FUNDACION UNIVERSIDAD DE LAS AMRICAS PUEBLA

Grafeno: utopa futurista o esperanza del progreso? Pensamiento y lenguaje

Evelin Jacob PC-114-38 Diego Rosas Villalva Otoo 2011 ID 143697

Pgina |1

La industria electrnica

basada en el silicio est llegando a sus lmites de

miniaturizacin, la ley de Moore empricamente establece aproximadamente que cada ao y medio se duplica la cantidad de transistores por rea dentro de un microprocesador y por tanto se duplica velocidad de cmputo de los microchips, por desgracia las tcnicas y materiales actuales impiden que esta ley siga cumplindose. El grafeno es un nuevo material cuyas propiedades tanto metlicas como semiconductoras prometen cambiar la forma de produccin de la electrnica, mejorar la calidad de los productos, reducir el precio al pblico y por tanto permitir que las personas de distintos estratos sociales tengan mayor acceso a los nuevos dispositivos electrnicos, y finalmente, encaminar el desarrollo tecnolgico hacia un futuro ms sustentable. No obstante existen una serie de barreras que hay que vencer antes de lograr la implementacin del grafeno en dispositivos comerciales, entre ellos los costos de obtencin, propiedades, mtodos de procesamiento, y ms importante an, cmo afectara este cambio la manera en la que los procesadores hacen el cmputo de la informacin, tal vez abandonaramos el sistema binario, con 2 estados lgicos, al cual estamos acostumbrados para dar lugar a la computacin cuntica. Finalmente queda mencionar que los productores de dispositivos electrnicos basados en el silicio prefieren seguir usando este material debido a su abundancia en la corteza terrestre y al dinero que han invertido en las tcnicas para el procesamiento de este elemento. Sin embargo si desean seguir explotando el mercado de la industria electrnica, tarde o temprano tendrn iniciar el uso del grafeno y otros materiales avanzados, con el fin de cubrir las demandas del nuevo software y de los usuarios. Mi principal motivacin es la reciente aparicin de diferentes dispositivos electrnicos con aplicaciones de grafeno para mejorar su funcionamiento o eficiencia, los cuales an no son comerciales. Esta investigacin tiene como objetivo no solo enlistar y analizar las barreras hacia la implementacin del grafeno en dispositivos comerciales, sino que busco que sea fcil de leer para un pblico con conocimientos bsicos o muy generales en el

Pgina |2

campo de la nanotecnologa o la microelectrnica, incluyndome yo en este sector, de esta manera pienso que es posible aumentar el inters de las personas en este mundo fascinante y si no lo logro, espero apaciguar temores o dudas existentes respecto al tema. Bsicamente hago una investigacin acerca de las tcnicas ms recientes de produccin del grafeno, esto es desde el 2008 hasta noviembre de 2011 y hago una ligera comparacin con tcnicas de procesamiento de materiales convencionales en la industria microelectrnica, en el periodo entre 1998 y 2004 ya que en estas fechas se dieron los ltimos saltos importantes en las tcnicas mencionadas. El grafeno es una estructura laminar formada por tomos de carbono distribuidos de forma hexagonal, tal como en un panal de abejas. El grafeno, como elemento estructural componente del grafito es el material ms conductor y resistente que existe en la actualidad y estas caractersticas lo hacen un futuro sustituto del silicio en la fabricacin de chips en la electrnica integrada. (Torres-silva, H. LpezBonilla J.L., 2011). Algunas de las caractersticas prometedoras del grafeno son la alta movilidad de los electrones dentro de su estructura que es casi 10 veces mayor que en el silicio, su baja resistencia que es aproximadamente 35% menor que la del cobre, dureza ms fuerte que la de un diamante y ofrece transporte balstico1 (Joydeep Basu et al. 2010). Desde mi punto de vista, uno de los logros ms trascendentes fue la creacin del primer transistor de grafeno, en el 2009 un equipo de investigadores descubri que podan estirar la hoja de grafeno para crear huecos y evitar el recorrido de los electrones, y de esta manera el grafeno adquira un comportamiento semiconductor (DYNA Ingeniera E Industria,2009), pero fueron investigadores de IBM quienes lograron el primer transistor de grafeno sobre una capa de Carburo de Silicio mediante epitaxia de grafeno; dicho transistor era capaz de funcionar a velocidades

Fenmeno en el cual los electrones no presentan resistencia en su recorrido a travs de un medio, si se quita la corriente el medio deja de transportar electrones a diferencia de la superconductividad que sigue transportando electrones aun si se deja de aplicar la corriente.

Pgina |3

de 100 GHz, esto supera por mucho el desempeo del transistor actual ms rpido de Arseniuro de Galio (Joydeep Basu et al. 2010). Otros dispositivos electrnicos basados en grafeno son los electrodos transparentes que pueden tener aplicaciones en celdas solares y pantallas transparentes y flexibles; ultracapacitores como alternativa de las bateras recargables, estos pueden almacenar ms energa, son ms ligeros y confiables; sensores qumicos y biolgicos, ya que una simple molcula adsorbida en la superficie del grafeno causa cambios bruscos en su comportamiento y se ha demostrado que la estructura del grafeno dopada con tomos de fosforo, nitrgeno o boro aumentan la sensibilidad de esta; sistemas nano electromecnicos, gracias a las excelentes propiedades mecnicas del grafeno como su flexibilidad, ligereza y dureza; memorias no voltiles etc. (Joydeep Basu et al. 2010). El grafeno no sustituir al Silicio de los componentes y dispositivos comerciales hasta dentro de unos 12 aos, es decir, hasta que no alcancemos un punto muerto en nuestros procesos de fabricacin y no podamos miniaturizar ms nuestros diseos. Si bien las investigaciones marchan a buen ritmo, el uso del grafeno implicara cambios en los procesos de fabricacin (y en los instrumentos utilizados) que tendran que mejorarse sustancialmente. (Meindl) Pero Qu impide que en la actualidad estos dispositivos sean comerciales?, Cules son los procesos que se deben cambiar para llevar a cabo dicha sustitucin? Y Qu ventajas ofrece el grafeno con respecto al silicio y los materiales actuales? Para responder a las cuestiones planteadas, es necesario observar y comparar los mtodos de obtencin del grafeno as como los procesos de manufactura de los actuales dispositivos electrnicos basados en silicio. Los mtodos para la obtencin de grafeno, con sus ventajas y desventajas son los siguientes (Joydeep Basu et al 2010). Exfoliacin mecnica: en este proceso se usan cintas adhesivas para unir hojuelas de grafito a una fotorresistencia y posteriormente pegar y despegar la cinta,

Pgina |4

de esa forma se forman capas de grafeno las cuales posteriormente son separadas de la fotorresistencia con una solucin de acetona y puestas en una hoja de SiO2 que permite que el grafeno sea observado fcilmente bajo un microscopio ptico, este proceso es el que produce el grafeno de mejor calidad desafortunadamente no es una tcnica escalable2. Grafeno derivado qumicamente: esta tcnica resulta mucho ms rpida y escalable que la anterior y podra satisfacer los requerimientos industriales son embargo las propiedades elctricas se ven afectadas, debido a que en este mtodo se oxidan las capas de grafito para posteriormente unirse entre s y formar grafeno y dicha oxidacin forma puntos de defectos dentro de la estructura los cuales impiden la correcta circulacin de los electrones a travs del material. Epitaxia de grafeno: la mayor ventaja de esta tcnica es su compatibilidad con la tecnologa CMOS actual y su escalabilidad, lo cual permitira incorporar al grafeno en la industria de semiconductores. En esta se cuece una capa de carburo de silicio monocristalino sobre la cual se forma el grafeno. Deposicin qumica en fase de vapor: Esta es una de las alternativas ms econmicas y que produce grafeno con una calidad similar al que se produce por exfoliacin mecnica. Para ello se utiliza una capa delgada de algn metal en la cual por se graba un patrn de hendiduras mediante procesos de litografa y posteriormente en estas se colocan capas de grafeno mediante deposicin qumica. Cada una de estas tcnicas produce grafeno con propiedades conductivas y mecnicas superiores a las del silicio, sin embargo su produccin resulta costosa y tardada. Podemos comparar estas tcnicas de obtencin de grafeno con las usadas para procesar el silicio, una de las ms comunes es el micromaquinado de superficie en el cual se depositan delgadas capas de diferentes sustratos mediante deposicin qumica en fase de vapor a baja presin (LPCVD), algunas de dixido de silicio poli
2

Caracterstica que permite que una tcnica pueda generar un producto en cantidades grandes o pequeas dependiendo de la cantidad de materias primas que se tenga.

Pgina |5

cristalino o de arseniuro de galio para formar el circuito y otras de un vidrio de fosfosilicato como capas sacrificiales en inicio sirven como soporte para las capas superiores y posteriormente sern removidas mediante grabado de plasma (Bustillo et al, 1998). Los problemas con esta tcnica son las propiedades mecnicas del dixido de silicio mono y poli cristalino es muy frgil, adems la tensin residual provocada por el proceso de post coccin a 950 Celsius disminuye la velocidad de procesamiento de este. Un proceso novedoso propuesto por George Whitesides es la Litografa suave en la cual por mtodos convencionales de litografa o micromaquinado a granel, se grava un patrn sobre un sustrato, el cual sirve como negativo del circuito que se desea generar, posteriormente este se humedece en una tinta molecular del material con el que se desea generar el nuevo circuito, este material ha sido previamente preparado para adherirse al negativo mediante interacciones dbiles tales como la electrosttica o fuerzas de Van der Waals y posteriormente se coloca sobre el sustrato que servir como soporte para el circuito. La principal ventaja de esta tcnica es su bajo costo ya que puede crearse una plantilla la cual se usa para generar copias de un mismo circuito; por lo cual su aplicacin a la manufactura reducira los costos pues en lugar de grabar directamente el patrn sobre un cada placa de sustrato, estamos usando un sello para copiar el mismo patrn en un gran nmero de placas. Un buen reto sera encontrar la manera de aplicar esta tcnica al procesamiento del grafeno para generar chips con este material, sin embargo a pesar de lo ingenioso de esta tcnica, la escalabilidad an se ve limitada por un factor importante, la longitud de onda de la radiacin electromagntica, ya que las tcnicas de litografa generalmente estn basadas en el uso de medios pticos para la creacin de los patrones, es decir utilizacin de luz. La longitud de onda de la luz visible esta entre los 750 nm y los 400 nm, a longitudes de onda ms pequeas se encuentra la luz ultravioleta, y posteriormente

Pgina |6

los rayos X; y aunque podramos pensar que para reducir el tamao de los patrones generados en un sustrato bastara con disminuir la longitud de onda de la radiacin electromagntica, esta accin podra comprometer la integridad del sustrato, ya que a menor longitud de onda la energa de la radiacin es mayor la cual puede romper enlaces qumicos o incluso arrancar electrones de la estructura interna del tomo. C. Casiraghi, et al. Propusieron en octubre de 2011 un mtodo en el cual mediante un enlace andico3 unen una capa de vidrio borosilicato con oblea de silicio, produciendo as enlaces covalentes Si-O-Si los cuales pueden ser remplazados por capas de grafeno, este mtodo es usado para aplicaciones de electrodos transparentes en celdas fotovoltaicas y pantallas transparentes. Pienso que esta tcnica es ineficiente ya que en el mismo artculo es mencionada la baja eficiencia del mtodo, ya que el grafeno producido es apenas de 10 m y este tiene una gran cantidad de defectos que impiden el correcto transporte de electrones a travs de la estructura y es de mayor opacidad, propiedad que aunque lo hace eficiente para su caracterizacin en un tcnicas de microscopia, afecta su desempeo en pantallas transparentes y celdas solares, adems las obleas que se usaron no pueden ser reutilizadas ya que el vidrio de borosilicato pierde la suavidad de su estructura. Publicaciones previas han demostrado que la deposicin qumica en fase de vapor es una buena alternativa, sin embargo en esta an dependemos de un sustrato rgido sobre el cual llevar a cabo el crecimiento del grafeno, el cual se lleva a cabo a altas temperaturas disminuyendo la calidad del grafeno y en ocasiones conforma una estructura tridimensional en lugar de una bidimensional(Torres-silva, H. Lpez-Bonilla J.L.,2011), no conforme con eso el sustrato limita la cantidad de grafeno producido y posterior a este proceso es necesario traspasarlo del sustrato de origen a otro en el cual se pueda utilizar.

Tcnica que se usa para unir mediante enlaces qumicos 2 lminas de metal y silicio o cristal y silicio presionndolas una contra la otra y aplicando un potencial elctrico.

Pgina |7

Para resolver el problema de las altas temperaturas y el tamao, Stephan Hofmann, et al. Propusieron usar una aleacin de oro y nquel como catalizador4 para disminuir la temperatura de cocido a 450 Celsius lo cual produce una cubierta de una mono capa de grafeno para aproximadamente el 74% de la superficie del sustrato. En cuanto al problema para traspasar el grafeno a otro sustrato, en junio del 2010 Iijima Sumio et al presentaron una tcnica en la cual usaban deposicin qumica en fase de vapor para producir sobre un sustrato de flexible de cobre capas individuales de grafeno de hasta 30 pulgadas y posteriormente mediante rodillos el grafeno es transferido a un polmero que sirve de soporte para su aplicacin en electrodos transparentes, con los cuales se pudiesen construir pantallas flexibles y celdas solares ms eficientes.

Figure 1 (Iijima Sumio, et al, 2010) Hay tres pasos esenciales en la transferencia de rollo a rollo (fig. 1): (i) adhesin del polmero de soporte al grafeno en el papel de cobre, (ii) remover las capas de cobre; y (iii) soltar las capas de grafeno y transferirlo al sustrato final. En el paso de la adhesin, la pelcula de grafeno, crecida en el papel de cobre, es unido a una delgada pelcula de polmero, la cual est recubierta con una capa adhesiva, hacindolos pasar entre 2 rodillos, en el paso siguiente, las capas de cobre son removidas mediante una reaccin electroqumica con una solucin acuosa 0.1 molar de persulfato de amonio (NH4)2S2O8. Finalmente las pelculas de grafeno son transferidas del polmero de soporte en el sustrato final, removiendo las fuerzas que
4

Sustancia que disminuye la energa y tiempo necesario para que se lleve a cabo una reaccin quimia sin alterar los productos.

Pgina |8

sostienen las pelculas de grafeno (Iijima Sumio, et al, 2010, la traduccin es ma) Segn J. M. tour et al, con quien estoy de acuerdo, an quedan muchos problemas de calidad por resolver en las tcnicas de manufactura de grafeno, tales como opacidad, conductividad, tamao e impurezas adems de que debemos de encontrar mejores mtodos de dopado para el grafeno ya que la conductividad del grafeno sin dopar es finita(Torres-silva, H. Lpez-Bonilla J.L., 2011), sin embargo este material resulta mucho ms viable que la aleacin de Oxido de estao e Indio, ya que las tcnicas de manufactura resultan ms escalables para el grafeno adems de que este material es ms fcil de reciclar. (Stephan Hofmann, et al. 2011) Ahora cambiando a otro tipo de dispositivos, que desde mi perspectiva resultan ms interesantes por sus aplicaciones en la computacin, encontr una mayor serie de retos en las tcnicas de manufactura, ya que esta vez no solo hay que producir y trasladar el material de un sustrato a otro, esta vez los cientficos se enfrentan a la difcil tarea de acomodar el material de tal manera que pueda ser utilizado como una especie de interruptor automtico dicho a groso modo, hablo de los dispositivos semiconductores y transistores de efecto de campo5. Si queremos aplicar el grafeno en transistores de efecto de campo quiz la primera cuestin que debemos resolver es cmo controlar el comportamiento semiconductor o conductor del grafeno En el grafeno, aspectos tan simples como la forma de sus orillas, la morfologa de la superficie o impurezas, afecta drsticamente el comportamiento y propiedades

Imaginemos que somos electrones dentro de un chip, y nos encontramos dentro encerrados dentro de una seccin, algo as como un cuarto, para poder pasar a otro cuarto necesitaramos atravesar un pasillo muy largo lo cual solo lograremos con el impulso de otros electrones. Esta es una metfora con un transistor de efecto de campo, el cual sera el cuarto, al cual ingresamos a travs de una de las compuertas de este conocido como fuente, el transistor tiene otra compuerta, conocida como base, por el cual entraran los electrones que nos darn impulso para poder pasar finalmente por la tercera compuerta, conocida como emisor hacia otro transistor; este proceso se lleva a cabo miles de millones de veces dentro de un procesador de computadora, este es el famoso cdigo binario de las computadoras, un electrn pasando de un transistor a otro representa un 1 y un electrn que no pasa representa un 0, la combinacin de todos estos unos y ceros finalmente se traducen en informacin que podemos visualizar en nuestra pantalla.

Pgina |9

de la estructura, y haciendo provecho de esta caracterstica, Novaes, FD, R Rurali, y P Ordejon proponen que: los nanotubos pueden ser usados como interconexiones para transmitir seales entre 2 dispositivos basados en grafeno de la misma manera que los cables metlicos lo hacen entre los transistores tradicionales basados en silicio. (2010, La traduccin es ma)

Figura 2 (a)

Figura 2(b)

La unin covalente de los nanotubos de carbono y las hojas de grafeno puede adquirir comportamientos metlicos o semiconductores dependiendo de la forma en la que se unen. Fig. 2(b) las uniones (4,4) dan un comportamiento conductor a la hoja, las uniones (8,0) dan comportamiento semiconductor a la hoja. Parece que este esquema satisface la tpica forma de un circuito, por desgracia es solo un modelo terico que ha sido probado mediante simulaciones computacionales, y es que aunque el modelo suena perfecto para el reemplazo del silicio, los nanotubos de carbono apenas miden alrededor de un nanmetro de dimetro, la nica forma de manipular materia a esa escala es mediante un microscopio de fuerza atmica6 o uno de tunelaje7.

Microscopio que usa una punta del grosor de un tomo para recorrer la superficie de un material detectar las interacciones dbiles entre ella y el material, para as recrear mediante una computadora una imagen con relieves, con esta tcnica se pueden observar y manipular tomos individuales. 7 Efecto mediante el cual una partcula por ejemplo puede atravesar una barrera energtica, un microscopio aprovecha este efecto para recorrer la superficie de un material metlico o semiconductor de la misma manera que lo hace en microscopio de fuerza atmica. Tambin permite manipular tomos individuales.

P g i n a | 10

Hasta ahora he abordado la aproximacin top-down de la manufactura, la cual est basada en la miniaturizacin de materiales para hacer chips, pero la verdadera revolucin en todo el cambio de los medios de produccin hacia una mayor eficiencia est en la otra aproximacin de la manufactura, el verdadero campo de aplicacin de la nanotecnologa, la aproximacin bottom-up, cuyo principal herramienta es el autoensamblaje molecular. El auto-ensamblaje est basado en el uso de molculas como bloques de construccin que mediante las interacciones que rigen el mundo molecular, como puentes de hidrogeno, interacciones electrostticas, fuerzas de Van der Waals, o interacciones hidrofbicas, se organizan automticamente en estructuras ms grandes y complejas. Las desventajas de esta tcnica es que el diseo es impreciso, pues no podemos controlar directamente la formacin de las estructuras, y los fundamentos estn en proceso de investigacin y descubrimiento. Un ejemplo de auto-ensamblaje son las molculas de fulereno8 C60, la cual se forma naturalmente en el holln despus de la combustin de una fuente rica en carbono (Madou, Marc J., 2004, P. 453).

Molcula formada por tomos de carbono dispuestas en una red de hexgonos y pentgonos de la misma manera que las costuras de un baln de futbol.

P g i n a | 11

Representaciones computacionales generadas mediante ChemBio 3D de la molecula de fulereno C60 en el modelo de esferas y cilindros (Izquierda) y modelo de llenado de espacio (derecha). A pesar de lo dificil de las tcnicas bottom-up algunos pioneros se atreven a llevar a cabo los primeros dispositivos transistores de efecto de campo incluyendo grafeno en este y un nanocable auto-alineado como compuerta base. Xiafeng duan et al desde el 2010, presentaron un dispositivo en el cual usan platino como las compuertas fuente y emisor, y un nanocable de silicio de dicobalto y trioxido de dialuminio en una estructura core-shell9 como la compuerta base, una monocapa de grafeno sobre un sustrato de dioxido de silicio como material semiconductor. Debido al efecto de corto canal10 de los transistores de efecto de campo, se requiere mayor presicin en la fabricacin de las compuertas, aqu es donde la compuerta base se auto-alinea para evitar defectos de fabricacin. A pesar de lo ingeniosa que me parece esta ultima propuesta, el dispositivo aun posee materiales inorganicos, hasta ahora los modelos y tcnicas abordadas en la investigacin, siguen usando materiales diferentes del grafeno. Anota, E. Chigo, y A. Jurez Rodrguez en 2008 hacen simulaciones sobre las propiedades

electrnicas de las hojas de grafeno y las de nitruro boro en la BUAP, posteriormente R. V. Gorbachev, et al en 2011 presentan, en la universidad de Manchester, un modelo de sndwich en el cual se coloca una hoja de grafeno entre dos hojas de nitruro boro para su uso como semiconductor en transistores. De nuevo este es un dispositivo hibrido. Ahora queda claro que la principal barrera de la implementacin del grafeno es simple, tenemos el material pero no conocemos las tcnicas precisas para su manipulacin. Si bien el procesamiento del silicio resulta caro, es eficiente por el momento y lo seguir siendo por lo menos durante otros 12 aos como afirma James Meindl, Antes que veamos un procesador construido con grafeno, seguramente,
9

Nanoestructura hibrida que tiene un material interno recubierto por otro material diferente. Al disminuir el tamao de la compuerta en un transistor, este puede funcionar bien a cantidades pequeas de voltaje, sin embargo si aumentamos el voltaje la compuerta empezara a comportarse como una resistencia que disminuir cada vez ms la corriente que pasa a travs de ella.
10

P g i n a | 12

pasemos por una fase en la que se utilicen ambos materiales, grafeno y Silicio. Incluso en la produccin de electrodos transparentes basados en grafeno se hizo presente la dependencia de sustratos metlicos para la produccin. Como un comentario alentador, parece ser que las investigaciones van por buen camino, cada vez se proponen mtodos ms eficientes que los 4 mencionados al principio en el artculo de Joydeep Basu et al. En general podemos mencionar que las reas de oportunidad a mejorar en la produccin del grafeno son: Los mtodos de obtencin deben ser ms rpidos y confiables. Buscar materiales ms apropiados y Optimizar la fabricacin mediante el diseo asistido por computadora CAD, para generar patrones ms precisos. (Joydeep Basu et al, 2010) Finalmente, al igual que Marc J. Madou, pienso que la transicin al grafeno como consecuencia tendr un cambio en la forma en la que se aplican las fuerzas de produccin en las empresas, las cuales ahora estarn sustentadas en la aplicacin del conocimiento para relacionar biotecnologa con nanotecnologa, pues la idea del auto-ensamblaje parte de la forma en la que las estructuras biolgicas se reconoces entre s para replicarse. Tambin habr un impacto en los modelos econmicos pues las empresas se encaminaran a buscar fuerza intelectual en vez de fuerza de trabajo. (Madou, Marc J, 2004, p456) Ahora con este pequeo pedazo de conocimiento sera bueno formularnos la pregunta Dnde estaremos nosotros en el momento en el que se lleve a cabo esta transicin y que tan preparados estaremos para afrontarla?

Bibliografa de obras consultadas y citadas Anota, E. Chigo, and A. Jurez Rodrguez. "Propiedades Electrnicas De La Hoja De Grafeno Vs. Hoja De Nitruro De Boro: Una Investigacin Por Simulacin. (Spanish)." Revista Cubana De Fisica 25.2B (2008): 106-110. Academic Search Complete. Web. 14 Nov. 2011.

P g i n a | 13

Basu, Joydeep, Jayanta Kumar Basu, and Tarun Kanti Bhattacharyya. "The Evolution Of Graphene-Based Electronic Devices." International Journal Of Smart & Nano Materials 1.3 (2010): 201-223. Academic Search Complete. Web. 4 Nov. 2011. Bustillo, James et al. Surface Micromachining for Microelectromechanical systems. 8 de Agosto de 1998. IEEE Xplore. 18 de Agosto de 2010. C Casiraghi, et al. "High-Yield Production And Transfer Of Graphene Flakes Obtained By Anodic Bonding." Acs Nano 5.10 (n.d.): 7700-7706. Science Citation Index. Web. 22 Nov. 2011. Iijima Sumio, et al. "Roll-To-Roll Production Of 30-Inch Graphene Films For Transparent Electrodes." Nature Nanotechnology 5.8 (2010): 574-578. Academic Search Complete. Web. 22 Nov. 2011. JM Tour, et al. "Rational Design Of Hybrid Graphene Films For High-Performance Transparent Electrodes." Acs Nano 5.8 (n.d.): 6472-6479. Science Citation Index. Web. 8 Nov. 2011. Madou, Marc J. Fundamentals of Microfabrication: The science of miniaturization. United States of America:CRC Press, 2004 Meindl, James D. grafeno.com. 20 de septiembre de 2011. 21 de noveimbre de 2011. Novaes, FD, R Rurali, and P Ordejon. "Electronic Transport Between Graphene Layers Covalently Connected By Carbon Nanotubes." Acs Nano 4.12 (n.d.): 7596-7602. Science Citation Index. 4 Nov. 2011. R. V. Gorbachev, et al. "Tunable Metal-Insulator Transition In Double-Layer Graphene Heterostructures." (2011): arXiv. Web. 4 Nov. 2011 Stephan Hofmann, et al. "In Situ Characterization Of Alloy Catalysts For LowTemperature Graphene Growth." Nano Letters 11.10 (2011): 4154-4160. MEDLINE with Full Text. Web. 8 Nov. 2011. Torres-silva, H. Lpez-Bonilla J.L. Aspectos Quirales Del Grafeno. (Spanish)." INGENIARE - Revista Chilena De Ingeniera 19.1 (2011): 67-75. Academic Search Complete. Web. 14 Nov. 2011. "Un Equipo International Da Un Paso Ms Hacia La Creacin De Un Chip De Grafeno Ms Eficiente. (Spanish)." DYNA - Ingeniera E Industria 84.9 (2009): 715. Fuente Acadmica Premier. Web. 14 Nov. 2011. Xiangfeng Duan, et al. "High-Speed Graphene Transistors With A Self-Aligned Nanowire Gate." Nature 467.7313 (2010): 305-308. MEDLINE with Full Text. Web. 8 Nov. 2011.