funcionando en saturación y con las condiciones indicadas en el enunciado.
El transistor está saturado =>

2
⎛ V ⎞ V ID ⎧ − 3,3926V
= ±0,69631 ⇒ VGS = (1 ± 0,69631) ⋅ V P = ⎨
0,8mA
I D = I DSS ⋅ ⎜⎜1 − GS ⎟⎟ ⇒ 1 − GS = ± =±
⎝ VP ⎠ VP I DSS 1,65mA ⎩− 0,60738V
VGS = - 3,3926 V no puede ser ya que |VGS| > |VP| y entonces el transistor estaría en corte.
VGS = - 0,60738 V es el resultado correcto ya que |VGS| < |VP| y el transistor estaría conduciendo y perfectamente podría estar en
saturación.
Por otro lado tenemos:
VGS − 0,60738V
VGS = − I D ⋅ RS ⇒ RS = − =− = 0,759,22 K = 759,22Ω
ID 0,8mA
Para que el FET esté saturado se tiene que cumplir:
VDS ≥ V P − VGS = 2V − 0,60738V = 1,3926V
Analizando el circuito se obtiene:
VCC − 1,3926V 24V − 1,3926V

V DS = VCC − I D ⋅ (RD + RS ) ≥ 1,3926V ⇒ (R D + RS ) ≤ = = 28,258 K ⇒
ID 0,8mA
R D ≤ 28,258 K − RS = 28,258 K − 0,75922 K = 27,498 K
VGS = -0,60738 V
RS = 759,22 Ω
RD ≤ 27,498 kΩ
(1,5) b) Calcular VGS, RS y RD para que el transistor esté funcionando en óhmica y con las condiciones indicadas en el enunciado.
El transistor está en óhmica =>

VP 2V
rDS = = = 1,2121K
I DSS 1,65mA
V DS = I D ⋅ rDS = 0,8mA ⋅ 1,2121K = 0,96968V
Para que el FET esté en óhmica se tiene que cumplir:
VDS < V P − VGS = 2V − VGS ⇒ 0,96968V < 2V − VGS ⇒ VGS < 1,0303V
Como el FET es canal N, entonces VGS tiene que ser negativa => -1,0303V < VGS ≤ 0V
Analizando el circuito se tiene:
1,0303V 1,0303V
VGS = − I D ⋅ RS ⇒ VGS = I D ⋅ RS < 1,0303V ⇒ RS < = = 1,2878K
ID 0,8mA
VCC − VDS 24V − 0,96968V

V DS = VCC − I D ⋅ (RD + RS ) ⇒ (RD + RS ) = = = 28,787 K
ID 0,8mA
(RD + RS ) = 28,787 K ⇒ RD = 28,787 K − RS > 28,787 K − 1,2878K = 27,499 K
R D = 28,787 K − RS < 28,787 K
-1,0303 V < VGS ≤ 0 V

RS < 1,2878 kΩ
27,499 < RD ≤ 28,787 kΩ
RD + RS = 28,787 kΩ
EXAMEN JUNIO 2006

En el circuito de la figura el interruptor A se cierra en un instante de tiempo t0.
DATOS: VA = 30V VZ = 6V (zener ideal) C = 47 µF (el condensador está inicialmente descargado)
A
18K 2K
t0
VA C
(1) a) Calcular el tiempo que transcurre desde t0 hasta que el zener empieza a regular.
En el instante t0 el zener está en corte ya que en el punto B habría una tensión menor que VZ:
18K B
2K
I
+
VA C VC
_
V A − VC 30V
VC = 0 ⇒ VB = V A − I ⋅ 18 K ; I= = = 1,5mA
18 K + 2 K 20 K
V B = 30V − 1,5mA ⋅ 18 K = 30V − 27V = 3V < VZ => zener está en corte.
Para que el zener regule se tiene que alcanzar en el punto B una tensión igual a 6V. Esto implica que la corriente I debe tener un
valor de:
V A − VB 30V − 6V
I= = = 1,3333mA
18K 18 K
En ese instante la tensión en el condensador debe ser:
VC = V B − I ⋅ 2 K = 6V − 1,3333mA ⋅ 2 K = 3,334V
Por lo tanto, a continuación se debe aplicar la ecuación de carga del condensador para calcular el tiempo que tarda el condensador
en alcanzar una tensión de 3,334V entre sus placas:
VC (t ) = V f + (Vi − V f ) ⋅ e
t
−
τ
Como la tensión inicial del condensador es cero:
⎛ − ⎞
t
⎛ 3,334V ⎞
VC (t ) = V f ⋅ ⎜⎜1 − e τ ⎟⎟ = 3,334V ⇒ t = −τ ⋅ ln⎜1 − ⎟
⎜ Vf ⎟
⎝ ⎠ ⎝ ⎠
τ = R ⋅ C = (18K + 2 K ) ⋅ 47 µF = 0,94 s
V f = 30V
⎛ 3,334V ⎞
t = −0,94 s ⋅ ln⎜1 − ⎟ = 0,11073s = 110,73ms
⎝ 30 ⎠
t = 110,73 ms
(0,5) b) ¿Cuánto tiempo tardaría el condensador desde el instante t0 para alcanzar una tensión de 18,9V (63% de 30V)?
El condensador nunca alcanzaría esta tensión ya que en el momento que el zener empieza a regular (cuando el condensador alcanza
los 3,334V) estabiliza una tensión fija en el punto B de 6V. Esto implica que la máxima tensión que puede alcanzar el condensador
son esos 6V.
(0,5) c) ¿Cuál sería la máxima corriente que circularía por el zener?
Cuando se cierra el interruptor A, el circuito sería:
18K B
2K
I IZ IC
VA C
Cuando el zener empieza a regular se establece una corriente IZ y la tensión en el punto B se estabiliza a 6 V.
V A − V B 30V − 6V
I = IZ + IC = = = 1,3333mA
18K 18 K
A medida que el condensador se va cargando, VC aumenta e IC disminuye, por lo que IZ va aumentando. IZ se hace máxima cuando
IC es mínima. Cuando el condensador se carga por completo IC = 0.
I C = 0 ⇒ I Z = I = 1,3333mA
IZmax = 1,3333 mA
1) En el circuito de la figura 1 se aplica a la entrada una tensión Vi = 20 V y originalmente el interruptor A está cerrado y el B está
abierto. Los resistores R1 y R2 tienen las mismas dimensiones (figura 2) pero están fabricados con diferentes materiales.
R1 B
A R1 y R2
r
Vi C R2
Figura 1 Figura 2
DATOS: Resistor R1 => ρ1(295ºK) = 25 Ω.cm α = 40000 ppm/ºK Pn = 5 W Rigidez dieléctrica = 75 V

Resistor R2 => ρ2(295ºK) = 1500 Ω.cm R2(295ºK) = 10 K Pn = 10 W Rigidez dieléctrica = 75 V
Circuito figura 1 => Vi = 20 V C = 20 µF
(0’5) a) Calcular el valor de la resistencia del resistor R1 a temperatura ambiente (T=300 ºK)
L
R1 (300º K ) = ρ 1 ( 300º K ) . ρ = ρ 0 ⋅ (1 + α ⋅ ∆ T ) => ρ 1 ( 300º K ) = ρ 1 ( 295º K ) ⋅ (1 + α ⋅ ( 300º K − 295º K ) )
S
⎛ 40000 −1 ⎞
ρ 1 ( 300º K ) = 25Ω ⋅ cm⎜ 1 + 6 ºK ⋅ 5º K ⎟ = 30Ω ⋅ cm
⎝ 10 ⎠
L L R2 ( 295º K ) 10.000Ω
R2 (295º K ) = ρ 2 ( 295º K ) => = = = 6,66cm−1
S S ρ 2 ( 295º K ) 1500 . Ω ⋅ cm
L
R1 (300º K ) = ρ 1 ( 300º K ) = 30Ω ⋅ cm ⋅ 6,66cm−1 = 199,8Ω
S
R1(300 ºK) = 199,8 Ω
(A partir de aquí suponer que R1 = 100 Ω y R2 = 1 KΩ para realizar los cálculos de los siguientes apartados)
(0’5) b) ¿Cuál es la tensión máxima de trabajo de R1? ¿y la tensión máxima de trabajo de R2?
Para R1: Tensión máxima debido a la disipación térmica:

V2
Pn=5W; P = => V = P ⋅ R => Vn = Pn ⋅ R -> Vn es la tensión nominal (tensión máxima)
R
Vn = 5W ⋅ 100Ω = 500V 2 = 22,36V
Tensión máxima debido a la rigidez dieléctrica: Vrd= 75V

Vn < Vrd => VMAX= 22,36 V
VMAX= 22,36 V
Para R2: Tensión máxima debido a la disipación térmica

V2
Pn=10W; P = => V = P ⋅ R => Vn = Pn ⋅ R -> Vn es la tensión nominal (tensión máxima)
R
Vn = 10W ⋅ 1000Ω = 10000V 2 = 100V
Tensión máxima debido a la rigidez dieléctrica: Vrd= 75V

Vrd < Vn => VMAX= 75 V
VMAX= 75 V
(0,5) c) Si el interruptor A se abre 1 milisegundo después de aplicar la tensión Vi al circuito de la figura 1, y en ese mismo
instante se cierra el interruptor B, calcular la tensión en el condensador 5 milisegundos después de aplicar la
tensión Vi al circuito (el condensador está inicialmente descargado).
Periodo 1 (entre t= 0 s y t= 1 ms) -> en este periodo el interruptor A está cerrado y el B abierto.
El circuito equivalente en este periodo será el siguiente
A R1
+
+
Vi VC C
_
_
En este periodo el condensador que esta descargado (VC= 0V) se empieza a cargar según la ecuación general de carga y
( )
t
−
descarga del condensador VC (t ) = V final + Vinicial − V final ⋅ e τ
Vinicial= 0 V Vfinal= 20 V
τ = R1 ⋅ C = 100Ω ⋅ 20 µF = 2000 ⋅ 10 −6 s = 2ms
Se aplica la ecuación general pata t= 1ms:
1ms
−
VC (t = 1ms ) = 20V + (0 − 20V ) ⋅ e 2 ms
= 20V (1 − 0,6065) = 7,87V
Periodo 2 (entre t = 1 ms y t= 5 ms) -> El circuito equivalente en este periodo será el siguiente
B
+
VC C R2
_
Vinicial= 7,87 V (tensión a la que se cargo en el primer periodo)

Vfinal= 0 V (el condensador tiende a descargarse completamente)
τ = R 2 ⋅ C = 1000Ω ⋅ 20 µF = 20000 ⋅ 10 −6 s = 20ms
Se aplica la ecuación general pata t= 4 ms:
4 ms
−
VC (t = 4ms ) = 0V + (7,87V − 0V ) ⋅ e 20 ms
= 7,87V ⋅ 0,818 = 6,43V
VC= 6,43V
(0’5) d) Si el dieléctrico del condensador tiene una resistencia de 10 MΩ, calcular el factor de pérdidas del condensador
para una frecuencia de 1 KHz. ¿Cuál sería el factor de pérdidas de un condensador ideal?
C RP
1
El factor de pérdidas para este circuito equivalente paralelo tiene la siguiente expresión: D = tgδ =
2 ⋅ π ⋅ f ⋅ RP ⋅ C
Lo único que se tiene que hacer es sustituir valores en esta fórmula:
f= 1 KHz (frecuencia); RP= 10 MΩ (resistencia de aislamiento); C= 20 µF (capacidad del condensador)
1
D = tgδ = = 7,95 ⋅ 10 −7 D=7,95⋅10-7
2 ⋅ π ⋅ 1000s ⋅ 10 Ω ⋅ 20 ⋅ 10 F
−1 7 −6
Un condensador ideal tendría una resistencia de aislamiento infinita, por lo que si se aplica la anterior formula con
RP= ∞ se obtiene que D = tgδ = 0.
Para un condensador ideal => D = tgδ = 0
(1) a) Dibujar la curva de transferencia del circuito de la figura. (VZ = 9,4 V; Vγ = 0,6 V; R = 1kΩ)
R
+
D5
+ D2
vi D4 vo
_ D1
D3
_
⎧ D1, D2 Corte
* − ∞ < vi ≤ V X 1 ⇒ ⎨
⎩ D3, D 4, D5 Conducen
v o = −(VD 3 + V D 4 + VD 5 ) = −(0,6V + 0,6V + 0,6V ) = −1,8V
Esto se cumplirá mientras que − vi ≥ (Vγ 3 + Vγ 4 + Vγ 5 ) = (0,6V + 0,6V + 0,6V ) = 1,8V ⇒ vi ≤ −1,8V
Entonces se tiene que VX1 = -1,8V
⎧ D1, D2 Corte
* − 1,8V < vi ≤ V X 2 ⇒ ⎨
⎩ D3, D 4, D5 Corte
No circula corriente por el circuito y la caida de tensión en R es nula. Por lo tanto, vo = vi.
Esto se cumplirá mientras que vi ≤ (V z1 + Vγ 2 ) = (9,4V + 0,6V ) = 10V

Entonces se tiene que VX2 = 10V
⎧ D1 Re gula
⎪
* 10V < vi < ∞ ⇒ ⎨ D2 Conduce
⎪ D3,
⎩ D 4, D5 Corte
vo = (V z1 + Vγ 2 ) = (9,4V + 0,6V ) = 10V
Por lo tanto, la función de transferencia del circuito es la siguiente:
⎧− 1,8V − ∞ < vi ≤ −1,8V

⎪
vo = ⎨ vi − 1,8V < vi ≤ 10V
⎪ 10V 10V < vi < ∞
⎩
vo (V)
10
-1,8
0 10 vi (V)
-1,8
(0,5) b) Dibujar la forma de onda de la señal de salida si a la entrada se aplica una señal (expresada en voltios) vi (t) = 15 sen ωt.
vo (V)
15
10
0 T t
-1,8
(0,5) c) Si se aumenta el valor de la resistencia R, el diodo D1 empezaría a regular y el diodo D2 a conducir a una tensión vi
mayor o menor que la del apartado a).
El valor de R no influye sobre el estado de polarización de los diodos.

(1) a) Hallar el punto de trabajo en reposo del transistor de la figura.
DATOS: Vcc = 15 V Ri = 100 Ω R1 = 10 kΩ R2 = 4,7 kΩ RC = 1 kΩ RE1 = 500 Ω RE2 = 500 Ω C1 = C2 = C3 = 47 µF
Transistor: VBEon= 0,7 V VCEsat= 0,2 V β = 100

VCC
R1 RC
io
Ri C1 vo
C3
+ RL
vi RE1
_ R2
RE2 C2
En reposo (f = 0) los condensadores son circuitos abiertos. Se hace el equivalente Thevenin del divisor resistivo del circuito de
polarización de la base y el circuito que queda para el análisis del punto de trabajo en reposo del transistor es:
VCC R2 4,7 K
VTH = VCC = 15V = 4,7959V
R1 + R2 10 K + 4,7 K
RC
R1 ⋅ R2 10 K ⋅ 4,7 K
RTH = R1 // R2 = = = 3,1972 K
IC R1 + R2 10 K + 4,7 K
RTH
IB * Se supone que el transistor está en activa:

IE
VTH = I B ⋅ RTH + V BE + I E ⋅ R E = I B ⋅ RTH + V BE + (β + 1)I B ⋅ R E ⇒

VTH
RE= RE1+RE2
VTH − V BE 4,7959V − 0,7V
IB = = = 0,039309mA = 39,309 µA
RTH + (β + 1)RE 3,1972 K + 101 ⋅ 1K
I C = β ⋅ I B = 100 ⋅ 39,309 µA = 3,9309mA

I E = (β + 1)I B = 101 ⋅ 39,309µA = 3,9702mA
VCE = VCC − I C ⋅ RC − I E ⋅ R E = 15V − 3,9309mA ⋅ 1K − 3,9702mA ⋅ 1K = 7,0989V => Suposición correcta
Por lo tanto el transistor está en activa y el punto de trabajo es:
Q=(3,9309 mA; 7,0989 V)

(1) b) Hallar el valor mínimo que debe tener RC para que el transistor esté saturado en el punto de trabajo en reposo
Para que el transistor esté saturado debe cumplirse que VCE = 0,2V ⇒ VCC − VCE = I C ⋅ RC + I E ⋅ R E
Justo al entrar en saturación debe cumplirse esta igualdad viniendo en transistor del estado activo. Despejando RC se obtiene:
VCC − VCE − I E ⋅ RE 15V − 0,2V − 3,9702mA ⋅ 1K

RC = = = 2,75 K
IC 3,9309mA
Por lo tanto, para una resistencia mayor o igual a 2,75 KΩ el transistor estaría saturado en el punto de reposo.
RC ≥ 2,75 KΩ
(0,5) c) Hallar el valor del condensador C2 para que en el punto de trabajo en reposo el transistor esté saturado
El valor de C2 no influye en el punto de trabajo en reposo.
(0,5) d) Hallar el valor de la tensión de salida vo si a la entrada se aplica una tensión continua vi (t) = 10 V.
Como la tensión de entrada es contínua, los condensadores siguen comportándose como circuitos abiertos y no circula corriente por
ellos.
io = 0 ⇒ v o = 0
vo = 0
(1,5) a) En el circuito de la figura calcular los estados por los que pasan los transistores cuando IS varía entre 0 y 100 µA y los
valores límites de dicha IS en donde los transistores cambian de estado. Las características del JFET se pueden aproximar por
tramos lineales.
DATOS: VDD = 15 V R = 4 kΩ
VDD
T2 R
RB
T1
IS
* IS = 0 => T1 y T2 en corte
* 0 < IS => T1 y T2 empiezan a conducir, T1 en activa y T2 en óhmica.

V DD = VDS + VCE ⇒ 15V = V DS + VCE
Como VGS = 0, T2 entra en saturación para VDS = |VP| = 4V => VCE = 11V y T1 sigue en activa.
V DS 4V
Cuando T2 entra en saturación IR = = = 1mA ; I D = I DSS = 2mA ⇒ I C = I D + I R = 2mA + 1mA = 3mA
R 4K
I C 3mA
Como T1 está en activa => I B = = = 0,03mA = 30 µA = I S
β 100
Por lo tanto para 0 < IS ≤ 30 µA T1 está en activa y T2 en óhmica
* 30 µA < IS => T1está en activa y T2 en saturación. El próximo cambio de estado se producirá cuando T1 se satura. En este punto
T2 ya está saturado y tiene que cumplirse que VCE = 0,2V. Esto implica que:
V DS 14,8V
V DS = V DD − VCE = 15V − 0,2V = 14,8V ⇒ I R = = = 3,7mA ⇒ I C = I D + I R = 2mA + 3,7 mA = 5,7 mA
R 4K
La corriente de base necesaria para alcanzar esta corriente de colector necesaria para saturar T1 será
IC
5,7mA
IB = = = 0,057 mA = 57 µA = I S
β 100
Por lo tanto para 30 µA < IS ≤ 57 µA T1 está en activa y T2 saturado y para 57 µA < IS ≤ 100 µA T1 y T2 están saturados
La respuesta a este apartado es la siguiente:
* IS = 0 T1 y T2 en corte
* 0 < IS ≤ 30 µA T1 en activa y T2 en óhmica
* 30 µA < IS ≤ 57 µA T1 en activa y T2 saturado
* 57 µA < IS ≤ 100 µA T1 saturado y T2 saturado
(1) b) Hallar el valor que debería tener R para que la corriente máxima en el colector del transistor T1 fuese de 10 mA
La corriente máxima en el colector se alcanza cuando T1 se satura => VCE = 0,2 V y VDS = VDD – VCE = 15V – 0,2V = 14,8V.
Este valor de VCE implica que T2 está también saturado y como VGS = 0 la corriente de drenador ID tiene que ser igual a IDSS = 2
mA.
Para que IC sea igual a 10 mA y como IC = ID + IR , tiene que cumplirse que IR = IC – ID = 10 mA – 2 mA = 8 mA.
V DS V 14,8V
IR = ⇒ R = DS = = 1,85K
R IR 8mA
R = 1,85 KΩ
(0,5) c) Hallar el valor de la tensión entre el colector y el emisor del transistor T1 cuando la fuente de corriente IS toma un valor de
10 µA.
Para IS = 10 µA T1 está en activa y T2 está en óhmica. El circuito equivalente sería el siguiente:
VDD
rDS//R = 1,3333K
RB
T1
IS
I C = β ⋅ I B = 100 ⋅ 10 µA = 1mA
| VP | 4V rDS ⋅ R 2K ⋅ 4K
rDS = = = 2K rDS // R = = = 1,3333K
| I DSS | 2mA rDS + R 2 K + 4 K
VCE = V DD − I C ⋅ (rDS // R) = 15V − 1mA ⋅ 1,3333K = 15V − 1,3333V = 13,666V
VCE = 13,666V
(1) a) Calcular la característica de transferencia del circuito de la figura para 0V ≤ Vi ≤ 50V. Dibujar la característica de
transferencia e indicar el estado de cada uno de los diodos en cada tramo.
D1 5K 15K
VO
+
D2
5K
Vi 10K
_ 6V 20V
* Vi = 0 => D1 y D2 en corte => VO = 6V
El primer cambio ocurre cuando Vi > 6V y D1 empieza a conducir.
* 6V ≤ Vi ≤ Vx => D1 conduce y D2 está en corte.
El circuito equivalente sería el siguiente:
5K 15K I2 = 0
VO
+
Vi − 6V ⎛ Vi − 6 ⎞
I1 I2 I1 = =⎜ ⎟mA
5K 10 K ⎝ 10 ⎠
Vi V −6 V
VO = Vi − I 1 ⋅ 5K = Vi − i 5= i +3
10 2
6V
_ Esta situación se conserva hasta que VO ≥ 20V y entonces D2
empieza a conducir
Vi
+ 3 ≥ 20V ⇒ Vi ≥ 34V ⇒ V X = 34V
2
* 34V ≤ Vi => D1 y D2 conducen.

5K 15K
VO I = I1 − I 2
+
Vi = I 1 ⋅ 5 K + (I 1 − I 2 ) ⋅ 5 K + 6V = I 1 ⋅ 10 K − I 2 ⋅ 5 K + 6V ⎫
I1 I2
I ⎬
20V − 6V = (I 1 − I 2 ) ⋅ 5 K − I 2 ⋅ 25 K = I 1 ⋅ 5K − I 2 ⋅ 30 K ⎭
5K
Vi 10K
Resolvemos este sistema de ecuaciones con 2 incógnitas:
_ 6V 20V
⎛ V − 34 ⎞ ⎛ 6V − 50 ⎞
I2 = ⎜ i ⎟mA I1 = ⎜ i ⎟mA
⎝ 55 ⎠ ⎝ 55 ⎠
⎛ V − 34 ⎞ 2
VO = I 2 ⋅ 10 K + 20V = ⎜ i ⎟mA ⋅ 10 K + 20V = Vi + 13,818
⎝ 55 ⎠ 11
Por lo tanto, la característica de transferencia sería la siguiente:
vo (V)
23
20 D1 ON
N D2 ON
D1 O FF
D2 O
D1 OFF
D2 OFF
6
34 50 vi (V)
6
(1) b) Si los diodos no son ideales, calcular el valor de las corrientes por los diodos para 0V ≤ Vi ≤ 50V.
DATOS: D1 y D2 => Vγ = 0,6 V Rf = 100 Ω Rr = ∞
* Vi = 0 => D1 y D2 en corte => VO = 6V I1 = 0 I2 = 0
El primer cambio ocurre cuando Vi ≥ 6V + Vγ = 6V + 0,6V = 6,6V y D1 empieza a conducir.
* 6,6V ≤ Vi ≤ Vx => D1 conduce y D2 está en corte.
Vγ Rf I2 = 0
5K 15K
+
VO Vi − Vγ − 6V ⎛ V − 6,6 ⎞
I2
I1 = =⎜ i ⎟mA
I1 10,1K ⎝ 10,1 ⎠
5K
VO = Vi − Vγ − I 1 ⋅ 5,1K = 0,49505 ⋅ V + 2,7326
Vi
6V Esta situación se conserva hasta que VO ≥ 20V+Vγ = 20,6V y

_
entonces D2 empieza a conducir
20,6 − 2,7326
0,49505 ⋅ Vi + 2,7326 ≥ 20,6V ⇒ Vi ≥ = 36,092V ⇒ V X = 36,092V
0,49505
* 36,092V ≤ Vi => D1 y D2 conducen.

Vγ R I = I1 − I 2
Vi = Vγ + I 1 ⋅ 5,1K + (I 1 − I 2 ) ⋅ 5K + 6V = I 1 ⋅ 10,1K − I 2 ⋅ 5K + 6,6V ⎫
f 5K 15K
VO
+
⎬
I1 I2 Vγ 14V = (I 1 − I 2 ) ⋅ 5K − I 2 ⋅ 25,1K − Vγ = I 1 ⋅ 5K − I 2 ⋅ 30,1K − 0,6V ⎭
I 5K Rf
Vi 10K Resolvemos este sistema de ecuaciones con 2 incógnitas:
⎛ V − 36,092 ⎞
I 1 = (0,10788 ⋅ Vi − 0,9736 )mA
_ 6V 20V
I2 = ⎜ i ⎟mA
⎝ 55,802 ⎠
(1) a) Determinar el estado, las corrientes y las tensiones de polarización de los transistores del circuito de la figura y el valor de RC1
para que VCE1 = 3V.
DATOS: Transistores T1 y T2 de silicio e idénticos: VBEon= 0,7 V VCEsat= 0,2 V β = 100
Diodo: VZ = 6V
12V
T1 T2
Estado ACTIVA ACTIVA
RC1 IB 14,022 µA 26,237 µA

1K
100K
IC 1,4022 mA 2,6237 mA
T1 C
T2 IE 1,4162 mA 2,65 mA
50K VCE 3V 6,7 V

2K 2K
RC1 4,3985 KΩ
Como sólo tenemos señales continuas (f = 0), C es un circuito abierto. Por lo tanto quedarían 2 circuitos de polarización
independientes.
* Realizamos el estudio para T1. Haciendo el equivalente Thevenin del circuito de la entrada, el circuito equivalente sería:
12V VCE1 = 3V => T1 en activa
50 K 100 K ⋅ 50 K
VTH = 12V ⋅ = 4V RTH = 100 K // 50 K = = 33,333K
RC1 100 K + 50 K 100 K + 50 K
IC1 VTH − V BE
RTH I B1 = = 14,022 µA
T1 RTH + (1 + β ) ⋅ 2 K
IB1
IE1 I C1 = β ⋅ I B1 = 1,4022mA I E1 = I C1 + I B1 = 1,4162mA
VTH 12V − VCE1 − I E1 ⋅ 2 K
2K 12V = I C1 ⋅ RC1 + VCE1 + I E1 ⋅ 2 K ⇒ RC1 = = 4,3985 K
I C1
* Ahora realizamos el estudio de T2.
El zener regula => V E 2 = VZ − VBE 2 = 5,3V ⇒ VCE 2 = VC 2 − VE 2 = 12V − 5,3V = 6,7V => T2 en activa
VE 2 I E2
I E2 = = 2,65mA I B2 = = 26,237 µA I C 2 = β ⋅ I B 2 = 2,6237 mA
2K β +1
(1) b) Calcular el valor máximo de RC1 para que las corrientes calculadas en el apartado anterior no se alteren.
Mientras T1 en activa las corrientes no dependen de RC1 (sólo dependen del circuito de polarización de entrada (12V y las
resistencias de 100K y 50K). Las corrientes empezarán a cambiar y a depender del valor de la resistencia RC1 del circuito de salida
de T1 cuando este transistor se sature.
Por lo tanto, para que las corrientes no se alteren la condición es que T1 siga estando en activa => VCE1 > VCEsat = 0,2V.
12V = I C1 ⋅ RC1 + VCE1 + I E1 ⋅ 2 K ⇒ VCE1 = 12V − I C1 ⋅ RC1 − I E1 ⋅ 2 K > 0,2V ⇒

12V − 0,2V − I E1 ⋅ 2 K 12V − 0,2V − 1,4162mA ⋅ 2 K
RC 1 < = = 6,3953K
I C1 1,4022mA
RC1 < 6,3953 KΩ
(1) c) ¿Cuál sería el valor mínimo que tendría que tener la resistencia del emisor del transistor T2 para que este transistor estuviera
en saturación?.
T2 no se puede saturar ya que la tensión entre colector y base es constante e igual a 6V y con esta tensión la unión colector-base
siempre estará polarizada en inversa => T2 siempre en activa.
En otras palabras, el diodo zener impide que se pueda polarizar la unión base-colector en directa, es decir, impide que el transistor
T2 se sature.
VDD
ID (mA)
RD
16 VGS = 0
Q
10
RG
4 10 VDS (V)
VE
(1) a) Calcular el valor de VE para obtener el punto de trabajo Q representado en la gráfica.
El punto de trabajo Q es ID = 10 mA y VDS = 10 V.
De la gráfica se obtiene que IDSS = 16 mA y VP = -4V.
2 2
⎛ VGS ⎞ ⎛ V ⎞
Como el punto Q está en la zona de saturación se cumple I D = I DSS ⋅ ⎜⎜1 − ⎟ ⇒ 10mA = 16mA ⋅ ⎜1 − GS
⎟ ⎜
⎟
⎟
⎝ VP ⎠ ⎝ 4 ⎠
10mA = 16 + VGS − 8 ⋅ VGS ⇒ VGS − 8 ⋅ VGS + 6 = 0
2 2
Se resuelve la ecuación de 2º grado y se obtienen los siguientes valores: |VGS| = 7,16V y |VGS| = 0,84V
Si |VGS| > |VP| el transistor está en corte => la respuesta de 7,16V no es válida. Entonces la respuesta válida es |VGS| = 0,84V
Como es un JFET de canal N => VGS tiene que ser negativa => VGS = -0,84V.
Como VE = -VGS => VE = 0,84V
VE = 0,84 V
(1) b) Si VE = 1V y VDD = 10V, calcular el valor máximo que puede tener RD para que el JFET esté saturado.
En este caso VGS = -VE = -1V y de la gráfica sabemos que VP = -4V
Para que el JFET esté saturado se tiene que cumplir VDS ≥ V P − VGS ⇒ VDS ≥ 4V − 1V = 3V
Analizamos el circuito y se obtiene:
V DS = V DD − I D ⋅ R D ≥ 3V ⇒ I D ⋅ R D ≤ V DD − 3V = 10V − 3V = 7V
2
⎛ VGS ⎞ ⎛ 1 ⎞
2
Cuando el JFET está saturado la corriente ID es igual a: I D = I DSS ⋅ ⎜⎜1 − ⎟ = 16mA ⋅ ⎜1 − ⎟ = 9mA
⎟
⎝ VP ⎠ ⎝ 4⎠
Por lo tanto para que el JFET esté saturado tiene que cumplirse que:
7V 7V
I D ⋅ R D ≤ 7V ⇒ RD ≤ = = 777,77Ω
I D 9mA
RD ≤ 777,77 Ω
(1) c) Si VE = 2V, VDD = 6V y RD = 5KΩ, calcular la corriente que circula por el drenador del transistor JFET e indicar en que
región está trabajando dicho transistor.
VP 4V
Suponemos que el JFET está en la región óhmica => se comporta como una resistencia de valor rDS = = = 250Ω
I DSS 16mA
V DD
V DD = I D ⋅ (RD + rDS ) ⇒ I D =
6V
= = 1,1428mA
R D + rDS 5,25 K
Ahora comprobamos la suposición:

V DS = I D ⋅ rDS = 1,1428mA ⋅ 0,25K = 0,2857V
VDS < V P − VGS

Si el JFET está en óhmicas tiene que cumplirse que => suposición correcta
0,2857 < 4V − 2V = 2V
ID = 1,1428 mA
JFET en óhmica
(2) EJERCICIO 1 (realizar los cálculos con una precisión de 5 cifras significativas)
El diodo zener puede emplearse para prevenir sobrecargas en los aparatos de medición. El circuito de la figura representa un
voltímetro de continua que señala 25 V a fondo de escala. La resistencia del medidor (Rm) es de 560 Ω y a fondo de escala lo
atraviesa una corriente de 0,2 mA. Si el diodo zener tiene VZ = 20 V, hallar R1 y R2 para que cuando Vi > 25 V el diodo entre en
regulación y la sobrecorriente sea desviada del medidor.
R2 R1
Vi
Rm= 560 Ω
Z1
Fondo de escala
Medidor 200 µA
Para tensiones bajas de Vi el zener Z1 está en corte y el circuito equivalente sería:
R2 R1
A
Vi
Rm= 560 Ω
Fondo de escala
Medidor 200 µA
Vi
Por el medidor habrá una corriente I= proporcional a la tensión de entrada.
R 2 + R1 + Rm
Cuando el voltímetro tenga a la entrada la tensión de fondo de escala, en ese instante la corriente debe ser la de fondo de escala y el
zener debe empezar a regular para que si la tensión de entrada sigue aumentando la corriente por el medidor no supere la de fondo
de escala y el exceso lo absorba el zener.
Por lo tanto, para Vi = 25 V (fondo de escala) => I = 0,2 mA y VA = 20 V (tensión que tiene que haber en el punto A para que el
zener empiece a regular)
V A − I ⋅ Rm 20V − 0,2mA ⋅ 0,560 K

V A = I ⋅ ( R1 + Rm ) = I ⋅ R1 + I ⋅ Rm ⇒ R1 = = = 99,44 K
I 0,2mA
Vi − V A V − V A 25V − 20V
I= ⇒ R2 = i = = 25K
R2 I 0,2mA
R1 = 99,44 kΩ
R2 = 25 kΩ
Determinar los puntos de funcionamiento de los transistores bipolares de los siguientes circuitos:
DATOS: Diodos ideales, transistores bipolares con |VBEon| = 0,6 V, |VCEsat| = 0,2 V, β = 100
(1) a)
10 KΩ
200 Ω
20 V
VZ = 12 V
Debido a la polarización del circuito con la fuente de 20 V, hay tensión suficiente para polarizar la unión emisor-base en
directo y el zener en su zona de regulación. Por lo tanto el zener regula y establece una tensión constante e igual a 12 V entre su
cátodo y su ánodo.
Como el transistor es PNP => VBEon = -0,6 V y VCEsat = -0,2 V
Calculamos la corriente de base que sería saliente:
20V − VZ − V EB 20V − 12V − 0,6V

20V = VZ + VEB + I B ⋅ 10 K ⇒ I B = = = 0,74mA
10 K 10 K
Calculamos ahora la corriente de colector, que sería también saliente, en el caso de que el transistor estuviera saturado:
VCEsat − VZ + 20V − 0,2V − 12V + 20V

I Csat = = = 39mA
200Ω 200Ω
La corriente de base mínima para saturar el transistor sería:
I Csat 39mA
I B min = = = 0,39mA
β 100
Como IB = 0,74 mA > 0,39mA => transistor está saturado e IC = 39 mA y VCE = -0,2 V
Transistor saturado
IC = 39 mA
VCE = -0,2 V
(1) b)
1KΩ
20 V
10 V
1KΩ
Para que el transistor conduzca debería haber una corriente de emisor saliente y esto supondría una corriente de cátado a ánodo en
el diodo y esto supondría que el diodo estaría en corte. Por lo tanto en este circuito es imposible polarizar en directa la unión de
emisor-base y el diodo a la vez => transistor en corte
Transistor en corte
(2) c) Vi = 0 V
12V
2KΩ 1KΩ
4KΩ
T1 T2
1KΩ 10KΩ
Vi
Con Vi = 0 V T1 estaría en corte. Realizando el equivalente Thevenin del circuito de entrada del transistor T2 que daría el siguiente
circuito:
12V
1KΩ
RTH
T2
VTH
10 K 10 K ⋅ 6 K
VTH = 12V = 7,5V RTH = 10 K // 6 K = = 3,75K
2 K + 4 K + 10 K 10 K + 6 K
Calculamos la corriente de base:
VTH − V BE 7,5V − 0,6V

IB = = = 1,84mA
RTH 3,75K
Calculamos la corriente de colector en el caso de que T2 saturado:
12V − VCEsat 12V − 0,2V
I Csat = = = 11,8mA
1K 1K
La corriente de base mínima para saturar el transistor sería:
I Csat 11,8mA
I B min = = = 0,118mA
β 100
Como IB = 1,84 mA > 0,118mA => transistor está saturado e IC = 11,8 mA y VCE = 0,2 V
T1 en corte
T2 saturado
IC2 = 11,8 mA
VCE2 = 0,2 V
Calcular los valores de R1, R2 y RG en el circuito de la figura para obtener un punto de trabajo con ID = 3 mA y VDS = 15 V cuando
VCC = 20 V.
DATOS: VP = -2V, IDSS = 8 mA
VCC
RG R1
R2
VDS = 15V => Transistor saturado
2
V ⎛ V ⎞ ⎛ V ⎞ 3
I D = I DSS ⋅ (1 − GS ) 2 ⇒ 3mA = 8mA ⋅ ⎜1 − GS ⎟ ⇒ ⎜1 + GS ⎟ = ± = ±0,61237
VP ⎝ − 2V ⎠ ⎝ 2V ⎠ 8
⎧− 0,77526V
VGS = 2V ⋅ (− 1 ± 0,61237 ) = ⎨
⎩− 3,22474V
Con VGS = -3,22474 V el JFET estaría en corte ya que |VGS| > |VP|. Por lo tanto la respuesta correcta es VGS = -0,77526 V
VGS − 0,77526V
VGS = − I D ⋅ R1 ⇒ R1 = = = 0,25842 K = 258,42Ω
− ID − 3mA
VCC − VDS + VGS 20V − 15V − 0,77526V
VCC = V DS − VGS + I D ⋅ R2 ⇒ R2 = = = 1,40824 K
ID 3mA
Con respecto a RG se puede poner cualquier valor ya que como IG ≈ 0, prácticamente se puede considerar que no hay caida de
tensión en dicha resistencia y no influye en el punto de trabajo.
R1 = 258,42 Ω
R2 = 1,40824 kΩ
RG cualquier valor
EXAMEN SEPTIEMBRE 2006

Se dispone de un modelo de resistores fijos pertenecientes a la serie E-12 (tolerancia ±10% y valores característicos: 1; 1,2; 1,5; 1,8;
2,2; 2,7; 3,3; 3,9; 4,7; 5,6; 6,8 y 8,2). Las características de dicho modelo son:
- Disipación máxima: 1 W
- Tensión máxima de servicio: 250 V
- Coeficiente de temperatura: -600 ppm/ºC
(1) a) Con este modelo de resistores se montan los circuitos de las figuras 1 y 2. ¿Qué tensión máxima Ve podría aplicarse en
cada caso?
Rn1 = 10K
Ve Ve
Rn2 = 100K Rn1 = Rn2 =
10K 100K
Figura 1 Figura 2
2
Vnm 250 2 V 2
Para este modelo de resistores la resistencia crítica será: RC = = = 62,5 KΩ
P nm 1W
Pn1 = Pnm = 1W
Por lo tanto, para Rn1 como es menor que la resistencia crítica => Vn1 = Pn1 ⋅ Rn1 = 1 ⋅ 10 4 V = 100V
Vn1 100V
I n1 = = = 10mA
Rn1 10 K
Vn 2 = Vnm = 250V
2
Vnm 250 2 V 2
Para Rn2 como es mayor que la resistencia crítica => Pn 2 = = = 0,625W
Rn 2 100 K
Vn 2 250V
I n2 = = = 2,5mA
Rn 2 100 K
Entonces se tiene que en el circuito de la figura 1, al estar en serie los resistores, la corriente máxima tiene que ser la menor de las
corrientes máximas de los resistores para que no se destruya ninguno:
I max = min{I n1 , I n 2 } = 2,5mA ⇒ Vemax = I max ⋅ (Rn1 + Rn 2 ) = 2,5mA ⋅ (10 K + 100 K ) = 275V
En el circuito de la figura 2, al estar en paralelo los resistores, la tensión máxima Ve viene limitada por la menor de las tensiones
nominales máximas de los resistores:
Vemax = min{Vn1 , Vn 2 } = 100V
Figura 1 => Vemax = 275V

Figura 2 => Vemax = 100V
(0,5) b) Se ha medido la resistencia de un resistor del modelo a 25 ºC dando un valor de 2.000 Ω. Sabiendo que dicha medida
está dentro de tolerancia, ¿cuál es el valor nominal del resistor?
Los valores nominales a los que puede pertenecer el valor de 2.000 Ω serán 1.800 Ω o 2.200 Ω. Habrá que calcular, según la
tolerancia de la serie, los valores de resistencia que abarcan cada uno de estos valores nominales.
Para Rn=1.800 Ω => Rmax=1.800 ⋅ (1 + 0,1) = 1.980 Ω => No abarca el valor medido
Para Rn=2.200 Ω => Rmin=2.200 ⋅ (1 - 0,1) = 1.980 Ω => Si abarca el valor medido => este es el valor nominal del resistor
Rn = 2.200 Ω
(0,5) c) ¿Cuánto valdría la resistencia del resistor del apartado b) a una temperatura de 60 ºC?
Como el coeficiente de temperatura de la serie es –600 ppm/ºC, se tiene que el valor de la resistencia de 2.000 Ω a una temperatura
de 60 ºC sería:
600
R60 = R25 ⋅ (1 + α ⋅ ∆T ) = 2.000Ω ⋅ (1 − (60 − 25)) = 1.958Ω
10 6
R60ºC = 1.958 Ω
Ejercicios Resueltos de Dispositivos Electrónicos I
Examen de Septiembre de 2006 - Ejercicio 21
Enunciado
Obtener razonadamente, la función matemática de las corrientes por los diodos cuando la fuente U1 varía su tensión
desde 0V hasta 5V. Indicar los valores de las corrientes y la fuente U1 en los puntos de inflexión de las funciones. La fuente
U2 = 5V . D1 y D2 son diodos con Vγ = 0, 7V , R f = 0Ω, Rr = ∞Ω. DZ1 con Vγ = 0, 7V , R f = 0Ω, Rr = ∞Ω, VZ = −3, 5V
y RZ = 0Ω. R1 = 5kΩ, R2 = 7kΩ, R3 = 2kΩ y R4 = 4kΩ.
Figura 1: Circuito del enunciado
Solución
Para comenzar a resolver el problema se procede a analizar las distintas ramas del circuito y las corrientes que por
ellas pueden circular. Para ello se dibujan las corrientes, tensiones y se ponen nombres a los nudos, de acuerdo con la
siguiente figura.
Figura 2: Circuito del enunciado con corrientes, tensiones y nudos
Al presentar la fuente U2 un valor de 5V , y estar inicialmente la fuente U1 a cero voltios, el diodo D1 se encuentra
polarizado inversamente y los diodos D2 y Dz1 están polarizados directamente. El circuito equivalente es el de la figura 3.
Por lo tanto la corriente inicial por el diodo D1 es
ID1 = 0 (1)
1 Resuelto por el Prof. Andrés A. Nogueiras Meléndez, andres.nogueiras@dte.uvigo.es, 2006
1
Figura 3: Primer circuito equivalente
La corriente que circula por el diodo DZ1 viene definida por

U2 − Uγ(DZ1 ) − U1 − Uγ(D2 )
IDZ1 = I4 = (2)
R4
y la que circula por el diodo D2 viene definida por
U2 − Uγ(D2 )
ID2 = IDZ1 + (3)
R2 + R3
Los valores iniciales de estas dos corrientes son
5V − 0, 7V − 0, 7V
IDZ1 = = 900 µA (4)
4 kΩ
5V − 0, 7V
ID2 = 900 µA + = 1, 37778 µA (5)
2 kΩ + 7 kΩ
El estado del circuito puede cambiar de dos formas al aumentar la tensión en U1 . La primera opción es que la diferencia
de potencial entre el nudo A y el nudo B del circuito supere la tensión umbral del diodo D1 . La segunda opción es que
la diferencia de potencial entre el nudo C y el nudo A del circuito se haga menor que la tensión umbral del diodo DZ1 ,
haciendo que este pase a corte. Procedamos a analizar ambas opciones.
La primera opción es que la diferencia de potencial entre el nudo A y el nudo B del circuito supere la tensión umbral
del diodo D1 . Expresado matemáticamente es
U1 = UR1 + Uγ(D1 ) + UR2 (6)
donde
U2 − Uγ(D2 ) 5V − 0, 7V
UR2 = R2 · I2 = R2 · = 7 kΩ · = 3, 34444V (7)
R2 + R3 7 kΩ + 2 kΩ
que aplicado en la ecuación 6 implica que el nivel de tensión que hace entrar en conducción al diodo
U1 = 0V + 0, 7V + 3, 34444V = 4, 04444V (8)
La segunda opción es que la diferencia de potencial entre el nudo C y el nudo A del circuito se haga menor que la
tensión umbral del diodo DZ1 . Esto implicaria que la corriente I4 tomaria el valor cero, lo que expresado matemáticamente
U1 = −UR4 − Uγ(DZ1 ) + U2 − Uγ(D2 ) (9)
Si UR4 = 0, el valor de tensión frontera es
U1 = −Uγ(DZ1 ) + U2 − Uγ(D2 ) = −0, 7V + 5V − 0, 7V = 3, 6V (10)
Luego, el cambio de estado del diodo zener DZ1 se produce cuando la tensión de la fuente U1 alcanza el valor de 3, 6V ,
dando lugar al circuito equivalente de la figura 4. Las ecuaciones que describen la corriente por los diodos son
ID1 = 0 (11)
IDZ1 = 0 (12)
U2 − Uγ(D2 )
ID2 = (13)
R2 + R3
2
Figura 4: Segundo circuito equivalente
que son válidas hasta que la fuente U1 alcance el valor de 3, 6V . La corriente por el diodo D2 vale
U2 − Uγ(D2 ) 5V − 0, 7V
ID2 = = = 477, 778 µA (14)
R2 + R3 7 kΩ + 2 kΩ
Nuevamente, el estado del circuito puede cambiar de dos formas al aumentar la tensión en U1 . La primera opción es
que la diferencia de potencial entre el nudo A y el nudo B del circuito supere la tensión umbral del diodo D1 . La segunda
opción es que la diferencia de potencial entre el nudo A y el nudo C del circuito supere la tensión Zener del diodo DZ1 ,
haciendo que este pase a regulación. Procedamos a analizar ambas opciones.
Para la primera nos encontramos con un razonamiento análogo al que se planteó para el cambio de condiciones
anterior, que conduce al resultado de la ecuación 8.
Para la segunda opción, la ecuación que modela la condición de cambio es
U1 = −UR4 − UZener(DZ1 ) + U2 − Uγ(D2 ) (15)
a la que aplicando valores

U1 = −0V − (−3, 5V ) + 5V − 0, 7V = 7, 8V (16)
Por lo tanto, cuando la tensión de la fuente U1 alcance el valor de 4, 04444V, el diodo D1 comenzará a conducir, dando
lugar al circuito equivalente de la figura 5.
Figura 5: Tercer circuito equivalente
Las ecuaciones que describen el circuito ahora son, para el nudo B
I1 + I3 = I2 (17)
y para las mallas

U1 = I1 R1 + Uγ(D1 ) + I2R2 (18)
U2 = I3 R3 + I2 R2 + Uγ(D2 ) (19)
sustituyendo la ec. 17 en la ec. 19, despejando y operando
U2 − Uγ(D2 ) R3
I2 = + I1 (20)
R2 + R3 R2 + R3
sustituyento la ec. 20 en la ec. 18, despejando y operando

U1 − Uγ(D1 ) (R2 + R3) U2 − Uγ(D2 ) R2
ID1 = I1 = − (21)
R1 R2 + R1 R3 + R2 R3 R1 R2 + R1 R3 + R2 R3
3
que es la expresión de la corriente por el diodo D1 . La corriente por el diodo D2 viene dada por
ID2 = I3 = I2 − I1 (22)
uniendo las expresiones de las ec. 20 y 21, operando y despejando

R1 + R2 R2
ID2 = U2 − Uγ(D1 ) − U1 − Uγ(D2 ) (23)
R1 R2 + R1 R3 + R2 R3 R1 R2 + R1 R3 + R2 R3
Queda por comprobar que ocurrirá con el diodo DZ1 . Al aumentar la tensión de U1 podría entrar zona Zener si la
diferencia de potencial entre los nudos A y C supera la tensión de Zener. Basta con comprobar que si la tension máxima
que alcanza U1 no basta, las ecuaciones establecidas hasta este momento son válidas. Luego,
UAC = I1 R1 + Uγ(D1 ) − I3 R3 (24)
y aplicando los valores numéricos en las ecuaciones anteriores, se tiene que
I1 (U1 = 5V ) = 1, 16610 mA (25)
I3 (U1 = 5V ) = 1, 51356 mA (26)

y, consecuentemente
UAC (U1 = 5V ) = 3, 50338V
que no es suficiente para hacer que el diodo DZ1 trabaje en zona Zener.
Finalmente, resumiendo los resultados
Si 0V ≤ U1 ≤ 3, 6V , entonces
• ID1 = 0 A
U2 −Uγ(D )
• ID2 = IDZ1 + 2
R2 +R3 , con 1, 37778 µA ≤ ID2 ≤ 477, 778 µA
U2 −Uγ(D ) −U1 −Uγ(D )
• IDZ1 = Z1
R4
2
, con 900 µA ≤ IDZ1 ≤ 0 A
Si 3, 6V ≤ U1 ≤ 4, 04444V, entonces
• ID1 = 0 A
U2 −Uγ(D )
• ID2 = R2 +R3
2
= 477, 778 µA
• IDZ1 = 0 A
Si 4, 04444V ≤ U1 ≤ 5V , entonces
R2 +R3
− U2 − Uγ(D2 ) R1 R2 +RR1 R2 3 +R2 R3 , con 0 A ≤ ID1 ≤ 1, 16610 mA

• ID1 = U1 − Uγ(D1 ) R1 R2 +R 1 R3 +R2 R3
R1 +R2
− U1 − Uγ(D2 ) R1 R2 +RR1 R2 3 +R2 R3 , con 477, 778 µA ≤ ID2 ≤ 364, 407 µA

• ID2 = U2 − Uγ(D1 ) R1 R2 +R 1 R3 +R2 R3
• IDZ1 = 0 A
4
Examen de Septiembre de 2006 - Ejercicio 31
Enunciado
Obtener, razonadamente, el valor de los resistores RB1 y RC1 para que el diodo Zener DZ1 esté en zona zener y los
transistores T1 y T2 funcionen en zona activa. Las condiciones de diseño son:
1. La potencia disipada por el diodo Zener DZ1 es de PDZ1 = 150 mW .

2. La tensión UCE−T1 = 7V .
La fuente de alimentación UDC = 24V . Los resistores RC2 = 470 Ω, RE2 = 500 Ω, RB2 = 10 kΩ.
Para el diodo Zener: VZ = −10V , Vγ = 0, 78V, R f = RZ = 0Ω, Rr = ∞Ω, IZmin = 6mA, IZmax = 55mA.
Para el transistor T1 : β = 80, VBEon = VBEsat = 0, 7V , VCEsat = 0, 21V .
Para el transistor T2 : β = 120, VBEon = VBEsat = 0, 7V , VCEsat = 0, 19V .
Figura 1: Circuito del enunciado
Solución
Los valores a encontrar de los dos resistores implican que es necesario hallar el valor de las corrientes y tensiones en
los transistores, ya que es condición de funcionamiento que ambos estén en zona activa. El circuito se analiza de derecha
a izquierda. Se sabe que el diodo Zener está regulando, por lo tanto, de la malla inferior derecha:
UDZ1 = UBET 2 + URE2 (1)
despejando y operando
URE2 = 10V − 0, 7V = 9, 3V (2)
por lo que la corriente de emisor del transistor T2 vale:
9, 3V
IE2 = IRE2 = = 18, 6 mA (3)
500 Ω
Si el transistor T2 está en activa:
IE2 18, 6 mA
IB2 = = = 153, 719 µA (4)
β2 + 1 121
1
IC2 = IE2 − IB2 = 18, 6 mA − 153, 719 µA = 18, 4468 mA (5)
la caida de tensión en el resistor de colector es:
URC2 = IC2 · RC2 = 18, 4468 mA · 470 Ω = 8, 67(000)V (6)
y la caida de tensión entre colector y emisor del transistor T2 es:
UCET 2 = UDC − URC2 − URE2 = 24V − 8, 67V − 9, 3V = 6, 03V (7)
por lo que se puede establecer el punto de trabajo del transistor en zona activa.
Del diodo Zener se sabe la potencia que disipa, luego:
PDZ1 150 mW
IDZ1 = = = 15 mA (8)
UDZ1 10V
lo que implica que la corriente de emisor del transistor T1 debe ser:
IE1 = IB2 + IDZ1 = 153, 179 µA + 15 mA = 15, 1532 mA (9)
y, dado que está en zona activa:

IE1 15, 1532 mA
IB1 = = = 187, 077 µA (10)
β1 + 1 81
IC1 = IE1 − IB1 = 15, 1532 mA − 187, 077 µA = 14, 9661 mA (11)
De las condiciones de diseño se tiene sabe el valor de UCE−T1 . Luego:
URC1 = UDC − UCET 1 − UDZ1 = 24V − 7V − 10V = 7V (12)
y el valor del resistor RC1 es:

URC1 7V
RC1 = = = 467, 724 Ω (13)
IC1 14, 9661 mA
De la malla inferior central:
URB2 = IRB2 · RB2 = UBET1 + UDZ1 (14)
despejando y operando:
UBET 1 + UDZ1 0, 7V + 10V
IRB2 = = = 1, 07 mA (15)
RB2 10 kΩ
En el nudo de la base del transistor T1 :
IRB1 = IB1 + IRB2 = 187, 077 µA + 1, 07 mA = 1, 25708 mA (16)
la tensión que soporta el resistor RB1 es
URB1 = URC1 + UCBT1 = URC1 + UCET1 − UBET1 = 7V + 7V − 0, 7V = 13, 3V (17)
y el valor del resistor es
URB1 13, 3V
RB1 = = = 10, 5801 kΩ (18)
IRB1 1, 25708 mA
2
Examen Final de Septiembre de 2006 - Ejercicio 41
Enunciado
Establecer, razonadamente, el rango de la tensión de entrada (UE ) para que el circuito se comporte como un consumo
de corriente constante. Indicar, también, cual va a ser el valor de la corriente consumida.
El resistor R1 = 1,2 kΩ y puede disipar una potencia nominal PR1 = 500 mW.
El diodo de rectificación D1 tiene Vγ = 0, 7V , R f = 220 mΩ, Rr = 150 MΩ y puede disipar una potencia de PD1 =
145 mW.
El transistor JFET J1 tiene una IDss = 16 mA, |VP | = 3, 7V , VDSmax = 23V y puede disipar una potencia de PJ1 =
320 mW.
Solución
Para que el circuito se comporte como una fuente de corrien-
te constante, el transistor JFET de canal N tiene que estar traba-
jando en la zona de saturación, lo que implica que siempre se
tiene que cumplir:
|UDS | ≥ ||VP | − |UGS || (1)
Como UGS = 0, el transistor funciona en la curva caracterís-

tica mas elevada de todas, y su corriente de drenador será igual
a la corriente de saturación, siempre y cuando la tensión entre
drenador y surtidor cumpla
|UDS | ≥ |VP | (2)
La corriente que circula por el circuito es la corriente de

saturación del transistor, IDss . Para que circule esta corriente, el Figura 1: Circuito del enunciado
diodo D1 tiene que estar conduciendo y la ecuación que modela
el circuito es:
UE = IDss · R1 + Vγ + IDss · R f + UDS (3)
Al ser la corriente constante, la caida de tensión en la resistencia R1 también lo será. La tensión en el diodo también
tiene que ser constante, pues éste tiene que trabajar en zona de conducción directa. Luego, la tensión entre drenador y
surtidor del JFET es la única tensión que puede variar para hacer que la impedancia que presenta el circuito cambie para
mantener la corriente constante.
De todo lo anteriormente expuesto, la tensión de entrada mínima viene dada por:
UEmin = IDss · R1 + Vγ + IDss · R f + |VP | = 16 mA · 1, 2 kΩ + 0, 7V + 16 mA · 220 mΩ + 3, 7V = 23, 6035V (4)
y las potencias disipadas por los componentes son:

2
PR1 = IDss · R1 = (16 mA)2 · 1, 2 kΩ = 307, 2 mW (5)
2
PD1 = IDss · R f + IDss ·Vγ = (16 mA)2 · 220 mΩ + 16 mA · 0, 7V = 11, 2563 mW (6)
PJ1 = IDss ·UDS = 16 mA · 3, 7V = 59, 2 mW (7)
lo que indica que ningún componente será destruido.
La tensión de entrada máxima viene, posiblemente, dada por la tensión máxima que puede soportar el JFET:
UEmax = IDss · R1 + Vγ + IDss · R f + UDSmax = 16 mA · 1, 2 kΩ + 0, 7V + 16 mA · 220 mΩ + 23V = 42, 9035V (8)

1
La potencia que disipan tanto el resistor como el diodo de rectificación son las mismas. En cambio, al aumentar la
caida de tensión en el transistor, su potencia pasa a valer
PJ1 = IDss ·UDSmax = 16 mA · 23V = 368 mW (9)
que es mayor que la que puede disipar el encapsulado del transistor. Luego, el valor de tensión máxima viene limitado por
PJ1 320 mW
UDSmax−practica = = = 20V (10)
IDss 16 mA
y la tensión máxima de entrada es:
UEmax = IDss · R1 + Vγ + IDss · R f + UDSmax−practica = 16 mA · 1, 2 kΩ + 0, 7V + 16 mA · 220 mΩ + 20V = 39, 9035V (11)
2
Un resistor de la serie E24 (tolerancia de la serie ±5%) y valor nominal 220 Ω se utiliza en un circuito que trabaja a 85 ºC de
temperatura ambiente. En estas condiciones, el resistor permite el paso de una corriente máxima de 0,15 A sin deteriorarse por
sobrecalentamiento. Sabiendo que la resistencia térmica es de 20 ºC/W:
(1) a) Calcular la temperatura máxima que puede alcanzar el resistor
La temperatura del cuerpo del componente es TC = T A + RT ⋅ P , donde TA es la temperatura ambiente, P la potencia disipada y
RT la resistencia térmica.
De acuerdo con los datos del ejercicio, la máxima potencia que puede disipar el resistor a una temperatura ambiente de 85 ºC es
igual a:
PMax (85º C ) = I Max
2
⋅R
Para obtener el valor máximo de la potencia se debe considerar el máximo valor que puede tener la resistencia de un resistor de la
serie E24 y de valor nominal RN = 220 Ω. Como la tolerancia de esta serie es ±5% (T = 0,05), el valor máximo que puede tener la
resistencia será:
RMax = R N (1 + T ) = 220Ω(1 + 0,05) = 231Ω
La potencia máxima que se puede disipar será:
PMax (85º C ) = (0,15 A) ⋅ 231Ω = 5,1975W

2
Y la temperatura máxima:
ºC
TMax = 85º C + 20 ⋅ 5,1975W = 85º C + 103,95º C = 188,95º C
W
TMax = 188,95 ºC
(1) b) Calcular la potencia nominal del resistor a temperatura nominal de 25 ºC.
La temperatura máxima que puede alcanzar un resistor no varía, es siempre la misma aunque cambie la temperatura ambiente. Por lo
tanto, utilizando la misma expresión que en el apartado a):
188,95º C − T A 188,95º C − 25º C

TC = T A + RT ⋅ P ≤ 188,95º C ⇒ P ≤ = = 8,1975W
RT ºC
20
W
La potencia máxima que puede disipar el resistor a la temperatura nominal (25 ºC) es 8,1975 W y ese valor es por definición la
potencia nominal.
PN = 8,1975 W
(2) a) Calcular la corriente IB y el estado del transistor y el zener en el circuito de la figura.
DATOS: Vcc = 10 V RC = 120 Ω R = 100 Ω

Transistor: VBEon= 0,7 V VCEsat= 0,2 V β = 200
Diodo: VZ = 5V
VCC
RC
R IB
Debido a la polaridad de la tensión VCC, el zener sólo puede estar en corte o en regulación (zona zener). Si el zener estuviera en
corte, el transistor también lo estaría ya que no habría tensión en el circuito de base para polarizar la unión base-emisor en directa. Si
los dos dispositivos estuvieran en corte, en el zener caería entre cátodo y ánodo una tensión de 10V que sería mayor que la tensión
VZ, por lo que el zener estaría regulando.
Por lo tanto, el zener está polarizado en la zona de regulación, lo que supone que VCB = VZ = 5 V que polariza la unión colector-base
en inversa y el transistor está en activa.
VCE = VZ + VBE = 5V + 0,7V = 5,7V

VCC − VCE 10V − 5,7V
I RC = = = 35,833mA
RC 120Ω
I RC = I C + I Z = β ⋅ I B + I B + I R = (β + 1)I B + I R
V BE 0,7V
IR = = = 7 mA
R 100Ω
I RC − I R 35,833mA − 7 mA 28,833mA
I RC = (β + 1)I B + I R ⇒ I B = = = = 143,44µA
β +1 201 201
El zener regula
El transistor en activa
IB = 143,44 µA
(0,5) b) Calcular el valor mínimo que debe tener la resistencia RC para polarizar el transistor bipolar en saturación.
El transistor bipolar nunca puede estar en saturación ya que el zener al estar conectado entre el colector y la base impide que esta
unión pueda llegar a estar polarizada en directa. El zener fija una tensión de 5 V entre colector y base que hace que esta unión este
siempre polarizada en inversa, lo que implica que el transistor va a estar siempre en activa.
(0,5) c) Calcular lo mismo que en el apartado a) pero si al circuito se le aplica una tensión de polarización VCC = 4,5 V.
Si la tensión de polarización VCC es igual a 4,5 V, esto implica que no hay una tensión suficiente para llevar al zener a la zona de
regulación y entonces el zener estaría polarizado en corte. Al estar el zener en corte el transistor también lo está en corte y no habría
corrientes por el circuito (las únicas corrientes serían las corrientes inversas de saturación del diodo y de la unión colector-base que
las consideramos despreciables) y por lo tanto la IB = 0.
El zener en corte
El transistor en corte
IB = 0 A
(3) Calcular el estado de los transistores en el circuito de la figura, así como las corrientes y las tensiones indicadas en la tabla
(indicar en la figura el sentido de las corrientes). Poner los resultados en la tabla. Resolver el problema sin despreciar la corriente IB.
DATOS: Vcc = 20 V RB = 470 Ω RG = 560 Ω

VCC T2
RB Transistor T2: |VBeon| = 0,6 V |VCesat| = 0,2 V β = 100

T1
RG
T1 T2
Estado Saturado Estado Activa
ID 1,3091 mA IC 3,2492 mA
VDS 16,847 V IB 32,492 µA
IE 3,2816 mA
VCE -17,447 V
Se supone que T1 está saturado y T2 en activa.
Como T1 está saturado se cumple que

2
⎛ V ⎞
2
⎛ V ⎞
I D = I DSS ⎜⎜1 − GS ⎟⎟ = 10⎜1 + GS ⎟ mA
⎝ VP ⎠ ⎝ 4 ⎠
Se tiene una ecuación con dos incógnitas, por lo que se necesita otra ecuación que sale del análisis del circuito
IC ⎫
I D = I RB + I B = I RB + ⎪⎪
β I V I V
⎬ ⇒ I D = I RB − D − GS ⇒ I D + D = I RB − GS ⇒
V V
I C + I D = I RG = − GS ⇒ I C = − I D − GS ⎪ β β ⋅ RG β β ⋅ RG
RG RG ⎪⎭
β ⋅ I RB VGS 100 0,6V VGS V
ID = − = ⋅ − = (1,2639 − GS )mA
β + 1 (β + 1)RG 101 0,47 K 101 ⋅ 0,56 K 56,56
Igualando las ecuaciones:
2
⎛ V ⎞ V
10⎜1 + GS ⎟ = 1,2639 − GS
⎝ 4 ⎠ 56,56
Operando se llega a la siguiente ecuación de 2º grado:
VGS2 + 8,0282 ⋅ VGS + 13,977 = 0

Se resuelve y se llega a dos posibles resultados:
− 2,5527V
VGS =
− 5,4755V
El resultado de –5,4755V no puede ser porque |VGS|>|VP| y el transistor T1 estaría en corte. Por lo tanto la respuesta correcta es:
VGS = -2,5527V
Sustituyendo valores en las ecuaciones del circuito se hallan el resto de valores:
2
⎛ V ⎞
2 2
⎛ V ⎞ ⎛ 2,5527 ⎞
I D = I DSS ⎜⎜1 − GS ⎟⎟ = 10⎜1 + GS ⎟ mA = 10⎜1 − ⎟ mA = 1,3091mA
⎝ VP ⎠ ⎝ 4 ⎠ ⎝ 4 ⎠
V DS = VCC − VEB + VGS = 20V − 0,6V − 2,5527V = 16,847V
VGS 2,5527V
I C = I RG − I D = − − ID = − 1,3091mA = 3,2492mA
RG 0,56 K
IC 3,2492mA
IB = = = 32,492 µA
β 100
I E = I B + I C = 32,492 µA + 3,2492mA = 3,2816mA
VCE = −VGS − VCC = 2,5527V − 20V = −17,447V
Ahora hay que comprobar las suposiciones:
* Suposición que transistor T1 está saturado

VDS tiene que ser positiva, VGS negativa y tiene que cumplirse lo siguiente
VDS ≥ V P − VGS
=> Se cumple y entonces suposición correcta
16,847V ≥ 4V − 2,5527V = 1,4473V
* Suposición que transistor T2 en activa

Como el transistor es pnp, para que el transistor esté en activa la unión de colector-base tiene que estar polarizada en
inversa y esto ocurre si la tensión VCE es y mayor en módulo que la VCE en saturación. Esto se cumple por lo que la
suposición es correcta.
Como las dos suposiciones son correctas, los cálculos realizados son válidos y el problema está resuelto.
Calcular la característica de transferencia del circuito de la figura. Dibujar la característica de transferencia e indicar el estado de
cada uno de los diodos en cada tramo.

D1 D2
VO
+
100K 200K
Vi
_ 20V 80V
* -∞ < Vi ≤ Vx => D1 en corte y D2 conduce

El circuito equivalente es el siguiente:
VO I1 = 0
+
I1 I2 80V − 20V
200K I2 = = 0,2mA
100K 200 K + 100 K
Vi VO = 80V − I 2 ⋅ 200 K = 80V − 0,2mA ⋅ 200 K = 40V
_ 20V 80V
D1 empieza a conducir cuando Vi ≥ VO = 40V => Vx = 40V
* 40V ≤ Vi ≤ Vy => D1 y D2 conducen

VO
+
I1 VO = Vi
I2
200K 80V − Vi
100K I2 =
Vi 200 K
_ 20V 80V
80V − Vi
D2 entra en corte cuando I2 = 0 => = 0 ⇒ Vi = 80V ⇒ V y = 80V
200 K
* 80V ≤ Vi < ∞ => D1 conduce y D2 en corte
VO
+
I1
I2
100K 200K I2 = 0 => VO = 80V
Vi
_ 20V 80V
Por lo tanto la característica de transferencia del circuito es la siguiente:
-∞ < Vi ≤ 40V => VO = 40V
40V ≤ Vi ≤ 80V => VO = Vi
80V ≤ Vi < ∞ => VO = 80V
vo (V)
80
D1 ON
D2 OFF
ON
D1 ON
D2
40
D1 OFF
D2 ON
80 vi (V)
40
DATOS: Transistores T1 y T2 de silicio e idénticos: VBEon= 0,7 V VCEsat= 0,2 V β = 100
Diodo: VZ = 6V
12V
2,2K
3K VO
22K
T2
100K
T1
Vi
(1) a) Calcular VO para Vi = 4V.
Suponiendo T1 saturado se tendría que VCE1 = 0,2 V => zener y T2 en corte. Quedaría el siguiente circuito equivalente:
12V
12V − VCE1sat 12V − 0,2V
I C1sat = = = 3,9mA
3K 3K
3K I 3,9mA
I B1 min sat = C1sat = = 0,039mA = 39µA
β 100
100K
T1 V − V BE1 4V − 0,7V
I B1 = i = = 0,033mA = 33µA
100 K 100 K
Vi
Como IB1 < IB1minsat => T1 no está saturado y está en activa y por lo tanto I C1 = β ⋅ I B1 = 100 ⋅ 33µA = 3,3mA
Ahora suponiendo que el zener y T2 están en corte se tendría el mismo circuito equivalente y calculando VCE1 se obtiene:
VCE1 = 12V − I C1 ⋅ 3K = 12V − 3,3mA ⋅ 3K = 2,1V
Para que el zener y T2 conduzcan hace falta que se cumpla que VCE1 > VZ + VBE2 = 6V + 0,7V = 6,7V.
Como VCE1 = 2,1V < 6,7V => suposición zener y T2 en corte correcta => IC2 = 0 => VO = 12V – IC2 ⋅ 2,2K = 12V
VO = 12V
(1) b) Calcular VO para Vi = 1V.
Del apartado a) se conoce que IB1minsat = 0,039mA. Calculando para los datos de este apartado IB1 se obtiene:
Vi − V BE1 1V − 0,7V
I B1 = = = 0,003mA = 3µA
100 K 100 K
Como IB1 < IB1minsat => T1 no está saturado y está en activa y por lo tanto I C1 = β ⋅ I B1 = 100 ⋅ 3µA = 0,3mA
Ahora suponiendo que el zener y T2 están en corte y calculando VCE1 se obtiene:

VCE1 = 12V − I C1 ⋅ 3K = 12V − 0,3mA ⋅ 3K = 11,1V
Como VCE1 > VZ + VBE2 = 6V + 0,7V = 6,7V => zener y T2 no pueden estar en corte => zener regula y T2 conduce.
Se calcula IB2:
12V − VZ − V BE 2 − I C1 ⋅ 3K
12V = (I C1 + I B 2 ) ⋅ 3K + VZ + I B 2 ⋅ 22 K + V BE 2 ⇒ I B 2 = =
3K + 22 K
12V − 6V − 0,7V − 0,3mA ⋅ 3K
= = 0,176mA
25K
Ahora se calcula IC2 suponiendo que T2 estuviera saturado:
12V − VCE 2 sat 12V − 0,2V
I C 2 sat = = = 5,3636mA
2,2 K 2,2 K
I 5,3636mA
I B 2 min sat = C 2 sat = = 0,053636mA
β 100
Como IB2 > IB2minsat => T2 está saturado => VO = VCE2 = 0,2V
VO = 0,2V
(1) c) Calcular el rango de valores que puede tener Vi para que los dos transistores T1 y T2 estén saturados a la vez.
Si T1 está saturado implica que VCE1 = 0,2V por lo que en el cátodo del zener no hay tensión suficiente para polarizar en regulación
al zener y al transistor T2 en conducción. Esto implica que el zener y T2 estarían en corte.
Por lo tanto es imposible polarizar a los dos transistores T1 y T2 en saturación a la vez.

DATOS: T1 => VBEγ = 0,3V VBEon = 0,5 V VCEsat = 0,2V β = 100
T2 => VTH = 2V K = 0,3 mA/V2
12V
T2 2K
4V
100K
T1
VBB
(1,5) a) Calcular el punto de trabajo de los 2 transistores (IC, VCE, ID, VDS) cuando VBB = 10V. La característica del MOSFET se
puede aproximar por tramos lineales.
Se supone T1 en activa y T2 saturado:

V BB − V BE 10V − 0,5V
IB = = = 95µA ⇒ I C = β ⋅ I B = 100 ⋅ 95µA = 9,5mA
100 K 100 K
I D = K ⋅ (VGS − VTH ) = 0,3 2 ⋅ (4V − 2V ) = 1,2mA
2 mA 2
V
I 2 K = I C − I D = 9,5mA − 1,2mA = 8,3mA ⇒ VDS = I 2 K ⋅ 2 K = 8,3mA ⋅ 2 K = 16,6V
VCE = 12V − V DS = 12V − 16,6V = −4,6V => T1 no puede estar en activa ya que para ello VCE tendría que ser positiva =>
Suposición es incorrecta.
Se realiza otra suposición: T1 y T2 saturados:

T1 saturado => VCE = 0,2V => VDS = 12V – VCE = 11,8V
Si T2 está saturado tiene que cumplirse que V DS ≥ VGS − VTH y como 11,8V ≥ 4V − 2V = 2V entonces la suposición de que
T2 está saturado es correcta.
I D = K ⋅ (VGS − VTH ) = 0,3 ⋅ (4V − 2V ) = 1,2mA

2 mA 2
2
V
VDS 11,8V
I 2K = = = 5,9mA I C = I D + I 2 K = 1,2mA + 5,9mA = 7,1mA
2K 2K
I 7,1mA
I B min sat = Csat = = 0,071mA = 71µA
β 100
V − V BE 10V − 0,5V
I B = BB = = 95µA
100 K 100 K
Como se cumple que IB > IBminsat entonces la suposición de T1 saturado es correcta. Por lo tanto los dos transistores estarían
saturados y los cálculos realizados son válidos.
T1 y T2 saturados
IC = 7,1 mA
VCE = 0,2 V
ID = 1,2 mA
VDS = 11,8 V
(1,5) b) Calcular los estados por los que pasan los transistores cuando VBB varía entre 0V y 20V. La característica del MOSFET se
* 0V ≤ VBB ≤ 0,3V => T1 y T2 están en corte
* 0,3V < VBB < Vx => T1 en activa y T2 en óhmica
Cuando VBB > VBEγ T1 empieza a conducir en zona activa y T2 también empieza a conducir en óhmica. A medida que VBB
aumenta, IB e IC también van aumentando lo que provoca que VDS aumente y por lo tanto VCE disminuya ya que 12V = VDS + VCE.
Entonces, el próximo cambio en el estado de uno de los transistores ocurrirá en T2 ya que cuando VDS = VGS – VTH = 2V T2 entra en
saturación y en ese punto VCE = 12V – VDS = 10V => T1 aún sigue en activa.
Se calcula el valor de VBB que hace que VDS = 2V:

Para VDS = 2V T2 se satura y la corriente de drenador tiene que tener un valor igual a
I D = K ⋅ (VGS − VTH ) = 0,3 ⋅ (4V − 2V ) = 1,2mA

2 mA 2
V2
VDS 2V
I 2K = = = 1mA I C = I D + I 2 K = 1,2mA + 1mA = 2,2mA
2K 2K
Como T1 está en activa =>
IC 2,2mA
IB = = = 0,022mA ⇒ V BB = I B ⋅ 100 K + V BE = 0,022mA ⋅ 100 K + 0,5V = 2,7V
β 100
Entonces Vx = 2,7V y con ese valor el transistor T2 se satura.
* 2,7V ≤ VBB < Vy => T1 en activa y T2 saturado
Ahora hay que calcular el punto donde T1 se satura que es cuando VCE = 0,2V => VDS = 11,8V => T2 saturado => ID = 1,2mA
VDS 11,8V
2K 2K
I 7,1mA
IB = C = = 0,071mA ⇒ V BB = I B ⋅ 100 K + V BE = 0,071mA ⋅ 100 K + 0,5V = 7,6V
β 100
Por lo tanto Vy = 7,6V y a partir de ese valor T1 se satura
* 7,6V ≤ VBB ≤ 20V => T1 y T2 saturados
0V ≤ VBB ≤ 0,3V => T1 y T2 están en corte

0,3V < VBB < 2,7V => T1 en activa y T2 en óhmica
2,7V ≤ VBB < 7,6 => T1 en activa y T2 saturado
7,6V ≤ VBB ≤ 20V => T1 y T2 saturados
Obtener analíticamente y dibujar la gráfica de la función Ii = f(Vi) en el circuito de la figura.
DATOS: Diodos -> Vγ = 0,7 V, Rf = 0, Rr = ∞

Diodo zener -> Vγ = 0,7 V, VZ = 1,9 V, Rf = 0, Rr = ∞, RZ = 0
Ii
50 Ω 50 Ω
+
50 Ω
D1
Z1
Vi D2
D7
D3 D6
D4
D5
Con Vi negativas sólo puede conducir el diodo D7 y conducirá para Vi < Vγ = -0,7 V
* Vi ≤ -0,7 V => D7 conduce y el resto de diodos en corte. El circuito equivalente sería:
Ii
50 Ω 50 Ω
A B
Vi + 0,7
+ Ii = A
100
Para Vi > -0,7 V el diodo D7 entra en corte e Ii = 0. Al no haber
corriente por el circuito VA = VB = Vi.
Vi 0,7 V
Para que conduzcan los diodos D1, D2, D3, D4 y D5 se necesita Vi = VA
≥ Vγ1 + Vγ2 + Vγ3 + Vγ4 + Vγ5 = 3,5 V
Para que conduzca el diodo D6 es necesario que Z1 entre en regulación
y se necesita Vi = VB ≥ VZ1 + Vγ6 = 2,6 V
Esto quiere decir que el próximo cambio se produce para Vi = 2,6 V en

_ donde Z1 empezaría a regular y D6 pasaría a conducción.
* -0,7 V ≤ Vi ≤ 2,6 V => Todos los diodos en corte => Ii = 0
* 2,6 V ≤ Vi ≤ VX => Z1 regula, D6 conduce y el resto de diodos en corte. El circuito equivalente sería:
Ii
50 Ω 50 Ω
Vi − 0,7 − 1,9 V − 2,6
A B
+ Ii = A= i A
50 50
1,9 V El próximo cambio ocurrirá cuando los diodos D1 a D5 empiecen a conducir y

Vi para ello Vi = VA ≥ Vγ1 + Vγ2 + Vγ3 + Vγ4 + Vγ5 = 3,5 V. Por lo tanto la situación
anterior se conserva hasta VX = 3,5 V
0,7 V
_
* 3,5 V ≤ Vi => D1, D2, D3, D4, D5 y D6 conducen , Z1 regula y D7 en corte. El circuito equivalente sería:
Ii
A 50 Ω B 50 Ω
+
I1 50 Ω I2 Vi − 3,5 V − 2,6
I1 = A I2 = i A
0,7 V 50 50
1,9 V V − 3,5 Vi − 2,6 2 ⋅ Vi − 6,1
Vi
0,7 V
I i = I1 + I 2 = i + = A
0,7 V
50 50 50
0,7 V
0,7 V
0,7 V
_
La solución del problema es:
⎧ Vi + 0,7
⎪ A Vi ≤ −0,7V
100
⎪ 0A − 0,7V ≤ Vi ≤ 2,6V
⎪
I i = ⎨Vi − 2,6
⎪ 50 A 2,6V ≤ Vi ≤ 3,5V
⎪ 2 ⋅ V − 6,1
⎪ i
A 3,5V ≤ Vi
⎩ 50
Ii (mA)
78
18
-5 -2 -0,7
2,6
3,5 5 Vi (V)
-13
-43
Hallar el valor de la tensión de salida Vo y de la corriente I por la resistencia de 1 kΩ en el circuito de la figura.
DATOS: |VBEon| = 0,7 V |VCEsat| = 0,2 V β = 100
15 V 15 V
15 MΩ
T2
Vo
I
T1 1 kΩ
Suponemos que los 2 transistores están en activa:
15V − V BE1 15V − 0,7V

I B1 = = = 0,95333µA ⇒ I C1 = β ⋅ I B1 = 100 ⋅ 0,95333µA = 95,333µA = I B 2 ⇒
15MΩ 15MΩ
IC2 = β ⋅ I B 2 = 100 ⋅ 95,333µA = 9,5333mA = I
Vo = I ⋅ 1K = 9,5333mA ⋅ 1K = 9,5333V
Ahora hay que comprobar si es cierto que los 2 transistores están en activa para confirmar que los resultados obtenidos son los
correctos.
VCE1 = 15V − V EB 2 = 15V − 0,7V = 14,3V => suposición T1 en activa es correcta
VCE 2 = Vo − 15V = 9,5333V − 15V = −5,4667V => suposición T2 en activa es correcta
Vo =9,5333 V
I = 9,5333 mA
DATOS: T1 => VBEγ = 0,3V VBEon = 0,5 V VCEsat = 0,2V β = 100
T2 => VTH = 2V K = 0,3 mA/V2
12V
T2 2K
4V
100K
T1
VBB
(1,5) a) Calcular el punto de trabajo de los 2 transistores (IC, VCE, ID, VDS) cuando VBB = 10V. La característica del MOSFET se
Se supone T1 en activa y T2 saturado:
V BB − V BE 10V − 0,5V
IB = = = 95µA ⇒ I C = β ⋅ I B = 100 ⋅ 95µA = 9,5mA
100 K 100 K
I D = K ⋅ (VGS − VTH ) = 0,3 2 ⋅ (4V − 2V ) = 1,2mA
2 mA 2
V
I 2 K = I C − I D = 9,5mA − 1,2mA = 8,3mA ⇒ VDS = I 2 K ⋅ 2 K = 8,3mA ⋅ 2 K = 16,6V
VCE = 12V − V DS = 12V − 16,6V = −4,6V => T1 no puede estar en activa ya que para ello VCE tendría que ser positiva =>
Suposición es incorrecta.
Se realiza otra suposición: T1 y T2 saturados:

T1 saturado => VCE = 0,2V => VDS = 12V – VCE = 11,8V
Si T2 está saturado tiene que cumplirse que V DS ≥ VGS − VTH y como 11,8V ≥ 4V − 2V = 2V entonces la suposición de que
T2 está saturado es correcta.
I D = K ⋅ (VGS − VTH ) = 0,3 ⋅ (4V − 2V ) = 1,2mA

2 mA 2
V2
VDS 11,8V
2K 2K
I 7,1mA
I B min sat = Csat = = 0,071mA = 71µA
β 100
V − V BE 10V − 0,5V
I B = BB = = 95µA
100 K 100 K
Como se cumple que IB > IBminsat entonces la suposición de T1 saturado es correcta. Por lo tanto los dos transistores estarían
saturados y los cálculos realizados son válidos.
T1 y T2 saturados
IC = 7,1 mA
VCE = 0,2 V
ID = 1,2 mA
VDS = 11,8 V
(1,5) b) Calcular los estados por los que pasan los transistores cuando VBB varía entre 0V y 20V. La característica del MOSFET se
* 0V ≤ VBB ≤ 0,3V => T1 y T2 están en corte
* 0,3V < VBB < Vx => T1 en activa y T2 en óhmica
Cuando VBB > VBEγ T1 empieza a conducir en zona activa y T2 también empieza a conducir en óhmica. A medida que VBB
aumenta, IB e IC también van aumentando lo que provoca que VDS aumente y por lo tanto VCE disminuya ya que 12V = VDS + VCE.
Entonces, el próximo cambio en el estado de uno de los transistores ocurrirá en T2 ya que cuando VDS = VGS – VTH = 2V T2 entra en
saturación y en ese punto VCE = 12V – VDS = 10V => T1 aún sigue en activa.
Se calcula el valor de VBB que hace que VDS = 2V:

Para VDS = 2V T2 se satura y la corriente de drenador tiene que tener un valor igual a
I D = K ⋅ (VGS − VTH ) = 0,3 ⋅ (4V − 2V ) = 1,2mA

2 mA 2
V2
VDS 2V
I 2K = = = 1mA I C = I D + I 2 K = 1,2mA + 1mA = 2,2mA
2K 2K
Como T1 está en activa =>
IC 2,2mA
IB = = = 0,022mA ⇒ V BB = I B ⋅ 100 K + V BE = 0,022mA ⋅ 100 K + 0,5V = 2,7V
β 100
Entonces Vx = 2,7V y con ese valor el transistor T2 se satura.
* 2,7V ≤ VBB < Vy => T1 en activa y T2 saturado
Ahora hay que calcular el punto donde T1 se satura que es cuando VCE = 0,2V => VDS = 11,8V => T2 saturado => ID = 1,2mA
VDS 11,8V
2K 2K
I 7,1mA
IB = C = = 0,071mA ⇒ V BB = I B ⋅ 100 K + V BE = 0,071mA ⋅ 100 K + 0,5V = 7,6V
β 100
Por lo tanto Vy = 7,6V y a partir de ese valor T1 se satura
* 7,6V ≤ VBB ≤ 20V => T1 y T2 saturados
0V ≤ VBB ≤ 0,3V => T1 y T2 están en corte

0,3V < VBB < 2,7V => T1 en activa y T2 en óhmica
2,7V ≤ VBB < 7,6 => T1 en activa y T2 saturado
7,6V ≤ VBB ≤ 20V => T1 y T2 saturados

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DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS I

EXAMEN DICIEMBRE 2006

EJERCICIO 1 (realizar los cálculos con una precisión de 5 cifras significativas)

En el germanio intrínseco se cumple que n = p = ni . Por lo tanto:

(0,5) b) Velocidad de arrastre de electrones y huecos a 300 ºK.

La velocidad de arrastre depende de la movilidad y el campo eléctrico aplicado: v = µ⋅E

p 2 = N A ⋅ p + ni2 ⇒ p 2 − N A ⋅ p − ni2 = 0 ⇒ p 2 − 2 ⋅ 1018 ⋅ p − 2,36 ⋅ 1019 ( ) 2

ni2 (2,36 ⋅ 1019 m −3 ) 2

n = 2,2621 ⋅ 1019 m-3

E G0 ⎛ 1 1 ⎞ 2 ⋅ k ⋅ ln 1,428 2 ⋅ 8,62 ⋅ 10 −5 ⋅ 0,35627

Sustituimos los valores en la fórmula de la potencia y se obtiene:

Vi=10V => PZ2= 12 mW

Vi=1V => PZ2= 0 W

Vcc DATOS: Vcc = 20 V Rc1 = 100 K Rc2 = 2 K

Transistor T1: VBEon= 0,7 V VCEsat= 0,2 V β = 100

VCE 0,7 V 0,2 V

Analizando el trayecto de circuito marcado como camino 1 en la figura, se tiene que

RC2sat > 760 Ω

Se supone que T1 está saturado y T2 en activa:

V DS = 8V − V EB + VGS = 8V − 0,7V − 5,88V = 1,42V

Ahora se tienen que comprobar las suposiciones anteriores:

Se supone que T1 en óhmica y T2 en activa:

8V = I D (2 K + rDS ) + I ' 2 K ⋅2 K = I D ⋅ 3,6 K + I ' 2 K ⋅2 K

I C + I D = I ' 2 K ⇒ I C = I ' 2 K − I D = 3,37mA − 0,35mA = 3,02mA

Ahora se tienen que comprobar las suposiciones:

* Comprobar que T1 está en óhmica:

0 = VGS + I ' 2 K ⋅2 K ⇒ VGS = − I ' 2 K ⋅2 K = −3,37 mA ⋅ 2 K = −6,74V

VDS < V P − VGS

* Comprobar que T2 está en activa:

VCE = −8V + I C ⋅ 100Ω + I ' 2 K ⋅2 K = −8V + 3,02mA ⋅ 0,1K + 3,37mA ⋅ 2 K = −0,95V

Por lo tanto la solución del problema es:

DATOS: Diodos ideales

• -20 V ≤ Vi ≤ 0V => D1 y D2 en corte

• 0 V ≤ Vi ≤ VX => D1 conduce y D2 en corte

Por lo tanto, la característica de transferencia sería la siguiente:

DATOS: D1 => Vγ = 0,6 V Rf = 100 Ω Rr = ∞

Cuando D1 no conduce, D2 también está en corte y el circuito equivalente sería:

D1 empieza a conducir cuando Vi = Vγ + V B = 0,6V + 0,06439V = 0,66439V

Para Vi = 5 V D1 conduce y D2 está en corte y el circuito equivalente sería:

Calculando en equivalente Thevenin del circuito de la

(0,25) d) ¿Qué nombre recibe el circuito de este problema?.

Es un circuito recortador a 2 niveles o circuito rebanador.

IC2 = 10 mA y VCE2 = 10 V => T2 está en activa => zener regula.

VCC − VCE 2 20V − 10V

T2 en corte => VCE1 < VZ + VBE = 5 V + 0,7 V = 5,7 V

VCC − 5,7V 20V − 5,7V

Como T1 estaría en activa:

VCC − V BE1 V − VBE1 20V − 0,7V

RB1 < 134,96 kΩ

IR1 R2 IR3 Transistor T2: |VP| = 8 V |IDSS| = 6 mA

VDS 16 V VDS -10,6188 V

* Se supone que T1 está saturado:

VGS 1 = 0 ⇒ I D1 = I DSS1 = 5mA = I R1

V DS1 = VCC − I R 3 ⋅ R3 − I R1 ⋅ R1 = 25V − 7 mA ⋅ 1K − 5mA ⋅ 0,4 K = 16V

Saturación ⇒ V DS1 ≥ V P1 − VGS1

Sustituyendo valores en la ecuación de R2 se obtiene:

VGS 2 + I R1 ⋅ R1 3,3812V + 5mA ⋅ 0,4 K

Sólo queda comprobar que la suposición de T2 en saturación es correcta:

V DS 2 = −VCC + I R 3 ⋅ R3 + I R 2 ⋅ R2 + I D 2 ⋅ R4 = −25V + 7mA ⋅ 1K + 2mA ⋅ 2,69064 K + 2mA ⋅ 1K = −10,6188V

Esto implica que la suposición de T2 saturado es correcta.

DATOS: Vγ =0,6V Rf = 100Ω Rr = ∞

En este caso D1 y D2 estarían claramente conduciendo. El circuito equivalente sería: