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Eletrnica

Tecnologia dos Equipamentos de Sade

Apontamentos sobre diodos

Eletrnica

SEMICONDUTORES
1 - Estrutura Atmica 2 - Nveis De Energia 3 - Tipos De Materiais 4 - Semicondutor Intrnseco 5 - Semicondutor Extrnseco
5.1 - Semicondutor Tipo N 5.2 - Semicondutor Tipo P

6 - diodo
6.1-A Juno PN 6.2-Smbolo do diodo 6.3-A Juno PN Inversamente Polarizada 6.4-A Juno PN Diretamente Polarizada

1-Estrutura do tomo
Partculas que constituem um tomo: Proto (carga positiva) Eletro (carga negativa) Neutro (partcula neutra do ponto de vista eltrico) A carga de um tomo neutra. A carga dos protes e neutres contrabalana a dos eletres. Para descrever o tomo utiliza-se um modelo simplificado: tomo = ncleo + eletres distribudos por rbitas Ncleo constitudo por protes e neutres Os eletres movem-se volta do ncleo em rbitas

+14

1-Estrutura Atmica
A rbita exterior designada por rbita de valncia e a que assume maior importncia no mbito dos fenmenos qumicos e fsicos Os eletres que se encontram nesta rbita so designados por eletres de valncia Ex: O tomo de silcio (nmero atmico 14)
14 eletres e 14 protes
+14

A rbita de valncia possui 4 eletres (Grupo IV) 4 eletres de valncia <=> silcio tetravalente

A cada rbita est associado um nvel de energia Para um eletro se deslocar para uma rbita mais exterior necessrio fornecer energia. Quando um eletro se desloca para uma rbita mais interna libertada energia. A energia pode ser transferida (fornecida ou libertada) sob a forma de calor, luz ou uma outra radiao.
3

2-Nveis de Energia
Os tomos encontram-se na natureza no isolados mas associados. Formam estruturas cristalinas. Esta associao surge devido a uma partilha entre tomos vizinhos dos eletres de valncia.
+4 +4 +4 +4

+4

+4

+4

+4

Estrutura Cristalina

Desta partilha de eletres resulta que:


os nveis de energia das rbitas internas no so muito afetados o nvel de energia da rbita de valncia profundamente alterado j que cada tomo partilha os seus eletres da banda de valncia com os seus vizinhos.

O que diferencia os cristais na natureza a sua distribuio dos nveis de energia (ex: condutores ou isoladores)
4

3-Tipos de Materiais
Matria (classificao do ponto de vista eltrico):
Condutores Semicondutores Isoladores

Os eletres que orbitam em torno dos tomos de uma substncia podem ser agrupados em funo da energia que possuem. Existem trs Bandas de Energia (para os eletres): Banda de Conduo Banda Proibida Banda de Valncia eletres semi livres partilhados por mais do que um tomo eletres de valncia que adquiriram energia suficiente para circular livremente pela estrutura

Os eletres no podem estar na Banda Proibida Quando se fornece energia aos eletres eles podero saltar (se a energia for suficiente) para a Banda de Conduo 5

3-Tipos de Materiais

Condutor
Banda de Conduo Sobreposio da Banda de Conduo e da Banda de Valncia Banda de Valncia

No existe Banda Proibida Banda de Conduo e de Valncia esto sobrepostas Os eletres esto livres para se movimentarem na estrutura quando surgir um campo eltrico.

Isolador
Banda de Conduo Banda Proibida Banda de Valncia

Banda Proibida muito grande e de elevada energia (6eV) A energia fornecida quase sempre insuficiente para que os eletres saltem para a Banda de Conduo
6

3-Tipos de Materiais

Semicondutor
Banda de Conduo Banda Proibida Banda de Valncia

Banda Proibida relativamente pequena e de baixa energia (1eV) Se os eletres adquirirem energia suficiente para passarem banda de conduo o material fica com as propriedades de um condutor. A baixas temperaturas comportam-se como isoladores Ex de semicondutores:

Silcio (Si) Germnio(Ge) Arsianeto de Glio (ArGa)


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4-Semicondutor Intrnseco
Semicondutor Intrnseco s tem um tipo de tomos

Ex: Silcio Nmero atmico = 14 14 protes 14 eletres (4 eletres de valncia)


Os eletres de valncia so compartilhados pelos tomos de modo a que a cada ncleo estejam associados 8 eletres na rbita mais externa Forma-se uma estrutura cristalina tridimensional (cada tomo est ligado a outros quatro)
8

4-Semicondutor Intrnseco
+4 +4 +4 +4

+4

+4

+4

+4

Baixas temperaturas
(seco de um semicondutor)

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

temperatura ambiente quebram-se algumas ligaes covalentes (eletres


que adquirem energia suficiente para se libertarem) e cria-se um par:

Eletro livre Lacuna

Os eletres movem-se livremente na estrutura cristalina. O movimento aleatrio e a corrente mdia nula. 9

4-Semicondutor Intrnseco
Quando se aplica uma ddp ou campo eltrico aos extremos de um semicondutor os eletres passam a ter um movimento orientado. deslocam-se no sentido contrrio ao do campo eltrico ( + - ) Este movimento mdio define uma corrente. Quando se solta um eletro o tomo fica instvel e atrai outro eletro o que faz com que haja tambm um movimento de lacunas Surge assim uma corrente originada por dois fenmenos. O movimento de: Eletres livres Lacunas

10

4-Semicondutor Intrnseco

O movimento de lacunas contrrio ao movimento de eletres Nos semicondutores intrnsecos o nmero de eletres livres e/ou
de lacunas o mesmo e muito reduzido

Em termos prticos no se conseguem obter resultados teis do


ponto de vista de condutibilidade.

A soluo aumentar o nmero de portadores Eletres livres Lacunas


atravs de uma adio de eletres livres/lacunas a este tipo de material -semicondutor extrnseco 11

5-Semicondutor Extrnseco

O semicondutor extrnseco surge quando so Obtm-se ento:

adicionadas pequenas quantidades de impurezas ao semicondutor intrnseco

Semicondutor Extrnseco ou Semicondutor Dopado


1 tomo de impureza por cada 108 tomos de Silcio aumenta a condutividade 24.000 vezes Podemos utilizar impurezas com:
eletres em excesso lacunas em excesso

dando origem a semicondutores:


tipo n tipo p, respetivamente
12

5.1-Semicondutor tipo n
Dopagem com tomos do Grupo V (5 eletres na rbita de valncia)
Antimnio (Sb) Fsforo (P) Arsnico (As)

Quando se ligam a tomos do Grupo IV (Si) o quinto eletro fica livre Estes eletres livres constituem portadores maioritrios no semicondutor tipo n
+4 +4 +4 +4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+5

+4

Os elementos do Grupo V so denominados impurezas do tipo n ou dadoras


Impureza Eletro livre
13

+4

+4

+4

+4

5.2-Semicondutor tipo p
Dopagem com tomos do Grupo III (3 eletres na rbita de valncia)
Boro (B) Glio (Ga) ndio (In)

Quando se ligam a tomos Grupo IV (Si) "falta" um eletro de valncia (surge


uma lacuna)

Estas lacunas constituem os portadores maioritrios no semicondutor tipo p


+4 +4 +4 +4

+4

+4

+4

+4

Os elementos Grupo III so denominados impurezas do tipo p ou aceitadoras


Lacuna

+4

+4

+3

+4

+4

+4

+4

+4

Impureza

14

6-diodo

Sabemos que a condutividade dos semicondutores extrnsecos


superior dos intrnsecos.

A utilizao de um semicondutor extrnseco de um nico tipo


(tipo n ou p) ainda no til em termos prticos. A soluo passa pela utilizao conjunta de semicondutor extrnseco de tipo n e p.

Duas placas de semicondutor extrnseco de tipo n e p originam


uma juno pn

DIODO

15

6.1-A juno pn

regio tipo p
ies aceitadores (-) lacunas

regio de depleo

regio tipo n
ies dadores (+) eletres

Os eletres fluem inicialmente para o lado P da juno. Perto da juno os portadores (eletres livres e lacunas) recombinam-se formando uma regio de depleo onde apenas existem ies.

16

6.1-A juno pn

O campo eltrico gerado pelas cargas de sinal oposto que se


encontram nos dois lados da juno aumenta com o aumento da zona de depleo.

Este campo suficiente para travar as correntes de difuso.


Forma-se uma barreira de potencial (que no silcio 0.7V)

6.2-Smbolo do Dodo

ctodo

nodo

17

6.3-A juno pn inversamente polarizada

A polaridade da fonte
de tenso favorece o aumento da zona de depleo.

As lacunas do lado p e os eletres do lado n so afastados da


juno => regio de depleo aumenta

Diminui o fluxo de portadores maioritrios atravs da juno Barreira de potencial aumenta Se a tenso inversa for muito elevada os pares eletro lacuna
adquirem tal energia que no seu deslocamento destroem o semicondutor 18

6.4-A juno pn diretamente polarizada

A polaridade da fonte
favorece a diminuio da zona de depleo.

A barreira de potencial diminui


=> portadores maioritrios atravessam a juno => surge uma corrente no sentido p - n (corrente direta)

Quando barreira de potencial de:


0.7V para o silcio 0.3V para o germnio

atinge-se a estabilidade (o valor da barreira de potencial no diminui mais)

Teoricamente uma corrente infinita pode atravessar o diodo.


Qual a soluo?
19

Exemplo interativo

http://www-g.eng.cam.ac.uk/mmg/teaching/linearcircuits/diode.html

20

Exemplos de diodos

21

Bibliografia
Albert Paul Malvino, Princpios de Eletrnica pgina 32 a 53 Antnio J. G. Padilla, Eletrnica Analgica pgina 313 a 320 Jacob Millman, Arvin Grabel, Microelectronics pgina 21 a 42 e 46 a 50
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Eletrnica

DIODOS SEMICONDUTORES
1 -Dodo 2-Diodo de Zener 3-LEDs (Dodos Emissores De Luz) 4-Foto diodos 5-Circuitos Limitadores
5.1-Limitador Superior 5.2-Limitador Inferior 5.3-Limitador a Dois Nveis 5.4-Limitadores com diodos Zener 6-Circuitos Retificadores 6.1-Rectificador De Meia Onda 6.2-Rectificador De Onda Completa 6.3-Filtragem (Por Condensador) 6.4-Cuidados a ter

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1.1 Curva Caracterstica do diodo

Smbolo do diodo
nodo ctodo

Curva caracterstica do diodo

(grfico V / I)

VD

Quando o diodo est polarizado diretamente, a corrente cresce


exponencialmente com a tenso aplicada. Quando o diodo est inversamente polarizado a corrente praticamente nula. Existe somente uma corrente de fugas.
24

1.1 Curva Caracterstica do diodo


Tenso de limiar V a tenso a partir da qual o diodo comea a conduzir 0.3V para o Ge 0.7V para o Si Comportamento perante variaes de temperatura Cada vez que a temperatura aumenta 1C a tenso V diminui 2.2mV dV
dt = 2 .2 m V / C

Na anlise de circuitos com diodos usam-se modelos equivalentes, onde se toma em considerao:
Tenso de limiar V Resistncia direta do diodo ron Resistncia inversa do diodo roff

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1.3 Modelos Equivalentes


1 APROXIMAO (diodo ideal)
ron=0 roff= V=0V
i

VD

Esta aproximao aplica-se somente quando se faz uma anlise pouco rigorosa do comportamento dos circuitos Se o diodo est ON tem como modelo equivalente um curto circuito Se est OFF o modelo equivalente um circuito aberto

26

1.3 Modelos Equivalentes


2 APROXIMAO
ron=0 roff= V uma tenso de acordo V VD com o material semicondutor Esta aproximao no a real mas o erro que comete mnimo. portanto o modelo mais utilizado.

Se o diodo est ON tem como modelo equivalente uma fonte de tenso de valor V Se est OFF o modelo equivalente um circuito aberto
V

27

1.3 Modelos Equivalentes


3 APROXIMAO
ron=tem um valor roff= V uma tenso de V VD acordo com o material semicondutor Esta aproximao leva em conta a influncia da resistncia direta do diodo no circuito.

Se o diodo est ON tem como modelo equivalente uma fonte de tenso de valor V em srie com uma resistncia ron Se est OFF o modelo equivalente um circuito aberto

ron

28

1.3 Modelos Equivalentes


Dependendo da aplicao e do rigor da anlise pode-se adotar qualquer um dos modelos Anlise de circuitos contendo diodos Determina-se os intervalos (em funo das tenses do circuito) em que o diodo est ON e OFF Para cada intervalo substitui-se o diodo pelo respetivo modelo Analisa-se o circuito recorrendo aos mtodos usuais para estudar o funcionamento de circuitos lineares
29

diodo Zener
Os diodos Zener so diodos desenhados para operar quer
diretamente quer inversamente polarizados.

So diodos de juno PN em que as concentraes de impurezas so


substancialmente maiores que as dos diodos normais.

Possuem tambm capacidades de dissipao de potncia


melhoradas em relao aos diodos normais.

Os diodos Zener so vulgarmente aplicados em circuitos de


regulao de tenso, ou noutras aplicaes onde se exige uma tenso de referncia constante.
i nodo ctodo

30

2.1 Curva Caracterstica do diodo Zener

Smbolo Caracterstica V / I
I

3 Estados Possveis: ON Diretamente Polarizado ON Inversamente Polarizado OFF

Vz V VD

Parmetros
V (tenso de limiar) 0.7V para o Si VZ (tenso de zener) 3.3V, 3.9V, 6.2V, 9.1V, 16V, (depende do componente em causa)
31

2.1 Curva Caracterstica do diodo Zener 1 quadrante - Polarizao Direta


funcionamento igual ao do diodo normal (o diodo fica on quando a

tenso ultrapassa a tenso de limiar)


I Vo

R Vi

VD

32

2.1 Curva Caracterstica do diodo Zener


3 quadrante - Polarizao Inversa quando se tenta aplicar uma tenso superior (em mdulo) tenso de zener o componente fica polarizado inversamente e mantm uma diferena de potencial aproximadamente igual a VZ para a tenso se manter igual a VZ a corrente varia
R Vi Iz Vo

Se a corrente IZ se mantiver dentro de certos limites a tenso Vo ser praticamente constante e igual a VZ Se a tenso Vi variar de modo que a corrente IZ esteja dentro dos limites (I1, I2) Vo mantm-se constante e igual a VZ
Vz I V I1 I2

33

2.1 Curva Caracterstica do diodo Zener


Normalmente os zeners so escolhidos em funo de dois parmetros: tenso de zener (VZ) potncia nominal (P = VZ IZ) determina a corrente mxima que o zener suporta O fabricante especifica as coordenadas do ponto de operao Q do diodo zener:
V = rz I

Como a corrente que circula pelo Zener neste ponto IZT, a tenso sobre ele tambm mudar, embora ligeiramente (caracterstica quase linear):
V = rz I

rZ a resistncia dinmica (ou incremental) do diodo no ponto de operao Q. Quanto menor o valor de rZ, mais constante ser a tenso de zener com as variaes da sua corrente , e portanto mais o seu funcionamento se aproxima do 34 ideal.

2.2 Modelos Equivalentes


Existem 3 Estados Possveis: OFF ON Diretamente Polarizado ON Inversamente Polarizado Se est OFF o modelo equivalente do diodo um circuito aberto Se est ON Diretamente Polarizado os seus modelos equivalentes so os do
diodo normal. Possui 3 modelos equivalentes consoante o rigor da anlise (pg. 26, 27, 28).

Se est ON Inversamente Polarizado existem duas aproximaes ou dois


modelos equivalentes.

35

2.2 Modelos Equivalentes


1 APROXIMAO rz=0 VZ = valor especfico de cada zener

Vz

O zener equivalente a uma fonte de tenso de valor VZ. Esta aproximao no considera a resistncia dinmica do diodo. 2 APROXIMAO rz= tem um valor VZ = valor especfico de cada zener

Vtotal Vz rz

O zener equivalente a uma fonte de tenso de valor VZ. em srie com a resistncia dinmica do diodo. Vtotal = VZ + rZ I Z

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3- LEDs
LED (Ligth Emitting Diode) diodos Emissores de Luz
No diodo led a energia libertada quando se quebra uma ligao covalente no cristal, no toda dissipada sob a forma de calor. Parte da energia libertada aparece sob a forma de radiao, sendo para o efeito dopado de uma forma especial. Existem determinados materiais em que esta libertao de energia efetuada sob a forma de luz (fosforeto de glio (GaP), arsenofosforeto de glio (GaAsP)). O processo de produo de luz por aplicao de uma fonte de energia eltrica designa-se por eletroluminescncia. O LED fabricado com base neste processo (apenas emite luz quando diretamente polarizado)
37

3- LEDs

O diodo led emite luz quando polarizado diretamente. Existem LED's de vrias
cores
vermelho verde amarelo assim como na zona dos infravermelhos (luz no visvel ao olho humano)

Dependendo da cor do LED a tenso direta aplicada deve


estar compreendida entre 1,8V e 2,4V.

Dependendo da tenso de alimentao aplicada, necessrio


dimensionar uma resistncia que limite a corrente. Para o LED acender esta corrente deve estar entre 5mA e 10mA. 38

3- LEDs
Os leds tm diversas aplicaes no campo da eletrnica, nomeadamente:
Na substituio de pequenas lmpadas piloto de incandescncia e de gs. Sistemas eletrnicos de pequena potncia (como indicadores de luz), fabrico de mostradores luminosos (por ex. displays de sete segmentos, usados nos mostradores das mquinas calculadoras) Aparelhos de medida. Recetores de rdio etc.

Apresentam grande durabilidade e rapidez de resposta (nanossegundos).


39

4- Foto diodo

Numa juno PN iluminada, a corrente varia linearmente com o


fluxo luminoso.

Os pares eletro-lacuna num foto dodo inversamente polarizado,


variam com a luz incidente.
I

Vg

Intensidade luminosa

40

Nomenclatura dos diodos


Nomenclatura Europeia:
1 Letra 2 Letra A: Dodo de baixa potncia A: Dispositivo de Germnio B: Transstor de potncia para aplicaes de alta frequncia C: Transstor para baixa frequncia D: Transstor de potncia para baixa frequncia B: Dispositivo de Silcio F: Transstor para alta frequncia N: Opto-acoplador C: Dispositivo de Arsenieto de Glio S: Transstor de potncia para aplicaes de comutao Y: Dodo rectificador Z: Dodo zener 3 algarismos: aplicaes em aparelhos domsticos N de Srie

1 letra + 2 algarismos: aplicaes em aparelhos profissionais

B A 548
S ilc io D o d o d e b a ix a p o t n c ia N d e s r ie

Nomenclatura Americana
baseia-se somente numa referncia, constituda por um dgito seguido de
uma letra e um nmero de srie. Exemplo: 1N4007 (juno de silcio da srie 4000)
41

Nomenclatura dos diodos Zener


Classificao especfica de diodos zener

42

5- Circuitos Limitadores

So circuitos que restringem o sinal de entrada. Usados para: proteo de circuitos sinalizao de determinados nveis Os limitadores podem atuar: Superiormente Limitador Superior Inferiormente Limitador Inferior Superiormente e inferiormente Limitador a dois nveis
43

5.1- Limitador Superior


D Vs R VR Vo
D Vs R VR D Vs R VR Vo Vo

Se Vs<VR diodo ON
V0=Vs

Se Vs>VR diodo OFF


V0=VR
Vo

VR

VR

m=1

Vi

Curva de Transferncia
A curva, caracterstica ou funo de transferncia relaciona a tenso de sada com a de entrada. Esta caracterstica pode ser usada para obter o sinal de sada 44 se se conhecer o de entrada.

5.2- Limitador Inferior


D Vs R VR
D Vs R VR D Vo

Vo

Se Vs>VR diodo ON Se Vs<VR diodo OFF


Vo

V0=Vs V0=VR
Vs

R VR

Vo

m=1
VR

VR

Vi

Curva de Transferncia

45

5.3- Limitador a dois Nveis


R Vs VR2 VR1 D2 D1 Vo

VR2>VR1
R D2 D1 Vo VR2 VR1

Se Vs<VR1 D1 ON, D2 OFF


V0=VR1 (a sada toma o valor de VR1)

Vs

D2

D1 Vo

Se VR1<Vs<VR2 D1, D2 OFF


V0=Vs (a sada segue a entrada)

Vs VR2 VR1

Se Vs>VR2 D1 OFF, D2 ON
V0=VR2 (a sada toma o valor de VR2)

R Vs

D2

D1 Vo

VR2

VR1

46

5.3- Limitador a dois Nveis


Funo de Transferncia
Vo

VR2

m=1

VR1 VR1 VR2 Vi

47

5.4- Limitadores com diodos Zener


Utilizando apenas um diodo Zener possvel construir um limitador de dois nveis Um dos nveis fixado pela tenso Vz, dependendo apenas do Zener escolhido O outro nvel imposto pela polarizao direta do Zener e consequentemente fixado pela tenso V
Vi

R vi(t)
Vz

Vo

Vz -Vg t

vo(t)

48

5.4- Limitadores com diodos Zener


R vi(t) D Off R R vi(t)
Vz

vo(t)

A B C

rz Vz vo(t)

D Zener vi(t) vo(t)

D On vi(t)

ron Vg vo(t)

A B C

vo = vi
vo =

V < vi < VZ

rZ R vi + VZ R + rZ R + rZ
ron R vi V R + ron R + ron

vi VZ

vo VZ
vo =

vo V

vi V

49

5.4- Limitadores com diodos Zener


Limitador de Dois Nveis Usando dois diodos Zener ligados em anti-srie (como se mostra na figura), consegue-se implementar um limitador de dois nveis Usando dois diodos Zener iguais (mesma tenso de Zener), os limites inferior e superior da tenso de sada so respetivamente: -(Vz+V) e (Vz+V) Para valores da tenso de entrada entre estes dois limites, os diodos no conduzem e o sinal de sada segue a entrada
Vo

R
Vz

D1 vo(t)
Vz

m=1 -(Vz+Vg) Vz+Vg

vi(t) D2

Vi

50

6- Circuitos Retificadores
Retificar obter uma tenso com um s sentido e de valor mdio no nulo Converter tenses alternadas em tenses contnuas Quando se pretende ter um valor mdio mais alto e uma ondulao menor
coloca-se na sada do retificador um filtro (um condensador)
vi(t) ac
vi(t) VMax 0 2 3 4 = wt

vo(t) RECTIFICADOR dc

vo(t) VMax 0 2 3 4 = wt

Retificadores de:
meia onda onda completa
transformador com ponto mdio ponte de diodos
51

6.1- Retificador de Meia Onda


Considerando: V = 0 Ron = 0 Roff =

~220v

vi(t)

RL vD(t) i(t)

O diodo conduz nas alternncias positivas do sinal. A corrente na resistncia circula sempre no mesmo sentido. A tenso V0 sempre positiva.
vi(t) V Max 0 i(t) IMax 0

Vi(t) = V Max sin


2 3 4 =
wt

i(t) = IMax sin ; 0 i(t) = 0 2 IMax = V Max / R L


2 3 4 = wt

52

6.1- Retificador de Meia Onda


Se ligarmos um voltmetro DC aos terminais de R qual ser o valor medido? O valor medido ser o valor mdio (ou valor DC) da tenso aos terminais de R.
V a lo r m d io d a c o rre n te

I DC

1 = 2
1 2

1 i d = 2

I
0

M ax

s in

d
( 1) ]

I DC =
P o rta n to

[ I M ax c o s
I M ax

]0

I M ax [1 2

I DC =

V a lo r m d io d a te n s o e m R L

VDC = I DC

RL =

I M ax

RL =

V M ax

53

6.2- Retificador Onda Completa


Transformador com ponto mdio o transformador possui um terminal mdio no enrolamento secundrio D1 V = 0 R on = 0 v1(t) R off = ~220v
v2(t) i(t) RL

D1 conduz quando V1 positivo D2 conduz quando V2 negativo


v1(t) V M ax 0

D2

v2(t) V M ax 2 3 4 = wt 0 2 3 4 = wt

i(t) I M ax 0

= wt
54

6.2- Retificador Onda Completa


Valor mdio da corrente

I DC =

2 I Max

2 I Max

Valor mdio da tenso

VDC = I DC RL =

RL =

VDC =

2 VMax

A retificao de onda completa mais eficiente que a de meia onda j que o valor mdio do sinal retificado o dobro.
55

6.2- Retificador Onda Completa


Ponte de diodos
D4 ~220v vi(t) D3 D2 D1 i(t) RL

V = 0 R on = 0 R off =

Em cada alternncia esto dois diodos ON e dois diodos OFF


D1 e D3 esto ON na alternncia positiva (Vi positivo) D2 e D4 esto ON na alternncia negativa (Vi negativo)

A corrente na resistncia circula sempre no mesmo sentido. A tenso V0 sempre positiva.


56

6.2- Retificador Onda Completa

v i( t) V M ax

Valor mdio da corrente


0

= w t

I DC =
Valor mdio da tenso

2 I Max

2 I Max RL

v o (t) V M ax

VDC = I DC RL =
0 2 3 4 = w t

VDC =

2 VMax

57

6.3- Retificador Com Filtragem

A tenso de sada produzida pelos circuitos retificadores discutidos anteriormente tem uma natureza pulsada o que a torna inadequada como tenso de alimentao contnua para circuitos eletrnicos. Uma forma simples de reduzir a variao da tenso ligar um condensador em paralelo com a resistncia de carga. Assim reduzimos substancialmente as variaes nas tenses de sada.
58

6.3- Retificador Com Filtragem

~220v

vi(t)

D C

RL

vo(t)

v i(t) V M ax

= w t

Coloca-se um condensador em paralelo com a carga O condensador: carrega durante o perodo de conduo do dodo descarrega para a carga quando o dodo no conduz
vi(t)

v o (t) V M ax

0 t0 t1 i(t ) IM ax

2
t2

= w t

0 t0 t 1

2
t2

= w t

t0 a t1 -> dodo ON t1 a t2 -> dodo OFF

59

6.3- Retificador Com Filtragem


D4 ~220v vi(t) D3 D2 D1 C RL

vi(t) V M ax

= wt

vo(t) V M ax

V R - tenso de ripple T 1 - Dodo ON T 2 - Dodo OFF

VR

T1T2

= wt

A filtragem mais efetiva se a retificao for de onda completa

60

6.3- Retificador Com Filtragem


VDC = VMax VR 2
(*)

Expressar VR em funo da corrente de carga e da capacidade Considerando que T2 o tempo que o condensador est a fornecer corrente carga o condensador descarrega com uma corrente constante IDC Aproximando as curvas a rectas o total de carga perdida ser

Q = I DC T2
Variao da tenso no condensador

V =

Q C

V =

I DC T2 C

(**)
61

6.3- Retificador Com Filtragem


Assumindo que o tempo de conduo T1 muito menor que T2 ento podemos considerar que

1 T2 = = 2 2f
f a frequncia da tenso alternada (transformador) Substituindo em (**)

V = V R =
Substituindo em (*)

I DC 2fC

VDC = VMax

I DC 4 f C

A tenso de ripple varia directamente com a corrente na carga e inversamente com a capacidade do condensador e / ou a frequncia no transformador
62

6.3- Retificador Com Filtragem


D ado q u e

I DC
en to

V DC = RL
V DC f R

V D C = V M ax
p o rtan to

V DC =

(4 (4
f

f RL

RL C

C) + 1)

V M ax

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6.3- Retificador Com Filtragem

Caso a onda de sada no seja proveniente de um sinal


sinusoidal o clculo da tenso mdia de sada feito com base na seguinte expresso:
VODC = 1 V0 (t )dt TT

T o perodo da onda de sada Como o clculo do integral corresponde ao clculo da rea


VODC 1 = + A re a d e V 0 (t ) T

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Eletrnica

Bibliografia
Albert Paul Malvino, Princpios de Eletrnica pgina 64 a 81, 92 a 129 e 146 a 168 Antnio J. G. Padilla, Eletrnica Analgica pgina 73 a 86 e 97 a 101 Jacob Millman, Arvin Grabel, Microelectronics pgina 50 a 76
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