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THSE

Prpare au Laboratoire dAnalyse et dArchitecture des Systmes du CNRS En vue de lobtention du Doctorat de lUniversit Paul Sabatier de TOULOUSE Spcialit : Mcanique et microsystmes Par :

DAVID PEYROU
tel-00129546, version 1 - 8 Feb 2007

ETUDE THEORIQUE ET EXPERIMENTALE DES TECHNIQUES DASSEMBLAGE ET DE MISE EN BOITIER POUR LINTEGRATION DE MICROSYSTEMES RADIO-FREQUENCES
Soutenue le 8 dcembre 2006 devant le jury : Prsident Directeur de thse Co-directeur Rapporteurs MARC SARTOR ROBERT PLANA PATRICK PONS ROLAND FORTUNIER Professeur INSA Toulouse Professeur Universit Paul Sabatier Toulouse Charg de recherche LAAS CNRS Professeur Ecole des Mines de Saint-Etienne

DOMINIQUE BAILLARGEAT Professeur Universit de Limoges Examinateurs HERV AUBERT NICOLAS HUC XAVIER GRISON Invit FRDRIC COURTADE Professeur ENSEEIHT Toulouse Docteur - Ingnieur COMSOL France Ingnieur DGA Paris Ingnieur CNES Toulouse

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Your manuscript is both good and original, but the part that is good is not original and the part that is original is not good. Samuel Johnson 1709-1784, Auteur Britanique

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A ma femme Elise et mon fils Lucas, A mon grand pre Georges A mes grands parents Odile et Jacques, A ma grand-mre Yvette et Patrick, A mes parents, Mireille et Grard, A ma sur Sandra et Olivier, A tous mes amis et ceux quon oublie.

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AVANT-PROPOS
Le travail prsent dans ce mmoire a t effectu au Laboratoire dAnalyse et dArchitecture des Systmes (LAAS) du Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS) de Toulouse, au sein du groupe Microdispositif et Microsystmes de Dtection (M2D) puis du groupe MIcro et Nanosystmes pour les Communications sans fils (MINC). Je tiens tout dabord remercier Monsieur Malik GHALLAB, Directeur du LAAS pour mavoir accueilli dans le laboratoire et galement pour la bienveillance quil ma manifeste. Je remercie galement Monsieur Pierre TEMPLE-BOYER, Directeur de recherche et tel-00129546, version 1 - 8 Feb 2007 responsable du groupe Microdispositif et Microsystmes de Dtection. Je remercie vivement Monsieur Roland FORTUNIER, Professeur Ecole des Mines de SaintEtienne, et Monsieur Dominique BAILLARGEAT, Professeur lUniversit de Limoges, pour lintrt quils ont port ce mmoire en acceptant dtre les rapporteurs de mes travaux. Jexprime galement ma reconnaissance Messieurs Herv Aubert, Professeur de lENSEEIHT Toulouse, Nicolas Huc, Docteur-Ingnieur COMSOL, Xavier Grison, Ingnieur DGA et Frdric COURTADE, Ingnieur CNES, pour avoir accept dexaminer mes travaux de thse et de participer au jury de thse. Jexprime ma gratitude Monsieur Marc SARTOR, Professeur lInstitut National des Sciences Appliques de Toulouse, pour lhonneur quil a bien voulu nous faire en acceptant la fois de juger mes travaux et de prsider notre jury. Je tiens exprimer ma profonde reconnaissance Monsieur Patrick PONS, Charg de recherche au CNRS ainsi qu Monsieur Robert Plana, Professeur lUniversit Paul Sabatier de Toulouse, pour la confiance quils mont tmoigne en acceptant la direction de mes travaux ainsi que pour leurs soutiens, leurs conseils, leurs disponibilits et les changes scientifiques que nous avons eu.

Je remercie galement lensemble du personnel du LAAS pour son aide et plus spcialement les membres du groupe M2D et MINC, les membres du service TEAM, les membres du service Sysadmin, Madame Nicole HIGOUNET et Monsieur Christian BERTY pour leur sympathie et leur disponibilit. Je noublie pas galement mes amis et collgues de bureau qui mont aid en crant une ambiance agrable et amicale tout au long de ces annes de thse : Mohamed SAADAOUI (momo), Younes LAMRANI (Jonas), Mohamad AL BAHRI, Iryna HUMENYUK, Benot TORBIERO (torboyau), Mohamed LAMHAMDI, Hikmat ACHKAR (le blond), Fabienne PENNEC, Michal OLSZACKI, Cesary MAJ, Jean Franois LE NEAL, Christine MOLLIET, Taoufik EL MASTOULI, Mohamed Mehdi JATLAOUI, Pierre PENNARUN, Fabio COCCETTI, Gustavo Adolfo ARDILA RODRIGUEZ, Fadi KHALIL, Karim YACINE, tel-00129546, version 1 - 8 Feb 2007 Alain SALLES, Marie Laure POURCIEL-GOUZY, William SANT, Jrome LAUNAY Frdric FLOURENS, .

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INTRODUCTION GENERALE

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Introduction gnrale La loi de Moore nonce il y a plus de quarante ans par Gordon Moore, ingnieur de Fairchild Semiconductor (co-fondateur dIntel), indiquait que la densit des transistors doublerait tous les deux ans. A ce jour, cette prdiction sest rvle tonnamment exacte, avec pour consquences lapparition sur le march de systmes lectroniques de moins en moins coteux et de plus en plus performants. Cette volution quasi-exponentielle est le fruit de progrs fulgurants de la recherche en microlectronique tant aux niveaux des procds, des techniques de conception que des architectures. Dans un contexte de march de plus en plus comptitif avec des technologies avances et des temps de cycle rduits, la technologie ne peut soffrir le luxe dune pause. Aussi, dans le domaine des tlcommunications, cette course linnovation impose une mutation des circuits traditionnels basses frquences, pour tendre vers de nouveaux objectifs : tel-00129546, version 1 - 8 Feb 2007 Utilisation de frquences plus leves (0,1-100 GHz) pour cause dencombrement du spectre frquentiel Hautes performances lectriques (rduction de la consommation, bonne linarit, faibles pertes, puissance leve en transmission) Forte compacit Faible cot de production

Laugmentation des frquences de fonctionnement des circuits actifs base de SiGe permet denvisager aujourdhui lintgration des circuits passifs sur silicium. Ce matriau, avec dexcellentes proprits thermiques et mcaniques, savre un bon candidat pour la ralisation de circuits passifs. Lordonnancement cristallin du silicium a permis de dvelopper des techniques de microusinage du silicium trs reproductibles. Le silicium utilis jusqu' prsent comme substrat sur lequel les circuits micro-ondes sont fabriqus est partiellement ou entirement grav. Lapparition de cette sphre technologique a rvolutionn le monde de la fabrication des circuits micro-ondes puisquelle a permis une monte spectaculaire en frquence. Elle a aussi permis dapprocher et de lier le domaine de la conception et la fabrication des circuits microondes avec celui des microsystmes et microtechnologies. Les Micro Systmes Electro Mcaniques Radio-Frquences (MEMS RF) bouleversent le paysage en laissant entrevoir des possibilits vertigineuses : exceptionnelles performances hyperfrquences, grande linarit et faible consommation.

ii

Introduction gnrale Ainsi pour rpondre aux nouvelles exigences des systmes de communications modernes, deux principales pistes dinvestigation font lobjet de recherches intensives : La ralisation de circuits intgrs monolithiques micro-onde (MMIC). Il sagit dune technologie permettant la ralisation simultane sur un mme substrat des circuits numriques, analogiques, hyperfrquences ainsi que certains lments passifs innovants bases de composants MEMS. La ralisation de circuits intgrs hybride (HIC). Il sagit de lintgration de circuits passifs et actifs sur un substrat hte par report flip-chip, wire bonding ou par les technologies classiques de la microlectronique. Chacune de ces solutions amnent ses lots davantages et dinconvnients, ainsi il nexiste pas de solution idale mais plutt deux possibilits offertes au concepteur face au cas particulier tel-00129546, version 1 - 8 Feb 2007 auquel il est confront. Les activits menes au sein du LAAS-CNRS, sinscrivent dans cette dmarche doptimisation en dveloppant des circuits passifs base de MEMS RF ayant de faibles pertes, de faibles consommations, une haute compacit et une excellente linarit. Les MEMS RF peuvent tre utiliss en tant que capacits variables, filtres accordables, commutateurs rsistif et capacitif. Malgr les avantages indniables des MEMS RF, les industriels attendent que ces technologies montrent plus de maturit et soient moins coteuses en terme de dveloppement. Concernant les micro-commutateurs RF, ceci passe principalement par la rsolution des problmes de mise en botier (packaging), de fiabilit ou encore de prototypage afin quils obtiennent le succs escompt. En effet, la non standardisation des procds de report et dencapsulation demande au concepteur denvisager de nouvelles solutions respectueuses de lintgrit du MEMS sans en affaiblir les performances, sans lesquelles tous ces microsystmes resteraient de belles ralisations vaines et inutiles. De plus, la conception des MEMS bute sur de nombreux cueils : la coexistence de nombreux phnomnes physiques coupls (lectrostatique, lectromagntisme, thermique, mcanique, fluidique), des non-linarits fortes (matrielles et gomtriques) et des incertitudes importantes sur les dimensions gomtriques des MEMS (dispersions), sur certains paramtres assujettis aux procds de fabrication (contraintes rsiduelles), voire sur les iii

Introduction gnrale proprits des matriaux utiliss (constante dilectrique, module de Young, coefficient de poisson, CTE etc). Ces travaux de thse initis par le professeur Robert PLANA, le charg de recherche Patrick PONS et financs par la Dlgation Gnrale de l'Armement, ont port sur les techniques dassemblage et de mise en botier pour lintgration de micro-commutateurs RF oprant en bande X (10 GHz). Les rsultats de ces travaux raliss au LAAS sont ainsi prsents dans ce mmoire et correspondent ltat de lart en la matire. Lobjectif de cette thse est double, prsenter une solution dencapsulation dfinie thoriquement par les outils de conception microsystmes et valide exprimentalement. Afin de rpondre ce double dfi, il est ncessaire dans un premier temps de faire un tour dhorizon sur les techniques dassemblages et de mise en botier, de dvelopper des outils ou tel-00129546, version 1 - 8 Feb 2007 des mthodes de conception pour les microsystmes. Puis dans un second temps, dappliquer ces techniques de modlisations pour la conception dune solution dencapsulation adapte aux micro-commutateurs RF. Pour aboutir finalement la ralisation et la caractrisation lectrique de cette solution de mise en botier. Le premier chapitre introductif, prsente les composants MEMS en exposant leurs domaines dapplications ainsi que leurs formidables potentialits, avant de finir par un tour dhorizon des diverses techniques de mises en botier et des moyens de caractrisations indispensables pour valuer la qualit de lencapsulation. Le second chapitre permet de fixer le cahier des charges de cette thse par une analyse de la valeur de la solution de mise en botier adapte aux commutateurs MEMS RF lectrostatiques contact capacitif raliss au Laboratoire d'Analyse et d'Architecture des Systmes. Aprs une description du principe de fonctionnement et des techniques de fabrication des commutateurs MEMS RF, nous exposerons les principaux verrous technologiques lis aux performances lectriques en termes disolation, de tenue mcanique ainsi que de fiabilit. Ensuite nous proposerons une solution de mise en botier, appuye par une analyse du besoin, compatible avec les exigences spcifiques des commutateurs. Pour finir, nous discuterons des enjeux de la conception multi-physique en traant le plus exhaustivement possible un panorama des outils ddis la conception des microsystmes.

iv

Introduction gnrale Le troisime chapitre est focalis sur lvaluation de logiciels Elments Finis permettant de modliser plusieurs physiques, principalement la mcanique, la thermique, llectrostatique et llectromagntisme mais galement capables de proposer des modles comportementaux afin de modliser le MEMS diffrents niveaux dabstraction (composant systme). Le but de ce chapitre est de dfinir un environnement dans lequel une conception quasi-complte de microsystmes puisse tre acheve de faon systmatique. Le dernier chapitre est consacr une mise en application des choix et des techniques de conception dcrites dans le second et troisime chapitre pour la conception dune mise en botier dun commutateur MEMS RF. Aprs une brve description de la ralisation technologique, ralise en collaboration avec la socit MEMSCAP, les rsultats issus de la caractrisation lectrique sont confronts aux donnes de simulation. Enfin, nous conclurons tel-00129546, version 1 - 8 Feb 2007 sur la qualit de la solution adopte.

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TABLE DES MATIERES

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INTRODUCTION GENERALE............................................................................................i CHAPITRE I I.1. ETAT DE LART ..................................................................................... 1

INTRODUCTION : LES MEMS............................................................................ 3 Dfinition............................................................................................................ 3 Historique ........................................................................................................... 3 Domaines dapplications des MEMS ................................................................. 4 Les MEMS sont une ralit venir ............................................................... 6 Introduction ........................................................................................................ 9 Les niveaux dassemblages .............................................................................. 11 Packaging niveau zro : Wafer Level Packaging............................................. 12
Dfinitions : ............................................................................................................ 12 Principaux avantages et inconvnients.................................................................... 14

I.1.1. I.1.2. I.1.3. I.1.4. I.2. I.2.1. I.2.2. I.2.3. tel-00129546, version 1 - 8 Feb 2007
I.2.3.1. I.2.3.2.

TECHNIQUES DE MISES EN BOITIER DES MEMS ...................................... 9

I.2.4.
I.2.4.1. I.2.4.2. I.2.4.3.

Mthodes de report de capots........................................................................... 16


Report avec couche intermdiaire de scellement .................................................... 16 Report sans couche intermdiaire ........................................................................... 21 Rsum des diffrentes techniques ......................................................................... 22

I.3.

LE PACKAGING SOUS VIDE ............................................................................ 23 Introduction ...................................................................................................... 23 Getters .............................................................................................................. 24 Technique filaire : Wire Bonding..................................................................... 25 Plots mtalliques : Flip Chip ............................................................................ 27 Dgazage .......................................................................................................... 31 Adhsion - Humidit ........................................................................................ 31
Rseau de poutre ..................................................................................................... 33 Test de gonflement de membrane (bulge test) ........................................................ 34 Test de la lame (blister/blade test) .......................................................................... 35 Test du pelage ......................................................................................................... 35 Flexion quatre points............................................................................................... 35 Contrainte de cisaillement de rupture (shear test)................................................... 36

I.3.1. I.3.2. I.4. I.4.1. I.4.2. I.5. I.5.1. I.5.2.


I.5.2.1. I.5.2.2. I.5.2.3. I.5.2.4. I.5.2.5. I.5.2.6.

LES INTERCONNEXIONS.................................................................................. 24

CARACTERISATION ET FIABILITE .............................................................. 30

I.5.3. I.5.4. I.6.

Pression et atmosphre contrle ..................................................................... 36 Hermticit ....................................................................................................... 37

REFERENCES BIBLIOGRAPHIQUES DU CHAPITRE I ............................. 41

CHAPITRE II II.1.

PROBLEMATIQUE.............................................................................. 45

MICRO-COMMUTATEURS RADIO FREQUENCE....................................... 47 Gnralits sur les micro-commutateur RF...................................................... 47 Principe de fonctionnement.............................................................................. 49 Microtechnologie.............................................................................................. 49
Fabrication de la partie fixe .................................................................................... 51 Lignes coplanaires................................................................................................... 51 Procd Lift-off....................................................................................................... 51 Procd LIGA ......................................................................................................... 52 Fabrication de la capacit........................................................................................ 52 Fabrication de la partie mobile................................................................................ 54 La couche sacrificielle ..................................................................................... 54 Fabrication du micro-pont................................................................................ 55 Libration des structures mobiles .................................................................... 55

II.1.1. II.1.2. II.1.3.


II.1.3.1. II.1.3.2. II.1.3.3. II.1.3.4. II.1.3.5. II.1.3.6.

II.1.3.6.1. II.1.3.6.2.

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II.1.3.6.3.

II.2.

PACKAGING DES MICRO-COMMUTATEURS CAPACITIFS A ACTUATION ELECTROSTATIQUE................................................................ 57 Analyse fonctionnelle....................................................................................... 57


Analyse du besoin : bte corne ....................................................................... 57 Analyse des fonctions de service : diagramme pieuvre .................................... 58 Analyse de lorganisation des fonctions : Technique SADT .................................. 61 Analyse des fonctions techniques : Diagramme FAST........................................... 63 II.2.1.1. II.2.1.2. II.2.1.3. II.2.1.4.

II.2.1.

II.2.2. II.3. II.3.1. II.3.2. II.4. II.5.

Choix du type de packaging ............................................................................. 65 Introduction ...................................................................................................... 67 Panorama des outils de conception pour les Mems.......................................... 69

OUTILS CAO POUR LES MICROSYSTEMES ............................................... 67

CONCLUSION....................................................................................................... 75 REFERENCES BIBLIOGRAPHIQUES DU CHAPITRE II............................ 76

CHAPITRE III

EVALUATION DES LOGICIELS MULTI-PHYSIQUES ............. 81

III.1. INTRODUCTION .................................................................................................. 83 III.2. ELECTROSTATIQUE.......................................................................................... 83 III.2.1. Schma lectrique quivalent du micro-commutateur RF ............................... 84
III.2.1.1. Expression analytique de l'isolation (transmission l'tat bloqu)......................... 86 III.2.1.2. Expression analytique de la bande disolation 3 dB............................................. 87 III.2.1.3. Expression analytique de la frquence de rsonance ltat bas ............................ 87 III.2.1.4. Expression analytique des pertes d'insertion........................................................... 88

III.2.2.

Ingnierie inverse ............................................................................................. 89

III.2.2.1. Expression analytique de la capacit relle............................................................. 89 III.2.2.2. Mesure de la rugosit .............................................................................................. 91 III.2.2.3. Mthode dingnierie inverse.................................................................................. 93 III.2.2.4. Rsultats .................................................................................................................. 96

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III.2.2.5. Conclusion .............................................................................................................. 98

III.3. ELECTROMAGNETIQUE HAUTES FREQUENCES (HF) ........................... 99 III.3.1. III.3.2. III.3.3. Prliminaire : Paramtres S ............................................................................ 100 Description de la structure test ....................................................................... 101 Conditions aux limites.................................................................................... 101

III.3.3.1. Conditions aux limites : PEC ................................................................................ 102 III.3.3.2. Conditions aux limites : PMC............................................................................... 102 III.3.3.3. Conditions aux limites : PML ............................................................................... 103 III.3.3.4. Implmentation des conditions de type PML dans COMSOL 3.2b...................... 104

III.3.4.

Description des mthodes de modlisation dans les diffrents logiciels........ 105

III.3.4.1. HFSS ..................................................................................................................... 105 III.3.4.2. COMSOL .............................................................................................................. 107 III.3.4.3. ANSYS ................................................................................................................. 108

III.3.5. III.3.6. III.4.1.

Modles simules ........................................................................................... 108 Rsultats et conclusions.................................................................................. 110 Contraintes rsiduelles et facteur de forme lev........................................... 112

III.4. MECANIQUE DES STRUCTURES.................................................................. 112


III.4.1.1. Description du microsystme : Antenne Yagi Uda............................................... 112 III.4.1.2. Modle retenu ....................................................................................................... 113 III.4.1.3. Implmentation des contraintes rsiduelles dans les logiciels .............................. 114 III.4.1.4. Possibilits des logiciels........................................................................................ 116 III.4.1.5. Rsultats et perspectives ....................................................................................... 118 III.4.1.6. Amliorations des modles ................................................................................... 119

III.4.2.

Modlisation de lassemblage ........................................................................ 121


ANSYS ......................................................................................................... 121 COMSOL...................................................................................................... 121

III.4.2.1. Description des principes de modlisation............................................................ 121 III.4.2.1.1. III.4.2.1.2.

III.4.2.2. Dfinition des matriaux et rsultats..................................................................... 124

III.5. EXEMPLES DE MODELISATION COMPORTEMENTALE...................... 127 III.5.1. Modlisation par description analytique puis calcul numrique .................... 127
III.5.1.1. Prambule : Transducteur ..................................................................................... 127 III.5.1.2. Constantes localises : Micro-commutateur capacitif actuation lectrostatique 127

III.5.2.

Modlisation comportementale ...................................................................... 129

III.5.2.1. Calcul analytique de la raideur du pont................................................................. 131 III.5.2.2. Macro modle EF.................................................................................................. 133

III.6. CONCLUSION..................................................................................................... 137 tel-00129546, version 1 - 8 Feb 2007 III.7. REFERENCES BIBLIOGRAPHIQUES DU CHAPITRE III ........................ 138

CHAPITRE IV

PACKAGING...................................................................................... 141

IV.1. INTRODUCTION ................................................................................................ 143 IV.2. SPECIFICATIONS GEOMETRIQUES DU PACKAGING ........................... 143 IV.2.1. IV.2.2. Cadre du projet ............................................................................................... 143 Conception du capot en Foturan..................................................................... 144

IV.2.2.1. Pr-dimensionnement du capot en Foturan........................................................... 144 IV.2.2.2. Fabrication du capot en Foturan............................................................................ 146

IV.3. CONCEPTION DU PACKAGING .................................................................... 148 IV.3.1. Analyse des performances RF........................................................................ 149
IV.3.1.1. Dfinitions notations .......................................................................................... 149 IV.3.1.2. Modlisation RF.................................................................................................... 149 IV.3.1.3. tude des interactions : plan dexprience............................................................ 151 IV.3.1.4. tudes de sensibilits ............................................................................................ 153

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IV.3.1.4.1. IV.3.1.4.2.

Influence de la largeur des murs transversaux du capot ............................... 154 Influence de lpaisseur de lanneau de scellement...................................... 155

IV.3.1.5. Conclusions sur ltude de sensibilit ................................................................... 156

IV.3.2.

Minimisation des pertes par dsadaptation .................................................... 156


Description de la mthode ............................................................................ 158 Capacit totale - capacits partielles............................................................. 159 Mthode hybride : analytique-numrique..................................................... 161 Validation de la technique ............................................................................ 162

IV.3.2.1. Transforme conforme modifie........................................................................... 157 IV.3.2.1.1. IV.3.2.1.2. IV.3.2.1.3. IV.3.2.1.4.

IV.3.2.2. Adaptation dimpdance : rsultats....................................................................... 164 IV.3.2.3. Conclusions........................................................................................................... 167

IV.4. CRITERES MECANIQUES............................................................................... 167


IV.4.1.1. Rsistance mcanique : contrainte de rupture ....................................................... 168 IV.4.1.2. Hermticit : Taux de fuite avant rupture ............................................................. 171 IV.4.1.3. Conclusions........................................................................................................... 173

IV.5. PROCEDES DASSEMBLAGE ......................................................................... 174 IV.5.1. IV.5.2. IV.6.1. Report Flip-Chip............................................................................................. 174 Calibration dispensing.................................................................................... 175 Analyse exprimentale des pertes rapportes par le packaging ..................... 177

IV.6. CARACTERISATIONS RF................................................................................ 177 IV.7. CONCLUSION..................................................................................................... 181 IV.8. REFERENCES BIBLIOGRAPHIQUES DU CHAPITRE IV......................... 182

CONCLUSION GENERALE............................................................................................ 185 PUBLICATIONS ................................................................................................................ 191 ANNEXES ................................................................................................................ 195

ANNEXE A : PROPRIETES DES MATERIAUX .......................................................... 197 ANNEXE B : PROPRIETES DES ALLIAGES EUTECTIQUES ................................ 206 ANNEXE C : PROPRIETES DU FOTURAN ................................................................. 208 ANNEXE D : INTRODUCTION A LA MECANIQUE DES MILIEUX DEFORMABLES ................................................................................................................ 209 tel-00129546, version 1 - 8 Feb 2007 ANNEXE E : THEORIE DES POUTRES ........................................................................ 212 ANNEXE F : THEORIE DE LA RUPTURE .................................................................... 225 ANNEXE G : INTRODUCTION A LA PLASTICITE ................................................. 229 ANNEXE H : INITIATION AU CALCUL PAR ELEMENTS FINIS......................... 240 ANNEXE I : PROGRAMMATION DE LINGENIERIE INVERSE.......................... 244

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CHAPITRE I

ETAT DE LART

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Etat de lart

I.1. INTRODUCTION : LES MEMS


I.1.1. Dfinition La dnomination MEMS provient de labrviation anglaise de Micro-ElectroMechanical Systems (systmes micro-lectro-mcaniques). Sous cette abrviation, il y a deux dfinitions relativement diffrentes : celle des amricains et celles des europens. En ce qui concerne la dfinition amricaine, un MEMS est un systme lectro-mcanique lchelle du micron (Figure I-1) comprenant des capteurs ainsi que des actionneurs fabriqus avec les techniques de la micro-lectronique conventionnelle (croissance doxyde, dpt de matriaux, lithographie) [I.1][I.2]. Les microsystmes, en ce qui concerne la dfinition europenne, sont des systmes miniaturiss intelligents qui combinent de manire monolithique ou non des capteurs et des actionneurs des fonctions de traitement du signal et de l'information [I.3][I.4]. La fabrication des microsystmes est directement issue des techniques de fabrication utilises pour la ralisation des circuits intgrs (lithographie, dpt de mtaux, gravures). Grce aux techniques de dpt, de gravure de films minces et galement grce aux procds de microusinage du silicium, un empilement de divers matriaux peut tre form, afin de raliser des structures miniatures en trois dimensions.

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Figure I-1. Ordre de grandeur des microsystmes

I.1.2. Historique L'histoire des microsystmes commence par une confrence donne par le professeur Feynman [I.5] au CALTECH lors de la runion annuelle de l'American Physical Society en dcembre 1959 [I.6][I.7]. Le titre de son allocution "Theres Plenty of Room at the Bottom", que l'on peut interprter par : Il y a plein d'espace en bas de l'chelle, Feynman voulait attirer

Etat de lart

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l'attention sur l'intrt de la miniaturisation, non pas en terme de taille ou de volume, mais sur le fait que la miniaturisation d'un systme rend possible la multiplication des fonctions ralises par ce systme ou de la quantit d'informations stocke par ce dernier. C'est lui qui parla le premier de micro-machines et qui comprit leur intrt et les problmes soulevs par la physique et la mcanique des petites dimensions. C'est quelques annes aprs l'apparition des premiers circuits intgrs en 1958, par le rcent Prix Nobel Jack Kilby, que l'on dcouvrit la possibilit de fabriquer des structures mcaniques avec des technologies drives de la microlectronique et notamment la lithographie et le dpt de couches minces [I.8][I.9]. Les dveloppements de la micro-mcanique ont t motivs par le fait que les matriaux de la micro-lectronique comme le silicium et le polysilicium possdaient des proprits mcaniques intressantes pour les applications vises. En effet, le silicium et le polysilicium ont des modules d'Young trs levs (respectivement 190 et 160 Gpa) et ils travaillent le plus souvent dans le domaine lastique et non plastique (pas dhystrsis). Dans les annes 60-70, les travaux portrent sur les proprits du silicium et du polysilicium en tant que jauge [I.1] comme la pizo-rsistivit, leffet Seebeck ou la variation de la rsistivit en fonction de la temprature; ils permirent ainsi dutiliser ces matriaux comme transducteurs. On vit apparatre les technologies de micro-usinage en volume [I.9] et en surface [I.10][I.11][I.12] qui utilisrent les techniques de gravure slective dveloppes pour la micro-lectronique. Enfin, les premiers microsystmes intgrs avec l'lectronique (Figure I-2), des capteurs de pression, apparurent [I.13]. Les annes 1990 virent ensuite l'explosion des applications industrielles et l'apparition de technologies standardises utilises pour diffrentes applications. Puis, ce fut l'intgration monolithique avec l'lectronique et l'apparition des premiers outils de CAO. C'est dans les annes 90 galement qu'apparurent les initiatives telles que la fabrication multi-utilisateurs, pratique par MCNC/CRONOS ou par les services CMP et MOSIS par exemple, qui permirent laccs faible cot ces technologies. 1980 : Carte 50 cm

1- Alignement

2002 : puce 3mm

ADXL-50

ADXL-202 (2D)

Figure I-2. Miniaturisation Acclromtre Motorola (airbag)

I.1.3. Domaines dapplications des MEMS Avec lexplosion des microsystmes ces dernires annes, les domaines dutilisations des MEMS sont trs vastes. Nanmoins, on peut les rpartir en quatre principales catgories, que sont : les capteurs, les MOEMS, les RF MEMS et les BioMEMS [I.16]. La Figure I-3 donne pour chaque domaine quelques exemples dapplications. 4

Etat de lart

Capteurs de pression Centrale dinertie Capteurs chimique Etc Micro commutateur Capacits variables Rsonateurs, dphaseurs Filtres RF, antennes,
duplexeurs

CAPTEURS

MOEMS

Micromirroirs Switchs optiques Cavit optique Etc


Puce ADN Micro-racteur chimique Microvalve/Micropompe Etc

MEMS
RF MEMS BioMEMS

Matrices de commutation

Figure I-3. Domaines des MEMS - Exemples

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Dans le domaine de laronautique [I.14][I.15], les applications envisageables sont trs importantes. On y retrouve en majorit des capteurs, rpondant par exemples des fonctions de mesures inertielle et de pression (acclromtre, gyroscope ), des fonctions de stabilisation (capteur de terre, capteurs dtoiles). Ce domaine prometteur, fait galement place de nouvelles potentialits comme celles dveloppes par les programmes de recherches sur les micro-satellites et nano-satellites, avec par exemple lavnement de nouveau systme de propulsion (micro-propulseurs [I.15]). Les applications automobiles profitent quant elles des avantages des microsystmes en termes de cot, dintgration, de miniaturisation et galement de communication sans fil, rendant possible une interrogation du mems distance (cas des capteurs de pression dans les roues avec communication radiofrquence). Les microsystmes permettent alors la multiplication des capteurs et des systmes de mesures dans tous sous-ensembles de la voiture tels que : - La scurit : dclencheurs dairbag avec les acclromtres et les dtecteurs doccupation des siges, les capteurs de pression tl interrogs dans les pneus et les systmes optiques intelligents. - Les suspensions actives : avec lintgration dans les essieux de centrales inertielles et les inclinomtres. - Les systmes danti-patinage : avec lemploi de gyroscopes. - La pollution : avec les capteurs de gaz (CO, CO2) dans les chappements. - La propulsion : avec diffrents capteurs tels que les capteurs de pression, de temprature, de flux etc. Les microsystmes trouvent aussi beaucoup d'applications dans le domaine de l'lectronique et des tlcommunications. Lobjectif tant de remplacer certaines fonctions actuellement ralises base de circuits intgrs par des microsystmes capables de meilleures performances : faibles pertes hyperfrquences, grande linarit et faible consommation. Les technologies ddies aux tlcommunications, diriges par des enjeux industriels importants, subissent galement une forte croissance. De cette croissance, rsulte lencombrement du spectre en frquence, favorisant ainsi lmergence de systmes fonctionnant plus hautes frquences. Cette ncessit est trs favorable lutilisation de la technologie MEMS, on nomme ce type de microsystmes des MEMS Radio Frquence. 5

Etat de lart

Plusieurs types de composants ou de fonctions lectroniques sont fabriqus laide de composants MEMS. Nous pouvons citer comme composant passif couramment utilis en hyper frquence : la bobine. Les micro-commutateurs [I.17] (Figure I-4) sont galement trs utiliss dans ce domaine, ils servent de briques de base pour la ralisation de fonctions plus complexes telles que les filtres reconfigurables, les capacits variables, les redistribueurs de signaux etc. [I.18][I.19][I.20].

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commutateur Raytheon ([I.21],[I.22] et [I.23]).

Commutateurs de l'universit de Perdue [I.24]

Commutateur ohmique de Rockwell Scientific [I.25]

Commutateur LAAS-CNRS

Figure I-4 Exemples de micro-commutateurs

I.1.4. Les MEMS sont une ralit venir Les MEMS couvrent de nombreux domaines dapplications, aussi cette pluridisciplinarit laisse entrevoir louverture dun nouveau march. Par exemple, la trs forte industrialisation des capteurs (Figure I-5 et Figure I-6) ainsi que lvolution du march (Figure I-7) corrobore cette perspective de production de masse.

Etat de lart

40 35 30 25 20 15 10 5 0
ut iq ue n ile er in e uc tio to m ob ag ec m n

% Valeur

cu r it

ric ul

Pr od

M d

re a

El ec t ro

Bu

Figure I-5. Rpartition du march des capteurs (en valeur) par utilisateurs [I.26]

Dbit

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En

Temprature

Dplacement Pression Niveau Autres


Figure I-6. Rpartition du march des capteurs (par nombre) par catgorie [I.26]

Les MEMS seront capables de sentir, danalyser chimiquement, de dtecter des acclrations, de trier, mlanger, analyser des pico-quantits de liquides, de gnrer puis traiter des signaux lumineux Les estimations du march daujourdhui varient de 3 10 milliards de dollars principalement pour la vente dacclromtres pour airbag, de dtecteurs de pression, de ttes de lecture pour disques durs, de ttes dimpression pour imprimantes et de quelques laboratoires sur puces (Figure I-7). Certains spcialistes estiment que le march dpassera les 100 milliards de dollars pour atteindre un jour un ordre de grandeur quivalent celui de la microlectronique. Ces perspectives stimulent depuis de nombreuses annes, outre atlantique, les investissements publics et privs, la mise en rseau des comptences, la cration de nouveaux laboratoires et de nouvelles formations universitaires.

vir on

Au

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Position

m en

tu r

Etat de lart

Lactivit industrielle de ce secteur aux Etats-Unis a t particulirement importante depuis 1999 avec lapparition de trs nombreuses start-ups et des investissements et acquisitions estims environ 11 milliards de dollars.
2000 Nombre en million de pices 1800 1600 1400 1200 1000 800 600 400 200 0 1996 2002
4000

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Cependant, la commercialisation de certaines technologies est parfois retarde. Les raisons souvent voques concernent les problmes de cot, doptimisation des procds dlaboration, de packaging, les procdures de tests, le manque de standard et doutils de conception assiste par ordinateur. Concernant les commutateurs MEMS RF, ceci passe par la rsolution des problmes de mise en botier (Packaging) et de fiabilit afin quils obtiennent le succs escompt. La partie suivante repose sur un tour dhorizon des techniques de mise en botier et des moyens de caractrisation indispensables pour valuer la qualit de lencapsulation.

T de te dis qu s d' im e d ur pr D P a es s ia g ce i o n P r no s m a ke o ti C th cs i rs ap se n v te s ur au itro s d C ap de itiv te pr es ur s e ss ch io im n Im iqu A c ag es c eu l r s ro m IR M ag Gy t r o res n M tor sco ic s p r G osp ista es l u l e ct n c C es r om es ap te lect tre ur r s on s N an i qu e In z tico es te rru lect llisi pt ron on eu r s ique o s La pti bs qu on es ch ip

te s

Figure I-7. Evolution du march des capteurs (en nombre) [I.26]

Etat de lart

I.2. TECHNIQUES DE MISES EN BOITIER DES MEMS


I.2.1. Introduction Le packaging est une tape cruciale du procd de fabrication des microsystmes. Cette tape permet de garantir simultanment une protection du dispositif par rapport aux lments nocifs de son environnement (poussires, humidit), une connexion avec la partie lectronique et ventuellement une interaction avec un milieu donn (ex: capteurs). Dans ce contexte, et contrairement au packaging des circuits intgrs, il nexiste pas de packaging universel. Ceci est d essentiellement la grande diversit des microsystmes. La conception et la ralisation du packaging doit tre compatible avec le type du microsystme et ses particularits. Une intgration monolithique des MEMS-RF et des circuits intgrs (above IC) permet une meilleure miniaturisation, une diminution des phnomnes parasites et une rduction du cot. Dans ce cas, des contraintes supplmentaires lies la technologie mise en place sont tenir en compte lors de ltape du packaging. Certains MEMS-RF (micro-commutateurs, micro-rsonateurs) contiennent des parties mobiles fragiles. Ces parties doivent tre encapsules dans un environnement hermtique, stable et mcaniquement robuste pour une protection au cours du fonctionnement mais aussi au cours des tapes technologiques ultrieures. Le packaging doit galement garantir lintgrit du MEMS en terme de performances lectrique, et de fiabilit, par exemple : 0,5 dB de pertes supplmentaire sur le dispositif rduit considrablement lintrt des MEMS RF. Dans le cadre de cette thse, on sintresse au packaging de ce type de MEMS-RF. Pour ce type de microsystmes, deux grandes options sont possibles: La ralisation de circuits intgrs hybride (HIC), technologie dite stand alone qui consiste intgrer sur un mme substrat hte des circuits passifs, actifs et tous les microsystmes ncessaires une fonction donne. La ralisation de circuits intgrs monolithiques micro-onde (MMIC), technologie appele aussi above IC qui consiste placer les composants MEMS en partie suprieure des circuits intgrs, au-dessus des dernires couches de mtallisation, en rajoutant des tapes technologiques dans la fabrication de ces circuits. Dans ce cas, la technique de packaging doit tre compatible non seulement avec la technologie microsystmes, mais aussi avec la technologie de fabrication des circuits intgrs mise en place. Lintgration monolithique des MEMS-RF (above IC) impose de surcrot que ltape de mise en botier au niveau du wafer (wafer level packaging - WLP): (i) respecte le budget thermique impos par la filire. Gnralement, la temprature ne doit pas dpasser 450C pendant une dure de 15 20 min dans le but dviter des problmes de disfonctionnement essentiellement lis une diffusion non contrle (ex: Al/Si au niveau des contacts source et drain des transistors). (ii) ne doit pas apporter de contaminants pour les circuits intgrs (mtaux lourds, alcalins). Il est noter que seule la prsence de quelques mtaux est accepte en salle blanche (Ni, Co, Ti, Al, Mo,Au).

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Etat de lart

Ainsi, la fonction principale du packaging est de permettre lintgration du MEMS en tenant compte des contraintes du cahier des charges fonctionnel selon le type dapplication, par exemple : Objectifs : Encapsulant Protection contre les agressions extrieures (Figure I-8 et Figure I-10) Dissipation thermique - Evacuation de la chaleur (Figure I-9) Botier - Homognisation thermique Interconnexions - Transmission des signaux - lectriques - Optiques - Autres Figure I-8. Proctection vis vis de l'extrieur Performances [I.27] - Vitesse - Consommation - Bruit - Autres Ambiance interne contrle - Gaz / Vide Substrat hte - Pression - Hermticit Figure I-9. Dissipation thermique [I.27] - Etanchit Respect du budget thermique (MMIC-HIC-Flambement ....) Minimisation de la taille Minimisation du poids Minimisation du cot

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Temprature Fc2 Fc3 Fc4

Chimique Fc1 Fc9 Gaz Fc8 Fc7 Pression Corrosion

Humidit Sollicitations mcaniques

PACKAGING
Fc5 Fc6

Vibrations

Particules

Figure I-10. Domaines de protection du packaging

10

Etat de lart

I.2.2. Les niveaux dassemblages On dfinit cinq niveaux dassemblages selon le degr dintgration [I.30] [I.27] : Niveau 0 : Encapsulation des composants lectronique sur une mme puce Films minces (photolithographie...) Report de capot (collage, wafer bonding, flip chip...) Niveau 1 : Interconnexion et intgration de la puce dans des circuits intgrs Ex : montage en CI de composants MOS Techniques : collage, microsoudure, encapsulation, flip chip,etc.. Niveau 2 : intgration des CI sur un support Ex : montage des CI sur des cartes de circuits imprims Techniques : montage en surface, multi chip module, Niveau 3 : intgration des supports sur un support commun pour crer le systme Ex : assemblage de plusieurs cartes sur un rack Techniques : Cblage, multi chip module, assemblage 3D Niveau 4 : intgration du systme dans son environnement Ex : connexion du rack au secteur

Niveau 0

Niveau 1

Niveau 2

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Niveau 3

Niveau 4

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Etat de lart

I.2.3. Packaging niveau zro : Wafer Level Packaging Le type de packaging que lon se propose danalyser dans cette thse, est le packaging de niveau zro : il sagit dune technique dencapsulation au niveau du wafer. On distingue deux techniques de packaging niveau zro, suivant quelle est ralise lors de la fabrication du MEMS (Wafer Level Thin Film Packaging) ou bien que lon vient rapporter un capot sur la puce MEMS (Wafer Scale Packaging). I.2.3.1. Dfinitions : Wafer Level Thin Film Packaging (WLTFP) [I.33] : Le packaging est ralis en mme temps que le MEMS RF par des techniques conventionnelles de dpts de couches mtalliques et/ou dilectriques (centrifugation, vaporation, pulvrisation, PECVD, LPCVD) sur une couche sacrificielle qui sera par la suite supprime (Tableau I.1). L'assemblage mcanique entre le capot et le substrat est ici li aux proprits d'adhrence de la couche reporte. Cette technique a t dveloppe notamment dans [I.31] et [I.32].

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MEMS protger

(a) Dpt dune couche sacrificielle (rsine )

(b) Dpt dune couche mtallique ou organique ralisant le capot

(c) Gravure de trous dans le capot

(d) Libration du capot par gravure humide (solvants) ou sche (plasma)

(e) Scellement des ouvertures par depot dune couche mtallique ou organique (dilectrique, polymre )

(f) Ouverture des contacts pour les interconnexions

Tableau I.1. Description de la technique de packaging en couche mince

Wafer Scale Packaging (WSP) [I.33] :

Il sagit dun capot (verre, silicium, polymre) rapport sur le substrat qui contient le MEMS, les deux parties tant fabriques indpendamment. Techniquement plus simple que le WLTFP, le WSP peut galement tre envisag de faon collective. L'assemblage consiste ici assurer l'interconnexion mcanique entre les surfaces du capot et du substrat.

12

Etat de lart

Au niveau du WSP, nous avons trois principales mthodes dassemblage (Tableau I.2), on distingue : A. Lencapsulation du MEMS au niveau de la puce (Chip Level MEMS Encapsulation) a. Ralisation des MEMS et des capots b. Dcoupe des MEMS et des capots individuellement c. Assemblage du capot sur le MEMS B. Lencapsulation des MEMS au niveau du wafer avec des capots individuels (Wafer Level Chip Scale MEMS Encapsulation) a. Ralisation des MEMS et des capots b. Dcoupe des capots individuellement c. Assemblage des capots unitaires sur le substrat hte des MEMS d. Dcoupe finale pour obtenir un MEMS encapsul C. Lencapsulation collective des MEMS au niveau du wafer (Wafer Level Wafer-Scale MEMS Encapsulation) a. Ralisation des MEMS et des capots b. Report collectif des capots sur le substrat hte des MEMS (wafer/wafer) c. Dcoupe finale pour obtenir un MEMS encapsul
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Fabrication des capots

Fabrication des MEMS

Dcoupe finale

Dcoupe finale

Tableau I.2. Description des trois mthodes de WSP

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Etat de lart

I.2.3.2. Principaux avantages et inconvnients

Le Tableau I.3 numre, de faon qualitative, les principaux avantages et inconvnients associs aux diffrentes techniques.
Techniques Avantages Wafer Level Thin Film Mems encapsul durant le procd de fabrication Packaging Inconvnients
Libration difficile Problme de collage Faible surface dencapsulation Faible rsistance aux chocs Contrle post-packaging difficile Un chec lors de la ralisation des capots implique la perte des MEMS ! Mems non protg durant la dcoupe Dommage possible Contamination... Petite production, peu davenir industriel (pas collectif) Mise en uvre quasi-automatique (alignement) Moyenne production Mise en uvre quasi-automatique (alignement)

Protection du Mems avant la dcoupe

Chip Level MEMS Encapsulation

Planit moyenne Faible compression Assemblage facile

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Wafer Level Chip Scale MEMS Encapsulation

Wafer Level WaferScale MEMS Encapsulation

Planit moyenne Encapsulation des Mems oprationnels Protection du Mems avant la dcoupe Faible compression Cot de production Collectif Robuste Protection du Mems avant la dcoupe Rapidit

Bonne planit Effort de compression leve Investissement coteux Alignement

Tableau I.3. Avantages-inconvnients des diffrentes techniques

Les cavits scelles obtenues par couches minces (Wafer Level Thin Film Packaging) prsentent deux problmes majeurs, qui sont : une faible tenue mcanique (chocs) et une tape de libration difficile. De ce fait cette approche ne sera pas retenue dans le cadre de cette thse. Il est galement primordial de prendre en compte ltape finale de dcoupe des composants car suivant la technique de discrtisation, de fortes incompatibilits peuvent subsister avec lintgrit du Mems. La Figure I-11 prsente une technique de dcoupe, couramment utilise, par scie diamante.
Fluide de refroidissement Rotation

Flange Lame

Wafer Adhsif Chuck

Dplacement

Figure I-11. Principe de dcoupe par scie diamante [I.27]

14

Etat de lart

Quelle que soit la technique (Tableau I.4 et Figure I-12), la discrtisation est une tape critique car elle engendre notamment des problmes de contamination (poussires-humidit, Figure I-13), des contraintes mcaniques (cisaillement) et/ou thermique pouvant provoquer la dlamination des capots.
Clivage Avantages Scribbing Scie Laser Jet deau Plasma

Rapide Mise en uvre simple Sec Cot Poli optique

Reproducti- Reproductibilit Reproductibilit Collectif bilit Matriaux durs Matriaux durs Propre Varit des procds Mise en Humide uvre Poussires Cot Cot quipement quipement Mise en oeuvre

Axes de Qualit dcoupe Poussires Humide discrtisation Reproductibilit Poussires Poussires Positionnement Matriaux durs Cot Cot quipement Reproductibilit quipement Bilan thermique Matriaux durs Mise en Mise en oeuvre uvre

Inconvnients

Tableau I.4. Avantages-inconvnients des diffrentes techniques de discrtisation [I.27]

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Scribbing

Scie Figure I-12. Description de trois techniques de dcoupe [I.27]

Laser

(a)

(b)

Figure I-13. Dcoupe par scie diamante : (a) avec et (b) sans craquellements [I.27]

La technique de packaging au niveau de la puce (Chip Level MEMS Encapsulation) ne permet pas de protger le Mems avant la dcoupe. Cette technique est nanmoins utilisable lors de la phase de dveloppement du Mems.

15

Etat de lart

I.2.4. Mthodes de report de capots

Lapproche usuelle consiste assembler un capot (verre, silicium, polymrecf Tableau I.5), sur le substrat du microsystme, les deux parties tant fabriques indpendamment. Les capots sont obtenus simultanment par micro-usinage en volume, par les techniques de gravure issue de la technologie microlectronique.
Hermticit possible Technologie tablie Solution rpandue Inspection postpackaging Oui Non Poss. Oui Non

Capots

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Verre Si Polymre structur Foturan1 Cramique LTCC

++ +++ + +++

+ + + + +

----+

------

++ ++ ++ ++

Tableau I.5. Description qualitative de quelques capots vis vis de leurs potentialits

Suivant les caractristiques des surfaces en contact, du budget thermique admissible, des contraintes rapportes, etc ..., diffrentes techniques d'assemblage peuvent tre envisages. Dans cette section, nous citons les principales techniques utilises.
I.2.4.1. Report avec couche intermdiaire de scellement Lassemblage par verre fritt (Glass frit bonding) :

Cet assemblage utilise du verre fritt (pte) comme couche intermdiaire de scellement (Figure I-14). Le verre fritt est dpos sur le substrat par prformes, par spin on, par screen printing, par srigraphie ou bien par photolithographie. Puis une thermo-compression, sous une pression dau moins 1 PSI la temprature de fusion comprise entre 400C et 600C, permet de raliser le scellement qui peut par ailleurs tre effectu sous vide ou sous atmosphre contrle. Outre une temprature relativement leve, cette mthode prsente linconvnient davoir un faible contrle dimensionnel du joint de scellement en verre fritt.
Substrat 2 Substrat 1 Pte de verre fritt

Figure I-14. Assemblage par verre fritt (Glass frit bonding)

Cette technique a t utilise, pour le packaging de micro-commutateur ohmique en technologie SOI, par [I.39].

Foturan :Verre photosensible

16

Wafer Level (wafer/wafer)

Chip Level (puce/puce)

Pertes RF

Accs

+ + + +

Etat de lart

Lassemblage par brasage (solder bonding) :

Lassemblage par brasage consiste assembler deux solides laide dun alliage de brasure de temprature de fusion bien infrieure celle des deux solides assembler. En gnral, on utilise des alliages de composition eutectique (Tableau I.6). Cette technique ncessite le dpt au pralable dune couche mtallique daccroche (ex : Au/Ni) sur les deux surfaces assembler (Figure I-15). Le budget thermique est relativement faible (118C pour 52In48Sn et 183C pour 63Sn37Pb) et la soudure est forte et hermtique.
Temprature Eutectique Transition Liquide Solide Composition des alliages eutectique (% massique)

C 118 143,3 144 145 177 183 199 217 217 221 227 266 280 303 356 382 424 525 780 52 97 60 51 68 63 91 90 96 97 99 83 80 98 88 95 55 45 72 In In Bi Sn Sn Sn Sn Sn Sn Sn Sn Cd Au Pb Au Zn Ge Ag Ag 48 3 40 31 32 37 9 10 3,8 3,5 1 17 20 2,5 12 5 45 38 28 Sn Ag Cd Pb Cd Pb Zn Au Ag Ag Cu Zn Sn Ag Ge Al Al Au Cu

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18

Cd

0,7

Cu

17

Ge

Tableau I.6. Exemples de quelques alliages eutectiques (voir annexe B pour plus de dtails)

Substrat 2 Couche daccroche (ex : Au/Ni) Substrat 1 Figure I-15. Soudure par brasage

Alliage eutectique (ex : PbSn)

Cette technique a t utilise, pour valuer les pertes par dsadaptation engendres par lanneau mtallique de scellement sur des lignes coplanaires, par [I.39][I.40].

17

Etat de lart

Lassemblage par soudure eutectique (eutectic bonding) :

Lassemblage par soudure eutectique directe consiste assembler deux substrats laide dun scellement mtallique ralisant un alliage eutectique avec les wafers. La Figure I-16 donne lexemple dune soudure de deux substrats en silicium en utilisant de lor (a) ou bien de laluminium (b), afin de former un alliage eutectique (ex : 97Au3Si @ 363C, Tableau I.7). La temprature eutectique est bien infrieure la temprature de fusion des deux substrats assembler. La liaison procure par cette soudure est forte et hermtique.
Wafer Si Au Wafer Si (a) Soudure eutectique Au-Si Wafer Si (b) Soudure eutectique Au-Al Wafer Si Al

Figure I-16. Soudure eutectique Temprature Eutectique

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C 363 577

Composition eutectique (% massique)

97 88

Au Al

3 12

Si Si

Tableau I.7. Alliages eutectiques Si-Au et Si-Al

Lassemblage par polymre (polymer bonding) :

Lassemblage par polymre consiste structurer sur le capot ou sur le substrat du Mems, un anneau de polymre utilis comme adhsif. Les polymres utiliss sont les poxies, les silicones, les rsines photosensibles (BCB, SU8...) et les polyimides (Liquid cristal polymer LCP...). Cette technique est relativement simple, faible cot et utilise basse temprature. Nanmoins, elle ne permet pas un assemblage hermtique et implique un dgazage des solvants dans la cavit. La Figure I-17 donne lexemple dun scellement par un polymre thermoplastique (Liquid Cristal Polymer LCP) avec un apport thermique fourni par un rayonnement laser en proche infra-rouge (NIR) [I.41][I.42]. Une fine couche de matriau absorbant les longueurs dondes infra-rouge est dpose sur les surfaces sceller, ensuite le collage seffectue lors de la monte en temprature de ce matriau par lactivation laser.

18

Etat de lart

Laser NIR

Substrat hte

Anneau LCP+ absorbant IR

Capot LCP

Matriau absorbant IR

LCP moul Cavit LCP aprs soudure

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Figure I-17. Principe de la soudure utilisant un polymre LCP rticul par laser (Foster Miller, Inc)[I.41][I.42]

La Figure I-18 montre un scellement par un polymre photosensible, le Benzo-cyclobutne [I.43]. Ce polymre prsente lavantage dtre simple structurer (photolithographie), de dgazer peu de solvant, dtre quasi-tanche (faible absorption dhumidit), de possder dexcellentes proprits dilectrique, dtre rticul temprature relativement basse (180C250C) et dtre bas cot. Mais lhermticit nest pas garantie, il faudra pour cela rajouter une tape de mtallisation ou bien de dpt dune couche minrale (SiNx-SixNy).

Figure I-18.Principe de la soudure parBCB [I.43]

Lassemblage par fusion locale :

Cette technique consiste assembler deux solides laide dune couche mince intermdiaire (alliage ou mtal). Elle met un uvre un chauffage localis au lieu du chauffage classique global (fours). En effet le matriau constituant la couche mince est la fois le matriau dassemblage et llment chauff localement [I.36]. Le chauffage se fait par effet joule (micro-heater, Figure I-19 et [I.44]) ou par assistance laser (Figure I-20 et [I.45]). Lisolation

19

Etat de lart

thermique et lectrique se fait en dposant une couche organique (ex : oxyde de silicium) proximit de la zone de chauffage. Lassemblage par fusion locale est une technique complexe mettre en uvre car elle ncessite une bonne matrise de la temprature (confinement au niveau de linterface dassemblage, isolation thermique du substrat).

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Distribution de la temprature dans un micro-heater en polysilicium de 50 m de long Figure I-19. Exemple de ralisation utilisant des micro-heater en poly-silicium [I.44]

Faisceau laser

BCB

Masque de transmission Substrat 1 BCB Substrat 2 Mems Soudure verre-silicium par laser avec un anneau de BCB
Figure I-20. Soudure locale assiste par laser [I.45]

20

Etat de lart

I.2.4.2. Report sans couche intermdiaire Lassemblage par soudure anodique (anodic bonding) :

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Pour la premire fois dmontre en 1969, le collage anodique permet lassemblage dune plaquette de silicium (ou de mtal) une plaquette de verre, ceci en appliquant une diffrence de potentiel (jusqu 1500 V) entre les deux plaquettes avec des tempratures comprises entre 300C et 500C, durant 5 10 minutes (Figure I-21). Cette diffrence de potentiel provoque la migration des cations Na+ vers la surface du verre et celle des anions O2- vers linterface silicium/verre. Ainsi, une zone de dpltion est cre linterface, crant linterface Silicium/Verre un fort champ lectrique. Celui-ci gnre une force entre les deux substrats qui permet une mise en contact intime des deux matriaux. Une raction chimique des interfaces assure ensuite un lien permanent. Cette mthode nest pas compatible avec la technologie MOS car elle gnre des ions alkalins et engendre un champ lectrique fort qui altre les proprits lectriques des MOS (augmentation de la charge dans les oxydes prsents, en particulier les oxydes de grille des transistors). De ce fait, cette technique est priori incompatible avec la technologie above IC [I.34][I.35].

Na+ Na+ Na+ Na+ Na+ Na+ Na+ ~1kv O2- O2- O2- O2- O2- O2- O2- O2Si4+ Si4+ Si4+ Si4+ Si4+ Si4+ Si4+ Si4+

Verre Si + 2O2- SiO2 + 4eSilicium

Figure I-21. Principe de la soudure anodique

Nanmoins, cette mthode requiert une planit des surfaces en contact de lordre du micron, permet un assemblage trs rsistant mcaniquement et hermtique.

Lassemblage par soudure directe silicium (Fusion bonding) :

Pour la premire fois dmontre en 1986, lassemblage par soudure directe permet de lier deux substrats de silicium, dexcellente planit (quelques nanomtres) et de faible rugosit (quelques ). Cette mthode est base sur la cration de liaison de type Van Der Waals ( temprature ambiante) ou de type Si-O-Si haute temprature ( >800C). Les liaisons de type Van Der Waals ntant pas solide mcaniquement (dcollage par le test de la lame de rasoir), on retiendra uniquement le procd de fusion (Figure I-22) qui permet davoir une soudure trs rsistante et hermtique. On notera galement quil ny a pas de contrainte thermomcanique rapporte (mme CTE). Par rapport la soudure anodique, on observe une plus grande tenue en temprature et labsence dions alkalins.

21

Etat de lart

A temprature ambiante ladhesion des wafers de silicium est de type Van Der Waals (pont dhydrogne)

A haute temprature (>800C), les groupements dhydroxydes ragissent ensemble pour former de leau et produire la liaison Si-O-Si permettant la fusion des deux wafers.

Figure I-22. Mcanisme physico-chimique de la fusion

Lassemblage par diffusion en phase solide (solid state diffusion bonding) :

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Cette technique consiste mettre en contact les deux solides assembler suivi dun maintien isotherme sous une pression dtermine. Ceci demande en particulier une trs faible rugosit des surfaces assembler et surtout labsence totale de toute couche superficielle (oxydes, nitrures etc.). La liaison interfaciale est alors ralise par un processus de diffusion ltat solide (avec ou sans formation de phases intermdiaires). Dans la littrature, il existe un grand nombre dtudes sur la ractivit interfaciale mtal/silicium (mtal: Ni, Co, Ti, Mo, etc.) en configuration couches minces. Gnralement, il ressort de ces tudes que les phnomnes dinterdiffusion et surtout de formation de phases intermdiaires ont lieu des tempratures relativement basses (200-300C). Par ailleurs, les tudes de couples de diffusion massifs semblent tre limites aux hautes tempratures (>500C), la raison principale tant que les phnomnes de diffusion ltat solide sont lents basse temprature[I.37][I.38]. Ceci sajoute une relle difficult de dsoxydation des surfaces mtalliques.
I.2.4.3. Rsum des diffrentes techniques
Temprature C >400 180-400 100-300 150-300 300-500 700-1400 200-300 Contrainte de cisaillement de rupture (Mpa) 20 15-20 >30 >20

Techniques Verre fritt Eutectique Brasure Polymre Anodique Fusion Diffusion

Hermticit OUI OUI OUI NON OUI OUI OUI

Fiabilit

Commentaires Bien pour des surfaces non planes Surfaces planes Ncessite une couche daccroche Simple, bas cot, surfaces accidentes possibles, dgazage Planit ~1mTension de 300 1kV Planit ~1nm- Nettoyage des surfaces Surfaces planes, peu rugueuses et nttoyes

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Etat de lart

I.3. LE PACKAGING SOUS VIDE


I.3.1. Introduction

Le packaging sous vide est requis dans certaines applications, notamment pour saffranchir damortissement visqueux, de phnomnes de collage due la prsence dhumidit (selon la nature du gaz). Par exemple, le facteur de qualit dun rsonateur se trouve amlior dun facteur suprieur 500 si lon passe de la pression atmosphrique au vide. En ce qui concerne les micro-commutateurs RF, il faudra veiller un compromis sur le niveau de vide vis--vis des performances (temps dactuation, auto-actuation par oscillations libres...) souhaites ainsi que de la fiabilit. En effet, la Figure I-23 montre linfluence du niveau de vide sur le temps dactuation et les oscillations dun micro-commutateur capacitif.

1 Bar

2.10-4 Bar

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Figure I-23. Influence du niveau de vide sur le temps d'actuation [I.46]

La diminution de la pression permet une diminution du temps de commutation mais en contre partie elle peut gnrer des oscillations suivant le niveau de pression et la rigidit mcanique du micro-commutateur [I.46] (Figure I-24).On remarque que le micro-commutateur possdant une faible rigidit mcanique, se retrouve en oscillations libre partir de 0.125 bar !

Figure I-24.Influence du niveau de vide et de la rigidit sur les oscillations [I.46]

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Etat de lart

I.3.2. Getters

Lors de ltape dassemblages, les diffrents matriaux (capot, scellement, substrat) vont dgazer (solvant, humidit...), entranant une contamination rsiduelle dans la cavit. En effet, par exemple la raction chimique durant la soudure anodique gnre de loxygne qui va introduire une pression dans la cavit de 100 400 Torr (13-53 kPa), de mme la dsorption de gaz aprs la brasure gnre une pression de lordre de 2 Torr (266 Pa).De plus en fonctionnement, suivant la solution dassemblage retenue, une contamination de lextrieur peut se produire par lexistence de fuite. Ainsi, lorsque lon souhaite un fonctionnement du Mems sous vide et sans humidit rsiduelle, il est impratif de dposer lintrieur de la cavit (capot) un matriau capable de piger les particules (poussires), lhumidit et des molcules gazeuses [I.50]. On nomme un tel matriau : un getter.
MEMS Getter

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Anneau de scellement

Substrat

Interconnexion

Figure I-25. Getters - application hermtique

Un getter peut tre un mtal pur ou bien un alliage, par exemple alliage de: Ba, Al, Ti, Zr, V, Fe etc....Ils sont fabriqus par des techniques de frittage (poudre mtallique, Figure I-26), par dpt de film en couche mince et commercialiss sous forme de plaquette. Le dpt seffectue directement dans le capot par compression pour les getters non vaporables (NEG) ou par vaporation pour les NanoGetters [I.47].

Image (x 200) dun NEG obtenu par frittage

Image (x 200) dun film mince de NanoGetterTM

Figure I-26. Exemples de getters

I.4. LES INTERCONNEXIONS


Si lon opte pour une intgration monolithique des Mems (above IC), alors les interconnexions feront partie intgrante de ltape dassemblage de niveau 1 entre la puce et la carte des circuits intgrs. Dans ce cas, la fonction dinterconnexion et de packaging est dcouple. Mais si lon choisi une intgration hybride (stand alone), qui consiste intgrer sur un mme substrat hte des circuits passifs, actifs et tous les microsystmes ncessaires une fonction donne, alors il faudra tenir compte des interconnexions lors de la conception du packaging.

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Etat de lart

Dans ce cas, on a trois possibilits de sortie pour la prise de contacts lectriques (Figure I-27) : Au niveau de la face suprieure du silicium, on parle alors dalimentation traversante Au niveau de la face infrieure de silicium, par le biais de trous mtalliss (vias) A travers le capot, galement par des vias

Capot BCB 20 um Si 400 um Or 2 um Ligne traversante Anneau de BCB 10 um

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Figure I-27. Alimentation : (a) traversante - (b) (resp.c) par vias dans le capot (resp. dans le wafer)

Pour chacune de ces possibilits, on retrouve deux mthodes classiques pour raliser les interconnexions, lune filaire (wire bonding) et lautre par plots mtalliques. Nous dtaillons ces mthodes dans les sections suivantes.
I.4.1. Technique filaire : Wire Bonding

Il sagit dune technique industriellement rpandue, base sur des interconnexions ralises au moyen de fils conducteurs (or, argent...) entre deux plots mtalliques (pads). Elle ne permet de raliser des interconnexions de forte densit mais cela ne pose pas de problmes pour les Mems car peu de connexions sont requises. On distingue deux techniques : ball bonding et wedge bonding (Figure I-28 et Figure I-29).

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Etat de lart

clamp Claquage lectrique

cble

Force Ultrason

TC Formation de la boule (claquage lectrique ou flamme dhydrogne) Descente et soudure Remonte pour formation de la boucle Formation de la boucle et coupure du fil

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Photo MEB - Ralisation LAAS

Micro-moteur, Heriot Watt University

Figure I-28. Description du ball bonding - exemples de ralisations Force

clamp

cble

Ultrason

TC

Descente

Soudure

Remonte pour formation de la boucle

Formation de la boucle et coupure du fil

Photo MEB - Ralisation LAAS

Acclromtre, Silicon Designs Inc

Figure I-29. Description du wedge bonding - exemples de ralisations [I.27]

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Etat de lart

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Le Tableau I.8 donne les caractristiques de mise en uvre du Wedge et Ball Bonding. Ces techniques sont quasi similaires, on notera nanmoins une densit moins importante pour le Ball Bonding mais une frquence de fabrication plus leve en mode automatique. De plus il est important de souligner que ces techniques ncessitent lutilisation dultrasons pouvant tre nfaste pour le Mems. Ball bonding Wedge bonding Force <1N Temprature 150-200C 125-150C Ultrasons 60-120 kHz Dure minimale (en 20 ms 80 ms mode automatique) Pas du cblage Moyen Bon Dformation 60-80% 25-30% maximale du cble Nature des cbles Au dop Be et Ca (5-10ppm) Al dop Si (1%) Al dop Mg (0.5 1%) Diamtres 25 m , 50 m,..
Tableau I.8. Caractristiques des deux techniques

I.4.2. Plots mtalliques : Flip Chip

Dvelopp pour la premire fois en 1960 par la socit IBM pour lassemblage de circuits intgrs. Cette technique est base sur lutilisation dune jonction par plots mtalliques de faibles dimensions qui permet de diminuer les pertes, daugmenter la compacit et la densit par rapport la technique filaire. La puce retourne est directement soude sur le substrat par lintermdiaire de plots mtalliques (bumps) pralablement raliss (Figure I-30).
Bump Under Bump Metallization (UBM) Plot mtallique

Puce reporter Mtallisation du substrat Substrat hte

Alignement puis : Thermocompression Collage Refusion

Substrat hte

Underfill

Figure I-30. Dfinition des zones fonctionnelles du flip chip

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Etat de lart

Les bumps, fabriqus avec des mtaux (Au, In, alliages eutectiques ...) ou en polymres, assurent les connexions lectriques, lassemblage mcanique et la dissipation thermique. Diffrents procds de fabrication sont utiliss pour la ralisation de bumps : Evaporation Croissance lectrolytique (Figure I-33) Bump electrodpos Electroless Srigraphie (Figure I-34) UBM Ball bumping (Figure I-31) Passivation Cur polyimide mtallis Jet dencre
Plot Al Bump srigraphi

Passivation

UBM

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Figure I-31. Bumps par ball bumping (ball bonding modifi) Ball bumping Passivation

Plot Al

Plot Al Figure I-32. Description de trois principaux procds de Bump [I.27] Figure I-33. Bumps par croissance lectrolytique (Heriot Watt University)

Plot Aluminium (Pad Al)

UBM

Refusion

Dpt de la brasure par srigraphie

Figure I-34. Description de la fabrication de bump par serigraphie puis refusion

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Etat de lart

Lunderfill est un matriau a base de polymre et/ou dadhsif, permettant une protection chimique et mcanique de la soudure en limitant les contraintes thermiques rapportes par la diffrence de coefficient de dilatation (Tableau I.9). Il sapplique par injection ou en utilisant la capillarit suivie dune rticulation (activation thermique ou UV).
Composs Rsine Solvant Liant rticulable Catalyseur Colorant Rducteur de CTE Underfill Biphenal A diepoxie Epoxie cycloaliphatique Anhydride HMPA 2ethyl 4methyl imidazole Pigment noir Sphrules de silice % massique 5.8 12.5 13.8 0.3 0.1 67.5

Tableau I.9. Exemple de composition d'un underfill

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La Figure I-35 rsume les diffrents procds possibles bass sur la technique flip chip. Pour les trois techniques, la soudure ncessite un apport thermique pour les bumps mtalliques (350C pour Au, 183C Pb/Sn) mais pour les bumps en polymres la rticulation peut se faire aussi par UltraViolets. La compression est plus leve (>100MPa) pour la technique de thermocompression par rapport aux deux autres techniques. La technique de refusion (Figure I-35 et Figure I-34) permet dobtenir des soudures tires, offrant une meilleure dure de vie en cycle thermique.
Procds Flip chip

Thermocompression

Collage Bumps electroless Ni/Au Bumps Au Bumps polymres Local

Refusion Gnral Bumps Sn/Pb Bumps Au/Sn Bumps In Etc. 1- Alignement

Bumps Au Bumps In Bumps polymres 1-Alignement

Conduction isotrope Conduction anisotrope Adhsifs non conducteurs Film adhsif 2- Compression +chaleur

2- Compression +chaleur/UV

2- Refusion gnral

local

3-Soudure acheve

3bis- Etirement des soudures

Figure I-35. Description des procds flip chip [I.27]

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Etat de lart

I.5. CARACTERISATION ET FIABILITE


Les enjeux en termes de fiabilit du packaging concernent llimination ou bien la matrise des problmes suivants : Dgazage des matriaux (capot, scellement, substrat) Taux de fuite Contraintes rapportes lors de la phase dassemblage (thermocompression, T>Tambiante) Contraintes rsiduelles dorigine thermique due lemploi de matriaux ayant des CTE diffrents (T=Tambiante), voir Figure I-36 Collage ( stiction ) de la partie mobile due au dgazage et/ou de la non hermticit Dlamination

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Avant 250C pendant 10 minutes

Aprs

Figure I-36. Dformations rsiduelles, d'origine thermique, dun micro-commutateur

Afin daugmenter la fiabilit dun microsystme, nous devons rechercher les effets des choix de conception (matriau, topologie), des procds de fabrication, du packaging, sur le fonctionnement et la dure de vie du Mems, tout en tenant compte des conditions extrieure et dutilisations. En effet, le Mems et son botier seront soumis durant leurs vies de multiples sollicitations : Au niveau de la fabrication : contraintes thermo-mcanique, vibrations (ex : nettoyage par ultrasons), chocs... Au niveau de la distribution : vibrations et chocs (transport), manutention, stockage (Temprature, humidit...) Au niveau de lutilisation par le client : contraintes extrieures (variations de temprature, choc thermique-mcanique), vibration (ex : tlphone mobile), humidit, poussire, radiations (espace) .... Par exemple, nous retrouvons typiquement dans les spcifications des cahiers des charges les contraintes suivantes : RF-MEMS (tlcommunication): Au moins 108 cycles de commutations avec des tempratures comprise entre -20 et +65C RF-MEMS (spatial): Une seule commutation mais aprs dix annes dans lespace ! Micro-mirroir: Au moins 1013 cycles commutations et cinq ans Le problme qui se pose est donc dimaginer des procdures de tests permettant de prvoir le comportement du microsystme dans cinq ou dix ans sans avoir pour cela attendre. Des tests standards existent, comme par exemple lInternational Electrotechnical Commission standards (IEC), MIL (military) standards ou encore Telcordia. Nanmoins ces tests sont issus des besoins de la microlectronique et ne sont pas forcment adapts au cas des microsystmes.

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Etat de lart

I.5.1. Dgazage

Daprs [I.48], le dgazage est responsable dune augmentation de la rsistance de contact, ce qui est un problme crucial pour les micro-commutateurs rsistifs. Le dgazage et ladsorption par le Mems peuvent modifier ltat des contraintes, la rigidit et la masse de la partie mobile. Par exemple, cela a pour consquence un dcalage de la frquence de rsonance pour les rsonateurs [I.49] (Figure I-37).

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Figure I-37. Variation de la frquence de rsonance d'un rsonateur en fonction du temps (dgazage)

Afin dtudier le dgazage introduit lors de la phase dassemblage, nous pouvons utiliser un spectromtre de masse selon la Figure I-38.
Echantillon (Mems, polymre ...) vide Plaque chauffante Pompe Spectromtre de masse

Figure I-38. Mesure du dgazage par spectromtre de masse (exemple BCB)

I.5.2. Adhsion - Humidit

Lhumidit issue de la raction chimique, de la dsorption lors de lassemblage risque dentraner le collage de la partie mobile par les forces de capillarits [I.51](Figure I-39).

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Etat de lart

Figure I-39. Exemple de stiction d'un pont aprs libration (LAAS)

Daprs la thorie sur les tensions de surface, nous avons un critre sur le risque de collage : Si
Substrat

e2k 4S

2 LScos

alors il y a aura collage (Figure I-40) e : paisseur initiale du capillaire k : raideur de la partie mobile S : surface mouille LS : tension de surface du liquide : angle de contact entre le liquide et la surface Rc
e/2

Microstructure suspendue

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Ressort e Liquide

Figure I-40. Modlisation des forces de capillarits

Exemple : Pont : k = 20 N/m S = 150 x 40 m On peut ainsi calculer l'paisseur e0 minimale du capillaire pour s'affranchir du collage lors du schage ; on obtient l'expression suivante :
emin = 8 LS S k cos( )

Le graphe de la Figure I-41 reprsente l'paisseur minimale en fonction de la tension de surface du liquide en considrant le cas le plus dfavorable, c'est dire lorsque l'angle de contact est nul [I.52].

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Etat de lart

Evolution paisseur du capillaire en fonction de la tension de surface


7 6 5 4 3 2 1 0 0 Epaisseur minimale (m)

Isopropanol Ethanol Acetone

Masse flotante Pont Poutre Poutre

Pentane

20

40

60

Eau
80

Tension de surface(dyn.cm)

Figure I-41. Evolution de l'paisseur minimale admissible pour le capillaire en fonction de la tension de surface du liquide

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Cette courbe montre qu'avec un gap dair de 1 2 m il faudrait un liquide de tension de surface infrieure 10.10-3 J.m-2. Or, il sagit dune tension 7 8 fois plus faible que leau donc mme si il existe un faible taux dhumidit et par consquent une surface de capillaire plus faible, on peut sattendre avoir le collage de la partie mobile. Dailleurs, B. Waterson, (AD, ISTFA), a montr le phnomne de collage juste en expirant sur le Mems !
I.5.2.1. Rseau de poutre

Une technique de mesure de lnergie dadhsion (tension de surface) repose sur lutilisation dun rseau de poutre de diffrentes longueurs, donc de raideur diffrentes (#L3), qui seront immerges dans le liquide dtude. Ainsi, il suffit de relever la longueur minimale pour quil y ait collage pour en dduire le seuil dinstabilit mcanique correspondant lnergie dadhsion (Figure I-42).

Poutre courte : libre Poutre longue : colle

Figure I-42. Rseau de poutres pour l'identification de l'nergie d'adhsion

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Etat de lart

Le Tableau I.10 donne lexpression de la tension de surface selon le cas dune poutre courte colle ponctuellement et le cas dune poutre longue colle sur une tendue linique .
Cas de la poutre courte
t L h l d

Cas de la poutre longue


t L h l e d =0

= E

3 8

d 2t 3 (J/m) L4

= E

3 2

d 2t 3 (J/m) ( L e) 4

Tableau I.10. Mesure de lnergie dadhsion (en J/m)

La Figure I-43 donne un exemple de dtermination de lnergie dadhsion entre des poutres en or et le solvant de libration (actone).
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Adhesion (mJ/m)

12 10 8 6 4 2 0 0 100 200 300 400 500 600 700

7,1 mJ/m

Longueur (m)

Figure I-43. Dtermination de la tension de surface solvant-poutre (X.Lafontan- Novamems)

I.5.2.2. Test de gonflement de membrane (bulge test)

Afin de dterminer lnergie surfacique critique ncessaire la propagation dune fissure Gc , une technique possible repose sur le test de gonflement (Figure I-44). On relve la pression ncessaire pour dlaminer le matriau, on obtient alors Gc suivant le mode I : Gc = 0.088Pa 4 Ee3

Figure I-44. Description du bulge test pour la rupture

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Etat de lart

I.5.2.3. Test de la lame (blister/blade test)

On introduit une lame (Figure I-45) de faon sparer les deux matriaux (mode I), ainsi on obtient lnergie surfacique critique de propagation dune fissure Gc :
a

3E e 2 h 3 G = c 8a4

Cap 2h Substrate

Figure I-45. Test de la lame (Blister test)

I.5.2.4. Test du pelage

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Le test du pelage consiste ouvrir lassemblage en exerant un effort perpendiculaire au plan de linterface (Figure I-46). Lnergie surfacique critique de propagation dune fissure Gc, sobtient : h 2 P2a 2 G = 12 (1 + 0.64 ) c a B 2 h 3 E/(1 )

Figure I-46. Test du pelage

I.5.2.5. Flexion quatre points

Le test de la flexion quatre points permet une sollicitation en flexion pure entranant une combinaison des modes I et II de rupture (=45 voir section A.3). Ainsi on peut remonter lnergie surfacique critique de propagation dune fissure Gc :
G = c
P/2 l h h Longueur de fissure 2a P/2 Mixit modale: ~45 P/2

21 P 2 l 2 (1 2) 16 b 2 h 2 E
P/2

Figure I-47. Test de flexion quatre points

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Etat de lart

I.5.2.6. Contrainte de cisaillement de rupture (shear test)

La mesure de la contrainte de rupture de cisaillement de lassemblage capot/substrat peut tre dtermine en utilisant des tests normalises de cisaillement (Standard SEMI G63-95 et MILSTD-883C Method 2019.5) provenant de la microlectronique (Figure I-48).
Direction du cisaillement Puce Matriau de scellement Figure I-48. descrition du shear test Outil de cisaillement quip dun systme de mesure de force

I.5.3. Pression et atmosphre contrle tel-00129546, version 1 - 8 Feb 2007

Nous avons montr dans la section correspondante au packaging sous vide quune faible pression pouvait entraner des oscillations libre des parties mobiles, ce qui nest pas acceptable pour les micro-commutateurs. De plus, P. Czarnecki (IMEC) a montr que plus le niveau de vide tait lev plus lisolation du commutateur tait grande (capacit ltat bas importante) mais galement que la dure de vie tait beaucoup plus faible (Figure I-49).

Figure I-49. Capacit l'tat bas d'un commutateur en fonction de la pression et du nombre de cycles (P. Czarnecki IMEC)

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Etat de lart

La Figure I-50 montre galement que la nature du gaz utilis peut fortement modifier la dure de vie, aussi on prfrera lazote lair.

Figure I-50. Influence de la nature du gaz sur la dure de vie (P. Czarnecki IMEC)

I.5.4. Hermticit tel-00129546, version 1 - 8 Feb 2007

L'hermticit du packaging a t pendant longtemps une exigence spcifique aux applications militaires et spatiales. La dfinition et la mesure du niveau d'hermticit reposent encore aujourd'hui sur des normes MIL et sur des hypothses physiques (dimensions de la cavit, scellement, nature des gaz). On citera, notamment : MIL-STD 883D : Dtection des taux de fuites levs Le Mems encapsul est plong (Figure I-51) dans du fluoro-carbone (temprature dbullition >139C) puis lon chauffe la solution 80C-100C. Ds que lon dtecte la prsence de bulles pour une temprature donne, on obtient (abaque) le taux de fuite. Cette technique permet de dtecter des taux de fuite > 10-4 mbar.l/s.

Figure I-51. Test des bulles- MIL-STD 883D

MIL-STD 883E : Dtection des taux de fuites moyen Le Mems encapsul est soumis une surpression lhlium, le but tant dintroduire dans la cavit de lhlium, ensuite on le place dans un dtecteur de prsence dhlium (Figure I-52). Cette technique est limite des taux de fuite > 10-9 mbar.l/s.

37

Etat de lart

Figure I-52. Test He MIL-STD 883E

La validit des normes MIL n'est plus garantie quand il s'agit d'valuer l'tanchit des botiers et surtout lorsque la taille de la cavit est infrieure 50 mm3 [I.53] (Figure I-53). En effet, si lon prend lexemple suivant : Volume de la cavit=Vc=100nl (3900x1900x15 m3) Pression interne initiale Po=1mbar Variation de pression accepte, aprs une dure= t=5 ans : P<1mbar
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On en dduit le taux de fuite (leak rate RL) maximum admissible :

RL =

P Vc P 10 7 = = 6,34.10 16 mbar.l.s 1 t 5 365 24 3600

Alors il faudra tre capable de mesurer des taux de fuite de lordre de 10-16 mbar.l/sec !

Pas de minimum spcifi !

Trop lev pour le packaging des Mems!

Figure I-53. Procdures de test pour la norme MIL-STD 883E (Mthode 1014.9) [I.53]

Compte tenu des faibles volumes des cavits, l'valuation de la pntration de l'humidit ou de gaz dans ces cavits ou leur niveau de vide ncessite le dveloppement de techniques et de modles spcifiques.

38

Etat de lart

Les recherches actuelles sont bases sur des mthodes de mesures ex-situ et des dispositifs de test in situ. Par exemple pour la mesure de la pression rsiduelle dans les cavits encapsules sous vide, une possibilit d'valuation du vide repose sur les mesures ex situ de la dformation (Figure I-54) et/ou des frquences de rsonance du capot en fonction de la pression externe, cette mthode reste limite des pressions 10-2-10-1 mBar [I.56]. Egalement, une technique in situ consiste intgrer un microrsonateur dans la cavit dont la rponse (frquence de rsonances et facteur de qualit) sera talonne en fonction de la pression et de la temprature [I.54] (Figure I-55).
Pression externe Capot

>

Pression interne

Pression externe Capot

=
Pint

Pression interne

Pint
Substrat

Substrat

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Figure I-54. Mesure de la pression interne par dformation du capot [I.56] Facteur de qualit Q

Pression (mBar) Figure I-55. Variation du facteur de qualit dun micro-commutateur rsistif utilis comme rsonateur, en fonction de la pression [I.54][I.57]

39

Etat de lart

Une technique base sur la spectroscopie infrarouge par transforme de fourrier (FTIRFigure I-56) permet de dterminer la concentration de gaz, pralablement introduit par surpression (typiquement N2O) lintrieur de la cavit (transparente aux longueurs dondes infrarouge). Utilise en continu pendant quelques heures, elle permet de dterminer le taux de fuite [I.55]. Nanmoins cette technique nest pas encore mature et ne permet pas de prendre en compte le dgazage des matriaux.
Faisceau IR N2O Pralablement introduit par surpression

Anneau de scellement Substrat Si HR

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Mesure de la transmission

Prsence de N2O

Figure I-56. Principe de la spectroscopie FTIR [I.55]

40

Etat de lart

I.6. REFERENCES BIBLIOGRAPHIQUES DU CHAPITRE I


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CHAPITRE II

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PROBLEMATIQUE

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Problmatique

II.1. MICRO-COMMUTATEURS RADIO FREQUENCE


II.1.1. Gnralits sur les micro-commutateur RF

Les fonctions hyperfrquences de commutation sont gnralement ralises partir de composants semi-conducteurs (diode PIN et transistor FET) ou bien de relais lectromcaniques ("Reed Relay") et d'interrupteurs coaxiaux pour des applications spcifiques. Le Tableau II.1, (daprs [II.1], [II.2] et [II.3]), prsente les commutateurs MEMS RF comme un srieux concurrent face aux composants classiques de la microlectronique.
Inter. Coaxial
Intgration Pertes (dB) Rsistance de contact () Isolation (dB) IP3 (dBm) Temps de commutation (s) Dure de vie (nbre de cycles) Frquence de travail (GHz) Tenue en puissance (W) Tension de commande (V) Consommation (mW) Mise en botier Cot () Impossible 0,1 0,5 80 Infini ~ 40000 105-106 DC-40 40 12-28 <1000 Aucune 38-90

Relais EM
bonne 0,3 0,05 50 infini ~ 5000 0,5-5.106 DC-5 10 1,5-24 0-140 Facile 0.85-12

MEMS RF
Trs bonne 0,05-0,2 0,5-2 30-40 +66-80 1-300 1010 ( confirmer) DC-120 <1 5-80 0.05-0.1 Difficile 8-20

Diode PIN
Trs bonne 0,3-1,2 1-5 30 +27-45 0,001-0,1 1010 < 20 (bde troite) < 10 3-5 5-100 Aucune 0.2-2

Transistor FET
Trs bonne 0,4-2,5 1-5 30 +27-45 0,001-0,1 1010 < 10 (bde troite) < 10 3-5 0.05-0.1 Aucune 0.5-4.5

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Tableau II.1. Comparaison des diffrentes technologies de commutation RF

Aussi, depuis une dizaine dannes, ce constat sest traduit par la naissance dune trs grande varit de micro-commutateurs. Une classification, communment admise, repose sur le type de configuration, le type de contact et le mode dactionnement. Le commutateur peut tre mont en configuration soit srie, soit parallle par rapport la ligne de signal RF comme le montre le Tableau II.2:
Type de configurations Srie Schma lectrique quivalent ETAT PASSANT Schma lectrique quivalent ETAT BLOQUE

Entre
Etat bas

Sortie

Entre
Etat haut

Sortie

Entre
Parallle Etat haut

Sortie

Entre

Sortie

Etat bas

Tableau II.2. Type de configuration suivant ltat haut ou bas de llment MEMS

Les principales forces dactionnement utilises pour changer ltat du commutateur sont les suivantes : lectrostatique, lectrothermique, magntostatique ou pizolectrique. Le Tableau II.3 rsume les principales caractristiques de chaque actionnement.

47

Problmatique

Dans notre cas, c'est lactionnement lectrostatique qui est dvelopp et que nous avons retenu pour la conception de nos commutateurs MEMS RF.
Force de contact (N) Consommation (mW)

Actionnement

Dplacement (m)

Temps de commutation (s)

Avantages

Inconvnients

Electrostatique [II.7] Electrothermique [II.8]

~0

1-200

0-10

50 1000

Rapidit de commutation. Mise en uvre simple Faible consommation Faible cot Possibilit de faire de grand dplacement Tension dactivation Force de contact leve Stabilit Tension dactionnement faible Bidirectionnels

50 200

300 10000

0-20

50 4000

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Magntostatique [II.11]

30 100

300 1000

0-20

50 200

Pizolectrique [II.10]

~0

50 500

0-20

50 200

Rendement lev. Temps de raction court Tension dactionnement.

Instabilit Tension Pull in leve (10 60 V) Chargement du dilectrique Fiabilit Forte consommation dnergie. Mauvaise fiabilit Temps de commutation Mauvaise compatibilit avec llectronique classique. Consommation en courant Encombrement Temps de commutation Dpt et gravure difficile Mauvaise compatibilit avec llectrique Cot (procds spcifiques, non utiliss en microlectronique) Pertes

Tableau II.3. Caractristiques des modes dactionnements

Les contacts peuvent tre de deux types : ohmique ou capacitif (Tableau II.4).
Type de contact Capacitif [II.6] Frquences dutilisation Frq utilisation 5 120 GHz. Avantages Inconvnients

Rsistif [II.9]

Frq utilisation. < 60 GHz.

Variation de la Capacit mal capacit en fonction de contrle la frquence Mise en uvre plus complique. Contrle des Court circuit direct rsistances de contact entre les matriaux

Tableau II.4. Prsentation des diffrents types de contact

Un contact ohmique ou Mtal/Mtal permet au commutateur en question de prsenter ltat haut une capacit trs faible (ordre du fF) mtal/air/mtal entre la partie mobile et la ligne de signal RF, et ltat bas, un court circuit DC. Il prsente cependant les inconvnients dintroduire une rsistance de contact, trs sensible divers facteurs (dgradation, accumulation ou rosion de la surface des mtaux en contact) et de ce fait, source de mcanismes de dfaillance. En effet, la rsistance de contact, qui doit gnralement rester en 48

Problmatique

dessous de 5 (pour une impdance de 50 ) afin d'obtenir des pertes d'insertion infrieures -0.5 dB, se dgrade en fonction du nombre de cycles [II.1]. Pour les applications de puissance o de forts courants sont en jeu, la rsistance provoque par effet Joule des risques de micro-soudures au niveau du contact. Ce type de contact est gnralement utilis pour des commutateurs fonctionnant du DC jusqu' 60 GHz. Pour le contact capacitif ou Mtal / Dilectrique / Mtal le phnomne de collage ou stiction est limit grce aux traitements de surface appliqus la couche dilectrique. Des problmes de collage lis au chargement dilectrique peuvent nanmoins dgrader la dure de vie de ce type de commutateur [II.4][II.5]. Il est plus adapt aux frquences allant de 5 120 GHz. Le type de contact choisi dpendra principalement de la maturit de la technologie choisie. Dans notre cas, c'est la technologie contact capacitif qui est la plus aboutie et que nous avons retenue pour la conception de nos commutateurs MEMS RF.
II.1.2. Principe de fonctionnement

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Le principe de fonctionnement dun tel commutateur rside dans la variation de capacit obtenue entre ses deux tats mcaniques, haut et bas lors de lactuation lectrostatique (Figure II-1). Plus cette variation est grande, plus la dynamique de coupure du commutateur ltat bloqu sera importante.
Pont

GND

Signal
Mode passant

GND

Isolant
Mode non passant

Figure II-1. Le micro commutateur ltat passant OFF et non passant ON

On parlera de capacit l'tat bas Cb (Con) et l'tat haut Ch (Coff). Gnralement, les capacits ltat haut varient entre 10 et 200 fF suivant la hauteur de llment mcanique, et les surfaces en regard. Pour ce qui est des capacits ltat bas, celles-ci peuvent varier de 1 40 pF suivant la nature, lpaisseur et la rugosit du dilectrique mais galement suivant les surfaces de contact et la qualit de celui-ci. Le rapport Cb/Ch (aussi appel Con/Coff) est traditionnellement utilis comme facteur de mrite pour classer les commutateurs capacitifs. Cela dit, cest bien souvent le contact intime entre le mtal et le dilectrique ltat bas du commutateur qui est critique, et ce rapport nen rend pas directement compte car ltat haut du commutateur est galement diffrent de celui attendu thoriquement (hauteur diffrente de celle espre, etc). On prfrera donc utiliser le facteur Cb mesur / Cb thorique pour valuer et comparer lisolation des commutateurs.
II.1.3. Microtechnologie

Lobjectif de cette section est double, prsenter le procd technologique de fabrication des micro-commutateurs capacitif tout en discutant du compromis performance/fiabilit de faon cerner certains enjeux pour la conception assists par ordinateurs (CAO) des microsystmes.

49

Problmatique

La Figure II-2 montre les diffrentes tapes de fabrication dun micro-commutateur RF capacitif actionnement lectrostatique. Celui-ci peut se dcomposer en deux grandes parties : la fabrication de la partie fixe, puis de la partie mobile [II.13][II.14][II.15][II.16].

1
Nettoyage du substrat

Dpt pleine plaque couche doxyde (SiO2)

Dpt pleine plaque couche de nitrure

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Dpt pleine plaque dune couche daccrochage (Ti)

Ralisation des lignes coplanaires

Dpt pleine plaque couche dilectrique

Photogravure du dilectrique

Dpt pleine plaque couche sacrificielle

10
Dpt pleine plaque mtallisation

Photogravure du pont air

11

Micro-usinage de volume

12

Micro-usinage de surface

13

Figure II-2. Description de la fabrication dun micro-commutateur capacitif actuation lectrostatique

50

FABRICATION DE LA PARTIE MOBILE

Photogravure de la couche sacrificielle

FABRICATION DE LA PARTIE FIXE

Problmatique

II.1.3.1.

Fabrication de la partie fixe

Dans un premier temps, avant la fabrication dun micro-commutateur, le choix du substrat daccueil est primordial. La majeure partie des structures fabriques utilise actuellement des plaquettes de silicium haute rsistivit (>10k.cm) [II.13] [II.18] afin de diminuer au maximum les pertes dilectriques lors de la propagation du signal micro-onde. Dautres substrats sont galement utiliss, comme par exemple des substrats en GaAs [II.19][II.20] ainsi quen quartz [II.12] [II.20][II.21]. De plus, on peut pratiquer un micro-usinage de volume face arrire (Figure II-2-n12) de manire obtenir des lignes coplanaires suspendues sur une membrane dilectrique de trs faible paisseur. Ainsi, la propagation se fait quasiment sans pertes dilectriques, la permittivit effective tant proche de un. Nanmoins, il faut prciser que cette solution complique la fabrication au niveau de la tenue mcanique et les simulations lments finis (EF) car la faible paisseur de la membrane par rapport aux autres dimensions introduit un facteur de forme leve (~10000), ce qui ne facilite pas lobtention dun maillage de qualit.
II.1.3.2. Lignes coplanaires

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Une ligne coplanaire (plan de masse ou conducteur central) doit tre constitue dun mtal avec une trs bonne conductivit et dune paisseur suprieure trois fois lpaisseur de peau afin de diminuer au maximum les pertes rsistives. Avant tout dpt des lignes, une couche doxyde thermique dune paisseur comprise entre 0,2 et 1 m est gnralement utilise [II.17]. Le choix du mtal utilis ainsi que le mode de dpt de celui-ci va conditionner ses caractristiques. Les mtaux gnralement utiliss pour la fabrication des lignes sont : laluminium (Al) [II.13][II.14], lor (Au) [II.15][II.16][II.19][II.20], le cuivre (Cu) [II.18][II.20]. Des techniques utilisant des bicouches [II.24][II.25] de mtaux existent galement. Dans le cas de lignes en or ou en cuivre, une couche daccroche est ncessaire, celle-ci est en gnral en titane (Ti) ou en chrome (Cr). Les performances typiques pour des lignes en aluminium, sur substrat silicium, dune paisseur de 4 m atteignent les 0,06 dB/mm une frquence de 10 GHz [II.17]. En ce qui concerne les lignes en or dune paisseur de 2 m, les pertes 10 GHz sont de 0,05 dB/mm [II.23]. Il existe deux procds technologiques pour la fabrication des lignes : le Lift-off pour le dpt des conducteurs par pulvrisation cathodique ou par vaporation, et le procd de type LIGA pour la ralisation de conducteurs mtalliques par dpt lectrolytique.
II.1.3.3. Procd Lift-off

Le principe du dpt par pulvrisation cathodique consiste en un bombardement, dans une chambre vide, par un flux dions inertes (Argon, Hlium) sur une cible constitue du matriau dposer. Les particules jectes du matriau sont alors dposes sur le substrat. Cette mthode est souvent utilise pour la fabrication de microsystmes, car elle permet des dpts de films mtalliques fins comme laluminium, lor, le chrome basses tempratures (< 150C). Les paisseurs dposes sont rarement suprieures 1m [II.22] Le dpt par vaporation repose sur le chauffage local dune cible constitue du matriau vaporer, ceci dans le but dobtenir une gnration de vapeur se condensant sur le substrat.

51

Problmatique

II.1.3.4.

Procd LIGA

Cette solution est beaucoup moins onreuse que les prcdentes de part le faible cot du matriel ncessaire (gnrateur, bain lectrolytique, lectrode, source). Cependant, la qualit des dpts est infrieure : la rsistivit suprieure aux autres dpts, la rugosit plus importante, de plus lhomognit est moins bonne sur une plaquette. Lavantage principal est que lpaisseur du dpt peut atteindre des centaines de microns. Avant tout dpt des lignes, une couche doxyde thermique dune paisseur comprise entre 0,2 et 1m est gnralement utilise, [II.11][II.12][II.17]. La croissance lectrolytique ncessite gnralement la ralisation pralable dune couche daccrochage (Au, Cu) qui devra tre localement grav la fin du procd. Les mtaux couramment utiliss pour la fabrication des lignes sont : lor (Au) [II.15][II.16][II.19][II.20], le cuivre (Cu) [II.18][II.20]. Le Tableau II.5 prsente un comparatif des deux mthodes de fabrication des lignes coplanaires.
Procd de fabrication des lignes Epaisseurs Lift off < m qq dizaines Mpa qq dizaines Liga qq m <10 MPa qq centaines

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Contraintes Rugosit

Tableau II.5.Comparatif des deux mthodes de fabrication des lignes coplanaires

II.1.3.5.

Fabrication de la capacit

Une fine couche (0,1 0,3m -Figure II-2-n6) de dilectrique est dpose pour crer le contact capacitif lors de lactuation. Afin de ne pas dtriorer les diffrentes couches de mtal des lignes coplanaires; il est obligatoire de faire des dpts tempratures basses (<350C) [II.27]. La plupart des laboratoires utilisent du nitrure de silicium dpos par PECVD [II.14][II.15][II.18][II.27]. La fabrication de la capacit est une tape cruciale car de sa bonne qualit dpendra les performances et la fiabilit du micro-commutateur. Les principaux modes de dfaillance qui dpendent de cette tape sont : Le claquage du dilectrique Le chargement du dilectrique lors de lactivation cyclique du micro-commutateur par voie lectrostatique Afin dviter le claquage, il est recommand de choisir un dpt pais de dilectrique. Mais pour une bonne isolation, la capacit ltat bas doit tre la plus grande et de ce fait ncessite une faible paisseur de dilectrique. De ce dilemme nat un compromis pour aboutir une paisseur de lordre de 0,1 0,3 m. De plus, les dpts non-conformes sont exclure car il existe un risque dobtenir des pics dor traversant le dilectrique (Figure II-3), ce qui entranerait le claquage et des micro-soudures.

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Problmatique

Pont (Or)

Zoom

Mtal (Or)

BCB ou dilectrique minral Silicium Pic dor

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Figure II-3. (a) Prsence de pics d'or traversant li au dpt non-conforme- (b) Photo MEB du dpt nonconforme de BCB sur une couche dor lectrolytique

Nanmoins, un dpt conforme (ex : PECVD SiO2 ou SiNx) nest pas sans inconvnient car il implique la cration dune capacit dair parasite entre le pont et le dilectrique ltat bas, due la rugosit du conducteur central et du pont (Figure II-4). En effet, la capacit Con chute de prs de 70 % si il subsiste une paisseur quivalente dair denviron 0,2 m.

Zoom Dilectriques Gap dair Figure II-4. Capacit d'air parasite issue de la rugosit et de la conformit du dpt du dilectrique

Le chargement du dilectrique implique la cration dun champ lectrique parasite qui augmente lors de lactivation cyclique (Figure II-5), ce phnomne est d au pigeage de charges par le dilectrique, ce qui engendre un dcalage de la tension dactuation (pull-in) et de la tension de seuil (pull-down).

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Problmatique

r E parasite

Pont Si3N4 Au

Figure II-5. Champ E parasite lors du chargement du dilectrique

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Par exemple, les dpts classique de dilectrique minral SiO2/Si3N4 (r=5,3 , densit de porteur de charge charge=2,4.1011/cm) possdent un champ de claquage de lordre 4,6MV/cm. Or thoriquement, on sattend pour la majeure partie de nos structures un champ lectrique ltat bas Eon 3MV/cm, qui est trs proche du champ de claquage. De faon limiter ce phnomne ainsi que la diffusion de lor du conducteur central dans le dilectrique lors des recuits, une couche daccroche et de protection est gnralement intercale entre le dilectrique et les lignes coplanaires. Ces couches sont constitues de Ti ou de Cr [II.26]. Le vieillissement du dilectrique par le chargement cyclique est alors un verrou technologique et thorique devant tre lev pour concevoir un micro-commutateur performant et fiable. Un des enjeux de la simulation sera donc de modliser dans le domaine lectrostatique le comportement dune capacit MIM (Mtal/Isolant/Mtal) en prenant en compte la rugosit des surfaces, de faon apprhender les mcanismes de vieillissement en vue de les matriser.
II.1.3.6. Fabrication de la partie mobile

La ralisation du micro-commutateur (micro-pont ou poutre) se fait en deux tapes : le dpt de la couche sacrificielle puis le dpt du matriau constituant le pont.
II.1.3.6.1. La couche sacrificielle

Le rle de ces couches dites couches sacrificielles est de donner la future forme la partie mobile (micro-pont, micro-poutre) (Figure II-6).
Couche sacrificielle

Figure II-6. Exemple de procd technologique avec de la rsine sacrificielle

Ces couches vont tre supprimes entirement la fin du procd technologique par une tape de gravure slective et isotropique appele en gnral micro-usinage de surface. Lutilisation de rsines photosensibles [II.28] ou bien de polymres [II.29] est la plus frquente. Le mode de dpt par centrifugation [II.25] permet dobtenir une bonne reproductibilit des paisseurs sur une plaquette, celles-ci peuvent varier entre 1m [30] 7m [II.30][II.25] selon les paramtres de dpt. Lutilisation de polysilicium [II.32], ainsi que de couche de mtal comme par exemple lAl [II.30] est galement trs courante. 54

Problmatique

II.1.3.6.2. Fabrication du micro-pont

Le micro-pont est gnralement constitu dune ou de plusieurs couches de mtal dont lpaisseur totale peut varier de 0,8 4m [II.33] [II.31]. Les principales caractristiques du mtal constituant le pont doivent tre : - une forte conductivit pour augmenter lisolation du micro-commutateur, - une contrainte intrinsque faible et matrise pour minimiser les dformations rsiduelles et la tension dactionnement, - une bonne stabilit thermique, - une bonne fiabilit. La plupart des structures est fabrique avec une monocouche dAl [II.13][II.14][II.34][II.35], ou bien laide dune bicouche de Ti/Au [II.36], ou en Au [II.37][II.16][II.33], ou bien plus rarement en Ni [II.31].
II.1.3.6.3. Libration des structures mobiles tel-00129546, version 1 - 8 Feb 2007 Suppression de la couche sacrificielle

Lattaque par une gravure sche du type plasma oxygne est la plus rpandue lorsque la couche sacrificielle est en rsine ou bien en polymre [II.35][II.37]. En effet, ce type de gravure vite tout problme d au collage des structures lors dune libration liquide. Dautres solutions liquides telles que lactone ou bien des drivs de solvant du type AZ100 Remover, sont galement utilises. Lorsque des mtaux sont utiliss comme couche sacrificielle, une attention trs particulire doit tre apporte ce que la gravure ne dtriore pas les autres mtaux [II.30]. La Figure II-7 donne quelques exemples de solutions dattaques ainsi que leur slectivit.

Attaque Al.

Attaque Cr.

Figure II-7. Exemple de slectivit en fonction des mtaux pour une solution dattaque donne

Schage des structures, le phnomne de collage

Lutilisation de solutions dattaque liquide engendre des problmes de collage stiction [II.38]. La prsence dune couche trs fine de liquide avec un angle de contact trs petit (surface hydrophile) peut engendrer un collage entre les deux surfaces par capillarit. Une technique dite schage par CO2 supercritique permet de contourner ce phnomne. En effet, l'une des particularits de l'tat supercritique est que le fluide possde la fois les proprits des gaz et des liquides. Ainsi pour l'application au schage, lintrt rside sur une tension de surface des gaz quasi nulle. D'autre part, au del du point critique, il n'y a plus de changement de phase. Par consquent, le passage de l'tat liquide l'tat gazeux par

55

Problmatique

contournement du point critique se fait sans changement de phase, c'est--dire sans vaporation du liquide. Ainsi, les effets de tension de surface responsable du collage des micro-structures sont supprims. Le diagramme de phases de la Figure II-8 [II.39] permet de situer l'tat supercritique qui se trouve au del du point critique de coordonnes (Pc; Tc) dans le diagramme de phases (ex : Tableau II.6).

Etat supercritique

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Figure II-8. Diagramme de phases contournement du point critique

Tc (C) Pc (Mpa)

CO2 31,1 7,38

Eau 374 22,1

Mthanol 240 7,99

Actone 235 4,7

Tableau II.6. Point critique de diffrents fluides

56

Problmatique

II.2. PACKAGING DES MICRO-COMMUTATEURS ACTUATION ELECTROSTATIQUE

CAPACITIFS

Lobjectif de cette section est de proposer un choix de technique de report, de matriaux ainsi que des pistes de rflexions au niveau de la conception du packaging appliqu aux microcommutateurs capacitifs actuation lectrostatique.
II.2.1. Analyse fonctionnelle

De la dtermination de la hirarchie fonctionnelle (traduction des attentes du Cahier des Charges Fonctionnel- CdCF) dpendra la pertinence des principes de conception retenus pour le packaging. Le choix, les orientations et les dcisions prendre seront alors clarifis. Le CdCF peut alors tre prsent comme la rponse aux questions suivantes : " Comment quantifier, hirarchiser et traduire les attentes du packaging" " Les rponses de conception correspondent-elles rellement aux besoins final et avec quel niveau de pertinence?"
II.2.1.1. tel-00129546, version 1 - 8 Feb 2007 Analyse du besoin : bte corne

La fonction globale du packaging est de protger, au sens large, le MEMS RF.


qui ? MEMS RF Sur quoi ? Performances et fiabilit

PACKAGING

Dans quel but ? Protger le MEMS RF

Cette premire tape permet de rpondre aux deux questions simples suivantes afin de contrler un besoin rellement justifi. Ce but rpond-il un besoin ? Oui : Garantir la fiabilit pour la commercialisation des MEMS RF Applications militaires et civiles de tlcommunication. Est-ce un besoin stable ? Oui, volution possible : Progrs technologiques des matriaux Progrs des moyens de fabrication (ex : Packaging collectif)

57

Problmatique

II.2.1.2.

Analyse des fonctions de service : diagramme pieuvre

Par dfinition, le CdCF se limite aux fonctions de service et aux seules contraintes rsultant de l'utilisation prvue du Mems RF. Il ne fait pas tat des fonctions techniques qui sont attaches une solution technique mais il fera apparatre diffrents niveaux de dtail sur les fonctions de service (raison d'tre du packaging) et les contraintes (limitations la libert du concepteur). La Figure II-9 prsente lensemble des fonctions de contraintes et de services du packaging.
MEMS RF PROTEGE ATMOSPHERE

MEMS RF NU

SIGNAL RF

Fc1 Fc2

Fp1

Fc6

INTERNE

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PACKAGING
Fc3
INDUSTRIELS

Fc5
INTERCONNEXIONS

Fc4
Temprature Sollicitations mcaniques Humidit Particules Gaz Pression

Corrosion

Chimique

Vibrations

ENVIRONNEMENT
EXTERIEUR

Figure II-9. Analyse des fonctions de contraintes et de services du Packaging

Fp1: Protger le Mems RF Fc1: Sadapter et respecter le substrat dintgration Fc2: Respecter les performances RF Fc3: Dimininuer le taille pour minimiser les pertes et augmenter la densit dintgration Rduire le cot Contrler le budget thermique pour lintgration monolithique (above IC) Respecter la sant des oprateurs Fc4: Protger et rsister aux agressions extrieures Respecter lenvironnement Fc5: Permettre la transmission la transmission du signal RF par des entres/sorties Diminuer les pertes rsistives et par dsadaptation dimpdances Fc6: Permettre une ambiance interne contrle

58

Problmatique

Les fonctions contraintes ayant t identifies, il convient de dfinir leurs critres d'apprciation. Parmis ceux qui sont dterminants, nous dtaillons les performances au moyen de critres d'apprciation (qualitatif et/ou quantitatif) avec un niveau dexigence, on parle de flexibilit. Cette tape est formalise par les tableaux II.7 et II.8. Ainsi, nous pourrons nous appuyer sur les spcifications du CdCF pour isoler un ensemble de fonctions techniques qui permettent de satisfaire le besoin, cest lobjet de la partie suivante.

Fonction Fp1

Milieu extrieur Mems RF nu Mems RF protg

Verbe

Critre Faibles pertes Faible consommation Compacit leve Applications

Performance <0,2 dB <0,2 mW <10x10x0,5 mm3 Civile et militaire Non dgrades

Flexbilit2 0 0 0 0 1

Protger

Performances RF

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Fc1

Mems RF nu Sadapter Respecter Surface structure Dimensions Temprature Tenue mcanique Frquences Compatibilit EM Respecter Performances RF Fondeurs microtechnologies Taille Masse Cot Compatibilit monolithique (Above IC) Sant des oprateurs 1m<dnivellation<5m <10x10 mm T<200 C (flambement) Contraintes rapportes critre de rupture 0,1 60 GHz <0.1 dB de pertes rapportes PME Grands groupes L,l,h < 10x10x0,5 mm3 <0,2g <30% du prix final T<450C Pas de mtaux lourds/alcalins Plan dhygine et scurit pour la manipulation de matriaux toxiques 1 0 0 < 0 1 1 2 1 1 1 1 0 1 0

Fc2

Signal RF

Fc3

Industriels Diminuer Rduire Contrler Respecter

Tableau II.7 . Spcification du cahier des charges fonctionnel (Fp1, Fc1,Fc2,Fc3)

Flexibilit 0 : performance respecter Flexibilit 1 : dans la mesure du possible Flexibilit 2 : si cela est permis

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Problmatique

Fonction Fc4

Milieu extrieur Environnement extrieur

Verbe

Critre Niveau fabrication Circuit de distribution Client Humidit T de stockage T d'utilisation Pollution Gaz Chocs Vibration Pression Dure de vie Fiabilit Entretien Ne pas se drgler Dchets Recyclable

Performance

Flexbilit

Permettre

Rsister

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Respecter Fc5 Interconnexions Permettre Diminuer Fc6 Atmosphre interne Permettre

Salle blanche 1 Stockage/manutention 1 Utilisation/Pays 1 10% 80% 0 -40C 70C 1 -20C 50C 0 toutes (poussire, sable...) 0 Air, Azote, vide autres 2 A dfinir Eloigne de Freq. de 0 rsonance 2 0 10 bars 2 ans 0 5 ans avec volution 1 95 % 0 Remplacement 1 A vie 1 Minimum 0 Totalit 2

Connectique Dissipation thermique Longueurs

Standards A dfinir Les plus courtes possibles

1 0

Pression Gaz Hermticit Dgazage

0 1 bar air, azote, gaz neutre Taux de fuite faible Faible (getters)

1 0 1 1

Tableau II.8. Spcification du cahier des charges fonctionnel (Fc4, Fc5, Fc6)

60

Problmatique

II.2.1.3.

Analyse de lorganisation des fonctions : Technique SADT

L'analyse descendante dune fonction, partir des outils de la mthode SADT3, permet de comprendre pourquoi un systme existe, ou doit tre conu, quelles fonctions il doit remplir et enfin comment elles sont ralises. La mthode, appuye par un modle graphique, procde par approche descendante en ce sens que l'on va du plus gnral au plus dtaill, en s'intressant aux activits du systme (Figure II-10).

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Figure II-10. Formalisme SADT

Le diagramme de niveau le plus lev reprsente la finalit du systme technique. Il porte la rfrence A-0 (Figure II-11) et ne comporte que la fonction principale du systme. Extrieur (T, RH, pollution...) Energie Programmes

Rglages

Mems RF nu

Protger les performances RF des micro-commutateurs RF

Mems RF Protg Qualit de la protection

A-0

Packaging
Figure II-11. Diagramme SADT niveau A-0

SADT : Structured - Analysis - Design Technique

61

Problmatique

Ensuite, nous dcomposons cette fonction principale en sous fonctions relies entre elles par des liens permettant le transfert dinformations ou de matire, la Figure II-12 dcrit le diagramme A0 de la fonction principale.
Tempratures Forces Rglages Programmes Qualit de la protection

Mems RF nu

PROTECTION DE
LA ZONE ACTIVE

A1

SCELLEMENT
A2

Qualit du scellement Qualit hermticit

ENCAPSULATION
CONTROLEE

A3

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INTERCONNEXIONS
A4

Qualit des contacts Mems RF Protg

Packaging A0
Protger les performances RF des micro-commutateurs RF

Figure II-12. Diagramme SADT niveau A0

Ainsi on distingue quatre sous fonctions, troitement lies, constituant la fonction globale du packaging : Bloc A1 : PROTECTION DE LA ZONE ACTIVE Afin de ne pas venir perturber le signal lectromagntique, le capot devra tre loign des lignes. On recense dans la littrature, pour diffrents types de matriaux, quune hauteur de lordre de 50 m permet de ngliger les pertes rapportes par le capot au niveau de la zone active [II.40]. Pour rpondre cette exigence, le capot peut-tre loign en utilisant un matriau intermdiaire de scellement pais (si cette technique est retenue) et/ou une cavit structure dans le capot. Egalement, il conviendra de choisir des matriaux ayant de faibles pertes. Bloc A2 : SCELLEMENT On dsigne par scellement lopration dassemblage mcanique entre le capot et le substrat contenant le Mems, celle-ci pouvant se faire avec ou sans matriau intermdiaire. Bloc A3 : ENCAPSULATION CONTROLEE Comme nous lavons indiqu dans le premier chapitre, lencapsulation devra tre hermtique ou quasi-hermtique afin dviter le problme de collage ( stiction ) du pont sur le dilectrique. Lencapsulation devra permettre lutilisation de gaz neutre avec une pression donne ou sous vide.

62

Problmatique

Bloc A4 : INTERCONNEXIONS Du choix des techniques dinterconnexions va dpendre la qualit du signal RF. En cela, pour des raisons de performances lectriques, les interconnexions devront la fois tre les plus courtes possibles et sortir du capot en minimisant les pertes. Dans notre cas, on a trois possibilits de sortie pour la prise de contacts lectriques : Au niveau de la face suprieure du silicium, on parle alors dalimentation traversante Au niveau de la face infrieure de silicium, par le biais de trous mtalliss (vias) A travers le capot, galement par des vias
II.2.1.4. Analyse des fonctions techniques : Diagramme FAST4

Cette mthode permet d'ordonner et de dcomposer logiquement les fonctions prcdemment identifies pour aboutir aux solutions techniques qui permettent de satisfaire le packaging. La Figure 11 reprsente la description FAST de la fonction globale packaging avec les fonctions de services, les fonctions techniques et les solutions techniques daprs ltat de lart en la matire.
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Function Analysis System Technique

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Problmatique

Cavit dans le capot

Micro-usinage de volume

Gravure sche Gravure humide Rsine paisse Polymres Verre Silicium HR - Foturan Polymres

DRIE autres KOH autres SU8, BCB autres

Eloigner le capot de la zone active

Matriau de scellement pais si assemblage avec couche intermdiaire Capot Matriau de scellement si assemblage avec couche intermdiaire

PACKAGING

PROTECTION DE LA
ZONE ACTIVE

Utiliser des matriaux faibles pertes

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Avec couche intermdiaire

Glass frit bonding non car T>400C Solder bonding alliage eutectique 118C pour 52In48Sn Eutectic bonding non car 97Au3Si @ 363C Polymre oui mais non hermtique et dgazage Anodic bonding non car T>300C et non compatible avec la technologie MOS Fusion bonding non car T>800C Diffusion en phase solide non car ncessite une surface plane

SCELLEMENT

Sans couche intermdiaire

Hermtique

Anodic bonding Fusion bonding Diffusion en phase solide

Glass frit bonding Solder bonding Eutectic bonding

ENCAPSULATION
CONTROLEE

Quasi hermtique

Polymre avec possibilit dintroduire des getters

Flip Chip

Vias dans le capot + pad + UBM Vias dans le substrat du Mems+ pad + UBM

Lgende INTERCONNEXIONS
Wire bonding
Au niveau de la face suprieure du silicium (alimentation traversante)

Incompatible avec le CdCF Quasi compatible avec le CdCF sous quelques amliorations

Figure II-13. Diagramme FAST de la fonction packaging des micro-commutateur RF

Compatible avec le CdCF

64

Problmatique

II.2.2. Choix du type de packaging

Lanalyse fonctionnelle nous a permis de recenser lensemble des solutions techniques possibles, au moyen des mthodes SADT et FAST, appuyes par ltat de lart sur les techniques de mise en botier (chapitre 1). En couplant la description FAST avec les compatibilits ou non des solutions techniques vis--vis des spcifications du cahier des charges fonctionnel (CdCF tudi lors de lanalyse de la valeur), elle nous a galement permis disoler deux solutions possibles pour la ralisation du packaging, qui sont prsentes dans la Figure II-14.
CAPOT SCELLEMENT INTERCONNEXIONS

Wire bonding Polymres

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Verre Silicium HR Foturan

Polymres Au niveau de la face suprieure du silicium (alimentation traversante) Brasure eutectique

Figure II-14. Descriptions des deux solutions retenues aprs l'analyse fonctionnelle

Dans le cadre de nos recherches, nous avons retenu un capot en Foturan car il sagit dun verre photosensible et galement parce quil permet une inspection post-packaging aise. A ce stade nous avons concentr nos recherches sur les techniques de scellement par brasure eutectique (solder bonding) et par polymres : Les alliages eutectiques faible temprature (Annexe B) Une recherche approfondie des diffrents alliages permettant une soudure faible temprature a t mene en collaboration avec la socit MEMSCAP. Le verdict sest avr svre car il nexiste pas dalliage permettant deffectuer une soudure fiable des tempratures proche des 150C. Le seul alliage connu permettant de faire rellement un scellement se trouve tre leutectique BiSnPb (46 % Bi ; 34 % Sn ; 20%Pb) ayant une temprature deutectique (liquidus) 96C. Cet alliage permet davoir un pic de refusion 135C, ce qui savre tre le plus bas pic de refusion connus donnant des rsultats peu prs satisfaisant. De plus, cet alliage ncessite dtre en contact avec une paisseur dor infrieure 0.5 microns pour limiter les risques de recombinaison gnrant une fragilit pouvant engendrer une dlamination. En effet, des tests mens par Indium-corp, montre que pour une paisseur dor de un micron dor, la dlamination de lassemblage est systmatique. Les scellements polymres Les scellements polymres sont des solutions quasi-hermtiques. Elles ne permettent pas dassurer une hermticit du niveau de celles atteintes par les scellements par alliages.

65

Problmatique

Le choix des polymres pouvant assurer un scellement est quasi infinie. Dans le cadre de cette application nous avons slectionn le Benzo-Cyclo-Butne (BCB). Ce polymre peut tre dpos laide dune seringue (3cc) et dune aiguille de 100 microns de diamtre, grce une machine de dispense flip-chip. Outre les bonnes proprits lectriques du BCB, ce polymre est une rsine photosensible, donc offrant la possibilit dtre structur par photolithographie. Ce constat, fait du BCB un trs bon candidat pour le scellement car le packaging collectif (wafer/wafer) peut tre envisag. Par contre, le budget thermique est un peu lev car une temprature suprieure 180C est requise pour amorcer la polymrisation du BCB. Nanmoins, un schage peut tre effectu aux environs de 150C. La mouillabilit du BCB sur le Foturan est assez faible mais ce polymre est dclin sous diffrents degrs de thixotropie (Annexe A) en fonction des rfrences. Aussi, nous avons opt pour le BCB 3022-63 qui savrent tre fortement thixotrope. En conclusion, nous avons opt pour un capot Foturan avec un scellement polymre (BCB 3022-63) et des interconnexions traversantes au niveau de la face avant du microcommutateur RF.

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Problmatique

II.3. OUTILS CAO POUR LES MICROSYSTEMES


II.3.1. Introduction

La conception des MEMS bute sur de nombreux cueils : la coexistence de nombreux phnomnes physiques coupls (Figure II-15), des non-linarits fortes (matrielles et gomtriques) et des incertitudes importantes sur les dimensions gomtriques des MEMS (dispersion), sur certains paramtres assujettis aux procds de fabrication (contraintes rsiduelles), voire sur les proprits des matriaux utiliss (constante dilectrique, module de Young, coefficient de poisson, CTE etc).

Electromagnetique Thermique

Magnetique Fluidique

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Electrostatique Electrique Structures

Figure II-15. Domaines physiques coupls lors de la fabrication et du fonctionnement des Mems

De plus la multiplication des outils spcifiques pour la conception, modlisation et simulation des microsystmes rend la tche encore plus difficile au concepteur et limite la phase doptimisation. En effet la conception des microsystmes suit le flot suivant [II.41] : i) Le dessin du masque et la conception au niveau du layout : ce sont les diteurs de layout et les outils de vrification de rgles de dessin (DRC5). ii) La simulation de procd technologique : les simulateurs de procd semi conducteur et les simulateurs de gravure (MEMULATOR ). iii) La simulation de composant : les simulateurs Elments Finis (Annexe H - FEM6, BEM7), circuits quivalents et les langages de description du matriel (HDLs8) iv) La simulation au niveau systme : circuits quivalents, HDLs, simulateurs analogiques et mixtes analogiques/numriques v) Vrification et mesures : validation de la simulation vi) Simulation globale : lexcution itrative des tapes prcdentes (Optimisation) Devant le panel doutils ddis la conception des microsystmes sur ces diffrents niveaux de simulation [II.42][II.43][II.44], il est ncessaire que ces outils puissent tre coupls ou bien communiquer ensemble par transferts de donnes (importation/exportation).
5 6

DRC Design Rules Checker FEM Finite Element Method 7 BEM Boundary Element Method 8 HDL Hardware Description Language

67

Problmatique

La croissance vertigineuse des performances des calculateurs et des mthodes numriques (Figure II-16) depuis une trentaine danne, laisse entrevoir une opportunit de rsoudre numriquement et ce dans un mme environnement tout type de problmes avec des phnomnes physiques fortement coupls. Nanmoins, mme si lon supposait les performances des calculateurs infinis, il serait illusoire de penser que les temps de conception en seraient pour autant diminus car la modlisation complte dun problme multi-physique ncessite de nombreuses tapes de validations numriques au moyen de cas tests. De plus, le dveloppement de ce type de simulation complexe risque dtre sanctionn par une nonconvergence des modles, rduisant linvestissement en terme de temps de calculs zro. Par ailleurs, la mise au point doutils de conception permettant de prendre en compte les incertitudes de manire efficace est un enjeu important, qui intresse potentiellement tous les acteurs de lindustrie des MEMS. La prise en compte des incertitudes dans les simulations se fait souvent par lutilisation de mthodes de type Monte-Carlo, plan dexprience (plan fractionnaire, de Tagushi ...). Cette dmarche requiert un nombre de tirages et de ce fait de simulations, norme pour parvenir une description statistique correcte du MEMS. Dans le domaine des MEMS, cette approche nest pas actuellement envisageable car une simple simulation peut ncessiter un temps de calcul exorbitant, selon la complexit du modle utilis.

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Figure II-16. Levolution des mthodes numriques suit la loi de Moore, croissance exponentielle [exp (2/3t)]

Egalement, avec lavnement de complexit supplmentaire due la miniaturisation (effets quantique, Van Der Walls, Casimir), il est crucial de centrer les efforts de conception sur des outils permettant le couplage entre la simulation au niveau composant et la simulation au niveau systme par des modles quivalents ou bien des modles rduits, dans le but de grer les interactions des diffrents niveaux dabstraction mais galement dans un souci dintgrer des outils doptimisation. Aussi les principaux dfis relever pour la conception des microsystmes peuvent se rsumer par [II.45]: La construction de modles 3D de composant microsystme partir de son layout La modlisation FEM de composants microsystme La construction de modles constantes localises (macro-modles ou modles rduits) Linsertion de ces macro-modles dans un environnement dynamique de simulation

68

Problmatique

Pour rpondre ces dfis, deux approches peuvent tre envisages : la premire consiste dvelopper un nouvel environnement spcifique aux microsystmes, la seconde plus raliste rside dans lutilisation doutils CAO existants (multi-physique ou non), de les amliorer et de les interfacer dans un seul environnement de conception afin dassurer un flot de conception systmatique et continu. Lobjectif de la section suivante est de dresser un panorama des outils directement ddis ou modifiables, pour la conception des microsystmes.
II.3.2. Panorama des outils de conception pour les Mems

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Le dveloppement des outils CAO spcialement ddis aux microsystmes a commenc au dbut des annes 80. Les premiers outils ont t essentiellement conus pour amliorer la conception de layout des microsystmes [II.46][II.47][II.48][II.49]. MEMCAD , SENSIM, CAPSIM, CAEMEMS-D, SENSOR, NM/SESES sont des exemples de ces outils. La plupart de ces outils utilisent des bases de donnes simples qui contiennent les proprits des matriaux et les critres de performance. La communication entre les diffrents modules de ces outils se fait par des simples transferts de fichiers [II.50]. Les techniques de simulation lectrique (de type SPICE) sont utilises pour les circuits analogiques. Les techniques de simulation vnementielles event-driven (exemple VHDL) sont utilises pour les circuits numriques. En exploitant les analogies des quations lectriques avec celles issues de la mcanique, la thermique et la fluidique, il est possible dutiliser les simulateurs SPICE comme des solvers analogiques de modles constantes localiss (lumped parameters model) pour simuler les Mems. En effet, les lois de Kirchhoff des tensions et des courants sur lesquelles est bas tout simulateur lectrique, sont issues des lois de conservation de lnergie et peuvent donc tre gnralises dautres domaines obissant aussi des principes de conservation. Cette approche est celle des circuits quivalents, o les quations diffrentielles dun composant physique sont remplaces par celles dun circuit lectrique quivalent (qui prsente les mmes quations). On dfinit de manire gnrale deux types de variables pour chaque domaine physique: le type potentiel: la valeur des variables de ce type est propre chaque noeud du rseau et est dfinie par rapport un noeud de rfrence (un pour chaque domaine). Le terme anglais est across. le type flux, nomm through en anglais: il dsigne les grandeurs relatives une branche comprise entre deux noeuds. Un flux est dautre part une grandeur absolue et unidirectionnelle.

69

Problmatique

Le Tableau II.9 prsente les couples de grandeurs qui sont gnralement choisis pour dcrire les systmes lectriques, mcaniques, thermiques et fluidiques ainsi que les lois. On trouvera la fin du chapitre III, un exemple du micro-commutateur capacitif actuation lectrostatique.
Domaines Electrique Potentiel (across) Tension V (volt) Flux (through) Courant I (A) Loi de connexion nuds du rseau Loi de Kirchhoff
noeud

aux

i=0

Loi de la dynamique Mcanique Translation Mcanique Rotation autour dun axe fixe Dplacement X (m) ou Vitesse V (m/s) Rotation (rad) ou Vitesse angulaire (rad/s) Temprature (K) Pression (Pa) Hauteur Liquide (m) Pression (Pa) Force F (N)

solide

F=M

d2x dV =M 2 dt dt

Loi de la dynamique Couple (Nm) Flux de chaleur (J/s ou Watt) Dbit Vol. (m3/s) massique (kg/s)

=J

solide

d 2 d =J 2 dt dt

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Thermique Hydraulique Pneumatique

Conservation du flux de chaleur Conservation du dbit Conservation du dbit

Tableau II.9. Prsentation de quelques domaines physiques

La Figure II-17 prsente un exemple simple de circuit quivalent correspondant la modlisation des vibrations de micropoutres, avec la prise en compte de lamortissement visqueux (ex :air ou azote). X1 et X2 dsignent les dplacements des masses M1 (substrat) et M2 (poutre) par rapport leurs positions initiales et V1, V2 sont leurs vitesses respectives. Mais la modlisation dun composant physique extrmement non linaire est dlicate, la technique courante pour contourner ce problme consiste linariser les composants autour dun point de fonctionnement bias [II.51]. Linconvnient de cette technique est quelle limite lanalyse de performance sur des petits intervalles. Afin de dcrire des systmes multi-disciplinaires en prennant en compte les non-linarits, le langage de modlisation doit permettre une intgration du comportement physique. Le langage VHDL-A permet de rpondre ce besoin par la cration dun nouvel objet, nomm nature, qui autorise lutilisateur dfinir divers domaines physiques, caractriss par les noms des variables de type potentiel et flux et par le nom du noeud de rfrence tout ayant la possibilit dintgrer les non-linarits au moyen de boucles if, elsif.

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Problmatique

Micropoutre de masse M1

Substrat, masse M2

Pot vibrant (Pizo)

Vibration de micropoutres Aluminium

1/B

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M1 K M2 B

X1 1/K V1 X2 M1 M2 V2

Daprs la mise en quation de ce systme deux degrs de liberts, V1 et V2 : dV M1 1 + K (V1 V2 ) dt + B (V1 V2 ) = 0 dt dV M 2 2 + K (V2 V1 ) dt + B (V2 V1 ) = 0 dt
Figure II-17. Modlisation des vibrations dune micro-poutres par son quivalent lectrique

Une autre technique repose sur la description comportementale laide dune dcomposition en schma blocs. La fonction globale du systme est dcrite par un assemblage de blocs reprsentant une fonction prcise du systme et dont le comportement physique est dcrit soit analytiquement au moyen dquations diffrentielles, soit numriquement au moyen dabaques permettant de grer les non-linarits. Les blocs sont alors connects entre eux par un ensemble discret de connecteurs qui assurent la transmission de lnergie. Nous citerons par exemple le logiciel AMESim, dvelopp en France depuis 1994 par la socit IMAGINE et le logiciel SimulinkTM de Matlab, bien connu de la communaut scientifique. Par son utilisation, AMESim ressemble SimulinkTM de Matlab, mais contrairement celui-ci, les variables changes aux ports sont physiques et elles vont dans les deux directions. Le logiciel AMESim, tait conu initialement pour ltude des rseaux fluides. Dsormais AMESim dispose dun large ventail de bibliothques et de modles qui correspondent soit
71

Problmatique

aux disciplines de lhydraulique, la pneumatique, la mcanique, le contrle, le di-phasique, soit des domaines dapplication : la transmission, le conditionnement dair, la dynamique vhicule, les systmes de refroidissement, les composants lectro-mcaniques, le moteur combustion interne, etc. AMESim est un logiciel multi-domaine : il permet de relier entre eux des systmes des diffrents domaines physiques (hydraulique, pneumatique, mcanique, lectrique, ...). La modlisation d'un systme se fait en quatre tapes : mode sketch : pendant lequel on assemble les diffrents composants mode sous-modle : pendant lequel on choisit le sous-modle physique associ chaque composant mode paramtre : pendant lequel on choisit les paramtres pour les diffrents sousmodles mode simulation : pendant lequel on fait tourner la simulation Loutil CoSolve-EM est un solver qui couple des simulations 3D quasi-statique pour les microsystmes lectromcaniques [II.52]. Cinq classes de problmes lectromcaniques sont traites :
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1. 2. 3. 4. 5.

Composants avec instabilit lectrostatique (type pull-in) Composants dont des dformations prcises sont exiges Composants actionns par des conducteurs multiples Capteurs capacitifs qui utilisent des contacts de surface Actionneurs qui utilisent des contacts de surface

Cet outil est intgr dans Coventorware platform qui est distribu par Coventor Technology Inc. Loutil SENSOR [II.47] fournit un gnrateur automatique de macro modle dun capteur mcanique ou thermique qui est simul dans ltape suivante par H-SPICE . Les paramtres constantes localises du modle sont calculs soit par des mthodes analytiques, soit par des simulations Elments Finis (EF). Des simulations simplifies des caractristiques de sortie (y compris des comportements non linaires) sont possibles. La modlisation et la simulation de transducteurs microsystmes en utilisant des circuits quivalents constantes rparties sont illustres dans [II.51]. Des transducteurs microlectromcaniques sont dcrits en prenant en compte leurs comportements dynamiques. La limitation de cette approche rside toujours dans lutilisation de modles paramtres constants qui sont linariss autour dun point de fonctionnement. La mthodologie de modlisation est tendue pour dcrire deux modles constantes rparties. Les simulateurs SPICE peuvent tre utiliss pour simuler des systmes constantes rparties, cette approche est discute dans [II.51][II.53] . Un modle constantes rparties est prsent dans [II.53], il sagit de la modlisation de lamortissement dans les gaz dans une microstructure. Dans cette approche il sagit de dfinir un maillage discret de la microstructure avec les conditions aux limites appropries. Les lments de maillage sont les composants lectriques lmentaires. Cette mthode peut tre envisage pour modliser des systmes extrmement non linaires avec une grande prcision mais on peut reprocher cette mthode dtre complique et difficile implmenter tant quun outil de maillage automatique nest pas disponible.

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Problmatique

Le couplage entre les solvers EF et les simulateurs de circuits est dcrit dans [II.54]. Deux simulateurs (ANSYS et PSPICE) sont coupls pour calculer la rponse dune poutre vibrante. Le couplage entre les deux simulateurs nest pas en temps rel , mais il se fait squentiellement par itrations en mettant jour la rponse de chaque simulateur. Cette approche a linconvnient dtre valable uniquement sur des cas simples. Les problmes de convergence ne sont pas discuts pour des cas plus compliqus. Une tude sur loptimisation des microsystmes base sur le couplage du simulateur au niveau composant et lanalyse de stabilit de systme est prsente dans [II.55]. Les microstructures tudies sont deux convertisseurs thermiques composs dune membrane conue avec une seule couche doxyde. La gnration dun modle comportemental partir des simulations EF est discute dans [II.56]. Les exemples rencontres [II.57][II.58][II.59][II.60], sont encore limits de simples composants dont le nombre de degrs de libert (DOFs9) est rduit. Nanmoins cette approche, autrefois inexploitable cause dune offre commerciale limite sur les logiciels EF multi-physique, laisse entrevoir des perspectives prometteuse avec des outils de CAO tels que ANSYS et COMSOL. En effet, ces deux logiciels commerciaux se sont toffs durant ces cinq dernires annes pour proposer une plate-forme de simulation multi-physique complte : ANSYS, historiquement rput dans le domaine mcanique et thermique, sest rcemment enrichi dun module lectromagntique (ANSYS EMAG 2003) afin doffrir un environnement de simulation complet. COMSOL pour origine la PDE Toolbox1.0 introduite dans MATLAB en 1995, puis en 1999 sous le nom FEMLAB (V1, V2) pour proposer une interface de simulation labore mais couple MATLAB. En 2003, la version 3 de FEMLAB est autonome (stand alone), elle ne ncessite plus le logiciel MATLAB, avant de devenir COMSOL Multiphysics en 2005. Au cours de ces dix annes dvolution, COMSOL sest dot de modules ddis la simulation multi-physique. (structure, lectromagntique, chimique, MEMS, thermique ...). Lintrt de ces logiciels, outre laspect multi-physique, est de proposer une modlisation comportementale du modle lments finis par le biais de macro modles (macro models) ou de modles dordre rduit (Reduced Order Models). Ainsi lessentiel du comportement physique du Mems est captur dans une forme compatible avec la description au niveau systme. Cet avantage permet denvisager un flot de conception top-down, depuis la spcification vers les dessins de masques, suivi dun flot bottom-up depuis les masques vers une modlisation comportementale en vue dune validation globale du microsystme (Figure II-18). Dans le cadre de cette thse, cette approche sera retenue. Compte tenue des rcentes volutions offertes par COMSOL et ANSYS et de labsence de recul sur la calibration de ces outils pour les microsystmes, il nous est apparu primordial dvaluer leurs performances dans les domaines dapplication des Mems RF (lectrostatique, lectromagntique, thermique et mcanique). Ainsi le chapitre suivant, prsente une analyse des performances de ces logiciels sur des cas relativement simple traitant un domaine physique la fois, de faon comparer les rsultats avec un logiciel choisi comme rfrence.

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DOFs Degree Of Freedom

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Problmatique

Spcification conceptuelle du MEMS RF

Schmas blocs de la fonction RF

Proposition de modles comportementaux SPICE, HDL, VERILOG, AMESIME

Circuits quivalents - Equations

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Simulations comportementales SPICE, HDL, VERILOG, AMESIM

Flot de conception BOTTOM-UP

Simulation des procds technologique (Simulation de gravure, gnration du modle 3D TCAD)

Modle 3D

Simulation FEM ANSYS COMSOL

Gnration du modle comportemental Rduction de modle

Simulation globale : Microlectronique-Microsystme-Packaging

Fabrication et test Figure II-18. Flot de conception des microystmes RF

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GENERATEUR DE LAYOUT

Dessins des masques GDSII, CIF (CLEWIN...) Vrification des rgles de dessin DRC (MEMULATOR, CADENCE)

BIBLIOTHEQUE DE MICROSYSTEMES

Dfinition de larchitecture RF Saisie de schmas lectrique (Analytique et/ou partir de modles EF) Flot de conception TOP-DOWN

Problmatique

II.4. CONCLUSION
Ce chapitre, nous a permis de poser la problmatique de la thse tant au niveau des enjeux de conception pour les microsystmes que pour le choix dune technique de packaging respectant les exigences spcifiques dun micro-commutateur capacitif actionnement lectrostatique. Aussi, nous avons montr quune technique de packaging base sur un report de capot avec une couche intermdiaire de scellement en polymre est une mthode simple mettre en uvre, peu coteuse et ralisable de manire collective. Nous avons galement discut des principales difficults rencontres par les concepteurs de microsystmes face la multitude doutils disponibles. Par ailleurs, un tour dhorizon des divers outils de CAO ddis ou modifiables pour la conception de microsystmes, a permis didentifier une mthodologie systmatique du flot de conception. Nous avons fait le choix dune modlisation structurelle du Mems partir de logiciels de simulation EF multi-physique permettant de gnrer des macro-modles comportementaux. Notre motivation repose sur lintgration de ces macro-modles qui traduisent lessentiel du comportement structurel du Mems dans un langage de description comportemental pour raliser une simulation au niveau systme.

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Problmatique

II.5. REFERENCES BIBLIOGRAPHIQUES DU CHAPITRE II


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Problmatique

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[II.21] X. Rottenberg, H. Jansen, P. Fiorini, W. De Raedt, H.A.C. Tilmans, Proceedings of the 32nd European Microwave Conference, September 2002, Milan, Italy, pp. 809 812. [II.22] O. Tabata, R.A sahi, H.Funabashi, K. Shimaoka, S. Sugiyama, "Anisotropic etching of Silicon in TMAH solutions", In Sensors and actuators A(34), 1992, pp. 51-57 [II.23] Design of X-Band MEMS Microstrip Shunt Switches., Jad B. Rizk, Student Member IEEE, Jeremy B. Muldavin, Student Member IEEE, Guan-Leng Tan, Student Member IEEE and Gabriel M. Rebeiz, FellowIEEE [II.24] Peroulis, D.; Pacheco, S.P.; Sarabandi, K.; Katehi, L.P.B.; "Electromechanical Considerations in developing low-voltage RF MEMS switches", In Microwave Theory and Techniques, IEEE Transactions onVolume 51, Issue 1, Part 2, Jan. 2003 Page(s):259 270 [II.25] Measurement of the mechanical properties of electroplated gold thin films using micromachined beam structures ., Chang-Wook Baek, Yong-Kweon Kim, Yoomin Ahn and Yong-Hyup Kim; In Sensors and Actuators A: Physical, Volume 117, Issue 1, 3 January 2005, Pages 17-27 [II.26] Barker, S.; Rebeiz, G.M.; "Distributed MEMS true-time delay phase shifters and wide-band switches", In Microwave Theory and Techniques, IEEE Transactions on Volume 46, Issue 11, Part 2, Nov. 1998 Page(s):1881 1890 [II.27] Bengi, F; Hanyalogu and Eray, S; Aydil. Low temperature plasma deposition of silicon nitride from silane and nitrogen plasma [II.28] C. Goldsmith et al., Proceedings of the 2001 IEEE MTT-S, Phoenix, AZ, May, 2001, pp. 227230 [II.29] Shyh-Chiang Shen and Milton Feng; low actuation voltage RF MEMS switches with signal frequencies from 0.25GHz to 40GHz

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[II.30] Pacheco, S.; Nguyen, C.T.; Katehi, L.P.B.; "Micromechanical electrostatic K-band switches"; In Microwave Symposium Digest, 1998 IEEE MTT-S International Volume 3, 7-12 June 1998 Page(s):1569 - 1572 vol.3 [II.31] Pacheco, S.P.; Katehi, L.P.B.; Nguyen, C.T.-C.; "Design of low actuation voltage RF MEMS switch"; In Microwave Symposium Digest., 2000 IEEE MTT-S International Volume 1, 11-16 June 2000 Page(s):165 - 168 vol.1 [II.32] Kobrinsky, M.J.; Deutsch, E.R.; Senturia, S.D.; "Effect of support compliance and residual stress on the shape of doubly supported surface-micromachined beams"; In Microelectromechanical Systems, Journal of Volume 9, Issue 3, Sept. 2000 Page(s):361 369 [II.33] Guan-Leng Tan; Rebeiz, G.M.; "A DC-contact MEMS shunt switch"; In Microwave and Wireless Components Letters, IEEE [see also IEEE Microwave and Guided Wave Letters] Volume 12, Issue 6, June 2002 Page(s):212 214
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[II.34] Reliability of MEMS devices were discussed. The X. Rottenberg, H. Jansen, P. Fiorini, W. De Raedt, H.A.C. Tilmans, Proceedings of the 32nd European Microwave Conference, September 2002, Milan, Italy, pp. 809812 [II.35] X. Rottenberg, H. Jansen, P. Fiorini, W. De Raedt, H.A.C. Tilmans, " Novel RFMEMS capacitive switching structures [II.36] Muldavin, J.B.; Rebeiz, G.M.; "All-metal high-isolation series and series/shunt MEMS switches"; In Microwave and Wireless Components Letters, IEEE [see also IEEE Microwave and Guided Wave Letters] Volume 11, Issue 9, Sept. 2001 Page(s):373 [II.37] Larson, L.E.; Hackett, R.H.; Melendes, M.A.; Lohr, R.F.; " Micromachined microwave actuator (MIMAC) technology-a new tuning approach for microwave integrated circuits"; In Microwave and Millimeter-Wave Monolithic Circuits Symposium, 1991. Digest of Papers., IEEE 1991 10-11 June 1991 Page(s):27 30 [II.38] B. Bhushan, J. Vac. Sci. Technol. B 21 (6) (2003) 22622296 [II.39] Kim et al. 1998 [II.40] A Jourdain, P De Moor, K Baert, I DeWolf and H A C Tilmans, Mechanical and electrical characterization of BCB as a bond and seal material for avities housing (RF-)MEMS devices ", Journal of Micromechanics and Microengineering, vol. 15, pp. 89-96, 2005 [II.41] Zein Juneidi Outils CAO pour Microsystmes , Thse de doctorat de lInstitut National Polytechnique de Grenoble, Mai 2003 [II.42] Stephen D. Senturia, "CAD challenges for microsensors, microactuators and microsystems", Proceeding of IEEE, vol. 86, pp. 1611-1626, 1998

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[II.43] Stephen D. Senturia, "Simulation and design of microsystems: a 10 years perspective", Sensors and actuators, vol. A67, pp. 1-7, 1998 [II.44] Gerhard Wachutka, Herbert Pavlicek, Thomas Fabula, Henning Haffner, Nicolaus Hey, Thomas Feudel, and Robert Strecker, CAD tools for MEMS. UETP-MEMS Course. FSRM, Rue de lOrangerie 8, 2000 Neuchtel, Switzerland, 1994 [II.45] Stephen D. Senturia, "CAD for microelectromechanical systems", in 8th International Conference of Solid-State Sensors and Actuators, and Eurosensors IX. Digest of Technical Papers, vol. 2 (of 2), pp. 5-8, Stockholm, Sweden, 1995 [II.46] H. U. Schwarzenbach, J. G. Korvink, M. Roos, G. Sartoris, and E. Anderheggen, "A micro electro mechanical CAD extension to SESES", Journal of Micromechanics and Microengineering, vol. 3, pp. 191-200, 1993 [II.47] B. Folkmer, H. L. Offereins, H. Sandmaier, W. Lang, A. Seidl, P. Groth, and R. Pressmar, "A simulation tool for mechanical sensor design (SENSOR)", Sensors and Actuators, vol. A32, pp. 521-524, 1992
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[II.59] J. G. Rollins and J. J. Choma, "Mixed-mode PISCES-SPICE coupled circuit and device solver", IEEE Transactions on Computer Aided Design of Integrated Circuits and Systems, vol. 7, pp. 862-867, 1988 [II.60] J. Litsios, S Mller, and W. Fichtner "Mixed-mode Multi-dimensional devices and circuit simulation", Technical report no. 93/28, Integrated Systems Laboratory, Swiss Federal Institute of Technology Zurich, 1993

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CHAPITRE III

EVALUATION DES LOGICIELS MULTI-PHYSIQUES

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Evaluation des logiciels multi-physique

III.1.

INTRODUCTION

La gnration dun modle comportemental partir des simulations lments finis (EF) multiphysique, laisse entrevoir des perspectives prometteuses car elle permettrait de dvelopper des bibliothques de modles dcrivant lessentiel du comportement physique du Mems, dans une forme compatible avec la description au niveau systme. Ainsi, une plateforme de simulation globale pourrait voir le jour avec des langages tels que le VHDL-A, des outils numriques (solver SPICE, MATLAB-Simulink, AMESim ...) tout en permettant lintgration de fonctions doptimisation. Actuellement, loffre commerciale en logiciels EF rellement multi-physique est restreinte deux logiciels : ANSYS et COMSOL [III.8][III.9]. Comme nous lavons dj mentionn dans le prcdent chapitre, le manque de recul en terme de calibration pour les microsystmes ainsi que les rcentes volutions offertes par ces outils, font quil nous est apparu primordial dvaluer leurs performances dans les domaines dapplications des Mems RF (lectrostatique, lectromagntique, thermique et mcanique). Cest lobjet de ce chapitre : prsenter une analyse des performances de ces logiciels sur des cas traitant un domaine physique la fois, de faon comparer les rsultats avec un logiciel choisi comme rfrence. Nous avons dtermin le type de simulations en fonction des besoins identifis pour la conception des micro-commutateurs RF. Pour chacune de ces simulations, nous prsenterons les pr-requis concernant la fois les aspects thoriques et les techniques de modlisations, les objectifs que nous nous sommes fixs ainsi que les moyens pour y rpondre. En fin de chapitre, nous proposerons galement des exemples de modlisation comportementale par circuit quivalent au moyen dun transducteur en rgime linaire et par la gnration dun modle comportemental issu de simulation EF.

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III.2.

ELECTROSTATIQUE

Concevoir un micro-commutateur avec de bonnes performances RF revient principalement minimiser les pertes dinsertion (<0,2dB), obtenir une bonne isolation (>20-30dB) et une bande passante assez large (~10%). Malgr la validation de la modlisation analytique laide de circuit quivalent avec les simulations numriques, nous rencontrons toujours un cart trs significatif entre lisolation attendue lors de la conception et celle mesure. En effet, nous remarquons que la capacit ltat bas (Con) choisie thoriquement est trs suprieure la capacit mesure, selon un facteur compris entre 2 et 4 (Figure III-1).

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Evaluation des logiciels multi-physique

Frquence (GHz)
0 0 5 10 15 20 25 30 35 40

Transmission (S21 en dB)

Etat haut
-5

Coff=68 fF (thorie 60fF)

-10

Etat bas
-15

Con=0.65 pF (thorie 2.4 pF)

-20

-25

Con/Coff=9.6 (thorie = 40)

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Figure III-1. Caractrisation (S21) dun micro-commutateur ltat haut et ltat bas

Ainsi les objectifs de cette partie sont les suivants : Prsenter les critres de conception dun micro-commutateur laide dune modlisation par circuit quivalent, dans le but de dmontrer limportance de la matrise dun rapport Kc=Con/Coff (Coff : capacit ltat haut) suffisamment lev pour diminuer les pertes dinsertions. Valider une mthode numrique dingnierie inverse permettant de faire des rtrosimulations sur le calcul de la capacit ltat bloqu en prenant en compte linfluence de la rugosit. Le but ntant pas de raliser une tude pousse sur les mcanismes lorigine de la dgradation de la capacit Con [III.7] mais plutt de montrer une technique numrique possible permettant au concepteur de re-simuler la structure rellement fabrique.
III.2.1. Schma lectrique quivalent du micro-commutateur RF

Le comportement lectrique dun pont capacitif parallle, peut-tre modlis par un circuit rsonnant R-L-C srie, mis en parallle sur une ligne de transmission coplanaire, suppose sans pertes, daprs [III.1][III.2][III.3][III.4]. La Figure III-2 dcrit ce modle, la ligne de transmission prsente une impdance caractristique Z0. R et L sont respectivement la rsistance et linductance quivalentes du pont. C est la capacit quivalente entre la ligne coplanaire et le pont. On dsigne par Con la capacit ltat bas (commutateur en tat de marche) et par Coff la capacit ltat haut (commutateur au repos). On introduit galement la constante Kc comme tant le rapport Con/Coff.

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Evaluation des logiciels multi-physique

Pont

GND

Signal
Mode passant

GND

Isolant

Mode non passant

Figure III-2. Schma lectrique quivalent d'un micro-commutateur capacitif parallle

Le paramtre de transmission en puissance S21 du micro-commutateur est donn par l'expression suivante :
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S 21 =

1+ + (1 + )

Eq. 1

Avec les paramtres :

Z0 1 1 L 1 X = et 0 = X = 0 2 R R C X LC X est la pulsation normalise par rapport la pulsation de rsonance du pont o l'tat considr. Une telle normalisation permet de comparer la rponse en frquence de diffrentes gomtries de commutateurs. Les courbes donnes en Figure III-3 donnent la forme des pertes dinsertion S21 (dB) en fonction de X pour diffrentes valeurs du rapport L/C. Le facteur est gal 125, avec R=0.4 et Z0=50. =

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L/C

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Kc
Figure III-3. Rponse en frquence du micro-commutateur capacitif pour diffrents rapport L/C

En remarquant que la pulsation normalise dans ltat passant off se dduit de celle ltat non passant on en la multipliant par 1/ K c , il est alors possible dvaluer rapidement lisolation ltat bas (/o=1) et les pertes ltat haut en fonction de la valeur Kc. Ainsi nous avons galement gradu sur la Figure III-3 les abscisses en fonction de Kc. Les parties suivantes vont nous permettre de mesurer linfluence des diffrents paramtres sur les performances des micro-commutateurs (isolation, bande disolation, pertes dinsertions). Ainsi nous verrons quun compromis devra tre trouv entre ces trois caractristiques.
III.2.1.1. Expression analytique de l'isolation (transmission l'tat bloqu)

Le pont doit tre conu de telle manire que sa pulsation de rsonance l'tat bloqu soit confondue avec la frquence d'utilisation du MEMS. Dans ce cas la variable X est gale 1 et l'isolation est alors donne par l'expression suivante : 1 , do S 21 = (1 + )2
Zo Isolation = S on = 20 log( S 21 ) 20 log( ) = 20. log en dB 2R
Eq. 2

Cette quation montre que le niveau disolation autour de la frquence de rsonance est directement reli au rapport Z0/(2.R). La minimisation de ce rapport peut tre obtenue avec une faible rsistance R et une haute impdance de ligne Zo.

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Evaluation des logiciels multi-physique

III.2.1.2.

Expression analytique de la bande disolation 3 dB

Ce calcul cherche dterminer la bande de frquence dans laquelle le niveau d'isolation est compris entre Son et Son +3 dB. Autour de la rsonance l'tat bloqu, la variable n'est plus nulle mais reste petite devant . Le paramtre de transmission peut alors se simplifier en : S21 = 1 +
2 Soff,

Aux frquences de transition de la bande de coupure, le module de S21 est gal ainsi on peut alors crire la relation suivante : S21 = 1 + 2 = do =1

Daprs lexpression de , on en dduit la bande de coupure:


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2 1 Con = R 0 L

Eq. 3

Une large bande passante assure une meilleure isolation pour une gamme de frquences donne et galement permet dobtenir des performances moins sensibles la dispersion technologique. En effet, la conception dun commutateur avec une frquence de rsonance donne est relie Con. Cette valeur de capacit est trs sensible la qualit du contact entre le pont mtallique et le dilectrique. La reproductibilit de ce contact spcialement pour de faibles actuations, peut-tre un point trs critique dans le cas dune faible bande passante.
III.2.1.3. Expression analytique de la frquence de rsonance ltat bas

En effet, l'tat bas, la pulsation de rsonance du pont oon doit tre gale la pulsation du signal T que l'on souhaite isoler, do :

O on =

1 = T L Con 1
Eq. 4

Le produit Con L est alors donn par l'expression suivante : L Con =

Daprs les quations 3 et 4, le rapport et le produit permettent de dterminer L et Con, qui sont donns par les expressions suivantes : L= R

1 Con = T R T

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La consquence de ceci est qu'un choix d'un T faible implique une inductance et une capacit l'tat bas importantes, ce qui pose des problmes de ralisation. En rsum, le choix de / fixe le rapport Con/L et le choix de T fixe le produit LCon. Nous allons voir, dans le paragraphe qui suit, que les pertes d'insertion du pont l'tat haut sont par contre lies la valeur de Kc pour une isolation et une bande disolation donne.
III.2.1.4. Expression analytique des pertes d'insertion

A l'tat passant, la capacit Coff du pont repousse la rsonance loin devant la frquence d'utilisation du MEMS. La pulsation normalise X devient alors ngligeable devant 1, ainsi nous pouvons simplifier lexpression du module du coefficient S21 donner par lquation 1, sous la forme suivante :
S21 = + (1 + ) 1 1+

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A ltat passant, nous avons alors : R 2 Coff R 2 Coff 1 X = 2 = X + o(X 3) 2 L L X 1 En remarquant que :
R 2Coff L

Coff = 0 Con

on aboutit alors :
1 / 2

2 2 S 21 1 + 0 Kc Do, lexpression des pertes d'insertion en dcibel : PINSERT

2 2 10 log 1 + en dB Kc 0

Eq. 5

De lexpression prcdente nous pouvons dduire que pour rduire efficacement les pertes dinsertions, nous devons obtenir un rapport Kc important, une bonne isolation ( faible) et une faible bande passante. Mais cette faible bande passante prsente une sensibilit plus grande aux dispersions technologiques. Nous voyons donc quil est ncessaire de trouver un compromis entre la bande passante et les pertes dinsertions. Plus le rapport Kc sera important, plus ce compromis sera facilit.

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III.2.2. Ingnierie inverse

Les rsultats de caractrisation montrent que les mesures des capacits ltat bloqu sont deux quatre fois infrieures celles attendues lors de la phase de conception. Or comme nous venons de lindiquer, une diminution de la capacit entrane inluctablement une dgradation de lisolation et des pertes dinsertions importantes. Ainsi, cette partie a pour but de proposer une technique numrique envisageable pour dceler les fondements physiques de ce dsaccord (ltude physique de ces mcanismes nest pas traite dans cette thse). Elle servirait alors de support pour tudier linfluence des procds de fabrication (dpt rugeux, planarisant, ...) sur la valeur de la capacit. Cette technique sappuie sur une mthode dingnierie inverse couramment utilise en prototypage rapide.
III.2.2.1. Expression analytique de la capacit relle

Dans le cas idal, la capacit ltat bas correspond une capacit parfaite mtal/isolant/mtal, scrivant comme nonc dans la Figure III-4 :
wc

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wp

C th =

0 diel S g diel

Dilectrique Conducteur central

Pont gdiel

Avec : 0 : Permittivit du vide diel : Permittivit du dilectrique S=wp.wc : Surface en regard gdiel :Epaisseur du dilectrique

Substrat
Figure III-4. Capacit Con thorique

Cependant le cas rel est trs diffrent. En effet, il ne peut pas y avoir de contact intime entre la surface infrieure du pont et le dilectrique du fait de la prsence dune fine couche dair (gap dair) introduite notamment par la rugosit des surfaces en regard.

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Ainsi, nous pouvons modifier lexpression thorique de la capacit en introduisant une capacit parasite en srie provenant du gap dair : Cr Cf

Cr capacit parasite rapporte par le gap dair Cf capacit thorique du condensateur plan

Do lexpression de la capacit totale :


Cr C f Cr + C f

Ctotal =

0 air diel S 0 air diel S 2 = air g diel + diel g air airVdiel + dielVair

Avec 0 , air et diel : permittivit du vide, de l ' air et du dilectrique

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S : surface en contact ( projection) Vdiel et Vair : volume du dielectrique et du gap d ' air

Les volumes de dilectrique et dair peuvent tre valus en utilisant une valeur moyenne de lpaisseur ou bien comme nous le verrons plus loin partir dune intgration sur le volume rel des sous domaines au cours de la rsolution numrique par EF. Cette expression analytique de la capacit en fonction des volumes correspondants au dilectrique et au gap dair, limite lorigine de la dgradation de la capacit Con la rugosit et la non planit des surfaces. Afin denrichir ce modle analytique, nous avons opt pour une rtro-simulation de la distribution du champ lectrique en prenant en compte le profil rel des surfaces. A travers cette application, nous souhaitons dmontrer et valider limportation de modles rels, dont les gomtries et les tats de surfaces sont issus de la caractrisation, dans le logiciel de simulation COMSOL. En effet, une fois ce verrou lev, nous pourrions amliorer notre modle en prenant en compte par exemples les gradients du champ lectrique au voisinage des pics de rugosit mais aussi intgrer une modlisation du chargement du dilectrique afin den tudier le viellissement, etc.... Enfin, cette technique pourrait galement dboucher sur dautres applications touchant la conception des Mems.

90

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III.2.2.2.

Mesure de la rugosit

Afin deffectuer un relev de la topographie des surfaces en regard entre le dilectrique et le pont, nous avons utilis une technique nous destructive laide dun profilomtre optique Wyko NT1000 (Veeco Instrumentation). Ltat de surface du dilectrique a t obtenu aprs arrachage du pont, tandis que ltat de surface de la partie infrieure du pont (en regard avec le dilectrique) peut tre obtenu en prenant ltat de surface de la rsine sacrificielle (nous prsentons uniquement lintroduction de la rugosit au niveau du dilectrique et non pas celle du pont). La rugosit dune surface peut se quantifier laide de plusieurs paramtres, on utilisera par exemples (Figure III-5) : 1 La rugosit arithmtique moyenne : Ra = y ds LL La hauteur Rp du pic maximal : Rp= ymax
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La profondeur Rc du creux maximal : Rc= | ymin |; La rugosit totale : Rt = Rp + Rc.

1 2 y ds L L Londulation moyenne la : Il sagit de la moyenne des espaces entre les pics. Cela correspond une description basse frquence de la rugosit qui est relative la planit.
La rugosit quadratique moyenne :

Rq =

= +
Profil rel dune section

Ondulation moyenne: la
Figure III-5. Dcomposition de la rugosit en deux parties : basse frquence et haute frquence

La Figure III-6 rsume les trois paramtres principaux permettant de quantifier ltat de surface : la planit avec londulation moyenne la, la rugosit arithmtique moyenne Ra ainsi que la hauteur des pics Rp.

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Surface infrieure du pont Planit

Micro-commutateur RF

(a)

(b)

a) Profil sans filtrage b) Profil avec filtrage passe bas Surface du dilectrique suivant trois configurations de fabrication de la ligne centrale

(c)
Or lectrolytique Pic Rp

(d)
Rugosit Ra

(e)

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c) Or vapor 2000

d) Or vapor 2 m

e) Or lectrolytique 2,5 m.

Figure III-6. Caractrisation de la rugosit par profilomtrie optique

La Figure III-6 prsente galement trois relevs des tats de surfaces du dilectrique suivant quil soit dpos sur de lor vapor ou de lor lectrolytique. Pour notre application, nous avons choisi dtudier le cas le plus dfavorable qui concerne le dpt du dilectrique sur de lor lectrolytique. En effet, comme nous pouvons le constater dans le Tableau III.1, le dpt dor lectrolytique est de loin le plus rugueux et possde des pics les plus levs, compris entre 50 et 63 nm. Ce mauvais tat de surface est non seulement le prsage dune mauvaise capacit Con mais galement est un dfi en terme de traitement numrique, notamment pour le maillage du domaine.
Profilomtre optique Wyko (surface dacquisition130 m x 80 m) Mtal Ra () Rt (nm) Hauteur du pic maximum (nm) 1,6

Au vapor : 2000

18

27

Au vapor : 2 m

26

175

12

Au lectrolytique : 2,5 m

174

1150

63

Tableau III.1. Mesures de rugosit pour les diffrents dpts

92

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III.2.2.3.

Mthode dingnierie inverse

La mthode dingnierie inverse est rsume dans lorganigramme prsent dans la Figure III-7 avec une description en images, des diffrentes tapes, dcrite dans la Figure III-8. Tout dabord nous partons de lacquisition de la surface du dilectrique obtenu par le profilomtre optique Wyko. Nous rduisons volontairement la surface du dilectrique (facteur 1/16) afin de diminuer la taille du modle. Ensuite, le fichier ascii produit par le logiciel dacquisition Vision32 est trait dans Matlab pour crer trois tenseurs dordre deux (meshgrid) relatifs aux coordonnes des points dans le repre cartsien X Y Z. Cette technique permet alors la gnration par extrusion dun bloc 3D ayant la face dextrusion identique la surface capture lors de lacquisition. Ensuite, nous devons convertir ce nuage de points en un format standard de la CAO de faon pouvoir importer le modle dans COMSOL. A ce stade, nous avons initialement programm la conversion du nuage de points reprsent par les trois tenseurs en un objet VRML. Malgr une importation possible de ce type de fichier dans COMSOL, cette mthode a t abandonne car elle ncessite lutilisation dun filtrage trop restrictif pour permettre limportation, dnaturant compltement la forme initiale (Figure III-8-e). Pour contourner ce problme nous avons programm la conversion du nuage de points en un fichier de strolithographie (STL). Ce type de fichier renferme les coordonnes des nuds des facettes triangulaires du domaine (analogue aux fichiers de maillages). Limportation de ce type de fichier dans COMSOL a t possible mais nous navons pas pu mailler la majorit des structures tests du fait des problmes de recouvrement de nuds. En effet, deux nuds contigus peuvent tre peru comme disjoint suivant la tolrance machine et non pas fusionns. Nanmoins cette technique na pas t carte car nous pouvons importer le fichier STL dans un logiciel de CAO standard (Figure III-8-d : ex CATIA) afin de traiter par filtrage les nuds proches puis exporter le modle sous divers format compatible avec COMSOL (STL, CATPart, Step, Iges, Sat....). Enfin une technique plus confortable a t trouve, en gnrant un objet gomtrique laide des fonctions COMSOL : geomsurf.m, block3.m, geomcoerce.m et split.m. Cette dernire technique a permis limportation, le maillage et la rsolution sans problmes. De plus, elle prsente lavantage de permettre la ralisation de lensemble de la modlisation-simulation dans un seul fichier Matlab (Annexe I). La modlisation sachve en spcifiant les proprits des matriaux, les conditions aux limites, le type de solveur. Pour finir, la capacit est calcule partir de lnergie lectrique emmagasine, We, dans la capacit MIAM (Mtal/Isolant/Air/Mtal), soumise une diffrence de potentiel V : 2W C = 2e = V

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(D E) d
V2

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Acquisition 3D

VEEKO (a)

Fichier ascii (b)

Nuages points

Traitement numrique

MatLab (c)

Logiciel Prototypage rapide

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CATIA (d)

Objet gomtrique
(geomcoerce)

Objet VRML

Objet STL

Objets CATPart Iges Sat

Module importation (e)

COMSOL

Modlisation (f-g) Matriaux Maillage C.L Solveur

Post-traitement
Figure III-7. Organigramme des tapes du procd d'ingnierie inverse

Rsultats (h)

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Pont
Dilectrique

ASCII
Ligne RF

Masse

Masse

Rduction

MATLAB

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CATIA Objet CATIA V5

Objets : CATPart IGES SAT ... Objet gomtrique Objet VRML Objet STL

Matriaux + CLs

Maillage

Rsultats - Post traitements

Surface infrieure du pont en contact sur un pic Air gap

0.2 m de dielectrique (r=6)


Figure III-8. Description du principe de fonctionnement de l'ingnierie inverse

95

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III.2.2.4.

Rsultats

Les hypothses simplificatrices retenues pour cette modlisation (Figure III-9), sont les suivantes : H1 : La rduction de la taille (facteur 1/16) reste fidle la rugosit moyenne de lchantillon H2 : Pont parfaitement plat H3 : Pont en appui sur le pic de dilectrique le plus lev
Surface infrieure du pont en contact sur un pic

Gap dair

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0,2 m de dielectrique (r=6,6)


Figure III-9. Modlisation et hypothses simplificatrices

Le post-traitement de la simulation (Figure III-10) nous permet dobtenir la valeur de la capacit (C11_emes) mais galement daccder par intgration aux volumes du gap dair ainsi quau dilectrique.

Capacit C11_emes=6,222879 E-14 F Volumes : 1. Gap dair Vair= 4.25949E-17 m3 2. Dielectrique Vdiel=1.295215E-16 m3

Figure III-10. Capacit simule (Sous-domaine: champ lectrique, rsultats en bas gauche)

96

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Afin de comparer la valeur de la capacit obtenue par simulation avec la capacit mesure, il faut corriger la capacit simule par un facteur 16. En effet, comme nous lavons nonc, la construction du modle est base sur une acquisition rduite de la surface du dilectrique, 25.7m 25.2m contre 130 m 80 m, de ce fait avec lhypothse H1 nous pouvons supposer que la capacit correspondant au modle entier sobtient en multipliant la valeur obtenue par un facteur voisin de 16 [ cad (13080)/(25.725.2)]. Le Tableau III.2 nous donne le rsultat de la capacit simule en tenant compte du facteur correctif.
Capacit simule 6.222879e-2 pF Capacit simule avec la correction surfacique (x16) 0.999335 pF ~ 1 pF

Tableau III.2. Capacit simule et corrige

Par ailleurs, nous pouvons valuer la capacit thorique en prenant en compte la rugosit introduite par les volumes dair et du dilectrique, nous la noterons CR :
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C R = C total =

0 air diel S 2 = 0.9571255 pF ~ 0.96 pF air V diel + diel V air

Afin de bien voir linfluence de la rugosit, nous calculons la capacit thorique pour des surfaces parfaites, nous la noterons CP :
C P = C th =

0 diel S
g air

= 3.03 pF

Les mesures des capacits sont effectues laide du banc de mesure, compos principalement dun systme de visualisation (PC), dun analyseur dimpdance et dune station sous pointes (Figure III-11).
Visualisation Analyseur d'imp dance Agilent 4294A
.40Hz 110MHz .signal : 5mV 1V rms .DC 40V ou 100mA

PC
.Intuilink (GPIB + Excel)

Station sous pointes KARLS SUSS AP6


Figure III-11. Banc de mesures de capacit

.semi -automatique .6 pouces

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Dans notre gamme de travail, comprise entre 1pF et 10pF, les mesures des capacits sont donnes dans le Tableau III.3 avec une prcision infrieure 1%.
N de lchantillon 1 2 3 4 5 Capacit moyenne Capacit mesure 1,60 pF 1,35 pF 1,36 pF 1,29 pF 1,46 pF 1,41 pF

Tableau III.3. Capacits mesures pour cinq chantillons

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Le Tableau III.4 regroupe les rsultats obtenus. Nous constatons que la capacit simule et la capacit calcule avec la prise en compte de la rugosit (CR), ne diffrent que de 4,2%. Cette lgre diffrence peut tre attribue la prise en compte de la distribution relle du champ lectrique pour la capacit simule, contrairement une distribution uniforme du champ lectrique pour la capacit calcule.

Simule ~ 1 pF

Calcule CR (rugosit) ~ 0.96 pF CP (parfait) 3.03 pF

Mesure 1.41 pF

Tableau III.4. Synthse des rsultats : simulation - calcul analytique mesure

Cependant, nous pouvons remarquer une diffrence importante, de lordre de 30%, entre la capacit simule et la capacit mesure. Nous pensons que cette diffrence est due la non prise en compte des effets de bords, de la rugosit du pont ainsi que de lhypothse H3 qui rappelons-le stipule un contact du pont sur le pic le plus lev du dilectrique.
III.2.2.5. Conclusion

Cette tude nous a permis de dmontrer et valider la faisabilit de simulation par ingnierie inverse. Aussi, nous pouvons envisager des rtro-simulations permettant la prise en compte de la forme relle des structures fabriques. Cette possibilit laisse le champ libre pour de nombreuses applications potentielles directement lies la conception et la fabrication des Mems. Citons par exemple, ltude de la rsistance de contact DC, pour les commutateurs rsistifs, en fonction de la pression et de la rugosit des surfaces. Par ailleurs, nous pouvons en perspective tendre ces travaux en modlisant lensemble des surfaces rugueuses ainsi quen prenant en compte la dformation des matriaux lors du contact. Nous verrons en III.4.2, les techniques de modlisation du contact.

98

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III.3.

ELECTROMAGNETIQUE HAUTES FREQUENCES (HF)

Deux logiciels commerciaux apparaissent comme des leaders dans le domaine des hyperfrquences: SONNET Suite [III.15], un logiciel lectromagntique 2D1/2 utilisant la mthode des moments HFSS ANSOFT [III.14], un logiciel 3D rsolvant dans l'espace les quations de Maxwell SONNET a notamment pour avantages, une souplesse d'utilisation pour l'optimisation des structures, maillage bi-dimensionnel automatique et temps de calculs CPU rduit. Mais le problme majeur, discut dans [III.6], est que ce logiciel ne peut prdire correctement la densit de courant maximale dans les lignes. HFSS permet lintgration dun maillage tri et bi-dimesionnel ralis automatiquement mais avec la possibilit de raffiner localement le maillage. Contrairement SONNET, il est alors possible davoir une bonne prcision sur les densits de courant mais en contre partie les temps de calculs CPU sont beaucoup plus importants. En effet, le maillage en volume des conducteurs ncessite des tailles dlments infrieures cinq fois lpaisseur de peau (Figure III-12, soit 100 nm 20 GHz) pour obtenir des rsultats indpendants de la qualit du maillage, ce qui le rend trs volumineux. 1 f 0
f est la frquence du signal (Hz) 0 = 4.10-7 est la permabilit du vide est la conductivit du mtal considr, =4.1.107 S/m pour l'or

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Figure III-12. Expression de l'paisseur de peau

Les fortes densits de courant sont lorigine des dfaillances structurelles, suite aux chauffements thermiques (fluage, flambage), et aussi lectriques par lapparition du phnomne dlectromigration. En effet, dans les zones fortes densits de courant, les atomes mtalliques vont s'arracher localement et migrer dans le sens du courant, augmentant la rsistance et donc les pertes rsistives. Ainsi, les simulations des performances RF des micro-commutateurs devront permettre lvaluation des densits de courant pour se placer en dessous du seuil dlectromigration mais galement autoriser la prise en compte des chauffements provoqus par effet joule sur les dformations du pont afin davoir un couplage direct. Les valeurs du Tableau III.5 correspondent des limites de densit de courant ne pas dpasser, pour diffrents conducteurs, de manire saffranchir du phnomne dlectromigration. Ces limites sont valables pour des courants continus ou de frquences infrieures quelques kHz, aussi des valeurs plus importantes peuvent tre considres en prsence de signaux RF et micro-ondes.

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Conducteurs Cu Au Al Tu

*valeurs trouves comprises entre 5 et 20 GA/m2

Densit de courant Jmax 25 GA/m2 5 GA/m2 * 2 GA/m2 10 GA/m2

Tableau III.5. Limite dlectromigration (DC) des quelques mtaux

Des techniques danalyse squentielles sont menes au laboratoire, en utilisant le logiciel EPhysics de ANSOFT qui permet de raliser des simulations thermo-mcaniques des modles issus de HFSS en important la gomtrie et des densits de courant simules. Mais, cette mthode ne permet pas un couplage direct, les simulations sont menes squentiellement. De plus, la gomtrie dforme suite aux contraintes thermo-mcaniques, obtenue dans EPhysics, ne peut pas tre importe dans HFSS, ce qui complique encore plus le couplage squentiel. Aussi, la possibilit de raliser les diffrents calculs dans le mme environnement, et plus encore de coupler les phnomnes physiques en rsolvant directement un modle multiphysiques est donc un atout indniable aux logiciels EF ANSYS et COMSOL. Dans ce contexte, il nous est apparu primordial danalyser les performances de ces deux logiciels EF vis--vis du logiciel HFSS que nous prenons comme rfrence. La structure test utilise est une simple ligne de transmission coplanaire (coplanar waveguide, not CPW), pour laquelle nous effectuons une analyse des paramtres S. Notons, que la validation de ce modle trs simple est une tape incontournable, et ds que celle-ci sera franchie, elle devra saccompagner dune tude de structures plus complexes pour valider compltement les logiciels.
III.3.1. Prliminaire : Paramtres S

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La matrice [S], matrice de rpartition ou scattering matrix , est loutil de base pour ltude des quadriples linaires en hyperfrquence (Figure III-13). Les paramtres S ont un lien direct entre les transferts de puissance entre - sortie dun quadriple. Dans les systmes hyper frquences, on cherchera optimiser les transferts de puissance, sachant que la puissance est la grandeur la plus simple mesurer en hyperfrquence (HF), on comprend alors immdiatement lintrt dune extraction des paramtres S. a1 Quadriple HF
Port 1

a2
Port 2

b1

b2

Figure III-13. Reprsentation d'un quadriple HF - a (onde incidente) et b (onde rflchie)

La matrice [S] est alors dfinie par la relation comme une transmittance entre ondes incidentes (a) et ondes rflchies (b), on a alors : (b)=[S](a) avec :

(a ) =

a1 a 2

(b ) =

b1 b2 100

et

[S ] =

S 11

S 21

S 12 S 22

Evaluation des logiciels multi-physique

En consquence si a2 = 0, ce qui signifie que la sortie du quadriple est adapte, alors S11 =b1/a1 est le coefficient de rflexion vu lentre et S21 = b2/a1 est le coefficient de transmission de lentre la sortie. De mme si a1 = 0, ce qui signifie que lentre du quadriple est adapte, alors S22 = b2/a2 est le coefficient de rflexion vu la sortie et S12 = b1/a2 est le coefficient de transmission de la sortie vers lentre.
III.3.2. Description de la structure test

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La Figure III-14 dcrit la gomtrie de la ligne CPW ainsi que les proprits lectriques. Notons que : Le substrat silicium, dune paisseur de 400 m, est hautement rsistif HR (r= 11.9 et on prendra soit une rsistivit nulle soit une rsistivit finie prise 2000 .cm) Lpaisseur des lignes est de 2 m, on fera alors un modle volumique en prenant la conductivit de lor 4.1.107 S/m. Malgr une paisseur de peau infrieure un demi micron ( 30 GHz), on fera galement un deuxime modle surfacique ayant une conductivit infinie, on parlera de Perfect Electric Conductor (PEC) La largeur conducteur central : w=300m La largeur des plans de masses : wm=600m Largeur des gaps : g=125 m
200 600 125/3 00/12560 0

2 00

Silicium : 1. r =11.9 et =0.05 S/m 2. r =11.9 et =0 S/m

3400 Lignes Or : 3. Volumique (2 m dpaisseur) + conductivit de 4.1.107 S/m 4. Surfacique en PEC (ie conductivit infinie)
Loption 4 est une approximation car @ 30Ghz lpaisseur de peau est de 0.45 um

400

2150 Dimensions en microns

Figure III-14. Description du modle gomtrique et des niveaux de simulations

Les dimensions de cette ligne coplanaire ont t choisies de faon obtenir une impdance caractristique proche de 50 Ohms. Rsoudre un problme lectromagntique, revient dterminer les champs lectrique E et magntique H. Aussi nous devons dlimiter le domaine par une bote dair qui prcisera la frontire.
III.3.3. Conditions aux limites

Le domaine tant dlimit (Figure III-15), il convient dappliquer des conditions aux limites (CL) sur la frontire.

101

Evaluation des logiciels multi-physique

Figure III-15. Frontire du domaine

On distingue trois types de conditions aux limites qui sont dfinies ci-dessous.
III.3.3.1. Conditions aux limites : PEC

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Une condition aux limites de type conductivit infinie, Perfect Electric Conductor (PEC), impose la nullit de la composante tangentielle du champ lectrique E sur la face considre (Figure III-16). Sens de propagation

E H

PEC
Figure III-16. Conditions aux limites PEC

Gnralement ce type de condition est appliqu dans deux cas : 1. La conductivit lectrique est leve et les effets de peau sont ngligeables 2. Pour dfinir un plan anti-symtrique pour le champ lectrique

III.3.3.2.

Conditions aux limites : PMC

Une condition aux limites de type conducteur magntique parfait, Perfect Magnetic Conductor (PMC), impose la nullit de la composante tangentielle du champ lectrique H sur la face considre (Figure III-17).

102

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Sens de propagation

H E

PMC
Figure III-17. Conditions aux limites PMC

Gnralement ce type de condition est appliqu dans deux cas :


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1. Sur une surface dun matriau de grande permabilit 2. Pour dfinir un plan de symtrie du champ magntique
III.3.3.3. Conditions aux limites : PML

Un des grands dfis dans la modlisation EF en hyperfrquences est de traiter les problmes radiatifs avec des domaines ouverts. Dans de telles applications, il sera ncessaire de dfinir les frontires du domaine comme tant infiniment radiatives, c'est--dire sans rflexion. Une premire possibilit revient utiliser des conditions aux limites de type matched boundary condition, qui permettent dabsorber les ondes planes mais ncessite de bien connatre la direction de propagation. On peut galement contourner ce problme en dfinissant un matriau artificiel anisotrope qui est transparent et infiniment absorbant (matriau prsentant de fortes pertes) pour la longueur donde incidente. Donc une rgion PML nest pas proprement parl une condition au limite mais plutt un artifice de simulation qui permet de simuler des domaines infinis. En rgle gnrale on dfinit quatre cinq couches de PML sur la frontire radiative, avec une taille infrieure au quart de la longueur donde (Figure III-18).

4 couches de PML La taille des lments PML doit tre infrieure /4. Le coefficient dabsorption utilis dans Ansys est de 50dB par dfaut (modifiable par la commande PMLOPT)

Figure III-18. Description des conditions PML

103

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Notons que les conditions aux limites radiatives ne sont pas disponibles dans COMSOL 3.2b, il est donc ncessaire de les implmenter, cest lobjet de la section suivante.
III.3.3.4. Implmentation des conditions de type PML dans COMSOL 3.2b

Comme nous lavons indiqu prcdemment, il sera ncessaire dajouter un domaine additionnel dans la modlisation, lextrieur des frontires, qui sera affect la dfinition des PML. Ce sous modle sera constitu dun matriau artificiel ayant une permabilit et permittivit anisotropique de faon ne pas prsenter de rflexions [III.16][III.17]. = o r L = o r L Avec o, o la permabilit et la permittivit du vide et r, r la permabilit et la permittivit relative du domaine physique. L est un tenseur dordre deux, qui pour un PML parallle un vecteur de la base du repre cartsien, se rduit un tenseur diagonal. Ainsi, il sera facile dobtenir le tenseur L pour nimporte quelle couche PML en utilisant les matrices de passages.
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0 0 L xx L = 0 L yy 0 0 0 L zz ss ss ss = y z , L yy = x z et L zz = x y sx sy sz

Avec L xx

Les paramtres sx, sy et sz sont des nombres complexes qui correspondent aux paramtres dattnuations du signal, que lon souhaite suivant les directions x, y et z. Par exemple si lon souhaite une attnuation dune onde suivant la direction x, alors on prendra : sx =a-ib et sy=sz=1 a et b tant des nombres rels positifs arbitraires. En fait, pour une couche PML de normale x, lattnuation de londe se propageant de x est donne par la composante suivant x du vecteur donde (kx) et de la partie imaginaire de sx (b), selon lquation suivante :
E = E o exp(-b k x x)

La partie relle de sx (a), ne permet que daccrotre la rapidit dattnuation dune onde vanescente. En pratique, on prendra au moins quatre couches PML avec des lments de taille infrieure /4 et on choisira b de sorte que le produit b kx x=1. Limplmentation dans COMSOL 3.2b est relativement simple. Nous avons dfini les paramtres complexes sx, sy, sz comme tant gaux 1 sauf pour le paramtre li la normale de la couche PML pris 1-i (Figure III-19).

104

Evaluation des logiciels multi-physique

PML sz =1-i sy=sx=1 PML sx =1-i sy=sz=1

PML sx =1-i sy=sz=1

PML sz =1-i sy=sx=1

Figure III-19. Dfinition des PML dans COMSOL 3.2b

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III.3.4. Description des mthodes de modlisation dans les diffrents logiciels

Nous prsentons dans cette section lessentiel des mthodes de modlisation, sans expliquer de faon dtaille lensemble de la construction du modle.
III.3.4.1. HFSS

Le modle CPW construit sous HFSS est dcrit dans la Figure III-20. On distingue en rose les ports dentre/sortie. Un port est une surface sur laquelle est dtermine les champs lectriques et magntiques selon les quations de Maxwell, de manire dfinir une excitation harmonique approprie dans le volume entier. Cela revient dterminer la distribution des champs sur les ports comme des entres du modle 3D.

Frontire du domaine Silicium CPW Port

Figure III-20. Description du modle HFSS

En pratique, la dimension du port doit raliser un compromis, pas trop petit pour ne pas perdre lintensit des champs et pas trop grand pour ne pas introduire lapparition de modes de cavit rsonante, aussi nous pouvons donner quelques recommandations classiques (Figure III-21): La largeur du port ne doit pas tre infrieure 3(2g + w) La hauteur du port ne doit pas tre infrieure 4h La diagonale du port ne doit pas tre suprieure /2

105

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>3 (2g + w)
>4h

w h

CPW

Figure III-21. Recommandations sur les dimensions des ports exemples : (a) correct et (b) trop petit

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Le maillage initial du modle est automatique, il sagit dun maillage adaptatif qui permet dobtenir la densit de maille ncessaire pour que la distribution des champs, calcule la plus haute frquence, soit proche de la solution exacte (issue dune mthode de type courant). Si le critre de prcision nest pas atteint dans une rgion du modle, alors cette zone sera raffine jusqu lobtention de la prcision escompte si bien entendu le nombre maximum de pas (adaptative passes) pour la convergence nest pas atteint. Le maillage des ports sera galement adaptatif en fonction de la frquence et dun critre de prcision sur la continuit de la distribution des champs linterface des ports et du domaine du modle. Enfin, lorsque le maillage initial du domaine et les maillages des ports (en fonction de la gamme de frquence analyse) sont raliss, le maillage adaptatif sera aussi utilis pour satisfaire un critre derreur sur les paramtres S en fonction des frquences balayes. En effet, nous pouvons fixer la variation relative du module des paramtres S entre deux pas frquentiel (Delta S per pass), si cette variation est trop importante alors HFSS raffinera le maillage jusqu ce que le nombre maximum de pas ne soit pas atteint pour obtenir la prcision souhaite. La valeur maximum de variation du module des paramtres S est dfinie par:
N N Max ij = mag Sij Sij 1

[ (

)]

Avec N le pas frquentiel, Sij les composantes de la matrice des paramtres S.

106

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III.3.4.2.

COMSOL

Contrairement HFSS, la modlisation sous COMSOL nutilise pas un maillage adaptatif en fonction de la frquence pour vrifier si la distribution des champs calcule au voisinage des ports est proche de lexcitation. En effet, cette distribution des champs est calcule une seule fois dans le domaine quasi-statique (Electric Currents Mode) en appliquant une diffrence de potentiel de un volt entre le conducteur central et les plans de masses (Figure III-22).

1V

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Figure III-22. Dfinition du champ lectrique au niveau du port d'entre

Ce champ calcul permet de gnrer lexcitation pour le port dentre. La simulation se fait donc en deux temps (Figure III-23), une quasi-statique dans le mode Electric Currents puis lautre dans le mode Electromagnetic Wave .

Calcul de lexcitation (Electric currents) Puis simulation du mode TEM par un balayage frquentiel (ici de 10 30GHz par pas de 0.1 GHz)

Figure III-23. Description de la rsolution en deux temps de l'analyse des paramtres S

107

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III.3.4.3.

ANSYS

La structure planaire du modle permet de construire le modle 3D par extrusion dun maillage rgl 2D (Figure III-24) dfinissant les zones du domaine (lignes or, substrat silicium et PML).
Or Silicium PML
b8 b7 b6 b5 b4 b3
Y

Or PML Silicium
Z<0

Z>0

Extrusion du maillage

Air Lignes Silicium Air

PML

b2 b1 a1 a2
X

a3

a4

a5 a6 a7

a8

a9

a10

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Figure III-24. Construction du modle ANSYS par extrusion du maillage 2D rgl

Nous avons galement profit du plan de symtrie de la structure, pour ne modliser que la moiti du CPW. La Figure III-25 prsente les types de conditions aux limites utilises : de type PMC sur le plan de symtrie (symtrie du champ H) et de type PEC sur les faces extrieurs des PML (les cinq faces restantes).

PEC PMC Ports J (courant dexcitation )


Figure III-25. Conditions aux limites

III.3.5. Modles simules

Malgr une description de la distribution des champs au niveau des ports correctes dun point de vue qualitatif (voir Figure III-26), les premires simulations ont abouti un constat mitig : un dsaccord entre HFSS et les deux logiciels multi-physique ANSYS et COMSOL, est assez important au niveau des pertes par rflexions (on reporte environ 10dB de pertes supplmentaires par rapport HFSS).

108

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E E

Figure III-26. Distribution du champ E sur les ports (ANSYS et COMSOL)

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De ce constat, nous nous sommes intresss lorigine des erreurs de modlisation commises et dans cet objectif nous avons entrepris des simulations en faisant varier les paramtres suivants : Matriaux : Lignes CPW : Surfacique (not PEC) ou Volumique (not Gold) Substrat : Avec Pertes dilectriques (not SiliconLAAS) ou sans (not Silicon) Conditions aux limites : Conducteur magntique parfait : PMC Absorbantes : Radiatives pour HFSS (note Rad) PML pour COMSOL et ANSYS (note PML) Nous avons galement fait varier la taille des ports dans les simulations sous HFSS afin de vrifier que le problme ne rside au niveau de leurs excitations. La Figure III-27 rsume les divers modles simuls. Notons que seules les conditions aux limites de type absorbante (radiative ou PML) ont un sens physique, la condition PMC nayant t utilise que pour comprendre lorigine des erreurs de modlisation.
PMC ou Rad

SiliconLAAS ou Silicon

PEC ou Gold

Figure III-27. Rsum des diffrents modles utiliss pour dterminer l'origine des erreurs de modlisation

109

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III.3.6. Rsultats et conclusions

Les rsultats des simulations en paramtres S dune ligne coplanaire, modlise sous COMSOL et ANSYS, restent loigns (Figure III-28 et Figure III-29) avec le modle HFSS ayant des conditions aux limites (ralistes) de type radiative (ex : SiliconLAAS Gold Rad). Ce dsaccord est particulirement marqu pour les pertes par rflexions. Aussi, les diffrents modles permettent dexpliquer lcart entre les frquences de rsonances (18 GHz/20GHz), ainsi que lcart en amplitude. En effet, on saperoit que la condition aux limites PMC tendance resserrer les pertes par rflexion autour de la frquence de rsonance.
4 -10 -15 -20 -25 -30 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32 -10 -15 -20 -25 -30 -35 -40 -45 -50 -55 -60 32
HFSS SiliconLAAS Gold Rad Precis SiliconLAAS Gold PMC SiliconLAAS Gold Rad Port reduit Silicon PEC Rad Silicon PEC PMC SiliconLAAS Gold Rad SiliconLAAS Gold Rad6 COMSOL SiliconLAAS PEC PMC SiliconLAAS PEC PMC Silicon PEC PMC SiliconLAAS PEC PML SiliconLAAS PEC PMC ANSYS SiliconLAAS PEC PML

S11 (dB)

-35 -40 -45 -50 -55 -60 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30

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Frequence (GHz)

Figure III-28. Pertes par rflexions des diffrents modles

De plus, nous pouvons constater (Figure III-29), que le non respect des dimensions limites des ports implique une augmentation des pertes dinsertion ainsi quune drive de la frquence de rsonance.
4 0,0 -0,1 -0,2 -0,3 -0,4 -0,5 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32 0,0 -0,1 -0,2 -0,3 -0,4 -0,5 -0,6 -0,7 -0,8 -2,62 -2,64 -2,66 -2,68 -2,70 -2,72 -2,74 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32
HFSS SiliconLAAS Gold Rad Precis SiliconLAAS Gold PMC SiliconLAAS Gold Rad Port reduit Silicon PEC Rad Silicon PEC PMC SiliconLAAS Gold Rad SiliconLAAS Gold Rad6 COMSOL SiliconLAAS PEC PMC SiliconLAAS PEC PMC Silicon PEC PMC SiliconLAAS PEC PML SiliconLAAS PEC PMC ANSYS SiliconLAAS PEC PML

S12 (dB)

-0,6 -0,7 -0,8 -2,62 -2,64 -2,66 -2,68 -2,70 -2,72 -2,74

Frequence (GHz)

Figure III-29. Pertes d'insertions des diffrents modles

110

Evaluation des logiciels multi-physique

En conclusion, les modlisations faites sur COMSOL en ANSYS, ne sont pas en total accord avec le modle raliste dcrit sur HFSS. Cette tude aura permis didentifier les principales erreurs de modlisation. Une tude de sensibilit sur la dimension des ports dans les modles simules sous COMSOL et ANSYS na pas montre dinfluence significative sur les pertes. Ainsi, nous pensons que ces erreurs sont dues : une mauvaise dfinition des conditions aux limites radiatives sur COMSOL (courbes bleu/courbes rouge Figure III-30) une mauvaise dfinition du courant dexcitation sur ANSYS

Paramtres S - COMSOL VS HFSS


-15 -20 -25
HFSS SiliconLAAS Gold Rad SiliconLAAS Gold PMC SiliconLAAS Gold Rad Port Reduit SiliconLAAS Gold PMC Port Reduit COMSOL SiliconLAAS PEC PMC

S11 (dB)

-30 -35 -40 -45 -50 -55

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-0,1 -0,2 -0,3 -0,4 -0,5 -0,6 -0,7 -0,8 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32

-70

Frequence (GHz)

Figure III-30. Paramtres S pour les modles COMSOL et HFSS

Cette rcente tude, mene en collaboration avec les supports techniques de ANSYS [III.10] et de COMSOL [III.8], soulve le besoin dapprofondir les modlisations pour pouvoir conclure dfinitivement. Nanmoins, elle a le mrite de montrer quune simple simulation en transmission dune ligne coplanaire est trs laborieuse sur ANSYS et COMSOL, quand celleci rclame seulement quelques minutes pour la construction du modle et la simulation sous HFSS. Sagissant dun verrou notable pour la conception des Mems RF, ces deux logiciels montreront leurs intrts pour llectromagntisme ds que la construction du modle sera valide et facilit. Cela passe notamment par lintgration dun maillage adaptatif (ralisable par une macro) et galement doutils permettant la dfinition correcte des conditions aux limites. Dans cette perspective, il est noter que la nouvelle version de COMSOL 3.3, sortie au mois doctobre 2006, propose des outils prdfinis pour les conditions aux limites radiatives et PML.

111

S21 (dB)

Evaluation des logiciels multi-physique

III.4.

MECANIQUE DES STRUCTURES

Dans le domaine de la mcanique des structures, les principales difficults de conception reposent sur la modlisation de microsystmes ayant des rapports de forme leves, sur une description fidle des procds de fabrication et sur les proprits des matriaux utiliss. Au cours du deuxime chapitre, nous avons montr lintrt pour des applications hyperfrquences, de raliser un micro-usinage de volume en face arrire du Mems RF de manire obtenir une propagation du signal quasiment sans pertes dilectriques. Nanmoins cet avantage indniable apporte des complications pour la fabrication de grandes membranes, au niveau de la tenue mcanique, mais galement pour la ralisation dun maillage de qualit lors des simulations durant la phase de conception. Le premier objectif de cette partie est de prsenter des techniques de modlisation de microsystmes ayant des facteurs dchelles levs, et galement de prsenter la prise en compte des contraintes rsiduelles issues des procds de fabrication (essentiellement dorigine thermique).
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Le deuxime objectif est de prsenter une modlisation de ltape dassemblage du capot. Cette tude permet daborder de faon qualitative les techniques de modlisation du contact (rigide/dformable ou dformable/dformable).
III.4.1. Contraintes rsiduelles et facteur de forme lev

Afin de tester les performances des logiciels COMSOL 3.2 et ANSYS 10.0, au niveau de limplmentation des contraintes rsiduelles et de la gestion du maillage de micro-structures ayant des facteurs de formes leves, nous avons choisi de simuler les dformations dune membrane ayant la complexit supplmentaire de possder un bord libre (non encastr). Nous avons galement choisi de comparer les rsultats de ces deux logiciels avec COVENTORWARE 2005 [III.13] et I-DEAS 11-ABAQUS 6.5 [III.11][III.12], ce dernier ayant t choisi comme rfrence.
III.4.1.1. Description du microsystme : Antenne Yagi Uda

Le domaine dapplication des Mems RF et micro-ondes tant le monde de la communication sans fil (tlphonie, radioastronomie, radars ...), il est alors primordial dintgrer un systme dmission/rception des signaux. Actuellement, un engouement pour les antennes planaires se prcise de part leurs potentialits, propagation homogne de londe sans modes de substrat et faibles pertes dilectriques. Aussi nous avons choisi de simuler les dformations issues des contraintes rsiduelles rapportes lors de la fabrication, de la membrane dilectrique supportant une antenne surfacique dite Yagi Uda. La Figure III-31 prsente la gomtrie de lantenne.

112

Evaluation des logiciels multi-physique

Propagation
M ur de silicium

660m 55
Conducteurs mtalliques M embrane dilectrique Direction de radiation

Figure III-31. Antenne Yagi Uda (a) vue en coupe selon le plan de symtrie vertical et (b) photo MEB

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Afin doptimiser les performances de cette antenne, il convient de minimiser les perturbations engendres par la prsence du silicium dans la direction de propagation du signal (Figure III-31-a mur de silicium). Cette optimisation a conduit la ralisation de membranes dites trois cots (trois encastrements), le quatrime cot tant quasiment libre. Une technique innovante a t dveloppe dans [III.18], pour obtenir un mur de silicium de section triangulaire de faibles dimensions (Figure III-32-b)

w=100m

=54,74
{111}

h=70m

B B B

Figure III-32. Membrane 3 cots : (a) Vue MEB face arrire - (b) Zoom sur le mur de silicium (c) Profil 3D obtenu par profilomtrie optique (VEEKO) et (d) Dplacement vertical selon laxe de symtrie (BB)

III.4.1.2.

Modle retenu

La Figure III-33 donne les dimensions du modle retenu. On remarquera que dans le cadre de cette pr-tude nous avons simplifi la modlisation du mur de silicium avec une section rectangulaire. Dautres part, la membrane est constitue soit dun bi-couche oxyde nitrure (SiO2/SiN1.15) soit dune seule couche doxynitrure (SiO0.74N0.74). Pour la clart de la prsentation, nous ne traiterons que le cas de la membrane composite.

113

Evaluation des logiciels multi-physique

SiN1.15 (0,6 m) Si SiO2 (0,8 m)


Figure III-33. Dimensions de la demi-membrane composite (en microns) par symtrie

La membrane a une paisseur de 1,4 m dont 0,8 m pour la couche doxyde et 0,6 m pour la couche de nitrure (Figure III-33). Une caractrisation des modules de Young E et des coefficients de poisson , pour loxyde et le nitrure, a t mene par la technique du gonflement de membrane [III.18]. La mesure des contraintes rsiduelles a t effectue par la mthode de Stoney [III.19][III.20]. Le Tableau III.6 regroupe les proprits utilises lors des simulations.
Silicium SiN1.15

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Epaisseur (m) Module de Young (GPa) Coefficient de poisson Contrainte initiale moyenne (Mpa)

400 180.5 0.1

0.8 80

SiO2

0.6 265

0.18 0.25 -300 600

Tableau III.6. Proprits des matriaux

III.4.1.3.

Implmentation des contraintes rsiduelles dans les logiciels

La loi de comportement des matriaux linaires, lastiques, homognes et isotropes soumis une variation de temprature scrit sous la forme gnrale :
= K el + 0 = K ( th 0 ) + 0

Avec , respectivement les tenseurs : des contraintes et des contraintes initiales , el, th, o respectivement les tenseurs : des dformations, des dformations lastiques, des dformations thermiques et des dformations initiales K la matrice de rigidit dfinie ci-aprs

114

Evaluation des logiciels multi-physique

Par prfrence pour la relation de Hooke devant celle de Lam (Annexe D et E), on donnera lexpression de la matrice de souplesse K-1 :
1 E E = E 0 0 0 E 1 E E 0 0 0 E E 1 E 0 0 0 2 0 0 0 (1 + ) E 0 0 2 0 0 0 0 (1 + ) E 0 0 0 0 0 (1 + ) 2 E 0

K 1

avec les diffrents tenseurs (contraintes et dformations) se rduisant la forme vectorielle suivante :
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x y = z xy yz xz x y = z xy yz xz

x y th = z = vec (T Tref 0 0 0 th

avec vec

x y = z 0 0 0

Les dformations thermiques sont proportionnelles la variation de temprature, les facteurs de proportionnalit correspondent aux coefficients de dilatation thermique dfinis. Dans le cas des matriaux isotropes, ces coefficients sont tous gaux mais il peut tre intressant dutiliser des coefficients diffrents, comme pour les matriaux orthotropes, dans le but de modliser de manire artificielle les contraintes rsiduelles. De plus, il est galement utile de dfinir le gradient des contraintes suivant lpaisseur de la couche : h = 0 ( z ) avec h lpaisseur de la couche
h 2

Aussi, nous pouvons rsumer les diffrentes techniques possibles pour implmenter les contraintes rsiduelles bi-axiale (plan xy) sous la forme du Tableau III.7.

115

Evaluation des logiciels multi-physique

Contraintes moyennes
1) Un tenseur des contraintes 0 = [ 0 0 0 0 0 0]T constant : a)

Gradients de contraintes
Un tenseur des contraintes en fonction de h lpaisseur = 0 (z ) h 2 b) En modlisant le gradient de contrainte par une moyenne pondre par les paisseurs 0 =

2) En utilisant le tenseur des dformations initiales o T 0 = 0 [ 1 1 2 0 0 0] E

e e
i i i

i i

3) En utilisant le tenseur des dformations thermiques c) th=vec T

vec

En faisant un dcoupage suivant lpaisseur de la couche:

avec

1 [ 1 1 2 E (T T ref ) = T = 0

0]

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Tableau III.7. Description des possibilits d'implmentation des contraintes rsiduelles

COMSOL supporte toutes les possibilits de modlisation des contraintes rsiduelles dcrites dans le Tableau III.7. ANSYS permet seulement dintroduire une valeur constante de la contrainte rsiduelle et seulement pour un matriau. Cette limitation trs restrictive peut nanmoins tre contourne en gnrant un fichier de commande (ISFILE) qui permet dappliquer des contraintes localement aux nuds dsirs. Il est noter que cette manipulation est complexe et ne permet dapprocher les gradients de contraintes que par la mthode c) du Tableau III.7. De plus, la modlisation du gradient de contrainte par la mthode c, impose une discrtisation supplmentaire suivant lpaisseur et de ce fait complique encore plus le maillage.
III.4.1.4. Possibilits des logiciels

Pour la ralisation des simulations, nous nous sommes placs en grande dformation avec lutilisation de solvers non linaire et des lments quadratiques (des lments linaires ayant t utiliss pour sassurer de la convergence). Afin de diminuer le nombre de degr de libert, nous navons simul que la moiti de la structure et opt pour un maillage rgl obtenu par extrusion (briques hexahdres). Malgr ces prcautions, il a fallu utiliser une modlisation muti-gomtrique dans COMSOL car celui-ci ne permet pas une criture des fichiers tampons (swap) sur le disque dur contrairement ANSYS. Pour cela, nous avons cr un modle pour le substrat (Geom1) et un modle pour la membrane (Geom2) ayant des maillages diffrents sur lesquels nous avons appliqus des conditions didentits en termes de dplacements au niveau de linterface silicium/membrane. Cette technique est trs sduisante pour contourner le manque de ressource en mmoire vive (RAM) pour rsoudre des problmes ayant des facteurs dchelles importants. Il est noter que nous avons utilis un ordinateur configur avec 2Go de RAM et un processeur Xeon de 3,2 GHz 32 bits. Nous pouvons remarquer quavec un processeur fonctionnant 64 bits, il est possible de raliser un contrle du swap sur le disque dur.

116

Evaluation des logiciels multi-physique

Une autre solution pour diminuer la taille du maillage aurait t de modliser les couches de la membrane avec des lments coques. Mais cette possibilit ne permet pas dimplmenter des contraintes rsiduelles mme thermiquement, et de ce fait na pas t retenue. Le Tableau III.8 rsume les possibilits offertes par les logiciels pour modliser sous une application donne (solide ou coque), diffrentes analyses mcaniques ainsi que les mthodes dimplmentation de contraintes rsiduelles.
Possibilits danalyses Implmentation des contraintes initiales
Dformation thermique th

Transitoire quasi-statique

Contrainte moyenne 0

Rponse harmonique

Grande dformation

Elastoplasticit

Multiphysique

Parametrique

Logiciels

Applications
Statique

Flamblage linaire

Analyse modale

Temporelle

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COMSOL ANSYS COVENTOR I-DEAS ABAQUS

Solide Coque Solide Coque Solide Coque Solide Coque

Tableau III.8. Performances des diffrents logiciels suivants les types d'applications

117

0(x,y,z)

Dformation initiale 0

Evaluation des logiciels multi-physique

III.4.1.5.

Rsultats et perspectives

Aprs une tude de convergence en fonction de la qualit du maillage, nous avons obtenu les rsultats prsents en Figure III-34 (dernier millimtre) et Figure III-35.
B
0 -0,2 -0,4 -0,6 Dplacement vertical (m) -0,8 -1 -1,2 -1,4 -1,6 -1,8 -2 -2,2 -2,4 -2,6 -2,8 -3 -3,2
ANSYS Mean stress Shell/Solid Quadratic element

Axe de symtrie (BB') (m) 100 200 300 400 500 600 700 800 900

C
1000

COVENTOR Mean stress Solid Quadratic element COMSOL Average Thermal Stress introduce by virtual CTE mismatch Solid Quadratic element 56058 DOFs COMSOL Average initial strain Solid Quadratic element 108950 DOFs IDEAS-ABAQUS Mean stress Solid Quadratic Refine Mesh COMSOL Average stress Solid Quadratic 108950 DOFs

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Figure III-34. Dplacement vertical de la membrane suivant son axe de symtrie


ANSYS Subdomain : vertical displacement COVENTOR Subdomain : vertical displacement

Logiciels

Dflection maximum (m)

% erreur rfrence : I-DEAS ABAQUS 0

IDEASABAQUS

-3.15

ANSYS

-3.195

1.42

COMSOL

-3.034

3.68

IDEAS-ABAQUS Deformed shape and Von Mises stress on subdomain

COMSOL Deformed shape and Von Mises stress on subdomain

COVENTOR

-2.95

6.35

Figure III-35. Champs des dplacements : (a) ANSYS et (b) COVENTOR Champs des contraintes de Von Mises : (c) IDEAS-ABAQUS et (d) COMSOL

Les rsultats sont trs voisins entre les diffrents logiciels. On remarque que les diffrentes implmentations des contraintes rsiduelles dans COMSOL (o, th, o voir Tableau III.7) donnent le mme rsultat.

118

Evaluation des logiciels multi-physique

En premires conclusions nous pouvons dire que les simulations mcaniques menes sur ce type de structure nous ont permis de tester avec succs : Dans COMSOL : Lensemble des mthodes dimplmentation des contraintes rsiduelles Une technique de modlisation multi-chelle en utilisant des conditions didentits entre les nuds des diffrents maillages disjoints Dans ANSYS : Seulement une implmentation des contraintes initiales de type contrainte moyenne sur toute lpaisseur de la membrane Cette tude fait tat dun avantage de COMSOL sur la modlisation des pr-contraintes ainsi que sur la facilit de la gestion du maillage. Cependant, les mesures des profils des membranes (Figure III-32-d) montrent une flche deux fois plus grande que celles simules. Devant ce constat, nous avons poursuivi nos investigations en raffinant notre modle sur COMSOL et galement en tenant compte des rels profils de gravure anisotropique ainsi que des lignes de lantenne. La section suivant prsente les rsultats obtenus en fonction du niveau de modlisation.
III.4.1.6. Amliorations des modles

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Quatre modlisations, suivant un niveau croissant de fidlit par rapport la structure relle, ont t simules (Figure III-36).

Modle 1

Modle 2

Modle 3

Modle 4

Figure III-36. Diffrents niveaux de modlisation

Une premire campagne de simulation, sans la prise en compte du gradient des contraintes a permis de montrer que le modle 3 prsente un bon compromis en terme de temps de calculs par rapport la prcision des rsultats (Figure III-37).

119

Evaluation des logiciels multi-physique

0 0 1000 2000 3000 4000 5000

-1

Dplacement vertical (m)

-2

-3

Model 1

Model 2

Model 3

Model 4

-4

-5

Axe de symtrie (BB)

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Figure III-37. Comparaison des diffrents modles pour une pr-contrainte moyenne

Dans un second temps, nous avons utilis le modle 3 en prenant cette fois en compte le gradient de contrainte dans la bi-couche. La Figure III-38 montre que les rsultats obtenus sous COMSOL et IDEAS-ABAQUS sont trs proches en terme de dflexion maximale, de lordre de 6,2 m, et avec 14 % derreur commise par rapport aux mesures (7,2 m). Nanmoins, COMSOL reste plus raliste car le profil de la dforme sous forme de sillons introduits par les directeurs de lantenne correspondent bien lallure du profil mesur (Figure III-32 - d).
0,4 0 -0,4 -0,8 -1,2 0 400 800 1200 1600 2000 2400 2800 3200 3600 4000 4400 4800 5200

Dplacement vertical (m)

No Gold (ABAQUS )
-1,6 -2 -2,4 -2,8 -3,2 -3,6 -4 -4,4 -4,8 -5,2 -5,6 -6 -6,4

1,5 um of Gold (ABAQUS )

3,5 um of Gold (ABAQUS )

3,5 um of Gold (COMSOL )

1,5 um of Gold (COMSOL )

Axe de symtrie (BB) Figure III-38. Simulation du modle 3 sous COMSOL et ABAQUS avec deux paisseurs d'or

120

Evaluation des logiciels multi-physique

III.4.2. Modlisation de lassemblage

Lors du second chapitre, nous avons montr que notre choix se portait vers une technique de report de capot avec une couche intermdiaire de scellement en polymre (BCB). Au niveau de la simulation des procds du packaging, une tape importante sera de modliser la phase de report par thermo-compression. En effet, il convient de voir les dformations et les contraintes rapportes par cette tape finale sur le Mems mais galement de sassurer de la continuit du scellement. Dans cette logique, nous nous sommes intresss la modlisation du contact pour simuler la phase de compression. Le logiciel ANSYS, est une rfrence pour la gestion du contact car il permet facilement de modliser des contacts entre des matriaux dformables ou non (Figure III-39). En revanche le logiciel COMSOL ne dispose pas doutils prdfinis pour modliser le contact.
III.4.2.1. Description des principes de modlisation

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III.4.2.1.1. ANSYS

La modlisation du contact sous ANSYS est relativement conviviale car une fois que la gomtrie est ralise, il suffit de spcifier une surface de destination contact et une surface source (cible) target qui viendra en contact sur la surface destination. Ds que lon aura spcifi les matriaux et les conditions aux limites, il ne restera plus qua imposer le dplacement de la source suivant une droite, une spline etc...
2 mm

Dplacement Target Contact Target Contact

2 mm 1 mm 2 mm

10 mm
Figure III-39. Principe de la modlisation du contact sous ANSYS

III.4.2.1.2. COMSOL

Nous avons modlis le contact en programmant une variation de pression sur le bord de llment destination, qui augmente de manire exponentielle mesure que la surface de lobjet rigide sapproche. Cette technique est celle couramment utilise dans les codes de calculs pour modliser un contact dit souple (sans chocs).

121

Evaluation des logiciels multi-physique

Ainsi nous avons dfinis, une pression ayant lexpression suivante : p = A e Avec : p la pression applique sur la surface destination d est la distance entre la source et la destination, qui tend diminuer A est un coefficient homogne une pression, typiquement A = 1 Bar B est homogne une longueur, il ne doit pas choisi trop grand pour ne pas engendrer un chargement non ngligeable lorsque la source est loin du contact. Typiquement, on prend pour B un nombre compris en 20 et 30 fois lpaisseur du modle gomtrique de la destination. Dans notre cas on prendra B=15 mm car le substrat une paisseur de lordre de 0,5 mm. La principale difficult dans limplmentation de la pression de contact, sera de tenir compte de la variation de la normale du contact durant la dformation. En utilisant la formule de NANSON qui permet de relier un lment de surface oriente dans la configuration non dforme un lment daire dans la configuration dforme (avec la convention vecteur en gras) :
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d B

ds=JF-TdS
n

N X2 X1

f x2

x1

dS=dS N Configuration initiale

ds=ds n Configuration dforme

Figure III-40. Formule de NANSON

Avec J, le jacobien de la transformation vectorielle f pour passer de ltat initial ltat dforme et F le gradient de dformation, scrivant :
F = grad f = F f i x = i = 11 X j X j F21

F12 F22

122

Evaluation des logiciels multi-physique

Ainsi, pour notre application, il suffit dimplmenter la valeur du chargement surfacique suivant la configuration initiale dans COMSOL. Daprs la formule de NANSON, ce chargement va scrire :
N Fx T x = pJF Fy N y
Chargement surfacique suivant x et y dans la configuration dforme Pression de contact Vecteur normal dans la configuration initiale

En utilisant la syntaxe de programmation de COMSOL, on obtient finalement lexpression de la pression dans la configuration dforme en fonction de la configuration initiale : Fx invF11 _ smpn invF 21 _ smpn n x = p J _ smpn invF12 _ smpn invF 22 _ smpn n Fy y COMSOL
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Dsormais, il ne reste plus qu dfinir la pression pour le contact souple . En effet, on a besoin de dterminer la distance d en fonction de la position sur la surface destination (Figure III-41). Dans notre cas, nous pouvons simplifier le calcul de d en voyant que : Le modle admet un plan de symtrie (O,Y,Z) Dplacer le capot ou dplacer la puce (ligne CPW) revient strictement au mme

Ligne CPW

Dplacement Polymre de scellement Silicium d

BCB
CL de type appuis simple permettant de modliser le capot (solide rigide)

Figure III-41. Modlisation de la compression lors de la phase d'assemblage

En utilisant cette modlisation, il suffit de dterminer la fonction continue par morceau qui reprsente la forme de lindenteur qui ici correspond aux lignes CPW (Figure III-42).

123

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i [1,7]
f3 f1 f2

f i (x) = a i x + b i pour x [x i1 , x i [
f7 f4 f5 f6

X x0 x1 x2 x3 x4 x 5 x6 x7
Figure III-42. Dcomposition du profil de la ligne en fonctions continues par morceaux

En notant eBCB, lpaisseur du BCB, gap la distance initiale sparant le capot et la ligne , para la valeur du paramtre de dplacement que lon fera varier en utilisant une simulation paramtrique de faon dplacer lindenteur , on obtient lexpression de d :
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i [1,7] d i = eBCB + gap + f i (x + u - x i-1 ) - para - (y + v) pour x [x i 1 , x i [

i [1,7] , pour x [x i1 , x i [ , on a lexpression du chargement surfacique a Donc implmenter dans COMSOL :

(Fx )i = Ae

di B di B

J _ smpn (invF 11 _ smpn n x + invF 21 _ smpn n y ) J _ smpn (invF 21 _ smpn n x + invF 22 _ smpn n y )

(F )

y i

= Ae

La Figure III-43 dcrit la mthode pour implmenter le chargement surfacique dans COMSOL au niveau des conditions aux limites.

Figure III-43. Implmentation dans COMSOL 3.2

III.4.2.2.

Dfinition des matriaux et rsultats

A cette tape, on se heurte labsence de donne concernant les proprits des matriaux polymres en phase de rticulation. Nous avons alors fait lhypothse que durant la thermocompression, le comportement du polymre pouvait sidentifier un matriau visco-lastique.

124

Evaluation des logiciels multi-physique

Aussi nous avons pris la formulation de Mooney-Rivlin [III.21][III.22] pour dcrire sa loi de comportement, dont voici lexpression de lnergie de dformation :
1 2 Whyp = C10 I1 3 + C01 I 2 3 + (J - 1) 2

Avec les proprits suivantes :


E = 6(C10 + C01 ) = 2.82 MPa (Module dYoung initial)

= 0.49967 (coefficient de poisson) C10=0.293 MPa C01=0.177 MPa


=
E dP == 1424 MPa Module de comprssibilit (Initial Bulk Modulus ) dV 3(1 2 )

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I1, I2 sont les invariants du tenseur de Cauchy-Green, J est le rapport du volume lastique dform sur le volume initial et reprsente le changement de volume dun matriau quand une pression applique sur ce dernier est change. La Figure III-44 donne un aperu des rsultats de simulations sous ANSYS et COMSOL.

Figure III-44. Dplacements simules sous ANSYS et COMSOL

Daprs le graphe de la Figure III-45, nous constatons que les rsultats sont identiques entre COMSOL et ANSYS (cart infrieur 0,3%). Cette parfaite concordance, nous permet de valider notre mthode de modlisation du contact sous COMSOL.

125

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Pression VS deplacement
7,5 7 6,5 6 5,5 5 4,5 4 3,5 3 2,5 2 1,5 1 0,5 0 0 COMSOL y = 0,0622x3 - 0,1594x2 + 0,6099x - 0,027 R2 = 0,9995 ANSYS y = 0,0691x3 - 0,2143x2 + 0,7347x - 0,1011 R2 = 0,9995

Pression (MPa)

ANSYS_p500 COMSOL_p500 Erreur<0,3%

0,5

1,5

2,5

3,5

4,5

5,5

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Dplacement (m)

Figure III-45. Variation de la pression en fonction du dplacement - ANSYS et COMSOL

Nous pouvons remarquer, comme nonc lors de lintroduction, quau moyen de lanalyse paramtrique prsente dans la Figure III-46, une pression de lordre de 12 Bars permet au BCB de venir combler les fentes des lignes coplanaires. Ce rsultat reste en accord avec les ordres de grandeurs des pressions appliques dans la littrature.

Figure III-46. Profil du BCB en fonction de la pression applique

126

Evaluation des logiciels multi-physique

III.5.

EXEMPLES DE MODELISATION COMPORTEMENTALE

Lobjectif de cette section est de prsenter deux exemples de simulations comportementales : Le premier bas sur la notion de circuit quivalent, permet de dfinir un transducteur lectromcanique qui dcrit le comportement dynamique de lactuation lectrostatique dans le cas du micro-commutateur. Le deuxime, permet quant lui de modliser par simulation EF, la raideur mcanique (non linaire) de ce mme micro-commutateur en prenant en compte linfluence de la temprature et de la contrainte initiale, pour gnrer un macro-modle comportemental.
III.5.1. Modlisation par description analytique puis calcul numrique

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Le comportement dun microsystme est gouvern par un systme dquations drives partielles o les grandeurs physiques dpendent de la position spatiale et du temps. La rsolution de ce type dquations, ncessite gnralement lutilisation du calcul numrique (MEF10, DF11...). Nanmoins, pour des applications simples, il est possible de saffranchir de ces mthodes pour reprsenter ces systmes dquations par des modles constantes localises (dite galement discrte), prenant le temps comme la seule variable indpendante et de ce fait donnant lieu un systme dquations diffrentielles ordinaires.
III.5.1.1. Prambule : Transducteur

La notion de transducteur fait intervenir des ports permettant le transfert dnergie ( un port pour la partie lectrique et un port pour la partie mcanique), reprsents par exemple par le quadriple de la Figure III-47. Courant i(t) = q (t) Transducteur lectromcanique linaire Tension v(t) Force F(t)

Vitesse u(t) = x (t)

Figure III-47. Reprsentation d'un transducteur lectromcanique par un quadriple

III.5.1.2. Constantes localises : Micro-commutateur capacitif actuation lectrostatique

La description du modle lectromcanique linaire du micro-commutateur est donne la Figure III-48, xo et qo reprsentent le point de linarisation. En effet, le comportement non linaire ne permet pas de dfinir la fonction de transfert (transmittance) du transducteur.

10 11

Mthode des Elments Finis Diffrences Finis

127

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qo+q Electrode fixe Pont mobile

vo+v

Fo+F

k d xo+x

Figure III-48. Modlisation du transducteur lectromcanique autour d'un point de linarisation

Les variables dtat sont x le dplacement et q la charge variable du condensateur plan. L'nergie de nature lectrostatique emmagasine par le transducteur s'crit : (q + q o ) 2 (q + q o ) 2 (d + x o + x) 1 1 2 We (q, x) = + k(d + x o + x l o ) = + k(d + x o + x l o ) 2 2C(d + x o + x) 2 2 oS 2
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Avec C la capacit, d le gap initial, k la raideur de pont et S la surface en regard du condensateur plan. En prenant la diffrentielle totale de lnergie lectrostatique, on obtient : We We dq + dx Eq. 6 q x Or lquilibre thermodynamique pour un transducteur est atteinte lorsque lnergie mene par les deux ports est donne par : dWe = dWe = v dq + Fdx
Eq. 7

Ainsi, partir des quations 6 et 7, nous avons : We (q + q o ) (d + x o + x) v t (q + q o , d + x + x o ) = = q oS x =cste (q + q o ) We Ft (q + q o , d + x + x o ) = = +kx 2 oS x q =cste


2

En effectuant une linarisation autour de qo et xo, on obtient : v (d + x o ) q v 1 v v(q, x) = t q + t x = q+ o x = q+ o x q oS oS Co xo x q =0 x =0 F q v F F(q, x) = t q + t x = o q + k x = o q + k x q oS xo x q =0 x =0 Ainsi nous dduisons le systme dquation matriciel suivant :

128

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1 C v q o = [B ] avec [B] la matrice de couplage du transducteur : [B] = v o F x xo

vo xo k

Pour la fonction de transfert [T], en prenant des fonctions dpendant du temps en exp(jt) (tout autre signal pourra se dduire laide de la transforme de Fourier), nous obtenons le systme dquations : x o C v avec [T ] = o o j v o xo - xo j o v o
2 k C x o o v o vo k j xo

q F = [T ] v x

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On dfinit le coefficient de couplage , tel que = 1

Co v det[B] = o k xo

Co . k

est une grandeur fondamentale qui reflte la capacit de conversion nergtique (lectrique/mcanique) du transducteur. varie thoriquement entre 0 et 1, si =0 alors il n'y a pas d'interactions entre les deux types d'nergie, du point de vue exprimental est gnralement compris entre 0,05 et 0,25 daprs [III.5].
III.5.2. Modlisation comportementale

Nous venons de voir une description du comportement dynamique du micro-commutateur au moyen dun transducteur mais autour dun point de fonctionnement. En effet, nous avons contourn la non linarit en simplifiant ltude au voisinage dune position de rfrence. La Figure III-49 dcrit le comportement non linaire lors de lactuation lectrostatique des micro-commutateurs. Ainsi, afin danalyser leurs performances en terme de rapidit de commutation, de tension dactuation (pull-in) ou de tension seuil de libration (pull-out) nous ne pouvons plus nous restreindre un petit intervalle dtude !

129

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K Pont g-tox tox


C Fmca

Flec

VDC
x y z

Electrode

Dilectrique

g : distance pont-lectrode (gap) tox : paisseur du dilectrique (oxyde)


Figure III-49. Description de l'actuation d'un micro-commutateur

Tension

Une solution simple serait de rsoudre numriquement le systme dquation diffrentielle non linaire en utilisant par exemple un schma itratif par la technique des diffrences finies.
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En utilisant le paramtrage propos la Figure III-49, le dplacement du pont est rgi par lquation diffrentielle non linaire suivante :
S V2 d 2z dz M 2 + +k z 0 r =0 dt 4 dt 3 2( g o z ) 2 144 2444 14 4 2 3
Fmcanique Flectrostatique

M : masse du pont : le coefficient damortissement visqueux k : la raideur du pont 0 : la permittivit du vide r : la permittivit relative (air, gaz...)

La Figure III-50 montre une rsolution de ce problme par le logiciel Simulink (Matlab ) en utilisant une rsolution de type explicite avec la mthode de Runge-Kutta (ode45).

Figure III-50. Rsolution par schmas blocs - Matlab Simulink

Afin de simplifier la description de la mthode, la rsolution du problme sera faite en quasistatique, nous ngligerons ainsi la quantit de mouvement et les frottements visqueux. Dans ce cas, nous avons besoin dvaluer uniquement la raideur du pont, cest lobjet de la section suivante.

130

Evaluation des logiciels multi-physique

III.5.2.1.

Calcul analytique de la raideur du pont

Le calcul de la raideur dun pont encastr-encastr, sous lhypothse de la thorie des poutres, ncessite la rsolution dun problme hyperstatique dordre 3, dont voici la description :
F Eor or w w t L w : largeur du pont = 40 m L : Longueur du pont = 400 m t : paisseur du pont = 2.7 m F : Force extrieure (pour valuer la raideur) Eor : Module de Young de lor = 80 GPa or : Coefficient de poisson de lor = 0.42

La Figure III-51 prsente le paramtrage du modle ainsi que le bilan des actions mcaniques appliques au pont. Modle
L 2

Bilan des actions Mcaniques


x

F C

L 2

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YA MA Xo x m
+

YB MB XB L

Figure III-51. Modlisation et bilan des actions mcaniques

En appliquant le principe fondamental de la statique au pont, nous obtenons :

r r /x : X A + X B = 0 (1) Th. R r /y : YA F + YB = 0 (2) r r L Th. M en m /z : M A + M B + YB L F = 0 (3) 2


De la symtrie du problme (gomtrique et chargement), nous en dduisons :

F d' aprs (2) 2 (3) M A = M B Ainsi, nous obtenons lexpression des torceurs de cohsion en un point m quelconque sur la fibre neutre de la poutre : YA = YB =

Zone [AC]

[ AC ]

{ Coh }m = { / + }m
{ Coh }m = { + / }m

r r X A x + YA y = r ( M A YA x) z

Zone [CB]

[ CB ]

r r X B x + YB y = r [M B YB ( L x)]z

131

Evaluation des logiciels multi-physique

Nous dduisons de lexpression des torseurs de cohsion, lnergie de dformation emmagasine par la poutre, dont voici lexpression :

[W ] = 1 2
def

X A2 1 dx + ES 2

LY 2 A

GS

dx +

1 2 EI

L / 2

F 1 M A x dx + 2 2 EI

L/2

F M A + ( L x ) dx 2

En appliquant, les thormes de Castigliano et de Mnabra avec lhypothse de Bernouilli (les efforts tranchant sont ngligs devant les efforts engendrs par les moments flchissant), nous obtenons directement les inconnus hyperstatiques ainsi que la flche au point C :
W def = 0 X = X = 0 A B X A W def = 0 .... M = M = FL A B 8 M A

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3 W def = = FL fleche au point C F 192EI

Pour finir, la raideur de la poutre bi-encastre dans le cadre des petites dformations, scrit :

F 192EI wt 3 K= = 3 avec I = moment quadratique de la section suivant z 12 L Lapplication numrique, nous donne alors : K=15,75 N/m.
La Figure III-52 prsente la raideur calcule analytiquement et la raideur issue dune caractrisation laide dun indenteur mcanique. Nous pouvons remarquer la non linarit de la raideur et de ce fait lerreur commise en utilisant une raideur constante.

132

Evaluation des logiciels multi-physique

0,00 50

0,25

0,50

0,75

1,00

1,25

1,50

1,75

2,00 50

Hauteur (m)

45

2.5

1.5

K raideur du pont (N/m)

40

0.5

0,5 mg 1mg 1,5mg 2,5mg 3mg 3,5mg 4mg 4,5mg 5mg 5,5mg
50 100 150 200 250 300 350 400 450

45

40

35

Longueur (m)

35

30

30

25

Raideur mesure Raideur calcule

25

20

20

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15 0,00

0,25

0,50

0,75

1,00

1,25

1,50

1,75

15 2,00

Dplacement (m)
Figure III-52. Raideur issue de l'exprimentation et raideur calcule

Le calcul de la raideur analytique repose sur un modle trs simplifi qui ne tient pas compte de la gomtrie relle du pont et des encastrements (Figure III-52). Dans notre exemple, la raideur calcule est environ deux fois moins importante que la raideur moyenne. Suivant les procds de fabrication du pont (or vapor-lectrolytique, couche daccroche etc...), les contraintes rsiduelles vont notablement modifier la raideur et dans ce cas nous ne pouvons approcher la valeur de la raideur que par des simulations de type lments finis. De plus suivant la temprature dutilisation du Mems, la raideur va galement se trouver modifie. Ainsi, cette technique, trs simple mettre en uvre, reste nanmoins limite lutilisation de constante localise (raideur) et ne prend pas en compte les non linarits gomtriques (grande dformation), les contraintes rsiduelles et la temprature dutilisation. Afin damliorer cette modlisation sous Simulink, nous pouvons lenrichir dun modle comportemental, dcrivant la dformation de la structure mcanique (pont), gnr partir dune simulation EF. En effet, nous verrons dans la section suivante qu partir dune simulation sous COMSOL, il est possible de crer un bloc Simulink qui renferme la simulation EF afin de limporter dans Simulink.
III.5.2.2. Macro modle EF

Afin dobtenir le dplacement du pont en fonction de la force lectrostatique, de la variation de temprature par rapport lambiante et des contraintes initiales, nous avons ralis sous COMSOL une poutre bi-encastre en flexion simple dont la modlisation est dcrite dans la 133

Evaluation des logiciels multi-physique

Figure III-53. Nous avons simplifi le problme en utilisant la rsultante des efforts de pression lectrostatique applique au centre de la poutre, il sagit dune approximation raisonnable compte tenu de la faible largeur de llectrode (100 m) pour une grande longueur de pont (400m). En effet, la surface infrieure du pont en regard avec llectrode sera pratiquement plate et de ce fait la pression lectrostatique sera uniformment rpartie sur le pont.

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force

Figure III-53. Modlisation d'un problme de flexion simple sous COMSOL - (a) Expression des constantes pour dfinir les entres du modle simulink - (b) Dfinition des proprits matriaux (c) Contraintes initiales (d) Prise en compte de la variation de temprature (e) CL Chargement (f) Rsultat

134

Evaluation des logiciels multi-physique

Une fois le modle cr, nous pouvons gnrer un bloc comportemental de type Simulink. La Figure III-54 prsente la cration du modle, les entres du bloc seront : la force, la contrainte initiale, la temprature de service et la temprature ambiante tandis que la sortie sera la flche de la structure.

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Figure III-54. Cration d'un bloc comportemental Simulink

Ensuite, nous pouvons rcuprer ce bloc partir de la bibliothque Simulink et linsrer en tant que femblock pour raliser lanalyse statique de lactuation (Figure III-55).

Figure III-55. Impmentation du bloc COMSOL dans Simulink - Analyse statique

135

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La Figure III-56 prsente le rsultat de cette modlisation la temprature ambiante (25C) et pour une contrainte initiale de 20 MPa.

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Figure III-56. Rsultat de la simulation Simulink - T=25C et o=20 MPa

A ce stade, nous avons ralis une plateforme de modlisation du cycle dactuation lectrostatique des micro-commutateurs. Nous pouvons alors tudier les effets dune variation de temprature ou de la contrainte initiale. La Figure III-57 dcrit linfluence de la temprature sur le cycle dactuation du micro-commutateur, nous avons galement report le cycle dactuation utilisant une constante localise pour la raideur calcule thoriquement (15.75 N/m sans le bloc comportemental issu de COMSOL). Nous pouvons remarquer que la valeur de la tension de pull-in trouve par la simulation sur Simulink et celle calcule thoriquement par lquation ci-dessous [III.23] sont identiques.
A = 100 40 m 2 (Surface lectrode) k = 15.75 N/m (Raideur du pont calcule) Avec -12 0 = 8,854.10 (permittivit du vide) g = 2 m (gap entre pont et ligne) 0

Vp =

8 k g3 0 32,47 V 27 0 A

136

Evaluation des logiciels multi-physique

0 1,0 0,9

10

20

30

40

50

60

70

80

90

100

110

120 1,0 0,9 0,8 0,7 0,6 0,5 0,4 0,3 0,2 0,1 0,0

u=z/go Dplacement normalis du pont

0,8 0,7 0,6 0,5 0,4 0,3 0,2 0,1 0,0 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110

Thorique -50C -25C 0C 25C 50C

120

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Tension (V)
Figure III-57. Influence de la temprature sur la tension de pull-in et de pull-out

III.6.

CONCLUSION

A travers ce chapitre, nous avons prsent les possibilits de modlisations numriques de deux logiciels de simulation par lments finis multiphysique, COMSOL et ANSYS. Par ailleurs, nous avons galement prsent deux modlisations comportementales, une analytique par le biais dun transducteur lectromcanique et une autre correspondant la gnration dun macro-modle issu dune simulation lments finis. Ce chapitre a permis alors de mettre en lumire les performances actuelles de ces deux logiciels dans le domaine des Mems RF, que nous pouvons rsumer de la faon suivante : Applications Ingnierie inverse Contraintes rsiduelles Facteur dchelle Contact RF Paramtres S Modle comportemental ANSYS Non effectue mais possible Pr-contraintes rduites une seule contrainte moyenne initiale pour un seul matriau Dmontre et valide Tout type de contact autoris Non dmontre Complexe mettre en uvre Possibilits dutiliser des modles dordres rduits (ROM) et des lments de type SPICE COMSOL Dmontre et valide Modlisation multigomtrique Tout type de contraintes acceptes (gradient ) Dmontre et valide Limit des contacts rigide/dformable avec des gomtries approches Non dmontre Simple implmenter Dmontr et valid

Mcaniques Contact

137

Evaluation des logiciels multi-physique

III.7.

REFERENCES BIBLIOGRAPHIQUES DU CHAPITRE III

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Evaluation des logiciels multi-physique

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CHAPITRE IV PACKAGING

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Packaging

IV.1.

INTRODUCTION

Ce chapitre traite de la conception, de la ralisation et de la caractrisation de la solution de mise en botier discute dans lanalyse fonctionnelle du chapitre II. Cette analyse nous a permis de choisir une technique de mise en botier du microcommutateur RF par report dun capot en Foturan avec une couche de scellement intermdiaire en BCB. De plus nous avons opt pour une alimentation traversante (sans vias) au niveau de la face suprieure du Mems RF et des interconnexions par wire-bonding.

IV.2.

SPECIFICATIONS GEOMETRIQUES DU PACKAGING

IV.2.1. Cadre du projet

Dans le cadre du projet PAMIR (Projet d'Architecture Microsystme d'Interrupteur Radiofrquence) entre le LAAS et la Dlgation Gnrale de l'Armement (DGA), nous souhaitons raliser la mise en botier dun micro-commutateur RF ayant les spcifications techniques dcrites dans le Tableau IV.1.
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Micro-commutateur RF (PAMIR) Bande de frquence Puissance admissible E/R Signal Temps de fonctionnement Temps de repos entre deux fonctionnements conscutifs Isolation sur la bande Pertes dinsertion sur la bande Temps de commutation Tension de polarisation du commutateur Consommation Dimensions (avec le botier) Tempratures de fonctionnement Tenue en fonctionnement puissance nominale (critre de dfaillance :-50% sur isolation) Bande troite 10GHz +- 10% 50W 10s/20% 750s 10s >40dB <0.5 dB <10 s <50V A optimiser A optimiser 25 et 50C Large bande 6-18 GHz 4W CW 750s 10s >40dB <1dB <10s <50V A optimiser A optimiser 25 et 50C

1010 cycles on/off

1010 cycles on/off

Tableau IV.1. Spcification du micro-commutateur RF du projet PAMIR

La topologie des micro-commutateurs rpondant ces spcifications t tudie dans les travaux de thse de B. Ducarouge [IV.1][III.6]. La solution retenue (Figure IV-1) repose sur : Une structure associant deux micro-commutateurs en cascade afin de garantir une forte isolation sur une large bande frquentielle Une largeur leve des fentes des lignes coplanaires, de manire diminuer les concentrations de densit de courant et de ce fait permettre la transmission de forte puissance demande sans dpasser le seuil dlectromigration

143

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Figure IV-1. Structure retenue - Dessin des masques

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Les dimensions des lignes coplanaires sont prsentes dans la Figure IV-2, nous remarquons : Une largeur du conducteur central : w=240 m Une largeur des fentes : S=100 m et 240 m sous les micro-commutateurs Une longueur totale (ancrage) des micro-commutateurs de 1.5 mm
Zoom sur les accs coplanaires

Figure IV-2. Dimensions des lignes coplanaires

IV.2.2. Conception du capot en Foturan IV.2.2.1. Pr-dimensionnement du capot en Foturan

La gomtrie du capot devra non seulement sadapter aux contraintes dimensionnelles imposes par les micro-commutateurs et par les accs pour assurer les interconnexions de type wire bonding mais galement tre dtermine de manire minimiser les pertes rapportes

144

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par le capot. La Figure IV-3 prsente de manire qualitative la zone possible pour assurer le scellement du capot.

Zone permise pour le scellement du capot

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Figure IV-3. Limitations dimensionnelles de la zone de scellement

La Figure IV-4 prsente la distribution du champ lectrique sur le port dentre ayant les recommandations dimensionnelles prconises dans le chapitre II. Cette configuration montre que le champ lectromagntique est confin dans lenveloppe rectangulaire de hauteur gale 4h et de largeur gale 3(2g+w) avec h lpaisseur du substrat, g la largeur des fentes et w la largeur du conducteur central.
>3 (2g + w)=2160 m

h minimum
>4h

h=400 m

Figure IV-4. Distribution du champ E

En utilisant ces considrations ainsi que les limitations dimensionnelles de la zone de scellement (Figure IV-3), les dimensions de la cavit ont t portes 3170 m de long et 2210 m de large. Concernant la hauteur de la cavit, la recommandation nonce la Figure IV-4 est trs scurisante car lintensit du champ lectromagntique devient faible au-del dune distance h gale lpaisseur du substrat. De plus des travaux menes dans [IV.3] dmontrent que pour un capot en silicium haute rsistivit (resp. un capot en verre AF45) une hauteur de cavit suprieure 45 m (resp. 5 m) devient sans consquence sur les pertes. Ainsi, avec un verre Foturan de 1 mm dpaisseur nous avons retenu une hauteur de cavit de 500 m. Ce choix permet de garantir une bonne rigidit du capot tout en restant correct vis-vis de la distribution des champs mais galement facilite le procd technologique en permettant lobtention de la cavit et de la dcoupe des capots en une seule tape de gravure humide (voir section suivante). 145

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Les dimensions de la cavit tant choisies, les paisseurs maximales des murs de scellements sont imposes par la frontire extrieure de la zone de scellement. Aussi, sachant que lpaisseur des murs longitudinaux (parallle la direction de propagation) naffectera pas les pertes, nous avons retenu dans ce cas une paisseur de 500 m mais concernant les murs de scellement transversaux (perpendiculaire la direction de propagation) il faudra raliser un compromis entre les pertes rapportes et les possibilits technologiques pour minimiser lpaisseur et galement garantir un bon scellement. La fabrication et la ralisation de la mise en botier tant confies la socit MEMSCAP, celle-ci prconise de par son savoir faire, une paisseur de 200 m au minimum. La Figure IV-5 prsente la solution gomtrique retenue.

200

500 2210

3170

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Figure IV-5. Implmentation du botier (dimensions en microns)

IV.2.2.2.

Fabrication du capot en Foturan

Le Foturan [IV.4] (Annexe C) est un verre alcalin dont les caractristiques photosensibles sont dues ladjonction de Ce2O3 et de Ag2O, Au2O et Cu2O. Des photons de longueurs donde comprises entre 300 et 320 nm permettent la raction chimique suivante : Ce3+ + Ag+ Ce4+ + Ag La dure dexposition contrle la profondeur de la sensibilisation du verre, on parlera de verre cramis . Une nergie de 2J/cm permet dinsoler le verre sur une profondeur de 1 mm. Pour obtenir des microstructures flans droits, le faisceau dultra violet doit tre parallle, focalis et orthogonal la surface de lchantillon. Cette insolation se droule en deux tapes, la premire concerne la face avant afin dobtenir des cavits de 500 microns et la seconde concerne la face arrire pour raliser la dcoupe des capots. Le verre amorphe ne cristallise qu haute temprature (T > 700C) mais dans le cas du Foturan cramis, cette transformation se produit des tempratures plus basses. En effet, entre 400C et 500C, les atomes dargent commencent sagglomrer puis vers 600C des

146

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cristaux se forment. Ainsi, pendant le traitement thermique, des cristaux de mtasilicate de lithium (Li2SiO3) apparaissent dans les parties insoles du verre. Dans un bain dacide fluorhydrique, ces rgions sont graves beaucoup plus vite que le verre vitreux , la raction chimique permettant la gravure est la suivante: Li2SiO3 + 8 HF 2 LiF+H2SiF6+3 H2O Le rapport des vitesses de gravure entre les zones insoles et les zones vitreuses est denviron vingt dans un bain dacide fluorhydrique tamponn 10%. Lutilisation dultrasons durant la gravure permet de stabiliser ce rapport. Un bain dacide fluorhydrique plus forte concentration nest pas indiqu car des essais montrent que le rapport de slectivit sinverse, le verre non insol se gravant plus rapidement que le verre cramis.
1. Exposition UV

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Face avant : Cavit

Face arrire : Dcoupe


2. Cristallisation

Le Foturan est insol travers un masque de Chrome sur Quartz par un rayonnement UV de 300-320 nm avec une nergie de 2 J/cm. Pour une plaque de 1 mm dpaisseur, la face avant est insole pendant 240" pour raliser la cavit de 500 m, la face arrire est insole pendant 540" pour raliser les chemins de dcoupes traversants.

Foturan cramis

La partie insole du Foturan est cramise par un traitement thermique de 500C puis de 600 C.
Vue face avant
3. Gravure

Vue face avant

La partie cramise du Foturan est grave dans un bain dacide fluorhydrique tamponn (HF 10%) accompagn dultrasons. La vitesse de gravure est de 10m par minute.

Figure IV-6. Rsum du procd technologique

Des capots ayant des gomtries diffrentes, pour les besoins dune autre application, seront raliss de manire collective avec les mmes masques. Afin de ne pas mlanger les diffrents capots lors de la gravure humide, les chemins de dcoupe sont discontinus et une forme trapzodale des angles externes du capot (Figure IV-6 et Figure IV-7) a t adopte par MEMSCAP de manire a permettre une dcoupe rapide par clivage.

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Figure IV-7. (a) Gravure des capots Foturan (b) Capot Foturan dcoup

IV.3.

CONCEPTION DU PACKAGING

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Lors de la section prcdente, nous avons dfini une gomtrie du capot ayant pour seul degr de libert possible, lpaisseur des murs transversaux. En effet, le procd technologique mis au point par MEMSCAP est valid pour des paisseurs suprieures 200 m mais une optimisation reste possible pour essayer de diminuer cette limite. La couche intermdiaire de scellement en BCB sera dpose directement sur le capot en utilisant une machine flip chip quipe dune seringue (dispensing). Le dpt de lanneau de scellement sur le capot et non pas sur les lignes coplanaires, permet en cas de mauvais dpt de limiter les risques la perte dun seul capot et non pas du Mems RF. De plus, dposer du BCB sur un wafer contenant des composants actifs/passifs (Mems) peut savrer dangereux vis--vis des imperfections de dpt (filament de BCB, problmes dalignements, pas darrt pour lcoulement ). Le BCB 3022-63 tant un fluide non newtonien, fortement thixotrope, il est ncessaire de le dposer sur une surface ayant des arrtes saillantes permettant de stopper son coulement (tension de surface leve). Des premiers tests de report vont dans ce sens, en montrant que les artes du capot crent des barrires de migration pour le BCB. De ce fait la surface de scellement du capot est totalement recouverte de BCB (Figure IV-8).

Figure IV-8. Test de scellement

Ainsi, la seule libert de ralisation dimensionnelle au niveau du scellement concerne son paisseur.

148

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IV.3.1. Analyse des performances RF

Afin de dterminer le couple largeur des murs transversaux (appels galement murs RF ) et paisseur de lanneau de scellement, nous allons effectuer une tude de sensibilit sur ces paramtres vis--vis des performances RF. Notons que cette tude sintresse uniquement aux pertes rapportes par le packaging, de ce fait pour simplifier linterprtation des rsultats et rduire les temps de calculs, nous navons pas modlis les micro-commutateurs et galement pas pris en compte les pertes rsistives en utilisant des lignes parfaitement conductrices. En effet, la comparaison des rsultats entre les lignes coplanaires nues et celles encapsules, nous donne directement les pertes rapportes par le packaging.
IV.3.1.1. Dfinitions notations

La Figure IV-9, rsume elle seule la dfinition gomtrique du modle de rfrence ainsi que les notations utilises.
Capot

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BCB 20 m Or 2 m Si 400 m Anneau de BCB 10 m

MODELE DE REFERENCE
Anneau de BCB Epaisseur (note eRing) 10 m Capot Largeur des murs transversaux (note eMur) 200 m

Mur RF de 200 m

Figure IV-9. Description du modle gomtrique de rfrence et notations

IV.3.1.2.

Modlisation RF

Lanalyse des performances RF a t ralise au moyen du logiciel HFSS 8.2. Durant cette tude, nous navons pas utilis des conditions aux limites de type radiatives sur la frontire du domaine mais des conditions de type conducteur parfait (PEC cad bote mtallique). Nous avons fait dlibrment ce choix pour valider notre technique de modlisation par comparaison avec des logiciels bass sur la mthode des moments (ex : SONNET), qui utilisent des conditions aux limites PEC. Nanmoins ce type de conditions aux limites, recommand pour les guides dondes, peut savrer inadapt si des modes de transmissions parasites apparaissent. En effet, le mode de propagation Transverse Electrique Magntique (TEM), attendu pour un guide coplanaire, peut subir un couplage avec les conditions aux limites PEC suivant la frquence et les dimensions de la frontire du domaine pour donner naissance des modes parasite de propagation (TE, TM). En utilisant la symtrie du modle, nous pouvons diminuer les temps de calculs mais galement esprer rejeter les modes parasites suffisamment loin de la gamme de frquence 618 GHz. En effet, daprs lexpression des frquences de rsonances (Figure IV-10), une diminution des dimensions de la frontire du domaine entrane une augmentation des frquences de rsonances pour les modes parasites (TE101 TM110 et TE111).

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m 2 n 2 p 2 2 f mnp = v + + 2b 2c 2a 3 Avec (m,n,p)N a,b,c les dimensions de la frontire du domaine c v= r c la vitesse des ondes lectromagntique dans le vide r la permittivit relative du dilectrique

Figure IV-10. Expression des frquences de rsonances pour les modes parasites

Dans notre application, la simulation de la moiti du modle permet de rejeter le premier mode parasite (TE101) 30 GHz. La Figure IV-11 prsente le calcul analytique de la frquence de rsonance du mode TE101, qui est en accord avec la simulation correspondante.
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a (um) 2730 TE 101 b (um) 1500 c (um) 4670
0 -15 -20 -25 -30 5 10

Paramtres S
15 20 25 30 35 0,00 -0,02 -0,04 -0,06

29,74GHz

S11 (dB)

-35 -0,10 -40 -0,12 -45 -50

b c

-0,14 -0,16 -0,18 35

-55 0 5 10 15 20 25 30

Frquence (GHz)

a Figure IV-11. Calcul du premier mode parasite et simulation HFSS

Nanmoins afin de raliser une modlisation robuste , qui permette de saffranchir des modes parasites sans se soucier de la taille de la frontire du domaine, nous avons tudi quatre modlisations qui sont prsentes dans le Tableau IV.2 : Le modle 1 (resp. 3) na pas les plans de masse en contact avec la bote mtallique (frontire extrieure), ainsi apparaissent 3 modes (resp. 2 modes). Ces deux modles ont t carts car les modes viennent perturber linterprtation des rsultats de simulations. Les modles 2 et 4 ont des rsultats identiques, cependant le modle 2 est trs coteux en temps de calculs. Nous avons alors retenu le modle 4 pour lensemble des simulations.

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S12 (dB)

-0,08

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Modle 1

Modle 2

Modle 3

Modle 4

Temps CPU Gain de temps / rf

Modle complet (3 modes) T1= {00:40:25 01:09:13}

Modle complet approch (1 mode) T2= {00:31:44 00:53:10}

Modle symtrique (2 modes) T3= {00:07:47 00:11:06}

Modle symtrique approch (1mode) T4= {00:03:39 00:06:22}

Tableau IV.2. Etude prliminaire: modlisation HFSS

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IV.3.1.3.

tude des interactions : plan dexprience

Avant deffectuer une analyse de sensibilit sur la variabilit des pertes en fonctions de diffrentes paisseurs pour lanneau de scellement ainsi que pour les murs RF, nous avons au pralable regard si ces paramtres avaient des effets indpendants. Une mthode simple pour vrifier si leffet dun paramtre est influenc par le choix du niveau du second paramtre, repose sur une analyse par plan dexprience. Aussi, nous avons utilis un plan dexprience factoriel complet avec quatre facteurs et deux niveaux, pour lesquels nous avons relev les pertes dinsertions en bande X du projet PAMIR, savoir 10 GHz (Tableau IV.1). Les facteurs et leurs niveaux sont donns dans le Tableau IV.3.
Niveaux niveau bas (-1) niveau haut (1) A : Nature du capot PYREX 7740 Foturan B: Hauteur de la cavit 50 m 500 m C: Largeur des murs RF 100 m 300 m D: Epaisseur de scellement 5 m 20 m

Tableau IV.3. Affectation des niveaux pour le plan 4 facteurs

Deux facteurs supplmentaires, nature du capot et hauteur de la cavit, ont t volontairement rajouts. En effet, nous souhaitons confirmer quune faible hauteur de cavit est sans consquence sur les pertes et de ce fait que la cavit pourrait tre obtenue uniquement grce lpaisseur de lanneau de BCB. Dans ce cas, nous pourrions nous affranchir du microusinage de volume du Foturan ou bien utiliser par exemple du Pyrex, ce qui pourrait largir les possibilits de la solution initiale de mise en botier. Pour la campagne des simulations, nous avons choisi un plan factoriel orthogonal complet, donc de 24=16 essais de simulations. Lorthogonalit permet destimer les effets moyens des facteurs sans risque de perturbation par dautres facteurs. Le Tableau IV.4 donne la table des rponses pour les quatre facteurs affects de leurs deux niveaux. Nous pouvons remarquer que lordre des essais na pas dinfluence car il sagit de simulations numriques dont les rsultats sont uniques (au maillage prs) contrairement des essais par exemple de fabrication. 151

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Nd'ordre normal des essais 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16

A : Nature du capot niveau bas (-1) niveau haut (1) PYREX 7740 Foturan -1 -1 -1 -1 -1 -1 -1 -1 1 1 1 1 1 1 1 1

B : Hauteur de la cavit niveau bas (-1) niveau haut (1) 50 m 500 m -1 -1 -1 -1 1 1 1 1 -1 -1 -1 -1 1 1 1 1

C : Largeurs des murs RF niveau bas (-1) niveau haut (1) 100 m 300 m -1 -1 1 1 -1 -1 1 1 -1 -1 1 1 -1 -1 1 1

D : Epaisseur de scellement niveau bas (-1) niveau haut (1) 5 m 20 m -1 1 -1 1 -1 1 -1 1 -1 1 -1 1 -1 1 -1 1

Rponses S12 (dB) @ 10 GHz -0,1065 -0,1 -0,14 -0,125 -0,095 -0,09 -0,12625 -0,12175 -0,1025 -0,096 -0,136 -0,121 -0,091 -0,086 -0,12225 -0,11775

Tableau IV.4. Matrice orthogonale du plan factoriel complet, 4 facteurs et deux niveaux, complte des rponses simules en terme de pertes d'insertion S12 @ 10 GHz (dB)

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Les rsultats de ces simulations sont analyss suivant le trac normal des effets estims dcrit dans la Figure IV-12. Ce trac, semblable la droite dHenry, permet de savoir si un paramtre a des effets rel sur la rponse ou pas. Si la distribution des effets suit une loi gaussienne alors cela signifie quil ny a pas deffet rel, cest le cas de tous les effets hormis pour C (largeur des murs RF). En effet, daprs la Figure IV-12 les effets dinteraction double et triple (ex : AC et ABD) sont quasiment sur la gaussienne (droite bleue Figure IV-12), les effets simples sont lgrement loigns de la gaussienne pour A, D et B. Ainsi, seul le paramtre C (largeur des murs RF) aura un effet rel sur la rponse, savoir les pertes dinsertions.
Trac normal des effets estims
Rponse S12 @ 10 GHz
99 B D A CD A BD AC AD AB A BC D A BC ACD BC BC D BD C Ty pe d'effet Ngligeable Rel
F acteur A B C D N om C apot H cav it eM ur eRing

95 90 80

Pi en %

70 60 50 40 30 20 10 5

-0,03

-0,02

-0,01 Effets estims Ei

0,00

0,01

Figure IV-12. Trac normal des effets estims - chelle gausso-arithmtique

152

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La Figure IV-13 permet didentifier les interactions doubles. Si leffet dun facteur est conditionn par le choix du niveau dun second facteur alors ces deux facteurs auront des effets dpendants, on parlera dinteraction positive ou ngative (augmentation ou diminution de la rponse). A linverse, si le changement de niveau dun paramtre nest pas influenc par le choix du niveau dun second paramtre, alors les effets seront additifs, on dira quil ny a pas dinteraction. Nous constatons que les tracs des effets dinteractions sont tous additifs (parallles) sauf pour leffet BD. En effet, nous pouvons remarquer que B2 stabilise D. En dautres termes B pris au niveau haut, cad une hauteur de cavit de 500 m, permet de minimiser la variation de la rponse donc des pertes suivant un changement de niveau de D, donc pour une paisseur de 5 ou 20 m de scellement. Ce rsultat semble logique car pour une cavit importante, la variation de hauteur au niveau du scellement ne va pas profondment modifier la permittivit effective et donc les pertes.
Reprsentation des effets d'intractions
m
50 500 100

m
300 5

m
20 -0,090

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-0,105

Capot

-0,120 -0,090 -0,105

Intraction moyenne sur S12 @ 10 GHz (dB)

C apot Py rex 7740 Foturan

Hcavit

Hcav it 50 500

-0,120 -0,090

C (largeur des murs RF) un effet principal

-0,105

eMur

eMur 100 300

-0,120

B2 stabilise D
eRing

Figure IV-13. Effets d'interactions - influence sur la variabilit des pertes @ 10GHz

En conclusion, nous pouvons dire que la variabilit des pertes est trs faible (de lordre de 0.045 dB), que les effets dinteraction sont nuls pour tous les paramtres. Linteraction dcrite prcdemment entre la hauteur de la cavit et lpaisseur du scellement est trs peu significative compte tenue des faibles pertes ramenes. Nous voyons galement que les rponses sont peu sensibles la nature du capot, lpaisseur du scellement ainsi qu la hauteur de la cavit. Seule la largeur des murs RF a un effet rel. Ainsi, nous pouvons poursuivre lanalyse des effets de C et D (largeur des murs RF et paisseur de lanneau de scellement) en utilisant une tude de sensibilit.
IV.3.1.4. tudes de sensibilits

Nous avons ralis, au moyen du logiciel HFSS, deux tudes de sensibilits sur les pertes RF gnres par le packaging suivant la largeur des murs RF et lpaisseur de lanneau de scellement en BCB. Les dimensions utilises pour ces tudes sont reportes dans le Tableau IV.5. 153

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Comme nous lavons dj indiqu, la modlisation adopte pour raliser les simulations ne tient compte des pertes rsistives de faon diminuer la taille du maillage (pas de prise en compte deffet de peau) et de ce fait permet de rduire les temps de calculs. De plus, pour faciliter linterprtation des rsultats, nous ne modliserons pas les micro-commutateurs. Lensemble des rsultats sera prsent avec la simulation des lignes coplanaire seule (not CPW seul) afin de montrer par comparaison les pertes engendres par le packaging.

Etudes de sensibilits Etude 1 Etude 2 Influence de la largeur des murs Influence de lpaisseur de lanneau de transversaux (note eMur) en m scellement (note eRing) en m 20 50 100 200 300 400 5 10 15 20

Tableau IV.5. Paramtres utiliss pour les tudes de sensibilit

IV.3.1.4.1. Influence de la largeur des murs transversaux du capot tel-00129546, version 1 - 8 Feb 2007

Cette tude sintresse la variabilit des pertes suivant le seul changement de la largeur des murs transversaux du capot. Les dimensions du modle simul correspondent celles du modle de rfrence (Figure IV-9) pour lequel nous avons fait varier la largeur des murs transversaux (Tableau IV.5) et donc par consquence la largeur de lanneau de scellement. La structure tudie possde une bonne isolation (Figure IV-14) pour une paisseur du mur infrieure 300 m. (S11< -30 dB @ 0-10 GHz et S11<-15 dB @ 10-20 GHz). On constate galement, que les pertes dinsertions sont voisines pour des paisseurs des murs transversaux infrieures 200 m.
Frquence (GHz)
2 -10 -15 -20 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 3 0 32 3 4 36 38 40

eMur 20 eMur 50 eMur 100 eMur 200 eMur 300 eMur 400 CPW seul

S11 (dB)

-25 -30 -35 -40 -45 -50 -55 -60

Figure IV-14. Pertes par rflexions pour diffrentes largeurs des murs transversaux

154

Packaging

Frquence (GHz)
2 -0,05 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40

eMur 20
-0,1

eMur 50 eMur 100 eMur 200 eMur 300 eMur 400 CPW seul

S21 (dB)

-0,15

-0,2

-0,25

-0,3

Figure IV-15. Pertes d'insertions pour diffrentes largeurs des murs transversaux

tel-00129546, version 1 - 8 Feb 2007

De plus, daprs la Figure IV-16, les pertes additionnelles engendres par le capot sont faibles (0.04 dB @ 10 GHz et 0.06 dB @ 20 GHz avec eMur=200m.

Frquence (GHz)
2 0 -0,02 -0,04 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32

S21 (dB)

-0,06 -0,08 -0,1 -0,12 -0,14 -0,16 -0,18 -0,2

Ligne encapsule Ligne nue Capot + scellement

Figure IV-16. Rpartition des pertes entre le packaging et la ligne coplanaire pour eMur=200 m

IV.3.1.4.2. Influence de lpaisseur de lanneau de scellement

Cette tude sintresse linfluence de lpaisseur de lanneau de scellement en BCB sur les pertes engendres par le packaging. Les dimensions du modle simul correspondent celles du modle de rfrence (Figure IV-9) pour lequel nous avons fait uniquement varier lpaisseur de scellement (Tableau IV.5). Les rsultats de cette tude (Figure IV-17 et Figure IV-18) ne dmontrent pas dinfluence significative de lpaisseur du scellement sur les pertes. Aussi, lensemble des paisseurs modlises donnent une bonne isolation (<-20dB @ 0-20GHz).

155

Packaging

Frquence (GHz)
2 -18 -23 -28 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40

S11 (dB)

-33 -38 -43 -48 -53 -58

eRing BCB 5 eRing BCB 10 eRing BCB 15 eRing BCB 20 CPW seul

Figure IV-17. Pertes par rflexions pour diffrentes paisseurs de lanneau de scellement

Frquence (GHz)

tel-00129546, version 1 - 8 Feb 2007

2 -0,04 -0,06

10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40

S21 (dB)

-0,08 -0,1 -0,12 -0,14 -0,16 -0,18 -0,2

eRing BCB 5 eRing BCB 10 eRing BCB 15 eRing BCB 20 CPW seul

Figure IV-18. Pertes d'insertions pour diffrentes paisseurs de lanneau de scellement

IV.3.1.5.

Conclusions sur ltude de sensibilit

Les simulations ont permis de dgager deux points : 1. Les performances lectriques de la structure sont peu sensibles aux diffrentes paisseurs de ring testes. 2. On constate une bonne isolation et des pertes dinsertions voisines pour des paisseurs de mur du capot infrieures 200 m. Aussi, cette tude prliminaire, complte des recommandations technologiques vues dans la section IV.2, permet de dfinir un packaging lmentaire ayant les spcifications dimensionnelles du modle de rfrence (Figure IV-9) sauf pour lpaisseur de lanneau scellement. En effet, celle-ci pourra tre indiffremment comprise entre 5 et 20 m et de ce fait renforant la simplicit technologique de cette solution.
IV.3.2. Minimisation des pertes par dsadaptation

Les simulations prcdentes montrent que les pertes rapportes par le packaging sont ngligeables. Cependant, pour minimiser lensemble des pertes, nous avons cherch rduire les pertes introduites par la dsadaptation dimpdance. Un changement de permittivit

156

Packaging

effective ou une variation brutale des dimensions des lignes coplanaires est lorigine de dsadaptation dimpdance. Dans notre application, les dsadaptations dimpdances (Figure IV-19) sont localises au niveau : des murs de scellement transversaux du changement de largeur des fentes
Variation de la largeur des fentes
Conducteur central Masse Anneau BCB
Lfeed T wfeed sfeed

s w

Changement de permittivit effective (eff)

s
Masse
eMur

Adaptation dimpdance au niveau de la ligne traversante (feedthrough)

tel-00129546, version 1 - 8 Feb 2007

Figure IV-19. Dsadaptation d'impdance Notations - Optimisations

La Figure IV-19 prsente une solution pour diminuer les pertes par dsadaptation, un dimensionnement des paramtres (wfeed, sfeed, Lfeed et T) est discut dans [IV.5][IV.6] pour aboutir aux recommandations suivantes : wfeed choisi de sorte que limpdance soit gale limpdance caractristique (Zo=50) Lfeed=eMur=T Cette technique utilise une largeur de ligne (w+2s=440m) constante et ncessite de dterminer limpdance caractristique au niveau du scellement. Afin de limiter le nombre de simulations permettant de dterminer le couple solution (wfeed, sfeed) aboutissant limpdance Zo, nous avons choisi dutiliser une mthode analytiquenumrique qui repose sur le transforme conforme des lignes coplanaires en condensateur plan. Cette mthode hybride permet dobtenir avec seulement trois simulations, les impdances caractristiques de la ligne coplanaire en fonction des largeurs de fentes, de la largeur du conducteur central et pour des paisseurs de matriaux donnes. La prsentation de cette mthode est donne dans la section suivante.
IV.3.2.1. Transforme conforme modifie

La conception des lignes coplanaires ncessite de dterminer les paramtres gomtriques permettant de raliser une impdance dsire. Une mthode analytique base sur la transforme conforme de la structure coplanaire dans lespace en un condensateur plan dans lespace des complexes, permet de dterminer limpdance caractristique [IV.7]. Nous rappelons dans un premier temps la thorie de ce modle de rfrence avec ses hypothses puis dans un second temps nous dcrivons notre modle hybride analytique-numrique avant de lappliquer pour minimiser les pertes engendres par la variation dimpdance au niveau de la transition ligne-capot (feedthrough).

157

Packaging

IV.3.2.1.1. Description de la mthode Topologie de rfrence :

Nous nous plaons dans le cas gnral avec une structure de type multicouches, dcrite dans la Figure IV-20, en adoptant les notations et dfinitions suivantes : Lindice U (resp. L) correspond Upper (resp. Lower) e iU, L Epaisseur de la couche i Permittivit relative de la couche i iU, L Largeur du ruban Largeur de la fente Largeur dun demi-plan de masse s m

Les autres paramtres utiliss sont :


tel-00129546, version 1 - 8 Feb 2007

a=

+ 2s b= 2 2
Y

c = b + m

U 1

U e1

p-1 Upper Lower p n n-1

U p 1 U p L n

U e p -1 U ep

wm

s w

wm

eOr eL n e L-1 n

L1 n

1 0 a b

L 1

L e1

Figure IV-20. Topologie d'une ligne coplanaire muticouches

Hypothses :

H1 : Les conducteurs sont parfaits et dpaisseurs ngligeables ( et e Or 0 )


H2 : Approximation quasi TEM ( + 2s <<
g 2

H3 : Plan de masse infini et dilectriques faibles pertes ( c >> b et tan << 1 ) H4 : La permittivit dilectrique dcrot suivant que lon sloigne de la ligne CPW ie : U, L i, j / i > j U , L U , L i j

158

Packaging

Remarques : 1. Si H4 est non vrifie alors : La mthode reste approche si lpaisseur h du dilectrique fautif est nulle ou infini La mthode nest pas utilisable pour h < s Il faut adapter la mthode 2. Distribution des charges - densit de courant : Lorsque H4 nest pas vrifie, ex : 1 2 la densit de courant suniformise sur la section du conducteur Lorsque H4 est vrifie, ex : 1 2 la densit de courant suniformise sur la section du conducteur si h 2 0 ou h 2 s Pour h 2 alors apparat des concentrations de densit de courant sur les 10 bords du conducteur
IV.3.2.1.2. Capacit totale - capacits partielles tel-00129546, version 1 - 8 Feb 2007

Le calcul de la capacit totale, bas sur le principe de superposition, seffectue en sommant les capacits partielles des structures monocouches issues du dcoupage de la structure multicouche relle. Ces structures monocouches possdent des constantes dilectriques modifies (Figure IV-21) afin de respecter par quivalence la structure relle. La capacit partielle pour chaque structure monocouche est calcule par la technique de la transforme conforme [IV.8][IV.9][IV.10].

U 1

U 1 0

p-1 p n n-1

U p 1

U U 2 1

U p

L n

L n 1

+ +

+ +
L L 1 2

+ +

U U p p -1

L L-1 n n

L 1

0
L 1

Figure IV-21. Dcoupage quivalent en structures monocouches

La capacit linique de chaque structure CPW monocouche de la Figure IV-21, peut scrire :
K(k L' ) i , (i, j) [1, n ] [1, p ] U U U K(k i ) C j = 2 0 i K(k U' ) i C = 2 0
L i L i

K(k L ) i

avec i ,

U = U U-1 i i i L = L L-1 i i i

Eq. 1

Dans le cas dune structure CPW suspendue dans le vide, la capacit linique scrit :

159

Packaging

C 0 = 2 2 0

K(k 0 ) K(k '0 )

Eq. 2

K() dfini une intgrale elliptique complte de premire espce : K : a K ( ) =


2 0

1 1 - ( sinx )
2

dx

Les arguments k 0 , k '0 , k i , k i' (indice U et L indiffremment) sont dfinis comme suit :
k0 = a sh 2e ki = i b sh 2e i a c2 b2 b c2 a2 c 2 b sh 2 2 e sh 2 e i i c 2 a sh 2 2 e sh 2 e i i
' k0 = 1 k02

ki' = 1 ki2

tel-00129546, version 1 - 8 Feb 2007

Le facteur 2 dans lquation (Eq. 2) tient compte du vide situ au dessus et au dessous des lignes. La capacit linique totale se calcule en sommant lensemble des capacits partielles :

C = C 0 + C iL + C U =C 0 . eff j
i =1 j=1

Eq. 3

eff est la permittivit effective de la structure. Des quations 1, 2 et 3 nous pouvons dfinir
L U une permittivit effective infrieure note Lower eff (resp. suprieure, note Upper eff en changeant dindice) comme suivant :

CL = 2 0

L K (k0 ) K (k n ) K (k0 ) K (k1L ) L L + 2 0 1L 0 + K + 2 0 n n1 = 20 1 + iL . qiL L' L' ' ' 14243 K (k0 ) K (k1 ) K (k n ) K (k0 ) L

eff

avec q iL = Ainsi,

K(k ) K(k )
L' i

L i

K(k 0 ) K(k '0 )

, i [1, n ]
U L + eff 1 L L i . q i + U . q U = eff j j 2 2

eff = 1 +

Eq. 4

Pour le calcul de limpdance caractristique, nous avons :


Z = 0 K(k ' ) 0 , avec = 120 0 4 K(k ) 0 eff 0

Applications - restrictions

La mthode de la transforme conforme permet de dterminer limpdance caractristique de la ligne. Lavantage de cette mthode rside sur la nature analytique de lexpression de limpdance, ainsi le gain de temps de calculs est incontestable devant les modles

160

Packaging

numriques. Nanmoins cette technique reste trs restrictive et souvent inadapte pour les structures courantes. En effet, si gnralement les hypothses H1, H2, H3 sont vrifies, lhypothse H4 est difficilement vrifie en technologie substrat silicium (rSilicium=11.9). Aussi, nous vous prsentons dans la section suivante une mthode hybride analytiquenumrique, base sur la transforme conforme modifie, permettant dtudier des structures ne satisfaisant pas lhypothse H4.
IV.3.2.1.3. Mthode hybride : analytique-numrique

La technique propose sappuie sur le modle de la transforme conforme modifie par lajout de paramtres issus de simulations numriques. Dans un souci de clart, nous prsentons ltude dun cas particulier bi-couche BCB/Silicium sans dilectrique sur la partie suprieure, ltude dans le cas gnral se dduisant trs simplement de cette prsentation.
Y

tel-00129546, version 1 - 8 Feb 2007

wm Lower 2 1 BCB

s w

wm

eOr L 2
L 1

eL 2
L e1

Silicium 0 a b

Figure IV-22. CPW BCB-Silicium

La permittivit effective infrieure (L) sera modifie comme suivant [IV.11] :


L = 1 + L . q L i i eff i
Eq. 5

1 et i = +aL 2 L + eL a 0 i

aL

L L avec a 0 , a 1 , a L , trois constantes dterminer 2

Afin de rsoudre lquation hyperstatique (Eq. 5) 3 inconnues et daprs les travaux de [IV.11], nous allons dterminer trois permittivits effectives correspondant trois paisseurs de BCB [h1=0.01 (a+b), h2=0.1 (a+b), h3=(a+b)] laide de simulations numriques ralises sous HFSS et SONNET. On notera ces trois permittivits effectives totales de la faon suivante :

( ) Simu = Simu (e = h ) eff 2 eff 2 2 Simu = Simu (e = h ) eff 3 eff 2 3


Simu = Simu e = h eff 1 eff 2 1

161

Packaging

De lquation (Eq. 4), on peut dduire les trois permittivits effectives partielles U correspondantes, sachant que dans notre cas eff = 0 = 1
L eff i = 2 Simu 1 eff

Remarque
lim q i = 1 , or e1 = 400 m >> 1 ainsi q i 1
ei

Daprs cette remarque et la relation (Eq. 5) on obtient :


L eff = 1 + iL . q iL

( )

L 1 + L 1 . q L 2 2

)( )

L + 1 0

Eq. 6

Posons : f : x a

a1L L + a2 et notons i { ,2,3} f i = f (h i ) 1 L a0 + x De lquation (Eq. 6), on obtient :


L L 1 + 1 0 ln eff i L L 2 1 fi = ln[q 2 ]

tel-00129546, version 1 - 8 Feb 2007

Posons A =

(f1 f 2 )(h 3 h 1 ) , alors : (f1 f 3 )(h 2 h 1 )


L a0 =

L L L a1 = h1 + a 0 h 2 + a 0 L a1 L h1 + a 0

Ah 2 h 3 1 A

)(

) ((hf

f2 ) 2 h1 )

a L = f1 2

L L Nous venons de dterminer les constantes a 0 , a 1 et a L qui seront utilises dans lquation 2 L (q. 7) afin de dterminer eff correspondant des gomtrie quelconques (a, b, c, e iL ...). U Dune manire analogue, nous pouvons dterminer eff dans le cas de la structure complte

(Figure IV-20). Ainsi, le calcul de la permittivit effective eff suivi de limpdance caractristique est immdiat.
IV.3.2.1.4. Validation de la technique

Afin de valider la mthode de calcul, nous prsentons dans le Tableau IV.6 les permittivits effectives dduites des mesures [IV.12] puis des calculs en utilisant la transforme conforme, la mthode hybride et pour finir par des simulations numriques faites sous SONNET et HFSS. Nous constatons que la technique de calcul dite hybride (analytique-numrique) est en accord avec les rsultats de caractrisation et des simulations numriques.

162

Packaging

eBCB

20 m 2.9 6.77 2.88 2.79 2.85

30 m 2.42 6.87 2.41 2.48 2.55

eff mesure

eff transf. conforme


eff hybride SONNET eff
HFSS eff

Tableau IV.6. Permittivits effectives mesures, calcules et simules (w,s)=(30, 80 ) m, BCB=2.65, eSi=400m et Si=11.9

Ainsi nous pouvons tracer des courbes diso-permittivit et diso-impdance en fonction de (w,s) pour des couches ayant des paisseurs et des permittivits fixes (Figure IV-23 et Figure IV-24).
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Figure IV-23. Courbes d'iso-permittivit en fonction de (w,s) avec eBCB=20 m, BCB=2.65, eSi=400m et Si=11.9

163

Packaging

tel-00129546, version 1 - 8 Feb 2007

Figure IV-24. Courbes d'iso-impdance en fonction de (w,s) avec eBCB=20 m, BCB=2.65, eSi=400m et Si=11.9

Ainsi, nous avons tendu la mthode dvelopp par Zhu, Pun et Li [IV.11] pour analyser des structures multicouches dans le cas gnral, et ce en adoptant une modlisation hybride (technique de la transforme conforme modifie avec trois paramtres obtenus par simulations numriques). Cette mthode dapproximation, permet la dtermination prcise et rapide de la permittivit effective de la structure ainsi que son impdance caractristique.

IV.3.2.2.

Adaptation dimpdance : rsultats

La facilit de programmation de cette technique et sa rapidit, en fait un outil idal pour raliser des adaptations dimpdances. Aussi, nous pouvons raliser rapidement des courbes diso-impdances pour diffrentes paisseurs : de lanneau de scellement en BCB, de la couche disolation galement en BCB, du silicium et du capot en Foturan. La Figure IV-25 prsente les rsultats obtenus pour les dimensions du modle de rfrence (Figure IV-9). En traant la droite w+2s= 440 m (largeur de ligne constante), nous obtenons le couple solution (wfeed, sfeed)=(190 m, 125 m) qui donne une impdance de 50 Ohm.

164

Packaging

w+2s=440 m 190 m

tel-00129546, version 1 - 8 Feb 2007

125 m Figure IV-25. Courbes d'iso-impdances pour l'adaptation d'impdance de la transition lignes-capot

Nous pouvons remarquer quune simulation sous HFSS de limpdance caractristique, pour ces mmes dimensions (190,125), donne une impdance voisine de 51 (Figure IV-26) en accord avec la technique hybride.

51,15 51,10

Zo Port 1 Zo Port 2

Impdance caractristique ()

51,05 51,00 50,95 50,90 50,85 50,80 50,75 50,70 50,65 5 10 15 20 25 30

Frquence (GHz)

Figure IV-26. Vrification de l'impdance caractristique par simulation sous HFSS

A ce stade nous pouvons valuer la qualit de ladaptation dimpdance en comparant les pertes de notre modle ayant une transition ligne capot adapte avec celui sans adaptation. La Figure IV-27 prsente les deux modles ainsi que les dimensions retenues. Nous pouvons remarquer que les modles ne tiennent pas compte de llargissement des fentes de la structure relle (Figure IV-1) afin de focaliser linterprtation des rsultats uniquement sur la transition ligne-capot.

165

Packaging

200

200 200

125 190

100 240100

100 240100

tel-00129546, version 1 - 8 Feb 2007

Figure IV-27. Description des modles - (a) non adapt et (b) adapt par la mthode hybride

Le rsultat des simulations, prsent dans la Figure IV-28, nous indique un trs faible gain sur la minimisation des pertes avec une transition ligne capot optimise. En effet, ce gain est de lordre de 0.02 dB @ 20 GHz !
0 -0,05 5 10 15 20 25 30 35

-0,1

-0,15

-0,2

S21 Adapte S21 Non adapte

-0,25

-0,3 Frequence (GHz) Frquence (GHz)

Figure IV-28. Comparaison des pertes dans le cas d'une transition ligne-capot adapte et non adapte

Par ailleurs, nous pouvons remarquer que les pertes dinsertions pour un quadriple parfait, sans pertes par dsadaptation peuvent se dfinir de la faon suivante :
S21 adapt = 1 S11
*T
2

En effet, un quadriple parfait vrifie : [S] [S ] = [1] cad S11 + S21 = 1 Ainsi les pertes par dsadaptation se dduise simplement par :
2 2

Pertes par dsadaptations= 20 log

S21 global S21 adapt

166

Packaging

En utilisant cette formule, on trouve une perte par dsadaptation de 0.029dB @20GHz, ce qui confirme le rsultat prcdent.

IV.3.2.3.

Conclusions

Cette technique de calcul base sur la transforme conforme modifie napporte pas un gain significatif pour minimiser les pertes par dsadaptation au niveau de la transition ligne-capot (feedthrough). En effet, celles-ci tant trs ngligeables, de lordre de 0.015 dB par feedthrough non adapt. Nanmoins, nous avons pu valider cette mthode originale, qui laisse entrevoir des applications plus prometteuses pour minimiser les pertes par dsadaptation. Par exemple, pour optimiser les transitions des lignes coplanaires sur substrat massif vers une membrane, frquemment rencontres dans le domaine des Mems RF (micro-usinage de volume en face arrire).

IV.4.

CRITERES MECANIQUES

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Dans les sections IV.2 et IV.3, nous avons mis en avant une solution de packaging lmentaire. Cependant, cette solution repose uniquement sur des contraintes technologiques (respect des accs et des micro-commutateurs, savoir faire) et sur une analyse des performances RF. Dans le souci de respecter les spcifications du cahier des charges, nous devons nous intresser, notamment pour des questions de fiabilit, la rsistance mcanique de lassemblage ainsi qu la qualit de lhermticit, cest lobjet de cette section. Dans le chapitre III, nous avons prsent une simulation de la phase de report du capot, en valuant lordre de grandeur de la pression appliquer pour garantir un scellement uniforme au niveau des fentes des lignes coplanaires (comblement des gaps). Malgr des hypothses sur les proprits mcanique du BCB non rticul, nous avons valu cette compression 12 bars, qui est une valeur en accord avec les valeurs couramment rencontres dans la littrature (1 16 bars)[IV.13][IV.14][IV.15][IV.16]. Cette simulation met galement en avant, le problme du choix des proprits des matriaux utiliser. En effet, le manque de caractrisations des proprits des matriaux pour les Mems fait que lon ne puisse que donner des tendances ou des ordres de grandeur ds lors que la physique tudie sort des sentiers battus , par exemple dans les domaines de la viscolasticit, de la plasticit ou de la rupture. Lobjectif de cette section sera de donner des recommandations pour amliorer la tenue mcanique et lhermticit du packaging. Celles-ci sappuyant sur des modles analytiques et galement sur des rsultats issus de la littrature.

167

Packaging

IV.4.1.1.

Rsistance mcanique : contrainte de rupture

Les proprits mcaniques du BCB [IV.18] nous indiquent que sa rupture en traction se produit au-dessus dune contrainte seuil de 87 MPa avec un allongement relatif de 8%. Daprs les essais mcaniques raliss dans les travaux [IV.13], nous voyons que la rupture samorce pour une contrainte plus faible, de lordre de 18 MPa. Cependant, ces essais reposent sur la rupture interfaciale du scellement et de ce fait nous ne pouvons pas distinguer la part de la rupture cohsive de celle concernant la rupture adhsive. Nanmoins, en supposant un mode de rupture cohsif et en utilisant des rsultats sur les travaux de caractrisation des assemblages par collage de [IV.17] (Figure IV-31), nous pouvons valuer lordre de grandeur de la contrainte de rupture. Diffrentes approches peuvent tre utilises pour dcrire la propagation quasi statique dune fissure. Dans le cas des ruptures interfaciales, les modles de Griffitz et de Barenblatt sont principalement utiliss pour apprhender les effets cohsifs. Ces effets sont reprsents par des liens interfaciaux, modliss par des ressorts (Figure IV-29) qui se brisent une certaine contrainte critique (Annexe F-G). Pour quil y ait propagation de la fissure, il faut que lnergie libre par unit de surface (note G en J/m2 ) franchisse un seuil critique G c au-del duquel une extension de la fissure libre plus dnergie quelle nen absorbe, la fissure est alors instable.
Propagation si G>Gc

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Figure IV-29. Modlisation dune interface cohsive avec des ressorts interfaciaux

168

Packaging

Le critre de propagation de la fissure, dans le modle de Griffitz, peut galement scrire en utilisant un seuil de contrainte c :
*

>

E Gc = c a

E * = E en contrainte plane avec E * = E en dformation plane 1 2

c est la valeur critique de la contrainte au-del de laquelle la propagation des fissures se fait de faon catastrophique. E* dsigne le module de Young quivalent (constante de Mandel), E le module de Young du BCB, le coefficient de poisson du BCB et a la longueur de la fissure. Le terme EG c , not galement Kc, correspond au facteur dintensit critique de contrainte, aussi appel tnacit du matriau. Afin dvaluer la contrainte critique de rupture, nous devons connatre la taille moyenne des dfauts localiss linterface BCB-Substrat mais galement Gc, lnergie surfacique critique ncessaire la propagation dune fissure. En fracture interfaciale, le chemin de la fissure est guid par linterface car celle-ci possde de forte inhomognit. Dans notre cas, nous ne considrons pas des fissures quittant ou traversant linterface. Nous valuons une longueur de fissure moyenne interfaciale, entre le BCB polymris et un substrat Silicium, 2 m. Cette longueur est dduite dune inspection au MEB ralis dans les travaux de [IV.14] (Figure IV-19).
Silicium

tel-00129546, version 1 - 8 Feb 2007

Silicium BCB

Silicium

Dfauts ~ 2m

BCB

Figure IV-30. Estimation de la taille des fissures au niveau de l'interface BCB-Silicium

Gc est dans ce cas une caractristique du matriau composite (Si-BCB-Si), qui doit tre dtermin exprimentalement. Ne pouvant pas raliser ce type de caractrisation, nous avons approch Gc avec celui correspondant au matriau composite Verre-Epoxy-Verre tudi et caractris dans [IV.17]. Le graphe de la Figure IV-31 reprsente les valeurs de Gc en fonction du paramtre , dfini comme la phase dans le plan (KI, KII) des modes de rupture I et II (pelage et glissement de translation ou cisaillement).

169

Packaging

Figure IV-31. Courbe exprimentale de Gc pour un matriau bi-couche verre/epoxy [IV.17]

Ainsi, des valeurs de Gc et pour une longueur de fissure moyenne de 2 m, il est possible de tracer la contrainte critique de rupture en fonction du paramtre de mixit modale pour le cas dune propagation de fissure dans un tat de contrainte plane ou de dformation plane (Figure IV-32).
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-90 -80 -70 -60 -50 -40 -30 -20 -10 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 220

220 200 180 160 140 120 100 80 60 40

Contrainte critique c de rupture (MPa)

c en contrainte plane c en dformation plane

200 180 160 140 120 100 80 60

40 -90 -80 -70 -60 -50 -40 -30 -20 -10 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90

Paramtre de mixit modale (deg)


Figure IV-32. Contrainte critique de rupture du scellement Si-BCB-Si en fonction du paramtre de mixit modale dfini comme la phase dans le plan (KI, KII) relatif aux modes de pelage et de cisaillement

Au vu des dimensions de lanneau de scellement (lanc), nous sommes dans un tat de dformation plane. En effet les dplacements suivant la dimension la plus grande peuvent tre ngligs.

170

Packaging

Pour notre application, la contrainte critique de rupture est de lordre de 44 MPa pour une sollicitation en pelage ( =0) et de lordre de 90 MPa (resp. 215 MPa) pour une sollicitation en cisaillement de type =90 (resp. =-90).

IV.4.1.2.

Hermticit : Taux de fuite avant rupture

Une autre information importante concerne le mode de rupture. Il peut tre immdiat, dans ce cas on parlera de mode fragile ou au contraire tre lente (dchirement) et dans ce cas on parlera de mode ductile. Le mode de rupture nest pas influenc par la nature du matriau (ductile ou fragile) mais par une taille limite de longueur de fissure (Figure IV-33). En effet, si lon relve la rsistance Y dun matriau lors dun essai de traction et que lon compare cette limite avec la valeur de la contrainte critique c, on se rend compte quun matriau rput ductile peut avoir un mode de rupture fragile, il suffit que : K K2 E Gc c < Y c < Y a > c2 = =ac Y 2 a Y
Y
Kc a

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ac Rupture ductile Rupture fragile

Figure IV-33. Transition rupture fragile - rupture ductile en fonction de la longueur de la fissure a

Dans le cas du BCB, la contrainte de rupture en traction dun chantillon de BCB est de 87 MPa [IV.18] mais dans notre cas il faudra utiliser la contrainte de rupture en traction du composite Si-BCB-Si. Une valeur de cette contrainte est prsente dans les travaux de [IV.14], nous reportons une contrainte de rupture en traction de 18,6 MPa (BCB 4026compression de 1.3 bars et recuit 230C). Ainsi, de manire analogue la contrainte critique de rupture, nous pouvons tracer lvolution de la longueur de la fissure critique, dfinissant le seuil de transition rupture fragile-rupture ductile, en fonction du paramtre de mixit modale (Figure IV-34). Aussi, nous obtenons une longueur de fissure critique de lordre de 11 m pour une sollicitation en pelage, mode I =0, de lordre de 48 m (resp. 191 m) pour une sollicitation en cisaillement, mode II =90 (resp. = -90).

171

Packaging

200 180

-90 -80 -70 -60 -50 -40 -30 -20 -10 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 200

Longueur de fissure critique ac (m)

160 140 120 100 80 60 40 20 0

ac en contrainte plane ac en dformation plane

180 160 140 120 100 80 60 40 20

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0 -90 -80 -70 -60 -50 -40 -30 -20 -10 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90

Paramtre de mixit modale (deg)


Figure IV-34. Longueur critique de fissure ac correspondant la transition rupture ductile- rupture fragile pour le scellement Si-BCB-Si, dans le cas dun tat de contrainte plane et de dformation plane, en fonction du paramtre de mixit modale , dfini comme la phase dans le plan (KI, KII)

Au cours de la fabrication du packaging et lors des diffrents reports dassemblage, le scellement sera soumis des contraintes de cisaillement provenant de la dformation du substrat sollicit principalement en flexion (diffrences de coefficient thermique dexpansion et prsence defforts tranchants lors du report). Ainsi, nous pouvons dire que le mode de rupture KII sera prdominant et suivant linterface considre avec un paramtre de mixit modale gal /2 (Figure IV-35).
KII pour = + Substrat 2 Scellement Substrat 1
2 2

KII pour =

Figure IV-35. Paramtre de mixit modale suivant l'interface, en sollicitation de type flexion

La Figure IV-36 reprsente la transition entre le mode de rupture ductile et le mode de rupture fragile en fonction des paramtres de mixits modales : =0 correspondant au cas du pelage, puis pour =90 et =-90 qui sont les deux paramtres attendus pour notre application (Figure IV-35). 172

Packaging

Ainsi, partir de ce graphe, nous pouvons remarquer que pour des dfauts interfaciaux de lordre de 2 m (voir Figure IV-30), la rupture sera ductile mme dans un mode I de rupture (=0). Lintrt dune rupture ductile est crucial pour la majorit des applications ncessitant une marge de scurit. Par exemple, pour une enceinte contenant un fluide sous pression (chauffe eau, rservoir de combustible...), une fissure se propageant en mode de rupture ductile pourra tre dtecte avant la rupture totale. En effet, lpaisseur de ces enceintes tant choisie de telle sorte quelle soit infrieure la limite critique de fissure ac, ainsi la rupture ductile se verra peut-tre par la prsence de fuite avant la rupture dfinitive (on parle alors de leak before break ).
0,5 375 1 2 4 8 16 32 64 128 256 375 350 325 300 275 250 225 200 175 150 125 100 75 50 25 0,5 1 2 4 8 11 16 32 0 128 191 256

Contrainte critique c de rupture (MPa)

350 325 300 275 250 225 200 175 150 125 100 75 50

c pour =0 c pour =/2 c pour =-/2

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RUPTURE
DUCTILE

RUPTURE
FRAGILE

Y=18.6 MPa 25 0

48 64

Longueur de la fissure a (m)

[chelle logarithmique - Octave]

Figure IV-36. Transition rupture ductile / rupture fragile. La taille critique de la fissure ac tant de 11 m pour =0 (exemple de la figure) , de 48 m pour =+/2 et de 191 m pour =-/2

Nous avons vu que pour le packaging des Mems, un scellement hermtique permet damliorer la dure de vie et de ce fait il nest pas acceptable de dgrader lhermticit par un taux de fuite avant la rupture du joint de scellement. Aussi, nous recommandons de choisir une largeur de scellement suprieure la longueur de fissure critique correspondant au cas extrme pour =-90 du mode II, savoir 191 m. Ce critre tant bien videmment trs scurisant car en ralit on peut sattendre un mode de rupture mixte entre KI et KII et ainsi avoir une rupture explosive avant une propagation de fissure de 191 m !

IV.4.1.3.

Conclusions

Cette analyse du mcanisme de la rupture, base sur une approximation de lnergie surfacique critique Gc (ncessaire la propagation dune fissure), a le mrite de donner des ordres de grandeurs sur les contraintes de rupture (44 MPa pour le pelage et 90 MPa pour le cisaillement) ainsi que de proposer un dimensionnement de la largeur de lanneau de scellement (>200 m).

173

Packaging

Par ailleurs, ces niveaux de contraintes de rupture respectent largement, dans le cadre de notre application, les recommandations de la norme MIL-STD-883 method 2019.5. En effet, cette norme spcifie, pour des surfaces de scellement comprises entre 0.3 mm et 4 mm, que la contrainte minimale de rupture en cisaillement soit de 6 MPa. Enfin, nous pouvons remarquer que ces ordres de grandeurs sont en accord avec les mesures faites par A. Jourdain [IV.16], faisant tat : De contraintes de cisaillement comprises entre 20 et 100 MPa pour une rupture de cisaillement en fonction des modes opratoires (compression, temprature et temps de recuit) Dun taux de fuite, pour un packaging utilisant un anneau de scellement de 100 m, 2000 fois plus important que celui dun packaging utilisant une largeur de 800 m. Ces travaux montrent que le taux de fuite est sensible la largeur de lanneau de scellement et non pas son paisseur. Nanmoins, on gardera lesprit que mme une largeur leve (> 800 m) ne permettra pas de respecter une variation de pression de lordre de 1mBar pendant un an (typique des spcifications Mems). En effet, pour respecter ce niveau dhermticit, il faudrait compter sur un taux de fuite maximum de 1,1.10-13 mBar.l.s-1 or daprs les travaux de [IV.16] une largeur de 800 m entrane un taux de fuite de lordre de 10-11 mBar.l.s-1 !.
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IV.5.

PROCEDES DASSEMBLAGE

IV.5.1. Report Flip-Chip


La fabrication et lassemblage des capots ont t raliss par la socit MEMSCAP. Lassemblage (dcrit dans la Figure IV-37), est ralis par un report flip chip du capot, sur lequel au pralable, un anneau de scellement en BCB a t dpos par une seringue (dispensing). Ensuite, la polymrisation du BCB est obtenue dans un four de recuit polyimide sous ambiance contrle (Azote). Le cycle de recuit adopt (Figure IV-37-c) vise minimiser le budget thermique puisquil utilise une temprature maximale de 180C, qui est la temprature minimale pour amorcer la rticulation du BCB [IV.18]. Le degr de la polymrisation sobtenant en faisant varier le temps de recuit cette temprature.

174

Packaging

Y X Z bras

Dpt de BCB sur: Capot Substrat

chuck

Mthode de dpt Dispensing Tournette

T C 250 210 180


40 min

Technique de report
60 min

Soft Cure DOW Hard Cure DOW MEMSCAP

A froid

A chaud
Compression + Asservissement en T de :

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10C/min 10C/min 15 min

10C/min 120 min (2h)

T0

t (min)

Figure IV-37. (a) Principe du report flip chip (b) Mthode dassemblage retenue (chemin bleu) et (c) cycle de recuit utilis

IV.5.2. Calibration dispensing


Les paramtres opratoires ayant des effets principaux sur la qualit de lassemblage peuvent tre rsums de la faon suivante : Pour assurer une bonne homognit et uniformit du cordon de scellement, nous pourrons agir sur les conditions suivantes: Mode de dpose : Continu ou Point par point Vitesse de dpt (1000 8000 m/s) Hauteur de laiguille par rapport au substrat Pour contrler la tenue mcanique : Des temps de recuits compris entre 15 et 90 avec une compression comprise entre 2 et 16 bars ralisent un collage ayant une rsistance mcanique (cisaillement et traction) leve de lordre de 18 Mpa (resp. 40 MPa) pour la contrainte de rupture en traction (resp. pour la contrainte de rupture au cisaillement), daprs [IV.13][IV.16]. La rsistance mcanique se trouve renforce (quasiment double) ds lors que le temps de recuit est suprieur 60. Un recuit additionnel lev entrane une dcomposition du BCB et de ce fait dgrade la rsistance mcanique de lassemblage. La Figure IV-38 donne des exemples de rsultats obtenus sur la nature du profil du cordon de BCB lors dun dispensing point par point.

175

Ch uc k+ br as

150

e nc , ia ide b v am ( + le ) ur o 2 Fo ntr N co

Ch uc k

Br as

Packaging

1000 m/s 2000 m/s 3000 m/s 4000 m/s 5000 m/s 6000 m/s 7000 m/s 8000 m/s
Mode point par point - Tps extrusion 20 ms Profil du cordon pour en fonction de la hauteur de dispense

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7 6 5 4 Y (m) 3 2 1 0 -1 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800 10 m 20 m 30 m 40 m 50 m 60 m

X (m)

Figure IV-38. Dispensing point par point : (a) Allure du profil de lanneau de BCB en fonction de la vitesse de dpt (b) Vue 3D du cordon du BCB (c) Profil transversal du cordon de BCB en fonction de la hauteur de laiguille par rapport au substrat

Une optimisation des paramtres opratoires a conduit au procd technologique suivant : 1. Dpose du BCB 3022-63 la seringue sur le capot : i. Dispensing en mode point par point ii. Aiguille dont la longueur l, le diamtre intrieur int et le diamtre extrieur, ext ont t choisis pour raliser un cordon de 200 m de large et de 10 m dpaisseur (dosage 2000 [IV.20]) iii. Hauteur de laiguille/capot=45 m 2. Compression du capot aprs report Flip Chip 200g soit 0.34MPa. La Figure IV-39 montre lanneau de scellement dpos sur le capot en Foturan (a) ainsi que la mise en botier, aprs report flip chip et recuit, de la ligne coplanaire sans les microcommutateurs.

176

Packaging

Figure IV-39. (a) Dpt du BCB 3022-63 sur le capot Foturan - (b) Packaging d'une ligne CPW

IV.6.

CARACTERISATIONS RF

IV.6.1. Analyse exprimentale des pertes rapportes par le packaging


Le packaging tant compos de deux parties, le capot en Foturan et lanneau de scellement en BCB, nous avons souhait valuer les pertes engendres par lensemble du packaging mais galement dfinir la rpartition des pertes alloues aux diffrentes parties. Dans ce sens, trois structures tests ont t caractrises par un analyseur de rseaux vectoriel afin de dterminer les paramtres S : Ces structures de tests sont les suivantes : Structure 1 : Uniquement la ligne coplanaire Structure 2 : La ligne coplanaire avec le capot en Foturan pos sur celle-ci sans scellement en BCB Structure 3 : Le packaging complet de la ligne coplanaire (Figure IV-39-b) Ainsi pour identifier la distribution des pertes, nous avons compar les performances RF des structures 2 et 3 avec la structure 1 prise comme rfrence. Les pertes dinsertions et les pertes par rflexions sont donnes dans la Figure IV-40 et la Figure IV-41.
0 0,0 -0,1 -0,2 -0,3 -0,4 5 10 15 20 25 30 0,0 -0,1 -0,2 -0,3 -0,4 -0,5 -0,6 -0,7
Struct. 1 Mesure Struct. 2 Mesure Struct. 3 Mesure

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S12 (dB)

-0,5 -0,6 -0,7 -0,8 -0,9 -1,0 0 5 10 15 20 25

-0,8 -0,9 -1,0 30

Frquence (GHz)
Figure IV-40. Pertes d'insertion mesures pour les trois structures

177

Packaging

0 -5 -10 -15 -20

10

15

20

25

30

35 -5 -10 -15 -20 -25 -30 -35

S11 (dB)

-25 -30 -35 -40 -45 -50


Struct. 1 Mesure Struct. 2 Mesure Struct. 3 Mesure

-40 -45 -50 35

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10

15

20

25

30

Frquence (GHz)
Figure IV-41. Pertes par rflexions mesures pour les trois structures

La courbe de le Figure IV-42 reprsente les pertes dinsertions de la structure mise en botier retranches de celles de la ligne seule (S12 Struct. 3 S12 Struct. 1) et de ce fait correspondant aux pertes rapportes par le packaging. De cette courbe, nous pouvons remarquer que lattnuation gnre par le packaging (Botier micro-usin Foturan et scellement polymre BCB) est trs faible et de lordre de grandeur des prcisions de mesures (+/- 0.025dB). Par exemple, dans le cas de lapplication en bande troite 10 GHz, ces pertes slvent seulement 0.05 dB. Ces rsultats sont en accord avec les pertes du packaging dduites par comparaison des simulations lors des tudes de sensibilits (IV.3.1.4).

178

Packaging

0 -0,050 -0,055

10 -0,050 -0,055

S12 Struct.3 - S12 Struct.1 (dB)

-0,060 -0,065 -0,070 -0,075 -0,080 -0,085 -0,090 -0,095 -0,100 0 1 2

Pertes rapportes par la packaging

-0,060 -0,065 -0,070 -0,075 -0,080 -0,085 -0,090 -0,095 -0,100 10

Frquence (GHz)

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Figure IV-42. Pertes rapportes par le packaging dduites par comparaison des mesures Struct.3-Struct.1

Cependant, mme si la part des pertes attribue au packaging entre les mesures et les simulations sont voisines, nous pouvons remarquer que les pertes globales simules pour la structure mise en botier sont quasiment trois fois plus faibles que les pertes mesures. La non prise en compte des pertes rsistives ne suffit pas, elle seule, pour expliquer lorigine de cet cart. Aussi, dans le but daffiner notre modlisation numrique, nous avons fait des rtrosimulations en prenant en compte les pertes rsistives mais galement en introduisant une modlisation des charges lectriques linterface Silicium/BCB afin dobtenir un modle plus raliste et ainsi sapprocher des mesures exprimentales. Cette modlisation des charges interfaciales repose sur lajout dune fine couche (4 m) de silicium basse rsistivit (Figure IV-43) linterface du substrat de silicium haute rsistivit et le BCB.

Conducteurs

BCB Silicium BR (4 m) Silicium HR

Figure IV-43. Modlisation des charges l'interface Silicium-BCB

179

Packaging

Les rsistivits utilises lors des rtro-simulations sont donnes dans le Tableau IV.7. Silicium Haute Silicium Basse Rsistivit (HR) Rsistivit (BR) m 396 4 4000 100 .cm S/m 0.025 1

Epaisseur Rsistivit Conductivit

Tableau IV.7. Rsistivits utilises pour la modlisation des couches HR et BR du substrat silicium

Les rsultats de ces rtro-simulations sont donns dans la Figure IV-44 et la Figure IV-45 avec galement les mesures exprimentales.
0 0,0 -0,1 -0,2 5 10 15 20 25 30 0,0 -0,1 -0,2 -0,3 -0,4 -0,5 -0,6 -0,7
Struct. 1 Mesure Struct. 2 Mesure Struct. 3 Mesure Struct. 1 Simule Struct. 3 Simule

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-0,3 -0,4

S12 (dB)

-0,5 -0,6 -0,7 -0,8 -0,9 -1,0 0 5 10 15 20 25

-0,8 -0,9 -1,0 30

Frquence (GHz)
Figure IV-44. Pertes d'insertion mesures et rtro-simules pour les structures 1 et 3

180

Packaging

0 -5 -10 -15 -20

10

15

20

25

30

35 -5 -10 -15 -20 -25 -30 -35

S11 (dB)

-25 -30 -35 -40 -45 -50 0 5 10 15 20 25 30


Struct. 1 Mesure Struct. 2 Mesure Struct. 3 Mesure Struct. 1 Simule Struct. 3 Simule

-40 -45 -50 35

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Frquence (GHz)
Figure IV-45. Pertes par rflexions mesures et rtro-simules pour les structures 1 et 3

Ainsi, nous constatons que la prise en compte des charges interfaciales permet dapprocher, sans atteindre, les rsultats exprimentaux. Nanmoins, ces rsultats montrent quun lger cart entre les mesures et les simulations demeure. En remarquant que les lignes coplanaires des structures mesures ont t ralises avec les masques de fabrication des microcommutateurs et de ce fait, mme si nous navons pas fabriqu les micro-commutateurs, les lectrodes et les accs DC pour lactuation lectrostatique ont alors t structurs. Ainsi, des pertes supplmentaires par dsadaptation dimpdances, non prises en compte dans les simulations, ont certainement une responsabilit dans ce dsaccord entre les simulations et les mesures.

IV.7.

CONCLUSION

Les rsultats des tests RF mens sur la solution du packaging propos, montrent que lattnuation gnre par le packaging (Botier micro-usin en Foturan et scellement polymre BCB) est trs faible et de lordre de grandeur des prcisions des mesures. Ces rsultats sont en accord avec les rsultats obtenus lors des simulations RF effectues sous HFSS. Ainsi la mthodologie de conception a t valide par la bonne adquation des simulations avec les mesures exprimentales. Nous pouvons remarquer que le faible niveau de pertes engendr par le packaging confirme linutilit de minimiser les dsadaptations dimpdances au niveau de la transition ligne coplanaire-capot. Nous avons ainsi dfini et valid une solution de mise en botier simple dont les pertes rapportes sont ngligeables.

181

Packaging

IV.8.

REFERENCES BIBLIOGRAPHIQUES DU CHAPITRE IV

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Packaging

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CONCLUSION GENERALE

185

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Conclusion gnrale

La monte en frquence est invitable avec la saturation des canaux et le rtrcissement du spectre frquentiel. Devant lintrt conomique et scientifique li la rduction du cot de la production et de la miniaturisation, la dernire dcennie sest distingue par le dveloppement de nouveaux circuits micro-ondes capables de fonctionner des frquences jusqu une centaine de gigahertz. Ce dveloppement sest traduit par lmergence de Micro Systmes Electro Mcaniques Radio-Frquences (MEMS RF) qui laissent entrevoir des possibilits vertigineuses : exceptionnelles performances hyperfrquences, grande linarit et faible consommation. Cependant la mise sur le march de composants base de MEMS RF est freine par leurs manques de maturits au niveau du flot de conception, du packaging et de la fiabilit. Dans ce contexte, le Laboratoire d'Analyse et d'Architecture des Systmes a dbut dans le cadre de cette thse, ltude dune solution de mise en botier adapte aux microtel-00129546, version 1 - 8 Feb 2007

commutateurs RF. Nous avons prsent dans le premier chapitre introductif un tour dhorizon des diffrentes techniques de mise en botier en mettant en avant les enjeux associs en terme de conception et de fiabilit. Ainsi, le packaging apparat comme une tape cruciale du procd de fabrication des microsystmes. En effet la non standardisation des procds dassemblage et dencapsulation ainsi que la diversit des spcifications des microsystmes font quil nexiste pas de packaging universel et de ce fait que celui-ci devra faire partie intgrante du flot de conception du microsystme. Devant ce constat nous avons tabli, travers le second chapitre, les spcifications inhrentes au packaging des micro-commutateurs RF en sappuyant sur une analyse fonctionnelle. Celle-ci nous a permis de recenser lensemble des solutions techniques possibles avant de converger vers deux solutions possibles pour la ralisation du packaging. Finalement, une seule technique sera retenue, base sur un report de capot en Foturan avec une couche intermdiaire de scellement en Benzo-Cyclo-Butne et des interconnexions de type wirebonding au niveau de la face suprieure. Aprs avoir dress un panorama des outils de CAO ddis ou modifiables pour la conception de microsystmes, nous avons identifi une mthodologie systmatique du flot de conception permettant dintgrer la phase de conception du packaging avec celle du microsystme. Nous avons port notre choix sur une modlisation structurelle du Mems partir de logiciels de simulation EF multi-physique permettant de gnrer des macro-modles comportementaux. 187

Conclusion gnrale

Notre motivation repose dune part, sur la ncessit de prendre en compte les couplages des nombreux phnomnes physique rencontrs (lectrostatique, lectromagntisme, thermique, mcanique, fluidique) et dautre part sur un objectif dintgration de macro-modles qui traduisent lessentiel du comportement structurel du Mems dans un langage de description comportemental pour raliser une simulation au niveau systme. Dans lobjectif de crer une plateforme de simulation globale, le chapitre III a permis didentifier dans le domaine des microsystmes, les possibilits offertes par deux logiciels EF rellement multi-physique : ANSYS et COMSOL. Nous avons dmontr et valid la faisabilit de simulation par ingnierie inverse, technique qui permet de raliser des rtrosimulations partir de la forme relle des structures fabriques. Cette modlisation trs fine de la ralit, laisse le champ libre pour de nombreuses applications potentielles directement
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lies la conception et la fabrication des Mems. Dans le domaine de la mcanique des structures, des solutions dimplmentations des contraintes rsiduelles ainsi que la gestion du maillage par une modlisation multigomtrique ont permis de rpondre aux exigences les plus extrmes lors de la conception des Mems, savoir des structures pr-contraintes ayant des facteurs dchelles levs. Cette tude nous a permis de dceler une limitation de ANSYS qui ne permet de dfinir quune seule contrainte initiale moyenne et pour un seul matriau. Nous avons galement valid la possibilit de raliser une modlisation du contact avec les deux logiciels. Cependant, COMSOL reste limit en ne proposant pas doutils prdfinis pour modliser notamment le contact dformable/dformable. Par ailleurs, dans le domaine de llectromagntisme, nous avons mis en lumire un manque de maturit des deux logiciels sur les outils disponibles pour raliser une analyse des performances RF. Sagissant dun verrou notable pour la conception des Mems RF, ces deux logiciels montreront leurs intrts pour llectromagntisme ds que la construction du modle sera valide et facilit. Cela passe notamment par lintgration dun maillage adaptatif mais galement doutils permettant la dfinition correcte des conditions aux limites. Pour finir, nous avons propos une modlisation comportementale par la gnration dun macro-modle du comportement mcanique non-linaire dun micro-commutateur. Cette application simple a permis de valider la cration de modles comportementaux du Mems au niveau composant lectromcanique. La mthodologie adopte pourra permettre le dveloppement dune bibliothque de modles dcrivant lessentiel du comportement physique du Mems et ce dans une forme compatible avec la description au niveau systme. 188

Conclusion gnrale

Ainsi, une plateforme de simulation globale pourrait voir le jour avec des langages tels que le VHDL-A, des outils numriques (solver SPICE, MATLAB-Simulink, AMESim ...) tout en permettant lintgration de fonctions doptimisation. Dans le dernier chapitre, nous avons propos une gomtrie du capot ainsi que du scellement compatibles avec les possibilits technologiques, les contraintes dimensionnelles en terme dencombrement afin de permettre les accs pour les interconnexions, le respect des performances RF et la rsistance mcanique. Par le biais de simulations lectromagntiques et par une modlisation de la rupture interfaciale du scellement, nous avons abouti une solution optimale . Cette solution de mise en botier a t caractrise en dterminant les pertes rapportes par le packaging. Aussi, les rsultats montrent que lattnuation gnre par le packaging (Botier micro-usin en Foturan et scellement polymre BCB) est trs faible, moins
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de 0.05 dB de pertes 10 GHz. Cette solution repose sur un procd de fabrication simple qui naffecte pas les performances RF mais qui ne permet quune quasi-hermticit. De ce travail, deux axes devront tre amliors. Le premier concerne la mutation de la solution de mise en botier retenue pour satisfaire les exigences industrielles. En effet, le report unitaire nest souhaitable que pour des pr-sries mais dans un objectif de production de masse nous devrons raliser les anneaux de scellement par photolithographie du BCB, dans le but de raliser le report collectivement. Lacquisition rcente au laboratoire dune machine dassemblage dite wafer bonder, permettant lalignement, le report, le contrle de lambiance interne et la soudure dans une seule et mme enceinte, permettra de dmarrer cette technologie de packaging. Le deuxime axe concerne la poursuite des travaux mens dans la ralisation dune plateforme de conception globale, en laborant une bibliothque de modles comportementaux des micro-commutateurs. De plus, un verrou notable consistera dvelopper une mthodologie de conception en environnement incertain. En effet, la conception devra tre robuste vis--vis des incertitudes relatives notamment aux dimensions des Mems (dispersions), aux contraintes rsiduelles, voire sur les proprits des matriaux utiliss (constante dilectrique, module de Young, coefficient de poisson, CTE etc).

189

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PUBLICATIONS

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Publications

MANIFESTATIONS INTERNATIONALLES AVEC PROCEEDINGS A COMITE DE LECTURE


[1] D. Peyrou, P. Pons, A.Nicolas, J.W. Tao, H. Granier, R. Plana Foturan cap and BCB Sealing-ring for RF MEMS packaging applications , IEEE European Microwave Integrated Circuits 2006, Manchester (UK), 10-15 september 2006, 4p [2] D. Peyrou, H. Achkar, M. Saadaoui, P. Pons and R. Plana Finite element simulation to predict the deformation of quasi free edge membranes , 17th Workshop on Micromachining, Micromechanics and Microsystems, MicroMechanics-Europe (MME), Southampton (United Kingdom), 3-5 September 2006, 4p [3] F. Flourens, D. Peyrou, K. Yacine, S. Melle, K. Grenier, D. Dubuc, A. Boukabache, P.Pons and R. Plana Reliability investigation on a fully suspended redundancy ring , 5th IEEE 2004 Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuits in RF Systems, Atlanta (USA), 8-10 September 2004, pp.163166 [4] K. Yacine, F. Flourens, M. Olszacki, D. Peyrou, L. Salvagnac, P.F. Calmon, P.Pons and R. Plana Biaxial initial stress state characterization of evaporated gold on sacrificial photoresist EUROSENSORS XIX, Barcelone (Espagne), 1114 September 2005, Vol.II, WPa36p.

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CONFERENCES INTERNATIONALLES COMITE DE LECTURE

AVEC

PROCEEDINGS

[5] D. Peyrou, P. Pons and R. Plana Surface roughness influences on the capacitance of microswitches , Conference COMSOL 2006, Paris (France), 7 november 2006, 4p [6] D. Peyrou, P. Pons and R. Plana Capacitance simulation between rough surfaces of electrostatically actuated cantilever beam structures by reverse engineering method , 27-30 June 2006 MEMSWAVE Workshop, Orvieto (Italy), 4p [7] D. Peyrou, P. Pons, H. Granier, D. Leray, A. Ferrand, K. Yacine, M. Saadaoui, A.Nicolas, J.W. Tao and R. Plana Multiphysics Softwares Benchmark on Ansys / Comsol Applied For RF MEMS Switches Packaging Simulations , Conference IEEE Eurosime 2006, Cme (Italy), 24-26 April 2006, pp 494-501 [8] D. Peyrou, P. Pons, R. Plana, A. Nicolas and J.W. Tao Bonding process simulations for RF MEMS switches packaging , Conference FEMLAB 2005, Paris (France), 15 November 2005, 3p [9] D. Peyrou, P. Pons, A.Nicolas, J.W. Tao, H. Granier and R. Plana Foturan micromachined packages for RF MEMS switches , 23-24 June 2005 MEMSWAVE Workshop, Lausanne (Swiss), 4p

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Publications [10] K. Yacine, F. Flourens, D. Bourrier, L. Salvagnac, P.F. Calmon, X. Lafontan, Q.H. Duong, L. Buchaillot, D. Peyrou, P.Pons and R. Plana Biaxial initial stress characterization of bilayer gold RF-switches , Analysis (ESREF'2005), Arcachon (France), 10-14 October 2005 [11] K. Yacine, F. Flourens, X. Lafontan, Q.H. Duong, L. Buchaillot, D. Peyrou, P.Pons and R. Plana Biaxial initial stress characterization of bilayer gold RFswitches 23-24 June 2005 MEMSWAVE Workshop, Lausanne (Suisse), , 4p.

REVUES AVEC COMITE DE LECTURE


[12] K. Yacine, F. Flourens, D. Bourrier, L. Salvagnac, P.F. Calmon, X. Lafontan, Q.H. Duong, L. Buchaillot, D. Peyrou, P.Pons and R. Plana Biaxial initial stress characterization of bilayer gold RF-switches , Microelectronics Reliability, Vol.45, N9-11, pp.1776-1781, September-November 2005 [13] M Saadaoui, D Peyrou, P Pons, R Plana, L Bary, P Dubreuil, D Bourrier, Design of Experiment Simulation Response for Predicting Deformation of Quasi Free edge Membrane , J. Micromech. Microeng, En cours de soumission

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MANIFESTATIONS NATIONALES
[14] A. Cazarre, D. Peyrou, P. Pons, R. Plana, G. Ardila, C. Rossi, W. Habra, P. Tounsi Introduction la modlisation Multi Physique en Master 2 (Environnement COMSOL MULTIPHYSICS) , Coordination Nationale pour la Formation en Micro-nanolectronique (CNFM) Atelier Inter universitaire de Microlectronique, 22-24 novembre 2006, Saint-Malo (France)

SEMINAIRES NATIONAUX
[15] D. Peyrou, D. Prost Simulations multiphysiques Packaging de MEMS RF , Sminaire ANSYS - Capteurs et Elments Finis, 11 octobre 2005, Cril Technology Toulouse (France) [16] D. Peyrou Simulation de la capacit dun micro-commutateur RF par ingnierie inverse , Sminaire COMSOL Modlisation Multiphysique, 19 mai 2006, LAAS-CNRS (Toulouse)

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ANNEXES

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Annexe A : Proprits des matriaux

ANNEXE A : PROPRIETES DES MATERIAUX


Dans cette section, nous allons dfinir les proprits des matriaux juges importantes pour la conception du packaging.

A.1. Proprits lectriques


Conductivit : Pouvoir de conduction lectrique dun matriau Conducteurs utiliss pour : Lalimentation et linterconnexion (cblage, bumps,) La fixation (colles conductrices, bumps,) La protection (underfill,..) La dissipation thermique (bumps, vias,) Exemples : Cu : 59.6 106 S/m Al : 37.7 106 S/m Au : 45.2 106 S/m
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Isolants utiliss pour : La fixation (colles isolantes,) La protection (encapsulant, underfill,)

Permittivit : Pouvoir de polarisation sous leffet dun champ lectrique Exemples : r Air : 1 Tflon : 2.1 Verre : 5 Tangente de perte Tan : Pouvoir de dissipation lnergie lectrique toute lnergie est dissipe Tan = 0 toute l nergie est stocke Tan Exemples : Nitrure de Bore 0.0005-0.0017 (@ 8.8 Ghz) AlN 0.001 (@ 1Mhz)

A.2. Proprits thermiques


Conductivit thermique : Pouvoir de conduction thermique dun matriau (En gnral va de pair avec la conductivit lectrique) Exemples : Cu : 401 W/(m.K) Al : 237 W/(m.K) Au : 317 W/(m.K) Temprature de transition vitreuse Tg : Modification des proprits mcaniques Exemples : PMMA : 100C PBMA : 27C Silice 1200C Coefficient Thermique dExpansion : Pouvoir de dilatation ou de contraction But : les plus homognes possibles pour viter les contraintes dorigines thermiques Exemples : Cu : 16.5 10-6/K Al : 24 10-6/K Au : 14.2 10-6/K

A.3. Proprits mcaniques


Rhologie loi de comportement : Les proprits lastiques dun matriau sont dcrites par une relation constitutive liant dformations et contraintes. Une approximation trs largement utilise est celle de la rponse linaire, introduite par Hooke. Valable dans la limite des faibles dformations, et pour les matriaux isotropes, cette approximation suppose la proportionnalit entre contrainte et

197

Annexe A : Proprits des matriaux

dformation. Cette proportionnalit introduit deux constantes caractristiques du matriau : le module de Young E ainsi que le coefficient de poisson . Module de young E : En 1678, Robert Hooke (1635-1703) montra que dans le domaine lastique linaire : Lallongement dune structure dans une direction donne est proportionnel leffort appliqu dans cette direction, et ceci pour plusieurs matriaux (Figure A. 1).
f G Section S
Elasticit linaire

= E
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Figure A. 1. Formulation de la loi de HOOKE

Avec =

F contrainte de traction dans le matriau (N.m-2=Pa, gnralement MPa) S l = Allongement relatif ou dformation (sans dimension) lo E= module de Young ou module dlasticit longitudinal (MPa)

Coefficient de poisson : Contraction largissement Lorsque lon exerce une traction ou une compression (Figure A. 2), on constate que la largeur de la pice varie galement, linverse de lallongement. La variation relative de dimension est proportionnelle lallongement relatif , le coefficient de proportionnalit sappelle le coefficient de poisson12 ou rapport de poisson (Poissons ratio). On le note (sans dimension). Pour un cylindre : l r = = ro lo

Pour un paralllpipde rectangle : a l = = ao lo b l = = bo lo


Figure A. 2. Description de la dformation transversale -coefficient de poisson
12

Denis Poisson, mathmaticien Franais (1781 - 1840), auteur de travaux sur la physique mathmatique et la mcanique

198

Annexe A : Proprits des matriaux

Pour plus de dtail sur la mcanique des milieux dformables nous vous invitons lire les annexes D et E. Thixotropie : Le comportement des fluides non newtoniens dpend souvent du temps car les modifications de structures microscopiques ne sont pas instantanes. On a ainsi des manifestations diverses de ces phnomnes dans les tracs de rhogrammes (Figure A. 3). Le trac du rhogramme, =f( E ) contraintes de cisaillement en fonction de la vitesse de cisaillement, sobtient en faisant crotre puis dcrotre rgulirement E , afin de revenir la valeur initiale .On ralise ce quon appelle une charge puis une dcharge . Si on applique des valeurs de vitesse de cisaillement assez fortes pendant assez longtemps, on obtient le diagramme suivant : la structure a t modifie durablement lors de la charge et le comportement du produit est affect (rhogramme de dcharge diffrent, liquide globalement moins visqueux)
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Figure A. 3. Rhogramme d'un fluide newtonien

Pour certains corps, si aprs ce cycle de charge et dcharge, on laisse au repos pendant un temps assez long, la structure se rorganise et si on recommence une charge, on obtient le premier rhogramme nouveau. Ainsi, sur les expriences suivantes (Figure A. 4), on voit que si le temps de repos est suprieur ou gal t3 on a retrouv le comportement rhologique du produit avant toute charge.

Figure A. 4. Rhogramme d'un fluide thixotrope

On dit alors que le fluide est thixotrope. Dfinitions :

199

Annexe A : Proprits des matriaux

Un fluide est thixotrope si, sa viscosit, vitesse de cisaillement constante, diminue au cours du temps condition que ce phnomne soit rversible. Le comportement thixotrope concerne les corps fluidifiants et les corps plastiques (plus rarement les paississants). Cette proprit est importante dans le cas de scellement de capot par des polymres car suivant le degr de thixotropie du polymre en aura plus ou moins de facilit mouiller la base du capot pour une compression donne. Rupture : Cest Griffith que lon doit en 1920 lapproche nergtique de la mcanique de la rupture. Dans un milieu solide lastique linaire (avec la limite lastique conventionnelle Re 0,2 % gale la rsistance la rupture Rr ), contenant une fissure de surface A et soumis un champ de forces Fe , la progression de la fissure est stable tant que lnergie libre par lextension de cette fissure est absorbe par la cration de nouvelles surfaces. Si nous supposons que les forces extrieures F e drivent dun potentiel V , un accroissement virtuel dA daire fissure libre une nergie G dA telle que : dP = G dA et P =W +V =W Te avec P W Te G nergie potentielle totale de la structure fissure nergie de dformation lastique travail des forces extrieures paramtre qui peut sexprimer en J/m2 ou en N/m, correspondant une nergie libre par unit de surface, parfois appele force dextension de la fissure.

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Il existe un seuil critique G c au-del duquel une extension de la fissure libre plus dnergie quelle nen absorbe, et la fissure est instable pour G tel que : G dA > G c dA Gc est lnergie surfacique critique ncessaire la propagation dune fissure, il sagit dune proprit intrinsque du matriau. Le terme EG c apparat trs souvent en mcanique de la rupture, on le note Kc. Il sagit du

facteur dintensit critique de contrainte aussi appel tnacit du matriau, il permet de chiffrer laptitude du matriau la rsistance la propagation des fissures, et est considre comme une caractristique intrinsque du matriau dans un tat bien dfini (temprature, traitement thermique donn, mode de rupture).Kc sexprime en MPa m (unit pratique couramment) et dune manire gnrale, Kc diminue quand la limite lastique Re augmente.

200

Annexe A : Proprits des matriaux

En ne considrant que les fissures planes se propageant dans leur propre plan, on montre que ltat le plus gnral de propagation se ramne la superposition de trois modes (Figure A. 5) :

Mode I

Mode II
Figure A. 5. Dfinition des modes de rupture

Mode III

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mode I (mode par ouverture) : les surfaces de la fissure se dplacent dans des directions opposes et perpendiculairement au plan de fissure ; mode II (glissement de translation) : les surfaces de la fissure se dplacent dans le mme plan et dans une direction perpendiculaire au front de fissure ; mode III (glissement de rotation) : les surfaces de la fissure se dplacent dans le mme plan et dans une direction parallle au front de la fissure. La rupture plate correspond au mode I; la rupture incline aux modes II et III, la rupture de mode I tant la plus dangereuse. De plus, les problmes rencontrs sont gnralement des problmes dlasticit plane et de ce fait le mode III est nul. Ainsi, on introduit le paramtre dfini comme la phase dans le plan (KI, KII), mesure dans lintervalle [- , ]. Il est appel paramtre de mixit modale et mesure limportance relative des modes I et II la pointe de la fissure (Figure A. 6). La fracture dans un milieu homogne correspondrait KII = 0, i.e. = 0.

Figure A. 6. Paramtre de mixit modale, , dfinissant l'importance respectives des modes I et II la pointe de la fissure. Il est dfini comme la phase dans le plan (KI,KII) mesure dans l'intervalle [ , ]

201

Annexe A : Proprits des matriaux

Ainsi, on peut exprimer le tenseur des contraintes la pointe de la fissure (fonction dAiry) :
rr = = r =
3 3 KI K II 5 cos cos + 5 sin + 3 sin 2 2 4 2 r 2 2 4 2 r 3 3 KI K II 3 cos + cos + 3 sin 3 sin 2 2 4 2 r 2 2 4 2 r KI 4 2 r 3 K II sin + sin + 2 2 4 2 r 3 cos + 3 cos 2 2

Figure A. 7. Modlisation et tenseur des contraintes de la fissure en contraintes planes

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Pour estimer la contrainte la pointe de la fissure ou dans une zone de forte singularit gomtrique (par ex : au niveau des encastrements donns par gravure RIE ou KOH), il est ncessaire de connatre les facteurs dintensit critique KI et KII correspond au mode I et II (Figure A. 7 et Figure A. 8 daprs [I.28]). Ainsi on pourra par comparaison avec une contrainte de rupture critique, savoir si la rupture est prvisible et galement si il sagit dune rupture ductile ou fragile.

Figure A. 8. Courbe exprimentale de Gc pour un matriau bi-couche verre/epoxy [I.28]]

Nous vous conseillons de voir lannexe F pour plus de dtail sur la thorie de la rupture.

202

Annexe A : Proprits des matriaux

A.4. Proprits physico-chimique


Tension de surface : Energie de cohsion de la surface (J/m ou encore dynes/cm ou mN/m) Les interactions dans le volume entre les molcules dun corps pur sont quilibres par des forces uniformment rparties: les forces de cohsion. Les interactions la surface entre les molcules dun corps pur ne sont pas quilibres (Figure A. 9). Il existe une nergie libre appele tension de surface.
surface

Volume
Figure A. 9. Tension de surface

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Adhsion : Pouvoir de solidarisation physico-chimique de deux matriaux Mouillage : Aptitude qu'a un liquide occuper la plus grande surface d'un solide. Plus l'nergie de surface d'un matriau est leve, plus l'angle est petit (tend vers 0), plus la surface de contact est grande et meilleure sera l'adhsion : F liquide Liquide F liquide cos + F liquide-solide = F solide = 0 mouillabilit parfaite = 180 impermabilit parfaite F solide F liquide-solide Les contaminations ont beaucoup dinfluence sur le mouillage. Potentiel doxydo-rduction : capacit cder ou capter des lectrons ex : soudure filaire Al/Au Cration de piles Hermticit tanchit : Un matriau est dit hermtique lorsque le coefficient de diffusion de lHlium y est infrieur 10-8 cm3.s-1 (=10-11.l.s-1). Le graphe de la Figure A. 10 reprsente le temps ncessaire pour que 50% de lhumidit extrieure pntre a travers le matriau [I.29].
Figure A. 10. Permabilit l'eau suivant les matriaux [I.29]

203

Annexe A : Proprits des matriaux


Exemples de matriaux

Le Tableau A. 1et le Tableau A. 2 donnent les principales proprits mcaniques et lectriques des matriaux couramment utiliss en microtechnologie.
Densit (g/cm3) Module dYoung (GPa) Limite lastique (MPa) Transition Conductivit Rsistivit Coefficient CTE vitreuse thermique lectrique de Poisson -6 (10 /K) Tg (W/mK) (-cm) (v) o ( C)

Matriaux
Si Ge Si3N4 Al Au Au + 2%Si Cu Cu-W Cuivre AlliageMF 202 Ni Kovar Alliage 42 TAMAC5 CDA 194 OLIN 7025 EFTEC 64T Verre fill argent Alumine Nitrure daluminium Verre

Mtaux Semiconducteurs - Cramiques

2.4 5.3 2.8 19.3 14.5 8.96 17 8.8 8.4 8.1 8.9 8.8 8.8 8.9 4.5 3.6-3.7 3.3 4.7

120-131 130 325 70 62.5 69.5 117-125 255 113 200 138 145 120 121 131 119 390 5.7 49.3(-55 C) 26.5(0oC) 12.5(50oC) 2.9(100oC) 2.2(125oC)
o

120 83 130 500-600 250-450 490-590 627 588-735 527-562 480-519 527 560 >10 157

1430 958 660 1064 1083 1425 2050 2000

2.8 6.1 2.9 24 14.2 50 16.5 6.5 17 13 5.3 4.3-4.5 16.7 16.3 17.1 17 8 6.7 4.6 6.3-7.0

124-150 64 210 293-311 50 395 180-200 160 17.5 15.7-15.9 138 263 166 300 270 18-22 170 0.6

1E4 50 2.7 2.2 310 1.7 <6 5.7 49 57 4.9 2.6 4.3 2.3 10

0.3 0.24 0.24 0.3 0.3 0.25

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Eutectique PbSn

8.4

20

183

24

50

0.35

Tableau A. 1. Principaux matriaux rencontrs en microtechnologies

204

Annexe A : Proprits des matriaux

Matriaux
Composant de moulage Silicone Encapsulant Adhsif argent

Densit (g/cm3)

Module dYoung (GPa)

Limite lastique (MPa)

Transition vitreuse Tg (oC)

CTE (10-6/K)

Conductivit Rsistivit Coefficient thermique lectrique de Poisson (W/mK) (-cm) (v)

Organiques

1.88 1.2 2.5-3.5

E1=11.7 E2=0.1 6-10 0.3-2 10.5(210oC) 10(340oC) 8(400oC) 12-18 3 23(230oC) 20(340oC) 12(400oC) 25(230oC) 21(340oC) 13(400oC)

120-220 4

165 220 25-100

1<=23 2<=80 230 1=19 2=70 1=40-80 2=150200 22.0 24.0 12-16(x,y) 72-85(z) 1=60 2=160 17.0(35.0) 19.0(45.0) 10.0(25.0) 11.0(35.0)

0.58-0.73 0.26 0.52 2.5

100

0.35 0.3 0.3 0.35 0.28 0.25 0.25 0.35 0.25 0.25 0.35

Underfill Laminate Substrate

225-330 60

195 175

0.2

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Brasure FR-4

FR-5

Tableau A. 2. Principaux matriaux rencontrs en microtechnologies

Rfrences
ELECTRONIC PACKAGING DESIGN MATERIALS PROCESS AND RELIABILITY o LAU J,WONG C,PRINCE J,NAKAYAMA W o MC GRAW HILL 1998 FUNDAMENTALS OF MICROSYSTEMS PACKAGING o TUMMALA R R o MC GRAW HILL 2001 HANDBOOK OF SEMICONDUCTOR WAFER CLEANING TECHNOLOGY : SCIENCE TECHNOLOGY AND APPLICATIONS o KERN W o NOYES PUBLICATIONS 1993 LASSEMBLAGE PAR COLLAGE (cahiers sectoriels 1 et2) o CRIF/CREACOL o MINISTERE DE LA RECHERCHE DE LA REGION WALLONE TRAITEMENTS DE SURFACE ET ADHERENCE o CREACOL/TECHNACOL

205

Annexe B : Proprits des alliages eutectiques

ANNEXE B PROPRIETES DES ALLIAGES EUTECTIQUES


Coefficient dexpansion thermique Module de cisaillement Densit

Transition Liquide Solide C 10,7 15,7 47 58 60 61,5 70 72 77,5 79 81 92 93 95 96 96 100 108 109 118 123

(% massique) gm/cm3 .cm 63 76 45 49 51 62 50 66 49 57 54 52 44 53 52 46 50 52 67 52 74 Ga Ga Bi Bi In In Bi In Bi Bi Bi Bi In Bi Bi Bi Bi In Bi In In 22 25 23 21 33 31 27 34 42 26 30 40 42 32 30 34 28 46 33 48 26 In In Pb In Bi Bi Pb Bi In In In Pb Sn Pb Pb Sn Pb Sn In Sn Cd 16 Sn 19 18 17 7,5 13 10 17 16 8,2 14 16 18 20 22 1,8 In Pb Sn Cd Sn Cd Sn Sn Cd Cd Sn Sn Pb Sn Zn 8,3 Sn 12 Sn 5,3 Cd 6,5 6,35 9,16 9,01 7,88 8,02 9,58 7,99 8,49 8,54 8,47 10,25 7,46 9,71 9,6 8,99 9,44 7,27 8,81 7,3 7,62

W/cm C
@ 85C

m/m par C
@ 20 C

PSI

PSI

PSI
X1e6

tel-00129546, version 1 - 8 Feb 2007

38,22 70,78 52,12 43

0,15 0,1

25 23 22 22

5400 6300 4850 5990 300

37.5 20

16.5 16.5 11 14.5

10 Cd

0,18

120

0,36 74,78 0,13

24

2632 5200 100

15.5

14,7

0,34

20

1720

1630

83

206

Duret Brinell 4.8 4.5

Composition des alliages eutectique

Elongation

Module de Young E

Rsistivit lectrique

Limite lastique

Temprature Eutectique

Coefficient de conductivit thermique

Annexe B : Proprits des alliages eutectiques

124 135 138,3 143,3 144 145 177 179 183 199 217 217 217 221 227 227 266 280 303 309 313 356 363 382 424 525 577 780 890 950 217

56 57 58 97 60 51 68 63 63 91 90 96 96 97 99 99 83 80 98 98 91 88 97 95 55 45 88 72 80 82 96

Bi Bi Bi In Bi Sn Sn Sn Sn Sn Sn Sn Sn Sn Sn Sn Cd Au Pb Pb Pb Au Au Zn Ge Ag Al Ag Au Au Sn

45 42 42 3 40 31 32 36 37 9 10 3,8 3,9 3,5 1 0,7 17 20 2,5 1,5 4 12 3,2 5 45 38 12 28 20 18 4

Pb Sn Sn Ag Cd Pb Cd Pb Pb Zn Au Ag Ag Ag Cu Cu Zn Sn Ag Ag Sn Ge Si Al Al Au Si Cu Cu Ni Ag

1 Pb

18 Cd 1,4 Ag

0,7 Cu 0,6 Cu

1 Sn 4 Ag

1 In

17 Ge

0,5 Cu

10,44 8,58 8,56 7,38 9,31 8,45 7,68 8,41 8,4 7,27 7,78 7,4 7,4 7,36 7,31 7,31 8,35 14,51 11,33 11,28 11,05 14,67 15,4 6,6 3,71 10,58 2,66 10,01 15,67 15,92 7,4

43 38,22 7,48

0,04 0,19 0,73 0,35 15 22 24 27 25

6400 8000 800 6263 7000 7500 7940 7280 7540 6200 500

37,5 55

15 23 2

tel-00129546, version 1 - 8 Feb 2007

14,45 14,96 11,47

0,5 0,5 0,61

4,35

37 32,5 1,1

17 21.5

10,75

0,33

30

5620

73

40

0,57 20 28,67 0,23 0,44 0,27

16 30 13 12

40000 4400 4420 26835 36975

40000 2900

8,57

2 42 23

9,5

26825 31900

10,6 12

207

Annexe C : Proprits du Foturan

ANNEXE C : PROPRIETES DU FOTURAN


Mechanical Properties Young's modulus [10 N/mm] Poisson's ratio Knopp hardness [N/mm] Modulus of rapture [N/mm] Density [g/cm] Glass 78 0,22 4600 60 2,37 Glass ceramic (brown) 88 0,19 5200 150 2,41

Thermal properties Thermal expansion a20-300[10 /K] Thermal conductivity 20 C [W/mK] Specific heat 25 C [J/gK]
o o -6

Glass 8,6 1,35 0,88


o

Glass ceramic (brown) 10,5 2,73 0,92 750 Glass ceramic (brown) 5,6*1016 4,3*107 5,7 25 Glass ceramic (brown) 1300 0,9 250

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Transformation temperature [ C] Max. safe processing temperature [ C] Electrical properties Electrical conductivity 25 C [Ohm*cm] Electrical conductivity 200oC [Ohm*cm] Dielectric constant 1 MHz, 20oC Loss factor tan d 1 MHz, 20 C [*10 ] Chemical properties Water resistance DIN/ISO 719 [(g) Na2O/g] Acid resistance DIN 12116 [mg/dm] Alkali resistance DIN/ISO 695 [mg/dm]
o -4 o o

465 450 Glass 8,1*10 6,5 65 Glass 468 0,4 96


12

1,3*107

Tableau A. 3 Principales proprits physiques du Foturan

208

Annexe D : Introduction la mcanique des milieux dformables

ANNEXE D : INTRODUCTION A LA MECANIQUE DES MILIEUX DEFORMABLES


Lobjectif des deux annexes suivantes est dinitier le lecteur la mcanique des milieux dformables en se limitant aux matriaux lastiques, linaires, homognes et isotropes. Cette annexe dintroduction ainsi que lannexe E permettent dintroduire la notion de comportement des matriaux et des sollicitations simples dans le cas des poutres. Une prsentation de la thorie de llasticit gnrale en 3D sera propose avec lintroduction de la notation tensorielle. Cette synthse est largement inspire des cours du Professeur Luc Chevalier de lEcole Normale Suprieure de Cachan.

B.1. Prliminaires : Comportement et structure des matriaux


B.1.1.

Liaisons et structures atomiques

Atomes et liaisons atomiques


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Latome est constitu de particules lmentaires (nuclons et lectrons) qui obissent aux lois de la mcanique quantique. Le classement des lments chimiques (atomes) du Tableau Priodique se fait par remplissage successif des orbitales. Les proprits chimiques des lments ne sont fonction que de leurs lectrons priphriques (llectron de valence appartenant la plus grande orbitale). Les liaisons chimiques entre atomes sont essentiellement lectrostatiques. Cest la nature des liaisons qui dtermine en grande partie les proprits des phases condenses (liquides ou solides) et la classification des matriaux peut se faire daprs leur type de liaisons.

Structure et organisation des solides


Ltat physique dune substance (solide, liquide ou gaz) est dtermin par la balance entre son nergie de cohsion qui rapproche les atomes et son nergie thermique qui tend les sparer. Lnergie thermique est proportionnelle la temprature, tandis que lnergie de cohsion est en premire approximation indpendante de celle-ci. Cette situation explique la transition des tats de la matire avec la temprature. Larrangement des atomes dans un solide peut prendre un caractre ordonn ou dsordonn et conduire deux types de structures : La structure amorphe, peu ordonne et qui est analogue celle des liquides. On y rencontre, courte distance (quelques diamtres atomiques), une certaine priodicit de la distribution des atomes. Cette structure amorphe se rencontre dans certaines cramiques (verres minraux) et dans un grand nombre de polymres organiques (verres organiques, caoutchouc). La structure cristalline caractrise par une distribution priodique datomes ordonns grande distance. Lensemble des matriaux mtalliques, une partie importante des cramiques et un certain nombre de polymres organiques, se prsentent sous la forme dun assemblage de microcristaux (grains).

209

Annexe D : Introduction la mcanique des milieux dformables

B.2. Elasticit des matriaux


B.2.1.

Module dlasticit

Toute force applique un matriau se traduit par une dformation qui entrane un changement de la position des atomes. Les arrangements se trouvent lquilibre lorsque les noyaux atomiques sont distants dune certaine valeur ro. Sous leffet defforts extrieurs les atomes se rapprochent ou sloignent engendrant ainsi une force dattraction dont lallure est donne ci-dessous. Cette force de rtraction tend restituer lchantillon sa forme originale. La force est pratiquement proportionnelle la distance r- ro pour tous les matriaux, tant en traction quen compression. La raideur de la liaison est constante aux petites dformations et se trouve lorigine de la dfinition du module dlasticit E que lon rencontrera plus loin. Cest le cadre de llasticit linaire.
F

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Raideur au voisinage de lquilibre, pente de la courbe F maxi 0 Rpulsion Attraction

ro

rD Rayon de dislocation

A laide de calculs simples on peut estimer la rsistance thorique maximale des matriaux (thorique=E/8). La thorie et lexprience aboutissent dans un grand nombre de cas un divorce qui est li, comme nous le verrons par la suite, lexistence de dfauts et en particulier de dislocations, dans la structure cristalline des matriaux.

B.2.2.

Dfauts dans les cristaux : Limite lastique

Le cristal rel comporte un nombre lev de dfauts dont les dimensions caractristiques minimales sont en gnral de lordre de grandeur dun diamtre atomique. Ces dfauts peuvent tre ponctuels comme des lacunes ou les atomes trangers, linaires comme des dislocations, bi-dimensionnels comme les joints de grains ou les dfauts dempilement.

210

Annexe D : Introduction la mcanique des milieux dformables

Figure A. 11. Reprsentation dune dislocation dans un cristal

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La dislocation (Figure A. 11) est le seul type de dfaut linaire. Cest le dplacement des dislocations, appel glissement, qui est la base de la dformation plastique des mtaux et de leurs alliages. Lors du passage dune dislocation dans un cristal, il y a peu datomes impliqus et peu de liaisons rompues simultanment. Grce une grande densit de dislocations et leur facilit de dplacement, une dformation macroscopique importante peut tre obtenue en peu de temps dans les matriaux mtalliques par des procds de formage basse temprature. Les autres types de matriaux (cramiques, polymres organiques) qui ont des dislocations peu nombreuses et peu mobiles ont un comportement lastique fragile. Nous verrons plus en dtails dans le dernier chapitre, une introduction la plasticit et la rupture.

211

Annexe E : Thorie des poutres

ANNEXE E : THEORIE DES POUTRES


Prambule : Cette synthse provient de mes cours dispenss en Master 2 Professionnel AISEM, La mcanique pour les microsystmes Dfinition des poutres : Un milieu () est une poutre si:
il existe une ligne moyenne, continue, passant par les barycentres des sections du solide la longueur L est au moins 4 5 fois suprieure au diamtre D il ny a pas de brusque variation de section (trous, paulements) le solide admet un seul et mme plan de symtrie pour les charges et la gomtrie
Plan de symtrie de la poutre d D

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Section droite x G

Ligne moyenne Lm

Figure A. 12. Dfinition dune poutre

Figure A. 13. Exemples de sections de poutres

Hypothses sur les matriaux


Les matriaux doivent tre : 1. Continus : Mat. 1 Mat. 2

Il ne doit pas y avoir de discontinuit

212

Annexe E : Thorie des poutres

2. Homognes : Taille de la microstructure<< taille de la macrostructure ainsi M point du matriau, les proprits mcaniques sont identiques ( (M) = , E, G, ...)

OK

Pb: Il faut regarder de plus prs => Effet quantique

Au facteur dchelle : MEMS OK NEMS voir !!!


3. Isotrope: Mme comportement dans toutes les directions (il nexiste pas de directions privilgies) Exemple: Cube acier Les matriaux composites (bois, stratifis, bicouche SiO2/SiNx) ne sont pas isotropes mais il faut alors rsoudre le problme en utilisant les lois dans les directions dtudes. 4. Elastique linaire (Petites dformations) En effet, dans le domaine des petites dformations, lnergie interatomique est une fonction parabolique de la distance r interatomique et donc le dplacement est proportionnel leffort appliqu (Figure A. 14).
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F=kX Pourquoi?
W(potentiel dnergie interatomique)

X=L-Lo

W (r ) = wo + k (r ro) 2 W F= = 2k (r ro) Linaire r

Figure A. 14. Comportement lastique linaire pour les petites dformations

Hypothses sur les dplacements


o Les sections droites (S) sont supposes indformables o Hypothses des petites dformations

Hypothse de Bernoulli
Aprs dformations, les sections initialement planes et perpendiculaires la ligne moyenne restent planes et perpendiculaires la ligne moyenne Rq: Traction et flexion OK Torsion : (S) circulaire OK (S) carr NON (gauchissement)

213

Annexe E : Thorie des poutres

Sollicitations simples :
Type Traction Compression Torsion Cisaillement Flexion simple Flexion pure Commentaire Allongement longitudinal, on tire de chaque ct Raccourcissement, on appui de chaque ct Rotation par glissement relatif de sections droites Glissement relatif des sections Exemple Cble de remorquage Barreau de chaise arbre de transmission d'un moteur Ciseaux/ tectonique des plaques/ Collage

Flchissement sans allongement des Planche de plongeoir fibres contenues dans le plan moyen Flchissement sans allongement des Planche de skateboard fibres contenues dans le plan moyen

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F A

Lm B

F A

Lm B

-M

x A L

Lm

M B

Traction Compression - Torsion

Cisaillement

Flexion simple

Figure A. 15. Illustration de quelques sollicitations simples

214

Annexe E : Thorie des poutres

Loi de HOOKE
En 1678, Robert Hooke (1635-1703) montra que dans le domaine lastique linaire : Lallongement dune structure dans une direction donne est proportionnel leffort appliqu dans cette direction, et ceci pour plusieurs matriaux
F lo F F F F F E,S

F=kX

F=

ES l = Kl lo
X=L-Lo

X=L-Lo

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= =

Module dYoung Module dlasticit longitudinal ( rigidit de la matire ) exprim en N.m-2 (Gnralement en MPa voire GPA) Raideur de traction (N/m)

K=

ES lo

Figure A. 16. Illustration de la raideur dune poutre

Formulation de la loi de HOOKE

f G Section S

Elasticit linaire

= E
Avec =

F contrainte de traction dans le matriau (N.m-2=Pa, gnralement MPa) S l = Allongement relatif ou dformation (sans dimension) lo

Contraction largissement : Coefficient de poisson

215

Annexe E : Thorie des poutres

Lorsque lon exerce une traction ou une compression, on constate que la largeur de la pice varie galement, linverse de lallongement. La variation relative de dimension est proportionnelle lallongement relatif e, le coefficient de proportionnalit sappelle le coefficient de poisson13 ou rapport de poisson (Poissons ratio). On le note (sans dimension).

Pour un cylindre : r l = = ro lo

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Pour un paralllpipde rectangle : a l = = ao lo b l = = bo lo

Figure A. 17. Loi de comportement : courbe contrainte - dformation

Lessai de traction permet, lui seul, de dfinir les caractristiques mcaniques courantes des matriaux. Les rsultats issus de cet essai, permettent de prvoir le comportement dune pice sollicite en Cisaillement, Traction / Compression et Flexion. Principe de lessai Lessai est ralis sur une machine de traction. On applique progressivement et lentement (sans choc) une prouvette cylindrique de formes et de dimensions normalises, un effort de traction croissant.

Denis Poisson, mathmaticien Franais (1781 - 1840), auteur de travaux sur la physique mathmatique et la mcanique

13

216

Annexe E : Thorie des poutres

Machine de traction

Eprouvettes

Eprouvette installe entre les mors de machine de traction

Ainsi, grce lessai de traction, on peut identifier la loi de comportement dun matriau. Cette loi de comportement, qui est dcrite pour le cas gnral par la Figure A. 18 , permet de fixer des limites de travail spcifiques chaque matriau (lastique, plastique, crouissage, striction).
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=
Limite rupture Rr

F S

D A B C E Rupture
= E

Limite lastique Re

Elastique Parfaitement plastique Zone lastique

II

Zone Zone de striction crouissage

III

IV

l lo

Zone plastique

Figure A. 18. Courbe contrainte-dformation

Dans la partie suivante nous allons dvelopper la notion de contrainte, non plus suivant une direction privilgie (essai uniaxial de traction par exemple) mais dans nimporte quelle direction. Afin de comprendre ce qui se passe au sein de la matire, faisons une coupure fictive (par la pense) de notre matriau (Figure A. 19) :

217

Annexe E : Thorie des poutres

+
y

Orientation de la poutre +
x

Figure A. 19. Coupure fictive : O se cache la contrainte ?

La cohsion de la matire est garantie par lexistence de contrainte interne qui permet lquilibre de la structure. Si lon reprend lexemple de lessai de traction, alors la contrainte se rpartie uniformment sur la section (Figure A. 20)
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+
F
G Section S

Laction de la partie + sur la partie peut tre remplace par une contrainte de traction en tout point de F la section : = S Rq : dS = F = effort de traction
S

Figure A. 20. Rpartition des contraintes lors d'un essai de traction

De manire image, la contrainte peut sinterprter par la prsence fictive dune infinit de ressorts de rappel interatomique qui permettent la cohsion de la matire.

Figure A. 21. Interprtation image de la notion de contrainte

Dans le cas des poutres, on dfinit un torseur de cohsion qui gnralise lensemble des sollicitations possibles (traction/compression, flexion, torsion).
Torseur de cohsion

218

Annexe E : Thorie des poutres

Dfinition : Le torseur de cohsion est le torseur modlisant les efforts intrieur issues de laction de la partie (+) sur la partie (-) (par convention) exprim au point G, centre dinertie de la section.

{ Coh }G = { + / }G = { / + }G
Fn Cn w F1 Ty Mfz G z F2 C1
N : Effort Normal sur (G, x) Ty : Effort Tranchant sur (G, y ) Tz : Effort Tranchant sur (G, z ) M t : Moment de Torsion sur (G, x) M fy : Moment de Flexion sur (G, y ) M fz : Moment de Flexion sur (G, z )

Mfy N Mt x

{ Coh } =
G

N Ty T z

Mt M fy M fz

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Figure A. 22}. Torseur de cohsion

Exemple : Flexion simple

Modle

F
+

O x m L

y A z x

Yo Mo Xo

Bilan des actions mcaniques

F A

x m L

Do le torseur de cohsion en m, centre sinertie de la section : r r R = F y r r r r { Coh }m = { + / }m = r r r r M (m) = M ( A) + mA R = 0 + ( L x) x F y = F ( L x) z Dans ce qui prcde, nous avons vu les bases de la thorie des poutres avec lintroduction du torseur de cohsion qui rend compte des efforts mis en jeu au niveau dune section rigidifiante. Dans ce qui suit, nous allons gnraliser au cas de llasticit classique en introduisant le tenseur des contraintes qui nous renseigne sur les sollicitations en un point subit par la matire et ce quelle que soit la direction.

219

Annexe E : Thorie des poutres

Tenseur des contraintes : Que se passe til localement au sein de la matire?


Fn Cn M F2 C1 z Mfz G Tz w F1 Ty Mfy N Mt x
Base Orthonorme Directe

Figure A. 23. Passage du modle global (sur une section) la description locale (un point)

Les faces i et -i sont les faces normales ei , en partant du centre du cube, ei pointe vers i, la face -i tant la face oppose.
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Construction du tenseur des contraintes : Dans un premier temps, nous ne considrons que les faces numrotes positivement. r Sur la face j s'exerce un vecteur-force F j qui a trois composantes :
F r 1j Fij tant la composante selon ei du vecteur-force s'exerant sur la face j. F j = F2 j F 3j

La surface de chaque facette tant a, on peut dfinir neuf composantes ij homognes des contraintes : F ij = ij a2 On dfinit alors ltat de contrainte en un point par un tenseur: 11 12 13 11 12 13 (M ) = 21 22 23 = 12 22 23 car (M )est symmtrique 31 32 33 13 23 33

On dfinit le vecteur contrainte T (M, n ) = (M )n . Ce vecteur caractrise la cohsion du matriau, il dpend du point M, de la normale de la facette oriente et du temps.

220

Annexe E : Thorie des poutres

Ex :

r r r r r T(M,e1) = 11e1 +12e2 +13e3 r r r r r T(M,e2 ) = 12e1 +22e2 +23e3 r r r r r T(M,e3 ) = 13e1 +23e2 +33e3

Ainsi, on peut tracer la surface enveloppe du champ des contraintes appliqu au point M en calculant le vecteur contrainte pour toutes les directions de lespace !

De faon bien assimiler la notion de tenseur, voici une description tensorielle de la couleur (mtaphore) : Une couleur peut tre obtenue par une infinit de combinaison de Bleu, Rouge ou Jaune avec plus ou moins dintensit. On peut alors obtenir une unique couleur qui sera un point A de lespace (O, B, R , J ) , voir Figure A. 24.
J

Jaune

Rq : Si A (O, J ) alors on aura un jaune d' intensit # OA

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Si A (O, B) alors on aura un bleu d' intensit # OA etc.... Dans le cas gnral il s' agit des composantes du vecteur OA : OA B # intensit du bleu OA R # intensit du rouge OA J # intensit du jaune

Rouge

Bleu
Figure A. 24. Description image de la notion de tenseur

De la mme faon, on dfinit un tenseur des dformations :


11 (M ) = 12 13 12 22 23 13 T 1 u u j 1 = grad u + grad u 23 tenseur symtrique avec ij = i + 2 x j x i 2 33

Avec u , le champ des dplacements (Figure A. 25).


r r r r r u ( M ) = M0M = u1e1 + u2e2 + u3e3
M M + dM

Champ des dformations dun milieu continu :

r r r u r dM dM0 = dM0 M0

M0

M0 + dM0

1u1 1u2 r r u = grad ( u ) = 2u1 2u2 M0 u u 3 1 3 2

1u3 2u3 3u3

Figure A. 25. Champ des dplacements Gradient du champ des dplacements

221

Annexe E : Thorie des poutres

Exemple : Cas dun essai de traction


11 (M ) = 0 0 0 . 11 0 F 0 avec 11 = 11 = E ES . 11 0

Loi de comportement

Lessai de traction nous a permis didentifier la relation contrainte-dformation dans le cas particulier dune sollicitation uniaxiale. Dans le cas gnral, par le biais dessais de caractrisations et par principe de superposition (comportement linaire), on rvle lexistence dune relation linaire bijective entre ces deux champs, et :

= F ( ) ij = Cijkl kl , C tenseur de rigidit


Aussi,
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11 C1111 C 22 2211 33 C3311 23 C2311 31 = C3111 12 C1211 C 32 3211 13 C1311 C 21 2111 C1122 C2222 C3322 C2322 C3122 C1222 C3222 C1322 C2122 C1133 C3333 C3133 C1233 C3233 C1333 C1123 C3323 C3123 C1223 C3223 C1323 C1131 C3331 C3131 C1231 C1331 C1112 C1132

= G ( ) ij = Sijkl kl , S tenseur de souplesse


C1113 C2213 C3313 C2313 C3113 C1213 C3213 C1313 C2113 C1121 11 C2221 22 C3321 33 C2321 23 C3121 31 C1221 12 C3221 32 C1321 13 C2121 21

C2233 C2223 C2231 C2333 C2323 C2331

C2212 C2232 C3312 C3332 C2312 C2332 C3112 C3132 C1212 C1232 C3232 C1332 C2132 C1312

C3231 C3212

C2133 C2123 C2131 C2112

Dans le cas des Matriaux Linaire Homogne Elastique Isotrope (MLHEI), cette relation se simplifie : de 81 inconnues, on passe 2 inconnues ! Loi de Hooke : Relation dformation-contrainte

ij =

1+ ij kk ij avec kk = trace( ) E E

222

Annexe E : Thorie des poutres

Que lon peut crire galement sous la forme :


1 E 11 1 E 22 2 33 3 E = = 2 23 4 0 2 13 5 2 12 6 0 0 E 1 E E E E 1 E

0 0 0 2 (1 + ) E 0 0 2

0 0 0 0 (1 + ) E 0

0 0 0

0 0 0

0 1 11 2 22 0 3 33 ou 0 4 23 5 13 0 6 12 (1 + ) 2 E

Loi de Lam : Relation contrainte-dformation


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ij = kk ij + 2ij ou ij = trace()ij + 2ij Egalement,


11 1 + 2 + 2 22 2 33 3 + 2 = = 0 0 23 4 0 13 5 0 0 0 0 0 12 6 0 0 0 0 1 11 0 0 0 2 22 0 0 0 3 33 ou 0 0 4 2 23 0 0 5 213 0 0 6 212

Relations entre les coefficients de Lam et ceux de Hooke : (2 + 3 ) E E = + = 2(1 + ) et E = = (1 2 )(1 + ) 2( + ) La connaissance du module de Young E et du coefficient de Poisson (ou bien et ), nous donne accs au comportement de la matire. Mais dans le but de garantir la rsistance dune structure, comment sassurer que ltat de contrainte-dformation de la structure reste dans le domaine lastique ? Prcdemment, on a vu que partir dun essai de traction uniaxial, on obtient la limite lastique e =Re. Donc, si la structure tudie est sollicite en traction-compression (cas 1D) alors il suffit de vrifier < e =Re comme critre de rsistance. Afin de passer aux cas de sollicitations complexes 3D (Ex : torsion+traction+cisaillement), il convient dtendre le domaine de validit dans le cas 3D en construisant un scalaire partir du tenseur des contraintes s comparer avec e.

223

Annexe E : Thorie des poutres

Nous verrons par la suite plusieurs critres de limite lastique ou bien de seuil dcoulement plastique. Nous verrons galement que ces critres sont valables tant que la tnacit de la matire est suffisante ou bien que la probabilit davoir une longueur de fissure suprieure un certain seuil est nulle. De plus, sappuyer sur un des critres pour prdire la rupture nest pas envisageable ds lors quil existe une singularit gomtrique. En effet, une simulation numrique par EF verra la contrainte au voisinage dune singularit gomtrique augmenter avec le raffinement du maillage ! Ainsi, il nest pas acceptable de regarder seulement un critre de limite lastique ou de rupture ! Il faut utiliser les techniques de la mcanique de la rupture, que nous allons voir plus loin.

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224

Annexe F : Thorie de la rupture

ANNEXE F : THEORIE DE LA RUPTURE


Prambule : Cette synthse est largement inspire des cours du Professeur Luc Chevalier de lEcole Normale Suprieure de Cachan. Lessai de traction nous a permis didentifier diffrents types de comportements se rapportant diffrentes familles de matriaux. En rsum, on peut rappeler que tous les matriaux ont une phase de comportement lastique. Au-del dune certaine limite Y (galement not e ) les matriaux fragiles (cramiques, fontes, polymres phase amorphe vitreuse par exemple) se rompent, leur limite lastique est donc confondue avec leur limite la rupture R.

Exprimentalement la rptabilit nest pas bonne. Dans le cas des matriaux fragiles R nest pas un bon critre de rupture. La mcanique de la rupture propose une approche diffrente base sur lnergie de fissuration qui permet de prvoir la rupture fragile. Nous nous proposons une rapide prsentation de la mcanique de la rupture.
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Pour les matriaux ductiles (les mtaux, les polymres semi-cristallins) la limite Y correspond la phase dcoulement plastique. Cette proprit, associe au fait que les dformations lastiques sont petites, permet de mettre en forme les mtaux par dformation permanentes.
Introduction la mcanique de la rupture :

La rupture brutale constate pour les matriaux tenaces, est provoque par la propagation rapide des petites fissures qui existent dans le matriau. Pour rompre le matriau, il faut que lnergie extrieure fournie soit suprieure la somme de lnergie lastique susceptible dtre emmagasine par le matriau et de lnergie surfacique ncessaire laugmentation de surface qui accompagne louverture de la fissure. Louverture de la fissure entraine une augmentation de la surface du matriau qui ncessite lapport dune certaine nergie WS : WS = G c S S est la surface de fissure nouvellement cre et Gc est lnergie surfacique critique ncessaire la propagation dune fissure. Gc est une caractristique du matriau (voir quelques exemples donns dans le tableau A.4). Considrons lexprience suivante : on tire lastiquement une plaque dpaisseur e en exerant une contrainte de traction dintensit . La dformation e de la plaque est homogne et la plaque a donc emmagasine une nergie lastique par unit de volume qui vaut : 2 1 dWel = : = 2E 2 Soit une nergie lastique totale : 2 v Wel = dWel = 2E

225

Annexe F : Thorie de la rupture

0 =0
Zone relche lastiquement

dWel = 0

1 dWel = : 2

4a

=0 0
a Figure A. 26. Description de la restitution d'nergie lastique emmagasine

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La plaque est maintenue dans cette position, on bloque les bords infrieurs et suprieurs. Si on ralise une fissure de longueur a partir dun bord (Figure A. 26), la zone elliptique (a, 2a) au voisinage de la fissure se relche donc lastiquement, une partie de lnergie lastique est restitue. Wel vaut donc maintenant : a (2a) e 2 Wel = v 2E 2 Pour que louverture de la fissure puisse se produire, il faut que lnergie lastique restitue lors de laccroissement a de la longueur de fissure soit suprieur au seuil dnergie WS permettant louverture. Cette dernire nergie vaut : WS = G c S = G c e a Lnergie lastique restitue vaut alors : 2 Vf Wel = v avec v laccroissement de volume relch, on 2E Vi admettra que la zone de relchement elliptique volue deux fois plus rapidement suivant le grand axe (Figure A.27 27).
4a

v = Vf Vi =

e ( 2a + 2a ) (a + a ) 2a 2 = 2 e a a + o (a ) 2 2

Ainsi Wel =
2a a a
Figure A.27 27. Description de la variation de volume de la zone dcharge lastiquement

2 e a a 2E La condition de propagation de la fissure scrit alors :


Wel > WS

2 e a a > G c e a 2E EG c > a

226

Annexe F : Thorie de la rupture

La mcanique de la rupture, permet donc de prvoir la valeur critique de la contrainte au-del de laquelle la propagation des fissures se fait de faon catastrophique. Le terme EG c apparat trs souvent en mcanique de la rupture, on le note Kc. Il sagit du facteur dintensit critique de contrainte aussi appel tnacit du matriau (voir exemples dans le tableau A.4). Il faut noter que la propagation dondes lastiques dans les matriaux se fait une clrit E donne par la relation : c = Par exemple, dans le cas du verre cette clrit vaut 5000 m/s ! On comprend pourquoi cette rupture lair dtre pratiquement instantane.
Dtermination de la tnacit dun matriau :

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Afin dvaluer la tnacit des matriaux, une prouvette (plaque mince) entaille sur le cot subit un essai de traction (Figure A. 29). On relve lvolution de la force de dchirement en fonction de louverture de lentaille d. Lorsque la fissure volue de faon brutale, le comportement devient non-linaire. On dtermine la force critique Fc qui agit sur une aire gale :

S = e (L a )

avec e : paisseur de lprouvette L : longueur entre le fond de lentaille et le bord oppos (L>>a)

Cet essai permet de dterminer Fc, ainsi on obtient Kc et Gc: c = Fc e( L a ) F a Kc Kc = c e( L a ) a a Fc E e 2 (L a ) 2


2

F Fc d

or c =

Aussi, K c = EG c G c =

a F L e

Figure A. 29. Dtermination exprimentale de la tnacit dun matriau

On obtient alors la contrainte critique c et par la suite le facteur dintensit critique Kc. Connaissant le module de Young, on peut dterminer lnergie surfacique critique ncessaire la propagation de la fissure Gc (Tableau A. 4). Ces valeurs varient considrablement entre les matriaux de moindre tnacit comme la glace et les cramiques jusqu ceux de tnacit maximale comme les mtaux ductiles. 227

Annexe F : Thorie de la rupture

Si on relve la rsistance Y dun matriau lors dun essai de traction et que lon compare cette limite avec la valeur de la contrainte critique c, on se rend compte quun matriau rput ductile peut avoir un mode de rupture fragile (Figure A. 30). En effet, il suffit que : 2 Kc Kc E Gc c < Y < Y a > = =ac 2 Y 2 a Y
Y
Kc a

ac

a Rupture fragile

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Rupture ductile

Figure A. 30. Transition de mode de rupture: ductile - fragile

La prsence de fissures de longueurs suffisantes modifie le mode de rupture dun matriau pour le rendre fragile. Mais la longueur de ces fissures qui correspond la transition rupture ductile rupture fragile peut tre trs faible. Mtaux et alliages : 10 < ac < 500 mm Plastiques et bois : 1 < ac < 10 mm Cramiques et verres : 10-4 < ac <10-1 mm
Matriau Fonte Alumine Carbure de tungstne Aciers ferritiques Aciers doux Composite bore / poxyde Laiton et Bronze Aluminium Bton, ciment Composite verre / poxyde Bois courant (// aux fibres) Nylon Polystyrne PMMA Glace Gc en kJ/m 0,2 3 0,02 0,3 170 220 100 17 100 100 0,03 10 100 0,5 2 24 5 0,3 0,003 Kc en MN/m3/2 ou MPa m 6 20 35 14 150 200 140 46 100 100 0,2 40 60 0,5 1 3 4 0,9 0,2

Tableau A. 4. Exemples de valeurs dnergies surfaciques critiques ncessaires la propagation dune fissure pour diffrents matriaux (mode I de pelage)

228

Annexe G : Introduction la plasticit

ANNEXE G : INTRODUCTION A LA PLASTICITE


Prambule : Cette synthse est largement inspire des cours du Professeur Luc Chevalier de lEcole Normale Suprieure de Cachan.

Dans cette annexe, nous allons supposer dans un premier temps pour plus de clart, que la partie lastique des dformations est ngligeable (Figure A. 31). De plus nous ne ferons pas intervenir lcrouissage. Compte tenu de ces deux hypothses, le comportement en traction dun tel matriau serait le suivant :
Y Pas dcrouissage

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Elasticit nglige

Figure A. 31. Comportement plastique parfait

Evidemment, il sagit dune schmatisation du comportement plastique, nous verrons plus loin comment prendre en compte lcrouissage dune part et llasticit en petite dformation dautre part.
Critres dcoulement plastique

Certaines notions prsentes par la suite ont dj t abordes du point de vue de llasticit. La prsentation est lgrement diffrente ici puisquon va considrer les critres comme des seuils partir desquels lcoulement plastique se dveloppe. On distingue deux familles de critres dcoulement : ceux qui font appel la notion de courbe intrinsque au matriau, ceux qui font appel la notion de contrainte quivalente.
Courbes intrinsques

On rappelle que ltat des contraintes en un point M peut tre reprsent par un domaine limit par 3 cercles dans le plan contrainte normale en abscisse et contrainte tangentielle en ordonne. La notion de courbe intrinsque suppose que dans le plan (,) lcoulement plastique va apparatre si une certaine relation f(,) est vrifie. Cette fonction est la courbe intrinsque du matriau (Figure A. 32), cest lenveloppe de tous les tricercles de Mohrs possible avant plastification.

229

Annexe G : Introduction la plasticit

Courbe intrinsque f(,)

Figure A. 32. Courbe intrinsque d'un matriau

On remarque que les critres introduit partir de la notion de courbe intrinsque ne font pas intervenir la contrainte principale intermdiaire. Considrons trois de ces critres :
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Critre de Rankine : On suppose que la limite lastique est dtermine par des valeurs limites portant sur les contraintes normales principales. On fait un essai de traction pour dterminer la contrainte normale maximale Y, et un essai de compression pour dterminer la contrainte normale minimale Y. Le critre scrit donc :
Y ' < i < Y i { 1,2,3} Dans la reprsentation de Mohr, ce critre revient limiter les cercles de Mohr entre les abscisses Y et Y .

Avec ce critre, la contrainte principale intermdiaire 2 ne joue aucun rle. La contrainte tangentielle est implicitement limite : 1 (Y Y ') . 2
Critre de Tresca : Ce critre suppose que la courbe intrinsque est une droite horizontale, en dautres termes que seule la contrainte tangentielle intervient. Ce critre scrit :

Y 2 Y est le seuil dcoulement plastique en cisaillement. Compte tenu que Y vaut Y/2, la relation devient : sup i, j i j Y sup i, j

i j

230

Annexe G : Introduction la plasticit

Critre de Tresca

Figure A. 33. Description du critre de Tresca

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En pratique, il est assez dlicat de reprsenter un tenseur (6 dimensions) et donc il est difficile de reprsenter graphiquement un critre. On le trace cependant en fonction des 3 contraintes principales I,,. Compte tenu des valeurs absolues, il faut distinguer les cas o : I < II < III III - I Y II < III < I I - II Y III < I < II II - III Y etc ...

1 n1

Tresca

Figure A. 34. Surface seuil de limite d'lasticit pour le critre de Tresca

La surface seuil est donc constitue de portions de plans tous parallles la droite de direction n (1,1,1) .Ce qui donne le prisme base hexagonale ci-dessus (Figure A. 34). On peut remarquer que pour ce critre la trace de nintervient pas, ce qui est difficilement admissible. De plus, ce critre permet de prdire lapparition de la plasticit en traction simple dans les plans inclins 45 par rapport la direction de traction. En pratique les prouvettes mtalliques se rompent suivant un angle lgrement diffrent de 45.
Critre de Coulomb : Le critre de Coulomb suppose quil existe un frottement interne caractris par une inclinaison dun angle des droites reprsentant la fonction intrinsque. Dans ce cas le critre scrit :

231

Annexe G : Introduction la plasticit

f(,) = c tan = 0 O c est lordonne de la droite lorigine. Ce critre permet de prdire une rupture en traction suivant un angle de 45-/2 par rapport la direction de la traction.
Critre de Coulomb
1 n1

Coulomb

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Figure A. 35. Description du critre de Coulomb

En identifiant sur le cercle de Mohrs (Figure A. 35) correspondant lessai de traction, on a au point T de tangence : T = Y (1 + sin ) et T = Y cos + T tan 2 2 Ce qui permet dcrire le critre en ce point : Y cos + T tan - c - T tan = 0 c = Y cos 2 2 On peut donc rcrire le critre sous la forme : T tan + Y cos = 0 2 Contrainte quivalente : Une autre faon de faire le passage entre lessai de traction et le 3D est de dfinir une contrainte quivalente au tenseur . C'est--dire une certaine norme de que lon pourra comparer avec la valeur de Y. Dans le cas des matriaux isotropes, cette contrainte quivalente doit tre invariante par changement de repre ce qui impose quelle sexprime en fonction des invariants de . Ces trois invariants sont : I1( )=trace( )=kk I2( )=trace( )= : I3( )=det

De plus, compte tenu de lincompressibilit plastique, une pression hydrostatique ne permet pas de plastifier le mtal. Donc seule la partie dviatorique intervient dans cette norme. Par tenseur des contraintes dviatorique, on entend le tenseur des contraintes amput de sa pression hydrostatique, ayant ainsi une divergence nulle savoir : 1 trace( D)I le tenseur hydrostatique S + D avec S = 3 D= S le tenseur dviatorique

232

Annexe G : Introduction la plasticit

Par ailleurs, il est trs dlicat de mettre en place des essais didentification pour lesquels le det est diffrent de 0. La contrainte quivalente est donc une fonction de I2( D).
Critre de Von Miss

Une fonction simple du second invariant du dviateur des contraintes peut tre : eq=[trace( D D)]1/2=( D: D)1/2 La valeur de est choisie pour retrouver la limite Y du matriau en traction. Ainsi on trouve :

eq =

3 trace ( D D ) Y 2

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On obtient ainsi une fonction facilement programmable : 1 (1 2 )2 + ( 2 3 )2 + (3 1 )2 Y dans la base principale 2 1 2 2 (11 22 )2 + ( 22 33 )2 + (33 11 )2 + 6(12 + 13 + 2 ) Y dans le cas gnral 23 2

Critre de Hill :

Pour les matriaux anisotropes, on gnralise le critre ci-dessus en introduisant des coefficients danisotropie. Par exemple pour un matriau orthotrope dans la base dorthotropie, on a :
1 2 2 2 2 2 2 F ( 11 22 ) + G ( 22 33 ) + H ( 33 11 ) + L 12 + M 13 + N 23 2 On remarque que le critre de Hill nest pas invariant par rotation. Ce qui pose le problme de lobjectivit du critre. eq =

Dans ce qui prcde, on a prsent quelques critres courants de limite lastique sans chercher en justifier un plus que lautre. Chacun a sa manire propre de limiter les tenseurs des contraintes. En labsence de rglements ou de normes, il est sans doute prudent den combiner plusieurs et dopter pour un facteur de scurit. Les critres de Tresca et de Von Miss (trs populaires dans les codes de calcul) ne limitent pas les tenseurs sphriques. Si on se limite ne regarder que lun ou lautre de ces critres, on prend le risque de dclarer admissibles des tractions sphriques trs importantes. On devrait prudemment le combiner avec le critre de Rankine. Les critres permettent de rpondre la question : quand la plasticit apparat-elle ? Pour dterminer comment le matriau se plastifie, il faut connatre la loi dcoulement du matriau.
Loi dcoulement plastique

On rappelle que la plasticit est la consquence macroscopique du glissement suivant les plans denses du rseau cristallin. A lchelle microscopique, il faut que la cission soit gale une certaine cission critique c pour quil puisse y avoir mouvement des lignes de dislocations. 233

Annexe G : Introduction la plasticit

Emboutissage

MACRO

MICRO ,

vg

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vg

Pour un systme de glissement on a : Si <c pas de glissement Si =c glissement dans le plan dense a la vitesse vg La puissance dissipe par dformation est gale la somme des produits cvgS sur lensemble des systmes (i) actives de section gale S. Par ailleurs, lchelle macroscopique cette dissipation vaut la somme de trace( D ) sur le domaine dform, ce qui donne : i i i trace( D )dV= c v g S
Soit un tat de contrainte caractris par une cission i sur les systmes de glissement. Si cet tat de contrainte ne conduit pas la plastification du matriau, cest que pour tous les systmes activs par le systme ( D ), on a : i i = ic Pour tous les autres systmes de glissement : vig=0 Dans ces conditions : trace( * ) = i v ig Si ic v ig Si = trace( ) c
Syst.activs Syst.activs

Syst.activs

Cette proprit est gnralement admise sous le nom de principe du travail maximal et snonce comme suit : Soit le champ des contraintes associ lcoulement plastique caractris par le taux de dformation . Pour tous champ de contrainte * intrieur au domaine dlasticit, on a : trace[( *- ). ] 0 Le principe du travail maximal permet alors de montrer que pour un domaine dlasticit convexe, lcoulement plastique est ncessairement normal au domaine. On comprend alors que les critres prsentant des points anguleux peuvent poser des problmes. La consquence de ce principe est la suivante :

234

Annexe G : Introduction la plasticit

f( ) : seuil de plasticit

n
* *

Zone lastique

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Si est lintrieur du convexe dlasticit, alors * peut tre nimporte o autour de et pour que lingalit soit vrifie il faut que soit nul. Pas dcoulement plastique. Si est sur le convexe dlasticit, alors le produit *: devant tre infrieur ou gal : quelque soit * , on en dduit que est port par la normale extrieure au domaine dlasticit. Ds lors pour un domaine dfini par une fonction seuil f( ), on obtient le taux de dformation par :

f avec 0 est nul si on reste dans le domaine lastique du matriau (pas dcoulement plastique). Il est positif lorsquil y a coulement plastique.
D= Application : Critre de Von Miss Pour le critre de Von Miss qui ne possde pas de point anguleux, la fonction seuil du critre est :

f( D ) =
Le calcul de

3 trace ( D D ) Y 2

f donne :
3 trace( D D ) f 2 = 3 D = 2 q 2 q

Notons que dans le cas de la plasticit parfaite, est indtermin si on connat on connat alors :

par contre, si

235

Annexe G : Introduction la plasticit

D=

3 D 2 q

D : D = 2

9 D : D 2 4 q

2 2 2 = trace D : D = D q 3 = D q car > 0 On a donc dans ce cas : D = 2 q D 3 D q

Illustration : Rupture brutale dune matrice


La matrice de la figure ci-dessous est conue pour faire des alliages supra conducteurs. Les alliages sont obtenus en mlangeant les constituants, sous forme de poudre mtalliques et en les comprimant dans le matrice sous une pression aussi leve que possible. Cette mthode donne un lingot de mtal qui est ensuite fritt et tir sous forme dun fil fin. Plus la pression est leve, plus le lingot est dense et meilleur est le produit final.
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Pour augmenter la pression, on a fabriqu une matrice en acier spcial trait thermiquement (chauff puis tremp lhuile). La consquence de ce traitement thermique est une limite dlasticit e trs leve : e=2000 MPa Un chantillon de ce mme acier ayant subi le mme traitement thermique a une tnacit Kc de : Kc=22 MPa m Lide des concepteurs de cette matrice tait de tirer parti de cette limite lastique trs leve pour travailler de fortes pressions. Or, elle se rompit au premier essai et ce la moiti de la charge de scurit prvue la conception. Lexamen du facis de rupture montra une fissure en forme de dongle de pouce , sinitiant la surface intrieure de la matrice. On se propose, dans cette illustration, de dterminer la raison de cette rupture brutale.

236

Annexe G : Introduction la plasticit

ro

Fissure en forme dongle, rayon a r1 ro=6,4 mm r1=32 mm a=1,2 mm

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On rappelle que la mcanique des milieux continus lastiques permet de dterminer la rpartition des contraintes au sein dun rservoir cylindrique pais. La forme du tenseur des contraintes correspond la solution classique de Lam :
B r 0 0 r = A + r 2 = 0 0 avec : B = A 2 0 0 0 r Pour les conditions limites on supposera que la pression atmosphrique est ngligeable devant la pression P qui rgne dans la matrice lors de lopration de compaction :

er = P er er = 0 On en dduit : A= Ce qui donne, comme contraintes :

en r = ro A + en r = r1 A +

B = P ro2

B =0 r12

P ro2 r12 ro2

et

B=

P ro2 r12 r12 ro2

237

Annexe G : Introduction la plasticit

P ro2 r12 r = 2 1 et r1 ro2 r 2


1,5

P ro2 r12 = 2 1 + r1 ro2 r 2

0,5

0 10 -0,5 20 30 40

Rayon r (mm)

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-1

Le graphique ci-dessus est obtenu pour une pression P unitaire. La contrainte z est nulle aussi, est toujours la plus grande contrainte principale, r est toujours la plus petite. En adoptant le critre de plasticit de Tresca, on a : (r = ro ) r (r = ro ) e On tire : r2 r2 2P r12 e P 1 2 o e A.N. : P 960MPa 2 r12 ro2 r1 Il est donc possible de comprimer jusqu une pression de 960 MPa (9600 Bars !!!). Evidemment, il est prudent dutiliser un fort coefficient de scurit s. En pratique une valeur de s gale 2,5 est assez raisonnable. Si dsormais en tient compte de la prsence de fissure, la rupture aura lieu si la contrainte dans la matrice dpasse la contrainte critique de propagation de fissure c. K c = c = 358 MPa a Selon le critre de Rankine, la propagation de fissure se fera si la plus grande contrainte principale est de traction et de valeur suprieure c. Dans notre cas, est positive et maximale en r=ro. Les fissures dangereuses seront celles contenues dans un plan radial au voisinage de lintrieur de la matrice. Cest effectivement le cas de la fissure en ongle de pouce observe aprs rupture. (r = ro ) c On obtient : r12 + ro2 r12 ro2 P 2 2 c P 2 2 c A.N. : P 330MPa r1 ro r1 + ro 238

Annexe G : Introduction la plasticit

Conclusion : Un dimensionnement classique ne prenant pas en compte la prsence de fissures conduit une pression dutilisation : P 960 Pu = = = 380 MPa s 2,5 La faible tnacit de lacier obtenue aprs trempe conduit une rupture ds les 330 MPa. Il tait donc prvisible quun incident pouvait avoir lieu pourvu que lon ait dtect la prsence de la fissure. En tout tat de cause, il est souhaitable de procd une opration de revenu sur lacier en question. Cette opration aura pour effet de diminuer lgrement e mais permettra daugmenter considrablement Kc : la prsence de fissures de quelques millimtres de longueur devenant sans consquences.

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239

Annexe H : Initiation au calcul par lments finis

ANNEXE H :

INITIATION

AU

CALCUL

PAR

ELEMENTS FINIS
Nous allons prsenter de manire synthtique les tapes de rsolution dun problme par la mthode des lments finis :

Etape 1 : Discrtisation
Cette premire tape consiste dcomposer le domaine D en un ensemble de sous domaines dits lmentaires {De} sans intersections ni recouvrement (Figure A. 36). Suivant le modle, on choisira un type dlments gomtrique (1D, 2D, 3D)

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y y e x
Figure A. 36. Discrtisation du domaine gomtrique

Sk

e
Si

Sj

Etape 2 : Approximation en dplacement


On dfinit un champ {Ue} de dplacement dans chaque lment {De} par une mthode dapproximation nodale qui ne fait intervenir que les dplacements des nuds de llment.

Matrice dinterpolation
u1 v 1 w1 0 u2 0 v 2 = [ (M )][Un ] 3e w 2 u 3 v3 w 3

e e u e (M) 1e 0 0 2 0 0 3 0 r e e U e (M ) = v e (M) = 0 1e 0 0 2 0 0 3 e w e (M) 0 0 1e 0 0 2 0 0

240

Annexe H : Initiation au calcul par lments finis

Par exemple, on peut utiliser des fonctions dinterpolations polynomiales comme lespace dinterpolation linaire Pe=P1={a+bx+cy}.

Etape 3 : Relations dplacements-dformations-contraintes


Matrice des dformations
x e u x 11 0 e v y 22 e 33 0 w z ~ e (M ) = = e = 2 23 v z + w y 0 2 e u z + w x 13 e 212 u y + v x z y 0 0 u e (M) z v e (M) = [(M )] U e e y w (M) x 0

y
0

[
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z
0

[ ]

Loi de comportement dans le cas dun milieu isotrope


11 2 + 2 + 22 2 + [~(M )] = 33 = 0 0 23 0 13 0 0 0 0 0 12 0 0 0 0 11 0 0 0 22 0 0 0 33 = [K ][(M )][U ] 0 0 2 23 0 0 213 0 0 212

Etape 4 : Expression de lnergie potentielle


Energie de dformations

[W ] = 1 [~ 2
e def De

(M )]T [~ e (M )]dV = ... = 1 [U e ]T


2

K 64 4 44[7]4 4 4 4 8 T e e [(M )] [C ][(M )]dV U


e

[ ]

Travail des efforts extrieurs

[W ] = [f (M )] [ (M )][U ]dV + [F(M )] [ (M )][U ]dS = [U ] [F ]


e ext T e T e e T
n

Ainsi, nous avons accs lnergie potentielle du domaine lmentaire {De} :

241

Annexe H : Initiation au calcul par lments finis

Etape 5 : Minimisation de lnergie potentielle (Premier Principe de la Thermodynamique)


Le champ des dplacements solution du problme lastique minimise lnergie potentielle totale sur lensemble des champs cinmatiquement admissibles. De faon image, on peut traduire ce principe comme tant la recherche dun minimum dnergie interne. (Par exemple, le corps humain possde une nergie interne plus faible lorsquil se trouve allong par rapport une position debout !) Ainsi, nous obtenons :

[W ] = [W ] [W ] = 1 [U ] [K ][U ] [U ] [F ] 2
e pot e def e ext e T n e e n e T n e

e d Wpot =

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[ ] [K ][U ] + 1 [U ] [K ]d[U ] d[U ] [F ] 2 = ([U ] [K ] [F ] )d[U ] d[U ] D' o [U ] [K ] [F ] = 0 [K ][U ] = [F ]


1 d Ue n 2
e T n e T e e n e T n e e n e T n e e e T e n e n e T n e T e e n e

Etape 6 : Rsolution
Nous avons vu, lors de la minimisation de lnergie potentielle, que le problme revenait rsoudre une quation matricielle locale sur chaque sous domaines lmentaire {De} : K e U e = Fe n

[ ][ ] [ ]

Dsormais, nous devons rsoudre lensemble de ces quations sur le domaine entier, cette opration consiste assembler les sous domaines : Local Global
e

[K ][U ] = [F ]
e e n

[K ][U ] = [F ]
g g n g

avec K g = K e

[ ]

[ ]

Par exemple, voici ci-dessous, une matrice de rigidit globale obtenue par assemblage de cinq matrices de rigidit lmentaires (KI KV).
I K11 K= I K12

K +K
I 22

II 22

K
II 33

II 23 III K 34 K III + K IV 44 44

III K + K 33

K IV 45
IV V K 55 + K 55

SYM

V K 56 V K 66

Conclusion :
Cette mthode est systmatique et automatique : elle revient inverser la matrice de rigidit pour obtenir les dplacements nodaux sur lensemble des nuds du maillage :

242

Annexe H : Initiation au calcul par lments finis

[U ] = [K ] [F ]
g n g 1 g

A ce stade, la rsolution est termine, nous pouvons utiliser des fonctions de post-traitements afin de calculer/visualiser les dplacements, les dformations, les contraintes .

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Annexe I : Programmation de lingnierie inverse

ANNEXE I PROGRAMMATION DE LINGENIERIE INVERSE


function lect(donnee,info) clear all; %********************************************************************* * % * % Lecture du fichier ASCII * % * %********************************************************************** % Ouverture du fichier% id_fich = fopen('OrElec.asc','r');
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global A; pathstr = fullfile(pwd,filesep); FilterSpec = {'*.asc','DATA (*.asc)'; ... '*.*', 'All Files (*.*)'}; [fileName, PathName] = uigetfile(FilterSpec, 'Pick a data file',pathstr); if isequal(fileName,0) return end id_fich = fopen([PathName fileName],'r'); % Lecture de l'entete (7 premiere lignes) for i=1:7 info{i}=fgetl(id_fich); end % Lecture de la longueur d onde (contenu dans la 8 ieme ligne) unite=cell(4,1); for i=1:4 unite{i}=fscanf(id_fich,'%s',1); end WAVELENGH=str2num(unite{4}); for i=8:12 info{i}=fgetl(id_fich); end %-------------------------------------------------------------------------% % Lecture des donnees % %-------------------------------------------------------------------------%

244

Annexe I : Programmation de lingnierie inverse

% donnees relative x y z donnee=fscanf(id_fich,'%f',[3 inf]); donnee=donnee'; % donnees relatives intensite while not(feof(id_fich)) trash = fgetl(id_fich);% case line with " Intensity..." Intensity=fscanf(id_fich,'%f',[3 inf]); Intensity=Intensity'; end % fermeture du fichier fclose(id_fich);

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%********************************************************************** % * % Cration de la gomtrie COMSOL * % * %********************************************************************** A=donnee; n=0; offsetY=0 ; offsetX=0; % calcul du pas de la numerisation Temp=(A(:,1)); [ligne,colone]=size(A); pas=0; for i=1:ligne if Temp(i)==0 pas=pas+1; end end for i=1:(((ligne)/pas)-offsetX) Xo(:,i)=A((1+(i-1)*pas):((i)*(pas)-offsetY),1); Yo(:,i)=A((1+(i-1)*pas):((i)*(pas)-offsetY),2); Zo(:,i)=A((1+(i-1)*pas):((i)*(pas)-offsetY),3).*(WAVELENGH*1e-3); end

[nl,nc]=size(Xo); Xmin=min(min(Xo));

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Annexe I : Programmation de lingnierie inverse

Xmax=max(max(Xo)); Ymin=min(min(Yo)); Ymax=max(max(Yo)); Zmin=min(min(Zo)); Zmax=max(max(Zo)); largeur=Xmax-Xmin; longueur=Ymax-Ymin; Zmoy=(Zmin+Zmax)/2 DeltaZ=Zmax-Zmin epOr=2; % m epDiel=0.2; % m epPont=2; % m epAir=0; % m epOffset=0.98*epAir;
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Zinf=Zo+(epAir-Zmin); Zsup=Zinf+epDiel; f=geomsurf(Xo,Yo,Zinf); h=geomsurf(Xo,Yo,Zsup); % Bloc 1 pour partie superieure b1=block3(largeur,longueur,DeltaZ+epAir+epDiel,'base','corner','pos',[Xmin Ymin 0],... 'axis',[0 0 1],'rot',0) ; % Bloc 2 pour partie inferieure b2=block3(largeur,longueur,DeltaZ+epAir,'base','corner','pos',[Xmin Ymin 0],... 'axis',[0 0 1],'rot',0) ; g1=geomcoerce('solid',{h,b1}); g2=geomcoerce('solid',{f,b2}); sup = split(g1); inf = split(g2); %************************************************************************* % Ralisation du modle dans COMSOL %************************************************************************* % COMSOL Multiphysics Model M-file % Generated by COMSOL 3.2 (COMSOL 3.2.0.222, $Date: 2006/09/01 18:02:30 $)

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Annexe I : Programmation de lingnierie inverse

% Some geometry objects are stored in a separate file. % The name of this file is given by the variable 'flbinaryfile'. flclear fem % COMSOL version clear vrsn vrsn.name = 'COMSOL 3.2'; vrsn.ext = ''; vrsn.major = 0; vrsn.build = 222; vrsn.rcs = '$Name: $'; vrsn.date = '$Date: 2006/09/01 18:02:30 $'; fem.version = vrsn; flbinaryfile='capa.mphm'; % Geometry g1=flbinary('g1','draw',flbinaryfile); garr=split(g1); [g2,g3]=deal(garr{:}); clear g3 g4=flbinary('g4','draw',flbinaryfile); garr=split(g4); [g5,g6]=deal(garr{:}); clear g6 g7=geomcomp({g5,g2},'ns',{'CO2','CO1'},'sf','CO2+CO1','face','none','edge','all'); % scaling g7=scale(g7,1e-6,1e-6,1e-6,0,0,0); clear s s.objs={g7}; s.name={'CO3'}; s.tags={'g7'}; fem.draw=struct('s',s); fem.geom=geomcsg(fem); % Initialize mesh fem.mesh=meshinit(fem, ... 'hmaxfact',3, ... 'hcurve',0.9, ... 'hgrad',1.85, ... 'hcutoff',0.06, ... 'hnarrow',0.2, ... 'hpnt',10, ... 'jiggle','off'); % (Default values are not included) % Application mode 1

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Annexe I : Programmation de lingnierie inverse

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clear appl appl.mode.class = 'EmElectrostatics'; appl.module = 'EM'; appl.assignsuffix = '_emes'; clear prop prop.input='We'; appl.prop = prop; clear bnd bnd.inport = {0,0,0,1}; bnd.type = {'V0','cont','nD0','port'}; bnd.ind = [3,3,4,3,3,2,1,2,1,2,1,2,1,2,1,2,1,2,1,2,1,2,1,2,1,2,1,2,1,2, ... 1,2,1,2,1,2,1,2,1,2,1,2,1,2,1,2,1,2,1,2,1,2,1,2,1,2,1,3,3,2,1,2,1,2,1, ... 1,2,1,2,1,2,1,2,1,2,1,2,1,2,1,2,1,2,1,2,1,2,1,2,1,2,1,2,1,2,1,2,1,2,1, ... 2,1,2,1,2,1,2,1,2,1,2,1,2,1,3,3]; appl.bnd = bnd; clear equ equ.epsilonr = {1,6.6}; equ.ind = [1,2]; appl.equ = equ; fem.appl{1} = appl; fem.border = 1; fem.units = 'SI'; % Subdomain expressions clear equ equ.ind = [1,2]; equ.dim = {'V'}; equ.expr = {'Vair',{1,''}, ... 'Vdiel',{'',1}}; fem.equ = equ; % Multiphysics fem=multiphysics(fem); % Extend mesh fem.xmesh=meshextend(fem); % Solve problem fem.sol=femlin(fem, ... 'symmetric','on', ... 'solcomp',{'V'}, ... 'outcomp',{'V'}, ... 'linsolver','cg', ... 'prefun','amg'); % Save current fem structure for restart purposes fem0=fem;

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Annexe I : Programmation de lingnierie inverse

% Plot solution postplot(fem, ... 'tetdata',{'V','cont','internal'}, ... 'tetmap','jet(1024)', ... 'tetkeep',1, ... 'tetkeeptype','random', ... 'title','Subdomain: Electric potential [V]', ... 'axisequal','off', ... 'grid','on', ... 'campos',[1.06093385775865E-4,1.58529715245019E-4,1.53317280871587E-4], ... 'camtarget',[1.28631263578427E-5,1.28631263578427E-5,1.28631263578427E-5], ... 'camup',[-0.402536817922344,-0.488704794613784,0.774036002998862], ... 'camva',11.311627992032893); % Integrate I2=postint(fem,'Vair', ... 'dl',[1]); % Integrate I3=postint(fem,'Vdiel', ... 'dl',[2]);

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Rsum
La mise sur le march de Micro Systmes Electro Mcaniques Radio-Frquences (MEMS RF) est freine par leurs manques de maturits au niveau du flot de conception, de la mise en botier (packaging) et de la fiabilit. Dans ce contexte, nous mettons en vidence, une solution dassemblage par report dun capot avec un scellement en polymre adapte aux micro-commutateurs RF. Afin de rpondre aux enjeux de conception, nous avons identifi des besoins en terme de modlisation lments finis (EF) multi-physique, permettant de gnrer des macro-modles comportementaux. Ainsi, nous discutons des possibilits offertes par deux logiciels EF rellement multi-physique : ANSYS et COMSOL. Finalement, nous proposons une solution (botier micro-usin en Foturan et scellement en polymre BCB) compatible avec les spcifications du cahier des charges. La fabrication et la caractrisation lectrique dun dmonstrateur ont permis de valider cette technique simple de packaging quasi-hermtique.

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Mots cls : MEMS RF, Micro-commutateurs parallles capacitif micro-ondes, Packaging, Benzo-Cyclo-Butne, Simulations multiphysiques, ANSYS, COMSOL, Analyse mcanique et micro-onde

Abstract
Radio-Frequency Micro-Electro-Mechanical Systems (RF MEMS) are highly miniaturized devices intended to switch, modulate, filter or tune electrical signals from DC to microwave frequencies. RF Mems switches are characterized by their high isolation, low insertion loss, large bandwith and by their unparalleled signal linearity. Despite these benefits, RF Mems switches are not yet seen in commercial products because of reliability issues, limits in signal power handling and question in packaging. In this context, we put in evidence, a near hermetic packaging based on a micro-machined cap in Foturan sealed onto a photopatternable polymer Benzo-Cyclo-Butene (BCB) as a solution adapted to micro-switches RF. To answer the stakes in conception, we identified needs in multiphysics modelling able to generate behavioural macro-models. Finally, a demonstrator was characterised in terms of return and insertion losses measurements, which assures insignificant impact of the package on the RF losses.

Key words : MEMS RF, Capacitive microwaves parallel microswitches, Packaging, BenzoCyclo-Butne, Multiphysics simulations, ANSYS, COMSOL, Mechanical and microwave analysis.