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Composants actifs semi-conducteurs

Rsum
Aprs les passifs, une autre catgorie dlments semi-conducteurs utilise deux jonctions pour
constituer des composants actifs : Ce sont les transistors, dclins en deux technologies principales.
Dabord les transistors bipolaires utilisent linteraction de deux jonctions pour assurer
lamplification du courant inject dans la broche de commande, la base. Une fois indiqu le principe
de fonctionnement, les symboles des deux types dlments qui coexistent, NPN ou PNP, et la
polarisation adapte chacun deux, les caractristiques statiques de fonctionnement sont dcrites
(NPN seulement). Cest loccasion dy dceler un comportement linaire favorable aux utilisations
en amplification et un autre, o est atteinte la saturation par accumulation des charges, adapt aux
applications en commutation. Dans les deux cas les lois de fonctionnement conduisent au modle
simplifi adapt. En raison des charges stockes, la commutation sintresse plus spcifiquement
la dfinition des dures de transition entre les deux tats. Mais ce type de transistor peut aussi tre
utilis autour dun point de fonctionnement o son comportement est linaire. On y dfinit
alors un modle quivalent dynamique (schma et lois de comportement), en loccurrence
hybride, qui relie les grandeurs dentre et de sortie du composant.
Une autre technologie utilise toujours deux jonctions, mais pour lesquels la largeur dun canal est
contrle par une tension. Suivant le type du canal, N ou P, on dfinit deux types de transistors :
NMOS ou PMOS. Une fois dfinis les symboles, on sattache particulirement au transistor
canal N au travers de sa caractristique statique (le comportement de lautre est symtrique en ce qui
concerne le signe des grandeurs). L aussi, deux modes de fonctionnement sont dcrits, linaire
ou en commutation. Si le premier mode sapparente une rsistance commande en tension,
lautre dfini deux tats, bloqu ou passant, conduisant un modle de type interrupteur contrl
en tension. Enfin, pour clturer la description, le comportement dynamique utilis en amplification
est abord au travers du modle quivalent ce transistor.


Sommaire
I. Introduction...........................................................................................................2
II. Transistor bipolaire ..............................................................................................2
II.1. Constitution Symbole ..................................................................................................2
II.2. Elments sur le fonctionnement (transistor NPN) ............................................................2
II.3. Polarisation et caractristiques statiques.........................................................................3
II.4. Les deux modes de fonctionnement statique du transistor...............................................4
II.5. Fonctionnement linaire ................................................................................................4
II.6. Fonctionnement en commutation...................................................................................4
II.6.1. Deux tats ............................................................................................................................. 4
II.6.2. Commutations du transistor................................................................................................... 4
II.7. Comportement dynamique : schma quivalent basse frquence (BF) ............................5
II.7.1. Point de repos et variations.................................................................................................... 5
II.7.2. Modle quivalent hybride .................................................................................................... 5
II.8. Mthodologie dtude des montages transistors ..........................................................6
III. Transistor MOSFET ..............................................................................................7
III.1. Constitution Symbole .................................................................................................7
III.2. Elments sur le fonctionnement (canal N)......................................................................7
III.3. Caractristiques statiques..............................................................................................8
III.4. Fonctionnement en commutation..................................................................................8
III.5. Comportement dynamique : schma quivalent basse frquence (BF) ...........................9
III.5.1. Point de repos et variations................................................................................................... 9
III.5.2. Modle quivalent ................................................................................................................ 9
IV. Bibliographie.......................................................................................................9

YC sc2-actifs.doc janvier 03 V 1.3 1 / 9 Composants actifs semi-conducteurs

I. Introduction
De par leurs proprits lectriques, les semi-conducteurs peuvent tre assembls pour constituer
des composants qui entrent dans la ralisation des fonctions lectroniques. De manire gnrale, on
dit quils sont passifs si lnergie quils absorbent est positive. Sils en dlivrent, on dit quils sont actifs.
Dans cette classification, ce document aborde les composants actifs semi-conducteurs.


II. Transistor bipolaire
II.1. Constitution Symbole
Le transistor bipolaire est obtenu en enserrant un barreau semi-conducteur entre deux du type
oppos. On obtient ainsi deux possibilits : transistor NPN ou PNP. Les noms, les dfinitions des
broches et les symboles sont indiques la Figure 1 et la Figure 2. Les broches ainsi constitues ne
sont pas changeables car les dopages sont diffrents (N ou P pour le collecteur et plus dense, N+
ou P+, pour lmetteur).


P N
Base
Emetteur Collecteur
N+



N P
Base
Emetteur Collecteur
P+


Base
Emetteur
Collecteur



Base
Emetteur
Collecteur

Figure 1 : Transistor NPN. Figure 2 : Transistor PNP.
Remarque : un bon moyen pour se souvenir des symboles, la flche rappelle le symbole de la
diode basemetteur.

II.2. Elments sur le fonctionnement (transistor NPN)
Les deux types de transistors ont des fonctionnements totalement symtriques (et similaires). Ltude
est alors limite au transistor NPN (Figure 3). Lextension au PNP est obtenue par permutation des
symboles de broches et des signes des tensions et courants (Figure 4).


i
B

V
CE
V
CB

V
BE
i
E

i
C




i
E

i
C

i
B

V
CB

V
BE

V
CE


Figure 3 : Notations pour le transistor NPN. Figure 4 : Notations pour le transistor PNP



N+ N
e


P
Collecteur Base Emetteur
Jonction en direct Jonction en inverse
i
B

i
E
i
C

e


E
r
Mouvement naturel des
porteurs majoritaires
Acclration due au
champ E
r
intense
e


v
CB
v
BE


En fonctionnement normal, la jonction
metteur-base est polarise en direct et la
jonction base-collecteur en inverse (Figure 5).
La jonction BE voit lmetteur injecter
massivement dans la base (par diffusion) des
lectrons majoritaires en raison du dopage N+.
Or, la faible paisseur de la base ne laisse pas
le temps ces porteurs pour se recombiner
avec les trous prsents dans cette zone.
Figure 5 : Structure du transistor NPN.

Sous leffet du champ lectrique intense base-collecteur, ces lectrons sont propulss dans le
collecteur. Il en rsulte un courant dans lmetteur i
E
plus important que celui dans la base i
B
car
nettement accentu par l jection : on assiste une amplification en courant.

YC sc2-actifs.doc janvier 03 V 1.3 2 / 9 Composants actifs semi-conducteurs

II.3. Polarisation et caractristiques statiques
Avec les notations de la Figure 6 (tous les courants sont dans le sens rel) :
C B E
i i i + = [E1] (comme un nud)
Pour chacun des transistors, les deux jonctions sont polarises par des sources de tension comme
lindique la Figure 6 pour le NPN et la Figure 7 pour le PNP.


R
C

R
B

+
+
v
BE

v
CE

i
C

i
B




R
B

R
C

+
+
v
BE
0
v
CE
0
i
C

i
B


Figure 6 : Polarisation du transistor NPN. Figure 7 : Polarisation du transistor PNP.

Avec le montage adapt, on relve les caractristiques du transistor NPN indique la Figure 8.
Aux signes prs, les rsultats sont similaires pour le transistor PNP

v
BE
v
CE
v
CE
i
C
i
B1
i
B5
i
B4
i
B1
i
B2
i
B3
i
B5
i
B
v
CE
Hyperbole de
dissipation maximale

Figure 8 : Caractristiques de fonctionnement du transistor.
Caractristique de sortie
Caractristique de
transfert en courant
Caractristique dentre
Caractristique de
transfert en tension

Les tensions et courants appliques au composant sont toujours positifs. Les caractristiques
utilisent cette proprit en traant 4 axes, un par grandeur tudie : i
B
, i
C
, v
BE
et v
CE
. Les autres sont
secondaires, mais peuvent tre dduites de ces 4 l.
On distingue 4 rseaux de courbes :
Caractristiques dentre, i
B
= f(v
BE
) paramtre par v
CE
,
caractristique dune diode en direct. La tension v
BE
est donc une tension de seuil ( 0,7V) ;
Caractristiques de sortie, i
C
= f(v
CE
) paramtre par i
B
,
pour diffrentes valeurs de i
B
, i
C
et v
CE
sont lis proportionnellement dans la limite de la
puissance maximale du composant (P
max
= cte, do lhyperbole de dissipation maximale) ;
Caractristiques de transfert en courant, i
C
= f(i
B
) paramtre par v
CE
,
traduit le fait que les courants i
B
et i
C
sont proportionnels ;
Caractristiques de transfert en tension, v
CE
= f(v
BE
) paramtre par i
B
,
indique que v
CE
volue peu pour v
BE
maintenue constante.

De lexploitation des caractristiques prcdentes, on peut distingue les deux applications du
essentielles transistor :
les courants i
C
et i
B
sont proportionnels, cest le domaine du fonctionnement linaire.
lautre cas apparat lorsque lon augmente i
B
. La relation de linarit disparat pour faire
place la saturation du courant de collecteur, cest le domaine du fonctionnement non
linaire, satur ou tout ou rien.
YC sc2-actifs.doc janvier 03 V 1.3 3 / 9 Composants actifs semi-conducteurs


II.4. Les deux modes de fonctionnement statique du transistor

i
C

i
B
Fonctionnement
linaire
Fonctionnement
non linaire
Droite i
C
= i
B

Linaire saturation

En utilisant le schma de la Figure 6, on relve le
courant i
C
en fonction de i
B
. Le courant i
C
crot
dabord proportionnellement i
B
, puis sinflchit pour
ne plus augmenter : Cest la saturation. On ne peut
alors plus caractriser le fonctionnement par une
relation linaire (Figure 9).
Dans le domaine linaire, on utilise les proprits
damplification en courant du transistor. Dans
lautre cas, on ne distingue plus que deux cas
extrmes traduisant un fonctionnement en tout ou
rien ou en commutation, particulirement utilis dans
les composants logiques.
Figure 9 : Phnomne de saturation.

II.5. Fonctionnement linaire
Lien entre les courants : i [E2]
B C
i =
o est le coefficient damplification en courant du transistor (souvent trs grand)
La tension v
BE
est celle applique la jonction B-E : elle est quasi constante en conduction.
Avec les relations [E1] et [E2] prcdentes, on obtient : [E3] car i
C B B E
i i i i + = ) 1 (
B
<< i
C


II.6. Fonctionnement en commutation
II.6.1. Deux tats
Deux cas se prsentent :
i
B
est nul, donc i
C
aussi.
Aucun courant ne circule dans le collecteur, le transistor est bloqu ;
i
B
est tel que i
C
naugmente plus
cest le courant de saturation I
Csat
fix par la source, le transistor est passant.
Les Figure 10 et Figure 11 rsument les informations essentielles pour ce fonctionnement.


i
B
= 0
v
CE
= V
alim

v
BE
0 i
E
0
I
C
( = i
C0
) 0


i
B
> I
C
/
v
CE
(=V
CEsat
) 0,4V
v
BE
0,7V
i
E
i
C
( V
alim
/R
C
) = I
Csat

Figure 10 : Transistor bloqu. Figure 11 : Transistor passant ou satur.

II.6.2. Commutations du transistor
Le passage de ltat satur ltat bloqu (ou inversement) ne seffectue pas instantanment. Ce
phnomne doit tre systmatiquement tudi si les commutations sont frquentes (fonctionnement
frquence leve), car il engendre des pertes dynamiques importantes (Figure 12).

A la fermeture (transition off-on)
Un retard de croissance de i
C
apparat la saturation. On dfinit le temps de retard (delay time)
not t
d
et le temps de croissance (rise time) not t
r
.
La tension V
CE
est alors impose par le circuit extrieur (charge, alimentation) et par lallure de i
C
.
A louverture (transition on-off)
Le courant de collecteur i
C
ne sannule pas instantanment. On dfinit le temps de stockage
(storage time), not t
s
, correspondant lvacuation des charges stockes (ce temps dpend du
coefficient de saturation .i
B
/i
Csat
) et le temps de descente (fall time) not t
f
.

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0
v
CE

t
0
t
i
C

Saturation
0
i
B

I
Csat

I
Bsat

0
p
T

t
t
t
d
t
r
t
s
t
f


Figure 12 : Dfinitions des temps relatifs la commutation du transistor bipolaire.

Remarque : dans la pratique, les instants de changement ne sont pas clairement dtermins.
Pour en tenir compte, les temps sont dfinit pour 10% et 90% de la valeur finale.

II.7. Comportement dynamique : schma quivalent basse frquence (BF)
II.7.1. Point de repos et variations
Pour son utilisation en amplificateur, on recherche les proprits linaires du transistor. Il est
donc ncessaire de se placer en un point de la caractristique autour duquel le comportement est
linaire. Ce point est le point de repos, il correspond la composante continue de la grandeur ;
tandis que la composante alternative rend compte des variations autour de ce point.
Lors des tudes, les grandeurs lectriques sont dissocies en la somme de la composante continue
et de la composante variable :
v
CEtotale
(t) = V
CE0
+ v
CE
(t) avec V
CE0
= <v
CEtotale
(t)> soit v
CE
(t) = v
CEtotale
(t) V
CE0
;
i
Ctotal
(t) = I
C0
+ i
C
(t) avec I
C0
= <i
Ctotal
(t)> ;
v
BEtotale
(t) = V
BE0
+ v
BE
(t) avec V
BE0
= <v
BEtotale
(t)> soit v
BE
(t) = v
BEtotale
(t) V
BE0
;
i
Btotal
(t) = I
B0
+ i
B
(t) avec I
B0
= <i
Btotal
(t)>.
Par commodit, les tudes sont menes en considrant des variations sinusodales (autour du
point de repos).

II.7.2. Modle quivalent hybride
Les grandeurs dynamiques sont dfinies en variations autour du point de repos.
Relations


Quadriple
Transistor
bipolaire
i
B
i
C
v
BE
v
CE

Le montage incluant le transistor peut tre reprsent
par son quadriple quivalent (Figure 13) rgit par les
relations :

+ =
+ =
CE B C
CE B BE
v h i h i
v h i h v
22 21
12 11

Figure 13 : Quadriple de T.

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Matrice et paramtres hybrides
Ces relations peuvent aussi scrire sous forme matricielle :
(

=
(

CE
B
C
BE
v
i
h h
h h
i
v
22 21
12 11
avec est la matrice hybride du transistor.
(

=
22 21
12 11
h h
h h
H
Les paramtres h
ij
sont les paramtres hybrides du transistor :
h
11
est limpdance dentre quand v
CE
est nulle (sortie en court-circuit) ;
h
12
est la raction (rtroaction) de la sortie sur lentre ;
h
21
est le gain en courant () quand v
CE
est nulle (sortie en court-circuit) ;
h
22
est ladmittance de sortie
La matrice hybride du transistor le caractrise totalement en basse frquence.

Schma quivalent


h
12
v
CE

i
B
i
C

v
BE
v
CE
1/h
22

h
11

h
21
i
B


La modlisation hybride
conduit au schma quivalent du
transistor en basse frquence
(Figure 14).
Figure 14 : Schma quivalent basse frquence.
Remarques
1. En haute frquence, le transistor est dcrit suivant un modle similaire mais faisant
intervenir les capacits parasites du transistor (partie non aborde dans ce document).
2. Les diffrents paramtres apparaissent sur les caractristiques du transistor (Figure 15).


v
BE
i
C

i
B
v
CE

Pente h
11

h
12
. v
CE
h
22
. v
CE
Pente h
21

Pente 1/h
11

Pente h
22


Figure 15 : Paramtres hybrides visibles sur les caractristiques linarises du transistor.

Modle et schma simplifi

i
B
i
C

v
BE
v
CE
h
11
h
21
i
B


Dans la pratique, ladmittance h
22
est
trs faible (impdance leve) et se
comporte comme un circuit ouvert. La
raction de la sortie sur lentre est
pratiquement inexistante (h
12
0). Le
schma quivalent linaire simplifi
apparat la Figure 16.
Figure 16 : Schma quivalent simplifi BF.

II.8. Mthodologie dtude des montages transistors
Pour tous les montages linaires transistors, on applique une mthode dtude identique :
Dissocier le comportement statique et tudier le point de repos (polarisation) ;
Utiliser un modle linaire pour tudier le montage en petits signaux autour du point de
repos. On en dduit le comportement du montage : amplification en tension, en courant,
impdances dentre et de sortie, etc.

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III. Transistor MOSFET
III.1. Constitution Symbole
Le transistor MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) est obtenu en crant
un canal semi-conducteur sur un substrat du type oppos. On obtient ainsi deux possibilits :
transistor canal N ou canal P.
On construit le transistor partir dun substrat (B) de type P ou N. On y diffuse deux rgions trs
fortement dopes complmentaires au substrat : le drain (D) et la source (S). Sur la surface entre ces
deux rgions, une oxydation du silicium permet de constituer un isolant sur lequel on dpose une
grille mtallique. En appliquant une tension approprie entre la grille et le substrat, on amnage un
canal du type oppos au substrat et qui relie le drain et la source. La Figure 17 illustre le rsultat
pour un transistor MOS canal N (associe son symbole) et la Figure 18 pour un MOS canal
P. Pour reprer le type du transistor, il faut noter que la flche prcise le sens de la jonction canal
substrat (comme une diode).


N+ N+
Drain (D)
Substrat (B)
Source (S) Grille (G)



Substrat (B)
Source (S) Grille (G)
P+
N
P+

Drain Grille
Source
Substrat


Drain Grille
Source
Substrat

Figure 17 : MOS canal N (NMOS). Figure 18 : MOS canal P (PMOS).
P
Drain (D)

III.2. Elments sur le fonctionnement (canal N)
Notons dabord quil ny a jamais de conduction entre le substrat et le canal car le transistor est
polaris de manire toujours bloquer la diode canal-substrat. Pour cela, le substrat est plac au
potentiel le plus faible pour le canal N et le plus lev pour le canal P.
Pour crer le canal N, le potentiel de la grille du NMOS est positif (v
GS
> 0, Figure 19). Pour le
canal P, cest le contraire (v
GS
< 0, Figure 20). Les deux fonctionnements tant symtriques, seul le
canal N est dcrit.
La grille forme un condensateur avec le substrat. Elle est place un potentiel positif qui attire des
charges ngatives pour constituer un canal entre le drain et la source. Aucun courant ne circule donc
dans la grille. Le transistor est polaris en tension. La tension v
GS
contrle la quantit de charges dans
le canal, ce qui modifie sa rsistivit : la rsistance du canal est contrle par la tension v
GS
.


D
G
S
B
v
GS

v
DS
i
D




D
G
S
B
v
GS
v
DS

i
D


Figure 19 : Notations pour le NMOS. Figure 20 : Notations pour le PMOS.

YC sc2-actifs.doc janvier 03 V 1.3 7 / 9 Composants actifs semi-conducteurs

III.3. Caractristiques statiques


i
D

v
DS
v
GS

V
GS
= V
T

V
P

Le courant i
D
reste nul tant que la tension
v
GS
reste infrieure une tension de seuil v
T
.
Au-del, le courant i
D
crot propor-
tionnellement v
DS
. Le transistor se comporte
comme une rsistance R
DS
on commande
par v
GS
. A partir dune tension dite de
pincement , le courant naugmente plus.
Ce fonctionnement est traduit par la
caractristique de la Figure 21. Tensions et
courants sont toujours positifs. La simplicit
de fonctionnement de ce transistor ne
ncessite quun seul quadrant de
description.
Figure 21 : Caractristiques de
fonctionnement du transistor NMOS.

De lexploitation des caractristiques prcdentes, on distingue deux modes de fonctionnement :
Le courant i
D
est proportionnel la tension v
GS
, cest le domaine du fonctionnement
linaire (en rsistance commande).
Le courant i
D
reste constant (il nest plus proportionnel v
GS
). Cest un phnomne de
saturation typique du fonctionnement en commutation ou bloqu-passant.

III.4. Fonctionnement en commutation
Lexploration des domaines extrmes de la caractristique fait apparatre un fonctionnement
bloqu-satur :
La tension v
GS
est nulle, le canal est ferm (rsistance de plusieurs G) et se comporte
comme un interrupteur ouvert. Cest ltat bloqu.
Dans lautre cas, une tension suprieure V
P
ouvre compltement le canal procurant une
rsistance quivalente faible (quelques k). Le transistor est quivalent un interrupteur
ferm.
Ce mode de fonctionnement rend ce transistor apte aux applications en commutation dans les
composants logiques (technologies MOS et CMOS).


D
G
S
V
GS
= 0
V
DSoff
= V
alim

I
D
= 0



D
G
S
V
GS
> 0
V
DSon
0
I
D
0

Figure 22 : Transistor MOS bloqu. Figure 23 : Transistor MOS passant.

Sur le plan temporel, le transistor MOS souffre aussi de retards durant les phases de commutation.
Cependant, cette technologie ne fait pas appel au stockage de charges. Ceci conduit des temps de
retard (t
d
) et de stockage (t
s
), ainsi que des temps de monte (t
r
) et de descente (t
f
) beaucoup plus
faibles que pour les technologies bipolaires.

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III.5. Comportement dynamique : schma quivalent basse frquence (BF)
III.5.1. Point de repos et variations
Comme pour le transistor bipolaire, on recherche les proprits linaires du transistor. Pour
cela, on polarise le transistor pour se placer au point de repos. A partir de l, on raisonne en
variations autour de ce point : v
GS
(t), i
G
(t) = 0 (impdance dentre trs grande), v
DS
(t) et i
D
(t).

III.5.2. Modle quivalent
Les grandeurs dynamiques sont dfinies en variations autour du point de repos. Le transistor
apparat alors comme un quadriple linaire indiqu sur la Figure 24.
En basse frquence, le courant de grille, trs faible, conduit une impdance dentre trs grande
(infinie), un transfert en tension (v
GS
) de gain g et une conductance de sortie (g
s
= i
D
/v
DS
) plutt
faible car le courant de drain crot trs peu au del de V
p
. On en dduit le schma quivalent basse
frquence du transistor MOS (Figure 25).


Quadriple
Transistor
MOS
i
G
i
D

v
GS
v
DS




i
G
= 0 i
D

v
GS
v
DS
g
s
0 g v
GS


Figure 24 Figure 25 : Schma quivalent BF.

Remarque : en haute frquence, le transistor est dcrit suivant un modle similaire mais
faisant intervenir les capacits parasites du transistor (partie non aborde dans ce document).


IV. Bibliographie
Philippe Leturcq et Grard Rey. Physique des composants actifs semiconducteurs. Dunod.
1978. ISBN 2-04-010385-6.
J.-D. Chatelain. Dispositifs semi-conducteurs. Trait 3E. Dunod. 1979.
J.-D. Chatelain et R. Dessoulavy. Electronique tome 1. Trait 3E. Dunod. 1979.

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