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Les transistors effet de champ

I/ Prsentation
Un transistor effet de champ est un composant semi-conducteur (qui conduit sur commande) comme cest le cas pour un transistor bipolaire. Un transistor effet de champ jonction, se nomme TEC en franais et JFET en anglais [Junction Field Effect Transistor]). Principe : Contrler laide dune tension (champ lectrique) la forme et donc la conductivit dun canal dans le matriau semi-conducteur. Le transistor est compos : - une lectrode qui injecte les porteurs dans la structure : la source (Source). - une lectrode qui recueille les porteurs : le drain (Drain). - une lectrode ou est appliqu la tension de commande : la grille (Gate). Il est constitu d'un barreau semi-conducteur uniformment dop (de type P ou N), constituant le canal.

JFET de type Canal N

JFET de type Canal P

ID

ID

D G

VDS

D G

VDS

VGS

VGS

Notes : Notes : sens du courant : drain ---> source, donc le drain est un potensens du courant : source ---> drain, donc le drain est un potentiel positif par rapport la source => VDS > 0 V tiel ngatif par rapport la source => VDS < 0 V la jonction grille canal est polarise en inverse donc la grille doit tre un potentiel ngatif par rapport la source => VGS < 0 V la jonction grille canal est polarise en inverse donc la grille doit tre un potentiel positif par rapport la source => VGS > 0 V

On considre que la commande de ce type de transistor effet de champ se fait par l'application d'une tension Grille Source : - VGS ngative dans le cas d'un type N, - VGS positive dans le cas d'un type P. L'espace drain-source reoit une tension de polarisation (tension VDS). Remarques concernant les courants : En fonctionnement normal, la jonction Grille-Canal est polarise en inverse : Le courant dentre IG est donc ngligeable. Le courant de Drain et de Grille sont donc identiques (ID = IS = Courant du canal).
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II/ Principe de fonctionnement

ID

Courbe VGS = 0V

IDSS En labsence de tension VGS : Le canal drain-source conduit proportionnellement avec laugmentation de la tension VDS (Le transistor se comporte comme une rsistance) [Zone Ohmique ]
Pour une certaine valeur de VDS, le courant de drain ID cesse de crotre et devient constant. C'est la tension de pincement ou Vp (tension de pinch-off) qui correspond au courant de saturation ID que lon apelle IDSS [Zone de saturation ]

Courbe VGS = 0V

VDS VP

En prsence dun tension VGS : Si maintenant on applique une tension VGS l'espace grille-source (polarisation de la jonction en inverse) et que l'on relve, comme prcdemment, la valeur de ID en fonction de VDS, on constate pour ce courant, des valeurs plus faibles. La tension Vp est atteinte plus tt et correspond un courant ID moins lev que IDSS. Cette nouvelle tension Vp' est gale : Vp' = Vp - VGS Plus VGS augmente, plus le courant ID diminue. A partir d'un certain seuil de VGS, le courant ID s'annule. On considre gnralement que le courant ID devient gal zro pour : VGS = Vp. Tout se passe comme si le champ lectrique, cr par la tension de polarisation inverse de la jonction grille-source, diminuait la largeur de conduction du canal (effet de pincement du canal). C'est la zone de dpltion ou d'appauvrissement.

VP

Pincement du canal sous leffet de la tension VGS

Note sur le phnomne davalanche : Le phenomena davalanche est destructeur pour le transistor. Il sagit en fait de la destruction de la jonction Drain-Grille. [Zone davalanche ] Il est caractris par une tension davalanche note BVDG [Break-Down Voltage Drain Grille] Cette tension est donne pour la relation suivante : BVDG = VDS + VGS

Ordre de grandeur : Selon les types de transistors, Vp s'chelonne entre 0,5 et 15 volts. La tension BVDG varie entre 3 et 25 fois Vp, toujours en fonction du type de transistor.

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III/ Utilisation du transistor JFET :


Sur le mme principe quun transistor bipolaire utilis en commutation, le transistor effet de champ peut se comporter comme un interrupteur command en tension. DEUX ETATS POSSIBLES :

INTERRUPTEUR

JFET de type Canal N


D G

JFET de type Canal P


D G

VDS
G

VDS

D G S

VGS

OUVERT

VGS

Conditions : VGS > VP (avec VGS ngatif ) VDS positif (sens de conduction) Note : Rsistance RDSOFF = Trs grande
D G

Conditions : VGS > VP (avec VGS positif) VDS ngatif (sens de conduction) Note : Rsistance RDSOFF = Trs grande
D

VDS
G

ID

VGS

FERME

VGS

Conditions : VGS =OV VDS positif (sens de conduction) Note : Rsistance RDSON = quelques ohms

Conditions : VGS =OV VDS ngatif (sens de conduction) Note : Rsistance RDSON = quelques ohms

IV/ Transistor M.O.S


Un transistor M.O.S. (Mtal-Oxyde Semi-conducteur) est un transistor de type effet de champ (comme le TEC). La diffrence avec le TEC consiste en labsence dune jonction entre la Grille et le canal. En effet une couche de Mtal+Oxyde isole la grille du canal. Il existe trois types de transistors M.O.S. Ceux dont le canal est appauvrissement et ceux dont le canal est enrichissement sous leffet de la tension VGS et un dernier type qui est la combinaison des deux. IV.1 Les transistors M.O.S enrichissement

Structure dun transistor MOS enrichissement de type N Principe : Lapplication dune tension VGS positive permet de crer un canal entre le Drain et la Source. laissant le passage un courant ID. Aux variations de la tension VGS correspondent des variations du courant ID. En absence de tension VGS, le courant ID est quasi nul.
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ID

VDS

IV.2 Les transistors M.O.S appauvrissement

Structure dun transistor MOS appauvrissement de type N Principe : En absence dune tension VGS, le transistor est conducteur (comme pour le TEC). En effet il existe dans ce cas un canal en absence de tension VGS qui conduit le courant ID. Lapplication dune tension VGS Ngative permet dappauvrir le canal qui devient moins conducteur jusqu le bloquer compltement. IV.3 Les transistors M.O.S enrichissement ET appauvrissement Principe : Ce type de transistor effet de champ fonctionne selon les deux modes (effets combins): Enrichissement, Appauvrissement. Par conception, ce transistor est lgrement conducteur (canal mince) pour une tension VGS=0. Une tension VGS Positive aura un effet denrichissement du canal (plus conducteur) Une tension VGS Ngative aura un effet dappauvrissement du canal (moins conducteur)

Caractristique dun transistor M.O.S enrichissement ET appauvrissement


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V/ Symbole des transistors JFET et M.O.S


Ci-dessous la reprsentation symbolique des diffrents types de transistors effet de champ.

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VI Notes :
Paramtres du transistor MOSFET : Vgs : c'est la tension entre la grille du transistor, quivalent la base d'un bipolaire, et la source. Il faut noter que pour un transistor MOS, le respect de ce paramtre est crucial, car autrement, on risque le claquage du transistor. Idss : courant circulant entre le drain et la source: c'est le courant continu maximal qui peut circuler sans destruction du composant. La plupart des datasheets de ces transistors dcrivent le courant max en pointe, pendant une priode de temps trs court. Rdson : c'est la rsistance srie entre le drain et la source, pour une tension VGS (grille source) donne. On veillera ce que la puissance gnre dans cette rsistance soit dissipe par le botier du transistor: P=RI. Vds : C'est la tension drain source maximale avant destruction du composant. Vth : C'est le seuil du MOS Ciss : Capacit d'entre: capacit de grille. en cas d'ajout d'une rsistance de grille, on veillera ce que le filtre RC passe bas ainsi cr, ne gne en rien quant au bon fonctionnement du circuit. Coss : Capacit de sortie

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