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Rpublique Algrienne Dmocratique et Populaire


-'' -=-' ''' ,'-'
Ministre de l'enseignement suprieur et de la recherche scientifique
'=,- - -,-= -'= - -'-'
Universit de HASSIBA BEN BOUALI CHLEF
',---' ,'' ,'
Facult de technologie
Dpartement de lectrotechnique







En vue de lobtention dun diplme licence
LMD
Option : commande lectrique





Prsent par : Encadrs par :

MEKRELOUF Ali
BENYAMINA Abderrahmen Mr. SAIDI HAMZA

Jury:
Mr: BENYAMINA MAAMAR




Promotion 2011


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Je ddie ce modeste travail ceux qui sont la source de mon
inspiration et mon courage.
A ma trs cher mre, qui ma donne toujours lespoir de vivre
et qui na jamais cess de prier pour moi.
A mon trs cher pre, pour ses encouragements et son soutien,
Et surtout pour son sacrifice afin que rien nentrave
le droulement de mes tudes.
A mes chers frres
A mes surs
A tous mes amis










Ali & Abderrahmen

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Nous tenons remercier en premier lieu ALLAH, le tout
puissant, qui nous a donn le courage et la volont pour bien mener ce
modeste travail.

Ainsi, nous remercions notre encadreur monsieur SAIDI
HAMZA pour leur soin exceptionnel et conseils judicieux.

Nous remercions Tous les enseignants du dpartement ELT, qui
ont assurs notre formation durant tout cycle dtude.

Enfin, nous remercions tous ceux qui nous ont aid accomplir
notre travail, de prs comme de loin.






Ali & Abderrahmen



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Sommaire

Introduction gnrale

Chapitre I : le rayonnement solaire ..................................................................... 01
I.1/- Introduction ............................................................................................... 01
I.2- Mouvement du Globe terrestre .............................................................. 01
I.3- La sphre cleste ...................................................................................... 02
I.4- Les coordonnes clestes .......................................................................... 02
I.4.1- Les coordonnes gographiques ............................... 02
I.4.1.1- Longitude ................................................................... 02
I.4.1.2- Latitude ....................................................................... 03
I.4.2- Les coordonnes horaires .......................................................... 03
I.4.2.1- La dclinaison solaire ................................................ 03
I.4.2.2- Angle horaire ............................................................. 04
I.4.3- Les coordonnes horizontales .................................................. 05
I.4.3.1- Hauteur angulaire du soleil ..................................... 05
I.4.3.2- Azimut ....................................................................... 05
I.4.4- Temps solaires ........................................................................... 05
I.4.4.1- Temps solaire vrai

.................................................... 05
I.4.4.2- Temps solaire moyen

............................................... 06
I.4.5- Angle horaire de coucher du soleil .......................................... 06

I.5- Le rayonnement solaire
......................................................................... 06

I.5.1- Types de rayonnements
............................................................. 06

I.5.1.1- Rayonnement direct
.................................................. 06
I.5.1.2- Rayonnement diffus
................................................. 06
I.5.1.3- Rayonnement global ................................................. 07
I.6- Rayonnement en Algrie ........................................................................ 07
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I.7- Conclusion ................................................................................................ 08

Chapitre II : La conversion photovoltaque ............................................................ 09
II.1- Introduction ............................................................................................. 09
II.2- Leffet photovoltaque .............................................................................. 09
II.2.1- effet photolectrique interne .................................................... 09
II. 3- la jonction PN ........................................................................................... 10
II.3.1- La polarisation directe ............................................................ 12
II.3.2- La polarisation inverse ............................................................ 12
II.3.3- Lclairement a deux effets sur le fonctionnement ................ 13
II. 4- Les cellules solaires .................................................................................. 14
II.4.1- Les principaux types de cellule ................................................ 14
II.4.1.1- Cellule en silicium amorphe .................................... 14
II.4.1.2- Cellule en silicium monocristallin .......................... 14
II.4.1.3- Cellule en silicium poly cristallin ............................ 15
II.4.2- Modlisation lectrique dune cellule photovoltaque .......... 16
II.4.3- Caractristiques lectriques des photopiles ........................... 18
II.4.3.1- Caractristique Courant- Tension ........................ 18
II.5- Linfluence de l'clairement solaire et de la temprature .................. 20
II.5.1- Linfluence de l'clairement solaire ......................................... 21
II.5.2- Linfluence de la temprature ................................................. 21
II.6- Regroupement des cellules ...................................................................... 22
II.6.1- Association en srie .................................................................... 23
II.6.2- Association en parallle ............................................................ 24
II.6.3- Association mixte ................................................................... 25
II.6.4- Les diodes de by-pass (protection) ...................................... 26
II.7- Les modules photovoltaques ............................................................. 27
II.7.1- Caractristiques nominales des modules PV .................... 27
II.8- Conclusion ................................................................................................ 28
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Chapitre III :Systme de poursuite du soleil .......................................................... 29
III.1- Introduction .............................................................................. 29
III.2- Position du soleil par rapport un observateur ............................... 29
III.2.1- Angle de znith ....................................................................... 29
III.2.2- Angle dazimut ........................................................................ 29
III.2.3- Angle extrieur dazimut ......................................................... 30
III.2.4- Angle dincidence ..................................................................... 30
III.3- Orientation de la surface ..................................................................... 31
III.3.1- Rotation suivant un axe ......................................................... 31
III.3.1.1- Axe vertical et inclinaison fixe de la surface ..... 31
III.3.1.2- Axe horizontal, surface parallle l'axe .......... 31
III.3.2- Rotation suivant deux axes

................................................... 32
III.4- Diffrents types de montures

............................................................... 33
III.4.1- Monture altazimutale ........................................................... 33
III.4.2- Monture quatoriale

.............................................................. 34
III.5- Comparaison entre un systme PV fixe et un systme mobile

........... 35
III.6- Conclusion

........................................................................................... 35

CHAP IV : Realisation ........................................................................................... 36
IV.1- Introduction ............................................................................................ 36
IV.2- Schma Synoptique ................................................................................. 36
IV. 3- ralisation du suiveur ............................................................................ 37
IV. 3.1-Partie mcanique ...................................................................... 37
IV. 3.1.1-Description de la structure .................................. 38
IV. 3.1.2-Orientation laxe horizon (lvation) ............... 39
IV. 3.1.3-Orientation laxe vertical (lazimute) ............... 40
IV. 3.1.4-Chois demplacement du capteur ......................... 40
IV. 3.1.5-Chois du moteur lectrique ................................... 41
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IV. 3.1.6-les vrins lectriques ............................................ 41
IV. 3.1.7-Le moteur courant continue ............................. 41
IV. 3.2-Partie lectronique .................................................................. 42
IV. 3.2.1-Le bloc dalimentation ......................................... 42
IV. 3.1.2-chois du capteur de lumire ................................. 42
IV. 3.2.2.1-La photorsistance .................................. 42
IV. 3.2.3-Carte de puissance ................................................ 44
IV. 3.2.3.1-Constutiants .............................................. 45
IV. 3.2.4-Carte de traitement ................................................ 47
IV. 3.2.5- pic16f877A .............................................................. 49
IV. 3.2.5.1- Choix du microcontrleur .................... 51
IV. 3.2.6- Loscillateur ........................................................ 52
IV. 3.2.7- Le module de conversion A/N .......................... 53
IV. 3.2.8- La programmation du pic ................................. 53
IV. 3.2.8.1- organigramme ........................................ 57
IV. 3.2.8.2- programme sous logiciel microC .......... 58
IV. 3.2.8.3- simulation en Isis .................................... 58
IV. 4. Test et Problmes rencontrs .............................................................. 59
IV. 5. Conclusion

............................................................................................ 59
Conclusion gnrale .................................................................................................. 60
Bibliographies ........................................................................................................... 61
Annexes ................................................................................................................ 62







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Introduction gnrale

Les nergies renouvelables sont des nergies qui se renouvlent assez rapidement pour
tre considres comme inpuisable lchelle humaine du temps. Face aux prvisions
dpuisement invitable des ressources mondiales en nergie fossile (ptrole, gaz, charbon...),
en nergie dorigine thermonuclaire (uranium, plutonium...), face aux multiples crises
ptrolires, conomiques, aux changements climatiques dus leffet de serre, la science sest
tout naturellement intresse aux ressources dites " renouvelables " et notamment vers la plus
ancienne, le soleil, qui dverse chaque jour lquivalent de 100 000 milliards de TEP (tonnes
quivalent ptrole). Cette valeur est comparer aux 9,58 milliards de TEP que reprsente la
consommation annuelle mondiale en nergie primaire (1998).
Considr dans lAntiquit comme un dieu, le soleil est aujourdhui rduit au statut
dnergie, une nergie quil nous faut la capter, la transformer, la stocker.... Capter cette
nergie et la transformer directement en lectricit par effet photovoltaque, provient de la
conversion de la lumire du soleil en lectricit au sein de matriaux semi-conducteurs
comme le silicium ou ceux qui sont recouvert dune mince couche mtallique. Ces matriaux
photosensibles ont la proprit de librer leurs lectrons sous linfluence dune nergie
extrieure. Cest leffet photovoltaque. Lnergie est apporte par les photons, (composants
de la lumire) qui heurtent les lectrons et les librent, induisant un courant lectrique. Ce
courant continu de micro puissance calcul en watt crte (Wc) peut tre transform en courant
alternatif.
Dans ce contexte, notre motivation dans ce travail dvelopp en chapitres est
doptimiser lnergie fournie par les panneaux photovoltaques dans le but de maximiser la
quantit dclairement absorb par les panneaux photovoltaques en suivant le mouvement du
soleil pendant la journe.
Notre mmoire est organis de la manire suivante :
- Le premier chapitre concerne ltat de lart du rayonnement solaire
- le second chapitre porte sur la conversion photovoltaque mobile.
- Le troisime chapitre prsente les diffrents systmes de poursuite du soleil
- Quatrime chapitre concerne la ralisation du suiveur de soleil a deux axes et
la programmation du PIC


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Le rayonnement solaire
















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I.1- Introduction

La ressource de base la plus importante pour tous les potentiels nergtiques
renouvelables est l'nergie solaire, cest le rayonnement mis dans toutes les directions par le
soleil, et que la terre reoit raison d'une puissance moyenne de 1,4 kW/m, pour une surface
perpendiculaire la direction terre-soleil. Ce flux solaire est attnu lors de la traverse de
l'atmosphre par absorption ou diffusion, suivant les conditions mtorologiques et la latitude
du lieu au niveau du sol.
Afin dexploiter au mieux cette ressource nergtique et pour un bon dimensionnement
des installations solaires, il est ncessaire de connatre la quantit de lnergie solaire disponible
un endroit spcifique chaque instant de la journe et de lanne. Pour cette raison, on a
jug ncessaire de prsenter dans ce chapitre une notion gnrale sur les coordonnes clestes
ainsi que le rayonnement solaire.
I.2- Mouvement du Globe terrestre :[1]
La terre dcrit autour du soleil une orbite elliptique quasi circulaire avec une priode
de 365,25 jours. Le plan de cette orbite est appel plan de lcliptique. Cest au solstice dhiver
(21dcembre) que la terre est la plus proche du soleil, et au solstice dt (22juin) quelle en
est la plus loigne.
La terre tourne sur elle-mme avec une priode de 24h. Son axe de rotation (laxe des
ples) a une orientation fixe dans lespace. Il fait un angle 2327 avec la normale au plan de
lcliptique.


Figure I.1- Variation saisonnire du rayonnement solaire




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I.3- La sphre cleste :

La sphre cleste est une sphre imaginaire dun diamtre immense, avec la terre au
centre. On considre que tous les objets visibles dans le ciel se trouvent sur la surface de la
sphre cleste. On peut rsumer les diffrentes caractristiques sur la sphre elle mme comme
est reprsent sur la figure (I-2)

Figure I.2- La sphre cleste

La direction des objets peut tre quantifie de faon prcise laide dun systme de
coordonnes clestes.


I.4- Les coordonnes clestes :

I.4.1- Les coordonnes gographiques :

Ce sont les coordonnes angulaires qui permettent le reprage dun point sur la terre

I.4.1.1- Longitude :

La longitude dun lieu correspond langle que fait le plan mridien passant par ce lieu
avec un plan mridien retenu comme origine. On a choisi pour mridien (origine 0) le plan
passant par lobservatoire de Greenwich. Par convention on affecte du signe (+) les mridiens
situs lest de ce mridien, et du signe (-) les mridiens situs louest.



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I.4.1.2- Latitude :
La latitude dun lieu
joignant le centre de la terre
gale 0, le pole nord par
convention de signe affecte le
tous les lieux de lhmisphre

Figur


I.4.2- Les coordonnes horai
I.4.2.1- La dclinaison solair
Cest langle form pa
tout au long de lanne, entr
sannule aux quinoxes de prin
= 23.45sin (360
n : numro du jour dans lanne
correspond langle avec le plan quatoria
ce lieu. Lquateur terrestre est donc caract
r la latitude +90 et le pole sud par la la
signe (+) tous les lieux de lhmisphre no
sud.
Chlef : =36.10
0
N

re I.3- Les coordonnes gographiques
aires
re :
ar la direction du soleil et le plan quatorial
re deux valeurs extrmes (-2327et +23
ntemps et dautomne, sa valeur peut tre calcu
23.45sin (360 (284 + n) /365) (I
e
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al, que fait le rayon
ris par une latitude
atitude -90. Cette
ord et le signe ()

terrestre. Elle varie
27environ) et elle
ule par la formule:
.1)
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Figure I.4- La dclinaison du soleil en fonction des jours

I.4.2.2- Angle horaire (w) :
Langle horaire du soleil est langle form par le plan mridien du lieu et celui qui
passe par la direction du soleil si lon prend comme origine le mridien de Greenwich, langle
horaire est compris entre 0 et 360 degr s La valeur de langle horaire est nulle midi
solaire, ngative le matin, positive dans l'aprs midi et augmente de 15 par heure, L'angle
horaire et est obtenu de la faon suivante :
w= 180 x (TSV

/ 12 - 1) (I .2)
ou encore :
w = 360 x (TSV - 12)/ 24 (I .3)
w :en degrs



Figure I. 5- les coordonnes horaires

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I.4.3- Les coordonnes h
Le reprage du soleil se
I.4.3.1- Hauteur angulaire d
Cest langle form pa
soleil. Cette hauteur durant le
h = Arc Sin (Sin () x Sin (
I.4.3.2- Azimut(a):
Cest langle compris en
La connaissance de lazimut du
rayons sur une surface non hor

Figu

I.4.4- Temps solaires :
I.4.4.1- Temps solaire vrai :
On appelle " Temps Solaire Vrai
langle horaire du Soleil en ce lieu et cet instant
mouvement de rotation de la Terre sur elle
introduction est naturelle, car i
est indiqu sur les cadrans solaires.
Remarque importante :
La dfinition de TSV donne ci
prend, par commodit, TSV = 12h pour la v
Cest cette dernire dfinition que nous utiliserons par la suite.
horizontales :
e fait par lintermdiaire de deux angles :
du soleil (h) :
ar le plan horizontal au lieu dobservation
jour peut varier de 0 (soleil lhorizon) 90
) x Sin () + Cos () x Cos () x Cos (w))
ntre le mridien du lieu et le plan vertical p
ut du soleil est indispensable pour le calcul de lan
rizontale
ure I.6- Les coordonnes horizontales
:
Temps Solaire Vrai " (en abrg TSV) en un lieu et un instant donn,
langle horaire du Soleil en ce lieu et cet instant .Cest une notion qui traduit la fois le
mouvement de rotation de la Terre sur elle-mme et son mouvement autour du Soleil. Son
introduction est naturelle, car il est li lalternance des jours et des nuits. Cest le TSV qui
est indiqu sur les cadrans solaires.
La dfinition de TSV donne ci-dessus est la dfinition en Astronomie. En physique, on
prend, par commodit, TSV = 12h pour la valeur nulle de langle horaire (cest
Cest cette dernire dfinition que nous utiliserons par la suite. TSV = 12 + (
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n et la direction du
90 (soleil au znith)
(I .4)
passant par le soleil.
ngle dincidence des

TSV) en un lieu et un instant donn,
.Cest une notion qui traduit la fois le
mme et son mouvement autour du Soleil. Son
l est li lalternance des jours et des nuits. Cest le TSV qui
dessus est la dfinition en Astronomie. En physique, on
aleur nulle de langle horaire (cest--dire midi).
TSV = 12 + (w/15) en heures.
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I.4.4.2- Temps solaire moyen :
La vitesse de la Terre sur son orbite nest pas constante au cours de lanne. Pour avoir
un temps qui " scoule " vitesse constante (celui mesur par les horloges), on dfinit donc
un temps solaire moyen.
Historiquement, la journe solaire moyenne a t utilise pour dfinir les units de temps. On
a encore avec une bonne prcision 1 jour = 24h 00m 00s.
Lcart entre TSV et TSM varie selon la date, mais est nul en moyenne, par dfinition.
Lexpression de cet cart porte le nom de " Equation du temps ".

I.4.5- Angle horaire de coucher du soleil :


Langle horaire du soleil est le dplacement angulaire du soleil autour de laxe polaire.
Dans sa course dest en ouest, par rapport au mridien local.
Il est donn par lquation Suivante :
Ws=

arcos (- tan (

) tan (

))
(I .5)



: Dclinaison solaire.
: latitude.

I.5- Le rayonnement solaire :
Le rayonnement solaire est un rayonnement thermique qui se propage sous la forme
dondes lectromagntiques. En dehors de latmosphre terrestre, il donne un clairement
nergtique peu prs constant et gale 1367w/m2, appel de ce fait constante solaire.

I.5.1- Types de rayonnements :
:[1]

I.5.1.1- Rayonnement direct :
Le rayonnement solaire direct se dfinit comme tant le rayonnement provenant du
seul disque solaire. Il est donc nul lorsque le soleil est occult par les nuages.
I.5.1.2 - Rayonnement diffus :
Dans sa traverse de latmosphre, le rayonnement solaire est diffus par les
molcules

de lair et les particules en suspension. Le rayonnement solaire diffus nest donc
nul que la nuit.

I.5.1.3- Rayonnement global :
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Cest la somme des deux types de rayonnements direct et diffus.

Figure I.7- Composantes du rayonnement global sur une surface incline

I.6- Rayonnement en Algrie :[2]
LAlgrie possdant un gisement solaire important, de part son climat, la puissance
solaire maximale en tout point de notre pays est denviron 1Kw/m2. Lnergie journalire
maximale moyenne (ciel clair, mois de juillet) dpasse les 6Kw/m2 et lnergie annuelle
maximale en Algrie est de l'ordre de 2500 Kw/m2 La carte ci-dessous reprsente les
diffrentes zones nergtiques de lAlgrie.
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Figure I.8- les diffrentes zones nergtiques dans lAlgrie

I.7- Conclusion :

Ltude du rayonnement solaire s'avre ncessaire pour le choix du meilleur site en
vue d'une installation d'un systme de captation solaire. Le rayonnement reu par un capteur
solaire dpend galement du niveau densoleillement du site considr et de son orientation
par rapport au soleil. Un capteur solaire fixe reoit le maximum dnergie lorsquil est orient
vers le sud et est inclin selon un angle pratiquement gal la latitude du lieu.
Pour que le rayonnement solaire soit perpendiculaire au panneau solaire, et afin
d'optimiser tout le systme de captation, il est ncessaire de recourir la technique de poursuite
du soleil.






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La conversion photovoltaque




























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II.1- Introduction :
Le dveloppement de lexploitation des nergies renouvelables a connu une forte
croissance ces dernires annes. La production dlectricit par des sources dnergie
renouvelables offre une plus grande sret dapprovisionnement des consommateurs tout en
respectant les normes cologiques de lnergie. Nous rappelons brivement le principe de la
conversion de lnergie solaire en nergie lectrique reposant sur leffet photolectrique,
cest dire sur la capacit des photons crer des porteurs de charge (lectrons et trous)
dans un matriau. Le domaine Gnie lectrique tant notre spcialit, nous nous sommes
attachs utiliser des modles lectriques simplifis pour dcrire le comportement des
diffrentes cellules rencontres tout au long de ce chapitre.

II.2- Leffet photovoltaque:
Leffet photovoltaque a t dcouvert par Alexandre Edmond Becquerel en 1839. Il
est obtenu par absorption des photons dans un matriau semi-conducteur, lequel gnre alors
une tension lectrique. Les cellules photovoltaques produisent du courant continu partir du
rayonnement solaire qui peut tre utilis pour alimenter un appareil ou recharger une batterie.

II.2.1- effet photolectrique interne :[2]
Le rayonnement solaire est constitu de photons dont lnergie est dcrite par la
relation suivante :
E [J]=h=h.c/ (II.1)
h : constante de Planck.
: longueur donde [m].
c : clrit de la lumire dans le vide
: frquence [Hz].

Quand un photon heurte la cellule, il transmet son nergie aux lectrons des semi-
conducteurs. Si lnergie absorbe est suffisante pour permettre le passage de la bande
interdite (hv > Egap = Econcuction - Evalence), ces lectrons quittent leur bande de valence et
entrent dans la bande dite de conduction. Cette mission d'lectrons et des trous
correspondants (on parle de paires lectron-trou) due l'action de la lumire est appele effet
photolectrique interne (car les lectrons ne sont pas jects en dehors de latome). Les
proprits physiques du matriau sont alors modifies et celui-ci devient conducteur
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(photoconductivit). Si linverse lnergie du photon nest pas suffisante,
matriau sans transmettre dnergie.
Figure
Ainsi, un matriau semi-conducteur dont la bande interdite est comprise entre 0.7 et 0.4
est un matriau dit photovoltaque du spectre solaire.
Le dfi est de rcuprer la paire lectron
suffisamment rapidement il y a recombinaison entre llectron et le trou. Pour pouvoir
valoriser le potentiel lectrique de cet effet, on utilisera la diffrence de pote
une jonction pn.

II. 3- la jonction PN :
Une cellule solaire est compose dune
matriau de type n et la couche infrieure de
un traitement de surface pour dposer un semi
dun matriau de type p.
(photoconductivit). Si linverse lnergie du photon nest pas suffisante,
matriau sans transmettre dnergie.

Figure II.1- effet photolectrique interne
conducteur dont la bande interdite est comprise entre 0.7 et 0.4
est un matriau dit photovoltaque du spectre solaire.
de rcuprer la paire lectron-trou ainsi gnr, car si celle-ci nest pas rcupre
suffisamment rapidement il y a recombinaison entre llectron et le trou. Pour pouvoir
valoriser le potentiel lectrique de cet effet, on utilisera la diffrence de pote
Une cellule solaire est compose dune jonction p-n, la couche suprieure tant un
matriau de type n et la couche infrieure de type p. Pour fabriquer ces jonctions, on effectue
un traitement de surface pour dposer un semi-conducteur de type n sur la surface externe
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(photoconductivit). Si linverse lnergie du photon nest pas suffisante, il traverse le
conducteur dont la bande interdite est comprise entre 0.7 et 0.4 eV
ci nest pas rcupre
suffisamment rapidement il y a recombinaison entre llectron et le trou. Pour pouvoir
valoriser le potentiel lectrique de cet effet, on utilisera la diffrence de potentiel induite par
, la couche suprieure tant un
Pour fabriquer ces jonctions, on effectue
conducteur de type n sur la surface externe
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La mise en contact de ces matriaux
champ lectrique permanent. Cette barrire, appele zone de dpltion, est forme par
recombinaison du surplus de trous et dlectrons
schma suivant reprsente les niveaux dnergie au voisinag
Figure II.3-les niveaux dnergie au voisinage de la jonction
Si la temprature dune telle jonction augmente, les lectrons rempliront
progressivement tous les tats dnergie, annulant la bande interdite et par l, leffet de la
jonction p-n. Une telle jonction prsente un comportement bien caractristique selon quelle
soit soumise une diffrence de potentiel dans le sens direct ou dans le sens inverse.

Figure II.2-- la jonction PN
La mise en contact de ces matriaux gnre une barrire de potentiel la base du
champ lectrique permanent. Cette barrire, appele zone de dpltion, est forme par
recombinaison du surplus de trous et dlectrons des zones p et n remis en contact. Le
schma suivant reprsente les niveaux dnergie au voisinage de la jonction :

les niveaux dnergie au voisinage de la jonction
temprature dune telle jonction augmente, les lectrons rempliront
progressivement tous les tats dnergie, annulant la bande interdite et par l, leffet de la
Une telle jonction prsente un comportement bien caractristique selon quelle
soit soumise une diffrence de potentiel dans le sens direct ou dans le sens inverse.
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potentiel la base du
champ lectrique permanent. Cette barrire, appele zone de dpltion, est forme par
des zones p et n remis en contact. Le
e de la jonction :
les niveaux dnergie au voisinage de la jonction
temprature dune telle jonction augmente, les lectrons rempliront
progressivement tous les tats dnergie, annulant la bande interdite et par l, leffet de la
Une telle jonction prsente un comportement bien caractristique selon quelle
soit soumise une diffrence de potentiel dans le sens direct ou dans le sens inverse.
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II.3.1- La polarisation directe
De la jonction (en respectant les bornes)
potentiel et permet un passage important de courant d aux porteurs majoritaires.

Figure II.4
II.3.2-La polarisation inverse
Provoque un renforcement de la barrire de potentiel (largissement de la zone de
dpltion par recombinaison) et un courant d aux porteurs minoritaires (trous dans le type n
et lectrons dans le type p). Ce courant, trs faible, varie peu en fonction de

Figure II.5
Cette caractristique est la base des diodes lectriques, composant lectronique qui
ne permet le passage de courant que dans un sens.

polarisation directe :[2]
De la jonction (en respectant les bornes) provoque un abaissement de la barrire de
potentiel et permet un passage important de courant d aux porteurs majoritaires.

4- caractristique de la polarisation directe
polarisation inverse :
Provoque un renforcement de la barrire de potentiel (largissement de la zone de
dpltion par recombinaison) et un courant d aux porteurs minoritaires (trous dans le type n
et lectrons dans le type p). Ce courant, trs faible, varie peu en fonction de

5- caractristique de la polarisation inverse
Cette caractristique est la base des diodes lectriques, composant lectronique qui
ne permet le passage de courant que dans un sens.
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provoque un abaissement de la barrire de
potentiel et permet un passage important de courant d aux porteurs majoritaires.
polarisation directe
Provoque un renforcement de la barrire de potentiel (largissement de la zone de
dpltion par recombinaison) et un courant d aux porteurs minoritaires (trous dans le type n
et lectrons dans le type p). Ce courant, trs faible, varie peu en fonction de la tension.
polarisation inverse
Cette caractristique est la base des diodes lectriques, composant lectronique qui
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Ce schma montre la relation
composant :

Figure II.6- relation typique entre le courant et le potentiel v
Pour crer un courant utilisable dans cette
Soit abaisser la barrire de potentiel (grce une polarisation directe). La jonction est alors
rceptrice (diodes de redressement).
Soit fournir une nergie supplmentaire (dorigine lumineuse, thermique) aux
bande de valence. La jonction est alors gnratrice.
Il ne reste alors plus qu collecter les charges avant leur recombinaison.
L'effet du rayonnement lorsquil fournit assez d'nergie (si celle
largeur de la bande interdite) fait apparatre des paires supplmentaires dlectron trou porteur
(apparition simultane d'un porteur n
Les porteurs p ainsi crs ont tendance migrer vers le matriau p et les porteurs n
vers le matriau n, renforant la barrire de potentiel. Une partie des porteurs gnrs par le
rayonnement sera elle aussi soumise divers phnomnes de recombinaison (disparition
simultane d'un porteur n et d'un porteur p).

II.3.3- Lclairement a deux effets sur le
Si le systme fonctionne en mode rcepteur (quadrant III) : la rsistance diminue avec
lclairement, cest la photorsistance.
Si le systme fonctionne en mode
circuit" est proportionnel lclairement et la tension vide est celle de la diode en
polarisation directe. Cest la cellule photovoltaq
que sont bases les caractristiques des cellules
schma montre la relation typique entre lintensit du courant et le potentiel dun tel

relation typique entre le courant et le potentiel v
Pour crer un courant utilisable dans cette jonction p-n, deux moyens sont possibles
abaisser la barrire de potentiel (grce une polarisation directe). La jonction est alors
rceptrice (diodes de redressement).
fournir une nergie supplmentaire (dorigine lumineuse, thermique) aux
bande de valence. La jonction est alors gnratrice.
Il ne reste alors plus qu collecter les charges avant leur recombinaison.
L'effet du rayonnement lorsquil fournit assez d'nergie (si celle-ci est suprieure la
terdite) fait apparatre des paires supplmentaires dlectron trou porteur
porteur n et d'un porteur p) dans la jonction.
Les porteurs p ainsi crs ont tendance migrer vers le matriau p et les porteurs n
, renforant la barrire de potentiel. Une partie des porteurs gnrs par le
rayonnement sera elle aussi soumise divers phnomnes de recombinaison (disparition
simultane d'un porteur n et d'un porteur p).
Lclairement a deux effets sur le fonctionnement :
Si le systme fonctionne en mode rcepteur (quadrant III) : la rsistance diminue avec
photorsistance.
Si le systme fonctionne en mode gnrateur (quadrant IV) :
est proportionnel lclairement et la tension vide est celle de la diode en
polarisation directe. Cest la cellule photovoltaque jonction PN. Cest sur ce quadrant IV
caractristiques des cellules.
Page 26
typique entre lintensit du courant et le potentiel dun tel
relation typique entre le courant et le potentiel v
n, deux moyens sont possibles :
abaisser la barrire de potentiel (grce une polarisation directe). La jonction est alors
fournir une nergie supplmentaire (dorigine lumineuse, thermique) aux porteurs de la
ci est suprieure la
terdite) fait apparatre des paires supplmentaires dlectron trou porteur
Les porteurs p ainsi crs ont tendance migrer vers le matriau p et les porteurs n
, renforant la barrire de potentiel. Une partie des porteurs gnrs par le
rayonnement sera elle aussi soumise divers phnomnes de recombinaison (disparition
Si le systme fonctionne en mode rcepteur (quadrant III) : la rsistance diminue avec
gnrateur (quadrant IV) : le courant "court-
est proportionnel lclairement et la tension vide est celle de la diode en
ue jonction PN. Cest sur ce quadrant IV
UHBCH


Figure II.
II. 4- Les cellules solaires
Les cellules solaires ou cellules photovoltaques sont des composantes optolectrique
qui transforment directement la lumire solaire en lectricit. Elles sont ralises laide des
matriaux semi-conducteurs. Le matriau de base est dans la plupart des
le procd de fabrication, on obtiendra des photopiles plus ou moins performantes, sous forme
amorphe, poly cristalline, ou monocristalline .dautres matriaux sont utilisables
de Gallium (AsGa), Tellurure de Cadium (CdTe

II.4.1-Les principaux types de cellule
II.4.1.1-Cellule en silicium amorphe
Le silicium lors de sa transformation, produit un gaz, qui est projet sur une feuille de
verre. La cellule est gris trs fonc. C'est la cellule des calculatrices et de
"solaires".
Avantages:
elles fonctionnent avec un clairement faible.
elles sont moins chres que les autres.
Inconvnients :
Leur rendement (6%) est moins bon que les autres en plein soleil.
Leurs performances diminuent sensiblement avec
II.4.1.2-Cellule en silicium monocristallin
On sarrange, lors du refroidissement du silicium fondu pour quil se solidifie en ne formant
quun seul cristal de grande dimension. On dcoupe le cristal en fines tranches qui donneront
qui les cellules. Ces cellules sont en gnral dun bleu uniforme.

Figure II.7- leffet de Lclairement

Les cellules solaires :
Les cellules solaires ou cellules photovoltaques sont des composantes optolectrique
qui transforment directement la lumire solaire en lectricit. Elles sont ralises laide des
conducteurs. Le matriau de base est dans la plupart des cas le silicium. Selon
le procd de fabrication, on obtiendra des photopiles plus ou moins performantes, sous forme
amorphe, poly cristalline, ou monocristalline .dautres matriaux sont utilisables
de Gallium (AsGa), Tellurure de Cadium (CdTe).
Les principaux types de cellule :
Cellule en silicium amorphe :
Le silicium lors de sa transformation, produit un gaz, qui est projet sur une feuille de
verre. La cellule est gris trs fonc. C'est la cellule des calculatrices et de
elles fonctionnent avec un clairement faible.
elles sont moins chres que les autres.
Leur rendement (6%) est moins bon que les autres en plein soleil.
Leurs performances diminuent sensiblement avec le temps.
Cellule en silicium monocristallin :
On sarrange, lors du refroidissement du silicium fondu pour quil se solidifie en ne formant
quun seul cristal de grande dimension. On dcoupe le cristal en fines tranches qui donneront
ules. Ces cellules sont en gnral dun bleu uniforme.
Page 27
Les cellules solaires ou cellules photovoltaques sont des composantes optolectrique
qui transforment directement la lumire solaire en lectricit. Elles sont ralises laide des
cas le silicium. Selon
le procd de fabrication, on obtiendra des photopiles plus ou moins performantes, sous forme
amorphe, poly cristalline, ou monocristalline .dautres matriaux sont utilisables : Arsniure
Le silicium lors de sa transformation, produit un gaz, qui est projet sur une feuille de
verre. La cellule est gris trs fonc. C'est la cellule des calculatrices et des montres dites
On sarrange, lors du refroidissement du silicium fondu pour quil se solidifie en ne formant
quun seul cristal de grande dimension. On dcoupe le cristal en fines tranches qui donneront
UHBCH Page 28

Avantages :
bon rendement (17%).
Inconvnients :
les cellules sont chres.
fonctionnement trs mdiocre sous un faible clairement.
II.4.1.3-Cellule en silicium poly cristallin :
Pendant le refroidissement du silicium, il se forme plusieurs cristaux .ce genre de cellule
est galement bleu, mais pas uniforme, on distingue des motifs cres par les diffrents
cristaux.
Avantages :
bon rendement (13%), mais cependant moins bon que le monocristallin.
moins chre que le monocristallin.
Inconvnients :
les mmes que le cristallin.
Ce sont les cellules les plus utilises pour la production lectrique (meilleur rapport
qualit prix).
Il existe dautres types de cellule, certains tant en cours dtude. Leur utilisation est
pratiquement ngligeable actuellement.
Figure II.8- Diffrents types de cellules.

II.4.2- Modlisation lectrique dune cellule photovoltaque :


Les cellules
monocristallines
Les cellules
poly cristallines
Les cellules amorphes
UHBCH Page 29

Lorsquune jonction PN ralise partir de matriaux sensibles la lumire est
claire, elle prsente la particularit de pouvoir fonctionner en gnrateur dnergie. Ce
comportement en statique peut tre dcrit par lquation lectrique dfinissant le
comportement dune diode classique. Ainsi, le rgime lectrique statique dune cellule
photovoltaque constitue dune jonction PN en silicium peut tre dcrit via lquation
suivante :
I
ccII
= I
cc
-I
sut
jcxp [
v
ccll
+(I
ccll
R
scric
)
nv
T
-1[ -
v
ccll
+(I
ccll
R
scric
)
R
shunt
(II.2)
O I
1
=
K1
c
reprsente le potentiel thermodynamique. I
sat
:le courant de saturation de la
jonction. K.la constante de Boltzman (1.381 10
-23
Joules/Kelvin). T : la temprature de la
cellule en Kelvin. e : la charge dun lectron. n. le facteur de non idalit de la
jonction. I
ell
:le courant fourni par la cellule. V
ell
: la tension aux bornes de la cellule. I

: le
courant produit par la cellule lorsquelle est mise en court-circuit. R
shunt
: la rsistance
modlisant les courants de fuites de la jonction. et finalement, R
serte
: la rsistance srie
caractrisant les diverses rsistances de contacts et de connexions. La Figure II.8 reprsente
avec des composants lectriques, le comportement lectrique quivalent dduit de lquation
prcdente.

Figure II.9-Schma lectrique quivalent dune cellule en silicium cristallin
La courbe prsente en Figure II.10 (a) reprsente la caractristique courant-tension
normalise note I(V) dune cellule solaire en silicium multi-cristallin ayant un rendement de
19.8%. La densit de courant dlivre par la cellule, ici note J, est exprime en ampre par
unit de surface (cm). La tension prsente aux bornes de la cellule est exprime en volt et ne
dpend pas de la surface de la cellule. Le courant de court-circuit de la cellule est de
38.1mA/cm (not dans les notices constructeurs Icc ou alors Isc pour la terminologie
anglaise signifiant Short-Circuit current) et la tension de circuit ouvert slve 654mV
(Voc, pour Open Circuit Voltage).
UHBCH Page 30


Figure II.10- Caractristique courant-tension dune cellule en silicium multi-cristallin.
(a) Courbe relle mesure par le constructeur, (b) Courbe simule.

Un paramtre important est souvent utilis partir de la caractristique I(V) pour
qualifier la qualit dune cellule ou dun gnrateur PV : cest le facteur de remplissage ou fil
factor (FF). Il est illustr sur la Figure II.11. Ce coefficient reprsente le rapport entre la
puissance maximale que peut dlivrer la cellule note Pmax et la puissance forme par le
rectangle Icc*Voc. Plus la valeur de ce facteur sera grande, plus la puissance exploitable le
sera galement. Les meilleures cellules auront donc fait lobjet de compromis technologiques
pour atteindre le plus possible les caractristiques idales.

Figure II.11- Notion de facteur de forme FF pour une cellule photolectrique. Vco
Le modle lectrique de la Figure II.8est facilement adaptable tout logiciel de type
circuit. Nous lavons utilis pour modliser par exemple la caractristique dune cellule en
silicium multi-cristallin laide du logiciel de simulation lectrique PSIM. Nous retrouvons
en Figure II.11, les lments du schma lectrique quivalent prsent prcdemment. La
rsistance non-linaire nous a servi reproduire la caractristique relle dune diode
jonction PN.
UHBCH

Figure II.12. Schma lectrique
Figure II.12. Schma lectrique quivalent dune cellule solaire en silicium sous
PSIM. Grce ce montage simplifi, nous pouvons simuler les caractristiques statiques
dune cellule photovoltaque
donns, quelle que soit sa technologie. Il suffit simplement de modifier les paramtres du
modle pour avoir les bonnes caractristiques.

II.4.3-Caractristiques lectriques des photopiles
II.4.3.1-Caractristique Courant
Figure II.13- Caractristique Courant
Avec,
Icc [A] : courant de court
Vco : tension en circuit ouvert.
Pour crer un courant, on place des lectrodes sur chacun des matriaux et on les relie
par un circuit lectrique. Ces raccordements et leur fabrication provoqueront des effets
. Schma lectrique quivalent dune cellule solaire en silicium sous PSIM.
. Schma lectrique quivalent dune cellule solaire en silicium sous
PSIM. Grce ce montage simplifi, nous pouvons simuler les caractristiques statiques
dune cellule photovoltaque soumise un ensoleillement et une temprature constante
donns, quelle que soit sa technologie. Il suffit simplement de modifier les paramtres du
modle pour avoir les bonnes caractristiques.
Caractristiques lectriques des photopiles :
Caractristique Courant- Tension :

Caractristique Courant- Tension de photopile
: courant de court-circuit d lclairement E
: tension en circuit ouvert.
Pour crer un courant, on place des lectrodes sur chacun des matriaux et on les relie
par un circuit lectrique. Ces raccordements et leur fabrication provoqueront des effets
Page 31

quivalent dune cellule solaire en silicium sous PSIM.
. Schma lectrique quivalent dune cellule solaire en silicium sous
PSIM. Grce ce montage simplifi, nous pouvons simuler les caractristiques statiques
soumise un ensoleillement et une temprature constante
donns, quelle que soit sa technologie. Il suffit simplement de modifier les paramtres du
de photopile
Pour crer un courant, on place des lectrodes sur chacun des matriaux et on les relie
par un circuit lectrique. Ces raccordements et leur fabrication provoqueront des effets
UHBCH

rsistifs parasites qui diffrencieront les caractristiques relles des cellul
comportement thorique.
Figure II.14- Caractristiques lectriques des cellules et modules
Sous un clairement donn, toute cellule photovoltaque est caractrise par une
courbe courant-tension reprsentant l'ensemble des
prendre la cellule. Trois grandeurs physiques dfinissent cette courbe:
Sa tension vide : Vco. Cette valeur reprsenterait la tension gnre par une cellule
claire non raccorde.
Son courant court-circuit: Icc. Cett
cellule claire raccorde elle
Son point de puissance maximal: MPP (
une tension et un courant optimaux : Vopt, Iopt (parfois appels aussi Vmpp, Impp).
Figure II.1
rsistifs parasites qui diffrencieront les caractristiques relles des cellul

Caractristiques lectriques des cellules et modules

Sous un clairement donn, toute cellule photovoltaque est caractrise par une
tension reprsentant l'ensemble des configurations lectriques que peut
prendre la cellule. Trois grandeurs physiques dfinissent cette courbe:
Sa tension vide : Vco. Cette valeur reprsenterait la tension gnre par une cellule

circuit: Icc. Cette valeur reprsenterait le courant gnr par une
cellule claire raccorde elle-mme.
Son point de puissance maximal: MPP (en anglais : maximal power point)
une tension et un courant optimaux : Vopt, Iopt (parfois appels aussi Vmpp, Impp).

Figure II.15- Caractristiques courant-tension
Page 32
rsistifs parasites qui diffrencieront les caractristiques relles des cellules de ce
Caractristiques lectriques des cellules et modules
Sous un clairement donn, toute cellule photovoltaque est caractrise par une
configurations lectriques que peut
Sa tension vide : Vco. Cette valeur reprsenterait la tension gnre par une cellule
e valeur reprsenterait le courant gnr par une
: maximal power point) obtenu pour
une tension et un courant optimaux : Vopt, Iopt (parfois appels aussi Vmpp, Impp).

UHBCH

Remarque : Pour permettre une comparaison de lefficacit de diffrentes cellules, on dfinit
ces caractristiques dans des conditions de test bien prcises (STC
Conditions). Ces conditions sont : mission lumineuse de 1
conditions spectrales Air Mass 1.5
lorsquil traverse une paisseur et demie datmosphre, ce qui correspond un angle
dincidence de 41.8 par rapport lhorizontale).
Actuellement, les cellules prsentent des valeurs de lordre de 0.5V

II.5- Linfluence de lclairement et de la temprature sur le fonctionnement dune
cellule PV :
Dans le cas dapplication solaire de cellules PV, les caractristiques standard des
cellules PV (puissance crte, I
standard en laboratoire (STC) cest dire une rpartition du rayo
AM = 1,5, un rayonnement incident normal sur la cellule PV de 1 000 W
temprature de cellule + 25 C plus ou moins 2C, la vitesse de lair circulant autour de la
cellule - environ 2 m / s - nest pas prcise car e
de la cellule.
II.5.1/- Linfluence de l'clairement solaire sur le fonctionnement dune cellule PV
La luminosit influence considrablement les performances des cellules.
Figure II.16- Linfluence de l'clairement
: Pour permettre une comparaison de lefficacit de diffrentes cellules, on dfinit
ces caractristiques dans des conditions de test bien prcises (STC
sont : mission lumineuse de 1 000 W/m, temprature de 25
conditions spectrales Air Mass 1.5 (composition du spectre identique au spectre solaire
lorsquil traverse une paisseur et demie datmosphre, ce qui correspond un angle
par rapport lhorizontale).
Actuellement, les cellules prsentent des valeurs de lordre de 0.5V-3.5A-2.1
Linfluence de lclairement et de la temprature sur le fonctionnement dune
Dans le cas dapplication solaire de cellules PV, les caractristiques standard des
cellules PV (puissance crte, I
cc
, V
co
) sont indiques dans le cas de tests de fonctionnement
standard en laboratoire (STC) cest dire une rpartition du rayonnement de type solaire
1,5, un rayonnement incident normal sur la cellule PV de 1 000 W
25 C plus ou moins 2C, la vitesse de lair circulant autour de la
nest pas prcise car elle est prise en compte dans la temprature
Linfluence de l'clairement solaire sur le fonctionnement dune cellule PV
La luminosit influence considrablement les performances des cellules.

Linfluence de l'clairement solaire sur la cellule PV
Page 33
: Pour permettre une comparaison de lefficacit de diffrentes cellules, on dfinit
ces caractristiques dans des conditions de test bien prcises (STC = Standard Test
W/m, temprature de 25 C,
(composition du spectre identique au spectre solaire
lorsquil traverse une paisseur et demie datmosphre, ce qui correspond un angle
2.1 Wc.
Linfluence de lclairement et de la temprature sur le fonctionnement dune
Dans le cas dapplication solaire de cellules PV, les caractristiques standard des
) sont indiques dans le cas de tests de fonctionnement
nnement de type solaire
1,5, un rayonnement incident normal sur la cellule PV de 1 000 W / m, et une
25 C plus ou moins 2C, la vitesse de lair circulant autour de la
lle est prise en compte dans la temprature
Linfluence de l'clairement solaire sur le fonctionnement dune cellule PV :
La luminosit influence considrablement les performances des cellules.

solaire sur la cellule PV
UHBCH

Comme le montre ce graphique, le courant de court
proportionnellement avec lclairement, alors que la tension vide (Vco) varie trs peu
(environ 0,5 V). Ainsi, au plus la
courant gnr est faible.

II.5.2/- Linfluence de la temprature sur le fonctionnement dune cellule PV
La temprature a une influence considrable sur le comportement de la cellule et donc su
rendement. Cette influence se traduit principalement par une diminution de la tension gnre
(et une trs lgre augmentation du courant).
Suivant les modles, ce comportement induit,
rapport au rendement maximum de la cellule. On comprendra donc tout lintrt dune
ventilation correcte larrire des panneaux

Figure II.17- Linfluence de
La perte de tension dun module ou dune cellule p
suivante :
U(T) = U(25C)
Avec :
T : augmentation de temp
a : coefficient de temprature

II.6- Regroupement des cellules
Comme le montre ce graphique, le courant de court-
proportionnellement avec lclairement, alors que la tension vide (Vco) varie trs peu
V). Ainsi, au plus la couverture nuageuse est importante, au plus lintensit du
Linfluence de la temprature sur le fonctionnement dune cellule PV
La temprature a une influence considrable sur le comportement de la cellule et donc su
rendement. Cette influence se traduit principalement par une diminution de la tension gnre
(et une trs lgre augmentation du courant).
ce comportement induit, par degr, une perte de 0.5 % du rendement par
ent maximum de la cellule. On comprendra donc tout lintrt dune
cte larrire des panneaux .

Linfluence de temprature solaire sur la cellule PV
perte de tension dun module ou dune cellule peut tre estime par la formule
= U(25C) + (T*a)
T : augmentation de temprature par rapport aux conditions STC
a : coefficient de temprature Voc [mV/K], valeur fournie par le fabriquant
Regroupement des cellules:
Page 34
-circuit (Icc) crot
proportionnellement avec lclairement, alors que la tension vide (Vco) varie trs peu
couverture nuageuse est importante, au plus lintensit du
Linfluence de la temprature sur le fonctionnement dune cellule PV :
La temprature a une influence considrable sur le comportement de la cellule et donc sur son
rendement. Cette influence se traduit principalement par une diminution de la tension gnre
% du rendement par
ent maximum de la cellule. On comprendra donc tout lintrt dune

temprature solaire sur la cellule PV
eut tre estime par la formule
(II.3)
rature par rapport aux conditions STC (25C)
Voc [mV/K], valeur fournie par le fabriquant
UHBCH

Dans les conditions standardises de test, la puissance maximale pour une cellule Si
(silicium) de 100 cm (10 sur 10) tourne aux alentours de 1,25 Watt. Cette cellule constitue
donc un gnrateur de trs faible puissance, insuffisant pour les applications lectriques
courantes. Les modules sont donc raliss par association, en srie et/ou en par
cellules lmentaires. La connexion en srie augmente la tension pour un mme courant alors
que la connexion en parallle augmente le courant pour une tension identique.
Pour que l'lectricit gnre
ncessaire dassocier entre elles un grand nombre de cellules. Les modules (gnralement
prsents sous forme de panneaux) sont constitus dun certain nombre de cellules
lmentaires places en srie afin de rendre la tension la sorti
Ces modules sont ensuite associs en rseau (srie
tensions/courants dsirs.
II.6.1- Association en srie:
Par association en srie (appele "String"), les cellules sont traverses par le mme
courant et la tension rsultante correspond la somme des tensions gnres par chacune des
cellules

Figure II.1
Dans le cas ou un module dfectueux existe au niveau de la chane srie, il se
comporte en tant que rcepteur car tous les autres modules de la chane y dissiperont une
partie importante de la puissance. Pour pallier ce problme, on place des
protection en parallle avec chaque module, Ces diodes ne dbitant quun trs faible courant
en fonctionnement normal, alors que si le module protg se dgrade, la diode conduit et
dvie le courant dlivr par les autres modules (
Dans les conditions standardises de test, la puissance maximale pour une cellule Si
(silicium) de 100 cm (10 sur 10) tourne aux alentours de 1,25 Watt. Cette cellule constitue
donc un gnrateur de trs faible puissance, insuffisant pour les applications lectriques
sont donc raliss par association, en srie et/ou en par
cellules lmentaires. La connexion en srie augmente la tension pour un mme courant alors
que la connexion en parallle augmente le courant pour une tension identique.
Pour que l'lectricit gnre soit utilisable pour nos applications lectr
ncessaire dassocier entre elles un grand nombre de cellules. Les modules (gnralement
prsents sous forme de panneaux) sont constitus dun certain nombre de cellules
lmentaires places en srie afin de rendre la tension la sorti
Ces modules sont ensuite associs en rseau (srie-parallle) de faon obtenir les


Par association en srie (appele "String"), les cellules sont traverses par le mme
et la tension rsultante correspond la somme des tensions gnres par chacune des
Figure II.18: Association en srie de N
s
cellules solaires
Dans le cas ou un module dfectueux existe au niveau de la chane srie, il se
comporte en tant que rcepteur car tous les autres modules de la chane y dissiperont une
partie importante de la puissance. Pour pallier ce problme, on place des
protection en parallle avec chaque module, Ces diodes ne dbitant quun trs faible courant
en fonctionnement normal, alors que si le module protg se dgrade, la diode conduit et
dvie le courant dlivr par les autres modules (Figure II.19).
Page 35
Dans les conditions standardises de test, la puissance maximale pour une cellule Si
(silicium) de 100 cm (10 sur 10) tourne aux alentours de 1,25 Watt. Cette cellule constitue
donc un gnrateur de trs faible puissance, insuffisant pour les applications lectriques
sont donc raliss par association, en srie et/ou en parallle, de
cellules lmentaires. La connexion en srie augmente la tension pour un mme courant alors
que la connexion en parallle augmente le courant pour une tension identique.
soit utilisable pour nos applications lectriques, il est donc
ncessaire dassocier entre elles un grand nombre de cellules. Les modules (gnralement
prsents sous forme de panneaux) sont constitus dun certain nombre de cellules
lmentaires places en srie afin de rendre la tension la sortie utilisable.
parallle) de faon obtenir les
Par association en srie (appele "String"), les cellules sont traverses par le mme
et la tension rsultante correspond la somme des tensions gnres par chacune des

cellules solaires
Dans le cas ou un module dfectueux existe au niveau de la chane srie, il se
comporte en tant que rcepteur car tous les autres modules de la chane y dissiperont une
partie importante de la puissance. Pour pallier ce problme, on place des diodes de
protection en parallle avec chaque module, Ces diodes ne dbitant quun trs faible courant
en fonctionnement normal, alors que si le module protg se dgrade, la diode conduit et
UHBCH

Figure II.19: Elimination de l'influence de la cellule dfaillante, cas srie

II.6.2- Association en parallle
Dans un tel montage, les modules doivent avoir la mme tension de circuit ouvert et
des courants de court circuit qui peuvent tre
somme des courants de chaque module alors que la tension sera celle du module (
II.18).
Figure II.20: Association en parallle de N
Dans Le cas ou un module
autres modules de la branche dissiperont de la puissance dans ce module. Pour remdier ce
problme, on place en srie avec chaque module une diode polarise en inverse et on ajoute
une diode anti retour en srie avec la branche des modules
: Elimination de l'influence de la cellule dfaillante, cas srie
Association en parallle :
Dans un tel montage, les modules doivent avoir la mme tension de circuit ouvert et
des courants de court circuit qui peuvent tre diffrent .on aura donc un courant gal la
somme des courants de chaque module alors que la tension sera celle du module (
: Association en parallle de N
p
cellules identiques
Dans Le cas ou un module dfectueux existe au niveau de la chane parallle, les
autres modules de la branche dissiperont de la puissance dans ce module. Pour remdier ce
problme, on place en srie avec chaque module une diode polarise en inverse et on ajoute
tour en srie avec la branche des modules parallles (figure19
Page 36

: Elimination de l'influence de la cellule dfaillante, cas srie
Dans un tel montage, les modules doivent avoir la mme tension de circuit ouvert et
diffrent .on aura donc un courant gal la
somme des courants de chaque module alors que la tension sera celle du module (Figure

cellules identiques
dfectueux existe au niveau de la chane parallle, les
autres modules de la branche dissiperont de la puissance dans ce module. Pour remdier ce
problme, on place en srie avec chaque module une diode polarise en inverse et on ajoute
parallles (figure19).
UHBCH Page 37


Figure II.21- Elimination de l'influence de la cellule dfaillante, cas en parallle.
II.6.3- Association mixte :
Si pour une application donne il est ncessaire de faire augmenter le courant et la
tension dlivre par les cellules solaires, on ralise un groupement mixte ou groupement srie
parallle. On parlera dans ce cas de module et de panneaux solaires. Un panneau solaire est
par dfinition un ensemble de modules regroups selon un montage mixte, le module tant
son tour compos dun ensemble de cellules monts gnralement en srie. Il est possible
dutiliser un montage de N
C
cellules identiques en srie sur un module, N
SP
nombre de
branche (places en parallle) et N
MS
nombre de modules par branche La courbe de
fonctionnement de cette association est une courbe semblable celle de la cellule de base,
obtenue en modifiant les chelles sur les deux axes. La puissance P
M
dun module sexprime
en watt-crte et cest par dfinition la puissance fournie par le module sa charge optimale
sous un clairement de 1KW/m et une temprature de 28C.
La puissance totale disponible Pt, dans ces conditions, est gale :
P
T
= N
MS
N
SP
P
M
(II.4)

La rsistance optimale est donne par :
R
opt
= (N
MS
/N
SP
) R
optm
(II.5)

O R
optm
est la rsistance optimale du module dans les mmes conditions.

UHBCH

Figure II.22- Association mixte de N

II.6.4- Les diodes de by-pass (protection)
Il arrive frquemment que les cellules lmentaires qui composent le module ne
prsentent pas toutes la mme courbe caractristique au mme moment. Les raisons peuvent
tre multiples : varit invitable de fabrication, dfaillance, diffrence dclairement ou de
temprature (dues par exemple un ombrage non uniforme du module, un encrassement,).
Sous certaines conditions, la cellule la plus faible peut alors se comporter comme une cellule
rceptrice, dissipant la puissance gnre par la cellule la plus forte. Celle
dtruite si la contrainte ou la temp
Pour viter ce phnomne, on place des diodes de by
inverses). Celles-ci sont places en srie lorsque les cellules sont connectes en parallle et en
parallle lorsque les cellules sont
Les modules aujourdhui commercialiss comprennent gnralement des diodes de
protection situes en parallle des diffrents strings qui le composent.

Figure II.
Association mixte de N
SP
branches et de N
MS
module composs de N
cellules identiques.
pass (protection) :
Il arrive frquemment que les cellules lmentaires qui composent le module ne
prsentent pas toutes la mme courbe caractristique au mme moment. Les raisons peuvent
invitable de fabrication, dfaillance, diffrence dclairement ou de
temprature (dues par exemple un ombrage non uniforme du module, un encrassement,).
Sous certaines conditions, la cellule la plus faible peut alors se comporter comme une cellule
eptrice, dissipant la puissance gnre par la cellule la plus forte. Celle
temprature devient trop importante.
Pour viter ce phnomne, on place des diodes de by-pass (empchant tout courant ou tension
ci sont places en srie lorsque les cellules sont connectes en parallle et en
sont connectes en srie.
Les modules aujourdhui commercialiss comprennent gnralement des diodes de
situes en parallle des diffrents strings qui le composent.
Figure II.23- Les diodes de protection
Page 38

module composs de N
C
Il arrive frquemment que les cellules lmentaires qui composent le module ne
prsentent pas toutes la mme courbe caractristique au mme moment. Les raisons peuvent
invitable de fabrication, dfaillance, diffrence dclairement ou de
temprature (dues par exemple un ombrage non uniforme du module, un encrassement,).
Sous certaines conditions, la cellule la plus faible peut alors se comporter comme une cellule
eptrice, dissipant la puissance gnre par la cellule la plus forte. Celle-ci peut mme tre
pass (empchant tout courant ou tension
ci sont places en srie lorsque les cellules sont connectes en parallle et en
Les modules aujourdhui commercialiss comprennent gnralement des diodes de

UHBCH

Lutilisation de ces by
caractristique, modifiant le point de puissance maximal du
Figure II.
Pour ne pas induire inutilement ces pertes, il est donc trs important que ces diodes de
by-pass soient utilises et places en cohrence avec les
du module.

II.7-Les modules photovoltaques :
Le module photovoltaque est un ensemble de cellules interconnectes entre elles pour
obtenir le courant et la tension souhaits.
Le module standard commercialis, connectant 36 cellules cristallines en srie pour des
applications en 12 V, a gnralement une tension vide suprieure 20 V et le point optimal
de fonctionnement est au voisinage de 16 V 25 C. Mais la temprature du module sous
rayonnement est souvent suprieure 40 C, et les performances des cellules sont rduites.
On compte en gnral par cellule une baisse de 2 mV/C, soit 72 mV/C pour les modules de
36 cellules. La tension du module tombe alors au alentours de 14 V ce qui est idal pour la
charge dune batterie.
II.7.1-Caractristiques nominales des modules PV
Lutilisation de ces by-pass induit nanmoins des perturbations de la courbe
caractristique, modifiant le point de puissance maximal du module :

Figure II.241-effet de diodes de protection

Pour ne pas induire inutilement ces pertes, il est donc trs important que ces diodes de
pass soient utilises et places en cohrence avec les ombres gnres par lenvironnement
Les modules photovoltaques :
Le module photovoltaque est un ensemble de cellules interconnectes entre elles pour
obtenir le courant et la tension souhaits.
Le module standard commercialis, connectant 36 cellules cristallines en srie pour des
nralement une tension vide suprieure 20 V et le point optimal
de fonctionnement est au voisinage de 16 V 25 C. Mais la temprature du module sous
rayonnement est souvent suprieure 40 C, et les performances des cellules sont rduites.
en gnral par cellule une baisse de 2 mV/C, soit 72 mV/C pour les modules de
36 cellules. La tension du module tombe alors au alentours de 14 V ce qui est idal pour la
Caractristiques nominales des modules PV :
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pass induit nanmoins des perturbations de la courbe
Pour ne pas induire inutilement ces pertes, il est donc trs important que ces diodes de
gnres par lenvironnement
Le module photovoltaque est un ensemble de cellules interconnectes entre elles pour
Le module standard commercialis, connectant 36 cellules cristallines en srie pour des
nralement une tension vide suprieure 20 V et le point optimal
de fonctionnement est au voisinage de 16 V 25 C. Mais la temprature du module sous
rayonnement est souvent suprieure 40 C, et les performances des cellules sont rduites.
en gnral par cellule une baisse de 2 mV/C, soit 72 mV/C pour les modules de
36 cellules. La tension du module tombe alors au alentours de 14 V ce qui est idal pour la
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La tension de circuit ouvert mesure aux bornes de la cellule PV aux conditions
de fonctionnement standard, V
CO
(V) Volt.
Lintensit de court-circuit mesure aux bornes de la cellule PV aux conditions de
fonctionnement standard, I
CC
(A) Ampre.
Notes : Le rendement du module est le rendement dune cellule diminu par les pertes dues
aux connexions des cellules entre elles, la transparence des matriaux dencapsulation, et
ventuellement la chute de tension dans la diode anti-retour lorsquil faut protger la
batterie dune ventuelle dcharge nocturne.

II.8-Conclusion :
Ce chapitre nous a permis dexplorer le principe de la conversion photovoltaque et de
voir la raction des pv vis--vis la variation des paramtres.
































UHBCH Page 41





















Systme de poursuite du soleil











UHBCH Page 42

III.1- Introduction :
Lorientation des capteurs est un problme important dans lutilisation des capteurs
rayonnement concentr. En effet, le principe mme de la concentration suppose que le
rayonnement parvienne la surface rflchissante dans une direction dtermine.
Puisque la position apparente du soleil par rapport un point de captation est
constamment variable lchelle dune journe, nous serons donc obligs de modifier
constamment la position du concentrateur afin de suivre celle du soleil en utilisant un systme
de poursuite automatique.

III.2- Position du soleil par rapport un observateur :
Lnergie solaire que reoit une surface est rgie uniquement par des lois
astronomiques et gomtriques. Ces dernires faisant intervenir la latitude de lieu, la
dclinaison solaire, lheure du jour et enfin lorientation de la surface rceptrice. La position
du soleil dpend du temps solaire, du numro du jour et de lanne, elle est exprime par
diffrents angles :
III.2.1- Angle de znith :
Cest langle entre la verticale dune surface est un rayon du soleil, il est donn par
lquation suivante :
0
z
= cos
-1
( sin sin +cos cos cos w ) (III.1)
: dclinaison solaire.
: latitude du lieu.
w : angle horaire.
III.2.2- Angle dazimut :[1]
Cest langle sur le plan horizontal mesur partir du sud avec la projection
horizontale des rayons directs du soleil. Il est galement donn comme angle entre le mridien
local et la projection de la ligne de la vue du soleil dans le plan horizontal, dfini par
lquation suivante:
y
s
= o
cw
o
ns
y
so
+[
1-y
cw
y
ns
2
o
s
18u
0
(III.2)
y
so
= sin
-1
[
sInwcos
sIn0
z
(III.3)
o
cw
= ]
1 si |w| w
cw
-1 outrcmcnt

(III.4)
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o
ns
= ]
1 si ( - ) u
-1 outrcmcnt

(III.5)
o
w
= ]
1 si w u
-1 outrcmcnt

(III.6)
w
cw
= cos
-1
(cos tan) (III.7)

III.2.3- Angle extrieur dazimut (g ) :
Cest langle mesur partir du sud sur le plan horizontal avec la projection horizontale
de la normale sur la surface, il est galement donn comme angle entrele mridien local et la
projection horizontale de la normale avec la surface.
III.2.4- Angle dincidence [1]
Cest langle entre le rayon solaire direct et la normale extrieure du la surface du plan,
il est donn par lquation suivante :
0 = cos
-1
|cos 0
z
+sin0
z
sin cos(y
s
-)] (III.8)
0
z
: Angle de znith.
: inclinaison du surface.
: angle dazimut.
y
s
: Angle extrieur dazimut.


Figure III.1- Position du soleil par rapport une surface incline
UHBCH Page 44

III.3- Orientation de la surface :
La position du soleil dans le ciel change tout au long du jour et de lanne. Pour une
surface : Suivre le mouvement apparent du soleil quivaut orienter cette surface par la
rotation de ses axes.
III.3.1- Rotation suivant un axe :
Certains types de collecteur concentration fonctionnent avec la rotation autour dun
seul axe, il existe deux modes :
III.3.1.1- Axe vertical et inclinaison fixe de la surface :[1]

Ce mode utilise une surface orientable avec une pente extrieure fixe et langle
extrieur dazimut variable tournant autour d'un axe vertical comme montr sur la Figure
II.2. Pour ce cas, le rayonnement solaire est maximum quand = y
s
.








Figure III.2- Orientation dune surface (axe vertical)

III.3.1.2- Axe horizontal, surface parallle l'axe :[1]
Pour ce deuxime mode, la surface tourne autour d'un axe simple qui est toujours
parallle la surface.
Pour un axe horizontal, linclinaison extrieure de la surface est donne par :
= tan
-1
(tan0
z
cos( -y
s
)) (III.9)
o l'angle extrieur d'azimut est donn par :
=
i
+9u
0
si y
s
-
i
u (III.10)
=
i
+9u
0
si y
s
-
i
< u (III.11)
Si la surface tournant autour d'un axe simple qui est toujours parallle la surface mais
n'est pas vertical ou horizontal, langle extrieur dazimut et la pente de la surface change
avec le temps.
=
i
+tan
-1
j
sIn0
z
sIn (y-y
|
)
sIn0

sIn

[ (III.12)
UHBCH Page 45

= tan
-1
_
tan

cos(-
'
)
_ (III.13)



Figure III.3- Orientation dune surface (axe horizontal)

III.3.2- Rotation suivant deux axes :
Le collecteur tournant autour de deux axes (bi-axiales), dans ce cas louverture du
collecteur sera toujours normale au soleil, par consquent l'angle d'incidence est zro tout le
long de la journe (cos = 1).
Ceci est dfini par :
= y
s
(III.14)
et = 0
z
(III.15)
Cette rotation est toujours exige pour des collecteurs qui suivent le dplacement du
soleil tout moment de la journe. Cela signifie que le collecteur devra tre plac sur une
monture permettant de suivre le mouvement du soleil.

UHBCH Page 46

III.4- Diffrents types de montures :
III.4.1- Monture altazimutale :
La monture altazimutale est mobile autour de deux axes perpendiculaires, lun vertical,
lautre horizontal. Le panneau solaire tourne autour dun axe horizontal port par une monture
qui elle mme tourne autour dun axe vertical. Ce systme est couramment utilis pour les
radars, les cinthodolites, les canons anti-ariens. La rotation autour de laxe horizontal
assure la poursuite en hauteur (de haut en bas), en dautres termes la normale du capteur
solaire suit la hauteur angulaire du soleil.
Alors que lautre axe assure le dplacement en azimut (de gauche vers la droite). Cette
disposition trs simple ne pose pas de problmes mcaniques particuliers.
Les mouvements en hauteur et en azimut sont difficiles coordonner et le cot du systme
est exorbitant cause de l'apport de deux moteurs, donc dune consommation en nergie
beaucoup plus importante.

Figure III.4- Monture altazimutale



UHBCH Page 47

III.4.2- Monture quatoriale
La monture quatoriale est la monture idale pour assurer un suivi sidral. Elle
emploie une rotation autour dun axe parallle laxe polaire du globe terrestre (mouvement
en angle horaire) et un axe orthogonal au prcdent (mouvement en dclinaison).Cette
solution est plus dlicate sur le plan mcanique, mais le mouvement autour de laxe polaire
est pratiquement uniforme au cours de la journe. Donc la poursuite du soleil est grandement
facile.



Figure III.5- Monture quatoriale






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III.5-comparaison entre un systme pv fixe et un systme mobile :
Au cours dune journe compltement ensoleille, un systme de 1 kWp bien orient
produit 5,5 kWh dnergie, alors que le mme systme avec suiveur dans les mmes
conditions densoleillement produit 11 kWh dnergie.




Figure III.6- diagramme de comparaison entre la production avec suiveur et la
production avec systme fixe

III.6- Conclusion
Le rle de notre systme de poursuite consiste contrler le mouvement du suiveur de
soleil et le commander par un programme informatique base de microcontrleur. Le
s ui veur va tre orient pour suivre automatiquement le soleil suivant une trajectoire bien
dtermine. Limportance de ce systme est de capter le maximum de rayonnement solaire. Le
systme avec suiveur de soleil donne des rsultats amliors par rapport un systme avec
structure fixe











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Realisation










UHBCH Page 50


IV.1-Introduction :

Apres avoir tudi les la conversion photovoltaque et les diffrentes structures
mcaniques possibles nous avons opt pour la structure altazimutale que nous allons raliser
et programmer sa commande en utilisant le microcontrleur programm avec le langage
microC
IV.2-Schma Synoptique :


Figure IV.1- Schma synoptique dun suiveur solaire
Capteur
structure mecanique
moteur d'elevation moteur d'azimut
carte de puissance
Isolation galvanique
cate de traitement
UHBCH Page 51

IV. 3-ralisation du suiveur solaire :
Notre ralisation peut tre dcompose en deux parties :
Partie mcanique
Partie lectronique
IV. 3.1-Partie mcanique :
Pour que la production photovoltaque soit maximale, les rayons provenant
directement du soleil doivent avoir un angle dincidence gal 90. Le pointage du panneau
est donc optimal lorsque la normale au plan du panneau, en son centre, est dirige vers le
soleil

Figure IV.2-schma de fonctionnement du suiveur

UHBCH

IV. 3.1.1-Description de la structure
Figure IV.3
Notre structure mcanique est constitue de deux parties mobiles. Une partie sur la
dhorizon pour la variation dlvation du panneau par rapport au soleil et
laxe verticale pour la variation


Description de la structure :
Figure IV.3- structure mcanique ralise
Notre structure mcanique est constitue de deux parties mobiles. Une partie sur la
dlvation du panneau par rapport au soleil et
laxe verticale pour la variation dazimut du panneau.

Page 52

Notre structure mcanique est constitue de deux parties mobiles. Une partie sur laxe
dlvation du panneau par rapport au soleil et lautre partie sur
UHBCH Page 53

IV. 3.1.2-Orientation laxe horizon (lvation) :
La variation dlvation est base sur un vrin lectrique

Figure IV.4- vrin du contrle dlvation
Llvation minimale du soleil est obtenue son lever et son coucher et gale 0
(Horizon). Llvation maximale du soleil est fonction de la latitude du lieu dinstallation.
En fait, dans la configuration dorigine, les fins de course du vrin dlvation sont
rgles par rapport llvation max et min du soleil.
lvation min du panneau = latitude du lieu (CHLEF=36.10) lorsque la tige du
vrin est compltement rentre.
lvation max du panneau = 90) lorsque la tige du vrin est compltement sortie.


UHBCH Page 54

IV. 3.1.3-Orientation laxe vertical (lazimute) :


Figure IV.5- moteur de contrle dazimut
Le mouvement en axe dazimut est en une angle de 180. Au matin de -90 0 et
aprs midi de 0 90.Il faut orienter le milieu de langle de mouvement sur laxe vertical
vert le sud o lazimut=0. Lemplacement de la fin de course est au -90 et +90 du point
milieu.

IV. 3.1.4-Chois demplacement du capteur :
Il faut que les capteurs sont poss sur le mme plan du panneau solaire pour que le
lclairement soit le mme sur les deux.






Figure IV.6-positionnement du capteur


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IV.3.1.5-Chois du moteur lectrique :
Nous avons choisi un vrin lectrique base du moteur DC pour laxe horizontal
cause du poids du panneau et en axe vertical un moteur DC rducteur avec une chaine cause
de sa commande trs simple.

IV.3.1.6-les vrins lectriques :
Les vrins lectriques utilisent le principe de la transformation dun mouvement de
rotation cr par un moteur lectrique en un mouvement de translation grce un systme
mcanique de transformation de mouvement. La vitesse linaire de la tige du vrin dpend
donc de la vitesse de rotation du moteur et du pas du systme de transformation de
mouvement. La force de entre et sortie de la tige et trs grande.
IV. 3.1.7-Le moteur courant continue :
Nous avons choisi un moteur DC aimant avec un rducteur parce quil est disponible
au march.
IV. 3.1.7.1- GENERALITES :
Les moteurs courant continu excitation spare sont encore utiliss assez largement
pour l'entranement vitesse variable des machines. Trs facile miniaturiser, ils s'imposent
dans les trs faibles puissances. Ils se prtent galement fort bien la variation de vitesse avec
des technologies lectroniques simples pour des performances leves et jusqu' des
puissances importantes. Leurs caractristiques permettent galement une rgulation prcise du
couple, en moteur ou en gnrateur. Leur vitesse de rotation nominale est adaptable aisment
par construction toutes les applications, car elle n'est pas lie la frquence du rseau. Ils
sont en revanche moins robustes que les moteurs asynchrones et ncessitent un entretien
rgulier du collecteur et des balais.

IV. 3.1.7.2- PRINCIPE DE FONCTIONNEMENT :
L'application par excellence de la loi de Laplace est le moteur courant continu. Cette
loi affirme que l'action d'un champ magntique sur un conducteur travers par un courant,
produit une force, cette force engendre un couple qui fait tourner le moteur.

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IV. 3.1.7.3- BILAN DE PUISSANCE :

Figure IV.7-schma du bilan de puissance du moteur DC

IV. 3.2-Partie lectronique :
Aprs que nous avons dcri le principe et la construction de systme mcanique, nous
allons maintenant entamer la partie lectronique qui va traiter tout le systme. Commenons
tout dabord par une description thorique des diffrents composants quon a utiliss pour
pouvoir raliser notre carte de traitement.
IV. 3.2.1-Le bloc dalimentation :
Des transformateurs nous fourni des tensions de 6v et de 12v qui est redresse par le
pont de diodes et filtre par les condensateurs. Cette tension est ensuite rgule 5v par
rgulateur 78L05 et 12v par rgulateur 78L12, On obtient :
la sortie du rgulateur une tension de 5 v assez stable pour ne pas perturber le
circuit de commande.
la sortie du rgulateur une tension de 12 v assez stable pour le relais.

IV. 3.2.2-Chois du capteur de lumire :
Nous avons utilis un capteur base de la photorsistance pour rduire le prix de
revient, et simplifier le fonctionnement. Le principe que nous avons adopt est classique, il
consiste contrler l'galit d'clairement de 4 dtecteurs rpartis dans les 4 quadrants deux
capteur du laxe horizontal et les deux autres sur laxe vertical.
IV. 3.2.2.1- La photorsistance:
IV. 3.2.2.1.1- Dfinition :
Les capteurs de lumire sont des composants qui ralisent la conversion d'un signal
lumineux en signal lectrique.
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Figure IV.8-: Schma dun capteur de lumire
IV. 3.2.2.1.2-Fonctionnement :
Une photorsistance est un composant lectronique dont la rsistivit varie (souvent
une diminution) en fonction de l'augmentation de lumire qui l'atteint. On peut galement le
nommer rsistance photo-dpendante (light-dpendent rsistor (LDR)) ou photoconducteur.
Une photorsistance est compose d'un semi-conducteur haute rsistivit. Si la
lumire incidente est de frquence suffisamment leve, les photons absorbs par le semi-
conducteur donneront aux lectrons lis assez d'nergie pour sauter dans la bande de
conduction, les lectrons libres (avec leurs trous d'lectron) ainsi produits abaissant la
rsistance de l'ensemble.
IV. 3.2.2.1.3-Ralisation du capteur :
Le montage est bas sur un deviseur de tension :

Figure IV.9-Branchement de rsistance LDR en diviseur de tension

I
out
=
10000
10000+R
LDR
I
n
(IV.1)
UHBCH

I
n
: Tension dalimentation du capteur (5v)
R
LR
: Rsistance du LDR
I
out
: Tension de la sortie du capteur (dpend de la lumire)
Les 4 capteurs sont poss sur le mme plan
IV. 3.2.3.-Carte de puissance
Figure IV.10
Figure IV.1

dalimentation du capteur (5v)
: Tension de la sortie du capteur (dpend de la lumire)
Les 4 capteurs sont poss sur le mme plan
Carte de puissance :
10-schma de carte de puissance en logiciel isis
Figure IV.11-circuit imprim de la carte de puissance
Page 58

isis

circuit imprim de la carte de puissance
UHBCH Page 59


Figure IV.12- La carte de puissance
Maintenant tudions de plus prs les diffrents composants qui constitues notre carte
lectronique.
IV. 3.2.3.1-Les Constituants de la carte de puissance :
IV. 3.2.3.1.1-Les optocoupleur pc123 :

Figure IV.13-L optocoupleur
Le pc123 est un optocoupleur qui permet le transfert d'informations entre Deux parties
lectroniques isoles l'une de l'autre d'un point de vue lectrique. La Premire partie est un
metteur, et la seconde partie est un rcepteur. L'metteur Produit donc de la lumire, et le
rcepteur, qui est sensible la lumire mise par l'metteur, ragit plus ou moins en fonction
de la quantit de lumire reue.
Ce composant isole lectriquement deux parties lectroniques ou lectriques Entre
elles, il sagit dune isolation galvanique. En effet les tensions mises en jeux ne Son pas
compatibles de part et d'autre, il y a une partie commande qui est aliment En 5V et un circuit
puissance aliment en 12V.


IV. 3.2.3.1.2-ULN2803A :
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ULN 2803A est composant lectronique a base du transistor, elle est compos du
transistor bipolaire en montage Darlington avec un metteur commun et des diode de roue
libre pour les charges inductives.

Figure IV.14- LULN 2803A
IV. 3.2.3.1.3-Relai lectromagntique :
IV. 3.2.3.1.3.1- Dfinition
Comme son nom lindique, il sert faire une transition entre un courant faible et un
courant fort. Mais il sert galement commander plusieurs organes simultanment grce ses
multiples contacts synchroniss. Il permet galement la transition entre deux sources
diffrentes en isolant ces dernires.
IV. 3.2.3.1.3.2- Constitution
Un relais " standard " est constitu dune bobine ou solnode qui lorsquelle est sous
tension attire par un phnomne lectromagntique une armature ferromagntique qui dplace
des contacts, voir figure ci-dessous.

Figure IV.15- relais lectromagntique

IV. 3.2.3.1.3.3- Caractristiques :
Un relais est caractris par :
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La tension de sa bobine de commande, 12V.
Le pouvoir de coupure de ses contacts, qui est gnralement exprim en Ampre, 15A
max.
Son emplacement, circuit imprim, visser, embrochable, souder.
Le type de courant de sa bobine, en gnral du continu.
IV. 3.2.3.1.3.4- Contacts :
On appelle contact, les parties mtalliques qui transmettent ou interrompent le courant
en fonction de la commande de la bobine.
Comme nous lavons vu ci-dessus, il existe diffrentes sortes de contacts.
Contact inverseurs, cest dire quils peuvent partir dun point commun C, tablir un
contact R lorsque le relais est au repos, qui deviendra T lorsque le relais sera aliment
Un contact tabli sans action est appel contact Normalement Ferm : NF.
Un contact tabli avec action est appel contact Normalement Ouvert : NO.
IV. 3.2.4-Carte de traitement :


Figure IV.16- schma de carte de traitement sous logiciel Isis


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Figure IV.17- circuit imprim de la carte de traitement








Figure IV. 18 - carte de traitement

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IV. 3.2.5-pic16f877A :

Figure IV.19- LE PIC 16F876/877
IV. 3.2.5.1-Dfinition:
Une PIC nest rien dautre quun microcontrleur, cest dire une unit de traitement
de linformation de type microprocesseur laquelle on a ajout des priphriques internes
permettant de raliser des montages sans ncessiter lajout de composants externes.
La dnomination PIC est sous copyright de Micros hip, donc les autres fabricants ont
t dans limpossibilit dutiliser ce terme pour leurs propres microcontrleurs.
Les PICs sont des composants dits RISC (Rduc Instructions Construction Set), ou
encore composant jeu dinstructions rduit. Sachons que plus quen rduit le nombre
dinstructions, plus facile et plus rapide quen est le dcodage, et plus vite le composant
fonctionne.
Lhorloge fournie la PIC est pr divis par 4 au niveau de celle-ci. Cest cette base de temps
qui donne le temps dun cycle.
Si on utilise par exemple un quartz de 4MHz, on obtient donc 1000000 de
cycles/seconde, or, comme la PIC excute pratiquement une instruction par cycle, hormis les
sauts, cela donne une puissance de lordre de 1MIPS (1 Million dInstructions Par Seconde).

UHBCH Page 64

IV. 3.2.5.2-Les diffrentes familles des PICs :
Il y en a trois grandes familles de PICs :
-La famille Base Line, qui utilise des mots dinstructions de 12 bits.
-La famille Mid-Range, qui utilise des mots de 14 bits (et dont font partie la 16F84 et
16F877).
-La famille High-End, qui utilise des mots de 16 bits.
Toutes les PICs Mid-Range ont un jeu de 35 instructions, stockent chaque instruction
dans un seul mot de programme, et excutent chaque instruction (sauf les sauts) en un cycle.
On atteint donc des trs grandes vitesses, et les instructions sont de plus trs rapidement
assimiles.
IV. 3.2.5.3-Les avantages du microcontrleur :
Lutilisation des microcontrleurs pour les circuits programmables plusieurs points forts et
bien rels. Il suffit pour sen persuader, dexaminer la spectaculaire volution de loffre des
fabricants de circuits intgrs en ce domaine depuis quelques annes.
Nous allons voir que le nombre dentre eux dcoule du simple sens.
-Tout dabord, un microcontrleur intgre dans un seul et mme botier ce qui, avant
ncessitait une dizaine dlments spars. Il rsulte donc une diminution vidente de
lencombrement de matriel et de circuit imprim
-Cette intgration a aussi comme consquence immdiate de simplifier le trac du circuit
imprim puisquil nest plus ncessaire de vhiculer des bus dadresses et de donne dun
composant un autre.
-Laugmentation de la fiabilit du systme puisque, le nombre des composants
diminuant, le nombre des connexions composants/supports ou composants/circuits imprimer
diminue.
-Le microcontrleur contribue rduire les cots plusieurs niveaux
-Moins cher que les autres composants quil remplace.
-Diminuer les cots de main duvre.
-Ralisation des applications non ralisables avec dautres composants.
IV. 3.2.5.4-Structure d'un PIC :
Les PIC, au mme titre que les microprocesseurs, sont composs essentiellement de
registres ayant chacun une fonction bien dfinie.
Les lments essentiels du PIC 16F877A sont :
Une mmoire programme de type flash de 8K mots de 14 bits,
Une RAM donne de 368 octets,
UHBCH Page 65

Une mmoire EEPROM de 256 octets.
Trois ports d'entre sortie, A (6 bits), B (8 bits), C (8 bits),D(8 bits), E(3 bits).
Convertisseur Analogiques numriques 10 bits 8 canaux.
USART, Port srie universel, mode asynchrone (RS232) et mode synchrone .
SSP, Port srie synchrone supportant I2C.
Trois TIMERS avec leurs Prescalers, TMR0, TMR1, TMR2.
Deux modules de comparaison et Capture CCP1 et CCP2.
Un chien de garde.
1 sources d'interruption.
Gnrateur d'horloge, quartz (jusqu 20 MHz) ou Oscillateur RC.
Protection de code .
Fonctionnement en mode sleep pour rduction de la consommation.
Programmation par mode ICSP (In Circuit Serial Programming) 12V ou 5V.
Possibilit aux applications utilisateur daccder la mmoire programme.
Tension de fonctionnement de 2 5V.
Jeux de 35 instructions.

Figure IV.20- Architecture interne du PIC 16F877A
IV. 3.2.5.5-Choix du microcontrleur :
Ce PIC dispose de 35 instructions de base et de 4 sources dinterruptions :
Interruption externe commune avec la broche RB0.
Interruption due au TIMER.
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Interruption sur changement dtat des broches de port RB0 RB1.
Interruption de fin dcriture en EEPROM.
Le choix dun microcontrleur est important car cest de lui que dpendent en grande
partie les performances, la taille, la facilit dutilisation et le prix du montage. Le PIC
16F877, possde plus de ports que les PICs (16F876 et 16F84), ce qui augmente dautant le
nombre dentres/sorties disponibles, il dispose de 33 lignes dentres/sorties reparties en cinq
ports :
Un port A de 6 bits (RA0 RA5).
Un port B de 8 bits (RB0 RB7).
Un port C de 8 bits (RC0 RC7).
Un port D de 8 bits (RD0 RD7).
Un port E de 3 bits (RE0 RE2).
IV. 3.2.6- loscillateur :
Lhorloge est un systme qui peut tre ralise soit avec un QUARTZ(a), soit avec
une horloge extrieur(b), soit avec un circuit RC(c), dans ce dernier la stabilit du montage
est limite.
La frquence maximale dutilisation va dpendre de Microcontrleur utilis. Le suffixe
indiqu sur le botier donne la nature de lhorloge utiliser et sa frquence maximale.


Figure IV.21- loscillateur


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IV. 3.2.7- Le module de conversion A/N :

Figure IV.22-le module de CNA
Ce module est constitu d'un convertisseur Analogique Numrique 10 bits dont
l'entre analogique peut tre connecte sur l'une des 8 entres analogiques externes. On dit
qu'on a un CAN 8 canaux. Les entres analogiques doivent tre configures en entre
l'aide des registres TRISA et/ou TRISE. Lchantillonneur bloqueur est intgr, il est
constitu dun interrupteur dchantillonnage et dune capacit de blocage de 120 pF.
Les tensions de rfrences permettant de fixer la dynamique du convertisseur. Elles peuvent
tre choisies parmi Vdd, Vss, Vr+ ou Vr-
IV. 3.2.7.1-Configuration du registre dadcon :
Le control du module se fait par les deux registres ADCON0 et ADCON1
ADCON0
Tableau IV.1-Registre ADCON0

ADCS1:ADCS0 : Choix de l'horloge de conversion donc du temps de conversion
00 : Fosc/2
01 : Fosc/8
10 : Fosc/32
11 : Oscillateur RC ddi au CAN
CHS2:CHS0 : choix de l'entre analogique
000 = chaine 0, (RA0)
001 = chaine 1, (RA1)
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010 = chaine 2, (RA2)
011 = chaine 3, (RA3)
100 = chaine 4, (RA5)
101 = chaine 5, (RE0)
110 = chaine 6, (RE1)
111 = chaine 7, (RE2)
GO/DONE : Une conversion dmarre quand on place ce bit 1. A la fin de la
conversion, il est remis automatiquement zro. Ce bit peut aussi tre positionn
automatiquement par le module CCP2.
ADON : Ce bit permet de mettre le module AN en service
ADCON1
Tableau IV.2- Registre ADCON1
ADFM : justification droite ou gauche du rsultat dans les registre ADRESH et ADRESL
ADRESH ADRESL
1 : justifi droite 000000XX XXXXXXXX
0 : justifi gauche XXXXXX XX XX000000
PCFG3:PCFG0 : configuration des E/S et des tensions de rfrences. Les 5 broches de
PORTA et les 3 de PORTE peuvent tre configurs soit en E/S digitales, soit en entres
analogiques RA2. Et RA3 peuvent aussi tre configures en entre de rfrence.

Tableau IV.3-configuration des entries analogique

IV. 3.2.7.2-Droulement dune Conversion :
Le PIC dispose dun chantillonneur bloqueur intgr constitu d'un interrupteur S,
d'une capacit de maintien C=20 pF et dun convertisseur Analogique numrique 10 bits.
Pendant la conversion, la tension Ve l'entre du convertisseur A/N doit tre maintenue
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constante. Au dpart il faut commencer par faire lacquisition du signal en fermant
linterrupteur S, ceci se fait laide du registre ADCON0, soit au moment de la validation du
module par le bit ADON soit aprs un changement de canal si ADON est dj positionn.
Aprs la fin de lacquisition, on peut dmarrer une conversion en positionnant le bit
GO_DONE, l'interrupteur S souvre pour assurer le blocage de la tension. La conversion
commence, elle est ralise en 12 TAD, la fin, le bit GO_DONE repasse 0, le drapeau
ADIF passe 1 et le rsultat est charg dans les registres ADRESL et ADRESH. Le module
met 2 TAD supplmentaires pour fermer l'interrupteur S ce qui dmarre une nouvelle phase
dacquisition pendant laquelle la tension Ve rejoint la tension analogique d'entre Va. Le
temps d'acquisition dpend de la constante de temps RC, R tant la somme des rsistances
entre le module de conversion et la source de la tension analogique. Aprs la fin de
lacquisition, on peut dmarrer une nouvelle conversion et ainsi de suite.

Figure IV.23-conversion analogique numirique
IV. 3.2.7.3-Temps de conversion :
Le temps de conversion est gal 12 TAD TAD est le temps de conversion d'un bit, il
dpend de la frquence du quartz et du prdiviseur (div) choisi : TAD = div x 1/fosc. Le
choix de div doit tre ajust pour que TAD soit 1,6 s


Tableau IV.4-Temps de conversion d'un bit TAD (les cases grises sont hors plage
dutilisation)

Avec un quartz de 4 MHz, il faut choisir div=8 ce qui donne TAD = 2 s
Soit un temps de conversion : TCONV = 24 s
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IV. 3.2.7.4-Temps d'acquisition :
Temps d'acquisition = TACQ = Tc + CT +2 s (IV.2)
Tc : temps de charge du condenseur = (Ric+Rss+Rs) C Ln(2047)
Ric = Rsistance dinterconnexions, elle est infrieure 1k
Rss = Rsistance du linterrupteur S (Sampling switch), elle dpend de la tension
dalimentation Vdd. Elle est gale 7k pour Vdd=5V
Rs : Rsistance interne de la source du signal analogique. Micro chip recommande de ne pas
Dpasser 10 k
C : Capacit de blocage = 20 pF
CT : Coefficient de temprature = (Tp -25C) 0.05 s/C (IV.3)
Tp = Temprature Processeur, voisine de 45C en temps normal
IV. 3.2.7.5-Frquence d'chantillonnage
Si on veut chantillonner un signal variable, La priode d'chantillonnage Te doit tre
suprieur ou gale Temin = TCONV + 2 Tad + TACQ Avec lexemple prcits, on aura la
priode dchantillonnage min Temin = 24 + 2 + 12 = 38 s La frquence dchantillonnage
max est donc fe max = 1/Temin = 25 kHz
Si on tient compte de la rgle de Shannon (fe > 2 fmax), on constate que lon peut
chantillonner des signaux dont la frquence ne dpasse pas 12 KHz.
Quelle est la relation entre la tension analogique convertie et le nombre N recueilli
dans le registre ADRES ? Si on note :
Q = pas de quantification = (Vref+ - Vref-)/1024 (IV.4)
Va = tension analogique convertir
N = valeur numrique obtenue,
N = valeur entire de (Va Vref-) / Q (IV.5)
Avec Vref- = masse, on obtient N = int (Va / Q) (IV.6)
IV. 3.2.7.6-Etape du lecture une antrie analogique :
1) Si des entre de PORTE sont utilises, le configurer en mode normal l'aide du bit
PSPMODE
2) Configurer les E/S en Analogique/Numrique/Rfrence (ADCON1)
3) Configurer les entres analogiques en entres (TRISA, TRISE)
4) Dfinir l'horloge de conversion l'aide du diviseur DIV dans ADCON0
5) Choisir le canal convertir et valider le module (ADCON0)
6) Attendre le temps dacquisition (12 s )
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7) Lancer la conversion, GO = 1 (ADCON0)
8) Attendre fin de conversion, GO = 0 ou drapeau ADIF=1
9) Traiter le rsultat
10) Si l'on dsire prendre d'autres mesures, recommencer au point 7 en faisant attention aux
Timings
IV. 3.2.8-Programmation du pic :
IV. 3.2.8.1-organigramme :

Figure IV.24- logigramme de programme du pic

IV. 3.2.8.2-programme du pic en MicroC :
Le programme du pic est ecrit et compil par le logiciel microC
lire analogique A0
lire analogique A1
lire analogique A2
lire analogique A3
Delai 10Mn
Debut
Corection des donne
si A0=/=A1
ou A2=/=A3
si A0=/=A1
si A2=/=A3
si A0>A1
si A2>A3
portd.f0=0
portd.f1=1
portd.f2=0
portd.f3=1
portd.f0=1
portd.f1=0
portd.f2=1
portd.f3=0
si portc.f1=0 si portc.f0=0 si portc.f3=0 si portc.f2=0
portd.f0=1
portd.f1=0
stop
portd.f0=0
portd.f1=0
stop
portd.f0=1
portd.f1=0
stop
portd.f0=1
portd.f1=0
stop
oui
oui
non
non
nonn non
oui oui
oui
non
non
oui
non
oui
non
oui
Fin
portD=0
aretez les 2 moteur
non
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Figure IV.25-programme crit sous logiciel microC

IV. 3.2.8.3-Simulation en isis :

Figure IV.26- simulation en logiciel Isis

La simulation en Isis indique que notre montage sa marche sans problme.
Maintenant aprs la simulation nous allons tester notre suiveur en labo.

IV. 4.Test et Problmes rencontrs :
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Nous avons teste notre suiveur laide dune lampe et nous avons rencontr un
problme de perturbation sur les capteurs, mais on a rgl se problme dans la partie du carte
de traitement.
Apres le rglage du problme le suiveur fonctionne normalement.

IV. 5.Conclusion :
La ralisation du suiveur de soleil ncessite un bon chois du composants lectronique
utilise pour ne pas compliqu le principe de commande et pour rduire la consommation de
lnergie consomm par le suiveur


































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Conclusion :


Les travaux prsents dans ce rapport ont port sur la conception et la ralisation dun
systme de poursuite de soleil laide des composants lectroniques programmable, en
utilisant: un microcontrleur de la famille PIC cest le 16F877A.

Le but de ce projet rside au niveau de la mise en uvre dune solution technique
permettant de transformer un panneau photovoltaque fixe en un suiveur de soleil afin
damliorer son rendement.

Pendant ce projet, un systme de commande a t simuler par le logiciel Proteus SIM
et les signaux de commande gnrer ont t simul laide du logiciel ISIS.
Avant que nous avons tests le fonctionnement de notre structure, nous avons trouves
plusieurs problmes en premier le chois entre une carte analogique a base de comparateur ou
une carte numrique a base du microcontrleur, aprs se problme on un autre problme de
chois de capteur et son emplacement. Nous avons toujours un problme de chois des
composants.
Notre grand problme est dans les premiers tests, cest le problme du capteur, mme
que les deux capteurs sont dans le mme clairement mais ses sorties sont dfirent.
A cause de se problme la pression de notre suiveur est trs mauvais, nous avons
rgls se problme a laise des rsistances et au programme du microcontrleur.
Apres la calibration des capteurs, le suiveur fonctionne mais avec une certain erreur de
position.
Nous esprons au future que notre travail soit complt pour amlior la prcision.
C'est--dire faire une correction de position a laide dun microordinateur, comparer
les positions donner par les capteurs avec les positions calcules et faire la correction.





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Bibliographie


Mmoire
[ ] 1 : Etude et Ralisation dun Concentrateur Solaire parabolique par ZEGHIB ILHEM
UNIVERSITE MENTOURI CONSTANTINE
Site Internet
[2] :http://www.energieplus-lesite.be
http://fr.wikipedia.org/wiki/panneau_solair
http://www.datasheecatlog.com
http://www.datasheet .com
http://www.microship.com

















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1. Le PIC 16F877A :



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2. LOptocoupleur SHARP PC123 :
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3. Luln 2803A :
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