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c S  


 
S   S 
Las corrientes continuas en el emisor y el colector en operación normal son determinadas
por:

Modelo Ebers-Moll para transistores NPN

Modelo Ebers-Moll para transistores PNP

Dónde:
c aE es la corriente de emisor.
c a es la corriente de colector.
c aT es la ganancia de corriente directa en configuración base común. (de 0.98 a 0.998)
c aES es la corriente de saturación inversa del diodo base-emisor (en el orden de 10-15 a
10-12 amperes)
c ºT es el voltaje térmico kT / q (aproximadamente 26 mº a temperatura ambiente ~ 300
K).
c º E es la tensión base emisor.
c · es el ancho de la base.
La corriente de colector es ligeramente menor a la corriente de emisor, debido a que el valor
de aT es muy cercano a 1,0. En el transistor bipolar de juntura una pequeña variación de la
corriente base-emisor genera un gran cambio en la corriente colector-emisor. La relación
entre la corriente colector-emisor con la base-emisor es llamada ganancia, ǃ o hFE. Un
valor de ǃ de 100 es típico para pequeños transistores bipolares. En una configuración
típica, una señal de corriente muy débil circula a través de la juntura base -emisor para
controlar la corriente entre emisor-colector. ǃ está relacionada con a a través de las
siguientes relaciones:

Eficiencia del emisor:


Otras ecuaciones son usadas para describir las tres corrientes en cualquier región del
transistor están expresadas más abajo. Estas ecuaciones están basadas en el modelo
de transporte de un transistor bipolar de juntura.

Dónde:
c i es la corriente de colector.
c i es la corriente de base.
c iE es la corriente de emisor.
c ǃF es la ganancia activa en emisor común (de 20 a 500)
c ǃR es la ganancia inversa en emisor común (de 0 a 20)
c aS es la corriente de saturación inversa (en el orden de 10-15 a 10-12 amperes)
c ºT ies el voltaje térmico kT / q (aproximadamente 26 mº a temperatura ambiente ~
300 K).
c º E es la tensión base-emisor.
c º es la tensión base-colector.

S   



c S  S  

S   
         

   
! 

Otro modelo comúnmente usado para analizar los circuitos T  es el modelo de parámetro
h. Este modelo es un circuito equivalente a un transistor bipolar de juntura y permite un
fácil análisis del comportamiento del circuito, y puede ser usado para desarrollar modelos
más exactos. omo semuestra, el término "x" en el modelo representa el terminal del T 
dependiendo de la topología usada. Para el modo emisor-común los varios símbolosde
la imagen toman los valores específicos de:
c x = 'e' debido a que es una configuración emisor común.
c Terminal 1 = ase
c Terminal 2 = olector
c Terminal 3 = Emisor
c iin = orriente de ase (ib)
c io = orriente de olector (ic)
c ºin = Tensión ase-Emisor (º E)
c ºo = Tensión olector-Emisor (º E)
Y los parámetros h están dados por:
c Î Î  La resistencia de entrada del transistor (correspondiente a la resistencia del
emisor re).
c Î Î Representa la dependencia de la curva a º E del transistor en el valor de
º E. Es usualmente un valor muy pequeño y es generalmente despreciado (se considera
cero).
c Î Î  La ganancia de corriente del transistor. Este parámetro es generalmente
referido como hFE o como la ganancia de corriente contínua (ǃD ) in en las hojas
de datos.
c Î Î  La impedancia de salida del transistor. Este término es usualmente
especificado como una admitancia, debiendo ser invertido para convertirlo a
impedancia.
omo se ve, los parámetros h tienen subíndices en minúscula y por ende representan que
las condiciones de análisis del circuito son con corrientes alternas. Para condiciones de
corriente continua estos subíndices son expresados en mayúsculas. Para la topología emisor
común, un aproximado del modelo de parámetro h es comúnmente utilizado ya que
simplifica el análisis del circuito. Por esto los parámetros hoe y hre son ignorados (son
tomados como infinito y cero, respectivamente). También debe notarse que el modelo de
parámetro h es sólo aplicable al análisis de señales débiles de bajas frecuencias. Para
análisis de señales de altas frecuencias este modelo no es utilizado debido a que ignora las
capacitancias entre electrodos que entran en juego a altas frecuencias.

 S  
  
 

   

 
J   
               
 

Low Noise
AC107 GT3 NG 15 15 10 - - 30 160 3 2 3 80
Audio

AC125 TO-1 PG 12 32 100 - - 100 100 2 1.3 10 216 Audio Driver

ô      

  

  
 ô

AC127 TO-1 NG 12 32 500 - - 105 105 300 1 10 340 Audio O/P

ô      


 


 

 

ô

AC132 TO-1 PG 12 32 200 0.35 200 115 115 50 1.3 10 216 Audio O/P

AC187 TO-1 NG 15 25 2000 0.8 1000 100 500 300 1 10 800 Audio O/P

AC188 TO-1 PG 15 25 2000 0.6 1000 100 500 300 1 10 220 Audio O/P

AD149 TO-3 PG 30 50 3500 0.7 3000 30 100 1000 0.3 200 32000 GP O/P

AD161 PT1 NG 20 32 3000 0.6 1000 80 320 500 0.02 300 4000 Audio amp
AD162 PT1 PG 20 32 3000 0.4 1000 80 320 500 0.02 300 6000 Audio amp

AF114 TO-7 PG 15 32 10 0 0 150 150 1 75 1 75 H.F. amp

AF115 TO-7 PG 15 32 10 0 0 150 150 1 75 1 75 H.F. amp

AF116 TO-7 PG 15 32 10 0 0 150 150 1 75 1 75 H.F. amp

AF117 TO-7 PG 15 32 10 0 0 150 150 1 75 1 75 H.F. amp

AF118 TO-7 PG 20 70 30 5 30 35 35 1000 175 10 375 V.H.F. amp

ASZ15 TO-3 PG 60 100 10000 0.4 10000 20 55 1000 0.2 1000 30000 H.C. sw


Number .... The type number of the device
ase .... ase style (sub categories are not included)
Pol .... Polarity - N=NPN P=PNP
Mat .... Material - G=Germanuim S=Silicon
ºce .... reakdown voltage; ollector to Emitter
ºcb .... reakdown voltage; ollector to ase
a .... ollector current (in milliamps)
ºces .... Saturation voltage (when transistor is fully on with specified current a ) (º)
Hfe .... urrent gain (minimum and maximum are shown at specified current a )
FT .... Frequency Transition - the frequency where gain falls to unity MHz)
Ptot .... Total power dissipation in milliwatts (at 25 degrees )
Use .... The intended purpose - this is not a specification but a suggestion
c H.F.....High Frequency
c H. ....High urrent
c G.P.....General Purpose
c Sw....Switch
c O/P.....Output
c º.H.F.....ºery High Frequency