Goldsztejn Gildas MP 1 Physique

TP physique exprimentale UE 2.A

TP 3. Diode lectroluminescente (DEL)

CTES Universit de Provence

Anne 2011-2012

I)

Objectifs du TP

Les buts de ce TP est de faire des mesures du GAP optique de certaines DEL de couleurs diffrentes, dapprhender la diffrence entre les GAP lectronique et optique dans les semiconducteurs et de comprendre le modle des bandes pour expliquer la conductivit de ce type de matriaux. II) Thorie

1) Thorie des bandes dans les semi-conducteurs

Dans latome isol les lectrons occupent des niveaux dnergie discrets. Dans un cristal, par suite des interactions entre les atomes, ces niveaux discrets slargissent et les lectrons occupent des bandes dnergie permises spares par des bandes interdites. Pour les semi-conducteurs, le taux de remplissage de la dernire bande occupe est soit trs faible soit trs important. La hauteur de la bande interdite est faible ( 1 eV). La conduction est faible et varie beaucoup avec la temprature.

La thorie des bandes applique aux semi-conducteurs amne considrer une bande de valence entirement pleine qui est spare dune bande de conduction par une bande interdite distante de lnergie Ep. Si on apporte une nergie thermique ou lumineuse suffisante un lectron, il peut passer de la bande de valence la bande de conduction. Dans un semi-conducteur, Ep est assez faible pour autoriser, temprature ambiante, le passage dun petit nombre dlectrons de la bande de valence vers la bande de conduction. Bandes dnergie des semi-conducteurs dops :

Type n

Type p

2) GAP lectronique / optique Une DEL (ou diode lectroluminescente) nen ai pas moins une diode avec les caractristiques quon leur connat. Notamment on doit apporter aux diodes une certaine tension (appele tension seuil) pour quelle permette le passage du courant. Cela correspond (comme nous venons de le voir)au passage dlectrons de la bande de valence la bande de conduction, ou plutt lnergie ncessaire apporter aux lectrons pour passer dune bande lautre. Ce que nous appellerons le GAP lectronique. Or pour que la DEL mette aussi de la lumire il faut franchir un autre GAP dont le fonctionnement est le mme que celui cit prcdemment, appel GAP optique. Lmission de la lumire diffre pour chaque alliage utilis, ils mettent en effet dans diffrentes couleurs et ont donc besoin dune nergie Ep (nergie ncessaire au franchissement du GAP) diffrente. Pour tudier les proprits des matriaux plus en dtail il nous faudrait nous plonger dans la physique des solide pour chaque alliage utilis, ce nest pas le but de ce TP et nous contenterons donc de noter des diffrences entre les DEL utilises. 3) Temps de recombinaison lectron-trou et largeur spectrale Une partie de ce TP portera aussi sur le relev des temps de recombinaison lectrons-trous et des largeur spectrales des diffrentes DEL utilises, en effet ces deux grandeurs sont lies et sont inversement proportionnelles : K!h/X O Xest le temps de recombinaison et K la largeur spectrale mi-hauteur. Plus le temps de recombinaison est grand moins lnergie apporter pour franchir le GAP est importante et la largeur de la raie diminue.

III)

Mesures et observations

Dans un premier temps nous avons mesur les tensions seuil pour chaque diode, cest--dire la tension pour laquelle le courant passe. Diode lectroluminescente Ambre Jaune Verte Rouge I Bleue Rouge II Tension Seuil (V) 0,6 0,6 0,6 0,6 0,6 0,6

On remarque que la tension de seuil est la mme pour les diffrentes diodes. Il est intressant de la mesurer car elle donne un accs direct lnergie ncessaire pour franchir le GAP lectronique : E = e.V O E est lnergie en lectron-Volt, e est la charge dun lectron e = 1,6.10-19C et V la tension de seuil en Volt. Nous avons ensuite mesur la tension de seuil pour laquelle la diode commence mettre des photons : Diode lectroluminescente Ambre Jaune Verte Rouge I Bleue Rouge II Tension Seuil photon (V) 1,70 1,65 1,80 1,50 1,75 1,50

On observe que les tensions de seuil pour que la diode commence mettre des photons, bien que du mme ordre de grandeur, sont diffrentes selon les matriaux utiliss pour fabriquer la DEL. Une troisime manipulation consistait enregistrer le spectre dmission de chaque diode laide dune photodiode relie un logiciel, nous avons ainsi relev les valeurs des pics des raies de plus grande intensit, puis laide de curseurs nous avons galement relev la largeur mi-hauteur : On introduit dans le tableau la valeur de K(largeur mi-hauteur en eV) calcul laide de la formule : K!hc/Pe

O Pest la largeur mi-hauteur en nm, c la vitesse de la lumire dans le vide c = 3.108 m.s-1, et h la constante de Planck h = 6,62.10-34J.s Diode lectroluminescente Ambre Jaune Verte Rouge I Bleue Rouge II Longueur donde (nm) 26,887 26,515 18,000 15,741 15,078 20,000 K(eV) 45,74 46,39 68,33 78,14 81,58 68,94

IV)

Conclusions