CONSTRUCCIN DEL DIODO

En la figura 1.10 se muestra un material de tipo p y otro de tipo n colocados juntos para formar una unin. Esto representa un modelo simplificado de construccin del diodo. El modelo ignora los cambios graduales en la concentracin de impurezas en el material. Los diodos prcticos se construyen como una sola pieza de material semiconductor, en la que un lado se contamina con material de tipo de y el otro con material de tipo n. Los materiales ms comunes utilizados en la construccin de diodos son tres; germanio, silicio y arsenurio de galio. En general, en silicio ha reemplazado al germanio en los diodos debido a su mayor barrera de energa que permiten la operacin a temperaturas ms altas, y los costos de material son mucho menores. El arsenurio de galio es particularmente til en aplicaciones de alta frecuencia y microondas. La distancia precisa en el que se produce el cambio de material de tipo p a tipo n en el cristal vara con la tcnica de fabricacin. La caracterstica esencial de la unin pn es que el cambio en la concentracin de impurezas se debe producir en una distancia relativamente corta. De otra manera, la unin no se comporta como un diodo. C abran una regin desrtica en la vecindad de la unin, como se muestra en la figura 1.11 (a). Este fenmeno se debe a la combinacn de huecos y electrones donde se unen los materiales. La regin desrtica tendr muy pocos portadores. Sin embargo, los dos componentes de la corriente constituida por el movimiento de huecos y electrones a travs de la unin se suman para formar la corriente de difusin, ID. La direccin de esta corriente es del lado p al lado n. Adems de la corriente de difusin existe otra corriente debido al desplazamiento de portadores minoritarios a travs de la unin, y se conoce como IS. Si ahora se aplica un potencial positivo al material p en relacin con el material n, como se muestra en la figura 1.11 (b), se dice que el diodo est polarizado en directo, por otra parte, si la tensin se aplican como en la figura 1.11 (c), el diodo se polariza en inverso.

Figuras 1.10 y 1.11 Operacin del diodo El la figura 1.12 se ilustran las caractersticas de operacin de un diodo prctico. Esta curva difiere de la caracterstica ideal de la figura 1.9 (b) en los siguientes puntos: conforme la tensin en directo aumenta ms all de cero, la corriente no fluye de inmediato. Es necesaria una tensin mnima, denotada por V , para obtener una corriente significativa. Conforme la tensin tiende a exceder V la corriente aumenta con rapidez. La pendiente de la curva caracterstica es grande pero no infinita, como en el caso del diodo ideal. La tensin mnima necesaria para obtener una corriente significativa, V , es aproximadamente 0.7 V para semiconductores de silicio (a temperatura ambiente) y 0.2 V para semiconductores de germanio. La diferencia de tensin para el silicio y el germanio radica en la estructura atmica de los materiales. Para diodos de arsenurio de galio, V es ms o menos 1.2 V. Cuando el diodo est polarizado el inverso, existe una pequea corriente de fuga, est corriente se producen siempre que la tensin sea inferior a la requerida para romper la unin. El dao al diodo normal en ruptura se debe a la avalancha de electrones, que fluyen a travs de la unin con poco incremento en la tensin. La corriente muy grande puede destruir

el diodo si se genera excesivo calor. Esta ruptura a menudo se conoce como la tensin de ruptura del diodo (VBR).

Figura 1.12 Modelos de circuito equivalentes del diodo El circuito mostrado en la figura 1.13 (a) representa un modelo simplificado del diodo de silicio bajo condiciones de operacin en cd tanto en directo como en inverso. El resistor Rr representa la resistencia en polarizacin inversa del diodo y, por lo general, es del orden de megahoms (M ). El resistor Rf representa la resistencia de bloque y contacto del diodo, y suele ser menor que 50 . Cuando se encuentra polarizado en directo, el diodo ideal es un cortocircuito, o resistencia cero. La resistencia de circuito del diodo practic modelado en la figura 1.13 (a) es Rr Rf Rf Bajo condiciones de polarizacin en inverso, el diodo ideal tiene resistencia infinita (circuito abierto), y la resistencia de circuito del modelo prctico es Rr. Los modelos de circuito en ca son ms complejos debido a que la operacin del diodo depende de la frecuencia.

Fsica de los diodos en estado slido

Un diodo de estado slido se forma cuando se unen dos piezas de cristal semiconductor compuestas por tomos de silicio (Si) puro, pero procesadas cada una de forma diferente. Durante el proceso de fabricacin del diodo ambas piezas se someten por separado a un proceso denominado dopado consistente en aadirle a cada una impurezas diferentes, procedentes de tomos de elementos semiconductores tambin diferentes. Al final del proceso se obtiene una pieza de cristal de silicio positiva (P) con faltante de electrones en su estructura atmica (lo que produce la aparicin de huecos) y otra pieza negativa (N) con exceso de electrones.

Principio de funcionamiento Un fotodiodo es una unin P-N o estructura P-I-N. Cuando una luz de suficiente energa llega al diodo, excita un electrn dndole movimento y crea un hueco con carga positiva. Si la absorcin ocurre en la zona de agotamiento de la unin, o a una distancia de difusin de l, estos portadores son retirados de la unin por el campo de la zona de agotamiento, produciendo una fotocorriente.

Fotodiodos de avalancha Tienen una estructura similar, pero trabajan con voltajes inversos mayores. Esto permite a los portadores de carga fotogenerados el ser multiplicados en la zona de avalancha del diodo, resultando en una ganancia interna, que incrementa la respuesta del dispositivo

Metodo De Aleacin Este mtodo consiste esencialmente en fundir sobre un semiconductor una impureza de tipo P o de tipo N. Si, por ejemplo, se hace fundir sobre una placa de germanio del tipo N, calentada a 500 C, una cierta cantidad de indio, este ultimo se funde, el germanio se disuelve y las fases liquidas penetran en la placa paralelamente a las superficies, hasta que la solucin se satura, es decir, a una profundidad que

depende del peso del indio, del rea en contacto y de la temperatura alcanzada, obtenindose as una regin P. Metodo De Difusin Este mtodo consiste en difundir un vapor de tipo N o P sobre un monocristal de un semiconductor determinado que contenga ya una impureza del tipo contrario a la que se hace difundir. Por ejemplo, si se coloca una placa de germanio de tipo N dentro de un recipiente en el cual circula vapor de indio, se puede obtener una unin P-N por difusin de los tomos de indio a travs de la superficie de la placa de germanio, mayor ser la penetracin del indio; por ejemplo, a 570 C se puede tener una penetracin de de 80 A en 100 seg. Y a 870C se obtiene una penetracin de de 8000 A en el mismo tiempo. Metodo Epitaxial Tomando el caso del germanio, este mtodo consiste en evaporar dentro de una atmsfera gaseosa yoduro de germanio (Gel2) y alguna impureza sobre un monocristal de tipo P o tipo N. El yoduro de germanio se descompone sobre el monocristal de germanio segn la reaccin reversible: Gel2 Gel4 + Ge. Evaporando en forma simultanea Gel2 y la impureza sobre el monocristal calentado a una temperatura dada, se puede obtener una unin. La mayor ventaja de este mtodo es que permite la obtencin de regiones muy delgadas de pureza controlada. Se puede emplear en combinacin con otras tcnicas (de difusin y de aleacin) para construir transistores con aplicaciones en ultra alta frecuencia y circuitos integrados.