STKK 3713 Instrumentasi I Sem I sesi 11-12

Jadual Kuliah
Isnin 10-12am DAM Khamis 3-4pm G111F Pensyarah:
Lee Yoke Heng Rozali Othman Mohd Ambar Yarmo

Tugasan Bahagian 1
1. Tugasan (Assignment) -1x 2. Soalan (masaalah) -1x 3. Pepereksaan akhir semester

Kandungan Kuliah
Analisis menggunakan Teknik X-ray 1. Spektroskopi Fotoelektron Sinar-X (X-ray Photoelectron Spectroscopy, XPS @ ESCA) 2. X-ray Belauan (X-ray Diffrection, XRD) 3. X-ray Pendarflur (X-ray Flurecence, XRF)

Rujukan
J.M.Walls and R. Smith, Surface Science Techniques, Pergamon Press, 1994. D. Briggs and M.P. Seah, Practical Surface Science, John Wiely & Sons, 1988. John C. Vickerman, Surface Analysis The Principal Techniques, John Wiely & Sons, 1997.

Pendahuluan
Hadiah Nobel
Max Planck (1918) Konsep quantization of energy. Robert Enstine (1921)- Menerangkan kesan fotoeletrik (Photoelectric Effect) Kai Siegbahn (1981) membangunkan ESCA daripada kerja-kerjanya tahun 1950an-1960an. Hadiah Nobel 2005 dalam bidang kimia? (Adalah Bidang Permangkinan Metatesis)

Photoelectron Spectroscopy, PES

Method for studying chemical composition of surfaces. Developed in Uppsala in the mid-1960s by Prof. Kai Siegbahn et al.

Kai Siegbahn, Uppsala University Nobel laureate 1981

The X-ray Photoelectron Founder

Prof. Kai Siegbahn, (1918 2007) Uppsala University, pioneered the technique of XPS, producing the first well defined spectrum in 1954. He shared the 1981 Nobel prize in physics for his work in spectroscopy. Since then the basic building blocks of the Xray photoelectron spectrometer have not changed. However, UHV technology and electronics have improved!
8

Photoelectron Spectroscopy, PES

Other abbreviations: XPS UPS - X-ray Photoelectron Spectroscopy - Ultraviolet Photoelectron Spectroscopy

ESCA - Electron Spectroscopy for Chemical Analysis

Kenapa perlu analisis permukaan?

Teknik lazim seperti AAS, ICP, Spektroskopi pancaran, XRD, XRFsemuanya menganalisis kandungan pukal (bulk) sesuatu sampel. Ini penting kerana dapat menentukan kuantiti sesuatu sebatian dalam sampel atau struktur dalam sesuatu sampel. Penting untuk keperluan kualitatif dan kuantitatif. Mengapa?

Typical Sampling Depths of Various Techniques

Contact angle TOF SIMS LEXES ICPMS Raman GDMS STEM TXRF FTIR XRD XRR SEM AES EDS XPS XRF RBS ISS

3 nm 10 nm

Top surface Near surface Thin film

100 nm Coating 1,000 nm Bulk substrate

11

 Sifat kimia dan sifat fizikal sesuatu bahan bergantung kepada komposisi kimianya. Sekarang orang membangunkan bahan dengan teknologi nano? Apa kepentinganya? Bahan apabila dalam keadaan nano (saiz nano) mempunyai sifat kimia, fizikal, eletrik, optik, megnetik berbeza dengan bahan dalam keadaan pukal.

 Analisis permukaan bermaksud 5-10 lapisan atom terluar (lapisan 10nm terluar), 10-9m terluar. Ini penting kerana sesuatu bahan mula berinteraksi dengan keadaan luaran bermula pada lapisan terluar dan bukanya pada bahagian dalaman (bulk). Sangat penting dalam pembangunan teknologi:
Salutan/pengkaratan Litar terkamil (IC) bersaiz nano. Penyimpanan Data (HD) Permangkian Heterogenous Lain-lain

Kesan Fotoeletrik
Tenaga sinaran luaran akan diserap atom atau molekul bila E = (E. (Konsep spektroskopi) E A* (E A (Konsep spektroskopi)
Tenaga akan dibebaskan bila paras A* pulang ke paras A secara membebaskan: -Haba -Cahaya -Putaran spin -bebasankan - elektron

(fotoelektron)

foton

PENGUJAAN (EXCITATION)
ion elektron

(X-ray)

PANCARAN (EMISSION)

Interaksi dengan bahan

TRANSMISI (TRANSMISSION)

Proses Fotoelektron
Sinaran Sinar-X Fotoelektron Keluar

KE

Lapisan Permukaan Sampel

J Ikatan valen Foton

Ev Ef BE

Paras teras

Tenaga Ikatan(eV) = Tenaga Foton- Tenaga Kinetik- Fungsi Kerja (work function) BE (eV) = hR - KE J Kesan Fotoeletrik)

XPS Principle Illuminate sample with UV or X-ray Electrons emitted Spectrum over intensity as f(kinetic energy) => fingerprint of the sample surface

XPS Principle The Photoelectric Effect

Incident X-ray Ejected Photoelectron
Free electron levels

Conduction Band Valence Band 2p 2s 1s

Occupied levels

Studied by PES Good energy resolution Chemical information

AES Principle (Auger Electron Spectroscopy)

Incident Ray Ejected Auger electron 2
Conduction Band Free electron levels

Valence Band 2p 2s

Ejected core electron

Occupied levels

Studied by AES 2
Order of 10 times broader peaks Very difficult to get chemical info.

1s

eEv J

KE

Elektron valens

Ef BE

KE = h - BE -

Persamaan Fotoeletrik (XPS)

KE = hY - BE KE = hY - BE bila diset =0

BE = hY - KE
Dimana; BE = tenaga ikatan elektron terhadap atom (eV) KE = tenaga kinetik elektron keluar dripada atom (eV) (boleh diukur). hY = tenaga Sinar-X (diketahui)

BE

EBinding = hR -EKinetic
Electron spectrometer

hR EKinetic, e-

Electron Spectrometer Parts

Electron Lens

Hemispherical electron energy analyzer:

hR

e-

Sample

Vacuum Magnetic tank Shield (double

Outer Sphere Inner Sphere + 2-D detector (MCP & FireWire CCD cam phosphor)
Signal sent to computer

Disamping berlakunya kesan fotoeletrik, berlaku juga kesan Auger (kesan sekunder)
Dianggarkan selepas 10-10s berlaku pembebasan elektron, berlaku kesan kedua dikenali kesan Auger (elektron Auger). Ini berlaku kerana penyusunan sturktur elektron pada atom yang kurang stabil ke keadaan yang lebih stabil.

Fenomena Elektron Auger

XPS

Spektrum XPS
Sampel: Kepingan Cu
O 1s

Kedua-dua puncak, fotoelektron dan elektron Auger boleh dikesan. Bacaan latarbelakang meningkat disebabkan oleh kesan serakkan fotoelektron yang tidak kenyal

O KLL Auger

C 1s

Cu 2p

Cu LMM Auger N 1s Inelastically scattered photoelectrons

Mengapa spektrum begini?

Cl 2p

Cu 3s Cu 3p

Serakkan fotoelektron yang tidak kenyal menghasilkan bacaan asas spektrum (spectral background)

141111

Sifat dan keraktifan permukaan sangat bergantung kepada:

Geometri ikatan molekul pada permukaan.

Topografi fizikal Komposisi kimia Struktur kimia Struktur atom Keadaan elektronik Malangnya tidak ada satu peralatan yang memberikan semua maklumat tersebut. Lazimnya menggunakan beberapa teknik bagi menyeleseaikan masaalah tersebut.

Maklumat yang diperolehi daripada teknik XPS pada ketebalan 10nm di permukaan luar Mengenalpasti kehadiran semua unsur (kecuali H dan He) pada kepekatan > 0.1% atom. Why? Analisis semikuantitatif unsur dipermukaan (ralat < s10%). Mengenalpasti keadaan kimia atom pada permukaan (keadaan pengoksidaan, ikatan dengan atom dll). Mengenalpasti keadaan aromatik atau struktur tidak tepu daripada shakeup T* p T

 Mengenalpasti kumpulan fungsi organik dengan melakukan t/b terbitanya. Tidak merosakkan sampel. Boleh analisis hingga kedalaman beberapa m (1um=1000nm) secara melakukan profil kedalaman sampel dengan melakukan dept profiling using Ar+ etching Boleh membuat pemetaan unsur pada keluasan 8-150 m. Mengenalpasti cap jari dengan menganalisis spektran ikatan valens (valens band spectra).