INSTITUTO POLITCNICO NACIONAL. ESIME ZACATENCO.

ASIGNATURA: DISPOSITIVOS PROFESOR: MEDINA VILLASEOR EMMANUEL

ALUMNOS: BONILLA MANZANO EVARISTO. HERNNDEZ BAUTISTA FLORENTINO. VARGAS HERNNDEZ ADRIN.

GRUPO: 5CM6. TRABAJO: ALTAVOZ DE PLASMA.

INTRODUCCIN:

El presente texto trata sobre el desarrollo de un altavoz de plasma (transductor electro acstico) el cual es presentado como trabajo final para la asignatura de DISPOSITIVOS.

Se escogi este trabajo por que cumple con los requerimientos necesarios establecidos por el profesor que imparte dicha asignatura que son: Realizar un proyecto que utilice mnimo uno de los siguientes dispositivos, diodos (rectificadores, zener, shottky), transistor (JFET, MOSFET, BJT).

En este caso utilizaremos diodos rectificadores y un MOSFET, en primera instancia hablaremos de los materiales que se utilizaran, posteriormente una breve pero concisa referencia de dichos dispositivos.

MATERIALES:
y y y y y y y y y y y y y y y

1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1

- TL494 - 200uF (o 220uF) - 50v capacitor electroltico - 47nF capacitor - 100nF - 10nF capacitor - 2.2K - 10 - UF4007 diodo - 10K Resistencia variable o pot - 22K Resistencia variable o pot - IRF540 MOSFET - Flyback - transformador 12v -Placaparapistas.

1 - diodo led

Marco teora:

En este proyecto en especfico tocaremos nicamente los temas de diodos y el mosfet que son los dos dispositivos de los cuales est compuesto este proyecto.

Diodo semiconductor.
Un diodo semiconductor moderno est hecho de cristal semiconductor como el silicio con impurezas en l para crear una regin que contiene portadores de carga negativos (electrones), llamado semiconductor de tipo n, y una regin en el otro lado que contiene portadores de carga positiva (huecos), llamado semiconductor tipo p. Las terminales del diodo se unen a cada regin. El lmite dentro del cristal de estas dos regiones, llamado una unin PN, es donde la importancia del diodo toma su lugar. El cristal conduce una corriente de electrones del lado n (llamado ctodo), pero no en la direccin opuesta; es decir, cuando una corriente convencional fluye del nodo al ctodo (opuesto al flujo de los electrones, desde que los electrones tengan carga negativa). Cuando se somete al diodo a una diferencia de tensin externa, se dice que el diodo est polarizado, pudiendo ser la polarizacin directa o inversa.

Polarizacin directa de un diodo

Para que un diodo est polarizado directamente, se debe conectar el polo positivo de la batera al nodo del diodo y el polo negativo al ctodo.

Polarizacin inversa de un diodo

En este caso, el polo negativo de la batera se conecta a la zona p y el polo positivo a la zona n, lo que hace aumentar la zona de carga

espacial, y la tensin en dicha zona hasta que se alcanza el valor de la tensin de la batera, tal y como se explica a continuacin: En esta situacin, el diodo no debera conducir la corriente; sin embargo, debido al efecto de la temperatura se formarn pares electrn-hueco (ver semiconductor) a ambos lados de la unin produciendo una pequea corriente (del orden de 1 A) denominada corriente inversa de saturacin. Adems, existe tambin una denominada corriente superficial de fugas la cual, como su propio nombre indica, conduce una pequea corriente por la superficie del diodo; ya que en la superficie, los tomos de silicio no estn rodeados de suficientes tomos para realizar los cuatro enlaces covalentes necesarios para obtener estabilidad. Esto hace que los tomos de la superficie del diodo, tanto de la zona n como de la p, tengan huecos en su orbital de valencia con lo que los electrones circulan sin dificultad a travs de ellos. No obstante, al igual que la corriente inversa de saturacin, la corriente superficial de fuga es despreciable. Una vez teniendo la referencia de lo que hace un diodo pasaremos a lo que son las aplicaciones que se les dan a estos dispositivos y que son las que usaremos en este trabajo estas dos aplicaciones son el diodo rectificador y el diodo semiconductor emisor de luz (LED). LED Cuando un led se encuentra en polarizacin directa, los electrones pueden recombinarse con los huecos en el dispositivo, liberando energa en forma de fotones. Este efecto es llamado electroluminiscencia y el color de la luz (correspondiente a la energa del fotn) se determina a partir de la banda de energa del semiconductor.

El funcionamiento normal consiste en que, en los materiales semiconductores, un electrn al pasar de la banda de conduccin a la de valencia, pierde energa; esta energa perdida se puede manifestar en forma de un fotn desprendido, con una amplitud, una direccin y una fase aleatoria. El que esa energa perdida cuando pasa un electrn de la banda de conduccin a la de valencia se manifieste como un fotn desprendido o como otra forma de energa (calor por ejemplo) va a depender principalmente del tipo de material semiconductor. Cuando un diodo semiconductor se polariza directamente, los huecos de la zona p se mueven hacia la zona n y los electrones de la zona n hacia la zona p; ambos desplazamientos de cargas constituyen la corriente que circula por el diodo.

Puente de diodos. Lo que pasa al conectar los diodos como se ve en la figura siguiente es una rectificacin de una seal en este caso es del voltaje y se le denominacircuito rectificador de onda completa, es el que se utiliza si lo que se desea es utilizar todo el voltaje del secundario del transformador (en el caso de un transformador con derivacin central). Cuando se utiliza la derivacion puesta a tierra, en el circuito con transformador de derivacin central, la tensin de salida depende de la mitad de la tensin del secundario

En este circuito el transformador es alimentado por una tensin en corriente alterna. Los diodos D1 y D3 son polarizados en directo en el semiciclo positivo, los diodos D2 y D4 son polarizados en sentido inverso. Ver que la corriente atraviesa la resistencia de carga RL.

En el semiciclo negativo, la polaridad del transformador es el inverso al caso anterior y los diodos D1 y D3 son polarizados en sentido inverso y D2 y D4 en sentido directo. La corriente como en

el caso anterior tambin pasa por la carga RL. En el mismo sentido que en el semiciclo positivo.

La salida tiene la forma de una onda rectificada completa. Esta salida es pulsante y para "aplanarla" se pone un condensador (capacitor) en paralelo con la carga. Este capacitor se carga a la tensin mxima y se descargar por RL mientras que la tensin de salida del secundario del transformador disminuye a cero ("0") voltios, y el ciclo se repite. Ver las figuras.

Mosfet.
MOSFET son las siglas de Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor. Consiste en un transistor de efecto de campo basado en la estructura MOS. Es el transistor ms utilizado en la industria microelectrnica. Prcticamente la totalidad de los circuitos integrados de uso comercial estn basados en transistores MOSFET.

Un transistor MOSFET consiste en un sustrato de material semiconductor dopado en el que, mediante tcnicas de difusin de dopantes, se crean dos islas de tipo opuesto separadas por un rea sobre la cual se hace crecer una capa de dielctrico culminada por una capa de conductor. Los transistores MOSFET se dividen en dos tipos fundamentales dependiendo de cmo se haya realizado el dopaje:
y

Tipo nMOS: Sustrato de tipo p y difusiones de tipo n. Tipo pMOS: Sustrato de tipo n y difusiones de tipo p. y

Las reas de difusin se denominan fuente(source) drenador(drain), y el conductor entre ellos es la puerta(gate). El transistor MOSFET tiene tres estados de funcionamiento: Estado de corte

Cuando la tensin de la puerta es idntica a la del sustrato, el MOSFET est en estado de no conduccin: ninguna corriente fluye entre fuente y drenador. Tambin se llama mosfet a los aislados por juntura de dos componentes. Conduccin lineal Al polarizarse la puerta con una tensin negativa (pMOS) o positiva (nMOS), se crea una regin de deplexin en la regin que separa la fuente y el drenador. Si esta tensin crece lo suficiente, aparecern portadores minoritarios (electrones en pMOS, huecos en nMOS) en la regin de deplexin que darn lugar a un canal de conduccin. El transistor pasa entonces a estado de conduccin, de modo que una diferencia de potencial entre fuente y drenador dar lugar a una corriente. El transistor se comporta como una resistencia controlada por la tensin de puerta.

Saturacin Cuando la tensin entre drenador y fuente supera cierto lmite, el canal de conduccin bajo la puerta sufre un estrangulamiento en las cercanas del drenador y desaparece. La corriente entre fuente y drenador no se interrumpe, ya que es debido al campo elctrico entre ambos, pero se hace independiente de la diferencia de potencial entre ambos terminales. Ventajas La principal aplicacin de los MOSFET est en los circuitos integrados, p-mos, n-mos y c-mos, debido a varias ventajas sobre los transistores bipolares:
y y

y y

Consumo en modo esttico muy bajo. Tamao muy inferior al transistor bipolar (actualmente del orden de media micra). Gran capacidad de integracin debido a su reducido tamao. Funcionamiento por tensin, son controlados por voltaje por lo que tienen una impedencia de entrada muy alta. La intensidad que circula por la puerta es del orden de los nanoamperios. Un circuito realizado con MOSFET no necesita resistencias, con el ahorro de superficie que conlleva. La velocidad de conmutacin es muy alta, siendo del orden de los nanosegundos. Cada vez se encuentran ms en aplicaciones en los convertidores de alta frecuencias y baja potencia.

La aplicacin que le daremos a estos dispositivos es la siguiente:

-Diodo semiconductor emisor de luz (Led). Lo utilizaremos como indicador de que el circuito est funcionando, ya que el led se prendera y adems como indicador de que estamos ocupando poca corriente en nuestro circuito. -Diodo semiconductor. Este dispositivo ser utilizado como un puente de diodos que se explic anteriormente, ser usado como un rectificador de onda completa. -Mosfet. Utilizaremos este dispositivo para realizar un circuito de conmutacin de potencia.

Diagrama:

Lo que este circuito realiza es la modulacin por ancho de pulso (PWM) de una seal externa en este caso de msica al conectar un reproductor, esto atreves de un arco elctrico que se forma entre dos terminales que son (+) y (-), solo que en este caso todo se genera desde la parte (-), entonces este arco va hacer el que transporte la seal y es generado por el Flyback, la otra parte del circuito se encarga de hacer la transiscion de la seal para que esta sea audible al odo humano.