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N° d’ordre : 2117 Année 2004

Thèse préparée au Laboratoire d’Electrotechnique et d’Electronique Industrielle de
l’ENSEEIHT
Unité Mixte de Recherche du CNRS n°5828
THÈSE


présentée
pour obtenir le titre de

DOCTEUR DE L’INSTITUT NATIONAL POLYTECHNIQUE DE TOULOUSE
Spécialité : Génie Electrique


par


Nicolas ROUX

Agrégé de Génie Electrique de l’Ecole Normale Supérieure de Cachan
DEA Génie Electrique
















Soutenue le 2 juillet 2004 devant le jury composé de

M. Robert BAUSIERE Président, Rapporteur
M. Jean-Luc SCHANEN Rapporteur
M. Jean-Louis SANCHEZ Examinateur
M. Hubert PIQUET Examinateur
M. Henri FOCH Examinateur, Encadrant
M. Frédéric RICHARDEAU Examinateur, Encadrant
M. Didier FERRER Invité, société CIRTEM



Nouveaux mécanismes de commutation exploitant les
protections intégrées des semi-conducteurs de puissance.

Application à la conception de convertisseurs statiques à
commutation automatique













































A mes parents




RESUME

Cette thèse présente un nouveau mécanisme de commutation qui a pour but d’intégrer
la protection du semi- conducteur dans le principe même de commutation, afin de générer de
nouveaux convertisseurs statiques. Il consiste en une transition auto-commandée qui se
déroule à un niveau de courant ou de tension non nul. Elle peut être associée avec les
commutations commandée ou spontanée permettant de passer de deux à cinq types de
changement d’état d’une cellule de commutation. De nouvelles règles élémentaires de
fonctionnement d’une cellule de commutation émergent alors.
Vu le grand nombre d’interrupteurs possibles, une méthodologie de synthèse de
cellules admettant une réversibilité de source, dont les interrupteurs sont identiques, est
présentée permettant de faire apparaître différentes solutions, dont deux semblent
particulièrement intéressantes : les cellules onduleur et redresseur à disjonction, utilisant
toutes deux le thyristor-dual disjoncteur. Ce dernier sert de support d’étude du principe de
blocage automatique.
Puis, le manuscrit se concentre sur l’étude de convertisseurs, associations de cellules
élémentaires, faisant apparaître notamment le transformateur à courant continu et le
redresseur triphasé réversible. Ce dernier fait l’objet d’un prototype industriel. Enfin, à partir
du cahier des charges d’une chaîne éolienne, notre montage a été mis en concurrence avec ce
qui se fait à l’heure actuelle en matière de raccordement au réseau, faisant apparaître un gain
au niveau des pertes ainsi qu’un rendement énergétique supérieur.

Mots Clés

• Disjoncteur • Thyristor-dual
• Commutation automatique • Intégration de puissance
• Redresseur réversible • Commutation commandée
• Commutation spontanée



ABSTRACT

This thesis deals with a new switching process which integrates the semiconductor
protection directly in the switching principle, in order to generate new static converters. It
consists of a self-controlled transition which proceeds on a non-zero current or voltage level.

2
It can be associated with controlled or naturally switching processes making it possible to go
from two to five change of state types of a switching cell. So, new elementary operation rules
of a switching cell emerge.
Considering the great number of possible switches, a synthesis methodology of cells
with a source reversibility, whose switches are identical, is presented making it possible to
reveal various solutions, of which two seem particularly interesting: the self-breaking inverter
and rectifier cells, both using the self-breaking thyristor-dual. This last is used as study
support of the self-breaking principle.

Then, the manuscript concentrates on the study of converters, associations of
elementary cells, revealing in particular the DC-current transformer and the reversible three-
phase self-breaking rectifier. This last had been developed as an industrial prototype. Lastly,
starting from the concept of a wind chain, our assembly has been compared with what is
presently done as network converters, revealing lesser losses as well as a higher energetic
efficiency.

Key words

• Breaker • Thyristor-dual
• Self-switching • Power integration
• Reversible rectifier • Controlled switching
• Naturally transition





AVANT-PROPOS

Ces travaux de recherche se sont déroulés au sein de l’équipe « Convertisseurs
Statiques » du Laboratoire d’Electrotechnique et d’Electronique Industrielle (LEEI) à
Toulouse. Le prototype a été réalisé par la société CIRTEM.

Tout d’abord, je tiens à remercier M.Yvon CHERON, directeur du LEEI pour m’avoir
accueilli au sein de sa structure ainsi que M. Philippe LADOUX qui m’a accepté dans son
équipe de travail. Mes remerciements vont également vers M. Christian SAUBION, directeur
du CIRTEM, pour les différents moyens mis à ma disposition et son accueil.

J’adresse également mes remerciements aux différentes personnes qui ont accepté
d’être membres du jury de thèse :

- M. Robert BAUSIERE, Professeur au Laboratoire d’Electrotechnique et
d’Electronique de Puissance de Lille, pour m’avoir fait l’honneur de présider ce jury et avoir
scrupuleusement relu ce manuscrit. Ses différentes remarques ont permis de grandement
améliorer la version finale.

- M. Jean-Luc SCHANEN, Professeur au Laboratoire d’Electrotechnique de Grenoble,
pour avoir accepté d’être le deuxième rapporteur de ce manuscrit et pour ses différentes
remarques ainsi que son rapport.

- M. Jean-Louis SANCHEZ, Directeur de Recherche au Laboratoire d’Analyse et
d’Architecture des Systèmes de Toulouse, et M. Hubert PIQUET, Professeur au LEEI, pour
avoir accepté de prendre part à ce jury et avoir apporté un éclairage lié à leur domaine de
compétences respectif.

- M. Didier FERRER, ingénieur au sein de la société CIRTEM, pour sa présence au
sein du jury et son éclairage d’industriel sur ces travaux. Sur un plan plus personnel, je le
remercie pour les journées agréables au CIRTEM. Nos nombreuses discussions techniques
ainsi que son éternel optimisme, même après un bon « flash » resteront gravés dans ma
mémoire.

- M. Henri FOCH, Professeur à au LEEI, pour avoir accepté d’être mon directeur de
thèse. Nos conversations se sont toujours révélées très intéressantes, ainsi que fructueuses.
Avant-propos
4
Son enthousiasme pour la recherche ainsi que sa pédagogie et sa grande simplicité en font un
être à part qui laisse un grand vide depuis son départ à la retraite. Il fait partie des gens qui
m’auront marqué. J’espère que ce manuscrit permettra à ses successeurs d’adapter
l’enseignement de l’électronique de puissance.

- M. Frédéric RICHARDEAU, Chargé de recherche au LEEI, pour m’avoir proposé ce
sujet de recherche. Sa rigueur et sa passion pour la recherche se ressentent à travers ce
manuscrit. Je tiens à le remercier tout particulièrement pour le temps qu’il m’a consacré et la
patience dont il a fait preuve au cours de ces trois années. Que ces quelques lignes témoignent
toute ma reconnaissance.


Je tiens également à remercier toutes les personnes que j’ai pu croiser au LEEI, au
CIRTEM ainsi qu’à l’ENSEEIHT au cours de mes enseignements. Je pense plus
particulièrement :

à Mesdames BODDEN, CHARRON, ESCAIG, PIONNIE et MEBREK pour leur
travail indispensable au bon fonctionnement du laboratoire.

à M. Jean-Baptiste DALZOVO, pour sa bonne humeur et sa gentillesse. Je ne t’ai pas
oublié et la société Pim’Air assurera ton baptême.

à M. Thierry CARITOUX, pour son aide au CIRTEM. Il a permis de réanimer par
deux fois le prototype…

aux différents thésards et stagiaires CNAM que j’ai côtoyé, et plus particulièrement
Jérôme FADAT, Jérôme VALLON, Laurent PEYRAS (dit Pinpin), Laurent GASC (Monsieur
200 km/h), Jérôme DUVAL (dit Pastis), Sylvain CANAT, Lauric GARBUIO, Patrice
LORENDEAUX, Dominique ESCANDE et Didier FLUMIAN. Une pensée particulière à
Bernard PONTALIER pour son excellent travail de DEA et sont courage de refaire des études
après 20 ans de carrière dans l’enseignement. Enfin, je pense à tous ceux qui m’ont supporté
dans le bureau 135 : Laurent PEYRAS, Christophe TURPIN, Gilbert MANOT, Jérôme
MAVIER, Alexis RENOTTE, Cédric LIOT et bien sûr Guillaume « Babouchesan » FONTES
pour sa grande gentillesse.

à tous les étudiants que j’ai eu durant ces trois années de monitorat à l’ENSEEIHT. Si
tous les bons moments que nous avons partagés reflètent la carrière d’enseignant, je ne me
suis donc pas trompé de voie.

Avant-propos
5
J’ai également une pensée pour tous les amis qui m’ont soutenu durant ces années,
notamment les ex-cachanais : Laurent et Christine CABARET, dont la famille fait plaisir à
voir, Fabien AESCHLIMANN et Juliette JOUHET qui se sont enfin mariés en grandes
pompes (quelle voiture !!!!!), ainsi que Sébastien WYBO, le niçois, qui pense que la seule
annonce à la coinche est le capot, et Nicolas LAVERDURE, mon binôme de Cachan, qui,
grâce à sa grande patience, a supporté mes coups de sang et mon sale caractère.
Un grand merci pour tous les toulousains du stage « RAYNAUD », Christelle
MICHEL, Lise BAIGET, Christophe BLANQUEVAIN, Frédéric MELEUX, Laurent
BERTRANDIAS et sa femme Géraldine (il va enfin devoir s’assagir) et Stéphane
NARBONNET. Toutes nos soirées m’ont permis de me détendre au sein de ma deuxième
famille.
Une pensée à toute mon équipe de baseball avec qui nous avons remporté le
championnat régional. Durant cette dernière année de thèse, ils m’ont permis de me défouler
et d’évacuer la pression. Je tiens à citer en particulier Thomas KAPUSTA (dit Cacahuète),
Nicolas CHALOUB (dit Fisherman), Eric «Pudge » SOLIVERES et Jérôme «2 grammes »
LASSERRE.

Je tiens à remercier ici une personne dont le nom aurait pu apparaître tout le long de
cet avant-propos, Rémi SAISSET. Depuis sept ans que nous nous supportons, il a toujours été
là quand j’en ai eu besoin. C’est un véritable ami et je lui souhaite bonne chance pour son
poste à Rennes.

Enfin, je finis ces remerciements par ma famille : mes parents, mes grands-mères et
mon frère, ainsi que la famille Mayen. Ils m’ont toujours soutenu tout au long de mes études.
Je leur dois beaucoup. Qu’ils trouvent dans ce manuscrit toute ma reconnaissance et le signe
que je suis enfin arrivé au bout.




TABLE DES MATIERES
RESUME................................................................................................................................................................... 1
AVANT-PROPOS ................................................................................................................................................... 3
TABLE DES MATIERES ..................................................................................................................................... 7
NOTATIONS..........................................................................................................................................................11
INTRODUCTION GENERALE.......................................................................................................................15
CHAPITRE I : NOUVEAU PROCESSUS DE COMMUTATION : LA COMMUTATION
AUTOMATIQUE.................................................................................................................................................................19
I.1. PROTECTION DES SEMI-CONDUCTEURS......................................................................................................20
I.1.1. Protection en courant ........................................................................................................................20
I.1.2. Protection en tension .........................................................................................................................23
I.1.3. Bilan......................................................................................................................................................27
I.2. DES COMMUTATIONS CLASSIQUES VERS LA COMMUTATION AUTOMATIQUE.......................................28
I.2.1. Commutations commandée et spontanée........................................................................................29
I.2.2. Introduction de la commutation automatique................................................................................30
I.3. INTEGRATION DE LA COMMUTATION AUTOMATIQUE DANS LA CELLULE DE COMMUTATION............32
I.3.1. Rappel des règles d’association des interrupteurs dans une cellule de commutation...........32
I.3.2. Modification des règles d’association des interrupteurs avec l’introduction de la
commutation automatique...........................................................................................................................................33
I.4. SYNTHESE DES CELLULES A COMMUTATION AUTOMATIQUE..................................................................36
I.4.1. Synthèse................................................................................................................................................36
I.4.2. Stabilité de la commutation automatique.......................................................................................41
I.4.3. Extraction des cellules intéressantes et étude de la protection..................................................43
I.4.4. Etude du cas particulier de commutation commandée avec changement de quadrant..........45
I.5. CHOIX DE LA CELLULE DE L’ETUDE A SUIVRE ..........................................................................................46
I.6. AUTRES EXEMPLES DE CELLULES A COMMUTATION AUTOMATIQUE.....................................................47
I.7. CONCLUSION..................................................................................................................................................51
CHAPITRE II : LE THYRISTOR-DUAL DISJONCTEUR....................................................................53
II.1. PRINCIPE DU THYRISTOR-DUAL DISJONCTEUR........................................................................................53
II.2. REALISATION EXPERIMENTALE.................................................................................................................54
II.2.1. Principe du blocage automatique sans capteur...........................................................................55
II.2.2. Description de la carte de commande...........................................................................................56
II.2.3. Caractéristique réelle réalisée.......................................................................................................57
Table des matières
8
II.3. FONCTIONNEMENT DES CELLULES ELEMENTAIRES UTILISANT LE THYRISTOR-DUAL DISJONCTEUR
................................................................................................................................................................................................58
II.3.1. La cellule onduleur à disjonction...................................................................................................58
II.3.2. La cellule redresseur à disjonction................................................................................................62
II.4. LE PROCESSUS DE DISJONCTION................................................................................................................64
II.4.1. Relevé expérimental d’une disjonction..........................................................................................64
II.4.2. Dépendance du courant de disjonction vis-à-vis du di/dt ..........................................................65
II.4.3. Etude théorique de la phase de disjonction..................................................................................66
II.4.4. Abaques du courant de disjonction en fonction du di/dt............................................................68
II.4.5. Conclusions sur la stabilité de la valeur du courant de disjonction........................................71
II.5. SYNTHESE D’UNE FONCTION DISJONCTEUR INTEGREE...........................................................................73
II.6. EVOLUTION DES PERTES DUES AU FONCTIONNEMENT SOUS POTENTIEL DE GRILLE REDUIT............77
II.7. MISE EN PARALLELE DE DISJONCTEURS...................................................................................................81
II.7.1. Mise en parallèle de deux thyristors-duaux disjoncteurs...........................................................82
II.7.2. Mise en parallèle de trois thyristors-duaux disjoncteurs...........................................................88
II.7.3. Conclusion..........................................................................................................................................91
II.8. CONCLUSION................................................................................................................................................91
CHAPITRE III : APPLICATIONS DU THYRISTOR-DUAL DISJONCTEUR...............................93
III.1. ASSOCIATION DE DEUX CELLULES REDRESSEUR A DISJONCTION........................................................93
III.1.1. Association série : pont monophasé à disjonction.....................................................................94
III.1.2. Association anti -série : liaison continue à circuit oscillant.....................................................96
III.1.3. Remplacement des diodes par des thyristors..............................................................................98
III.2. LE TRANSFORMATEUR CONTINU........................................................................................................... 100
III.2.1. Transformateur continu tension-courant ..................................................................................100
III.2.2. Transformateur à courant continu.............................................................................................105
III.3. LE REDRESSEUR TRIPHASE REVERSIBLE EN COURANT....................................................................... 110
III.3.1. Cahier des charges........................................................................................................................110
III.3.2. Schéma du circuit de puissance et principe de fonctionnement ............................................111
III.3.3. Fonctionnements dégradés du redresseur triphasé réversible en courant..........................124
III.3.4. Résultats des essais expérimentaux réalisés.............................................................................133
III.3.5. Structure de puissance à inhibitions courtes............................................................................140
III.3.6. Polyvalence du montage...............................................................................................................142
III.3.7. Conclusions....................................................................................................................................144
III.4. CONCLUSION............................................................................................................................................ 145
CHAPITRE IV : LE REDRESSEUR REVERSIBLE APPLIQUE A UNE CHAINE EOLIENNE
..................................................................................................................................................................................................147
IV.1. PROBLEMATIQUE DE L’EOLIEN............................................................................................................. 147
IV.2. CAHIER DES CHARGES............................................................................................................................ 148
IV.3. PRESENTATION DE LA STRUCTURE....................................................................................................... 149
Table des matières
9
IV.3.1. Rappels sur l’éolien.......................................................................................................................149
IV.3.2. Structure de l’éolienne et de l’alternateur................................................................................150
IV.3.3. Etage MPPT ...................................................................................................................................152
IV.3.4. Convertisseur réseau.....................................................................................................................156
IV.4. PREMIERE COMPARAISON SUR LES FORMES D’ONDES COTE RESEAU.............................................. 158
IV.4.1. Formes d’ondes du redresseur réversible .................................................................................158
IV.4.2. Formes d’ondes de l’onduleur MLI............................................................................................160
IV.4.3. Formes d’ondes du pont à thyristors..........................................................................................161
IV.4.4. Bilan et conclusion ........................................................................................................................163
IV.5. DEUXIEME COMPARAISON SUR L’EFFICACITE ENERGETIQUE........................................................... 164
IV.5.1. Présentation des profils de test ...................................................................................................164
IV.5.2. Mesure des pertes en statique......................................................................................................166
IV.5.3. Mesure des pertes en dynamique................................................................................................169
IV.5.4. Rendement énergétique.................................................................................................................170
IV.6. TROISIEME COMPARAISON SUR L’ASPECT THERMIQUE..................................................................... 171
IV.7. CONCLUSION........................................................................................................................................... 173
CONCLUSION GENERALE..........................................................................................................................175
BIBLIOGRAPHIE..............................................................................................................................................179
ANNEXE A : EXEMPLE DE SYNTHESE DE CELLULES DEUX QUADRANTS ......................181
ANNEXE B : MISE EN EQUATION DE LA PHASE DE DISJONCTION......................................187
ANNEXE C : TABLEAUX DES RESULTATS DE MESURE DE PERTES ....................................195
ANNEXE D : PHOTOGRAPHIES DE LA MAQUETTE DE REDRESSEUR TRIPHASE
REVERSIBLE.....................................................................................................................................................................199



NOTATIONS
GRANDEURS ELECTRIQUES
i ou I Courant [A]
v ou V Tension [V]
E Source de tension [V]
I
disj
Courant de disjonction [A]

I
mag
Courant magnétisant du transformateur [A]
L
µ
Inductance magnétisante du transformateur [H]
L
f
Inductance de fuite [H]

λ Inductance de ligne du réseau [H]

P
Puissance [W]
Pertes [W]
η Rendement
E
OFF
Energie mise en jeu au blocage d’un IGBT [J]
a
OFF
, b
OFF
et c
OFF
Coefficients d’interpolation de la courbe de l’énergie mise en jeu au
blocage d’un IGBT
E
ON
Energie mise en jeu à l’amorçage d’un IGBT [J]
a
ON
, b
ON
et c
ON
Coefficients d’interpolation de la courbe de l’énergie mise en jeu à
l’amorçage d’un IGBT
E
rec
Energie de recouvrement d’une diode [J]
a
rec
, b
rec
et c
rec
Coefficients d’interpolation de la courbe de l’énergie de recouvrement
d’une diode

V
CE0
Tension de saturation d’un IGBT [V]
R
d IGBT
Résistance dynamique d’un IGBT [Ω]
V
d0
Tension de saturation d’une diode [V]
R
d diode
Résistance dynamique d’une diode [Ω]

C
ge
Capacité grille-émetteur de l’IGBT [F]
g Transconductance de l’IGBT [S]
I
c
Courant dans le collecteur de l’IGBT [A]
V
ce
Tension aux bornes de l’IGBT [V]
V
ge
Tension grille-émetteur de l’IGBT [V]
V
geth
Tension de seuil de l’IGBT [V]

g
fs
Transconductance du MOSFET [S]
V
gs
Tension grille-source du MOSFET [V]
V
ds
Tension drain-source du MOSFET [V]
V
dg
Tension drain- grille du MOSFET [V]
V
gsth
Tension de seuil du MOSFET [V]
V
com
Tension de commande du MOSFET [V]
I
pot
Courant potentiel du MOSFET [A]
Notations
12
I
d
Courant de drain du MOSFET [A]
C
gs
Capacité grille-source du MOSFET [F]
C
ds
Capacité drain-source du MOSFET [F]
C
dg
Capacité drain- grille ou transversale du MOSFET [F]
C
oss
Capacité de sortie du MOSFET [F]
R
dson Résistance à l’état passant du MOSFET [Ω]

R
g Résistance de grille [Ω]

T Période du signal [s]
F Fréquence du signal [Hz]
ω Pulsation électrique [rad/s]

V
bus
Tension du bus continu [V]
Vz Tension Zener [V]

COMPOSANTS
C
n
Condensateur numéro n

D
n
Diode numéro n

DZ
n
Diode Zener numéro n

K
n
Interrupteur numéro n

L
n
Inductance numéro n

n
i
Nombre de spires de l’enroulement numéro i

off Commande de blocage

on Commande d’amorçage

R
n
Résistance numéro n

T
n
Transistor numéro n

INDICES
(.)
i
Grandeur relative à la phase i

(.)
C
Grandeur relative à un condensateur

(.)
ch
Grandeur relative à la charge

(.)
clamp
Grandeur relative au clampage

(.)
cont
Grandeur continue

(.)
désat
Grandeur relative à la désaturation du transistor

(.)
e
Grandeur relative à la source de tension E

(.)
eff
Grandeur efficace

(.)
éq
Grandeur équivalente

(.)
D
Grandeur relative à une diode

Notations
13
(.)
K
Grandeur relative à un interrupteur

(.)
L
Grandeur relative à une inductance

(.)
max
Valeur maximale

(.)
R
Grandeur relative à une résistance

(.)
réf
Grandeur de référence

(.)
rés
Grandeur relative au réseau de distribution

(.)
T
Grandeur relative à un transistor

THERMIQUE
C
th
, C Capacité thermique [J/K]
R
th
, r Résistance thermique [K/W]
τ Constante de temps thermique [s]

P Pertes [W]
W Energie thermique [J]

T
a
Température de l’air ambiant[K ou °C]
T
j
Température de jonction [K ou °C]
T
rad
Température du radiateur [K ou °C]
∆T Elévation de température [K]

EOLIEN
R Rayon de la voilure [m]
H Hauteur de la voilure [m]
S Surface balayée par la voilure [m
2
]

ρ
Masse volumique de l’air [kg/m
3
]

V
vent
Vitesse du vent [m/s]
Ω Vitesse de rotation de l’éolienne [rad/s]

C
p
Coefficient de puissance
P
éol
Puissance éolienne [W]
λ Vitesse réduite

c et k Paramètres de la loi de distribution de Weibull

NOTATIONS MATHEMATIQUES
|.| Valeur absolue

f(.) Fonction de

∆. Variation d’une grandeur

Notations
14
ACRONYMES
AC Alternative Current

CALC Circuit d’Aide à La Commutation

CATS Commande Autour de la Tension de Seuil

CEM Compatibilité Electro-Magnétique

CNRS Centre National de la Recherche Scientifique

DC Direct Current

ENSEEIHT
Ecole Nationale Supérieure d’Electrotechnique, d’Electronique,
d’Informatique, d’Hydraulique et des Télécommunications de Toulouse

IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor

IMFT Institut de Mécanique des Fluides de Toulouse

LAAS Laboratoire d’Analyse et d’Architecture des Systèmes

MAS Machine asynchrone

MCC Machine à courant continu

MLI Modulation de Largeur d’Impulsion

MOS Metal-Oxide-Semiconductor

MOSFET Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor

MS Machine Synchrone

MPPT Maximum Power Point Tracking

RSIL Réseau de Stabilisation d’Impédance de Ligne

VDMOS Vertical Double-diffused Metal-Oxide-Semiconductor





INTRODUCTION GENERALE

De nos jours, l’électronique de puissance est basée sur l’usage de composants de type
semi-conducteur. Ces composants sont des interrupteurs électroniques qui s’amorcent et se
bloquent soit par une électrode de commande, soit spontanément en fonction des grandeurs
électriques extérieures. Associés dans un convertisseur statique, ils permettent le contrôle du
transfert de puissances pouvant dépasser le MW. Aujourd’hui, les performances atteintes sont
telles qu’un semi-conducteur formé par quelques centimètres carrés de silicium peut conduire
des courants de plusieurs centaines d’ampères et tenir des tensions dépassant le millier de
volts. Malgré ces chiffres impressionnants, seulement 1% de l’énergie contrôlée par le
convertisseur suffit à détruire ce composant. Le fonctionnement viable d’un convertisseur
passe donc par une adéquation absolue entre les contraintes électriques du circuit de puissance
et les limites physiques du semi-conducteur de puissance dans ce même circuit, à l’échelle de
la microseconde.

Par ailleurs, l’électronique de puissance est devenue de plus en plus présente. Nous ne
nous limitons pas à connecter de simples machines sur le réseau. Les charges sont de plus en
plus souvent alimentées à travers des convertisseurs statiques. Mais, l’usage de ces derniers
ne s’arrête pas aux utilisateurs, car nous en trouvons également sur le réseau de distribution
afin de gérer sa qualité et les transferts d’énergie. Il est donc très important de s’assurer de
leur bon fonctionnement dans des conditions qui peuvent parfois être contraignantes pour la
puce de silicium, sous peine de perdre un réseau complet.

C’est dans ce contexte que l’équipe «Convertisseurs Statiques » du LEEI a lancé une
opération de recherche sur la fiabilité et la sûreté de fonctionnement depuis quelques années,
en collaboration avec le LEM de Montpellier. L’objectif est, dans un premier temps, de
caractériser les défauts potentiels que peut connaître un convertisseur statique
[BAUDESSON] [TURPIN]. L’étude de la fiabilité nécessite également la compréhension des
mécanismes de dérive et de vieillissement des composants à semi-conducteur ainsi que leur
comportement sous des contraintes proches de leurs grandeurs nominales afin d’exploiter tout
leur potentiel [VALLON].

Un élément important d’un convertisseur statique est sa protection. Une autre idée a
alors émergé. Pourquoi ne pas synthétiser des convertisseurs auto-protégés ? Nous avons alors
décidé d’intégrer la protection du convertisseur directement dans le mécanisme de
commutation du convertisseur statique. Il est alors apparu un type de commutation original, la
Introduction générale
16
commutation automatique. Cette thèse s’inscrit comme premier témoin de cette étude. Elle a
pour but de définir ce nouveau concept, de le caractériser et d’en mesurer l’impact.

Dans le premier chapitre, nous rappelons le concept et les principes de protection des
convertisseurs statiques, ainsi que les méthodes classiquement utilisées afin de les protéger,
que ce soit en tension ou en courant. Nous rappelons ensuite les propriétés des commutations
actuelles, commandée et spontanée, puis nous présentons la commutation automatique. Nous
décrivons enfin, les propriétés de cette dernière, ainsi qu’une méthode pour synthétiser des
convertisseurs deux quadrants l’incluant. Des exemples sont alors donnés, pour des
convertisseurs autres que deux quadrants, en particulier le cas quatre quadrants où nous
présentons une solution intéressante à un type de convertisseur difficile à mettre en œuvre.

Dans le deuxième chapitre, nous nous intéressons à un type d’interrupteur particulier
incluant un blocage automatique : le thyristor-dual disjoncteur. Le thyristor-dual, composant
développé historiquement au LEEI, présente de nombreux avantages. Nous l’avons donc
utilisé dans les différents convertisseurs que nous avons réalisés. Un exemple de réalisation de
commande de thyristor-dual disjoncteur en discret est présenté. Nous détaillons les deux
cellules élémentaires qui seront utilisées par la suite : une cellule onduleur et une cellule
redresseur. Nous avons alors étudié l’influence des différents paramètres extérieurs sur la
valeur du courant de disjonction de notre thyristor-dual disjoncteur présenté en discret. Dans
le cadre d’une collaboration avec le LAAS, nous avons également travaillé sur l’intégration
fonctionnelle de notre composant, dont une solution est présentée dans ce manuscrit. Enfin,
nous nous sommes intéressés à l’augmentation du calibre en courant de notre interrupteur par
la mise en parallèle de composants élémentaires.

Le troisième chapitre présente la réalisation de convertisseurs statiques par association
de cellules élémentaires incluant la commutation automatique. Nous avons en particulier
étudié différentes versions d’un transformateur continu, d’un fonctionnement similaire au
transformateur alternatif classique. Le manuscrit présente également la réalisation d’un
redresseur triphasé réversible, montage qui a fait l’objet de la réalisation d’un prototype avec
la société CIRTEM. Ce dernier montage a été étudié de manière approfondie afin de faire
ressortir les apports de la commutation automatique en condition de fonctionnement réel.

Enfin, dans le quatrième chapitre, nous confrontons le redresseur triphasé aux autres
montages existants remplissant une fonction similaire, à savoir l’onduleur MLI et le pont à
thyristors. Nous avons décidé d’utiliser un cadre réel et basé notre étude sur le cahier des
charges du convertisseur réseau d’une chaîne éolienne, en collaboration avec le groupe
« Système » du LEEI. Elle s’est appuyée sur trois points de comparaison : les harmoniques de
courant réinjectés sur le réseau, le rendement énergétique du convertisseur et le profil de
Introduction générale
17
température de jonction.
Des annexes présentent un exemple d’application de la méthode de synthèse de
convertisseurs deux quadrants, la mise en équation de la phase de disjonction, les résultats des
pertes dans le cadre de la chaîne éolienne et les photographies du prototype du redresseur
triphasé réversible.


Cette thèse peut être abordée avec différents objectifs. Si le lecteur veut seulement
découvrir le concept de commutation automatique, ainsi que ses principales caractéristiques,
il peut limiter sa lecture au premier chapitre. S’il souhaite plutôt concentrer sa lecture sur le
concept de thyristor-dual disjoncteur avec toutes les propriétés qui l’accompagnent, il peut se
contenter du deuxième chapitre. Enfin, si le lecteur s’intéresse aux convertisseurs statiques à
base de fonctions disjoncteurs, il peut directement se pencher sur le chapitre III et le chapitre
IV, ce dernier comparant le redresseur réversible aux montages actuels.






I. CHAPITRE I

NOUVEAU PROCESSUS DE COMMUTATION : LA
COMMUTATION AUTOMATIQUE
Un convertisseur statique est fragile quand nous tenons compte de la faible énergie
qu’il est capable de dissiper par lui- même par rapport à l’énergie qu’il contrôle. Il est donc
nécessaire d’introduire des protections. Une protection est un composant ou un ensemble de
composants, internes ou externes à l’interrupteur principal, permettant d’abaisser le niveau de
contrainte électrique ou thermique appliquée à cet interrupteur. La protection agit
généralement en deux temps : la limitation de la contrainte (limiteur de courant, …) ce qui est
une protection dynamique, puis la suppression de la contrainte (disjoncteur, crow-bar),
protection statique.
La protection ne doit pas être confondue avec les circuits d’aide à la commutation
(CALC), car une protection agit en situation de fonctionnement anormal, ce qui correspond à
un défaut de commande, une défaillance physique d’un autre composant, une contrainte
environnementale hors spécification, ou lors d’un usage hors spécification du montage
(surcharge, court-circuit, injection d’énergie, …).
Il faut noter que, quand la contrainte est connue, une alternative consiste à en tenir
compte dans le dimensionnement du composant et de durcir spécifiquement la grandeur liée à
cette contrainte. Cette dernière n’est plus alors tout à fait une contrainte. Par conséquent, ce
n’est pas le cas qui va nous intéresser ici.
Un état actuel des protections couramment utilisées est exposé dans une première
partie, protections qui s’étendent même jusqu’au driver de l’interrupteur.
Dans un deuxième temps, nous introduisons le principe de la commutation
automatique qui permet d’introduire la protection au sein même du mécanisme de
commutation du convertisseur.
Par la suite, des interrupteurs utilisant la commutation automatique sont associés au
sein d’une cellule de commutation afin de dégager de nouvelles règles d’association
d’interrupteurs dans une cellule de commutation. Ces règles sont alors utilisées afin de
synthétiser des cellules intégrant des interrupteurs trois segments avec commutation
Nouveau processus de commutation : la commutation automatique
20
automatique.
I.1. PROTECTION DES SEMI-CONDUCTEURS
Les circuits de protection doivent répondre dans un temps très court, de l’ordre de la
microseconde. Le problème est plus critique dans le cas d’une surtension (le composant se
met en avalanche dès que le champ local dans le volume et en périphérie atteint le seuil de
claquage). Pour atteindre ces niveaux de rapidité, il est impératif de placer les circuits de
protection au plus près du composant, voire dans la puce elle- même, afin de réduire les
inductances parasites dans la boucle de réaction. L’intégration de la protection directement
dans le semi-conducteur n’est possible que si la contrainte thermique qui en découle le
permet.
Nous nous retrouvons donc avec deux types de protections : des protections actives qui
sont intégrées dans la puce et des protections passives qui sont externes. Elles sont toutes
deux de type semi-conducteur, placées directement au niveau des interrupteurs, mais qui
resteront «transparentes » en fonctionnement normal du convertisseur statique.
Les deux types de protection à fournir sont des protections contre les surintensités
(surcharge ou court-circuit) et les surtensions rapides. Dans le premier cas, le souci de la
limitation de la température de la puce peut rentrer en ligne de compte, soit température
globale en cas de surcharge, soit au niveau d’un point chaud formé au sein de la puce en cas
de court-circuit. Dans tous les cas, les protections peuvent être de type limitation de la
grandeur à un seuil réglable ou non, ou l’élimination de la grandeur jugée devenue dangereuse
(exemple de la fonction disjoncteur dans le cas d’une surintensité).

I.1.1. Protection en courant
I.1.1.1. Limitation du courant
Certains composants de l’électronique de puissance possèdent la capacité de limiter le
courant qui les traverse dans certains régimes de fonctionnement. Il s’agit du transistor
bipolaire, du transistor MOS et de l’IGBT qui combine les deux effets précédents. Ces
composants ont même la possibilité de régler la valeur de ce courant maximum : c’est l’effet
transistor, du moins en régime statique de désaturation. Nous parlerons de régime saturé
direct pour les transistors à effet de champ (MOS principalement) et de régime désaturé pour
les transistors à conduction bipolaire (IGBT et transistor bipolaire).
Par exemple, si nous nous intéressons à l’IGBT, composant hybride entre les
transistors bipolaires et MOS, nous obtenons les caractéristiques de la Figure I-1.
Chaque caractéristique correspond à une tension grille-émetteur donnée. Si cette
grandeur est fixe, en régime linéaire, la chute de tension aux bornes du transistor est faible.
Chapitre I
21
Nous pouvons dire que le composant est « transparent ».
Par contre, si le courant qui traverse le transistor augmente, il va avoir tendance à se
désaturer. Nous allons donc aboutir à la zone 4 de la caractéristique. A ce moment, le
transistor se comporte comme une source de courant de valeur g.(V
ge
-V
geth
), où g est la
transconductance de l’IGBT et V
geth
, la tension de seuil. Par conséquent, il adaptera la tension
à ses bornes afin de maintenir le courant qui le traverse constant. En particulier, il empêchera
ce dernier de dépasser la valeur préréglée par l’intermédiaire du potentiel de grille, tout du
moins en statique.


zone désaturée

Figure I-1 : Caractéristiques statiques de l’IGBT

L’IGBT peut donc bien jouer le rôle, ici, d’un limiteur de courant réglable en jouant
sur son potentiel de grille, dans la mesure où nous ne dépassons pas ses limites propres, en
particulier la température de la puce silicium.


I.1.1.2. Fonction disjoncteur
Le principal problème du fonctionnement dans la zone de désaturation est le
fonctionnement simultané du composant avec du courant le traversant et de la tension à ses
bornes. Cela induit une puissance instantanée plus élevée, d’où une augmentation de la
température de la puce qui peut rapidement dépasser la température maximale que peut
admettre la puce.
Une solution est l’emploi de nouveaux matériaux permettant de dissiper plus d’énergie
par unité de volume que le silicium, tel le carbure de silicium [NALLET] ou l’utilisation
d’architectures de composant plus adaptées qui répartissent la puissance à dissiper dans tout le
volume de la puce et non plus en un point chaud unique [BAUDESSON].
Il est alors parfois préférable de couper le courant, qui peut être également dangereux
Nouveau processus de commutation : la commutation automatique
22
pour le reste du montage. L’IGBT est donc utilisé comme disjoncteur. Tout revient à détecter
le moment où le transistor devient un limiteur de courant, c’est-à-dire l’instant où il passe en
régime saturé.
Afin d’y parvenir, étant données les caractéristiques du transistor, il suffit de procéder
à une mesure de tension à ses bornes : dès que cette tension augmente, le transistor passe en
régime désaturé. Il suffit alors de fixer un seuil de tension au-delà duquel nous commandons
l’ouverture du composant. Ce type de mesure permet de s’affranchir d’un capteur de courant
et nous sommes également certains d’utiliser le transistor au maximum de sa capacité en
courant, car nous allons l’ouvrir quand il aura atteint la zone de désaturation.
Plusieurs stratégies sont alors possibles. En effet, nous pouvons décider d’avoir un
seuil fixe, mais à ce moment plus le courant toléré sera élevé, plus le produit tension-courant
sera élevé, ce qui augmentera les pertes dans le composant. Une autre possibilité est d’adapter
le seuil en fonction de la valeur maximale du courant toléré en adoptant une courbe iso-
puissance. Ce ne sont que deux possibilités parmi d’autres. Elles sont présentées à la Figure I-
2.


Figure I-2 : Exemples de seuil de détection pour un fonctionnement disjoncteur de l’IGBT


I.1.1.3. Protection en courant intégrée dans un circuit de
commande
La société Concept a développé un driver d’IGBT et de MOSFET, pour la forte
puissance, qui intègre une protection en courant du composant au sein de sa commande. Il se
base sur la surveillance de la tension collecteur-émetteur, dans le cas de l’IGBT. Il s’agit du
2SD106A, dont le schéma de principe de la mesure de V
CE
est donné à la Figure I-3. Lorsque
Chapitre I
23
le composant est conducteur, si la tension V
CE
augmente trop, cela signifie que le composant
est en-train de se désaturer, ce qui amène le driver à provoquer le blocage de l’IGBT.



Figure I-3 : Schéma de principe de la mesure
de V
CE

Figure I-4 : Gabarit pour la détection de
court-circuit à l'amorçage

Le driver intègre une protection contre une surcharge de courant se produisant lors de
la conduction de l’interrupteur. De plus, il y a également une surveillance lors de l’amorçage
de l’interrupteur en cas de court-circuit de la charge ou de claquage de l’interrupteur opposé
(mise en avalanche sous fort dV/dt) [BAUDESSON][VALLON]. Pour cela, le driver mesure
la valeur de la tension V
CE
aux bornes de l’interrupteur lors de l’amorçage, après un temps
mort qui correspond au temps normal d’amorçage du composant augmenté d’une marge. Il
compare la valeur mesurée par rapport à un gabarit réglable par l’utilisateur (cf. Figure I-4), et
si elle est supérieure, c’est que le composant est traversé par un courant supérieur à ce qu’il
devrait être. Il y a donc court-circuit et le driver ouvre le composant afin de le protéger et
inhibe toute commande future. Cette ouverture est lente afin d’éviter toute surtension
consécutive à une forte variation du courant.


I.1.2. Protection en tension
La protection contre les surtensions est primordiale mais très délicate à mettre en
œuvre, contrairement à la protection en courant. En effet, en régime de surcharge ou de court-
circuit, la contrainte thermique est quasi-homogène dans toute la puce. C’est alors la capacité
thermique totale de la puce qui intervient dans l’élévation de température, avec une constante
de temps thermique de l’ordre de la milliseconde.
Par contre, en régime d’avalanche (ionisation par impact ou emballement par le
courant de fuite par exemple), le phénomène est local, volumique ou sur les bords de la puce.
C’est donc la capacité thermique d’une fraction de la puce qui intervient, divisant ainsi la
constante de temps thermique qui permet le calcul de l’élévation de température. Elle atteint
Nouveau processus de commutation : la commutation automatique
24
des valeurs de l’ordre de la centaine voire de la dizaine de nanosecondes. C’est pourquoi il est
préférable d’avoir une protection en tension directement intégrée dans le composant tandis
que la protection en courant peut être externe.
Par ailleurs, certains composants ont la capacité de se mettre en avalanche ce qui limite
la tension à leurs bornes. Mais, alors, ils sont traversés par un courant de valeur importante.
L’énergie à dissiper est énorme et cela dépasse très rapidement la densité d’énergie que peut
accepter la faible zone de la puce de silicium qui s’est mise en avalanche, ce qui conduit au
court-circuit physique, voire à l’explosion du boîtier.
Par conséquent, il apparaît nécessaire d’utiliser des dispositifs annexes afin de limiter
la tension aux bornes du composant. Deux types de stratégies apparaissent qui vont de la
simple limitation de la grandeur à la nécessité de créer un court-circuit afin de diminuer la
tension.


I.1.2.1. Ecrêtage direct
La première possibilité est d’utiliser un composant en parallèle de l’interrupteur qui se
met en avalanche à sa place et qui a la possibilité de dissiper plus d’énergie. C’est le cas des
diodes transil branchées selon le schéma de la Figure I-5.


Figure I-5 : Ecrêtage direct à l'aide d'une
diode transil
Figure I-6 : Caractéristique statique d'une
diode transil (T
j
= constante)

Le problème principal est, comme nous pouvons le constater sur la caractéristique de
la Figure I-6, que la tension aux bornes de la transil varie avec le courant qui la traverse. Par
conséquent, nous ne pouvons connaître exactement la tension de clampage, qui peut fluctuer
de 20 à 30% [BAUDESSON]. La protection ne peut donc pas être de valeur précise. De plus,
l’énergie à dissiper en régime répétitif est souvent trop importante pour de tels dispositifs, ce
qui limite leur utilisation aux basses puissances ou alors de manière ponctuelle, voire unique.


Chapitre I
25
I.1.2.2. Ecrêtage actif
L’écrêtage actif consiste, en présence d’une surtension, à écouler l’énergie par le
composant en le plaçant dans sa zone linéaire. Ainsi, l’impédance de l’interrupteur diminue ce
qui permet aux charges de s’écouler et ainsi d’éliminer cette surtension. Comme dans le cas
du disjoncteur, plusieurs politiques de commande sont possibles. La première consiste à réagir
à un seuil fixe de tension par l’intermédiaire d’une diode transil ou d’une diode Zener. Sur ce
principe, plusieurs montages sont envisageables.


Roff
Ron
R1
D1
DZ1
DZ2
R2
Cge
Vce ˜
Vz
Vz
Vge
V
-

R1 D1
DZ1
DZ2
R2
Cge
Vce ˜
Vz
Vz
Vge
R3
T1

Figure I-7 : Ecrêteur actif avec diode transil
entre grille et collecteur
Figure I-8 : Ecrêteur actif avec amplification
du courant

Les deux montages des Figure I-7 et Figure I-8 fonctionnent de la même manière :
lorsque la tension aux bornes de l’IGBT dépasse la tension d’avalanche de la diode transil,
cette dernière se met en avalanche et produit un courant qui permet de charger la grille de
l’IGBT, ce qui augmente le courant potentiel et permet d’écouler l’énergie. La tension de
grille, qui permet de contrôler le courant potentiel, s’auto-adapte pour maintenir la tension
V
CE
constante. Nous ajoutons une résistance R
1
afin d’assurer la stabilité de la contre-réaction
par réglage du courant réinjecté sur la grille. Afin de protéger cette dernière, nous ajoutons la
diode Zener D
Z2
ainsi que la résistance R
2
qui permet de décharger la grille.
Sur le montage de la Figure I-7, c’est directement la diode transil qui fournit le courant
dont une partie repart vers le circuit commande qui veut imposer un potentiel bas. Comme la
résistance de grille est en général faible, le courant appelé peut atteindre plusieurs ampères.
Comme pour le montage précédent, il est alors difficile de maîtriser la tension d’écrêtage.
Pour pallier ce problème, il existe le montage de la Figure I-8, où le MOSFET permet
d’amplifier le courant injecté, mais cette solution introduit la capacité de sortie du transistor
MOS en parallèle de la capacité Miller amplifiant ainsi l’effet Miller.
Cependant, ces deux montages présentent le défaut de réinjecter du courant dans le
circuit de commande qui essaye d’imposer un potentiel bas. Si l’écrêtage dure trop longtemps,
il y a risque d’endommager l’étage amplificateur qui devra dissiper une énergie pour laquelle
il n’était pas initialement dimensionné.

Nouveau processus de commutation : la commutation automatique
26
Pour ne pas être confronté à ce problème, il faut que la contre-réaction se fasse
directement sur la commande. C’est le cas du montage de la Figure I-9. La diode transil
injecte directement son courant à l’entrée du push-pull, ce qui limite donc sa valeur, par
absence de court-circuit par le transistor du bas. Par contre, ce montage introduit un étage de
plus dans la chaîne de rétroaction. Le temps de réaction dépend donc de la rapidité de l’étage
amplificateur.


Figure I-9 : Ecrêteur actif agissant sur la commande du driver

Une autre possibilité est d’adapter le seuil d’écrêtage au point de fonctionnement
auquel nous nous trouvons. Par exemple, il est possible de se baser sur une courbe iso-
puissance. En effet, cette dernière donne, en première approximation, une idée de l’élévation
de la température du composant. La Figure I-10 présente un schéma électrique simplifié du
modèle thermique d’un composant à semi-conducteur.


Figure I-10 : Schéma thermique global du composant (Tj : température de jonction, Tamb :
température ambiante)

Si nous mettons en équation le système précédent soumis à un échelon de puissance,
nous obtenons l’Equation I-1 avec la différence de température donnée par l’Equation I-2 et la
constante de temps thermique définie par l’Equation I-3.

Chapitre I
27

,
`

.
|
⋅ ⋅ · ∆
τ
t
-
e - 1 Rth P T

I-1

Trad - Tj T · ∆ I-2

Cth Rth ⋅ · τ I-3

Il faut noter que dans les semi-conducteurs classiques, la constante de temps thermique
de la puce est de l’ordre de la milliseconde. Si nous travaillons avec un temps faible devant la
constante de temps ( τ << t ), nous obtenons l’Equation I-4 par développement limité de
l’Equation I-1. Or l’énergie reçue est donnée par l’Equation I-5, ce qui permet d’écrire la
valeur approchée de l’élévation de température à l’Equation I-6.

t
Cth
P
t
Rth P
T ⋅ · ⋅

· ∆
τ
I-4

( )

⋅ ⋅ · dt W
C CE
I V I-5

Cth
T
W
· ∆ I-6

Nous voyons donc que l’élévation de température peut se déduire de l’énergie reçue
par le composant lors d’un phénomène de courte durée. Cela justifie alors une commande se
basant sur un seuil de puissance en fonction du temps, afin de protéger le composant en
température.


I.1.3. Bilan
La Figure I-11 présente un résumé des différentes protections possibles sur un
interrupteur de puissance : une protection en courant et une protection en puissance. Nous
pouvons également prévoir une limite en puissance dont la valeur est variable en fonction de
la température actuelle de la puce.

Nouveau processus de commutation : la commutation automatique
28

Figure I-11 : Résumé des différentes protections d’un interrupteur de puissance


I.2. DES COMMUTATIONS CLASSIQUES VERS LA COMMUTATION
AUTOMATIQUE
Nous avons vu différentes protections possibles pour les interrupteurs de puissance.
Elles ont toutes un point commun : elles n’ont un rôle qu’en cas d’événement imprévu. Cela
revient à dire que ces protections ne sont que des veilles, signifiant que cet ajout nécessaire
n’est que du «superflu » du point de vue du fonctionnement du convertisseur. Il peut alors
être intéressant, sur le plan fonctionnel, d’exploiter la non linéarité dans le plan i=f(v) des
protections pour produire une fonction de commutation sur seuil. Cela revient à donner aux
protections un rôle actif dans le processus de commutation. Ce changement d’état
automatique peut être vu, du point de vue du circuit, comme une commutation spontanée
particulière à seuil non nul, obligatoirement dans un quadrant dissipatif. Il s’agit donc d’une
commutation et non d’une transition spontanée. Nous appellerons cette commutation,
commutation automatique.


@
Disjoncteur
β
Parasurtenseur Disjoncteur-
parasurtenseur

Figure I-12 : Symboles des commutations automatiques

Une commutation commandée peut donc très naturellement être remplacée par une
i
v
i
v
Limiteur de
courant
Limiteur de
courant
Limiteur de
tension
Limiteur de
tension
Limite de
puissance
Limite de
puissance
Chapitre I
29
commutation automatique. Une transition spontanée (changements d’état à tension et courant
nuls) peut également être remplacée par une commutation à seuils non nuls.
Les symboles représentant la commutation automatique qui seront utilisés dans ce
manuscrit sont détaillés à la Figure I-12. Nous avons utilisé le symbole du disjoncteur pour
représenter le blocage automatique et celui du parasurtenseur pour l’amorçage automatique.
Pour l’exemple de la figure, c’est l’IGBT qui a été utilisé, mais la symbolique peut s’adapter
aux autres composants.


I.2.1. Commutations commandée et spontanée
A l’heure actuelle, deux types de changement d’état existent et ont leurs propriétés
propres : la commutation commandée et la commutation spontanée, dont les représentants
traditionnels sont respectivement le transistor et la diode. Par ailleurs, il existe des
composants tels que le thyristor, qui combine les deux types de commutation.
La principale visualisation d’un interrupteur se fait par l’intermédiaire de sa
caractéristique statique associée à ses commutations de blocage et d’amorçage. La Figure I-13
présente le plan tension-courant où apparaissent quatre quadrants de fonctionnement. La
convention récepteur est usuellement employée car les interrupteurs restent des récepteurs.
Par conséquent, les quadrants II et IV étant des quadrants générateurs, sont impossibles
physiquement. Il apparaît également, dans les quadrants I et III, les aires de sécurité dont les
limites correspondent à la tension d’avalanche, à la densité maximale de courant admissible
par la puce et une limite en puissance dissipable par celle-ci.

i
v
I II
III IV

Figure I-13 : Plan tension-courant permettant de tracer la caractéristique d’un interrupteur

Les principales caractéristiques des commutations commandée et spontanée sont
présentées dans le Tableau I-1.

Nouveau processus de commutation : la commutation automatique
30
COMMUTATION COMMANDEE COMMUTATION SPONTANEE
v
i

Transistor
i
v

Diode
i
v
O
Blocage
Amorçage

i
v
O

• Instant de commutation contrôlé par
l’intermédiaire de l’électrode de
commande.
• Changement d’état au sein du même
quadrant.

• Trajectoire de commutation imposée par
le circuit extérieur, au sein du même
quadrant.
• Pertes par commutation importantes car le
point de fonctionnement se déplace dans
le quadrant dissipatif, lors d’une
commutation.
• Changement d’état imposé par le circuit
extérieur.

• Changement d’état accompagné d’un
changement de quadrant, avec passage
obligatoire par l’origine O.
• Trajectoire lors de la commutation
imposée.
• Pertes par commutation faibles, car le
point de fonctionnement suit une
trajectoire qui reste proche des axes lors
du changement d’état.
Tableau I-1 : Caractéristiques des commutations commandée et spontanée


I.2.2. Introduction de la commutation automatique
La commutation automatique va consister à utiliser une fonction de protection comme
loi de commutation de l’interrupteur. Par exemple, l'ouverture du composant se comporte
comme une disjonction. Elle est introduite naturellement par dépassement de courant ou
désaturation spontanée d’un interrupteur de type transistor. Pour la fermeture de
l’interrupteur, elle se fait par dépassement et écrêtage de la tension aux bornes. Ces
commutations sont maintenant auto-commandées, ou "automatiques" par les fonctions de
protection intégrées sans l'usage d'une commande externe. Les seuils de déclenchement sont
Chapitre I
31
naturellement fixés à l’intérieur de l’aire de sécurité du composant.
La Figure I-14 présente la caractéristique d’un composant dont les deux commutations
d’amorçage et de blocage sont automatiques. Pour le composant, elles ressemblent à des
commutations commandées, qui se produisent automatiquement à un seuil donné fixe.

i
v
Seuil de
disjonction
Seuil d’auto-
amorçage
Courant
nominal
Tension
nominale


Seuil de
disjonction
Seuil d’auto-
amorçage
i
v

Figure I-14 : Commutations automatiques
dérivées de commutations commandées
Figure I-15 : Commutations automatiques
dérivées de commutations spontanées

Les commutations spontanées en courant ou en tension peuvent elles- mêmes subir le
même traitement, i.e. une auto- fermeture à tension positive et une auto-ouverture à courant
négatif. La Figure I-15 présente la caractéristique obtenue. Il apparaît deux segments en traits
discontinus correspondants à des segments dynamiques qui sont parcourus par le point de
fonctionnement lors des commutations. Par contre, il n’existe pas de point de fonctionnement
stable sur ces segments, car ces derniers correspondent à des points de fonctionnement
imposés par la cellule en court-circuit ou en circuit ouvert. Ce type de commutation
automatique peut être assimilé à une commutation spontanée, dont on garde la propriété de
changement de quadrant, mais avec un seuil de commutation non nul.
Par conséquent, une commutation automatique peut être vue comme une « fausse »
commutation commandée ou une «fausse » commutation spontanée. Il découle qu'une telle
commutation peut-être associée indifféremment aux deux autres commutations usuelles
(commandée « pure » ou spontanée « pure ») ou entre elles afin de générer de nouveaux
interrupteurs. Ces derniers peuvent avoir de deux à quatre segments et des commutations
d’amorçage et de blocage de quatre types : commandée, spontanée, automatique dérivée de
commandée et automatique dérivée de spontanée. Le nombre de combinaisons devient alors
très grand et une centaine d’interrupteurs est envisageable.



Nouveau processus de commutation : la commutation automatique
32
I.3. INTEGRATION DE LA COMMUTATION AUTOMATIQUE DANS
LA CELLULE DE COMMUTATION
L’interrupteur électronique est rarement utilisé seul, mais souvent associé à d’autres
interrupteurs au sein d’une cellule, constituant la brique de base d’un convertisseur statique.
La Figure I-16 présente une cellule de commutation. Elle réalise l’interconnexion entre une
source de tension instantanée et une source de courant instantanée.


i
E
K1
K2
i
K1
i
K2
v
K1
v
K2

Figure I-16 : La cellule de commutation

Les caractéristiques des interrupteurs associés suivent des règles imposées par la
structure même de la cellule de commutation.


I.3.1. Rappel des règles d’association des interrupteurs
dans une cellule de commutation
Premièrement, les deux interrupteurs de la cellule de commutation ne peuvent être ni
ouverts ni fermés simultanément sous peine respectivement d’ouvrir la source de courant ou
de court-circuiter la source de tension, sauf sur un temps très court, fonction de l’impédance
parasite des sources environnantes et du composant. Par conséquent, les interrupteurs sont
toujours dans un état complémentaire. De plus, le blocage d’un des interrupteurs est associé à
l’amorçage de l’autre interrupteur et vice-versa.
Par ailleurs, la mise en équation de la cellule de commutation donne le système
d’équations suivant :

¹
'
¹
·
· +
i i - i
E V V
K2 K1
K2 K1
I-7

Chapitre I
33
Ce système d’équations impose les caractéristiques statiques que les interrupteurs
doivent avoir en fonction du signe des sources. Par exemple, si nous considérons que la
commutation se produit alors que les deux sources ont des valeurs non nulles, il apparaît
qu’un interrupteur va voir sa commutation se dérouler dans un quadrant, tandis que le
deuxième va commuter avec changement de quadrant de fonctionnement.
D’autre part, les règles d’interconnexion des sources impliquant un état
complémentaire des interrupteurs, lorsqu’un interrupteur se bloque, l’autre s’amorce. Donc, si
un interrupteur possède une commutation de blocage commandée, l’autre interrupteur ne peut
pas avoir une commande d’amorçage. En effet, cela sous-entendrait que les deux commandes
seraient parfaitement synchronisées, ce qui est quasiment impossible physiquement. Il en
résulterait une ouverture de la source de courant ou un court-circuit de la source de tension sur
un temps court [FOCH 1]. Par conséquent une commande d’amorçage sur un interrupteur
n’est associable, par principe, qu’à un blocage spontané sur l’autre interrupteur.
Mais rien n’est précisé sur la causalité. Les deux commutations ne pouvant être
simultanées, il y a forcément une commutation qui précède l’autre. Cela revient à déterminer
si c’est l’amorçage qui précède le blocage ou l’inverse. Ce sont les caractéristiques du circuit
qui le déterminent. De son côté, la commutation commandée est forcément la commutation
première lors du changement d’état de la cellule de commutation. De son côté, la transition,
associée avec elle- même, peut jouer le rôle de déclencheur de la commutation, par le biais des
variations des grandeurs électriques du circuit qui l’entourent. La Figure I-17 résume les
différentes combinaisons possibles. Dans un souci de clarté, nous introduisons la causalité et
appellerons dorénavant «commutation maître » la première commutation qui se déroule lors
d’un changement d’état de la cellule de commutation et « commutation esclave », la
deuxième.

Commutation
commandée
Commutation
spontanée

Figure I-17 : Causalité et combinaison des commutations


I.3.2. Modification des règles d’association des
interrupteurs avec l’introduction de la commutation
automatique
Comme cela a déjà été précisé, la commutation automatique peut être dérivée à partir
des commutations commandées et spontanées. A priori, elle peut assumer le rôle de chacune
au sein d’une cellule de commutation. Elle peut donc assumer tous les rôles que les autres
Nouveau processus de commutation : la commutation automatique
34
commutations assument au sein d’un mécanisme de commutation. En particulier, elle peut
prendre le rôle de commutation maître, de commutation esclave et même être associée avec
elle- même. Toutes ces combinaisons sont représentées à la Figure I-18. Il apparaît que la
commutation automatique permet de multiplier les combinaisons possibles.

Commutation
commandée
Commutation
spontanée
Commutation
automatique

Figure I-18 : Causalité et combinaisons des commutations avec la commutation automatique

Le mécanisme permettant à la commutation automatique de fonctionner diffère selon
que nous avons une commutation maître ou esclave. Les conditions de fonctionnement sont
résumées dans le Tableau I-2. Il apparaît que pour qu’une commutation automatique soit
maître, il faut qu’une des deux sources le permette, soit naturellement, soit par l’adjonction
d’un circuit auxiliaire, afin d’amener le point de fonctionnement de l’interrupteur dans sa
zone de commutation automatique. Si nous raisonnons en terme de courant, il faut que la
source de courant fasse croître le courant qui traverse l’interrupteur jusqu’à ce qu’il atteigne le
seuil de disjonction de cet interrupteur. Nous dénommerons le segment parcouru par le point
de fonctionnement, «segment statique », car le circuit extérieur, en particulier les sources,
autorise un point de fonctionnement stable tout le long.
Par contre, si la commutation automatique est esclave, elle réagit au changement d’état
de l’interrupteur opposé qui va ouvrir la source de courant ou court-circuiter la source de
tension. Nous sommes alors en violation directe des règles de la cellule de commutation citées
précédemment. Mais ce «viol » se déroule en toute sécurité car c’est lui qui déclenche la
commutation automatique du deuxième interrupteur. En effet, dans le cas du court-circuit de
la source de tension, il se produit avec un interrupteur muni d’un blocage automatique, soit le
comportement d’un disjoncteur, en série. Le point de fonctionnement de l’interrupteur
parcourt alors un segment rapidement, fonction de l’impédance de l’ensemble composant-
source, où normalement aucun point de fonctionnement stable n’est permis par le circuit
extérieur, car cela correspond à une violation des règles de la cellule de commutation. Nous
appellerons ces segments, « segments dynamiques ».
Segments statiques et dynamiques ne sont pas forcément distincts. En effet, ils peuvent
être confondus et donner un « segment mixte ». Si, par exemple, nous considérons le cas
d’une source de courant idéale, la commutation automatique de blocage est de type esclave et
Chapitre I
35
le déplacement du point de fonctionnement imposé par le circuit extérieur ne permet pas de
déclencher la disjonction. La fermeture de l’autre interrupteur provoque un court-circuit de la
source de tension ce qui crée une maille de court-circuit amenant la disjonction de
l’interrupteur initialement passant. Deux cas sont envisageables : soit le signe du courant
change, créant ainsi un segment dynamique négatif, soit il reste le même, générant un
segment de fonctionnement à la fois statique et dynamique, que nous appellerons segment
mixte.

Commutation maître Commutation esclave
Amorçage automatique
Par croissance de la source de
tension (condensateur ou circuit
auxiliaire)
Par blocage de l’interrupteur
opposé (cellule ouverte
entraînant une surtension
produite par la source de
courant)
Blocage automatique
Par croissance de la source de
courant (inductance ou circuit
auxiliaire)
Par amorçage de l’interrupteur
opposé (la cellule court-circuite
la source de tension entraînant un
surcourant)
Tableau I-2 : Mécanismes de commutation automatique

Deux exemples sont présentés à la Figure I-19. Les deux montages utilisent le même
interrupteur que nous retrouverons plus en détail ultérieurement, le thyristor-dual disjoncteur.
Il est doté d’un amorçage spontané (ou auto-amorçage) et d’un blocage automatique à une
valeur fixe différente de zéro. Par contre, la causalité dans le processus de commutation
diffère. Dans le premier exemple, nous avons un onduleur à disjonction qui fonctionne selon
un mode proche d’une commande en fourchette de courant. La source de courant est
impédante et c’est la variation de ce courant qui va déclencher la commutation automatique,
qui est donc maître. Par conséquent, l’interrupteur n’a que des segments statiques. Le
deuxième montage, le redresseur à disjonction, voit l’amorçage spontané de l’interrupteur
initialement bloqué au changement de signe de la source de tension. Cela crée une maille de
court-circuit qui déclenche la disjonction de l’interrupteur initialement passant. C’est une
commutation automatique esclave. Le point de fonctionnement parcourt rapidement un
segment qui peut être dynamique pur ou mixte selon le sens de la source de courant. Les
formes d’ondes et les propriétés de ces deux cellules sont abordées plus en avant dans le
chapitre II.
Nous pouvons noter que c’est la dualité des sources qui permet de passer d’un montage
à l’autre.
Le nombre d’interrupteurs possibles ayant grandement augmenté, cela génère un
nombre très grand de cellules de commutation qui ne sont pas toutes viables. Or, il apparaît
Nouveau processus de commutation : la commutation automatique
36
que les règles usuellement utilisées pour décrire les cellules de commutation sont modifiées
par l’introduction de la commutation automatique. Il faut donc dégager de nouvelles règles de
changement d’état des interrupteurs dans une cellule élémentaire. C’est le but de la partie qui
vient, qui s’intéresse au cas des cellules deux quadrants, cas qui peut se généraliser par la
suite.


Figure I-19 : Cellules deux quadrants avec blocage automatique :
a) Onduleur à disjonction
b) Redresseur à disjonction


I.4. SYNTHESE DES CELLULES A COMMUTATION AUTOMATIQUE
Le nombre de combinaisons envisageables dépassant la centaine, il était quasiment
impossible d’en établir une liste exhaustive et encore plus d’essayer d’en tirer des règles
simples. Nous nous sommes donc concentrés sur le cas des cellules deux quadrants afin de
développer une méthode de synthèse systématique des cellules de commutation. En fait, c’est
souvent le cas rencontré dans les chaînes de conversion alternatif-continu et continu-alternatif,
ce qui représente un grand nombre d’applications potentielles pour la commutation
automatique [ROUX 3].


I.4.1. Synthèse
I.4.1.1. Hypothèses de travail
L’étude se limite au cas des interrupteurs ayant des caractéristiques figées et ayant
deux commutations par période. Cette période est forcément égale à la fréquence la plus
élevée des sources. Le cas de la modulation de largeur d’impulsions n’est pas considéré ici.
En effet, il exige des interrupteurs commandés à l’amorçage et au blocage, et ce quels que
soient les signes des deux sources, cas non inclus dans notre étude.
a) b)
off
on
off
on
Chapitre I
37
Par ailleurs, les interrupteurs peuvent être munis de segments additionnels que nous
avons précédemment nommés segments dynamiques, car ils peuvent introduire de nouvelles
fonctionnalités.
Enfin, nous nous limitons au cas où les deux interrupteurs au sein d’une même cellule
élémentaire ont mêmes caractéristiques statiques et dynamiques, ceci afin de limiter le
nombre de cas à considérer. De plus, c’est la situation la plus couramment rencontrée, car
l’usage d’une source alternative implique une symétrie de fonctionnement, donc des
interrupteurs identiques en tout point.

I.4.1.2. Méthodologie de synthèse
L’approche présentée ici est systématique afin de n’oublier aucun cas. Un exemple
d’application de cette méthode de synthèse est fourni à l’annexe A.
La méthode se décompose en 7 étapes :
§ Etude de la réversibilité des sources, ce qui permet de définir les segments
statiques des interrupteurs, ainsi que les segments dynamiques possibles. Les segments
statiques sont définis par les signes des sources, tandis que les segments dynamiques sont
imposés par la cellule elle- même lors d’un court-circuit de la source de tension ou une
ouverture de la source de courant.
§ Nous choisissons un déphasage entre le courant et la tension, ce qui définit le
type de commutation à l’amorçage et au blocage, c’est-à-dire si elle dérive d’une
commutation commandée ou spontanée. Cela permet d’identifier le ou les quadrants
impliqués dans la commutation.
§ Ecriture de toutes les combinaisons possibles de commutations incluant au
moins une commutation automatique à partir de la liste complète donnée dans le Tableau I-3.
§ Suppression des cas ne correspondant pas au déphasage entre le courant et la
tension considéré.
§ Etude de la stabilité des commutations automatiques. La règle sera exposée
plus en détail plus loin dans ce manuscrit.
§ Vérification de l’intérêt de la cellule générée, à savoir si elle apporte un intérêt
ou si elle ne reste qu’un « gadget ».
§ Etude de la protection de la cellule, à savoir si l’introduction de la commutation
automatique est suffisante ou non.






Nouveau processus de commutation : la commutation automatique
38
Amorçage Blocage
Spontané
Commandé
Automatique (esclave)
Commandé
Spontané
Automatique (maître)
Spontané
Automatique (esclave)
Automatique Automatique
Tableau I-3 : Totalité des combinaisons de commutations envisageables avec leur causalité


I.4.1.3. Résultats de la synthèse
La méthode précédente a été appliquée en considérant deux cas. Le premier cas
correspond à une source de tension continue et une source de courant bidirectionnelle, tandis
que le second met en jeu une source de tension réversible et une source de courant
unidirectionnelle. Pour chaque cas, trois déphasages entre le courant et la tension ont été
considérés : soit le courant est en retard, soit il est en avance, soit il est en phase avec la
tension. Les cellules issues de la synthèse sont présentées respectivement dans le Tableau I-4
et le Tableau I-5.
Il apparaît 18 cellules qui ne sont pas toutes distinctes. En effet, les deux cellules de la
dernière ligne d’un tableau sont les mêmes que celles de la première ligne mais avec le sens
de la source unidirectionnelle inversé. Elles correspondent donc au cas de réversibilité de la
première ligne.
La causalité des commutations est précisée ainsi que la viabilité et l’utilité de chaque
cellule, en se basant sur les critères détaillés ci-après.
Les deux tableaux présentent une certaine similitude. Cela est lié à la dualité des
cellules de commutations qui y sont présentées. En effet, l’application des règles de dualité au
circuit (sources et topologie) ainsi qu’aux interrupteurs des deux tableaux montre que toutes
les cellules sont duales entre elles.









Chapitre I
39

1 2 3

Courant en retard sur la tension
Blocage sous courant positif
Courant en avance sur la tension
Blocage sous courant négatif
Courant en phase avec la tension
Blocage sous courant nul
1
Dual du 1’.1’


Dual du 1’.2’



2
Dual du 2’.1’ Dual du 2’.2’

3
Dual du 3’.1’

Dual du 3’.2’

4
Dual du 4’.1’

Dual du 4’.2’







Dual du 3’



Tableau I-4 : Résumé des cellules synthétisées avec une source de tension continue et une
source de courant bidirectionnelle


off
off i
v
Surtension sur l’interrupteur
bloqué
Intéressant si réversibilité en
tension
Amorçage automatique « esclave »
Blocage commandé « maître »
i
v
Stable si la commande
intervient bien quand
l’autre interrupteur
conduit un courant par
son transistor
on
on
Amorçage commandé « maître »
Blocage automatique « esclave »
INSTABILITE
par la cellule
i
v
on
on
Amorçage commandé « maître »
Blocage automatique « esclave »
Ne fonctionne pas en
réversibilité donc
INUTILE
i
v
Amorçage automatique « esclave »
Blocage automatique « maître »
Pas de contrainte en tension
Onduleur à disjonction
i
v
Amorçage spontané « esclave »
Blocage automatique « maître »
INSTABILITE
par la source de tension
i
v
Amorçage automatique « maître »
Blocage automatique « esclave »
INSTABILITE
par la source de tension
i
v
Amorçage automatique « maître »
Blocage spontané « esclave »
Surtension sur l’interrupteur
bloqué
Intéressant si réversibilité en
tension
i
v
off
off
Amorçage automatique « esclave »
Blocage commandé « maître »
Surtension sur l’interrupteur
bloqué que nous pouvons limiter
Intéressant si réversibilité en
tension
i
v
Amorçage automatique « esclave »
Blocage spontané « maître »
Nouveau processus de commutation : la commutation automatique
40

1’ 2’ 3’

Courant en retard sur la tension
Blocage sous courant positif
Courant en avance sur la tension
Blocage sous courant négatif
Courant en phase avec la tension
Blocage sous courant nul
1’


2’


3’

4’


Tableau I-5 : Résumé des cellules synthétisées avec une source de tension réversible et une
source de courant unidirectionnelle

Surintensité sur
l’interrupteur amorcé
Intéressant si réversibilité en
courant
i
v
on
on
Amorçage commandé « maître »
Blocage automatique « esclave »
Surintensité sur l’interrupteur
amorcé
Intéressant si réversibilité en
courant
i
v
Amorçage automatique « maître »
Blocage automatique « esclave »
Pas de contrainte en
courant
i
v
Amorçage automatique « maître »
Blocage spontané « esclave »
i
v
Stable si la commande
intervient bien quand l’autre
interrupteur voit une tension
positive
off
off
Amorçage automatique « esclave »
Blocage commandé « maître »
INSTABILITE
par la cellule
i
v
off
off
Amorçage automatique « esclave »
Blocage commandé « maître »
Dual du 1.2
INSTABILITE
par la source de
courant
i
v
Amorçage automatique « esclave »
Blocage automatique « maître »
Dual du 2.2
INSTABILITE
par la source de courant
i
v
Amorçage spontané « esclave »
Blocage automatique « maître »
Dual du 3.2
i
v
Stable
Intéressant si
réversibilité en
courant
on
on
Amorçage commandé « maître »
Blocage automatique « esclave »
Surintensité sur l’interrupteur
amorcé que nous pouvons
limiter
Redresseur à disjonction
Intéressant si réversibilité en
courant
i
v
Amorçage spontané « maître »
Blocage automatique « esclave »
Dual du 3
Dual du 1.1
Dual du 4.2 Dual du 4.1
Dual du 3.1
Dual du 2.1
Chapitre I
41
I.4.2. Stabilité de la commutation automatique
Ce problème apparaît, par exemple, lorsque deux disjoncteurs électroniques de seuil de
déclenchement quasiment de même valeur sont placés en série. Il est difficile de savoir lequel
va se bloquer en premier. Ce problème se complique lorsque nous raisonnons pour une cellule
de commutation, car il y a la causalité des commutations qui entre en ligne de compte, ainsi
que le signe de la source de courant.
Il faut définir un critère de stabilité d’une cellule de commutation incluant des
interrupteurs possédant au moins une commutation automatique. La cellule est stable si, après
avoir commuté, un interrupteur ne rechange pas d’état immédiatement après, à cause de sa
commutation automatique intrinsèque. Nous utilisons les conventions de signe de la cellule de
commutation, définies à la Figure I-16.
Dans un premier temps, intéressons nous au problème de stabilité de la cellule de
commutation en fonction de la causalité des commutations. La Figure I-20 présente le cas
d’un blocage automatique, où les deux interrupteurs sont placés dans le même sens, ce qui
revient à dire qu’ils ont tous les deux un pouvoir de disjonction pour un courant positif qui les
traverse. Nous avons précédemment vu que dans le cas d’un blocage automatique esclave, il y
a une phase de court-circuit de la source de tension. Cette dernière se referme sur deux
disjoncteurs de même calibre, placés en série. La cellule de commutation peut alors être
instable, si l’interrupteur qui se bloque lors de cette phase de court-circuit, est l’interrupteur
qui vient de se mettre en conduction.


Figure I-20 : Stabilité de la cellule en fonction de la causalité des commutations

Par contre, si le blocage automatique est la commutation maître de la cellule,
l’interrupteur qui s’amorce va être traversé par le courant de charge qui est passé d’un
E
Courant
E
Courant
E
Maille de
court-circuit
Blocage automatique maître :
disjonction par surcourant de
charge
Blocage automatique esclave :
court-circuit de la cellule par
amorçage de l’autre
interrupteur
Nouveau processus de commutation : la commutation automatique
42
interrupteur à l’autre. Ce courant traverse l’interrupteur dans le sens inverse par rapport à
celui du pouvoir de blocage automatique. Par conséquent, l’interrupteur ne peut pas se
bloquer automatiquement immédiatement après son amorçage et la cellule est donc stable.
Des critères de stabilité peuvent ainsi être énoncés. Ils sont résumés dans le Tableau I-
6. Nous retrouvons le cas précédent, où, pour que la cellule soit stable, avec des blocages
automatiques maîtres, il faut que les deux commutations automatiques aient le même signe,
soit que les deux disjoncteurs soient placés en série et dans le même sens. Cela revient à dire
que leur pouvoir de disjonction respectif correspond à un courant qui les traverse de même
signe selon la convention de la Figure I-16. Par contre, pour un blocage automatique esclave,
il faut que les deux disjoncteurs soient placés en anti-série.

Maître Esclave
Amorçage automatique
Les commutations
automatiques doivent avoir
des signes opposés.
Les commutations
automatiques doivent avoir
des signes identiques.
Blocage automatique
Les commutations
automatiques doivent avoir
des signes identiques.
Les commutations
automatiques doivent avoir
des signes opposés.
Tableau I-6 : Critères de stabilité des commutations automatiques (les étoiles correspondent
à la présence de cas particuliers)

Des exceptions à ces règles peuvent apparaître si nous tenons compte du courant de
charge. Si nous reprenons l’exemple de la Figure I-20, le signe du courant de charge est
l’élément prépondérant qui permet de déterminer quel interrupteur va s’ouvrir. La cellule de
commutation peut donc être stable, malgré cette phase de court-circuit avec deux disjoncteurs
en série. En fait, en choisissant correctement le signe du courant au moment de la
commutation, c’est-à-dire le déphasage adéquat entre le courant et la tension, nous pouvons
obtenir la stabilité de la cellule. La Figure I-21 reprend toujours le même exemple en intégrant
le courant de charge pour deux signes de déphasage entre le courant et la tension.
Dans le cas du courant en retard sur la tension, le courant de charge s’ajoute au courant
de court-circuit qui traverse l’interrupteur à bloquer. Ce dernier «voit » plus de courant que
l’interrupteur qui vient d’être amorcé. Il disjoncte en premier et la commutation s’est
correctement déroulée. De plus, après la commutation, le courant de charge traverse le
deuxième interrupteur dans le sens inverse de son pouvoir de coupure. La cellule est donc
stable.
Par contre, si le courant est en avance sur la tension, le courant de charge se soustrait
au courant de court-circuit. L’interrupteur à bloquer voit un courant inférieur à celui qui
traverse le deuxième interrupteur. C’est donc ce dernier qui va se bloquer, peu après avoir été
amorcé. La cellule est donc instable.
Afin de signaler ces cas particuliers dans le Tableau I-6, une étoile a été ajoutée dans
Chapitre I
43
les cases où l’influence d’un des signes des sources peut rendre stable une cellule instable si
nous ne tenions compte que de la causalité des commutations. Ces cas particuliers
correspondent aux cas de cellules comprenant une commutation commandée avec
changement de quadrant, vues plus loin.


Figure I-21 : Influence du courant de charge sur la stabilité de la cellule de commutation


I.4.3. Extraction des cellules intéressantes et étude de la
protection
Nous avons synthétisé différentes cellules possibles et vérifié qu’elles étaient stables.
Elles peuvent fonctionner, mais rien ne dit si elles sont intéressantes ou non, c’est-à-dire si
elles apportent une fonctionnalité nouvelle.
L’introduction de la commutation automatique peut engendrer des contraintes
supplémentaires sur les composants, ainsi que des segments supplémentaires, les segments
dynamiques. L’addition de ces segments, seulement parcourus au cours de la phase de
commutation, est inintéressante à moins d’introduire une réversibilité basse fréquence de la
cellule. En fait, ce segment dynamique devient mixte dès que la source considérée jusqu’à
présent unidirectionnelle, change de signe. Par conséquent, tous les cas ayant un segment
dynamique pur doivent être écartés si nous considérons seulement les composants actuels à
silicium. En effet, ils sont composés d’associations de jonctions PN. La jonction PN offre une
transition naturelle à courant et tension nuls, qui la rend associable avec elle- même et avec
une commutation commandée. Toutefois, parmi les applications émergeantes et futures, en
particulier dans le domaine de la très basse tension (matériau supraconducteur) et très haute
tension (matériau diamant), les caractéristiques des interrupteurs sont différentes : la transition
E
Courant
de charge
E
Courant
de charge
E
Maille de
court-
circuit
Courant
de charge
E
Courant de
charge
E
Maille de
court-
circuit
Courant
de charge
E
Courant
de charge
Amorçage de
l’interrupteur
inférieur
Amorçage de
l’interrupteur
inférieur
Echec de la
commutation
Cellule instable
Réussite de la
commutation
Cellule stable
Courant en retard sur la tension
Courant en avance sur la tension
Nouveau processus de commutation : la commutation automatique
44
spontanée à courant et tension nuls n’existe plus. Par conséquent, d’autres transitions à des
valeurs non nulles sont susceptibles d’être exploitées. La commutation est donc la seule
alternative pour les exploiter.
Le problème se pose également dans les cellules AC-AC bidirectionnelles en tension et
en courant, où la commutation transistor -diode est impossible, sauf au moyen de capteurs. La
commutation de la cellule est alors basée sur l’auto-commutation par surcourant ou
surtension, résultant d’un court-circuit ou d’une ouverture de la cellule.
Par conséquent, les cellules ayant un segment dynamique pur seront écartées ici car
nous nous basons sur une technologie silicium, mais nous pouvons les garder pour d’autres
technologies.
Les commentaires issus de cette étude sont donnés pour chaque cellule dans le Tableau
I-4 et le Tableau I-5.

Un autre intérêt potentiel de l’introduction de la commutation automatique est la
protection intrinsèque que ces commutations peuvent représenter. Cette protection intrinsèque
est efficace contre certains défauts, mais certains cas ne sont pas pris en compte. Une analyse
est nécessaire en considérant les courts-circuits physiques d’un interrupteur ou de la charge, et
ce, pour toutes les cellules générées. Afin d’illustrer ce problème, considérons deux cellules
utilisant le même interrupteur. Il s’agit de l’onduleur à disjonction situé à la troisième ligne de
la première colonne du Tableau I-4 et du redresseur à disjonction de la dernière colonne du
Tableau I-5. Les schémas des deux montages sont rappelés à la Figure I-22.
L’onduleur à disjonction est protégé contre tous les types de défaut. En ce qui
concerne les surintensités, que ce soit un court-circuit de la charge ou un court-circuit de la
source de tension, il y a toujours un disjoncteur en série avec la maille concernée. La
protection contre une éventuelle surtension de la charge est assurée par le lien permanent
entre la charge et la source de tension par l’intermédiaire d’une diode.


Figure I-22 : Schémas de l’onduleur à disjonction et du redresseur à disjonction

De son côté, le redresseur à disjonction n’est pas protégé contre un court-circuit de la
charge ou la défaillance d’un interrupteur, car le courant de court-circuit de la source de
Onduleur à disjonction
Redresseur à disjonction
Chapitre I
45
tension est alors conduit par une diode qui n’a pas de pouvoir de disjonction et non plus un
transistor-disjoncteur. En effet, nous nous retrouvons dans la topologie d’un pont de diodes.
Prenons l’exemple de la défaillance d’un composant qui se met en court-circuit, c’est alors la
diode de l’autre interrupteur qui va refermer la maille de court-circuit. C’est la même chose en
cas de court-circuit de la charge. Il faut donc prévoir une protection supplémentaire externe au
convertisseur.

Ces différentes vérifications permettent de déterminer les avantages respectifs et de
faire apparaître les cellules qui peuvent s’avérer intéressantes.


I.4.4. Etude du cas particulier de commutation
commandée avec changement de quadrant
Ces cellules sont atypiques, car elles introduisent un changement de quadrant au cours
d’une commutation commandée. De plus, elles ne respectent pas a priori les règles de stabilité
des cellules de commutation. Comme exemple, nous allons considérer la dernière cellule de la
première colonne du Tableau I-4. Le schéma de la cellule est repris à la Figure I-23, ainsi que
la caractéristique de l’interrupteur utilisé.


Figure I-23 : Cellule élémentaire utilisant un amorçage commandé avec changement de
quadrant

La cellule change d’état par amorçage de l’interrupteur initialement bloqué, par
l’intermédiaire de sa patte de commande. Les différentes phases de conduction lors d’une
commutation sont représentées à la première série de dessins de la Figure I-21. L’amorçage de
l’interrupteur crée une maille de court-circuit de la source de tension, avec deux disjoncteurs
électroniques en série. Nous avons déjà vu que la cellule est stable si le courant de charge
circule à travers le transistor initialement conducteur. Celui-ci se bloque alors que
l’interrupteur qui vient d’être amorcé conduit un courant positif correspondant à la différence
entre le courant de court-circuit et le courant de charge. Lorsque le deuxième interrupteur
« disjoncte », le courant de court-circuit disparaît et le courant de charge va circuler à travers
i
v
on
on
Blocage
automatique
Amorçage commandé
avec changement de
quadrant
Nouveau processus de commutation : la commutation automatique
46
la diode de l’interrupteur qui vient de s’amorcer introduisant le changement de signe du
courant traversant, donc le changement de quadrant.
Nous obtenons le fonctionnement d’une cellule onduleur sans la moindre transition
naturelle de type « diode », normalement obligatoire dans un onduleur de tension.
Toutes les cellules de ce type sont représentées à la dernière ligne du Tableau I-4 et du
Tableau I-5. Elles correspondent aux schémas des premières lignes des tableaux respectifs en
réversibilité. Leur bon fonctionnement, qui n’intervient que pour un déphasage entre le
courant et la tension donné, est nécessaire pour l’utilité des cellules de la première ligne,
utiles seulement en réversibilité.
Ce type de commutation voit aussi son intérêt dans le bon fonctionnement de cellules
ayant plus de deux quadrants, cellules écartées dans cette étude. Nous pouvons quand même
citer des cellules quatre quadrants qui nécessitent l’association de deux commutations
commandées. Ce cas sera rapidement abordé dans la dernière partie de ce chapitre.


I.5. CHOIX DE LA CELLULE DE L’ETUDE A SUIVRE
Avant de poursuivre notre étude, il faut extraire de l’étude précédente la cellule la plus
prometteuse qui présente une application potentielle. Cela nous permettra d’approfondir
l’étude et de mieux jauger le potentiel des cellules incluant la commutation automatique face
à ce qui existe déjà.
Nous avons préféré nous concentrer sur un composant possédant un blocage
automatique plutôt qu’un amorçage automatique. En effet, la commutation automatique
implique une excursion des grandeurs électriques au-delà des valeurs imposées par les
sources. Or les composants à semi- conducteur acceptent un surcourant bref grâce à la capacité
thermique de la puce et à une relative bonne homogénéité des lignes de courant pour les
composants multicellulaires de type IGBT ou MOS. Par contre, même un léger dépassement
de la tension maximale du composant peut faire dépasser le champ critique localement et
provoquer l’avalanche du composant. Or tous les composants ne sont pas testés en avalanche.
Il apparaît que les composants actuels sont plus adaptés pour le blocage automatique que pour
l’amorçage automatique.
Nous avons ensuite privilégié le mode thyristor-dual, afin de bénéficier de ses
nombreux avantages intrinsèques [FOCH 2] [CHERON]:
- tout d’abord, c’est un composant bidirectionnel en courant, donc constitué de
trois couches (P
+
N
-
P), ce qui en fait un composant rapide. De plus la réversibilité est soit
naturelle (diode de corps du transistor MOS), soit externe par diode (IGBT), voire même, à
court terme, intégrée dans le silicium (IGBT à diode de corps, court-circuit d’anode)
[BREIL],
Chapitre I
47
- la diode se bloque toujours à tension nulle, donc sans recouvrement d’où de
faibles pertes et émissions CEM,
- l’effet disjoncteur est l’effet naturel de désaturation de tout transistor composé
de trois couches,
- la conduction de la diode offre un préconditionnement du transistor par
mutualisation des charges dans la base N
-
,
- toutes les raisons précédentes montrent un haut potentiel d’intégration
fonctionnelle afin d’atteindre de hautes performances,
- l’utilisation d’un thyristor-dual disjoncteur dans une cellule onduleur rend
impossible le court-circuit du bus et la charge est protégée en tension par les diodes, d’où une
bonne sûreté de fonctionnement.

Un autre critère que nous nous sommes imposé est que nous voulions synthétiser des
convertisseurs proches de ce qui existe afin de pouvoir mettre en place une comparaison la
plus objective possible. Cela a permis de mieux quantifier l’apport de la commutation
automatique.
Pour toutes ces raisons, nous avons concentré nos travaux sur le thyristor-dual
disjoncteur.

Les deux cellules où apparaît le thyristor-dual disjoncteur sont une cellule onduleur et
une cellule redresseur, représentées à la Figure I-22. La cellule onduleur à disjonction a un
fonctionnement proche de celui d’un onduleur de tension piloté en fourchette de courant,
tandis que le redresseur à disjonction se rapproche d’un pont de diodes.


I.6. AUTRES EXEMPLES DE CELLULES A COMMUTATION
AUTOMATIQUE
La commutation automatique peut être introduite dans des cellules qui ne sont pas
deux quadrants. Un exemple est le hacheur alternatif, dont les applications potentielles sont le
moteur monophasé, l’éclairage et le chauffage. Comme nous l’avons déjà dit, ce montage doit
essayer d’associer deux commutations commandées que nous ne pouvons pas, physiquement,
rendre simultanées. Différentes stratégies sont alors mises au point : adjonction de capteurs,
commande autour de la tension de seuil (CATS) [SAWEZYN]. Ces différentes solutions sont
plus ou moins lourdes à mettre en œuvre. La commutation automatique est une solution
relativement simple à ce problème. Nous présentons ici deux solutions.
La première est le hacheur alternatif à blocage automatique représenté à la Figure I-24,
ainsi que la caractéristique des interrupteurs utilisés. Ils possèdent quatre quadrants, avec un
Nouveau processus de commutation : la commutation automatique
48
amorçage commandé et un pouvoir de blocage automatique pour les deux sens de circulation
du courant.


Figure I-24 : Schéma du hacheur alternatif à blocage automatique et caractéristique des
interrupteurs

Contrairement à la cellule de la Figure I-23, les commutations peuvent se produire
pour les deux signes du courant de charge, c’est-à-dire, quel que soit le déphasage entre le
courant et la tension. Par conséquent, il apparaît un cas où la cellule est instable : avec un
courant en avance sur la tension, l’amorçage d’un interrupteur amène directement le blocage
automatique de ce même interrupteur. La Figure I-25 résume les commutations stables et
instables selon les signes des deux sources. Prenons le cas où les deux signes sont positifs. Le
signe du courant de la maille de court-circuit est également positif. Au moment de son
blocage, T
1
voit déjà un courant positif. Nous respectons les règles de stabilité. Son blocage
automatique est stable. C’est le contraire pour T’
1
qui voit le courant de charge négatif. Cela
change selon les configurations des signes des deux sources.
Deux solutions sont envisageables. La première consiste à inhiber la capacité de
disjonction de l’interrupteur qui s’amorce durant une période de temps suffisante pour que
l’autre interrupteur disjoncte. La deuxième solution est une augmentation du seuil de
disjonction durant la même période de temps. Dans le cas d’un thyristor-dual disjoncteur basé
sur des transistors MOS, une simple augmentation du potentiel de grille est suffisante. Mais la
principale question est la détermination de la durée de sursaturation nécessaire. En effet, elle
doit être suffisante afin que le deuxième interrupteur disjoncte. Si ce dernier n’a pas le temps
de se bloquer, l’instabilité persiste. La Figure I-26 présente les formes d’ondes obtenues en
utilisant la deuxième solution. Nous pouvons observer que durant la phase d’amorçage d’un
interrupteur, le courant qui le traverse peut être supérieur au courant de disjonction.

E
Ie
on
on
i
v
Blocage
automatique
Amorçage
commandé
Is
T1
T’1
Chapitre I
49

Tension
Courant
T1 T’1 Stable

T’1 T1 Instable
T1 T’1 Stable

T’1 T1 Instable
T1 T’1 I

T’1 T1 S
T1 T’1 I

T’1 T1 S
t

Figure I-25 : Commutations stables (S) et instables (I) en fonction des signes de la tension
d’entrée et du courant de charge


Tension E
Courant Ie
Ibreak
Idisj
- I
disj
100

75

50

25

0

-25

-50

-75

-100
80

60

40

20

0

-20
80

60

40

20

0

-20

-40

-60
2.5 temps(ms) 3.0 3.5
9.13 temps(ms) 9.75 10.38
0 temps(ms) 10 20 30 40
400



200



0



-200



-400
Idisj
Idisj+Ich

Figure I-26 : Formes d’ondes de la tension et du courant pour le hacheur alternatif à
disjonction

Ce montage fonctionne quel que soit le déphasage entre le courant et la tension. Par
contre, la durée de la phase de court-circuit dépend de la tension appliquée. Quand elle change
Nouveau processus de commutation : la commutation automatique
50
de signe, les solutions considérées ne sont plus valables, car la tension est de faible valeur. Par
conséquent, la durée de la phase de court-circuit est très importante, ce qui complique la
détermination d’une durée fixe de sursaturation. Mais, il apparaît une phase où aucun
interrupteur n’atteint son courant de disjonction (cf. Figure I-26 en bas à droite). Ainsi, la
phase de court-circuit se poursuit, mais sous une tension réduite, ne posant pas de problème
de stabilité.

Le montage précédent peut être modifié afin de n’avoir qu’un seul interrupteur
commandé connecté au point froid. Cela élimine tout problème d’isolation de la commande.
Le montage est représenté à Figure I-27, avec un interrupteur quatre quadrants commandé à
l’amorçage et au blocage, combiné à un interrupteur quatre quadrants totalement automatique.
Le problème de ce montage est la nécessité de surdimensionner en tension l’interrupteur
commandé, ce qui est pénalisant car peu de composants acceptent un léger dépassement de
leur tension maximale, même brève. Par contre, la commutation étant rapide, ce n’est pas
gênant pour le courant d’un point de vue thermique. Par conséquent, ce montage est pénalisé
par ce surdimensionnement en tension, forçant à doubler la tension que le composant doit
tenir, contrairement au montage précédent qui n’a que des blocages automatiques.


on
off
continu
ou
réversibilité
basse
fréquence
HF
i
v
i
v
Commutation
commandée
Commutation
automatique
+Va

Figure I-27 : Hacheur alternatif avec seulement un interrupteur commandé

La commutation automatique, moyennant quelques artifices, permet a priori de
résoudre le problème intrinsèque du hacheur alternatif, lié à l’association de commutations
commandées. La première solution reste préférable car elle ne fait intervenir que des
commandes de blocage automatique, moins stressantes pour les composants.



Chapitre I
51
I.7. CONCLUSION
Un état de l’art des protections des convertisseurs statiques a permis de mesurer toute
la difficulté de la prévention de tous les défauts envisageables, le problème de la surtension
restant le point le plus critique. Il faut détecter le défaut, le limiter puis l’isoler s’il le faut, le
tout dans un temps très court pouvant être de l’ordre de la dizaine de nanosecondes. Il est
alors important de se placer au plus près du composant.
Nous introduisons un nouveau concept qui envisage de placer l’idée de protection au
sein même du mécanisme de commutation, générant ainsi un nouveau processus de
changement d’état : la commutation automatique. Ce concept original s’ajoute aux
commutations classiques que sont les commutations commandée et spontanée, comme
mécanismes de changement d’état d’un interrupteur électronique. De nouvelles règles de la
cellule de commutation apparaissent afin de s’adapter à ce nouveau concept. Par exemple, la
notion de causalité ne posait pas de problème jusqu’à maintenant, la commutation
commandée étant toujours maître.
Par la suite, nous avons constaté que la commutation automatique ne fait pas
qu’introduire la protection dans le mécanisme de commutation, mais que de nouvelles
fonctionnalités apparaissent. Afin de formaliser tout cela, nous avons développé une méthode
de synthèse systématique des cellules de commutation incluant au moins une commutation
automatique, dans le cadre des cellules deux quadrants. Les règles associées à chaque étape
sont exposées.
Des exemples sont également présentés, dans le cadre des cellules quatre quadrants,
pour montrer que la commutation automatique ne se limite pas à un seul segment de
l’électronique de puissance, mais peut s’adapter à de nombreux montages. Dans ce cadre, elle
permet de faire une conversion quatre quadrants de manière naturelle en gérant le problème
de l’association de deux commutations commandées en en remplaçant une par une
commutation commandée.

Il existe d’autres montages qui peuvent utiliser la commutation automatique, mais ce
manuscrit va dorénavant se concentrer sur tous les montages à base de thyristor-dual
disjoncteur. En effet, outre ses différents avantages, il permet également des applications dans
les conversions AC-DC et DC-AC qui représentent une grande partie des convertisseurs
actuellement existants sur le marché.



II. CHAPITRE II

LE THYRISTOR-DUAL DISJONCTEUR
Le thyristor-dual est un composant qui a été développé à Toulouse afin d’être le
pendant du thyristor comme son nom l’indique. Il associe un amorçage au zéro de la tension à
un blocage commandé. Il allie de nombreux avantages : c’est un composant réversible en
courant donc constitué de seulement trois couches donnant un composant rapide. Il bénéficie
du préconditionnement du transistor par les charges stockées dans la diode lors de sa
conduction. Il permet également d’envisager une intégration fonctionnelle à court terme.
Enfin, c’est un composant qui permet une bonne sûreté de fonctionnement du convertisseur
dans lequel il est monté.
Pour toutes ces raisons, nous l’avons choisi comme base de développement pour notre
premier interrupteur incluant une commutation automatique : le thyristor-dual disjoncteur.
Nous l’avons synthétisé en discret afin de l’étudier dans le cadre la conversion statique. Ce
chapitre a pour but de présenter ce composant ainsi que sa réalisation.
Nous présentons par la suite les deux cellules élémentaires à base de thyristor-dual
disjoncteur : l’onduleur et le redresseur à disjonction.
Nous nous intéressons ensuite aux propriétés de cet interrupteur, avec un éclairage
particulier sur la maîtrise du courant de disjonction en fonction des différents paramètres
extérieurs.
Enfin, nous présentons la réalisation d’un micro-disjoncteur conçu au LAAS, ainsi
qu’une étude sur la mise en parallèle de disjoncteurs électroniques.


II.1. PRINCIPE DU THYRISTOR-DUAL DISJONCTEUR
Le thyristor-dual disjoncteur est un thyristor-dual dont le blocage commandé a été
remplacé par un auto-blocage par surcourant. Le symbole de l’interrupteur ainsi que sa
caractéristique sont donnés à la Figure II-1. Le trait pointillé entre la diode et le transistor
représente l’amorçage spontané de ce dernier sous zéro de tension lorsque la diode se met à
Le thyristor-dual disjoncteur
54
conduire. Le composant s’amorce de manière naturelle par mise en conduction de la diode.
Durant sa conduction, le transistor est amorcé, le rendant potentiellement passant. C’est le
circuit extérieur qui impose alors le changement de signe du courant. A ce moment, le courant
transite de la diode au transistor sous tension nulle.


i
v
i
v
seuil

Figure II-1 : Symbole du thyristor-dual disjoncteur et caractéristique

Différentes stratégies peuvent être envisagées pour détecter les instants de commande
du transistor. Elles sont résumées dans le Tableau II-1. La mesure de tension consiste à
détecter l’inversion du signe lorsque la diode se met à conduire pour l’amorçage et le moment
de la remontée de la tension lors de la saturation du canal pour le blocage. Le Tableau II-2
donne la faisabilité technologique des différentes mesures. Il apparaît que la mesure de
tension est la plus adaptée pour l’intégration et ce, quel que soit le calibre en courant. Nous
allons donc essayer de privilégier la mesure de tension et nous passer de capteur de courant.

AMORCAGE BLOCAGE
Mesure de l’apparition du
courant dans la diode
Mesure du courant dans le
transistor
Détection de la tension Détection de la tension
Tableau II-1 : Détection des instants de commande du transistor MOS

Faisabilité technologique
Mesure du courant
Transformateur d’intensité : faible intégration.
SENSE : bonne intégration mais calibre limité.
Mesure de tension
Très bonne intégration, capteur de tension
d’anode.
Tableau II-2 : Faisabilité technologique des différents types de mesure


II.2. REALISATION EXPERIMENTALE
Lors de la réalisation de la carte de commande du transistor, nous avons toujours eu le
Chapitre II
55
souci d’avoir un montage apte à être intégré. Afin d’y arriver, le montage n’inclut aucune
isolation galvanique, aucune entrée/sortie, aucune alimentation extérieure et aucun capteur.


II.2.1. Principe du blocage automatique sans capteur
Pour synthétiser notre disjoncteur, nous avons utilisé un transistor MOSFET avec
diode de corps rapide, le IXFH40N30, composant fabriqué par IXYS. Comme nous l’avons
déjà précisé, nous avons cherché à nous passer d’un capteur de courant. Nous nous basons
donc sur les propriétés du transistor MOS afin d’y parvenir, propriétés proches de celles de
l’IGBT. Le choix du transistor MOS permet d’utiliser sa capacité de sortie comme snubber
naturellement au plus près de l’interrupteur.
Nous avons vu dans le chapitre I que le transistor MOS peut servir de limiteur de
courant et même de disjoncteur électronique. En régime statique, lorsqu’il se sature, le
courant est imposé et est égal au courant potentiel, tandis que la tension aux bornes du
composant croît jusqu’à la tension d’alimentation. Par conséquent, il suffit d’utiliser la hausse
de la tension aux bornes du transistor afin d’assurer son blocage, le réglage du courant de
disjonction se faisant par l’intermédiaire du réglage du courant potentiel, en régime statique.
La Figure II-2 rappelle le réseau de caractéristiques du transistor MOS ainsi que le choix du
seuil de tension dans sa zone saturée. Pour notre composant, la tension choisie est d’environ
8V.


Figure II-2 : Caractéristiques statiques du transistor MOS

Il faut noter que ce seuil de tension sert aussi de seuil d’amorçage pour le transistor
MOS, ce qui simplifie grandement le driver.

Courant de
drain
Tension
drain-source
Saturation au
courant potentiel
Seuil de détection
Courbes iso-
température et iso -
potentiel de grille
Le thyristor-dual disjoncteur
56
II.2.2. Description de la carte de commande
Le schéma électrique de la carte de commande est donné à la Figure II-3. Elle peut être
séparée en quatre blocs fonctionnels. Il faut noter qu’il apparaît deux sources de tension de 5
et 20 Volts. Elles permettent de faire varier la tension entre la grille et la source de -5 à 15
Volts. La tension négative permet d’assurer un blocage plus net du transistor MOS, ce qui est
souvent nécessaire lorsque la fréquence de fonctionnement augmente. Sur cette carte, l’auto-
alimentation n’a pas été incluse et nous utilisons des sources de tension externes. Cela permet,
dans un premier temps, de séparer les problèmes éventuels et de focaliser l’étude sur le
blocage automatique. Plus tard sera incluse l’auto-alimentation du montage.


20V
GND
GND
5V
20V
Drain
Grille
Source
2N2222
2N2907
2N2907
2N2907
2N2907
1N4148
820 Ω 820 Ω
47 Ω
1 kΩ
100 Ω
100 Ω
330 Ω
1N4148
BYV26E
4,7 V
820 Ω
8,2 V
15 V
5,1 V
22 nF
22 µF
10 µF
2 kΩ
1
er
bloc
Push-pull de sortie avec
résistance de grille
3
ème
bloc
Réglage du courant
potentiel
2
ème
bloc
Transistor de
commande
4
ème
bloc
Durcissement de
la commande
Zener de réglage
du seuil de
détection
Réglage de
la valeur
minimale
Réglage de
la valeur
ma ximale

Figure II-3 : Schéma initial de test du circuit de commande du thyristor-dual disjoncteur

Le premier bloc fonctionnel est classique et correspond à la commande rapprochée
avec un push-pull de sortie associé à la résistance de grille et les différentes protections de la
grille du composant. Il a été adjoint un autre transistor PNP qui permet d’avoir un blocage du
composant plus dynamique.
Le deuxième ensemble comprend la commande elle- même. Le transistor de commande
est bloqué lorsque le potentiel de drain est élevé et s’amorce lorsque celui-ci passe en dessous
d’un seuil défini par la tension d’alimentation (15 Volts par rapport au potentiel de source)
ainsi que toutes les chutes de tension des composants en série. Il a été ajouté une diode Zener
en série, ce qui permet un réglage de la valeur de la tension de basculement en fonction de la
Chapitre II
57
tension Zener. Ici, le seuil s’élève à environ 8 Volts. Lorsque la tension drain-source est
inférieure à ce seuil, le transistor est passant et bloqué si elle est supérieure.
Le troisième bloc permet le réglage du courant de disjonction, par l’intermédiaire du
courant potentiel. Ce dernier est directement lié à la tension grille-source. Sur la carte de
commande, c’est une diode Zener de 8,2 Volts qui permet de fixer cette tension. La
transconductance du transistor vaut 22 Siemens minimum et les diodes Zener ont des valeurs
calibrées. Cela ne permet qu’une précision du réglage du courant de disjonction de l’ordre de
la dizaine d’ampères. Afin d’assurer un réglage plus précis, nous avons ajouté une résistance
variable aux bornes de la diode Zener, ce qui permet de la court-circuiter plus ou moins. Ce
dispositif permet d’avoir une précision suffisante du réglage du courant de disjonction. Pour
résumer, nous pouvons dire que la diode Zener règle la valeur minimale du courant potentiel
et que le rhéostat permet un réglage du courant potentiel maximal.
Nous avons enfin ajouté un durcissement de la commande. Il évite le réamorçage
intempestif du transistor juste après son blocage. En effet, il se peut, dans certaines
configurations, que la disjonction intervienne sous une faible tension aux bornes de la cellule.
Les oscillations de la tension aux bornes du composant, suite à son blocage, peuvent faire
redescendre cette tension au-dessous du seuil d’amorçage. Afin d’empêcher tout réamorçage
du composant, nous verrouillons son blocage durant un temps de l’ordre de quelques
microsecondes.


II.2.3. Caractéristique réelle réalisée
La Figure II-4 présente la caractéristique du thyristor-dual disjoncteur tel qu’il se
comporte lorsque nous utilisons la carte de commande qui précède. Nous retrouvons la
caractéristique souhaitée mais l’usage d’un seuil de tension unique à l’amorçage et au blocage
entraîne un amorçage du transistor alors que la diode ne conduit pas encore. Cela donne une
commutation dure sous tension réduite, au lieu de la commutation douce initialement prévue.

Courant de
drain
Tension
drain-source
Courant de
disjonction
Seuil de détection (8V)
Commande de
blocage
Commande d’amorçage
(commutation dure)
Zone de saturation dynamique du MOS
O

Figure II-4 : Caractéristique réalisée du thyristor-dual disjoncteur

Le thyristor-dual disjoncteur
58
Cet amorçage légèrement anticipé se retrouvera sur toutes les courbes expérimentales
que nous verrons par la suite.


II.3. FONCTIONNEMENT DES CELLULES ELEMENTAIRES
UTILISANT LE THYRISTOR-DUAL DISJONCTEUR
Nous avons deux cellules élémentaires utilisant le thyristor-dual disjoncteur :
l’onduleur à disjonction et le redresseur à disjonction.

II.3.1. La cellule onduleur à disjonction
L’onduleur à disjonction a été monté sur un transformateur. Le schéma du montage est
représenté à la Figure II-5.


V
C1
V
C2
E

D
1
D
2
L
µ
i
D1
i
D2
n
1
n
3
V
éq
i
ch
V
D2
V
prim
i
2
i
1

Figure II-5 : Onduleur à disjonction avec circuit d’équilibrage du point milieu capacitif

Les différentes séquences de fonctionnement sont rappelées dans la première colonne
de la Figure II-8. C’est le courant magnétisant du transformateur ajouté au courant de charge
qui déclenche le blocage automatique maître des interrupteurs. Dès que ce courant total atteint
la valeur de disjonction, la tension aux bornes du transformateur s’inverse et le sens
d’évolution du courant s’inverse.
Nous avons un fonctionnement en fourchette de courant du montage. Si la valeur
moyenne du courant dans le transformateur n’est pas rigoureusement nulle, le point milieu
capacitif va diverger et tendre vers zéro ou E selon le signe du courant moyen. Il faut donc
adjoindre un circuit d’équilibrage. Il est représenté à la Figure II-5. Il se compose d’un
enroulement supplémentaire sur le transformateur et de deux diodes. Il faut noter que le
courant qui circule dans cet enroulement n’est pas le courant nominal mais seulement un
courant de rééquilibrage. Sa valeur est donc d’autant plus faible que le déséquilibre est
minime.
Supposons ici que le courant de disjonction de l’interrupteur du bas soit légèrement
Chapitre II
59
supérieur à celui du haut. Le point milieu capacitif va tendre vers zéro sans système
d’équilibrage. Par conséquent, cela crée une valeur moyenne de tension positive aux bornes
du transformateur. Supposons que l’interrupteur du haut conduise. La tension aux bornes de la
diode D
2
est donnée à l’Equation II-1. L’Equation II-2 donne la condition sur la tension du
condensateur afin de mettre en conduction la diode D
2
. Nous constatons que la diminution de
la tension V
C2
va entraîner la mise en conduction de la diode D
2
. Cette dernière va réinjecter
du courant dans le point milieu capacitif afin de faire remonter la tension V
C2
. Il y a donc
compensation de la dérive.

( )
C2
1
3
C2 D2
V - E
n
n
- V V ⋅ ·
II-1

E
n
n
1
n
n
V
1
3
1
3
C2

,
`

.
|
+
<
II-2

Nous ne tenons pas compte de la chute de tension directe de la diode. Nous
remarquons que si le nombre de spires est identique dans les deux enroulements, le système
d’équilibrage va fonctionner dès que la tension V
C2
devient inférieure à la moitié de la tension
d’alimentation. Le système va donc tout le temps fonctionner, car il n’a pas de souplesse. Afin
d’y remédier, il suffit de diminuer le nombre de spires de l’enroulement auxiliaire. Par
exemple, si nous prenons un rapport des nombres de spires de 0,9, nous admettons une
tolérance de 6% de part et d’autre de la valeur d’équilibre.

La Figure II-6 présente les formes d’ondes obtenues avec un bus de 100V. Nous
constatons que la diode D
2
conduit un courant moyen supérieur à celui de la diode D
1
. La
différence correspond au courant moyen conséquent à la différence des courants de
disjonction. Il y a donc compensation et maintien du potentiel du point milieu capacitif.

Si nous travaillons dans la zone linéaire du transformateur, nous pouvons dire que le
courant magnétisant du transformateur est triangulaire et compris dans une fourchette de
courant dont la largeur varie en fonction du courant de charge. La Figure II-7 présente les
formes d’ondes du courant magnétisant et des courants dans les deux interrupteurs. Nous
constatons un problème de ce montage, qui est intrinsèque au fonctionnement en fourchette de
courant : la fréquence de fonctionnement dépend du niveau de courant de charge.

Le thyristor-dual disjoncteur
60

Figure II-6 : Formes d’ondes du fonctionnement du système d’équilibrage à diodes


I
mag
0
+I
disj
- I
CH
I
disj
-I
CH
i
1
i
2
I
disj
0
I
CH
-I
disj
2I
CH
Disjonction interrupteur 1 Disjonction interrupteur 2
t
t
I CH
-I CH
i CH

Figure II-7 : Formes d’ondes du courant magnétisant et des courants dans les interrupteurs
de la cellule onduleur en charge

Nous allons déterminer la formule reliant la fréquence de fonctionnement aux
différents paramètres du montage. En partant de la Figure II-7, nous pouvons écrire
l’Equation II-3 et en déduire l’Equation II-4.

( ) ( )
2
T
2.L
E
I I - - I - I
ch disj ch disj
⋅ · +
µ

II-3

( )
ch disj
I - I . 8.L
E

T
1
f
µ
· · II-4

Chapitre II
61


Disjonction
Courant max
Disjonction
Courant max
+
+
+
Disjonction
Maille de
court-circuit
+
+
Disjonction
Maille de
court-circuit
+
+
+
Disjonction
Maille de
court-circuit
+
+
Disjonction
Maille de
court-circuit
a) b) c)

Figure II-8 : Séquences de fonctionnement :
a) Onduleur à disjonction b) Redresseur à disjonction (mode redresseur de tension)
c) Redresseur à disjonction (mode onduleur de courant)
Le thyristor-dual disjoncteur
62
Nous avons ainsi la dépendance de la fréquence de fonctionnement avec le courant de
charge, dépendance qui peut se révéler problématique au cours du fonctionnement. En effet,
une hausse de la fréquence augmente les pertes par commutation dans les semi- conducteurs ce
qui peut amener à leur destruction à l’usage, si le dimensionnement thermique a été réalisé sur
la fréquence à vide.


II.3.2. La cellule redresseur à disjonction
La tension cellule étant alternative, les interrupteurs sont dorénavant placés en anti-
série. Nous obtenons la cellule redresseur à disjonction. Deux variantes sont envisageables : à
drains communs et à sources communes. Cela ne change pas fondamentalement le
fonctionnement de la cellule. La Figure II-9 présente la cellule redresseur à disjonction à
drains communs. Afin de la faire fonctionner, nous avons utilisé un transformateur possédant
deux enroulements secondaires.


D
1
D2
T
1
T2
V
bus
Vrés

Figure II-9 : Redresseur à disjonction monocellulaire associé à son circuit de clampage

Les séquences de fonctionnement sont rappelées à la Figure II-8, pour les deux sens du
courant de charge. Nous avons ici un amorçage spontané maître au changement de signe de la
source de tension. Il y a création d’une maille de court-circuit qui permet l’ouverture
automatique esclave de l’interrupteur initialement passant. Le courant de charge est alors
aiguillé d’un interrupteur vers l’autre et le court-circuit de la source de tension disparaît. Il y a
donc court-circuit transitoire de la source de tension, à travers son impédance interne.
Chaque enroulement du transformateur a une inductance de fuite qui a emmagasiné de
l’énergie au moment de la disjonction d’un interrupteur. Cette énergie doit être évacuée sous
peine de provoquer une surtension aux bornes de l’interrupteur qui peut le détériorer. Afin de
l’éviter, nous associons un circuit de clampage au montage. Son rôle est de limiter la valeur
de la surtension en deçà de la tension maximale de l’interrupteur et de dissiper l’énergie
contenue dans les inductances de fuites, car nous avons opté ici pour clamp dissipatif, sous la
Chapitre II
63
forme d’une diode transil. L’énergie que dissipe la diode transil est non seulement liée à
l’énergie contenue dans l’inductance de fuites mais varie également en fonction de la tension
réseau à l’instant du clampage, selon l’Equation II-5. Dans, notre cas, la commutation se
déroule au changement de signe de la tension réseau, ce qui est favorable à la diode transil
(tension réseau faible).

clamp
rés
2
disj f
V
V
- 1
.I l
W ·
II-5

Le circuit de clampage doit également gérer l’énergie dans la source de courant si un
défaut intervient au niveau du pont, en particulier, si le courant de charge atteint la valeur du
seuil de disjonction du montage provoquant ainsi son blocage. La Figure II-10 présente un
relevé expérimental où le courant de charge provoque le blocage du pont. Le courant de
charge passe alors dans le clamp par l’intermédiaire de l’aiguilleur de courant formé par les
diodes D
1
et D
2
. C’est le signe de la tension réseau qui fixe quelle diode est conductrice. La
tension du bus est alors équivalente à la tension de clampage moins la tension redressée du
réseau. Ici, la tension de clampage est fixée à 1000V. Lorsque toute l’énergie de la charge a
été dissipée, le montage redémarre naturellement en mode redresseur au moment où la tension
du bus continu est redescendue au niveau de la tension redressée du réseau.

Disjonction due à
une surcharge
Redémarrage du
système

Figure II-10 : Arrêt du montage puis redémarrage du montage après une surcharge

Nous sommes ici dans un cadre théorique, car le clamp a dû dissiper toute l’énergie de
la charge ce qui aurait été fatal à notre diode transil qui se serait mise en court-circuit
Le thyristor-dual disjoncteur
64
empêchant tout redémarrage. Ces courbes montrent qu’avec des systèmes pouvant dissiper
plus d’énergie, le montage peut redémarrer à la suite d’un défaut de surcharge après avoir
dissipé l’énergie de la charge.


II.4. LE PROCESSUS DE DISJONCTION
Nous avons testé notre thyristor-dual disjoncteur dans différentes situations afin de
vérifier son bon fonctionnement, ainsi que sa régularité dans le temps.

II.4.1. Relevé expérimental d’une disjonction
Nous utilisons ici une cellule redresseur à disjonction, en mode onduleur, ce qui
correspond à la Figure II-8 c. Des relevés expérimentaux des grandeurs électriques lors du
blocage et de l’amorçage du thyristor-dual disjoncteur sont présentés à la Figure II-11. Pour la
phase d’amorçage, nous observons une mise en conduction du transistor quand la tension à
ses bornes descend en dessous de dix volts environ. Il y a donc un léger bout de commutation
dure, sous tension réduite. Le courant croît puis décroît quand le signe de la tension aux
bornes du composant s’inverse. Il y a ensuite une phase de conduction de la diode qui permet
la création du courant de court-circuit nécessaire au blocage de l’interrupteur opposé.
En ce qui concerne le blocage, il apparaît d’abord une phase où le courant diminue,
consécutivement à l’amorçage de l’autre interrupteur sous une tension légèrement positive.
Puis le courant croît jusqu’à atteindre la saturation du transistor. La tension aux bornes du
transistor MOS augmente alors et, lorsqu’elle atteint huit volts, le transistor est commandé au
blocage. Il y a ensuite une surtension aux bornes du composant correspondant au clampage de
l’énergie dans l’inductance de fuite du secondaire du transformateur, grâce à une diode transil,
par exemple. La tension diminue par la suite et atteint 28 volts ici. Si la tension descend trop
bas, le transistor peut être réamorcé, d’où l’intérêt de l’inhibition temporelle déclenchée
consécutivement au blocage du composant.
Nous avons un comportement expérimental proche de la caractéristique théorique, mis
à part l’amorçage sous une tension légèrement positive, créant une «bosse » sur le courant.
Cette bosse sera visible sur tous les relevés où le blocage automatique est esclave, soit dans
tous les montages utilisant les cellules redresseurs à disjonction.



Chapitre II
65
Blocage du thyristor-dual disjoncteur
-10
0
10
20
30
40
50
-0,001 -0,0008 -0,0006 -0,0004 -0,0002 0 0,0002 0,0004 0,0006 0,0008 0,001
Temps (s)
Vgs 2 (V)
Vds 2 (V)
Courant 2 (A)
Amorçage du thyristor-dual disjoncteur
-10
-5
0
5
10
15
-0,001 -0,0008 -0,0006 -0,0004 -0,0002 0 0,0002 0,0004 0,0006 0,0008 0,001
Temps (s)
Vgs 1 (V)
Vds 1 (V)
Courant 1 (A)
I
di sj
-Idisj + |Ich|

Figure II-11 : Relevés expérimentaux de blocage et d’amorçage du thyristor-dual disjoncteur


II.4.2. Dépendance du courant de disjonction vis-à-vis
du di/dt
Un point important est la stabilité de la valeur du courant de disjonction vis-à-vis des
paramètres extérieurs, tels que le di/dt appliqué à l’interrupteur lors de la phase de court-
circuit. Nous utilisons ici la cellule onduleur, car elle permet une bonne maîtrise de la valeur
du di/dt par modification de la valeur de la source de tension continue. Nous ne plaçons pas
de charge au secondaire du transformateur afin de ne travailler qu’avec le courant
magnétisant.
Le Tableau II-3 présente trois valeurs expérimentales du courant de disjonction pour
trois valeurs différentes de la tension du bus continu. Il apparaît que le courant de disjonction
varie quasiment de 20% lorsque la tension passe de 60 à 80 Volts. Cette variation est
importante et ne peut pas être négligée. Il faut essayer d’en identifier la cause afin de savoir si
c’est un phénomène fortuit ou s’il est répétitif et, par conséquent, quantifiable.

Tension cont inue (V) di/dt (en A/µs) Courant de disjonction (A)
60 0,025 10,5
80 0,056 11,5
100 0,075 12,5
Tableau II-3 : Relevés expérimentaux de valeurs du courant de disjonction

Une première idée sur l’apparition de cette variation du courant de disjonction est la
présence de la capacité parasite de sortie C
oss
du transistor MOS. Selon notre principe de
déclenchement de la disjonction, il faut un courant qui circule dans ce condensateur afin de
faire apparaître la tension nécessaire aux bornes du composant. Les différentes mesures
Le thyristor-dual disjoncteur
66
effectuées montrent que le courant aiguillé dans le condensateur ne représente qu’un quart
environ de la modification du courant et qu’il varie peu en fonction du di/dt. C’est donc
insuffisant pour expliquer le phénomène.
Par ailleurs, un relevé de la tension grille-source effectué avec une tension de bus de
105 Volts est présenté à la Figure II-12. Il apparaît que durant la phase de court-circuit
précédant la disjonction, le potentiel de grille s’élève, entraînant la hausse du courant
potentiel ce qui revient à accroître la valeur du courant de disjonction. Il faut donc essayer de
comprendre pourquoi le potentiel de grille varie durant cette phase.


Tension de
grille
Courant du primaire
Pic de courant
de disjonction
Elévation du
potentiel de grille

Figure II-12 : Evolutions du courant magnétisant et de la tension grille-source

Nous allons donc étudier plus en avant ce qui se passe lors de la disjonction au sein du
transistor lui- même.


II.4.3. Etude théorique de la phase de disjonction
Nous utilisons le modèle du transistor MOS présenté à la Figure II-13. Sur ce modèle,
apparaissent les trois capacités du MOS, une seule étant considérée non- linéaire. Il apparaît
également la tension de seuil, ainsi que la transconductance et la résistance à l’état passant
[LETURCQ] [ALONSO] [ROUX 2].

Chapitre II
67
id
iT
Rdson
iCds
Cds
Ipot
Vds
g
fs
Vgsth
grille
drain
Vgs
iCgs
source
iCdg
Vcom
Rg

Figure II-13 : Modèle du transistor MOS

Lorsque nous imposons une certaine tension grille-source, supérieure à la tension seuil,
la source de courant pilotée en tension va produire un courant constant, appelé courant
potentiel d’amplification, par l’intermédiaire de la transconductance. Si le courant appelé par
le circuit extérieur est inférieur au courant potentiel, alors la différence des courants va passer
dans la diode en antiparallèle, simulant la saturation. Par contre, si le circuit extérieur absorbe
de plus en plus de courant, la «réserve » de courant dans la diode diminue jusqu’à son
annulation. A ce moment, le transistor ne peut plus fournir cette hausse de courant au circuit
extérieur et il se transforme alors en limiteur de courant.
Les valeurs des différents paramètres du modèle de l’IXFH40N30 sont résumées dans
le Tableau II-4.

Paramètres Valeur
Transconductance 25
Rdson 0,085 Ω
Tension de seuil 3,9 V
Tension de commande 4,54 V
Cds 750 pF
Cgs 4 nF
Cdgmax 9,5 nF
Cdgmin 250 pF
Tableau II-4 : Paramètres du modèle de l’IXFH40N30

Trois phases se succèdent au cours de la disjonction, et influencent la valeur maximale
du courant qui va traverser l’interrupteur. Les détails de la mise en équation sont donnés à
l’Annexe B.
Phase 1: le courant apparaît dans le disjoncteur, mais sa valeur reste inférieure au
courant potentiel. Le di/dt traversant la résistance R
dson
va créer un dV/dt. Ce dernier va être
Le thyristor-dual disjoncteur
68
appliqué à la capacité C
dg
, d’où l’apparition d’un courant en direction de la grille. Le potentiel
de cette dernière augmente, entraînant une élévation du courant potentiel. Cet effet fausse déjà
la valeur du courant de disjonction, puisqu’il est réglé par la commande à travers le courant
potentiel. La hausse de courant potentiel est donnée par la formule II-6. Cette phase dure
jusqu’au moment où le courant qui traverse le transistor atteint la valeur du courant potentiel
réévalué.
dt
di
. . . . I
dson g dg fs
R R C g pot · ∆

II-6

Phase 2 : le courant atteint la valeur du courant potentiel. Il ne peut donc plus traverser
la source de courant. Par conséquent, il est aiguillé à travers les deux condensateurs C
dg
et C
ds
.
Or à cet instant la tension aux bornes du composant est faible. Par conséquent, C
dg
est encore
à sa valeur maximale et nettement supérieure à C
ds
. Par exemple, pour l’IXFH40N30, C
dg
vaut
9,5 nF et C
ds
s’élève à 450 pF. Le surplus de courant est majoritairement aiguillé à travers C
dg
.
Le potentiel de grille se met à croître fortement, augmentant ainsi le courant potentiel,
retardant la disjonction.
Phase 3: la tension aux bornes est suffisante pour que la valeur de la capacité C
dg

diminue et passe à 250 pF, « coupant » ainsi le lien entre puissance et commande. La
rétroaction sur la grille n’agit plus et le composant peut se désaturer plus rapidement et être
bloqué par son driver.

D’après ce qui précède, le courant de disjonction est influencé lors de la disjonction
elle- même. Ceci n’est pas gênant si cette influence est quantifiable et répétitive. Nous allons
essayer de tracer des abaques du courant de disjonction en fonction du di/dt.


II.4.4. Abaques du courant de disjonction en fonction du
di/dt
Un paramètre important de cette étude est l’influence de la résistance interne de la
source de tension équivalente appliquée entre la grille et la source du transistor MOS. Cette
résistance interne dépend principalement de la résistance de grille.
L’étude s’est faite au moyen de trois éléments : une étude théorique avec Matlab, des
simulations sous Saber et des mesures expérimentales.




Chapitre II
69
II.4.4.1. Etude avec Matlab
L’étude se limite aux deux premières phases en supposant que, dès que la capacité C
dg

a changé de valeur, la disjonction est quasi- immédiate. Les équations différentielles résolues
des différentes phases sont entrées sous Matlab et permettent de tracer les abaques de la
Figure II-14.
Il apparaît des caractéristiques de la forme racine carrée. Les courbes ont toutes des
origines différentes correspondant à l’influence de la phase 1. D’ailleurs, il apparaît que cette
influence est faible par rapport à l’écart qu’il y a par la suite avec la phase 2.
D’autre part, pour un di/dt donné, plus la résistance de grille est importante, plus
l’impédance de la source est élevée, plus le courant de retour à travers la capacité transversale
a tendance à charger la grille, augmentant ainsi encore plus le courant potentiel et, par
conséquent, le courant de disjonction.


R
g
=
50Ω
R
g
=
5Ω

Figure II-14 : Variation du courant de disjonction en fonction du di/dt sous Matlab
paramétrée par incrément de 5 ? de la résistance de grille


II.4.4.2. Etude avec Saber
Deux modèles ont été développés. Dans un premier temps, le driver a été supposé idéal
afin de se trouver dans les mêmes conditions que l’étude théorique effectuée avec Matlab.
Une série de courbes est donnée à la Figure II-15. On constate que les courbes sont analogues
à ce qui a été vu précédemment, avec des valeurs proches.

Le thyristor-dual disjoncteur
70
Essai s Saber, Cds enl evée et Vcom=4. 54V
15
15, 5
16
16, 5
17
17, 5
18
18, 5
19
1,00E+04 2, 00E+04 3, 00E+04 4, 00E+04 5, 00E+04 6, 00E+04 7, 00E+04 8, 00E+04 9, 00E+04 1, 00E+05
di/dt (A/s)
C
o
u
r
a
n
t

d
e

d
i
s
j
o
n
c
t
i
o
n

(
A
)
Rt ot =20Ohms
Rt ot =52Ohms

Figure II-15 : Abaques obtenus avec Saber et driver idéal


Un deuxième modèle incluant le schéma complet du driver a été implanté et simulé. Il
permet de vérifier que les résultats expérimentaux corroborent la théorie sans effectuer une
mise en équation complète. La particularité de ces résultats est abordée ci-après.

II.4.4.3. Mesures expérimentales
Deux séries de relevés ont été effectuées pour deux valeurs de résistance de grille
différentes. Les courbes sont présentées à la Figure II-16. Il apparaît, dans un premier temps,
que l’allure en racine carrée, pour une résistance de grille donnée, se retrouve. Par contre,
l’influence de la résistance de grille est l’inverse de ce qui avait été prévu par les équations.
Pour un di/dt donné, plus la résistance de grille est élevée, plus le courant de disjonction est
faible. Le modèle complet sous Saber donne également cette tendance mais de manière moins
prononcée. Il apparaît que le changement de la résistance de grille a une influence sur la
polarisation du push-pull du driver. La résistance interne du driver étant modifiée, le rapport
du pont diviseur résistif change, entraînant une variation de la valeur de commande. Les
conditions varient donc par rapport à l’étude théorique où la tension de commande est
constante quelles que soient les conditions. Par conséquent, cela revient juste à un problème
d’offset.

Chapitre II
71
Variation du courant de disjonction
0
5
10
15
20
25
0,00E+00 1,00E+04 2,00E+04 3,00E+04 4,00E+04 5,00E+04 6,00E+04 7,00E+04 8,00E+04 9,00E+04 1,00E+05
di/dt (A/s)
C
o
u
r
a
n
t

d
e

d
i
s
j
o
n
c
t
i
o
n

(
A
)
Rg=47Ohms
Rg=22Ohms

Figure II-16 : Relevés expérimentaux effectués sur la cellule onduleur à disjonction


II.4.5. Conclusions sur la stabilité de la valeur du
courant de disjonction
Une première conclusion peut être tirée de cette étude. Vu la valeur élevée de la
transconductance des transistors MOS, la moindre variation sur le potentiel de grille a pour
conséquence une grande variation sur le courant potentiel donc sur le courant de disjonction.
Par conséquent, il est difficile de parfaitement maîtriser sa valeur avec une méthode de
détection de désaturation. De plus, cette influence va jusqu’à l’alimentation du driver, ce qui
augmente la difficulté de prédiction par des abaques.
Enfin, le plus gros problème lors de la disjonction vient de la présence de la capacité
transversale qui couple puissance et commande. Il serait intéressant de savoir si l’intégration
fonctionnelle peut ou non diminuer cet inconvénient.

Pour les applications envisagées, il apparaît que l’influence de la phase 1 est
négligeable devant celle de la phase 2. Nous pouvons essayer de justifier la forme des
caractéristiques, ainsi que donner une formule très approchée. Si nous supposons le transistor
MOS en régime de saturation directe, nous retrouvons le schéma de la Figure II-17, où nous
avons la source de courant potentiel et un condensateur équivalent C
éq
dans lequel va passer le
surplus de courant de charge. Ce condensateur correspond au condensateur équivalent à tous
les condensateurs du MOS durant cette phase.

Le thyristor-dual disjoncteur
72

I
pot
C
éq
I
ch
Vds

Figure II-17 : Schéma simplifié du transistor MOS en régime de saturation directe

La forme du courant est donnée par l’Equation II-7. Nous supposons l’origine des
temps à l’instant où le courant de charge atteint la valeur du courant potentiel. Tout le surplus
de courant passe dans le condensateur équivalent (cf. Equation II-8). La tension aux bornes du
composant est alors régie par l’Equation II-9, si nous supposons que la tens ion est nulle à
l’origine en négligeant la résistance à l’état passant.

pot ch
I t
dt
di
I + ⋅
,
`

.
|
· II-7

dt
dV
C t
dt
di
ds
éq
⋅ · ⋅
,
`

.
|
II-8

2
éq
ds
t
dt
di
C 2
1
V ⋅
,
`

.
|


·
II-9

Nous rappelons que la détection de l’instant de commutation se fait sur un seuil de
tension V
désat
. Ce seuil est atteint au bout d’un temps t
désat
donné par l’Equation II-10. Ce délai
consécutif à la charge d’un condensateur C
éq
par le surplus du courant de charge par rapport
au courant potentiel I
pot
, fait que le composant va se déclencher pour un courant de charge
supérieur au courant potentiel. L’Equation II-11 donne la différence de courant entre le
courant de disjonction et le courant potentiel.

,
`

.
|
⋅ ⋅
·
dt
di
V C 2
t
désat éq
désat

II-10

,
`

.
|
⋅ ⋅ ⋅ · ∆
dt
di
V C 2 I
désat éq
II-11

Dans cette équation, nous retrouvons la dépendance en racine carrée de la pente du
Chapitre II
73
courant. Mais ce calcul reste très approché car il ne tient pas compte de la variation du courant
potentiel durant la phase de désaturation, donc de la dynamique de la commutation. Par
contre, il a permis, dans un premier temps, d’aiguiller vers la piste d’un problème lié à la
présence d’un condensateur.

Vu la sensibilité du niveau de disjonction aux différents paramètres du montage, il vaut
mieux avoir, soit un montage où le di/dt lors des phases de disjonction varie peu au cours du
fonctionnement, cas de la cellule redresseur à disjonction, soit envisager une modification du
driver.


II.5. SYNTHESE D’UNE FONCTION DISJONCTEUR INTEGREE
Nous avons envisagé jusqu’à maintenant une synthèse de la fonction de commutation
automatique au moyen de fonctions et de composants discrets. Des travaux sont actuellement
menés au LAAS-CNRS afin d’intégrer ces nouvelles fonctionnalités dans une puce silicium.
Ils constituent le prolongement de l’intégration du thyristor-dual [BREIL].
L'objectif est d'obtenir une fonction interrupteur autoamorçable au passage par zéro de
la tension et autoblocable au delà d'une valeur de courant prédéfinie. La caractéristique idéale
courant-tension à obtenir est représentée à la Figure II-18 a. La Figure II-18 b présente le
principe de base qui consiste à utiliser un élément limiteur de courant, qui fixe la valeur du
courant de disjonction, en série avec un interrupteur qui assure le blocage dès que cette valeur
de courant est atteinte. Nous nous sommes basés sur le mode d'intégration fonctionnelle pour
obtenir ce type de fonction "micro-disjoncteur" monolithique à partir de dispositifs MOS et
bipolaires. Les caractéristiques statiques différeront de la fonction idéale par: la présence
d'une chute de tension à l'état passant, d'un plateau lié à la zone de limitation de courant, et
d'un éventuel courant de fuite à l'état bloqué. La caractéristique qui sera ainsi obtenue est
présentée à la Figure II-18 c [GUILLEMET].


I
V
I f
V f V 0
I l
∆ V lim
0
I max
I
m
a
x
S
w
i
t
c
h
V
I
I
V 0
I max
a) b) c)
Disjonction
Auto-amorçage
Seuil de blocage
(zone de désaturation)

Figure II-18 : Caractéristique statique de la fonction

Le thyristor-dual disjoncteur
74
La Figure II-19 représente le schéma électrique équivalent de la structure de base qui
permet d'obtenir un autoamorçage au passage par zéro de la tension et un autoblocage par
dépassement de courant. Cette fonction est basée sur un IGBT à canal préformé (IGBT1)
placé en série avec un transistor MOS canal P préformé (MP) à substrat flottant [LAUR]. Un
second IGBT à canal préformé (IGBT2) permet de charger la grille du transistor MP.
L'augmentation du courant dans la structure conduit à la saturation de l'IGBT ou du transistor
MOS MP, en fonction des valeurs respectives des tensions de seuil et des rapports
géométriques largeurs de grille sur longueur de canal. Cette saturation entraîne ensuite
l'augmentation de la tension anode-cathode et le blocage successif du MOS MP et de l'IGBT1.
Si la tension de seuil de l'IGBT2 est supérieure en valeur absolue à la tension de seuil du
MOS MP, la dernière phase concerne le blocage de l'IGBT2.
Les paramètres clés pour la conception de cette fonction intégrée sont les tensions de
seuil ainsi que les longueurs et largeurs de canal.

MP
Anode
Cathode
D
S
G
IGBT 1
IGBT 2
DZ
N+
P
DZ
P+
A
P+
N+ N+
P P
K
P+
N+ N+
P P
P+ P+
IGBT 1 IGBT 2 MP
N-

Figure II-19 : Schéma électrique équivalent et coupe de principe de la fonction micro-
disjoncteur

Des structures tests ont été réalisées à la centrale de technologie du LAAS à partir
d'une filière technologique flexible adaptée au mode d'intégration fonctionnelle. Le dispositif
intégré est basé sur l'association de cellules MOS et IGBT à canaux préformés placées en
parallèle comme dans les dispositifs VDMOS ou IGBT (cf. Figure II-20).
La Figure II-21 présente les caractéristiques électriques obtenues sur des structures
tests, comprenant un nombre limité de cellules. Elles permettent de valider la fonctionnalité
recherchée. Les performances, en terme de courant passant pourront être améliorées, soit en
augmentant le nombre de cellules, soit en associant cette fonction "micro-disjoncteur" avec
une structure thyristor [LAUR]. Les caractéristiques principales sont une tension nominale
maximale de 600 Volts et un courant de disjonction de 10 mA.

Chapitre II
75

Figure II-20 : Photographie des cellules de base de la fonction intégrée

0 10
0
1 10
-3
2 10
-3
3 10
-3
4 10
-3
5 10
-3
6 10
-3
7 10
-3
8 10
-3
0 2 4 6 8 10
C
o
u
r
a
n
t

a
n
o
d
e
-
c
a
t
h
o
d
e

:

I
A
K

(
A
)
Tension anode-cathode : V
AK (V)

Figure II-21 : Caractéristique expérimentale

Nous avons ensuite testé ces composants au sein d’un convertisseur statique afin de
voir leur bon fonctionnement dans des conditions réelles. La difficulté principale est la
faiblesse de la valeur du courant de disjonction qui se situe aux alentours de 10mA. Nous
avons utilisé une charge constituée d’une inductance et d’une résistance, alimentée par un
onduleur de tension doté d’un seul bras équipé de micro-disjoncteurs, la charge étant refermée
sur le point milieu de la source. Cette dernière est de faible valeur et les micro-disjoncteurs
sont associés avec des diodes en anti-parallèle de type 1N4148.
Les courbes obtenues sont présentées à la Figure II-23. Nous observons un
fonctionnement en fourchette de courant du montage avec un courant de charge qui atteint
10mA de valeur maximale dans les deux sens. Vu la faible valeur du courant, les essais ont
été réalisés sous une tension réduite. Il apparaît donc des variations sur la tension aux bornes
de la charge, lors du changement de signe du courant. En effet, nous passons d’une
conduction de diode à une conduction de transistor. Les signes des chutes de tension sont
différents, ce qui se répercute sur la tension de la charge. L’utilisation de diodes Schottky, à
Le thyristor-dual disjoncteur
76
faible chute de tension, permettrait de minimiser cette imperfection. Ce phénomène est
également presque transparent quand la tension d’alimentation dépasse la centaine de volts.


E/2
E/2
1N4148
1N4148

Figure II-22 : Schéma de la cellule de test des micro-disjoncteurs


Tension charge
Courant charge (10mA/div)

Figure II-23 : Formes d’ondes expérimentales obtenues avec le micro-disjoncteur

Nous avons également constaté qu’au delà d’un certain di/dt dans la diode, le micro-
disjoncteur ne s’amorce pas au passage par zéro du courant et provoque l’arrêt du bras. Deux
causes peuvent être imaginées : soit le temps d’application de tension nulle est insuffisant,
soit la chute de tension dynamique est trop forte à l’amorçage.
Cependant, ces essais ont permis de valider le concept d’intégration de la commutation
automatique. Par contre, l’utilisation de composant à canal préformé limite le calibre en
courant qui est envisageable. Des structures à cœur de thyristors ont permis d’atteindre un
Ampère de courant de disjonction mais le transistor MOS à canal préformé placé en série
comme limiteur de courant ne permet pas d’aller au-delà dans le développement. En effet, la
densité de courant est limitée à 4A/cm². Actuellement, il est envisagé de passer dans une
technologie issue de la filière IGBT afin de passer ce cap de courant [IMBERNON].
Chapitre II
77
II.6. EVOLUTION DES PERTES DUES AU FONCTIONNEMENT SOUS
POTENTIEL DE GRILLE REDUIT
La méthode que nous utilisons afin de régler le courant de disjonction des interrupteurs
implique la conduction du composant sous un potentiel de grille réduit. Nous travaillons alors
avec une résistance à l’état passant plus élevée que sa valeur nominale pour une tension de
grille de 15 Volts, vu que nous utilisons des transistors MOS ici. Afin de quantifier cette
hausse, nous avons souhaité relever les caractéristiques d’un des transistors que nous
utilisons, sachant que les valeurs que nous trouverons varient d’un composant à l’autre et que
le constructeur nous donne des valeurs typiques.
Dans un premier temps, nous mesurons le courant potentiel du transistor MOS pour
différentes valeurs de la tension de grille, en injectant une énergie calibrée, inférieure à
l’énergie d’avalanche admissible. Pour cela, nous préchargeons un condensateur de 1,2mF
sous une tension de 40 volts. Le schéma du montage de mesure du courant potentiel est donné
à la Figure II-24. Les différents essais sont espacés de cinq minutes afin de permettre à la
puce de refroidir. Nous considérons alors que toutes les mesures sont effectuées à température
ambiante.


40V
47?
1,2mF
Réglage du
potentiel
de grille

Figure II-24 : Schéma du montage de mesure du courant potentiel

Un exemple de relevé expérimental est présenté à la Figure II-25. Lors de la décharge
du condensateur, la valeur du courant est limitée par la valeur du courant potentiel, d’où sa
mesure.
L’évolution de la valeur du courant potentiel du transistor MOS en fonction de la
tension grille-source est donnée à la Figure II-26. La linéarisation de la courbe permet
d’extraire la transconductance et la tension seuil du transistor. Nous obtenons ici une valeur
de transconductance de 15,2 siemens et une tension de seuil de 4,05 volts. Cette dernière est
conforme à la grandeur fournie par le constructeur, tandis que la transconductance est un peu
faible. En effet, il apparaît sur la courbe que la linéarisation a atténué la pente.


Le thyristor-dual disjoncteur
78

Vds
Vgs
Courant de
drain

Figure II-25 : Exemple de relevé expérimental pour la mesure du courant potentiel

y = 15,219x - 61,674
R
2
= 0,9773
-5
0
5
10
15
20
0 1 2 3 4 5 6
Tension grille-source (V)
C
o
u
r
a
n
t

p
o
t
e
n
t
i
e
l

(
A
)

Figure II-26 : Evolution du courant potentiel en fonction du potentiel de grille

Après avoir déterminé la valeur du courant potentiel, nous pouvons alimenter notre
transistor par l’intermédiaire d’une source de courant pour différentes valeurs de potentiel de
grille. Il faut faire attention que le courant imposé reste inférieur au courant potentiel, d’où
l’intérêt de la mesure précédente.
La Figure II-27 présente le réseau de caractéristiques obtenues lors de la variation de la
tension grille-source. Nous pouvons alors extraire de ces courbes la valeur de la résistance à
Chapitre II
79
l’état passant du transistor, sachant qu’un transistor MOS se comporte comme une résistance
variable.

0
2
4
6
8
10
12
14
0 0,2 0,4 0,6 0,8 1 1,2 1,4 1,6
Vds (V)
C
o
u
r
a
n
t

(
A
)
Vgs=5,2V
Vgs=5,1V
Vgs=5,0V
Vgs=4,8V
Vgs=4,6V
Vgs=4,4V
Vgs=4,2V
Vgs=4,0V

Figure II-27 : Caractéristiques statiques mesurées du transistor IXFH40N30

0
0,05
0,1
0,15
0,2
0,25
0,3
0 2 4 6 8 10 12 14
Courant (A)
R
é
s
i
s
t
a
n
c
e

(
o
h
m
s
)
Vgs=5,2V
Vgs=5,1V
Vgs=5,0V
Vgs=4,8V
Vgs=4,6V
Vgs=4,4V
Vgs=4,2V
Vgs=4,0V

Figure II-28 : Evolution de la résistance du transistor en fonction du courant de drain
Le thyristor-dual disjoncteur
80
La Figure II-28 présente la valeur de la résistance en fonction du courant et du
potentiel de grille. La valeur donnée par le constructeur est de 85m? , si la tension grille-
source dépasse 10 volts. Ici, nous retrouvons bien qu’à courant donné, plus le potentiel de
grille est élevé, plus la résistance est faible. Par ailleurs, à tension de grille donnée, plus le
courant augmente, plus nous nous rapprochons du courant potentiel, où la résistance est
infinie (source de courant), d’où l’apparition d’un coude avec hausse rapide de la valeur de la
résistance. Vu les réglages effectués, nous atteignons une résistance de 100m? dans nos
applications, soit une majoration de 18% de la résistance, donc des pertes par conduction.

Deux paramètres peuvent se révéler intéressants. Imaginons la caractéristique statique
de la Figure II-29. Elle correspond à celle d’un transistor MOS qui serait idéal pour opérer
comme un disjoncteur. En effet, quelle que soit la valeur du potentiel de grille, la résistance à
l’état passant normalisé, définie comme la résistance avant saturation divisée par la résistance
sous potentiel de grille nominal, reste proche de 1. Cela signifie que la résistance augmente
peu quand nous sommes sous tension de grille réduite. Un deuxième paramètre intéressant est
la valeur de courant admissible si nous n’acceptons qu’une hausse limitée à 20% de la
résistance à l’état passant. Celle valeur est à diviser par le courant potentiel. Pour notre MOS
idéal, nous trouvons un. Cela veut dire que nous n’avons pas de coude lors du passage du
régime linéaire au régime de saturation directe.


i
d
V
ds
V
gs

Figure II-29 : Caractéristique du MOS idéal pour synthétiser un thyristor-dual disjoncteur

Si nous nous intéressons à notre transistor réel, nous obtenons les courbes de la Figure
II-30. La résistance normalisée diminue avec l’augmentation du potentiel de grille, ce qui
correspond aux caractéristiques fournies par le constructeur. De même, nous observons que le
potentiel en courant n’atteint jamais un, à cause de la présence des coudes sur les
caractéristiques.

Chapitre II
81
0
0,5
1
1,5
2
2,5
3
3,5
4
3,8 4,3 4,8 5,3
Vgs (V)
R
é
s
i
s
t
a
n
c
e

n
o
r
m
a
l
i
s
é
e
0
10
20
30
40
50
60
70
P
o
u
r
c
e
n
t
a
g
e

d
u

c
o
u
r
a
n
t

p
o
t
e
n
t
i
e
l
rdson (Ohms)
potentiel en courant (A)

Figure II-30 : Courbes de la résistance normalisée et du potentiel en courant

Pour conclure, le transistor MOS n’a pas la caractéristique idéale pour synthétiser un
disjoncteur. Son utilisation sous un potentiel de grille réduit et proche de sa tension de seuil
implique une augmentation de 20% environ des pertes par conduction, ce qui pénalise le
rendement global du montage. Mais la mesure par détection de la hausse de tension aux
bornes du composant suite à la saturation directe du composant permet de s’affranchir d’un
capteur de courant, qui de toute façon introduit une légère résistance série. Par exemple, pour
un shunt 10A, la résistance est de l’ordre de 10mΩ qui, ajoutée à la résistance de 85mΩ du
transistor donne une résistance globale de 95mΩ, valeur proche de 100mΩ. Il faut donc
relativiser l’impact ici.


II.7. MISE EN PARALLELE DE DISJONCTEURS
Une méthode usuelle pour augmenter le calibre en courant d’un interrupteur est de
paralléliser des briques élémentaires de calibre plus faible. Cela se fait relativement aisément
pour des composants de type MOSFET ou IGBT. Nous allons ici envisager de paralléliser nos
thyristors-duaux disjoncteurs, en partant du principe que chaque disjoncteur est autonome et
indépendant des autres, c’est-à-dire qu’il n’y a aucune « communication » entre les
différentes cartes de commande rapprochée. Nous allons commencer par mettre deux
disjoncteurs en parallèle, puis nous généraliserons en passant à trois éléments.

Le thyristor-dual disjoncteur
82
II.7.1. Mise en parallèle de deux thyristors-duaux
disjoncteurs
II.7.1.1. Schéma de la maquette d’essais
Nous allons placer deux thyristors-duaux disjoncteurs en parallèle. Les notations qui
seront dorénavant utilisées sont résumées à la Figure II-31.


Ich
Vds
Vgs1 Vgs2
Id1 Id2

Figure II-31 : Schéma de la mise en parallèle de deux disjoncteurs

Cette mise en parallèle a été doublée afin de monter une cellule onduleur complète que
nous avons fait fonctionner sur l’inductance magnétisante d’un transformateur.
Nous nous intéressons ici à des disjoncteurs dont la commande est individuelle. Le cas
d’une carte de commande unique pour tous les composants ne reflète pas la réalité d’une mise
en parallèle de disjoncteurs autonomes.


II.7.1.2. Pré-étude théorique
Les interrupteurs utilisés sont du type transistor MOS. Plusieurs paramètres
interviennent, dont l’influence peut être étudiée de manière indépendante en simulation avec
SABER :
- transconductance g
fs
,
- R
dson
,
- V
gsth
,
- C
dg
,
- C
gs
,
- V
détection
,
- courant potentiel I
pot
.
Nous allons étudier l’influence de ces différents paramètres, toutes choses étant égales
par ailleurs.

Chapitre II
83
Transconductance
Si la transconductance n’est pas la même, la différence entre les deux interrupteurs est
la valeur du courant potentiel. Les deux interrupteurs ont la même résistance à l’état passant
donc le courant s’équi-répartit entre les deux interrupteurs. Puis le premier MOS se sature et
toute la hausse de courant passe dans le deuxième. Les deux caractéristiques statiques sont
représentées à la Figure II-32. Par ailleurs, les effets Miller sont quasiment identiques (seule
la transconductance diffère), donc a priori, les deux interrupteurs vont commuter ensemble
avec le même di/dt.

Id
Vds
Interrupteur 2
Interrupteur 1
Vdét

Figure II-32 : Courbes statiques pour deux interrupteurs ayant deux transconductances
différentes

Rdson
Le courant de charge se répartit entre les deux disjoncteurs selon le rapport des
résistances. Les composants sont soumis à la même tension étant en parallèle. La répartition
des courants se voit donc sur les caractéristiques statiques en fonction des différences de pente
(cf. Figure II-33). Mais, bien que l’un se sature avant l’autre, les deux interrupteurs se
bloquent en même temps et pour la même valeur avec le même effet Miller. En effet, ils ont
chacun la même tension de seuil. Par ailleurs, comme ils sont soumis à la même tension, celui
qui se sature en premier ne voit pas sa tension remonter tant que l’autre ne s’est pas saturé à
son tour. Nous obtenons les courbes de la Figure II-34, où il apparaît bien la différence de
courant jusqu’à ce que les deux transistors soient saturés. A ce moment, la hausse de courant
est identique car elle vient de l’effet Miller, qui est similaire pour les deux interrupteurs.

Id
Vds
R1
R2
Vdét

Figure II-33 : Courbes statiques pour deux interrupteurs ayant deux R
dson
différents

Le thyristor-dual disjoncteur
84

Figure II-34 : Formes d’ondes de la mise en parallèle de deux disjoncteurs ayant des R
dson

différents, les autres paramètres étant identiques

Vgsth
C’est le même cas que pour une différence de transconductance car cela correspond à
une différence de courant potentiel. Ici, c’est le terme de la différence qui entre en compte et
non le terme multiplicatif dans la formule donnant le courant potentiel (cf. Equation II-12).

) V V .( g I
gsth gs pot
− · II-12

Cdg
Nous avons les mêmes caractéristiques statiques pour les deux interrupteurs donc le
même courant, ainsi que le même instant de commutation. Nous rappelons que la phase 1 de
la disjonction, correspondant à la hausse du courant potentiel consécutive au dV/dt appliqué
au composant à cause du courant qui traverse la résistance du canal, est négligeable pour les
fréquences envisagées. Par conséquent, quand la saturation directe intervient, l’interrupteur
avec la plus grosse capacité transversale, qui est traversée par le plus de courant, voit son
courant monter plus que l’autre, car sa grille se charge plus vite que l’autre.
Par contre, la tension aux bornes du condensateur le plus élevé décroît plus vite car les
drains sont au même potentiel. Par conséquent, cette capacité va voir commuter sa valeur
avant l’autre, provoquant ainsi une inversion d’évolution au niveau des courants, ce qui
apparaît bien lors des simulations dont les courbes sont données à la Figure II-35.

Chapitre II
85

Figure II-35 : Formes d’ondes de la mise en parallèle de deux disjoncteurs ayant des
capacités transversales de valeurs différentes

Cgs
Les disjonctions se déroulent de la même manière que précédemment. Le courant de
retour étant le même et de faible valeur, l’influence est faible car la dispersion sur la capacité
d’entrée est insuffisante et il y a la source de tension équivalente de la commande en parallèle.

V
détection

Toutes les phases préliminaires sont identiques (mêmes paramètres). Quand le premier
seuil de détection est atteint, l’interrupteur s’ouvre avec un di/dt seulement lié à sa résistance
de grille. Tout le courant passe dans le deuxième interrupteur avec un di/dt énorme. En effet,
au di/dt du courant de charge, se rajoute celui du blocage de l’autre interrupteur. Ce dernier
peut atteindre une valeur très élevée à cause de la faible impédance de la maille reliant les
deux disjoncteurs. Cela entraîne une forte contre-réaction par la capacité transversale. Même
s’il atteint son seuil de déclenchement, le deuxième disjoncteur ne peut pas se déclencher à
cause de cette forte contre-réaction. Il s’ensuit qu’il voit un courant total correspondant à la
somme des deux courants de disjonction. C’est ce qui apparaît sur la Figure II-36.
Tous ces phénomènes sont également liés à la présence d’une résistance de grille, ce
qui fait que nous n’avons pas ici une commande en tension de la grille du transistor MOS.
Le thyristor-dual disjoncteur
86

Figure II-36 : Formes d’ondes de la mise en parallèle de deux disjoncteurs ayant des seuils
de détection de tension différents

Réglage du courant potentiel
Quand le premier composant se sature, le di/dt dans le deuxième disjoncteur est
doublé, ce qui intervient dans le calcul de la phase 1, phénomène négligeable ici. Lors de la
saturation du deuxième disjoncteur, les deux effets Miller sont identiques (sauf peut-être
l’impédance de la commande car la polarisation est légèrement différente).
Mais il faut noter que la différence des courants potentiels reste faible si les courants
de disjonction, dans les mêmes conditions, sont identiques. Cela permet de négliger cette
influence.


II.7.1.3. Résultats expérimentaux
Les disjoncteurs ont été préalablement réglés au même courant de disjonction dans les
mêmes conditions de di/dt. Par contre, cela ne veut pas dire qu’ils ont le même courant
potentiel, voire d’autres paramètres, à cause de la dispersion des composants. La seule chose
que nous pouvons dire, c’est que dans les conditions de réglage, ils ont la même valeur de
déclenchement. La Figure II-37 présente les formes d’ondes expérimentales des courants dans
deux thyristors-duaux placés en parallèle. Nous pouvons observer une forte dispersion sur la
répartition du courant liée à la différence de R
dson
. Cette différence est amplifiée par le fait que
nous travaillons avec un potentiel de grille légèrement supérieur à la tension de seuil. La
valeur de la résistance du canal est alors très sensible, vu que nous sommes entre les deux
états du transistor.
Chapitre II
87

Figure II-37 : Courants dans les deux disjoncteurs placés en parallèle

Il apparaît également une différence sur les courants de disjonction, avec un
interrupteur qui bloque un courant dont la valeur est presque le double de celle du courant
bloqué par l’autre disjoncteur. Il semble qu’un disjoncteur se bloque et transmet tout son
courant au deuxième interrupteur qui atteint alors son seuil de disjonction, mais ne peut se
bloquer instantanément sans conduire tout le courant de charge. Nous avons souhaité pousser
plus loin les essais en observant la tension de grille du deuxième transistor qui se bloque, afin
de vérifier ce dernier point. Les courbes sont données à la Figure II-38. Les courants
représentés sont inversés.

Remontée
du potentiel
de grille
L’interrupteur voit tout le
courant du premier sans
pouvoir se bloquer
Courant -Id1 Courant -Id2
Tension Vgs2

Figure II-38 : Courbes expérimentales d’une disjonction
Le thyristor-dual disjoncteur
88
Outre les oscillations, il apparaît que le phénomène prépondérant est la différence des
seuils de détection de tension de commutation. En effet, le premier interrupteur se bloque sur
une maille très faiblement inductive car il est en parallèle avec l’autre disjoncteur. Le di/dt,
très important, se reporte sur le deuxième interrupteur qui ne peut se bloquer malgré la tension
présente à ses bornes qui atteint 20 Volts, bien au-delà de son seuil de déclenchement. Cela
vient de l’influence de la capacité transversale. Ceci est confirmé par la remontée du potentiel
de grille du disjoncteur concerné.


II.7.1.4. Conclusion
Il apparaît dans cette étude que le deuxième disjoncteur qui tente de se bloquer est
obligé de faire conduire un courant dont la valeur atteint la somme totale des courants
initialement conduits par les deux interrupteurs. Cela est dû à l’influence de la capacité
transversale, influence que nous avons déjà abordée dans la variation du courant de
disjonction en fonction du di/dt. Ce phénomène est exacerbé ici car le di/dt imposé au
deuxième disjoncteur est celui correspondant au blocage du premier sur une maille faiblement
inductive. Il y a donc impossibilité pour le deuxième disjoncteur de se bloquer rapidement et à
son courant nominal, malgré la tentative de sa commande.
Il est intéressant de se pencher sur le cas de trois disjoncteurs en parallèle, étude
exposée par la suite qui va se limiter à des simulations sous SABER.


II.7.2. Mise en parallèle de trois thyristors-duaux
disjoncteurs
Nous utilisons le schéma de simulation de la Figure II-39. Nous sommes dans un
schéma de type hacheur avec diode de roue libre sur l’inductance. Cela impose une remontée
de la tension V
ds
jusqu’à la tension de la source continue, soit 100 Volts, avant que la diode
puisse s’amorcer. Pour simuler des disjonctions décalées des trois interrupteurs, nous avons
étagé les tensions de seuil de détection. Les seuils de détection sont respectivement pour les
interrupteurs 1, 2 et 3 de 8,4V, 8,8V et 10V. Par conséquent, l’interrupteur 1 est le premier à
déclencher.

Un essai réalisé avec une résistance de grille de 25Ω est présenté à la Figure II-40. Les
instants de déclenchement des disjoncteurs correspondent au moment où leur courant a
tendance à décroître.

Chapitre II
89

Ich
Vds
Vgs1
Id1
Vgs2
Id2
Vgs3
Id3
100V
1mH

Figure II-39 : Schéma de simulation pour la mise en parallèle de trois disjoncteurs


Vds
Vgs1
Vgs2
Vgs3
Id1
Id2
Id3
Vgsth

Figure II-40 : Mise en parallèle de trois thyristors-duaux disjoncteurs avec résistance de
grille de 25?

Plusieurs phénomènes sont visibles. Tout d’abord, nous vérifions bien que les
disjonctions sont étagées. De plus, tant que l’interrupteur 3 n’a pas déclenché, la tension V
ds

ne peut pas remonter rapidement. Par ailleurs, la diode étant bloquée, nous avons toujours la
somme des trois courants circulant dans les disjoncteurs égale au courant de charge. Lorsque
la commande du troisième interrupteur essaye de le bloquer, la tension remonte rapidement
avec un dV/dt de l’ordre de 500V/µs. Cette forte variation de tension implique un courant
important dans la capacité transversale de chaque composant. Ici, les valeurs des composants
étant identiques, les trois courants Miller sont égaux. Par contre, les tensions de grille sont
différentes (cf. Equation II-13) ce qui, avec des résistances de grilles identiques, implique un
courant absorbé par chaque commande différent. Par conséquent, les courants circulant dans
les résistances de grille suivent l’Equation II-14. Nous constatons que le potentiel de grille du
deuxième interrupteur ne varie pas, ce qui implique que I
Rg2
est du même ordre de grandeur
Le thyristor-dual disjoncteur
90
que le courant Miller. De son côté, la grille du premier interrupteur se charge tandis que celle
du troisième se décharge. Nous arrivons même à réamorcer le premier interrupteur qui s’était
bloqué. Ce phénomène va dans le sens de l’équilibrage des courants durant cette phase.

V
gs1
< V
gs2
< V
gs3
II-13

I
Rg1
< I
Rg2
< I
Rg3
II-14

Par contre, avant d’essayer de disjoncter, le troisième interrupteur conduit un courant
total qui se rapproche du courant de charge.
Finalement, quand la diode de roue libre s’amorce, les trois interrupteurs se bloquent,
l’effet Miller s’annulant, la tension aux bornes des interrupteurs ne variant plus. En toute
rigueur, il existe toujours un léger courant dans la capacité transversale, car le potentiel de
grille varie, mais il est très faible car la dynamique de la variation de ce potentiel de grille est
bien plus faible que celle de la phase précédente.

Afin de minimiser l’effet du courant Miller en se rapprochant le plus d’une commande
de grille en tension, nous avons diminué la résistance de grille à 5Ω et obtenu les courbes de
la Figure II-41.


Vds
Vgs1
Vgs2
Vgs3
Id1
Id2
Id3
Vgsth

Figure II-41 : Mise en parallèle de trois thyristors-duaux disjoncteurs avec résistance de
grille de 5?

La commutation est dorénavant plus rapide augmentant le dV/dt jusqu’à 1300V/µs. Le
courant Miller est plus important, tout comme la capacité en courant de la commande. Nous
avons ici le premier disjoncteur qui ne se réamorce plus, tandis que le deuxième se réamorce
seulement sur la fin. Le troisième disjoncteur conduit quasiment tout le courant de charge
Chapitre II
91
durant toute la phase de blocage. Nous n’avons plus l’effet d’équilibrage qui permettait de
répartir le courant de charge et de limiter le courant bloqué par le dernier disjoncteur.
Un phénomène intéressant apparaît. Bien que le premier thyristor-dual disjoncteur soit
bloqué avec un potentiel de grille inférieur au seuil, il y a toujours un courant qui circule. Ce
courant vient des capacités du transistor MOS. En effet, le dV/dt appliqué au composant
entraîne toujours un courant dans la capacité transversale mais également dans la capacité de
sortie. Des mesures ont permis de le vérifier. Même ayant perdu l’effet d’équilibrage, une
partie du courant de charge passe quand même dans les interrupteurs bloqués.


II.7.3. Conclusion
Cette étude a permis de mettre en exergue l’élément parasite qui pénalise la mise en
parallèle de disjoncteurs électroniques. La capacité transversale empêche le blocage du
dernier composant à déclencher, le forçant à conduire tout le courant de charge. Dans le cadre
de la commutation automatique, nous ne pouvons pas nous le permettre, car, si ce phénomène
est ponctuel dans le cadre d’une simple protection d’un convertisseur, nous utilisons ici la
disjonction comme mécanisme de commutation. Malheureusement, le composant « en
retard » est toujours le même, conduisant à sa destruction inévitable.
Par contre, dans le cadre de l’étude de la mise en parallèle de trois disjoncteurs, nous
avons mis en évidence que la capacité transversale peut avoir un effet bénéfique. En effet, par
le réamorçage ponctuel des interrupteurs qui se sont déjà bloqués, cela permet de diminuer le
courant conduit par le dernier disjoncteur et de créer ainsi un semblant d’équilibrage de
courant.
En pratique, la solution consiste à forcer le blocage des disjoncteurs «en retard » par
celui qui est le plus rapide. Cela implique la réunion des commandes, ce qui s’oppose à la
démarche initiale de modularité.


II.8. CONCLUSION
Le thyristor-dual disjoncteur présente de nombreuses qualités et permet une synthèse
simple de l’instant de blocage sans capteur, par simple remontée de la tension à ses bornes.
Cela permet d’envisager une intégration à court terme du composant. Actuellement, des
travaux menés au LAAS en collaboration avec le LEEI ont déjà permis de synthétiser des
micro-disjoncteurs d’un calibre allant jusqu’à un ampère. Des études sont en cours afin
d’améliorer cette valeur.
Ce composant a permis de synthétiser deux cellules élémentaires, qui montrent toutes
Le thyristor-dual disjoncteur
92
les potentialités de la commutation automatique de blocage, qu’elle soit maître ou esclave : la
cellule onduleur à disjonction et la cellule redresseur à disjonction.
Nous avons ensuite étudié le processus de disjonction, étude qui a permis de revenir
sur l’influence de la capacité transversale d’un transistor MOS dans son processus de
commutation. En effet, le couplage entre la commande et la puissance influence la valeur du
courant de disjonction, influence dépendant des paramètres extérieurs. Une étude théorique,
accompagnée d’une étude en simulation et de relevés expérimentaux a permis de quantifier le
phénomène.
Nous présentons alors une étude sur l’influence de notre méthode de réglage du
courant de disjonction sur les pertes et la bonne utilisation du transistor MOS. Il apparaît une
majoration des pertes par conduction, mais elle reste faible si nous tenons compte du fait que
nous n’avons pas de capteur de courant en série qui peut introduire une chute de tension série.
Enfin, nous nous intéressons à un problème classique de mise en parallèle de
composants. Ici, ce sont des disjoncteurs électroniques. Ce problème est épineux car, en
général, le dernier disjoncteur voit tout le courant de charge et ne résiste qu’à quelques
disjonctions avant d’être détruit. Il est pourtant intéressant, car la mise en parallèle permet
d’augmenter le calibre en courant des interrupteurs. Notre étude a permis de mettre en avant
le rôle que joue encore la capacité transversale dans la répartition des courants et qu’elle peut
même permettre un équilibrage des courants dans tous les composants, ce qui n’est pas
forcément négatif.

Après avoir caractérisé le thyristor-dual, nous allons dorénavant nous intéresser aux
convertisseurs qui l’utilisent.




III. CHAPITRE III

APPLICATIONS DU THYRISTOR-DUAL
DISJONCTEUR
Dans le chapitre précédent, nous avons décrit les propriétés du thyristor-dual
disjoncteur, ainsi que le fonctionnement des deux cellules élémentaires l’utilisant : l’onduleur
et le redresseur à disjonction. Nous allons dorénavant associer ces cellules élémentaires afin
de générer des convertisseurs statiques auto-protégés introduisant de nouvelles
fonctionnalités.
Dans un premier temps, nous allons associer deux cellules élémentaires, introduisant,
en particulier, le pont redresseur monophasé à disjonction. Puis est apparu un montage qui se
comporte comme un transformateur continu, présenté sous deux variantes.
Nous avons enfin développé une version triphasée du redresseur à disjonction en
collaboration avec la société CIRTEM. Ce montage a permis une étude en profondeur de ses
différentes propriétés en vue de son industrialisation.
L’objectif de ce chapitre est double. Nous souhaitons explorer les nouvelles
possibilités offertes par la commutation automatique, ainsi que caractériser les différents
montages étudiés.


III.1. ASSOCIATION DE DEUX CELLULES REDRESSEUR A
DISJONCTION
Lors de l’association de deux cellules redresseur, il existe deux combinaisons
possibles : les cellules sont connectées soit en série, soit en anti-série.



Applications du thyristor-dual disjoncteur
94
III.1.1. Association série : pont monophasé à
disjonction
L’association série de deux cellules redresseurs à disjonction, représentée à la Figure
III-1 a, permet d’obtenir la même fonction que la cellule simple mais le transformateur à point
milieu n’est plus nécessaire. Par contre, lors de chaque commutation, deux cellules doivent
changer d’état, créant ainsi deux mailles de court-circuit en parallèle. La source de tension
doit donc fournir deux fois plus de courant lors de la commutation que dans le montage à une
seule cellule. La Figure III-1 b présente le montage expérimental.


v
i
v<0 v>0
i
Réseau alternatif
a) b)
I
ch
I
ch
T1
T2
T’1
T’2

Figure III-1 : Schémas théorique et expérimental du pont monophasé à disjonction

Plaçons nous dans un cas concret. Supposons que la tension réseau v vient de changer
de signe et est devenue négative. Les interrupteurs initialement passants sont T
1
et T’
2
. Les
deux autres interrupteurs vont s’amorcer et créer des mailles de court-circuit afin de
provoquer les blocages de T
1
et de T’
2
. La Figure III-2 présente la répartition des courants
dans les quatre interrupteurs juste avant les disjonctions de T
1
et de T’
2
. Ces valeurs ne
présupposent pas le signe du courant de charge. Elles sont donc valables pour les deux modes
de fonctionnement du montage. La différence est que le courant dans la diode créant la maille
de courtcircuit est inférieur au courant de disjonction dans le mode onduleur (I
ch
>0) et
supérieur dans le mode redresseur (I
ch
<0).
Des relevés expérimentaux réalisés côté réseau sont donnés à la Figure III-3. Les deux
modes de fonctionnement sont représentés. Nous avons bien le fonctionnement d’un
redresseur à diodes avec un courant en phase avec la tension, à l’empiètement près, le courant
étant positif (mode onduleur) ou négatif (mode redresseur). Le courant de disjonction est
toujours le même mais la crête du courant, correspondant à la disjonction, vue du côté réseau,
a sa valeur qui dépend du courant de charge. En effet, selon que ce dernier circule initialement
par la diode ou le transistor, la valeur du courant de court-circuit nécessaire pour atteindre la
Chapitre III
95
disjonction, n’est pas la même.


v
i
I
ch
T1
T’1
T2
T’2
I
disj
I
disj
I
disj
-I
ch
I
disj
-I
ch

Figure III-2 : Répartition des courants dans les interrupteurs au moment de la commutation
lorsque la tension v devient négative


2.I
disj
-I
c h
Disjonction
V
i
-(2.I
disj
-I
ch
)
a) b)

Figure III-3 : Formes d’ondes côté réseau du pont monophasé à disjonction (5A/div)
a) Mode onduleur de courant (I
ch
>0)
b) Mode redresseur (I
ch
<0)

Un problème potentiel est la maîtrise du di/dt lors de la phase de court-circuit. Ici, il est
limité par l’impédance de la maille de court-circuit mais également par la tension du réseau
qui est faible, la commutation intervenant lors de son changement de signe.
Par ailleurs, la surtension qui apparaît aux bornes du disjoncteur lors de son blocage
est limitée par la présence du clamp. Cette surtension est liée à la présence de l’inductance de
ligne. Sur notre maquette, nous avons utilisé une diode transil associée à un aiguilleur de
courant pour chaque cellule afin d’assurer une immunité à tous les défauts envisageables,
notamment une ouverture de la charge sur un défaut de commande d’un interrupteur. Pour son
dimensionnement, il faut connaître l’énergie qu’elle doit dissiper. En effet, cette dernière n’est
Applications du thyristor-dual disjoncteur
96
pas seulement liée à l’énergie stockée dans l’inductance de ligne du réseau, mais également à
la tension du réseau. L’équation III-1 donne l’énergie que doit dissiper notre diode transil, en
appelant λ l’inductance de ligne et V
clamp
la tension de clampage. Nous voyons que dans notre
cas, cela est favorable, car la tension du réseau est alors faible et les pertes sont donc
minimales. Ayant deux disjonctions par cellule, par période réseau, la puissance dissipée par
une diode transil est donnée par l’Equation III-2.

clamp
rés
2
disj
V
V
- 1
.I
W
λ
·
III-1
clamp
rés
2
disj
rés
V
V
- 1
.I
f 2 P
λ
⋅ ⋅ ·
III-2


III.1.2. Association anti-série : liaison continue à
circuit oscillant
Si les cellules sont montées en anti-série (Figure III-4 a)), nous créons une liaison entre
deux sources à courant continu avec isolation galvanique moyenne fréquence. La source de
tension alternative devient un auxiliaire du transfert de puissance, assurant les commutations
des bras de la cellule. Par conséquent, un simple circuit oscillant est suffisant. Le schéma
complet est donné à la Figure III-4 a). Ce montage est auto-stable car l’énergie engagée par le
circuit oscillant pour assurer les disjonctions est « récupérée » lors de l’oscillation suivante.


v
i
v<0 v>0
a) b)
E
C L
V
C


Figure III-4 : Schémas théorique et expérimental de la liaison continue à circuit oscillant

Chapitre III
97
Il faut alors dimensionner le circuit LC. Il doit générer, lors des commutations, deux
mailles de court-circuit, soit environ deux fois le courant de disjonction, si nous négligeons
l’effet du courant de charge. Nous avons un circuit oscillant du deuxième ordre. Nous
pouvons relier le courant maximal dans l’inductance L et la tension crête aux bornes du
condensateur par l’Equation III-2. Nous avons une structure de redresseur à diodes entre le
circuit oscillant et la source E. Nous pouvons alors lier E et V
Cmax
par l’Equation III-4.
L
C
V i
Cmax Lmax
⋅ ·
III-3

π
Cmax
2.V
E · III-4

Enfin, en négligeant les inductances de fuite du transformateur, la commutation se
produit au moment de l’annulation de la tension du condensateur, soit lorsque le courant est
maximal dans l’inductance. Il faut donc que ce courant soit supérieur à quatre fois le courant
de disjonction (présence de quatre enroulements secondaires). Nous obtenons alors l’Equation
III-5 comme condition sur les valeurs de l’inductance et de la capacité.
E
I 8

L
C
disj


>
π

III-5

Si nous tenons compte du courant de charge, il faut remplacer, dans le calcul
précédent, la valeur du courant de disjonction par sa valeur moins la moitié du courant de
charge (raisonnement similaire à celui du montage précédent).
La Figure III-5 présente un relevé expérimental de validation du principe du montage.


Tension
aux bornes
d’un disjoncteur
(20V/div)
Tension LC
(40V/div)
Courant
Entrée/Sortie
(2A/div)

Figure III-5 : Formes d’ondes de validation de la liaison continue à circuit oscillant
Applications du thyristor-dual disjoncteur
98
Nous obtenons donc une liaison entre deux sources à courant continu tout en assurant
une isolation galvanique moyenne fréquence, montage piloté par un simple circuit oscillant
LC. Par contre, il faut gérer les énergies dans les inductances de fuite du montage. Il faut donc
adjoindre des clamps à chaque cellule, tout comme pour le montage redresseur. La fréquence
de fonctionnement est alors limitée par la capacité de dissipation du clamp. En effet, la
fréquence est fixée par le circuit oscillant ici et non plus le réseau. Cela nous donne donc un
deuxième critère de dimensionnement de l’inductance L et de la capacité C.


III.1.3. Remplacement des diodes par des thyristors
Cela sort du cadre de notre étude du thyristor-dual disjoncteur mais il est intéressant
d’observer ce qu’il se passe lorsque l’amorçage spontané au passage par zéro des interrupteurs
est remplacé par une commutation commandée en substituant des thyristors aux diodes dans
les montages précédents. Nous obtenons les montages de la Figure III-6. Dorénavant, les
interrupteurs doivent pouvoir supporter une tension inverse d’où l’adjonction d’une diode en
série avec les transistors. [ROUX 1]


v
i
b)
I
ch
on on
on on
v
i
a)
I
ch
on on
on on

Figure III-6 : Remplacement de l’amorçage spontané par un amorçage commandé
a) Pont monophasé à thyristors réversible en courant
b) Pont monophasé à thyristors à cos(f ) unitaire

Tout comme nous avons synthétisé un pont redresseur monophasé à diodes réversible
en courant, le montage de la Figure III-6 a est un pont redresseur à thyristors réversible en
courant. Par rapport au montage précédent, il combine possibilité de commande et
réversibilité en tension du pont à thyristors classique, avec réversibilité en courant sans avoir
besoin d’associer deux ponts à thyristors. Par conséquent, nous obtenons un redresseur 4
quadrants.
Chapitre III
99
Par contre, la commutation n’intervient plus forcément au passage par zéro de la
tension, ce qui induit une énergie plus importante à dissiper dans notre diode transil de
clampage. De plus, la dynamique de courant peut être beaucoup plus élevée si l’angle de
commande des thyristors tend vers 90°.
Des formes d’ondes en phase de réversibilité de courant sont présentées à la Figure III-
7. Les surtensions aux bornes de la charge en sortie correspondent au clampage de l’énergie
contenue dans les inductances de ligne lors des phases de disjonction. Ici, cela correspond
principalement à l'inductance de ligne du réseau. Les formes d’ondes sont similaires à celles
d’un pont à thyristors classique, si ce n’est que le courant est en avance par rapport à la
tension, grâce à la conduction du courant par les transistors.


Figure III-7 : Formes d’ondes du pont à thyristors en phase de réversibilité de courant

Le dernier montage (Figure III-6 b)) est également un redresseur monophasé
commandable et réversible en courant mais il permet aussi d’avoir un cos(ϕ) unitaire. Nous
avons donc un redresseur monophasé 4 quadrants synchrone du réseau. Pour obtenir ce
résultat, les angles de commande des deux cellules sont supplémentaires (la somme des angles
vaut 180°). Un exemple de relevé est donné à la Figure III-8.
Il apparaît bien les deux sens de transfert de puissance au niveau du réseau par
inversion de la phase. Mais le courant reste toujours en phase ou en opposition de phase avec
la tension. Nous avons donc bien combiné les avantages de la commande des thyristors avec
celui du pont de diodes qui permet d’avoir un courant en phase avec la tension. De plus, nous
avons ajouté la réversibilité en courant.

Applications du thyristor-dual disjoncteur
100

Tension réseau
Tension charge
Courant réseau

Figure III-8 : Redresseur à thyristors à cos(f ) unitaire avec modulation de l’angle de
commande de 72° à 108°


III.2. LE TRANSFORMATEUR CONTINU
Le montage de la Figure III-4 fait apparaître la notion de liaison isolée entre deux
sources continues par l’intermédiaire d’un convertisseur totalement autonome. Nous pouvons
imaginer un dispositif fortement intégré avec quatre bornes, similaire au transformateur
classique fonctionnant en alternatif, et l’appeler transformateur continu.
Le gros inconvénient de la version vue précédemment est la présence du circuit
oscillant, nécessaire afin d’assurer les commutations. Afin de s’en affranchir, nous allons
étudier un montage associant une cellule redresseur et une cellule onduleur. Son étude permet
de mettre en évidence des propriétés générales, nous donnant la possibilité de passer à un
montage plus évolué se rapprochant de l’image que nous pouvons nous faire d’un
transformateur continu.

III.2.1. Transformateur continu tension-courant
Ce montage est obtenu par l’association de deux cellules élémentaires différentes : une
cellule onduleur et une cellule redresseur. La cellule onduleur fonctionne grâce à l’inductance
magnétisante du transformateur et crée une source de tension alternative permettant la
Chapitre III
101
commutation de la cellule redresseur. Cela permet de s’affranchir du circuit oscillant
auxiliaire. Ce montage nous a également permis de travailler sur la compatibilité des
commutations automatiques dans l’interaction de deux cellules à disjonction. Le montage est
représenté à la Figure III-9 sans le système d’équilibrage du point milieu capacitif, présenté au
chapitre II.

I1
I3
I4
Interrupteur 1
Interrupteur 2
Interrupteur 3
Interrupteur 4
Cellule onduleur
Courant de disjonction I
disj1
(30 A)
Cellule redresseur
Courant de disjonction Idisj2 (10 A)
Ich
I’1


Figure III-9 : Transformateur continu tension-courant (le système d’équilibrage à diodes du
point milieu capacitif n’est pas représenté)


III.2.1.1. Compatibilité des commutations automatiques
Le problème crucial de cette structure est l’influence de la disjonction d’une cellule sur
l’autre. Lors du fonctionnement normal, le courant de charge s’ajoute au courant magnétisant
dans le bras onduleur. Lorsque celui-ci disjoncte, la tension aux bornes du primaire du
transformateur change de signe et entraîne la disjonction de la cellule redresseur. Il faut donc
s’assurer que la commutation du redresseur à disjonction ne remet pas en cause la stabilité de
celle de l’onduleur.
En effet, c’est la source de tension alternative qui fournit le courant de disjonction. Ce
courant va donc se retrouver à traverser la cellule onduleur. Pour calculer le courant primaire
qui apparaît lors de la disjonction du redresseur en fonction du courant de charge, nous nous
basons sur la Figure III-9. Les conventions de notation y sont précisées : I
1
, courant primaire,
I
µ
, courant magnétisant et I
disj2
, valeur du courant de disjonction de la cellule redresseur. Nous
supposons ici que le transfert de puissance se fait du redresseur vers l’onduleur (I
ch
>0), donc
le courant de charge est conduit par les transistors. Enfin, tous les enroulements du
transformateur ont le même nombre de spires.
Supposons que le transistor MOS3 conduit initialement. A l’inversion de la tension, la
diode de l’interrupteur 4 va se mettre à conduire et faire disjoncter MOS3. Nous obtenons le
système d’équations III-6. Le courant ramené au primaire I’
1
est donné à l’Equation III-7.

Applications du thyristor-dual disjoncteur
102
¹
¹
¹
'
¹
− ·
− ·
ch disj2 4
disj2 3
I I I
I I
III-6

ch disj2 1
I - I 2 I' ⋅ · III-7

Le cas le plus défavorable est obtenu quand la disjonction de l’onduleur survient avec
un très faible courant magnétisant. Par ailleurs, la cellule onduleur vient de voir disjoncter son
interrupteur supérieur. Si I
disj1
représente le courant de disjonction de la cellule onduleur, le
courant qui circule dans le circuit primaire est I
disj1
. Pour ne pas provoquer la disjonction de
l’interrupteur inférieur de l’onduleur (interrupteur 2), il ne faut pas que le courant redresseur
ramené au primaire amène le courant primaire à -I
disj1
. Par conséquent, l’amplitude maximale
que nous pouvons tolérer est de deux fois le courant de disjonction de l’onduleur, ce qui est
exprimé par l’Equation III-8.
Donc, en combinant les équations est obtenue la relation III-9 fixant le lien entre les
courants de disjonction des deux cellules afin d’assurer un fonctionnement stable du système.

1 disj1
I' I 2 > ⋅ III-8

2
I
I I
ch
disj2 disj1
− > III-9

Cette relation montre que si le transfert de puissance se fait de la cellule onduleur vers
la cellule redresseur (I
ch
<0), il faut faire attention à limiter le courant de charge sinon
l’onduleur peut commuter sur la disjonction du redresseur. A ce moment, la cellule se bloque
et le système s’arrête. Afin d’éviter ce phénomène, il faut surdimensionner le courant de
disjonction de la cellule onduleur.
Inversement, si le courant de charge est positif, correspondant à un transfert de
puissance de la cellule redresseur vers la cellule onduleur, aucun surdimensionnement sur la
valeur du courant de disjonction de la cellule onduleur n’est nécessaire, lié à la présence du
courant de charge. En effet, ce dernier circulant à travers les transistors de la cellule
redresseur, est favorable à leur disjonction, tout en limitant la valeur du courant de court-
circuit nécessaire au blocage automatique.
Un exemple de courbe au primaire du transformateur est donné à la Figure III-10. Il
apparaît les pics de disjonction dus au redresseur. Sur ce relevé, le courant de crête est
supérieur au courant de disjonction de l’onduleur mais il n’est pas affecté car le di/dt de la
maille de court-circuit de la cellule redresseur est bien plus élevé que celui qui déclenche la
disjonction de la cellule onduleur. En effet, la cellule onduleur commute grâce à l’évolution
du courant magnétisant, tandis que la maille de court-circuit de la cellule redresseur se
Chapitre III
103
referme seulement sur les inductances de fuites des secondaires du transformateur, d’où une
dynamique bien plus grande pour le courant secondaire. Or nous savons que le seuil de
déclenchement de nos disjoncteurs augmente avec le di/dt (cf. II.4.2).

Disjonction onduleur
Dynamique lente (L
µ
)
Bonne maîtrise du courant
de disjonction I
disj1
Disjonction redresseur
Dynamique rapide (L
f
)
Mauvaise maîtrise du courant
de disjonction I
disj2


Figure III-10 : Courant primaire du transformateur à courant de charge nul (5A/div)


III.2.1.2. Fonctionnement et propriétés principales du
montage
La Figure III-11 présente des relevés expérimentaux effectués pour les deux signes de
courant de charge. Le relevé de gauche a été effectué avec un courant de charge négatif. Le
courant primaire apparaît bien comme la somme du courant de charge et du courant
magnétisant.
La Figure III-11 b donne un exemple de relevé en réversibilité du montage : le courant
primaire change de signe lors de la commutation, à cause du changement d’état de la cellule
redresseur. Il apparaît également que le pic de courant est plus faible, ce que nous avons vu
précédemment. Le courant de charge qui circule à travers les transistors est favorable,
diminuant le courant de la maille de court-circuit.
La disjonction se faisant à courant constant, lorsque le système fonctionne à vide, le
transformateur est fortement saturé ce qui implique des pertes élevées. Mais la présence de la
charge diminue le courant magnétisant donc les pertes dans le transformateur.
D’autre part, les fuites du transformateur sont bénéfiques, limitant le di/dt dans le
redresseur. Ainsi, sur la maquette, nous avons ajouté des inductances en série avec les
bobinages secondaires pour obtenir ce résultat. Pour augmenter la plage d’utilisation du
courant de charge, il faut que le système ait un fort courant magnétisant, donc une inductance
Applications du thyristor-dual disjoncteur
104
magnétisante faible. Ces deux éléments impliquent un transformateur relativement particulier,
incluant un mauvais couplage et un faible nombre de spires. Nous n’avons pas pu réaliser
d’essais afin de vérifier cela, mais c’est une piste à ne pas écarter.


a)
b)
Figure III-11 : Relevé pour les deux transferts de puissance (base de temps de 0.2ms, 1-
40V/div, 2-5A/div, 3-25V/div)
a) Transfert de la cellule onduleur vers la cellule redresseur (I
ch
<0)
b) Transfert de la cellule redresseur vers la cellule onduleur (I
ch
>0)

En contrepartie, cela implique une augmentation de l’énergie que le clamp doit
dissiper côté redresseur, proportionnelle à l’inductance de fuite. Un compromis est donc
nécessaire, d’autant plus que dorénavant la commutation ne se fait plus sous tension
quasiment nulle. Il faut donc en tenir compte lors du dimensionnement de la diode transil.
Un autre point important est la fréquence de fonctionnement. Ici, sachant que le
montage fonctionne comme une commande en fourchette de courant, la fréquence va
dépendre du courant de charge. Un exemple est donné à la Figure III-12. Il apparaît bien la
variation de fréquence lorsque le courant de charge varie. La valeur de la fréquence de
fonctionnement du montage est régie par l’équation III-10. Le Tableau III-1 présente des
résultats de mesure de fréquence pour différentes valeurs du courant de charge. Nous
vérifions bien que la croissance du courant de charge diminue la fréquence.

( )
ch disj1 µ
I I . 8.L
E
T
1
f
+
· ·
III-10



Chapitre III
105
Valeur du courant de charge (en A) Fréquence de fonctionnement (en Hz)
-3 1000
0 800
2,5 500
Tableau III-1 : Fréquence de fonctionnement en fonction du courant de charge

En se servant de la relation précédente, la plage de variation du courant de charge peut
être fixée afin de limiter cette fréquence. En effet, si cette dernière augmente trop, les pertes
dans les interrupteurs ainsi que dans le transformateur vont croître, pouvant entraîner leur
détérioration, ce qui limite grandement la plage d’utilisation du montage.


I
disj
I
mag
0
I
1
I
2
0
- I
di sj
I
disj
- I
di sj
I
mag
0
- I
disj
+ I
CH
I
di sj
- I
CH
I
1
I
2
I
di sj
0
I
CH
- I
disj
2I
CH
Courants dans les interrupteurs à vide Courants dans les interrupteurs en charge
Disjonction interrupteur 1
Disjonction interrupteur 1
Disjonction interrupteur 2
Disjonction interrupteur 2
t t
t
t

Figure III-12 : Formes d’ondes du courant magnétisant et des courants dans les interrupteurs
de la cellule onduleur à vide et en charge


III.2.2. Transformateur à courant continu
La variation de la fréquence est un inconvénient majeur du montage précédent. Afin de
limiter la dépendance de la fréquence de fonctionnement du montage vis-à-vis du courant de
charge, nous avons envisagé une modification de la cellule onduleur.
Ce travail a été la base du stage de DEA de Bernard PONTALIER, qui avait pour but
de développer un prototype de transformateur à courant continu. Le cahier des charges
reposait sur des niveaux de tension primaires et secondaires de 12V et 42V, correspondant au
changement du niveau de tension du bus dans l’industrie automobile, pour une puissance de
Applications du thyristor-dual disjoncteur
106
500W [PONTALIER].


III.2.2.1. Schéma du montage
La solution retenue consiste à utiliser la saturation du noyau pour forcer l'interrupteur
passant à se bloquer. Pour cela on utilise la brusque augmentation du courant magnétisant au
moment de la saturation du transformateur pour provoquer une disjonction dont l'instant est
relativement indépendant de la valeur du courant de charge ; ceci implique un matériau
magnétique à cycle quasi-carré. La valeur du courant de disjonction doit être choisie
légèrement supérieure la somme du courant de charge maximal et du courant magnétisant de
saturation. Cela entraîne à vide des pointes de courant assez importantes aux instants de
disjonction. Les chronogrammes de la Figure III-13 permettent de visualiser ce
fonctionnement, avec une fréquence de fonctionnement qui ne varie pas ou peu en fonction de
la valeur du courant de charge.


I µsat
I mag
0
T 0
I 1
0
saturation magnétique
- I µsat
I
µsat
- I
µsat
I disj
- I disj
I 2
disjonction
I 1
0
I CH
I 2
I CH + I µsat
I CH - I µsat
I µsat
I mag
0
saturation magnétique
- I µsat
I disj
saturation magnétique
Courants dans les interrupteurs à vide Courants dans les interrupteurs en charge
t
t
t
t

Figure III-13 : Formes d’ondes du courant magnétisant et des courants dans les interrupteurs
de la cellule onduleur à vide et en charge

L'onduleur est organisé autour d'une structure symétrique de type « Push-Pull »
composée de deux thyristors-duaux disjoncteurs alimentant un transformateur à double
primaire. Cette structure est souvent délicate à mettre en œuvre car si le rapport cyclique n'est
pas rigoureusement égal à 1/2 on observe une dérive de la valeur moyenne du courant
Chapitre III
107
magnétisant qui pourrait conduire rapidement à une saturation permanente du noyau
magnétique. La résistance des enroulements tend toutefois à s’opposer à cette dérive.
L'utilisation d'interrupteurs disjoncteurs permet de s'affranchir de ce problème car,
dans ce cas, la valeur moyenne du courant magnétisant n'est due qu'à la dissymétrie des seuils
de disjonction et ne peut en aucune manière dériver.
La topologie « Drain commun » a été retenue pour les transistors MOS afin de
permettre un montage aisé des transistors sur le même radiateur ; par ailleurs les commandes
de ces deux interrupteurs étant réalisées par deux bobinages auxiliaires du transformateur qui
réalisent une isolation galvanique, elles ne nécessitent pas d’avoir un point commun. Le
schéma du montage placé au primaire est représenté à la Figure III-14.


E

Figure III-14 : Schéma de principe modifié de la cellule onduleur

Ces enroulements auxiliaires permettent de détecter la saturation du noyau magnétique
et de déclencher alors l’ouverture automatique. Le problème, ici, est que le noyau qui est à
notre disposition ne possède pas un cycle carré. La saturation n’est pas marquée de manière
très franche. La disjonction se déroule alors seulement lorsque le noyau se sature fortement.
Afin de minimiser les pertes dans le matériau magnétique, nous avons opté pour une solution
de déclenchement mixte avec une partie disjonction et une partie détection de saturation. Ce
procédé donne des résultats corrects.
Afin de ne pas pénaliser le rendement du montage, nous utilisons un circuit de
récupération de l’énergie contenue dans les inductances de fuite du transformateur au moment
des disjonctions, au lieu d’un simple clampage dissipatif. Il faut donc prévoir l’ajout d’un
hacheur de récupération dont la commande est synchronisée avec la commande du push-pull.
La Figure III-15 présente le schéma complet de la cellule onduleur avec le circuit de clampage
représenté en deux couleurs. Le hacheur de récupération est dessiné en rouge. Nous avons une
Applications du thyristor-dual disjoncteur
108
structure de hacheur dévolteur entre le condensateur de clampage et la source de tension
d’entrée. Le montage fonctionnant à un rapport cyclique d’un demi, la tension aux bornes du
condensateur est de 2E en régime permanent.


I
1
I
2
E
1
L
aux
D
1
D
2
D
3
Commande
Hacheur
C
+ -

Figure III-15 : Schéma complet de la cellule onduleur


III.2.2.2. Résultats expérimentaux
Après montage complet de la maquette, des essais sont réalisés pour un transfert de
puissance allant de la cellule push-pull vers la cellule redresseur à disjonction, dont les
transistors ont été inhibés dans un premier temps. Cela permet de tester le montage sans avoir
le problème de compatibilité des commutations automatiques, problème que nous avons déjà
abordé. Les relevés sont effectués côté primaire, pour différentes valeurs de courant de
charge, afin de vérifier la stabilité en fréquence du montage. La valeur du courant de
disjonction a été préalablement réglée à vide à 35A. Les formes d’ondes du courant dans un
enroulement primaire, ainsi que la tension aux bornes du condensateur de clampage sont
représentées à la Figure III-16.

Nous observons que plus le courant de charge est grand, moins le transformateur se
sature. Les valeurs du courant atteint lors du blocage diminuent également, phénomène lié à la
baisse du di/dt imposé aux composants. Cela se reporte sur la tension de clampage qui varie
Chapitre III
109
moins, car l’énergie stockée dans les inductances de fuite est plus faible. La stabilité en
fréquence étant un point important que nous voulions obtenir avec ce montage, nous l’avons
étudiée de plus près pour différentes valeurs de puissance transitée. Le résultat est donné à la
Figure III-17. La fréquence est constante sur une grande partie du domaine de variation de la
puissance. Par contre, pour les fortes puissances, le transformateur ne se sature plus,
entraînant une dépendance entre le courant de charge et la fréquence de fonctionnement. Il
faudrait augmenter encore plus le courant de disjonction, mais cela pénalise les pertes dans le
transformateur quand le courant de charge est faible. Il y a donc un compromis à trouver,
sachant que l’excursion en fréquence que nous obtenons ici est nettement plus faible que celle
que nous avions dans le montage précédent.


I
ch
=0 I
ch
=29A I
ch
=43A
Courant dans
un enroulement
primaire
Tension aux
bornes du
condensateur de
clampage

Figure III-16 : Formes d’ondes obtenues côté primaire pour différentes puissances (échelles :
40V/div et 20A/div)

8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
0 50 100 150 200 250 300 350 400 450 500
Puissance de la charge (W)
F
r
é
q
u
e
n
c
e

(
k
H
z
)

Figure III-17 : Variation de la fréquence de fonctionnement avec la puissance de sortie
Applications du thyristor-dual disjoncteur
110
III.2.2.3. Bilan
Ce montage permet une bonne stabilité de la fréquence. Par contre, à vide, il y a des
pertes dues à la forte saturation du transformateur. Les pertes à vide sont de l’ordre de 10% de
la puissance nominale. Il semble possible d’améliorer le montage avec l’utilisation d’un
circuit magnétique à cycle carré, ce qui permettrait de s’affranchir de la nécessité d’utiliser un
comportement disjoncteur des interrupteurs de la cellule push-pull, et de se limiter à la seule
détection de saturation grâce aux enroulements auxiliaires.


III.3. LE REDRESSEUR TRIPHASE REVERSIBLE EN COURANT
Ce montage est l’extension en triphasé du montage redresseur à disjonction qui a été
précédemment étudié en monophasé [ROUX 5]. Son étude a été menée en collaboration avec
la société CIRTEM dans le cadre du développement d’un prototype industriel. La description
de la commande rapprochée des composants ne sera pas abordée ici, pour cause de
confidentialité [BREVET 1] [BREVET 2].


III.3.1. Cahier des charges
Le montage doit réaliser le comportement d’un redresseur synchrone triphasé
réversible en courant directement connectable au réseau triphasé 400V. Ce dernier est
impédant et la valeur de l’inductance de ligne est supposée comprise entre 20µH et 300µH.
Le montage envisagé a une puissance de 25kW, ce qui correspond à un courant de 46,5A sur
le bus continu. Nous choisissons un réglage du courant de disjonction à 50A. Nous utiliserons
donc un module 1200V-75A de chez EUPEC. La valeur du courant de disjonction implique
une énergie de 375mJ à gérer à chaque disjonction, pour une inductance de 300µH. Sachant
que nous travaillons sur le réseau 50 Hz et qu’il y a 6 disjonctions par période, cela fait 225W
de puissance à dissiper ou à récupérer afin de ne pas détériorer le rendement global du
système. On peut déjà noter que cette valeur est trop importante pour envisager l’usage d’une
diode transil comme simple clamp.
Le montage est basé sur l’association de 6 thyristors-duaux disjoncteurs indépendants,
auto-alimentés et sans adjonction de capteur.
Par ailleurs, aucune protection en surtension du côté continu n’est à prévoir. Ce sera à
l’utilisateur de gérer ce problème.

Chapitre III
111
III.3.2. Schéma du circuit de puissance et principe de
fonctionnement
III.3.2.1. Principe de fonctionnement
Ce montage se base sur une structure de pont de diodes triphasé avec des IGBT en
anti-parallèle de chaque diode. Le schéma est similaire à un celui d’un onduleur de tension,
bien que le fonctionnement diffère totalement. Nous fonctionnons ici en onde 120°. La Figure
III-18 présente le schéma du montage avec représentation de la maille de court-circuit qui
apparaît entre les deux premières phases lorsque la tension de la phase 2 (point de contact B)
devient supérieure à la tension de la première phase (point de contact A). Pendant ce temps, la
cellule du bas conduit par l’intermédiaire de l’interrupteur connecté à la troisième phase, soit
T3’ ou D3’ selon le signe du courant de charge.


Réseau 400V-50Hz
D1
λ
D2 D3
D1’ D2’ D3’
T1 T2 T3
T1’ T2’ T3’
A
B
C
0° 120° 240°
180° 300° 60°
Maille de
court-circuit

Figure III-18 : Schéma du montage triphasé avec représentation de la maille de court-circuit

La chronologie des différentes mailles de court-circuit ainsi que les interrupteurs alors
mis en jeu est présentée à la Figure III-19. Les changements d’état se produisent aux
changements de signe des tensions composées, soit aux instants d’amorçage naturel des
diodes.

Applications du thyristor-dual disjoncteur
112

A B C
Court-circuit
D2-T1
Court-circuit
D3-T2
Court-circuit
D1-T3
Court-circuit
D1’ -T3’
Court-circuit
D2’ -T1’
Court-circuit
D3’ -T2’

Figure III-19 : Enchaînement des phases de court-circuit du montage triphasé


III.3.2.2. Différentes structures envisagées
Plusieurs possibilités sont envisageables afin de gérer les 225W de puissance résultants
de l’énergie stockée dans les inductances de ligne lors de chaque commutation.

III.3.2.2.1. Schéma initial
Une solution pour gérer cette puissance est d’utiliser un clamp dissipatif comme nous
l’avons fait sur la cellule monophasée. Une première possibilité est d’utiliser un clamp par
cellule mais cela implique l’usage d’une tension de clampage supérieure à la tension
maximale redressée. L’interrupteur opposé à celui qui s’amorce voit forcément une tension à
tendance négative et s’amorce. Cela entraîne une disjonction supplémentaire perturbante pour
le montage ainsi que des pertes accrues. Il faut donc passer à un clampage individuel pour
chaque interrupteur. Le schéma est représenté à la Figure III-20


Réseau 400V-50Hz

Figure III-20 : Montage avec 6 clamps individuels
Chapitre III
113
La Figure III-21 présente des formes d’ondes obtenues en simulation. Les formes
d’ondes expérimentales sont présentées plus loin. La charge est une résistance de 25? . Nous
retrouvons une tension de bus à six fois la fréquence du réseau, tout comme la tension typique
aux bornes d’une diode dans un pont de diodes triphasé. Le courant a bien une durée de
conduction de 120°. Il apparaît des pics de courant correspondant aux disjonctions de
l’interrupteur ainsi qu’aux mailles de court-circuit permettant de bloquer l’interrupteur qui
conduisait avant lui. Ces disjonctions créent des pics de tension dont la valeur est limitée par
les différents clamps individuels.


I
disj
-I
disj
-I
ch

Figure III-21 : Formes d’ondes des tension de bus et aux bornes d’un IGBT ainsi que son
courant avec une résistance de 25? comme charge

Le clampage se fait par un simple circuit RCD. Il a plusieurs propriétés :
- l’énergie à dissiper à chaque disjonction est λ.I
disj
2
, car deux inductances de
lignes λ voient le courant de disjonction et un seul clamp est actif à la fois, d’où une puissance
totale de 6λ.I
disj
2
.f,
- sert également de snubber pour le fonctionnement en diodes,
- compatible avec une pompe de charges dans le cadre d’une auto-alimentation
des drivers des disjoncteurs,
- le clampage va être suivi d’une diminution de la tension aux bornes du
disjoncteur, qui peut atteindre zéro car la disjonction se fait au passage par zéro de la tension
composée. Ce phénomène peut être amplifié par des oscillations entre le condensateur de
clampage et les inductances de ligne. La logique du driver va donc remettre en conduction le
composant et créer une nouvelle maille de court-circuit. Pour éviter ce phénomène, il faut
prévoir une inhibition de quelques dizaines de µs évitant tout réamorçage immédiatement
Applications du thyristor-dual disjoncteur
114
après une disjonction, tout comme sur le pont monophasé.

Par contre, ce type de clampage est dissipatif et nécessite l’usage de 6 clamps.

III.3.2.2.2. Solution intermédiaire
Le problème de la structure précédente est l’utilisation de 6 clamps. Le but est
d’essayer d’avoir un seul clamp pour tout le montage.


Réseau 400V-50Hz

Figure III-22 : Structure avec clamp unique RCD sur le bus continu

Nous gardons la structure RCD précédente mais nous l’appliquons directement à la
sortie du montage sur le bus continu. La Figure III-22 présente le schéma du montage. Ce
dernier ne peut marcher que si nous pouvons assurer le fonctionnement 120° du convertisseur,
problème abordé plus tard dans la partie III.3.2.3. portant sur la nécessité d’une inhibition. La
présence de la résistance est nécessaire à cause de la réversibilité en courant de la structure.
En effet, cette réversibilité entraîne des oscillations entre le condensateur et l’impédance de
ligne lors d’une disjonction. Il faut donc introduire un amortissement suffisant lors de la phase
de clampage. Théoriquement, pour ne pas avoir d’oscillations, il faut que la valeur de la
résistance vérifie la relation III-11, où λ désigne la valeur de l’inductance de ligne.
C
8
R
λ
>
III-11

Il faut noter que la séquence de clampage se fait en 3 temps :
- conduction de la diode opposée,
- blocage de la diode qui a créé le courant de disjonction,
- inversion du courant dans le condensateur et blocage de la diode opposée.
Chapitre III
115
Ces séquences seront vues plus en détail dans la partie qui traite du dimensionnement
du condensateur de clampage. Les différentes séquences sont identiques.

III.3.2.2.3. Première structure retenue
Les pertes précédentes sont importantes et pénalisent l’attractivité du montage. Pour
éviter ce problème, il faut passer à un clampage non dissipatif. Nous sommes donc passés au
montage de la Figure III-23 où le clamp se limite à un condensateur en sortie. Tout comme le
montage de la Figure III-22, cette structure a l’avantage d’utiliser un clamp unique pour les 6
interrupteurs.
La philosophie de ce montage se base sur trois points :
- la diode opposée au disjoncteur est utilisée comme diode de clampage,
- le condensateur de sortie stocke transitoirement l’énergie qui se trouvait
initialement dans les inductances de ligne au moment de la disjonction,
- cette énergie peut être renvoyée sur le réseau grâce à la réversibilité en courant
du montage ; si nous une charge, l’énergie va plutôt être écoulée à travers celle-ci.
Normalement, ce montage devrait être oscillatoire mais il y a l’amortissement naturel
du réseau, phénomène qui va jouer le rôle de la résistance du RCD précédent.


Réseau 400V-50Hz
1
1’
2 3
2’ 3’
C
Vbus
V
1
V
3
λ
V
2
U
21
Figure III-23 : Structure avec condensateur de clampage sur le bus continu

Par contre, sans modification supplémentaire, ce montage, tout comme le montage
précédent, est instable, problème développé dans la partie qui suit. Nous nommerons cette
version du montage, version à inhibitions longues



Applications du thyristor-dual disjoncteur
116
III.3.2.3. Nécessité de l’inhibition
Une inhibition avait été initialement introduite permettant d’éviter une remise en
conduction de l’interrupteur immédiatement après son blocage si la tension à ses bornes
repassait fugitivement sous le seuil, problème qui peut se révéler critique car nous avons une
commutation au passage par zéro de la tension.
Ici, l’introduction d’un clampage unique implique, lors de la disjonction d’un
interrupteur, la continuité du courant par la diode du deuxième disjoncteur du même bras. Une
séquence de clampage est représentée à la Figure III-24 b. Elle suit immédiatement la phase
court-circuit entre la didoe D2 et le transistor T1 provoquant le blocage de ce dernier.La diode
D1’ conduisant, son transistor associé risque de se mettre en conduction. Comme nous avons
encore V
A
>V
C
, il va y avoir apparition d’une maille de court-circuit non désirée, dessinée à la
Figure III-24 c. La disjonction de T1’ va entraîner la conduction de D1 pour clamper l’énergie
contenue dans l’inductance de ligne et, par conséquent, ce qui remet en conduction T1. Cela
crée une nouvelle de maille de court-circuit car V
A
<V
B
.


A B C
Court -circuit
D2 -T1
VA>VC
VA<VB
D1 D2 D3
D1’ D2’ D3’
T1 T2 T3
T1’ T2’ T3’
A
B
C
Séquence de clampage
Courant de charge
D1 D2 D3
D1’ D2’ D3’
T1 T2 T3
T1’
T2’
T3’
A
B
C
Maille de court -circuit non désirée
Courant de charge
a)
b) c)

Figure III-24 : Génération de séquences non désirées en l’absence d’inhibition

La Figure III-25 présente la séquence de conduction normale des différents
interrupteurs. Il apparaît que l’instabilité présente se poursuit pendant 60°, jusqu’à ce qu’un
interrupteur de ce bras se retrouve dans sa zone de conduction normale. Le nombre de
disjonctions qui vont se dérouler durant cet intervalle dépend de la valeur du courant de
Chapitre III
117
disjonction ainsi que de la valeur de l’inductance de ligne. Un autre problème sous-jacent est
la forte augmentation de l’énergie totale à gérer par le clamp, valeur pour laquelle il n’a pas
été dimensionné.


1 3 2 1
1’ 2’ 2’ 3’
Disjonction de l’interrupteur 1
Clampage par la diode 1’
Zone d’oscillations
Figure III-25 : Séquences des interrupteurs

Le problème vient de la mise en conduction du transistor en anti-parallèle de la diode
intervenant durant la phase de clampage, 60° trop tôt. Il faut donc prévoir une inhibition
permettant d’empêcher la remise en conduction du transistor concerné pendant ces 60°,
bloquant ainsi ces oscillations. Deux stratégies sont envisageables :
- inhibition de 60° : il faut cependant savoir quand déclencher l’inhibition, c’est-à-
dire, le moment où l’interrupteur opposé disjoncte. Cela nécessite un lien physique entre les
deux interrupteurs du même bras.
- inhibition de 240° : chaque interrupteur ne conduit que pendant 120° et ne peut
pas conduire durant les 240° où conduisent les deux autres interrupteurs de la cellule. Une
inhibition de 240° permet de se passer du dialogue entre les deux interrupteurs d’un même
bras. Il faut noter que cette inhibition peut varier de 190° à 230 ° maximum car il faut tenir
compte du retard de l’instant de disjonction par rapport à l’instant de commutation naturelle,
retard dû à l’empiètement. Cette liberté de réglage permet de prévoir un réglage unique de la
durée d’inhibition pour des réseaux 50 ou 60Hz. Si nous prenons 10,55ms comme durée
d’inhibition, cela correspond à 190° à 50Hz et 228° à 60Hz.

Dans notre optique d’utiliser six disjoncteurs indépendants, nous utiliserons donc
la deuxième méthode pour notre montage, soit une inhibition de 240°.


III.3.2.4. Dimensionnement du condensateur de sortie
Le seul élément à dimensionner, en dehors des composants à silicium, est le
condensateur de sortie. Afin d’y parvenir, une étude de la phase de disjonction permet de
préciser les différents mécanismes successifs qui se déroulent lors d’une commutation. Cette
Applications du thyristor-dual disjoncteur
118
étude est réalisée en négligeant l’amortissement introduit par le réseau. Quatre étapes se
succèdent au cours de la disjonction de l’interrupteur 1 par mise en conduction de la diode de
l’interrupteur 2, pour notre exemple (se conférer à la Figure III-23 pour les notations) :
- étape 1 : l’inversion de signe de la tension composée U
21
entraîne la mise en
conduction de la diode de l’interrupteur 2, créant ainsi une maille de court-circuit (cf. Figure
III-26 a). Il y a empiètement. La tension du bus continu est alors régie par l’équation III-12.
Cette phase a une durée t dont la valeur est donnée par l’équation III-13. Lorsque le courant
qui traverse l’interrupteur 1 a atteint la valeur de disjonction, celui s’ouvre. L’énergie due au
courant de disjonction est alors stockée dans les inductances des phases 1 et 2.

v3
2
v2 v1
V
bus

+
· III-12

ω
ω λ

,
`

.
|
·
r
V . 6
. . 2.
- 1 Arccos
t
disj
I

III-13

- étape 2 : la diode D1’ va s’amorcer par continuité du courant dans la phase 1et
va servir de diode de clampage de l’énergie stockée en direction du condensateur. Le schéma
du montage est alors celui de la Figure III-26 b. Il apparaît sur le schéma que la diode 1’ va
forcément servir au clampage de l’énergie dans l’inductance de la phase 1. Mais en ce qui
concerne celle dans l’inductance de la phase 2, il y a les diodes 1’ et 3’ en parallèle pour le
clampage. Il apparaît donc un nouvel empiètement. De plus, les inductances des lignes 1 et 2
ne voient pas la même tension, donc le transfert d’énergie ne va pas se faire aussi vite dans les
deux cas. La tension de bus est donnée par l’équation III-14, avec K et ϕ, deux constantes
d’intégration. Ce phénomène dure jusqu’à l’annulation du courant dans la diode 1’.

2 bus
v
2
3
t
C 3
2
K.sin V +

,
`

.
|
+ · ϕ
λ
III-14

- étape 3 : lors du blocage de la diode 1’, on se retrouve dans la configuration de
la Figure III-26 c. Le transfert de l’énergie initialement stockée dans l’inductance de la phase
1 est fini. Par contre, pour la phase 2, ce n’est pas le cas. La configuration électrique étant
modifiée, la fréquence d’oscillation du système change et la tension de bus suit alors
l’équation III-15, avec K’, K”, ϕ’ et ϕ” des constantes. Cette phase dure jusqu’à l’instant où le
courant dans le condensateur change de signe.

Chapitre III
119
) ' ' t '.sin( K' ' t
C 2
1
K'.sin V
bus
ϕ ω ϕ
λ
+ +

,
`

.
|
+ · III-15

- étape 4 : le système est réversible en courant car les transistors des interrupteurs
2 et 3’ sont potentiellement passants. Le condensateur va donc renvoyer son énergie au réseau
suivant le même schéma que précédemment et, par conséquent, la même équation.


1 2
3’
Vbus
Maille de
court-circuit
1’
2
3’
Vbus
2
3’
Vbus
a) b)
c)
Figure III-26 : Phases successives de la commutation des interrupteurs 1 vers 3

Une série de courbes est fournie à la Figure III-27 afin d’illustrer les propos
précédents. La convention générateur est appliquée pour les courants. Les tracés sont faits
pour λ=300µH, C=26µF et I
disj
=50A. Il a été simulé le circuit RCD en sortie, avec R=15Ω, ce
qui permet d’ajouter un amortissement lors de l’étape 4, afin d’éviter les oscillations sur le
premier terme de la tension (cf. équation III-15), le deuxième correspondant à la tension
composée. En effet, l’amortissement du réseau n’a pas été pris en compte lors de la mise en
équation et l’ajout d’une résistance simulant cet amortissement lors de la phase de
récupération est nécessaire afin de faire coïncider courbes simulées et courbes expérimentales.
Applications du thyristor-dual disjoncteur
120
Phase 1
Phase 3
Phase 2

Figure III-27 : Courbes calculées des courants de ligne et de la tension continue lors de la
commutation de l’interrupteur 1 vers l’interrupteur 3

Nous pouvons alors dimensionner le condensateur situé sur le bus continu. Il faut
trouver un compromis entre :
- limiter la surtension lors de la disjonction en augmentant sa valeur,
- diminuer le courant capacitif, qui a tendance à limiter le courant de charge
admissible en mode onduleur à courant de disjonction donné, en diminuant sa valeur. En
effet, plus la valeur de la capacité est grande, plus le courant capacitif échangé entre le réseau
et le condensateur est grand. Or, nous travaillons à courant de disjonction constant. Il y a donc
baisse du courant de charge admissible dans les transistors. La Figure III-28 présente un
abaque donnant le pourcentage maximal admissible du courant de charge en fonction de la
valeur du condensateur, courbes paramétrées en valeur du courant de disjonction.
Pour information, dans notre montage la valeur choisie est 13µF (choix par simulation
SABER).

10A
100A

Figure III-28 : Abaque donnant la valeur maximale du courant de charge en fonction du
courant de disjonction (paramétrage par palier de 10A)

Chapitre III
121
Un autre problème est de connaître le facteur d’échelle à appliquer au condensateur si
nous divisons par 2, par exemple, la valeur du courant de disjonction tout en essayant de
garder la même surtension. En théorie, les calculs sont trop lourds pour être résolus à la main
mais l’utilisation de Matlab a permis de tracer les courbes de la Figure III-29 pour une
inductance de ligne λ de 300µH. Elles ont une forme similaire à la formule approchée,
obtenue avec une considération énergétique, qui veut que nous divisions la valeur de la
capacité par 4 si nous divisons le courant de disjonction par 2, donc l’énergie stockée par 4.

Facteur d'échelle
0
10
20
30
40
50
60
0,00E+00 5,00E-06 1,00E-05 1,50E-05 2,00E-05 2,50E-05 3,00E-05 3,50E-05 4,00E-05
Capacité (µF)
C
o
u
r
a
n
t

d
e

d
i
s
j
o
n
c
t
i
o
n

(
A
)
Vmax=700V
Vmax=650V

Figure III-29 : Abaque fournissant la valeur du condensateur en fonction du courant de
disjonction pour une valeur de surtension donnée et λ=300µH

Il faut noter que tout ce qui précède sont des calculs faits sans tenir compte de
l’amortissement naturel du réseau, phénomène qui ne peut que nous favoriser en limitant la
surtension.


III.3.2.5. Démarrage du montage avec les inhibitions
Lorsque nous introduisons des inhibitions de 240°, il faut s’assurer qu’elles sont bien
synchronisées, sinon le montage risque d’être perturbé et d’avoir un fonctionnement dégradé.
Il est donc important de comprendre la mise en route du montage afin de vérifier la bonne
mise en place des inhibitions.
Nous nous intéressons à une maquette intermédiaire qui a la particularité d’avoir les
drivers alimentés avant la connexion de la puissance. Cela permet de s’affranchir des
problèmes de mise en route des auto-alimentations. L’état des inhibitions dépend de celui de
l’interrupteur, à savoir s’il est passant ou pas. Deux mises en route sont présentées à la Figure
III-30, avec C=2,5µF à gauche et C=20µF à droite. Dans les deux cas, la charge est une
Applications du thyristor-dual disjoncteur
122
résistance de valeur supérieure à 1 kΩ.

Tension du bus
0
100
200
300
400
500
600
700
-0,08 -0,06 -0,04 -0,02 0 0,02 0,04 0,06
Temps (s)
T
e
n
s
i
o
n
(
V
)
Tension du bus
0
100
200
300
400
500
600
700
800
-0,015 -0,01 -0,005 0 0,005 0,01 0,015 0,02 0,025 0,03 0,035
Temps (s)
T
e
n
s
io
n
(V
)

Figure III-30 : Courbes expérimentales de démarrage

Il apparaît sur ces relevés que, comme les inhibitions sont initialement aléatoires, le
système va voir une surtension en sortie car plusieurs disjonctions successives peuvent
survenir. Plus la capacité de sortie est faible, plus cette surtension est importante. La tension
du bus continu étant supérieure à la tension du réseau redressé, les diodes sont toutes
bloquées, empêchant ainsi le réamorçage des disjoncteurs. Comme cet arrêt dure plus de 120°,
nous sommes certains que l’état du convertisseur est le suivant : tous les interrupteurs sont
bloqués et toutes les inhibitions se sont écoulées. Par contre, ces dernières ne sont pas
réinitialisées vu que l’interrupteur doit conduire afin de réinitialiser son inhibition.
La charge, une résistance parallèle au condensateur, fait baisser lentement la tension de
sortie jusqu’au moment où la conduction des diodes est de nouveau possible, à un instant
proche de la tension crête de sortie (cf. Figure III-30). Deux diodes se mettent à conduire,
amorçant ainsi leur interrupteur associé et réinitialisant les inhibitions. La prochaine
disjonction intervient dans 30°. Il faut donc que la réinitialisation des inhibitions dure
moins de 30°.
La disjonction intervient, entraînant la mise en conduction de la diode opposée. Or son
interrupteur n’est pas inhibé, ce qui amène une double disjonction dans le bras, qui s’arrête,
car le premier interrupteur a son inhibition qui s’est mise en route. Une simulation effectuée
avec SABER est donnée à la Figure III-31.
Il apparaît que l’interrupteur 3’ disjoncte. Normalement, il devrait alors être inhibé
pendant 240°, alors qu’il doit conduire dans 60°, après avoir servi à clamper son vis-à-vis
dans le même bras. Le montage ne doit donc pas fonctionner.
Or, nous constatons sur la Figure III-31, que lorsque l’interrupteur 3’ se met à
conduire, le condensateur d’inhibition associé commence à se charger correspondant à la
phase de réamorçage de l’inhibiteur. Mais, la conduction du disjoncteur 3’ est brève car il a
créé une maille de court-circuit avec la phase normalement conductrice. Il disjoncte donc
rapidement. Ainsi, l’inhibiteur n’a pas le temps de se réinitialiser. Même si le seuil
Chapitre III
123
d’inhibition était dépassé, la durée ne serait pas de 240° mais de quelques degrés seulement.
Par conséquent, le système se stabilise avec les inhibitions bien synchronisées après
une double disjonction dans chaque bras.


Figure III-31 : Séquence de démarrage simulée avec SABER (détail du troisième bras)

Pour la maquette finale, il faut également tenir compte de l’auto-alimentation des
drivers qui peut créer un décalage. Mais, sur cette maquette, a été prévue une inhibition quand
la tension d’auto-alimentation est insuffisante, ce qui résoud ce problème. Par ailleurs, la
réinitialisation est brève par court-circuit du consensateur d’inhibition, ce qui permet de
vérifier la condition de bon fonctionnement citée précédemment.

A priori, le bon fonctionnement du montage étant assuré en mode normal, nous allons
étudier le comportement en cas de modes dégradés.




Applications du thyristor-dual disjoncteur
124
III.3.3. Fonctionnements dégradés du redresseur
triphasé réversible en courant
III.3.3.1. Problématique
Il faut vérifier le bon fonctionnement du redresseur réversible quand il se retrouve dans
des situations anormales de fonctionnement qui peuvent se rencontrer lors de son utilisation.
Nous supposons que le montage est utilisé dans le cadre de son dimensionnement nominal.
Plusieur s cas peuvent être listés et vont être abordés successivement :
- transition redresseur-onduleur,
- perte momentanée d’une phase du réseau (par défaut Terre),
- perte permanente d’une phase réseau (fusible),
- déséquilibre réseau,
- perte totale du réseau.


III.3.3.2. Transition entre les modes redresseur et onduleur
Cette transition n’est pas en soi un fonctionnement anormal du montage, vu que la
réversibilité est sa propriété principale. Mais il est important de connaître la dynamique de
passage d’un mode à l’autre, dynamique qui peut entraîner des influences sur les éléments
extérieurs au montage. Par principe même, cette transition ne pose a priori aucun problème
car au moins un interrupteur par cellule est passant (deux lors des phases d’empiètement).
Quand un interrupteur est passant, la diode peut naturellement conduire, mais également le
transistor qui s’amorce lorsque la tension aux bornes du composant est quasiment nulle (ce
qui est le cas quand la diode est conductrice). Le changement de sens du courant se fait donc
sans à coup, de manière naturelle. Cette propriété constitue un point fort du montage.


III.3.3.3. Perte momentanée d’une phase réseau
Ce phénomène peut se rencontrer fréquemment. Il correspond à la disparition de la
tension d’une phase réseau sans que l’impédance de la ligne devienne infinie. Ce phénomène
est équivalent au court-circuit d’une phase de la part d’un autre utilisateur sur la ligne et par le
déclenchement de sa protection au bout de quelques millisecondes (déclenchement au
moment du passage par zéro du courant de court-circuit).
Les simulations vont consister à scinder l’inductance de ligne en deux et à placer un
interrupteur sur ce point milieu qui va créer le court-circuit sur une impédance faible. La
Figure III-32 présente l’ajout qui a été fait au schéma de simulation. La réouverture de cet
interrupteur est assurée lorsque le courant qui le traverse repasse en dessous d’une certaine
Chapitre III
125
valeur, afin de simuler le fonctionnement d’un disjoncteur. Il existe des disjoncteurs de faible
calibre qui s’ouvrent dès le dépassement du courant mais c’est un cas plus favorable pour
notre montage. Nous nous limiterons donc au cas le plus défavorable. Le système écrêteur
simule la surtension à l’ouverture (tension d’arc). Il est unidirectionnel car les courts-circuits
seront toujours positifs dans nos simulations. En effet, le signe du défaut ne change pas les
fonctionnements qui vont être vus.


Figure III-32 : Schéma simulant la perte momentanée d’une phase réseau et séparation de
l’inductance en 2 avec valeur et résistance respectives

L’étude peut être découpée selon que nous sommes à vide, en charge ou en
réversibilité. Les deux premiers cas peuvent être regroupés.


III.3.3.3.1. Montage à vide ou fonctionnement redresseur
Aucun incident particulier n’intervient. Les formes d’ondes dépendent cependant de
l’instant de perte de la tension réseau. Par choix, le défaut se produit sur la phase 3, et la
numérotation des 6 interrupteurs est celle de la Figure III-23.
Selon le moment auquel se produit le défaut, sa durée est variable. Mais le bon
fonctionnement du montage est toujours assuré. La Figure III-33 présente un exemple de
relevé effectué sur une charge de 25Ω. Il n’apparaît pas de dysfonctionnement notable. En
effet, même si un transistor se bloque, la charge étant résistive, il ne pose pas de problème.
Dès que le défaut a disparu, les inhibitions se recalent automatiquement, comme lors du
démarrage. Par ailleurs, même si la tension de la phase 3 revient proche de zéro, cela ne veut
pas dire qu’elle ne peut pas conduire de courant. C’est ce qui arrive ici lorsque les tensions
des deux autres phases sont négatives.

Applications du thyristor-dual disjoncteur
126

Figure III-33 : Perte momentanée de la phase 3 en charge lorsque la tension est maximale

Par contre :
- Les temps de conduction des phases sont déséquilibrés, car la phase qui se
trouve court-circuitée ne conduit que pendant 60° au lieu de 120° pour une cellule (celle du
haut dans notre exemple).
- La tension de sortie chute car une cellule admet une tension inférieure.
- Le courant de ligne diminue, d’une part par diminution du courant de charge
(diminution de la tension de sortie) et d’autre part, par l’apparition d’un courant capacitif de
récupération lié au dV/dt négatif de la tension du bus continu lors de la diminution de celle-ci.

La Figure III-34 présente un relevé dans les mêmes conditions mais où la perte de
phase intervient à un autre instant. D’un point de vue fonctionnel, nous retrouvons la même
chose. Par contre, la forme du courant diffère un peu car l’apparition du courant capacitif
n’intervient pas au même moment.

Chapitre III
127

Figure III-34 : Perte momentanée de la phase 3 en charge à une tension plus faible

En conclusion, il y a toujours au moins un interrupteur passant par cellule (1 en haut et
1 en bas), ce qui assure toujours la conduction, même du courant capacitif à vide. La seule
différence par rapport au fonctionnement normal est que la phase qui conduit n’est pas
forcément celle initialement prévue en conduction 120°.


III.3.3.3.2. Montage en réversibilité
A cause des inhibitions, des problèmes vont apparaître. Deux cas sont envisageables et
vont être détaillés dans un premier temps : la perte de la phase peut intervenir pendant qu’elle
est active ou non.

Le court-circuit intervient quand la phase n’est pas active
La phase 3 est perdue alors qu’elle ne conduit pas de courant. La phase 1 va donc être
obligée de conduire pendant 30° supplémentaires car la tension de la phase 3 reste voisine de
0. La Figure III-35 présente ce qui se passe d’un point de vue des interrupteurs.

Applications du thyristor-dual disjoncteur
128
2’
1 3 2 1
1’ 2’ 2’ 3’
60°
3’ 1’
2’
3 1 2 3 2 1
210°
Perte phase 3

Figure III-35 : Chronogrammes avec perte de la phase 3 quand elle est inactive

Il apparaît que la phase 2 conduit pendant 30° supplémentaires. Par conséquent, son
instant de disjonction est également décalé de 30°. L’inhibition de l’interrupteur 2’ doit en
tenir compte : pour éviter qu’il reconduise quand l’interrupteur 2 va disjoncter, son inhibition
doit avoir une valeur minimale de 210°. L’équation III-16 résume l es limites sur l’angle
d’inhibition liées au bon fonctionnement du montage dans ce mode dégradé.

210° < θ
inhib
< 240° - θ
empiètement

III-16


Le court-circuit intervient quand la phase est active

La phase 3 est perdue alors qu’elle conduit du courant. Les séquences de conduction
des interrupteurs sont données à la Figure III-36.


1 3 2 1
1’ 2’ 2’ 3’
1 1 3 2 3
3’ 1’ 2’
60°
210°
Perte phase 3

Figure III-36 : Chronogrammes avec perte de la phase 3 quand elle est active

La phase 1 se remet à conduire 30° avant son instant normal de conduction. A ce
moment, la limite maximale de l’inhibition en est réduite. Les limites de l’angle d’inhibition
afin d’avoir un bon fonctionnement du montage sont données par l’équation III-17.

180° < θ
inhib
< 210° - θ
empiètement

III-17

Il est important de noter que ce phénomène est également présent dans le cas où la
perte de la phase intervient quand elle est inactive (cf. Figure III-35). Par conséquent,
l’inhibition ne peut être envisagée que si elle est inférieure à 210°.

Chapitre III
129
Visualisation des courbes
L’inhibition a été réglée à 10,5ms, ce qui correspond à 189° électriques pour une
alimentation 50Hz.
La Figure III-37 présente un exemple où le montage fonctionne correctement car la
perte de la phase intervient quand la phase est active, sachant que l’inhibition est inférieure à
210°.


Figure III-37 : Perte de la phase 3 quand elle est active avec inhibition de 189° (30° après
mise en conduction)

La Figure III-38 présente les formes d’ondes si la perte de phase intervient quand elle
est inactive. Compte tenu de la durée d’inhibition réglée, nous perdons le contrôle du
convertisseur.

Applications du thyristor-dual disjoncteur
130

Figure III-38 : Perte de la phase 3 quand elle est inactive avec inhibition de 189°


Figure III-39 : Perte de la phase 3 quand elle est active avec inhibition de 189° (5° après
mise en conduction)
Chapitre III
131
La Figure III-39 présente un cas particulier. En effet, l’étude précédente n’a tenu
compte que des éléments directs. Or, la durée d’empiètement a un rôle. Ici, la perte de la
phase 3 intervient peu de temps après qu’elle est devenue active. Normalement, la tension de
contact 3 devient proche de zéro, alors que la tension de la phase 2 est encore positive. La
phase 2 doit donc reconduire par l’interrupteur qui vient de disjoncter, ce qui n’est pas
possible à cause de l’inhibition. Mais, il apparaît sur la figure que le montage fonctionne
correctement, grâce au fort empiètement, lié à l’inductance de la ligne (l’empiètement est de
10° dans notre exemple).


Conclusion
Dans les 2 cas précédents, si un transistor doit conduire mais qu’il est encore inhibé, le
courant de charge passe dans le condensateur de sortie qui se charge fortement. Le système
est alors voué à la destruction.
Le premier cas (phase inactive) admet deux conditions de fonctionnement
incompatibles. Par contre, le deuxième cas (phase active), le plus probable (2/3 du temps
(240°/360°) et moment où la tension est la plus élevée donc risque de court-circuit plus grand)
admet une condition sur la durée d’inhibition qui permet a priori un bon fonctionnement du
montage. Donc, le montage réglé avec une inhibition inférieure à 210° peut fonctionner dans
la majorité des cas.
Lors de la perte d’une phase, la tension du bus continu diminue ce qui conduit à un
courant capacitif en direction du réseau important. Il peut conduire à une disjonction avec un
courant de charge bien inférieur au courant de disjonction. A ce moment, le courant va être
dérivé dans le condensateur faisant diverger la tension de sortie.
Par contre, le dernier exemple fourni (Figure III-39) montre que les imperfections,
l’empiètement ici, peuvent modifier ce résultat.


III.3.3.4. Perte permanente d’une phase réseau
Ce phénomène peut découler du déclenchement d’un fusible sur une phase du réseau.
Par conséquent, en redresseur, nous retrouvons le fonctionnement d’un montage monophasé.
Une différence notable apparaît : le niveau de tension de sortie est plus élevé, vu que nous
utilisons une tension composée du réseau. Par ailleurs, par rapport au montage triphasé
normal, le courant sur la ligne, lors des disjonctions, est 2 fois plus grand. En effet, dans la
structure monophasée, deux mailles de court-circuit apparaissent simultanément car nous
sommes en fonctionnement 180° donc deux disjoncteurs commutent en même temps. Cela
entraîne également un allongement de la durée d’empiètement (courant maximum doublé).
Par contre, le fonctionnement en réversibilité n’est plus possible car les inhibitions,
Applications du thyristor-dual disjoncteur
132
supérieures à 180°, empêchent le bon fonctionnement en 180°.
La Figure III-40 présente un relevé pour une charge résistive.


Figure III-40 : Perte définitive de la phase 3, passage en fonctionnement 180°


III.3.3.5. Creux de tension d’une phase réseau
Il arrive que les trois niveaux de tension ne soient pas identiques. La Figure III-41
présente un relevé en réversibilité en supposant une baisse de 20% du niveau de tension sur la
phase 3. La charge est une source de courant.
Rien de particulier n’est à noter. La diminution du niveau de tension décale les instants
de conduction de quelques degrés ce qui est compensé par la marge de sécurité prise sur la
durée des inhibitions. Par ailleurs, bien que le courant capacitif soit légèrement supérieur lors
du passage de la phase 2 à la phase 3, il n’apparaît pas de manière significative sur les relevés.

Chapitre III
133

Figure III-41 : Baisse du niveau de tension de 20% sur la phase 3

Si le creux de tension est total, sachant qu’il s’applique aux deux rangées de
disjoncteurs, les décalages seront identiques. Par conséquent, nous obtenons le
fonctionnement de la Figure III-42 qui montre qu’avec une inhibition comprise entre 180° et
210°, le montage doit marcher a priori.

1 3 2 1
1’ 2’ 2’
60°
1’ 2’
3 1 2 3 2 1
3’ 3’ 2’
1’

Figure III-42 : Chronogrammes avec perte totale de la phase 3


III.3.4. Résultats des essais expérimentaux réalisés
III.3.4.1. Essais en charge du montage à inhibitions longues
Les essais que nous effectuons dans ce mode sont des essais sur charge résistive
variable. Le réseau de distribution sur lequel ont été effectués ces essais est relativement
puissant, ce qui a comme conséquence une inductance de ligne de l’ordre de 20µH environ.
La Figure III-43 présente un exemple de relevé effectué avec une inductance de ligne
de 20µH, un condensateur de sortie de 20µF et un courant de disjonction de 15A. La charge
Applications du thyristor-dual disjoncteur
134
vaut 200Ω. Il apparaît que, bien que nous ayons un redresseur à capacité en tête, nous sommes
toujours en conduction continue, grâce à la réversibilité en courant des interrupteurs. Sinon,
nous avons bien une conduction 120°, sur laquelle se superpose le courant capacitif, non
négligeable ici, vu les valeurs choisies. Dans le montage définitif, le rapport entre courant
capacitif et courant de disjonction est bien plus faible.


A vide En charge

Figure III-43 : Essais sous 400V avec inductance de ligne de 20µH (jaune : tension du bus
continu (100V/div), bleu : tension simple du réseau (200V/div), vert : courant de ligne
(5A/div), 2ms/div)

Afin de vérifier le bon fonctionnement sur toute la plage de variation de l’inductance
de ligne, nous avons effectué un essai avec une inductance de ligne de 315µH, présenté à la
Figure III-44. Afin d’y parvenir, nous avons utilisé un autotransformateur dont nous avons
fait varier la tension, d’où l’essai sous une tension réseau de seulement 320V. Il apparaît que
les ondulations sont plus importantes, du fait de la croissance de l’énergie échangée à chaque
disjonction. Par contre, le montage fonctionne correctement tant que nous pouvons assurer
que le courant capacitif n’atteint pas le courant de disjonction.

Nous avons également vérifié la stabilité en température du courant de disjonction,
après l’avoir préalablement réglé à sa valeur nominale de 50A. Nous avons vérifié qu’une
hausse de 25°C de la température de jonction amène une diminution d’un ampère du courant
de disjonction. Nous vérifions déjà que le système évolue dans un sens contraire à
l’emballement thermique. Les moyens présents nous ont permis de monter la température de
jonction à environ 90°C environ. La valeur du courant de disjonction diminuait de 3 à 4A
environ, ce qui confirme le chiffre précédent. La variation du courant de disjonction est de
moins de 10 % du courant nominal, ce qui est tout à fait acceptable.

Chapitre III
135
En charge A vide

Figure III-44 : Essais sous 320V avec inductance de ligne de 315µH (jaune : tension du bus
continu (100V/div), mauve : tension simple du réseau (200V/div), vert : courant de ligne
(5A/div), 2ms/div)


III.3.4.2. Essais en mode onduleur du montage à inhibitions
longues
Nous allons utiliser notre redresseur réversible dans le montage de la Figure III-45. Le
variateur de vitesse est toujours commandé à la vitesse maximale. La réversibilité du transfert
de puissance est assurée par la source de courant qui va alternativement faire passer la
machine à courant continu d’un mode génératrice à un mode moteur.

MAS MCC
Onduleur
U/f
Redresseur
Réversible
Source de
courant
réversible
réglable
4 mH
1,6 mF
Réseau
400V

Figure III-45 : Montage permettant de tester la réversibilité du redresseur (le condensateur
de 13µF n’est pas représenté)

Les formes d’ondes obtenues côté réseau sont données à la Figure III-46. Nous voyons
bien apparaître les deux sens de transfert de puissance par changement de la phase du courant
par rapport à la tension. Les courbes du mode onduleur correspondraient à celles d’un pont à
thyristors dont l’angle de retard à l’amorçage serait de 180°, ce qui est impossible à cause de
l’angle de garde des thyristors. Par ailleurs, le courant est oscillatoire à cause du filtre en π
constitué par le condensateur de sortie de notre montage et le filtre ajouté. Ce dernier est
Applications du thyristor-dual disjoncteur
136
nécessaire afin d’assurer la bonne marche de l’onduleur en sortie et de limiter le retour des
harmoniques de découpage en direction du réseau. Il est à noter que le filtre ajouté n’a pas été
dimensionné de manière optimale.


Mode redresseur Mode onduleur


Figure III-46 : Formes d’ondes côté réseau (vert : tension simple (100V/div), bleu : courant
de ligne (10A/div))

Le montage fonctionne correctement dans les deux modes de fonctionnement et passe
de l’un à l’autre sans temps mort, de manière totalement naturelle. La conduction continue fait
aussi que tous les harmoniques générés par l’onduleur MLI non filtrés sont transmis au réseau
de distribution.
Par conséquent, dans cette topologie, le condensateur de sortie du redresseur doit avoir
une valeur suffisante pour filtrer suffisamment les harmoniques de courant produits par
l'onduleur et éviter la disjonction intempestive des transistors du redresseur réversible. Ce
condensateur forme un filtre LC avec l'inductance des deux phases d'alimentation par
séquence de 60°, soit L = 2.λ. Il faut donc prendre en compte cette nouvelle propriété dans le
dimensionnement de ce condensateur sans pour autant placer une valeur excessive qui
conduirait à un courant capacitif incompatible avec les seuils de disjonction. Dans le cas
présent, l'onduleur, étant de génération ancienne, il fonctionne à basse fréquence (5kHz) par
rapport à sa puissance nominale de 3 kW. Par conséquent, le condensateur du bus est de forte
valeur et nous est imposé ici. C'est donc par une inductance de bus supplémentaire que nous
avons pu obtenir un filtrage suffisant et un fonctionnement correct du redresseur réversible.


III.3.4.3. Essais CEM sur charge résistive
Nous connectons notre montage à un RSIL afin de lui faire passer un test CEM. La
charge est une résistance pure de 62Ω. Afin d’avoir une référence, nous comparons notre
Chapitre III
137
montage avec un redresseur à diodes avec capacité en tête (même valeur que notre montage,
soit 13µF) connecté à la même charge résistive. Le relevé temporel de la tension de sortie du
bus est donné à la Figure III-47 pour le redresseur réversible. Les oscillations sont beaucoup
plus importantes que tous les relevés effectués jusqu’à présent. Cela vient de la structure
même du RSIL présentée à la Figure III-48. Il apparaît que l’inductance série est bien plus
élevée que pour les essais précédents, où elle variait aux alentours de 30µH. Ici, nous
atteignons presque la valeur de 300µH. Par ailleurs, le RSIL supprime l’amortissement naturel
du réseau, qui est bénéfique pour notre montage. Cet essai permet donc, outre le tracé du
spectre, de vérifier que notre montage fonctionne dans les limites du cahier des charges,
même dans des conditions moins favorables.


Figure III-47 : Forme d’onde de la tension de sortie du redresseur réversible (100V/div,
4ms/div)


Figure III-48 : Schéma d’une phase du RSIL

En ce qui concerne les harmoniques, la Figure III-49 présente le spectre du redresseur
réversible ainsi que celui du pont de diodes à capacité en tête. Notre montage présente des
harmoniques d’amplitude supérieure que ceux du pont de diodes, ce qui n’est pas bon. Il faut
donc envisager d’autres topologies ou l’adjonction de filtres afin d’améliorer ce spectre, en
particulier en basses fréquences, ce qui fait l’objet de l’étude de la partie suivante.

Applications du thyristor-dual disjoncteur
138

Redresseur à
diodes avec
capacité en tête
Redresseur
réversible

Figure III-49 : Spectres comparatifs du redresseur réversible et d’un pont de diodes à
capacité en tête sur une charge de 62Ω (échelle des fréquences en MHz)


III.3.4.4. Essais d’autres topologies de clampage
Afin d’améliorer le spectre, plusieurs modifications sont envisagées. La première
consiste à rapprocher le condensateur de clampage au plus près des interrupteurs, ce qui
revient à ajouter 6 snubbers aux bornes des interrupteurs. Le résultat sur le spectre est donné à
la Figure III-50.


Figure III-50 : Spectre du redresseur réversible avec le condensateur de sortie de 13µF et 6
snubbers de 1µF (échelle des fréquences en MHz)

Nous avons grandement amélioré le spectre et les harmoniques ont une amplitude plus
Chapitre III
139
faible que ceux du pont de diodes à capacité en tête, ce qui était notre objectif : avoir un
montage qui ajoute la réversibilité sans détériorer le spectre.
Afin d’aller plus loin, nous pouvons même essayer de supprimer le condensateur de
sortie et laisser les seuls snubbers comme clamps. La Figure III-51 montre le spectre ainsi
obtenu, spectre même amélioré par rapport à la Figure III-50. Nous verrons plus tard, dans la
structure finalement retenue, quels sont les avantages par rapport à la première structure à
inhibitions longues.


Figure III-51 : Spectre du redresseur réversible avec seulement 6 snubbers de 1µF (échelle
des fréquences en MHz)

Nous pouvons également ajouter une inductance de mode commun de 1,5mH et nous
obtenons le spectre de la Figure III-52. Nous avons une forte amélioration en hautes
fréquences, mais comme nous sommes déjà sous le gabarit et que l’amélioration en basses
fréquences est faible, nous écartons cette solution.

Les différents essais réalisés ont permis de définir la structure de puissance qui sera
retenue pour le prototype, ainsi que son spectre CEM. Cette structure admet, outre un spectre
amélioré, des propriétés intéressantes développées dans la partie suivante.

Applications du thyristor-dual disjoncteur
140

Figure III-52 : Spectre du redresseur réversible avec 6 snubbers de 1µF et une inductance
de mode commun de 1,5mH (échelle des fréquences en MHz)


III.3.5. Structure de puissance à inhibitions courtes
Vu tous les essais précédents, une structure intéressante est celle de la Figure III-53. Le
clampage consiste en 6 snubbers placés directement aux bornes de chaque interrupteur. Cela
permet déjà de se passer du condensateur de sortie qui était coûteux, outre l’amélioration du
spectre. Il faut noter que le filtre de mode commun n’a pas été retenu.
Le dimensionnement des condensateurs doit permettre d’absorber l’énergie dans les
inductances de ligne tout comme précédemment. Par contre, dorénavant, lors de la phase de
clampage, la diode opposée au disjoncteur qui s’ouvre ne s’amorce plus. Cela permet de
s’affranchir de l’inhibition supérieure à 180° et de passer en fonctionnement 120°
naturellement avec une simple inhibition de quelques degrés, sans forcément une grande
précision. Cela permettrait même de résoudre les problèmes entrevus lors des
fonctionnements dégradés du montage. En effet, le montage a un fonctionnement naturel en
120° sur le réseau et peut passer en 180°, grâce à l’inhibition courte, lors de la perte d’une
phase, puis repasser en 120° lorsque celle-ci revient.
La valeur des snubbers doit être suffisante afin d’assurer la non conduction de la diode
opposée, c’est-à-dire que la tension aux bornes de la diode opposée ne doit pas s’annuler. Un
exemple de relevé est donné à la Figure III-54. Il y apparaît la surtension lors du clampage,
mais également le creux de tension consécutif à la disjonction de l’interrupteur opposé, creux
qui ne redescend pas jusqu’à zéro ici. Par ailleurs, nous vérifions que nous avons bien un
courant 120°.

Chapitre III
141

Réseau 400V-50Hz
1
1’
2 3
2’ 3’
λ

Figure III-53 : Schéma à inhibitions courtes du montage avec 6 snubbers de 1µF et
possibilité de rajouter des condensateurs en entrée, représentés en rouge


Courant de
ligne
Tension aux
bornes d’un
disjoncteur
Surtension lors de la
phase de clampage
Creux de tension lié à
la disjonction de
l’interrupteur opposé

Figure III-54 : Courant de ligne et tension aux bornes d’un disjoncteur (10A/div, 100V/div,
2,5ms/div)

Par ailleurs, même si nous sommes dans une configuration avec capacité en tête, cette
dernière reste transparente vis-à-vis de la commutation, si elle est de valeur raisonnable, soit
inférieure à quelques centaines de µF. En effet, l’énergie s’écoule dans les composants qui
sont au plus près ce qui correspond aux snubbers et non au condensateur de sortie. Cela
permet donc de conserver un montage qui fonctionne naturellement en onde 120°, même avec
une inhibition de quelques degrés électriques. Nous appelons donc ce montage, redresseur
réversible à inhibitions courtes.
Il est important de remarquer que tous nos essais ont été effectués à un courant de
disjonction de 20A alors que l’objectif est d’atteindre 50A, ce qui correspond à une énergie
six fois plus importante à clamper environ. Par conséquent, nous allons être amenés à
Applications du thyristor-dual disjoncteur
142
augmenter la valeur des snubbers afin de limiter la surtension. Mais, le courant capacitif
échangé va aussi augmenter dans la même proportion. Comme une partie de ce courant
transite dans les disjoncteurs, une trop forte augmentation va limiter la valeur maximale du
courant de charge que nous pouvons réinjecter sur le réseau. Une solution est d’introduire des
condensateurs câblés en étoile en entrée du montage, représentés en rouge sur la Figure III-53,
afin de répartir la valeur totale de la capacité de clampage entre ces condensateurs, dont le
courant échangé avec le réseau n’est pas vu par les interrupteurs, et les snubbers. Le câblage
en étoile permet d’utiliser des composants sous 230V d’un coût plus faible. D’un point de vue
spectral, cette configuration n’est pas pénalisante et permet même d’améliorer le spectre en
basses fréquences en augmentant la valeur des condensateurs, sans que le surplus de courant
capacitif ne soit vu par les disjoncteurs.


III.3.6. Polyvalence du montage
Comme semblent le montrer les différentes figures, le montage ressemble à un
onduleur de tension, en particulier la version à inhibitions longues avec le condensateur sur le
bus continu et les inductances de ligne côté réseau. Il devrait donc fonctionner avec des ondes
180°. L’étude que nous avons menée a mis en évidence un fonctionnement de type
commutateur de courant avec des ondes 120°. En fait, le montage permet les deux modes de
fonctionnement sans intervention extérieure.
Toutes les théories liées aux ondes 120° et 180° ont découlé d’études sur la cellule de
commutation n’utilisant que des commutations commandées et spontanées. Aujourd’hui, nous
introduisons un nouveau degré de liberté, la commutation automatique, qui permet de
transgresser les règles jusqu’alors inviolables de court-circuit de la source de tension et
d’ouverture de la source de courant.
De son côté, notre montage s’adapte à son environnement et a des formes d’ondes qui
correspondent aux éléments placés autour. L’exemple le plus flagrant est la version à
inhibitions courtes pour laquelle nous n’imposons rien contrairement à la version à inhibitions
longues où nous imposons le fonctionnement en ondes 120°. La Figure III-55 présente les
formes d’ondes des courants dans les deux interrupteurs du premier bras du redresseur
réversible pour une inductance de ligne de 300µH et une résistance de 25Ω comme charge.
Nous retrouvons des courbes que nous avons déjà vues précédemment. Les tensions de phase
sont prélevées sur les sources idéales avant les inductances de ligne, ce qui explique l’absence
de déformation lors des phases d’empiètement.
Si nous augmentons les inductances de ligne, la durée d’empiètement augmente
jusqu’à atteindre 60°. A ce moment l’interrupteur supérieur n’a pas encore disjoncté que
l’interrupteur du bas va s’amorcer. C’est ce qui se passe sur la Figure III-56 où nous simulons
le même schéma avec une inductance de ligne de 2mH dorénavant. Nous tombons sur des
Chapitre III
143
formes d’ondes de type 180° avec une conduction des interrupteurs pendant la moitié du
temps.


Figure III-55 : Formes d’ondes avec une inductance de ligne de 300µH


Figure III-56 : Formes d’ondes avec une inductance de ligne de 2mH

Le montage peut donc fonctionner en 120° et en 180° sans intervention sur celui-ci.
Les exemples précédents montrent qu’il s’est adapté à son environnement.



Applications du thyristor-dual disjoncteur
144
III.3.7. Conclusions
Les différents essais réalisés sur le prototype ont permis de vérifier le bon
fonctionnement du montage, ainsi que de faire apparaître deux stratégies de clampage
appelées versions à inhibitions longues et courtes. Nous avons également dégagé leurs
principales caractéristiques. La version à inhibitions longues est plus défavorable car elle
possède plus de mode commun et un spectre pénalisant. Les propriétés du montage à
inhibitions courtes peuvent être résumées ainsi :
- répartition du clamp sur les 6 interrupteurs pour avoir un effet snubber (moins de
mode commun),
- cette topologie permet d'éviter la conduction de la diode opposée à un
disjoncteur, à condition que la valeur du condensateur soit suffisante,
- la valeur des snubbers peut conduire à un surcourant capacitif,
- une solution est de regrouper le clamp en 3 condensateurs en étoile en entrée,
et de laisser une faible valeur de capacité en parallèle avec les interrupteurs pour le mode
commun,
- cette solution fonctionne également même si un condensateur seul est branché en
tête (vérifié par simulation),
- réduction de l’inhibition à quelques degrés électriques, ce qui permet un
fonctionnement du montage sur une large gamme de fréquences et de résoudre les problèmes
entrevus en réversibilité lors de fonctionnements dégradés avec la version à inhibitions
longues,
- redresseur fonctionnant en ondes 120°, même en mode onduleur en présence du
réseau, mais qui passe en onduleur 180° si perte du réseau. Ce dernier fonctionnement est
particulier et nécessite une impédance, comme un transformateur en série.

Le montage synthétisé a un comportement similaire à un pont de diodes triphasé qui
serait réversible en courant. Du point de vue de l’utilisateur, le montage s’apparente à une
simple boîte à 5 bornes. Le montage a été caractérisé et répond aux critères de simplicité et de
réductions des coûts.
Un autre point fort est son adaptibilité à des réseaux variables en tension et en
fréquence, sans modification, s’apparentant encore plus au pont de diodes.
Mais, son fonctionnement en mode onduleur n’est pas totalement autonome, tout
comme pour un pont à thyristors. Par contre, en cas de perte du réseau, il peut continuer à
fonctionner selon le type de charge connectée du côté triphasé (par exemple, machine
asynchrone ou transformateur).



Chapitre III
145
III.4. CONCLUSION
Ce chapitre a mis en avant différentes associations des deux cellules élémentaires à
base de thyristor-dual disjoncteur, présentées dans le chapitre II.
De nouvelles fonctionnalités apparaissent comme un transformateur continu réversible
à fonctionnement relativement simple ou une cellule onduleur autopilotée.
L’élément prépondérant de notre étude reste le redresseur triphasé réversible qui a fait
l’objet du développement d’une maquette industrialisable en collaboration avec CIRTEM. Ce
montage peut être vu comme un pont de diodes, dont les diodes sont bidirectionnelles en
courant. Mais comme nous l’avons vu, le montage peut également fonctionner en ondes 180°.
Ce montage d’une simplicité apparente remet en cause toutes nos idées sur les cellules de
commutation ou les convertisseurs statiques, car notre vision se limitait aux commutations
commandée et spontanée. En effet, le montage adapte son fonctionnement au cir cuit auquel il
est branché alors qu’il n’a pas de logique extérieure et qu’il est constitué de six thyristors-
duaux disjoncteurs autonomes, qui ne communiquent pas entre eux.
Durant notre étude, nous avons caractérisé ses différentes propriétés, de ses
performances jusqu’à une étude CEM.

Il nous faut quantifier l’apport de ce montage atypique du point de vue de ce que nous
connaissons. Nous avons décidé de nous baser sur un cahier des charges du convertisseur
réseau d’une chaîne éolienne afin de pouvoir effectuer une comparaison directe du redresseur
réversible avec les montages existants qui ont des fonctions proches : l’onduleur MLI et le
pont à thyristors.



IV. CHAPITRE IV

LE REDRESSEUR REVERSIBLE APPLIQUE A
UNE CHAINE EOLIENNE
Dans le chapitre précédent, un montage est ressorti, apparaissant comme ayant un bon
potentiel d’applicabilité : le redresseur réversible. Après avoir déterminé les principales
caractéristiques de notre montage, il est nécessaire de le confronter aux montages existants,
afin de mettre en avant ses apports. Pour cela, nous avons souhaité partir d’un cahier des
charges concret, afin de mieux quantifier les différences.
L’équipe «Système » du LEEI travaille actuellement sur l’optimisation des chaînes
éoliennes de basse puissance. Notre montage se situant dans la gamme des basses, voire des
moyennes puissances, nous avons opté de nous baser sur ces études comme point de départ de
notre comparatif. Ayant un montage permettant un fonctionnement en onduleur de courant,
nous nous sommes intéressés, plus précisément, au convertisseur de raccordement au réseau.
En effet, nous pouvons voir notre montage non comme un redresseur réversible, mais comme
un onduleur de courant qui fonctionne à cos(ϕ) unitaire.
Après avoir posé le problème et effectué le dimensionnement de la chaîne éolienne,
nous allons mener trois comparaisons. La première consiste à étudier le spectre des courants
réseaux réinjectés, tandis que la deuxième consiste à comparer les rendements énergétiques
des différents montages. Enfin, nous aborderons les aspects thermiques.


IV.1. PROBLEMATIQUE DE L’EOLIEN
Aujourd’hui, en faible puissance, la plupart des éoliennes sont basées sur des
génératrices asynchrones directement raccordées au réseau, ce qui revient à dire que la vitesse
de rotation varie peu. C’est en fait le glissement qui permet de fonctionner à une vitesse
légèrement différente de la vitesse de synchronisme. Dans certains cas, nous rajoutons des
boites de vitesses ou un réglage rotorique afin d’augmenter la plage de variation de la vitesse.
Le redresseur réversible appliqué à une chaî ne éolienne
148
Les autres solutions utilisent des machines synchrones à aimants permanents
fonctionnant à vitesse variable, proportionnellement à la vitesse du vent, solution souvent
adoptée en forte puissance. Le raccordement au réseau se fait alors par des changeurs de
fréquences ou par l’intermédiaire d’un bus continu. Le convertisseur réseau est actuellement
souvent un pont à thyristors. Il est remplacé peu à peu par des onduleurs de tension à
modulation de largeur d’impulsion.
Nous allons étudier ces deux montages ainsi que les deux versions du redresseur
réversible, en terme d’harmoniques réinjectés sur le réseau, en terme de rendement
énergétique, donc de pertes, et en terme de contrainte thermique sur la puce.


IV.2. CAHIER DES CHARGES
Différentes normes de réinjection d’harmoniques de courant sur le réseau existent,
selon les gammes de puissance et les gabarits des formes d’ondes. Certaines normes ont un
caractère obligatoire ce qui est le cas pour un courant inférieur à 16A, correspondant à
11kVA. Au-delà de cette puissance, la norme n’est pour l’instant que consultative. Afin de ne
pas être confronté aux normes, dans un premier temps, notre montage ayant les harmoniques
basses fréquences d’une onde 120°, nous avons décidé de dimensionner notre chaîne éolienne
pour une puissance de 16 kW avec une vitesse du vent de référence de 13m/s, valeur
dimensionnante.
La voilure choisie est du type Savonius qui permet de capter le vent dans toutes les
directions sans système d’orientation, tandis que le fonctionnement de la fonction
« Maximum Power Point Tracking (MPPT)» est assuré pour un vent allant de 5 à 15m/s. En
cas de vent plus fort, le convertisseur doit permettre un transfert de puissance sur le réseau
électrique pour une vitesse de vent allant jusqu’à 17m/s. Au-delà, nous considérons que le
système est déconnecté.
Vu le niveau de puissance, le raccordement se fait directement sur le réseau basse
tension triphasé 400V-50Hz.

L’étude s’effectue par simulation en utilisant le logiciel PSIM. Le modèle de
l’éolienne, développé au sein du groupe «Système », est un modèle issu du travail de thèse
d’Adam Mirecki [MIRECKI].



Chapitre IV
149
IV.3. PRESENTATION DE LA STRUCTURE
IV.3.1. Rappels sur l’éolien
Le point de départ du cahier des charges est l’étude menée par Olivier Langlois sur
l’intégration d’éoliennes à axe vertical de type Savonius dans un milieu urbain [LANGLOIS].
Deux photographies d’une éolienne de ce type sont présentées à la Figure IV-1.



Figure IV-1 : Eolienne à axe vertical de type Savonius

Rappelons quelques propriétés principales de la conversion de l’énergie éolienne. Tout
d’abord, la puissance éolienne est régie par l’Equation IV-1. Elle dépend de S, surface balayée
par la voilure, de la masse volumique de l’air ρ, du cube de la vitesse du vent et d’un
coefficient C
p
appelé coefficient de puissance.

) ( C V S
2
1
P
p
3
vent éol
λ ρ ⋅ ⋅ ⋅ ⋅ · IV-1

Le coefficient de puissance est un paramètre fondamental qui détermine le rendement
du transfert de puissance entre le vent (énergie cinétique linéaire) d’une part et la voilure
(énergie cinétique de rotation) d’autre part. Il est théoriquement inférieur à 16/27. Cela sous-
entend que nous ne pouvons pas, quoi que nous fassions, dépasser un rendement de 59%.
C
p
n’est pas constant, mais varie en fonction de la vitesse du vent, ainsi qu’en fonction
de la vitesse de rotation de l’éolienne, et de la voilure utilisée. Nous introduisons alors la
notion de vitesse réduite, grandeur notée λ. Elle permet de relier la vitesse linéaire de bout de
pale avec la vitesse du vent. L’Equation IV-2 donne la valeur de λ.

Le redresseur réversible appliqué à une chaî ne éolienne
150
vent
V
R.Ω
· λ
IV-2

La voilure que nous considérons dans ce manuscrit, est une voilure sur laquelle
travaille l’Institut de Mécanique des Fluides de Toulouse (IMFT). La relation donnant le
coefficient de puissance en fonction de la puissance réduite est donnée à l’Equation IV-3.

λ λ λ λ . 4541 , 0 . 117 , 0 . 13 , 0 ) ( C
2 3
p
+ − − · IV-3

La Figure IV-2 présente le tracé de la caractéristique. Il apparaît un maximum pour une
vitesse réduite de 0,8. Afin d’optimiser la conversion de puissance, il faut essayer de
conserver cette vitesse réduite, soit modifier la vitesse de rotation lorsque la vitesse du vent
varie. Nous pouvons noter que le coefficient de puissance maximum est seulement de 22,5%,
valeur classique pour ce type de voilure.


0
0,05
0,1
0,15
0,2
0,25
0 0,5 1 1,5
lambda
C
p
0,225
0,8

Figure IV-2 : Courbe C
p
(λ) de la voilure étudiée de type Savonius


IV.3.2. Structure de l’éolienne et de l’alternateur
L’éolienne étudiée ici est associée à une machine synchrone. Elles sont dimensionnées
pour une puissance crête de l’ordre de 600 Watts. Une méthode de similitude est alors
présentée afin d’obtenir les données géométriques d’une éolienne et ce quelle que soit la
Chapitre IV
151
puissance basée sur la méthode étudiée par Yann Fefermann dans le cadre des machines
[LANGLOIS] [FEFERMANN].
Les hypothèses permettant d’effectuer la similitude sur l’éolienne et l’alternateur sont :
- les caractéristiques de l’éolienne sont inchangées quelle que soit sa taille, c’est-
à-dire que le coefficient de puissance maximum est de 0,225 pour une vitesse réduite optimale
de 0,8,
- les profils de vent restent les mêmes,
- le rendement est constant, soit 86% pour l’ensemble,
- le nombre de paires de pôles de la machine synchrone est inchangé,
- l’induction de la machine synchrone à aimants permanents est constante.

Parmi les paramètres de réglage de la similitude figure, bien entendu, le rapport des
puissances. De plus, pour la machine synchrone et l’éolienne, il y a deux paramètres
géométriques, respectivement rayon et longueur, et rayon et hauteur. Nous avons donc deux
degrés de liberté de réglage supplémentaires que sont le rapport des rapports de similitude du
rayon de la machine sur celui de la longueur et le rapport des rapports de similitude de la
hauteur de la voilure sur celui de son rayon.
Par exemple, dans le cas de la voilure, l’augmentation de puissance se fait par
l’augmentation de la surface balayée, soit le produit de son diamètre par sa hauteur. De son
côté, l’inertie de la voilure dépend de la hauteur et du cube du rayon. Afin de ne pas trop
augmenter l’inertie de la voilure, il vaut donc mieux augmenter sa hauteur plutôt que son
rayon. Pour la machine, c’est le couple qui est l’élément dimensionnant. Il dépend de la
longueur de la machine et du carré de son rayon.
Un dernier paramètre est le rapport du nombre de spires. Cet élément ne modifie pas la
puissance installée, mais permet d’adapter la tension en sortie de la machine au circuit
électrique extérieur, sachant que l’induction est supposée constante et la vitesse imposée par
les dimensions de la voilure. Les valeurs prises pour la similitude sont présentées au Tableau
IV-1.

Rapport des puissances 49,5
Rapport des rapports de similitude de la voilure
(hauteur/rayon)
3
Rapport des rapports de similitude de la machine
synchrone (rayon/longueur)
2
Rapport des nombres de spires 1,1
Tableau IV-1 : Paramètres de la similitude

Le dimensionnement est effectué pour un vent de 13m/s. La machine peut conduire
une puissance supérieure lorsque le vent est plus fort, mais cela ne représente qu’une partie du
Le redresseur réversible appliqué à une chaî ne éolienne
152
temps de fonctionnement. Pour la machine de référence, la valeur de puissance maximale est
de 600 Watts alors que la puissance pour un vent de 13m/s est seulement de 320 Watts
environ. Il faut donc tenir compte de toute la plage de fonctionnement de l’éolienne pour le
dimensionnement de l’alternateur.
Les résultats de la similitude sont résumés dans le Tableau IV-2. Certaines données
sont manquantes mais n’empêchent pas la poursuite de l’étude. Nous pouvons noter la forte
augmentation de l’inertie de la machine synchrone car l’augmentation du couple se fait
surtout en jouant sur le rayon. En ce qui concerne la voilure, nous n’avons pas les valeurs sur
l’inertie, car l’éolienne est en cours de développement.

Vent de référence : 13m/s
Eolienne de référence
(320W)
Nouvelle éolienne
(16kW)
Puissance électrique (kW) 0,322729468 16
Puissance éolienne (kW) 0,375266824 18,60465116

Rayon de voilure (m) 0,6 2,43910953
Hauteur de voilure (m) 1,05 12,80532503

Rayon de la machine (m) n.d. n.d.
Longueur de la machine (m) n.d. n.d.

Vitesse optimale (rad/s) 17,33333333 4,263851161
Couple max (N.m) 40,25044723 4363,344418

Nbre de paires de pôles 17 17
FEM simple (V) 62,46933333 181,0605124
Flux crête à vide (Wb) 0,212 2,497886999
Résistance statorique (Ohms) 1,137 0,192660575
Inductance cyclique statorique
(mH)
2,7 1,859842658

Inertie machine (kg.m²) 0,1 106,2076005
Inertie voilure (kg.m²) n.d. n.d.
Frottements (N.m.s/rad) 0,06 13,76796423
Tableau IV-2 : Valeurs des éléments avant et après similitude (n.d.=non déterminé)


IV.3.3. Etage MPPT
Nous avons précédemment vu que si nous souhaitons maximiser la puissance convertie
par l’éolienne, il faut s’assurer qu’elle fonctionne toujours à sa vitesse réduite optimale, qui,
dans notre cas, s’élève à 0,8. Il faut donc adjoindre une logique de suivi du point de puissance
optimale.
La vitesse du vent variant, cela implique une variation de la vitesse de rotation de
Chapitre IV
153
l’éolienne, donc de la machine synchrone, l’entraînement étant direct. La fréquence de l’onde
sinusoïdale en sortie de la machine est donc variable. Aucune connexion directe avec le
réseau n’est possible. Nous allons passer par le biais d’un bus continu en associant un pont de
diodes triphasé avec la machine synchrone.
Par ailleurs, il n’y a pas boite de vitesses ici impliquant une faible vitesse de rotation
de la machine. A moins de multiplier le nombre de paires de pôles, la tension en sortie va
rester faible. D’un autre côté, nous souhaitons utiliser notre montage comme onduleur réseau
ou un onduleur MLI. Cela implique une tension du bus continu qui s’élève à 540 Volts pour
notre montage et même supérieure à 700 Volts dans le cas de l’onduleur de tension MLI.
Nous avons donc besoin d’un convertisseur DC-DC élévateur de tension, soit un
hacheur survolteur ou BOOST. Il permet, non seulement d’adapter la tension, d’ajouter un
degré de liberté par le biais de sa commande et de remplir la fonction de MPPT. En effet, le
pont de diodes tout comme notre redresseur réversible ne permet aucune action extérieure,
d’où la nécessité de ce degré de liberté supplémentaire.
La Figure IV-3 présente le schéma du raccordement au réseau de notre éolienne,
incluant la fonction MPPT réalisée par le hacheur BOOST.


MS
Triphasé à
tension et
fréquences
variables
Pont de
diodes
Hacheur
BOOST
Convertisseur
réseau avec
filtrage
Réseau
400V-50Hz
Bus continu
éolien
Bus continu
réseau
MPPT
P
réf

Figure IV-3 : Schéma du raccordement de l’éolienne au réseau basse tension

La commande du hacheur BOOST consiste à imposer directement le courant de la
machine synchrone, donc le couple résistant opposé à l’éolienne. C’est par ce biais que le
réglage de la vitesse réduite s’effectue. Afin de simplifier au maximum le montage,
l’inductance du BOOST est supprimée et ce sont les inductances cycliques synchrones de la
machine qui vont jouer le rôle de cette inductance. En effet, deux phases de la machine sont
toujours conductrices donnant deux inductances cycliques en série ce qui donne une
inductance de 3,7mH environ vue « à travers » le pont de diodes.
La seule mesure nécessaire afin de faire fonctionner la MPPT, outre la mesure du
courant d’entrée du hacheur BOOST, est la mesure de la vitesse de l’éolienne. A partir de là,
nous pouvons reconstruire une puissance éolienne théorique maximale (cf. Equation IV-4) en
injectant l’Equation IV-2 dans l’Equation IV-1.
Le redresseur réversible appliqué à une chaî ne éolienne
154

3
3
opt
max 4
éol
Cp
H R P Ω ⋅ ⋅ ⋅ ⋅ ·
λ
ρ
IV-4

La Figure IV-4 présente un réseau de caractéristiques de puissance éolienne en
fonction de la vitesse de rotation, le paramètre étant la vitesse du vent. La courbe rouge
représente les lieux de la puissance optimale, ce qui correspond à l’Equation IV-4. Nous
constatons bien que la puissance est maximale si nous sommes à la bonne vitesse de rotation.
Si nous sommes en survitesse, nous allons extraire une puissance supérieure à la puissance
maximale, ce qui va faire ralentir l’éolienne et vice et versa. L’équilibre se fait quand il y a
égalité, soit au point de puissance maximale.


Vitesse du vent
P
opt
0
10
20
30
40
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9
Vitesse de rotation (rad/s)
P
u
i
s
s
a
n
c
e

(
k
W
)
14m/s
12m/s
10m/s
8m/s
6m/s

Figure IV-4 : Caractéristiques de la puissance éolienne en fonction de la vitesse de rotation

Nous déterminons alors la puissance que doit extraire le hacheur BOOST en tenant
compte des pertes par le facteur K
0
(cf. Equation IV-5). En remplaçant par les valeurs
numériques, nous obtenons l’Equation IV-6.

0 éol boost
.K P P · IV-5

0
3
boost
.K 239. P Ω · IV-6

Il faut ensuite extraire le courant à partir de cette puissance en divisant par la tension
Chapitre IV
155
moyenne en entrée du hacheur BOOST. Il suffit pour cela de prendre en considération la
vitesse de rotation, ce qui donne la force électromotrice et, par conséquent, la tension en sortie
du pont de diodes. D’où l’extraction du courant.

Ω ⋅ ·
π
φ 6 . .p. 3
V
bus
v

IV-7

Il ne nous reste plus qu’à déterminer la valeur du facteur K
0
. Son réglage permet de
s’assurer du fonctionnement autour de la valeur optimale de la vitesse réduite, ce qui est le cas
ici avec une valeur de K
o
égale à 0,99 car le pont de diodes est supposé idéal, d’où l’absence
de pertes.

99 , 0 K
0
· IV-8


Nous avons un fonctionnement un peu atypique ici car nous n’avons pas de régulation
de la tension de sortie du hacheur BOOST. En effet, cette tension est parfaitement maîtrisée et
imposée par le convertisseur réseau. C’est la tension d’entrée qui varie en fonction de la
vitesse de rotation de la machine synchrone. La valeur pouvant aller de zéro à une valeur très
élevée en cas de fort vent, il faut penser à fixer des butées sur le rapport cyclique du hacheur
BOOST en particulier pour les basses vitesses où il va tendre vers un.
Nous avons donc fixé des limites en terme de vitesse de vent du fonctionnement de la
fonction MPPT. Les bornes sont 5 et 15m/s. Cela correspond à des valeurs classiques que
nous pouvons trouver, par exemple, dans les accouplements directs au réseau par des
machines asynchrones [ECRIN]. Cela correspond à une plage de variation de la tension du
bus en sortie du pont de diodes de 161V à 484V soit des rapports cycliques respectifs de 0,7
et 0,1, sachant que la tension du bus réseau est de 540V pour le redresseur réversible. Cette
plage de variation du rapport cyclique est tout à fait correcte. Nous pouvons la modifier en
jouant, lors de la similitude sur la machine synchrone, sur le rapport des nombres de spires,
afin de modifier la tension en entrée du hacheur survolteur.
La tension du bus pour l’onduleur a été fixée à 800V, ce qui donne des butées de
rapport cyclique, si nous conservons la même machine, de 0,39 pour 15m/s et 0,8 pour 5m/s.
Ces valeurs restent raisonnables et compatibles pour un bon fonctionnement du hacheur
BOOST. Bien entendu, nous pourrions augmenter légèrement le rapport des nombres de
spires afin d’avoir les mêmes butées de rapport cyclique que le redresseur réversible. Mais
nous avons choisi ici de conserver la même machine afin qu’elle ne rentre pas en ligne de
compte dans la comparaison des montages connectés au réseau, but de notre étude.

Le redresseur réversible appliqué à une chaî ne éolienne
156
IV.3.4. Convertisseur réseau
Nous allons présenter ici les quatre structures qui vont être considérées dans cette
étude. Tout d’abord, nous avons notre montage, le redresseur réversible qui possède deux
versions : la version à inhibitions longues et celle à inhibitions courtes. Les schémas des
chaînes éoliennes équipées de ces convertisseurs réseaux sont présentés respectivement à la
Figure IV-5 et à la Figure IV-6. Sur tous les montages, apparaît une résistance d’un ohm en
série avec l’inductance de ligne afin de simuler l’amortissement naturel du réseau. Sa valeur
peut surprendre, mais elle a été déterminée afin d’obtenir des formes d’ondes en simulation
qui se rapprochent des formes d’ondes expérimentales.
Il ne faut pas se laisser abuser par le nom de notre montage, soit le redresseur
réversible, car nous allons l’utiliser ici en mode onduleur.
La valeur du courant de disjonction a été fixée à 80 ampères afin de permettre un
transfert d’énergie vers le réseau pour une vitesse de vent allant jusqu’à 17m/s, même si le
fonctionnement de la MPPT n’est plus assuré.


MS
Boost
MPPT
Condensateur
commun de
20µ F
Rése au 50Hz-
400V
50µH 1Ω
10nF
Inhibitions
longues
Mesure de vitesse
Réduit la CEM de
mode commun

Figure IV-5 : Schéma de la chaîne éolienne avec redresseur réversible à inhibitions longues


10µF
MS
Boost
MPPT
Aucun
condensateur
Réseau 50Hz-
400V
50µH 1Ω
4µF
Inhibitions
courtes
Mesure de vitesse

Figure IV-6 : Schéma de la chaîne éolienne avec redresseur réversible à inhibitions courtes

Le troisième montage envisagé est le concurrent dit « haut de gamme » de notre
montage, soit l’onduleur à modulation de largeur d’impulsions. Le schéma est donné à la
Chapitre IV
157
Figure IV-7. Il nécessite une commande externe ainsi qu’un filtre côté réseau afin de ne pas
renvoyer les harmoniques de découpage sur le réseau.


MS
Boost
MPPT
Commande
Condensateur
commun de
1mF
Réseau 50Hz-
400V
50µF

1Ω
100µH 1Ω 800µH
Mesure de vitesse
Synchronisation réseau

Figure IV-7 : Schéma de la chaîne éolienne avec onduleur MLI

Les trois montages précédents ont une particularité commune : comme nous utilisons
les inductances cycliques de la machine synchrone comme inductance du hacheur BOOST,
nous n’avons pas ajouté de condensateur pour le hacheur, celui-ci utilisant le condensateur du
convertisseur réseau. Dans le cadre du redresseur réversible à inhibitions courtes, il n’y a pas
de condensateur placé sur le bus continu. Ce sont directement les snubbers placés aux bornes
des disjoncteurs, ainsi que les condensateurs placés côté réseau qui servent de condensateur
de filtrage du hacheur BOOST. Cela est possible grâce à la propriété de conduction continue
permanente de notre montage.

Nous avons enfin envisagé une quatrième option, qui est historiquement la plus
ancienne. Elle consiste en un pont à thyristors qui a l’avantage de fonctionner en onduleur de
courant. C’est un montage survolteur, ce qui nous permet de nous passer du hacheur BOOST.
En ce qui concerne la fonction MPPT, fonction également réalisée par le hacheur, elle peut
être directement incluse dans la commande du pont à thyristors au prix d’une forte variation
de puissance réactive, point sur lequel nous reviendrons. Elle est réalisée de la même manière
que pour le hacheur. La Figure IV-8 présente la chaîne éolienne avec pont à thyristors. Il faut
noter que l’inductance cyclique de la machine est dorénavant insuffisante car nous travaillons
à basse fréquence (50Hz) contrairement au hacheur BOOST (10kHz). Nous avons donc
rajouté une inductance de 20mH sur le bus continu

Le redresseur réversible appliqué à une chaî ne éolienne
158

MS
20mH
Réseau 50Hz-
400V
50µH 1Ω
Commande avec logique
de MPPT
Mesure de vitesse
Synchronisation réseau

Figure IV-8 : Schéma de la chaîne éolienne avec onduleur de courant à thyristors


IV.4. PREMIERE COMPARAISON SUR LES FORMES D’ONDES COTE
RESEAU
Un premier élément de comparaison est l’observation des courants réinjectés sur le
réseau, forme temporelle et spectre. Cette étude permet en particulier de voir la réinjection
d’inter-harmoniques provenant de fréquence variable en sortie de la machine synchrone. En
effet, cette fréquence n’étant pas égale à celle du réseau, des raies supplémentaires vont
apparaître du côté réseau.
Tous les essais sont effectués pour une vitesse de vent unique de 12m/s. Cela
correspond à une vitesse de rotation de l’éolienne de 3,94rad/s. Compte tenu du nombre de
paires de pôles de la machine, nous avons une force électromotrice ayant une fréquence de
10,7Hz. En sortie du pont de diodes, la tension du bus a une fréquence six fois supérieure, soit
64Hz environ.


IV.4.1. Formes d’ondes du redresseur réversible
Nous avons deux versions du redresseur réversible. Les formes d’ondes pour la version
à inhibitions longues sont présentées à la Figure IV-9. Sur la forme temporelle, nous
retrouvons un courant 120° avec des pics de courant correspondant aux phases de disjonction
des différents interrupteurs. Par rapport aux formes d’ondes que nous avions précédemment
obtenues, nous observons ici un découpage qui provient du hacheur BOOST placé en amont,
découpage qui n’est pas totalement filtré par le condensateur placé sur le bus continu.
En ce qui concerne le spectre, il apparaît bien tous les harmoniques de rangs impairs,
exceptés les harmoniques multiples de trois, vu que nous sommes en triphasé sans neutre.
Chapitre IV
159
Nous observons deux harmoniques supplémentaires de part et d’autre du fondamental. Ces
raies sont à des fréquences de 14Hz et 114Hz environ. Elles correspondent à la puissance
fluctuante issue de l’interaction entre la fréquence du réseau (50Hz) d’un côté et la fréquence
issue de la machine synchrone (64Hz). Elles vérifient bien |50±64|. Il faut noter que ces
harmoniques sont légèrement atténués par la présence du condensateur de 20µF sur le bus
continu.


Inter-harmoniques

Figure IV-9 : Formes d’ondes et spectre du courant réseau pour le redresseur réversible à
inhibitions longues

Nous pouvons observer les mêmes phénomènes si nous nous intéressons au redresseur
réversible à inhibitions courtes. Les formes d’ondes du courant réseau ainsi que son spectre
sont présentés à la Figure IV-10. Deux légères différences apparaissent cependant sur la
forme d’onde temporelle. Tout d’abord, les phases de 60° durant lesquelles le courant est
censé être nul, montrent un courant qui circule. Ce courant est le courant échangé entre le
réseau et les trois condensateurs d’entrée. Le courant dans les diodes est, bien entendu, nul
durant cette phase. L’autre différence est la plus forte amplitude des ondulations du courant
dues au découpage du hacheur BOOST. Cela provient de l’absence ici de condensateur
directement sur le bus continu, diminuant ainsi l’efficacité du filtrage.
Par contre, sur le spectre, nous retrouvons les mêmes formes avec les deux raies
correspondant aux inter-harmoniques. Il faut noter tout de même que l’amplitude de toutes les
raies est plus faible. Nous les quantifierons plus tard, mais nous pouvons dire que cette
amélioration est due à la présence des condensateurs du côté réseau, qui permettent de filtrer
légèrement le courant réinjecté sur le réseau.

Le redresseur réversible appliqué à une chaî ne éolienne
160


Figure IV-10 : Formes d’ondes et spectre du courant réseau pour le redresseur réversible à
inhibitions courtes

Nous pouvons enfin faire une remarque qui s’applique aux deux versions du montage.
Il apparaît sur les relevés que le courant de disjonction a une valeur élevée par rapport au
courant de charge à transiter, alors que nous sommes déjà à une vitesse de vent de 12m/s.
Cela est lié à l’équation IV-3 où la puissance dépend du cube de la vitesse du vent. Or, nous
travaillons avec une tension de bus fixe. Nous pouvons dire que le courant continu varie avec
le cube de la vitesse du vent. Or nous voulons un fonctionnement pour un vent allant jusqu’à
17m/s, d’où ce courant de disjonction.


IV.4.2. Formes d’ondes de l’onduleur MLI
La Figure IV-11 présente les formes d’ondes obtenues côté réseau avec la chaîne
éolienne utilisant l’onduleur MLI dont la fréquence de découpage a été fixée à 10kHz. Nous
donnons les formes d’ondes avant et après filtrage car ce qui nous intéresse principalement,
c’est la forme du courant qui est réinjecté sur le réseau. Nous constatons que nous avons un
spectre ne possédant quasiment que la raie fondamentale, ce qui est la principale force de
l’onduleur MLI qui permet d’injecter un courant sinusoïdal sur le réseau. Nous pouvons
également observer la raie à la fréquence de découpage qui est bien atténuée par le filtre.
Enfin, les inter- harmoniques sont également présents. Par contre, leur amplitude est beaucoup
plus faible. Cette atténuation est liée à la présence sur le bus continu d’un condensateur de
valeur relativement élevée par rapport à ce que nous avons utilisé dans nos montages
redresseurs réversibles (1mF contre 20µF) [LABRIQUE].

Chapitre IV
161

Courant réseau
Courant avant filtre CEM
Courant réseau
Courant avant filtre CEM

Figure IV-11 : Formes d’ondes et spectre du courant réseau pour l’onduleur MLI

D’un point de vue spectral, l’onduleur MLI étale toutes ses propriétés.

IV.4.3. Formes d’ondes du pont à thyristors
De conception plus ancienne, la chaîne éolienne utilisant un pont à thyristors comme
convertisseur réseau présente l’avantage de s’affranchir du hacheur BOOST. Cela permet de
ne pas avoir de découpage de courant réinjecté sur le réseau comme nous l’avons avec le
redresseur réversible. La Figure IV-12 permet de retrouver les formes d’ondes classiques ainsi
que le spectre qui y est associé. Les inter-harmoniques sont toujours présents, aucun élément
de filtrage autre que l’inductance série n’étant présent sur le bus continu. En particulier, il n’y
a pas de condensateur placé en parallèle.



Figure IV-12 : Formes d’ondes et spectre du courant réseau pour le pont à thyristors

Un autre problème fondamental apparaît sur le spectre. Un pont à thyristors consomme
beaucoup de puissance réactive. Dans notre exemple ici, l’amplitude du courant fondamental
s’élève à 41 Ampères tandis que l’amplitude de celui du redresseur réversible à inhibitions
courtes ne vaut que 26 Ampères environ. Cela vient du fait que l’angle de retard à l’amorçage
Le redresseur réversible appliqué à une chaî ne éolienne
162
des thyristors vaut 120° ici. Nous avons modifié la constante de force électromotrice de la
machine synchrone afin d’observer la diminution de l’amplitude du fondamental du courant
avec l’augmentation de l’angle de retard à l’amorçage des thyristors. Pour la même puissance
active et un angle de commande du pont à thyristors de 150°, nous obtenons le spectre de la
Figure IV-13. L’amplitude du fondamental du courant a diminué à 32,5 Ampères. Par contre,
nous ne pouvons pas aller au-delà car nous avons atteint la marge de sécurité de l’angle de
retard à l’amorçage utilisée pour les ponts à thyristors.


Figure IV-13 : Spectre du courant réseau avec un réglage de la constante de force
électromotrice permettant un fonctionnement à un angle de 150°

A cause de cet angle de garde, nous ne pouvons jamais travailler, en mode onduleur, à
une puissance réactive nulle, soit un courant en opposition de phase avec la tension. Par
ailleurs, il faut se trouver en butée pour la tension maximale, soit la vitesse maximale de vent,
qui a été choisie à 17m/s dans notre dimensionnement. Par conséquent, le test ici se faisant
pour un vent de 12m/s, le cas de la Figure IV-13 est aberrant.
De plus, la tension du bus, donc la puissance réactive consommée varie en fonction de
la vitesse de vent. Une simple batterie de condensateurs est insuffisante pour ne pas
consommer de puissance réactive sur toute la plage de fonctionnement. Une autre solution
consiste à utiliser des gradins de condensateurs, mais la dynamique du vent nécessiterait des
connexions et déconnexions fréquentes, ce qui réduit la durée de vie des condensateurs et
génère de nombreux transitoires sur le réseau. Il faut donc envisager une compensation active.
Le problème de la gestion de la puissance réactive est donc très pénalisant pour le pont
à thyristors [SEGUIER].




Chapitre IV
163
IV.4.4. Bilan et conclusion
Les quatre montages ont leurs avantages et leurs inconvénients en terme de spectre du
courant réinjecté sur le réseau. Le Tableau IV-3 résume les amplitudes des harmoniques du
courant réseau pour un vent de 12m/s. D’emblée, nous constatons la forte valeur obtenue pour
le fondamental dans le cas du pont à thyristors, ce que nous avons déjà étudié. Ce phénomène
est d’autant plus pénalisant que la chaîne éolienne ne fonctionne qu’une faible partie du temps
à la puissance maximale pour laquelle elle a été dimensionnée. De plus une compensation par
gradins de condensateurs est peu adaptée pour régler ce problème, car lorsque le vent varie, la
puissance réactive consommée va varier et la dynamique du vent est importante. Il faut donc
prévoir une compensation active ce qui augmente le coût du convertisseur. Par contre, notre
montage fonctionne naturellement à facteur de puissance unitaire à l’empiètement près et ce
quelle que soit la vitesse du vent. Nous n’allons donc plus considérer le pont à thyristors dans
la suite de notre étude.

Fréquence (Hz) 14 50 114 250 350 550 650 850 950
Redresseur
réversible à
inhibitions longues
0,9 27,27 0,81 10,1 7,4 7,5 6,1 5,9 4,8
Redresseur
réversible à
inhibitions courtes
0,81 26,18 0,82 8,8 7,1 6,7 5,7 5,5 4,7
Onduleur MLI 0,12 26,1 0,14
Pont à thyristors 1,28 41,06 0,887 9,6 3,7 3,1 2 1,58 1,13
Tableau IV-3 : Amplitude des harmoniques du courant réseau pour un vent de 12m/s

Ces mesures permettent également de confirmer ce que l’étude CEM réalisée sur le
redresseur réversible avait permis de mettre en évidence, à savoir que le courant réseau de la
version à inhibitions courtes possède des harmoniques plus faibles que celui de la version à
inhibitions longues. En conjuguant ceci à tous les avantages que nous avons vus dans le
chapitre III, nous allons écarter la version à inhibitions longues de notre étude au profit de la
version à inhibitions courtes qui semble plus adaptée au cahier des charges que nous nous
sommes fixé.
Nous allons donc nous concentrer sur seulement deux montages dont l’onduleur MLI
qui montre ici tout son potentiel d’injection d’un courant réseau sinusoïdal en phase avec la
tension. Par cont re, il faut lui adjoindre un filtre côté réseau afin de supprimer les
harmoniques de découpage.
Le redresseur réversible appliqué à une chaî ne éolienne
164
IV.5. DEUXIEME COMPARAISON SUR L’EFFICACITE
ENERGETIQUE
Nous étudions une chaîne éolienne dont l’objectif premier est d’injecter un maximum
de puissance active sur le réseau pour un vent donné. Par conséquent, nous allons modéliser
les pertes pour les deux convertisseurs en lice : le redresseur réversible à inhibitions courtes et
l’onduleur MLI. Nous soumettrons ensuite ces modèles à des profils de vent réels.
Nous allons mener deux types de comparaison. La première, dite statique, considère
les pertes pour chaque vitesse de vent, en régime établi, et cumule ces résultats en fonction de
l’occurrence du vent sur une année. La deuxième comparaison, dite dynamique, utilise un
profil de vent temporel sur dix secondes [LANGLOIS]. Nous extrapolons alors les résultats
sur une année en supposant le profil périodique. Cette étude permet de tenir compte des
transitoires mécaniques liés à la forte inertie de l’ensemble.
Pour chaque circuit, les composants utilisés sont des modules EUPEC IGBT de 1200V
et 1700V. Vu les niveaux de tension des deux montages, le redresseur réversible se contente
du module 1200V, tandis que l’onduleur MLI nécessite le module 1700V. Les références des
composants utilisés sont le FS75R12KE3 pour le 1200V et le FS75R17KE3 pour le 1700V.
Ils correspondent à la dernière évolution des modules EUPEC (2002) et proposent un bon
compromis entre pertes par conduction et pertes par commutation, en tout cas pour la partie
transistor qui est la plus utilisée en mode onduleur. Nous avons également tenu à utiliser des
composants de la même technologie afin de permettre une réelle comparaison de la structure
du convertisseur.

IV.5.1. Présentation des profils de test
Nous utilisons des profils de vent décrits par une loi de distribution statistique de
Weibull [WEIBULL]. Cette distribution est régie par l’Equation IV-9. Les deux paramètres
sont k qui est le paramètre de forme et c qui correspond au paramètre d’échelle. v est la
vitesse du vent exprimée en m/s.

]
]
]
]

,
`

.
|

,
`

.
|
⋅ ·
k k
c
v
- exp
c
v
v
k
f(v) IV-9

Nous allons utiliser deux profils de test qui sont présentés à la Figure IV-14. Les
paramètres de la distribution de Weibull sont fournis dans le Tableau IV-4. Deux profils sont
envisagés. Le premier correspond à des relevés effectués à Carcassonne, lieu qui profite du
vent circulant dans la vallée reliant Narbonne à Toulouse. Le deuxième profil appelé profil de
test, représente la distribution de Weibull correspondant au profil temporel de dix secondes.
Chapitre IV
165
0
0,02
0,04
0,06
0,08
0,1
0,12
0 5 10 15 20 25
Vitesse du vent (m/s)
D
e
n
s
i
t
é

d
e

p
r
o
b
a
b
i
l
i
t
é
Profil Carcassonne Profil de test

Figure IV-14 : Distributions de Weibull des deux profils de vent utilisés


Profil de Carcassonne Profil de test
Vitesse moyenne du vent
(m/s)
7,62 8,2
k 2,0599 2
c 8,6 9,184
Tableau IV-4 : Paramètres des distributions de Weibull des deux profils de vent utilisés

A partir de ces distributions, il suffit de multiplier par le nombre d’heures dans une
année afin d’obtenir l’occurrence du vent. Un exemple pour Carcassonne est donné à la
Figure IV-15.

0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Vitesse du vent (m/s)
N
o
m
b
r
e

d
'
h
e
u
r
e
s

Figure IV-15 : Occurrence du vent à Carcassonne
Le redresseur réversible appliqué à une chaî ne éolienne
166
La Figure IV-16 présente le profil de test en dynamique. Nous voyons que le vent varie
de 1 à 16m/s. Cela correspond à des profils normaux. Par contre, il ne prend pas en compte les
événements spéciaux comme le calme plat ou une forte rafale de vent. Il simule quand même
un pic et un creux de vent, où l’inertie mécanique peut jouer son rôle de filtre et de limiteur de
variation de la vitesse de rotation de l’éolienne. Nous considérons que ce profil est très
suffisant pour les essais de comparaison que nous envisageons sur le convertisseur réseau.

0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
0 2 4 6 8 10
Temps (s)
V
i
t
e
s
s
e

d
u

v
e
n
t

(
m
/
s
)

Figure IV-16 : Profil temporel de vent sur 10 secondes


IV.5.2. Mesure des pertes en statique
Pour calculer les différentes pertes, nous utilisons les données fournies par le
constructeur. Pour les pertes par conduction, nous prenons les caractéristiques statiques et
interpolons les courbes sous la forme de l’Equation IV-10. Pour les pertes par commutation,
nous utilisons les courbes d’énergies à l’amorçage E
ON
et E
OFF
au blocage de l’IGBT et
l’énergie de recouvrement E
rec
de la diode. En général, ces courbes peuvent être interpolées
par des équations du second degré (cf. Equation IV-11).

¹
'
¹
⋅ + ·
⋅ + ·
d diode d d0 d
C IGBT d CE0 CE
I R V V
I R V V
IV-10

Chapitre IV
167
¹
¹
¹
'
¹
⋅ + ⋅ + ·
⋅ + ⋅ + ·
⋅ + ⋅ + ·
2
d rec d rec rec rec
2
C OFF C OFF OFF OFF
2
C ON C ON ON ON
I c I b a E
I c I b a E
I c I b a E
IV-11

Le modèle de pertes de l’onduleur MLI est celui qui est présenté en annexe de la Thèse
de Christophe Turpin [TURPIN]. Les calculs sont ici grandement simplifiés car nous nous
plaçons dans le cas d’un courant réseau en phase avec la tension. Les seuls paramètres
nécessaires sont alors le courant crête côté réseau I
max
et la profondeur de modulation m
a
. Les
formules des différentes pertes dans un IGBT et une diode sont données par les équations IV-
12 à IV-15.

,
`

.
|
⋅ + ⋅ ⋅ +

,
`

.
|
⋅ + ⋅ ⋅ ·
a
2
max
IGBT d a
max
CE0 IGBT cond
m
3
8
1
8
I
R m
4
1
2
I
V P
π
π
π
IV-12

( ) ( )
¹
'
¹
¹
'
¹
⋅ + + ⋅ + +
+
⋅ ≈
4
I
c c
I
b b
2
a a
f P
2
max
OFF ON
max
OFF ON
OFF ON
déc IGBT com
π
IV-13

,
`

.
|
⋅ ⋅ ⋅ +

,
`

.
|
⋅ − ⋅ ⋅ ·
a
2
max
diode d a
max
d0 diode cond
m
3
8
- 1
8
I
R m
4
1
2
I
V P
π
π
π
IV-14

¹
'
¹
¹
'
¹
⋅ + ⋅ + ⋅ ≈
4
I
c
I
b
2
a
f P
2
max
rec
max
rec
rec
déc diode com
π
IV-15

Pour le calcul des pertes dans le redresseur réversible, nous avons une onde 120°. En
notant I
cont
le courant circulant en sortie du hacheur BOOST, nous pouvons écrire les
Equation IV-16 et Equation IV-17.

3
I
I
cont
· > < IV-16

3
I
I
cont
eff
· IV-17

Nous pouvons déduire les pertes par commutation et conduction dans l’IGBT et la
diode en utilisant les Equation IV-18, Equation IV-19 et Equation IV-20. Nous négligeons ici
l’influence des snubbers sur les pertes par commutation, ce qui revient à se placer dans le pire
des cas. De toute façon, le fonctionnement à la fréquence du réseau entraîne des pertes par
Le redresseur réversible appliqué à une chaî ne éolienne
168
commutation quasiment négligeables devant les pertes par conduction, ce qui rend faible
l’erreur effectuée. En ce qui concerne l’IGBT, l’amorçage se fait au passage par zéro du
courant tandis que le blocage s’effectue toujours pour un courant égal au courant de
disjonction. Quant aux diodes, elles ne conduisent que le courant de court-circuit permettant
la disjonction. Les pertes par conduction se calculent de la même manière que pour l’IGBT
mais avec des courants moyen et efficace différents. Pour les pertes par commutation de la
diode, il n’y a que des pertes au blocage, ce dernier se faisant avec un courant équivalent au
courant de disjonction moins le courant sur le bus continu (mode onduleur).

2
eff IGBT d CE0 IGBT cond
.I r I . V P + > < · IV-18

( )
2
disj OFF disj OFF OFF ON IGBT com
.I c .I b a a 50. P + + + · IV-19

( ) ( ) ( )
2
cont disj rec cont disj rec rec diode com
I - I . c I - I . b a 50. P + + · IV-20


Nous appliquons ces deux modèles en relevant les différents paramètres nécessaires au
cours de simulations effectuées pour un vent constant sous PSIM. Les résultats condensés
sont fournis à l’annexe C.
Les valeurs finales sont résumées dans le Tableau IV-5. Nous avons là l’énergie totale
exprimée en kW.h de pertes sur une année dans le convertisseur réseau. Il apparaît
immédiatement une nette différence entre le redresseur réversible et l’onduleur MLI, la
différence principale venant des pertes par commutation. En effet, l’onduleur MLI fonctionne
ici à 10kHz tandis que la fréquence de commutation du redresseur réversible est seulement de
50Hz. Les résultats mettent aussi en évidence l’apport de l’utilisation d’un module 1200V par
rapport à un module 1700V, en diminuant les pertes. Cette diminution des pertes est plus
profitable pour l’onduleur MLI qui divise ses pertes par deux, tandis que le redresseur
réversible ne voit une baisse que de 15 à 20% environ. Cela vient du fait que le bénéfice se
fait plus sentir sur les pertes par commutation. Or, pour l’onduleur MLI, ce sont elles qui sont
prépondérantes, ce qui n’est pas le cas du redresseur réversible.
Nous pouvons enfin noter que le profil de test conduit à des pertes supérieures, ce qui
vient de sa vitesse moyenne de vent, donc sa puissance moyenne, supérieure à celle du profil
de Carcassonne.
Dans tous les cas, nous pouvons retenir que le redresseur réversible a quatre fois moins
de pertes pour un module 1200V et que le ratio passe même à sept pour le module 1700V.


Chapitre IV
169
Convertisseur réseau Profil de Carcassonne Profil de test
Onduleur MLI
Module EUPEC 1700V
4306 4539
Onduleur MLI
Module EUPEC 1200V
1935 2068
Redresseur réversible
Module EUPEC 1700V
612 649
Redresseur réversible
Module EUPEC 1200V
486 515
Tableau IV-5 : Récapitulatif des pertes annuelles calculées en statique (pertes en kW.h)


IV.5.3. Mesure des pertes en dynamique
Nous utilisons dorénavant le même modèle de pertes mais en simulant avec le profil
dynamique de vent précédemment défini. Les résultats sont donnés dans le Tableau IV-6. Les
valeurs que nous trouvons sont du même ordre de grandeur que ce que nous avions en
statique. Par contre, l’écart en faveur du redresseur réversible est plus favorable atteignant un
ratio des pertes proche de cinq pour le module 1200V et de huit pour le module 1700V.

Convertisseur réseau Profil de test
Onduleur MLI
Module EUPEC 1700V
4443
Onduleur MLI
Module EUPEC 1200V
2006
Redresseur réversible
Module EUPEC 1700V
537
Redresseur réversible
Module EUPEC 1200V
433
Tableau IV-6 : Récapitulatif des pertes annuelles calculées en dynamique (pertes en kW.h)

Cet écart est encore beaucoup plus grand et atteint un ratio de dix, si nous considérons
que l’onduleur MLI utilise un module 1700V, tandis que le redresseur réversible se contente
d’un module 1200V, grâce à sa tension de bus inférieure.


Le redresseur réversible appliqué à une chaî ne éolienne
170
IV.5.4. Rendement énergétique
Comme nous l’avons déjà dit, l’objectif de la chaîne éolienne est d’injecter le
maximum d’énergie sur le réseau. Nous venons de constater que le redresseur réversible
présente moins de pertes, mais il est intéressant de savoir si cette différence est significative
par rapport à l’énergie totale qui transite. Afin de le quantifier, nous définissons un rendement
énergétique, donné par l’Equation IV-21. L’énergie E
trans
représente l’énergie disponible sur
un an en sortie du hacheur BOOST. Elle est quasiment la même pour les deux montages. Les
valeurs sont résumées dans le Tableau IV-7, pour les deux profils de vent, les mesures étant
faites en statique. Une légère différence apparaît, due au fonctionnement autorisé pour les
forts vents pour l’onduleur MLI. Il faut noter que théoriquement, l’onduleur MLI, n’aurait pas
de limite mais les courants atteints deviennent vite énormes entraînant un fort
surdimensionnement du convertisseur. Nous avons donc limité ici pour un vent légèrement
supérieur au redresseur réversible.

trans
pertes trans
E
E E


· η IV-21
Convertisseur réseau Profil de Carcassonne Profil de test
Onduleur MLI
70934 80285
Redresseur réversible
69779 78557
Tableau IV-7 : Energie annuelle récupérable en sortie du hacheur BOOST (en kW.h)

Les calculs des rendements énergétiques sont alors réalisés et les résultats sont reportés
dans le Tableau IV-8. L’écart est flagrant en faveur du redresseur réversible.

Convertisseur réseau Profil de Carcassonne Profil de test
Onduleur MLI
Module EUPEC 1700V
0,939 0,943
Onduleur MLI
Module EUPEC 1200V
0,973 0,974
Redresseur réversible
Module EUPEC 1700V
0,991 0,992
Redresseur réversible
Module EUPEC 1200V
0,993 0,993
Tableau IV-8 : Calcul des rendements énergétiques calculés en statique
Chapitre IV
171
Par ailleurs, les différences en termes d’énergie totale disponible restent inférieures
aux différences des pertes. Par conséquent, outre un meilleur rendement, le redresseur
réversible permet d’injecter plus d’énergie sur le réseau.
Il faut aussi noter que les pertes dans le hacheur BOOST n’ont pas été évaluées ici et
nous n’en avons pas tenu compte. Or la chaîne éolienne utilisant l’onduleur MLI nécessite un
fonctionnement du BOOST à un rapport cyclique plus élevé à cause de la plus forte élévation
de tension. Cela implique des pertes plus importantes dans le hacheur pour un fonctionnement
avec l’onduleur MLI, ce qui est encore favorable au redresseur réversible. Comme nous
l’avons déjà cité, nous pouvons compenser ce problème en augmentant le nombre de spires de
la machine synchrone afin d’avoir le même rapport d’élévation dans les deux chaînes, mais
cela impliquera des pertes plus importantes dans la machine par augmentation de la résistance
série.
En conclusion, d’un point de vue énergétique, le redresseur réversible est meilleur.

IV.6. TROISIEME COMPARAISON SUR L’ASPECT THERMIQUE
Un autre élément important lors du dimensionnement d’un convertisseur est le choix
de son système de refroidissement. En effet, il faut s’assurer que la température de jonction ne
dépasse pas un seuil, en général 150°C, sous peine de destruction de la puce. Le redresseur
réversible ayant moins de pertes que l’onduleur MLI semble mieux placé dans cette catégorie.
Nous avons choisi de quantifier cette différence en étudiant la température de jonction
maximale pour une même température de boîtier. Nous avons aussi inclus les transitoires en
utilisant les pertes calculées sur le profil dynamique.
La Figure IV-17 présente le modèle thermique, proposé par EUPEC, de l’assemblage
intra- modulaire, où la variation de la température de jonction par rapport à la température de
boîtier dépend de quatre constantes de temps différentes. Le Tableau IV-9 fournit les données
constructeurs : il y a la résistance thermique ainsi que la constante de temps thermique des
différents constituants. Il y a deux modèles de même type pour la puce IGBT et la puce de la
jonction PN.

r
1
r
2
r
3
r
4
C
1
C
2
C
3
C
4
T
case
T
j

Figure IV-17 : Modèle thermique des modules EUPEC

Le redresseur réversible appliqué à une chaî ne éolienne
172
i 1 2 3 4
r
i
[K/W] : IGBT 3,949E-2 6,139E-2 1,580E-1 8,884E-2
τ
i
[s] : IGBT 2,345E-3 2,820E-1 2,820E-2 1,128E-1
r
i
[K/W] : Diode 5,906E-2 3,815E-1 1,099E-1 3,480E-2
τ
i
[s] : Diode 3,333E-3 3,429E-2 1,294E-1 7,662E-1
Tableau IV-9 : Paramètres du modèle thermique du module EUPEC 1200V

Nous simulons ensuite ces modèles pour le redresseur réversible et l’onduleur MLI en
prenant le module 1200V et le module 1700V respectivement. Nous supposons que la
température du boîtier est nulle, ce qui revient à dire que nous observons la différence de
température par rapport au boîtier. Les résultats sont présentés à la Figure IV-18.


Figure IV-18 : Profils des températures de jonction de l’IGBT et de la diode

La première chose qui frappe est la constance de la température de la diode dans le
cadre du redresseur réversible. Comme nous l’avons déjà dit, nous sommes en mode
onduleur. Donc, la diode ne sert qu’à conduire le courant de la maille de court-circuit durant
un instant bref. Elle chauffe relativement peu et de manière uniforme dans le temps.
Les trois autres profils de température sont identiques malgré une différence de la
température maximale de l’ordre de 20°C. Cette différence est très importante. Elle permet
soit un dimensionnement moins contraignant du système de refroidissement en se contentant,
par exemple, d’une convection naturelle au lieu d’une ventilation forcée. Elle peut aussi
permettre de changer de catégorie pour le semi-conducteur, à système de refroidissement
Chapitre IV
173
donné, en prenant le calibre en dessous. En effet, ayant ici peu de pertes à dissiper nous
sommes beaucoup moins contraints, grâce au fonctionnement à 50Hz.
Par exemple, si nous nous décidons que la température la plus chaude que la puce doit
atteindre est de 125°C, nous pouvons dimensionner les deux systèmes de refroidissement en
prenant les données thermiques fournies par le constructeur, connaissant déjà le niveau des
pertes dans les composants. Nous prenons 40°C comme température ambiante. Le Tableau
IV-10 présente les résultats. Il apparaît quasiment un facteur dix sur la résistance thermique
des dissipateurs. La valeur pour le redresseur réversible permet encore d’envisager une
convection naturelle, tandis que cela est impossible pour l’onduleur MLI.

Redresseur réversible Onduleur MLI
Pertes par IGBT (en W)
29 132
Pertes par diode (en W)
2 56
Résistance thermique du
dissipateur (en K/W)
0,3824 0,0348
Tableau IV-10 : Dimensionnement des dissipateurs thermiques

Enfin, une remarque pour signaler que la température de la diode de l’onduleur MLI
est équivalente à celle de l’IGBT, car bien que nous ayons moins de pertes, la résistance
thermique étant plus importante, cela se compense.


IV.7. CONCLUSION
Cette étude sur un cahier des charges de chaîne éolienne a permis de comparer le
redresseur réversible à d’autres montages ayant une fonction similaire, notamment l’onduleur
MLI. Ce dernier permet d’injecter un courant sinusoïdal sur le réseau, alors que notre
montage se limite à un fonctionnement en onde 120°. Par contre, ce dernier mode de
fonctionnement permet, à densité de courant donnée, de transmettre plus de puissance.
Par ailleurs, nous avons vu que le montage s’affranchit d’un condensateur sur le bus,
est auto-alimenté, sans capteur et sans commande extérieure à gérer. De plus, les tests CEM
effectués chez CIRTEM ont mis en évidence le respect des normes, alors que l’onduleur MLI
nécessite un filtre CEM côté réseau afin de réduire ses harmoniques de découpages. Il
représente donc un investissement de départ plus faible surtout si nous utilisons des modules
1200V au lieu de modules 1700V. D’autre part, la dernière partie de cette étude a mis en
évidence une nette différence sur les températures de fonctionnement à dissipateur donné, ou
Le redresseur réversible appliqué à une chaî ne éolienne
174
un dissipateur plus petit pour le redresseur réversible, à température de jonction donnée. Nous
pouvons encore gagner ici sur le plan financier mais également sur le plan fiabilité du
système. Plus un système est complexe, plus la fiabilité est difficile à maîtriser. Or la
convection naturelle est des plus simples
Enfin, sur un plan purement énergétique, l’étude montre que le redresseur permet
d’injecter plus d’énergie sur le réseau que l’onduleur MLI. Cette énergie étant le bien que
nous vendons, le redresseur réversible est également vainqueur sur ce plan.

Par sa simplicité et ses bonnes performances, le redresseur réversible qui fonctionne ici
en mode onduleur uniquement, semble un bon compromis pour le convertisseur réseau de la
chaîne éolienne. Par ailleurs, en faisant abstraction de l’aspect éolien, nous avons une bonne
comparaison entre notre montage et l’onduleur MLI ou le pont à thyristors. Par rapport à ce
dernier, nous ne consommons pas de puissance réactive. Contrairement à l’onduleur MLI,
nous n’avons pas la possibilité de faire de l’absorption sinusoïdale sur le réseau, mais nous
avons moins de pertes, un coût de départ plus faible, pas d’éléments auxiliaires, une tension
de bus parfaitement maîtrisée à un niveau inférieur et une électronique plus fiable, grâce à sa
plus grande simplicité.



CONCLUSION GENERALE

Ce travail de thèse s’inscrit dans les travaux menés au sein de l’équipe
« Convertisseurs Statiques » du LEEI sur le thème de la fiabilité et de la sûreté des
convertisseurs. Il avait pour objectif d’étudier un nouveau concept basé sur l’utilisation des
protections au cœur même du mécanisme de commutation en vue d’élaborer de nouveaux
convertisseurs statiques auto-protégés. Dans la continuité de travaux antérieurs sur la fiabilité,
notre travail s’est donc positionné sur le thème de la sécurité de fonctionnement des
convertisseurs statiques. Mais nous nous sommes alors aperçu que ces travaux avaient des
implications bien plus amont, comme l’introduction de nouvelles fonctionnalités et un
élargissement des mécanismes de fonctionnement de la cellule de commutation. Avant de
présenter quelques perspectives, nous allons tirer les principales conclusions de cette étude.

Un état de l’art des protections en courant et en tension des composants à semi-
conducteur a permis de mettre en avant leurs propriétés principales. Un point essentiel est la
rapidité de réaction qui implique alors un emplacement au plus près du composant, si ce n’est
directement dans la puce. Une autre approche, complémentaire de la précédente, consiste à
rendre active cette fonction de protection dans le mécanisme de commutation de la cellule.
Cette seconde approche permet, d’une part, l’élaboration de convertisseurs statiques auto-
commandés et auto-protégés et, d’autre part, l’élargissement des degrés de liberté intervenant
dans la synthèse des convertisseurs. Nous obtenons ainsi un nouveau procédé de
commutation, appelé commutation automatique. Cette dernière est fondamentalement basée
sur l’exploitation d’une ou plusieurs non- linéarités comportementales dans le plan courant-
tension de l’interrupteur. Cette non- linéarité peut résulter d’une caractéristique intrinsèque au
composant (désaturation, écrêtage) ou de l’introduction d’un seuil de détection en courant
(disjonction) ou en tension (crow-bar). En général, pour des dispositifs semi-conducteurs,
seule la désaturation intrinsèque d’un transistor semble physiquement pouvoir être exploitée
de façon viable, et associée à un détecteur conférant la fonction disjoncteur.
Cette commutation est donc automatiquement commandée (ou auto-commandée ou
automatique) par le niveau de courant qui traverse l’interrupteur ou la tension à ses bornes,
i.e. que ce changement d’état, comme une transition spontanée, résulte des grandeurs
électriques environnantes. Elle peut constituer un processus causal si le changement d’état
automatique résulte de l ’évolution des sources extérieures, ou bien, au contraire, subir le
changement d’état d’un autre interrupteur au sein de la cellule, si celui- ci provoque une maille
de court-circuit ou une surtension. Il en résulte une notion de causalité dans le changement
d’état de la cellule de commutation, notion qui était implicite tant que nous ne considérions
Conclusion générale
176
que les commutations commandée et spontanée, la commutation commandée étant toujours
maître.
Il résulte que la commutation automatique permet d’introduire de nouveaux
mécanismes, ce qui permet d’enrichir les caractéristiques des interrupteurs, les mécanismes et
les structures de cellules, ainsi que les fonctionnalités, telles que des réversibilités intrinsèques
ou des structures AC-AC naturelles.

Dans ce contexte et sur la base des propriétés énoncées, le thyristor-dual disjoncteur
constitue le composant privilégié pour la réalisation de tels convertisseurs. Nous nous
sommes alors intéressés aux deux cellules élémentaires basées sur ce composant : les cellules
onduleur à disjonction et redresseur à disjonction. Parmi toutes les qualités qu’il présente, le
thyristor-dual autorise une intégration fonctionnelle. Cela permet d’envisager l’intégration
fonctionnelle de composants incluant une commutation commandée à court terme. C’est le
but de la collaboration actuelle entre le LEEI et le LAAS, afin de synthétiser cette fonction
thyristor-dual disjoncteur, alors que des micro-disjoncteurs ont déjà été réalisés. Ce
composant a également servi de support pour l’étude du processus de disjonction. Nous avons
alors mis en avant le rôle important joué par la capacité transversale dans la maîtrise du
courant de disjonction, mais également dans la parallélisation de disjoncteurs électroniques,
composants dont l’usage se développe.

Ce composant est alors utilisé dans des convertisseurs statiques complets ce qui a
permis de mettre en avant son utilité en terme de sûreté, ce que nous recherchions au départ.
Par exemple, dans le cadre de la cellule onduleur à disjonction, il y a deux disjoncteurs en
série sur le bus continu, ce qui le protège contre toute défaillance de la charge ou d’un des
composants. Ce nouveau concept permet également d’envisager de nouvelles fonctionnalités
comme le transformateur continu réversible, mais également le redresseur triphasé réversible.
Ce dernier montage a fait l’objet d’une collaboration avec CIRTEM pour le développement
d’un prototype en cours d’industrialisation. Il peut être vu comme un pont de diodes dont ces
dernières seraient réversibles en courant. Mais cette vision est restrictive, car le montage peut
également fonctionner en ondes 180°, ce qui est le comportement d’un onduleur de tension.
Par conséquent, il adapte son mode de fonctionnement à son environnement de manière
autonome. La commutation automatique remet donc en cause la vision classique des
convertisseurs, vision adaptée aux commutations commandées et spontanées.

Enfin, nous avons confronté le redresseur réversible aux montages présentant des
fonctionnalités similaires que sont l’onduleur MLI et l’onduleur de courant à thyristors, sur un
cahier des charges de convertisseur réseau d’une chaîne éolienne. Nous avons ainsi pu
quantifier les avantages du redresseur réversible qui est auto-alimenté, sans capteur,
fonctionne à cos(ϕ) unitaire, possède un meilleur rendement et permet une totale maîtrise de
Conclusion générale
177
la tension du bus continu. Dans l’application envisagée, le redresseur réversible sort
vainqueur grâce à sa simplicité, tant au niveau du dispositif qu’au niveau du refroidisseur, à
son meilleur rendement, facteur important ici vu que nous parlons de génération d’énergie.

Le redresseur réversible à thyristor-dual disjoncteur est donc un bon vecteur pour
promouvoir le concept de commutation automatique, alors que la phase de valorisation est en
cours. Mais les retombées ne s’arrêtent pas là, ce qui nous amène tout naturellement aux
perspectives de ce travail. Sur le plan applicatif, d’autres montages peuvent être envisagés. En
effet, l’introduction de la commutation automatique résout les problèmes d’associations de
commutations commandées, problèmes qui ne se limitent pas aux composants à semi-
conducteur mais s’étendent à d’autres technologies d’interrupteurs comme le diamant, étudié
par ailleurs au LEEI, ou le supraconducteur, ce qui augmente la portée de ce travail.
Une recherche plus amont est également envisageable dans le cadre de notre
collaboration avec le LAAS. En effet, la suppression de la commande dans le redresseur
réversible a permis de réaliser le montage le plus compact possible, ce qui en fait un bon
candidat pour l’intégration fonctionnelle. Nous pouvons même rêver à une refonte de la
cellule de commutation et son intégration au sein de la puce silicium, grâce à l’absence de
capteur et de commande.
Enfin, sur le plan théorique, nous avons constaté un élargissement des propriétés de la
cellule de commutation avec de nouvelles possibilités, mais également de nouvelles visions
des mécanismes de commutation. Historiquement, l’étude de la cellule de commutation a
toujours été très présente au LEEI, ce qui en fait un axe d’enseignement fort à l’ENSEEIHT.
Sans tout remettre en cause, durant les années qui viennent, l’introduction de la commutation
automatique va permettre d’élargir l’enseignement de la cellule de commutation, brique
élémentaire de tout convertisseur statique.
Nous constatons donc que la commutation automatique a largement dépassé la
thématique de départ de ce travail sur la sûreté de fonctionnement, au point d’être devenue un
axe de recherche à part entière de l’équipe « Convertisseurs Statiques » du LEEI, les
potentialités étant très importantes.




BIBLIOGRAPHIE

[ALONSO]
« Modélisation de composants pour la simulation en électronique de puissance
(application au GTO et à l’IGBT) », Corinne ALONSO, Thèse INP Toulouse, 1994.


[BAUDESSON]
« Sûreté de fonctionnement, reconfiguration et marches dégradées des onduleurs
multiniveaux à IGBT », Philippe BAUDESSON, Thèse INP Toulouse, 2000.


[BREIL]
« Etude d’associations MOS-thyristor autoamorçables et blocables. Exemple
d’intégration de la fonction thyristor-dual », Marie BREIL, Thèse INSA Toulouse,
1998.


[BREVET 1]
Brevet européen n°SR0201580, enregistré par le CNRS, 2 février 2002.


[BREVET 2]
PCT international n°PVT/FR03/00357, enregistré par le CNRS, 5 février 2003.


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[ECRIN]
« L’électronique de puissance, vecteur d’optimisation pour les énergies
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2002.


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[FOCH 1]
« Eléments constitutifs et synthèse des convertisseurs statiques », H. FOCH, R.
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des Techniques de l’Ingénieur D3152, 1989.


[FOCH 2]
« Dualité dans les convertisseurs statiques », H. FOCH, R. ARCHES, F. BORDRY,
Y. CHERON, B. ESCAUT, P. MARTY, M. METZ, Article des Techniques de
l’Ingénieur D3154, 1989.


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« Etude et conception de micro-disjoncteurs intégrés basées sur le mode
d’intégration fonctionnelle », Olivier GUILLEMET, Thèse de Université Paul
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« Filière technologique flexible pour l’intégration fonctionnelle », E. IMBERNON,
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180
[LAUR]
« New integrated devices for units protection : circuit-breaker structure », J.P.
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« Convertisseurs à commutations automatiques », N. ROUX, F. RICHARDEAU, H.
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[ROUX 5]
« Self-switching converters : application to the design of a naturally reversible
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« Etude de la commande autour de la tension de seuil (CATS) des transistors de
puissance à grille isolée et de ses applications », Hugo SAWEZYN, Thèse Université
des Sciences et Technologies de Lille, 2003.


[SEGUIER]
« Les Convertisseurs de l’Electronique de Puissance, Tome 1, La conversion
Alternatif-Continu », G. SEGUIER, TEC-DOC Lavoisier, 1984.


[TURPIN]
« Développement, caractérisation des pertes et amélioration de la sûreté de
fonctionnement d’un onduleur multicellulaire à commutation douce (ARCP) »,
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[VALLON]
« Introduction à l’étude de la fiabilité des cellules de commutation à IGBT sous
fortes contraintes », Jérôme VALLON, Thèse INP Toulouse, 2003.


[WEIBULL]
http://www.windpower.org





A. ANNEXE A

EXEMPLE DE SYNTHESE DE CELLULES DEUX
QUADRANTS
Afin d’illustrer la méthodologie de synthèse de cellules à commutation automatique,
nous allons nous placer dans le cas d’une source de tension continue et d’une source de
courant bidirectionnelle. La cellule de commutation est représentée àla Figure A-1. Les
équations de la cellule de commutation sont redonnées à l’Equation A-1. Les différentes
étapes de la méthodologie sont détaillées par la suite.


i
E
K
1
K
2
i
K1
i
K2
v
K1
v
K2

Figure A-1 : Cellule de commutation

¹
'
¹
·
· +
i i - i
E V V
K2 K1
K2 K1
A-1


Ø DEFINITION DES SEGMENTS DES INTERRUPTEURS
La source de tension est continue et la source de courant est réversible, ce qui implique
un segment de tension et deux segments de courant principaux (ou statiques) pour les
interrupteurs. Ce sont les segments statiques représentés en trait plein sur les caractéristiques
de la Figure A-2.
Exemple de synthèse de cellules deux quadrants
182
Il faut ensuite s’assurer de la possibilité de présence de segments dynamiques ou
mixtes, qui sont définis par la possibilité de commutations automatiques autorisées par les
deux sources. La source de courant étant bidirectionnelle, son ouverture provoque une
surtension de n’importe quel signe aux bornes des interrupteurs. Il est donc envisageable
d’avoir un amorçage automatique esclave dans les deux quadrants. Nous représentons ces
possibilités par les pastilles rouges. Ces amorçages se font par l’intermédiaire d’un segment
mixte, pour une surtension positive, et d’un segment dynamique lors d’une surtension
négative.
En ce qui concerne la possibilité d’un blocage automatique, le court-circuit de la
source de tension provoque toujours un courant positif dans les interrupteurs. Nous avons
donc un segment positif de courant mixte, permettant un blocage automatique esclave. Par
contre, il n’y a pas possibilité d’avoir un blocage automatique pour un courant négatif, ni par
le biais de la source de tension, ni par celui de la source de courant. En effet, si cette dernière
est impédante, le signe de la tension fait toujours croître le courant dans les interrupteurs.
Le bilan fait apparaître un segment statique, deux segments mixtes et un segment
dynamique possibles pour chaque interrupteur.


i
v
K
1

i
v
K
2


Figure A-2 : Caractéristiques des interrupteurs (segments statiques en trait plein)


Ø DEFINITION DES DIFFERENTS TYPES DE COMMUTATION A PARTIR DU
DEPHASAGE ENTRE LE COURANT ET LA TENSION CHOISI
Dans notre exemple, nous nous limitons à l’étude du cas où le courant est en retard sur
la tension, ce qui implique un blocage des interrupteurs sous courant positif. Par conséquent,
le blocage se fait sans changement de quadrant, impliquant un amorçage avec changement de
quadrant.



Annexe A
183
Ø ECRITURE DES COMBINAISONS POSSIBLES INCLUANT AU MOINS UNE
COMMUTATION AUTOMATIQUE EN TENANT COMPTE DU DEPHASAGE
ENTRE LE COURANT ET LA TENSION CONSIDERE
Nous supposons ici que l’interrupteur K
1
se bloque et que l’interrupteur K
2
s’amorce.
Le blocage se déroulant sous courant positif, nous pouvons écrire les différents types
de commutation possibles, résumés dans le Tableau A-1. Lors du blocage de K
1
, le fait de ne
pas changer de quadrant autorise des commutations commandée et automatique, mais ne
permet pas d’avoir une commutation spontanée. De même, le changement de quadrant lors de
l’amorçage de K
2
permet des commutations spontanée et automatique, mais n’autorise pas
l’usage d’une commutation commandée. Mais, ici, il existe une exception. En effet, nous
pouvons avoir une commutation commandée avec changement de quadrant, à partir du
moment où elle est associée avec une commutation automatique qui, elle, ne change pas de
quadrant. Ce cas est plus longuement traité au paragraphe I.4.4.

Blocage de K
1
Amorçage de K
2
K
1
voit son point de fonctionnement rester
dans le même quadrant.
K
2
voit son point de fonctionnement changer
de quadrant.
Commutation de blocage :
Commandée
Automatique
Commutation d’amorçage :
§ Spontanée
§ Automatique
§ Commandée
Tableau A-1 : Résumé des différentes possibilités de types de commutation (les flèches
indiquent les causalités)

Nous pouvons alors dégager la liste des combinaisons de types de commutation
possibles. Elles sont au nombre de six. Mais le cas associant commutations commandée et
spontanée ne nous intéresse pas car il faut au moins une commutation automatique, objet de
notre étude. De plus, le cas associant deux interrupteurs commandés n’est pas
technologiquement simplement réalisable avec une bonne fiabilité. De toute façon, cette
solution ne comporte également pas de commutation automatique. Par conséquent, il ne reste
que quatre cas résumés dans le Tableau A-2.
Cas • Cas ‚ Cas ƒ Cas „
Amorçage Automatique Automatique Spontané Commandé
Blocage Commandé Automatique Automatique Automatique
Tableau A-2 : Combinaisons possibles de commutations pour un courant en retard sur la
tension
Exemple de synthèse de cellules deux quadrants
184
Nous pouvons désormais dessiner les quatre cellules synthétisées. Elles sont
représentées dans le Tableau A-3. Il est intéressant de déterminer la causalité des
commutations. Pour les deux montages incluant une commutation commandée (cas • et „),
cette dernière est forcément commutation maître. Pour les deux autres montages (cas ‚ et ƒ),
nous nous servons du Tableau I-2, qui permet de déterminer la causalité des commutations
automatiques. Dans ces deux exemples, c’est la hausse du courant dans l’impédance qui
provoque le changement d’état de la cellule. Nous avons donc des commutations de blocage
maître.



i
v
off
off
Amorçage automatique « esclave »
Blocage commandé « maître »
Cas •




i
v
Amorçage automatique « esclave »
Blocage automatique « maître »
Cas ‚


i
v
Amorçage spontané « esclave »
Blocage automatique « maître »
Cas ƒ
Mode thyristor-dual disjoncteur


i
v
on
on
Amorçage commandé « maître »
Blocage automatique « esclave »
Cas „
Mode disjoncteur commandable

Tableau A-3 : Schémas des cellules synthétisées


Ø ETUDE DE LA STABILITE DES COMMUTATIONS AUTOMATIQUES
Il faut dorénavant vérifier si les cellules générées sont stables. Nous utilisons les
critères définis dans le Tableau I-5. Il apparaît que toutes nos cellules sont stables. Il y a le cas
particulier de la cellule qui comprend une commutation commandée avec changement de
quadrant qui est stable ici pour le déphasage entre le courant et la tension considéré.


Ø VERIFICATION DE L’INTERET DE LA CELLULE GENEREE
Il faut maintenant déterminer l’apport de chacune de ces cellules. Les deux premières
cellules impliquent une surtension sur l’interrupteur bloqué et ajoutent un segment
dynamique. Elles ne se révèlent intéressantes que si elles permettent une réversibilité basse
Annexe A
185
fréquence. C’est le cas de la première cellule, mais pas de la deuxième qui ne peut fonctionner
si le sens de la source de tension est changé. En effet, le changement de signe de la tension
change le sens d’évolution du courant de charge et ne permet plus le blocage automatique
maître pour les interrupteurs, le courant s’éloignant du seuil de disjonction. Il faudrait inverser
le sens du pouvoir de disjonction des interrupteurs, ce qui revient à les inverser physiquement.
Cette cellule est donc écartée.
La troisième cellule n’introduit pas de contrainte et peut fonctionner telle quel. C’est
un onduleur à disjonction qui va fonctionner selon un principe similaire à une fourchette de
courant.
Enfin, la dernière est un cas particulier qui est détaillé dans la partie I.4.4. Les
propriétés principales sont données dans le Tableau A-4.

Surtension sur l’interrupteur bloqué.
Ajout d’un segment dynamique.

Intéressant pour une réversibilité basse
fréquence de la source de tension.
Surtension sur l’interrupteur bloqué.
Ajout d’un segment dynamique.

Ne fonctionne pas si inversion de la source
de tension.
INUTILE
Pas de contrainte en tension.

Fonctionne : onduleur à disjonction.
Pas de contrainte en tension.
Stable si la commande intervient bien quand
l’autre interrupteur conduit un courant par
son transistor.

Fonctionnement atypique (commutation
commandée avec changement de quadrant).
Tableau A-4 : Caractéristiques et intérêt des cellules (cases respectives)


Ø ETUDE DE LA PROTECTION DE LA CELLULE
La première cellule est dotée d’un amorçage automatique. Il n’y a donc aucune
protection intrinsèque contre les courts-circuits. Par contre, l’amorçage automatique permet
de limiter les surtensions au niveau de la charge en la connectant à la source de tension, si la
différence de tension dépasse le seuil d’auto-amorçage.
Le deuxième interrupteur ayant été écarté, nous ne le considérons plus dans l’étude.
Le troisième interrupteur, tout comme le quatrième est protégé contre tous les types de
défaut. Pour les surintensités, que ce soit un court-circuit de la charge ou un court-circuit de la
source de tension, il y a toujours un disjoncteur en série. La protection contre les surtensions
de la charge est assurée par le lien permanent entre la charge et la source de tension par
l’intermédiaire d’une diode.
Exemple de synthèse de cellules deux quadrants
186

Les cellules ainsi synthétisées sont celles de la première colonne du Tableau I-3. La
même méthode est appliquée afin de remplir les autres colonnes ainsi que celles du Tableau I-
4.




B. ANNEXE B

MISE EN EQUATION DE LA PHASE DE
DISJONCTION
La phase de la disjonction se déroule en trois phases successives qui sont détaillées
dans le chapitre II :
- le courant croît mais est inférieur au courant de disjonction,
- le courant a atteint la valeur du courant de disjonction,
- la tension aux bornes du composant est suffisante pour que la valeur du
condensateur transversal soit devenue faible coupant le lien entre puissance et commande
permettant au composant de se bloquer.
L’étude doit permettre de quantifier l’influence des éléments extérieurs sur la valeur du
courant de disjonction.
La Figure B-1 redonne le schéma du modèle du transistor MOS.

id
iT
Rdson
iCds
Cds
Ipot
Vds
g
fs
Vgsth
grille
drain
Vgs
iCgs
source
iCdg
Vcom
Rg

Figure B-1 : Modèle du transistor MOS

Dans l’étude qui vient, nous négligeons l’influence du condensateur C
ds
du transistor
MOS dont la valeur est beaucoup plus faible que celle du condensateur transversal durant les
deux premières phases de disjonction.
Mise en équation de la phase de disjonction
188
Ø PREMIERE PHASE
La Figure B-2 présente le schéma équivalent durant la première phase. Nous
supposons ici que le di/dt du courant de charge est constant, ce qui correspond à une cellule
onduleur qui alimente une inductance.


id
iT
Rdson
Vds
grille
drain
Vgs
iCgs
source
iCdg
Vcom
Rg
Vdg

Figure B-2 : Schéma équivalent durant la première phase

Si nous écrivons la loi des nœuds à la grille, nous obtenons l’Equation B-1. En utilisant
les Equation B-2 et Equation B-3, nous obtenons l’équation différentielle de l’Equation B-4.
Pour écrire l’Equation B-3, nous faisons l’hypothèse que le courant dans la capacité
transversale est négligeable devant le courant de charge qui passe donc intégralement dans le
canal du transistor MOS, ce qui est vrai en régime permanent. Nous vérifierons plus loin que
la constante de temps du transitoire imposé par la capacité transversale est très faible devant la
dynamique du courant de charge.

dt
dV
C
R
V - V

dt
dV
C
gs
gs
g
com gs dg
dg
⋅ + · ⋅ B-1

gs ds dg
V - V V · B-2

t
dt
di
R V
dson ds

,
`

.
|
⋅ · B-3

( ) ( ) ( )
dg gs g
com
dson
dg gs
dg
gs
dg gs g
gs
C C . R
V
dt
di
R
C C
C
V
C C . R
1
dt
dV
+
+
,
`

.
|
⋅ ⋅
+
· ⋅
+
+ B-4

Nous pouvons alors calculer la solution générale donnée à l’Equation B-5 et la solution
Annexe B
189
homogène donnée par l’Equation B-6.

( )
t
C C . R
1
-
gs
dg gs g
K.e (t) V

+
·
B-5

,
`

.
|
⋅ ⋅ ⋅ + ·
dt
di
R R C V V
g dson dg com gs0
B-6

Après avoir calculé la constante (Equation B-7) en sachant qu’à l’origine, la tension
grille-source est égale à la tension de commande V
com
, nous pouvons donner la solution finale
à l’Equation B-8.

,
`

.
|
⋅ ⋅ ⋅ ·
dt
di
R R C - K
dson g dg
B-7

( )

,
`

.
|

,
`

.
|
⋅ ⋅ ⋅ + ·

+
t
C C . R
1
-
dson g dg com gs
dg gs g
e - 1
dt
di
R R C V (t) V B-8

Nous vérifions que la constante de temps obtenue est faible devant la dynamique du
courant imposée par le circuit extérieur (0,6µs contre 100µs), ce qui permet de vérifier notre
hypothèse, soit que nous pouvons négliger le transitoire et nous contenter du régime
permanent donné par l’Equation B-9. Nous pouvons alors en déduire la surtension induite par
rapport à la tension de commande V
com
et ainsi calculer l’augmentation que cela implique sur
le courant potentiel par rapport à la valeur imposée par la commande. Cette valeur est donnée
par l’Equation B-10.

,
`

.
|
⋅ ⋅ ⋅ + ÷ ÷ → ÷
+∞ →
dt
di
R R C V (t) V lim
dson g dg com
t
gs
B-9

,
`

.
|
⋅ ⋅ ⋅ ⋅ · ∆
dt
di
R R C g I
dson g dg fs pot
B-10

Les formes d’ondes de la tension de grille et de la tension aux bornes du composant
sont données à la Figure B-3. Un zoom est donné pour voir l’évolution du potentiel de grille
au début de la phase. Nous vérifions bien les différences de dynamiques ici. Pour information,
le di/dt du courant de charge est de 0,02A/µs.
Mise en équation de la phase de disjonction
190


Figure B-3 : Formes d’ondes durant la phase 1


Ø DEUXIEME PHASE
Le courant de charge a dorénavant atteint la valeur du courant potentiel. La Figure B-4
présente le schéma équivalent durant la deuxième phase. Nous négligeons toujours ici
l’influence du condensateur C
ds
dont la valeur de 750pF est négligeable devant celle de C
dg

qui vaut 9,5nF. Nous supposerons donc que la différence entre le courant de charge et le
courant potentiel passe intégralement dans le condensateur transversal. Nous supposons aussi
l’origine des temps au début de la deuxième phase afin de simplifier la lecture des équations.

Annexe B
191

id
Ipot
Vds
grille
drain
Vgs
iCgs
source
iCdg
Vcom
Rg
Vdg

Figure B-4 : Schéma équivalent durant la deuxième phase

La loi des nœuds permet d’écrire l’Equation B-11. En tenant compte de l’Equation B-
12 et de l’Equation B-2, nous obtenons l’Equation B-13. L’Equation B-1 permet d’obtenir
l’Equation B-14. L’Equation B-15 est alors obtenue en combinant les deux dernières
équations.

pot
dg
dg d
I
dt
dV
C I + ⋅ · B-11

( )
gsth gs fs pot
V - V g I ⋅ · B-12

( )

,
`

.
|
⋅ · ⋅
dt
dV
-
dt
dV
C V - V g - I
gs
ds
dg gsth gs fs d
B-13

( )
g
com gs gs
dg gs
ds
dg
R
V - V
dt
dV
C C
dt
dV
C + ⋅ + · ⋅ B-14

(t) V g
R
1
dt
dV
C
R
V
V g (t) I
gs fs
g
gs
gs
g
com
gsth fs d

,
`

.
|
+ + ⋅ · + ⋅ + B-15

Nous avons déjà vu que la première phase provoque une variation du courant potentiel
quasiment indépendant du temps vue sa constante de temps faible. Nous supposons donc que
le courant de charge vérifie l’Equation B-16.

Mise en équation de la phase de disjonction
192
pot0 d
I t
dt
di
(t) I + ⋅
,
`

.
|
· B-16

La solution homogène de l’équation différentielle est alors donnée à l’Equation B-17,
tandis qu’une solution particulière apparaît à l’Equation B-18, calculée en la supposant
polynomiale du premier degré.

t
C R
R g 1
-
gs
gs g
g fs
e K (t) V


⋅ +
⋅ ·
B-17

]
]
]
]

,
`

.
|

⋅ +

+ ⋅ + + ⋅
,
`

.
|

⋅ +
·
dt
di
R g 1
R C
-
R
V
V g I t
dt
di
R g 1
R
V
g fs
g gs
g
com
gsth fs pot0
g fs
g
gs0
B-18

La solution générale est alors donnée à l’Equation B-19.

gs0
t
C R
R g 1
-
g fs
g gs
g
com
gsth fs pot0
g fs
g
com gs
V e
dt
di
R g 1
R C
-
R
V
V g I
R g 1
R
- V (t) V
gs g
g fs
+ ⋅
¹
¹
¹
'
¹
¹
¹
¹
'
¹
]
]
]
]

,
`

.
|

⋅ +

+ ⋅ + ⋅
⋅ +
·


⋅ +
B-19

Connaissant la tension grille-source, nous pouvons en déduire l’évolution du courant
potentiel et donc du courant de disjonction. Cette phase s’arrête quand la tension aux bornes
du transistor atteint une valeur qui permet le changement de valeur du condensateur C
dg
. Nous
entrons alors dans la troisième phase. Les formes d’ondes durant cette deuxième phase sont
données à la Figure B-5.


Figure B-5 : Formes d’ondes durant la phase 2
Annexe B
193
Ø TROISIEME PHASE
La tension aux bornes du transistor MOS a atteint une valeur qui permet d’avoir une
tension positive aux bornes du condensateur transversal (V
dg
>0). La valeur de ce dernier
diminue fortement jusqu’à atteindre 250pF. Cette valeur est inférieure à celle du condensateur
C
ds
. Ainsi, une majorité du courant de charge est aiguillé dans la capacité accélérant la hausse
de la tension de la tension aux bornes du transistor. La liaison entre la puissance et la
commande est « rompue ». Le schéma équivalent devient celui de la Figure B-6. La
commande peut diminuer le potentiel de grille et provoquer le blocage du transistor MOS :
l’interrupteur « disjoncte » permettant une remontée rapide de la tension aux bornes du
composant. La Figure B-7 présente les formes d’ondes durant cette phase.


id
Ipot
Vds
grille
drain
Vgs
iCgs
source
Vcom
Rg
iCds
Cds

Figure B-6 : Schéma équivalent durant la troisième phase


Figure B-7 : Formes d’ondes durant la phase 3


Mise en équation de la phase de disjonction
194
Les formes d’ondes pour l’ensemble des séquences sont présentées à la Figure B-8.
Cela permet de comparer les ordres de grandeur de durée des phases. La phase 1 (800µs) est
prépondérante, tandis que les phases 2 (50µs) et 3 (0,6µs) sont très rapides.


Figure B-8 : Formes d’ondes durant l’ensemble des phases




C. ANNEXE C

TABLEAUX DES RESULTATS DE MESURE DE
PERTES
Les paramètres du calcul des pertes en statique ainsi que les résultats pour toutes les
vitesses de vent sont donnés dans le Tableau C-1 pour l’onduleur MLI et dans le Tableau C-2
pour le redresseur réversible.

Pour les calculs en dynamique, nous utilisons les mêmes tableaux sauf que les
paramètres sont relevés toutes les périodes réseau soit toutes les 20ms. Nous obtenons alors
500 points sur la période d’étude de 10 secondes. Nous ne présentons pas les tableaux obtenus
ici, vu leur taille.

Tableaux des résultats de mesures de pertes


Annexe C
197



D. ANNEXE D

PHOTOGRAPHIES DE LA MAQUETTE DE
REDRESSEUR TRIPHASE REVERSIBLE
La Figure D-1 présente une vue d’ensemble de la maquette d’essais, réalisée par
CIRTEM, du redresseur triphasé réversible. Sur la photographie, les différents condensateurs
de puissance ont été retirés afin de mieux voir le reste des éléments.


Figure D-1 : Vue d’ensemble du redresseur réversible (les condensateurs ont été ôtés)


Photographies de la maquette du redresseur réversible triphasé
200
Le montage complet a été réalisé sur un circuit imprimé unique. Le module EUPEC
FS75R12KE3 est pris en sandwich entre le radiateur et le circuit imprimé, comme montré à la
Figure D-2. Il faut noter que le radiateur est plus grand ici que nécessaire, mais que nous
l’avons choisi car c’est un module standard chez CIRTEM et qu’il a permis un montage facile
de la maquette. De même, la surface de circuit imprimé n’a pas été optimisée, mais elle a
facilité l’assemblage du montage de développement.


Figure D-2 : Vue latérale du redresseur triphasé réversible (les condensateurs ont été ôtés)

Le circuit imprimé unique comprend non seulement la partie de commande rapprochée
des différents interrupteurs mais également la connectique de la puissance. La Figure D-3
présente les différents éléments présents. Tout d’abord, nous n’avons que cinq bornes de
connexion vers l’extérieur, trois pour le triphasé et deux pour le bus continu.
Nous avons ensuite les six commandes rapprochées autonomes les unes par rapport
aux autres. Elles incluent leur propre auto-alimentation. La Figure D-4 présente la vue
détaillée d’une de ces commandes rapprochées. Nous voyons qu’il y a peu de composants et
que la commande reste relativement intégrée. Certains éléments visibles ont été ajoutés lors
de la phase de développement, mais pourront être intégrés en CMS dans le montage définitif.

Annexe D
201

Bornes côté réseau
Bornes côté continu
Emplacement du
FS75R12KE3
6 drivers autonomes des 6
thyristors-duals disjoncteurs
Varistance de
protection contre les
surtensions
Figure D-3 : Détails des différents éléments principaux


Figure D-4 : Vue de détail de la commande rapprochée des interrupteurs

A mes parents

dont deux semblent particulièrement intéressantes : les cellules onduleur et redresseur à disjonction.RESUME Cette thèse présente un nouveau mécanisme de commutation qui a pour but d’intégrer la protection du semi.conducteur dans le principe même de commutation. faisant apparaître notamment le transformateur à courant continu et le redresseur triphasé réversible. notre montage a été mis en concurrence avec ce qui se fait à l’heure actuelle en matière de raccordement au réseau. le manuscrit se concentre sur l’étude de convertisseurs. Elle peut être associée avec les commutations commandée ou spontanée permettant de passer de deux à cinq types de changement d’état d’une cellule de commutation. Mots Clés • • • • • • • Disjoncteur Commutation automatique Redresseur réversible Commutation spontanée Thyristor-dual Intégration de puissance Commutation commandée ABSTRACT This thesis deals with a new switching process which integrates the semiconductor protection directly in the switching principle. in order to generate new static converters. Vu le grand nombre d’interrupteurs possibles. afin de générer de nouveaux convertisseurs statiques. est présentée permettant de faire apparaître différentes solutions. à partir du cahier des charges d’une chaîne éolienne. Ce dernier fait l’objet d’un prototype industriel. dont les interrupteurs sont identiques. faisant apparaître un gain au niveau des pertes ainsi qu’un rendement énergétique supérieur. Enfin. associations de cellules élémentaires. . De nouvelles règles élémentaires de fonctionnement d’une cellule de commutation émergent alors. It consists of a self-controlled transition which proceeds on a non-zero current or voltage level. Puis. une mé thodologie de synthèse de cellules admettant une réversibilité de source. Il consiste en une transition auto-commandée qui se déroule à un niveau de courant ou de tension non nul. utilisant toutes deux le thyristor-dual disjoncteur. Ce dernier sert de support d’étude du principe de blocage automatique.

the manuscript concentrates on the study of converters. This last is used as study support of the self-breaking principle. Lastly. This last had been developed as an industrial prototype. starting from the concept of a wind chain. Considering the great number of possible switches. both using the self-breaking thyristor-dual. new elementary operation rules of a switching cell emerge. of which two seem particularly interesting: the self-breaking inverter and rectifier cells. Then. revealing lesser losses as well as a higher energetic efficiency. associations of elementary cells. whose switches are identical. a synthesis methodology of cells with a source reversibility. is presented making it possible to reveal various solutions. Key words • • • • • • • Breaker Self-switching Reversible rectifier Naturally transition Thyristor-dual Power integration Controlled switching 2 . our assembly has been compared with what is presently done as network converters. So.It can be associated with controlled or naturally switching processes making it possible to go from two to five change of state types of a switching cell. revealing in particular the DC-current transformer and the reversible threephase self-breaking rectifier.

même après un bon « flash » resteront gravés dans ma mémoire. . je tiens à remercier M. Ses différentes remarques ont permis de grandement améliorer la version finale. Robert BAUSIERE. et M. J’adresse également mes remerciements aux différentes personnes qui ont accepté d’être membres du jury de thèse : . pour m’avoir fait l’honneur de présider ce jury et avoir scrupuleusement relu ce manuscrit. Mes remerciements vont également vers M. Didier FERRER. Nos nombreuses discussions techniques ainsi que son éternel optimisme. Christian SAUBION.M. ingénieur au sein de la société CIRTEM. Philippe LADOUX qui m’a accepté dans son équipe de travail. pour sa présence au sein du jury et son éclairage d’industriel sur ces travaux. pour avoir accepté d’être le deuxième rapporteur de ce manuscrit et pour ses différentes remarques ainsi que son rapport. je le remercie pour les journées agréables au CIRTEM.M.Yvon CHERON. Professeur au Laboratoire d’Electrotechnique et d’Electronique de Puissance de Lille. . pour les différents moyens mis à ma disposition et son accueil. Henri FOCH. Hubert PIQUET. Sur un plan plus personnel.M. Jean-Luc SCHANEN. directeur du CIRTEM. Tout d’abord. Nos conversations se sont toujours révélées très intéressantes. Jean-Louis SANCHEZ. pour avoir accepté d’être mon directeur de thèse.M. directeur du LEEI pour m’avoir accueilli au sein de sa structure ainsi que M. . Professeur au LEEI. Le prototype a été réalisé par la société CIRTEM. . pour avoir accepté de prendre part à ce jury et avoir apporté un éclairage lié à leur domaine de compétences respectif. Directeur de Recherche au Laboratoire d’Analyse et d’Architecture des Systèmes de Toulouse. Professeur à au LEEI.AVANT-PROPOS Ces travaux de recherche se sont déroulés au sein de l’équipe « Convertisseurs Statiques » du Laboratoire d’Electrotechnique et d’Electronique Industrielle (LEEI) à Toulouse. Professeur au Laboratoire d’Electrotechnique de Grenoble. ainsi que fructueuses. .M.

à tous les étudiants que j’ai eu durant ces trois années de monitorat à l’ENSEEIHT. Frédéric RICHARDEAU. 4 . pour m’avoir proposé ce sujet de recherche. pour sa bonne humeur et sa gentillesse. J’espère que ce manuscrit permettra à ses successeurs d’adapter l’enseignement de l’électronique de puissance. Je ne t’ai pas oublié et la société Pim’Air assurera ton baptême. Laurent PEYRAS (dit Pinpin). Gilbert MANOT. Laurent GASC (Monsieur 200 km/h). Je tiens à le remercier tout particulièrement pour le temps qu’il m’a consacré et la patience dont il a fait preuve au cours de ces trois années. Jérôme VALLON. Alexis RENOTTE. au CIRTEM ainsi qu’à l’ENSEEIHT au cours de mes enseignements. Dominique ESCANDE et Didier FLUMIAN. ESCAIG. Jérôme MAVIER. Lauric GARBUIO. à M. Jérôme DUVAL (dit Pastis). Thierry CARITOUX. Il fait partie des gens qui m’auront marqué. CHARRON. Je tiens également à remercier toutes les personnes que j’ai pu croiser au LEEI. Que ces quelques lignes témoignent toute ma reconnaissance. Si tous les bons moments que nous avons partagés reflètent la carrière d’enseignant.M. je ne me suis donc pas trompé de voie.Avant-propos Son enthousiasme pour la recherche ainsi que sa pédagogie et sa grande simplicité en font un être à part qui laisse un grand vide depuis son départ à la retraite. Christophe TURPIN. PIONNIE et MEBREK pour leur travail indispensable au bon fonctionnement du laboratoire. Chargé de recherche au LEEI. Je pense plus particulièrement : à Mesdames BODDEN. Patrice LORENDEAUX. pour son aide au CIRTEM. je pense à tous ceux qui m’ont supporté dans le bureau 135 : Laurent PEYRAS. Enfin. à M. Une pensée particulière à Bernard PONTALIER pour son excellent travail de DEA et sont courage de refaire des études après 20 ans de carrière dans l’enseignement. Jean-Baptiste DALZOVO. . Cédric LIOT et bien sûr Guillaume « Babouchesan » FONTES pour sa grande gentillesse. et plus particulièrement Jérôme FADAT. Il a permis de réanimer par deux fois le prototype… aux différents thésards et stagiaires CNAM que j’ai côtoyé. Sa rigueur et sa passion pour la recherche se ressentent à travers ce manuscrit. Sylvain CANAT.

Lise BAIGET. Je tiens à citer en particulier Thomas KAPUSTA (dit Cacahuète). Toutes nos soirées m’ont permis de me détendre au sein de ma deuxième famille. le niçois. Rémi SAISSET. a supporté mes coups de sang et mon sale caractère. Une pensée à toute mon équipe de baseball avec qui nous avons remporté le championnat régional. Je tiens à remercier ici une personne dont le nom aurait pu apparaître tout le long de cet avant-propos. Laurent BERTRANDIAS et sa femme Géraldine (il va enfin devoir s’assagir) et Stéphane NARBONNET. Eric « Pudge » SOLIVERES et Jérôme « 2 grammes » LASSERRE. ainsi que la famille Mayen. Enfin. Un grand merci pour tous les toulousains du stage « RAYNAUD ». C’est un véritable ami et je lui souhaite bonne chance pour son poste à Rennes. Ils m’ont toujours soutenu tout au long de mes études. qui pense que la seule annonce à la coinche est le capot. Christophe BLANQUEVAIN. Christelle MICHEL. je finis ces remerciements par ma famille : mes parents. Qu’ils trouvent dans ce manuscrit toute ma reconnaissance et le signe que je suis enfin arrivé au bout. Frédéric MELEUX. Durant cette dernière année de thèse. Fabien AESCHLIMANN et Juliette JOUHET qui se sont enfin mariés en grandes pompes (quelle voiture !!!!!). grâce à sa grande patience. mon binôme de Cachan. ainsi que Sébastien WYBO. ils m’ont permis de me défouler et d’évacuer la pression. 5 . il a toujours été là quand j’en ai eu besoin. mes grands-mères et mon frère.Avant-propos J’ai également une pensée pour tous les amis qui m’ont soutenu durant ces années. Depuis sept ans que nous nous supportons. et Nicolas LAVERDURE. notamment les ex-cachanais : Laurent et Christine CABARET. qui. dont la famille fait plaisir à voir. Je leur dois beaucoup. Nicolas CHALOUB (dit Fisherman).

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3.................. PRINCIPE DU THYRISTOR-DUAL DISJONCTEUR ....54 II..................53 II.........................2...........................41 I..............................................................................19 I................................1.......53 II................................................32 I............................ Protection en courant.... PROTECTION DES SEMI-CONDUCTEURS ....4...............45 I.....................................................20 I...5................... A UTRES EXEMPLES DE CELLULES A COMMUTATION AUTOMATIQUE.......................................................................................3.........................................................46 I..........4........................................................................ SYNTHESE DES CELLULES A COMMUTATION AUTOMATIQUE......................27 I................................ 7 NOTATIONS.............4....................................1...........................29 I..2........................1............................................4...........................1................................................... Caractéristique réelle réalisée..............47 I............................................................................................................................ CONCLUSION.........1........11 INTRODUCTION GENERALE....................2..........................2.................................. Etude du cas particulier de commutation commandée avec changement de quadrant.....56 II................................. REALISATION EXPERIMENTALE ..............................43 I..2....................6.....32 I........................2...........................TABLE DES MATIERES RESUME ............................................... Extraction des cellules intéressantes et étude de la protection....51 CHAPITRE II : LE THYRISTOR-DUAL DISJONCTEUR ...............4....................................................................55 II.............................................................................7............................................................................33 I...............2....................................................... 1 AVANT-PROPOS ....30 I..............................23 I..............2......57 .............................................................................................. Description de la carte de commande................................................................................................................2.. CHOIX DE LA CELLULE DE L’ETUDE A SUIVRE ........1......... INTEGRATION DE LA COMMUTATION AUTOMATIQUE DANS LA CELLULE DE COMMUTATION ..... Modification des règles d’association des interrupteurs avec l’introduction de la commutation automatique...............................3.....................20 I....... Synthèse........................................................ 3 TABLE DES MATIERES .................36 I...........................1.....................28 I.......................1.....................1................................................... Principe du blocage automatique sans capteur....................................................... Bilan...........2................................................................................ Commutations commandée et spontanée................2.......1..................................................................... Protection en tension .2............................................................................................................................... Stabilité de la commutation automatique......3..36 I.................................. DES COMMUTATIONS CLASSIQUES VERS LA COMMUTATION AUTOMATIQUE...............................4...........3................................... Introduction de la commutation automatique....................................3............................................15 CHAPITRE I : NOUVEAU PROCESSUS DE COMMUTATION : LA COMMUTATION AUTOMATIQUE ................................................................................................... Rappel des règles d’association des interrupteurs dans une cellule de commutation........................................................................................................................................

......... 145 CHAPITRE IV : LE REDRESSEUR REVERSIBLE APPLIQUE A UNE CHAINE EOLIENNE ........... 100 III.......124 III...........................4....4.................... EVOLUTION DES PERTES DUES AU FONCTIONNEMENT SOUS POTENTIEL DE GRILLE REDUIT .2..8.......................58 II.....2....3..............94 III.............................4.......1................................................................................................................ Mise en parallèle de trois thyristors-duaux disjoncteurs.. Relevé expérimental d’une disjonction....................2.............................................................................................2......................................................................... LE PROCESSUS DE DISJONCTION ...3...............1.................142 III..............................3.........................91 CHAPITRE III : APPLICATIONS DU THYRISTOR-DUAL DISJONCTEUR .................91 II....................................62 II............. CONCLUSION ....................3..........111 III............................4.................66 II.........96 III.....7.......................... LE REDRESSEUR TRIPHASE REVERSIBLE EN COURANT......7.........5................................................................105 III............................. SYNTHESE D’UNE FONCTION DISJONCTEUR INTEGREE.....................................100 III.............................................77 II.......................... M ISE EN PARALLELE DE DISJONCTEURS........................................3.........3..........2............................... La cellule onduleur à disjonction......6....................................................................3..........3............. Cahier des charges... Schéma du circuit de puissance et principe de fonctionnement .................. PRESENTATION DE LA ST RUCTURE .............................3.............................. 148 IV.................88 II........ Mise en parallèle de deux thyristors-duaux disjoncteurs.........................5...........93 III........................................................................................3...................... Transformateur continu tension-courant. Conclusion............................................................5....................... Conclusions.........................1................................................................................81 II..............4............................................................ Polyvalence du montage........................1......3...1....................... Résultats des essais expérimentaux réalisés................ 149 8 .1................................3....1.. CONCLUSION....................4.................. 147 IV........................ Structure de puissance à inhibitions courtes........................... LE TRANSFORMATEUR CONTINU.........4......... Abaques du courant de disjonction en fonction du di/dt............7...64 II........................................4..........................93 III............................144 III..................................140 III...........147 IV...........1..........................................4........110 III......................68 II.......................................................65 II.............................98 III.........................................2.......................................................... Etude théorique de la phase de disjonction.........3......................................................................73 II.................................................7........................2................................................................................................... Transformateur à courant continu..................................................................Table des matières II.............64 II............. La cellule redresseur à disjonction..........58 II......................................... A SSOCIATION DE DEUX CELLULES REDRESSEUR A DISJONCTION.......................3..........2.................................. PROBLEMATIQUE DE L’EOLIEN ...............................................1............6................................ Association série : pont monophasé à disjonction... Association anti-série : liaison continue à circuit oscillant.....................2..........82 II... FONCTIONNEMENT DES CELLULES ELEMENTAIRES UTILISANT LE THYRISTOR-DUAL DISJONCT EUR .......................3.................................3........... Remplacement des diodes par des thyristors.......1..................................................................... CAHIER DES CHARGES ...................... 110 III..... Fonctionnements dégradés du redresseur triphasé réversible en courant............................71 II............................................................2........7...........................................................................................1.................. Conclusions sur la stabilité de la valeur du courant de disjonction..........................................................................................................................................133 III... Dépendance du courant de disjonction vis-à-vis du di/dt..........

1.......... 158 IV................................5.................... Convertisseur réseau........................ TROISIEME COMPARAISON SUR L’ASPECT THERMIQUE .............. Formes d’ondes du redresseur réversible ......199 9 .......... Formes d’ondes du pont à thyristors..................................................187 ANNEXE C : TABLEAUX DES RESULTATS DE MES URE DE PERTES .. PREMIERE COMPARAISON SUR LES FORMES D’ONDES COTE RESEAU .........................5....... Bilan et conclusion ...........................166 IV...........................................................................170 IV.............................................4....................................149 IV.....150 IV........1........ CONCLUSION ...........2.......... Etage MPPT .......................................... 164 IV.................. Rendement énergétique................4....................................................................................................................... Rappels sur l’éolien........163 IV.5.......1................... Mesure des pertes en statique....3..........6...................................181 ANNEXE B : MISE EN EQUATION DE LA PHASE DE DISJONCTION........................................................................ 173 CONCLUSION GENERALE...............................................................................Table des matières IV.........................................................................................4....4........................4.4.............................................................................2.................169 IV......................175 BIBLIOGRAPHIE.........................................................4........................................................................................... Structure de l’éolienne et de l’alternateur......................................................................3......179 ANNEXE A : EXEMPLE DE SYNTHESE DE CELLUL ES DEUX QUADRANTS .................4......................158 IV................................................3.......... Présentation des profils de test .................2...............................161 IV................................ 171 IV....................................7.......................152 IV...........195 ANNEXE D : PHOTOGRAPHIES DE LA MAQUETTE DE REDRESSEUR TRIPHASE REVERSIBLE ...................................................... Mesure des pertes en dynamique........3..........................................................164 IV................................156 IV...........................................................................3....5.............................................160 IV....................................3........... Formes d’ondes de l’onduleur MLI.. DEUXIEME COMPARAISON SUR L’EFFICACITE ENERGETIQUE...................................................................................................................................................................5....................................3.......................................

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bOFF et cOFF EON aON. bON et cON Erec arec.grille du MOSFET [V] Tension de seuil du MOSFET [V] Tension de commande du MOSFET [V] Courant potentiel du MOSFET [A] .NOTATIONS GRANDEURS ELECTRIQUES i ou I v ou V E Idisj Imag Lµ Lf λ P η EOFF aOFF. brec et crec VCE0 Rd IGBT Vd0 Rd diode Cge g Ic Vce Vge Vgeth gfs Vgs Vds Vdg Vgsth Vcom Ipot Courant [A] Tension [V] Source de tension [V] Courant de disjonction [A] Courant magnétisant du transformateur [A] Inductance magnétisante du transformateur [H] Inductance de fuite [H] Inductance de ligne du réseau [H] Puissance [W] Pertes [W] Rendement Energie mise en jeu au blocage d’un IGBT [J] Coefficients d’interpolation de la courbe de l’énergie mise en jeu au blocage d’un IGBT Energie mise en jeu à l’amorçage d’un IGBT [J] Coefficients d’interpolation de la courbe de l’énergie mise en jeu à l’amorçage d’un IGBT Energie de recouvrement d’une diode [J] Coefficients d’interpolation de la courbe de l’énergie de recouvrement d’une diode Tension de saturation d’un IGBT [V] Résistance dynamique d’un IGBT [Ω] Tension de saturation d’une diode [V] Résistance dynamique d’une diode [Ω] Capacité grille-émetteur de l’IGBT [F] Transconductance de l’IGBT [S] Courant dans le collecteur de l’IGBT [A] Tension aux bornes de l’IGBT [V] Tension grille-émetteur de l’IGBT [V] Tension de seuil de l’IGBT [V] Transconductance du MOSFET [S] Tension grille-source du MOSFET [V] Tension drain-source du MOSFET [V] Tension drain.

Notations Id Cgs Cds Cdg Coss Rdson Rg T F ω Vbus Vz Courant de drain du MOSFET [A] Capacité grille-source du MOSFET [F] Capacité drain-source du MOSFET [F] Capacité drain.)i (.)éq (.)cont (.)C (.)ch (.grille ou transversale du MOSFET [F] Capacité de sortie du MOSFET [F] Résistance à l’état passant du MOSFET [Ω] Résistance de grille [Ω] Période du signal [s] Fréquence du signal [Hz] Pulsation électrique [rad/s] Tension du bus continu [V] Tension Zener [V] COMPOSANTS Cn Dn DZn Kn Ln ni off on Rn Tn Condensateur numéro n Diode numéro n Diode Zener numéro n Interrupteur numéro n Inductance numéro n Nombre de spires de l’enroulement numéro i Commande de blocage Commande d’amorçage Résistance numéro n Transistor numéro n INDICES (.)e (.)désat (.)clamp (.)D Grandeur relative à la phase i Grandeur relative à un condensateur Grandeur relative à la charge Grandeur relative au clampage Grandeur continue Grandeur relative à la désaturation du transistor Grandeur relative à la source de tension E Grandeur efficace Grandeur équivalente Grandeur relative à une diode 12 .)eff (.

r τ P W Ta Tj Trad ∆T Capacité thermique [J/K] Résistance thermique [K/W] Constante de temps thermique [s] Pertes [W] Energie thermique [J] Température de l’air ambiant[K ou °C] Température de jonction [K ou °C] Température du radiateur [K ou °C] Elévation de température [K] EOLIEN R H S ρ Rayon de la voilure [m] Hauteur de la voilure [m] Surface balayée par la voilure [m2 ] Masse volumique de l’air [kg/m3 ] Vitesse du vent [m/s] Vitesse de rotation de l’éolienne [rad/s] Coefficient de puissance Puissance éolienne [W] Vitesse réduite Paramètres de la loi de distribution de Weibull Vvent Ω Cp Péol λ c et k NOTATIONS MATHEMATIQUES |.Notations (.| f(. C Rth .)T Grandeur relative à un interrupteur Grandeur relative à une inductance Valeur maximale Grandeur relative à une résistance Grandeur de référence Grandeur relative au réseau de distribution Grandeur relative à un transistor THERMIQUE Cth .)K (.)max (.)L (. Valeur absolue Fonction de Variation d’une grandeur 13 .)réf (.) ∆.)rés (.)R (.

d’Electronique.Notations ACRONYMES AC CALC CATS CEM CNRS DC ENSEEIHT IGBT IMFT LAAS MAS MCC MLI MOS MOSFET MS MPPT RSIL VDMOS Alternative Current Circuit d’Aide à La Commutation Commande Autour de la Tension de Seuil Compatibilité Electro-Magnétique Centre National de la Recherche Scientifique Direct Current Ecole Nationale Supérieure d’Electrotechnique. d’Informatique. d’Hydraulique et des Télécommunications de Toulouse Insulated Gate Bipolar Transistor Institut de Mécanique des Fluides de Toulouse Laboratoire d’Analyse et d’Architecture des Systèmes Machine asynchrone Machine à courant continu Modulation de Largeur d’Impulsion Metal-Oxide-Semiconductor Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor Machine Synchrone Maximum Power Point Tracking Réseau de Stabilisation d’Impédance de Ligne Vertical Double-diffused Metal-Oxide-Semiconductor 14 .

Malgré ces chiffres impressionnants. l’électronique de puissance est basée sur l’usage de composants de type semi-conducteur. ils permettent le contrôle du transfert de puissances pouvant dépasser le MW. Un élément important d’un convertisseur statique est sa protection. la . Associés dans un convertisseur statique. L’étude de la fiabilité nécessite également la compréhension des mécanismes de dérive et de vieillissement des composants à semi-conducteur ainsi que leur comportement sous des contraintes proches de leurs grandeurs nominales afin d’exploiter tout leur potentiel [VALLON]. Le fonctionnement viable d’un convertisseur passe donc par une adéquation absolue entre les contraintes électriques du circuit de puissance et les limites physiques du semi-conducteur de puissance dans ce même circuit. à l’échelle de la microseconde. Par ailleurs. l’usage de ces derniers ne s’arrête pas aux utilisateurs. soit spontanément en fonction des grandeurs électriques extérieures. car nous en trouvons également sur le réseau de distribution afin de gérer sa qualité et les transferts d’énergie. en collaboration avec le LEM de Montpellier. C’est dans ce contexte que l’équipe « Convertisseurs Statiques » du LEEI a lancé une opération de recherche sur la fiabilité et la sûreté de fonctionnement depuis quelques années. Pourquoi ne pas synthétiser des convertisseurs auto-protégés ? Nous avons alors décidé d’intégrer la protection du convertisseur directement dans le mécanisme de commutation du convertisseur statique. Il est alors apparu un type de commutation original. seulement 1% de l’énergie contrôlée par le convertisseur suffit à détruire ce composant. Il est donc très important de s’assurer de leur bon fonctionnement dans des conditions qui peuvent parfois être contraignantes pour la puce de silicium. sous peine de perdre un réseau complet. Nous ne nous limitons pas à connecter de simples machines sur le réseau. Les charges sont de plus en plus souvent alimentées à travers des convertisseurs statique s. L’objectif est. Mais. Une autre idée a alors émergé.INTRODUCTION GENERALE De nos jours. l’électronique de puissance est devenue de plus en plus présente. de caractériser les défauts potentiels que peut connaître un convertisseur statique [BAUDESSON] [TURPIN]. dans un premier temps. Aujourd’hui. Ces composants sont des interrupteurs électroniques qui s’amorcent et se bloquent soit par une électrode de commande. les performances atteintes sont telles qu’un semi-conducteur formé par quelq ues centimètres carrés de silicium peut conduire des courants de plusieurs centaines d’ampères et tenir des tensions dépassant le millier de volts.

en particulier le cas quatre quadrants où nous présentons une solution intéressante à un type de convertisseur difficile à mettre en œuvre. n ous avons également travaillé sur l’intégration fonctionnelle de notre composant. Enfin. Dans le premier chapitre. dans le quatrième chapitre. dont une solution est présentée dans ce manuscrit. Nous décrivons enfin. Le thyristor-dual. Nous détaillons les deux cellules élémentaires qui seront utilisées par la suite : une cellule onduleur et une cellule redresseur. Elle a pour but de définir ce nouveau concept. puis nous présentons la commutation automatique. Nous avons décidé d’utiliser un cadre réel et basé notre étude sur le cahier des charges du convertisseur réseau d’une chaîne éolienne. Ce dernier montage a été étudié de manière approfondie afin de faire ressortir les apports de la commutation automatique en condition de fonctionnement réel. Dans le cadre d’une collaboration avec le LAAS. Enfin. nous nous sommes intéressés à l’augmentation du calibre en courant de notre interrupteur par la mise en parallèle de composants élémentaires. Nous l’avons donc utilisé dans les différents convertisseurs que nous avons réalisés. Cette thèse s’inscrit comme premier témoin de cette étude. nous confrontons le redresseur triphasé aux autres montages existants remplissant une fonction similaire. d’un fonctionne ment similaire au transformateur alternatif classique. Nous avons alors étudié l’influence des différents paramètres extérieurs sur la valeur du courant de disjonction de notre thyristor-dual disjoncteur présenté en discret. Dans le deuxième chapitre. Nous rappelons ensuite les propriétés des commutations actuelles. nous nous intéressons à un type d’interrupteur particulier incluant un blocage automatique : le thyristor-dual disjoncteur. Le troisième chapitre présente la réalisation de convertisseurs statiques par association de cellules élémentaires incluant la commutation automatique. en collaboration avec le groupe « Système » du LEEI. montage qui a fait l’objet de la réalisation d’un prototype avec la société CIRTEM. le rendement énergétique du convertisseur et le profil de 16 . Elle s’est appuyée sur trois points de comparaison : les harmoniques de courant réinjectés sur le réseau. composant développé historiquement au LEEI. ainsi que les méthodes classiquement utilisées afin de les protéger.Introduction générale commutation automatique. présente de nombreux avantages. Le manuscrit présente également la réalisation d’un redresseur triphasé réversible. Un exemple de réalisation de commande de thyristor-dual disjoncteur en discret est présenté. à savoir l’onduleur MLI et le pont à thyristors. nous rappelons le concept et les principes de protection des convertisseurs statiques. que ce soit en tension ou en courant. de le caractériser et d’en mesurer l’impact. pour des convertisseurs autres que deux quadrants. les propriétés de cette dernière. Des exemples sont alors donnés. ainsi qu’une méthode pour synthétiser des convertisseurs deux quadrants l’inclua nt. commandée et spontanée. Nous avons en particulier étudié différentes versions d’un transformateur continu.

Si le lecteur veut seulement découvrir le concept de commutation automatique. Des annexes présentent un exemple d’application de la méthode de synthèse de convertisseurs deux quadrants. ce dernier comparant le redresseur réversible aux montages actuels. la mise en équation de la phase de disjonction. ainsi que ses principales caractéristiques. il peut directement se pencher sur le chapitre III et le chapitre IV.Introduction générale température de jonction. 17 . S’il souhaite plutôt concentrer sa lecture sur le concept de thyristor-dual disjoncteur avec toutes les propriétés qui l’accompagnent. si le lecteur s’intéresse aux convertisseurs statiques à base de fonctions disjoncteurs. Cette thèse peut être abordée avec différents objectifs. les résultats des pertes dans le cadre de la chaîne éolienne et les photographies du prototype du redresseur triphasé réversible. il peut limiter sa lecture au premier chapitre. Enfin. il peut se contenter du deuxième chapitre.

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même par rapport à l’énergie qu’il contrôle. CHAPITRE I NOUVEAU PROCESSUS DE COMMUTATION : LA COMMUTATION AUTOMATIQUE Un convertisseur statique est fragile quand nous tenons compte de la faible énergie qu’il est capable de dissiper par lui. ce qui correspond à un défaut de commande. Il est donc nécessaire d’introduire des protections. ou lors d’un usage hors spécification du montage (surcharge. une défaillance physique d’un autre composant. injection d’énergie. puis la suppression de la contrainte (disjoncteur. internes ou externes à l’interrupteur principal. des interrupteurs utilisant la commutation automatique sont associés au sein d’une cellule de commutation afin de dégager de nouvelles règles d’association d’interrupteurs dans une cellule de commutation. Par la suite. une contrainte environnementale hors spécification. crow-bar). Cette dernière n’est plus alors tout à fait une contrainte. …) ce qui est une protection dynamique.I. …). Dans un deuxième temps. une alternative consiste à en tenir compte dans le dimensionnement du composant et de durcir spécifiquement la grandeur liée à cette contrainte. La protection ne doit pas être confondue avec les circuits d’aide à la commutation (CALC). permettant d’abaisser le niveau de contrainte électrique ou thermique appliquée à cet interrupteur. car une protection agit en situation de fonctionnement anormal. protection statique. quand la contrainte est connue. Un état actuel des protections couramment utilisées est exposé dans une première partie. Il faut noter que. Ces règles sont alors utilisées afin de synthétiser des cellules intégrant des interrupteurs trois segments avec commutation . court-circuit. ce n’est pas le cas qui va nous intéresser ici. Par conséquent. nous introduisons le principe de la commutation automatique qui permet d’introduire la protection au sein même du mécanisme de commutation du convertisseur. protections qui s’étendent même jusqu’au driver de l’interrupteur. Une protection est un composant ou un ensemble de composants. La protection agit généralement en deux temps : la limitation de la contrainte (limiteur de courant.

du transistor MOS et de l’IGBT qui combine les deux effets précédents. Les deux types de protection à fournir sont des protections contre les surintensités (surcharge ou court-circuit) et les surtensions rapides. 20 . Par exemple. Elles sont toutes deux de type semi-conducteur.1. PROTECTION DES SEMI-CONDUCTEURS Les circuits de protection doivent répondre dans un temps très court. Dans tous les cas.1. Pour atteindre ces niveaux de rapidité. Il s’agit du transistor bipolaire.1.1.1. Nous parlerons de régime saturé direct pour les transistors à effet de champ (MOS principalement) et de régime désaturé pour les transistors à conduction bipolaire (IGBT et transistor bipolaire). Protection en courant I. I. Si cette grandeur est fixe. placées directement au niveau des interrupteurs. la chute de tension aux bornes du transistor est faible. les protections peuvent être de type limitation de la grandeur à un seuil réglable ou non.Nouveau processus de commutation : la commutation automatique automatique. voire dans la puce elle. Le problème est plus critique dans le cas d’une surtension (le composant se met en avalanche dès que le champ local dans le volume et en périphérie atteint le seuil de claquage). du moins en régime statique de désaturation. mais qui resteront «transparentes » en fonctionnement normal du convertisseur statique. en régime linéaire. il est impératif de placer les circuits de protection au plus près du composant. I. de l’ordre de la microseconde. Chaque caractéristique correspond à une tension grille-émetteur donnée. Limitation du courant Certains composants de l’électronique de puissance possèdent la capacité de limiter le courant qui les traverse dans certains régimes de fonctionnement. Ces composants ont même la possibilité de régler la valeur de ce courant maximum : c’est l’effet transistor. Dans le premier cas. soit température globale en cas de surcharge. afin de réduire les inductances parasites dans la boucle de réaction.même.1. si nous nous intéressons à l’IGBT. composant hybride entre les transistors bipolaires et MOS. soit au niveau d’un point chaud formé au sein de la puce en cas de court-circuit. le souci de la limitation de la température de la puce peut rentrer en ligne de compte. ou l’élimination de la grandeur jugée devenue dangereuse (exemple de la fonction disjoncteur dans le cas d’une surintensité). Nous nous retrouvons donc avec deux types de protections : des protections actives qui sont intégrées dans la puce et des protections passives qui sont externes. nous obtenons les caractéristiques de la Figure I-1. L’intégration de la protection directement dans le semi-conducteur n’est possible que si la contrainte thermique qui en découle le permet.

zone désaturée Figure I-1 : Caractéristiques statiques de l’IGBT L’IGBT peut donc bien jouer le rôle. en particulier la température de la puce silicium. dans la mesure où nous ne dépassons pas ses limites propres. la tension de seuil. si le courant qui traverse le transistor augmente. Par contre. où g est la transconductance de l’IGBT et Vgeth. d’où une augmentation de la température de la puce qui peut rapidement dépasser la température maximale que peut admettre la puce. il adaptera la tension à ses bornes afin de maintenir le courant qui le traverse constant. il empêchera ce dernier de dépasser la valeur préréglée par l’intermédiaire du potentiel de grille. Une solution est l’emploi de nouveaux matériaux permettant de dissiper plus d’énergie par unité de volume que le silicium. En particulier. le transistor se comporte comme une source de courant de valeur g. qui peut être également dangereux 21 .Chapitre I Nous pouvons dire que le composant est « transparent ». A ce moment. ici.1. il va avoir tendance à se désaturer.2.(Vge-Vgeth). Nous allons donc aboutir à la zone 4 de la caractéristique. tel le carbure de silicium [NALLET] ou l’utilisation d’architectures de composant plus adaptées qui répartissent la puissance à dissiper dans tout le volume de la puce et non plus en un point chaud unique [BAUDESSON]. tout du moins en statique. d’un limiteur de courant réglable en jouant sur son potentiel de grille.1. I. Fonction disjoncteur Le principal problème du fonctionnement dans la zone de désaturation est le fonctionnement simultané du composant avec du courant le traversant et de la tension à ses bornes. Cela induit une puissance instantanée plus élevée. Par conséquent. Il est alors parfois préférable de couper le courant.

Une autre possibilité est d’adapter le seuil en fonction de la valeur maximale du courant toléré en adoptant une courbe isopuissance. Figure I-2 : Exemples de seuil de détection pour un fonctionnement disjoncteur de l’IGBT I. Ce ne sont que deux possibilités parmi d’autres. mais à ce moment plus le courant toléré sera élevé. ce qui augmentera les pertes dans le composant. qui intègre une protection en courant du composant au sein de sa commande. Protection en courant intégrée dans un circuit de commande La société Concept a développé un driver d’IGBT et de MOSFET.1. En effet. dans le cas de l’IGBT. Elles sont présentées à la Figure I2. plus le produit tension-courant sera élevé. c’est-à-dire l’instant où il passe en régime saturé. nous pouvons décider d’avoir un seuil fixe. Il s’agit du 2SD106A. le transistor passe en régime désaturé. car nous allons l’ouvrir quand il aura atteint la zone de désaturation.3. il suffit de procéder à une mesure de tension à ses bornes : dès que cette tension augmente. pour la forte puissance. étant données les caractéristiques du transistor. Tout revient à détecter le moment où le transistor devient un limiteur de courant. Il suffit alors de fixer un seuil de tension au-delà duquel nous commandons l’ouverture du composant. dont le schéma de principe de la mesure de VCE est donné à la Figure I-3.1. Lorsque 22 . Ce type de mesure permet de s’affranchir d’un capteur de courant et nous sommes également certains d’utiliser le transistor au maximum de sa capacité en courant.Nouveau processus de commutation : la commutation automatique pour le reste du montage. L’IGBT est donc utilisé comme disjoncteur. Plusieurs stratégies sont alors possibles. Afin d’y parvenir. Il se base sur la surveillance de la tension collecteur-émetteur.

C’est alors la capacité thermique totale de la puce qui intervient dans l’élévation de température. Figure I-3 : Schéma de principe de la mesure de VCE Figure I-4 : Gabarit pour la détection de court-circuit à l'amorçage Le driver intègre une protection contre une surcharge de courant se produisant lors de la conduction de l’interrupteur. et si elle est supérieure.1. cela signifie que le composant est en-train de se désaturer. Il y a donc court-circuit et le driver ouvre le composant afin de le protéger et inhibe toute commande future. Cette ouverture est lente afin d’éviter toute surtension consécutive à une forte variation du courant. Il compare la valeur mesurée par rapport à un gabarit réglable par l’utilisateur (cf. De plus.2. ce qui amène le driver à provoquer le blocage de l’IGBT.Chapitre I le composant est conducteur. divisant ainsi la constante de temps thermique qui permet le calcul de l’élévation de température. le phénomène est local. avec une constante de temps thermique de l’ordre de la milliseconde. il y a également une surveillance lors de l’amorçage de l’interrupteur en cas de court-circuit de la charge ou de claquage de l’interrupteur opposé (mise en ava lanche sous fort dV/dt) [BAUDESSON][VALLON]. Protection en tension La protection contre les surtensions est primordia le mais très délicate à mettre en œuvre. I. la contrainte thermique est quasi-homogène dans toute la puce. c’est que le composant est traversé par un courant supérieur à ce qu’il devrait être. C’est donc la capacité thermique d’une fraction de la puce qui intervient. en régime de surcharge ou de courtcircuit. le driver mesure la valeur de la tension V aux bornes de l’interrupteur lors de l’amorçage. Elle atteint 23 . Pour cela. Figure I-4). En effet. en régime d’avalanche (ionisation par impact ou emballement par le courant de fuite par exemple). contrairement à la protection en courant. volumique ou sur les bords de la puce. Par contre. si la tension VCE augmente trop. après un temps CE mort qui correspond au temps normal d’amorçage du composant augmenté d’une marge.

Par ailleurs. l’énergie à dissiper en régime répétitif est souvent trop importante pour de tels dispositifs. C’est pourquoi il est préférable d’avoir une protection en tension directement intégrée dans le composant tandis que la protection en courant peut être externe. ce qui conduit au court-circuit physique. il apparaît nécessaire d’utiliser des dispositifs annexes afin de limiter la tension aux bornes du composant. voire unique. certains composants ont la capacité de se mettre en avalanche ce qui limite la tension à leurs bornes. qui peut fluctuer de 20 à 30% [BAUDESSON]. ce qui limite leur utilisation aux basses puissances ou alors de manière ponctuelle.Nouveau processus de commutation : la commutation automatique des valeurs de l’ordre de la centaine voire de la dizaine de nanosecondes. L’énergie à dissiper est énorme et cela dépasse très rapidement la densité d’énergie que peut accepter la faible zone de la puce de silicium qui s’est mise en avalanche. voire à l’explosion du boîtier. Deux types de stratégies apparaissent qui vont de la simple limitation de la grandeur à la nécessité de créer un court-circuit afin de diminuer la tension. Par conséquent. La protection ne peut donc pas être de valeur précise. I. ils sont traversés par un courant de valeur importante. 24 . alors. que la tension aux bornes de la transil varie avec le courant qui la traverse. nous ne pouvons connaître exactement la tension de clampage.1. De plus.1. Par conséquent. Figure I-5 : Ecrêtage direct à l'aide d'une diode transil Figure I-6 : Caractéristique statique d'une diode transil (Tj = constante) Le problème principal est. comme nous pouvons le constater sur la caractéristique de la Figure I-6.2. Ecrêtage direct La première possibilité est d’utiliser un composant en parallèle de l’interrupteur qui se met en avalanche à sa place et qui a la possibilité de dissiper plus d’énergie. Mais. C’est le cas des diodes transil branchées selon le schéma de la Figure I-5.

2. il est alors difficile de maîtriser la tension d’écrêtage. Sur le montage de la Figure I-7. La tension de grille. en présence d’une surtension. Ecrêtage actif L’écrêtage actif consiste. D1 DZ1 R1 D1 R1 Roff DZ1 Vz T1 Vz R3 Vce ˜ Vz Ron VVge R2 DZ2 Cge Vge R2 DZ2 Cge Vce ˜ Vz Figure I-7 : Ecrêteur actif avec diode transil entre grille et collecteur Figure I-8 : Ecrêteur actif avec amplification du courant Les deux montages des Figure I-7 et Figure I-8 fonctionnent de la même manière : lorsque la tension aux bornes de l’IGBT dépasse la tension d’avalanche de la diode transil. Sur ce principe. plusieurs politiques de command e sont possibles. La première consiste à réagir à un seuil fixe de tension par l’intermédiaire d’une diode transil ou d’une diode Zener. Ainsi. l’impédance de l’interrupteur diminue ce qui permet aux charges de s’écouler et ainsi d’éliminer cette surtension. il existe le montage de la Figure I-8.Chapitre I I. Si l’écrêtage dure trop longtemps. le courant appelé peut atteindre plusieurs ampères. c’est directement la diode transil qui fournit le courant dont une partie repart vers le circuit commande qui veut imposer un potentiel bas. ce qui augmente le courant potentiel et permet d’écouler l’énergie. à écouler l’énergie par le composant en le plaçant dans sa zone linéaire. Nous ajoutons une résistance R1 afin d’assurer la stabilité de la contre-réaction par réglage du courant réinjecté sur la grille. Comme la résistance de grille est en général faible.1. plusieurs montages sont envisageables. mais cette solution introduit la capacité de sortie du transistor MOS en parallèle de la capacité Miller amplifiant ainsi l’effet Miller. s’auto-adapte pour maintenir la tension VCE constante. Comme dans le cas du disjoncteur. cette dernière se met en avalanche et produit un courant qui permet de charger la grille de l’IGBT. 25 . Comme pour le montage précédent. Afin de protéger cette dernière. où le MOSFET permet d’amplifier le courant injecté. ces deux montages présentent le défaut de réinjecter du courant dans le circuit de commande qui essaye d’imposer un potentiel bas. il y a risque d’endommager l’étage amplificateur qui devra dissiper une énergie pour laquelle il n’était pas initialement dimensionné. Cependant. qui permet de contrôler le courant potentiel. nous ajoutons la diode Zener DZ2 ainsi que la résistance R2 qui permet de décharger la grille.2. Pour pallier ce problème.

cette dernière donne. La Figure I-10 présente un schéma électrique simplifié du modèle thermique d’un composant à semi-conducteur. il est possible de se baser sur une courbe isopuissance.Nouveau processus de commutation : la commutation automatique Pour ne pas être confronté à ce problème. Le temps de réaction dépend donc de la rapidité de l’étage amplificateur. En effet. ce qui limite donc sa valeur. Par exemple. Figure I-10 : Schéma thermique global du composant (Tj : température de jonction. il faut que la contre-réaction se fasse directement sur la commande. une idée de l’élévation de la température du composant. Tamb : température ambiante) Si nous mettons en équation le système précédent soumis à un échelon de puissance. nous obtenons l’Equation I-1 avec la différence de température donnée par l’Equation I-2 et la constante de temps thermique définie par l’Equation I-3. en première approximation. Par contre. Figure I-9 : Ecrêteur actif agissant sur la commande du driver Une autre possibilité est d’adapter le seuil d’écrêtage au point de fonctionnement auquel nous no us trouvons. 26 . La diode transil injecte directement son courant à l’entrée du push-pull. C’est le cas du montage de la Figure I-9. ce montage introduit un étage de plus dans la chaîne de rétroaction. par absence de court-circuit par le transistor du bas.

Bilan La Figure I-11 présente un résumé des différentes protections possibles sur un interrupteur de puissance : une protection en courant et une protection en puissance. ∆T = P ⋅ Rth ⋅ 1 . la constante de temps thermique de la puce est de l’ordre de la milliseconde. ∆T = P ⋅ Rth P ⋅t = ⋅t τ Cth I-4 W = ∫ (VCE ⋅ I C ) ⋅ dt I-5 ∆T = W Cth I-6 Nous voyons donc que l’élévation de température peut se déduire de l’énergie reçue par le composant lors d’un phénomène de courte durée.Chapitre I t  .3. Cela justifie alors une commande se basant sur un seuil de puis sance en fonction du temps. ce qui permet d’écrire la valeur approchée de l’élévation de température à l’Equation I-6. Nous pouvons également prévoir une limite en puissance dont la valeur est variable en fonction de la température actuelle de la puce. Or l’énergie reçue est donnée par l’Equation I-5. afin de protéger le composant en température. nous obtenons l’Equation I 4 par développement limité de l’Equation I-1. 27 .1.Trad I-2 I-3 τ = Rth ⋅ Cth Il faut noter que dans les semi-conducteurs classiques. Si nous travaillons avec un temps faible devant la constante de temps (t << τ ).e τ      I-1 ∆T = Tj . I.

Il s’agit donc d’une commutation et non d’une transition spontanée. comme une commutation spontanée particulière à seuil non nul. Cela revient à dire que ces protections ne sont que des veilles. obligatoirement dans un quadrant dissipatif. @ β Disjoncteur Parasurtenseur Disjoncteurparasurtenseur Figure I-12 : Symboles des commutations automatiques Une commutation commandée peut donc très naturellement être remplacée par une 28 . Elles ont toutes un point commun : elles n’ont un rôle qu’en cas d’événement imprévu. Ce changement d’état automatique peut être vu. commutation automatique. Il peut alors être intéressant. sur le plan fonctionnel.2. du point de vue du circuit. signifiant que cet ajout nécessaire n’est que du «superflu » du point de vue du fonctionnement du convertisseur. Nous appellerons cette commutation. DES COMMUTATIONS CLASSIQUES VERS LA COMMUTATION AUTOMATIQUE Nous avons vu différentes protections possibles pour les interrupteurs de puissance.Nouveau processus de commutation : la commutation automatique i Limite de puissance Limiteur de courant Limiteur de tension i v v Limiteur de tension Limiteur de courant Limite de puissance Figure I-11 : Résumé des différentes protections d’un interrupteur de puissance I. d’exploiter la non linéarité dans le plan i=f(v) des protections pour produire une fonction de commutation sur seuil. Cela revient à donner aux protections un rôle actif dans le processus de commutation.

1.Chapitre I commutation automatique.2. La principale visualisation d’un interrupteur se fait par l’intermédiaire de sa caractéristique statique associée à ses commutations de blocage et d’amorçage. I. i II I v III IV Figure I-13 : Plan tension-courant permettant de tracer la caractéristique d’un interrupteur Les principales caractéristiques des commutations commandée et spontanée sont présentées dans le Tableau I-1. 29 . Pour l’exemple de la figure. Par ailleurs. deux types de changement d’état existent et ont leurs propriétés propres : la commutation commandée et la commutation spontanée. sont impossibles physiquement. les quadrants II et IV étant des quadrants générateurs. Commutations commandée et spontanée A l’heure actuelle. Les symboles représentant la commutation automatique qui seront utilisés dans ce manuscrit sont détaillés à la Figure I-12. les aires de sécurité dont les limites correspondent à la tension d’avalanche. dans les quadrants I et III. Nous avons utilisé le symbole du disjoncteur pour représenter le blocage automatique et celui du parasurtenseur pour l’amorçage automatique. il existe des composants tels que le thyristor. c’est l’IGBT qui a été utilisé. dont les représentants traditionnels sont respectivement le transistor et la diode. à la densité maximale de courant admissible par la puce et une limite en puissance dissipable par celle-ci. Une transition spontanée (changements d’état à tension et courant nuls) peut également être remplacée par une commutation à seuils non nuls. La convention récepteur est usuellement employée car les interrupteurs restent des récepteurs. qui combine les deux types de commutation. Par conséquent. mais la symbolique peut s’adapter aux autres composants. Il apparaît également. La Figure I-13 présente le plan tension-courant où apparaissent quatre quadrants de fonctionnement.

car le point de fonctionnement suit une trajectoire qui reste proche des axes lors du changement d’état. Par exemple. Changement d’état imposé par le circuit extérieur. Ces commutations sont maintenant auto-commandées. lors d’une commutation. au sein du même quadrant. Tableau I-1 : Caractéristiques des commutations commandée et spontanée I. lors de la commutation • • • Pertes par commutation faibles. ou "automatiques" par les fonctions de protection intégrées sans l'usage d'une commande externe. Trajectoire de commutation imposée par • le circuit extérieur. Introduction de la commutation automatique La commutation automatique va consister à utiliser une fonction de protection comme loi de commutation de l’interrupteur. elle se fait par dépassement et écrêtage de la tension aux bornes.2. avec passage obligatoire par l’origine O. • Pertes par commutation importantes car le point de fonctionnement se déplace dans le quadrant dissipatif. Changement d’état accompagné d’un changement de quadrant. Pour la fermeture de l’interrupteur.Nouveau processus de commutation : la commutation automatique COMMUTATION COMMANDEE v i COMMUTATION SPONTANEE v i Transistor i Blocage Amorçage O v O Diode i v • Instant de commutation contrôlé par • l’intermédiaire de l’électrode de commande. l'ouverture du composant se comporte comme une disjonction.2. Elle est introduite naturellement par dépassement de courant ou désaturation spontanée d’un interrupteur de type transistor. Les seuils de déclenchement sont 30 . Changement d’état au sein du même • quadrant. Trajectoire imposée.

il n’existe pas de point de fonctionnement stable sur ces segments. Ces derniers peuvent avoir de deux à quatre segments et des commutations d’amorçage et de blocage de quatre types : commandée. Le nombre de combinaisons devient alors très grand et une centaine d’interrupteurs est envisageable.e.mêmes subir le même traitement. une commutation automatique peut être vue comme une « fausse » commutation commandée ou une « fausse » commutation spontanée. Il apparaît deux segments en traits discontinus correspondants à des segments dynamiques qui sont parcourus par le point de fonctionnement lors des commutations. elles ressemblent à des commutations commandées. i i Seuil de disjonction Courant nominal Tension Seuil d’autonominale amorçage v Seuil d’autoamorçage Seuil de disjonction v Figure I-14 : Commutations automatiques dérivées de commutations commandées Figure I-15 : Commutations automatiques dérivées de commutations spontanées Les commutations spontanées en courant ou en tension peuvent elles. dont on garde la propriété de changement de quadrant.Chapitre I naturellement fixés à l’intérieur de l’aire de sécurité du composant. Il découle qu'une telle commutation peut-être associée indifféremment aux deux autres commutations usuelles (commandée « pure » ou spontanée « pure ») ou entre elles afin de générer de nouveaux interrupteurs. automatique dérivée de commandée et automatique dérivée de spontanée. Par conséquent. qui se produisent automatiquement à un seuil donné fixe. 31 . La Figure I-15 présente la caractéristique obtenue. La Figure I-14 présente la caractéristique d’un composant dont les deux commutations d’amorçage et de blocage sont automatiques. i. car ces derniers correspondent à des points de fonctionnement imposés par la cellule en court-circuit ou en circuit ouvert. Par contre.fermeture à tension positive et une auto-ouverture à courant négatif. mais avec un seuil de commutation non nul. spontanée. Ce type de commutation automatique peut être assimilé à une commutation spontanée. Pour le composant. une auto.

constituant la brique de base d’un convertisseur statique. sauf sur un temps très court.Nouveau processus de commutation : la commutation automatique I. Par ailleurs.i K2 = i I-7 32 . la mise en équation de la cellule de commutation donne le système d’équations suivant : VK1 + VK2 = E  i K1 . iK1 K1 E iK2 K2 vK2 vK1 i Figure I-16 : La cellule de commutation Les caractéristiques des interrupteurs associés suivent des règles imposées par la structure même de la cellule de commutation.3. mais souvent associé à d’autres interrupteurs au sein d’une cellule.3. fonction de l’impédance parasite des sources environnantes et du composant. le blocage d’un des interrupteurs est associé à l’amorçage de l’autre interrupteur et vice-versa. Rappel des règles d’association des interrupteurs dans une cellule de commutation Premièrement. Elle réalise l’interconnexion entre une source de tension instantanée et une source de courant instantanée. I. les interrupteurs sont toujours dans un état complémentaire. les deux interrupteurs de la cellule de commutation ne peuvent être ni ouverts ni fermés simultanément sous peine respectivement d’ouvrir la source de courant ou de court-circuiter la source de tension. La Figure I-16 présente une cellule de commutation. Par conséquent.1. INTEGRATION DE LA COMMUTATION AUTOMATIQUE DANS LA CELLULE DE COMMUTATION L’interrupteur électronique est rarement utilisé seul. De plus.

qu’à un blocage spontané sur l’autre interrupteur. tandis que le deuxième va commuter avec changement de quadrant de fonctionnement. Modification des règles d’association des interrupteurs avec l’introduction de la commutation automatique Comme cela a déjà été précisé. la commutation commandée est forcément la commutation première lors du changement d’état de la cellule de commutation. il apparaît e qu’un interrupteur va voir sa commutation se dérouler dans un quadrant. la commutation automatique peut être dérivée à partir des commutations commandées et spontanées. D’autre part.Chapitre I Ce système d’équations impose les caractéristiques statiques que les interrupteurs doivent avoir en fonction du signe des sources. Les deux commutations ne pouvant être simultanées. Par conséquent une commande d’amorçage sur un interrupteur n’est associable. Il en résulterait une ouverture de la source de courant ou un court-circuit de la source de tension sur un temps court [FOCH 1]. par principe. associée avec elle. l’autre s’amorce. elle peut assumer le rôle de chacune au sein d’une cellule de commutation.3. l’autre interrupteur ne peut pas avoir une commande d’amorçage. cela sous-entendrait que les deux commandes seraient parfaitement synchronisées. Cela revient à déterminer si c’est l’amorçage qui précède le blocage ou l’inverse. par le biais des variations des grandeurs électriques du circuit qui l’entourent. De son côté. De son côté.même. Commutation commandée Commutation spontanée Figure I-17 : Causalité et combinaison des commutations I. si nous considérons que la commutation se produit alors que l s deux sources ont des valeurs non nulles. Dans un souci de clarté. ce qui est quasiment impossible physiquement. la deuxième. si un interrupteur possède une commutation de blocage commandée. Elle peut donc assumer tous les rôles que les autres 33 . il y a forcément une commutation qui précède l’autre. Ce sont les caractéristiques du circuit qui le déterminent.2. les règles d’interconnexion des sources impliquant un état complémentaire des interrupteurs. lorsqu’un interrupteur se bloque. Donc. nous introduisons la causalité et appellerons dorénavant « commutation maître » la première commutation qui se déroule lors d’un changement d’état de la cellule de commutation et « commutation esclave ». Mais rien n’est précisé sur la causalité. A priori. peut jouer le rôle de déclencheur de la commutation. La Figure I-17 résume les différentes combinaisons possibles. la transition. Par exemple. En effet.

Les conditions de fonctionnement sont résumées dans le Tableau I 2. En effet. ils peuvent être confondus et donner un « segment mixte ». Toutes ces combinaisons sont représentées à la Figure I-18. il faut qu’une des deux sources le permette. car cela correspond à une violation des règles de la cellule de commutation. si la commutation automatique est esclave. où normalement aucun point de fonctionnement stable n’est permis par le circuit extérieur. « segment statique ». autorise un point de fonctionnement stable tout le long. Si. soit par l’adjonction d’un circuit auxiliaire. nous considérons le cas d’une source de courant idéale. la commutation automatique de blocage est de type esclave et 34 . Il apparaît que la commutation automatique permet de multiplier les combinaisons possibles. elle peut prendre le rôle de commutation maître. Nous dénommerons le segment parcouru par le point de fonctionnement. soit le comportement d’un disjoncteur. de commutation esclave et même être associée avec elle.même. soit naturellement. En effet. Mais ce « viol » se déroule en toute sécurité car c’est lui qui déclenche la commutation automatique du deuxième interrupteur. afin d’amener le point de fonctionnement de l’interrupteur dans sa zone de commutation automatique. car le circuit extérieur. Il apparaît que pour qu’une commutation automatique soit maître. Commutation commandée Commutation automatique Commutation spontanée Figure I-18 : Causalité et combinaisons des commutations avec la commutation automatique Le mécanisme permettant à la commutation automatique de fonctionner diffère selon que nous avons une commutation maître ou esclave. Si nous raisonnons en terme de courant. « segments dynamiques ». en série. Par contre. il se produit avec un interrupteur muni d’un blocage automatique. Nous appellerons ces segments. dans le cas du court-circuit de la source de tension. elle réagit au changement d’état de l’interrupteur opposé qui va ouvrir la source de courant ou court-circuiter la source de tension. Le point de fonctionnement de l’interrupteur parcourt alors un segment rapidement. fonction de l’impédance de l’ensemble composantsource. en particulier les sources.Nouveau processus de commutation : la commutation automatique commutations assument au sein d’un mécanisme de commutation. il faut que la source de courant fasse croître le courant qui traverse l’interrupteur jusqu’à ce qu’il atteigne le seuil de disjonction de cet interrupteur. En particulier. par exemple. Nous sommes alors en violation directe des règles de la cellule de commutation citées précédemment. Segments statiques et dynamiques ne sont pas forcément distincts.

qui est donc maître. Cela crée une maille de court-circuit qui déclenche la disjonction de l’interrupteur initialement passant. La fermeture de l’autre interrupteur provoque un court-circuit de la source de tensio n ce qui crée une maille de court-circuit amenant la disjonction de l’interrupteur initialement passant. le redresseur à disjonction. Le nombre d’interrupteurs possibles ayant grandement augmenté. Le deuxième montage. C’est une commutation automatique esclave. générant un segment de fonctionnement à la fois statique et dynamique. Par conséquent. la causalité dans le processus de commutation diffère. créant ainsi un segment dynamique négatif. Les deux montages utilisent le même interrupteur que nous retrouverons plus en détail ultérieurement. il apparaît 35 . Dans le premier exemple. voit l’amorçage spontané de l’interrupteur initialement bloqué au changement de signe de la source de tension.Chapitre I le déplacement du point de fonctionnement imposé par le circuit extérieur ne permet pas de déclencher la disjonction. Deux cas sont envisageables : soit le signe du courant change. cela génère un nombre très grand de cellules de commutation qui ne sont pas toutes viables. Le point de fonctionnement parcourt rapidement un segment qui peut être dynamique pur ou mixte selon le sens de la source de courant. Il est doté d’un amorçage spontané (ou auto-amorçage) et d’un blocage automatique à une valeur fixe différente de zéro. que nous appellerons segment mixte. soit il reste le même. La source de courant est impédante et c’est la variation de ce courant qui va déclencher la commutation automatique. Nous pouvons noter que c’est la dualité des sources qui permet de passer d’un montage à l’autre. Par contre. l’interrupteur n’a que des segments statiques. Les formes d’ondes et les propriétés de ces deux cellules sont abordées plus en avant dans le chapitre II. Commutation maître Par croissance de la source de tension (condensateur ou circuit auxiliaire) Commutation esclave Par blocage de l’interrupteur opposé (cellule ouverte entraînant une surtension produite par la source de courant) Par amorçage de l’interrupteur opposé (la cellule court-circuite la source de tension entraînant un surcourant) Amorçage automatique Blocage automatique Par croissance de la source de courant (inductance ou circuit auxiliaire) Tableau I-2 : Mécanismes de commutation automatique Deux exemples sont présentés à la Figure I-19. Or. le thyristor-dual disjoncteur. nous avons un onduleur à disjonction qui fonctionne selon un mode proche d’une commande en fourchette de courant.

1.1. Cette période est forcément égale à la fréquence la plus élevée des sources. I. il était quasiment impossible d’en établir une liste exhaustive et encore plus d’essayer d’en tirer des règles simples. ce qui représente un grand nombre d’applications potentielles pour la commutation automatiq ue [ROUX 3]. En effet. cas qui peut se généraliser par la suite. Le cas de la modulation de largeur d’impulsions n’est pas considéré ici.Nouveau processus de commutation : la commutation automatique que les règles usuellement utilisées pour décrire les cellules de commutation sont modifiées par l’introduction de la commutation automatique. Hypothèses de travail L’étude se limite au cas des interrupteurs ayant des caractéristiques figées et ayant deux commutations par période.1. En fait. 36 .4. c’est souvent le cas rencontré dans les chaînes de conversion alternatif-continu et continu-alternatif. et ce quels que soient les signes des deux sources. Il faut donc dégager de nouvelles règles de changement d’état des interrupteurs dans une cellule élémentaire. il exige des interrupteurs commandés à l’amorçage et au blocage. SYNTHESE DES CELLULES A COMMUTATION AUTOMATIQUE Le nombre de combinaisons envisageables dépassant la centaine. Nous nous sommes donc concentrés sur le cas des cellules deux quadrants afin de développer une méthode de synthèse systématique des cellules de commutation.4.4. cas non inclus dans notre étude. off on off on a) b) Figure I-19 : Cellules deux quadrants avec blocage automatique : a) Onduleur à disjonction b) Redresseur à disjonction I. Synthèse I. qui s’intéresse au cas des cellules deux quadrants. C’est le but de la partie qui vient.

Chapitre I

Par ailleurs, les interrupteurs peuvent être munis de segments additionnels que nous avons précédemment nommés segments dynamiques, car ils peuvent introduire de nouvelles fonctionnalités. Enfin, nous nous limitons au cas où les deux interrupteurs au sein d’une même cellule élémentaire ont mêmes caractéristiques statiques et dynamiques, ceci afin de limiter le nombre de cas à considérer. De plus, c’est la situation la plus couramment rencontrée, car l’usage d’une source alternative implique une symétrie de fonctionnement, donc des interrupteurs identiques en tout point.

I.4.1.2. Méthodologie de synthèse
L’approche présentée ici est systématique afin de n’oublier aucun cas. Un exemple d’application de cette méthode de synthèse est fourni à l’annexe A. La méthode se décompose en 7 étapes : § Etude de la réversibilité des sources, ce qui permet de définir les segments statiques des interrupteurs, ainsi que les segments dynamiques possibles. Les segments statiques sont définis par les signes des sources, tandis que les segments dynamiques sont imposés par la cellule elle- même lors d’un court-circuit de la source de tension ou une ouverture de la source de courant. § Nous choisissons un déphasage entre le courant et la tension, ce qui définit le type de commutation à l’amorçage et au blocage, c’est-à-dire si elle dérive d’une commutation commandée ou spontanée. Cela permet d’identifier le ou les quadrants impliqués dans la commutation. § Ecriture de toutes les combinaisons possibles de commutations incluant au moins une commutation automatique à partir de la liste complète donnée dans le Tableau I-3. § Suppression des cas ne correspondant pas au déphasage entre le courant et la tension considéré. § Etude de la stabilité des commutations automatiques. La règle sera exposée plus en détail plus loin dans ce manuscrit. § Vérification de l’intérêt de la cellule générée, à savoir si elle apporte un intérêt ou si elle ne reste qu’un « gadget ». § Etude de la protection de la cellule, à savoir si l’introduction de la commutation automatique est suffisante ou non.

37

Nouveau processus de commutation : la commutation automatique

Amorçage Commandé

Blocage Spontané Automatique (esclave) Commandé Spontané Automatique (maître) Automatique (esclave) Automatique

Spontané

Automatique

Tableau I-3 : Totalité des combinaisons de commutations envisageables avec leur causalité

I.4.1.3. Résultats de la synthèse
La méthode précédente a été appliquée en considérant deux cas. Le premier cas correspond à une source de tension continue et une source de courant bidirectionnelle, tandis que le second met en jeu une source de tension réversible et une source de courant unidirectionnelle. Pour chaque cas, trois déphasages entre le courant et la tension ont été considérés : soit le courant est en retard, soit il est en avance, soit il est en phase avec la tension. Les cellules issues de la synthèse sont présentées respectivement dans le Tableau I-4 et le Tableau I-5. Il apparaît 18 cellules qui ne sont pas toutes distinctes. En effet, les deux cellules de la dernière ligne d’un tableau sont les mêmes que celles de la première ligne mais avec le sens de la source unidirectionnelle inversé. Elles correspondent donc au cas de réversibilité de la première ligne. La causalité des commutations est précisée ainsi que la viabilité et l’utilité de chaque cellule, en se basant sur les critères détaillés ci-après. Les deux tableaux présentent une certaine similitude. Cela est lié à la dualité des cellules de commutations qui y sont présentées. En effet, l’application des règles de dualité au circuit (sources et topologie) ainsi qu’aux interrupteurs des deux tableaux montre que toutes les cellules sont duales entre elles.

38

Chapitre I

1 Courant en retard sur la tension Blocage sous courant positif Dual du 1’.1’
Amorçage automatique « esclave »

2 Courant en avance sur la tension Blocage sous courant négatif Dual du 1’.2’
Amorçage commandé « maître » Blocage automatique « esclave »

3 Courant en phase avec la tension Blocage sous courant nul

off

Blocage commandé « maître »

i v

on

i v

1
off Surtension sur l’interrupteur bloqué Intéressant si réversibilité en tension

on INSTABILITE par la cellule

Dual du 3’ Dual du 2’.1’
Amorçage automatique « esclave » Blocage automatique « maître »

Dual du 2’.2’
Amorçage automatique « esclave » Amorçage automatique « maître » Blocage automatique « esclave » Blocage spontané « maître »

i

i v v

2
Ne fonctionne pas en réversibilité donc INUTILE

INSTABILITE par la source de tension i

Dual du 3’.1’
Amorçage spontané « esclave » Blocage automatique « maître »

Dual du 3’.2’
Amorçage automatique « maître » Blocage spontané « esclave »

v

i

i

3

v

v Surtension sur l’interrupteur bloqué que nous pouvons limiter Intéressant si réversibilité en tension

Pas de contrainte en tension Onduleur à disjonction

INSTABILITE par la source de tension

Dual du 4’.1’
Amorçage commandé « maître » Blocage automatique « esclave »

Dual du 4’.2’
Amorçage automatique « esclave » Blocage commandé « maître »

on

i v

off

i v

4
on

Stable si la commande intervient bien quand l’autre interrupteur conduit un courant par son transistor

off

Surtension sur l’interrupteur bloqué Intéressant si réversibilité en tension

Tableau I-4 : Résumé des cellules synthétisées avec une source de tension continue et une source de courant bidirectionnelle

39

Nouveau processus de commutation : la commutation automatique

1’ Courant en retard sur la tension Blocage sous courant positif Dual du 1.1
Amorçage commandé « maître » Blocage automatique « esclave »

2’ Courant en avance sur la tension Blocage sous courant négatif Dual du 1.2
Amorçage automatique « esclave » Blocage commandé « maître »

3’ Courant en phase avec la tension Blocage sous courant nul

i on

i v off off v

1’

on Surintensité sur l’interrupteur amorcé Intéressant si réversibilité en courant

INSTABILITE par la cellule

Dual du 3
Amorçage spontané « maître »

Dual du 2.1
Amorçage automatique « maître » Blocage automatique « esclave »

Dual du 2.2
Amorçage automatique « esclave » Blocage automatique « maître »

Blocage automatique « esclave »

i

i

2’

v

v

Surintensité sur l’interrupteur amorcé Intéressant si réversibilité en courant

INSTABILITE par la source de courant

i

Dual du 3.1
Amorçage automatique « maître » Blocage spontané « esclave »

Dual du 3.2
Amorçage spontané « esclave » Blocage automatique « maître »

v

i

i v

3’

v Surintensité sur l’interrupteur

Pas de contrainte en courant

INSTABILITE par la source de courant

amorcé que nous pouvons limiter Redresseur à disjonction Intéressant si réversibilité en courant

Dual du 4.1
Amorçage automatique « esclave » Blocage commandé « maître »

Dual du 4.2
on i
Amorçage commandé « maître » Blocage automatique « esclave »

i v Stable Intéressant si réversibilité en courant v

off

4’

off

Stable si la commande intervient bien quand l’autre interrupteur voit une tension positive

on

Tableau I-5 : Résumé des cellules synthétisées avec une source de tension réversible et une source de courant unidirectionnelle

40

Stabilité de la commutation automatique Ce problème apparaît. Cette dernière se referme sur deux disjoncteurs de même calibre. Il est difficile de savoir lequel va se bloquer en premier. est l’interrupteur qui vient de se mettre en conduction. si le blocage automatique est la commutation maître de la cellule. lorsque deux disjoncteurs électroniques de seuil de déclenchement quasiment de même valeur sont placés en série. à cause de sa commutation automatique intrinsèque. Ce problème se complique lorsque nous raisonnons pour une cellule de commutation. un interrupteur ne rechange pas d’état immédiatement après. il y a une phase de court-circuit de la source de tension. l’interrupteur qui s’amorce va être traversé par le courant de charge qui est passé d’un 41 . ce qui revient à dire qu’ils ont tous les deux un pouvoir de disjonction pour un courant positif qui les traverse. où les deux interrupteurs sont placés dans le même sens. définies à la Figure I-16. Nous utilisons les conventions de signe de la cellule de commutation. La Figure I-20 présente le cas d’un blocage automatique. Il faut définir un critère de stabilité d’une cellule de commutation incluant des interrupteurs possédant au moins une commutation automatique. La cellule de commutation peut alors être instable.2. par exemple. La cellule est stable si.Chapitre I I.4. Dans un premier temps. car il y a la causalité des commutations qui entre en ligne de compte. ainsi que le signe de la source de courant. si l’interrupteur qui se bloque lors de cette phase de court-circuit. placés en série. après avoir commuté. intéressons nous au problème de stabilité de la cellule de commutation en fonction de la causalité des commutations. Courant E Blocage automatique maître : disjonction par surcourant de charge Blocage automatique esclave : court-circuit de la cellule par amorçage de l’autre interrupteur Maille de court-circuit E Courant E Figure I-20 : Stabilité de la cellule en fonction de la causalité des commutations Par contre. Nous avons précédemment vu que dans le cas d’un blocage automatique esclave.

c’est-à-dire le déphasage adéquat entre le courant et la tension. Il disjoncte en premier et la commutation s’est correctement déroulée. si le courant est en avance sur la tension. Ils sont résumés dans le Tableau I6. L’interrupteur à bloquer voit un courant inférieur à celui qui traverse le deuxième interrupteur.Nouveau processus de commutation : la commutation automatique interrupteur à l’autre. il faut que les deux disjoncteurs soient placés en anti-série. pour que la cellule soit stable. où. le courant de charge se soustrait au courant de court-circuit. La cellule est donc stable. Dans le cas du courant en retard sur la tension. Des critères de stabilité peuvent ainsi être énoncés. soit que les deux disjoncteurs soient placés en série et dans le même sens. peu après avoir été amorcé. En fait. Si nous reprenons l’exemple de la Figure I-20. Nous retrouvons le cas précédent. nous pouvons obtenir la stabilité de la cellule. De plus. Ce courant traverse l’interrupteur dans le sens inverse par rapport à celui du pouvoir de blocage automatique. il faut que les deux commutations automatiques aient le même signe. C’est donc ce dernier qui va se bloquer. en choisissant correctement le signe du courant au moment de la commutation. Afin de signaler ces cas particuliers dans le Tableau I-6. Les commutations automatiques doivent avoir des signes identiques. Les commutations automatiques doivent avoir des signes opposés. Par contre. avec des blocages automatiques maîtres. La cellule est donc instable. une étoile a été ajoutée dans 42 . le courant de charge s’ajoute au courant de court-circuit qui traverse l’interrupteur à bloquer. après la commutation. le courant de charge traverse le deuxième interrupteur dans le sens inverse de son pouvoir de coupure. l’interrupteur ne peut pas se bloquer automatiquement immédiatement après son amorçage et la cellule est donc stable. Ce dernier « voit » plus de courant que l’interrupteur qui vient d’être amorcé. Amorçage automatique Blocage automatique Tableau I-6 : Critères de stabilité des commutations automatiques (les étoiles correspondent à la présence de cas particuliers) Des exceptions à ces règles peuvent apparaître si nous tenons compte du courant de charge. Par contre. La cellule de commutation peut donc être stable. pour un blocage automatique esclave. malgré cette phase de court-circuit avec deux disjoncteurs en série. Par conséquent. le signe du courant de charge est l’élément prépondérant qui permet de déterminer quel interrupteur va s’ouvrir. Esclave Les commutations automatiques doivent avoir des signes identiques. Cela revient à dire que leur pouvoir de disjonction respectif correspond à un courant qui les traverse de même signe selon la convention de la Figure I-16. La Figure I-21 reprend toujours le même exemple en intégrant le courant de charge pour deux signes de déphasage entre le courant et la tension. Maître Les commutations automatiques doivent avoir des signes opposés.

Par conséquent. les segments dynamiques. qui la rend associable avec elle. La jonction PN offre une transition naturelle à courant et tension nuls. seulement parcourus au cours de la phase de commutation. Elles peuvent fonctionner. Extraction des cellules intéressantes et étude de la protection Nous avons synthétisé différentes cellules possibles et vérifié qu’elles étaient stables. les caractéristiques des interrupteurs sont différentes : la transition 43 . L’addition de ces segments.Chapitre I les cases où l’influence d’un des signes des sources peut rendre stable une cellule instable si nous ne tenions compte que de la causalité des commutations. mais rien ne dit si elles sont intéressantes ou non. est inintéressante à moins d’introduire une réversibilité basse fréquence de la cellule. Ces cas particuliers correspondent aux cas de cellules comprenant une commutation commandée avec changement de quadrant. parmi les applications émergeantes et futures.même et avec une commutation commandée.3. ce segment dynamique devient mixte dès que la source considérée jusqu’à présent unidirectionnelle. Toutefois. ainsi que des segments supplémentaires. L’introduction de la commutation automatique peut engendrer des contraintes supplémentaires sur les composants.4. En effet. Courant en retard sur la tension Courant de charge E Amorçage de l’interrupteur inférieur E Courant de charge Réussite de la commutation Cellule stable E Courant de charge Maille de courtcircuit Courant en avance sur la tension Courant de charge E Amorçage de l’interrupteur inférieur E Courant Echec de la de charge commutation Cellule instable E Courant de charge Maille de courtcircuit Figure I-21 : Influence du courant de charge sur la stabilité de la cellule de commutation I. c’est-à-dire si elles apportent une fonctionnalité nouvelle. ils sont composés d’associations de jonctions PN. En fait. vues plus loin. change de signe. tous les cas ayant un segment dynamique pur doivent être écartés si nous considérons seulement les composants actuels à silicium. en particulier dans le domaine de la très basse tension (matériau supraconducteur) et très haute tension (matériau diamant).

considérons deux cellules utilisant le même interrupteur. et ce. il y a toujours un disjoncteur en série avec la maille concernée. pour toutes les cellules générées. où la commutation transistor -diode est impossible. Les commentaires issus de cette étude sont donnés pour chaque cellule dans le Tableau I-4 et le Tableau I-5. La protection contre une éventuelle surtension de la charge est assurée par le lien permanent entre la charge et la source de tension par l’intermédiaire d’une diode. Il s’agit de l’onduleur à disjonction situé à la troisième ligne de la première colonne du Tableau I-4 et du redresseur à disjonction de la dernière colonne du Tableau I-5. La commutation de la cellule est alors basée sur l’auto-commutation par surcourant ou surtension. mais certains cas ne sont pas pris en compte. Les schémas des deux montages sont rappelés à la Figure I-22. Cette protection intrinsèque est efficace contre certains défauts. Par conséquent. La commutation est donc la seule alternative pour les exploiter. sauf au moyen de capteurs. Onduleur à disjonction Redresseur à disjonction Figure I-22 : Schémas de l’onduleur à disjonction et du redresseur à disjonction De son côté. que ce soit un court-circuit de la charge ou un court-circuit de la source de tension. Une analyse est nécessaire en considérant les courts-circuits physiques d’un interrupteur ou de la charge. Un autre intérêt potentiel de l’introduction de la commutation automatique est la protection intrinsèque que ces commutations peuvent représenter. L’onduleur à disjonction est protégé contre tous les types de défaut. le redresseur à disjonction n’est pas protégé contre un court-circuit de la charge ou la défaillance d’un interrupteur. Afin d’illustrer ce problème. car le courant de court-circuit de la source de 44 . Le problème se pose également dans les cellules AC-AC bidirectionnelles en tension et en courant. résultant d’un court-circuit ou d’une ouverture de la cellule. Par conséquent. En ce qui concerne les surintensités. mais nous pouvons les garder pour d’autres technologies. les cellules ayant un segment dynamique pur seront écartées ici car nous nous basons sur une technologie silicium.Nouveau processus de commutation : la commutation automatique spontanée à courant et tension nuls n’existe plus. d’autres transitions à des valeurs non nulles sont susceptibles d’être exploitées.

nous allons considérer la dernière cellule de la première colonne du Tableau I-4. Il faut donc prévoir une protection supplémentaire externe au convertisseur. nous nous retrouvons dans la topologie d’un pont de diodes. L’amorçage de l’interrupteur crée une maille de court-circuit de la source de tension. ainsi que la caractéristique de l’interrupteur utilisé.4. par l’intermédiaire de sa patte de commande. I. Ces différentes vérifications permettent de déterminer les avantages respectifs et de faire apparaître les cellules qui peuvent s’avérer intéressantes. Celui-ci se bloque alors que l’interrupteur qui vient d’être amorcé conduit un courant positif correspondant à la différence entre le courant de court-circuit et le courant de charge. Nous avons déjà vu que la cellule est stable si le courant de charge circule à travers le transistor initialement conducteur. Le schéma de la cellule est repris à la Figure I-23. i on v on Blocage automatique Amorçage commandé avec changement de quadrant Figure I-23 : Cellule élémentaire utilisant un amorçage commandé avec changement de quadrant La cellule change d’état par amorçage de l’interrupteur initialement bloqué. elles ne respectent pas a priori les règles de stabilité des cellules de commutation. Comme exemple. avec deux disjoncteurs électroniques en série. Etude du cas particulier de commutation commandée avec changement de quadrant Ces cellules sont atypiques. En effet.Chapitre I tension est alors conduit par une diode qui n’a pas de pouvoir de disjonction et non plus un transistor-disjoncteur. Les différentes phases de conduction lors d’une commutation sont représentées à la première série de dessins de la Figure I-21. c’est alors la diode de l’autre interrupteur qui va refermer la maille de court-circuit. car elles introduisent un changement de quadrant au cours d’une commutation commandée. Prenons l’exemple de la défaillance d’un composant qui se met en court-circuit. De plus.4. le courant de court-circuit disparaît et le courant de charge va circuler à travers 45 . Lorsque le deuxième interrupteur « disjoncte ». C’est la même chose en cas de court-circuit de la charge.

qui n’intervient que pour un déphasage entre le courant et la tension donné. Cela nous permettra d’approfondir l’étude et de mieux jauger le potentiel des cellules incluant la commutation automatique face à ce qui existe déjà.5. Nous avons ensuite privilégié le mode thyristor-dual. court-circuit d’anode) [BREIL]. afin de bénéficier de ses nombreux avantages intrinsèques [FOCH 2] [CHERON]: . à court terme. cellules écartées dans cette étude. Leur bon fonctionnement. En effet. intégrée dans le silicium (IGBT à diode de corps. même un léger dépassement de la tension maximale du composant peut faire dépasser le champ critique localement et provoquer l’avalanche du composant. ce qui en fait un composant rapide. la commutation automatique implique une excursion des grandeurs électriques au-delà des valeurs imposées par les sources. soit externe par diode (IGBT). Or les composants à semi. normalement obligatoire dans un onduleur de tension.Nouveau processus de commutation : la commutation automatique la diode de l’interrupteur qui vient de s’amorcer introduisant le changement de signe du courant traversant. Ce type de commutation voit aussi son intérêt dans le bon fonctionnement de cellules ayant plus de deux quadrants. Elles correspondent aux schémas des premières lignes des tableaux respectifs en réversibilité. Ce cas sera rapidement abordé dans la dernière partie de ce chapitre. Nous avons préféré nous concentrer sur un composant possédant un blocage automatique plutôt qu’un amorçage automatique.conducteur acceptent un surcourant bref grâce à la capacité thermique de la puce et à une relative bonne homogénéité des lignes de courant pour les composants multicellulaires de type IGBT ou MOS. 46 .tout d’abord. I. Par contre. est nécessaire pour l’utilité des cellules de la première ligne. CHOIX DE LA CELLULE DE L’ETUDE A SUIVRE Avant de poursuivre notre étude. utiles seulement en réversibilité. donc constitué de trois couches (P+N-P). Nous obtenons le fonctionnement d’une cellule onduleur sans la moindre transition naturelle de type « diode ». Il apparaît que les composants actuels sont plus adaptés pour le blocage automatique que pour l’amorçage automatique. il faut extraire de l’étude précédente la cellule la plus prometteuse qui présente une application potentielle. voire même. De plus la réversibilité est soit naturelle (diode de corps du transistor MOS). Or tous les composants ne sont pas testés en avalanche. c’est un composant bidirectionnel en courant. Nous pouvons quand même citer des cellules quatre quadrants qui nécessitent l’association de deux commutations commandées. donc le changement de quadrant. Toutes les cellules de ce type sont représentées à la dernière ligne du Tableau I-4 et du Tableau I-5.

ce montage doit essayer d’associer deux commutations commandées que nous ne pouvons pas. d’où une bonne sûreté de fonctionnement. Ces différentes solutions sont plus ou moins lourdes à mettre en œuvre. avec un 47 . ainsi que la caractéristique des interrupteurs utilisés. . commande autour de la tension de seuil (CATS) [SAWEZYN]. Les deux cellules où apparaît le thyristor-dual disjoncteur sont une cellule onduleur et une cellule redresseur. physiquement. La première est le hacheur alternatif à blocage automatique représenté à la Figure I-24.Chapitre I . donc sans recouvrement d’où de faibles pertes et émissions CEM. Cela a permis de mieux quantifier l’apport de la commutation automatique. nous avons concentré nos travaux sur le thyristor-dual disjoncteur. La cellule onduleur à disjonction a un fonctionnement proche de celui d’un onduleur de tension piloté en fourchette de courant.toutes les raisons précédentes montrent un haut potentiel d’intégration fonctionnelle afin d’atteindre de hautes performances. Comme nous l’avons déjà dit. rendre simultanées.6. I. l’éclairage et le chauffage. Pour toutes ces raisons. Différentes stratégies sont alors mises au point : adjonction de capteurs.l’utilisation d’un thyristor-dual disjoncteur dans une cellule onduleur rend impossible le court-circuit du bus et la charge est protégée en tension par les diodes. . Nous présentons ici deux solutions. Un autre critère que nous nous sommes imposé est que nous voulions synthétiser des convertisseurs proches de ce qui existe afin de pouvoir mettre en place une comparaison la plus objective possible.la diode se bloque toujours à tension nulle. représentées à la Figure I-22. tandis que le redresseur à disjonction se rapproche d’un pont de diodes.la conduction de la diode offre un préconditionnement du transistor par mutualisation des charges dans la base N-. dont les applications potentielles sont le moteur monophasé. AUTRES EXEMPLES AUTOMATIQUE DE CELLULES A COMMUTATION La commutation automatique peut être introduite dans des cellules qui ne sont pas deux quadrants. .l’effet disjoncteur est l’effet naturel de désaturation de tout transistor composé de trois couches. . La commutation automatique est une solution relativement simple à ce problème. Un exemple est le hacheur alternatif. Ils possèdent quatre quadrants.

l’instabilité persiste. Au moment de son blocage. 48 . elle doit être suffisante afin que le deuxième interrupteur disjoncte. c’est-à-dire. La première consiste à inhiber la capacité de disjonction de l’interrupteur qui s’amorce durant une période de temps suffisante pour que l’autre interrupteur disjoncte. La Figure I-26 présente les formes d’ondes obtenues en utilisant la deuxième solution. La Figure I-25 résume les commutations stables et instables selon les signes des deux sources. En effet. Prenons le cas où les deux signes sont positifs. Nous pouvons observer que durant la phase d’amorçage d’un interrupteur. T1 voit déjà un courant positif. l’amorçage d’un interrupteur amène directement le blocage automatique de ce même interrupteur. Cela change selon les configurations des signes des deux sources. les commutations peuvent se produire pour les deux signes du courant de charge. Si ce dernier n’a pas le temps de se bloquer.Nouveau processus de commutation : la commutation automatique amorçage commandé et un pouvoir de blocage automatique pour les deux sens de circulation du courant. le courant qui le traverse peut être supérieur au courant de disjonction. Son blocage automatique est stable. quel que soit le déphasage entre le courant et la tension. C’est le contraire pour T’1 qui voit le courant de charge négatif. La deuxième solution est une augmentation du seuil de disjonction durant la même période de temps. une simple augmentation du potentiel de grille est suffisante. Mais la principale question est la détermination de la durée de sursaturation nécessaire. Dans le cas d’un thyristor-dual disjoncteur basé sur des transistors MOS. Ie E i T1 on v Is T’1 on Blocage automatique Amorçage commandé Figure I-24 : Schéma du hacheur alternatif à blocage automatique et caractéristique des interrupteurs Contrairement à la cellule de la Figure I-23. Par conséquent. Deux solutions sont envisageables. Nous respectons les règles de stabilité. Le signe du courant de la maille de court-circuit est également positif. il apparaît un cas où la cellule est instable : avec un courant en avance sur la tension.

38 Figure I-26 : Formes d’ondes de la tension et du courant pour le hacheur alternatif à disjonction Ce montage fonctionne quel que soit le déphasage entre le courant et la tension.Chapitre I Tension Courant t T1 T’1 Stable T’1 T1 Instable T1 T’1 I T’1 T1 S T1 T’1 I T’1 T1 S T1 T’1 Stable T’1 T1 Instable Figure I-25 : Commutations stables (S) et instables (I) en fonction des signes de la tension d’entrée et du courant de charge Tension E 400 200 0 -200 -400 100 75 50 25 0 -25 -50 -75 -100 Courant Ie 0 temps(ms) 10 20 30 40 80 80 Idisj+Ich 60 60 Idisj Ibreak Idisj 40 20 0 -20 40 20 0 -40 -20 2.75 10.13 temps(ms) 9. Par contre.0 3.5 .Idisj -60 9. Quand elle change 49 . la durée de la phase de court-circuit dépend de la tension appliquée.5 temps(ms) 3.

lié à l’association de commutations commandées. ce n’est pas gênant pour le courant d’un point de vue thermique.Nouveau processus de commutation : la commutation automatique de signe. La première solution reste préférable car elle ne fait intervenir que des commandes de blocage automatique. la phase de court-circuit se poursuit. Par conséquent. Figure I-26 en bas à droite). Par conséquent. contrairement au montage précédent qui n’a que des blocages automatiques. il apparaît une phase où aucun interrupteur n’atteint son courant de disjonction (cf. la durée de la phase de court-circuit est très importante. permet a priori de résoudre le problème intrinsèque du hacheur alternatif. 50 . Ainsi. Le montage est représenté à Figure I-27. ce qui est pénalisant car peu de composants acceptent un léger dépassement de leur tension maximale. Mais. avec un interrupteur quatre quadrants commandé à l’amorçage et au blocage. car la tension est de faible valeur. ne posant pas de problème de stabilité. ce qui complique la détermination d’une durée fixe de sursaturation. ce montage est pénalisé par ce surdimensionnement en tension. mais sous une tension réduite. combiné à un interrupteur quatre quadrants totalement automatique. même brève. les solutio ns considérées ne sont plus valables. Le montage précédent peut être modifié afin de n’avoir qu’un seul interrupteur commandé connecté au point froid. Cela élimine tout problème d’isolation de la commande. Le problème de ce montage est la nécessité de surdimensionner en tension l’interrupteur commandé. moins stressantes pour les composants. forçant à doubler la tension que le composant doit tenir. Par contre. la commutation étant rapide. moyennant quelques artifices. i Commutation automatique continu ou réversibilité basse fréquence v i +Va on off HF Commutation commandée v Figure I-27 : Hacheur alternatif avec seulement un interrupteur commandé La commutation automatique.

Nous introduisons un nouveau concept qui envisage de placer l’idée de protection au sein même du mécanisme de commutation. Afin de formaliser tout cela. dans le cadre des cellules deux quadrants. le problème de la surtension restant le point le plus critique. la notion de causalité ne posait pas de problème jusqu’à maintenant. nous avons développé une méthode de synthèse systématique des cellules de commutation incluant au moins une commutation automatique. le tout dans un temps très court pouvant être de l’ordre de la dizaine de nanosecondes. Des exemples sont également présentés. De nouvelles règles de la cellule de commutation apparaissent afin de s’adapter à ce nouveau concept.7. Par la suite. Il existe d’autres montages qui peuvent utiliser la commutation automatique. comme mécanismes de changement d’état d’un interrupteur électronique. Ce concept original s’ajoute aux commutations classiques que sont les commutations commandée et spontanée. générant ainsi un nouveau processus de changement d’état : la commutation automatique. le limiter puis l’isoler s’il le faut. mais que de nouvelles fonctionnalités apparaissent.Chapitre I I. dans le cadre des cellules quatre quadrants. la commutation commandée étant toujours maître. Dans ce cadre. Il est alors important de se placer au plus près du composant. nous avons constaté que la commutation automatique ne fait pas qu’introduire la protection dans le mécanisme de commutation. Il faut détecter le défaut. pour montrer que la commutation automatique ne se limite pas à un seul segment de l’électronique de puissance. il permet également des applications dans les conversions AC-DC et DC-AC qui représentent une grande partie des convertisseurs actuellement existants sur le marché. mais peut s’adapter à de nombreux montages. En effet. outre ses différents avantages. Les règles associées à chaque étape sont exposées. 51 . Par exemple. mais ce manuscrit va dorénavant se concentrer sur tous les montages à base de thyristor-dual disjoncteur. elle permet de faire une conversion quatre quadrants de manière naturelle en gérant le problème de l’association de deux commutations commandées en en remplaçant une par une commutation commandée. CONCLUSION Un état de l’art des protections des convertisseurs statiques a permis de mesurer toute la difficulté de la prévention de tous les défauts envisageables.

.

nous présentons la réalisation d’un micro-disjoncteur conçu au LAAS. Le symbole de l’interrupteur ainsi que sa caractéristique sont donnés à la Figure II-1. CHAPITRE II LE THYRISTOR-DUAL DISJONCTEUR Le thyristor-dual est un composant qui a été développé à Toulouse afin d’être le pendant du thyristor comme son nom l’indique. P RINCIPE DU THYRISTOR-DUAL DISJONCTEUR Le thyristor-dual disjoncteur est un thyristor-dual dont le blocage commandé a été remplacé par un auto-blocage par surcourant. Enfin.1. Nous présentons par la suite les deux cellules élémentaires à base de thyristor-dual disjoncteur : l’onduleur et le redresseur à disjonction. Il permet également d’envisager une intégration fonctionnelle à court terme. ainsi qu’une étude sur la mise en parallèle de disjoncteurs électroniques.II. II. Il associe un amorçage au zéro de la tension à un blocage commandé. Nous l’avons synthétisé en discret afin de l’étudier dans le cadre la conversion statique. avec un éclairage particulier sur la maîtrise du courant de disjonction en fonction des différents paramètres extérieurs. nous l’avons choisi comme base de développement pour notre premier interrupteur incluant une commutation automatique : le thyristor-dual disjoncteur. Ce chapitre a pour but de présenter ce composant ainsi que sa réalisation. Il allie de nombreux avantages : c’est un composant réversible en courant donc constitué de seulement trois couches donnant un composant rapide. c’est un composant qui permet une bonne sûreté de fonctionnement du convertisseur dans lequel il est monté. Enfin. Pour toutes ces raisons. Il bénéficie du préconditionnement du transistor par les charges stockées dans la diode lors de sa conduction. Le trait pointillé entre la diode et le transistor représente l’amorçage spontané de ce dernier sous zéro de tension lorsque la diode se met à . Nous nous intéressons ensuite aux propriétés de cet interrupteur.

La mesure de tension consiste à détecter l’inversion du signe lorsque la diode se met à conduire pour l’amorçage et le moment de la remontée de la tension lors de la saturation du canal pour le blocage. nous avons toujours eu le 54 . Mesure du courant Mesure de tension Tableau II-2 : Faisabilité technologique des différents types de mesure II. le transistor est amorcé. Durant sa conduction. SENSE : bonne intégration mais calibre limité.2. Le composant s’amorce de manière naturelle par mise en conduction de la diode. quel que soit le calibre en courant. AMORCAGE Mesure de l’apparition du courant dans la diode Détection de la tension BLOCAGE Mesure du courant dans le transistor Détection de la tension Tableau II-1 : Détection des instants de commande du transistor MOS Faisabilité technologique Transformateur d’intensité : faible intégration. REALISATION EXPERIMENTALE Lors de la réalisation de la carte de commande du transistor. Nous allons donc essayer de privilégier la mesure de tension et nous passer de capteur de courant. Le Tableau II-2 donne la faisabilité technologique des différentes mesures.Le thyristor-dual disjoncteur conduire. capteur de tension d’anode. C’est le circuit extérieur qui impose alors le changement de signe du courant. Il apparaît que la mesure de tension est la plus adaptée pour l’intégration et ce. le rendant potentiellement passant. i v i seuil v Figure II-1 : Symbole du thyristor-dual disjoncteur et caractéristique Différentes stratégies peuvent être envisagées pour détecter les instants de commande du transistor. Très bonne intégration. Elles sont résumées dans le Tableau II-1. le courant transite de la diode au transistor sous tension nulle. A ce moment.

Pour notre composant. le réglage du courant de disjonction se faisant par l’intermédiaire du réglage du courant potentiel. lorsqu’il se sature. le IXFH40N30. La Figure II-2 rappelle le réseau de caractéristiques du transistor MOS ainsi que le choix du seuil de tension dans sa zone saturée. II.1. en régime statique. 55 . En régime statique. Comme nous l’avons déjà précisé. Par conséquent. Principe du blocage automatique sans capteur Pour synthétiser notre disjoncteur. Afin d’y arriver. nous avons cherché à nous passer d’un capteur de courant. Le choix du transistor MOS permet d’utiliser sa capacité de sortie comme snubber naturellement au plus près de l’interrupteur. aucune entrée/sortie. Courant de drain Saturation au courant potentiel Courbes isotempérature et iso potentiel de grille Seuil de détection Tension drain-source Figure II-2 : Caractéristiques statiques du transistor MOS Il faut noter que ce seuil de tension sert aussi de seuil d’amorçage pour le transistor MOS. composant fabriqué par IXYS.Chapitre II souci d’avoir un montage apte à être intégré. tandis que la tension aux bornes du composant croît jusqu’à la tension d’alimentation. le montage n’inclut aucune isolation galvanique. ce qui simplifie grandement le driver.2. Nous nous basons donc sur les propriétés du transistor MOS afin d’y parvenir. propriétés proches de celles de l’IGBT. Nous avons vu dans le chapitre I que le transistor MOS peut servir de limiteur de courant et même de disjoncteur électronique. nous avons utilisé un transistor MOSFET avec diode de corps rapide. le courant est imposé et est égal au courant potentiel. aucune alimentation extérieure et aucun capteur. il suffit d’utiliser la hausse de la tension aux bornes du transistor afin d’assurer son blocage. la tension choisie est d’environ 8V.

ce qui est souvent nécessaire lorsque la fréquence de fonctionnement augmente.2. Il a été adjoint un autre transistor PNP qui permet d’avoir un blocage du composant plus dynamique.2. dans un premier temps. Cela permet. Le transistor de commande est bloqué lorsque le potentiel de drain est élevé et s’amorce lorsque celui-ci passe en dessous d’un seuil défini par la tension d’alimentation (15 Volts par rapport au potentiel de source) ainsi que toutes les chutes de tension des composants en série. Le deuxième ensemble comprend la commande elle. Elle peut être séparée en quatre blocs fonctionnels. ce qui permet un réglage de la valeur de la tension de basculement en fonction de la 56 .même. Elles permettent de faire varier la tension entre la grille et la source de -5 à 15 Volts. Sur cette carte. Description de la carte de commande Le schéma électrique de la carte de commande est donné à la Figure II-3. de séparer les problèmes éventuels et de focaliser l’étude sur le blocage automatique. La tension négative permet d’assurer un blocage plus net du transistor MOS. Plus tard sera incluse l’auto-alimentation du montage. 20V 4 ème bloc Durcissement d e la commande 1N4148 100 Ω 2N2907 100 Ω 2 ème bloc Transistor de commande 330 Ω 4.7 V BYV26E Drain Zener de réglage du seuil de détection 2N2907 22 nF 820 Ω Réglage de la valeur ma ximale 2 kΩ 8. Il a été ajouté une diode Zener en série.Le thyristor-dual disjoncteur II. l’autoalimentation n’a pas été incluse et nous utilisons des sources de tension externes.1 V 15 V 5V GND 10 µF Source Figure II-3 : Schéma initial de test du circuit de commande du thyristor-dual disjoncteur Le premier bloc fonctionnel est classique et correspond à la commande rapprochée avec un push-pull de sortie associé à la résistance de grille et les différentes protections de la grille du composant.2 V Réglage de la valeur minimale 20V 22 µF GND 1 er bloc Push-pull de sortie avec résistance de grille 3 ème bloc Réglage du courant potentiel 2N2222 1N4148 47 Ω Grille 2N2907 820 Ω 820 Ω 2N2907 1 kΩ 5. Il faut noter qu’il apparaît deux sources de tension de 5 et 20 Volts.

En effet. Nous avons enfin ajouté un durcissement de la commande. Ici.2. c’est une diode Zener de 8. que la disjonction intervienne sous une faible tension aux bornes de la cellule. ce qui permet de la court-circuiter plus ou moins. nous avons ajouté une résistance variable aux bornes de la diode Zener. peuvent faire redescendre cette tension au-dessous du seuil d’amorçage. par l’intermédiaire du courant potentiel. au lieu de la commutation douce initialement prévue. Caractéristique réelle réalisée La Figure II-4 présente la caractéristique du thyristor-dual disjoncteur tel qu’il se comporte lorsque nous utilisons la carte de commande qui précède. il se peut. Afin d’empêcher tout réamorçage du composant. Ce dispositif permet d’avoir une précision suffisante du réglage du courant de disjonction. Sur la carte de commande. Afin d’assurer un réglage plus précis. le transistor est passant et bloqué si elle est supérieure.Chapitre II tension Zener.3. nous verrouillons son blocage durant un temps de l’ordre de quelques microsecondes. suite à son blocage. La transconductance du transistor vaut 22 Siemens minimum et les diodes Zener ont des valeurs calibrées. Cela ne permet qu’une précision du réglage du courant de disjonction de l’ordre de la dizaine d’ampères. II. Le troisième bloc permet le réglage du courant de disjonction. dans certaines configurations. Les oscillations de la tension aux bornes du composant. Nous retrouvons la caractéristique souhaitée mais l’usage d’un seuil de tension unique à l’amorçage et au blocage entraîne un amorçage du transistor alors que la diode ne conduit pas encore. nous pouvons dire que la diode Zener règle la valeur minimale du courant potentiel et que le rhéostat permet un réglage du courant potentiel maximal. Il évite le réamorçage intempestif du transistor juste après son blocage. Cela donne une commutation dure sous tension réduite. Ce dernier est directement lié à la tension grille-source. Courant de drain Courant de disjonction Zone de saturation dynamique du MOS Commande d’amorçage (commutation dure) Commande de blocage O Seuil de détection (8V) Tension drain-source Figure II-4 : Caractéristique réalisée du thyristor-dual disjoncteur 57 . Lorsque la tension drain-source est inférieure à ce seuil.2 Volts qui permet de fixer cette tension. Pour résumer. le seuil s’élève à environ 8 Volts.

Vprim E i1 Lµ n1 ich i2 VC1 n3 Véq VC2 VD2 D1 iD1 D2 iD2 Figure II-5 : Onduleur à disjonction avec circuit d’équilibrage du point milieu capacitif Les différentes séquences de fonctionnement sont rappelées dans la première colonne de la Figure II-8. Dès que ce courant total atteint la valeur de disjonction. Il est représenté à la Figure II-5. Il faut donc adjoindre un circuit d’équilibrage.Le thyristor-dual disjoncteur Cet amorçage légèrement anticipé se retrouvera sur toutes les courbes expérimentales que nous verrons par la suite.3. F ONCTIONNEMENT DES CELLULES UTILISANT LE THYRISTOR-DUAL DISJONCTEUR ELEMENTAIRES Nous avons deux cellules élémentaires utilisant le thyristor-dual disjoncteur : l’onduleur à disjonction et le redresseur à disjonction. Supposons ici que le courant de disjonction de l’interrupteur du bas soit légèrement 58 . C’est le courant magnétisant du transformateur ajouté au courant de charge qui déclenche le blocage automatique maître des interrupteurs. Sa valeur est donc d’autant plus faible que le déséquilibre est minime.3. II. Nous avons un fonctionnement en fourchette de courant du montage. le point milieu capacitif va diverger et tendre vers zéro ou E selon le signe du courant moyen.1. Il faut noter que le courant qui circule dans cet enroulement n’est pas le courant nominal mais seulement un courant de rééquilibrage. la tension aux bornes du transformateur s’inverse et le sens d’évolution du courant s’inverse. La cellule onduleur à disjonction L’onduleur à disjonction a été monté sur un transformateur. Le schéma du montage est représenté à la Figure II-5. Il se compose d’un enroulement supplémentaire sur le transformateur et de deux diodes. Si la valeur moyenne du courant dans le transformateur n’est pas rigoureusement nulle. II.

Le système va donc tout le temps fonctionner. Si nous travaillons dans la zone linéaire du transformateur. nous admettons une tolérance de 6% de part et d’autre de la valeur d’équilibre. Afin d’y remédier.9. Nous remarquons que si le nombre de spires est identique dans les deux enroulements. Par conséquent. La Figure II-6 présente les formes d’ondes obtenues avec un bus de 100V. La 2 1 différence correspond au courant moyen conséquent à la différence des courants de disjonction. La tension aux bornes de la diode D2 est donnée à l’Equation II-1. si nous prenons un rapport des nombres de spires de 0. Le point milieu capacitif va tendre vers zéro sans système d’équilibrage. n3 ⋅ (E . L’Equation II-2 donne la condition sur la tension du condensateur afin de mettre en conduction la diode D2 . Il y a donc compensation de la dérive. Par exemple. nous pouvons dire que le courant magnétisant du transformateur est triangulaire et compris dans u fourchette de ne courant dont la largeur varie en fonction du courant de charge. La Figure II-7 présente les formes d’ondes du courant magnétisant et des courants dans les deux interrupteurs.VC2 ) n1 VD2 = VC2 - II-1  n3  n VC2 <  1 n3  1+ n  1   ⋅ E    II-2 Nous ne tenons pas compte de la chute de tension directe de la diode. cela crée une valeur moyenne de tension positive aux bornes du transformateur. qui est intrinsèque au fonctionnement en fourchette de courant : la fréquence de fonctionnement dépend du niveau de courant de charge. Nous constatons un problème de ce montage. Nous constatons que la diminution de la tension VC2 va entraîner la mise en conduction de la diode D2 . Cette dernière va réinjecter du courant dans le point milieu capacitif afin de faire remonter la tension VC2 .Chapitre II supérieur à celui du haut. car il n’a pas de souplesse. le système d’équilibrage va fonctionner dès que la tension VC2 devient inférieure à la moitié de la tension d’alimentation. Il y a donc compensation et maintien du potentiel du point milieu capacitif. 59 . Supposons que l’interrupteur du haut conduise. Nous constatons que la diode D conduit un courant moyen supérieur à celui de la diode D . il suffit de diminuer le nombre de spires de l’enroulement auxiliaire.

L µ 2 II-3 f= 1 E = T 8. En partant de la Figure II-7.Idisj+I CH -ICH i1 I disj I CH 0 2I CH -I disj i2 t Disjonction interrupteur 1 Disjonction interrupteur 2 t Figure II-7 : Formes d’ondes du courant magnétisant et des courants dans les interrupteurs de la cellule onduleur en charge Nous allons déterminer la formule reliant la fréquence de fonctionnement aux différents paramètres du montage.(.Le thyristor-dual disjoncteur Figure II-6 : Formes d’ondes du fonctionnement du système d’équilibrage à diodes Imag i CH ICH I disj CH -I 0 . (I disj .I ch ) .(I disj . nous pouvons écrire l’Equation II-3 et en déduire l’Equation II-4.L µ .I disj + I ch ) = E T ⋅ 2.I ch ) II-4 60 .

Chapitre II a) b) c) + Disjonction + Courant max Disjonction Maille de court-circuit Disjonction Maille de court-circuit + + + + Courant max Disjonction Maille de court-circuit Disjonction Maille de court-circuit Disjonction + + + + Figure II-8 : Séquences de fonctionnement : a) Onduleur à disjonction b) Redresseur à disjonction (mode redresseur de tension) c) Redresseur à disjonction (mode onduleur de courant) 61 .

La Figure II-9 présente la cellule redresseur à disjonction à drains communs. Nous avons ici un amorçage spontané maître au changement de signe de la source de tension. Afin de l’éviter. Il y a donc court-circuit transitoire de la source de tension. Son rôle est de limiter la valeur de la surtension en deçà de la tension maximale de l’interrupteur et de dissiper l’énergie contenue dans les inductances de fuites.3. les interrupteurs sont dorénavant placés en antisérie. Cela ne change pas fondamentalement le fonctionnement de la cellule.2.Le thyristor-dual disjoncteur Nous avons ainsi la dépendance de la fréquence de fonctionnement avec le courant de charge. Le courant de charge est alors aiguillé d’un interrupteur vers l’autre et le court-circuit de la source de tension disparaît. sous la 62 .conducteurs ce qui peut amener à leur destruction à l’usage. à travers son impédance interne. une hausse de la fréquence augmente les pertes par commutation dans les semi. car nous avons opté ici pour clamp dissipatif. Deux variantes sont envisageables : à drains communs et à sources communes. dépendance qui peut se révéler problématique au cours du fonctionnement. si le dimensionnement thermique a été réalisé sur la fréquence à vide. nous avons utilisé un transformateur possédant deux enroulements secondaires. Cette énergie doit être évacuée sous peine de provoquer une surtension aux bornes de l’interrupteur qui peut le détériorer. Afin de la faire fonctionner. En effet. pour les deux sens du courant de charge. Nous obtenons la cellule redresseur à disjonction. Vbus T1 D1 D2 T2 Vrés Figure II-9 : Redresseur à disjonction monocellulaire associé à son circuit de clampage Les séquences de fonctionnement sont rappelées à la Figure II-8. nous associons un circuit de clampage au montage. II. La cellule redresseur à disjonction La tension cellule étant alternative. Il y a création d’une maille de court-circuit qui permet l’ouverture automatique esclave de l’interrupteur initialement passant. Chaque enroulement du transformateur a une inductance de fuite qui a emmagasiné de l’énergie au moment de la disjonction d’un interrupteur.

Disjonction due à une surcharge Redémarrage du système Figure II-10 : Arrêt du montage puis redémarrage du montage après une surcharge Nous sommes ici dans un cadre théorique. L’énergie que dissipe la diode transil est non seulement liée à l’énergie contenue dans l’inductance de fuites mais varie également en fonction de la tension réseau à l’instant du clampage. n otre cas. car le clamp a dû dissiper toute l’énergie de la charge ce qui aurait été fatal à notre diode transil qui se serait mise en court-circuit 63 . ce qui est favorable à la diode transil (tension réseau faible). le montage redémarre naturellement en mode redresseur au moment où la tension du bus continu est redescendue au niveau de la tension redressée du réseau.I disj W= V 1 . La Figure II-10 présente un relevé expérimental où le courant de charge provoque le blocage du pont. en particulier. la commutation se déroule au changement de signe de la tension réseau. selon l’Equation II-5. 2 l f . La tension du bus est alors équivalente à la tension de clampage moins la tension redressée du réseau. Le courant de charge passe alors dans le clamp par l’intermédiaire de l’aiguilleur de courant formé par les diodes D1 et D2 .rés Vclamp II-5 Le circuit de clampage doit également gérer l’énergie dans la source de courant si un défaut intervient au niveau du pont. Lorsque toute l’énergie de la charge a été dissipée. C’est le signe de la tension réseau qui fixe quelle diode est conductrice. la tension de clampage est fixée à 1000V. Ici.Chapitre II forme d’une diode transil. Dans. si le courant de charge atteint la valeur du seuil de disjonction du montage provoquant ainsi son blocage.

Relevé expérimental d’une disjonction Nous utilisons ici une cellule redresseur à disjonction. consécutivement à l’amorçage de l’autre interrupteur sous une tension légèrement positive. II.4.1. Il y a ensuite une phase de conduction de la diode qui permet la création du courant de court-circuit nécessaire au blocage de l’interrupteur opposé. La tension diminue par la suite et atteint 28 volts ici. mis à part l’amorçage sous une tension légèrement positive. Nous avons un comportement expérimental proche de la caractéristique théorique. Si la tension descend trop bas. ce qui correspond à la Figure II-8 c. il apparaît d’abord une phase où le courant diminue. ainsi que sa régularité dans le temps. par exemple. d’où l’intérêt de l’inhibition temporelle déclenchée consécutivement au blocage du composant. Le courant croît puis décroît quand le signe de la tension aux bornes du composant s’inverse. En ce qui concerne le blocage. Il y a ensuite une surtension aux bornes du composant correspondant au clampage de l’énergie dans l’inductance de fuite du secondaire du transformateur. LE PROCESSUS DE DISJONCTION Nous avons testé notre thyristor-dual disjoncteur dans différentes situations afin de vérifier son bon fonctionnement. La tension aux bornes du a transistor MOS augmente alors et. en mode onduleur. Cette bosse sera visible sur tous les relevés où le blocage automatique est esclave. grâce à une diode transil. 64 . sous tension réduite. le montage peut redémarrer à la suite d’un défaut de surcharge après avoir dissipé l’énergie de la charge.4. le transistor est commandé au blocage. Puis le courant croît jusqu’à atteindre l saturation du transistor.Le thyristor-dual disjoncteur empêchant tout redémarrage. Des relevés expérimentaux des grandeurs électriques lors du blocage et de l’amorçage du thyristor-dual disjoncteur sont présentés à la Figure II-11. II. nous observons une mise en conduction du transistor quand la tension à ses bornes descend en dessous de dix volts environ. Ces courbes montrent qu’avec des systèmes pouvant dissiper plus d’énergie. le transistor peut être réamorcé. Pour la phase d’amorçage. Il y a donc un lé ger bout de commutation dure. créant une «bosse » sur le courant. lorsqu’elle atteint huit volts. soit dans tous les montages utilisant les cellules redresseurs à disjonction.

par conséquent. tels que le di/dt appliqué à l’interrupteur lors de la phase de courtcircuit.5 12. Cette variation est importante et ne peut pas être négligée. Dépendance du courant de disjonction vis-à-vis du di/dt Un point important est la stabilité de la valeur du courant de disjonction vis-à-vis des paramètres extérieurs.001 -0. Tension cont inue (V) 60 80 100 di/dt (en A/µs) 0. Nous ne plaçons pas de charge au secondaire du transformateur afin de ne travailler qu’avec le courant magnétisant.0004 -0.Chapitre II Blocage du thyristor-dual disjoncteur 50 Amorçage du thyristor-dual disjoncteur 15 Vgs 1 (V) Vds 1 (V) Courant 1 (A) 40 10 30 Vgs 2 (V) Vds 2 (V) Courant 2 (A) 20 5 Idisj 10 0 -0. Il apparaît que le courant de disjonction varie quasiment de 20% lorsque la tension passe de 60 à 80 Volts.0002 0.0006 -0.001 -0.001 -5 0 -0.2.0006 0.056 0.0008 0.0002 0 0.0008 0. il faut un courant qui circule dans ce condensateur afin de faire apparaître la tension nécessaire aux bornes du composant.0008 -0.5 Tableau II-3 : Relevés expérimentaux de valeurs du courant de disjonction Une première idée sur l’apparition de cette variatio n du courant de disjonction est la présence de la capacité parasite de sortie Coss du transistor MOS.0008 -0. car elle permet une bonne maîtrise de la valeur du di/dt par modification de la valeur de la source de tension continue.0002 0 0.4.0006 -0.0004 0. Selon notre principe de déclenchement de la disjonction. quantifiable. Le Tableau II-3 présente trois valeurs expérimentales du courant de disjonction pour trois valeurs différentes de la tension du bus continu. Il faut essayer d’en identifier la cause afin de savoir si c’est un phénomène fortuit ou s’il est répétitif et. Les différentes mesures 65 .0006 0.001 -Idisj + |Ich | -10 Temps (s) -10 Temps (s) Figure II-11 : Relevés expérimentaux de blocage et d’amorçage du thyristor-dual disjoncteur II.075 Courant de disjonction (A) 10.5 11.0002 0.025 0. Nous utilisons ici la cellule onduleur.0004 0.0004 -0.

Etude théorique de la phase de disjonction Nous utilisons le modèle du transistor MOS présenté à la Figure II-13. ainsi que la transconductance et la résistance à l’état passant [LETURCQ] [ALONSO] [ROUX 2]. une seule étant considérée non. un relevé de la tension grille-source effectué avec une tension de bus de 105 Volts est présenté à la Figure II-12. Par ailleurs. II. Il apparaît que durant la phase de court-circuit précédant la disjonction.même.Le thyristor-dual disjoncteur effectuées montrent que le courant aiguillé dans le condensateur ne représente qu’un quart environ de la modification du courant et qu’il varie peu en fonction du di/dt.4. Il apparaît également la tension de seuil.3. entraînant la hausse du courant potentiel ce qui revient à accroître la valeur du courant de disjonction. Sur ce modèle. apparaissent les trois capacités du MOS. le potentiel de grille s’élève.linéaire. Courant du primaire Pic de courant de disjonction Tension de grille Elévation du potentiel de grille Figure II-12 : Evolutions du courant magnétisant et de la tension grille-source Nous allons donc étudier plus en avant ce qui se passe lors de la disjonction au sein du transistor lui. C’est donc insuffisant pour expliquer le phénomène. Il faut donc essayer de comprendre pourquoi le potentiel de grille varie durant cette phase. 66 .

Chapitre II

id iCdg iT Rdson grille iCgs Vcom Vgs Vgsth source gfs Ipot Cds drain iCds Vds

Rg

Figure II-13 : Modèle du transistor MOS Lorsque nous imposons une certaine tension grille-source, supérieure à la tension seuil, la source de courant pilotée en tension va produire un courant constant, appelé courant potentiel d’amplification, par l’intermédiaire de la transconductance. Si le courant appelé par le circuit extérieur est inférieur au courant potentiel, alors la différence des courants va passer dans la diode en antiparallèle, simulant la saturation. Par contre, si le circuit extérieur absorbe de plus en plus de courant, la «réserve » de courant dans la diode diminue jusqu’à son annulation. A ce moment, le transistor ne peut plus fournir cette hausse de courant au circuit extérieur et il se transforme alors en limiteur de courant. Les valeurs des différents paramètres du modèle de l’IXFH40N30 sont résumées dans le Tableau II-4. Paramètres Transconductance Rdson Tension de seuil Tension de commande Cds Cgs Cdgmax Cdgmin Valeur 25 0,085 Ω 3,9 V 4,54 V 750 pF 4 nF 9,5 nF 250 pF

Tableau II-4 : Paramètres du modèle de l’IXFH40N30 Trois phases se succèdent au cours de la disjonction, et influencent la valeur maximale du courant qui va traverser l’interrupteur. Les détails de la mise en équation sont donnés à l’Annexe B. Phase 1 : le courant apparaît dans le disjoncteur, mais sa valeur reste inférieure au courant potentiel. Le di/dt traversant la résistance Rdson va créer un dV/dt. Ce dernier va être

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Le thyristor-dual disjoncteur

appliqué à la capacité Cdg, d’où l’apparition d’un courant en direction de la grille. Le potentiel de cette dernière augmente, entraînant une élévation du courant potentiel. Cet effet fausse déjà la valeur du courant de disjonction, puisqu’il est réglé par la commande à travers le courant potentiel. La hausse de courant potentiel est donnée par la formule II-6. Cette phase dure jusqu’au moment où le courant qui traverse le transistor atteint la valeur du courant potentiel réévalué.
∆ Ipot = g fs .C dg .R g . Rdson. di dt

II-6

Phase 2 : le courant atteint la valeur du courant potentiel. Il ne peut donc plus traverser la source de courant. Par conséquent, il est aiguillé à travers les deux condensateurs Cdg et Cds. Or à cet instant la tension aux bornes du composant est faible. Par conséquent, Cdg est encore à sa valeur maximale et nettement supérieure à Cds. Par exemple, pour l’IXFH40N30, Cdg vaut 9,5 nF et Cds s’élève à 450 pF. Le surplus de courant est majoritairement aiguillé à travers Cdg. Le potentiel de grille se met à croître fortement, augmentant ainsi le courant potentiel, retardant la disjonction. Phase 3 : la tension aux bornes est suffisante pour que la valeur de la capacité Cdg diminue et passe à 250 pF, « coupant » ainsi le lien entre puissance et commande. La rétroaction sur la grille n’agit plus et le composant peut se désaturer plus rapidement et être bloqué par son driver. D’après ce qui précède, le courant de disjonction est influencé lors de la disjonction elle- même. Ceci n’est pas gênant si cette influence est quantifiable et répétitive. Nous allons essayer de tracer des abaques du courant de disjonction en fonction du di/dt.

II.4.4. Abaques du courant de disjonction en fonction du di/dt
Un paramètre important de cette étude est l’influence de la résistance interne de la source de tension équivalente appliquée entre la grille et la source du transistor MOS. Cette résistance interne dépend principalement de la résistance de grille. L’étude s’est faite au moyen de trois éléments : une étude théorique avec Matlab, des simulations sous Saber et des mesures expérimentales.

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Chapitre II

II.4.4.1. Etude avec Matlab
L’étude se limite aux deux premières phases en supposant que, dès que la capacité Cdg a changé de valeur, la disjonction est quasi- immédiate. Les équations différentielles résolues des différentes phases sont entrées sous Matlab et permettent de tracer les abaques de la Figure II-14. Il apparaît des caractéristiques de la forme racine carrée. Les courbes ont toutes des origines différentes correspondant à l’influence de la phase 1. D’ailleurs, il apparaît que cette influence est faible par rapport à l’écart qu’il y a par la suite avec la phase 2. D’autre part, pour un di/dt donné, plus la résistance de grille est importante, plus l’impédance de la source est élevée, plus le courant de retour à travers la capacité transversale a tendance à charger la grille, augmentant ainsi encore plus le courant potentiel et, par conséquent, le courant de disjonction.

Rg = 50Ω

Rg = 5Ω

Figure II-14 : Variation du courant de disjonction en fonction du di/dt sous Matlab paramétrée par incrément de 5 ? de la résistance de grille

II.4.4.2. Etude avec Saber
Deux modèles ont été développés. Dans un premier temps, le driver a été supposé idéal afin de se trouver dans les mêmes conditions que l’étude théorique effectuée avec Matlab. Une série de courbes est donnée à la Figure II-15. On constate que les courbes sont analogues à ce qui a été vu précédemment, avec des valeurs proches.

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Le thyristor-dual disjoncteur

Essais Saber, Cds enlevée et Vcom=4.54V
19

18,5

18 Courant de disjonction (A)

17,5 Rtot=20Ohms Rtot=52Ohms

17

16,5

16

15,5

15 1,00E+04 2,00E+04 3,00E+04 4,00E+04 5,00E+04 6,00E+04 7,00E+04 8,00E+04 9,00E+04 1,00E+05 di/dt (A/s)

Figure II-15 : Abaques obtenus avec Saber et driver idéal

Un deuxième modèle incluant le schéma complet du driver a été implanté et simulé. Il permet de vérifier que les résultats expérimentaux corroborent la théorie sans effectuer une mise en équation complète. La particularité de ces résultats est abordée ci-après.

II.4.4.3. Mesures expérimentales
Deux séries de relevés ont été effectuées pour deux valeurs de résistance de grille différentes. Les courbes sont présentées à la Figure II-16. Il apparaît, dans un premier temps, que l’allure en racine carrée, pour une résistance de grille donnée, se retrouve. Par contre, l’influence de la résistance de grille est l’inverse de ce qui avait été prévu par les équations. Pour un di/dt donné, plus la résistance de grille est élevée, plus le courant de disjonction est faible. Le modèle complet sous Saber donne également cette tendance mais de manière moins prononcée. Il apparaît que le changement de la résistance de grille a une influence sur la polarisation du push-pull du driver. La résistance interne du driver étant modifiée, le rapport du pont diviseur résistif change, entraînant une variation de la valeur de commande. Les conditions varient donc par rapport à l’étude théorique où la tension de commande est constante quelles que soient les conditions. Par conséquent, cela revient juste à un problème d’offset.

70

nous retrouvons le schéma de la Figure II-17.00E+00 1.00E+04 2.00E+04 3.Chapitre II Variation du courant de disjonction 25 20 Courant de disjonction (A) 15 Rg=47Ohms Rg=22Ohms 10 5 0 0. la moindre variation sur le potentiel de grille a pour conséquence une grande variation sur le courant potentiel donc sur le courant de disjonction.00E+04 5.00E+05 Figure II-16 : Relevés expérimentaux effectués sur la cellule onduleur à disjonction II. Par conséquent.00E+04 1. Pour les applications envisagées.00E+04 9. Si nous supposons le transistor MOS en régime de saturation directe. De plus.00E+04 di/dt (A/s) 6.00E+04 7.00E+04 8. Il serait intéressant de savoir si l’intégration fonctionnelle peut ou non diminuer cet inconvénient.4. Ce condensateur correspond au condensateur équivalent à tous les condensateurs du MOS durant cette phase.5. il est difficile de parfaitement maîtriser sa valeur avec une méthode de détection de désaturation. Conclusions sur la stabilité de la valeur du courant de disjonction Une première conclusion peut être tirée de cette étude. où nous avons la source de courant potentiel et un condensateur équivalent Céq dans lequel va passer le surplus de courant de charge. cette influence va jusqu’à l’alimentation du driver. ce qui augmente la difficulté de prédiction par des abaques. ainsi que donner une formule très approchée. 71 .00E+04 4. le plus gros problème lo rs de la disjonction vient de la présence de la capacité transversale qui couple puissance et commande. il apparaît que l’influence de la phase 1 est négligeable devant celle de la phase 2. Vu la valeur élevée de la transconductance des transistors MOS. Enfin. Nous pouvons essayer de justifier la forme des caractéristiques.

si nous supposons que la tens ion est nulle à l’origine en négligeant la résistance à l’état passant. Tout le surplus de courant passe dans le condensateur équivalent (cf. nous retrouvons la dépendance en racine carrée de la pente du 72 . fait que le composant va se déclencher pour un courant de charge supérieur au courant potentiel. L’Equation II-11 donne la différence de courant entre le courant de disjonction et le courant potentiel. t désat = 2 ⋅ C éq ⋅ Vdésat  di     dt  II-10  di  ∆I = 2 ⋅ C éq ⋅ Vdésat ⋅    dt  II-11 Dans cette équation.  di  I ch =   ⋅ t + I pot  dt  dVds  di    ⋅ t = Céq ⋅ dt  dt  II-7 II-8 Vds = 1  di  ⋅  ⋅ t2 2 ⋅ C éq  dt  II-9 Nous rappelons que la détection de l’instant de commutation se fait sur un seuil de tensio n Vdésat . Ce seuil est atteint au bout d’un temps t désat donné par l’Equation II-10. Nous supposons l’origine des temps à l’instant où le courant de charge atteint la valeur du courant potentiel. La tension aux bornes du composant est alors régie par l’Equation II-9.Le thyristor-dual disjoncteur Ich Ipot Céq Vds Figure II-17 : Schéma simplifié du transistor MOS en régime de saturation directe La forme du courant est donnée par l’Equation II-7. Equation II-8). Ce délai consécutif à la charge d’un condensateur Céq par le surplus du courant de charge par rapport au courant potentiel Ipot .

Par contre. dans un premier temps. soit un montage où le di/dt lors des phases de disjonction varie peu au cours du fonctionnement. Des travaux sont actuellement menés au LAAS-CNRS afin d’intégrer ces nouvelles fonctionnalités dans une puce silicium. La caractéristique idéale courant-tension à obtenir est représentée à la Figure II-18 a. d'un plateau lié à la zone de limitation de courant. SYNTHESE D’UNE FONCTION DISJONCTEUR INTEGREE Nous avons envisagé jusqu’à maintenant une synthèse de la fonction de commutation automatique au moyen de fonctions et de composants discrets. il a permis. Ils constituent le prolongement de l’intégration du thyristor-dual [BREIL]. II. donc de la dynamique de la commutation.Chapitre II courant. Mais ce calcul reste très approché car il ne tient pas compte de la variation du courant potentiel durant la phase de désaturation. en série avec un interrupteur qui assure le blocage dès que cette valeur de courant est atteinte. Vu la sensibilité du niveau de disjonction aux différents paramètres du montage. Les caractéristiques statiques différeront de la fonc tion idéale par: la présence d'une chute de tension à l'état passant. et d'un éventuel courant de fuite à l'état bloqué. il vaut mieux avoir.5. La Figure II-18 b présente le principe de base qui consiste à utiliser un élément limiteur de courant. soit envisager une modification du driver. La caractéristique qui sera ainsi obtenue est présentée à la Figure II-18 c [GUILLEMET]. L'objectif est d'obtenir une fonction interrupteur autoamorçable au passage par zéro de la tension et autoblocable au delà d'une valeur de courant prédéfinie. Nous nous sommes basés sur le mode d'intégration fonctionnelle pour obtenir ce type de fonction "micro-disjoncteur" monolithique à partir de dispositifs MOS et bipolaires. cas de la cellule redresseur à disjonction. d’aiguiller vers la piste d’un problème lié à la présence d’un condensateur. I I max Disjonction I Imax I max I I f ∆ V lim V Switch I l a) 0 Auto-amorçage V b) c) 0 V 0 V f Seuil de blocage V (zone de désaturation) Figure II-18 : Caractéristique statique de la fonction 73 . qui fixe la valeur du courant de disjonction.

Cette saturation entraîne ensuite l'augmentation de la tension anode-cathode et le blocage successif du MOS MP et de l'IGBT1. comprenant un nombre limité de cellules. K Anode IGBT 1 IGBT 2 N+ P S P+ N+ P N+ P+ NP+ P N+ P N+ P P+ MP D G IGBT 1 DZ MP P+ DZ IGBT 2 Cathode A Figure II-19 : Schéma électrique équivalent et coupe de principe de la fonction microdisjoncteur Des structures tests ont été réalisées à la centrale de technologie du LAAS à partir d'une filière technologique flexible adaptée au mode d'intégration fonctionnelle. Cette fonction est basée sur un IGBT à canal préformé (IGBT1) placé en série avec un transistor MOS canal P préformé (MP) à substrat flottant [LAUR]. en fonction des valeurs respectives des tensions de seuil et des rapports géométriques largeurs de grille sur longueur de canal. Le dispositif intégré est basé sur l'association de cellules MOS et IGBT à canaux préformés placées en parallèle comme dans les dispositifs VDMOS ou IGBT (cf. Si la tension de seuil de l'IGBT2 est supérieure en valeur absolue à la tension de seuil du MOS MP.Le thyristor-dual disjoncteur La Figure II-19 représente le schéma électrique équivalent de la structure de base qui permet d'obtenir un autoamorçage au passage par zéro de la tension et un autoblocage par dépassement de courant. Un second IGBT à canal préformé (IGBT2) permet de charger la grille du transistor MP. 74 . Figure II-20). en terme de courant passant pourront être améliorées. Les performances. Elles permettent de valider la fonctionnalité recherchée. la dernière phase concerne le blocage de l'IGBT2. L'augmentation du courant dans la structure conduit à la saturation de l'IGBT ou du transistor MOS MP. La Figure II-21 présente les caractéristiques électriques obtenues sur des structures tests. soit en augmentant le nombre de cellules. Les caractéristiques principales sont une tension nominale maximale de 600 Volts et un courant de disjonction de 10 mA. Les paramètres clés pour la conception de cette fonction intégrée sont les tensions de seuil ainsi que les longueurs et largeurs de canal. soit en associant cette fonction "micro-disjoncteur" avec une structure thyristor [LAUR].

L’utilisation de diodes Schottky. à 75 . la charge étant refermée sur le point milieu de la source. Les signes des chutes de tension sont différents. Vu la faible valeur du courant. Les courbes obtenues sont présentées à la Figure II-23. alimentée par un onduleur de tension doté d’un seul bras équipé de micro-disjoncteurs. les essais ont été réalisés sous une tension réduite. La difficulté principale est la faiblesse de la valeur du courant de disjonction qui se situe aux alentours de 10mA. Cette dernière est de faible valeur et l s micro-disjoncteurs e sont associés avec des diodes en anti-parallèle de type 1N4148. nous passons d’une conduction de diode à une conduction de transistor. lors du changement de signe du courant. Nous observons un fonctionnement en fourchette de courant du montage avec un courant de charge qui atteint 10mA de valeur maximale dans les deux sens. Il apparaît donc des variations sur la tension aux bornes de la charge. En effet. Nous avons utilisé une charge constituée d’une inductance et d’une résistance.Chapitre II Figure II-20 : Photographie des cellules de base de la fonction intégrée -3 8 10 7 10 Courant anode-cathode : IAK (A) 6 10 5 10 4 10 3 10 2 10 1 10 0 10 -3 -3 -3 -3 -3 -3 -3 0 0 2 4 6 AK 8 (V) 10 Tension anode-cathode : V Figure II-21 : Caractéristique expérimentale Nous avons ensuite testé ces composants au sein d’un convertisseur statique afin de voir leur bon fonctionnement dans des conditions réelles. ce qui se répercute sur la tension de la charge.

Par contre. Des structures à cœur de thyristors ont permis d’atteindre un Ampère de courant de disjonction mais le transistor MOS à canal préformé placé en série comme limiteur de courant ne permet pas d’aller au-delà dans le développement. Cependant. la densité de courant est limitée à 4A/cm². 1N4148 E/2 1N4148 E/2 Figure II-22 : Schéma de la cellule de test des micro-disjoncteurs Tension charge Courant charge (10mA/div) Figure II-23 : Formes d’ondes expérimentales obtenues avec le micro-disjoncteur Nous avons également constaté qu’au delà d’un certain di/dt dans la diode. permettrait de minimiser cette imperfection. Deux causes peuvent être imaginées : soit le temps d’application de tension nulle est insuffisant. le microdisjoncteur ne s’amorce pas au passage par zéro du courant et provoque l’arrêt du bras. soit la chute de tension dynamique est trop forte à l’amorçage.Le thyristor-dual disjoncteur faible chute de tension. l’utilisation de composant à canal préformé limite le calibre en courant qui est envisageable. il est envisagé de passer dans une technologie issue de la filière IGBT afin de passer ce cap de courant [IMBERNON]. Ce phénomène est également presque transparent quand la tension d’alimentation dépasse la centaine de volts. 76 . Actuellement. ces essais ont permis de valider le concept d’intégration de la commutation automatique. En effet.

77 . Dans un premier temps. Lors de la décharge du condensateur.2mF sous une tension de 40 volts. EVOLUTION DES PERTES POTENTIEL DE GRILLE REDUIT DUES AU FONCTIONNEMENT SOUS La méthode que nous utilisons afin de régler le courant de disjonction des interrupteurs implique la conduction du composant sous un potentiel de grille réduit. La linéarisation de la courbe permet d’extraire la transconductance et la tension seuil du transistor. En effet. nous mesurons le courant potentiel du transistor MOS pour différentes valeurs de la tension de grille. en injectant une énergie calibrée. Nous obtenons ici une valeur de transconductance de 15. inférieure à l’énergie d’avalanche admissible. Nous travaillons alors avec une résistance à l’état passant plus élevée que sa valeur nominale pour une tension de grille de 15 Volts. il apparaît sur la courbe que la linéarisation a atténué la pente. d’où sa mesure. tandis que la transconductance est un peu faible. Le schéma du montage de mesure du courant potentiel est donné à la Figure II-24. nous préchargeons un condensateur de 1. nous avons souhaité relever les caractéristiques d’un des transistors que nous utilisons. Les différents essais sont espacés de cinq minutes afin de permettre à la puce de refroidir. sachant que les valeurs que nous trouverons varient d’un composant à l’autre et que le constructeur nous donne des valeurs typiques. Afin de quantifier cette hausse.6. Pour cela.2 siemens et une tension de seuil de 4. L’évolution de la valeur du courant potentiel du transistor MOS en fonction de la tension grille-source est donnée à la Figure II-26. vu que nous utilisons des transistors MOS ici. la valeur du courant est limitée par la valeur du courant potentiel. Nous considérons alors que toutes les mesures sont effectuées à température ambiante.2mF Réglage du potentiel de grille Figure II-24 : Schéma du montage de mesure du courant potentiel Un exemple de relevé expérimental est présenté à la Figure II-25. Cette dernière est conforme à la grandeur fournie par le constructeur.Chapitre II II.05 volts. 47? 40V 1.

674 R2 = 0. nous pouvons alimenter notre transistor par l’intermédiaire d’une source de courant pour différentes valeurs de potentiel de grille.9773 Figure II-26 : Evolution du courant potentiel en fonction du potentiel de grille Après avoir déterminé la valeur du courant potentiel.219x . Il faut faire attention que le courant imposé reste inférieur au courant potentiel. Nous pouvons alors extraire de ces courbes la valeur de la résistance à 78 .Le thyristor-dual disjoncteur Vds Vgs Courant de drain Figure II-25 : Exemple de relevé expérimental pour la mesure du courant potentiel 20 Courant potentiel (A) 15 10 5 0 0 -5 Tension grille-source (V) 1 2 3 4 5 6 y = 15. La Figure II-27 présente le réseau de caractéristiques obtenues lors de la variation de la tension grille-source.61. d’où l’intérêt de la mesure précédente.

2 Vgs=5.2V Résistance (ohms) Vgs=5.6V Vgs=4.3 0.Chapitre II l’état passant du transistor.2V Vgs=4.4 0.2 1. sachant qu’un transistor MOS se comporte comme une résistance variable.8V Vgs=4.8V Vgs=4.0V Vgs=4.1V Vgs=5.15 0.4V Vgs=4.0V 0.05 0 0 2 4 6 Courant (A) 8 10 12 14 Figure II-28 : Evolution de la résistance du transistor en fonction du courant de drain 79 .0V 6 4 2 0 0 0.2 0.0V Vgs=4.6V Vgs=4.6 Figure II-27 : Caractéristiques statiques mesurées du transistor IXFH40N30 0.6 0.4 1.25 0.1V Vgs=5.1 0.2V Courant (A) 8 Vgs=5. 14 12 10 Vgs=5.8 Vds (V) 1 1.4V Vgs=4.2V Vgs=4.

Par ailleurs. quelle que soit la valeur du potentiel de grille. id Vgs Vds Figure II-29 : Caractéristique du MOS idéal pour synthétiser un thyristor-dual disjoncteur Si nous nous intéressons à notre transistor réel. Vu les réglages effectués. à tension de grille donnée. nous atteignons une résistance de 100m? dans nos applications. De même. plus le courant augmente. donc des pertes par conduction. 80 . reste proche de 1. Cela signifie que la résistance augmente peu quand nous sommes sous tension de grille réduite. Imaginons la caractéristique statique de la Figure II-29. Pour notre MOS idéal. à cause de la présence des coudes sur les caractéristiques. plus le potentiel de grille est élevé. Deux paramètres peuvent se révéler intéressants. La valeur donnée par le constructeur est de 85m? . la résistance à l’état passant normalisé. d’où l’apparition d’un coude avec hausse rapide de la valeur de la résistance.Le thyristor-dual disjoncteur La Figure II-28 présente la valeur de la résistance en fonction du courant et du potentiel de grille. Ici. La résistance normalisée diminue avec l’augmentation du potentiel de grille. Cela veut dire que nous n’avons pas de coude lors du passage du régime linéaire au régime de saturation directe. Elle correspond à celle d’un transistor MOS qui serait idéal pour opérer comme un disjoncteur. Un deuxième paramètre intéressant est la valeur de courant admissible si nous n’acceptons qu’une hausse limitée à 20% de la résistance à l’état passant. soit une majoration de 18% de la résistance. ce qui correspond aux caractéristiques fournies par le constructeur. nous trouvons un. Celle valeur est à diviser par le courant potentiel. définie comme la résistance avant saturation divisée par la résistance sous potentiel de grille nominal. nous retrouvons bien qu’à courant donné. nous observons que le potentiel en courant n’atteint jamais un. plus nous nous rapprochons du courant potentiel. nous obtenons les courbes de la Figure II-30. plus la résistance est faible. si la tension grillesource dépasse 10 volts. En effet. où la résistance est infinie (source de courant).

5 2 1.7.Chapitre II 4 3.3 20 10 0 4. c’est-à-dire qu’il n’y a aucune « communication » entre les différentes cartes de commande rapprochée. MISE EN PARALLELE DE DISJONCTEURS Une méthode usuelle pour augmenter le calibre en courant d’un interrupteur est de paralléliser des briques élémentaires de calibre plus faible. qui de toute façon introduit une légère résistance série. Son utilisation sous un potentiel de grille réduit et proche de sa tension de seuil implique une augmentation de 20% environ des pertes par conduction.8 Vgs (V) 5.5 0 3.3 Figure II-30 : Courbes de la résistance normalisée et du potentiel en courant Pour conclure. 81 . II.8 4. le transistor MOS n’a pas la caractéristique idéale pour synthétiser un disjoncteur. en partant du principe que chaque disjoncteur est autonome et indépendant des autres. pour un shunt 10A.5 3 Résistance normalisée 70 60 50 rdson (Ohms) potentiel en courant (A) 40 30 Pourcentage du courant potentiel 2. puis nous généraliserons en passant à trois éléments. la résistance est de l’ordre de 10mΩ qui.5 1 0. Nous allons ici envisager de paralléliser nos thyristors-duaux disjoncteurs. Il faut donc relativiser l’impact ici. Cela se fait relativement aisément pour des composants de type MOSFET ou IGBT. Nous allons commencer par mettre deux disjoncteurs en parallèle. ce qui pénalise le rendement global du montage. ajoutée à la résistance de 85mΩ du transistor donne une résistance globale de 95mΩ. Mais la mesure par détection de la hausse de tension aux bornes du composant suite à la saturation directe du composant permet de s’affranchir d’un capteur de courant. valeur proche de 100mΩ. Par exemple.

7.1.Vdétection .Le thyristor-dual disjoncteur II. Mise en parallèle de deux thyristors-duaux disjoncteurs II.7. I ch I d1 I d2 Vds Vgs1 Vgs2 Figure II-31 : Schéma de la mise en parallèle de deux disjoncteurs Cette mise en parallèle a été doublée afin de monter une cellule onduleur complète que nous avons fait fonctionner sur l’inductance magnétisante d’un transformateur. 82 . .1.Cdg. Les notations qui seront dorénavant utilisées sont résumées à la Figure II-31. II. . . .2. . dont l’influence peut être étudiée de manière indépendante en simulation avec SABER : . toutes choses étant égales par ailleurs. Nous allons étudier l’influence de ces différents paramètres.1. Plusieurs paramètres interviennent.courant potentiel Ipot .Rdson. Le cas d’une carte de commande unique pour tous les composants ne reflète pas la réalité d’une mise en parallèle de disjoncteurs autonomes.7. Pré-étude théorique Les interrupteurs utilisés sont du type transistor MOS.Vgsth. Schéma de la maquette d’essais Nous allons placer deux thyristors-duaux disjoncteurs en parallèle. .transconductance gfs. Nous nous intéressons ici à des disjoncteurs dont la commande est individuelle.Cgs.1.

Par ailleurs. la hausse de courant est identique car elle vient de l’effet Miller. Mais. les deux interrupteurs vont commuter ensemble avec le même di/dt. les deux interrupteurs se bloquent en même temps et pour la même valeur avec le même effet Miller. Figure II-33). qui est similaire pour les deux interrupteurs. La répartition des courants se voit donc sur les caractéristiques statiques en fonction des différences de pente (cf. où il apparaît bien la différence de courant jusqu’à ce que les deux transistors soient saturés. celui qui se sature en premier ne voit pas sa tension remonter tant que l’autre ne s’est pas saturé à son tour. En effet. Les composants sont soumis à la même tension étant en parallèle. Id R1 R2 Vds Vdét Figure II-33 : Courbes statiques pour deux interrupteurs ayant deux Rdson différents 83 . donc a priori. comme ils sont soumis à la même tension. ils ont chacun la même tension de seuil. Les deux caractéristiques statiques sont représentées à la Figure II-32. les effets Miller sont quasiment identiques (seule la transconductance diffère). A ce moment. bien que l’un se sature avant l’autre. la différence entre les deux interrupteurs est la valeur du courant potentiel.Chapitre II Transconductance Si la transconductance n’est pas la même. Par ailleurs. Id Vdét Interrupteur 2 Interrupteur 1 Vds Figure II-32 : Courbes statiques pour deux interrupteurs ayant deux transconductances différentes Rdson Le courant de charge se répartit entre les deux disjoncteurs selon le rapport des résistances. Les deux interrupteurs ont la même résistance à l’état passant donc le courant s’équi-répartit entre les deux interrupteurs. Nous obtenons les courbes de la Figure II-34. Puis le premier MOS se sature et toute la hausse de courant passe dans le deuxième.

cette capacité va voir commuter sa valeur avant l’autre. correspondant à la hausse du courant potentiel consécutive au dV/dt appliqué au composant à cause du courant qui traverse la résistance du canal.( Vgs − Vgsth ) II-12 Cdg Nous avons les mêmes caractéristiques statiques pour les deux interrupteurs donc le même courant. Ici. ainsi que le même instant de commutation.Le thyristor-dual disjoncteur Figure II-34 : Formes d’ondes de la mise en parallèle de deux disjoncteurs ayant des Rdson différents. I pot = g. Par conséquent. Nous rappelons que la phase 1 de la disjonction. voit son courant monter plus que l’autre. provoquant ainsi une inversion d’évolution au niveau des courants. ce qui apparaît bien lors des simulations dont les courbes sont données à la Figure II-35. Par conséquent. Par contre. qui est traversée par le plus de courant. 84 . est négligeable pour les fréquences envisagées. les autres paramètres étant identiques Vgsth C’est le même cas que pour une différence de transconductance car cela correspond à une différence de courant potentiel. l’interrupteur avec la plus grosse capacité transversale. quand la saturation directe intervient. car sa grille se charge plus vite que l’autre. c’est le terme de la différence qui entre en compte et non le terme multiplicatif dans la formule donnant le courant potentiel (cf. Equation II-12). la tension aux bornes du condensateur le plus élevé décroît plus vite car les drains sont au même potentiel.

au di/dt du courant de charge. En effet. Cela entraîne une forte contre-réaction par la capacité transversale.Chapitre II Figure II-35 : Formes d’ondes de la mise en parallèle de deux disjoncteurs ayant des capacités transversales de valeurs différentes Cgs Les disjonctions se déroulent de la même manière que précédemment. Tout le courant passe dans le deuxième interrupteur avec un di/dt énorme. Tous ces phénomènes sont également liés à la présence d’une résistance de grille. l’interrupteur s’ouvre avec un di/dt seulement lié à sa résistance de grille. C’est ce qui apparaît sur la Figure II-36. Ce dernier peut atteindre une valeur très élevée à cause de la faible impédance de la maille reliant les deux disjoncteurs. ce qui fait que nous n’avons pas ici une commande en tension de la grille du transistor MOS. 85 . Vdétection Toutes les phases préliminaires sont identiques (mêmes paramètres). Même s’il atteint son seuil de déclenchement. le deuxième disjoncteur ne peut pas se déclencher à cause de cette forte contre-réaction. se rajoute celui du blocage de l’autre interrupteur. Quand le premier seuil de détection est atteint. Le courant de retour étant le même et de faible valeur. Il s’ensuit qu’il voit un courant total correspondant à la somme des deux courants de disjonction. l’influence est faible car la dispersion sur la capacité d’entrée est insuffisante et il y a la source de tension équivalente de la commande en parallèle.

sont identiques. dans les mêmes conditions. Cette différence est amplifiée par le fait que nous travaillons avec un potentiel de grille légèrement supérieur à la tension de seuil. La seule chose que nous pouvons dire. vu que nous sommes entre les deux états du transistor. La Figure II-37 présente les formes d’ondes expérimentales des courants dans deux thyristors-duaux placés en parallèle.Le thyristor-dual disjoncteur Figure II-36 : Formes d’ondes de la mise en parallèle de deux disjoncteurs ayant des seuils de détection de tension différents Réglage du courant potentiel Quand le premier composant se sature.1. Mais il faut noter que la différence des courants potentiels reste faible si les courants de disjonction.7.3. les deux effets Miller sont identiques (sauf peut-être l’impédance de la commande car la polarisation est légèrement différente). Par contre. Cela permet de négliger cette influence. ce qui intervient dans le calcul de la phase 1. 86 . II. voire d’autres paramètres. ils ont la même valeur de déclenchement. La valeur de la résistance du canal est alors très sensible. Nous pouvons observer une forte dispersion sur la répartition du courant liée à la différence de Rdson. phénomène négligeable ici. cela ne veut pas dire qu’ils ont le même courant potentiel. Résultats expérimentaux Les disjoncteurs ont été préalablement réglés au même courant de disjonction dans les mêmes conditions de di/dt. le di/dt dans le deuxième disjoncteur est doublé. c’est que dans les conditions de réglage. à cause de la dispersion des composants. Lors de la saturation du deuxième disjoncteur.

mais ne peut se bloquer instantanément sans conduire tout le courant de charge. Les courbes sont données à la Figure II-38.Chapitre II Figure II-37 : Courants dans les deux disjoncteurs placés en parallèle Il apparaît également une différence sur les courants de disjonction. afin de vérifier ce dernier point. avec un interrupteur qui bloque un courant dont la valeur est presque le double de celle du courant bloqué par l’autre disjoncteur. Nous avons souhaité pousser plus loin les essais en observant la tension de grille du deuxième transistor qui se bloque. Il semble qu’un disjoncteur se bloque et transmet tout son courant au deuxième interrupteur qui atteint alors son seuil de disjonction. L’interrupteur voit tout le courant du premier sans pouvoir se bloquer Remontée du potentiel de grille Courant -Id1 Courant -Id2 Tension Vgs2 Figure II-38 : Courbes expérimentales d’une disjonction 87 . Les courants représentés sont inversés.

influence que nous avons déjà abordée dans la variation du courant de disjonction en fonction du di/dt. 2 et 3 de 8.7.4. 88 . II. Il y a donc impossibilité pour le deuxième disjoncteur de se bloquer rapidement et à son courant nominal. très important.4V. étude exposée par la suite qui va se limiter à des simulations sous SABER. malgré la tentative de sa commande. Nous sommes dans un schéma de type hacheur avec diode de roue libre sur l’inductance. Cela est dû à l’influence de la capacité transversale. avant que la diode puisse s’amorcer. Les seuils de détection sont respectivement pour les interrupteurs 1. Ceci est confirmé par la remontée du potentiel de grille du disjoncteur concerné. Il est intéressant de se pencher sur le cas de trois disjoncteurs en parallèle. Mise en parallèle de trois thyristors-duaux disjoncteurs Nous utilisons le schéma de simulation de la Figure II-39. Le di/dt. II. nous avons étagé les tensions de seuil de détection. Un essai réalisé avec une résistance de grille de 25Ω est présenté à la Figure II-40.1. En effet. Par conséquent.Le thyristor-dual disjoncteur Outre les oscillations. l’interrupteur 1 est le premier à déclencher. se reporte sur le deuxième interrupteur qui ne peut se bloquer malgré la tension présente à ses bornes qui atteint 20 Volts.7.2. Ce phénomène est exacerbé ici car le di/dt imposé au deuxième disjoncteur est celui correspondant au blocage du premier sur une maille faiblement inductive. 8. il apparaît que le phénomène prépondérant est la différence des seuils de détection de tension de commutation. le premier interrupteur se bloque sur une maille très faiblement inductive car il est en parallèle avec l’autre disjoncteur. Pour simuler des disjonctions décalées des trois interrupteurs.8V et 10V. Cela vient de l’influence de la capacité transversale. Cela impose une remontée de la tension Vds jusqu’à la tension de la source continue. soit 100 Volts. bien au-delà de son seuil de déclenchement. Les instants de déclenchement des disjoncteurs correspondent au moment où leur courant a tendance à décroître. Conclusion Il apparaît dans cette étude que le deuxième disjoncteur qui tente de se bloquer est obligé de faire conduire un courant dont la valeur atteint la somme totale des courants initialement conduits par les deux interrupteurs.

Lorsque la commande du troisième interrupteur essaye de le bloquer. Par ailleurs. De plus. les tensions de grille sont différentes (cf. les trois courants Miller sont égaux. Nous constatons que le potentiel de grille du deuxième interrupteur ne varie pas. Ici. tant que l’interrupteur 3 n’a pas déclenché. les courants circulant dans les résistances de grille suivent l’Equation II-14. Par contre. ce qui implique que IRg2 est du même ordre de grandeur 89 . Equation II-13) ce qui. nous vérifions bien que les disjonctio ns sont étagées. la tension remonte rapidement avec un dV/dt de l’ordre de 500V/µs. Par conséquent.Chapitre II 1mH I ch I d1 I d2 I d3 100V Vds Vgs1 Vgs2 Vgs3 Figure II-39 : Schéma de simulation pour la mise en parallèle de trois disjoncteurs Vds Vgs1 Vgs2 Vgs3 Vgsth Id1 Id2 Id3 Figure II-40 : Mise en parallèle de trois thyristors-duaux disjoncteurs avec résistance de grille de 25? Plusieurs phénomènes sont visibles. la tension Vds ne peut pas remonter rapidement. avec des résistances de grilles identiques. Tout d’abord. la diode étant bloquée. Cette forte variation de tension implique un courant important dans la capacité transversale de chaque composant. les valeurs des composants étant identiques. implique un courant absorbé par chaque commande différent. nous avons toujours la somme des trois courants circulant dans les disjoncteurs égale au courant de charge.

Le courant Miller est plus important. De son côté. quand la diode de roue libre s’amorce. il existe toujours un léger courant dans la capacité transversale. Ce phénomène va dans le sens de l’équilibrage des courants durant cette phase. l’effet Miller s’annulant. Nous avons ici le premier disjoncteur qui ne se réamorce plus. tandis que le deuxième se réamorce seulement sur la fin.Le thyristor-dual disjoncteur que le courant Miller. mais il est très faible car la dynamique de la variation de ce potentiel de grille est bien plus faible que celle de la phase précédente. Le troisième disjoncteur conduit quasiment tout le courant de charge 90 . Nous arrivons même à réamorcer le premier interrupteur qui s’était bloqué. avant d’essayer de disjoncter. les trois interrupteurs se bloquent. la tension aux bornes des interrupteurs ne variant plus. En toute rigueur. Vds Vgsth Vgs1 Vgs2 Vgs3 Id1 Id2 Id3 Figure II-41 : Mise en parallèle de trois thyristors-duaux disjoncteurs avec résistance de grille de 5? La commutation est dorénavant plus rapide augmentant le dV/dt jusqu’à 1300V/µs. nous avons diminué la résistance de grille à 5Ω et obtenu les courbes de la Figure II-41. Afin de minimiser l’effet du courant Miller en se rapprochant le plus d’une commande de grille en tension. la grille du premier interrupteur se charge tandis que celle du troisième se décharge. le troisième interrupteur conduit un courant total qui se rapproche du courant de charge. Finalement. car le potentiel de grille varie. Vgs1 < Vgs2 < Vgs3 IRg1 < IRg2 < IRg3 II-13 II-14 Par contre. tout comme la capacité en courant de la commande.

par le réamorçage ponctuel des interrupteurs qui se sont déjà bloqués. CONCLUSION Le thyristor-dual disjoncteur présente de no mbreuses qualités et permet une synthèse simple de l’instant de blocage sans capteur. Bien que le premier thyristor-dual disjoncteur soit bloqué avec un potentiel de grille inférieur au seuil. Actuellement. Un phénomène intéressant apparaît. dans le cadre de l’étude de la mise en parallèle de trois disjoncteurs. Nous n’avons plus l’effet d’équilibrage qui permettait de répartir le courant de charge et de limiter le courant bloqué par le dernier disjoncteur. nous avons mis en évidence que la capacité transversale peut avoir un effet bénéfique. par simple remontée de la tension à ses bornes. Ce composant a permis de synthétiser deux cellules élémentaires. Malheureusement. En effet. si ce phénomène est ponctuel dans le cadre d’une simple protection d’un convertisseur. la solution consiste à forcer le blocage des disjoncteurs « en retard » par celui qui est le plus rapide.3. Cela permet d’envisager une intégration à court terme du composant. qui montrent toutes 91 . conduisant à sa destruction inévitable. II. Ce courant vient des capacités du transistor MOS.7. Des mesures ont permis de le vérifier. Des études sont en cours afin d’améliorer cette valeur. La capacité transversale empêche le blocage du dernier composant à déclencher.8. cela permet de diminuer le courant conduit par le dernier disjoncteur et de créer ainsi un semblant d’équilibrage de courant. le composant « en retard » est toujours le même. des travaux menés au LAAS en collaboration avec le LEEI ont déjà permis de synthétiser des micro-disjoncteurs d’un calibre allant jusqu’à un ampère. Dans le cadre de la commutation automatique. nous ne pouvons pas nous le permettre. ce qui s’oppose à la démarche initiale de modularité. le forçant à conduire tout le courant de charge. Conclusion Cette étude a permis de mettre en exergue l’élément parasite qui pénalise la mise en parallèle de disjoncteurs électroniques. car. Cela implique la réunion des commandes. En effet. le dV/dt appliqué au composant entraîne toujours un courant dans la capacité transversale mais également dans la capacité de sortie. Même ayant perdu l’effet d’équilibrage. II. nous utilisons ici la disjonction comme mécanisme de commutation. En pratique. il y a toujours un courant qui circule.Chapitre II durant toute la phase de blocage. une partie du courant de charge passe quand même dans les interrupteurs bloqués. Par contre.

le dernier disjoncteur voit tout le courant de charge et ne résiste qu’à quelques disjonctions avant d’être détruit. nous allons dorénavant nous intéresser aux convertisseurs qui l’utilisent. Nous avons ensuite étudié le processus de disjonction. car la mise en parallèle permet d’augmenter le calibre en courant des interrupteurs. En effet. étude qui a permis de revenir sur l’influence de la capacité transversale d’un transistor MOS dans son processus de commutation. 92 . Il est pourtant intéressant. qu’elle soit maître ou esclave : la cellule onduleur à disjonction et la cellule redresseur à disjonction.Le thyristor-dual disjoncteur les potentialités de la commutation automatique de blocage. Nous présentons alors une étude sur l’influence de notre méthode de réglage du courant de disjonction sur les pertes et la bonne utilisation du transistor MOS. influence dépendant des paramètres extérieurs. Une étude théorique. Ce problème est épineux car. Enfin. ce qui n’est pas forcément négatif. Notre étude a permis de mettre en avant le rôle que joue encore la capacité transversale dans la répartition des courants et qu’elle peut même permettre un équilibrage des courants dans tous les composants. en général. accompagnée d’une étude en simulation et de relevés expérimentaux a permis de quantifier le phénomène. Il apparaît une majoration des pertes par conduction. Ici. le couplage entre la commande et la puissance influence la valeur du courant de disjonction. mais elle reste faible si nous tenons compte du fait que nous n’avons pas de capteur de courant en série qui peut introduire une chute de tension série. Après avoir caractérisé le thyristor-dual. nous nous intéressons à un problème classique de mise en parallèle de composants. ce sont des disjoncteurs électroniques.

. en particulier. le pont redresseur monophasé à disjonction. Dans un premier temps. ainsi que le fonctionnement des deux cellules élémentaires l’utilisant : l’onduleur et le redresseur à disjonction.III. ainsi que caractériser les différents montages étudiés.1. III. il existe deux combinaisons possibles : les cellules sont connectées soit en série. Nous souhaitons explorer les nouvelles possibilités offertes par la commutation automatique. nous avons décrit les propriétés du thyristor-dual disjoncteur. Puis est apparu un montage qui se comporte comme un transformateur continu. Nous avons enfin développé une version triphasée du redresseur à disjonction en collaboration avec la société CIRTEM. soit en anti-série. ASSOCIATION DISJONCTION DE DEUX CELLULES REDRESSEUR A Lors de l’association de deux cellules redresseur. introduisant. nous allons associer deux cellules élémentaires. L’objectif de ce chapitre est double. Ce montage a permis une étude en profondeur de ses différentes propriétés en vue de son industrialisation. Nous allons dorénavant associer ces cellules élémentaires afin de générer des convertisseurs statiques auto-protégés introduisant de nouvelles fonctionnalités. présenté sous deux variantes. CHAPITRE III APPLICATIONS DU THYRISTOR-DUAL DISJONCTEUR Dans le chapitre précédent.

Association disjonction série : pont monophasé à L’association série de deux cellules redresseurs à disjonction.Applications du thyristor-dual disjoncteur III. Les deux modes de fonctionnement sont représentés. Le courant de disjonction est toujours le même mais la crête du courant. vue du côté réseau. Les deux autres interrupteurs vont s’amorcer et créer des mailles de court-circuit afin de provoquer les blocages de T1 et de T’2 . la valeur du courant de court-circuit nécessaire pour atteindre la 94 .1. Des relevés expérimentaux réalisés côté réseau sont donnés à la Figure III-3. représentée à la Figure III-1 a. lors de chaque commutation. selon que ce dernier circule initialement par la diode ou le transistor. créant ainsi deux mailles de court-circuit en parallèle. Nous avons bien le fonctionnement d’un redresseur à diodes avec un courant en phase avec la tension. Ces valeurs ne 1 présupposent pas le signe du courant de charge.1. le courant étant positif (mode onduleur) ou négatif (mode redresseur). deux cellules doivent changer d’état. En effet. La source de tension doit donc fournir deux fois plus de courant lors de la commutation que dans le montage à une seule cellule. Les interrupteurs initialement passants sont T1 et T’2 . v>0 v<0 Ich T1 Ich i v T2 a) T’2 b) T’1 i Réseau alternatif Figure III-1 : Schémas théorique et expérimental du pont monophasé à disjonction Plaçons nous dans un cas concret. Elles sont donc valables pour les deux modes de fonctionnement du montage. Par contre. correspondant à la disjonction. La Figure III-1 b présente le montage expérimental. La différence est que le courant dans la diode créant la maille de courtcircuit est inférieur au courant de disjonction dans le mode onduleur (Ich>0) et supérieur dans le mode redresseur (Ich<0). a sa valeur qui dépend du courant de charge. permet d’obtenir la même fonction que la cellule simple mais le transformateur à point milieu n’est plus nécessaire. à l’empiètement près. La Figure III-2 présente la répartition des courants dans les quatre interrupteurs juste avant les disjonctions de T et de T’2 . Supposons que la tension réseau v vient de changer de signe et est devenue négative.

cette dernière n’est 95 . Idisj Idisj -Ich T1 T’1 i Ich Idisj -Ich v Idisj T2 T’2 Figure III-2 : Répartition des courants dans les interrupteurs au moment de la commutation lorsque la tension v devient négative V Disjonction i 2. n’est pas la même. la commutation intervenant lors de son changement de signe.I disj-Ic h -(2. il est limité par l’impédance de la maille de court-circuit mais également par la tension du réseau qui est faible. il faut connaître l’énergie qu’elle doit dissiper. notamment une ouverture de la charge sur un défaut de commande d’un interrupteur.Idisj-Ich) a) b) Figure III-3 : Formes d’ondes côté réseau du pont monophasé à disjonction (5A/div) a) Mode onduleur de courant (Ich>0) b) Mode redresseur (Ich<0) Un problème potentiel est la maîtrise du di/dt lors de la phase de court-circuit.Chapitre III disjonction. En effet. Cette surtension est liée à la présence de l’inductance de ligne. Ici. Par ailleurs. Pour son dimensionnement. Sur notre maquette. nous avons utilisé une diode transil associée à un aiguilleur de courant pour chaque cellule afin d’assurer une immunité à tous les défauts envisageables. la surtension qui apparaît aux bornes du disjoncteur lors de son blocage est limitée par la présence du clamp.

I 2 disj P = 2 ⋅ f rés ⋅ Vrés 1Vclamp III-1 III-2 III. Nous voyons que dans notre cas. assurant les commutations des bras de la cellule. Association anti-série : liaison continue à circuit oscillant Si les cellules sont montées en anti-série (Figure III-4 a)).1. La source de tension alternative devient un auxiliaire du transfert de puissance. cela est favorable.Applications du thyristor-dual disjoncteur pas seulement liée à l’énergie stockée dans l’inductance de ligne du réseau. car la tension du réseau est alors faible et les pertes sont donc minimales. Ce montage est auto-stable car l’énergie engagée par le circuit oscillant pour assurer les disjonctions est « récupérée » lors de l’oscillation suivante. Par conséque nt. Le schéma complet est donné à la Figure III-4 a). mais également à la tension du réseau. nous créons une liaison entre deux sources à courant continu avec isolation galvanique moyenne fréquence.I 2 disj W= Vrés 1Vclamp λ. Ayant deux disjonctions par cellule. la puissance dissipée par une diode transil est donnée par l’Equation III-2.2. v>0 v<0 C i v VC L E a) b) Figure III-4 : Schémas théorique et expérimental de la liaison continue à circuit oscillant 96 . en appelant λ l’inductanc e de ligne et Vclamp la tension de clampage. λ. un simple circuit oscillant est suffisant. L’équation III-1 donne l’énergie que doit dissiper notre diode transil. par période réseau.

Chapitre III Il faut alors dimensionner le circuit LC. il faut remplacer. si nous négligeons l’effet du courant de charge. Nous pouvons relier le courant maximal dans l’inductance L et la tension crête aux bornes du condensateur par l’Equation III-2. Nous avons un circuit oscillant du deuxième ordre. deux mailles de court-circuit. Tension aux bornes d’un disjoncteur (20V/div) Tension LC (40V/div) Courant Entrée/Sortie (2A/div) Figure III-5 : Formes d’ondes de validation de la liaison continue à circuit oscillant 97 . Nous pouvons alors lier E et VCmax par l’Equation III-4. Il doit générer. la commutation se produit au moment de l’annulation de la tension du condensateur. dans le calcul précédent. la valeur du courant de disjonction par sa valeur moins la moitié du courant de charge (raisonnement similaire à celui du montage précédent). Nous obtenons alors l’Equation III-5 comme condition sur les valeurs de l’inductance et de la capacité. soit environ deux fois le courant de disjonction. soit lorsque le courant est maximal dans l’inductance. Nous avons une structure de redresseur à diodes entre le circuit oscillant et la source E. La Figure III-5 présente un relevé expérimental de validation du principe du montage. en négligeant les inductances de fuite du transformateur.VCmax π III-4 Enfin. Il faut donc que ce courant soit supérieur à quatre fois le courant de disjonction (présence de quatre enroulements secondaires). i Lmax = VCmax ⋅ C L III-3 E= 2. lors des commutations. C 8 ⋅ I disj > L π ⋅E III-5 Si nous tenons compte du courant de charge.

il combine possibilité de commande et réversibilité en tension du pont à thyristors classique. En effet. il faut gérer les énergies dans les inductances de fuite du montage. Par contre. Il faut donc adjoindre des clamps à chaque cellule. 98 .3. Nous obtenons les montages de la Figure III-6. la fréquence est fixée par le circuit oscillant ici et non plus le réseau. La fréquence de fonctionnement est alors limitée par la capacité de dissipation du clamp. Par rapport au montage précédent. nous obtenons un redresseur 4 quadrants. montage piloté par un simple circuit oscillant LC. tout comme pour le montage redresseur. les interrupteurs doivent pouvoir supporter une tension inverse d’où l’adjonction d’une diode en série avec les transistors. III. Par conséquent. Dorénavant. avec réversibilité en courant sans avoir besoin d’associer deux ponts à thyristors.1. le montage de la Figure III-6 a est un pont redresseur à thyristors réversible en courant. Remplacement des diodes par des thyristors Cela sort du cadre de notre étude du thyristor-dual disjoncteur mais il est intéressant d’observer ce qu’il se passe lorsque l’amorçage spontané au passage par zéro des interrupteurs est remplacé par une commutation commandée en substituant des thyristors aux diodes dans les montages précédents. [ROUX 1] on on on on Ich i on Ich v on i v on on a) b) Figure III-6 : Remplacement de l’amorçage spontané par un amorçage commandé a) Pont monophasé à thyristors réversible en courant b) Pont monophasé à thyristors à cos(f ) unitaire Tout comme nous avons synthétisé un pont redresseur monophasé à diodes réversible en courant. Cela nous donne donc un deuxième critère de dimensionnement de l’inductance L et de la capacité C.Applications du thyristor-dual disjoncteur Nous obtenons donc une liaison entre deux sources à courant continu tout en assurant une isolation galvanique moyenne fréquence.

les angles de commande des deux cellules sont supplémentaires (la somme des angles vaut 180°). Les surtensions aux bornes de la charge en sortie correspondent au clampage de l’énergie contenue dans les inductances de ligne lors des phases de disjonction. De plus. Il apparaît bien les deux sens de transfert de puissance au niveau du réseau par inversion de la phase. la commutation n’intervient plus forcément au passage par zéro de la tension. ce qui induit une énergie plus importante à dissiper dans notre diode transil de clampage. Les formes d’ondes sont similaires à celles d’un pont à thyristors classique. 99 . Figure III-7 : Formes d’ondes du pont à thyristors en phase de réversibilité de courant Le dernier montage (Figure III-6 b)) est également un redresseur monophasé commandable et réversible en courant mais il permet aussi d’avoir un cos(ϕ) unitaire. Nous avons donc un redresseur monophasé 4 quadrants synchrone du réseau. Un exemple de relevé est donné à la Figure III-8. De plus. la dynamique de courant peut être beaucoup plus élevée si l’angle de commande des thyristors tend vers 90°. nous avons ajouté la réversibilité en courant. grâce à la conduction du courant par les transistors. Pour obtenir ce résultat. cela correspond principalement à l'inductance de ligne du réseau. Mais le courant reste toujours en phase ou en opposition de phase avec la tension. si ce n’est que le courant est en avance par rapport à la tension. Des formes d’ondes en phase de réversibilité de courant sont présentées à la Figure III7. Ici.Chapitre III Par contre. Nous avons donc bien combiné les avantages de la commande des thyristors avec celui du pont de diodes qui permet d’avoir un courant en phase avec la tension.

Nous pouvons imaginer un dispositif fortement intégré avec quatre bornes.2. III.2. Afin de s’en affranchir. LE TRANSFORMATEUR CONTINU Le montage de la Figure III-4 fait apparaître la notion de liaison isolée entre deux sources continues par l’intermédiaire d’un convertisseur totalement autonome. similaire au transformateur classique fonctionnant en alternatif. Le gros inconvénient de la version vue précédemment est la présence du circuit oscillant. nécessaire afin d’assurer les commutations. nous donnant la possibilité de passer à un montage plus évolué se rapprochant de l’image que nous pouvons nous faire d’un transformateur continu. Transformateur continu tension-courant Ce montage est obtenu par l’association de deux cellules élémentaires différentes : une cellule onduleur et une cellule redresseur. Son étude permet de mettre en évidence des propriétés générales. et l’appeler transformateur continu.1. nous allons étudier un montage associant une cellule redresseur et une cellule onduleur. La cellule onduleur fonctionne grâce à l’inductance magnétisante du transformateur et crée une source de tension alternative permettant la 100 .Applications du thyristor-dual disjoncteur Tension charge Tension réseau Courant réseau Figure III-8 : Redresseur à thyristors à cos(f ) unitaire avec modulation de l’angle de commande de 72° à 108° III.

Nous obtenons le système d’équations III-6. tous les enroulements du transformateur ont le même nombre de spires. courant primaire. Le courant ramené au primaire I’1 est donné à l’Equation III-7. Lors du fonctionnement normal.Chapitre III commutation de la cellule redresseur. présenté au chapitre II. Lorsque celui-ci disjoncte. Ce montage nous a également permis de travailler sur la compatibilité des commutations automatiques dans l’interaction de deux cellules à disjonction. Supposons que le transistor MOS3 conduit initialement. Pour calculer le courant primaire qui apparaît lors de la disjonction du redresseur en fonction du courant de charge. Enfin. A l’inversion de la tension. Le montage est représenté à la Figure III-9 sans le système d’équilibrage du point milieu capacitif. Cela permet de s’affranchir du circuit oscillant auxiliaire.1. le courant de charge s’ajoute au courant magnétisant dans le bras onduleur. nous nous basons sur la Figure III-9. 101 . Les conventions de notation y sont précisées : I1 . la tension aux bornes du primaire du transformateur change de signe et entraîne la disjonction de la cellule redresseur. courant magnétisant et Idisj2 . Nous supposons ici que le transfert de puissance se fait du redresseur vers l’onduleur (Ich>0).1. donc le courant de charge est conduit par les transistors. Ce courant va donc se retrouver à traverser la cellule onduleur. Iµ. Cellule redresseur Courant de disjonction Idisj2 (10 A) Cellule onduleur Courant de disjonction Idisj1 (30 A ) I3 Interrupteur 1 Interrupteur 3 Ich Iµ Interrupteur 4 Interrupteur 2 I1 I’1 I4 Figure III-9 : Transformateur continu tension-courant (le système d’équilibrage à diodes du point milieu capacitif n’est pas représenté) III. En effet. Il faut donc s’assurer que la commutation du redresseur à disjonction ne remet pas en cause la stabilité de celle de l’onduleur. Compatibilité des commutations automatiques Le problème crucial de cette structure est l’influence de la disjonction d’une cellule sur l’autre.2. c’est la source de tension alternative qui fournit le courant de disjonction. valeur du courant de disjonction de la cellule redresseur. la diode de l’interrupteur 4 va se mettre à conduire et faire disjoncter MOS3.

Inversement. En effet. la cellule onduleur commute grâce à l’évolution du courant magnétisant. En effet. la cellule se bloque et le système s’arrête. il ne faut pas que le courant redresseur ramené au primaire amène le courant primaire à -Idisj1 . tandis que la maille de court-circuit de la cellule redresseur se 102 . il faut surdimensionner le courant de disjonction de la cellule onduleur. Par ailleurs. ce dernier circulant à travers les transistors de la cellule redresseur.I ch III-6 III-7 Le cas le plus défavorable est obtenu quand la disjonction de l’onduleur survient avec un très faible courant magnétisant. Afin d’éviter ce phénomène. il faut faire attention à limiter le courant de charge sinon l’onduleur peut commuter sur la disjonction du redresseur. le courant qui circule dans le circuit primaire est Idisj1 . Un exemple de courbe au primaire du transformateur est donné à la Figure III-10.Applications du thyristor-dual disjoncteur I 3 = − I disj2   I 4 = I disj2 − I ch  I'1 = 2 ⋅ Idisj2 . l’amplitude maximale que nous pouvons tolérer est de deux fois le courant de disjonction de l’onduleur. est favorable à leur disjonction. la cellule onduleur vient de voir disjoncter son interrupteur supérieur. Donc. Sur ce relevé. lié à la présence du courant de charge. Pour ne pas provoquer la disjonction de l’interrupteur inférieur de l’onduleur (interrupteur 2). Si Idisj1 représente le courant de disjonction de la cellule onduleur. en combinant les équations est obtenue la relation III-9 fixant le lien entre les courants de disjonction des deux cellules afin d’assurer un fonctionnement stable du système. ce qui est exprimé par l’Equation III-8. A ce moment. si le courant de charge est positif. Il apparaît les pics de disjonction dus au redresseur. Par conséquent. le courant de crête est supérieur au courant de disjonction de l’onduleur mais il n’est pas affecté car le di/dt de la maille de court-circuit de la cellule redresseur est bie n plus élevé que celui qui déclenche la disjonction de la cellule onduleur. aucun surdimensionnement sur la valeur du courant de disjonction de la cellule onduleur n’est nécessaire. 2 ⋅ I disj1 > I'1 III-8 I disj1 > I disj2 − I ch 2 III-9 Cette relation montre que si le transfert de puissance se fait de la cellule onduleur vers la cellule redresseur (Ich<0). correspondant à un transfert de puissance de la cellule redresseur vers la cellule onduleur. tout en limitant la valeur du courant de courtcircuit nécessaire au blocage automatique.

La Figure III-11 b donne un exe mple de relevé en réversibilité du montage : le courant primaire change de signe lors de la commutation. Le courant primaire apparaît bien comme la somme du courant de charge et du courant magnétisant. nous avons ajouté des inductances en série avec les bobinages secondaires pour obtenir ce résultat. Ainsi. Disjonction onduleur Dynamique lente (Lµ ) Bonne maîtrise du courant de disjonction Idisj1 Disjonction redresseur Dynamique rapide (Lf) Mauvaise maîtrise du courant de disjonction Idisj2 Figure III-10 : Courant primaire du transformateur à courant de charge nul (5A/div) III.2. à cause du changement d’état de la cellule redresseur.4. Pour augmenter la plage d’utilisation du courant de charge. sur la maquette. Le courant de charge qui circule à travers les transistors est favorable. Il apparaît également que le pic de courant est plus faible. il faut que le système ait un fort courant magnétisant. limitant le di/dt dans le redresseur. Fonctionnement et propriétés principales du montage La Figure III-11 présente des relevés expérimentaux effectués pour les deux signes de courant de charge.2. donc une inductance 103 . ce que nous avons vu précédemment. D’autre part. Mais la présence de la charge diminue le courant magnétisant donc les pertes dans le transformateur.2). d’où une dynamique bien plus grande pour le courant secondaire. Le relevé de gauche a été effectué avec un courant de charge négatif. les fuites du transformateur sont bénéfiques. l rsque le système fonctionne à vide. II. le o transformateur est fortement saturé ce qui implique des pertes élevées. Or nous savons que le seuil de déclenchement de nos disjoncteurs augmente avec le di/dt (cf.1. La disjonction se faisant à courant constant. diminuant le courant de la maille de court-circuit.Chapitre III referme seulement sur les inductances de fuites des secondaires du transformateur.

proportionnelle à l’inductance de fuite. Ces deux éléments impliquent un transformateur relativement particulier. Un exemple est donné à la Figure III-12. La valeur de la fréquence de fonctionnement du montage est régie par l’équation III-10. la fréquence va dépendre du courant de charge. 2-5A/div. cela implique une augmentation de l’énergie que le clamp doit dissiper côté redresseur.Applications du thyristor-dual disjoncteur magnétisante faible.2ms. Il faut donc en tenir compte lors du dimensionnement de la diode transil.L µ . mais c’est une piste à ne pas écarter. Nous n’avons pas pu réaliser d’essais afin de vérifier cela.(I disj1 + I ch ) III-10 104 . 140V/div. f = 1 E = T 8. incluant un mauvais couplage et un faible nombre de spires. Il apparaît bien la variation de fréquence lorsque le courant de charge varie. sachant que le montage fonctionne comme une commande en fourchette de courant. Le Tableau III-1 présente des résultats de mesure de fréquence pour différentes valeurs du courant de charge. Nous vérifions bien que la croissance du courant de charge diminue la fréquence. Ici. Un autre point important est la fréquence de fonctionnement. Un compromis est donc nécessaire. 3-25V/div) a) Transfert de la cellule onduleur vers la cellule redresseur (Ich<0) b) Transfert de la cellule redresseur vers la cellule onduleur (Ich>0) En contrepartie. d’autant plus que dorénavant la commutation ne se fait plus sous tension quasiment nulle. a) b) Figure III-11 : Relevé pour les deux transferts de puissance (base de temps de 0.

En effet.Chapitre III Valeur du courant de charge (en A) -3 0 2. Transformateur à courant continu La variation de la fréquence est un inconvénient majeur du montage précédent. qui avait pour but de développer un prototype de transformateur à courant continu. Afin de limiter la dépendance de la fréquence de fonctionnement du montage vis-à-vis du courant de charge. les pertes dans les interrupteurs ainsi que dans le transformateur vont croître. correspondant au changement du niveau de tension du bus dans l’industrie automobile. Ce travail a été la base du stage de DEA de Bernard PONTALIER.5 Fréquence de fonctionnement (en Hz) 1000 800 500 Tableau III-1 : Fréquence de fonctionnement en fonction du courant de charge En se servant de la relation précédente.2. Le cahier des charges reposait sur des niveaux de tension primaires et secondaires de 12V et 42V. la plage de variation du courant de charge peut être fixée afin de limiter cette fréquence. si cette dernière augmente trop. nous avons envisagé une modification de la cellule onduleur.2. pour une puissance de 105 . ce qui limite grandement la plage d’utilisation du montage. Imag Idisj I mag Idisj CH -I 0 t 0 + ICH -I disj t -Idisj Disjonction interrupteur 1 Disjonction interrupteur 2 I 1 I2 Idisj I1 Idisj ICH 2I CH -I disj 0 I2 Disjonction interrupteur 1 Disjonction interrupteur 2 0 t t -Idisj Courants dans les interrupteurs à vide Courants dans les interrupteurs en charge Figure III-12 : Formes d’ondes du courant magnétisant et des courants dans les interrupteurs de la cellule onduleur à vide et en charge III. pouvant entraîner leur détérioration.

Imag I µsat saturation magnétique I µsat I mag saturation magnétique 0 t T0 0 t -Iµsat I1 I2 -Iµsat I1 I2 I disj saturation magnétique Idisj I CH+ I µsat I µsat disjonction ICH 0 t 0 I CH-I µsat t -Iµsat -Idisj Courants dans les interrupteurs à vide Courants dans les interrupteurs en charge Figure III-13 : Formes d’ondes du courant magnétisant et des courants dans les interrupteurs de la cellule onduleur à vide et en charge L'onduleur est organisé autour d'une structure symétrique de type « Push-Pull » composée de deux thyristors-duaux disjoncteurs alimentant un transformateur à double primaire. avec une fréquence de fonctionnement qui ne varie pas ou peu en fonction de la valeur du courant de charge. Pour cela on utilise la brusque augmentation du courant magnétisant au moment de la saturation du transformateur pour provoquer une disjonction dont l'instant est relativement indépendant de la valeur du courant de charge .1.2. Les chronogrammes de la Figure III-13 permettent de visualiser ce fonctionnement. ceci implique un matériau magnétique à cycle quasi-carré. Schéma du montage La solution retenue consiste à utiliser la saturation du noyau pour forcer l'interrupteur passant à se bloquer. Cette structure est souvent délicate à mettre en œuvre car si le rapport cyclique n'est pas rigoureusement égal à 1/2 on observe une dérive de la valeur moyenne du courant 106 .2. III. La valeur du courant de disjonction doit être choisie légèrement supérieure la somme du courant de charge maximal et du courant magnétisant de saturation.Applications du thyristor-dual disjoncteur 500W [PONTALIER]. Cela entraîne à vide des pointes de courant assez importantes aux instants de disjonction.

Il faut donc prévoir l’ajout d’un hacheur de récupération dont la commande est synchronisée avec la commande du push-pull. La Figure III-15 présente le schéma complet de la cellule onduleur avec le circuit de clampage représenté en deux couleurs. Ce procédé donne des résultats corrects. dans ce cas. La saturation n’est pas marquée de manière très franche. Le hacheur de récupération est dessiné en rouge. par ailleurs les commandes de ces deux interrupteurs étant réalisées par deux bobinages auxiliaires du transformateur qui réalisent une isolation galvanique. Le problème. La résistance des enroulements tend toutefois à s’opposer à cette dérive. La disjonction se déroule alors seulement lorsque le noyau se sature fortement. nous avons opté pour une solution de déclenchement mixte avec une partie disjonction et une partie détection de saturation. au lieu d’un simple clampage dissipatif. la valeur moyenne du courant magnétisant n'est due qu'à la dissymétrie des seuils de disjonction et ne peut en aucune manière dériver. L'utilisation d'interrupteurs disjoncteurs permet de s'affranchir de ce problème car.Chapitre III magnétisant qui pourrait conduire rapidement à une saturation permanente du noyau magnétique. ici. Nous avo ns une 107 . La topologie « Drain commun » a été retenue pour les transistors MOS afin de permettre un montage aisé des transistors sur le même radiateur . est que le noyau qui est à notre disposition ne possède pas un cycle carré. E Figure III-14 : Schéma de principe modifié de la cellule onduleur Ces enroulements auxiliaires permettent de détecter la saturation du noyau magnétique et de déclencher alors l’ouverture automatique. Afin de ne pas pénaliser le rendement du montage. Le schéma du montage placé au primaire est représenté à la Figure III-14. nous utilisons un circuit de récupération de l’énergie contenue dans les inductances de fuite du transformateur au moment des disjonctions. elles ne nécessitent pas d’avoir un point commun. Afin de minimiser les pertes dans le matériau magnétique.

problème que nous avons déjà abordé.2. Nous observons que plus le courant de charge est grand. moins le transformateur se sature.Applications du thyristor-dual disjoncteur structure de hacheur dévolteur entre le condensateur de clampage et la source de tension d’entrée. ainsi que la tension aux bornes du condensateur de clampage sont représentées à la Figure III-16. la tension aux bornes du condensateur est de 2E en régime permanent. Les relevés sont effectués côté primaire. Les formes d’ondes du courant dans un enroulement primaire.2. des essais sont réalisés pour un transfert de puissance allant de la cellule push-pull vers la cellule redresseur à disjonction. Résultats expérimentaux Après montage complet de la maquette. Les valeurs du courant atteint lors du blocage diminuent également. Le montage fonctionnant à un rapport cyclique d’un demi. pour différentes valeurs de courant de charge.2. phéno mène lié à la baisse du di/dt imposé aux composants. Cela permet de tester le montage sans avoir le problème de compatibilité des commutations automatiques. afin de vérifier la stabilité en fréquence du montage. Cela se reporte sur la tension de clampage qui varie 108 . dont les transistors ont été inhibés dans un premier temps. La valeur du courant de disjonction a été préalablement réglée à vide à 35A. I1 D1 L D3 Commande Hacheur E1 aux + C D2 I2 Figure III-15 : Schéma complet de la cellule onduleur III.

Il faudrait augmenter encore plus le courant de disjonction. nous l’avons étudiée de plus près pour différentes valeurs de puissance transitée. Le résultat est donné à la Figure III-17. entraînant une dépendance entre le courant de charge et la fréquence de fonctionnement. pour les fortes puissances. Par contre.Chapitre III moins. La stabilité en fréquence étant un point important que nous voulions obtenir avec ce montage. sachant que l’excursion en fréquence que nous obtenons ici est nettement plus faible que celle que nous avions dans le montage précédent. le transformateur ne se sature plus. La fréquence est constante sur une grande partie du domaine de variation de la puissance. Tension aux bornes du condensateur de clampage Courant dans un enroulement primaire Ich=0 Ich=29A Ich=43A Figure III-16 : Formes d’ondes obtenues côté primaire pour différentes puissances (échelles : 40V/div et 20A/div) 18 17 16 15 Fréquence (kHz) 14 13 12 11 10 9 8 0 50 100 150 200 250 300 350 400 450 500 Puissance de la charge (W) Figure III-17 : Variation de la fréquence de fonctionnement avec la puissance de sortie 109 . Il y a donc un compromis à trouver. car l’énergie stockée dans les inductances de fuite est plus faible. mais cela pénalise les pertes dans le transformateur quand le courant de charge est faible.

Son étude a été menée en collaboration avec la société CIRTEM dans le cadre du développement d’un prototype industriel.1. Le montage est basé sur l’association de 6 thyristors-duaux disjoncteurs indépendants.3. 110 . Nous choisissons un réglage du courant de disjonction à 50A. LE REDRESSEUR TRIPHASE REVERSIBLE EN COURANT Ce montage est l’extension en triphasé du montage redresseur à disjonction qui a été précédemment étudié en monophasé [ROUX 5]. il y a des pertes dues à la forte saturation du transformateur. Les pertes à vide sont de l’ordre de 10% de la puissance nominale. Nous utiliserons donc un module 1200V-75A de chez EUPEC. et de se limiter à la seule détection de saturation grâce aux enrouleme nts auxiliaires. ce qui permettrait de s’affranchir de la nécessité d’utiliser un comportement disjoncteur des interrupteurs de la cellule push-pull. à vide. On peut déjà noter que cette valeur est trop importante pour envisager l’usage d’une diode transil comme simple clamp. Cahier des charges Le montage doit réaliser le comportement d’un redresseur synchrone triphasé réversible en courant directement connectable au réseau triphasé 400V. La valeur du courant de disjonction implique une énergie de 375mJ à gérer à chaque disjonction. Par ailleurs.2.3. aucune protection en surtension du côté continu n’est à prévoir. ce qui correspond à un courant de 46. pour cause de confidentialité [BREVET 1] [BREVET 2]. La description de la commande rapprochée des composants ne sera pas abordée ici. III. cela fait 225W de puissance à dissiper ou à récupérer afin de ne pas détériorer le rendement global du système.2. Le montage envisagé a une puissance de 25kW. III.3. auto-alimentés et sans adjonction de capteur. Bilan Ce montage permet une bonne stabilité de la fréquence. Ce sera à l’utilisateur de gérer ce problème.Applications du thyristor-dual disjoncteur III.5A sur le bus continu. pour une inductance de 300µH. Sachant que nous travaillons sur le réseau 50 Hz et qu’il y a 6 disjonctions par période. Ce dernier est impédant et la valeur de l’inductance de ligne est supposée comprise entre 20µH et 300µH. Par contre. Il semble possible d’améliorer le montage avec l’utilisation d’un circuit magnétique à cycle carré.

la cellule du bas conduit par l’intermédiaire de l’interrupteur connecté à la troisième phase. La Figure III-18 présente le schéma du montage avec représentation de la maille de court-circuit qui apparaît entre les deux premières phases lorsque la tension de la phase 2 (point de contact B) devient supérieure à la tension de la première phase (point de contact A). Schéma du circuit de puissance et principe de fonctionnement III. bien que le fonctionnement diffère totalement. Les changements d’état se produisent aux changements de signe des tensions composées. Nous fonctionnons ici en onde 120°. Pendant ce temps.2. 0° 120° 240° T1 Réseau 400V-50Hz D1 T2 D2 T3 D3 λ A Maille de court-circuit B C T1’ 180° D1’ T2’ 300° D2’ T3’ 60° D3’ Figure III-18 : Schéma du montage triphasé avec représentation de la maille de court-circuit La chronologie des différentes mailles de court-circuit ainsi que les interrupteurs alors mis en jeu est présentée à la Figure III-19. 111 . Le schéma est similaire à un celui d’un onduleur de tension.2. Principe de fonctionnement Ce montage se base sur une structure de pont de diodes triphasé avec des IGBT en anti-parallèle de chaque diode. soit aux instants d’amorçage naturel des diodes.Chapitre III III.3.1. soit T3’ ou D3’ selon le signe du courant de charge.3.

Schéma initial Une solution pour gérer cette puissance est d’utiliser un clamp dissipatif comme nous l’avons fait sur la cellule monophasée. Une première possibilité est d’utiliser un clamp par cellule mais cela implique l’usage d’une tension de clampage supérieure à la tension maximale redressée.2.2.Applications du thyristor-dual disjoncteur Court-circuit D2-T1 Court-circuit D3-T2 Court-circuit D1-T3 A B C Court-circuit D1’ -T3’ Court-circuit D2’ -T1’ Court-circuit D3’ -T2’ Figure III-19 : Enchaînement des phases de court-circuit du montage triphasé III. Il faut donc passer à un clampage individuel pour chaque interrupteur.2. Cela entraîne une disjonction supplémentaire perturbante pour le montage ainsi que des pertes accrues.3.2. L’interrupteur opposé à celui qui s’amorce voit forcément une tension à tendance négative et s’amorce.1. Différentes structures envisagées Plusieurs possibilités sont envisageables afin de gérer les 225W de puissance résultants de l’énergie stockée dans les inductances de ligne lors de chaque commutation. Le schéma est représenté à la Figure III-20 Réseau 400V-50Hz Figure III-20 : Montage avec 6 clamps individuels 112 . III.3.

Idisj2 . Nous retrouvons une tension de bus à six fois la fréquence du réseau. Il apparaît des pics de courant correspondant aux disjonctions de l’interrupteur ainsi qu’aux mailles de court-circuit permettant de bloquer l’interrupteur qui conduisait avant lui. il faut prévoir une inhibition de quelques dizaines de µs évitant tout réamorçage immédiatement 113 . Pour éviter ce phénomène. tout comme la tension typique aux bornes d’une diode dans un pont de diodes triphasé. La charge est une résistance de 25? .le clampage va être suivi d’une diminution de la tension aux bornes du disjoncteur.f.sert également de snubber pour le fonctionnement en diodes. . . Idisj -Idisj -Ich Figure III-21 : Formes d’ondes des tension de bus et aux bornes d’un IGBT ainsi que son courant avec une résistance de 25? comme charge Le clampage se fait par un simple circuit RCD. . La logique du driver va donc remettre en conduction le composant et créer une nouvelle maille de court-circuit. Ces disjonctions créent des pics de tension dont la valeur est limitée par les différents clamps individuels.Idisj2 . d’où une puissance totale de 6λ.l’énergie à dissiper à chaque disjonction est λ. qui peut atteindre zéro car la disjonction se fait au passage par zéro de la tension composée. Ce phénomène peut être amplifié par des oscillations entre le condensateur de clampage et les inductances de ligne.Chapitre III La Figure III-21 présente des formes d’ondes obtenues en simulation. Le courant a bien une durée de conduction de 120°. Il a plusieurs propriétés : . Les formes d’ondes expérimentales sont présentées plus loin.compatible avec une pompe de charges dans le cadre d’une auto-alimentation des drivers des disjoncteurs. car deux inductances de lignes λ voient le courant de disjonction et un seul clamp est actif à la fois.

2. où λ désigne la valeur de l’inductance de ligne.blocage de la diode qui a créé le courant de disjonction. Solution intermédiaire Le problème de la structure précédente est l’utilisation de 6 clamps. Il faut donc introduire un amortissement suffisant lors de la phase de clampage. Le but est d’essayer d’avoir un seul clamp pour tout le montage. Par contre.inversion du courant dans le condensateur et blocage de la diode opposée. La présence de la résistance est nécessaire à cause de la réversibilité en courant de la structure. portant sur la nécessité d’une inhibition. Théoriquement. il faut que la valeur de la résistance vérifie la relation III-11. . La Figure III-22 présente le schéma du montage. problème abordé plus tard dans la partie III.2.3. . ce type de clampage est dissipatif et nécessite l’usage de 6 clamps. Réseau 400V-50Hz Figure III-22 : Structure avec clamp unique RCD sur le bus continu Nous gardons la structure RCD précédente mais nous l’appliquons directement à la sortie du montage sur le bus continu.2. III.2. Ce dernier ne peut marcher que si nous pouvons assurer le fonctionnement 120° du convertisseur. III-11 114 .3.conduction de la diode opposée.Applications du thyristor-dual disjoncteur après une disjonction. cette réversibilité entraîne des oscillations entre le condensateur et l’impédance de ligne lors d’une disjonction. R> 8λ C Il faut noter que la séquence de clampage se fait en 3 temps : .3. pour ne pas avoir d’oscillations. tout comme sur le pont monophasé. En effet.

sans modification supplémentaire. problème développé dans la partie qui suit. il faut passer à un clampage non dissipatif. Nous sommes donc passés au montage de la Figure III-23 où le clamp se limite à un condensateur en sortie. version à inhibitions longues 115 . Première structure retenue Les pertes précédentes sont importantes et pénalisent l’attractivité du montage. ce montage. si nous une charge.le condensateur de sortie stocke transitoirement l’énergie qui se trouvait initialement dans les inductances de ligne au moment de la disjonction. III. l’énergie va plutôt être écoulée à travers celle-ci.2.cette énergie peut être renvoyée sur le réseau grâce à la réversibilité en courant du montage .Chapitre III Ces séquences seront vues plus en détail dans la partie qui traite du dimensionnement du condensateur de clampage.2. phénomène qui va jouer le rôle de la résistance du RCD précédent. tout comme le montage précédent. est instable. Tout comme le montage de la Figure III-22. La philosophie de ce montage se base sur trois points : . . cette structure a l’avantage d’utiliser un clamp unique pour les 6 interrupteurs.3. ce montage devrait être oscillatoire mais il y a l’amortissement naturel du réseau. 1 V1 Réseau 400V-50Hz 2 3 λ U21 V2 V3 1’ 2’ 3’ V bus C Figure III-23 : Structure avec condensateur de clampage sur le bus continu Par contre. Nous nommerons cette version du montage.3. Les différentes séquences sont identiques. Pour éviter ce problème. Normalement. .la diode opposée au disjoncteur est utilisée comme diode de clampage.

la continuité du courant par la diode du deuxième disjoncteur du même bras. Elle suit immédiatement la phase court-circuit entre la didoe D2 et le transistor T1 provoquant le blocage de ce dernier. Court -circuit D2 -T1 A B C a) VA >VC VA <VB Courant de charge Courant de charge T1 A D1 T2 D2 T3 D3 T1 A D1 T2 D2 T3 D3 B C B C b) T1’ D1’ T2’ D2’ T3’ D3’ c) T1’ D1’ T2’ D2’ T3’ D3’ Séquence de clampage Maille de court -circuit non désirée Figure III-24 : Génération de séquences non désirées en l’absence d’inhibition La Figure III-25 présente la séquence de conduction normale des différents interrupteurs.Applications du thyristor-dual disjoncteur III.3. Ici. dessinée à la Figure III-24 c.2. Une séquence de clampage est représentée à la Figure III-24 b. son transistor associé risque de se mettre en conduction. jusqu’à ce qu’un interrupteur de ce bras se retrouve dans sa zone de conduction normale. l’introduction d’un clampage unique implique. il va y avoir apparition d’une maille de court-circuit non désirée.La diode D1’ conduisant. ce qui remet en conduction T1. problème qui peut se révéler critique car nous avons une commutation au passage par zéro de la tension. lors de la disjonction d’un interrupteur. La disjonction de T1’ va entraîner la conduction de D1 pour clamper l’énergie contenue dans l’inductance de ligne et. Comme nous avons encore VA>VC. Il apparaît que l’instabilité présente se poursuit pendant 60°. Le nombre de disjonctions qui vont se dérouler durant cet intervalle dépend de la valeur du courant de 116 . Cela crée une nouvelle de maille de court-circuit car VA<VB. Nécessité de l’inhibition Une inhibition avait été initialement introduite permettant d’éviter une remise en conduction de l’interrupteur immédiatement après son blocage si la tension à ses bornes repassait fugitivement sous le seuil.3. par conséquent.

une étude de la phase de disjonction permet de préciser les différents mécanismes successifs qui se déroulent lors d’une commutation.inhibition de 60° : il faut cependant savoir quand déclencher l’inhibition. valeur pour laquelle il n’a pas été dimensionné.4.inhibition de 240° : chaque interrupteur ne conduit que pendant 120° et ne peut pas conduire durant les 240° où conduisent les deux autres interrupteurs de la cellule. 60° trop tôt. III. . Si nous prenons 10.Chapitre III disjonction ainsi que de la valeur de l’inductance de ligne. Cela nécessite un lien physique entre les deux interrupteurs du même bras.3. Cette liberté de réglage permet de prévoir un réglage unique de la durée d’inhibition pour des réseaux 50 ou 60Hz. en dehors des composants à silicium. Afin d’y parvenir. nous utiliserons donc la deuxième méthode pour notre montage.2. cela correspond à 190° à 50Hz et 228° à 60Hz. soit une inhibition de 240°. c’est-àdire. Une inhibition de 240° permet de se passer du dialogue entre les deux interrupteurs d’un même bras. retard dû à l’empiètement. est le condensateur de sortie. Cette 117 . Dimensionnement du condensateur de sortie Le seul élément à dimensionner. Disjonction de l’interrupteur 1 Clampage par la diode 1’ 2 3 1’ 2’ 1 1 2’ 3’ Zone d’oscillations Figure III-25 : Séquences des interrupteurs Le problème vient de la mise en conduction du transistor en anti-parallèle de la diode intervenant durant la phase de clampage. Un autre problème sous-jacent est la forte augmentation de l’énergie totale à gérer par le clamp. Dans notre optique d’utiliser six disjoncteurs indépendants. Il faut donc prévoir une inhibition permettant d’empêcher la remise en conduction du transistor concerné pendant ces 60°. bloquant ainsi ces oscillations. Deux stratégies sont envisageables : . Il faut noter que cette inhibition peut varier de 190° à 230 ° maximum car il faut tenir compte du retard de l’instant de disjonction par rapport à l’instant de commutation naturelle. le moment où l’interrupteur opposé disjoncte.55ms comme durée d’inhibition.

il y a les diodes 1’ et 3’ en parallèle pour le clampage. Quatre étapes se succèdent au cours de la disjonction de l’interrupteur 1 par mise en conduction de la diode de l’interrupteur 2. Il apparaît donc un nouvel empiètement. La configuration électrique étant modifiée. avec K et ϕ.étape 3 : lors du blocage de la diode 1’.Vr    t= ω III-13 . Mais en ce qui concerne celle dans l’inductance de la phase 2. La tension de bus est donnée par l’équation III-14. Figure III-26 a). donc le transfert d’énergie ne va pas se faire aussi vite dans les deux cas. deux constantes d’intégration.étape 1 : l’inversion de signe de la tension composée U entraîne la mise en 21 conduction de la diode de l’interrupteur 2. Le transfert de l’énergie initialement stockée dans l’inductance de la phase 1 est fini.sin   3λC t + ϕ  + 2 v 2   III-14 .  2  3  Vbus = K. I disj   Arccos 1  6 . K”. Cette phase dure jusqu’à l’instant où le courant dans le condensateur change de signe. Il apparaît sur le schéma que la diode 1’ va forcément servir au clampage de l’énergie dans l’inductance de la phase 1. ce n’est pas le cas. Ce phénomène dure jusqu’à l’annulation du courant dans la diode 1’. celui s’ouvre. on se retrouve dans la configuration de la Figure III-26 c. Cette phase a une durée t dont la valeur est donnée par l’équation III-13. la fréquence d’oscillation du système change et la tension de bus suit alors l’équation III-15. Il y a empiètement. La tension du bus continu est alors régie par l’équation III-12. Lorsque le courant qui traverse l’interrupteur 1 a atteint la valeur de disjonction. pour notre exemple (se conférer à la Figure III-23 pour les notations) : . avec K’. Le schéma du montage est alors celui de la Figure III-26 b. L’énergie due au courant de disjonction est alors stockée dans les inductances des phases 1 et 2.Applications du thyristor-dual disjoncteur étude est réalisée en négligeant l’amortissement introduit par le réseau. pour la phase 2. De plus. Par contre. 118 .ω . les inductances des lignes 1 et 2 ne voient pas la même tension. créant ainsi une maille de court-circuit (cf. Vbus = v1 + v2 − v3 2 III-12  2. ϕ’ et ϕ” des constantes.étape 2 : la diode D1’ va s’amorcer par continuité du courant dans la phase 1et va servir de diode de clampage de l’énergie stockée en direction du condensateur.λ.

En effet. la même équation. par conséquent. avec R=15Ω.sin   2λC t + ϕ '  + K' '.Chapitre III  1  Vbus = K'. 1 Maille de court-circuit 2 Vbus 2 Vbus a) 3’ b) 1’ 3’ 2 Vbus c) 3’ Figure III-26 : Phases successives de la commutation des interrupteurs 1 vers 3 Une série de courbes est fournie à la Figure III-27 afin d’illustrer les propos précédents. La convention générateur est appliquée pour les courants. ce qui permet d’ajouter un amortissement lors de l’étape 4. 119 . Le condensateur va donc renvoyer son énergie au réseau suivant le même schéma que précédemment et. équation III-15). Les tracés sont faits pour λ=300µH. le deuxième correspondant à la tension composée. C=26µF et Idisj=50A. l’amortissement du réseau n’a pas été pris en compte lors de la mise en équation et l’ajout d’une résistance simulant cet amortissement lors de la phase de récupération est nécessaire afin de faire coïncider courbes simulées et courbes expérimentales.étape 4 : le système est réversible en courant car les transistors des interrupteurs 2 et 3’ sont potentiellement passants. Il a été simulé le circuit RCD en sortie.sin( ωt + ϕ ' ' )    III-15 . afin d’éviter les oscillations sur le premier terme de la tension (cf.

nous travaillons à courant de disjonction constant. Or.limiter la surtension lors de la disjonction en augmentant sa valeur.Applications du thyristor-dual disjoncteur Phase 2 Phase 3 Phase 1 Figure III-27 : Courbes calculées des courants de ligne et de la tension continue lors de la commutation de l’interrupteur 1 vers l’interrupteur 3 Nous pouvons alors dimensionner le condensateur situé sur le bus continu. en diminuant sa valeur. Il y a donc baisse du courant de charge admissible dans les transistors. Il faut trouver un compromis entre : . dans notre montage la valeur choisie est 13µF (choix par simulation SABER). 100A 10A Figure III-28 : Abaque donnant la valeur maximale du courant de charge en fonction du courant de disjonction (paramétrage par palier de 10A) 120 . qui a tendance à limiter le courant de charge admissible en mode onduleur à courant de disjonction donné. plus le courant capacitif échangé entre le réseau et le condensateur est grand. courbes paramétrées en valeur du courant de disjonction. En effet. plus la valeur de la capacité est grande. La Figure III-28 présente un abaque donnant le pourcentage maximal admissible du courant de charge en fonction de la valeur du condensateur. .diminuer le courant capacitif. Pour information.

50E-05 3. Cela permet de s’affranchir des problèmes de mise en route des auto-alimentations. Facteur d'échelle 60 50 Courant de disjonction (A) 40 30 Vmax=700V Vmax=650V 20 10 0 0.50E-05 4. III. En théorie. avec C=2. Dans les deux cas.00E-06 1. les calculs sont trop lourds pour être résolus à la main mais l’utilisation de Matlab a permis de tracer les courbes de la Figure III-29 pour une inductance de ligne λ de 300µH.Chapitre III Un autre problème est de connaître le facteur d’échelle à appliquer au condensateur si nous divisons par 2.5.50E-05 2. Démarrage du montage avec les inhibitions Lorsque nous introduisons des inhibitions de 240°.3. la valeur du courant de disjonction tout en essayant de garder la même surtension. par exemple.00E-05 Figure III-29 : Abaque fournissant la valeur du condensateur en fonction du courant de disjonction pour une valeur de surtension donnée et λ=300µH Il faut noter que tout ce qui précède sont des calculs faits sans tenir compte de l’amortissement naturel du réseau. il faut s’assurer qu’elles sont bien synchronisées.00E+00 5. donc l’énergie stockée par 4. Deux mises en route sont présentées à la Figure III-30. Il est donc important de comprendre la mise en route du montage afin de vérifier la bonne mise en place des inhibitions. phénomène qui ne peut que nous favoriser en limitant la surtension. obtenue avec une considération énergétique.00E-05 1. sinon le montage risque d’être perturbé et d’avoir un fonctionnement dégradé. à savoir s’il est passant ou pas. Nous nous intéressons à une maquette intermédiaire qui a la particularité d’avoir les drivers alimentés avant la connexion de la puissance. qui veut que nous divisions la valeur de la capacité par 4 si nous divisons le courant de disjonction par 2. la charge est une 121 .2. Elles ont une forme similaire à la formule approchée. L’état des inhibitions dépend de celui de l’interrupteur.00E-05 3.5µF à gauche et C=20µF à droite.00E-05 Capacité (µF) 2.

l’inhibiteur n’a pas le temps de se réinitialiser. entraînant la mise en conduction de la diode opposée.08 -0. La prochaine disjonction intervient dans 30°. Il faut donc que la réinitialisation des inhibitions dure moins de 30°.02 Temps (s) 0 0. le condensateur d’inhibition associé commence à se charger correspondant à la phase de réamorçage de l’inhibiteur. la conduction du disjoncteur 3’ est brève car il a créé une maille de court-circuit avec la phase normalement conductrice.06 -0. le système va voir une surtension en sortie car plusieurs disjonctions successives peuvent survenir.02 0. Or.04 0.04 -0. Ainsi. empêchant ainsi le réamorçage des disjoncteurs.035 0 -0. Mais. Même si le seuil 122 .025 0. La charge.005 0. Une simulation effectuée avec SABER est donnée à la Figure III-31. que lorsque l’interrupteur 3’ se met à conduire.06 Figure III-30 : Courbes expérimentales de démarrage Il apparaît sur ces relevés que. Le montage ne doit donc pas fonctionner. qui s’arrête.02 0.005 0 0.03 0. car le premier interrupteur a son inhibition qui s’est mise en route. amorçant ainsi leur interrupteur associé et réinitialisant les inhibitions.01 -0. Plus la capacité de sortie est faible. Il apparaît que l’interrupteur 3’ disjoncte. La tension du bus continu étant supérieure à la tension du réseau redressé. ce qui amène une double disjonction dans le bras. La disjonction intervient. plus cette surtension est importante. ces dernières ne sont pas réinitialisées vu que l’interrupteur doit conduire afin de réinitialiser son inhibition. Il disjoncte donc rapidement. après avoir servi à clamper son vis-à-vis dans le même bras.Applications du thyristor-dual disjoncteur résistance de valeur supérieure à 1 kΩ. fait baisser lentement la tension de sortie jusqu’au moment où la conduction des diodes est de nouveau possible. Par contre. nous sommes certains que l’état du convertisseur est le suivant : tous les interrupteurs sont bloqués et toutes les inhibitions se sont écoulées. Normalement. à un instant proche de la tension crête de sortie (cf.015 0. Comme cet arrêt dure plus de 120°.01 Temps (s) 0.015 -0. alors qu’il doit conduire dans 60°. une résistance parallèle au condensateur. Deux diodes se mettent à conduire. il devrait alors être inhibé pendant 240°. comme les inhibitions sont initialement aléatoires. les diodes sont toutes bloquées. Or son interrupteur n’est pas inhibé. nous constatons sur la Figure III-31. Tension du bus 800 Tension du bus 700 700 600 600 500 500 Tension (V) Tension (V) 400 400 300 300 200 200 100 100 0 -0. Figure III-30).

123 . Mais. la durée ne serait pas de 240° mais de quelques degrés seulement.Chapitre III d’inhibition était dépassé. la réinitialisation est brève par court-circuit du consensateur d’inhibition. nous allons étudier le comportement en cas de modes dégradés. a été prévue une inhibition quand la tension d’auto-alimentation est insuffisante. ce qui permet de vérifier la condition de bon fonctionnement citée précédemment. Par conséquent. il faut également tenir compte de l’auto-alimentation des drivers qui peut créer un décalage. A priori. sur cette maquette. Par ailleurs. ce qui résoud ce problème. le système se stabilise avec les inhibitions bien synchronisées après une double disjonction dans chaque bras. le bon fonctionnement du montage étant assuré en mode normal. Figure III-31 : Séquence de démarrage simulée avec SABER (détail du troisième bras) Pour la maquette finale.

1. III.3. cette transition ne pose a priori aucun problème car au moins un interrupteur par cellule est passant (deux lors des phases d’empiè tement). Quand un interrupteur est passant. Les simulations vont consister à scinder l’inductance de ligne en deux et à placer un interrupteur sur ce point milieu qui va créer le court-circuit sur une impédance faible.3.perte permanente d’une phase réseau (fusible).3. Transition entre les modes redresseur et onduleur Cette transition n’est pas en soi un fonctionnement anormal du montage. vu que la réversibilité est sa propriété principale. la diode peut naturellement conduire. mais également le transistor qui s’amorce lorsque la tension aux bornes du composant est quasiment nulle (ce qui est le cas quand la diode est conductrice). . Mais il est important de connaître la dynamique de passage d’un mode à l’autre. Fonctionnements dégradés triphasé réversible en courant III. La réouverture de cet interrupteur est assurée lorsque le courant qui le traverse repasse en dessous d’une certaine 124 .3.3.déséquilibre réseau. III.Applications du thyristor-dual disjoncteur III. Cette propriété constitue un point fort du montage.perte momentanée d’une phase du réseau (par défaut Terre). dynamique qui peut entraîner des influences sur les éléments extérieurs au montage.3. Nous supposons que le montage est utilisé dans le cadre de son dimensionnement nominal. Plusieur s cas peuvent être listés et vont être abordés successivement : . Il correspond à la disparition de la tension d’une phase réseau sans que l’impédance de la ligne devienne infinie.3. Problématique du redresseur Il faut vérifier le bon fonctionnement du redresseur réversible quand il se retrouve dans des situations anormales de fonctionnement qui peuvent se rencontrer lors de son utilisation. . La Figure III-32 présente l’ajout qui a été fait au schéma de simulation. .2.3. Perte momentanée d’une phase réseau Ce phénomène peut se rencontrer fréquemment.transition redresseur-onduleur. Ce phénomène est équivalent au court-circuit d’une phase de la part d’un autre utilisateur sur la ligne et par le déclenchement de sa protection au bout de quelques millisecondes (déclenchement au moment du passage par zéro du courant de court-circuit). de manière naturelle. . Par principe même.perte totale du réseau. Le changement de sens du courant se fait donc sans à coup.3.

Montage à vide ou fonctionnement redresseur Aucun incident particulier n’intervient.3. Les formes d’ondes dépendent cependant de l’instant de perte de la tension réseau.Chapitre III valeur. afin de simuler le fonctionnement d’un disjoncteur. Selon le moment auquel se produit le défaut. Par ailleurs. sa durée est variable. la charge étant résistive. 125 . en charge ou en réversibilité. le défaut se produit sur la phase 3. il ne pose pas de problème.1. Il n’apparaît pas de dysfonctionnement notable. Il est unidirectionnel car les courts-circuits seront toujours positifs dans nos simulations. Il existe des disjoncteurs de faible calibre qui s’ouvrent dès le dépassement du courant mais c’est un cas plus favorable pour notre montage. La Figure III-33 présente un exemple de relevé effectué sur une charge de 25Ω. le signe du défaut ne change pas les fonctionnements qui vont être vus. En effet. les inhibitions se recalent automatiquement. Les deux premiers cas peuvent être regroupés. Nous nous limiterons donc au cas le plus défavorable.3. et la numérotation des 6 interrupteurs est celle de la Figure III-23. Figure III-32 : Schéma simulant la perte momentanée d’une phase réseau et séparation de l’inductance en 2 avec valeur et résistance respectives L’étude peut être découpée selon que nous sommes à vide.3. Mais le bon fonctionnement du montage est toujours assuré. C’est ce qui arrive ici lorsque les tensions des deux autres phases sont négatives. même si la tension de la phase 3 revient proche de zéro. comme lors du démarrage. III. Par choix. cela ne veut pas dire qu’elle ne peut pas conduire de courant. Dès que le défaut a disparu. même si un transistor se bloque. En effet. Le système écrêteur simule la surtension à l’ouverture (tension d’arc).

par l’apparition d’un courant capacitif de récupération lié au dV/dt négatif de la tension du bus continu lors de la diminution de celle-ci. 126 . . d’une part par diminution du courant de charge (diminution de la tension de sortie) et d’autre part. nous retrouvons la même chose.Applications du thyristor-dual disjoncteur Figure III-33 : Perte momentanée de la phase 3 en charge lorsque la tension est maximale Par contre : . la forme du courant diffère un peu car l’apparition du courant capacitif n’intervient pas au même moment. car la phase qui se trouve court-circuitée ne conduit que pendant 60° au lieu de 120° pour une cellule (celle du haut dans notre exemple). .La tension de sortie chute car une cellule admet une tension inférieure. D’un point de vue fonctionnel.Les temps de conduction des phases sont déséquilibrés. La Figure III-34 présente un relevé dans les mêmes conditions mais où la perte de phase intervient à un autre instant. Par contre.Le courant de ligne diminue.

3. 127 . des problèmes vont apparaître.3. Deux cas sont envisageables et vont être détaillés dans un premier temps : la perte de la phase peut intervenir pendant qu’elle est active ou non. La phase 1 va donc être obligée de conduire pendant 30° supplémentaires car la tension de la phase 3 reste voisine de 0. La seule différence par rapport au fonctionnement normal est que la phase qui conduit n’est pas forcément celle initialement prévue en conduction 120°. ce qui assure toujours la conduction.2. même du courant capacitif à vide. Montage en réversibilité A cause des inhibitions.3. Le court-circuit intervient quand la phase n’est pas active La phase 3 est perdue alors qu’elle ne conduit pas de courant. III. La Figure III-35 présente ce qui se passe d’un point de vue des interrupteurs. il y a toujours au moins un interrupteur passant par cellule (1 en haut et 1 en bas).Chapitre III Figure III-34 : Perte momentanée de la phase 3 en charge à une tension plus faible En conclusion.

θempiètement III-16 Le court-circuit intervient quand la phase est active La phase 3 est perdue alors qu’elle conduit du courant. la limite maximale de l’inhibition en est réduite. Par conséquent. L’inhibition de l’interrupteur 2’ doit en tenir compte : pour éviter qu’il reconduise quand l’interrupteur 2 va disjoncter. Par conséquent. 128 .Applications du thyristor-dual disjoncteur 60° Perte phase 3 3 2’ 1 2’ 1 3’ 2 3’ 210° 2 1’ 2 1’ 3 3 1 2’ 1 2’ Figure III-35 : Chronogrammes avec perte de la phase 3 quand elle est inactive Il apparaît que la phase 2 conduit pendant 30° supplémentaires. l’inhibition ne peut être envisagée que si elle est inférieure à 210°. Les séquences de conduction des interrupteurs sont données à la Figure III-36. Figure III-35). L’équation III-16 résume es limites sur l’angle l d’inhibition liées au bon fonctionnement du montage dans ce mode dégradé. Les limites de l’angle d’inhibition afin d’avoir un bon fonctionnement du montage sont données par l’équation III-17. 210° < θinhib < 240° . A ce moment. 180° < θinhib < 210° . son inhibition doit avoir une valeur minimale de 210°.θempiètement III-17 Il est important de noter que ce phénomène est également présent dans le cas où la perte de la phase intervient quand elle est inactive (cf. 60° Perte phase 3 3 1 2’ 1 3’ 2 3’ 2 1’ 210° 3 1’ 3 2’ 1 1 2’ Figure III-36 : Chronogrammes avec perte de la phase 3 quand elle est active La phase 1 se remet à conduire 30° avant son instant normal de conduction. son instant de disjonction est également décalé de 30°.

5ms. Figure III-37 : Perte de la phase 3 quand elle est active avec inhibition de 189° (30° après mise en conduction) La Figure III-38 présente les formes d’ondes si la perte de phase intervient quand elle est inactive. Compte tenu de la durée d’inhibition réglée. sachant que l’inhibition est inférieure à 210°. La Figure III-37 présente un exemple où le montage fonctionne correctement car la perte de la phase intervient quand la phase est active. ce qui correspond à 189° électriques pour une alimentation 50Hz. nous perdons le contrôle du convertisseur. 129 .Chapitre III Visualisation des courbes L’inhibition a été réglée à 10.

Applications du thyristor-dual disjoncteur Figure III-38 : Perte de la phase 3 quand elle est inactive avec inhibition de 189° Figure III-39 : Perte de la phase 3 quand elle est active avec inhibition de 189° (5° après mise en conduction) 130 .

Ici. Par ailleurs. si un transistor doit conduire mais qu’il est encore inhibé. III. l’étude précédente n’a tenu compte que des éléments directs. dans la structure monophasée. 131 . Conclusion Dans les 2 cas précédents. En effet. En effet. Par contre. la tension de contact 3 devient proche de zéro. nous retrouvons le fonctionnement d’un montage monophasé. ce qui n’est pas possible à cause de l’inhibition. le courant de charge passe dans le condensateur de sortie qui se charge fortement. Normalement. est 2 fois plus grand. Cela entraîne également un allongement de la durée d’empiè tement (courant maximum doublé).Chapitre III La Figure III-39 présente un cas particulier. la tension du bus continu diminue ce qui conduit à un courant capacitif en direction du réseau important. le courant sur la ligne. le montage réglé avec une inhibition inférieure à 210° peut fonctionner dans la majorité des cas. Le premier cas (phase inactive) admet deux conditions de fonctionnement incompatibles. le courant va être dérivé dans le condensateur faisant diverger la tension de sortie. Lors de la perte d’une phase. l’empiètement ici. Par contre. peuvent modifier ce résultat. Une différence notable apparaît : le niveau de tension de sortie est plus élevé. vu que nous utilisons une tension composée du réseau. Perte permanente d’une phase réseau Ce phénomène peut découler du déclenchement d’un fusible sur une phase du réseau. en redresseur. grâce au fort empiètement. deux mailles de court-circuit apparaissent simultanément car nous sommes en fonctionnement 180° donc deux disjoncteurs commutent en même temps. Mais. par rapport au montage triphasé normal. le deuxième cas (phase active). lors des disjonctions. alors que la tension de la phase 2 est encore positive.3. Le système est alors voué à la destruction. La phase 2 doit donc reconduire par l’interrupteur qui vient de disjoncter. Il peut conduire à une disjonction avec un courant de charge bien inférieur au courant de disjonction. le plus probable (2/3 du temps (240°/360°) et moment où la tension est la plus élevée donc risque de court-circuit plus grand) admet une condition sur la durée d’inhibition qui permet a priori un bon fonctionnement du montage.3. le fonctionnement en réversibilité n’est plus possible car les inhibitions. Donc. lié à l’inductance de la ligne (l’empiètement est de 10° dans notre exemple). le dernier exemple fourni (Figure III-39) montre que les imperfections. A ce moment. il apparaît sur la figure que le montage fonctionne correctement. la perte de la phase 3 intervient peu de temps après qu’elle est devenue active.4. la durée d’empiètement a un rôle. Or. Par conséquent. Par contre.

il n’apparaît pas de manière significative sur les relevés.5. La charge est une source de courant. 132 . Rien de particulier n’est à noter. passage en fonctionnement 180° III. La Figure III-40 présente un relevé pour une charge résistive. Figure III-40 : Perte définitive de la phase 3. Creux de tension d’une phase réseau Il arrive que les trois niveaux de tension ne soient pas identiques.3.3. La diminution du niveau de tension décale les instants de conduction de quelques degrés ce qui est compensé par la marge de sécurité prise sur la durée des inhibitions. bien que le courant capacitif soit légèrement supérieur lors du passage de la phase 2 à la phase 3.Applications du thyristor-dual disjoncteur supérieures à 180°. Par ailleurs. La Figure III-41 présente un relevé en réversibilité en supposant une baisse de 20% du niveau de tension sur la phase 3. empêchent le bon fonctionnement en 180°.

les décalages seront identiques. ce qui a comme conséquence une inductance de ligne de l’ordre de 20µH environ.4. sachant qu’il s’applique aux deux rangées de disjoncteurs.4. La charge 133 .3.1. 60° 3 1 2’ 1 2’ 3’ 3’ 2 1’ 2 1’ 2 1’ 3 3 1 2’ 1 2’ Figure III-42 : Chronogrammes avec perte totale de la phase 3 III. Résultats des essais expérimentaux réalisés III. le montage doit marcher a priori.Chapitre III Figure III-41 : Baisse du niveau de tension de 20% sur la phase 3 Si le creux de tension est total. Le réseau de distribution sur lequel ont été effectués ces essais est relativement puissant.3. Essais en charge du montage à inhibitions longues Les essais que nous effectuons dans ce mode sont des essais sur charge résistive variable. Par conséquent. La Figure III-43 présente un exemple de relevé effectué avec une inductance de ligne de 20µH. nous obtenons le fonctionnement de la Figure III-42 qui montre qu’avec une inhibition comprise entre 180° et 210°. un condensateur de sortie de 20µF et un courant de disjonction de 15A.

La variation du courant de disjonction est de moins de 10 % du courant nominal. d’où l’essai sous une tension réseau de seulement 320V. ce qui est tout à fait acceptable. Nous vérifions déjà que le système évolue dans un sens contraire à l’emballement thermique. A vide En charge Figure III-43 : Essais sous 400V avec inductance de ligne de 20µH (jaune : tension du bus continu (100V/div). Par contre. présenté à la Figure III-44. vu les valeurs choisies. Les moyens présents nous ont permis de monter la température de jonction à environ 90°C environ. Il apparaît que. nous avons utilisé un autotransformateur dont nous avons fait varier la tension. non négligeable ici. nous avons effectué un essai avec une inductance de ligne de 315µH. 2ms/div) Afin de vérifier le bon fonctionnement sur toute la plage de variation de l’inductance de ligne. Nous avons vérifié qu’une hausse de 25°C de la température de jonction amène une diminution d’un ampère du courant de disjonction. Dans le montage définitif. 134 . après l’avoir préalablement réglé à sa valeur nominale de 50A. du fait de la croissance de l’énergie échangée à chaque disjonction. Afin d’y parvenir. Sinon. le montage fonctionne correctement tant que nous pouvons assurer que le courant capacitif n’atteint pas le courant de disjonction. sur laquelle se superpose le courant capacitif.Applications du thyristor-dual disjoncteur vaut 200Ω. bleu : tension simple du réseau (200V/div). le rapport entre courant capacitif et courant de disjonction est bien plus faible. grâce à la réversibilité en courant des interrupteurs. nous sommes toujours en conduction continue. bien que nous ayons un redresseur à capacité en tête. L valeur du courant de disjonction diminuait de 3 à 4A a environ. vert : courant de ligne (5A/div). nous avons bien une conduction 120°. Nous avons également vérifié la stabilité en température du courant de disjonction. Il apparaît que les ondulations sont plus importantes. ce qui confirme le chiffre précédent.

4. Le variateur de vitesse est toujours commandé à la vitesse maximale. le courant est oscillatoire à cause du filtre en π constitué par le condensateur de sortie de notre montage et le filtre ajouté.3. mauve : tension simple du réseau (200V/div). vert : courant de ligne (5A/div). 2ms/div) III. Nous voyons bien apparaître les deux sens de transfert de puissance par changement de la phase du courant par rapport à la tension. ce qui est impossible à cause de l’angle de garde des thyristors.Chapitre III A vide En charge Figure III-44 : Essais sous 320V avec inductance de ligne de 315µH (jaune : tension du bus continu (100V/div). La réversibilité du transfert de puissance est assurée par la source de courant qui va alternativement faire passer la machine à courant continu d’un mode génératrice à un mode moteur.2. Par ailleurs. Ce dernier est 135 . Les courbes du mode onduleur correspondraient à celles d’un pont à thyristors dont l’angle de retard à l’amorçage serait de 180°.6 mF Onduleur U/f MAS MCC Source de courant réversible réglable Figure III-45 : Montage permettant de tester la réversibilité du redresseur (le condensateur de 13µF n’est pas représenté) Les formes d’ondes obtenues côté réseau sont données à la Figure III-46. Essais en mode onduleur du montage à inhibitions longues Nous allons utiliser notre redresseur réversible dans le montage de la Figure III-45. Réseau 400V Redresseur Réversible 4 mH 1.

le condensateur de sortie du redresseur doit avoir une valeur suffisante pour filtrer suffisamment les harmoniques de courant produits par l'onduleur et éviter la disjonction intempestive des transistors du redresseur réversible. de manière totalement naturelle. Afin d’avoir une référence. Il est à noter que le filtre ajouté n’a pas été dimensionné de manière optimale. Dans le cas présent. C'est donc par une inductance de bus supplémentaire que nous avons pu obtenir un filtrage suffisant et un fonctionnement correct du redresseur réversible. le condensateur du bus est de forte valeur et nous est imposé ici. La conduction continue fait aussi que tous les harmoniques générés par l’onduleur MLI non filtrés sont transmis au réseau de distribution. Essais CEM sur charge résistive Nous connectons notre montage à un RSIL afin de lui faire passer un test CEM.3. l'ond uleur. Mode redresseur Mode onduleur Figure III-46 : Formes d’ondes côté réseau (vert : tension simple (100V/div). Par conséquent. soit L = 2. Il faut donc prendre en compte cette nouvelle propriété dans le dimensionnement de ce condensateur sans pour autant placer une valeur excessive qui conduirait à un courant capacitif incompatible avec les seuils de disjonction. bleu : courant de ligne (10A/div)) Le montage fonctionne correctement dans les deux modes de fonctionnement et passe de l’un à l’autre sans temps mort. étant de génération ancienne. Par conséquent.3. dans cette topologie. La charge est une résistance pure de 62Ω. nous comparons notre 136 .4. Ce condensateur forme un filtre LC avec l'inductance des deux phases d'alimentation par séquence de 60°. il fonctionne à basse fréquence (5kHz) par rapport à sa puissance nominale de 3 kW. III.λ.Applications du thyristor-dual disjoncteur nécessaire afin d’assurer la bonne marche de l’onduleur en sortie et de limiter le retour des harmoniques de découpage en direction du réseau.

Chapitre III montage avec un redresseur à diodes avec capacité en tête (même valeur que notre montage. où elle variait aux alentours de 30µH. de vérifier que notre montage fonctionne dans les limites du cahier des charges. ce qui n’est pas bon. Par ailleurs. en particulier en basses fréquences. Figure III-47 : Forme d’onde de la tension de sortie du redresseur réversible (100V/div. Les oscillations sont beaucoup plus importantes que tous les relevés effectués jusqu’à présent. 4ms/div) Figure III-48 : Schéma d’une phase du RSIL En ce qui concerne les harmoniques. Cet essai permet donc. ce qui fait l’objet de l’étude de la partie suivante. Notre montage présente des harmoniques d’amplitude supérieure que ceux du pont de diodes. outre le tracé du spectre. Ici. même dans des conditions moins favorables. Il apparaît que l’inductance série est bien plus élevée que pour les essais précédents. nous atteignons presque la valeur de 300µH. soit 13µF) connecté à la même charge résistive. qui est bénéfique pour notre montage. 137 . Il faut donc envisager d’autres topologies ou l’adjonction de filtres afin d’améliorer ce spectre. Le relevé temporel de la tension de sortie du bus est donné à la Figure III-47 pour le redresseur réversible. la Figure III-49 présente le spectre du redresseur réversible ainsi que celui du pont de diodes à capacité en tête. le RSIL supprime l’amortissement naturel du réseau. Cela vient de la structure même du RSIL présentée à la Figure III-48.

La première consiste à rapprocher le condensateur de clampage au plus près des interrupteurs.4.4.3. Figure III-50 : Spectre du redresseur réversible avec le condensateur de sortie de 13µF et 6 snubbers de 1µF (échelle des fréquences en MHz) Nous avons grandement amélioré le spectre et les harmoniques ont une amplitude plus 138 . plusieurs modifications sont envisagées. ce qui revient à ajouter 6 snubbers aux bornes des interrupteurs. Le résultat sur le spectre est donné à la Figure III-50.Applications du thyristor-dual disjoncteur Redresseur réversible Redresseur à diodes avec capacité en tête Figure III-49 : Spectres comparatifs du redresseur réversible et d’un pont de diodes à capacité en tête sur une charge de 62Ω (échelle des fréquences en MHz) III. Essais d’autres topologies de clampage Afin d’améliorer le spectre.

nous écartons cette solution. Les différents essais réalisés ont permis de définir la structure de puissance qui sera retenue pour le prototype. mais comme nous sommes déjà sous le gabarit et que l’amélioration en basses fréquences est faible.Chapitre III faible que ceux du pont de diodes à capacité en tête. Cette structure admet. Afin d’aller plus loin. dans la structure finalement retenue. Figure III-51 : Spectre du redresseur réversible avec seulement 6 snubbers de 1µF (échelle des fréquences en MHz) Nous pouvons également ajouter une inductance de mode commun de 1. Nous avons une forte amélioration en hautes fréquences. des propriétés intéressantes développées dans la partie suivante. 139 . outre un spectre amélioré.5mH et nous obtenons le spectre de la Figure III-52. Nous verrons plus tard. ce qui était notre objectif : avoir un montage qui ajoute la réversibilité sans détériorer le spectre. quels sont les avantages par rapport à la première structure à inhibitions longues. ainsi que son spectre CEM. nous pouvons même essayer de supprimer le condensateur de sortie et laisser les seuls snubbers comme clamps. La Figure III-51 montre le spectre ainsi obtenu. spectre même amélioré par rapport à la Figure III-50.

Cela permettrait même de résoudre les problèmes entrevus lors des fonctionnements dégradés du montage. grâce à l’inhibition courte. lors de la perte d’une phase. Le dimensionnement des condensateurs doit permettre d’absorber l’énergie dans les inductances de ligne tout comme précédemment. Cela permet déjà de se passer du condensateur de sortie qui était coûteux. Structure de puissance à inhibitions courtes Vu tous les essais précédents. dorénavant. En effet. une structure intéressante est celle de la Figure III-53. Il faut noter que le filtre de mode commun n’a pas été retenu. 140 . puis repasser en 120° lorsque celle-ci revient. mais également le creux de tension consécutif à la disjonction de l’interrupteur opposé. Par ailleurs. Il y apparaît la surtension lors du clampage. sans forcément une grande précision. le montage a un fonctionnement naturel en 120° sur le réseau et peut passer en 180°. c’est-à-dire que la tension aux bornes de la diode opposée ne doit pas s’annuler. lors de la phase de clampage.5. la diode opposée au disjoncteur qui s’ouvre ne s’amorce plus. outre l’amélioration du spectre.Applications du thyristor-dual disjoncteur Figure III-52 : Spectre du redresseur réversible avec 6 snubbers de 1µF et une inductance de mode commun de 1. Cela permet de s’affranchir de l’inhibition supérieure à 180° et de passer en fonctionnement 120° naturellement avec une simple inhibition de quelques degrés. Le clampage consiste en 6 snubbers placés directement aux bornes de chaque interrupteur.3. creux qui ne redescend pas jusqu’à zéro ici. Par contre. La valeur des snubbers doit être suffisante afin d’assurer la non conduction de la diode opposée. nous vérifions que nous avons bien un courant 120°. Un exemple de relevé est donné à la Figure III-54.5mH (échelle des fréquences en MHz) III.

Il est important de remarquer que tous nos essais ont été effectués à un courant de disjonction de 20A alors que l’objectif est d’atteindre 50A. redresseur réversible à inhibitions courtes. représentés en rouge Tension aux bornes d’un disjoncteur Surtension lors de la phase de clampage Creux de tension lié à la disjonction de l’interrupteur opposé Courant de ligne Figure III-54 : Courant de ligne et tension aux bornes d’un disjoncteur (10A/div. ce qui correspond à une énergie six fois plus importante à clamper environ. soit inférieure à quelques centaines de µF.Chapitre III Réseau 400V-50Hz λ 1 2 3 1’ 2’ 3’ Figure III-53 : Schéma à inhibitions courtes du montage avec 6 snubbers de 1µF et possibilité de rajouter des condensateurs en entrée. même avec une inhibition de quelques degrés électriques. même si nous sommes dans une configuration avec capacité en tête. nous allons être amenés à 141 . cette dernière reste transparente vis-à-vis de la commutation. En effet. Nous appelons donc ce montage. 2. 100V/div.5ms/div) Par ailleurs. Par conséquent. si elle est de valeur raisonnable. Cela permet donc de conserver un montage qui fonctionne naturellement en onde 120°. l’énergie s’écoule dans les composants qui sont au plus près ce qui correspond aux snubbers et non au condensateur de sortie.

3. afin de répartir la valeur totale de la capacité de clampage entre ces condensateurs. D’un point de vue spectral. De son côté. la commutation automatique. cette configuration n’est pas pénalisante et permet même d’améliorer le spectre en basses fréquences en augmentant la valeur des condensateurs. le montage ressemble à un onduleur de tension. C’est ce qui se passe sur la Figure III-56 où nous simulons le même schéma avec une inductance de ligne de 2mH dorénavant. Polyvalence du montage Comme semble nt le montrer les différentes figures. Comme une partie de ce courant transite dans les disjoncteurs. Mais. Il devrait donc fonctionner avec des ondes 180°. notre montage s’adapte à son environnement et a des formes d’ondes qui correspondent aux éléments placés autour. Si nous augmentons les inductances de ligne. qui permet de transgresser les règles jusqu’alors inviolables de court-circuit de la source de tension et d’ouverture de la source de courant. Nous tombons sur des 142 . sans que le surplus de courant capacitif ne soit vu par les disjoncteurs. L’exemple le plus flagrant est la version à inhibitions courtes pour laquelle nous n’imposons rien contrairement à la version à inhibitions longues où nous imposons le fonctionnement en ondes 120°.6. Nous retrouvons des courbes que nous avons déjà vues précédemment. une trop forte augmentation va limiter la valeur maximale du courant de charge que nous pouvons réinjecter sur le réseau. Aujourd’hui. dont le courant échangé avec le réseau n’est pas vu par les interrupteurs. III. La Figure III-55 présente les formes d’ondes des courants dans les deux interrupteurs du premier bras du redresseur réversible pour une inductance de ligne de 300µH et une résistance de 25Ω comme charge. en particulier la version à inhibitions longue s avec le condensateur sur le bus continu et les inductances de ligne côté réseau. L’étude que nous avons menée a mis en évidence un fonctionnement de type commutateur de courant avec des ondes 120°. Le câblage en étoile permet d’utiliser des composants sous 230V d’un coût plus faible. et les snubbers.Applications du thyristor-dual disjoncteur augmenter la valeur des snubbers afin de limiter la surtension. ce qui explique l’absence de déformation lors des phases d’empiètement. le montage permet les deux modes de fonctionnement sans intervention extérieure. Une solution est d’introduire des condensateurs câblés en étoile en entrée du montage. le courant capacitif échangé va aussi augmenter dans la même proportion. la durée d’empiètement augmente jusqu’à atteindre 60°. Toutes les théories liées aux ondes 120° et 180° ont découlé d’études sur la cellule de commutation n’utilisant que des commutations commandées et spontanées. représentés en rouge sur la Figure III-53. A ce moment l’interrupteur supérieur n’a pas encore disjoncté que l’interrupteur du bas va s’amorcer. Les tensions de phase sont prélevées sur les sources idéales avant les inductances de ligne. nous introduisons un nouveau degré de liberté. En fait.

143 .Chapitre III formes d’ondes de type 180° avec une conduction des interrupteurs pendant la moitié du temps. Figure III-55 : Formes d’ondes avec une inductance de ligne de 300µH Figure III-56 : Formes d’ondes avec une inductance de ligne de 2mH Le montage peut donc fonctionner en 120° et en 180° sans intervention sur celui-ci. Les exemples précédents montrent qu’il s’est adapté à son environnement.

La version à inhibitions longues est plus défavorable car elle possède plus de mode commun et un spectre pénalisant. 144 . comme un transformateur en série. son fonctionnement en mode onduleur n’est pas totalement autonome.une solution est de regrouper le clamp en 3 condensateurs en étoile en entrée. Par contre. machine asynchrone ou transformateur). sans modification. . mais qui passe en onduleur 180° si perte du réseau. il peut continuer à fonctionner selon le type de charge connectée du côté triphasé (par exemple.cette topologie permet d'éviter la conduction de la diode opposée à un disjoncteur. Les propriétés du montage à inhibitions courtes peuvent être résumées ainsi : . à condition que la valeur du condensateur soit suffisante. et de laisser une faible valeur de capacité en parallèle avec les interrupteurs pour le mode commun. en cas de perte du réseau. Mais.Applications du thyristor-dual disjoncteur III.redresseur fonctionnant en ondes 120°. même en mode onduleur en présence du réseau. . tout comme pour un pont à thyristors. ainsi que de faire apparaître deux stratégies de clampage appelées versions à inhibitio ns longues et courtes. le montage s’apparente à une simple boîte à 5 bornes. ce qui permet un fonctionnement du montage sur une large gamme de fréquences et de résoudre les problèmes entrevus en réversibilité lors de fonctionnements dégradés avec la version à inhibitions longues. Nous avons également dégagé leurs principales caractéristiques. Le montage synthétisé a un comportement similaire à un pont de diodes triphasé qui serait réversible en courant. Un autre point fort est son adaptibilité à des réseaux variables en tension et en fréquence. Le montage a été caractérisé et répond aux critères de simplicité et de réductions des coûts.répartition du clamp sur les 6 interrupteurs pour avoir un effet snubber (moins de mode commun). Ce dernier fonctionnement est particulier et nécessite une impédance. .la valeur des snubbers peut conduire à un surcourant capacitif.réduction de l’inhibition à quelques degrés électriques. . Du point de vue de l’utilisateur. s’apparentant encore plus au pont de diodes. . Conclusions Les différents essais réalisés sur le prototype ont permis de vérifier le bon fonctionnement du montage.3. .cette solution fonctionne également même si un condensateur seul est branché en tête (vérifié par simulation).7.

présentées dans le chapitre II. qui ne communiquent pas entre eux.Chapitre III III. car notre vision se limitait aux commutations commandée et spontanée. 145 . le montage adapte son fonctionnement au cir cuit auquel il est branché alors qu’il n pas de logique extérieure et qu’il est constitué de six thyristors’a duaux disjoncteurs autonomes. En effet. nous avons caractérisé ses différentes propriétés. le montage peut également fonctionner en ondes 180°. dont les diodes sont bidirectionnelles en courant. Nous avons décidé de nous baser sur un cahier des charges du convertisseur réseau d’une chaîne éolienne afin de pouvoir effectuer une comparaison directe du redresseur réversible avec les montages existants qui ont des fonctions proches : l’onduleur MLI et le pont à thyristors. Ce montage d’une simplicité apparente remet en cause toutes nos idées sur les cellules de commutation ou les convertisseurs statiques. de ses performances jusqu’à une étude CEM.4. De nouvelles fonctionnalités apparaissent comme un transformateur continu réversible à fonctionnement relativement simple ou une cellule onduleur autopilotée. L’élément prépondérant de notre étude reste le redresseur triphasé réversible qui a fait l’objet du développement d’une maquette industrialisable en collaboration avec CIRTEM. Mais comme nous l’avons vu. Ce montage peut être vu comme un pont de diodes. Il nous faut quantifier l’apport de ce montage atypique du point de vue de ce que nous connaissons. Durant notre étude. CONCLUSION Ce chapitre a mis en avant différentes associations des deux cellules élémentaires à base de thyristor-dual disjoncteur.

.

Après avoir déterminé les principales caractéristiques de notre montage. nous pouvons voir notre montage non comme un redresseur réversible.1. nous aborderons les aspects thermiques. plus précisément. La première consiste à étudier le spectre des courants réseaux réinjectés. Notre montage se situant dans la gamme des basses. nous nous sommes intéressés. afin de mieux quantifier les différences. tandis que la deuxième consiste à comparer les rendements énergétiques des différents montages.IV. nous avons souhaité partir d’un cahier des charges concret. Pour cela. nous avons opté de nous baser sur ces études comme point de départ de notre comparatif. P ROBLEMATIQUE DE L’ EOLIEN Aujourd’hui. afin de mettre en avant ses apports. CHAPITRE IV LE REDRESSEUR REVERSIBLE APPLIQUE A UNE CHAINE EOLIENNE Dans le chapitre précédent. Dans certains cas. Après avoir posé le problème et effectué le dimensionnement de la chaîne éolienne. nous allons mener trois comparaisons. nous rajoutons des boites de vitesses ou un réglage rotorique afin d’augmenter la plage de variation de la vitesse. En effet. L’équipe «Système » du LEEI travaille actuellement sur l’optimisation des chaînes éoliennes de basse puissance. Enfin. C’est en fait le glissement qui permet de fonctionner à une vitesse légèrement différente de la vitesse de synchronisme. voire des moyennes puissances. Ayant un montage permettant un fonctionnement en onduleur de courant. il est nécessaire de le confronter aux montages existants. ce qui revient à dire que la vitesse de rotation varie peu. mais comme un onduleur de courant qui fonctionne à cos(ϕ) unitaire. . IV. un montage est ressorti. en faible puissance. au convertisseur de raccordement au réseau. la plupart des éoliennes sont basées sur des génératrices asynchrones directement raccordées au réseau. apparaissant comme ayant un bon potentiel d’applicabilité : le redresseur réversible.

développé au sein du groupe « Système ». est un modèle issu du travail de thèse d’Adam Mirecki [MIRECKI]. en terme d’harmoniques réinjectés sur le réseau. la norme n’est pour l’instant que consultative. nous considérons que le système est déconnecté. La voilure choisie est du type Savonius qui permet de capter le vent dans toutes les directions sans système d’orientation. Il est remplacé peu à peu par des onduleurs de tension à modulation de largeur d’impulsion. notre montage ayant les harmoniques basses fréquences d’une onde 120°. correspondant à 11kVA. CAHIER DES CHARGES Différentes normes de réinjection d’harmoniques de courant sur le réseau existent. Vu le niveau de puissance.Le redresseur réversible appliqué à une chaîne éolienne Les autres solutions utilisent des machines synchrones à aimants permanents fonctionnant à vitesse variable. le raccordement se fait directement sur le réseau basse tension triphasé 400V-50Hz. valeur dimensionnante. En cas de vent plus fort. nous avons décidé de dimensionner notre chaîne éolienne pour une puissance de 16 kW avec une vitesse du vent de référence de 13m/s. Afin de ne pas être confronté aux normes. Nous allons étudier ces deux montages ainsi que les deux versions du redresseur réversible. selon les gammes de puissance et les gabarits des formes d’ondes. et en terme de contrainte thermique sur la puce.2. Au-delà. le convertisseur doit permettre un transfert de puissance sur le réseau électrique pour une vitesse de vent allant jusqu’à 17m/s. dans un premier temps. Le raccordement au réseau se fait alors par des changeurs de fréquences ou par l’intermédiaire d’un bus continu. donc de pertes. Le convertisseur réseau est actuellement souvent un pont à thyristors. en terme de rendement énergétique. proportionnellement à la vitesse du vent. Certaines normes ont un caractère obligatoire ce qui est le cas pour un courant inférieur à 16A. IV. 148 . solution souvent adoptée en forte puissance. Au-delà de cette puissance. tandis que le fonctionnement de la fonction « Maximum Power Point Tracking (MPPT)» est assuré pour un vent allant de 5 à 15m/s. L’étude s’effectue par simulation en utilisant le logiciel PSIM. Le modèle de l’éolienne.

Chapitre IV

IV.3. P RESENTATION DE LA STRUCTURE IV.3.1. Rappels sur l’éolien
Le point de départ du cahier des charges est l’étude menée par Olivier Langlois sur l’intégration d’éoliennes à axe vertical de type Savonius dans un milieu urbain [LANGLOIS]. Deux photographies d’une éolienne de ce type sont présentées à la Figure IV-1.

Figure IV-1 : Eolienne à axe vertical de type Savonius Rappelons quelques propriétés principales de la conversion de l’énergie éolienne. Tout d’abord, la puissance éolienne est régie par l’Equation IV-1. Elle dépend de S, surface balayée par la voilure, de la masse volumique de l’air ρ, du cube de la vitesse du vent et d’un coefficient Cp appelé coefficient de puissance.
Péol = 1 3 ⋅ ρ ⋅ S ⋅ Vvent ⋅ C p ( λ ) 2

IV-1

Le coefficient de puissance est un paramètre fondamental qui détermine le rendement du transfert de puissance entre le vent (énergie cinétique linéaire) d’une part et la voilure (énergie cinétique de rotation) d’autre part. Il est théoriquement inférieur à 16/27. Cela sousentend que nous ne pouvons pas, quoi que nous fassions, dépasser un rendement de 59%. Cp n’est pas constant, mais varie en fonction de la vitesse du vent, ainsi qu’en fonction de la vitesse de rotation de l’éolienne, et de la voilure utilisée. Nous introduisons alors la notion de vitesse réduite, grandeur notée λ. Elle permet de relier la vitesse linéaire de bout de pale avec la vitesse du vent. L’Equation IV-2 donne la valeur de λ.

149

Le redresseur réversible appliqué à une chaîne éolienne

λ=

R.Ω Vvent

IV-2

La voilure que nous considérons dans ce manuscrit, est une voilure sur laquelle travaille l’Institut de Mécanique des Fluides de Toulouse (IMFT). La relation donnant le coefficient de puissance en fonction de la puissance réduite est donnée à l’Equation IV-3.

C p ( λ ) = −0,13.λ3 − 0,117.λ2 + 0,4541.λ

IV-3

La Figure IV-2 présente le tracé de la caractéristique. Il apparaît un maximum pour une vitesse réduite de 0,8. Afin d’optimiser la conversion de puissance, il faut essayer de conserver cette vitesse réduite, soit modifier la vitesse de rotation lorsque la vitesse du vent varie. Nous pouvons noter que le coefficient de puissance maximum est seulement de 22,5%, valeur classique pour ce type de voilure.

0,25

0,225 0,2
0,15 Cp 0,1 0,05 0 0 0,5

0,8
lambda

1

1,5

Figure IV-2 : Courbe Cp (λ) de la voilure étudiée de type Savonius

IV.3.2. Structure de l’éolienne et de l’alternateur
L’éolienne étudiée ici est associée à une machine synchrone. Elles sont dimensionnées pour une puissance crête de l’ordre de 600 Watts. Une méthode de similitude est alors présentée afin d’obtenir les données géométriques d’une éolienne et ce quelle que soit la

150

Chapitre IV

puissance basée sur la méthode étudiée par Yann Fefermann dans le cadre des machines [LANGLOIS] [FEFERMANN]. Les hypothèses permettant d’effectuer la similitude sur l’éolienne et l’alternateur sont : - les caractéristiques de l’éolienne sont inchangées quelle que soit sa taille, c’està-dire que le coefficient de puissance maximum est de 0,225 pour une vitesse réduite optimale de 0,8, - les profils de vent restent les mêmes, - le rendement est constant, soit 86% pour l’ensemble, - le nombre de paires de pôles de la machine synchrone est inchangé, - l’induction de la machine synchrone à aimants permanents est constante. Parmi les paramètres de réglage de la similitude figure, bien entendu, le rapport des puissances. De plus, pour la machine synchrone et l’éolienne, il y a deux paramètres géométriques, respectivement rayon et longueur, et rayon et hauteur. Nous avons donc deux degrés de liberté de réglage supplémentaires que sont le rapport des rapports de similitude du rayon de la machine sur celui de la longueur et le rapport des rapports de similitude de la hauteur de la vo ilure sur celui de son rayon. Par exemple, dans le cas de la voilure, l’augmentation de puissance se fait par l’augmentation de la surface balayée, soit le produit de son diamètre par sa hauteur. De son côté, l’inertie de la voilure dépend de la hauteur et du cube du rayon. Afin de ne pas trop augmenter l’inertie de la voilure, il vaut donc mieux augmenter sa hauteur plutôt que son rayon. Pour la machine, c’est le couple qui est l’élément dimensionnant. Il dépend de la longueur de la machine et du carré de son rayon. Un dernier paramètre est le rapport du nombre de spires. Cet élément ne modifie pas la puissance installée, mais permet d’adapter la tension en sortie de la machine au circuit électrique extérieur, sachant que l’induction est supposée constante et la vitesse imposée par les dimensions de la voilure. Les valeurs prises pour la similitude sont présentées au Tableau IV-1. Rapport des puissances Rapport des rapports de similitude de la voilure (hauteur/rayon) Rapport des rapports de similitude de la machine synchrone (rayon/longueur) Rapport des nombres de spires Tableau IV-1 : Paramètres de la similitude Le dimensionnement est effectué pour un vent de 13m/s. La machine peut conduire une puissance supérieure lorsque le vent est plus fort, mais cela ne représente qu’une partie du 49,5 3 2 1,1

151

Le redresseur réversible appliqué à une chaîne éolienne

temps de fonctionnement. Pour la machine de référence, la valeur de puissance maximale est de 600 Watts alors que la puissance pour un vent de 13m/s est seulement de 320 Watts environ. Il faut donc tenir compte de toute la plage de fonctionnement de l’éolienne pour le dimensionnement de l’alternateur. Les résultats de la similitude sont résumés dans le Tableau IV-2. Certaines données sont manquantes mais n’empêchent pas la poursuite de l’étude. Nous pouvons noter la forte augmentation de l’inertie de la machine synchrone car l’augmentation du couple se fait surtout en jouant sur le rayon. En ce qui concerne la voilure, nous n’avons pas les valeurs sur l’inertie, car l’éolienne est en cours de développement.
Eolienne de référence (320W) 0,322729468 0,375266824 0,6 1,05 n.d. n.d. 17,33333333 40,25044723 17 62,46933333 0,212 1,137 2,7 0,1 n.d. 0,06 Nouvelle éolienne (16kW) 16 18,60465116 2,43910953 12,80532503 n.d. n.d. 4,263851161 4363,344418 17 181,0605124 2,497886999 0,192660575 1,859842658 106,2076005 n.d. 13,76796423

Vent de référence : 13m/s Puissance électrique (kW) Puissance éolienne (kW) Rayon de voilure (m) Hauteur de voilure (m) Rayon de la machine (m) Longueur de la machine (m) Vitesse optimale (rad/s) Couple max (N.m) Nbre de paires de pôles FEM simple (V) Flux crête à vide (Wb) Résistance statorique (Ohms) Inductance cyclique statorique (mH) Inertie machine (kg.m²) Inertie voilure (kg.m²) Frottements (N.m.s/rad)

Tableau IV-2 : Valeurs des éléments avant et après similitude (n.d.=non déterminé)

IV.3.3. Etage MPPT
Nous avons précédemment vu que si nous souhaitons maximiser la puissance convertie par l’éolienne, il faut s’assurer qu’elle fonctionne toujours à sa vitesse réduite optimale, qui, dans notre cas, s’élève à 0,8. Il faut donc adjoindre une logique de suivi du point de puissance optimale. La vitesse du vent variant, cela implique une variation de la vitesse de rotation de

152

Nous allons passer par le biais d’un bus continu en associant un pont de diodes triphasé avec la machine synchrone. est la mesure de la vitesse de l’éolienne. deux phases de la machine sont toujours conductrices donnant deux inductances cycliques en série ce qui donne une inductance de 3. donc de la machine synchrone. En effet. Afin de simplifier au maximum le montage. Triphasé à tension et fréquences variables Bus continu éolien Bus continu réseau Réseau 400V-50Hz MS Pont de diodes Hacheur BOOST Convertisseur réseau avec filtrage Préf MPPT Figure IV-3 : Schéma du raccordement de l’éolienne au réseau basse tension La commande du hacheur BOOST consiste à imposer directement le courant de la machine synchrone. donc le couple résistant opposé à l’éolienne. Aucune connexion directe avec le réseau n’est possible. la tension en sortie va rester faible. d’où la nécessité de ce degré de liberté supplémentaire. La Figure IV-3 présente le schéma du raccordement au réseau de notre éolienne. il n’y a pas boite de vitesses ici impliquant une faible vitesse de rotation de la machine. l’inductance du BOOST est supprimée et ce sont les inductances cycliques synchrones de la machine qui vont jouer le rôle de cette inductance. non seulement d’adapter la tension.7mH environ vue « à travers » le pont de diodes. d’ajouter un degré de liberté par le biais de sa commande et de remplir la fonction de MPPT. A partir de là. Nous avons donc besoin d’un convertisseur DC-DC élévateur de tension. Cela implique une tension du bus continu qui s’élève à 540 Volts pour notre montage et même supérieure à 700 Volts dans le cas de l’onduleur de tension MLI. Il permet. Equation IV-4) en injectant l’Equation IV-2 dans l’Equation IV-1. incluant la fonction MPPT réalisée par le hacheur BOOST. En effet. nous souhaitons utiliser notre montage comme onduleur réseau ou un onduleur MLI. le pont de diodes tout comme notre redresseur réversible ne permet aucune action extérieure. nous pouvons reconstruire une puissance éolienne théorique maximale (cf. soit un hacheur survolteur ou BOOST. D’un autre côté. 153 . La seule mesure nécessaire afin de faire fonctionner la MPPT. A moins de multiplier le nombre de paires de pôles. C’est par ce biais que le réglage de la vitesse réduite s’effectue.Chapitre IV l’éolienne. Par ailleurs. outre la mesure du courant d’entrée du hacheur BOOST. l’entraînement étant direct. La fréquence de l’onde sinusoïdale en sortie de la machine est donc variable.

Equation IV-5). En remplaçant par les valeurs numériques. nous obtenons l’Equation IV-6.K 0 Pboost = 239. Si nous sommes en survitesse.Ω 3 . ce qui correspond à l’Equation IV-4. Pboost = Péol .Le redresseur réversible appliqué à une chaîne éolienne Péol = R ⋅ H ⋅ ρ ⋅ 4 Cp max 3 ⋅Ω 3 λopt IV-4 La Figure IV-4 présente un réseau de caractéristiques de puissance éolienne en fonction de la vitesse de rotation. nous allons extraire une puissance supérieure à la puissance maximale.K 0 IV-5 IV-6 Il faut ensuite extraire le courant à partir de cette puissance en divisant par la tension 154 . Nous constatons bien que la puissance est maximale si nous sommes à la bonne vitesse de rotation. La courbe rouge représente les lieux de la puissance optimale. le paramètre étant la vitesse du vent. L’équilibre se fait quand il y a égalité. ce qui va faire ralentir l’éolienne et vice et versa. 40 Popt 30 Puissance (kW) 14m/s 20 12m/s 10 Vitesse du vent 10m/s 6m/s 0 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 Vitesse de rotation (rad/s) 8m/s Figure IV-4 : Caractéristiques de la puissance éolienne en fonction de la vitesse de rotation Nous déterminons alors la puissance que doit extraire le hacheur BOOST en tenant compte des pertes par le facteur K0 (cf. soit au point de puissance maximale.

Son réglage permet de s’assurer du fonctionnement autour de la valeur optimale de la vitesse réduite. but de notre étude. cette tension est parfaitement maîtrisée et imposée par le convertisseur réseau.1. d’où l’absence de pertes.99 car le pont de diodes est supposé idéal. 6 ⋅Ω π V bus = IV-7 Il ne nous reste plus qu’à déterminer la valeur du facteur K0 .39 pour 15m/s et 0. Cela correspond à des valeurs classiques que nous pouvons trouver. La tension du bus pour l’onduleur a été fixée à 800V. Cette plage de variation du rapport cyclique est tout à fait correcte.8 pour 5m/s. Cela correspond à une plage de variation de la tension du bus en sortie du pont de diodes de 161V à 484V soit des rapports cycliques respectifs de 0. Bien entendu. Les bornes sont 5 et 15m/s. Il suffit pour cela de prendre en considération la vitesse de rotation. ce qui donne des butées de rapport cyclique. ce qui donne la force électromotrice et. Ces valeurs restent raisonnables et compatibles pour un bon fonctionnement du hacheur BOOST. En effet. Nous pouvons la modifier en jouant. si nous conservons la même machine. dans les accouplements directs au réseau par des machines asynchrones [ECRIN]. de 0. afin de modifier la tension en entrée du hacheur survolteur. il faut penser à fixer des butées sur le rapport cyclique du hacheur BOOST en particulier pour les basses vitesses où il va tendre vers un.99 IV-8 Nous avons un fonctionnement un peu atypique ici car nous n’avons pas de régulation de la tension de sortie du hacheur BOOST.Chapitre IV moyenne en entrée du hacheur BOOST.p. 3. lors de la similitude sur la machine synchrone. nous pourrions augmenter légèrement le rapport des nombres de spires afin d’avoir les mêmes butées de rapport cyclique que le redresseur réversible.7 et 0. D’où l’extraction du courant. Nous avons donc fixé des limites en terme de vitesse de vent du fonctionnement de la fonction MPPT. par exemple. la tension en sortie du pont de diodes. Mais nous avons choisi ici de conserver la même machine afin qu’elle ne rentre pas en ligne de compte dans la comparaison des montages connectés au réseau. K 0 = 0. 155 . par conséquent. ce qui est le cas ici avec une valeur de Ko égale à 0. sur le rapport des nombres de spires. C’est la tension d’entrée qui varie en fonction de la vitesse de rotation de la machine synchrone. sachant que la tension du bus réseau est de 540V pour le redresseur réversible.φ v . La valeur pouvant aller de zéro à une valeur très élevée en cas de fort vent.

nous avons notre montage. Rése au 50Hz400V 10nF Réduit la CEM de mode commun Inhibitions longues 50µH 1Ω MS Boost MPPT Condensateur commun de 20µ F Mesure de vitesse Figure IV-5 : Schéma de la chaîne éolienne avec redresseur réversible à inhibitions longues Réseau 50Hz400V 4µF Inhibitions courtes 50µH 1Ω MS Boost MPPT Aucun condensateur 10µF Mesure de vitesse Figure IV-6 : Schéma de la chaîne éolienne avec redresseur réversible à inhibitions courtes Le troisième montage envisagé est le concurrent dit « haut de gamme » de notre montage. car nous allons l’utiliser ici en mode onduleur. Sa valeur peut surprendre. même si le fonctionnement de la MPPT n’est plus assuré.3.4. mais elle a été déterminée afin d’obtenir des formes d’ondes en simulation qui se rapprochent des formes d’ondes expérimentales.Le redresseur réversible appliqué à une chaîne éolienne IV. apparaît une résistance d’un ohm en série avec l’inductance de ligne afin de simuler l’amortissement naturel du réseau. le redresseur réversible qui possède deux versions : la version à inhibitions longues et celle à inhibitions courtes. La valeur du courant de disjonction a été fixée à 80 ampères afin de permettre un transfert d’énergie vers le réseau pour une vitesse de vent allant jusqu’à 17m/s. Convertisseur réseau Nous allons présenter ici les quatre structures qui vont être considérées dans cette étude. Le schéma est donné à la 156 . Il ne faut pas se laisser abuser par le nom de notre montage. Les schémas des chaînes éoliennes équipées de ces convertisseurs réseaux sont présentés respectivement à la Figure IV-5 et à la Figure IV-6. Sur tous les montages. Tout d’abord. soit le redresseur réversible. soit l’onduleur à modulation de largeur d’impulsions.

point sur lequel nous reviendrons. C’est un montage survolteur. Cela est possible grâce à la propriété de conduction continue permanente de notre montage. ainsi que les condensateurs placés côté réseau qui servent de condensateur de filtrage du hacheur BOOST. nous n’avons pas ajouté de condensateur pour le hacheur. ce qui nous permet de nous passer du hacheur BOOST. Dans le cadre du redresseur réversible à inhibitions courtes. Nous avons donc rajouté une inductance de 20mH sur le bus continu 157 . Ce sont directement les snubbers placés aux bornes des disjoncteurs. Il faut noter que l’inductance cyclique de la machine est dorénavant insuffisante car nous travaillons à basse fréquence (50Hz) contrairement au hacheur BOOST (10kHz). Il nécessite une commande externe ainsi qu’un filtre côté réseau afin de ne pas renvoyer les harmoniques de découpage sur le réseau. Nous avons enfin envisagé une quatrième option. il n’y a pas de condensateur placé sur le bus continu. Elle est réalisée de la même manière que pour le hacheur. elle peut être directement incluse dans la commande du pont à thyristors au prix d’une forte variation de puissance réactive.Chapitre IV Figure IV-7. celui-ci utilisant le condensateur du convertisseur réseau. Réseau 50Hz 400V 800µH 100µH 1Ω MS Boost MPPT Condensateur commun de 1mF 50µF 1Ω Mesure de vitesse Commande Synchronisation réseau Figure IV-7 : Schéma de la chaîne éolienne avec onduleur MLI Les trois montages précédents ont une particularité commune : comme nous utilisons les inductances cycliques de la machine synchrone comme inductance du hacheur BOOST. qui est historiquement la plus ancienne. Elle consiste en un pont à thyristors qui a l’avantage de fonctionner en onduleur de courant. fonction également réalisée par le hacheur. En ce qui concerne la fonction MPPT. La Figure IV-8 présente la chaîne éolienne avec pont à thyristors.

158 . Formes d’ondes du redresseur réversible Nous avons deux versions du redresseur réversible. exceptés les harmoniques multiples de trois. Par rapport aux formes d’ondes que nous avions précédemment obtenues. la tension du bus a une fréquence six fois supérieure. IV. Sur la forme temporelle. découpage qui n’est pas totalement filtré par le condensateur placé sur le bus continu.7Hz.4. Les formes d’ondes pour la version à inhibitions longues sont présentées à la Figure IV-9. En ce qui concerne le spectre. P REMIERE COMPARAISON SUR LES FORMES D’ONDES COTE RESEAU Un premier élément de comparaison est l’observation des courants réinjectés sur le réseau. En effet. soit 64Hz environ.4. Cela correspond à une vitesse de rotation de l’éolienne de 3. il apparaît bien tous les harmoniques de rangs impairs. des raies supplémentaires vont apparaître du côté réseau. Cette étude permet en particulier de voir la réinjection d’inter-harmoniques provenant de fréquence variable en sortie de la machine synchrone. Tous les essais sont effectués pour une vitesse de vent unique de 12m/s. cette fréquence n’étant pas égale à celle du réseau. En sortie du pont de diodes.Le redresseur réversible appliqué à une chaîne éolienne 20mH Réseau 50Hz 400V 50µH 1Ω MS Mesure de vitesse Commande avec logique de MPPT Synchronisation réseau Figure IV-8 : Schéma de la chaîne éolienne avec onduleur de courant à thyristors IV. nous avons une force électromotrice ayant une fréquence de 10.1.94rad/s. nous retrouvons un courant 120° avec des pics de courant correspondant aux phases de disjonction des différents interrupteurs. nous observons ici un découpage qui provient du hacheur BOOST placé en amont. forme temporelle et spectre. vu que nous sommes en triphasé sans neutre. Compte tenu du nombre de paires de pôles de la machine.

nous retrouvons les mêmes formes avec les deux raies correspondant aux inter-harmoniques. montrent un courant qui circule. sur le spectre. Deux légères différences apparaissent cependant sur la forme d’onde temporelle. Il faut noter tout de même que l’amplitude de toutes les raies est plus faible. nul durant cette phase. Inter-harmoniques Figure IV-9 : Formes d’ondes et spectre du courant réseau pour le redresseur réversible à inhibitions longues Nous pouvons observer les mêmes phénomènes si nous nous intéressons au redresseur réversible à inhibitions courtes.Chapitre IV Nous observons deux harmoniques supplémentaires de part et d’autre du fondamental. L’autre différence est la plus forte amplitude des ondulations du courant dues au découpage du hacheur BOOST. mais nous pouvons dire que cette amélioration est due à la présence des condensateurs du côté réseau. Ce courant est le courant échangé entre le réseau et les trois condensateurs d’entrée. Les formes d’ondes du courant réseau ainsi que son spectre sont présentés à la Figure IV-10. Elles vérifient bien |50±64|. 159 . Cela provient de l’absence ici de condensateur directement sur le bus continu. les phases de 60° durant lesquelles le courant est censé être nul. Nous les quantifierons plus tard. Par contre. Il faut noter que ces harmoniques sont légèrement atténués par la présence du condensateur de 20µF sur le bus continu. diminuant ainsi l’efficacité du filtrage. qui permettent de filtrer légèrement le courant réinjecté sur le réseau. Elles correspondent à la puissance fluctuante issue de l’interaction entre la fréquence du réseau (50Hz) d’un côté et la fréquence issue de la machine synchrone (64Hz). Le courant dans les diodes est. Tout d’abord. bien entendu. Ces raies sont à des fréquences de 14Hz et 114Hz environ.

4. ce qui est la principale force de l’onduleur MLI qui permet d’injecter un courant sinusoïdal sur le réseau. Par contre.2.harmoniques sont également présents. Formes d’ondes de l’onduleur MLI La Figure IV-11 présente les formes d’ondes obtenues côté réseau avec la chaîne éolienne utilisant l’ondule ur MLI dont la fréquence de découpage a été fixée à 10kHz. d’où ce courant de disjonction. Nous pouvons également observer la raie à la fréquence de découpage qui est bien atténuée par le filtre. Nous donnons les formes d’ondes avant et après filtrage car ce qui nous intéresse principalement. IV. leur amplitude est beaucoup plus faible. c’est la forme du courant qui est réinjecté sur le réseau. Enfin. Il apparaît sur les relevés que le courant de disjonction a une valeur élevée par rapport au courant de charge à transiter. alors que nous sommes déjà à une vitesse de vent de 12m/s. les inter. Cette atténuation est liée à la présence sur le bus continu d’un condensateur de valeur relativement élevée par rapport à ce que nous avons utilisé dans nos montages redresseurs réversibles (1mF contre 20µF) [LABRIQUE]. Or nous voulons un fonctionnement pour un vent allant jusqu’à 17m/s. Nous constatons que nous avons un spectre ne possédant quasiment que la raie fondamentale. nous travaillons avec une tension de bus fixe. Nous pouvons dire que le courant continu varie avec le cube de la vitesse du vent. Or. Cela est lié à l’équation IV-3 où la puissance dépend du cube de la vitesse du vent.Le redresseur réversible appliqué à une chaîne éolienne Figure IV-10 : Formes d’ondes et spectre du courant réseau pour le redresseur réversible à inhibitions courtes Nous pouvons enfin faire une remarque qui s’applique aux deux versions du montage. 160 .

il n’y a pas de condensateur placé en parallèle. aucun élément de filtrage autre que l’inductance série n’étant présent sur le bus continu. Cela vient du fait que l’angle de retard à l’amorçage 161 . Figure IV-12 : Formes d’ondes et spectre du courant réseau pour le pont à thyristors Un autre problème fondamental apparaît sur le spectre. La Figure IV-12 permet de retrouver les formes d’ondes classiques ainsi que le spectre qui y est associé. En particulier.Chapitre IV Courant avant filtre CEM Courant avant filtre CEM Courant réseau Courant réseau Figure IV-11 : Formes d’ondes et spectre du courant réseau pour l’onduleur MLI D’un point de vue spectral. Un pont à thyristors consomme beaucoup de puissance réactive. la chaîne éolienne utilisant un pont à thyristors comme convertisseur réseau présente l’avantage de s’affranchir du hacheur BOOST.4. Les inter-harmoniques sont toujours présents.3. l’onduleur MLI étale toutes ses propriétés. Cela permet de ne pas avoir de découpage de courant réinjecté sur le réseau comme nous l’avons avec le redresseur réversible. l’amplitude du courant fondamental s’élève à 41 Ampères tandis que l’amplitude de celui du redresseur réversible à inhibitions courtes ne vaut que 26 Ampères environ. Formes d’ondes du pont à thyristors De conception plus ancienne. IV. Dans notre exemple ici.

5 Ampères. De plus. Par ailleurs. Le problème de la gestion de la puissance réactive est donc très pénalisant pour le pont à thyristors [SEGUIER]. le test ic i se faisant pour un vent de 12m/s. le cas de la Figure IV-13 est aberrant. ce qui réduit la durée de vie des condensateurs et génère de nombreux transitoires sur le réseau. Il faut donc envisager une compensation active. Une simple batterie de condensateurs est insuffisante pour ne pas consommer de puissance réactive sur toute la plage de fonctionnement. il faut se trouver en butée pour la tension maximale. la tension du bus. Pour la même puissance active et un angle de commande du pont à thyristors de 150°. soit un courant en opposition de phase avec la tension. soit la vitesse maximale de vent. à une puissance réactive nulle. nous obtenons le spectre de la Figure IV-13. donc la puissance réactive consommée varie en fonction de la vitesse de vent. Une autre solution consiste à utiliser des gradins de condensateurs. qui a été choisie à 17m/s dans notre dimensionnement. 162 . en mode onduleur.Le redresseur réversible appliqué à une chaîne éolienne des thyristors vaut 120° ici. L’amplitude du fondamental du courant a diminué à 32. Par conséquent. mais la dynamique du vent nécessiterait des connexions et déconnexions fréquentes. nous ne pouvons pas aller au-delà car nous avons atteint la marge de sécurité de l’angle de retard à l’amorçage utilisée pour les ponts à thyristors. Nous avons modifié la constante de force électromotrice de la machine synchrone afin d’observer la diminution de l’amplitude du fondamental du courant avec l’augmentation de l’angle de retard à l’amorçage des thyristors. Figure IV-13 : Spectre du courant réseau avec un réglage de la constante de force électromotrice permettant un fonctionnement à un angle de 150° A cause de cet angle de garde. nous ne pouvons jamais travailler. Par contre.

1 6.14 Pont à thyristors 1. il faut lui adjoindre un filtre côté réseau afin de supprimer les harmoniques de découpage. Fréquence (Hz) Redresseur réversible à inhibitions longues Redresseur réversible à inhibitions courtes Onduleur MLI 14 0.12 26. En conjuguant ceci à tous les avantages que nous avons vus dans le chapitre III. De plus une compensation par gradins de condensateurs est peu adaptée pour régler ce problème. ce que nous avons déjà étudié.28 41.82 8.8 0. 163 . Bilan et conclusion Les quatre montages ont leurs avantages et leurs inconvénients en terme de spectre du courant réinjecté sur le réseau.1 0.9 50 27.5 4.13 Tableau IV-3 : Amplitude des harmoniques du courant réseau pour un vent de 12m/s Ces mesures permettent également de confirmer ce que l’étude CEM réalisée sur le redresseur réversible avait permis de mettre en évidence.58 1. D’emblée. Il faut donc prévoir une compensation active ce qui augmente le coût du convertisseur. notre montage fonctionne naturellement à facteur de puissance unitaire à l’empiètement près et ce quelle que soit la vitesse du vent.5 650 6. Nous allons donc nous concentrer sur seulement deux montages dont l’onduleur MLI qui montre ici tout son potentiel d’injection d’un courant réseau sinusoïdal en phase avec la tension. nous constatons la forte valeur obtenue pour le fondamental dans le cas du pont à thyristors. à savoir que le courant réseau de la version à inhibitions courtes possède des harmoniques plus faibles que celui de la version à inhibitions longues.7 0.8 7.4 550 7.6 3.27 114 0.81 250 10.7 3.4.81 26.Chapitre IV IV.4. Par contre.1 2 1.887 9. Ce phénomène est d’autant plus pénalisant que la chaîne éolienne ne fonctionne qu’une faible partie du temps à la puissance maximale pour laquelle elle a été dimensionnée.9 950 4.1 850 5. nous allons écarter la version à inhibitions longues de notre étude au profit de la version à inhibitions courtes qui semble plus adaptée au cahier des charges que nous nous sommes fixé. Le Tableau IV-3 résume les amplitudes des harmoniques du courant réseau pour un vent de 12m/s.18 0. Par cont re.7 5. car lorsque le vent varie. Nous n’allons donc plus considérer le pont à thyristors dans la suite de notre étude.06 0.1 350 7. la puissance réactive consommée va varier et la dynamique du vent est importante.7 5.

DEUXIEME ENERGETIQUE COMPARAISON SUR L’ EFFICACITE Nous étudions une chaîne éolienne dont l’objectif premier est d’injecter un maximum de puissance active sur le réseau pour un vent donné. en tout cas pour la partie transistor qui est la plus utilisée en mode onduleur. en régime établi. et cumule ces résultats en fonction de l’occurrence du vent sur une année. nous allons modéliser les pertes pour les deux convertisseurs en lice : le redresseur réversible à inhibitions courtes et l’onduleur MLI. Nous soumettrons ensuite ces modèles à des profils de vent réels. Le deuxième profil appelé profil de test. v est la vitesse du vent exprimée en m/s. dite dynamique. utilise un profil de vent temporel sur dix secondes [LANGLOIS].1. k   v k  k v ⋅   ⋅ exp .5. considère les pertes pour chaque vitesse de vent. Les deux paramètres sont k qui est le paramètre de forme et c qui correspond au paramètre d’échelle. Nous avons également tenu à utiliser des composants de la même technologie afin de permettre une réelle comparaison de la structure du convertisseur. Cette distribution est régie par l’Equation IV-9. Les références des composants utilisés sont le FS75R12KE3 pour le 1200V et le FS75R17KE3 pour le 1700V.Le redresseur réversible appliqué à une chaîne éolienne IV. Les paramètres de la distribution de Weibull sont fournis dans le Tableau IV-4. Nous extrapolons alors les résultats sur une année en supposant le profil périodique. lieu qui profite du vent circulant dans la vallée reliant Narbonne à Toulouse. La deuxième comparaison. Pour chaque circuit. Le premier correspond à des relevés effectués à Carcassonne. représente la distribution de Weibull correspondant au profil temporel de dix secondes. Cette étude permet de tenir compte des transitoires mécaniques liés à la forte inertie de l’ensemble.   v c    c    f(v) = IV-9 Nous allons utiliser deux profils de test qui sont présentés à la Figure IV-14. 164 . Présentation des profils de test Nous utilisons des profils de vent décrits par une loi de distributio n statistique de Weibull [WEIBULL]. IV. les composants utilisés sont des modules EUPEC IGBT de 1200V et 1700V. Par conséquent.5. dite statique. Deux profils sont envisagés. Vu les niveaux de tension des deux montages. Nous allons mener deux types de comparaison. le redresseur réversible se contente du module 1200V. Ils correspondent à la dernière évolution des modules EUPEC (2002) et proposent un bon compromis entre pertes par conduction et pertes par commutation. La première. tandis que l’onduleur MLI nécessite le module 1700V.

04 0.1 D n iéd p o a iié e st e r b blt 0.2 2 9.0599 8.Chapitre IV 0.08 0. il suffit de multiplier par le nombre d’heures dans une année afin d’obtenir l’occurrence du vent.6 Profil de test 8.06 0.02 0 0 5 10 15 20 25 Vitesse du vent (m/s) Profil de test Figure IV-14 : Distributions de Weibull des deux profils de vent utilisés Profil de Carcassonne Vitesse moyenne du vent (m/s) k c 7.184 Tableau IV-4 : Paramètres des distributions de Weibull des deux profils de vent utilisés A partir de ces distributions. 1000 900 800 Nombre d'heures 700 600 500 400 300 200 100 0 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 Vitesse du vent (m/s) Figure IV-15 : Occurrence du vent à Carcassonne 165 . Un exemple pour Carcassonne est donné à la Figure IV-15.62 2.12 Profil Carcassonne 0.

5. ces courbes peuvent être interpolées par des équations du second degré (cf. Nous considérons que ce profil est très suffisant pour les essais de comparaison que nous envisageons sur le convertisseur réseau. nous utilisons les données fournies par le constructeur. Pour les pertes par conduction. nous utilisons les courbes d’énergies à l’amorçage EON et EOFF au blocage de l’IGBT et l’énergie de recouvrement Erec de la diode. VCE = VCE0 + R d IGBT ⋅ I C  Vd = Vd0 + R d diode ⋅ Id IV-10 166 . 18 16 Vitesse du vent (m/s) 14 12 10 8 6 4 2 0 0 2 4 Temps (s) 6 8 10 Figure IV-16 : Profil temporel de vent sur 10 secondes IV. Pour les pertes par commutation.Le redresseur réversible appliqué à une chaîne éolienne La Figure IV-16 présente le profil de test en dynamique. Par contre. Il simule quand même un pic et un creux de vent. En général. Nous voyons que le vent varie de 1 à 16m/s.2. Mesure des pertes en statique Pour calculer les différentes pertes. nous prenons les caractéristiques statiques et interpolons les courbes sous la forme de l’Equation IV-10. Cela correspond à des profils normaux. il ne prend pas en compte les événements spéciaux comme le calme plat ou une forte rafale de vent. Equation IV-11). où l’inertie mécanique peut jouer son rôle de filtre et de limiteur de variation de la vitesse de rotation de l’éolienne.

nous avons une onde 120°. Pcond IGBT I max  π I2  8   = VCE0 ⋅ ⋅  1 + ⋅ m a  + R d IGBT ⋅ max ⋅ 1 + ⋅ ma  2π  4 8  3π   IV-12  a + a OFF I I2  Pcom IGBT ≈ f déc ⋅  ON + (b ON + b OFF ) ⋅ max + (c ON + c OFF ) ⋅ max  2 π 4   IV-13 Pcond diode = Vd0 ⋅ I max  π I2  8   ⋅  1 − ⋅ m a  + R d diode ⋅ max ⋅  1 ⋅ ma  2π  4 8  3π   IV-14 Pcomdiode ≈ f déc  a rec I max I2  ⋅ + b rec ⋅ + c rec ⋅ max  π 4   2 IV-15 Pour le calcul des pertes dans le redresseur réversible. Les formules des différentes pertes dans un IGBT et une diode sont données par les équations IV12 à IV-15. nous pouvons écrire les Equation IV-16 et Equation IV-17. < I >= I cont 3 IV-16 I eff = I cont 3 IV-17 Nous pouvons déduire les pertes par commutation et conduction dans l’IGBT et la diode en utilisant les Equation IV-18.Chapitre IV 2 E ON = a ON + bON ⋅ I C + c ON ⋅ IC  2 E OFF = a OFF + b OFF ⋅ I C + cOFF ⋅ IC E = a + b ⋅ I + c ⋅ I 2 rec rec d rec d  rec IV-11 Le modèle de pertes de l’onduleur MLI est celui qui est présenté en annexe de la Thèse de Christophe Turpin [TURPIN]. Les calculs sont ici grandement simplifiés car nous nous plaçons dans le cas d’un courant réseau en phase avec la tension. De toute façon. Equation IV-19 et Equation IV-20. ce qui revient à se placer dans le pire des cas. Nous négligeons ici l’influence des snubbers sur les pertes par commutation. Les seuls paramètres nécessaires sont alors le courant crête côté réseau Imax et la profondeur de modulation ma. En notant Icont le courant circulant en sortie du hacheur BOOST. le fonctionnement à la fréquence du réseau entraîne des pertes par 167 .

nous pouvons retenir que le redresseur réversible a quatre fois moins de pertes pour un module 1200V et que le ratio passe même à sept pour le module 1700V. Dans tous les cas. En ce qui concerne l’IGBT. ce qui n’est pas le cas du redresseur réversible.I disj + c OFF . Cette diminution des pertes est plus profitable pour l’onduleur MLI qui divise ses pertes par deux. la différence principale venant des pertes par commutation. ce qui vient de sa vitesse moyenne de vent. Les résultats condensés sont fournis à l’annexe C. Les valeurs finales sont résumées dans le Tableau IV-5. l’onduleur MLI fonctionne ici à 10kHz tandis que la fréquence de commutation du redresseur réversible est seulement de 50Hz. pour l’onduleur MLI. il n’y a que des pertes au blocage. < I > +rd IGBT . ce sont elles qui sont prépondérantes. ce dernier se faisant avec un courant équivalent au courant de disjonction moins le courant sur le bus continu (mode onduleur). tandis que le redresseur réversible ne voit une baisse que de 15 à 20% environ.I 2 eff IV-18 Pcom IGBT = 50. Cela vient du fait que le bénéfice se fait plus sentir sur les pertes par commutation. a ON + a OFF + b OFF . Il apparaît immédiatement une nette différence entre le redresseur réversible et l’onduleur MLI. l’amorçage se fait au passage par zéro du courant tandis que le blocage s’effectue toujours pour un courant égal au courant de disjonction.(I disj . Or. Les pertes par conduction se calculent de la même manière que pour l’IGBT mais avec des courants moyen et efficace différents. en diminuant les pertes.h de pertes sur une année dans le convertisseur réseau.(I disj . ce qui rend faible l’erreur effectuée.I cont ) ( ) IV-20 Nous appliquons ces deux modèles en relevant les différents paramètres nécessaires au cours de simulations effectuées pour un vent constant sous PSIM. Quant aux diodes. Pour les pertes par commutation de la diode. Les résultats mettent aussi en évidence l’apport de l’utilisation d’un module 1200V par rapport à un module 1700V. 168 . Nous pouvons enfin noter que le profil de test conduit à des pertes supérieures. Pcond IGBT = VCE0 .I cont ) + c rec .Le redresseur réversible appliqué à une chaîne éolienne commutation quasiment négligeables devant les pertes par conduction. En effet.I 2 disj ( ) 2 IV-19 Pcomdiode = 50. Nous avons là l’énergie totale exprimée en kW. a rec + b rec . supérieure à celle du profil de Carcassonne. donc sa puissance moyenne. elles ne conduisent que le courant de court-circuit permettant la disjonction.

tandis que le redresseur réversible se contente d’un module 1200V. si nous considérons que l’onduleur MLI utilise un module 1700V.h) Cet écart est encore beaucoup plus grand et atteint un ratio de dix. Les valeurs que nous trouvons sont du même ordre de grandeur que ce que nous avions en statique. Les résultats sont donnés dans le Tableau IV-6. grâce à sa tension de bus inférieure.5.Chapitre IV Convertisseur réseau Onduleur MLI Module EUPEC 1700V Onduleur MLI Module EUPEC 1200V Redresseur réversible Module EUPEC 1700V Redresseur réversible Module EUPEC 1200V Profil de Carcassonne 4306 1935 612 486 Profil de test 4539 2068 649 515 Tableau IV-5 : Récapitulatif des pertes annuelles calculées en statique (pertes en kW. 169 .h) IV. Convertisseur réseau Onduleur MLI Module EUPEC 1700V Onduleur MLI Module EUPEC 1200V Redresseur réversible Module EUPEC 1700V Redresseur réversible Module EUPEC 1200V Profil de test 4443 2006 537 433 Tableau IV-6 : Récapitulatif des pertes annuelles calculées en dynamique (pertes en kW. Mesure des pertes en dynamique Nous utilisons dorénavant le même modèle de pertes mais en simulant avec le profil dynamique de vent précédemment défini.3. l’écart en faveur du redresseur réversible est plus favorable atteignant un ratio des pertes proche de cinq pour le module 1200V et de huit pour le module 1700V. Par contre.

Convertisseur réseau Onduleur MLI Module EUPEC 1700V Onduleur MLI Module EUPEC 1200V Redresseur réversible Module EUPEC 1700V Redresseur réversible Module EUPEC 1200V Profil de Carcassonne 0. Nous venons de constater que le redresseur réversible présente moins de pertes. mais il est intéressant de savoir si cette différence est significative par rapport à l’énergie totale qui transite.4. Elle est quasiment la même pour les deux montages.993 Profil de test 0. Nous avons donc limité ici pour un vent légèrement supérieur au redresseur réversible.Le redresseur réversible appliqué à une chaîne éolienne IV.993 Tableau IV-8 : Calcul des rendements énergétiques calculés en statique 170 .991 0. Une légère différence apparaît. l’onduleur MLI.973 0. Rendement énergétique Comme nous l’avons déjà dit. Afin de le quantifier.992 0. donné par l’Equation IV-21. n’aurait pas de limite mais les courants atteints deviennent vite énormes entraînant un fort surdimensionnement du convertisseur. l’objectif de la chaîne éolienne est d’injecter le maximum d’énergie sur le réseau.5. pour les deux profils de vent. Les valeurs sont résumées dans le Tableau IV-7.h) Les calculs des rendements énergétiques sont alors réalisés et les résultats sont reportés dans le Tableau IV-8. due au fonctionnement autorisé pour les forts vents pour l’onduleur MLI.974 0. L’écart est flagrant en faveur du redresseur réversible.939 0. L’énergie Etrans représente l’énergie disponible sur un an en sortie du hacheur BOOST. E trans − E pertes E trans Convertisseur réseau Onduleur MLI Redresseur réversible Profil de Carcassonne 70934 69779 Profil de test 80285 78557 η= IV-21 Tableau IV-7 : Energie annuelle récupérable en sortie du hacheur BOOST (en kW.943 0. les mesures étant faites en statique. nous définissons un rendement énergétique. Il faut noter que théoriquement.

d’un point de vue énergétique.6. r1 Tj Tcase C1 C2 C3 C4 r2 r3 r4 Figure IV-17 : Modèle thermique des modules EUPEC 171 . Or la chaîne éolienne utilisant l’onduleur MLI nécessite un fonctionnement du BOOST à un rapport cyclique plus élevé à cause de la plus forte élévation de tension. Par conséquent. sous peine de destruction de la puce. mais cela impliquera des pertes plus importantes dans la machine par augmentation de la résistance série. outre un meilleur rendement. le redresseur réversible permet d’injecter plus d’énergie sur le réseau. Cela implique des pertes plus importantes dans le hacheur pour un fonctionnement avec l’onduleur MLI. Comme no us l’avons déjà cité. Le redresseur réversible ayant moins de pertes que l’onduleur MLI semble mieux placé dans cette catégorie. les différences en termes d’énergie totale disponible restent inférieures aux différences des pertes. Il faut aussi noter que les pertes dans le hacheur BOOST n’ont pas été évaluées ici et nous n’en avons pas tenu compte. où la variation de la température de jonction par rapport à la température de boîtier dépend de quatre constantes de temps différentes. TROISIEME COMPARAISON SUR L’ASPECT THERMIQUE Un autre élément important lors du dimensionnement d’un convertisseur est le choix de son système de refroidissement. le redresseur réversible est meilleur. en général 150°C. il faut s’assurer que la température de jonction ne dépasse pas un seuil. de l’assemblage intra. En conclusion. Le Tableau IV-9 fournit les données constructeurs : il y a la résistance thermique ainsi que la constante de temps thermique des différents constituants. Il y a deux modèles de même type pour la puce IGBT et la puce de la jonction PN. proposé par EUPEC.modulaire. Nous avons aussi inclus les transitoires en utilisant les pertes calculées sur le profil dynamique.Chapitre IV Par ailleurs. nous pouvons compenser ce problème en augmentant le nombre de spires de la machine synchrone afin d’avoir le même rapport d’élévation dans les deux chaînes. IV. La Figure IV-17 présente le modèle thermique. Nous avons choisi de quantifier cette différence en étudiant la température de jonction maximale pour une même température de boîtier. En effet. ce qui est encore favorable au redresseur réversible.

333E-3 2 6. Nous supposons que la température du boîtier est nulle. d’une convection naturelle au lieu d’une ventilation forcée. Elle peut aussi permettre de changer de catégorie pour le semi-conducteur.139E-2 2. Elle permet soit un dimensionnement moins contraignant du système de refroidissement en se contentant. Les trois autres profils de température sont identiques malgré une différence de la température maximale de l’ordre de 20°C.949E-2 2.820E-1 3.429E-2 3 1.906E-2 3. ce qui revient à dire que nous observons la différence de température par rapport au boîtier.662E-1 Tableau IV-9 : Paramètres du modèle thermique du module EUPEC 1200V Nous simulons ensuite ces modèles pour le redresseur réversible et l’onduleur MLI en prenant le module 1200V et le module 1700V respectivement. Comme nous l’avons déjà dit.294E-1 4 8.345E-3 5.480E-2 7. Donc. la diode ne sert qu’à conduire le courant de la maille de court-circuit durant un instant bref.580E-1 2.128E-1 3. Figure IV-18 : Profils des températures de jonction de l’IGBT et de la diode La première chose qui frappe est la constance de la température de la diode dans le cadre du redresseur réversible.820E-2 1. à système de refroidissement 172 . nous sommes en mode onduleur.Le redresseur réversible appliqué à une chaîne éolienne i ri [K/W] : IGBT τi [s] : IGBT ri [K/W] : Diode τi [s] : Diode 1 3.884E-2 1. Elle chauffe relativement peu et de manière uniforme dans le temps. par exemple. Les résultats sont présentés à la Figure IV-18. Cette différence est très importante.099E-1 1.815E-1 3.

à densité de courant donnée. D’autre part. nous avons vu que le montage s’affranchit d’un condensateur sur le bus. En effet. connaissant déjà le niveau des pertes dans les composants.0348 Tableau IV-10 : Dimensionnement des dissipateurs thermiques Enfin. une remarque pour signaler que la température de la diode de l’onduleur MLI est équivalente à celle de l’IGBT. Par ailleurs. De plus. alors que l’onduleur MLI nécessite un filtre CEM côté réseau afin de réduire ses harmoniques de découpages. la résistance thermique étant plus importante. notamment l’onduleur MLI. Nous prenons 40°C comme température ambiante. de transmettre plus de puissance. Par contre. IV. car bien que nous ayons moins de pertes. cela se compense. sans capteur et sans commande extérieure à gérer. tandis que cela est impossible pour l’onduleur MLI. les tests CEM effectués chez CIRTEM ont mis en évidence le respect des normes.7. Le Tableau IV-10 présente les résultats. nous pouvons dimensionner les deux systèmes de refroidissement en prenant les données thermiques fournies par le constructeur. la dernière partie de cette étude a mis en évidence une nette différence sur les températures de fonctionnement à dissipateur donné. Par exemple. si nous nous décidons que la température la plus chaude que la puce doit atteindre est de 125°C.Chapitre IV donné. ce dernier mode de fonctionnement permet. Il représente donc un investissement de départ plus faible surtout si nous utilisons des modules 1200V au lieu de modules 1700V. La valeur pour le redresseur réversible permet encore d’envisager une convection naturelle. grâce au fonctionnement à 50Hz. Ce dernier permet d’injecter un courant sinusoïdal sur le réseau. est auto-alimenté. alors que notre montage se limite à un fonctionnement en onde 120°. Il apparaît quasiment un facteur dix sur la résistance thermique des dissipateurs. ou 173 . en prenant le calibre en dessous. CONCLUSION Cette étude sur un cahier des charges de chaîne éolienne a permis de comparer le redresseur réversible à d’autres montages ayant une fonction similaire. Redresseur réversible Pertes par IGBT (en W) Pertes par diode (en W) Résistance thermique du dissipateur (en K/W) 29 2 0. ayant ici peu de pertes à dissiper nous sommes beaucoup moins contraints.3824 Onduleur MLI 132 56 0.

Le redresseur réversible appliqué à une chaîne éolienne un dissipateur plus petit pour le redresseur réversible. nous ne consommons pas de puissance réactive. Cette énergie étant le bien que nous vendons. sur un plan purement énergétique. l’étude montre que le redresseur permet d’injecter plus d’énergie sur le réseau que l’onduleur MLI. Plus un système est complexe. en faisant abstraction de l’aspect éolien. une tension de bus parfaitement maîtrisée à un niveau inférieur et une électronique plus fiable. 174 . pas d’éléments auxiliaires. un coût de départ plus faible. Or la convection naturelle est des plus simples Enfin. mais nous avons moins de pertes. plus la fiabilité est difficile à maîtriser. semble un bon compromis pour le convertisseur réseau de la chaîne éolienne. grâce à sa plus grande simplicité. Par rapport à ce dernier. le redresseur réversible est également vainqueur sur ce plan. nous avons une bonne comparaison entre notre montage et l’onduleur MLI ou le pont à thyristors. à température de jonction donnée. Contrairement à l’onduleur MLI. Par sa simplicité et ses bonnes performances. Nous pouvons encore gagner ici sur le plan financier mais également sur le plan fiabilité du système. nous n’avons pas la possibilité de faire de l’absorption sinusoïdale sur le réseau. le redresseur réversible qui fonctionne ici en mode onduleur uniquement. Par ailleurs.

seule la désaturation intrinsèque d’un transistor semble physiquement pouvoir être exploitée de façon viable. résulte des grandeurs électriques environnantes. ou bien.linéarité peut résulter d’une caractéristique intrinsèque au composant (désaturation.ci provoque une maille de court-circuit ou une surtension. Cette seconde approche permet. Un point essentiel est la rapidité de réaction qui implique alors un emplacement au plus près du composant. Nous obtenons ainsi un nouveau procédé de commutation.e.linéarités comportementales dans le plan couranttension de l’interrupteur. Il avait pour objectif d’étudier un nouveau concept basé sur l’utilisation des protections au cœur même du mécanisme de commutation en vue d’élaborer de nouveaux convertisseurs statiques auto-protégés. d’une part. Avant de présenter quelques perspectives. i. que ce changement d’état. complémentaire de la précédente. Mais nous nous sommes alors aperçu que ces travaux avaient des implications bien plus amont.CONCLUSION GENERALE Ce travail de thèse s’inscrit dans les travaux menés au sein de l’équipe « Convertisseurs Statiques » du LEEI sur le thème de la fiabilité et de la sûreté des convertisseurs. pour des dispositifs semi-conducteurs. d’autre part. et associée à un détecteur conférant la fonction disjoncteur. appelé commutation automatique. comme l’introduction de nouvelles fonctionnalités et un élargissement des mécanismes de fonctionnement de la cellule de commutation. Cette commutation est donc automatiquement commandée (ou auto-commandée ou automatique) par le niveau de courant qui traverse l’interrupteur ou la tension à ses bornes. nous allons tirer les principales conclusions de cette étude. Elle peut constituer un processus causal si le changement d’état automatique résulte de ’évolution des sources extérieures. Cette dernière est fondamentalement basée sur l’exploitation d’une ou plusieurs non. au contraire. Cette non. écrêtage) ou de l’introduction d’un seuil de détection en courant (disjonction) ou en tension (crow-bar). subir le l changement d’état d’un autre interrupteur au sein de la cellule. notre travail s’est donc positionné sur le thème de la sécurité de fonctionnement des convertisseurs statiques. si ce n’est directement dans la puce. Dans la continuité de travaux antérieurs sur la fiabilité. l’élargissement des degrés de liberté intervenant dans la synthèse des convertisseurs. notion qui était implicite tant que nous ne considérions . l’élaboration de convertisseurs statiques autocommandés et auto-protégés et. comme une transition spontanée. Un état de l’art des protections en courant et en tension des composants à semiconducteur a permis de mettre en avant leurs propriétés principales. Il en résulte une notion de causalité dans le changement d’état de la cellule de commutation. si celui. Une autre approche. consiste à rendre active cette fonction de protection dans le mécanisme de commutation de la cellule. En général.

Par exemple. Ce composant a également servi de support pour l’étude du processus de disjonction. afin de synthétiser cette fonction thyristor-dual disjoncteur. Dans ce contexte et sur la base des propriétés énoncées. Nous avons alors mis en avant le rôle important joué par la capacité transversale dans la maîtrise du courant de disjonction. mais également dans la parallélisation de disjoncteurs électroniques. Nous avons ainsi pu quantifier les avantages du redresseur réversible qui est auto-alimenté. C’est le but de la collaboration actuelle entre le LEEI et le LAAS. ce qui est le comportement d’un onduleur de tension. telles que des réversibilités intrinsèques ou des structures AC-AC naturelles. La commutation automatique remet donc en cause la vision classique des convertisseurs. vision adaptée aux commutations commandées et spontanées. nous avons confronté le redresseur réversible aux montages présentant des fonctionnalités similaires que sont l’onduleur MLI et l’onduleur de courant à thyristors.Conclusion générale que les commutations commandée et spontanée. sur un cahier des charges de convertisseur réseau d’une chaîne éolienne. ce qui le protège contre toute défaillance de la charge ou d’un des composants. car le montage peut également fonctionner en ondes 180°. Ce dernier montage a fait l’objet d’une collaboration avec CIRTEM pour le développement d’un prototype en cours d’industrialisation. sans capteur. alors que des micro-disjoncteurs ont déjà été réalisés. possède un meilleur rendement et permet une totale maîtrise de 176 . il adapte son mode de fonctionnement à son environnement de manière autonome. dans le cadre de la cellule onduleur à disjonction. Ce nouveau concept permet également d’envisager de nouvelles fonctionnalités comme le transformateur continu réversible. le thyristor-dual disjoncteur constitue le composant privilégié pour la réalisation de tels convertisseurs. Il peut être vu comme un pont de diodes dont ces dernières seraient réversibles en courant. Mais cette vision est restrictive. ce que nous recherchions au départ. mais également le redresseur triphasé réversible. ce qui permet d’enrichir les caractéristiques des interrupteurs. Il résulte que la commutation automatique permet d’introduire de no uveaux mécanismes. le thyristor-dual autorise une intégration fonctionnelle. Ce composant est alors utilisé dans des convertisseurs statiques complets ce qui a permis de mettre en avant son utilité en terme de sûreté. composants dont l’usage se développe. Enfin. les mécanismes et les structures de cellules. Parmi toutes les qualités qu’il présente. la commutation commandée étant toujours maître. Par conséquent. il y a deux disjoncteurs en série sur le bus continu. fonctionne à cos(ϕ) unitaire. Cela permet d’envisager l’intégration fonctionnelle de composants incluant une commutation commandée à court terme. ainsi que les fonctionnalités. Nous nous sommes alors intéressés aux deux cellules élémentaires basées sur ce composant : les cellules onduleur à disjonction et redresseur à disjonction.

durant les années qui viennent. ce qui augmente la portée de ce travail. Une recherche plus amont est également envisageable dans le cadre de notre collaboration avec le LAAS. ou le supraconducteur. Sur le plan applicatif. sur le plan théorique. la suppression de la commande dans le redresseur réversible a permis de réaliser le montage le plus compact possible. Sans tout remettre en cause. grâce à l’absence de capteur et de commande. Dans l’application envisagée. l’introduction de la commutation automatique résout les problèmes d’associations de commutations commandées. Nous pouvons même rêver à une refonte de la cellule de commutation et son intégration au sein de la puce silicium. ce qui nous amène tout naturellement aux perspectives de ce travail. problèmes qui ne se limitent pas aux composants à semiconducteur mais s’étendent à d’autres technologies d’interrupteurs comme le diamant. Le redresseur réversible à thyristor-dual disjoncteur est donc un bon vecteur pour promouvoir le concept de commutation automatique. Mais les retombées ne s’arrêtent pas là. nous avons constaté un élargissement des propriétés de la cellule de commutation avec de nouvelles possibilités. à son meilleur rendement. l’étude de la cellule de commutation a toujours été très présente au LEEI. le redresseur réversible sort vainqueur grâce à sa simplicité. mais également de nouvelles visions des mécanismes de commutation. ce qui en fait un bon candidat pour l’intégration fonctionnelle. En effet. l’introduction de la commutation automatique va permettre d’élargir l’enseignement de la cellule de commutation. 177 . d’autres montages peuvent être envisagés. ce qui en fait un axe d’enseignement fort à l’ENSEEIHT. facteur important ici vu que nous parlons de génération d’énergie. Historiquement. brique élémentaire de tout convertisseur statique. étudié par ailleurs au LEEI. les potentialités étant très importantes. En effet. tant au niveau du dispositif qu’au niveau du refroidisseur. Enfin.Conclusion générale la tension du bus continu. Nous constatons donc que la commutation automatique a largement dépassé la thématique de départ de ce travail sur la sûreté de fonctionnement. au point d’être devenue un axe de recherche à part entière de l’équipe « Convertisseurs Statiques » du LEEI. alors que la phase de valorisation est en cours.

.

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.i K2 = i A-1 Ø DEFINITION DES SEGMENTS DES INTERRUPTEURS La source de tension est continue et la source de courant est réversible. iK1 K1 E iK2 K2 vK2 vK1 i Figure A-1 : Cellule de commutation VK1 + VK2 = E  i K1 . ANNEXE A EXEMPLE DE SYNTHESE DE CELLULES DEUX QUADRANTS Afin d’illustrer la méthodologie de synthèse de cellules à commutation automatique. ce qui implique un segment de tension et deux segments de courant principaux (ou statiques) pour les interrupteurs. étapes de la méthodologie sont détaillées par la suite. Les équations de la cellule de commutation sont redonnées à l’Equation A Les différentes -1. nous allons nous placer dans le cas d’une source de tension continue et d’une source de courant bidirectionnelle. Ce sont les segments statiques représentés en trait plein sur les caractéristiques de la Figure A-2.A. La cellule de commutation est représentée à la Figure A-1.

impliquant un amorçage avec changement de quadrant. permettant un blocage automatique esclave. Le bilan fait apparaître un segment statique. deux segments mixtes et un segment dynamique possibles pour chaque interrupteur. La source de courant étant bidirectionnelle. son ouverture provoque une surtension de n’importe quel signe aux bornes des interrupteurs. le blocage se fait sans changement de quadrant. En effet. ni par celui de la source de courant. i i v v K1 K2 Figure A-2 : Caractéristiques des interrupteurs (segments statiques en trait plein) Ø DEFINITION DES DIFFERENTS TYPES DE COMMUTATION A PARTIR DU DEPHASAGE ENTRE LE COURANT ET LA TENSION CHOISI Dans notre exemple.Exemple de synthèse de cellules deux quadrants Il faut ensuite s’assurer de la possibilité de présence de segments dynamiques ou mixtes. pour une surtension positive. 182 . et d’un segment dynamique lors d’une surtension négative. ce qui implique un blocage des interrupteurs sous courant positif. Nous avons donc un segment positif de courant mixte. le court-circuit de la source de tension provoque toujours un courant positif dans les interrupteurs. Nous représentons ces possibilités par les pastilles rouges. nous nous limitons à l’étude du cas où le courant est en retard sur la tension. Par contre. il n’y a pas possibilité d’avoir un blocage automatique pour un courant négatif. En ce qui concerne la possibilité d’un blocage automatique. ni par le biais de la source de tension. si cette dernière est impédante. le signe de la tension fait toujours croître le courant dans les interrupteurs. Ces amorçages se font par l’intermédiaire d’un segment mixte. qui sont définis par la possibilité de commutations automatiques autorisées par les deux sources. Par conséquent. Il est donc envisageable d’avoir un amorçage automatique esclave dans les deux quadrants.

résumés dans le Tableau A-1. cette solution ne comporte également pas de commutation automatique. il existe une exception. En effet. le changement de quadrant lors de l’amorçage de K2 permet des commutations spontanée et automatique.Annexe A Ø ECRITURE DES COMBINAISONS POSSIBLES INCLUANT AU MOINS UNE COMMUTATION AUTOMATIQUE EN TENANT COMPTE DU DEPHASAGE ENTRE LE COURANT ET LA TENSION CONSIDERE Nous supposons ici que l’interrupteur K1 se bloque et que l’interrupteur K2 s’amorce. Lors du blocage de K1 . Commutation de blocage : Commandée Automatique Amorçage de K2 K2 voit son point de fonctionnement changer de quadrant. Ce cas est plus longuement traité au paragraphe I. ici. objet de notre étude. à partir du moment où elle est associée avec une commutation automatique qui. mais ne permet pas d’avoir une commutation spontanée. De toute façon. nous pouvons avoir une commutation commandée avec changement de quadrant. Elles sont au nombre de six. Mais le cas associant commutations commandée et spontanée ne nous intéresse pas car il faut au moins une commutation automatique. Commutation d’amorçage : § Spontanée § Automatique § Commandée Tableau A-1 : Résumé des différentes possibilités de types de commutation (les flèches indiquent les causalités) Nous pouvons alors dégager la liste des combinaisons de types de commutation possibles. Par conséquent. Cas • Cas ‚ Automatique Automatique Cas ƒ Spontané Automatique Cas „ Commandé Automatique Amorçage Blocage Automatique Commandé Tableau A-2 : Combinaisons possibles de commutations pour un courant en retard sur la tension 183 . Blocage de K1 K1 voit son point de fonctionnement rester dans le même quadrant. De plus. Mais. le cas associant deux interrupteurs commandés n’est pas technologiquement simplement réalisable avec une bonne fiabilité. nous pouvons écrire les différents types de commutation possibles. ne change pas de quadrant. De même. le fait de ne pas changer de quadrant autorise des commutations commandée et automatique.4. mais n’autorise pas l’usage d’une commutation commandée. elle.4. Le blocage se déroulant sous courant positif. il ne reste que quatre cas résumés dans le Tableau A-2.

Pour les deux montages incluant une commutation commandée (cas • et „). Elles sont représentées dans le Tableau A-3. nous nous servons du Tableau I-2. Dans ces deux exemples. Il est intéressant de déterminer la causalité des commutations. Nous avons donc des commutations de blocage maître. Nous utilisons les critères définis dans le Tableau I-5. c’est la hausse du courant dans l’impédance qui provoque le changement d’état de la cellule.Exemple de synthèse de cellules deux quadrants Nous pouvons désormais dessiner les quatre cellules synthétisées. Il y a le cas particulier de la cellule qui comprend une commutation commandée avec changement de quadrant qui est stable ici pour le déphasage entre le courant et la tension considéré. Pour les deux autres montages (cas ‚ et ƒ). Il apparaît que toutes nos cellules sont stables. cette dernière est forcément commutation maître. qui permet de déterminer la causalité des commutations automatiques. Amorçage automatique « esclave » off Blocage commandé « maître » i off v Amorçage automatique « esclave » Blocage automatique « maître » i Cas • Cas ‚ v Amorçage spontané « esclave » Blocage automatique « maître » on Amorçage commandé « maître » Blocage automatique « esclave » i i Cas ƒ v on Cas „ v Mode thyristor-dual disjoncteur Mode disjoncteur commandable Tableau A-3 : Schémas des cellules synthétisées Ø ETUDE DE LA STABILITE DES COMMUTATIONS AUTOMATIQUES Il faut dorénavant vérifier si les cellules générées sont stables. Elles ne se révèlent intéressantes que si elles permettent une réversibilité basse 184 . Les deux premières cellules impliquent une surtension sur l’interrupteur bloqué et ajoutent un segment dynamique. Ø VERIFICATION DE L’ INTERET DE LA CELLULE GENEREE Il faut maintenant déterminer l’apport de chacune de ces cellules.

Annexe A

fréquence. C’est le cas de la première cellule, mais pas de la deuxième qui ne peut fonctionner si le sens de la source de tension est changé. En effet, le changement de signe de la tension change le sens d’évolution du courant de charge et ne permet plus le blocage automatique maître pour les interrupteurs, le courant s’éloignant du seuil de disjonction. Il faudrait inverser le sens du pouvoir de disjonction des interrupteurs, ce qui revient à les inverser physiquement. Cette cellule est donc écartée. La troisième cellule n’introduit pas de contrainte et peut fonctionner telle quel. C’est un onduleur à disjonction qui va fonctionner selon un principe similaire à une fourchette de courant. Enfin, la dernière est un cas particulier qui est détaillé dans la partie I.4.4. Les propriétés principales sont données dans le Tableau A-4.

Surtension sur l’interrupteur bloqué. Ajout d’un segment dynamique. Intéressant pour une réversibilité basse fréquence de la source de tension.

Surtension sur l’interrupteur bloqué. Ajout d’un segment dynamique. Ne fonctionne pas si inversion de la source de tension. INUTILE Pas de contrainte en tension. Stable si la commande intervient bien quand l’autre interrupteur conduit un courant par son transistor. Fonctionnement atypique (commutation commandée avec changement de quadrant).

Pas de contrainte en tension. Fonctionne : onduleur à disjonction.

Tableau A-4 : Caractéristiques et intérêt des cellules (cases respectives)

Ø ETUDE DE LA PROTECTION DE LA CELLULE
La première cellule est dotée d’un amorçage automatique. Il n’y a donc aucune protection intrinsèque contre les courts-circuits. Par contre, l’amorçage automatique permet de limiter les surtensions au niveau de la charge en la connectant à la source de tension, si la différence de tension dépasse le seuil d’auto-amorçage. Le deuxième interrupteur ayant été écarté, nous ne le considérons plus dans l’étude. Le troisième interrupteur, tout comme le quatrième est protégé contre tous les types de défaut. Pour les surintensités, que ce soit un court-circuit de la charge ou un court-circuit de la source de tension, il y a toujours un disjoncteur en série. La protection contre les surtensions de la charge est assurée par le lien permanent entre la charge et la source de tension par l’intermédiaire d’une diode.

185

Exemple de synthèse de cellules deux quadrants

Les cellules ainsi synthétisées sont celles de la première colonne du Tableau I-3. La même méthode est appliquée afin de remplir les autres colonnes ainsi que celles du Tableau I4.

186

B. ANNEXE B
MISE EN EQUATION DE LA PHASE DE
DISJONCTION
La phase de la disjonction se déroule en trois phases successives qui sont détaillées dans le chapitre II : - le courant croît mais est inférieur au courant de disjonction, - le courant a atteint la valeur du courant de disjonction, - la tension aux bornes du composant est suffisante pour que la valeur du condensateur transversal soit devenue faible coupant le lien entre puissance et commande permettant au composant de se bloquer. L’étude doit permettre de quantifier l’influence des éléments extérieurs sur la valeur du courant de disjonction. La Figure B-1 redonne le schéma du modèle du transistor MOS.

id iCdg iT Rdson grille iCgs Vcom Vgs Vgsth source gfs Ipot Cds drain iCds Vds

Rg

Figure B-1 : Modèle du transistor MOS Dans l’étude qui vient, nous négligeons l’influence du condensateur Cds du transistor MOS dont la valeur est beaucoup plus faible que celle du condensateur transversal durant les deux premières phases de disjonction.

Mise en équation de la phase de disjonction

Ø PREMIERE PHASE
La Figure B-2 présente le schéma équivalent durant la première phase. Nous supposons ici que le di/dt du courant de charge est constant, ce qui correspond à une cellule onduleur qui alimente une inductance.

Vdg iCdg

id drain iT

Rg

grille iCgs Rdson Vds

Vcom

Vgs source

Figure B-2 : Schéma équivalent durant la première phase Si nous écrivons la loi des nœuds à la grille, nous obtenons l’Equation B-1. En utilisant les Equation B-2 et Equation B-3, nous obtenons l’équation différentielle de l’Equation B-4. Pour écrire l’Equation B-3, nous faisons l’hypothèse que le courant dans la capacité transversale est négligeable devant le courant de charge qui passe donc intégralement dans le canal du transistor MOS, ce qui est vrai en régime permanent. Nous vérifierons plus loin que la constante de temps du transitoire imposé par la capacité transversale est très faible devant la dynamique du courant de charge.
dVdg dt Vgs - Vcom Rg dVgs dt

C dg ⋅

=

+ Cgs ⋅

B-1

Vdg = Vds - Vgs

B-2

 di  Vds = R dson ⋅   ⋅ t  dt 

B-3

dVgs dt

+

R g .(C gs + C dg )

1

⋅ Vgs =

Vcom  di  ⋅ R dson ⋅   + (C gs + Cdg )  dt  R g .(C gs + C dg ) C dg

B-4

Nous pouvons alors calculer la solution générale donnée à l’Equation B-5 et la solution 188

 di  lim Vgs (t) +∞→ Vcom + C dg ⋅R g ⋅R dson ⋅    t→  dt   di  ∆I pot = g fs ⋅ C dg ⋅R g ⋅R dson ⋅    dt  B-9 B-10 Les formes d’ondes de la tension de grille et de la tension aux bornes du composant sont données à la Figure B-3.C dg ⋅R g ⋅R dson ⋅    dt  1 ⋅t   di    1 . nous pouvons donner la solution finale à l’Equation B-8. Cette valeur est donnée par l’Equation B-10. Nous vérifions bien les différences de dynamiques ici. ce qui permet de vérifier notre hypothèse.e R g .(Cgs + Cd g )  + Cdg ⋅R g ⋅R dson ⋅   ⋅   dt     B-7 Vgs (t) = Vcom B-8 Nous vérifions que la constante de temps obtenue est faible devant la dynamique du courant imposée par le circuit extérieur (0.  di  K = .02A/µs. 189 .6µs contre 100µs). Pour information. le di/dt du courant de charge est de 0.Annexe B homogène donnée par l’Equation B-6. 1 ⋅t R g . Cgs + Cdg Vgs (t) = K.e - ( ) B-5  di  Vgs0 = Vcom + C dg ⋅ R dson ⋅ R g ⋅    dt  B-6 Après avoir calculé la constante (Equation B-7) en sachant qu’à l’origine. Un zoom est donné pour voir l’évolution du potentiel de grille au début de la phase. soit que nous pouvons négliger le transitoire et nous contenter du régime permanent donné par l’Equation B-9. la tension grille-source est égale à la tension de commande Vcom. Nous pouvons alors en déduire la surtension induite par rapport à la tension de commande Vcom et ainsi calculer l’augmentation que cela implique sur le courant potentiel par rapport à la valeur imposée par la commande.

Nous négligeons toujours ici l’influence du condensateur Cds dont la valeur de 750pF est négligeable devant celle de Cdg qui vaut 9. La Figure B-4 présente le schéma équivalent durant la deuxième phase.Mise en équation de la phase de disjonction Figure B-3 : Formes d’ondes durant la phase 1 Ø DEUXIEME PHASE Le courant de charge a dorénava nt atteint la valeur du courant potentiel. 190 . Nous supposons aussi l’origine des temps au début de la deuxième phase afin de simplifier la lecture des équations. Nous supposerons donc que la différence entre le courant de charge et le courant potentiel passe intégralement dans le condensateur transversal.5nF.

L’Equation B permet d’obtenir -1 l’Equation B-14.Vgsth ) = C dg ⋅  ds  dt dt    C dg ⋅ dVgs Vgs .Vgsth ) B-12 dVgs   dV  I d .Annexe B Vdg iCdg id drain Ipot Vds Rg grille iCgs Vcom Vgs source Figure B-4 : Schéma équivalent durant la deuxième phase La loi des nœuds permet d’écrire l’Equation B-11. dVdg dt I d = C dg ⋅ + I pot B-11 I pot = g fs ⋅ (Vgs . -13.Vcom dVds = (Cgs + C dg ) ⋅ + dt dt Rg B-13 B-14 I d (t) + g fs ⋅ Vgsth +  dVgs  1 Vcom = C gs ⋅ + + g fs  ⋅ Vgs (t) R  Rg dt  g  B-15 Nous avons déjà vu que la première phase provoque une variation du courant potentiel quasiment indépendant du temps vue sa constante de temps faible. En tenant compte de l’Equation B12 et de l’Equation B nous obtenons l’Equation B -2. Nous supposons donc que le courant de charge vérifie l’Equation B-16. 191 .g fs ⋅ (Vgs . L’Equation B-15 est alors obtenue en combinant les deux dernières équations.

Nous entrons alors dans la troisième phase.R g ⋅ Cgs ⋅ t V  ⋅ I pot0 + g fs ⋅ Vgsth + com ⋅    ⋅ e + Vgs0 R g 1 + g fs ⋅ R g  dt      1+ g fs ⋅R g B-19 Connaissant la tension grille-source. Figure B-5 : Formes d’ondes durant la phase 2 192 .Mise en équation de la phase de disjonction  di  I d (t) =   ⋅ t + I pot0  dt  B-16 La solution homogène de l’équation différentielle est alors donnée à l’Equation B-17. Les formes d’ondes durant cette deuxième phase sont données à la Figure B-5. tandis qu’une solution particulière apparaît à l’Equation B-18. nous pouvons en déduire l’évolution du courant potentiel et donc du courant de disjonction.  Rg  Vgs (t) = Vcom 1 + gfs ⋅ R g    C gs ⋅ R g  di   . 1 +g fs ⋅ R g ⋅t R g ⋅ Cgs Vgs (t) = K ⋅ e B-17 Vgs0 =  di  Cgs ⋅ R g V ⋅   ⋅ t + I pot0 + g fs ⋅ Vgsth + com 1 + g fs ⋅ R g  dt  R g 1 + g fs ⋅ R g  Rg  di   ⋅    dt    B-18 La solution générale est alors donnée à l’Equation B-19. calculée en la supposant polynomiale du premier degré. Cette phase s’arrête quand la tension aux bornes du transistor atteint une valeur qui permet le changement de valeur du condensateur Cdg.

La liaison entre la puissance et la commande est « rompue ». Le schéma équivalent devient celui de la Figure B-6. La valeur de ce dernier diminue fortement jusqu’à atteindre 250pF. La Figure B-7 présente les formes d’ondes durant cette phase. id drain grille iCgs Vcom Vgs source Ipot iCds Cds Vds Rg Figure B-6 : Schéma équivalent durant la troisième phase Figure B-7 : Formes d’ondes durant la phase 3 193 . une majorité du courant de charge est aiguillé dans la capacité accélérant la hausse de la tension de la tension aux bornes du transistor. Cette valeur est inférieure à celle du condensateur Cds.Annexe B Ø TROISIEME PHASE La tension aux bornes du transistor MOS a atteint une valeur qui permet d’avoir une tension positive aux bornes du condensateur transversal (Vdg>0). La commande peut diminuer le potentiel de grille et provoquer le blocage du transistor MOS : l’interrupteur « disjoncte » permettant une remontée rapide de la tension aux bornes du composant. Ainsi.

La phase 1 (800µs) est prépondérante. Figure B-8 : Formes d’ondes durant l’ensemble des phases 194 . Cela permet de comparer les ordres de grandeur de durée des phases.6µs) sont très rapides. tandis que les phases 2 (50µs) et 3 (0.Mise en équation de la phase de disjonction Les formes d’ondes pour l’ensemble des séquences sont présentées à la Figure B-8.

ANNEXE C TABLEAUX DES RESULTATS DE MESURE DE PERTES Les paramètres du calcul des pertes en statique ainsi que les résultats pour toutes les vitesses de vent sont donnés dans le Tableau C-1 pour l’onduleur MLI et dans le Tableau C-2 pour le redresseur réversible. Nous ne présentons pas les tableaux obtenus ici. Nous obtenons alors 500 points sur la période d’étude de 10 secondes. Pour les calculs en dynamique.C. nous utilisons les mêmes tableaux sauf que les paramètres sont relevés toutes les périodes réseau soit toutes les 20ms. . vu leur taille.

Tableaux des résultats de mesures de pertes .

Annexe C 197 .

.

Figure D-1 : Vue d’ensemble du redresseur réversible (les condensateurs ont été ôtés) . du redresseur triphasé réversible. réalisée par CIRTEM. Sur la photographie.D. ANNEXE D PHOTOGRAPHIES DE LA MAQUETTE DE REDRESSEUR TRIPHASE REVERSIBLE La Figure D-1 présente une vue d’ensemble de la maquette d’essais. les différents condensateurs de puissance ont été retirés afin de mieux voir le reste des éléments.

Elles incluent leur propre auto-alimentation. De même. nous n’avons que cinq bornes de connexion vers l’extérieur. Il faut noter que le radiateur est plus grand ici que nécessaire.Photographies de la maquette du redresseur réversible triphasé Le montage comp let a été réalisé sur un circuit imprimé unique. Nous avons ensuite les six commandes rapprochées autonomes les unes par rapport aux autres. Tout d’abord. La Figure D-3 présente les différents éléments présents. trois pour le triphasé et deux pour le bus continu. mais elle a facilité l’assemblage du montage de développement. comme montré à la Figure D-2. mais pourront être intégrés en CMS dans le montage définitif. Figure D-2 : Vue latérale du redresseur triphasé réversible (les condensateurs ont été ôtés) Le circuit imprimé unique comprend non seulement la partie de commande rapprochée des différents interrupteurs mais également la connectique de la puissance. mais que nous l’avons choisi car c’est un module standard chez CIRTEM et qu’il a permis un montage facile de la maquette. 200 . La Figure D-4 présente la vue détaillée d’une de ces commandes rapprochées. la surface de circuit imprimé n’a pas été optimisée. Le module EUPEC FS75R12KE3 est pris en sandwich entre le radiateur et le circuit imprimé. Certains éléments visibles ont été ajoutés lors de la phase de développement. Nous voyons qu’il y a peu de composants et que la commande reste relativement intégrée.

Annexe D Bornes côté continu Varistance de Bornes côté réseau protection contre les surtensions Emplacement du FS75R12KE3 6 drivers autonomes des 6 thyristors-duals disjoncteurs Figure D-3 : Détails des différents éléments principaux Figure D-4 : Vue de détail de la commande rapprochée des interrupteurs 201 .

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