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- El Transistor Bipolar
Contenido
4.1.- Principio y Regiones de Funcionamiento, factores y . 4.2.- Curvas caractersticas. 4.3.- Determinacin del factor . 4.4.- Modelo de gran seal (emisor comn, base comn). 4.5.- El transistor en conmutacin. 4.6.- El fototransistor: empleo como detector, aislador.
Introduccin
Transistor NPN: Estructura simplificada
La capa del Emisor se encuentra fuertemente dopada. La base ligeramente dopada El colector muy poco dopada Espesor Total/Espesor capa central = 150/1 Dopado de la capa central es mucho menor que las capas exteriores (10:1), disminuyendo la conductividad (disminuye la cantidad de portadores libres).
Para describir el comportamiento del transistor se deben emplear 02 conjuntos de caracteristicas: Para el punto de excitacin y para la salida.
Para la entrada en configuracion BC, se relaciona la corriente de entrada IE y el voltaje de entrada VBE, para diferentes valores de voltaje de salida VCB. Para la salida, se relaciona la corriente de salida IC con el voltaje de salida VCB.
En la curva de salida, se muestra 03 zonas basicas de interes: activa, saturacion y corte. REGION ACTIVA:
La region activa se utiliza para amplificadores lineales (sin distorsion). En la region activa, la union base-emisor se encuentra polarizada en directa, mientras que la union colector base en inversa. En la region activa se puede observar que:
IC IE
REGION DE CORTE: La region de corte se define como la region donde la IC = 0. En la region de corte la union BE y CB estan polarizadas en inversa. REGION DE SATURACION: La region de saturacion se define como la region a la izquierda de VCB=0 V, la IC aumenta en forma exponencial conforme VCB se acerca a 0 V. En la region de saturacion, las uniones BE y CB se encuentran polarizadas en directa.
De la curva caracteristica IE vs VBE, se puede observar que la variacion de VCB no tiene un efecto importante en la curva caracteristica, por lo tanto se puede ignorar los cambios ocasionados por VCB. Como la curva IE vs VBE se asemeja a la de un diodo, es posible aproximar dicha curva y emplear el modelo de caida de voltaje constante, donde VBE = 0.7 V.
Factor
En DC los niveles de IC y IE debido a los portadores mayoritarios se encuentran relacionados por una cantidad llamada . DC= IC / IE El valor de esta entre 0.9 a 0.998. Por lo tanto : IC = IE + ICBO
IB
I CBO 1 I CBO 1
Relacin entre y
Como : I E I C I B , I C I E , I C I B 1 1 Entonces : IC 1 finalmente: y 1 1 IC IC
El transistor debe operar en la regin de corte y de saturacin. La saturacin ocurre cuando se intenta forzar una corriente en el colector mayor a la que puede soportar mientras se mantiene en modo activo. Para el circuito mostrado, la mxima corriente que el colector puede tomar sin que se salga de la regin activa ocurre cuando VCB = 0. La Ic max se obtiene al forzar la IB dada por: IB = Ic max / = IB max. Si se aumenta la corriente de base por encima de IB max , la corriente en el colector aumentara y el voltaje en el colector disminuir. Se puede llegar a un punto donde el VC es menor que VB y la unin C-B se polarice en directa con un voltaje de polarizacin entre 0.4 y 0.6 voltios, este modo de operacin es SATURACION. En saturacin la relacin entre IC y IB ya no es igual a . En saturacin, el VCE 0.2V.
I C m ax
VCC VB RC
Para el ckto de la figura ICsat es igual a: Para asegurar que el transistor entre en la regin de saturacin se debe forzar la IB de por lo menos, IB(EOS): Normalmente se disea el ckto. de tal forma que IB sea mayor (de 2 a 10 veces) que IB(EOS).
EOS: Edge of saturation (Borde de saturacin)
I C sat
VCC VCEsat RC
I C sat
I B ( EOS )
I C sat IB
forzado
La razn entre ICsat y IB es forzado, por que su valor se puede fijar a voluntad. El modelo del transistor NPN saturacin se muestra en la figura: en
Ejemplos
Del libro de SEDRA 4.6: ANALISIS DE CIRCUITOS TRANSISTORIZADOS CON CD.
4.6.- El Fototransistor
4.6.- El Fototransistor
Similar a un transistor bipolar, con la diferencia que no posee terminal de base, por lo que en reemplazo de la corriente de base la entrada al transistor es en forma de luz. La ICBO se incrementa cuando incide mayor intensidad luminosa en la juntura base-colector, siendo el incremento de la corriente de colector (+1)ICBO
4.6.- El Fototransistor
4.6.- El Fototransistor
4.6.- El Fototransistor
4.6.- Optotransistor
Si
Vc > 2 Vc < 2
Vo = 0V Vo = 5V
Canal obstruido VCE = 5V VC = 5V Vc > 2 Vo = 0V Canal no obstruido Para el diodo IF=20mA VF=1.5V 5-IFR-VF = 0 R=175
Un optoacoplador, tambin llamado optoaislador o aislador acoplado pticamente, es un dispositivo de emisin y recepcin que funciona como un interruptor excitado mediante la luz emitida por un diodo LED que satura un componente optoelectrnico, normalmente en forma de fototransistor. Se suele utilizar para aislar elctricamente a dispositivos muy sensibles.
Un optoaislador, es un dispositivo de emisin y recepcin que funciona como un interruptor excitado mediante la luz emitida por un diodo LED que satura un componente optoelectrnico, normalmente en forma de fototransistor. Se suele utilizar para aislar elctricamente a dispositivos muy sensibles. En este dispositivo no se puede interrumpir el canal.
4.6.- Optoaislador
4.6.- Optoaislador
OPTOACOPLADOR
Se busca SEPARAR FSICAMENTE la etapa de control digital con la etapa de control de potencia.
S1 abierto ILED = 0 Fototransistor en corte Vo = 5V S1 cerrado se debe hacer IF=16mA, IC=2mA VCESAT = 0.2V
CTR.- La razn de transferencia de corriente (CTR) es definido como la razn de la corriente de salida del optoacoplador con respecto a su corriente de entrada en tanto por ciento, [(Iout/Iin)(100)].
Con S1 cerrado Para el LED 5-ILEDR-VLED=0 De hojas tcnicas del optoaislador ILED=16mA@VLED=1.25V R=234
Para el fototransistor 5-ICRC-0.2=0 De las hojas tcnicas IC=2mA, En la ecuacin se obtiene RC=2.4k