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Systmes lectroniques

__________ Chapitre 2

LES AMPLIFICATEURS DE PUISSANCE

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Marc Correvon

T A B L E

D E S

M A T I E R E S
PAGE

2.

LES AMPLIFICATEURS DE PUISSANCE. .............................................................................................................3 2.1 2.1.1 2.1.2 2.1.3 2.2 2.2.1 2.2.2 2.2.3 2.2.4 2.3 2.4 2.5 2.5.1 2.5.2 2.6 2.6.1 2.6.2 2.6.3 2.7 2.7.1 2.7.2 2.7.3 2.7.4 2.8 2.8.1 2.8.2 2.8.3 2.8.4 2.8.5 2.8.6 RAPPEL DES RELATIONS FONDAMENTALES POUR LE CALCUL DE CIRCUITS DE PUISSANCE ..................................3 Valeur moyenne d'un signal priodique ................................................................................................ 3 Valeur moyenne d'un signal alternatif................................................................................................... 3 Puissance dissipe par un signal priodique quelconque ...................................................................... 3 CLASSIFICATION DES AMPLIFICATEURS DE PUISSANCE .........................................................................................5 Amplificateurs de puissance Classe A .................................................................................................. 5 Amplificateurs de puissance Classe B................................................................................................... 5 Amplificateurs de puissance Classe C................................................................................................... 5 Amplificateurs de puissance Classe D .................................................................................................. 5 CRITRES DE SLECTION D'UNE CLASSE D'AMPLIFICATEUR ..................................................................................6 CARACTRISTIQUES GNRALES D'UN AMPLIFICATEUR AUDIO DE PUISSANCE ....................................................6 AMPLIFICATEUR DE CLASSE A...............................................................................................................................7 Amplificateur montage metteur commun ......................................................................................... 7 Amplificateur montage collecteur commun ..................................................................................... 17 AMPLIFICATEUR DE CLASSE B ET AB..................................................................................................................19 Amplificateur Classe B ....................................................................................................................... 19 Les amplificateurs Classe AB ............................................................................................................. 20 Emballement thermique des amplificateurs push-pull en classe AB................................................... 34 AMPLIFICATEUR CLASSE C ..................................................................................................................................38 Gnralits .......................................................................................................................................... 38 Fonctionnement................................................................................................................................... 39 Puissance et rendement dans les amplificateurs classe C.................................................................... 41 Utilisation de l'amplificateur classe C comme multiplicateur de frquence........................................ 43 AMPLIFICATEUR CLASSE D .................................................................................................................................44 Gnralits .......................................................................................................................................... 44 Structure de la commande de l'tage de sortie..................................................................................... 45 Rendement de l'tage de sortie ............................................................................................................ 45 Choix de la frquence de pulsation ..................................................................................................... 45 Distorsion de l'amplificateur classe D ................................................................................................. 45 Exemple de ralisation ........................................................................................................................ 46

Bibliographie

LES AMPLIFICATEURS DE PUISSANCE

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2. LES AMPLIFICATEURS DE PUISSANCE. 2.1 2.1.1 RAPPEL DES RELATIONS FONDAMENTALES POUR LE CALCUL DE CIRCUITS DE PUISSANCE Valeur moyenne d'un signal priodique Un signal priodique est dfini par la relation

x(t ) = x(t + T ) = x(t + k T )


La valeur moyenne X T sur la priode T vaut XT = 1 1 1 x(t ) dt = x(t ) dt T 0 T t1
T t +T

2.1

2.2

La valeur moyenne est indpendante du temps de rfrence partir duquel on mesure T. 2.1.2 Valeur moyenne d'un signal alternatif Par dfinition, un signal alternatif est un signal priodique particulier dont la valeur moyenne est nulle
x(t)
1.5

0.5

-0.5

-1

-1.5

10

t [ms]

Figure 2-1 : Amplificateur Classe A

2.1.3

Puissance dissipe par un signal priodique quelconque

2.1.3.1 Dfinition Sur la base des dfinitions prcdentes, on voit que tout signal priodique x(t) peut tre dcompos en deux parties : une composante continue une composante alternative : X0 : x(t)

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de sorte que x(t) peut s'crire : x(t ) = X 0 + x(t ) 2.1.3.2 Puissance instantane et puissance moyenne La puissance instantane d'un signal priodique quelconque est dfinie par la relation p (t ) = u (t )i (t ) = (U 0 + u (t )) ( I 0 + i (t )) et selon la dfinition de la valeur moyenne, on obtient pour la puissance moyenne
P= 1 1 u (t ) i (t ) dt = (U 0 I 0 + u (t ) i (t ) + U 0 i (t ) + I 0 u (t ) dt T t T t
t +T t +T

2.3

2.4

2.5

et sachant que la valeur moyenne d'un signal alternatif est nulle


1 P = U0 I0 + T
t +T

u (t ) i(t ) dt = P
t

DC

+ PAC

2.6

La puissance moyenne d'un signal priodique est donc donne par la somme de la puissance lie la composante continue du signal PDC et la puissance moyenne de la composante alternative de ce signal PAC. Les termes mixtes disparaissent. Cette proprit importante simplifiera considrablement le calcul de la puissance dans les circuits transistors o le petit signal alternatif amplifier est le plus souvent superpos une polarisation continue qui fixe le point de fonctionnement de l'lment actif. 2.1.3.3 Cas particulier d'un signal sinusodal La tension et le courant s'expriment l'aide des relations
u (t ) = sin( t ) i (t ) = sin( t + )

2.7

La puissance moyenne alternative PAC prend la forme


PAC = 1 T
t +T

sin( t ) sin( t + ) dt =
t

cos( ) = U I cos( ) 2

2.8

o U et I sont les valeurs efficaces de u(t) et i(t)

U=

et I = 2 2

2.9

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2.2 2.2.1

CLASSIFICATION DES AMPLIFICATEURS DE PUISSANCE Amplificateurs de puissance Classe A

Les amplificateurs de classe A sont les amplificateurs linaires les plus fidles, c'est--dire prsentant le taux de distorsion harmonique le plus faible, mme en l'absence de raction ngative. Leur rendement est toutefois tellement faible que leur usage est gnralement limit aux amplificateurs de trs faible puissance ou encore aux amplificateurs haute-fidlit haut de gamme de puissance moyenne. L'amplificateur est constitu d'un tage de sortie ne comportant qu'un seul transistor. Le point de repos se situe approximativement au milieu de la droite de charge. En fonction du signal amplifier, il peut donc se dplacer de part et d'autre de ce point le long de la droite de charge.
2.2.2 Amplificateurs de puissance Classe B

Les amplificateurs classe B (et surtout leur variante de classe AB) sont de loin les amplificateurs les plus utiliss. Quand on leurs associe une boucle de raction ngative, leur distorsion tombe un niveau extrmement faible. Leur rendement est trs bon et ils peuvent aisment fournir des puissances de sortie leves. L'amplificateur est constitu d'un tage de sortie comportant deux transistors complmentaires. Le point de repos se situe la limite du blocage de chaque transistor. Pour pouvoir amplifier les deux alternances d'un signal sinusodal, il faut que l'un des transistors amplifie les alternances positives et le second les alternances ngatives.
2.2.3 Amplificateurs de puissance Classe C

Les amplificateurs de classe C sont des amplificateurs non-linaires trs haut rendement. Ils ne sont toutefois utilisables que dans les amplificateurs HF (metteur radio) avec des porteuses non modules en amplitude. Ils gnrent un nombre considrable d'harmoniques qui doivent tre filtres la sortie l'aide de circuits accords appropris. L'tage de sortie est constitu d'un seul transistor. Le point de repos se situe largement dans la rgion bloque des caractristiques de ce dernier. Seules les crtes des alternances positives du signal d'entre feront apparatre un signal de sortie. Ce type d'amplificateur ne s'emploie que pour des applications particulires, parmi lesquelles on peut citer les amplificateurs HF accords (pour signaux non-moduls en amplitude), les multiplicateurs de frquence, etc
2.2.4 Amplificateurs de puissance Classe D

Les amplificateurs classe D ont le rendement le plus lev de tous les amplificateurs linaires, mais ils prsentent un taux de distorsion harmonique lgrement suprieur aux amplificateurs de la classe B ou AB. Ils sont utiliss par exemple dans les amplificateurs d'autoradio. L'tage de sortie fonctionne en commutation, c'est--dire entre deux niveaux de tension. La frquence de commutation est fixe mais le rapport cyclique de commutation est variable. Le signal BF amplifier est donc cod en modulation de largeurs d'impulsions (MLI ou PWM : Pulse-Width-Modulation). La frquence de commutation est au moins d'un ordre de grandeur suprieur la frquence maximum du signal BF. Ce signal est reconstitu par filtrage passebas la sortie.

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2.3

CRITRES DE SLECTION D'UNE CLASSE D'AMPLIFICATEUR

De nombreux critres peuvent tre pris en compte lors de la slection d'un amplificateur. Les points importants tant :
2.4

la puissance de sortie. Le rendement. La puissance maximale que peut dissiper l'lment actif. Le gain (en tension, en puissance). La distorsion. La frquence maximale de travail.

CARACTRISTIQUES GNRALES D'UN AMPLIFICATEUR AUDIO DE PUISSANCE

Un amplificateur audio de puissance reoit gnralement son entre un signal de faible amplitude (infrieur 1V) et de faible puissance et doit dlivrer sa sortie un signal de forte puissance (gnralement entre 10W et 100W) dans une charge dont l'impdance est relativement faible (l'impdance nominale typique d'un haut-parleur est de 4 16). L'tage de sortie doit donc produire un signal dont la tension et le courant ont des amplitudes leves. En principe, il est souhaitable que le gain en tension de l'tage de sortie soit indpendant de l'impdance de la charge, ce qui lui permet de s'adapter des haut-parleurs de diffrentes impdances sans modifier l'amplitude de la tension de sortie et donc sans provoquer de saturation ou de distorsion inacceptable. Pour satisfaire cette condition, il faut une configuration prsentant une impdance de sortie trs faible. En effet, dans un amplificateur prsentant une impdance de sortie leve, le gain en tension sera directement proportionnel RL. Par contre, pour un amplificateur faible impdance de sortie, le gain en tension sera pratiquement indpendant de RL.
ii

Amplificateur

R0

i0

ui

Ri

A'Vui

u0

RL

Figure 2-2 : Amplificateur de tension

AV =

u0 RL ' = AV ( AV si R0 << RL ) ui R0 + RL

2.10

Les montages amplificateurs faible impdance de sortie sont du type collecteur commun (bipolaire) ou drain commun (MOS). C'est gnralement ce type de configuration que l'on retrouvera dans les tages de sortie de puissance. Un montage collecteur ou drain commun offre un gain unitaire en tension. Son rle sera donc de reproduire la tension applique son entre, mais avec un courant de sortie lev. L'tage prcdant l'tage de sortie, souvent appel tage "driver", devra donc dlivrer la pleine tension du signal de sortie, mais sous une puissance limite. Cet tage driver aura donc gnralement un gain en tension lev et devra offrir une dynamique maximale pour le signal de sortie.
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Un tage d'entre prcde gnralement l'tage driver. Celui-ci joue le rle d'interface entre la source extrieure amplifier et l'entre de l'tage driver. L'tage d'entre permet galement de raliser une boucle de raction ngative en combinant le signal de rtroaction avec le signal d'entre. Cette configuration gnrale sera tudie dans le cas de l'amplificateur classe B. En effet, les amplificateurs de la classe A sont gnralement des amplificateurs de faible puissance, dont la charge est fixe (impdance connue). Dans ce cas, le nombre d'tage est trs limit et on fera souvent appel un simple montage metteur commun.
2.5 2.5.1 AMPLIFICATEUR DE CLASSE A Amplificateur montage metteur commun

2.5.1.1 Structure de base L'tage de sortie de l'amplificateur metteur commun se prsente sous la forme illustre par la Figure 2-3
VCC RL

VCC RL

iC(t) Q uC(t)

IC0 Q UC0
Q

iC(t)

uC(t)

RL

uC(t) C UC0 uC(t) t

UC0

uC(t) C t

iC(t)

IC0
C IC0 iC(t) t

iC(t)

C t

Point de fonctionnement

Polarisation

Accroissement

Figure 2-3 : Amplificateur Classe A metteur commun (tage de sortie)

Les signaux uC(t) et iC(t) sont constitus de la polarisation laquelle se superpose le signal alternatif amplifier.
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La Figure 2-4 illustre le fonctionnement de ce type de montage vu par le transistor. Les limites d'excursion de la tension uC sont donnes par la tension d'alimentation VCC et par la tension de saturation uCEsat du transistor.
IC IC

ICM

Point de repos IC0 iC

UBE0

UBE

uCEsat

UC0

uC

VCC

UC

Figure 2-4 : Droite de charge et point de repos (polarisation)

En se rfrant la Figure 2-3, et en sachant que tout signal priodique peut tre dcompos en un signal continu constitu de la valeur moyenne et d'un signal alternatif valeur moyenne nulle, on peut crire uC (t ) = U C 0 + uC (t ) iC (t ) = I C 0 + iC (t ) en rgime sinusodal et pour une charge purement rsistive, on a
uC (t ) = C sin( t ) iC (t ) = C sin( t )

2.11

2.12

2.5.1.1.1

Puissance dissipe dans la charge

La puissance dissipe dans la charge est constitue de la somme de deux termes, le premier tant d la polarisation, le second induit par le signal alternatif p L (t ) = (VCC uC (t )) iC (t ) = (VCC (U C 0 + uC (t )) ( I C 0 + iC (t )) et par consquent la puissance moyenne
PR L = C C 1 p L (t ) dt = (VCC U C 0 ) I C 0 + 2 T0
T

2.13

2.14

cette puissance moyenne peut tre dcompose en une puissance due au courant de polarisation

PR L DC = (VCC U C 0 ) I C 0

2.15

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et une puissance utile due aux variations de tension et de courant aux bornes de la charge PR L AC = 2.5.1.1.2 C C 2 2.16

Puissance dissipe dans le transistor

La puissance dissipe dans le transistor se calcule selon le mme principe. Il est cependant essentiel de remarquer que lorsque le courant augmente de C dans le transistor, la tension ses bornes est rduite de C en raison de l'augmentation de la tension aux bornes de la charge. C et C sont donc en opposition de phase dans le transistor, ce qui donne un signe ngatif leur produit : pQ (t ) = uC (t ) iC (t ) et par consquent la puissance moyenne
1 1 PQ = pQ (t ) dt = (U C 0 + uC (t )) ( I C 0 + iC (t )) T0 T0 =U C 0 I C 0 C C 2 2.5.1.1.3 Puissance fournie par l'alimentation
T T

2.17

2.18

La puissance totale dissipe peut se calculer comme la somme des puissances dissipes dans le transistor et dans la charge PTOT = PQ + PR L = VCC I C 0 2.19

On vrifie que ce rsultat correspond bien celui obtenu en calculant la puissance dlivre par l'alimentation
PTOT 1 1 = pTOT (t ) dt = VCC ( I C 0 + iC (t )) T0 T0 =VCC I C 0
T T

2.20

2.5.1.1.4

Rendement

Pour le calcul du rendement on nglige la puissance du signal d'entre, qui est infrieure de plusieurs ordres de grandeurs aux autres termes
PR L AC PTOT C C 2 = VCC I C 0

2.21

Le rendement est maximum lorsque C et C sont maximaux, c'est--dire pour

C = C max =

VCC 2

et C = C max = I C 0

Ces valeurs sont accessibles que si l'on choisit :


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UC0 =

V VCC et I C 0 = CC 2 2 RL

Dans ce cas, la puissance utile devient PR L AC max = C max C max VCC I C 0 = 2 4 2.22

et le rendement maximum

max =

PR L AC max PTOT

1 , soit max = 25% 4

2.23

En ralit le rendement maximum ne peut jamais atteindre 25% cause de la tension de saturation UCEsat du transistor.
Cmax

IC ICM C VCC/RL

uC(t) SOAR

Cmax C
PRL= C C 2

Point de fonctionnement DC

IC0 iC(t) PTOT=VCCIC0

Droite de charge : pente -1/RL

VCC/2

VCC

UCE(SUS)

UC

Figure 2-5 : Amplificateur Classe A : Rpartition des puissances

Le tableau ci-dessous permet la comparaison des puissances de polarisation (repos) et condition de rendement maximum max Au repos VCC I C 0 2 VCC I C 0 2 VCC I C 0 Avec max VCC I C 0 4 V I 3 CC C 0 4 VCC I C 0

Puissance dissipe par le transistor Q Puissance totale dans la charge Puissance fournie par l'alimentation

PQ PRL PTOT

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La puissance PQ dissipe dans le transistor est maximale au repos, c'est--dire en l'absence de signal AC La puissance dissipe dans la charge est due en majeure partie la polarisation DC
uC(t) VCC UC0 0 iC(t) VCC/RL IC0 0 pQ(t) PQ repos PQ [max] t Imax=IC0 iC(t) t uC(t) Umax=UC0

Figure 2-6 : Amplificateur Classe A : Puissance instantane dissipe par le transistor

2.5.1.2 limination de la composante continue dans la charge La prsence de la polarisation sur la charge prsente un inconvnient qu'il est possible de supprimer en utilisant un couplage par l'intermdiaire d'un transformateur ou d'un condensateur. 2.5.1.2.1 Structure transformateur intermdiaire

Un tel amplificateur se prsente sous la forme illustre la Figure 2-7. La tension de polarisation du collecteur du transistor vaut U CO = VCC 2.24

La Figure 2-8 montre la droite de charge statique et le point de repos pour un tel montage La droite de charge dynamique a une pente donne par la relation
m= 1 1 = 1 RL (n1 n2 )2 RL

2.25

1 RL reprsente la rsistance de charge rapporte au primaire du transformateur. La pente de la droite de charge dynamique est optimale lorsque le point de repos divise celle-ci en deux parties gales. La droite de charge dynamique doit donc couper l'axe horizontal en 2VCC. Dans ce cas, on peut donc crire la relation

I C 0 (n2 n1 ) = VCC RL
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2.26

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iC(t) n1 iL(t) n2

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VCC
iC(t)

VCC

n1
uC(t)

n2 RL Q

uC(t)

uL(t)

RL

IC0

UC0

uC(t)

UC0

uC(t) C

C VCC uC(t) t

VCC

iC(t)

IC0
C IC0 iC(t) t

iC(t)

C t

Point de fonctionnement

Polarisation

Accroissement

Figure 2-7 : Amplificateur Classe A avec couplage par tranformateur

En admettant la rsistance DC du transformateur ngligeable, le point de repos est situ en


2IC0

IC
Droite de charge statique

Point de repos fix par IB0

IC0
Droite de charge dynamique : pente -1/R1L

UC0=VCC

2VCC

UCE

Figure 2-8 : Droites de charge et polarisation

La Figure 2-9 illustre la rpartition des puissances pour le cas d'une charge optimale (transformateur + rsistance).
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Cmax

IC ICM 2IC0 C

uC(t) SOAR

Cmax C IC0 iC(t)

Droite de charge dynamique : pente -1/R'L Point de repos fix par IB0
PRL= C C 2

PTOT=VCCIC0

VCC

2VCC

UCE(SUS)

UC

Figure 2-9 : Rpartition des puissances

Le rendement de ce type de montage est donn par la relation


C C 2 = VCC I C 0

PR L AC PTOT

2.27

Le rendement est maximum lorsque C et C sont maximaux, c'est--dire pour


C = C max = VCC et C = C max = I C 0

Ces valeurs sont accessibles que si l'on choisit une droite de charge optimale :
U C 0 = VCC et I C 0 =

(n2

n1 ) VCC RL
2

Dans ce cas, la puissance utile devient


PR L AC max = C max C max VCC I C 0 = 2 2

2.28

et le rendement maximum

max =

PR L AC max PTOT

1 , soit max = 50% 2

2.29

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Dans les conditions de rendement maximum, la tension instantane aux bornes du transistor peut atteindre 2VCC. Ceci est possible grce au courant alternatif circulant dans les enroulements du transformateur. Le tableau ci-dessous permet la comparaison des puissances de polarisation (repos) et condition de rendement maximum max Au repos Puissance dissipe par le transistor Q Puissance totale dans la charge Puissance fournie par l'alimentation
2.5.1.2.2 Structure capacit de couplage

PQ PRL PTOT

VCC I C 0

0
VCC I C 0

Avec max VCC I C 0 2 VCC I C 0 2


VCC I C 0

Dans cette structure, un condensateur en srie avec la charge empche la polarisation de la charge. La Figure 2-10 met en vidence la sparation de la polarisation des signaux alternatifs utiles. Lorsque l'on travaille dans la bande passante, la tension aux bornes du condensateur est constante, la tension aux bornes de la charge est identique la tension uCE du transistor . La puissance dissipe dans la charge est dfinie par la relation
PR L
2 C L C = = 2 2 RL

2.30

De mme, la puissance dissipe dans la rsistance RC (polarisation comprise) vaut :


PRC = (VCC U C 0 ) I C 0 + C C 2 = (VCC U C 0 ) I C 0 + C 2 2 RC

2.31

enfin la puissance absorbe par le transistor Q (polarisation comprise) est donne par la relation
PQ = U C 0 I C 0 C Q 2 = UC0 IC0 C 2 C + C R C RL

2 = UC0 IC0 C 2

1 1 R + R L C

2.32

La puissance fournie par l'alimentation prend la forme PTOT = PRL + PRC + PQ = VCC I C 0 2.33

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VCC RC iC(t) iQ(t) Q uC(t) RL uL(t) Q UC0 C iL(t) RC IC0

VCC

iQ(t) iC(t) Q uC(t) RC

iL(t)

RL

uL(t)

uC(t) C UC0

UC0

uC(t) C

UC0

t iC(t) IC0

iC(t)

IC0

IC0

t iL(t) L t IL0

iL(t) L
t

iQ(t)
Q=C+L

IQ0

iQ(t)
Q=C+L

IC0

IC0

Point de fonctionnement

Polarisation

Accroissement

Figure 2-10 : Amplificateur Classe A avec couplage par capacit

La Figure 2-11 illustre un cas les droites de charge statique et dynamique pour un cas quelconque de charge

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IC

Droite de charge dynamique {pente -(1/RL+1/RC)} Droite de charge statique {pente -1/RC} Point de repos fix par IB0

IC0

UC0

VCC

UCE

Figure 2-11 : Droites de charges et polarisation

La puissance maximale transmissible la charge pour une polarisation donne correspond au cas o : le point de repos partage la droite dynamique en deux parties gales l'amplitude du signal AC vaut : C=UC0 et C=IC0 La Figure 2-12 illustre un tel cas de charge. Les surfaces ombres correspondent aux puissances dissipes pour la polarisation

IC
2IC0 Droite de charge dynamique {pente= -(1/RC+1/RL)} Droite de charge statique {pente= -1/RC} Point de repos IC0 PRC= (VCC-UC0)IC0 PQ=UC0IC0 (repos)

UC0

2UC0

VCC

UCE

Figure 2-12 : Rpartition des puissances de polarisation

Le bilan graphique des puissances correspondant aux conditions de fonctionnement rendement maximum max est trac la Figure 2-13
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Cmax

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IC, IQ
2IC0 Cmax+Lmax C

uC(t)

Droite de charge dynamique {pente= -(1/RC+1/RL)} Droite de charge statique {pente= -1/RC}

Cmax

C+L iC(t)

C IC0 PRC PRL C/RC C/RL

iQ(t)=iC(t)+iL(t)

PQ

Cmax

UC0

2UC0

VCC

UCE

Figure 2-13 : Rpartition des puissances

Dans cette figure, on a dplac les droites de charge statique et dynamique vers la gauche pour faciliter la reprsentation graphique. De cette reprsentation, on voit que le rendement maximum est nettement infrieur 25%. 2.5.1.3 Stabilisation thermique du transistor L'adjonction d'une rsistance dans l'metteur RE (avec dcouplage par un condensateur afin de rester en metteur commun) provoque une diminution du rendement.
2.5.2 Amplificateur montage collecteur commun

2.5.2.1 Structure de base L'tage de sortie d'amplificateur collecteur commun se prsente sous la forme illustre par la Figure 2-14
VCC iC(t) Q uCE(t)

RE

Figure 2-14 : Amplificateur Classe A collecteur commun (tage de sortie)

La polarisation d'un tel montage est dfinie par les relations suivantes
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U E 0 = U B0 U J U CE 0 = VCC U E 0 IC I E0 U = E0 RE

2.34

Le montage collecteur commun prsente les avantages suivants impdance de sortie faible. Il est donc mieux adapt aux charges faibles que l'metteur commun. Distorsion plus faible que pour l'metteur commun. Les autres caractristiques sont comparables celles de l'metteur commun. L'tude des puissances dissipes est en tous points comparable celle de montage metteur commun, except que la chute de tension apparat aux bornes de RE au lieu de RC.

IC=IE
2IC0
Droite de charge dynamique : pente 1/RE

IC0

Point de repos fix par UB0

UCE0=VCC-UE0

VCC

UCE

Figure 2-15 : Droite de charge et polarisation

2.5.2.1.1

Rendement

Les conditions, pour une valeur dtermine de RE sont un point de fonctionnement au milieu de la droite de charge U E0 = VCC 2 2.35

et une amplitude maximale du signal AC E = VCC 2 2.36

Le tableau ci-dessous permet la comparaison des puissances de polarisation (repos) et condition de rendement maximum max

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Au repos Puissance dissipe par le transistor Q Puissance totale dans la charge Puissance fournie par l'alimentation PQ PRL PTOT VCC I C 0 2 VCC I C 0 2 VCC I C 0

Avec max VCC I C 0 4 V I 3 CC C 0 4 VCC I C 0

ce qui conduit un rendement maximum max de 25%


2.6 2.6.1 AMPLIFICATEUR DE CLASSE B ET AB Amplificateur Classe B

2.6.1.1 Structure de base En utilisant deux transistors complmentaires polariss la limite du blocage, il est possible de faire en sorte que chacun d'eux amplifie une des polarits du signal d'entre. La Figure 2-16 illustre la structure de base d'un amplificateur classe B
VCC Q1:NPN

ui(t) RL

u0(t)

Q2:PNP

-VCC

Figure 2-16 : Etage de sortie d'un amplificateur classe B

La caractristique de transfert d'un tel montage peut tre reprsente par la Figure 2-17. Chaque transistor ayant besoin d'une tension de jonction UJ pour entrer en conduction, il en rsulte une plage morte de 2UJ, soit environ 1.4V rpartie de manire peu prs symtrique autour de l'origine. Celle-ci donne lieu une distorsion connue sous le nom de "distorsion de cross-over". Cette caractristique est tout particulirement visible pour des signaux de faibles amplitudes. Lorsque l'entre est une tension de polarit positive, c'est le transistor Q1 de type NPN qui conduit, le transistor complmentaire tant bloqu, alors que pour une polarit ngative on se trouve dans la situation inverse. En aucun moment les deux transistors sont conducteurs simultanment Dans les applications ou la distorsion de "cross-over" n'est pas acceptable par exemple pour les amplificateurs audio, il est ncessaire de modifier la structure de base de l'amplificateur classe B afin d'liminer ou tout au moins de rduire drastiquement les non-linarits. Une nouvelle classe d'amplificateurs a donc t dfinie sous la dnomination de la classe AB. Cette classe fait l'objet d'une tude dtaille au paragraphe suivant.
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u0(t)

u0(t)

Q1 (NPN) conducteur

ui(t)
Non-linarit due la caractristique IC=f(UBE) des transistors NPN et PNP Q2 (PNP) conducteur

ui(t)

Gain unit en tension : AV=1

Figure 2-17 : Caractristique de transfert d'un amplificateur classe B

2.6.2

Les amplificateurs Classe AB

2.6.2.1 Structure de base La structure de base de la sortie de l'amplificateur B a t modifie au niveau de la polarisation. Au repos, un courant de polarisation, dont la valeur est fonction de la qualit de linarit exige, est impos la paire de transistors complmentaires de sortie.
+VCC ~I0 I0 ui(t) D1 D2 I0
Q2:PNP Q1:NPN

uo(t)

RL

~I0 -VCC

Figure 2-18 : Etage de sortie d'un amplificateur classe B


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Page 21

La caractristique de transfert d'un tel montage peut tre reprsente par la Figure 2-19
u0(t) u0(t)

Q1 (NPN) conducteur

ui(t)
Q2 (PNP) conducteur

ui(t)

Gain unit en tension : AV=1

Figure 2-19 : Caractristique de transfert d'un amplificateur classe AB

2.6.2.2 Puissance et rendement dans les amplificateurs de classe AB Dans ce paragraphe, nous allons calculer les puissances dissipes dans la charge et dans les transistors de l'tage de sortie de l'amplificateur de classe AB. La puissance dans le circuit de polarisation a t nglige afin de conduire un raisonnement simplifi. En rgime sinusodal, la puissance dissipe dans la rsistance de charge RL s'exprime par la relation PR L = 02 2 RL 2.37

La puissance instantane dissipe dans les transistors (l'alternance positive dans Q1 et l'alternance ngative dans Q2) vaut pQ (t ) = (VCC u 0 (t )) i0 (t ) 2.38

par consquent, la puissance moyenne dissipe dans un transistor (systme symtrique) durant une demi-priode prend la forme
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Page 22

2 PQ = T

T /2

(V
0

CC

u 0 (t )) i0 (t ) dt u 0 (t )) u 0 (t ) dt RL
T /2

2 T

T /2

(V
0 T /2

CC

2 = T
=

VCC 0 sin( t ) dt RL
2 0

02 sin 2 ( t ) dt RL

2.39

2 VCC 0 RL 2 RL

La puissance moyenne dissipe dans un transistor, sur une alternance, passe par un maximum lorsque PQ 0 soit 0 = 2 VCC = 2 VCC 0 =0 RL RL 2.40

2.41

et par consquent pour la puissance moyenne maximum PQ max


2 2 VCC = 2 RL

2.42

En basse frquence, vu la faible inertie de la pastille semi-conductrice du transistor de puissance, c'est la puissance instantane qui est le facteur de dimensionnement dominant. Cette puissance instantane passe aussi par un maximum :
pQ (t ) u 0 (t ) = u (t ) (VCC u 0 (t )) 0 u 0 (t ) RL

V 2 u 0 (t ) = CC =0 RL

2.43

Cette condition correspond u 0 (t ) = VCC 2 2.44

soit pour la puissance instantane maximale pQ max =


2 V CC 4 RL

2.45

Cette puissance instantane maximale est lgrement suprieure la puissance moyenne maximale. C'est donc celle-ci que l'on se rfrera pour le calcul des refroidisseurs.

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Page 23

La puissance dlivre par l'alimentation n'est rien d'autre que la somme des puissances dissipes dans les transistors Q1, Q2 et dans la charge RL. PTOT = PQ1 +Q2 + PR L = 2 VCC 0 RL 2.46

Cette puissance est maximale lors 0=VCC


PTOT max =
2 2 V CC

RL

2.47

Le rendement de l'amplificateur classe AB est par dfinition de la forme

PR L 0 = PTOT 4 VCC

2.48

dont on dduit le rendement maximum pour 0=VCC

max =

(78.5%)

2.49

La Figure 2-20 montre la rpartition des puissances et le rendement pour l'tage de sortie de l'amplificateur classe AB.
2(V C C ) R L
2

[W ] 1 0 .9 0 .8 0 .7 0 .6

[1] 1

0 .9

/4
0 .7 0 .6

PTOT
0 .5 0 .4

P RL
0 .5 0 .4 0 .3

1 /

0 .3 0 .2 0 .1 0 0 V CC

PQ

0 .2 0 .1 0 0 V CC

0 .5

0 .5

2 /

Figure 2-20 : Rpartition des puissances et rendement d'un amplificateur classe AB

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Page 24

2.6.2.3 Ralisation pratique de l'amplificateur classe AB 2.6.2.3.1 Montage lmentaire

La Figure 2-21 montre un montage lmentaire d'un amplificateur classe AB sous la forme d'un ampli audio. La raction ngative globale permet de contrler le gain en boucle ferme, rduire fortement la distorsion, rduire l'impdance de sortie de l'amplificateur (contre raction srie parallle).
VCC R1 A ui(t) D1 B D2 C R2 -VCC RB Q2:PNP RL D u0(t) Q1:NPN

RA C

Figure 2-21 : Montage lmentaire d'un amplificateur classe AB

L'amplification de tension en boucle ferme et pour des signaux alternatifs (AC) vaut AV , F ( AC ) = 1 + RB RA 2.50

alors qu'en continu (DC) AV , F ( DC ) = 1 ce qui assure une bonne stabilit thermique 2.6.2.3.2 Limitations du montage lmentaire 2.51

La premire limitation du montage lmentaire du 2.6.2.3.1 vient de l'utilisation de rsistance pour la polarisation des diodes D1 et D2. En effet pour une polarisation positive du signal de sortie, on a pour la partie suprieure du push-pull la structure de la Figure 2-22
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Page 25

VCC iR1 R1 iB1 A iD1 D1 D B RL uo(t) Q1:NPN

Figure 2-22 : Alternance positive : partie active du push-pull

le courant iR1 est dfini par la relation iR1 (t ) = VCC (u0 (t ) + U BE (Q1) ) R1 2.52

on en dduit que iR1 diminue lorsque u0 augmente. Le courant de base de Q1 iB1 quant lui peut s'exprimer par la relation iB1 (t ) = 1 u 0 (t ) 1 u 0 (t ) + 1 RL RL 2.53

qui montre que iB1 augmente avec u0. Le courant dans R1 est aussi la somme du courant de base de Q1 et du courant dans D1.
i D1 (t ) = i R1 (t ) i B1 (t ) .

2.54

La valeur maximale 0max que peut atteindre la tension de sortie est celle qui correspond l'annulation de ce courant. Lorsque u0(t)=0max, la totalit du courant dans R1 passe dans la base de Q1. Il vient donc :
1 0 max VCC ( 0 max + U BE ( Q1) ) . = + 1 RL R1

2.55

C'est en ce mme point que le courant dans D2 devient maximal et doit tre intgralement fourni par la sortie de l'amplificateur oprationnel
I D 2 max = 0 max U J ( D 2 ) + VCC R2 = I R2 I B2 = I R2 .

2.56

Le transistor Q2 tant bloqu, son courant de base IB2 est nul.


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Page 26

B D2 D

uo(t)

iD2
C

iB2
Q2:PNP

RL

R2 -VCC iR2

Figure 2-23 : Alternance positive : partie non-active du push-pull

Les valeurs de R1 et R2 ne peuvent pas descendre en dessous d'une certaine limite correspondant au courant maximum que peut fournir l'amplificateur oprationnel. Dans un tel cas, le gain en tension de ce dernier s'en trouverait rduit car son impdance de sortie n'est pas nulle. La limite infrieure de R1 et R2 se rpercute directement sur : la valeur de la tension maximale de sortie 0max, la valeur de la charge RL qui possde aussi une valeur limite infrieures (courant maximum de sortie). Ces limites sont trs restrictives. En pratique, ce genre de montage n'est utilisable que pour des puissances de sortie infrieures 1W. De telles limites sont inacceptables et il est de premire importance d'apporter des amliorations au montage lmentaire. 2.6.2.3.3 2.6.2.3.3.1 Amliorations du montage lmentaire Polarisation par des sources de courant

Les amliorations sont multiples. Pour la partie de polarisation de l'tage de sortie, il est judicieux de remplacer les rsistances R1 et R2 par des sources de courant
+VCC

R1 D3

R3

Q3 R2 I ui(t) -VCC +VCC R5 I Q4


D4 Q1:NPN

D1 D2
Q2:PNP

u0(t)

RL

R4

R6 -VCC

Figure 2-24 : Etage de sortie avec source de courant pour la polarisation des diodes D1 et D2
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Page 27

2.6.2.3.3.2

Diminution du courant de base des transistors de sortie

Lorsque est faible, ou lorsque le courant de sortie est trs lev, on peut remplacer les transistors de sortie par les montages de la Figure 2-25

Darlington classique Figure 2-25 : Montage Darlington et Pseudo-Darlington

Montage Pseudo-Darlington

A noter que les transistors de puissance de type PNP sont rares et doivent souvent tre remplacs par des montages Pseudo-Darlington. 2.6.2.3.3.3 Rduction du courant de polarisation dans les transistors de sortie

Pour autant que les composants soient bien appairs, le courant de polarisation est approximativement le mme dans les diodes de D1, D2 que dans les transistors Q1, Q2.
+VCC ~I0 I0 D1 ui(t) D2 I0 Q2:PNP ~I0 -VCC RL uo(t) Q1:NPN

Figure 2-26 : Polarisation de l'tage de sortie

Toutefois, les puissances dissipes sont trs diffrentes dans ces lments. En effet : Pour les diodes
PD1,D2 = U BE (Q1,Q2) I 0

2.57

Pour les transistors PQ1,Q2 = VCC I 0 2.58

Pour rduire le courant de polarisation I0 des transistors, et afin d'viter un emballement thermique on ajoute des rsistances de faible valeur en srie avec les metteurs. En pratique on choisit
R E 0 .1 R L
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2.59

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Page 28

<<I0
Q1:NPN

RE

uo(t)

RE

RL

Q2:PNP

<<I0

Figure 2-27 : Polarisation de l'tage de sortie avec rsistances en srie avec les metteurs

2.6.2.3.3.4

Augmentation de la puissance de sortie

Pour une charge RL donne, la puissance de sortie est limite, dans tous les cas, par la tension d'alimentation VCC :
Pmax V 1 CC 2 RL
2

2.60

Si on dsire augmenter la puissance, il est ncessaire d'augmenter les tensions d'alimentation. Dans ce cas, l'amplificateur oprationnel ne pourra tre aliment des tensions suprieures une vingtaine de volts et par consquent il ne pourra dlivrer sa sortie une tension suprieure en valeur absolue ces tensions d'alimentation. L'tage de sortie n'ayant aucun gain en tension (collecteur commun), un tage amplificateur intermdiaire composants discrets sera ncessaire. Un tel tage est appel tage driver. La Figure 2-28 montre un exemple d'tage driver sous la forme d'un amplificateur classe A en montage metteur commun.
+VCC

I0 ID

Q1:NPN

D1

RE

uo(t)

D2 ui(t) I0

RE

RL

Q2:PNP

-VCC

Figure 2-28 : Etage driver classe A en montage metteur commun

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Page 29

La charge dans le collecteur de l'tage driver est une charge active sous la forme d'une source de courant. L'metteur ne contient pas de rsistance de stabilisation thermique, celle-ci tant assure par la raction ngative globale. Une meilleure intgration de ce montage peut tre apporte en combinant les lments de polarisation de la sortie avec celle de l'tage driver pour aboutir au schma de la Figure 2-29.
+VCC I0

Q1:NPN

D1

RE

uo(t)

D2

RE

RL

Q2:PNP

ui(t) -VCC

Figure 2-29 : Etage driver et sortie push-pull d'un amplificateur de classe AB

Le courant dans les diodes D1 et D2 varie en fonction du point de fonctionnement, entranant du mme coup une variation du courant de polarisation traversant les transistors de l'tage push-pull de sortie. Grce un circuit multiplicateur de UJ, o UJ reprsente la tension UBE d'un transistor.
+VCC

I0 R IR IP P UJ IC

IB

Q1:NPN

RE Q3 RE

uo(t)

RL

Q2:PNP ui(t) -VCC Q4

Figure 2-30 : Circuit de polarisation de prcision d'une sortie push-pull

Le choix de la rsistance traversante du potentiomtre P dfini le courant dans P et R (on nglige le courant de base de Q3). Le solde du courant I0 passe par Q3. La tension diffrentielle
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Page 30

de polarisation entre les bases des transistors Q1 et Q2 est donc constante et indpendant du point de fonctionnement. Pour des puissances de sortie suffisamment leves, l o un amplificateur oprationnel ne peut tre utilis en raison des niveaux des tensions d'alimentation, l'tage d'entre est constitu d'une paire diffrentielle permettant l'attaque de montage metteur commun (tage driver). La Figure 2-40 illustre une possibilit de montage parmi beaucoup d'autres.
+VCC

I0

I R R2 ui(t) Q5 Q6 R1 P Q3

Q1:NPN

RE

uo(t)

RE

RL

RC -VCC

CC Q4

Q2:PNP

Figure 2-31 : Schma de principe d'amplificateur classe AB

Une capacit de compensation CC est souvent ncessaire afin de crer un ple dominant connu permettant la stabilisation, au sens du critre de Nyquist, du circuit en boucle ferme. En explicitant la source de courant comprise dans la charge active de l'tage driver, on obtient
+VCC R5 Q5 R7 R R2
ui(t) Q7 Q8

R6

Q6 Q1' Q1

Q3

RE
uo(t)

R1 C CC

P Q2' Q4 R3 R4 Q2

RE

RL

R8 -VCC

Figure 2-32 : Exemple 1 : Amplificateur classe AB


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Page 31

L'tage driver peut galement tre ralis sous la forme d'un amplificateur diffrentiel sortie asymtrique selon le schma de principe de la Figure 2-33
+VCC

R5

R6

Q5

Q6 Q1' Q1 R Q3 RE uo(t)

P Q2' Q2 Q7 Q4

RE

RL

R4 -VCC

Figure 2-33 : Dtail de l'tage driver en amplificateur diffrentiel sortie asymtrique

Cette configuration ne ncessite qu'un transistor de plus que celle de la Figure 2-32. Elle est par contre beaucoup moins critique raliser car la sortie diffrentielle de l'tage d'entre peut directement attaquer les deux entres de l'tage driver, sans que la rsistance de charge de l'tage d'entre ne soit critique. La Figure 2-34 montre la structure complte d'un amplificateur de puissance classe AB
+VCC R5 Q5 R4 R ui(t) Q8 Q9 R1 C Q7 Q4 P Q2' Q2 RE RL R2 Q3 RE
u0(t)

R6

Q6 Q1' Q1

R8 -VCC

R9

R3

Figure 2-34 : Structure complte d'un amplificateur classe AB


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Page 32

2.6.2.3.3.5

Utilisation de transistors MOS pour l'tage push-pull de sortie

En pratique, il est possible de remplacer les transistors PNP et NPN ou les montages Darlington et Pseudo-Darlington par des transistors MOS. La Figure 2-35 illustre un tel montage.
+VCC R1 R2

Q4

Q5

RG

Q1: canal N
RS

uo(t)

RP

RS
RG

RL

Q2: canal P

Q7

Q6

R3 -VCC

Figure 2-35 : Amplificateur classe AB avec transistors MOS

La polarisation par la rsistance variable RP doit assurer une tension diffrentielle entre grille gale la somme des tensions de seuil des transistors MOS canal N et canal P.
u = VTH ( P ) + VTH ( N )

2.61

Les tensions de seuil VTH(P) et VTH(N) ayant des imprcisions importantes, il est ncessaire d'ajouter des rsistances srie dans les sources afin de limiter le courant de polarisation. Les rsistances en srie avec les grilles sont ncessaires pour assurer la stabilit de la tension de sortie. En effet sous certaines conditions, le montage "Source follower" peut tre instable et engendrer des oscillations parasites. Les conditions d'instabilits se manifestent par une impdance d'entre dont la partie relle est ngative. La Figure 2-36 illustre le cas du montage en "Source follower" lors d'une tension positive sur la sortie.
D G S

Q1: canal N

ui

ZL

u0

Figure 2-36 : Montage en Drain commun

De la Figure 2-36 on en dduit le circuit quivalent pour accroissements de la Figure 2-37

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uGS
G

Page 33

ii CGS gmuGS CDS

ui

u0

ZL

Zi

Figure 2-37 : Montage en Drain commun : schma pour accroissement

L'impdance d'entre se calcule de la manire suivante : ii + g m uGS = ( g DS + YL ) u 0 ui = uGS + u 0 ii = jCGS uGS d'o l'on dduit Yi = g DS + YL ii = jCGS jCGS + g m + g DS + YL ui 2.63 2.62

en admettant que jCGS et g DS = jC DS sont ngligeable vis--vis de l'admittance de charge YL et de la transconductance gm, on peut finalement crire Yi = ii YL = jCGS ui g m + YL 2.64

On arrive au mme rsultat en utilisant thorme de Miller, (voir chapitre sur la raction ngative) soit Yi = ii = jCGS (1 AV ) ui 2.65

et pour le gain en tension sans le condensateur CGS AV = u 0 gm = ui g m + g DS + YL 2.66

ce qui donne en ngligeant gDS Yi jCGS (1 gm YL ) = jCGS g m + YL g m + YL 2.67

Finalement l'impdance d'entre prend la forme Zi = 1+ gm Z L g m + YL = jCGS YL jCGS 2.68

Lorsque l'impdance de charge est constitue d'une rsistance et d'un condensateur sous une forme illustre par la Figure 2-38
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CL
D

RL

Figure 2-38 : Charge rsistive et capacitive

et reprsente par la relation ZL = RL . 1 + jC L R L 2.69

en replaant ZL dans la relation 2.68, il vient


Zi = = = RL 1 1 + g m jCGS 1 + j C L R L 1 jCGS 1 j C L R L 1 + g m RL 1 + (C L RL ) 2 1 C R L L CGS jCGS

2.70

g m RL 1 + jCGS 1 + (C L RL ) 2

La partie relle de Zi vaut donc e[ Z i ] =


2 g m C L RL <0. (1 + (C L RL ) 2 ) CGS

2.71

Cette valeur ngative entrane une instabilit. Pour garantir un retour la stabilit, il suffit de placer une rsistance RG en srie avec la connexion de grille. Cette rsistance doit satisfaire la condition
2 g m C L RL >0. RG (1 + (C L RL ) 2 ) CGS

2.72

On limitera toutefois RG la valeur ncessaire (ordre de grandeur typique 100 300, car sa prsence dgrade la rponse en frquence du circuit (ple RGCGS)
2.6.3 Emballement thermique des amplificateurs push-pull en classe AB

Les amplificateurs push-pull transistors bipolaires qui fonctionnent en classe AB peuvent subir un emballement thermique lorsqu'ils sont au repos. Ce phnomne se traduit par une augmentation incontrle et irrversible de la puissance dissipe dans les transistors. L'emballement thermique conduit la destruction des transistors par le fait d'une temprature trop leve. Il est encore remarquer que l'emballement thermique ne concerne que les amplificateurs transistors bipolaires, car ce sont les seuls dont la caractristique de transfert prsente un coefficient de temprature ngatif.

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Page 35

2.6.3.1 Description du phnomne En se rfrant la Figure 2-39, on constate qu'au repos la polarisation base-metteur de chaque transistor vaut UBE0, ce qui dtermine le courant de repos IC0. Tout ce passe comme si chaque transistor fonctionnait en montage metteur-commun avec une polarisation de la jonction basemetteur par une source de tension UBE0
VCC IC0 Q UBE0

Figure 2-39 : Schma quivalent d'une sortie push.pull (transistor suprieur)

La caractristique de la jonction base-metteur, illustre la Figure 2-40, se dplace vers la droite raison de 2mV/C lorsque la temprature augmente alors que la tension UBE reste constante et gale UBE0. Ce phnomne entrane une augmentation du courant IC0 ayant pour consquence une augmentation de la puissance dissipe dans le transistor.
IC
PQ=IC0(TJ)VCC

IC0{50C}

IC0{40C}

J=50C J=40C J=30C J=20C

PQ0{50C}

PQ0{40C}

IC0{30C} IC0{20C} UBE0 2VCC

PQ0{30C} PQ0{20C}

UBE

20

30

40

50

J [C]

Figure 2-40 : Caractristique de transfert du transistor en fonction de la temprature de jonction

La puissance dissipe dans le transistor est donne par la relation

PQ (TJ ) = I C 0 (TJ ) VCC

2.73

En partant d'une temprature de rfrence (par exemple de T0=25C), on peut crire


I C 0 (U BE ) T
J

=TJ 0

= I S (TJ 0 ) eU BE / UT (TJ 0 )

2.74

En premire approximation, on a admit qu'une variation de temprature entrane une translation de cette caractristique de TJTJ avec TJ=-2mV/C. On obtient alors pour TJ=TJ0+TJ l'expression

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I C 0 (U BE ) T

=TJ 0 + TJ

= I C 0 (U BE T J TJ ) T = I C 0 (U BE ) T
J =TJ 0

=TJ 0

T J TJ / U T (TJ 0 )

2.75

Finalement, on peut crire PQ (TJ ) PQ (TJ 0 ) = I C 0 (TJ ) T / U (T ) = e TJ J T J0 I C 0 (TJ 0 )

2.76

On constate donc que la puissance dissipe est une fonction exponentielle de la temprature. Dans l'expression 2.76, il est remarquer que le coefficient de temprature TJ est une grandeur ngative. La Figure 2-41 montre la caractristique de la puissance dissipe par un transistor en fonction de la temprature de sa jonction, ainsi que la puissance vacue par le montage reprsent par le transistor et son refroidisseur. Sachant que la puissance vacue peut tre exprime par
PEV = TJ TA RTHJA

2.77

avec TA ; la temprature ambiante et RTHJA ; la rsistance thermique entre la jonction et l'air ambiant. Sur la Figure 2-41 on a trac la puissance vacue pour diverses valeurs de temprature ambiante. Il y a quilibre thermique lorsque la puissance vacue est gale la puissance dissipe. Le point d'quilibre est dit stable si toute variation de temprature entrane un retour au point d'quilibre aprs la phase transitoire. On voit que lorsque la courbe de la puissance vacue coupe la courbe de la puissance dissipe, un des points d'intersection correspond un point d'quilibre stable tandis que le second est un point d'quilibre instable. Il y a emballement thermique une temprature donne lorsque, pour toute temprature suprieure, la puissance vacue est infrieure la puissance dissipe.

P [W]
Point d'quilibre thermique instable
5 C =4 8 C

Point d'quilibre thermique stable

TA

=2

Cas limite

TA

PEV=(TJ-TA)

1 RTHJA

=7 0 C

TA

20

40

60

80

100

120

J [C]

Figure 2-41 : Puissance dissipe et puissance vacue pour un transistor mont sur un radiateur

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Page 37

2.6.3.2 Mthode de suppression de l'emballement thermique

La premire mthode consisterait empcher la temprature ambiante de dpasser une valeur admissible pour laquelle on est sr qu'il n'y a pas d'emballement thermique. Cette mthode n'est pratiquement pas utilisable car elle requerrait l'utilisation d'une enceinte thermostate ce qui n'est pas compatible avec le cot d'un amplificateur. La seconde mthode consiste diminuer la rsistance thermique RTHJA. On augmente ainsi la pente de la droite caractristique de la puissance vacue de telle sorte que l'on obtienne toujours un point d'intersection correspondant un point d'quilibre thermique stable. Une troisime mthode, qui prsente un grand intrt et laquelle on a pratiquement toujours recours, consiste modifier la caractristique de la puissance dissipe PQ(TJ). Une premire possibilit d'atteindre ce but consiste insrer une rsistance RE en srie avec l'metteur de chaque transistor du push-pull. Ainsi, le courant IC0 doit satisfaire simultanment l'quation de la caractristique de transfert du transistor et la caractristique de la source de polarisation exprime par la relation
IC 0 = U BRE 0 U BE RE

2.78

comme l'illustre la Figure 2-42 la rsistance RE introduit une contre raction de courant applique en tension qui tend stabiliser le courant de collecteur.
IC0 Q

UBRE0 RE

Figure 2-42 : Stabilisation thermique par adjonction d'une rsistance d'metteur

Cette mthode permet de limiter le courant de repos une valeur maximale admissible. Les rsistances RE augmentant la rsistance interne de sortie de l'tage push-pull, on est amen les choisir aussi petites que possible. Pour empcher la temprature des jonctions d'atteindre des valeurs trop leves, on fixe les transistors sur un refroidisseur, conjuguant ainsi les deux dernires mthodes pour obtenir un maximum d'efficacit.
IC
UBRE0-UBE RE

PQ=IC(TJ)VCC

=2 5 C

TA

Point d'quilibre thermique stable

TA

=7 0 C

UBRE0 RE

J=50C J=40C J=30C J=20C

UBRE0

UBE

20

40

60

80

100

120

J [C]

Figure 2-43 : Caractristique I0=f(UBE, T)


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Une seconde possibilit de modifier la caractristique PQ(TJ) consiste imposer un courant de repos constant. Pour ce faire, il faut que la tension de polarisation UBRE0 soit une tension de jonction et varie, en fonction de la temprature, comme la tension de la jonction BE des transistors. Pour que les systmes de polarisation soient efficaces, il faut que les diodes ou le transistor de polarisation, parcourus par un courant constant, soient monts sur le mme refroidisseur que les transistors du push-pull et que l'chauffement d leur propre puissance dissipe soit ngligeable. +VCC I=cte IB1 Q1:NPN

R2

IC RE uo(t)

IR=cte R1 IB1 Q2:PNP -VCC


Figure 2-44 : Polarisation d'un montage push-pull par un multiplicateur de UJ

RE

RL

2.7 2.7.1

AMPLIFICATEUR CLASSE C Gnralits

Les amplificateurs de classe C sont des amplificateurs non-linaires trs haut rendement. Ils sont toutefois utilisables que dans les amplificateurs HF (metteur radio) avec des porteuses non modules en amplitude. Ils gnrent un nombre considrable d'harmoniques qui doivent tre filtres la sortie l'aide de circuits accords appropris. La structure de principe d'un amplificateur classe C est illustre la Figure 2-45

VCC
L R C u0(t)

CB

iC(t) iB(t) Q uC(t)

ui(t)

RB

uB(t)

Figure 2-45 : Amplificateur classe C : schma de principe


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Les amplificateurs de classe C sont utilises comme tage de sortie dans les metteurs radiophoniques, comme multiplicateurs de frquence du signal d'entre ( la frquence d'accord du circuit rsonnant est alors un multiple de la frquence du signal d'entre), comme tage de sortie dans les installations de chauffage haute frquence, etc Le circuit d'entre se comporte comme un redresseur dont la diode est la jonction basemetteur du transistor. La polarisation ngative UB0 de la base est due la charge, par le courant iB, du condensateur CB qui joue en mme temps le rle de condensateur de liaison pour le signal d'entre ui. La constante de temps RBCB doit tre beaucoup plus grande que la priode du signal amplifier pour que le condensateur CB n'ait pas le temps de se dcharger pendant les dures de blocage du transistor. Dans une ralisation pratique, la charge est souvent couple inductivement au circuit rsonnant dans le but de l'isoler de la tension d'alimentation VCC et de permettre une adaptation d'impdances. La Figure 2-46 montre une telle ralisation avec en plus une polarisation de la base du transistor VCC
n1 RB1 C n2 RL u (t) 0

CB

iC(t) iB(t) Q uC(t) nf0 : Accord sur un multiple de la frquence du signal d'entre ui

ui(t)

RB2 uB(t)

-Vp
Figure 2-46 : Amplificateur Classe C avec couplage inductif de la charge

2.7.2

Fonctionnement

Pour l'tude de fonctionnement, on admet que la caractristique de transfert IC(UBE) du transistor est linaire par segment (deux segments, le premier est une droite passant par l'origine, de pente nulle. Le second est une droite affine coupant l'axe UBE en UJ et de pente gm dans sa partie active). On admet que le signal d'entre est sinusodal d'amplitude i, on trouve l'expression du courant collecteur iC(t) par la relation cos( t ) cos( ) pour + n 2 < t < + n 2 I CM 1 cos( ) iC = 0 ailleurs

2.79

On appelle angle de conduction l'angle lectrique 2 pendant lequel le courant de collecteur iC n'est pas nul. La tension d'entre i ncessaire l'obtention d'une valeur donne ICM du courant maximum de collecteur est donne par la relation
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i =

I CM (1 cos( )) gm
IC=f(UBE) iC (t)

2.80

ICM

UB0 - 0

UJ

UBE - 0 uBE(t)

ui(t)

Figure 2-47 : Amplificateur Classe C : Principe de fonctionnement

On peut reprsenter les potentiels aux divers nuds de l'amplificateur classe C de la Figure 2-45 ainsi que son courant de collecteur. L'amplitude 0 du signal de sortie est au plus gale VCC dans le cas idal o la tension de saturation UCEsat du transistor est nulle. Comme pour le cas des amplificateurs classe A et B, on rapporte cette amplitude la tension d'alimentation par la relation
0 = k VCC

2.81

la tension de sortie s'exprime par


u 0 (t ) = k VCC cos( t )

2.82

et la tension de collecteur par


uC (t ) = VCC u 0 (t ) = VCC (1 k cos( t ))

2.83

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En rsum le fonctionnement de l'amplificateur classe C est caractris par les grandeurs VCC et ICM ainsi que par les paramtres k et .
uC(t)=VCC-u0(t)

0=kVCC u0(t) VCC

0
uB(t) UJ i 0 UB0

- 0
iC(t)

0 - 0

Figure 2-48 : Amplificateur C : Grandeurs caractristiques principales

2.7.3

Puissance et rendement dans les amplificateurs classe C

L'alimentation fournit de la puissance pendant les priodes de conduction du transistor. LA puissance moyenne fournie PTOT a pour expression
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PTOT =

1 VCC iC ( t ) d ( t ) 2

VCC I CM (cos( t ) cos( )) d ( t ) = (1 cos( )) 0 = VCC I CM sin( ) cos( ) 1 cos( )

2.84

La puissance utile dissipe dans la rsistance de charge, le circuit rsonnant tant suppos idal, s'exprime par la relation
PR L AC = 1 u S ( t ) iC ( t ) d ( t ) 2

k VCC I CM = cos( t ) (cos( t ) cos( ))d ( t ) (1 cos( )) 0 = k VCC I CM 2 sin( 2 ) 4 1 cos( )

2.85

La puissance moyenne dissipe dans le transistor, PQ, est donne par la diffrence entre la puissance fournie par l'alimentation et la puissance utile
PQ = PTOT PR L AC = VCC I CM k sin( ) cos( ) (2 sin( 2 ) ) 4 (1 cos( ))

2.86

La puissance maximum fournie par l'alimentation est obtenue pour =/2, elle vaut
PTOT M = VCC I CM

2.87

dans ces conditions et pour k=1, la puissance utile est aussi maximum et vaut
PRL ACM = VCC I CM 4

2.88

Le rendement de l'amplificateur, quotient de la puissance utile par la puissance fournie par l'alimentation, est donn par l'expression

k 2 sin( 2 ) 4 sin( ) cos( )

2.89

La Figure 2-49 montre l'intrt qu'il y a se rapprocher le plus possible de la valeur limite idale k=1. De plus, dans le cas o l'angle de conduction 2 vaut et k=1, on se retrouve dans le cas de l'amplificateur classe B avec un rendement de /4 qui tait justement le rendement maximum de l'amplificateur classe B. Plus l'angle de conduction 2 est petit, plus le rendement augmente, la limite pour k=1 et =0, on obtiendrait un rendement de 100%. Dans ce cas malheureusement, comme le montre la relation 2.88, la puissance utile serait nulle. Il s'agit donc d'adopter un compromis.
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=f(k,)
1 0.9 0.8 k=0.8 0.7 0.6 0.5 0.4 0.3 0.2 0.1 0 /4 /2 k=0.2 k=0.4 k=0.6 k=1

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3/4

Figure 2-49 : Amplificateur Classe C : rendement

2.7.4

Utilisation de l'amplificateur classe C comme multiplicateur de frquence

Le multiplicateur de frquence, couramment utilis dans les metteurs, diffre de l'amplificateur classe C par le fait que le circuit rsonnant est accord un multiple de la frquence du signal d'entre. Comme le courant de collecteur est une suite d'impulsion son spectre frquentiel comporte, en plus de la fondamentale IC1 et de la composante continue I0, des harmoniques IC2, IC3, . Si le circuit rsonnant est accord sur la deuxime harmonique par exemple et que son facteur de qualit est suffisamment lev, seule cette composante donnera lieu une tension sinusodale, d'amplitude US2=RIC2, les autres composantes du spectre de la tension de sortie tant fortement attnues.
IC IC1 I0 IC2

IC3

IC4

IC5

IC6

IC7 f [Hz]

Z R

uS

us2

f [Hz]

us1 f0 2f0

us3 us4 3f0 4f0 5f0 6f0 7f0 f [Hz]

Figure 2-50 : Amplificateur Classe C : multiplicateur de frquence


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2.8 2.8.1

AMPLIFICATEUR CLASSE D Gnralits

Les amplificateurs de classe D sont des amplificateurs travaillant en commutation. Le signal amplifier est pralablement transform en un signal rectangulaire de frquence de pulsation fp dont le rapport cyclique est proportionnel la valeur moyenne glissante sur une priode de pulsation Tp. Ce type de modulation est appel modulation de largeur d'impulsion MLI (PWM Pulse Width Modulation). Le signal rectangulaire rsultant est directement utilis pour attaquer les transistors de sortie qui sont gnralement de type MOS pour les frquences suprieures 50kHz. La sortie de l'tage de puissance est suivie d'un filtre BF qui restitue un signal semblable celui d'entre. Les amplificateurs de classe D ont des rendements levs et sont de fidlit moyenne. Ils sont utiliss dans les autoradios. La Figure 2-51 montre un tage de puissance suivi du filtre BF et de la charge sous forme d'un haut-parleur.
+VCC
S

RG CP

G D

Q2: canal P L C Q1: canal N


S

RG CN -VCC

ZL

Filtre BF

Figure 2-51 : Amplificateur Classe D : Etage de puissance et charge

La droite de charge classique pour les amplificateurs de classe A et AB est remplace par deux points de fonctionnement correspondants aux deux tats possibles des transistors MOS de sortie.
IC ON

OFF
Figure 2-52 : Amplificateur Classe D
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UCE

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2.8.2

Structure de la commande de l'tage de sortie

Les transistors de l'tage de sortie sont contrls par un tage driver intermdiaire permettant une adaptation du niveau des signaux de commande chaque transistor de puissance. En effet les tensions de grille et de source de chaque transistor prsentent un mode commun diffrent. On profite de cet tage d'adaptation pour crer des commandes assurant le non-recouvrement de l'tat ferm des transistors de puissance.
2.8.3 Rendement de l'tage de sortie

Le rendement d'un amplificateur de classe D est assez lev, de l'ordre de 80%. Le rendement est affect par les paramtres suivants : La rsistance RDSON des transistors MOS dont la valeur crot avec la tension d'alimentation. La frquence de pulsation, puisque chaque commutation provoque une perte d'nergie dont la valeur est fonction du type de charge et de la capacit en courant de la commande de grille. Le choix des diodes de roue libre (et de conduction).
2.8.4 Choix de la frquence de pulsation

Plus la frquence de pulsation est leve plus le filtrage s'en trouve simplifi. Par contre les pertes augmentent avec la frquence. La distorsion due au temps d'antichevauchement assurant le non recouvrement de l'tat ferm des transistors augmente galement avec la frquence. Un compromis est donc ncessaire entre rendement, filtrage et distorsion lors du choix de la frquence de pulsation.
2.8.5 Distorsion de l'amplificateur classe D

Les amplificateurs de classe D ont gnralement un taux de distorsion de l'ordre de 1% 2%. Les causes principales sont Filtrage de sortie insuffisant, entranant des composantes hautes-frquences dans le signal de sortie. Frquence de pulsation trop basse entranant un recouvrement spectral
AV [dB] recouvrement spectral

fp

2fp

Figure 2-53 : Recouvrement spectral

Rsistances RDSON diffrentes entre les transistors MOS de la branche. C'est particulirement le cas si on utilise des transistors MOS canal N pour la partie infrieure de la branche et des MOS canal P pour la partie suprieure.

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2.8.6

Exemple de ralisation

L'exemple de la Figure 2-54 illustre une ralisation simple pour des tensions d'alimentation de 24V ou moins. Le transistor MOSFET suprieur est un canal P alors que le MOSFET infrieur est un canal N. Les commandes peuvent tre de type TTL. Un niveau logique bas provoque l'ouverture du transistor MOSFET associ la commande. Tels qu'ils sont conus, les drivers ont un retard l'enclenchement de l'ordre de la microseconde alors que pour le dclenchement on a 200ns environ. En commandant les entres de manire complmentaire, les dlais sont tels que le temps d'antichevauchement est de l'ordre de 800ns, ce qui est optimal pour des puissances de quelques centaines de watts.
+VCC
R3 R2 R4
Commande Q6 : 0V ... 5V

DZ1 Q3 Q4 Q6 D2

D1 Q2 R1 Q1 R5

Q5

0V

+VCC
R8 R7 R9 D3 C Q8 R6
0V

Q9

RL=8

Commande Q13 : 0V ... 5V

Q7

Filtre Passe-Bas

0V
R12 Q11 R10 Q10 R11 DZ2 Q12 Q13

D4

-VCC

Figure 2-54 : Amplificateur classe D : exemple de ralisation

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BIBLIOGRAPHIE
[1]
AMPLIFICATEURS DE PUISSANCE COURS DE SYSTEMES ELECTRONIQUES Auteurs : Dr. N. Jhl et Prof. M. Declercq TRAITE DELECTRICITE VOLUME VIII : ELECTRONIQUE Auteurs : J.D. Chatelain et R.Dessoulavy ISBN : 2-604-00010-5 CIRCUIT ET SYSTEMES ELECTRONIQUES ELECTRONIQUE III, PARTIE I Auteur : M. Declercq

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