Curso de Electronic A de Potencia

GENERALIDADES
¾ Años 50: SCR.

¾ Años 70: Microprocesadores.
TEMA 1. INTRODUCCIÓN AL MODELADO Y ¾ Años 90:
ANÁLISIS DE CIRCUITOS DE POTENCIA
ASIC y DSP Frecuencias mayores
IGBT Menor tamaño y coste de componentes reactivos
1.1. GENERALIDADES.
⇒ Mayores prestaciones, Menor coste, Posibilidad de emplearlos en nuevas
aplicaciones.
1.2. REGLAS PARA EL ANÁLISIS DE CIRCUITOS DE
POTENCIA. Aplicaciones Industriales:
¾ Control de Motores DC, AC (70% de la energía eléctrica consumida).
¾ Fuentes de Alimentación.
1.3. DESARROLLO EN SERIE. ¾ Energías Renovables.
1.3.1. Cálculo de Armónicos. El objetivo de la ELECTRONICA DE POTENCIA es:
1.3.2. Potencia. “Modificar, utilizando dispositivos de estado sólido, la forma de

presentación de la energía eléctrica”
1.3.3. Cálculo de valores eficaces.
¾ Uso de Fuentes de Alimentación, Componentes Reactivos e Interruptores. (no
1.4. FORMULACIÓN SISTEMÁTICA UTILIZANDO Resistencias)
VARIABLES DE ESTADO.
¾ Definición de Interruptor Ideal:
Roff=∞, VBD= ∞, Ton=0 Ron=0, Ion= ∞, Toff=0
a) Interruptor Abierto b) Interruptor Cerrado
Otras características a tener en cuenta son: coste del dispositivo y de los

elementos auxiliares, potencia necesaria para controlar el dispositivo.
Tema 1. Introducción al Modelado y Análisis de Circuitos de Potencia. Transparencia 1 de 21 Tema 1. Introducción al Modelado y Análisis de Circuitos de Potencia. Transparencia 2 de 21
GENERALIDADES REGLAS PARA EL ANÁLISIS DE CIRCUITOS DE
POTENCIA
Flujo de Potencia
R=50Ω
Fuente de Convertidor
Energía de Estado Carga IR=10A
Eléctrica Sólido E=500V VCE
Ejemplo simple con un solo interruptor.

Circuito de
Mando Real: IC VCE VRes
Cortado 1mA 499.95V 50mV
Fuente de Energía Carga Saturado 9.96 Amp 2V 498V
• Alterna (Mono ó Trifásica): • Alterna (Mono ó Trifásica): Valores reales
• Red Eléctrica • Motor
• Generador aislado: • Estufa Ideal: IC VCE VRes
• Diesel • Horno
• Eólico • Iluminación Cortado 0 Amp 500V 0mV
• ... Saturado 10 Amp 0V 500V
• Continua: • Continua: Valores ideales
• Baterías • Motores
• Celdas de Combustible Error (%): IC VCE VRes
• Paneles Solares
Cortado 0.01 0.01 0.01
Circuito de mando Convertidor de potencia Saturado 0.4 0.4 0.4
• Microprocesadores/DSP • Interruptores % de error sobre el valor máximo.

• Circuitos microelectrónicos: • Componentes reactivos:
• ASIC • Transformadores
• FPGA • Bobinas
• Condensadores
REGLAS PARA EL ANÁLISIS DE CIRCUITOS DE REGLAS PARA EL ANÁLISIS DE CIRCUITOS DE
POTENCIA. Elementos Básicos POTENCIA. Elementos Básicos
i di IL
v=L
dt
1 t
L ∫t 0
i (t ) = i (t 0 ) + v(t )dt VL
L V L
1 2
ξ = ∫ ivdt = L ∫ idi = Li
2
1 t
L ∫t0
i (t ) = i (t0 ) + v (t ) dt
dv
i=C
i dt
1 t
C ∫t 0
V v(t ) = v(t0 ) + i (t )dt
C
1
ξ = ∫ ivdt = C ∫ vdv = Cv 2
2
Ecuaciones fundamentales de Bobinas y Condensadores
Funcionamiento de una Bobina al aplicar una tensión constante
POTENCIA. Elementos Básicos POTENCIA. Elementos Básicos
Ic IL
Vc
C
L VL
1 t
v(t ) = v(t0 ) + ∫ i (t )dt
C t0
Funcionamiento de un Condensador al aplicar una corriente constante Funcionamiento de una Bobina al aplicar una tensión alternada positiva y
negativa
POTENCIA. Elementos Básicos POTENCIA. Ejemplo
IL D
Carga LR
L
L VL i(t)
V = E sen ωt R
Suponiendo como condición inicial i(0)=0, cuando V se hace positivo en t=0, el

diodo se polariza directamente y empieza a conducir. El circuito equivalente si se
supone el diodo ideal será:
Diodo Carga LR
Conduciendo L
i(t)
V = E sen ωt R
Circuito equivalente en el primer intervalo

t
di
Ecuación de mallas: V = E ⋅ sen ω ⋅ t = R ⋅ i + L
dt
que, para i(0) = 0 tiene una solución del tipo:
E Rt

 sen ϕ ⋅ e L + sen(ω ⋅ t − ϕ )
Funcionamiento de una Bobina al aplicar una tensión alternada positiva y −
negativa i (t ) = 2 2 
R +Lω
2 
Este circuito es válido para el análisis en tanto i (t ) ≥ 0 . Sea t1 el instante en el que
la intensidad se anula. El valor de t1 se obtiene de resolver la ecuación i(t1)=0
POTENCIA. Ejemplo POTENCIA. Ejemplo
Si t>t1 en el circuito anterior resulta i(t1)<0 y el diodo debería conducir di
una corriente negativa. A partir de ese instante, el circuito anterior no es V = E ⋅ sen ω ⋅ t = R ⋅ i + L dt
válido ya que el diodo se corta. El nuevo circuito equivalente es:
cuya solución para i(0) = 0 es:
Diodo no Carga LR
Conduce L E  −
Rt

i(t ) = 
 senϕ ⋅ e L
+ sen(ω ⋅ t − ϕ ) 
R 2 + L2ω 2  
i(t)
V = E sen ωt R Gráficamente:
Circuito equivalente en el segundo intervalo
Este circuito es válido hasta que la tensión de la fuente se hace positiva en t=2π/ω.
A partir de este instante, vuelve a ser válido el circuito del intervalo 1.
⇒ El funcionamiento en régimen permanente es una sucesión de

intervalos en régimen transitorio.
POTENCIA. Resumen POTENCIA. Resumen
Los circuitos de potencia son circuitos no lineales dado que tienen componentes En el circuito no lineal del ejemplo, puede representarse por el circuito lineal
no lineales. No obstante, considerando sus componentes como elementos de de la figura (intervalo 1) durante el intervalo (0,t1 ) y por el circuito lineal de la
conmutación ideales, el análisis en régimen permanente de los circuitos de figura (intervalo2) durante el intervalo (t1 ,2π/ω).
potencia puede realizarse mediante la resolución de una sucesión de circuitos
lineales en régimen transitorio, cada uno de los cuales tiene validez durante El paso de un intervalo a otro es debido a la conmutación del diodo al pasar
periodos de tiempo denominados intervalos. Los limites de estos intervalos por cero su corriente.
vienen fijados por los denominados parámetros de control.
La condición de contorno que liga ambos intervalos es el valor de la corriente
Estos parámetros de control tienen, principalmente, dos causas: en la bobina.
1. Excitaciones externas, tales como fuentes que varían su valor, disparo de Nótese que si, en el ejemplo anterior, t1 >2π/ω, el diodo nunca se cortaría y el
tiristores o variaciones en la polarización de base de los transistores y circuito de la figura (intervalo 1) sería una adecuada representación del
circuito original en todos los instantes de su funcionamiento en régimen
2. Condiciones umbrales de los dispositivos de potencia, las cuales, si se permanente.
alcanzan, provocan un cambio de estado del dispositivo. Consideremos, por
ejemplo, una tensión ánodo-cátodo negativa en un diodo en conducción o una no podemos saber a priori cuantos intervalos habrá y
Por ello,
tensión superior a la de ruptura en dispositivos de avalancha.
cual será su duración, ya que dependerá de los parámetros del circuito e
En todo circuito se puede escoger un conjunto de variables (normalmente incluso, en algunos casos, de sus condiciones iniciales de funcionamiento.
tensión en condensadores y corriente o flujo en bobinas) representativas de una
energía almacenada, cuyo valor no puede alterarse bruscamente. Estas
variables, cuyo conjunto recibe el nombre de condiciones de contorno, nos
permiten relacionar cada intervalo con el siguiente. El valor de estas
condiciones de contorno al finalizar un intervalo constituyen, precisamente, las
condiciones iniciales para el cálculo del intervalo siguiente.
Estas condiciones de contorno se complementan con la condición de

periodicidad característica del funcionamiento en régimen permanente. Los
valores finales en el último intervalo de las variables de contorno deben
corresponderse con sus valores iniciales del primer intervalo.
DESARROLLO EN SERIE. Cálculo de Armónicos DESARROLLO EN SERIE. Cálculo de Armónicos
Es usual que en la resolución de un circuito de potencia se obtengan Dado que es conveniente en muchos casos conocer las componentes armónicas
expresiones muy complejas para las variables de interés, con términos de una forma de onda, vamos a recordar en que consiste el desarrollo en
exponenciales y términos senoidales de distinta fase y frecuencia. serie de Fourier. Toda función periódica que cumple ciertas propiedades
puede ser descompuesta en una suma de senos y cosenos denominada
En la mayor parte de los casos nuestro interés se centrará exclusivamente en desarrollo en serie de Fourier de la función:
una determinada componente de frecuencia de la señal (típicamente su valor
medio y su primer armónico) o en su valor eficaz (a efectos térmicos). En
muchos casos, incluso, el resto de las componentes serán indeseables,
debiéndose estimar su magnitud a efectos de diseño de filtros que eliminen su
i (t ) =
A0
2 k =1 k
(
+ ∑ A ⋅ cos( kω 0 t ) + Bk ⋅ sen( kω 0 t ) )
presencia. donde:
2π
En general, dada una señal periódica, de periodo T, se definen los siguientes ω0 =
parámetros que caracterizan la señal: T
2 t0 + T
i (t ) ⋅ cos( kω 0 t ) ⋅ dt ,
T ∫t0
Ak = k = 0,1,2K
- Valor de pico I p = max i (t ) , 0 ≤ t ≤ T
Pueden distinguirse dos valores de pico (positivo y negativo) para
2
i (t ) ⋅ sen( kω 0 t ) ⋅ dt ,
considerar los casos de polarización directa e inversa. t0 + T
Bk =
T ∫
t0
k = 1,2,3K
1 T
T ∫0
- Valor Medio Im = i (t ) ⋅ dt , También se le representa como I AV A0
Para el cálculo de la corriente media empleada para dimensionar un El término 2 es el valor medio de la función. Al término
Ak ⋅ cos( kω 0 t ) + Bk ⋅ sen( kω 0 t ) se le denomina armónico de orden k. Al
dispositivo, se calcula el valor medio del valor absoluto de la señal.
1 T 2 armónico de orden 1 se le denomina también componente fundamental.

T ∫0
- Valor eficaz I= i (t )dt , También se le representa como I RMS
El módulo del armónico de orden k viene dado por: I kp = Ak2 + Bk2
I I
f = = RMS
- Factor de forma
Im I AV I kp
y su valor eficaz: Ik =
2
Ip
I
- Factor de pico f = = max Empleando esta nomenclatura, el desarrollo en serie de Fourier se puede
I I RMS reescribir como:
i (t ) = I m + ∑ 2 ⋅ I k ⋅ sen( kω 0 t − Φ k )
k =1
DESARROLLO EN SERIE. Cálculo de Armónicos DESARROLLO EN SERIE. Potencia
En determinados casos el desarrollo en serie de la función se puede simplificar: La potencia media se define como:
1 T
T ∫0
¾ para el caso en que la función sea par, f ( t ) = f ( − t ) los términos en seno P= v (t ) ⋅ i (t ) ⋅ dt
desaparecen, por tanto Bk = 0 .
Si se sustituye i(t) por su desarrollo en serie de Fourier y la tensión por
¾ para el caso en que la función sea impar, f (t ) = − f ( − t ) los términos en
2 ⋅ V ⋅ sen(ω 0 t ) , (tensión rígida) y teniendo en cuenta que las integrales en
coseno desaparecen, por tanto Ak = 0 .
un período de un seno, o de los productos cruzados de senos y cosenos o
productos de razones trigonométricas de diferente frecuencia son nulas,
¾ para el caso de función alternada, f (t ) = − f (t + T 2 ) los armónicos de quedará:
orden par desaparecen, por tanto, A2 k = B2 k = 0 .
1 T
P= ∫ 2 ⋅ V ⋅ sen(ω0 t ) ⋅ 2 ⋅ I 1 ⋅ sen(ω0 t − Φ1 ) dt = V ⋅ I 1 ⋅ cos Φ1
T 0
El valor eficaz de la señal vendrá dado por:
donde Φ 1 es el ángulo de desfase entre v ( t ) y el primer armónico de i(t ) .
(A2
1 +B 2
1 ) (A 2
2 +B 2
2 )
I= I m2 + + +L = I m2 + I 12 + I 22 +L (A) ⇒ los armónicos no contribuyen a la potencia media (real o activa).
2 2
Ik La potencia aparente, se define como el producto de los valores eficaces de la
Se define la distorsión del armónico k como la relación Dk = I
I 1 donde k es el tensión y la corriente (cuyo valor como se ha visto depende de los armónicos
valor eficaz del k-ésimo armónico. presentes).
S =V ⋅I
I + I +L
2
2
2
3 El factor de potencia (PF) se define como:
Se define la distorsión total como: Dt = = D22 + D32 +L
I1
Al parámetro Dt se le llama también THD (Distorsión Armónica Total). P V ⋅ I 1 ⋅ cos Φ 1 I 1 I
PF = = = ⋅ cos Φ 1 = 1 ⋅ DPF
S V ⋅I I I
De la definición anterior y de (A), se deduce: I = I m2 + I 12 ⋅ (1 + Dt2 )
donde DPF es el factor de potencia debido al desfase, la ecuación anterior puede
reescribirse (para ondas cuyo valor medio sea cero, como es habitual en
De la misma forma, pueden definirse magnitudes análogas para las tensiones, sistemas de alimentación alterna):
con la salvedad de que en el caso de la red eléctrica los armónicos en tensión no
suelen ser significativos.
1 la existencia de armónicos hace que
PF = ⋅ DPF ⇒
1+ D t
2
disminuya el factor de potencia
DESARROLLO EN SERIE. Cálculo de valores eficaces DESARROLLO EN SERIE. Cálculo de valores eficaces
La expresión que permite calcular el valor eficaz de una Algunas formas de onda usuales y sus valores eficaces son:
señal puede obligar a realizar complejos cálculos, por
lo que en algunos casos conviene simplificarla, de forma 1 T 2 Ip
T ∫0
Onda completa senoidal:
que en un período, la señal se descompone en N I= i (t )dt
intervalos de tiempo consecutivos, con tal de que no Ip
coincidan en un instante dos o más con valor no nulo.
I=
t
2
T=τ
En general, si se conocen los valores eficaces de
cada intervalo, puede aplicarse la fórmula:
I = I12 + I 22 + I 32 + L I N2 Ip
Onda senoidal recortada por nivel:
D τ
Se puede hacer por ejemplo: τ t I = Ip , con D =
2 T
Si se aproxima por N intervalos T
Pulso a aproximar Onda senoidal recortada por ángulo de fase:
cuadrados de igual duración, el
I5 I6 I7 valor eficaz es:
i(t) I4 Aproximación Ip
D sen(α (1 − D ))cos(π (1 − D ))
I3
δt
I8
t i =δ t I 12 + I 22 + I 32 + L + I N2 I = Ip +
I1
I2 I9
N=10 I= 2 2π
I10 N θ
θ
t1 t2 t3 t4 t5 t6 t7 t8 t9 t10 t D = 1− ; (α,θ en radianes)
α
t
α
En general se podría hacer una aproximación como la siguiente:
i1(t)
Ip
Onda rectangular:
I = Ip D con D=τ
T=t1+t2+t3+t4 i2(t) τ t T
i(t) T
Ib
Ia
Onda trapezoidal:
⇒
I = D(I + I a I b + I a2 ) D=τ
2 3
con
i3(t) τ t b T
T
t
t1 t2 t3 t4
i4(t)
Ip Onda triangular:
D
I = Ip con D=τ
t1 t2 t3 t4 t
τ t
3 T
T
En este caso son de utilidad las fórmulas siguientes:
FORMULACIÓN SISTEMÁTICA UTILIZANDO
VARIABLES DE ESTADO
El comportamiento de cualquier sistema dinámico puede representarse por un
conjunto de ecuaciones diferenciales de la forma:
dx1
= f 1 ( x1 ( t ) ,L x n ( t ) , u1 ( t ) ,L um ( t ) )
dt
dx 2
= f 2 ( x1 (t ),L x n (t ), u1 (t ),L um (t ))
dt
M
dx n
= f n ( x1 (t ),L x n (t ), u1 (t ),L um (t ))
dt
donde xi son las variables de estado del sistema y ui las entradas.
Cuando las funciones f i no dependen del tiempo, el sistema se denomina

invariante en el tiempo. Si f i son lineales, entonces el sistema se dice lineal. Un
sistema lineal e invariante en el tiempo, se denomina LTI. Para estos últimos:
•
x = A ⋅ x + B ⋅ u ; y = C ⋅ x + D ⋅ u ; donde A, B, C y D son matrices constantes
e y es el vector de salidas del sistema.
Los circuitos de potencia no son circuitos LTI, pero ya hemos visto que,
asumiendo sus componentes como dispositivos de conmutación ideales, su
análisis se reduce a una secuencia de circuitos LTI .
•
Para cada intervalo resulta un sistema de ecuaciones x = A ⋅ x + B ⋅ u ;
y = C ⋅ x + D ⋅ u ; con un vector de entradas u(t) conocido y un valor inicial de
las variables de estado x(0) (estas últimas pueden no ser conocidas). La solución
del sistema es de la forma:
t
x (t ) = e At ⋅ x (0) + ∫ e A( t −τ ) ) ⋅ B ⋅ u(τ ) ⋅ dτ siendo e At una integral matricial.
0
Al no conocer los valores iniciales de los intervalos, normalmente será
necesario iterar.
Tema 1. Introducción al Modelado y Análisis de Circuitos de Potencia. Transparencia 21 de 21

INTRODUCCIÓN. Física de Semiconductores
TEMA 2. DIODO DE POTENCIA.
2.1. INTRODUCCIÓN. ni
Concentración Intrínseca:
2.1.1. Física de semiconductores. qE G 0
−
2.1.2. Unión p-n. n = A0 ⋅ T ⋅ e
2
i
3 kT
Para T=300ºK, ni=1.5 1010 elect./cm3

2.2. ESTRUCTURA BÁSICA. CARACTERÍSTICA ESTÁTICA.
2.3. POLARIZACIÓN INVERSA.
2.3.1. Técnicas para elevar la tensión VRRM Concentración de Portadores Minoritarios:
2.3.1.1. Biselado p0 n0 = ni2 ; p0 + N d = n0 + N a Minoritarios Mayoritarios

ni2
2.3.1.2. Anillos de guarda En un cristal tipo p: Material n p0 ≈ n0 ≈ N d
Nd
2.3.2. Características de Catalogo ni2 ni2

n0 ≈ p ≈ Na Material p n0 ≈ p0 ≈ N a
Na y 0 Na
2.4. POLARIZACIÓN DIRECTA.
Recombinación de Portadores Minoritarios:
2.5. CARACTERÍSTICAS DINÁMICAS. d (δn) δn
=
2.6. PÉRDIDAS EN LOS DISPOSITIVOS. dt τ
El valor de τ es muy importante para
conocer la velocidad de conmutación de un
2.7. DIODO SCHOTTKY DE POTENCIA. dispositivo bipolar y sus pérdidas en
conducción.
τ sube con la Temperatura y con las
concentraciones de portadores muy altas
(δn>nb ≈1017, Recombinación de Auger).
Control de centros de recombinación:
a) Impurezas de oro Tiempo (s)
b) Radiación con electrones (varios MeV)
Tema 2. Diodo de Potencia. Transparencia 1 de 14 Tema 2. Diodo de Potencia. Transparencia 2 de 14

INTRODUCCIÓN. Unión p-n ESTRUCTURA BÁSICA. CARACTERÍSTICA ESTÁTICA
DEL DIODO DE TRES CAPAS
D La anchura de la capa de deplexión es:
Ron 2ε Φ c (N A + N D )
W0 = Diámetro=60÷150mm
qN A N D
Donde Φ c es el potencial de contacto de la
0.3÷1 mm
Espesor=
NA ND unión p-n:
kT  N A N D 
Φc = ln 
q  ni2 
p n
Gráficamente:
Tamaños aproximados de un diodo típico de alta tensión y alta corriente
W0 W0 : Anchura de la Ánodo
zona de deplexión
El campo eléctrico máximo que 10µm
soporta el Silicio es teóricamente p+ NA=1019imp/cm3
300.000 V/cm, pero debido a
impurezas e imperfecciones de la
estructura cristalina, en la práctica
es de 200.000 V/cm.
n- dRD
ND=1014imp/cm3
Fuertemente Dopado iD
Ligeramente dopado 1/Ron
Diodo Ideal 250µm
n + ND=1019imp/cm3
1/Ron
Cátodo
VBD VBD
dRD : Es función de la tensión inversa a soportar
vD A : Área de la sección perpendicular al plano del dibujo, es

Vγ Vγ función de la corriente máxima
Sección de un diodo de potencia típico mostrando su estructura de tres capas.
Efecto de la concentración de impurezas en la tensión inversa y en la caída en

conducción

ESTRUCTURA BÁSICA. CARACTERÍSTICA ESTÁTICA POLARIZACIÓN INVERSA.
DEL DIODO DE TRES CAPAS
Area = Potencial Externo Aplicado =-∫Edx
La estructura de tres capas permite:
Area = Extensión de la zona de deplexión
+ -
a) En polarización inversa: la unión formada por las capas p n al estar poco Area = Conexión metálica (ánodo y cátodo)
dopada soporta una tensión muy elevada.
b) En polarización directa: la circulación de electrones desde la capa n+
inunda de electrones la capa n- con lo que desde el punto de vista de la
caída en conducción es equivalente a un diodo muy dopado. p+ p+
iD E E
-
n
1/Ron n-
VBD
Emax
n+
Vγ ≅ 1V vD Emax
x x
a) Diodo sin perforar b) Diodo perforado
Límites de la zona de deplexión y distribución del campo eléctrico en diodos.
Curva característica estática del diodo de potencia.
El valor Emax es la máxima intensidad de campo eléctrico que puede soportar el
Máxima Velocidad silicio y que ya se vio era unos 200.000 V/cm.
Máxima Caída en
Tipo de Diodo tensión de de Aplicaciones
corriente conducción Si suponemos espesores de las capas de los dos diodos iguales, en el caso b
ruptura conmutación
Rectificadores Circuitos de (perforado), el área bajo la curva de la distribución del campo eléctrico es casi el
30kV ~500mA ~10V ~100nS doble que en el caso a. Por tanto, la tensión inversa que se puede aplicar es
de alta tensión alta tensión
Propósito Rectificadores prácticamente el doble. Esto es una ventaja muy importante, no solo en diodos,
~5kV ~10kA 0.7 - 2.5 V ~25µS sino en casi todos los dispositivos de potencia que estudiaremos en este curso.
general 50 Hz
Rápidos Circuitos
~3kV ~2kA 0.7 - 1.5 V <5µS
(fast recovery) conmutados
Diodos Rectificadores
~100V ~300A 0.2 - 0.9 V ~30nS
Schottky de BT y AF
~300 V
Referencias y
Diodos Zener (funciona
~75 W - - fijación de
de potencia en
tensiones
ruptura)
Principales características de los diodos de potencia

POLARIZACIÓN INVERSA. Técnicas para Mejorar VBD . POLARIZACIÓN INVERSA. Técnicas para Mejorar VBD.
Biselado Anillos de Guarda
Difusión de Impurezas
ÁNODO Experimentalmente se comprueba
SiO2
que no se produce acumulación de
p+ líneas de campo para R≥6*Wdep
SiO2 SiO2 Wdiff
Región de deplexión p+ Para un diodo de 1000V, es aprox.
R
Wdep=100µ, luego R=600µ.
Wdep : Anchura de la
n− zona de deplexión Como Wdiff ≈R, el tiempo de
fabricación es excesivamente alto y
n+ n- por tanto no resulta rentable.
CÁTODO Unión pn. Proceso de difusión
Anillo de
SiO2 SiO2 guarda a
V1
da db (V1 − V2 ) > (V1 − V2 ) p+
p+ p+ potencial
flotante
V2 da db
biselado de los bordes de un diodo de tres capas.

n-
Ventajas del biselado:
• Eliminación por ataque químico de zonas con posibles defectos en la
estructura cristalina (zona del corte mecánico).
• Disminución de la intensidad del campo eléctrico en las zonas más
frágiles (superficie), al hacer d2 >d1 . n+
Unión p-n empleando anillos de guarda.

POLARIZACIÓN INVERSA. Características de Catalogo POLARIZACIÓN DIRECTA
Segundo
Primer subíndice Tercer subíndice Características de catálogo en Polarización Directa:
subíndice
T=Dir. Polarizado y conduce W=De trabajo M=Valor Máximo • Corriente media nominal, IFW(AV) : Valor medio de la máxima corriente
de pulsos senoidales que es capaz de soportar el dispositivo en forma
D=Dir. Polarizado y no conduce R=Repetitivo (AV)=Valor Medio continuada con la cápsula mantenida a una determinada temperatura
(típicamente 100º C).
R=Inversamente Polarizado S=No Repetitivo (RMS)=Valor Eficaz
• Corriente de pico repetitivo, IFRM : Corriente máxima que puede ser
soportada cada 20ms con duración de pico 1ms.
F=Directamente Polarizado
• Corriente de pico único, IFSM : Corriente máxima que puede ser
Subíndices empleados por los fabricantes de semiconductores. soportada por una sola vez cada 10 ó más minutos siempre que la
duración del pico sea inferior a 10ms.
Características de Catálogo en Polarización Inversa:
• Tensión inversa de trabajo, VRWM : Máxima tensión inversa que puede

soportar de forma continuada sin peligro de avalancha.
• Tensión inversa de pico repetitivo, VRRM : Máxima tensión inversa que
puede soportar por tiempo indefinido si la duración del pico es inferior a
1ms y su frecuencia de repetición inferior a 100 Hz.
• Tensión inversa de pico único, VRSM : Máxima tensión inversa que puede
soportar por una sola vez cada 10 ó más minutos si la duración del pico
es inferior a 10 ms.
• Tensión de ruptura, VBD : Valor de la tensión capaz de provocar la
avalancha aunque solo se aplique una vez por un tiempo superior a 10
ms.

CARACTERÍSTICAS DINÁMICAS CARACTERÍSTICAS DINÁMICAS
iD El tiempo de recuperación inversa es el mayor de los dos tiempos de

IF Qrr Carga conmutación y el responsable de la mayor parte de las pérdidas de conmutación.
0.9IF Almacenada iD La carga almacenada que se
diD/dt Qrr (Carga
IF elimina por arrastre es:
Almacenada)
0.1IF t rr
ta tb Qrr = ∫ i f dt
0.25Irr t 0
tr 0.25Irr Aproximando el área bajo la
t
Irr corriente a un triángulo será:
vD I rr t rr 2 Qrr
trr
Vfr vD Irr ≅ Qrr ⇒ t rr ≅
trr 2 I rr
VON 1.1VON
VON
La derivada de la corriente
t durante ta depende del circuito
VR Pico de tensión t externo, y normalmente será:
debido a L diD/dt VR ta>> tb es decir: ta≅ trr . Si se
L=bobina en serie resuelve el circuito y se conoce
tON con D. (tb<<ta)
el valor de la derivada de iD:
Encendido del diodo Apagado del diodo diD I rr I rr
= ≅ se obtiene:
dt ta trr
Curvas de tensión y corriente del diodo durante la conmutación. Pérdidas muy
elevadas al ser diD
la corriente y I rr ≅ 2 Qrr
• Tensión directa, VON. Caída de tensión del diodo en régimen permanente para dt
la tensión muy
la corriente nominal. altas El valor de Qrr puede obtenerse
del catálogo del fabricante.
• Tensión de recuperación directa, Vfr. Tensión máxima durante el encendido.
Curvas de tensión y corriente del diodo durante
• Tiempo de recuperación directa, tON. Tiempo para alcanzar el 110% de VON. la conmutación a corte.
• Tiempo de subida, tr. Tiempo en el que la corriente pasa del 10% al 90% de su
Los factores que influyen en el tiempo de recuperación inversa son:
valor directo nominal. Suele estar controlado por el circuito externo
(inductivo). • IF; cuanto mayor sea, mayor será trr. Esto se debe a que la carga almacenada
será mayor.
• Tiempo de recuperación inversa, trr. Tiempo que durante el apagado del
• VR; cuanto mayor sea, menor será trr. En este caso si la tensión inversa es
diodo, tarda la intensidad en alcanzar su valor máximo (negativo) y retornar
mayor se necesita menos tiempo para evacuar los portadores almacenados.
hasta un 25% de dicho valor máximo. (Tip. 10µs para los diodos normales y
1µs para los diodos rápidos (corrientes muy altas). • diF/dt; cuanto mayor sea, menor será trr. No obstante, el aumento de esta
pendiente aumentará el valor de la carga almacenada Q. Esto producirá
mayores pérdidas.
• T; cuanto mayor sea la temperatura, aumentarán tanto Q como trr.

PÉRDIDAS EN LOS DISPOSITIVOS DIODO SCHOTTKY DE POTENCIA
• Bloqueo: Se suelen despreciar. ÁNODO

SiO2 SiO2
• En Conmutación. Son función de la frecuencia de trabajo. (Además de p+ p+
las corrientes, tensiones y la forma como evolucionan). Zona de deplexión
• En Conducción: Uso de catálogos:
Unión
PD θ PD Rectificadora:
n- Zona deplexión
θ=60º θ=120º θ=180º muy estrecha
180º situada en la
soldadura: VBD
muy baja
n+
Unión Óhmica:
Efecto Túnel.
CÁTODO
IAV Tc
25ºC 125ºC Diodo Schottky de potencia
Curvas típicas suministradas por un fabricante para el cálculo de las pérdidas en Diodo Schottky iD
conducción de un diodo Diodo Normal
Las pérdidas aumentan con: 1/RON
1/RON
• La intensidad directa.
• La pendiente de la intensidad.
• La frecuencia de conmutación. VBD
VBD
• La tensión inversa aplicada.
• La temperatura de la unión.
Vγ Vγ vD
Característica I-V de un diodo Schottky

Uso en circuitos donde se precise:
• Alta velocidad
• Bajas tensiones
• Potencias bajas
Por ej. Fuentes de alimentación conmutadas.

INTRODUCCIÓN. Características Generales del BJT
El interés actual del Transistor Bipolar de Potencia (BJT) es muy limitado, ya
que existen dispositivos de potencia con características muy superiores.
Le dedicamos un tema porque es necesario conocer sus limitaciones para poder
TEMA 3. TRANSISTOR BIPOLAR DE POTENCIA comprender el funcionamiento y limitaciones de otros dispositivos de gran
importancia en la actualidad.
Saturación Cuasi-Saturación
3.1. INTRODUCCIÓN 1/Rd
Ruptura Secundaria C
3.2. CONSTITUCIÓN DEL BJT IC(A)
Ruptura Primaria IC
3.3. FUNCIONAMIENTO DEL BJT IB
Activa B
3.3.1. Zona Activa
Corte IE
3.3.2. Zona de Cuasi-Saturación E
0
3.3.3. Zona de Saturación BVSUS BVCE0 BVCB0 VCE (V)
3.3.4. Ganancia Característica de salida (IC frente a VCE ) del transistor NPN de potencia, para
distintas corrientes de base, IB5>IB4>...IB1 y Esquema del BJT de tipo NPN.
3.4. TRANSISTOR DARLINGTON Valores máximos de VCE : Definición de Corte:
BVCB0>BVCE0>BVSUS de IC= -α IE+IC0 ; -IE=IC+IB ;

3.5. EL TRANSISTOR EN CONMUTACIÓN BVSUS : Continua. α 1
BVCE0 : Para IB=0 se deduce: IC = ⋅ IB + ⋅ IC0
3.6. EXCITACIÓN DEL BJT BVCB0 : Para IE=0 1−α 1−α
Posibles definiciones de corte:
3.7. CONSIDERACIONES TÉRMICAS 1
a) I B = 0⇒ I C = ⋅ I C 0 ≈ 10 ⋅ I C 0
1−α
3.8. AVALANCHA SECUNDARIA
b) I E = 0⇒I C = I C 0
3.9. ZONA DE OPERACIÓN SEGURA (SOA) Por tanto se considera el transistor cortado
cuando se aplica una tensión VBE
ligeramente negativa ⇒IB = -IC = -IC0
Tema 3. Transistor Bipolar de Potencia. Transparencia 1 de 17 Tema 3. Transistor Bipolar de Potencia. Transparencia 2 de 17
CONSTITUCIÓN DEL BJT CONSTITUCIÓN DEL BJT
n+
B B
p B E B
n+
+
WE=10µm 1019 cm-3 n
C WB=5÷20µm p
1016 cm-3
Transistor Tipo Meseta (en desuso)
Zona de
• La anchura de la base y su dopado serán lo menores posibles para conseguir expansión
una ganancia lo mayor posible (baja recombinación de los electrones que 1014 cm-3 n-
atraviesan la base). 50÷200µm
• Para conseguir BV elevada, se necesita una anchura de base grande y un
dopado pequeño.
WC=250µm
1019 cm-3 n+
¾ El problema surge cuando el dopado es pequeño, pues para alojar la zona
de deplexión la base debe ser muy ancha, bajando la ganancia. Es por
tanto necesario encontrar unos valores intermedios de compromiso.
¾ Este compromiso implica que los BJT de potencia tienen una ganancia
típica de corriente entre 5 y 10. (muy baja). C
Sección Vertical de un Transistor Bipolar de Potencia Típico
Ventajas de la estructura vertical:

En la práctica, los transistores
• Maximiza el área atravesada por la bipolares de potencia no se
corriente: construyen como se ve en esta
• Minimiza resistividad de las capas figura, sino que se construyen en
• Minimiza pérdidas en conducción forma de pequeñas celdillas como
• Minimiza la resistencia térmica. la representada, conectadas en
paralelo.
Los dispositivos de potencia que estudiaremos en este curso se construyen

empleando una estructura vertical y en forma de pequeñas celdillas en paralelo.
CONSTITUCIÓN DEL BJT FUNCIONAMIENTO DEL BJT. Zona Activa
Base Emisor
Vbb R
Vcc
B
+
E n p n- n+ C
Carga
n+ n+ n+ n+
Activa
p (Exceso de
electrones
n- en la Base)
n+
Unión
Zona Activa: Colector-Base
Colector (inversamente
VCE Elevada polarizada)
Sección Vertical de un Transistor Bipolar de Potencia Multiemisor de Tipo
NPN
Distribución de la carga almacenada en la base de un transistor bipolar de
Ventajas de la estructura multiemisor: potencia típico en activa.
• Reduce la focalización de la corriente debida al potencial de la base causante

de la avalancha secundaria.
• Reduce el valor de RB (disminuye pérdidas y aumenta la frecuencia fT ).
FUNCIONAMIENTO DEL BJT. Zona de Cuasi-Saturación FUNCIONAMIENTO DEL BJT. Zona de Saturación
Vbb R Vbb R
Vcc Vcc
B B
+ +
E n p n- n+ C E n p n- n+ C
Carga Carga en
(Exceso de exceso
Saturación
Saturación
electrones
Cuasi-
en la Base)
Q2
Q1
Base Virtual Base Virtual
Distribución de la carga almacenada en la base de un transistor bipolar de Distribución de la carga almacenada en la base de un transistor bipolar de
potencia típico, en Cuasi-Saturación. potencia típico, en saturación.
Cuasi-Saturación:
En activa al subir IB, IC↑ ⇒ VCE↓ (=VCC - ICR ).

Simultáneamente: VjCB↓ (=VCE - ICRd ). Donde Rd es la resistencia de la capa
de expansión.
El límite de la zona activa se alcanza cuando: VjCB=0 (VCE = ICRd ).
Si VjCB>0 (Unión directamente polarizada):
Habrá inyección de huecos desde p a n- (Recombinación con electrones
procedentes del emisor en n-) ⇒ Desplaz. a la derecha de la unión efectiva:
• Rd Disminuye
• Aumento del ancho efectivo de la base.
• β Disminuye
FUNCIONAMIENTO DEL BJT. Ganancia TRANSISTOR DARLINGTON
Base IeTA Emisor

log(β ) β max
β min garantizada n+ n+
por el fabricante SiO2
p I bTA IbTB
VCE-Saturación
IcTA n- IcTB
ICmax log(IC)
≈ICmax /10
n+
Variación de β en Función de IC
Colector
Colector
Base
TA
D2 β=βBβA+βB+βA
TB
D1
Emisor
Estructura de un Par Darlington Monolítico
Montaje Darlington para Grandes Corrientes.
EL TRANSISTOR EN CONMUTACIÓN EL TRANSISTOR EN CONMUTACIÓN
Colector Vcc Colector Vcc
ZL ZL
IC Interruptor BJT conmutando una IC Interruptor BJT conmutando una

Carga Inductiva Carga Inductiva
Base IB VCE Base IB VCE
VBE VBE
IC
IL
IC IBon
dI B
IB
IB −
IBon dt IBoff
t
t
IBoff
VCE
VBE
VBE
t
t=0 tdon tri tfv1 tfv2
VCE t
Proceso de conmutación: Saturación
t=0 ts trv1 trv2 tfi
Proceso de conmutación: Corte
EL TRANSISTOR EN CONMUTACIÓN EXCITACIÓN DEL BJT
Aislamiento galvánico
4 5 Potencia entre circuitos de
IC disipada control y potencia VCC Amplificador
muy alta
Fotoacoplador
1 Potencia disipada Acoplamiento
2 muy baja λ BJT de potencia
Cb
3 Señal digital
6 de control
Tierra digital Tierra de

VCE potencia
1, 2, 3, 4, 5 y 6: instantes de tiempo
Trayectorias en el plano IC-VCE durante la conmutación -VCC
IL
IC Circuito Típico de Excitación de Base para BJTs de Potencia
IC 1 2 3 4 IBon
IB −
dI B 5 6 IB
IBon dt 6 5 4 1
IBoff
t t
IBoff
VCE
VBE
VBE
VCE t t
t=0 ts trv1 trv2 tfi t=0 tdon tri tfv1 tfv2
CONSIDERACIONES TÉRMICAS AVALANCHA SECUNDARIA
VBE Vcontrol
Caída de tensión Concentración Caída de tensión
VBE de corriente
Vcc Las pérdidas en corte
suelen despreciarse al ser
t la corriente muy baja. B E B B E B
Vcc
IC 90%
Las pérdidas en n+ + - n+ -
+
VCE
10% RC conducción pueden ser - - + +
td tr tf t IC aproximadas por:
ts IB
VCE
T p e- e- e- p e- e- e-
VBE Pon = I c ⋅ VCEsat ⋅ ON
Pd T
t
n n
t
T=1/f C C
a) b)
Las pérdidas en conmutación pueden estimarse suponiendo que la corriente y la
Concentración o Focalización de Corriente en un BJT. a) En la Conmutación a
tensión siguen una línea recta durante la conmutación:
Saturación (IB >0) y b) en la Conmutación a Corte (IB <0)
t t
dWr = VCE ⋅ I c ⋅ dt + VBE ⋅ I B ⋅ dt ≅ VCE ⋅ I c ⋅ dt = (Vcc − Rc ⋅ I cmax ⋅ ) ⋅ I cmax ⋅ ⋅ dt
tr tr
t t
Rc ⋅ Icmax = Vcc − VCEsat ≅ Vcc (VCE Saturacion ≅ 0 ) ⇒ dWr = Vcc ⋅ Icmax ⋅ (1 − ) ⋅ ⋅ dt
tr tr
tr t t 1
Wr = ∫ Vcc ⋅ Icmax ⋅ (1 − ) ⋅ ⋅ dt = ⋅ Vcc ⋅ Icmax ⋅ tr ;
0 tr tr 6
1
análogamente se hace para Wf : Wcom = Wr + Wf = ⋅ Vcc ⋅ Icmax ⋅ (t r + t f ) ;
6
La potencia media disipada en el período T será por tanto:
Wcom 1
Pcom = = ⋅Vcc ⋅ I c max ⋅ f ⋅ (tr + t f )
T 6
ZONA DE OPERACIÓN SEGURA
IC Límite
f3 térmico
ICM
f1 f2
dc
Avalancha
Secundaria
β VCE0 VCE
a) FBSOA (f1 <f2 <f3 )
IC
ICM
VBEoff <0
VBEoff =0
β VCE0 β VCB0 VCE

b) RBSOA (Trancisiones de menos de 1 µs)
Zonas de Operación Segura del Transistor Bipolar
Tema 3. Transistor Bipolar de Potencia. Transparencia 17 de 17

INTRODUCCIÓN. Transistor de Efecto de Campo de
Señal
Contacto
Puerta metálico
(G)
Fuente Drenador
(S) (D)
TEMA 4. TRANSISTOR DE EFECTO DE
CAMPO DE POTENCIA
SiO2 SiO2
4.1. INTRODUCCIÓN SiO2
4.1.1. Transistor de Efecto de Campo de Señal
4.2. TECNOLOGÍAS DE FABRICACIÓN n+ Canal inducido n n+
4.2.1. Transistor VMOS
4.2.2. Transistor D-MOS
4.2.3. Transistor Trenched-MOS
4.2.4. Evolución del Transistor MOS Sustrato p
4.3. FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR DE
EFECTO DE CAMPO DE POTENCIA
4.4. DIODO EN ANTIPARALELO
4.4.1. Conmutación en una Rama de un Puente
4.5. CARACTERÍSTICAS ESTÁTICAS, DINÁMICAS
Sustrato
Y TÉRMICAS (B)
4.6. ÁREA DE OPERACIÓN SEGURA
Transistor de Señal MOSFET de Enriquecimiento, Canal n
Tema 4. MOS. Transparencia 1 de 18 Tema 4. MOS. Transparencia 2 de 18

INTRODUCCIÓN. Transistor de Efecto de Campo de TECNOLOGÍAS DE FABRICACIÓN. Transistor
Señal VMOS (Siliconix-1976)
Ruptura
Ohmica
iD
D Saturación G
S S
iD
VGS n+ e- n+
G VDS e-
p p
VGS S
Canal
Corte VBV VDS n
a) Símbolo VBD
b) Curva Característica
Transistor MOS Canal N de Enriquecimiento
Zonas de funcionamiento del transistor MOS:
Zona de corte, VGS<VT , iD≅0 ; el transistor se considera un interruptor abierto.

n+
Zona de saturación, VGS- VT <VDS, iD≅constante (independiente de VDS):
k W 
i D = ⋅   ⋅ (VGS − VT ) , el límite de esta zona con la siguiente, se obtiene al
2
2 L
k W  D
sustituir VGS- VT =VDS , en la fórmula anterior, es decir: i D = ⋅   ⋅ (V DS ) ,
2
2 L Primeros transistores MOS de potencia: Transistor en V. Derivó

(=parábola) rápidamente a U-MOS.
W   
2
VDS
Zona óhmica, VGS- VT >VDS, i D = k ⋅   ⋅  (VGS − VT ) ⋅ V DS −  , en esta
L  2 
zona el transistor se considera un interruptor cerrado, con una resistencia (para
valores muy pequeños de VDS):
1
RDS ( ON ) = .
W 
k ⋅  (VGS − VT )
L
Zona de ruptura, VDS > VBD.

TECNOLOGÍAS DE FABRICACIÓN. Transistor TECNOLOGÍAS DE FABRICACIÓN. Transistor
DMOS Trenched-MOS
Sección de una SiO2
celdilla elemental S G S G
Fuente Puerta
n+ n+ n+ n+
SiO2
p p p
óxido de puerta
n+ n+ n+ n+ 1019 cm-3
p canal 1016 cm-3

(sustrato) p
Canal
- L 10 …
14
n-epitaxial
n 1015 cm-3
n+ iD iD
1019 cm-3 n+-oblea
(oblea)
D
Drenador
Transistores MOS de potencia modernos: “Transistores con

Trinchera”
Sección de un Transistor DMOS de Enriquecimiento Canal n

TECNOLOGÍAS DE FABRICACIÓN. Evolución del FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR D-MOS
Transistor MOS
VGS1 átomos aceptores
ionizados
electrones libres
n+
límite de la zona
de deplexión
-
n
a) Para valores bajos de VGS y VDS
VGS2
Evolución en el tiempo de las generaciones de transistores MOS a partir

de DMOS hasta los transistores con trinchera.
n+ límite de la zona
de deplexión
-
n
b) Para valores bajos de VDS (VGS2 > VGS1 , VGS2 < VT)

FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR D-MOS FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR D-MOS
VGS3 VGS 3
n+
límite de la zona n+
límite de la zona
de inversión
de inversión
límite de la zona límite de la zona
p de deplexión de deplexión
p
-
n
n−
c) Para valores bajos de VDS (VGS3 > VGS2, VGS3 > VT)
e) Para valores mayores de VDS (VGS3 > VGS2, VGS3 > VT)
VGS4
n+
límite de la zona
de inversión
límite de la zona
p de deplexión
-
n
d) Para valores mayores de VDS (VGS4 > VT)

DIODO EN ANTIPARALELO DIODO EN ANTIPARALELO. Conmutación en una
Rama de un Puente
G
S
E T1
n+
D1 IDiodo VDD
B
p
IL
Carga inductiva
n- C
T2
D2
D
VDD
IDrenador
C
G
B
E
Transistor Bipolar asociado al Transistor MOS
El transistor MOS con el Diodo en Antiparalelo Conmutando una Carga

Inductiva en una rama de un Puente.

DIODO EN ANTIPARALELO. Conmutación en una DIODO EN ANTIPARALELO. Conmutación en una
Rama de un Puente Rama de un Puente
DA
DB
Diodos Rápidos Añadidos al Transistor
La velocidad de subida o bajada de la tensión VGS se controla fácilmente

con el valor de la resistencia de la fuente de excitación de puerta.

Efecto de las Capacidades Parásitas en la Tensión de Efecto de las Capacidades Parásitas en la Tensión de
Puerta Puerta
Carga
Vcom
CGD D Transistor MOS
RG =20Ω
Cambio de
RG CDS tensión debido a
G
la conmutación de
otro dispositivo
VG =0V CGS
⇓ S
Transistor cortado
Efecto de la conmutación de otros dispositivos sobre la tensión de puerta
con distintos valores de RG .
El efecto de la conmutación de otros dispositivos puede provocar
RG =200Ω
variaciones importantes en la tensión de puerta debido al acoplamiento
capacitivo CGD –CGS . Esto tiene como consecuencias no deseadas:
a) Se supere la tensión máxima que el óxido puede soportar.
b) Haciendo que el transistor (que estaba cortado) conduzca.
Si se produce un flanco de subida, ese flanco se transmitirá a la puerta, con
lo que si se supera la tensión umbral, el MOS entra en conducción.
Esto tiene el efecto de que baje la tensión VDS con lo que el efecto se
RG =2000Ω
compensa, cortándose de nuevo el transistor a costa de sufrir grandes
pérdidas por la corriente que circula durante el transitorio.
Si se produce un flanco de bajada, ese flanco se transmitirá igualmente a la
◊ Vcom
◊ ID
puerta, permaneciendo el transistor cortado, pero con peligro de superar la
tensión máxima del óxido.
ο VDS
ο VGS
En ambos casos es determinante el valor de la resistencia equivalente de la
fuente que excita a la puerta (RG) cuanto menor sea esta resistencia menos
se notará este efecto.
Se debe tener especial cuidado con las conexiones en el circuito de puerta, Efecto de la conmutación de otros dispositivos sobre la tensión de puerta
porque cualquier inductancia parásita presente dará una impedancia con distintos valores de RG .
equivalente muy alta ante cambios bruscos.

CARACTERÍSTICAS ESTÁTICAS, DINÁMICAS Y ÁREA DE OPERACIÓN SEGURA
TÉRMICAS Límite
debido
T, para ondas cuadradas con D=1%

a RDS
RD =10Ω IDM=10A
10µs
D ID=5A 0.1ms
iD VDD =100V
Ro =50Ω G 1ms
Vi =10V 10ms
V1 V CGS S SOA
GS 100ms
(DC)
a) Circuito Empleado
Límite de
V1 potencia a DC
10V Tc=25ºC
Velocidades de subida y 0.1A
bajada reguladas por RG
10V BVDSS=500V VDS
0
VGS t Zona de Operación Segura (SOA) en un MOSFET de Potencia
10V (iD y VDS en escala logarítmica)
Umbral de Umbral de
ID es función del
conducción corte área del transistor
0 ID IC depende de β min
t
iD IC Comparación entre las
9.85A 90% Zonas de Operación
SOA Segura de dos transistores
(DC) Avalancha
10% secundaria
MOSFET y BJT de
0 Potencia construidos para
Límite de del BJT
VDS t
tr tf potencia a las mismas tensiones
Tc=25ºC
100V máximas y de secciones
análogas.
BVDSS o BVCE VDS
1.5V
0 t
1000A
P=iDVDS Nótese que los límites de corrientes y SOA

tensiones de dispositivos de mayores 100A BJT
0 potencias que pueden encontrarse en el

t mercado son aproximadamente:
SOA
MOS
b) Formas de Onda Resultantes

1000V 1500V
Características Dinámicas del Transistor MOSFET

INTRODUCCIÓN. Estructura Básica del SCR
Ánodo
VAK VAK>0 VAK<0

TEMA 5. EL TIRISTOR Puerta Puerta
5.1. INTRODUCCIÓN Cátodo

5.1.1. Estructura Básica.
5.1.2. Característica Estática Símbolo y circuitos equivalentes del Tiristor SCR
5.2. FUNCIONAMIENTO DEL SCR.
CÁTODO (K)
5.2.1. Polarización Inversa
PUERTA (G)
5.2.2. Polarización Directa
5.2.3. Mecanismo de Cebado
5.2.4. Mecanismo de Bloqueo.
5.3. RELACIÓN DEL BLOQUEO DEL SCR CON SU
CIRCUITO EXTERNO
5.4. CARACTERÍSTICAS DINÁMICAS
5.4.1. Encendido del SCR n+ n+ n+ 1019,10µ
5.4.2. Bloqueo Dinámico del SCR 1017 imp/cm3,
Unión Catódica p Capa
5.5. FORMAS DE PROVOCAR EL DISPARO DEL SCR Capa de Control Catódica 30÷100µ
5.6. TRIAC BJT
5.6.1. Constitución y Funcionamiento Unión de Control
- Capa de Bloqueo
1013÷5⋅1014,
n 50÷1000µ
5.6.2. Característica Estática Unión Anódica
p+ 1017÷1019,
Capa Anódica
30÷50µ
ÁNODO (A)
Sección Longitudinal de un SCR
Tema 5. SCR Transparencia 1 de 15 Tema 5. SCR Transparencia 2 de 15

INTRODUCCIÓN. Estructura Básica del SCR INTRODUCCIÓN. Característica Estática del SCR
Puerta Cátodo IA
Conducción
IG2 > IG1 IG=0

n+ n+ n+ n+
p Bloqueo
IH Directo
VRWM IB0
n-
VH VB02 < VB01 < VB0 VAK
+
n
p+ Bloqueo
Inverso
Ánodo
Ruptura
Sección de un SCR para potencias muy elevadas
Característica Estática del SCR

FUNCIONAMIENTO DEL SCR. Polarización Inversa FUNCIONAMIENTO DEL SCR. Polarización Directa
A Unión A
Inversamente
Polarizada A RC
p +
p+ +
VAK VCC
G
VCC RC
RC Ánodo
n- n- RC
VCC VCC
VAK
Puerta + Unión
Inversamente
Cátodo Polarizada
VCC VCC
G G
p p h+
RG h+ RG
+
n + n
e- e- e-
VGG VGG
K K
SCR polarizado Inversamente SCR polarizado Directamente

FUNCIONAMIENTO DEL SCR. Mecanismo de RELACIÓN DEL BLOQUEO DEL SCR CON SU
Cebado CIRCUITO EXTERNO
A A A IA
IA = IE1 VAK
p1 p1 IB1
J1 J1
n1 T1 VS
n1 n1 IC2
J2
J2 J2 IC1
p2 R
G p2 G p2 G T2
J3 J3 IG
n2 n2 IB2
IK = -IE2
K K K
IH
a) SCR Simplificado b) SCR como dos Transistores c) Circuito Equivalente
Para el transistor pnp: I C1 = −α1 ⋅ I E1 − I CO1 (a) t
Y para el transistor npn: I C 2 = −α 2 ⋅ I E 2 + I CO 2 (b)
Como: IK = − IE 2 = I A + IG (c)
I A = I E1 (d)
Sustituyendo (c) y (d) en (a) y (b) respectivamente, se obtiene:
I C1 = −α1 ⋅ I A − I CO1 (e)
t
I C 2 = α 2 ⋅ ( I A + I G ) + I CO 2 (f) VAKon
Teniendo en cuenta que la suma de corrientes en T1 es cero, se obtiene:

I A + I C1 = I C 2 (g)
Y, sustituyendo I C1 e I C2 en (g) por sus valores dados por sus respectivas Circuito Simple de SCR con Bloqueo Estático. Frecuencias Bajas
expresiones (e) y (f), se obtiene:
I A − α1 I A − I CO1 = α2 ( I A + I G ) + I CO 2 (h)
Finalmente, se despeja I A en (h) y se obtiene:
I G α1 + I CO1 + I CO 2
IA =
1 − α1 − α 2

RELACIÓN DEL BLOQUEO DEL SCR CON SU RELACIÓN DEL BLOQUEO DEL SCR CON SU
CIRCUITO EXTERNO CIRCUITO EXTERNO
T1
L1
VS
L2
IL
T2
Circuito Rectificador con Bloqueo Dinámico
Formas de Onda del Circuito con Bloqueo Dinámico

CARACTERÍSTICAS DINÁMICAS FORMAS DE PROVOCAR EL DISPARO DEL SCR
IG
1. Corriente de Puerta.
t 2. Elevada tensión Ánodo-Cátodo (VAK>VDWM). Ruptura

IA1
0.9IF 3. Aplicación de tensión Ánodo-Cátodo positiva antes de que el proceso
de bloqueo haya terminado (t<tq)
0.1IF 4. Elevada derivada de la tensión Ánodo-Cátodo

0.25Irr t Los fabricantes definen un valor máximo
td tr VAK
VFRM
Irr
VAK1 trr dV AK 

dt  max
t
td >tq Uso de redes RC (Snubbers)
dVF 5. Temperatura elevada
< max
dt Normalmente no ocurre, aunque si se produce una combinación de
varias causas, podría provocarse la entrada en conducción
tps t
6. Radiación luminosa
Sólo se ocurre en los dispositivos especialmente construidos para
funcionar de esta forma (LASCR)
Curvas de Tensión y Corriente del SCR durante la Conmutación

TRIAC. Constitución y Funcionamiento TRIAC. Característica Estática
Ánodo iT
Ánodo / T1
Puerta
VAK
Puerta
Cátodo / T2
VBD
Cátodo
Combinación de dos SCR para formar un TRIAC. Símbolo del TRIAC
VBD VT1T2
T1
N4
P1
J1
N1 Característica Estática del TRIAC

iG
G
J2
P2 vG
N3 N2
G
T2
Característica de Puerta de un TRIAC

T2
Características generales del TRIAC:
Estructura Interna del TRIAC
• Estructura compleja (6 capas).
• Baja velocidad y poca potencia.
• Uso como interruptor estático.

RESUMEN DE LAS CARACTERISTICAS DEL SCR
Características mas destacadas del SCR:
• Estructura de cuatro capas p-n alternadas.
• Directamente polarizado tiene dos estados: cebado y bloqueado.

Inversamente polarizado estará bloqueado.
• Dispositivo capaz de soportar las potencias más elevadas. Único

dispositivo capaz de soportar I>4000Amp. (Von≈2÷4Volt.) y
V>7000Volt.
• Control del encendido por corriente de puerta (pulso). No es posible

apagarlo desde la puerta (sí GTO tema 7). El circuito de potencia debe
bajar la corriente anódica por debajo de la de mantenimiento.
• Frecuencia máxima de funcionamiento baja, ya que se sacrifica la

velocidad (vida media de los portadores larga) para conseguir una caída
en conducción lo menor posible. Su funcionamiento se centra en
aplicaciones a frecuencia de red.
• La derivada de la corriente anódica respecto al tiempo en el momento

del cebado debe limitarse para dar tiempo a la expansión del plasma en
todo el cristal evitando la focalización de la corriente.
• La derivada de la tensión ánodo cátodo al reaplicar tensión positiva debe

limitarse para evitar que vuelva cebarse. También se debe esperar un
tiempo mínimo para reaplicar tensión positiva.
Tema 5. SCR Transparencia 15 de 15

INTRODUCCIÓN
Sección de una celdilla elemental
Fuente Puerta
TEMA 6. TRANSISTOR BIPOLAR DE PUERTA SiO2
óxido de puerta
AISLADA (IGBT) n+ n+ n+ n+ 1019 cm-3
p canal 1016 cm-3
p
(sustrato)
6.1. INTRODUCCIÓN n-
L
6.2. TECNOLOGÍAS DE FABRICACIÓN Y CURVA WD

RD
1014÷15 cm-3
CARACTERÍSTICA I-V iD iD
6.3. FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR IGBT n+ (oblea) 1019 cm-3
6.3.1. Estado de Bloqueo

Drenador
6.3.2. Estado de Conducción
6.4. EFECTO DE CEBADO DEL TIRISTOR PARÁSITO Transistor D-MOS
INTERNO DEL IGBT (LATCH UP)
6.4.1. Efecto del Latch up En un Transistor MOS para conseguir altas tensiones (BVDSS):
6.4.2. Métodos para Evitar el Efecto del Latch up 1.3 ⋅1017
• Para un dopado Nd, la máxima tensión de ruptura es: BVDSS ≈
6.5. CARACTERÍSTICAS DE CONMUTACIÓN ND
6.5.1. Encendido •
−5
La zona de deplexión tiene un espesor: WD ≈ 1 ⋅10 ⋅ BVDSS (cm)
6.5.2. Apagado • La resistividad específica es: RD ⋅ A ≈ 3 ⋅ 10
−7
⋅ BV 2.5 ÷ 2.7
(Ω ⋅ cm 2 )
DSS
6.6. ÁREA DE OPERACIÓN SEGURA
6.7. CARACTERÍSTICAS Y VALORES LÍMITE DEL IGBT Gráficamente:
log(Ω⋅cm2)
BVDSS
Tema 6. IGBT Transparencia 1 de 20 Tema 6. IGBT Transparencia 2 de 20

INTRODUCCIÓN TECNOLOGÍAS DE FABRICACIÓN
Sección de una celdilla elemental
Fuente Puerta • Aparece en década de los 80

• Entrada como MOS, Salida como BJT
SiO2
• Velocidad intermedia (MOS-BJT)
óxido de puerta • Tensiones y corrientes mucho mayores que MOS (1700V-400Amp)
n+ n+ n+ n+ -
1019 cm-3
• Geometría y dopados análogos a MOS (con una capa n mas ancha y
p canal 1016 cm-3
(sustrato)
p menos dopada)
L • Soporta tensiones inversas (no diodo en antiparalelo). No el PT
n-
1014÷15 cm-3
• Tiristor parásito no deseado
WD
RD
• Existen versiones canal n y canal p
iD iD
n+ (oblea) 1019 cm-3 Sección de una celdilla elemental
Drenador Fuente Puerta
Transistor D-MOS
SiO2
En un Transistor MOS para conseguir tensiones (BVDSS) elevadas, RD tendrá un
valor elevado al ser ND necesariamente bajo y el espesor WD grande. óxido de puerta
n+ n+ n+ n+
Transistor n-MOS
La caída en conducción será: iD⋅RON Donde RON será la suma de las p canal
resistividades de las zonas atravesadas por la corriente de drenador (incluyendo p
la de canal). (sustrato)
L Región de arrastre
Si la BVDSS del dispositivo es mayor que 200 o 300 Voltios La resistencia de la n -
del Drenador
capa n- (RD) es mucho mayor que la del canal. WD
RD
Sólo en PT-IGBT
iD iD
iD iD
n+ Capa de almacenamiento
1/RON p+ Oblea Capa de inyección
Drenador
Transistor IGBT
VDS VDS
a) MOS de alta tensión b) MOS de baja tensión

TECNOLOGÍAS DE FABRICACIÓN. TRANSISTOR TRANSISTOR IGBT. CURVA CARACTERISTICA Y
EN TRINCHERA (TRENCHED) SIMBOLOS
S SiO2 G
G S
ID Avalancha
Saturación VGS
n+ n+ n+ n+
p p p
VRRM, Muy
bajo si es un
Canal PT-IGBT
Corte
n-epitaxial
Corte VDS
VDSon, Menor si BVDSS
+
n -epitaxial Avalancha es un PT-IGBT
p+-sustrato Curva Característica Estática de un Transistor IGBT de Canal n
C D
iC iD
Transistores IGBT de potencia modernos: “Transistores en Trinchera”

VCE VDS
G
G
VGE E VGS S
Microfotografía de una sección
de la puerta de un transistor a) b)
IGBT tipo Trenched
Representación Simbólica del Transistor IGBT. a) Como BJT,

b) Como MOSFET

FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR IGBT FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR IGBT
El comportamiento cortado es análogo al MOS cortado. En conducción será: G
G S
S
n+ n+
Rarrastre
n+ n+ p
p
Rdispersión n-
Rarrastre n-
n+
n+ p+
p+
D
D Sección Vertical de un IGBT. Transistores MOSFET y BJT Internos a la
Estructura del IGBT
Sección Vertical de un IGBT. Caminos de Circulación de la Corriente en Estado
de Conducción D
Rarrastre
J1
Varrastre
ID Rcanal
G
Circuito Equivalente aproximado del IGBT.

FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR IGBT FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR IGBT
Rarrastre D G
J1 S
Varrastre
ID Rcanal IC≈ 0.1 ID n+
n+
G
p
Rdispersión
S -
n
Circuito Equivalente aproximado del IGBT.
Comparación VDS(on) MOS-IGBT para la misma BVDSS n+
p+
VDS(on)=VJ1+ IDRcanal +IDRarrastre
Vj1=0.7÷1Volt.
Rcanal =Rcanal (MOS) D
Rarrastre (IGBT) << Rarrastre (MOS)
+
Debido a la inyección de huecos desde p
Sección Vertical de un IGBT. Transistores MOSFET y BJT Internos a la
Esta resistencia es menor aún si es PT-IGBT, ya que para soportar la
Estructura del IGBT
misma tensión puede ser casi la mitad de ancha.
(además en los PT-IGBT la tensión VJ1 es menor al estar más
dopadas las capas que forman la unión) D
J1
• La caída total es menor en el IGBT para tensiones a partir de 600V. (1.6V
para 1.200 Voltios) J2
• En el mercado existen IGBTs de 600, 1.200, 1.700, 2.200 y 3.300 Voltios
• Hay anunciados IGBTs de 6.500 Voltios J3
G
Resistencia de
dispersión del
sustrato
S
Circuito Equivalente del IGBT que Contempla el Tiristor Parásito

EFECTO DE CEBADO DEL TIRISTOR PARÁSITO EFECTO DE CEBADO DEL TIRISTOR PARÁSITO
INTERNO DEL IGBT (LATCH UP) INTERNO DEL IGBT (LATCH UP). Métodos para
Evitar el Efecto del Latch up
• Si VJ3>Vγ el transistor npn entra en
G
conducción y activa el SCR.
D ⇒Pérdida de control desde puerta
J1 =latch-up estático (ID>IDmax).
S
J2 • Si se corta muy rápido, el MOS es
mucho más rápido que el BJT y n+ n+ p,
J3 p, 1016
aumenta la fracción de la corriente 1016
G que circula por el colector del p-BJT, p+,1019
VJ3<Vγ esto aumenta momentáneamente VJ3,
haciendo conducir el SCR.
≡latch-up dinámico.
n-
S Debe evitarse porque se pierde el control
del dispositivo desde la puerta
n+
Entrada en conducción del SCR parásito p+
Métodos para evitar el Latch-up en IGBT’s:
A) El usuario: D
A.1) Limitar ID máxima al valor recomendado por el fabricante. Técnica para evitar el Latchup en los Transistores IGBT's. Modificación del
A.2) Limitar la variación de VGS máxima al valor recomendado por el Dopado y Profundidad del Sustrato
fabricante (ralentizando el apagado del dispositivo).
B) El fabricante: En general intentará disminuir la resistencia de dispersión
de sustrato del dispositivo:
B.1) Hacer L lo menor posible
B.2) Construir el sustrato como dos regiones de diferente dopado
B.3) Eliminar una de las regiones de fuente en las celdillas.

EFECTO DE CEBADO DEL TIRISTOR PARÁSITO CARACTERÍSTICAS DE CONMUTACIÓN
INTERNO DEL IGBT (LATCH UP) . Métodos para El encendido es análogo al del MOS, en el apagado destaca la corriente de “cola”:
Evitar el Efecto del Latch up
G VGS(t)
S VT
-VGG
n+
p+ iD(t)
td(off) Corriente
p de cola
n- tfi1 tfi2
trv
n+ VDS(t)
+ VD
p
D
Técnicas para evitar el Latchup en los Transistores IGBT's. Estructura de
Formas de Onda Características de la Tensión y Corriente en el Apagado de un
bypass de la Corriente de Huecos
Transistor IGBT conmutando una carga inductiva (no comienza a bajar Id hasta
• Es un procedimiento muy eficaz. que no sube completamente Vd)
• Disminuye la transconductancia del dispositivo.
La corriente de cola se debe a la conmutación más lenta del BJT, debido a la carga
almacenada en su base (huecos en la región n-).
• Provoca pérdidas importantes (corriente relativamente alta y tensión muy
elevada) y limita la frecuencia de funcionamiento.
• La corriente de cola, al estar compuesta por huecos que circulan por la
resistencia de dispersión, es la causa del “latch up” dinámico.
• Se puede acelerar la conmutación del BJT disminuyendo la vida media de los
huecos en dicha capa (creando centros de recombinación). Tiene el
inconveniente de producir más pérdidas en conducción. ⇒ Es necesario un
compromiso.
• En los PT-IGBT la capa n+ se puede construir con una vida media corta y la n-
con una vida media larga, así el exceso de huecos en n- se difunde hacia la capa
n+ dónde se recombinan (efecto sumidero), disminuyendo más rápido la
corriente.
ÁREA DE OPERACIÓN SEGURA CARACTERÍSTICAS Y VALORES LÍMITE DEL IGBT
iD • IDmax Limitada por efecto Latch-up.

10-6s • VGSmax Limitada por el espesor del óxido de silicio.
• Se diseña para que cuando VGS = VGSmax la corriente de cortocircuito sea entre
10-5s 4 a 10 veces la nominal (zona activa con VDS=Vmax) y pueda soportarla durante
unos 5 a 10 µs. y pueda actuar una protección electrónica cortando desde
DC 10-4s
puerta.
• VDSmax es la tensión de ruptura del transistor pnp. Como α es muy baja, será
VDSmax=BVCB0 Existen en el mercado IGBTs con valores de 600, 1.200, 1.700,
2.100 y 3.300 voltios. (anunciados de 6.5 kV).
• La temperatura máxima de la unión suele ser de 150ºC (con SiC se esperan
VDS valores mayores)
a) • Existen en el mercado IGBTs encapsulados que soportan hasta 400 o 600 Amp.
• La tensión VDS apenas varía con la temperatura ⇒ Se pueden conectar en
iD paralelo fácilmente ⇒ Se pueden conseguir grandes corrientes con facilidad,
1000V/µ s p.ej. 1.200 o 1.600 Amperios.
En la actualidad es el dispositivo mas usado para potencias entre varios kW y un
2000V/µ s par de MW, trabajando a frecuencias desde 5 kHz a 40kHz.
3000V/µs
b) VDS
Área de Operación Segura SOA de un Transistor IGBT. a) SOA directamente
Polarizada (FBSOA) b) SOA Inversamente Polarizada (RBSOA)
• IDmax , es la máxima corriente que no provoca latch up.

• VDSmax , es la tensión de ruptura de la unión B-C del transistor bipolar.
• Limitado térmicamente para corriente continua y pulsos duraderos.
• La RBSOA se limita por la ∂VDS/∂t en el momento del corte para evitar el
latch-up dinámico

CARACTERÍSTICAS Y VALORES LÍMITE DEL IGBT CARACTERÍSTICAS Y VALORES LÍMITE DEL IGBT
VDS Tj constante Cgd D

ID creciente
G Cds
a) VGS Cgs
ID S
Tj=25ºC Las capacidades que aparecen en los catálogos suelen ser:
• Cre o Cmiller : es la Cgd.
Tj=125ºC Análogo al • Ci, Capacidad de entrada: es la capacidad suma de Cgd y Cgs. (Medida
transistor manteniendo VDS a tensión constante).
∂ VDS/∂ t=0 ∂ VDS/∂ t>0 MOS • Co, Capacidad de salida: es la capacidad suma de Cgd y Cds. (Medida
manteniendo VGS a tensión constante).
Análogo al 105 pF
∂ VDS/∂ t<0 transistor
BJT Ci
b) VDS
Efecto de la tensión VDS sobre
104 pF
a) Efecto de VGS y la corriente de drenador sobre la caída en conducción las capacidades medidas en un
(Pérdidas en conducción). ⇒ Uso de VGS máximo (normalmente=15V). transistor IGBT.
Co
b) Efecto de la corriente de drenador sobre la derivada de la caída en
conducción respecto a la temperatura. 103 pF Puede observarse que cuando
Cre está cortado son mucho
• Derivadas positivas permiten conexión en paralelo.
menores que cuando está
• Para funcionamiento de dispositivos aislados es preferible una derivada
conduciendo
negativa, ya que al subir la corriente, sube la temperatura disminuyendo la
caída de potencial (suben menos las pérdidas). 102 pF
• En los PT-IGBT, la corriente nominal suele quedar por debajo del límite 0.1 V 1V 10 V 100 V
(siempre derivadas negativas) en los NPT-IGBT, se suele trabajar en zona de VDS (V)
derivada positiva.

CARACTERÍSTICAS Y VALORES LÍMITE DEL IGBT CARACTERÍSTICAS Y VALORES LÍMITE DEL IGBT
Módulo Semipuente 1200V, 400Amp
Módulo con 7 IGBT’s encapsulados.1200V, 75Amp

105x45x18mm

INTRODUCCIÓN
El SCR tiene una caída en conducción muy baja, pero necesita que el circuito
de potencia anule su corriente anódica. ⇒ Esto ha reducido su empleo a
circuitos de alterna (bloqueo natural con una conmutación por ciclo).
Desde los primeros años del SCR los fabricantes han intentado conseguir que
los SCR pudiesen cortarse desde la puerta ⇒ A principios de los años 80
aparecen los primeros GTOs.
TEMA 7. TIRISTORES DE APAGADO POR
PUERTA Porqué no puede cortarse un SCR desde puerta?
CÁTODO (K)
7.1. INTRODUCCIÓN PUERTA (G)
7.2. ESTRUCTURA Y FUNCIONAMIENTO DEL GTO VGK<0
7.3. ESPECIFICACIONES DE PUERTA EN EL GTO
7.4. CONMUTACIÓN DEL GTO
Unión
7.4.1. Encendido del GTO Catódica
7.4.2. Apagado del GTO
7.5. MÁXIMA CORRIENTE ANÓDICA CONTROLABLE n+ n+ Capa Catódica
p
POR CORRIENTE DE PUERTA - + + - - + Capa de
Control
7.6. OTROS DISPOSITIVOS DE APAGADO DESDE LA Unión de
Control
PUERTA. n-
Capa de
7.6.1. Tiristor Controlado por Puerta Integrada: IGCT. Unión Bloqueo
7.6.2. Tiristor Controlado por Puerta MOS: MCT Anódica
7.7. COMPARACIÓN ENTRE LOS DISPOSITIVOS DE p+ Capa Anódica

POTENCIA.
7.8. ULTIMAS TENDENCIAS EN LA FABRICACIÓN ÁNODO (A)
DE LOS DISPOSITIVOS DE POTENCIA Al aplicar una tensión negativa en la puerta (VGK<0), circula una corriente
saliente por la puerta. Aparece una focalización de la corriente anódo-cátodo
hacia el centro de la difusión n+ catódica debido a la tensión lateral. Esta
corriente polariza directamente la zona central de la unión catódica,
manteniendo al SCR en conducción.
Tema 7. Tiristores de Apagado por Puerta. Transparencia 1 de 23 Tema 7. Tiristores de Apagado por Puerta. Transparencia 2 de 23
ESTRUCTURA DEL GTO
CARACTERÍSTICA ESTÁTICA DEL GTO
Cátodo iA
Puerta Puerta Puerta

n+ n+
BV≈20÷30 V
p
VAK
n-
p+ n+ p+ n+ p+
Ánodo Ánodo
Ánodo
Sección de un GTO:
Las principales diferencias con el SCR son:
• Interconexión de capas de control (más delgada) y catódicas,
Puerta Puerta
minimizando distancia entre puerta y centro de regiones catódicas y
aumentando el perímetro de las regiones de puerta.
• Ataque químico para acercar el contacto de puerta al centro de las
regiones catódicas.
Cátodo Cátodo
• Regiones n+ que cortocircuitan regiones anódicas:
• Acelerar el apagado Característica estática y símbolos de GTO’s
• Tensión inversa de ruptura muy baja
FUNCIONAMIENTO DEL GTO FUNCIONAMIENTO DEL GTO
A A A Para conseguir cortar el GTO, con una corriente soportable por la
α2
IA = IE1 puerta, debe ser β off =
p1 J1
p1 IB1 α 1 + α 2 − 1 lo mayor posible, para ello
J1
n1 T1 debe ser: α2 ≈1 (lo mayor posible) y α1 ≈0 (lo menor posible).
n1 n1 IC2
J2
J2 J2 IC1 ⇒ α2 ≈1 implica que la base de T2 (capa de control) sea estrecha y
p2 G p2
G p2 G T2 poco dopada y que su emisor (capa catódica) esté muy dopado.
J3 J3
Estas condiciones son las normales en los SCR.
n2 IG IB2
n2 IK = -IE2
⇒ α1 ≈0 implica que la base de T1 (capa de bloqueo) sea ancha y
K tenga una vida media de los huecos muy corta. La primera
K K
condición es normal en SCRs de alta tensión, la segunda no,
porque ocasiona un aumento de las pérdidas en conducción.
Al cebarlo por corriente entrante de puerta, tenemos exactamente el mismo Para conseguir una buena ganancia βoff será necesario asumir
proceso que en el SCR normal. unas pérdidas en conducción algo mayores.
Los cortocircuitos anódicos evitan estas pérdidas extras, al quitar
Para bloquearlo, será necesario sacar los transistores de saturación aplicando corriente de base a T1 disminuyendo su ganancia sin tener que
una corriente de puerta negativa: disminuir la vida media.
- Respecto a la velocidad de corte de T1, si la vida media de los
IB2=α1IA-IG ; IC2= -IB1 = (1-α1) IA huecos es larga, el transistor se vuelve muy lento, ya que solo
pueden eliminarse por recombinación al no poder difundirse
La no saturación de T2 ⇒ IB2< IC2 /β2 dónde β2= α2 /(1-α2) hacia las capas p circundantes por estar llenas de huecos. Los
sustituyendo las ecuaciones anteriores en la desigualdad obtenemos: cortocircuitos anódicos aceleran la conmutación de T1 al poder
extraerlos (a costa de no soportar tensión inversa).
I C 2 ⋅ (1 − α 2 ) (1 − α 1 ) ⋅ (1 − α 2 )
I B2 < = ⋅ I A;
α2 α2
I B 2 = α 1 ⋅ I A − I G− <
(1 − α 1 ) ⋅ (1 − α 2 ) ⋅ I A
α2
IA
luego: I G− > α2
β off ,
βoff =
dónde β off es la ganancia de corriente en el α1 +α2 −1
momento del corte y vendrá expresada por:
ESPECIFICACIONES DE PUERTA DEL GTO CIRCUITO DE EXCITACIÓN DE PUERTA DEL GTO
GTO Conduciendo GTO Bloqueado

IG
IGM
dIG /dt
IGON
-
I GM
Se necesita una fuente de tensión con toma media.
Formas de Onda de la Corriente de Puerta
a) Para entrar en conducción, se necesita una subida rápida y valor IGM

suficientes para poner en conducción todo el cristal. Si sólo entra en
conducción una parte y circula toda la corriente, se puede dañar. Nótese
que si sólo entra en conducción una parte bajará la tensión ánodo-
cátodo y el resto de celdillas que forman el cristal no podrán entrar en
conducción.
b) Cuando se ha establecido la conducción se deja una corriente IGON de

mantenimiento para asegurar que no se corta espontáneamente. (Tiene
menos ganancia que el SCR).
-
c) Para cortar el GTO se aplica una corriente IG =IA/βoff muy grande, ya
que βoff es del orden de 5 a 10.
d) Esta corriente negativa se extingue al cortarse el SCR, pero debe

mantenerse una tensión negativa en la puerta para evitar que pudiera
entrar en conducción esporádicamente.
CONMUTACIÓN DEL GTO CONMUTACIÓN DEL GTO. ENCENDIDO POR
CORRIENTE POSITIVA DE PUERTA
AMORTIGUADOR DE ENCENDIDO:
Carga + Limita la velocidad de subida de la
+ DLC corriente anódica en el encendido,
evitando que IA alcance valores muy ∂IG /∂t, Limitada por las
Df Io altos cuando aún no puede circular por inductancias parásitas
todo el cristal (podría subir mucho
debido a la recuperación inversa de Df ) IG
IGM I GON
Turn-on
snubber AMORTIGUADOR DE APAGADO:
Limita la velocidad de subida de la t
tensión anódica en el apagado, I A : Sin amortiguador de encendido
Lon evitando que al subir VAK las
Lon corrientes por las capacidades de las IA
uniones lo ceben de nuevo
td
IAmax : Limitada por el

amortiguador de encendido
Don Turn-off
DS snubber
t
Lσ V AK
LS
Inductancia
parásita de las
conexiones t
GTO CS
Formas de Onda en el Encendido del GTO
-
Circuito para el Estudio de la Conmutación del GTO:
Al no poder hacerlo funcionar sin estos componentes auxiliares, vamos a

estudiar la conmutación del GTO sobre este circuito completo.
CONMUTACIÓN DEL GTO. APAGADO POR MÁXIMA CORRIENTE ANÓDICA CONTROLABLE
CORRIENTE NEGATIVA DE PUERTA POR CORRIENTE DE PUERTA EN UN GTO
Cátodo
IGON
IG
t +
Puerta n Puerta n+ Puerta
IA p
ts tcola
Focalización de la IA
n- debido al potencial
lateral⇒ Aumento
t de la resistividad
VAK
Resonancia de Cs
y Lσ (Pérdidas) ⇒ Al aplicar una corriente negativa por la puerta, se produce un campo
lateral, que provoca que la corriente anódica se concentre en los puntos mas
alejados de las metalizaciones de puerta.
t
Formas de Onda en el Apagado del GTO ⇒ Esto hace que aumente la resistividad de la capa de control.
⇒ Para que circule la corriente IG requerida, se necesita más tensión.
⇒ Si sube IA se necesita aún más tensión -VGK.
⇒ Se podrá subir -VGK hasta la tensión de ruptura de la unión Puerta-Cátodo.
⇒ Esta ruptura definirá la máxima corriente controlable desde la puerta
TIRISTOR CONTROLADO POR PUERTA INTEGRADA: FUNCIONAMIENTO DEL IGCT
IGCT
GTO y Diodo de la misma tensión de ruptura. Para integrarlos en la misma

oblea, hay que hacer el diodo más ancho ⇒ Más pérdidas
¾ IGCT y Diodo de la misma tensión de ruptura. Se integran sin problemas.

¾ Se suprimen los cortocircuitos anódicos, se sustituyen por una capa
anódica “transparente” a los electrones (emisor del transistor pnp muy
poco eficaz ⇒ α1 muy pequeña. Esto permite hacer un dispositivo PT ⇒ ¾ En el IGCT, se consigue transferir TODA la corriente catódica a la puerta
más estrecho con menores pérdidas en conducción. rápidamente, de forma que la unión catódica queda casi instantáneamente
¾ Se mejora el diseño de la puerta (muy baja inductancia) ⇒ 4.000 Amp/µs polarizada inversamente y el apagado del SCR queda reducido al corte del
(con una tensión Puerta-Cátodo de sólo 20V). Apagado muy rápido ⇒ transistor npn ⇒ No es necesario un amortiguador de apagado.
menores pérdidas en conmutación.
¾ La ganancia de puerta será 1 ya que toda la corriente anódica se transfiere a la
puerta.
ZONA DE OPERACIÓN SEGURA DEL IGCT MODULO CON UN IGCT
4.500V, 3.600Amp. Diámetro Oblea: 120 mm
Ejemplo de zona de operación Segura de un IGCT.

(Análoga a la de un BJT)
TIRISTOR CONTROLADO POR PUERTA MOS: MCT COMPARACIÓN ENTRE LOS DISPOSITIVOS DE
POTENCIA
Conductor
A
G G
A
Doff n +
n+ Doff Son
Soff p Son p G G
+
p off-FET on-FET
Soff Don
n
p-
K
n+
a) b)
(a) Sección Transversal del p-MCT. (b) Circuito Equivalente

Comparación de la caída de tensión en conducción.
A A
MOS IGBT SCR GTO
G ¾ Fácil de ¾ Área de silicio ¾ Área de silicio ¾ Muy alta
G controlar /kVA /kVA tensión
¾ Velocidad ¾ Fácil de ¾ Tensiones y ¾ Área de silicio
¾ Bajo coste controlar corrientes /kVA
(V<150V) ¾ No “Snubber” muy altas
K K
¾ Salida lineal
Símbolos del MCT: a) p-MCT b)
¾ Alto ¾ Caída en ¾ No se apaga ¾ Circuito de
coste/kVA conducción desde la puerta puerta
¾ Estructura formada por un SCR y dos transistores MOS (uno para (V>300V) ¾ fmax 50kHz ¾ Pérdidas en
encenderlo y otro para apagarlo) ⇒ Estructura compleja, con muchos Conmutación
requerimientos contradictorios. ¾ “Snubbers”
¾ Comenzaron las investigaciones en 1992, en la actualidad se han
abandonado al no poder alcanzar potencias elevadas y no ser competitivo
con el MOS en bajas potencias (frecuencia menor y mayor complejidad de
fabricación ⇒ mayor costo).
COMPARACIÓN ENTRE DISPOSITIVOS DE POTENCIA ULTIMAS TENDENCIAS EN LA FABRICACIÓN DE
LOS DISPOSITIVOS DE POTENCIA: COOL-MOS
Evolución de la máxima potencia controlable con GTO e IGBT. (Fuente ABB)
IMAX (kA) 7
6 GTO
5
4
3
2
1
1 2 3 4 5 6 7
VMAX (kV)
1
3 IGBT
log(f) 10 5
(kHz)
20 ¾ Consiguen que la resistencia en conducción crezca casi linealmente con
100 50 la tensión de ruptura del dispositivo en vez de crecer con una potencia
MOS 2.6. Esto los hace interesantes para tensiones altas (600 a 1500Voltios).
¾ Existen comercialmente (Infineon).
Máximas tensiones, corrientes y frecuencias alcanzables con transistores MOS,
IGBT y GTO
ULTIMAS TENDENCIAS EN LA FABRICACIÓN DE ULTIMAS TENDENCIAS EN LA FABRICACIÓN DE
LOS DISPOSITIVOS DE POTENCIA: IEGT LOS DISPOSITIVOS DE POTENCIA: HiGT
Injection Enhanced Gate Thyristor:
IEGT
¾ La razón por la que la caída en
conducción de un SCR o GTO es Sección de una Sección de una
menor que en el IGBT radica en celdilla elemental

Fuente Puerta
celdilla elemental
Fuente Puerta
la doble inyección de portadores

(desde el cátodo y desde el
SiO 2 SiO 2
ánodo). n
+
n
+
óxido de puerta
n+ n+ n
+
n
+
óxido de puerta
n+ n+
¾ En el IGBT la inyección desde la p canal

p
p canal
p
(sustrato) (sustrato)
fuente es muy limitada.
¾ En el IEGT, se consigue que la n
−
n
−
capa de fuente tenga una Región de arrastre del Drenador Región de arrastre del Drenador
eficiencia muy alta (optimizando n+ Capa de Almacenamiento n+ Capa de Almacenamiento
los perfiles de los dopados) p+ (oblea) Capa de Inyección p+ (oblea) Capa de Inyección
Drenador Drenador
a) IGBT b)HiGT (Hitachi)
¾ La caída en conducción puede ser comparable a la del GTO para los

dispositivos existentes de 4.500V y 1.500Amp.
¾ En investigación (Toshiba)
¾ Existen variantes (HiGT Hitachi)
El efecto es parecido al obtenido en el IEGT.
ULTIMAS TENDENCIAS EN LA FABRICACIÓN DE
LOS DISPOSITIVOS DE POTENCIA: COMPARACIÓN
ENTRE LOS DISPOSITIVOS NUEVOS Y LOS
CONSOLIDADOS
Comparación de la caída en conducción de dispositivos nuevos y

consolidados
Tema 7. Tiristores de Apagado por Puerta. Transparencia 23 de 23

INTRODUCCIÓN
¾ 1er tema dedicado a aspectos prácticos en el uso de Dispositivos de
Potencia.
¾ Próximo tema: Circuitos de Disparo.
¾ Siguiente tema: Limitaciones Térmicas.
TEMA 8. LIMITACIONES DE CORRIENTE Y
TENSION ¾ Objetivo de este tema: No superar límites recomendados por
fabricantes (Tensiones, corrientes y sus derivadas) ≡ Evitar la
destrucción de los dispositivos:
8.1. INTRODUCCIÓN
8.2. ASOCIACIÓN DE DISPOSITIVOS ¾ Extensión de las características de los dispositivos por
dificultad o imposibilidad de encontrar los dispositivos
8.2.1. Conexión en Serie adecuados en el mercado:
8.2.2. Conexión en Paralelo
8.3. PROTECCIONES ¾ Conexión Serie.
8.3.1. Protección contra Sobreintensidades ¾ Conexión Paralelo.
8.3.2. Protección contra Sobretensiones ¾ Empleo de dispositivos auxiliares para evitar que se superen
8.3.2.1. Protección con Redes RC los límites de los dispositivos:
8.3.2.2. Protección con Semiconductores y
Varistores de Óxido Metálico ¾ Sobreintensidades.
¾ Empleo de Fusibles
¾ Sobretensiones:
¾ Redes Amortiguadoras.
¾ Limitadores de tensión.
Tema 8. Limitaciones de Corriente y Tensión. Transparencia 1 de 25 Tema 8. Limitaciones de Corriente y Tensión. Transparencia 2 de 25
ASOCIACIÓN DE DISPOSITIVOS. ASOCIACIÓN DE DISPOSITIVOS.
CONEXIÓN EN SERIE CONEXIÓN EN SERIE
Al conectar en serie dos dispositivos se trata de poder realizar un convertidor Debido a los problemas antes mencionados, se prefiere emplear resistencias
en el que soporten tensiones mayores que las que soporta un solo dispositivo. iguales que eviten un desequilibrio exagerado entre las tensiones soportadas
¾ Optimo ⇒ deberían soportar el doble de lo que soportan cada uno de ellos. por los dispositivos, así para el caso de dos dispositivos el efecto de conectar
¾ Problema ⇒ reparto desigual de las caídas de tensión entre los dos una resistencia igual a cada dispositivo es (sólo se considera bloqueo directo, el
dispositivos (aunque sean del mismo fabricante y de la misma serie). efecto sobre el bloqueo inverso es análogo):
¾ Ejemplo con SCR ⇒ Cubre los casos de bloqueo directo e inverso.
IA IT IA
IA VAK1 V’AK2
SCR1 R1
SCR1 VAK2 V’AK1
VT
VAK1 VAK2
VT
SCR2 VAK2 R2
VAK2 VAK1 VAK
SCR2 VAK1
VT= VAK1+VAK2 VAK1 VAK2 VAK
I= IA1=IA2 Reparto de Tensiones en una Asociación Serie de Tiristores
Restricciones:
Reparto de Tensiones en una Asociación Serie de Tiristores
¾ Ninguna de las tensiones anódicas deberá ser mayor que la máxima
Se pueden elegir R1 y R2 de tal forma soportable por cada dispositivo (Ep).
que el par SCR1-R1 y el par SCR2-R2
IT tengan la curva característica ¾ La tensión total máxima será la suma de las dos tensiones ánodo-cátodo,
compuesta muy parecida.
VAK1 cuando la mayor de las dos alcance su valor máximo (Ep). ⇒
SCR1 R1
Problemas:
¾ El mayor valor posible será cuando las dos tensiones ánodo-cátodo
VT ¾ Si en vez de dos son un número sean iguales entre sí y al valor máximo (Ep).
elevado es imposible ajustarlo.
¾ Cuanto menor sea R más parecidas serán las dos tensiones ánodo-
¾ Al cambiar la temperatura
SCR2 VAK2 R2 cátodo.
cambian las curvas.
¾ Cuanto menor sea R tendremos más disipación de potencia en R, para
¾ Cada vez que se sustituya un SCR
n resistencias las pérdidas totales serán:
por mantenimiento hay que
reajustar todas las resistencias
P≈n.(Ep)2/R
CONEXIÓN EN SERIE CONEXIÓN EN SERIE
En las transiciones de cebado a bloqueo y viceversa pueden presentarse
I=IAmin I1 problemas debido a la diferencia de velocidad de cada dispositivo:
VAK1=
SCR1 Ep=I1R R
¾ Cebado: Si se retrasa uno de los dispositivos ⇒ Soportará toda la tensión.
¾ En el caso del SCR es menos grave que en otros dispositivos, ya que
I=IAmax la tensión cae a unos pocos voltios (Debe evitarse, porque a la larga se
I2
dañará).
SCR2 VAK2 R ¾ La solución es dar un pulso de puerta adecuado para que todos los
dispositivos entren en conducción a la vez.
¾ Debe llegar el pulso a la vez (Uso de fibras ópticas, caminos
VT=Em I=IAmax I2 iguales).
¾ Debe ser lo más escarpado posible.
SCR3 VAK3 R
¾ Bloqueo: Si se adelanta un dispositivo ⇒ Soportará toda la tensión
entrando en ruptura.
M ¾ En el caso del SCR es más grave que en otros dispositivos, ya que la
tensión cae a unos pocos voltios y no se consigue que se bloquee.
M ¾ Una posible solución es retrasar todos los SCR añadiendo una
I=IAmax capacidad en paralelo:
I2
SCRn VAKn R
RD
C
Ecualización Estática de una asociación serie de SCR’s (Ep será la
C
máxima tensión que soporta un dispositivo en bloqueo directo o inverso)
I 1 > I 2 ⇒ V AK > V AK = V AK L = V AK
1 2 3 n
V AK1 = I1 ⋅ R = E P ; Em = E p + (n − 1) ⋅ R ⋅ I 2 RD
C
n ⋅ E p − Em C
Como: I 2 = I 1 − I Amax resulta: R≤
(n − 1) ⋅ I Amax M M
Esta solución tiene el problema de
Esta solución tiene el
Se ha de repetir para bloqueo directo e inverso y elegir el menor valor que al cebar los SCR hay unas
problema de no ser capaz de
que resulte para R. elevadas corrientes anódicas y
retrasar los SCR el tiempo
sobre todo una elevada derivada
requerido.
de dicha corriente
CONEXIÓN EN SERIE CONEXIÓN EN PARALELO
Al conectar en paralelo dos dispositivos se trata de poder realizar un
La solución pasa por tener un circuito con un diodo, que al cebar permita una convertidor en el que soporten corrientes mayores que las que soporta un
descarga lenta del condensador a través de RD pero al bloquear, conecte C solo dispositivo.
directamente a la tensión ánodo-cátodo. El circuito completo para la conexión
serie de un grupo de SCRs será por tanto:
¾ Óptimo ⇒ deberían soportar una corriente el doble de lo que soporta
cada uno de ellos.
¾ Problema ⇒ reparto desigual de las corrientes entre los dos dispositivos
(aunque sean del mismo fabricante y de la misma serie).
¾ Ejemplo con SCR
RD D
IA
IA1
RS IA
C IA1 IA2
VAK
SCR1 SCR2
IA2
RD D
RS VAK
C Reparto de Corrientes en una Asociación Paralelo de Tiristores
El problema se agrava cuando la derivada de la tensión ánodo-cátodo en

Ecualización Dinámica Ecualización Estática
M conducción es negativa
Ecualización Estática y Dinámica de un grupo de SCRs conectados en serie.
CONEXIÓN EN PARALELO CONEXIÓN EN PARALELO
Si los dispositivos tienen coeficiente negativo es necesario el uso de

El problema se agrava cuando la derivada de la tensión ánodo-cátodo en
ecualización, por ejemplo empleando resistencias o bobinas acopladas:
conducción es negativa:
T1
SCR1 T1 +∆T1
SCR2 T2
T2 - ∆T 2 IA IA
IA
I’A1 IA1
IA1 IA1 I’A1 R R I’A1
∆IA I’A2 ∆I’A
∆I’A ∆IA V’AK
IA2 IA2 IA1
I’A2
IA2
IA2
I’A2
SCR1 SCR2
VAK V’AK
V´AK VAK VAK V´AK
a) b) Uso de resistencias ecualizadoras. Problema: La Potencia crece con el
cuadrado de la corriente ⇒ No se puede usar para corrientes elevadas.
Conexión en paralelo de dos dispositivos de potencia: a) Con coeficiente de
temperatura negativo y b) Con coeficiente positivo.
¾ Si por uno de los dispositivos pasa más corriente, se calentará más.

¾ Si sube la temperatura se desplaza la curva característica estática para
disminuir su caída de tensión.
¾ Si tiene menor caída de tensión que los demás, circulará una corriente aún
mayor.
¾ Ese incremento de corriente ocasionará un aumento de la temperatura,
haciendo que el desequilibrio de corrientes sea muy grande.
Si la derivada de la tensión ánodo-cátodo en conducción es positiva el efecto es

justo el contrario y se equilibran las corrientes.
CONEXIÓN EN PARALELO CONEXIÓN EN PARALELO
Aunque los dispositivos tengan coeficiente de temperatura negativo, se
Conexión de tres dispositivos en paralelo pueden conectar si te tienen en cuenta las siguientes recomendaciones:
Conexión de dos ¾ Si se puede elegir midiendo las caídas a corriente nominal y a

dispositivos en paralelo Temperatura constante, se puede definir una banda de voltajes por
ejemplo de 50 mVoltios y escoger los que caigan dentro de la banda.
¾ Se debe cuidar especialmente el cableado (pletinas) para que sean
del mismo tamaño y no provoque caídas extra que ocasionen
mayores desequilibrios.
¾ Se deben montar en una misma aleta, para tratar de igualar las
temperaturas de las cápsulas.
¾ Se debe cuidar especialmente el circuito de disparo generando un
pulso con una pendiente elevada y del valor adecuado al número de
dispositivos conectados en paralelo. A cada dispositivo le debe
llegar el pulso a la vez.
¾ Retrasos en el disparo pueden hacer que no lleguen a entrar

en conducción los SCR retrasados (por tensión ánodo-cátodo
muy baja), sobrecargando a los que se han adelantado.
SCR Auxiliar Módulo de Potencia

Ánodo
Puerta
Cátodo
Conexión de 2 y 3 Tiristores en Paralelo con Bobinas Ecualizadoras:
Conjunto de Varios Tiristores en Paralelo en un mismo Encapsulado
¾ Ventaja: No pérdida de potencia en resistencias incluyendo un SCR auxiliar para el disparo.
¾ Desventajas: Demasiada complejidad al subir el número de dispositivos en En el encapsulado de estos módulos, los fabricantes tienen en cuenta
paralelo: coste, peso y volumen. las recomendaciones anteriores, por lo que pueden usarse sin
problemas.
PROTECCIONES. PROTECCIÓN CONTRA SOBREINTENSIDADES
En este tema se va a estudiar la protección de los dispositivos, no la protección tm : Tiempo de fusión

de máquinas o personas (objeto de otras asignaturas). ta : Tiempo de arco
Icc tc : Tiempo de limpieza
Los dispositivos deberán protegerse contra: de la falta
Sobreintensidades: Corriente
¾ Posibles causas: sin el fusible
Sobrecargas.
Cortocircuitos.
¾ Medidas a tomar: Al tratarse ambas causas de un mal funcionamiento,
debe detenerse la operación del dispositivo, hasta que un operador Imax
repare la causa. Corriente
Fusibles. sin el fusible
Interruptores.
Sobretensiones:
¾ Posibles causas:
Causas externas al circuito: tm ta t
• Perturbaciones atmosféricas
• Conexiones y desconexiones de equipos en la red.
tc
Causas internas al circuito:
• Variaciones bruscas de corrientes por bobinas. Efecto Limitador de Corriente en un Fusible
¾ Medidas a tomar: Al ser un funcionamiento normal del circuito, deberá
evitarse que se superen los límites de tensión de cada dispositivo y sus Al seleccionar un fusible es necesario calcular la corriente de fallo y tener en
derivadas. Por tanto, se limitará el efecto de las sobretensiones dejando cuenta lo siguiente:
el circuito en servicio.
Redes RC. 1. El fusible debe conducir de forma continua la corriente nominal del
Dispositivos auxiliares limitadores de tensión. dispositivo.
2
2. El valor de la energía permitida del fusible (i tc) debe ser menor que la del
dispositivo que se pretende proteger.
3. El fusible debe ser capaz de soportar toda la tensión una vez que se haya
extinguido el arco.
4. La tensión que provoca un arco en el fusible debe ser mayor que la tensión
de pico del dispositivo.
PROTECCIÓN CONTRA SOBREINTENSIDADES PROTECCIÓN CONTRA SOBREINTENSIDADES
I(RMS) Característica
del dispositivo
Rectificador
Característica
T1 T2
del fusible
F1
Carga
Red AC F2
T4 T3
10-2 10-1 1 10 t, segundos

Protección de un Grupo de Dispositivos
Protección Completa con un Fusible

Rectificador
dispositivo
I(RMS) F1 F2
fusible
T1 T2
Carga
disyuntor
magnético
Red AC
T4 T3
F4 F3
disyuntor
térmico
10-2 10-1 1 10 t, segundos Protección Individual de los Dispositivos
PROTECCIÓN CONTRA DERIVADA MÁXIMA DE PROTECCIÓN CONTRA SOBRETENSIONES
INTENSIDAD
IA IA
Amortiguador dIA /dt=VR /LS ta
LS tb
de encendido
Ron
t t
Lon IA Carga
VAK VAK almacenada
Don VR t VR t
VP
Sobretensión
En el encendido del SCR o GTO será: a) b) c)

IA ∂I A 1
= ⋅ V Lon
∂t Lon Sobretensión Producida al Cortar un Circuito Inductivo.:
a) Circuito, b) Conmutación con un Dispositivo Ideal, c) Conmutación con un
Dispositivo Real
Limitación de la Derivada Máxima de la Corriente en un Dispositivo
PROTECCIÓN CONTRA SOBRETENSIONES. PROTECCIÓN CONTRA SOBRETENSIONES.
USO DE REDES RC DESCONEXIÓN DE LA RED
IA
Red AC Transformador Amorti-
ta S1
tb=0 guador
LS
Amortiguador
t
Convertidor
de Potencia
de apagado
VAC R Vo
IA VAK Lm
R
VR t C
VP
C
a) Circuito Equivalente antes de la Desconexión de la Red
Uso de un Circuito Amortiguador en la Conmutación de un Dispositivo
Circuito
Resonante
Lm R Vo
b) Circuito Equivalente tras la Desconexión de la Red
PROTECCIÓN CONTRA SOBRETENSIONES. PROTECCIÓN CONTRA SOBRETENSIONES. SVS
DESCONEXIÓN DE LA CARGA SVS: Silicon Surge Voltage Supressor:
Convertidor Amorti- Hace el efecto de dos diodos Zener conectados en antiparalelo, entrando en
guador conducción si se supera la tensión
de Potencia IL Límite, protegiendo los dispositivos
S2 contra sobretensiones.
LS
R
Carga
VS Vo
C
Estructura, símbolo de circuito y fotografía de SVS
Se conectarán en paralelo con el dispositivo o equipo que deba ser protegido, así
a) Carga Conectada para proteger a un SCR, se elegirá un SVS de forma que teniendo en cuenta las
tolerancias de fabricación del SVS para la corriente máxima prevista por el
SVS no se alcance la tensión VDRM o VRRM del SCR.
Circuito
Resonante
LS
Carga
VS R
C
b) Desconexión de la Carga
Tensiones y corrientes al conectar un SVS en paralelo con un SCR.
PROTECCIÓN CONTRA SOBRETENSIONES. PROTECCIÓN CONTRA SOBRETENSIONES
OTROS DISPOSITIVOS: Diodos de Selenio y MOVs COMPARACIÓN ENTRE SVS Y MOV
Además de los SVS, se utilizan Diodos de Selenio y MOV (Metal Óxido Varistor):
Los Diodos de Selenio son Diodos Zener, y por tanto protegen en un solo
sentido. Son bastante antiguos y con poca capacidad de disipación de energía.
Los MOV son resistencias no lineales dependientes de la tensión, de forma que a

tensiones por debajo del umbral presentan una resistividad muy elevada, pero al
superar su umbral tienen una resistividad mucho mas baja comportándose de
forma parecida a los SVS (como dos diodos Zener en antiserie). Son dispositivos
formados por un aglomerado de microgránulos de óxido de Zinc, y pequeñas
cantidades de otros óxidos metálicos (Bismuto, Cobalto, Manganeso...). Estos
gránulos forman uniones p-n en sus bordes, de forma que el conjunto es un numero
elevado de uniones p-n en serie.
Estos dispositivos pueden conectarse en serie o en paralelo si es necesario.
Comparación entre estos dispositivos:
V. DC I. Pico P. Pico E. Pico Vp/Vnom

(V) (A) (kW) (Julios) -
SVS 400-3.200 135-50 65-192 3.5-10 <1.2
MOV 60-1400 350 200 20 1.7
Diodo de Selenio 35-700 30 15 1.5 2.3
Carburo de Silicio 6- 2000 4000 400 3.2
Cápsulas de Arcos 90- 1700 3.4 0.34 8.2
PROTECCIÓN CONTRA SOBRETENSIONES
Dispositivo
a Proteger
SVS ó R
MOV
C
Uso conjunto de varistores y redes RC para proteger a un dispositivo o equipo.
Tema 8. Limitaciones de Corriente y Tensión. Transparencia 25 de 25

INTRODUCCIÓN
Flujo de Potencia
TEMA 9. CIRCUITOS DE DISPARO PARA

INTERRUPTORES DE POTENCIA Convertidor
Fuente de
Energía de Estado Carga
9.1. INTRODUCCIÓN Eléctrica Sólido
9.2. CIRCUITOS DE DISPARO DE CONEXIÓN EN
PARALELO
Objeto de
9.2.1. Circuitos de Control con Acoplamiento DC este tema
9.2.1.1. Salida Unipolar Amplificadores
Circuito de Mando
9.2.1.2. Salida Bipolar de potencia
9.2.2. Circuitos de Control con Aislamiento Eléctrico
Aislamiento
9.2.3. Alimentación en los Circuitos de Disparo galvánico de
9.2.3.1. Alimentación con circuitos de Bombeo de las señales
Elementos de
(deseable)
Carga por Condensador cálculo
9.2.3.2. Alimentación con circuitos “Bootstrap”
9.2.4. Circuitos de Puerta para SCRs
Esquema de un convertidor de potencia.
9.3. CIRCUITOS DE DISPARO DE CONEXIÓN EN
SERIE En este tema estudiaremos circuitos amplificadores (“Drivers”) con las
9.4. PROTECCIONES DEL INTERRUPTOR DE siguientes características:
POTENCIA INCORPORADAS EN EL CIRCUITO DE ¾ Toman señales procedentes de un sistema digital (5V, 3.3V...) y las
CONTROL amplifican a niveles adecuados para la conmutación de dispositivos de
9.4.1. Protección contra Sobrecorriente potencia.
9.4.2. Protección contra Cortocircuitos en Montajes ¾ Dependiendo de las características del dispositivo a controlar, podrán ser
de baja o media potencia.
Tipo Puente ¾ Deben generar señales adecuadas para garantizar:
9.4.3. Conmutación sin Snubbers ¾ La conmutación rápida con pérdidas mínimas.
¾ La entrada en conducción segura del dispositivo, con pérdidas en
conducción mínimas.
¾ El corte seguro evitando que entre en conducción espontáneamente.
¾ Deben incluir las protecciones adecuadas para evitar la destrucción
del dispositivo que controlan:
¾ Sobrecorriente.
¾ Tiempos muertos en ramas de puentes.
Tema 9. Circuitos de Disparo. Transparencia 1 de 27 Tema 9. Circuitos de Disparo. Transparencia 2 de 27

CIRCUITOS DE DISPARO DE CONEXIÓN EN
PARALELO. Acoplamiento DC. Unipolares CIRCUITOS DE DISPARO DE CONEXIÓN EN
PARALELO. Acoplamiento DC. Unipolares
Circuito de Disparo Dispositivo
de Potencia
V BB VBE (TA )
Señal digital
I2 Circuito de VBB Vcc VBB Circuito de Vcc

Disparo Disparo
TB ts
R1 Car- Car-
Comparador TA ga
I1 I B (TA ) Comparador R1 ga
Comparador
R1
R2 R2 T1 R
G
M1 M1
T2
(a) Circuito de Control de la Corriente de Base de un BJT. (b) Formas de CGS CGS
Onda de Tensión y Corriente durante el Corte
V BE almacenamiento a) Bajas Frecuencias de Trabajo b) Altas Frecuencias de Trabajo
R2 = (9-1)
I Balmacenamiento
Circuitos de Control de Puerta de un Interruptor MOSFET o IGBT de
VBEon (TA )
I Bon = I 1 − Potencia
(9-2)
R2
VBB = −VCE sat (TB ) + R1 ⋅ I 1 + VBEon (TA ) (9-3) ¾ En el circuito a): τon=(R1+R2)CGS y τoff= R2CGS ;
Problemas:
Diseño del circuito disparo: ¾ Si se necesita conmutar a alta velocidad, deben ser ambas
resistencias de valor pequeño.
1. Se parte de una velocidad de corte deseada, a partir de la cual se estima ¾ Aparece una disipación de potencia importante durante toff debido al
el valor de la corriente negativa que debe circular por la base durante 2
pequeño valor de R1: Poff≈(toff/T)(VBB /R1).
el tiempo de almacenamiento (corte del BJT de potencia, ecuación 9-1).
¾ En el circuito b): τon= τoff= RGCGS.
2. Conocido el valor de la corriente de base y de tensión base-emisor con ¾ No se presenta el problema de disipación, al conducir sólo uno de los
el BJT en estado de conducción, se determina I1 de la ecuación 9-2. dos transistores a la vez.
¾ Puede hacerse RG muy pequeña (incluso cero). La carga y descarga
3. Se calcula R1 de la ecuación 9-3, suponiendo que VBB vale unos 8 Volt. de la capacidad de puerta podrá hacerse mucho más rápido y por
tanto la conmutación del dispositivo (MOS o IGBT).
Un valor pequeño de VBB disminuye las pérdidas (del orden de VBB.I1)
en el circuito de base pero, un valor excesivamente pequeño de VBB Existen en el mercado numerosos CI con salida análoga a esta última, por
aumenta la influencia de VBEon en el circuito de base (ecuación 9-3). ejemplo DS0026 ó UC1707 que pueden suministrar hasta 1Amp.

CIRCUITOS DE DISPARO DE CONEXIÓN EN CIRCUITOS DE DISPARO DE CONEXIÓN EN
PARALELO. Acoplamiento DC. Bipolares PARALELO. Acoplamiento DC. Bipolares
Para acelerar la conmutación al corte de transistores con puerta tipo Bipolar ó

Limitación de
MOS puede aplicarse una tensión negativa en la puerta, así: corriente en BJTs
Circuito de Vcc
¾ En los BJT, aparece una corriente de base negativa que disminuye Disparo VBB+
drásticamente el tiempo de almacenamiento. RB
Comparador
¾ En los MOS e IGBT se acelera la descarga de la capacidad de puerta como se Con
observa en la siguiente figura: Tensión de
Referencia
Tb+
- A TA
Circuito + Tb−
de control
BJT ó
MOS
Divisor de tensión
capacitivo
Circuito Bipolar de Control de Base de Interruptor de Potencia
Circuito de Vcc
Disparo
VBB
VBB
Tb+ 2
A TA
− IB
La tensión Vcc vale 55Volt., la resistencia de puerta es de 50 Ohmios y la Tb−
tensión VGS vale inicialmente +20Volt. cambiando a 0Volt. en el caso −VBB
Unipolar y a –20Volt. en el caso Bipolar. El retraso que se observa entre 2
Resto del circuito
ambos casos es de unos 35nS. de Potencia
Se puede comprobar, que gracias al divisor de tensiones capacitivo, se puede

aplicar al transistor de potencia (MOS o IGBT) una tensión negativa a su
entrada (al saturar el transistor Tb- cuando se corta el transistor Tb+ ).

CIRCUITOS DE CONTROL CON AISLAMIENTO CIRCUITOS DE CONTROL CON AISLAMIENTO
ELÉCTRICO ELÉCTRICO. OPTOACOPLADORES
Fuentes de alimentación Alimentación DC-aislada

V0 auxiliares
VBB
Capacidad Optoacoplador
V1 parásita
Salida hacia
V2 el “driver”
Fase λ
Aislamiento Circuito Señal

de la señal de Base Referencia Referencia del
digital de
Circuito de control Digital interruptor de potencia
Control
Neutro
Aislamiento Circuito Señal de Control Optoacoplada
de la señal de Base
Tierra
Tierra ¾ El fotoacoplador permite conseguir un buen aislamiento eléctrico entre el
circuito de control y el de potencia.
Alimentación Entradas ¾ Este tipo de aislamiento ofrece como inconveniente la posibilidad de
de Potencia de control
disparos espúreos en las conmutaciones del interruptor de potencia, debido
a la capacidad parásita entre el LED y el fototransistor.
¾ Otro problema se debe a la diferencia de potencial entre las tierras del
Necesidad de aislamiento de la Señal Lógica de Control: fotodiodo y del fototransistor que no debe superar la tensión de ruptura.
¾ Para minimizar estos dos inconvenientes se pueden usar fibras ópticas,
¾ Tensiones elevadas (lineas rojas). Necesidad de protección del personal que (inmunidad al ruido EMI, aislamiento de alta tensión y evitan el efecto
maneja los equipos de control. inductancia de los cables largos).
¾ Diferentes niveles de tensión dentro del convertidor y por tanto diferentes ¾ No permiten transportar potencia, sólo señal, por lo que será necesario una
referencias para las salidas Base-Emisor (Puerta-Fuente) de los drivers. fuente de alimentación auxiliar y un amplificador.
¾ Se necesitan diferentes fuentes de alimentación auxiliares para los diferentes
niveles de tensión. Existen diferentes métodos que se estudiarán en los
próximos apartados.
¾ El aislamiento galvánico se consigue empleando optoacopladores o
transformadores de pulsos.

ELÉCTRICO. OPTOACOPLADORES ELÉCTRICO. OPTOACOPLADORES
VBB
+15 V
Circuito
de
Potencia
DA
Circuito RG
Integrado CMOS
−VBB
Optoacoplador
Optoacoplador
Circuito de Control de Base, con Aislamiento Optoacoplado de la Señal de
Control Circuito de Control de Puerta, con Aislamiento Optoacoplado de la Señal de
Control
El diodo DA sirve para evitar la saturación completa del BJT de potencia y
así acelerar su conmutación.
¾ Este circuito es útil para hacer funcionar interruptores MOS a velocidades
bajas (Los circuitos integrados digitales CMOS tienen una impedancia de
salida alta).
¾ Para velocidades mayores pueden usarse circuitos especializados con

impedancia de salida mucho menor, por ejemplo IXLD4425, 3Amp y
±15Volt.

ELÉCTRICO. TRANSFORMADORES ELÉCTRICO. TRANSFORMADORES
Entrada al driver o
señal de disparo
Q
Circuito de control Oscilador
Entrada al
de alta
driver
frecuencia /Q Vd
Vo
Referencia del Referencia del
circuito de control interruptor de potencia Señal digital de Vc
control (baja
Inductancia de frecuencia)
Magnetización
Modulador Demodulador
Señal de Control de Alta Frecuencia, Aislada con Transformador de Pulso
¾ El transformador de pulsos permite transportar una señal de cierta Señal de Control de Baja Frecuencia Aislada con Transformador de Pulso
potencia, y a veces puede evitarse el uso de una fuente de alimentación La frecuencia del oscilador podría ser por ejemplo de 1MHz, y los diodos
auxiliar. rectificadores serán de alta frecuencia, pero de señal.
¾ El problema es que no pueden usarse pulsos de baja frecuencia debido a

la inductancia de magnetización.
Vc
¾ Para pulsos de frecuencias superiores a la decena de kHz y con D≈0.5
pueden conectarse directamente, conectándose bien a la puerta de Q
transistores de potencia, o en circuitos análogos a los vistos sustituyendo
a fotoacopladores. /Q
Vo
Vd

ELÉCTRICO. TRANSFORMADORES ELÉCTRICO. TRANSFORMADORES
V BB Circuito de potencia Demodulador

Modulador
Rp Cp ic Buffer
BJTPotencia
Q
N1 Oscilador
R2 C1
ip
ib T2 C2
Lm Q RG
N2 Vcontrol Buffer
Buffer Schmitt-trigger
Señal Digital vo
T1 DB vi
de Control Circuito
de disparo
N3
Vcontrol
Q
Circuito de Base con Señal de Control Aislada mediante Uso de
Transformadores de Pulso. Aplicación para Frecuencias de Trabajo Elevadas y Q
Ciclo de Trabajo Aproximadamente Constante. Evita Fuente de Alimentación.
Si T1 está conduciendo, ib sería negativa y por tanto, T2 se cortará. La corriente
vi
de magnetización por el transformador (por Lm) será transcurrido un tiempo: vo
ip≈VBB/Rp.
Al cortar T1 cuando por Lm circula ip, se hace circular una corriente por la base, Circuito de Puerta con Señal de Control Aislada con Transformador de
y por tanto por el colector, de forma que al interactuar los devanados 2 y 3 será: Pulso. Aplicación para Bajas Frecuencias de Trabajo
Si Vcontrol=1, aparece una señal de AF en el transformador, cargando una
ib=icN3/N2. vez rectificada los condensadores C1 y C2 ⇒ Vi=”0” y el CI está
alimentado, al ser inversor dará una salida Vo=”1” , haciendo que el MOS
Además, durante el tiempo que está cortado T1 Cp se descargará por Rp. Si en de potencia conduzca.
estas condiciones se vuelve a saturar T1, la tensión aplicada al devanado 1 es VBB Si Vcontrol=”0”, no hay tensión de AF en el transformador y C2 se descarga
y la corriente ip por el transformador podrá ser muy alta, de forma que: por R2 ⇒ Vi=”1”, mientras que C1 se mantiene en carga (DB impide que se
descargue), luego Vo=”0”.
ib= icN3/N2- ipN1/N2 Si el circuito integrado es de bajo consumo (p.ej. 7555) se puede mantener
cargado C1 hasta el próximo disparo.
Si se eligen adecuadamente las relaciones de transformación, podrá hacerse la
corriente de base negativa y se cortará el transistor de potencia.

CIRCUITO DE DISPARO CON BOMBEO DE CARGA POR
ALIMENTACIÓN EN LOS CIRCUITOS DE DISPARO CONDENSADOR
Vcc Circuito de bombeo de carga VCC+VBB
VBB VCC
Vcc 2 C2
Circuito de
disparo
VBB1 Carga C1
D2
Circuito de
Vcc 2 CD-1
disparo Osc.
VBB2 D1
VBB
VBB
VBB CD-2
Montaje Semipuente
Vcc Circuito de Disparo con Bombeo de Carga por Condensador
¾ Simplifica el circuito total, al evitar tres fuentes auxiliares en los

puentes trifásicos.
VBB1 VBB2 VBB3
¾ No se ve afectado por el régimen de disparo de los interruptores de
potencia.
CD-1 CD-3 CD-5 ¾ Los transistores MOS, y demás componentes auxiliares deben
trabajar a altas tensiones (aunque con corrientes bajas).
VBB ¾ Los drivers usados para el disparo de los interruptores de la mitad
superior de cada rama deben ser de alta tensión.
CD-2 CD-4 CD-6
Esquema de un Inversor Trifásico
Son necesarias dos fuentes auxiliares de alimentación para un montaje

semipuente y cuatro para un puente trifásico. La complejidad y el costo es
elevado, pero no hay restricciones respecto al régimen de disparo de los
interruptores de potencia.

ALIMENTACIÓN EN LOS CIRCUITOS DE DISPARO CIRCUITOS DE PUERTA PARA SCRs
D D VCC D
VBB VBB VBB

+ + +
C C C
Driver Driver Driver
Fase A Fase B Fase C

VBB VBB VBB
Driver
Driver
Driver
Tierra de Potencia
RG
Inversor Trifásico con Circuitos “Bootstrap”
VGK
+
-
VGGH
¾ El circuito resultante es bastante simple, al conseguirse las tensiones
VGGL
requeridas con un diodo y un condensador.
¾ Los drivers usados para el disparo de los interruptores de la mitad superior
de cada rama deben ser de alta tensión.
¾ El régimen de disparo de los interruptores debe tenerse en cuenta para que
no se descarguen los condensadores.
¾ Al iniciar el funcionamiento, deben dispararse todos los interruptores de la
mitad inferior de cada rama para arrancar con los condensadores cargados.

CIRCUITOS DE PUERTA PARA SCRs CIRCUITOS DE PUERTA PARA SCRs
D1
15v
VGK
D2
RG
VD
Vcontrol
Circuito de Control de Puerta del Tiristor con Amplificación del Pulso de

Corriente

CIRCUITOS DE DISPARO DE CONEXIÓN EN SERIE PROTECCIÓN CONTRA SOBRECORRIENTES
VGS=20V (máx.
ic permitido por la
log iD
tecnología)
V BB RBSO VGS=15V
(recomendado)
4*iDnom
Señal
Conmutación
de iDnom
Control
v CE vDS
El problema que se plantea al intentar proteger contra sobrecorrientes
a dispositivos tipo BJT, MOS o IGBT, es que la corriente no sube a
Circuito de Control en Serie con el Emisor del Interruptor de Potencia valores lo bastante altos para que actuen a tiempo los fusibles, por ello
Para circuitos de disparo de BJTs puede aprovecharse que si se provoca el debe realizarse la protección desde el circuito de disparo, así en los
corte anulando IE el área de operación segura será la correspondiente al IGBTs:
diodo C-B (no avalancha secundaria) luego será cuadrada y con un valor
límite de VCE casi el doble (BVCB0≈2*BVCE0). ¾ Al aplicar la tensión VGS de 15 voltios (recomendada por los
fabricantes) en caso de cortocircuito la corriente se multiplica por
El transistor MOS empleado no necesita ser de alta tensión. cuatro y el circuito de control tiene entre 5 y 10 µs para quitar la
tensión de puerta (si la temperatura inicial es menor que 125ºC).
¾ Si se aplicase la tensión máxima permitida por el espesor del óxido
(20V), la corriente de cortocircuito subiría mucho más y el
fabricante no garantiza el corte del dispositivo a tiempo.
¾ En un cortocircuito, pueden darse dos casos:
a) Cierre del interruptor cuando ya se ha producido un
cortocircuito
b) Se produce un cortocircuito cuando el dispositivo está
conduciendo.

PROTECCIÓN CONTRA SOBRECORRIENTES. PROTECCIÓN CONTRA SOBRECORRIENTES.
b) Se produce un cortocircuito cuando está conduciendo el dispositivo
(cont.)
a) Cierre del dispositivo sobre un cortocircuito
CGD
vDS iD
RG
VGS=RG*CGD*dVDS/dt+VGG
4*iDnom
VGG
iD
vDScc vDS
El problema se agrava en este caso, ya que al subir la tensión de drenador,
t se acopla la subida a través de la capacidad Miller y se polariza la puerta
con una tensión mayor, con lo cual la corriente de drenador puede subir
Al cerrar el IGBT sobre un cortocircuito, la tensión VDS cae ligeramente, hasta valores que impidan el corte del dispositivo. Se debe limitar la
pero se mantiene a un valor muy alto, lo que permite al circuito de tensión de puerta a 15 voltios empleando un par de diodos Zener:
control detectar el malfuncionamiento y dar orden de cortar al
CGD
dispositivo.
b) Se produce un cortocircuito cuando está conduciendo el dispositivo RG
iD VGG
vDS
4*iDnom
También es necesario emplear para cortar el IGBT una tensión de puerta
iD negativa (al menos –5V, mejor –15V), porque:
iDnom
¾ Se acelera el corte disminuyendo las enormes pérdidas debidas a las
vDScc vDS elevadas tensiones y corrientes del cortocircuito.
t
¾ Se asegura el corte, ya que la tensión umbral de corte disminuye en
Al producirse un cortocircuito cuando el IGBT está conduciendo, la unos 10mV por cada grado de temperatura que suba la temperatura de
corriente sube hasta aproximadamente 4 veces la corriente nominal y la la unión, de forma que durante un cortocircuito dicha tensión puede
tensión sube hasta prácticamente el valor de corte. Se produce una valer casi 2V menos que el valor que da el fabricante a 25ºC.
subida muy rápida de la corriente y de la tensión. ¾ Debido a que la derivada de la corriente de drenador es muy alta,
aparecen caídas de tensión extra en las inductancias parásitas internas
y del cableado externo, la tensión que ve la puerta es menor que la
esperada.

PROTECCIÓN CONTRA CORTOCIRCUITOS EN PROTECCIÓN CONTRA PULSOS DE CORTA DURACIÓN
MONTAJES TIPO PUENTE
VCC Interr.
Generación de retrasos Interr.
Cerrado
Abierto
V1
Control T+ Entrada de
T+ D+ Control
t
Control a)
t
T- D-
Control T- b)
V2
t
Control
∆tmin ∆tmin ∆tmin
V1 a) Eliminación de pulsos estrechos

b) Alargamiento de pulsos estrechos
V2
T+
Si algún pulso generado por el circuito de control (apertura o cierre) es
demasiado estrecho, el circuito de disparo deberá evitar que dicho pulso
T−
llegue a la puerta del dispositivo por las siguientes razones:
tc tc
Circuito de Control con Generación de Tiempos Muertos ¾ Un pulso estrecho no conseguirá que el interruptor entre en conducción o
se corte totalmente por lo que las pérdidas subirán innecesariamente.
¾ Muchos circuitos incluirán circuitos auxiliares, p. ej. amortiguadores, que
Si está circulando corriente por T+ (I saliente de la rama), cuando se da la necesitan de un tiempo mínimo para disipar la energía almacenada.
orden de corte a T+ debe esperarse un tiempo (tc) antes de dar orden de
cierre a T- para que dé tiempo a cortarse a T+ y evitar un cortocircuito Tiene el inconveniente de distorsionar ligeramente las formas de onda
entre VCC , T+ y T-. El tiempo tc debe ser mayor que el tiempo de generadas.
almacenamiento de T+.
Si la corriente circula por T- (I entrante en la rama), el efecto es el mismo
debiendo retrasarse el cierre de T+.

CONMUTACIÓN SIN SNUBBERS
Los circuitos auxiliares empleados como amortiguadores de encendido o de
apagado, suponen una complejidad y un coste añadidos al circuito que deben
evitarse si es posible.
Es decir, no se usarán si el propio circuito garantiza que no se superarán los

límites de derivadas de la corriente y tensión máximas ni las sobretensiones
inducidas en las bobinas.
¾ Dispositivos con área de operación segura casi cuadrada como el IGBT

son buenos candidatos.
¾ Dispositivos cuya velocidad de conmutación pueda controlarse fácilmente

como el MOS y el IGBT también son buenos candidatos, ya que haciendo
que el dispositivo conmute más lento, se pueden controlar las derivadas
de la corriente y tensión máximas y las sobretensiones inducidas en las
bobinas.
¾ Al hacer que los dispositivos conmuten con tiempos de subida o

bajada mayores las pérdidas de conmutación suben.
¾ Para compensar estas pérdidas es necesario trabajar a frecuencias
más bajas.
Tema 9. Circuitos de Disparo. Transparencia 27 de 27

INTRODUCCIÓN
Problema a resolver: Al circular corrientes por los dispositivos y conmutar

entre corte y saturación se producen unas pérdidas de potencia en forma de
TEMA 10. CONTROL TÉRMICO DE LOS calor en el dispositivo. Si este calor no es extraído del interior del
dispositivo, provocará una subida de la temperatura del semiconductor.
SEMICONDUCTORES DE POTENCIA
La temperatura en el cristal de silicio no puede superar un valor máximo,
10.1.INTRODUCCIÓN (normalmente Tjmax=125ºC), ya que:
10.2.MECANISMOS DE TRANSFERENCIA DEL CALOR
♦ Empeoran las características funcionales del dispositivo.
10.2.1. Convección.
♦ La vida media esperada disminuye al aumentar la temperatura.
10.2.2. Radiación.
10.2.3. Conducción.
Vida esperada respecto a la

10.2.3.1. Modelo Térmico Estático
10.2.3.2. Modelo Térmico Dinámico
vida media a 75ºC

3
10.2.3.3. Cálculo de la Temperatura de la Unión en
Situaciones Transitorias
2 TjMax=
10.3.DISIPADORES. ASPECTOS PRACTICOS Tj=75ºC
125ºC
10.3.1. Radiadores
1
10.3.1.1. Convección Forzada
10.3.1.2. Cálculo de la Resistencia Térmica
10.3.2. Refrigeradores por líquidos 40º 50º 60º 70º 80º 90º 100º 110º 120º
Temperatura en la unión Tj ºC
Puede observarse que un dispositivo funcionando a 75ºC durará unas

cuatro veces más que si trabaja a su temperatura máxima, por tanto es muy
importante mantener la temperatura del cristal controlada, aún en las
condiciones más desfavorables (Máximas disipación de potencia y
temperatura del medio ambiente)
ACCIONES A TOMAR:
Tema 10. Control Térmico. Transparencia 1 de 22 Tema 10. Control Térmico. Transparencia 2 de 22
INTRODUCCIÓN MECANISMOS DE TRANSFERENCIA DEL CALOR.

ACCIONES A TOMAR: Convección
♦ Debe limitarse la potencia disipada en el dispositivo (pérdidas):
¾ Usar dispositivos con menor caída en conducción. A El mecanismo de convección del calor
¾ Limitar la corriente máxima por el dispositivo. ocurre entre un sólido y el fluido con
¾ Usar técnicas que minimicen las pérdidas en conmutación. el que está en contacto. Las capas del
♦ O bien facilitar la evacuación del calor generado hacia el medio ambiente Superficie a TS fluido más próximas se calientan y
(supuesto como un sumidero de calor infinito) empleando: crean un flujo (convección natural) o
d
mediante un ventilador o bomba se
establece un flujo (convección
forzada)
¾ Cápsulas adecuadas Flujo de aire a Ta
(Fabricante).
La transferencia de calor por Convección (natural, en el aire) se puede estimar por:
Pconv=1.34 A(∆T)1.25/d0.25
Ejemplo de Encapsulado: IGCT
donde:
• Pconv es la potencia transferida por el mecanismo de convección desde el

disipador hacia el ambiente (W).
¾ Radiadores. • A es el área de la superficie vertical (m2).
• d es la altura vertical del área de la superficie A (m).
• ∆T es el incremento de temperatura entre el fluido y la superficie (ºC).
Disipador de Aluminio Extrusionado
La resistencia térmica equivalente será por tanto:
1/ 4
1  d 
Rθsa ,conv =  
¾ Radiadores con 1.34 A  ∆T 
ventilación forzada.
En algunos manuales se suele aproximar por: Pconv=h A ∆T
Disipador de Aluminio con ventilador Sistema Empleado h (W m-2 ºK-1)

Gases 2-25
Convección Natural
Líquidos 50-1.000
¾ Refrigeración por
Gases 25-250
líquidos. (con o sin Convección Forzada
evaporación) Líquidos 50-20.000
Convección con Cambio Líquido+Gas (Evaporación y
Dos refrigeradores por agua 2.500-100.000
de Fase Condensación)
MECANISMOS DE TRANSFERENCIA DEL CALOR. MECANISMOS DE TRANSFERENCIA DEL CALOR.
Radiación Conducción
En un material conductor del calor, el flujo de calor va desde los puntos
Superficie a TS
más calientes del material hacia los más frios.
A
El mecanismo de radiación consiste Según la ley de Fourier, la evacuación de calor por conducción se puede
en la emisión por una superficie de aproximar suponiendo que el material que conduce el calor presenta una
energía en forma de radiación resistencia térmica independiente de la temperatura y de la cantidad de
electromagnética (infrarrojos), por calor evacuada:
tanto no necesita un medio material
l ∆T ∆T  º C 
para producirse. Rθ = =  
A
Q
•
PD  W  ,
ambiente a Ta
PD
• ∂Q
con Q = = PD
La transferencia de calor por Radiación se rige por la ley de Stefan Boltzmann: T1> T2
ρθ
∂t
Prad=σEA(Ts4-Ta4) ρθ l
T1 T2
y Rθ =
donde: A
• Prad es la potencia transferida entre la superficie del disipador y el donde:
ambiente (W). • ρθ es la resistividad térmica del material (ºC⋅m/W).
• E es la emisividad de la superficie del disipador. Esta constante depende • l es la longitud (m).
del tipo de material. Para objetos oscuros, como el aluminio pintado de • A es el área (m2).
negro utilizado en radiadores es 0.9. • PD es la potencia disipada (W).
2
• A es el área de la superficie (m ).
• Rθ es la resistencia térmica del trozo de material (ºC/W).
• Ts es la temperatura de la superficie expresada en grados Kelvin.
• σ =5.67⋅10 W m ºK
-8 -2 -4
es la constante de Stefan Boltzmann Material ρθ (ºC*cm/W)
La resistencia térmica equivalente será por tanto: Diamante 0.02 - 0.1
Cobre 0.3
Aluminio 0.5
∆T
Rθsa ,rad = Estaño 2.0
5.7 × 10 −8 EA(Ts4 − Tas ) Grasa térmica 130
Mica 150
Mylar 400
Al instalar radiadores, se debe tener en cuenta que si se colocan próximos a otros
objetos más calientes absorberán más energía que la que emitan por radiación. Aire en calma 3000
Comparación de la Resistividad Térmica de Algunos Materiales Típicos
TRANSFERENCIA DE CALOR POR CONDUCCIÓN. TRANSFERENCIA DE CALOR POR CONDUCCIÓN.

Modelo Térmico Estático Modelo Térmico Estático
Se puede hacer una analogía con los circuitos eléctricos:
Semiconductor Tj
Magnitud Eléctrica Magnitud Térmica
Diferencia de Potenciales Diferencia de Temperaturas
Intensidad Potencia
Encapsulado Tc Resistencia Eléctrica Resistencia Térmica
Aislamiento
j c s a
Disipador Ts
+ Rθjc + Rθcs + Rθsa +
PD Tj Tc Ts Ta
Temperatura Ambiente Ta Circuito Equivalente Basado en Resistencias Térmicas

Modelo Multicapa de un Semiconductor Montado sobre un Disipador
para analizar la Transferencia de Calor desde el Silicio hacia el Tj = PD (Rθjc+ Rθcs+ Rθsa)+ Ta
Ambiente
dónde:
Rθja= Rθjc+ Rθcs+ Rθsa
donde: • Tj es la temperatura de la unión del semiconductor.
• Rθjc es la resistencia térmica debido a
mecanismos de transferencia • Ta es la temperatura ambiente del medio exterior.
de calor por conducción entre el silicio y el encapsulado del
dispositivo. Estos cálculos no son exactos, debido a que las resistencias térmicas varían con:
♦ La Temperatura.
• Rθcs es la resistencia térmica debido a mecanismos de transferencia ♦ Contacto térmico entre cápsula y radiador (Montaje).
de calor por conducción entre el encapsulado del dispositivo y el
♦ Dispersiones de fabricación.
disipador.
♦ Efectos transitorios.
• Rθsa es la resistencia térmica debido a mecanismos de transferencia
de calor por convección y radiación entre el disipador y el ambiente.
Estos mecanismos, aunque más complejos, se pueden modelar de
forma aproximada mediante una resistencia térmica y serán
estudiados posteriormente.
Modelo Térmico Dinámico Modelo Térmico Dinámico
Hasta ahora se ha estudiado el funcionamiento en situaciones estacionarias.

Vamos a considerar otros casos:
T1 τθ=Cθ Rθ
♦ Arranque de un sistema ⇒ Potencia constante pero temperatura
subiendo.
♦ Funcionamiento con cargas pulsantes ⇒ Potencia variable, pero la PD
temperatura puede considerarse constante (o no). PD Cθ Rθ
T1 Ts
La temperatura que alcanza un material al que se aplica una cantidad de
calor depende de su calor específico definido como:
La energía requerida para elevar la temperatura de un material un grado Ts

centígrado una unidad de masa de dicho material a) b)
La masa del material hace de “almacenamiento” de energía, modificando la
temperatura con una determinada dinámica. a) Sistema Térmico Simple Consistente en una Masa a Temperatura inicial TS
a la cual se le suministra un escalón de potencia PD, estando en contacto
En la analogía con los circuitos eléctricos el producto masa x calor específico con un Disipador a Temperatura TS. La temperatura final alcanzada es T1.
sería la capacidad de un condensador, ya que: b) Modelo equivalente eléctrico utilizado para modelar comportamientos
transitorios de un sistema térmico.
∆T = ( M ⋅ C e )∆Q = Cθ ∆Q La evolución en el tiempo de la temperatura cuando se aplica un cambio
∂T ∂Q ∂V brusco (escalón) de la potencia disipada será:
= Cθ = Cθ PD ⇔ = C ⋅ IC
∂t ∂t ∂t T1 (t ) − TS = PD Rθ (1 − e − t / τθ )
donde:
En régimen permanente coincide con lo estudiado anteriormente para el caso
¾ Ce es el calor específico del material (W ºC-1 Kg-1) estático:
¾ M es la masa del material (Kg)
¾ Cθ es la capacidad térmica equivalente (W ºC-1) T1 (t = ∞) − TS = PD Rθ

Modelo Térmico Dinámico. Modelo Térmico Dinámico.
Respuesta de la Temperatura de un material ante un escalón de potencia:
Para una masa de cierto tamaño se tendrá una distribución continua de
temperaturas. Para calcular la evolución de la temperatura se
aproxima el material en varios trozos en los que se supone que la PD Tn Tn (t ) − T0 n = P0 Rθ (1 − e −t / τθ )
temperatura es constante:
TS Po Tfn
T5 T4 T3 T2 T1
T0n
PD a) Sistema térmico
aproximado por cinco
trozos. 0 t 0 t
a) Escalón de Potencia b) Evolución de la Temperatura
en el trozo n
Respuesta Transitoria de la Temperatura en el Nodo n Frente a un Cambio en

escalón en la Potencia Disipada.
Zθ Zθ (t ) = Zθ 0 (1 − e −t / τθ )
T5 T4 T3 T2 T1
Rθ5,4 Rθ4,3 Rθ3,2 Rθ2,1 Definimos la impedancia transitoria Zθ 0

Rθ1,S
como:
C5 C4 C3 C2 C1
PD T (t ) − Tn 0 ∆T (t )
Zθ (t ) = =
P0 P0
0 t
TS
b) Modelo Eléctrico Equivalente
La temperatura final en un nodo debe coincidir con la obtenida con el

modelo estático
Cálculo de la Temperatura de la Unión en Situaciones Cálculo de la Temperatura de la Unión en Situaciones
Transitorias Transitorias
En otros casos, los fabricantes dan únicamente una curva que representa la
Los fabricantes suelen dar curvas en las que se representa la impedancia térmica impedancia térmica transitoria para una potencia disipada tipo escalón:
transitoria para un dispositivo al que se aplica una potencia disipada tipo escalón
o ondas cuadradas periódicas, por ejemplo:
10
log(Zθ(t)/Zθ(t=∞))
Impedancia Térmica Transitoria
Unión-Cápsula ZthJC (ºC/W)
Impedancia Impedancia Térmica

Térmica Transitoria de un
Transitoria Dispositivo (incluyendo
D= la curva asintótica).
1 0.5
Asíntotas
0.2
0.1
log(t/τθ ))
0.1 0.05
Para formas de ondas diferentes de escalones y ondas cuadradas, se puede
PD
0.02 aproximar por ondas de duraciones comparables que inyecten la misma energía
0.01 Pulso único, T=∞
t1
(área) que la onda cuadrada, así por ejemplo:
Notas: T Tj
1-D=t1/T 0.318T P0
2-TjMax=TC+PDMaxZthJC
Potencia
0.01
10-5 10-4 10-3 10-2 10-1 1 10 t
t1 (seg)
P0u(t1)
Curvas de la Impedancia Térmica Transitoria del transistor MOSFET IRF 330 P0
donde la Impedancia Térmica Transitoria está parametrizada en función del Tj
ciclo de trabajo del MOSFET 0.318T
t
Puede observarse que para valores altos de D y bajos de t1 (=altas frecuencias),

las curvas se vuelven horizontales, es decir, la inercia térmica hace que la Tj t
-P0u(t2)
temperatura de la unión no varíe y por tanto estas curvas no sirven. En general, t P0
para frecuencias mayores de 3kHz es suficiente trabajar con la característica 0.09T 0.41T T/2
estática. t1=0.09T t2=0.41T
El pulso se descompone en dos escalones:
Se hace equivalente un arco de
senoide a una onda cuadrada de P(t)=P0u(t1)-P0u(t2)=P0(u(t1)-u(t2))
la misma amplitud y duración y la temperatura puede calcularse de:
0.318T
Tj(t)=Tj0+P0(Zθ(t1)- Zθ(t2))
Cálculo de la Temperatura de la Unión en Situaciones Cálculo de la Temperatura de la Unión en Situaciones

Transitorias Transitorias
Para otras formas de ondas, se puede hacer la siguiente aproximación:

Para otros tipos de pulsos se puede generalizar:
P(t) P6 Pulso a aproximar

P5 P7
P(t) P4 P5
P3 P3 P8 Aproximación
Pm P2 δt O
P1 P1 Pm
t j0
t
t t1 t2 t3 t4 t5 t6 t7 t8 ... t m
t1 t2 t3 t4 t5 t6 tm Tj(t)
Temperatura
Tj(t)
t j0
t
Aproximación de un Pulso de Potencia mediante Pulsos Rectangulares
tj0
t T j (t ) = T j 0 + Z 1 P1 + Z 2 ( P2 − P1 ) + Z 3 ( P3 − P2 ) + ...... =
Temperatura de la Unión con Pulsos de Potencia Rectangulares m
Llamando Zn=Z(t=tn) y teniendo en cuenta que P2=P4=P6=...=0, se puede

= T j0 + ∑
n =1, 2....
Z n ( Pn − Pn −1 )
escribir que la temperatura después del pulso m es:
ya que la secuencia de pulsos Pi se puede descomponer en una secuencia de
pulsos de tipo escalón:
T j (t ) = T j 0 + P1 ( Z 1 − Z 2 ) + P3 ( Z 3 − Z 4 ) + P5 ( Z 5 − Z 6 ) + ...... =
m
= TJ 0 + ∑ P (Z − Z n +1 ) P1
Pulso
n n
n =1, 3, 5....
P0
t
P0u(t0)
P0
t
(P1-P0)u(t1)
P1-P0 t
t0 t1
DISIPADORES. ASPECTOS PRACTICOS. Radiadores DISIPADORES. ASPECTOS PRACTICOS.
PD Convección Forzada
d
Tj
Definida por el fabricante,
puede haber varios tipos de
Rθjc cápsula para un mismo
dispositivo H
Tc
Depende del encapsulado,
Rθcs disipador y de la forma
como se conecten.
Ts
Elegida (de un catálogo de
Rθsa fabricantes de disipadores)
por el diseñador del Tipos de Superficies (secciones): Las secciones de tipo corrugadas se usan
Ta convertidor Recta Serrada Corrugada en aplicaciones de convección natural
porque son mas delgadas y permiten una
separación mayor entre láminas.
La resistencia Rθcs depende mucho de la forma como se conecten la cápsula y el Las secciones de tipo serradas se usan en
disipador, le afecta especialmente el acabado superficial de ambos: H aplicaciones de convección forzada, ya
que aumentan la turbulencia del flujo y
Cápsula Uso de materiales intermedios por tanto el flujo de calor entre el
Superficies “blandos” que llenen los disipador y el fluido.
Rugosas huecos, por ejemplo: d d d Las secciones rectas no se recomiendan
Disipador típico: 1.6µm • Mica 100% 102% 107% en aplicaciones de gran potencia debido a
• Grasa de Silicona Áreas relativas para su menor capacidad de transferencia de
tamaños iguales calor.
Cápsula
Superficies
Pandeadas Uso de tornillos que acerquen
Disipador típico: 0.1% las superficies por presión
Entrada En el segundo caso, al ser la
de Salida superficie atravesada por el flujo de
aire aire el doble, las pérdidas de presión
son la mitad y por tanto se necesita un
esfuerzo menor (ventilador de menos
potencia) para conseguir el mismo
Salida 1 Salida 2 flujo. O bien con el mismo ventilador
se puede conseguir una velocidad del
Entrada de aire en el centro aire mayor, bajando la resistencia
Flujo 1 = Flujo 2 térmica equivalente.
DISIPADORES. ASPECTOS PRACTICOS. DISIPADORES. ASPECTOS PRACTICOS. Cálculo de

Convección Forzada la Resistencia Térmica
Curvas dadas por un fabricante:
100
Superficie respecto al ambiente (ºC)
Convección Natural
Incremento de Temperatura de la
90
80
70
60
50
a) A1 b) A2
40
30 (a) Ejemplo de Disipador. b) Definición de las Áreas Usadas para Calcular la

20 Resistencia Térmica en el Disipador de la Figura por Convección y Radiacción.
10 Acon=2 A2 + n A1
0 donde:
0 25 50 75 100 125 150 175 200 225 250
Potencia Disipada (W) • A1 es la superficie frontal del disipador.
• A2 es la superficie lateral del disipador.
1.0
• n es el número de superficies laterales generadas por las aletas que
0.9
componen el disipador. En el caso del disipador de la figura n=16.
0.8 Convección Forzada
0.7 1 d 1/ 4
Rθsa ,conv =
. Acon Fred ∆T 1/ 4
134
RθSA (ºC/W)
0.6
0.5
donde d es el lado vertical de las superficies A1 o A2.
0.4
1
0.3
0.2
0.1 Fred Fred en Función de la Distancia en mm

0 entre Aletas del Disipador, para
0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000 Distancias Menores que 25 mm
Velocidad del Aire (ft/min)
0.1
Características de la Resistencia Térmica de dos disipadores comerciales (azul y
rojo) con convección natural y forzada. 5 mm 25mm
Distancia entre aletas del disipador
DISIPADORES. ASPECTOS PRACTICOS. Cálculo de DISIPADORES. ASPECTOS PRACTICOS.
la Resistencia Térmica Refrigeradores por líquidos
Superficie de
contacto con Mediante estos dispositivos,
la cápsula del se puede evacuar una gran
dispositivo a cantidad de calor con un
refrigerar tamaño de disipador mucho
más reducido si se compara
con los refrigerados por aire.
Normalmente se empleará un
circuito cerrado, y se forzará
mediante una bomba la
A1 A2 circulación del líquido.
Para calcular la resistencia térmica debida a la radiación: Suele utilizarse como líquido
Salida de refrigerante agua (a veces con
Arad=2 A1 + 2 A2 Entrada
Líquido aditivos).
de Líquido
donde:
El circuito completo será:
• A1 es la superficie frontal del disipador.
• A2 es la superficie lateral del disipador.
Refrigerador
por líquido Protección
∆T por presión
Rθsa ,rad = baja
5.7 × 10 −8 EArad (Ts4 − Tas )
La Resistencia Térmica del Disipador será la resistencia equivalente a
conectar en paralelo las dos resistencias térmicas calculadas anteriormente: Protección
por caudal
bajo
Rθsa ,rad Rθsa ,con
Rθsa =
Rθsa ,rad + Rθsa ,con
Enfriador del Bomba
líquido por aire
forzado Depósito
DISIPADORES. ASPECTOS PRACTICOS.

Refrigeradores por líquidos
Como se vio al estudiar el mecanismo de convección, si se utiliza un sistema

que incluya un líquido que se evapora y condensa, el coeficiente h que define
la cantidad de calor que se evacua por convección, alcanza un valor muy alto.
Flujo de calor
Condensación
Retorno del
líquido
condensado
El vapor sube
Evaporación
Flujo de calor desde el

dispositivo a refrigerar
Tema 10. Control Térmico. Transparencia 23 de 22

INTRODUCCIÓN
En este tema se estudiará el diseño de inductores y transformadores así como
la selección de condensadores.
TEMA 11. COMPONENTES REACTIVOS.
CONSIDERACIONES PRÁCTICAS ¾ En los años iniciales de la electrotecnia se empleaban para la fabricación
de inductores y transformadores núcleos de acero y sus aleaciones.
¾ En los circuitos electrónicos modernos trabajando a altas frecuencias
11.1.INTRODUCCIÓN esto ocasionaría demasiadas pérdidas “eddy”.
11.2.DISEÑO DE INDUCTORES ¾ Uso de láminas o polvos sinterizados de acero inicialmente y a partir de
11.2.1. Tipos de Núcleo Magnético los años 30-40 se comenzaron a usar ferritas, especialmente a partir de
11.2.2. Carrete los años 50 con la introducción de los televisores.
11.2.3. Conductores ¾ Las ferritas están formadas por óxidos magnéticos con alta resistividad
11.2.4. Entrehierro eléctrica y buenas características magnéticas.
11.3.DISEÑO DE TRANSFORMADORES ¾ Se emplean dos grandes grupos:
11.3.1. Núcleo Magnético • Ferritas de Manganeso-Zinc (MnZn), formadas por una mezcla de
11.3.2. Conductores óxidos de hierro, manganeso y zinc (Fe2O3 + MnO + ZnO).
11.4.SELECCIÓN DE CONDENSADORES • Ferritas de Niquel-Zinc (NiZn), formadas por una mezcla de
óxidos de hierro, niquel y zinc.
11.4.1. Electrolíticos
11.4.2. Plásticos y Cerámicos • Las ferritas de NiZn tienen una resistividad muy alta por lo que se
usan para frecuencias muy elevadas (desde 1÷2 MHz a varios
cientos de MHz) mientras que las MnZn se emplean hasta 2MHz.
• La permeabilidad magnética de las ferritas MnZn es del orden de
100 veces mayor que en las NiZn.
Las características principales de las ferritas se pueden resumir:
• Alta resistividad • Gran variedad de formas de

• Amplio rango de frecuencias de núcleos
trabajo • Bajos coste y peso
• Bajas pérdidas con alta • Baja conductividad térmica
permeabilidad • Fragilidad y poca resistencia
• Alta estabilidad con el tiempo y mecánica
la temperatura • Saturan a bajas densidades de
• Amplia selección de materiales flujo
Tema 11. Componentes Reactivos. Transparencia 1 de 13 Tema 11. Componentes Reactivos. Transparencia 2 de 13
INTRODUCCIÓN DISEÑO DE INDUCTORES

Las unidades empleadas en electromagnetismo son (SM=Sistema Métrico, Para el diseño de un inductor debe conocerse (del circuito dónde se conecta):
UC=Uso cotidiano): • La inductancia, L.
• La corriente de pico, Ip.
Simb.Unidad Simb. Unidad Factor • La corriente eficaz, IRMS.
Magnitud
SM SM UC UC Convers • La frecuencia, f
Inductancia H Henrio L Henrios 1 B
Amperio/
Intensidad de campo magnético A/m Oe Oersted 79.58
metro
Flujo Magnético Wb Weber Mx Maxwell 1 108 Bp
∆Β
Densidad de Flujo Magnético/
T Tesla g Gauss 1 104 0 t
Inducción Magnética
Henrio/
Permeabilidad H/m
metro
µ -- 4 10 -7
a)
B
Carga Bp
Carga eléctrica C Culombio EM por 10 ∆Β
masa
Núcleo magnético BAV b)
t
g (mm)
0
Sección de un núcleo magnético
Definición de Densidad de Flujo Máximo AC. a) Flujo Bipolar. b) Flujo
Unipolar
Aire, Entrehierro=Gap (g) E ⋅ 108

∆B =
k ⋅ Ac ⋅ N ⋅ f
B (gauss) B: Densidad de flujo
magnético
∆B es el incremento de densidad de flujo máximo AC expresado en gauss y
H: Intensidad de campo
es igual a la diferencia entre el valor de pico de la densidad de flujo y su
magnético
Con Gap valor medio.
µ’
Con Gap µ: permeabilidad
k es una constante que es igual a 4.44 para onda senoidal y 4 para onda
cuadrada.
H (oersted)
µ E es la tensión eficaz en voltios.
Ac es la sección transversal efectiva del núcleo en cm2 y es
Sin
SinGap
Gap
aproximadamente igual a la sección de la columna central.
N es el número de espiras que abrazan al núcleo.

Curva característica B-H de un núcleo de ferrita
f es la frecuencia en Hz.
DISEÑO DE INDUCTORES DISEÑO DE INDUCTORES.
Tipos de núcleos magnéticos mas usados
Las pérdidas en un núcleo de ferrita pueden estimarse (según los fabricantes):
P = k f a ∆B b
P es la pérdida de potencia en mW/cm3.
∆B es la densidad de flujo máximo AC en gauss.
k, a y b son constantes dadas por los fabricantes para cada tipo de material
magnético. a) POT b) RM
3
Estas pérdidas se limitan típicamente a unos 10 mW/cm para núcleos de baja
potencia.
Para los núcleos de mayor potencia:

P
∆t = 0.833
A c) UU d) Toroidal
∆t es el incremento de temperatura respecto de la temperatura ambiente (ºC).
P es la potencia disipada (mW).
A es el área total de la superficie exterior del núcleo (cm2).
e) EI f) EE
g) EC h) EPC
DISEÑO DE INDUCTORES DISEÑO DE INDUCTORES

Área de ventana (Aw=lw⋅hw)
⇒Espacio para alojar los devanados
Sección
Carrete
Columna lw
interior g
Gap
Vista Externa del Núcleo POT con Ranuras Laterales y Entrehierro (Gap) Conductores
hw Gap (g) N espiras
Área de ventana (Aw=lw⋅hw) Sección Transversal de los Núcleos POT, Cuadrados y en E
Para la selección del núcleo se emplea la Lmax I p I rms

fórmula que da la característica producto Aw Ac =
de áreas. (se deducirá posteriormente) kcu JBmax
lw
g Aw Área de ventana.
Ac Sección media transversal del circuito magnético.
Lmax Inductancia máxima que puede obtenerse con el núcleo (se deducirá
posteriormente).
Gap (g) Kcu Coeficiente de empaquetamiento del cobre (valores típicos comprendidos
hw
entre 0.6 y 0.8).
J Densidad de corriente.
Sección Transversal de los Núcleos POT, Cuadrados, y en E
Carrete
Es la base sobre la que se asienta el solenoide o bobina de cobre.
Está caracterizado por el área de ventana Aw y se define como el producto de la
altura de ventana hw por el ancho de ventana lw.
Conductores
A partir de la corriente eficaz Irms, y una densidad de I rms
corriente aceptable (para cobre se suele fijar en 450 A/cm2) Acu =
puede determinarse la sección del conductor: J
Si se define N como el número máximo de espiras de cobre
de sección efectiva A’cu (incluyendo la superficie de aislante
que normalmente es barniz) que pueden ser alojadas en un NAcu' = Aw k cu
núcleo de área de ventana Aw, se cumple:
En la práctica: A’cu ≈ Acu
DISEÑO DE INDUCTORES DISEÑO DE INDUCTORES
El número máximo de espiras que puede alojar el núcleo se k J
N = Aw cu Entrehierro (gap)
puede deducir de las dos ecuaciones anteriores: (A) I rms
Consiste en intercalar una zona de aire en el circuito magnético. Se realiza en la
Aplicando la definición de densidad de flujo para la sección
φ = BAc mayoría de los inductores para aumentar la corriente máxima por la bobina
media del núcleo magnético: para una misma densidad de flujo (evitar saturación). ⇒ L↓ pero se compensa
Nφ aumentando N ya que L∝N2.
La inductancia de una bobina formada por N espiras: L=
I
Nφ max NBmax Ac La distancia de entrehierro puede obtenerse aplicando
Su valor máximo será: Lmax =
Ip
=
Ip la ley de Ampere al nuevo circuito magnético, ∫ H ⋅dl = NI
Este será el valor de la inductancia máxima que puede obtenerse para un La densidad de flujo en el aire, Bg puede relacionarse
núcleo dado. Debe ser mayor que el valor de inductancia deseado. En caso con la densidad de flujo en el circuito magnético, Bmax,
contrario se selecciona un núcleo más grande. Para este nuevo núcleo se Bg Ag = Bmax Ac
sin más que tener en cuenta que el flujo permanece
determina la nueva inductancia máxima y así sucesivamente hasta que la constante a lo largo del circuito magnético:
inductancia máxima supere o iguale el valor deseado.
LI p Donde Ag es la sección equivalente del entrehierro (esta sección es ligeramente
El número de espiras necesario para construir una bobina de
N= superior a la del núcleo).
valor L, será: (B) Bmax Ac
Igualando los valores de N dados por las ecuaciones (A) y (B) resulta la La intensidad del campo magnético en el entrehierro Bg φ max
Hg = =
ecuación del producto de áreas del núcleo vista anteriormente: (Hg) viene dada por: µ0 µ 0 Ag
L I p I rms Debido a que la permeabilidad del núcleo magnético (µ)
Aw Ac = es mucho mayor que la del aire (µo), la intensidad del Bg B
kcu JBmax Hg = >> c = H c
campo en el núcleo (Hc) será mucho menor que en µ0 µ
El producto AwAc depende de las dimensiones de cada núcleo, de forma que una entrehierro (Hg).
vez evaluada la parte derecha de la expresión anterior, debe elegirse un núcleo
Despreciando, por tanto, la intensidad de campo en el
con un producto de áreas mayor o igual que el valor calculado. H g g = NI p
material magnético frente a la intensidad de campo en
el aire, de la ley de Ampere, puede obtenerse:
De estas ecuaciones se obtiene la longitud del entrehierro que hay que realizar
para una corriente máxima Ip:
LI p
Ip
NI p φmax µ 0 Ag L µ 0 Ag L
g= = = 2 I p2 = 2 2 I p2
Hg φmax φ max Bmax Ac
µ 0 Ag
Donde g es la longitud del entrehierro.
DISEÑO DE TRANSFORMADORES DISEÑO DE TRANSFORMADORES
Para el diseño de los transformadores se puede

Aw k cu
proceder de forma análoga al diseño de los
S Acu1 =
inductores. Para ello se deducirá una expresión A A = De la fórmula anterior (Awkcu =2N1Acu1=2N2Acu2) se 2N1
c w
análoga para el producto de áreas escrita en función 2 fBmax Jkcu deduce: Aw k cu
de la potencia aparente del transformador. (se Acu 2 =
deducirá posteriormente): 2N 2
La relación entre la tensión aplicada
V1
en el primario de un transformador y JAw k cu
el flujo que aparece es: I 1 max = (D)
De las fórmulas anteriores y de I1=Acu1J I2=Acu2J se 2N1
dφ
V1 = N1 , que en el caso de ondas
pueden calcular las corrientes máximas por los
JAw k cu
t dt devanados: I 2 max =
cuadradas es: 2N 2
2φ
V1 = N1 max = 4 N1 fφ max
φ 1 Para demostrar la fórmula del producto de áreas, se
V1 = 4 fN1 Ac ∆B
2f puede despejar V1 de la ecuación (C) obteniendo:
φmax
El número de espiras en el primario Si la ecuación anerior se multiplica por el valor de la
0 es:
corriente I1max del primario (D) se obtiene la S1 = 2 fAc ∆BJAwkcu
t V1 V1
-φmax N1 = = (C)
potencia aparente máxima (para la que hay que
4 fφ max 4 fAc ∆B dimensionar el transformador):
1/f
Tensión y Flujo en un Transformador y en el secundario: N2=N1/a, donde a S1
es la relación de transformación.
Reorganizando los términos de la ecuación anterior se Ac Aw =
obtiene la ecuación que da el producto de áreas: 2 f∆BJkcu
Conductores
Suponiendo despreciable la corriente de magnetización, la

fuerza magnetomotriz primaria es igual a la secundaria:
ℑ = N1 I 1 = N 2 I 2
Si J es la densidad de corriente máxima que admiten los I1=Acu1J

conductores, en ambos devanados será (Acu=Sección de los
conductores): I2=Acu2J
De las expresiones anteriores, si se supone el mismo tipo de
conductores en primario y secundario:
N1Acu1=N2Acu2
El área de ventana se reparte entre los dos Awkcu= N1Acu1+N2Acu2=

devanados:
2N1Acu1=2N2Acu2
SELECCIÓN DE CONDENSADORES
¾ Capacidad.
¾ Tensión máxima.
¾ Corriente eficaz.
¾ Frecuencia.
¾ Resistencia Serie Equivalente (ESR).
¾ Autoinducción Serie Equivalente (ESL).
¾ Volumen (tamaño).
En electrónica de potencia se utilizan fundamentalmente tres tipos:
¾ Electrolíticos.
• Alta capacidad.
• Altas ESR y ERL (Fuertes pérdidas I2R).
• Tensión máxima de unos 450÷500 V. Necesidad de conexión serie.
• Tienen polaridad (peligro de explosión si se cambia la polaridad).
¾ Plásticos y Cerámicos.
• Muy baja capacidad.
• Muy bajas ESR y ERL.
• Tensiones máximas muy elevadas.
• No tienen polaridad.
El uso principal de los condensadores electrolíticos es para mantener en

determinados nudos una tensión constante. Si se requiere que el
condensador suministre altas corrientes con cambios bruscos, es necesario
conectar en serie con el condensador electrolítico un condensador plástico o
cerámico que pueda suministrar instantáneamente la corriente solicitada,
que el electrolítico no puede dar debido a su ESL.
Los condensadores plásticos y cerámicos suelen emplearse además para

realizar circuitos resonantes o amortiguadores, en los que se requieren
valores pequeños de las capacidades.
Tema 11. Componentes Reactivos. Transparencia 13 de 13

INTRODUCCIÓN
TEMA 12. RECTIFICADORES NO CONTROLADOS DC

AC, 1Φ
AC, 1Φ DC
12.1.INTRODUCCIÓN
12.2.RECTIFICADOR MONOFÁSICO
12.2.1. Rectificador Media Onda
12.2.2. Puente Completo
12.2.2.1. Conmutación Instantánea
12.2.2.2. Conmutación no Instantánea AC, 3Φ
12.2.2.3. Carga Tipo Tensión Constante AC,3Φ DC DC
12.2.3. Conexión en Redes Trifásicas. Corrientes por el
Neutro
12.3.RECTIFICADORES TRIFÁSICOS Y POLIFÁSICOS
12.3.1. Montajes Simples
Símbolos de Convertidores AC/DC
12.3.2. Conexión Serie
12.3.2.1. Conexión en Fase ¾ Entrada AC, monofásica o polifásica.
12.3.2.2. Conexión en Oposición de Fases ¾ Salida DC no controlada, su valor depende de:
12.3.3. Conexión Puente Completo ¾ La tensión de entrada
¾ La corriente por la carga
12.3.4. Conexión Paralelo ¾ Topología del convertidor
12.3.5. Tensiones y Corrientes Rectificadas ¾ Flujo de potencia desde la entrada a la salida
12.3.5.1. Valor Medio de la Tensión Rectificada ¾ Aplicaciones:
12.3.5.2. Valor Eficaz VRMS ¾ Pueden usarse en aplicaciones con las siguientes características:
¾ De coste mínimo
12.3.5.3. Factor de Ondulación ¾ No sensibles al valor de la tensión de salida
12.3.5.4. Desarrollo en Serie ¾ No problema con el factor de potencia
12.3.5.5. Factor de Potencia del Secundario ¾ Algunos ejemplos:
¾ Entrada de fuentes de alimentación
12.3.5.6. Corriente Para Carga Altamente Inductiva ¾ Alimentación de motores DC
Tema 12. Rectificadores no Controlados. Transparencia 1 de 32 Tema 12. Rectificadores no Controlados. Transparencia 2 de 32
RECTIFICADOR MONOFÁSICO RECTIFICADOR MONOFÁSICO. Rectificador Media Onda
+
Carga
D
Carga
-
iR R VS
VS
-
a) b)
Rectificador no Controlado con Carga Resistiva
+
Primer Segundo
intervalo: intervalo:
Carga
VR=VS VR=0
IR=VS/R IR=0
VAK=0 VAK= VS
Tensión media en la carga:

- 1 π 2VS
c) VR ( AV ) =
2π ∫
0
2VS sen(ωt )dωt =
π
Diferentes Topologías de Rectificadores: a) Media Onda, b) Onda Completa Tensión eficaz en la carga:
con Transformador de Toma Media, c) Onda Completa con Puente de Diodos VS
VR ( RMS ) =
2
RECTIFICADOR MONOFÁSICO. Rectificador Media Onda RECTIFICADOR MONOFÁSICO. Rectificador Media Onda
di Area A
D VS = V L + V R ; V L = L ⋅ ;
dt
iR R VR 1
di = ⋅ V L ⋅ dt
L D
VS Area B
i (t2 ) 1 t2
L VL
∫i (0) di = L ⋅ ∫0 VL ⋅ dt = 0 ⇒ iL
L VL
0 = Area( A) − Area( B) VS
E
Area A
Primer Intervalo
Area B
Primer Intervalo
Formas de Onda en un Rectificador con Carga Resistiva-Inductiva
Formas de Onda en un Rectificador con Carga Inductiva y Fuerza

Contraelectromotriz (Cargador de Baterías o Motor DC).
RECTIFICADOR MONOFÁSICO. Rectificador Media Onda RECTIFICADOR MONOFÁSICO. Rectificador Media Onda
D D
iR R VR iL VL
L
VS VS
L VL E
Area A
Area A
Area B
Area B
1er 2o
Intervalo Interv
1er Intervalo 2o Intervalo
Formas de Onda en un Rectificador con Carga Inductiva y Fuerza

Formas de Onda en un Rectificador con Carga Resistiva-Inductiva y Diodo de
Contraelectromotriz (Cargador de Baterías o Motor DC) y Diodo de Libre
Libre Circulación
Circulación.
RECTIFICADOR MONOFÁSICO. Puente Completo RECTIFICADOR MONOFÁSICO. Puente Completo
Conmutación Instantánea
Inductancia Puente Rectificador id
Puente Rectificador id
parásita LS
+
D1 D3 +
D1 D3
iS iS
Carga
Carga
VS Vd
VS Vd
D2 D4
- D2 D4
-
Rectificador en Puente Completo Monofásico Rectificador en Puente Completo Monofásico con conmutación ideal y carga
resistiva:
Se estudiarán los siguientes casos:
id
Puente Rectificador
¾ Para LS despreciable.
+
D1 VS D3
¾ Con carga resistiva
iS
¾ Con carga fuertemente inductiva.
Carga
Vd = VS
VS >0
¾ Teniendo en cuenta el efecto de LS.
¾ Con carga fuertemente inductiva. VS D2 D4

-
a) Vs>0
id
Puente Rectificador
+
VS D1 D3
iS
Carga
Vd = -VS
VS <0
D2 VS D4
-
a) Vs<0
RECTIFICADOR MONOFÁSICO. Puente Completo

Conmutación Instantánea RECTIFICADOR MONOFÁSICO. Puente Completo
Conmutación Instantánea
LS=0; IS es una onda cuadrada⇒

VS VS
LS=0; IS no contiene armónicos iS 2 2
iS I S1 = I d = 0. 9 I d ;
1 T2
Id π
 T  ∫0
Vd 0 = 2VS sen(ωt )dt = Id t 0 (h par )
t
 

I Sh =  I S1
2
 h (h impar )
Los armónicos de la corriente
4 2VS 2 2 están en fase con la tensión.
Vd 0 = = VS = 0.9VS
ωT π Vd
Vd id
id Vd 0 = 0.9Vs
V V Id Id0 = Id
Id 0 = d 0 = 0.9 S
R R t
t
Formas de Onda de un Rectificador Monofásico Puente no Controlado para
Carga Fuertemente Inductiva
Formas de Onda de un Rectificador Monofásico Puente no Controlado La distorsión de la corriente será:
para Carga Resistiva
I S2 − I S21 2 2
%THD = 100 , como IS=Id , I S 1 = Id ⇒
I S1 π
2
1− ( 2)2
%THD = 100
π = 48.43%
2
2
π
DPF  DPF = 1
PF = ⇒ 
1 + THD 2  PF = 0.875
RECTIFICADOR MONOFÁSICO. Conmutación no RECTIFICADOR MONOFÁSICO. Conmutación no
Instantánea Instantánea
Inductancia Puente Rectificador id LS

Conducen
los cuatro
parásita LS diodos
+
D1 D3 iS
VS
iS
Carga
VS Vd
Circuito Equivalente Usado para el Estudio de la Conmutación no Instantánea:

D2 D4 La fuente y la bobina forman una malla con los cuatro diodos conduciendo.
-
La ecuación que rige el funcionamiento de este circuito es:
diS
a) Circuito VS = 2VS sen(ωt ) = LS (0 ≤ ωt ≤ µ )
dt
2V S sen(ωt ) ⋅ d (ωt ) = ωL S di S ( 0 ≤ ωt ≤ µ )
µ Id
Aµ = ∫ 2V S sen(ωt ) ⋅ d (ωt ) = ωL S ∫ di S = 2ωL S I d
0 −Id
t Aµ = 2V S (1 − cos µ ) = 2ωL S I d ;
El valor medio de la pérdida de tensión debida a la conmutación no instantánea

será: Aµ /π luego la tensión en el rectificador será:
b) Formas de Onda
Aµ 2ωLS I d
Puente Rectificador Monofásico con Conmutación no Instantánea Vd = Vd 0 − = 0.9VS −
π π
RECTIFICADOR MONOFÁSICO. Carga Tensión Constante RECTIFICADOR MONOFÁSICO. Carga Tensión Constante
Inductancia de VL
Línea y
Transformador Puente Rectificador Id
LS Carga
+
D1 D3
iS
VS Vd
Puente Rectificador Monofásico con Carga a Tensión Constante (Carga
D2 D4 capacitiva, Motor DC o Batería)
-  V 
θ 1 = ar sen d ; θ p = π − θ 1

 2V S 
a) Circuito
La ecuación que rige el funcionamiento del circuito es:
dI d
VL VL = LS = 2VS sen(ωt ) − Vd ;
dt
integrando esta ecuación, se obtiene:
i
ωL S ∫ dI S = ∫
0
θ
θ1
( )
2V S sen(ωt ) − V d d (ωt ) ⇒
ωLS iS (t ) = 2VS (cos(θ1 ) − cos(ωt ) ) − Vd (ωt − θ1 ) ⇒

2VS2 − Vd2 2V S t − t1
i S (t ) = − cos(ωt ) − Vd
ωL S ωL S LS ;
El ángulo θ2 en el que se anula la corriente, se calcula de:
∫θ ( )
b) Formas de Onda θ2
2VS sen(ωt ) − Vd d (ωt ) = 0
Puente Rectificador Monofásico con Carga a Tensión Constante (Carga 1
capacitiva, Motor DC o Batería) y el valor medio de la corriente por la carga de:
1 θ
π ∫θ
Id = iS (t ) d (ωt )
2
RECTIFICADOR MONOFÁSICO. Conexión en redes RECTIFICADORES TRIFÁSICOS Y POLIFÁSICOS.
trifásicas. Corrientes por el neutro. Montajes Simples
iR
UR
Rect. 1
iN=iR+iS+iT N N
N
+ -
Rect. 2
Vd >0 Vd <0
UT N US i S - +
Rect. 3
a) Montaje Simple Polianódico b) Montaje Simple Policatódico
iT
Conexión de tres rectificadores idénticos en una red trifásica.

Vd
∞
iR = 2 I S 1 sen (ωt − Φ1 ) + ∑ 2 I Sh sen (hωt − Φ h ), k = 1, 2, 3 L
Polianódico
h = 2 k +1
∞
iS = 2 I S 1 sen (ωt − Φ1 − 120º ) + 2 I Sh sen (hωt − Φ h − 120º h )
Formas de ondas de los montajes

∑
h = 2 k +1
∞
iT = 2 I S 1 sen (ωt − Φ1 − 240º ) + ∑ 2 I Sh sen (hωt − Φ h − 240º h )
h = 2 k +1
La corriente por el neutro es: i N = i R + i S + iT
En esta suma todos los armónicos no triples suman cero, luego la corriente
por el neutro será:
∞
iN = 3 ∑ 2 I Sh sen (hωt − Φ h ), k = 1, 2, 3 L
Policatódico
h =3( 2 k −1)
∞
IN = 3 ∑I 2
Sh
h =3( 2 k −1)
≈ 3I S 3 Vd
Esta última aproximación se puede hacer si el tercer armónico es mucho

mayor que los demás armónicos triples.
RECTIFICADORES TRIFÁSICOS Y POLIFÁSICOS. RECTIFICADORES TRIFÁSICOS Y POLIFÁSICOS.

Conexión Serie en fase Conexión Serie en oposición de fases
- -
-
u1 S T
Uc=u1+u2 R
u1
Comparación con un solo Uc=u1-u2
+ rectificador:
Uc + Comparación con un solo
¾ Tensión de pico doble. rectificador:
- ¾ Frecuencia de rizado
+ ¾ Tensión de pico menor que
igual.
¾ Tensión de rizado doble. - el doble (en trifásica 3 ).
u2 ¾ Frecuencia de rizado doble.
R’ S’ T’ Uc ¾ Tensión de rizado menor.
u2
+ +
+ -
Vd
Uc
Uc
Conexión en Fase de dos Rectificadores Polianódicos idénticos
RECTIFICADORES TRIFÁSICOS Y POLIFÁSICOS. Puente RECTIFICADORES TRIFÁSICOS Y POLIFÁSICOS. Puente
Trifásico Trifásico
+
1
- TS
R
Carga
S Uc
T
R S T +
u1
R
Carga
+
S Uc 2
+ T R
Carga
S Uc
+ ⇔ -
T
-
+
R’ S’ T’ Uc 3
u2 El montaje puente es equivalente al
montaje serie en oposición de fase, TS R
Carga
pero se ahorran devanados de S
T
Uc
+ - transformadores.
+
4
Carga
S Uc
T
+
5
Uc
R
TS
Carga
S Uc
T
Uc
+
6
Carga
S Uc
T
RECTIFICADORES TRIFÁSICOS Y POLIFÁSICOS. Puente RECTIFICADORES TRIFÁSICOS Y POLIFÁSICOS

Trifásico. Armónicos
TS +
LS
R Carga
S Uc
T
-
Conmutación no instantánea en un puente trifásico
TS/6
Armónico
Armón Valor Armón Valor Armón Valor Armón Valor

0 0 5 0.220 10 0 15 0
1 1.102 6 0 11 0.100 16 0
2 0 7 0.157 12 0 17 0.064
3 0 8 0 13 0.084 18 0
4 0 9 0 14 0 19 0.0584
Armónicos de la corriente IR (normalizada con Id)
RECTIFICADORES TRIFÁSICOS Y POLIFÁSICOS. TENSIÓN RECTIFICADA. Valor Medio de la Tensión
Conexión en paralelo Rectificada en un Montaje Simple
Rectificador A
+ + +
u1 Uc= u1 u1
R S T = u2 R S T
N t
- -
- +
Uc=( u1+ u2)/2 +
Vd
- - - -
R’ S’ T’
R’ S’ T’
u2 u2
De la figura, puede deducirse que:

+ + π
Vm = V M ⋅ cos
Rectificador B m
Conexión Paralelo de dos Rectific. La tensión de salida estará formada por una serie de arcos que se repiten
Rectificador Hexafásico periódicamente:
Trifásicos en Oposición de Fase
TS -π π
TS u = VM ⋅ cos ω t para <ω t < .
m m
El valor medio V0 se obtiene integrando entre los límites anteriores:

π
m
1 m π
Vo = ∫ VM ⋅ cosω t ⋅ dω t = ⋅ VM [senω t ]−πm =
 2π  −π 2π m
  m
 m
m  π −π 
= ⋅ VM sen − sen
2π  m m 
m π
Vo = ⋅ V ⋅ sen
Sólo conduce un diodo en cada Conducen un diodo de cada rectificador π M m
instante en cada instante
TENSIÓN RECTIFICADA. Valor Medio de la Tensión TENSIÓN RECTIFICADA. Montaje Simple

Rectificada en un Puente
Vf En el triángulo isósceles, el lado
α/2 mayor es la tensión compuesta Vc
(tensión fase-fase) y los lados
Vf Vc α π/2 iguales son las tensiones de fase Vf.
Vf2
Al dividirlo por la bisectriz,
quedan dos triángulos rectángulos,
Vf1 de dónde se calcula:
2π/m t
Vf
Vc/2=Vfsen(α/2)
Vfm
dónde α=(2π/m)⋅trunc(m/2)
Para calcular la tensión media en un puente, se puede aplicar la fórmula

deducida para un montaje simple, pero teniendo en cuenta que la tensión de
pico será la tensión compuesta y que la frecuencia de rizado será el doble:
Valor Eficaz (VRMS) . Montaje Simple:
π m 
VM = Vc = 2V f sen ⋅ trunc ( )  π
m 2  1 m
= ∫ VM2 ⋅ cos 2 ω t ⋅ dω t =
2
VRMS
2m π  2π  −π
Vo = ⋅Vc ⋅ sen( ) =   m
π 2m  m
2m  π  m   π m 2 1  π π  1  2π 2π 
= ⋅  2 sen ⋅ trunc   ⋅V f  ⋅ sen( ) = = ⋅ VM   +  +  sen + sen  =
π  m  2   2m 2π 2  m m  4  m m 
m π  m  π
= 4 ⋅ sen ⋅ trunc   ⋅ sen( ) ⋅V f 2π 
π m  2  2m 1 m
= V M2  + ⋅ sen 
 2 4π m
Montajes:
-Puente
1 m 2π
-Simple
En el caso trifásico: m=3, VRMS = V M ⋅ + ⋅ sen
2 4π m
3 3
Vo = V f = 1.652V f
π Para el caso trifásico: VRMS(m=3)=1.189VS
TENSIÓN RECTIFICADA. Montaje Simple. Factor de TENSIÓN RECTIFICADA. Montaje Simple. Factor de
Ondulación. Desarrollo en Serie. Factor de Potencia del Potencia del Secundario
Secundario
Factor de Potencia Secundario:
También se le denomina factor de utilización del transformador

Pd
TUF = AC,1Φ
Φ
DC AC,1
DC
Ss AC,3Φ DC
AC,3Φ
DC
T
1
La potencia activa suministrada por el rectificador es: Pd = T v d ⋅ i d ⋅ dt ,
o
∫
t v d e i d son la tensión y la corriente a la salida del rectificador.
donde
Ss es la potencia aparente total del secundario del transformador.
Veamos cuanto vale TUF para el caso de carga altamente inductiva. Si

suponemos que i d es constante durante todo el periodo y de valor I d ,
Pd = V0 ⋅ I d donde V0 es el valor medio de la tensión rectificada.
Factor de Ondulación. Montaje Simple:
La corriente que circula por el devanado secundario es igual a la que circula
El factor de ondulación se define como la mitad del valor de pico-pico, T
dividido por el valor medio. por cada diodo. Esta corriente es igual a I d durante el tiempo
m y es nula
π π durante el resto del período T, por tanto:
VM − VM ⋅ cos 1 − cos
Km =
VM − Vm
= m = π ⋅ m 1 2  Id 
m π 2m π I s2 = ⋅I I = 
2Vo 2 ⋅ VM ⋅ sen sen m d ⇒ s  m
π m m Luego:
Para el caso trifásico: K3=0.302
m π
Desarrollo en Serie. Montaje Simple:
Pd Vo ⋅ I d ⋅ Vs ⋅ 2 ⋅ sen ⋅ I d 2m π
TUF = = =
π m
= ⋅ sen
S s m ⋅ Vs ⋅ I s Id π m
 ∞
− 2 ⋅ ( −1) k  m ⋅ Vs ⋅
u(t) = Vo ⋅ 1 + ∑ 2 ⋅ cos (k ⋅ m ⋅ ω ⋅ t ) m
k =1 k ⋅ m − 1
2
 
6 π
dónde V0 es el valor medio de la tensión rectificada. Para el caso trifásico: TUF (m = 3) = ⋅ sen = 0.675
π 3
TENSIÓN RECTIFICADA. Factor de Ondulación. . Factor de CORRIENTE PARA CARGA ALTAMENTE INDUCTIVA.
Potencia del Secundario. Desarrollo en Serie Puente Trifásico
Gráficamente:
Corriente por la fase S

m= Número de fases
Factor de potencia del Secundario (TUF) y Factor de Ondulación
(Km) en función del número de fases (m) del rectificador.
2
El valor eficaz de la corriente de una fase es: I S = ⋅ Id
m
0.3
 2
I S = Id
3
0.25


3
0.2
6 Id 6
9 I S1 =
0.15
12
Para m=3:  π
 I S1
0.1
 I Sh = h
(h = 5,7,11L)

0.05
0
Al estar los armónicos en fase, DPF=1.
1 2 3 4
I S 1 DPF 3
5 6
7
8
PF = = = 0.955
9
10
11
12
El factor de potencia es:
π
13
14
15
16
17
18
IS
19
20
21
22
23 3
24 6
25
26 9
27 12
INTRODUCCIÓN
Flujo de Potencia
TEMA 13. RECTIFICADORES CONTROLADOS

+ Vd Flujo de
Id
13.1.INTRODUCCIÓN AC, Mono o Potencia
Polifásica
13.2.RECTIFICADOR MONOFÁSICO Vd
DC (+-)
13.2.1. Rectificador de Media Onda Id Flujo de
13.2.1.1. Estudio para diferentes tipos de cargas Potencia
13.2.1.2. Diodo de Libre Circulación
13.2.2. Rectificador Puente Monofásico
13.2.2.1. Conmutación Ideal Símbolos de Rectificadores Controlados
13.2.2.2. Valor Medio de la Tensión Rectificada
Este tipo de convertidores en la actualidad es casi la única aplicación de los
13.2.2.3. Efecto de α sobre la Componente SCR, ya que son circuitos que requieren control de ángulo de fase y los
Fundamental de IS dispositivos se bloquean naturalmente.
13.2.2.4. Conmutación no Instantánea
13.2.3. Sincronización del Circuito de Disparo Existen rectificadores controlados monofásicos y polifásicos, diseñados para
potencias muy elevadas.
13.3.RECTIFICADORES POLIFÁSICOS SIMPLES
13.3.1. Valor Medio de la Tensión Rectificada
13.3.2. Funcionamiento como Rectificador y como
Ondulador
13.3.3. Influencia de la Naturaleza de la Carga
13.3.4. Conmutación no Instantánea
13.4.RECTIFICADOR PUENTE POLIFÁSICO
13.4.1. Valor Medio de la Tensión Rectificada
13.4.2. Conmutación no Instantánea
13.5.RECTIFICADORES SEMICONTROLADOS
13.5.1. Puente Monofásico
13.5.2. Puente Polifásico
Tema 13. Rectificadores Controlados. Transparencia 1 de 30 Tema 13. Rectificadores Controlados. Transparencia 2 de 30
RECTIFICADOR CONTROLADO MONOFÁSICO. RECTIFICADOR CONTROLADO MONOFÁSICO.

Carga Resistiva Carga Resistiva e Inductiva
VS i(t) R Ud i(t)
VS Ud R UR
El área gris es la
integral de VL.
Las dos áreas
deben ser iguales
di/dt muy alta.

Armónicos de
alta frecuencia
Tensiones negativas
aplicadas a la carga
Carga Resistiva e Inductiva

Carga Resistiva
RECTIFICADOR CONTROLADO MONOFÁSICO. RECTIFICADOR CONTROLADO MONOFÁSICO.
Carga Inductiva y Fuente de Tensión Carga Resistiva e Inductiva y Diodo de Libre Circulación
L
L
i(t)
VS Ud R UR
i(t)
VS Ud E
VL
VL
VL
αmax= VL
π-αmin
1er Int 2º Intervalo
αmin=
E 1er Intervalo
arsen( )
2VS
Carga Resistiva e Inductiva con Diodo de libre circulación
Carga Inductiva y Fuente de Tensión
RECTIFICADOR CONTROLADO MONOFÁSICO. RECTIFICADOR PUENTE MONOFÁSICO

Carga Inductiva, Fuente de Tensión y Diodo de Libre Circulación Conmutación Ideal
Puente Rectificador id
L +
iS
Carga
i(t)
VS Ud E VS Vd
VL di/dt constante
iS
VL
α=0
In. 1 In. 2 In. 1
In. 3
iS
Carga inductiva y fuente de alimentación con Diodo de libre circulación
α α
Puente Monofásico Controlado
RECTIFICADOR PUENTE MONOFÁSICO. RECTIFICADOR PUENTE MONOFÁSICO.
Valor Medio de la Tensión Rectificada Efecto de α sobre la Componente Fundamental de IS
Desarrollando en serie de Fourier se obtiene para la componente

fundamental de la corriente:
I S 1 = 0.9 ⋅ I d (Valor eficaz)

I S 1M = 0.9 ⋅ 2 ⋅ I d = 1.27 ⋅ I d (Valor de pico)
α α
1 π +α 2 2
π ∫α
Vd α = 2VS ⋅ sin (ω t ) ⋅ d (ω t ) = ⋅ VS ⋅ cos α =
π α
Vdα = 0.9 ⋅ VS cosα
Para distintos valores de α:
Valor Medio de la Tensión
α
1 T 
P = Id 
T
∫
0
vd dt  = 0.9 ⋅ I d ⋅ VS ⋅ cos α

α
Puente Monofásico Controlado
RECTIFICADOR PUENTE MONOFÁSICO. SINCRONIZACIÓN DEL CIRCUITO DE DISPARO

Conmutación no Instantánea
Sincronización del disparo con el paso por cero de VS.
Inductancia Puente Rectificador id
parásita LS Detector de Paso diferenciador
+ por cero RC 3 4
a:1 Retraso
iS 1 2 (α)
Carga
VS Vd VS
- VS /a
1
t
α
2
t
µ
3
ωt=α t
Puente Monofásico con conmutación no instantánea
ωt=α
4
RECTIFICADORES POLIFÁSICOS SIMPLES RECTIFICADORES POLIFÁSICOS SIMPLES
Valor Medio de la Tensión Rectificada
Área A
u1
u2
+
um
2π/m
π +α
A 1  m
 2π  
2π π∫  M
Uα = =  U ⋅ cos ω t -  − U M ⋅ cos ω t dω t =
2π/m 2π  m 
m
m m
U ⋅m   π  π π  π
Uα = M sen α −  − sen −  − sen + α  + sen  =
2π   m  m m  m
U M ⋅m π  π π 
Uα =  2 sen + sen α −  − sen + α  
2π  m  m m 
1
Aplicando sen p − sen q = 2 cos
2
( p + q ) ⋅ sen 21 ( p − q ) , resulta:
UM ⋅ m  π  π  m π
Uα = 2 sen + 2 cosα ⋅ sen -  = U M ⋅ ⋅ sen (1 − cosα ) =
2π  m  m  π m
Uα = U ov (1 − cosα )
α La tensión media a la salida del rectificador controlado será:
U o = U ov − U α = U ov ⋅ cos α
1 m 2π
La Tensión Eficaz: U rms = U M + ⋅ sen ⋅ cosα
2 4π m
2
Los Armónicos: U ok = U o ⋅ ⋅ 1 + k 2 ⋅ m 2 ⋅ tg 2 α
k 2 ⋅ m2 − 1

Valor Medio de la Tensión Rectificada Armónicos de la Tensión Rectificada
Vo/VM
0.25
0.2
m
α
0.15
Tensión media rectificada en función del ángulo de disparo α y del
número de fases m
0.1
1
3
5
VRMS/VM
7
9
11
0.05
13
15
17
19
Núm. armónico
21
23
0
25
27
0º
30º
60º
29
Alfa
Armónicos de la tensión rectificada en un rectificador trifásico en función del

ángulo de disparo α
m
α
Tensión eficaz rectificada en función del ángulo de disparo α y del

número de fases m
Funcionamiento como Rectificador y como Ondulador Funcionamiento como Rectificador y como Ondulador
α=0º; Uo=257V α=30º; Uo=222V
α=60º; Uo=129V α=90º; Uo=0V
Según el valor de α:
π π
0 <α < − ⇒ Ud siempre > 0 ⇒ U o > 0
2 m α=150º; Uo=-222V
α=120º; Uo=-129V
π π π
− <α < ⇒ Ud <> 0 ⇒ Uo > 0
2 m 2
π
α= ⇒ Ud = 0
2
π π π
<α < + ⇒ Ud <> 0 ⇒ Uo < 0
2 2 m
π π
+ <α <π ⇒ Ud siempre < 0 ⇒ U o < 0 α=180º; Uo=-257V
2 m

Influencia de la Naturaleza de la Carga Conmutación no Instantánea
i1
u1
LS
ic
+
Uc =u1 +u2
α id =i1 +i2
2LS
i2 LS
u2
Uc =u1 -u2 ic
Ud
um
LS
Tensión no
α aplicada a) b)
a) Corrientes durante la conmutación no instantánea. b) Circuito
La fórmula antes calculada: equivalente.
π
U c = u2 − u1 ; Uc = 2 ⋅ U c ⋅ sen ω t ; U c = 2 ⋅ sen ⋅U f
U o = U ov − U α = U ov ⋅ cos α m
dic
2 Ls ⋅ = 2 ⋅ U c ⋅ sen ω t
No es válida en el caso de cargas Resistivas o con diodos de libre dt
circulación, ya que no se podrán aplicar tensiones negativas a la carga, ωt
2 ⋅Uc
sen ω t ⋅ dω t = Îc (cosα − cosω t )
2ω ⋅ Ls α∫
en este caso, solo será aplicable si como vimos antes α está en el ic =
intervalo:
2 ⋅Uc
π π Dónde Îc =
0 <α < − ⇒ Ud siempre > 0 2ω ⋅ Ls
2 m i1 = I d − i2 = I d − ic i1 (ω t = α + µ ) = 0 .
, para ω t = α + µ ,
Como: ic (α + µ ) = I d será:
ic (α + µ ) = I d = Iˆc ⋅ (cosα − cos(α + µ ))

Id
cos(α + µ ) = cosα −
Iˆc
Conmutación no Instantánea Conmutación no Instantánea
i1
ic=ÎC(cosα-cosωt)
u1
LS
ic
+
Uc =u1 +u2
i id =i1 +i2
ÎC i2 LS
u2
Ud =(u1 +u2 )/2
i1 i2 um
ÎC⋅cosα LS
Id
ωt
Circuito equivalente durante la conmutación no instantánea.
u1 u2 u3
αµ
0 A
C
Representación gráfica de la ecuación que rige la conmutación no
B
instantánea de un rectificador polifásico:
2 ⋅U c ωt
sen ω t ⋅ dω t = Î c (cos α − cos ω t )
u1 + u2
∫α
α µ
ic = 2
2ω ⋅ L s de la figura, se deduce que las áreas A y B son iguales y que:
Válida para: α ≤ ωt ≤ α + µ A + B + C = U α + 2U x donde:
U α = U ov ⋅ (1− cosα ) ≡ Área C
[
U α + 2U x = U ov 1 − cos(α + µ ) ≡ Áreas A+B+C ]
2U x = U ov [cosα − cos(α + µ )]
U o = U ov − U α − U x =
 1 
U o = U ov 1 − (1 − cosα ) − (cosα − cos(α + µ )) =
 2 
1
U o = U ov [cos α + cos(α + µ )]
2
RECTIFICADOR PUENTE POLIFÁSICO RECTIFICADOR PUENTE POLIFÁSICO

Valor Medio de la Tensión Rectificada
+
Ud
R
Carga
S Ud
T
-
Puente Trifásico
ωt=2π
π π
α+ α+
m m
1 m
Ud =
 2π  ∫U d (ωt ) = π α∫U d (ωt )
c c
  α
 2m 
π π
U c = 2U M sen( ) cos(ωt − )
m 2m
π
α+
m π m
π
U d = 2U M sen( )
π m ∫
α
cos(ωt −
2m
)d (ωt )
Tensiones en un Puente Rectificador Trifásico con Ángulo de Disparo α

4m π π
Ud = U M sen( ) sen( ) cos(α )
π m 2m
3 3
Si m=3, Ud = U M cos(α ) = 1.65 U M cos(α )
π
RECTIFICADOR PUENTE POLIFÁSICO RECTIFICADOR PUENTE POLIFÁSICO
Funcionamiento como Rectificador y como Ondulador Conmutación no Instantánea
+
Uo
LS
R
Carga
S Ud
T
-
α=45º; Uo=363V
α µ
A B C
Uo
α=90º; Uo=0V
Igual que en el caso del rectificador simple será:
1
Uo U o = U ov [cos α + cos(α + µ )]
2
Para el puente trifásico será:
α=112º; Uo=-192V
3 3
U ov = U M cos(α ) = 1.65 U M cos(α )
π
COMPARACIÓN ENTRE RECTIFICADORES RECTIFICADORES SEMICONTROLADOS

Conmutación no Instantánea Puente Monofásico
Puente Rectificador Id
Vo/VM
+
T1 T2
iS
Carga
VS Vd
Rectificador Trifásico
Simple
D1 D2
-
Puente Rectificador Id
α µ
+
T1 D1
iS
Carga
VS Vd
Vo/VM
T2 D2
-
Rectificador Trifásico
Puente
α µ
Tensión media rectificada en un rectificador trifásico en función del ángulo α α

de disparo α y de la duración de la conmutación no instantánea µ
Puente Monofásico Semi-controlado
RECTIFICADORES SEMICONTROLADOS RECTIFICADORES SEMICONTROLADOS
Puente Monofásico Puente Polifásico
iS T1 +
M
+ R
Id
Carga
VS/2 S Ud
T
D1
Carga
0 Ud
T2 -
VS/2
T
α
- N
D2
D2 D2 D1 D1 D2 D2
T2 T1 T1 T2 T2 T1
-VS/2 αLim, Si se supera, se anula en algún instante Ud

ωt=2π
VS/2
α α
Puente Monofásico Semi-controlado α>αLim
Tensiones en un Puente Rectificador Trifásico semicontrolado con Ángulo
de Disparo α
INTRODUCCIÓN
Fuente DC:
TEMA 14. CONVERTIDORES CONMUTADOS -Batería-FC
-Panel Solar
CC-CC. TOPOLOGÍAS BÁSICAS CON UN SOLO
INTERRUPTOR SIN AISLAMIENTO Red Electrica
(Monofásica o
Rectificador Tensión no
regulada
Condensador Tensión no
regulada Vd
no Controlado de Filtrado
GALVÁNICO Trifásica)
14.1 INTRODUCCIÓN
14.2 CONTROL DE LOS CONVERTIDORES CC-CC Convertidor Tensión
14.3 CONVERTIDOR REDUCTOR CC/CC regulada Vo Carga
14.3.1 Modo de Conducción Continua

14.3.2 Modo de Conducción Discontinua Controlador de la
Tensión Aplicada Consigna de
14.3.2.1 Modo de Conducción Discontinua con Vd a la Carga Tensión
Constante
14.3.2.2 Modo de Conducción Discontinua con Vo Diagrama de Bloques Típico de un Convertidor CA-CC
Constante
Uso en fuentes de alimentación reguladas, control de motores DC y fuentes de
14.3.3 Rizado de la tensión de salida energía alternativas.
14.3.4 Pérdidas en el Condensador
14.4 CONVERTIDOR ELEVADOR Topologías básicas con un solo interruptor de convertidores conmutados:
14.4.1 Modo de Conducción Continua (Simples, en el próximo tema otras más complejas y con aislamiento galvánico)
14.4.2 Modo de Conducción Discontinua • Convertidor reductor (Buck).
14.4.3 Rizado de la tensión de salida • Convertidor elevador (Boost).
14.4.4 Efecto de componentes no ideales • Convertidor reductor-elevador (Buck-Boost).
14.5 CONVERTIDOR REDUCTOR-ELEVADOR • Convertidor de Cúk.
14.5.1 Modo de Conducción Continua Se supondrán las siguientes hipótesis:
14.5.2 Modo de Conducción Discontinua
14.5.3 Rizado de la tensión de salida • Funcionamiento en régimen permanente.
14.5.4 Efecto de componentes no ideales • Los dispositivos semiconductores serán considerados como interruptores
ideales.
14.6 CONVERTIDOR DE CÚK • Las pérdidas en los elementos inductivos y capacitivos serán despreciadas.
14.6.1 Modo de Conducción Continua • La alimentación continua se supondrá contante en el tiempo.
14.6.2 Límite entre Modos de Conducción • La etapa de salida del convertidor estará compuesta por un filtro paso bajo y
la carga (R). Cuando la carga es un motor DC, será necesario hacer otro tipo
de modelado, (Tensión DC en serie con las L y R del devanado del motor).
Tema 14. Convertidores DC/DC I. 1 de 37 Tema 14. Convertidores DC/DC I. 2 de 37
CONTROL DE LOS CONVERTIDORES CC-CC CONTROL DE LOS CONVERTIDORES CC-CC

io Vst
Amplificador Comparador
de error
Voref
Vd R vo(t) Vcontrol
Vo
Señal de
Controlador PI Disparo
Diagrama de bloques de un controlador PWM

TS
ton ^
Vst vst
vcont
vcont
vcont>vst vcont<vst
Vo=
vo,med
a) D=0.3 b) D=0.8 vo(t) Vd
t on
Para TS = t on + t off , se define: D = TS
El valor medio Vo aplicado a la carga R será:

Generación de la Modulación por Anchura de Pulsos (PWM). Diagrama de
TS t TS
1 1 on 1 Bloques y Estrategia de Comparación de Señales
Vo =
TS ∫0 vo(t )dt = Ts ∫0 Vd dt + TS ∫ 0 dt
ton
ton vcontrol
D= =
Vo = (Vd ⋅ ton + 0 ⋅ toff )
1 Aplicando semejanza de triángulos: TS VˆSt ,
TS
t on Vd
Vo = Vd ⋅ = D ⋅ Vd Vo = D ⋅ Vd = ⋅ vcontrol = k ⋅ vcontrol
TS
Luego: VˆSt

CONTROL DE LOS CONVERTIDORES CC-CC. CONVERTIDOR REDUCTOR
Filtrado de los armónicos de la tensión de salida
iL
iL io
L
L
Vd C R Vo =vo (t)
Vi C Vo
Filtro
Filtro LC
Si C es de un valor adecuado, será: vo(t) ≈ Vo
iL
Función de transferencia del io
filtro (L=1mH, C=1mF ⇒
fr=159Hz)
L
f=1MHz
Atenuación (dB)
Vd Vo =vo (t)
f=3MHz C R
DC
Armónicos para
D=0.5, fs=1MHz Circuito equivalente con el interruptor cerrado (intervalo de conducción)
iL
io
fr=159Hz log10(f) L
Vd Vo =vo (t)
Empleo de un filtro LC para eliminar las frecuencias no deseadas C R
en el convertidor.
La frecuencia de resonancia del filtro LC es:

1 1
ωr = = 2πf r ⇒ fr = , Circuito equivalente con el interruptor abierto (intervalo de no conducción)
LC 2π LC
para L=1mH, C=1000µF resulta: fr=159Hz
CONVERTIDOR REDUCTOR. CONVERTIDOR REDUCTOR.

Modo de Conducción Continua Armónicos.
iL iL
io io
0.7
L L 1 2 3 4
Armónico:
vL vL 0.6 5 6 7
Vd C R Vo C R Vo
0.5
0.4
a) b)
0.3
0.2
VL = Vd − Vo 0.1
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
D
Ic>0
Armónicos de una onda cuadrada en función de D
VL = −Vo
Ic<0 0.7
1 2 3 4
Armónico:
0.6 5 6 7
0.5
0.4
Análisis del Convertidor Reductor por Intervalos. (a) Intervalo
de Conducción. (b) Intervalo de no Conducción 0.3
TS ton TS
∫ v (t )dt = ∫ (V
0
L
0
d − V0 )dt + ∫ (− V )dt = 0
ton
0
0.2
0.1
Vo t on
(Vd − Vo )t on = Vo (TS − t on ) ⇒ = =D 0
Vd TS 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
D
I 1
Si se desprecian las pérdidas:
Pot = Vo I o = Vd I d ⇒ o = Armónicos de una onda triangular en función de D
Id D
Modo de Conducción Discontinua con Vd Constante Modo de Conducción Discontinua con Vd Constante
intervalo 1 int. 2 int. 3
Intervalo de
conducción
Límite entre Modo de

1 2 3
Conducción Continua y
Discontinua:
(Vd constante y Vo regulable Inter. Si No No
IL
con D), Vo= DVd
Diodo No Si No
DLimTS
En el límite del modo continuo a

discontinuo: Vo D
(Vd − Vo )DTS + ( − Vo )∆ 1TS = 0 ⇒ = donde D + ∆ 1 < 1.0
Vd D + ∆ 1
La corriente media por L (ILB=Io, ya
que en régimen permanente Vo
Vc=Vo=cte) es: I max = i L,pico = ∆ 1TS
L
1 t D + ∆1
I LB = iL,pico = on (Vd − Vo ) = 1 1 
2 2L I L = Io =  iL,pico(D + ∆1 ) ⋅ TS  = iL,pico
TS  2  2
TV
I LB = S d D( 1 − D)
2L Area del triángulo
Su valor Máximo (para D = 0.5 ):
V
I o = o ∆ 1T S
(D + ∆ 1 ) = 4 D ⋅ I Io
LB,max ∆ 1 ⇒ ∆1 =
TV L 2 4 I LB,max D
I LB,max = S d
8L
2
Vo D
Luego: I LB = 4 I LB,max D( 1 − D) Zonas Io -D de funcionamiento =
Vd 1 I 
en modo conducción continua y conducción D2 +  o 
discontinua 4  I LB,max 

Relación de transformación con Vd Constante Modo de Conducción Discontinua con Vo Constante
Ejemplo, control de motores DC: Se genera una tensión de salida variable Vo Ejemplo: fuente de alimentación con Vo constante, a partir de Vd
que se aplica al motor DC a partir de una tensión de entrada sustancialmente no regulada
constante Vd.
Si Vo es constante Vd=Vo/D, en el límite:
Vo D2
= I LB =
1
i L,pico =
DTS TV
(V d − Vo ) = S o ( 1 − D) ;
Vd 1 I 
D2 +  o  2 2L 2L
4  I LB,max 
TS Vo
Sea: I LB,max = , (Para D = 0) ⇒ I LB = ( 1 − D)I LB,max
Zona de conducción 2L
Vo discontinua
Vd En conducción discontinua:
Vo D V 
= ⇒ ∆ 1 = D ⋅  d − 1
Vd D + ∆ 1  Vo 
Vo D + ∆1 Vo
iL , pico = ∆1TS ; I o = iL , pico = TS ⋅ ∆1 ( D + ∆1 )
L 2 2L
Como:
TS Vo V  DVd
Io I LB,max = ⇒ I o = I LB ,max ∆1 ( D + ∆1 ) = I LB ,max D d − 1
I LB ,max 2L  Vo  Vo
Despejando D, se obtiene:
Relación de transformación de un convertidor reductor, en Modos Continuo y
Discontinuo con Vd Constante 1
 Io  2
Vo  I LB,max 
D=  
Vd  1 − Vo 
 Vd
 

Relación de transformación con Vo Constante Rizado de Tensión a la salida
1
 Io  2
Vo  I LB,max 
D=  
Vd  1 − Vo 
 Vd
 
Zona de conducción
discontinua
ton
I o
I LB , max
Suponiendo variaciones de Vo pequeñas (p.ej. 1% de Vo), y se puede suponer que

todo el rizado de corriente lo absorbe el condensador de salida C:
∆Q 1  1 ∆I L TS 
∆V o = =  
C C  2 2 2  ; (Area del triángulo sombreada)
Vo
∆I L = (1 − D )TS ; (Durante toff )
L
2
TS Vo ∆Vo TS (1 − D) π 2 f 
∆Vo = (1 − D )TS ⇒ = = (1 − D) c 
8C L Vo 8 LC 2  fs 
1 1
Dónde: f s = f =
TS y c 2π LC
Es decir, el rizado de la tensión de salida se puede acotar eligiendo el valor de C
CONVERTIDOR REDUCTOR. CONVERTIDOR ELEVADOR

Pérdidas en el Condensador
iL
L io
vL
Vd Vo =vo(t)
C R
IC,pico
IC Convertidor Conmutado Elevador
0 iL
L io
vL
Vd Vo =vo(t)
C R
ton
Circuito equivalente con el interruptor cerrado (intervalo de conducción)
iL io
L
Suponiendo como en el caso anterior variaciones de Vo pequeñas (p.ej. 1% de Vo),
se puede suponer que todo el rizado de corriente lo absorbe el condensador de vL
salida C: Vd
C R Vo =vo(t)
La corriente de pico por el condensador será (Calculándola durante toff ):
1 V
I C , Pico = ∆I L = o (1 − D )TS ;
2 2L
Circuito equivalente con el interruptor abierto (intervalo de no conducción)
El valor eficaz de la corriente por el condensador será (onda triangular):
I V
C , Pico
I = = o (1 − D )T
C ( RMS ) 3 2 3L S
Las pérdidas en el condensador se obtienen al multiplicar dicha corriente al

cuadrado por la resistencia equivalente serie del condensador (ESR).
⇒ Los condensadores de salida deben elegirse con una ESR lo menor posible.

CONVERTIDOR ELEVADOR CONVERTIDOR ELEVADOR
Modo de Conducción Continua Límite entre modos de Conducción
iL iL
L io L io
vL vL
Vd Vo Vd Vo
C R C R
a) b)
IL=Id
ton=DLimTS
En el Límite:
1 TV
I LB = i L,pico = S 0 D(1 − D )
2 2L
TS Vo
D(1 − D )
Io 2
Como: = 1 − D , será: I oB =
Id 2L
TS Vo 2 TS Vo
Modo de Conducción Continua. (a) Intervalo de Conducción. (b) Intervalo de Haciendo: I LB,max = e
I oB,max =
no Conducción 8L 27 L
Vd t on + (Vd − Vo )t off = 0 ⇒ Vd D + (Vd − Vo ) ⋅ ( 1-D) = 0 I LB = 4 D( 1 − D)I LB,max
V o TS 1
= = Resulta:
I oB =
27
D( 1 − D)2 I oB,max
Vd t off 1 − D 4

Modo de Conducción Discontinua Relación de transformación con Vd Constante
1
 4 Vo  Vo  I  2
D =   − 1 o 

 27 Vd V
 d  I oB,max 
Zona de conducción
discontinua
DTS
Vo ∆ 1 + D
Vd DTS + (Vd − Vo )∆ 1TS = 0 ⇒ =
Vd ∆1
Relación de transformación de un convertidor elevador,
El valor medio de la corriente por la bobina (=corriente por la En modos de funcionamiento continuo y discontinuo
TV
fuente), resulta aplicando: i L,pico = S 0 D(1 − D ) y calculando el
L
Vd
área del triángulo: Id = DTS (D + ∆ 1 )
2L
Io ∆1 T V 
Si no hay pérdidas: = I o =  S d  D∆ 1
I d ∆ 1 + D y resulta:  2L 
De las expresiones anteriores, se obtiene:
1
 4 Vo  Vo  I  2
D =   − 1 o 

 27 Vd V
 d  I oB,max 

Rizado de la tensión de salida Efecto de componentes no ideales
Vo/Vd Ideal:
1/(1-D)
Real
ton
1
0
0 1 D
Relación de transformación teniendo en cuenta las pérdidas en los elementos
reales (L, Interruptor, Diodo y Condensador)
Suponiendo variaciones de Vo pequeñas (p.ej. 1% de Vo), y se puede suponer

que todo el rizado de corriente lo absorbe el condensador de salida C:
∆Q I o DTS Vo DTS
∆Vo = = = ; (Area del rectángulo sombreada)
C C RC
∆Vo DTS DTS

= = Dónde: τ = RC
Vo RC τ
CONVERTIDOR REDUCTOR-ELEVADOR CONVERTIDOR REDUCTOR-ELEVADOR.

Modo de Conducción Continua
L L
L
Vd Vo Vd Vo
vL iL C R vL iL C R
Vd vL Vo =vo
iL C R
io io
io a) b)
Convertidor Reductor-Elevador
L
Vd vL Vo =vo
iL C R
io
L ton
Vd vL iL C R Vo =vo
Formas de Onda del Convertidor Reductor-Elevador para Modo de

io Conducción Continua: D=0.4
(a) Intervalo de Conducción. (b) Intervalo de no Conducción
Vo D
Vd DTS + (− Vo )(1 − D )TS = 0 ⇒ =
Vd 1 − D
I o 1− D
=
Id D

CONVERTIDOR REDUCTOR-ELEVADOR. CONVERTIDOR REDUCTOR-ELEVADOR.
Modo de Conducción Continua Límite entre Modos de conducción
Formas de Onda del Convertidor Reductor-Elevador en el límite entre los
modos de Conducción Continua y Discontinua: D=0.4
L L
Vd Vo Vd Vo
vL iL C R vL iL C R
io io
a) b)
ton
En el Límite:
1 TV TV
ton I LB = iL,pico = S d D ⇒ I LB = S o (1 − D ) ,
2 2L 2L
 Io 1− D 
 =  TV
Id D  ⇒ I o = I L (1 − D ) ⇒ I oB = S o (1 − D )2
Formas de Onda del Convertidor Reductor-Elevador para Modo de I = I + I  2L
Conducción Continua: D=0.6  L d o
Definiendo:
TS Vo TS V o
I LB,max = e I oB,max = , resulta:
2L 2L
I LB = (1 − D )I LB,max I oB = (1 − D ) I oB,max
2
e

Modo de Conducción Discontinua Modo de Conducción Discontinua
Regulador elevador-reductor: Modo de Conducción Discontinua D=0.4 Regulador elevador-reductor: Modo de Conducción Discontinua D=0.6
TS
ton=DTS ∆1TS
ton
Vo D I o ∆1
V d DTS + (− V o )∆ 1T S = 0 ⇒ = ⇒ =
Vd ∆ 1 Id D
Vd
IL = DTS (D + ∆1 )
2L
1
V  I 2
D= o  o 
Vd  I oB ,max 

Relación de transformación con Vd Constante Rizado de la tensión de salida
Vo  I o  2
D=  
Vd  I oB ,max 
ton
Zona de conducción
discontinua
Suponiendo variaciones de Vo pequeñas (p.ej. 1% de Vo), y se puede

suponer que todo el rizado de corriente lo absorbe el condensador de salida
C:
∆Q I o DTS Vo DTS
∆Vo = = = ; (Area del rectángulo sombreada)
C C RC
Relación de transformación de un convertidor reductor-elevador, en modos
de funcionamiento continuo y discontinuo ∆Vo DTS DTS
= = Dónde: τ = RC
Vo RC τ
CONVERTIDOR REDUCTOR-ELEVADOR CONVERTIDOR DE CÚK

Efecto de componentes no ideales
iL1 C1
iL2
L1 L2
vL1 vL2 C2
Vd Vo
Vo/Vd Ideal: R
D/(1-D)
io
En régimen permanente, los valores medios de las tensiones en las bobinas es

Real
cero, luego será: VC1 = Vd + Vo , si C es suficientemente grande, VC1 se
puede considerar constante.
iL1 C1
iL2
L1 L2
vL1 vL2
0 C2
0 1 D Vd
R Vo
Relación de transformación teniendo en cuenta las pérdidas en los elementos

reales (L, Interruptor, Diodo y Condensador) io

iL1 C1
iL2
L1 L2
vL1 vL2 C2
Vd Vo
R
io

CONVERTIDOR DE CÚK CONVERTIDOR DE CÚK.
Modo de Conducción Continua
iL1 iL2
L1 C1 L2 Convertidor de Cúk: Modo de conducción Continua. D=0.33
vL1 vL2
vC1 C2
Vd Vo
R
io
a)
iL1 iL2
L1 L2
vL1 vL2 C2
vC1
Vd Vo
R
io
b)
a) Tensión y Corriente por L1
Circuitos equivalentes en el funcionamiento por intervalos del
Convertidor Cúk. (a) Intervalo de no Conducción. (b)
Intervalo de Conducción
VC1 1
L1: Vd DTS + (Vd − VC1 )(1 − D )TS = 0 ⇒ =
Vd 1 − D
L2: (VC1 − Vo )DTS + (− Vo )(1 − D )TS = 0 ⇒ VC1 = 1

Vo D
I L1 = I d Vo D Io 1− D
donde Luego: = y =
I L2 = I o Vd 1 − D Id D
b) Tensión y Corriente por L2
CONVERTIDOR DE CÚK. CONVERTIDOR DE CÚK.

Modo de Conducción Continua Límite entre Modos de Conducción
Convertidor de Cúk: Modo de conducción Continua. D=0.66 Convertidor de Cúk: Límite conducción Continua-Discontinua. D=0.66


b) Tensión y Corriente por L2

COMPARACIÓN ENTRE CONVERTIDORES
Id id iL
io
L
iC
IC Vd C R Vo
Convertidor Reductor: Vo=DVd; Io=IL=Id/D
Id
id iL
L io
vL iC
Vd Vo
IC C R
Convertidor Elevador: Vo=Vd/(1-D); Id=IL=Io/(1-D)
Id id
L
Vd
IC vL iL C R Vo
0
iC io
Convertidor Reductor-Elevador: Vo=VdD/(1-D); Id= IoD/(1-D); IL=Io/(1-D)

iL1 C1
Id L1
iL2
L2
id vL1 vL2 C2
Vd Vo
R
IC
iC
0 io
Convertidor de Cùk: Vo=VdD/(1-D); Id= IL1=IoD/(1-D); IL2=Io
Tema 14. Convertidores DC/DC I. 37 de 37

INTRODUCCIÓN
¾ Objetivo: Estudio de los circuitos más usados en las fuentes de
alimentación reguladas (de amplio uso en la alimentación de equipos
electrónicos).
TEMA 15. CONVERTIDORES DC/DC II ¾ Características:
♦ Regulación de la tensión de salida a un valor Vo constante

15.1 INTRODUCCIÓN (dentro de un rango de tensiones de entrada y corrientes de
salida.
15.2 CONVERTIDOR PUENTE ♦ Aislamiento galvánico entre entrada y salida, sin emplear
15.2.1 Estrategias de Control transformadores de 50Hz.
15.2.1.1 Control Bipolar ♦ Permitir si se precisa más de una tensión de salida aisladas
15.2.1.2 Control Unipolar entre sí.
15.3 CONVERTIDORES CON AISLAMIENTO ¾ En este tema sólo se va a analizar el funcionamiento en modo de
GALVÁNICO conducción continua (en las fuentes de alimentación L suele ser de un
15.3.1 Convertidor Flyback valor bastante grande).
15.3.2 Convertidor Forward
15.3.3 Convertidor Puente ¾ Se va a suponer que Vo es constante (C se supone de un valor elevado).
15.4 CIRCUITOS DE CONTROL DE
CONVERTIDORES
Tema 15. Convertidores DC/DC II. 1 de 39 Tema 15. Convertidores DC/DC II. 2 de 39
CONVERTIDOR PUENTE CONVERTIDOR PUENTE

id
Donde cada Potencia
+ interruptor es positiva o
S1 S3
en realidad: negativa
S1
io io
Vd
A Carga B Generación del
Si Retraso
S2 S4 Di
A R B
Vo = V A − VB Vo
B
- Si ≡ IGBT o MOS
Esquema del convertidor Puente (4 cuadrantes)

C
S2
id id
+ + a)
S1 D1 S1
io D1 io
Vd A Vd
A A
Carga Carga
Corriente Inversa
S2 D2 S2 del Diodo B
- - D2
a) b) S1
Convertidor Puente, problemas en el disparo de los interruptores:
S2
a) No se pueden cerrar simultáneamente los dos interruptores de una rama. Por
tanto, si estaba conduciendo S1 hay que esperar un tiempo mayor que el que tc
tc tc
necesita S2 para cortarse antes de dar la orden de cierre a S1. ⇒ Empleo de
tiempos muertos en el disparo de los interruptores.
b)
b) Cuando está conduciendo D2 hay que controlar la velocidad de entrada en
conducción de S1 (controlando la velocidad de subida de VGS1) de forma que Generación de Tiempos Muertos:
la corriente de recuperación inversa de D2 no suba excesivamente. a) Circuito Simple para Generarlos. b) Formas de Ondas
Los dos casos presentados son solo ejemplos, por simetría se pueden encontrar
otros ejemplos.
CONVERTIDOR PUENTE
CONVERTIDOR PUENTE
Puede estar iO Conducen
abierto o cerrado
D1 y D4
io>0 io<0
S1 D1 Vd Vd
Vd A B
A A
iO<0
S2 VO=Vd S4 ⇒ VA =Vd
D4 ⇒ VA =Vd
Tensión V A con S1 Cerrado ( S 2 Abierto) en los casos io > 0 e i o < 0

Circulación de Corriente por dos Diodos, se devuelve energía. (Si io>0, se
devuelve energía a la batería por los otros dos diodos).
Si S1 = on (S 2 = off ) ⇒ V A = Vd 
Conducen 
Puede estar Si S1 = off (S 2 = on) ⇒ V A = 0 
abierto o cerrado S 2 y D4
S1
Vd A B Vd ⋅ t onA + 0 ⋅ t offA
iO VA = = Vd ⋅ D A
iO<0 Luego: TS
S2 D2 VO=0 S4 D4
Dónde: D A es el “Duty cycle” de la rama A.
Circulación de Corriente por dos Diodos aplicando una tensión nula. (Si io>0, En la rama B se puede obtener de la misma forma: V B = Vd ⋅ DB
la corriente circularía por D2 y S4).
Estados Posibles Luego: Vo=VA-VB=Vd(DA-DB)

io>0 io<0
S1 S2 S3 S4 VO Conduce S1 S2 S3 S4 VO Conduce Si los dos interruptores están abiertos:
0 0 0 0 -Vd D2 D3 0 0 0 0 Vd D1 D4 VA=Vd si io<0 No se puede controlar con
0 0 0 1 0 D2 S4 0 0 0 1 Vd D1 D4 ⇒
VA=0 si io>0 DA la tensión de la rama
0 0 1 0 -Vd D2 D3 0 0 1 0 0 D1 S3
0 1 0 0 -Vd D2 D3 0 1 0 0 0 S2 D4
0 1 0 1 0 D2 S4 0 1 0 1 0 S2 D4
0 1 1 0 -Vd D2 D3 0 1 1 0 -Vd S2 S3
1 0 0 0 0 S1 D3 1 0 0 0 Vd D1 D4
1 0 0 1 Vd S1 S4 1 0 0 1 Vd D1 D4
1 0 1 0 0 S1 D3 1 0 1 0 0 D1 S3
CONVERTIDOR PUENTE. Control Bipolar CONVERTIDOR PUENTE. Control Bipolar

id id
+ + Filtro LC
S1 S3 S1 io S3
L
io A
Vd Vd
A Carga B c
Vo (t ) = VA − VB
B C
a
S2 S4 S2 S4 Vo r
Vo=VAN-VBN g
a
- N
- N
Convertidor Puente alimentando una carga de continua con filtro LC
)
Vcontrol + Vtri t on
) = =D⇒
2 Vtri TS
)
Vcontrol = Vtri ( 2 D-1 )
1
Vo = [Vd ⋅ t on − Vd (TS − t on )]
Vd TS
Vd
V 
Ts
Vo =  )d  ⋅Vcontrol = k ⋅Vcontrol
2Vtri  Vtri 
Vd
toff ton
Vd
Convertidor Puente: Control Bipolar Ts
2Vtri
toff ton
Vo>0, Io>0 (S1,S4) Vo>0, Io<0 (D1,D4)
S1 D1 S3 D3 S1 D1 S3 D3
Io Io
Vd Vd
S2 Vo S2 Vo
D2 S4 D4 D2 S4 D4
Vd
Vo<0, Io>0 (D2,D3) Vo<0, Io<0 (S2,S3)
-Vd
S1 D1 S3 D3 S1 D1 S3 D3
Io Io
Vd Vd
S2 Vo S2 Vo
D2 S4 D4 D2 S4 D4
Vd
Convertidor Puente: Circulación de la corriente por los dispositivos con control

bipolar
Dispositivos conduciendo: Io siempre positiva
Vd
Vd
Dispositivos conduciendo: Io media negativa,

pero Io(t) cambia de signo
Dispositivos conduciendo: Io media positiva,

pero Io(t) cambia de signo
CONVERTIDOR PUENTE. Control Bipolar
CONVERTIDOR PUENTE. Control Unipolar
Vd Vo=Van-Vbn
Van se genera
Vd comparando
Vtri con Vcon
Vbn se genera
comparando
Vd
Vtri con -Vcon
2Vtri
Ts
Convertidor Puente: Control Unipolar
t on Vcont + Vˆtri  ) )
Dispositivos conduciendo: Io siempre negativa DA = =  Vcont + Vtri − Vtri + Vcont Vcont
TS 2 Vˆtri  ⇒ D A − DB = )
2Vtri
= )
Vtri
t' ˆ
V − Vcont 
D B= on = tri 
TS 2 Vˆtri 
Vo = V d ⋅ D A − V d ⋅ D B =  V
Vo = Vd (D A − D B )
 ⇒ Vo = )d ⋅ Vcont = k ⋅ Vcont
 V tri
La tensión de salida es igual que en el control Bipolar, pero la frecuencia del

rizado en la tensión de salida es doble ⇒ Componentes del filtro más baratos.
CONVERTIDOR PUENTE. Control Unipolar CONVERTIDOR PUENTE. Control Unipolar
Vo>0, Io>0 (S1,S4) Vo>0, Io<0 (D1,D4)
S1 D1 S3 D3 S1 D1 S3 D3
Io Io
Vd Vd
S2 Vo S2 Vo
D2 S4 D4 D2 S4 D4
Vo<0, Io>0 (D2,D3) Vo<0, Io<0 (S2,S3)
S1 D1 S3 D3 S1 D1 S3 D3
Io Io
Vd Vd
S2 Vo S2 Vo
D2 S4 D4 D2 S4 D4
Vo=0, Io>0 (S1,D3) Vo=0, Io<0 (D1,S3)

Vd
S1 D1 S3 D3 S1 D1 S3 D3
Io Io
Vd Vd
Vo=0 Vo=0
S2 D2 S4 D4 S2 D2 S4 D4
Vo=0, Io>0 (D2,S4) Vo=0, Io<0 (S2,D4)
S1 D1 S3 D3 S1 D1 S3 D3
Io Io
Convertidor Puente: Circulación de la corriente por los dispositivos con
Vd Vd
Vo=0 Vo=0 control unipolar. Corriente media negativa pero con valores positivos y
S2 D2 S4 D4 S2 D2 S4 D4 negativos. Tensión de salida positiva

control unipolar
CONVERTIDOR PUENTE. Control Unipolar CONVERTIDOR PUENTE. Control Unipolar
Ts
Vd
Ts

control unipolar. Corriente siempre negativa. Tensión de salida negativa
CONVERTIDORES CON AISLAMIENTO CONVERTIDORES CON AISLAMIENTO

GALVÁNICO GALVÁNICO
Tensión DC Tensión DC
no regulada regulada Controlador Tensión DC
regulada
Transf. AF Potencia Potencia

Filtro Rectif. + Convertidor Rectif.+ Filtro Rectif. + Convertidor Rectif.+
EMI Filtro DC/DC Filtro Vo EMI Filtro DC/DC Filtro Vo1
Entrada RED Entrada RED
50 ÷ 60 H z 50 ÷ 60 H z Rectif.+
Filtro Vo2
Tensiones DC
no reguladas
Transf. AF
Transf. AF Realimentación con varios
devanados
Drivers Controla- Amplificador secundarios Rectif.+
Puertas dores PWM de error Filtro Von
Tierra 1 Tierra 2 VRe f.

Esquema General de una Fuente de Alimentación multisalida
Aislamiento
Galvánico
Esquema General de una Fuente de Alimentación
Objetivos:
• Aislamiento galvánico entre Red y Vo .
• Evitar la transformación de 50/60 Hz por ser muy pesado y costoso el

transformador.
Vo
• Tener una mayor relación de transformación V que la que permite D, al
i
N2
multiplicar por N .
1
GALVÁNICO GALVÁNICO. Convertidor Flyback
i1 Transformador Ideal Ld 2 Convertidor +Vd
+ Vd
Reductor-Elevador L
S C R
Ld 1 +
i2 L C R
Lm V1 V2 + S
N1 ÷ N 2
+ Vd + Vd
+ C
Circuito Equivalente de un Transformador L C R L R
+
¾ Se desprecian las pérdidas debidas a las resistencias de los devanados y

núcleos S S
V1 V2
¾ Relación de transformación: N = N
1 2 Convertidor Flyback
¾ Igualdad de potencias: P = V1 ⋅ i1 = V2 ⋅ i 2 ⇒
Vd N2
i1 i N1 C R
¾ Relación de corrientes: = 2
N 2 N1
S
¾ Inductancias de dispersión: Ld 1 , Ld 2 : Tan pequeñas como sea

posible (fuerte acoplamiento magnético entre primario y secundario).
Ya que la energía que almacenan la deben absorber los interruptores. Origen del Convertidor Flyback desde el Convertidor Reductor-
Elevador
¾ Inductancia de magnetización: Lm : Tan grande como sea posible
(excepto en el convertidor Flyback), ya que las corrientes de
magnetización se suman a las de los devanados para formar las
corrientes por los interruptores y aumentan las pérdidas.

GALVÁNICO. Convertidor Flyback GALVÁNICO. Convertidor Flyback
io i=0 id = 0 io
i=0 id = 0
id = im = iSW N2 id = im = iSW im=iL N2

i m V1 = Vd Vd R Vo
Lm V1 = Vd Vd R Vo
Lm N1 C
N1 C
Vd Vd
N1: N 2 N1: N 2
Circuito Equivalente del Convertidor Flyback con el Interruptor Cerrado

iD Io
Circuito Equivalente del Convertidor Flyback con el Interruptor
Cerrado
N1
− Vo im Vo
N2 C
Vd
N1: N 2 iL(t) = iSW (t) = I Lmin + ⋅t ( 0<t<t on = DTS )
Lm
Circuito Equivalente del Convertidor Flyback con el Interruptor Abierto
Vd ⋅ DTS
I Lmax = I Lmin +
Lm
Integrando en un ciclo la tensión aplicada a la inductancia de magnetización:
N1
V d DTS − V o (1 − D )TS = 0 ⇒
N2
Vo N D
= 2
Vd N1 1 − D
GALVÁNICO. Convertidor Flyback GALVÁNICO. Convertidor Flyback
iD Io
N1
− Vo im Vo
N2 C
N1: N 2
Circuito equivalente del convertidor Flyback con el interruptor abierto

Vd D (t − DTS ) V d DTS
i L (t ) = I Lmax − ⇒ I Lmin = I Lmax −
1− D Lm Lm
N1 N1
I Dmax = I Lmax ; I Dmin = I Lmin
N2 N2
2
N1 Vd D N 1 V  N1 
i D (t ) = i L (t ) = I Dmax − t = I Dmax − o   t
N2 (1 − D ) Lm N 2 Lm  N2  ton
2
Vo  N1 
I Dmin = I Dmax −   (1 − D )TS
Lm  N2 
Como el valor medio de i D es I o , se puede calcular I Dmax

1 Vo TS (1 − D) 2  N 1  
2
Io = I   =
Dmax (1 − D )T S −

TS 2 Lm  N 2  

 V (1 − D )TS  N 1  
2
I o = (1 − D) I Dmax − o   ⇒ Convertidor Flyback: Funcionamiento para D=0.4 y a=0.5

 2 Lm  N 2  

2
Io V (1 − D )TS  N 1 
I Dmax =
1− D
+ o
2 Lm  N 
 2
2
Io V (1 − D )TS  N1 
I Dmin = − o  
1− D 2 Lm  N2 
El voltaje aplicado al interruptor cuando está abierto:
N1 V
VSW = Vd + ⋅V = d
N2 o 1− D
CONVERTIDORES CON AISLAMIENTO GALVÁNICO. CONVERTIDORES CON AISLAMIENTO GALVÁNICO.

Convertidor Flyback Convertidor Forward
D1 VL io
L iL
V2 Vo
D2 C
V1
Vd N1 N2
Convertidor Forward Ideal
Si el transformador ideal, cuando el interruptor está cerrado:

N2
V1 = Vd ; V2 = ⋅ Vd
N1
ton N2
V L = Vd ⋅ − Vo (0 < t < t on )
N1
Esta tensión debe ser positiva (es un reductor visto desde V2 ) luego en este
intervalo i L aumenta.
Cuando el interruptor se abre, i L circula por D2 y
V L = −Vo (t on < t < TS ) ⇒ i L disminuye.
Convertidor Flyback: Funcionamiento para D=0.6 y a=0.5 Igualando la integral de V L dt en los dos períodos queda:
 N 
Vd ⋅ 2 − Vo  ⋅ t on = Vo ⋅ (TS − t on )
 N  Vo N 2
1
⇒ = ⋅D
 N  Vd N1
Vd ⋅ 2 − Vo  ⋅ D = Vo ⋅ (1 − D)
 N 1 
Convertidor Forward Convertidor Forward
i3=0
i2= i1(N1/N2) iL= i2

i3 io
i1 N1 N3 N2
D1 iL D1
io VL= V2- Vo Vo
iLM Lm
V1 V2 C
i1 N1 N3 D2
N2 VL Vo
Lm i2 V1= Vd
V1 C
Vd V2= Vd(N2/N1)
D2
Vd isw= iLM+ i1 D3
isw D3
Convertidor Forward: Intervalo de conducción
i3=iLM(N1/N3)
i2 = 0 iL
io
N2
Convertidor Forward Real: i1=-iLM N1 N3
D1
Se añade un tercer devanado que permite que la energía almacenada en Lm iLM Lm
VL= - Vo Vo
V1 V2 C
cuando el interruptor está cerrado, se devuelva a la batería al abrirlo. D2
V1= -VdN1/N3
Vd
isw= 0 D3
Convertidor Forward: Intervalo de desmagnetización

i3=0
i2 = 0 iL
io
i1=0 N1 N3 N2
D1 VL= - Vo Vo
iLM Lm
=0 V1 V2 C
D2
V1= 0
Vd
isw= 0 D3
Convertidor Forward: Intervalo de no conducción

Convertidor Forward Convertidor Forward
Funcionamiento del convertidor Forward
Con el interruptor cerrado: V1 = Vd (0 < t < t on ) ,

im sube linealmente desde cero a I Lmmax .
Cuando se abre el interruptor i1 = −i m
N 1 ⋅ i1 + N 3 ⋅ i 3 = N 2 ⋅ i 2 , como hay un diodo D1 , i2 = 0 ⇒ la

N1
corriente i3 = N ⋅ im fluirá a través del devanado auxiliar,
3
devolviendo energía a la batería.
Durante tm, la tensión aplicada al primario y a Lm es:

N1
V1 = − ⋅V (t on < t < t on + t m ) m
N3 d
N1
tm se puede calcular de: Vd ⋅ t on = ⋅ V ⋅ (t )
N3 d m
tm N ton
= 3 ⋅D
TS N1
Se tiene que cumplir que:
tm N Convertidor Forward: Funcionamiento para D=0.4

t m < toff ⇒ < 1 − D luego : (1 - D max ) = 3 ⋅ Dmax
TS N1
1
Dmax =
N
1+ 3
N1
CONVERTIDORES CON AISLAMIENTO GALVÁNICO. CONVERTIDORES CON AISLAMIENTO
Convertidor Forward GALVÁNICO.
Convertidor Puente
D3 iD1 VL
T1 D1 T3 D1 L
N2 Vo1 iL R Vo
A
Vd C
V1 iLm Lm
B N2
N1
T2 T4
D2 D4 iD2 D2
Convertidor Puente con transformador
ton
Convertidor Forward: Funcionamiento para D=Dmax

Convertidor Puente Convertidor Puente
iD1= iL VL D3 i1=0 iD1=iL/2 VL

T1 D3 D1 L T1 D1 L
D1 T3 D1 T 3
iL Vo iL Vo
A N2 R A N2 Vo1=0 R
Vd io=iL(N2/N1) V1=Vd C Vd io= iLm C
iLm Lm V1=-Vd iLm Lm
+iLm B B
N2 Vo1=Vd(N2/N1) N2
N1 N1
D2 T4 T4
T2
D4 iD2=0 D2 T2
D2 D4 iD2=iL/2 D2
Funcionamiento del Convertidor Puente: T1 y T4 conduciendo Funcionamiento del Convertidor Puente: D2 y D3 conduciendo
D3 iD1=0 VL
T1 D1 T3 D1 L D3 VL
i1=0 iD1=iL/2
T1 D1 T3 D1 L
iL R Vo
A N2 iL
Vd io=iL(N2/N1) V1=-Vd iLm C R Vo
Lm A N2 Vo1=0
+iLm B Vd io=- iLm C
N2 V1=Vd iLm Lm
N1 Vo1=Vd(N2/N1) B N2
N1
T2 T4
D2 D4 iD2= iL D2
T4
T2
D2 D4 iD2=iL/2 D2
Funcionamiento del Convertidor Puente: T2 y T3 conduciendo

Funcionamiento del Convertidor Puente: D1 y D4 conduciendo
T1 − T4 ⇒ V1 = +Vd  N2
 ⇒ V01 = ⋅V La relación de transformación se obtiene de integrar la tensión en la bobina en
Si conducen: T2 − T3 ⇒ V1 = −Vd  N1 d medio ciclo (ya que el otro medio es idéntico):
N2  N2  V N
VL = ⋅ V − Vo  ⋅ Vd − Vo  ⋅ D ⋅ TS = Vo ⋅ TS ⋅ (0.5 − D) ⇒ o = 2 2 ⋅ D
La tensión en la bobina es: N1 d N
 1  Vd N1
CONVERTIDORES CON AISLAMIENTO GALVÁNICO.
Convertidor Puente CIRCUITOS DE CONTROL DE CONVERTIDORES
EAOUT 2
ERROR PWM PWM

AMP COMPARATOR LATCH
EAINV 1
1.5V SD
R
RAMP 7
OSCILLATOR
CURRENT LIMIT CT CLK 5 OUT

COMPARATOR
VCC-0.43V
CS 3
REFERENCE
SLEEP & UVLO
COMPARATOR
SLEEP UVLO
2.2V
VCC 4 VCC 3V REF

8 3V REF
GND 6
Diagrama de bloques del controlador UC1573

VIN
+12V IN
RSLEEP
1MEG
SLEEP MSLEEP
RSLEEP RVSENSE1 RCS

24k 91k
CVCC 10µF
4 VCC CS 3
C 3VREF
100nF
8 3VREF
CRAMP UC 1573
ton/2 ton/2 680pF
7 RAMP
CBULK
10µF
1 EAINV
RCOMP CCOMP OUT 5 MSWITCH
2 EAOUT
LBUCK VOUT
RVSENSE2 6 GND
39k COUT +5V
GND DBUCK
100µF GND OUT
Realización de un Convertidor Reductor con el controlador UC1573
Funcionamiento del convertidor Puente para D=0.3
CIRCUITOS DE CONTROL DE CONVERTIDORES

POL
MIN OFF-TIME
1 .2 5 V GENERATOR
REF
R EF
POLARITY TRIG
START-UP Q
E R R OR
AM P
F /F LX
S Q
FB R
S TA R T- U P
C O M PA R AT OR
ISET
T R IG
M AX O N -T IM E
1V G E N E R AT O R
(10µs) Q
SHD N
C O N T R OL
VCC
G ND
Diagrama de bloques del controlador MAX629
VIN Conectar si se usa

+0.8V una sola fuente
TO +24V
VCC C1
+2.7V 10µF
TO +5.5V 35V
L1
C3
47 µH
0 .1µ F
D1
M BR 0 5 40 L VOUT
VCC
+24V
SHDN LX
R1 CF C2
MAX 629 1 0µF
576k 150pF
ISET 1% 35V
FB
R2
POL 31.6k Realimentación de
1% la tensión VOUT
REF GND
C4
0.1µ F
Convertidor Elevador realizado con el controlador MAX629
Tema 15. Convertidores DC/DC II. 39 de 39

INTRODUCCIÓN
Símbolos para la Representación de Convertidores CC/CA (Inversores)
CC CA
TEMA 16. CONVERTIDORES CC/AC.
16.1. INTRODUCCIÓN
16.1.1. Armónicos (a) Inversor Monofásico.
16.1.2. Conexión de un Convertidor CC/AC CC CA
16.1.3. Clasificación
16.2. INVERSOR MEDIO PUENTE. RAMA
ELEMENTAL
16.3. INVERSOR MONOFÁSICO EN PUENTE
COMPLETO
16.4. INVERSOR TRIFÁSICO (b) Inversor Trifásico
16.4.1. Tensión en el Neutro
16.4.2. Armónicos
16.4.3. Espacio de Estados APLICACIONES:
16.5. OTROS INVERSORES
• Actuadores para motores de corriente alterna. Permite variar la
16.5.1. Inversor con Fuente de Corriente tensión y la frecuencia de estos motores.
16.5.2. Inversores de tres niveles • Fuentes de alimentación ininterrumpida (UPS). Genera una tensión
16.5.3. Inversores Multinivel senoidal a partir de una batería con el fin de sustituir a la red
cuando se ha producido un corte en el suministro eléctrico.
• Generación fotovoltáica. Genera la tensión senoidal de 50Hz a
partir de una tensión continua producida por una serie de paneles
fotovoltaicos.
En este tema, se considerará únicamente el funcionamiento a bajas

frecuencias, es decir: los interruptores conmutando a la frecuencia de la
red.
Tema 16. Inversores I. 1 de 35 Tema 16. Inversores I. 2 de 35
INTRODUCCIÓN INTRODUCCIÓN. Armónicos

+Vd /2 Armónicos para
D=0.5
Vd /2
1 A iA
0
0
SA
Vd /2 VZ Z
-Vd /2
Circuito Inversor Simple
SA
Posición 0 Posición 1 Posición 0
t
Vz
Vd
2 Armónicos de ondas cuadrada y triangular
0
V t
− d
2
iA
Carga resistiva Armónico
Vd fundamental
de valor R
2R
0
Vd t
−
2R
iA
Carga inductiva
Vd T de valor L
2L
0
t0 t1
Vd T t
−
2L
T T
Formas de Onda de un Circuito Inversor Simple

INTRODUCCIÓN. Armónicos INTRODUCCIÓN. Armónicos
0.5
0.5
D
Armónico núm.
D
1
Armónicos en una Onda Cuadrada de amplitud ± en función de D 1
2
Armónicos 0 a 5 de una Onda Cuadrada de amplitud ± en función de D
2
INTRODUCCIÓN. Conexión de un Convertidor CC/AC INTRODUCCIÓN. Conexión de un Convertidor CC/AC
Flujo de Potencia
I,P
Elementos metálicos aislados del circuito de potencia
BOBINA
FILTRO CONVERT.
DE
FILTRO VC
O INVERSOR DE CARGA
RED CA/CC CARGA
CONDENSAD.
a)
s1 ( t )
RED s2 ( t )
+ I,P
sn ( t )
Batería
Control
-
VC
Diagrama de Bloques del Sistema Inversor
b)
Circuito de Alimentación de Inversores. (a) Alimentación Mediante un

Rectificador Controlado. (b) Alimentación Mediante Otro Inversor
L R VAC
Modelo por Fase de la Carga del Inversor

INTRODUCCIÓN. Clasificación INVERSOR MEDIO PUENTE. RAMA ELEMENTAL
• Inversores con fuente de corriente (CSI).

• Inversores con fuente de tensión (VSI). Vd /2 TA+ DA+
iA
IL
0 A
Vd /2 TA- DA-
VC
Inversor en Medio Puente

(a) (b)
• t0 , instante de tiempo en el que se abre el interruptor TA+ .
Inversores con: (a) Fuente de Tensión (VSI). (b) Fuente de Corriente (CSI)
• t0+ ∆t0 instante de tiempo en el que se cierra el interruptor TA- .
• t1, instante de tiempo en el que se abre en interruptor TA-.
• Inversores de baja frecuencia (onda cuadrada). • t1+ ∆t1 instante de tiempo en el que se cierra el interruptor TA+.
• Inversores de alta frecuencia (modulación por anchura de pulsos).
• ∆t0 y ∆t1 son los tiempos muertos (generalmente coinciden).
• Inversores de transistores bipolares.

• Inversores de MOSFET’s. TA+
• Inversores de IGBT’s. t1 + ∆t1
• Inversores de tiristores. TA−
• Inversores de GTO’s.
t0 t 0 + ∆t 0 t1 t
• Inversores no resonantes. VA
• Inversores resonantes. Vd
2
0
Vd t
• Medio puente o batería con toma media. −
2
• Transformador con toma medio o Push-Pull.
• Puente completo monofásico.
• Puente trifásico. Formas de Onda del Inversor Medio Puente con Carga Resistiva
INVERSOR MEDIO PUENTE. RAMA ELEMENTAL INVERSOR MEDIO PUENTE. RAMA ELEMENTAL
Vd TA+ DA+ Vd TA+ D A+ i ( t + ∆t )

2 iA (t0 ) 2
A 0 0
O A O A
Vd Vd
TA− DA− TA− DA−
2 Z 2 Z
a) b)
Vd TA+ DA+ i ( t ) Vd TA+ DA+ i ( t + ∆t )

A 1
2 2 A 1 1
O A O A
Vd Vd
TA− D A− TA− DA−
2 Z 2 Z
t
c) d)
Formas de Onda de Tensión y Corriente de un Inversor Medio
Puente con Carga Inductiva considerando tiempos muertos y tiempos
de almacenamiento de los interruptores
Circuitos Equivalentes durante los Intervalos de Funcionamiento del Inversor
en Medio Puente

INVERSOR MEDIO PUENTE. RAMA ELEMENTAL INVERSOR MEDIO PUENTE. RAMA ELEMENTAL
Vd
2
A
iA
V pulso iA
1 A
0
0 SA Z
Vz Z
V
− d
2
a) b)
t Circuitos Simplificados del Inversor en Medio Puente:

a) Como Conmutador. b) Como Fuente de Onda Cuadrada
Efecto de los Tiempos Muertos en la Pérdida de Tensión en la Carga cuando

la corriente no cambia de signo
t c − t alm
∆V A = −Vd sig (i A )
TS
INVERSOR MONOFÁSICO. PUENTE COMPLETO INVERSOR TRIFÁSICO
Vd TA+ DA+ TB+ DB+ Vd TA+ DA+ TB+ DB+ TC+ DC+
2
iA iB 2
iA iB iC
O A B O A B C
Vd Vd
TA− DA− TB− DB− DA− DB− DC−
2 TA− TB− TC−
2
Inversor Monofásico en Puente Completo Inversor puente trifásico
Vd
2
sA i VZ sB
A
O
A Z B
Vd
2
Circuito Equivalente del Inversor Monofásico en Puente Completo
Interruptor Interruptor Tensión en

Estado
SA SB la carga
0 0 0 0
1 0 1 -Vd
2 1 0 Vd
3 1 1 0
Resumen de los Estados de un Inversor Monofásico en Puente Completo

INVERSOR TRIFÁSICO INVERSOR TRIFÁSICO. Tensión en el Neutro
Vd /2
iA iB iC
0
A B C
SA SB SC
Vd /2 t
Tensiones en las tres ramas del inversor. Determinación de la tensión del
neutro de la carga:
Vd Vd
VA0 2 2
VAN Z VBN Z VCN Z Z Z Z
N
N
VN0
Z Z Z
Vd
N Vd −
− 2
2
Circuito Equivalente del Inversor Trifásico
(a) (b)
Circuitos Equivalentes para Determinar la Tensión del Neutro de la carga
Interruptores Estados:
Z V
Estado SA SB SC 2 Z Vd Vd Vd Vd
a) VNO = 3 − = − =−
d
S1, S3 y S5
2 3 Z 2 6 3 6
S0 0 0 0 2Z 2
S1 1 0 0 Z V
Z Vd V V V
b) VNO = 3 − 2 d = d − d = d S2, S4 y S6
S2 1 1 0 Z 2 3 Z 2 3 6 6
2 2
S3 0 1 0
Luego:
S4 0 1 1
S5 0 0 1 t
S6 1 0 1
y las tensiones aplicadas a la carga por fase son:
S7 1 1 1
V AN = V AO − VNO ; VBN = VBO − VNO ; VCN = VCO − VNO
Estados de un Inversor Trifásico.
INVERSOR TRIFÁSICO. Armónicos INVERSOR TRIFÁSICO. Armónicos

Tensiones fase-fase
Punto medio de la batería
Tensiones entre Fase y
t
Tensiones en un puente trifásico
En las tensiones fase-

neutro desaparecen
los armónicos triples
Componente
Fundamental

INVERSOR TRIFÁSICO. Espacio de Estados OTROS INVERSORES. Inversor con Fuente de
Interruptores Tensiones/Vd Corriente
Estado SA SB SC VAN VBN VCN L
S0 0 0 0 0 0 0
S1 1 0 0 2/3 -1/3 -1/3
TA+ TB−
S2 1 1 0 1/3 1/3 -2/3
S3 0 1 0 -1/3 2/3 -1/3 DA+ DB−
iB
iA
S4 0 1 1 -2/3 1/3 1/3 B
I A
S5 0 0 1 -1/3 -1/3 2/3
S6 1 0 1 1/3 -2/3 1/3 TA− TB+
t
S7 1 1 1 0 0 0 D A− DB+
Estados de un Inversor Trifásico. jIm
S2 Inversor en Puente Completo con Fuente de Corriente.
S3 2Vd Los diodos son necesarios si los interruptores no soportan tensiones inversas.
R=
Conversión de coordenadas del espacio 3 Nota: En este montaje pueden cerrarse simultáneamente los dos
tridimensional al plano (proyección): interruptores de una rama, pero no se pueden dejar abiertos a la vez los dos
de la parte de arriba (o de abajo) de ambas ramas.
S1
 1 1  V  S4
Re
1 − −
Re  2  2  ⋅ V 
A
= 2
 Im 3  3 3
  B
  0 − V 
2   C 
S0, S7
 2
S5 S6 A
I
B
Z
2Vd V V
Por ejemplo, para S1: VA = ; VB = − d ; VC = − d , resulta:
3 3 3
2Vd 2Vd
Re = ; Im = 0 , cuyo módulo es: Modelo Equivalente del Inversor Monofásico con Fuente de Corriente
3 3
Vd V 2V Su uso principal es para grandes potencias con SCR (tendencia a desuso).

para S5: V A = − ; VB = − d ; VC = d , resulta: Tienen una ventaja, ya que pueden devolver energía a la red si la fuente de
3 3 3
corriente se construye con una bobina y un rectificador controlado.
Vd V 2Vd
Re = − ; Im = − d , cuyo módulo es:
3 3 3
OTROS INVERSORES. Inversor con Fuente de OTROS INVERSORES. Inversores de tres niveles
Corriente
L
TA+ DA+ TB+ DB+ TC+ DC+
Vd
T1 T2 T3
2
D1 D2 D3
T1 D1 T2 D2 T3 D3
I A B C
A iA B iB C iC
T4 T5 T6
O
D4 D5 D6
T4 D4 T5 D5 T6 D6
Vd
Inversor Trifásico con Fuente de Corriente 2
TA− DA− TB− DB− TC− DC−
I A Inversor Trifásico de Tres Niveles

B
C
Z Z Z
Modelo Equivalente del Inversor Trifásico con Fuente de Corriente

OTROS INVERSORES. Inversores de tres niveles OTROS INVERSORES. Inversores de tres niveles
DA DA
TA+ + TA+ + DA DA
TA+ + TA+
D+ D+ +
Vd/ Vd/ D+ D+
2 2 Vd/ Vd/
2 2
D1 D1
T1 T1
Io>0 Io<0 T1 D1
Io>0
T1 D1
Io<0
T4 D4 Vo=-Vd/2 T4
D4 Vo=-Vd/2 D4 Vo=-Vd/2 D4 Vo=-Vd/2
T4 T4
Vd/ Vd/
2 Vd/ Vd/
2
D- D- 2 2
D- D-
DA DA
TA- - TA- DA DA
- TA- TA-
- -
DA DA
TA+ + TA+ +
D+ D+
Vd/ Vd/
2 2 TA+
DA
TA+
DA
+ +
D+ D+
Vd/ Vd/
T1 D1
T1
D1 2 2
Io>0 Io<0
T1 D1 T1 D1
Io>0 Io<0
T4 D4
Vo=0 T4 D4
Vo=Vd/2
Vd/ Vd/ T4 D4
Vo=0 T4 D4 Vo=0
2 2
D- D-
DA DA Vd/ Vd/
TA- TA-
- - 2 2
D- D-
TA- DA DA
TA-
- -
DA DA
TA+ + TA+ +
D+ D+
Vd/ Vd/
2 2
DA DA
D1 D1 TA+ + TA+ +
T1 T1
Io>0 Io<0 Vd/
D+
Vd/
D+
2 2
Vo=-Vd/2 D4 Vo=0 T1 D1 T1 D1
T4 D4 T4
Io>0 Io<0
Vd/ Vd/
2 2
D-
DA
D-
D4 Vo=Vd/2 D4
Vo=Vd/2
DA T4 T4
TA- - TA- -
Vd/ Vd/
2 2
D- D-
DA DA
TA- TA-
DA DA - -
TA+ + TA+ +
D+ D+
Vd/ Vd/
2 2
D1 D1
T1 T1
Io>0 Io<0 Estados de una rama de inversor a tres niveles
D4 Vo=Vd/2 D4
Vo=Vd/2
T4 T4
Vd/ Vd/
2 2
D- D-
DA DA
TA- - TA- -
Estados de una rama de inversor a tres niveles
S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 S10 S11 S12
Tensiones entre Fase y Tensiones fase-neutro
Vd /2
iA iB iC
0
A B C
SA SB SC
Vd /2
Punto medio de la batería
VA0
VAN Z VBN Z VCN Z
VN0
Circuito Equivalente del Inversor Trifásico de tres niveles VAN VBN VCN VN0 SA SB SC
S1 1/2 -1/2 0 0 + - 0
La tensión VN0 se puede calcular aplicando el Teorema de Superposición: S2 2/3 -1/3 -1/3 -1/6 + - -
S3 1/2 0 -1/2 0 + 0 -
 Z   Z   Z  S4 1/3 1/3 -2/3 1/6 + + -
V N 0 = V A0  2  +V  2  +V  2 =
 Z + Z 
B 0
 Z + Z 
C 0
 Z + Z  S5 0 1/2 -1/2 0 0 + -
 2  2  2 S6 -1/3 2/3 -1/3 -1/6 - + -
(V A0 + V B 0 + VC 0 )
VN 0 = S7 -1/2 1/2 0 0 - + 0
3
S8 -2/3 1/3 1/3 1/6 - + +
Las tensiones VA0 ,VB0 y VC0 pueden tomar los valores: +Vd /2 , -Vd /2 y 0. S9 -1/2 0 1/2 0 - 0 +
S10 -1/3 -1/3 2/3 -1/6 - - +
Luego los posibles valores de VN0 serán: 0, ±Vd /6 , ±Vd /3 y ±Vd /2 S11 0 -1/2 1/2 0 0 - +
S12 1/3 -2/3 1/3 1/6 + - +
Tensiones y estados en un inversor de tres niveles

0.8
VAN VBN VCN SA SB SC 2 Niveles 3 Niveles
S1 1/2 -1/2 0 + - 0 0.6
S2 2/3 -1/3 -1/3 + - -

0.4
S3 1/2 0 -1/2 + 0 -
S4 1/3 1/3 -2/3 + + - 0.2
S5 0 1/2 -1/2 0 + -
S6 -1/3 2/3 -1/3 - + - 0
S7 -1/2 1/2 0 - + 0 0 0.125 0.25 0.375 0.5 0.625 0.75 0.875 t
S8 -2/3 1/3 1/3 - + + -0.2
S9 -1/2 0 1/2 - 0 +
S10 -1/3 -1/3 2/3 - - + -0.4
S11 0 -1/2 1/2 0 - +

-0.6
S12 1/3 -2/3 1/3 + - +
-0.8
Estados en un inversor de tres niveles Comparación de las tensiones de fase y sus armónicos entre un inversor
convencional de dos niveles y otro de tres niveles
jIm
S6 S5 S4
Componente
Fundamental
S7 S3
S2
S8
Re
S9 S1
S10 S11 S12
OTROS INVERSORES. Inversores de tres niveles OTROS INVERSORES. Inversores Multinivel

D1
T1+ +
D+
Im Vd
/5
D2
T2+ +
D+ D+
D3
T3+ + Tensión de Salida
Vd
D+ D+ D+
Vo=k*Vd
/5
D4
k= 1 4/5 3/5 2/5 1/5 0
Re
T4+ +
T1+ 1 0 0 0 0 0
Estado de interruptores
D+ D+ D+ D+
T2+ 1 1 0 0 0 0
T5+
D5 T3+ 1 1 1 0 0 0
Vd
+
Vo T4+ 1 1 1 1 0 0
/5
T5+ 1 1 1 1 1 0
T1- D1
-
T1- 0 1 1 1 1 1
T2- 0 0 1 1 1 1
Estados (27) en un inversor trifásico de tres niveles D- D- D- D- T3- 0 0 0 1 1 1
D2
ESTADO VA0 VB0 VC0 VN0 VAN VBN VCN =
T2-
- T4- 0 0 0 0 1 1
S0 -0,5 -0,5 -0,5 -0,50 0,00 0,00 0,00 S13,S26 T5- 0 0 0 0 0 1
Vd
S1 -0,5 -0,5 0 -0,33 -0,17 -0,17 0,33 S14 /5 D- D- D-
D3
S2 -0,5 -0,5 0,5 -0,17 -0,33 -0,33 0,67 T3- -
S3 -0,5 0 -0,5 -0,33 -0,17 0,33 -0,17 S16
S4 -0,5 0 0 -0,17 -0,33 0,17 0,17 S17
D- D-
S5 -0,5 0 0,5 0,00 -0,50 0,00 0,50 D4
T4-
S6 -0,5 0,5 -0,5 -0,17 -0,33 0,67 -0,33 -
S7 -0,5 0,5 0 0,00 -0,50 0,50 0,00
S8 -0,5 0,5 0,5 0,17 -0,67 0,33 0,33 Vd
D-
/5
S9 0 -0,5 -0,5 -0,33 0,33 -0,17 -0,17 S22 T5- D5
-
S10 0 -0,5 0 -0,17 0,17 -0,33 0,17 S23
S11 0 -0,5 0,5 0,00 0,00 -0,50 0,50
Vd
S12 0 0 -0,5 -0,17 0,17 0,17 -0,33 S25
S13 0 0 0 0,00 0,00 0,00 0,00 S0,S26
S14 0 0 0,5 0,17 -0,17 -0,17 0,33 S1 4/5Vd
S15 0 0,5 -0,5 0,00 0,00 0,50 -0,50
S16 0 0,5 0 0,17 -0,17 0,33 -0,17 S3
Inversor de 6 niveles. Tensión
S17 0 0,5 0,5 0,33 -0,33 0,17 0,17 S4 3/5Vd
entre una rama y el terminal
S18 0,5 -0,5 -0,5 -0,17 0,67 -0,33 -0,33
1/2Vd
negativo de la batería
S19 0,5 -0,5 0 0,00 0,50 -0,50 0,00
S20 0,5 -0,5 0,5 0,17 0,33 -0,67 0,33 2/5Vd
S21 0,5 0 -0,5 0,00 0,50 0,00 -0,50
S22 0,5 0 0 0,17 0,33 -0,17 -0,17 S9
S23 0,5 0 0,5 0,33 0,17 -0,33 0,17 S10 1/5Vd
S24 0,5 0,5 -0,5 0,17 0,33 0,33 -0,67
S25 0,5 0,5 0 0,33 0,17 0,17 -0,33 S12
0
S26 0,5 0,5 0,5 0,50 0,00 0,00 0,00 S0,S13 0 0.002 0.004 0.006 0.008 0.01 0.012 0.014 0.016 0.018 0.02

OTROS INVERSORES. Inversores Multinivel OTROS INVERSORES. Inversores Multinivel
2 3 4 5 6 7
Componente
Vd Fundamental Niveles
4/5 Vd
3/5 Vd
2/5 Vd
1/5 Vd
-1/5 Vd
-2/5 Vd
-3/5 Vd
-4/5 Vd
-Vd
t 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31
Armónicos
Vd Armónicos y Distorsión Armónica Total de VA0 en inversores Multinivel
4/5 Vd
3/5 Vd
1/2 Vd
2/5 Vd
1/5 Vd
0
t
3 5 7 9 11 13 15
Número de Niveles
Inversor de seis niveles: tensiones fase-neutro y fase-fase
OTROS INVERSORES. Inversores Multinivel
0,35
3 5 7 9
0,3
Armónicos
0,25
0,2
0,15
0,1
0,05
0
2 3 4 5 6 7
Armónicos 3, 5, 7 y 9 en inversores de diferentes niveles de tensión
Vd
2 Niveles
3 Niveles
4 Niveles
5 Niveles
6 Niveles
7 Niveles
Vd/2
0
t
Tensiones de salida en inversores multinivel

Tema 16. Inversores I. 35 de 35
INTRODUCCIÓN
TEMA 17. CONVERTIDORES CC/CA CON SALIDA

♦ Tema anterior: Inversores conmutando a bajas frecuencias:
SINUSOIDAL
♦ Formas de ondas cuadradas a frecuencia de red.
17.1 INTRODUCCIÓN ♦ Generación de armónicos de baja frecuencia.
17.2 ESTUDIO DE UNA RAMA DE UN PUENTE INVERSOR ♦ Alto coste de elementos reactivos para filtrado.
♦ No es posible controlar la amplitud de las tensiones alternas
17.2.1 Modulación Senoidal PWM generadas (en trifásica).
17.2.1.1 Armónicos ♦ Normalmente empleados en potencias muy elevadas (Empleo de
17.2.2 Sobremodulación convertidores multinivel).
17.2.2.1 Armónicos
♦ Este tema: Inversores conmutando a altas frecuencias:
17.2.3 Generación de Señales PWM con Microprocesadores
17.3 INVERSOR MEDIO PUENTE. ♦ Formas de ondas cuadradas de frecuencia mucho mayor que la de
17.4 INVERSOR PUENTE COMPLETO. la red.
17.4.1 Modulación Bipolar ♦ Generación de armónicos de alta frecuencia.
♦ Menor coste de elementos reactivos para filtrado.
17.4.2 Modulación Unipolar ♦ Control de la amplitud de las tensiones alternas generadas.
17.4.3 Comparación entre Modulación Bipolar y Unipolar ♦ Posibilidad de controlar las corrientes aplicadas a la carga.
17.4.4 Efecto de Tiempos Muertos ♦ Empleados en potencias más bajas:
17.5 PUENTE TRIFÁSICO ♦ Control de velocidad de motores AC.
17.5.1 Generación de Señales PWM Trifásicas ♦ Fuentes de alimentación ininterrumpidas (UPS).
♦ Conexión a red de sistemas de energías renovables.
17.5.2 Modulación “Space Vector”
17.5.3 PWM Modificado
17.5.3.1 Extensión del Indice de Modulación
17.5.3.2 Cancelación de Armónicos
17.5.4 Control de Corriente
Tema 16. Inversores II. 1 de 28 Tema 16. Inversores II. 2 de 28
ESTUDIO DE UNA RAMA DE UN PUENTE ESTUDIO DE UNA RAMA DE UN PUENTE

INVERSOR. Modulación Senoidal PWM INVERSOR. Modulación Senoidal PWM
Vd
2 TA + DA + ts = 1 f
io s
0
A V$tri
Vd TA − D A − V AN Vcont
2
N
Rama de un Puente Inversor − V$tri
ts = 1 f
s + Vd
V$tri V AO
2
Vcont
− Vd
− V$tri
2
+ Vd
2 V AO Formas de onda en una rama de un Puente Inversor
¾ fs=1/ts : Frecuencia de modulación (frecuencia de la onda triangular

que será constante).
¾ f1 : Frecuencia de la señal de control (puede ser variable).
− Vd
¾ Vˆcont : Máximo de la señal de control.
2
¾ Vˆtri : Máximo de la señal triangular (constante).
Formas de onda en una rama de un Puente Inversor
1 Vˆ
¾ ma = ˆ : Índice de modulación (podría ser >1)
cont
si Vcontrol > Vtri ⇒ TA + (on) ⇒ V AO = + Vd Vtri
2
1 fs
si Vcontrol < Vtri ⇒ TA − (on) ⇒ V AO = − Vd ¾ mf = : Relación de frecuencias.
2 f1

INVERSOR. Modulación Senoidal PWM INVERSOR. Armónicos
Si ma < 1 , La amplitud de la componente fundamental de V AO se puede obtener de:
ts
Si ma<1:
Si mf es grande, durante el tiempo ts la
señal de control no variará, y el valor
Vtri
ton medio ciclo a ciclo irá coincidiendo con el Los armónicos aparecen en forma de bandas laterales, alrededor de:
Va,cont valor de la senoide Va,cont ya que por
2V̂tri semejanza de triángulos: mf f1, 2 mf f1, 3 mf f1 ...
0
ton Vˆtri +Va,cont 2ton −ts Va,cont
t
V̂tri
= ⇒ =
ts 2Vˆtri ts Vˆtri ma ⇒
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
h⇓
Va V  t t − t  V  2t − t 
0
VA0 VAO = d  on − s on  = d  on s  1 (Fund.) 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
t 2  ts ts  2  ts  mf 1.242 1.15 1.006 0.818 0.601
mf±2 0.016 0.061 0.131 0.220 0.318
mf±4 0.018
Va,cont Vd 2mf±1 0.190 0.326 0.370 0.314 0.181
V AO = ⋅ (si Vcontrol ≤ Vˆtri )
Vˆtri 2 2mf±3 0.024 0.071 0.139 0.212
2mf±5 0.013 0.033
ω1
Si: f1 = , será: Vcontrol = Vˆcontrol ⋅ sen (ω 1 ⋅ t ) (Vˆcontrol ≤ Vˆtri ) 3mf 0.335 0.123 0.083 0.171 0.113
2π 3mf±2 0.044 0.139 0.203 0.176 0.062
3mf±4 0.012 0.047 0.104 0.157
ˆ V
(V AO )1 = Vcontrol
ˆ
⋅ sen(ω 1 ⋅ t ) ⋅
Vd
= ma ⋅ d ⋅ sen (ω 1 ⋅ t ) (ma ≤ 1)
3mf±6
4mf±1 0.163 0.157 0.008
0.016
0.105
0.044
0.068
Vtri 2 2
4mf±3 0.012 0.070 0.132 0.115 0.009
4mf±5 0.034 0.084 0.119
(Vˆ ) = m
AO a
V 
⋅ d 
para ma≤1
4mf±7 0.017 0.050
es decir,  2
Amplitudes de los Armónicos

INVERSOR. Armónicos INVERSOR. Armónicos
1,4 1.4
25 ma=0.2
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
1,2 1.2
1 1
0,8 0.8
0,6 0.6
0,4 75 0.4
1 49 51
0,2 99101 0.2
73 77
23 27 97 103
0 0
1.0
0.2
1
1
ma=1.0 Amplitudes de los primeros armónicos para ma entre 0.2 y 1.0,
0.9
para mf=25
0.8
0.7 mf=25
h⇓ ma⇒
25
0.6 0,2 0,4 0,6 0,8 1
0.5 1 0,2 0,4 0,6 0,8 1
0.4
21 0,018
23 27 23 0,016 0,061 0,131 0,22 0,318
0.3
47 53
25 1,242 1,15 1,006 0,818 0,601
0.2 4951 71
75
79
95 101 105
27 0,016 0,061 0,131 0,22 0,318
0.1
29 45 69
73
77
81 93
99
107
29 0,018
21 55
97 103
0
Armónicos para mf=25

INVERSOR. Armónicos INVERSOR. Sobremodulación
Si ma < 1 : La ventaja de ma ≤ 1 es que se tiene una relación lineal entre Vcontrol y la tensión
de salida, y además los armónicos que aparecen son de alta frecuencia (para m f
¾ Si m f es un número entero impar, entonces será:
alto). Para ma > 1 se habla de sobremodulación, el problema es que aparecen
1π armónicos de bajas frecuencias.
f (−t ) = − f (t ) y también f (−t ) = − f (t + ) (Función impar: Simetría
2ω
de media onda respecto al origen)
(V$ )
AO 1
lineal sobre-
Para mf=15
onda cuadrada
Esto implica que solo habrá armónicos impares y coeficientes de tipo seno. (en Vd modulación
fase con la señal). 2
4
= 1,278
¾ Al elegir fs se debe tener en cuenta que: π
- Cuanto mayor sea mf más fácil será filtrar los armónicos que aparecen. 1
- Pero si mf sube, fs también y, por tanto, las pérdidas de conmutación.
- Para la mayoría de las aplicaciones se elige fs <6 kHz (Altas potencias) ó

fs >20 kHz (para evitar el ruido audible en lo posible en bajas potencias).
- Sincronización para pequeños valores de mf (por ejemplo < 21) mf debe ser 1 3,24 ma
un entero impar, sino aparecen subarmónicos. Esto implica que fs debe
modificarse al variar f1: fs =mf f1. Tensión de salida normalizada en función de ma para mf=15
Para valores altos de mf esto no suele ser problema, ya que 4 Vd V 

los subarmónicos son de amplitud muy pequeña y se habla Si mf=15, para ma>3,24, será (onda cuadrada): (V$ )
AO 1 = ⋅
π 2
= 1,278 ⋅  d 
 2
(V̂ ) = (V h )
de PWM asíncrono (mf no entero). Debe tenerse en cuenta
que los subarmónicos de muy baja frecuencia (aunque
ˆ
AO 1
tengan una amplitud pequeña) pueden ocasionar grandes y AO h h= 3, 5, 7….
corrientes en cargas inductivas.
Al tratarse de una onda cuadrada no se puede controlar V AO ( ) 1
salvo variando Vd .

INVERSOR. Sobremodulación INVERSOR. Sobremodulación. Armónicos
Comparación entre ma=0.8 y ma=1.5 para ms=35
Armónico
Comparación entre ma=0.8 y ma=1.5 (sobremodulación) para ms=35

ESTUDIO DE UNA RAMA DE UN PUENTE INVERSOR MEDIO PUENTE
INVERSOR. Generación de Señales PWM con
Microprocesadores
Vtri Va C Vd/2 TA+ DA+
0 Z
0 Vd
t
C Vd/2 TA- DA-
Va
Configuración en Medio Puente
0
t
T1
T0
T0,T1= Instantes de Muestreo
Los condensadores consiguen un punto medio equivalente a tener una batería

con toma media. Las formas de onda son exactamente las mismas que las que se
Va acaban de estudiar.
Vtri
0
t
T1 T3
Va
0
T2 t
T0 T0,T1...= Instantes de Muestreo
Generación de Señales PWM con microprocesadores
INVERSOR PUENTE COMPLETO INVERSOR PUENTE COMPLETO. Comparación entre

Modulación Bipolar y Unipolar
1.5
Vsin Vsal Bipolar

TA+ DA+ TB+ DB+
1
Vd/2 A
Z B
0
io 0.5
Vd/2 TA- Vo= VA0 –VB0 TB- DB-

DA- 0
N
-0.5
Configuración en Puente Completo Monofásico
Son posibles las dos estrategias de disparo explicadas al estudiar los -1
convertidores DC/DC:
a) Bipolar: Se dispara TA + y TB − y a continuación TA − y TB + .

-1.5
1.5
Las tensiones V AO y VBO son idénticas a las explicadas para una rama simple, Vsin Vsal Unipolar
solo que V BO (t ) = −V AO (t ) , 1
luego: V AB (t ) = V AO (t ) − V BO (t ) = 2V AO (t ) , es decir, tendremos el doble de

tensión.
0.5
V$01 = ma ⋅ Vd (m a ≤ 1)
4
Vd < V$01 < Vd (ma > 1)
π
0
Lo explicado anteriormente respecto a los armónicos es válido.

-0.5
b) Unipolar: En este caso:
 Si Vcontrol > Vtri T A + on (V AN = Vd )
 Si V -1
 control < Vtri T A − on (V AN = 0 )


Si (-Vcontrol ) > Vtri TB + on (VBN = Vd ) -1.5
 Si (-Vcontrol ) < Vtri TB − on (VBN = 0 ) Comparación entre modulación Bipolar y Unipolar en un puente
monofásico. Para ma=0.8 y mf=22

INVERSOR PUENTE COMPLETO. Comparación entre INVERSOR PUENTE COMPLETO. Efecto de Tiempos Muertos
Modulación Bipolar y Unipolar
0.9
Bipolar Unipolar
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
t
1 4 7 10 13 16 19 22 25 28 31 34 37 40 43 46 49 52 55 58 61 64 67 70 73
armónico Efecto de los Tiempos Muertos en la Tensión de salida cuando la corriente

Comparación entre modulación Bipolar y Unipolar en un puente monofásico. Para cambia de signo
ma=0.8 y mf=22 t c − t alm
∆V A = −Vd sig (i A )
Interr. ON VAN VBN Vo =VAN –VBN TS
TA+TB- Vd 0 Vd
V(i<0)
TA-TB- 0 Vd -Vd
Vo(t)
TA+TB+ Vd Vd 0 Real
TA-TB- 0 0 0 V(i>0) Ideal
0
Estados Posibles de los interruptores en un Convertidor Puente Monofásico t
Como se vio al estudiar los convertidores DC/DC, la frecuencia de conmutación V(i<0) Efecto de los Tiempos
efectiva para Vo es 2fs, ya que se producen 4 conmutaciones en el periodo de una Muertos en la Tensión de
onda triangular con lo que se consigue alejar los armónicos de mf a 2mf ±1 (si mf Salida
es entero par). io(t)
I>0 I>0
Nótese que para la modulación unipolar, se escoge mf par, ya que en este caso el I<0 I<0
primer armónico de las tensiones VA y VB están desfasadas 180º. Luego la 0
t
diferencia de fases ΦAB = 180º mf=0º y por tanto desaparecen todos los armónicos
pares.
PUENTE TRIFÁSICO PUENTE TRIFÁSICO. Generación de Señales PWM Trifásicas
Va
TA+ DA+ TB+ DB+ TC+ DC+
Vd/2
N1 iA iB iC
A C Vtri
B
Vb
TA- DA- TB- DB- TC- DC-
Vd/2 0
t
V V$ Vc
V$AN 1 = ma ⋅ d con m a = cont
2 V$T
3 V
V LL1RMS = ⋅ ma ⋅ d = 0,612 ⋅ ma ⋅ Vd
2 2 Va
0
Formas de ondas t
Vtri Vcontrol,A Vcontrol,B Vcontrol,C Vb

0
t
Vc
0
0 t
t
S0 S1 S2 S7 S2 S1 S0
Generación de señales trifásicas PWM

Generación de las Señales de Control para un Puente Trifásico

PUENTE TRIFÁSICO. Modulación “Space Vector” PUENTE TRIFÁSICO. Modulación “Space Vector”
Para conseguir el vector S*, se puede Una variante consiste en:
conmutar entre los adyacentes S1, S2 y jIm
S0 (o S7). Los tiempos de duración de S2
S3
cada estado se pueden obtener de:
jIm ( D1 S1 + D2 S 2 ) = S *
S3 S2 dónde Di es la fracción del tiempo de
muestreo que se aplica el vector i. S*
α S1
S4
S*
La solución del sistema de ecuaciones Re
es:
α S1
 1 
S4 D1 = ma  cosα − sen α 
Re  3  S0, S7
2 S5 S6
D2 = m a sen α
S0, S7 3
D0 = 1 − D1 − D2 En cada ciclo la secuencia de estados y sus duraciones son:
S5 S6
Dónde ma es el índice de modulación
S* S0 S1 S2 S1 S0
de amplitud = --- +-- ++- +-- ---
Si
t0 /2 t1 /2 t2 t1 /2 t0 /2
En cada ciclo la secuencia de estados y sus duraciones (ti=Di *ts) son:
O bien
Ciclos impares Ciclos pares
S7 S2 S1 S2 S7
S0 S1 S2 S7 S7 S2 S1 S0 +++ ++- +-- ++- +++
--- +-- ++- +++ +++ ++- +-- --- t0 /2 t2 /2 t1 t2 /2 t0 /2
t0 /2 t1 t2 t0 /2 t0 /2 t1 t2 t0 /2
De esta forma el número de conmutaciones se minimiza, ya que ahora el número
De esta forma el número de conmutaciones se minimiza (sólo hay una de conmutaciones por ciclo es 4 (antes eran 6) .
conmutación de rama en cada transición)
Esto permite subir la frecuencia de conmutación (*3/2) con las mismas pérdidas.
PUENTE TRIFÁSICO. Modulación “Space Vector” PUENTE TRIFÁSICO. PWM Modificado. Extensión del
Indice de Modulación
t
t
Modulación SV con ma=0.8, mf=35*1.5
Tensiones de Fase y Línea al añadir un Tercer Armónico de amplitud ¼ de la

fundamental.
La tensión línea-línea que se consigue es 1.124*VLL (Valor máximo posible con

esta estrategia)
Armónico
Comparación entre modulación PWM y SV

PUENTE TRIFÁSICO. PWM Modificado. Extensión del PUENTE TRIFÁSICO. Cancelación de Armónicos
Indice de Modulación
Otra posibilidad es (para 0.9*Vd/2):
ωt
t
a) Vo=0.8Vd/2
El valor máximo alcanzable es 1.156*Vd/2 y fmax*3/2

ωt
b) Vo=0.2Vd/2
• Precalculando α1, α2 y α3 se controla la amplitud de la señal.

t • Simetría respecto al origen: No armónicos pares.
• Con tres cortes por semiciclo:
• 7 Conmutaciones.
• Se eliminan los armónicos 5 y 7.
• El tercer armónico y sus múltiplos se cancelan en los inversores
trifásicos.
• Es necesario comparar con otras estrategias (mf=7)
MODULACIÓN PWM. Control de Corriente MODULACIÓN PWM. Control de Corriente

a) Control Bang-Bang (Banda de Histéresis) b) Control de Corriente a Frecuencia Constante
Vd DA +
TA + Modulador PWM Medida de
2 iA corriente
Consigna iA
A iAerr
Vcont
Controlador
L + iA/C A
Vd TA − N
+
DA −
Inversor
Comparador
PI
2 B
Corriente Real iAMedida C
Consigna de Corriente
Vtri iB/C
iC/C
1/fs
Control PI de la Corriente
Frecuencia
V AN variable El control de corriente (ambos métodos) son muy usados en:
♦ Control de motores de inducción.
♦ Inyección de potencia procedente de fuentes de energías alternativas en la red.
Nótese que la consigna de corriente puede elegirse de manera que:

Medida de
corriente
♦ Esté en fase con la tensión de la red. La red trabaja con el inversor como si fuese
Consigna iA
iAerr una resistencia.

♦ Esté desfasado 180º con la tensión de la red. La red cede energía activa al
+ iA/C A
inversor.
+
Inversor
Comparador ♦ Tenga un desfase en adelanto o retraso con la tensión de la red. La red toma o
B
cede energía activa o reactiva. Esto permite su uso como compensador de
iAMedida C energía reactiva.
♦ Se pueden introducir desequilibrios entre las corrientes de las fases. Esto
permite compensar las corrientes que están circulando por otra carga
Vtri iB/C desequilibrada.
Banda iC/C
de Histé- ♦ Se pueden incorporar armónicos en las corrientes. Esto permite compensar los
resis armónicos de las corrientes que están inyectando las cargas conectadas a la red.
Control Bang-Bang de un Inversor

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GENERALIDADES

¾ Años 50: SCR.

1.3.1. Cálculo de Armónicos. El objetivo de la ELECTRONICA DE POTENCIA es:

1.3.2. Potencia. “Modificar, utilizando dispositivos de estado sólido, la forma de

Roff=∞, VBD= ∞, Ton=0 Ron=0, Ion= ∞, Toff=0

a) Interruptor Abierto b) Interruptor Cerrado

Otras características a tener en cuenta son: coste del dispositivo y de los

Ejemplo simple con un solo interruptor.

• Microprocesadores/DSP • Interruptores % de error sobre el valor máximo.

Ecuaciones fundamentales de Bobinas y Condensadores

Funcionamiento de una Bobina al aplicar una tensión constante

Suponiendo como condición inicial i(0)=0, cuando V se hace positivo en t=0, el

Circuito equivalente en el primer intervalo

Circuito equivalente en el segundo intervalo

⇒ El funcionamiento en régimen permanente es una sucesión de

Estas condiciones de contorno se complementan con la condición de

1 T 2 armónico de orden 1 se le denomina también componente fundamental.

En este caso son de utilidad las fórmulas siguientes:

donde xi son las variables de estado del sistema y ui las entradas.

Cuando las funciones f i no dependen del tiempo, el sistema se denomina

Tema 1. Introducción al Modelado y Análisis de Circuitos de Potencia. Transparencia 21 de 21

Para T=300ºK, ni=1.5 1010 elect./cm3

2.3. POLARIZACIÓN INVERSA.

2.3.1. Técnicas para elevar la tensión VRRM Concentración de Portadores Minoritarios:

2.3.1.1. Biselado p0 n0 = ni2 ; p0 + N d = n0 + N a Minoritarios Mayoritarios

2.3.2. Características de Catalogo ni2 ni2

Tema 2. Diodo de Potencia. Transparencia 1 de 14 Tema 2. Diodo de Potencia. Transparencia 2 de 14

vD A : Área de la sección perpendicular al plano del dibujo, es

Sección de un diodo de potencia típico mostrando su estructura de tres capas.

Efecto de la concentración de impurezas en la tensión inversa y en la caída en

Tema 2. Diodo de Potencia. Transparencia 3 de 14 Tema 2. Diodo de Potencia. Transparencia 4 de 14

Principales características de los diodos de potencia

Tema 2. Diodo de Potencia. Transparencia 5 de 14 Tema 2. Diodo de Potencia. Transparencia 6 de 14

CÁTODO Unión pn. Proceso de difusión

biselado de los bordes de un diodo de tres capas.

Unión p-n empleando anillos de guarda.

Tema 2. Diodo de Potencia. Transparencia 7 de 14 Tema 2. Diodo de Potencia. Transparencia 8 de 14

Características de Catálogo en Polarización Inversa:

• Tensión inversa de trabajo, VRWM : Máxima tensión inversa que puede

Tema 2. Diodo de Potencia. Transparencia 9 de 14 Tema 2. Diodo de Potencia. Transparencia 10 de 14

iD El tiempo de recuperación inversa es el mayor de los dos tiempos de

Tema 2. Diodo de Potencia. Transparencia 11 de 14 Tema 2. Diodo de Potencia. Transparencia 12 de 14

• Bloqueo: Se suelen despreciar. ÁNODO

Característica I-V de un diodo Schottky

Tema 2. Diodo de Potencia. Transparencia 13 de 14 Tema 2. Diodo de Potencia. Transparencia 14 de 14

3.4. TRANSISTOR DARLINGTON Valores máximos de VCE : Definición de Corte:

BVCB0>BVCE0>BVSUS de IC= -α IE+IC0 ; -IE=IC+IB ;

Ventajas de la estructura vertical:

Los dispositivos de potencia que estudiaremos en este curso se construyen

• Reduce la focalización de la corriente debida al potencial de la base causante

• Reduce el valor de RB (disminuye pérdidas y aumenta la frecuencia fT ).

En activa al subir IB, IC↑ ⇒ VCE↓ (=VCC - ICR ).

Base IeTA Emisor

Montaje Darlington para Grandes Corrientes.

Colector Vcc Colector Vcc

IC Interruptor BJT conmutando una IC Interruptor BJT conmutando una

Proceso de conmutación: Corte

Tierra digital Tierra de

La potencia media disipada en el período T será por tanto:

β VCE0 β VCB0 VCE

Tema 3. Transistor Bipolar de Potencia. Transparencia 17 de 17

Tema 4. MOS. Transparencia 1 de 18 Tema 4. MOS. Transparencia 2 de 18

Zonas de funcionamiento del transistor MOS:

Zona de corte, VGS<VT , iD≅0 ; el transistor se considera un interruptor abierto.