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I) Prsentation.

Le transistor a t labor pour la premire fois en 1948. Il est compos de deux jonctions, places
en srie, trs proches l'une de l'autre
et de polarit oppose.
On distingue le transistor NPN, et le
transistor PNP, dont voici les symbo-
les et conventions.
Avec les conventions fig:1.
v pour un NPN
i
C
, i
E
, i
B
sont positifs. V
CE
, V
BE
sont positifs.
v pour un PNP
i
C
, i
E
, i
B
sont positifs. V
CE
, V
BE
sont ngatifs.
Nous allons tudier plus particulirement le transistor NPN.
Il est constitu d'une jonction NP (Collecteur-Base) et d'une jonction PN (Base-Emetteur). Suivant
le mode de polarisation de ces deux jonctions (bloque = inverse ou passante = directe), quatre
modes de fonctionnement du transistor peuvent apparatre:
Jonction collecteur-base Jonction base-metteur Mode de fonctionnement
Inverse Directe Normal
Bloque Bloque Bloqu
Directe Directe Satur
Directe Inverse Inverse
Enfin, il existe des relations entre les courants:
I
S
: courant de "saturation"
Ut = kT/q = 25mV 300K
II) Etude des rgimes statique et dynamique.
Etude dans le cas du transistor NPN mont en metteur commun.
Le montage tant reprsent fig:2.
Le Transistor Bipolaire.
TRAN2-TJ
Le transistor bipolaire. Page N1 tran2-tj
v i
E
= i
C
+ i
B
v i
C
= i
B
+ i
CEO

v i
C
= i
E
+ i
CBO
avec = /(+1) et
i
CEO
= (+1)i
CBO

v i
E
= I
S
[Exp(V
BE
/Ut) -1]
iC
iE
iB
VCE
VBE
NPN
iE
iC
iB
VCE
VBE
PNP fig:1
II-1) Etude du rgime statique.
Les quations (lois des mailles pour les mailles d'entre et
de sortie) donnent:
1) VBB = VBE + RB.IB
Soit IB = appele: Droite d'attaque
VbbVbe
Rb
2) VCC = VCE + RC.IC
Soit IC = appele: Droite de charge
VccVce
Rc
Le point de fonctionnement (en rgime statique) du transistor est ainsi obtenu par intersection de la
droite d'attaque avec la caractristique Ib = f(Vbe) du transistor (utilisation de la caractristique
d'entre du transistor). On utilise ensuite la caractristique de transfert (Ic = f (Ib)). Enfin la carac-
tristique de sortie (Ic = f(Vce) pour diffrentes valeurs de Ib) permet par intersection avec la
droite de charge, d'obtenir le point de fonctionnement en sortie (Vce).
@ Exercice: V
CC
= 10v R
C
= 360 V
BB
= 1v pour R
B
= 5k puis R
B
= 1,4k.
Dterminez graphiquement les points de fonctionnement relatifs ces deux cas de polarisation
(Transistor: 2N2222).
II-2) Etude en rgime linaire: schma quivalent dynamique.
En rgime dynamique (signaux de faible amplitude autour d'un point de fonctionnement fixe appel
point de repos), on peut dcrire le comportement d'un transistor l'aide des paramtres d'un qua-
driple. On utilise de prfrence les paramtres h (hybrides) et y (admittances).
Paramtres hybrides: (hybride signifie: issu de 2 espces diffrentes = mlang).
Ces paramtres sont appels hybrides car ils donnent u1 et i2 (une tension et un courant, l'un d'en-
tre l'autre de sortie) partir du produit de la matrice des paramtre hybrides et du vecteur form
par i1 et u2 (les deux autres grandeurs: courant d'entre et tension de sortie)

u1
i2
_
,

h11 h12
h21 h22
1
]
1
*

i1
u2
_
,

Soit en dveloppant:
u1 = h11.i1 + h12.u2
i2 = h21.i1 + h22.u2
Paramtres admittances y:
Ces paramtres sont appels ainsi car ils donnent i1 et i2 partir du produit de la matrice des para-
mtre admittance et du vecteur form par u1 et u2.

i1
i2
_
,

y11 y12
y21 y22
1
]
1
*

u1
u2
_
,

Attention les paramtres h et y dpendent du montage (metteur commun ou base commune,


car l'entre se fait sur la base pour le premier et sur l'metteur pour le montage base commune). On
ajoute donc en indice sur les paramtres h ou y, les lettres e ou b pour indiquer le type de montage.
Le transistor bipolaire. Page N2 tran2-tj
iC
iB
VBE
VCE
VCC
RC
VBB
RB
0v
fig:2
Quadripole
u1 u2
i1 i2
0V
Le transistor mont en metteur commun admet alors le schma quivalent en dynamique (basse
frquence) reprsent ci-contre.
Dans ce cas i1=ib, u1= vbe, i2=ic et u2=vce
vbe = h11. ib + h12. vce
ic = h21. ib + h22. vce
(Rem: il faudrait alors crire h11
e
, h12
e
, h21
e
et
h22
e
), ou:
vbe = hIE ib + hRE vce
ic = hFE ib + hOE vce
En premire approximation on nglige souvent h12.vce devant h11.ib, et h22.vce devant h21.ib. Le
schma quivalent du transistor correspond alors au schma simplifi en basse frquence reprsent
fig:3.
Ce schma est dfini par le systme d'quation:
{
vbe = h11. ib
ic = h21. ib
v le paramtre h11 dpend du courant de polarisation IC:

h11 = h21 Ut Ut = kT/q = 25mV 300K
IC IC: Courant de repos
v le paramtre h21 n'est pas constant avec la frquence. A partir d'une frquence de coupure ap-
pele f, il dcrot de -20 dB/dcade.
Soit: h21 =
1 + jf / f
f est connu par l'intermdiaire de fT (frquence de
transition) qui est une donne constructeur.
h21 = 1 pour f = fT, soit fT = f
Exemple: pour le 2N2222 min = 75 et fTmin =
250MHz d'o f = 3,3 MHz .
II.3) Etude en rgime de commutation.
v Le point de fonctionnement se trouve sur la courbe I
C
=f(V
CE
) pour I
B
=0: c'est la zone de
blocage du transistor. (Blocage V
BE
< 0,6v)
v Le point de fonctionnement est en dessous de i
B
: c'est la zone de saturation du transis-
tor. (Saturation I
C
<
mini
i
B
)
@ Reprez sur le document caractristique d'un transistor bipolaire 2N2222, les deux zones
caractrisant le fonctionnement en rgime de commutation.
II.3) Bilan nergtique.
La puissance totale dissipe dans un transistor est la somme des puissances dissipes au niveau de
Le transistor bipolaire. Page N3 tran2-tj
ib h11
h21 ib
vbe vce
ic
B
E
C

fig:3
u1 u2
i2
i1 h11
h12.u2
h21.i1
1
h22
b
e e
c

h21
( dB)
f
( dB)
0
f

f
T
la caractristique d'attaque (puissance d'entre: Pe) et au niveau de la caractristique de charge
(puissance de sortie: Ps). Dans la plupart des applications, la puissance dissipe en sortie est bien
plus grande que celle dissipe en entre!
Ptot = Pe + Ps = VBE.IB + VCE.IC VCE.IC
Or la puissance que peut dissiper un transistor est limite. Cette limitation est due l'lvation de la
temprature du silicium qui ne peut dpasser une valeur maximale, dite temprature maximale de
jonction. Cette grandeur est une donne caractristique de chaque transistor. Cependant elle se si-
tue le plus souvent dans la plage:
125C Tjmax 200C
@ Calculez la puissance totale dissipe dans le transistor 2N2222, pour le premier point de
fonctionnement prcdemment dfini (RB=5k) et vrifiez que Ptot VCE.IC
Tracez sur le document caractristique d'un transistor bipolaire Ic=f(Vce), la courbe d'isopuissance
maximale du transistor 2N2222: hyperbole de dissipation maximale.
Conclure sur le fonctionnement du transistor en rgime de commutation.
Dans le cas o la temprature de jonction, calcule avec les paramtres de l'application dpasse la
temprature maximale de jonction autorise pour le semi-conducteur, il est ncessaire d'utiliser un
dissipateur de chaleur appel aussi refroidisseur ou radiateur, afin d'amliorer le transfert des calo-
ries de la jonction vers l'air ambiant (diminution de la rsistance thermique entre la jonction et l'air
ambiant Rthja):
Tja = Tj - Tamb = Rthja.Ptot avec Rthja en K/W ou en C/W
Les performances thermiques des refroidisseurs dpendent de la conductivit thermique de la ma-
tire utilise (le plus souvent de l'aluminium), des dimensions de la surface, de la masse, de la cou-
leur et de la position de montage. Ces performances sont caractrises par la rsistance thermique
Rthra du refroidisseur.
C'est cette valeur Rthra qu'il faut dterminer partir des donnes de l'application et en utilisant la
formule:
Rthra = Tjmax - Tamb - (Rthjc + Rthcr)
P
P: Puissance totale que doit dissiper le transistor
Tjmax: Temprature de jonction maximale en C, donne par le fabricant du semi-conduc-
teur ( rduire de 20 30C comme coefficient de scurit)
Tamb: Temprature ambiante en C ( augmenter de 10 30C pour tenir compte de la ra-
diation du refroidisseur)
Rthjc: Rsistance thermique jonction/botier (case), donne par le fabricant du semi-con-
ducteur, en C/W ou en K/W
Rthcr: Rsistance thermique botier/refroidisseur. Cette rsistance dpend du montage du
transistor sur le refroidisseur.
Le transistor bipolaire. Page N4 tran2-tj
Rthra: Rsistance thermique du refroidisseur.
Pour un botier TO3, voici quelques valeurs caractristiques de Rthcr:
v Montage sec, sans isolation: 0,05C/W Rthcr 0,2C/W
v Montage avec pte thermique, sans isolation: 0,005C/W Rthcr 0,1C/W
v Montage avec mica (0,05 mm) et pte thermique: 0,4C/W Rthcr 0,9C/W
v Montage avec entretoise en oxyde d'aluminium et pte thermique:
0,2C/W Rthcr 0,6C/W
Exemple: Un transistor 2N3055 doit dissiper 40 W, sous une temprature ambiante de 25C. Le
montage sur le refroidisseur s'effectue avec pte thermique et isolation mica (0,05 mm). Les don-
nes du fabricant relatives au 2N3055 sont:
Tjmax = 200C et Rthjc = 1,5C/W
Dtermination de la rsistance thermique maximale du refroidisseur ncessaire:
Rthra = Tjmax - Tamb - (Rthjc + Rthcr)
P
avec Tjmax = 200 - 20 = 180C (par scurit)
Tamb = 25 + 20 = 45C
Rthcr = 0,9C/W
Le transistor bipolaire. Page N5 tran2-tj
Rthra = 0,975C/W
Ce refroidisseur peut tre ralis en profil extrud SK 30 (Fischer Elektronik), de longueur sup-
rieure 75 mm.

III. Rsultats des principaux montages linaires.
Les principaux montages et leurs rsultats (metteur commun, collecteur commun et base com-
mune) figurent sur la page "Comparaison des Trois Montages Fondamentaux".
IV. Association de transistors.
Il existe deux associations principales qui permettent l'augmentation du rapport en courant =
IC/IB:
a) Montage darlington: (2 transistors de mme nature).
Le transistor quivalent est de mme nature que les deux transistors.
Son gain est gal :
= 1 + 2(1 +1) 12.
Mais, il a une tension VBE quivalente de 2 VBE.
La rsistance R vite que le courant de fuite de T1 ne soit amplifi
par T2, lorsque l'ensemble est bloqu, et permet l'amlioration de la
commutation (passage de la conduction au blocage) par vacuation
des charges stockes dans la base de T2.
b) Montage source contrle: (2 transistors de nature diffrente).
La nature du transistor quivalent est du mme type que celui du
transistor de commande (T1).
Son gain est gal :
= 1 + 21 12
Par contre, la tension VBE quivalente est gale Un VBE,
uniquement.
La rsistance R assure un bon blocage de T2.
Le transistor bipolaire. Page N6 tran2-tj
R
T2
T1
C
E
B
R
T2
T1
C
E
B