En un circuito RLC en serie la corriente (corriente alterna) que pasa por la resistencia, el condensador y la bobina es la misma y...

La tensin Vac es igual a la suma fasorial de la tensin en la resistencia (Vr) y la tensin en el condensador (Vc) y la tensin en la bobina VL. Vac = Vr+Vc+VL (suma fasorial) La impedancia total del circuito anterior es: ZT = R + XL + XC (suma vectorial) R + j(XL - XC) R + jX donde: XC = reactancia capacitiva XL = reactancia inductiva R = valor del resistor X = la diferencia de XL y XC. (Si X es positivo predomina el efecto inductivo. Si X es negativo predomina el efecto capacitivo. La corriente en el circuito se obtiene con laLey de Ohm: I = V/Z = Vac/ZT = Vac/( R + jX)1/2 y el ngulo de fase es: 0 = arctan (X/ R) Nota: El parntesis elevado a la 1/2 significa raz cuadrada. ngulos de fase en un circuito RLC Analizando los tutoriales circuitos RC en serie y circuitos RL en serie, se puede iniciar el anlisis de los ngulos de fase de un circuito RLC. El proceso de anlisis se puede realizar en el siguiente orden: 1. Al ser un circuito en serie, la corriente I es la misma por todos los componentes, por lo que la tomamos como vector de referencia 2. VR (voltaje en la resistencia) est en fase con la corriente, pues la resistencia no causa desfase. 3. VL (voltaje en la bobina) adelanta a la corriente I en 90 4. VC (voltaje en el condensador) atrasada a la corriente I en 90 5. Los vectores VL y VC se pueden sumar pues estn alineados. 6. Vac (voltaje total) se obtiene de la suma vectorial de VR y (VL VC).

Ver el grfico del lado derecho Nota: El signo menos delante de VC en el punto 6 se debe a que esta tensin tiene direccin opuesta a VL. En el diagrama se supone que VL es mayor que VC, pero podra ser lo contrario. Un caso especial aparece cuando VL y VC son iguales. (VL = VC). En este caso VR = Vac. La condicin que hace que VC y VL sean iguales se llama condicin de resonancia, y en este caso an cuando en le circuito aparecen una capacidad y una inductancia, este se comporta como si fuera totalmente resistivo. Este caso aparece para una frecuencia especial, llamada frecuencia de resonancia. (f0)

Control de potencia en corriente alterna (AC) El DIAC es un diodo de disparo bidireccional, especialmente diseado para disparar TRIACs y Tiristores (es un dispositivo disparado por tensin). Tiene dos terminales: MT1 y MT2. Ver el diagrama. El DIAC se comporta como dos diodos zener conectados en serie, pero orientados en formas opuesta. La conduccin se da cuando se ha superado el valor de tensin del zener que est conectado en sentido opuesto. El DIAC normalmente no conduce, sino que tiene una pequea corriente de fuga. La conduccin aparece cuando la tensin de disparo se alcanza. Cuando la tensin de disparo se alcanza, la tensin en el DIAC se reduce y entra en conduccin dejando pasar la corriente necesaria para el disparo del SCR o TRIAC. Se utiliza principalmente en aplicaciones de control de potencia mediante control de fase.

La curva caracterstica del DIAC se muestra a continuacin

En la curva caracterstica se observa que cuando - +V o - V es menor que la tensin de disparo, el DIAC se comporta como un circuito abierto - +V o - V es mayor que la tensin de disparo, el DIAC se comporta como un cortocircuito Sus principales caractersticas son: - Tensin de disparo - Corriente de disparo - Tensin de simetra (ver grafico anterior) - Tensin de recuperacin - Disipacin de potencia (Los DIACs se fabrican con capacidad de disipar potencia de 0.5 a 1 watt.)

TRANSISTOR POTENCIA UJT

El transistor UJT (transistor de unijuntura - Unijunction transistor) es un dispositivo con un funcionamiento diferente al de otros transistores. Es un dispositivo de disparo. Es un dispositivo que consiste de una sola unin PN Fsicamente el UJT consiste de una barra de material tipo N con conexiones elctricas a sus dos extremos (B1 y B2) y de una conexin hecha con un conductor de aluminio (E) en alguna parte a lo largo de la barra de material N. En el lugar de unin el aluminio crea una regin tipo P en la barra, formando as una unin PN. Como se dijo antes este es un dispositivo de disparo. El disparo ocurre entre el Emisor y la Base1 y el voltaje al que ocurre este disparo est dado por la frmula: Voltaje de disparo = Vp = 0.7 + n x VB2B1 Donde: - n = intrinsic standoff radio (dato del fabricante) - VB2B1 = Voltaje entre las dos bases La frmula es aproximada porque el valor establecido en 0.7 puede variar de 0.4 a 0.7 dependiendo del dispositivo y la temperatura. Dos ejemplos sencillos 1.- Un UJT 2N4870 tiene un n = 0.63 y 24 voltios entre B2 y B1. Cul es el voltaje de disparo aproximado?

Voltaje de disparo = Vp = 0.7 + (0.63 x 24) = 15.8 Voltios 2.- Un UJT 2N4870 tiene un n = 0.68 y 12 voltios entre B2 y B1. Cul es el voltaje de disparo aproximado? Voltaje de disparo = Vp = 0.7 + (0.68 x 12) = 8.86 Voltios. Nota: - Un dato adicional que nos da el fabricante es la corriente necesaria que debe haber entre E y B1 para que el UJT se dispare = Ip. - Es importante hacer notar que tambin se ha construido el UJT donde la barra es de material tipo P (muy poco). Se le conoce como el CUJT o UJT complementario. Este se comporta de igual forma que el UJT pero con las polaridades de las tensiones al revs TRANSISTOR MONOUNION UJT El transistor monounin (UJT) se utiliza generalmente para generar seales de disparo en los SCR. En la fig.5 se muestra un circuito bsico de disparo UJT. Un UJT tiene tres terminales, conocidas como emisor E, base1 B1 y base2 B2. Entre B1 y B2 la monounin tiene las caractersticas de una resistencia ordinaria (la resistencia entre bases RBB teniendo valores en el rango de 4.7 y 9.1 K). Cuando se aplica el voltaje de alimentacin Vs en cd, se carga el capacitor C a travs de la resistencia R, dado que el circuito emisor del UJT est en estado abierto. La constante de tiempo del circuito de carga es T1=RC. Cuando el voltaje del emisor VE, el mismo que el voltaje del capacitor llega a un valor pico Vp, se activa el UJT y el capacitor se descarga a travs de RB1 a una velocidad determinada por la constante de tiempo T2=RB1C. T2 es mucho menor que T1. Cuando el voltaje del emisor VE se reduce al punto del valle Vv, el emisor deja de conducir, se desactiva el UJT y se repite el ciclo de carga. El voltaje de disparo VB1 debe disearse lo suficientemente grande como para activar el SCR. El periodo de oscilacin, T, es totalmente independiente del voltaje de alimentacin Vs y est dado por: T = 1/f = RC ln 1/1-n

TRANSISTOR MONOUNION PROGRAMABLE El transistor monounin programable (PUT) es un pequeo tiristor que aparece en la fig.7. Un PUT se puede utilizar como un oscilador de relajacin, tal y como se muestra en la fig.7b. El voltaje de compuerta VG se mantiene desde la alimentacin mediante el divisor resistivo del voltaje R1 y R2, y determina el voltaje de punto de pico Vp. En el caso del UJT, Vp est fijo para un dispositivo por el voltaje de alimentacin de cd, pero en un PUT puede variar al modificar al modificar el valor del divisor resistivo R! y R2. Si el voltaje del nodo VA es menor que el voltaje de compuerta VG, le dispositivo se conservar en su estado inactivo, pero si el voltaje de nodo excede al de compuerta en una cada de voltaje de diodo VD, se alcanzar el punto de pico y el dispositivo se activar. La corriente de pico Ip y la corriente del punto de valle Iv dependen de la impedancia equivalente en la compuerta RG = R1R2/(R1+R2) y del voltaje de alimentacin en cd Vs. N general Rk

est limitado a un valor por debajo de 100 Ohms. R y C controlan la frecuencia junto con R1 y R2. El periodo de oscilacin T est dado en forma aproximada por: T = 1/f = RC lnVs/Vs-Vp = RC ln (1+R2/R1)

Circuito de disparo de un tiristor con un transistor UJT Finalidad: -Analizar las diferentes tecnicas de control de los rectificadores Secuencia a realizar: 1)Montar el circuito indicado en la figura. 2)Medir con el osciloscopio la seal del diodo zener, en el condensador, en B1 del transistor y la salida V. 3)Representar las seales sincronizadas con la tensin del

transformador. 4)explicar el funcionamiento del circuito.

Para mas informacion hacerca de esta practica haga click en el siguiente link. informe practica Practica disparo de UJT . Nombre: Andres Alexis Rodriguez Diaz Diseo E Integracion de Autonatismos Mecatronicos - 60003. Servicio Nacional De Aprensizaje - SENA sogamoso, 27 de junio de 2007

Regin de corte En esta regin, la tensin de emisor es baja de forma que la tensin intrnseca mantiene polarizado inversamente el diodo emisor. La corriente de emisor es muy baja y se verifica que VE < VP e IE < IP. Esta tensin de pico en el UJT viene definida por la siguiente ecuacin:

donde la VF vara entre 0.35 V a 0.7 V con un valor tpico de 0.5 V. Por ejemplo, para el 2N2646 es de 0.49V a 25C. El UJT en esta regin se comporta como un elemento resistivo lineal entre las dos bases de valor RBB. Regin de resistencia negativa . Si la tensin de emisor es suficiente para polarizar el diodo de emisor, es decir, VE=VP entonces el diodo entra en conduccin e inyecta huecos a B1 disminuyendo bruscamente la resistencia R1 debido a procesos de recombinacin. Desde el emisor, se observa como el UJT disminuye su resistencia interna con un comportamiento similar a la de una resistencia negativa (dVE/dIE < 0). En esta regin, la corriente de emisor est comprendida entre la corriente de pico y de valle (IP < IE < IV). Regin de saturacin Esta zona es similar a la zona activa de un tiristor con unas corrientes y tensiones de mantenimiento (punto de valle) y una relacin lineal de muy baja resistencia entre la tensin y la corriente de emisor. En esta regin, la corriente de emisor es mayor que la corriente de valle (IE > IV). Si no se verifica las condiciones del punto de valle, el UJT entrar de forma natural a la regin de corte. En la figura 12.22 tambin se observa una curva de tipo exponencial que relaciona la VE y la IE cuando la base B2 se encuentra al aire (IB2 =

0). Esta curva tiene una forma similar a la caracterstica elctrica de un diodo y representa el comportamiento del diodo de emisor.