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Optoelectronique

Optoelectronique

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Optoélectronique

térahertz
Sous la direction de Jean-Louis COUTAZ
Avec la collaboration de Robin BOQUET, Nicolas BREUIL,
Laurent CHUSSEAU, Paul CROZAT, Jean DEMAISON,
Lionel DUVILLARET, Guilhem GALLOT, Frédéric GARET,
Jean-François LAMPIN, Didier LIPPENS,
Juliette MANGENEY, Patrick MOUNAIX, Gaël MOURET,
Jean-François ROUX
17, avenue du Hoggar
Parc d’activités de Courtabœuf, BP 112
91944 Les Ulis Cedex A, France
Imprimé en France.
© 2008, EDP Sciences, 17, avenue du Hoggar, BP 112, Parc d’activités de Courtabœuf,
91944 Les Ulis Cedex A
Tous droits de traduction, d’adaptation et de reproduction par tous procédés réservés pour
tous pays. Toute reproduction ou représentation intégrale ou partielle, par quelque procédé que
ce soit, des pages publiées dans le présent ouvrage, faite sans l’autorisation de l’éditeur est illicite
et constitue une contrefaçon. Seules sont autorisées, d’une part, les reproductions strictement
réservées à l’usage privé du copiste et non destinées à une utilisation collective, et d’autre part, les
courtes citations justifiées par le caractère scientifique ou d’information de l’œuvre dans laquelle
elles sont incorporées (art. L. 122-4, L. 122-5 et L. 335-2 du Code de la propriété intellectuelle).
Des photocopies payantes peuvent être réalisées avec l’accord de l’éditeur. S’adresser au : Centre
français d’exploitation du droit de copie, 3, rue Hautefeuille, 75006 Paris. Tél. : 01 43 26 95 35.
ISBN EDP Sciences 978-2-86883-975-6
Liste des auteurs
Sous la direction de :
– Jean-Louis COUTAZ, professeur, Laboratoire IMEP-LAHC, université
de Savoie, Le Bourget du Lac
– Robin BOQUET, professeur, Laboratoire de physico-chimie de l’atmo-
sphère, université du Littoral, Dunkerque
– Nicolas BREUIL, ingénieur, Thalès Airborne Systems, Élancourt
– Laurent CHUSSEAU, directeur de recherche au CNRS, Institut d’élec-
tronique du Sud, Montpellier
– Paul CROZAT, professeur, Institut d’électronique fondamentale, Orsay
– Jean DEMAISON, directeur de recherche au CNRS, Laboratoire
PHLAM, université de Lille I
– Lionel DUVILLARET, professeur, Laboratoire IMEP-LAHC, Institut
national polytechnique de Grenoble
– Guilhem GALLOT, chargé de recherche au CNRS, Laboratoire d’op-
tique et biologie, École polytechnique, Palaiseau
– Frédéric GARET, maître de conférences, Laboratoire IMEP-LAHC,
université de Savoie, Le Bourget du Lac
– Jean-François LAMPIN, chargé de recherche au CNRS, Institut de mi-
croélectronique et nanotechnologie du Nord, Villeneuve d’Ascq
– Didier LIPPENS, professeur, Institut de microélectronique et nano-
technologie du Nord, Villeneuve d’Ascq
– Juliette MANGENEY, maître de conférences, Institut d’électronique
fondamentale, Orsay
– Patrick MOUNAIX, chargé de recherche au CNRS, Laboratoire CP-
MOH, université de Bordeaux
– Gaël MOURET, maître de conférences, Laboratoire de physico-chimie
de l’atmosphère, université du Littoral, Dunkerque
– Jean-François ROUX, maître de conférences, Laboratoire IMEP-LAHC,
université de Savoie, Le Bourget du Lac.
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Avant-propos
Les ondes électromagnétiques térahertz suscitent aujourd’hui un engoue-
ment sans précédent dû aux applications entrevues, dans des domaines aussi
variés que l’environnement, la sécurité, l’imagerie, les télécommunications...
Jusqu’aux années 1990, les études dans le domaine térahertz sont restées
confinées dans des laboratoires spécialistes de l’infrarouge très lointain, à
cause de l’absence de sources et de détecteurs faciles à utiliser. Une révolu-
tion technologique a eu lieu à cette époque avec l’apparition de lasers com-
merciaux délivrant des impulsions optiques de durée femtoseconde, qui ont
facilité la génération et la détection des signaux térahertz. Depuis, des tech-
niques complémentaires ont fait progresser les performances des systèmes
térahertz, si bien que nous sommes actuellement à une époque charnière où
la science térahertz est en train de migrer des laboratoires vers les entreprises
et vers les applications grand public.
Ce livre, destiné à un public de scientifiques (chercheurs ou étudiants de
3
e
cycle) et d’ingénieurs non spécialistes du domaine, a pour but de présenter
l’ensemble des principes, des techniques et des applications des ondes téra-
hertz. Devant l’ampleur des concepts mis en jeu, nous nous sommes limités
à la description des technologies optoélectroniques qui sont aujourd’hui les
plus abouties pour un transfert industriel. Le livre s’articule autour de cinq
parties. La première donne une description globale du domaine. La seconde
décrit les principes physiques de base rencontrés dans le domaine térahertz.
La troisième partie s’intéresse aux composants, et la quatrième partie aux
systèmes et techniques de mesure. Enfin, la dernière partie présente les ap-
plications des ondes térahertz dans le domaine de la sécurité, des communi-
cations, de la santé, de la défense... Ce livre a été rédigé par un ensemble de
spécialistes français. Toutes les différentes contributions ont été harmonisées
pour que le livre soit homogène et ainsi de lecture plus aisée.
Cet ouvrage est le fruit d’une coopération enthousiaste depuis
l’année 2000 entre ces spécialistes sous l’égide du Club Ecrin
1
qui fédère
les équipes de recherches universitaires et les industriels EADS et THALES
afin de promouvoir les nouvelles technologies dans le domaine térahertz.
1
Fondée par le CNRS et le CEA, l’association Ecrin (Échange et coordination recherche-
industrie) a pour but de rapprocher les laboratoires de recherche et les entreprises pour
accélérer les transferts de technologies et créer de l’innovation (www.ecrin.asso.fr).
6 Optoélectronique térahertz
En réalité, cette aventure a commencé en 1988 et elle illustre la puissance
et l’efficacité que peuvent engendrer des relations informelles. En effet, il fal-
lait alors pallier au manque de sources térahertz au sein des laboratoires.
Daniel Boucher, à l’époque enseignant-chercheur à l’université de Lille, et
Jean-Pierre Gex, directeur commercial d’un GIE CEA-Aérospatiale, se ren-
contrèrent autour d’un café et, pour des intérêts évidents, décidèrent très vite
de monter un projet d’une source à électrons libres qui aurait été implantée à
Lille. Ils étaient alors encouragés par Pierre Glorieux, Jean Demaison, Didier
Dangoisse, Robin Bocquet de l’université de Lille. Mais à cette époque, les la-
sers femtoseconde firent leur première apparition. Daniel Boucher se dépêcha
d’en acheter un et de monter une expérience de spectroscopie térahertz dans
le laboratoire qu’il venait de créer à l’université du Littoral à Dunkerque,
abandonnant ainsi l’idée du laser à électrons libres. Déjà, suite aux travaux
précurseurs du Laboratoire d’optique appliquée de l’ENSTA à Palaiseau,
quelques laboratoires français (LAHC-Chambéry, IRCOM-Limoges, CESTA-
CEA) s’étaient lancés dans l’aventure de l’optoélectronique térahertz. Aussi,
Jean-Pierre Gex et Daniel Boucher sentirent la nécessité d’une première
conférence térahertz qu’ils organisèrent à l’Observatoire de Paris en 1999.
Une trentaine de personnes y participèrent dont des représentants de Thom-
son (Thalès) et Aérospatiale (EADS). Une grande partie de ces participants
décidèrent de maintenir entre eux des contacts de travail, donnant ainsi nais-
sance au groupe de travail térahertz dans le cadre du club Ecrin. Aujour-
d’hui, ce groupe de travail rassemble une grande partie des acteurs français
de l’optoélectronique térahertz, il se réunit plusieurs fois par an et, dans une
ambiance chaleureuse, monte des projets, recherche le financement de thèses,
organise tous les deux ans les Journées Térahertz et, le térahertz devenant
une technologie à haut potentiel, publie ce livre.
L’ensemble du groupe térahertz dédie ce livre à la mémoire de Daniel
Boucher, récemment disparu, qui a effectué durant plus de trente ans des
travaux de recherche dans le domaine térahertz, motivant jeunes chercheurs
et ingénieurs à s’intéresser à ce domaine spectral, dont il était convaincu du
grand intérêt pour la recherche académique et du haut potentiel de dévelop-
pement et d’applications.
Jean-Pierre Gex, Ecrin
Gérard-Pascal Piau, EADS
Jean-Louis Coutaz, université de Savoie
Table des matières
Avant-propos 5
Table des matières 7
I Description générale 13
1 Introduction 15
1.1 Remarques préliminaires . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
1.2 Infrarouge lointain ou domaine térahertz . . . . . . . . . . . . 20
1.3 Sources de rayonnement térahertz . . . . . . . . . . . . . . . . 21
1.3.1 « Fossé » du térahertz . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
1.3.2 Sources « classiques » . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22
1.3.3 Lasers moléculaires . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
1.3.4 Sources optoélectroniques . . . . . . . . . . . . . . . . 26
1.3.5 Lasers à cascade quantique . . . . . . . . . . . . . . . 28
1.3.6 Bilan comparatif et perspectives . . . . . . . . . . . . 30
1.4 Détecteurs de rayonnement térahertz . . . . . . . . . . . . . . 30
1.4.1 Détecteurs « incohérents » : bolomètres... . . . . . . . 30
1.4.2 Détecteurs optoélectroniques . . . . . . . . . . . . . . 34
1.5 Interaction entre les ondes térahertz
et la matière . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34
1.6 Applications entrevues et état actuel de leur développement 36
II Principes physiques de base 39
2 Notions physiques de base 41
2.1 Électromagnétisme . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41
2.1.1 Équations de Maxwell . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41
2.1.2 Équations de propagation du champ électromagnétique 43
2.1.3 Énergie électromagnétique . . . . . . . . . . . . . . . . 45
2.1.4 Électromagnétisme non linéaire . . . . . . . . . . . . . 48
2.2 Photonique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54
8 Optoélectronique térahertz
2.2.1 Énergie du photon . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54
2.2.2 Puissance lumineuse et statistique du flux de photons 55
2.3 Interaction lumière-matière . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 56
2.3.1 Généralités . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 56
2.3.2 Modèle classique de l’interaction dipolaire . . . . . . . 57
2.3.3 Traitement quantique de l’interaction lumière-atome 59
2.3.4 Le corps noir . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62
2.3.5 Interaction lumière-molécule . . . . . . . . . . . . . . . 64
2.3.6 Interaction lumière-gaz . . . . . . . . . . . . . . . . . . 67
2.3.7 Interaction lumière-liquide . . . . . . . . . . . . . . . . 73
2.3.8 Interaction lumière-solide . . . . . . . . . . . . . . . . 73
2.3.9 Photogénération dans les semi-conducteurs . . . . . . 84
2.4 Lasers femtosecondes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 88
2.4.1 Lasers à modes bloqués . . . . . . . . . . . . . . . . . 88
2.4.2 Mise en phase des modes . . . . . . . . . . . . . . . . 89
III Composants 91
3 Composants pour le régime impulsionnel 93
3.1 Lasers femtosecondes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 93
3.1.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 93
3.1.2 Génération d’impulsions laser femtosecondes . . . . . . 94
3.1.3 Blocage de modes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 95
3.1.4 Principaux lasers femtosecondes . . . . . . . . . . . . . 99
3.2 Matériaux semi-conducteurs pour l’impulsionnel . . . . . . . . 100
3.2.1 Recombinaison des paires électrons-trous . . . . . . . . 100
3.2.2 L’épitaxie à basse température
des semi-conducteurs III-V . . . . . . . . . . . . . . . 102
3.2.3 Implantation et irradiation ionique . . . . . . . . . . . 107
3.3 Génération . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 110
3.3.1 Génération à base de semi-conducteurs . . . . . . . . . 110
3.3.2 Génération par redressement optique . . . . . . . . . . 125
3.3.3 Comparatif des sources . . . . . . . . . . . . . . . . . . 132
3.4 Détection . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 134
3.4.1 Détection photoconductrice . . . . . . . . . . . . . . . 134
3.4.2 Détection par effet électro-optique . . . . . . . . . . . 138
4 Composants pour le régime continu 155
4.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 155
4.1.1 Photomélange par battement de deux lasers . . . . . . 156
4.1.2 Composants de transposition de fréquence
par battement de lasers : photodétecteurs . . . . . . . 162
4.1.3 Laser à cascade quantique (QCL) . . . . . . . . . . . . 167
Table des matières 9
4.2 Conclusion partielle . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 172
4.3 Technique de photomélange : principe et limitations . . . . . 173
4.4 Vers les grandes longueurs d’onde . . . . . . . . . . . . . . . . 174
4.4.1 Banc expérimental . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 175
4.4.2 Résultats expérimentaux . . . . . . . . . . . . . . . . . 176
4.4.3 Perspectives . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 178
5 Composants passifs 179
5.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 179
5.2 Éléments optiques pour la propagation en espace libre . . . . 180
5.2.1 Rôle crucial de la dispersion chromatique . . . . . . . 180
5.2.2 Miroirs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 182
5.2.3 Lentilles . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 184
5.2.4 Séparatrices . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 186
5.2.5 Prismes et réseaux de diffraction . . . . . . . . . . . . 187
5.2.6 Traitements antireflets . . . . . . . . . . . . . . . . . . 188
5.3 Traitement de la polarisation en espace libre . . . . . . . . . . 189
5.3.1 Degré de polarisation des émetteurs et détecteurs THz 189
5.3.2 Polariseurs à grille . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 190
5.3.3 Polarisation par séparation temporelle . . . . . . . . . 191
5.3.4 Lames biréfringentes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 191
5.4 Guides d’ondes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 193
5.4.1 Quelques rappels sur le guidage des ondes
électromagnétiques . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 193
5.4.2 Guides d’ondes diélectriques . . . . . . . . . . . . . . . 195
5.4.3 Guides d’ondes métalliques . . . . . . . . . . . . . . . 197
5.4.4 Dispersion et pertes des guides d’ondes . . . . . . . . . 200
5.4.5 Comparatif des différents guides d’onde THz . . . . . 201
5.4.6 Couplage dans les guides d’ondes . . . . . . . . . . . . 202
5.5 Cristaux photoniques et métamatériaux . . . . . . . . . . . . 202
5.5.1 Définition et caractéristiques . . . . . . . . . . . . . . 202
5.5.2 Dispositifs et filtres THz basés sur des cristaux
photoniques . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 203
5.5.3 Ingénierie de la dispersion : cristaux photoniques
et métamatériaux . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 207
IV Techniques et systèmes 215
6 Techniques de mesure 219
6.1 Domaine temporel . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 220
6.1.1 Échantillonnage en temps équivalent d’impulsions THz
ultrabrèves . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 220
6.1.2 Échantillonnage d’un signal continu . . . . . . . . . . . 224
10 Optoélectronique térahertz
6.1.3 Passage temps–fréquence : la transformée de Fourier 225
6.1.4 Mesures pompe optique – sonde THz . . . . . . . . . . 228
6.1.5 Extraction du signal . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 233
6.2 Domaine fréquentiel . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 238
7 Spectroscopie 241
7.1 Spectroscopie THz dans le domaine temporel (THz-TDS) . . 241
7.1.1 Principe de la spectroscopie THz dans le domaine
temporel . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 241
7.1.2 Cas particuliers . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 245
7.1.3 Matériaux magnétiques . . . . . . . . . . . . . . . . . 246
7.1.4 Performances de la THz TDS . . . . . . . . . . . . . . 250
7.2 Sources optoélectroniques utilisées en spectroscopie THz . . . 252
7.3 Spectroscopie dans le domaine fréquentiel . . . . . . . . . . . 253
7.3.1 Quelques principes de base sur l’instrumentation . . . 253
7.3.2 Spectromètres à réseau ou à étalon . . . . . . . . . . . 254
7.3.3 Spectromètre infrarouge à transformée de Fourier . . . 255
7.3.4 Spectroscopie avec une source THz monochromatique
de longueur d’onde ajustable . . . . . . . . . . . . . . 262
7.3.5 Comparaison des techniques . . . . . . . . . . . . . . . 265
8 Imagerie 267
8.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 267
8.2 Principes de l’imagerie THz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 268
8.2.1 Extension des propriétés spectroscopiques . . . . . . . 268
8.3 Résolution spatiale . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 268
8.3.1 Limite de la diffraction . . . . . . . . . . . . . . . . . . 269
8.3.2 Imagerie en champ proche . . . . . . . . . . . . . . . . 269
8.4 Principes d’un microscope THz . . . . . . . . . . . . . . . . . 269
8.4.1 Différentes techniques en champ proche . . . . . . . . 270
8.4.2 Champ proche et contraste de champ proche . . . . . 271
8.4.3 Imagerie par balayage . . . . . . . . . . . . . . . . . . 271
8.4.4 Imagerie par détecteurs bidimensionnels . . . . . . . . 273
8.4.5 Tomographie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 273
8.4.6 Imagerie in situ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 273
8.5 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 273
V Applications et perspectives 275
9 Applications des ondes THz 277
9.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 277
9.2 Pourquoi choisir le THz ? . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 277
9.3 Choix d’un système THz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 278
Table des matières 11
9.3.1 Du système complexe aux composants dédiés . . . . . 278
9.3.2 Système CW ou impulsionnel . . . . . . . . . . . . . . 282
9.3.3 Classement des systèmes par degrés de complexité . . 284
10 Familles d’applications THz 293
10.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 293
10.2 Contrôle qualité . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 294
10.2.1 Principe . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 294
10.2.2 Exemple . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 295
10.3 Maintenance préventive . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 297
10.3.1 Principe . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 297
10.3.2 Exemples . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 298
10.4 Sécurité et défense . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 299
10.4.1 Principe . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 299
10.4.2 Exemples . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 299
10.5 Télécommunications . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 302
10.5.1 Principe . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 302
10.5.2 Exemples . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 303
10.6 Biologie et biomédical . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 304
10.6.1 Principe . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 304
10.6.2 Exemple . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 305
11 Détection et quantification de gaz en THz 307
11.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 307
11.2 Détermination des concentrations par spectroscopie . . . . . . 309
11.3 Exemple de la fumée de cigarette . . . . . . . . . . . . . . . . 313
11.4 Molécules ciblées . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 315
11.5 Applications en astrophysique . . . . . . . . . . . . . . . . . . 316
11.6 Bases de données et simulation de spectres . . . . . . . . . . . 318
11.6.1 Littérature scientifique . . . . . . . . . . . . . . . . . . 318
11.6.2 Compilations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 319
11.6.3 Bases de données informatiques . . . . . . . . . . . . . 319
11.6.4 Simulation de spectres . . . . . . . . . . . . . . . . . . 324
11.6.5 Absorption de l’atmosphère . . . . . . . . . . . . . . . 325
12 Le THz : phénomène de mode ou technologie
du troisième millénaire ? 329
Bibliographie 333
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Première partie
Description générale
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Chapitre 1
Introduction
1.1 Remarques préliminaires
L’utilisation des ondes électromagnétiques constitue l’outil le plus per-
formant pour observer et comprendre le monde qui nous entoure. Depuis
l’infiniment grand et lointain – galaxies des premiers temps de l’Univers –
jusqu’à l’infiniment petit – physique sub-nucléaire – les ondes électromagné-
tiques nous permettent de « voir » les objets et de les analyser grâce à la
spectroscopie. L’étendue formidable du spectre électromagnétique multiplie
d’autant les champs d’observation et d’applications par la variété des phéno-
mènes physiques impliqués.
Toutes ces observations, études et applications mettant en jeu des ondes
électromagnétiques reposent sur un principe général
1
basé sur trois idées
simples :
– l’objet observé devra émettre ou réfléchir une onde électromagnétique.
Il est souvent nécessaire de disposer d’une source de rayonnement ;
– cette onde doit être détectée pour être analysée, il faut donc disposer
d’un détecteur ;
– enfin, pour que l’onde émise par l’objet atteigne le détecteur, il faut
que le milieu entre objet et détecteur soit suffisamment transparent.
Dans notre quotidien, ces trois conditions sont merveilleusement remplies
dans le domaine visible du spectre électromagnétique. En effet, le soleil émet
une grande partie de son rayonnement dans le visible, avec un pic de puissance
au voisinage de 550 nm (couleur jaune-vert), notre œil s’est parfaitement
adapté en sensibilité au spectre solaire, et l’air est suffisamment transparent
1
Ce principe a été proposé par le savant arabe Alhacen (al Haytham) dans son livre
Kitab al Manazir (Livre d’Optique) publié autour de l’an 1030 [1]. En particulier, il reprit
la notion de rayons lumineux d’Euclide mais en supposant que chaque point de l’objet
« vu » émet un cône de rayons lumineux dont un seul atteint la rétine de l’œil, formant
ainsi une image nette.
16 Optoélectronique térahertz
pour les ondes visibles. D’autres domaines du spectre électromagnétique sont
aussi facilement explorés et utilisés par l’être humain, à condition d’employer
les outils et techniques nécessaires. Il s’agit par exemple du proche infrarouge,
que William Herschel [2] a découvert en 1800 en plaçant un thermomètre dans
la zone de dispersion de la lumière derrière un prisme et en constatant que
la température augmentait lorsque le thermomètre était situé dans une zone
non éclairée « en-dessous » (infra) du rouge. C’est aussi le cas des ondes radio
(grandes ondes, FM...), des microondes, des rayons X, etc.
L’infrarouge lointain constitue un domaine spécifique au sein du spectre
électromagnétique. Peu énergétiques, très faiblement absorbés par l’atmo-
sphère pour certaines longueurs d’onde et beaucoup pour d’autres, ces rayon-
nements ont été relativement peu étudiés jusqu’à présent, et leurs applica-
tions « grand-public » sont pratiquement inexistantes. Cet état de fait est dû
au manque criant de sources suffisamment puissantes et fiables, mais aussi
de détecteurs simples à employer. Pourtant, l’infrarouge lointain présente des
propriétés particulières qui en font un domaine spectral passionnant pour la
recherche fondamentale et appliquée, dont les applications entrevues nom-
breuses et prometteuses contribueront indéniablement au progrès technique.
Donnons quelques exemples de ces propriétés et des applications possibles.
Les ondes électromagnétiques de l’infrarouge lointain excitent des résonances
mécaniques des molécules (mouvements de vibration globaux de la molé-
cule, mouvements de rotation dont certains plus complexes sont associés à
des vibrations), dont les spectres d’absorption montrent des signatures sou-
vent originales et complémentaires par rapport à celles observées dans le
proche infrarouge, le visible, ou l’ultraviolet. Ainsi, la spectroscopie dans
l’infrarouge lointain permet la détection de substances chimiques difficiles
à identifier avec d’autres méthodes, comme le disulfure d’hydrogène (H
2
S),
ouvrant de grandes perspectives en détection à distance pour l’environne-
ment, mais aussi dans le domaine de la sécurité, puisque des substances
dangereuses comme les explosifs et les gaz létaux, ou illégales comme les
drogues, montrent une signature spectrale spécifique. D’autre part, de nom-
breux matériaux opaques à la plupart des ondes électromagnétiques sont
transparents dans l’infrarouge lointain, comme les semi-conducteurs intrin-
sèques, les matériaux diélectriques (papier, béton...), alors que les matériaux
humides sont très absorbants. D’où la possibilité d’imagerie dans l’infrarouge
lointain, avec des applications pour le bio-médical (par exemple la détection
de mélanomes), mais aussi dans le domaine sécuritaire (portails de détection
d’armes ou produits illicites dans les aéroports) : il est probable que les pre-
mières caméras permettant de voir à travers les murs seront bientôt au point !
Les longueurs d’onde mises en jeu dans l’infrarouge lointain, typiquement
sub-millimétriques, correspondent pratiquement à la résolution spatiale de la
vision humaine : cette imagerie permettra de visualiser de manière différente
des objets avec la précision visuelle à laquelle nous sommes habitués. Enfin,
1. Introduction 17
les fréquences de l’infrarouge lointain sont de l’ordre de 10
12
Hz, que l’on ap-
pelle térahertz (le préfixe téra
2
est utilisé dans le système international pour
multiplier par 10
12
: 1 THz = 10
12
Hz), fréquences vers lesquelles tendent
celles des circuits électroniques récents et des systèmes de télécommunication
évolués.
Il est intéressant de signaler que l’infrarouge très lointain est actuellement
proposé dans de nombreuses publicités
3
comme moyen thérapeutique en mé-
decine douce. Ces publicités vantent les vertus des rayonnements THz pour
stimuler les tissus biologiques à l’échelle moléculaire, ce qui est « bénéfique
pour la santé et le bien-être »... Il convient cependant de rester prudent sur
ces questions, et d’attendre que le corps médical apporte la preuve indéniable
des bienfaits thérapeutiques des ondes THz.
Étudié depuis les travaux de pionnier de Jagadis Bose
4
[3] à la fin du
xix
e
siècle, puis par Nichols qui le produisit aussi bien par des méthodes
optiques qu’électriques (faisant ainsi la réunion entre deux domaines de la
physique)
5
, l’infrarouge lointain a été l’objet d’études remarquables dans les
années 1950-60. Les spectres de nombreuses molécules ont été enregistrés et
interprétés avec la mécanique quantique, en particulier grâce au performant
spectromètre à transformée de Fourier [5], proposé et développé en France
par Jacquinot et les époux Connes. L’astronomie « millimétrique » a donné
des résultats remarquables, dont la découverte du rayonnement fossile de
l’univers à 4,08 GHz (λ = 7,35 mm) [6]. Cependant, ces études étaient bien
souvent longues et fastidieuses. Ainsi, l’enregistrement de spectres, réalisé au
moyen de sources de type corps noir et de détecteurs bolométriques maintenus
à très basse température, pouvait durer plusieurs jours !
Un bouleversement technologique s’est produit au début des années 1990.
À cette époque, des lasers délivrant des impulsions de lumière de durée
sub-picoseconde (les lasers « femtosecondes ») ont commencé à être com-
mercialisés [7]. Lasers fiables et performants, ces appareils « presse-bouton »
2
Il est amusant de savoir que téra trouve son origine dans teras qui en grec ancien
signifie monstre : les fréquences THz seraient-elles monstrueuses, ne serait-ce que par leur
périodicité élevée ?
3
www.a-sauna.com, www.firheals.com, www.firtechnology.com
4
Jagadis Bose était un chercheur indien qui a travaillé de nombreuses années à l’uni-
versité de Cambridge en Angleterre, et qui a poursuivi et terminé sa carrière à Calcutta.
Scientifique remarquable et inventeur de génie, on lui doit l’étude de la première diode à
semi-conducteur qu’il employa comme redresseur électrique, et de nombreux travaux et
inventions dans l’infrarouge lointain et les ondes radio. Citons la mesure d’indice de ré-
fraction dans le domaine des ondes centimétriques, mais aussi l’invention des polariseurs
à grille, d’atténuateurs formés de prismes à réflexion totale frustrée, etc. Il est aussi très
connu pour ses travaux sur les plantes, dont l’un des ouvrages a été traduit en français
(Physiologie de l’ascension de la sève, Gauthier-Villars, 1923). Notons enfin que Jagadis
Bose ne doit pas être confondu avec son illustre homonyme Satyendra Bose, bien connu
pour ses travaux en physique statistique (bosons, loi de Bose-Einstein).
5
Dans les années 1920, Nichols et Tear générèrent des ondes infrarouges de longueur
d’onde 0,8 mm [4].
18 Optoélectronique térahertz
ont permis à nombre de laboratoires non spécialisés d’explorer les phéno-
mènes ultra-rapides. Déjà, au cours des années 1980, des chercheurs améri-
cains (Mourou [8], Auston [9], Grischkowsky [10]) avaient compris l’intérêt
de ces impulsions laser pour améliorer et faciliter les études dans l’infrarouge
lointain. En effet, si l’on est capable de redresser l’impulsion optique sub-
picoseconde dans un matériau ou composant non linéaire, on obtiendra une
« bouffée » électromagnétique correspondant pratiquement à l’enveloppe de
l’impulsion optique. Cette impulsion électromagnétique, rayonnée dans l’es-
pace libre ou guidée dans des dispositifs, possède un spectre fréquentiel dont
l’étendue spectrale est inversement proportionnelle à sa durée. À une durée
d’une picoseconde (10
−12
s) correspond un spectre qui atteint le domaine des
fréquences THz. Ainsi un banc expérimental typique construit autour d’un
laser femtoseconde permet des études sur une bande spectrale très étendue
(typiquement 0,1-5 THz) avec des niveaux de puissance THz suffisants, car les
mesures sont réalisées au moyen de techniques d’échantillonnage, dont le fenê-
trage temporel élimine le bruit thermique ambiant. Les mesures peuvent être
conduites à température ambiante et des dynamiques impressionnantes sont
atteintes. Cette révolution technologique a relancé l’intérêt des études dans
l’infrarouge lointain. La combinaison des méthodes optiques et de l’infrarouge
lointain a été très fructueuse, et le principe de base a été complété par de
nombreuses techniques variées, formant ce que l’on appelle aujourd’hui l’op-
toélectronique THz. Ainsi, les techniques impulsionnelles permettent aussi
des études de phénomènes ultrarapides. De manière complémentaire, le bat-
tement de faisceaux lasers de fréquences différentes conduit à la génération de
faisceaux THz monochromatiques, très utiles pour la spectroscopie à haute
résolution. Actuellement, des diodes lasers pour le domaine THz, nommées
diodes QCL (diodes laser à effet de cascade quantique), suscitent un grand
effort de développement, car elles constitueraient des sources de rayonnement
THz très compactes, de bon rendement, et compatibles avec l’électronique.
Le but de cet ouvrage est de présenter un état de l’art de l’optoélec-
tronique THz à une époque charnière où les études sortent des laboratoires
pour se répandre dans le monde industriel. Beaucoup de laboratoires et d’en-
treprises se demandent aujourd’hui s’il est intéressant de lancer des travaux
et des projets relatifs aux « THz ». Ces interrogations sont stimulées par la
publicité faite autour des ondes THz grâce à des articles dans des journaux
de grande diffusion, mais aussi au nombre incroyable et toujours croissant de
publications scientifiques sur le sujet. Les grands organismes internationaux
ou nationaux financent nombre de projets sur le THz. En bref, le « THz »
est à la mode, à tel point que beaucoup de travaux dans le proche infrarouge
sont maintenant présentés comme étant des études THz (ce qui est vrai tout
en étant anachronique, puisque les longueurs d’onde de 1 μm correspondent
à des fréquences de 300 THz). Notre intention est d’aider à répondre à ces
interrogations, en expliquant les principes de l’optoélectronique THz et en
1. Introduction 19
décrivant la plupart des applications entrevues. Cet ouvrage est dédié à des
scientifiques, ingénieurs ou étudiants non spécialistes du domaine qui veulent
se faire une idée générale de l’optoélectronique THz, mais qui trouveront aussi
matière à approfondir une question particulière. Cet ouvrage n’est pas écrit
pour des spécialistes du domaine, mais garde au contraire une vocation de
synthèse et de revue, tout en s’appuyant sur une présentation aussi rigou-
reuse que possible des phénomènes et des techniques. Enfin, nous souhaitons
que ce livre soit aussi un ouvrage de travail et de référence, c’est pourquoi
nous avons regroupé ici de nombreuses données, souvent éparpillées dans les
multiples journaux scientifiques.
Bien entendu, le domaine THz n’est pas réservé aux techniques optoélec-
troniques. Par exemple, des travaux prometteurs sont menés actuellement
pour fabriquer des sources électroniques THz efficaces, que cela soit par mul-
tiplication de fréquence de signaux issus de diodes hyperfréquences, par la
conception de composants fonctionnant à très hautes fréquences, comme les
transistors HEMT, et basés sur des principes nouveaux, comme les nano-
transistors à résonance de plasma, ou sur des principes revisités, comme les
microklystrons.
Pour conserver à cet ouvrage une bonne cohérence thématique et une
taille réaliste, nous sommes limités à la description de l’optoélectronique THz.
Les différents chapitres et paragraphes du livre ont été rédigés par une équipe
rédactionnelle formée de chercheurs représentant la plupart des équipes fran-
çaises spécialisées sur le sujet. Le livre donne donc aussi bien l’état de l’art
de la science et de la technologie en 2008, qu’une photographie des activités
françaises dans le domaine.
La seconde partie donne un bilan comparé des sources et détecteurs
d’ondes THz, qu’ils soient ou non optoélectroniques, et indique les princi-
pales applications entrevues aujourd’hui, basées sur les propriétés d’inter-
action entre la matière et les ondes THz. La partie suivante
6
présente de
manière synthétique les différents phénomènes physiques qu’il est nécessaire
de connaître pour bien comprendre la suite de l’ouvrage consacrée à l’opto-
électronique THz. Ensuite, nous décrivons les composants de l’optoélectro-
nique THz, leurs principes, leurs performances, leurs applications. La qua-
trième partie est dédiée aux techniques expérimentales et aux systèmes basés
sur l’optoélectronique THz. Enfin, le livre se termine par la présentation des
principales applications entrevues aujourd’hui, dans des domaines aussi va-
riés que la sécurité, l’environnement, la biologie, etc. L’approche industrielle
du développement de systèmes THz est abordée.
6
Le lecteur connaissant bien la physique pourra passer directement à la lecture du
chapitre 3 sur les composants (page 93).
20 Optoélectronique térahertz
1.2 Infrarouge lointain ou domaine térahertz
Les différentes familles du spectre électromagnétique sont représentées
sur la figure (1.1). Les frontières de chaque famille ne sont généralement pas
positionnées de manière exacte. C’est particulièrement vrai pour le domaine
des ondes THz que nous définirons ici de manière arbitraire par :
Le domaine THz est l’intervalle spectral situé entre 100 GHz et 10 THz,
dont les longueurs d’onde sont comprises entre 30 μm et 3 mm.
Fig. 1.1 – Le spectre électromagnétique.
Autrement dit, les photons du domaine THz possèdent des énergies com-
prises entre 0,42 et 41,5 meV, correspondant à une gamme de températures
comprises entre 4,8 et 478 K. Le domaine THz est donc situé entre le domaine
de l’infrarouge et celui des micro-ondes. En termes de radiofréquence, les
ondes THz sont au-delà des EHF (extremely high frequencies) qui s’étendent
entre 30 et 300 GHz, et au-delà de la bande W (100 GHz) du spectre micro-
ondes (figure (1.2)).
Micro-ondes L S C X Ku K Ka U W
1 2 4 8 12 18 26 40
60
56 100
Fréquence
(GHz)
3 30 300
Radio-fréquence UHF SHF EHF
Fig. 1.2 – Conversion d’unités (fréquence-longueur d’onde-énergie) et bandes
de fréquences micro-ondes et radio-fréquences.
1. Introduction 21
D’un point de vue pratique, les techniques des domaines voisins seront
prolongées ou adaptées à l’étude des ondes THz. Ainsi, les méthodes de mise
en forme des faisceaux optiques et infrarouge, basées sur l’utilisation de com-
posants dioptriques (lentilles) ou catadioptriques (miroirs), sont employées
dans le domaine THz. Dans ce cas, on dit généralement que les faisceaux THz
sont mis en forme par des techniques quasi optiques. Mais on peut aussi bé-
néficier de la technologie des micro-ondes, et ainsi conduire les ondes THz
par des lignes de propagation hyperfréquences (lignes coplanaires, à fentes...).
Bien souvent, ces méthodes issues de l’optique ou des hyperfréquences ne se
différencient que par le vocabulaire employé... et par la culture des chercheurs
et ingénieurs, suivant qu’ils sont physiciens ou électroniciens !
L’énergie des photons THz est de l’ordre de quelques dixièmes de meV
à une quarantaine de meV. C’est donc une énergie très faible par rapport
aux transitions électroniques des atomes et molécules (∼ 1 eV), de l’ordre de
l’énergie thermique à température ambiante (à T = 25

C, k
B
T = 25,4 meV).
Le rayonnement thermique ambiant (rayonnement de corps noir du labora-
toire ou de la zone de mesure) perturbera émission et détection THz. Il
faudra donc prendre des mesures pour s’affranchir de ces perturbations, soit
en refroidissant les composants, soit en les isolant du milieu ambiant, soit en
réduisant au minimum la fenêtre temporelle d’émission et d’acquisition des
signaux.
1.3 Sources de rayonnement térahertz
1.3.1 « Fossé » du térahertz
Comme nous l’avons déjà signalé, le domaine THz profite des techniques
des deux domaines infrarouge et micro-ondes voisins, et c’est particulière-
ment vrai pour les sources de rayonnement. Ainsi, les sources classiques de
rayonnement THz sont extrapolées des sources hyperfréquences – souvent
nommées sources électroniques – ou des sources optiques, auxquelles se ra-
joutent les sources de type corps noir. Ces sources, qu’elles soient optiques ou
électroniques, voient leur efficacité chuter fortement quand les fréquences se
rapprochent et atteignent le domaine THz, comme montré sur la figure (1.3).
C’est le grand problème rencontré par les scientifiques et ingénieurs me-
nant des études dans ce domaine spectral : aujourd’hui, il n’existe pas de
source THz qui soit à la fois compacte, efficace et puissante. L’optoélectro-
nique répond en partie à ce besoin, mais de manière imparfaite. D’autres
solutions (lasers à cascade quantique, transistors à effet de plasma, micro-
klystrons...) sont activement étudiées mais ne sont pas au point actuellement.
Nous ne donnons ici qu’une courte présentation des sources de rayonnement
THz disponibles.
22 Optoélectronique térahertz
10
−7
10
−5
10
−3
10
−1
10
1
0,01 0,1 1 10 100 1 000
0,001 0,01 0,1 1 10
P
u
i
s
s
a
n
c
e

(
W
)
Fréquence (THz)
Longueur d’onde (mm)
lasers III-V
QCL
lasers
à sels de plomb
IMPATT
TUNETT
RTD
p-Ge lasers
Gunn
MMIC
BWO
multiplication
de fréquence
UTC
p-Ge
lasers QCL THz
Fig. 1.3 – Le « fossé » THz (d’après un document du THz Technology Trend
Investigation Committee (Japon)).
1.3.2 Sources « classiques »
Corps noirs
La loi de Planck, énoncée dans le chapitre suivant, nous indique que le
rayonnement thermique possède un spectre continu d’étendue infinie. Mal-
heureusement, si tout corps chaud rayonne dans le domaine THz, les puis-
sances rayonnées sont très faibles. Ainsi, tout cm
2
de corps chauffé à une
température réaliste (typiquement moins que 3 000 K, température maximum
du filament en tungstène des lampes à incandescence) rayonne de l’ordre du
picowatt à 0,1 THz (λ = 3 mm) et du microwatt à 10 THz (λ = 30 μm)
dans une largeur spectrale Δλ = 1 μm. Les sources THz à corps noirs sont
donc peu puissantes et de plus les ondes rayonnées sont incohérentes. Parmi
les appareils commerciaux
7
, on trouve principalement des cavités métalliques
chauffées par des résistances en céramique qui se rapprochent du corps noir
idéal, mais aussi des films chauffés
8
, des lampes à filament (halogène)
9
et à
décharge (vapeur de mercure sous haute pression).
7
www.boselec.com, www.ci-systems.com, www.mikroninfrared.com
8
www.hawkeyetechnologies.com/ir40.htm
9
www.helioworks.com, www.eoc-inc.com
1. Introduction 23
Diodes électroniques
Imaginés par Schokley dès 1954, tous ces composants à semi-conducteurs
sont basés sur un effet de résistance différentielle négative (NDR) obtenu
de différentes manières. Le phénomène de NDR est observé lorsque le cou-
rant traversant un composant diminue alors qu’on augmente la tension de
polarisation. Cet effet accumule les porteurs sous la forme d’une impulsion
et l’écrantage induit du champ électrique empêche la formation d’une se-
conde impulsion de courant tant que la première traverse le dispositif. La
fréquence des signaux électriques générés est ainsi inversement proportion-
nelle au temps de transit de l’impulsion électrique dans la région NDR du
composant. De façon générale, il est nécessaire de réduire l’épaisseur de cette
région pour atteindre le domaine THz, mais ceci conduit à une augmentation
de la capacité du composant, et donc à une réponse électrique moins rapide.
Il faut alors diminuer la surface du composant, cette fois-ci au détriment de
la puissance émise. Toutes ces considérations font que la puissance électro-
magnétique émise par composant électronique varie comme f
−2
∼ f
−3
et
donc chute fortement quand on atteint le domaine THz.
Chronologiquement, l’effet Gunn fut le premier découvert en 1962 [11]. Il
se produit dans les semi-conducteurs dopés dont la bande de conduction pos-
sède des vallées satellites, tels que GaAs ou InP. La vitesse des porteurs libres
augmente avec le champ appliqué jusqu’à une valeur maximum, puis diminue
pour atteindre un plateau. Cet effet est causé par le transfert des électrons
depuis la vallée de forte mobilité (faibles valeurs du vecteur d’onde) jusqu’à
la vallée voisine de faible mobilité. La courbe de la vitesse des électrons en
fonction du champ appliqué présente donc une zone de pente négative, à
laquelle correspond une NDR. Typiquement, une diode Gunn en GaAs de
5 μm d’épaisseur génère un signal à 25 GHz. Aujourd’hui, les composants
les plus performants délivrent 100 mW en continu à 100 GHz et de l’ordre
du mW à 1 THz [12].
Parmi la grande variété des autres composants à effet de transit-NDR
(diodes TUNNETT, BARITT, DOVETT...), les diodes à effet tunnel (TUN-
NETT, RTD) sont les plus performantes pour la génération de hautes fré-
quences. Les diodes TUNNETT en technologie GaAs délivrent quelques di-
zaines de μW à 300∼400 GHz. L’emploi d’autres matériaux avec des valeurs
de saturation des vitesses électroniques plus élevées comme GaN semble pro-
metteur [13] mais reste à démontrer. Les diodes RTD (resonant tunneling
diodes) atteignent aujourd’hui le THz, mais avec des puissances émises qui
restent trop faibles (∼0,5 μW [14]).
Les diodes IMPATT (Impact Avalanche And Transit Time diode) sont
constituées d’une zone intrinsèque placée entre les régions dopées p et n
d’une jonction pn. La jonction est fortement polarisée en inverse, le champ
électrique appliqué étant très fort dans la zone de déplétion au voisinage
de la zone p, un effet d’avalanche se produit qui alimente en porteurs la
24 Optoélectronique térahertz
zone intrinsèque. Lorsque la diode est alimentée en tension alternative, l’ef-
fet d’avalanche se produit de façon momentanée une fois par cycle, alimentant
ainsi la zone intrinsèque par une impulsion de charge. Les meilleures perfor-
mances de ces diodes sont de l’ordre de quelques dizaines de mW à 300 GHz.
Autres sources électroniques
Lorsqu’un électron se déplace dans un champ électrique spatialement pé-
riodique, il rayonne une onde électromagnétique de fréquence ν = β
c
d
, où d
est la période spatiale du champ et β =
v
c
est la vitesse relative des électrons
par rapport à celle de la lumière dans le vide. Ce phénomène est observé
lorsqu’un faisceau électronique est en trajectoire rasante au-dessus d’un ré-
seau de diffraction métallique, c’est l’effet Smith-Purcell [15]. Il est aussi mis
à profit pour fabriquer des lasers à électrons libres, le faisceau électronique
traversant un onduleur magnétique.
Dans le cas de l’effet Smith-Purcell, la fréquence rayonnée, en tenant
compte des effets relativistes, est égale à :
f =
n
d
c
(
1
β
−cos φ)
(1.1)
d est la période du réseau, φ est l’angle d’émission par rapport au réseau et n
est l’ordre de diffraction. La société Vermont Photonics
10
commercialise une
source THz à effet Smith-Purcell, qui utilise un faisceau électronique accéléré
sous quelques dizaines de kV. La fréquence générée est réglable entre 100 GHz
et 10 THz en ajustant la tension d’accélération, la largeur spectrale étant
de quelques centaines de GHz et la puissance atteignant quelques centaines
de nW.
Les carcinotrons encore appelés tubes à ondes contra-progressives ou
BWO (backward wave oscillator) sont des dispositifs compacts basés sur l’ef-
fet Smith-Purcell. Une électrode chauffée émet des électrons qui sont accélérés
et focalisés à l’aide d’un champ magnétique vers l’anode au sein d’un tube
à vide ayant la forme d’un guide d’ondes millimétriques. Une des faces du
tube est corruguée périodiquement, afin de produire l’effet Smith-Purcell.
L’onde millimétrique est générée dans la direction opposée au mouvement
des électrons, d’où le nom du dispositif. Cette technique permet de diminuer
la période de la corrugation (cosφ = −1 dans l’expression (1.1)) et donc
de réduire l’encombrement de l’appareil. L’onde millimétrique s’échappe du
guide d’onde par une déviation en forme de Y au voisinage de la cathode. Ces
appareils produisent des faisceaux de la centaine de mW pour des fréquences
inférieures à 200 GHz. Le domaine THz est atteint soit à l’aide de multiplica-
teurs de fréquences, la puissance diminuant alors fortement (typiquement la
dizaine de μW autour du THz), soit en utilisant des électro-aimants externes
10
http://www.vermontphotonics.net/index2.html
1. Introduction 25
à l’appareil, la puissance délivrée étant de l’ordre du mW à 1 THz. Ces ap-
pareils sont assez stables du point de vue spectral (Δf/f ≈ 10
−4
∼ 10
−5
),
avec un bruit électrique assez élevé (ΔP/P ≈ %). Des tubes BWO THz sont
commercialisés par la société américaine Microtech Instruments
11
.
Les lasers à électrons libres (FEL en anglais) sont des appareils où le fais-
ceau d’électrons provient d’un accélérateur de particules dédié. Ce faisceau
traverse une zone où règne un champ magnétique périodique, qui couple les
électrons au rayonnement électromagnétique, et conduit à une amplification
du faisceau lumineux. Ce couplage électron-photon regroupe les électrons
par paquet, donc le rayonnement lumineux est impulsionnel (pulses de du-
rées ns-μs) et sous certaines conditions, il est cohérent. Le faisceau lumineux
fait des aller-et-retour dans une cavité électromagnétique dont l’axe est celui
du faisceau d’électrons. On ajuste la fréquence rayonnée en variant l’énergie
des électrons. Il existe une dizaine de lasers à électrons libres dans le monde
dédiés au rayonnement infrarouge et millimétrique. Les fréquences produites
couvrent toute la gamme THz, et les puissances peuvent être considérables
(100 W continus au Jet Laboratory ERL) [16].
Enfin, parmi les sources électroniques, signalons la technique prometteuse
de compression d’échelon de tension le long d’une ligne de propagation hy-
perfréquence non linéaire [17]. Dans ces lignes de propagation, des diodes
relient périodiquement le ruban central aux lignes de masse. Elles sont pola-
risées en inverse par le signal électrique véhiculé par la ligne. La capacité des
diodes, proportionnelle à la largeur de la zone de déplétion de la jonction,
augmente avec la tension appliquée, et donc les signaux de haute tension se
propagent plus vite que ceux de bas niveau. Le front d’un échelon de tension
qui alimente la ligne est ainsi rendu plus abrupt en fin de dispositif. Pour des
échelons de tension de l’ordre de 4 V, des temps de montée aussi courts que
480 fs ont été rapportés, montrant des composantes spectrales au-dessus de
3 THz [18]. Ces dispositifs impulsionnels servent aussi bien en émission qu’en
détection. L’avantage de ces systèmes réside dans leur technologie toute élec-
tronique, et dans leur compacité. La société américaine Tera-X
12
, créée en
2004, s’est fixée pour but de mettre au point des systèmes d’imagerie THz
à longue portée (∼ 100 m) utilisant comme antennes THz des lignes non
linéaires délivrant 0,5 W de puissance moyenne à environ 200 GHz.
1.3.3 Lasers moléculaires
Ce sont en fait les premières sources de rayonnement cohérent basées sur
l’inversion de population construites dès 1954 par l’équipe de Ch. Townes.
Appelées masers (microwave amplification by stimulated emission of radia-
tion), elles furent plus simples à mettre au point que les lasers puisque
11
www.mtinstruments.com
12
www.tera-x.com
26 Optoélectronique térahertz
Longueur d’onde Fréquence Gaz Pression Puissance
μm THz mTor relative
42,16 7,09 CH
3
OH 760 0,01
70,51 4,25 CH
3
OH 275 0,11
96,52 3,11 CH
3
OH 660 0,21
109,30 2,74 CH
2
F
2
520 0,30
117,73 2,55 CH
2
F
2
620 0,51
118,83 2,52 CH
3
OH 380 0,59
134,00 2,24 CH
2
F
2
580 0,47
158,51 1,89 CH
2
F
2
265 0,33
184,31 1,63 CH
2
F
2
240 1,00
214,58 1,40 CH
2
F
2
105 0,32
236,59 1,27 CH
2
F
2
65 0,02
287,67 1,04 CH
2
F
2
240 0,16
334 0,90 CH
3
Cl 205 0,03
349,3 0,86 CH
3
Cl 200 0,05
Tab. 1.1 – Lignes spectrales de quelques lasers moléculaires continus.
dans l’infrarouge lointain, l’émission stimulée est plus probable que l’émission
spontanée (voir chapitre suivant).
Ces lasers mettent en jeu des transitions entre niveaux roto-vibrationnels
de molécules sous forme gazeuse, qui sont dans les appareils modernes pom-
pées par un laser à CO
2
. Les milieux les plus employés (tableau (1.1)) sont le
méthanol (CH
3
OH)) et l’acide formique (CHOOH) pour les lasers continus,
qui peuvent émettre plusieurs centaines de mW, leur largeur spectrale étant
très étroite (généralement inférieure à 100 kHz). Il n’en reste pas moins que
ces lasers sont encore des appareils de laboratoire au réglage délicat, bien
que la société Coherent
13
vienne de commercialiser un système, dérivé d’un
équipement destiné à être embarqué sur satellite par la NASA, où le laser de
pompe CO
2
et le laser THz sont réunis dans un boîtier scellé. On lira avec
intérêt l’article sur l’histoire des lasers moléculaires pour l’infrarouge lointain
rédigé par Dodel [19].
1.3.4 Sources optoélectroniques
Il s’agit ici de donner une brève introduction sur ces sources qui seront
traitées en détail dans les chapitres suivants.
13
www.coherent.com
1. Introduction 27
Sources optoélectroniques impulsionnelles
Toute source impulsionnelle de rayonnement THz fait appel à la transfor-
mée de Fourier : une impulsion de durée très brève possède un spectre très
large. Par exemple, une impulsion de forme gaussienne et de durée τ possède
un spectre de largeur Δf (largeur totale à mi-hauteur) tel que :
Δf =
4 ln 2
π
τ ∼
1
τ
(1.2)
Le spectre des impulsions de durée picoseconde atteint donc le domaine THz.
Lorsqu’on utilise des impulsions optiques pour la génération d’ondes THz,
il ne faut pas oublier que le champ électrique de l’impulsion est un paquet
d’ondes, c’est-à-dire qu’il correspond à une fonction oscillante (la porteuse
optique) limitée par une enveloppe temporelle. La transformée de Fourier
d’une telle fonction est égale à la transformée de Fourier de l’enveloppe qui est
spectralement centrée sur la fréquence de la porteuse optique, c’est-à-dire vers
10
15
Hz. Toute source optoélectronique impulsionnelle de rayonnement THz
est donc un composant non linéaire qui redresse l’impulsion optique, c’est-à-
dire qui fait disparaître sa porteuse optique, et dont le temps de réponse est
sub-picoseconde. On distingue 3 familles de sources impulsionnelles : 1) celles
utilisant des semi-conducteurs ultra-rapides dans lesquels on photo-génère
un plasma électron-trou. Comme dans tout photo-détecteur, ce processus est
non linéaire puisque proportionnel à l’intensité du faisceau lumineux ; 2) les
sources à supra-conducteurs, dans lesquelles on brise l’état supra-conducteur
avec la lumière ; les performances de ces dispositifs sont cependant limitées
par l’absorption très forte du matériau dans le domaine THz (voir chapitre
suivant) ; 3) les composants basés sur des cristaux optiques non linéaires, où
le redressement optique est mis en jeu.
La qualité principale des sources optoélectroniques impulsionnelles est
l’étendue formidablement large du spectre généré, mais aussi la périodicité
des impulsions lasers fs, et donc des impulsions THz, qui permet d’utiliser des
techniques d’échantillonnage extrêmement sensibles. En revanche, elles pré-
sentent l’inconvénient de conduire à des résolutions fréquentielles médiocres,
puisque fixées par la durée temporelle de l’enregistrement qui est forcément
limitée dans le temps. Typiquement, des résolutions de quelques GHz sont
obtenues pour la gamme 0,1-10 THz.
Sources optoélectroniques continues
Par sources optoélectroniques continues, nous abordons ici des dispositifs
qui, éclairés par un faisceau laser optique ou proche infrarouge, émettent
un rayonnement THz monochromatique. Nous excluons de cette catégo-
rie les lasers moléculaires traités précédemment. Ces sources continues sont
construites sur le principe physique du battement de fréquence. Imaginons
un composant non linéaire éclairé par deux faisceaux lasers de pulsations
28 Optoélectronique térahertz
optiques ω
1
et ω
2
= ω
1
+Ω, tel que Ω appartienne au domaine THz. Le bat-
tement optique correspond au processus de soustraction de ces 2 pulsations
dans le composant non linéaire :
ω
2
−ω
1
= Ω (1.3)
Le résultat du battement est la génération d’une onde THz à pulsation Ω.
Comme pour le cas continu, des composants non linéaires à semi-conducteurs
ou à cristaux non linéaires sont utilisés. Si les principes physiques sont les
mêmes que dans le cas impulsionnel, la puissance limitée des faisceaux de
pompe dans le composant non linéaire, pour ne pas détruire ce dernier par
effet thermique, et la faible efficacité des effets non linéaires rendent difficile
la mise au point de ces sources THz continues. En contrepartie, le rayonne-
ment ainsi généré est quasi monochromatique, toute la puissance THz étant
concentrée sur une bande spectrale qui peut être aussi faible que quelques
kHz. Cette grande pureté spectrale est indispensable dans les applications
spectrales à haute résolution. On peut alors utiliser des antennes résonantes,
extrapolées de la technologie micro-ondes, pour extraire du composant non
linéaire le champ THz de façon optimale et mettre le faisceau THz rayonné en
forme (faisceau collimaté ou focalisé). De plus, on peut employer en détection
des techniques d’hétérodynage très sensibles.
Dans le cas de composants à semi-conducteurs, le champ THz généré est
proportionnel à la dérivée temporelle du courant traversant le composant,
courant induit par la composante à pulsation Ω de la densité de porteurs
photo-générés. Pour que ce champ soit intense, il faut que la durée de vie
des porteurs soit plus faible que la période du signal THz, sinon le courant
comporte une forte composante continue, abaissant énormément l’efficacité
du processus de génération THz. Cette condition est drastique : en effet,
toutes les charges libres photo-générées, aussi bien les électrons que les trous,
doivent exhiber une durée de vie sub-picoseconde. C’est un challenge difficile
à remplir.
Dans les cristaux non linéaires, il faut que l’onde à Ω et les ondes op-
tiques de pompe (ω
1
, ω
2
) se propagent à même vitesse pour que l’effet non
linéaire soit cumulatif et non pas auto-destructeur. Cette condition n’est ja-
mais rigoureusement remplie naturellement, à cause de la grande différence
de fréquences entre les domaines optique et THz. Il faut alors imaginer des
structures artificielles, par exemple des composants multi-couches où la non-
linéarité varie de façon périodique, pour forcer l’onde optique à « attendre »
l’onde THz.
1.3.5 Lasers à cascade quantique
Les lasers à cascade quantique (QCL) sont constitués d’un arrangement
de multiples couches semi-conductrices d’épaisseurs nanométriques (multi-
puits quantique) déposées par épitaxie sur un substrat et polarisées par une
1. Introduction 29
source de tension. Ces couches sont alternativement « épaisses » (la dizaine
de nanomètres) et étroites (1 ou 2 nanomètres). Les niveaux d’énergie de
chacune des couches épaisses sont quantifiés (pour les charges libres, c’est-
à-dire que l’on travaille dans le régime de conduction du semi-conducteur),
l’épaisseur et le matériau de la couche étant choisis pour que la différence
entre 2 niveaux corresponde à l’énergie d’un photon THz. Grâce à la tension
appliquée, les niveaux de 2 couches épaisses voisines sont décalés en énergie.
On s’arrange pour que l’énergie fondamentale d’une couche soit égale à celle
du premier niveau excité de la couche voisine. Les électrons non excités de la
première couche atteignent le niveau excité de la seconde par effet tunnel dans
la couche étroite séparant les 2 couches épaisses. Dans la deuxième couche
épaisse, ils retombent sur l’état fondamental en émettant un photon THz,
puis passent par effet tunnel dans la couche épaisse suivante. D’où un effet de
cascade, ici quantique, à la façon dont l’eau d’un ruisseau tombe d’un niveau
d’énergie élevée (de haute altitude) à un niveau moins haut, qui constitue
lui-même la partie haute de la cascade suivante.
Les avantages des lasers QCL sont indéniables : ils sont compacts, la lon-
gueur d’onde émise dépend peu du matériau mais surtout de la géométrie de
la structure. On peut espérer que le rendement électrique-optique du com-
posant soit très bon, puisque l’effet cascade est cumulatif et que le processus
d’amplification optique s’assimile à celui d’un laser à 3 niveaux d’énergie
(le niveau fondamental est a priori dépeuplé) ou même à 4 niveaux lorsque
le niveau bas se dépeuple par l’intermédiaire d’un phonon. En revanche, de
nombreuses difficultés technologiques persistent pour fabriquer un laser QCL
fonctionnant dans le domaine THz :
– le dépôt de nombreuses couches d’épaisseurs nanométriques est très
délicat à maîtriser ;
– l’énergie des photons THz est plus faible que l’énergie thermique à tem-
pérature ambiante. Il faut donc travailler à basse température pour
éviter de remplir les états d’énergie par voie thermique, ce qui anihile-
rait l’inversion de population. Aujourd’hui, les lasers QCL THz fonc-
tionnent à très basse température (au mieux 70∼80 K). Il faut aussi
évacuer la chaleur apportée par les porteurs libres grâce à des couches
capables de transporter les phonons ;
– pour obtenir un bon rendement, il faut confiner le champ THz dans la
zone active du composant. Pour cela, on guide le champ THz le long de
l’électrode qui polarise le composant grâce à l’excitation d’un plasmon.
Actuellement, en 2008, les lasers QCL fonctionnant en régime continu dé-
livrent au mieux des fréquences de l’ordre ou supérieures à 2 THz, à des
températures d’une dizaine de degrés Kelvin (le record étant détenu par le
groupe de Q. Hu au MIT avec 117 K [20]), et leur puissance est de quelques
dizaines de mW [21]. En mode pulsé, Q. Hu a obtenu jusqu’à 250 mW mais
à seulement 4,4 THz et à 10 K.
30 Optoélectronique térahertz
1.3.6 Bilan comparatif et perspectives
Le tableau (1.2) résume les propriétés des grandes familles de sources THz
les plus communes. Le domaine THz manque aujourd’hui de sources qui
soient à la fois compactes, efficaces, puissantes et simples à mettre en œuvre.
Néanmoins, les technologies progressent, grâce à des nouveaux concepts
(lasers QCL, nano-transistors [22]...) ou bien à des concepts revisités (micro-
klystrons [23])
14
. De même, les méthodes optoélectroniques évoluent aussi
vers des systèmes plus simples et plus efficaces, en partie grâce aux progrès
techniques des lasers femtosecondes, mais aussi des matériaux employés pour
la conversion lumière-THz. Les deux ou trois ans à venir seront cruciaux :
soit ces sources THz simples et efficaces voient le jour, et les applications
des ondes THz se développeront de façon spectaculaire ; soit les progrès sont
minimes, et les systèmes THz resteront confinées dans des niches applicatives.
1.4 Détecteurs de rayonnement térahertz
1.4.1 Détecteurs « incohérents » : bolomètres...
Dans le domaine THz, on trouve deux types de détecteurs incohérents,
c’est-à-dire qui mesurent l’énergie du rayonnement et ne donnent pas direc-
tement accès à sa phase. Le premier type, pour lequel les photons incidents
génèrent un changement du nombre de porteurs du semi-conducteur : ce sont
les photo-conducteurs extrinsèques et intrinsèques. En absorbant l’énergie des
photons THz, les porteurs passent respectivement de la bande de valence ou
de la bande d’impuretés vers la bande de conduction. Le deuxième type de
détecteurs est constitué par les bolomètres pour lesquels la résistivité du ma-
tériau dépend de la température, et par les cellules de Golay, dans lesquelles
l’élévation de température d’un gaz dilate une cellule, dilatation générale-
ment mesurée par voie optique.
La largeur de bande interdite de la majorité des semi-conducteurs s’étend
de la centaine de meV à quelques eV. Cela correspond à des longueurs d’ondes
de 0,1 μm à 10 μm et réserve donc l’utilisation de semi-conducteurs intrin-
sèques aux domaines visible et infrarouge. Dans les semi-conducteurs extrin-
sèques, on introduit des impuretés dans la maille cristalline. Elles ont pour
effet de créer une bande entre la bande de valence et la bande de conduction.
L’écart d’énergie entre cette bande d’impuretés et la bande de conduction
est alors assez faible pour permettre un effet photo-conducteur dans le do-
maine infrarouge lointain. Le germanium dopé gallium est un détecteur de
ce type [24].
14
Nous n’avons pas décrit dans cet ouvrage ces nouveaux types de composants, comme les
nano-transistors ou les micro-klystrons, qui sont encore dans des phases de démonstration
dans les laboratoires de recherche. Le lecteur intéressé pourra consulter les 2 références
précédentes.
1. Introduction 31
Source Gamme Puissance Avantages Inconvénients
spectrale
(THz)
Corps noir Toute la pW à 0,1 THz Simplicité Peu puissant,
gamme μW à 10 THz large bande incohérent
Gunn 0,1 →1 100 mW CW Compact Fréquence limitée
1 mW CW
Impatt → 0,3 10 mW Compact Fréquence limitée
Tunett RTD → 0,4 10 μW Compact Peu puissant,
fréquence limitée
Smith-Purcell Toute la 100 nW Accordable Gros appareil
gamme
FEL Toute la Très puissants Puissance Grands
gamme → 100 W CW spectre instruments
BWO → 0,2 10 μW Compact Bruyant,
accordable fréquence limitée
Lasers Lignes ex : CH
3
OH 100 Pureté Stabilité,
moléculaires spectrales mW à 2,52 THz spectrale volumineux
Lasers QCL 1,9 ← 10 mW Compact, Cryogénie,
rendement puissance
Optoélectronique
Impulsionnel 0,1 → 60 μW Spectre Puissance
cohérent, limitée,
aspect résolution
temporel spectrale
CW battement → 3 μW Compact, Puissance
optique pureté faible
spectrale
Tab. 1.2 – Comparaison des performances des différentes sources
d’ondes THz les plus communes.
32 Optoélectronique térahertz
Un bolomètre
15
(du grec bole, trait, radiation, et metron, mesure) mesure
la quantité d’énergie électromagnétique qu’il reçoit en convertissant l’énergie
de ce rayonnement en un signal électrique. Le bolomètre est constitué de
3 éléments :
– un élément sensible, généralement formé d’un cristal semi-conducteur,
qui s’échauffe en absorbant le rayonnement incident ;
– un thermomètre, généralement une thermorésistance ou un circuit supra-
conducteur, pour mesurer l’élévation de température du cristal ;
– un pont thermique reliant le cristal à un radiateur permettant le refroi-
dissement du cristal. Le NEP (puissance équivalente du bruit – noise
equivalent power) d’un bolomètre est de l’ordre de 10
−11
W/

Hz. Le
temps de réponse du bolomètre est égal au rapport de la capacité ca-
lorifique du radiateur par la conductivité thermique du pont.
La cellule de Golay, inventée par M. Golay en 1947, est constituée d’une en-
ceinte remplie d’un gaz dont la paroi d’entrée absorbe le rayonnement THz.
L’échauffement de cette paroi est communiquée au gaz qui se dilate, défor-
mant ainsi la paroi arrière de la cellule. La face extérieure de cette paroi étant
métallisée, un faisceau optique de sonde se réfléchit sur cette paroi en direc-
tion d’un détecteur. Suivant la déformation de la paroi, qui est proportion-
nelle à la puissance THz reçue, le faisceau optique est plus ou moins réfléchi
complètement sur le détecteur. Dans d’autres versions, le miroir sur la face
arrière est dessiné en forme de grille, et une autre grille indépendante est pla-
cée exactement en recouvrement de la première en l’absence de déformation.
La déformation induite décale la grille de la face arrière par rapport à celle
de référence, diminuant ainsi le pouvoir réflecteur de l’ensemble. La réponse
et la sensibilité d’une cellule de Golay sont de l’ordre de 10
−4
∼ 10
−5
V/W
et 10
−10
W/

Hz, son NEP étant inférieur à 100 pW/

Hz. Son principal
avantage est de travailler à température ambiante, et son principal défaut
est un temps de réponse limité par les effets thermiques à quelques dixièmes
de seconde. Les cellules de Golay sont fabriquées par la société russe Tydex
16
,
et commercialisées par QMC Instruments Ltd
17
et Microtech Instruments
18
.
L’astronomie millimétrique a depuis longtemps développé des détecteurs
à supraconducteurs qui permettent d’obtenir un bruit très proche du bruit
quantique. Les bolomètres supraconducteurs à électrons chauds (HEB) se
composent d’un micropont supraconducteur. L’échauffement des électrons dû
à l’absorption du rayonnement THz modifie la résistance électrique du pont.
On atteint ainsi des puissances de bruit aussi faibles que 10
−20
W/

Hz.
La société Insight Product
19
commercialise des bolomètres HEB pour la
15
Le bolomètre fût inventé en 1880 par le physicien américain Samuel Langley qui étudia
le rayonnement infrarouge du soleil et les propriétés d’absorption de l’atmosphère terrestre.
16
www.tydex.ru
17
www.terahertz.co.uk
18
www.mtinstruments.com
19
www.insight-product.com
1. Introduction 33
gamme THz présentant des NEP de l’ordre de 10
−12
∼ 10
−14
W/

Hz.
L’autre particularité de la détection en astronomie millimétrique est l’usage
intensif de l’hétérodynage. Le signal THz à détecter est mélangé dans un
composant non linéaire avec un signal légèrement décalé en fréquence délivré
par une source THz locale connue. On mesure ensuite le signal de batte-
ment avec les méthodes classiques des hyperfréquences. Les composants non
linéaires les plus performants sont des diodes (Schottky, SIS
20
), et aussi les
bolomètres HEB, la taille très réduite du pont supraconducteur permettant à
sa température de suivre la fréquence de battement. On lira avec profit l’ar-
ticle de P. Siegel sur ces détecteurs pour la radioastronomie millimétrique [25]
(tableau (1.3)).
Type Domaine Temps de Réponse NEP
spectral réponse
(μm) (V/W) (W/

Hz)
extrinsèques [26]
GeGa 30-160 100 ns 10
7
6 10
−14
SiAs 100-500 1 ns 2 10
3
10
−11
GaAs 100-350 10 ns 10
7
4 10
−14
bolomètres [27]
Ge 4,2 K 30-1000 10 ms 2 10
4
2 10
−11
Ge 1,5 K 30-1000 1 ms 2 10
4
5 10
−13
Si 4,2 K 2-2000 1 ms 1,5 10
4
2 10
−12
InSb 4,2 K 200-2000 10 μs 10
3
10
−12
InSb 1,5 K 200-2000 10 μs 2 10
3
5 10
−13
InSb 4,2 K 100-2000 1 μs 5 10
3
2 10
−12
champ magnét.
bolomètres HEB
Nb, NbN large bande ns 10
−12
∼ 10
−14
cellule de Golay large bande ms-s 10
−4
10
−10
optoélectronique
photo- large bande sub-ps 0,5-110
3
∼ 3 10
−10
commutateur → 30 THz
cristal EO très large bande sub-ps
→ 60 THz
Tab. 1.3 – Caractéristiques des détecteurs d’ondes THz.
20
SIS = supraconducteur-isolant-supraconducteur.
34 Optoélectronique térahertz
1.4.2 Détecteurs optoélectroniques
Les détecteurs optoélectroniques se divisent en deux familles :
– ceux dans lesquels un faisceau optique génère des porteurs électriques
qui sont accélérés par le champ électrique du signal THz, donnant nais-
sance à un courant électrique ;
– les détecteurs électro-optiques constitués d’un cristal dont l’ellipsoïde
des indices est modifié par le champ THz ambiant, cette perturbation
conduisant à une modification de l’état de polarisation d’un faisceau
lumineux de lecture traversant le cristal, modification mesurée à l’aide
d’éléments optiques polarisants.
Pour les deux familles de détecteurs, la valeur du courant ou de la modi-
fication de l’état de polarisation induits est directement proportionnelle à
l’amplitude du champ électrique de l’onde THz, et non pas à son intensité.
Ces détecteurs sont donc sensibles au champ électrique et permettent donc
de mesurer facilement la phase du signal. Pour cela, la détection est réalisée
de façon synchrone avec l’émission : généralement, la même source optique
déclenche à la fois l’émetteur d’onde THz et le détecteur. Le faisceau optique
de lecture est une partie prélevée sur le faisceau optique d’émission, partie
qui est retardée à l’aide d’une ligne à retard optique.
1.5 Interaction entre les ondes térahertz
et la matière
Comme toute onde électromagnétique, les faisceaux THz permettent de
sonder la matière à distance, pourvu que la matière sondée interagisse avec le
faisceau THz et que le milieu entre source, objet et détecteur soit transparent
aux ondes THz.
Comme expliqué dans le chapitre suivant, les photons THz sont de très
faible énergie, et ne sont donc capables d’exciter dans la matière que des réso-
nances elles-mêmes faiblement énergétiques. Ce sont principalement les rota-
tions de molécules sous forme gazeuse, les vibrations de l’ensemble d’une mo-
lécule, l’alignement des dipôles dans les liquides formés de molécules polaires
(comme l’eau), les excitations collectives (phonons optiques) dans les cris-
taux, l’excitation des porteurs libres dans les métaux et les semi-conducteurs
dopés. Les matériaux qui absorbent fortement le rayonnement THz seront
donc les matériaux humides et les conducteurs électriques. Au contraire, les
milieux diélectriques et secs seront généralement transparents. L’air est très
transparent pour les ondes THz, mais cette transparence est largement per-
turbée par la vapeur d’eau, qui montre des raies d’absorption très intenses
dont la plupart, entre 0,4 et 2,5 THz, sont données dans le tableau (1.4).
L’indice de réfraction des matériaux transparents peut prendre, dans le
domaine THz, des valeurs extrêmes depuis n = 1 pour l’air à n = 6 ∼ 8
1. Introduction 35
pour les cristaux ferro-électriques. Comme dans d’autres domaines du spectre
électromagnétique, les matériaux de faible indice de réfraction sont de den-
sité faible et formés de molécules de faible polarisabilité. On retrouve les
plastiques (polyéthylène, plexiglas) et surtout les mousses organiques, dont
la structure hétérogène (structure organique renfermant un grand nombre
de bulles d’air) apparaît homogène pour des faisceaux de longueur d’onde
submillimétrique. À l’autre extrémité de la gamme, les matériaux ferro-
électriques présentent des indices élevés (n = 6,7 ∼ 6,8 pour LiNbO
3
) à
cause des résonances phononiques voisines. La figure (1.4) donne l’ordre de
grandeur de l’indice de réfraction et du coefficient d’absorption des princi-
pales familles de matériaux utilisées dans le domaine THz.
0,424 ; 0,437 ; 0,448 ; 0,475 ; 0,488 ; 0,504 ; 0,530 ; 0,557 ; 0,572 ; 0,596
0,621 ; 0,646 ; 0,670 ; 0,688 ; 0,713 ; 0,737 ; 0,752 ; 0,799 ; 0,841 ; 0,891
0,916 ; 0,934 ; 0,946 ; 0,970 ; 0,988 ; 1,097 ; 1,113 ; 1,163 ; 1,208 ; 1,229
1,253 ; 1,308 ; 1,322 ; 1,345 ; 1,376 ; 1,411 ; 1,432 ; 1,518 ; 1,530 ; 1,542
1,602 ; 1,661 ; 1,717 ; 1,762 ; 1,797 ; 1,868 ; 1,919 ; 1,941 ; 1,954 ; 1,997
2,016 ; 2,040 ; 2,074 ; 2,095 ; 2,164 ; 2,196 ; 2,222 ; 2,264 ; 2,298 ; 2,318
2,347 ; 2,366 ; 2,392 ; 2,447 ; 2,463 ; 2,488
Tab. 1.4 – Principales raies d’absorption de la vapeur d’eau dans le domaine
THz (fréquences données en THz).
Indice de réfraction
C
o
e
f
f
i
c
i
e
n
t

d
'
a
b
s
o
r
p
t
i
o
n
1 2 5 10
1
10
mousse
SC
intrinsèque
métal
SC dopé matériau
humide
liquide polaire
ferro
électrique
diélectrique
Fig. 1.4 – Indice de réfraction et absorption (en cm
−1
) typiques des grandes
familles de matériaux dans le domaine THz. Pour les métaux, les indices de
réfraction sont de l’ordre de plusieurs centaines, et les coefficients d’absorp-
tion atteignent plusieurs 10
4
cm
−1
. Leur position sur ce diagramme n’est
donc donnée qu’à titre indicatif.
36 Optoélectronique térahertz
1.6 Applications entrevues et état actuel
de leur développement
Les applications des ondes THz s’appuient directement sur l’interaction
entre la matière et les ondes THz, et sur le degré de transparence du milieu
ambiant.
Former et enregistrer l’image THz d’un objet est en théorie l’applica-
tion la plus simple à laquelle on puisse penser. L’image peut être formée
en transmission si l’objet est suffisamment transparent, ou en réflexion dans
le cas contraire. Le degré de transparence de la zone traversée renseignera
sur son degré d’humidité, sur la présence de métaux dans l’objet, sur sa
densité... L’avantage indéniable des ondes THz est leur facilité à traverser
des matériaux opaques dans d’autres domaines spectraux, comme le visible.
Ainsi, le bois, les vêtements, les plastiques, le carton et le papier, le plâtre
sont plus ou moins transparents. L’application directe de ces propriétés est
la mise au point de systèmes d’inspection des individus, comme des por-
tiques d’aéroports, pour voir si ces individus cachent des objets prohibés sous
leurs vêtements. Dans le domaine médical, la visualisation THz de tumeurs
de la peau a été démontrée, ces zones malades n’ayant pas le même degré
d’humidité que les zones saines. Lorsqu’on peut analyser spectralement les
signaux THz, toutes les applications spectroscopiques peuvent être abordées.
On cherchera bien entendu à détecter ou à analyser des substances dont les
signatures dans les domaines visible ou infrarouge sont médiocres. Actuel-
lement, ces recherches sont surtout dirigées vers la détection de substances
« à risque », telles les drogues, les explosifs, les gaz létaux. Des applications
dans les domaines agroalimentaires (produits chimiques dans les aliments) et
environnementaux (détection de polluants) sont aussi très étudiées.
Comme nous l’avons déjà indiqué, le développement de ces applications
est dépendant de celui des sources et des détecteurs performants. L’optoélec-
tronique est certainement une des voies les plus prometteuses pour atteindre
ce but, et la description des techniques et méthodologies optoélectroniques
mises en jeu pour étudier le domaine THz est l’objet de ce livre. Des premiers
appareils et systèmes commerciaux, basés sur l’optoélectronique THz, sont
déjà disponibles. Parmi les composants de base, citons les antennes THz à
photocommutation vendues par Thorlabs
21
et Ekspla
22
, cette dernière entre-
prise commercialisant aussi un kit de spectroscopie THz. Picometrix
23
a été
la première société à mettre sur le marché un système de spectroscopie THz
dès 1999 qui a la particularité d’avoir des antennes THz fibrées. Teraview
24
propose une gamme étendue de spectromètres THz travaillant aussi bien en
21
antennes FRU, www.thorlabs.com
22
www.ekspla.com/en/main/products/84 ?PID=525
23
www.picometrix.com/t-ray/index.html
24
www.teraview.co.uk, appareils commercialisés par Bruker (www.brukeroptics.com)
1. Introduction 37
transmission qu’en réflexion, et délivrant aussi des images à 3 dimensions,
appareils dédiés à l’inspection de matériaux, mais aussi à des applications
pharmaceutiques et médicales. Citons aussi l’appareil de spectroscopie THz
pour cartographier le dopage des wafers de semi-conducteurs disponibles chez
Nikon Tochigi
25
. GigaOptics
26
est le dernier venu sur le marché de la spec-
troscopie THz. En France, la société Kwele vient de s’installer à Bordeaux
et proposera très bientôt des spectromètres dédiés à des applications indus-
trielles particulières. Une liste très exhaustive des entreprises liées au do-
maine THz est disponible sur le site (www.thznetwork.org) du réseau informel
THz Science and Technology Network, créé et animé par Dan Mittleman, de
Rice University.
25
www.tochigi-nikon.co.jp
26
www.gigaoptics.com
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Deuxième partie
Principes physiques de base
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Chapitre 2
Notions physiques de base
Le rayonnement THz est une partie du spectre des ondes électromagné-
tiques, dont la génération et la propagation sont parfaitement décrites par les
équations de Maxwell. Mais la dualité onde-corpuscule de la lumière permet
de représenter aussi le rayonnement THz par un flux de photons. Le but de
ce chapitre est de rappeler les principes de base de l’électromagnétisme et de
la photonique, qui serviront dans les chapitres suivants. Le lecteur intéressé
par des traités plus approfondis sur l’électromagnétisme pourra lire avec pro-
fit les excellents ouvrages de référence de Born et Wolf [28] ou Jackson [29].
Un traité introductif très complet sur la photonique a été écrit par Saleh
et Teich [30] et l’ouvrage de référence sur l’optoélectronique est celui de
Rosencher et Vinter [31]. La deuxième partie du chapitre est consacrée à l’in-
teraction (absorption, excitation de résonances, propagation et dispersion,
émission) entre les ondes électromagnétiques et les différentes formes de la
matière, c’est-à-dire les gaz, les liquides et les solides (métaux, diélectriques,
semi-conducteurs, supraconducteurs). Des rappels de mécanique quantique
sont donnés, dont sont déduites les propriétés spectroscopiques de la ma-
tière. Nous présentons aussi la plupart des modèles simples qui décrivent
la réponse électromagnétique de la matière, modèles basés sur la physique
classique qui sont largement usités, comme les modèles de Drude pour les
métaux, de Lorentz pour les diélectriques, etc.
2.1 Électromagnétisme
2.1.1 Équations de Maxwell
Les équations de Maxwell décrivent la propagation des ondes électroma-
gnétiques dans la matière – et dans le vide –, en présence de sources de
rayonnement, à l’aide de 4 champs :
– loi de Maxwell-Faraday :



E = −


B
∂t
(2.1)
42 Optoélectronique térahertz
– loi de Maxwell-Ampère :



H =


D
∂t
+

J (2.2)
– loi de Gauss (électricité) :



D = ρ (2.3)
– loi de Gauss (magnétisme) :



B = 0 (2.4)


E et

B sont les champs électrique et magnétique,

D (encore nommé dépla-
cement électrique) et

H sont les inductions électrique et magnétique. ρ et

J
sont respectivement les densités de charge et de courant présentes dans le mi-
lieu matériel. Il faut noter que l’absence de monopoles magnétiques fait que la
loi de Gauss (2.4) se déduit directement de la loi de Maxwell-Ampère (2.2).

D et

H permettent de modéliser la propagation du champ électromagné-
tique dans un milieu matériel excité par

E et

B. En effet, sous l’influence des
champs

E et

B, les atomes de la matière sont perturbés (déformation des
nuages électroniques, apparition ou alignement de moments magnétiques),
conduisant à une polarisation

P (moment dipolaire induit par unité de vo-
lume) et à une aimantation

M (moment magnétique induit par unité de
volume) du milieu matériel. Généralement,

P et

M sont des fonctions com-
pliquées des champs excitateurs

E et

B. Cependant, lorsque ceux-ci restent
faibles devant les champs intra-atomiques, on peut développer ces fonctions
en série des puissances des champs excitateurs, et ne conserver que le premier
terme linéaire du développement :

P = ε
o
χ

E et

M = μ
o
χ
m

H (2.5)
où χ et χ
m
sont les susceptibilités électrique et magnétique du milieu. La
linéarité de la réponse à l’excitation électromagnétique se traduit par les
relations constitutives :

D = ε

E = ε
o
ε
r

E (2.6)

B = μ

H = μ
o
μ
r

H (2.7)
où ε et μ sont la permittivité et la perméabilité du milieu matériel. On
définit généralement ces grandeurs relativement (ε
r
= 1 + χ, μ
r
= 1 + χ
m
)
à celles du vide (ε
o

_
36 π 10
9
_
−1
= 0, 884 10
−11
F/m, μ
o
= 4 π 10
−7
=
1,257 10
−6
H/m et ε
o
μ
o
c
2
= 1 où c ≈ 3 10
8
m/s est la célérité de la
lumière dans le vide
1
). Dans les milieux anisotropes, ε et μ sont des tenseurs,
c’est-à-dire que les vecteurs

E et

D (ainsi que

B et

H) ne sont pas colinéaires.
1
La valeur de c choisie par la communauté internationale est exactement
c = 299 792 458 m/s. Utiliser c ≈ 3 × 10
8
m/s conduit à une imprécision sur les ré-
sultats de 0,07 %.
2. Notions physiques de base 43
La relation de Maxwell-Ampère (2.2) implique que la dérivée temporelle
de

D possède la dimension d’une densité de courant, appelé courant de dé-
placement et induit par la polarisation dipolaire des molécules du matériau.
Lorsque des charges libres sont présentes dans le milieu matériel (métaux,
semi-conducteurs), on observe que ces charges libres se transportent sur des
distances importantes sous l’action du champ électrique par l’intermédiaire
de la force de Coulomb : c’est le courant qui s’écoule dans les circuits élec-
triques, encore dénommé courant de conduction. Pour de faibles intensités du
courant, la densité de courant

J varie linéairement avec le champ électrique

E
qui accélère les charges. C’est la loi d’Ohm :

J = σ

E (2.8)
σ est la conductivité électrique du milieu. Si les champs sont périodiques dans
le temps sous la forme e
j ω t
, où ω est la pulsation, la relation de Maxwell-
Ampère (2.2) permet d’écrire :


D
∂ t
+

J = ε
o
ε
r


E
∂ t


E = j ω
_
ε
o
ε
r
−j
σ
ω
_

E (2.9)
Il est d’usage de tenir compte de la contribution du courant des charges
libres à la constante diélectrique par une partie imaginaire proportionnelle à
la conductivité du matériau :
ε
r
≡ ε
r
−j
σ
ε
o
ω
(2.10)
La partie réelle de ε
r
a pour origine les électrons liés aux atomes ou molécules
qui se déplacent autour de leur position d’équilibre sous l’action du champ
(on parle alors de courant de déplacement) et la partie imaginaire provient
du flux des électrons dans le milieu matériel (courant de conduction). Nous
verrons plus loin que les phénomènes dissipatifs d’énergie au sein du milieu
rajoutent un terme imaginaire à ε
r
.
2.1.2 Équations de propagation du champ électromagnétique
En prenant le rotationnel de l’équation de Maxwell-Faraday et en écrivant

H en fonction de

E à l’aide de l’équation de Maxwell-Ampère, on obtient
l’équation de propagation du champ électrique qui, dans un milieu uniforme
et isotrope, s’écrit :
Δ

E −εμ

2

E
∂t
2
=


_
ρ
ε
_

d

J
d t
(2.11)
De même, on obtient pour le champ magnétique :
Δ

H −εμ

2

H
∂t
2
= −



J (2.12)
44 Optoélectronique térahertz
Le premier terme de gauche de ces équations correspond à la variation spa-
tiale du champ, le second terme à sa variation temporelle : la partie gauche
des équations traduit donc la propagation du champ. Les termes de droite des
équations sont à l’origine du champ électromagnétique : ce sont les termes
sources. Pour le champ électrique (2.11), le premier de ces termes indique
que les champs statiques sont induits par la présence de charges (on retrouve
l’équation de Poisson dans le cas statique (

∂ t
= 0) et celle de Laplace en
l’absence de charge (ρ = 0)). Les champs variables sont générés par le courant
électrique.
Comme pour toute équation différentielle, la solution la plus générale de
ces équations de propagation est égale à la somme de la solution générale
des équations sans second membre – c’est la solution propagative – et d’une
solution particulière de l’équation générale (cette solution inclut les champs
statiques). La solution propagative est donc solution des équations d’Helm-
holtz :
Δ

E −εμ

2

E
∂t
2
= 0, Δ

H −εμ

2

H
∂t
2
= 0 (2.13)
Ces équations décrivent la propagation des champs dans un milieu vide de
sources électromagnétiques. Il existe une infinité de solutions des équations
d’Helmholtz. La solution la plus souvent employée est l’onde plane
2
, pour
laquelle on choisit une variation périodique du champ en fonction du temps
et de l’espace :

E =

E
o
cos
_
ωt −

k r
_
,

H =

H
o
cos
_
ωt −

k r
_
(2.14)
ω est la pulsation de l’onde, encore appelée fréquence angulaire, E
o
=
¸
¸
¸

E
o
¸
¸
¸ et
H
o
=
¸
¸
¸

H
o
¸
¸
¸ sont les amplitudes des champs. r est le vecteur position du point
où est observée l’onde.

k est le vecteur d’onde, qui indique dans un milieu
isotrope la direction de propagation de l’onde (direction dans laquelle est
transportée l’énergie de l’onde). Dans la plupart des problèmes d’électroma-
gnétisme, les calculs sont grandement simplifiés en employant une notation
complexe pour écrire les fonctions trigonométriques :
_

E

H
_
=
_

E
o

H
o
_
cos
_
ωt −

k r
_
=
1
2
_

E
o

H
o
_
(e
j (ωt−

k·r)
+e
−j (ωt−

k·r)
)
(2.15)
Très souvent, on remplace abusivement dans la littérature

E
o
cos
_
ωt −

k r
_
par

E
o
exp
_
j (ωt −

k r)
_
. Cela conduit cependant à la solution exacte tant
2
Outre qu’elles correspondent au champ rayonné par une source lointaine, les ondes
planes peuvent servir de base sur laquelle on peut décomposer tout autre forme d’onde.
Parmi les autres formes d’ondes rencontrées très souvent en électromagnétisme, citons les
ondes sphériques issues d’une source ponctuelle, ou les ondes gaussiennes délivrées par
les lasers.
2. Notions physiques de base 45
que les problèmes rencontrés sont linéaires, car le facteur 1/2 manquant dis-
paraît dans les équations et on peut résoudre de façon séparée les parties
réelles et imaginaires des équations. En revanche, cette simplification n’est
plus valable lorsqu’on traite de problèmes non linéaires, tels la détection des
signaux électromagnétiques (transformation de l’énergie lumineuse en éner-
gie électrique ou chimique) et la propagation des ondes dans des milieux non
linéaires.
En substituant les champs de l’onde plane (relation (2.10)) dans les équa-
tions de Maxwell, on montre que les vecteurs

E,

B et

k sont perpendiculaires :

k

E = ω

B,

k

B = −εμω

E (2.16)
La substitution de la solution « onde plane » dans les équations d’Helmholtz
conduit à la relation de dispersion de l’onde plane :
k =
¸
¸
¸

k
¸
¸
¸ =
ω
c

ε
r
μ
r
=
ω
c
n (2.17)
k est le module du vecteur d’onde et n est l’indice de réfraction de la matière.
Cet indice est égal à la racine carrée du produit ε
r
μ
r
, c’est aussi le rapport
de la célérité c de la lumière dans la vide par sa vitesse v dans la matière :
n =
c
v
=

ε
r
μ
r
(2.18)
La figure (2.1) présente l’ordre de grandeur de l’indice de réfraction de
matériaux diélectriques communément utilisés dans le domaine THz. Ces
courbes ne sont tracées que dans le domaine de transparence du matériau
qui présente de ce fait une dispersion négligeable à l’échelle de la figure tracée
ici.
2.1.3 Énergie électromagnétique
Le vecteur de Poynting

P décrit le flux énergétique transporté par l’onde
électromagnétique. Il est défini par :

P =

E

H (2.19)
La valeur moyennée dans le temps
3
du module du vecteur de Poynting est
la densité de puissance électromagnétique D apportée par le rayonnement,
3
Dans les domaines visible ou infrarouge, les fréquences des ondes électromagnétiques
sont très élevées (10
14
-10
15
Hz) et aucun détecteur n’est capable de réagir aussi rapidement.
Le signal détecté est alors proportionnel à la valeur moyenne, intégrée par le détecteur, de
l’intensité comme définie par (2.21). Dans le domaine hyperfréquence, certains détecteurs
ont une bande passante suffisante pour que le signal mesuré soit proportionnel à la valeur
instantanée de l’intensité.
46 Optoélectronique térahertz
2
4
6
8
10
12
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4
I
n
d
i
c
e

d
e

r
é
f
r
a
c
t
i
o
n
Fréquence (THz)
SrTiO
3
LiNbO
3
(e)
LiNbO
3
(o) InP
GaAs
Si HR
ZnSe
ZnTe
verre BK7
silice fondue
mousse Rodacell
picarine
PE-HD téflon
quartz
Fig. 2.1 – Indice de réfraction en fonction de la fréquence THz pour plusieurs
matériaux diélectriques. Les courbes ne sont tracées que dans les zones de
transparence des matériaux et de ce fait présentent une dispersion négli-
geable. La longueur de chaque segment de droite représente donc la largeur
de la bande spectrale de transparence et d’utilisation du matériau.
c’est-à-dire l’énergie qui traverse une surface unitaire perpendiculaire au vec-
teur d’onde par unité de temps.
D =
_
p´ eriode
¸
¸
¸

P
¸
¸
¸ dt =
_
p´ eriode
¸
¸
¸

E

H
¸
¸
¸ dt =
¸
¸
¸

E

H

¸
¸
¸
2
(2.20)


H

est le complexe conjugué de

H. Pour une onde plane, cette expression
devient :
D =
_
ε
μ
E
o
E

o
2
=
1
2 Z
E
o
E

o
(2.21)
Généralement, D est appelée intensité I de l’onde électromagnétique (son
unité est le W/m
2
) – c’est le choix que nous ferons ici – mais certains au-
teurs font le distinguo entre densité de puissance et intensité en définissant
cette dernière par I = E
o
E

o
. Le paramètre Z =
_
μ
ε
, caractéristique de la
réponse électromagnétique du milieu, possède la grandeur d’une impédance.
L’impédance Z
o
du vide vaut Z
o
=
_
ε
o
μ
o
≈ 377 Ω.
2. Notions physiques de base 47
Lorsque le milieu présente des pertes, la constante diélectrique et l’indice
de réfraction prennent des valeurs complexes
4
:
n =
_
ε

−jε

≡ n −j κ (2.22)
En présence de pertes dans le matériau, l’onde plane est exponentiellement
amortie suivant la loi de Beer et Lambert :

E =

E
o
e
j(ωt−

k·r)
=

E
o
e
j(ωt−
ω
c
nx)
e

ω
c
κx
(2.23)
⇒ I = I
o
e
−2
ω
c
κx
= I
o
e
−αx
(2.24)
où α = 2
ω
c
κ est le coefficient d’absorption (en énergie) du matériau et nous
avons supposé que l’onde se propage dans la direction x. On retrouve la même
loi lorsque le matériau montre un comportement métallique (e ou μ négatifs),
la partie imaginaire de l’indice de réfraction étant très grande.
Le principe de causalité, associé à la théorie des fonctions complexes
linéaires [32], permet d’obtenir la relation entre parties réelle et imaginaire
de la constante diélectrique (et de l’indice de réfraction) sous la forme d’une
intégrale. Ce sont les relations de Kramers-Kronig :
ε

r
(ω) = 1 +
2
π
PP

_
0
ω

ε

r

)
ω
2
−ω
2

, ε

r
(ω) = −

π
PP

_
0
ε

r

) −1
ω
2
−ω
2

(2.25)
n(ω) = 1 +
2
π
PP

_
0
ω

κ(ω

)
ω
2
−ω
2

, κ(ω) = −

π
PP

_
0
n(ω

) −1
ω
2
−ω
2

(2.26)
où PP signifie partie principale prise au sens de Cauchy
5
. La mesure de l’in-
dice de réfraction sur un spectre étendu permet de connaître la dispersion
du coefficient d’absorption, et vice versa. La difficulté pratique de la mise en
œuvre des relations de Kramers-Kronig réside dans l’intégration qui s’étend
depuis la fréquence nulle jusqu’à l’infini, ce qui n’est pas réalisable d’un point
de vue expérimental. Si l’une des valeurs (indice ou absorption) a été me-
surée sur une bande spectrale qui contient toutes les raies d’absorption ou
toutes les fréquences pour lesquelles l’indice de réfraction varie fortement,
la détermination des paramètres est possible en extrapolant ou en faisant
des hypothèses sur les valeurs mesurées en dehors de la fenêtre spectrale.
4
Le signe des parties imaginaires de ε et n dépend de la convention choisie pour décrire
l’onde plane. En effet, cos
_
ωt −

k · r
_
= cos
_

k · r −ωt
_
, mais e
j (ωt−

k·r)
= e
j (

k·r−ωt)
.
Lorsqu’on écrit une onde plane propagative dans la direction

k sous la forme e
j (ωt−

k·r)
,
il faut choisir n = n −j κ. Prendre une partie imaginaire positive conduirait en effet à du
gain dans le matériau.
5
D’un point de vue pratique, la partie principale de l’intégrale est obtenue en réalisant
l’intégration sur tout le spectre fréquentiel, sauf en ω

= ω.
48 Optoélectronique térahertz
La détermination de l’indice de réfraction dans l’infrarouge lointain est sou-
vent réalisée par transformation de Kramers-Kronig des courbes de dispersion
d’absorption, qu’il est plus facile de mesurer que celles relatives à l’indice de
réfraction.
2.1.4 Électromagnétisme non linéaire
Polarisation non linéaire
Lorsque les champs électromagnétiques qui éclairent la matière ne sont
plus négligeables devant les champs atomiques
6
, la réponse électromagné-
tique de la matière n’est plus une fonction linéaire de l’excitation. Suivant le
formalisme introduit par N. Bloembergen [33], cette réponse est développée
en puissance du champ électromagnétique. Pour les phénomènes induits par
le champ électrique de l’onde excitatrice, on récrit la relation (2.5) :

P(t) = ε
o

χ
(1)
:

E +ε
o

χ
(2)
:

E :

E +ε
o

χ
(3)
:

E :

E :

E +...
= ε
o

n

χ
(n)
:

E
n
(2.27)


E =

E
o
(r) cos(ω t),

χ
(n)
est le tenseur de susceptibilité non linéaire
d’ordre n, et : représente le produit tensoriel. Le premier terme correspond
à la réponse linéaire du milieu décrit par (2.5). Cette expression (2.27) peut
s’écrire sous une forme plus synthétique :

P =

n
ε
o

χ
(n)
:

E
n
o
(r) cos
n
(ω t) = ε
o

n
_

χ
(n)
:
_

E
o
(r) e
j ω t
+C.C.
_
n
_
(2.28)
La non-linéarité de la réponse génère des pulsations n ω multiples de la pul-
sation excitatrice ω. Comme nous l’avons déjà indiqué précédemment, il ne
faut pas oublier en notation complexe les termes conjugués (C.C.). Ils seront
entre autres à l’origine du redressement optique qui est l’un des principes
utilisés pour la génération d’ondes THz. Lorsque l’onde excitatrice est for-
mée de plusieurs ondes harmoniques différentes, l’effet non linéaire combine
l’ensemble des fréquences. La multiplication des exponentielles complexes et
de leurs complexes conjugués (2.28) se traduit en sommes ou différences de
fréquences, que l’on peut comprendre comme la conservation de l’énergie
électromagnétique dans le processus non linéaire :

n
i=1
¯hω
i
=

n

i

=1
¯hω
i
(2.29)
6
En prenant le modèle de l’atome de Bohr pour l’hydrogène, le champ électrique interne
à l’atome créé par le couple noyau-électron vaut
π m
2
e
5
4 ε
3
o
h
4
≈ 5 × 10
15
V/cm. Alors que le
champ électrique des faisceaux lumineux de sources classiques est de l’ordre de 1 V/cm, il
peut facilement atteindre 10
6
-10
10
V/cm avec un laser.
2. Notions physiques de base 49
Phénomènes d’ordre 2
Doublement de fréquence ω +ω = 2 ω
Effet électro-optique (Pockels) ω + 0 = ω
Somme de fréquence ω
1

2
= ω
3
Redressement optique ω −ω = 0
Différence de fréquence ω
1
−ω
2
= ω
3
Effet paramétrique ω
1

2
= ω
3

4
Effets Brillouin et Raman ω ±Ω = ω
S, AS
Phénomènes d’ordre 3
Triplement de fréquence ω +ω +ω = 3 ω
Effet Kerr statique ω + 0 + 0 = ω
Effet Kerr optique ω +ω −ω = ω
Tab. 2.1 – Principaux effets non linéaires d’ordre 2 et 3.
où ω
i
et ω
i
sont respectivement les pulsations incidentes et générées. On dé-
crit alors les phénomènes d’optique non linéaire par l’ordre (n) de la nonlinéa-
rité et par les photons (¯hω) mis en jeu, comme résumé dans le tableau (2.1)
(dans chaque équation, les termes de gauche correspondent aux photons in-
cidents et ceux de droite aux photons générés
7
).
Il convient de noter que les polarisations non linéaires décrites ici ont
pour origine physique la perturbation du nuage électronique des atomes et
des molécules, dont l’établissement prend quelques femtosecondes [34]. On
peut donc considérer que ces effets non linéaires sont instantanés et que
leur bande passante dépasse largement les fréquences THz. Les coefficients
du tenseur non linéaire, ici d’ordre 2, obéissent à des relations de symétrie
dites ABDP [35] : χ
(2)
ijk

3
= ω
1
+ ω
2
) est invariant pour toute permutation
des paires (ω
3
, i), (ω
1
, j) et (ω
2
, k). De plus, si le milieu est transparent aux
3 fréquences ω
1
, ω
2
, et ω
3
, Kleinmann a montré que le tenseur n’est pas
dispersif et que les coefficients i, j, k peuvent être librement échangés. On
écrira de manière simplifiée :

χ
(2)

3
= ω
1

2
) =

χ
(2)

1
= ω
3
−ω
2
) =

χ
(2)

2
= ω
3
−ω
1
)
Dans le cas du redressement optique où ω
3
= ω, ω
2
≈ ω et donc ω
1
≈ 0,
on obtient donc

χ
(2)
(0 = ω − ω) =

χ
(2)
(ω = ω + 0). Les tenseurs redresse-
ment optique et électro-optique sont donc identiques dans l’approximation
de Kleinmann.
7
Les effets Brillouin et Raman cités dans ce tableau (2.1) ne sont pas à rigoureusement
parler des effets d’optique non linéaire d’ordre 2, puisque ces phénomènes mettent en jeu
un photon incident et son interaction avec un quantum de vibration (Ω) de la matière
(moléculaire dans le cas de l’effet Raman, phonon dans le cas de l’effet Brillouin). Ce-
pendant le formalisme de l’optique non linéaire conduit à une très bonne description de
ces phénomènes. Dans le tableau (2.1), ω
S
= ω + Ω est la pulsation Stokes, tandis que
ω
AS
= ω −Ω est la pulsation anti-Stokes.
50 Optoélectronique térahertz
Différence de fréquence et redressement optique
Pour les technologies THz, seuls le battement de fréquences (ou diffé-
rence de fréquences) et l’effet électro-optique présentent un intérêt pratique
en vue d’applications. En effet, la différence de fréquences (ω
1
− ω
2
= ω
3
)
permet de générer une onde THz (ω
3
) à partir de deux faisceaux optiques
ou infrarouges (ω
1
et ω
2
), domaines dans lesquels on dispose de sources co-
hérentes puissantes. Les fréquences THz étant beaucoup plus faibles que les
fréquences optiques, la différence de fréquences est souvent confondue avec le
redressement optique (ω
1
≈ ω
2
⇒ ω
3
≈ 0). L’effet électro-optique est quant
à lui largement employé pour la détection d’ondes THz.
Nous traitons ici des phénomènes du type ω
1
−ω
2
= ω
3
. La polarisation
non linéaire, en notation complexe, s’écrit :

P
NL

3
) = ε
o

χ(ω
3
= ω
1
−ω
2
)

E(ω
1
)

E


2
) (2.30)
Reprenons l’équation de propagation (2.11) pour le champ à pulsation ω
3
dans un milieu diélectrique homogène et isotrope en faisant apparaître les
polarisations linéaire et non linéaire :
Δ

E(ω
3
) −
1
c
2

2

E(ω
3
)
∂ t
2
= μ
o

2
∂ t
2
_

P
L

3
) +

P
NL

3
)
_
(2.31)
Pour des champs harmoniques (

E(ω
i
) =

E
i
(r) e
j ω
i
t
), on obtient :
Δ

E
3
(r) +
ω
2
3
c
2
n
2
3

E
3
(r) = −
ω
2
3
c
2

χ
(2)

3
= ω
1
−ω
2
) :

E
1
(r)

E
2
(r) (2.32)
où n
i
est l’indice de réfraction du milieu à la pulsation ω
i
. Cette équation
différentielle a pour solution la somme de la solution générale de l’équation
sans second membre (solution libre en l’absence de source) et d’une solution
particulière de l’équation avec second membre (solution forcée). Dans le cas
d’ondes planes (

E
i
(r) =

E
2
e
−j

k
i
·r
), en supposant que le champ généré soit
nul à l’entrée du cristal en r = 0, la solution s’écrit :

E
3
(r) = −
ω
2
3
c
2

χ
(2)

3
= ω
1
−ω
2
) :

E
1

E

2
_
1 −e
j (

k
3
−(

k
1

k
2
))·r
_

k
2
3
−(

k
1

k
2
)
2
e
−j

k
3
·r
(2.33)
et son intensité est :
I
3
(r ) = 4
_
ω
3
c
_
4
¸
¸
¸

χ
(2)

3
= ω
1
−ω
2
) :

E
1

E

2
¸
¸
¸
2
_

k
2
3
−(

k
1

k
2
)
2
_
2
sin
2


_

k
3
−(

k
1

k
2
)
_
r
2


(2.34)
2. Notions physiques de base 51
L’intensité générée à pulsation ω
3
est maximum pour

k
3
=

k
1

k
2
, condi-
tion d’accord de phase (figure (2.2)). Pour la génération THz (ω
1
≈ ω
2

n
1
≈ n
2
), cette condition se résume en première approximation à n
3
=n
1
≈n
2
pour les phénomènes à une dimension
8
. Les ondes optiques de pompe et
l’onde THz se propagent avec la même vitesse de phase. Cela signifie que le
signal THz généré à un endroit donné dans le milieu non linéaire interfère
de manière constructive avec celui généré dans les régions précédentes. Nous
verrons qu’en pratique cette condition n’est pas rigoureusement vérifiée et
qu’il est nécessaire de fabriquer des structures artificielles (guides d’onde,
milieux périodiques) pour bénéficier de l’accord de phase.
0
0,2
0,4
0,6
0,8
1
0 40 80 120 160
a = 0,005
a = 0,022
a = 0,066
a = 0,01
I
n
t
e
n
s
i
t
é
à
ω
3
=
ω
1
-
ω
2
(
U
.
A
.
)
Distance x (U. A.)
Fig. 2.2 – Intensité générée à ω
3
= ω
1
− ω
2
en fonction de l’épaisseur x du
cristal pour différentes valeurs du désaccord de phase (a =
1
2
(n
Ω
− n
ω
)
ω
3
c
),
dont l’unité est telle que le produit a x est sans dimension).
Effet électro-optique
Généralités L’effet électro-optique traduit l’influence d’un champ élec-
trique de faible fréquence sur les propriétés diélectriques d’un cristal. C’est
un effet non linéaire du second ordre qui décrit la réponse optique linéaire du
matériau au champ électrique excitateur. En toute rigueur, les interactions
sont du type ω
3
= ω
1
±ω
2
. Dans la plupart des cas, on peut considérer que
la pulsation du champ électrique appliqué est très faible ω
2
≈ 0 devant celle
de l’onde optique ω
1
≡ ω, d’où la relation approchée :
ω = ω + 0 (2.35)
8
On verra dans le paragraphe (3.4) que, en toute rigueur, n
3
= n
G
, où n
G
est la vitesse
de groupe de l’impulsion optique.
52 Optoélectronique térahertz
Les modélisations liées à la validité de cette approximation donnent une
bonne description des phénomènes observés même dans le domaine THz, sauf
si l’on s’intéresse au signal généré légèrement décalé en fréquence. Considé-
rons l’expression de la polarisation non linéaire dans le cas de l’effet électro-
optique :

P
NL
(ω) = ε
o

χ(ω = ω + 0) :

E(ω)

E
o
(2.36)


E
o
est le champ électrique appliqué. La relation entre

D(ω) et

E (ω) per-
met de déterminer la constante diélectrique du cristal sous champ appliqué.
L’effet se traduit par une biréfringence induite. Il est donc nécessaire de don-
ner les principes de base de l’optique anisotrope pour ensuite décrire avec
précision la biréfringence électro-optique.
Optique anisotrope Dans un cristal anisotrope, les vecteurs

D et

E ne
sont pas parallèles. La constante diélectrique du cristal est donc un tenseur,
et on peut montrer qu’il existe un système de coordonnées, dont les axes
x −y −z sont appelés principaux
9
, et dans lequel le tenseur est diagonal :

ε =


ε
xx
0 0
0 ε
yy
0
0 0 ε
zz


≡ ε
o


n
2
x
0 0
0 n
2
y
0
0 0 n
2
z


(2.37)
L’énergie électrique U stockée dans un volume unitaire du matériau éclairé
par l’onde se déduit de (2.19) :
U =
1
2

E

D =
1
2 ε
o
_
D
2
x
n
2
x
+
D
2
y
n
2
y
+
D
2
z
n
2
z
_
(2.38)

x
2
n
2
x
+
y
2
n
2
y
+
z
2
n
2
z
= 1 (2.39)
en posant x
2
=
D
2
x
2 ε
o
U
, y
2
=
D
2
y
2 ε
o
U
et z
2
=
D
2
z
2 ε
o
U
. Cette équation
10
est celle
d’un ellipsoïde, appelé ellipsoïde des indices. L’indice de réfraction qui déter-
mine la célérité d’une onde électromagnétique dans le milieu est donné par
l’intersection de l’ellipsoïde avec la direction du vecteur

D de l’onde.
9
Pour les cristaux uniaxes, les axes principaux x−y −z correspondent aux axes cristal-
lographiques X −Y −Z. Cette règle n’est cependant pas vérifiée pour les cristaux biaxes
(monocliniques, orthorhombiques et tricliniques) [36].
10
Notons que nous aurions pu obtenir cette équation de la même manière que nous
avions déterminé la relation k(n) (équation (2.17)), c’est-à-dire en choisissant une solution
de type onde plane à l’équation d’Helmholtz. Ici, le caractère tensoriel de la relation entre

D et

E rend le calcul plus fastidieux.
2. Notions physiques de base 53
Tenseur électro-optique Appliquons le même formalisme pour détermi-
ner la réponse électro-optique du cristal. Nous avons :

D(ω) = ε
o
_

E(ω) +

χ
L
(ω) :

E(ω) +

χ
(2)
(ω = ω + 0) :

E(ω)

E
o
_
D
i
(ω) = ε
o


E
i
(ω) +χ
L
ii
(ω) E
i
(ω) +

j,k
χ
(2)
ijk
E
j
(ω) E
o,k


(2.40)
d’où, en calculant l’énergie U comme précédemment (relation (2.38)), nous
obtenons :

i=3
i=1



x
2
i
n
2
i
+

i,j,k
χ
(2)
ijk
x
i
n
2
i
x
j
n
2
j
E
o,k



= 1 (2.41)
où x
1
= x, x
2
= y et x
3
= z. D’où :
x
2
n
2
x


1 +

j
χ
(2)
xxj
n
2
x
E
o,j


+
y
2
n
2
y


1 +

j
χ
(2)
yyj
n
2
y
E
o,j


+
z
2
n
2
z


1 +

j
χ
(2)
zzj
n
2
z
E
o,j


+

j
_
_
χ
(2)
yxj

(2)
xyj
_
xy
n
2
x
n
2
y
+
_
χ
(2)
xzj

(2)
zxj
_
xz
n
2
x
n
2
z
+
_
χ
(2)
zyj

(2)
yzj
_
yz
n
2
y
n
2
z
_
E
o,j
= 1
On écrit alors cette relation sous une forme simplifiée en regroupant les termes
en x
2
, y
2
, z
2
, xy, xz, et yz. C’est l’équation de l’ellipsoïde en présence d’un
champ appliqué :
_
1
n
2
x
+ Δ
_
1
n
2
_
1
_
x
2
+
_
1
n
2
y
+ Δ
_
1
n
2
_
2
_
y
2
+
_
1
n
2
z
+ Δ
_
1
n
2
_
3
_
z
2
+ 2 Δ
_
1
n
2
_
4
yz + 2 Δ
_
1
n
2
_
5
xz + 2 Δ
_
1
n
2
_
6
xy = 1 (2.42)
Les variations de (
1
n
2
) sont proportionnelles au champ statique

E
o
:
Δ
_
1
n
2
_
i

3

j=1
r
ij
E
o,j
(2.43)
Nous avons employé ici une notation contractée ((x,y,z ) → (1,2,3), (xx,
yy, zz, yz, xz, xy) → (1, 2, 3, 4, 5, 6)). Le tenseur

r de composantes r
ij
est
le tenseur électro-optique
11
. La relation (2.42) montre que l’ellipsoïde des
11
Piézo-électricité et effet électro-optique obéissent aux mêmes règles de symétrie. Leurs
tenseurs traduisent ces symétries semblables en exhibant les mêmes éléments nuls et les
mêmes égalités entre différents éléments.
54 Optoélectronique térahertz
indices est perturbée par l’application du champ électrique. L’effet le plus
prononcé pour les cristaux anisotropes est la variation de la longueur des
axes de l’ellipsoïde des indices, la rotation de ces axes étant négligeable. Ce
n’est plus vrai pour les cristaux isotropes, les axes de l’ellipsoïde induit par
effet électro-optique étant orientés par le champ appliqué.
Le tableau (2.2) donne le coefficient électro-optique le plus fort de quelques
cristaux communs. Il faut noter que l’ordre de grandeur de ces coefficients
est le picomètre par volt (pm/V), donc très faible. Le développement limité
de la relation (2.43) permet alors de déterminer la variation d’indice induite
par champ électrique appliqué (Δn ∝
n
3
2
r
i j
E
i j
). Il faut donc appliquer un
champ de l’ordre du mégavolt par mètre (10
6
V/m = 1 V/μm) pour obtenir
des effets facilement mesurables.
Cristal Symétrie r
i j
(pm/V) λ (μm)
LiNbO
3
3m r
3 3
= 33 0,63
GaAs
¯
43m r
4 1
= 1,1 1,06
ZnSe
¯
43m r
4 1
= 2 0,55
Tab. 2.2 – Coefficients électro-optiques de quelques cristaux.
2.2 Photonique
Grâce aux travaux de Planck puis d’Einstein, l’aspect corpusculaire de la
lumière a été définitivement validé. Un faisceau lumineux est donc décrit, sui-
vant les conditions d’observation, en termes d’onde, comme nous l’avons vu
précédemment, ou de flux de corpuscules d’énergie, les photons. La physique
du début du xx
e
siècle a montré que ces deux aspects du même phénomène,
même s’ils vont à l’encontre du bon sens quotidien, sont parfaitement com-
patibles.
2.2.1 Énergie du photon
L’énergie E d’un photon est donnée par :
E = h ν =
h c
λ
(2.44)
où h = 6,64 10
−34
Js est la constante de Planck, ν est la fréquence de la
lumière et λ est la longueur d’onde. Cette énergie, dont l’unité est le joule,
est très faible, et on a l’habitude d’employer comme unité l’électron-volt
(1 eV = 1,6 10
−19
J) pour manipuler des valeurs numériques de l’ordre de
l’unité
12
. Pour les ondes THz, l’électron-volt est encore trop grand, et il est
12
L’électron-volt présente aussi l’avantage d’être l’ordre de grandeur des transitions élec-
troniques des atomes et de l’énergie de la bande interdite de beaucoup de semi-conducteurs,
comme le silicium.
2. Notions physiques de base 55
plus commode d’utiliser le milli-électron-volt (meV) :
E (meV) = 10
3

c e
= 4,15 ν (THz) (2.45)
Les spectroscopistes utilisent communément l’inverse de longueur comme
unité d’énergie, c’est-à-dire que le produit h c est défini comme étant égal
à 1 dans la relation (2.44). On choisit généralement le cm
−1
comme unité,
la fréquence de 3 THz correspondant à λ = 100 μm et à une énergie de
100 cm
−1
. Pour des études thermiques, on a l’habitude de se référer par
rapport à l’énergie thermique k
B
T où k
B
= 1,3810
−23
J/K est la constante
de Bolztmann et T est la température en degré Kelvin. La température
associée au rayonnement électromagnétique est donc :
T (K) =

k
B
= 47,83 ν (THz) (2.46)
2.2.2 Puissance lumineuse et statistique du flux de photons
L’intensité I – densité de puissance apportée par le faisceau électroma-
gnétique –, qui est une valeur moyennée sur un intervalle de temps supérieur
à la période de l’onde, peut être déterminée à partir du vecteur de Poynting
(relations (2.20) et (2.21)), mais aussi à partir du nombre moyen de pho-
tons
¯
N traversant une surface unitaire pendant l’intervalle de temps Δt :
I =
1
2 Z
E
o
E

o
=
¯
N
Δt
hν (2.47)
Les photons traversant la surface unitaire arrivent de façon aléatoire suivant
une loi statistique relative à la source lumineuse [37]. Pour une source de lu-
mière incohérente (corps chauffé incluant le cas idéal du corps noir, lampes à
incandescence...) et polarisée, la probabilité que N photons traversent la sur-
face unitaire pendant un temps Δt (très court devant le temps de cohérence
du rayonnement thermique) suit la loi de Bose-Einstein :
p(N) =
1
1 +
¯
N
_
¯
N
1 +
¯
N
_
N
(2.48)
et
¯
N ∝
1
e

k
B
T
−1
. L’écart-type σ et le rapport signal-sur-bruit
13
S pour la
lumière incohérente sont :
σ =
_
¯
N +
¯
N
2
, S =
¯
N
¯
N + 1
(2.49)
13
Le rapport signal-sur-bruit est le rapport entre la puissance du signal et celle du bruit.
Pour un faisceau lumineux, ces puissances sont proportionnelles au flux de photons N (voir
relation (2.47)).
56 Optoélectronique térahertz
Dans le cas d’une source cohérente de lumière (lasers), l’extraction de chaque
photon de la cavité laser se produit indépendamment de celle des autres
photons, donc la loi statistique est celle de Poisson :
p(N) =
¯
N
N
N! e
¯
N
(2.50)
Cette loi tend vers une gaussienne e

(N−
¯
N)
2
2
¯
N
pour les grandes valeurs de
¯
N.
Ses écarts types et rapport signal-sur-bruit sont :
σ =
_
¯
N, S =
¯
N (2.51)
La lumière cohérente est beaucoup moins bruyante que la lumière incohé-
rente, puisque le rapport signal-sur-bruit de la lumière cohérente varie comme
¯
N et peut être très grand, alors que celui de la lumière incohérente est tou-
jours inférieur à 1. La nature corpusculaire des photons et leur arrivée aléa-
toire sur un détecteur est à l’origine du bruit de détection appelé bruit de
grenaille (shot noise en anglais) (figure (2.3)).
0
0,01
0,02
0,03
0,04
0,05
0,06
0 20 40 60 80 100
Poisson
Bose-Einstein
p
(
N
)
N
Fig. 2.3 – Distribution statistique des photons pour la lumière ther-
mique (Bose-Einstein) et cohérente (Poisson). Ces courbes sont tracées pour
¯
N = 50.
2.3 Interaction lumière-matière
2.3.1 Généralités
La matière est formée d’atomes, souvent regroupés par molécules. L’in-
teraction entre la matière et une onde électromagnétique incidente met en jeu
2. Notions physiques de base 57
l’excitation des nuages électroniques des atomes. Dans le cas des molécules,
se rajoute l’excitation de modes de vibration et/ou de rotation. L’interac-
tion entre les atomes ou molécules voisins au sein de la matière perturbe
sa réponse électromagnétique. Dans les gaz, les molécules sont relativement
distantes et on observera une réponse proche de celle de l’atome ou de la mo-
lécule isolés, réponse cependant perturbée par les collisions entre particules
(effet de la pression) et par le déplacement des particules (effet Doppler).
Dans les solides, le mouvement mécanique de chaque atome ou molécule est
restreint par la proximité des voisins, en revanche les phénomènes collectifs
sont nombreux.
Une description rigoureuse de l’interaction entre le champ électromagné-
tique et les atomes ou molécules nécessite le formalisme de la mécanique
quantique [38]. Cependant, des modèles classiques simplistes conduisent sou-
vent à une assez bonne description qualitative d’un certain nombre de phéno-
mènes, aussi bien pour un atome ou une molécule isolés que pour la matière
solide. Ce paragraphe présentera d’abord ces méthodes simples, puis décrira
les bases de l’optique quantique.
2.3.2 Modèle classique de l’interaction dipolaire
On considère ici les atomes ou les molécules comme étant formés d’un
noyau équivalent à une charge positive ponctuelle et d’un nuage électronique
qui sera représenté par une charge négative ponctuelle située au barycentre
électrique du nuage. Dans ce qui suit, les positions de ces 2 charges positive
et négative sont confondues en l’absence de champ électromagnétique. La
généralisation des calculs au cas des molécules polaires, dont les barycentres
des charges positives et négatives sont séparés, est facile. En présence d’un
champ électromagnétique excitateur, les charges ponctuelles positive et né-
gative se déplacent en sens contraire dans la direction du champ
14
. Un dipôle
électrique est ainsi créé par l’application du champ électromagnétique. On
définit son moment dipolaire par :
p = e a (2.52)
a est la distance entre les 2 charges.
Champ du dipôle
Le dipôle électrique engendre un champ électromagnétique dans l’espace
environnant. Le calcul de ce champ est décrit dans tous les ouvrages d’élec-
tromagnétisme [28, 29]. L’expression du champ électrique rayonné par un
14
Cette approximation est valable tant que la fréquence du champ électromagnétique est
inférieure à la fréquence de rotation des électrons autour du noyau, en adoptant le modèle
de Bohr des atomes. Pour l’hydrogène, cette fréquence vaut environ 4 ×10
16
Hz.
58 Optoélectronique térahertz
dipôle à une distance r du dipôle est :

E(r) =
1
4 π ε
o
1
r
5
___
3 p + 3
r
c

˙ p +
r
2
c
2

¨ p
_
r
_
r −r
2
_
p +
r
c

˙ p +
r
2
c
2

¨ p
__
(2.53)

˙ p et

¨ p sont respectivement les dérivées temporelles première et seconde du mo-
ment dipolaire. Dans le cas d’un atome, la variation temporelle de p provient
du déplacement a des charges, alors qu’elle est induite par une variation des
charges pour des composants comme les antennes THz. Le cas particulier du
champ lointain est très intéressant pour la modélisation du rayonnement. On
ne conserve que les termes en r
−1
dans (2.53), les autres étant négligeables :

E(r) =
1
4 π ε
o
1
c
2
_

¨ p r
_
r −r
2

¨ p
r
3
(2.54)
Le champ lointain varie donc comme la dérivée seconde du moment dipolaire.
Dans le cas où les charges du dipôle varient, mais restent à distance fixe
(antenne THz), la dérivée temporelle de p est proportionnelle au courant i
traversant le dipôle :

˙ p =
d (q a)
d t
=
d q
d t
a = i a (2.55)
Le champ lointain varie alors comme la dérivée du courant traversant le
dipôle :

E(r) =
1
4 π ε
o
1
c
2
(a r) r −r
2
a
r
3
d i
d t
(2.56)
Polarisabilité des atomes
Le dipôle atomique induit par le champ électromagnétique (relation (2.52))
se traduit à une échelle macroscopique par la polarisation

P du milieu maté-
riel (voir la définition de la polarisation (2.5)) qui correspond à la réponse du
milieu à l’excitation électromagnétique. Pour connaître la valeur du moment
dipolaire p en fonction du champ électrique

E, il est nécessaire d’employer le
formalisme de la mécanique quantique, ce qui est décrit dans le paragraphe
suivant. Une méthode classique, due à Lorentz, fait l’hypothèse que l’élec-
tron est retenu à l’atome par un ressort de constante de rappel k
res
. Ce
modèle suppose donc que l’électron périphérique sensible au champ électro-
magnétique baigne, au voisinage de sa position d’équilibre, dans un potentiel
atomique de type parabolique. On écrit :
m
d
2
r
dt
2
= −e

E
o
e
j ωt
−k
res
r (2.57)
où r est le déplacement de l’électron par rapport à sa position d’équilibre.
Seule la dépendance temporelle du champ est considérée, c’est-à-dire que l’on
se place dans l’hypothèse où le déplacement de l’électron est faible devant
2. Notions physiques de base 59
la longueur d’onde, ce qui est équivalent à écrire que la vitesse de l’électron
est faible devant c. En prenant une solution temporelle oscillante pour r, on
obtient l’amplitude r
o
du déplacement :
r
o
=
e
m

E
o

2
−ω
2
o
)
(2.58)
avec ω
2
o
=
k
res
m
. On en déduit l’expression du moment dipolaire :
p = e a = e r
o
e
j ωt
=
e
m

E
o
e
j ωt

2
−ω
2
o
)
≡ α

E (2.59)
La polarisabilité α de l’atome est définie par :
α =
e
m
1

2
−ω
2
o
)
(2.60)
Le calcul quantique de la polarisabilité donne un résultat très proche de
l’expression (2.60) :
α =
e
m

i
F
i
ω
2
−ω
2
oi
(2.61)
Chaque pulsation ω
oi
correspond à une transition entre deux états énergé-
tiques de l’atome ou de la molécule. La probabilité d’occurrence des transi-
tions est proportionnelle à F
i
, force d’oscillateur de la transition.
Moment dipolaire
Certaines molécules possèdent un moment dipolaire électrique permanent
défini par :
μ =

i
q
i
r
i
(2.62)
i est la somme sur tous les atomes, q
i
la charge électrique de l’atome i, et r
i
la distance de l’atome i au centre de gravité. L’ordre de grandeur typique du
moment dipolaire varie de 0 à quelques Debye (1 D = 3,33564 10
−30
Cm).
Exceptionnellement, une molécule très polaire (sel ionique) peut avoir un
moment dipolaire d’une dizaine de Debye.
2.3.3 Traitement quantique de l’interaction lumière-atome
L’équation de Schrödinger pour la fonction d’onde ψ d’un électron de
masse m excité par le champ électromagnétique s’écrit :

¯h
2
2m
Δψ +V ψ = Eψ (2.63)
60 Optoélectronique térahertz
E est l’énergie de l’électron, V est l’énergie potentielle totale de l’électron
qui est la somme de l’énergie potentielle V
o
en l’absence de champ élec-
tromagnétique et de l’énergie potentielle d’interaction V
int
entre le champ
électromagnétique et l’électron. La solution de (2.63) s’écrit en séparant les
dépendances spatiale et temporelle de la fonction d’onde :
ψ(r, t) =

n
a
n
(t) ϕ
n
(r) e
−j E
n
t/¯h
(2.64)
Les fonctions ϕ
n
(r) sont les fonctions propres de l’hamiltonien. Elles corres-
pondent à des états stationnaires d’énergie E
n
. [a
n
[
2
est la probabilité de
trouver l’électron dans un état d’énergie E
n
à l’instant t. Si, à l’instant t = 0,
l’électron est dans l’état d’énergie E
l
, c’est-à-dire que a
n
= δ
n,l
, la probabilité
de trouver l’électron dans l’état d’énergie E
m
à un instant t > 0 est égale à
a
m
(t)a

m
(t). La probabilité de transition par unité de temps entre les niveaux
d’énergie E
l
et E
m
est donc
a
l
(t)a

m
(t)
t
. Le potentiel d’interaction V
int
entre
électron et champ électromagnétique est égal à :
V
int
= −
e
m

A p +
e
2
2m

A

A +
e
m
(

L + 2

S)

B (2.65)

A est le potentiel vecteur tel que

B =



A, p est le moment dipolaire de
l’atome ou de la molécule,

L et

S sont respectivement les moments cinétiques
orbital et intrinsèque (spin) de l’électron. Le terme d’interaction magnétique
((

L+2

S)

B) est très faible. Dans le cas réaliste où le champ électromagnétique
est beaucoup plus faible que celui intra-atomique, on peut aussi négliger le
second terme de (2.65). Le potentiel d’interaction est alors de type dipolaire
(V
int
= −
e
m

Ap). En décrivant classiquement le champ électromagnétique, on
montre que la probabilité de transition, sous l’effet de champ de pulsation ω,
d’un état d’énergie E
a
, qui est celui du système à l’instant t
o
, vers un état
d’énergie E
b
à l’instant t, s’écrit :
P
a→b
(t
o
, t) =
Ω
2
1
Ω
2
1
+ (ω −ω
o
)
2
sin
2
_
Ω(t −t
o
)
2
_
(2.66)
où ω
o
=
E
b
−E
a
¯h
est la pulsation correspondant à la différence d’énergie entre
les 2 états, et Ω
1
=
−¸b[
ˆ
D

E[a)
¯h
est la pulsation de Rabi.
ˆ
D est l’opérateur
moment dipolaire électrique. Ω
2
= Ω
2
1
+(ω −ω
o
)
2
. Lorsque le système éclairé
ne possède que deux états d’énergie [a) et [b), la probabilité P
a→b
(t
o
, t) per-
met de déterminer à l’état stationnaire la densité volumique d’atomes ou de
molécules dans l’état [b) :
N
b
=
N
2
Ω
2
1
(ω −ω
o
)
2
+ Ω
2
1
+ Γ
2
b
(2.67)
2. Notions physiques de base 61
où N = N
a
+ N
b
est la densité volumique totale d’atomes ou molécules. Γ
b
est la durée de vie de l’état excité [b), qui est liée à la désexcitation spon-
tanée depuis [b) vers [a). Ce phénomène ne peut se comprendre que si l’on
adopte une description quantique du champ électromagnétique. L’absorption
du rayonnement incident par l’effet des transitions entre [a) et [b), puis l’émis-
sion de rayonnement par les transitions spontanée et stimulée de [b) vers [a),
permettent à l’équilibre de déterminer la valeur du coefficient d’absorption,
et donc de l’indice de réfraction du système. Il est cependant préférable de
donner l’expression, qui est plus simple, de la susceptibilité χ :
χ = N
_
a
¸
¸
¸
ˆ
D
¸
¸
¸ b
_
¯hε
o
(ω −ω
o
) +jΓ
b
(ω −ω
o
)
2
+ Ω
2
1
+ Γ
2
b
(2.68)
Pour de faibles intensités lumineuses, c’est-à-dire en l’absence de saturation
des transitions, on peut négliger Ω
2
1
dans (2.68) et la susceptibilité correspond
à une lorentzienne (figure (2.4)) :
χ = N
_
a
¸
¸
¸
ˆ
D
¸
¸
¸ b
_
¯hε
o
(ω −ω
o
) +jΓ
b
(ω −ω
o
)
2
+ Γ
2
b
(2.69)
Fig. 2.4 – Courbes de dispersion caractéristiques de la susceptibilité élec-
trique d’un atome au voisinage de la pulsation de transition ω
o
.
La différence d’énergie ¯hω
o
entre niveaux peu excités de l’atome, incluant
le niveau fondamental, est de l’ordre de l’électron-volt, conduisant à des raies
d’absorption ou d’émission dans le proche UV, le visible et le proche infra-
rouge. Pour que ces différences d’énergie correspondent à des fréquences THz,
il faut considérer les états très excités des atomes, appelés états de Rydberg.
62 Optoélectronique térahertz
L’analyse plus détaillée des densités d’atomes dans les états [a) et [b),
et de la variation de ces valeurs à cause des phénomènes d’absorption et
d’émissions spontanée et stimulée, conduit à l’écriture des équations de taux
de population (rate equations en anglais) proposées sous une forme simplifiée
par Einstein bien avant l’avènement de la mécanique quantique, grâce à des
considérations thermodynamiques sur le rayonnement du corps noir. Pour un
système à 2 niveaux d’énergie, les équations d’Einstein
15
sont :
_
d N
b
d t
= β I (N
a
−N
b
) −Γ
b
N
b
d N
a
d t
= β I (N
b
−N
a
) + Γ
b
N
b
(2.70)
Le rapport η entre taux d’émission stimulée et taux d’émission spontanée
s’écrit :
η =
1
e
h ν
k
B
T
−1
(2.71)
η vaut 1 pour ν = 4,35 THz, soit λ = 69 μm. Dans le domaine THz, l’émission
stimulée est donc la voie prioritaire de désexcitation, alors que c’est l’émission
spontanée dans le visible et l’infrarouge.
2.3.4 Le corps noir
Le corps noir représente un système idéal dans lequel il y a égalité entre
l’énergie électromagnétique absorbée par la matière et celle rayonnée par
cette même matière portée à température T. Le corps noir absorbe donc toute
la lumière qu’il reçoit. On peut le représenter sous la forme d’une enceinte
vide et close dont les parois sont à température T. Chaque élément de surface
émet par rayonnement électromagnétique une puissance égale à celle qu’il
reçoit du reste de la surface des parois. Généralement, un trou minuscule dans
la paroi, qui ne perturbe pas l’équilibre thermodynamique, permet d’observer
le rayonnement du corps noir à l’extérieur de l’enceinte. Ce rayonnement est
très large bande car, d’un point de vue microscopique, il trouve son origine
dans le mouvement thermique désordonné des molécules et charges libres
de la matière. En quantifiant les modes du rayonnement électromagnétique
de l’enceinte close, Max Planck a défini l’énergie des photons (E = ¯ h ν, où
¯h = h/2 π) et a pu en déduire la loi de rayonnement du corps noir :
L
o
(ν) =
8πh
e
h ν
k
B
T
−1
ν
3
c
3
(2.72)
15
Les équations d’Einstein sont généralement écrites en fonction de la densité spectrale
d’énergie de l’onde lumineuse, et non pas de l’intensité I comme ici. Les coefficients A et B
d’Einstein, qui décrivent respectivement l’émission spontanée et l’absorption (et l’émission
stimulée), sont donc proportionnels à Γ et β dans (2.70).
2. Notions physiques de base 63
10
−12
10
−10
10
−8
10
−6
10
−4
10
−2
10
0
10
2
10
4
10
−1
10
0
10
1
10
2
10
3
300 K
373 K
473 K
1 273 K
5 800 K
L
u
m
i
n
a
n
c
e
e
n
W
/
c
m
2
/
μ
m
Longueur d’onde en μm
Température
domaine THz
v
i
s
i
b
l
e
Fig. 2.5 – Luminance du corps noir pour différentes températures.
où k
B
= 1,3810
−23
J/K est la constante de Boltzmann. L
o
(ν) est la luminance
du corps noir
16
. La loi de Planck (2.72) est représentée sur la figure (2.5) pour
différentes températures.
Un assez bon exemple de corps noir est celui d’une fenêtre de maison ou
d’immeuble observée de loin en été. La lumière de jour qui pénètre dans la
pièce se réfléchit de multiples fois contre les objets de la pièce et est gra-
duellement absorbée. La probabilité qu’elle ressorte de la pièce par la fenêtre
est très faible. En première approximation, la fenêtre absorbe donc toute
la lumière qu’elle reçoit et elle apparaît noire vue de loin. De nombreuses
sources lumineuses suivent de manière plus ou moins approchée la loi de
rayonnement du corps noir, comme les bougies (T = 1 900 K), lampes à in-
candescence (T = 2 800-3 000 K), ou certaines lampes à décharge (xénon).
La puissance lumineuse rayonnée par le soleil et de façon générale par les
étoiles obéit bien à la loi de rayonnement du corps noir. En effet, à l’inté-
rieur de ces astres, la fusion nucléaire produit une énergie lumineuse qui est
complètement absorbée par la matière et rayonnée par celle-ci. À la surface
de l’étoile, la perte d’énergie par rayonnement abaisse la température, mais
suffisamment peu pour que la loi de corps noir reste vérifiée. Ainsi le spectre
du soleil obéit à une loi de corps noir porté à 5 800 K, tandis que ceux des
étoiles Antarès et Spica correspondent respectivement à 3 400 K et 23 000 K.
L’avantage du rayonnement d’un corps noir par rapport à d’autres sources
est la continuité de ce rayonnement depuis les courtes (rayons X et UV) jus-
qu’aux très grandes (THz, micro-ondes, radio) longueurs d’onde. Donc tout
corps noir est source de rayonnement THz. Cependant, les puissances émises
sont très faibles. Pour un corps noir émettant au maximum dans le visible,
16
La luminance d’une source lumineuse est la puissance rayonnée par un élément de
surface unitaire de la source qui émet perpendiculairement à la surface de la source dans
un angle solide d’un stéradian.
64 Optoélectronique térahertz
la luminance dans le domaine THz est un milliard de fois plus faible que
dans le visible. Par ailleurs, la température d’un corps noir dont le maximum
d’émission se situe dans le domaine THz est de l’ordre de la dizaine de Kelvin.
Ce rayonnement est beaucoup moins puissant que le rayonnement THz du
laboratoire à température ambiante, rendant difficile la réalisation d’expé-
riences.
2.3.5 Interaction lumière-molécule
L’étude quantique de la réponse électromagnétique d’une molécule est
très proche de celle décrite précédemment pour un atome. La différence de
traitement réside dans les degrés de liberté de mouvement supplémentaires
que possède la molécule par rapport à l’atome. En effet les différents atomes
de la molécule peuvent vibrer les uns par rapport aux autres, ou tourner
autour d’axes de rotation privilégiés. Le lecteur intéressé par des descriptions
détaillées et complètes de l’interaction entre la lumière et les molécules pourra
consulter les ouvrages de référence de Kroto [39], Townes et Schawlow [40],
et Tennyson [41].
Énergie de rotation Une molécule polaire
17
peut être considérée comme
un dipôle électrique. Ce dipôle, en tournant, peut interagir avec un rayonne-
ment électromagnétique de fréquence bien déterminée. Ainsi, toute molécule
polaire en rotation absorbe (ou émet) des photons de fréquence bien détermi-
née et est excitée dans un état de rotation supérieur (ou inférieur). L’énergie
de rotation est en effet quantifiée, c’est-à-dire qu’elle ne peut prendre que des
valeurs discrètes. Les fréquences de rotation d’une molécule dépendent de ses
trois moments d’inertie. Le moment d’inertie I d’une molécule par rapport
à un axe quelconque passant par son centre de gravité est :
I =

i
m
i
r
2
i
(2.73)
où m
i
est la masse de l’atome i et r
i
sa distance à l’axe. Pour un de ces
axes (appelé par convention c), le moment d’inertie, dénoté I
c
, a sa valeur
maximale. Il y a un autre axe, appelé a, pour lequel le moment d’inertie, I
a
,
a sa valeur minimale. On peut montrer que a et c sont perpendiculaires. Ces
deux axes, a et c, avec un troisième axe, b, perpendiculaire aux deux autres,
sont appelés axes principaux d’inertie. On a alors :
I
c
≥ I
b
≥ I
a
(2.74)
Dans le cas particulier d’une molécule linéaire, on a :
I
c
= I
b
≥ I
a
= 0 (2.75)
17
Lorsqu’une molécule a un centre de symétrie, le moment dipolaire est nul, il n’y a alors
pas de spectre de rotation.
2. Notions physiques de base 65
où les axes b et c sont dans des directions quelconques mais perpendiculaires
à l’axe internucléaire a.
Cas particulier d’une molécule diatomique Le moment d’inertie I
s’écrit simplement :
I =
m
1
m
2
m
1
+m
2
r
2
(2.76)
où m
1
et m
2
sont les masses des atomes et r la distance interatomique.
L’énergie de rotation est donnée par :
E
R
=
h
2

2
I
J (J + 1) ≡ BJ (J + 1) (2.77)
B, proportionnel à l’inverse du moment d’inertie I, est appelé constante de
rotation. J = 0, 1, 2 . . . est un nombre entier positif appelé nombre quantique
de rotation. Une molécule qui est dans un état de rotation J peut passer dans
un état J + 1 par absorption d’un photon d’énergie
18
:
hν = BJ (J + 1) (2.78)
ou dans un état J −1 par émission d’un photon d’énergie :
hν = 2BJ (2.79)
On voit que l’on a :
ΔJ = ±1 (2.80)
C’est la règle de sélection de rotation. Cette discussion a supposé la molécule
rigide (c’est-à-dire r = constante). En fait, il est plus correct de représenter la
molécule par un ressort reliant les deux atomes. Quand la vitesse de rotation
augmente (c’est-à-dire quand J croît), le ressort s’allonge (donc r croît et B
décroît) sous l’effet de la force centrifuge. C’est ce qu’on appelle la distorsion
centrifuge. L’équation de l’énergie de rotation est alors légèrement modifiée :
E
R
= BJ (J + 1) −DJ
2
(J + 1)
2
(2.81)
D, appelée constante de distorsion centrifuge, est typiquement trois ordres
de grandeur plus petite que B. La règle de sélection ΔJ = ±1 n’est pas
modifiée.
18
Pour calculer les moments d’inertie, on exprime les distances en angström (1 Å=
10
−10
m) et les masses en unité de masse atomique (ou Dalton) : 1 m
u
= 1 Da = 1 uma =
m(
12
C)
12
= 1,660 538 86(28) ×10
−27
kg. Pour convertir les moments d’inertie en constantes
de rotation, on utilise la relation B (MHz) =
505 379
I (uA
2
)
.
66 Optoélectronique térahertz
Molécule polyatomique On peut généraliser ce raisonnement à une mo-
lécule polyatomique, la différence étant qu’on a alors trois constantes de ro-
tation, A, B, et C, et cinq constantes de distorsion centrifuge. Le domaine de
variation des constantes de rotation est assez large, les valeurs expérimentales
allant de 616,4 GHz (pour HF) à quelques dizaines de MHz (pour HC
17
N) :
ces molécules présentent donc une signature THz. Lorsque la molécule n’est
pas linéaire, mais que deux constantes de rotation sont identiques, l’énergie
de rotation s’écrit :
E
R
= BJ (J + 1) + (A −B) K
2
si B = C
E
R
= BJ (J + 1) + (C −B) K
2
si A = B
(2.82)
K est un deuxième nombre quantique entier variant entre −J et +J. En
spectroscopie de rotation, la règle de sélection pour K est ΔK = 0. Lorsque
les trois moments d’inertie ont des valeurs différentes, l’énergie de rotation
se calcule à l’aide de la formule suivante :
E
R
=
A+C
2
J (J + 1) +
A−C
2
E
τ
(2.83)
A, B, et C sont les trois constantes de rotation, τ est un indice entier variant
entre −J et +J, et E
τ
est une valeur propre d’une matrice (2J +1)(2J +1)
qui dépend de A, B, C et du nombre quantique J.
Énergie de vibration Une molécule n’est pas rigide, ses atomes vibrent
autour de leur position d’équilibre, ce qui provoque des oscillations des charges
électriques de la molécule. Si le moment dipolaire p oscille à la même fré-
quence que le rayonnement électromagnétique, il y a interaction résonnante.
L’énergie de vibration, tout comme l’énergie de rotation, est quantifiée c’est-
à-dire qu’elle ne peut pas varier de manière continue : on peut passer d’un
état de vibration (caractérisé par un nombre quantique de vibration n
ν
) à
un autre état de vibration par absorption (ou émission) d’un photon d’éner-
gie bien déterminée. Dans un premier temps, considérons le cas simple d’une
molécule diatomique. Pour introduire les mouvements de vibration dans l’ha-
miltonien de la molécule, on modélise une molécule diatomique par deux
masses ponctuelles (m
1
et m
2
) reliées par un ressort de force de rappel k
et de longueur à l’équilibre r
e
. L’énergie potentielle d’un tel système, appelé
oscillateur harmonique, est :
U =
1
2
k (r −r
e
)
2
(2.84)
En mécanique classique, cet oscillateur vibre à la fréquence :
ν =
1
2 π
_
k
M
(2.85)
2. Notions physiques de base 67
où M =
m
1
m
2
m
1
+m
2
est la masse réduite de la molécule. En mécanique quantique,
l’énergie de vibration, qui est quantifiée, est donnée par :
E
v
=
_
n
ν
+
1
2
_
hν (2.86)
où n
ν
est le nombre quantique de vibration qui peut prendre les valeurs
entières : 0, 1, 2... Lorsque la rotation est également présente, l’énergie de
vibration-rotation s’écrit :
E
v
=
_
n
ν
+
1
2
_
hν +BJ (J + 1) (2.87)
La règle de sélection de rotation devient ΔJ = 0, ±1 pour la vibration, les
transitions les plus intenses correspondent à Δn
ν
= ±1. Si l’on tient compte
du fait que la vibration n’est pas purement harmonique (c’est-à-dire que le
potentiel ne peut pas être représenté exactement par une parabole), il faut
ajouter à l’équation précédente un terme correctif d’anharmonicité, l’équa-
tion complète s’écrit alors (en tenant compte de la distorsion centrifuge) :
E
v
=
_
n
ν
+
1
2
_
hν −
_
n
ν
+
1
2
_
2
hν +BJ (J + 1) −DJ
2
(J + 1)
2
(2.88)
En pratique, les molécules sont bien plus complexes que la simple molécule
diatomique. Une molécule formée de n atomes possède 3n degrés de liberté :
3 de translation, 3 de rotation et 3n−6 de vibration. Chaque degré de liberté
de vibration a un mode pour lequel tous les atomes se déplacent en phase et à
la même fréquence. C’est ce qu’on appelle le mode normal de vibration. Il y en
a deux types principaux. Dans le premier, les longueurs des liaisons changent,
mais pas les angles. C’est un mode d’élongation. Dans le deuxième, ce sont les
angles qui se déforment, c’est un mode de déformation. Les différents modes
normaux sont indépendants les uns des autres, on peut alors les représenter
par des oscillateurs (harmoniques en première approximation), tout comme
pour la molécule diatomique.
2.3.6 Interaction lumière-gaz
Dans un gaz sous faible pression, les molécules sont assez éloignées les
unes des autres et interagissent peu entre elles. Leurs états d’énergie sont
bien décrits par les modèles de molécules isolées expliqués précédemment.
Leurs pics d’absorption (figure (2.6)) sont dus à un changement d’énergie de
rotation ou/et de vibration des molécules du gaz. Chaque pic d’absorption
est caractérisé par sa forme, c’est-à-dire une équation qui dépend de trois
paramètres :
– sa fréquence centrale ν
o
qui correspond au maximum d’absorption;
– son intensité I
o
au maximum;
– sa demi-largeur à demi-hauteur Δν.
68 Optoélectronique térahertz
Fig. 2.6 – Spectre de rotation de l’acide formique, HCOOH, dans le do-
maine THz.
Forme de raie
De manière générale, la forme de raie dépend de :
– la pression du gaz p ;
– la masse de la molécule absorbante M
mol
;
– la température du gaz T ;
– la fréquence d’absorption ν
o
.
Quand la pression p est faible, l’effet Doppler domine et la raie a une forme
en cloche (gaussienne). Les molécules ont des vitesses différentes et elles
absorbent donc à des fréquences différentes à cause de l’effet Doppler. La
largeur étant déterminée par M
mol
, T, et ν, elle croît avec T et ν, et décroît
avec M. La forme de raie obéit à l’équation :
S
D
(ν,ν
o
) = S
o
exp
_

M
mol
c
2
k
B
T
_
ν −ν
o
ν
o
_
2
_
(2.89)
La largeur Doppler (Δν)
D
, qui est la demi-largeur à demi-hauteur, est donnée
par :
(Δν)
D
= 3,58 10
7
_
T
M
mol
ν
o
(2.90)
Quand la pression est élevée, les collisions entre les molécules dominent et
chaque collision interrompt le processus d’absorption. La raie a alors une
forme lorentzienne, sa largeur étant proportionnelle à p et dépendant de la
2. Notions physiques de base 69
nature des interactions (électriques) entre les molécules de gaz :
S(ν, ν
o
) =
1
π
ν
o
ν
_
Δν
(ν −ν
o
)
2
+ (Δν)
2
_
(2.91)
Aux pressions très élevées, le signal devient asymétrique et il faut alors utiliser
le profil de Van Vleck-Weisskopf :
S(ν, ν
o
) =
1
π
ν
o
ν
_
Δν
(ν −ν
o
)
2
+ (Δν)
2
+
Δν
(ν +ν
o
)
2
+ (Δν)
2
_
(2.92)
Un ordre de grandeur typique de l’élargissement collisionnel est de quelques
MHz/Torr (soit quelques dizaines de kHz/Pa)
19
. Dans la région intermé-
diaire des pressions moyennes où les deux effets (Doppler et collisions) sont
du même ordre de grandeur, la forme de raie est une convolution entre les
formes lorentzienne et gaussienne. Elle est appelée forme de Voigt. Il n’existe
pas d’équation analytique de la forme de raie, elle doit être calculée numéri-
quement.
de CO).
Fig. 2.7 – Une transition de rotation de l’ozone, O
3
, pour différentes pressions
totales, la pression partielle d’ozone étant constante. On voit que l’intensité
du signal décroît et que la largeur croît avec la pression totale.
Intensité des transitions
L’intensité d’une transition de rotation est proportionnelle au carré du
moment dipolaire p. Plus précisément, le phénomène d’absorption obéit à la
loi de Beer-Lambert (2.24). On peut montrer que le coefficient d’absorption
α de la transition est proportionnel à :
α ∝
ν
3
N
T
2
Δν
p
2
e

E
R
k
B
T
(2.93)
19
1 Torr = 133,322 Pa.
70 Optoélectronique térahertz
N est le nombre de molécules absorbantes. Quelques remarques :
– Δν est proportionnel à la pression, donc à N. De ce fait, N intervient au
numérateur et au dénominateur, et le coefficient d’absorption (c’est-à-
dire l’intensité) ne dépend pas du nombre de molécules. C’est la surface
du pic d’absorption qui en dépend;
– α croît comme le cube de la fréquence ν, donc les signaux les plus
intenses se trouvent généralement en haute fréquence (THz). Toutefois
cet accroissement est limité par le terme exponentiel de Boltzmann
(e

E
R
k
B
T
) qui est négligeable aux basses fréquences (J faible) mais qui
devient prépondérant aux très hautes fréquences. En résumé, l’intensité
croît d’abord rapidement avec la fréquence, passe par un maximum à
ν
opt
(GHz) ≈ 11

BT +2B (avec B constante de rotation exprimée en
GHz) puis décroît exponentiellement (figure (2.8)).
Fig. 2.8 – Intensité des transitions de rotation du propyne en fonction de la
fréquence.
Limitations
Un spectre de rotation ne s’observe que si les molécules sont en phase
gazeuse, sous faible pression. C’est une limitation importante de la spectro-
scopie de rotation. Toutefois, il est possible d’obtenir la plupart des molécules
en phase gazeuse, soit en chauffant l’échantillon, soit par ablation laser. Le
spectre de rotation de nombreuses substances, normalement solides, a pu
être mesuré, par exemple les sels, les oxydes métalliques, les acides aminés...
(figure (2.9)).
Une deuxième limitation vient de la taille de la molécule. Si elle est
très lourde, son spectre devient trop peu intense, l’intensité totale étant
2. Notions physiques de base 71
I
n
t
e
n
s
i
t
é

[
a
.
u
.
]
Fréquence [MHz]
Fig. 2.9 – Spectre de NaCl au voisinage de 0,480 THz : transition entre les
états de rotation J = 36 et J = 37 (n
ν
= 0).
répartie sur un nombre gigantesque de transitions. De plus, au-dessus de
la fréquence ν
opt
, l’intensité des transitions décroît exponentiellement. Pour
ces raisons, l’observation des spectres de rotation est limitée à des molécules
de masse inférieure à environ 300 uma. De plus, la partie submillimétrique
du spectre de rotation est surtout utile pour des molécules légères.
Avantages du THz
Spectroscopie de rotation Lorsqu’on analyse un spectre de rotation, la
précision de la plupart des paramètres moléculaires augmente avec la fré-
quence maximale observée ν
M
. Par exemple, la précision de la constante
de rotation B est une fonction linéaire de ν
M
. De même, la précision de
la constante de distorsion centrifuge D est une fonction de ν
3
M
. Il est donc
important de mesurer des fréquences aussi élevées que possible lorsque l’on
veut obtenir des paramètres précis, soit en vue d’une prévision du spectre,
soit pour tester la théorie (la précision des calculs ab initio par exemple). Par
ailleurs, certains effets ne deviennent visibles que pour des fréquences élevées :
c’est le cas notamment du dédoublement K des transitions des molécules sy-
métriques qui est proportionnel à ν
5
M
. Certaines molécules très légères, les
hydrures en particulier, ont un spectre de rotation uniquement dans le do-
maine submillimétrique. En effet, la transition de plus basse fréquence (ν
m
)
correspond à J = 0, soit ν
m
= 2 B. En outre, le maximum d’absorption des
spectres de rotation de molécules pas trop lourdes se trouve dans le domaine
submillimétrique (à la fréquence ν
opt
(GHz) ≈ 11

BT + 2B).
72 Optoélectronique térahertz
Spectroscopie de vibration La fréquence d’un mode d’élongation est en
général caractéristique de la liaison et est, de ce fait, utilisée pour identifier
cette liaison dans une molécule, voire pour identifier la molécule elle-même.
La plupart des fréquences de vibration se trouvent dans le domaine infrarouge
mais certaines vibrations sont dans le domaine THz. C’est le cas en particulier
des vibrations faisant intervenir des liaisons faibles (liaison hydrogène) ou un
mouvement de torsion (déplacement d’ensemble d’une partie de la molécule
par rapport au reste). Ces vibrations « THz » se rencontrent en particulier
dans les molécules biologiques, les molécules polycycliques et, plus générale-
ment, les grosses molécules. Elles sont particulièrement intéressantes car elle
permettent d’étudier les liaisons faibles (notamment de déterminer leur « so-
lidité »). De plus, elles sont beaucoup plus caractéristiques d’une molécule
donnée que les vibrations qui se trouvent dans l’infrarouge, elles permettent
donc de l’identifier avec plus de sûreté. L’intensité d’une transition de vi-
bration est proportionnelle au nombre de molécules absorbantes et au carré
de la variation du moment dipolaire induite par la vibration. Les transitions
correspondant à une vibration de torsion sont en général peu intenses, donc
difficiles à observer. De plus, en phase solide, le spectre est compliqué par les
vibrations du réseau. Les intervalles entre les niveaux d’énergie de rotation et
de vibration sont très différents. En première approximation, les deux types
de mouvement peuvent être considérés comme indépendants. L’énergie de
vibration-rotation d’une molécule est simplement la somme des énergies et
chaque spectre de vibration présente une structure fine de rotation en phase
gazeuse (figure (2.10)).
Fig. 2.10 – Spectre de vibration de l’éthylène, H
2
C = CH
2
, dans le do-
maine THz (transitions entre les niveaux ν
7
= 1 et ν
8
= 1).
2. Notions physiques de base 73
2.3.7 Interaction lumière-liquide
Dans un liquide, l’interaction avec un faisceau lumineux aux photons
de faible énergie comme dans l’infrarouge lointain met en jeu les dipôles
moléculaires (si les molécules du liquide en possèdent un), les mouvements
d’orientation des chromophores des molécules et les collisions entre molécules.
Dans le cas des liquides polaires, l’interaction dipolaire entre chaque mo-
lécule et le faisceau électromagnétique est prépondérante. Ce champ tend à
aligner mécaniquement les dipôles moléculaires, la relaxation trouvant son
origine dans les collisions entre molécules du liquide (modèle de Debye).
Ce processus de relaxation prend quelques picosecondes (environ 6 ps dans
CHCl
4
[42]). Dans les cas réels, plusieurs processus contribuent à la relaxa-
tion de Debye, comme la diffusion des excitations rotationelles, mais aussi
des mouvements collectifs de plusieurs molécules [42]. L’absorption des ondes
THz par les liquides polaires est donc très forte, en particulier celle de l’eau
(300∼600 cm
−1
dans la gamme 0,5-2,5 THz [43]). Chaque raie d’absorption
individuelle des molécules est fortement élargie spectralement par les colli-
sions pour prendre la forme d’une lorentzienne.
Dans le cas des liquides non polaires, les molécules ne portent pas de
moment électrique permanent. L’absorption de rayonnement THz, qui est
très faible (quelques cm
−1
), est alors due aux dipôles transitoires induits lors
des collisions entre molécules. Les temps de relaxation sont sub-picosecondes,
typiquement de l’ordre de 0,5 ps pour le cyclohexane et de 0,2 ps pour le
benzène [44].
2.3.8 Interaction lumière-solide
Dans le solide, en plus des excitations individuelles de chaque atome ou
molécule, se produisent des excitations de phénomènes collectifs dont la na-
ture dépend du solide éclairé [45]. La description exacte du comportement
électromagnétique du solide demande une étude quantique, comme celle de la
théorie des bandes. Cependant, dans beaucoup de cas, une simple étude clas-
sique permet de retrouver approximativement les résultats de la mécanique
quantique.
Métaux et plasmas
Dans un métal, les électrons périphériques sont en grande partie ionisés
quelle que soit la température, et ils se déplacent facilement dans la structure
immobile formée par les atomes ionisés. La théorie des bandes nous indique
que c’est le cas lorsque les électrons les plus énergétiques remplissent incom-
plètement les bandes d’énergie (nombre impair d’électrons périphériques par
maille du cristal). Le comportement électromagnétique de ces électrons, si-
tués dans la bande de conduction du cristal, est assez bien décrit par des
modèles simples, comme celui de Drude.
74 Optoélectronique térahertz
Modèle de Drude Le modèle de Drude est celui d’un gaz d’électrons
libres emprisonné dans le matériau et dont l’interaction avec le métal est dé-
crite sous forme de chocs aléatoires entre ces électrons et des défauts ou des
phonons dans le métal. L’interaction entre les électrons libres et la structure
cristalline immobile, chargée positivement car ionisée, est nulle. Le mouve-
ment des électrons est déterminé à l’aide du principe fondamental de la dyna-
mique, les électrons étant soumis à la force de Coulomb induite par le champ
électrique de l’onde électromagnétique, les chocs aléatoires se traduisant par
une force de frottement visqueux :
m
d
2
r
dt
2
= −e

E
o
e
jωt

m
τ
dr
dt
(2.94)
où r est le déplacement de l’électron par rapport à sa position d’équilibre et τ
est le temps entre 2 collisions. Seule la dépendance temporelle du champ est
considérée, c’est-à-dire que l’on se place dans l’hypothèse où le déplacement
de l’électron est faible devant la longueur d’onde, ce qui est équivalent à
écrire que la vitesse de l’électron est faible devant c. En prenant une solution
temporelle oscillante pour r, on obtient l’amplitude r
o
du déplacement :
r
o
=
e
m

E
o
ω
_
ω −
j
τ
_ (2.95)
On en déduit la polarisation

P du matériau, et donc sa constante diélectrique
ε, en supposant que le déplacement de chaque électron induit un dipôle dans
le métal, puisque l’endroit qu’il laisse vaquant en se déplaçant est chargé
positivement par la contribution de la structure cristalline :

P = −N
e
er
o
e
j ωt
= −
N
e
e
2
m

E
o
e
j ωt
ω
_
ω −
j
τ
_ = ε
o
χ

E
o
e
j ωt
(2.96)
⇒ ε
r
= 1 +χ = 1 −
N
e
e
2
ε
o
m
1
ω
_
ω −
j
τ
_
(2.97)
N
e
est la densité volumique d’électrons libres. On tient compte de la contribu-
tion des ions et des électrons liés en écrivant que ε
r
= ε

pour les pulsations
élevées. De plus, on définit la pulsation plasma par ω
2
p
=
N
e
e
2
ε
o
m
. L’expres-
sion de la constante diélectrique du métal prend alors une forme très simple
(figure (2.11)) :
ε
r
= ε


ω
2
p
ω
_
ω −
j
τ
_ (2.98)
Pour les métaux nobles, N
e
est de l’ordre de 10
22
électrons/cm
3
, leurs
fréquences plasma se situent dans le proche ultraviolet (pour l’argent,
2. Notions physiques de base 75
10
1
10
2
10
3
10
4
10
5
10
6
10
0
10
1
10
2
10
3
- partie réelle
partie imaginaire
C
o
n
s
t
a
n
t
e

d
i
é
l
e
c
t
r
i
q
u
e
fréquence en THz
Fig. 2.11 – Dispersion de la constante diélectrique de l’aluminium,
d’après [46].
λ
p
≈ 0,33 μm). Les temps de collision à température ambiante sont de l’ordre
de quelques dizaines de femtosecondes. Pour ω >
ω
p
_

ε
o
, la partie réelle de
ε
r
est positive (dans l’approximation des faibles pertes 1/τ ≈ 0), l’indice de
réfraction du métal est parfaitement défini : le métal présente alors un com-
portement diélectrique et il est transparent. En revanche pour ω <
ω
p
_

ε

,
la partie réelle de ε
r
est négative, l’indice de réfraction est complexe, avec
une très forte partie imaginaire. Dans le visible, le modèle de Drude ne rend
compte qu’approximativement de la réponse des métaux, car les transitions
intrabandes contribuent fortement à cette réponse ; de plus, au voisinage de
la fréquence plasma, il est nécessaire de tenir compte de la non-localité de la
réponse électronique. C’est aussi vrai pour les semi-conducteurs dopés, dont
la contribution des électrons libres dans le visible et le proche infrarouge est
souvent cachée par la transition entre bandes de valence et de conduction. En
revanche, dans le domaine THz, le modèle de Drude donne une très bonne
description de la constante diélectrique des métaux et des semi-conducteurs
dopés, sauf au voisinage des fréquences des phonons. Les métaux se com-
portent alors comme des conducteurs pratiquement parfaits. En effet, repre-
nons l’exemple de l’argent, pour lequel λ
p
= 0,14 μm (ν
p
= 0,9 10
15
Hz).
À la fréquence de 1 THz,
r
≈ −4,5 10
6
et donc l’indice de réfraction est
imaginaire (n +j κ ≈ j 2 10
3
). L’onde THz ne pénètre presque pas dans le
métal qui joue le rôle d’un miroir. Cet effet est dû à la réponse des électrons
libres qui oscillent sans difficulté à la fréquence du champ excitateur. D’un
point de vue pratique, les ondes THz ne seront pas ou seront peu transmises
au travers de matériaux possédant des charges libres.
76 Optoélectronique térahertz
Métal λ
p
en μm τ en ps
Al 0,08 0,80
Co 0,31 1,80
Cu 0,17 7,25
Au 0,14 2,47
Fe 0,30 3,61
Pb 0,17 0,33
Mo 0,17 1,29
Ni 0,25 1,51
Pd 0,23 4,28
Pt 0,24 0,95
Ag 0,14 3,66
Ti 0,49 1,39
V 0,24 1,08
W 0,19 1,09
Tab. 2.3 – Longueur d’onde plasma et temps de collision de quelques métaux
d’après [46].
Plasmons Dans le cas simple où l’on oublie les collisions (τ → ∞) et la
contribution des ions et des électrons liés (ε

= 1), la constante diélectrique
du métal ou du plasma s’annule pour ω = ω
p
. On peut montrer que l’ex-
citation correspondante du gaz d’électrons est une oscillation longitudinale.
On peut décrire ce phénomène de la façon suivante : prenons une plaque mé-
tallique d’épaisseur limitée et d’extension latérale très grande, formée d’un
arrangement homogène d’ions chargés positivement, qui sont baignés par un
gaz électronique homogène. Les densités de charges négatives et positives
sont égales, si bien que le milieu est électriquement neutre. Si l’on déplace en
bloc les électrons perpendiculairement à la plaque, on verra apparaître une
densité surfacique négative d’un côté de la plaque, et donc positive de l’autre
côté, puisque les atomes positifs sont immobiles. Le champ induit s’oppose au
déplacement des charges et conduit à l’oscillation du parallélépipède négatif
par rapport à celui positif, à la fréquence ω
p
. Il n’y a dans ce cas plus d’onde
de déplacement des électrons, puisque le déplacement des charges est global.
Cela explique que la vitesse de l’onde pour la fréquence plasma soit infinie

r
= 0 dans (2.97)). Le plasmon est le quantum d’énergie associée à l’onde
longitudinale de plasma. Si la fréquence plasma des métaux est située dans
l’ultraviolet, celle des semi-conducteurs dopés est dans l’infrarouge lointain.
Ainsi, un dopage de 10
14
cm
−3
correspond à f
p
=
ω
p

≈ 1 THz.
Plasmons de surface Lorsque le déplacement de l’électron par rapport
à sa position moyenne reste confiné au voisinage de la surface d’un métal,
le plasmon est appelé plasmon de surface. Il correspond à la propagation
2. Notions physiques de base 77
d’une onde de densité de charge le long de la surface du matériau, à l’image
de la propagation d’une vague à la surface de l’eau. Le déplacement des
électrons est principalement perpendiculaire à la surface et à la direction
de propagation de l’onde. Le champ électrique associé à ce déplacement est
donc perpendiculaire à la surface et, en conséquence, le champ magnétique
est dans le plan de la surface : le plasmon de surface est polarisé transverse
magnétique (TM)
20
. Ses propriétés de propagation peuvent être décrites à
l’aide des équations de Maxwell, en résolvant le problème homogène d’ondes
électromagnétiques interagissant avec un dioptre. On montre que le plasmon
de surface correspond à une onde TM, comme nous l’avions intuité, qui se
propage uniquement le long d’un dioptre séparant 2 milieux 1 et 2 dont le
produit des constantes diélectriques est négatif (ε
1
ε
2
< 0). La composante
de son vecteur d’onde le long de la surface est :
k
SP
=
ω
c
_
ε
1
ε
2
ε
1

2
(2.99)
Dans le cas de métaux parfaits (modèle de Drude) placés dans l’air, la relation
de dispersion du plasmon s’écrit :
k
SP
=
ω
c
¸
ω
2
−ω
2
p

2
−ω
2
p
(2.100)
La courbe de dispersion du plasmon présente une bande interdite entre
ω
p

2
et ω
p
, dont l’origine est le croisement entre la courbe de dispersion de la
lumière et la fréquence plasma du métal (figure (2.12)). Le quantum d’éner-
gie correspondant au fort couplage entre photon et plasmon de volume est
dénommé polariton. Pour la branche inférieure (plasmon de surface), k
SP
est plus grand que le vecteur d’onde d’une onde plane se propageant dans le
milieu 1 ou le milieu 2. Par conséquent, la composante, normale à la surface,
du vecteur d’onde du plasmon est imaginaire. Le champ électromagnétique
du plasmon est évanescent dans les deux milieux voisins. Pour les métaux
nobles, la pulsation plasma est dans le proche UV, donc k
SP
est pratiquement
égal à 1 dans l’infrarouge lointain :
k
SP

ω
c
_
1 +

2
ω
2
p
_
(2.101)
Le plasmon pénètre peu dans le métal, mais s’étend sur plusieurs centimètres
dans l’air. La profondeur de décroissance dans l’air vaut :
d
SP
=
c
ω
¸
2 −
ω
2
p
ω
2
(2.102)
20
Dans les ouvrages anglo-saxons, on note la polarisation TM avec « p » (p-polarization,
de l’allemand parralel ) et la polarisation TE avec un « s » (s-polarization, de l’allemand
senkrecht qui veut dire perpendiculaire).
78 Optoélectronique térahertz
0
0,5
1
1,5
2
0 50 100 150 200
f
r
é
q
u
e
n
c
e
e
n
T
H
z
vecteur d’onde k
SP
(cm )
−1
Fig. 2.12 – Courbe de dispersion des plasmons de surface (modèle du métal
parfait) pour un semi-conducteur dopé à 10
−14
cm
−1
(f
p
= 1 THz).
Le plasmon de surface est donc une onde guidée. Son excitation à l’aide d’un
faisceau électromagnétique peut se faire par l’extrémité de l’échantillon, ou
en utilisant des coupleurs (réseau de diffraction ou prismes en configuration
de réflexion totale atténuée), ou bien en profitant de la diffraction par une
rugosité répartie ou par une protubérance localisée.
Diélectriques
Dans les diélectriques, les électrons périphériques restent liés aux atomes,
il n’existe donc pas de charges libres. L’excitation électromagnétique induit
une déformation du nuage électronique des atomes ou molécules qui conduit
à l’apparition d’un dipôle électrique sur chaque atome ou molécule.
Modèle de Lorentz Une méthode classique, due à Lorentz, considère que
l’électron est maintenant retenu à l’atome par un ressort de constante de rap-
pel k. Nous retrouvons un modèle très semblable à celui que nous avons uti-
lisé pour calculer la polarisabilité des molécules (équation (2.60)). Ce modèle
suppose donc que l’électron périphérique sensible au champ électromagné-
tique baigne dans un potentiel atomique de type parabolique, comme celui
de Lennard-Jones. On écrit :
m
d
2
r
dt
2
= −e

E
o
e
j ωt
−kr (2.103)
2. Notions physiques de base 79
La suite du calcul est identique à celui de la méthode de Drude. On obtient :
ε
r
= ε


N
e
e
2
ε
o
m
1
ω
2
−ω
2
o
= ε


A
ω
2
−ω
2
o
(2.104)
où la pulsation de résonance est définie par ω
2
o
=
k
m
. Le calcul exact du dipôle
atomique induit requiert la mécanique quantique, qui donne un résultat très
proche de l’expression (2.104) :
ε
r
= ε


N
e
e
2
ε
o
m

i
F
i
ω
2
−ω
2
oi
(2.105)
Chaque pulsation ω
oi
correspond à une transition entre deux états énergé-
tiques de l’atome ou de la molécule. La probabilité d’occurrence des tran-
sitions est proportionnelle à F
i
, force d’oscillateur de la transition. Dans
un solide diélectrique, les seules excitations individuelles d’atomes ou molé-
cules sont les transitions entre 2 états électroniques, dont les énergies sont
de l’ordre de l’électron-volt. Dans l’infrarouge lointain, la contribution de ces
transitions est complètement négligeable, donc la constante diélectrique est
constante sur toute la bande fréquentielle. De plus, les relations de Kramers-
Kronig conduisent à une absence d’absorption. Le modèle de Lorentz ne tient
pas compte des excitations collectives dans le solide. Ces excitations sont des
phonons ou des magnons, les autres résonances du matériau, par exemple de
type piézoélectrique, se produisant à plus basse fréquence (kHz-MHz).
Phonons Les phonons sont les quanta d’énergie de vibration collective des
atomes et molécules dans les solides. L’énergie d’un mode de vibration élas-
tique de pulsation ω est :
E
n
(ω) = (n +
1
2
) ¯ hω (2.106)
où n est le nombre de phonons occupant le mode. Un modèle classique simple
permet de déterminer leur courbe de dispersion ω(k) (figure (2.13)). On dé-
crit les atomes par des corpuscules de masse m et leur énergie potentielle
d’interaction varie en r
−2
, où r est le déplacement de l’atome par rapport
à sa position d’équilibre. En d’autres termes, la somme du potentiel de ré-
pulsion (par exemple potentiel de Lennard-Jones) des nuages électroniques
lorsque les atomes se rapprochent et de celui d’attraction en cas d’éloigne-
ment des atomes (de type van der Waals, ionique, covalent...) se développe
au premier ordre en r
−2
. On a l’habitude d’assimiler ce potentiel à celui d’un
ressort obéissant à la loi de Hooke de constante de raideur C. Pour un cristal
constitué d’un seul type d’atome, on obtient pour un modèle à une dimension
en se limitant à l’interaction entre plus proches voisins :
ω
2
= 4
C
m
sin
2
_
ka
2
_
(2.107)
80 Optoélectronique térahertz
0
1
2
3
4
5
6
0 0,7 1,4 2,1 2,8
f
r
é
q
u
e
n
c
e

e
n

T
H
z
vecteur d’onde k (x 10
7
cm )
−1
Fig. 2.13 – Courbe théorique de dispersion des phonons pour NaCl.
où a est la distance interatomique et k est le module du vecteur d’onde.
Les phonons peuvent correspondre à des vibrations des atomes qui sont per-
pendiculaires à la direction de propagation (phonons transversaux T) ou qui
sont dans le sens de propagation (phonons longitudinaux L). Dans le cas d’un
cristal bi-atomique formé d’atomes de masse m
1
et m
2
(de masse réduite M),
la relation de dispersion se dédouble :
ω
2
= C


1
M
±
¸
1
M
2
−4
sin
2
(ka)
m
1
m
2


(2.108)
Les phonons aux plus hautes fréquences (signe + dans (2.108)) sont appe-
lés phonons optiques (LO ou TO suivant qu’ils sont longitudinaux ou trans-
verses). Pour les faibles valeurs du vecteur d’onde (infrarouge lointain), la
pulsation des phonons optiques tend
21
vers ω
T
=
_
2 C
μ
et le mouvement de
2 atomes voisins est en opposition de phase, comme celui d’un cristal bi-
atomique ionique (par exemple Na
+
Cl

) éclairé par une onde optique. Le
champ électrique de cette onde, de longueur d’onde beaucoup plus grande
que la maille cristalline, accélère les cations et anions dans des directions op-
posées. Les phonons à plus basses fréquences (signe − dans (2.108)) sont les
phonons acoustiques, le mouvement d’un plan réticulaire d’atomes à basse
fréquence ressemblant à celui d’une surface vibrante.
21
Cela explique que, bien que les phonons optiques présentent une courbe de dispersion
continue à travers la première zone de Brillouin, on observe dans l’infrarouge un seul pic
d’absorption par type de phonon à la pulsation ω
T
(voir figure (2.14)).
2. Notions physiques de base 81
2,1
2,12
2,14
2,16
2,18
2,2
2,22
0
2
4
6
8
10
12
0 1 2 3 4 5 6 7
I
n
d
i
c
e
d
e
r
é
f
r
a
c
t
i
o
n
C
o
e
f
f
i
c
i
e
n
t
d
'
a
b
s
o
r
p
t
i
o
n
(
c
m

1
)
Fréquence (THz)
Fig. 2.14 – Dispersion de l’indice de réfraction et du coefficient d’absorption
(ordinaires) du quartz cristallin à température ambiante (d’après [47]).
Au premier ordre, seuls les phonons optiques seront excités par une onde
électromagnétique, et ce phénomène ne se produit que dans les cristaux io-
niques (tableau (2.4)). L’excitation de phonons acoustiques par voie optique
nécessite l’excitation simultanée de plusieurs phonons : on observe cette ab-
sorption multi-phononique dans tout type de cristaux. Notons enfin que la
présence de défauts permet l’excitation de phonons acoustiques ou optiques
dans tout matériau. Dans le cas des phonons optiques excités dans les cristaux
ioniques, on détermine le mouvement des atomes induit par l’onde électroma-
gnétique en introduisant la force de Coulomb

F = −e

Ee
j ωt
dans l’équation
de la dynamique décrite plus haut. Puis on obtient la constante diélectrique
du milieu par l’intermédiaire du calcul de la polarisation, de manière sem-
blable à celle décrite pour le modèle de Drude (relation (2.96)). On obtient :
ε
r
= ε

+
N e
2
M ε
o

2
T
−ω
2
)
(2.109)
Phénomènes magnétiques
Les phénomènes magnétiques que nous traiterons ici sont de deux ordres :
soit ils résultent de la réponse du milieu à une excitation magnétique, soit ils
apparaissent dans des milieux magnétiques.
Fréquence cyclotron Lorsqu’un champ magnétique

B est appliqué à un
milieu dans lequel sont présentes des charges libres (électrons et/ou trous),
ces dernières sont soumises à la force de Lorentz :

F = q v

B (2.110)
82 Optoélectronique térahertz
Cristal f
T
= 2πω
T
en THz λ
T
en μm
AgCl 3,09 97,10
CdTe 4,50 66,60
NaCl 4,92 61,00
InSb 5,21 57,60
ZnTe 5,70 52,60
ZnSe 6,45 46,50
GaAs 8,00 37,50
InP 9,12 32,90
ZnO 12,40 24,20
Tab. 2.4 – Fréquence des phonons optiques de quelques cristaux.
En résolvant l’équation fondamentale de la dynamique dans le cas du régime
stationnaire, on montre que les charges décrivent un mouvement circulaire à
la pulsation cyclotron ω
c
, dont l’axe de rotation est la direction du champ
magnétique :
ω
c
= q
B
m
eff
=⇒ f
c
= 28,3
B
m
eff
GHz/Tesla (2.111)
m
eff
est la masse effective des charges. Le tableau (2.5) donne les valeurs
des masses effectives des électrons de plusieurs cristaux, et leurs fréquences
cyclotron par unité de champ magnétique appliqué.
Semi-conducteur m
eff
/m
o
f
c
(THz) pour 1 Tesla
GaAs 0,070 0,404
GaSb 0,047 0,602
InAs 0,026 1,088
InSb 0,015 1,887
Tab. 2.5 – Masse effective des électrons et leur fréquence cyclotron pour
quelques semi-conducteurs.
Magnons Dans un matériau ferromagnétique, l’aimantation résulte de
l’orientation ordonnée des moments magnétiques des atomes et des électrons.
Ces spins peuvent être excités de telle façon que l’extrémité du vecteur spin
tourne autour de sa direction à l’état fondamental (phénomène de préces-
sion). Dans un matériau ferromagnétique, cette excitation peut se propager
d’atome en atome. Ces oscillations propagatives de l’orientation des spins
du matériau sont appelées onde de spin, et leur quantum d’énergie est le
magnon. La courbe de dispersion des magnons est calculée à partir de l’éner-
gie d’interaction (U = −2J

p

S
p

S
p+1
, J étant l’intégrale d’échange) entre
2. Notions physiques de base 83
les 2 spins

S
p
et

S
p+1
des atomes voisins p et p + 1 du milieu aimanté :
¯hω = 2 J S
_
Z −

n
cos(

k r
n
)
_
(2.112)
où Z est le nombre d’atomes voisins proches en interaction, et r
n
est le vecteur
qui relie chacun de ces voisins à l’atome central. Pour les faibles valeurs de
k, cette relation prend l’expression approchée ¯hω = 2 J S a
2
k
2
= Dk
2
, où D
vaut respectivement 281, 364 et 500 meVA
2
pour le fer, le nickel et le cobalt.
La courbe de dispersion ω(

k) des magnons est généralement déterminée par
diffusion de neutrons dans les gammes de 0 à quelques THz [48].
Effets magnétiques photo-induits Un faisceau lumineux permet de mo-
difier les propriétés magnétiques d’un matériau grâce à l’excitation optique
de porteurs. Dans les métaux, l’excitation de niveaux excités des atomes
portant un moment magnétique, tels que Fe
3+
, résulte dans des phénomènes
de variation de l’aimantation qui est très rapide (de l’ordre de la ps, par
exemple dans le nickel [49]). L’excitation optique de semi-conducteurs non-
magnétiques ou magnétiques, tels InMnAs, conduit à des non-linéarités op-
tiques dont l’origine est l’excitation du plasma électron-trou, plasma mettant
en jeu le ferromagnétisme, la structure de bande, les vibrations du réseau, des
excitons... Les dynamiques de la population des spins des charges libres ainsi
que la population des porteurs elle-même contribuent à ces non-linéarités
optiques.
Dans les matériaux semi-conducteurs magnétiques, tels InMnAs, le ma-
gnétisme du matériau ordonne l’orientation des spins des électrons libres
photo-excités. Cet ordre est maintenu pendant plusieurs ps, puis disparaît
sous l’effet des collisions ou du piégeage des charges [50]. Des résultats sem-
blables sont observés dans des semi-conducteurs non magnétiques, où les
spins électroniques sont orientés par l’application d’un champ magnétique ex-
térieur [51]. Ces observations stimulent actuellement beaucoup de recherches
pour mettre au point de l’électronique basée sur le spin (spintronics) à très
haute fréquence (THz). La mesure de telles non-linéarités magnéto-optiques
est généralement effectuée avec des techniques MOKE (magneto-optical Kerr
effect ) [49, 52], c’est-à-dire en enregistrant la rotation de polarisation d’un
faisceau lumineux réfléchi par l’échantillon, la résolution temporelle picose-
conde étant atteinte grâce à des méthodes pompe-sonde.
Supraconducteurs
La supraconductivité trouve son origine dans la déformation du réseau
cristallin induite par le champ électrique d’une charge libre par l’intermé-
diaire des phonons. Cette déformation crée une zone chargée positivement
84 Optoélectronique térahertz
autour de la charge, qui piège une seconde charge libre. Cette paire d’élec-
trons, appelée paire de Cooper, se comporte alors comme un boson qui n’in-
teragit pratiquement pas avec le réseau cristallin. L’application d’un champ
électrique déplace sans difficulté les paires de Cooper, résultant dans une
conductivité infinie pour le matériau supraconducteur. L’énergie de couplage
des paires de Cooper est très faible, la théorie BCS donnant exactement :
E
Cooper
= 3,5 k
B
T
c
⇒ f
Cooper
(THz) = 0,073 T
c
(2.113)
T
c
est la température critique du matériau, au-dessus de laquelle la supra-
conductivité disparaît. Les supraconducteurs à basse température critique se
comportent donc comme des conducteurs idéaux lorsqu’ils sont soumis à des
champs de fréquences inférieures à quelques centaines de GHz. À plus hautes
fréquences, les paires de Cooper sont brisées et le matériau devient résistif. La
durée pendant laquelle les électrons sont séparés avant de réformer une paire
de Cooper peut être aussi brève que quelques ps dans les supra-conducteurs
à haute T
c
[53]. Il est donc possible d’utiliser les supra-conducteurs pour fa-
briquer des photocommutateurs dédiés à la génération et à la détection de
rayonnement THz.
2.3.9 Photogénération dans les semi-conducteurs
La génération de porteurs dans des semi-conducteurs est un phénomène
complexe aux applications technologiques multiples au premier plan des-
quelles la détection de la lumière, et, dans le domaine THz, les émetteurs
et détecteurs à photocommutation. Pour les applications THz, comme nous
l’avons déjà vu, des événements de durée picoseconde sont mis en jeu, et
il faudra donc synthétiser et utiliser des semi-conducteurs dont les porteurs
photogénérés ont une durée de vie aussi courte.
Principes de base
Dans un semi-conducteur intrinsèque (non dopé) à température nulle, les
états d’énergie de la bande de valence sont complètement remplis alors que
ceux de la bande de conduction sont vides. À température non nulle, une
faible partie des électrons peuvent atteindre la bande de conduction grâce à
l’énergie thermique, en suivant la statistique de Fermi-Dirac. Lorsque le semi-
conducteur est dopé n, la densité d’électrons de conduction est augmentée
grâce aux atomes dopants qui peuvent être ionisés par effet thermique. Les
électrons de la bande de conduction peuvent se déplacer librement dans le
semi-conducteur : ce sont eux qui forment le courant électrique qui traverse
le semi-conducteur soumis à une différence de potentiel. Les électrons de
valence, liés à leurs atomes, ne contribuent qu’au courant de déplacement, qui
traduit la polarisation du nuage atomique sous l’action d’un champ électrique
variable.
2. Notions physiques de base 85
Lorsque le semi-conducteur est éclairé, les photons du faisceau lumineux
interagissent avec les électrons des bandes de valence et de conduction (ce
dernier cas, que nous n’étudierons pas ici, correspond au phénomène d’ab-
sorption par les porteurs libres (free carrier absorption) qui porte ces porteurs
à une haute énergie dans la bande de conduction (hot carriers)). On peut
traiter l’interaction photon-électron de valence comme un choc entre parti-
cules pendant lequel l’énergie et sa quantité de mouvement sont conservées.
Dans le cas à une dimension, ces lois de conservation s’écrivent :
_
E
photon
+E
k
= E
k

¯hk
photon
+ ¯ hk = ¯ hk

(2.114)
où k et k

, et E
k
et E
k
, sont les vecteurs d’onde et les énergies de l’électron
avant et après l’absorption du photon. La quantité de mouvement du photon
¯hk
photon
(≈ 10
−8
eVm/s pour des photons visibles) est négligeable par rap-
port à celle de l’électron. L’absorption de la lumière se fait donc à vecteur
d’onde constant (ce qui n’est plus vrai quand des phonons interviennent dans
le processus, qui est alors moins probable que celui d’absorption directe) :
_
hν +E
k
= E
k

k = k

(2.115)
La figure (2.15) montre les diagrammes énergétiques des processus les
plus communs de photo-excitation d’électrons libres. Le processus le plus
rencontré est l’absorption bande à bande qui est très efficace. Lorsque les
faisceaux lumineux sont très intenses, l’absorption multiphotonique est ob-
servée, principalement à 2 photons (TPA). Pour que l’absorption bande à
bande se produise, la conservation de l’énergie (2.115) impose que l’éner-
gie des photons incidents soit supérieure à celle E
gap
de la bande interdite.
Les semi-conducteurs sont donc transparents pour les longueurs d’onde su-
périeures à celle λ
gap
de la bande interdite dont les valeurs pour quelques
semi-conducteurs communs sont données dans le tableau (2.6).
Semi-conducteur λ
gap
Énergie du « gap » Mobilité Hall (e

)
μm eV cm
2
/V/s
GaAs 0,87 1,42 8 500
InP 0,92 1,35 4 600
Si 1,10 1,12 1 450
InAs 3,43 0,36 33 000
InSb 7,28 0,17 80 000
Tab. 2.6 – Bande interdite et mobilité Hall des électrons de quelques semi-
conducteurs.
86 Optoélectronique térahertz
t
+
BV
BC
e
-
t
+
BV
BC
e
-
hn
t
+
BV
BC
e
-
absorption
bande à
bande
absorption
depuis un
défaut
absorption
à 2 photons
Fig. 2.15 – Principaux processus de photogénération d’électrons libres dans
un semi-conducteur.
Les porteurs excités restent statistiquement libres pendant une durée ap-
pelée temps de vie. La désexcitation de ces porteurs libres, c’est-à-dire le
gel de leur position dans le cristal par perte d’énergie cinétique, se fait par
recombinaison électron-trou, ou bien par piégeage par des impuretés ou dé-
fauts. Dans le cas de la recombinaison électron-trou, il faut trouver dans
le matériau un électron libre et un trou capable d’accueillir l’électron. La
probabilité de recombinaison est proportionnelle au produit des densités n
d’électrons et p de trous. L’équation de la dynamique des porteurs, écrite ici
pour les électrons, prend la forme :
dn
dt
= g(t) −σ n(t) p(t) (2.116)
où g(t) est le taux de génération des électrons libres. Généralement, le nombre
de trous est élevé et peut être considéré comme ne variant pas dans les
interactions optoélectroniques (ce n’est pas vrai dans le cas de l’illumination
sous très faible intensité de nano-structures). On écrit alors l’équation de
dynamique des porteurs sous la forme simple :
dn
dt
= g(t) −
n(t)
τ
(2.117)
où τ est le temps de vie des électrons libres.
Un traitement plus rigoureux de la dynamique des porteurs doit aussi
tenir compte des phénomènes de diffusion (les porteurs de même espèce se
repoussent par répulsion coulombienne) et de conduction si un champ élec-
trique est appliqué. Dans le cas à 3 dimensions, l’expression (2.117) devient :
dn(t, r)
dt
= g(t, r) −
n(t, r)
τ
+∇
_
D

∇n(t, r)
_
+∇
_
μn(t, r)

E(t, r)
_
(2.118)
où r est le vecteur position, D est le coefficient de diffusion, μ est la mobilité
des porteurs.
2. Notions physiques de base 87
Quelques propriétés photoélectriques
Les semi-conducteurs utilisés pour la photocommutation doivent présen-
ter les propriétés suivantes :
– temps de vie des porteurs libres très court pour atteindre le domaine
des fréquences THz. Cette propriété est obtenue grâce à de nombreux
pièges à électrons apportés par des défauts introduits lors de la synthèse
du matériau. Ces pièges sont soit des défauts stœchiométriques (par
exemple excès d’arsenic ionisé dans GaAs épitaxié à basse température
(LT-GaAs)), soit structuraux (dans le cas de GaAs bombardé par des
protons, ou bien de silicium déposé sur saphir (SOS)). Le modèle de
recombinaison par les pièges de Schockley-Read-Hall indique que le
temps de vie des porteurs libres est proportionnel au temps moyen mis
par une charge pour parcourir la distance moyenne entre 2 pièges :
τ =
1
σ N
trap
v
th
(2.119)
où σ est la section efficace de piégeage, N
trap
est la densité de pièges, et
v
th
est la vitesse thermique des charges. Pour LT-GaAs, N
trap
peut être
ajusté dans la fourchette 10
16
∼ 10
19
cm
−3
, conduisant à des temps de
vie s’étendant de la dizaine de ps à moins que 100 fs ;
– grande mobilité des porteurs libres pour produire des courants intenses.
La mobilité des charges libres, déterminée statistiquement par l’occur-
rence des chocs entre charges et défauts ou phonons, est donc inver-
sement proportionnelle premièrement à la racine carrée de la masse
effective des charges –à cause de l’excitation des phonons optiques–,
ce qui favorise l’emploi de semi-conducteurs III-V ou II-VI dans ces
applications, deuxièmement à la densité d’impuretés, et donc requiert
des cristaux très purs ;
– haute résistivité hors éclairement. Dans un modèle de bandes parabo-
liques, cette résistivité est définie par l’expression :
1
ρ
dark
≈ n
dark
= 2
3
_
2πmk
B
T
h
2
exp
_
E
F
−E
G
k
B
T
_
(2.120)
La présence de porteurs libres dans la bande de conduction est à évi-
ter pour atteindre une haute résistivité, ce qui exclu les matériaux
dopés, et rend difficile l’obtention de bonnes performances avec des
semi-conducteurs à petit « gap » ((E
F
−E
G
) faible). Il faut aussi te-
nir compte de la conductivité par saut (hopping) par effet tunnel des
charges piégées d’un piège à l’autre dans le cas des matériaux ultrara-
pides, qui est, dans le modèle de Mott, proportionnelle à la densité de
pièges ;
– tension de claquage élevée. Le claquage est souvent lié à un phéno-
mène d’avalanche dans le semi-conducteur résultant de l’ionisation des
88 Optoélectronique térahertz
atomes sous l’impact des électrons libres fortement accélérés. Pour
GaAs, le claquage se produit pour des champs de l’ordre de la cen-
taine de kV/cm.
2.4 Lasers femtosecondes
Le rôle crucial, dans le renouveau des études de l’infrarouge lointain,
qu’ont joué les lasers délivrant des impulsions lumineuses de durée femtose-
conde justifie pleinement que la fin de ce chapitre sur les principes physiques
de base soit consacrée à la description de ces lasers.
2.4.1 Lasers à modes bloqués
Le fonctionnement de la grande majorité des lasers s’appuie sur l’ob-
tention d’une inversion de population dans un milieu actif, ce milieu étant
alors capable d’amplifier la puissance d’un faisceau lumineux le traversant.
En plaçant ce milieu dans un résonateur optique, par exemple de type cavité
de Fabry-Pérot, on forme un oscillateur optique grâce à la contre-réaction
apportée par la cavité. La cavité Fabry-Pérot possède des modes électroma-
gnétiques propres, qui correspondent à une répartition quantifiée du champ
électromagnétique au sein de la cavité qui trouve son origine dans les condi-
tions aux limites de la cavité. En considérant ici le cas simplifié d’une cavité
à une dimension (on suppose donc que la cavité est monomode transverse),
la fréquence de chaque mode longitudinal de la cavité s’écrit :
f
n
= n
c
2 L
(2.121)
où n est le numéro du mode et L est la longueur optique de la cavité
22
. Seules
les ondes de fréquence f
n
peuvent se propager dans la cavité. La largeur spec-
trale Δf d’un mode est proportionnelle aux pertes de la cavité (absorption et
fuite à travers les miroirs). Le spectre lumineux d’un rayonnement laser est
donc constitué par le peigne des fréquences propres de la cavité multiplié par
la réponse spectrale G(f) du gain du milieu actif. Son champ électrique E
laser
du faisceau laser s’écrit :
E
laser
=

n
G(f
n
) e
j(2πf
n
t+φ
n
)
=
+∞
_
0
G(f) e
j(2πf t+φ(f))
δ(f
n
) df (2.122)
où φ
n
est la phase de chaque mode n, et δ(f) est la fonction de Dirac.
L’intégrale peut être prolongée jusqu’à −∞ puisque G(f) = 0 en dehors
de la bande spectrale du gain du milieu actif. Cette intégrale est donc la
22
La longueur optique est l’intégrale du produit indice de réfraction par longueur
géométrique.
2. Notions physiques de base 89
transformée de Fourier inverse de G(f) e
j φ(f)
δ(f
n
). Si la phase φ
n
varie de
façon aléatoire d’un mode à l’autre, l’intensité du faisceau laser est bruyante.
En revanche, cette expression (2.122) prend une forme simple si les phases
de tous les modes sont identiques (φ
n
= φ, ∀ n) :
E
laser
= e
j φ
+∞
_
0
G(f)δ(f
n
) e
j 2πf t
df ∝ TF
−1
[G(f)δ(f
n
)]
= TF
−1
G(f) ⊗ TF
−1
δ(f
n
) =
˜
G(t) ⊗ δ(t
n
) (2.123)
où ⊗ représente le produit de convolution,
˜
G(t) est la transformée de Fourier
inverse de la courbe spectrale de gain, et t
n
= n
2L
c
. Le faisceau laser est donc
constitué d’une répétition d’impulsions lumineuses de période de récurrence
2L
c
, égal à 2 fois le temps d’aller-retour de la lumière dans la cavité, et dont
la forme temporelle est donnée par la transformée de Fourier inverse de la
courbe de gain. Le laser fonctionne alors en régime de modes bloqués (mode-
locked en anglais). En première approximation, la durée des impulsions est
égale à l’inverse de la largeur spectrale de la courbe de gain. Pour un laser
Ti:Sa, la largeur spectrale du gain est d’environ 100 THz, qui laisse espérer
des impulsions de durée aussi courtes que 10 fs.
2.4.2 Mise en phase des modes
Actuellement, une technique de mise en phase des modes a pris le des-
sus sur d’autres méthodes, comme la modulation intracavité ou l’autotrans-
parence induite dans des absorbants saturables liquides. Cette technique,
appelée KLM (pour Kerr lens modelocking) ou quelque fois « magic mode
locking » car découverte par hasard et initialement inexpliquée, est basée
sur l’effet Kerr optique dans le milieu actif, par exemple un barreau de sa-
phir dopé avec du titane. Dans un tel milieu, l’indice de réfraction augmente
légèrement sous forte illumination optique. Le barreau se comporte alors
comme une lentille convergente pour les hautes puissances optiques. Il suffit
alors de placer un diaphragme au point focal de cette lentille auto-induite.
Le diaphragme stoppera en partie les rayons non focalisés qui sont majori-
taires à basse puissance optique. Le régime impulsionnel, produisant de fortes
puissances crêtes, sera donc favorisé au détriment d’un fonctionnement en
continu. Notons que le fonctionnement impulsionnel est auto-entretenu lors-
qu’il a démarré (soit sur le bruit de fond, soit aidé par un élément perturba-
teur) : il s’agit ici d’une mise en phase passive des modes. D’autres méthodes
de mise en phase des modes sont aussi proposées, comme l’autotransparence
d’une couche semi-conductrice par génération de porteurs dans des miroirs
de type Bragg (système SESAM), ou bien la rotation de polarisation auto-
induite dans les lasers à fibre.
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Troisième partie
Composants
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Chapitre 3
Composants pour le régime
impulsionnel
3.1 Lasers femtosecondes
3.1.1 Introduction
On sait produire artificiellement des rayonnements électromagnétiques
impulsionnels depuis les travaux de Heinrich Hertz en 1888. Il utilisait pour
cela une source de haute tension qui chargeait un « résonateur » constitué
d’un fil ayant une petite coupure en son centre. Lorsque la différence de poten-
tiel était suffisante, une étincelle s’amorçait dans la coupure ce qui provoquait
une brutale augmentation du courant dans le fil suivie de quelques oscilla-
tions amorties. Le spectre émis par cette source s’étendait jusqu’à quelques
dizaines de MHz. Cette célèbre expérience permit de confirmer l’exactitude
de la théorie électromagnétique de Maxwell, en particulier son résultat prin-
cipal qui est la propagation dans le vide des ondes électromagnétiques à la
vitesse de 300 000 km/s.
La première classe des procédés utilisés pour produire des impulsions THz
est directement issue de l’expérience de Hertz. Si l’on arrive par un moyen
quelconque à produire dans un matériau une variation de courant sur une
échelle de temps voisine ou inférieure à la picoseconde, un rayonnement élec-
tromagnétique ayant un spectre de quelques centaines de GHz à quelques
THz pourra être émis. Nous nous limiterons ici aux méthodes optoélectro-
niques utilisées pour produire cette variation de courant. Elles mettent en jeu
des matériaux semi-conducteurs particuliers, au temps de réponse ultrabrefs,
ainsi que des lasers impulsionnels dont la durée des flashs est extrêmement
courte, typiquement de 50 à 500 fs.
La deuxième classe de procédés s’appuie sur les effets d’optique non-
linéaire découverts dans les années 1960. Ici, on utilise également des lasers
femtosecondes mais ceux-ci ne servent pas à générer des porteurs de charges
94 Optoélectronique térahertz
libres comme on en trouve dans les semi-conducteurs et les conducteurs.
Les impulsions de lumière perturbent les nuages électroniques des atomes
de cristaux transparents. Cette perturbation donne lieu à une polarisation
moyenne du cristal qui dure le temps de l’impulsion. Comme nous allons le
montrer, cette rapide variation de polarisation permet également de rayonner
un champ électromagnétique ayant un spectre s’étendant sur plusieurs THz.
Avant d’étudier les composants utilisés pour la génération proprement
dite, nous allons tout d’abord présenter le principe des sources optiques fem-
tosecondes ainsi que les matériaux semi-conducteurs utilisés et leur fabrica-
tion. Nous aborderons ensuite les deux techniques de génération et enfin nous
terminerons par les techniques de détection, qui, elles aussi, se répartissent
en deux familles.
3.1.2 Génération d’impulsions laser femtosecondes
Le développement des sources optiques « femtoseconde » a été initiale-
ment motivé par le besoin d’améliorer notre perception de la dynamique de la
nature, celle-ci étant ultimement limitée par la résolution temporelle des ins-
truments de mesure dont nous disposons. Avec les obturateurs mécaniques,
la résolution typique est milliseconde, alors que les illuminations strobosco-
piques permettent d’abaisser cette résolution à la gamme des microsecondes.
Les oscilloscopes électroniques à échantillonnage modernes repoussent cette
limite jusqu’à des gammes aussi courtes que la picoseconde. Cependant, dans
la nature, de nombreux phénomènes sont régis par des dynamiques dont les
échelles de temps sont encore bien plus courtes
1
, et c’est pourquoi le déve-
loppement d’outils encore plus rapides a fait l’objet de nombreux travaux
scientifiques depuis quarante ans. Ce sont les lasers impulsionnels qui ont
fait reculer la résolution temporelle des systèmes de mesure de trois ordres
de grandeurs supplémentaires jusqu’à des gammes de temps inférieures à la
dizaine de femtosecondes. Grâce à ces avancées, il est aujourd’hui possible de
suivre les dynamiques des molécules vibrationelles [54], le mouvement d’un
électron sur un état atomique excité [55] ou encore d’émettre des impulsions
dans la gamme de fréquence térahertz [56, 57]. Nous avons également signifi-
cativement amélioré notre connaissance sur la photosynthèse et la vision. De
plus, des développements technologiques nouveaux ont pu émerger tels que
les systèmes d’échantillonnage électro-optique [58] qui permettent d’évaluer
les performances temporelles ultimes des composants électroniques. Enfin,
l’extrême concentration en énergie de ces impulsions lasers a fait naître un
domaine entier de l’optique, l’optique non linéaire.
En 1960, six ans après l’invention du premier laser, De Maria et ses col-
laborateurs [59] ont produit les premières impulsions lasers ultracourtes de
1
Typiquement, le temps de réalisation d’une réaction chimique simple (par exemple
oxygène + hydrogène = eau) est de l’ordre de la picoseconde, tandis que le temps d’exci-
tation du cortège électronique d’un atome est de quelques femtosecondes.
3. Composants pour le régime impulsionnel 95
durée typique de quelques picosecondes. Depuis, les progrès spectaculaires de
la technologie ont permis de générer des impulsions de plus en plus courtes,
diminuant d’environ un facteur deux tous les trois ans [60]. Les impulsions les
plus brèves émises actuellement par les lasers incorporant les derniers perfec-
tionnements sont de durée proche de 5 fs pour une longueur d’onde d’émission
λ = 780 nm [61], et après compression, atteignent des durées aussi courtes
que 3,4 fs [62]. On atteint là une limite fondamentale, car la période d’oscil-
lation de ce rayonnement est T = λ/c = 2,6 fs, ce qui signifie que les champs
électrique et magnétique n’effectuent que deux oscillations dans l’enveloppe
de l’impulsion. Pour franchir « la barrière » femtoseconde, il est nécessaire
d’utiliser un rayonnement de longueur d’onde beaucoup plus courte, c’est-à-
dire appartenant au domaine de l’ultraviolet extrême. Il n’existe pas encore
de laser dans cette gamme spectrale. Ce sont de nouvelles sources basées sur
la génération d’harmoniques élevées qui ont récemment permis de franchir
la barrière de la femtoseconde, ouvrant ainsi le domaine de l’attoseconde
(1 attoseconde = 10
−18
s) au monde de la recherche [63].
3.1.3 Blocage de modes
Rappelons que le laser (light amplification by stimulated emission of ra-
diation) est un générateur de rayonnement cohérent par émission stimulée
constitué principalement d’un milieu amplificateur placé dans une cavité op-
tique. Une fraction de la lumière circulant dans la cavité est couplée vers
l’extérieur par un miroir de sortie partiellement transparent. Le laser opère
si le gain du milieu amplificateur est supérieur aux pertes introduites par la
cavité optique et par le couplage (c’est la condition de seuil pour l’établis-
sement de l’oscillation laser). Le gain du milieu amplificateur dépend de la
fréquence optique et son étendue spectrale varie suivant le milieu considéré.
Dans un laser, les fréquences d’oscillation permises se situent dans la
bande spectrale où la condition d’oscillation laser est vérifiée, et sont dé-
terminées par la géométrie de la cavité optique qui impose l’existence d’un
certain nombre des fréquences discrètes (modes). Ces fréquences sont déter-
minées par le fait que, dans la cavité optique, le champ électrique doit se
répéter à l’identique après un tour dans la cavité optique. Pour de nombreux
lasers, la largeur spectrale du milieu amplificateur recouvre un très grand
nombre de modes imposés par la géométrie, la lumière délivrée étant alors
multimode. Lorsque les modes permis oscillent de manière indépendante,
c’est-à-dire qu’ils présentent une phase aléatoire entre eux, l’émission de lu-
mière est continue et fluctue en intensité à cause des interférences entre les
différents modes. Il est cependant possible de manipuler les phases des dif-
férents modes pour obtenir une émission particulièrement intéressante : une
impulsion de lumière [64].
Pour créer une impulsion laser femtoseconde, il faut alors réussir à com-
biner les modes autorisés de fréquences voisines, de manière à ce qu’ils
96 Optoélectronique térahertz
s’ajoutent de façon constructive à un instant donné et de façon destruc-
tive aux autres instants. Il faut asservir rigoureusement les phases des dif-
férents modes individuels, c’est-à-dire les « bloquer en phase » de telle sorte
qu’ils présentent une relation de phase fixe entre eux et bien définie. Le
temps, pendant lequel les interférences restent constructives, définit la durée
de l’impulsion et dépend de l’écart entre les composantes de plus grande et de
plus petite fréquence : plus la différence maximum de fréquences est grande,
plus vite vont se manifester les interférences destructives entre les compo-
santes spectrales, faisant tendre vers zéro l’amplitude du champ en dehors
du maximum de l’impulsion. On retrouve ainsi une loi générale de l’analyse
de Fourier, liant la durée minimale à l’inverse de la largeur spectrale. Le
spectre d’une impulsion ultracourte couvre ainsi une gamme de fréquences
très large. Il faut combiner jusqu’à plusieurs centaines de milliers de modes
pour créer des impulsions de quelques femtosecondes.
Le blocage en phase des modes du laser peut s’obtenir en imposant que
les pertes optiques soient plus importantes lorsque les modes ne présentent
pas la bonne relation de phase : il s’agit de favoriser le fonctionnement im-
pulsionnel [65]. Deux méthodes sont principalement employées pour effectuer
ce type de blocage de modes. La première consiste à placer dans la cavité
optique un élément actif comme un modulateur optique, on parle alors de
« blocage de mode actif », la seconde consiste à placer un élément non linéaire
passif comme un absorbant saturable, on parle alors de « blocage de mode
passif » [66].
Blocage de mode actif
Supposons qu’un modulateur d’amplitude soit placé à l’intérieur de la
cavité optique et que la période de modulation soit précisément ajustée au
temps d’un aller-retour de la lumière dans la cavité optique. Une impulsion
optique peut alors traverser le modulateur lorsque que les pertes introduites
par celui-ci sont minimales alors qu’il y a une atténuation de toutes radia-
tions qui n’arrivent pas au moment du pic de transmission de la modulation.
Le laser oscille donc sous forme d’une impulsion courte qui circule dans la
cavité optique et qui passe à travers le modulateur à chaque tour, précisé-
ment à l’instant où les pertes introduites par le modulateur sont minimales
comme illustré sur la figure (3.1). Il existe un large choix de modulateurs
électro-optiques ou acousto-optiques performants pour effectuer la modula-
tion d’amplitude intracavité.
Cette forme de modulation intracavité représente la forme la plus com-
mune du blocage de mode actif, dans lequel le processus de formation d’im-
pulsion est contrôlé et synchronisé par la fréquence de modulation appliquée.
Plus la durée de l’impulsion qui circule dans la cavité est réduite, moins les
pertes qu’elle voit en passant à travers le modulateur sont importantes, et ce
jusqu’à ce que la durée de l’impulsion devienne plus courte que la période de
3. Composants pour le régime impulsionnel 97
~ f=c/2L
a)
Temps
Gain saturé
Pertes
I(t) Intensité des
impulsions
0 T=1/f 2T 3T
Gain Modulateur
M
1
M
2
L
b)
Fig. 3.1 – a) Schéma d’un résonateur laser qui fonctionne en régime de blo-
cage de mode actif. L est la longueur optique de la cavité. Le miroir M
1
couple la lumière avec l’extérieur et le miroir M
2
possède une très haute
réflectivité. Un signal électronique externe est appliqué au modulateur d’am-
plitude. b) Description dans le domaine temporel du blocage de mode actif.
Le taux de répétition des impulsions est donné par le temps mis par l’impul-
sion pour parcourir un tour de la cavité optique.
la modulation. Il en découle que le spectre de l’impulsion s’élargit et com-
prend donc plus de modes. La largeur spectrale de l’impulsion s’approche
alors de la largeur spectrale du gain du milieu amplificateur. La durée d’im-
pulsion limite pour un laser à blocage de mode actif résulte donc en général
d’un compromis entre les effets d’affinement de la durée d’impulsion du mo-
dulateur intracavité et les effets d’affinement spectral du milieu à gain du
laser.
Blocage de mode passif
La deuxième méthode très utilisée pour effectuer le blocage de mode et
ainsi générer des impulsions courtes est de placer un élément ou une cellule à
absorption saturable dans la cavité optique du laser. Un absorbant saturable
peut être tout type de matériau –solide, solution liquide ou gaz– pour lequel
l’absorption optique est constante à faible intensité mais diminue et sature
lorsque l’intensité du laser augmente. Ainsi l’absorbant saturable joue le rôle
d’un interrupteur de lumière commandé par la puissance lumineuse dans la
cavité. L’absorbant saturable reçoit en permanence la lumière, constituée de
très nombreux modes (fréquences). Parmi tous ces modes, seuls ceux qui
vibrent en phase (c’est-à-dire ceux dont l’intensité est maximale au même
98 Optoélectronique térahertz
instant) ont ensemble une intensité suffisante pour saturer les pertes op-
tiques de l’absorbant et le traverser (car leurs amplitudes s’ajoutent). Ainsi
le gain du milieu amplificateur est supérieur aux pertes (figure (3.2)). Les
autres modes s’opposent partiellement entre eux et peuvent même parfois se
détruire. La somme algébrique de leurs intensités est alors trop faible pour
saturer l’absorbant et ces modes sont absorbés.
a)
Gain saturé
I(t) Intensité des
impulsions
Pertes
Temps 0 T=1/f 2T 3T
b)
Gain
A.S.
L
M
1
M
2
Fig. 3.2 – a) Schéma d’un résonateur laser qui fonctionne en régime de blo-
cage de mode passif. Le miroir M
1
couple la lumière avec l’extérieur et le
miroir M
2
possède une très haute réflectivité. Un absorbant saturable (AS)
est utilisé pour obtenir une automodulation d’amplitude de la lumière à l’in-
térieur de la cavité optique. b) Description dans le domaine temporel du
blocage de mode passif. Le taux de répétition des impulsions est donné par
le temps mis par l’impulsion pour parcourir un aller-retour dans la cavité
optique.
Des approches alternatives qui reposent sur l’utilisation d’absorbants sa-
turables dit « artificiels » sont également mises en œuvre. Par exemple, des
lasers à blocage de modes passifs reposent sur la conjonction d’une non-
linéarité de type Kerr [7] dans le milieu amplificateur associée à une fente
de sélection spatiale qui joue le rôle d’absorbant saturable artificiel. L’effet
Kerr est une variation de l’indice de réfraction avec l’intensité dans la cavité.
Lorsque l’intensité dans la cavité et donc dans le milieu à gain est importante,
c’est-à-dire lorsque les modes vibrent en phase, la non-linéarité de l’indice de
réfraction se traduit par un effet de lentille convergente qui « autofocalise »
les rayons lumineux et ainsi réduit l’étendue spatiale du faisceau. Le diamètre
du faisceau est donc plus petit en régime impulsionnel qu’en régime continu.
Si l’on place une fente dans la cavité dont l’ouverture est plus petite que le
diamètre du faisceau en régime continu, mais supérieure à celui du faisceau
en régime impulsionnel, elle introduit davantage de pertes en régime continu
3. Composants pour le régime impulsionnel 99
et peu en régime impulsionnel. Le fonctionnement en régime impulsionnel est
alors favorisé.
Dans les lasers à blocage de modes passifs, l’effet de modulation est pro-
duit par l’impulsion laser elle-même ce qui veut dire que la modulation reste
toujours parfaitement synchronisée avec l’impulsion qui circule dans la cavité
optique et que l’effet de modulation peut devenir plus fort et plus rapide au
fur et à mesure que l’impulsion devient plus courte. Il en résulte que généra-
lement le blocage de mode passif conduit à des impulsions significativement
plus courtes que celles obtenues avec le blocage de mode actif.
3.1.4 Principaux lasers femtosecondes
Nous présentons dans cette section les principaux lasers femtosecondes
utilisés dans les applications optoélectroniques THz.
Le laser à saphir dopé titane (Ti:Sa) Le laser femtoseconde le plus
couramment utilisé est le laser solide à saphir dopé au titane (Ti:Sa). Le
cristal de saphir dopé avec l’ion titane présente entre autres propriétés une
très large bande d’émission entre 700 nm et 1 100 nm. L’absorption du ma-
tériau étant « dans le vert », ce type de laser Ti:Sa doit être pompé par un
laser argon refroidi par eau ou un laser à solide doublé en fréquence (532 nm)
de quelques watts (minimum 2 W). Le mécanisme de blocage de mode de
ce laser femtoseconde repose sur l’autofocalisation par effet Kerr. Ce type de
laser détient le record des impulsions les plus courtes, de durée 3,4 fs [62].
Le laser standard Ti:Sa à blocage de mode passif est largement disponible
dans le commerce (Coherent, Spectra Physics...) et délivre des impulsions
de durée typiques allant de valeurs inférieures à 10 fs (Femtolasers
2
) jusqu’à
plusieurs ps, l’énergie des impulsions, qui dépend de leur durée, s’étendant
typiquement de la dizaine de pJ à quelques nJ. Le laser Ti:Sa peut être mis
en série avec un amplificateur régénératif pour augmenter significativement
l’énergie des impulsions et atteindre ainsi des énergies de l’ordre du mJ.
Le laser à gain dopé à l’ytterbium Une nouvelle génération de lasers
femtosecondes pompés par diodes se développe depuis quelques années. Il
s’agit de lasers solides qui s’appuient sur de nouveaux milieux à gain do-
pés à l’ytterbium [67]. La structure spectroscopique des matériaux dopés à
l’ytterbium est adaptée au pompage par diodes, ce qui permet de s’affranchir
des lasers de pompe dans le vert utilisés pour les lasers Ti:Sa. Il en résulte
un encombrement moindre et un coût significativement réduit. De plus, ces
lasers solides délivrent des énergies de sortie jusqu’à 20 fois plus importantes
que celles délivrées par les lasers Ti:Sa conventionnels [68]. Les modèles com-
merciaux les plus récents (par exemple de la société Amplitude Systèmes)
2
www.femtolasers.com
100 Optoélectronique térahertz
présentent des durées de 200 fs à 500 fs pour une énergie par impulsion de
20 nJ jusqu’à 500 nJ respectivement. La longueur d’onde d’émission se situe
autour de 1 060 nm.
Le laser à fibre Le développement de la technologie dite fibrée a favo-
risé l’émergence de lasers à fibre femtosecondes [69]. Ce sont des références
en termes de compacité et de facilité d’emploi. Ils présentent également un
faible coût comparé à l’ensemble des lasers solides. Les lasers qui sont conçus
autour d’une technologie de fibres monomodes dopées Erbium (Calmar Opt-
com, IMRA) présentent une bande spectrale d’émission accordable autour de
1 535 nm à 1 560 nm, la longueur d’onde centrale des systèmes de télécom-
munication longue distance. Un absorbant saturable à semi-conducteur est
présent dans la cavité optique pour réaliser le blocage de mode passif et des
impulsions de durées typiques de 100 fs [70] sont ainsi délivrées. Les énergies
des impulsions étant intrinsèquement faibles (autour de la dizaine de pJ),
des amplificateurs à fibre sont ajoutés en sortie du laser afin d’atteindre des
énergies par impulsion de l’ordre du nanojoule.
De nombreux domaines de recherche et d’application bénéficient du déve-
loppement des sources optiques femtosecondes. Ces lasers sont notamment au
cœur des systèmes optoélectroniques qui mettent en jeu des impulsions THz.
3.2 Matériaux semi-conducteurs
pour l’impulsionnel
3.2.1 Recombinaison des paires électrons-trous
Le principe d’un photocommutateur est relativement simple : il suffit
de disposer d’un semi-conducteur de bande interdite adaptée à la longueur
d’onde du laser impulsionnel utilisé et de réaliser sur celui-ci deux électrodes
pour appliquer une polarisation. En éclairant l’espace inter-électrodes, on
rend le matériau conducteur et on ferme ainsi le circuit électrique. Cepen-
dant, une fois les paires électrons-trous créées en grand nombre dans le semi-
conducteur par une impulsion optique, le matériau doit revenir dans son état
initial (isolant) avant la prochaine impulsion. Sinon, on assiste à une aug-
mentation considérable du nombre de porteurs moyens et à une diminution
de la photomodulation du courant, et donc à une diminution de la puissance
THz émise. D’autre part, le photocourant deviendrait tellement intense que
le semi-conducteur supporterait difficilement la dissipation thermique asso-
ciée. Il est donc nécessaire que ces porteurs de charge se recombinent en un
temps inférieur à la période de répétition des impulsions laser. Par ailleurs,
comme nous le verrons, le temps de vie des porteurs joue un rôle crucial
dans la détection photoconductrice des impulsions THz. Ainsi, un matériau
3. Composants pour le régime impulsionnel 101
semi-conducteur optimisé pour la photocommutation picoseconde doit pré-
senter une haute résistivité hors éclairement (pour obtenir des signaux contras-
tés), des porteurs au temps de vie très court (pour obtenir des impulsions de
courant très brèves) et à très grande mobilité (pour obtenir des signaux in-
tenses), et enfin une grande tension de claquage (afin de pouvoir appliquer de
grandes tensions de polarisation en vue d’augmenter l’amplitude des signaux
électriques).
La recombinaison d’une paire électron-trou nécessite la libération d’une
énergie correspondant à la bande interdite. Dans les semi-conducteurs clas-
siques cette libération d’énergie peut se faire essentiellement suivant deux
processus : les recombinaisons radiatives (émission d’un photon) et non ra-
diatives (l’énergie est cédée au réseau cristallin ou à un autre porteur de
charge). La recombinaison radiative ne peut s’effectuer qu’à vecteur d’onde
constant [31]. On classe les semi-conducteurs en deux catégories : les semi-
conducteurs à bande interdite directe (GaAs, InP, InAs...) et les semi-
conducteurs à bande interdite indirecte (Si, Ge, AlAs...). Dans le premier
cas, une transition entre le minimum de la bande de conduction et le maxi-
mum de la bande de valence est possible à vecteur d’onde constant (transition
directe). Les recombinaisons radiatives sont donc relativement efficaces dans
ces matériaux, les constantes de temps de recombinaison sont typiquement
de quelques nanosecondes. Dans le second cas, la transition directe n’est pas
possible et l’absorption d’un phonon est nécessaire, les recombinaisons ra-
diatives sont très peu efficaces, la constante de temps est de l’ordre de la
microseconde à la milliseconde suivant la température du cristal.
On constate donc que les recombinaisons radiatives ne sont pas assez
rapides dans les matériaux usuels pour permettre l’utilisation de lasers fem-
tosecondes ayant des fréquences de répétition de 10 à 100 MHz (période 10
à 100 ns). La solution la plus employée consiste donc à augmenter l’efficacité
des recombinaisons non radiatives. On sait depuis les années 1960 que ces
recombinaisons sont importantes en présence de défauts dans le cristal semi-
conducteur. En général, ces défauts ne sont pas désirés dans les composants
électroniques ou optoélectroniques. Par exemple, ils réduisent fortement le
rendement des lasers à semi-conducteurs. Mais dans le cas des photoconduc-
teurs, ils sont tout à fait nécessaires pour diminuer la durée de vie des por-
teurs libres. Il faut cependant les introduire dans le cristal semi-conducteur
de manière contrôlée et reproductible. Par ailleurs, la mobilité des porteurs
doit rester la plus élevée possible afin d’avoir une modulation du courant la
plus élevée possible. Il convient donc d’introduire des défauts tout en conser-
vant une grande mobilité, ce qui est problématique puisque les défauts ont
tendance à diffuser les porteurs et donc à diminuer leur libre parcours moyen.
Deux techniques se sont développées pour parvenir à ce compromis : la crois-
sance à basse température et l’implantation/irradiation ionique.
102 Optoélectronique térahertz
3.2.2 L’épitaxie à basse température
des semi-conducteurs III-V
Épitaxie par jets moléculaires
L’épitaxie par jets moléculaires (EJM ou MBE en anglais pour mole-
cular beam epitaxy) est une technique utilisée dans le domaine des semi-
conducteurs pour faire croître des couches cristallines de haute qualité et
de quelques μm d’épaisseur sur des substrats monocristallins. Elle consiste
à placer le substrat dans une enceinte sous ultra-vide (<10
−8
torr) en face
de creusets contenant les éléments à épitaxier (les cellules). Dans le domaine
des semi-conducteurs III-V (les plus adaptés pour des applications optoélec-
troniques), le substrat est généralement du GaAs ou de l’InP. Les cellules
contiennent des matériaux de la colonne III du tableau périodique (alumi-
nium, gallium, indium sont les plus courants) et de la colonne V (phosphore
et arsenic sont les plus courants). Elles sont chauffées à une température
T
III
et T
V
respectivement pour les éléments III et les éléments V afin d’éva-
porer le matériau qu’elles contiennent. Le substrat est également chauffé à
une température T
s
. Les atomes ou molécules partent donc de la cellule et
se condensent sur le substrat. La très faible pression régnant dans l’enceinte
permet d’avoir un parcours cellule-substrat pratiquement sans collision (le
libre parcours moyen est supérieur à la taille de l’enceinte). D’une manière
générale, les éléments V sont beaucoup plus volatiles que les éléments III.
Pour obtenir des flux d’atomes identiques, on impose T
V
<< T
III
.
La croissance par épitaxie par jets moléculaires de couches de haute qua-
lité repose sur la règle des « trois températures ». De manière simplifiée : les
atomes des éléments III se condensent sur le substrat si T
s
< T
III
, d’autre
part il faut que les atomes d’éléments V s’accrochent aux atomes III mais
pas aux atomes V, donc il faut T
s
> T
V
. Si l’on maintient T
V
< T
S
< T
III
,
cela assure la stœchiométrie automatique du composé : égalité du nombre
d’atomes III et d’atomes V, à la seule condition que le flux d’atome V soit
supérieur au flux d’atomes III. L’excès d’atomes V se ré-évapore du substrat.
Pour le GaAs, cela impose une température T
s
de l’ordre de 550 à 650

C. La
vitesse de croissance est typiquement de l’ordre de 1 μm/h, ce qui correspond
à environ une couche atomique par seconde.
Croissance à basse température
À la fin des années 1980, on s’est aperçu que la croissance de couches
monocristallines de GaAs par EJM était possible jusqu’à des températures T
s
aussi basses que 200

C [71]. La règle des trois températures n’est visiblement
pas respectée : T
s
· T
V
. Si on envoie un excès d’atomes d’arsenic, celui-ci ne
peut se ré-évaporer suffisamment comme à 600

C. Le matériau est donc non
stœchiométrique : il contient un excès d’arsenic. Plus T
s
est basse, plus cet
excès est important. Expérimentalement, on a montré qu’il peut atteindre
3. Composants pour le régime impulsionnel 103
1 % pour des températures de l’ordre de 200

C. D’autre part, il est apparu
que le matériau obtenu (qualifié de GaAs basse température GaAs-BT ou
LTG-GaAs pour Low-Temperature-Grown GaAs) est très résistif et pouvait
permettre de supprimer des effets parasites dans les transistors GaAs.
Des études ont montré que l’excès d’arsenic est présent dans le cristal
de GaAs sous forme de défauts ponctuels en grande concentration. Plusieurs
types de défauts sont présents dans le GaAs-BT et permettent d’expliquer la
non stœchiométrie. Ce sont a priori : l’arsenic en antisite As
Ga
(c’est-à-dire
un As à la place d’un Ga), l’arsenic en site interstitiel As
i
(un As inséré
entre des atomes de la maille normale), et la lacune de gallium V
Ga
(un Ga
manquant). Toutefois, la stabilité thermique du GaAs-BT (voir paragraphe
suivant) montre que le défaut majoritaire est probablement un complexe
associant un As
Ga
et un As
i
que nous notons (As,As)
Ga
[72]. Pour une crois-
sance à 200

C, la concentration en défauts peut atteindre 10
20
cm
−3
. Cette
concentration est suffisante pour modifier la maille cristalline du GaAs : pour
une température de croissance de l’ordre de 200

C, elle est 0,1 % plus grande
que la maille normale.
L’antisite As
Ga
(ou l’antisite complexé) possède des niveaux d’énergie si-
tués vers le milieu de la bande interdite : il se comporte comme un donneur
profond. Ces donneurs participent à un phénomène de compensation avec les
accepteurs. Le matériau est alors très résistif (de l’ordre de 10
4
Ω.cm) car le
nombre de porteurs est extrêmement faible. En fait, le mécanisme de conduc-
tion semble être un mécanisme de transport par sauts. La concentration en
donneurs profonds est telle qu’une bande se forme. L’électron saute d’un site
donneur occupé à un site voisin vide.
Il faut signaler que le contrôle et le reproductibilité de la température
du substrat dans cette gamme (200-300

C) n’est pas une chose aisée car
les fours des bâtis d’épitaxie ne sont en général pas conçus pour cela et
les pyromètres classiques ne sont pas utilisables. Le matériau GaAs-BT tel
qu’il est obtenu après croissance n’a pas de réelles applications et il n’est
pas stable thermiquement : une élévation de température (un recuit) modifie
grandement le matériau.
Recuit
Plusieurs expérimentateurs se sont aperçus que les propriétés du GaAs-
BT étaient modifiées par un recuit dans la gamme 400-800

C. Le paramètre
de maille tend à revenir vers celui du GaAs standard pourtant l’excès d’arse-
nic est toujours présent dans le matériau. Plusieurs études on montré que la
densité de défauts ponctuels diminuait beaucoup avec le recuit jusqu’à deve-
nir indétectable (< 10
18
cm
−3
) pour des températures de l’ordre de 600

C.
Ce fait explique la variation du paramètre de maille. En 1990, Warren et
ses collaborateurs ont découvert que l’excès d’arsenic précipite sous forme
104 Optoélectronique térahertz
de nanocristaux d’arsenic (diamètre de quelques nm à quelques dizaines de
nm) [73]. L’évolution de la concentration de défauts et de la taille des précipi-
tés en fonction de la durée et de la température du recuit permet de montrer
que la dynamique de la précipitation est limitée par la diffusion de As
i
. Le
modèle communément admis est que les défauts ponctuels majoritaires après
épitaxie (antisites complexés) sont dissociés [74] :
(As, As)
Ga
→2As
i
+V
Ga
(3.1)
Les intersticiels, relativement mobiles à ces températures alimentent les pré-
cipités. Les lacunes diffusent et se recombinent vraisemblablement sur les
surfaces. Toutefois les propriétés électriques montrent que des antisites sont
encore présents après le recuit, dans certains cas la réaction serait donc :
(As, As)
Ga
→As
i
+As
Ga
(3.2)
Après le recuit, on a donc des précipités d’arsenic et des As
Ga
avec une
concentration de l’ordre de 10
16
à 10
17
cm
−3
.
Le GaAs-BT recuit à température suffisante est semi-isolant (résistivité
de l’ordre de 10
6
à 10
7
Ω.cm). La conduction par saut n’existe plus, mais
les expériences ont montré qu’il se comportait toujours comme un matériau
compensé par un donneur profond de type As
Ga
. Toutefois, une autre inter-
prétation a été avancée : les précipités d’arsenic sont métalliques et forment
donc des contacts Schottky avec le GaAs environnant. Les barrières de déplé-
tion correspondantes pourraient alors se recouvrir pour une densité suffisante
de précipités et rendre le matériau semi-isolant [73].
D’un point de vue technologique, le recuit du GaAs-BT est effectué soit
après la croissance dans le bâti d’épitaxie sous flux d’arsenic, soit dans un
four de recuit rapide. Cette dernière technique est la plus utilisée, le recuit
se fait sous flux d’azote ou d’argon et dure environ une minute. La gamme
de température de recuit la plus intéressante pour les aplications optoélec-
tronique est 550-650

C.
Photoconduction dans GaAs-BT
Le GaAs-BT recuit est semi-isolant, mais il peut être rendu conducteur
en l’éclairant avec des photons d’énergie supérieure à sa bande interdite (soit
1,42 eV à température ambiante), c’est le principe de la photoconduction. Le
temps de vie des porteurs photocréés est très court dans ce matériau, il peut
être très inférieur à la picoseconde [75]. Deux explications à ces durées très
courtes ont été proposées : la première met en jeu les précipités qui joueraient
le rôle de centres recombinants, la deuxième met en jeu les donneurs profonds
qui sont connus pour être des centres de recombinaison très efficaces. Celle-ci
semble plus satisfaisante car elle explique également que de courts temps de
3. Composants pour le régime impulsionnel 105
vie soient mesurés dans le matériau non recuit. Le mécanisme de recombinai-
son est le suivant : un électron est capturé par un donneur ionisé, qui devient
neutre et peut ensuite capturer un trou pour redevenir ionisé.
Le temps de recombinaison des porteurs dépend essentiellement de la
température de croissance de la couche qui fixe l’excès d’arsenic incorporé
dans le matériau. Il dépend également de la température de recuit, cependant
le comportement n’est pas simple car même si en général le temps de recom-
binaison augmente avec la température de recuit, dans certains cas (faible
excès d’arsenic) il diminue [76].
Pour obtenir des temps de vie très faibles, il faut baisser la température
d’épitaxie pour augmenter l’excès d’arsenic. Cependant lorsque la tempé-
rature devient trop basse (ou le flux d’arsenic trop important), la qualité
cristalline du matériau se dégrade fortement et une rugosité apparaît sur la
surface du matériau. Des études ont été faites pour diminuer le temps de
vie sans dégrader la qualité des couches. Une approche a consisté à doper la
couche avec un accepteur (le béryllium) afin d’augmenter la proportion de
donneurs profonds ionisés et de relaxer les contraintes mécaniques induites
par l’excès d’arsenic. Des temps de vie inférieurs à 100 fs ont été obtenus [77].
Mesure du temps de vie des porteurs
La mesure du temps de vie des porteurs est généralement faite par une
technique de réflexion ou de transmission optique résolue temporellement.
Celle-ci utilise un laser impulsionnel femtoseconde dans une configuration
pompe-sonde. Le laser est généralement de type Ti:Sa car sa gamme d’accor-
dabilité en longueur d’onde est bien adaptée à la bande interdite de GaAs. Le
faisceau est divisé en deux par une lame séparatrice, l’un d’eux (la pompe)
est environ 100 fois plus puissant que l’autre (la sonde). Le retard de l’un
par rapport à l’autre est rendu variable par une ligne à retard. Ces deux
faisceaux sont focalisés au même endroit sur l’échantillon, l’intensité de la
sonde est mesurée soit après réflexion sur l’échantillon, soit après traversée
de l’échantillon. Le substrat de GaAs sur lequel a été épitaxiée la couche est
au moins 100 fois plus épais que celle-ci, le faisceau de sonde n’est donc pas
mesurable après la traversée du substrat. La configuration en transmission
nécessite donc une attaque chimique de celui-ci, mais elle a comme avantage
d’exclure toute génération de porteurs dans le GaAs du substrat, ce qui gène
parfois l’interprétation du signal mesuré.
Le principe de la mesure est le suivant : la pompe a pour rôle de créer
des paires électrons-trous en grand nombre dans le GaAs. Si la sonde tra-
verse l’échantillon avant la pompe (par convention on dit que le délai est
négatif), elle est partiellement absorbée par la couche. Si la sonde traverse
l’échantillon en même temps ou un peu après la pompe (délai nul ou positif),
elle est moins absorbée par la couche car une grande concentration de por-
teurs est présente. Les états occupés par ces porteurs saturent l’absorption
106 Optoélectronique térahertz
-1 0 1 2 3
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0
T
/
T

(
U
.
A
.
)
Temps (ps)
Fig. 3.3 – Variation relative de transmission résolue temporellement d’une
couche de GaAs-BT de 1 μm d’épaisseur. La croissance a été faite à environ
200

C et le recuit à 580

C.
optique [31]. Si la sonde arrive longtemps après la pompe, les porteurs ont
eu le temps de se recombiner et on revient au cas du délai négatif. En faisant
varier le délai pompe-sonde, on peut tracer une courbe qui représente la sa-
turation de l’absorption optique engendrée par la pompe et qui varie comme
le nombre de porteurs présents dans le semi-conducteur. Cette courbe per-
met d’extraire le temps de vie des porteurs. La figure (3.3) représente une
mesure de transmission résolue temporellement effectuée sur une membrane
de GaAs-BT.
L’interprétation fine des mesures de réflexion (ou de transmission) résolue
temporellement est souvent difficile pour plusieurs raisons. Pour les délais
proches de zéro, les porteurs commencent par se relaxer et se thermaliser
dans la bande de conduction. L’absorption du faisceau sonde augmente de
nouveau, ce qui engendre une chute rapide du signal alors que le nombre de
porteurs n’a pratiquement pas varié. Ce phénomène dure quelques centaines
de femtosecondes et peut être minimisé en ajustant l’énergie des photons à
une énergie proche de la valeur de la bande interdite (supérieure de 10 à
30 meV). Le deuxième problème est que les dynamiques des électrons et des
trous ne sont pas séparées. Lorsque deux constantes de temps sont observées,
elles sont souvent attribuées aux deux types de porteurs.
La configuration de l’expérience pompe-sonde qui a été présentée est dite
« dégénérée » car les énergies des photons de sonde et de pompe sont iden-
tiques. Il existe des configurations non dégénérées où la sonde a une énergie
différente de la pompe. Une expérience intéressante consiste à sonder les
3. Composants pour le régime impulsionnel 107
porteurs avec une impulsion THz. La sonde transmise est alors modifiée par
l’absorption par porteurs libres induite par les porteurs. Ce type d’expé-
rience permet de mesurer simultanément le temps de vie des porteurs et leur
mobilité [78].
Alliages épitaxiés à basse température
Un des intérêts des semi-conducteurs III-V pour les applications optoélec-
troniques est la possibilité de former des alliages entre les différents composés
binaires. Ces alliages ont des bandes interdites comprises entre les bandes in-
terdites des binaires qui les composent. Ainsi, en mélangeant une proportion
x d’AlAs et (1 − x) de GaAs, on obtient un alliage Al
x
Ga
1−x
As. Celui-ci
possède une bande interdite supérieure à 1,42 eV car AlAs a une bande in-
terdite supérieure à GaAs. En mélangeant GaAs et InAs, la bande interdite
diminue.
L’Al
x
Ga
1−x
As-BT a été étudié et possède globalement des propriétés
semblables au GaAs-BT pour des concentrations d’aluminium inférieures à
15 %. Il est utilisé pour la détection par effet Franz-Keldysh pour laquelle on
a besoin d’un semi-conducteur isolant de bande interdite supérieure à celle
de GaAs.
Le Ga
1−x
In
x
As-BT a également été étudié. Toutefois, plus la concentra-
tion en indium augmente, plus la résistivité du matériau obtenu se dégrade.
Pour une concentration de 53 %, la résistivité est de l’ordre de quelques
Ω.cm et elle augmente avec le recuit au lieu de diminuer comme dans le cas
de GaAs-BT. Ce matériau n’est pas utilisable pour la réalisation de photo-
commutateurs, ce qui serait pourtant intéressant car il a une bande interdite
qui correspond aux longueurs d’onde utilisées pour les télécommunications
optiques (1,55 μm). Pour des concentrations de 10 à 20 %, des temps de vie
relativement courts et une résistivité modérée ont été obtenus.
3.2.3 Implantation et irradiation ionique
L’implantation et l’irradiation ionique sont des méthodes de création de
défauts [79] qui consistent à bombarder un matériau par des ions. Lors de
leur traversée dans la matière, les ions entrent en collision avec les atomes du
réseau cristallin et cèdent aux atomes une part de leur énergie. Si l’énergie
transmise est supérieure à une certaine énergie « seuil », déterminée par la
nature de la maille cristalline, l’atome-cible quitte son site cristallin, laissant
alors un site vacant, encore appelé lacune. À son tour, l’atome primaire dé-
placé percute d’autres atomes-cibles et peut provoquer ainsi une cascade de
déplacements atomiques. Ce processus se répète jusqu’à ce que l’énergie de
chacun des atomes en mouvement devienne inférieure à l’énergie de seuil ;
on parle alors de collisions secondaires. Ces déplacements élémentaires des
atomes dans le matériau-cible créent, en fin de compte, des lacunes, des sites
108 Optoélectronique térahertz
interstitiels et des anti-sites (remplacement d’un atome par un autre) qui
sont autant de défauts de structure.
À chaque collision avec les atomes du réseau cristallin, les ions perdent
une partie de leur énergie jusqu’à être complètement arrêtés lorsqu’ils ont cé-
dés toute leur énergie. Dans le cas de l’irradiation ionique, les ions possèdent
une énergie initiale importante et traversent complètement le matériau avant
d’avoir perdu toute leur énergie : cette technique n’introduit donc que des
défauts de structure. En revanche, dans le cas de l’implantation, les ions
possèdent une énergie initiale faible et sont arrêtés dans le matériau où ils
forment des impuretés ; l’implantation introduit donc, en plus des défauts de
structure, des impuretés (les ions implantés). Le programme TRIM (Trans-
port of Ion in Matter) développé par Haggmark et Biersack [80] permet par
simulation cumulative d’événements individuels de modéliser ces interactions
ion-matériau cible. Un paramètre essentiel qui intervient également dans les
mécanismes de création des défauts de structure est la masse de l’ion incident.
En effet, la quantité d’énergie cédée par l’ion incident aux atomes du réseau
est une fonction croissante de sa masse atomique [81]. Le bombardement par
des ions légers crée des déplacements élémentaires isolés donnant ainsi lieu à
des défauts de structure de type « ponctuel » alors que le bombardement par
des ions lourds crée principalement des cascades de déplacements et donne
lieu à des agglomérats de défauts élémentaires [82].
Durée de vie des porteurs
Les défauts de structure et les impuretés introduits par le bombardement
ionique agissent comme des centres de capture et de recombinaison pour
les porteurs libres. Les propriétés dynamiques des porteurs dans les semi-
conducteurs désordonnés ont été étudiées au moyen d’expériences de type
« pompe-sonde » et de photoluminescence résolue en temps. De nombreuses
études ont montré que l’implantation et l’irradiation ionique des matériaux
semi-conducteurs conduisent à une réduction significative du temps de vie des
porteurs libres. C’est une conséquence directe de la présence de centres de
capture et de recombinaison. Par exemple, l’implantation d’ions O et Si dans
du silicium déposé sur saphir [83, 84], l’implantation par des protons dans un
matériau de GaAs et d’InP [85, 86] ou encore l’irradiation par des ions lourds
du matériau GaAs [87] permet de raccourcir les durées de vie des électrons
à des valeurs sub-picosecondes. La figure (3.4) illustre l’évolution du temps
de vie des électrons en fonction de la dose d’ions dans des matériaux semi-
conducteurs irradiés et implantés. Notons que, dans le cas des matériaux
irradiés, ce sont uniquement les défauts de structure qui agissent comme
centres de capture pour les porteurs libres alors que les impuretés participent
également à la capture des électrons dans le cas des matériaux implantés. On
observe sur cette figure que le temps de vie des électrons varie de la centaine
de picosecondes à la centaine de femtosecondes. L’évolution montre que le
3. Composants pour le régime impulsionnel 109
0,1
1
10
100
10
12
10
13
10
14
10
15
T
e
m
p
s

d
e

v
i
e

(
p
s
)
Dose d’implantation (ions/cm
-2
)
Fig. 3.4 – Temps de vie des électrons en fonction de la dose d’ions φ. Les rec-
tangles correspondent à une implantation par des ions O dans le Silicium sur
Saphir (SOS). Les ronds correspondent à une implantation par des protons
dans le GaAs. Les traits pointillés représentent une loi en φ

1.
temps de réponse du matériau peut être aisément ajusté avec la dose d’ions
utilisés pour le bombardement. Ceci est crucial pour les diverses applications.
Une deuxième remarque importante concerne le mécanisme de capture des
électrons libres : le temps de relaxation est inversement proportionnel à la
dose d’ions pour des doses intermédiaires. Ceci est une simple conséquence
du fait que la probabilité de capture est d’autant plus importante que la
concentration de défauts est élevée. Cette évolution est très bien prédite par
la loi de Schockley-Read-Hall.
Matériaux bombardés
Comme tout processus de création de défauts, l’irradiation et l’implan-
tation ionique de couches semi-conductrices ont des répercussions évidentes
sur les propriétés électriques des matériaux [88]. Suivant les ions utilisés pour
le bombardement, leur masse et leur énergie initiale et suivant la structure
cristalline du matériau cible, les rôles des défauts de structure et des im-
plants sur les mécanismes de transport sont très différents. C’est pourquoi
les propriétés électroniques des matériaux sont spécifiques aux conditions
de bombardement. Dans cette partie, nous rapportons uniquement les ca-
ractéristiques optiques et électriques des matériaux dédiés aux applications
optoélectroniques THz.
110 Optoélectronique térahertz
Le GaAs bombardé En implantant ou en irradiant le matériau GaAs
avec une dose d’ions adaptée, il est ainsi possible de réduire le temps de vie
des électrons à des valeurs aussi courtes que 200 fs. Cependant, la résistivité
d’obscurité est très faible, proche de 2 Ωcm. Un moyen efficace pour aug-
menter la résistivité d’obscurité est d’effectuer un recuit pour guérir certains
défauts de structure [77]. Par exemple, le GaAs implanté avec des ions As à
une dose de 1 10
16
cm
−2
et recuit à 600

C présente un temps de vie des
porteurs d’une picoseconde et une résistivité d’obscurité de 510
4
Ωcm [89].
Ces valeurs sont comparables à celles obtenues avec le matériau de GaAs à
basse température de croissance puis recuit à une température proche de
600

C.
L’In
0,53
Ga
00,47
As bombardé Dans le matériau In
0,53
Ga
0,47
As épitaxié
en accord de maille sur InP, qui présente une absorption importante à la lon-
gueur d’onde des systèmes de télécommunication, une implantation aux ions
Fe suivie d’un recuit à 600

C conduit à des temps de vie des électrons d’en-
viron 300 fs [90] et une résistance d’obscurité estimée à quelques centaines
de Ωcm. Des études approfondies [90] ont mis en évidence que les niveaux
accepteurs profonds introduits par les implants de Fe compensent les don-
neurs intrinsèquement présents dans In
0,53
Ga
0,47
As et ainsi ancrent le niveau
de Fermi au milieu de la bande interdite. Une irradiation par des ions lourds
(Br) du matériau In
0,53
Ga
0,47
As conduit également à une réduction du temps
de vie des électrons jusqu’à 200 fs et à une résistivité d’obscurité de 5 Ωcm
grâce notamment à la présence des agglomérats de défauts élémentaires qui
possèdent une charge neutre [91].
3.3 Génération
3.3.1 Génération à base de semi-conducteurs
Photocommutateurs
Les photocommutateurs sont des dispositifs à semi-conducteurs très inté-
ressants pour l’émission d’impulsions électromagnétiques THz [92]. En effet,
ces dispositifs délivrent des signaux dont l’étendue spectrale peut atteindre
30 THz [93] et même 60 THz [94], et la puissance moyenne plusieurs di-
zaines de μW [95]. Dans un photocommutateur, deux contacts métalliques
sont déposés à la surface d’un matériau photoconducteur afin d’appliquer un
champ électrique de polarisation. Le mécanisme qui engendre l’émission d’un
faisceau THz par le photocommutateur commence par l’illumination de l’es-
pace inter-électrode du dispositif avec une impulsion laser ultracourte dont
l’énergie des photons est supérieure à l’énergie de la bande interdite. Il y a
alors création de paires électron-trou dans le matériau photoconducteur. La
variation rapide de la densité de porteurs et leur accélération par le champ
électrique forme un transitoire de courant. C’est la variation temporelle du
3. Composants pour le régime impulsionnel 111
courant à des échelles de temps sub-picoseconde qui, d’après les équations de
Maxwell, entraîne le rayonnement dans le milieu ambiant d’ondes électroma-
gnétiques dans la gamme de fréquence THz.
Pour concevoir des sources photoconductrices émettant des signaux de
forte puissance et composés de fréquences élevées, il est crucial de com-
prendre les différents aspects du processus d’émission THz. De nombreuses
études expérimentales et théoriques ont été menées pour analyser le transport
des porteurs dans les photocommutateurs. Les approches théoriques les plus
complètes reposent sur des modélisations Monte Carlo qui considèrent des
groupes de charges individuelles en mouvement [96]. Néanmoins, des modèles
plus simples, utilisant les équations à taux de population [97] et le modèle
de Drude-Lorentz, s’avèrent suffisants pour reproduire assez fidèlement les
formes d’onde mesurées expérimentalement [98–100].
Modèle Nous présentons ici un modèle simple à une dimension basé sur
les équations de transport de charge et de rayonnement dipolaire, qui permet
d’appréhender l’influence de nombreux paramètres sur les caractéristiques du
signal THz rayonné par les photocommutateurs. Rappelons que la densité
de photocourant dans le photocommutateur s’écrit comme la convolution
de l’enveloppe temporelle de l’impulsion optique excitatrice avec la réponse
impulsionnelle en courant du photocommutateur :
j(t) = P
opt
(t) ⊗[n(t) q v(t)] (3.3)
où ⊗ est le produit de convolution, P
opt
(t) la puissance optique excitatrice,
q, n(t) et v(t) sont respectivement la charge, la densité et la vitesse des
photoporteurs dans le photoconducteur.
L’évolution temporelle de la densité de photoporteurs est décrite par
l’équation (3.4), où G(t) représente le taux de génération des photoporteurs
et τ le temps caractéristique pendant lequel ces photoporteurs restent dans
la bande de conduction du semi-conducteur :
dn
dt
= −
n
τ
+G(t) (3.4)
τ est le résultat de la compétition entre la recombinaison radiative τ
rad
des
photoporteurs et leur capture par les niveaux de défauts τ
cap
:
1
τ
=
1
τ
rad
+
1
τ
cap
(3.5)
La dynamique des porteurs libres photogénérés dans le matériau photo-
conducteur est décrite par le modèle classique de Drude-Lorentz. D’après ce
modèle, la vitesse des porteurs est régie par l’équation différentielle suivante :
dv(t)
dt
= −
v(t)
δτ
+
q
m

E(t) (3.6)
112 Optoélectronique térahertz
où E(t) est le champ électrique qui agit sur les photoporteurs dans la struc-
ture, δτ est le temps moyen entre deux collisions des photoporteurs contre
des impuretés ou des défauts du matériau, et m

est la masse effective des
porteurs.
Le modèle de Drude-Lorentz, malgré sa simplicité, est bien adapté à
l’étude du transport de charges dans les photocommutateurs lorsque les
échelles de temps considérées sont supérieures au temps de collision
moyen [100]. En revanche, l’étude du transport de charges à des échelles
comparables au temps de collision moyen entre porteurs requiert des calculs
statistiques (modélisation Monte Carlo) du mouvement des porteurs.
On remarque que ce modèle associe, à chaque type de porteurs, une
masse effective unique. Or, la structure de bande dans les matériaux semi-
conducteurs est en réalité constituée de plusieurs vallées : la vallée centrale où,
dans les semi-conducteurs à gap direct, les électrons ont une masse effective
faible et donc une mobilité élevée, et les vallées latérales où les électrons sont
lourds et leur mobilité s’en trouve extrêmement réduite. Dans les conditions
classiques d’utilisation des photocommutateurs pour l’émission d’un signal
THz, les photoporteurs sont excités dans la vallée centrale de leur bande
de conduction. Une bonne approximation est alors de ne considérer qu’une
masse effective unique pour chaque population des photoporteurs. Cepen-
dant, nous verrons par la suite que, dans certaines conditions d’utilisation,
des photoporteurs sont transférés dans les vallées latérales ; l’approximation
d’une masse effective unique n’est alors plus appropriée. Notons que la contri-
bution des trous est mineure car leur masse effective est beaucoup plus grande
que celle des électrons. Ainsi, dans le cas du matériau GaAs, m

trou
= 0,51
et m

electron
= 0,063 dans la vallée centrale. Nous la négligerons donc pour
simplifier cette présentation.
Le photocommutateur est éventuellement couplé à une antenne dont les
caractéristiques sont définies par la géométrie des électrodes déposées sur le
matériau photoconducteur. Les antennes les plus courantes sont des antennes
dipolaires classiques qui se comportent comme des dipôles de Hertz [101]. La
figure (3.5) illustre les principales géométries d’antennes dipolaires réalisées.
Dans le cas où la détection s’effectue dans la région de champ loin-
tain [102], le champ électrique rayonné est alors directement proportionnel
à la dérivée temporelle de l’impulsion de courant qui traverse l’espace inter-
électrode du photocommutateur (voir chapitre sur les principes physiques de
base) :
E
THz
(t) ∝
dj(t)
dt
(3.7)
Notons que cette expression ne prend pas en compte la dispersion des
différents éléments optiques (lentilles, miroirs paraboliques) placés entre la
source THz et le détecteur pour imager le rayonnement THz sur le détecteur.
On trouvera dans les travaux de Jepsen et al. [100] une étude exhaustive qui
traite l’ensemble du système.
3. Composants pour le régime impulsionnel 113
Fig. 3.5 – Puissance THz rayonnée suivant la géométrie des électrodes mé-
talliques déposées sur le matériau photoconducteur. Les géométries des élec-
trodes sont schématisées en insert.
La résolution de ce système d’équations (3.3-3.7) permet d’obtenir de
nombreuses informations sur le profil temporel et spectral des impulsions THz
rayonnées par les photocommutateurs. Une solution analytique de ce système
d’équations, proposée par L. Duvillaret et collaborateurs [103], repose sur les
hypothèses suivantes :
– l’impulsion optique est supposée gaussienne :
P
opt
=
P
o
τ
laser
exp
_
−4 ln 2
_
t
τ
laser
_
2
_
(3.8)
– la durée de vie des photoporteurs est supérieure à la durée de l’impul-
sion optique excitatrice. Ainsi n(t) s’écrit :
n
(
t) ∝ exp
_

t
τ
_
(3.9)
– le champ appliqué est un champ constant E
DC
. La vitesse des porteurs
s’écrit alors simplement :
v(t) = q
δτ
m

_
1 −exp
_

t
δτ
__
E
DC
(3.10)
– le photocommutateur se comporte comme un dipôle de Hertz [101]. En
champ lointain [102], le champ électrique rayonné est proportionnel à
la dérivée temporelle de l’impulsion de courant.
La densité de photocourant dans la source photoconductrice s’écrit :
j(t) ∝
_
+∞
0
P
o
τ
laser
δτ
m∗
exp
_
−4 ln 2
(t −t

)
2
τ
2
laser

t

τ
_
_
1 −e

t

δτ
_
E
DC
dt

(3.11)
114 Optoélectronique térahertz
soit encore :
j(t) ∝ P
o
E
DC
δτ
m

e

t
τ

_
exp
_
˜ τ
2
laser

2
_
erfc
_
˜ τ
laser


t
˜ τ
laser
_
−exp
_
˜ τ
2
laser
4˜ τ
2
_
erfc
_
˜ τ
laser
2˜ τ

t
˜ τ
laser
__
(3.12)

1
˜ τ
=
1
τ
+
1
δτ
, τ étant la durée de vie des électrons et δτ le temps de
collision, et ˜ τ
laser
= τ
laser
/2

ln 2. Le spectre des impulsions THz rayonnées
par le photocommutateur s’exprime en calculant
3
la transformée de Fourier
de la dérivée temporelle de l’équation (3.12) :
E
THz
(f) ∝
P
opt
E
DC
δτf(τ
vie
− ˜ τ
vie
) exp(−(πf ˜ τ
laser
)
2
)
m

(1 −2iπfτ
vie
)(1 −2iπf ˜ τ
vie
)
(3.13)
La figure (3.6) représente le transitoire de courant au sein d’un photo-
commutateur classique, la forme d’onde rayonnée par celui-ci et son spectre
associé. Le pic principal (positif) du signal rayonné est attribué à l’établis-
sement du photocourant par l’injection des porteurs et leur accélération par
le champ statique appliqué à la structure photoconductrice alors que le se-
cond pic négatif (qui suit le pic principal) est attribué à la décroissance du
photocourant gouverné par le temps d’évacuation des photoporteurs.
À travers ce modèle, il apparaît que de nombreux paramètres, comme la
tension appliquée, la durée des impulsions optiques, le temps de vie des por-
teurs ou encore la puissance optique incidente influent sur les caractéristiques
du signal rayonné par les photocommutateurs. Ces effets seront décrits dans
le paragraphe suivant.
Caractéristiques des impulsions THz rayonnées
Effet de la tension appliquée L’amplitude du signal THz rayonné
est directement proportionnelle à la tension appliquée. Cette évolution, ob-
servée expérimentalement, est bien prédite par le modèle simplifié présenté
précédemment. En effet, pour un champ appliqué constant, la densité de
courant est proportionnelle au champ appliqué (équation (3.12)), lui-même
proportionnel à la tension appliquée. Le champ THz rayonné, qui dérive
temporellement de la densité de courant, est donc proportionnel à la tension
appliquée. La puissance rayonnée donnée par :
P ∝
_
+∞
−∞
[E
THz
[
2
dt (3.14)
est proportionnelle au carré de la tension appliquée P ∝ V
2
DC
.
3
Dans la formule (3.13), nous avons utilisé i
2
≡ −1 plutôt que j
2
≡ −1 car dans ce
chapitre, la lettre j désigne la densité de courant.
3. Composants pour le régime impulsionnel 115
,
,
,
,
Fig. 3.6 – En haut à gauche : impulsion de courant au sein d’un photocom-
mutateur excité par des impulsions optiques de 100 fs de durée. Le temps de
vie des porteurs dans le matériau photoconducteur est de 500 fs. En haut à
droite : l’impulsion rayonnée par le photocommutateur. En bas : le spectre
en amplitude associé calculé par transformée de Fourier rapide.
116 Optoélectronique térahertz
Lorsque la tension appliquée devient élevée, des expériences ont mis en
évidence une déformation de la forme d’onde des impulsions THz rayon-
nées [104–106]. La cause de cette non-linéarité est la suivante : lorsque les
électrons sont immergés dans un champ électrique intense, ils sont accélé-
rés brutalement et finissent par acquérir une énergie comparable à la diffé-
rence d’énergie entre la vallée centrale et les vallées latérales de la bande de
conduction. Une proportion importante d’électrons est alors transférée dans
les vallées latérales où leur masse effective est plus élevée. Ainsi, la masse
effective moyenne de la population électronique augmente, réduisant sa mo-
bilité moyenne. Il y a donc une décélération brutale des porteurs lorsqu’ils
sont transférés dans les vallées supérieures, ce qui entraîne une réduction de
la durée du pic principal de l’impulsion THz rayonnée [107]. Il s’en suit que le
spectre de l’impulsion THz s’élargit lorsque la tension appliquée augmente.
Ce phénomène est très bien prédit par les modèles de type Monte Carlo qui
prennent en compte les différentes vallées dans les bandes de conduction [108].
Effet de la durée de l’impulsion optique La durée de l’impulsion
affecte profondément le profil temporel du signal rayonné par les photocom-
mutateurs. La raison principale est que la durée de l’impulsion optique exci-
tatrice détermine l’intervalle de temps pendant lequel les photoporteurs sont
générés et donc le temps de montée de la densité de courant. Le transitoire
THz se raccourcit donc lorsque la durée de l’impulsion optique excitatrice
est réduite. La figure (3.7) représente les spectres rayonnés pour différentes
durées de l’impulsion optique excitatrice.
Fig. 3.7 – Amplitude du signal THz en fonction de la fréquence, calculé
pour différentes durées d’impulsion optique excitatrice. La durée de vie des
électrons est de 300 fs et le temps entre deux collisions de 30 fs.
3. Composants pour le régime impulsionnel 117
Fig. 3.8 – Amplitude du signal THz en fonction de la fréquence calculée
pour différents temps de vie des électrons. La durée de l’impulsion optique
excitatrice est de 120 fs et le temps entre deux collisions de 30 fs.
On observe que la partie basse fréquence du spectre du transitoire THz
reste inchangée pour une puissance optique moyenne fixée, alors que sa par-
tie haute est limitée par la durée de l’impulsion optique. Afin d’émettre un
rayonnement très large bande, il faut donc disposer d’impulsions optiques les
plus brèves possibles. A priori, l’énergie rayonnée par l’antenne photoconduc-
trice ne varie pas avec la durée de l’impulsion optique si le nombre de photons
par impulsion reste identique. Cependant, lorsque la durée de l’impulsion de-
vient très courte, l’élargissement spectral de l’impulsion optique inhérente
à la réduction de sa largeur temporelle peut entraîner une diminution de la
puissance rayonnée. En effet, la partie basse énergie du spectre de l’impulsion
optique incidente peut se situer dans la bande interdite du semi-conducteur,
où l’absorption du matériau est quasiment nulle. La concentration de por-
teurs photogénérés est alors plus faible. De plus, la partie haute énergie de
cette impulsion peut conduire un grand nombre d’électrons à être injectés
dans les vallées latérales où leur masse effective est plus élevée que dans la
vallée centrale [108]. La diminution de la concentration de photoporteurs et
de leur mobilité engendre une réduction de la puissance rayonnée.
Effet du temps de vie des porteurs L’influence du temps de vie des
porteurs sur les propriétés du signal rayonné est illustrée sur la figure (3.8).
Il s’agit de courbes calculées à partir de l’expression (3.13), tous les autres
paramètres étant fixés.
On observe une atténuation des composantes basse fréquence du spectre
lorsque la durée de vie des électrons est raccourcie, ce qui entraîne une
118 Optoélectronique térahertz
Fig. 3.9 – Amplitude du champ THz rayonné par des antennes photoconduc-
trices dipolaires en In
0,53
Ga
0,47
As irradié par des ions (triangles pleins) et en
GaAs BT (cercles ouverts) en fonction de la puissance d’excitation absorbée.
diminution et un décalage vers les hautes fréquences du maximum du spectre.
Dans la pratique, la réduction du temps de vie des porteurs s’accompagne de
l’altération d’autres paramètres du matériau comme la mobilité des photo-
porteurs, la résistivité d’obscurité du matériau et la tension de polarisation
maximale qui peut être appliquée au photocommutateur avant de l’endom-
mager. Pour appréhender l’évolution des caractéristiques du signal rayonné,
notamment en termes de puissance rayonnée, la prise en compte de l’ensemble
de ces paramètres est nécessaire.
Effet de la puissance optique excitatrice De nombreux travaux ex-
périmentaux ont montré que le signal THz rayonné croît linéairement avec
la fluence
4
optique incidente (ce qui est en accord avec le modèle présenté
précédemment) mais sature à forte fluence optique incidente (figure (3.9)).
De nombreuses équipes ont tenté d’identifier l’origine de la saturation du
signal THz qui limite fortement la puissance rayonnée par les sources photo-
conductrices. Les modèles théoriques ont en mis évidence que la saturation
du rayonnement THz avec la fluence optique est due à des effets d’écran-
tage du champ statique appliqué au photocommutateur. Les effets d’écran-
tage ont deux origines : l’écrantage radiatif dû à l’action retour du champ
rayonné dans le dispositif lui-même et l’écrantage de Coulomb dû au champ
de charges d’espace.
Contribution radiative L’écrantage par le champ rayonné a été très étu-
dié dans les photocommutateurs à large espace inter-électrode. La prise en
compte de cet effet dans l’expression du champ électrique rayonné s’obtient
4
La fluence est l’énergie du faisceau optique par unité de surface.
3. Composants pour le régime impulsionnel 119
en exprimant les champs électrique et magnétique à la surface du disposi-
tif. La longueur d’onde centrale des champs rayonnés étant petite devant
l’espace inter-électrode, les champs électrique et magnétique sont supposés
uniformes dans l’espace inter-électrode et les radiations s’expriment en termes
d’ondes planes. Le champ électrique rayonné E
THz
dépend de la fluence op-
tique F incidente sur l’antenne photoconductrice à travers une loi de satu-
ration simple [109–111] :
E
THz
∝ V
DC
F
F +F
s
(3.15)
où F
s
est la fluence de saturation donnée par :
F
s
=

e μ η
0
(1 +n)
(1 −R) (1 −exp(−αl))
(3.16)
où n est l’indice de réfraction du semi-conducteur, α son coefficient d’ab-
sorption, R le coefficient de réflexion, μ la mobilité des électrons et η
0
est
l’impédance du vide.
Cependant, cette loi de saturation ne s’applique pas aux photocommuta-
teurs à petit espace inter-électrode car, lorsque le diamètre du spot optique
est considérablement plus faible que la longueur d’onde centrale du rayonne-
ment THz, les conditions aux limites ne sont plus valides. En effet, les champs
électrique et magnétique varient à l’intérieur de l’espace inter-électrode et le
rayonnement produit est très divergent. Pour tenir compte de cet effet, il faut
alors faire appel à des modélisations numériques plus complexes [112].
Contribution coulombienne L’écrantage du champ appliqué à la structure
émettrice par le champ coulombien a également fait l’objet de multiples tra-
vaux expérimentaux et théoriques. L’origine du champ de Coulomb est la
suivante : après leur création, les électrons et les trous sont chassés dans des
directions opposées sous l’action du champ statique présent dans la structure.
Une polarisation de charge d’espace Q
CE
est alors induite par cette sépara-
tion spatiale des porteurs de signes opposés, produisant un champ électrique
s’opposant au champ qui lui a donné naissance. Lorsque la concentration
des électrons et des trous photocréés devient élevée (fortes puissances), ce
champ induit devient non négligeable. L’expression du champ coulombien
est la suivante :
E(t) = −
Q
CE
η ε
(3.17)
où η est le facteur de forme du matériau photoconducteur et ε est la constante
diélectrique du semi-conducteur aux fréquences THz [100]. η est égal à 3 dans
le cas des matériaux diélectriques isotropes. Dans le cas des photocommuta-
teurs à large espace inter-électrode (large par rapport aux longueurs d’onde
d’émission), le mécanisme d’écrantage coulombien est négligeable parce que
le temps nécessaire à l’apparition du champ d’écrantage est nettement su-
périeur à la durée des impulsions THz [113, 114]. À l’inverse, ce temps est
120 Optoélectronique térahertz
du même ordre de grandeur que la durée des impulsions THz dans le cas
des photocommutateurs à petit espace inter-électrode ; le champ Coulom-
bien contribue donc significativement aux effets d’écrantage.
Les travaux de Kim et ses collaborateurs [112] et de Siebert et ses colla-
borateurs [114] décrivent en détail les effets d’écrantage du champ statique
appliqué au photocommutateur dû à la partie radiative et coulombienne du
champ électromagnétique induit par la photogénération rapide de photopor-
teurs.
État de l’art Les photocommutateurs à base de GaAs BT, excités par
des impulsions optiques dont la longueur d’onde centrale est ∼ 800 nm,
présentent les meilleures performances. Excitées par des impulsions optiques
de durée 100 fs (délivrées par les lasers Ti:Sa commerciaux), ces antennes
photoconductrices émettent des impulsions THz dont la puissance moyenne
typique est de quelques μW [115] et l’étendue spectrale est de 3 THz [116]. La
distribution spectrale dépasse 30 THz [94] lorsque que les impulsions lasers
d’excitation sont plus courtes que 20 fs. Les photocommutateurs en GaAs
implanté par des ions [89] présentent des performances similaires [107].
Afin d’augmenter l’attractivité de ces émetteurs THz, des matériaux ac-
tifs de plus faible énergie de bande interdite que celle du GaAs ont été consi-
dérés car ils présentent une forte absorption à des longueurs d’onde où des
lasers à fibre compacts et de faible coût sont disponibles. La réduction de
l’énergie de la bande interdite conduit de plus à une augmentation de la mo-
bilité des porteurs (dans la famille des semi-conducteurs III-V) optimisant
ainsi la puissance rayonnée. Il a été montré que des antennes photoconduc-
trices en In
0,3
Ga
0,7
As épitaxié à basse température sur GaAs semi-isolant,
et excitées par des impulsions dont la longueur d’onde centrale est 1 060 nm,
délivrent des impulsions jusqu’à 3 THz [117]. Les antennes photoconduc-
trices constituées d’une couche active en In
0,53
Ga
0,7
As implantés ou irradiés
par des ions, excités par des impulsions optiques à 1 550 nm, rayonnent éga-
lement des impulsions qui s’étendent jusqu’à 2 THz [118, 119]. Enfin, les
matériaux GaAs
0,6
Sb
0,4
épitaxié à basse température et GaBiAs épitaxié
à basse température [120] présentent des propriétés optiques et électriques
prometteuses pour l’émission d’impulsions THz à partir d’un signal optique
à 1 060 nm [121].
Émission par effets de surface
Une des méthodes les plus simples à mettre en œuvre pour générer ef-
ficacement des signaux THz consiste à éclairer à l’aide d’un laser impul-
sionnel la surface d’un matériau semi-conducteur (GaAs, InP, InAs. . .). Les
signaux THz sont ainsi générés à l’aide d’un simple substrat ne nécessitant
aucune étape de fabrication technologique, et présentent des caractéristiques
de puissance et de spectre similaires à ceux obtenus par photocommutation,
3. Composants pour le régime impulsionnel 121
au prix cependant d’une puissance optique de pompe plus importante. Étu-
diée depuis 1990 [122], cette méthode fait encore aujourd’hui l’objet de re-
cherches et de développements visant d’une part à mieux comprendre les
phénomènes physiques mis en jeu et d’autre part à accroître l’efficacité de
génération [123]. Outre la simplicité de sa mise en place expérimentale (fi-
gure (3.10) pour une génération renforcée par champ magnétique), cette tech-
nique délivre des puissances de l’ordre du μW sur de larges spectres limités
uniquement par la durée de l’impulsion laser excitatrice. Si, d’un point de vue
applicatif, on dispose ainsi facilement d’une source de rayonnement THz, le
processus de génération lui-même permet d’obtenir des informations sur les
propriétés du semi-conducteur utilisé, telles que la mobilité des porteurs, la
structure des bandes énergétiques [124] ou leurs courbures au niveau de l’in-
terface lié à l’ancrage
5
du niveau de Fermi par les états de surface [107, 125].
D’autres phénomènes liés au matériau comme l’excitation de plasmas d’élec-
trons [126], de phonons optiques [127], de résonances cyclotron ainsi que les
phénomènes de couplage de ces différents modes [128] ont été étudiés.
Fig. 3.10 – Schéma expérimental d’émission THz par effet de surface.
La présence d’un champ magnétique renforce la puissance d’émission
(d’après [129]).
Parmi les effets physiques qui sont à la source de la génération THz de
surface, on sépare généralement les effets liés à la polarisation instantanée du
milieu de ceux mettant en jeu des mouvements de charges électriques. Les
premiers sont des effets non linéaires d’ordre deux (redressement optique de
volume, shift current effect ) et n’apparaissent que lors de l’utilisation de sub-
strats orientés [111] ne présentant pas de centro-symétrie. Dans ce cas, ils sont
alors prédominants dès lors que la fluence optique est importante (kW/cm
2
).
5
pinning en anglais.
122 Optoélectronique térahertz
Ces effets seront traités dans le paragraphe suivant et nous ne nous intéres-
sons ici qu’à l’émission THz induite par mouvement de charges.
Lorsqu’une interface air/semi-conducteur est éclairée, une impulsion lu-
mineuse, le plasma d’électrons et de trous photogénérés, donne lieu à un cou-
rant de conduction et un courant de diffusion. En effet, au voisinage d’une
telle interface, la présence d’états de surface induit une zone surfacique de
déplétion ou d’accumulation qui est le berceau d’un champ électrique sta-
tique E
surf
perpendiculaire à l’interface et susceptible d’accélérer des por-
teurs libres. Par ailleurs, la photogénération de porteurs dans une zone d’ab-
sorption généralement fine (moins de 1 μm pour GaAs à 800 nm) donne lieu
à de fortes concentrations de porteurs (10
15
à 10
17
cm
−3
) qui favorisent les
phénomènes de diffusion dans la direction normale à la surface. La présence
de l’interface qui agit comme une surface réfléchissante pour les porteurs en
mouvement, ainsi que des mobilités très différentes entre trous et électrons,
engendre via la diffusion ambipolaire un déplacement du barycentre élec-
trique du plasma et donc un courant : c’est l’effet photo-Dember [130]. Ces
deux phénomènes (effet Dember et accélération par un champ de surface)
sont générateurs de courants transitoires eux-mêmes à l’origine de rayonne-
ment THz.
Les ordres de grandeurs des champs électriques mis en jeu dépendent for-
tement des propriétés du matériau utilisé. Pour le champ statique de surface
E
surf
, on a :
E
surf
(z) =
eN
D
ε
0
ε
r
(W −z) (3.18)
où W est la largeur de la zone de déplétion créée à la surface qui dépend du
dopage du substrat et du potentiel électrique lié à la courbure de bande (typi-
quement 0,65 eV pour GaAs). Dans ce cas, et pour un dopage n = 10
17
cm
−3
,
on obtient à température ambiante une zone de déplétion de 100 nm de large
et un champ de surface de l’ordre de 15 MVm
−1
, valeur qui est du même
ordre de grandeur que celle obtenue par la polarisation d’un photocommu-
tateur de quelques μm de large. Afin de calculer la densité de courant créée
par ce champ, il faut tenir compte de la répartition selon la profondeur du
substrat des porteurs photogénérés. On a finalement [122] :
J
surf
(t) =

¯hω
[1 −R(θ)]
W
_
0
μE
surf
(z) e
−α z
dz
t
_
−∞
e

t−t

τ
I
0
_
t

_
dt

(3.19)
où α est le coefficient d’absorption à la longueur d’onde considérée, μ est la
mobilité des porteurs, τ est la durée de vie des porteurs libres dans la zone
de déplétion, I
0
(t) est le profil temporel de l’impulsion optique d’excitation
et R(θ) est le coefficient de réflexion du faisceau optique à la surface du
semi-conducteur qui dépend de l’angle d’incidence θ.
3. Composants pour le régime impulsionnel 123
Pour l’effet Dember basé sur les vitesses de diffusions différentes des trous
et des électrons photogénérés, l’expression du champ électrique créé est [130] :
E
D
=
kT
e
e
b
∂Δn
∂z
p +nb + Δn(1 +b)
(3.20)
où b est le rapport entre la mobilité des électrons et celle des trous, n et
p sont les concentrations de porteurs intrinsèques, Δn est la concentration
de paires électrons/trous photogénérées, T
e
est la température équivalente
du plasma liée à l’excès d’énergie transmise aux porteurs par les photons.
Des simulations du transport des porteurs dans Te [127] et GaSb [128] ont
donné des valeurs de E
D
pouvant varier entre 100 et 4 000 kV/m. Comme
pour l’accélération par champ statique de surface, la contribution de l’effet
Dember au courant transitoire dépend de la répartition selon la profondeur
des porteurs photogénérés, le courant est d’autant plus fort que le matériau
absorbe très fortement le faisceau laser.
À partir des équations (3.18-3.20), on peut tirer quelques règles reliant les
propriétés des matériaux à l’efficacité de génération THz par effet de surface.
Pour la génération assistée par champ de surface, le courant J
surf
est optimisé
pour un matériau à grande mobilité et à faible profondeur d’absorption :
les matériaux à faible gap (InSb, InAs) sont donc a priori favorisés mais
le rendement de génération est limité par une faible courbure de bande en
surface. Les matériaux à gap indirect sont peu efficaces à cause de leur grande
profondeur d’absorption. Ainsi retiendra-t-on, pour une utilisation à 800 nm,
InAs (dopé n et p) et n:GaAs ou GaAs à propriété de surface modifiée [107].
Pour la génération assistée par effet Dember, les matériaux à forte mobilité
(b = 95 pour InSb, b = 125 pour InAs) présentent les effets les plus marqués
mais avec un risque d’excitation vers des vallées énergétiques à faible mobilité
de porteurs si l’énergie des photons est très supérieure à l’énergie du gap (par
exemple, InSb éclairé à 800 nm).
L’ensemble des paires électrons-trous qui contribuent au courant transi-
toire au voisinage de la surface éclairée agit comme un ensemble de dipôles
rayonnant de manière cohérente, le retard de phase étant contrôlé par le
front d’onde du faisceau laser excitateur. Ainsi, si ce dernier est de diamètre
suffisamment grand devant la longueur d’onde THz (ce qui est valable pour
un diamètre de faisceau de l’ordre du millimètre), le rayonnement THz sera
collimaté et émis dans des directions définies par les lois de Snell-Descartes
étendues au domaine THz.
Les courants étant perpendiculaires à la surface du semi-conducteur,
chaque paire électron-trou agit comme un dipôle de Hertz et émet un maxi-
mum d’énergie dans la direction d’observation perpendiculaire (φ = 90

)
à l’axe du dipôle (loi en sin
2
(φ)), c’est-à-dire ici dans le plan du semi-
conducteur. Par ailleurs, l’onde émise est purement polarisée TM, ce qui
impose une contrainte sur l’orientation du détecteur dans le cas où celui-ci est
124 Optoélectronique térahertz
Fig. 3.11 – Amplitude du champ THz émis à la surface d’un cristal de InP:Fe
en fonction de l’angle d’incidence du faisceau laser polarisé TM. L’amplitude
est définie comme étant la différence entre maximum et minimum de la trace
temporelle (voir insert).
sensible à la direction de la polarisation du champ THz (cas d’un photocom-
mutateur). La figure (3.11) donne la variation expérimentale du maximum de
champ THz détecté dans la direction spéculaire θ pour un échantillon d’InP.
La comparaison avec l’équation (3.19) permet d’observer l’influence de l’angle
de Brewster situé vers 70

pour lequel le champ THz émis est maximal à cause
de l’absorption totale du champ optique polarisé TM. Cependant, la fraction
du champ THz collecté reste faible par rapport au champ émis par les di-
pôles. En effet, la forte différence d’indice entre le milieu d’émission (n = 3,6)
et le milieu ambiant (n = 1) limite à 17

l’angle au sommet du cône d’émis-
sion effective pour lequel le champ THz rayonné n’est pas totalement réfléchi
par l’interface semi-conducteur/air. Ce faible angle solide correspond de plus
à des valeurs angulaires pour lesquelles le rayonnement du dipôle est faible
comme le montre la partie gauche de la figure (3.12). On peut donc estimer
que la puissance THz effectivement détectée dans une configuration expéri-
mentale simple ne correspond qu’à un millième de la puissance réellement
émise.
Afin d’améliorer ce faible rendement total, on peut modifier les condi-
tions de réflexion totale interne en recouvrant le semi-conducteur d’une fine
couche de diélectrique de permittivité intermédiaire (par exemple du saphir),
ce qui permet de gagner un ordre de grandeur sur la puissance détectée. Par
ailleurs, un champ magnétique orienté à 45

de la surface réoriente les dipôles
oscillants par rapport à l’interface semi-conducteur/air et permet un meilleur
recouvrement entre la zone d’émission du dipôle et le cône de transmission
3. Composants pour le régime impulsionnel 125
Fig. 3.12 – Influence du champ magnétique oblique sur l’émission THz
d’après [123]. L’axe du dipôle tourne sous l’effet du champ ce qui améliore
la transmission vers l’air du champ émis sous la surface du semi-conducteur.
de l’interface semi-conducteur/air (comme le montre la partie droite de la
figure (3.12)). Ainsi des renforcements d’un facteur proche de 30 ont été
mesurés en utilisant un champ magnétique de quelques teslas [123]. Le ren-
forcement du champ THz dû à l’application d’un champ magnétique peut
aussi être expliqué par des effets de résonance cyclotron et de couplages
entre modes cyclotron et plasmon [123].
En résumé, les configurations expérimentales qui permettent d’obtenir les
meilleurs signaux THz sont proches de celle de la figure (3.10) dans laquelle
des impulsions brèves de longueur d’onde 800 nm et polarisées TM éclairent
sous incidence rasante et en présence d’un champ magnétique externe un
wafer d’InAs dopé n. Des puissances moyennes de l’ordre de quelques μW
sont obtenues pour une puissance optique moyenne incidente de l’ordre du
watt à 80 MHz. Obtenir des puissances supérieures est difficile, car l’utilisa-
tion de lasers amplifiés conduit rapidement à une saturation des champs THz
générés, principalement à cause de l’écrantage des champs statiques par les
porteurs photogénérés [125].
La variation rapide des champs électriques présents à la surface du maté-
riau peut initier des oscillations du plasma d’électrons ou de trous dans des
matériaux dopés n ou p. La fréquence d’oscillation est fixée par la concen-
tration de porteurs intrinsèques et la masse effective des porteurs. Elle est
typiquement de l’ordre de 1,5 THz pour du GaAs dopé n à 10
16
cm
−3
et
on peut alors observer un accroissement de l’émission THz autour de cette
fréquence [126]. D’autres types de renforcement peuvent être observés lors de
l’excitation de phonons optiques longitudinaux (vers 3 THz dans Te, PbTe,
CdTe [127]) voire lors de couplage de modes phonon-plasmon (vers 4 et 6 THz
dans InSb [128]).
3.3.2 Génération par redressement optique
Comme déjà expliqué dans le chapitre sur les principes de physique de
base (paragraphe 2.1.4), cette méthode [131] se base sur l’effet non linéaire
126 Optoélectronique térahertz
d’ordre 2 apparaissant dans certains matériaux et plus particulièrement sur
les cristaux diélectriques non linéaires comme le DAST
6
[132] ou le ZnTe.
Actuellement, vu la faible efficacité du processus, la génération de rayonne-
ment THz par redressement optique n’est possible qu’avec un faisceau laser
impulsionnel de puissance crête très élevée. Reprenons l’expression (1.34)
de l’intensité I(Ω, r) générée à la pulsation THz Ω par deux photons du
faisceau optique de pompe de pulsations respectives ω
1
et ω
2
telles que
ω
3
= ω
1
−ω
2
= Ω :
I(Ω, r) =
_
Ω
c
_
4
¸
¸
¸

χ :

E
1

E

2
¸
¸
¸
2
(

k
3
+ (

k
1

k
2
))
2
sinc
2
_
Δ

k r
2
_
(3.21)


k
i
représente le vecteur d’onde à pulsation ω
i
. Rappelons que cette ex-
pression est obtenue dans le cadre de l’interaction entre ondes planes.
Dans le cas d’un faisceau de pompe impulsionnel, il faut intégrer sur
toutes les composantes spectrales des impulsions :
I(Ω, r) =
_
pulse
4
_
Ω
c
_
4
¸
¸
¸

χ :

E
ω

E

ω−Ω
¸
¸
¸
2
(

k
Ω
+ (

k
ω

k
ω−Ω
))
2
sinc
2
_
Δ

k r
2
_
dω (3.22)
où E
ω
représente l’amplitude de la composante spectrale de pulsation ω du
spectre optique incident et Δ

k =

k
Ω
− (

k
ω

k
ω−Ω
). Supposons que les
faisceaux se propagent dans la direction z. On obtient :
I(Ω, x, y, z) =
_
pulse
_
Ω
c
_
4
¸
¸
¸

χ :

E
ω
(x, y)

E

ω−Ω
(x, y)
¸
¸
¸
2
(k
Ω
+ (k
ω
−k
ω−Ω
))
2
sinc
2
_
Δk z
2
_

(3.23)
où k est la longueur de

k suivant z. Le signal est maximum lorsque Δk = 0.
C’est la condition d’accord de phase. Utilisons alors la définition de la vitesse
de groupe
1
v
G
=
∂ k
∂ ω
de l’onde optique de pompe, autrement dit la vitesse de
déplacement de l’impulsion optique dans le cristal. En tenant compte que
Ω << ω, la condition d’accord de phase devient :
Δk = k
Ω
−(k
ω
−k
ω−Ω
) =
Ω
v
Ω

∂k
∂ω
Ω = Ω
_
1
v
Ω

1
v
G
_
= 0 (3.24)
où v
Ω
est la vitesse de phase de l’onde THz. La condition d’accord de phase
impose donc que :
v
Ω
= v
G
(3.25)
L’impulsion optique et les maxima de l’oscillation THz se déplacent à
même vitesse.
6
cristal organique DAST = 4-N, N-diméthylamino-4’-N’-méthylstilbazolium tosylate.
3. Composants pour le régime impulsionnel 127
Pour traiter rigoureusement le caractère impulsionnel dans le cas d’un
faisceau de pompe délivré par un laser femtoseconde, il convient de reprendre
le calcul à partir de l’équation de propagation initiale :

2
E(z, t)
∂z
2

ε
c
2

2
E(z, t)
∂t
2
= μ
o

2
P
NL
(z, t)
∂t
2
(3.26)
Nous avons fait ici l’hypothèse d’une propagation suivant la direction z
et d’une dépendance du champ uniquement en z (ce qui est vrai en première
approximation dans la zone de Rayleigh au voisinage du foyer d’une lentille).
On effectue alors la transformée de Fourier de cette équation pour passer
dans le domaine fréquentiel :

2
E(z, Ω)
∂ z
2
+ε(Ω)
Ω
2
c
2
E(z, Ω) = −μ
o
Ω
2
P
NL
(z, Ω) (3.27)
où Ω est la pulsation THz. Pour calculer l’expression de la polarisation non
linéaire, il faut tout d’abord écrire le champ de pompe de l’impulsion optique
incidente :
E(t) =
1
2
_
E
o
(t) e
j ω
o
t
+C.C.
¸
⇒ E(ω) =
1
2
[E
o
(ω −ω
o
) +E

o
(ω +ω
o
) ] (3.28)
ω
o
est la fréquence optique centrale du spectre de l’impulsion laser. Comme
indiqué précédemment, la polarisation non linéaire est obtenue en ajoutant
toutes les contributions des différentes composantes spectrales de l’impulsion
optique de pompe :

P
NL
(Ω) = ε
o
_
pulse

χ
NL
(Ω = ω −(ω −Ω))

E(ω)

E(ω −Ω)dω (3.29)
Loin des pics d’absorption du cristal, la susceptibilité non linéaire varie
peu sur la largeur spectrale de l’impulsion optique, et on écrit simplement

χ
NL
(Ω = ω−(ω−Ω)) =

χ
NL
(Ω, ω
o
). En tenant compte de cette hypothèse et
en supposant pour simplifier l’écriture qu’un seul terme du tenseur participe
au phénomène, la polarisation non linéaire prend une forme très simple :
P
NL
(Ω) =
1
2
ε
o
χ
NL
(Ω, ω
o
)
_
pulse
E
o
(ω)E
o
(ω −Ω)dω
=
1
2
ε
o
χ
NL
(Ω, ω
o
) [E
o
⊗E
o
] (Ω) =
χ
NL
(Ω,ω
o
)
n(ω
o
)c
I(Ω)
(3.30)
où [E
o
⊗E
o
] (Ω) =
_
pulse

E(ω)

E(ω −Ω)dω.
L’intensité du laser est I(Ω) =
1
2
ε
o
n(ω
o
)c [E
o
⊗E
o
] (Ω). Dans le cas
d’ondes planes, et lorsque le faisceau optique de pompe n’est pas affaibli
par la conversion non linéaire (approximation de la pompe non dépeuplée),
l’intensité de l’impulsion laser en un point z du cristal s’écrit :
I(t, z) = I
o
(t −
z
v
G
) e
−α
o
z
(3.31)
128 Optoélectronique térahertz
On en déduit les composantes spectrales de l’intensité en z :
I(z, Ω) = I
o
(Ω)e
j
Ωn
G
c
z
e
−α
o
z
(3.32)
où l’indice de groupe est défini par n
G

o
) = n(ω
o
) + ω
o
∂ n
∂ ω
¸
¸
ω
o
. On peut
alors reécrire l’équation de propagation non linéaire (3.27) :

2
E(z, Ω)
∂ z
2
+
Ω
2
c
2
k
2
Ω
E(z, Ω) = −Ω
2
μ
o
n(ω
o
)
χ
NL
(Ω, ω
o
) e
−j
Ω
c
n
G
z
e
−α
o
z
I
o
(Ω)
(3.33)
La solution de cette équation se met sous la forme :
E(z, Ω) =
μ
o
c
Ω
2
I
o
(Ω)
χ
NL
(Ω, ω
o
)
α(Ω)
2

o
+j
Ω
c
[n(Ω) +n
G
]

e
−j
Ω
c
n(Ω)z
e

α(Ω)
2
z
−e
−j
Ω
c
n
G
z
e

α
o
2
z
α(Ω)
2
−α
o
+j
Ω
c
[n(Ω) −n
G
]
(3.34)
Le dernier terme de cette équation est un rapport qui est maximum lorsque
l’absorption dans les domaines THz et optique est nulle (α(Ω) = α
o
= 0), et
qu’il y a accord de phase, comme obtenu précédemment. Le module de ce rap-
port est une longueur caractéristique de la génération THz par redressement
optique :
L(z, Ω) =
¸
¸
¸
¸
_
e
−α(Ω)z
+e
−2α
o
z
−2e

α(Ω)
2
z
e
−α
o
z
cos
_
Ω
c
[n(Ω) −n
G
] z
_
_
α(Ω)
2
−α
o
_
2
+
Ω
2
c
2
[n(Ω) −n
G
]
2
(3.35)
En l’absence d’absorption, on retrouve la dépendance en sinus cardinal
de l’intensité THz générée :
L(z, Ω) = z sinc
_
Ω
2c
[n(Ω) −n
G
] z
_
= z sinc
_
Δk
2
z
_
(3.36)
Exemple du cristal de ZnTe
Le cristal est pratiquement transparent aux fréquences optique et THz.
La dispersion de l’indice de réfraction, et donc la vitesse de groupe v
G
, sont
calculées avec l’équation de Sellmeier. Pour un laser de pompe de type Ti:Sa
(λ ≈ 0,8 μm), l’accord de phase est réalisé à 2,3 THz comme le montre la
figure (3.13).
La figure (3.14) présente comment varie la longueur critique l
c
= π/Δk
en fonction de la longueur d’onde du faisceau de pompe.
3. Composants pour le régime impulsionnel 129
-6
-4
-2
0
2
4
6
8
10
0 1 2 3
Fréquence en THz
I
n
t
e
n
s
i
t
é

e
t

l
o
n
g
u
e
u
r

c
r
i
t
i
q
u
e

(
U
.

A
.
)
Intensité THz
Longueur critique
Fig. 3.13 – Accord de phase et longueur de cohérence dans le ZnTe.
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0 1 2 3 4 5
Fréquence en THz
L
o
n
g
u
e
u
r

c
r
i
t
i
q
u
e

(
c
m
)
750 nm
780 nm
800 nm
850 nm
Fig. 3.14 – Longueur critique en fonction de la longueur d’onde de pompe.
130 Optoélectronique térahertz
Fig. 3.15 – Évolution du champ THz et de son spectre en différents points
du cristal.
On constate que pour λ < 800 nm, l’accord de phase est réalisé vers de
plus hautes fréquences THz. Au contraire, pour λ > 800 nm, l’accord de
phase est obtenu à de plus basses fréquences THz. En effet, l’expression de
vitesse de groupe au voisinage de λ est :
v
G
=
c
n(λ) −λ
∂ n
∂ λ
(3.37)
Une augmentation de la longueur d’onde a pour conséquence une diminu-
tion de la vitesse de groupe, ce qui se traduit par une augmentation de la
fréquence THz d’obtention de l’accord de phase. L’évolution de E(z, t) et
de E(z, Ω) est présentée sur la figure (3.15). On constate qu’au cours de
la propagation dans le cristal, le spectre I(z, Ω) s’affine autour d’une fré-
quence particulière pour laquelle l’amplitude est maximale. Cette fréquence
est celle pour laquelle l’accord de phase est réalisé, ici autour de 1,9 THz
à cause de la longueur d’onde qui est de 810 nm. L’amplitude est maxi-
male à cette fréquence parce que le terme sinc (Δk z/2) est centré autour de
cette fréquence. Il a été montré que des impulsions optiques de 10 à 15 fs à
800 nm permettent de générer des impulsions THz pouvant s’étendre jusqu’à
70 THz [133]. Toutefois peu de cristaux offrent réellement des accords de
phase dans le gap THz.
Génération THz quasi continue utilisant l’optique paramétrique
Des ondes THz quasi continues, aux fréquences ajustables, peuvent être
générées par diffusion paramétrique de lumière dans des cristaux non li-
néaires. L’onde pompe, à la fréquence optique ω, génère deux ondes, l’onde
3. Composants pour le régime impulsionnel 131
« signal » et l’onde « idler », de fréquences respectives Ω et ω
i
. Ce phéno-
mène implique la conservation de l’énergie et du vecteur d’onde des photons
impliqués :
ω = ω
i
+ Ω,

k
ω
=

k
i
+

k
Ω
(3.38)
Ainsi, la fréquence THz générée peut être réglée en changeant l’angle d’in-
cidence du faisceau de pompe sur le cristal. Notons que le faisceau « idler »
a pratiquement la même fréquence que le faisceau optique de pompe, car la
fréquence THz est beaucoup plus faible.
L’efficacité de conversion paramétrique est renforcée en plaçant le cristal
non linéaire dans une cavité optique, résonante aux fréquences optiques ω
et ω
i
. On emploie généralement des cristaux non linéaires ferro-électriques
comme LiNbO
3
ou MgO dopé LiNbO
3
, dans lesquels le signal THz est exalté
par couplage avec les polaritons [134]. Ces cristaux sont pompés par un laser
infrarouge (λ = 1,064 μm), délivrant des impulsions « nanoseconde » au
taux de répétition de plusieurs Hz et d’énergie 20∼50 mJ. L’enveloppe du
signal THz généré a une durée de 3 à 4 ns. Le signal THz oscille à l’échelle de
la picoseconde, très courte par rapport à la durée nanoseconde de l’enveloppe,
et donc correspond pratiquement à une source continue largement réglable
(0,7-3 THz) avec une puissance crête maximum qui pourrait aller jusqu’à
100 mW. Le centre de recherche RIKEN et l’université de Tohoku au Japon
sont spécialisés dans ce type de génération THz [135].
E
THz
prisme Si
miroir
LiNbO
3
pompe
miroir
E
I
E
P
Fig. 3.16 – Génération THz par optique paramétrique.
miroir
LiNbO
3
miroir
platine de rotation
Q-switched
Nd:YAG
35 mJ/pulse
50 pps
onde THz
idler
pompe
Fig. 3.17 – Découplage de l’onde THz avec un réseau de prismes.
132 Optoélectronique térahertz
3.3.3 Comparatif des sources
Comme nous l’avons vu, les sources impulsionnelles THz sont intimement
liées aux caractéristiques des lasers utilisés, que ce soit pour la génération
par photoconduction, par effet de surface ou par effet non linéaire. Actuelle-
ment, les sources lumineuses femtosecondes les plus répandues sont les lasers
solides (Ti:Sa) et les lasers à fibre dopée aux terres rares (erbium, néodyme).
Si les premiers sont volumineux et coûteux, ils sont néanmoins les plus em-
ployés en laboratoire car leurs performances et leur facilité d’utilisation sont
remarquables. L’offre commerciale est large avec des durées d’impulsions
disponibles allant de 10 à 100 fs et des énergies par impulsion variant de
quelques nJ à quelques μJ. Par ailleurs, la longueur d’onde d’émission des
oscillateurs Ti:Sa (800 nm) s’accorde bien avec l’utilisation des photocom-
mutateurs performants, réalisés à partir de semi-conducteurs III-V, et des
cristaux non linéaires transparents dans le proche infrarouge (ZnTe, GaP).
On distinguera deux types de sources THz utilisant des lasers Ti:Sa : les
sources à hautes fréquences de répétition (75-100 MHz) et à faible énergie
optique par impulsion (nJ), et celles faisant appel aux systèmes optiques
amplifiés fonctionnant à des fréquences de répétition voisines de 1 kHz et
délivrant 100 à 500 μJ d’énergie optique par impulsion.
Les lasers fibrés sont plus compacts et leur puissance moyenne peut at-
teindre plusieurs watts en faisant appel à des amplificateurs fibrés. Néan-
moins, les durées d’impulsions restent de l’ordre de 100 à 150 fs. Mais les
longueurs d’onde d’émission (1 à 1,55 μm) excluent l’emploi de photocom-
mutateurs à base de matériaux III-V, c’est pourquoi l’utilisation des effets
non linéaires est une voie actuellement très explorée en laboratoire. On trouve
également des lasers commerciaux à fibre dopée erbium doublés en fréquence
(λ = 750 nm) qui sont compatibles avec les photocommutateurs par exemple
en GaAs. Compacts mais encore coûteux et de faible puissance (quelques nJ
par impulsion), ils offrent une bonne alternative aux oscillateurs Ti:Sa.
À cause de leur encombrement et de leur coût, l’usage de systèmes lasers
amplifiés délivrant jusqu’à 500 μJ par impulsion est réservé aux expériences
de laboratoires. L’énergie optique disponible permet la mise en jeu de dif-
férents procédés de génération THz : effet non linéaire, photoconduction,
plasma [136]. Ces différentes méthodes, dont les caractéristiques sont résu-
mées dans le tableau (3.1), ont permis la génération de signaux THz intenses
avec des champs électriques crêtes valant jusqu’à 400 kV/cm ou encore des
énergies de 1 à 30 nJ par impulsion THz, un objectif important étant de réa-
liser des systèmes d’imagerie THz monocoup. Ces forts signaux sont pénalisés
par leur faible taux de répétition (1 kHz) qui limite la dynamique de mesure
à 30 dB.
Les sources laser à plus haut taux de répétition (75 à 100 MHz) et à
faible puissance moyenne (200 mW à 1 W) permettent d’obtenir des dyna-
miques de mesure de 60 dB et des rapports signal sur bruit de 35 dB lorsqu’ils
3. Composants pour le régime impulsionnel 133
Méthode de gé-
nération
P
THz
P
Opt
Bande
pas-
sante
utile
Remarques
Effet photoconduc-
tif
1 μW 0,4 W 3 THz Antenne GaAs 3 cm,
V
bias
= 3 kV [136]
Effet χ
(2)
1 μW 0,2 W 4 THz Cristal de ZnTe
<110> [137]
Effet plasma 30 μW 0,5 W 7 THz Plasma dans
l’air avec
Δt
opt
= 25 fs [138]
Tab. 3.1 – Comparaison des méthodes de génération optoélectronique au
taux de répétition de 1 kHz.
sont associés à une émission par effet photoconductif. Malgré des puissances
moyennes THz générées de l’ordre du μW, ces dispositifs sont très utilisés
pour les expériences de spectroscopie par exemple, d’autant que désormais
des antennes émettrices et détectrices sont disponibles commercialement. La
faible taille des antennes photoconductrices et donc du point source THz né-
cessite en général une mise en forme du faisceau THz à l’aide d’une lentille.
L’utilisation d’un faisceau optique étendu de quelques mm de diamètre per-
met une collimation du faisceau THz dès la source ; cette pratique est très
simple à mettre en œuvre avec la génération THz par effet de surface. Du
point de vue de la bande passante THz, des impulsions optiques de 100 fs
donneront des signaux utiles jusqu’à 3 à 5 THz.
La génération très large bande, au-delà de 20 THz, nécessite le recours
aux lasers très brefs, dont les durées d’impulsions peuvent être inférieures à
10 fs. Cependant, plusieurs phénomènes limitent les bandes passantes obte-
nues : dans le cas de la génération par effet non linéaire, c’est l’accord de
phase entre l’impulsion optique excitatrice et l’impulsion THz générée qu’il
est difficile de maintenir sur une large bande ; dans le cas des antennes pho-
toconductrices, c’est la constante RC des antennes et la durée de vie des
porteurs qui imposent une décroissance de 40 dB par décade. Dans tous les
cas, les spectres THz obtenus sont chahutés par les raies d’absorption des
phonons optiques des matériaux utilisés (par exemple : vers 5,3 THz pour
ZnTe, 8,8 THz pour GaAs...). Le tableau (3.2) compare les performances des
différentes méthodes utilisées avec des lasers non amplifiés.
134 Optoélectronique térahertz
Méthode de
génération
P
THz
P
Opt
Bande
pas-
sante
utile
Remarques
Effet
photoconductif
0.1 à
100 μW
5 à
500 mW
3 à
6 THz
Antenne GaAs:Si ou
GaAs–BT. E
bias
=
1 kV/cm [139] [95]
Effet de surface 0.01 à
5 μW
200 mW 2 THz Wafer de GaAs [125],
InAs [140]
Effet χ
(2)
30 nW 30 mW 35 THz GaAs <110>
Δt
opt
= 15 fs [133]
Effet
photoconductif
qq nW 300 mW 20 THz Antenne GaAs–BT
Δt
opt
= 10 fs [93]
Tab. 3.2 – Comparaison des méthodes de génération optoélectronique à
haute fréquence de répétition (∼100 MHz). Les deux dernières lignes font
référence à des systèmes très large bande.
3.4 Détection
3.4.1 Détection photoconductrice
Dans les systèmes THz optoélectroniques pilotés par un laser impulsion-
nel, la détection des champs THz par photocommutation est apparue dès le
milieu des années 1980. Présentant des performances en sensibilité, bande
passante et rapport signal sur bruit remarquables, elle reste une des mé-
thodes de détection les plus répandues. Les mécanismes physiques mis en
jeu sont similaires à ceux de l’émission THz par photocommutation à tel
point que dans nombre d’expériences, on pourrait intervertir émetteur et dé-
tecteur THz. Nous allons voir cependant que l’optimisation de la mesure de
champ THz entraîne quelques contraintes pour obtenir un bon rapport signal
à bruit, et ces contraintes imposent d’utiliser des matériaux à temps de vie
sub-picoseconde tels que ceux décrits dans le paragraphe « Semi-conducteurs
ultrarapides ». De telles antennes à base de RD-SOS ou de LTG-GaAs sont
désormais disponibles commercialement. Elles permettent de détecter des
champs de quelques mV/cm jusqu’à des fréquences de quelques THz.
Comme pour l’émission THz, une antenne de détection photoconduc-
trice est composée d’un substrat semi-conducteur isolant sur lequel sont dé-
posées des électrodes métalliques. Pour la plupart des détecteurs, comme
représenté sur la figure (3.18), ces électrodes sont simplement deux lignes
de transmission parallèles séparées d’une distance L de quelques dizaines
de μm et qui présentent localement un resserrement
7
de quelques μm.
7
gap en anglais.
3. Composants pour le régime impulsionnel 135
Fig. 3.18 – Géométrie d’une antenne THz de détection.
La figure (3.18) présente une géométrie classique de détecteur. Le champ THz
incident sur le détecteur est couplé aux lignes qui jouent le rôle d’antennes.
En l’absence d’éclairement, l’espace inter-électrodes présente une résistance
élevée R
OFF
de plusieurs MΩ et aucun courant ne parcourt les lignes de
transmission : le champ n’est pas détecté. L’illumination de l’espace inter-
électrodes par une impulsion optique brève va faire chuter la résistance du
circuit jusqu’à une valeur minimale R
ON
de quelques dizaines d’ohms et les
porteurs photogénérés vont être accélérés par le champ THz. Une impulsion
de courant, dont l’amplitude dépend de la valeur du champ THz au moment
de l’éclairement, se propage le long des lignes : le champ est échantillonné.
Selon la durée de vie des porteurs libres photogénérés au sein de l’espace
inter-électrodes, la porte d’échantillonnage va être assimilée à un échelon
(durée de vie des porteurs longue) ou à un pic de Dirac (durée de vie très
brève). La résolution temporelle de l’échantillonnage (ou bande passante)
sera directement dépendante de la brièveté du front montant de la porte qui
est déterminée principalement par la durée de l’impulsion laser ; la sensibilité
du détecteur dépendra des caractéristiques géométriques de l’antenne et de
la mobilité des porteurs libres alors que le rapport signal sur bruit est dépen-
dant de la résistance d’obscurité du dispositif, de la puissance optique utilisée
pour déclencher l’échantillonnage et de la durée de la porte d’échantillonnage.
Le traitement théorique du fonctionnement des photocommutateurs dé-
tecteurs étant proche des émetteurs décrits précédemment, on peut se référer
aux mêmes travaux pour une analyse approfondie de leur fonctionnement. Du
point de vue de la détection, l’efficacité spectrale d’un photocommutateur tel
que celui représenté sur la figure (3.18) est proche de celle d’une antenne di-
polaire de longueur L. Si L est de l’ordre de 30 μm, on obtient, en tenant
compte de la permittivité élevée du substrat de semi-conducteur, une effica-
cité maximale pour une résonance en λ/2 autour de f =
c
λ
=
c
2 Ln
≈ 2 THz.
Si l’on souhaite favoriser les fréquences les plus basses (200∼300 GHz), on
peut avoir recours à d’autres géométries telles que la configuration en T [141].
La réponse spectrale de l’antenne est à convoluer avec celle liée à la dyna-
mique de photogénération des porteurs, qui dépend de la largeur de l’im-
pulsion optique et de la durée de vie des porteurs. En effet, en reprenant
136 Optoélectronique térahertz
une approche théorique simplifiée issue de [103], la densité de photocourant
créée conjointement par le champ THz à détecter et par l’impulsion optique
retardée de δt s’écrit :
j (t, δt) = P
opt
(t) ⊗[n(t) qv (t, δt)] (3.39)
La vitesse v(t) des porteurs est régie par l’équation de Drude-Lorentz (voir
page 74) dans laquelle le champ électrique excitateur est le champ THz. Si
celui-ci varie lentement devant le temps de collision des électrons (typique-
ment t
coll
= 20 fs dans GaAs épitaxié à basse température), cette vitesse va
tendre exponentiellement vers sa valeur limite v = μE atteinte approximati-
vement au bout de 3 t
coll
(on pourra, pour simplifier, considérer que cette
vitesse est atteinte instantanément). Par ailleurs, dans le cas d’un système
THz utilisant un laser à taux de répétition élevé (au moins 1 kHz), l’impul-
sion de courant qui est synchrone avec l’impulsion THz à mesurer est intégrée
par un système électronique lent, telle une détection synchrone. Le courant
mesuré en fonction du retard δ t s’écrit alors :
j (δt) =
__

−∞
E
THZ
(t −δt) n
_
t −t

_
I
opt
_
t

_
dt dt

(3.40)
où n(t) représente la réponse impulsionnelle du semi-conducteur (réponse à
une excitation optique de type pic de Dirac) et I
opt
(t) l’intensité optique.
Afin d’illustrer simplement l’influence des paramètres comme la durée de vie
des porteurs ou la durée de l’impulsion laser sur la réponse de l’antenne à
un champ THz, on traite le cas réaliste où les impulsions optiques présentent
une forme gaussienne et le déclin des porteurs est exponentiel, ce qui reste
vrai en régime de faible injection optique. La figure (3.19) montre l’intérêt
d’avoir recours à des impulsions laser extrêmement brèves pour pouvoir dé-
tecter les hautes fréquences : dans la limite habituelle d’une dynamique de
mesure de 60 dB, seul le recourt à des impulsions laser inférieures à 100 fs de
durée permet de détecter efficacement des fréquences supérieures à 4 THz.
Expérimentalement, l’utilisation d’impulsions de 10 fs de durée à permis,
avec une antenne de détection en GaAs-BT, de mesurer des signaux jusqu’à
60 THz [93]. Pour les basses fréquences, l’insert de la figure (3.19) montre
que le signal est renforcé si l’on utilise un semi-conducteur d’une durée de
vie de quelques ps. Cependant cette solution diminue le rapport signal sur
bruit comme nous allons le voir.
Lors de la détection d’une impulsion THz, le bruit de mesure dépend à
la fois du bruit lié à l’émission, du bruit thermique ambiant (rayonnement
de corps noir dans le domaine THz) et du bruit lié au détecteur. Ce der-
nier est essentiellement du bruit blanc thermique (ou bruit Johnson) lié à
la résistance équivalente du photocommutateur de détection. En général, les
courants débités sont suffisamment faibles pour que le bruit de grenaille (shot
noise) reste négligeable [103, 142]. La résistance moyenne équivalente R
Moyen
3. Composants pour le régime impulsionnel 137
Δt = 33 fs
Δt = 100 fs
Δt = 200 fs
Fig. 3.19 – Influence de la largeur de l’impulsion optique sur le spectre
détecté pour τ = 500 fs. La courbe en insert montre le spectre obtenu pour
τ = 500 fs (trait plein) et τ = 2 ps (pointillés) pour une largeur d’impulsion
de 100 fs.
du photocommutateur est une moyenne pondérée de la résistance d’obscurité
et de la résistance sous éclairement, le facteur de pondération dépendant de
la largeur temporelle de la porte d’échantillonnage. Si celle-ci est assimilable
à τ, la durée de vie des porteurs, et si l’intervalle temporel entre deux impul-
sions laser est τ
rep
, la résistance moyenne du photocommutateur est donnée
par :
1
R
Moyen
=
1
τ
rep
_
τ
rep
−τ
R
OFF
+
τ
R
ON
_
(3.41)
Comme le courant proportionnel au champ THz détecté est d’autant plus
élevé que R
ON
est faible et que le bruit thermique est inversement proportion-
nel à R
1/2
Moyen
, on a intérêt, dans le but d’accroître le rapport signal sur bruit,
non pas à réduire R
ON
mais à raccourcir la fenêtre temporelle d’échantillon-
nage de durée τ et donc à utiliser un semi-conducteur très rapide. L’utilisa-
tion d’une porte d’échantillonnage de courte durée réduit également le temps
d’intégration du bruit lié au rayonnement du corps noir de l’environnement
de mesure qui dépend également de l’impédance de l’antenne. L’importance
de ce bruit de fond est d’autant plus grande que l’on souhaite travailler à
haute fréquence, la densité spectrale de modes associée au corps noir variant
comme le carré de la fréquence. Les autres principaux facteurs de bruit liés
à la détection sont dus à la chaîne de détection (bruit de l’amplification du
courant mesuré) ou d’acquisition (détection synchrone).
138 Optoélectronique térahertz
En conclusion, dans un système à échantillonnage en temps équivalent
fonctionnant avec une fréquence de répétition de l’ordre de 100 MHz, le
bruit intégré dans une bande passante de 1 Hz correspond à un courant
de l’ordre de 0,1 pA alors que le maximum du champ THz conduit à un
courant crête de quelques nA. On obtient ainsi communément un très bon
rapport signal sur bruit (en amplitude) supérieur à 10
3
. C’est cette bonne
performance, associée à une mise en œuvre simple, qui fait la popularité des
antennes de détection photoconductrices. Leur principal inconvénient reste
le recours à un matériau semi-conducteur rapide (GaAs-BT, RD-SOS...) et
donc à une technologie peu répandue. Par ailleurs, le diamètre de la zone
de focalisation du champ THz dans le plan de détection est en général plus
grand d’un ordre de grandeur que la zone active du gap photoconducteur et
dépend également de la fréquence, ce qui peut entraîner une dégradation de
la réponse spectrale de l’antenne.
3.4.2 Détection par effet électro-optique
Détection par effet Pockels
Par rapport à la détection de signaux THz par échantillonnage photo-
conductif, l’échantillonnage électro-optique (EO) présente a priori l’avantage
d’une réponse pratiquement instantanée du matériau. Le principe de la me-
sure est basé sur une biréfringence additionnelle induite dans un cristal EO
par le champ électrique du signal THz. On choisit alors une configuration
géométrique telle que cette biréfringence additionnelle induise une rotation
de la polarisation d’un faisceau optique qui traverse le cristal. La mesure de
cette rotation permet de connaître la valeur du champ THz.
Cas simple
Supposons que le signal THz et le faisceau optique se propagent tous
deux dans le cristal suivant la direction x. Les indices de réfraction associés
aux composantes du champ électrique de l’onde optique suivant les axes
diélectriques propres y et z sont respectivement n
y
et n
z
. En sortie du cristal
de longueur L, et pour l’instant en l’absence de champ THz, le champ optique,
en notation complexe, s’écrit :
_
E
y
= E
oy
cos
_
ωt −
ω
c
n
y
L
_
E
z
= E
oz
cos
_
ωt −
ω
c
n
z
L
_ (3.42)
où E
oy
et E
oz
sont les composantes du champ optique à l’entrée du cristal.
On pose alors φ =
ω
c
n
y
L et Δ =
ω
c
(n
z
−n
y
)L. On obtient :
_
E
y
= E
oy
cos (ωt −φ)
E
z
= E
oz
cos(ωt −φ −Δ)
(3.43)
3. Composants pour le régime impulsionnel 139
En utilisant un simple calcul trigonométrique
8
, on élimine (ωt − φ) et on
obtient l’équation d’une ellipse :
_
E
y
E
oy
_
2
+
_
E
z
E
oz
_
2
−2
E
y
E
oy
E
z
E
oz
cos(Δ) = sin
2
(Δ) (3.47)
Posons alors y =
E
y
E
oy
sin(Δ)
et z =
E
z
E
oz
sin(Δ)
. L’équation de l’ellipse prend une
forme très simple, surtout si l’on emploie une notation matricielle :
y
2
+z
2
−2yz cos Δ =
_
y z
_
M
_
y
z
_
= 1 (3.48)
avec M =
_
1 −cos Δ
−cos Δ 1
_
. Les axes a et b de l’ellipse sont égaux à
l’inverse de 2 fois la racine carrée des valeurs propres de la matrice, et leurs
directions sont celles des vecteurs propres :
a =
1
2 cos
Δ
2
, b =
1
2 sin
Δ
2
⇒ ξ = tan
Δ
2
(3.49)
tan θ = 1 ⇒θ =
π
4
(3.50)
où θ est l’angle entre l’axe a de l’ellipse et la direction y, et ξ est l’ellipticité
de la polarisation. Notons que, grâce au changement de variables (E
y
, E
z
→ y, z), l’angle θ =
π
4
est constant quel que soit le déphasage généré par la
propagation dans le cristal. En repassant dans l’espace (E
y
, E
z
), la dilatation
des coordonnées déforme et incline l’ellipse, l’angle d’inclinaison étant alors
fonction du déphasage. Bien entendu, si en entrée du cristal E
oy
= E
oz
,
alors θ =
π
4
est directement l’angle d’inclinaison de la polarisation elliptique
8
On peut effectuer ce calcul à l’aide du formalisme des matrices de Jones [143]. Pour
cela, écrivons le champ optique en notation complexe :
_
E
y
= E
oy
e
j(ωt−
ω
c
n
y
L)
E
z
= E
oz
e
j(ωt−
ω
c
n
z
L)
(3.44)
où E
oy
et E
oz
sont les composantes du champ optique à l’entrée du cristal. On pose alors
φ = ωt −
ω
c
n
y
+n
z
2
L et Δ =
ω
c
(n
y
−n
z
)L. En sortie du cristal, on obtient :
_
E
y
= E
oy
e
j(φ−
Δ
2
)
E
z
= E
oz
e
j(φ+
Δ
2
)
(3.45)
En utilisant le formalisme de Jones [143], où les termes de phase globaux ne sont pas pris
en compte car ils n’affectent pas l’état de polarisation, cette dernière expression se récrit
plus simplement :
_
E
y
E
z
_
= M
_
E
oy
E
oz
_
(3.46)
avec M =
_
e
−j
Δ
2
0
0 e
+j
Δ
2
_
étant la matrice de Jones associée au cristal électro-optique.
140 Optoélectronique térahertz
par rapport à l’axe y. Sinon, l’angle d’inclinaison θ

est tel que tan θ

=
E
oz
/E
oy
.
En présence du champ THz, l’ellipsoïde des indices du cristal est modifié.
Supposons que l’effet électro-optique induise un déphasage supplémentaire δ,
très faible devant Δ. Il suffit de reprendre les calculs précédents en rempla-
çant Δ par Δ + δ. On montre que la direction θ reste inchangée (puisque θ
ne dépend pas du déphasage), mais que les axes a et b de l’ellipse varient
respectivement de δ a et δ b tels que :
δa = −
δ
4
cos
Δ
2
sin
2 Δ
2
, δb =
δ
4
sin
Δ
2
cos
2
Δ
2
⇒ Δξ =
δ
2 cos
2
(
Δ
2
)
(3.51)
Mesure de la biréfringence induite
Si l’on veut mesurer cette modification d’ellipticité, la méthode la plus
simple, et qui conduit aux meilleures sensibilité et linéarité de mesure, consiste
à convertir cet état de polarisation elliptique en un état de polarisation rec-
tiligne en plaçant en sortie de cristal une lame quart d’onde dont une ligne
neutre est orientée de l’angle θ

par rapport à l’axe y. En effet, on rappelle
qu’une lame quart d’onde transforme tout état de polarisation elliptique,
d’ellipticité ξ et dont les axes sont alignés avec ses lignes neutres, en un état
de polarisation rectiligne formant un angle α = arctan ξ =
Δ
2
avec ses lignes
neutres. Ainsi toute variation d’ellipticité est automatiquement convertie en
rotation d’état de polarisation. Pour mesurer à son tour cette rotation d’état
de polarisation, on utilise une lame demi-onde pour orienter l’état de polari-
sation rectiligne ainsi obtenu à 45 degrés des axes d’un prisme de Wollaston,
en l’absence de champ THz. Le prisme de Wollaston séparant le faisceau
incident en deux faisceaux aux polarisations rectilignes orthogonales, les in-
tensités optiques mesurées sur ces deux voies sont donc identiques et le si-
gnal différence détecté est nul en l’absence de tout champ THz. En revanche,
lorsqu’un champ THz est appliqué au cristal, une variation d’ellipticité du
faisceau optique est induite en sortie de cristal, laquelle va à son tour induire
une variation d’un angle δα = d(
Δ
2
) =
δ
2
de l’orientation de la polarisation
rectiligne en sortie de lame quart d’onde et va déséquilibrer, in fine, les puis-
sances optiques reçues sur les deux voies de détection en sortie du prisme
de Wollaston. On utilise deux détecteurs séparés associés à une électronique
qui donne la somme et la différence de ces deux signaux, le signal somme
permettant de s’affranchir des fluctuations d’intensité du laser. Si S
1
et S
2
sont les deux signaux délivrés par les détecteurs, on obtient :
S
1
−S
2
S
1
+S
2
=
η(E
1
)
2
−η(E
2
)
2
η(E
1
)
2
+η(E
2
)
2
=
cos
2
(
π
4
+δα) −sin
2
(
π
4
+δα)
cos
2
(
π
4
+δα) + sin
2
(
π
4
+δα)
=
sin δ
2

δ
2
(3.52)
où η est le rendement de chaque détecteur. Le signal mesuré est donc propor-
tionnel à la différence de phase induite par l’effet électro-optique en présence
de champ THz.
3. Composants pour le régime impulsionnel 141
Calcul de la biréfringente induite par le champ THz
L’ellipsoïde des indices en présence du champ THz s’écrit :
x
2
n
2
1
+
y
2
n
2
2
+
z
2
n
2
3
+ 2
yz
n
2
4
+ 2
xz
n
2
5
+ 2
xy
n
2
6
= 1 (3.53)
La variation des indices est proportionnelle au champ THz appliqué et s’ex-
prime sous forme tensorielle :
1
n
2
i
=
1
n
2
oi
+ Δ
_
1
n
2
i
_
=
1
n
2
oi
+
3

j=1
r
ij
E
THz
j
(3.54)
où les r
ij
sont les éléments du tenseur électro-optique et les n
oi
sont les indices
du cristal en l’absence de champ électrique suivant les 3 axes diélectriques
propres du cristal x, y, z (donc n
o4
= n
o5
= n
o6
= 0). Pour calculer le dé-
phasage δ induit par l’effet électro-optique, il faut récrire l’équation (3.53)
sous forme matricielle et déterminer la déformation et la réorientation de l’el-
lipse des indices (intersection de l’ellipsoïde des indices avec le plan d’onde
optique) sous l’effet du champ THz appliqué. Une méthode élégante a été
proposée par Duvillaret et ses collaborateurs [144] pour résoudre le cas gé-
néral d’une orientation quelconque du champ THz et du faisceau optique, en
introduisant la notion de vecteur sensibilité électro-optique. Considérons ici
le cas simple où ondes optique et THz se propagent suivant la direction x
dans le cristal. Soit E
oy
et E
oz
les composantes du champ optique incident,
et E
THz
y
et E
THz
z
les composantes du champ THz. L’équation (3.53), pour
laquelle on a x = 0, se récrit :
y
2
n
2
o2
+
z
2
n
2
o3
+E
THz
y
_
r
22
y
2
+ 2yzr
42
+r
32
z
2
_
+E
THz
z
_
r
23
y
2
+ 2yzr
43
+r
33
z
2
_
= 1 (3.55)
Dans le cas d’un cristal cubique (i.e. isotrope) comme ZnTe de symétrie
¯
43m, cette configuration expérimentale ne peut donner aucun signal électro-
optique car seuls les coefficients r
41
= r
52
= r
63
sont non nuls, or aucun
de ces coefficients n’apparaît dans la formule précédente. En effet, pour les
cristaux isotropes (pour lesquels la modification de l’ellipsoïde des indices est
paradoxalement la plus difficile à calculer), il ne peut y avoir d’effet électro-
optique mesurable qu’à la condition que les champs des ondes optique et
THz présentent des composantes à la fois selon x, y et z ! Intéressons-nous
à des cristaux rhomboédriques de symétrie 3m comme les cristaux ferro-
électriques LiNbO
3
ou encore LiTaO
3
. Compte tenu des seuls éléments non
nuls du tenseur électro-optique, l’équation précédente se récrit sous forme
142 Optoélectronique térahertz
matricielle :
_
y z
_
_
1
n
2
oy
+r
22
E
THz
y
+r
23
E
THz
z
r
42
E
THz
y
r
42
E
THz
y
1
n
2
oz
+r
33
E
THz
z
_
_
y
z
_
= 1
(3.56)
Sachant que le coefficient r
33
est prépondérant devant les autres éléments
du tenseur électro-optique, on a donc tout intérêt à appliquer le champ de
l’onde THz selon z. Dans ce cas de figure, la matrice associée à l’ellipsoïde
des indices est diagonale : on en déduit par conséquent que les directions
des axes diélectriques propres restent inchangées (cela reste vrai en première
approximation pour les cristaux anisotropes dans le cas général). Seuls les
indices de réfraction n
y
et n
z
sont modifiés. Étant donné que la modification
des indices propres induite par le champ THz reste faible, on en déduit leur
expression sous champ THz :
_
n
y
= n
oy

1
2
n
3
oy
r
23
E
THz
z
n
z
= n
oz

1
2
n
3
oz
r
33
E
THz
z
(3.57)
Le déphasage δ induit par le signal THz entre les deux composantes du champ
optique est donc :
δ =
2π (δn
y
−δn
z
) L
λ
=
2πE
THz
z
L
λ
_
n
3
oz
r
33
−n
3
oy
r
23
2
_
(3.58)
La détermination expérimentale de δ conduit donc directement à la connais-
sance de l’amplitude du champ THz.
Cas pratique
L’échantillonnage électro-optique d’impulsions THz est donc basé sur la
mesure d’une biréfringence induite, comme décrit précédemment. D’un point
de vue pratique, on superpose les impulsions optique et THz dans le cristal.
Il faut alors tenir compte de la différence de vitesse des deux impulsions,
comme expliqué dans le paragraphe sur la génération par redressement op-
tique. Ainsi les cristaux présentant les coefficients électro-optiques les plus
forts ne seront pas spécialement les plus performants pour l’échantillonnage
d’impulsions THz, puisqu’il faut aussi tenir compte de la condition d’accord
de phase (vitesse de phase THz = vitesse de groupe optique). Q. Wu et
X.-C. Xhang [145] ont ainsi défini un coefficient de mérite η pour chaque
cristal électro-optique :
η =
2 n
3
r
ij

1 +
(3.59)
où n est l’indice de réfraction pour le faisceau optique, r
ij
est l’élément du
tenseur électro-optique mis en jeu, et est la permittivité du cristal dans le
3. Composants pour le régime impulsionnel 143
Cristal Coefficient n η DVG
EO (pm/V) (pm/V) (ps/mm)
ZnTe r
41
= 4,04 2,853 10,1 51,7 1,1
@ 0,633 μm @ 0,800 μm
CdTe r
41
= 4,5 2,84 9,4 50,9 0,75
@ 1,0 μm @ 0,800 μm
GaAs r
41
= 1,43 3,61 13 24,9 0,015
@ 1,150 μm @ 0,886 μm
ZnTe r
41
= 4,04 2,853 10,1 51,7 1,1
@ 0,633 μm @ 0,800 μm
DAST r
11
= 160 n
o
= 2,46 8 max 633 1,22
n
e
= 1,70 2,9
@ 0,820 μm @ 0,820 μm
LiTaO
3
r
33
= 30,5 n
o
= 2,176
1,2
= 41 max 87,2 14,1
r
13
= 8,4 n
e
= 2,180
3
= 43
@ 0,633 μm @ 0,633 μm
LiNbO
3
r
33
= 30,9 n
o
= 2,286
1,2
= 43 max 110 14,2
r
51
= 32,6 n
e
= 2,200
3
= 28
@ 0,633 μm @ 0,633 μm
Tab. 3.3 – Caractéristiques des principaux cristaux électro-optiques pour
l’échantillonnage d’impulsions THz (d’après [145]).
domaine THz, qui, sauf au voisinage des résonances phononiques, est prati-
quement égale à sa valeur statique. Le tableau (3.3) donne les paramètres
des principaux cristaux utilisés en échantillonnage électro-optique d’impul-
sions THz. Typiquement, pour atteindre les très hautes fréquences supé-
rieures à la dizaine de THz, la dispersion entre les propriétés optique et THz
du cristal limitent son épaisseur à des valeurs très faibles (la dizaine de μm
pour ZnTe). Pour caractériser des spectres classiques (3·5 THz), on peut
choisir des cristaux plus épais (2-3 mm pour ZnTe), augmentant dans la
même proportion la valeur du signal détecté.
Une comparaison détaillée de la détection d’impulsions THz par antennes
photoconductrices et par effet électro-optique a été réalisée par Y. Cai et ses
collaborateurs [115]. Pour les fréquences inférieures à 3 THz, le détecteur à
antenne est le plus sensible et le moins bruyant pour de faibles fréquences
de répétition. À hautes fréquences de répétition (supérieures à 1 MHz), les
deux techniques montrent des performances équivalentes.
Un facteur limitatif important dans le domaine THz est l’excitation de
phonons optiques, qui se traduit par une forte absorption du rayon-
nement THz aux fréquences correspondantes. Ces fréquences sont données
dans le tableau (2.4) (page 82). Pour les signaux THz ultracourts dont le
spectre dépasse 4 THz et s’étend jusqu’à quelques dizaines de THz, la dé-
tection électro-optique ne permettra pas une mesure globale de l’ensemble
144 Optoélectronique térahertz
des composantes spectrales. Ainsi, un cristal de GaAs montre une forte ab-
sorption à 8 THz, et ZnTe à 5,31 THz. L’effet le plus spectaculaire est sans
doute dans le DAST [146], qui possède des coefficients électro-optiques gi-
gantesques, mais dont les phonons apparaissent à « basse » fréquence (1,13,
1,50 et 2,28 THz suivant les 3 directions principales du cristal), limitant
énormément l’emploi de ce matériau pour la détection électro-optique dans
le domaine THz.
Détection par effet Franz-Keldysh
Intérêt pour la détection des THz Les semi-conducteurs possèdent
une propriété optique très particulière : celle d’être très opaques lorsque
les photons ont une énergie supérieure à la valeur de la bande interdite
(création de paires électrons-trous). Leur spectre d’absorption présente donc
un flanc très abrupt autour de l’énergie de bande interdite. La présence
d’un champ électrique modifie ce flanc d’absorption. Cet effet appelé effet
Franz-Keldysh (EFK) peut être utilisé comme l’effet Pockels pour échan-
tillonner un champ électrique variant très rapidement jusqu’à des échelles
de temps sub-picosecondes. Son principal intérêt est d’être présent dans les
semi-conducteurs classiquement utilisés en micro-électronique III-V (GaAs et
InP) et ceci, pour des longueurs d’ondes compatibles avec le laser Ti:Sa. On
peut donc utiliser toutes les possibilités technologiques mises au point pour
ces matériaux pour la fabrication des sondes d’échantillonnage. Un autre in-
térêt est que, comme nous allons le voir, le faisceau optique est directement
modulé en intensité.
Quelques éléments théoriques
Cas d’un cristal parfait L’EFK ne peut être expliqué que par la méca-
nique quantique. Dans la suite de ce paragraphe, nous allons exposer les prin-
cipaux résultats obtenus par la théorie ainsi que leur interprétation physique.
Les lecteurs intéressés par les développements théoriques complets pourront
se reporter aux références [147] et [31].
Dans un cristal semi-conducteur parfait, la symétrie de translation pro-
venant de la périodicité du réseau cristallin fait apparaître une discontinuité
dans les énergies accessibles aux électrons. Le maximum de la bande de va-
lence est séparé du minimum de la bande de conduction par une énergie ap-
pelée bande interdite. La transition d’un électron de la bande de valence vers
la bande de conduction est possible par l’absorption d’un photon d’énergie
supérieure à l’énergie de bande interdite du matériau. Avec un modèle simpli-
fié, on montre que le coefficient d’absorption optique d’un semi-conducteur
à bande interdite directe est de la forme [31] :
α(E, 0) = A
_
E −E
g
(3.60)
3. Composants pour le régime impulsionnel 145
où A est une constante du matériau, E l’énergie des photons et E
g
l’énergie
de bande interdite. Lorsque E < E
g
, le coefficient d’absorption est rigoureu-
sement nul dans un cristal parfait.
L’application d’un champ électrique brise la symétrie de translation du
cristal suivant la direction du champ. On montre alors que les fonctions
d’onde des électrons et des trous ne sont pas nulles dans la bande inter-
dite [31]. Des transitions interbandes pour des énergies photoniques infé-
rieures à la bande interdite sont alors possibles. En 1958, Franz [148] et
Keldysh [149] ont développé de manière indépendante la théorie des transi-
tions optiques interbandes dans les semi-conducteurs en présence d’un champ
électrique F quasi statique. La solution générale s’exprime sous forme de
fonctions d’Airy [150]. Si l’on se restreint au cas où E ¸ E
g
, le coefficient
d’absorption vaut :
α(E, F) · A
E
3/2
eo
8(E −E
g
)
exp
_

4
3
_
E
g
−E
E
eo
_
3/2
_
(3.61)
où E
eo
est l’énergie électro-optique :
E
eo
=
_
e
2
¯h
2
F
2
2m
r
_
1/3
(3.62)
m
r
est la masse effective réduite (1/m
r
= 1/m
e
+ 1/m
h
). L’absorption dé-
croît donc exponentiellement pour des énergies inférieures à la bande in-
terdite. Pour comprendre physiquement l’origine de ce phénomène, il faut
garder à l’esprit que le champ électrique incline les bandes spatialement
(figure (3.20)). Un électron peut alors passer de la bande de valence à la bande
de conduction par effet tunnel (qualifié d’interbande) à travers une barrière
triangulaire dont la largeur dépend de F (effet Zener). De même, il devient
possible de faire transiter un électron de la bande de valence à la bande de
conduction par l’absorption d’un photon d’énergie E même lorsque celle-ci est
inférieure à E
g
: ce processus d’absorption optique peut être compris comme
un effet tunnel interbande assisté par photon. On remarque que l’EFK est
indépendant de la direction et du signe du champ (pour un semi-conducteur
à bandes isotropes). La figure (3.21) représente le coefficient d’absorption
théorique obtenu grâce au modèle complet de la référence [151]. On voit
clairement apparaître une queue d’absorption exponentielle pour E < E
g
(λ > 870 nm). Dans le cas où E > E
g
, le comportement de α(E, F) est
moins intuitif : il est tantôt supérieur, tantôt inférieur à α(E, 0). Le champ
électrique peut induire soit une augmentation soit une diminution du coef-
ficient d’absorption du semi-conducteur suivant l’énergie du photon. Cette
variation du coefficient d’absorption du semi-conducteur (électro-absorption)
est accompagnée d’une très faible variation de la partie réelle de l’indice de
réfraction (électro-réfraction).
146 Optoélectronique térahertz
Bande de
conduction
Bande de
valence
h
Position
F
Énergie
Fig. 3.20 – Représentation du profil des bandes d’un semi-conducteur soumis
à un champ électrique illustrant l’absorption d’un photon d’énergie inférieure
à la bande interdite.
700 725 750 775 800 825 850 875 900 925 950
0
4 000
8 000
12 000
16 000
20 000
750 800 850 900 950
-2000
-1000
0
1000
2000
Δ
α

(
c
m
-
1
)
λ (nm)
F = 0 kV/cm
F = 50 kV/cm
F = 100 kV/cm
A
b
s
o
r
p
t
i
o
n

(
c
m
-
1
)
λ (nm)
Fig. 3.21 – Spectres d’absorption théoriques de GaAs pour différents champs
électriques. Les courbes en encart représentent la variation du coefficient
d’absorption induite par le champ.
3. Composants pour le régime impulsionnel 147
Cas d’un cristal réel Dans la pratique, pour des énergies photoniques
proches ou inférieures à E
g
, la variation du coefficient d’absorption d’un
semi-conducteur à bande interdite directe s’éloigne de la loi (3.60). Elle peut
en général être décrite par une décroissance exponentielle du type :
α(E, 0) = α
0
exp[s(E −E
0
)] (3.63)
Le coefficient s exprime la raideur du flanc d’absorption. Cette décroissance
exponentielle que l’on retrouve dans de nombreux semi-conducteurs porte
le nom de queue d’Urbach. Pour les monocristaux, il semble que cette queue
d’absorption soit due à des impuretés ou à des défauts chargés qui provoquent
de l’absorption par l’intermédiaire de l’EFK. Dans ce cas, Franz [148] a mon-
tré que le coefficient d’absorption à champ électrique non nul vaut :
α(E, F) · α
0
exp
_
s
3
E
3
eo
12
+s(E −E
0
)
_
(3.64)
Le flanc d’absorption est donc décalé vers les basses énergies de la quantité
s
2
E
3
eo
/12 lorsque le champ électrique augmente. Dans le cas de GaAs semi-
isolant, la masse réduite vaut 0,059 m
0
, s est de l’ordre de 100 eV
−1
. Pour un
champ de 50 kV/cm, l’énergie électro-optique vaut 25,3 meV et le décalage
13,5 meV, ce qui est tout à fait mesurable.
Le coefficient d’absorption peut se mettre sous la forme :
α(E, F) · α
1
(E) exp
_
F
F
0
_
2
(3.65)
où :
F
0
=
_
24m
r
s
3
e
2
¯h
2
(3.66)
et α
1
(E) est le coefficient d’absorption à champ nul :
α
1
(E) = α
0
exp [s(E −E
0
)] (3.67)
Considérons une lame de semi-conducteur d’épaisseur d éclairée par un
faisceau monochromatique d’énergie photonique E. L’intensité incidente est
I
0
, l’intensité transmise est I. En négligeant les réflexions sur les faces du
cristal, nous avons :
I
I
0
= exp(−αd) = exp
_
−α
1
d exp
_
F
F
0
_
2
_
(3.68)
La figure (3.22) représente le coefficient de transmission I/I
0
en fonction du
champ pour plusieurs valeurs de α
1
d. Imaginons que l’on applique un champ
alternatif au cristal. Pour des champs crêtes F << F
0
, l’EFK est très faible
(difficilement mesurable). Si le champ crête devient de l’ordre de grandeur
148 Optoélectronique térahertz
Fig. 3.22 – Coefficient de transmission optique d’une lame de semi-
conducteur en fonction du champ électrique pour différentes valeurs de α
1
d.
de F
0
, la lumière transmise sera modulée mais de façon non linéaire : les
composantes de modulation seront les multiples paires de la fréquence du
champ (l’EFK ne dépend pas du signe du champ). Les courbes ont néanmoins
une portion quasi linéaire qui se déplace vers les forts champs lorsque α
1
d
diminue, c’est-à-dire lorsque l’énergie des photons diminue (pour d fixée).
Pour avoir une modulation de l’intensité proportionnelle au champ électrique,
il est donc nécessaire d’appliquer en plus du champ à échantillonner un champ
statique de l’ordre de F
0
à 2F
0
. Si le champ à mesurer s’ajoute au champ
statique, l’intensité optique transmise diminue, et vice versa. Pour maximiser
la sensibilité, on a intérêt à imposer un champ statique colinéaire au champ à
mesurer. Le choix du signe du champ statique permet de déphaser la détection
de 180

.
Évaluons la sensibilité de l’EFK dans le cas d’un cristal de GaAs semi-
isolant d’épaisseur 10 μm dont les deux faces sont métallisées d’une couche
semi-transparente permettant d’appliquer une différence de potentiel et de
transmettre le faisceau optique. F
0
est de l’ordre de 40 kV/cm, soit une
tension de 40 V. Pour α
1
d = 0,2 (ce qui correspond à E · 1,39 à 1,40 eV soit
une longueur d’onde d’environ 880-890 nm), nous obtenons avec le graphe de
la figure (3.22), une variation relative de 3 %/V. Cette sensibilité est obtenue
pour une polarisation statique de 1,3F
0
(environ 50 V).
Conséquences pour une application à l’échantillonnage ultra-rapide
À partir des résultats du paragraphe précédent, nous pouvons en déduire
quelques lignes directrices quant au choix du semi-conducteur :
– l’EFK est un effet de déplacement de la bande d’absorption d’un semi-
conducteur, la longueur d’onde du laser devra donc correspondre préci-
sément à des énergies photoniques proches de la bande interdite. De ce
point de vue, le GaAs et le laser Ti:Sa s’accordent parfaitement (gamme
870-900 nm). L’InP est également compatible avec cette source optique
(gamme 920-950 nm) ;
3. Composants pour le régime impulsionnel 149
– le cristal semi-conducteur doit avoir une grande résistivité, c’est-à-dire
une faible concentration en porteurs libres afin que ceux-ci n’écrantent
pas le champ que l’on veut échantillonner et ne provoquent pas un
courant sous l’effet du champ statique, et donc un échauffement in-
désirable du cristal. D’autre part, l’échantillonnage par EFK crée par
éclairage des paires électrons-trous dans le semi-conducteur et donc un
photocourant qui peuvent engendrer les mêmes effets. Pour réduire ces
phénomènes, il est nécessaire de choisir une énergie photonique suffi-
samment petite devant la bande interdite pour que l’absorption reste
faible. D’autre part, le photocourant sera réduit dans un matériau où la
mobilité et la durée de vie des porteurs est faible. Il convient toutefois
de souligner que la résolution temporelle de l’échantillonnage n’est en
aucune manière liée au temps de vie des porteurs ;
– pour réduire autant que possible le champ statique à superposer au
champ à mesurer, F
0
doit être le plus faible possible. Pour cela, la masse
effective réduite doit être petite, de ce point de vue les composés III-V
sont les plus intéressants. D’autre part, le flanc de l’absorption optique
doit être le plus raide possible. Cela nécessite un semi-conducteur à
bande interdite directe présentant le moins d’impuretés, de défauts
ponctuels et de dislocations possible. Cette dernière remarque est en
partie incompatible avec le point précédent puisque les cristaux de
grande résistivité et à court temps de vie sont en général obtenus grâce
à la présence de défauts ponctuels.
Pour un champ uniforme, l’EFK est négligeable pour des champs de quelques
kV/cm et devient important pour des champs de l’ordre de 50 kV/cm. Cette
non-linéarité constitue une différence fondamentale avec l’effet Pockels qui
est linéaire.
Échantillonnage par électroabsorption La description de l’EFK qui a
été faite est quasi statique c’est-à-dire que le champ électrique est considéré
comme variant lentement. Mais il s’agit d’un effet tunnel qui est intrinsèque-
ment très rapide, il est par exemple utilisé dans des modulateurs pour les
applications en télécommunications. Pour le GaAs, la description quasi sta-
tique reste en fait valable pour des champs variant sur des échelles de temps
de l’ordre de la picoseconde. On peut donc l’utiliser pour échantillonner des
champs THz. Cette technique porte le nom d’échantillonnage par électroab-
sorption (EA) ou encore electroabsorption sampling, EAS en anglais. Pour des
fréquences supérieures à quelques THz et des champs électriques supérieurs
à quelques dizaines de kV/cm, un régime différent appelé effet Franz-Keldysh
dynamique doit théoriquement apparaître [152].
150 Optoélectronique térahertz
750 800 850 900 950
-30
-25
-20
-15
-10
-5
0
5
10
15
20
Calcul (approximation de la masse effective)
Résultats expérimentaux sur GaAs BT
Δ
I
/
I

(
%
)
λ (nm)
Fig. 3.23 – Spectre expérimental d’électroabsorption du GaAs BT recuit et
calcul théorique pour F = 100 kV/cm.
Matériaux Les couches de semi-conducteurs III-V (GaAs, Al
x
Ga
1−x
As)
épitaxiées à basse température (200 à 300

C), puis recuits vers 600

C (voir
la section 3.2.2), sont des matériaux intéressants pour l’échantillonnage EFK
de signaux THz. Ces matériaux sont très isolants (10
6
à 10
7
Ωcm), ont des
champs de claquage élevés (> 300 kV/cm) et le temps de vie des porteurs
est court (0,1 ps à 10 ps). La raideur du flanc d’absorption qui est initiale-
ment très mauvaise à cause de la très grande concentration en défauts est
améliorée par l’intermédiaire du recuit. Le temps de vie peut être supérieur
à la picoseconde, mais celui-ci n’influe pas sur la résolution temporelle de
l’échantillonnage. Ces matériaux présentent donc un bon compromis si l’on
reprend les critères de la partie précédente.
La figure (3.23) représente la variation relative d’intensité mesurée et
calculée [151] transmise par une couche de 1 μm d’épaisseur de GaAs-BT.
Les deux faces de la membrane ont été métallisées à l’aide d’une couche d’or
semi-transparente (10 nm). Les spectres de transmission ont été mesurés
pour une tension appliquée de 10 V (F = 100 kV/cm) et de 0 V, la variation
relative a ensuite été calculée [153].
Configurations expérimentales On peut utiliser l’échantillonnage par
EA pour mesurer localement les variations rapides de champ dans le semi-
conducteur constituant la sonde. Ce semi-conducteur sera en général incor-
poré dans une structure de propagation, adaptée aux fréquences THz, le cas
échéant connectée à une antenne si l’on veut mesurer un faisceau THz se pro-
pageant dans l’espace libre. Diverses configurations expérimentales peuvent
être utilisées : le semi-conducteur peut être une partie de la structure de
propagation (ligne coplanaire ou ligne microruban en semi-conducteur) ou
être rapporté sur la structure. Le premier cas porte le nom d’échantillon-
nage interne et le deuxième d’échantillonnage externe. Du point de vue op-
tique, l’intensité du faisceau de sonde qui sert à échantillonner le champ est
mesurée par une photodiode après un simple passage à travers la couche
3. Composants pour le régime impulsionnel 151
lame
séparatrice
GaAs SI
GaAs BT
pompe
U
laser fs Ti:Saphir
lame
séparatrice
filtre bleu
BBO
sonde
ligne à retard
photodiode
Fig. 3.24 – Schéma du dispositif expérimental (échantillonnage interne).
semi-conductrice (configuration en transmission) ou après un double passage
grâce à un réflecteur placé derrière la couche (configuration en réflexion).
Généralement, l’impulsion THz est générée par photoconduction, cela néces-
site donc une énergie photonique supérieure à la bande interdite alors que
l’échantillonnage par EA nécessite une énergie inférieure. Ce problème peut
être résolu de deux façons : soit en générant effectivement deux longueurs
d’ondes différentes (par génération de second harmonique dans un cristal non
linéaire), soit en utilisant pour la génération et l’échantillonnage deux semi-
conducteurs de bandes interdites légèrement différentes. La figure (3.24) re-
présente le schéma de l’expérience utilisée dans le premier cas [154]. L’échan-
tillon typique prend la forme d’une ligne coplanaire réalisée sur un substrat
de GaAs semi-isolant comportant une couche de GaAs épitaxié à basse tem-
pérature. La figure (3.25) représente un exemple de mesure typique obtenu
sur une ligne coplanaire constituée de deux rubans d’or larges de 10 μm et
séparés de 25 μm polarisée par une tension de 60 V.
La deuxième méthode utilise deux semi-conducteurs de bandes interdites
légèrement différentes. Si le décalage est judicieusement choisi, on pourra
générer l’impulsion par photoconduction dans le premier semi-conducteur
(énergie photonique supérieure à la bande interdite) et détecter par EFK
dans le second (énergie photonique inférieure à la bande interdite). Le re-
port de couches semi-conductrices, comme illustré la figure (3.26), permet de
répondre aux nombreuses contraintes technologiques imposées par cette mé-
thode [155]. La figure (3.27) représente le schéma expérimental qui reste très
simple et peut être utilisé dans les deux configurations décrites ci-dessus. La
figure (3.28) montre un résultat typique obtenu sur une ligne coplanaire sur
quartz constituée de deux rubans d’or larges de 5 μm et séparés de 12,5 μm
polarisée par une tension de 60 V. Le temps de montée mesuré est de 490 fs.
Le spectre s’étend jusqu’à 2,5 THz et présente une dynamique de 60 dB.
152 Optoélectronique térahertz
-20 -10 0 10 20 30 40 50 60 70 80
0
2
4
6
8
0 250 500 750 1000 1250 1500
1E-4
1E-3
0,01
0,1
1
A
m
p
l
i
t
u
d
e

(

U
.
A
.
)
Fréquence (GHz)
S
i
g
n
a
l

d
é
t
e
c
t
é

(
U
.
A
.
)
Temps (ps)
Fig. 3.25 – Exemple typique de mesure par échantillonnage EA interne.
100 μm
Fig. 3.26 – Photographie au microscope optique d’une couche épitaxiée
de GaAs-BT reportée sur une ligne coplanaire Ti/Au de 500 nm d’épaisseur.
laser fs Ti:Saphir
AlGaAs BT
lame séparatrice
photodiode
ligne à
retard
lame séparatrice
pompe
sonde
U
GaAs BT
substrat
Fig. 3.27 – Schéma du dispositif expérimental (échantillonnage externe).
3. Composants pour le régime impulsionnel 153
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5
1E-3
0.01
0.1
1
Fréquence (THz)
A
m
p
l
i
t
u
d
e
FWHM
=760 fs
Temps (ps)
Δ
I
/
I
0

(
U
.
A
.
)
Fig. 3.28 – Exemple typique de mesure par échantillonnage EA externe.
Résolution temporelle La résolution temporelle de cette technique est
le résultat de la convolution de trois éléments : la durée des impulsions du
faisceau de sonde (τ
L
), le temps de transit de l’impulsion optique à travers
l’épitaxie (τ
to
) et le temps de transit du signal électrique à travers le spot du
faisceau de sonde (τ
te
) :
τ =
_
τ
2
L

2
to

2
te
(3.69)
avec
τ
to
= 2
dn
s
c
(3.70)
et
τ
te
=
ωn
e
c
(3.71)
où d est l’épaisseur de l’épitaxie, ω le diamètre du spot, n
s
l’indice de réfrac-
tion du semi-conducteur à la longueur d’onde de sonde, n
e
l’indice effectif du
mode THz se propageant. Pour une ligne coplanaire telle que la précédente
(sur quartz), on trouve τ
to
· 50 fs et τ
te
· 100 fs. Pour une durée d’impulsion
laser de 150 fs, on trouve une résolution temporelle τ · 200 fs.
L’échantillonnage EA pour la détection de THz n’est étudié que de-
puis 2001, il est donc très récent comparé à l’échantillonnage PC ou EO.
Il a été utilisé pour mesurer les caractéristiques de propagation aux fré-
quences THz de lignes coplanaires, de lignes microrubans [153, 156] et de
lignes de Goubau [157]. Il a également été utilisé pour la mesure de filtres
et de lignes rétro-propagatives ainsi que pour la caractérisation de transis-
tors et de photodiodes [158, 159]. Il a permis récemment la détection d’un
rayonnement THz en espace libre [160].
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Chapitre 4
Composants pour le régime
continu
4.1 Introduction
Ce chapitre est principalement consacré aux sources et détecteurs en ré-
gime continu. Nous verrons tout au long de cet ouvrage que les méthodes
de spectroscopie font de plus en plus appel à la détection cohérente. Ainsi,
les techniques de détection homodyne ou hétérodyne sont actuellement dé-
veloppées en tirant parti de la possibilité d’utiliser les composants en émis-
sion comme en réception. Par ailleurs, nous nous restreindrons aux compo-
sants à l’état solide en distinguant deux types d’approches principalement
(figure (4.1)).
Fig. 4.1 – Les 2 familles de composants THz pour le continu.
La première approche est basée sur le battement de deux lasers. Celui-ci
permet une transposition en plus basses fréquences (différence de fréquences
entre les lasers) d’une partie de la puissance des signaux optiques. L’avantage
156 Optoélectronique térahertz
principal de ce type de source est l’accordabilité en fréquence de la source et
la possibilité de fonctionner à température ambiante. En outre, ils peuvent
être utilisés en émission et détection conformément à la remarque précédente
et permettent des conserver l’information de phase en techniques de spec-
troscopie ou d’imagerie THz. Nous présenterons dans un premiers temps un
exemple de photomélangeur en technologie planaire réalisé sur substrat semi-
conducteur basses températures. Compte tenu que de nombreux points sont
communs aux techniques impulsionnelles ayant fait l’objet du chapitre pré-
cédent, nous insisterons plus spécialement sur les spécificités de la fonction
de photomélange comparativement à celle de photogénération d’une impul-
sion THz. Nous verrons comment améliorer la puissance délivrée d’une part
grâce à une architecture verticale et d’autre part grâce à l’utilisation de com-
posants unipolaires connus sous l’acronyme anglo-saxon Unipolar Travelling
Carrier (UTC) diode. Ceux-ci mettent en jeu l’ingénierie de bande interdite
permettant en particulier un fonctionnement aux grandes longueurs d’ondes
(1,3 et 1,5 μm). Les fenêtres optiques au voisinage de ces deux longueurs
d’onde caractéristiques se révèlent particulièrement importantes compte tenu
de la compatibilité des systèmes THz utilisant ces sources primaires avec ceux
des télécommunications optiques. Cette partie nous donnera en particulier
l’occasion de voir comment réaliser des composants rapides à base de maté-
riau InGaAs irradié dont le gap est adapté aux transitions optiques mises en
jeu à ces longueurs d’ondes.
La seconde approche est celle des lasers à multiples puits quantiques ou
super-réseaux de semi-conducteurs. Les processus de pompage électronique
et d’émission radiative se font en cascade pour des hétérostructures de semi-
conducteurs permettant de quantifier les états d’énergie justifiant l’appella-
tion de laser à cascade quantique. Ces lasers ont été démontrés tout d’abord
en infrarouge moyen et proche. Nous verrons que le passage à l’infrarouge
lointain n’est pas qu’une simple règle d’échelle et qu’il convient d’introduire
des nouvelles règles tant dans la conception de l’hétérostructure permettant
l’inversion de population que dans la définition de la cavité photonique réa-
lisée à l’aide de guides plasmons.
4.1.1 Photomélange par battement de deux lasers
En règle générale, toute conversion de fréquence, que ce soit par la gé-
nération d’harmonique multiplication de fréquences, par le mélange de fré-
quence ou par l’amplification paramétrique nécessite un phénomène non li-
néaire (voir chapitres introductifs). Il faut tout d’abord bien noter que l’effet
non linéaire dans le mélange de fréquence par battement de deux lasers ré-
sulte de la caractéristique non linéaire (courant détecté – puissance optique)
d’un photodétecteur ultrarapide. On obtient donc un schéma très semblable
à celui mis en œuvre pour les sources pulsées avec comme enjeu majeur la
réalisation d’un photodétecteur ultrarapide. Nous travaillons en effet dans
4. Composants pour le régime continu 157
le cas présent en régime continu des lasers de pompe et non impulsionnel.
Dans cette condition, il est impératif que le composant de photodétection
puisse détecter des variations temporelles à l’échelle des temps mis en jeu
aux fréquences THz. Différentes voies de recherches sont actuellement étu-
diées en vue de réaliser des détecteurs ultrarapides. La première est celle des
matériaux GaAs épitaxiés à basse température qui permettent de combiner
faible temps de réponse et haute résistivité. Compte tenu de la bande inter-
dite du semi-conducteur GaAs, on utilise pour les photomélangeurs à base
de GaAs basse température des lasers émettant vers 0,8 μm. On peut mon-
trer que le matériau basse température peut éventuellement détecter à plus
grande longueur d’onde (vers 1 μm) notamment grâce à la queue d’absorp-
tion des matériaux basses températures non recuits mais avec un rendement
de conversion trop faible pour la plupart des applications considérées en ima-
gerie et en spectroscopie. Pour la détection aux grandes longueurs d’ondes
(1,3 et 1,5 μm), on peut penser épitaxier à basse température des couches
semi-conductrices InGaAs. En pratique, on se heurte cependant à une dé-
gradation notable de leur résistivité qui ne permet pas de maintenir à un
niveau suffisamment faible le courant d’obscurité. Le battement laser en ré-
gime continu que nous allons à présent considérer permet la caractérisation
en régime monochromatique (monofréquence). La précision de cette mesure
fréquentielle et non temporelle pourra être très élevée comparativement à
celle des techniques impulsionnelles. En outre, par un balayage en fréquences
(en changeant la fréquence d’oscillation d’un des lasers de pompe), il sera pos-
sible de faire l’analyse spectrale d’un dispositif ou d’une matière quelconque.
Dans ce but, le photomélangeur ainsi que les éléments environnants notam-
ment les éléments rayonnant ou de guidage des ondes électromagnétiques
THz seront également large bande. Comme pour les techniques impulsion-
nelles, les composants fonctionnent à température ambiante. Ils bénéficient
également d’une large plage d’accordabilité avec cependant des niveaux de
puissance qu’il convient encore d’améliorer dans la partie haute du spectre.
La figure (4.2) donne le schéma de principe du battement de deux lasers
permettant de générer la fréquence différence. L’idée de base est de super-
poser spatialement les faisceaux optiques issus de deux lasers grâce à une
lame séparatrice située à l’intersection des deux faisceaux. Le faisceau résul-
tant de cette superposition éclaire un photodétecteur ultrarapide qui a ici
la forme d’un peigne interdigité. Les doigts du peigne sont polarisés alter-
nativement par une tension positive et négative en régime dynamique. Le
photodétecteur est connecté à une antenne qui fonctionne aux fréquences
THz avec généralement la bande de fréquence la plus large possible. Cette
antenne est déposée sur une lentille généralement de silicium afin de contrôler
le rayonnement THz. Nous allons tour à tour commenter ces différents points
en essayant de faire ressortir les aspects liés à la physique et ceux relatifs à
l’ingénierie. Le premier point qu’il est important de comprendre est que le
158 Optoélectronique térahertz
Fig. 4.2 – Illustration du principe du photomélange de fréquences.
mélange des fréquences trouve son origine dans la réponse du photodétecteur
généralement quadratique. On se retrouve par conséquent dans la situation
de l’électronique non linéaire avec un élément dont la caractéristique peut
s’écrire sous la forme générale :
I = k V
2
(4.1)
où V désigne un signal aux bornes du composant résultant du recouvrement
des deux faisceaux lasers. Les signaux somme et différence seront générés
dans ce processus de détection en puissance. Le photodétecteur étant rapide,
il sera capable de détecter le signal optique à la fréquence différence ω
2
−ω
1
.
En revanche, le détecteur ne sera pas suffisamment rapide pour enregistrer
le signal somme converti en très hautes fréquences (plus de 600 THz) pour
une excitation vers 1 μm. Les technologies de fabrication sont illustrées sur la
figure (4.3). Celle-ci montre une vue au microscope électronique à balayage
d’un photodétecteur à peigne interdigité. La largeur des doigts est pour cet
exemple de 0,2 μm pour un espacement de l’ordre de 1,8 μm. Cette différence
entre largeur de doigt et espacement permet de limiter les effets d’ombre dans
la mesure où les dépôts métalliques ne laissent pas passer la lumière. Les élec-
trodes du photodétecteur ont été déposées sur une couche semi-conductrice
épitaxiée à basses températures. Il faut en effet rappeler que la croissance des
matériaux III-V par épitaxie par jets moléculaires se fait à des températures
de plusieurs centaines de degrés Celsius. À titre d’exemple, la croissance du
matériau GaAs est effectuée typiquement aux alentours de 600

C, facilitant
la mobilité des composés III et V en surface. En abaissant la température
de croissance, on crée des défauts au sein du semi-conducteur résultant d’un
excès d’arsenic. Ces défauts piègent très rapidement les électrons. Le lecteur
trouvera de plus amples détails sur ces aspects dans le chapitre consacré
aux techniques impulsionnelles. En conclusion, ce n’est donc pas le temps
de transit des électrons au sein de la zone active, mais le temps de vie (life-
time) des électrons dans la bande de conduction qui fixe les caractéristiques
fréquentielles intrinsèques du composant.
En pratique pour les systèmes accordables, le photodétecteur est chargé
par une antenne large bande. Il s’agit généralement d’une antenne spirale
(figure (4.4)), le détecteur étant placé au centre. Cette antenne a pour rôle
4. Composants pour le régime continu 159
Fig. 4.3 – Vue au microscope à balayage électronique d’un photodétecteur
ultrarapide.
Fig. 4.4 – Vue d’une antenne spirale large bande.
160 Optoélectronique térahertz
de rayonner l’onde THz dans l’espace libre. Il est également possible de fabri-
quer des antennes dipôles avec cependant dans ce cas une largeur de bande
plus étroite dans la mesure où le rayonnement se fait avec l’efficacité maxi-
male lorsque la demi-longueur d’onde s’adapte à la dimension de l’antenne.
En définitif, pour cette antenne résonnante, on obtient plus de puissance à
la fréquence centrale avec néanmoins une largeur de bande moindre.
Le développement des micro- et nano-technologies peut nous aider à
améliorer les performances en termes de bilan thermique mais également
d’efficacité dans le processus de photodétection. Ce dernier point est illus-
tré à présent avec l’introduction d’une architecture verticale. En effet, si
nous calculions les valeurs de champ électrique pour la structure visualisée
(figure (4.5)), on constaterait que les valeurs de champ décroissent très ra-
pidement en s’éloignant de la surface. Mathématiquement, nous dirions que
nous sommes confrontés à des effets bidimensionnels. Pour retrouver des va-
leurs de champ plus uniformes sur l’espace, en d’autres termes avec une va-
riation unidimensionnelle du champ, l’idée de réaliser une structure verticale
peut s’avérer prometteuse. La figure (4.5) donne ainsi le principe d’intégra-
tion qu’il est possible de mettre en œuvre dans ce cas. La couche active,
en l’occurrence une fine couche de GaAs épitaxiée à basses températures
est insérée entre deux couches métalliques (titane/or). Un film diélectrique
à base de nitrure de silicium sert de couche antireflet. Le photodétecteur
vertical ainsi défini a une technologie très proche de celle des lasers à cas-
cade quantique. Il n’est donc pas étonnant que les technologies mises en jeu
pour réaliser ce photo détecteur soient très similaires à celles que nous dé-
crirons dans le paragraphe suivant. Des techniques de lift-off épitaxial sont
employées pour transférer la couche active sur un substrat hôte. La figure
montre une photo au microscope du photodétecteur vertical chargé par une
antenne spirale réalisée à l’IEMN.
Fig. 4.5 – Section droite d’un photomélangeur en technologie verticale.
La figure (4.6) montre une vue au microscope de l’antenne spirale. Le bras
supérieur réalisé sur la face supérieure de la couche de GaAs basses tempé-
ratures apparaît au premier plan. Le bras inférieur se voit également par un
effet de relief. L’insert montre la couche active où se fait la photodétection
correspondant à la zone grisée.
4. Composants pour le régime continu 161
Fig. 4.6 – Photo d’un photomélangeur vertical. Photodétecteur en insert.
Fig. 4.7 – Comparaison des performances fréquentielles des photomélangeurs
verticaux et planaires réalisée à l’université du Littoral.
162 Optoélectronique térahertz
La figure (4.7) permet de se faire une idée des performances fréquentielles
des composants de photomélange en comparant la réponse des photodétec-
teurs planaires et verticaux. Les mesures ont été effectuées au Laboratoire de
Physique des Composés de l’Atmosphère (LPCA) de l’université du Littoral-
Côte d’Opale, située à Dunkerque. Comme attendu, les performances des
détecteurs verticaux sont supérieures pratiquement d’un ordre de grandeur
par rapport à celles des mélangeurs planaires. Pour les deux cas, on observe
une réponse relativement plate en fonction de la fréquence jusqu’à environ
0,8 THz. Au-delà, la puissance délivrée par le photomélangeur décroît de
façon relativement abrupte. On peut montrer que deux constantes de temps
caractéristiques sont impliquées dans cette décroissance. La première est le
temps de durée de vie des porteurs photocréés qui sont piégés dans les dé-
fauts profonds du GaAs basse température. La seconde constante de temps
est de type RC où C est la capacité du photodétecteur et R la résistance
de rayonnement de l’antenne. Le principe du photomélange peut être égale-
ment retenu en détection en conservant la cohérence de phase entre émetteur
et détecteur (détection homodyne). Les sources optiques sont généralement
des lasers Ti:Sa pour démontrer la faisabilité de l’expérimentation, mais on
peut très bien envisager d’utiliser des lasers à semi-conducteurs. Dans les
deux cas, il est nécessaire de mettre en œuvre des techniques de contrôle de
la divergence des faisceaux en recherchant une situation de focalisation ou
de collimation (faisceaux parallèles). Aux fréquences THz, on utilise géné-
ralement des miroirs paraboliques, mais d’autres technologies sont en cours
d’étude, notamment les méta-matériaux qui permettent de synthétiser des
valeurs négatives ou nulles de l’indice de réfraction effectif. Les chapitres
consacrés aux techniques développeront ces points en détail.
4.1.2 Composants de transposition de fréquence
par battement de lasers : photodétecteurs
Photodiode pin et ses dérivés
Des résultats intéressants ont été obtenus par battements de lasers dans
des photodiodes ultrarapides. À la différence des photoconducteurs, les pho-
todiodes sont réalisées par la jonction de semi-conducteurs dopés différem-
ment. Les exemples les plus classiques sont les jonctions pn et pin. Dans
ce cas, la rapidité du détecteur n’est pas basée sur un faible temps de vie
des porteurs, mais sur une collection très rapide de ceux-ci. Il est donc néces-
saire que les porteurs parcourent une petite longueur dans le semi-conducteur
avant d’être collectés (longueur de zone déplétée). Classiquement, le trans-
port se fait perpendiculairement aux couches de semi-conducteurs. Celles-ci
étant réalisées par épitaxie, de fines couches d’épaisseur et de dopage bien
contrôlées sont possibles, le temps de transit des porteurs est alors très faible
(la vitesse de saturation des électrons dans les semi-conducteurs est de l’ordre
de 10
7
cm/s = 100 nm/ps).
4. Composants pour le régime continu 163
Le problème que l’on peut alors rencontrer pour la réalisation de photo-
diodes rapides est la capacité C de la jonction. En effet celle-ci vient dégrader
la réponse temporelle de la photodiode via la constante de temps τ = RC
(R étant la résistance de charge de la photodiode). Cette capacité étant inver-
sement proportionnelle à l’épaisseur de zone déplétée, on comprend aisément
qu’un compromis est nécessaire entre le temps de transit et la constante
de temps RC. L’adjonction d’une zone intrinsèque ou très faiblement dopée
(zone i) entre la zone n et la zone p permet d’augmenter l’épaisseur de la
zone déplétée et ainsi d’augmenter l’efficacité de la photodiode (puisque le
matériau absorbant est plus épais) tout en diminuant la capacité de la jonc-
tion (voir [31]). L’autre voie consiste à réduire la section de la photodiode,
toutefois il n’est pas souhaitable de diminuer sa taille en dessous d’une di-
mension de l’ordre de la longueur d’onde puisque la focalisation est limitée
par la diffraction dans le cas d’un faisceau se propageant dans l’espace libre.
Si le faisceau provient d’une fibre optique, le diamètre de la photodiode (10 à
60 μm) doit rester comparable à la taille du mode (pour une longueur d’onde
de 1,55 μm).
Les photodiodes pin sont très utilisées en télécommunications optiques
dans la gamme de longueur d’onde allant de 1,3 à 1,6 μm. Ainsi, des photo-
diodes pin ayant des efficacités de conversion 0,3 à 0,6 A/W et des fréquences
de coupure à −3 dB de 30 à 70 GHz sont couramment réalisées avec le sys-
tème de matériaux Ga
0,47
In
0,53
As/InP [31]. Une expérience de battement de
lasers a été faite avec ce type de photodiode : des puissances de 10 μW à
150 GHz et de 100 nW à 625 GHz ont été obtenues [161].
Pour essayer de ne plus être soumis au compromis temps de transit –
constante RC, des structures à éclairage latéral ont été imaginées [162].
Le faisceau lumineux se propage alors perpendiculairement aux porteurs de
charge. Des réponses de 0,7 à 0,8 A/W associées à des bandes passantes de 40
à plus de 50 GHz ont été réalisées. À notre connaissance, aucune expérience
de battement aux fréquences THz n’a été réalisée avec ce type de dispositif.
Une autre voie pour améliorer les performances consiste à s’affranchir de
la constante RC en distribuant la photodiode. Sa longueur devient alors non
négligeable par rapport à la longueur d’onde du battement. Cette structure
porte le nom de photodiode distribuée ou à onde progressive (Traveling Wave
PhotoDiode ou TWPD). Le schéma équivalent de celle-ci n’est plus alors une
capacité localisée, mais un tronçon de ligne de transmission, la fréquence de
coupure peut en théorie devenir très grande [163]. D’autre part, cette struc-
ture peut supporter des puissances optiques plus importantes. Toutefois les
difficultés technologiques de réalisation sont importantes, l’impédance carac-
téristique et les pertes de la ligne de propagation sont souvent un handicap.
Des expériences de battement ont été effectuées avec ces détecteurs, une
puissance de 160 μW a été obtenue à 110 GHz, la réponse du photodétec-
teur était de 0,08 A/W [164]. En gamme THz, des puissances de l’ordre de
10 nW ont été obtenues à 1 THz [164].
164 Optoélectronique térahertz
Même si des fréquences de coupures importantes peuvent être obtenues,
le principal problème de la structure pin est le phénomène de saturation.
Lorsque la puissance optique devient importante, le champ créé par les paires
électrons-trous photogénérées en grand nombre écrante de plus en plus le
champ de la zone intrinsèque. En particulier, les porteurs les plus lents, les
trous, ont tendance à s’accumuler (leur vitesse de saturation est de l’ordre de
50 nm/ps dans Ga
0,47
In
0,53
As), ce qui accentue cet effet via le phénomène de
charge d’espace. Cette diminution de champ diminue la vitesse des porteurs
et on arrive à une situation où le photocourant n’augmente plus avec la
puissance optique : la photodiode sature.
Photodiode à transport unipolaire
Une autre approche a été développée depuis 1997 par les laboratoires
NTT au Japon. Cette structure est la photodiode à transport unipolaire
(Uni-Travelling-Carrier PhotoDiode ou UTC-PD). Nous allons la détailler
plus particulièrement car elle a donné à ce jour les meilleurs résultats par
battement de lasers.
L’idée de base de cette structure est que le comportement dynamique de
la photodiode ne soit plus limité par les porteurs les plus lents (les trous),
mais par les électrons. Cette situation est souvent présente dans les compo-
sants électroniques (exemple : les transistors à effet de champ à canal n). Pour
une photodiode, le problème est plus complexe car l’absorption des photons
dans un semi-conducteur génère forcément des paires électrons-trous. L’idée
de Ishibashi et de ses collaborateurs [165] a été de doper de type p assez
fortement la zone absorbante (au lieu d’une zone absorbante intrinsèque ou
faiblement dopée n dans la photodiode pin). Dans ce cas le champ électrique
est très faible dans la zone absorbante, et elle reste quasi neutre. D’autre
part, les paires électrons-trous sont photocréés dans une population déjà im-
portante de trous, typiquement : p
0
= N
A
· 10
18
cm
−3
. On montre que,
dans ce cas, le courant de trous répond au courant d’électrons avec une
constante de temps typique égale au temps de relaxation diélectrique du ma-
tériau (τ
r
= ε/σ = ε/qμ
h
p
0
). Pour Ga
0,47
In
0,53
As dopé p à p
0
= 10
18
cm
−3
,
on obtient un temps de relaxation de l’ordre de 30 fs. Ce temps est très
court devant le temps de transit associé aux électrons. Dans le cas de l’UTC-
PD, ce sont donc les électrons qui fixent le temps de réponse du composant
(contrairement au cas des photodiodes pin). Les électrons photocréés sont
des porteurs minoritaires dans la couche absorbante. L’inconvénient du do-
page important de la couche est que le champ électrique est alors très faible
(contrairement au champ présent dans une zone i). Pour extraire les électrons
de la zone absorbante, le seul mécanisme efficace de déplacement des charges
est alors le processus de diffusion. Pour éviter la diffusion du côté non désiré,
on place une barrière de potentiel contre la zone absorbante. De l’autre côté
pour collecter les électrons, on place une zone intrinsèque ou faiblement dopée
4. Composants pour le régime continu 165
Barrière de diffusion
Couche
absorbante
(GaInAs)
Contact p
Couche de
contact n
e
-
e
-
e
-
e
-
e
-
t
+
t
+
t
+
t
+
t
+
h
Bande de
conduction
Bande de
valence
Collecteur (InP)
Fig. 4.8 – Structure de bande d’une photodiode à transport unipolaire.
dans laquelle règne un champ important (zone déplétée appelée collecteur,
voir figure (4.8)).
On s’arrange pour que le collecteur ait une bande interdite suffisamment
grande pour ne pas être absorbant à la longueur d’onde considérée (typi-
quement de l’InP pour une longueur d’onde de 1,55 μm), sinon la structure
serait très proche d’une structure pin. La photodiode à transport unipo-
laire est donc essentiellement basée sur une double hétérojonction de semi-
conducteurs. Un exemple typique d’empilement est : Ga
1−x
In
x
As
1−y
P
y
(bar-
rière de diffusion), Ga
0,47
In
0,53
As (zone absorbante), InP (collecteur). Le
transport des électrons se fait d’abord par diffusion dans la zone absorbante
puis par dérive dans le collecteur, on peut alors estimer le temps de transit
de ceux-ci :
τ
t
· τ
A

C
= W
2
A
/3D
e
+W
A
/v
th
+W
C
/v
e
(4.2)
où W
A
et W
C
sont les épaisseurs de la zone absorbante et du collecteur,
D
e
= kTμ
e
/q est le coefficient de diffusion des électrons, v
th
=
_
2kT/πm

est la vitesse d’émission thermo-ionique et v
e
est la vitesse des électrons dans
le collecteur. Dans le collecteur, les électrons subissent un phénomène de
transport non stationnaire appelé overshoot qui leur permet de dépasser la
vitesse de saturation. Ce phénomène est connu dans les transistors bipolaires
à hétérojonction où les électrons peuvent atteindre 400 nm/ps dans les col-
lecteurs en InP. Ces transistors (Heterojunction Bipolar Transistor ou HBT)
ont une structure proche de l’UTC-PD. Pour W
A
= 200 nm (Ga
0,47
In
0,53
As)
et W
C
= 200 nm (InP), on obtient τ
t
· 2,6 ps.
Un avantage de la structure UTC-PD est que l’épaisseur de la zone absor-
bante peut être ajustée indépendamment de l’épaisseur du collecteur. Cela
permet de réduire l’épaisseur de zone absorbante (pour réduire le temps de
166 Optoélectronique térahertz
Fig. 4.9 – Image prise au microscope électronique à balayage d’une UTC-
PD InGaAs/InP de 2 μm de diamètre fabriquée à l’Institut d’Électronique
de Microélectronique et de Nanotechnologie.
diffusion des électrons) sans sacrifier le temps RC. On peut donc obtenir
des fréquences de coupures très élevées avec la structure UTC-PD (quelques
centaines de GHz). Une autre différence importante avec la photodiode pin
se situe au niveau du phénomène de saturation. Il est clair que le transport
d’un nombre importants d’électrons dans le collecteur crée une diminution
du champ par effet de charge d’espace (phénomène connu sous le nom d’ef-
fet kirk dans les HBT). Toutefois, le phénomène intervient pour des densités
de courant plus importantes grâce à la vitesse élevée des électrons. On ob-
tient alors un courant de saturation supérieur d’un ordre de grandeur pour
l’UTC-PD par rapport à la photodiode pin.
La figure (4.9) représente une image prise au microscope électronique à
balayage d’une UTC-PD InGaAs/InP. Celle-ci ne comporte pas de fenêtre
optique, l’éclairage de la photodiode se fait par le substrat en InP (qui est
transparent à 1,55 μm). L’anode étant constituée d’un contact métallique,
elle joue le rôle de miroir, ce qui permet à la lumière de passer deux fois
dans la couche absorbante et augmente la réponse de la photodiode. La ligne
coplanaire est connectée à la cathode et à l’anode de la photodiode grâce à
des ponts à air.
Cette photodiode unipolaire a été développée à l’origine pour des appli-
cations en télécommunications par fibres optiques, toutefois la combinaison
d’une fréquence de coupure importante et d’un seuil de saturation élevé est
très favorable pour l’obtention de puissances importantes en gamme THz. Les
laboratoires NTT ont ainsi démontré des fréquences de coupures à −3 dB de
220 GHz (0,126 A/W) à 310 GHz (0,07 A/W) [166, 167]. Ces bandes pas-
santes ont été obtenues en effectuant la transformée de Fourier des réponses
impulsionnelles mesurées par une méthode d’échantillonnage électro-optique.
4. Composants pour le régime continu 167
Des expériences de battements de lasers ont été faites : des puissances de plus
de 20 mW ont été obtenues à 100 GHz [168]. À 300 GHz, une puissance de
300 μW a été obtenue en intégrant l’UTC-PD avec une antenne large bande
log-périodique, la même structure a généré 2,6 μW à 1 THz. L’intégration
d’une UTC-PD avec des dipôles résonnants (antenne à bande étroite) a per-
mis de générer 10,9 μW à 1 THz ce qui constitue actuellement le record de
puissance générée à 1 THz par battement de lasers.
La structure de l’UTC-PD présente de nombreux degrés de liberté (maté-
riaux, épaisseurs des couches, ...). Il est probable qu’une conception optimisée
pour diminuer les pertes, augmenter la dissipation thermique et le rendement
de l’antenne permettra d’augmenter encore les performances et d’atteindre
des puissances de l’ordre de 100 μW à 1 THz et à température ambiante.
4.1.3 Laser à cascade quantique (QCL)
En optique visible et infrarouge, notamment pour les grandes longueurs
d’ondes des télécommunications, le LASER (Light Amplification by Stimula-
ted Emission of Radiation) est le composant le plus utilisé. Comme l’indique
son acronyme, pour obtenir l’effet laser, il est nécessaire d’obtenir l’émission
stimulée des transitions optiques. Pour un laser semi-conducteur, elles se font
entre les bandes de conduction et de valence. Par conséquent, les électrons
et les trous sont impliqués dans ces transitions. Elles peuvent avoir lieu dans
un matériau semi-conducteur en volume ou dans des puits quantiques. Si, à
présent, on désire étendre ce principe de fonctionnement pour des longueurs
d’onde correspondant à l’infrarouge moyen (10 μm) ou lointain (100 μm),
on se heurte à la difficulté suivante : les matériaux semi-conducteurs n’ont
pas un gap suffisamment étroit pour correspondre à l’énergie de la transition
optique. Face à ce problème, le chercheur a introduit le concept de transi-
tion inter-sous-bande et non plus inter-bande comme dans le cas précédent.
L’idée est simple dans son principe. La structuration des matériaux en puits
quantiques permet de quantifier l’énergie des électrons. Pour des barrières suf-
fisamment élevées, plusieurs niveaux peuvent exister dans une même bande
soit de valence, soit de conduction. Une structure également très intéressante
consiste à coupler les puits entre eux. En pratique, cela signifie qu’ils sont sé-
parés d’une barrière de potentiel que les électrons peuvent traverser par effet
tunnel. Lorsque les deux puits sont parfaitement identiques, ils présentent
les mêmes valeurs de niveaux d’énergie qui leur sont propres. En revanche, le
couplage par effet tunnel fait que le système quantique, constitué des deux
puits, présente deux niveaux de résonance distincts. En physique des semi-
conducteurs, on parle de levée de dégénérescence des niveaux quantiques.
L’écart entre les niveaux est d’autant plus important que le couplage est
fort. Cette idée est très souvent utilisée pour la réalisation de laser unipo-
laire à hétéro-structures de semi-conducteurs. À présent lorsqu’on fabrique
un grand nombre d’hétéro-jonctions en multipliant les matériaux, on crée
168 Optoélectronique térahertz
ce que l’on appelle un super-réseau de semi-conducteur. Ce qualificatif s’ex-
plique par la périodicité artificielle du potentiel auquel est soumis l’électron
en référence au potentiel cristallin du semi-conducteur massif. Ainsi en alter-
nant les matériaux semi-conducteurs, qui diffèrent par leur gap, on introduit
une super-structure qui vient se superposer sur celle correspondant au ré-
seau cristallin. Par cette ingénierie de la structure de bande (alternance de
bandes interdites larges et étroites), il est possible de créer des mini-bandes
d’énergies. À ce stade, nous disposons de l’ensemble des notions utiles dans
la conception des lasers unipolaires à puits quantiques illustrées sur la fi-
gure (4.10). La zone active est située au centre de la figure avec deux puits
larges couplés par une barrière de potentiel fine. La transition optique ra-
diative (avec émission d’un rayonnement électromagnétique) se fait entre les
niveaux quantiques notés 2 et 3. De part et d’autre de la zone active, ont
été réalisés deux super-réseaux. Leur diagramme d’énergie en bande d’éner-
gie permise et interdite est illustré à droite de la figure. On constate que le
niveau 3 est aligné avec la bande interdite du super-réseau de droite. Les
électrons ne peuvent pas par conséquent se propager dans cette zone, favo-
risant les transitions radiatives. L’inversion de population, qui décrit le fait
qu’un niveau excité est plus peuplé en électron qu’un niveau situé à plus
basses énergies, se fait grâce à la zone d’injection située en amont de la zone
active. Ces processus d’injection et d’émission radiative ont lieu sur plusieurs
cellules élémentaires qui sont cascadées au sens de la mise en série des cir-
cuits. Ce terme fait également référence aux analogies hydrauliques où le flux
d’électrons dévale le potentiel. Sur cette même figure (4.10), ont été tracées
les probabilités de présence électronique. À titre d’exemple, la probabilité de
présence est maximale pour les deux niveaux dégénérés 1 et 2 au centre du
puits alors qu’elle est minimum mais non nulle au centre de la barrière de
couplage.
La plus grande difficulté à laquelle se heurte le chercheur dans la perspec-
tive d’étendre le principe des lasers cascade à l’infrarouge lointain concerne
l’énergie mise en jeu dans la transition optique et donc l’écart entre les ni-
veaux quantiques. À titre d’exemple, pour un laser fonctionnant à 4 THz,
l’énergie correspondante hν où h est la constante de Planck et ν la fréquence
de fonctionnement, est de l’ordre de 17 meV. Cette valeur d’énergie est à
comparer à celle de l’agitation thermique d’un gaz électronique qui est de
25 meV à température ambiante. En conséquence, on conçoit la nécessité de
faire fonctionner les composants à température cryogénique afin d’abaisser
l’énergie d’agitation thermique qui est proportionnelle à la température. Une
autre valeur d’énergie de référence est l’énergie du phonon optique. Sans en-
trer dans les détails des mécanismes d’interactions entre les électrons et le
réseau cristallin, rappelons que les vibrations du réseau cristallin sont quanti-
fiées avec des valeurs d’énergie de référence qui seraient de l’ordre de 35 meV
pour le GaAs. Ce matériau est utilisé pour la fabrication des puits quantiques
4. Composants pour le régime continu 169
Fig. 4.10 – Structure de bande et probabilité de présence pour un laser
à cascade quantique.
pour les lasers cascade en infrarouge lointain. En pratique, on se sert de l’in-
teraction avec les phonons, non radiative, pour dépeupler le niveau de plus
basse énergie impliquée dans les transitions radiatives. La fabrication d’un
laser à cascade quantique passe également par la réalisation d’une cavité op-
tique généralement longitudinale. Pour créer cette cavité, il est nécessaire de
réaliser un milieu de propagation, borné par des miroirs semi-transparents. À
cette condition, l’onde électromagnétique effectue des allers et retours dans
ce milieu, à l’origine des effets de cavité. Si, en optique, la cavité est faite à
partir d’un guide diélectrique, il n’en est pas de même en infrarouge proche et
lointain. En effet, les dimensions pertinentes dans les directions transverses
à la propagation de ce guide diélectriques sont de l’ordre de grandeur de la
longueur d’onde. Pour un laser à cascade quantique, le guide diélectrique est
constitué par la couche active fabriquée par épitaxie. Même si des progrès
indéniables ont été réalisés dans l’épitaxie de couches épaisses (on atteint
quelquefois la superposition de plus de 100 couches de semi-conducteurs), il
s’avère impossible de confiner les champs électromagnétiques par cette voie.
La solution passe par l’utilisation de guides plasmon. Concrètement, cela
signifie que la couche active est insérée entre deux couches métalliques ou
quasi métalliques, l’onde électromagnétique se propageant le long des inter-
faces métal/semi-conducteur. Par le terme quasi métallique, nous désignons
un matériau semi-conducteur très fortement dopé. On peut montrer que grâce
à cette couche enterrée, il est possible de confiner une bonne partie du champ
électromagnétique dans le milieu où il y a du gain. Ici encore, l’utilisation des
170 Optoélectronique térahertz
micro- et nano-technologies a donné la possibilité de rendre plus efficace l’in-
teraction onde-matière avec la réalisation d’un guide doublement métallique.
Cela signifie que la couche active est encadrée par deux films de métal. Il faut
cependant savoir que pour préserver la qualité cristalline durant la croissance,
celle-ci s’effectue à partir d’un substrat semi-conducteur. Pour qu’une couche
métallique enterrée se substitue à la couche semi-conductrice, on utilise les
techniques de report épitaxial. La couche active est enlevée du substrat de
croissance puis reportée sur un substrat hôte préalablement recouvert d’une
pellicule d’or. Ce procédé de report épitaxial s’apparente à un épluchage de
la couche comme pour un procédé de peeling avec fixation du film actif soit
par forces de Van de Waals ou par tout autre procédé de collage. On uti-
lise généralement le terme de lift-off épitaxial. Le report peut être fait avant
la fabrication ou après celle-ci. La spécificité des lasers à cascade quantique
fonctionnant en infrarouge lointain est avant tout les valeurs d’énergie mise
en jeu. Celles-ci sont très souvent inférieures à celles des phonons optiques et
l’agitation thermique. Même si, a priori, les principes sont les mêmes entre un
fonctionnement en infrarouge moyen et lointain, plusieurs aspects se doivent
d’être optimisés. Tout d’abord l’inversion de population. Pour ce faire, on a
de plus en plus recours aux techniques de simulation du transport des charges
au sein de la zone active par des techniques de type Monte-Carlo, notamment
pour décrire le pompage électrique. Il faut rappeler que le transport électro-
nique se fait de manière aléatoire avec des contraintes liées à la quantification
des niveaux d’énergie. La description ne peut être que statistique. Parmi les
modèles de transport, figurent les techniques de description par méthode de
Monte-Carlo. L’histoire de milliers d’électrons est simulée dans l’espace réel
et l’espace réciproque. Ce dernier permet de rendre compte des interactions
en conservant en particulier l’énergie et la quantité de mouvement. On peut
également déterminer par ces techniques les probabilités de présence sur les
différents niveaux et leurs populations respectives. La figure (4.11) montre
ainsi le résultat d’un calcul pour une structure fonctionnant en infrarouge
lointain. Au lieu d’une vraie mini-bande, les niveaux discrets forment ici une
série de niveaux très resserrés. Ces différents niveaux sont peuplés conformé-
ment au tracé de la densité électronique portée sur la droite. On constate
l’existence d’un creux dans les états propres de basse énergie attestant de la
possibilité d’inverser la population.
La figure (4.12) précise les performances d’un des premiers lasers cascade
ayant fonctionné en infrarouge lointain. La caractéristique courant-tension ré-
sultant du pompage électrique est donnée sur l’axe des ordonnées de gauche.
Elle est mesurée à 5 K, par conséquent à une température très proche de celle
de l’hélium liquide. Les valeurs de courant sont très élevées pour un compo-
sant optoélectronique. Ceci résulte de la surface équivalente du composant
très importante qui correspond en pratique à celle du contact supérieur. Il en
résulte des problèmes thermiques résolus souvent en polarisant le composant
4. Composants pour le régime continu 171
0 1 000 2 000
Fig. 4.11 – Niveaux quantiques dans un laser à cascade quantique (QCL).
, , , ,
,
,
,
,
Fig. 4.12 – Caractéristique courant tension du premier laser THz à cascade
quantique.
172 Optoélectronique térahertz
en impulsions avec un taux de répétition très faible. Sur l’axe des ordonnées
de gauche a été reportée la puissance pic délivrée à différentes températures.
On constate que le laser est capable de délivrer une impulsion de l’ordre de
quelques mW à très basses températures. L’émission laser peut être mesurée
jusqu’à la température de 40 K dans l’exemple pris ici. Depuis la première
démonstration du laser en infrarouge lointain, les progrès technologiques ont
été fulgurants et les chercheurs n’ont eu de cesse d’améliorer les performances
des lasers en termes d’efficacité, de température et de fréquence de fonction-
nement, de puissance délivrée de pureté spectrale. On peut raisonnablement
penser que, dans un proche avenir, il soit possible de faire fonctionner un
laser cascade à 300 μm (1 THz) sachant que les meilleurs résultats actuels
se situent aux alentours de 2 THz. Il semble cependant difficile d’espérer les
faire fonctionner à température ambiante même si les récentes démonstra-
tions à la température de l’azote liquide sont encourageantes. Par ailleurs,
ils sont difficilement accordables.
4.2 Conclusion partielle
Au terme de cette introduction du chapitre consacré aux sources et détec-
teurs en régime continu, deux voies de recherche, respectivement celle relative
aux photomélangeurs et celle basée sur l’émission laser, apparaissant com-
plémentaires par rapport à la bande de fréquences de fonctionnement. Les
photomélangeurs fonctionnent avec des niveaux de puissance compatibles
avec les applications grand public dans la partie basse du spectre THz alors
que le laser cascade semble plus adapté à la partie haute de celui-ci. Les
photomélangeurs fonctionnent à température ambiante et permettent une
grande couverture spectrale (de l’ordre du THz) alors que le laser à cas-
cade quantique ne fonctionne qu’à basses températures (typiquement l’azote
liquide pour le moment) et présente une faible plage d’accord fréquentiel.
Les niveaux de puissance délivrée sont cependant plusieurs ordres de gran-
deur (typiquement 1 mW) au-dessus de ceux produits par les dispositifs de
photomélange (typiquement 1 μW) bien qu’aux longueurs d’onde millimé-
triques, les diodes UTC présentent des performances tout à fait étonnantes.
Le progrès fait depuis la première démonstration du laser cascade sont im-
pressionnants en termes d’intégration, minimisant les éléments parasites et
optimisant les bilans thermiques, en termes de stabilité par réseau de Bragg
ou plus généralement en termes de performances. Les calculs Monte-Carlo
de l’inversion de population montrent qu’il devrait être possible de fabriquer
un laser à cascade quantique fonctionnant vers 1 THz comblant ainsi le fossé
entre sources par photomélange et sources par effet laser.
4. Composants pour le régime continu 173
4.3 Technique de photomélange : principe
et limitations
Le principe de base du photomélange consiste à convertir un battement
aux fréquences optiques vers le THz en exploitant la non-linéarité de photo-
détection d’un photodétecteur ultrarapide. Lorsque deux faisceaux lasers de
puissance P
1
et P
2
de même polarisation sont superposés spatialement, un
terme à la différence de fréquence apparaît dans l’expression de la puissance
instantanée :
P
opt
(Δν, t) = P
1
+P
2
+ 2
_
P
1
P
2
cos(2πΔνt) (4.3)
avec Δν la différence de fréquence entre chaque laser. Cette puissance optique
module la conductivité d’un semi-conducteur et par conséquent induit au
sein du photomélangeur un photocourant. Le nombre de porteurs de charge
suit un processus de génération-recombinaison, et limite de fait l’efficacité de
conversion lorsque Δν augmente, et l’expression du photocourant I prend la
forme :
I(Δν, t) = I
dc


1 +
cos(2πΔνt)
_
1 + (2πΔντ)
2


(4.4)
I
dc
est un courant statique (à fréquence nulle) produit par les deux la-
sers et accessible avec un simple multimètre. Dans le cadre de nos hypo-
thèses, améliorer I
dc
revient également à maximiser le photocourant à la
fréquence Δν, c’est-à-dire au final la puissance THz. τ est le temps de vie
des porteurs de charges. On note un premier terme qui limite la bande pas-
sante du photodétecteur et une première fréquence de coupure f
c
=
1
2πτ
.
Seuls des matériaux ultrarapides (à temps de vie court) sont compatibles
avec les fréquences visées et soulignent encore le rôle clé de GaAs-BT.
Une fois généré, ce courant est couplé à une antenne correctement dimen-
sionnée pour assurer l’émission de l’onde THz. Cette source de courant est
donc chargée par une impédance Z formée par une capacité C en parallèle
avec une impédance de rayonnement R
a
. La puissance THz rayonnée est de
la forme :
P
THz
= Re ¦Z¦
¸
i
2
_
(4.5)
Dans cette expression,
¸
i
2
_
est la moyenne temporelle du carré de la partie
variable du courant :
¸
i
2
_
=
_
I
2
dc
1 + (2πΔντ)
2
cos
2
(2πΔνt)
_
(4.6)
et
Re ¦Z¦ =
R
a
1 + (2πΔν R
a
C)
2
(4.7)
174 Optoélectronique térahertz
Fig. 4.13 – Photographie d’un mélangeur à peigne interdigité, chargé par
une antenne spirale large bande, déposé sur une couche de GaAs-BT. La
zone active forme une surface de 88 μm
2
. Les doigts du peigne, larges de
200 nm, sont séparés de 1,8 μm. Ces dispositifs ont été réalisés à l’Institut
d’Électronique de Microélectronique et de Nanotechnologies de l’université
de Lille 1.
Au final, la puissance THz rayonnée s’exprime par :
P
THz
=
1
2
.
I
2
dc
R
a
(1 + (2πΔν R
a
C)
2
) (1 + (2πΔντ)
2
)
(4.8)
Dans cette expression, on remarque une seconde fréquence de coupure
caractéristique des éléments de l’antenne, c’est-à-dire de sa constante de
temps R
a
C.
Plusieurs dispositifs émetteurs ont été proposés afin de réduire cette
constante de temps tout en privilégiant la réponse statique du photomé-
langeur. La solution la plus répandue consiste en un peigne interdigité aux
dimensions submicroniques, couplé à une antenne spirale, déposé sur GaAs-
BT. Sa fabrication demande d’importantes installations et notamment une
étape de lithographie électronique. La figure (4.13) est un exemple de réali-
sation de tels dispositifs.
4.4 Vers les grandes longueurs d’onde
La raison principale pour laquelle l’essentiel des recherches sur les pho-
tomélangeurs a porté sur le matériau GaAs BT est qu’il associe un temps
de vie des porteurs picoseconde et de bonnes propriétés électriques. La po-
sition spectrale de la bande interdite du GaAs impose d’utiliser des lasers
de commande dont les longueurs d’onde se situent autour de 800 nm. En
conséquence, les expériences de photomélange sont principalement effectuées
en espace libre car il existe très peu de composants optiques fibrés à ces
longueurs d’onde, et notamment d’amplificateurs optiques. Ces expériences
sont néanmoins difficiles à mettre en œuvre en espace libre car le couplage des
deux faisceaux optiques de commande aux éléments du photomélangeur est
4. Composants pour le régime continu 175
extrêmement critique. L’utilisation d’une fibre optique pour effectuer ce cou-
plage facilite significativement les réglages et assure une meilleure stabilité de
fonctionnement du système. C’est pourquoi de nombreuses recherches sont
menées pour réaliser des photomélangeurs sensibles aux longueurs d’onde des
systèmes de télécommunications, notamment à 1 550 nm, où il existe un large
panel de composants fibrés. En effet, des lasers de commande de très grande
pureté spectrale, tels que les diodes lasers à cavité externe ainsi que des
amplificateurs optiques à fibre dopé Erbium sont disponibles à ces longueurs
d’onde. La technologie fibrée ouvre de plus la voie à des systèmes portables de
métrologie et également à une mise en réseaux à deux dimensions des photo-
mélangeurs [169]. L’architecture des réseaux peut être similaire à celle utilisée
dans les réseaux de phases d’antennes micro-onde, les antennes résonantes
planaires sont séparées de leurs proches voisines par approximativement λ/2,
où λ est la longueur d’onde THz dans l’espace libre.
Certes, le GaAs BT présente une absorption significative en dessous de
la bande interdite, mais son coefficient d’absorption autour de 1 550 nm est
trop faible pour envisager son insertion dans un photomélangeur efficace.
Dans ce contexte, des approches technologiques nouvelles [170] sont mises en
œuvre pour réaliser des photomélangeurs commandés à 1 550 nm, la longueur
d’onde des systèmes de télécommunications. Les recherches se sont orientées
naturellement vers le matériau référence utilisé dans les composants télécoms,
l’In
0,53
Ga
0,47
As épitaxié sur substrat d’InP, un matériau photoconducteur
dont la bande interdite à la température ambiante, est située à 1 600 nm.
L’enjeu étant alors de réduire le temps de vie des porteurs dans ce matériau
semi-conducteur tout en préservant une mobilité des porteurs relativement
élevée et une forte résistivité.
Une solution originale, proposée par l’équipe de E. R. Brown de l’uni-
versité de Californie [170], consiste à insérer des nanoparticules d’ErAs dans
une matrice d’In
0,53
Ga
0,47
As en accord de maille sur InP. Une autre approche
proposée est l’implantation ou l’irradiation ionique de l’In
0,53
Ga
0,47
As [171].
Ces deux approches permettent de réduire le temps de vie des porteurs
libres à des sub-picosecondes sans dégrader significativement les proprié-
tés électriques de l’In
0,53
Ga
0,47
As. Les couches semi-conductrices d’ErAs:
In
0,53
Ga
0,47
As ainsi que d’In
0,53
Ga
0,47
As irradié par des ions, épitaxiées en
accord de maille sur InP, ont permis la réalisation des premiers photomélan-
geurs à 1 550 nm. Des bancs de spectroscopie adaptés à ces grandes longueurs
d’onde ont donc été développés.
4.4.1 Banc expérimental
Le banc de spectroscopie utilise deux diodes lasers à cavité externe qui
délivrent dans une fibre monomode un signal continu de quelques mW autour
de 1 550 nm. Les polarisations des faisceaux lasers sont ajustées de manière
à ce que les champs électriques des deux faisceaux soient colinéaires. Ainsi
176 Optoélectronique térahertz
le battement entre les deux faisceaux optiques est maximisé. Puis, les deux
faisceaux sont couplés dans une même fibre optique monomode à l’aide d’un
coupleur fibré 50/50 et amplifiés jusqu’à plusieurs dizaines de mW avec un
amplificateur Erbium à fibre dopée. Des boucles de Lefèvre sont utilisées
pour contrôler la polarisation du faisceau incident sur le photomélangeur. Le
battement optique est focalisé sur le photomélangeur grâce à une fibre len-
tillée de distance de travail typique de 25 μm et de diamètre de focalisation
de 5 μm. Une lentille hyper-hémisphérique de silicium haute résistivité est
plaquée en face arrière contre le substrat. Elle permet notamment de colli-
mater le rayonnement pour qu’il atteigne le détecteur. Un miroir parabolique
est éventuellement placé pour focaliser le rayonnement dans le détecteur. Un
filtre est placé sur le trajet pour empêcher le rayonnement résiduel à 1 550 nm
d’atteindre le détecteur. Le détecteur est soit un bolomètre refroidi à l’hé-
lium liquide (4,2 K), soit une cellule de Golay (voir la description de ces
détecteurs en page 30). Le photomélangeur est polarisé à l’aide d’une tension
carrée modulée à 210 Hz et le détecteur est connecté à un amplificateur à
détection synchrone. En faisant varier la longueur d’onde optique d’une des
deux sources, on fait varier la différence de fréquence de quelques dizaines
de GHz à plusieurs THz.
-
Fig. 4.14 – Schéma d’une expérience de photomélange.
4.4.2 Résultats expérimentaux
Nous présentons le rayonnement THz obtenu par des photomélangeurs
commandés par des faisceaux optiques dont les longueurs d’onde se situent
autour de 1550 nm.
Photomélangeur en ErAs:In
0,53
Ga
0,47
As
Le photomélangeur possède une couche active en ErAs:In
0,53
Ga
0,47
As de
1,2 μm d’épaisseur épitaxiée sur un substrat semi-isolant d’InP dopé fer. La
sensibilité du photomélangeur est de 8 mA/W pour une tension de polarisa-
tion de 9 V.
4. Composants pour le régime continu 177
,
,
,
,
1 000
Fig. 4.15 – Puissance de sortie du photomélangeur en ErAs:In
0,53
Ga
0,47
As en
fonction de la différence de fréquence entre les deux lasers. Le photomélangeur
est constitué d’électrodes interdigitées, de 0,25 μm de largeur et espacées de
1 μm, déposées à la surface de la couche active par lithographie électronique.
Ces électrodes sont situées au centre d’une antenne dipolaire de largeur 9 μm
et de longueur physique 94 μm.
La figure (4.15) présente la puissance de sortie du photomélangeur en
ErAs:In
0,53
Ga
0,47
As en fonction de la différence de fréquence entre les deux
lasers [172]. Le photomélangeur est polarisé à 8 V et illuminé avec une puis-
sance optique totale de 40 mW. Entre 0 et 22 GHz, la puissance de sortie
mesurée à l’aide d’un analyseur de spectre est pratiquement constante et
atteint un niveau de 0,2 μW. Au-dessus de 60 GHz et jusqu’à 100 GHz, la
puissance de sortie, mesurée à l’aide d’une cellule de Golay est essentielle-
ment constante et égale à 0,13 μW. Au-delà de 100 GHz, la puissance décroît
rapidement. La fréquence de coupure à −3 dB se situe à 200 GHz. Cette fré-
quence de coupure conduit à un temps caractéristique de 0,8 ps égale au
temps de vie des porteurs libres dans la couche d’ErAs:In
0,53
Ga
0,47
As.
Photomélangeur en In
0,53
Ga
0,47
As irradié par des ions
Le photomélangeur est constitué d’une couche de 1 μm d’In
0,53
Ga
0,47
As
irradié par des ions (brome), épitaxiée sur une couche tampon d’InAlAs de
200 nm d’épaisseur, elle-même épitaxiée sur un substrat semi-isolant d’InP
dopé fer. Une couche de nitrure de silicium est déposée sur la surface de
l’In
0,53
Ga
0,47
As et agit comme couche antireflet et de passivation. La sensi-
bilité du photomélangeur est de 0,025 A/W à 1,8 volt.
178 Optoélectronique térahertz
,
, , ,
,
Fig. 4.16 – Tension détectée par un bolomètre refroidi en fonction de la
différence de fréquence entre les deux lasers. Le photomélangeur est constitué
d’électrodes interdigitées de largeur 0,2 μm et espacées de 1,8 μm, situées au
centre d’une antenne spirale équi-angulaire d’impédance 73 Ω déposées à la
surface de la couche active par lithographie électronique.
La figure (4.16) présente la tension détectée par un bolomètre refroidi
ainsi que la puissance estimée en fonction de la différence de fréquence entre
les deux lasers. Une tension de polarisation de 1,5 V est appliquée au dispo-
sitif et la puissance optique incidente totale est de 40 mW. On observe que la
puissance rayonnée par le photomélangeur est essentiellement constante de
150 GHz à 570 GHz et atteint une valeur de 45 nW [173]. À 1 THz, la puis-
sance estimée est de 10 nW. La ligne continue représente la puissance calculée
à partir de l’équation (4.8) pour une constante de temps R
a
C de 0,124 ps,
évaluée à partir de la géométrie de l’antenne, et une durée de vie des por-
teurs de 0,86 ps, mesurée par une technique de transmission optique résolue
temporellement. Un bon accord est obtenu entre les points expérimentaux et
le tracé théorique.
4.4.3 Perspectives
Les photomélangeurs sensibles à 1 550 nm pourront à l’avenir être opti-
misés afin d’augmenter leur efficacité d’émission. De manière similaire aux
photomélangeurs commandés par des faisceaux optiques dont les longueurs
d’onde se situent autour de 800 nm [174], le dépôt d’un miroir de haute ré-
flectivité sur la face inférieure de la couche active ou encore l’utilisation d’une
antenne spirale carrée [175] devraient permettre d’améliorer les performances
de ces dispositifs THz.
Chapitre 5
Composants passifs
5.1 Introduction
Une fois émises par des sources impulsionnelles ou continues, les ondes
THz doivent être mises en forme, c’est-à-dire collimatées, guidées, filtrées. . .
pour pouvoir être utilisées dans les diverses applications listées au chapitre 9
(page 275) avant d’être reçues par des détecteurs appropriés. Les sections de
ce chapitre traitent de l’ensemble des composants passifs qui peuvent être
utilisés pour la mise en forme de ces ondes THz, tant en espace libre qu’en
propagation guidée. Nombre de ces composants passifs sont analogues à ceux
que l’on trouve en optique visible ou infrarouge ; ils n’en diffèrent souvent que
par la taille et les matériaux utilisés. Outre ces différences relativement mi-
neures, s’ajoute une particularité propre au domaine THz, à savoir la bande
des fréquences couvertes par les sources THz impulsionnelles cohérentes, la-
quelle est sans commune mesure avec les bandes de fréquences couvertes
par les sources cohérentes du domaine optique. En effet, si l’on considère les
sources lasers impulsionnelles Ti:Sa délivrant les impulsions les plus brèves
(∼ 10 fs) à des longueurs d’ondes centrées sur 800 nm, leurs spectres associés
s’étendent typiquement sur quelques 300 nm, soit un rapport entre les lon-
gueurs d’ondes extrêmes atteignant un facteur de 1,5 seulement. En compa-
raison, les sources THz impulsionnelles délivrent des impulsions monocycles
aux spectres associés extrêmement étendus (de 50 GHz à plus de 5 THz ty-
piquement), conduisant à une valeur supérieure à 100 pour ce même rapport
entre longueurs d’ondes extrêmes émises par la source. Bien que l’utilisation
d’amplificateurs optiques paramétriques permette également aujourd’hui de
couvrir dans le domaine optique une gamme de longueurs d’ondes aussi éten-
due (de ∼ 200 nm dans l’UV lointain à ∼ 20 μm dans l’infrarouge moyen
avec les amplificateurs optiques paramétriques de la société lituanienne Light
Conversion), la couverture d’un tel spectre n’est pas assurée au moyen d’une
unique bande de fréquences mais requiert l’utilisation de plus de 10 bandes
de fréquences. Ainsi, la spécificité des composants passifs du domaine THz
est de devoir traiter simultanément des longueurs d’ondes variant dans un
rapport de 1 à 100 !
180 Optoélectronique térahertz
5.2 Éléments optiques pour la propagation
en espace libre
Comme nous l’avons mentionné dans la partie introductive de ce chapitre,
nous allons retrouver pour la propagation en espace libre des composants si-
milaires à ceux utilisés dans le domaine optique avec la nécessité de prendre
en compte le rôle crucial joué par la dispersion chromatique pour des com-
posants devant fonctionner sur des plages spectrales extrêmement étendues.
5.2.1 Rôle crucial de la dispersion chromatique
Outre la dispersion propre des matériaux utilisés pour la réalisation de
composants optiques THz, d’autres phénomènes sont à prendre en considé-
ration telle la diffraction qui n’aura pas la même répercution sur les carac-
téristiques du composant optique considéré lorsque l’on va s’intéresser à des
longueurs d’ondes séparées par deux ordres de grandeur.
En ce qui concerne la dispersion dans le domaine THz, et contrairement
au domaine optique, les milieux solides diélectriques non polaires présentent
l’avantage de ne présenter pratiquement aucune raie ni bande d’absorption,
excepté aux fréquences les plus élevées où apparaissent les bandes d’absorp-
tion liées aux phonons optiques (cf. section (2.3.8) page 78). Ainsi, leur in-
dice de réfraction, qui est lié au coefficient d’absorption par les relations de
Kramers-Krönig [32], est en général indépendant de la fréquence. Paradoxa-
lement, les problèmes de dispersion sont donc beaucoup moins critiques dans
le domaine THz où l’on dispose de matériaux présentant un indice de réfrac-
tion constant sur des plages de longueurs d’onde couvrant deux ordres de
grandeur que dans le domaine optique où la dispersion pose déjà de sérieux
problèmes dans le spectre visible (385-720 nm). Cette absence ou quasi ab-
sence de dispersion dans le domaine THz se retrouve dans bon nombre de
matériaux communément utilisés pour la réalisation de lentilles ou fenêtres
optiques comme le silicium de haute résistivité (ρ > 1 kΩcm), le téflon, le
quartz, le saphir, le polyéthylène de haute densité (HDPE) ou encore dans
un verre organique appelé picarin.
C’est en fait davantage les phénomènes de diffraction que la dispersion
proprement dite des matériaux utilisés qui vont être à l’origine de la disper-
sion chromatique effective des composants optiques THz. En effet, rappelons
qu’au voisinage de l’axe optique, la diffraction d’une onde plane par une
ouverture de forme quelconque, de plus grande dimension D, est très bien
décrite en utilisant une simple théorie ondulatoire scalaire et plus précisément
en appliquant le principe d’Huygens-Fresnel [143], lequel fait clairement ap-
paraître l’existence de trois zones de diffraction selon la distance L séparant
la source de l’ouverture diffractante. À courte distance de l’ouverture dif-
fractante, on a la zone de Fresnel bien décrite par l’approximation du même
nom. Suit la zone de Kirchhoff, zone intermédiaire séparant la zone de Fresnel
5. Composants passifs 181
de celle de Fraunhofer située à grande distance de l’ouverture diffractante
(L ¸
D
2

), cette dernière étant très bien décrite dans le cadre de l’approxi-
mation de Fraunhofer [143]. La référence [176] présente une illustration de
ces phénomènes dans le cas de la diffraction par une ouverture circulaire.
La zone de transition entre le champ proche pour lequel le champ électrique
de l’onde diffractée reflète la transmittance de l’ouverture diffractante et le
champ lointain pour lequel il reflète la transformée de Fourier de cette même
transmittance se situe à une distance caractéristique de l’ordre de
D
2

.
Afin de mieux comprendre en quoi les considérations précédentes revêtent
une importance toute particulière dans le domaine des ondes THz, prenons
l’exemple d’un diaphragme circulaire de rayon R = 5 mm de diamètre éclairé
par une onde plane. Pour une onde visible, la distance caractéristique de la
transition « champ proche – champ lointain » est de l’ordre de 50 m d’où
l’absence de diffraction significative observée en pratique. À l’inverse, pour
une onde hyperfréquence (1-10 GHz), cette même distance caractéristique est
nettement inférieure au millimètre d’où l’observation d’un faisceau divergent
présentant une dispersion angulaire typique de l’ordre de
λ
R
. Rappelons que
cela résulte du fait que la distribution d’intensité I en champ lointain d’une
onde plane de longueur d’onde λ diffractée par le diaphragme est donnée par
la relation :
I ∝
_
J
1
_
2πRsinθ
λ
_
2π sin θ
_
2
(5.1)
θ représente ici l’angle formé entre la normale au diaphragme et la direction
dans laquelle on mesure l’intensité diffractée. Le lobe central de diffraction,
encadré par le premier zéro de la fonction de Bessel (J
1
(3,83) = 0) a ainsi
pour largeur angulaire totale 1,22
λ
R
.
En revanche, la distance caractéristique de la transition « champ proche
– champ lointain » passe d’environ 4 mm à 40 cm. Ainsi, un « observateur »
situé à une distance L de 4 cm derrière un tel diaphragme « verra » les basses
fréquences diffractées en champ lointain et les hautes fréquences non diffrac-
tées, car en champ proche. La figure (5.1) illustrant ce cas de figure a été
calculée à partir du principe d’Huygens-Fresnel, l’intensité I de l’onde dif-
fractée à une distance r de l’axe optique étant alors donnée par l’expression :
I ∝
¸
¸
¸
¸
¸
¸
¸
¸
_

0
_
R
0
exp
_
j k L
_
1 +
r
2

2
−2 rρ cos θ
L
2
_
L
_
1 +
r
2

2
−2 rρ cos θ
L
2
ρ dρ dθ
¸
¸
¸
¸
¸
¸
¸
¸
2
(5.2)
182 Optoélectronique térahertz
0,05 THz
0,08 THz
0,125 THz
0,2 THz
0,32 THz
0,5 THz
0,8 THz
1,25 THz
2 THz
3,2 THz
5 THz
-40 -30 -20 -10 0 10 20 30 40 mm
10 mm
Fig. 5.1 – Profil radial en intensité d’une onde plane THz diffractée par un
diaphragme circulaire de 10 mm de diamètre dans un plan distant de 40 mm
du diaphragme pour des fréquences couvrant la gamme spectrale s’étendant
de 50 GHz à 5 THz et pour une même puissance de l’onde incidente.
où k =

λ
est le vecteur d’onde. Aux basses fréquences, le profil radial en
intensité de l’onde diffractée au niveau du détecteur présente un lobe central
prépondérant de forme approximativement gaussienne et de largeur variant
en proportion inverse de la fréquence (cf. courbes de la figure (5.1) pour
les fréquences allant de 50 à 200 GHz). Dans la limite des très hautes fré-
quences, ce même profil radial en intensité prend une forme de plus en plus
carrée de largeur égale à celle du diaphragme (cf. évolution des courbes de
la figure (5.1) pour les fréquences allant de 1,25 à 5 THz). Enfin, pour les
fréquences intermédiaires voisines de
4Lc
D
2
où c représente la célérité de la
lumière dans le vide et où L est la distance entre diaphragme et plan d’ob-
servation, on a un profil radial en intensité de largeur minimale (cf. courbe
de la figure (5.1) pour la fréquence de 500 GHz : on retrouve le principe du
sténopé utilisé en photographie).
En conclusion, pour que la diffraction ne constitue pas un problème rédhi-
bitoire sur le plan pratique, le diamètre des composants optiques THz doit
être typiquement d’au moins deux ordres de grandeur supérieur à la plus
grande longueur d’onde à traiter.
5.2.2 Miroirs
En optique visible et proche infra-rouge, un miroir métallique réfléchit
au mieux 97 % de la puissance incidente (miroir en argent dans le visible)
car ses pertes ohmiques sont élevées à cause du trop faible écart entre la
fréquence plasma du métal et les fréquences optiques. Ce n’est plus le cas
5. Composants passifs 183
dans le domaine THz où la fréquence plasma des métaux est de plusieurs
ordres de grandeur supérieure aux fréquences THz d’où un comportement de
miroirs quasi parfaits. Par ailleurs, la faible dureté des miroirs métalliques
constitue un inconvénient important dans le domaine optique où les rayures
apparaissant au fil du temps conduisent rapidement à des pertes importantes
par diffusion. Cela n’a aucune incidence dans le domaine THz car une rugo-
sité moyenne de surface de l’ordre du μm constitue alors un excellent état
de surface puisqu’une telle rugosité est de l’ordre de λ/100 à λ/1 000. Ainsi,
des miroirs de très bonne qualité sont très faciles à fabriquer pour le do-
maine THz vu les longueurs d’onde en jeu. C’est pour ces raisons que les
miroirs métalliques sont privilégiés pour la mise en forme des faisceaux THz.
De surcroît, plusieurs formes de miroirs (plans, paraboloïdes, ellipsoïdes et
hyperboloïdes) permettent de garantir un stigmatisme rigoureux entre deux
points conjugués [143], autrement dit ils permettent de former une image
ponctuelle à partir d’un point source particulier. Deux types de miroirs sont
particulièrement utilisés :
– les miroirs paraboloïdaux permettant de former un faisceau collimaté
à partir de l’onde sphérique émise par une source ponctuelle. Le couple
de points conjugués est formé par le foyer du paraboloïde et un point
situé à l’infini sur l’axe de révolution du paraboloïde ;
– les miroirs ellipsoïdaux permettant de focaliser une onde sphérique
émise par une source ponctuelle en un point image conjugué. Ce sont
les foyers d’un ellipsoïde de révolution qui forment le couple de points
conjugués utilisés.
Néanmoins, il est important de noter que la distance focale effective de ces
miroirs concaves présente une dispersion chromatique dès lors que l’on tient
compte de la section du faisceau THz incident, c’est-à-dire que l’on sort de
l’approximation « onde plane » de l’optique géométrique. Dans l’hypothèse
de faisceaux gaussiens [143], si l’on considère un miroir de focale théorique f
et la configuration classique la plus compacte « point source – distance 2f
– lentille – distance 2f – point image » alors, pour une même divergence
de faisceau, le point de focalisation du faisceau obtenu après sa réflexion
sur le miroir ne se trouve pas exactement à la distance 2f et cet écart par
rapport au résultat de l’optique géométrique est d’autant plus grand que
la longueur d’onde considérée est également grande. C’est ce qu’illustre la
figure (5.2) où nous avons considéré des faisceaux THz de fréquence 50, 100,
200 et 500 GHz présentant tous la même divergence angulaire de ∼ 17,5

.
Pour cette simulation, la lentille mince modélisant le miroir a une distance
focale de 50 mm. Il apparaît clairement sur la simulation un décalage du point
de focalisation aux basses fréquences. Dans cette configuration classique, il
est facile de démontrer à partir du formalisme des faisceaux gaussiens [143]
que la distance d
OI
entre points conjugués objet et image est donné par
184 Optoélectronique térahertz
0 50 100 150 200
-30
-20
-10
0
10
20
30
40
50 GHz
100 GHz
200 GHz
-
-
-
Fig. 5.2 – Propagation de faisceaux gaussiens à différentes longueurs d’ondes
présentant une même divergence angulaire de ∼ 17,5

. Les dimensions en
abscisse et en ordonnée sont exprimées en mm. La lentille est située dans le
plan en x = 100 mm.
la relation :
d
OI
=



3 +
1
1 +
_
πλ
f
_
2



f (5.3)
Dans la limite des hautes fréquences, on retrouve le résultat de l’optique géo-
métrique, à savoir une distance d
OI
= 4f alors que dans la limite des basses
fréquences, la distance d
OI
tend vers 3f. Cette dispersion chromatique du
point de focalisation induite par la diffraction est à prendre en considération
lors de la conception d’un système THz très large bande.
5.2.3 Lentilles
Contrairement à l’optique, les miroirs sont plus souvent utilisés que les
lentilles pour mettre en forme les faisceaux THz. Cela tient au fait que, pour
s’affranchir des problèmes de diffraction, les lentilles doivent être forcément de
très grandes dimensions. Ces grandes dimensions conduisent à des épaisseurs
conséquentes de matériau traversé, induisant à leur tour des pertes significa-
tives dues à l’absorption résiduelle de ces matériaux, par exemple l’absorp-
tion induite par des porteurs intrinsèques résiduels dans le silicium haute
résistivité. De surcroît, les meilleurs matériaux que constituent le quartz ou
les semi-conducteurs à haute résistivité présentent des indices de réfraction
élevés (> 2) aux fréquences THz, engendrant des pertes importantes par ré-
flexion de Fresnel aux interfaces air-matériau (le coefficient de réflexion en in-
tensité est de 30 % à l’interface air-silicium sous incidence normale). De plus,
il est extrêmement difficile de réaliser des traitements antireflets efficaces en
raison de l’étendue spectrale colossale à couvrir dans le domaine THz.
Dans le domaine THz, les lentilles sont principalement utilisées de façon
couplée avec les antennes photoconductrices d’émission et de réception
5. Composants passifs 185
S
r
S
v
S
r
C
R (n-1/n) R/n
S
v
(a)
(b)
Fig. 5.3 – Formes de lentilles plano-convexes de rayon de courbure R assu-
rant un stigmatisme rigoureux pour le point source réel S
r
dans le cas de
lentilles en silicium d’indice 3,4 (a). Lentille demi-boule avec points sources
réel S
r
et virtuel S
v
confondus (b). Lentille hyper-hémisphérique de centre C
et d’extension R/n disposant de points sources réel S
r
et virtuel S
v
séparés
de R
_
n −
1
n
_
.
(se référer aux chapitres 3 (page 93) et 4 (page 155)) afin d’éliminer les
réflexions à l’interface entre l’air et le substrat des antennes et de réduire
angulairement le lobe principal d’émission/réception des antennes. Les an-
tennes photoconductrices étant majoritairement réalisées sur des substrats
de GaAs, les lentilles utilisées sont en silicium haute résistivité afin d’assurer
le meilleur accord d’indice de réfraction possible entre substrat et lentille. Se-
lon la taille et la forme des lentilles utilisées, celles-ci peuvent servir à assurer
une meilleure adaptation d’impédance de l’antenne avec le vide, et/ou jouer
le rôle d’élément de collimation et de mise en forme du faisceau THz émis
ou reçu par l’antenne. Dans l’approximation de l’optique géométrique, deux
formes de lentilles plano-convexes s’avèrent particulièrement intéressantes car
elles satisfont la condition de stigmatisme rigoureux [143] :
– la lentille hémisphérique ou demi-boule (cf. figure (5.3.a)),
– la lentille hyperhémisphérique [177] d’extension
n
R
(cf. figure (5.3.b)).
Lorsqu’elle est intégrée à une antenne photoconductrice, la lentille demi-
boule est conçue de sorte que, substrat de l’antenne photoconductrice inclus,
elle forme effectivement une demi-sphère. L’ajout d’une telle lentille permet
de collecter beaucoup plus efficacement les ondes émises dans le substrat par
l’antenne photoconductrice mais sans changer la dispersion angulaire du lobe
principal d’émission. La seconde configuration représentée sur la figure (5.3.b)
joue un rôle analogue avec l’avantage de conduire à une forte réduction de la
dispersion angulaire du lobe principal d’émission. En contrepartie, les ondes
formant un angle marqué par rapport à l’axe optique de la lentille arrivent
186 Optoélectronique térahertz
sous une forte incidence au niveau de l’interface lentille-air pour laquelle le
coefficient de réflexion est grandement augmenté. Cette seconde configuration
collecte moins efficacement les ondes émises mais conduit à un fort resserre-
ment angulaire du lobe principal d’émission. Les lentilles représentées sur la
figure (5.3) présentent des ouvertures numériques augmentées respectivement
d’un facteur n et d’un facteur n
2
pour une même dispersion angulaire de fais-
ceau en sortie de lentille. Dans le cas de lentilles en silicium, l’augmentation
d’ouverture numérique est respectivement de 3,4 et de 11,6 d’où leur intérêt
pour la réalisation d’un système de microscopie THz en réflexion [178].
5.2.4 Séparatrices
Les séparatrices peuvent être utilisées dans différents schémas expérimen-
taux, par exemple pour construire des interféromètres de Mach Zehnder, ou
pour prélever une portion d’un faisceau THz qui servira de signal de réfé-
rence dans une expérience de spectroscopie THz dans le domaine temporel.
Les séparatrices permettent également de construire des systèmes de mesure
interférentiels pour mesurer la durée d’impulsions THz ultrabrèves [179], pour
caractériser des films minces [180] ou encore pour détecter des gaz à l’état
de traces [181]. Les séparatrices peuvent être constituées :
– soit de diélectriques transparents –Si par exemple– pour lesquels c’est
la partie réelle n de l’indice de réfraction complexe ¯ n qui est mise en
œuvre via les coefficients de réflexion et transmission de Fresnel ;
– soit de films minces conducteurs déposés sur un substrat diélectrique
pour lesquels c’est la partie imaginaire κ de l’indice de réfraction com-
plexe ¯ n, elle-même reliée à la fréquence plasma des porteurs de charge
du conducteur, qui intervient dans la division du faisceau THz ;
– soit de polariseurs large bande constitués de réseaux de fils métalliques
parallèles (cf. section 5.3).
Ces différentes séparatrices présentent toutes la caractéristique plus ou moins
marquée d’être sensibles à la polarisation (TE ou TM) de l’onde incidente,
cette caractéristique étant fortement liée à l’angle d’incidence de l’onde THz
dans les deux premiers cas. Toujours pour ces deux cas de figure, il est impor-
tant de noter que l’état de polarisation de l’onde THz incidente n’est conservé
au niveau des ondes réfléchie et transmise qu’à condition de travailler au voi-
sinage de l’incidence normale ou avec des ondes polarisées rectilignement TE
ou TM. Pour ces deux premiers cas de figure, se pose également le problème
de la présence de deux interfaces qui conduisent à des interférences à ondes
multiples. Ce problème peut être éliminé soit par l’utilisation d’une sépa-
ratrice, d’épaisseur d, optiquement mince (i.e. d’épaisseur optique nd très
inférieure à la longueur d’onde du faisceau THz à subdiviser), soit par le
dépôt d’un traitement antireflet sur l’une des deux faces de la séparatrice.
Les films diélectriques très minces, appelés pelicles en anglais, sont les plus
5. Composants passifs 187
utilisés, comme du Mylar
1
de quelques μm d’épaisseur. Certains utilisent
aussi des wafers de silicium haute résistivité de quelques centaines de μm
d’épaisseur.
5.2.5 Prismes et réseaux de diffraction
Les prismes ont peu d’intérêt dans le domaine THz où l’existence de
matériaux transparents ne présentant pratiquement aucune dispersion chro-
matique fait que l’on peut mettre en forme et propager des impulsions THz
très facilement sans avoir à compenser la dispersion de vitesse de groupe. De
plus, les propriétés de dispersion chromatique des prismes, utiles en spectro-
scopie, ne peuvent être employées dans le domaine THz car les matériaux à
haut indice nécessaires à la fabrication des prismes présentent le plus souvent
une absorption rédhibitoire.
Aussi, les réseaux de diffraction ont supplanté les prismes dans l’infra-
rouge lointain. D’une part les réseaux métalliques présentent des pertes oh-
miques négligeables grâce au comportement pratiquement idéal des métaux
dans le domaine THz. D’autre part, la réalisation de réseaux de diffrac-
tion THz de type classique ou échelette, fonctionnant en réflexion ou en
transmission, est réalisable par simple usinage mécanique car le pas du réseau,
de l’ordre de la longueur d’onde, se situe dans le domaine sub-millimétrique.
L’inconvénient des réseaux de diffraction réside dans leur incapacité intrin-
sèque à traiter des faisceaux polychromatiques dont l’étendue spectrale ex-
cède une octave. En effet, un recouvrement des ordres 1 et 2 de diffraction
(pour lesquels le problème est le moins aigu) est observé dès que le spectre
du faisceau à analyser excède une octave. Ce problème de recouvrement de
spectres semble même rédhibitoire dans le cas d’impulsions THz monocycles,
lesquelles présentent un spectre associé couvrant typiquement 2 ordres de
grandeur, soit près de 7 octaves ! Il serait ainsi nécessaire d’effectuer un pré-
filtrage et d’analyser le signal sur au moins 6 bandes de fréquences distinctes.
Remarquons que ces considérations ne concernent cependant que l’analyse
de signaux THz dont on ne maîtrise pas l’émission. En effet, dans le cas
contraire, l’information spectrale est obtenue :
– soit par transformée de Fourier du profil temporel des impulsions THz
échantillonnées dans le cas de mesures dans le domaine temporel effec-
tuées en temps équivalent et mettant en jeu des émissions et réceptions
synchronisées desdites impulsions THz (cf. chapitre 3 page 93) ;
– soit par connaissance de la fréquence de battement entre les deux
sources lasers utilisées pour la génération THz continue (cf. chapitre 4,
page 155).
Les réseaux de diffraction s’avèrent en revanche très intéressants pour le
couplage d’ondes THz dans des guides d’ondes planaires [182, 183] où ils
1
Indice de réfraction n =1,8 à 0,3 THz.
188 Optoélectronique térahertz
permettent d’obtenir d’excellentes efficacités de couplage (> 90 % [184]). Des
prismes peuvent bien évidemment servir également de dispositifs de couplage
pour des guides planaires ou pour des plasmons de surface, en montage de
réflexion totale atténuée (ATR) [185].
5.2.6 Traitements antireflets
Dans le domaine optique, les traitements antireflets classiquement utili-
sés concernent des bandes spectrales étroites (d’extension souvent inférieure
à une octave) et sont généralement constitués par le dépôt d’une simple
monocouche d’épaisseur optique
λ
4
dont l’indice a une valeur aussi proche
que possible de la moyenne géométrique des indices des deux milieux consti-
tuant l’interface sur laquelle le traitement antireflet doit être déposé. Dans le
domaine THz, l’étendue spectrale à couvrir est d’un tout autre ordre de gran-
deur et il est nécessaire de déposer d’autant plus de couches ayant des indices
de réfraction suivant une progression géométrique et une même épaisseur op-
tique
λ
4
pour obtenir un traitement antireflet efficace. λ =
c
f
m
représente ici
la longueur d’onde associée à la fréquence médiane du domaine spectral que
doit permettre de couvrir le traitement antireflet. Sur la figure (5.4) sont
donnés les résultats d’une simulation de coefficients de réflexion en intensité
obtenus sur la bande de fréquence 50 GHz-5 THz pour une interface nue
silicium-air et pour des traitements antireflets optimaux comprenant de 1 à
3 couches.
0 1 2 3 4 5
0
5
10
15
20
25
30
Fréquence (THz)
C
o
e
f
f
i
c
i
e
n
t

d
e

r
é
f
l
e
x
i
o
n

e
n

i
n
t
e
n
s
i
t
é

(
%
)
Si nu
1 couche AR
2 couches AR
3 couches AR
Fig. 5.4 – Dépendance avec la fréquence du coefficient de réflexion (en in-
tensité) d’une onde THz à l’interface silicium-air en fonction du nombre
de couches du traitement antireflet réalisé pour la bande de fréquence 50-
5000 GHz.
5. Composants passifs 189
Avec le dépôt de 3 couches, il est déjà possible de maintenir un coefficient
de réflexion en intensité au-dessous de la barre des 5 % sur un peu plus de
deux octaves (d’un peu moins de 1 THz à un peu plus de 4 THz). Techni-
quement, on emploie généralement comme couche antireflet, ou en tout cas
comme couche réduisant l’intensité réfléchie, des films organiques de quelques
dizaines de microns déposés sur le composant [186].
5.3 Traitement de la polarisation en espace libre
Outre sa fréquence, la polarisation d’une onde THz est une autre carac-
téristique importante car elle intervient chaque fois que l’onde interagit avec
des matériaux ou dispositifs anisotropes mais aussi lorsqu’elle éclaire des ma-
tériaux isotropes avec une incidence éloignée de la normale. De surcroît, les
guides d’onde ne présentant pas de symétrie axiale (guides rectangulaires,
guides planaires) ont des caractéristiques qui dépendent fortement de l’état
de polarisation de l’onde incidente, selon que cette dernière est de type TE
ou TM. Il est donc primordial de disposer de moyens de contrôle de l’état de
polarisation d’une onde THz.
5.3.1 Degré de polarisation des émetteurs et détecteurs THz
Le premier élément qui influe sur l’état de polarisation d’une onde THz
est bien sûr la source qui l’a générée. Selon le type de source THz, l’onde gé-
nérée sera polarisée ou non. Parmi les sources THz (section 1.3 page 21), les
corps noirs et les lasers moléculaires ne disposant pas d’élément discriminant
en polarisation dans leur cavité optique génèrent des ondes à la polarisa-
tion aléatoire alors que les lasers moléculaires incluant par exemple une lame
sous incidence de Brewster dans leur cavité ainsi que les sources optoélec-
troniques (antennes photoconductrices et dispositifs de redressement optique
utilisant un cristal non linéaire) émettent des ondes présentant un état de
polarisation parfaitement défini. La polarisation de l’onde THz émise est gé-
néralement rectiligne lorsqu’elle est générée par redressement optique. Dans
le cas de l’utilisation d’antennes photoconductrices, la polarisation de l’onde
émise pourra être de différents types (rectiligne, circulaire) selon la nature
de l’antenne utilisée pour la rayonner (dipolaire, log-spirale...).
De façon analogue, les récepteurs peuvent ou non présenter une sensibilité
dépendante de la polarisation. Dans le cas des antennes photoconductrices,
en vertu du théorème de réciprocité de Rayleigh-Carson [187], la sensibilité
des antennes photoconductrices à un état de polarisation donné est direc-
tement reliée à leur efficacité de génération d’une onde de même fréquence
présentant ce même état de polarisation. Dans la cas de mesures électro-
optiques (se reporter page 93), la réponse dépend de l’effet physique mis en
jeu et également du matériau :
190 Optoélectronique térahertz
– seule une composante du champ électrique de l’onde est mesurée en
utilisant l’effet Pockels avec un cristal électro-optique anisotrope [144] ;
– l’état de polarisation de l’onde peut être complètement caractérisé en
utilisant l’effet Pockels avec un cristal électro-optique isotrope [188] ;
– seule l’amplitude du champ électrique, indépendamment de sa direc-
tion, est déterminée en utilisant l’effet Franz-Keldysh.
Enfin, les bolomètres classiques sont insensibles à l’état de polarisation de
l’onde incidente.
Néanmoins, il peut exister un écart entre l’état de polarisation théorique
et celui réellement observé comme cela a été mis en évidence avec une antenne
photoconductrice dipolaire [189] : chaque composante spectrale présente une
polarisation rectiligne (à l’incertitude de mesure près) mais la direction du
champ électrique peut dépendre de la fréquence en fonction de l’alignement
« faisceau laser de déclenchement – photocommutateur – lentille ».
5.3.2 Polariseurs à grille
Parmi l’ensemble des composants passifs, c’est probablement au niveau
des polariseurs que les solutions choisies dans le domaine THz diffèrent le plus
de celles utilisées en optique. En effet on recourt généralement à un réseau de
fils métalliques parallèles pour faire office de polariseur pour les ondes THz.
Une onde présentant une polarisation rectiligne alignée avec la direction des
fils est réfléchie par le polariseur alors que l’onde de polarisation croisée
est transmise. Encore une fois, cela vient du fait que les métaux présentent
une fréquence plasma très supérieure aux fréquences du domaine THz et
qu’ils peuvent ainsi être considérés comme quasiparfaits. Ainsi, un polariseur
à grille agit finalement comme un séparateur de polarisation. Le principe
physique sur lequel repose le polariseur à grille est le suivant :
– lorsque le champ électrique de l’onde est parallèle aux fils, il va pouvoir
être absorbé par les électrons qui sont libres de se mouvoir dans la
direction du champ électrique, les électrons émettant à leur tour ce
champ dans une direction symétrique de celle d’incidence par rapport
à la normale au plan du polariseur (le polariseur à grille se comporte
comme un miroir plan effectif) ;
– lorsque le champ électrique de l’onde est perpendiculaire aux fils, il ne
peut mettre efficacement en mouvement les électrons libres du fil car
ceux-ci sont fortement confinés dans la direction transverse du fil.
Pour qu’un tel polariseur à grille fonctionne, il est nécessaire que le diamètre
des fils métalliques soit très inférieur à la plus petite longueur d’onde du
faisceau THz traité. La distance entre fils doit, quant à elle, être de l’ordre
de grandeur du diamètre des fils. Ces polariseurs THz sont généralement
fabriqués en tendant des fils de tungstène de la dizaine à quelques dizaines
de microns de diamètre sur un cadre rigide mais peuvent être également
réalisés par lithographie en gravant une couche mince métallique déposée sur
5. Composants passifs 191
un film diélectrique optiquement fin et transparent dans le domaine THz. Ils
présentent l’avantage de présenter de grandes dimensions et de fonctionner
sur de très larges bandes, qui peuvent être supérieures à 1 THz
2
.
5.3.3 Polarisation par séparation temporelle
Lorsque l’on utilise des impulsions THz, on peut tirer profit des matériaux
anisotropes pour réaliser un polariseur. En effet, si une impulsion THz est
envoyée sur un matériau fortement anisotrope, elle peut engendrer à sa sor-
tie deux impulsions aux polarisations rectilignes croisées. Cela se produit si
l’onde THz incidente est polarisée soit circulairement soit rectilignement selon
une direction différente de celles des axes diélectriques propres du matériau
anisotrope. Pour une différence entre les épaisseurs optiques ordinaire et ex-
traordinaire du matériau qui est supérieure à la durée de l’impulsion THz in-
cidente, il y a séparation temporelle des deux impulsions en sortie. Il est alors
possible de fenêtrer temporellement l’une d’elles pour ne conserver qu’un état
de polarisation. L’avantage potentiel de cette méthode est d’obtenir des im-
pulsions transmises aux polarisations parfaitement rectilignes et croisées, ce
que ne garantit pas un polariseur à grille. Cette méthode de polarisation
par séparation temporelle est intrinsèquement très large bande : son prin-
cipe a été validé en utilisant un cristal de niobate de lithium [189]. Bien que
présentant une très forte anisotropie, ce matériau n’est pas idéal en raison
d’une trop forte absorption. Ce concept pourrait s’avérer très intéressant s’il
était employé avec un matériau fortement anisotrope et à faibles pertes :
des solutions pourraient émerger dans le domaine des matériaux microstruc-
turés par exemple. Récemment, R. Shimano et ses collaborateurs [190] ont
produit un faisceau THz de polarisation circulaire en additionnant deux im-
pulsions THz de polarisation perpendiculaires générées dans un cristal de
ZnTe, et en contrôlant le sens de rotation de la polarisation (gauche-droite)
en jouant sur le retard temporel entre ces deux impulsions.
5.3.4 Lames biréfringentes
Les lames biréfringentes sont des composants indispensables pour contrô-
ler la polarisation d’une onde. Un état de polarisation quelconque est repré-
senté sur la figure (5.5) : il est défini par son ellipticité ξ =
b
a
(rapport grand
axe sur petit axe) et son orientation par rapport à l’axe x du référentiel du
laboratoire Oxy. Il peut être également représenté de manière formelle par
son vecteur de Jones associé [143], lequel s’écrit :

_
A
x
, A
y
e
−j Δψ
_
dans le référentiel du laboratoire Oxy où Δψ représente
le déphasage entre les composantes du champ électrique de l’onde selon
les axes x et y ;
2
Voir par exemple le site de la société Microtech : www.mtinstruments.com
192 Optoélectronique térahertz
a
b
x
y
−Ax Ax
Ay
X
Y
−Ay
Fig. 5.5 – État de polarisation générique défini par son ellipticité ξ =
b
a
et
son orientation θ dans le référentiel du laboratoire Oxy.
– (a, −jb) dans le référentiel propre OXY pour une hélicité négative (cas
représenté sur la figure (5.5)).
Formée d’une lame à faces parallèles d’épaisseur L taillée dans un matériau
anisotrope présentant des indices ordinaire n
o
et extraordinaire n
e
, une lame
biréfringente induit un déphasage Δϕ entre les deux états de polarisation
propres du faisceau de longueur d’onde λ qui la traverse, donné par :
Δϕ = ϕ
o
−ϕ
e
=
2π δnL
λ
=
2π (n
o
−n
e
) L
λ
(5.4)
Deux valeurs particulières du déphasage Δϕ s’avèrent particulièrement
utiles : il s’agit de π pour la lame demi-onde et de
π
2
pour la lame quart
d’onde. La lame demi-onde permet de faire tourner d’un angle quelconque
un état de polarisation elliptique quelconque sans changer son ellipticité alors
qu’une lame quart d’onde permet de créer, à partir d’un état rectiligne, un
état de polarisation d’ellipticité quelconque mais sans contrôle de son orien-
tation. Ainsi, avec un jeu de deux lames, une demi-onde et un quart d’onde,
il est possible de créer, à partir d’une onde polarisée rectilignement, une
onde à l’état de polarisation le plus général possible (ellipticité et orienta-
tion quelconques) et réciproquement. Cependant, ces composants présentent
l’inconvénient d’être « bande étroite ». En effet, l’équation (5.4) montre que
le déphasage ne peut être indépendant de la longueur d’onde que si la dif-
férence entre les indices ordinaire et extraordinaire du matériau anisotrope
varie proportionnellement à λ. Une autre solution pour obtenir des lames
biréfringentes achromatiques consiste à superposer plusieurs lames d’épais-
seurs et d’orientations différentes. Avec un ensemble comportant seulement
six lames de quartz, une lame quart d’onde achromatique couvrant la bande
5. Composants passifs 193
de fréquences 0,25-1,75 THz a été réalisée [191], le défaut relatif de déphasage
étant maintenu inférieur à 3 % sur l’ensemble de la bande de fréquences.
5.4 Guides d’ondes
D’un point de vue pratique, guider les ondes THz présente de nombreux
avantages : manipulation aisée des faisceaux, élimination des perturbations
liées à la propagation dans l’air (absorption par la vapeur d’eau et par les
poussières), possibilité de télécommunications aux fréquences THz, guidage
des ondes à l’intérieur d’objets de topologie complexe (applications médi-
cales), etc. La radioastronomie sub-millimétrique, pour ses systèmes de dé-
tection hétérodyne, utilise depuis plus de 30 ans les guides métalliques comme
éléments de liaison entre d’une part l’antenne de réception et les diodes
du mélangeur hétérodyne et d’autre part l’oscillateur local et ces mêmes
diodes [192]. Pour des raisons de compacité et de pertes, ces liaisons sont les
plus courtes possible, de l’ordre de quelques centimètres [193].
Cependant, la question de guider les ondes THz sur des longueurs plus
importantes, de plusieurs dizaines de centimètres, n’a été abordée que de-
puis le début des années 2000 par l’équipe de D. Grischkowsky à l’université
d’Oklahoma [194–197]. Depuis, cette thématique a été l’objet de nombreux
travaux. En particulier D. Mittleman [198] a présenté de spectaculaires résul-
tats sur le guidage des ondes THz par un fil métallique. La mise au point de
systèmes THz à 2 dimensions, analogues aux dispositifs de l’optique intégrée,
est proche. Déjà, des dispositifs dédiés aux applications biologiques ont été
validés [199], et de nouveaux types de guides diélectriques compacts ont été
proposés.
5.4.1 Quelques rappels sur le guidage des ondes
électromagnétiques
Pour guider une onde électromagnétique, il faut disposer au moins d’une
interface entre deux milieux optiques différents. Cette interface va impo-
ser des contraintes aux valeurs des champs électromagnétiques, ce qui va
sélectionner des solutions particulières dont certaines traduisent le guidage
de l’onde électromagnétique. Une onde électromagnétique est guidée dans
une direction x lorsque son amplitude décroît exponentiellement quand on
s’éloigne de la région de guidage dans les directions normales à x, suivant z –
cas à 2 dimensions– ou y et z –cas à 3 dimensions. Autrement dit, le champ de
l’onde guidée est évanescent en dehors du guide d’onde. Dans la direction x,
l’onde est généralement très peu atténuée et se propage sur des distances très
supérieures à la longueur d’onde. Soit

k le vecteur d’onde du champ électro-
magnétique. Les règles de l’électromagnétisme imposent la conservation de
la composante k
x
du vecteur d’onde.
194 Optoélectronique térahertz
Considérons le cas à 2 dimensions d’un guide d’extension latérale limitée
selon la direction z. Nous avons :
k
2
=
ω
2
c
2
n
2
= k
2
x
+k
2
z
(5.5)
On définit l’indice effectif n
eff
de l’onde guidée par :
k
x
=
ω
c
n
eff
(5.6)
Cet indice effectif détermine la vitesse de propagation de l’onde (vitesse de
phase) le long du guide. En introduisant n
eff
dans l’expression précédente,
on obtient :
k
z
=
ω
c
_
n
2
−n
2
eff
(5.7)
Dans les milieux extérieurs, le champ est évanescent, donc k
z
est imagi-
naire : n
eff
est supérieur à l’indice de réfraction n de ces milieux extérieurs.
Mais, à l’intérieur du guide, la condition contraire est réalisée : n
eff
< n
g
où n
g
est l’indice du milieu guidant. k
z
est alors réel, la lumière se propage
aussi dans la direction z et elle se réfléchit sur les parois latérales du guide. Si
l’on considère deux rayons lumineux se propageant dans la même direction
et formant un angle quelconque avec l’axe x, l’un subissant deux réflexions
totales internes pendant que l’autre n’en subit aucune, alors les déphasages
subis par ces deux rayons pour une même distance de propagation selon x
doivent être égaux à un multiple de 2π près : Δϕ = 2 m π où m est un
entier naturel. Cette condition conduit à une quantification des valeurs de
k
z
et donc de l’indice effectif. Ce dernier prend des valeurs n
eff,m
paramé-
trées par l’entier m ≥ 0. On appelle mode guidé le champ associé à chaque
entier m. Ce raisonnement très général s’applique aussi bien pour les guides
diélectriques que pour les guides métalliques. Il ne s’applique pas lorsque ce
sont les courants hautes fréquences qui sont guidés (cas de certains guides
planaires). Dans le cas à 3 dimensions, il existera deux indices indépendants
m et n pour les différents modes guidés. Pour un guide diélectrique planaire
constitué de 3 milieux d’indices de réfraction n
1
, n
g
et n
2
l’indice effectif du
mode m est solution de l’équation :
k
g z
d = atan
_
k
g z
k
1z
+k
2z
k
2
g z
−k
1z
k
2z
_
+ 2mπ (5.8)
où les composantes, normales aux interfaces, des vecteurs d’onde sont :
k
g z
=
ω
c
_
n
2
g
−n
2
eff
; k
1z
=
ω
c
_
n
2
eff
−n
2
1
; k
2z
=
ω
c
_
n
2
eff
−n
2
2
(5.9)
La résolution des équations (5.8) et (5.9), c’est-à-dire le calcul des indices ef-
fectifs n
eff,m
, est réalisée soit numériquement, soit par une méthode
graphique.
5. Composants passifs 195
5.4.2 Guides d’ondes diélectriques
Typiquement, les longueurs d’onde du domaine THz sont de 100 à
1 000 fois plus grandes que celles des ondes optiques. En comparaison, l’indice
de réfraction de la matière varie peu entre les domaines optique et THz (voir
tableau (5.1)). Les guides d’onde diélectriques pour le THz sont donc sem-
blables aux guides d’ondes optiques, au facteur d’échelle près qui n’affecte
que les dimensions. Ainsi, alors que la taille du cœur d’un guide optique est
micronique, celle d’un guide THz est sub-millimétrique ou millimétrique. Ce
qui a deux implications :
– le cœur du guide est suffisamment solide pour ne pas nécessiter de gaine
ou de substrat ;
– lorsqu’une gaine ou un substrat sont employés pour que l’onde THz
guidée ne s’étende pas dans le milieu ambiant, le guide d’onde THz
présente des dimensions latérales de l’ordre du centimètre, ce qui ne
facilite pas sa flexibilité et pose dans certains cas des problèmes d’en-
combrement.
Les matériaux diélectriques destinés à la réalisation des guides THz doivent
présenter une absorption très faible et peu de dispersion. Les ondes THz sont
fortement absorbées par les porteurs libres (métaux et semi-conducteurs do-
pés) et les molécules polaires comme l’eau. Dans les matériaux diélectriques,
l’absorption des ondes THz est principalement due à l’excitation de phonons.
Si l’excitation des phonons optiques se produit généralement vers 10-20 THz
(15-30 μm), la mise en jeu de processus multi-phononiques associant phonons
optiques et acoustiques, transverses et longitudinaux, conduit à des pertes qui
restent significatives dans le domaine THz. En comparaison, les pertes dans
la fenêtre des télécommunications (1,3-1,5 μm) sont plus faibles de plusieurs
ordres de grandeur (figure (5.6)).
Dans le domaine THz, qui est relativement éloigné des fréquences d’exci-
tation maximale des phonons optiques, l’absorption varie de façon monotone
avec la fréquence. Les relations de Kramers-Kronig conduisent à une très
faible dispersion dans le domaine THz pour ces matériaux transparents. Le
tableau (5.1), établi avec les données publiées dans [200], donne l’indice de
réfraction et le coefficient d’absorption des principaux matériaux « trans-
parents » dans l’infrarouge très lointain. La relativement forte absorption
intrinsèque des matériaux, à laquelle s’ajoutent les pertes dues aux défauts
géométriques des guides (rugosité, inclusions...), limite leur emploi à des dis-
tances relativement courtes (< 1 m). Les guides d’ondes diélectriques rec-
tangulaires, destinés à guider les ondes THz sur des courtes distances dans
des circuits de type électronique, ont été modélisés initialement par Engel et
Katehi [201], en s’appuyant sur les travaux réalisés dans les années 1970-80
sur les guides d’ondes millimétriques. L’étude montre les potentialités des
guides diélectriques par rapport aux lignes hyperfréquences de type micro-
ruban. Les performances de tels guides diélectriques ont été vérifiées par
196 Optoélectronique térahertz

Fig. 5.6 – Absorption typique d’un matériau diélectrique depuis l’ultraviolet
jusqu’aux ondes centimétriques.
Mendis et Grischkowsky [196] dans le cas de structures planaires par mesure
en spectroscopie THz.
Matériau Fréquence Longueur Indice Absorption
(GHz) d’onde (μm) (dB/cm)
Silice fondue Spectrosil 300 1 000 1,962 0,054
Polyéthylène 1 000 300 1,506 0,178
PTFE (Teflon) 1 000 300 1,410 0,257
Silicium HR (11 000 Ωcm) 400 750 3,414 0,373
Mousse de styrodur 320 937,5 0,130
Quartz 1 200 250 2,144 (E) 0,047
Tab. 5.1 – Indice de réfraction et absorption de matériaux à faibles pertes
dans l’infrarouge lointain. Pour le quartz, c’est l’indice extraordinaire (E) qui
est donné.
Le cas des guides d’onde cylindriques de type « fibre optique » a été
abordé récemment par Jamison [197] qui a fabriqué et testé de tels guides
constitués d’un cylindre de saphir cristallin. Les pertes mesurées sont d’en-
viron 1 cm
−1
à 1 THz et de 6 cm
−1
à 2,5 THz, du même ordre de grandeur
que des fibres cylindriques en polyéthylène haute densité (PEHD) testées
au LAHC à Chambéry [202]. De façon générale, les pertes dans ces fibres
restent élevées : une façon de les réduire est d’employer des matériaux conte-
nant de nombreuses bulles d’air à l’instar des mousses qui présentent une
très bonne transparence. Ainsi Weinzierl [203] et ses collègues rapportent
des valeurs de 0,04 dB/cm à 135 GHz. Les fibres à cristal photonique s’ins-
crivent dans le prolongement de ces études et présentent des caractéristiques
5. Composants passifs 197
de propagation très intéressantes. H. Han et ses collègues [204] ont fabriqué
une fibre photonique en assemblant des tubes creux de polyéthylène. L’onde
THz est confinée dans le cœur de la fibre, constituée d’un tube de poly-
éthylène plein, car la propagation dans la partie formée des tubes creux est
interdite. Dans la gamme 0,6-3 THz, la dispersion d’une telle fibre est très
faible (< 0,3 ps/THz/cm) ainsi que ses pertes (< 2 dB/cm).
5.4.3 Guides d’ondes métalliques
Guides creux
Étant donné qu’une partie importante des pertes de guidage dans les
guides diélectriques provient de l’absorption intrinsèque du matériau, et puis-
que les dimensions latérales des guides sont de quelques centaines de μm, il
est technologiquement possible de fabriquer des guides creux à faibles pertes.
L’onde THz est alors guidée dans l’air ou le diélectrique qui constitue le cœur
du guide, à l’intérieur d’une enveloppe solide généralement en métal ou avec
une surface intérieure entièrement métallisée [205]. Ces guides présentent
aussi l’avantage d’être très peu dispersifs. Il s’agit d’adapter au domaine
THz les guides d’ondes, en forme de tuyau, des hyperfréquences. Par rapport
aux lignes de propagation hyperfréquences, par exemple coplanaires, l’énergie
est ici guidée principalement dans l’air, et les pertes mesurées sont environ
10 fois plus faibles. En effet, dans l’infrarouge lointain et les micro-ondes,
les propriétés électromagnétiques des métaux sont parfaitement décrites par
le modèle de Drude car l’énergie des photons THz ne leur permet d’exciter
que les porteurs libres. Toutes les excitations entre niveaux inter- et intra-
bandes leur sont inaccessibles. La constante d’atténuation dans l’or ainsi que
le pourcentage d’énergie absorbée par de l’or éclairé sous incidence normale
sont représentés sur la figure (5.7). Par rapport au domaine visible, les pertes
sont 10 fois plus faibles.
Pour garder un fonctionnement monomode, la dimension interne du guide
doit rester de l’ordre de la demi-longueur d’onde. Un tel fonctionnement n’est
garanti que sur une bande de fréquence réduite (environ une octave). Cela
correspond rapidement à des dimensions inférieures au millimètre. La réalisa-
tion par usinage devient très délicate, la métallisation intérieure plus difficile,
et surtout l’alignement de deux sections de guide extrêmement délicat.
Guides planaires
Dans ce mode de guidage, ce sont les courants haute-fréquence qui sont
guidés par des conducteurs métalliques. Il est nécessaire de disposer au moins
d’un conducteur qui assure le retour du courant. Le comportement de ces
guides est similaire à celui du câble coaxial où le conducteur central as-
sure le transport du signal et le conducteur externe le retour de celui-ci.
198 Optoélectronique térahertz
0,1
1
10
4
10
5
10
6
1 10 100 1000
É
n
e
r
g
i
e

a
b
s
o
r
b
é
e

(
%
)
C
o
e
f
f
i
c
i
e
n
t

d
'
a
t
t
é
n
u
a
t
i
o
n

(
c
m

1
)
Longueur d’onde (μm)
Fig. 5.7 – Énergie absorbée en incidence normale par de l’or et constante
d’atténuation de l’or (valeurs calculées).
Le premier mode guidé est un mode proche du mode TEM où les deux com-
posantes du champ électromagnétique sont perpendiculaires à la direction
de propagation. Pour éviter la propagation des modes guidés ou le rayonne-
ment de la structure, il faut réduire toutes les dimensions latérales lorsque
la fréquence augmente. Cette réduction s’accompagne d’une forte augmen-
tation des pertes. Les principaux guides planaires utilisables sont les guides
micro-rubans (a) et les guides coplanaires à deux (b) et trois rubans (c).
Guides utilisant des plasmons de surface
Nous avons vu dans la partie consacrée aux principes physiques de base
que les plasmons de surface correspondent à la propagation d’une excitation
collective des électrons au voisinage de la surface d’un métal, le mouvement
perpendiculaire à la surface des électrons donnant un caractère transverse
magnétique à l’onde. Le champ électromagnétique du plasmon pénètre très
peu dans le métal et est peu sensible aux pertes du métal : on s’attend donc à
ce que le plasmon se propage sur de longues distances à la surface du métal.
Quantifions ces grandeurs. Le vecteur d’onde du plasmon de surface s’écrit,
pour une interface air (vide)-métal :
k
SP
=
ω
c
_
ε
1 +ε
(5.10)
où ε est la permittivité relative du métal. Dans l’hypothèse où la permittivité
est grande, ce qui est vrai dans le domaine THz, les valeurs réelle et imaginaire
de k
SP
prennent les expressions approchées suivantes :
'¦k¦ ≈ 1 +
ε
r
2(ε
2
r

2
i
)
·¦k¦ ≈ −
ε
i
2(ε
2
r

2
i
)
(5.11)
5. Composants passifs 199
Pour les métaux nobles, [ε
r
[ ≈ [ε
i
[ ≈ 10
5
− 10
6
dans le domaine THz.
On constate alors que la partie réelle de k
SP
est très proche de 1, confirmant
que le champ du plasmon se propage principalement dans l’air. La distance
de propagation L du champ à la surface du métal, égale à L =
c
ω {k}
, est
supérieure en théorie au mètre. On comprend alors l’intérêt que suscitent les
plasmons de surface dans le domaine THz. Seront-ils un vecteur du signal
THz dans des dispositifs métalliques à deux dimensions ? Les profondeurs de
pénétration du champ dans l’air d
SP
et dans le métal d
SP−m
se déduisent
de k
SP
:
d
SP
=
1
k
SPz
=
1
_
¸
¸
¸
ω
2
c
2
−k
2
SP
¸
¸
¸
(5.12)
d
SP−m
=
1
k
SPz
=
1
_
¸
¸
¸ε
ω
2
c
2
−k
2
SP
¸
¸
¸
(5.13)
En remplaçant k
SP
par son expression (5.10) dans les équations précé-
dentes, et en supposant qu’il n’y a pas de pertes dans le métal, on montre
facilement que :
d
SP
= ε d
SP−m
(5.14)
Pour un métal noble, d
SP
sera de l’ordre de plusieurs cm, alors que d
SP−m
sera inférieur au μm. Les propriétés de propagation des plasmons présentent
les défauts de leurs qualités ! Les grandes distances de propagation se tra-
duisent par une extension importante du champ dans l’air, typiquement sur
plusieurs cm, rendant difficile la réalisation de dispositifs plasmoniques THz
compacts et pratiques !
Plusieurs travaux expérimentaux ont été rapportés au sujet des plasmons
de surface dans le domaine THz. Tout d’abord, il est constaté que la longueur
de propagation mesurée est beaucoup plus faible que celle attendue théori-
quement. Ainsi, T.-I. Jeon et D. Grischkowsky [206] ont mesuré L = 43,5 cm
à 0,4 THz pour un plasmon se propageant sur une surface plane d’alumi-
nium. De même, Nazarov et ses collaborateurs [207] ont déterminé par une
technique différente L = 11,1 cm à 0,5 THz. Les premiers auteurs attribuent
cette faible valeur observée à la mauvaise excitation du plasmon de surface,
tandis que les seconds penchent plutôt pour des pertes supplémentaires dues
à des molécules adsorbées en surface ou à une couche surfacique d’oxydes.
Les plasmons de surface peuvent aussi se propager le long d’un cylindre
métallique. Dans ce cas, on les nomme ondes de Sommerfeld [208]. Wang et
Mittleman [198] ont excité ces ondes le long d’un fil métallique à l’aide de la
diffraction d’une lame de rasoir placée au voisinage du fil. Les longueurs de
propagation mesurées atteignent 50 cm, Jeon et ses collaborateurs [208] ayant
même mesuré plusieurs mètres de propagation. Wang et Mittleman [198] ont
pu détecter l’onde de Sommerfeld réfléchie au bout du fil et se propageant
200 Optoélectronique térahertz
ainsi en sens inverse le long du fil, et montrer que le coefficient de réflexion
dépend du milieu dans lequel baigne le fil.
Lorsque le métal est recouvert d’un film diélectrique, un mode hybride,
nommé onde de Goubau, se propage dans la structure. Bien que les pertes
soient relativement élevées (∼ 5 cm
−1
à 0,5 THz [209, 210]), ces structures
présentent un fort intérêt pratique pour réaliser des dispositifs de mesure, en
particulier dans le domaine biologique [211].
5.4.4 Dispersion et pertes des guides d’ondes
Dispersion modale
À la différence de la propagation en espace libre où seule la dispersion
du milieu dans lequel s’effectue la propagation intervient, la propagation
guidée fait intervenir la dispersion modale qui existe même en l’absence de
dispersion des matériaux constitutifs du guide d’onde. En effet, chaque mode
possède pour chaque fréquence une vitesse de propagation spécifique. La dis-
persion d’un mode (dispersion intramodale) donné est faible, sauf pour les
fréquences très proches de la fréquence d’apparition de ce mode. Cependant,
si plusieurs modes peuvent se propager, le champ électromagnétique de l’onde
guidé est alors réparti sur les différents modes propres autorisés de la struc-
ture guidante ; cette répartition sur les différents modes propres dépend des
conditions d’excitation et est très difficilement contrôlable. Cette situation
est à proscrire dans tous les cas où la phase du signal intervient car, outre
la grande difficulté de la maîtrise des conditions d’excitation, des transferts
d’énergie entre modes peuvent survenir dans le guide d’onde en présence de
défauts et d’autre part la dispersion intermodale est généralement de plu-
sieurs ordres de grandeur supérieure à la dispersion intramodale.
Pertes
Pour les pertes, il faut distinguer les guides d’onde diélectriques des guides
d’onde métalliques. Dans le cas des guides d’ondes diélectriques, les pertes de
propagation sont liées aux coefficients d’absorption des matériaux constitutifs
du guide d’onde, auxquelles il faut potentiellement ajouter les pertes relatives
aux imperfections du guide (non-constance des dimensions géométriques, ru-
gosité aux interfaces...). Dans le cas des guides d’ondes planaires métalliques,
il faut considérer également les pertes métalliques, la circulation des courants
haute fréquence se fait uniquement sur la surface des conducteurs métal-
liques : c’est l’effet de peau. La profondeur de pénétration du champ et donc
l’épaisseur de circulation des courants décroissent comme la racine carrée de
la fréquence. Cela se traduit par une augmentation des pertes métalliques aux
fréquences THz et l’inutilité d’utiliser des métallisations épaisses. Une épais-
seur de l’ordre du micromètre, avec une bonne conductivité est généralement
suffisante. Comme les dimensions latérales doivent aussi être réduites, les
5. Composants passifs 201
pertes métalliques constituent la principale contribution au-delà de 100 GHz
pour tous les guides planaires.
5.4.5 Comparatif des différents guides d’onde THz
J. Digby et ses collaborateurs [212] ont mesuré des pertes aussi faibles
que 0,05 cm
−1
à 100 GHz dans des guides fabriqués par micro-usinage.
D. Grischkowsky et son équipe [194, 195] se sont intéressés à des guides pour
de la propagation sur de plus longues distances (jusqu’à 25 cm). En parti-
culier, ils ont obtenu des résultats remarquables (figure 5.4) avec un guide
souple formé de 2 lames en cuivre maintenues l’une sur l’autre par deux ru-
bans adhésifs double-face parallèles [194]. Le cœur du guide est formé par
l’espace compris entre les lames métalliques et les deux rubans. Très récem-
ment, Nagel et ses collaborateurs [213] ont proposé une structure guidante
diélectrique formée par une fente de largeur très faible (15 μm) située entre
deux blocs parallélépipédiques de silicium, la section de chacun des blocs
étant 30 50 μm
2
. Le champ, en polarisation TE, est confiné dans la fente
à cause de la grande différence d’indice entre l’air (n = 1) et le silicium
(n = 3,42). Une atténuation inférieure au centième de dB/cm est rapportée
pour des fréquences inférieures à 0,5 THz.
Le tableau (5.2) résume les principaux résultats publiés sur les guides
d’ondes THz. Les pertes sont assez élevées, au mieux de l’ordre de 10
−2
cm
−1
,
c’est-à-dire 0,05 dB/cm, bien loin des performances des fibres optiques, mais
plus faibles cependant que celles observées dans les guides utilisés en op-
tique intégrée. La propagation sur de très longues distances d’ondes THz
dans des fibres semble donc illusoire. Les guides diélectriques ainsi que les
lignes de propagation microrubans ou coplanaires du type de celles utilisées
en hyperfréquence présentent des performances moindres que les guides mé-
talliques, aussi bien en atténuation qu’en dispersion. Cependant, ils peuvent
être employés dans d’autres buts que le guidage des ondes sur de longues
distances. Par exemple, ils peuvent servir à sélectionner des fréquences dans
un signal THz large bande [182] ou bien ils peuvent être utilisés pour réaliser
des capteurs chimiques ou biologiques dans le domaine THz [214].
Type Matériau Fréquence Pertes Référence
(THz) (cm
−1
)
planaire HDPE 1 1 [196]
fibre saphir 1 1 [197]
circulaire creux acier/air 2 0,7 [195]
rectangulaire creux cuivre/air/scotch 1 0,08 [194]
rectangulaire creux or/air 0,1 0,05-1,25 [212]
fente (air) Si/air/Si <0,5 0,01 [213]
Goubau quartz/or 5 0,5 [210]
Tab. 5.2 – Pertes des guides d’ondes les plus communs dans le domaine THz.
202 Optoélectronique térahertz
5.4.6 Couplage dans les guides d’ondes
Un dispositif intégré comme une diode ou un photoconducteur se couple
naturellement à des guides planaires. Ceux-ci sont nécessaires pour assurer la
polarisation et amener ou extraire les composantes basses fréquences. Le cou-
plage du signal THz peut se faire en reliant le guide planaire à une antenne
planaire ou en plaçant le composant dans un guide creux. Il est aussi envi-
sageable de réaliser un convertisseur de mode depuis un guide planaire vers
un guide diélectrique, mais ces dispositifs présentent des bandes passantes
réduites. Le couplage d’un guide creux à l’espace libre se fait au moyen de
cornets. Leur réalisation technologique peut s’avérer très délicate, mais ce
sont les dispositifs qui possèdent les meilleures performances.
5.5 Cristaux photoniques et métamatériaux
5.5.1 Définition et caractéristiques
Les cristaux photoniques et les métamatériaux sont des matériaux com-
posites présentant généralement une structure périodique constituée d’une
maille élémentaire dupliquée dans une, deux ou trois directions de l’espace
(selon la dimension du cristal photonique ou du métamatériau) : ce sont des
cristaux artificiels. Ce qui distingue les cristaux photoniques des métamaté-
riaux est la taille de la maille élémentaire :
– elle est de l’ordre de la longueur d’onde dans le cas des cristaux pho-
toniques où ce sont les effets d’interférences entre les ondes réfléchies
aux différentes interfaces qui sont mis à profit ;
– elle est très inférieure à la longueur d’onde dans le cas des métamaté-
riaux où ce sont les propriétés du milieu effectif constitué par le méta-
matériau qui interviennent.
Les cristaux photoniques et les métamatériaux peuvent présenter des pro-
priétés remarquables comme un indice de réfraction négatif par exemple. Le
concept de cristal photonique a été introduit par E. Yablonovitch à la fin
des années 1980 [215] : il se rendit compte de l’analogie entre l’équation de
Schrödinger qui régit la fonction d’onde des électrons libres à l’intérieur d’un
cristal et l’équation de Helmholtz qui décrit la propagation de la lumière à
l’intérieur d’un milieu présentant un indice de réfraction périodique. Hor-
mis la nature vectorielle du champ électrique d’une onde électromagnétique
d’une part, et la nature scalaire de la fonction d’onde électronique d’autre
part, ces deux équations sont parfaitement équivalentes en mathématiques.
On fait correspondre le potentiel, « vu » par les électrons libres en phy-
sique du solide, à l’indice de réfraction, « vu » par l’onde électromagnétique
dans le cas des cristaux photoniques. Ainsi, toute l’ingénierie des structures
de bandes et des niveaux de défauts plus ou moins profonds développée en
physique du solide peut être transposée en optique. Ce concept de cristaux
5. Composants passifs 203
photoniques a en fait été introduit longtemps après les premières utilisations
de phénomènes intrinsèques liés à la propagation dans les cristaux photo-
niques, notamment les réseaux de diffraction pour le couplage d’ondes gui-
dées et les miroirs de Bragg connus depuis des dizaines d’années. Selon le
groupe cristallographique du cristal photonique, il est possible de créer des
matériaux artificiels isotropes ou anisotropes. L’intérêt de ces cristaux réside
principalement dans la possibilité de réaliser des miroirs diélectriques quasi
parfaits dont le coefficient de réflexion voisin de l’unité est indépendant de
l’angle d’incidence et/ou de la polarisation ainsi que des filtres fréquentiels
hypersélectifs [216] en introduisant des défauts ponctuels (lacunaires, inter-
stitiels ou substitutifs) ou étendus dans la structure périodique du cristal
photonique. La réalisation de cristaux photoniques dans le domaine THz est
particulièrement aisée eu égard aux dimensions de la maille élémentaire qui
est submillimétrique. Ainsi, un simple usinage mécanique est souvent suffi-
sant pour réaliser un cristal photonique. Les premières réalisations et carac-
térisations de cristaux photoniques THz datent des années 1990 : il s’agissait
de cristaux photoniques tridimensionnels, de type cubique faces centrées, réa-
lisés par usinage mécanique de plaques de Si de haute résistivité [217, 218].
5.5.2 Dispositifs et filtres THz basés sur des cristaux
photoniques
Un cristal photonique tridimensionnel réalisé par empilement de plaques
de Si de haute résistivité gravées à mi-profondeur par une scie diamantée est
représenté sur la figure (5.8). Les profils temporels des impulsions THz inci-
dentes (signal de référence) et ayant traversé le cristal photonique (signal avec
échantillon) sont représentés sur la figure (5.9a) pour une incidence normale
du faisceau THz sur le cristal photonique, le seuil de sensibilité de mesure
étant d’une fraction de pourcent. Le coefficient de transmission du cristal
photonique en amplitude, dont le module est donné sur la figure (5.9b), est
déduit par transformée de Fourier (voir page 223) de ces signaux temporels.
Cet exemple illustre les propriétés remarquables offertes par les cristaux
photoniques diélectriques. En deçà de la fréquence d’apparition (∼ 235 GHz)
de la première bande interdite, le coefficient de transmission est quasi uni-
taire, les oscillations présentes sur la courbe résultant d’un effet Fabry-Pérot :
le cristal photonique peut en effet être vu comme une lame présentant un
indice effectif qui s’accroît au fur et à mesure que la fréquence augmente
pour diverger (en cas de pertes négligeables) à la fréquence de Bragg. C’est
exactement ce que traduit la diminution de la période fréquentielle des os-
cillations avec l’augmentation concomitante de leur amplitude lorsque la fré-
quence augmente. Arrive ensuite la première bande d’énergie interdite au
sein de laquelle la propagation des ondes électromagnétiques est interdite.
Au niveau de la borne inférieure (∼ 235 GHz) de cette bande interdite,
le coefficient de transmission présente une coupure extrêmement abrupte
204 Optoélectronique térahertz
Fig. 5.8 – Photographie d’un cristal photonique tridimensionnel cubique à
faces centrées réalisé au moyen de plaques empilées de Si de haute résistivité
gravées à mi-profondeur. La taille du cristal est 20 20 3 mm
3
[218].
(de l’ordre de 500 dB/octave !) alors que le cristal photonique ne comporte
que six périodes, démontrant l’intérêt de telles structures pour la réalisation
de filtres hypersélectifs. À cette transition extrêmement rapide dans l’espace
fréquentiel va naturellement correspondre une extension très importante dans
l’espace temporel (figure (5.9a)) en raison des propriétés de la transformée
de Fourier. Les mesures dans le domaine temporel sont par conséquent peu
adaptées à la caractérisation des cristaux photoniques.
-1.5
-1.0
-0.5
0.0
0.5
-50
0
50
100
0 50 100 150 200 250 300
p
h
o
t
o
c
o
u
r
a
n
t

m
o
y
e
n

(
p
A
)
temps (ps)
p
h
o
t
o
c
o
u
r
a
n
t

m
o
y
e
n

(
n
A
)
signal de référence
signal avec échantillon
0.01
0.1
1
100 200 300 400 500 600
fréquence (GHz)
c
o
e
f
f
i
c
i
e
n
t

d
e

t
r
a
n
s
m
i
s
s
i
o
n

e
n

a
m
p
l
i
t
u
d
e
a
b
Fig. 5.9 – a) Profils temporels des impulsions THz incidentes sur le cristal
photonique et transmises au travers du cristal photonique représenté sur la
figure (5.8). b) Module du coefficient de transmission déduit de ces profils
temporels par FFT.
5. Composants passifs 205
Lorsque le cristal photonique est constitué de matériaux sans pertes à
fort contraste d’indice (Δn > 2) –ce qui est le cas ici avec l’air d’indice 1
et le silicum d’indice 3,4– il peut alors présenter une bande interdite com-
plète (existence d’une bande interdite quel que soit l’angle d’incidence) : le
cristal photonique se comporte alors comme un miroir quasi parfait et om-
nidirectionnel sur une bande de fréquences donnée. Dans le cas de cristaux
photoniques métalliques dont les motifs conducteurs élémentaires sont inter-
connectés, la première bande obtenue dans la limite des basses fréquences est
une bande d’énergie interdite au lieu d’être une bande d’énergie permise : en
effet, dans la limite des basses fréquences, le cristal photonique peut être vu
comme un milieu effectif (métal « dilué ») présentant une fréquence plasma
effective et se comportant ainsi comme un miroir pour les fréquences infé-
rieures à sa fréquence plasma effective.
Dans l’exemple donné précédemment, le cristal photonique se comporte
comme un filtre passe-haut ou passe-bas selon que l’on s’intéresse au signal
réfléchi ou transmis. Dans de nombreuses applications, il est beaucoup plus
intéressant de disposer d’un filtre passe-bande, et si possible accordable. À
l’instar du contrôle des niveaux de défauts dans la bande interdite de semi-
conducteurs réalisé par dopage, un niveau de défaut peut être créé dans la
bande interdite d’un cristal photonique en introduisant un défaut lacunaire,
intersticiel ou encore substitutif pour rompre la périodicité du cristal : le
but est de modifier l’indice de réfraction d’un des éléments d’une maille du
cristal photonique. À une dimension et dans le cas de cristaux photoniques
présentant un plan de symétrie, des formules quasi analytiques donnant no-
tamment la position fréquentielle du ou des niveaux de défaut dans les diffé-
rentes bandes interdites du cristal photonique sont obtenues [219] : une telle
structure présente une très forte analogie avec un interféromètre de Fabry-
Pérot. La position fréquentielle f
d
des niveaux de défaut, à l’intérieur d’une
bande interdite photonique centrée sur la fréquence f
c
, est donnée par :
f
d

= (m+δm)
ISL
1 +
δm
f
c
ISL
(5.15)
où ISL =
c
2 n
d
L
d
est l’intervalle spectral libre de l’interféromètre et où
δm =
f
c
π
n
adj
n
d
d ρ
d f
¸
¸
¸
f
c
. n
d
et L
d
représentent respectivement l’indice de ré-
fraction et l’épaisseur du défaut physique introduit entre les deux miroirs
de Bragg ; c est la célérité de la lumière et n
adj
est l’indice de réfraction
du matériau adjacent au défaut. Enfin, ρ(f) est le déphasage introduit par
la réflexion sur les miroirs de Bragg et m, qui est entier, est l’ordre du
niveau de défaut. Ainsi par simple mesure ou calcul de ce déphasage au
voisinage de la fréquence centrale de la bande interdite, il est aisé de dé-
terminer la position en fréquence des niveaux de défauts. Dans le cas où
ρ(f ∼ f
c
) = C
te
, on a δm = 0 et on retrouve alors l’équation classique don-
nant les fréquences de résonance d’un interféromètre de Fabry-Pérot. Ce cas
206 Optoélectronique térahertz
« académique » présente l’avantage de conduire à des formules analytiques : il
permet ainsi d’identifier les paramètres qui interviennent dans l’accordabilité
des niveaux de défauts. La formule (5.15) montre que l’accordabilité peut être
obtenue :
– soit par modification de l’intervalle spectral libre ISL en agissant di-
rectement sur les caractéristiques du défaut (dimensions et indice de
réfraction) ;
– soit par modification de δm, laquelle modification peut être obtenue par
modification de l’indice de réfraction du défaut ou du milieu adjacent
qui l’enserre, ou encore par modification de la réponse fréquentielle de
la structure photonique de part et d’autre du défaut.
Étant donné que c’est la première bande interdite qui présente la largeur rela-
tive la plus grande et que l’on a intérêt à ce qu’un unique niveau de défaut soit
présent au sein de cette bande interdite, l’intervalle spectral libre doit donc
être au moins égal à la largeur de la première bande interdite, ce qui conduit
à une épaisseur optique n
d
L
d
du défaut physique de l’ordre de
λ
c
2
=
c
2 f
c

λ
c
est la longueur d’onde correspondant à la fréquence centrale de la première
bande interdite. L’accordabilité des niveaux de défaut la plus simple à réa-
liser consiste à modifier l’intervalle spectral libre ISL, soit par modification
des dimensions du défaut physique [220], soit par modification de son indice
de réfraction. Dans le domaine THz, la modification de l’indice de réfraction
d’un matériau ferroélectrique peut être réalisée thermiquement [221]. En uti-
lisant du SrTiO
3
, une accordabilité record de 60 % (entre 100 et 185 GHz)
d’un niveau de défaut présentant un facteur de qualité Q > 45 a été obtenue
pour une température variant de l’ambiante à 100 K [222]. Il est aussi possible
de modifier non pas la position fréquencielle du défaut, mais la transmission
du dispositif à la fréquence du défaut, en modifiant l’absorption THz du dé-
faut, ce qui peut être réalisé en éclairant le défaut si celui-ci est fabriqué
dans un matériau semi-conducteur [223]. Très recemment, L. Fekete et ses
collaborateurs [224] ont fabriqué et caractérisé un cristal photonique à 1D,
dont le défaut était constitué d’un wafer de GaAs. L’excitation de porteurs
libres en éclairant le défaut à l’aide d’un laser femtosconde intense permet
de le rendre commandable.
Les cristaux photoniques peuvent également être utilisés à des fins de
guidage. Récemment, un groupe coréen a réalisé un guide d’onde THz à
base de cristal photonique sous la forme d’une fibre composée de tubes
en polyéthylène haute densité. La fibre THz réalisée présente d’excellentes
caractéristiques puisqu’elle présente un coefficient d’atténuation inférieur
à 0,5 cm
−1
[204].
5. Composants passifs 207
5.5.3 Ingénierie de la dispersion : cristaux photoniques
et métamatériaux
Cristaux photoniques à indice de réfraction négatif
Dans la section précédente, ce sont les propriétés de bande interdite qui
ont été principalement utilisées. Ainsi un miroir de Bragg comme un dispositif
de type guide d’ondes tire parti de l’effet de bande d’énergie interdite pour
lequel il n’y a pas propagation des ondes électromagnétiques. Rappelons que
celui-ci se crée grâce aux interférences constructives du processus de réflexions
multiples des ondes électromagnétiques. On dit que celles-ci sont évanescentes
dans le matériau en ayant bien présent à l’esprit que l’atténuation progressive
des ondes dans le matériau n’est pas due à un effet d’absorption mais de
réflexion.
L’ouverture d’une bande d’énergie interdite pour une structure périodique
vient fondamentalement de l’introduction des effets de dispersion. Rappe-
lons que cela signifie que la relation entre la fréquence angulaire et le vec-
teur d’onde n’est plus linéaire. En d’autres termes, l’indice de réfraction est
fonction de la fréquence. De manière générale pour les structures conven-
tionnelles, le diagramme de dispersion ω(k) présente un effet de saturation
pour les grandes valeurs du vecteur k (dispersion normale). L’indice effectif
n (= c/v) augmente par conséquent avec la fréquence.
La structuration périodique a une autre conséquence importante que l’on
appelle le repliement des bandes. Comme pour toute fonction périodique sur
le temps ou l’espace, il suffit de représenter la fonction considérée sur une
période spatiale ou temporelle. Pour les cristaux photoniques et les métama-
tériaux, dont les propriétés de dispersion sont représentées dans l’espace des
phases (espace réciproque de l’espace réel), on appelle cette zone restreinte
la zone de Brillouin réduite. L’ensemble des bandes fondamentales mais éga-
lement celles situées à plus haute énergie sont représentées dans la zone de
Brillouin réduite.
La figure (5.10) montre le résultat du calcul du diagramme de disper-
sion pour un réseau carré de trous dans une matrice semi-conductrice pour
les deux polarisations TE et TM de l’onde électromagnétique et pour les
trois principales directions cristallines. La bande interdite, de largeur impor-
tante pour le mode TM, est ici hachurée. Nous avons ici choisi un réseau
hexagonal de trous d’air de forme circulaire (n = 1) dans un matériau semi-
conducteur III-V (n ∼ 3,3). Le terme a désigne le pas du réseau et λ la
longueur d’onde. Le facteur de remplissage (rapport entre les trous d’air et
les zones semi-conductrices) est de l’ordre de 50 %.
Le vecteur d’onde correspondant aux abscisses comme la fréquence re-
portée en ordonnée sont normalisés. Le résultat de ce calcul ne dépend donc
pas de la fréquence de travail mais de la maille élémentaire et des paramètres
géométriques. On constate que la seconde bande de dispersion a une courbure
208 Optoélectronique térahertz
Fig. 5.10 – Calcul de structure de bande pour un cristal photonique.
tournée vers le bas. Dans ce cas, les vitesses de groupe v
g
=
∂ω
∂k
et de phase
v
π
=
ω
k
sont de signes opposés. Concrètement cela signifie que les ondes sont
rétro-propagées au sein de la structure. En d’autres termes, les fronts d’onde
se déplacent dans une direction opposée à celle de l’énergie. Cette condition
de rétro-propagation est synonyme de l’obtention d’un indice de réfraction
négatif. Un autre terme couramment employé pour désigner cet effet de dis-
persion anormal est celui de matériaux main gauche ou gauchers dans la
mesure où les vecteurs

E,

H et

k forment un trièdre indirect.
Les cristaux photoniques peuvent donc présenter un indice de réfraction
négatif qui peut être mis à profit par exemple par une simple règle de sélection
angulaire pour un dispositif de type prisme. En effet, il ne présente un indice
de réfraction négatif que dans une certaine bande de fréquences. En dehors
de cette bande, l’indice est positif. La réfraction dans le prisme sera donc
négative ou positive en fonction de la fréquence choisie. La figure (5.11)
illustre l’effet de réfraction négatif pour un dispositif microstructuré ayant la
forme d’un prisme. L’onde incidente sur la gauche de la figure est réfractée
négativement sur la deuxième interface du prisme.
La réfraction négative permet également de focaliser les ondes non pas à
l’aide d’une lentille convexe mais grâce à une lentille plane. La figure (5.12)
montre ainsi le résultat de simulations dans le domaine temporel pour une
lentille microstructurée. La réfraction négative aux deux interfaces entre l’air
et le matériau à indice négatif permet de focaliser l’onde une première fois
dans le matériau puis une seconde fois à l’extérieur de celui-ci. Cet effet de
focalisation est invariant par translation de la source. Ce n’est pas son seul
avantage car on peut montrer qu’il est possible avec les matériaux à indice
de réfraction négatif d’amplifier les ondes évanescentes et ainsi d’avoir une
image sous la limite de diffraction [225]. La lentille est alors considérée comme
parfaite alors que les lentilles conventionnelles ne peuvent faire l’image d’un
5. Composants passifs 209
Fig. 5.11 – Simulation de la réfraction négative dans un prisme avec tracé
de la normale à l’interface inclinée.
objet source en reproduisant les détails plus petits que la demi-longueur
d’onde. On conçoit tout l’intérêt de ces techniques d’imagerie aux fréquences
THz où cette limite dite de diffraction est souvent pénalisante.
Aux fréquences THz, la technologie des métamatériaux tend à s’imposer
dans la mesure où la structuration se fait à des dimensions bien plus petites
que la longueur d’onde, comme il a été dit en introduction de cette partie.
Il est également assez naturel de penser que le détail le plus fin reproduit
dans un processus d’imagerie sera directement relié à celui des motifs micro-
ou nano-structurés. Par ailleurs, les différences d’indice pour les matériaux
diélectriques sont souvent trop faibles pour envisager d’obtenir un régime
dit de grande longueur avec des composés diélectriques. Ainsi aux fréquences
THz préfère-t-on la technologie des métamatériaux métalliques.
Fig. 5.12 – Instantanés de la transmission d’une onde électromagnétique
focalisée par une lentille plane constituée de trous percés de façon périodique
dans un semi-conducteur.
Métamatériaux métalliques
Les idées pour l’obtention d’un indice de réfraction négatif dans ce cas
sont tout autres. On cherche principalement à réaliser un matériau dit double-
ment négatif. Cela signifie que les valeurs de permittivité et de perméabilité
effective sont négatives simultanément dans une même bande de fréquences.
210 Optoélectronique térahertz
C’est donc une ingénierie de la dispersion des valeurs de permittivité et de
perméabilité effectives. Le terme effectif correspond à une description phéno-
ménologique de l’interaction des ondes électromagnétiques avec les matériaux
micro- et nano-structurés. Ces derniers sont généralement non magnétiques
et la première des tâches sera de réaliser un moment magnétique artificiel.
En micro-ondes et de plus en plus à présent en infrarouge, notamment
lointain (fréquences THz), on utilise pour ce faire des micro-résonateurs ayant
la forme d’anneaux métalliques fendus d’où le terme anglo-saxon de Split
Ring Resonators (SRR). L’obtention de valeurs négatives de la perméabilité
effective est due à l’effet de résonance de l’anneau. Les fréquences carac-
téristiques qui bornent la bande où μ
r
eff
est négatif sont la fréquence de
résonance de l’anneau, qui ne dépend en première approximation que de la
géométrie de l’anneau (cf. techniques de l’ingénieur) et de la fréquence plasma
magnétique.
Une structure métallique conventionnelle, par exemple un film d’argent
ou d’or, présente aux fréquences THz une valeur négative de permittivité
relative. En effet la dispersion de la permittivité des métaux est bien dé-
crite par le modèle de Drude avec une fréquence caractéristique (la fréquence
plasma du métal f
p
) très élevée, supérieure à 10
15
Hz. Au-dessous de f
p
,
la partie réelle de la permittivité est négative. Par ailleurs, plus celle-ci est
négative, plus la partie imaginaire représentant les pertes est importante.
Ceci a motivé le développement de matériaux métalliques microstructurés
dont la version la plus simple est un réseau périodique de fils métalliques
très fins. On montre qu’à cette condition on dilue très fortement la densité
électronique intervenant dans la fréquence plasma électrique mais on aug-
mente aussi considérablement la masse apparente des électrons abaissant par
ces deux effets la fréquence plasma. Nous allons dans ce qui suit illustrer la
fabrication d’un métamatériau doublement négatif fonctionnant à 0,1 THz
fabriqué à l’université de Bilkent (Turquie) et dont l’analyse vectorielle a été
faite à l’IEMN et à l’observatoire de Paris.
La figure (5.13) montre une photographie des motifs utilisés pour réa-
liser le métamatériau doublement négatif. Celle-ci met en jeu deux micro-
résonateurs fendus qui sont ici imbriqués avec des fentes diamétralement
opposées. On peut montrer que cet arrangement fait que la réponse de la
boucle est essentiellement magnétique. Dans ce but également, le champ ma-
gnétique incident est polarisé perpendiculairement au plan des boucles. En
pratique, cela veut dire qu’il est nécessaire de fabriquer une version tridimen-
sionnelle du matériau en empilant plusieurs substrats (dans le cas présent du
verre) sur lesquels sont imprimés les motifs, l’éclairement par l’onde THz se
faisant par la tranche. En empilant plusieurs substrats, il est possible égale-
ment de réaliser un matériau à permittivité négative grâce à l’ingénierie de la
fréquence plasma électrique vue précédemment. Celle-ci justifie un pas plus
petit pour les réseaux de fils que celui correspondant à celui de SRR.
5. Composants passifs 211
Fig. 5.13 – Vue au microscope optique d’un métamatériau constitué de
réseaux imbriqués de SRR et de fils.
La mesure du coefficient de transmission et de réflexion en fonction de la
fréquence montre que la structure redevient transparente (sa caractéristique
de transmission est de type passe-bande) avec cependant des pertes d’inser-
tion élevées dans une bande de fréquence étroite aux alentours de 100 GHz.
Pour déterminer si cette bande correspond à une branche de dispersion main
gauche ou main droite, il est nécessaire d’en déduire les valeurs de permit-
tivité et de perméabilité effectives par la résolution d’un problème inverse.
Ces études ont montré que ces valeurs sont effectivement doublement néga-
tives dans la bande d’intérêt et correspondent à un indice de réfraction n
(−

r
μ
r
) de l’ordre de −4.
Si la faisabilité de ces structures a été démontrée, les pertes sont impor-
tantes et la bande de fréquence pour laquelle n est négatif est étroite. Ces
limitations en termes de pertes d’insertion et de bande ont motivé un certain
nombre d’études sur les supports de transmission à avance de phase. L’idée
est simple dans son principe. En chargeant une ligne de transmission ou plus
généralement un support de propagation à deux voire trois dimensions par
des capacités localisées mises en série et des inductances placées en parallèle,
la rétropropagation des ondes est observée. La figure (5.14) montre une ligne
de transmission fabriquée pour fonctionner vers 0,3 THz. La ligne de type
coplanaire est chargée périodiquement par des condensateurs plans (visibles
par les sur-épaississements sur la ligne) et des inductances en méandre.
La figure (5.14) montre également le diagramme de dispersion de cette
structure de propagation. Contrairement aux cristaux photoniques, la bande
fondamentale est main gauche. Elle s’étend dans une bande de fréquences qui
correspond à la transition entre les ondes millimétriques et submillimétriques.
Pour la caractériser et démontrer expérimentalement la rétropropagation des
ondes sur la ligne, nous avons utilisé les techniques de caractérisation impul-
sionnelles décrites dans le chapitre 3. Pour cette démonstration d’un effet
212 Optoélectronique térahertz
Fig. 5.14 – Ligne de transmission main gauche chargée par des capacités en
série et des inductances en parallèles.
de phase (celle-ci remonte vers la source au cours du temps), il a été néces-
saire d’effectuer une mesure de la phase du coefficient de transmission entre
deux lignes de même topologie mais de longueurs différentes. La mesure des
signaux transmis temporellement et leur analyse en transformée de Fourier
confirme le diagramme de dispersion avec une fenêtre de transmission centrée
vers 0,30 THz ainsi qu’une différence de phase positive attestant du caractère
main gauche de cette dispersion.
Les métamatériaux composés de réseaux de SRR et de fils comme ceux
mettant en jeu les supports de propagation à avance de phase devraient
permettre à court terme la réalisation de dispositifs de sélection angulaire
(de type prisme par exemple) ou de focalisation sous la limite de diffraction
(lentille parfaite ou, de façon plus réaliste, effet de superlentille). Très ré-
cemment, il a été démontré une autre application tout à fait étonnante des
métamatériaux ayant trait à l’invisibilité.
L’idée sous-jacente est d’entourer un objet quelconque tant en forme qu’en
taille d’un revêtement constitué de métamatériaux métalliques fonctionnant
en régime d’ultraréfraction. La figure (5.15) représente le premier prototype
qui vient d’être fabriqué en micro-ondes. Pour les fréquences THz, ce pro-
totype correspondrait à un modèle à l’échelle à deux dimensions en nous
permettant de mieux comprendre l’effet d’invisibilité par ultraréfraction.
La zone centrale correspond à la région de l’espace que l’on veut occulter.
5. Composants passifs 213
Fig. 5.15 – Prototype de revêtement furtif basé sur l’ultraréfraction. Carto-
graphie expérimentale de champ montrant la courbure des ondes électroma-
gnétiques.
Elle est entourée d’un réseau de substrats de formes cylindriques concen-
triques sur lesquels sont imprimés des motifs de type SRR. Par un choix
judicieux des dimensions de ces microrésonateurs, il est possible d’induire
des effets de dispersion notamment sur la composante radiale μ
r
tracée dans
l’insert de cette figure dans l’espace géométrique correspondant au revête-
ment furtif. Les valeurs de μ
r
sont ici multipliées par 10. La valeur la plus
importante de μ
r
, à la limite externe du revêtement est donc de 0,25. L’ap-
plication de la loi de la réfraction de Snell-Descartes montre que pour des
valeurs d’indice inférieures à 1, la réfraction des ondes (cassure du trajet
initial de l’onde incidente sur un dioptre) se fait d’autant plus près de la
normale que l’indice tend vers 0. Ce phénomène de réfractions successives
sur les différentes couches se fait de façon quasi continue à l’échelle de la
longueur d’onde. Les ondes sont donc courbées et longent la zone à occulter
pour ressortir à une position diamétralement opposée à celle d’incidence. La
figure (5.15) montre la cartographie de la composante du champ électrique.
Celle-ci a été mesurée à l’aide d’une petite antenne balayant la surface du
dispositif par microdéplacement.
214 Optoélectronique térahertz
Conclusion
Au terme de cette présentation sur le contrôle de la dispersion (ouver-
ture d’une bande d’énergie interdite, réfraction négative par repliement des
bandes et métamatériaux doublement négatifs, furtivité par métamatériaux
ultraréfractifs), on constate que la synthèse de microstructures électroma-
gnétiques artificielles permet à présent de couvrir l’ensemble du diagramme
perméabilité-permittivité qui caractérise la réponse des ondes électromagné-
tiques en interaction avec la matière. Si les concepts sont invariants en fonc-
tion de la fréquence, l’accès aux fréquences THz reste encore un défi pour
la plupart de ces applications potentielles tirant parti de la réfraction anor-
male pour les indices négatifs notamment. Cette conclusion est vraie pour les
trois volets : conception, fabrication et caractérisation. Pour la conception,
la description des mécanismes d’interaction devient de plus en plus complexe
compte tenu en particulier du caractère multi-échelle des systèmes THz. La
fabrication devient également de plus en plus difficile en ayant recours aux
micro- et nanotechnologies même si les difficultés sont sans commune mesure
avec celles rencontrées en optique. Enfin, pour la caractérisation, il s’agit très
souvent d’effets de phase qui demandent des méthodes de type analyse vecto-
rielle. Nul doute cependant que les progrès actuels pour les trois thématiques
précitées permettent le développement aux fréquences THz des applications
des cristaux photoniques et des métamatériaux. Certaines sont probablement
encore à inventer.
Quatrième partie
Techniques et systèmes
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Chapitre 6
Techniques de mesure
Les années 1980 ont vu l’apparition de nouveaux systèmes de génération
et de mesure de signaux électromagnétiques ultrabrefs visant à sonder un
domaine des fréquences THz jusqu’ici difficile d’accès [226–229]. Bon nombre
de ces nouvelles techniques de génération et de mesure font appel aux la-
sers impulsionnels femtosecondes ainsi qu’à des dispositifs de conversion des
impulsions optiques ultrabrèves (quelques dizaines de fs) en impulsions élec-
tromagnétiques rayonnées dont la durée est de l’ordre de la picoseconde.
Afin d’utiliser les signaux THz générés, il faut pouvoir les mesurer puis les
analyser dans les domaines temporel ou fréquentiel. Nous décrirons dans ce
chapitre comment il est possible de mesurer, avec des systèmes d’acquisition
lents, les traces temporelles des signaux THz, qu’ils soient de type impulsion-
nel ou monochromatique, ces signaux présentant des temps caractéristiques
d’évolution de leur amplitude de l’ordre de la picoseconde. La mesure étant
réalisée dans le domaine temporel, nous aborderons ensuite l’analyse de ces
signaux qui est généralement effectuée dans le domaine fréquentiel et qui
nécessite donc le recours à la transformée de Fourier. Nous montrerons éga-
lement des possibilités de mesures nouvelles utilisant le caractère temporel
des expériences.
Cependant, il ne faut pas oublier que des ondes THz peuvent être géné-
rées par des sources continues. Ce sont des ondes cohérentes et monochroma-
tiques dans le cas des lasers moléculaires ou QCL, dans le cas de génération
par battement optique ou par multiplication de fréquence. En revanche, les
oscillateurs électroniques (carcinotron, BWO) délivrent des signaux moins
cohérents, très souvent sous la forme de longues impulsions assez bruyantes.
Cependant, lorsque les carcinotrons sont vérouillés en phase, on peut obtenir
des puretés spectrales tout à fait étonnantes, inférieures à 50 kHz. Enfin,
le rayonnement des corps noirs est parfaitement continu, mais incohérent.
L’amplitude et la phase des faisceaux THz continus sont assez facilement me-
surables par des techniques d’interférométrie se rapprochant des techniques
impulsionnelles. En particulier, la spectrométrie infrarouge à transformée de
Fourier est conceptuellement très proche de la technique de spectroscopie
dans le domaine temporel.
218 Optoélectronique térahertz
6.1 Domaine temporel
6.1.1 Échantillonnage en temps équivalent d’impulsions THz
ultrabrèves
Les spectres associés aux impulsions électromagnétiques dites THz sont
très larges et s’étendent de plusieurs dizaines de GHz à quelques dizaines de
THz ; il en découle que, dans le domaine temporel, la durée de ces impulsions
est de l’ordre de la picoseconde (10
−12
s), voire moins. Afin de mesurer de tels
signaux, il faut pouvoir les échantillonner tout en respectant le théorème de
Shannon qui garantit la conservation de l’information contenue dans le signal.
Ce théorème précise que si l’on veut échantillonner, sans perte d’information,
un signal dont le spectre présente pour fréquence maximale f
max
, alors la
fréquence d’échantillonnage f
e
doit être au moins égale à 2 fois f
max
, soit :
f
e
≥ 2f
max
(6.1)
On en déduit facilement que, pour pouvoir échantillonner en temps réel une
impulsion THz, il faut pouvoir disposer d’un appareil électronique présen-
tant une bande passante de plusieurs THz ou, autrement dit, capable de
prendre un nombre conséquent d’échantillons en moins d’une picoseconde.
Or, à ce jour, il n’existe pas d’appareil électronique de mesure présentant des
bandes passantes aussi grandes : quelques dizaines à une centaine de GHz
tout au plus. Par ailleurs, dans la plupart des cas, les signaux à mesurer
sont très faibles, et cet appareil devrait donc simultanément présenter une
très grande sensibilité. À titre d’exemple, les photocourants générés par des
photocommutateurs en LT-GaAs éclairés au moyen d’impulsions optiques
femtosecondes présentent des valeurs typiques comprises entre picoampère
et nanoampères. En supposant qu’un tel appareil existe, il faudrait en outre
pouvoir véhiculer ces signaux très rapides sans perte ni dispersion ou atté-
nuation sur plusieurs cm au moins, du dispositif détecteur jusqu’à l’appa-
reil de mesure. Pour ces multiples raisons, il est actuellement utopique de
vouloir échantillonner de manière classique, c’est-à-dire en temps réel, des si-
gnaux THz ; il faut donc employer une technique d’échantillonnage différente,
mieux adaptée aux signaux à mesurer.
Dans le cas où le signal que l’on cherche à mesurer est périodique (répéti-
tif) on peut utiliser une technique dite d’échantillonnage en temps équivalent :
cette technique rend possible l’utilisation de systèmes d’acquisition lents pour
la mesure de signaux rapides, la contrepartie étant la quasi-impossibilité de
mesurer des signaux monocoups et plus généralement non répétitifs. Il est en-
tendu par systèmes d’acquisition lents des systèmes d’acquisition possédant
une bande passante bien inférieure à celle des signaux mesurés. Le principe de
la méthode est le suivant : le signal à mesurer (impulsion THz par exemple)
étant périodique, les différents échantillons qui vont servir à le reconstituer ne
seront pas pris sur une seule et même période du signal mais sur des périodes
différentes et successives (figure (6.1)).
6. Techniques de mesure 219
Motif périodique à échantillonner
Impulsion échantillonnée
Fig. 6.1 – Reconstitution d’un signal impulsionnel périodique par échan-
tillonnage en temps équivalent.
On en déduit facilement que l’utilisation d’une telle technique nécessite
les conditions suivantes :
– signaux à échantillonner périodiques uniquement ;
– système de mesure et signaux à mesurer synchrones ;
– possibilité de retarder précisément la prise de la mesure du signal à
échantillonner ;
– détecteur rapide présentant une bande passante supérieure à celle du
signal à mesurer (le détecteur ne faisant pas partie du système d’ac-
quisition lent).
Ainsi, la mesure d’un signal THz peut être réalisée sur une durée suffisam-
ment longue (sur plusieurs milliers de périodes du signal par exemple) ce qui
permet l’utilisation d’un système plus lent que le signal pour effectuer l’ac-
quisition. Dans ce cas, l’échelle réelle des temps est directement déduite de la
méthode utilisée pour séparer temporellement deux échantillons pris succes-
sivement. En outre, et pour les signaux très faibles, cette technique permet
de moyenner la mesure sur un grand nombre de périodes afin d’augmenter le
rapport signal sur bruit.
Cette technique est communément utilisée dans les expériences optoélec-
troniques mettant en jeu des impulsions laser femtosecondes. C’est le cas de
la spectroscopie THz dans le domaine temporel, dont le schéma de principe
est donné en figure (6.2), pour laquelle il faut mesurer la forme temporelle
d’impulsions électromagnétiques picosecondes rayonnées en espace libre.
Dans cette expérience, le synchronisme de détection et d’émission des
impulsions THz est obtenu en déclenchant les deux systèmes émetteur et ré-
cepteur à l’aide de la même impulsion optique : la lame semi-réfléchissante BS
sépare le faisceau laser initial en deux faisceaux qui vont respectivement dé-
clencher l’émission de l’impulsion THz au niveau du dispositif émetteur et la
prise de la mesure au niveau du dispositif détecteur. Par ailleurs, la longueur
des chemins optiques de ces deux faisceaux, prise au niveau du dispositif ré-
cepteur, peut être modifiée à l’aide d’une ligne à retard optique, permettant
220 Optoélectronique térahertz
BS
Impulsion
optique
Émetteur Détecteur
Impulsion
THz
Ligne à
retard
Miroirs
paraboliques
Fig. 6.2 – Schéma de principe d’une expérience de spectroscopie dans le
domaine temporel – THz TDS.
ainsi de prendre plusieurs échantillons différents de l’impulsion THz à mesu-
rer afin de la reconstruire comme décrit précédemment. L’incrément temporel
Δt est alors obtenu facilement à partir de l’incrément spatial Δx de la ligne
à retard optique :
Δt = 2 Δx/c (6.2)
c correspondant à la célérité de la lumière dans l’air (c = 3 10
8
m/s). La
présence du facteur 2 dans l’équation (6.2) résulte de l’aller-retour du faisceau
laser au niveau de la ligne à retard.
La figure (6.3) présente le résultat de la mesure d’une impulsion THz
rayonnée en espace libre [230], par échantillonnage en temps équivalent,
l’émetteur et le récepteur étant dans ce cas constitués de photocommuta-
teurs en LT-GaAs (voir section sur le génération impulsionnelle, page 110).
Le temps d’acquisition d’une telle mesure est de l’ordre de quelques minutes ;
il est fixé par le temps nécessaire au déplacement de la ligne à retard sur une
longueur correspondant à la durée de la fenêtre temporelle désirée ainsi que
par la constante de temps de moyennage du signal nécessaire pour obtenir
un rapport signal sur bruit donné.
6. Techniques de mesure 221
(
U
.
A
.
)



Fig. 6.3 – Impulsion THz typique mesurée par une expérience du type de
la figure (6.2).
À l’instar de toute technique d’échantillonnage en temps réel, lors d’un
échantillonnage en temps équivalent, le signal mesuré n’est pas directement le
signal réel mais le résultat d’une convolution entre le signal réel et la réponse
du détecteur. Dans le cas d’une expérience de spectroscopie THz utilisant des
dispositifs émetteurs et récepteurs de type photocommutateurs, la réponse
du détecteur est elle-même le résultat de la convolution entre la réponse
impulsionnelle du photocommutateur utilisé en réception et de l’impulsion
laser utilisée pour le déclencher :
R
detecteur
(t) = P
laser
(t) ⊗R
δ
detecteur
(t) (6.3)
où P
laser
(t) représente l’évolution temporelle de la puissance de l’impulsion
laser de déclenchement, et R
δ
detecteur
(t) la réponse impulsionnelle du détec-
teur [103]. Ainsi, pour une position donnée de la ligne à retard Δt, corres-
pondant à un retard donné entre impulsions optique et THz, le signal délivré
par le détecteur s’exprime alors comme la convolution du champ THz réel
par la réponse du détecteur :
S
THz detecteur
(t, Δt) = E
THz
(t, Δt) ⊗R
detecteur
(t) (6.4)
Le système d’acquisition à la suite du détecteur étant un système lent
au regard des temps mis en jeu au niveau des impulsions optiques et THz,
il en découle que le signal THz enregistré est l’intégrale temporelle du signal
fourni par le détecteur et il dépend uniquement de Δt. Il s’exprime de la
façon suivante :
S
THz mesure
(Δt) =
+∞
_
−∞
S
THz detecteur
(t, Δt) dt (6.5)
222 Optoélectronique térahertz
Fig. 6.4 – Échantillonnage en temps équivalent d’un signal THz monochro-
matique.
Pour plus de détails concernant la modélisation des signaux THz mesurés
dans les dispositifs de type photocommutateurs, le lecteur pourra se reporter
au chapitre 3 (page 93). Finalement, l’expérimentateur dispose du signal
suivant :
S
THz mesure
(Δt) =
+∞
_
−∞
+∞
_
−∞
+∞
_
−∞
E
THz
(t, Δt) P
laser
(t −t

) R
δ
detecteur
(t −t

−t

) dt dt

dt

(6.6)
Si l’impulsion optique de lecture et le temps de réponse du détecteur sont très
courts (assimilables à des fonctions de Dirac), le signal mesuré est directement
proportionnel au champ THz. En pratique, l’impulsion laser peut être bien
plus courte que l’impulsion THz, mais ce n’est pas le cas du temps de réponse
du détecteur. Le signal mesuré prend alors la forme compliquée donnée par
la relation (6.6).
6.1.2 Échantillonnage d’un signal continu
Bien entendu, cette technique peut être utilisée pour la mesure tempo-
relle de signaux non plus impulsionnels mais monochromatiques, ces derniers
étant par définition périodiques puisque sinusoïdaux dans l’espace des temps
(figure (6.4)).
La période réelle du signal sinusoïdal mesuré est alors obtenue, comme
précédemment, à partir de la relation (6.2) exprimant la correspondance entre
l’incrément temporel réel et l’incrément spatial de la ligne à retard.
6. Techniques de mesure 223
6.1.3 Passage temps – fréquence : la transformée de Fourier
À partir d’un signal temporel, il est aisé de passer dans l’espace des
fréquences au moyen de la transformée de Fourier. Néanmoins, quelques pré-
cautions doivent être prises pour réaliser cette transformation de façon nu-
mérique. En préambule, il est important de rappeler qu’il est impossible,
à partir de données, de réaliser stricto sensu une transformée de Fourier
de manière numérique. En effet, seules les décompositions en séries de Fou-
rier sont calculables numériquement, lesquelles sont appelées abusivement
transformées de Fourier rapides ou plus simplement FFT (acronyme anglais
signifiant Fast Fourier Transform et désignant l’ensemble des algorithmes de
calcul rapide de décompositions en série de Fourier). Dès lors, la FFT ne s’ap-
plique qu’aux signaux périodiques. Dans le cas d’impulsions THz générées au
moyen de transducteurs optoélectroniques déclenchés par des impulsions op-
tiques femtosecondes, la durée des impulsions THz obtenues est de l’ordre de
la picoseconde alors que leur période de récurrence est de l’ordre de 10 ns,
soit supérieure de près de 4 ordres de grandeur. C’est la raison pour laquelle
l’expérimentateur n’a souvent accès qu’à une fraction (généralement extrê-
mement réduite) de la période du signal réel.
Idéalement, une période ou un nombre entier de périodes devraient être
enregistrés avant de procéder à la décomposition du signal en série de Fourier
via le calcul de la FFT du signal. Comme cela n’est pas réaliste sur le plan
pratique, on se contente donc de l’enregistrement d’une faible fraction de
ladite période. Lorsque l’expérimentateur a l’intime conviction (étayée par
de solides arguments physiques) qu’aucune information utile n’est présente
sur la portion non enregistrée du signal, il peut alors étendre par continuité le
signal enregistré pour lui faire recouvrer sa période réelle avant de procéder
au calcul de sa FFT. Pour cela, on s’assure que la fin du signal enregistré
ne comporte plus aucune information utile et se présente sous la forme d’un
signal constant au bruit près, et on ajoute jusqu’à la fin de sa période des
points fictifs de même valeur, laquelle est donnée par la valeur moyenne du
signal observé à la fin de l’enregistrement du signal réel.
Avant de procéder au calcul de la FFT proprement dit, il reste encore
à vérifier que les valeurs moyennes de début et de fin du signal enregistré
sont identiques ou diffèrent d’une valeur inférieure à l’écart-type du bruit
affectant ces mêmes valeurs. Si ce n’est pas le cas, cela signifie :
– soit qu’il existe une dérive du zéro au cours du balayage temporel du
signal résultant par exemple d’un défaut d’alignement de la ligne à
retard optique ;
– soit que les valeurs moyennes de début et de fin de signal sont réellement
différentes.
Ce dernier cas de figure peut survenir lorsque des phénomènes physiques
présentant des temps caractéristiques très longs par rapport à la durée des
impulsions THz sont mis en jeu dans la mesure. Dans les deux situations
224 Optoélectronique térahertz
précédentes, cela signifie qu’une composante très basse fréquence du signal
est hors de portée expérimentale. Il est cependant indispensable de la sous-
traire numériquement avant de procéder au calcul de la FFT sans quoi le
spectre calculé serait erroné. En effet, le résultat du calcul de la FFT donne
les amplitudes complexes des coefficients de la série de Fourier du signal
périodique qui est obtenu par recopie et juxtaposition à l’infini du signal en-
registré. Ainsi le dernier point du signal enregistré précède de fait le premier
point de ce même signal et si ces deux points n’ont pas même valeur, le si-
gnal présente alors une discontinuité artificielle de type marche de Heaviside.
En fait cette marche correspond à la suppression pure et simple de la partie
non enregistrée de la période du signal, pendant laquelle le signal retourne
progressivement à sa valeur initiale. Or, comme la marche de Heaviside re-
présente l’intégrale d’une distribution de Dirac, sa transformée de Fourier
présente des composantes fréquentielles de fréquence f, dont l’amplitude va-
rie en
1
f
. Cet artefact lié à la suppression de la partie non enregistrée de
la période du signal réel modifie profondément son spectre, particulièrement
aux plus basses fréquences comme cela est illustré sur la figure (6.5).
0,1 0,2 0,3 0,4
0,1
0,2
0,3
0,4
0,5
0,6
0 200 400 600 800 1 000
0,06
0,04
0,02
0
0,02
0,04
0,06
Fréquence (U. A.)
A
m
p
l
i
t
u
d
e

(
U
.

A
.
)
Temps (U. A.)
-
-
-
Fig. 6.5 – Spectres théoriques correspondant au signal temporel représenté
en insert en considérant la dérive du zéro soit physique (en traits pointillés)
soit liée à un artefact (en traits pleins) et spectre calculé par FFT représenté
sous forme de points.
Pour cette simulation, nous avons considéré un profil temporel de si-
gnal correspondant à la dérivée d’une gaussienne auquel nous avons ajouté
une dérive en forme de fonction d’erreur. Des expressions analytiques des
transformées de Fourier, nous avons pu représenter les spectres exacts cor-
respondant soit à l’ensemble du signal (en traits pointillés), soit au signal
sans la dérive (en traits pleins). Le spectre calculé par FFT est incorrect : il
présente des oscillations autour du spectre théorique. La période fréquentielle
6. Techniques de mesure 225
de ces oscillations est liée à l’inverse de la largeur de la fenêtre temporelle
d’enregistrement. On remarque par ailleurs que l’amplitude de ces oscilla-
tions décroît comme prévu avec la fréquence. Cependant, l’erreur engendrée
par le non-enregistrement d’une période complète du signal reste toujours
importante, même aux fréquences les plus élevées. La question posée mainte-
nant est : existe-t-il une méthode qui permette d’éliminer cette discontinuité
non physique sans pour autant introduire d’artefact au niveau du spectre
calculé ? La réponse est positive à condition de garder à l’esprit que la perte
d’information liée au non-enregistrement de la période complète du signal est
définitive et par conséquent que le spectre qui sera obtenu après correction
ad hoc du signal enregistré ne constituera qu’une approximation (par ailleurs
souvent excellente dans la très grande majorité des cas) du spectre réel. Plu-
sieurs méthodes ont été proposées pour répondre à ce problème et le lecteur
pourra se reporter à la référence [231] pour plus de détails sur une méthode
de correction performante intégrant de plus l’ajout de points de mesure fic-
tifs comme cela a été décrit précédemment. Cette méthode, illustrée sur la
figure (6.6), dans le cas simplifié de l’absence d’ajout de points de mesure
fictifs, consiste à soustraire une rampe de sorte que le signal périodique ob-
tenu par recopie et juxtaposition à l’infini du signal enregistré ne présente
plus de discontinuité (cf. signal temporel dans l’insert). On remarque cette
fois-ci que les valeurs du spectre calculé par FFT coïncident parfaitement
avec celles du spectre théorique tenant compte de la dérive, excepté pour la
fréquence nulle uniquement.
0,1 0,2 0,3 0,4
0,1
0,2
0,3
0,4
0,5
0,6
0 200 400 600 800 1 000
0,06
0,04
0,02
0
0,02
0,04
0,06
Fréquence (U. A.)
A
m
p
l
i
t
u
d
e

(
U
.

A
.
)
Temps (U. A.)
-
-
-
Fig. 6.6 – Spectres théoriques correspondant au signal temporel représenté
dans l’insert de la figure (6.5) en considérant la dérive du zéro soit physique
(en traits pointillés) soit liée à un artefact (en traits pleins) et spectre calculé
par FFT à partir du signal temporel corrigé (cf. insert de la présente figure)
représenté sous forme de points.
226 Optoélectronique térahertz
Un autre point important concerne la résolution fréquentielle liée à la
mesure. Il est fondamental de bien comprendre que l’ajout de points de me-
sure fictifs va permettre d’augmenter la largeur de la fenêtre temporelle et
par voie de conséquence de diminuer dans les mêmes proportions le pas fré-
quentiel du spectre calculé. Pour autant, l’ajout de points de mesure fictifs
n’apportant aucune nouvelle information, la véritable résolution fréquentielle
reste inchangée et a pour ordre de grandeur l’inverse de la durée de la fenêtre
temporelle d’enregistrement. Ainsi, à une fenêtre d’enregistrement de 100 ps
correspond une résolution fréquentielle de ∼ 10 GHz.
La figure (6.7) représente le spectre d’une impulsion THz typique obtenue
par FFT et dont la trace temporelle est donnée en figure (6.3).
(
U
.
A
)
,
,
,
Fig. 6.7 – Spectre (module) d’une impulsion THz (celle de la figure (6.3))
obtenu par FFT.
6.1.4 Mesures pompe optique – sonde THz
L’émergence des techniques de spectroscopie THz dans le domaine tempo-
rel et l’analyse des signaux à la fois dans les domaines temporel et fréquentiel
ouvrent la voie à une variante intéressante de cette expérience permettant
non plus seulement de caractériser un matériau dans son état d’équilibre,
mais aussi de sonder des états transitoires. Cette technique de mesure étant
par ailleurs sans contact, elle reste très peu perturbatrice. Il n’est donc pas
surprenant que cette technique de mesure pompe-sonde, rendue possible grâce
à l’utilisation d’impulsions picosecondes, voire sub-picosecondes, et dont le
spectre s’étend jusqu’aux fréquences THz, soit de plus en plus employée, par
exemple pour étudier le retour à l’équilibre des porteurs dans des matériaux
semi-conducteurs [232, 233], la thermalisation intrabande des porteurs par
6. Techniques de mesure 227
émission de phonons optiques [234], la relaxation d’excitons générés optique-
ment dans des multi-puits quantiques de GaAs-GaAlAs [235], l’interaction
dipolaire entre molécules polaires dans les liquides [236], ou encore la dyna-
mique des paires de Cooper dans des matériaux supra-conducteurs [237, 238].
Principe de la technique pompe-sonde
Cette technique est basée sur l’utilisation de deux impulsions électroma-
gnétiques dont la première, dite de pompe, a pour but de faire passer le
matériau d’un état d’équilibre à un état excité ; la seconde, dite de sonde et
de plus faible puissance en général, vient sonder l’évolution dans le temps
de cet état hors équilibre. Dans la méthode qui nous intéresse, la première
impulsion est une impulsion optique délivrée par un laser impulsionnel, l’im-
pulsion de sonde étant une impulsion THz. La configuration de principe de
l’expérience est donnée dans la figure (6.8).
BS 1
Ligne à
retard 1
Émetteur Détecteur
Faisceau
pompe
BS 2
Ligne à
retard 2
Échantillon
Faisceau
sonde
Fig. 6.8 – Schéma de principe d’une expérience pompe optique – sonde THz.
Dans cette expérience (voir figure (6.9)), la partie du banc de mesure
permettant de sonder l’échantillon est identique à l’expérience de spectrosco-
pie THz présentée précédemment (cf. figure (6.2)). L’échantillon est excité
par les impulsions optiques de pompe prélevées sur le faisceau qui déclenche
l’émetteur THz, et retardées (ligne à retard 2) afin de faire varier le dé-
lai séparant impulsions de pompe optique et de sonde THz. Nous pouvons
différentier deux variantes de cette technique de mesures pompe-sonde :
228 Optoélectronique térahertz
– dans la première variante, pour chaque valeur du retard entre impul-
sions de pompe optique et de sonde THz, un seul point de l’impul-
sion THz est mesuré, ou bien la puissance totale de l’impulsion THz
est intégrée grâce à l’emploi d’un bolomètre par exemple. On obtient
alors la réponse moyenne du matériau en fonction de ce retard. À titre
d’exemple, la figure (6.9) montre la variation de l’amplitude crête de
l’impulsion THz transmise par un échantillon de GaAs en fonction du
retard par rapport à l’excitation du matériau par une impulsion laser
femtoseconde (λ = 800 nm), l’impulsion optique excitant le matériau à
l’instant t = 25 ps. Le signal résulte de l’augmentation de l’absorption
du signal THz par les porteurs libres photogénérés. La décroissance
exponentielle du signal, avec une durée caractéristique de 800 ps, est
dans cet exemple directement liée à la population d’électrons dans la
bande de conduction, dont le temps de vie est donc 800 ps ;
– dans la seconde variante, la variation de la forme temporelle de l’im-
pulsion THz est entièrement mesurée pour chaque valeur de ce retard,
ce qui permet de suivre l’évolution de cette impulsion en fonction du
retard, rendant ainsi possible une étude en fréquence. La figure (6.10)
montre de nouveau l’exemple du GaAs. On voit que le signal se construit
progressivement, sans accident temporel, ce qui est attendu, car la ré-
ponse du gaz d’électrons libres photoinduits, pour un échantillon à
température ambiante, est uniforme dans la gamme spectrale étudiée.
On remarque un très léger décalage temporel du sommet de l’impulsion
en fonction du retard. Cet effet s’explique par la variation de l’indice
de réfraction du GaAs induit par la population de porteurs libres, ce
qui diminue ici le chemin optique de traversée de l’échantillon pour des
grandes densités de porteurs libres.
Bien que la première solution soit la plus largement utilisée [233, 239–242] du
fait de sa simplicité de mise en œuvre et de sa rapidité, la seconde solution,
plus lourde en termes de temps de mesure et de traitement des données,
permet toutefois d’obtenir beaucoup plus d’informations puisqu’il est alors
possible d’effectuer une étude fréquentielle des phénomènes étudiés [243, 244].
Exemple de résultats
En mesurant un point de la courbe temporelle de l’impulsion THz (maxi-
mum de l’impulsion par exemple), ou encore sa puissance totale avec un
bolomètre, il est possible de mesurer facilement la dynamique moyenne de
retour à l’équilibre de phénomènes physiques perturbés par l’impulsion op-
tique ultracourte, lorsque ces phénomènes sont peu dispersifs dans le do-
maine THz. Une large gamme de matériaux a été ainsi caractérisée comme des
semi-conducteurs, des supra-conducteurs, ou bien encore des liquides : GaAs
et InP intrinsèques [232, 239, 245, 246], GaN [247], InP implanté par des
protons [233], Ge [248], silicium sur saphir irradié (RD-SOS) [249], silicium
amorphe [250] ou micro-cristallin [251], LT-GaAs [78, 242], liquides [252]...
6. Techniques de mesure 229
(
U
.
A
)
,
,
,
,
Fig. 6.9 – Mesure de la variation du maximum de l’impulsion THz transmise
par un échantillon de GaAs, pour plusieurs valeurs du retard entre impulsion
optique de pompe (λ = 800 nm) et THz de sonde.
(
U
.
A
.
)
Fig. 6.10 – Mesure de la variation de transmission d’un échantillon de
GaAs, pour plusieurs valeurs du retard entre impulsion optique de pompe
(λ = 800 nm) et THz de sonde.
230 Optoélectronique térahertz
La figure (6.11), mesurée par Dykaar et collaborateurs [232, 245], montre
l’évolution moyenne de la transmission THz du GaAs intrinsèque soumis à
une excitation impulsionnelle optique (λ
pompe
= 660 nm pour des densités
de porteurs photogénérés en surface valant 0,4, 0,9 et 2 10
18
cm
−3
). Ces
observations de l’évolution de la conductivité du GaAs ont permis à Dykaar et
collaborateurs de conclure que l’absorption du rayonnement THz s’établissait
en moins de 1 ps après l’excitation (chute rapide de la transmission). En
faisant varier la longueur d’onde d’excitation (580 nm, 660 nm et 700 nm)
de l’impulsion optique de pompe –figure (6.12)–, donc l’énergie des photons
servant à exciter les électrons dans le GaAs, ils ont aussi mis en évidence des
phénomènes de diffusion inter-vallée (de la vallée L de faible mobilité vers la
vallée Γ de plus grande mobilité).
,
,
,
,
,
,
,
,
Fig. 6.11 – Mesure de la variation de transmission THz d’un échantillon de
GaAs pompé par des impulsions laser de pompe (λ = 660 nm) pour diffé-
rentes densités de photoélectrons (0, 4−0, 9−210
18
cm
−3
) (©(1991)IEEE).
Mesures résolues dans le temps
Comme nous l’avons vu précédemment, il est possible d’obtenir des in-
formations supplémentaires si l’on mesure, pour un retard donné entre im-
pulsions de pompe et de sonde, toute l’impulsion THz. Cette méthode a été
utilisée, dans un premier temps, pour l’étude de matériaux semi-conducteurs
et supra-conducteurs pour lesquels la conductivité complexe peut présen-
ter une forte dépendance en fréquence. En généralisant cette méthode, il
devient possible de réaliser une étude bi-paramétrée en mesurant l’impul-
sion THz pour une large gamme de retard entre impulsions de pompe et de
sonde. Dès 1996, Zielbauer et ses collaborateurs [253] ont mesuré l’évolution
temporelle du coefficient de transmission complexe d’un échantillon de sili-
cium. Depuis, de nombreuses études ont été menées par cette technique sur
des matériaux semi-conducteurs comme GaAs [254, 255] et LT-GaAs [256],
ou encore sur des matériaux supraconducteurs comme YBa
2
Cu
3
O
7
[53] et
6. Techniques de mesure 231
,
,
,
,
,
,
,
Fig. 6.12 – Mesure de la variation de transmission THz d’un échantillon
de GaAs pompé par des impulsions laser de pompe de différentes longueurs
d’onde (λ = 580, 660 et 700 nm) (©(1991)IEEE).
La
0,7
M
0,3
MnO
3
[257]. Schmuttenmaer et ses collaborateurs ont ainsi pu mon-
trer que, pour une longueur d’onde de pompe de 400 nm, la mobilité dans
LT-GaAs passe de 350 cm
2
/V/s immédiatement après la photo-excitation, à
1 100 cm
2
/V/s après 2 ps alors que cette mobilité reste constante et égale à
3 000 cm
2
/V/s lorsque la longueur d’onde de pompe est de 800 nm, prouvant
ainsi le phénomène de diffusion inter-vallée des porteurs, de la vallée Γ de
forte mobilité aux vallées X et L de plus faible mobilité déjà mis en évidence
par Dykaar et ses collaborateurs dans GaAs.
6.1.5 Extraction du signal
L’emploi des techniques de mesure présentées précédemment n’est sou-
vent pas suffisant pour obtenir des signaux de qualité. Pour cela, il faut
tout d’abord identifier les sources de bruit concourant aux deux principales
limitations suivantes :
– le seuil de mesure expérimental interdisant toute caractérisation d’échan-
tillons présentant une trop forte absorption;
– la dynamique de mesure limitant la sensibilité, c’est-à-dire la précision
avec laquelle des caractéristiques physiques peuvent être extraites des
mesures.
Ensuite, compte tenu de la connaissance des sources de bruit, des configu-
rations expérimentales et des traitements de signaux adaptés peuvent per-
mettre d’améliorer significativement bande passante et précision sur et avec
lesquelles les paramètres des échantillons peuvent être extraits.
232 Optoélectronique térahertz
Les sources de bruit
Plusieurs travaux [258, 259] ont permis de préciser quelles sont les prin-
cipales sources de bruit rencontrées dans les expériences classiques de spec-
troscopie THz dans le domaine temporel exploitant des photocommutateurs
comme émetteur et récepteur THz. Ces sources de bruit peuvent être regrou-
pées en trois catégories selon leur origine :
– le bruit d’émission du rayonnement THz caractérisé par son écart-type
σ
e
(ν) ;
– le bruit σ
d
(ν) de détection du rayonnement THz ;
– et le bruit σ
g
(ν)) de grenaille du détecteur THz ;
où ν représente la fréquence du rayonnement THz. Si l’on note ρ(ν) le mo-
dule du coefficient de transmission du rayonnement THz par un échantillon
quelconque (quantité qui devra être mesurée pour extraire les paramètres du
matériau, cf. paragraphe (7.1.1)), il est possible de montrer que sa variance
(laquelle est directement reliée à la précision de mesure des paramètres du
matériau) est donnée par [259] :
σ
2
ρ
(ν) = A(ν)ρ
2
(ν) +B(ν)ρ(ν) +C(ν) (6.7)
où les trois paramètres de bruit A(ν), B(ν) et C(ν) ont pour expression :
A(ν) =
2 σ
e
(ν)
2

d
(ν)
2

g
(ν)
2
[R(ν)
2
[
(6.8)
B(ν) =
σ
g
(ν)
2
[R(ν)
2
[
(6.9)
C(ν) =
σ
d
(ν)
2
[R(ν)
2
[
(6.10)
[R(ν)[ représente le module du photocourant mesuré par le détecteur en
l’absence d’échantillon (obtenu lors de la mesure dite de référence). En choi-
sissant un échantillon faiblement absorbant, optiquement épais (pour que les
différents échos de l’impulsion THz générés au sein de l’échantillon soient
temporellement séparés) et présentant de relativement forts coefficients de
réflexion de Fresnel au niveau de ses interfaces avec le milieu extérieur (afin
de donner lieu à un grand nombre N d’échos sur la trace temporelle du si-
gnal mesuré avec échantillon), on peut alors utiliser l’équation (6.7) pour
traiter séparément chacun des échos apparaissant sur le signal enregistré
(figure (6.13)).
Sachant que les trois paramètres de bruit A(ν), B(ν) et C(ν) sont les
mêmes quel que soit l’écho de l’impulsion THz considéré, cela signifie qu’une
analyse statistique sur un nombre conséquent de mesures permet d’obtenir
N courbes donnant la dépendance de σ
ρ
avec la fréquence ν. De ce fais-
ceau de N courbes paramétrées par A(ν), B(ν) et C(ν), il est alors possible
6. Techniques de mesure 233
−1,2
−0,8
−0,4
0,0
0,4
0,8
1,2
1,6
2,0
0 10 20 30 40 50 60
p
h
o
t
o
c
o
u
r
a
n
t

m
o
y
e
n

(
n
A
)
temps (ps)
écho 0
écho 1
écho 2
écho 3
écho 4
x 40
référence
Fig. 6.13 – Échos d’une impulsion THz induits par les réflexions internes de
l’impulsion au sein d’un substrat de Si intrinsèque de 480 μm d’épaisseur.
d’extraire les trois paramètres de bruit A(ν), B(ν) et C(ν) par une simple
procédure d’ajustement au moyen de la formule (6.7), ceci n’est bien sûr
possible que si le nombre d’échos exploitables est au moins égal à 3. Une
fois cette procédure effectuée, en utilisant les équations (6.9) et (6.10) et en
remarquant que
1
2
(A(ν) − (B(ν) + C(ν))) =
σ
e
(ν)
2
|R(ν)
2
|
, on peut en déduire les
dépendances fréquentielles des bruits d’émission σ
e
(ν), de détection σ
d
(ν) et
de grenaille σ
g
(ν) du détecteur THz. Ces mêmes sources de bruit peuvent
ensuite être corrélées au bruit du laser en intensité (ou RIN de l’acronyme
anglais signifiant Relative Intensity Noise) et aux valeurs « théoriques » des
bruits de grenaille et Johnson du détecteur THz afin de rechercher la présence
d’une éventuelle source de bruit en excès. Ce type d’analyse est très utile car
il permet ensuite d’optimiser le banc de mesure, par exemple en utilisant une
source laser impulsionnelle présentant un RIN plus faible.
À titre d’exemple, la figure (6.14), extraite de la référence [259], représente
les trois paramètres de bruit A(ν), B(ν) et C(ν) obtenus sur le premier banc
de spectroscopie THz dans le domaine temporel qui avait été développé au
milieu des années 1990 au LAHC à l’université de Savoie.
Optimisation d’un banc THz dans le domaine temporel
Une fois les sources de bruit identifiées, il devient possible d’optimiser
le banc expérimental. Le paramètre de bruit A(ν) limite seulement la dy-
namique de mesure puisqu’il conduit à borner inférieurement l’incertitude
relative de mesure sur le module du coefficient de transmission ρ(ν) d’un
échantillon, et ce indépendamment de la valeur de ρ(ν). Ainsi, quelle que
234 Optoélectronique térahertz
10
-7
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
100 200 300 400 500
p
a
r
a
m
è
t
r
e
s

d
e

b
r
u
i
t
fréquence (GHz)
A
B
C
Fig. 6.14 – Dépendances des paramètres de bruit avec la fréquence : va-
leurs expérimentales extraites selon la procédure décrite dans le présent para-
graphe (points) et valeur théorique (courbe en traits pleins) calculée à partir
de l’expression du bruit de grenaille. La courbe en traits pointillés, propor-
tionnelle à
1
|R(ν)
2
|
, montre (cf. équation (6.10)) que le bruit de détection est
indépendant de la fréquence.
soit l’absorption de l’échantillon, l’incertitude relative avec laquelle on dé-
termine son coefficient de réflexion reste inchangée, et par conséquent il en
sera de même pour les paramètres du matériau constitutif de l’échantillon
que l’on pourra extraire des mesures. Le paramètre de bruit A(ν) limite donc
uniquement la précision de mesure, indépendamment du type d’échantillon.
Étant donné l’expression de A(ν) donnée par (6.8), il apparaît que l’amélio-
ration de la précision de mesure nécessite de travailler simultanément sur la
réduction de l’ensemble des sources de bruit ! Le paramètre de bruit C(ν)
définit quant à lui le niveau seuil de mesure et son incidence sur la précision
de mesure ne se fera sentir que dans le cas d’échantillons fortement absor-
bants : il conduit donc à borner supérieurement le coefficient d’absorption
des échantillons qu’il est possible de caractériser. C’est sur le bruit du dé-
tecteur et lui seul qu’il est nécessaire d’agir pour abaisser ce niveau seuil de
mesure : il en résulte par conséquent que la définition des rôles respectifs
d’émetteur ou de récepteur pour deux antennes photoconductrices aux per-
formances différentes n’est pas anodin en termes de performances globales
d’un banc de mesure de spectroscopie THz. Ceci est également vrai en ce
qui concerne la bande passante globale du banc de spectroscopie [103]. An-
tennes émettrice et réceptrice ne jouent pas du tout le même rôle, tant en
ce qui concerne la bande de fréquence couverte qu’en termes de bruit du
système global de mesure : leur conception doit donc naturellement différer
6. Techniques de mesure 235
et le choix de mettre des antennes identiques en émission et réception n’est
par conséquent pas judicieux. Enfin, le paramètre B(ν), uniquement lié au
bruit de grenaille et donné par la relation (6.9), définit la limite quantique du
bruit d’un banc de spectroscopie THz. Il peut encore se récrire B(ν) =
2 e Δf
|R(ν)|
où Δf est la bande passante du système de détection définie par
1
2 τ
, τ re-
présentant la constante de temps du système de détection dans le cas d’une
coupure à 6 dB par octave ; e est la charge de l’électron. Il en résulte alors
que la dynamique D(ν, Δf) de mesure d’un banc de spectroscopie THz est
bornée supérieurement :
D(ν, Δf) < 10 log
10
(
[R(ν)[
2 e Δf
) (6.11)
Afin de déterminer l’ordre de grandeur de cette dynamique maximale de
mesure, on peut considérer, au premier ordre, que les impulsions THz géné-
rées dans les expériences de spectroscopie THz dans le domaine temporel ont
approximativement une forme de dérivée gaussienne. Si A est l’amplitude du
photocourant moyen induit par les impulsions THz dans l’antenne réceptrice
et ΔT leur durée, définie comme étant l’intervalle de temps entre les deux
extrema des impulsions THz, alors la valeur maximale de [R(ν)[ est simple-
ment donnée par
AΔT
2
et la largeur à mi-hauteur du spectre en puissance
de ces impulsions THz est égale à
0,368
ΔT
. Ainsi la dynamique maximale de
mesure, calculée pour la fréquence correspondant au maximum de densité
spectrale de signal, a pour ordre de grandeur :
max(D(Δf)) ∼ D(ν =
1
πΔT
, Δf) ∼ 10 log
10
(
0, 092 A
e Δf
) (6.12)
Pour des valeurs typiques (photocourant de l’ordre de 1 nA et constante
de temps du système d’acquisition de 300 ms), la dynamique maximale de
mesure est égale à 85 dB, soit de l’ordre de 20 à 25 dB supérieure aux
dynamiques de mesure communément obtenues. Cette différence réside dans
le paramètre de bruit A(ν) qui limite la dynamique à 65 dB dans le meilleur
des cas, cette limitation étant elle-même essentiellement liée au bruit du
laser. Vu l’état de l’art actuel en termes de dynamique de mesure (≈ 65 dB),
il ressort de la formule (6.12) que le bruit de grenaille ne peut plus être négligé
dès lors que l’amplitude du photocourant dans l’antenne réceptrice devient
inférieure ou égale à ∼ 10 pA. Cette valeur de 10 pA constitue donc un seuil
pratique au-dessous duquel un banc de spectroscopie THz dans le domaine
temporel basé sur l’utilisation d’antennes photoconductrices ne peut donner
de résultats satisfaisants.
Pour augmenter autant que possible le rapport signal sur bruit, un am-
plificateur à détection synchrone est généralement utilisé conjointement à un
hacheur optique, lequel peut être utilisé soit pour hacher le faisceau laser
de déclenchement de l’antenne émettrice, soit pour hacher le faisceau THz
236 Optoélectronique térahertz
lui-même. Le hachage du faisceau laser présente l’intérêt de pouvoir dou-
bler la puissance optique incidente sur l’antenne émettrice en produisant le
même échauffement moyen de cette dernière. Le hachage du faisceau THz
peut présenter un intérêt si l’on utilise une roue dentée du hacheur qui soit
réfléchissante pour alternativement réfléchir le faisceau THz sur une antenne
afin de réaliser une mesure de référence et transmettre le faisceau THz sur
l’échantillon à caractériser. Cette méthode permet de réaliser une normali-
sation de l’amplitude des impulsions THz envoyées sur l’échantillon et d’éli-
miner les sources de bruit présentant une forte remontée de leur amplitude
à basse fréquence (ce qui est le cas généralement du laser avec une remontée
du bruit en
1
f
à basse fréquence). Cependant, le hachage du faisceau THz
est difficile à mettre en pratique car le diamètre du faisceau THz est géné-
ralement élevé (plusieurs cm). Le fait que plusieurs des sources de bruit ne
soient pas des sources de bruit blanc a une conséquence importante sur la
précision des mesures. En effet, la caractérisation d’un échantillon nécessite
généralement de réaliser une mesure de référence suivie d’une mesure avec
l’échantillon, or entre ces deux mesures peut s’écouler un intervalle de temps
important durant lequel le système de mesure peut présenter d’importantes
dérives entachant d’autant la précision de mesure. Aussi, cette considération
doit conduire à privilégier le fait de prendre la moyenne d’un grand nombre
de mesures rapides effectuées avec une faible constante de temps du système
de détection plutôt que de réaliser une seule mesure lente avec une grande
constante de temps. Si les sources de bruit étaient des sources de bruit blanc,
ces deux méthodes donneraient bien évidemment le même résultat pour une
même durée globale de mesure.
6.2 Domaine fréquentiel
L’avantage prépondérant des techniques fréquentielles par rapport à celles
temporelles est la très grande résolution spectrale. Celle-ci est pratiquement
limitée à quelques GHz dans le domaine temporel comme nous l’avons vu pré-
cédemment, alors que des appareils commerciaux comme les spectromètres à
transformée de Fourier atteignent communément des résolutions de quelques
dizaines de MHz. Les techniques employées dépendent des sources de rayon-
nement mises en jeu et des mesures à effectuer.
Si on utilise une source quasimonochromatique, comme un laser molécu-
laire, on a accès à une plage spectrale très limitée et le balayage en fréquence
sera difficile sinon impossible. Ainsi, dans le cas des lasers moléculaires, de
gros efforts expérimentaux doivent être mise en œuvre pour obtenir un ba-
layage de quelques centaines de MHz autour de la fréquence d’émission du
laser. Avec une source THz quasimonochromatique, les techniques classiques
de l’optique sont alors extrapolées dans le domaine THz. Les signaux dé-
tectés étant généralement faibles, on augmentera le rapport signal sur bruit
6. Techniques de mesure 237
en employant des amplificateurs à détection synchrone qui demandent de
moduler le faisceau THz sur le banc expérimental. Le passage à d’autres
fréquences THz oblige à modifier la source (changement de milieu amplifica-
teur dans les lasers, ajout d’un élément multiplicateur de fréquence dans les
chaînes de type sources électroniques...). Les détecteurs sont le plus souvent
des détecteurs d’énergie (ou de puissance) comme les bolomètres, qui sont
par essence relativement lents, et qui intègrent donc le signal incident. La
difficulté dans les expériences « continues » est d’éliminer la contribution du
rayonnement thermique ambiant, puisqu’à température ambiante (20

C),
un m
2
reçoit environ 400 W de rayonnement thermique. Ainsi, un élément
parfaitement absorbant (corps noir) de 1 cm
2
absorbe environ 15 μW intégré
dans la bande spectrale 1-2 THz. La plupart des détecteurs sont refroidis,
et le rayonnement qui les éclaire est filtré pour éliminer les fréquences non
désirées du large spectre thermique. Le plus souvent, une simple feuille de
polyéthylène « noir » suffit à éliminer les rayonnements parasites. On peut
employer des matériaux plus performants (wafer de silicium ou germanium
haute résistivité), ou bien des filtres commerciaux basés par exemple sur la
diffusion des ondes visibles et infrarouges par des matériaux poreux, qui en
revanche laissent passer le rayonnement THz avec une bonne transmission
(40-50 %)
1
.
L’emploi de sources à large spectre, souvent incohérentes comme les corps
noirs, demande en plus, par rapport aux sources monochromatiques, de sé-
lectionner et/ou mesurer la fréquence du rayonnement qui sera utilisée dans
l’expérience. Soit on installe un monochromateur entre source et détecteur,
soit on utilise la technique de la spectroscopie à transformée de Fourier, qui
est certainement la plus communément usitée dans le domaine de l’infrarouge
lointain, et dont le principe interférentiel est finalement très proche de celui
des techniques temporelles décrites précédemment. Enfin, surtout quand la
source de rayonnement THz n’est pas contrôlable comme en astronomie mil-
limétrique, on emploie des techniques hétérodynes. Le rayonnement incident
est alors mélangé dans un composant non linéaire avec celui d’un oscilla-
teur local de fréquence connue. Le signal fourni, résultant de la différence
de fréquence entre le signal incident et le signal local, est à bien plus basse
fréquence et peut être traité avec des appareils et techniques hyperfréquences.
1
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Chapitre 7
Spectroscopie
7.1 Spectroscopie THz dans le domaine temporel
(THz-TDS)
7.1.1 Principe de la spectroscopie THz dans le domaine
temporel
Nous n’exposerons ci-après que la spectroscopie en transmission, la spec-
troscopie en réflexion différant peu dans le principe. La spectroscopie THz
dans le domaine temporel est basée sur la technique décrite dans la sec-
tion 6.1, laquelle permet de mesurer le profil temporel d’une impulsion élec-
tromagnétique ultrabrève. La détermination des paramètres optiques d’un
matériau se fait alors via la détermination de la fonction de transfert com-
plexe T(ω) d’un échantillon constitué de ce matériau; cette fonction de trans-
fert étant quant à elle déduite de la perturbation subie par l’impulsion THz
lors de la traversée de l’échantillon. Pour cela, une première mesure S
ref
(t)
de l’impulsion THz incidente est effectuée en l’absence d’échantillon entre les
dispositifs émetteur et récepteur : c’est la mesure de référence. Une seconde
mesure S
ech
(t) de cette impulsion est ensuite réalisée après sa traversée de
l’échantillon à caractériser (figure (7.1)).
On obtient donc une mesure temporelle de référence constituée d’une
seule impulsion, ainsi qu’une mesure de l’impulsion transmise par l’échan-
tillon qui peut présenter plusieurs impulsions comme le montre la figure (7.2)
(impulsions repérées par des flèches). La première impulsion correspond à
l’impulsion directement transmise par l’échantillon, les autres échos de cette
impulsion dans l’échantillon sont dus aux réflexions au niveau des inter-
faces air-matériau (effet Fabry-Pérot). Il est à noter que dans le cas de la
figure (7.2), on peut choisir d’effectuer un fenêtrage du signal temporel afin
de ne conserver que l’impulsion directement transmise ou bien de conserver
le signal global avec tous les échos pouvant être mesurés. Dans le cas de
la figure (7.2), seuls deux échos « sortent » du bruit et peuvent donc être
mesurés.
240 Optoélectronique térahertz
1
E
THz
.
.
.
.
Émetteur Récepteur
air
air
I(t)
I(t+ )
E
THz
Émetteur Récepteur
air
I(t)
I(t+ )
Fig. 7.1 – Schéma de principe d’une mesure de spectroscopie THz dans
le domaine temporel – THz TDS.
−1 000
−500
0
500
1 000
1 500
2 000
référence
échantillon
0 10 20 30 40 50 60 70
S
i
g
n
a
l
m
e
s
u
r
é
(
p
A
)
Temps (ps)
Fig. 7.2 – Impulsion THz de référence et transmise par un échantillon de
verre BK7 de 1,065 mm d’épaisseur.
7. Spectroscopie 241
Détermination de la fonction de transfert complexe de l’échantillon
La fonction de transfert complexe de l’échantillon disposé entre les an-
tennes émettrice et réceptrice est facilement obtenue en effectuant le rap-
port des spectres des deux mesures temporelles de référence et transmise par
l’échantillon, spectres obtenus par FFT (cf. paragraphe 6.1.3). On obtient
donc la relation suivante :
T
exp
(ω) =
S
ech
(ω)
S
ref
(ω)
(7.1)
Il est fondamental de noter ici qu’il s’agit bien d’une fonction complexe pré-
sentant une amplitude et une phase, ce qui différencie cette fonction de trans-
fert de celle communément obtenue en optique où seule l’amplitude est géné-
ralement accessible. Il ne sera donc pas nécessaire de faire appel aux relations
de Kramers-Kronig pour obtenir l’information habituellement manquante.
En revanche, il faudra absolument enregistrer les 2 signaux temporels en
conservant la même origine des temps (c’est-à-dire la même position zéro de
la ligne à retard), afin que les spectres fréquentiels, obtenus par transformée
de Fourier des signaux temporels, ne soient pas déphasés arbitrairement.
Expression analytique de la fonction de transfert complexe
La fonction de transfert complexe d’un échantillon peut, moyennant cer-
taines hypothèses qui seront détaillées par la suite, s’exprimer en fonction
des paramètres matériau de l’échantillon, et notamment de son indice de
réfraction complexe :
˜ n = n −jκ (7.2)
Pour écrire cette fonction de transfert complexe, nous ferons donc les hypo-
thèses suivantes sur les caractéristiques du faisceau THz et sur les propriétés
de l’échantillon mesuré :
– l’échantillon sera supposé :
• homogène, plan et à faces parallèles ;
• magnétiquement isotrope, et sans charges de surface ;
• avoir une réponse électromagnétique linéaire ;
– le faisceau THz sera supposé collimaté et par conséquent posséder un
front d’onde plan au niveau de l’échantillon.
De plus, on considère le faisceau THz arrivant sur l’échantillon sous inci-
dence normale et, dans le cas d’un échantillon anisotrope, que le faisceau
THz est polarisé rectilignement selon l’un des axes diélectriques propres de
l’échantillon.
Le champ THz transmis par l’échantillon de matériau à caractériser (mi-
lieu 1) d’épaisseur d peut s’exprimer en fonction des coefficients de transmis-
sion aux interfaces, du terme de propagation dans le milieu considéré, et du
242 Optoélectronique térahertz
champ électrique incident E
inc
THz
(ω) :
S
ech
(ω) = T
air−1
(ω) P
1
(ω, d) T
1−air
(ω) E
inc
THz
(ω) FP(ω) (7.3)
où FP(ω) est la contribution due aux réflexions multiples (effet Fabry-Pérot)
de l’impulsion THz aux interfaces air-matériau :
FP(ω) =

k=0
(R
2
1−air
(ω) P
2
1
(ω, d))
k
(7.4)
où l’entier k représente le nombre d’allers-retours effectués par l’onde dans
l’échantillon, et les autres grandeurs sont définies par les relations suivantes :
– coefficient de réflexion à l’interface a −b
R
a−b
(ω) =
˜ n
a
− ˜ n
b
˜ n
a
+ ˜ n
b
(7.5)
– coefficient de transmission à l’interface a −b
T
a−b
(ω) =
2 ˜ n
a
˜ n
a
+ ˜ n
b
(7.6)
– coefficient de propagation dans le milieu a, d’épaisseur d
P
a
(ω, d) = e
−j
ω d
c
˜ n
a
(7.7)
En l’absence du matériau 1 à caractériser, le signal transmis s’exprime sim-
plement sous la forme :
S
ref
(ω) = P
air
(ω, d) E
inc
THz
(ω) (7.8)
La fonction de transfert complexe du milieu 1 est alors obtenue en faisant le
rapport des expressions (7.3) et (7.8) :
T
th
(ω) =
S
ech
(ω)
S
ref
(ω)
=
T
air−1
(ω) P
1
(ω, d) T
1−air
(ω)
P
air
(ω, d)
FP(ω) (7.9)
Cette relation peut encore s’exprimer en fonction de l’indice complexe du
milieu 1 :
T
th
(ω) =
4 ˜ n ˜ n
air
(˜ n
air
+ ˜ n)
2
exp
_
−j(˜ n − ˜ n
air
)
ω d
c
_
FP(ω) (7.10)
avec :
FP (ω) =
1
1 −
_
˜ n−˜ n
air
˜ n+˜ n
air
_
2
exp
_
−2 j ˜ n
ω d
c
¸
(7.11)
où ˜ n est l’indice de réfraction complexe du matériau à caractériser.
7. Spectroscopie 243
Extraction des constantes optiques
Connaissant l’expression analytique de la fonction de transfert ainsi
qu’une valeur expérimentale de cette dernière, il est possible de remonter aux
paramètres matériau de l’échantillon mesuré. Toutefois, les parties réelle n et
imaginaire κ de l’indice de réfraction complexe ne peuvent s’exprimer ana-
lytiquement à partir de l’expression de la fonction de transfert complexe. Il
convient donc de traiter ce problème électromagnétique inverse à l’aide d’une
procédure d’optimisation du type Newton-Raphson pour pouvoir extraire n
et κ à partir de la valeur expérimentale de la fonction de transfert complexe
T
exp
(ω). La difficulté de la résolution du problème réside entre autres dans
le fait que le problème n’admet pas une solution unique mais une infinité de
solutions. Cela se comprend aisément dans la mesure où la phase de la fonc-
tion de transfert est définie modulo 2 π. Cette fonction de transfert dépend
également de l’épaisseur d de l’échantillon, qui doit donc être connue et uti-
lisée dans la procédure d’extraction. Pour plus de détails sur une procédure
efficace et générale d’extraction des paramètres optiques d’un matériau, il
est conseillé de se reporter à la référence [260].
Un exemple d’extraction de l’indice de réfraction et du coefficient d’ab-
sorption (obtenu à partir de la partie imaginaire de l’indice de réfraction
complexe, α =
4πf
c
κ) sur un substrat d’alumine d’épaisseur 1 mm est donné
sur la figure (7.3). Cette extraction a été réalisée à l’aide de la procédure
décrite dans [260]. On remarquera la précision avec laquelle l’indice de ré-
fraction du matériau est obtenu.
7.1.2 Cas particuliers
Il est intéressant de détailler un peu plus les deux principaux cas rencon-
trés en pratique lors de la caractérisation d’un échantillon. En effet, si l’on
se réfère à la figure 7.2, celle-ci montre des impulsions transmises séparées
temporellement les unes des autres et autorisant ainsi un fenêtrage temporel :
il s’agit du cas où l’échantillon est dit « optiquement épais », c’est-à-dire que
son épaisseur optique (produit de l’indice de réfraction par l’épaisseur phy-
sique de l’échantillon) est supérieure à la durée de l’impulsion THz. Dans ce
cas, un fenêtrage temporel peut être appliqué à la mesure afin de ne conser-
ver que l’impulsion directement transmise. De surcroît, une telle procédure
s’avère extrêmement utile sur le plan pratique puisqu’il devient inutile de me-
surer tous les échos présents sur le signal transmis d’où une forte réduction
du temps de mesure. L’expression de la fonction de transfert est grandement
simplifiée, puisque ne comprenant plus le terme FP(ω) :
T
th
(ω) =
4 ˜ n ˜ n
air
(˜ n + ˜ n
air
)
2
exp
_
−j(˜ n − ˜ n
air
)
ω d
c
_
(7.12)
Pour les échantillons « optiquement fins », pour lesquels l’épaisseur op-
tique est de l’ordre ou inférieure à la durée de l’impulsion THz, il n’est plus
244 Optoélectronique térahertz
,
,
,
,
, , , ,
Fig. 7.3 – Indice de réfraction et coefficient d’absorption de l’alumine mesurés
par THz TDS.
possible d’extraire un écho particulier du signal THz transmis par l’échan-
tillon au moyen d’un fenêtrage temporel car les différents échos se super-
posent : la totalité du signal transmis doit être mesuré. Le terme FP(ω), qui
prend en compte des échos multiples de l’impulsion THz au sein de l’échan-
tillon, ne peut plus être supprimé. On doit utiliser la relation (7.10). Néan-
moins, dans le cas d’échantillons optiquement fins et fortement absorbants,
le terme FP(ω) tend vers 1 et l’on peut à nouveau utiliser l’expression sim-
plifiée (7.12). Un des critères qui peut être utilisé a posteriori pour vérifier
la validité de cette simplification consiste à extraire les constantes optiques
du matériau avec la relation simplifiée (7.12), puis à calculer le second terme
de la série (7.4) donnant FP(ω), à savoir :
_
˜ n − ˜ n
air
˜ n + ˜ n
air
_
2
e
−2 j
ω d
c
˜ n
(7.13)
Si ce terme est inférieur au rapport bruit sur signal, alors la simplification
qui a été opérée est valide.
7.1.3 Matériaux magnétiques
Même si l’immense majorité des matériaux ne présentent aucune pro-
priété magnétique dans le domaine THz (i.e. leur perméabilité relative satis-
fait la relation μ
r
= 1 car les moments magnétiques n’arrivent pas à s’orienter
7. Spectroscopie 245
à la fréquence THz), la possibilité de mesurer simultanément la permitti-
vité relative complexe ˜
r
et la perméabilité relative complexe ˜ μ
r
d’un ma-
tériau s’avère fondamentale lorsque l’on s’intéresse aux métamatériaux (voir
page 202). Dans ce cas de figure, on va chercher à déterminer les quatre
quantités

r
,

r
, μ

r
, μ

r
qui représentent respectivement les parties réelles et
imaginaires des permittivité et perméabilité du matériau. Il est dès lors néces-
saire de disposer de quatre paramètres extraits des mesures, or une fonction
de transfert ne donne accès qu’à deux paramètres au travers de son module
et de sa phase. Il est donc nécessaire de mesurer au moins deux fonctions de
transfert différentes à partir du même matériau. Il existe pour cela plusieurs
possibilités :
– mesure des fonctions de transfert en transmission et en réflexion pour
le même échantillon;
– mesure des fonctions de transfert en transmission pour deux échan-
tillons du même matériau présentant des épaisseurs différentes ;
– mesure des fonctions de transfert en transmission pour l’impulsion THz
directement transmise et son premier écho pour un même échantillon
optiquement épais.
Les permittivité et perméabilité du matériau sont extraites de l’indice de
réfraction complexe ˜ n et de l’impédance d’onde relative complexe ˜ z
r
du ma-
tériau via les relations suivantes :
˜ n =
_
˜ μ
r
˜
r
(7.14)
˜ z
r
=
_
˜ μ
r
˜
r
(7.15)
À leur tour, ˜ n et ˜ z
r
sont respectivement extraits du terme de propagation
et des coefficients de réflexion/transmission définis précédemment dans le cas
particulier des matériaux non magnétiques et qui, sous incidence normale, se
récrivent ici [261] :
– coefficient de réflexion à l’interface a −b
R
a−b
(ω) =
˜ z
r,b
− ˜ z
r,a
˜ z
r,b
+ ˜ z
r,a
(7.16)
– coefficient de transmission à l’interface a −b
T
a−b
(ω) =
2 ˜ z
r,b
˜ z
r,b
+ ˜ z
r,a
(7.17)
– coefficient de propagation dans le milieu a, d’épaisseur d
P
a
(ω, d) = e
−j
ω d
c
˜ n
a
(7.18)
246 Optoélectronique térahertz
Le même type d’analyse que celui présenté précédemment dans le cas de ma-
tériaux non magnétiques peut être fait ici en utilisant les nouvelles définitions
des termes de propagation, réflexion et transmission. Le lecteur pourra se re-
porter à la référence [261] pour plus de détails et également afin de disposer
d’une analyse comparative entre les trois possibilités de mesure de ˜
r
et ˜ μ
r
évoquées plus haut.
Exemple de spectres d’absorption de gaz mesurés par THz-TDS
Nous savons que la résolution fréquentielle de la technique de spectro-
scopie THz dans le domaine THz est de quelques GHz. Il est donc illusoire
de vouloir employer cette technique pour réaliser de la spectroscopie molécu-
laire à haute résolution, très utile en physique atomique et en astrophysique
pour l’étude de niveaux énergétiques de molécules sous forme gazeuse. En
revanche, on peut ainsi obtenir des spectres très larges avec un temps d’en-
registrement très court, typiquement de quelques minutes.
La figure (7.4) donne un exemple de signal temporel enregistré en atmo-
sphère ambiante. La présence de raies d’absorption de la vapeur d’eau pré-
sente dans l’air ambiant, et spectralement fines, conduit dans le domaine tem-
porel à des oscillations sur un temps très long, comme observé sur la figure.
Ces raies sont bien visibles sur le spectre du signal temporel (figure (7.5)).
Fig. 7.4 – Signal temporel obtenu par une expérience impulsionnelle en pré-
sence de vapeur d’eau.
La figure (7.6) donne un exemple de résultats sur la molécule de OCS,
le gaz à analyser étant enfermé dans une cellule en verre (généralement avec
des fenêtres en quartz) placé entre l’émetteur et le récepteur THz. On ob-
serve, dans le spectre, des raies d’absorption espacées régulièrement, comme
attendu pour des niveaux rotationnels (voir le chapitre sur les principes phy-
siques de base). Ce spectre périodique transposé dans le domaine temporel
7. Spectroscopie 247
(
U
.
A
)
1 000
,
1 250 1 500
Fig. 7.5 – Transformée de Fourier du signal temporel (figure (7.4)), les raies
d’absorption repérées correspondent à la vapeur d’eau présente sur le trajet
optique.
Fig. 7.6 – Exemple du sulfure de carbonyle OCS : réponse temporelle.
248 Optoélectronique térahertz
correspond à une série d’échos arrivant à intervalle de temps constant
(figure (7.7)). Le lecteur peut se demander comment il est possible de dé-
tecter des signaux bien après le passage de l’impulsion THz. En fait, dans
le cas particulier d’OCS, il faut se souvenir que cette molécule est linéaire,
et donc présente un spectre formé d’un ensemble de raies régulièrement es-
pacées. C’est cette particularité qui lui donne la possibilité de réémettre des
signaux transitoires qui sont les signaux de précession libre de la molécule.
1 000
Fig. 7.7 – Exemple du sulfure de carbonyle OCS : spectre.
7.1.4 Performances de la THz TDS
La spectroscopie THz dans le domaine temporel est devenue une tech-
nique de mesure mature qui en est au stade du transfert industriel. Comme
nous l’avons déjà souligné dans le paragraphe 6.1.5 dédié aux sources de bruit,
cette technique de mesure présente actuellement une dynamique de mesure
de 65 dB (i.e. une capacité à mesurer des puissances THz dans un rapport
de un à plus d’un million!). Cependant, la précision de détermination des
constantes optiques n’est pas uniquement déterminée par la dynamique de
mesure. En effet, outre les sources de bruit déjà mentionnées, il faut consi-
dérer de nombreuses autres sources d’incertitude :
– les possibles réflexions parasites de l’impulsion THz émise dans les dif-
férents éléments optiques du banc de mesure ;
– les possibles défauts d’orientation de la polarisation de l’impulsion THz
dans le cas de la caractérisation de matériaux anisotropes ou encore de
matériaux isotropes sous incidence oblique ;
– l’angle d’incidence du faisceau THz sur l’échantillon;
– le parallélisme des faces de l’échantillon;
– la qualité optique des faces de l’échantillon;
7. Spectroscopie 249
– l’incertitude sur l’épaisseur de l’échantillon;
– et enfin la divergence du faisceau THz au niveau de l’échantillon.
Parmi ces différentes sources d’erreur non liées au bruit, il est assez facile de
s’affranchir de certaines. Par exemple, l’ajout d’un polariseur à grille permet
aisément d’éliminer en grande partie la deuxième source d’erreur. Il est éga-
lement facile de connaître l’ordre de grandeur de l’incertitude liée à certaines
sources d’incertitude en procédant à une étude statistique. Par exemple, l’in-
certitude liée à l’angle d’incidence du faisceau THz sur l’échantillon peut être
facilement étudiée en ayant recours à plusieurs mesures effectuées avec un re-
positionnement systématique de l’échantillon. Lorsque le banc de mesure est
optimisé et que les échantillons sont convenablement préparés, on s’aper-
çoit que seules les deux dernières sources d’incertitude listées précédemment
continuent à poser problème dans le sens où ce sont elles qui sont à l’origine
de la quasi-intégralité de l’incertitude obtenue sur les constantes optiques ex-
traites [262]. En effet, l’incertitude sur l’épaisseur de l’échantillon conduit à
une incertitude sur la partie réelle de l’indice de réfraction du matériau d’en-
viron un ordre de grandeur supérieure à celle engendrée par toutes les autres
sources d’incertitude, sources de bruit comprises lorsqu’il s’agit de matériaux
présentant une bonne transparence. La meilleure solution pour s’affranchir de
l’incertitude sur l’épaisseur de l’échantillon est en fait de la déterminer égale-
ment par spectroscopie THz TDS. Pour cela, il est nécessaire de disposer d’un
paramètre supplémentaire extrait des mesures, comme par exemple la fonc-
tion de transfert en transmission d’un écho de l’impulsion THz directement
transmise. Le lecteur pourra se reporter à la référence [262] pour un traite-
ment détaillé de plusieurs méthodes d’extraction simultanée des constantes
optiques et de l’épaisseur de l’échantillon. Au moyen de ce type de méthode,
il est possible de déterminer l’épaisseur moyenne de l’échantillon vue par le
faisceau THz avec une précision de l’ordre de 2 μm seulement, soit environ
λ/100 ! Il en résulte une incertitude sur l’indice qui peut, selon l’échantillon,
être légèrement inférieure à 10
−2
! L’incidence des sources de bruit au niveau
de l’incertitude sur n est typiquement de 510
−3
. Mais, dans le cas d’échan-
tillons optiquement épais, il est possible de réduire cette incidence des sources
de bruit en n’extrayant pas l’indice de réfraction à partir de l’impulsion THz
directement transmise mais à partir de l’écho d’ordre 2 : la contribution
des sources de bruit à l’incertitude sur n peut alors être réduite à seulement
210
−3
[259] ! En résumé, une approche métrologique de la mesure de n avec
identification des différentes sources d’incertitude et recherche de méthodes
visant à réduire leur contribution permet d’obtenir un gain très notable de
précision. Lorsque les différentes méthodes précitées sont utilisées, on peut
estimer que l’incertitude minimale sur n, pour les matériaux présentant une
bonne transparence, est donnée par la relation :
Δn ∼
n
d
_
Δd +
10

D(f
max
)
20
c
2π f
max
ρ(f
max
)
_
(7.19)
250 Optoélectronique térahertz
où d et Δd représentent respectivement l’épaisseur et l’incertitude sur l’épais-
seur de l’échantillon. f
max
, ρ(f
max
) et D(f
max
) sont respectivement la fré-
quence correspondant au maximum de la densité spectrale de signal THz
généré, le module de la fonction de transfert de l’échantillon en transmis-
sion ainsi que la dynamique de mesure (exprimée en dB) pour cette même
fréquence. Enfin, c représente la célérité de la lumière dans le vide.
En ce qui concerne l’incertitude sur le coefficient d’absorption, le pro-
blème est plus complexe. En effet, en traversant l’échantillon dont l’indice de
réfraction est différent de celui de l’air, les paramètres du faisceau THz sont
modifiés comme la position de son « waist ». Ainsi la focalisation du fais-
ceau THz se trouve légèrement modifiée au niveau de l’antenne réceptrice et
cet effet est d’autant plus marqué que le produit (n−1)d est élevé. C’est ainsi
que le coefficient d’absorption de matériaux faiblement absorbants, extrait
par résolution du problème électromagnétique inverse, peut être négatif ! Cela
se comprend aisément car, dans le cas de matériaux faiblement absorbants,
il est nécessaire d’avoir des échantillons de forte épaisseur pour pouvoir me-
surer une réduction significative de l’amplitude de l’impulsion THz résultant
de l’absorption intrinsèque du matériau. On se retrouve alors précisément
dans le cas où le produit (n − 1)d est élevé, ce qui engendre un fort biais
expérimental pouvant conduire à des résultats aberrants. Ainsi, paradoxa-
lement, l’incertitude absolue de mesure de l’absorption est plus faible pour
les matériaux modérément absorbants que pour les matériaux transparents,
ces derniers continuant à poser de véritables difficultés au niveau métrolo-
gique : il faut alors se tourner vers des techniques de mesure mettant en jeu
le guidage des ondes THz dans le matériau à étudier, lorsque cela est pos-
sible. Comme pour l’indice, l’incertitude liée aux sources de bruit peut être
réduite en considérant l’écho d’ordre 2 plutôt que l’impulsion THz directe-
ment transmise [263]. Bien que l’on ne puisse fournir de formule analytique
donnant l’ordre de grandeur de l’incertitude sur le coefficient d’absorption,
on peut néanmoins estimer que cette dernière est au mieux de l’ordre d’une
fraction de cm
−1
.
7.2 Sources optoélectroniques utilisées
en spectroscopie THz
Les sources optoélectroniques utilisées en spectroscopie à l’heure actuelle
dans les laboratoires se composent de 2 grands types que nous décrirons
succinctement à la suite :
– les sources impulsionnelles ;
– les sources continues.
Notons encore une fois que d’autres sources optoélectroniques existent (les la-
sers à cascade quantique par exemple), mais nous ne présenterons dans ce pa-
ragraphe que les sources qui sont actuellement utilisées dans des applications
7. Spectroscopie 251
de laboratoire (le passage du laboratoire vers l’industrie pourrait se faire dans
un avenir proche pour ce type de sources).
7.3 Spectroscopie dans le domaine fréquentiel
Les spectromètres THz pour le domaine fréquentiel sont dérivés des ap-
pareils fonctionnant dans le domaine optique : spectromètres à réseau, inter-
féromètres de Michelson, étalons de Pérot-Fabry, etc. Cependant, un appareil
spécifique a pris une place dominante en spectroscopie dans l’infrarouge, et
en particulier dans l’infrarouge lointain. Il s’agit du spectromètre à transfor-
mée de Fourier, que nous décrirons en détail. Son avantage principal est de
fonctionner avec une source spectrale étendue (avantage dit de Jacquinot ),
et d’éclairer le détecteur avec l’ensemble des composantes spectrales de la
source, donc de faire fonctionner le détecteur en (relativement) forts signaux
dans le but d’un meilleur rapport signal sur bruit (avantage de Fellgett ).
Par ailleurs, les nouvelles techniques optoélectroniques, comme la généra-
tion THz le battement de fréquences optiques, permettent de concevoir des
sources THz monochromatiques, dont la fréquence THz est ajustable sur une
grande plage. Dans ce cas, les études spectroscopiques deviennent relative-
ment simples, puisqu’on ne doit plus discriminer les différentes fréquences
lors de la mesure comme avec les autres techniques.
7.3.1 Quelques principes de base sur l’instrumentation
Il existe plusieurs méthodes pour enregistrer le spectre d’émission d’une
source ou le spectre d’absorption d’une substance. Les spectromètres ont en
commun les éléments suivants :
– une source de rayonnement adaptée au domaine spectral souhaité ;
– le dispositif de sélection de longueur d’onde ;
– le dispositif de positionnement de l’échantillon au sein du faisceau;
– le détecteur et l’enregistreur.
C’est l’optimisation de tous ces éléments, compte tenu du domaine de lon-
gueur d’onde étudié et de la nature de l’échantillon (solide, liquide ou gaz),
qui permet d’obtenir un spectre de qualité. Classiquement, obtenir un spectre
de transmission consiste à illuminer l’échantillon avec une source monochro-
matique accordable et à enregistrer le rapport entre l’intensité du faisceau
ayant traversé l’échantillon et l’intensité du signal l’illuminant en fonction
de la longueur d’onde de la source, longueur d’onde que l’on fait varier pour
couvrir l’ensemble du spectre souhaité. Il est également possible d’illumi-
ner l’échantillon au moyen d’une source large bande couvrant la totalité du
spectre souhaité et de détecter l’ensemble des radiations transmises au travers
d’un signal complexe nommé interférogramme, à partir duquel on calcule le
spectre par transformation de Fourier (cf. paragraphe 6.1.3). Cette méthode
fait partie de la famille des méthodes multiplex.
252 Optoélectronique térahertz
La qualité des mesures est intrinsèquement liée aux imperfections des
détecteurs utilisés, lesquels font apparaître :
– un bruit de détection (variations aléatoires autour de la valeur moyenne
affectant la précision de mesure) ;
– un signal d’obscurité détecté en l’absence de source (définissant le seuil
de mesure) à caractère systématique.
Un détecteur performant doit présenter un faible signal d’obscurité et un
très faible bruit de détection afin de garantir un rapport signal sur bruit
élevé. Dans le domaine THz, on utilise principalement des détecteurs ther-
miques (de type bolométrique) qui sont sensibles à la chaleur dégagée par
l’absorption des photons THz de la source par un élément absorbant.
7.3.2 Spectromètres à réseau ou à étalon
On peut transposer les techniques optiques dans le domaine de l’infra-
rouge lointain. Aussi, on trouvera pour l’infrarouge lointain des spectromètres
à prisme, à réseau de diffraction ou à étalon de Fabry-Pérot. Néanmoins, les
spectromètres à prisme [264] ne sont plus utilisés de nos jours car les maté-
riaux diélectriques ne sont ni assez dispersifs et ni assez transparents dans
le domaine THz. Les spectromètres à réseau ou à étalon sont employés pour
leur simplicité. Dans les spectromètres à réseau, les différentes fréquences
du signal THz sont diffractées dans des directions différentes. La formule de
diffraction du réseau impose :
sin θ +m
c
f d
= sin θ
m
(7.20)
où f est la fréquence, d est la période du réseau, θ et θ
m
sont les angles
d’incidence et de diffraction du faisceau, et m est un entier. L’effet diffractif
est fort lorsque la longueur d’onde du faisceau est de l’ordre de grandeur
de la période du réseau. Il faut donc fabriquer des réseaux de diffraction de
période submillimétriques, ce qui est assez facile mécaniquement ou bien par
des techniques de lithographie. En revanche, la résolution spectrale du ré-
seau étant égale au nombre de traits éclairés, il faut un réseau de plusieurs
dizaines de cm de diamètre pour obtenir une résolution inférieure au GHz
dans le domaine THz. Cette contrainte limite l’emploi de ces appareils à
des applications pour l’astronomie. Les étalons de Fabry-Pérot constituent
des spectromètres à condition qu’un des miroirs puisse être déplacé [265].
Dans l’infrarouge lointain, les miroirs sont le plus souvent des grilles métal-
liques [266]. On trouve aussi des systèmes mettant en jeu plusieurs lames à
faces parallèles de matériau à haut indice, comme du silicium. Dans tous les
cas, la haute résolution ne peut être obtenue qu’avec un faisceau incident le
plus parallèle possible, ce qui impose généralement un diamètre du dispositif
de plusieurs cm. Il faut bien noter que ces équipements (réseaux, étalons)
ne sont plus utilisés que dans des cas particuliers, comme en astronomie
7. Spectroscopie 253
millimétrique. Dans les laboratoires, ils ont été supplantés par les spectro-
mètres à transformée de Fourier qui font l’objet du paragraphe suivant.
Le tableau (7.1) donne les ordres de grandeur de résolution fréquentielle
des différents types de spectromètres, ainsi que leur bande passante norma-
lisée.
Type Résolution
δ f
f
Bande passante
Δ f
f
À réseau 1 500 100
À Fabry-Pérot 2 000 10
À transformée de Fourier 5 000 3
À détection hétérodyne 300 000 500
Tab. 7.1 – Caractéristiques comparées des spectromètres employés pour ana-
lyser les signaux THz continus.
7.3.3 Spectromètre infrarouge à transformée de Fourier
Nous allons dans ce paragraphe décrire les différents éléments constituant
un spectromètre à transformée de Fourier ainsi que son fonctionnement. La
plupart des réalisations commerciales sont basées sur l’utilisation d’un inter-
féromètre de Michelson.
Principe de fonctionnement [267]
La spectroscopie à transformée de Fourier a été initialement proposée
indépendamment en 1954 par P. Jacquinot et P. Fellgett [268] qui s’étaient
rendu compte qu’un interféromètre de Michelson pouvait fournir la transfor-
mée de Fourier de la distribution spectrale de la source lumineuse employée
dans l’appareil. L’enregistrement du signal, puis une transformée de Fourier
inverse avec un ordinateur conduisent ainsi au spectre de la source. Repre-
nons ici les formules de base permettant de retrouver ce résultat.
Un interféromètre de Michelson est un interféromètre à 2 ondes qui sera
décrit plus loin. Les deux ondes, créées à partir du faisceau lumineux in-
cident par une lame semi-réfléchissante, arrivent sur le détecteur avec une
différence de phase φ induite par la différence de chemin optique x entre
les deux bras de l’interféromètre. Supposons dans un premier temps que la
source soit monochromatique, de pulsation optique ω. Soit E
1
(t) = E
o
e
j ω t
et E
2
(t) = η E
o
e
j (ω t+φ)
les deux champs optiques au niveau du détecteur
(η est le rapport entre les deux amplitudes sur le détecteur). L’intensité dé-
tectée
1
sera égale à :
I(φ) =
I
o
8
_
1 +η
2
+ 2η cos φ
_
(7.21)
1
On prend la valeur moyennée dans le temps du module carré de la somme des 2 champs.
254 Optoélectronique térahertz
−1
−0,5
0
0,5
1
1,5
0 1 2 3 4 5
A
m
p
l
i
t
u
d
e
(
U
.
A
.
)
Position (mm)
Fig. 7.8 – Interférogramme enregistré avec un spectromètre à transformée
de Fourier dans l’infrarouge lointain (Données aimablement fournies par les
collègues de la ligne AILES du synchrotron Soleil à Orsay).
où, dans le cas d’une lame semi-réfléchissante parfaite (η = 1), I
o
est l’inten-
sité du faisceau lumineux incident. La différence de phase est égale à φ =
ω
c
x.
Il est donc possible d’écrire l’intensité détectée non pas en fonction de la dif-
férence de phase, mais plutôt en fonction de la différence de chemin optique x
qui peut être facilement mesurée et que l’on peut faire varier en déplaçant
un des miroirs de l’interféromètre :
I(x) =
I
o
8
_
1 +η
2
+ 2η cos
_
ω
x
c
__
(7.22)
On remarque déjà que le signal mesuré en faisant varier le chemin x,
signal appelé interférogramme, est la somme d’un terme constant et d’un
terme sinusoïdal (figures (7.8) et (7.9)). Ce terme variable est proportionnel
à la transformée de Fourier de la source monochromatique, transformée pour
laquelle les deux variables conjuguées sont ici la pulsation ω et le temps équi-
valent x/c. On remarque aussi que si la lame semi-réfléchissante est parfaite
(η = 1), l’expression précédente s’écrit simplement :
I(x) =
I
o
4
_
1 + cos
_
ω
x
c
__
(7.23)
Lorsque la source lumineuse n’est pas monochromatique, on somme les contri-
butions de toutes les composantes spectrale de la source :
I(x) =

_
0
I
o
(ω)
8
__
1 +η(ω)
2
+ 2η(ω) cos
_
ω
x
c
___
dω (7.24)
7. Spectroscopie 255
0
0,2
0,4
0,6
0,8
1
0 0,5 1 1,5 2 2,5 3
M
o
d
u
l
e
d
u
s
p
e
c
t
r
e
(
U
.
A
.
)
Fréquence (THz)
Fig. 7.9 – Spectre (module) de l’interférogramme de la figure (7.8) (Données
aimablement fournies par les collègues de la ligne AILES du synchrotron
Soleil à Orsay).
= C
te
+

_
0
I
o
(ω)
4
η(ω) cos
_
ω
x
c
_
dω (7.25)
En posant I
o
(−ω)η(−ω) = I
o
(ω)η(ω), on obtient finalement :
I(x) = C
te
+
1
4
+∞
_
−∞
I
o
(ω)η(ω)e
j ω
x
c
dω (7.26)
Soit, en soustrayant le terme constant :
I(x) =
1
4
+∞
_
−∞
I
o
(ω)η(ω)e
j ω
x
c
dω (7.27)
On détermine le spectre I
o
(ω) de la source par transformée de Fourier inverse :
I
o
(ω) = 4
+∞
_
−∞
I
o
(x)e
−j ω
x
c
dx (7.28)
Nous avons supposé ici que le terme η(ω) ne dépend pas de la pulsation
ω, ce qui est généralement vrai dans l’infrarouge lointain à condition d’em-
ployer pour lame semi-réfléchissante une grille métallique de périodicité sub-
longueur d’onde. Le principe de la spectroscopie à transformée de Fourier
256 Optoélectronique térahertz
repose sur la relation (7.28). En effet, le spectre de la source est donc pro-
portionnel à la transformée de Fourier inverse de l’interférogramme I
o
(x). Il
faut donc enregistrer la partie variable du signal détecté en fonction de la
différence x de chemin optique entre les deux bras de l’interféromètre, puis
effectuer une transformée de Fourier inverse par voie numérique. Si, dans
les années 1950, effectuer la transformée inverse de l’interférogramme rele-
vait pratiquement de l’utopie, aujourd’hui les techniques numériques dites
FFT (voir page 223) permettent d’obtenir des spectres à partir des interfé-
rogrammes dans des temps très courts, pratiquement en temps réel.
L’interférogramme réel I(x) est enregistré sur une longueur géométrique
qui n’est pas infinie, mais qui est limitée par la longueur x
max
de la platine
de déplacement d’un des miroirs de l’interféromètre. On écrit simplement que
l’interférogramme réel est égal à l’interférogramme idéal que multiplie une
fonction rectangle T(x) qui est égale à 1 pour x variant entre 0 et x
max
, et
qui est nulle ailleurs :
I(x) = I
o
(x) T(x) (7.29)
Le spectre déterminé expérimentalement est donc le produit de convolu-
tion (⊗) du spectre réel par la transformée de Fourier de la fenêtre :
I(ω) = 4
+∞
_
−∞
I
o
(x) T(x)e
−j ω
x
c
dx (7.30)
= I
o
(ω) ⊗TF(T(x)) = I
o
(ω) ⊗sinc
_
ω
x
max
c
_
(7.31)
La résolution spectrale de l’instrument correspond à sa réponse à une onde
monochromatique, c’est-à-dire à la fonction sinus cardinal dans l’expression
précédente. La largeur spectrale de ce sinus cardinal est :
Δf =
Δω
2 π
=
c
2 x
max
(7.32)
La limite de résolution du spectromètre à transformée de Fourier est de
1 GHz pour 7,5 cm de déplacement du miroir (soit 15 cm pour l’aller-retour
effectué par la lumière), mais pour atteindre 1 MHz, il faudrait un déplace-
ment de 75 m! Aussi les spectromètres commerciaux atteignent au mieux la
centaine de MHz de résolution. Rappelons que, selon le critère de Rayleigh
(figure (7.10)), deux raies de même intensité seront considérées comme sé-
parées (ou encore résolues) si le maximum de l’une coïncide avec le premier
minimum de l’autre.
L’application de ce critère nécessite de disposer au moins de quelques
points par raie. Afin d’augmenter ce nombre de points pour obtenir visuelle-
ment un spectre grandement amélioré du point de vue visuel, une méthode
rapide consiste à augmenter artificiellement la taille de l’interférogramme en
ajoutant des « zéros » à ses extrémités, zones où les valeurs seraient de toute
7. Spectroscopie 257
Fig. 7.10 – Critère de Rayleigh.
façon quasi nulles. Cette procédure est traitée dans le paragraphe 6.1.3 dédié
à la transformée de Fourier. Cette procédure augmente le temps de calcul
et le volume nécessaire pour stocker le spectre, mais la définition graphique
s’en trouve grandement améliorée. Il est important de noter que cet artifice
de calcul n’améliore en rien la résolution du spectre.
Description du spectromètre
La plupart des spectromètres à transformée de Fourier sont construits à
partir d’un interféromètre de Michelson. Cet interféromètre (figure (7.11))
est constitué de deux miroirs plans perpendiculaires dont l’un est fixe (M
1
)
et l’autre mobile (M
2
). Une lame semi-réfléchissante S, appelée séparatrice
et inclinée à 45

par rapport à la direction de propagation du rayonnement
incident est placée au centre du montage. Si l’on éclaire le dispositif avec
un faisceau parallèle issu d’une source ponctuelle (généralement une lampe
spectrale à mercure, qui se comporte comme un corps noir dans l’infrarouge
lointain, munie d’un condenseur et d’une fente placée au foyer d’un miroir
parabolique), la séparatrice S dédouble le faisceau incident en un faisceau
transmis vers M
1
et un faisceau réfléchi vers M
2
. Ces deux faisceaux sont
réfléchis par les miroirs M
1
et M
2
. À leur retour sur la séparatrice, chacun
d’eux est à nouveau dédoublé en un faisceau transmis et un faisceau réfléchi.
Les faisceaux émergeants sont de même amplitude et peuvent interférer à la
sortie de l’instrument. La séparatrice est soit un film de Mylar ou de polyéthy-
lène de quelques microns d’épaisseur, soit une grille métallique (fils parallèles,
croisillons...) dont la période est plus petite que la longueur d’onde. Contrai-
rement aux films diélectriques, la transmission des grilles dépend très souvent
de la polarisation du faisceau THz. Si les deux miroirs sont à égale distance
de la séparatrice, les chemins optiques suivis par les deux faisceaux sont iden-
tiques et ils émergent en phase. Si en revanche, le miroir mobile est translaté
de x/2, le chemin optique du premier trajet augmente de x (indice de l’air
≈ 1) et les deux faisceaux sont alors déphasés de φ =
ω
c
x =

λ
x. Pour analy-
ser des signaux très large bande, la lame semi-réfléchissante S doit présenter
des coefficients de réflexion et de transmission le moins dispersifs possible.
258 Optoélectronique térahertz
Fig. 7.11 – Schéma de principe d’un spectromètre infrarouge à transformée
de Fourier.
Dans l’infrarouge très lointain, les grilles de fils métalliques possèdent cette
qualité. Un interféromètre construit avec une grille de fils métalliques comme
lame semi-réfléchissante s’appelle un interféromètre de Martin-Puplett. Le
caractère polarisant de la grille fait que les polarisations des ondes transmise
et réfléchie sont perpendiculaires, ce qui oblige à tourner de 90

la polarisa-
tion dans l’un des bras de l’interféromètre pour pouvoir faire interférer les
ondes. Ceci est généralement réalisé en remplaçant un des miroirs par un
système rétro-réflecteur. Le détecteur employé dans ces instruments est une
cellule de Golay, ou bien un bolomètre. Le faisceau THz est focalisé par une
lentille (polyéthylène ou quartz) dans un guide d’onde métallique en forme de
cornet, à l’extrémité duquel est placé le détecteur. Généralement, la lumière
parasite infrarouge ou visible est arrêtée à l’aide de filtres (polyéthylène noir)
placés devant le détecteur.
Spectres FTIR d’échantillons
On distingue deux types de caractérisation d’échantillon possibles avec un
spectromètre à transformée de Fourier. Dans la plupart des cas, l’échantillon
est placé devant le détecteur. On mesure ainsi uniquement la transmission en
intensité de l’échantillon. Mais on peut aussi placer l’échantillon dans un bras
de l’interféromètre. On a alors accès à l’amplitude et à la phase du signal,
comme expliqué ci-après : cette méthode est très proche de la spectroscopie
THz dans le domaine temporel. Ici, les faisceaux dans chacun des deux bras de
l’interféromètre sont des faisceaux THz, alors qu’en spectroscopie temporelle,
7. Spectroscopie 259
le faisceau THz ne se propage que dans une partie limitée du montage qui
ressemble beaucoup à un interféromètre de Mach-Zehnder.
Pour réaliser une analyse quantitative du spectre d’un échantillon ob-
tenu par spectrométrie à transformée de Fourier, il est nécessaire de réaliser
deux mesures, l’une en l’absence d’échantillon et la seconde en présence de
l’échantillon. La procédure de mesure est la suivante :
– mesure de l’interférogramme I
ref
(x) de référence, spectromètre sans
échantillon;
– calcul de la transformée de Fourier du spectre de référence ;
– mesure de l’interférogramme I
dst
(x) de l’échantillon, spectromètre avec
échantillon;
– calcul de la transformée de Fourier du spectre de l’échantillon;
– calcul du rapport entre les courbes spectrales.
La référence et l’échantillon étant mesurés successivement, la stabilité est
une caractéristique essentielle pour un interféromètre. La stabilité concerne
évidemment la source infrarouge, le détecteur, mais également la composition
de l’atmosphère, c’est-à-dire sa teneur en vapeur d’eau et en gaz carbonique,
si l’on ne travaille pas sous vide.
La détermination des paramètres de l’échantillon se réalise de la façon
suivante. Supposons que l’échantillon soit une lame à faces parallèles d’épais-
seur d/2 placée dans un bras de l’interféromètre et que l’on s’intéresse uni-
quement à la composante spectrale de pulsation ω, et que la même intensité
lumineuse circule dans chacun des bras de l’interféromètre. On écrit alors le
champ total reçu par le détecteur en fonction de l’indice de réfraction n(ω)
du matériau, et du coefficient t(ω) de transmission (du champ électromagné-
tique) de l’échantillon.
E(ω, x) = E
o
(ω)e
j ω t
+E
o
(ω)t(ω)e

_
t+
x+(n( ω)−1)d
c
_
(7.33)
La différence de chemin optique entre les deux bras est (x + (n( ω) −1) d).
L’intensité détectée en présence de l’échantillon s’écrit :
I(ω, x) = I
o
(ω)
_
1 +t
2
(ω) + 2t(ω) cos
_
ω
c
(x + (n( ω) −1) d)
__
(7.34)
Comme précédemment, on somme ensuite sur toutes les fréquences du spectre
incident et on ne retient que la partie variable suivant x de l’intensité totale :
I(x) =
1
4
_
I
o
(ω)t(ω)e
j
ω
c
(x+(n( ω)−1)d)
dω (7.35)
On effectue ensuite la transformée de Fourier inverse de l’interférogramme :
I
o
(ω)t(ω)e
j
ω
c
(n( ω)−1)d
= 4
_
I(x)e
−j
ω
c
x
dx (7.36)
260 Optoélectronique térahertz
En l’absence d’échantillon, on mesure le signal de référence et on obtient
après transformation de Fourier inverse :
I
o
(ω) = 4
_
I
ref
(x)e
−j
ω
c
x
dx (7.37)
Finalement, toute l’information concernant l’échantillon (indice de réfrac-
tion et coefficient d’absorption) est contenue dans le rapport des signaux
fréquentiels, qui est égal au rapport des transformées de Fourier des interfé-
rogrammes mesurés avec et sans échantillon :
T(ω) = t(ω)e
j
ω
c
(n(ω)−1)d
=
_
I(x)e
−j
ω
c
x
dx
_
I
ref
(x)e
−j
ω
c
x
dx
=
TF (I(x))
TF (I
ref
(x))
(7.38)
Les procédures d’extraction de l’indice de réfraction et du coefficient d’ab-
sorption sont similaires à celles décrites pour la spectroscopie THz dans le
domaine temporel.
7.3.4 Spectroscopie avec une source THz monochromatique
de longueur d’onde ajustable
On utilise ici une technique de photomélange pour créer le rayonne-
ment THz (voir page 156). Un exemple typique de spectromètre est présenté
à la figure (7.12). Deux lasers Ti:Sa continus oscillant autour de 800 nm de
longueur d’onde (375 THz) sont employés pour exciter le photomélangeur.
Les deux faisceaux laser sont spatialement superposés pour être ensuite injec-
tés dans une fibre optique mono-mode à maintien de polarisation, assurant de
ce fait un parfait accord entre les modes transverses des faisceaux de pompe.
Une lentille assure la focalisation des deux rayonnements sur le photomé-
langeur. Le terme de battement est transformé en photocourant pour être
ensuite rayonné par l’antenne spirale. Une lentille hyperhémisphérique en si-
licium haute résistivité collecte le rayonnement THz à l’arrière du dispositif
suivie d’un premier miroir parabolique pour collimater le rayonnement afin
de le diriger dans une cellule d’absorption.
Les faibles puissances rayonnées, jamais plus du μW au-delà de 1 THz,
nécessitent le plus souvent une détection cryogénique refroidit à 4,2 K. Il
suffit alors de faire varier la longueur d’onde de l’un des 2 lasers pour se
placer à une fréquence THz choisie ou la balayer de façon continue pour
étudier l’interaction du rayonnement THz avec le gaz sous étude.
La réponse en fréquence de l’expérience est présentée à la figure (7.13).
Nous constatons une totale accordabilité sur plus d’une décade de fréquence
associée à une dynamique supérieure à 40 dB. C’est à basse fréquence
(200 GHz) que la puissance disponible est maximale et évaluée à quelques
centaines de nanowatt. Autour de 1 THz, seuls quelques nW sont détectés
et quelques pW à 3 THz. Dès 800 GHz, la puissance rayonnée chute très
rapidement avec une pente estimée à −16 dB/octave.
7. Spectroscopie 261
Fig. 7.12 – Vue schématique d’un spectromètre tirant profit d’une technique
de photomélange.
Fig. 7.13 – Puissance THz détectée à l’aide d’un bolomètre silicium en fonc-
tion de la différence de fréquence entre les deux lasers Sa:Ti.
262 Optoélectronique térahertz
, ,
U
.
A
.
, , , , , , ,
Fig. 7.14 – Détection d’une transition d’hydrogène sulfuré autour de 3 THz
(croix = points mesurés, trait continu = courbe calculée).
Malgré tout, il reste possible d’exploiter le banc de spectroscopie jus-
qu’à 3 THz du fait des excellentes caractéristiques de bruit des détecteurs
cryogéniques. À la figure (7.14), une transition rotationnelle de l’hydrogène
sulfuré (H2S) a été enregistrée au-delà de 3 THz, fréquence ultime d’une telle
technique. Une autre propriété importante (voir introduction de ce présent
chapitre) concerne la pureté spectrale qui dans ce cas dépend de celles des
lasers de pompe : nous l’avons estimée à 5 MHz. En stabilisant les lasers plus
efficacement, il doit être possible d’améliorer sensiblement cette valeur, mais
avec pour conséquence une agilité bien moindre en accordabilité.
La technique de photomélange possède donc de nombreux atouts pour
l’utiliser comme source de rayonnement dans un spectromètre. Sa très large
accordabilité et sa relative bonne pureté spectrale en sont ses atouts princi-
paux. En revanche les faibles puissances disponibles nécessitent les détecteurs
les plus performants et restreint de fait son champ d’investigation aux seuls
laboratoires de recherche (du moins pour le moment).
Une autre difficulté réside dans la métrologie de fréquence. Si à ce stade
de l’analyse, il est établi que la fréquence du rayonnement THz émis est égale
à la différence de fréquence des deux lasers de pompe, une précision absolue
de 1 MHz exige au moins la même précision sur celles des lasers Sa:Ti. La
fréquence associée à une longueur d’onde de 800 nm est 375 THz, et une
telle exigence requiert une précision relative de 10
−9
! Aucune solution com-
merciale n’est disponible. On tire alors profit de transitions spectroscopiques
étalon, qui permettent par interpolation et/ou extrapolation de résoudre au
moins en partie le problème.
7. Spectroscopie 263
7.3.5 Comparaison des techniques
En conclusion, essayons de comparer les techniques les plus employées,
donc les instruments que l’on peut acheter dans le commerce ou construire
facilement. Les techniques sont comparables en termes de résolution fréquen-
tielle (0,1 cm
−1
∼ 3 GHz), sauf si l’on utilise des sources monochromatiques
dont on peut faire varier la longueur d’onde (battement optique). Intrinsèque-
ment, la spectroscopie infrarouge par transformée de Fourier présente la plus
grande bande passante, mais au prix d’une détérioration du rapport signal
sur bruit [269]. Au-dessus de 5 THz, la spectroscopie infrarouge par transfor-
mée de Fourier offre potentiellement les meilleures performances. Cependant,
le principal atout de la spectroscopie THz dans le domaine temporel réside
dans sa sensibilité et la mesure quantitative de l’amplitude et de la phase du
signal sur un spectre très étendu ainsi que la possibilité d’analyser les tran-
sitoires ultrabrefs par des mesures de type pompe optique-sonde THz. Nous
avons déjà écrit que finalement spectroscopie THz dans le domaine temporel
et spectroscopie à transformée de Fourier présentaient bien des similitudes
dans leurs principes. Cependant, la technique temporelle est basée sur un
fenêtrage temporel autour du signal utile. Les signaux en dehors de cette
fenêtre ne perturbent pas le signal utile, conduisant à une grande dynamique
de mesure et permettant ainsi des mesures rapides (spectres pouvant être
enregistrés en moins d’une seconde ! [270]) et à température ambiante. La
possibilité d’enregistrer un spectre en un temps aussi court permet d’envisa-
ger de réaliser de l’imagerie résolue spectralement (imagerie hyperspectrale)
dans le domaine THz.
This page intentionally left blank
Chapitre 8
Imagerie
8.1 Introduction
Le domaine des ondes THz est l’une des régions les moins étudiées du
spectre électromagnétique, et ceci est encore plus notable dans le domaine
de l’imagerie. Il était jusqu’à présent difficile de générer et de détecter du
rayonnement THz. Cependant, ces difficultés sont progressivement surmon-
tées, comme le montre plusieurs chapitres de ce livre, principalement par
l’utilisation d’impulsions électromagnétiques ultracourtes utilisant l’optique
non linéaire et des dispositifs à photoconducteurs. En particulier, la spec-
troscopie THz dans le domaine temporel est l’une des techniques les plus
intéressantes pour l’imagerie dans ce domaine spectral.
De nombreuses techniques d’imagerie sont actuellement disponibles pour
observer un objet en deux ou trois dimensions. L’imagerie par rayons X
possède de nombreux avantages, qui la rendent un outil indispensable en
médecine et dans le diagnostic. Cependant, les rayons X sont ionisants, et
donc présentent un danger pour les organismes vivants. La résolution spa-
tiale n’est pas directement limitée par la diffraction, mais par la diffusion
Rayleigh, à environ 50 μm. De plus, de nombreux matériaux, en particulier
les tissus biologiques mous, sont indiscernables en imagerie par rayons X.
Lorsqu’un haut contraste est nécessaire, l’Imagerie par Résonance Magné-
tique (IRM), qui est principalement sensible à la concentration en eau des
matériaux, est souvent utilisée. Mais la résolution spatiale est limitée à en-
viron 0,5 mm. D’autres techniques, comme la Tomographie par Émission de
Positron (TEP) ou l’échographie présentent également d’autres formes de
contraste. On peut enfin citer les nouvelles techniques de l’optique, comme
la tomographie optique cohérente (OCT), où les imageries multiphotoniques,
qui possèdent une très bonne résolution spatiale, mais peu de profondeur de
pénétration (quelques mm). Les radiations THz, de par leurs caractéristiques
spectroscopiques uniques, offrent de nouvelles perspectives quant à leur utili-
sation dans le domaine de l’imagerie. Avec une très faible énergie par photon
266 Optoélectronique térahertz
(4 meV à 1 THz), elles sont sans danger pour les milieux biologiques [271].
Compte tenu de leur longueur d’onde, une résolution de quelques centaines
de microns est attendue. Mais un couplage avec des techniques de champ
proche permet, comme nous le verrons, de briser la limite classique de la dif-
fraction, et d’obtenir une bien meilleure résolution. Les champs d’application
de l’imagerie THz sont vastes et progressent fortement.
8.2 Principes de l’imagerie THz
L’imagerie THz reprend évidemment les principales caractéristiques de
la spectroscopie THz. Le contraste spécifique du THz, associé à la résolution
spatiale, permet à l’imagerie THz d’ouvrir de nouvelles perspectives en diag-
nostic biologique, dans le contrôle de la qualité, ou l’identification d’objets
cachés.
8.2.1 Extension des propriétés spectroscopiques
De nombreux matériaux possèdent des spectres d’absorption caractéris-
tiques en THz. C’est en particulier remarquable pour les gaz ou les flammes,
dont le spectre rovibrationnel THz donne une véritable « empreinte digitale ».
Dans les solides, ce sont les résonances structurelles comme les phonons qui
vont modeler le spectre THz. Dans les liquides, l’élargissement inhomogène
étant très important, ce sont essentiellement des structures très larges et
moins représentatives que l’on rencontrera. L’eau joue un rôle fondamental
en imagerie THz. L’eau absorbe fortement dans toute la gamme THz, par
exemple à 0,5 THz, une atténuation par un facteur 2 est obtenue pour une
épaisseur d’environ 45 μm seulement. Cette absorption sera fortement mise à
profit en imagerie. Les zones contenant des quantités variables d’eau présen-
teront ainsi un fort contraste. C’est en particulier le cas en biologie, où par
exemple la graisse et les dents sont moins riches en eau que les tissus. Les
ions d’importance biologique fournissent également un bon contraste pour
l’observation des cellules excitables comme les neurones. Enfin, les métaux
réfléchissent fortement les ondes THz. Quelques dizaines de nanomètres de
métal suffisent à former un écran opaque. Les ondes THz sont donc parti-
culièrement adaptées pour le contrôle des circuits électroniques, ou pour les
questions liées à la sécurité.
8.3 Résolution spatiale
Les ondes THz étant des ondes électromagnétiques, leur focalisation est
en principe limitée par la diffraction, comme pour la microscopie optique
classique.
8. Imagerie 267
8.3.1 Limite de la diffraction
La taille minimale r de focalisation limitée par la diffraction, pour un
faisceau de convergence θ, dans un milieu d’indice n vaut ainsi
r ≈ 1, 22
λ
nsin θ
(8.1)
Typiquement, on sera limité à une résolution de 300 μm pour une fré-
quence de 1 THz, ce qui est suffisant pour bon nombre d’applications. Les
premières démonstrations datent de 1995 [272], où une feuille d’arbre et un
circuit intégré semi-conducteur ont été imagés avec une résolution de l’ordre
du mm. Pour nombre d’applications cependant, cette résolution n’est pas
suffisante. L’introduction du champ proche permet alors de s’affranchir de la
barrière de la diffraction.
8.3.2 Imagerie en champ proche
Depuis cette démonstration, de nombreux efforts ont porté sur l’amé-
lioration de la résolution spatiale, avec en particulier le développement de
techniques de champ proche, où des résolutions inférieures à λ/100 ont été
reportées [273].
Le principe du champ proche est le suivant : on place devant l’objet à
étudier une ouverture ou une pointe de taille inférieure à la longueur d’onde.
L’onde THz incidente est diffractée par la sonde champ proche, ce qui aug-
mente fortement la fréquence spatiale de l’onde, et donc la résolution. L’inter-
action en champ proche entre l’onde THz, la sonde et l’objet se fait cependant
au détriment de la quantité de lumière transmise. On peut estimer que celle-
ci diminue avec le cube du diamètre de l’ouverture en condition de champ
proche, et non pas en carré comme rencontré classiquement.
Un compromis entre la résolution spatiale (taille de l’ouverture) et la
quantité de signal transmise sera nécessaire en fonction du rapport signal sur
bruit disponible dans la mesure. Le gros avantage des ondes THz sur l’op-
tique, c’est évidemment que la taille des sondes champ proche est beaucoup
plus grande (environ 500 fois), et celles-ci sont donc nettement plus faciles
à réaliser.
8.4 Principes d’un microscope THz
Le principe d’un microscope THz est finalement assez semblable à celui
d’un microscope classique. Un dispositif optique (lentille ou miroir focalisant)
concentre les ondes THz sur l’objet à étudier. Actuellement, une grande ma-
jorité des dispositifs est basée sur un spectromètre dans le domaine temporel
(voir page 239), qui repose sur la génération et la détection d’un cycle élec-
tromagnétique de durée picoseconde, et qui a pour avantage de posséder une
très grande sensibilité et de pouvoir détecter de faibles contrastes. Un tel
microscope en champ lointain est présenté par la figure (8.1).
268 Optoélectronique térahertz
Laser Femtoseconde
Retard
Hacheur
Émetteur Détecteur
Objet
Fig. 8.1 – Principe d’un microscope THz. Il est basé sur un spectromètre
dans le domaine temporel piloté par un laser femtoseconde. L’échantillon est
placé au point de focalisation du faisceau THz, puis déplacé pour obtenir une
image.
8.4.1 Différentes techniques en champ proche
Dans le cas d’un dispositif à champ proche, il suffit d’ajouter une ou-
verture ou une pointe de taille inférieure à la longueur d’onde. Différents
dispositifs de microscopie en champ proche sont illustrés par la figure (8.2).
Dans tous ces dispositifs, la résolution est déterminée par la taille caractéris-
tique de l’objet placé à côté de l’échantillon, et on collecte l’ensemble de la
lumière transmise. Une première solution consiste à placer une ouverture de
taille inférieure à la longueur d’onde (figure (8.2A)). Si l’échantillon se trouve
devant l’ouverture, aucun signal n’est transmis. On peut également utiliser
un dispositif complémentaire consistant en une petite surface de métal blo-
quant l’onde THz (figure (8.2B)). Théoriquement, la modulation obtenue par
ces deux dispositifs est identique, le premier fonctionnant sur fond noir. C’est
le principal avantage de ce dispositif, qui optimise le rapport signal sur bruit
car le bruit de fond est minimisé. Certains dispositifs utilisent également une
pointe (figure (8.2C)), reproduisant les techniques de champ proche dévelop-
pées dans le visible et le proche infrarouge. Cependant, la modélisation de
la diffraction de l’onde THz sur l’ensemble de la pointe est nettement plus
complexe.
8. Imagerie 269
(A)
(B) (C)
Fig. 8.2 – Principes de microscopes THz en champ proche. (A) ouverture ;
(B) masque ; (C) pointe.
8.4.2 Champ proche et contraste de champ proche
Une fois les images obtenues, se pose la question de l’extraction des in-
formations uniquement relative à l’échantillon. En d’autres termes, il faut
connaître avec précision l’influence de l’objet (ouverture ou pointe) sur la
résolution et plus généralement la correspondance entre l’image obtenue et
l’échantillon réel. Les images de l’échantillon obtenues en champ proche sont
le résultat complexe de l’interaction entre l’objet de taille inférieure à la lon-
gueur d’onde et l’échantillon. Dans des conditions strictes de champ proche,
c’est-à-dire lorsque l’objet et l’échantillon sont très proches l’un de l’autre,
des effets d’interaction mutuelle rendent très compliquée la modélisation du
système. Si maintenant l’échantillon est très éloigné, la transmission à tra-
vers l’échantillon s’obtient facilement par effet de masque, mais les effets du
champ proche disparaissent et on perd la résolution. En fait, il existe une
région intermédiaire entre le champ proche véritable et le champ lointain,
qui permet de concilier les deux avantages : c’est la zone de contraste de
champ proche. Pour des distances situées typiquement entre λ/2 et λ/5, il
est possible de modéliser la transmission à travers l’échantillon par un effet
de masque, tout en gardant une précision inférieure à la longueur d’onde.
Un exemple de reconstitution d’un neurone en trois dimensions a ainsi
été obtenu en utilisant le contraste créé par la différence d’absorption des
différents ions biologiques, en particulier le potassium et le sodium, entre
l’intérieur et l’extérieur d’un neurone [274]. La figure (8.3) montre l’image
tridimensionnelle reconstituée en zone de contraste de champ proche.
8.4.3 Imagerie par balayage
Ayant sélectionné l’un de ces dispositifs d’imagerie, on peut réaliser un
grand nombre de configurations différentes pour acquérir l’image. La pre-
mière idée consiste à réaliser un balayage temporel total des impulsions THz
de façon à obtenir le spectre complet de la portion d’échantillon analysé.
L’avantage est bien sûr d’obtenir toutes les informations spectroscopiques.
Le contraste de l’image proviendra alors de la sélection d’une ou de plusieurs
zones spectrales bien choisies. Malheureusement, le temps nécessaire à cette
mesure est souvent assez long, et limite ainsi le nombre de points disponibles
pour reconstituer l’image, surtout si les propriétés ou les caractéristiques de
270 Optoélectronique térahertz
109
110
111
112
113
114
115
100
0
-100
0
-150
400
800
-100
-50
0
50
100
150
P
o
s
i
t
i
o
n


[
μ
m
]
P
o
s
itio
n

m
]
P
osition
[μm
]
D
i
a
m
è
t
r
e

[
μ
m
]
Fig. 8.3 – Reconstitution en trois dimensions de la section d’un neurone par
imagerie THz à contraste ionique [274].
l’objet varient dans le temps. On devra donc souvent se résoudre à ne ba-
layer qu’une petite zone temporelle, ou bien tout simplement à garder le
retard constant. On mettra alors à profit la variation de temps de parcours
(déphasage) de l’impulsion THz dans l’échantillon, un peu comme en OCT.
Les premières images THz ont été obtenues par simple balayage de l’objet
dans le faisceau [272], transformant la transmission à travers l’objet en pixels.
Il existe un nombre important de sources de contrastes utilisables : l’ampli-
tude totale transmise à un retard fixé, le retard du maximum de cycle THz,
ou encore le déphasage d’une composante spectrale particulière. L’une des
clés de réussite de l’imagerie THz est la vitesse d’acquisition de l’image.
L’utilisation de pots vibrant permet par exemple de balayer une série de
retards et donc de calculer rapidement des composantes spectrales. La pre-
mière démonstration, utilisant des antennes photoconductrices, donnait ainsi
10 points par seconde, avec un rapport signal sur bruit de 100.
Ces dispositifs peuvent être simplifiés par l’utilisation de détecteurs à
photoconducteurs couplés à une fibre optique [275], ce qui permet de délo-
caliser la source laser femtoseconde et la ligne à retard. Un tel dispositif a
permit de caractériser facilement le profil d’émission d’émetteurs à photo-
conducteurs [276].
Il est également possible d’imager l’objet en réflection, en particulier si
l’objet est trop épais ou trop absorbant pour être correctement traversé par
les ondes THz. Dans ce cas, il est nécessaire d’utiliser des algorithmes de
reconstruction pour estimer la forme et la structure de l’objet réfléchissant.
8. Imagerie 271
8.4.4 Imagerie par détecteurs bidimensionnels
Il serait très profitable de réaliser une image THz à l’aide de véritables
détecteurs à deux dimensions. Malheureusement, de tels détecteurs sont en-
core très délicats à mettre au point. Parmi les technologies existantes, on
peut citer les détecteurs électro-optiques associés à une caméra CCD [277],
les détecteurs continus dédiés à l’astronomie [278], mais aussi les systèmes
basés sur des photomélangeurs à électrons chauds HEB [279].
8.4.5 Tomographie
Il est également possible de faire tourner l’échantillon dans le faisceau THz,
dans des expériences de tomographie. Des algorithmes complexes permettent
alors de reconstituer l’objet en trois dimensions à partir d’une succession
d’images à deux dimensions. Il a également été démontré que cette technique
permettait de conserver les données spectroscopiques [280]. La principale li-
mitation concerne les échantillons fortement diffractants qui sont pour l’ins-
tant mal reconstitués par les algorithmes. La résolution actuelle est d’environ
4 mm.
8.4.6 Imagerie in situ
Compte tenu de l’absorption des THz par l’eau, les principaux développe-
ments de l’imagerie THz ont concerné les dents [281] et la peau, et en parti-
culier les cancers (mélanomes) [282]. Un champ d’application bien plus vaste
serait bien sûr atteint avec le développement d’une imagerie à distance, qui
nécessite l’utilisation de guides de lumière THz analogues à des endoscopes.
De nombreuses pistes sont à l’étude : des guides d’onde métalliques [205, 283]
ou des fibres diélectriques [284]. Les fibres à cristaux photoniques ont éga-
lement engendré beaucoup d’intérêt car elles ont le potentiel de fournir des
fibres aux propriétés uniques, comme par exemple une très grande bande
passante [285], tout en étant souples et peu absorbantes.
8.5 Conclusion
Il ne fait aucun doute que l’imagerie THz est une technique attractive
possédant un gros potentiel, en particulier dans le domaine biologique et
médical. Elle se présente comme une technique complémentaire par rapport
à ses concurrentes, en offrant certaines sources de contraste uniques, dont le
développement en dehors des laboratoires nécessitera évidement de diminuer
le coût et la taille des installations THz.
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Cinquième partie
Applications et perspectives
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Chapitre 9
Applications des ondes THz
9.1 Introduction
Cette partie de l’ouvrage propose une liste non exhaustive des applica-
tions potentielles des THz. Elle s’attache à synthétiser les points forts des THz
par rapport aux technologies existantes, tout en conseillant le lecteur sur la
démarche à suivre pour choisir le niveau de complexité du système THz cor-
respondant à son besoin. Les applications des THz sont regroupées en quatre
familles, chaque famille pouvant correspondre à plusieurs secteurs d’activité
mais également à des degrés divers de complexité des systèmes. Les champs
d’applications présentés visent à montrer que le système THz n’est pas seule-
ment un système de laboratoire mais qu’il peut trouver sa place dans de
nombreux secteurs industriels. Toutefois, compte tenu du faible taux de pé-
nétration de la technologie THz dans les applications industrielles, il est vrai
qu’elle reste très coûteuse. L’attractivité économique de cette technologie, qui
en est à son balbutiement pour les applications industrielles, va augmenter
au fur et à mesure de l’ouverture du panel des applications.
9.2 Pourquoi choisir le THz ?
Les ondes THz combinent les avantages des ondes optiques et des ondes
électromagnétiques radio-fréquences. Avec les premières elles partagent la
directivité, c’est-à-dire la possibilité de réaliser des dispositifs qui sont plus
grands que la longueur d’onde afin de pouvoir les orienter ou les focaliser vers
un point donné. Avec les secondes, l’onde THz partage les techniques d’émis-
sion et de détection, utilisation d’antenne et de technologie de traitement du
signal électronique.
Les ondes THz pénètrent là où les ondes optiques sont stoppées. Cette
gamme de fréquence traverse des parois de certains matériaux, par consé-
quent il devient possible de voir derrière une surface opaque aux longueurs
d’onde optiques. Pour l’instant aucune application n’est encore employée
276 Optoélectronique térahertz
pour la « visualisation THz » de défauts à travers les matériaux de construc-
tion, mais de nombreux laboratoires s’intéressent à leur caractérisation. Parmi
les applications citées, il y a l’aide au sauvetage de personnes enfouies dans
les décombres d’immeubles écroulés. Les matériaux étudiés sont le plâtre, les
vitres, la laine de verre, les plaques de ciment. Cet intérêt porte principale-
ment sur la connaissance des propriétés diélectriques, indice de réfraction et
coefficient d’atténuation pour le développement de futurs logiciels de modé-
lisation de propagation des ondes THz dans les bâtiments [286]. Le domaine
de la sécurité et de la défense est également intéressé par les ondes THz pour
aider à la détection d’explosifs ou d’armes cachées par les vêtements. Des
études ont par exemple mis en évidence la transparence du cuir, du coton,
et des fibres polyesters dans le domaine THz [287].
La traversée de matériau opaque est un avantage des ondes THz mais elles
ne peuvent pas, pour autant, traverser des parois métalliques ou de grosses
épaisseurs d’eau ou de matériaux humides. La détection à distance est limitée
à la fois par l’absorption des ondes THz par les molécules d’eau présentes dans
l’atmosphère ainsi que par les contraintes de la technologie optoélectronique
décrite dans les chapitres précédents. En résumé, l’utilisateur choisira les
ondes THz pour des applications telles que :
– analyse sans contact ;
– analyse à travers des matériaux opaques en optique ;
– imagerie ;
– détection et analyse d’un grand nombre de molécules en instantané.
Les principaux inconvénients sont :
– faible résolution spatiale ;
– absorption par l’eau;
– épaisseur limitée de l’échantillon à tester ;
– réflexion sur les matériaux métalliques.
9.3 Choix d’un système THz
9.3.1 Du système complexe aux composants dédiés
Systèmes THz commerciaux
Comme pour toutes technologies émergentes, dès la fin des années 1990,
trois entreprises se sont lancées dans la commercialisation de systèmes THz
basés sur le principe pompe-sonde impulsionnel avec en point de mire le mar-
ché de la spectroscopie. Dés lors qu’un système « presse-bouton » existe, il
devient possible de caractériser tous types de matériaux et de substances.
Ce sont aux États-Unis la société Picometrix, en Grande-Bretagne la société
Teraview et au Japon la société Tochigi-Nikon. Chacune de ces entités vit sur
un marché de niche, respectivement la spectroscopie en laboratoire et indus-
trielle, la biologie, avec la qualité de produits pharmaceutiques et l’industrie
9. Applications des ondes THz 277
du semi-conducteur. Par ailleurs, chacune de ces entreprises est impliquée
dans des programmes de sécurité du territoire. Teraview et Tochigi-Nikon
ont chacune participé avec leur université partenaire, respectivement les uni-
versités de Leeds et Cambridge, et le centre de recherche Riken à Sendaï,
à la caractérisation d’explosifs ou encore à la détection dans des enveloppes
de drogues [288] ou autres agents biologiques. Le second marché est celui
de l’imagerie THz. Par exemple la société Picometrix propose en option un
porte échantillon avec balayage mécanique X/Y qui permet de réaliser une
image de l’objet.
Les appareils commercialisés à ce jour proposent des fonctions complexes,
par exemple la spectroscopie d’absorption ou l’imagerie. Ces systèmes sont
des développements des systèmes conventionnels de spectroscopie employés
dans les laboratoires et détaillés dans les chapitres précédents de ce livre.
Les systèmes actuellement mis sur le marché ont une taille plus proche de
celui d’un photocopieur que de celui d’une platine DVD de salon. Le coût
et le volume du système sont principalement liés à ceux du laser impulsion-
nel nécessaire pour générer et détecter les impulsions THz. C’est la raison
pour laquelle la société Picometrix propose en produit de base un système
THz sans source optique. De plus cette société propose un déport des an-
tennes THz d’émission et de réception par fibre optique (3 ou 5 m). La
propagation de l’impulsion femtoseconde le long de la fibre optique conduit
à un élargissement de cette dernière, c’est pourquoi Picometrix propose un
système de compensation de la dispersion de l’impulsion optique permettant
ainsi de conserver des impulsions brèves et donc un spectre THz intact. Les
derniers développements de l’université de Riken à Sendaï montrent qu’il est
possible de réaliser un système de génération paramétrique CW des ondes
THz tenant dans la main. Dans cet appareil, le laser est sous la forme d’un
microchip. Le volume du système de génération passe de 28 dm
3
en version
tabletop à 1 dm
3
en version palmtop à performances comparables [289]. Pour
que les systèmes THz puissent se développer, il faudrait dans un premier
temps réduire d’un facteur 10 le coût des systèmes, c’est-à-dire passer de
250 000 à 25 000 euros (tarifs 2007).
Ces produits commerciaux ont néanmoins permis aux THz de sortir des
laboratoires pour rencontrer une communauté plus large qui souhaite se
concentrer sur son propre domaine de recherche plutôt que sur la mise au
point des systèmes de spectroscopie THz. Cette tendance est largement vi-
sible au travers des nombreuses publications dont le sujet porte maintenant
sur l’utilisation des THz plutôt que sur l’optimisation de leur génération et
de leur détection.
La figure (9.1) montre l’évolution entre 1980 et 2004 du nombre de publi-
cations dont le titre comporte le terme THz. L’évolution est exponentielle à
partir de 1992, illustrant la dissémination progressive de la technologie dans
les laboratoires alors qu’aucun système THz n’était encore commercialisé.
278 Optoélectronique térahertz
Fig. 9.1 – Nombre de publications dont le titre comporte le terme THz
depuis 1980.
Systèmes THz dans les années à venir
Deux approches sont couramment mises en avant lors du développement
d’une nouvelle technologie. Une approche dite « bottom-up » et une approche
« top-down ». Pour ce qui est de l’optoélectronique THz, il est clair que la
stratégie bottom-up, développement de la technologie vers des applications
non spécifiques, est celle qui décrit le mieux l’évolution actuelle. La phase
croissante correspond à l’amélioration du système de spectroscopie résolue en
temps dans les laboratoires d’électronique et d’optique. Dans cette première
phase, un accroissement de l’éventail des technologies est observé. Ce phé-
nomène ouvre la voie à une multiplication des applications. De plus, comme
le montre l’augmentation exponentielle du nombre de publications, le champ
d’application s’ouvre progressivement, touchant des laboratoires et donc des
utilisateurs potentiels au-delà des domaines de l’optique et de l’électronique.
Il est clair que la progression chronologique de ce processus va conduire à
un point de basculement où le domaine THz va s’orienter dans une approche
de type top-down : les applications définiront les besoins et entraîneront le
développement d’une technologie spécifique. Dans cette seconde phase, ce
sont les applications qui définissent les spécifications de la technologie. Les
spécifications contraignent la technologie en termes de bande passante, de
fréquence de fonctionnement, de puissance émise mais également en termes
de contraintes environnementales. Cette démarche conduira à terme au tra-
vers d’une application « clé » à l’élaboration d’une nouvelle classe de tech-
nologie qui pourrait être une imagerie compacte ou encore une liaison point
à point basée sur des composants à cascade quantique. Il est toujours dé-
licat de se prononcer sur l’avenir d’une technologie, toutefois un horizon
9. Applications des ondes THz 279
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Applications
Fig. 9.2 – Chronologie des applications THz.
de 10 à 20 ans semble raisonnable pour atteindre une technologie dédiée
mature (figure (9.2)).
Les challenges à venir concernent l’identification de nouvelles applications
« niche » et la mise en place d’une technologie dédiée qui permettra à terme
de satisfaire le meilleur compromis coût/performance à travers le développe-
ment de fonction simple. Le développement de ce type de produit dépend de
l’application; sans application de masse, les coûts financiers de production
ne sauraient être amortis. L’attractivité des ondes THz pour le milieu indus-
triel passe par l’étude en parallèle de nombreux domaines par les laboratoires
experts. Lorsqu’une application sera identifiée, il conviendra de faire le choix
de la technologie en prenant en compte le meilleur ratio coût-performance
pour cette application.
Exemples de miniaturisation
Pour corroborer cette approche, nous citerons l’exemple des lasers à cas-
cade quantique (QCL). Un grand espoir est placé sur les QCL car ils s’ins-
crivent dans la tendance actuelle qui vise à la miniaturisation des dispositifs
associée à des procédés de fabrication micro-électronique de masse. Le QCL
est une puce intégrée utilisable pour une application dédiée. Un composant
unique correspondra à la détection d’un type de molécules ou de gaz, ou à
l’identification d’une fréquence de résonance d’un composant.
Un second exemple illustrant le point de basculement du système de spec-
troscopie vers un système dédié concerne l’inspection de la mousse de pro-
tection des réservoirs de la navette spatiale Columbia suite à l’accident de fé-
vrier 2003. Le laboratoire du Rensselaer Polytechnic Institute [290] a produit
une cartographie des mousses avec un système de spectroscopie THz-TDS de
laboratoire. Cette étude a mis en évidence des problèmes de délaminage et
la présence de vide, lié à des bulles d’air ou de gaz, dans la structure de
280 Optoélectronique térahertz
la mousse. Afin de pouvoir accéder à des mesures in situ, ce laboratoire a
proposé un système électronique fonctionnant à une fréquence donnée. Ce
système CW se compose d’un émetteur utilisant une diode Gunn émettant
à 0,2 THz et d’un détecteur avec une cellule de Golay. L’approche CW par
rapport à l’approche impulsionnelle employée en laboratoire ne permet pas
de donner d’informations spectrales ou d’information sur la profondeur du
défaut. En revanche, le gros avantage est son coût et son encombrement qui
en font un dispositif portable pour inspecter les réservoirs du lanceur in situ.
Cet exemple illustre une démarche typique des THz en deux phases, une
première approche en laboratoire qui a permis de spécifier un système et
une seconde phase de réalisation et de test d’un dispositif compact mono-
fréquence répondant aux besoins industriels.
La biologie est un autre exemple du fossé qui existe aujourd’hui, au niveau
de la maturité de la technologie THz, entre les applications de recherche dé-
veloppées en laboratoire et les potentielles applications industrielles. Dans le
domaine biomédical, la détection à l’aide des fréquences THz de la mutation
des gènes a été démontrée en espace libre par P. Haring-Bolivar à l’univer-
sité de Siegen (Allemagne). Cette technique est particulièrement intéressante
puisqu’elle permet de détecter une mutation sans ajouter de marqueur. Afin
de réduire la quantité de matériel génétique nécessaire pour réaliser l’ana-
lyse, une solution de résonateur électromagnétique avec un accepteur a été
proposée. Une quantité infinitésimale de quelques femtomoles du matériel
génétique est employée. La fréquence de résonance du résonateur (500 GHz)
change lorsque le gène est différent, elle devient 575 GHz. Pour une appli-
cation en laboratoire, un système complet de spectroscopie est employé, et
une analyse de l’évolution de la fréquence de résonance, du niveau trans-
mis et une relation fréquence-gène différente doivent être établies. Pour le
futur développement industriel, une fréquence de résonance correspondant
au gène étudié sera sélectionnée et la puissance transmise sera mesurée [291]
permettant de savoir si l’ADN est conforme ou non.
Pour l’instant, faute d’applications « clé », le système THz demeure un
équipement d’analyse spectroscopique incluant un laser femtoseconde ce qui
en fait un système complexe et coûteux. L’élargissement du champ de re-
cherche à la biologie ou à d’autres domaines des sciences va sans nul doute
voire l’émergence d’applications dédiées pour lesquelles des solutions com-
pactes seront requises et développées (tableau (9.1)).
9.3.2 Système CW ou impulsionnel
Dans cette section, le propos n’est pas de décrire la technologie, large-
ment mise en avant dans les chapitres précédents, mais bien de synthétiser
les grands principes afin que l’utilisateur potentiel puisse avoir une idée du
type et de la complexité du système requis par son application. À chaque ap-
plication correspond un système THz différent. Il est rappelé que l’approche
9. Applications des ondes THz 281
Recherche Industrie
Domaine d’application Biologie Capteur biologique
Système Spectroscopie pompe sonde Puce
Laboratoire Universitaire Industriel
Type d’analyse Spectroscopie Un seul composant
Maturité des systèmes
existants
Teraview, Picometrix À développer
Coût > 250 000 euros Quelques milliers d’euros
Tab. 9.1 – Système laboratoire et besoin industriel.
émetteur-détecteur optoélectroniques permet d’avoir une détection dite co-
hérente ce qui améliore le rapport signal sur bruit de la mesure par rapport
à un système dit conventionnel composé d’un émetteur électronique et d’un
récepteur refroidi.
La section suivante décrit 5 niveaux de complexité. Pour chaque niveau
de complexité des systèmes, il faut se poser la question du choix d’une ap-
proche CW ou impulsionnelle. Pour la plupart des applications, le choix du
système CW ou du système pulsé dépend de l’environnement.
En environnement intérieur de type laboratoire. En milieu clos
où les paramètres environnementaux tels que le taux d’humidité et la tem-
pérature sont contrôlés, le système impulsionnel est à privilégier. De plus,
la puissance émise par un système CW optoélectronique demeure plus faible
que celle émise par des impulsions crêtes. Le signal moyen sera donc plus
important dans le cas d’un système impulsionnel. Il faut également garder
en mémoire que le niveau moyen émis en CW par un système optoélectro-
nique décroît avec la fréquence. Pour des fréquences comprises entre 100 GHz
et 300 GHz, il faut se poser la question de l’emploi de technologies électro-
niques conventionnelles basées sur des multiplieurs de fréquences. Pour des
fréquences comprises entre 200 GHz et 600 GHz, la technique du photo-
mélange optoélectronique donne de bons résultats. Pour des fréquences su-
périeures à 600 GHz, l’approche impulsionnelle est meilleure. La bande de
fréquence maximale qu’il est possible d’atteindre avec un système impulsion-
nel est de l’ordre de 3 à 5 THz selon les matériaux de génération/détection
employés. En résumé, dans un laboratoire et pour des fréquences supérieures
à 600 GHz, il faut choisir un système impulsionnel.
En environnement extérieur. Le large spectre électromagnétique du
système impulsionnel est un inconvénient car la présence d’eau dans l’atmo-
sphère entraîne une dispersion de l’impulsion, ce qui est fortement pénalisant
pour la propagation. Par exemple, en atmosphère humide, une impulsion de
durée 1 ps aura une durée de 30 ps (100 ps) après 2,4 m (100 m) de propaga-
tion. L’emploi d’un système impulsionnel à l’extérieur requiert des têtes de
génération et détection déportées avec des fibres optiques.
282 Optoélectronique térahertz
Dans tous les cas de figure, la taille et le coût du système impulsion-
nel surpassent toujours ceux du système CW employant deux diodes lasers
semi-conductrices. La taille est appelée à diminuer avec l’émergence de laser
impulsionnel à fibre optique pompée par des diodes laser semi-conductrices.
Le CW offre la possibilité de réaliser des systèmes plus compacts.
9.3.3 Classement des systèmes par degrés de complexité
L’évaluation de la complexité du système peut être graduée de 1 à 5.
Cette échelle ne présage pas de la technologie employée qui peut être basée sur
une technique conventionnelle pompe-sonde optoélectronique large spectre ou
bien sur un système QCL monofréquence. Ces cinq familles sont présentées
sur le graphe suivant par ordre croissant de complexité (figure (9.3)).
Niveau 1: transmission
Generation THz
+
Detection THz
Niveau 3: spectroscopie
Generation THz
+
Detection THz
+
Spectre de l’impulsion
Niveau 4: Imagerie
Generation THz
+
Matrice de détecteur
Système
complexe
Fonction
complexe
Système
dédié
Fonction
unique
Niveau 2: tomographie
Generation THz
+
Detection THz
+
Analyse de données
Niveau 5: Imagerie
+ spectroscopie
ImagerieTHz
+
Spectroscopie
Fig. 9.3 – Gradation de la complexité des systèmes THz.
Émetteur récepteur mono-fréquence
1. Principe : application Go-No Go ou communication entre deux points.
Il s’agit de la version la plus basique du système. Le système répond
à une seule fonction, détecteur d’alerte pour un gaz ou un agent bio-
logique ou transmission d’information entre deux équipements. Cette
dernière application a été proposée par IBM dans les années 1980. Le
choix entre un émetteur CW ou impulsionnel dépend de l’application
pour laquelle deux familles se distinguent : qualité et télécommunica-
tions. Dans la famille qualité, les applications concernent la détection
de présence d’un défaut ou encore de la position relative du défaut dans
un plan XY perpendiculaire à l’objet. Ce niveau de système peut égale-
ment être employé pour sonder et quantifier la présence d’une molécule.
9. Applications des ondes THz 283
Dans la famille télécommunications, les applications sont la commu-
nication entre deux plates-formes, par exemple deux ordinateurs, ou
encore la distribution de programme multi-média à bord des avions.
Un système émetteur-récepteur compact est employé pour transmettre
une information d’un point A à un point B.
2. Exemple : illustrons notre propos précédent avec un exemple concret.
La technologie THz est complémentaire d’une analyse optique par le
fait qu’elle permet de déterminer la présence ou non de défauts à
l’intérieur d’un produit manufacturé ayant un packaging optiquement
opaque. Ce système pourrait être positionné en fin de chaîne de pro-
duction pour effectuer un contrôle qualité des biens manufacturés. Une
usine, qui fabrique des composants électroniques, pourrait contrôler la
conformité des « puces packagées » dans le but d’identifier les câblages
défectueux et de rejeter les puces concernées, cette sélection s’inscrivant
dans une perspective d’amélioration de la qualité de son processus de
fabrication.
La pièce à analyser contient une partie métallique ou un composé chi-
mique dont il convient de déterminer :
– la présence ou l’absence, cas de figure 1 ;
– la quantité, cas de figure 2.
(a) Pour le premier cas de figure, où il convient de déterminer la taille
du défaut, le procédé THz est bien adapté pour détecter des ob-
jets dont les dimensions sont proches des longueurs d’ondes THz,
millimétriques à sub-millimétriques. Le dispositif THz se compo-
sera alors d’un émetteur et d’un récepteur monofréquence dont
l’émission sera synchronisée sur la vitesse de défilement des ob-
jets à analyser. La distance entre l’émetteur et le récepteur est
de l’ordre de quelques mètres. L’ambiance peut comporter de la
poussière, les objets peuvent être à haute température, mais il
faudra éviter de se placer sur des raies d’absorption des molécules
d’eau.
Parmi les questions qu’il est nécessaire de se poser préalablement
à l’emploi d’une technologie THz, on notera :
– la taille de l’objet ;
– la nature de l’objet ;
– la position du défaut ;
– la taille du défaut ;
– le spectre connu ou inconnu en THz.
Si l’un de ces critères n’est pas validé, il sera nécessaire de re-
courir à un laboratoire expert pour identifier et mettre en place
la technologie THz. Une technique couramment employée pour
améliorer la probabilité de détection est de procéder à une dé-
tection différentielle par rapport à un échantillon de référence.
284 Optoélectronique térahertz
La présence d’un composé est détectée par la même méthode grâce
à sa signature spectrale.
(b) La quantité d’un composé peut être estimée par une méthode
globale : on vérifie le niveau de transmission de l’onde THz à
travers l’échantillon. Si le composé est unique, il est possible de
sélectionner une fréquence de détection particulière absorbée par
ce composé. L’amplitude du signal transmis est proportionnelle à
la quantité de matériau traversée.
Émetteur-récepteur impulsionnel + retard : la tomographie
1. Principe : un système impulsionnel équipé d’une ligne à retard permet
de réaliser un échantillonnage en temps équivalent. La différence entre
ce système et le précédent réside dans sa capacité à enregistrer la forme
temporelle de l’impulsion et les échos. Pour expliquer le principe de la
technique, faisons l’analogie avec le randonneur savoyard dans les sen-
tiers alpins qui souhaite évaluer la distance entre lui et la montagne qui
lui fait face. Il va chronométrer le temps mis par un écho de sa propre
voix pour lui parvenir. L’onde sonore de sa voix se propage puis se
réfléchit sur la première montagne. Connaissant le temps de parcours
et la vitesse du son, il devient possible d’estimer la distance. C’est ce
principe qui est employé dans le domaine THz, si ce n’est que le chrono-
mètre est remplacé par une ligne à retard étalonnée, et la vitesse du son
par la vitesse de la lumière dans le milieu de propagation. L’échantillon
à analyser se déplace devant le module émetteur récepteur. Le balayage
de la ligne à retard doit être plus rapide que la vitesse de déplacement
du produit à analyser. Ce système permet d’évaluer l’épaisseur d’un
objet par la mesure du retard introduit par la ou les couches de l’ob-
jet. On peut également citer les applications de la tomographie pour
reconstituer des objets en trois dimensions [292].
Fig. 9.4 – Reconstitution en trois dimensions (vue de gauche) d’un objet
(photo à droite) (d’après [292]).
9. Applications des ondes THz 285
2. Exemple : l’un des premiers exemples est celui où D. Mittleman à Rice
University montre les couches d’une disquette ou d’un stylo de marque
Bic enregistrées par sélection du temps de vol [293, 294]. Deux ap-
plications utilisent cette approche, à savoir déterminer la profondeur
d’un défaut et évaluer l’épaisseur d’une couche de peinture. Il est pos-
sible de sonder à l’intérieur du matériau en sélectionnant l’impulsion
ou l’instant qui correspond à la réflexion sur l’objet enfoui recherché.
Le système permet alors de détecter la position relative d’un défaut
dans l’épaisseur et d’en mesurer la distance par rapport à la surface.
L’approche impulsionnelle permet de réaliser un fenêtrage temporel.
Une version simplifiée du système consiste à choisir un retard fixe cor-
respondant au maximum de détection de l’objet. Si l’amplitude change,
cela signifie que l’objet à détecter n’est pas positionné au bon endroit.
Avec l’utilisation d’un système CW, le retard temporel permet de jouer
sur la phase de l’onde THz. En imaginant une modulation d’ampli-
tude basse fréquence du signal CW, avec un facteur de forme dans
le domaine de la microseconde, il devient alors possible d’appliquer
toutes les techniques couramment employées pour les radars. Seule la
fréquence porteuse positionnée dans le domaine THz est différente. Le
radar THz ouvre une opportunité également pour réaliser de la détec-
tion à distance d’objets de taille réduite. Le fonctionnement en CW
permet de positionner la fréquence THz émise dans la fenêtre atmo-
sphérique la plus adaptée au moment de la mesure. Si la portée est
privilégiée, la fréquence sera choisie en-dehors des raies d’absorption
de la vapeur d’eau. Une co-localisation de l’émetteur et du récepteur
permet d’envisager des techniques de détection dites hétérodynes. Ce
type de technique améliore le rapport signal sur bruit ; elle est couram-
ment employée dans le domaine de l’astrophysique.
Spectroscopie THz
1. Principe : en impulsionnel, il s’agit de réaliser des analyses dans le
domaine des fréquences en employant un module de traitement du si-
gnal réalisant une transformée de Fourier numérique du signal tempo-
rel enregistré. En fréquentiel, il faut réaliser un balayage en fréquence
du spectre THz. Les applications concernent la recherche de la nature
du matériau ou gaz constituant l’échantillon, dans ce cas il est né-
cessaire de travailler dans le domaine fréquentiel pour visualiser une
signature spectrale et la comparer à une signature de référence. L’iden-
tification d’une substance dans son milieu naturel pose la question de
l’interférence entre les signatures de composés parasites conduisant à
un brouillage de l’identification. Actuellement les travaux restent réa-
lisés en laboratoire. Une seule molécule est analysée à la fois. Deux
approches sont proposées :
286 Optoélectronique térahertz
– analyse numérique et corrélation numérique de la signature spec-
trale : traitement du signal numérique ;
– analyse analogique : méthode de gaz correlation (possibilité d’un sys-
tème avec un barillet de composé chimique élémentaire à détecter).
Les chercheurs se posent la question de la sélectivité de ces méthodes
de détection lors de l’utilisation dans un milieu naturel à pression am-
biante. Cette question fait l’objet d’étude dans les laboratoires ad hoc
et est présentée dans la section 19 du livre.
2. Exemple : l’approche retenue par l’université technique (TU) de Braun-
schweig permet de réaliser un détecteur de présence de défauts (mor-
ceaux de verre, de métal) dans les plaques de chocolat sans avoir à
réaliser une comparaison du spectre complet, ni une image complète
de la barre chocolatée. Le système THz pompe-sonde conventionnel est
simplifié à l’extrême [295] :
– il se compose de plusieurs faisceaux fonctionnant en parallèle ;
– il comprend le balayage d’une ligne à retard;
– il effectue la transformée de Fourier rapide ;
– il est basé sur un fenêtrage fréquentiel ;
– seule une fraction des fréquences du spectre est analysée ;
– il compare le signal obtenu avec l’amplitude d’un spectre de référence.
L’analyse du spectre de l’impulsion THz détectée montre qu’un mor-
ceau de métal produit une bosse dans le spectre tandis qu’un morceau
de verre produit un creux. En résumé, un simple balayage du retard et
une transformée de Fourier avec un traitement du signal ad hoc per-
mettent d’avoir une information rapide puisque la vitesse de défilement
du produit est de 1,8 m/s.
Le choix du système impulsionnel paraît le plus judicieux lorsqu’il s’agit
d’un instrument de mesure employé dans un laboratoire de recherche.
Il permet l’investigation du spectre dans le domaine THz de nombreux
échantillons. L’approche CW est possible, mais il faut parler alors de
systèmes dédiés. Le système sera dimensionné en usine pour la détection
d’un produit substance ou agent particulier. Afin de permettre une
levée d’ambiguïté quant à la détection d’un produit, il est possible
d’employer plusieurs systèmes CW en parallèle à plusieurs fréquences
spécifiques. L’approche de Woolard [296] montre que les fréquences
d’absorption du Bacillus subtilis sont de 0,327 et 0,421 THz. Pour ce
cas de figure, le système devra être accordable en longueur d’onde afin
de sonder successivement la première et la seconde fréquence du spectre.
Le système optoélectronique peut avoir une bande passante de quelques
dizaines de GHz permettant de résoudre des raies très proches comme
le montrent les travaux présentés dans le paragraphe 3.
9. Applications des ondes THz 287
Imagerie
On imagine aujourd’hui des systèmes à multi-détecteurs ou bien mono-
détecteur à balayage temporel. Parmi les applications entrevues, citons la car-
tographie d’un objet pour identifier la présence de défauts dans des domaines
aussi variés que l’industrie automobile, l’industrie pharmaceutique... Grâce
aux travaux de X.-C. Zhang sur l’imagerie avec une détection électro-optique
associant un cristal de ZnTe et une matrice CCD, ou encore avec le système de
balayage mécanique X-Y proposé en option par la société Picometrix, l’ima-
gerie THz a atteint un haut degré de maturité technologique. À tel point
que le sigle T-Ray est une marque commerciale de la société Picometrix. Les
premiers travaux dans ce domaine ont employé un système THz impulsionnel
associé à un balayage mécanique de l’objet, l’émetteur et le récepteur étant
fixes. Mittleman et Zhang ont démontré en 1996 la possibilité de réaliser une
sorte de caméra THz qui donne une image instantanée d’un objet. Du côté
des techniques CW, l’état de l’art montre principalement des systèmes avec
un balayage mécanique. Seule l’équipe de Q. Hu au MIT de Boston a réalisé
des images et même des films vidéo dans le domaine THz en éclairant la scène
à imager avec un laser QCL et en enregistrant l’image avec une matrice de
micro-bolomètres refroidis. Ces systèmes matriciels font actuellement l’objet
d’une recherche intense : matrices de micro-bolomètres ou encore systèmes
mono ou bi-chromatiques employant des matrices d’antenne et de mélangeur
pour réaliser une transposition. On citera aussi les résultats obtenus par la
société Qinetiq en Angleterre qui propose un système de détection de la pré-
sence de clandestins dans les semi-remorques à 35 GHz [297], et qui travaille
sur des portiques de sécurité à 94 GHz. L’imagerie THz bénéficie de toutes
les avancées faites dans le domaine des antennes radar. Les exemples les plus
marquants sont ceux employant des radars d’aide à l’atterrissage fonction-
nant à 94 GHz. La société Millivision Technologies situé à South Deerfield
(Massachusetts, Étas-Unis) est un leader dans ce domaine en proposant des
radars d’imagerie passive pour la détection d’armes cachées. Pour l’instant
le faible rendement de conversion de l’optoélectronique empêche le dévelop-
pement d’oscillateurs locaux ou de projecteurs THz puissants permettant
d’améliorer la sensibilité des récepteurs matriciels pour des gammes de fré-
quences supérieures à 300 GHz.
Imagerie + spectroscopie
1. Principe : c’est la plus évoluée des technologies THz, celle qui permet-
tra à terme non seulement d’avoir une image de l’objet mais également
de pouvoir identifier à l’intérieur de l’objet la nature des substances.
Il s’agit également du système le plus critique à mettre au point. Pour
réaliser une spectroscopie sur une image, le système pulsé, grâce à sa
flexibilité, est le plus en avance. Pour bien comprendre le niveau de
288 Optoélectronique térahertz
complexité de ce système, il faut travailler en trois étapes :
– acquisition d’une image avec identification par la forme d’un produit
suspect ;
– analyse par balayage du retard afin de reconstituer la forme tempo-
relle de l’impulsion;
– post-traitement numérique pour accéder au spectre.
Le niveau 5 est le plus complexe, mais il capitalise également les po-
tentialités du niveau 3 et du niveau 4 à savoir, permettre de réaliser
de la tomographie 3D par fenêtrage temporel. Le traitement du signal
appliqué sur l’image permet de déterminer la nature de la substance
présente.
2. Exemple :
– Détection de l’anthrax dans des enveloppes : l’application qui inté-
resse le plus les institutions en charge de la défense et de la sécurité
publiques concerne la capacité des THz à détecter de l’anthrax dans
une enveloppe postale. Le système THz doit réaliser une image de
l’enveloppe et détecter la présence de poudre suspecte. Ensuite il
est nécessaire de réaliser une analyse spectroscopique en un point
de l’enveloppe. Le spectre de la poudre est comparé à une banque
de données pour déterminer s’il s’agit de la signature de l’anthrax
ou non. Cette mesure sans contact évite d’avoir à manipuler l’enve-
loppe et permet une automatisation du traitement. Le procédé THz
permet de simplifier la prise en charge des enveloppes qui à l’heure
actuelle est manuelle. Les travaux de Teraview en collaboration avec
le HMGCC
1
montrent des résultats probants et un seuil de détection
de l’ordre de 1 à 2 g de matière [298].
– Détection de l’épaisseur d’une couche de matériau par analyse de
la phase : un système impulsionnel est employé à l’université de
Leeds [299] pour tester l’épaisseur ou la permittivité d’échantillon.
Alors que dans la plupart des systèmes une analyse temporelle est
réalisée, le laboratoire propose un traitement dans le domaine fré-
quentiel. Dans le domaine temporel, il s’agit de mesurer la différence
de temps donc de chemin entre deux impulsions. Par exemple pour le
cas d’une paroi comportant une couche unique, la première impulsion
est générée par réflexion sur la face avant et la seconde impulsion par
réflexion sur la face arrière. Pour le système développé à Leeds, une
série d’images de la paroi en fonction du temps est acquise. Ensuite
une transformation de Fourier est faite. L’opérateur sélectionne la
1
Her Majesty’s Government Communications Centre.
9. Applications des ondes THz 289
zone ou les pixels pour lesquels il souhaite déterminer la variation
d’épaisseur. Pour les pixels sélectionnés, il affiche la variation d’am-
plitude en fonction de la fréquence. L’épaisseur est trouvée en calcu-
lant la périodicité du spectre, en effet, lorsque la fréquence est égale à
N
c
2x
(N est un entier et x est l’épaisseur optique de l’échantillon), la
somme de l’onde incidente et de l’onde réfléchie conduit à des ventres
d’interférence.
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Chapitre 10
Familles d’applications THz
10.1 Introduction
À l’instar des autres domaines du spectre électromagnétique (rayons X,
infrarouge, visible), les ondes THz peuvent être employées dans presque tous
les secteurs de l’industrie. L’examen des publications recensées dans la lit-
térature ou au travers de l’expérience des laboratoires du domaine montre
qu’il est possible de définir cinq familles d’applications :
– contrôle qualité des chaînes de production;
– maintenance préventive ;
– sécurité défense ;
– télécommunications ;
– biologie et biomédical.
Ces cinq familles exploitent des systèmes qui partagent la même technolo-
gie et ne sont spécifiques à leurs secteurs d’activité que par la nature des
matériaux testés. Plusieurs sociétés se disputent actuellement le marché des
systèmes THz. Teraview en Angleterre dispose d’un système principalement
orienté vers l’analyse de composés ou de produits pharmaceutiques. La so-
ciété Tochigi-Nikon au Japon a développé un système réalisant la spectro-
scopie de wafers de semi-conducteur : cependant, elle a annoncé récemment
l’arrêt de ses activités commerciales dans le domaine. La société Aispec au
Japon produit des spectromètres THz (domaine temporel) dédiés aux ap-
plications industrielles. De même, une nouvelle société Kwele voit le jour
en France et compte se positionner sur le développement de plates-formes
de spectroscopie THz pour applications industrielles. La société américaine
Picometrix propose la gamme de produits la plus étendue. Au travers des
nombreuses publications, on s’aperçoit qu’il s’agit du système de spectrosco-
pie le plus employé par les laboratoires non spécialistes des semi-conducteurs
ou de l’optique. Ekspla, compagnie lituanienne, commercialise des spectro-
mètres dans le domaine temporel pour les laboratoires scientifiques. Enfin,
GigaOptics en Allemagne produit un appareil original basé sur l’emploi de
292 Optoélectronique térahertz
deux lasers de fréquences de répétition légèrement différentes qui éclairent
respectivement l’émetteur et le détecteur d’un spectromètre temporel. Cette
méthode permet de balayer temporellement l’impulsion THz sans recourir à
une ligne à retard mécanique, conduisant à l’obtention de spectres jusqu’à
3 THz en des temps d’acquisition très courts. Pour chacune de ces familles
il est possible d’employer des systèmes dont la complexité dépend de l’appli-
cation. Le degré de complexité du système varie en fonction de l’application
de la simple alerte à l’imagerie temps réel avec spectroscopie associée. La
description du niveau de complexité des systèmes fait l’objet de la section
suivante.
10.2 Contrôle qualité
10.2.1 Principe
Le contrôle de la qualité sur les chaînes de production, intervient à dif-
férentes étapes du processus de fabrication, il est un des domaines d’appli-
cations où les ondes THz se positionnent avantageusement par rapport aux
systèmes optiques. En effet, les systèmes THz permettent de contrôler l’in-
tégrité ou le positionnement d’un objet ou d’un circuit placé derrière une
surface opaque. Les ondes THz ne peuvent pas traverser les boîtiers métal-
liques, toutefois la tendance, au moins dans l’électronique, est d’employer
des boîtiers céramiques ou plastiques. Il devient possible de détecter des cir-
cuits électroniques, les pistes métalliques ou même l’intérieur des puces ; ce
type d’application montre clairement l’intérêt des ondes THz par rapport
aux dispositifs optiques.
Le développement de systèmes de plus en plus complexes allié à l’emploi
de la sous-traitance accrue dans l’industrie conduit à mettre en œuvre des
procédures de contrôle de la qualité toujours plus pointues au niveau des
moyens de production. Par exemple, dans le domaine de l’automobile, le
sous-traitant est responsable des défauts liés au composant qu’il fournit à
l’intégrateur pendant la période de garantie. Il en va de même pour tous
les secteurs de l’industrie où le « zéro défaut » est un objectif majeur et
les processus de qualité imposent des contraintes fortes. Compte tenu des
budgets mis en jeu lors de l’immobilisation d’une chaîne de production, si
les THz s’imposent dans l’industrie, cela pourrait se traduire par un bénéfice
important justifiant les investissements pour mettre au point des nouveaux
systèmes d’imagerie THz, ou pour réduire le coût des systèmes d’imagerie
actuels.
Le contrôle qualité dans le domaine THz s’appuie sur des systèmes dont
la complexité dépend de l’application. La plupart des interventions sur les
chaînes de production requièrent une imagerie en temps réel. L’image acquise
est comparée avec une image de référence pour trier les produits exempts de
défauts. Il est également envisageable d’employer la spectroscopie THz pour
la détection de substances nocives.
10. Familles d’applications THz 293
10.2.2 Exemple
Le domaine de l’automobile est un secteur qui a vu un grand nombre
d’essais de système THz dans le domaine de contrôle de la qualité :
– analyse de l’épaisseur de la peinture et du temps de séchage : l’ap-
port du système THz par rapport aux méthodes existantes est une
mesure sans contact. Il permet le contrôle précis de la transition phase
sec/mouillé, la mesure de l’épaisseur individuelle des multi-couches,
une cartographie rapide et applicable à des supports non métalliques.
Le système THz utilise la réflexion sur la carrosserie métallique pour
estimer par tomographie la valeur et l’uniformité de l’épaisseur de la
peinture. La différence de l’amplitude du signal THz et les fréquences
absorbées permettent également d’optimiser le temps de séchage de la
peinture [300] ;
– contrôle d’impacts à la surface de tôles d’acier : la résolution sub-
millimétrique des ondes THz offre la possibilité de détecter des micro-
défauts (trous ou bosses) qui peuvent être à l’origine de points de corro-
sion. Le contrôle de la qualité des processus de fabrication des produits
en acier manufacturés, comme les tôles employées pour l’automobile,
implique la détection des aspérités de petite taille comprises entre la
dizaine et la centaine de μm. L’avantage des THz, sur les autres sys-
tèmes de détection, réside dans les contraintes environnementales et la
nature du plan de réflexion. Lors de l’emploi d’un système d’acquisition
optique, le bruit spéculaire généré par la rugosité de la surface aux lon-
gueurs d’onde optique rend délicat l’identification des défauts. L’issue
de l’étude menée par l’équipe de H. Roskos à l’université de Francfort
montre qu’il est possible de détecter des aspérités proéminentes et des
creux avec un système THz [301].
Dans le domaine industriel, il existe également une demande très forte pour
tout ce qui concerne le contrôle non destructif ou le suivi de qualité. On citera
deux applications :
– mesure in situ d’additif dans les matériaux polymères : l’université
de T.U. Braunschweig a démontré qu’il était possible de contrôler le
pourcentage d’additif en mesurant par spectroscopie THz l’indice de
réfraction de plusieurs matériaux polymères comme le polyéthylène, le
polypropylène ou encore le polyamide [302] ;
– contrôle de la composition d’un acier en fusion : le contrôle de la pré-
sence d’impuretés dans l’acier en fusion est une mesure du plus grand
intérêt pour permettre de maintenir une qualité constante en temps
réel sans avoir à attendre que le métal ne refroidisse. La présence de
défauts nuit à la malléabilité et ductilité de l’acier. Les ondes THz
sont moins perturbées que les ondes visibles pour la réalisation de me-
sure à haute température (1 000 à 1 550

C). Malgré une forte atténua-
tion des ondes THz à haute température, car les matériaux en fusion
294 Optoélectronique térahertz
deviennent conducteurs, il a été mis en évidence qu’il était possible
de suivre l’évolution du carbone et de son processus de transformation
pour des températures supérieures à 800

C [303].
Recherche de défauts à l’intérieur de composants finis. Il serait
possible avec un système THz, placé en fin de chaîne de production, de contrô-
ler le positionnement et l’intégrité des systèmes fabriqués. Il est également
possible de vérifier le bon positionnement de résistances chauffantes, de venti-
lateurs et du câblage disposé à l’intérieur de sièges automobiles, par exemple.
Il est aussi possible de contrôler des circuits électroniques packagés, comme
par exemple une carte à puce [304]. La détection de défauts dans les cir-
cuits électroniques présente également un gros potentiel de diagnostics non
destructifs pour la technologie THz [305]. L’exemple présenté figure (10.1)
montre la détection d’un point chaud électromagnétique sur un circuit en-
dommagé.
Fig. 10.1 – Imagerie THz superposée à une image visible. Les zones claires
indiquent un champ électrique positif ou négatif pour un circuit normal (a)
et endommagé (b) (d’après [305]).
Cartographie du dopage de wafers de silicium. Le système de la
société Tochigi-Nikon [306] réalise une cartographie de la surface permettant
par absorption différentielle de quantifier la quantité de dopage du matériau.
Une autre technique basée sur l’effet Hall THz a été employée pour déterminer
la mobilité et la densité de porteurs. Le wafer est immergé dans un champ
magnétique DC, sous éclairement THz. Le courant Hall induit oscille et émet
une seconde radiation THz. Associée à un système d’imagerie THz, cette
méthode est employée pour déterminer sans contact la conductivité complexe
des semi-conducteurs [307]. Ces techniques sont des moyens de sélectionner
la qualité du wafer.
10. Familles d’applications THz 295
Ces exemples peuvent s’étendre à d’autres secteurs industriels comme les
domaines pharmaceutique et agroalimentaires :
– épaisseur du revêtement de comprimés : la société Teraview propose de
contrôler l’intégrité du revêtement de comprimés de médicaments. Le
système THz permet de réaliser une image rapide et non destructive de
la pilule. Le coefficient de pénétration étant de plusieurs millimètres,
il est possible de déterminer précisément l’épaisseur du revêtement de
protection et le cas échéant de rejeter les comprimés dont le revêtement
n’est pas intègre [308] ;
– dans le domaine de l’agroalimentaire, l’inconvénient des THz, à savoir
l’absorption de 90 % de la puissance par une couche de 100 μm d’eau,
devient un avantage pour le contrôle de l’humidité dans les produits
secs comme les graines de semence ou encore les produits surgelés. Il
est également possible d’employer la technologie THz et sa haute réso-
lution spatiale pour rechercher des parties métalliques, des morceaux
de verre ou de plastique de taille sub-millimétrique présents par erreur
dans des paquets fermés. Cette application adresse principalement l’ali-
mentation infantile où il est nécessaire de détecter tous types d’objets
nocifs dans les produits alimentaires. La seule contrainte concerne la
nature du produit à inspecter, il doit être sec pour être transparent
aux ondes THz ;
– identification d’objets nocifs dans les barres de chocolat : l’université de
Braunschweig en Allemagne a montré que la permittivité des amandes
et des noisettes est très proche de celle du chocolat ; l’analyse spec-
troscopique THz rend possible la différentiation avec des morceaux de
polystyrène, verre ou métal. L’avantage des THz par rapport aux tech-
niques conventionnelles, que sont les rayons X et les ultrasons, est res-
pectivement le caractère non ionisant et la transparence ou opacité
différentes par rapport au domaine X, et la capacité de réaliser une
mesure sans contact. Les ultrasons requièrent en effet un contact avec
un liquide adaptateur d’indice [295].
10.3 Maintenance préventive
10.3.1 Principe
Un autre domaine d’application des ondes THz repose sur leur capa-
cité à pénétrer des couches et à permettre la vision d’objets cachés. Les
ondes THz offrent ainsi la possibilité de réaliser une analyse volumique sans
contact des objets. Ces propriétés associées à la capacité de traverser des ma-
tériaux non métalliques ouvrent la voie à des applications dans le domaine
de la maintenance préventive. Le système sera sans doute un système por-
table qui permettra d’aller sur le terrain pour réaliser in situ l’analyse d’une
structure, ou encore pour détecter la présence d’une molécule. L’application
296 Optoélectronique térahertz
maintenance préventive tire partie des inconvénients des ondes THz à savoir
la réflexion sur des matériaux métalliques et l’absorption par l’eau. Ces dé-
fauts sont convertis en avantages : détection du métal et de la présence d’eau.
Ces deux propriétés sont des grandes voies potentielles d’application de la
technologie THz.
10.3.2 Exemples
Le domaine aéronautique est très demandeur en termes de maintenance
préventive non invasive :
– détection de bulles d’air dans des mousses : l’exemple le plus souvent
évoqué au sein de la communauté scientifique est celui de l’emploi des
THz pour découvrir l’origine de l’accident de la navette spatiale Colum-
bia en février 2003. Le laboratoire du Rensselaer Polytechnic Institute
a été en charge d’inspecter par tomographie THz T-RAY la mousse
recouvrant les bords d’attaque des ailes de la navette. L’onde THz a
permis de mettre en évidence des bulles d’air dans la mousse qui ont
pu être à l’origine de son décollement [290]. Il a noté que les bulles
d’air n’ont pas pu être localisées par les techniques conventionnelles
telles que les rayons X et les ultrasons. Dans le secteur aéronautique
à l’heure où les matériaux composites sont de plus en plus employés,
les ondes THz présentent un grand intérêt pour la détection de défauts
présents sous la couche de peinture : alvéoles ou fissures ;
– détection des points de corrosion : dans le domaine aéronautique et
automobile, les fréquences THz permettent la détection de la corrosion
sous la peinture. La corrosion sous la peinture n’est pas visible jusqu’à
ce que la peinture craquèle. L’identification des points corrodés est un
exemple typique de maintenance préventive qui permet d’identifier les
zones à réparer à moindre coût avant d’être confronté à des problèmes
structurels graves. Ce projet a conjointement était proposé et réalisé
par l’US Army et la Nasa [309].
Un autre secteur où la maintenance préventive est prépondérante est le sec-
teur du BTP :
– détection de fissures sous l’enduit dans le BTP : les ondes THz per-
mettent de détecter la présence de ruissellement ou de fissures en for-
mation masquées par le crépis protecteur sur des ouvrages d’art. On
notera également l’emploi potentiel pour la détection de canalisation
enterrée ou pour la détection de fil électrique dans des murs.
Dans le secteur de l’agriculture et de l’agroalimentaire, les THz trouvent
également des applications variées :
– détection de l’âge et de l’intégrité d’un arbre : les ondes THz peuvent
également être employées pour déterminer l’âge d’un arbre en détec-
tant les impulsions réfléchies sur les cernes, les couches concentriques
présentes à l’intérieur du tronc. Les changements de structures liées à
10. Familles d’applications THz 297
la périodicité des saisons créent des cercles concentriques dans le tronc.
Ils sont autant de réflecteurs potentiels pour les ondes THz. Le même
système sera employé pour déterminer la présence de cavités dans le
tronc de l’arbre. Dans ce même secteur d’activité, l’utilisation des THz
pour la détection des termites dans les charpentes en bois pourrait être
une voie d’avenir pour les THz ;
– régulation de l’irrigation des champs cultivés : les ondes THz peuvent
également bénéficier à l’industrie agricole par un contrôle non destructif
du flux d’eau dans les feuilles des plantes. Les études laboratoires ont
montré l’extrême sensibilité du système THz à la teneur en eau, ce
paramètre est un marqueur incontournable pour anticiper le stress des
végétaux. Le système THz devient alors une aide pour la régulation de
l’irrigation des plantes [310] ;
– teneur en eau des viandes emballées sous vide : toujours basée sur
le même principe, la sensibilité extrême des THz à la teneur en eau
présente un intérêt certain pour l’industrie agroalimentaire. On imagine
le contrôle qualité des produits en réalisant une surveillance de la teneur
en eau des tranches de viande emballées sous vide.
10.4 Sécurité et défense
10.4.1 Principe
Nous avons choisi de regrouper dans un même paragraphe les applications
de sécurité et de défense car nous voyons, depuis le 11 septembre 2001, une
convergence des besoins en moyens de reconnaissance à distance. D’énormes
budgets ont été alloués au domaine de l’Homeland Security, notamment aux
États-Unis, pour équiper les aéroports avec des portiques de sécurité inté-
grant différentes technologies, détecteurs de métaux et rayons X. Les rayons X
gardent le leadership sur ce secteur d’activité, toutefois il est envisageable
que les THz viennent en technologie complémentaire pour aider à la détec-
tion d’explosifs ou d’armes céramiques. Pour ce qui est du domaine de la
défense, un besoin croissant se fait sentir pour la détection et l’identification
à distance d’armes, d’explosifs, d’engins explosifs improvisés ou encore de
molécules bactériologiques et chimiques.
10.4.2 Exemples
Dans le domaine de la sécurité, on distinguera deux domaines de détection
à distance, la détection proche (< 3 m) et la détection lointaine (> 3 m) :
– détection proche : la détection proche concerne plus particulièrement
les portiques d’accès dans les aéroports. Plusieurs consortiums dans le
monde travaillent à la mise au point et à l’évaluation de la technolo-
gie THz pour les portiques de sécurité dans les zones aéroportuaires.
298 Optoélectronique térahertz
Il s’agit de détecter des explosifs sur des voyageurs ou dans des bagages ;
– détection à distance : la détection à distance concerne la sécurité des
points de contrôle (check-point) pour lesquels il est nécessaire de dé-
tecter le plus loin possible la présence d’un individu dissimulant des
explosifs [298]. Un second objectif est d’employer un système d’image-
rie THz suffisamment sensible pour la surveillance de lieux publics, et
notamment l’identification au milieu d’une foule d’une personne por-
tant une arme ou des explosifs. Lors de la surveillance de lieu public,
notamment lors de manifestations, il apparaît des contraintes de ra-
pidité de traitement d’image, de sensibilité et de résolution liées à un
emploi en milieu diffus. Il peut y avoir non seulement des réflexions
sur des surfaces qui viennent perturber la détection, mais également
la présence de composés chimiques sous forme d’aérosols qui complexi-
fient l’analyse du spectre. Pour l’instant, la dispersion effective des
ondes THz par des particules de la classe du micron comme les pous-
sières, le pollen ou la fumée, est considérée comme négligeable, mais
demeure un sujet d’étude.
De nombreux laboratoires se sont intéressés à la caractérisation des explosifs
dans le domaine THz :
– spectre des principaux explosifs : des travaux ont été menés pour dé-
montrer l’utilisation [287] des THz pour la détection à distance d’armes
et d’explosifs. Une image THz de la personne montrera les épaisseurs
de vêtement ainsi qu’une réflexion sur l’objet recherché, et la peau de la
personne apparaît sur l’image de couleur sombre, voir la figure (10.2).
Les laboratoires ont mis en évidence que les explosifs C-4, HMX, RDX,
TNT présentent tous des signatures spectrales dans le domaine THz qui
permettent de les distinguer d’autres matières comme les vêtements,
les pièces de monnaie ou la peau. Il a été noté que le spectre d’absorp-
tion du RDX reste identique même lorsqu’il est mélangé à une matrice
pour devenir du C4. Un travail du même type a été mené par la société
Teraview pour la détermination du spectre THz des explosifs les plus
connus. L’originalité de l’approche de Teraview réside dans l’utilisation
d’un système travaillant en réflexion afin d’être plus proche de la réa-
lité. À l’aide du « TPI Scan Imaging System », Teraview a inspecté des
échantillons de RDX. Cet explosif présente une raie d’absorption aux
alentours de 300 GHz. La granulosité du produit ne perturbe pas les
mesures [311] ;
– spectre des textiles : d’autres laboratoires se sont intéressés à la trans-
mission des ondes THz à travers les fibres textiles employées dans l’ha-
billement et dans la fabrication des bagages. Les résultats montrent que
toutes les fibres textiles sont assez transparentes pour des fréquences
inférieures à 300 GHz. Il est à noter le cas particulier de la laine qui pré-
sente une atténuation relative plus importante que les autres textiles
10. Familles d’applications THz 299
Fig. 10.2 – Imagerie THz d’une lame de rasoir dont la partie basse est cachée
sous un vêtement (d’après [313]).
alors que sa densité est la moins forte du lot. Ainsi même si les me-
sures sont « faciles » à réaliser, les interactions THz-matière demeurent
complexes à expliquer [312].
Pour implémenter de tels systèmes, il existe deux approches THz avec
imagerie passive ou THz avec imagerie active :
– imagerie passive : pour l’imagerie passive, le principe repose sur une
mesure du contraste de température ou d’émissivité entre l’objet à
détecter et le porteur. Il est requis une matrice de détecteurs très sen-
sibles ;
– imagerie active : il est requis de développer une source de rayonnement
qui éclaire la scène à imager et une matrice de détecteurs suffisam-
ment sensibles pour étudier le contraste entre la réflexion sur l’objet à
détecter et la réflexion sur le corps de la personne.
Pour les applications relatives à la défense, nous recensons la surveillance de
zone et la détection de substances toxiques. L’objectif de tous les acteurs de la
sécurité et de la défense est de disposer d’un détecteur portable : compact, ra-
pide, détecteur multicomposants (explosif, gaz, drogue, voire même détection
d’agent biologique) pouvant travailler à distance. La maturité technologique
ne permet pas encore de développer ce type de système, ce qui laisse là-encore
des pistes de recherche pour les laboratoires académiques et privés. Dans le
domaine de la sécurité et de la défense, l’emploi des ondes THz conduit à des
systèmes de surveillance complémentaires à ceux existant aujourd’hui. Leur
principal avantage, qui reste toutefois un défi pour les chercheurs, réside dans
la capacité d’identification des substances.
300 Optoélectronique térahertz
10.5 Télécommunications
10.5.1 Principe
La société de l’information dans laquelle nous vivons doit faire face à une
demande grandissante du débit des échanges d’information. Pour les trajets
longues distances, les transmissions optiques au travers des fibres optiques et
le multiplexage des longueurs d’onde permettent d’atteindre en laboratoire
des débits supérieurs à 10 TeraBits par seconde. Pour les télécommunications
de courte portée, assurées à l’heure actuelle par les technologies Bluetooth
et WIFI, leur saturation pourrait se produire à terme si tous les appareils
sont interconnectés, de l’ordinateur multimédia multifonction au lave-linge
en passant par les applications de domotique.
Quid du THz dans la maison et au bureau? L’augmentation conjuguée
des débits des transmissions de données numériques entre ordinateurs et la
densité électromagnétique dans la bande 0,5 à 6 GHz montrent que le do-
maine THz pourrait être une solution pour résoudre ces deux problèmes.
L’augmentation de la fréquence porteuse est une des possibilités couramment
employées pour permettre l’accès du plus grand nombre au plus haut débit.
Par exemple, la fréquence des téléphones portables est passée de 900 MHz
pour le GSM classique à 1 800 MHz pour le GPRS et l’UMTS de troisième
génération. Le concept de radio sur fibre combine la transmission haut débit
sur fibre optique et le rayonnement d’une station de base vers les usagers à
des fréquences de plusieurs dizaines de GHz (22 GHz pour le LMDS, 40 GHz
voire 65 GHz pour la radio sur fibre). Si l’on se projette sur le long terme,
les fréquences THz seraient une solution pour établir des transmissions haut
débit entre des points fixes.
Une autre facette de la problématique Télécommunications concerne l’uti-
lisation de l’optoélectronique THz dans les circuits rapides pour traiter les
signaux numériques haut débit, ainsi que les applications d’échantillonnage
électro-optique de signaux analogiques. Ce second aspect de l’emploi des
THz dans les systèmes de télécommunications est donc relatif au traitement
du signal. L’augmentation du débit génère des flots d’information qu’il est
nécessaire de traiter, ce qui implique le développement de circuits qui tra-
vaillent à des fréquences plus rapides que le débit à traiter. À l’heure actuelle,
le problème du traitement des données a été résolu avec une parallélisation
massive et un multiplexage temporel de l’information. Ces très hauts débits
n’existent qu’en optique, mais pas dans le domaine électrique. Pour les mêmes
raisons que celles évoquées ci-dessus, le débit en sortie des transducteurs
optique/électrique a progressivement augmenté en passant de 2,5 Gbit/s à
10 Gbit/s, puis 40 Gbit/s et 100 Gbit/s dans le futur. Le prélèvement de
trains de données binaires requiert des circuits de commutation ultrarapides
fonctionnant dans le domaine du THz. Il devient nécessaire de détecter les
signaux en sortie des convertisseurs optique/électrique avec des circuits ayant
10. Familles d’applications THz 301
des temps de réponse au moins 10 fois plus rapides que le débit. Ces circuits de
type commutateur réalisent une fonction de routage pour orienter les paquets
de données. Les laboratoires impliquées dans le domaine du THz travaillent
sur la caractérisation des structures de propagation, des filtres, des commu-
tateurs et des éléments actifs futurs composants clés de l’électronique THz.
Néanmoins, la conception d’amplificateurs THz reste un challenge pour les
chercheurs.
L’échantillonnage en temps équivalent et les moyens optoélectroniques de
mesure des impulsions THz trouvent un débouché naturel dans les télécom-
munications haut débit et l’électronique ultrarapide. De l’échantillonnage
photoconductif à l’échantillonnage électro-optique en passant par l’échan-
tillonnage par effet Franz-Keldysh, les techniques optoélectronique THz se-
ront à l’origine des têtes d’échantillonnage des moyens de mesure de demain.
10.5.2 Exemples
Le système de communication THz allie les avantages des deux tech-
nologies que sont l’optique et l’électronique. Elles sont toutes les deux ac-
tuellement employées pour les liaisons de données de proximité à savoir en
optique les communications de proximité entre ordinateurs, liaisons infra-
rouge (IR Data) et les communications entre immeubles. La qualité de ce
type de transmission dépend fortement des conditions atmosphériques. Les
THz présentent également l’avantage sur l’optique de pouvoir communiquer
à travers des parois non métalliques, ce qui est le cas dans de nombreux im-
meubles modernes ou plates-formes de transport de type gros porteur. Une
comparaison des ondes THz avec les systèmes de communications de type
BlueTooth ou WIFI montre qu’il serait possible d’augmenter le débit par
l’utilisation d’une fréquence porteuse plus élevée, et également d’assurer des
liaisons point-à-point dédiées, ce qui est synonyme de sécurité accrue :
– communication inter plates-formes : le laboratoire Microsystem Inte-
gration de NTT a démontré la faisabilité d’une liaison sans fil em-
ployant les ondes sub-THz à 120 GHz entre une caméra haute défini-
tion et une station de base située dans un bâtiment. Une démonstration
sur le terrain de la transmission de 6 canaux de télévision haute défi-
nition a été faite par temps de pluie. Le débit maximum atteint est de
10 GB/s pour une portée de 1 km. Ce débit est conforme aux normes
de télécommunication 1394/802.15. Les émetteurs sont équipés d’un
système laser émettant un peigne de fréquences. Un système optique
permet de sélectionner 6 couples de 2 fréquences. L’espacement entre
les fréquences correspond à la fréquence porteuse du signal radioélec-
trique émis. Un modulateur optique est employé pour moduler un des
faisceaux optiques directement avec les signaux numériques, modula-
tion de type ASK. Un photomélangeur couplé à une antenne détecte
302 Optoélectronique térahertz
puis rayonne le signal millimétrique. L’objectif de ce laboratoire est
d’augmenter la fréquence porteuse autour de 240 GHz puis 300 GHz
afin d’atteindre des débits de l’ordre de 20 GB/s [314].
Comme il a été indiqué précédemment, les fréquences THz ne se propagent
pas très bien dans l’atmosphère à cause de l’atténuation liée à l’absorption par
la vapeur d’eau. Cet inconvénient pour la détection à distance peut devenir un
avantage pour assurer la confidentialité des communications sur un périmètre
donné.
Le dernier avantage de la technologie THz est toujours lié à sa fréquence
élevée qui permettrait de développer des systèmes haut débit en évitant les
problèmes de compatibilité électromagnétique rencontrés à bord des avions et
ou des moyens de transport terrestre. Par exemple, le câblage des avions gros
porteurs, de type A380, est un problème dont la complexité augmente pro-
portionnellement aux fonctionnalités associées avec chaque siège. La volonté
de fournir le maximum de service au travers de l’In Flight Entertainment
pousse à augmenter les débits et à le passer en câble coaxial haut débit blindé.
Une solution serait d’employer une distribution du signal par WIFI, toute-
fois l’interaction avec les commandes de vols électriques pose un problème
de compatibilité électromagnétique. Le THz pourrait être une solution pour
la distribution haut débit d’information vers chaque siège, d’autant plus que
les parois d’un avion sont le plus souvent en matériau composite transparent
dans cette gamme de fréquence
10.6 Biologie et biomédical
10.6.1 Principe
Dans le domaine des diagnostics biomédicaux, la forte absorption THz de
l’eau joue un rôle central, qui limite fortement la profondeur de pénétration
du rayonnement. Les principales applications consistent en des examens de
surface, en particulier la peau et les dents. D’un autre côté, la sensibilité
à l’eau peut être utilisée pour l’étude de l’hydratation des tissus. Ainsi les
applications d’imagerie biomédicale s’orientent vers l’étude des cancers de la
peau, de la détection des caries dentaires, et du diagnostic des brûlures. Des
études plus fondamentales concernent également la spectroscopie des molé-
cules biologiques, et en particulier de l’ADN. Les fréquences THz reflètent les
vibrations basse fréquence des hélices constituant l’ADN, qui sont modifiées
lorsque l’ADN change de conformation. La détection de ces modifications est
mise à profit pour développer de nouvelles générations de puces à ADN. La
détection du glucose sanguin ou de l’acide urique est également à l’étude.
10. Familles d’applications THz 303
10.6.2 Exemple
L’imagerie de la peau, et en particulier du cancer de la peau, a été l’un
des premiers sujets d’étude biomédicale mettant en jeu des ondes THz [282].
Comme le montre la figure (10.3), les THz offrent la possibilité de détecter des
tumeurs non visibles dans le domaine optique. Une autre application concerne
la détection de cancers de la peau. Avec un système d’endoscopie, il sera
également possible de visualiser des cancers de l’œsophage et de l’intestin.
Fig. 10.3 – Comparaison d’une image visible (gauche) de tissus sains et
malades, avec une image THz (droite). Au milieu, les histogrammes corres-
pondent à l’absorption THz moyenne dans différentes zones saines et malades
(d’après [282]).
Par ailleurs, toujours dans le domaine médical et concernant la peau, il a
été proposé de réaliser une imagerie THz des personnes brûlées. Actuellement
il est nécessaire de retirer les pansements de la surface de la plaie pour évaluer
la cicatrisation. Avec l’aide des THz, il deviendrait possible de sonder et
d’imager au travers des pansements. Des recherches ont été menés en se sens
en Australie [315].
Les dents, du fait de leur faible teneur en eau, ont également été beaucoup
étudiées. Il s’agit de détecter la présence de caries à la surface de la dent. La
teneur en eau de la carie étant différente de celle de la dentine, il serait pos-
sible de localiser la carie sans avoir recours à une radiographie par rayons X.
Pour l’instant, les tests n’ont été pratiqués qu’ex vivo et, dans ce cas de fi-
gure, le taux d’humidité n’est pas représentatif de la réalité, conduisant à un
débat entre spécialistes sur la faisabilité pratique de cette méthode.
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Chapitre 11
Détection et quantification
de gaz en THz
11.1 Introduction
Depuis quelques années, les pouvoirs publics sous la pression de la po-
pulation et d’associations engagent de nombreuses actions afin d’améliorer
et/ou de préserver notre cadre de vie. En particulier, la pollution atmosphé-
rique devient l’une des inquiétudes principales en termes d’environnement
et de qualité de vie. Des opérations d’information et d’alerte à la pollution
atmosphérique, pour l’ozone par exemple, sont désormais bien établies dans
de nombreux pays. Des normes concernant la qualité de l’air ont été définies
mais restent cependant limitées à un nombre fort restreint de substances.
La nécessité de réduire la pollution atmosphérique a également poussé de
nombreux gouvernements à prendre des mesures visant à limiter les émis-
sions polluantes. D’importants protocoles internationaux ont été signés dont
le dernier (protocole de Kyoto) traite des rejets de gaz à effet de serre. Dans
ce cas particulier, les signataires s’engagent à ramener leur émission de gaz
à effet de serre à leur niveau de 1990. À l’exception des États-Unis, toutes
les grandes puissances économiques ont ratifié ce texte, ce qui montre désor-
mais une réelle prise de conscience sur la nécessité de réduire les émissions
de polluants pour préserver notre cadre de vie. Il est à noter que des sub-
stances même à l’état de traces (de l’ordre du ppm) restent malgré tout fort
impliquées dans de nombreux processus physico-chimiques de l’atmosphère.
C’est ainsi qu’on estime que les chlorofluorocarbones (CFC) en quantité fort
réduite (environ 3 ppb
1
) contribuent pour 8 % à l’effet de serre.
Toute action de prévention ou de maîtrise des pollutions exige une bonne
connaissance des rejets et de leurs impacts sur l’homme et son environne-
ment. Pour cela, une caractérisation et une quantification des émissions de
polluants sont nécessaires, problèmes pour lesquels il n’existe pas de solution
1
1 ppb = une mole parmi un milliard.
306 Optoélectronique térahertz
unique. Les polluants les plus classiques (oxydes d’azote et de soufre) sont
classiquement détectés dans l’ultraviolet, par sondage de transitions élec-
troniques (LIDAR). En revanche, les développements récents montrent que,
concernant la classe très importante des composés organo-volatils (COV),
les meilleures opportunités se situent dans l’infrarouge moyen où les spectres
de vibration de ces espèces sont très intenses. Pour de nombreuses autres
substances, les techniques restent à imaginer. Pour des raisons déjà large-
ment évoquées dans les précédentes parties de cet ouvrage, le domaine des
ondes THz reste peu exploité. Pourtant, une immense variété de molécules
d’intérêt atmosphérique possèdent des transitions de rotation/vibration d’in-
tensité suffisante pour permettre leur détection à l’état de trace. De nombreux
composés volatils se trouvant dans l’atmosphère sont des molécules relative-
ment légères, comportant peu d’atomes et donc susceptibles de présenter
un spectre de rotation dans la région THz si elles ont un moment dipolaire
permanent. La légende rapporte que le groupe de Gordy, lors du dévelop-
pement des premiers radars durant la seconde guerre mondiale, a détecté
de façon accidentelle l’ammoniac (NH
3
) au-dessus de la rivière Colombia.
Émetteur et détecteur étaient placés de part et d’autre de la rivière, le signal
disparaissait à chaque passage d’une péniche poubelle. Il s’agit fort probable-
ment de l’une des premières détections d’un polluant dans le domaine THz
(ou plutôt sub-THz) par spectroscopie d’absorption. L’intérêt de ce domaine
de fréquence est que l’on est capable d’obtenir des signatures extrêmement
claires, au moins à faible pression, des différents gaz composant un mélange
ce qui n’est pas forcément le cas en infrarouge où les largeurs Doppler sont
beaucoup plus importantes et peuvent de fait diminuer la sélectivité de la
méthode d’analyse. Dans le principe, le domaine THz offre une ex-
cellente sélectivité. D’autre part la longueur d’onde du rayonnement THz
(100 μm-300 μm) doit permettre de détecter des gaz dans des environnements
hostiles (brouillard, aérosols, fumées...). Enfin, la détection de polluants par
des méthodes optiques permet de réaliser une surveillance par prélèvement
mais également à distance (remote sensing) ou même in situ.
Une autre application extrêmement importante de la spectroscopie est la
radioastronomie. L’espace interstellaire était considéré, jusqu’au milieu du
vingtième siècle, comme un milieu très hostile pratiquement vide de molé-
cules. La mise en service des premiers radiotélescopes (d’abord en longueurs
d’onde centimétriques puis millimétriques) a permis de détecter, contraire-
ment aux prévisions, de nombreuses molécules rassemblées dans des nuages
interstellaires. Et il est rapidement apparu qu’une chimie complexe existait
dans ces nuages.
L’analyse des spectres en radioastronomie permet de préciser les condi-
tions physico-chimiques (composition, densité, température, champ magné-
tique, vitesse...) du milieu interstellaire. Ce travail a déjà permis une meilleure
connaissance de certains problèmes de la chimie organique mais le principal
11. Détection et quantification de gaz en THz 307
intérêt provient du fait que les étoiles naissent de ces nuages moléculaires.
De ce fait, la radioastronomie est un instrument essentiel pour étudier la cos-
mogenèse. Un autre aspect, également très important, est l’exobiologie : une
connaissance plus approfondie de la formation et de l’évolution des molécules
du cosmos permettrait une meilleure compréhension des origines de la vie.
Pour détecter sans ambiguïté la présence d’un composé, il est nécessaire
d’avoir à sa disposition une source de rayonnement suffisamment puissante
certes mais présentant également des caractéristiques assez contraignantes
parmi lesquelles :
– accordabilité la plus large possible pour une quantification multipol-
luants et éviter les erreurs d’identification;
– pureté spectrale bien meilleure (plus petite) que la largeur de raie que
l’on souhaite observer et quantifier ;
– jitter (instabilités de fréquence) suffisamment faible pour rester dans
les conditions énoncées ci-dessus pendant le temps d’acquisition;
– bonne métrologie de fréquence pour éviter toute ambiguïté sur le pol-
luant détecté ;
– dynamique de mesure importante pour pouvoir mesurer des espèces en
faible ou en importante concentration;
– facilité de mise en œuvre et maintenance réduite.
Dans le domaine THz, les seules sources disponibles jusqu’au début des an-
nées 1990 étaient encombrantes, difficiles à utiliser, peu fiables et deman-
daient un personnel en nombre et compétent pour fonctionner. Depuis, avec
l’essor des conversions optoélectroniques pour la génération et/ou la détection
d’onde THz souligné dans les précédentes parties de cet ouvrage, la situation
mérite d’être « revue ». Nous présenterons dans la suite quelques complé-
ments à la partie spectroscopie pour comprendre les méthodes utilisées dans
la détection et la quantification de polluants et nous illustrerons le propos
par l’analyse en onde THz d’un milieu hostile (en termes de diffusion) qu’est
la fumée de cigarette. Enfin, nous détaillerons la spécificité des expériences
pour les applications envisagées dans ce chapitre.
11.2 Détermination des concentrations
par spectroscopie
Nous avons vu (page 47) que l’intensité du rayonnement traversant une
distance L de gaz était régie par la loi de Beer-Lambert :
I = I
0
e
−α L
(11.1)
où α est le coefficient d’absorption du gaz traversé et I
0
est l’intensité initiale
du rayonnement.
308 Optoélectronique térahertz
Si l’on considère une absorption à la fréquence ν
0
correspondant à la
transition d’un niveau d’énergie E
i
vers un niveau E
j
, nous pouvons exprimer
le coefficient d’absorption α par :
α(ν) = S

g(υ −υ
0
) (11.2)
où S

est la force de raie et g(υ −υ
0
) est la forme de raie (Lorentz, Doppler,
Voïgt...). Le coefficient S

est donné par :
S

= N

2
ΔN
if
3hcε
0

ij
[
2
ν
0
(11.3)
où ΔN
if
est la différence relative de population entre les états E
i
et E
j
, N
est le nombre de molécules par unité de volume de gaz absorbant, μ
ij
est
l’élément de matrice du moment dipolaire qui couple les états E
i
et E
j
. Pour
une molécule linéaire comme OCS par exemple, si les transitions qui nous
intéressent sont des transitions de rotation, la différence de population ΔN
if
est donnée par le quotient :
ΔN
if
=
e
−E
J+1
/kT
−e
−E
J
/kT


n=0
(2n + 1)e
−E
n
/kT
(11.4)
avec E
J
= hBJ(J + 1) et E
n
= hBn(n + 1). La somme au dénominateur se
réduit à
kT
hB
et la fonction de partition s’écrit :
ΔN
if
=
hB
_
e
−E
J+1
/kT
−e
−E
J
/kT
¸
kT
(11.5)
La force de raie telle qu’elle a été définie plus haut dépend bien évidemment
de la température et des niveaux d’énergie considérés mais également du
nombre de molécules par unité de volume du gaz absorbant. C’est la raison
pour laquelle on utilise plus volontiers l’intensité de raie qui ne dépend plus
de N. C’est le cas par exemple dans les bases de données comme HITRAN.
Par définition, l’intensité de raie est donnée par :
S =
_

0
α(ν)
N
dν =
S

N
_

0
g(ν −ν
0
)dν (11.6)
Dans le cas qui nous intéresse ici de détection et de quantification de polluants
dans l’air et en THz, nous sommes en présence de molécules légères avec des
pressions fortes et des fréquences modérées. Le profil de raie adapté est un
profil de Lorentz :
g(ν −ν
0
) =
Δν
L
π
_
(ν −ν
0
)
2
+ Δν
2
L
_ (11.7)
11. Détection et quantification de gaz en THz 309
L’intensité de raie s’exprime alors très simplement en fonction de la force
de raie
2
:
S =
S

N
(11.8)
On peut donc modéliser la transmission de l’intensité du faisceau à travers
le gaz par la fonction suivante :
I = I
0
e

S

×L
π
Δν
L
(ν−ν
0
)
2
+Δν
2
L
= I
0
e

S×N×L
π
Δν
L
(ν−ν
0
)
2
+Δν
2
L
(11.9)
En toute rigueur, si l’intensité de raie est connue ainsi que la longueur d’in-
teraction, il suffit, pour obtenir le nombre de molécules par unité de volume,
d’effectuer un ajustement non linéaire sur le modèle ci-dessus avec les para-
mètres d’ajustement :
– S N L intensité de raie multipliée par le nombre de molécules par
unité de volume et par la longueur d’interaction matière-rayonnement ;
– Δν
L
demie-largeur à mi-hauteur de la transition;
– ν
0
fréquence centrale de transition.
La figure (11.1) donne un exemple d’ajustement non linéaire sur un modèle
où l’on tient compte de plusieurs raies d’absorption :
I (ν)
I
0
= exp



NLS
1
Δν
L1
π
_
(ν −ν
01
)
2
+ Δν
2
L1
_ −
NLS
2
Δν
L2
π
_
(ν −ν
02
)
2
+ Δν
2
L2
_ −. . .


(11.10)
2
Dans le cas d’un profil de Lorentz, l’intensité de raie s’exprime par :
S =
S

N
_

0
g(ν −ν
0
)dν =
S

N
_

0
Δν
L
π
_
(ν −ν
0
)
2
+ Δν
2
L
¸ dν
Si on pose X = ν −ν
0
, l’intensité de raie devient :
S =
S

N
Δν
L
π
_

−ν
0
dX
[X
2
+ Δν
2
L
]
⇒S =
S

N
Δν
L
π
_
1
Δν
L
arctan
_
X
Δν
L
__

−ν
0
=
S

πN
_
π
2
−arctan
_
−ν
0
Δν
L
__
De plus, si ν
0
Δν
L
, alors arctan
_
−ν
0
Δν
L
_
≈ −
π
2
et
S ≈
S

πN
_
π
2
+
π
2
_
=
S

N
.
310 Optoélectronique térahertz
−3000 −2000 −1000 0 1000 2000 3000
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
OCS J=70 P = 8.3 mBar
ν−ν
0
MHz
−3000 −2000 −1000 0 1000 2000 3000
−0.1
−0.05
0
0.05
0.1
ν−ν
0
MHz
e
r
r
e
u
r

r
e
l
a
t
i
v
e
Fig. 11.1 – OCS : état fondamental bande ν
2
autour de 849 GHz, J = 70
(Intensité en unités arbitraires, la courbe continue est calculée).
11.3 Exemple de la fumée de cigarette
La fumée de cigarette est un milieu très complexe car constitué de plus
de 4 000 composés en phase gazeuse ou sous forme d’aérosols, parfois forte-
ment réactifs et pouvant passer d’une phase à l’autre. Il s’agit d’un milieu
fort diffusant qui n’affecte que peu la propagation d’un rayonnement THz.
De nombreuses techniques analytiques telles que la spectroscopie de masse
et la chromatographie sont couramment utilisées pour étudier la fumée de
cigarette mais nécessitent le plussouvent un échantillonnage, une capture et
11. Détection et quantification de gaz en THz 311
une transformation du gaz ciblé. Des expériences par spectroscopie d’absorp-
tion dans le proche infrarouge sont également possibles, notamment en tirant
profit de diodes laser. Leur accordabilité réduite nécessite le plus souvent une
diode laser par molécule ciblée.
L’objet de ce paragraphe est de souligner l’intérêt des ondes THz pour
sonder un milieu hostile, c’est-à-dire opaque ou fortement diffusant à des
longueurs d’onde plus courtes.Deux spectromètres THz ont été utilisés, l’un
impulsionnel (THz-TDS), l’autre continu (photomixing), tous deux décrits
dans les chapitres 2 et 3.
La figure (11.2) présente le spectre de transmission de la fumée de ciga-
rette entre 400 GHz et 1 200 GHz à une pression d’environ 800 mbar. On
y distingue plusieurs raies d’absorptions dont les plus intenses sont dues à
la vapeur d’eau naturellement présente dans l’atmosphère mais également
résultat de la combustion de la cigarette. Au-delà de 1 100 GHz, la super-
position de plusieurs transitions intenses rend toute discrimination difficile.
On remarque également une structure répétitive caractéristique d’une molé-
cule linéaire. Chaque transition est séparée d’environ 44 GHz permettant de
les attribuer à la molécule de cyanure d’hydrogène (HCN). Il est également
représenté en pointillé, un spectre simulé de cette même espèce en concen-
tration de 180 ppm. Malgré la résolution insuffisante du spectromètre, une
première estimation de la quantité de cyanure d’hydrogène peut ainsi être
obtenue. Ce résultat doit en revanche être conforté par des mesures à plus
haute résolution. D’autres raies beaucoup moins intenses sont dues au mo-
noxide de carbone (CO), pourtant réputé être en forte concentration. C’est
son moment dipolaire, 27 fois plus faible, qui rend sa détection plus délicate
à ces fréquences.
Ces premières observations doivent être affinées par des mesures avec une
meilleure résolution spectrale pour obtenir le profil exact des transitions sous
étude, caractéristique de leur concentration. Un spectromètre continu, basé
sur le photomélange est alors employé.
La figure (11.3) montre un spectre haute résolution réalisé autour de
1 239 GHz et correspondant à la transition de rotation J = 14 ←13 de HCN.
Il a été obtenu en remplissant une cellule de longueur 128 cm de fumée de ciga-
rette avec une pression de 20 mbar. Un ajustement non linéaire sur le modèle
de l’équation (11.9) permet d’obtenir les paramètres expérimentaux corres-
pondant à la surface (A = S N L), la demi-largeur à mi-hauteur (´ν
L
)
et la fréquence de la transition N =
A
S×L
= 1,02 10
14
molécules/cm
3
en
tenant compte de l’intensité de la transition considérée tabulée dans HITRAN
312 Optoélectronique térahertz
Fig. 11.2 – Spectre en transmission de la fumée de cigarette (P = 900 mbar)
en THz-TDS.
−1500 −1000 −500 0 500 1000 1500
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
2000
ν−ν
0
MHz
U
n
i
t
é
s

a
r
b
i
t
r
a
i
r
e
s


mesures
ajustement
−1500 −1000 −500 0 500 1000 1500
−0.1
−0.05
0
0.05
0.1
ν−ν
0
MHz
e
r
r
e
u
r

y
c
a
l
c

y
Fig. 11.3 – Transition de HCN vers 1 239 GHz dans les fumées de cigarette
pression totale de 20 mbar (Intensité unités arbitraires).
11. Détection et quantification de gaz en THz 313
(S = 7,01 10
−19
cm/molécule). Nous pouvons ensuite calculer la pression
partielle correspondante en utilisant la loi des gaz parfaits
3
:
P V = n k T (11.11)
⇒ P
partielle
= N k T (11.12)
⇒ P
partielle
= 1,02 10
20
1,38 10
23
294 = 0,414 Pa (11.13)
⇒ P
partielle
=
0,414
10
2
= 4,1 10
−3
mbar (11.14)
Enfin la concentration est calculée en faisant le rapport de la pression partielle
à la pression totale de la cellule :
c =
P
partielle
P
totale
=
4 10
−3
20
= 200 ppm (11.15)
Ceci correspond à une masse
4
M
HCN
de HCN présente dans la cellule
de 78 μg.
11.4 Molécules ciblées
Un grand nombre de molécules sont détectables en THz mais plusieurs
points sont à vérifier cependant. Rappelons que le gaz que l’on veut détecter
doit comporter un moment dipolaire de transition non nul et que les tran-
sitions ciblées doivent avoir des intensités suffisamment conséquentes pour
être observables. Bien entendu, ce dernier point est à préciser en fonction
des concentrations que l’on mesure et du rapport signal sur bruit de l’expé-
rience utilisée. L’exemple de la figure (11.3) montre une transition d’intensité
S = 7,0110
−19
cm/molécule qui est détectée sans traitement du signal et sans
utilisation de cellule multi-passage avec un rapport signal sur bruit estimé à
100 et une absorption maximale de 75 % du signal. Ceci montre que dans
les mêmes conditions expérimentales on pourrait détecter et quantifier fa-
cilement cette même transition avec une concentration 10 fois plus faible
de 20 ppm qui donnerait alors une absorption maximale de 13 %. Rappe-
lons également que, si l’on veut quantifier une espèce, il faut impérativement
connaître les caractéristiques de la molécule comme les intensités des dif-
férentes transitions et les fréquences d’absorption. D’un point de vue plus
pragmatique, les molécules ciblées pour la détection dans l’air peuvent être
3
Nous effectuerons le changement d’unité : 1 bar=10
5
Pa.
4
La masse est donnée par M
HCN
=
N.V
cellule
N
a
M
molaire
.
314 Optoélectronique térahertz
classées selon leur dangerosité pour l’homme. L’Institut National de la Re-
cherche et la Sécurité (INRS, www.inrs.fr) a fait un énorme travail d’étude
et de compilation des substances chimiques présentant des risques sanitaires
notamment dans les ambiances professionnelles. Les tableaux répertorient
les Valeurs Limites d’Exposition (VLE) et les Valeurs Moyennes d’Exposi-
tion (VME) qui sont présentées pour des temps respectivement de 15 min et
8 heures. Il s’agit de valeurs qui sont établies dans le cadre de la législation
du travail. Nous avons repris dans la suite quelques substances détectables
en THz tirées des données de l’INRS. C’est une liste qui bien sûr est loin
d’être exhaustive (tableau (11.1)).
Substance VME ppm VLE ppm Notes
Acide cyanhydrique 2 10
Ammoniac 10 20
Hydrogène sulfuré 5 10
Trichloréthylène 75 200 Cancérigène, mutagène
Dichlorométhane 50 100 Cancérigène
Triméthylamine - 10 Allergène
Chlorure de vinyle 1 - Cancérigène
Tab. 11.1 – VME et VLE de quelques substances réglementées, détectables
en THz.
11.5 Applications en astrophysique
L’espace entre les étoiles n’est pas vide. Le milieu interstellaire contient
du gaz et de la poussière qui représentent 10 % environ de la masse des
étoiles. Dans la plus grande partie de ce milieu, le gaz est extrêmement di-
lué (quelques particules par cm
3
) et ionisé. La plupart des molécules sont
condensées dans des nuages moléculaires géants de masse imposante (jusqu’à
100 000 fois celle du soleil) et qui sont plus froids et beaucoup plus denses.
On y trouve essentiellement de l’hydrogène moléculaire (75 %), de l’hélium
(25 %) et des traces d’oxygène, de carbone, d’azote, de silicium, de soufre, etc.
La lumière visible et ultraviolette des étoiles ne pénètre pas ces nuages, du
fait de leur densité, ce qui permet l’existence de molécules. On en a détecté
jusqu’à présent 142 différentes (sans compter les isotopologues). Certaines
de ces molécules sont également abondantes sur Terre : H
2
O, NH
3
, H
2
CO...
mais beaucoup d’espèces sont typiques des nuages moléculaires : radicaux,
cations et longues chaînes moléculaires telles que HC
11
N. Ces espèces sont
très instables sur Terre. La chimie interstellaire est donc très différente de
la chimie terrestre mais elle est encore mal connue. Elle est cependant d’un
intérêt fondamental car c’est dans ces nuages que naissent les étoiles et les
systèmes planétaires.
11. Détection et quantification de gaz en THz 315
Jusqu’à présent, le seul moyen pour étudier ces nuages est la spectroscopie
et, plus particulièrement, la radioastronomie allant des microondes à l’infra-
rouge. La première expérience de radioastronomie remonte à 1931 : Jansky,
un ingénieur des laboratoires Bell, en essayant des antennes, observe des pa-
rasites lorsque l’antenne est pointée dans la direction de la voie lactée. Mais
la radioastronomie ne s’est développée qu’après la seconde guerre mondiale
grâce à la récupération d’antennes radar. Cependant, à l’époque, il était ad-
mis qu’il ne pouvait pas y avoir de molécules dans l’espace interstellaire. Les
premières molécules n’ont donc été détectées que très tard : dans les années
1960 (1963 pour OH et 1967 pour H
2
CO, NH
3
, et H
2
O). Puis, avec la mise
au point du premier radiotélescope millimétrique en 1970, les découvertes se
sont accélérées.
Ces dernières années, on assiste à un développement sans précédent des
applications de la spectroscopie moléculaire à l’étude du milieu interstellaire,
des atmosphères planétaires et des comètes. Il est ainsi possible de déter-
miner la distribution de pression, de température, ainsi que la composition
chimique des objets astronomiques éloignés, ce qui se traduit souvent par
la découverte de nouvelles espèces chimiques ainsi que par une meilleure
compréhension du processus de genèse des étoiles et de la dynamique des
atmosphères planétaires. Les études spectroscopiques dans le domaine THz
commencent à jouer un rôle clef pour les observations. En effet, une partie
très importante de l’univers est trop froide (5-50 K) pour rayonner à des
fréquences supérieures au THz. De plus, de nombreux objets très intéres-
sants pour les radioastronomes se trouvent derrière des nuages de gaz et de
poussière (en particulier les étoiles et les planètes en cours de formation).
Ces nuages sont beaucoup plus transparents au THz qu’à l’infrarouge ou au
visible. Cela se traduit par de nombreux programmes spatiaux en cours de
développement et plus particulièrement les projets :
– SOFIA (Stratospheric Observatory for Infrared Astronomy) : c’est un
observatoire en vol stratosphérique qui fonctionne depuis 2005 dans
plusieurs domaines spectraux allant de 0,5 à 4,7 THz.
– Herschel Space Observatory (ex Far Infrared Space Telescope, juillet
2007) pour la gamme de 0,4 à 5 THz.
– ALMA (Atacama large Millimeter Array) en construction à 5 000 m
d’altitude dans le désert d’Atacama (Chili) qui est une des régions les
plus sèches du monde. Ses récepteurs couvriront la gamme 30-950 GHz.
Il devrait être opérationnel en 2011.
La figure (11.4) représente un spectre radioastronomique typique du nuage
moléculaire Orion A enregistré à l’IRAM (Institut de RAdioastronomie Mil-
limétrique) avec deux sensibilités différentes. Il faut noter qu’une partie im-
portante des transitions ne sont pas encore identifiées.
316 Optoélectronique térahertz
Fig. 11.4 – Spectre du nuage moléculaire Orion A enregistré à l’IRAM.
11.6 Bases de données et simulation de spectres
La spectroscopie THz est un outil très puissant pour détecter des gaz
car chaque type de molécule a une signature caractéristique. En particulier,
les isotopologues (molécules substituées isotopiquement) d’une même molé-
cule ont des spectres différents. Le problème est que, à de rares exceptions
près, pour identifier une molécule, il faut d’abord avoir étudié son spectre
en laboratoire, ce qui peut prendre beaucoup de temps. Il est donc indispen-
sable d’avoir accès aux spectres qui ont déjà été analysés et qui, en général,
correspondent aux molécules les plus importantes.
11.6.1 Littérature scientifique
Les analyses de spectres sont, dans leur très grande majorité, publiées
dans une revue scientifique. Mais faire une recherche systématique dans
toutes les revues n’est pas un travail facile. La plupart des journaux ont
maintenant un site web qui permet une recherche automatique. Cependant,
toutes les revues, en particulier les plus anciennes, ne sont pas indexées. De
plus l’accès nécessite un abonnement payant.
Une autre méthode classique mais plus facile consiste à consulter les Che-
mical Abstract qui sont accessibles dans toutes les bibliothèques universitaires
(ainsi qu’en ligne : www.cas.org). On y trouve un résumé (abstract ) de tous
les articles publiés dans la littérature scientifique. Ils sont indexés par type de
spectroscopie et par molécule. La recherche à l’aide des Chemical Abstracts
est donc beaucoup plus exhaustive et plus rapide que la consultation directe
des revues scientifiques. Toutefois, il n’y a pas de classement des spectres en
fréquence, ce qui est un handicap majeur lorsqu’on veut identifier le spectre
d’une molécule inconnue.
11. Détection et quantification de gaz en THz 317
11.6.2 Compilations
Le service « Chemieinformationssysteme » de l’université d’Ulm
(www.uni-ulm.de/strudo) compile tous les articles parus dans les domaines
de la spectroscopie en phase gazeuse. Cette bibliographie est accessible dans
une base de données MOGADOC (MOlecular GAs phase DOCumentation)
qui est publiée sous forme de CDs.
Les paramètres moléculaires qui permettent, du moins en principe, de
recalculer les spectres sont tabulés dans une série de volumes de la collection
Landolt-Börnstein éditée par Springer. Ces livres, régulièrement mis à jour,
sont consultables dans la plupart des grandes bibliothèques universitaires. Ils
sont maintenant accessibles en ligne (www.landolt-boernstein.com) mais la
recherche est payante.
Enfin, les fréquences d’un certain nombre de molécules d’intérêt astro-
physique (et parfois atmosphériques) ont été compilées dans le Journal of
Physical and Chemical Reference Data.
11.6.3 Bases de données informatiques
Bases de données du NIST
En complément des articles de revue publiés dans le Journal of Physical
and Chemical Reference Data, une liste de fréquences « recommandées » pour
les molécules détectées dans les nuages interstellaires est accessible en ligne
(et gratuitement) sur le site Web du NIST (National Institute of Standards
and Technology) à l’adresse : http://physics.nist.gov/PhysRefData/Micro
/Html/contents.html). Trois bases de données pour les molécules diatomiques,
les molécules triatomiques et les hydrocarbures sont également accessibles à
l’adresse http://physics.nist.gov/PhysRefData/MolSpec/index.html. Les
transitions de rotation ont été tabulées pour 121 molécules diatomiques,
55 molécules triatomiques et 91 hydrocarbures.
Base de données de l’observatoire de Paris
Il existe également une base de données pour les molécules astrophy-
siques, téléchargeable à l’adresse www.lesia.obspm.fr/∼crovisier/basemole/.
Elle inclut 245 molécules ce qui correspond à pratiquement toutes les es-
pèces détectées dans le milieu interstellaire, les comètes et les atmosphères
planétaires (sauf la Terre !).
318 Optoélectronique térahertz
Base de données du JPL
Une base de données beaucoup plus générale est mise à jour par le JPL
(Jet Propulsion Laboratory, un laboratoire de la NASA). Elle couvre le do-
maine de fréquences 0-10 THz et fournit des informations sur environ 350 mo-
lécules et atomes. Cette base de données a été conçue au départ pour les ra-
dioastronomes mais elle a été ensuite étendue aux molécules atmosphériques.
Le catalogue est consultable en ligne à l’adresse http://spec.jpl.nasa.gov/.
Chaque molécule a son fichier (c_TAG.cat, pour la définition de l’identifica-
teur TAG de la molécule, voir ci-après). Il y a aussi des fichiers (d_TAG.cat)
qui contiennent des informations sur l’origine des données et sur la fonction
de partition. Le catalogue ne fournit que les positions (fréquences) et les in-
tensités des transitions, il n’y a donc pas de données sur les largeurs de raies
qui sont pourtant très utiles en physique de l’atmosphère.
Chaque ligne du catalogue comprend 80 caractères au format
5
suivant :
Paramètre FREQ ERR LGINT DR ELO
Format F8.4 F8.4 F8.4 I2 F10.4
Exemple 987926.7640 0.1000 -1.1333 3 37.1371
Paramètre GUP TAG QNFMT QN’ QN”
Format I3 I7 I4 6I2 6I2
Exemple 5 -18003 1404 2 0 2 0 1 1 1 0
– Les espèces (atomes ou molécules) sont identifiées par un nombre à
six chiffres TAG. Les trois premiers chiffres représentent la masse (en
u.m.a.) de l’espèce et les trois chiffres suivants permettent d’ordon-
ner les espèces de même masse. Il y a en général un TAG séparé
pour chaque état électronique. Un TAG négatif indique que FREQ
et ERR sont des valeurs expérimentales. Dans, l’exemple, il s’agit de
H
2
O (16 + 2x1 = 18).
– À partir de LGINT, on peut calculer l’intensité à 300 K : I(300) =
10
LGINT
. L’intensité de raie est calculée suivant la formule :
I(T) =
_

3
3hc
_
νS
g
μ
2
g
_
e
−E

kT
−e
−E

kT
_
/Q
rs
(T) (11.16)
où ν et S
g
sont la fréquence et la force de raie, μ
g
le moment dipolaire
suivant l’axe moléculaire g, E

et E

les énergies de l’état inférieur et
de l’état supérieur et Q
rs
(T) la fonction de partition de rotation à la
température T. Si l’on exprime I(T) en nm
2
MHz, ν en MHz et μ
g
en D,
on obtient :
I(T) = 4,16231 10
−5
νS
g
μ
2
g
_
e
−E

kT
−e
−E

kT
_
/Q
rs
(T)
5
In indique un entier de n chiffres, Fm.n indique un réel de m chiffres (signe et point
décimal inclus) avec n chiffres après le point décimal.
11. Détection et quantification de gaz en THz 319
Pour convertir cette intensité en cm
−1
/(molécule/cm
2
), on divise l’in-
tensité du catalogue par 2,99792458 10
18
.
– Les nombres quantiques sont donnés dans l’ordre suivant : J (ou N) ;
K
a
et K
c
(ou ±; K) ; v ; F
1
...F pour l’état supérieur puis pour l’état
inférieur :
N est le nombre quantique de rotation excluant les spins électronique et
nucléaire ;
J est le nombre quantique de rotation incluant le spin électronique. Pour un
état singulet : J = N ;
K
a
(K
c
) est la projection de N sur l’axe d’inertie a(c). Pour les molécules
symétriques (et linéaires), on ne donne que K () et ± désigne la parité ;
v est le nombre d’état. Il caractérise les différents états vibrationnels ou
électroniques ;
F
1
F définissent les nombres quantiques de spin.
CDMS (Cologne Database for Molecular Spectroscopy)
La base de données du JPL est complétée par la base de données CDMS
accessible en ligne à l’adresse www.ph1.uni-koeln.de/vorhersagen/catalog/.
Elle utilise exactement le même format que la base du JPL.
HITRAN (HIgh-resolution TRANsmission molecular absorption
database)
La base de données HITRAN développée par l’Air Force Cambridge Re-
search Laboratories est une compilation de paramètres spectroscopiques per-
mettant de prévoir et de simuler la transmission et l’émission du rayonnement
électromagnétique dans l’atmosphère. On peut l’obtenir par ftp à l’adresse
www.cfa.harvard.edu/HITRAN/. Ce site fournit également un logiciel appelé
JavaHAWKS qui permet d’utiliser facilement cette base. Il fonctionne sous
Windows, UNIX, Solaris, LINUX et Mac OS.
Le domaine spectral couvert par HITRAN est très large : 0-700 THz.
De plus, elle liste les largeurs de raie. Mais, elle n’inclut que des molécules
d’intérêt atmosphérique. Enfin, comme elle est conçue pour l’atmosphère,
elle ne peut pas être utilisée à haute température (pour la combustion par
exemple). Pour ce dernier objectif, une base sœur appelée HITEMP (HIgh-
TEMPerature spectroscopic absorption parameters) a été développée.
Le catalogue liste environ un million de raies correspondant à 39 molécules
différentes (ainsi que leurs isotopologues les plus importants). Chaque ligne
du catalogue comprend 160 caractères au format résumé dans le tableau ci-
après. De nouveaux paramètres sont introduits. En particulier, le coefficient
d’élargissement de chaque transition, élargie par l’air (γ
air
) et par le gaz
320 Optoélectronique térahertz
absorbant lui-même (γ
self
) est indiqué. Ces coefficients sont donnés pour
T = 296 K. Leur dépendance en température s’écrit :
γ
air
(T) = γ
air
(T
0
)
_
T
0
T
_
n
air
(11.17)
La demi-largeur à demi-hauteur de chaque transition s’exprime de la ma-
nière suivante :
Δν(p, p
s
) = γ
air
(p −p
s
) +γ
self
p
s
(11.18)
où p est la pression totale et p
s
la pression partielle de l’espèce absorbante.
La fréquence centrale de chaque transition dépend légèrement de la pres-
sion, le coefficient de déplacement δ est également donné (lorsqu’il est connu)
et la fréquence centrale se calcule de la manière suivante :
ν(p, T) = ν(p
0
= 0) +δ(T)p (11.19)
Paramètre Format Définition
MO I2 Identificateur de la molécule, ordre chronologique : H
2
O = 1
ISO I1 Nombre isotopique (1 = le plus abondant, 2 = le suivant, etc.)
nu F12.6 Fréquence de la transition en cm
−1
S E10.3 Intensité en cm
−1
/(molécule/cm
−2
) à 296 K
A E10.3 Coefficient d’Einstein A en s
−1
γ
air
F5.4 Demi-largeur due à l’air en cm
−1
atm
−1
à 296 K
γ
self
F5.4 Demi-largeur due au gaz absorbant en cm
−1
atm
−1
à 296 K
E” F10.4 Énergie de l’état inférieur en cm
−1
n
air
F4.2 Coefficient de la dépendance en température de l’élargissement
dû à l’air
δ
air
F8.6 Coefficient du déplacement en fréquence dû à l’air en
cm
−1
atm
−1
à 296 K
V’ A15 Nombres quantiques « globaux » de l’état supérieur
V” A15 Nombres quantiques « globaux » de l’état inférieur
Q’ A15 Nombres quantiques locaux de l’état supérieur
Q” A15 Nombres quantiques locaux de l’état inférieur
Ierr 6I1 Indices d’incertitude
Iref 6I2 Indices de référence
* A1 Disponibilité du logiciel et des données en cas de line mixing
g’ F7.1 Poids statistique de l’état supérieur
g” F7.1 Poids statistique de l’état inférieur
– nombres quantiques globaux V : ce sont les nombres quantiques de
vibration. Par exemple, pour une molécule triatomique asymétrique, il
s’agit de v
1
v
2
v
3
au format 3I2 ;
– nombres quantiques locaux Q : ce sont les nombres quantiques de ro-
tation. Par exemple, pour une molécule asymétrique, il s’agit de J K
a
K
c
F Sym au format 3I3, A5, A1 ;
11. Détection et quantification de gaz en THz 321
– Les incertitudes s’estiment de la manière suivante :
v et δ (cm
−1
) γ et n
Code Incertitude Code Incertitude
0 > 1 ou inconnue 0 Inconnue
1 ≥ 0,1 et < 1 1 Constante
2 ≥ 0,01 et < 0,1 2 Estimation
3 ≥ 0,001 et < 0,01 3 ≥ 20 %
4 ≥ 0,0001 et < 0,001 4 ≥ 10 % et < 20 %
5 ≥ 0,00001 et < 0,0001 5 ≥ 5 % et < 10 %
6 < 0,00001 6 ≥ 2 % et < 5 %
Autres bases
Il existe de nombreuses autres bases de données qui couvrent des aspects
spécifiques. Elles ont souvent été développées pour une mission satellitaire
particulière. On peut citer
1. GEISA (Gestion et Étude des Informations Spectroscopiques Atmo-
sphériques)
C’est une base de données atmosphérique qui a été développée au La-
boratoire de météorologie dynamique du CNRS. Elle peut être obte-
nue sur simple demande : husson@ara01.polytechnique.fr). Son contenu
(domaine de fréquence, nombre de molécules, format) est très similaire
à celui de HITRAN, la principale différence étant qu’elle inclut aussi
les molécules des atmosphères de planètes autres que la Terre.
2. CDSD (Carbon Dioxide Spectroscopic Databank)
Une base de données franco-russe a été développée pour le dioxyde de
carbone, CO
2
. Elle est consultable à l’adresse suivante //cdsd.iao.ru.
Une base spécifique existe également pour l’ozone (O
3
) : //ozone.iao.ru).
3. TDS/STDS (Spherical Top Data System) qui permet de simuler les
spectres des molécules sphériques. Elle est accessible à
www.u-bourgogne.fr/LPUB/TSM/shTDS.html.
Cas particulier de la vapeur d’eau
La vapeur d’eau est un cas particulier très important car c’est le principal
contributeur à l’absorption du rayonnement THz par l’atmosphère terrestre.
La base de données du JPL est à jour en ce qui concerne les fréquences et
les intensités de transitions. Les informations relatives aux largeurs de raies
se trouvent dans la base HITRAN.
Une base de données a été développée pour la vapeur d’eau à très haute
température. Elle est basée sur des calculs ab initio. Elle donc beaucoup
322 Optoélectronique térahertz
moins précise que les bases qui citent des données expérimentales mais elle
est beaucoup plus complète. On peut l’obtenir auprès de D. W. Schwenke
(schwenke@pegasus.arc.nasa.gov).
Enfin, une compilation critique et exhaustive du spectre de l’eau allant
des micro-ondes à l’ultraviolet est en préparation dans le cadre d’un projet
IUPAC (International Union of Pure and Applied Chemistry). Cette base de
données – en construction – peut être consultée sur la page personnelle du res-
ponsable de ce projet (J. Tennyson) : www.tampa.ucl.ac.uk/ftp/astrodata/
water.
11.6.4 Simulation de spectres
Introduction
Le calcul d’un spectre (fréquences et intensités) à partir des paramètres
moléculaires est relativement simple, à condition de disposer d’un ordinateur.
Pour chaque valeur du nombre quantique de rotation J, on a 2J + 1
niveaux d’énergie. Pour une molécule asymétrique (caractérisée par trois
constantes de rotation A, B, et C), on étiquette ces niveaux à l’aide de
deux nombres « pseudo-quantiques » K
a
et K
c
qui correspondent au nombre
quantique K des molécules symétriques « limites » correspondantes (a pour
allongée, c’est-à-dire A > B = C, et c pour aplatie, c’est-à-dire A = B > C).
On a ainsi :
E(J
0J
) ≤ E(J
1,J
) ≤ E(J
1,J−1
) ≤ E(J
2,J−1
) ≤ ≤ E(J
J1
) ≤ E(J
J0
)
(11.20)
On remarque que l’on a toujours : K
a
+K
c
= J ou J +1. Les énergies de rota-
tion E (J
K
a
K
c
) sont les valeurs propres d’une matrice symétrique tridiagonale
de dimension 2J + 1 dont les termes diagonaux sont :
E(K, K) =
1
2
_
2AK
2
+
_
J(J + 1) −K
2
¸
(B +C)
¸
(11.21)
avec −J ≤ K ≤ +J. Les seuls termes non diagonaux différents de zéro sont
du type :
E(K, K ±2) =
1
4
[J(J + 1) −K(K ±1)]
1/2
[J(J + 1)
−(K ±1)(K ±2)]
1/2
(C −B) (11.22)
Une fois que la matrice est diagonalisée, l’étape suivante consiste à calculer
les fréquences en faisant la différence entre deux niveaux d’énergie :
hν = E[(J + ΔJ)
K
a
+ΔK
a
,K
c
+ΔK
c
] −E[J
K
a
K
c
] (11.23)
Pour cela, il faut tenir compte des règles de sélection, c’est-à-dire des tran-
sitions permises. Les seules transitions qui peuvent avoir une intensité dif-
férente de zéro sont : ΔJ = 0, ±1. Pour les pseudo-nombres quantiques,
11. Détection et quantification de gaz en THz 323
les règles de sélection dépendent des projections du moment dipolaire élec-
trique μ sur les axes principaux d’inertie a, b, et c :
μ
a
= 0 μ
b
= 0 μ
c
= 0
ΔK
a
0, 2, ... 1, 3, ... 1, 3, ...
ΔK
c
1, 3, ... 1, 3, ... 0, 2, ...
L’étape suivante consiste à calculer les intensités (qui sont d’autant plus
grandes que les ΔK sont petits) à l’aide des vecteurs propres de la matrice
des énergies. Cela paraît compliqué mais de nombreux logiciels ont été écrits
pour faire ce travail automatiquement.
Logiciels
Plusieurs programmes de calcul de spectres peuvent être obtenus gratui-
tement :
Calpgm Une série de programmes (en C) a été développée au JPL pour
la construction de la bases de données. Le programme SPFIT est plus
particulièrement destiné à la détermination des paramètres molécu-
laires à partir des spectres expérimentaux. Son usage est réservé aux
spécialistes. Le programme SPCAT calcule un spectre à partir des pa-
ramètres moléculaires. Son usage est plus facile. Ils sont téléchargeables
à l’adresse du JPL : http://spec.jpl.nasa.gov.
Jb95 Un programme a été développé au NIST par D.F. Plusquellic pour
l’analyse des spectres complexes. Il permet également de simuler des
spectres. Ce programme, écrit en C, a une interface graphique mais
il ne fonctionne que sous Windows. Il est téléchargeable à l’adresse
http://physics.nist.gov/Divisions/Div844/facilities/uvs/jb95userguide.htm
PROSPE une base de données appelée Programs for ROtational
SPEctroscopy est maintenue à l’académie des sciences de Pologne par
Z. Kisiel. Elle permet de télécharger de nombreux logiciels (en FOR-
TRAN), en particulier des programmes de simulation de spectres fonc-
tionnant avec le programme SPCAT du JPL. Ils sont téléchargeables à
l’adresse http://info.ifpan.edu.pl/ kisiel/prospe.htm.
11.6.5 Absorption de l’atmosphère
Certains gaz présents dans l’atmosphère absorbent le rayonnement THz
à certaines fréquences (absorption résonante). Cette absorption est dominée
par l’eau et ses isotopologues (en particulier HDO), le dioxygène
16
O
18
O
et l’ozone (O
3
). À cette absorption résonante, il faut ajouter un continuum
(absorption non résonante) qui est dû aux ailes lointaines des raies de l’eau et
à l’absorption induite par collisions de l’oxygène et de l’azote. La figure (11.5)
représente l’absorption typique de l’atmosphère terrestre au niveau du sol
324 Optoélectronique térahertz
Fig. 11.5 – Absorption de l’atmosphère entre 0,1 et 1 THz au niveau du sol
à 293 K (75 % d’humidité).
et à 293 K (avec 75 % d’humidité). Les complexes H
2
O...N
2
, H
2
O...O
2
, et
H
2
O...H
2
O participent aussi à cette absorption mais leur contribution semble
assez faible. Enfin, les gaz présents à l’état de traces ont un spectre détectable,
surtout si l’on monte en altitude car, la pression diminuant, les largeurs de
raies diminuent aussi, ce qui les rend plus facilement visibles. La figure (11.6)
représente un spectre typique de l’atmosphère enregistré à 32 km d’altitude
entre 45 et 65 cm
−1
(1,35-2 THz). On y distingue les raies de l’eau, de
l’oxygène et de l’ozone.
La modélisation de l’absorption de l’atmosphère terrestre est un problème
important mais il n’est pas encore résolu de manière complètement satisfai-
sante et il existe, de ce fait, différents modèles pour la décrire. Plusieurs
logiciels de modélisation existent. Parmi les plus importants, on peut citer :
AT Atmospheric Transmission (E. Grossman, User’s manual, Airhead Soft-
ware, 1609 Bluff Street, Boulder, CO 80302, 1989) ;
MPM microwave propagation de H. J. Liebe et al. Il est téléchargeable
à l’adresse suivante : ftp://ftp.its.bldrdoc.gov/pub/mpm93/ -> res-
sources -> anonymous ftp -> pub/ -> mpm93. C’est le logiciel le
plus utilisé mais il ne fonctionne qu’en dessous de 1 THz. Il com-
prend 34 transitions de la vapeur d’eau entre 20 et 1 000 GHz et
44 transitions de l’oxygène. Le continuum de l’eau est simulé par une
pseudo-transition vers 2 THz. L’absorption non résonante est également
simulée.
11. Détection et quantification de gaz en THz 325
Fig. 11.6 – Absorption de la stratosphère (32 km).
ATM Atmospheric Transmission at Microwaves de Pardo et collègues. Il
s’obtient auprès de l’auteur (pardo@damir.iem.csic.es). C’est le logiciel
le plus récent et le plus complet. Il simule l’absorption de l’atmosphère
entre 170 et 1 600 GHz.
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Chapitre 12
Le THz : phénomène de mode
ou technologie du troisième
millénaire ?
Ce livre vient de présenter un panel des outils et des techniques développés
dans la gamme de fréquence THz. Le développement des lasers femtosecondes
a permis un essor rapide de la technologie THz impulsionnelle dans le milieu
des années 1980. Depuis, la maturité de la technologie ne cesse de progresser,
le développement continue et l’avancée technologique permet et permettra à
terme d’exploiter les THz à trois niveaux :
– systèmes de laboratoire ;
– système industriel ;
– composant pour application de masse.
Dans la première phase, les systèmes de spectroscopie THz sortent des la-
boratoires des spécialistes d’optique et d’électronique des semi-conducteurs
pour pénétrer des laboratoires travaillant dans d’autres domaines. La pre-
mière victoire des THz est sans nul doute là, car le travail des opticiens et
électroniciens qui ont développé les sources et les techniques de génération et
de détection ont contribué à l’exploitation de cette gamme de fréquence par
des chercheurs dans des domaines aussi variés que la chimie, la médecine, la
génétique, l’agroalimentaire. Les systèmes THz sont sortis des laboratoires
avec l’aide d’entrepreneurs qui ont su réaliser des systèmes autonomes et
conviviaux, cette approche produit un courant ascendant de la technologie
vers l’application, elle ouvre naturellement la voie vers de nouvelles applica-
tions. La seconde étape, qui se profile dans les cinq prochaines années, sera
l’application de systèmes THz au niveau de l’industrie. La section application
de ce livre décrit une liste non exhaustive de ces applications. Cinq niveaux
de complexité et cinq familles d’applications sont proposées dans cet ouvrage.
De nombreux exemples sont cités, la liste des applications va de l’identifica-
tion de morceaux de verre dans les barres chocolatées à la transmission de
328 Optoélectronique térahertz
signaux de télévision haute définition en passant par la détection de rouille
sous la peinture et l’identification des principaux explosifs. Ce que montre
cette liste c’est le rôle incontournable de l’optoélectronique THz qui permet
aux laboratoires experts de concevoir et de définir les outils dont auront be-
soin les industriels. Enfin la dernière étape est l’application de masse. Cette
dernière étape dépend principalement de la miniaturisation des systèmes. Ces
étapes de miniaturisation sont très coûteuses, et dépendent d’une application
clé. Pour cette étape, la technologie doit franchir le fossé entre les laboratoires
et les applications, il s’agit de franchir ce que l’on appelle communément la
« vallée de la mort »; le désert entre le monde institutionnel de la recherche
et celui des entreprises et des entrepreneurs. La miniaturisation implique
un énorme financement que seule la potentialité d’une application de masse
peut amener, mais cette application ne sera trouvée que lorsque la capacité
de la miniaturisation sera démontrée. Le cercle vicieux entre développement
de la technologie et applications de masse en est à son balbutiement pour
les THz. De nouvelles applications trouveront sans nul doute leur plein essor
dans les vingt prochaines années, à condition que des laboratoires équipés par
les systèmes complexes trouvent la voie pour une application clé présentant
un potentiel économique suffisant pour justifier d’un investissement massif
dans le développement de la technologie. Les premières démonstrations de
lasers à cascade quantique, composant le plus prometteur pour une applica-
tion de masse, placent l’électronique THz au même niveau de développement
que les premières diodes lasers semi-conductrices apparues dans les années
1970-80. Vingt ans plus tard, on voit que les diodes lasers semi-conductrices
sont devenues des composants clés pour l’écoute de la musique ou le stockage
de données, ce qui au départ n’était pas envisagé. Les nombreuses applica-
tions citées dans ce livre font suite au nouvel essor des THz optoélectroniques
apparu dans les années 1980, elles émanent principalement de laboratoires
d’optique ou d’électronique. Il est certain que la vision de l’application au
travers de la connaissance de la technologie ouvre des perspectives conduites
par la connaissance des performances techniques des systèmes. Toutefois il
faut voir ces applications comme autant de ballons sondes à l’adresse des en-
trepreneurs et des décideurs pour montrer et diffuser cette technologie. Les
premières diligences sont parties à l’assaut des pistes du Far West THz, main-
tenant il faut encore attendre quelques années afin que ces pistes deviennent
des autoroutes de l’information Tera bit.
La maturité de la technologie THz permet de réaliser des démonstrateurs
pour les grandes applications que sont la spectroscopie et la sécurité. À ce
titre, il est possible de réaliser une comparaison entre les THz et les tech-
nologies existantes pour mettre en évidence à la fois leur complémentarité
et définir les voies de développement de la technologie. Cette phase permet-
tra sans nul doute de trouver la place aux ondes THz dans notre quotidien.
Comme le suggère le professeur Lippens dans Sciences et Avenir du mois
12. Le THz : phénomène de mode ou technologie 329
d’août 2006, bien plus qu’un nouveau type de technologie, les THz sont une
gamme de fréquence, et les applications apparaîtront inévitablement.
Pour clore ce livre, depuis les premières expériences sur les ondes électro-
magnétiques de Hertz en 1888 en passant par l’invention des klystrons dans
les années 1940, la technologie électronique n’a eu de cesse de monter en
fréquence pour atteindre le domaine sub-millimétrique des ondes THz, tirée
par un but majeur pour l’humanité, celui de la détection de la présence de la
vie sur les exoplanètes. L’optoélectronique THz avec Auston dans les années
1980 et l’invention des lasers femtosecondes a jeté les bases d’une nouvelle
ruée vers le Far Infrared. Le nombre croissant de publications en témoigne :
plus qu’un phénomène de mode, la connaissance du domaine THz progresse
exponentiellement grâce aux systèmes optoélectroniques THz. Les applica-
tions futures qui naîtront de l’innovation de chacun sont la raison d’être de
ce livre, modeste contribution à l’édifice de la science permettant à tous,
étudiants, physiciens, ingénieurs et entrepreneurs de mieux appréhender ce
domaine de fréquence et le potentiel énorme de l’optoélectronique THz.
This page intentionally left blank
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Index
Échantillonnage de signaux THz
configurations expérimentales,
148
en temps équivalent, 216
par électro-absorption, 146, 147
par effet électro-optique, 140
par photocommutation, 133
résolution temporelle, 150, 218
théorème de Shannon, 216
Équation(s)
d’Einstein, 60
de Maxwell, 39
de propagation, 41, 48
de Schrödinger, 57
Antennes THz
polarisation, 187
spirales, 156, 158
Applications dans le domaine THz,
33, 273
astrophysique, 302, 310
biologie et biomédical, 278, 298
choix du système, 278
complexité des systèmes, 280
contrôle qualité, 278, 281, 288
détection de gaz, 301
maintenance préventive, 291
sécurité et défense, 293
spectroscopie de matériaux, 283
spectroscopie de rotation, 69,
244
spectroscopie de vibration, 69
systèmes THz commerciaux, 274,
287
télécommunications, 296
tomographie, 282
Bases de données spectrales, 311
CDMS, 315
HITRAN, 304, 307, 315
INRS, 309
JPL, 313
logiciels de simulation, 319
NIST, 313
observatoire de Paris, 313
Composants THz passifs, 177
dispersion chromatique, 178, 181
lames biréfringentes, 189
lentilles, 182
miroirs, 180
polariseurs à gille, 188
réseaux de diffraction, 185, 250
séparatrices, 184, 255
traitements antireflets, 186
Corps noir, 20, 60
Cristaux photoniques et
métamatériaux, 200
définition, 200
indice de réfraction négatif, 205,
207
ligne de transmission, 209
métamatériaux métalliques, 207
niveau de défaut, 203
ultraréfraction, 210
Détecteurs
à supraconducteur, 30
bolomètres, 28
cellule de Golay, 30
NEP (noise equivalent power),
30
optoélectroniques, 32
357
358 Optoélectronique térahertz
Diodes électroniques, 21
effet Gunn, 21
IMPATT, 21
résistance différentielle négative,
21
Dipôle
champ du dipôle, 55
moléculaire, 71
moment dipolaire, 57
Domaine fréquentiel, 234
BWO (tubes à ondes
contra-progressives), 22
Effet
Dember, 120, 121
Doppler, 66
Fabry-Pérot, 240
Franz-Keldysh (EFK), 142, 145
magnéto-optique, 81
Pockels, 136
Guides d’ondes, 191
à plasmons de surface, 196
comparatif, 199
couplage, 199
diélectriques, 193
dispersion modale, 198
indice effectif, 192
métalliques, 195
modes guidés, 192
pertes, 198
planaires, 195
Imagerie THz, 263
champ proche, 265, 266
contraste de champ proche, 267
par balayage, 267
résolution spatiale, 264
Lasers
à électrons libres (FEL), 23
à cascade quantique (QCL), 26,
165, 168
moléculaires, 23
Lasers femtosecondes, 86, 91
à fibre, 98
absorbant saturable, 95
blocage de modes, 86, 93
lentilles à effet Kerr, 87
mise en phase des modes, 87
saphir dopé titane (Ti:Sa), 97
ytterbium, 97
Lignes de propagation non linéaires,
23
Loi
d’Ohm, 41
de Beer et Lambert, 45, 303
de Bose-Einstein, 53
de Poisson, 54
Mesures pompe optique - sonde THz,
224
dynamique des porteurs dans
GaAs, 228
principe, 225
Modèle
de Drude, 72, 109
de Lorentz, 76
de Schockley-Read-Hall, 85
Molécules
énergie de rotation, 62, 64
constante de distorsion
centrifuge, 63, 69
constante de rotation, 63, 69
forme de raie d’absorption, 66,
304
intensité de raie, 67, 70, 304,
314
masse réduite, 65
moment d’inertie, 62
nombre quantique de rotation
J, 63, 315
nombre quantique de vibration
n
ν
, 64, 65, 316
règle de sélection de rotation,
63
raies d’absorption de l’eau, 32
Ondes électromagnétiques, 13
Index 359
état de polarisation, 189
infrarouge lointain, 18
onde plane, 42
principe d’Huygens-Fresnel, 179
relation de dispersion, 43
vecteur de Poynting, 43
vitesse de groupe, 127
Optique anisotrope, 50
ellipsoïde des indices, 50
Optique non linéaire
équation de propagation, 125,
126
accord de phase, 49, 124
effet électro-optique, 49, 139
génération paramétrique, 129
polarisation non linéaire, 46, 125
redressement optique, 47
ZnTe (cas du), 126
Paramètres matériau
coefficient d’absorption α, 45
conductivité électrique σ, 41
constante diélectrique ε, 40, 41,
45, 72, 79, 208, 243
fréquence plasma, 72, 74
impédance d’onde, 243
indice de réfraction n, 43, 45,
243, 247
perméabilité μ, 40, 208, 243
polarisabilité, 56
susceptibilité électrique χ, 40,
46, 51, 59
susceptibilité magnétique χ
m
,
40
Phonons, 77
acoustiques, 79
optiques, 78, 81, 166
relation de dispersion, 78
Photocommutateurs, 108, 132
écrantage coulombien, 117
écrantage lié au rayonnement,
117
à structure verticale, 158
géométrie, 133, 156, 158, 172
modèle phénoménologique, 134
rapport signal sur bruit, 134
Photocommutateurs
équation de la dynamique des
porteurs, 84
champ lointain rayonné, 110,
112
modèle phénoménologique, 109
non-linéarité de la réponse, 114,
115
résistivité, 85
Photomélange, 170
banc expérimental, 173, 258
battement de deux lasers, 154
photodiode à onde progressive
(TW-PD), 161
photodiode à transport
unipolaire (UTC-PD), 162,
164
photodiodes pn et pin, 160
puissance rayonnée, 171, 174,
258
Photonique
énergie du photon, 52
intensité optique, 44, 53
statistique du flux de photons,
53
température de rayonnement,
53
Plasmons, 74
de surface, 74
guides, 167
ondes de Goubau, 198
ondes de Sommerfeld, 197
profondeur de pénétration, 197
relation de dispersion, 75
Propriétés THz
Al
2
O
3
, 241
atmosphère, 319
fumée de cigarette, 305
H
2
O, 244, 317
HCN, 307
OCS, 244, 305
360 Optoélectronique térahertz
Relations de Kramers-Kronig, 45
Semi-conducteurs (ultrarapides)
épitaxie à basse température,
100
absorption optique, 143, 144
alliages III-V BT ternaires et
quaternaires, 105, 118, 173,
175
durée de vie des porteurs, 103,
106
GaAs-BT, 102, 149
implantation et irradiation
ionique, 105
puits quantiques, 165
résistivité, 101, 102
recombinaison électron-trou, 99
recuit, 101
super-réseau, 165
Sources optoélectroniques
émission par effets de surface,
119
comparatif, 129
continues, 25
génération par redressement
optique, 124
polarisation, 122
Spectroscopie THz dans le domaine
fréquentiel, 248
extraction des paramètres
matériau, 256
interférogramme, 252
interféromètre de Martin-Puplett,
255
interféromètre de Michelson, 251
principe, 249
résolution spectrale, 254
spectromètre à transformée de
Fourier, 249, 251, 255
Spectroscopie THz dans le domaine
temporel (THz-TDS)
cas des matériaux magnétiques,
242
dynamique de mesure, 233
extraction des paramètres
matériau, 241
fonction de transfert complexe,
239, 240, 242
mesure de l’épaisseur
de l’échantillon, 247
optimisation, 231
principe, 217, 237
problème de troncature
du signal, 221
signal mesuré (expression du),
219
sources de bruit et/ou
incertitudes, 230, 246, 247
transformée de Fourier (FFT),
221
Transitions électroniques
émission spontanée, 59, 60
émission stimulée, 59, 60
énergie de bande interdite., 83
force d’oscillateur, 57, 77
photoinduites, 83
probabilité de transition, 58
pulsation de Rabi, 58

Optoélectronique térahertz
Sous la direction de Jean-Louis COUTAZ
Avec la collaboration de Robin BOQUET, Nicolas BREUIL, Laurent CHUSSEAU, Paul CROZAT, Jean DEMAISON, Lionel DUVILLARET, Guilhem GALLOT, Frédéric GARET, Jean-François LAMPIN, Didier LIPPENS, Juliette MANGENEY, Patrick MOUNAIX, Gaël MOURET, Jean-François ROUX

17, avenue du Hoggar Parc d’activités de Courtabœuf, BP 112 91944 Les Ulis Cedex A, France

Imprimé en France.

© 2008, EDP Sciences, 17, avenue du Hoggar, BP 112, Parc d’activités de Courtabœuf, 91944 Les Ulis Cedex A Tous droits de traduction, d’adaptation et de reproduction par tous procédés réservés pour tous pays. Toute reproduction ou représentation intégrale ou partielle, par quelque procédé que ce soit, des pages publiées dans le présent ouvrage, faite sans l’autorisation de l’éditeur est illicite et constitue une contrefaçon. Seules sont autorisées, d’une part, les reproductions strictement réservées à l’usage privé du copiste et non destinées à une utilisation collective, et d’autre part, les courtes citations justifiées par le caractère scientifique ou d’information de l’œuvre dans laquelle elles sont incorporées (art. L. 122-4, L. 122-5 et L. 335-2 du Code de la propriété intellectuelle). Des photocopies payantes peuvent être réalisées avec l’accord de l’éditeur. S’adresser au : Centre français d’exploitation du droit de copie, 3, rue Hautefeuille, 75006 Paris. Tél. : 01 43 26 95 35. ISBN EDP Sciences 978-2-86883-975-6

Liste des auteurs Sous la direction de : – Jean-Louis COUTAZ, professeur, Laboratoire IMEP-LAHC, université de Savoie, Le Bourget du Lac – Robin BOQUET, professeur, Laboratoire de physico-chimie de l’atmosphère, université du Littoral, Dunkerque – Nicolas BREUIL, ingénieur, Thalès Airborne Systems, Élancourt – Laurent CHUSSEAU, directeur de recherche au CNRS, Institut d’électronique du Sud, Montpellier – Paul CROZAT, professeur, Institut d’électronique fondamentale, Orsay – Jean DEMAISON, directeur de recherche au CNRS, Laboratoire PHLAM, université de Lille I – Lionel DUVILLARET, professeur, Laboratoire IMEP-LAHC, Institut national polytechnique de Grenoble – Guilhem GALLOT, chargé de recherche au CNRS, Laboratoire d’optique et biologie, École polytechnique, Palaiseau – Frédéric GARET, maître de conférences, Laboratoire IMEP-LAHC, université de Savoie, Le Bourget du Lac – Jean-François LAMPIN, chargé de recherche au CNRS, Institut de microélectronique et nanotechnologie du Nord, Villeneuve d’Ascq – Didier LIPPENS, professeur, Institut de microélectronique et nanotechnologie du Nord, Villeneuve d’Ascq – Juliette MANGENEY, maître de conférences, Institut d’électronique fondamentale, Orsay – Patrick MOUNAIX, chargé de recherche au CNRS, Laboratoire CPMOH, université de Bordeaux – Gaël MOURET, maître de conférences, Laboratoire de physico-chimie de l’atmosphère, université du Littoral, Dunkerque – Jean-François ROUX, maître de conférences, Laboratoire IMEP-LAHC, université de Savoie, Le Bourget du Lac.

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Avant-propos
Les ondes électromagnétiques térahertz suscitent aujourd’hui un engouement sans précédent dû aux applications entrevues, dans des domaines aussi variés que l’environnement, la sécurité, l’imagerie, les télécommunications... Jusqu’aux années 1990, les études dans le domaine térahertz sont restées confinées dans des laboratoires spécialistes de l’infrarouge très lointain, à cause de l’absence de sources et de détecteurs faciles à utiliser. Une révolution technologique a eu lieu à cette époque avec l’apparition de lasers commerciaux délivrant des impulsions optiques de durée femtoseconde, qui ont facilité la génération et la détection des signaux térahertz. Depuis, des techniques complémentaires ont fait progresser les performances des systèmes térahertz, si bien que nous sommes actuellement à une époque charnière où la science térahertz est en train de migrer des laboratoires vers les entreprises et vers les applications grand public. Ce livre, destiné à un public de scientifiques (chercheurs ou étudiants de 3e cycle) et d’ingénieurs non spécialistes du domaine, a pour but de présenter l’ensemble des principes, des techniques et des applications des ondes térahertz. Devant l’ampleur des concepts mis en jeu, nous nous sommes limités à la description des technologies optoélectroniques qui sont aujourd’hui les plus abouties pour un transfert industriel. Le livre s’articule autour de cinq parties. La première donne une description globale du domaine. La seconde décrit les principes physiques de base rencontrés dans le domaine térahertz. La troisième partie s’intéresse aux composants, et la quatrième partie aux systèmes et techniques de mesure. Enfin, la dernière partie présente les applications des ondes térahertz dans le domaine de la sécurité, des communications, de la santé, de la défense... Ce livre a été rédigé par un ensemble de spécialistes français. Toutes les différentes contributions ont été harmonisées pour que le livre soit homogène et ainsi de lecture plus aisée. Cet ouvrage est le fruit d’une coopération enthousiaste depuis l’année 2000 entre ces spécialistes sous l’égide du Club Ecrin 1 qui fédère les équipes de recherches universitaires et les industriels EADS et THALES afin de promouvoir les nouvelles technologies dans le domaine térahertz.
Fondée par le CNRS et le CEA, l’association Ecrin (Échange et coordination rechercheindustrie) a pour but de rapprocher les laboratoires de recherche et les entreprises pour accélérer les transferts de technologies et créer de l’innovation (www.ecrin.asso.fr).
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Optoélectronique térahertz

En réalité, cette aventure a commencé en 1988 et elle illustre la puissance et l’efficacité que peuvent engendrer des relations informelles. En effet, il fallait alors pallier au manque de sources térahertz au sein des laboratoires. Daniel Boucher, à l’époque enseignant-chercheur à l’université de Lille, et Jean-Pierre Gex, directeur commercial d’un GIE CEA-Aérospatiale, se rencontrèrent autour d’un café et, pour des intérêts évidents, décidèrent très vite de monter un projet d’une source à électrons libres qui aurait été implantée à Lille. Ils étaient alors encouragés par Pierre Glorieux, Jean Demaison, Didier Dangoisse, Robin Bocquet de l’université de Lille. Mais à cette époque, les lasers femtoseconde firent leur première apparition. Daniel Boucher se dépêcha d’en acheter un et de monter une expérience de spectroscopie térahertz dans le laboratoire qu’il venait de créer à l’université du Littoral à Dunkerque, abandonnant ainsi l’idée du laser à électrons libres. Déjà, suite aux travaux précurseurs du Laboratoire d’optique appliquée de l’ENSTA à Palaiseau, quelques laboratoires français (LAHC-Chambéry, IRCOM-Limoges, CESTACEA) s’étaient lancés dans l’aventure de l’optoélectronique térahertz. Aussi, Jean-Pierre Gex et Daniel Boucher sentirent la nécessité d’une première conférence térahertz qu’ils organisèrent à l’Observatoire de Paris en 1999. Une trentaine de personnes y participèrent dont des représentants de Thomson (Thalès) et Aérospatiale (EADS). Une grande partie de ces participants décidèrent de maintenir entre eux des contacts de travail, donnant ainsi naissance au groupe de travail térahertz dans le cadre du club Ecrin. Aujourd’hui, ce groupe de travail rassemble une grande partie des acteurs français de l’optoélectronique térahertz, il se réunit plusieurs fois par an et, dans une ambiance chaleureuse, monte des projets, recherche le financement de thèses, organise tous les deux ans les Journées Térahertz et, le térahertz devenant une technologie à haut potentiel, publie ce livre. L’ensemble du groupe térahertz dédie ce livre à la mémoire de Daniel Boucher, récemment disparu, qui a effectué durant plus de trente ans des travaux de recherche dans le domaine térahertz, motivant jeunes chercheurs et ingénieurs à s’intéresser à ce domaine spectral, dont il était convaincu du grand intérêt pour la recherche académique et du haut potentiel de développement et d’applications. Jean-Pierre Gex, Ecrin Gérard-Pascal Piau, EADS Jean-Louis Coutaz, université de Savoie

. . . . 1.4. . .2 Équations de propagation du champ électromagnétique 43 2. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .3. 1. . .1 Détecteurs « incohérents » : bolomètres. . . . . . . .1. .1 Électromagnétisme . .3 Sources de rayonnement térahertz . . . . . . . .2 Photonique . 54 . . 48 2. . . . . 1. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .4 Sources optoélectroniques . . . . . . . . 1. 1. .5 Lasers à cascade quantique . . . . .1 « Fossé » du térahertz .5 Interaction entre les ondes térahertz et la matière . . . . . . . . . . . . . . . . . . .3. . . . . . . 1. . . . . . 1. . .1. . . . . . . . . . . . .3. .1. . . . . . .Table des matières Avant-propos Table des matières 5 7 I Description générale . . . . . . . . .4 Électromagnétisme non linéaire . . . 1. . 1. 1.. . . . . . . . . . .1 Équations de Maxwell .2 Sources « classiques » . . . . . . . . . . .2 Détecteurs optoélectroniques . . . . . . 1. 45 2. . . . . . . . . . .4. 13 15 15 20 21 21 22 25 26 28 30 30 30 34 34 36 1 Introduction 1. . . . . . . . . . . . . . . . . . .3. . . . . . . . . . 1. . .1 Remarques préliminaires . . . . .3. . . . .6 Applications entrevues et état actuel de leur développement II Principes physiques de base 39 2 Notions physiques de base 41 2. . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1. 1. . . . . . . . .3.2 Infrarouge lointain ou domaine térahertz . . . . . . . . . . .4 Détecteurs de rayonnement térahertz . . . . . . . . . . . 41 2. . . . . . . . . . . . . . .3 Lasers moléculaires . 41 2.6 Bilan comparatif et perspectives . .3 Énergie électromagnétique . .. .

. .2 Matériaux semi-conducteurs pour l’impulsionnel .1. . .2. .3. . . . . . . .4 Principaux lasers femtosecondes . . . 2.3 Traitement quantique de l’interaction lumière-atome 2. . . . . .3. . . 93 . . . .3 Génération . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .2 Composants de transposition de fréquence par battement de lasers : photodétecteurs . . . . .1. 155 . . . . . . . . . . . .1 Génération à base de semi-conducteurs . 4 Composants pour le régime continu 4. . . . 4. .4 Détection . . . . . . . . 3. . . . . . . . 94 . . . . . . . . . . .8 Interaction lumière-solide . . .2 Puissance lumineuse et statistique du flux de photons Interaction lumière-matière . . . . . . . . . 2. . . . 2. 2. . . . . . . .2 Mise en phase des modes . 102 107 110 110 125 132 134 134 138 3 Composants pour le régime impulsionnel 3.1 Introduction . . 3. . 3. . .3. . 100 . . . . . . . . 2. . . . . .3.2. . . . . . .3 Comparatif des sources . . . . . . . . 99 . . .4 Le corps noir . . 3. . . . . . 3. . . . . .1 Détection photoconductrice .3. . . . . . . . . . . . . . 3. . .1. . .2 Détection par effet électro-optique .1. . . . . . . . . .1. . . .8 Optoélectronique térahertz 2. . . . . . . . . . . . . . 93 . . . . . . . . 100 . . . . . . . . . .1.2 Génération d’impulsions laser femtosecondes 3. . . . .3 Blocage de modes . . . .4. . .3. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1 Énergie du photon . .3. . . . . . .4 III Composants . . . .2.2. . .4. . . . . . .1. .2. . . . . . . . . . . . . . . . . 4. . . . . . . . . . . . . .4. . . . . . . . . . .1 Recombinaison des paires électrons-trous . . . . 3. . .1 Lasers à modes bloqués . . . . . . . . 3. 3. . . . . . . . . . . . .3 Laser à cascade quantique (QCL) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .3. . . . .2 Génération par redressement optique . . 2.3. .3. . . . . . . . . . 3. . . . 3. . . . . . .5 Interaction lumière-molécule . . . . . . 2. . 156 . . . .7 Interaction lumière-liquide . . . 2.1 Photomélange par battement de deux lasers 4. . . . . . . .3 Implantation et irradiation ionique . . . 155 . . . . . . . . . .2 Modèle classique de l’interaction dipolaire . 167 . . . . . . .3. . . . . . .9 Photogénération dans les semi-conducteurs . . . . . . . . . . . . .1 Généralités . 2. . . . . 2.2 L’épitaxie à basse température des semi-conducteurs III-V . . . . . .4. . .3 2. . . . . . . . Lasers femtosecondes . . 3.6 Interaction lumière-gaz .1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 91 93 . 95 .1 Lasers femtosecondes . 3. . . . . .3. 54 55 56 56 57 59 62 64 67 73 73 84 88 88 89 2. . . . . . . 2. 3. . . . . 162 .

. . . . . . . . . . . . . . . 9 172 173 174 175 176 178 179 179 180 180 182 184 186 187 188 189 189 190 191 191 193 193 195 197 200 201 202 202 202 5 Composants passifs 5.3 Traitement de la polarisation en espace libre . . . . 5.1 Rôle crucial de la dispersion chromatique . . . . . . . . . . . . . . . . 5. . . .5 Comparatif des différents guides d’onde THz . .2. 5. . . . . . . . .2. . . . . . .1 Échantillonnage en temps équivalent d’impulsions THz ultrabrèves . . . . . . .4 Lames biréfringentes . . . . . . .1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .4. . .1 Domaine temporel . . . . . . . . . . . . . . . . . . .3 Polarisation par séparation temporelle . . . . .1. . . . .Table des matières 4. . . . . . . . . . . 5. . . . . . . . . . . . . . .2. . . . . . . . . 6.4. . . . . . . . . . . . . . . 5. . . . . . . . .2. . . . . . . . 5. . 5. .5. Technique de photomélange : principe et limitations Vers les grandes longueurs d’onde . . . .3 4. . . . . . . . . . .6 Couplage dans les guides d’ondes . . . . . . .3 Lentilles . . . . . . . . . . .1 Définition et caractéristiques . . 5. .4. . . 5.2. . . .1 Quelques rappels sur le guidage des ondes électromagnétiques . . . . . . . . . . .2 Guides d’ondes diélectriques . . . . . . . . . . . . . 4. . . . . . 5. . . . . . . . .1. . . . . . . . . . . 5. .6 Traitements antireflets . . . . . . . .1 Degré de polarisation des émetteurs et détecteurs 5. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .5 Prismes et réseaux de diffraction . . 5. . . . . . . . . .4. . 5. . . .1 Banc expérimental .4 Séparatrices . . . . 207 IV Techniques et systèmes 215 219 220 220 224 6 Techniques de mesure 6. . .5. . . . . . . . .2 Résultats expérimentaux . . . . . .2 Polariseurs à grille . . . . . . . 6. . . . . . . . . . 4. . . . . .2 Éléments optiques pour la propagation en espace libre . . . . . . . . . . 5.3. . . 5. . . . . . . . . . 4. . . . . 5. .4 Conclusion partielle . . . . . . . . . . . . . 5. . . . . . . . . . .4.5. . . . . . . . . .4 Dispersion et pertes des guides d’ondes . . . . . . . . . THz . . . .2. . .3 Guides d’ondes métalliques . . . . . . .4.3. . .3 Ingénierie de la dispersion : cristaux photoniques et métamatériaux . . . . . .5 Cristaux photoniques et métamatériaux .2 Dispositifs et filtres THz basés sur des cristaux photoniques . .2 Miroirs . . . . . .2 4. . . . . . . . . 5.4. 5. . . . .2 Échantillonnage d’un signal continu . . 5. . . . . . . . .4 Guides d’ondes . . . . . . . .4. . 5. . . . . . .3. . . .4. . . . . . . . . . . .3. . 203 . . . . . . . . . 5.3 Perspectives . . . . .

. . . . 278 . . . . . 7. . . . 8 Imagerie 8. 8.1 Introduction . . . . . . . . . . .5 Tomographie . . 6. . .4 Imagerie par détecteurs bidimensionnels . . .3 Résolution spatiale . . .3.3 Choix d’un système THz . . . . .2 Principes de l’imagerie THz . . . . . .4. . . . .3 Spectroscopie dans le domaine fréquentiel . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1 Quelques principes de base sur l’instrumentation . . . . . . . . . .2 Champ proche et contraste de champ proche 8. . 7. . . . . . . . . .2 Sources optoélectroniques utilisées en spectroscopie THz . . . . . .2 Cas particuliers . . .3. 228 . . . 7. . .6 Imagerie in situ . . . . . . . . . . . . .4. . . . . 7. . . . . . . . . . . . . . 7. . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1. . . . . . . . .4. . . . . .3. . . . . . . . . . . . . . .3. . . .1. . . . .3. . .1 Introduction . . . .1 Différentes techniques en champ proche . . . . . .1 Extension des propriétés spectroscopiques . . . . . . . . . . . .4 Spectroscopie avec une source THz monochromatique de longueur d’onde ajustable . . . . . . . . . . . . . . . .2. . . . . . . .2 Pourquoi choisir le THz ? .1 Limite de la diffraction . . . . . . . . . . . Domaine fréquentiel . . . . . . . . . . . . . . 7. . . . . . . . .1.3. . . .1. 8.1 Spectroscopie THz dans le domaine temporel (THz-TDS) . . . .3 Passage temps–fréquence : la transformée de 6. 8. . . 7. . 8. . 7.1.3 Imagerie par balayage . . . 8. . . . . .4 Mesures pompe optique – sonde THz . . 8. . . . . . . . . . . . . . . 233 . . . 7. . .5 Conclusion . . . . . . . .1. . . . . 8. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7. . . . . . . . . 8.2 7 Spectroscopie 7. .2 Spectromètres à réseau ou à étalon . . . . . . . . . . . . . . . . 8. . . V Applications et perspectives 275 9 Applications des ondes THz 277 9. . . . . . . . . .3. 8. . .5 Comparaison des techniques . . . . . . . . . . .4. . . . . . 277 9. . . . . . . . . . . . . . 238 241 241 241 245 246 250 252 253 253 254 255 262 265 267 267 268 268 268 269 269 269 270 271 271 273 273 273 273 6. . . . .1. . . . . . . . . . .4 Principes d’un microscope THz . . Fourier 225 . . . .2 Imagerie en champ proche . . . . . . . . . .5 Extraction du signal . . . .1 Principe de la spectroscopie THz dans le domaine temporel . . . . . . .4 Performances de la THz TDS . . . . . . . . .4. . . . . . . . . . 8. 277 9. .10 Optoélectronique térahertz 6. . . . . 8. 7.4.3 Spectromètre infrarouge à transformée de Fourier . . . . . . . . . . . . . . .3 Matériaux magnétiques . . . . . .

. .6 Biologie et biomédical .4. . . . . . . . 11. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11. . 10. . . . . 284 293 293 294 294 295 297 297 298 299 299 299 302 302 303 304 304 305 307 307 309 313 315 316 318 318 319 319 324 325 10 Familles d’applications THz 10. . . . . .6. . . . .2 9. . . . .2 Détermination des concentrations par spectroscopie 11. . . . . . . . . . . . . . . . .5 Télécommunications . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .2 Exemple . . . . . . . . .Table des matières 9. . .1 Principe . . .4. . . . .3. . . . . .3. . . 10. .3 Exemple de la fumée de cigarette . .3. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .2 Contrôle qualité . . . . .4 Sécurité et défense . .1 Principe . . 10. . . . . . 11. . . 10. . . . . .2 Exemples . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .5 Absorption de l’atmosphère . . . . . 10. . 10. . . . 11. . . . . .1 Introduction . . . . . . . .2 Compilations . . . . . . .1 9. . . . . . . . . . . 10. . . . . . 11. 10. . . . . . . . . . . . . .4 Simulation de spectres . . . . . . . . . . . . . .4 Molécules ciblées .6. 329 333 . . . . . . . . . . . . . . . 10. . 278 Système CW ou impulsionnel . . . . . . . . . .5 Applications en astrophysique . . . . . 12 Le THz : phénomène de mode ou technologie du troisième millénaire ? Bibliographie . . . . . . . . . . . . . 10. . . . . . 10. . 10. . . . . . . . . .6. .1 Principe . 10. . . . . . . . .5. .3. . . . . . . . . . . . . .1 Principe . . . . . . . .6 Bases de données et simulation de spectres . . . . . . . .3 Maintenance préventive . . . . . . . . . 11. . . . . . . . . . . . . . . 11 Détection et quantification de gaz en THz 11. . . . . . 11. . . . .6. . . . . . . 10. . . . . . . . . . . . . . . .3. . . . . . . . . . . . . . . . .2. .5. . . . . .6. . . 11. . . . . . . . . . . 282 Classement des systèmes par degrés de complexité . .1 Introduction . . . . . . .3 Bases de données informatiques . . . . . . .3 11 Du système complexe aux composants dédiés . . . . . . . . . . . .2 Exemple . . . . . . . . .2 Exemples . . . .6. . . . . . . . . . . 10. . . . . .6. .2. . . .1 Littérature scientifique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1 Principe . . . . . . . . . .2 Exemples . . . . .

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Première partie Description générale .

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il faut donc disposer d’un détecteur . et l’air est suffisamment transparent 1 Ce principe a été proposé par le savant arabe Alhacen (al Haytham) dans son livre Kitab al Manazir (Livre d’Optique) publié autour de l’an 1030 [1]. L’étendue formidable du spectre électromagnétique multiplie d’autant les champs d’observation et d’applications par la variété des phénomènes physiques impliqués. ces trois conditions sont merveilleusement remplies dans le domaine visible du spectre électromagnétique. En effet. il reprit la notion de rayons lumineux d’Euclide mais en supposant que chaque point de l’objet « vu » émet un cône de rayons lumineux dont un seul atteint la rétine de l’œil.1 Remarques préliminaires L’utilisation des ondes électromagnétiques constitue l’outil le plus performant pour observer et comprendre le monde qui nous entoure. pour que l’onde émise par l’objet atteigne le détecteur.Chapitre 1 Introduction 1. le soleil émet une grande partie de son rayonnement dans le visible. – enfin. Depuis l’infiniment grand et lointain – galaxies des premiers temps de l’Univers – jusqu’à l’infiniment petit – physique sub-nucléaire – les ondes électromagnétiques nous permettent de « voir » les objets et de les analyser grâce à la spectroscopie. il faut que le milieu entre objet et détecteur soit suffisamment transparent. – cette onde doit être détectée pour être analysée. Il est souvent nécessaire de disposer d’une source de rayonnement . avec un pic de puissance au voisinage de 550 nm (couleur jaune-vert). . formant ainsi une image nette. notre œil s’est parfaitement adapté en sensibilité au spectre solaire. Dans notre quotidien. études et applications mettant en jeu des ondes électromagnétiques reposent sur un principe général1 basé sur trois idées simples : – l’objet observé devra émettre ou réfléchir une onde électromagnétique. Toutes ces observations. En particulier.

ou illégales comme les drogues. comme le disulfure d’hydrogène (H 2 S). correspondent pratiquement à la résolution spatiale de la vision humaine : cette imagerie permettra de visualiser de manière différente des objets avec la précision visuelle à laquelle nous sommes habitués. puisque des substances dangereuses comme les explosifs et les gaz létaux. . très faiblement absorbés par l’atmosphère pour certaines longueurs d’onde et beaucoup pour d’autres. des rayons X. les matériaux diélectriques (papier. l’infrarouge lointain présente des propriétés particulières qui en font un domaine spectral passionnant pour la recherche fondamentale et appliquée. Enfin.16 Optoélectronique térahertz pour les ondes visibles. Pourtant.. mais aussi dans le domaine sécuritaire (portails de détection d’armes ou produits illicites dans les aéroports) : il est probable que les premières caméras permettant de voir à travers les murs seront bientôt au point ! Les longueurs d’onde mises en jeu dans l’infrarouge lointain. le visible. etc. que William Herschel [2] a découvert en 1800 en plaçant un thermomètre dans la zone de dispersion de la lumière derrière un prisme et en constatant que la température augmentait lorsque le thermomètre était situé dans une zone non éclairée « en-dessous » (infra) du rouge. à condition d’employer les outils et techniques nécessaires. D’autres domaines du spectre électromagnétique sont aussi facilement explorés et utilisés par l’être humain. mouvements de rotation dont certains plus complexes sont associés à des vibrations). L’infrarouge lointain constitue un domaine spécifique au sein du spectre électromagnétique. Cet état de fait est dû au manque criant de sources suffisamment puissantes et fiables. Peu énergétiques. typiquement sub-millimétriques. béton. ou l’ultraviolet. Il s’agit par exemple du proche infrarouge. Les ondes électromagnétiques de l’infrarouge lointain excitent des résonances mécaniques des molécules (mouvements de vibration globaux de la molécule.).. Donnons quelques exemples de ces propriétés et des applications possibles.. montrent une signature spectrale spécifique. des microondes. Ainsi. avec des applications pour le bio-médical (par exemple la détection de mélanomes). alors que les matériaux humides sont très absorbants. ces rayonnements ont été relativement peu étudiés jusqu’à présent. dont les applications entrevues nombreuses et prometteuses contribueront indéniablement au progrès technique. mais aussi de détecteurs simples à employer. mais aussi dans le domaine de la sécurité. FM.). D’autre part. la spectroscopie dans l’infrarouge lointain permet la détection de substances chimiques difficiles à identifier avec d’autres méthodes. comme les semi-conducteurs intrinsèques. et leurs applications « grand-public » sont pratiquement inexistantes.. D’où la possibilité d’imagerie dans l’infrarouge lointain. de nombreux matériaux opaques à la plupart des ondes électromagnétiques sont transparents dans l’infrarouge lointain. dont les spectres d’absorption montrent des signatures souvent originales et complémentaires par rapport à celles observées dans le proche infrarouge. ouvrant de grandes perspectives en détection à distance pour l’environnement. C’est aussi le cas des ondes radio (grandes ondes.

ces études étaient bien souvent longues et fastidieuses. À cette époque. ne serait-ce que par leur périodicité élevée ? 3 www. puis par Nichols qui le produisit aussi bien par des méthodes optiques qu’électriques (faisant ainsi la réunion entre deux domaines de la physique)5 . Il est aussi très connu pour ses travaux sur les plantes. Gauthier-Villars. Lasers fiables et performants. bien connu pour ses travaux en physique statistique (bosons.com. des lasers délivrant des impulsions de lumière de durée sub-picoseconde (les lasers « femtosecondes ») ont commencé à être commercialisés [7]. mais aussi l’invention des polariseurs à grille. www. d’atténuateurs formés de prismes à réflexion totale frustrée. dont l’un des ouvrages a été traduit en français (Physiologie de l’ascension de la sève.a-sauna.com. proposé et développé en France par Jacquinot et les époux Connes. ces appareils « presse-bouton » 2 Il est amusant de savoir que téra trouve son origine dans teras qui en grec ancien signifie monstre : les fréquences THz seraient-elles monstrueuses.08 GHz (λ = 7. et de nombreux travaux et inventions dans l’infrarouge lointain et les ondes radio. on lui doit l’étude de la première diode à semi-conducteur qu’il employa comme redresseur électrique. réalisé au moyen de sources de type corps noir et de détecteurs bolométriques maintenus à très basse température. pouvait durer plusieurs jours ! Un bouleversement technologique s’est produit au début des années 1990. Il convient cependant de rester prudent sur ces questions. Nichols et Tear générèrent des ondes infrarouges de longueur d’onde 0.. Scientifique remarquable et inventeur de génie. L’astronomie « millimétrique » a donné des résultats remarquables. l’infrarouge lointain a été l’objet d’études remarquables dans les années 1950-60. ce qui est « bénéfique pour la santé et le bien-être ». Notons enfin que Jagadis Bose ne doit pas être confondu avec son illustre homonyme Satyendra Bose. dont la découverte du rayonnement fossile de l’univers à 4.8 mm [4].com 4 Jagadis Bose était un chercheur indien qui a travaillé de nombreuses années à l’université de Cambridge en Angleterre. en particulier grâce au performant spectromètre à transformée de Fourier [5]. Citons la mesure d’indice de réfraction dans le domaine des ondes centimétriques. Étudié depuis les travaux de pionnier de Jagadis Bose4 [3] à la fin du xixe siècle. Les spectres de nombreuses molécules ont été enregistrés et interprétés avec la mécanique quantique. . Ainsi. Il est intéressant de signaler que l’infrarouge très lointain est actuellement proposé dans de nombreuses publicités3 comme moyen thérapeutique en médecine douce. Introduction 17 les fréquences de l’infrarouge lointain sont de l’ordre de 1012 Hz.firheals. www. fréquences vers lesquelles tendent celles des circuits électroniques récents et des systèmes de télécommunication évolués. l’enregistrement de spectres. et d’attendre que le corps médical apporte la preuve indéniable des bienfaits thérapeutiques des ondes THz.. 5 Dans les années 1920.firtechnology. Cependant. que l’on appelle térahertz (le préfixe téra 2 est utilisé dans le système international pour multiplier par 1012 : 1 THz = 1012 Hz). Ces publicités vantent les vertus des rayonnements THz pour stimuler les tissus biologiques à l’échelle moléculaire. et qui a poursuivi et terminé sa carrière à Calcutta.1. loi de Bose-Einstein). 1923).35 mm) [6]. etc.

Actuellement. à tel point que beaucoup de travaux dans le proche infrarouge sont maintenant présentés comme étant des études THz (ce qui est vrai tout en étant anachronique. les techniques impulsionnelles permettent aussi des études de phénomènes ultrarapides. le « THz » est à la mode. car elles constitueraient des sources de rayonnement THz très compactes. Déjà. des diodes lasers pour le domaine THz. Le but de cet ouvrage est de présenter un état de l’art de l’optoélectronique THz à une époque charnière où les études sortent des laboratoires pour se répandre dans le monde industriel. Les mesures peuvent être conduites à température ambiante et des dynamiques impressionnantes sont atteintes. Les grands organismes internationaux ou nationaux financent nombre de projets sur le THz. Ces interrogations sont stimulées par la publicité faite autour des ondes THz grâce à des articles dans des journaux de grande diffusion. Grischkowsky [10]) avaient compris l’intérêt de ces impulsions laser pour améliorer et faciliter les études dans l’infrarouge lointain. En bref. et le principe de base a été complété par de nombreuses techniques variées. et compatibles avec l’électronique. de bon rendement. Ainsi. Auston [9]. très utiles pour la spectroscopie à haute résolution. car les mesures sont réalisées au moyen de techniques d’échantillonnage.18 Optoélectronique térahertz ont permis à nombre de laboratoires non spécialisés d’explorer les phénomènes ultra-rapides. La combinaison des méthodes optiques et de l’infrarouge lointain a été très fructueuse. Cette révolution technologique a relancé l’intérêt des études dans l’infrarouge lointain. en expliquant les principes de l’optoélectronique THz et en . Beaucoup de laboratoires et d’entreprises se demandent aujourd’hui s’il est intéressant de lancer des travaux et des projets relatifs aux « THz ». Cette impulsion électromagnétique. au cours des années 1980. formant ce que l’on appelle aujourd’hui l’optoélectronique THz. En effet. le battement de faisceaux lasers de fréquences différentes conduit à la génération de faisceaux THz monochromatiques. puisque les longueurs d’onde de 1 μm correspondent à des fréquences de 300 THz). Notre intention est d’aider à répondre à ces interrogations. À une durée d’une picoseconde (10−12 s) correspond un spectre qui atteint le domaine des fréquences THz. dont le fenêtrage temporel élimine le bruit thermique ambiant. Ainsi un banc expérimental typique construit autour d’un laser femtoseconde permet des études sur une bande spectrale très étendue (typiquement 0. des chercheurs américains (Mourou [8]. suscitent un grand effort de développement. De manière complémentaire. possède un spectre fréquentiel dont l’étendue spectrale est inversement proportionnelle à sa durée.1-5 THz) avec des niveaux de puissance THz suffisants. mais aussi au nombre incroyable et toujours croissant de publications scientifiques sur le sujet. rayonnée dans l’espace libre ou guidée dans des dispositifs. on obtiendra une « bouffée » électromagnétique correspondant pratiquement à l’enveloppe de l’impulsion optique. nommées diodes QCL (diodes laser à effet de cascade quantique). si l’on est capable de redresser l’impulsion optique subpicoseconde dans un matériau ou composant non linéaire.

Le lecteur connaissant bien la physique pourra passer directement à la lecture du chapitre 3 sur les composants (page 93). L’approche industrielle du développement de systèmes THz est abordée. Bien entendu. l’environnement. nous décrivons les composants de l’optoélectronique THz. le livre se termine par la présentation des principales applications entrevues aujourd’hui. Cet ouvrage est dédié à des scientifiques. comme les microklystrons. Pour conserver à cet ouvrage une bonne cohérence thématique et une taille réaliste. Ensuite. etc. Les différents chapitres et paragraphes du livre ont été rédigés par une équipe rédactionnelle formée de chercheurs représentant la plupart des équipes françaises spécialisées sur le sujet. et indique les principales applications entrevues aujourd’hui. La partie suivante6 présente de manière synthétique les différents phénomènes physiques qu’il est nécessaire de connaître pour bien comprendre la suite de l’ouvrage consacrée à l’optoélectronique THz.1. dans des domaines aussi variés que la sécurité. qu’ils soient ou non optoélectroniques. Le livre donne donc aussi bien l’état de l’art de la science et de la technologie en 2008. mais qui trouveront aussi matière à approfondir une question particulière. basées sur les propriétés d’interaction entre la matière et les ondes THz. Enfin. que cela soit par multiplication de fréquence de signaux issus de diodes hyperfréquences. 6 . leurs principes. Introduction 19 décrivant la plupart des applications entrevues. tout en s’appuyant sur une présentation aussi rigoureuse que possible des phénomènes et des techniques. ingénieurs ou étudiants non spécialistes du domaine qui veulent se faire une idée générale de l’optoélectronique THz. le domaine THz n’est pas réservé aux techniques optoélectroniques. la biologie. mais garde au contraire une vocation de synthèse et de revue. nous sommes limités à la description de l’optoélectronique THz. leurs performances. ou sur des principes revisités. comme les transistors HEMT. leurs applications. Par exemple. qu’une photographie des activités françaises dans le domaine. La quatrième partie est dédiée aux techniques expérimentales et aux systèmes basés sur l’optoélectronique THz. par la conception de composants fonctionnant à très hautes fréquences. comme les nanotransistors à résonance de plasma. souvent éparpillées dans les multiples journaux scientifiques. et basés sur des principes nouveaux. Enfin. Cet ouvrage n’est pas écrit pour des spécialistes du domaine. nous souhaitons que ce livre soit aussi un ouvrage de travail et de référence. La seconde partie donne un bilan comparé des sources et détecteurs d’ondes THz. c’est pourquoi nous avons regroupé ici de nombreuses données. des travaux prometteurs sont menés actuellement pour fabriquer des sources électroniques THz efficaces.

2 – Conversion d’unités (fréquence-longueur d’onde-énergie) et bandes de fréquences micro-ondes et radio-fréquences. C’est particulièrement vrai pour le domaine des ondes THz que nous définirons ici de manière arbitraire par : Le domaine THz est l’intervalle spectral situé entre 100 GHz et 10 THz. 1.8 et 478 K. Micro-ondes Fréquence (GHz) 1 L 2 S 4 3 C 8 X 12 SHF Ku 18 K 26 Ka 40 30 U 60 56 EHF W 100 300 Radio-fréquence UHF Fig. les ondes THz sont au-delà des EHF (extremely high frequencies) qui s’étendent entre 30 et 300 GHz. En termes de radiofréquence.42 et 41. et au-delà de la bande W (100 GHz) du spectre microondes (figure (1. Le domaine THz est donc situé entre le domaine de l’infrarouge et celui des micro-ondes. dont les longueurs d’onde sont comprises entre 30 μm et 3 mm. les photons du domaine THz possèdent des énergies comprises entre 0. Autrement dit.5 meV. Fig.2 Infrarouge lointain ou domaine térahertz Les différentes familles du spectre électromagnétique sont représentées sur la figure (1.20 Optoélectronique térahertz 1.1 – Le spectre électromagnétique. Les frontières de chaque famille ne sont généralement pas positionnées de manière exacte. . 1.2)).1). correspondant à une gamme de températures comprises entre 4.

les techniques des domaines voisins seront prolongées ou adaptées à l’étude des ondes THz. L’optoélectronique répond en partie à ce besoin. Nous ne donnons ici qu’une courte présentation des sources de rayonnement THz disponibles.). Ces sources...3. Mais on peut aussi bénéficier de la technologie des micro-ondes. Le rayonnement thermique ambiant (rayonnement de corps noir du laboratoire ou de la zone de mesure) perturbera émission et détection THz. il n’existe pas de source THz qui soit à la fois compacte. sont employées dans le domaine THz. efficace et puissante. Ainsi. suivant qu’ils sont physiciens ou électroniciens ! L’énergie des photons THz est de l’ordre de quelques dixièmes de meV à une quarantaine de meV. voient leur efficacité chuter fortement quand les fréquences se rapprochent et atteignent le domaine THz. on dit généralement que les faisceaux THz sont mis en forme par des techniques quasi optiques. kB T = 25. C’est donc une énergie très faible par rapport aux transitions électroniques des atomes et molécules (∼ 1 eV). le domaine THz profite des techniques des deux domaines infrarouge et micro-ondes voisins.1. soit en réduisant au minimum la fenêtre temporelle d’émission et d’acquisition des signaux. les sources classiques de rayonnement THz sont extrapolées des sources hyperfréquences – souvent nommées sources électroniques – ou des sources optiques. les méthodes de mise en forme des faisceaux optiques et infrarouge. mais de manière imparfaite.. .. Dans ce cas.3 1. Bien souvent. et c’est particulièrement vrai pour les sources de rayonnement. qu’elles soient optiques ou électroniques.. Il faudra donc prendre des mesures pour s’affranchir de ces perturbations. de l’ordre de l’énergie thermique à température ambiante (à T = 25 ◦ C.1 Sources de rayonnement térahertz « Fossé » du térahertz Comme nous l’avons déjà signalé.4 meV). transistors à effet de plasma.. microklystrons. comme montré sur la figure (1. 1. et par la culture des chercheurs et ingénieurs. soit en refroidissant les composants. Introduction 21 D’un point de vue pratique.3). à fentes.) sont activement étudiées mais ne sont pas au point actuellement. soit en les isolant du milieu ambiant. D’autres solutions (lasers à cascade quantique. ces méthodes issues de l’optique ou des hyperfréquences ne se différencient que par le vocabulaire employé. et ainsi conduire les ondes THz par des lignes de propagation hyperfréquences (lignes coplanaires. auxquelles se rajoutent les sources de type corps noir. C’est le grand problème rencontré par les scientifiques et ingénieurs menant des études dans ce domaine spectral : aujourd’hui. Ainsi. basées sur l’utilisation de composants dioptriques (lentilles) ou catadioptriques (miroirs).

com www.ci-systems.mikroninfrared.22 Optoélectronique térahertz 10 10 Puissance (W) 10 10 10 10 1 IMPATT Longueur d’onde (mm) 1 0.boselec. Malheureusement.001 MMIC −1 Gunn BWO QCL p-Ge lasers QCL THz lasers III-V −3 p-Ge lasers RTD TUNETT multiplication de fréquence UTC lasers à sels de plomb −5 −7 0.1 0. Ainsi. tout cm2 de corps chauffé à une température réaliste (typiquement moins que 3 000 K. mais aussi des films chauffés8 . si tout corps chaud rayonne dans le domaine THz.hawkeyetechnologies.helioworks. 1. les puissances rayonnées sont très faibles.01 0. 7 8 www.3 – Le « fossé » THz (d’après un document du THz Technology Trend Investigation Committee (Japon)).com .com.1 THz (λ = 3 mm) et du microwatt à 10 THz (λ = 30 μm) dans une largeur spectrale Δλ = 1 μm. www. énoncée dans le chapitre suivant. www. on trouve principalement des cavités métalliques chauffées par des résistances en céramique qui se rapprochent du corps noir idéal.com. température maximum du filament en tungstène des lampes à incandescence) rayonne de l’ordre du picowatt à 0. Parmi les appareils commerciaux7 .com/ir40. Les sources THz à corps noirs sont donc peu puissantes et de plus les ondes rayonnées sont incohérentes. 1.eoc-inc.01 0.2 Sources « classiques » Corps noirs La loi de Planck.com.htm 9 www. des lampes à filament (halogène)9 et à décharge (vapeur de mercure sous haute pression). www.3.1 1 10 Fréquence (THz) 100 1 000 Fig. nous indique que le rayonnement thermique possède un spectre continu d’étendue infinie.

à laquelle correspond une NDR. Chronologiquement. un effet d’avalanche se produit qui alimente en porteurs la . cette fois-ci au détriment de la puissance émise. Typiquement. Il se produit dans les semi-conducteurs dopés dont la bande de conduction possède des vallées satellites. Cet effet accumule les porteurs sous la forme d’une impulsion et l’écrantage induit du champ électrique empêche la formation d’une seconde impulsion de courant tant que la première traverse le dispositif. tels que GaAs ou InP. l’effet Gunn fut le premier découvert en 1962 [11]. RTD) sont les plus performantes pour la génération de hautes fréquences.1. les composants les plus performants délivrent 100 mW en continu à 100 GHz et de l’ordre du mW à 1 THz [12].5 μW [14]). tous ces composants à semi-conducteurs sont basés sur un effet de résistance différentielle négative (NDR) obtenu de différentes manières. Cet effet est causé par le transfert des électrons depuis la vallée de forte mobilité (faibles valeurs du vecteur d’onde) jusqu’à la vallée voisine de faible mobilité. Introduction Diodes électroniques 23 Imaginés par Schokley dès 1954. BARITT. les diodes à effet tunnel (TUNNETT. il est nécessaire de réduire l’épaisseur de cette région pour atteindre le domaine THz. Les diodes TUNNETT en technologie GaAs délivrent quelques dizaines de μW à 300∼400 GHz. Il faut alors diminuer la surface du composant. Parmi la grande variété des autres composants à effet de transit-NDR (diodes TUNNETT. Toutes ces considérations font que la puissance électromagnétique émise par composant électronique varie comme f −2 ∼ f −3 et donc chute fortement quand on atteint le domaine THz.. La vitesse des porteurs libres augmente avec le champ appliqué jusqu’à une valeur maximum.. La jonction est fortement polarisée en inverse. De façon générale. le champ électrique appliqué étant très fort dans la zone de déplétion au voisinage de la zone p. Le phénomène de NDR est observé lorsque le courant traversant un composant diminue alors qu’on augmente la tension de polarisation. puis diminue pour atteindre un plateau. Les diodes IMPATT (Impact Avalanche And Transit Time diode) sont constituées d’une zone intrinsèque placée entre les régions dopées p et n d’une jonction pn. Aujourd’hui.). L’emploi d’autres matériaux avec des valeurs de saturation des vitesses électroniques plus élevées comme GaN semble prometteur [13] mais reste à démontrer. La fréquence des signaux électriques générés est ainsi inversement proportionnelle au temps de transit de l’impulsion électrique dans la région NDR du composant. La courbe de la vitesse des électrons en fonction du champ appliqué présente donc une zone de pente négative. une diode Gunn en GaAs de 5 μm d’épaisseur génère un signal à 25 GHz. Les diodes RTD (resonant tunneling diodes) atteignent aujourd’hui le THz. DOVETT. mais avec des puissances émises qui restent trop faibles (∼0. et donc à une réponse électrique moins rapide. mais ceci conduit à une augmentation de la capacité du composant.

en tenant compte des effets relativistes. est égale à : f= c n 1 d ( β − cos φ) (1.html . la fréquence rayonnée.24 Optoélectronique térahertz zone intrinsèque. Il est aussi mis à profit pour fabriquer des lasers à électrons libres. La société Vermont Photonics 10 commercialise une source THz à effet Smith-Purcell. Ce phénomène est observé lorsqu’un faisceau électronique est en trajectoire rasante au-dessus d’un réseau de diffraction métallique. où d v est la période spatiale du champ et β = c est la vitesse relative des électrons par rapport à celle de la lumière dans le vide.1) d est la période du réseau. Cette technique permet de diminuer la période de la corrugation (cosφ = −1 dans l’expression (1. c’est l’effet Smith-Purcell [15]. L’onde millimétrique s’échappe du guide d’onde par une déviation en forme de Y au voisinage de la cathode. Une des faces du tube est corruguée périodiquement. Dans le cas de l’effet Smith-Purcell. afin de produire l’effet Smith-Purcell.vermontphotonics. φ est l’angle d’émission par rapport au réseau et n est l’ordre de diffraction. Une électrode chauffée émet des électrons qui sont accélérés et focalisés à l’aide d’un champ magnétique vers l’anode au sein d’un tube à vide ayant la forme d’un guide d’ondes millimétriques. Le domaine THz est atteint soit à l’aide de multiplicateurs de fréquences. qui utilise un faisceau électronique accéléré sous quelques dizaines de kV. Lorsque la diode est alimentée en tension alternative. le faisceau électronique traversant un onduleur magnétique. Les meilleures performances de ces diodes sont de l’ordre de quelques dizaines de mW à 300 GHz. Ces appareils produisent des faisceaux de la centaine de mW pour des fréquences inférieures à 200 GHz. alimentant ainsi la zone intrinsèque par une impulsion de charge. soit en utilisant des électro-aimants externes 10 http://www. Les carcinotrons encore appelés tubes à ondes contra-progressives ou BWO (backward wave oscillator ) sont des dispositifs compacts basés sur l’effet Smith-Purcell.net/index2. d’où le nom du dispositif. La fréquence générée est réglable entre 100 GHz et 10 THz en ajustant la tension d’accélération.1)) et donc de réduire l’encombrement de l’appareil. la largeur spectrale étant de quelques centaines de GHz et la puissance atteignant quelques centaines de nW. l’effet d’avalanche se produit de façon momentanée une fois par cycle. la puissance diminuant alors fortement (typiquement la dizaine de μW autour du THz). il rayonne une onde électromagnétique de fréquence ν = β d . L’onde millimétrique est générée dans la direction opposée au mouvement des électrons. Autres sources électroniques Lorsqu’un électron se déplace dans un champ électrique spatialement péc riodique.

Elles sont polarisées en inverse par le signal électrique véhiculé par la ligne. augmente avec la tension appliquée. parmi les sources électroniques. 1. et dans leur compacité. Introduction 25 à l’appareil.mtinstruments. Les fréquences produites couvrent toute la gamme THz. créée en 2004.com . L’avantage de ces systèmes réside dans leur technologie toute électronique. et donc les signaux de haute tension se propagent plus vite que ceux de bas niveau. Townes. Le faisceau lumineux fait des aller-et-retour dans une cavité électromagnétique dont l’axe est celui du faisceau d’électrons. Appelées masers (microwave amplification by stimulated emission of radiation).com www. Des tubes BWO THz sont commercialisés par la société américaine Microtech Instruments11 . Pour des échelons de tension de l’ordre de 4 V. Ces appareils sont assez stables du point de vue spectral (Δf /f ≈ 10−4 ∼ 10−5 ).tera-x. avec un bruit électrique assez élevé (ΔP/P ≈ %). Dans ces lignes de propagation. Ce couplage électron-photon regroupe les électrons par paquet. Enfin. il est cohérent. qui couple les électrons au rayonnement électromagnétique. On ajuste la fréquence rayonnée en variant l’énergie des électrons. et les puissances peuvent être considérables (100 W continus au Jet Laboratory ERL) [16]. La société américaine Tera-X12 . montrant des composantes spectrales au-dessus de 3 THz [18].5 W de puissance moyenne à environ 200 GHz. la puissance délivrée