UNIVERSIDADE DE SO PAULO

E s co l a de Eng enh a r ia de Lo ren a EE L

Estferson C. de Almeida Rosa Gustavo Fernandes Araujo

Professor: Carlos Yujiro Shigue

Diodo Emissor de Luz

LORENA
2010
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1. INTRODUO
1.1 Histrico
A Eletroluminescncia foi descoberta em 1907 pelo pesquisador britnico H.J. Round dos Laboratrios Marconi, utilizando um cristal de Carbeto de Silcio. Rubin Braunstein da Radio Corporation of America informou sobre a emisso infravermelho de Arseneto de Glio (GaAs) e outras ligas semicondutoras em 1955 .Braunstein observou a emisso infravermelha gerada por estruturas de diodo simples usando Antimonato de Glio (GaSb), GaAs, Fosfeto de ndio (InP) e ligas de Silcio e Germnio (SiGe) temperatura ambiente e em 77 kelvin. Em 1961, os pesquisadores Robert Biard e Gary Pittman trabalhando na Texas Instruments, descobriram que o GaAs emitia radiao infravermelha quando corrente eltrica era aplicada e receberam a patente para o LED infravermelho. O primeiro espectro prtico visvel (vermelho) para um LED foi desenvolvido em 1962 por Nick Holonyak Jr., enquanto trabalhava para a General Electric Company. Holonyak visto como o "pai do diodo emissor de luz". M. George Craford, um estudante antigo de graduao de Holonyak, inventou o primeiro LED amarelo e melhorou o brilho de LEDs vermelhos e vermelho-laranja por um fator de dez em 1972. Em 1976, T.P. Pearsall criou o primeiro LED de alta luminosidade e alta eficincia para fibras pticas usadas em telecomunicaes atravs da inveno de novos materiais semicondutores especificamente adaptados para fibras pticas. At 1968 LEDs infravermelhos visveis eram extremamente caros, na ordem de US$ 200,00 por unidade, e por isso tinha pouca aplicao prtica. A Monsanto Company foi a primeira organizao a produzir em massa LEDs visveis, usando fosfeto de arseneto de Glio em 1968 para produzir LEDs vermelhos adequados para indicadores eletrnicos. A Hewlett Packard (HP) introduziu os LEDs em 1968, inicialmente utilizando GaAsP fornecidos pela 2

Monsanto. A tecnologia provou ter grandes aplicaes para displays alfanumricos e foi integrado nas primeiras calculadoras de mo da HP. Na dcada de 1970 os bem sucedidos comercialmente dispositivos de LED eram produzidos por menos de cinco centavos cada pela Fairchild Optoelectronics. Estes dispositivos utilizavam chips semicondutores compostos fabricados com o processo planar inventado pelo Dr. Jean Hoerni na Fairchild Semiconductor. A combinao do processamento planar para fabricao de chips e de tcnicas inovadoras de embalagens permitiu que a equipe na Fairchild, liderada pelo pioneiro optoeletrnico Thomas Brandt, atingisse as necessrias redues de custos. Estas tcnicas continuam a ser utilizados pelos produtores de diodo emissor de luz at hoje. O primeiro LED azul de alta luminosidade foi demonstrado por Shuji Nakamura da Nichia Corporation e foi baseado em dopagens de InGaN sobre a evoluo crtica da nucleao do Nitreto de Glio sobre substratos de safira (cristais de xido de Alumnio) e a demonstrao de dopagem do tipo-p de GaN que foram desenvolvidos por Isamu Akasaki e Amano H. em Nagoya. Essa descoberta rendeu o Prmio Nobel a Nakamura. A existncia de LEDs azuis e LEDs de alta eficincia rapidamente levaram ao desenvolvimento do primeiro LED branco, que empregava um Y3Al5O12: Ce, ou "YAG", revestimento de fsforo para misturar luz amarela com azul para produzir a luz que aparece branco. Nakamura foi premiado com o Millennium Technology Prize 2006 pela a sua inveno. O constante desenvolvimento de tecnologias causou um aumento da intensidade da luz no LED e sua eficincia de forma exponencial. Os avanos so geralmente atribudos ao desenvolvimento paralelo das tecnologias de semicondutores e outros avanos em ptica e cincia dos materiais. Em fevereiro de 2008 a Universidade Bilkent na Turquia relatou 300 lumens de luz visvel por eficcia luminosa de watt (no por watt eltrico) e luz quente usando nanocristais. Em janeiro de 2009, pesquisadores da Universidade de Cambridge relataram 3

um processo para o crescimento de Nitreto de Glio (GaN) LEDs em Silcio. Os custos de produo poderiam ser reduzidos em 90% usando wafers de silcio de seis polegadas, em vez de wafers de safira de duas polegadas. Ao contrrio do que j acontece nos Estados Unidos e em pases europeus, no h no Brasil legislao que obrigue ou preveja a substituio gradativa de lmpadas incandescentes e fluorescentes por lmpadas base de LEDs muito mais eficientes do ponto de vista do uso da energia e, por isso, muito mais baratas para o consumidor no longo prazo. O custo atual de cerca de US$ 46 por 1.000 lumens - medida de intensidade de luz, ou unidades de luz "quente"- ante US$ 25 da variedade "fria". At 2015, o custo de luzes LED quentes deve recuar para US$ 4 por 1.000 lumens ante US$ 2 das luzes frias, segundo estimativas do Departamento de Energia dos Estados Unidos. O custo de produo por 1.000 lumens no caso das lmpadas incandescentes de US$ 0,29. A expectativa que o custo de produo de luzes LED caia abaixo do custo de lmpadas fluorescentes compactas at cerca de 2013, mas elas ainda sero mais caras que lmpadas incandescentes.

2 - Princpios de funcionamento e produo 2.1 Semicondutividade

A condutividade eltrica dos materiais semicondutores no to alta quanto aquela apresentada pelos metais; de qualquer forma, eles possuem algumas caractersticas eltricas que os torna especialmente teis. As propriedades eltricas desses materiais so extremamente sensveis presena de minsculas concentraes de impurezas. Os semicondutores intrnsecos so aqueles em que o comportamento eltrico est baseado na estrutura eletrnica inerente ao material puro. Quando as caractersticas eltricas so

ditadas pelos tomos de impurezas, o semicondutor chamado de extrnseco, sendo esse o material em que os diodos so produzidos.

2.1.1 Semiconduo extrnseca do tipo N

Acontece quando um tomo de impureza adicionado substitucionalmente a um semicondutor elementar de tomos com valncia menor do que o tomo de impureza e assim um eltron desse tomo fica fracamente preso regio ao redor do tomo de impureza atravs de uma ligao eletrosttica fraca. O estado de energia de tal eltron pode ser visto da perspectiva do esquema do modelo da banda eletrnica. Para cada um dos eltrons que esto fracamente ligados, existe um nico nvel de energia localizado no interior da zona proibida do espaamento entre bandas, imediatamente abaixo da parte inferior da banda de conduo. A energia de ligao do eltron corresponde energia exigida para excitar o eltron de um desses estados de impureza para um estado dentro da banda de conduo. Cada evento de excitao supre ou doa um nico eltron para a banda de conduo; uma impureza desse tipo apropriadamente chamada de doador. Uma vez que cada eltron doador excitado de um nvel de impureza, nenhum buraco correspondente criado dentro da banda de valncia. temperatura ambiente, a energia trmica disponvel suficiente para excitar grandes nmeros de eltrons dos estados doadores; alm disso, ocorrem algumas transies intrnsecas banda de valncia - banda de conduo o que resulta em uma formao de buracos. Porm, o nmero de eltrons na banda de conduo excede em muito o nmero de buracos na banda de valncia.

2.1.2 Semiconduo extrnseca do tipo p

Um efeito oposto a adio de impurezas de tomos com valncia menor do que os tomos do semicondutor elementar. Isso resulta em uma deficincia de um eltron em uma das ligaes covalentes ao redor ao redor de cada um desses tomos: tal deficincia pode ser vista como um buraco que se encontra fracamente ligado ao tomo de impureza. Esse buraco pode ser liberado do tomo de impureza pela transferncia de um eltron de uma ligao adjacente. Essencialmente o eltron e o buraco trocam de posies. Considera-se que um buraco em movimento est em um estado excitado e participa no processo de conduo, de uma maneira anloga de um eltron doador excitado. As excitaes extrnsecas em que so gerados buracos tambm podem ser representadas atravs do modelo de bandas. Cada tomo de impureza desse tipo introduz um nvel de energia dentro do espaamento entre bandas, localizado acima, muito prximo, da parte superior da banda de valncia. Imagina-se que um buraco seja criado na banda de valncia pela excitao trmica de um eltron na banda de valncia para esse estado eletrnico de impureza. Uma impureza desse tipo chamada receptor, pois ela capaz de aceitar um eltron da banda de valncia, deixando pra trs um buraco. Assim o nvel de energia dentro do espaamento entre bandas chamado de estado receptor. Para esse tipo de conduo extrnseca, os buracos esto presentes em concentraes muito mais altas do que os eltrons, e sob essas circunstncias um material considerado do tipo p, pois partculas positivamente carregadas so as principais responsveis pela conduo eltrica.

2.2 Diodo de juno PN

Os diodos so dispositivos semicondutores confeccionados na maioria das vezespor uma juno PN. A Fig. 1 mostra o esquema de uma juno de dois materiais semicondutores, um do tipo P e o outro do tipo N. O semicondutor tipo P o anodo e o semicondutor tipo N o catodo. O funcionamento do diodo ocorre na regio entre o anodo e o catodo, chamada de juno.

A Fig.2a mostra os portadores majoritrios em cada material semicondutor: lacunas no tipo P e eltrons livres no tipo N. A estrutura do diodo contnua de um lado a outro da juno. Devido continuidade da estrutura cristalina do diodo, os portadores podem se mover atravs da juno. Aps a formao do diodo, alguns eltrons podem migrar para o anodo nas proximidades da juno. Ao encontrar as lacunas, ocorre a recombinao do par eltron-lacuna e, conseqentemente, o aniquilamento dos portadores de carga majoritrios na juno. A regio formada pela neutralizao das cargas denominada regio de depleo por no haver portadores de carga (Fig. 2b). A regio de depleo no ir crescer muito alm da juno por causa do campo eltrico formado. Na verdade, a regio de depleo funcionar como um capacitor e o campo eltrico gerado impedir a migrao de novos eltrons livres difundidos do semicondutor tipo N para se recombinar com as lacunas do lado P.

Fig. 2 (a) Portadores de carga majoritrios em cada lado da juno, (b) difuso de eltrons recombinando-se com as lacunas do anodo, formando a regio de depleo.

Assim, quando um diodo fabricado, alguns eltrons atravessam a juno e preenchem as lacunas existentes no semicondutor tipo P criando uma barreira de potencial na regio prxima juno. Como na regio de depleo no h cargas, de se esperar que ela funcione como um isolante. Para vencer a barreira de potencial necessrio aplicar um campo eltrico numa direo apropriada, de tal forma a colapsar a regio de depleo preenchendo-a com portadores de carga. A Fig. 3 ilustra o processo de colapso da regio de depleo atravs da aplicao de um campo eltrico com o anodo polarizado positivamente e o catodo polarizado negativamente. O sentido convencional da corrente o sentido das cargas positivas e contrrio ao sentido dos eltrons livres.

Com o colapso da regio de depleo, o diodo passa a conduzir corrente. A condio de operao do diodo mostrada na Fig. 3 denominada polarizao direta (forward bias). 8

Em Eletrnica, a polarizao (bias) uma tenso ou corrente aplicada a um dispositivo para lig-lo. No caso do diodo, a tenso de polarizao aplicada para vencer a barreira de potencial originada pela regio de depleo. Se o diodo for polarizado reversamente, isto , se for aplicado um potencial com polaridade negativa no anodo e positiva no catodo, a regio de depleo se alargar, como mostra a Fig. 4.

Como a regio de depleo isolante, o seu alargamento causar o bloqueio do fluxo de corrente pelo diodo. Na realidade, uma nfima corrente flui devido aos portadores minoritrios. O semicondutor tipo P possui alguns eltrons minoritrios que sero empurrados para a juno por causa da repulso causada pelo terminal negativo da fonte de tenso. O semicondutor tipo N, por sua vez, tambm possui algumas lacunas minoritrias, que sero empurradas para a juno. Dessa forma, uma corrente de fuga se estabelece quando o diodo est polarizado reversamente. Os diodos conduzem numa direo, mas no na outra. Esta a caracterstica mais importante do diodo e que a torna importante em Eletrnica. Quando uma tenso positiva aplicada entre o anodo e o catodo, uma corrente Id flui atravs do diodo, desde que essa tenso seja superior a um valor VD determinado pelo tipo e pelo material utilizado na fabricao do diodo. Para um diodo de silcio, esse valor de tenso cerca de 0,6 V, enquanto que um diodo de germnio, a tenso de polarizao cerca de 0,3 V (Fig. 5). 9

medida que a corrente Id aumenta a tenso VD tambm aumenta, porm, a maior queda de tenso no diodo devido sua polarizao. Se uma tenso reversa negativa VR aplicada sobre o diodo (do anodo para o ctodo), o dispositivo exibe uma grande resistncia passagem de corrente e esta corrente denomina-se corrente de fuga reversa (IR). Se a intensidade da tenso reversa exceder um valor crtico ocorre uma avalanche de corrente quando os portadores minoritrios adquirem energia suficiente para colidirem com os eltrons de valncia e lev-los para a banda de energia de conduo. Este processo causa uma avalanche de portadores de carga e a corrente aumenta rapidamente. A tenso em que ocorre a avalanche de corrente denominada tenso de ruptura reversa (VBR) e para o diodo de silcio est compreendido entre 50 e 1000 V, dependendo do processo de fabricao do diodo.

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2.3 Diodo Emissor de Luz (LED)

Como um diodo normal, o LED consiste em um chip de material semicondutor dopado com impurezas para criar uma juno p-n sendo que a corrente flui facilmente do lado p, ou nodo, ao lado n, ou ctodo, mas no no sentido inverso. Os portadores de carga eltrons e buracos fluem, de eletrodos com voltagens diferentes, para a juno. Quando um eltron encontra um buraco, ela cai em um nvel mais baixo de energia, e libera energia na forma de um fton .

Fig. 6 Modelo de um LED mostrando a recombinao entre eltrons e buracos e o que acontece no modelo de bandas do sistema.

O comprimento de onda da luz emitida e, portanto sua cor depende da energia da banda dos materiais que formam a juno p-n . Porm existem dois tipos de bandas de energia: as bandas diretas e indiretas. Diodos de Germnio e Silcio so exemplos de materiais com bandas de energia indiretas, que no emitem energia em forma luminosa. O que isto significa que, como um eltron vai desde a parte inferior da banda de conduo

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para o topo da banda de valncia, tambm deve sofrer uma mudana significativa no momento. Isso tudo acontece a partir dos detalhes da estrutura de banda para o material. Sempre que algo muda o estado tem-se que conservar no s energia, mas tambm o momento. No caso de um eltron que vai da banda de conduo para a banda de valncia no silcio, essas duas coisas s podem ser conservadas se a transio tambm criar um conjunto de vibraes quantizadas, chamado fnons, ou "calor". Fnons possuem energia e momento, e sua criao a partir da recombinao de um eltron e um buraco permite a conservao total da energia e do momento. Toda a energia que o eltron libera a partir da banda de conduo para a banda de valncia transforma em fnons, que outra forma de dizer que os eltrons aquecem o cristal.

Fig.7 Energia vs momento do cristal para um semicondutor com um gap indireto, mostrando que um eltron no pode se deslocar do estado mais baixo de energia, na banda de conduo (verde), para o estado de energia mais elevado na banda de valncia (vermelho) sem uma mudana no momento. Aqui, quase toda a energia vem de um fton (seta vertical), enquanto quase todo o momento vem de um fnon (seta horizontal).

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Em alguns outros semicondutores, algo mais ocorre. Em uma classe de materiais chamados semicondutores de gap direto a transio da banda de conduo para a banda de valncia envolve essencialmente nenhuma mudana no momento. Ftons, ao que parece, possuem certa quantidade de energia (eV diversos / fton em alguns casos), porm eles tm muito pouco momento associado. Assim, para um material de gap direto, o excesso de energia da recombinao eltron-buraco pode ser retirado na forma de calor, ou mais provavelmente, como um fton de luz. Esta transio radiativa ento conserva a energia e o momento emitindo luz quando um eltron e um buraco recombinam.

Fig. 8 Energia vs momento de um cristal para um semicondutor com um gap direto, mostrando que um eltron pode se deslocar do estado de menor energia na banda de conduo (verde) para o estado mais elevado de energia na banda de valncia (vermelho) sem uma mudana no momento do cristal. Acima uma transio em que um fton excita um eltron da banda de valncia para a banda de conduo.

LEDs so geralmente construdos sobre um substrato tipo-n, com um eletrodo ligado camada tipo-p depositada em sua superfcie. Substratos tipo-p, embora menos comuns ocorrem tambm. Para a confeco utilizada a tcnica de Crescimento Epitaxial por Feixe 13

Molecular que consiste no crescimento monocristalino a partir da evaporao de elementos em um ambiente de ultra vcuo que resulta no crescimento de uma estrutura cristalina igual estrutura do material em que est ocorrendo a deposio (substrato). O ambiente de ultra vcuo assegura a integridade dos feixes incidentes durante o crescimento e limita os nveis de impurezas no intencionais que eventualmente possam ser incorporadas pelas amostras durante o processo de formao do filme. Com essas caractersticas e tcnica capaz de produzir camadas monocristalinas com preciso atmica. Muitos LEDs comerciais, especialmente GaN / InGaN, usam de substratos de safira. Porm pesquisas j foram desenvolvidas para a produo de LEDs utilizando uma tcnica que substitui a safira pelo bem mais barato silcio, largamente utilizado na indstria eletrnica. Na nova tcnica, os pesquisadores "metalizaram" um substrato de silcio com uma camada reflexiva de nitreto de zircnio. Normalmente o nitreto de zircnio muito instvel na presena do silcio, sofrendo reaes qumicas que alteram suas propriedades. Os pesquisadores resolveram o problema colocando uma camada isolante de nitreto de alumnio entre a base de silcio e o nitreto de zircnio. Quanto so depositados sobre o silcio, todos os trs nitretos utilizados, de zircnio, de alumnio e de glio, organizam-se em uma estrutura cristalina que combina com a estrutura do silcio. Essa estruturao cristalina essencial para que o LED funcione de forma eficiente. Alm da eliminao da safira, a tcnica introduz um elemento adicional com grande potencial para reduzir ainda mais os custos: como ela utiliza o silcio, a indstria poder utilizar a tcnica em larga escala, produzindo LEDs sobre grandes wafers de silcio, o que no possvel quando se usa a safira. Quanto mais componentes so produzidos sobre uma nica pastilha, mais barato se tornar cada componente individual.

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A maioria dos materiais utilizados na produo de LED tem ndices de refrao muito elevados. Isto significa que muita luz ser refletida de volta para o material na superfcie de contato material / ar. Portanto, a extrao de luz nos LEDs um aspecto importante da produo de LED, sujeito a muita pesquisa e desenvolvimento. Como o diodo, o LED no pode receber tenso diretamente entre seus terminais, uma vez que a corrente deve ser limitada para que a juno no seja danificada. Assim, o uso de um resistor limitador em srie com o Led comum nos circuitos que o utilizam. Para calcular o valor do resistor usa-se a seguinte frmula:

onde Vfonte a tenso disponvel, VLED a tenso correta para o LED em questo e ILED a corrente que ele pode suportar com segurana.

Fig. 9 Modelo real para um LED mostrando o nodo, plo positivo, o ctodo, plo negativo, e o resistor limitador da corrente.

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3. Tipos de LEDs 3.1 LEDs em miniatura

Estes LEDs so principalmente de uma nica matriz utilizados como indicadores, e vm em diversos tamanhos a partir de 2 mm a 8 mm, atravs de furos e da superfcie de montagem de pacotes. Eles normalmente so simples em design, no necessitando de qualquer corpo de refrigerao separado. Tpicas faixas de corrente variam de cerca de 1 mA para acima de 20 mA.

Fig. 10 LEDs com diferentes tamanhos: 8mm, 5mm e 3 mmm com um palito de fsforo para comparao.

3.2 LEDs de alta potncia

LEDs de alta potncia (HPLED) podem ser utilizados em correntes de centenas de mA para mais de um mpere, em comparao com as dezenas de mA para outros LEDs. Alguns podem produzir mais de mil lumens. Visto que o superaquecimento destrutivo, os HPLEDs devem ser montados em um dissipador de calor para permitir a dissipao de calor. Se o calor de um HPLED no removido, o dispositivo vai queimar em segundos. Um nico HPLED pode freqentemente substituir uma lmpada incandescente em uma lanterna, ou arranjado para formar uma poderosa lmpada LED.

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Fig. 11 LEDs de alta potncia da Philips Lumileds Lighting Company.

3.3 LEDs de alcance mdio

LEDs de Mdia potncia so muitas vezes utilizados atravs de furos e usados quando a sada de uma pequena quantidade de lmen necessria. Eles s vezes tm o diodo montado em quatro eletrodos (dois ctodos, dois nodos) para melhor conduo de calor e carregar uma lente integrada. Estes LEDs so mais comumente utilizados em painis de luz, iluminao de emergncia e automotiva. Devido maior quantidade de metal no LED, eles so capazes de lidar com correntes mais elevadas (cerca de 100 mA).

3.4 Potncia x eficincia

Grfico 1- Mdia da potncia ptica de sada pela gerao de calor em diferentes nveis de corrente. 17

A partir do grfico acima pode se concluir que quanto mais potente o LED , ou seja, quanto maior a corrente permitida pelo LED menor sua eficincia ptica e maior a sua gerao de calor. Assim muitas pesquisas esto sendo desenvolvidas no mundo para aumentar a eficincia ptica dos LEDs sujeitos a correntes relativamente altas o que fundamental para a substituio de lmpadas incandescentes e fluorescentes por lmpadas feitas de LED

4. Cor e Materiais
LEDs convencionais so feitos de uma variedade de materiais semicondutores inorgnicos, a tabela 2 a seguir mostra as cores disponveis com os respectivos comprimentos de onda, queda de tenso e material.

Tabela 2: cores disponveis com os respectivos comprimentos de onda, queda de tenso e material formador Comprimento Cor de onda (nm) Arseneto de glio (GaAs) Infravermelho > 760 V < 1.9 Arseneto de glio alumnio (AlGaAs) Arseneto de glio alumnio (AlGaAs) Arseneto fosfeto de glio (GaAsP) Vermelho 610 < < 760 1.63 < V < 2.03 Fosfeto de ndio glio aluminio (AlGaInP) Fosfeto de glio(III) (GaP) Arseneto fosfeto de glio (GaAsP) Laranja 590 < < 610 2.03 < V < 2.10 Fosfeto de ndio glio aluminio (AlGaInP) Fosfeto de glio(III) (GaP) Amarelo 570 < < 590 2.10 < V < 2.18 Arseneto fosfeto de glio (GaAsP) Fosfeto de ndio glio aluminio (AlGaInP) Voltagem (V) Material Semicondutor

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Fosfeto de glio(III (GaP) Nitreto de glio Aluminio (InGaN) / Nitreto de glio (III) (GaN) 1.9[42] < V < Verde 500 < < 570 4.0 Fosfeto de ndio glio aluminio (AlGaInP) Fosfeto de glio e alumnio (AlGaP) Seleneto de zinco (ZnSe) Nitrato de ndio glio (InGaN) Azul 450 < < 500 2.48 < V < 3.7 Carbeto de silcio (SiC) como substrato Silcio (Si) como substrato (em desenvolvimento) Violeta 400 < < 450 2.76 < V < 4.0 Nitrato de ndio glio (InGaN) Duplo azul/LED vermelho, Roxa Mltiplos tipos 2.48 < V < 3.7 azul com fsforo vermelho, ou branco com plstico roxo Diamante (235 nm) Nitreto de boro (215 nm) Nitreto de alumnio (AlN) (210 nm) Ultravioleta < 400 3.1 < V < 4.4 Nitreto de glio alumnio (AlGaN) Nitreto de ndio glio alumnio (AlGaInN) (abaixo de 210 nm) Branco Espectro amplo V = 3.5 Azul/diodo UV fsforo amarelo Fosfeto de glio(III) (GaP)

Fonte: http://en.wikipedia.org/wiki/Light-emitting_diode#Colors_and_materials acessado 27/05/10

4.1 LED UV
A luz ultravioleta largamente utilizada para a esterilizao de objetos mdicos e at da gua potvel. E ela capaz tambm de destruir dioxinas e as molculas estveis dos perigosos PCBs (bifenilas policloradas), compostos altamente danosos ao meio-ambiente. 19

J existem LEDs disponveis comercialmente, capazes de emitir luz na faixa do ultravioleta, mas at um comprimento de onda de 365 nanmetros, ou seja, ainda na faixa do quase-infravermelho. UV LED que emite em 250-270 nm so esperados para dispositivos de esterilizao. Uma pesquisa recente mostrou que os LEDs disponveis comercialmente UVA (365 nm) j so eficazes dispositivos para desinfeco e esterilizao. LEDs ultravioleta so fabricados com nitreto de alumnio (AlN). O grande feito da ultilizao deste tipo de material foi dos cientistas japoneses que descobriram uma forma de dopar o AlN, que at agora tinha se mostrado altamente resistente a um aumento dos dopantes - elementos adicionados ao composto, para elevar o nmero de eltrons e lacunas, o que essencial para o funcionamento de um semicondutor.Estes LEDs so nitreto de glio alumnio, nitreto de ndio glio alumnio. Tambm existem LEDs UV feitos de diamante, nitreto de boro. Ainda cedo para se pensar na substituio das lmpadas de mercrio - atualmente utilizadas para emisso da luz ultravioleta - pelos LEDs ultravioleta. Eles ainda exigem uma tenso elevada e produzem uma luz muitssima fraca para uma operao prtica. Mas os cientistas acreditam ter ultrapassado a maior barreira, que foi a criao do novo componente. Otimiz-los, segundo eles, ser uma questo de tempo.

4.2 LED Azul

Os LEDs azuis so baseados em semicondutores de GaN e InGaN (nitreto de gliondio). Eles podem ser adicionados ao existente LEDs vermelhos e verdes para produzir a impresso de luz branca, mas hoje raramente usam LEDs brancos com este princpio. Os primeiros LEDs azuis foram feitos em 1971 por Jacques Pankove (inventor doLED 20

de nitreto de glio). Esses dispositivos tinham pouca luminosidade para ser de uso prtico. No entanto, no incio de LEDs azuis encontraram o uso em algumas aplicaes de baixa luminosidade, como os indicadores de feixe de alta qualidade para carros. Na dcada de 1980, os avanos fundamentais em GaN com crescimento epitaxial e dopagem tipo p introduziu o moderno era de GaN com base em dispositivos optoeletrnicos. Com base neste fundamento em 1993 LEDs de alto brilho azul foram feitos. At o final dos anos 1990, o LED azul se tornou amplamente disponvel.

4.3 LED Branco

Existem duas maneiras principais de produo de alta intensidade de luz branca usando LEDs. Uma delas a partir dos LEDs azuis que geram luz branca a partir de sua unio com os tradicionais LEDs vermelhos e verdes. Mas a fabricao desses LEDs hbridos ainda cara, o que tem impedido a disseminao de sua aplicao. Mas agora cientistas japoneses, do Instituto Nacional de Cincias dos Materiais, trabalhando conjuntamente com colegas da empresa Sharp, conseguiram fabricar LEDs de luz branca pura, realmente comparvel luz do Sol. E utilizando um mtodo que poder ser utilizado em escala industrial, gerando produtos de custo muito menor do que os atuais. Os cientistas utilizaram uma tcnica que mescla luz e fsforo, alcanando artificialmente o balanceamento de cores. O fsforo transforma o azul em amarelo, gerando luz branca com uma alta eficincia, praticamente o dobro da eficincia alcanada pelos LEDs atualmente no mercado. Os cientistas no deram previso de quando o novo LED dever chegar ao mercado.

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4.3.1 Sistema RGB A luz branca pode ser produzida atravs da mistura de luz colorida diferente, o mtodo mais comum usar o vermelho, verde e azul (RGB). Assim, o mtodo chamado LED branco multi-colorido (por vezes referido como LEDs RGB). Porque seu mecanismo est envolvido com dispositivos electro-pticos para controlar a mistura e difuso de cores diferentes, esta abordagem pouco utilizada para produzir luz branca. No entanto, este mtodo particularmente interessante em muitas aplicaes, devido flexibilidade de misturar cores diferentes e, em princpio, este mecanismo tem tambm maior eficincia quntica em produzir luz branca.

4.3.2 LED a base de fsforo

Este mtodo envolve revestimento de um LED de uma cor (na sua maioria feita de LED azul InGaN) com fsforo de diferentes cores para produzir luz branca, os LEDs resultantes so chamados base de fsforo. Se vrias camadas de fsforo de cores distintas so aplicadas, o espectro emitido ampliado, efetivamente aumentando o ndice de reproduo de cores (IRC) de valor de um dado LED. Estes LEDs a base de fsforo, tm uma menor eficincia do que os LEDs normais devido perda de calor e tambm outras questes relacionadas com a degradao de fsforo. No entanto, o mtodo de fsforo ainda a tcnica mais popular para a fabricao de LEDs brancos de alta intensidade. A concepo e produo de uma fonte de luz ou luminria usando um emissor monocromtico, com converso do fsforo so mais simples e mais barata do que um sistema RGB complexa, e a maioria dos LEDs brancos de alta intensidade atualmente no mercado so fabricados a base de fsforo.

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4.3.3 Outros LEDs brancos

Outro mtodo que experimental utilizado para a produo de LEDs de luz foi baseado em seleneto de zinco epitaxialmente crescido (ZnSe) sobre um substrato de ZnSe.

4.4 LED orgnicos (OLED)

Se a camada de material emissor do LED um composto orgnico, este conhecido como um diodo emissor de luz orgnica (OLED). O material pode ser uma pequena molcula orgnica em uma fase cristalina, e um polmero. Os materiais de polmero podem ser flexveis (PLEDs ou FLEDs). Comparado com LEDs regulares, os OLEDs so mais leves, e LEDs polimricos podem ter a vantagem de ser flexvel. Algumas possveis aplicaes futuras e vantagens dos OLEDs: . Barato, flexvel; . como fontes de luz; . como decoraes da parede; . como panos luminosos. OLEDs tm sido usadas para produzir indicadores visuais para dispositivos eletrnicos portteis como celulares, cmeras digitais e MP3 players. Hoje, os OLEDs operaram com eficincia substancialmente inferior aos inorgnicos (cristalinos) LEDs.

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5. CONSIDERAO PARA USO 5.1 Fontes de alimentao

Como o diodo, o LED no pode receber tenso diretamente entre seus terminais, uma vez que a corrente deve ser limitada para que a juno no seja danificada. Assim, o uso de um resistor limitador em srie com o Led comum nos circuitos que o utilizam. Para calcular o valor do resistor usa-se a seguinte frmula: R = (Vfonte-VLED)/ILED, onde Vfonte a

tenso disponvel, VLED a tenso correta para o LED em questo e ILED a corrente que ele pode suportar com segurana.

5.2 Polaridade eltrica

Como em todos os diodos, a corrente flui facilmente do tipo p para material tipo n. No entanto, nenhuma corrente flui e nenhuma luz produzida quando uma pequena voltagem aplicada na direo inversa. Se a tenso reversa se torna grande o suficiente para ultrapassar a tenso de ruptura, um grande fluxo de corrente e o LED pode estar danificado.

5.3 Segurana
As maiorias dos LEDs so seguros, porm alguns LEDs so extremamente brilhantes, podendo, em teoria, causar cegueira temporria.

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6. VANTAGENS E DESVANTAGENS 6.1 Vantagens

Eficincia: LEDs produzem mais luz por watt que as lmpadas incandescentes. Cor: LEDs podem uma cor pretendida sem a utilizao de filtros de cor do que

os mtodos tradicionais requerem iluminao. Isso mais eficiente e pode reduzir os custos iniciais. Tamanho: os LEDs podem ser muito pequenos (menores que 2 mm 2 ) e so

facilmente preenchidas em placas de circuito impresso. On / Off tempo: LEDs usados em dispositivos de comunicao podem ter

tempos de resposta mais rpido. Ciclos: LEDs so ideais para uso em aplicaes que esto sujeitas a freqentes

ciclos on-off, ao contrrio das lmpadas fluorescentes que queima mais rapidamente quando acionadas com freqncia. Perda de calor: Em contraste com a maioria das fontes de luz, os LEDs

irradiam calor muito pouco sob a forma de infravermelho (que pode causar danos aos objetos sensveis ou tecidos).A perda de energia como o calor se d atravs da base de LED. Tempo de vida: os LEDs podem ter uma vida til relativamente longa. Um

relatrio estima 35.000 a 50.000 horas de vida til, embora o tempo para completar a falha possa ser mais longo. Lmpadas fluorescentes so normalmente avaliadas em cerca de 10.000 a 15.000 horas, dependendo, em parte, das condies de utilizao, e as lmpadas incandescentes em 1000 - 2.000 horas. 25

Resistncia ao choque: LEDs, sendo componentes de estado slido, so

difceis ter danos com um choque externo, ao contrrio das lmpadas incandescentes e fluorescentes, que so frgeis. Foco: O pacote slido do LED pode ser projetado para centrar a sua luz.

Fontes incandescentes e fluorescentes geralmente requerem um refletor externo para coletar a luz e dirigi-la de uma forma utilizvel. fluorescentes. Toxicidade: LEDs no contm mercrio, ao contrrio das lmpadas

6.2 Desvantagens
Eficincia: Algumas lmpadas fluorescentes podem ser mais eficientes. Alto preo inicial: LEDs tm preos maiores, por luz, numa base de custo de

capital inicial, que as tecnologias de iluminao mais convencional. Dependncia da temperatura: O desempenho do LED depende muito da

temperatura do ambiente operacional. Durante a utilizao do LED em alta temperatura ambiente, pode resultar em superaquecimento do pacote de LED, o que leva falha do dispositivo. Sensibilidade da tenso: Deve-se fornecer uma tenso acima do limiar e uma

corrente abaixo da avaliada. Isso pode envolver resistores em srie ou fontes de alimentao de corrente regulada.

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7. APLICAES 7.1 Aplicaes Gerais

Os led so utilizado como elementos indicadores em calculadoras, aparelhos de medida, indicadores numricos de receptores de rdio, carros, televisores e muitos dispositivos eletrnicos. A tabela 3 mostra as caractersticas principais de cada tipo de LED, suas aplicaes e preos.
Tabela 3: comparao dos tipos de LEDS, suas especificaes, aplicaes e preo.

LED convencional

LED de alta luminosidade

LED branco de ultra alta luminosidade

- <200mW potncia Especificaes - 20 lm/W - 1 a 3 lm gerados -teclados de celulares Aplicaes -iluminao visor de celulares -indicadores Preo ( >10.000 unidades) US$0.10 to US$0.20/ cada

- >1 W de potncia - >30 lm/W - 5 a 30 lm gerados -iluminao de tela -iluninao do painel do carro -telas grandes

->5W de potncia ->50 lm/W - >100 lm gerados -faris de carros -iluminao geral

US$0.80 to US$2.00/ cada

US$3.00 to 100 lm/ cada

Pode-se com essa tabela ver que o preo do LED aumenta diretamente com o aumento da sua potncia, chegando um LED de luz branca de alta luminosidade custar 30 vezes o valor de um LED convencional. Abaixo segue um grfico mostrando o 27

acompanhamento do desenvolvimento dos LEDs como fonte de lmens e os produtos que foram permitidos pelo desenvolvimento da tecnologia.

Grfico 2: Nmero de Lmens vs Ano (fonte: http://apps1.eere.energy.gov/buildings/publications/pdfs/ssl/perkins_fairfax09.pdf acessado em 29/05/10)

7.2 Orgnico vs inorgnico

Os LEDs orgnicos surgiram prometendo superar rapidamente os LEDs tradicionais, principalmente pela possibilidade de sua fabricao rpida em larga escala, onde a deposio dos materiais emissores de luz feita sobre um material plstico utilizando um processo similar impresso jato de tinta. Mas nem bem as telas com LEDs orgnicos (OLEDs) comearam a chegar ao mercado, equipando equipamentos portteis, e os LEDs inorgnicos tradicionais - aqueles com os quais j estamos acostumados e que equipam virtualmente todos os equipamentos eletrnicos - resolveram dar a volta por cima. 28

A equipe do professor John Rogers, da Universidade de Illinois, nos Estados Unidos, desenvolveu um processo para criar LEDs inorgnicos minsculos e ultrafinos e que podem ser fabricados em conjunto em larga escala.

7.2.1 Vantagens dos LEDs e dos OLEDs

Em relao aos LEDs orgnicos - que levam carbono em sua composio - as vantagens dos LEDs tradicionais - feitos com semicondutores inorgnicos, sem carbono em sua composio - a maior vida til, maior robustez e confiabilidade e, principalmente, um brilho superior.

Mas os LEDs orgnicos tm suas vantagens, entre elas a fabricao em substratos flexveis e em conjuntos densos e interconectados, o que torna possvel sua instalao em superfcies irregulares, na forma de tetos ou paredes totalmente iluminadas e at mesmo em janelas semitransparentes. As TVs de LED orgnico possuem uma resoluo de imagem melhor e uma possibilidade de aparelhos menos espessos que a LED TV.

7.3 LED TV
Nas LED TVs, os LEDs so usados para iluminar a tela de cristal lquido por meio de inmeros bulbos de luz que podem ser ligados e desligados de acordo com a intensidade de cor necessria em uma determinada imagem, proporcionando mais claridade, contraste e reproduo de cores. O LCD um lquido que fica preso entre dois pratos e que muda quando uma corrente eltrica aplicada. Do mesmo modo que voc precisa apertar um boto para enxergar no escuro as horas em um relgio digital, as telas de LCD precisam de uma luz de fundo, porque no emitem luz nenhuma. Hoje, as LCDs usam tubos de lmpada fluorescente do tipo CCFL (neon um bom exemplo de CCFL), dispostos horizontalmente atrs da tela para iluminar o LCD. 29

O LED utilizado para substituir as lmpadas fluorescentes das LCDs. Existem duas maneiras de usar LEDs para iluminar a tela de uma TV LCD: ou colocando-os em toda a parte traseira da tela, como um painel (iluminao direta, direct lit), como mostrado na figura 12, ou posicionando-os nas bordas na tela (iluminao de permetro ou edge lit).

Fig 12: Painel de LED usado para iluminao direta em tevs de LCD

Como a luz de LED pode ter cores variadas, o segredo no uso eficiente da tecnologia nos televisores est em escolher que tipo de luz de LED usar para iluminar a LCD e obter os melhores resultados em brilho e contraste. Uma das possibilidades a iluminao com LEDs brancos. O LED branco muito parecido com o CCFL, porque usa uma fonte de luz azul que feita para parecer branca pela presena de enxofre no revestimento do bulbo. A poro verde do espectro de cores mais forte nesses casos. A outra opo so os LEDs coloridos (RGB dinmico), potencialmente capazes de uma gama de cores mais ampla. Os RGBs usam trs LEDs coloridos vermelho, azul e verde, proporcionando uma distribuio mais equilibrada do espectro de cores. O uso de LEDs RGB oferece uma paleta de cores 45% mais ampla na criao de imagens, garantindo maior eficcia na reproduo de tonalidades de cores [inovao], pois permite escurecer reas especficas do local escuro na tela. Isso pode mostrar verdadeiros negros, brancos e em muita maior razo de contraste dinmico, ao custo de menos detalhes em pequenos objetos brilhantes sobre um fundo escuro, como campos de estrelas. 30

Fig 13: LED TV com iluminao dinmica ( dir.), as imagens ficam muito mais ntidas e o contraste muito maior do que numa TV LCD convencional ( esq.)

Na iluminao de permetro, a maior vantagem est na possibilidade de fabricar aparelhos incrivelmente finos, j que os LEDs esto dos lados, em cima e embaixo, como uma moldura, e no atrs de todo o painel de LCD. Mas justamente porque os LEDs no esto espalhados em todo o painel, voc perde a capacidade de desligar partes da luz de fundo para obter melhor contraste, e a qualidade da imagem tambm sofre se a luz no for suficientemente bem dispersa.

fig 14: Painel de LED usado para iluminao direta em tevs de LCD

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As LED TVs so ecologicamente corretas. A tecnologia dispensa o uso de mercrio no processo de fabricao dos aparelhos. O mercrio um metal pesado perigoso para o meio ambiente e capaz de provocar danos ecolgicos irreparveis quando usado em massa. Alm disso, as LED TVs consomem 40% menos energia eltrica, quando comparadas com um aparelho LCD convencional Primeiro televisor LCD com luz de fundo de LED foi lanado pela Sony, em 2004. Vale ressaltar que apesar do nome LED TV, os novos televisores no passam de tevs LCD que usam luz de LED para iluminar a tela de cristal lquido. Portanto, o uso do nome LED mais uma jogada de marketing do que uma TV realmente de LED. A tecnologia LED captura as cores naturais da vida real com a produo de pretos mais pretos, brancos mais vivos e forte contraste entre cores escuras e vvidas. Um display 100% de LED pode ser visto em estdios, na Times Square, em Nova York, e nas ruas de Tquio, como mostra a figura 15. Eles so realmente grandes. E justamente por essa razo que uma TV 100% LED no caberia em nossas casas. A menos, claro, que tivssemos uma sala de cinema. Comparado ao tamanho do pixel de uma TV LCD normal, o bulbo do LED enorme. E para formar imagens realsticas, com todos os contrastes e gama de cores, seria preciso muitos bulbos e um gerenciamento de liga e desliga LEDs realmente eficaz. Enquanto uma TV LCD de 42 polegadas custa em torno de R$ 3 mil, uma LED TV de mesmo tamanho custa muito mais que o dobro. Se as LED TVs j so consideradas um avano em tecnologia para televiso, imagine uma fonte de luz que usa pixels autoiluminados. o caso das OLED TVs, esta sim, a nova gerao de televisores.

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Fig 15: Painis 100% de LED

7.4 OLED TV
Em outubro de 2007, a mesma Sony lanou sua primeira OLED TV. Enquanto a LED necessita de um bulbo para tornar a luz visvel e utilizvel, a OLED usa compostos orgnicos que se auto iluminam, dispensando bulbos ou lmpadas fluorescentes para iluminar a tela. Com isso, possvel usar a tecnologia na fabricao de displays ultrafinos, com poucos milmetros de espessura, e at flexveis. Um display de OLED feito de trs a cinco camadas de compostos orgnicos (baseados em carbono), que so colocadas em uma camada de vidro acrlico duro, material que tambm protege os delicados materiais internos, como mostrado na figura 16 abaixo. Os compostos orgnicos do material emitem luz vermelha, verde e azul em resposta a uma corrente eltrica. Tudo isso 200 vezes mais fino que um fio de cabelo.

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Fig 16: camadas de compostos orgnicos presentes no OLED em TVs

A TV OLED se sobressai em nveis de preto e contraste. Comparada com uma LED TV, a OLED TV tem uma taxa de contraste mais de 100 vezes maior. Nos displays OLED, cada pixel contm elementos vermelhos, verdes e azuis, que trabalham em conjunto para criar uma paleta com milhes de cores. Como cada pixel contm todos os elementos necessrios para produzir cada cor do espectro, a informao reproduzida mais precisamente com a tecnologia OLED do que com a LED TV. Resultado: cores mais ricas e mais realsticas, brilho e contraste excepcionais e maior ngulo de viso.

Fig 17: OLED TV 34

Os primeiros aparelhos OLED j esto disponveis nos mercados americano, europeu e japons, mas ainda no h previso de quando chegaro ao Brasil. Seu preo estimado em uma TV grande seria de mais que o dobro de uma de LED.

8 CONCLUSO
Os LEDs so uma verdadeira revoluo tecnolgica na eletrnica. Fazem vrios trabalhos e so encontrados em todos os tipos de aparelhos. Eles formam os nmeros em relgios digitais, transmitem informaes de controles remotos, iluminam relgios e informam quando suas ferramentas esto ligadas. Agrupados, eles podem formar imagens em uma tela de televiso gigante e fina. Espera-se que eles venham a revolucionar a iluminao como um todo, substituindo as atuais lmpadas fluorescentes e incandescentes. Mas diferentes de lmpadas incandescentes comuns eles no tm filamentos que se queimam e no ficam muito quentes. Alm disso, eles so iluminados somente pelo movimento de eltrons em um material semicondutor, e duram tanto quanto um transistor padro A utilizao dos LEDs, pode significar uma grande economia de energia no mundo inteiro, bem como um reduo no impacto ambiental, uma vez que uma energia limpa, agredindo menos o ambiente.

9 Webgrafia
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35

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http://www.inovacaotecnologica.com.br/noticias/noticia.php?artigo=leds-ultrafinos-abremnovas-possibilidades-iluminacao-telas-dobraveis&id=010115090825, acessado 29/05/10 http://eletronicos.hsw.uol.com.br/led.htm, acessado 30/05/10 http://eletronicos.hsw.uol.com.br/led-tv2.htm, acessado 30/05/10 http://eletronicos.hsw.uol.com.br/led-tv.htm, acessado 29/05/10 http://www.inovacaotecnologica.com.br/noticias/noticia.php?artigo=010110060412, acessado 29/05/10 http://en.wikipedia.org/wiki/LED_TV, acessado 30/05/10 http://en.wikipedia.org/wiki/Light-emitting_diode#Technology, acessado em 30/05/10 http://www.inovacao.unicamp.br/report/noticias/index.php?cod=56, 28/05/10 http://www1.folha.uol.com.br/folha/informatica/ult124u691073.shtml, 28/05/10 acessado em

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http://www.demar.eel.usp.br/eletronica/aulas/Diodos.pdf, acessado em 29/05/10 http://cnx.org/content/m1011/latest/, acessado em 29/05/10 http://www.inovacaotecnologica.com.br/noticias/noticia.php?artigo=leds-mais-baratos-eliminado-componente-mais-caro-em-sua-fabricacao&id=010110080725 acessado em 29/05/10 http://gasolinando.wordpress.com/2009/06/01/leds/, acessado em 30/05/10 http://apps1.eere.energy.gov/buildings/publications/pdfs/ssl/perkins_fairfax09.pdf, acessado em 31/05/10

10 Bibliografia
CALLISTER Jr., W.D.: Cincia e engenharia de materiais: uma introduo, quinta edio, LTC, Rio de Janeiro, 2002. 36