Proprietés Physique Meca Des Materiaux

PROPRITS PHYSIQUES, MCANIQUES, ET
LECTRONIQUES DES MATRIAUX SOLIDES

Roland FORTUNIER
Centre Micro-lectronique de Provence
Dpartement Packaging et Supports Souples
Avenue des anmones
13541 - GARDANNE
quipe enseignante 2005-2006 :
Frdric BAROU, Guillaume BATTAIA, Sbastien BOISSIERE,
Stphanie DECLAIR, Mourad LAKHSSASSI, Claire MAURICE,
Jacques MOUTTE, Amed RAIHANE, Franois VALDIVIESO,
Sbastien VILLERT, Krzysztof WOLSKI
version 3.0 du 30 Novembre 2005
2
Table des matires
Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
PREMIRE PARTIE. LLECTRON . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
Chapitre 1. Description physique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
1.1. Description dune onde . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
1.1.1. Onde plane . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
1.1.2. Paquet donde . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
1.1.3. Vitesse de groupe . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
1.1.4. Relation dincertitude . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18
1.2. Description dune particule . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
1.2.1. Fonction donde . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
1.2.2. Onde de de Broglie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
1.2.3. Principe de superposition . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22
Chapitre 2. quations de mouvement . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
2.1. quation de Schrdinger . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
2.1.1. Mise en place . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
2.1.2. tats stationnaires . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26
2.1.3. Cas limite de la mcanique classique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
2.2. Particule dans un puits de potentiel . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
2.2.1. Description et rsolution . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
2.2.2. Exemples . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31
2.2.3. Particule dans une bote . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32
2.3. Oscillateur harmonique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35
2.3.1. Description et rsolution . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35
2.3.2. Exemples . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39
Chapitre 3. Grandeurs physiques, mesures . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41
3.1. Oprateurs ou Observables . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41
3.1.1. Dnition . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41
3.1.2. Exemples . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44
5
6 P2MEMS
3.2. Moment cintique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46
3.2.1. Dnition . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46
3.2.2. Valeurs propres et fonctions propres . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48
3.3. Premire description des atomes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51
3.3.1. quation de Schrdinger . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51
3.3.2. Moment cintique intrinsque - spin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53
3.3.3. Classication des lments chimiques . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54
Chapitre 4. tudes de cas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 57
4.1. Le paquet donde gaussien . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 57
4.2. Le rayonnement du corps noir . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 58
4.3. Le modle de Bohr . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 59
4.4. Particule dans une bote 1D innie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60
4.5. Le microscope effet tunnel . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60
4.5.1. La marche de potentiel . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 61
4.5.2. La barrire de potentiel . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 61
4.5.3. Le microscope STM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62
4.6. Spectroscopie de la molcule HCl . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62
4.6.1. Rgles de slection . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62
4.6.2. Populations des niveaux dnergie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 63
4.7. Le laser . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 64
4.7.1. Le laser deux niveaux . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65
4.7.2. Le laser trois niveaux . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 66
4.7.3. Questions complmentaires . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 66
DEUXIME PARTIE. LE SOLIDE CRISTALLIN . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 67
Chapitre 5. Rseau cristallin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 69
5.1. Classication des structures . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70
5.1.1. Rseau de Bravais . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70
5.1.2. Motif, ranges, plans . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 72
5.1.3. Allotropie, structures non cristallines . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75
5.2. Structures cristallines usuelles . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 77
5.2.1. Chlorure de sodium et chlorure de csium . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 77
5.2.2. Structure cubique faces centres (cfc) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 78
5.2.3. Structure cubique centre (cc) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 79
5.2.4. Structure hexagonale compacte (hc) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 79
5.2.5. Structure diamant . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 81
Chapitre 6. Interaction onde-rseau . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 83
6.1. Modlisation de linteraction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 84
6.1.1. Loi de Bragg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 84
6.1.2. Rseau rciproque . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 85
6.1.3. Loi de Bragg gnralise . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 86
6.2. Effets de structure . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 90
6.2.1. Zones de Brillouin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 90
6.2.2. Facteur de structure . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 93
Table des matires 7
Chapitre 7. Liaisons cristallines . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 95
7.1. Diffrents types de liaisons . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 95
7.1.1. Liaison atomique ou de Van der Waals . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 95
7.1.2. Liaison ionique ou htropolaire . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 98
7.1.3. Liaison covalente ou homopolaire . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 99
7.1.4. Liaison mtallique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 101
7.1.5. Autres liaisons . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 102
7.2. Phonons . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 103
7.2.1. Vibration des rseaux monoatomiques . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 103
7.2.2. Vibration de rseaux diatomiques . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 105
7.2.3. Densit de modes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 106
7.2.4. Capacit calorique dun cristal . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 109
7.2.4.1. Modle dEinstein . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 110
7.2.4.2. Modle de Debye . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 111
Chapitre 8. Dfauts dans les cristaux . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 113
8.1. Dfauts ponctuels . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 113
8.1.1. Dnition . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 113
8.1.2. Diffusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 117
8.2. Dislocations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 118
8.2.1. Concept . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 118
8.2.2. Dnition . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120
Chapitre 9. tudes de cas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 123
9.1. Le carbone sous toutes ses formes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 123
9.1.1. Graphite et Diamant . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 123
9.1.2. Le fullerne . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 124
9.1.3. Les nanotubes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 125
9.2. Le rseau rciproque . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 126
9.2.1. Ranges cristallines et plans rticulaires . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 126
9.2.2. Microscopie lectronique en transmission . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 127
9.3. Le module dYoung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 128
9.3.1. Module et potentiel dinteraction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 128
9.3.2. rigidit dune poutre . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 128
9.4. Diffraction des rayons X . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 129
9.4.1. Nombre et nature des phases . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 130
9.4.2. Etude de la phase Pb . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 130
9.4.3. Facteur de structure du silicium . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 131
9.5. Limite dlasticit des cristaux mtalliques . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 131
9.5.1. Glissement simple . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 131
9.5.2. Glissement double . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 132
TROISIME PARTIE. LES LECTRONS DANS UN SOLIDE . . . . . . . . . . . . . . 135
Chapitre 10. Modle de Drude . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 137
10.1.Description du modle . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 137
8 P2MEMS
10.1.1.Le gaz dlectrons . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 137
10.1.2.Les collisions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 139
10.2.Quelques proprits physiques . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 140
10.2.1.Conductivit lectrique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 140
10.2.2.Conductivit thermique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 142
10.2.3.Interaction avec un rayonnement lectromagntique . . . . . . . . . . . . . . . . 143
Chapitre 11. Modle de Sommerfeld . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 147
11.1.1.Approximation des lectrons libres . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 147
11.1.2.Distribution de Fermi-Dirac . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150
11.2.1.Capacit calorique des lectrons . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 152
11.2.2.Conductibilit lectrique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 155
11.2.3.Loi de Wiedemann-Franz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 157
11.2.4.Surfaces libres . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 158
Chapitre 12. Bandes dnergie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 161
12.1.1.lectron dans Potentiel priodique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 161
12.1.2.Apparition de bandes interdites . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 165
12.1.3.Approximation de Krnig-Penney . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 167
12.2.1.Surface de Fermi . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 171
12.2.2.Classication des matriaux . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 172
Chapitre 13. Cristaux semi-conducteurs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 177
13.1.Reprsentation nergtique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 177
13.1.1.Densit dtats . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 177
13.1.2.Occupation des niveaux . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 181
13.2.Proprits de conduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 184
13.2.1.Semi-conducteur intrinsque . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 184
13.2.2.Semi-conducteur extrinsque . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 186
13.2.2.1.Semi-conducteurs de type n . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 186
13.2.2.2.Semi-conducteurs de type p . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 187
13.2.2.3.Position du niveau de Fermi . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 188
Chapitre 14. tudes de cas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 191
14.1.Leffet thermo-lectrique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 191
14.1.1.Le pouvoir thermo-lectrique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 191
14.1.2.Leffet Seebeck . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 193
14.2.Capteurs effet Hall . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 194
14.2.1.Caractrisation de semi-conducteurs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 194
14.2.2.Capteurs de position . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 196
14.3.Conductivit lectrique et temprature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 196
14.4.Jonction PN . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 198
Table des matires 9
14.4.1.Modle de la jonction abrupte lquilibre . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 198
14.4.2.Polarisation de la jonction abrupte . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 199
14.4.3.Le transistor bipolaire . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200
14.5.Plaquettes de lithium . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 201
Annexes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 203
A. Tableau des constantes utilises . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 203
Bibliographie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 205
Index . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 207
10
Introduction
La complexit du monde ne saborde pas uniquement en utilisant des outils, aussi sophistiqus
soient-ils. Elle ne saborde pas non plus en construisant les couches successives dun dice scien-
tique unique. Elle doit saborder aujourdhui avec une grande ouverture desprit, et une insatiable
curiosit, qui mettront prot vos capacits dabstraction actuelles et futures. Lobjectif de ce cours
nest donc pas de vous donner une liste de matriaux, avec leurs principales proprits, mais plu-
tt de vous expliquer comment ils sont structurs, do viennent ces proprits, et les principaux
modles qui servent les reprsenter et les prvoir.
La premire partie est une brve introduction un outil majeur de la physique moderne : la
mcanique quantique. Nous nous contentons des bases physiques de cet outil, souvent rassembles
sous le nom de mcanique ondulatoire. Ces bases physiques illustrent bien louverture desprit dont
doit faire preuve un scientique en gnral, et un ingnieur en particulier. En effet, pour les mettre
en place, il a fallu se sortir du contexte habituel de description dune particule par une position, une
vitesse et une nergie, pour aboutir une approche probabiliste dans laquelle la particule devient
comparable une onde lectromagntique.
Dans la seconde partie, nous dcrivons les principaux solides qui nous entourent comme des ar-
rangements priodiques datomes. Cette partie se situe donc volontairement une chelle beaucoup
plus macroscopique que la prcdente. On y voit cependant vite que la cohsion des solides est direc-
tement fonction des nergies de liaison entre les atomes qui les constituent, et donc de leur structure
lectronique. On se rend alors compte que les lectrons jouent un rle fondamental dans les diff-
rentes proprits des solides qui nous entourent, proprits aussi bien mcaniques qulectriques,
optiques, thermiques, . . .
Dans la troisime partie, les principaux modles de description des lectrons dans un solide sont
donns, du plus rustique (gaz dlectrons libres) au plus sophistiqu (bandes dnergie). Chaque
modle est utilis pour dcrire certaines proprits des solides cristallins. Nous voyons que le modle
le plus sophistiqu nest pas toujours ncessaire. Ceci illustre le fait que modliser nest rien dautre
que simplier. Toutefois, nous voyons que le simple classement des matriaux comme mtaux ou
isolants ncessite un modle sophistiqu. Cette partie se termine par une introduction la physique
des semi-conducteurs, qui est une parfaite illustration des proprits vues auparavant.
Ce survol de la physique applique aux matriaux solides poursuit deux objectifs principaux. Il
se veut dune part une formation terminale destine ceux qui nen entendront plus jamais parler, et
11
12 P2MEMS
dautre part une formation ouverte destine ceux qui dsirent poursuivre dans un domaine connexe
tel que la micro-lectronique, la science des matriaux, la mcanique, le gnie des procds, lner-
gtique, . . . Pour cela, le contenu de ce document est illustr la n de chaque partie par une srie
dexercices donnant soit un clairage nouveau sur certains points du cours (rayonnement du corps
noir, particule dans une bote 1D, module dYoung, rseau rciproque, . . . ), soit des applications
concrtes des notions abordes (microscopie effet tunnel, LASER, jonction PN, . . . ).
PREMIRE PARTIE
LLECTRON
13
14
Chapitre 1
Description physique
Comment doit-on dcrire physiquement un lectron ? Il nous vient naturellement lesprit quun
lectron est une particule de masse m = 9, 10953.10
31
kg et de charge e = 1, 60219.10
19
C.
Toutefois, certaines expriences faites dans les annes 1920 montrent que ces particules ont un ca-
ractre ondulatoire. Par exemple, Davisson et Germer ont mis en vidence la diffraction des lectrons
par un rseau cristallin. La gure gomtrique obtenue est alors identique celle produite par des
rayons X.
Dans ce chapitre, nous donnons les outils de base de description des lectrons. Ces outils reposent
en fait sur ceux servant dcrire les ondes. Nous abordons donc dans un premier temps la description
dune onde, avant dcrire les postulats de description des lectrons dans un cadre quantique.
1.1. Description dune onde
1.1.1. Onde plane
Londe plane est la schmatisation la plus simple dune onde. La description dune onde plane se
fait sous la forme de la fonction suivante :
(
r , t) = ae
i(

k .

r t)
(1.1)
Dans cette expression, des quantits importantes sont introduites :
k est le vecteur donde (en m

1
),
r est le vecteur position (en m),

est la pulsation (en s
1
ou Hertz),
t est le temps (en s),
a est lamplitude donde (si
dsigne le nombre complexe conjugu de , alors a

2
=
).
15
16 P2MEMS
On constate sur lquation 1.1 que, si t est modi en t +t et
r en
r +
r , alors la fonction
ne sera pas modie si
r = (/|
k |)t
n , o

n est le vecteur unitaire de la direction

k ,
cest--dire

n =

k /|
k |. On en dduit que londe plane dcrite par la fonction 1.1 se propage

la vitesse /|
k | dans la direction du vecteur donde
k . Dans le vide, les ondes se propagent la

vitesse de la lumire c. On a donc = |
k |c.
Les ondes sont souvent classes par longueur donde ou par frquence . La longueur donde
correspond la priodicit de la fonction 1.1 dans sa direction de propagation, tandis que sa fr-
quence est linverse de sa priode, cest--dire de sa priodicit en temps. On constate facilement
sur lquation 1.1 que = 2/|
k | et = /2.
1.1.2. Paquet donde
Les ondes planes, vecteur donde x, ne sont quune vue de lesprit, et ne sont pas rali-
sables en pratique. En effet, elles ne sont pas localises puisque leur amplitude a est constante (elles
occupent tout lespace), de sorte que lnergie ncessaire leur mise en place est innie.
En fait, une onde relle peut tre considre comme une superposition continue dondes planes,
chacune vecteur donde x. Cette superposition, appele paquet donde, peut tre dcrite par une
transforme de Fourier applique une distribution (
k , t) de vecteurs donde :
(
r , t) =
1
(2)
3/2
k , t)e
i(

k .

r t)
d
k (1.2)
En utilisant la transforme de Fourier inverse, on peut maintenant crire la distribution (
k , t)
du vecteur donde en fonction de la distribution (
r , t) du vecteur position :
(
k , t) =
1
(2)
3/2
r , t)e
i(

k .

r t)
d
r (1.3)
Dans les quations 1.2 et 1.3, le coefcient 1/(2)
3/2
est introduit pour des questions de norma-
lisation, et les quantits d
k et d
r scrivent dans un repre cartsien (0, x, y, z) :

d
k = dk
x
dk
y
dk
z
d
r = dxdydz
Un paquet donde est donc caractris par une distribution (
k , t), ou de faon quivalente par

une distribution (
r , t) puisque les quations 1.2 et 1.3 permettent de passer indiffremment de

lune lautre.
Il est important de constater maintenant que, si
1
et
2
sont deux distributions de position,
avec comme transformes de Fourier associes
1
et
2
respectivement, alors cette transformation
Description physique 17
conserve le produit scalaire suivant :
(
1
,
2
) =
1
(
r , t)
2
(
r , t)d
r
=
1
(2)
3/2
1
(
r , t)
2
(
k , t)e
i(

k .

r t)
d
r
=
1
(2)
3/2
2
(
k , t)
1
(
r , t)e
i(

k .

r t)
k
=
2
(

k , t)
1
(
k , t)d
k
= (
1
,
2
)
Cette relation est appele relation de Parseval-Plancherel. Elle stipule que la transformation de
Fourier est isomtrique, cest--dire conserve la mtrique associe ce produit scalaire. En parti-
culier, la norme associe cette mtrique est conserve. On a donc pour deux distributions et
transformes lune de lautre :
A =
[[
2
d
r =
[[
2
d
k
1.1.3. Vitesse de groupe
Figure 1.1. distributions damplitude dun paquet donde
Nous verrons par la suite que les distributions damplitudes en position [[
2
et en vecteur donde
[[
2
jouent un rle important. La gure 1.1 donne une volution typique de ces distributions, centres
sur une position
r
0
et sur un vecteur donde
k
0
respectivement. De telles distributions constituent le
paquet donde. Il est maintenant intressant de voir comment volue le paquet donde au cours du
temps. Pour cela, on effectue un dveloppement au premier ordre de la pulsation autour de
k
0
, ce
qui donne :
(
k ) = (
k
0
) +

k =
k0
.(
k
0
) =
0
+
v .(
k
0
)
18 P2MEMS
En incorporant maintenant ce dveloppement dans lexpression 1.2, on peut crire la fonction
donde (
r , t) sous la forme dune amplitude a(
r , t) et dune onde porteuse de vecteur donde
k
0
et de pulsation
0
:
(
r , t) = a(
r , t)e
i(
k0.

r 0t)
a(
r , t) =
1
(2)
3/2
k , t)e
i(

k
k0).(

r

v t)
d
k
La distribution damplitude en position du paquet donde, [[
2
, est donc donne par le carr du
module de lamplitude, [a[
2
. Or, on constate que cette amplitude vrie la relation :
a(
r , t) = a(
v t, 0)
La distribution damplitude du paquet donde se dplace donc la vitesse
v . Cette vitesse est

appele vitesse de groupe du paquet donde (voir gure 1.2).
Figure 1.2. vitesse de groupe : volution de la distribution damplitude en
position dun paquet donde
1.1.4. Relation dincertitude
Pour simplier, nous nous plaons dans un cas monodimensionnel. Nous notons ensuite r et k les
valeurs de position et de vecteur donde dans cette direction, et nous considrons un paquet donde
dont les distributions damplitude [[
2
et [[
2
sont centres sur des valeurs moyennes r
0
et k
0
. Ces
valeurs, ainsi que lcart quadratique de ces distributions, sont alors donnes sous la forme suivante :
k
0
=< k >=
k[[
2
dk
[[
2
dk
=
1
A
k[[
2
dk
r
0
=< r >=
r[[
2
dr
[[
2
dr
=
1
A
r[[
2
dr
(k)
2
=
1
A
(k k
0
)
2
[[
2
dk =< k
2
> < k >
2
(r)
2
=
1
A
(r r
0
)
2
[[
2
dr =< r
2
> < r >
2
Nous considrons ensuite lintgrale suivante, o est un scalaire rel quelconque et f(k) =
e
ir0k
(k) :
I =
(k k
0
)f(k) +
df
dk
2
dk
Cette intgrale est positive ou nulle quelle que soit la valeur de . Dautre part, elle peut scrire
de la faon suivante :
I =
(k k
0
)
2
[f[
2
dk +
(k k
0
)
df
dk
+
df
dk
f
dk +
2
df
dk
2
dk
Il est important maintenant de remarquer que :
lamplitude de f est identique celle de : [f[
2
= [[
2
,
la transforme de Fourier de f est la fonction g(r) = (r +r
0
),
la transforme de Fourier de df/dk est la fonction irg(r), soit la fonction ir(r +r
0
).
Partant de ces remarques, on constate que le premier terme de lintgrale I est proportionnel
au carr de lcart quadratique en vecteur donde, (k)
2
. Ensuite, en utilisant le fait que le carr du
module de la fonction f, intgrable, doit tre nul linni, le second terme peut sintgrer par parties
sous la forme :
(k k
0
)
df
dk
+
df
dk
f
dk =
(k k
0
)
d[f[
2
dk
dk
=
(k k
0
)[f[
2
[f[
2
dk
= 0 A
Enn, le dernier terme peut tre transform en utilisant la transforme de Fourier de df/dk et
celle de f sous la forme :
df
dk
2
dk =
r
2
[(r +r
0
)[
2
dr =
(r r
0
)
2
[[
2
dr = A(r)
2
On en dduit nalement que lintgrale I, positive ou nulle quel que soit , peut scrire I =
A((k)
2
+
2
(r)
2
). Le discriminant de cette forme quadratique en doit donc tre ngatif
ou nul, soit 1 4(k)
2
(r)
2
0. On obtient ainsi une ingalit fondamentale liant les carts
quadratiques en position et en vecteur donde :
kr
1
2
(1.4)
20 P2MEMS
Cette relation est appele relation dincertitude. Il convient de bien noter ici quelle se dduit
directement des proprits de la transformation de Fourier. Cette relation signie que, si une onde
est fortement localise (r faible), alors elle sera forcment polychromatique (k grand). Inverse-
ment, une onde monochromatique (peu de dispersion sur le vecteur donde) sera forcment trs peu
localise (grande dispersion sur la position). La gure 1.3 donne un aperu de la grande diversit des
ondes que nous ctoyons quotidiennement (lumire visible, ondes radio, ...).
Figure 1.3. exemples dondes
1.2. Description dune particule
1.2.1. Fonction donde
Nous posons le principe selon lequel la description dune particule un instant t se fait au moyen
dune fonction donde complexe (
r , t) dont linterprtation physique est que la probabilit de

trouver la particule linstant t dans un volume d
r entourant le point
r est :
dP = [(
r , t)[
2
d
r (1.5)
Cette fonction donde doit donc tre normalise, puisque sa distribution damplitude doit corres-
pondre une densit de probabilits. La probabilit de trouver la particule dans tout lespace doit
tre gale 1, soit :
[(
r , t)[
2
d
r = 1
Cette description probabiliste a le sens suivant. Supposons que nous prparions indpendamment
un nombre trs grand, N, de particules dans le mme tat, cest--dire dcrites par strictement la
mme fonction donde. Lors de la mesure de la position de ces particules, on obtient des valeurs
r
n
,
n = 1, . . . , N, qui ne seront pas toutes identiques (mme la prcision de mesure prs), mais qui
seront distribues suivant la loi de probabilit 1.5. La valeur moyenne de ces rsultats est la valeur
moyenne de la position de la particule. Elle est note <

r > et a comme composantes < x >,
< y > et < z >. Par exemple la valeur moyenne de la position de la particule dans la direction x
est :
< x >=
x[(
r , t)[
2
dx
La dispersion des rsultats de mesure sera caractrise par un cart-type, que lon appellera cart
quadratique moyen sur la position de la particule. On a lhabitude de considrer sparment les
carts selon les trois coordonnes de lespace, x, y et z. On aura par exemple pour la direction
x :
x =
(x < x >)
2
[(
r , t)[
2
dx =< x
2
> < x >
2
Plus les carts quadratiques moyens seront faibles (par rapport aux grandeurs caractristiques
du problme, comme par exemple la prcision de lappareil de mesure), plus la particule sera bien
localise.
1.2.2. Onde de de Broglie
Dun point de vue macroscopique, une particule de masse m peut tre caractrise par une quan-
tit de mouvement
p et une nergie c = p
2
/2m =

p .
p /2m. Nous posons ici le postulat de de

Broglie, selon lequel cette particule on peut associe une onde plane caractrise par :
un vecteur donde
k tel que
p = h
k ,
une pulsation telle que c = h.
La constante de Planck h (ou h) ainsi introduite est une valeur fondamentale qui donne la
frontire entre une description quantique et une description macroscopique de la particule. Cette
constante vaut :
h = 6, 6262.10
34
Js , ou h =
h
2
= 1, 05459.10
34
Js
La constante de Planck est homogne une nergie fois un temps, cest--dire en mcanique
une action. Cest pour cela quelle est parfois appele quantumdaction. La fonction donde associe
une onde de de Broglie, cest--dire une particule libre dimpulsion
p et dnergie c, est donc

donne sous la forme :
(
r , t) = ae
i
h
(

p .

r Et)
avec c =
p .
p
2m
22 P2MEMS
On constate que cette expression correspond une onde plane, et na donc pas de ralit phy-
sique. En effet, si limpulsion de la particule est xe, alors cette particule ne peut tre localise
dans lespace (voir paragraphe prcdent). En fait, limpulsion de la particule, ou dun ensemble de
particules, ne peut valoir
p qu une certaine approximation prs. Il faut donc introduire un nouveau

principe pour pouvoir dcrire physiquement une particule en tant quobjet quantique.
1.2.3. Principe de superposition
Nous posons le principe de superposition des fonctions donde, selon lequel toute superposition
linaire de fonction donde est une fonction donde possible. Il en rsulte que la description physique
dune particule sera ralise par une expression de fonction donde (
r , t) analogue celle utilise

pour dcrire un paquet donde (quation 1.2) :
(
r , t) =
1
h
3/2
p , t)e
i
h
(

p .

r Et)
d
p (1.6)
Cette fonction dcrit une distribution en position de la particule. Comme pour les ondes, on
associe cette distribution en position une distribution en impulsion par la transforme de Fourier
(quation 1.3) :
(
p , t) =
1
h
3/2
r , t)e
i
h
(

p .

r Et)
d
r (1.7)
La constante de Planck a t introduite comme facteur multiplicatif ces quations par soucis de
normalisation. Il est maintenant possible de reprendre les proprits de la transforme de Fourier, et
de les appliquer au cas des particules quantiques.
Lisomtrie de la transforme de Fourier (conservation de la mtrique) nous conduit dire que,
si nous dnissons une distribution damplitude de position [[
2
correspondant une densit de
probabilit, cest--dire normalise par 1, alors la distribution damplitude dimpulsion [[
2
sera elle
aussi normalise par 1, et correspondra une distribution de probabilit.
La gure 1.4 donne une volution typique des distributions damplitude en position et en im-
pulsion dune particule. Ces deux distributions sont des densits de probabilit, de sorte que lon
a :
[[
2
d
r =
[[
2
d
p = 1
La relation dincertitude due la transforme de Fourier conduit ici afrmer que, plus la parti-
cule sera localise, cest--dire aura une distribution damplitude de position concentre au voisinage
de sa moyenne
r
0
, plus son impulsion sera tale autour de sa valeur moyenne
p
0
. Inversement, une
particule avec une impulsion connue assez prcisment sera forcment mal localise.
En reprenant lquation 1.4, et en ladaptant simplement en remplaant le facteur multiplicatif
2 (quations 1.2 et 1.3) par h = 2h (quations 1.6 et 1.7), on peut crire la relation suivante dans
Figure 1.4. distribution damplitude en position et en impulsion dune
particule
chaque direction de lespace, en notant r la position et p limpulsion :
pr
h
2
(1.8)
Cette ingalit est connue sous la nom de relation dincertitude de Heisenberg. Elle est valable
quelle que soit la fonction donde, et donc la particule considre. En particulier, cette ingalit na
rien voir avec les instruments de mesure utiliss, ni avec leur prcision. Elle donne la limite avec
laquelle une particule peut tre localise la fois en impulsion et en position.
En fait, dans une description classique de particule, cette relation na souvent pas lieu dtre
utilise car la limite est plutt donne par la prcision des instruments de mesure. En effet, la valeur
de la constante h est sufsamment faible pour que les ordres de grandeur mis en jeu soient dans
ce cas beaucoup plus grands. Lors dobservations macroscopiques, on peut mesurer la position et
limpulsion dune particule de faon extrmement prcise, tout en satisfaisant la relation 1.8.
En pratique, on utilise plutt lingalit 1.8 sous la forme dun ordre de grandeur. Dans chaque
direction x, y et z, le produit des carts quadratiques moyens en position et en impulsion est de
lordre de grandeur de la constante h :
xp
x
h
yp
y
h
zp
z
h
Enn, si on reprend la dnition de la vitesse de groupe dun paquet donde, et quon ladapte
une particule de masse m sufsamment bien localise autour de

r
0
et avec une impulsion bien
centre sur
p
0
, alors la vitesse de groupe du paquet donde correspondant fournit bien lexpression
classique de la vitesse dune particule :
v =
c

p =
p0
=

p .

p
2m

p =
p0
=
p
0
m
24
Chapitre 2
quations de mouvement
Nous savons maintenant que la description dobjets quantiques tels que les lectrons, objets que
nous qualions en gnral de particules, se fait sous la forme dun paquet donde. Ce paquet donde
est dni laide dune fonction donde (
r , t), et de sa transforme de Fourier (
p , t), fournis-
sant une distribution de positions

r , [[
2
, et dimpulsions

p , [[
2
, correspondant chacune une
densit de probabilit. Maintenant, nous pouvons tudier le mouvement de telles particules, lors-
quelles sont soumises ou non des forces extrieures.
Nous allons commencer par mettre en place les fameuses quations de Schrdinger pour dcrire
le mouvement dune particule dans un cadre quantique, puis montrer que ces quations se ramnent
la limite la mcanique classique. Ensuite, nous allons appliquer ces quations quelques cas
particuliers, et mettre en vidence quelques proprits fondamentales de llectron grce ce forma-
lisme.
2.1. quation de Schrdinger
2.1.1. Mise en place
Pour mettre en place lquation de Schrdinger, nous allons partir dune onde plane de de Broglie
de la forme suivante :
(
r , t) = ae
i
h
S
avec S =
p .
r ct
Dans cette quation, a (amplitude de londe) est un paramtre rel, de mme que le terme S
correspondant laction dune particule. Cette action sexprime en fonction de limpulsion

p et
de lnergie c de la particule. Lorsquune particule de masse m est soumise un potentiel V , son
nergie totale scrit sous la forme :
c =
p .
p
2m
+V =
p
2
2m
+V
25
26 P2MEMS
On peut maintenant calculer la variation de la fonction donde au cours du temps, ainsi que
son laplacien. Sa variation au cours du temps sobtient directement sous la forme :
t
= i
c
h
Les deux quations prcdentes permettent dcrire :

ih
t
= c =
p
2
2m
+V
Pour obtenir le laplacien, on commence par calculer le gradient, puis on en prend la divergence.
Cela donne :
= div(
grad()) = div(i
p
h
) = i
p
h
.
grad() =
p
2
h
2
En incorporant nalement cette quation dans lquation prcdente, on obtient la relation sui-
vante :
h
2
2m
(
r , t) +V (
r )(
r , t) = ih
t
(
r , t) (2.1)
Schrdinger a postul que cette quation tait lquation gnrale dont la solution est la fonction
donde associe une particule soumise un potentiel V . Elle est appele quation de Schrdinger.
On peut remarquer que cette quation est linaire en , de sorte que sa solution gnrale est une
superposition continue dondes planes : un paquet donde.
2.1.2. tats stationnaires
Pour rechercher les tats stationnaires solutions de lquation de Schrdinger, on regarde sil
existe des solutions de lquation 2.1 variables spares, soit de la forme (
r )(t). En incorporant
de telles fonctions dans lquation de Schrdinger, on obtient :
h
2
2m
+V = ih
d
dt
En divisant maintenant les deux membres de lquation par , on obtient :
h
2
2m
1
+V = ih
1
d
dt
Si le potentiel V est indpendant du temps, alors lquation prcdente fournit une galit entre
un terme uniquement fonction de
r (celui de gauche) et un terme uniquement fonction de t (celui

de droite). Cette galit nest possible que si chaque membre est une constante indpendante de
r
quations de mouvement 27
et de t. crivant que cette constante est lnergie totale du systme, c, on peut aisment intgrer le
terme de droite pour obtenir (C est une constante) :
(t) = Ce
i
h
Et
Quant au terme de gauche, on peut maintenant lcrire en multipliant par sous la forme :
h
2
2m
(
r ) +V (
r )(
r ) = c(
r ) (2.2)
Cette quation est appele quation de Schrdinger indpendante du temps. En effet, la rso-
lution de cette quation permet dcrire la solution sous la forme C(
r )e
i
h
Et
. Cette solution est
bien stationnaire, puisquelle fournit une densit de probabilit de prsence [C(
r )[
2
indpendante
du temps.
Il convient de remarquer ici que le terme de gauche de lquation 2.2 est lhamiltonien du sys-
tme. Nous verrons par la suite que cette quation nadmet de solution non triviale (par exemple
non nulle) que pour certaines valeurs de lnergie c, et ceci en fonction des conditions aux limites
et des conditions de continuit imposes la fonction donde recherche. Les diffrentes valeurs
de lnergie, c
n
, pour lesquelles cette quation a une solution particulire,
n
, forment un spectre
en nergie. Lorsque ce spectre est constitu de valeurs discrtes, on dit que lon a quantication de
lnergie.
Notons enn que le principe de superposition nous conduit pouvoir crire une solution sous
la forme dune fonction donde rsultant de la contribution possible de chaque fonction particulire
n
dnergie c
n
:
(
r , t) =
N
n=1
n
(
r )e
i
h
Ent
Ce type de solution nest pas forcment stationnaire. En effet, elle ne fournit pas obligatoirement
une probabilit de prsence [[
2
indpendante du temps t.
2.1.3. Cas limite de la mcanique classique
Il est intressant ce stade de faire le lien entre lapproche prsente et la description mcanique
classique dune particule. Pour cela, on part nouveau de la fonction donde associe une onde
plane de de Broglie, mais sans expliciter le terme daction S, et en considrant a comme une fonction
de lespace et du temps :
(
r , t) = a(
r , t)e
i
h
S(

r ,t)
Partant de cette expression, on peut calculer les diffrents termes de lquation de Schrdinger.
Ces termes mettent en jeu le laplacien de la fonction donde, et sa drive partielle par rapport au
temps. Ces quantits scrivent :
t
=
1
a
a
t
+
i
h
S
t
28 P2MEMS
= div(
grad())
= div(
grad(a) +
i
h
a
grad(S)
e
i
h
S
)
=
div(
grad(a)) +
i
h
adiv(
grad(S)) +
i
h
grad(a).
grad(S)
+
i
h
grad(S).
grad(a) +
i
h
a
grad(S)
e
i
h
S
=
1
a
a +
i
h
S + 2
i
a h
grad(a).
grad(S)
1
h
2
grad(S).
grad(S)
En remplaant maintenant dans lquation de Schrdinger 2.1 le laplacien et la drive par rap-
port au temps de la fonction donde par ces expressions, et en divisant le tout par e
i
h
S
, on obtient :
S
t
+
1
2m
grad(S).
grad(S) +V
h
2
2ma
a
ih
a
t
+
a
2m
S +
1
m
grad(S).
grad(a)
= 0
Pour annuler cette quantit, il faut annuler sa partie relle (premier terme entre parenthses) et
sa partie imaginaire (second terme entre parenthses). Ceci fournit deux quations relles, dont la
premire met en jeu un terme en h
2
. Dans une approche classique (non quantique), ce terme sera
nglig devant les autres. On peut dailleurs remarquer ici quil napparat pas de terme en h, ce qui
signie que lapproche classique est encore valable au premier ordre. Finalement, les deux quations
relles que lon obtient peuvent scrire de la faon suivante :
S
t
+
1
2m
grad(S).
grad(S) +V = 0 (2.3)
a
2
t
+div(a
2
grad(S)
m
) = 0 (2.4)
La premire de ces deux quations, lquation 2.3, nest autre que lquation classique dHamilton-
Jacobi pour laction S de la particule. Cette quation permet par exemple de retrouver lexpression
de laction S sous la forme S =

p .
r ct. En effet, si lon postule que le gradient de laction est

limpulsion,
grad(S) =
p , alors cette quation nous donne

S
t
+c = 0, avec c =
p
2
2m
+V .
La seconde de ces deux quations porte sur a
2
, qui nest autre que la densit de probabilit de
prsence de la particule. En reprenant
grad(S) =

p , on trouve que cette quation nest autre que
lquation de continuit, qui montre que la densit de probabilit de prsence se dplace suivant les
lois de la mcanique classique, avec une vitesse
v =
p /m en chaque point.
2.2. Particule dans un puits de potentiel
2.2.1. Description et rsolution
Nous considrons une particule de masse m en mouvement dans une direction x, avec une ner-
gie c, et rencontrant un puits de potentiel carr V (x), de largeur a (gure 2.1).
Figure 2.1. puits de potentiel carr
On recherche la fonction donde stationnaire (x) qui satisfait lquation de Schrdinger 2.2.
On peut crire cette quation de la faon suivante :
+
2m
h
2
c = 0 pour 0 x a
+
2m
h
2
(c V
0
) = 0 pour x 0 ou x a
Les solutions vont dpendre de lnergie c de la particule. Nous nous limitons ici au cas o cette
nergie est infrieure au potentiel V
0
. On en dduit que :
lintrieur du puits, la solution est du type :
(x) = A
1
e
ix
+A
2
e
ix
avec =
2mc
h
lextrieur du puits, la solution est de la forme :
(x) = B
1
e
x
+B
2
e
x
avec =
2m(V
0
c)
h
Les constantes A
1
, A
2
, B
1
et B
2
sont obtenues en crivant les conditions aux limites et des
conditions de continuit :
pour x et x +, la fonction donde doit sannuler pour tre intgrable, ce qui
donne :
(x) = B
1
e
x
pour x 0
(x) = B
2
e
x
pour x a
en x = 0, la fonction donde doit tre continue, ainsi que sa drive premire
. On en
dduit que, lintrieur du puits, on a :
= B
1
(cos(x) + (/)sin(x)) pour 0 x a
en x = a, la fonction donde doit tre continue, ainsi que sa drive premire
. La conti-
nuit de donne une relation entre les constantes B
2
et B
1
de la forme :
B
2
= B
1
e
a
((cos(x) + (/)sin(x))
30 P2MEMS
La condition sur la drive premire conduit enn lquation suivante :
B
1
(2cos(a)

2
sin(a)) = 0
Il est vident que B
1
= 0 permet de satisfaire toutes les conditions prcdentes. Mais ceci donne
une fonction donde identiquement nulle = 0. Pour obtenir des solutions non triviales, cest--
dire non nulles, il faut que la dernire condition soit satisfaite en annulant le terme entre parenthses.
Ceci donne la relation suivante :
tan(a) =
2/
1 (/)
2
, soit
tan(a/2) = /
ou
tan(a/2 /2) = /
Il est intressant maintenant dutiliser les notations suivantes :
= a/2 =
2mc
a
2 h
0
= a/2 =
2m(V
0
c)
a
2h
0
En remarquant maintenant que
2
+
2
= 2mV
0
a
2
/h
2
= K
2
, o K est une constante xe par
la taille du puits (a et V
0
) et la masse de la particule, on peut crire les conditions prcdentes sous
la forme de relations entre et :
2
+
2
= K
2
et
tan() =
ou
tan( /2) =
Ces relations peuvent facilement tre reprsentes graphiquement. La gure 2.2 montre que les
solutions prennent des valeurs discrtes en ,
n
(avec n = 1, . . . , N), correspondant chacune une
valeur discrte en nergie c
n
:
c
n
= 2
h
2
2
n
ma
2
On dit que le spectre en nergie est dgnr. Le nombre N de valeurs discrtes dpend de K,
et donc en particulier de la valeur du potentiel V
0
. Pour V
0
trs faible (K proche de 0), il ny aura
quune valeur (N = 1). Pour V
0
lev, le nombre N peut lui aussi devenir assez lev. A chacune
de ces valeurs (
n
,
n
), et donc c
n
, correspond une fonction donde
n
:
n
(x, t) =
B
1
e
2n
x
a
e
i
h
Ent
pour x 0
B
1
cos(2
n
x
a
) +

n
n
sin(2
n
x
a
)
i
h
Ent
pour 0 x a
B
1
cos(2
n
) +

n
n
sin(2)
e
2n(
x
a
1)
e
i
h
Ent
pour x a
Figure 2.2. solutions stationnaires non nulles de lquation de Schrdinger
(K = 5)
Le module au carr de cette fonction donde donne la densit de probabilit de prsence de
llectron le long de laxe x (La constante B
1
est calcule en appliquant la condition de normalisation
1 de cette densit) :
[
n
[
2
=
B
2
1
e
4nx/a
pour x 0
B
2
1
cos(2
n
x
a
) +

n
n
sin(2
n
x
a
)
2
pour 0 x a
B
2
1
cos(2
n
x
a
) +

n
n
sin(2
n
)
2
e
4n(
x
a
1)
pour x a
2.2.2. Exemples
Considrons maintenant par exemple le cas dune particule dans un puits de potentiel de largeur
1(soit 10
10
m) et de hauteur 379 lectron-Volts (soit environ 6.10
17
J). Ces valeurs sont de
bons ordres de grandeurs pour un lectron priphrique sur un noyau. On obtient alors une valeur
denviron 5J.s pour la constante K, et les quatre solutions obtenues sont listes dans le tableau 2.1.
Les gures 2.3 et 2.4 donnent respectivement, dans ce cas, les fonctions donde et les densits
de probabilit correspondant aux quatre niveaux dnergie pour lesquels lquation de Schrdinger
fournit une solution non nulle (tableau 2.1). On remarque sur la gure 2.4 que la particule a une pro-
babilit de prsence non nulle lextrieur du puits (x 0 et x a). Dans une analyse mcanique
classique, ceci nest pas possible car lnergie cintique de la particule c = p
2
/2m est infrieure au
potentiel V
0
. En fait la valeur de la constante K devient trs vite trs leve, car la largeur du puits
32 P2MEMS
n
n
(Js)
n
(Js) c
n
(eV )
1 1,3064 4,8263 25,8411
2 2,5957 4,2734 102,0121
3 3,8375 3,2052 222,9578
4 4,9063 0,9634 364,4467
Tableau 2.1. solutions non nulles pour K = 5J.s
Figure 2.3. fonctions donde avec K = 5J.s
a, la masse de la particule m et le potentiel V
0
peuvent prendre des valeurs beaucoup plus grandes
que celles mentionnes ici.
La gure 2.5 donne la probabilit de prsence du niveau dnergie le plus lev dans les cas
K = 10 et K = 100 ( largeur de puits constante, par exemple pour une masse ou un potentiel plus
lev). On remarque que cette probabilit tend vers 0 lextrieur du puits.
2.2.3. Particule dans une bote
Nous considrons ici une particule se dplaant dans lespace, soumise un potentiel nul dans
une bote de dimensions a, b et c dans les directions x, y et z respectivement, et inni ailleurs (gure
2.6)
Dans le cas dune dimension x, on peut utiliser le cas du puits de potentiel carr (paragraphe
prcdent), en faisant tendre V
0
vers linni. On obtient alors comme rsultat :
Figure 2.4. probabilits de prsence avec K = 5J.s
Figure 2.5. probabilits de prsence de la particule avec K = 10J.s et
K = 100J.s (niveau dnergie le plus lev)
Une fonction donde nulle lextrieur du puits, ce qui signie que la particule est conne
dans le puits (probabilit de prsence nulle lextrieur du puits),
34 P2MEMS
Figure 2.6. bote de dimensions a, b et c dans les drections x, y et z
respectivement
A lintrieur du puits, le second terme (en sinus) de la fonction donde est prpondrant, ce qui
donne (la constante multiplicative de la fonction est dtermine par la condition de normalisation de
[
n
[
2
) :
n
(x, t) =
2
a
sin
2
n
x
a
e
i
h
Ent
[
n
[
2
=
2
a
sin
2
2
n
x
a
Les niveaux dnergie c

n
proviennent des solutions
n
obtenues sur la gure 2.2. Pour un
potentiel inni, ces solutions donnent :
n
= n
2
c
n
=

2
h
2
2m
n
2
a
2
La gure 2.7 donne la distribution de probabilit de prsence de la particule, dans le cas monodi-
mensionnel, pour des nergies correspondant n = 1 4. Dans le cas tridimensionnel, pour conner
la particule dans une bote de dimensions a, b et c, on peut crire le potentiel suivant :
V (x, y, z) = V
x
(x) +V
y
(y) +V
z
(z) avec
V
x
(x) =
0 si 0 x a
sinon
V
y
(y) =
0 si 0 y b
sinon
V
z
(z) =
0 si 0 z c
sinon
Dans ce cas, on peut chercher des solutions stationnaires particulires de lquation de Schrdin-
ger sous la forme suivante, o
na
,
n
b
et
nc
sont les solutions du problme monodimensionnel
Figure 2.7. probabilit de prsence de la particule dans le cas
monodimensionnel (a = 1) pour n = 1 4
trait auparavant, avec un puits de dimension a, b et c, dans chaque direction x, y et z :
n
(x, y, z) =
na
(x).
n
b
(y).
nc
(z)
Les gures 2.8 et 2.9 donnent la probabilit de prsence dune particule, dans deux cas bidimen-
sionnels, avec a = b = 1. Les solutions
na
,
n
b
et
nc
correspondent chacune un niveaux
dnergie c
na
, c
n
b
et c
nc
. Finalement, lnergie globale sobtient comme le potentiel en ajoutant ces
trois nergies, ce qui donne :
c
n
= c
na
+c
n
b
+c
nc
=

2
h
2
2m
n
2
a
a
2
+
n
2
b
b
2
+
n
2
c
c
2
On remarque quil peut exister des fonctions donde diffrentes avec le mme niveau dnergie.
Ceci se produit par exemple pour n
a
= n
b
et a = b. Dans ce cas, on peut intervertir les axes x
et y. On dit dans ce cas que lnergie est dgnre. Son degr de dgnrescence est donn par le
nombre de fonctions donde indpendantes correspondant cette nergie.
2.3. Oscillateur harmonique
2.3.1. Description et rsolution
Un oscillateur harmonique est un systme mcanique constitu dun point matriel de masse m
lastiquement li un centre, cest--dire soumis une force de rappel proportionnelle sa distance
36 P2MEMS
Figure 2.8. probabilit de prsence de la particule - cas bidimensionnel avec
(a = 1, na = 2) et (b = 1, n
b
= 1)
Figure 2.9. probabilit de prsence de la particule - cas bidimensionnel avec
(a = 1, na = 2) et (b = 1, n
b
= 2)
au centre. Les systmes se prsentant en bonne approximation sous la forme doscillateurs harmo-
niques sont trs nombreux. On peut citer par exemple la position relative de deux atomes voisins
soumis de faibles perturbations (lastiques), ou un pendule lastique. Nous nous limitons ici au cas
monodimensionnel, nous notons x laxe de dplacement de la particule, et nous choisissons lorigine
de cet axe au point dquilibre.
Au voisinage dun point dquilibre, le potentiel V (x) peut tre dvelopp au second ordre en x.
Au point dquilibre x = 0, la force de rappel doit tre nulle, do dV/dx = 0 en ce point. De plus,
en plaant lorigine des nergies en V (0), on obtient un potentiel de la forme V (x) = x
2
. Enn,
on peut dnir une pulsation (en s
1
) telle que le potentiel V (x) et la force de rappel associe
F(x) scrivent :
V (x) =
1
2
m
2
x
2
et F(x) =
grad(V ) = m
2
x
En mcanique classique, lquation dquilibre des forces conduit lquation diffrentielle
d
2
x/dt
2
+
2
x = 0. Si t = 0, le point matriel est en x = 0 anim dune vitesse v
0
non
nulle, alors la solution gnrale de cette quation est une oscillation sinusodale de la particule, de
priode , et damplitude a = v
0
/, soit x = a sin t. Ainsi, la probabilit dobserver la particule
entre les instants t et t + dt au point x dx prs est de la forme P(x)dx = 2dt/T, o T = 2/
est la priode. Comme dx et dt sont relis sous la forme dx = a cos tdt, la densit de probabilit
P(x) scrit :
P(x) =

dx
dt
=
1
a cos t
=
1
a
2
x
2
La gure 2.10 donne lallure de cette probabilit en fonction de x. Elle est videmment nulle
lextrieur du segment ] a, a[, tend vers linni aux points extrmits du segment (o la particule
passe trs lentement), et est minimum au centre du segment (o la particule passe trs vite).
Dans une approche quantique, on recherche les tats stationnaires, et donc des fonctions (x)
non triviales solutions de lquation de Schrdinger 2.2. Cette quation scrit ici :
d
2
dx
2
+
2m
h
2
c
1
2
m
2
x
2
= 0
La rsolution de cette quation seffectue laide de deux transformations successives :
un changement de variable = x
m/h qui permet de transformer lquation, qui scrit

maintenant :
d
2
d
2
+
2c
h

2
= 0
une recherche de solutions de la forme () = ()e
2
/2
, avec des fonctions polynmiales
de faon conserver des fonctions de carr intgrable (et en particulier nulles linni). Ceci
conduit chercher des fonctions () polynmiales solutions de lquation diffrentielle suivante :
d
2
d
2
2
d
d
+ 2
c
h

1
2
= 0
38 P2MEMS
Figure 2.10. probabilit de prsence dun oscillateur harmonique - cas de la
mcanique classique - a = 1
Des solutions polynmiales existent lquation prcdente lorsque le terme c/h 1/2 prend
des valeurs entires. En notant n cette valeur, et en remarquant quelle ne peut prendre que des
valeurs suprieures 1/2, on sait que la solution gnrale
n
( n donn) est proportionnelle au
polynme dHermite de degr n : H
n
. En notant C la constante de proportionnalit, on obtient :
n
() = CH
n
() avec H
n
() = (1)
n
e
2
d
n
d
n
On peut maintenant utiliser les proprits des polynmes dHermite pour crire la solution com-
plte. En particulier, ils forment un ensemble de polynmes orthogonaux avec la fonction poids
e
2
, et on peut les obtenir par une relation de rcurrence simple . On a les relations suivantes :
2
H
2
n
()d = 2
n
n!
2
H
n
()H
m
()d = 2
n
n!
nm
H
0
() = 1, H
1
() = 2 et pour n 0 H
n+2
() = 2H
n+1
() 2(n + 1)H
n
()
Ceci nous permet dcrire la solution stationnaire normalise dindice n pour loscillateur har-
monique une dimension :
n
(x, t) =
1
2
n
n!
m
h
1/4
e
m
2 h
x
2
H
n
m
h
i
h
Ent
c
n
= h
n +
1
2
[[
2
=
1
2
n
n!
m
h
e
m
h
x
2
H
2
n
m
h
(2.5)
2.3.2. Exemples
Figure 2.11. fonctions donde
Les gures 2.11 et 2.12 reprsentent respectivement les fonctions donde et les probabilits de
prsence dune particule pour un oscillateur harmonique, avec un indice n et donc une nergie c
n
croissante. La masse m de la particule, le potentiel V (x), et donc la pulsation , ont t choisis tels
que lon ait m = h. On remarque sur ces gures que :
Quelle que soit la valeur de n, et donc de lnergie c
n
, la probabilit de prsence de la particule
est partout non nulle.
Pour n = 0, la probabilit de prsence de la particule est maximum en x = 0, alors quen
mcanique classique elle y est minimum.
La gure 2.13 donne la probabilit de prsence de la particule obtenue pour n trs lev et en
mcanique classique (gure 2.10). On constate que les deux rsultats sont semblables. En fait, le
caractre quantique (donc ondulatoire) de la particule ne se manifeste que lorsque ses grandeurs
40 P2MEMS
Figure 2.12. probabilits de prsence
Figure 2.13. probabilits de prsence pour n lev
caractristiques (masse, nergie, . . . ) sont du mme ordre que la constante de Planck rduite h. Ceci
est principalement le cas pour des particules telles que llectron, le proton, . . .
Chapitre 3
Grandeurs physiques, mesures
Ce chapitre est consacr un aspect trs important de la mcanique : la mesure de grandeurs
physiques. Il sagit par exemple de mesurer la position dune particule, son impulsion, son nergie,
. . . En mcanique classique, lopration de mesure est relativement simple. La prcision de la mesure
est donne par la mthode, linstrument de mesure, et le traitement de cette mesure. Par exemple, les
mthodes optiques de mesures de dplacement demandent un ensemble de traitement avant darriver
au rsultat souhait.
Dans un cadre quantique, lopration de mesure revt un caractre particulier li la mthode
utilise pour dcrire physiquement ltat des particules. Cet tat est dcrit par une fonction donde
(
r , t). Mais si on prpare indpendamment N particules dans le mme tat , alors nous avons
vu au chapitre 2 que le rsultat de la mesure dune grandeur (nergie, position, impulsion, . . . ) nest
en gnral pas unique, mais distribu selon une loi de probabilit dont la densit est donne par le
carr du module de la fonction donde.
Dans ce chapitre, nous allons dans un premier temps introduire la notion doprateur pour la me-
sure de grandeurs physiques, puis donner quelques exemples de tels oprateurs (nergie, impulsion,
position, . . . ). Ensuite, nous allons tudier plus particulirement loprateur moment cintique, en le
quantiant, puis en introduisant le formalisme du spin de llectron pour aboutir une description
complte de cette particule.
3.1. Oprateurs ou Observables
3.1.1. Dnition
Nous introduisons ici les oprateurs de mesure par une approche heuristique, sans faire appel la
thorie mathmatique associe. Le lecteur pourra trouver une description complte de cette thorie
dans des ouvrages de physique thorique ddis la mcanique quantique tels que [LAN 75], ou
dans des supports de cours dans ce domaine tels que [BAS 86], [LOW 00].
Considrons une grandeur physique f que nous souhaitons mesurer sur un systme dont ltat est
dcrit par une fonction donde (
r , t). Cette grandeur physique peut tre la position dune particule,

41
42 P2MEMS
son impulsion, ou lnergie dun systme form dune particule dans un potentiel donn, . . . Les
valeurs que peut prendre cette grandeur physique sont appeles ses valeurs propres. Lensemble de
ces valeurs constitue le spectre des valeurs propres de cette grandeur. Par exemple, au chapitre 2,
nous avons trait divers exemples (puits de potentiel, oscillateur harmonique, . . . ), pour lesquels
nous avons obtenu le spectre en nergie du systme form de la particule et du potentiel.
Pour simplier, nous allons supposer ici que la grandeur f prsente un spectre discret, et nous
dsignerons par f
n
ses N valeurs propres (n = 1, 2, . . . , N). De plus, nous noterons
n
la fonction
donde dcrivant ltat du systme lorsque f prend la valeur f
n
. Ces fonctions
n
sont appeles
fonctions propres de la grandeur physique f.
Lquation 2.5 du chapitre 2 donne les fonctions propres
n
dun oscillateur harmonique, ainsi
que les valeurs propres dnergie c
n
associes ces fonctions. Les fonctions propres
n
sont vi-
demment normalises, de sorte que lon a :
[
n
[
2
d
r = 1
Si le systme se trouve dans un tat quelconque , alors la mesure de la grandeur f donnera
une des valeurs propres f
n
. Si maintenant nous refaisons la mesure immdiatement aprs, alors le
rsultat obtenu doit tre le mme, soit f
n
, avec une probabilit de 1. Ceci signie que le systme est
dans ltat
n
: la premire mesure a modi ltat du systme, qui est pass dun tat quelconque
ltat
n
.
Le principe de superposition nous conduit dire que les fonctions
n
forment un systme com-
plet de fonctions propres. En effet, comme toute fonction est susceptible de devenir
n
, cette
fonction doit pouvoir tre crite comme une superposition linaire des fonctions
n
, o les coef-
cients complexes a
n
sont constants :
=
N
n=1
a
n
n
Il est maintenant tentant de supposer que la probabilit de mesurer f
n
pour la grandeur physique
f soit [a
n
[
2
. En effet, il sagit dun nombre rel positif. De plus, lorsque le systme est dans ltat
n
, alors a
n
est le seul coefcient non nul, et il vaut 1. Enn, si a
n
= 0, alors le systme ne peut
tre dans ltat
n
, et la valeur propre f
n
ne peut tre observe. Comme la mesure de f doit donner
une des valeurs propres f
n
avec une probabilit de 1, on doit avoir la relation suivante :
N
n=1
[a
n
[
2
= 1
Grandeurs physiques, mesures 43
Finalement, les relations prcdentes nous permettent dcrire les composantes a
n
comme les
projections de la fonction donde sur les fonctions propres
n
:
1 =
N
n=1
a
n
a
n
=
r =
N
n=1
a
n
d
r , do a
n
=
n
d
r
On peut ici effectuer une analogie entre la fonction donde servant mesurer une grandeur
physique f, et un vecteur
u dans un espace vectoriel de dimension N muni dun repre orthonorm

(
e
1
, . . . ,
e
N
). En effet, ce vecteur a des composantes u
n
qui peuvent tre obtenues par projection sur
les vecteurs de base, soit u
n
=
u .
e
n
. De plus, ces composantes servent construire
u en crivant
u =
u
n
e
n
. Dans le cas de la fonction donde , on peut dnir un produit scalaire sous la forme :
(
1
,
2
) =
2
d
r
Avec ce produit scalaire, on constate que les coefcients a
n
jouent le rle de composantes de
sur la base des fonctions propres
n
associes la grandeur physique f. On peut en effet crire
a
n
= (,
n
) et =

a
n
n
. Ainsi, les fonctions propres
n
associes la mesure dune gran-
deur physique f forment une base orthonorme dans lespace des fonctions donde muni du produit
scalaire dni prcdemment. En particulier, on peut crire :
n, m = 1, . . . , N, (
n
,
m
) =
m
d
r =
nm
Revenons maintenant la mesure de la grandeur physique f. Si [a
n
[
2
est la probabilit dobtenir
f
n
lors de la mesure de f, alors on peut introduire la valeur moyenne de f sous la forme 'f` =
f
n
[a
n
[
2
. Ceci nous permet dcrire cette valeur moyenne de la faon suivante :
'f` =
N
n=1
f
n
a
n
a
n
=
N
n=1
f
n
a
n
n
d
r =
n=1
a
n
f
n
n
d
r
Cette relation nous permet dintroduire la notion doprateur ou dobservable, notion fonda-
mentale en mcanique quantique. A chaque grandeur physique est associ un oprateur, appel aussi
observable. Loprateur

f associ la grandeur physique f est une application linaire de lespace
des fonctions dondes vers ce mme espace dni par :
f :

f =
N
n=1
a
n
f
n
n
(3.1)
44 P2MEMS
Le rle fondamental de loprateur

f est dextraire des informations de la grandeur physique f.
Par exemple, la valeur moyenne de cette grandeur est obtenue sous la forme :
'f` =

fd
r (3.2)
Pour chaque oprateur

f, on peut dnir son oprateur conjugu

f
, son oprateur transpos

f
t
,
et son oprateur adjoint

f
a
. Si et sont deux fonctions donde, on peut dnir ces oprateurs
comme suit :
Si

f = , alors loprateur conjugu est tel que

f
.
Loprateur transpos est tel que :
fd
r =

f
t
d
r
Loprateur adjoint de

f est celui qui est associ la grandeur physique complexe conjugue
de f, soit f
. Il est donc tel que la valeur moyenne de cette grandeur conjugue est :
'f
` =

f
a
d
r
Les oprateurs de la mcanique quantique doivent tre hermitiens, cest--dire tels que

f
=

f
t
,
et auto-adjoints, cest--dire tels que

f
a
=

f. Ces deux proprits sont principalement lies au
fait que lopration de mesure doit fournir des nombres rels, et pas des nombres complexes. Leur
dmonstration est laisse titre dexercice au lecteur.
3.1.2. Exemples
Lorsque lon applique un oprateur

f une des fonctions propres
n
associes la grandeur
physique f, on obtient directement en appliquant la relation 3.1 :
f
n
= f
n
n
Ainsi, les fonctions
n
et les valeurs f
n
sont respectivement les fonctions propres et les valeurs
propres de loprateur, cest--dire les solutions non triviales de lquation

f = f. Cette notion
a dj t utilise dans le chapitre 2 lors de la rsolution de lquation de Schrdinger stationnaire.
Cette quation signie simplement que le spectre dnergie totale du systme est lensemble des
valeurs propres de loprateur hamiltonien

H dni par :
H =
h
2
2m
+V
Ainsi, loprateur (ou observable) hamiltonien

H est li la grandeur physique nergie totale
c, et lquation de Schrdinger stationnaire est lquation aux valeurs propres de cet oprateur, qui
scrit

H = c.
On peut dnir dautres oprateurs. Le plus simple est celui qui est li la grandeur physique
position,

r , qui consiste multiplier la fonction donde par le vecteur position
r . Loprateur

r
permet dextraire de la fonction donde des informations sur la position de la particule :

r =
r
'
r ` =

r d
r =
r [[
2
d
r
(3.3)
On pourrait imaginer que, de la mme faon, loprateur impulsion

p consiste simplement
multiplier la fonction donde par le vecteur impulsion
p . En effet, limpulsion moyenne est obtenue

par la formule suivante utilisant la densit de probabilit [[
2
associe la transforme de Fourier
de la fonction donde :
'
p ` =

p d
p =
p [[
2
d
p
Mais loprateur impulsion doit agir sur la fonction donde , et non sur sa transforme de
Fourier . Pour lobtenir, on utilise la relation suivante montrant que, si est la transforme de
Fourier de , alors
h
i
grad() est la transforme de Fourier de
p :
=
1
h
3/2
e
i
h
(

p .

r Et)
d
grad() =
1
h
3/2
i
h
p e
i
h
(

p .

r Et)
d
p
Comme la transformation de Fourier conserve le produit scalaire, on peut maintenant crire que :
p d
p =
h
i
grad()d
r
Ceci conduit la dnition suivante de loprateur impulsion

p :
46 P2MEMS

p =
h
i
grad()
'
p ` =

p d
r =
h
i
grad()d
r
(3.4)
Connaissant maintenant les oprateurs impulsion et position, on peut remarquer quils ne com-
mutent pas toujours. En effet, on peut crire par exemple la commutation des oprateurs r
x
et p
x
,
dans la direction x, puis celle des oprateurs p
x
et p
y
, le tout dans un repre cartsien. On obtient :
( r
x
p
x
p
x
r
x
) = x
h
i
x

h
i
x
x
= ih
( r
x
p
y
p
y
r
x
) = x
h
i
y

h
i
x
y
= 0
grandeur physique oprateur associ
position
r

r =
r
impulsion
p

p =
h
i
grad()
nergie cintique c
c
=
p
2
2m
c
c
=
h
2
2m
nergie potentielle V

V = V
nergie totale c = c
c
+V

H =
h
2
2m
+V
Tableau 3.1. tableau de correspondance de quelques oprateurs de mesure
Le tableau 3.1 donne la correspondance entre les principales grandeurs physiques associes
un systme et les oprateurs de mesure associs. Loprateur moment cintique fait lobjet du pa-
ragraphe suivant, car il est dune grande importance pour la description physique et mcanique des
particules en gnral, et des lectrons en particulier.
3.2. Moment cintique
3.2.1. Dnition
En mcanique classique, le moment cintique dune particule est dni partir de sa position
r et de son impulsion

p par

L =

r
p . Par exemple, le moment cintique dans la direction z

dun repre cartsien est L
z
= xp
y
yp
x
. En mcanique quantique, on dnit de la mme faon
un oprateur moment cintique orbital

L comme le produit vectoriel entre les oprateurs position et
impulsion :

L =

r

p , soit

L =
h
i
grad()
u
r
= sincos
u
x
+sinsin
u
y
+cos
u
z
= coscos
u
x
+cossin
u
y
sin
u
z
= sin
u
x
+cos
u
y
Figure 3.1. coordonnes sphriques
Dans un repre cartsien, cet oprateur appliqu dans la direction z une fonction donde
donne

L
z
= x
y
y
x
. Toutefois, dans le cadre de ce paragraphe, nous allons utiliser un systme
de coordonnes sphriques (gure 3.1). Dans ce cas, les oprateurs gradient et laplacien appliqus
un scalaire (fonction donde par exemple) donnent :
grad() =

r
u
r
+
1
r
+
1
rsin
=

2
()
r
2
+
2
r
()
r
+
1
r
2
2
()
2
+
cos
r
2
sin
()
+
1
r
2
sin
2
2
()
2
On peut vrier que, en coordonnes sphriques, loprateur

L
z
ne dpend que de . De plus,
on dnit loprateur

L
2
=

L
2
x
+

L
2
y
+

L
2
z
, qui ressemble la norme au carr de loprateur

L. Les
oprateurs

L
z
et

L
2
scrivent dans le systme de coordonnes sphriques :
L
z
=
h
i
L
2
= h
2
2
+
cos
sin
+
1
sin
2
(3.5)
Enn, on peut vrier une relation importante donnant le laplacien en coordonnes sphriques,
dans laquelle la partie oprant des drivations sur r est dissocie de celle oprant des drivations sur
et , cette dernire pouvant tre directement exprime en fonction de loprateur

L
2
:
48 P2MEMS
=

2
r
2
+
2
r
r

1
r
2
h
2
L
2
(3.6)
Le qualicatif de orbital de loprateur

L vient du fait que nous pouvons ici dnir une classe
doprateurs moment cintique

J plus gnraux que ceux-l. Nous qualions en effet en mcanique
quantique doprateur moment cintique tout oprateur

J qui satisfait la condition suivante :

J

J = ih

J (3.7)
Nous laissons au lecteur, titre dexercice, le soin de montrer que loprateur

L, moment ci-
ntique orbital, est bien un oprateur de moment cintique. Maintenant, nous allons nous intresser
plus particulirement aux oprateurs suivants :
J
z
: composante selon z du moment cintique

J
J
2
=

J
2
x
+

J
2
y
+

J
2
z
J
+
=

J
x
+i

J
y
: oprateur de saut positif
=

J
x
i

J
y
: oprateur de saut ngatif
On peut remarquer que des oprateurs

J
+
et

J
sont hermitiens (combinaison linaire dopra-

teurs hermitiens). Par contre, il ne sagit pas doprateurs de mesure en mcanique quantique car ils
ne sont pas auto-adjoints. On peut vrier en fait quils sont adjoints lun de lautre :
J
a
+
=

J
et

J
a
=

J
+
3.2.2. Valeurs propres et fonctions propres
La premire proprit fondamentale de loprateur moment cintique

J que nous allons utiliser
est que

J
2
et les composantes de

J commutent. Par exemple, en utilisant simplement la dnition
3.7, on montre que les oprateurs

J
2
et

J
z
commutent :
J
2

J
z
=

J
x
2
J
z
+

J
y
2
J
z
+

J
z
2
J
z
=

J
x
(

J
z

J
x
+ih

J
y
) +

J
y
(

J
z

J
y
ih

J
x
) +

J
z

J
z
2
=

J
x

J
z

J
x
+

J
y

J
z

J
y
+ih

J
z
+

J
z

J
z
2
= (

J
z

J
x
+ih

J
y
)

J
x
+ (

J
z

J
y
ih

J
x
)

J
y
+ih

J
z
+

J
z

J
z
2
=

J
z

J
x
2
+

J
z

J
y
2
+

J
z

J
z
2
=

J
z

J
2
Cette proprit permet dafrmer que les oprateurs

J
2
et

J
z
peuvent tre dcrits par une famille
unique de fonctions propres. De plus, comme

J
2
est la somme de carrs doprateurs, ses valeurs
propres sont positives. Nous les noterons j(j + 1)h
2
(avec j 0), tandis que nous noterons mh
celles de

J
z
. Les nombres j et m sont pour linstant des rels quelconques. En notant maintenant
j,m
les fonctions propres de la base commune choisie, on peut crire :
J
2
j,m
= j(j + 1) h
2
j,m
J
z
j,m
= mh
j,m
Appliquons maintenant les oprateurs

J
2
et

J
z
limage des fonctions propres
j,m
par les op-
rateurs saut

J
+
et

J
. On obtient en utilisant simplement la dnition des oprateurs, leur linarit,

et le fait que

J
+
et

J
, comme

J
x
et

J
y
, commutent avec

J
2
:

J
2
(

J
+
j,m
) =

J
+
(

J
2
j,m
) = [j(j + 1) h
2
]

J
+
j,m
J
2
(

J
j,m
) =

J
(

J
2
j,m
) = [j(j + 1) h
2
]

J
j,m
J
z
(

J
+
j,m
) = (

J
z

J
x
+i

J
z

J
y
)
j,m
=
J
x

J
z
+ih

J
y
+i(

J
y

J
z
ih

J
x
)
j,m
= (

J
x
+i

J
y
)

J
z
j,m
+ h(

J
x
+i

J
y
)
j,m
=

J
+
(mh
j,m
) + h

J
+
j,m
= (m+ 1) h

J
+
j,m
J
z
(

J
j,m
) = (

J
z

J
x
i

J
z

J
y
)
j,m
=
J
x

J
z
+ih

J
y
i(

J
y

J
z
ih

J
x
)
j,m
= (

J
x
i

J
y
)

J
z
j,m
h(

J
x
i

J
y
)
j,m
=

J
(mh
j,m
) h

J
j,m
= (m1) h

J
j,m
Ainsi,
j,m
tant une fonction propre commune aux oprateurs

J
2
et

J
z
, avec comme valeurs
propres respectives j(j + 1) h
2
et mh, on a le rsultat suivant :

J
+
j,m
est une fonction propre commune aux oprateurs

J
2
et

J
z
, avec comme valeurs propres
respectives j(j + 1) h
2
et (m+ 1) h,
j,m
est une fonction propre commune aux oprateurs

J
2
et

J
z
, avec comme valeurs propres
respectives j(j + 1) h
2
et (m1) h.
Ce rsultat justie le choix du nom des oprateurs

J
+
et

J
(oprateurs sauts). De plus, on peut

maintenant crire le module au carr des fonctions

J
+
j,m
et

J
j,m
. on obtient par exemple pour
la fonction

J
+
j,m
:
50 P2MEMS
j,m

J
+
a
J
+
j,m
d
r =
j,m

J

J
+
j,m
d
r
=
j,m
(

J
x
i

J
y
)(

J
x
+i

J
y
)
j,m
d
r
=
j,m
(

J
x
2
+

J
y
2
+i(

J
x

J
y

J
y

J
x
))
j,m
d
r
=
j,m
(

J
2

J
z
2
h

J
z
)
j,m
d
r
= (j(j + 1) m
2
m) h
2
j,m
j,m
d
r
= (j(j + 1) m(m+ 1)) h
2
De la mme faon, on peut calculer la norme au carr de la fonction

J
j,m
. Ces deux normes
scrivent nalement sous la forme :
|

J
+
j,m
|
2
= (j(j + 1) m(m+ 1)) h
2
|

J
j,m
|
2
= (j(j + 1) m(m1)) h
2
Figure 3.2. valeurs propres bornes de loprateur

Jz
Comme ces normes au carr doivent tre positives ou nulles, on en dduit que, pour j x, m est
born par j et j. Ceci est illustr sur la gure 3.2.
Lapplication rpte N fois de loprateur

J
+
permet dengendrer, partir dune fonction
donde
j,m
, toute une srie dtats
j,m+1
,
j,m+2
, . . . ,
j,m+N
. De mme, lapplication M fois
de

J
permet dengendrer les tats

j,m1
,
j,m2
, . . . ,
j,mM
. Pour que tous ces tats respectent
la condition symtrique j mn j (avec n entier), on doit avoir :
m+N = j
mM = j
En soustrayant et en additionnant ces deux quations, on obtient le rsultat fondamental selon
lequel 2j et 2mdoivent tre entiers. En rsum, on peut crire que, si

J est un oprateur de moment
cintique, cest--dire tel que

J

J = ih

J , alors :
les valeurs propres de sa composante

J
z
sont de la forme mh, m tant entier, demi-entier ou
nul,
les valeurs propres de

J
2
=

J
x
2
+

J
y
2
+

J
z
2
sont de la forme j(j +1) h
2
, j tant entier positif,
demi-entier positif, ou nul,
Pour un systme dans un tat propre de

J
2
, cest--dire pour une valeur de j donne, m est tel
que :
m j, j + 1, . . . , 0, . . . , j 1, j
3.3. Premire description des atomes
3.3.1. quation de Schrdinger
La comprhension de la structure des atomes est la base de nombreuses applications techno-
logiques modernes, du laser lexploration du cosmos. Nous donnons ici une premire description,
trs sommaire, de cette structure, en considrant le comportement dun lectron (particule de charge
e et de masse m) dans un potentiel central V (r) schmatisant son interaction avec le reste de
latome. Pour cela, nous nous plaons en coordonnes sphriques.
Lquation de Schrdinger dans un potentiel central V (r) repose sur loprateur hamiltonien

H
qui, appliqu une fonction donde , fournit la quantit

H =
h
2
2m
+V (r). En coordonnes
sphriques, on peut utiliser la relation 3.6 pour lcrire sous la forme suivante, o loprateur

L
2
est
le carr du moment cintique orbital de llectron :
H =
h
2
2mr
2
(r)
r
2
+
1
2mr
2
L
2
+V (r)
On peut remarquer ici que loprateur

H commute avec

L
2
et

L
z
. En effet, ces derniers nagissent
que sur les coordonnes et , et commutent entre eux, tandis que

H agit sur r, contient

L
2
, et im-
plique une simple multiplication par le potentiel V (r). Cette remarque essentielle nous conduit
choisir les fonctions dans une base de fonctions propres commune aux trois oprateurs. Nous al-
lons maintenant afner lexpression de ces fonctions propres en utilisant les proprits des oprateurs
mis en jeu :
1) Puisque

L est un oprateur de moment cintique, les valeurs propres de

L
z
et

L
2
sont
respectivement mh et l(l + 1)h
2
, o m et l sont des entiers ou demi-entiers avec l 0 et
m = l, l + 1, . . . , l 1, l. Ceci nous conduit exprimer les fonctions propres sous la forme
l,m
(r, , ), et lquation prcdente sous la forme :
52 P2MEMS
H
l,m
=
h
2
2mr
2
(r
l,m
)
r
2
+
l(l + 1) h
2
2mr
2

l,m
+V (r)
l,m
2) Daprs lexpression de loprateur

L
2
(quation 3.5), qui nagit que sur les variables et ,
les fonctions propres
l,m
peuvent scrire sous la forme :
l,m
(r, , ) = R
l
(r)Y
l,m
(, )
Dans cette expression, les fonctions Y
l,m
(, ) doivent dune part satisfaire les quations aux
valeurs propres de

L
2
et

L
z
, et dautre part former une base orthonorme sur la sphre unit.
On montre que les fonctions harmoniques sphriques, qui scrivent sous la forme Y
l,m
(, ) =
P
l,m
(cos)e
im
, o les P
l,m
sont des polynmes de Legendre, satisfont ces conditions. Le lecteur
pourra trouver une description dtaille de ces fonctions dans des ouvrages spcialiss.
3) Lors dune transformation + 2, les fonctions propres doivent rester inchanges
puisque le systme de coordonnes nest pas modi. Il sen suit que lon doit avoir e
i2m
= 1, et
donc une valeur de m entire. Enn, comme m prend en particulier les valeurs l et l, l doit aussi
tre entier.
Les fonctions
l,m
(r, , ) ainsi dnies, avec l et mentiers, l 0 et m = l, l+1, . . . , l1, l
peuvent maintenant tre incorpores dans lquation de Schrdinger (quation aux valeurs propres
de

H). On peut alors dnir le potentiel suivant :
V
l
(r) =
l(l + 1) h
2
2mr
2
+V (r)
Avec la condition de normalisation des fonctions dondes, et en utilisant les proprits dortho-
normalit des harmoniques sphriques, on obtient lquation suivante rsoudre :
h
2
2m
d
2
(rR
l
(r))
dr
2
+ (V
l
(r) c) (rR
l
(r)) = 0 , avec

0
[rR
l
(r)[
2
dr = 1
Cette quation est une quation radiale fournissant la fonction donde radiale R
l
(r). Pour lob-
tenir, il est commode deffectuer le changement de variable u
l
(r) = rR
l
(r) pour crire lquation
rsoudre sous la forme :
h
2
2m
d
2
(u
l
(r))
dr
2
+ (c V
l
(r)) u
l
(r) = 0 , avec

0
[u
l
(r)[
2
dr = 1
On est ainsi ramen une quation semblable celle utilise pour dcrire le comportement
dune particule dnergie c dans un potentiel central V
l
(r). Ce cas conduit une quantication de
lnergie lorsque c < V
l
(r). Les niveaux dnergie croissants sont ici classs par un nombre entier
n
= 0, 1, 2, . . ., ltat n
= 0 tant donc ltat le plus li. Le nombre n
sappelle nombre quantique

radial.
Cette quation peut tre rsolue compltement dans le cas de latome dhydrogne, o le potentiel
central V (r) est en 1/r. Dans ce cas, lnergie ne dpend que de la quantit n
+ l + 1. On a donc
coutume de dnir un nombre quantique principal n = n
+ l + 1. Les tats propres de lnergie

dun lectron dans un potentiel central sont alors classs par ordre de n croissant (n = 1, 2, 3, . . .).
Les tats atomiques sont donc habituellement classs par trois nombres quantiques :
le nombre quantique principal n, qui prend des valeurs entires 1, 2, 3, . . .,
le nombre quantique orbital l, entier compris entre 0 et n 1,
le nombre quantique azimutal m, entier relatif compris entre l et l.
3.3.2. Moment cintique intrinsque - spin
On dmontre en mcanique quantique relativiste que toute particule possde, en plus dun mo-
ment cintique orbital, un moment cintique propre, ou intrinsque, qui la caractrise au mme titre
que sa masse ou sa charge. Ce moment cintique intrinsque est aujourdhui appel spin. Il lui cor-
respond un oprateur de moment cintique

S satisfaisant la relation vectorielle :

S

S = ih

S
Comme pour le moment cintique orbital, cet oprateur est tel que

S
z
et

S
2
commutent, et donc
ont une base de fonctions propres commune. Les valeurs propres de ces oprateurs peuvent tre
notes par exemple j(j +1)h pour

S
2
et sh pour

S
z
, o j est un entier ou demi-entier positif ou nul,
et o s est un entier ou demi-entier prenant les valeurs j, j + 1, . . . , j 1, j.
La particularit de loprateur de spin est que la valeur de j est caractristique de la particule.
Par exemple, on a j = 0 pour le mson , j = 1/2 pour llectron, j = 1 pour le photon, j = 3/2
pour certaines particules lmentaires et certains noyaux, . . . En particulier, on peut distinguer les
particules de spin entier (j entier) de celle de spin demi-entier (j demi-entier) :
Les particules de spin entier (mson , photon, particule , . . . ) sont appeles bosons.
Les particules de spin demi-entier (lectron, proton, neutron, . . . ) sont appeles fermions.
Nous nous intressons ici la structure atomique, par la caractrisation des lectrons autour dun
noyau. Loprateur de spin associ est celui de llectron, avec j = 1/2 et donc s = 1/2. Llectron
est ainsi caractris par un nombre quantique supplmentaire, s, appel nombre quantique de spin ou
spin, qui peut prendre comme valeur 1/2 ou 1/2. Cette grandeur est vritablement quantique. Le
lecteur pourra se construire une reprsentation intuitive de ce concept abstrait, comme par exemple
la rotation de llectron sur lui-mme autour dun axe xe, dans un sens (s = 1/2) ou dans lautre
(s = 1/2), mais cette construction restera une affaire personnelle.
54 P2MEMS
En mcanique quantique, un principe important a t introduit par Pauli en 1925, puis gnralis
par Fermi, Dirac, . . . Ce principe, appel souvent principe dexclusion de Pauli, stipule que, dans
un systme de fermions (et donc en particulier dlectrons), deux particules ou plus ne peuvent se
trouver simultanment dans un seul et mme tat.
Nous avons vu que, pour chaque niveau dnergie caractris par le nombre quantique principal
n et le nombre quantique orbital l, il existe 2l + 1 tats, chacun associ un nombre quantique
azimutal m, et pour chaque tat 2 possibilits de spin, 1/2 et 1/2. Les 2(2l +1) tats ainsi gnrs
sur le mme niveau dnergie sont dits quivalents. Selon le principe de Pauli, on ne peut trouver
dans chacun de ces tats quun seul lectron. Il sen suit que, sur chaque niveau dnergie (avec n et
l donns), la couche complte est constitue de 2(2l + 1) lectrons.
3.3.3. Classication des lments chimiques
Ltat fondamental dun atome correspond des lectrons dans les tats dnergie les plus bas.
Pour chaque lectron, cette nergie est une valeur propre de loprateur hamiltonien,

H, associe
ses nombres quantiques n et l. En appelant couche lectronique lensemble des lectrons occupant
le mme tat dnergie, et par application du principe de Pauli, on constate quil y a au maximum
2(2l + 1) lectrons par couche.
On a coutume de nommer chaque couche lectronique par une lettre majuscule associe au
nombre quantique principal n, partant de K pour n = 1 (premire couche), puis L (n = 2), M
(n = 3), N (n = 4), . . . Sur chaque couche, on utilise une lettre minuscule associe au nombre
quantique orbital l, partant de s pour l = 0, puis p, d, f, . . . , lettre prcde de la valeur de n. Par
exemple, la couche 3p correspond n = 3 et l = 1. Cette couche peut contenir 2(2l + 1) = 6 lec-
trons au maximum. Enn, on note souvent Z le nombre total dlectrons de llment : le numro
atomique.
Dans le tableau 3.2, quelques lments chimiques sont dcrits par leur structure lectronique,
dans lordre croissant de leur numro atomique Z. On peut remarquer que certaines couches lectro-
nique suprieures se remplissent avant dautres. Par exemple, dans le cas du potassium K, la couche
4s (n = 4, l = 0) sest remplie avant la couche 3d (n = 3, l = 2).
En fait, nous avons implicitement admis que les niveaux dnergie dpendent surtout de n, et peu
de l. Ceci est vrai pour les petites valeurs de n, mais le calcul et lexprience montrent que ce nest
plus vrai lorsque les nombres quantiques augmentent. Ceci provient essentiellement du potentiel
V (r) servant schmatiser linteraction de llectron avec le reste de latome. Ce potentiel devient
de plus en plus complexe lorsque les nombres quantiques augmentent.
La structure lectronique des lments chimiques est dcrite laide du remplissage de ces
couches. Par exemple, la structure du silicium Si est note 1s
2
2s
2
2p
6
3s
2
3p
2
. Le nombre en exposant
sur les lettres reprsentant le nombre quantique l donne le nombre dlectrons sur la couche corres-
pondante. Dans le cas du silicium, on remarque que toutes les couches sont compltes (2(2l + 1)
lectrons), sauf la dernire sur laquelle il y a deux lectrons alors que la couche peut en contenir six.
Nous verrons que ceci a des consquences importantes sur les proprits physiques des lments
chimiques.
Z K L M N O
1s 2s 2p 3s 3p 3d 4s 4p 4d 4f 5s . . .
1 H 1
2 He 2
3 Li 2 1
4 Be 2 2
5 B 2 2 1
6 C 2 2 2
7 N 2 2 3
8 O 2 2 4
9 F 2 2 5
10 Ne 2 2 6
11 Na 2 2 6 1
12 Mg 2 2 6 2
13 Al 2 2 6 2 1
14 Si 2 2 6 2 2
15 P 2 2 6 2 3
16 S 2 2 6 2 4
17 Cl 2 2 6 2 5
18 A 2 2 6 2 6
19 K 2 2 6 2 6 1
20 Ca 2 2 6 2 6 2
21 Sc 2 2 6 2 6 1 2
22 Ti 2 2 6 2 6 2 2
23 V 2 2 6 2 6 3 2
24 Cr 2 2 6 2 6 5 1
25 Mn 2 2 6 2 6 5 2
26 Fe 2 2 6 2 6 6 2
27 Co 2 2 6 2 6 7 2
28 Ni 2 2 6 2 6 8 2
29 Cu 2 2 6 2 6 10 1
30 Zn 2 2 6 2 6 10 2
31 Ga 2 2 6 2 6 10 2 1
32 Ge 2 2 6 2 6 10 2 2
33 As 2 2 6 2 6 10 2 3
34 Se 2 2 6 2 6 10 2 4
35 Br 2 2 6 2 6 10 2 5
36 Kr 2 2 6 2 6 10 2 6
37 Rb 2 2 6 2 6 10 2 6 1
38 Sr 2 2 6 2 6 10 2 6 2
39 Y 2 2 6 2 6 10 2 6 1 2
40 Zr 2 2 6 2 6 10 2 6 2 2
41 Nb 2 2 6 2 6 10 2 6 4 1
42 Mo 2 2 6 2 6 10 2 6 5 1
43 Ma 2 2 6 2 6 10 2 6 6 1
44 Ru 2 2 6 2 6 10 2 6 7 1
45 Rh 2 2 6 2 6 10 2 6 8 1
46 Pd 2 2 6 2 6 10 2 6 10
. . .
Tableau 3.2. Liste de quelques lments chimiques par remplissage des
couches lectroniques (Z croissant)
55
56 P2MEMS
Chapitre 4
tudes de cas
4.1. Le paquet donde gaussien
On se place dans un cas monodimensionnel. On considre donc une particule de masse m, sur
un axe x, dcrite par un paquet donde dont la fonction de distribution en impulsion p, (p), est de
la forme suivante :
(p) =
1
e
(pp
0
)
2
h
2
1) Donner une reprsentation graphique de la distribution en amplitude de limpulsion de la
particule. Dduire de cette reprsentation une signication physique pour les quantits p
0
et intro-
duites.
2) Calculer la fonction de distribution en position (x, t) de cette particule linstant t = 0. On
utilise pour cela la transforme de Fourier dune gaussienne, qui est galement une gaussienne :
f(k) =
1
2
e
k
2
2
2
g(x) =
1
f(k)e
2ikx
dk =
1
2
e
2
x
2
2
3) Donner une reprsentation graphique de la distribution en amplitude de la position de la par-
ticule.
4) Calculer la position et limpulsion moyennes de la particule, ainsi que les carts types corres-
pondants. Vrier lingalit de Heisenberg.
5) Calculer lvolution dans le temps de la fonction de distribution en position de la particule,
puis celle de la distribution en amplitude de cette position. Pour cela, on utilisera les quantits sui-
vantes :
X = x
p
0
m
t
2
=

2
m
m+it
2
h
57
58 P2MEMS
6) Commenter les rsultats obtenus en donnant par exemple la vitesse de groupe de ce paquet
donde.
7) Application numrique 1 : un lectron est localis t = 0 dans un intervalle x = 10
10
m
(distance approximative entre deux atomes). O sera-t-il localis au bout de 1 seconde ?
8) Application numrique 2 : quel temps faudra-t-il pour quun millimtre cube deau double de
volume ?
4.2. Le rayonnement du corps noir
Un corps noir est un corps capable dabsorber toute la lumire quil reoit, pour la rmettre dans
une gamme de longueur dondes diffrente de celle reue (pas de rexion). Il absorbe et met donc
continuellement de lnergie sous forme de radiations lectromagntiques.
Figure 4.1. volution exprimentale de la fonction u(T, )

A lquilibre, un corps noir est une temprature T constante car les taux dabsorption et dmis-
sion dnergie sont gaux. Le rayonnement mis est caractris par une distribution spectrale en
nergie u
. On montre que cette fonction ne dpend que de la temprature T du corps et de la fr-

quence du rayonnement mis. En particulier, elle ne dpend pas de la forme du corps, ni de la
nature du milieu.
La gure 4.1 donne lvolution exprimentale de cette fonction avec , pour deux tempratures.
Lobjectif est de modliser cette volution. Pour cela, on considre un corps dilectrique rectangu-
laire de dimensions L
x
(0 x L
x
), L
y
(0 y L
y
) et L
z
(0 z L
z
), dont les parois planes
tudes de cas 59
sont parfaitement conductrices. Daprs les quations de Maxwell, le champ lectrique
E doit satis-
faire les quations de Maxwell. Comme les parois sont parfaitement conductrices, les conditions aux
limites
n =

0 sont appliques sur chacune delles (
n est la normale la paroi considre).

On note c la vitesse de la lumire
1) Vrier que le champ solution est de la forme

E =

Ge
it
, o

G est dni de la faon
suivante :
G
x
= e
x
cos(k
x
x)sin(k
y
y)sin(k
z
z)
G
y
= e
y
sin(k
x
x)cos(k
y
y)sin(k
z
z)
G
z
= e
z
sin(k
x
x)sin(k
y
y)cos(k
z
z)
et o le vecteur donde
k , le vecteur
e et la pulsation obissent aux relations suivantes (c est la

vitesse de la lumire, et l, m et n sont des entiers positifs) :
2
= k
2
c
2
= (k
2
x
+k
2
y
+k
2
z
)c
2
e
x
k
x
+e
y
k
y
+e
z
k
z
=
e .
k = 0
k
x
= l/L
x
, k
y
= m/L
y
, k
z
= n/L
z
2) Tracer dans lespace (k
x
,k
y
,k
z
) lallure des vecteurs donde. Donner une estimation du
nombre de vecteurs donde possibles correspondant une frquence comprise entre 0 et une va-
leur donne = /2.
3) Donner le nombre N
de modes de rayonnement avec une frquence comprise entre 0 et ,

puis le nombre de modes () par unit de volume et par unit de frquence.
4) La statistique de Bolztmann donne la probabilit lmentaire pour que lnergie dun mode
soit comprise entre c et c + dc (C est une constante, k
B
la constante de Bolztmann et T la temp-
rature) :
dP = Cexp(c/k
B
T)dc
En dduire lnergie moyenne de chaque mode, puis lexpression de la fonction u
(, T) selon
cette statistique. Cest la loi de Rayleigh-Jeans. Comparer les valeurs obtenues pour T = 3000K et
= 10
14
Hz, puis = 2.10
14
Hz, avec les valeurs exprimentales de la gure 4.1. Commenter.
5) Lhypothse fondamentale de Planck est que lnergie dun mode ne peut pas prendre une
valeur arbitraire positive, mais que les valeurs permises devaient tre des multiples entiers dune
quantit fondamentale h, o h est une constante aujourdhui appele constante de Planck. Cette
quantit minimale qui peut tre change est appele quantum de lumire ou photon. Calculer dans
ce cas lnergie moyenne dun mode, puis lexpression de la fonction u
(, T). Cest la formule

de Planck. Faire lapplication numrique en utilisant la constante de Planck donne dans le cours.
Commenter.
4.3. Le modle de Bohr
Il a t dcouvert exprimentalement quun atome nmet et nabsorbe de la lumire qu des
frquences bien dnies. Ceci ne peut tre expliqu quen supposant que lnergie dun atome ne
peut possder que des valeurs discrtes. Niels Bohr a interprt ce rsultat en proposant un modle
datome reposant sur une discrtisation des orbites lectroniques, dans un cadre mcanique classique.
60 P2MEMS
On considre donc un lectron de masse m en mouvement circulaire autour dun noyau suppos
xe. Le rayon du cercle est not r, la vitesse de llectron v, et sa charge e. On se place dans en
coordonnes cylindriques, et on suppose que le mouvement circulaire a lieu dans le plan z = 0.
1) Montrer que le moment cintique
L de llectron est port par laxe z, et donner sa norme L.

Le modle de Bohr stipule que ce moment cintique est un multiple entier de h, soit L = nh.
2) crire lquilibre des forces en supposant que llectron a un mouvement stationnaire. En
dduire les valeurs discrtes de position r
n
et dimpulsion p
n
que llectron peut possder.
3) Donner lexpression c
n
des niveaux dnergie de llectron. En dduire la frquence de ra-
diation
n
de saut dun lectron dun niveau n vers le niveau n + 1. Pour cela, on pourra utiliser la
constante de Rydberg :
R =
2
2
me
4
h
3
c
4) On se place dans le cas n >> 1. Donner lexpression approche de
n
, et comparer cette
valeur la frquence de radiation f mise par une charge tournant la mme vitesse et la mme
distance du centre. Commenter.
5) Montrer que la relation dincertitude de Heisenberg empche lutilisation du modle classique
de Bohr pour latome dhydrogne.
4.4. Particule dans une bote 1D innie
On considre une particule de masse m dans une bote de potentiel innie de largeur a dans la
direction x. Il a t vu dans le cours que les solutions stationnaires, fonctions propres de lquation
de Schrdinger indpendante du temps, scrivent sous la forme suivante :
n
(x, t) =
2/asin(nx/a)e
i
h
Ent
avec c
n
=

2
h
2
n
2
2ma
2
1) Pourquoi les fonctions
n
(x, t) sont-elles dites stationnaires ? Donner lexpression dune
fonction donde gnrale (x, t) solution de lquation de Schrdinger. Pour crire cela, quel prin-
cipe de la mcanique quantique avez-vous utilis ?
2) Montrer que les fonctions donde
n
(x, t) forment une base orthonorme dans lespace des
fonctions donde.
3) On considre la particule dans un tat propre
n
. Calculer la position moyenne de la particule,
< x >, et son cart type x. Calculer limpulsion moyenne de la particule, < p >, et son cart type
p. Calculer le produit xp. Commenter.
4.5. Le microscope effet tunnel
Le microscope a effet tunnel fonctionne sur le principe de la mesure de lintensit du courant
tunnel passant entre une pointe trs ne, monte sur un moteur pizolectrique, et la surface ana-
lyser, lorsquune tension est applique entre ces deux lments (voir gure 4.2). La pointe est place
quelques nanomtres de la surface, donc sans contact. Lintensit du courant tunnel dpend forte-
ment de la distance entre la pointe et la surface. Il suft denregistrer les variations de ce courant en
fonction de la position de la pointe sur la surface, pour tracer une reprsentation de la topographie
tudes de cas 61
Figure 4.2. Schma de principe du microscope effet tunnel (STM)
de la surface. La prcision du moteur est sub-nanomtrique puisque le dplacement est assur par
un moteur pizolectrique. Lobjet est de montrer comment partir de la notion de fonction donde
et de barrire de potentiel, on peut comprendre la haute rsolution dun tel appareil.
4.5.1. La marche de potentiel
Nous considrons le cas dune particule libre de masse m soumise un potentiel V (x), tel
que V (x) = 0, si x < 0 et V (x) = V
0
si x > 0. La particule est mise depuis avec
une nergie c telle que 0 < c < V
0
. On utilisera par les constantes positives k =

2mc/h et
=
2m(V
0
c)/h.
1) Donner en fonction de k et lexpression de la fonction donde de la particule.
2) On utilise un coefcient de rexion R pour reprsenter la probabilit qua un lectron dtre
rchi par la marche de potentiel. Proposer une expression pour ce coefcient, et discuter de sa
valeur.
3) Quelle est la probabilit de prsence de la particule dans la rgion 2 ?
4.5.2. La barrire de potentiel
Considrons maintenant le cas dune particule libre de masse m soumise un potentiel V (x), tel
que V (x) = 0, si x < 0 et x > a et V (x) = V
0
si 0 < x < a. La particule est mise depuis
avec une nergie c telle que 0 < c < V
0
. On utilisera les mmes constantes positives k et que
prcdemment.
1) Donner en fonction de k et lexpression de la fonction donde de la particule.
2) On utilise un coefcient de transmission T pour reprsenter la probabilit qua un lectron de
traverser la barrire de potentiel. Proposer une expression pour ce coefcient, et montrer quil scrit
ici T = 1/
1 +
V
2
0
4E(V0E)
sinh
2
(a)
.
3) Que devient lexpression de T dans le cas dune barrire paisse, cest--dire telle que a >>
1 ?
4) Calculer la probabilit pour quun cycliste de 70Kg lanc 36Km/h sur une colline de 20m
de haut et 50m de large franchisse cette colline. Calculer cette probabilit pour un lectron ayant
62 P2MEMS
une nergie de 1eV , devant une barrire de 2eV et de 1 de largeur, puis celle dun proton (de masse
1840 fois plus grande) dans les mmes conditions. Commenter.
4.5.3. Le microscope STM
Figure 4.3. Image de la surface dune tranche de silicium montrant les atomes
Pour une particule dnergie c = 1eV , et partir de lexpression complte de T, tracez T =
f(a, V
0
) pour 1 < a < 5 et 2eV < V
0
< 5eV . Discuter de la capacit de haute rsolution du
microscope STM, partir de lobservation dune micrographie du silicium (gure 4.3), et sachant
que la distance inter-atomique varie en gnral de 1, 5 3.
4.6. Spectroscopie de la molcule HCl
Les mthodes spectroscopiques sintressent lmission ou labsorption de lumire par la ma-
tire et permettent de connatre les diffrents tats dnergie de celle-ci. Nous nous intresserons
ici aux tats lis de la molcule HCl. La gure 4.4 donne lallure dun spectre dintensit de cette
molcule en fonction de la frquence du rayonnement incident, dans le domaine de linfra-rouge.
Lobjectif du travail est dinterprter cette gure.
Pour interprter le spectre de la gure 4.4a, nous allons schmatiser la molcule HCl comme la
superposition dun oscillateur harmonique (vibration des ions autour de leur distance dquilibre) et
dun rotor (vibration de la molcule en rotation autour de sa position dquilibre). Ceci est reprsent
dans la gure 4.4b.
4.6.1. Rgles de slection
Dans un atome ou une molcule, la transition dun tat
n
(nergie E
n
) un tat
m
(nergie
E
m
) correspond labsorption ou lmission dun photon de frquence = (E
m
E
n
)/h. Mais
toutes les transitions ne sont pas possibles. Elles obissent des rgles de slection.
1) Sachant que le potentiel V associ lapplication dun champ lectromagntique homogne
E est
E.
r , montrer en utilisant lquation de Schrdinger que lvolution de

n

m
ne peut
se faire que si le moment dipolaire de transition
nm
suivant est non nul :
tudes de cas 63
(a) intensit relative I/I
0
mise par la molcule en fonction de
la frquence du rayonnement incident (c est la vitesse de la
lumire)
(b) Schmatisation de la molcule
HCl comme un oscillateur harmo-
nique et un rotor
Figure 4.4. Spectre dabsorption de HCl (a) et rotor rigide (b)
nm
=
r
m
d
r
2) Dans le cas dun oscillateur harmonique dnergie E
N
= h
0
(N + 1/2), montrer que les
seules volutions possibles des tats dnergie sont N N + 1 ou N N 1. On admettra que
la dgnrescence des fonctions propres est 1.
3) Montrer que dans le cas dun rotor lnergie scrit sous la forme E
J
= h
1
J(J + 1). Les
fonctions donde associes ne seront pas calcules. On admettra les seules transitions possibles dans
ce cas sont celles pour lesquelles [J[ = 1, et que la dgnrescence des fonctions propres est en
2J + 1.
4.6.2. Populations des niveaux dnergie
La population des niveaux dnergie est donne par la distribution de Boltzmann. En notant k
la constante de Boltzmann, T la temprature et g
i
la dgnrescence du niveau dnergie E
i
, la
population du niveau dnergie E
n
est :
64 P2MEMS
p
n
=
g
n
e
(
E
n
/kT)
g
i
e
(
E
i
/kT)
1) Calculer la population de chaque niveau dnergie dans le cas dun oscillateur harmonique.
Dans le cas de HCl,
0
= 5, 63.10
14
s1. Pour une excitation dans le domaine de linfra-rouge,
montrer qu T = 300K cette molcule est essentiellement son niveau dnergie de vibration
fondamental.
2) Calculer la population de chaque niveau dnergie dans le cas dun rotor. Dans le cas de HCl,
1
= 1, 99.10
12
s
1
. Estimer les populations des six premiers niveaux dnergie. Pour le calcul, on
remarquera que d/dx(e
x(x+1)
) = (2x + 1)e
x(x+1)
, et on assimilera la somme discrte au dnomi-
nateur de la formule donnant p
n
une somme continue (une intgrale).
3) Montrer que le spectre dnergie de la gure 4.4 est compatible avec des niveaux dnergie
issus dun couplage oscillateur-rotor de la forme E
NJ
= h
0
(N + 1/2) + h
1
J(J + 1), avec des
rgles de slection de la forme N = 1 et [J[ = 1. A quelles transitions correspondent les pics
observs ?
4.7. Le laser
Le laser ("light amplication by stimulated emission of radiation") a t ralis pour la premire
fois par Thodore Maiman en 1962. Un schma de fonctionnement est propos dans la gure 4.5.
Lobjectif est de produire un faisceau lumineux trs intense.
Figure 4.5. Schma de principe du LASER
On rappelle que, une temprature T et lquilibre thermodynamique, les populations N
i
et
N
j
des tats dnergies c
i
et c
j
des lectrons dun atome obissent la loi de Boltzmann :
N
j
N
i
= e
(EjEi)/kT
1) Quelles sont les caractristiques dun faisceau laser ? Discutez ces caractristiques.
2) Pourquoi seules certaines longueurs donde sont permises pour les photons sortant de la ca-
vit ?
tudes de cas 65
4.7.1. Le laser deux niveaux
Considrons deux niveaux dnergie c
1
(niveau 1) et c
2
(niveau 2) tels que c
1
< c
2
. Un photon
dnergie h = c
2
c
1
sera absorb si un lectron est excit du niveau 1 au niveau 2. Soit A la
probabilit de cet vnement. Le retour de llectron vers le niveau 1 va son tour crer un photon
de mme nergie. On appelle cela la dsexcitation radiative de llectron. Elle peut se faire de deux
faons (gure 4.6 :
Elle peut tre spontane, cest--dire avoir lieu sans intervention extrieure. Nous noterons SP
la probabilit de cet vnement.
Elle peut tre stimule par larrive dun autre photon de mme nergie. Nous noterons ST la
probabilit de cet vnement, postul initialement par Einstein en 1917, et sur lequel repose leffet
LASER.
Figure 4.6. Schma de principe du de lexcitation et de la dsexcitation
radiative dun lectron
On considre N
1
lectrons au niveau 1 et N
2
au niveau 2. On montre que lnergie lumineuse est
proportionnelle la probabilit de transition du niveau 1 au niveau 2, au nombre dlectrons sur le
niveau de dpart, et lintensit i du rayonnement pour labsorption et lmission spontane.
1) crire la conservation de lnergie. En utilisant la loi de Boltzmann, exprimer lintensit i du
rayonnement en fonction des probabilits A, SP, ST, des nergies c
1
et c
2
, et de la temprature.
Cette expression est appele formule dEinstein.
2) En supposant que la probabilit de prsence dun photon dnergie c
2
c
1
proximit dun
lectron (excit ou non) est responsable de lmission stimule et de labsorption, proposer une
forme simplie de la formule dEinstein. Cette forme simplie avait t introduite en 1901 par
Max Planck pour estimer lintensit de rayonnement du corps noir. Cette formule est la suivante, o
est la pulsation du rayonnement, c est la vitesse de la lumire, et k
B
est la constante de Boltzmann :
i =
h
3
2
c
2
e
h
k
B
T
1
66 P2MEMS
3) Calculer le rapport SP/A dans le cas dun laser He Ne rouge classique (voir cours p 22).
Un laser deux niveaux peut-il exister ?
4.7.2. Le laser trois niveaux
Leffet laser ne peut se produire que si lmission stimule est prpondrante. Ceci suppose une
inversion de la population. Cette inversion ne peut tre explique quen considrant au minimum
trois niveaux dnergies c
1
(niveau infrieur), c
2
(niveau intermdiaire) et c
3
(niveau suprieur). Elle
est obtenue en pratique par excitation lectronique monochromatique. On appelle cela le pompage.
En considrant une constante de temps
ij
pour passer dun niveau i un niveau j, et en proposant
quelques approximations raisonnables, Alfred Kastler a propos un modle du pompage optique sur
trois niveaux nergtiques en 1958. Nous allons utiliser ce modle pour expliquer leffet LASER.
1) Sachant que, dune part le niveau dnergie intermdiaire c
2
est mtastable, et que dautre
part la dsexcitation du niveau suprieur c
3
vers le niveau infrieur c
1
est trs lente, retrouver les
hypothses de Kastler.
2) En supposant que la cintique de transfert des lectrons est de premier ordre (dN/N = dt/
o t es le temps et N le nombre dlectrons), proposer trois quations dynamiques de conservation
des populations sur chaque niveau (rgime stationnaire).
3) Retrouver la valeur de N
2
/N
1
.
4) Dans une paisseur de matriau dz, si n photons viennent frapper le matriau, le nombre
de photons effectivement absorbs sera N
1
Andz. En prolongeant ce raisonnement aux missions
spontane et stimule, crivez lvolution du nombre de photons n dans le modle deux niveaux.
5) En proposant une approximation raisonnable dans le cas du laser, rsolvez cette quation.
4.7.3. Questions complmentaires
On montre que, pour quun rayon lumineux reste lintrieur dune cavit, aprs un grand
nombre de rexions, celle-ci doit satisfaire la condition dite de stabilit 0 (1 d/h
1
)(1
d/h
2
) 1, o h
1
et h
2
sont les rayons de courbure des deux miroirs (positifs si les miroirs sont
concaves), et o d est la distance entre ces deux miroirs.
1) Tracer la courbe d/h
2
en fonction de d/h
1
, indiquer la conguration des miroirs, et discuter
de la stabilit.
2) Quel est le rle de la cavit rsonante ?
3) Quelles peuvent tre les causes dun mauvais fonctionnement du laser ?
4) Comment fonctionne, votre avis, un laser impulsions ultra-courtes (laser femtoseconde) et
quel est son principal intrt ?
DEUXIME PARTIE
LE SOLIDE CRISTALLIN
67
68
Chapitre 5
Rseau cristallin
La premire tentative de thorie sur la structure des cristaux date de 1784. Elle fut ralise par
labb Hay qui, ramassant les morceaux dun cristal de calcite (CaCO
3
) bris, remarqua quils
taient constitus de faces planes nombreuses, bordes dartes vives, et surtout formant des angles
bien dnies entre elles. Dans cette tentative, il est postul lexistence dun objet microscopique,
sorte de brique lmentaire, que nous appelons aujourdhui maille lmentaire .
Figure 5.1. Rupture par clivage du sel gemme (daprs [KIT 98])
La gure 5.1 montre le clivage du sel gemme, ralis en appliquant une force localise provo-
quant une rupture instantane du matriau dans une direction privilgie. Cette direction privilgie
est caractristique du cristal.
Dans ce chapitre, nous allons dnir les bases de lanalyse gomtrique des solides cristallins,
cest--dire de la cristallographie. La notion de priodicit et de symtrie est mise en place par
le rseau de Bravais. Ensuite, en introduisant un motif dans ce rseau, nous dnirons quelques
structures cristallines possibles, et nous en dtaillerons une petite partie.
69
70 P2MEMS
5.1. Classication des structures
5.1.1. Rseau de Bravais
En trois dimensions, un rseau de Bravais est gnr par la translation
g dun point M, dans

trois directions (
a ,
b ,
c ) non coplanaires, par des nombres entiers relatifs (u, v, w). Ce rseau est
effectivement le rseau de Bravais dun cristal si, partir de chacun des points P ainsi gnrs, on
voit le cristal de faon identique en termes de composition chimique, structure et orientation. Ces
points P sont dnis par la relation suivante :
OP =
OM +
g avec
g = u
a +v
b +w
c (5.1)
Figure 5.2. Exemple de rseau de Bravais deux dimensions
Si trois directions donnes dnissent un unique rseau de Bravais, et ceci quelle que soit lori-
gine O, linverse nest pas vrai. En effet, en deux dimensions par exemple, la gure 5.2 montre que
les jeux de directions (
a ,
b ) et (
A,
B), conduisent tous les deux au mme rseau. On remarque

galement sur cette gure que la plus petite entit que lon peut dnir, ou maille lmentaire , ou
maille primitive , est fonction des vecteurs de base choisis. Par contre, son volume (ou surface en
deux dimensions), nen dpend pas. Il reprsente le volume (ou surface en deux dimensions) associ
un point, ou noeud, du rseau. Dans la gure 5.2, les surfaces des mailles primitives (
a ,
b ) et
(
A,
B) sont identiques.
Il existe une autre faon de choisir une maille primitive dans un rseau de Bravais. Pour cela,
on considre un noeud du rseau, on trace les lignes qui le relient ses voisins, on trace les plans
mdiateurs (ou lignes mdiatrices en 2D) de ces lignes (ensemble des points quidistants des deux
noeuds voisins), et on en prend lenveloppe interne. La maille ainsi obtenue est connue des physi-
ciens sous le nom de maille primitive de Wigner-Seitz . On montre quelle a un volume (une surface
Rseau cristallin 71
Figure 5.3. Exemple de maille primitive de Wigner-Seitz en 2D
en 2D) identique celui de la maille primitive. La gure 5.3 montre un exemple de construction
dune maille de Wigner-Seitz en 2D.
En plus des symtries de translation introduites par la formule 5.1, on peut caractriser un rseau
de Bravais par ses symtries de rotation. En dimension deux, une symtrie dordre N signie que le
rseau est conserv par une rotation dordre 2/N autour de tout axe perpendiculaire au plan. En ca-
ractrisant chaque rseau de Bravais par les symtries quil possde, on peut dnombrer exactement
le nombre de types qui existent.
En dimension deux, il en existe seulement 5, qui sont dcrits dans la gure 5.4. On remarque sur
cette gure que le nom des rseaux correspond aux symtries qui peuvent tre mises en vidence,
mais pas forcment la maille lmentaire. Par exemple, le rseau rectangulaire centr possde une
maille lmentaire qui nest pas rectangulaire. En revanche, la maille rectangulaire avec un noeud au
centre (vecteurs
A et
B), qui nest pas lmentaire, fait mieux apparatre les symtries du rseau.
En dimension trois, il existe quatorze types de rseaux de Bravais, qui ont t dnombrs en
1845 par Bravais, et qui sont lists dans la gure 5.5. On remarque sur cette gure que ces rseaux
ont t regroups en sept catgories. En revanche, pour chaque catgorie, la maille lmentaire nest
reprsente que sur le rseau de type P lorsquil y en a plusieurs. Dans les autres, la maille lmen-
taire nest pas la mme. On peut utiliser le mme raisonnement que celui men prcdemment sur
le rseau rectangulaire centr en 2D, mais en 3D la maille lmentaire est relativement difcile
reprsenter. La gure 5.6 montre par exemple ces mailles lmentaires dans le cas des rseaux de
Bravais prsentant une symtrie cubique.
72 P2MEMS
Figure 5.4. Description des rseaux de Bravais 2D
5.1.2. Motif, ranges, plans
Le rseau de Bravais dcrit les symtries dun cristal, mais ne dit rien sur sa nature. Il faut pour
cela remplir la maille lmentaire laide datomes ou de molcules, cest--dire laide dun motif
. Un cristal rsulte donc dun rseau de Bravais, auquel on a ajout un motif :
(rseau de Bravais) + (motif) = (cristal)
La gure 5.7 donne un exemple en deux dimensions constitu dun rseau de Bravais rectangu-
laire, auquel on a affect un motif. On voit nouveau que lon peut dnir de faons diffrentes le
mme cristal. Le motif choisir dpend videmment de la maille lmentaire. Chaque motif corres-
pondant la structure dessine droite de la gure 5.7 est reprsent au sein de la maille lmentaire
associe aux vecteurs choisis pour reprsenter le rseau de Bravais. Dans le cas dune structure cris-
talline, le motif sera remplac par des atomes ou des molcules.
Rseau cristallin 73
Figure 5.5. Description des rseaux de Bravais 3D
Le caractre rptitif dune structure cristalline fait que, si une droite passe par deux sites ato-
miques quivalents, alors elle passe par une innit de sites quivalents, qui constituent une range
atomique. De mme, un plan passant par trois sites atomiques quivalents dnit un plan atomique.
La gure 5.8 montre quelques exemples de ranges et de plans dans un rseau cubique. Dune
faon gnrale, une range atomique est caractrise par les trois composantes entires les plus
petites dun vecteur port par cette range, composantes places entre crochets []. Lensemble des
74 P2MEMS
Figure 5.6. Mailles lmentaires des rseaux cubiques
Figure 5.7. Exemple 2D de superposition dun rseau de Bravais et dun motif
points P
n
dune range [uvw] sera obtenu partir dun point P
0
de cette range sous la forme
suivante, o n est un entier :
P
0
P
n
= n
a +v
b +w
Par exemple, dans la gure 5.8, la range [110] est la diagonale dune face du cube. Lorsque lon
veut dsigner lensemble des ranges du mme type, par exemple les six diagonales de faces sur la
gure 5.8 ([110], [110], [011], [011], [101], [101]), on utilise des symboles <>, soit ici < 110 >. En
cristallographie, la barre suprieure place sur un nombre signie que lon prend son oppos. Par
exemple, 1 signie 1.
Un plan atomique est quant lui caractris par ses intercepts avec les axes
a ,
b et
c servant
dcrire le rseau. Si un plan coupe ces axes respectivement en a/h, b/k et c/l (a, b et c sont les
longueurs des trois vecteurs de base, et h, k et l sont les plus petits entiers possibles), alors le plan
correspondant est not (hkl), et les composantes places cette fois entre parenthses () sont appeles
Rseau cristallin 75
Figure 5.8. Exemples de ranges et de plans atomiques dans une structure
cubique
indices de Miller. Par exemple, dans la gure 5.8, le plan (111) est celui qui coupe les trois axes du
rseau aux extrmits des vecteurs de base.
Dans la gure 5.8, il existe en fait une innit de plans (111), tous parallles et quidistants lun
de lautre. Ceci est une consquence de la priodicit du rseau de Bravais, et est donc vrai pour tout
plan (hkl). Tous les plans (hkl) couperont les axes du rseau en na/h, nb/k et nc/l, o n est un
entier relatif quelconque.
Dans la gure 5.8, il existe galement des plans de mme type que (111), du fait de la symtrie
du rseau. Ces plans sont dans cette gure (111), (111) et (111). On note en gnral lensemble des
plans du mme type entre accolades, donc 111 ici, et hkl en gnral.
En toute rigueur, les indices cristallographiques ainsi dnis (pour des ranges et pour des plans)
sont dnis partir de la maille lmentaire du rseau correspondant la structure tudie. Cepen-
dant, il est souvent plus commode dutiliser une rfrence plus simple que celle correspondant au
rseau de Bravais. Dans les structures usuelles dcrites ci-dessous, les indices cristallographiques
sont dnis dans un rseau cubique pour les structures dont les rseaux associs sont cubiques cen-
tres ou cubiques faces centres, alors que la maille lmentaire du rseau nest pas cubique. Ceci
peut conduire en particulier lutilisation dindices rationnels plutt quentiers.
Le tableau 5.1 donne la structure des lments chimiques. Les valeurs sont donnes temprature
ambiante pour les formes usuelles, ou la temprature indique en K.
5.1.3. Allotropie, structures non cristallines
Il est important de savoir que la structure cristalline dun solide peut tre fonction de sa tempra-
ture et de sa pression. Par exemple, la pression atmosphrique, le fer change de structure cristalline
76 P2MEMS
Tableau 5.1. tableau priodique des lments, daprs [KIT 98]
lorsque sa temprature varie. A temprature ambiante, il est cubique centr (fer ). Ensuite, lorsque
la temprature augmente, il devient cubique faces centres (fer ), pour redevenir cubique cen-
tr (fer ) avant la fusion. Ces diffrentes structures sont appeles phases allotopiques. Lorsquun
matriau change de phase, ses proprits voluent beaucoup.
Il est galement important de savoir que tous les matriaux ne sont pas toujours dans une certaine
structure cristalline. Il existe pour la matire dautres faons de sorganiser, bien que les cristaux
tiennent une place prpondrante dans lutilisation que lon fait des matriaux. Les liquides nont
pas de structure cristalline clairement dnie. Il peuvent se prsenter sous forme dsordonne, ou
sorganiser sous forme de molcules allonges, quasi-rectilignes. On parle de cristaux liquides. Sans
entrer dans les dtails, nous pouvons citer les cristaux nmatiques (molcules parallles les unes aux
autres), les cristaux smectiques (molcules normales ou inclines par rapport des couches dgales
paisseurs), et les cristaux cholestriques (molcules parallles un plan et tournant localement au
tour de la normale ce plan).
Les verres sont des matriaux amorphes, cest--dire sans structure cristalline. On peut aussi ob-
tenir une structure amorphe pour un alliage en le solidiant trs rapidement. Il ne se forme alors
pas de cristaux, et donc pas de grains. Enn, les quasi-cristaux sont des structures prsentant des
Rseau cristallin 77
symtries particulires, et une quasi-priodicit de leur rseau. Ces matriaux prsentent des pro-
prits intressantes, mais leur tude nentre pas dans le cadre de ce cours, uniquement consacr aux
matriaux prsentant une structure cristalline.
5.2. Structures cristallines usuelles
5.2.1. Chlorure de sodium et chlorure de csium
Figure 5.9. Structure du chlorure de sodium NaCl
La structure du chlorure de sodium NaCl est illustre dans la gure 5.9. Le rseau de Bravais
est cubique faces centres. Le motif dans la maille primitive est constitu dune seule molcule,
savoir un ion Cl
rparti sur les sommets de la maille (chacun des huit ions participe huit mailles
adjacentes, et donc contribue pour un huitime), et un ion Na
+
plac au centre.
La structure obtenue ne doit pas tre confondue avec une structure issue dun rseau cubique
simple, bien quelle puisse tre construite en plaant les ions Na
+
et Cl
alternativement sur les

noeuds dun tel rseau. Parmi les solides cristallisant sous cette forme, on peut citer les molcules
suivantes : LiH, MgO, MnO, AgBr, PbS, KCl, KBr, . . .
Figure 5.10. Structure du chlorure de csium CsCl
La structure du chlorure de csium est illustre dans la gure 5.10. le rseau de Bravais est
cubique simple, et le motif dans la maille primitive est constitu dune seule molcule. Un ion Cs
+
78 P2MEMS
est rparti sur les huit noeuds de cette maille (chacun contribue pour un huitime), et un ion Cl
est
plac au centre de cette maille.
Malgr la gomtrie obtenue, la structure nest pas de type cubique centre (voir le paragraphe sur
cette structure). Parmi les solides cristallisant sous cette forme, on peut citer les molcules suivantes :
BeCu, AlNi, CuZn(laiton), CuPd, AgMg, LiHg, CsCl, . . .
5.2.2. Structure cubique faces centres (cfc)
Figure 5.11. Structure cubique faces centres (cfc)
La structure cubique faces centres (cfc) est dcrite dans la gure 5.11. Elle provient dun
rseau lui-mme cubique faces centres (gure 5.6), sur lequel on a plac un motif constitu dun
atome sur chaque sommet de la maille lmentaire. Comme chacun des huit sommets de cette maille
lmentaire appartient simultanment huit mailles, ce motif est constitu en propre dun seul atome.
Pour illustrer cela sur la gure 5.11, nous aurions pu dcaler lorigine de la maille lmentaire du
rseau de Bravais dans la direction (
a +
b +
c )/2, puis choisir comme motif un atome au centre

de la maille lmentaire. Nous aurions obtenu la mme structure cristalline.
Nous laissons au lecteur titre dexercice le soin de dmontrer que le volume V
0
de la maille
lmentaire dune structure cfc est a
3
/4, o a est la longueur de larte du cube de la gure 5.11.
En pratique, les indices cristallographiques utiliss avec la structure cfc sont ceux associs au
rseau cubique qui le supporte. Par exemple le plan (111) est identique celui reprsent sur la
gure 5.8. Ces indices prsentent lavantage de bien respecter la symtrie de cette structure. En
revanche, des indices seront introduits sous forme de fraction rationnelle.
La gure 5.12 illustre lutilisation dindices cristallographiques sous forme de fraction ration-
nelle. En effet, on peut voir sur cette gure huit sites quivalents de la structure cfc, appels sites t-
tradriques dont les centres ont comme coordonnes (3/4, 1/4, 1/4), (1/4, 3/4, 3/4), (1/4, 1/4, 3/4),
(3/4, 3/4, 1/4), (1/4, 3/4, 1/4), (3/4, 1/4, 3/4), (1/4, 1/4, 1/4) et (3/4, 3/4, 3/4). Ces sites ont
une grande importance pour ltude des solides de structure cfc tels que laluminium, le cuivre, lar-
gent, le platine, . . . Ils sont par exemple des sites privilgis dinsertion datomes trangers, car ce
sont les plus grands de la structure. Nous verrons mme ci-dessous que ces sites sont lorigine de
la structure diamant, qui est dune importance considrable en physique du solide.
Rseau cristallin 79
Figure 5.12. Sites ttradriques de la structure cubique faces centres
5.2.3. Structure cubique centre (cc)
Figure 5.13. Structure cubique centre (cc)
La structure cubique centre (cc) est dcrite dans la gure 5.13. Elle est forme dun rseau de
Bravais cubique centr (gure 5.6), et dun motif simple o chaque sommet de la maille lmentaire
est occup par un atome. Comme pour la structure cfc, cette maille lmentaire est occupe par
huit atomes, chacun participant huit mailles diffrentes. Elle contient donc seulement un atome en
propre.
Nous laissons galement au lecteur titre dexercice le soin de dmontrer que le volume V
0
de la
maille lmentaire dune structure cfc est a
3
/2, o a est la longueur de larte du cube de la gure
5.13.
Comme pour la structure cfc, les indices cristallographiques de range et de plan sont donnes
en faisant rfrence au cube, et non la maille lmentaire. Ceci permet ici aussi de bien mettre en
vidence les symtries de la structure.
Le fer, le lithium, le tungstne et le vanadium sont des exemples de solides cristallisant dans une
structure cc.
5.2.4. Structure hexagonale compacte (hc)
La structure hexagonale compacte est dcrite dans la gure 5.14. Le rseau est hexagonal. Le
motif est form dun atome chaque sommet de la maille lmentaire, et dun atome au centre. Ce
motif est donc form de deux atomes propres.
80 P2MEMS
Figure 5.14. Structure hexagonale compacte (hc)
Figure 5.15. Indices cristallographiques dans une structure hc
Les indices cristallographiques de cette structure ne mettent pas bien en vidence la symtrie
hexagonale dans un plan (appel plan de base ou plan basal). Pour la mettre en vidence, on utilise
souvent un systme quatre indices, avec la condition que la somme des trois premiers indices
soient nulle. Ceci revient choisir les vecteurs de la gure 5.15 pour dcrire les ranges et plans
cristallographiques. Quelques plans et directions sont galement donns dans cette gure.
Le titane temprature ambiante et le magnsium sont des matriaux dont la structure cristalline
est hexagonale compacte (hc). Le qualicatif "compact" signie que, en principe, les atomes sont
disposs de la faon la plus compacte possible dans lespace.
Rseau cristallin 81
5.2.5. Structure diamant
La structure diamant est dune grande importance pratique. En effet, le silicium et le carbone
cristallisent dans une structure diamant. Or, ces deux solides sont la base des immenses progrs
raliss dans les composants de la micro-lectronique, et plus gnralement dans les systmes de
trs petite taille raliss par des techniques issues de la nanotechnologie.
Figure 5.16. Structure diamant (d)
La structure diamant est dcrite dans la gure 5.16. Son rseau de Bravais est cubique faces
centres, comme la structure cfc. En revanche, un atome supplmentaire a t introduit dans le motif
de la maille lmentaire. Cet atome supplmentaire est plac au centre du site ttradrique le plus
proche de lorigine du rseau. La structure obtenue peut paratre complique. En fait, elle possde
de trs fortes symtries. Par exemple, chaque atome est situ au centre dun ttradre rgulier.
Comme pour les structures cfc et cc, les indices cristallographiques dans une structure diamant
utilisent des vecteurs de base correspondant aux artes du cube de la structure. On peut dailleurs
remarquer que la structure diamant est en fait constitue de deux structures cfc dcales dun quart
de diagonale du cube.
82
Chapitre 6
Interaction onde-rseau
Linteraction dune onde avec un solide cristallin est la base de ltude de la plupart des pro-
prits physiques des matriaux. En effet, ces proprits (lectriques, thermiques, optiques, . . . ) sont
fortement lies aux interactions des lectrons ou des photons avec le rseau, et nous avons vu dans
la premire partie de ce document que tous pouvaient tre dcrits par une fonction donde.
Figure 6.1. spectre de lintensit diffracte par du silicium et du cuivre, en
fonction de langle dincidence du faisceau X
La gure 6.1 donne un exemple dvolution de lintensit diffracte par un solide, en fonction
de langle dincidence dun faisceau de rayons X. On constate sur cette gure que, pour certains
angles particuliers, lintensit augmente considrablement. Ces angles particuliers proviennent de
83
84 P2MEMS
la structure priodique des arrangements atomiques dans les matriaux cristallins. Cette structure est
dcrite dans le chapitre 5. En revanche, la modlisation de cette interaction fait intervenir la notion
de rseau rciproque, qui est introduite au dbut de ce chapitre. Ensuite, nous calculons lintensit
dune onde diffuse par un cristal. Enn, la zone de Brillouin du solide est introduite, car elle permet
de gnraliser la modlisation dautres proprits du matriau.
6.1. Modlisation de linteraction
6.1.1. Loi de Bragg
Pour expliquer lexistence dangles dincidence particuliers pour lesquels lintensit dune onde
diffracte par un solide cristallin augmente considrablement, on peut utiliser le raisonnement simple
suivant, initialement conduit par W.L. Bragg, et conduisant la loi de Bragg.
Figure 6.2. Diffrence de marche dune onde entre deux plans
cristallographiques parallles
On considre dans un solide un plan cristallographique particulier (par exemple (111)), et on
note d la distance entre deux plans successifs (appele distance inter-rticulaire). Comme le montre
la gure 6.2, une onde arrivant avec un angle sur ces plans va interfrer. Cette interfrence sera
constructive si la diffrence de marche entre deux plans successifs, 2dsin(), est un multiple entier
de la longueur donde du faisceau. Ceci donne la condition de Bragg (avec n entier) :
2dsin() = n
On remarque sur cette quation que, pour que la loi de Bragg soit satisfaite, il faut que la longueur
donde soit telle que 2d. Comme la distance entre plans atomiques est de lordre de quelques
angstrms, on est oblig dutiliser des ondes de longueur donde trs petites comme par exemple les
rayons X (voir gure 1.3).
Interaction onde-rseau 85
6.1.2. Rseau rciproque
Partant dun rseau de Bravais dni par ses vecteurs de base
a ,
b et
c , nous introduisons les

vecteurs de base

A,

B et

C du rseau rciproque comme les normales chaque plan form par
deux des trois vecteurs du rseau direct :
A =
2
V
0
b

c
B =
2
V
0
c

a
C =
2
V
0
b
avec V
0
= [
a ,
b ,
c ] (6.1)
Dans cette expression, V
0
est le volume de la maille lmentaire du rseau direct, obtenu comme
le produit mixte des trois vecteurs de base, et le coefcient 2 est introduit pour des questions de
normalisation. Le rseau rciproque peut aussi tre construit partir du rseau direct en appliquant
les relations suivantes :
A.
a = 2

A.
b = 0

A.
c = 0
B.
a = 0

B.
b = 2

B.
c = 0
C.
a = 0

C.
b = 0

C.
c = 2
Par construction, le rseau rciproque dun rseau de Bravais possde aussi une priodicit dans
les trois directions. Cette priodicit est donne par les vecteurs de base
A,
B et
C. Ainsi, comme
dans le rseau direct (quation 5.1), on peut gnrer lensemble des noeuds P du rseau rciproque
partir dun noeud M en utilisant des entiers relatifs U, V et W pour construire un vecteur
G tel
que :
OP =
OM +
G avec
G = U
A +V
B +W
C (6.2)
Lexemple le plus simple de rseau rciproque est celui du rseau cubique simple. Si a est la
longueur de larte du cube, alors le rseau rciproque est galement un cube, dont larte a pour
longueur A = 2/a. Mais il est plus intressant dtudier les rseaux rciproques associs aux
structures cristallines usuelles.
Le rseau rciproque du rseau de Bravais cubique centr est reprsent dans la gure 6.3. Si a
est la dimension de larte du cube de la structure cc de dpart, alors le rseau rciproque est cubique
faces centres, avec une arte du cube ayant pour dimension A = 4/a (on peut noter ici que A
est homogne linverse dune longueur).
Le rseau rciproque du rseau de Bravais cubique faces centres est reprsent dans la gure
6.4. En notant toujours a la dimension du cube portant la structure cfc de dpart, on remarque que le
rseau rciproque est cubique centr, avec une arte du cube, toujours homogne linverse dune
longueur, gale A = 4/a.
86 P2MEMS
Figure 6.3. Rseau rciproque du rseau de Bravais cubique centr
6.1.3. Loi de Bragg gnralise
Considrons une onde plane monochromatique, de vecteur donde
k , arrivant sur le cristal. Elle

merge du cristal avec un nouveau vecteur donde
. Comme le montre la gure 6.5, la diffrence

de marche de ces deux ondes entre deux points distants dun vecteur
r est (
).
r . En dautres
termes, londe diffuse en
r dans le solide a un facteur de phase e

i(

k

k
).

r
par rapport londe
diffuse lorigine O du rseau cristallin.
La densit lectronique dun solide n(
r ) est une quantit fondamentale pour ltude de la diffu-

sion des ondes dans ce solide. On montre en effet que lamplitude de londe mergente est propor-
tionnelle lintgrale sur lensemble du solide de cette densit lectronique, affecte du facteur de
phase. En notant V le volume du solide, le facteur de proportionnalit peut scrire :
F =
V
n(
r )e
i

k .

r
d
r avec
k =
k (6.3)
Si

r dsigne un point quelconque dans le rseau de Bravais de base (
a ,

b ,

c ) associ
ce cristal, alors la densit lectronique n(
r ) respectera la priode de ce rseau. Conformment

lquation 5.1 dnissant la forme gnrale dun vecteur
g joignant deux noeuds du rseau, la den-

sit lectronique respecte la priodicit du rseau par la relation n(
r +
g ) = n(
r ). Cette densit
Figure 6.4. Rseau rciproque du rseau de Bravais cubique faces centres
Figure 6.5. diffrence de marche entre londe incidente et londe diffracte
dans un solide
lectronique se prte donc bien un dveloppement en srie de Fourier. Pour cela, on parcours len-
semble des sites du rseau rciproque laide du vecteur
G, dni dans lquation 6.2, et on crit

1
:
1. le signe dans lexponentielle vient du fait que lon a choisi
G au lieu de

G pour parcourir le rseau
rciproque, ce qui est strictement quivalent.
88 P2MEMS
n(
r ) =

G
n
G
e
i

G.

r
La fonction n(
r ) ainsi obtenue respectera bien la priodicit du rseau, car le produit scalaire
G.
g entre les vecteurs permettant de gnrer les rseaux direct et rciproque (quations 5.1 et 6.2)
donne toujours un multiple entier de la quantit 2 :
G.
g = (U
A +V
B +W
C).(u
a +v
b +w
c ) = 2(Uu +V v +Ww)
Cette priodicit permet de simplier la formule donnant les coefcients du dveloppement de
Fourier. Ces coefcients n
G
sont en effet obtenus par simple intgration sur le volume V
0
de la
maille lmentaire du rseau, plutt que sur lespace entier :
n
G
=
1
V
0
V0
n(
r )e
i

G.

r
d
r
Finalement, les coefcients n
G
de la srie de Fourier donnant la densit lectronique du solide
tant donns, on peut calculer le facteur F donnant lamplitude de londe mergeant du cristal (voir
gure 6.5). La formule donnant ce facteur est :
F =
V
n
G
e
i(

G+

k ).

r
d
r
On montre facilement sur cette relation que, lorsque
k sloigne de la position dun vecteur

du rseau rciproque, alors lexponentielle mise en jeu conduit une forte dcroissance du facteur
F. En dautres termes, londe sera diffuse avec une amplitude maximale chaque fois quil existera
un vecteur
G du rseau rciproque tel que la condition
G sera remplie.
Lors dune diffusion lastique, lnergie des photons h, et donc leur frquence , est conserve.
Comme cette frquence est proportionnelle la norme du vecteur donde k, = ck, la norme des
vecteurs donde est conserve. Ceci est aussi vrai pour des particules massiques (lectrons, neutrons,
. . . ) lors de chocs lastiques, par conservation de leur nergie cintique, et donc de la norme de leur
impulsion. On a donc lors dune diffusion lastique k = k
, o k et k
sont les normes respectives des

vecteurs donde incident et mergent. La condition de diffraction
=

G peut alors scrire
sous lune des deux formes suivantes (la seconde forme est obtenue en prenant la norme au carr de
la premire) :
G =
(6.4)
k .(
G
2
) = (
G
2
)
2
(6.5)
Ces deux quations forment le rsultat fondamental de la thorie de diffusion lastique par un
rseau priodique. Il sagit dune gnralisation de la loi de Bragg. Elles conduisent chacune une
construction gomtrique simple dans le rseau rciproque de la structure du solide. La premire
permet de mettre en place la sphre dEwald associe un vecteur donde

k (gure 6.6), tandis
que la seconde permet de dnir la zone de Brillouin, construction gomtrique fondamentale pour
ltude des proprits des solides cristallins, qui est dtaille dans le paragraphe suivant.
Figure 6.6. Illustration en 2D de la construction dEwald
La construction dEwald est illustre en 2D par la gure 6.6. Le vecteur donde incident
k est
trac paralllement au faisceau incident. On place son extrmit en un noeud du rseau rciproque.
La sphre dEwald est alors construite. Elle est centre lorigine du vecteur

k , et a pour rayon
k = 2/, la norme du vecteur donde incident ( est la longueur donde du faisceau incident).
Linterfrence entre londe incidente et londe diffuse sera constructive si cette sphre contient
un autre point du rseau rciproque. En ce point, on obtient alors le vecteur donde diffus. Cette
construction explique, dans un cadre plus gnral que la loi de Bragg, lexistence dangles dinci-
dence pour lesquels lintensit de londe diffracte est importante (gure 6.1 par exemple). On voit
que si la longueur donde incidente est de lordre de grandeur de la taille du rseau cristallin (cest
le cas des rayons X), alors le rayon de la sphre dEwald sera de lordre de grandeur de la taille du
90 P2MEMS
rseau rciproque, et on pourra bien discerner telle ou telle direction cristallographique en fonction
de lintensit de londe diffracte.
6.2. Effets de structure
6.2.1. Zones de Brillouin
Les zones de Brillouin donnent une interprtation gomtrique simple de la condition de diffrac-
tion donne par les quations 6.4 ou 6.5. En particulier, la condition 6.5 conduit la construction
gomtrique suivante dans lespace rciproque :
Choisissons un vecteur
G reliant lorigine du rseau rciproque un de ses noeuds.

Construisons le plan perpendiculaire ce vecteur
G, passant par son milieu. Il sagit du plan

mdiateur entre lorigine et le noeud extrmit
G.
Tout vecteur
k men de lorigine un point de ce plan satisfera la condition de diffraction.

On constate donc que la famille des plans mdiateurs des diffrents vecteurs du rseau rciproque
prsente une importance particulire dans la thorie de la propagation des ondes dans les cristaux. En
effet, une onde dont le vecteur donde trac partir de lorigine du rseau rciproque a son extrmit
sur lun de ces plans satisfait aux conditions de diffraction.
Figure 6.7. Exemple de construction de la premire zone de Brillouin dans un
rseau 2D
Lenveloppe interne des plans mdiateurs des vecteurs du rseau rciproque contenant lorigine
est la premire zone de Brillouin. Dans lespace rciproque, la construction gomtrique de cette
zone est identique celle de la maille primitive de Wigner-Seitz dans lespace direct. La gure 6.7
montre un exemple de construction de cette zone dans un rseau rciproque 2D. Dans cette gure,
les vecteurs donde

k1 et

k2 satisfont la condition de diffraction 6.5 sur les vecteurs

G1 et

G2
respectivement.
A
B
Figure 6.8. Exemple de construction de trois zones de Brillouin successives
dans un rseau 2D
La gure 6.8 illustre la construction de zones de Brillouin successives dans un rseau 2D rectan-
gulaire. On construit dune faon gnrale la zone numro n laide de tous les vecteurs donde en
condition de Bragg ayant dj travers n 1 plans de Bragg. On remarque sur cette gure que la
forme des zones de Brillouin peut vite devenir complexe. Ceci est en particulier d aux points satis-
faisant la condition de Bragg simultanment sur plusieurs plans. On peut galement vrier sur cette
gure que la surface (le volume en 3D) de toutes les zones de Brillouin successives sont identiques.
Ceci est laiss au lecteur titre dexercice.
Nous avons vu prcdemment que les rseaux rciproques associs aux structures cubiques cen-
tres (cc) et cubiques faces centres (cfc) sont respectivement cfc et cc. La premire zone de
Brillouin sera donc la maille de Wigner-Seitz trace dans ces rseaux.
Les gures 6.9 et 6.10 montre la forme gnrale de la premire zone de Brillouin des structures cc
et cfc respectivement. La zone de Brillouin de la structure cc est trace dans un rseau cfc, tandis que
rciproquement celle de la structure cfc est trace dans un rseau cc. Il est intressant de remarquer
ici que les zones de Brillouin sont les cellules de Wigner-Seitz du rseau rciproque. A ce titre,
elles remplissent tout lespace sans trou ni chevauchement. Ce raisonnement simple nous permet
de donner le volume des zones de Brillouin V
B
des rseaux cubiques face centres et cubiques
centrs de paramtre de maille a (toutes les zones de Brillouin ont mme volume pour une structure
donne) :
92 P2MEMS
Figure 6.9. Zone de Brillouin dune structure cubique centre
Figure 6.10. Zone de Brillouin dune structure cubique faces centres
V
B
=
1
2
4
a
3
=
32
3
a
3
pour un rseau cfc
V
B
=
1
4
4
a
3
=
16
3
a
3
pour un rseau cc
(6.6)
6.2.2. Facteur de structure
Nous nous intressons ici au facteur de proportionnalit de londe diffuse par un solide cristallin,
lorsque les conditions de Bragg sont satisfaites. Ce facteur de proportionnalit est le coefcient F
de lquation 6.3. Le respect des conditions de diffraction se traduit par
k =
G dans cette
quation, o

G est un vecteur joignant deux noeuds du rseau rciproque. Dans ce cas, chaque
intgration sur une maille de la structure donnera le mme rsultat, not o
G
et appel facteur de
structure. Si on choisit la maille lmentaire de la structure du solide, de volume V
0
, le facteur de
proportionnalit F sera la somme de N facteurs de structure identiques, o N est le nombre de
mailles primitives du solide :
F = No
G
avec o
G
=
V0
n(
r )e
i

G.

r
d
r
Dans cette expression, on voit nouveau apparatre la densit lectronique n(
r ) du solide. Il
est souvent commode de lcrire comme la somme des contributions de chaque atome de la maille
lmentaire. Si s est le nombre datomes de cette maille, et si
r
j
est la position de latome j dans
cette maille, on peut crire :
n(
r ) =
s
j=1
n
j
(
r
j
)
En incorporant cette expression dans celle du facteur de structure du solide, on obtient lexpres-
sion suivante, dans laquelle le facteur f
j
est appel facteur de forme atomique :
o
G
=
s
j=1
f
j
e
i

G.

rj
avec f
j
=
V0
n
j
(
r
j
)e
i

G.(

r

rj )
d
r (6.7)
En notant maintenant (u
j
, v
j
, w
j
) les coordonnes de latome j de la cellule considre, et en
notant (h, k, l) les indices cristallographiques du plan atomique dont nous analysons la diffraction,
on a
G.
r
j
= 2(hu
j
+kv
j
+lw
j
) et le facteur de structure peut scrire :
o
(h,k,l)
=
s
j=1
f
j
e
i2(huj+kvj+lwj)
(6.8)
On remarque sur cette quation que le facteur de structure peut prendre des valeurs trs diff-
rentes, en fonction du plan atomique tudi (indices (h, k, l)) et de la structure cristalline du solide
(indices (u
j
, v
j
, w
j
) et facteurs de forme f
j
). tudions par exemple le cas des solides de structure
cc et cfc :
94 P2MEMS
Dans la structure cc dcrite dans la gure 5.13, la maille de rfrence cubique, droite, contient
deux atomes en propre : huit sommets contribuant chacun pour un huitime et un au centre. Dun
point de vue lectronique, tous les atomes sont quivalents, de sorte que les facteurs de forme f
j
prennent une valeur unique f. Dun point de vue cristallographique, les sommets du cube peuvent
tous tre reprsents par des indices (0, 0, 0) dans la formule 6.8, tandis que le centre correspond
des indices (1/2, 1/2, 1/2). On en dduit la forme suivante du facteur de structure dans un cristal
cc :
o
(h,k,l)
= f
1 +e
i(h+k+l)
On remarque ainsi que le facteur de structure dun cristal cc sannule pour tous les plans dont la
somme des indices est un entier impair (par exemple (111) ou (100)), et prend une valeur maximale
lorsque cette somme dindice est un entier pair (par exemple (110), (200), (222), . . . ). Les structures
cc ne prsenteront pas de diffraction sur les plans dont la somme des indices est un entier impair.
Dans la structure cfc dcrite dans la gure 5.11, la maille de rfrence cubique contient quatre
atomes en propre : huit sommets contribuant chacun pour un huitime, et six centres de faces contri-
buant chacun pour un demi. Ces atomes sont gomtriquement quivalents (facteur de forme f),
mais mettant en jeu quatre types cristallographiques reprsents par les indices suivants : (0, 0, 0),
(1/2, 1/2, 0), (1/2, 0, 1/2) et (0, 1/2, 1/2). On en dduit que le facteur de structure dans un cristal
cfc scrit :
o
(h,k,l)
= f
1 +e
i(h+k)
+e
i(k+l)
+e
i(h+l)
Ainsi, pour ce type de cristaux, on constate que le facteur de structure sannule (pas de diffrac-
tion) ds que le plan considr contient une combinaison dindices pairs (ou nuls) et impairs (par
exemple (100), (110), (210), . . . ). En revanche, ce facteur prend la valeur 4f pour les plans dindices
tous pairs (ou nuls) ou tous impairs (par exemple (200), (220), (111), . . . ). On remarque ceci sur le
spectre de la gure 6.1. En effet, le cuivre prsente une structure cfc, et donc par exemple aucune
diffraction sur le plan cristallographique (110). On peut remarquer sur cette gure que le silicium,
dont la structure diamant repose sur un rseau de Bravais cfc, prsente une rponse analogue au
cuivre.
Chapitre 7
Liaisons cristallines
La structure des lments chimiques est obtenue aux chapitres prcdents en considrant les
atomes comme des sphres que lon dispose les unes ct des autres de faon plus ou moins prio-
dique. Maintenant, on peut se demander pourquoi de telles structures sont effectivement observes,
cest--dire quelles sont les forces de cohsion en jeu.
La mcanique quantique, dont les bases sont dcrites dans les premiers chapitres de ce cours,
permet dexpliquer pourquoi les atomes ne peuvent tre rapprochs indniment les uns des autres.
Il existe une force de rpulsion due linterpntration des nuages lectroniques et au principe de
Pauli, selon lequel deux lectrons ne peuvent avoir tous leurs nombres quantiques identiques. En
particulier, des couches compltes ne peuvent sinterpntrer que si certains lectrons se dplacent
vers des tats quantiques inoccups, dnergie plus leve. Lnergie dinterpntration dpend donc
de la structure lectronique, et en particulier de la distribution radiale des lectrons autour du noyau.
Le calcul de cette nergie est possible, mais relativement complexe. Dun point de vue empirique,
on reprsente souvent cette nergie par un potentiel de rpulsion de la forme B/r
12
, o B est une
constante et r la distance entre deux atomes. On utilise galement parfois une forme exponentielle
e
r/
, o est une constante, et o est une mesure du rayon dinteraction entre les atomes.
Pour que les structures cristallines existent, il faut galement quil existe une force dattraction
entre les atomes. Nous verrons dans ce chapitre quil existe diffrentes forces dattraction, fonction
de la structure lectronique des atomes, conduisant chacune un type de liaison.
Nous allons ensuite tudier la vibration de ces structures autour dune position dquilibre. Cette
vibration permet dintroduire la notion de phonon, et dexpliquer ainsi quelques proprits physiques
et mcaniques des matriaux solides.
7.1. Diffrents types de liaisons
7.1.1. Liaison atomique ou de Van der Waals
Les atomes de gaz rares, situs dans la colonne de droite du tableau priodique (gure 5.1), ont
toutes leurs couches lectroniques compltes. Linterpntration des nuages lectroniques est donc
95
96 P2MEMS
relativement difcile, et les forces de rpulsion grandes. Pour que ces atomes puissent former des
cristaux, il faut cependant quil existe entre eux une force dattraction. Cette force est dite attraction
de Van der Waals.
Figure 7.1. oscillateurs harmoniques monodimensionnels
Soit r la distance joignant le centre de deux atomes. Pour chaque atome, le potentiel lectrosta-
tique dune distribution lectronique sphrique est compens en moyenne par le potentiel lectro-
statique des charges du noyau. En revanche, un instant donn, le mouvement orbital des lectrons
donne lieu un moment dipolaire lectrique en gnral non nul. Ceci peut tre illustr, comme dans
la gure 7.1, par deux oscillateurs harmoniques distants de r portant des charges e distantes de x
1
et x
2
. Si m est la masse des particules, p
1
et p
2
les quantits de mouvement, et C la constante de
force, alors lhamiltonien du systme non perturb H
0
scrit :
H
0
=
p
2
1
2m
+C
x
2
1
2
p
2
2
2m
+C
x
2
2
2
Cet hamiltonien correspond la somme de deux oscillateurs non coupls ayant chacun une fr-
quence de rsonance
0
=

C/m. Il convient maintenant dajouter cet hamiltonien le potentiel
dinteraction V entre ces deux oscillateurs, qui scrit de la faon suivante lorsque les distances x
1
et x
2
sont petites devant r :
V = e
2
1
r
+
1
r +x
1
x
2
1
r +x
1
1
r x
2
2e
2
x
1
x
2
r
3
Lhamiltonien total H
0
+ V peut tre diagonalis en utilisant la transformation x
s
= (x
1
+
x
2
)/
(2) et x
a
= (x
1
x
2
)/
(2), soit la transformation inverse x

1
= (x
s
+ x
a
)/
(2) et
x
e
= (x
s
x
a
)/
(2). Les indices s et a dsignent respectivement les modes de dplacement

symtrique et anti-symtrique des particules des oscillateurs. Cette transformation sapplique de la
mme manire aux quantits de mouvement, ce qui permet dcrire lhamiltonien total du systme
sous la forme :
Liaisons cristallines 97
H
0
+V =
p
2
s
2m
+
C
2e
2
r
3
x
2
s
2
p
2
a
2m
+
C +
2e
2
r
3
x
2
a
2
Nous obtenons ici la somme de deux oscillateurs coupls ayant des frquences de rsonance
symtrique
s
et anti-symtrique
a
gales :
s
=
C + 2
e
2
r
3
/m
0
1 +
e
2
Cr
3

1
2
e
2
Cr
3
2
+. . .
a
=
C 2
e
2
r
3
/m
0
1
e
2
Cr
3

1
2
e
2
Cr
3
2
. . .
Lnergie minimale du systme sans interaction (avec lhamiltonien H

0
) est h
0
. Celle du sys-
tme avec interaction est la moyenne des nergies des modes symtrique et anti-symtrique, soit
h
2
(
s
+
a
). La diffrence entre ces deux nergies donne celle associe linteraction. On trouve
une valeur ngative, ce qui correspond une attraction :
U =
h
0
2
e
2
Cr
3
2
=
A
r
6
Cette interaction attractive, proportionnelle linverse de la distance la puissance 6, est connue
sous le nom de interaction de Van der Waals ou interaction de London, ou encore interaction diple-
diple induite. Elle est responsable de la cohsion des cristaux de gaz rares, ainsi que de celle de
nombreuses molcules organiques. Si on ajoute maintenant linteraction rpulsive due aux nuages
lectroniques et modlise par un terme en B/r
12
, on arrive lexpression du potentiel de Lennard-
Jones suivante :
U(r) = 4
12
(7.1)
Dans cette expression, on a introduit deux paramtres (homogne une nergie) et (homogne
une distance) la place des constantes A et B des potentiels de dpart. Ces paramtres sont tels
que 4
6
= A et 4
12
= B. La gure 7.2 donne une reprsentation schmatique de ce potentiel,
minimum pour r = 2
1/6
1, 12, valeur dquilibre de la distance entre atomes dans ce type de
liaison.
98 P2MEMS
Figure 7.2. Reprsentation schmatique du potentiel dinteraction de
Lennard-Jones
7.1.2. Liaison ionique ou htropolaire
Les cristaux ioniques sont forms dions positifs et ngatifs. Les deux structures les plus clas-
siques des cristaux ioniques sont celles du chlorure de sodium et du chlorure de csium (tudies au
chapitre 5). Chaque ion possde sparment une structure lectronique avec des couches compltes
(comme les gaz rares). Par exemple, dans les cristaux de NaCl, les ions Na
+
ont une structure
1s
2
2s
2
2p
6
(comme Ne) et les ions Cl
sont de type 1s
2
2s
2
2p
6
3s
2
3p
6
(comme Ar). On a donc une
force dattraction de type Van der Waals entre ces ions. Cette force est ngligeable devant linterac-
tion lectrostatique entre les ions, mais sa contribution (1% 2% de lnergie totale) explique les
diffrents types de structures cristallines obtenues avec ce type de liaison.
Linteraction principale entre deux ions de charges q est coulombienne, de la forme q
2
/4
0
r,
attractive pour des ions de charges opposes, rpulsive pour des ions de mme charge. Les ions sas-
semblent alors pour former la structure cristalline qui produit la plus forte attraction compatible avec
la rpulsion entre les ions courte distance. Lnergie lectrostatique de liaison des cristaux ioniques
est appele nergie de Madelung. Ainsi, si U
ij
est lnergie de liaison entre deux ions i et j, on peut
lcrire comme la somme dun potentiel rpulsif exp(r
ij
/), o r
ij
est la distance entre les deux
ions et et deux paramtres, et dun potentiel coulombien q
2
/4
0
r
ij
. On obtient :
U
ij
= e
rij/
q
2
/4
0
r
ij
On peut maintenant dnir lnergie U
i
dinteraction de lion i avec les autres ions comme la
somme des nergies dinteraction entre i et tous les autres ions j du cristal. Le terme de rpulsion
tant uniquement valable courte distance (interpntration des nuages lectroniques), on peut se
limiter la contribution des plus proches voisins. En notant N le nombre de plus proches voisins de
lion i, r leur distance, et r
ij
= p
ij
r, lnergie U
i
peut tre crite sous la forme :
U
i
=
j=i
U
ij
= Ne
r/
q
2
/4
0
r
Dans cette expression, est la constante de Madelung, qui sexprime sous la forme :
=
j=i
1
p
ij
La constante de Madelung est dune grande importance pour ltude des cristaux ioniques. Elle
peut tre calcule sur ordinateur dans une structure relle 3D. Dans un cas 1D, avec des ions positifs
et ngatifs placs rgulirement sur une droite une distance r, cette constante scrit :
= 2
1
1
2
+
1
3

1
4
+. . .
= 2ln2
La gure 7.3 donne lallure de linteraction dans un cristal de KCl, avec la contribution de
rpulsion, et celle de Madelung.
7.1.3. Liaison covalente ou homopolaire
La liaison atomique covalente est aussi dite homopolaire, cest--dire quelle ne met en jeu quun
seul type datomes dans le cristal. Elle est caractristique des lments chimiques dont la couche
lectronique externe est incomplte (il leur manque de un cinq lectrons). Les colonnes du tableau
priodique sont IIIB V IIB. Dans un cristal covalent, chaque atome va tenter de complter huit
lectrons sa couche externe, en regroupant autour de lui un nombre sufsant datomes pour atteindre
ce but.
Dans le cas du carbone, dont la structure lectronique est 1s
2
2s
2
2p
2
, le nombre dlectrons sur la
couche externe (de valence 2) est quatre : deux sur une sous-couche s et deux sur une sous-couche p.
En cristallisant en structure diamant, chaque atome de carbone est entour de quatre proches voisins
100 P2MEMS
Figure 7.3. Reprsentation de lnergie dinteraction par molcule du cristal
KCl
Figure 7.4. liaison covalente dans une molcule dhydrogne H2
formant un ttradre dont il est le centre (voir le chapitre 5). En mettant un lectron en commun avec
chacun de ses voisins, chaque atome se retrouve entour par huit lectrons sur sa couche externe,
dont quatre lui sont prts.
La gure 7.4 montre le cas de la molcule dhydrogne, o la liaison covalente est assure par
deux atomes mettant chacun en commun son lectron de couche externe. Les deux lectrons doivent
avoir leur spin anti-parallle.
La liaison covalente est une liaison forte. Il y a interpntration des nuages lectroniques. Ainsi,
la distance inter-atomique dquilibre est beaucoup plus faible que dans les cristaux de gaz rares,
avec des liaisons de Van der Waals. Elle est par exemple denviron 2 Angstrm dans la molcule de
chlore Cl
2
, et de 3, 6 Angstrm dans un cristal dargon Ar, alors que les structures lectroniques
sont peu diffrentes.
Les cristaux covalents ne possdent pas dlectrons libres. Ils sont donc a priori de mauvais
conducteurs de charges (courant) et de chaleur. Les caractristiques essentielles des structures cova-
lentes sont leur grande cohsion et la nature directionnelle des liaisons mises en jeu. Ce procd de
recouvrement dorbitales sappelle hybridation. Il explique galement la grande stabilit de certaines
molcules telles que H
2
ou Cl
2
, formant ensuite des cristaux molculaires. Il permet galement de
former le groupe des silicates SiO
4
, avec leurs proprits physico-chimiques.
Le caractre directionnel de la liaison covalente est bien mis en vidence par le lien entre la
structure lectronique des atomes en jeu et la gomtrie des cristaux obtenus. Les lments de la
colonne V IIB du tableau priodique ont sept lectrons sur leur couche de valence. Ils nont besoin
que dun seul atome pour la complter (molcule Cl
2
). Ceux de la colonne V IB en ont six ; ils
ont besoin de deux atomes voisins et forment des structures lamentaires (S, Se, Te). Ceux de la
colonne V B, avec cinq lectrons sur leur couche de valence, ont besoin de trois atomes voisins et
forment des structures en couche (P). Enn, les lments de la colonne IV B ont quatre lectrons
sur leur couche externe de valence. Ils cristallisent majoritairement en structure diamant, ce qui leur
permet davoir quatre atomes voisins pour les changer (C, Si, Ge).
Si le cristal est form de deux lments, un dans la colonne N du tableau priodique (N
IV A ou IV B), et un dans la colonne V IIIB N de ce tableau, ils peuvent la fois mettre des
lectrons de valence en commun pour obtenir des couches externes compltes (liaison covalente),
et changer N lectrons pour former des ions avec des couches externes compltes qui sattirent
lectrostatiquement (liaison ionique). On constate que, en passant dun cristal IV B IV B tel que
Si, un cristal IIIB V B tel que GaAs, puis un cristal IIB V IB tel que CdTe, le caractre
covalent de la liaison diminue au prot du caractre ionique.
7.1.4. Liaison mtallique
Il y a un grand nombre de corps simples et dalliages qui cristallisent avec un type de liaison tout
fait diffrent des prcdents, ce sont les mtaux (et les alliages mtalliques). Dans les mtaux, le
recouvrement des orbitales des lectrons extrieurs est tellement fort que certains lectrons (un ou
deux par atome) nappartiennent plus un atome dtermin, mais sont rpartis dans tout le cristal.
Ces lectrons, dits de conduction car ils servent au transport de chaleur et de charge dans les mtaux,
sont dits dlocaliss.
La dlocalisation des lectrons de conduction se traduit par une diminution de lnergie cintique
du systme, qui est la base de la stabilit des mtaux. On reprsente souvent un mtal comme form
dions positifs baignant dans un gaz dlectrons. Ce gaz se dplace librement et lie les ions les uns
aux autres, car lattraction des lectrons sur les ions lemporte sur la rpulsion des ions entre eux et
des lectrons entre eux.
La liaison mtallique, comme la liaison ionique, nest pas dirige dans lespace. Elle est la base
des proprits lectriques et thermiques (bonne conductivit), optiques (pouvoir recteur dans le
102 P2MEMS
Figure 7.5. liaison mtallique dans le sodium Na
visible) et mcaniques (capacit de dformation importante) des mtaux. Le sodium Na (gure 7.5)
peut servir dexemple pour la liaison mtallique. Il possde un lectron sur sa couche de valence 3s
1
,
cet lectron tant peu li lion sodium Na
+
car, temprature nulle, il est assez loign du niveau
le plus proche occup par les six lectrons de la couche 2p
6
.
Parmi les mtaux, on peut distinguer trois catgories :
les alcalins IA, les mtaux nobles IB, les alcalino-terreux IIA et les mtaux de la colonne
IIB. Ce sont les meilleurs conducteurs. Ils se caractrisent par une distinction nette entre des lec-
trons trs lis aux ions, et des lectrons de conduction quasi-indpendants des ions.
les mtaux de transition IIIA V III, les mtaux de terres rares et les mtaux lourds, qui
correspondent une saturation progressive dune sous-couche infrieure d. Ce sont de moins bons
conducteurs.
les semi-mtaux IIIB V IB, tels que Ga, In, Sn, Pb, Bi, Sb, . . . Ils se rapprochent par leurs
proprits des mtallodes.
7.1.5. Autres liaisons
De nombreux types de liaison existent, mais ce sont souvent des combinaisons des liaisons tu-
dies ici. Toutefois, nous devons mentionner la liaison hydrogne, car elle est responsable de la
runion des molcules deau et de glace, et intervient fortement dans les matriaux organiques tels
que les polymres, le bois, le coton, . . .
Latome dhydrogne na quun lectron 1s
1
. Il peut donc former une liaison covalente pour for-
mer avec lui-mme la molcule H
2
. Cependant, dans certaines conditions, un atome dhydrogne
peut tre attir assez fortement par deux atomes, formant ainsi ce que lon appelle la liaison hydro-
gne. Cette liaison a un caractre ionique prononc. Latome dhydrogne cde son lectron un
autre atome, et le proton forme une liaison ionique avec un nouvel atome. Ce type de liaison est
dcrit dans la gure 7.6.
Figure 7.6. liaison hydrogne dans la glace H2O
7.2. Phonons
7.2.1. Vibration des rseaux monoatomiques
Nous considrons la rponse lastique dun cristal dans lapproximation des petites perturbations.
Cette rponse peut alors tre suppose une fonction linaire des forces appliques. Ainsi, la force F
s
cause sur un plan atomique s (dindices cristallographiques (h, k, l)) par le dplacement u
s+1
du
plan s + 1 parallle et adjacent celui-ci est proportionnelle la diffrence u
s+1
u
s
.
Dans un rseau monoatomique, le motif de la maille primitive de la structure est constitu dun
seul atome de masse m. En notant C la constante de proportionnalit entre la force et le dplacement
relatif entre deux plans successifs (cette constante est homogne une raideur en mcanique), et en
ngligeant la contribution des plans suivants, on peut crire :
F
s
= m
d
2
u
s
dt
2
= C(u
s
u
s1
) +C(u
s+1
u
s
) = C(u
s+1
2u
s
+u
s1
)
Nous cherchons les solutions de cette quation correspondant des vibrations la frquence
. Ceci correspond des solutions o la dpendance en temps est de la forme e
it
. Lquation
prcdente prend alors la forme :
u
s+1
+
m
2
C
2
u
s
+u
s1
= 0
Cette quation tant linaire en dplacements, elle admet comme solution gnrale un dplace-
ment de la forme dune onde u
s
= ue
i(skdt)
, o u est lamplitude, d la distance entre les plans
s, et k le vecteur donde. En incorporant cette forme de solution dans lquation prcdente, on ob-
tient la relation suivante entre la frquence de vibration et le vecteur donde k, dite relation de
dispersion :
104 P2MEMS
2
=
C
m
2 e
ikd
e
ikd
=
2C
m
(1 cos kd) (7.2)
Figure 7.7. volution de en fonction de k sur une priode
On constate sur cette quation que lvolution de en fonction de k est priodique, de priode
2/d. La gure 7.7 donne cette volution sur une priode, pour un vecteur donde k compris entre
/d et /d. La vitesse de groupe v de cette onde est obtenue classiquement par la relation suivante :
v =
d
dk
=
C
m
d cos
kd
2
pour un vecteur donde trs faible (k << 1/d), cest--dire pour des longueurs donde trs
grandes ( >> d), la rponse en frquence est proportionnelle ce vecteur donde. En ef-
fet, lexpression prcdente donnant
2
peut tre dveloppe au second ordre pour obtenir
2
=
(C/m)d
2
k
2
. Nous sommes dans ce cas dans lapproximation de la mcanique des milieux continus.
Le facteur de proportionnalit
C/md, vitesse de groupe de londe, correspond la vitesse du son

dans ce milieu. Cette vitesse est celle de la thorie des ondes lastiques.
Pour un vecteur donde proche de /d, la solution u
s
= ue
iskd
scrit u
s
= ue
is
= u(1)
s
.
Il ny a plus de dplacement de londe dans lespace (la vitesse de groupe est nulle), mais simplement
une vibration en temps due au terme u contenant la pulsation e
it
: cest une onde stationnaire.
De plus, les plans successifs vibrent en opposition de phase, du fait du terme (1)
s
. Enn, il est
important de remarquer que le vecteur donde k est dans ce cas situ sur la premire zone de Brillouin
du cristal. En effet, en balayant les diffrents plans cristallographiques (et donc pour diffrentes
valeurs de d), choisir k = /d revient prendre les plans mdiateurs entre lorigine et le point
correspondant du rseau rciproque. Nous laissons la dmonstration au lecteur titre dexercice.
Dans les mtaux, le rayon daction des forces est de lordre dune dizaine de plans atomiques,
tous contribuant de faon assez signicative la rponse mcanique du cristal. On ne peut donc plus
supposer que seuls les plans voisins contribuent, et la relation de dispersion 7.2 doit tre gnralise
aux p plans voisins sous la forme :
2
=
2
m
p>0
C
p
(1 cos pkd)
Dans cette expression, C
p
reprsente la constante dinteraction du p
ieme
plan atomique. Ceci
nest valable que pour des rseaux monoatomiques (un atome de masse m dans le motif de la maille
lmentaire du rseau).
7.2.2. Vibration de rseaux diatomiques
Lorsque la structure cristalline est constitue dun rseau et dun motif contenant plus dun atome
par maille primitive (cest le cas par exemple de la structure diamant de Si, des structures de type
NaCl et CsCl, . . . ), le spectre de vibration et la relation de dispersion 7.2 ne sont plus valables.
Nous allons gnraliser cette relation de dispersion au cas de deux atomes de masses m
1
et m
2
dans le motif lmentaire de la structure. Pour simplier les calculs, nous gardons lhypothse dune
contribution unique des plans adjacents la rponse mcanique du cristal.
Nous considrons une direction cristallographique correspondant des plans de type (h, k, l) s-
pars dune distance d. Nous supposons que, dans cette direction, nous rencontrons successivement
chaque type de plan. La distance d est celle sparant deux plans de mme type. Nous notons u
s
le
dplacement du plan s dun type datomes (masse m
1
), et v
s
le dplacement du plan s des autres
atomes (masse m
2
). En notant C la constante de proportionnalit entre la force de raction et le
dplacement entre plans adjacents (donc de types diffrents), le systme dquations rsoudre est :
m
1
d
2
u
s
dt
2
= C(v
s1
2u
s
+v
s+1
)
m
2
d
2
v
s
dt
2
= C(u
s1
2v
s
+u
s+1
)
En cherchant des solutions ayant la forme dondes de propagation damplitudes u et v, soit
u
s
= ue
i(skdt)
et v
s
= ve
i(skdt)
, on aboutit au systme linaire suivant en u et v :
(2C m
1
2
)u C(1 +e
ikd
)v = 0
C(1 +e
ikd
)u + (2C m
2
2
)v = 0
Ce systme dquations aura une solution non triviale (non nulle en u et v) si son dterminant est
nul. Cette condition fournit lquation du second degr que doit satisfaire le carr de la frquence de
londe. On obtient ainsi les deux solutions suivantes :
106 P2MEMS
2
= C
1
m
1
+
1
m
2
1 2
m
1
m
2
(m
1
+m
2
)
2
(1 cos kd)
Figure 7.8. volution de en fonction de k : branches acoustique et optique

La gure 7.8 donne lallure des deux solutions obtenues dans le cas o m
1
> m
2
(structure
NaCl par exemple) et dans le cas o m
1
= m
2
(structure de Si par exemple). On remarque sur
ces gures deux branches. La branche dite acoustique a une forme analogue celle obtenue dans
un rseau monoatomique, et une branche dite optique sajoute la relation de dispersion. Lorsque
les deux types datomes sont diffrents (m
1
= m
2
), il apparat une bande de frquence interdite. Si
on cherche une solution de vibration en frquence dans cette bande, le vecteur donde obtenu sera
complexe, ce qui conduit une onde amortie dans lespace.
7.2.3. Densit de modes
Il est possible dassocier une onde lastique progressive de la forme ue
i(

k .

r t)
une quasi-
particule. Cette quasi-particule est appele phonon. Elle est analogue au photon associ une onde
lectromagntique. En particulier, son nergie est quantie. Par analogie avec loscillateur harmo-
nique tudie dans le chapitre 2, un mode de vibration de frquence occup par n phonons aura
une nergie correspondant un oscillateur harmonique dans un tat quantique caractris par un
indice n (quation 2.5 du chapitre 1) :
E
n
=
n +
1
2
h
La distribution de lnergie des ondes lastiques dans un solide est appele spectre de phonons.
La thorie quantique des phonons nest pas dveloppe dans cet ouvrage. Pour cela, le lecteur pourra
consulter des ouvrages plus spcialiss [KIT 98]. Cette thorie permet dassocier au phonon, par
analogie au photon :
une quasi-impulsion h
k , de la dimension dune quantit de mouvement, o
k est le vecteur
donde associ la vibration du rseau cristallin,
une nergie h, o est sa frquence de vibration.
La frquence de vibration dun phonon est relie son vecteur donde par sa courbe de dispersion
(
k ) (gures 7.7 et 7.8). Cette courbe permet de dnir la densit de modes des phonons dans
un cristal, D(), qui reprsente le nombre de modes de vibrations dans le domaine de frquence
[, +d].
On mesure en gnral les spectres de phonons dun solide, et donc les courbes de dispersion, par
diffusion inlastique de neutrons dans son rseau. En effet, les neutrons interagissent avec les noyaux
atomiques du rseau cristallin, et sont trs peu perturbs par les charges. Si
k
1
est le vecteur donde
du faisceau de neutrons incident,
k
2
celui du faisceau diffus, et si
G est un vecteur quelconque du

rseau rciproque, alors la diffusion inlastique est modlise par la conservation du vecteur donde
et par celle de lnergie :
k
1
k
2
=
k
h
2
k
1
.
k
1
2M
h
2
k
2
.
k
2
2M
= h
Figure 7.9. Courbes de dispersion du sodium dans la direction [100], daprs
[KIT 98]
Dans ces quations, M est la masse des neutrons,
k et sont respectivement le vecteur donde

et la frquence du phonon (de la vibration du rseau) cr (+) ou absorb (-) lors de la diffusion
108 P2MEMS
inlastique. Les courbes de dispersion sont traces en mesurant le gain ou la perte dnergie des
neutrons diffuss, en fonction de la direction de diffusion
k
1

k
2
. La gure 7.9 montre des courbes
de dispersion obtenues sur du sodium dans la direction [100]. Ceci correspond une mise en vi-
bration des plans (100) du cristal, selon un mode longitudinal (compression-traction) ou transversal
(cisaillement).
Pour relier maintenant la densit de modes aux courbes de dispersion, il faut dterminer le
nombre total N(k) de modes dont le vecteur donde est contenu dans une sphre de rayon k gal
la norme dun vecteur donde

k donn. Ensuite, la densit de mode sera simplement obtenue par
D() = dN/d = dN/dk.dk/d. On voit donc que lon aura utiliser la courbe de dispersion
(
k ) pour estimer le terme dk/d.

Figure 7.10. Illustration sur un rseau carr 2D de paramtre a, avec 10x10
cellules, du calcul du nombre total N de modes dont le nombre donde est
infrieur k
La gure 7.10 illustre le calcul de N(k) en 2D. En 3D, le calcul est identique. On considre un
nombre sufsamment lev de cellules primitives dans le rseau direct pour pouvoir imposer des
conditions aux limites priodiques aux bornes sans perdre de gnralit. Si L est la dimension du
rseau choisi (L = 10a dans la gure 7.10), alors les vecteurs donde des phonons doivent respecter :
e
i(kxx+kyy+kzz)
= e
i(kx(x+L)+ky(y+L)+kz(z+L))
Ceci revient imposer lextrmit du vecteur donde de se situer sur un noeud du rseau rci-
proque, soit :
k
x
, k
y
, k
z
= 0,
2
L
,
4
L
,
6
L
, . . .
On voit bien sur la gure 7.10 que pour que ce raisonnement reste gnral, il faut avoir un grand
nombre de noeuds sur le rseau rciproque, et donc un grand nombre de cellules dans le rseau
direct. On remarque galement sur la gure 7.10 que, si le nombre de noeuds du rseau rciproque
est sufsamment grand, on peut considrer quil y a autant de cellules lmentaires (hachures dans
la gure) que de noeuds. On aura donc un seul vecteur donde (mode) possible par cellule de volume
en 3D : (2/L)
3
. Dans une sphre de rayon k, et en considrant un volume V = L
3
de cristal, le
nombre de modes possibles sera :
N(k) =
4k
3
/3
(2/L)
3
=
V
6
2
k
3
(7.3)
La densit de modes dans un volume V du cristal sera donc obtenue en 3D en fonction de la
courbe de dispersion (k) sous la forme :
D() =
dN
dk
dk
d
=
V k
2
2
2
dk
d
(7.4)
7.2.4. Capacit calorique dun cristal
Lexcitation des phonons dans un rseau cristallin se traduit par une nergie interne U. A lqui-
libre thermique, une temprature T, cette nergie est la somme des nergies h de chaque phonon,
multiplie par le nombre moyen de phonons dans cet tat. La dpendance en temprature de cette
nergie donne la contribution des phonons la capacit calorique du cristal. Cette contribution est
trs importante haute temprature. A temprature plus basse, il faudra tenir compte de la contribu-
tion lectronique. Ceci sera ralis dans le cadre des modles dvelopps dans les chapitres suivants.
On peut caractriser ltat dun phonon par sa frquence de vibration et sa direction de vi-
bration (sa polarisation). En supposant que les phonons sont identiques dans les trois directions de
polarisation, on peut alors crire :
U = 3
hn()D()d
Dans cette quation, D() est la densit de modes des phonons du cristal (nombre de modes
de vibration entre et + d), et n() est le nombre moyen de phonons vibrant dans le cristal
avec ce mode, la temprature T. Pour obtenir n(), on utilise la relation de Boltzmann qui stipule
que, pour une frquence donne , la temprature T, le rapport entre le nombre doscillateurs
harmoniques dans ltat quantique p + 1 et le nombre doscillateurs dans ltat p est e
h/k
B
T
, o
k
B
est la constante de Boltzmann. On en dduit que le nombre relatif doscillateurs dans ltat p est :
N
p
N
=
e
p h/k
B
T
q
e
q h/k
B
T
=
1 e
h/k
B
T
e
p h/k
B
T
110 P2MEMS
On en dduit le nombre quantique moyen n() des oscillateurs vibrant la frquence la
temprature T :
n() =
p
N
p
N
p =
p
pe
p h/k
B
T
p
e
p h/k
B
T
=
1
e
h/k
B
T
1
Finalement, on obtient lexpression de lnergie U du cristal, et sa variation en fonction de la
temprature U/T volume constant donne sa capacit calorique :
U = 3
h
e
h/k
B
T
1
D()d (7.5)
C
V
=
U
T
V
= 3k
B
h
k
B
T
2
e
h/k
B
T
e
h/k
B
T
1
2
D()d (7.6)
Il existe deux principaux modles de prvision de la capacit calorique des cristaux, le modle
de Debye et le modle dEinstein, chacun faisant des hypothses sur la densit de modes des phonons.
7.2.4.1. Modle dEinstein
Dans le modle dEinstein, un seul mode est suppos possible, de sorte la vibration du solide
est schmatise par N oscillateurs harmoniques cette frquence. La densit de modes est alors
symbolise par N distributions de Dirac autour de cette valeur, D() = N
. Il sen suit que les

intgrales donnant lnergie du solide et sa capacit calorique (formules 7.5 et 7.6) peuvent tre
simplies sous la forme :
U = 3Nn() h =
Nh
e
h/k
B
T
1
(7.7)
C
V
=
U
T
V
= 3Nk
B
h
k
B
T
2
e
h/k
B
T
e
h/k
B
T
1
2
(7.8)
Ce modle a t dvelopp en 1907 par Einstein. Il prvoit une valeur limite de la capacit
calorique gale 3Nk
B
pour des hautes tempratures. Cette valeur avait t donne initialement
par Dulong et Petit. Elle est en assez bon accord avec les rsultats exprimentaux. On parle souvent
de la rgle de Dulong et Petit, pour justier relativement haute temprature une capacit calorique
constante gale 3Nk
B
. En revanche, aux faibles tempratures, la variation est obtenue en e
h/k
B
T
.
Elle est moins en accord avec les rsultats exprimentaux que le modle de Debye.
7.2.4.2. Modle de Debye
Dans le modle de Debye, la relation de dispersion (k) est suppose linaire, = vk, o v
correspond la vitesse du son dans le cristal, dans lapproximation classique des milieux continus.
La relation donnant la densit de modes 7.4 devient alors :
D() =
V k
2
2
2
v
=
V
2
2
2
v
3
La relation 7.3 donne N(k), le nombre de modes dont le vecteur donde est infrieur k, norme
du vecteur donde
k . Dans le modle de Debye, seule la branche acoustique des phonons est consi-
dre, ce qui revient schmatiser le cristal comme un rseau monoatomique form des atomes
les plus lourds. Le nombre N de modes, phonons acoustiques, est gal au nombre de mailles l-
mentaires dans le cristal, de volume V . On en dduit partir de la relation 7.3 que la norme du
vecteur donde est limite une valeur dite vecteur donde de coupure, k
D
, valeur laquelle peut
tre associe une frquence de coupure,
D
:
k
D
=
6
2 N
V
1/3
D
= vk
D
= v
6
2 N
V
1/3
En utilisant les expressions prcdentes de la densit de modes D() et de la frquence de
coupure
D
, lnergie du solide cristallin, et sa capacit calorique, peuvent maintenant scrire
sous la forme suivante :
U =
3V h
2
2
v
3

D
0
3
e
h/k
B
T
1
d
= 9Nk
B
T
T
T
D
x
D
0
x
3
e
x
1
dx
(7.9)
C
V
=
3V h
2
2
2
v
3
k
B
T
2

D
0
4
e
h/k
B
T
e
h/k
B
T
1
2
d
= 9Nk
B
T
T
D
x
D
0
x
4
e
x
(e
x
1)
2
dx
(7.10)
Dans ces deux quations, la variable x
D
et la temprature de Debye T
D
ont t introduites. Elles
sont dnies de la faon suivante :
x
D
=
h
D
k
B
T
=
T
D
T
, soit T
D
=
h
D
k
B
=
hv
k
B
6
2
N
V
1/3
112 P2MEMS
Figure 7.11. Capacit calorique CV dun solide cristallin dans
lapproximation de Debye
La gure 7.11 donne lvolution typique de la capacit calorique dun cristal en fonction de la
temprature. On constate que la valeur tend vers une asymptote horizontale pour de grandes tem-
pratures. La valeur de lasymptote est 24, 943J/mol/K. En revanche, pour des tempratures trs
faibles (infrieures 0, 1T
D
) lintgrale dans la formule 7.10 donnant C
V
devient gale
4
/15
(x
D
tendant vers linni), de sorte que la capacit calorique du cristal devient une fonction en T
3
,
dite approximation en T
3
de Debye, de la forme :
pour T << T
D
, C
V
234Nk
B
T
T
D
3
Chapitre 8
Dfauts dans les cristaux
La structure cristalline des matriaux solides a jusquici t suppose parfaite. Elle le sera, sauf
mention contraire, dans toute la suite de ce document. Mais il faut garder prsent lesprit que ceci
est une simplication des cristaux rels. En effet, les cristaux rels prsentent des dfauts cristallins
qui sont lorigine de certaines proprits des matriaux.
Le principal dfaut, invitable, est cr par les surfaces libres du matriau, qui rompent la prio-
dicit du cristal. Ce point sera abord dun point de vue nergtique dans le chapitre 11. A ce dfaut
d aux surfaces, il faut ajouter ceux, en volume, qui rompent galement la priodicit du rseau cris-
tallin. Ce chapitre nest quune introduction ces dfauts. Le lecteur pourra approfondir cette notion
par exemple dans un trait de science des matriaux ou de mtallurgie [B 84].
Dans ce chapitre, nous abordons tout dabord les dfauts ponctuels dans le cristal. Ils permettent
dexpliquer les phnomnes de diffusion, qui sont par exemple utiliss dans les semi-conducteurs
extrinsques lors du dopage (voir chapitre 13). Ensuite, les dfauts linaires, ou dislocations, sont
brivement dcrits. Dautres dfauts, surfaciques par exemple, tels que les fautes dempilement, ne
sont pas abords dans cet ouvrage. Le lecteur pourra se rfrer pour cela des traits plus spciques
[B 84].
8.1. Dfauts ponctuels
8.1.1. Dnition
On dsigne par dfaut ponctuel une perturbation de la priodicit cristalline dont le volume est
de lordre de grandeur du volume atomique. Les principaux dfauts ponctuels sont dcrits dans la
gure 8.1 :
Les lacunes correspondent labsence dun atome dans un site normalement occup.
Les interstitiels sont des atomes en excs occupant un site du cristal normalement vide. Ce peut
tre un atome tranger (le carbone en insertion dans le fer se place au centre des artes ou au centre
des faces de la maille cubique centre du fer, voir chapitre 5) ou un atome du cristal de base (on parle
alors dauto-interstitiel).
113
114 P2MEMS
Figure 8.1. Diffrents types de dfauts ponctuels, daprs [B 84]
les atomes en substitution remplacent certains sites atomiques du cristal de dpart. Ce sont
donc ncessairement des atomes trangers. Des atomes trangers en substitution sont par exemple
utilises pour doper un cristal semi-conducteur ( voir le chapitre 13).
Lintroduction dun dfaut ponctuel dans un cristal suppos parfait augmente son nergie dune
quantit c appele nergie de formation du dfaut. Mais il augmente aussi lentropie de congu-
ration puisque lobjet peut tre plac en diffrents lieux, et parfois de diffrentes manires.
Dans le cas le plus simple et le plus courant o cet objet (atome tranger ou lacune) occupe
un site atomique (en substitution) et possde la symtrie de latome quil remplace, cette variation
dentropie calcule pour n objets identiques disposs sur N sites atomiques vaut en notant c = n/N :
S = Nk
B
[c ln c + (1 c) ln (1 c)]
La variation dnergie libre du cristal F = c TS scrira donc de la faon suivante :
F = Ncc +Nk
B
T [c ln c + (1 c) ln (1 c)]
Cette variation dnergie libre sera minimum lorsque la concentration atomique en dfauts sera
telle que :
c
1 c
= e
E/k
B
T
Dfauts dans les cristaux 115
Lorsque cette concentration en dfauts est faible devant 1, alors cette expression permet destimer
la concentration en dfauts lorsque leur nergie de formation c est faible devant k
B
T :
c = e
E/k
B
T
(8.1)
Cette relation montre que, lquilibre thermodynamique, il existe toute temprature une
concentration en dfauts dans le cristal. De plus, on voit que cette concentration est trs fortement
inuence par lnergie de formation c du dfaut. Les lacunes sont les dfauts les plus courants
dans les cristaux, car leur nergie de formation est relativement faible.
Figure 8.2. concentration dquilibre de lacunes dans laluminium en fonction
de la temprature, daprs [B 84]
Par exemple, pour une nergie de formation de lacune c = 1eV , on obtient c 10
17
temprature ambiante, et c 10
4
1300K. La concentration en lacunes ne dpasse que trs
rarement 10
4
au point de fusion de solides purs. La gure 8.2 donne lvolution de la concentration
atomique de lacunes dans laluminium pur, en fonction de la temprature.
Il est intressant danalyser le cas des lacunes dans les cristaux ioniques. Comme le montre la
gure 8.3, on peut distinguer les lacunes cationiques des lacunes anioniques. Une lacune cationique
est obtenue en extrayant un cation du volume et en le plaant en surface. Une lacune anionique
est obtenue en extrayant un anion du volume pour le placer en surface. Ces deux types de lacunes
sont dans le volume en nombre quasiment gaux, ce qui permet de garder la neutralit lectrique du
cristal. Lensemble dune lacune cationique et dune lacune anionique est appel paire de Schottky.
Autour de chaque type de lacune dans un cristal ionique, les ions sont lgrement dplacs du
fait de la modication des attractions coulombiennes en jeu. Il en rsulte que, si a est le paramtre
de maille du rseau du cristal, alors la lacune peut tre schmatise par une bote de ct a avec
116 P2MEMS
Figure 8.3. Lacunes cationiques et anioniques dans un cristal ionique
1, 13. Dans cette bote, les lacunes anioniques peuvent piger un lectron qui les neutralise
lectriquement. Cette absorption slective, si elle a lieu dans le visible, donne une couleur au cristal
normalement transparent, do le nom de centre F (Farbezentrum en allemand) donn lensemble
lacune anionique + lectron.
Le centre F peut donc tre schmatis comme une cage cubique darte a o se trouve localis
llectron. Si le potentiel est pris nul dans la bote et inni ailleurs, les valeurs propres de lnergie
de llectron sont (voir chapitre 2) :
c =
h
2
2m
2
a
2
(n
2
x
+n
2
y
+n
2
z
) avec n
x
, n
y
, n
z
entiers non nuls
Il en rsulte que la transition dtat dun lectron (changement dun des entiers n
x
, n
y
, n
z
) pro-
duit un saut dnergie en a
2
. Cette loi est connue sous le nom de loi de Mollwo-Ivey. Elle est
conrme par la gure 8.4, qui illustre labsorption lumineuse par les halognures alcalins. Un cris-
tal regard en lumire blanche et contenant des centres F absorbe une certaine longueur donde, et
donc une certaine couleur du spectre. Il a alors la couleur complmentaire de la couleur absorbe.
Par exemple, NaCl absorbe = 0, 47m (soit la couleur violette). Le cristal color est donc jaune.
Dune faon plus gnrale, les carts la stoechiomtrie ou la prsence dimpurets tendent colorer
les cristaux ioniques, et en particulier les minraux.
Figure 8.4. Absorption lumineuse par les halognures alcalins, daprs
[QU 88]
Figure 8.5. Principaux mcanismes de diffusion, daprs [B 84]
8.1.2. Diffusion
Nous nous intressons ici aux mcanismes de diffusion atomique, dont les principaux sont repr-
sents dans la gure 8.5. Les deux premiers ne font pas appel aux dfauts ponctuels dans les cristaux,
118 P2MEMS
et apparaissent par consquent peu probables car nergtiquement peu favorables. Les deux derniers
mettent en jeu les dfauts ponctuels dcrits dans la gure 8.1, et sont les plus frquemment observs :
Lchange direct semble le mcanisme le plus simple. Cest celui qui avait t imagin en
premier. En fait, il est trs improbable cause de la forte rpulsion courte distance entre les atomes.
Lchange cyclique est un mcanisme o les forces de rpulsion jouent un rle actif. Chaque
atome pousse son voisin et, pour faire sauter un atome donn, il faut faire appel au saut coordonn
de plusieurs atomes. Ce mcanisme est nergtiquement possible, mais il ne rend pas compte du
transport global de matire dans une direction.
Le mcanisme lacunaire est le plus simple. Si un site du rseau nest pas occup (lacune), un
des atomes proches voisins peut venir en ce site en crant une nouvelle lacune au site quil vient
de quitter. Il y a donc conservation du nombre de lacunes. Ce mcanisme est le plus courant pour
lauto-diffusion (diffusion dun atome dans son rseau) et pour lhtro-diffusion (diffusion dun
atome tranger dans un rseau) lorsque les atomes trangers sont en substitution.
Le mcanisme interstitiel est le mcanisme de diffusion des atomes trangers dans un rseau,
lorsquils sont eux-mmes en solution solide dinsertion. Cest par exemple le cas de la diffusion du
carbone et de lazote dans le fer. Les atomes vont de site interstitiel en site interstitiel proche voisin.
Ce mcanisme est peu probable en auto-diffusion car il faudrait crer des auto-interstitiels.
8.2. Dislocations
8.2.1. Concept
Figure 8.6. Cisaillement dun cristal en 2D. Le comportement est lastique
(rversible), puis plastique (irrversible), lorsque la contrainte applique
augmente
Pour introduire le concept de dislocation, il est intressant de chercher calculer la limite dlas-
ticit dun cristal. Cette limite dlasticit correspond au seuil deffort (ou de contrainte) partir
duquel le cristal subit un changement de forme irrversible. Ceci est illustr en 2D dans la gure
8.6. Le cristal est cisaill par une contrainte dite de cisaillement, ou cission, . A partir dune cer-
taine valeur, le changement de forme demand ne pourra plus tre ralis que par glissement dun
plan atomique sur lautre. Dans ce cas, lorsque la contrainte de cisaillement est relche, la forme
du solide, aprs le retour lastique, a chang de faon irrversible.
On peut donc imaginer que la limite dlasticit du cristal sera la contrainte limite partir de
laquelle les plans atomiques glisseront les uns sur les autres. Pour la calculer, il suft donc destimer
la contrainte ncessaire pour dplacer les atomes dune range dune quantit u par rapport la
range voisine. Si a est le paramtre de maille du rseau, cette contrainte vaut :
=
0
sin 2u/a
Dans ce modle,
0
est la valeur maximale de cette contrainte. Lorsquelle sera atteinte, le cristal
pourra basculer vers une autre position dquilibre. La limite dlasticit est donc
0
. Nous allons
lestimer en petites dformations en crivant lexpression de la dformation induite par le dplace-
ment u, soit u/a. La contrainte lastique correspondante est donne par la loi de Hooke sous la
forme = u/a, o est le module de cisaillement lastique du cristal. Enn, lquation prcdente
peut scrire pour u/a petit sous la forme 2
0
u/a, ce qui donne :
0
/2
Il ressort de ce simple calcul que la limite dlasticit des matriaux est environ dix fois plus
faible que leur module de cisaillement lastique . En fait, un calcul plus compliqu aurait donn
un rapport de 30 dans une structure cubique faces centres. Or, comme le montre le tableau 8.1, ce
rapport est plus proche de 1000 que de 30 dans les mtaux. Pour expliquer ce phnomne, les scien-
tiques ont invent le concept de dislocation, concept qui a ensuite t observ exprimentalement.
mtal (GPa)
0
(MPa)
Cu 48 60
Al 27 40
Fe 80 50
Tableau 8.1. Module de cisaillement lastique et limite dlasticit de mtaux
Pour expliquer la limite dlasticit anormalement basse des mtaux, les scientiques ont imagi-
ner un mcanisme dans lequel le dplacement dun plan atomique sur un autre se fait par propagation
dune vague plutt que dun seul bloc. On imagine aisment que pour dplacer un tapis sur le sol, il
est plus facile de faire propager une bosse dun bout lautre que de le dplacer dun bloc. Ceci est
illustr dans la gure 8.7.
120 P2MEMS
Figure 8.7. Dplacement dun tapis sur le sol dune quantit u par
propagation dune onde
8.2.2. Dnition
Dans les cristaux, le principal mcanisme de dformation plastique est le mouvement de dfauts
linaires (comme londe dans la gure 8.7) appels dislocations. Il ny a pas de dplacement en bloc
dune partie du cristal par rapport lautre, comme dans la gure 8.6.
Figure 8.8. Dislocations coin
Il existe deux principaux types de dislocations : les dislocations coin et les dislocations vis.
Celles-ci sont schmatises dans les gures 8.8 et 8.9. On remarque sur ces gures que leur dpla-
cement sous leffet dune contrainte de cisaillement nest pas le mme. Les dislocations coins se
dplacent paralllement la contrainte de cisaillement applique, alors que les dislocations vis se
dplacent perpendiculairement celle-ci. En revanche, les deux types de dislocation se dplacent
dans le mme plan, appel plan de glissement.
Figure 8.9. Dislocations vis
En fait, dans un matriau, les dislocations sont rarement purement coin ou purement vis. Elles
sont le plus souvent mixtes, et forment des courbes dans le cristal. Elles ont une longueur nie, car
elles sont ancres de chaque ct par un dfaut tel quun atome ou un arrangement datomes tran-
gers. La gure 8.10 montre des dislocations observes au microscope lectronique en transmission.
Figure 8.10. Observation de lignes de dislocations dans un acier inoxydable
(a), et dune dislocation coin dans laluminium (b), daprs [B 84]
122
Chapitre 9
tudes de cas
9.1. Le carbone sous toutes ses formes
Le carbone est un lment trs peu abondant dans lcorce terrestre, o il est class 19me (0,2%
en masse). Il doit son importance au fait quil forme lui seul plus de composs que tous les l-
ments runis car il peut se lier dautres atomes de carbone pour former des chanes et des cycles
complexes. Les composs du carbone sont innombrables, ce qui a conduit les chimistes crer un
domaine particulier pour les tudier : la Chimie Organique.
Le carbone est un lment absolument ncessaire lexistence des tres vivants (change constant
de carbone (CO
2
) avec leur milieu extrieur, compos de lADN) et la synthse de trs nom-
breuses molcules dans lindustrie chimique. Dans la classication de Mendeleev, il se trouve sur
la deuxime ligne, en sixime colonne, et porte le numro atomique Z = 6. Sa conguration lectro-
nique est donc 1s
2
2s
2
2p
2
. Ceci implique que 4 lectrons non apparis peuvent crer des liaisons :
le carbone est ttravalent. Sa masse molaire est de 12, 0107g/mol. Dans la nature, le carbone existe
sous trois formes allotropiques : amorphe (suie), graphite et diamant. Les scientiques ont cepen-
dant russi crer de nouveaux types de carbone, les fullernes et les nanotubes, dont les proprits
diffrent de celles du carbone naturel. Nous allons donc ici tudier en dtails cet lment et ses
diffrentes formes.
9.1.1. Graphite et Diamant
Lorsque le carbone cristallise dans une structure cubique diamant, on parle de carbone diamant.
Sa densit est alors de 3, 55, et le rayon des atomes est de 77pm.
1) Reprsenter la maille lmentaire du carbone diamant. Calculer la compacit de cette struc-
ture, et retrouver la masse molaire du carbone.
2) Quelle est la nature des liaisons mises en jeu dans ce solide ? discuter les proprits qui en
dcoulent.
123
124 P2MEMS
Figure 9.1. structure du graphite
Le carbone peut aussi cristalliser dans une structure graphite reprsente dans la gure 9.1. La
distance entre deux atomes de carbone lis est alors denviron 140pm, et la distance entre plans de
335pm.
1) Calculer la densit du graphite.
2) Quelles sont les proprits qui diffrencient cette varit allotropique de lautre ?
Pour dterminer la forme cristalline la plus stable, on tudie la transformation graphite-diamant.
Les enthalpies H et entropies S sont pour le graphite H = 718, 7kJ/mol et S = 5, 69J/mol/K, et
pour le diamant H = 720, 6kJ/mol et S = 2, 51J/mol/K.
1) Quelle est la forme cristalline la plus stable ?
2) Quelle pression faudrait-il appliquer pour transformer le graphite en diamant ?
9.1.2. Le fullerne
Figure 9.2. Fullernes C60, C140, C260 et C960
tudes de cas 125
Un autre polymorphe du carbone, le fullerne (du nom de lingnieur et philosophe Buckmins-
ter Fuller qui a construit un dme godsique pour lexposition universelle de Montral de 1967)
ou footballne, a t dcouvert en 1985 en faisant jaillir un arc lectrique entre les 2 tiges de car-
bone dans une atmosphre partiellement compose dhlium. Il existe plusieurs varits de fullerne,
comme le montre la gure 9.2. Lindice donne le nombre datomes de carbone dans la structure. Nous
allons nous limiter ici au fullerne C
60
, reprsent plus en dtails dans la gure 9.2.
A temprature ambiante, ltat stable du carbone C
60
est un cristal molculaire cubique faces
centres. Les molcules de C
60
pratiquement sphriques sont lies entre elles par des liaisons de Van
der Waals.
1) Combien y a-t-il datomes de carbone par maille ?
2) Calculer le rayon de la molcule C
60
sachant que la paramtre de maille vaut 1400pm. Nous
supposerons quil sagit dun cfc parfait et donc il y aura tangence sur la diagonale dune face.
3) On peut insrer dans les vides interstitiels de ce cristal du potassium de telle sorte que lon
peut raliser le compos K
3
C
60
(le buckide de potassium). Quels sont les sites occups par llment
potassium? Le potassium est-il dans ce cristal sous forme dions ou datomes ? On donne leur rayon
atomique R(K) = 230pm et R(K
+
) = 130pm.
4) Expliquer pourquoi K
3
C
60
est un conducteur lectrique.
9.1.3. Les nanotubes
Figure 9.3. Nanotubes : (a) un fauteuil (b) un zigzag (c) un nanotube chiral
La nanotechnologie, un secteur en pleine expansion, repose sur ltude, le dveloppement et la
commercialisation de matriaux et de dispositifs lchelle du milliardime de mtre, le nanomtre.
Ainsi, les scientiques examinent comment on pourrait produire des nanotubes de carbone paroi
simple, cest--dire des cylindres dont la paroi aurait lpaisseur dun atome, en vue de leur utilisa-
tion en nano-lectronique ainsi que dans les piles combustible, les matriaux nano-composites et
les dtecteurs chimiques. Les nanotubes prsentent des proprits mcaniques et lectriques aussi
particulires quinhabituelles. tant creux, ils peuvent encapsuler diverses substances organiques ou
126 P2MEMS
inorganiques. On peut aussi sen servir comme conducteurs ou semi-conducteurs, selon leur struc-
ture, do lintrt de lindustrie. Certains laboratoires sefforcent de voir comment on pourrait pu-
rier des liquides contamins en exploitant la proprit quont les nanotubes de piger les polluants.
Connaissez-vous dautres possibilit dapplication des nanotubes de carbone ?
9.2. Le rseau rciproque
Le rseau rciproque est un concept initialement introduit par J.W. Gibbs (1839-1903). Ce concept,
plutt abstrait, est absolument central en physique du solide : le but de cet exercice est de vous donner
loccasion de manipuler le rseau rciproque et den comprendre quelques utilisations.
9.2.1. Ranges cristallines et plans rticulaires
Imaginons un plan qui coupe les axes du repre quelconque en trois noeuds du rseau A, B, C.
Les units choisies sur les trois axes sont a, b et c. On peut crire : OA = xa, OB = yb et OC = zc.
Les coordonnes de A sont (x, 0, 0), celles de B sont (0, y, 0) et celles de C sont (0, 0, z) o x, y, z
sont des entiers Prenons leurs inverses 1/x, 1/y, 1/z et multiplions les par leur plus petit commun
multiple. On obtient trois nombres premiers entre eux h, k, et l qui sont les indices de Miller du plan
considr.
Les indices de Miller dun plan sont nots entre des parenthses (hkl). Lquation du plan ABC
scrit hx + ky + lz = N. Vous pouvez le vrier aux points A, B, C ; la constante entire N est
nulle lorsque le plan passe par lorigine.
1) Imaginez un rseau quelconque. Portez les noeuds A, B, C, D, E et F de coordonnes res-
pectives : 100, 010, 001, 200, 020, 002. Quels sont les indices de Miller du plan ABC puis ceux du
plan DEF ?
2) Considrons maintenant un rseau orthogonal quelconque de vecteurs de base

a ,

b et

c .
Donnez les indices de Miller du plan perpendiculaire (
a ,
b ), et dont la trace dans ce plan coupe

le premier axe en 2a et le second en b.
3) Dans le mme rseau, en supposant que a/b =
3, trouvez langle qui existe entre la range

[1 -1 0] et la normale au plan (1 -1 0).
4) Construisez le rseau rciproque associ au rseau hexagonal (on tracera la projection des
rseaux direct et rciproque sur le plan (001), partir de la mme origine)
5) Sur le schma que vous venez de tracer, construisez la range [120] du rseau rciproque, et
la trace du plan (120) du rseau direct. Que remarquez-vous ? Vous venez de dcouvrir une proprit
fondamentale du rseau rciproque : la normale au plan dindices de Miller (hkl) est la range
rciproque de composantes [HKL].
6) Calculez la distance interrticulaire entre deux plans successifs dune mme famille dans un
rseau hexagonal.
7) Toujours dans le rseau hexagonal, calculez langle entre les plans (101) et (111) (on suppo-
sera que le rapport c/a est gal 1,538).
tudes de cas 127
A ce stade, il est essentiel de comprendre que tous les calculs de gomtrie concernant les plans
cristallographiques se ralisent aisment dans lespace rciproque - cest absolument indispensable
ds lors que le repre du rseau direct nest plus orthonorm. B -
9.2.2. Microscopie lectronique en transmission
clich de diffraction
Figure 9.4. Schma dun microscope lectronique transmission
Nous allons donc montrer ici que le rseau rciproque nest pas quune construction purement
abstraite. La gure 9.4 illustre le trajet des lectrons dans un microscope lectronique en transmis-
sion (pour ceux que a intresse, nous disposons de ce type dquipement lcole des Mines). Le
faisceau incident parallle traverse lchantillon (par exemple un monocristal de silicium sous forme
dune lame mince de 100nm dpaisseur). On suppose que le monocristal est orient de faon
ce quune famille de plans rticulaires (hkl) est en position de Bragg exacte. Lobjectif est constitu
dun jeu de lentilles lectromagntiques, et peut tre assimil une lentille mince convergente. Dans
le plan focal image nous obtenons un clich de diffraction constitu de deux taches (voir gure 9.4.
1) Montrer, grce la construction dEwald, que ce clich de diffraction nest rien dautre quune
coupe de lespace rciproque
2) Maintenant que vous savez matrialiser le rseau rciproque dans un microscope lectronique
en transmission, retrouvez les conditions dextinction obtenues par le calcul du facteur de structure.
Pour ce faire, on construira et comparera les rseaux rciproques des structures cubique simple,
cubique centre et cubique face centre. Utilisez la maille primitive pour votre construction.
128 P2MEMS
9.3. Le module dYoung
Le module dYoung et la limite dlasticit sont les deux caractristiques principales des mat-
riaux de structure fonctionnant dans le domaine lastique (ski, lments de structure de btiment,
bras de suspension, ple dhlicoptre, aile davion,etc).
Le dimensionnement mcanique de ces structures repose sur la vrication des conditions de
rigidit (le changement de forme de la structure ne peut pas dpasser une certaine valeur seuil,
xe dans les cahiers de charges) et de solidit (la contrainte impose doit tre infrieure la limit
dlasticit du matriau).
Le but de cet tude est de montrer que la valeur numrique du module dYoung peut tre dduite
du potentiel dinteraction entre les atomes. Par la suite, nous tenterons de minimiser la masse dune
structure rigidit impose.
9.3.1. Module et potentiel dinteraction
Dans une liaison iono-covalente, le potentiel dinteraction U entre 2 atomes distants de r peut
scrire sous la forme suivante, o A et B sont des constantes :
U(r) =
A
r
2
+
B
r
10
1) Dans le cas o les atomes forment une molcule stable avec une nergie de liaison de 4eV
pour une sparation de 0, 3nm, calculer A et B, puis tracer les courbes U(r) et F(r), o F est la
force de cohsion entre deux atomes.
2) Analyser le comportement de cette liaison en "traction-compression" uniaxiale, en notant la
contrainte et la dformation dans la direction de sollicitation. Dduire de cette analyse lexpression
du module dYoung,
3) Calculer la valeur numrique du module dYoung, est-elle raisonnable ?
9.3.2. rigidit dune poutre
Figure 9.5. Poutre en exion
On considre une poutre encastre de section carre e
2
, de longueur l et chissant dune hauteur
f sous leffet dune force ponctuelle F (gure 9.5). La mcanique des structures (RdM) nous donne
lexpression de ce chissement :
tudes de cas 129
f =
4Fl
3
Ee
4
Dans ce problme sont imposs par le cahier de charges :
la longueur l = 1m,
la charge F = 300 kG,
la che maximale f = 5 mm,
la forme de la section (carre, mais e reste dterminer).
On recherche un matriau permettant de minimiser la masse de la poutre. On dispose pour cela
des caractristiques du bton (E = 20GPa, = 2400kg/m
3
), du contre-plaqu (E = 5, 5GPa,
= 800kg/m
3
), dun acier au carbone (E = 210GPa, = 7800kg/m
3
) et dun alliage daluminium
7075 (E = 72GPa, = 2810kg/m
3
).
1) exprimer la masse de la poutre en fonction des paramtres du cahier des charges dune part et
du matriau dautre part,
2) quelle est la combinaison de proprits de matriaux qui permet de minimiser la masse pour
une rigidit impose ?
3) quel est le meilleur matriau pour lapplication considr, discutez le classement obtenu,
4) calculer la masse et la section de la poutre de masse minimale,
5) comment augmenter le module dYoung du matriau choisi ?
9.4. Diffraction des rayons X
Figure 9.6. diagramme de diffraction dun alliage eutectique Pb-Sn obtenu
par refroidissement lent partir de la phase liquide suivi dun laminage
froid. La longueur donde utilise pour lanalyse est =1,78897
130 P2MEMS
9.4.1. Nombre et nature des phases
(a)
(b)
(c)
Figure 9.7. diagramme de phase (a), image MEB de la microstructure (b), et
analyse chimique locale (c) de lalliage
A laide de la gure 9.7, justiez lexistence de deux phases et discutez leur composition chi-
mique.
9.4.2. Etude de la phase Pb
On sait que la structure du plomb (Pb) est de type cubique. On notera a le paramtre de maille
(longueur de larte du cube) et (h, k, l) les indices de Miller dun plan cristallographique.
1) Montrez que la distances inter-rticulaires d
hkl
entre deux plans cristallographiques successifs
peut tre exprime sous la forme :
d
hkl
=
a
h
2
+k
2
+l
2
2) calculez les distances d
hkl
correspondant au pics de diffraction de Pb. Les angles 2 mesurs
sur le diffractogramme sont de 36,517
, 42,373
, 61,479
, 73,614
, 77,504
, 92,527
, 103,899
, et
107,821
.
3) Dterminez les indices (h, k, l) de tous les pics.
4) Calculer le paramtre de maille a
5) Sagit-il dune structure centre (cc) ou faces centres (cfc) ? Pour rpondre cette question
on peut soit utiliser les facteurs de structure cc et cfc, soit calculer la densit de Pb en sachant que sa
masse atomique est de 207,19 et que le nombre dAvogadro vaut N
A
=6,022.10
2
3at/mole.
tudes de cas 131
9.4.3. Facteur de structure du silicium
Calculez le facteur de structure du silicium. Expliquer laide de ce facteur lindexation des raies
successives de diffraction du silicium dans la gure 6.1.
9.5. Limite dlasticit des cristaux mtalliques
Figure 9.8. limite dlasticit dun monocristal de magnsium, en fonction de
son orientation cristalline, daprs Schmid et Siebel (1931)
La gure 9.8 montre que la limite dlasticit en traction dun monocristal de magnsium peut
dpendre beaucoup de son orientation cristalline par rapport la direction de sollicitation. Lobjectif
de cette tude est de modliser lvolution de cette limite dlasticit.
9.5.1. Glissement simple
Les cristaux mtalliques se dforment plastiquement par cisaillement dans des directions cristal-
lographiques particulires. Ce cisaillement se produit par mouvement de dislocations (voir cours).
1) Sachant que le magnsium a une structure hexagonale compacte, et en supposant quil ne se
dforme plastiquement que par glissement sur ses plans " basaux " (0001), montrer que lon peut
simplier le problme en construisant le schma 2D de la gure 9.9
2) Donner dans le cas gnral lexpression du vecteur contrainte sappliquant sur un plan de
glissement de normale
n , sous leffet dun champ de contraintes . Donner cette expression dans le

cas particulier de la gure 9.9.
3) Donner dans le cas gnral lexpression de la contrainte de cisaillement , appele "cission",
sappliquant selon une direction de glissement

b , dans un plan de normale

n , sous leffet dun
tenseur de contraintes . Donner cette expression dans le cas particulier de la gure 9.9.
4) Proposer un critre de dformation plastique des cristaux mtalliques permettant de reproduire
lvolution de la limite dlasticit illustre dans la gure 9.8.
132 P2MEMS
Figure 9.9. schmatisation 2D de lessai de traction de la gure 9.8
9.5.2. Glissement double
En ralit, les cristaux peuvent se dformer par cisaillement sur plusieurs plans cristallogra-
phiques. Pour illustrer cela, nous restons en 2D et nous supposons que le cristal peut cisailler selon
deux directions
1
et
2
. Ceci est illustr sur la gure 9.10.
Figure 9.10. Schmatisation 2D du glissement double
tudes de cas 133
1) crire les cissions
1
et
2
appliques chaque systme de glissement, en fonction de la
contrainte applique et des angles
1
et
2
.
2) Lcart entre les deux directions de glissement est suppos indpendante de lorientation du
cristal par rapport la sollicitation. Est-ce justi ?
3) Tracer lvolution des cissions en fonction de
1
, en supposant
2
1
< 90
. En dduire une
mthode pour dterminer le plan et la direction de glissement dans un cristal sollicit mcanique-
ment.
4) Tracer lvolution de la limite dlasticit du cristal en fonction de
1
. Commenter.
134
TROISIME PARTIE
LES LECTRONS DANS UN SOLIDE
135
136
Chapitre 10
Modle de Drude
Parmi lensemble des proprits physiques et mcaniques des matriaux solides, la conductivit
thermique et lectrique des mtaux a t trs largement tudie. Le point de dpart de ces tude a
t la dcouverte de la notion dlectron par J.J. Thomson en 1897. En effet, trois ans plus tard, P.
Drude dveloppait une thorie de la conduction dans les mtaux. Cette thorie aura un succs trs
important. Elle est encore utilise aujourdhui lorsque lon veut obtenir rapidement des ordres de
grandeurs, avant de passer des modles plus sophistiqus prenant en compte les effets quantiques
dans les solides.
Dans ce chapitre, nous dcrivons le modle de P. Drude. Le succs de ce modle est directement
li sa simplicit. Dans un premier temps, nous examinerons ses hypothses de base et les premiers
rsultats qui en dcoulent, savoir les proprits de conduction des mtaux. Ensuite, nous exami-
nerons plus en dtails certaines autres proprits expliques par ce modle. Ce sont en particulier
celles traitant de linteraction entre le gaz dlectrons et un rayonnement lectromagntique.
10.1. Description du modle
10.1.1. Le gaz dlectrons
La gure 10.1 donne un schma de description des mtaux par le modle de Drude. Selon ce
schma, chaque atome, de numro atomique Z, cest--dire avec Z lectrons et Z protons, mettra
un certain nombre de ses lectrons, not Z
c
, la disposition dun gaz dit gaz dlectrons. Dans la
gure 10.1, e est la charge du proton, oppose celle de llectron, soit environ 1, 6.10
19
C.
Dans le modle de Drude, un mtal est donc form dun rseau dions et dun gaz dlectrons.
Les lectrons mis la disposition du gaz par chaque atome sont au nombre de Z
c
. Ce sont ceux
situs sur les couches lectroniques externes. Ils sont appels lectrons de conduction.
Par exemple, pour le sodium Na, un seul lectron est mis en commun (Z
c
= 1). La structure
lectronique de Na tant 1s
2
2s
2
2p
6
3s, seul llectron de la couche 3s sera mis en commun. Les
ions Na
+
ainsi forms auront la structure lectronique 1s
2
2s
2
2p
6
du Non Ne avec deux couches
137
138 P2MEMS
Figure 10.1. Description schmatique du modle de Drude
compltes. De la mme faon, laluminium Al mettra en commun trois lectrons par atome, ceux
de la couche M. La structure lectronique des ions Al
3+
ainsi forms sera donc aussi celle du non
Ne.
On peut facilement estimer le nombre dlectrons de conduction par unit de volume de mtal.
En effet, une mole de matriau contient 6, 022.10
23
atomes (nombre dAvogadro). Ainsi, si est sa
densit et A sa masse atomique, alors le nombre n dlectrons de conduction par unit de volume du
matriau est :
n = 6, 022.10
23
.
Z
c
A
On obtient par exemple temprature ambiante 2, 65.10
22
lectrons de conduction par centimtre
cube dans le sodium (avec une valence de 1), et 18, 1.10
22
dans laluminium (avec une valence de
3).
Dans le modle de Drude, linteraction dun lectron de conduction avec les autres lectrons et
avec les ions est nglige. Ainsi, en labsence de champ externe, llectron se dplace uniformment
sur une ligne droite. Lors de lapplication dun champ extrieur, le mouvement de llectron est
obtenu en appliquant les lois classiques de la mcanique, en ngligeant les champs additionnels
produits par les autres lectrons et les ions.
En fait, linteraction de chacun des lectrons de conduction avec les ions est schmatise par
un potentiel attractif constant dans le mtal, de sorte que les lectrons sont pigs dans une bote
de potentiel (gure 10.2 et chapitre 2.2). Plus le potentiel servant schmatiser cette interaction
sera grand (en valeur absolue), plus la probabilit de prsence dun lectron lextrieur du mtal
sera faible. Dans ce modle, on considre que le potentiel est sufsamment important pour que les
lectrons restent conns dans le matriau. Les surfaces du mtal constituent donc des parois rigides
dune bote intrieur de laquelle voluent les lectrons. Le fait de ngliger les interactions lectron-
lectron revient se placer dans lapproximation des lectrons indpendants. Le fait de ngliger les
interactions lectron-ion correspond lapproximation des lectrons libres.
Modle de Drude 139
Figure 10.2. Description du matriau comme une bote dans laquelle le gaz
dlectrons volue, daprs [QU 88]
10.1.2. Les collisions
Lapplication directe des lois classiques de la mcanique llectron dans une bote peut conduire
des rsultats aberrants. En effet, si on considre par exemple lapplication dun champ lectrique
E
constant dans le temps, alors chaque lectron est soumis une force lectrostatique e
E, o e est
la charge (ngative) de llectron. Les lois de la mcanique conduisent une acclration constante
des lectrons dans le sens oppos ce champ, et donc une vitesse croissant linairement dans
ce sens pour atteindre une valeur innie. Ce simple raisonnement nous montre quil est ncessaire
dintroduire dans le modle de Drude une force de freinage des lectrons. Cette force est schmatise
par des collisions au sein du matriau.
Comme dans une thorie cintique classique, des collisions sont donc considres lintrieur de
la bote. Ce sont des vnements instantans qui modient brutalement la vitesse des lectrons. Ces
collisions ont une probabilit de 1/ par unit de temps. Le terme est appel temps de relaxation.
Il joue un rle fondamental dans la thorie de la conduction des mtaux. Ce temps signie quun
lectron slectionn de faon alatoire un instant donn, dune part voyagera en moyenne pendant
un temps avant davoir une collision, et dautre part a en moyenne dj voyag pendant un temps
depuis sa dernire collision.
Figure 10.3. Schmatisation nave des collisions dans le modle de Drude,
daprs [ASH 76]
Dans le modle de Drude, le temps de relaxation est indpendant de la position et de la vitesse
de llectron. Une schmatisation simpliste conduirait imaginer que les collisions sont des chocs
entre les lectrons et les ions de la structure (gure 10.3), ce qui conduirait un temps de relaxation
de lordre de grandeur du temps de dplacement dun lectron entre deux ions. Il faut tout prix
140 P2MEMS
viter ce genre dimage. En effet, elle conduit une estimation errone de ce temps de relaxation.
Nous verrons dans le paragraphe suivant que des mesures de conductivit lectrique peuvent donner
une estimation de (de lordre de dix femto-secondes). Nous verrons dans le chapitre suivant que la
vitesse des lectrons dans le gaz peut atteindre environ v = 10
6
m/s temprature ambiante. Ceci
conduit un libre parcours moyen des lectrons l = v de lordre de 100, qui nest pas comparable
avec la distance entre des ions dans un mtal, elle-mme plutt de lordre de 1. Il faut donc utiliser
les collisions dans le modle de Drude simplement comme un moyen de schmatiser, par une force
de freinage, le ralentissement des lectrons de conduction.
Dans le modle de Drude, les collisions sont galement supposes tre le seul mcanisme
participer lquilibre thermique du matriau. Aprs chaque collision, llectron repart dans une
direction alatoire, indpendante de sa direction de dplacement avant la collision, et avec une vitesse
correspondant la temprature locale du matriau. Ainsi, plus la zone du matriau est chaude, plus
llectron repartira avec une vitesse importante de la collision.
10.2. Quelques proprits physiques
10.2.1. Conductivit lectrique
La loi dOhm stipule que lapplication dun champ lectrique

E dans un matriau produit au
mme endroit une densit de courant
J proportionnelle ce champ. La densit de courant
J est un
vecteur parallle au ot dlectrons, dont lamplitude est la quantit de charge traversant par unit
de temps une surface unit perpendiculaire ce ot. Dune faon gnrale, la loi dOhm scrit
donc sous la forme

J = .
E, o est le tenseur des conductivits du matriau. En pratique, la

densit de courant est souvent produite dans la direction du champ, et son amplitude est souvent
suppose ne pas dpendre de la direction dapplication de ce champ. Dans ce cas, le tenseur des
conductivits scrit = I, o I est le tenseur identit et o est appele la conductivit lectrique
du matriau. La loi dOhm scrit alors, en introduisant la rsistivit du matriau comme linverse
de sa conductivit :
J =
E ou
E =
J
Considrons maintenant n lectrons se dplaant dans le matriau une vitesse

v . Alors, la
densit de courant ainsi cre sera parallle cette vitesse. Par unit de temps, n
v lectrons traver-
seront une surface unit perpendiculaire
v . Enn, chaque lectron portant une charge e ngative,

la densit de courant produite sera
J = ne
v .
En chaque point du matriau, les lectrons se dplacent dans des directions diffrentes, avec des
vitesses diffrentes correspondant leur nergie thermique. La densit de courant dans le matriau
sera donc obtenue en utilisant la vitesse moyenne de ces lectrons en ce point. En labsence de champ
extrieur appliqu, cette vitesse moyenne sera nulle et aucune densit de courant nest cre. Si un
champ lectrique
E est appliqu, chaque lectron est soumis une force additionnelle
F = e
E.
En crivant simplement que cette force peut sexprimer sous la forme
F = m
, o m est la masse
de llectron et
son acclration, on en dduit que, un instant t suivant sa dernire collision, la

Modle de Drude 141
vitesse de llectron sera
v = (et/m)
E. La vitesse moyenne des lectrons dans le matriau ne

sera alors plus nulle, mais donne sous la forme
v = (e/m)

E, o est le temps de relaxation.
On en dduit que la relation entre la densit de courant et le champ appliqu scrit sous la forme :
J =
E avec =
ne
2
E =
J avec =
m
ne
2
(10.1)
mtal 273K 373K

Li 8,55 8,8 12,4 6,1
Na 4,2 32 liq.
K 6,1 41 liq.
Rb 11 28 liq.
Cs 18,8 21 liq.
Cu 1,56 27 2,24 19
Ag 1,51 40 2,13 28
Au 2,04 30 2,84 21
Be 2,8 5,1 5,3 2,7
Mg 3,9 11 5,6 7,4
Ca 3,43 22 5 15
Nb 15,2 4,2 19,2 3,3
Fe 8,9 2,4 14,7 1,4
Zn 5,5 4,9 7,8 3,4
Al 2,45 8 3,45 5,5
Ga 13,6 1,7 liq.
In 8 3,8 12,1 2,5
Tl 15 2,2 22,8 1,5
Sn 10,6 2,3 15,8 1,5
Pb 19 1,4 27 0,99
Bi 107 0,23 156 0,16
Sb 39 0,55 59 0,36
Tableau 10.1. Rsistivit (en .cm) et temps de relaxation (en 10
15
s) de
diffrents mtaux deux tempratures, daprs [ASH 76]
Lquation 10.1 donne la conductivit lectrique dun mtal en fonction de sa densit en lec-
trons de conduction n, du temps de relaxation et des caractristiques de llectron (charge e et
masse m). En fait, cette expression permet, en mesurant exprimentalement la conductivit ou la
resistivit dun mtal, destimer le temps de relaxation .
Le tableau 10.1 donne une estimation de ce temps de relaxation, partir de mesures de rsistivi-
ts, pour diffrents mtaux et deux tempratures. On remarque une forte variation de la rsistivit
avec la temprature. Ensuite, on remarque que le temps de relaxation est de lordre de la femto-
seconde, soit 10
15
s 10
14
s.
142 P2MEMS
10.2.2. Conductivit thermique
La loi de Fourier stipule quun gradient de temprature

grad(T) dans un matriau provoque
localement une densit de ux de chaleur proportionnelle
= .
grad(T). Le tenseur est celui

de la conductivit thermique du matriau.
Comme dans le cas de la loi dOhm, on fait souvent lhypothse en thermique, sur des matriaux
homognes, que la densit de ux thermique
est dans la mme direction que le gradient de tem-

prature, et ceci quelle que soit cette direction. Alors, le tenseur devient I, o I est le tenseur
identit, et o est un paramtre positif appel conductivit thermique du matriau. La loi de Fourier
scrit alors :
grad(T)
Dans le modle de Drude, on fait lhypothse que les lectrons sont galement les lments
caloporteurs du matriau. Pour obtenir une premire estimation de la conductivit thermique, consi-
drons un transfert de chaleur dans une direction. En chaque point x, la moiti des lectrons arrivent
du ct chaud, lautre moiti du ct froid. Soit c(T) lnergie dun lectron la temprature T.
Cette temprature a t obtenue lors de la dernire collision. Les lectrons arrivant x du ct chaud
auront eu en moyenne leur dernire collision xv
x
, o v
x
est leur vitesse moyenne et le temps
de relaxation. Ils auront une nergie c(T(x v
x
)), et leur contribution la densit de ux ther-
mique sera n/2 (leur densit) fois v
x
(leur vitesse) fois leur nergie, soit (n/2)v
x
c(T(x v
x
)).
De faon similaire, les lectrons arrivant du ct froid, avec une vitesse moyenne v
x
, auront une
contribution de (n/2)(v
x
)c(T(x + v
x
)). En sommant ces deux contributions, et en faisant lhy-
pothse que la variation de temprature est trs faible sur la distance v
x
, on obtient la densit de
ux thermique suivante dans la direction x :
x
=
nv
x
2
[c(T(x v
x
)) c(T(x +v
x
))] nv
2
x
dc
dT
dT
dx
Le passage en dimension 3 ncessite de calculer la vitesse quadratique moyenne v
2
des lectrons
dans les trois directions. Dans lhypothse dune rpartition identique de la vitesse dans les trois
directions, on a < v
2
x
>=< v
2
y
>=< v
2
z
>=
1
3
v
2
. De plus, le terme ndc/dT reprsente la capacit
calorique du matriau C
v
(voir chapitre 7). On a alors lexpression suivante de la conductivit
thermique :
grad(T) avec =
1
3
v
2
C
v
=
1
3
lvC
v
Dans cette quation, v est la vitesse quadratique moyenne des lectrons dans le gaz, et l leur libre
parcours moyen. Malheureusement, lexpression contient nouveau le temps de relaxation , qui est
trs difcile estimer.
Modle de Drude 143
10.2.3. Interaction avec un rayonnement lectromagntique
Nous pouvons utiliser le modle de Drude pour tudier la propagation dun rayonnement lec-
tromagntique dans le gaz dlectrons de densit n (nombre dlectrons de conduction par unit
de volume). Dans ce modle, le comportement dun lectron est suppos celui dune particule de
masse m. Sous leffet dun champ lectrique

E et dune induction magntique

B, lquation du
mouvement de llectron peut scrire sous la forme (
x est sa position courante) :

m

x +
m

x +e(
E +

x
B) = 0
Dans cette quation, llectron, de charge e, est soumis la force lectrostatique e
E et
la force de Laplace e

x
B. En pratique, la force de Laplace peut tre nglige. En effet, si v

est la vitesse moyenne des lectrons dans le gaz, cette force est dans un rapport v/c avec la force
lectrostatique. Or, la vitesse moyenne des lectrons dans le modle de Drude est au maximum de
lordre de 10
6
mm/s, de sorte que le rapport v/c est denviron 1/300.
En ngligeant la force de Laplace, on peut chercher une solution stationnaire aux quations de
mouvement de llectron, cest--dire sous la forme
x =
x
0
e
it
, rsultant dun champ lectrique
de la forme
E =
E
0
e
it
. On obtient :
m
2
x
0
+i
m
x
0
+e
E
0
= 0, soit
x
0
=
e
m
1
2
+
i
E
0
Finalement, la densit de courant tant donne sous la forme
J = ne
v = ne

x , on peut
crire
J =
J
0
e
it
avec :
J
0
= nei
x
0
=
ne
2
m
1
1 i
E
0
On dnit ainsi une conductivit complexe
de la faon suivante :
J =
E avec
=

1 i
(10.2)
Pour un champ lectrique frquence nulle, on retrouve la valeur de obtenue dans le cadre de
ltude de la conductivit lectrique pour un courant continu.
La principale application de lquation 10.2 est ltude de la propagation dun rayonnement
lectromagntique dans un solide, laide du modle de Drude. Pour raliser cette tude, on doit
144 P2MEMS
tout de mme mentionner que la conductivit complexe
a t obtenue en supposant un champ

dpendant du temps, mais pas de lespace. Or, les rayonnements lectromagntiques sont en gnral
fonctions de lespace et du temps (voir le chapitre 1).
La densit de courant en un point donn du matriau, calcule par la relation 10.2, est entirement
dtermine par linuence du champ lectrique sur chaque lectron (quation de mouvement) en ce
mme point, depuis sa dernire collision. Cette dernire collision a eu lieu en moyenne une distance
gale au libre parcours moyen des lectrons. Ainsi, si la longueur donde du rayonnement est grande
devant ce libre parcours moyen, on peut supposer que le champ est constant dans son action sur
chaque lectron, et on peut appliquer la relation 10.2. Ceci est en gnral le cas dans le domaine du
visible, avec une longueur donde de lordre de 1000 10000 Angstrm. Dans le cas contraire, il est
ncessaire de dvelopper des approches locales, beaucoup plus complexes.
En supposant que la longueur donde du rayonnement est grande devant le libre parcours moyen
des lectrons de conduction dans le mtal, on peut utiliser la relation 10.2 pour rsoudre les quations
de Maxwell crites ici en units SI et en labsence de densit de charges (
E est le champ lectrique,

et
B est linduction magntique) :

loi de Maxwell-Gauss div(
E) = 0
loi de Biot et Savart div(
B) = 0
loi de Maxwell-Faraday

rot(
E) =
B
t
loi de Maxwell-Ampre

rot(
B) =
0
J +
0
E
t
(10.3)
La recherche de solutions stationnaires

E =

E
0
e
it
,

B =

B
0
e
it
et

J =

J
0
e
it
conduit liminer

B
0
en utilisant la loi de Maxwell-Faraday, puis celle de Maxwell-Gauss. On
obtient
rot(
B
0
) sous la forme suivante :
rot(
B
0
) =
rot(
1
i
rot(
E
0
))
=
1
i
(
grad(div(
E
0
))
div(grad(
E
0
)))
=
1
i
div(grad(
E
0
))
Cette expression de

rot(
B
0
) peut maintenant tre incorpore dans la loi de Maxwell-Ampre
pour obtenir, en utilisant la relation 10.2, lquation suivante portant sur le champ lectrique :
div(grad(
E
0
)) =
2
c
2

E
0
avec = 1

0
(i +)
Modle de Drude 145
On reconnat dans cette quation une quation de propagation classique dans un milieu de
constante dilectrique :
div(grad(
E)) =

c
2
E
t
2
La constante dilectrique sexprime en fonction de , la conductivit lectrique du matriau,
de la pulsation du rayonnement, et du temps de relaxation . On a utilis ici la relation
0
0
c
2
=
1, valable en units SI, o c est la vitesse de la lumire,
0
la permabilit magntique et
0
la
permittivit du vide. En units SI, ces quantits sont :
c = 3.10
8
m/s
0
= 1, 25489896.10
6
V s/Am
0
= 8, 85418782.10
10
As/V m
Dans le cas dun rayonnement avec une pulsation leve, pour lesquelles 1, la constante
dilectrique dcrivant le gaz dlectrons scrit sous la forme :
= 1
2
p
2
avec
p
=
ne
2
0
m
(10.4)
La frquence
p
=
p
/2, associe la pulsation
p
, est appele frquence de plasmon. Si la
frquence de londe lectromagntique est infrieure cette frquence de plasmon, alors la constante
dilectrique donne par la relation 10.4 est positive. Dans ce cas, la solution de lquation de
propagation donnant le champ lectrique est une onde samortissant dans le solide. Inversement,
pour des frquences suprieures, londe solution se propage dans le gaz dlectrons.
mtal
p
(nm)
0
(nm)
Li 150 200
Na 200 210
K 280 310
Ag 140 160
Tableau 10.2. longueurs donde de plasmon calcules p et mesures 0,
daprs [ASH 76]
On met ainsi en vidence une longueur donde
p
= c/
p
au dessus de laquelle les mtaux sont
opaques, et en dessous de laquelle ils sont transparents. Cette longueur donde, dite longueur donde
de plasmon, est donne sous la forme :
146 P2MEMS
p
=
c
e
m
n
La tableau 10.2 donne une comparaison entre les longueurs donde de plasmon mesures,
0
, et
calcules avec le modle de Drude,
p
. Laccord est relativement bon.
Chapitre 11
Modle de Sommerfeld
Le modle de Drude a t dvelopp bien avant la physique quantique. Il tait donc difcile dans
ce modle de traiter correctement le gaz dlectrons. En particulier, la distribution des vitesses des
lectrons tait suppose suivre une statistique issue de la thorie cintique des gaz. Or, les lectrons
ne peuvent pas tre traits simplement comme des particules massiques ayant une cintique donne.
En effet, nous avons vu au chapitre 3 que les lectrons taient des fermions, cest--dire possdaient
un nombre quantique de spin demi-entier, et surtout obissaient au principe de Pauli.
Le modle de Sommerfeld repose sur lapproximation des lectrons libres, comme le modle de
Drude. Cependant, la nature quantique des lectrons est prise en compte, conduisant une meilleure
estimation de certaines quantits en jeu dans ce type de modle. Ceci est expliqu dans le premier
paragraphe de ce chapitre. Ensuite, les proprits des matriaux sont nouveau analyses laide de
ce modle.
11.1.1. Approximation des lectrons libres
Comme dans le modle de Drude, nous considrons un gaz dlectrons conns dans une bote de
volume V . De plus, nous gardons lapproximation des lectrons indpendants, de sorte que lon peut
raisonner sur un seul lectron, puis remplir la bote en recommenant lopration tout en respectant
le principe de Pauli.
Nous allons en fait utiliser une bote en forme de cube de ct L, soit V = L
3
. Ce cube constitue
un lment de volume reprsentatif du matriau, et non une bote dans laquelle sont conns les
lectrons. En fait, lorsquun lectron sort de cette bote, un autre est suppos arriver avec les mmes
caractristiques par le ct oppos. Comme illustr en 2D dans la gure 11.1, ceci revient utiliser
les conditions aux limites suivantes, aussi appeles conditions de Born - Von Karman ou conditions
aux limites priodiques sur la fonction donde (
r ) dcrivant ltat dun lectron :

(x, y, z) = (x +L, y, z) = (x, y +L, z) = (x, y, z +L)
147
148 P2MEMS
Figure 11.1. lment de volume reprsentatif et conditions aux limites
priodiques en 2D
En choisissant une rfrence telle que le potentiel soit constant et nul dans le matriau, et donc
dans la bote, lquation de Schrdinger correspondant aux tats stationnaires de chaque lectron
scrit :
H(
r ) =
h
2
2m
(
r ) = c(
r )
En appliquant les conditions aux limites priodiques et en utilisant les rsultats obtenus dans
le chapitre 2 sur la fonction donde dune particule dans une bote, on peut crire les solutions
stationnaires de lquation de Schrdinger
n
et leur nergie c
n
sous la forme suivante, o n
x
, n
y
et n
z
sont des entiers relatifs non simultanment nuls :
n
(
r ) =
1
L
3/2
e
i

k n.

r
avec
k
n
=
2
L
(n
x
, n
y
, n
z
) (11.1)
c
n
=
h
2
2m
k
n
.
k
n
= c
0
(n
2
x
+n
2
y
+n
2
z
) avec c
0
=
h
2
2m
2
L
2
(11.2)
Dans ces quations, on voit que lnergie des lectrons dans la bote (cube de ct L) est d-
gnre en bandes dnergie. En effet, les entiers n
x
, n
y
et n
z
prennent des valeurs discrtes. Par
Modle de Sommerfeld 149
exemple, pour n
x
= 1, n
y
= 0 et n
z
= 0, on a c = c
0
. On parle de ltat (100). On remarque que
les tats (010), (001), (100), (010) et (001) sont tous au niveau nergtique c
0
(1 signie 1). On
peut ensuite traiter le niveau dnergie 2c
0
, par exemple pour ltat (110), etc. . .
Figure 11.2. Illustration en 2D des niveaux dnergie et du nombre N dtats
possibles associs
La gure 11.2 illustre en 2D que les niveaux de mme nergie sont tous situs sur un mme cercle
(une mme sphre en 3D) daprs lquation 11.2. Chaque tat possible correspond un point sur
cette gure. Ainsi, pour chaque niveau dnergie, on peut compter le nombre dtats possibles. Cette
mme gure donne lvolution du nombre dtats possibles niveau dnergie gal ou infrieur
celui donn par un vecteur donde

k , de norme k. En abscisse, nous avons port la quantit
150 P2MEMS
k
2
divise par la surface dune cellule lmentaire dans lespace des

k , soit (2/L)
2
. On trouve
approximativement une droite de pente . En fait, le nombre dtat peut tre estim en 2D par le
rapport entre la surface du cercle de rayon k et celle dune cellule lmentaire. Cette estimation sera
dautant plus valide lorsque k augmentera. En effet, cette estimation revient supposer quil existe
un tat possible (un point) par cellule lmentaire. En 3D, le mme raisonnement conduit au nombre
suivant dtats possibles N
s
, en utilisant des volumes au lieu de surfaces :
N
s
=
4
3
k
3
2
L
3
=
k
3
6
2
L
3
11.1.2. Distribution de Fermi-Dirac
Chaque tat illustr dans la gure 11.2 correspond un tat lectronique particulier, sans tenir
compte du nombre quantique de spin et du principe de Pauli. Il rsulte de cela que, pour chaque tat,
on peut associer deux lectrons, un avec un spin parallle (s = 1/2) et un avec un spin anti-parallle
(s = 1/2). Le nombre dlectrons possibles est donc le double du nombre dtats possibles.
On note k
F
le rayon de la sphre correspondant au niveau dnergie maximum des lectrons dans
le matriau au zro absolu (T = 0K). A cette temprature, on peut donner sa densit lectronique,
cest--dire le nombre dlectrons par unit de volume, sous la forme (N est le nombre dlectrons,
V est le volume de llment reprsentatif utilis) :
n =
N
V
= 2
N
s
L
3
=
k
3
F
3
2
(11.3)
Le vecteur donde k
F
est appel vecteur donde de Fermi. On peut lui associer une nergie c
F
,
appele nergie de Fermi, et une vitesse v
F
, appele vitesse de Fermi, sous la forme :
c
F
=
h
2
2m
k
2
F
=
h
2
2m
(3
2
n)
2/3
v
F
=
h
m
k
F
=
h
m
(3
2
n)
1/3
La surface dlimitant dans lespace des vecteurs donde
k les tats nergtiques possibles des

autres est celle de rayon k
F
. On lappelle surface de Fermi. Dans lapproximation des lectrons
libres, cette surface est celle dune sphre.
Lorsque la temprature augmente, lnergie cintique du gaz dlectrons augmente. Certains
niveaux dnergie, vides au zro absolu, deviennent occups, tandis que dautres, remplis au zro
absolu, deviennent libres. La fonction de distribution de Fermi-Dirac donne la probabilit quune
orbitale dnergie c soit occupe, dans le cas dun gaz lectronique idal en quilibre thermique :
f
D
(c) =
1
e
(E)/k
B
T
+ 1
(11.4)
Dans cette quation k
B
est la constante de Boltzmann, c est lnergie, T est la temprature
absolue, et est une fonction de la temprature, homogne une nergie. La fonction doit tre
telle que le nombre de particules (dlectrons dans notre cas) N soit constant. Au zro absolu,
vaut lnergie de Fermi, = c
F
, car lorsque T 0 la distribution de Fermi-Dirac passe de faon
discontinue de la valeur 1 (niveau rempli) la valeur 0 (niveau vide) pour c = c
F
= .
Figure 11.3. Fonction de distribution de Fermi-Dirac diffrentes
tempratures, pour une temprature de Fermi TF = EF /kB = 50000K
La gure 11.3 illustre lvolution de la fonction de distribution de Fermi-Dirac lorsque la temp-
rature augmente. Au zro absolu, tous les niveaux infrieurs = c
F
sont occups (la fonction vaut
1), et tous les niveaux suprieurs sont vides (la fonction vaut 0). Lorsque la temprature augmente,
par exemple 500K sur cette gure, certains niveaux dnergie infrieure (cette fois diffrent
de c
F
) peuvent tre vides (la fonction peut tre infrieure 1) et dautres niveaux suprieurs
peuvent tre remplis (la fonction peut tre non nulle).
A toutes les tempratures, la fonction de distribution de Fermi-Dirac vaut 1/2 lorsque c = .
La quantit est appele potentiel chimique. Lorsque lnergie devient suprieure au niveau de
Fermi, on a c k
B
T, et dans la fonction f
D
de lquation 11.4 le terme en exponentielle
devient prpondrant. Cette fonction sapproche alors de la fonction de distribution suivante, qui est
la fonction de distribution de Maxwell-Boltzmann :
152 P2MEMS
f
B
(c) = e
(E)/k
B
T
11.2.1. Capacit calorique des lectrons
Dans le paragraphe 7.2 du chapitre 7, la capacit calorique dun mtal est estime laide de la
contribution des phonons, cest--dire celle du rseau cristallin. Or, le gaz dlectrons a galement
une contribution cette proprit thermique. Cette contribution est surtout forte basse temprature.
Pour la calculer, on utilise la densit dtats D(c), qui donne le nombre dlectrons de conduction
par unit dnergie dans un volume unit. En utilisant les relations prcdentes, on peut calculer le
nombre dlectrons un niveau dnergie infrieur c sous la forme :
n(c) =
1
3
2
2mc
h
2
3/2
La densit dtat est maintenant simplement la variation de n en fonction de lnergie :
D(c) =
dn
dc
=
1
2
2
2m
h
2
3/2
c
1/2
=
3n
2c
(11.5)
Figure 11.4. Densit dtats en fonction de lnergie
La gure 11.4 donne en trait plein lvolution de la densit dtats dun mtal en fonction de
lnergie. En pointills, on a trac la fonction f
D
(c)D(c), qui donne la densit des tats remplis par
niveau dnergie, une temprature T telle que k
B
T <c
F
. La partie ombre donne les tats remplis
au zro absolu. Lorsque la temprature augmente, les lectrons passent par agitation thermique de la
rgion marque 1 la rgion marque 2.
Pour calculer la capacit calorique dun matriau, on estime dabord son nergie interne U.
Cette nergie est simplement la somme de tous les niveaux dnergie possibles, pondre par la
densit des tats remplis ces niveaux, soit :
U =

0
f
D
(c)D(c)cdc
Au zro absolu, la fonction de distribution de Fermi-Dirac vaut 0 pour c > c
F
et 1 en dessous.
En consquence, la variation dnergie entre 0 et T peut scrire sous la forme :
U = U(T) U(0) =

0
f
D
(c)D(c)cdc
E
F
0
D(c)cdc
Maintenant, le nombre dlectrons par unit de volume est constant toute temprature, et peut
tre obtenu comme la somme sur tous les niveaux dnergie de la densit des tats remplis. En
estimant ce nombre une temprature T et au zro absolu, on obtient lgalit suivante :

0
f
D
(c)D(c)dc =
E
F
0
D(c)dc
En enlevant U(T) le membre de gauche de cette galit (nombre dlectrons la temprature
T) multipli par c
F
, et U(0) le membre de droite (nombre dlectrons au zro absolu) multipli
aussi par c
F
, on peut crire la variation dnergie interne dans un matriau entre le zro absolu et la
temprature T sous la forme :
U =

0
f
D
(c)D(c)(c c
F
)dc
E
F
0
D(c)(c c
F
)dc
La capacit calorique sobtient nalement en drivant lnergie U(T) par rapport la temp-
rature. Dans lexpression prcdente, seule la fonction de distribution f
D
dpend de la temprature.
En consquence, la capacit calorique C
v
est obtenue de la faon suivante :
C
v
=
U
T
=
U
T
=

0
f
D
(c)
T
D(c)(c c
F
)dc (11.6)
154 P2MEMS
La contribution du gaz dlectrons la capacit calorique dun matriau est importante aux
basses tempratures, cest--dire lorsque k
B
T est trs petit devant c
F
. Dans ce cas, on peut faire les
hypothses successives suivantes :
le potentiel chimique reste constant, gal lnergie de Fermi c
F
. Ceci permet de driver la
fonction de distribution de Fermi-Dirac pour obtenir :
f
D
(c)
T
=
1
T
x
2
e
x
(1 +e
x
)
2
avec x =
c c
F
k
B
T
Dans lquation 11.6, le terme (c c
F
)
f
D
(E)
T
ne prend de valeurs importantes que pour des
nergies proches du niveau de Fermi. On peut donc sortir le terme D(c) de lintgrale en lestimant
c
F
et crire en utilisant lquation prcdente :
C
v
k
2
B
TD(c
F
)

E
F
/k
B
T
x
2
e
x
(1 +e
x
)
2
dx
La borne infrieure de lintgrale prcdente peut tre remplace par aux basses tempra-
tures. Ceci conduit estimer lintgrale suivante :
x
2
e
x
(1 +e
x
)
2
dx =

2
3
Lensemble de ces hypothses nous conduit crire la contribution aux basses tempratures
des lectrons la capacit calorique des matriaux sous une forme linaire en temprature. En
remplaant ensuite la densit dtats au niveau de Fermi, D(c
F
), par son expression en fonction de
de la densit lectronique n (quation 11.5) et en introduisant la temprature de Fermi, T
F
, par la
relation c
F
= k
B
T
F
, on obtient :
C
v
=

2
3
D(c
F
)k
2
B
T =

2
3
nk
2
B
T
c
F
=

2
2
nk
B
T
T
F
(11.7)
Aux basses tempratures, la contribution des lectrons la capacit calorique dun cristal est
linaire en temprature. Nous avons vu au chapitre 7.2 que la contribution du rseau cette proprit
tait une fonction en T
3
(modle de Debye). En pratique, on crit souvent :
C
v
= T +T
3
Pour obtenir les coefcients et , on trace la quantit C
v
/T mesure en fonction de T
2
. On
obtient ainsi une droite. Lordonne lorigine fournit , tandis que la pente donne . La comparai-
son entre les valeurs mesures et celles prdites par le modle nest pas toujours bonne. Ceci vient
des phnomnes suivants qui sont ngligs :
approximation des lectrons libres : utilisation dun potentiel constant pour reprsenter le ma-
triau comme une bote, et interactions lectron-phonon ngliges.
approximation des lectrons indpendants : interactions lectron-lectron ngliges.
Dans le chapitre suivant, nous revenons sur lapproximation des lectrons libres pour amliorer
le modle.
11.2.2. Conductibilit lectrique
Dans un champ lectrique
E et un champ magntique
B, la force
F exerce sur un lectron de

charge e se dplaant la vitesse
v est :
F = e
E +
La force exerce sur llectron peut tre relie la variation dans le temps de sa quantit de
mouvement. Or, cette quantit de mouvement scrit m
v dans le cadre de la mcanique classique

(m est la masse de llectron) et h
k dans le cadre de la mcanique ondulatoire (
k est son vecteur

donde). On peut donc crire :
F = m
d
v
dt
= h
d
k
dt
= e
E +
(11.8)
Ainsi, lvolution du vecteur donde des lectrons de conduction est donn par cette quation. Par
exemple, en intgrant aprs avoir nglig leffet du champ magntique, on obtient la variation
k
suivante des vecteurs donde lorsque lon applique un champ lectrique
E pendant un intervalle de
temps t :
k =
et
h
E
On peut donc imaginer que lensemble des lectrons situs dans la sphre de Fermi subissent
une translation identique de vecteur donde donne par cette relation. La sphre de Fermi serait
donc dplace dans son ensemble dune quantit proportionnelle au champ appliqu et au temps
dapplication, et dans la direction oppose ce champ.
Pour prendre en compte le fait que les lectrons ne sont pas uniformment acclrs par un
champ lectrique, nous introduisons comme au chapitre prcdent (modle de Drude) la notion de
collision, mais avec sans doute une meilleure interprtation physique. Des collisions ont lieu entre
les lectrons et les impurets, les dfauts du rseau et les phonons. Elles permettent la sphre de
Fermi de rester dans une position stationnaire sous leffet dun champ lectrique.
156 P2MEMS
Figure 11.5. volution de la surface de Fermi dun mtal soumis un champ
lectrique
On suppose que le glissement de la surface de Fermi, dans lespace rciproque, sarrte au bout
dun temps moyen : les points centraux continuent se mouvoir dans la direction du champ

E
appliqu, mais la demi-surface de Fermi du ct oppos ce champ se dpeuple au prot de la
demi-surface du ct du champ. Ceci est illustr dans la gure 11.5.
Le transfert continu de vecteur donde entre les deux demi-surfaces de Fermi est ralis laide
de collisions. Il sen suit que la surface de Fermi nest dplace que de la quantit constante
k =
(e/h)
E, et que la vitesse moyenne des lectrons est
v = (h/m)
k = (e/m)
E. Pour obte-
nir maintenant une estimation de la conductibilit lectrique, il suft destimer le nombre dlectrons
en jeu, n. En effet, comme dans le modle de Drude, n lectrons de charge e la vitesse
v dans
un champ lectrique

E produiront une densit de courant

J = ne
v . En utilisant lexpression
prcdente de la vitesse moyenne des lectrons, on obtient la mme expression de la conductibilit
lectrique que dans le modle de Drude :
=
ne
2
m
(11.9)
On voit que dans ce processus, seuls les lectrons sur la surface de Fermi peuvent contribuer. En
effet, lintrieur, les collisions sont peu probables car tous les tats possibles sont occups. Une
conclusion importante de ce modle est que seuls les lectrons de Fermi contribuent la conduction
lectrique. Le nombre n dans lquation prcdente est donc le nombre dlectrons situs au niveau
de Fermi.
Notons enn que, dans le cas dune collision lastique, lancien et le nouveau vecteur donde
auraient mme module. Il sen suit que, la sphre de Fermi tant dcentre, le nouveau vecteur
donde se situerait au-del de cette sphre. En fait, cet lectron ne subit pas une collision strictement
lastique, et il rejoindra la sphre dcentre laide de plusieurs nouvelles collisions inlastiques.
Lnergie en excs de chaque collision sera cde aux ions et se transformera en chaleur. Leffet
Joule est donc galement d aux seuls lectrons de Fermi.
11.2.3. Loi de Wiedemann-Franz
Dans le chapitre 10 et le paragraphe prcdent, les conductivits thermique et lectrique ont t
crites sous la forme suivante :
=
1
3
C
v
vl (conductivit thermique)
=
ne
2
m
(conductivit lectrique)
Dans ces expressions, e est la charge de llectron (e est positif), m est sa masse, n est la
concentration en lectrons dans le gaz de conduction, v est la vitesse de ce gaz, est le temps de
relaxation sparant les collisions, l = v est le libre parcours moyen des lectrons, et C
v
est la
capacit calorique du matriau.
La loi de Wiedemann-Franz stipule que, pour les mtaux et temprature pas trop basse, le
rapport entre les conductibilits thermique et lectrique est directement proportionnel la tem-
prature, la valeur de la constante de proportionnalit, o nombre de Lorentz, tant indpendante du
mtal considr. Le tableau 11.1 donne quelques valeurs mesures du nombre de Lorentz 273K et
373K pour diffrents mtaux. On constate que cette loi est vrie ces tempratures, et dans un
domaine relativement large de variation des quantits et .
Dans le cadre du modle de Sommerfeld, galement appel modle du gaz de Fermi ou modle
des lectrons libres, la capacit calorique du cristal aux basses tempratures est donne par la
relation 11.7. Dans cette relation, on peut remplacer lnergie de Fermi c
F
par lnergie cintique
des lectrons correspondants, soit 1/2mv
F
, o v
F
est la vitesse des lectrons au niveau de Fermi.
De plus, on peut considrer que ce sont ces lectrons, provenant des couches les plus leves, qui
contribuent la conduction, de sorte que v
F
est aussi la vitesse moyenne des lectrons de conduction
et que leur libre parcours moyen vaut l = v
F
. Il sen suit que les expressions de et deviennent :
=

2
k
2
B
n
3m
T (conductivit thermique)
=
ne
2
m
(conductivit lectrique)
Le rapport entre et T donne le nombre de Lorentz :
L =

T
=

2
3
k
B
e
2
2, 45.10
8
W/K
2
158 P2MEMS
mtal 273K 373K
/T /T
Li 0,71 2,22 0,73 2,43
Na 1,38 2,12 liq.
K 1,00 2,23 liq.
Rb 0,60 2,42 liq.
Cu 3,85 2,20 3,82 2,29
Ag 4,18 2,31 4,17 2,38
Au 3,10 2,32 3,10 2,36
Be 2,30 2,36 1,70 2,42
Mg 1,50 2,14 1,50 2,25
Nb 0,52 2,90 0,54 2,78
Fe 0,80 2,61 0,73 2,88
Zn 1,13 2,28 1,10 2,30
Al 2,38 2,14 2,30 2,19
In 0,88 2,58 0,80 2,60
Tl 0,50 2,75 0,45 2,75
Sn 0,64 2,48 0,60 2,54
Pb 0,38 2,64 0,35 2,53
Bi 0,09 3,53 0,08 3,35
Sb 0,18 2,57 0,17 2,69
Tableau 11.1. Conductivit thermique (en W/cm/K) et nombre de Lorentz
/T (en 10
8
W/K
2
) de diffrents mtaux deux tempratures, daprs
[ASH 76]
On constate que la valeur obtenue est bien indpendante de la temprature et des mtaux consi-
drs, et quelle est en bon accord avec celle obtenue exprimentalement (tableau 11.1). Ce rsultat
est trs important car il fut lun des premiers prouver la validit des modles de gaz dlectrons.
11.2.4. Surfaces libres
Les proprits du rseau cristallin sont parfois sufsamment anisotropes pour que les surfaces
libres dun matriau solide traduisent ces proprits. On parle alors de cristaux idomorphes (voir
par exemple lintroduction du chapitre 5). Mais le plus souvent cette anisotropie apparat peu, et il
peut tre difcile dimaginer que les surfaces libres dun matriau ont des proprits spciques.
Par exemple, la structure lectronique du matriau est modie proximit dune surface libre.
En effet, considrons les lectrons contenus dans une bote cubique darte L, mais dont les surfaces
dans une direction z concident avec des surfaces libres. Ceci est illustr dans la gure 11.6. Dans ce
cas, la condition aux limites priodique dans la direction z est remplace par le fait que la fonction
donde des lectrons doit sannuler en z = 0 et en z = L. La forme de donne par lquation
11.1 est alors modie pour donner :
Figure 11.6. Cube darte L avec deux surfaces libres dans la direction z
=
1
L
3/2
e
2i(nxx/L+nyy/L)
sin k
z
z pour 0 z L
= 0 pour z 0 ou z L
Les vecteurs donde
k = 2/L(n
x
, n
y
, 0) taient des solutions possibles dans le volume. Ici,
ces solutions fournissent une fonction donde identiquement nulle, ce qui nest pas possible. Le
nombre dlectrons situs dans le plan k
z
= 0 de lespace rciproque est (k
F
est le vecteur donde
de Fermi) :
n
0
= 2
k
2
F
(2/L)
2
= k
2
F
L
2
/2 =
mL
2
h
2
c
F
Comme ltat k
z
= 0 nest plus possible, les n
0
lectrons correspondants doivent en occuper
dautres, quils iront chercher parmi les tats disponibles, au niveau de Fermi. Il sen suit que, si c
est le niveau nergtique moyen des n
0
lectrons initialement situs dans le plan k
z
= 0, alors la
surface libre augmentera lnergie lectronique dune quantit :
c = n
0
(c
F
c)
Pour estimer cette augmentation dnergie, il suft maintenant destimer le terme c. On remarque
pour cela que la densit dtats D
0
dans le plan k
z
= 0 de lespace rciproque est constante. En effet,
160 P2MEMS
on peut crire dans ce plan que le nombre dtats n correspondant un vecteur donde de module
infrieur k =
k
2
x
+k
2
y
est proportionnel lnergie associe ce vecteur :
n = 2
k
2
(2/L)
2
=
mL
2
h
2
c, soit D
0
=
dn
dc
=
mL
2
h
2
Maintenant, comme la densit dtats est constante, la valeur moyenne c se calcule simplement
en effectuant la moyenne des nergies dans le plan k
z
= 0 de lespace rciproque :
c =
1
k
2
F
k
F
0
c(k)2kdk =
h
2
mk
2
F
k
F
0
k
3
dk =
h
2
4m
k
2
F
=
c
F
2
Laugmentation dnergie due aux deux surfaces de la bote situes en z = 0 et z = L sur la
gure 11.6, soit une valeur totale de S = 2L
2
, est donc :
c = n
0
c
F
2
=
mc
2
F
4h
2
S
On constate que laugmentation dnergie c est proportionnelle la surface libre S. Le coef-
cient de proportionnalit est souvent not , et appel nergie de surface ou nergie supercielle :
=
mc
2
F
4h
2
(11.10)
Cette formule donne des valeurs assez proches des nergies de surface macroscopiques mesures
exprimentalement. De plus, ce calcul appelle deux remarques importantes :
Lnergie supercielle est positive, ce qui signie quun matriau diminue son nergie lorsquil
diminue laire de ses surfaces libres.
La valeur obtenue pour lnergie de surface ne dpend pas du plan par lequel on coupe la
surface de Fermi.
Chapitre 12
Bandes dnergie
Les modles de Drude et de Sommerfeld vus aux chapitres prcdents reposent sur la notion de
gaz dlectrons libres et indpendants. En dautres termes, le matriau est constitu dions rpartis
sur un rseau cristallin, chacun mettant en commun avec les autres un ou plusieurs lectrons. Len-
semble de ces lectrons constitue un gaz. Dans lapproximation des lectrons indpendants, il ny a
pas dinteractions lectron-lectron. Dans lapproximation des lectrons libres, il ny a pas dinter-
action lectrons-rseau. En fait, le rseau est schmatis par un potentiel constant servant garder le
gaz dlectrons, ces derniers tant pigs dans une bote de potentiel.
Les modles de gaz dlectrons permettent dexpliquer plusieurs proprits fondamentales des
mtaux telles que la capacit calorique, la conduction lectrique, la conduction thermique, et mme
linteraction avec une onde lectromagntique. En revanche, on ne peut pas expliquer la diffrence
entre mtaux, isolants et semi-conducteurs, ni le rapport entre les lectrons de conduction dun mtal
et les lectrons de valence de latome libre. Pour cela, il faut afner le modle dinteraction entre les
lectrons et le rseau.
Dans un premier temps, nous allons dcrire un modle prenant en compte linuence de la prio-
dicit du rseau cristallin sur le comportement du gaz dlectrons. Dans ce modle, nous introduisons
la notion de bandes de conduction et de bandes interdites. Ensuite, nous allons tudier plus en dtails
les apports de ce modle pour la description des proprits physiques des matriaux.
12.1.1. lectron dans Potentiel priodique
Le rseau cristallin des matriaux prsente toujours une certaine priodicit. En particulier,
comme il la t expliqu dans le chapitre 6 (quation 5.1), pour tout vecteur de translation

g
gnr partir des trois vecteurs de base
a ,
b et
c du rseau par des entiers relatifs u, v, et w, le

solide est vu de faon identique aux points M et P si
OP =
OM +
g .
161
162 P2MEMS
Le potentiel servant reprsenter linteraction des lectrons avec le rseau doit respecter la p-
riodicit de ce rseau. Dans les modles dlectrons libres, le potentiel constant la respecte videm-
ment, mais de faon trop rudimentaire. En fait, il faut schmatiser linteraction lectrons-rseau par
un potentiel V (
r ) tel que :
V (
r +
g ) = V (
r ) si
g = u
a +v
b +w
c (12.1)
Ce potentiel sera dit priodique. Lordre de grandeur de la priodicit est lAngstrm, soit 10
10
m.
Il est important de remarquer ici que cette priodicit est du mme ordre de grandeur que la longueur
donde associe aux lectrons de conduction dans le modle de Sommerfeld. En consquence, on ne
peut saffranchir ici des effets quantiques, et il faut traiter le comportement des lectrons laide de
lquation de Schrdinger.
Dans ce chapitre, nous gardons lapproximation des lectrons indpendants, de sorte que le com-
portement dun gaz dlectrons peut tre tudi par celui dun seul dentre eux. Lquation de Schr-
dinger pour un lectron scrit ici dans le cas stationnaire de la faon suivante, o le potentiel V (
r )
doit satisfaire lquation de priodicit 12.1 :
h
2
2m
+V (

r ) = c
Les lectrons indpendants soumis un potentiel priodique sont appels lectrons de Bloch.
Cette dnomination est due au fait que leurs tats stationnaires satisfont la proprit fondamentale
suivante, appele thorme de Bloch, du nom de son inventeur :
Thorme de Bloch : Les fonctions donde stationnaires dun lectron dans un potentiel prio-
dique ont la forme dune onde plane (onde de de Broglie) multiplie par une fonction possdant la
mme priodicit.
En consquence, nous allons rechercher des fonctions donde , appeles fonctions de Bloch,
solution de lquation de Schrdinger prcdente et telles que :
(

r ) = u(
r )e
i

k .

r
avec u(
r +
g ) = u(
r )
Le potentiel dinteraction V et le coefcient u de la fonction donde tant priodiques, on peut les
dvelopper en sries de Fourier en effectuant une somme sur lensemble des vecteurs
G du rseau
rciproque :
V (
r ) =

G
V
G
e
i

G.

r
u(
r ) =

G
u
G
e
i

G.

r
, soit (
r ) =

G
u
G
e
i(

k +

G).

r
Bandes dnergie 163
Nous pouvons remarquer ici deux proprits intressantes des quantits e
i

G.

r
introduites dans
les transformes de Fourier prcdentes. La premire est quelles ont la mme priodicit que le
rseau cristallin. La seconde est que leur somme est nulle sur une maille lmentaire
0
du cristal.
Ceci scrit :
e
i

G.(

r +

g )
= e
i

G.

r
si
g = u
a +v
b +w
0
e
i

G.

r
d
r = 0 si
G =
0
On peut maintenant placer les dveloppements de V et u, ainsi que lexpression de , dans
lquation de Schrdinger. On obtient lexpression suivante pour chaque terme en jeu dans cette
quation :
h
2
2m
=
u
0
h
2
2m
|
k |
2
+

G=

0
u
G
h
2
2m
|
k +
G|
2
e
i

G.

r
e
i

k .

r
V (
r ) =
u
0
V (
r ) +

G=

0 ,
u
G
V
G
e
i(

G+
).

r
e
i

k .

r
c =
u
0
c +

G=

0
u
G
ce
i

G.

r
e
i

k .

r
Lquation de Schrdinger revient maintenant annuler lexpression suivante, o on a simpli
par la quantit e
i

k .

r
. Cette expression doit tre nulle en tout point du cristal, ce qui permet dobtenir
les coefcients u
G
de la fonction donde :
u
0
h
2
2m
|
k |
2
+V (
r ) c

G=

0
u
G
h
2
2m
|
k +
G|
2
+
V
G
e
i
.

r
c
e
i

G.

r
= 0
La rsolution de cette quation est relativement complexe, et nous allons la simplier en nous
plaant dans le cas dun potentiel V faible, cest--dire avec des coefcients V
G
petits. Londe plane
(coefcients u
G
nuls, sauf u
0
= 1) correspond au modle du gaz dlectrons de Sommerfeld, et
donc un potentiel nul. Lorsque le potentiel est non nul, mais reste faible, les coefcients u
G
, sauf
u
0
, doivent a priori rester faibles.
164 P2MEMS
Pour obtenir lnergie, nous intgrons lquation prcdente sur une maille lmentaire
0
du
rseau. Compte-tenu des proprits mentionnes plus haut, cette intgration donne lquation sui-
vante :
h
2
2m
|
k |
2
c
r +
0
V (
r )d
r +

G=

0 ,
u
G
V
G
0
e
i(

G+
).

r
d
r = 0
Dans cette expression, la seconde intgrale peut tre annule en choisissant une origine conve-
nable pour les potentiels. Quant la dernire intgrale, elle met en jeu des produits u
G
V
G
(sans le
terme u
0
) qui peuvent tre considrs du second ordre
1
. On en dduit lexpression de lnergie, qui
est identique au cas dun potentiel constant (nul), cest--dire au cas du gaz dlectrons d Fermi (voir
quation 11.2 du chapitre 11) :
c =
h
2
2m
|
k |
2
=
h
2
2m
(k
2
x
+k
2
y
+k
2
z
)
Enn, pour obtenir les coefcient u
G
dans lapproximation dun potentiel faible, on incorpore
lnergie dans lexpression globale annuler pour obtenir le rsultat suivant en ngligeant les termes
du second ordre :
u
G
= u
0
m
2 h
2
V
G
k .

G
2

G
2
2
Les coefcients u
G
ainsi obtenus restent effectivement faibles (proportionnels aux coefcients
V
G
du potentiel) tant que le dnominateur mettant en jeu le vecteur donde
k et le vecteur du rseau
rciproque
G ne sapproche pas de zro.

Il est intressant de remarquer que le terme au dnominateur de lexpression donnant u
G
sannule
lorsque les conditions de diffraction selon la loi de Bragg gnralise sera satisfaite (quation 6.5
du chapitre 6). Par consquent, lapproximation ralise sera valable tant que le vecteur donde
k
ne satisfera pas une condition de Bragg, cest--dire ne sera pas situ sur une zone de Brillouin, ou
proximit. Ce rsultat souligne le rle important jou par les zones de Brillouin dans ltude des
proprits physiques des matriaux.
Considrons maintenant un volume reprsentatif de cristal (un cube de ct L). Nous avons vu
prcdemment que chaque noeud de lespace rciproque ( chaque vecteur donde
k ) correspon-
dait deux tats lectroniques (avec spin anti-parallles) et un volume quivalent dans cet espace de
1. En fait, compte tenu des proprits mentionnes prcdemment, la somme se rduit aux produits uGVG car
pour tous les autres lintgrale est nulle. Ce sont ces termes qui sont ici considrs du second ordre
Bandes dnergie 165
(2/L)
3
. Il en rsulte quil peut exister L
3
/4
3
lectrons par unit de volume de lespace rci-
proque.
Nous avons vu au chapitre 6 que toutes les zones de Brillouin successives dun mme rseau
avaient le mme volume V
B
dans lespace rciproque. Il pourra donc exister (L
3
/4
3
)V
B
lectrons
dans chaque zone de Brillouin. Par exemple, en utilisant lquation 6.6 du chapitre 6, on en dduit
quil pourra exister 8(L/a)
3
lectrons par zone de Brillouin dans un cristal cfc, et 4(L/a)
3
dans un
cristal cc.
Dans un volume L
3
form de (L/a)
3
cubes darte a, on pourra placer 4(L/a)
3
mailles l-
mentaires si la structure est cfc (le volume de la maille lmentaire est a
3
/4), et 2(L/a)
3
mailles
lmentaires si la structure est cc (le volume de la maille lmentaire est a
3
/2). Dans les deux cas
(structure cfc ou cc), le nombre dlectrons par zone de Brillouin est le double du nombre de mailles
lmentaires dans le cristal. Ce rsultat est gnralisable aux autres structures cristallines (diamant,
hexagonal compact, . . . ). Chaque zone de Brillouin dun cristal peut accommoder deux lectrons par
maille lmentaire.
12.1.2. Apparition de bandes interdites
Plaons-nous maintenant proche dune condition de diffraction. Par exemple, nous pouvons choi-
sir un vecteur donde

k sous la forme suivante, colinaire un vecteur donde

k
0
satisfaisant la
condition de Bragg en un point particulier
G du rseau rciproque :
k =
k
0
(1 +) avec [[ <1 et 2
k
0
.
G +|
G|
2
= 0
Dans ce cas, on peut afrmer que dans le dveloppement en srie de Fourier de la fonction u(
r )
deux termes sont prpondrants : u
0
et u
G
. On peut donc crire la fonction donde stationnaire sous
la forme :
(
r ) = u
0
e
i(1+)
k0.

r
+u
G
e
i((1+)
k0+

G).

r
Cette expression peut maintenant tre incorpore dans lquation de Schrdinger pour obtenir en
notant c
0
= (h
2
/2m)|
k
0
|
2
et = (h
2
/2m)|
G|
2
:
u
0
(c
0
(1 +)
2
+V (
r ) c) +u
G
(c
0
(1 +)
2
+V (
r ) c)e
i

G.

r
= 0
En intgrant sur une maille lmentaire dune part cette quation, et dautre part cette quation
multiplie par e
i

G.

r
, et en utilisant les proprits mentionnes dans le paragraphe prcdent, on
obtient les deux conditions suivantes vrier :
166 P2MEMS
(c
0
(1 +)
2
c)u
0
+V
G
u
G
= 0
V
G
u
0
+ (c
0
(1 +)
2
c)u
G
= 0
Ces deux condition seront vries pour des coefcients u
0
et u
G
non nuls si le dterminant
correspondant est nul. Ceci scrit en notant = c
0
(1 +)
2
c :
2
V
G
V
G
= 0
Cette quation du second degr en possde les deux solutions suivantes
2
, qui sont simplies
au second ordre car [[ <1 :
=

2

1
2
2
+ 4[V
G
[
2
=

2
[V
G
[
1 +

2
16|V
G
|
2

2
[V
G
[
1 +

2
8|V
G
|
2
Lexpression de donne ci-dessus permet dcrire lnergie de llectron au voisinage de la

zone de Brillouin sous la forme :
c = c
0
(1 +)
2

2
[V
G
[
1 +

2
8|V
G
|
2
= c
0
[V
G
[ +
1
2
(4c
0
) +
c
0

2
8|V
G
|
2
Le choix de lune ou lautre des solutions dpend du signe de . En = 0, cest--dire sur la
zone de Brillouin, lnergie vaudrait c
0
si llectron tait libre. Elle vaut en fait c
0
[V
G
[, ce qui
reprsente un saut dnergie de 2[V
G
[. Donc, comme lnergie est croissante en fonction du module
du vecteur donde
k (cest une parabole), si < 0, elle doit tre diminue de [V

G
[, et si > 0, elle
doit tre augmente de [V
G
[.
La gure 12.1 donne lvolution de lnergie dun lectron lorsquil traverse la premire zone
de Brillouin dans une direction donne
k . En traits pointills, lnergie de llectron libre (modle

de Sommerfeld) est une parabole en fonction du module de
k . En traits pleins, on observe un saut

autour de la valeur
k
0
correspondant la condition de Bragg, et donc la zone de Brillouin. Autour
de ce saut, lnergie est donne sous la forme suivante :
2. le terme |VG| dsigne le module du coefcient complexe VG. On utilise ici la proprit selon laquelle VG
est le conjugu de VG. Cette proprit vient de la dnition mme des coefcients dune srie de Fourier
Bandes dnergie 167
Figure 12.1. nergie dun lectron en fonction du module de son vecteur
donde - volution lors de la traverse de la premire zone de Brillouin
c = c
0
[V
G
[ +
1
2
(4c
0
) +
c
0

2
8|V
G
|
2
si 0
c = c
0
+[V
G
[ +
1
2
(4c
0
) +
c
0
+

2
8|V
G
|
2
si 0
Nous pouvons tirer deux conclusions importantes de ce modle :
Chaque direction

k dans lespace rciproque traverse une innit de plans de Brillouin. A
chaque traverse dun plan que lon peut indicer par un vecteur

G tel que la condition de Bragg
soit vrie sur ce plan, lnergie subit une discontinuit gale 2[V
G
[. Cette discontinuit ouvre un
domaine dnergie interdite ou gap.
Les domaines dnergie interdite sont entours par des bandes dnergie permise. Dans ces
bandes, lapproximation des lectrons libres est valable pour les tats situs loin des plans de
Brillouin.
12.1.3. Approximation de Krnig-Penney
Pour mieux comprendre lorigine physique des bandes interdites, il est intressant dutiliser le
modle de Krnig-Penney en monodimensionnel. Dans ce modle, lquation de Schrdinger est
crite dans une direction x :
h
2
2m
d
2
dx
2
+V (x)(x) = c
168 P2MEMS
Figure 12.2. Potentiel dinteraction lectron-rseau dans le modle de
Krnig-Penney
De plus, le potentiel priodique dinteraction lectron-rseau est schmatis par une succession
de puits carrs. Comme le montre la gure 12.2, sur une priode de x = b x = a, le potentiel est
nul (V = 0) pour 0 x a, et il vaut une constante V
0
pour b x 0.
Dans le segment [0, a], le potentiel est nul. La fonction donde stationnaire
a
est une combi-
naison linaire dondes planes, se dplaant simultanment, lune vers la droite (vecteur donde K),
lautre vers la gauche (vecteur donde K). Ces deux ondes ont une nergie identique donne par
le modle des lectrons libres. Ceci scrit de la faon suivante, avec A et B des constantes :
a
= Ae
iKx
+Be
iKx
et c =
h
2
2m
K
2
Dans le segment [b, 0], le potentiel vaut V
0
. La fonction donde stationnaire
b
est une com-
binaison linaire de deux fonctions exponentielles avec la mme nergie. Ceci scrit avec deux
constante C et D :
b
= Ce
Qx
+De
Qx
et c = V
0
h
2
2m
Q
2
Sur une priode du potentiel, par exemple le segment [b, a], la fonction donde complte vaut
a
entre 0 et a, et
b
entre b et 0. En x = 0, elle doit tre continue, et de drive continue. Ceci
donne les conditions suivantes sur les constantes :
A+B = C +D
iK(AB) = Q(C D)
Le raccord de la fonction donde complte entre les priodes du potentiel doit respecter le
thorme de Bloch. Selon ce thorme, si k est le vecteur donde correspondant la fonction donde
Bandes dnergie 169
globale , alors cette fonction scrit (x) = u(x)e
ikx
avec u(x + (a +b)) = u(x). En particulier,
aux points x = b et x = a, limites de la priode considre, on peut crire :
(a) = u(a)e
ika
(b) = u(b)e
ikb
= u(a)e
ikb
, soit (b) = (a)e
ik(a+b)
En crivant maintenant que (a) =
a
(a) et (b) =
b
(b), et en rptant le raisonnement
pour la drive premire de , on obtient deux nouvelles relations entre les constantes :
Ae
ika
+Be
ika
=
Ce
Qb
+De
Qb
e
ik(a+b)
iK
Ae
ika
+Be
ika
= Q
Ce
Qb
+De
Qb
e
ik(a+b)
Les quatre quations obtenues sur les constantes A, B, C et D doivent avoir une solution non
nulle pour quil existe une fonction donde stationnaire non nulle. Pour cela, le dterminant du
systme de quatre quations pour quatre inconnues ainsi form doit tre nul. Le calcul donne :
Q
2
K
2
2QK
sh(Qb) sin Ka +ch(Qb) cos Ka = cos k(a +b)
Figure 12.3. volution de la fonction cos k(a +b) en fonction de Ka pour
a = 1, b = 0, 1 et Q = 10
1
170 P2MEMS
La gure 12.3 donne un exemple dvolution de la quantit cos k(a +b) en fonction de Ka.
On constate que cette quantit dpasse parfois la valeur 1 en valeur absolue. Dans ce cas, il ne
sera donc pas possible de trouver un vecteur donde rel k pour la fonction donde globale , et il
nexistera donc pas donde de Bloch solution de lquation de Schrdinger. En revanche, lintrieur
des domaines mentionns dans la gure 12.3 pour lesquels il existe une onde de Bloch, celle-ci est
obtenue avec les constantes B, C et D suivantes, fonctions de A, cette dernire tant utilise pour
normaliser pour que [[
2
reprsente la densit de probabilit de prsence de llectron au voisinage
dune position :
B = A
C = ( +)A
D = ( +)A
avec
=
1
2
1 +i
K
Q
=
1
2
1 i
K
Q
=
e
ik(a+b)Qb
e
iKa
e
ik(a+b)Qb
e
iKa
Figure 12.4. volution de lnergie E (en h
2
2
/2ma
2
), en fonction du
vecteur donde k(a +b)/ pour a = 1, b = 0, 1 et Q = 10
1
A lintrieur des zones o une onde de Bloch existe, il est possible de calculer son vecteur donde
k pour chaque valeur possible du vecteur K, ce dernier fournissant lnergie de llectron. Ceci est
illustr sur la gures 12.4. On remarque bien sur ces gures lexistence :
de bandes dnergie interdites, au sein desquelles il nexiste aucune onde de Bloch solution de
lquation de Schrdinger
Bandes dnergie 171
de bandes de conduction, au sein desquelles lnergie de llectron est relativement proche de
celle dun lectron libre.
Lexistence de ces bandes est fondamentale, et explique en particulier les proprits de conduc-
tion des diffrents matriaux, mtaux, isolants et semi-conducteurs.
12.2.1. Surface de Fermi
Dans le modle de Sommerfeld des lectrons libres (chapitre 11), nous avons vu que la sur-
face dlimitant dans lespace des vecteurs donde
k les tats nergtiques possibles des autres est

une sphre, appele surface de Fermi. Cette forme sphrique est directement donne par lquation
donnant lnergie en fonction du vecteur donde, c = (h
2
/2m)[
k [
2
.
Dans les modles de bande de ce chapitre, o llectron interagit avec un potentiel priodique au
lieu dun potentiel constant, on a vu que lnergie ntait plus donne de faon directe et simple en
fonction du vecteur donde. On a montr que, au passage entre deux zones de Brillouin, cette nergie
changeait de forme et effectuait un saut.
Figure 12.5. Surface de Fermi proximit de la zone de Brillouin
La gure 12.5 donne la forme de la surface de Fermi dun mtal cfc dans lapproximation des
lectrons libres et dans un modle de bande, lorsque le niveau de Fermi
k
F
est proche de celui de la
172 P2MEMS
limite de Brillouin. On constate une forte variation de la forme de cette surface, directement lie en
1D la modication de la forme de la courbe dnergie.
Le changement de forme de la surface de Fermi, et plus gnralement des surfaces dgale ner-
gie, au voisinage des plans de Brillouin, a des consquences importantes sur la densit des tats
D(c). Cette densit donne le nombre dlectrons de conduction par unit dnergie dans un volume
unit. Dans un modle dlectrons libres, elle prend la forme en c
1/2
donne par lquation 11.5.
Dans un modle de bandes, son volution proche des plans de Brillouin est plus complexe.
Figure 12.6. coupes 2D de surfaces dgale nergie dans lespace des
vecteurs donde
La gure 12.6 donne une coupe schmatique en 2Dde deux surfaces dgale nergie, aux niveaux
c et c +dc. La partie hachure entre ces deux coupe donne la densit dtats. On comprend sur cette
gure que :
Loin des plans de Brillouin, la densit dnergie concide avec celle des lectrons libres, soit
une forme en c
1/2
.
En arrivant proche des plans de Brillouin, elle augmente lgrement, car une partie de la surface
dgale nergie se dplacera plus vite vers ces plans.
A partir du contact avec les plans de Brillouin, elle diminue rapidement pour atteindre zro
lorsque tous les tats sont occups. On arrive alors dans la bande dnergies interdite.
La gure 12.7 donne lallure de la densit dtats D(c) dans un modle de bande. Cette allure
est valable au sein de chaque bande de conduction, qui spare deux zones de Brillouin successives.
12.2.2. Classication des matriaux
La classication des solides en mtaux, isolants ou semi-conducteurs repose sur les densits
dtats aux sein des bandes dnergie, et en particulier sur la transition de ces densits entre deux
bandes. Nous avons vu au paragraphe prcdent que lcart dnergie entre deux bandes, c tait
gal 2[V
G
[, o V
G
est la composante de Fourier du potentiel dinteraction lectron-rseau V (
r )
correspondant un vecteur
G du rseau rciproque, et donc une zone de Brillouin particulire. On

peut classer les solides en fonction de cet cart dnergie :
Bandes dnergie 173
Figure 12.7. Allure de la densit dtats au sein de la premire bande de
conduction
Figure 12.8. Recouvrement des densits dtats pour un gap dnergie faible
Si [V
G
[ est faible, lcart dnergie entre les deux bandes est faible. Il peut donc y avoir prsence
dlectrons dans la seconde zone de Brillouin avant que la premire soit compltement remplie. Ceci
est illustr sur la gure 12.8. Les solides correspondants sont les mtaux. Rien ne soppose ce que
ce solide conduise la chaleur ou llectricit par ses lectrons.
Si [V
G
[ est fort, lcart dnergie entre deux bandes est fort. Les densits dtats ne se recouvrent
alors pas, et il existe une bande interdite c. La gure 12.9 correspond au cas o les lectrons de
valence remplissent exactement toute la premire zone de Brillouin. La seconde bande est alors vide,
et la premire ne peut participer la conduction, puisque lnergie des lectrons en jeu est infrieure
au niveau de Fermi. Ce solide est un isolant.
Le cas dun remplissage exact des zones de Brillouin se produit typiquement pour certains cris-
taux quadrivalents tels que le carbone, le silicium, le germanium, . . . . Dans ce cas, la structure
diamant (deux atomes, donc huit lectrons par maille lmentaire) permet de remplir exactement
174 P2MEMS
Figure 12.9. Non-recouvrement des densits dtats pour un gap dnergie fort
les quatre premires zones de Brillouin
3
. Ceci nest cependant vrai quau zro absolu. Lorsque la
temprature augmente, il peut y avoir mouvement des lectrons vers des niveaux nergtiques sup-
rieurs, et donc un recouvrement partiel de zones de Brillouin conduisant une conduction. Dans ce
cas, les cristaux sont qualis de semi-conducteurs.
Figure 12.10. Recouvrement lger des densits dtats pour un gap dnergie
moyen
Entre les mtaux et les isolants, il y a le cas o le recouvrement entre deux bandes est trs lger
(gure 12.10). Les cristaux de valence 5 tels que larsenic, lantimoine ou le bismuth, ont une struc-
ture rhombodrique deux atomes par maille, soit 10 lectrons de valence par maille lmentaire.
On pourrait donc suivre le mme raisonnement que pour le silicium ou le carbone, puisque les cinq
premires zones de Brillouin sont dans ce cas exactement remplies, et le niveau de Fermi se situe
linterface avec la sixime zone. Cependant, les carts dnergie entre les bandes sont sufsamment
faibles pour pour les densits dtats se recouvrent partiellement, et quainsi cette densit dtats ne
3. Nous avons vu prcdemment que chaque zone de Brillouin pouvait accommoder 2 lectrons par maille
lmentaire
Bandes dnergie 175
soit pas nulle au niveau de Fermi. De tels cristaux ont une conduction faible, mais se comportent
comme les mtaux. On les qualie de semi-mtaux.
Figure 12.11. Concentration en porteurs, en cm
3
, lambiante, pour les
mtaux, les semi-mtaux et les semi-conducteurs [KIT 98]
La gure 12.11 donne une estimation de la concentration en lectrons de conduction dans dif-
frents matriaux. Ces lectrons, situs au niveau de Fermi, sont aussi qualis de porteurs. On
constate sur cette gure que les mtaux ont une forte concentration en porteurs, que les semi-mtaux
en possdent moins, et quen dessous dune certaine limite les cristaux deviennent semi-conducteurs,
puis isolants. Les limites sont un peu arbitraires, mais retent bien les proprits dutilisation de ces
matriaux. Le germanium est mentionn pur, car nous verrons dans le chapitre suivant que lajout
dimpurets permet daugmenter considrablement sa concentration en porteurs.
176
Chapitre 13
Cristaux semi-conducteurs
Les cristaux semi-conducteurs ont connu ces dernires annes un dveloppement considrable.
De nombreux dispositifs sont aujourdhui bass sur les proprits de ces matriaux. On peut citer par
exemple les transistors, les dtecteurs, les cellules photo-lectriques, . . . Pour chaque type dapplica-
tion, on peut utiliser diffrents types de semi-conducteurs. Le silicium, Si, est le plus rpandu, mais
il existe dautres matriaux comme le germanium, Ge, et galement des alliages comme larsniure
de gallium, AsGa, le sulfure de zinc, ZnS, le telliure de cadmium, CdTe, . . .
Les diffrents matriaux semi-conducteurs sont en gnral classs de la faon suivante :
Les semi-conducteurs de type IV IV , galement appels de type diamant, sont essentiel-
lement Si et Ge. Ils ont une structure cristalline de type diamant, comme le carbone, C, qui lui se
comporte plutt comme un isolant.
les composs de type III V comme lAsGa sont le rsultat dun alliage entre un lment
trivalent et un lment pentavalent.
Les composs de type II V I comme le CdTe rsultent de lassemblage entre un lment
bivalent et un lment hexavalent.
Dans un premier temps, nous examinerons le comportement dun lectron proche de la bande in-
terdite. Ceci nous permettra dintroduire les notions de trous et de masse effective. Ensuite, nous dis-
tinguerons les proprits intrinsques des semi-conducteurs (passage disolant conducteur lorsque
la temprature augmente), de leur proprits extrinsques (passage disolant conducteur par ajout
dimpurets).
13.1. Reprsentation nergtique
13.1.1. Densit dtats
La gure 13.1 donne une reprsentation schmatique des bandes dnergie dans un semi-conducteur.
La conductivit est nulle car tous les tats de la bande de valence sont remplis et tous les tats de la
bande de conduction sont libres. Quand la temprature augmente, les lectrons sont thermiquement
177
178 P2MEMS
Figure 13.1. Schma de bandes dans un semi-conducteur 0K
excits de la bande de valence la bande de conduction, o ils deviennent mobiles. Une autre faon
dintroduire des lectrons dans la bande de conduction est dajouter des impurets au matriau. La
largeur de la bande interdite est souvent appele gap et note c = c
g
.
cristal type c
g
0K c
g
300K
Diamant IV IV 5,4
Si IV IV 1,17 1,11
Ge IV IV 0,744 0,67
Sn IV IV 0 0
InAs III V 0,23 0,17
GaAs III V 1,52 1,43
GaSb III V 0,81 0,68
AlSb III V 1,65 1,6
ZnS II V I 3,91 3,6
CdTe II V I 1,61 1,44
HgTe II V I -0,30 liq.
Tableau 13.1. Largeur de la bande interdite, en eV , de quelques
semi-conducteurs, daprs [KIT 98]
On comprend donc que la conductivit dun semi-conducteur pur soit pilote par le rapport
c
g
/k
B
T entre la largeur de la bande interdite et la temprature. Le tableau 13.1 donne la largeur
de la bande interdite de quelques semi-conducteurs. On constate dans ce tableau que cette largeur
diminue lgrement lorsque la temprature augmente. On constate galement que certains composs,
tels que HgTe, sont en fait des semi-mtaux. En effet, pour ces composs, il y a un lger recouvre-
ment des bandes de valence et de conduction car le gap dnergie c
g
est ngatif. On remarque enn
que la bande interdite de ltain (Sn) est de largeur nulle.
En revanche, comme le montre la gure 13.2 pour Si et Ge, la concentration en lectrons dans la
bande de conduction augmente considrablement avec la temprature. Les lectrons dans la bande de
conduction sont galement appels porteurs. On parle ici de concentration lectronique en porteurs
intrinsques, car il ny a pas eu dajout dimpurets.
Lorsque des lectrons de la bande de valence partent sur la bande de conduction, il y a cration
dtats vacants dans cette bande de valence, qui devient seulement presque pleine. Les proprits
Cristaux semi-conducteurs 179
Figure 13.2. Concentration en lectrons de conduction dans Si et Ge, en
fonction de la temprature, daprs [KIT 98]
des tats vacants dans une bande presque pleine sont trs importantes dans la physique des semi-
conducteurs. Les tats vacants dans une bande presque pleine sont appels trous. Lorsquon applique
un champ lectrique ou magntique au matriau, un trou ragit comme sil tait porteur dune charge
+e, gale et oppose celle de llectron e.
Soumis une force donne (champ lectrique ou magntique par exemple), les lectrons et les
trous sont acclrs. Toutefois, linuence du potentiel priodique dans lequel ils se trouvent va les
conduire subir une acclration diffrente de celle quils auraient eue dans le vide. En raisonnant
en 1D sur un lectron de masse m, on peut afrmer que son acclration dans cette direction, sous
leffet dune force F, ne sera pas = F/m, mais scrira de la forme = F/m
e
, o m
e
est
la masse effective associe llectron (pour les trous, un raisonnement analogue nous conduit
introduire leur masse effective m
t
). Llectron tant dcrit physiquement par un paquet dondes
(voir chapitre 1), sa vitesse correspond la vitesse de groupe de ce paquet donde, qui scrit en
utilisant la pulsation , le vecteur dondek, lnergie c et la relation c = h :
v
g
=
d
dk
=
1
h
dc
dk
Lacclration effective dun lectron sera donc simplement donne comme la variation au cours
du temps de la vitesse de groupe du paquet donde :
=
dv
g
dt
=
1
h
d
2
c
dkdt
=
1
h
d
2
c
dk
2
dk
dt
La quantit de mouvement dun lectron tant donne sous la forme p = hk, sa variation au
cours du temps, gale la force applique F, permet dcrire en utilisant la relation prcdente :
180 P2MEMS
F = h
dk
dt
=
h
2
d
2
E
dk
2
Cette relation permet didentier la masse effective dun lectron comme inversement propor-
tionnelle la courbure de lnergie en fonction du vecteur donde :
m
e
=
h
2
d
2
E
dk
2
(13.1)
Dans un cadre plus gnral, ce rsultat peut tre crit dans le cas dune surface dgale nergie
anisotrope dans lespace rciproque des vecteurs donde, en introduisant un tenseur m de masses
effectives :
m
ij
=
h
2
d
2
E
dkidkj
En pratique, on adopte le plus souvent une valeur moyenne de la masse effective, qui tient compte
de lanisotropie des surfaces dgale nergie dans lespace rciproque, et des diffrentes bandes
auxquelles peuvent appartenir des lectrons de conduction (ou porteurs).
Si on sintresse la bande de valence, on peut utiliser le mme raisonnement, qui nous conduit
une masse effective ngative puisque la variation de lnergie c(k) prsente une courbure ngative
au sommet de la bande (voir par exemple la gure 12.1 du chapitre 12). Ainsi, en prsence dun
champ lectrique, les lectrons du sommet de la bande de valence se dplacent contre la force den-
tranement due au champ. Le courant lectrique qui en rsulte est en fait quivalent celui dun
lectron de charge positive et de masse positive qui se dplace dans le sens du champ. On associe
donc aux trous une masse effective m
t
positive qui est loppose de la masse effective des lec-
trons du sommet de la bande de valence. Le tableau 13.2 donne quelques valeurs de masse effective
utilises dans les semi-conducteurs usuels.
masse effective Si Ge AsGa
bande de conduction (lectrons) 1, 06m 0, 55m 0, 066m
bande de valence (trous) 0, 59m 0, 36m 0, 64m
Tableau 13.2. Masses effectives utilises dans des semi-conducteurs usuels (m
est la masse de llectron)
On peut donc retenir le modle des lectrons libres pour la description de la densit dtats proche
de la bande interdite. Mais pour cela, il faut :
remplacer la masse de llectron par la masse effective de la particule (lectron ou trou selon
la bande considre),
faire apparatre que lnergie minimale autorise pour les lectrons de conduction est c
c
, niveau
bas de la bande de conduction,
faire apparatre que lnergie maximale autorise pour les trous est c
v
, niveau haut de la bande
de valence.
Figure 13.3. Densits dtats dans les bandes de conduction et de valence,
proche de la bande interdite dun semi-conducteur
Les densits dtats de la bande de conduction D
c
(c) et de la bande de valence D
v
(c) peuvent
maintenant scrire en utilisant les rsultats obtenus dans lapproximation des lectrons libres (qua-
tion 11.5 du chapitre 11). Ces densits dtats sont schmatises dans la gure 13.3. Les formules
sont :
D
c
(c) =
1
2
2
2me
h
2
3/2
(c c
c
)
1/2
D
v
(c) =
1
2
2
2mt
h
2
3/2
(c
v
c)
1/2
(13.2)
13.1.2. Occupation des niveaux
Nous avons vu dans le chapitre 11 que la distribution nergtique des lectrons dans un solide
obissait une statistique de Fermi-Dirac. Selon cette statistique, dans un gaz dlectrons libres, la
probabilit qua le niveau dnergie c dtre occup par un lectron la temprature T est donne par
la fonction f
D
(c) de lquation 11.4 du chapitre 11. Lorsque, la temprature considre, le niveau
182 P2MEMS
nergtique en jeu c est largement suprieur au niveau de Fermi 0K, , typiquement lorsque lon
a c > 3k
B
T, la distribution statistique de Fermi-Dirac peut tre simplie de la faon suivante :
f
D
(c) =
1
e
(E)/k
B
T
+ 1
e
(E)/k
B
T
Figure 13.4. Occupation des tats lectroniques dans la bande de conduction
Cette fonction donne la probabilit doccupation dun tat de la bande de conduction, dans une
approximation valable lorsque f
D
<1. Cette approximation est valable tant que le nombre de por-
teurs dans la bande de conduction reste faible. Ceci est illustr dans la gure 13.4. La concentration
en lectrons n excits dans la bande de conduction est alors :
n =

Ec
D
c
(c)f
D
(c)dc
1
2
2
2m
e
h
2
3/2
e
/k
B
T

Ec
(c c
c
)
1/2
e
E/k
B
T
dc
= n
c
e
(Ec)/k
B
T
avec n
c
= 2
m
e
k
B
T
2h
2
3/2
Pour obtenir n, on constate quil faut connatre la quantit . Il est utile maintenant de raliser
le mme raisonnement pour calculer le nombre de trous dans la bande de valence. Nous avons dj
exprim dans lquation 13.2 la densit dtats associe ces trous, proche de la bande interdite.
Il suft donc dexprimer maintenant la fonction de distribution de ces trous proche de la bande
interdite, cest--dire lorsque f
D
(c) 1. Or, la distribution des trous est simplement le complment
1 de celle des lectrons, soit 1 f
D
, fonction qui sera proche de zro au voisinage de la bande
interdite. On peut crire :
1 f
D
(c) = 1
1
e
(E)/k
B
T
+ 1
=
1
e
(E)/k
B
T
+ 1
e
(E)/k
B
T
Figure 13.5. non-occupation des tats lectroniques dans la bande de valence
(trous)
La gure 13.5 illustre les quantits en jeu linterface entre la bande de valence et la bande de
conduction. Ceci permet de donner lexpression suivante pour la concentration en trous p dans la
bande de valence :
p =
Ev
D
v
(c)(1 f
D
(c))dc
1
2
2
2m
t
h
2
3/2
e
/k
B
T
Ev
(c
v
c)
1/2
e
E/k
B
T
dc
= n
v
e
(Ev)/k
B
T
avec n
v
= 2
m
t
k
B
T
2h
2
3/2
En multipliant les concentrations n et p entre elles, on voit apparatre le gap dnergie c
g
=
c
c
c
v
, et disparatre la quantit . On obtient :
184 P2MEMS
np = n
c
n
v
e
(EcEv)/k
B
T
= 4
k
B
T
2h
2
3
(m
e
m
t
)
3/2
e
Eg/k
B
T
(13.3)
Cette quation nest rien dautre que la loi daction de masse applique la raction formant
des lectrons dans la bande de conduction (concentration n) et des trous dans la bande de valence
(concentration p). A temprature ambiante, la valeur du produit np est par exemple de 2, 1.10
9
cm
6
pour le silicium, 2, 89.10
26
cm
6
pour le germanium, et 6, 55.10
12
cm
6
pour AsGa [KIT 98].
Une conclusion importante de ce paragraphe est que lon peut donner une reprsentation ner-
gtique simplie dun semi-conducteur par ses niveaux nergtiques c
v
et c
c
, proximit desquels
se placent respectivement des trous et des lectrons en concentrations p et n. Cette reprsentation
est valable pour un semi-conducteur pur ou non. La seule condition vrier est que la distance du
niveau de Fermi aux limites de chaque bande est grande par rapport k
B
T, typiquement de lordre
de grandeur de 3k
B
T.
13.2. Proprits de conduction
13.2.1. Semi-conducteur intrinsque
Un semi-conducteur est dit intrinsque lorsquil ne possde aucun dfaut physique, ni dfaut chi-
mique. Sa structure ne prsente aucune lacune, aucune dislocations, . . . , et il ny a aucune impuret
dans le rseau. En pratique, il subsiste toujours un certain nombre de dfauts ou dimpurets, et le
semi-conducteur intrinsque reprsente en fait un cas limite idal. Les proprits dcrites dans ce
paragraphe sont valables pour des cristaux semi-conducteurs rels non dops et de bonne qualit
cristallographique.
Dans un semi-conducteur intrinsque, les porteurs de charge ne peuvent tre fournis que par les
atomes du rseau.On parle de porteurs intrinsques. On peut utiliser les relations prcdentes, et en
particulier celles donnant les concentrations en lectrons dans la bande de conduction, n, et en trous
dans la bande de valence, p :
n = n
c
e
(Ec)/k
B
T
avec n
c
= 2
m
e
k
B
T
2h
2
3/2
p = n
v
e
(Ev)/k
B
T
avec n
v
= 2
m
t
k
B
T
2h
2
3/2
Dans ce type de semi-conducteur, chaque lectron de la bande de conduction est forcment issu
de la bande de valence (par excitation thermique par exemple). On aura donc toujours galit entre les
concentrations n et p. Cette concentration unique en porteurs intrinsques scrit daprs lquation
13.3 sous la forme :
n = p =
np =
n
c
n
v
e
Eg/2k
B
T
(13.4)
Comme la concentration en lectrons de conduction (ou porteurs) intervient directement dans
lexpression de la conductibilit lectrique (quation 11.9 du modle des lectrons libres de Som-
merfeld), on conoit que cette conductivit devra varier avec la temprature, comme n, approximati-
vement comme le terme en exponentielle de lquation 13.4, e
Eg/2k
B
T
. Dans cette approximation,
nous ngligeons le terme en T
3/2
intervenant dans le terme
n
c
n
v
de la formule 13.4.
Figure 13.6. Logarithme de la conductivit lectrique en fonction de 1/T,
daprs [KIT 98]
Si le gap dnergie entre les bandes de valence et de conduction, c
g
, est trop grand, le cristal
sera isolant. Cest par exemple le cas du diamant. Si ce gap est plus faible, on est en prsence dun
semi-conducteur. La gure 13.6 donne la conductivit lectrique du silicium et du germanium purs
en fonction de la temprature. Lchelle logarithmique en ordonne et labscisse en 1/T conduit
une volution sous forme de droite, qui conrme notre hypothse de ngliger le terme en T
3/2
. La
pente de la droite donne une estimation du gap dnergie. Cest dailleurs une faon de le mesurer.
Le tableau 13.1 montre en fait que ce gap dnergie varie un peu avec la temprature, ce qui signie
que dans la gure 13.6 la variation nest pas tout--fait une droite, du fait de linuence du terme en
T
3/2
.
Il est enn intressant de revenir sur la position du niveau de Fermi par rapport aux bandes
de valence et de conduction. Pour cela, on crit lgalit des concentrations n et p pour obtenir la
relation suivante entre le potentiel chimique et le gap dnergie c
g
:
e
2/k
B
T
=
m
t
m
e
3/2
e
(Ec+Ev)/k
B
T
Cette relation peut encore scrire de la faon suivante donnant le potentiel chimique :
186 P2MEMS
=
1
2
(c
c
+c
v
) +
3
4
k
B
T ln
m
t
m
e
Ainsi, par exemple, si la masse effective des lectrons et des trous est identique (m
e
= m
t
), alors
= (c
c
+c
v
)/2. Le niveau de Fermi est localis au milieu de la bande interdite.
13.2.2. Semi-conducteur extrinsque
Un semi-conducteur extrinsque est un semi-conducteur pour lequel, lquilibre thermodyna-
mique, la concentration en lectrons n est diffrente de la concentration en trous p. Cette diffrence
est obtenue le plus souvent en introduisant dans le matriau de manire intentionnelle une faible
concentration dimpurets de nature contrle. Cet ajout est appel dopage. Il a une inuence consi-
drable sur les proprits des semi-conducteurs. Par exemple, lajout de un atome de bore pour
10
5
atomes de silicium augmente la conductibilit du silicium dun facteur 10
3
temprature am-
biante. Dans un semi-conducteur compos comme AsGa, une dcience stoechiomtrique de lun
des constituants agira comme une impuret. On parle alors de semi-conducteur dcitaire.
Les lments chimiques choisis comme dopant prsentent une valence diffrente de celle du
semi-conducteur. Ils se positionnent dans son rseau en site substitutionnel, cest--dire en rempla-
cement de certains atomes. Si, aprs le dopage, la concentration en lectrons est suprieure celle
des trous, on qualiera le semi-conducteur de type n. Dans le cas contraire, on parlera de semi-
conducteur de type p.
13.2.2.1. Semi-conducteurs de type n
Figure 13.7. Ionisation dun atome de phosphore en site substitutionnel dans
le rseau de silicium
La gure 13.7 illustre le dopage de type n dun semi-conducteur. Dans le cas du silicium, ttra-
valent, ce dopage est produit en introduisant une faible concentration, n
d
, datomes pentavalents tels
que le phosphore ou larsenic.
Dans la gure 13.7, latome de phosphore en position substitutionnelle implique quatre de ces
lectrons de valence dans la liaison avec ses voisins Si (voir chapitre 7). Le cinquime lectron nest
pas impliqu dans une liaison, et se retrouve peu li latome de phosphore. En fait, son nergie est
trs proche de celle de llectron de conduction, c
c
. Soit c
d
cette nergie.
Dans la mesure o les concentrations en atomes dopants restent trs faibles (infrieures un
atome de phosphore pour 10
4
atomes de silicium), les atomes de phosphore dans le rseau du sili-
cium sont trs loigns les uns des autres. Il ne peut donc pas y avoir interaction entre les lectrons
des atomes de phosphore. Il y aura ainsi autant dlectrons au niveau c
d
que datomes de dopant.
Toutefois, lorsque la temprature augmente, lagitation produite par lnergie thermique rend pos-
sible le saut dlectrons du niveau c
d
au niveau c
c
. Il y a ainsi apparition dlectrons libres dans la
bande de conduction sans formation de trous dans la bande de valence. En fait, temprature am-
biante, tous les lectrons du phosphore sont passs sur le niveau c
c
. Il y a donc n
d
lectrons libres
sans cration de trou dans la bande de valence, et n > p.
Les atomes de dopants qui peuvent sioniser en fournissant un lectron sont appels donneurs.
Le matriau reste globalement neutre car llectron reste dans le cristal.
Dans un semi-conducteur extrinsque de type n, la concentration en trous est largement ngli-
geable devant celle des lectrons : n p. Les lectrons sont appels porteurs majoritaires et les
trous porteurs minoritaires. La prsence de trous rsulte de la transition dlectrons de valence vers
la bande de conduction, comme dans le semi-conducteur intrinsque. Toutefois, la probabilit de
transition est fortement rduite par la prsence dlectrons issus des donneurs. La concentration en
trous dans un semi-conducteur de type n sera donc toujours trs infrieure celle correspondant au
semi-conducteur intrinsque la mme temprature. Par exemple, pour un substrat de silicium dop
avec une concentration en atomes de phosphore n
d
= 10
15
cm
3
, la concentration en lectrons de
conduction sera n = 10
15
cm
3
, alors que la concentration en trous sera p = 2.10
5
cm
3
. Cette
concentration est dune part trs faible devant n, et dautre part ngligeable devant la concentration
en trous dans le semi-conducteur intrinsque, qui est p = 1, 5.10
10
cm
3
.
13.2.2.2. Semi-conducteurs de type p
Figure 13.8. Ionisation dun atome de bore dans le rseau de silicium
188 P2MEMS
La gure 13.8 illustre le dopage de type p dun semi-conducteur. Dans le cas du silicium, on
introduit en faible quantit (concentration n
a
) des atomes trivalents tels que le bore ou le gallium.
Dans le cas de la gure 13.8, latome de bore plac en position substitutionnelle dans le rseau de
silicium ne peut satisfaire que trois liaisons avec ses voisins Si. Il manque un lectron pour satisfaire
la quatrime liaison. Cet lectron peut en fait tre captur une liaison voisine Si-Si. Avec lapport
de lnergie thermique, on aura ainsi capture dun lectron de valence par latome dopant, ce qui se
traduit par la cration dun trou dans la bande de valence et par la formation dun ion ngatif B
dans le rseau. Latome dopant est dans ce cas appel accepteur.

Le niveau nergtique correspondant au quatrime lectron du bore est ncessairement diffrent
de celui des lectrons de valence du silicium, mais trs peu loign. Le saut du niveau c
v
vers le ni-
veau accepteur c
a
reprsente une nergie trs faible, qui peut tre apporte par lagitation thermique
temprature ambiante. On peut donc considrer que tous les atomes de bore introduits ont captur
un lectron, et donc que la concentration en trou sera gale celle des atomes accepteurs introduits,
p = n
a
. Dans un semi-conducteur de type p, les porteurs majoritaires sont les trous et les porteurs
minoritaires sont les lectrons de conduction : n <p.
Dans un semi-conducteur de type p, les lectrons de conduction sont issus de transitions se pro-
duisant de faon intrinsque, mais en quantit bien infrieure du fait de lexistence de trous produits
par le dopant. Comme dans les semi-conducteurs de type n, la concentration en lectrons de conduc-
tion est bien infrieure celle du semi-conducteur intrinsque associ.
13.2.2.3. Position du niveau de Fermi
La position du niveau de Fermi dans le gap dun semi-conducteur extrinsque se dtermine
partir de la condition de neutralit lectrique du matriau :
Pour un dopage de type n, la concentration en lectrons de conduction est gale la concentra-
tion en atomes donneurs, ce qui permet dcrire :
n
d
= n = n
c
e
(Ec)/k
B
T
, do c
c
= k
B
T ln
n
c
n
d
On dduit de cette relation que le niveau de Fermi est dautant plus proche du niveau c
c
que
le dopage du semi-conducteur est important. Il faut cependant se rappeler que lexpression utilise
pour la concentration en porteurs n nest valable que lorsque le niveau de Fermi reste typiquement
une distance de 3k
B
T du niveau bas de la bande de conduction c
c
. Cette condition xe un niveau
maximum de dopage environ n
d
= 0, 05n
c
. Pour des dopages plus levs, le niveau de Fermi est
trs proche du niveau c
c
. Il peut mme se trouver lintrieur de la bande de conduction. Dans ce
cas, on parle de semi-conducteur dgnr, son comportement lectrique devenant proche de celui
dun mtal.
Pour un dopage de type p, la concentration en trous est gale la concentration en atomes
accepteurs, soit :
n
a
= p = n
v
e
(Ec)/k
B
T
, do c
v
= k
B
T ln
n
v
n
a
Le niveau de Fermi est donc dautant plus proche du niveau haut de la bande de valence, c
v
, que
le dopage est important. Ici aussi, une limite suprieure pour le dopage est impose par la condition
selon laquelle le niveau de Fermi doit rester sufsamment loin de c
v
, typiquement une distance
de 3k
B
T. La valeur maximale de dopage correspondante est n
a
= 0, 05n
v
. Pour des dopages sup-
rieurs, le semi-conducteur est dgnr.
Il est important de noter ici que le produit np donn par lquation 13.3 est constant une temp-
rature donne. Il est en particulier indpendant du dopage (voir paragraphe suivant). La constance de
ce produit, np = n
2
I
traduit une proprit caractristique du semi-conducteur lquilibre thermody-
namique, quil soit dop ou non. Cette relation permet de dterminer immdiatement la concentration
en porteurs minoritaires dans un semi-conducteur dop dont on connat le dopage. Par exemple, pour
du silicium (n
I
= 1, 5.10
10
) dop avec une concentration en atomes donneurs n
d
= 10
16
cm
3
, on
a temprature ambiante n = n
d
, et donc p = n
2
I
/n
d
= 2, 25.10
4
cm
3
. Cette relation montre
galement que, plus le dopage est fort, plus le nombre de porteurs minoritaires est faible.
190
Chapitre 14
tudes de cas
14.1. Leffet thermo-lectrique
Figure 14.1. Montre fonctionnant par effet thermo-lectrique
La gure 14.1 est issue du catalogue dun grand fabricant de montres. Elle prsente une montre
fonctionnant grce la diffrence de temprature existant entre le corps humain et lair ambiant.
Lobjectif de cette tude est de comprendre le fonctionnement de cette montre.
14.1.1. Le pouvoir thermo-lectrique
1) Quels sont les systmes couramment utiliss pour convertir lnergie thermique en nergie
lectrique ? Quels sont les limites/inconvnients de ces mthodes ?
2) Dans le modle de Drude, expliquer pourquoi on peut considrer que conduction thermique
et conduction lectrique sont des phnomnes coupls.
3) La gure 14.2 montre un matriau conducteur dans lequel la temprature nest pas uniforme
dans une direction (on a T
1
> T
2
). Expliquer pourquoi un ux dlectrons stablit de lextrmit
191
192 P2MEMS
Figure 14.2. Matriau conducteur soumis un gradient thermique
chaude vers lextrmit froide. Ce ux atteint-il un rgime stationnaire ? On appelle E le champ ainsi
cr ; lquilibre, les vitesses lectroniques moyennes dues au gradient de temprature < v
Q
> et
au champ lectrique < v
E
> sannulent.
4) Exprimer < v
Q
> en fonction de v
x
(x v
x
t) et v
x
(x + v
x
t), puis en fonction de d(v
2
x
)/dT
et dT/dx; en dduire v
Q
dans lhypothse dune rpartition identique de la vitesse dans les trois
directions.
5) Exprimer < v
E
>. En dduire que le champ lectrique peut sexprimer sous la forme E =
a
grad(T). Dans cette expression, a est le pouvoir thermolectrique absolu du matriau. Donner
lexpression de a.
Figure 14.3. Pouvoir thermo-lectrique de diffrents matriaux, en fonction de
la temprature
6) Faire lapplication numrique. Comparer aux valeurs exprimentales de a donnes dans la
gure 14.3. Quen pensez-vous ?
tudes de cas 193
14.1.2. Leffet Seebeck
Figure 14.4. Effet Seebeck
En pratique, on ne mesure pas le champ lectrique cr aux bornes dun conducteur soumis un
gradient de temprature, mais la force lectro-motrice (fem) dun circuit ouvert de 2 conducteurs,
dont les jonctions sont des tempratures diffrentes. Lapparition dune fem dans un circuit ouvert,
compos de deux conducteurs diffrents, lorsque les jonctions sont des tempratures diffrentes,
est appele leffet Seebeck. Les deux conducteurs constituent un thermo-couple.
1) Exprimer la fem aux bornes du couple thermolectrique A/B reprsent dans la gure 14.4,
dont les jonctions se trouvent respectivement aux tempratures T et T + T.
Figure 14.5. Reprsentation schmatique dun thermo-couple
2) Le gnrateur de la montre reprsente dans la gure 14.1 est un module thermolectrique.
Ce module est constitu de thermo-couples relis en srie lectriquement et en parallle thermique-
ment. Chaque thermo-couple est constitu de deux semi-conducteurs de nature diffrente (type n
et p), relis entre eux par une plaque de cuivre. Le schma dun thermo-couple est donn dans la
gure 14.5. Comment ce dispositif peut-il alimenter la montre ? Retrouver lexpression de la fem
thermolectrique du thermo-lment.
3) Donner lexpression de la puissance lectrique P
el
dlivre dans la charge utile R
L
. Quelle
valeur de R
L
maximise P
el
? Comment choisir
p
et
n
pour optimiser P
el,max
? Quelle gom-
trie parat la plus indique pour obtenir la meilleure P
el,max
? Pourquoi ne peut-on pas aller trop
194 P2MEMS
loin en ce sens ? Calculer P
el,max
pour un thermo-couple du module de la montre. Combien de
thermo-couples faut-il associer pour assurer le fonctionnement de la montre avec une diffrence de
temprature de 1K?
14.2. Capteurs effet Hall
Figure 14.6. Exemples de capteurs utiliss dans lindustrie automobile
Leffet Hall est utilis dans des appareils trs varis tels que les ampremtres, les wattmtres, les
capteurs de position, de niveau, de dplacement, etc (gure 14.6). Ces capteurs sont gnralement
constitus dune sonde et dun aimant. La sonde est une plaquette semi-conductrice telle que le
silicium, lAsGa ou le germanium dop. Elle est parcourue par un courant, et on mesure la tension
Hall ses bornes U
H
. Laimant produit un champ dinduction B dont la valeur sur la sonde dpend
de sa position, modiant ainsi la tension Hall U
H
. Nous tudions ici lutilisation de leffet Hall pour
la caractrisation des semi-conducteurs (sonde uniquement), et pour la fabrication de capteurs de
position et de dplacement (sonde et aimant).
14.2.1. Caractrisation de semi-conducteurs
Leffet Hall prsente un grand intrt dans la caractrisation des semi-conducteurs au cours de
leur laboration qui comporte de nombreuses tapes. La mesure de le tension de Hall U
H
donne en
effet accs aux paramtres principaux dun semi-conducteur, savoir la nature des porteurs (lec-
trons q < 0 ou trous q > 0), leur densit N et leur mobilit . En effet, pour amliorer la faible
conductivit lectrique des semi conducteurs purs, il est possible de les doper cest dire de leur
ajouter une petite quantit dimpuret. Si on introduit dans le cristal de germanium pur des atomes
dun lment possdant un lectron de valence en plus, on obtient un semi-conducteur de type n
car la conduction sera essentiellement assure par les lectrons libres. Si par contre on introduit
des atomes dlment possdant un lectron de valence en moins que le germanium, la conduction
tudes de cas 195
se fera par le dplacement de trous, on obtient un semi-conducteur de type p car les porteurs sont
majoritaires positifs.
Figure 14.7. chantillon de germanium dop
La gure 14.7 reprsente un chantillon de germanium dop dont on cherche les caractristiques
en le plaant dans un circuit parcouru par une intensit I = 30mA. Il est soumis un champ
lectrique longitudinal

E, de composantes (0,E
y
,0), et un champ magntique transversal

B, de
composantes (0,0,B
z
). La charge q, possdant une vitesse
v , subit alors la force de Lorentz F =

q
B. Cette force tend dvier les porteurs de charge qui saccumulent sur les faces latrales
du barreau en x = a/2. Il se cre alors rapidement un champ lectrique selon x, appel champ de
hall, de composantes (E
H
,0,0), qui quilibre et neutralise cette dviation. Une tension U
H
issue de
E
H
apparat entre les deux faces.
B (10
4
T) U
H
(mV)
37,5 4
142 6
195 7,3
335 9,8
387,5 11,1
530 13,6
730 14,7
770 17,5
920 18,5
940 21,1
1080 21,9
1100 24,5
1190 25,4
1280 26,3
1300 27,9
1460 29
1480 31,3
1560 32,1
Tableau 14.1. Tensions mesures en fonction de B
196 P2MEMS
1) Quel montage peut-on raliser pour mesurer la tension de hall sur un chantillon de germa-
nium?
2) tablir la relation entre la tension de Hall U
H
et le champ magntique
B.
3) Complter le tableau 14.1 par la concentration en porteur de charge N et la constante de Hall
R
H
= 1/Nq.
4) Donner lunit de chacun des paramtres calculs.
5) Quel est le signe des porteurs de charge ? cette plaque est-elle dope n ou p ?
6) Que devient la tension dans lautre cas ?
7) Faire un schma pour les deux cas an de voir la rpartition des potentiels V
+
et V
sur les
parois.
8) Dterminer la concentration moyenne des porteurs de charge.
14.2.2. Capteurs de position
Lintrt des capteurs de position ou de dplacement (gure 14.6) est de permettre des mesures
travers une paroi non ferromagntique (pas daimantation possible de la paroi qui viendrait per-
turber le champ induit d laimant du capteur) sparant de la sonde lobjet support de laimant.
Soit un aimant se dplaant une distance d xe de lobjet, perpendiculairement au champ

B et
paralllement
I .
1) Dterminer lexpression reliant U
H
, R
H
,
I ,
B et (angle entre
B et
I )
2) Donner lallure dune courbe donnant en fonction de la tension de Hall U
H
pour une distance
d
1
, puis pour une distance d
2
> d
1
.
14.3. Conductivit lectrique et temprature
Prambule : Expliquer la variation de la conductivit lectrique dans un mtal, puis dans un
semiconducteur intrinsque, en fonction de la temprature.
La gure 14.8 donne lvolution de la densit de porteurs n dans un semi-conducteur dop en
fonction de la temprature. Cette gure a t obtenue en mesurant n par effet Hall. Lobjectif est de
la modliser en mettant en vidence trois rgimes de conduction en fonction de la temprature. Pour
cela, on utilisera la constante intrinsque n
i
dnie par :
n
2
i
= np = N
c
N
v
e
Eg/k
B
T
1) Aux tempratures leves, quelle est lorigine principale des porteurs ? En dduire une expres-
sion simplie de la condition de neutralit lectrique du matriau, une expression de n valable aux
tempratures leves, et la position du niveau de Fermi. Comment estimer la temprature T
M
au des-
sus de laquelle cette expression est valable ? On se placera dans la suite dans le cas de tempratures
nettement infrieures T << T
M
.
2) Montrer que la densit de donneurs ioniss N
di
, une temprature T, peut se mettre sous la
forme :
N
di
=
N
d
1 +
n
Nc
e
(E
d
Ec)/k
B
T
tudes de cas 197
100K 50K 33K
25K
Figure 14.8. densit de porteurs en fonction de la temprature
o n est la densit de porteurs ngatifs dans la bande de conduction. Pour cela, on dterminera la
densit de donneurs neutres en utilisant la distribution de Fermi-Dirac, et on utilisera lexpression
classique de n en fonction du niveau de Fermi et de la temprature.
3) A partir de la condition de neutralit lectrique du matriau, tablir une nouvelle quation
permettant de calculer la densit dlectrons n. Simplier cette quation en utilisant le fait que nous
nous plaons des tempratures T << T
M
.
4) La forme ainsi obtenue pour n peut tre divise en deux rgimes. La temprature sparant ces
deux rgimes est note T
m
. Sa valeur est solution de lquation suivante :
4
N
d
N
c
(T
m
)
e
(EcE
d
)/k
B
Tm
= 1
Donner lexpression de la densit dlectrons n dans les deux rgimes, ainsi que la position du niveau
de Fermi
5) Donner une interprtation physique aux trois rgimes mis en vidence dans ce travail et dli-
mits par les tempratures T
m
et T
M
.
Application numrique : Donner une estimation de T
M
et T
m
en utilisant les valeurs numriques
suivantes :
densit de donneurs : N
d
= 10
16
cm
3
densit dtats de la bande de conduction : N
c
= 5, 2.10
15
T
3/2
cm
3
densit dtats de la bande de valence : N
v
= 2, 2.10
15
T
3/2
cm
3
gap dnergie : c
g
= 1, 2eV
cart dnergie entre les niveaux conduction et donneur : 20meV .
198 P2MEMS
14.4. Jonction PN
Figure 14.9. Schma de principe dune diode jonction PN
La jonction PN, cest dire la zone dinterface entre un semi-conducteur de type p et un semi-
conducteur de type n, est la pierre angulaire de la conception de quasiment lensemble des com-
posants micro-lectroniques actuels (diodes, transistors, etc). La gure 14.9 donne le schma de
principe dune diode jonction PN.
Le but de cette tude est danalyser les mcanismes physiques mis en jeu dans une jonction PN
an den comprendre les caractristiques. Pour cela, nous considrerons une jonction ralise en
Silicium avec une partie p dope N
A
= 5.10
16
cm3 et une partie n dope N
D
= 10
15
cm
3
,
fonctionnant la temprature ambiante.
1) valuer lnergie de uctuation thermique temprature ambiante (en eV).
2) Reprsenter les schmas en bande dnergie pour le Si pur, le Si dop n et le Si dop p.
3) Expliquer pourquoi le Si pur est isolant et le Si dop n (ou p) est conducteur temprature
ambiante.
4) Calculer les niveaux de Fermi dans chacun des cas. Pour cela, on calculera explicitement les
valeurs numriques des densits quivalentes dtats de la bande de conduction et de la bande de
valence (N
c
et N
v
).
14.4.1. Modle de la jonction abrupte lquilibre
On suppose dans ce modle que la concentration de dopage passe brutalement dans le plan x = 0
dune valeur N
A
une valeur N
D
.
Formation de la jonction
1) Expliquer la formation, au voisinage de la jonction, dune zone dpourvue de porteurs ma-
joritaires et prsentant des charges xes (atomes dopants ioniss). Cest la Zone de Charge dEspace
(ZCE) ou Zone Dserte.
2) Justier ltablissement dun rgime dquilibre dynamique.
Jonction lquilibre thermodynamique
tudes de cas 199
1) Modliser le prol de la densit volumique de charge (x). On note x
p
et x
n
les fron-
tires de la ZCE
1
2) Dterminer lexpression du potentiel de diffusion V
b
, en fonction de N
D
, N
A
et n
i
. Cette
tension de diffusion traduit la variation de lnergie potentielle de llectron de conduction en traver-
sant la jonction. On crira pour cela que la structure est lquilibre thermodynamique, et on pourra
raisonner sur le potentiel chimique (ou niveau de Fermi).
3) A partir de lquation de conservation du ux de charges qui scrit :
d
2
V/dx
2
+ = 0
dterminer lexpression du champ lectrique E(x) = dV/dx lintrieur de la ZCE. En dduire
une relation entre N
D
, N
A
, x
n
et x
p
.
4) Montrer que la largeur de la ZCE sexprime par
2
:
W =
2
q
1
N
A
+
1
N
D
V
b
Calculer les valeurs numriques de x
n
et x
p
.
5) Donner lexpression des densits de porteurs majoritaires (n
n
et p
p
) et minoritaires (n
p
et
p
n
) en dehors de la ZCE, en fonction de N
A
, N
D
et V
b
.
14.4.2. Polarisation de la jonction abrupte
Polarisation direct
On porte la partie p de la jonction un potentiel positif par rapport la partie n. On note V
j
la
diffrence de potentiel cre par la source extrieure au niveau de la jonction. On se place dans le
cas du rgime de faible injection, cest--dire V
j
< V
b
.
1) Reprsenter le schma en bandes dnergie pour la jonction polarise en direct.
2) Exprimer la valeur du potentiel de diffusion V
b
en fonction de V
b
et V
j
.
3) Donner lexpression de la largeur de la ZCE, W
, en fonction de W, V
b
et V
j
.
4) Donner lexpression des densits de porteurs minoritaires (n
p
et p
n
) aux frontires de la ZCE
(x = x
n
et x = x
p
respectivement), en fonction de n
p
, p
n
et V
j
. En dduire lexistence dun
courant de diffusion.
5) En supposant que lvolution de la densit des porteurs positifs du ct n scrit (on note L
p
la longueur de diffusion des trous) :
p
n
(x) p
n
= (p
n
p
n
)e
xx
n
Lp
1. A linstar de William B. Shockley, prix Nobel de Physique 1956, on supposera que la densit de charges mo-
biles dans la ZCE est ngligeable (i.e. nulle) devant la densit de charges xes (hypothse de la zone totalement
dserte)
2. On notera que lintgration du champ lectrique sur toute lpaisseur de la zone dserte donne la valeur de
la tension de diffusion Vb
200 P2MEMS
on peut crire le courant de diffusion engendr par les trous qui traversent la jonction comme (on
note D
p
le coefcient de diffusion des trous) :
J
p
= qD
p
d(p
n
(x) p
n
)
dx
=
qD
p
p
n
Lp
e
qV
j
k
B
T
1
6) Une expression analogue permet dcrire le courant de diffusion engendr par les lectrons
dans la partie p. Montrer que le courant direct I
D
scrit :
I
D
= I
S
e
qV
j
k
B
T
1
avec I
S
courant de saturation donn par :
I
S
= Sqn
2
i
D
p
L
p
N
D
+
D
n
L
n
N
A
Polarisation inverse
On porte maintenant la partie p de la jonction un potentiel ngatif par rapport la partie n. V
j
,
la diffrence de potentiel cre par la source extrieure au niveau de la jonction, est ngatif.
1) Reprsenter le schma en bandes dnergie pour la jonction polarise en inverse.
2) Exprimer la valeur du potentiel de diffusion V
b
en fonction de V
b
et V
j
.
3) Donner lexpression de la largeur de la ZCE, W
, en fonction de W, V
b
et V
j
.
4) Donner lexpression des densits de porteurs minoritaires (n
p
et p
n
) aux frontires de la ZCE
(x = x
n
et x = x
p
respectivement), en fonction de n
p
, p
n
et V
j
.
5) Par un raisonnement analogue au prcdent, montrer que le courant inverse scrit I
I
= I
S
.
14.4.3. Le transistor bipolaire
Les transistors (transfer resistor) bipolaires sont des applications importantes de la jonction PN.
Les lectrons et les trous participent alors simultanment aux phnomnes de conduction. Ce dis-
positif comprend trois couches semi-conductrices spare par deux jonctions. Les 3 couches sont
appeles : metteur (emitter), base (base), collecteur (collector). deux types de transistors : le tran-
sitor NPN (metteur N, base P, collecteur N) et le transistor PNP (metteur P, base N, collecteur
P).
Figure 14.10. Schmas de transistors bipolaires NPN ( gauche) et PNP (
droite)
tudes de cas 201
La gure 14.10 donne un schma de transistors NPN et PNP. En fonctionnement normal, la
jonction metteur-base du transistor est polarise en direct, tandis que la jonction collecteur-base est
polarise en inverse. le courant principal passe ainsi de lmetteur au collecteur. En fonctionnement
bloqu, les deux jonctions sont polarises en inverse. En fonctionnement satur, les deux jonctions
sont polarises en direct.
Figure 14.11. Transistor NPN non polaris ( gauche) et en fonctionnement
normal ( droite)
En fonctionnement normal, lintrt est de commander le courant collecteur par un courant de
base beaucoup plus faible. La gure 14.11 donne un schma de transistor NPN dans le cas non
polaris, et en fonctionnement normal. En lectronique analogique, on peut moduler le courant de
base autour dune valeur, et obtenir une modulation plus importante du courant collecteur. Il sagit
dune fonction damplication linaire.
Le transistor bipolaire peut aussi tre utilis comme porte logique, en le commutant de ltat
bloqu (courant collecteur nul) ltat satur (courant collecteur important).
14.5. Plaquettes de lithium
Lorsquun cristal de uorure de lithium(LiF) est plac dans un racteur nuclaire, il est bombard
par des neutrons lents qui chassent en partie les atomes de uor. Les atomes de lithium en excs se
regroupent alors pour former de petites plaquettes nes de mtal. Jusquen 1966, on ne savait pas
grand chose de ces plaquettes. Les rayons X indiquent quelles sont sans doute constitues dun
rseau de maille carr de largeur a, avec a 3, quelles sont bidimensionnelles (un seul atome dans
une direction), et quelles contiennent un nombre datomes N infrieur 500.
Pour tablir un modle quantique simple de ces plaquettes, et ainsi prvoir certaines de leurs
proprits, on utilise un modle dlectrons libres et indpendants dans une bote 2D, raison dun
lectron par atome. La bote est suppose de dimensions L
x
= N
x
a dans la direction x (0 x
L
x
) et L
y
= N
y
a dans la direction y (0 y L
y
), o N
x
et N
y
sont des entiers tels que le
202 P2MEMS
Figure 14.12. reprsentation schmatique dune plaquette de lithium forme
de 20 24 atomes
nombre dlectrons libres dans la plaquette vaut N = N
x
N
y
. La gure 14.12 reprsente une telle
schmatisation avec N
x
= 20 et N
y
= 24.
1) Rappeler les principales caractristiques dune bote de potentiel 1D, les conditions aux li-
mites lies lhypothse dun potentiel inni lextrieur, et la fonction donde solution pour un
lectron libre lintrieur.
2) En utilisant la mme mthode que celle dveloppe pour la gnralisation en 3D de la bote de
potentiel 1D, gnraliser la bote 1D au cas 2D. Donner la fonction donde dun lectron, la forme
de ses nombres donde k
x
et k
y
, lexpression de son niveau dnergie, ainsi que les valeurs possibles
pour les nombres quantiques introduits, que lon notera n
x
et n
y
.
3) Dans un repre (k
x
, k
y
), cest--dire dans lespace rciproque, tracer les tats possibles dans
le cas N
x
= N
y
= 5. Dans ce mme cas, tracer un diagramme donnant le nombre dtats possibles
n, correspondant une nergie maximum c, en fonction de cette nergie c.
4) Dduire du diagramme n(c) une expression analytique permettant destimer le nombres
dtats possibles n en fonction de c, puis lexpression de la densit dtats D. Montrer que cette
densit ne dpend ni de la distance inter-atomique a, ni du niveau dnergie c.
5) Donner lexpression du niveau de Fermi dune plaquette en fonction de h (constante de Planck
rduite), m (masse de llectron) et a (distance inter-atomique). On constate que ce niveau de Fermi
est indpendant de la taille de la plaquette. Calculer sa valeur pour a = 3.
6) En utilisant le fait que la densit dtats D ne dpend pas de lnergie c, montrer que lon peut
estimer une distance moyenne entre deux niveaux dnergie sous la forme c 1/D. Montrer que
lon aboutit alors c =
2 h
2
mLxLy
.
7) Pour une plaquette de dimension L
x
L
y
= 2000
2
, calculer lcart moyen entre deux niveaux
dnergie. Comparer cet cart lagitation thermique moyenne temprature ambiante (300K).
Commenter.
Annexe A
Tableau des constantes utilises
nom symbole valeur units
masse de llectron m 9, 11.10
31
kg
charge de llectron e 1, 60.10
19
C
constante de Planck h 6, 63.10
34
Js
h = h/2 1, 06.10
34
Js
constante de Boltzmann k
B
1, 38.10
23
JK
1
vitesse de la lumire c 3.10
8
ms
1
unit symbole valeur
Angstrm 10
10
m
lectron-volt eV 1, 60.10
19
J
Tableau A.1. Principales constantes et units utilises
203
204
Bibliographie
[ASH 76] ASHCROFT N., MERMIN N., Solid state physics, International Edition, 1976.
[B 84] BNARD J., MICHEL A., PHILIBERT J., TALBOT J., Mtallurgie gnrale, Masson, 1984, 2e dition.
[BAS 86] BASDEVANT J., Mcanique Quantique, Ecole Polytechnique - ellipse, 1986.
[KIT 98] KITTEL C., Physique de ltat solide - 7me dition, Dunod, 1998.
[LAN 75] LANDAU L., LIFCHITZ E., Physique thorique - tome 3 : Mcanique quantique, Mir, 1975.
[LOW 00] LOWYS J., Physique quantique et structure de la matire, cours ENSM-SE, 2000.
[QU 88] QUR Y., Physique des matriaux, Ecole Polytechnique - ellipse, 1988.
205
206
Index
accepteur, 186
amorphe, 76
bande
de conduction, 159
de valence, 159
bandes dnergie, 146
Bloch
lectrons de, 160
fonctions de, 160
thorme de, 160
bosons, 53
centre F, 116
conditions priodiques, 145
conductivit
lectrique, 138
thermique, 140
constante de Boltzmann, 109, 149
constante de Madelung, 99
constante de Planck, 21
couche lectronique, 54
cristaux liquides, 76
densit dtats, 150
densit de modes, 107
dislocation
coin, 120
vis, 120
distance inter-rticulaire, 84
distribution
de Fermi-Dirac, 149
de Maxwell-Boltzmann, 149
donneur, 185
dopage, 184
Dulong et Petit, 110
facteur de forme atomique, 93
facteur de structure, 93
Fermi
nergie, 148
gaz, 155
surface, 148, 169
vecteur donde, 148
vitesse, 148
fermions, 53
gap, 165, 176
gaz dlectrons, 135
hybridation, 101
indices de Miller, 74
Krnig-Penney, 165
lacune
anionique, 115
cationique, 115
paire de Schottky, 115
liaison
covalente ou homopolaire, 99
de Van der Waals, 96
hydrogne, 102
mtallique, 101
loi de Bragg, 84
maille
lmentaire, 69, 70
de Wigner-Seitz, 70
primitive, 70
masse effective, 177
modle dEinstein, 110
modle de Debye, 110
modle des lectrons libres, 155
motif, 72
nombre de Lorentz, 155
nombre quantique
principal, 53
radial, 53
spin, 53
numro atomique, 54
207
208 P2MEMS
onde
amplitude, 15
frquence, 16
longueur donde, 16
paquet donde, 16
pulsation, 15
relation dincertitude, 20
stationnaire, 104
vecteur donde, 15
vecteur position, 15
vitesse de groupe, 18
particule
quation radiale, 52
localisation, 21
onde plane, 21
relation de Heisenberg, 23
Schrdinger, 25, 26
vitesse, 23
phases allotropiques, 75
phonon, 95, 106
plan atomique, 73
plan de glissement, 120
plasmon, 143
porteur, 173, 176
potentiel chimique, 149
potentiel de Lennard-Jones, 97
principe de Pauli, 54
quantum daction, 21
rseau
de Bravais, 70
rsistivit, 138
range atomique, 73
relation de dispersion, 103
semi-conducteur
de type n, 184
de type p, 184
decitaire, 184
extrinsque, 175
intrinsque, 175
semi-mtal, 173
site ttradrique, 79
spectre en nergie, 27
spin, 53
structure
cubique faces centres, 78
cubique centre, 79
diamant, 81
hexagonale compacte, 79
surface
nergie, 158
temprature de Debye, 111
temps de relaxation, 137
trous, 177
zones de Brillouin, 90

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PROPRITS PHYSIQUES, MCANIQUES, ET

LECTRONIQUES DES MATRIAUX SOLIDES

k est le vecteur donde (en m

r est le vecteur position (en m),

dsigne le nombre complexe conjugu de , alors a

k |. On en dduit que londe plane dcrite par la fonction 1.1 se propage

k | dans la direction du vecteur donde

k . Dans le vide, les ondes se propagent la

r scrivent dans un repre cartsien (0, x, y, z) :

k , t), ou de faon quivalente par

r , t) puisque les quations 1.2 et 1.3 permettent de passer indiffremment de

r , t) sous la forme dune amplitude a(

r , t) et dune onde porteuse de vecteur donde

v . Cette vitesse est

r , t) dont linterprtation physique est que la probabilit de

p /2m. Nous posons ici le postulat de de

p et dnergie c, est donc

p qu une certaine approximation prs. Il faut donc introduire un nouveau

r , t) analogue celle utilise

r , t), et de sa transforme de Fourier (

Les deux quations prcdentes permettent dcrire :

r (celui de gauche) et un terme uniquement fonction de t (celui

r ct. En effet, si lon postule que le gradient de laction est

p , alors cette quation nous donne

Les niveaux dnergie c

m/h qui permet de transformer lquation, qui scrit

r , t). Cette grandeur physique peut tre la position dune particule,

u dans un espace vectoriel de dimension N muni dun repre orthonorm

, son oprateur transpos

p . En effet, limpulsion moyenne est obtenue

grad() est la transforme de Fourier de

p . Par exemple, le moment cintique dans la direction z

sont hermitiens (combinaison linaire dopra-

. On obtient en utilisant simplement la dnition des oprateurs, leur linarit,

(oprateurs sauts). De plus, on peut

permet dengendrer les tats

= 0 tant donc ltat le plus li. Le nombre n

sappelle nombre quantique

+ l + 1. Les tats propres de lnergie

Figure 4.1. volution exprimentale de la fonction u(T, )

. On montre que cette fonction ne dpend que de la temprature T du corps et de la fr-

n est la normale la paroi considre).

e et la pulsation obissent aux relations suivantes (c est la

de modes de rayonnement avec une frquence comprise entre 0 et ,

(, T). Cest la formule

L de llectron est port par laxe z, et donner sa norme L.

r , montrer en utilisant lquation de Schrdinger que lvolution de

g dun point M, dans

B), conduisent tous les deux au mme rseau. On remarque

alternativement sur les

c )/2, puis choisir comme motif un atome au centre

c , nous introduisons les

k , arrivant sur le cristal. Elle

. Comme le montre la gure 6.5, la diffrence

r dans le solide a un facteur de phase e

r ) est une quantit fondamentale pour ltude de la diffu-

r ) respectera la priode de ce rseau. Conformment

g joignant deux noeuds du rseau, la den-

G, dni dans lquation 6.2, et on crit

r ) ainsi obtenue respectera bien la priodicit du rseau, car le produit scalaire

k sloigne de la position dun vecteur

G du rseau rciproque tel que la condition

sont les normes respectives des