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Source de courant - Miroir de courant - Etage

différentiel

Guezguez Yahia et Arib selim


"On fait la science avec des faits, comme on fait une mai-
son avec des pierres : mais une accumulation de faits n’est pas plus une science
qu’un tas de pierres n’est une maison."
Henri poincarré

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A - Etude préliminaire :
Boddy Effect :

Nous avons tracé la caractéristique Id = f (Vgs ) pour Vbs variant de -3v à 0v, cf ANNEXE 1 .
On peut remarquer que plus la tension inverse augmente et plus la résistance entre la
source et le substrat augmente.
Donc le courant Id à du mal à passer d’où l’importance de la tension de seuil, il faut
augmenter Vgs pour que le courant Id puisse passer.

B - Source de courant :
a-)
Pour que la source de courant soit parfaite, il faut que l’impédancede sorie soit infinie.

b-)
◦ Les miroires de courants permettent de copier des courants.
◦ Ils permettent également de réaliser des fonctions simples des courants comme des ad-
ditions, soustractions et des valeurs absolues.

Source de courant Nmos :


1-)
Comme on peut le voir sur ANNEXE 2 , la zone où le transistor fonctionne en géné-
rateur de courant se situe entre les points M0 et M1 .

2

Calcul de rds :

rds = ( 4V
4I )Vgs =3v
ds
ds

rds = ( 3.492−2.007
4.707−4.52 ) = 7.5KΩ

Le transistor est en régime de saturation entre les deux points M0 et M0 .

2-)
Nous avons relié la grille et le drain du transistor Nmos.
La caractéristique en ANNEXE 3 Ids D = f (Vds = Vgs ) correspond à celui d’une diode
donc on peut réalisier une diode à partir de ce montage et d’un transistor NMOS.

Calcul de résistance dynamique : ( entre M2 et M1 )

rd = ( 4V
4I )
ds
ds

4−3
rds = ( 7.268−4.65 ) = 0.38KΩ
⇒ On pourrait modifier la valeur de ce paramètre avec la longueur du canal et la
largeur W.

Miroire de courant simple :

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1-)
En reliant Vds avec Vgs , le transistor est saturée.

2-)
Pour que N M OS1 et N M OS2 fonctionnent en miroir de courant, il faut :

Iref
Iout =1 avec (Vgs1 = Vgs2 )

sig
W1
Iref 2.L1
.µ.Cox
= W2
Iout 2.L2
.µ.Cox
Donc
W1 W2
L1 = L2
⇒ La technologie de NMOS 1 et NMOS 2 soit identique.

3-)
◦ Dans ANNEXE 4 , nous n’avons pas tout à fait un fonctionnement en source de
courant car la résistance du géérateur n’est pas infinie.

◦ En effet, on observe une pente pour Iref qui augmente.

◦ Les différents tension minimales à partir desquelles nous avons un fonctionnement


en source de courant varie de 152 mV à 221.3 mV.

Calcul impédance de sortie Zs :

Zs = ( 4V out
4Iout )Iref =cst

→ Pour Iref = 10µA

Zs = 452.7KΩ
→ Pour Iref = 20µA

Zs = 262.KΩ
→ Pour Iref = 30µA

Zs = 193.2KΩ

4
4-)
Le rapport ( IIref
out
) représente le gain en courant, cf ANNEXE 5

⇒ Pour Vout = 1, on a un rapport

Iout 30.01−20.06
Iref = 31.74−20.06 = 0.85

5-)
Sur la courbe ANNEXE 6 on observe un chargement dû à la capacité de transition
qui accumule les charges et un déchargement plus long pour évacuer les porteurs.

6-)
Si on change la géométrie du Nmos 1 (W1 = 50µm), on a une chute de courant im-
portante.

En effet, sur ANNEXE 7 , l’effet miroir n’est pas respecté et le gain est différent de 1.

7-)
Nous avons tracé Iout en fonction de Vout sur ANNEXE 8 , l’effet miroir est de nou-
veau vérifié .

→ Calcul impédance de sortie :

2.201−1.196
Zs = 31.04µ−30.4µ = 1.57M Ω

On confirme que l’effet miroir est bien respecté, cf ANNEXE 8’

⇒ Le gain ' 1

Le fait d’avoir modifié les paramétres géométrique des transistors (Wi = 100µm et
Li = 3µm), on a fait que augmenter les capacités de transition et du coup on obtient un
canal plus grand.

En effet, sur ANNEXE 8" , on constate que le transistor se comporte comme une
grande capacité et les porteurs libres mettent baucoup de temps pour voyager dans le
canal.
⇒ on atteint pas la valeur du régime permanent.

5
8-)

Source Cascode :

1-) cf ANNEXE 9

2-) cf ANNEXE 9’

3-)

◦ On peut le constater une amélioration de l’impédance de sortie ( tend vers ∞ ), la


pente est beaucoup plus faible.

⇒ Le montage est proche de celui d’un générateur parfait.

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Iref
◦ D’après l’annexe 9’, on constate que le rapport Iout
= 1 donc on est pas loin de le
cas idéal.

⇒ L’effet miroir est trés respecté comparant à celui du miroir de courant simple.

◦ Le fait de rajouter une deuxième source de courant en parallèle (cascode) rapporte


une amélioration sur l’impédance de sortie.

Source Wilson :

1-)

L’avantage avec la source de Wilson est d’éliminer la zone linéaire (ohmique).

On a une tension seuil à partir laquelle on atteint instantanément la zone de satura-


tion. cf ANNEXE 10

2-)

Sur ANNEXE 10’ , on a un gain en courant proche de l’idéal (=1), la source de cou-
rant est presque parfaite.

La différence entre le montage de Wilson et celui de Cascode est qu’on a supprimé la


zone linéaire .

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C - Paires différentielles :
Simulation :
1-)

1-1)
Après avoir tracer la courbe Id = f (Vd ) pour quelques valeurs de Iss , on peut constater
que la pente dans la zone linéaire est plus au moins accentuée.

⇒ Donc plus Iss augmente plus la largeur de la zone linéaire devient plus grande .

1-2)

La courbe ANNEXE 12 représente Vout = f (Vd ) → c’est le gain.

→ calcul du gain différentielle :(dans la zone linéaire)

4Vout
Ad = 4Vd ' 7.5
Pour mieux expliquer le gain différentielle, on dessine le montage en petit signaux :

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1-3)
On injecte en entrée un signal sinusoidale d’amplitude 100 mV, on obtient en sortie
un signal amplifiée d’amplitude 750 mV.

On a une amplification de 7.5 . cf ANNEXE 13

2-)

cf ANNEXE 14

D - Conclusion :
◦ L’utilisation d’étage à miroirs recopiant un unique courant permet de gagner sur la
structure totale un nombre de deux transistors. En outre, cette solution présente l’avan-
tage de pouvoir rectifier la valeur du courant de manière simple sur les différents transis-
tors utilisés.

◦ Pour pourvoir utiliser une source de courant parfaite il faut s’assurer d’avoir un gain
de courant égale à 1.

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◦ Les avantages de la source cascode sont :

- plus-sortie d’isolement d’entrée


- plus l’impédance d’entrée et de sortie
- plus de gain ou plus de bande passante

⇒Le cascode améliore l’isolement d’entrée-sortie car il n’y a pas de couplage direct
de la sortie à l’entrée.

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